KR102475705B1 - 전자 간섭 억제체를 구비하는 장치 - Google Patents

Abstract

본 발명의 장치(1)는, 잠재적인 노이즈를 방사할 수 있는 잠재적 노이즈 방사원(2)과, 잠재적인 노이즈를 수신할 수 있는 잠재적 노이즈 수신부(3)과 전자 간섭 억제체(4)를 구비하고 있다. 전자 간섭 억제체(4)는, 금속 연자성 편평분말을 결합제로 결합하여 이루어지는 시트형상의 것이다. 전자 간섭 억제체(4)에는, 복수의 슬릿(5)이 형성되어 있다. 전자 간섭 억제체(4)는, 잠재적 노이즈 방사원(2)과 잠재적 노이즈 수신부(3)에 걸치도록 설치되어 있다.

Description

전자 간섭 억제체를 구비하는 장치{DEVICE EQUIPPED WITH ELECTROMAGNETIC INTERFERENCE SUPPRESSION BODY}

[0001] 본 발명은, 금속 연자성 편평분말(扁平粉)을 결합제로 결합하여 이루어지는 시트형상의 전자 간섭 억제체를 구비하는 장치에 관한 것이다.

[0002] 이러한 종류의 전자 간섭 억제체로서는, 예컨대, 특허문헌 1에 개시된 것이 있다. 특허문헌 1의 전자 간섭 억제체의 표면에는, 유연성을 부여하기 위해, 파선(破線) 형상의 절입(切入)이 형성되어 있다.

[0003] 일본 특허공개공보 제2011-49406호 일본 특허공개공보 H11-118732호

[0004] 본 발명은, 상술한 바와 같은 전자 간섭 억제체의 새로운 이용 방법과 이에 기초하는 구성을 구비하는 장치를 제공하는 것을 목적으로 한다.

[0005] 본 발명의 발명자들은, 연구 결과, 다음과 같은 점을 알게 되었다. 1) 2개의 전송로와 같이 일방(一方)이 잠재적인 노이즈를 방사할 수 있는 잠재적 노이즈 방사원이고 타방(他方)이 그 잠재적인 노이즈를 수신할 수 있는 잠재적 노이즈 수신부인(일방이 타방에 영향을 줄 수 있는) 경우에, 잠재적 노이즈 방사원과 잠재적 노이즈 수신부에 걸치도록 전자 간섭 억제체를 배치함으로써, 일방으로부터 타방으로의 간섭을 억제할 수가 있다. 2) 슬릿이 없는 전자 간섭 억제체의 경우, 주파수에 따라 간섭 억제 효과를 얻을 수 없는 경우가 있지만, 슬릿을 형성하면 비교적 넓은 주파수에 걸쳐 간섭 억제 효과를 얻을 수가 있다.

[0006] 본 발명의 발명자들은, 본 연구 결과에 근거하여, 다음과 같은 추정을 하였다. a) 상술한 전자 간섭 억제체는, 면내 방향으로 비교적 높은 유전율(誘電率)을 가지고 있다. b) 이러한 높은 유전율에 기인하여 전자 간섭 억제체 내에 전계가 유도되어, 그 전계에 의해 잠재적 노이즈원과 잠재적 노이즈 수신부가 결합되어 있을 가능성이 있다. c) 슬릿을 형성하면, 전계가 분단되고, 이에 따라, 상술한 전계에 의한 결합이 억제된다. d) 전자 간섭 억제체에 대해서 면내 방향의 실효적인 유전율이 500 이하가 될 때까지 슬릿을 형성(즉, 다수의 슬릿을 형성)하면, 상술한 결합 억제 효과를 보다 확실히 얻을 수 있다는 점을 통해서도, 해당 추정은 타당한 것으로 예상된다.

[0007] 다른 한편으로, 전자 간섭 억제체의 용도 중 하나에, 신호와 함께 신호선로 상에 전달되는 전도 노이즈의 제거가 있다. 구체적으로는, 전도 노이즈의 제거를 위해서는, 전자 간섭 억제체를 회로 기판의 신호선로 상에 부착한다. 특허문헌 1의 전자 간섭 억제체는, 이러한 부착시에, 부착 대상에 요철(凹凸)이 있는 경우라 하더라도 적절히 부착할 수 있는 것이다. 그러나, 신호선 상에 전자 간섭 억제체를 부착하면 전도 노이즈는 제거할 수 있지만, 신호선로 상에 전달되는 신호의 주파수에 따라서는, 전자 간섭 억제체를 부착하기 전에 비해 복사(輻射) 노이즈가 반대로 증가하고 마는 경우가 있다. 본 발명의 발명자들은, 이러한 복사 노이즈도 또한, 전자 간섭 억제체의 높은 유전율에 기인하여 전계가 유도되고, 그 때문에 주파수에 따라서는 복사 노이즈가 증가한 것으로 추정하였다. 이러한 추정에 근거하면, 전자 간섭 억제체에 슬릿을 형성하여 면내 방향으로 유기(誘起)되는 전계를 분단하면, 복사 노이즈를 억제할 수가 있다. 즉, 슬릿의 형성에 의해 면내 방향으로 유기되는 전계를 적절히 분단하면, 회로 기판 주위로의 전계의 확대를 억제할 수 있는 동시에, 회로 기판에 유기되는 커먼 모드(common mode) 전류의 증가를 억제하여 복사 노이즈의 증가를 억제할 수가 있다. 실험과 고찰의 결과, 면내 방향의 실효적인 유전율이 500 이하가 될 때까지 슬릿을 형성(즉, 다수의 슬릿을 형성)하면, 상술한 바와 같은 효과를 얻을 수 있음을 발견하였다.

[0008] 본 발명은, 상술한 추정과 지견에 근거하는 것이며, 구체적으로는, 이하에 나타내는 전자 간섭 억제체 및 회로 기판을 제공한다.

[0009] 본 발명의 일 측면은, 제1 장치로서, 잠재적인 노이즈를 방사할 수 있는 잠재적 노이즈 방사원과, 상기 잠재적인 노이즈를 수신할 수 있는 잠재적 노이즈 수신부와, 전자 간섭 억제체를 구비하는 장치를 제공한다. 상기 전자 간섭 억제체는, 금속 연자성 편평분말을 결합제로 결합하여 이루어지는 시트형상의 것이다. 상기 전자 간섭 억제체에는, 복수의 슬릿이 형성되어 있다. 상기 전자 간섭 억제체는, 상기 잠재적 노이즈 방사원과 상기 잠재적 노이즈 수신부에 걸치도록 설치되어 있다.

[0010] 또, 본 발명의 다른 측면은, 제1 전자 간섭 억제체로서, 신호선 상에 배치되는 전자 간섭 억제체를 제공한다. 상기 전자 간섭 억제체는, 금속 연자성 편평분말을 결합제로 결합하여 이루어지는 시트형상의 것이다. 상기 전자 간섭 억제체에는, 면내 방향의 실효적인 유전율이 500 이하가 되도록, 복수의 슬릿이 형성되어 있다.

[0011] 본 발명의 또 다른 측면은, 신호선을 갖는 동시에 상술한 제1 전자 간섭 억제체를 상기 신호선 상에 배치하여 이루어지는 제2 장치를 제공한다.

[0012] 본 발명에 의하면, 슬릿에 의해 전자 간섭 억제체 내에 생기는 전계를 분단하여, 잠재적 노이즈 방사원과 잠재적 노이즈 수신부 간의 결합을 넓은 주파수대역에서 억제할 수가 있다.

[0013] 또, 본 발명에 의하면, 슬릿에 의해 전자 간섭 억제체 내에 생기는 전계를 분단하여, 신호선이 형성되어 있는 회로 기판에 유기되는 커먼 모드 전류의 증가를 억제할 수 있으며, 이에 따라, 복사 노이즈의 증가를 억제하는 동시에 넓은 주파수 범위에서 전자 간섭을 억제할 수가 있다.

[0014] 첨부의 도면을 참조하면서 하기의 최선의 실시형태의 설명을 검토함으로써, 본 발명의 목적이 올바르게 이해될 것이며, 또한 그 구성에 대해 보다 완전히 이해될 것이다.

[0015] 도 1은 본 발명의 제1 실시형태에 의한 전자 간섭 억제체를 구비하는 장치를 모식적으로 나타내는 도면이다.
도 2는 본 발명의 실시예 1의 측정계(測定系)를 나타내는 도면이다.
도 3은 본 발명의 실시예 1에 의한 장치의 효과를 나타내는 그래프이다.
도 4는 본 발명의 제2 실시형태에 의한 전자 간섭 억제체를 구비하는 장치(회로 기판)를 모식적으로 나타내는 사시도이다.
도 5는 본 발명의 실시예 2에 의한 전자 간섭 억제체의 효과를 나타내는 그래프이다.

[0016] 본 발명에 대해서는 다양한 변형이나 여러 가지 형태로 실현하는 것이 가능하지만, 그 일례로서, 도면에 나타내는 것과 같은 특정한 실시형태에 대하여, 이하에 상세히 설명한다. 도면 및 실시형태는, 본 발명을 여기에 개시한 특정한 형태로 한정하는 것이 아니며, 첨부하는 청구범위에 명시되어 있는 범위 내에 있어서 이루어지는 모든 변형예, 균등물, 대체예를 그 대상에 포함하는 것으로 한다.

[0017] (제1 실시형태)

도 1을 참조하면, 본 발명의 제1 실시형태에 의한 장치(1)는, 잠재적인 노이즈를 방사할 수 있는 잠재적 노이즈 방사원(2)과, 잠재적인 노이즈를 수신할 수 있는 잠재적 노이즈 수신부(3)와, 전자 간섭 억제체(4)를 구비하고 있다.

[0018] 잠재적 노이즈 방사원(2) 및 잠재적 노이즈 수신부(3)는, 예컨대, 회로 기판상에 설치된 2개의 전송선로(傳送線路)나, 회로 기판상에 탑재된 2개의 부품, 전송선로와 부품 등이다.

[0019] 전자 간섭 억제체(4)는, 금속 연자성 편평분말을 결합제로 결합하여 이루어지는 시트형상의 것이다. 금속 연자성 편평분말로서는, 예컨대, Fe, Fe－Si 합금, Fe－Si－Al 합금, Fe－Si－Cr 합금, 아몰퍼스(amorphous) 합금, 나노 결정 합금으로 이루어진 것을 들 수 있다. 도 1에 나타내어진 바와 같이, 전자 간섭 억제체(4)는, 잠재적 노이즈 방사원(2)과 잠재적 노이즈 수신부(3)에 걸치도록 설치되어 있다.

[0020] 또, 본 실시형태의 전자 간섭 억제체(4)에는, 복수의 슬릿(5)이 형성되어 있다. 슬릿(5)이 연장되는 방향에 대해서는 특별히 한정은 없다. 또, 슬릿(5)은, 서로 평행일 필요는 없으며, 교차하고 있어도 무방하다. 또, 다각형의 변을 슬릿(5)으로 형성하는 것으로 하여도 무방하다. 복수의 슬릿(5)을 형성한 전자 간섭 억제체(4)를 잠재적 노이즈 방사원(2)과 잠재적 노이즈 수신부(3)에 걸치도록 설치하면, 잠재적 노이즈 방사원(2)과 잠재적 노이즈 수신부(3) 사이의 공간적인 결합을 줄일 수가 있다.

[0021] 특히, 본 실시형태의 슬릿(5)은, 전자 간섭 억제체(4)의 면내 방향의 실효적인 유전율이 500 이하가 되도록 설정되어 있다. 전자 간섭 억제체(4)의 면내 방향의 실효적인 유전율이 500 이하이면, 비교적 넓은 주파수 범위에 걸쳐 잠재적 노이즈 방사원(2)과 잠재적 노이즈 수신부(3) 사이의 결합을 줄일 수가 있다. 이것은, 슬릿(5)에 의해 전자 간섭 억제체(4)의 면내 방향으로 유기되는 전계를 적절히 분단할 수 있어, 전계에 의한 결합의 증가를 억제할 수 있기 때문인 것으로 추정된다. 전자 간섭 억제체(4)의 면내 방향의 실효적인 유전율이 100 이하이면, 거의 모든 주파수 범위에 있어서, 잠재적 노이즈 방사원(2)과 잠재적 노이즈 수신부(3) 사이의 결합을 줄일 수가 있다.

[0022] 또한, 본 실시형태에 있어서 전자 간섭 억제체(4)의 면내 방향의 실효적인 유전율은, 슬라이딩(攝動)법에 의해 측정할 수 있다. 슬라이딩법에 대해서는, 예컨대, 일본 특허공개공보 H11-118732호의 0002 단락 등에 기재되어 있다.

[0023] 본 실시형태의 슬릿(5)의 깊이는, 전자 간섭 억제체(4)의 두께의 83% 이상이다. 83%보다 작은 깊이의 슬릿(5)으로는, 전계의 분단 효과가 작기 때문에, 83% 이상인 것이 바람직하다. 슬릿(5)의 깊이는 100%여도 된다. 특히, 슬릿(5)이 전자 간섭 억제체(4)를 횡단(橫斷) 또는 종단(縱斷)하고 있는 경우에는, 깊이 100%의 슬릿(5)에 의해 전자 간섭 억제체(4)가 작은 조각(小片)으로 분단되게 되는데, 그러한 경우에는, 양면테이프 등의 점착테이프로 이루어지는 기재(基材)에 전자 간섭 억제체(4)의 작은 조각을 부착하여 분단 배치된 상태를 유지하는 것으로 하면 된다.

[0024] 추천하는 슬릿(5)의 폭은, 0.02㎜ 이상 0.4㎜ 이하이다. 폭이 0.02㎜보다 작으면 전계의 분단 효과가 얻어지기 어렵기 때문이고, 0.4㎜보다 크면 잠재적 노이즈 방사원(2)과 잠재적 노이즈 수신부(3) 사이의 결합을 줄이는 효과가 낮아지기 때문이다. 결합을 더욱 효과적으로 줄이기 위해서는, 슬릿(5)의 폭은, 0.05㎜ 이상인 것이 바람직하다.

[0025] 슬릿(5)의 피치를 P로 하고 전자 간섭 억제체(4)의 두께를 t로 한 경우에 있어서, 비(P/t)가 1 이상 80 이하인 것이 바람직하다. 비(P/t)가 1보다 작으면 제조가 어렵다. 또, 비(P/t)가 1보다 작으면, 슬릿(5)의 방향과 잠재적 노이즈 방사원(2) 및 잠재적 노이즈 수신부(3)의 배치의 관련도 고려해야 한다. 예컨대, 슬릿(5)의 방향과 잠재적 노이즈 방사원(2) 및 잠재적 노이즈 수신부(3)의 배치에 따라서는, 잠재적 노이즈 방사원(2)으로부터 자계가 발생할 때에 해당 전자 간섭 억제체(4)의 면내 방향의 자계 성분에 대해서 반(反) 자계가 크게 작용하여, 실효 투자율이 저하되어, 자기 손실에 의한 노이즈 억제 효과가 저하되고 마는 경우가 있기 때문이다. 잠재적 노이즈 방사원(2)과 잠재적 노이즈 수신부(3) 사이의 결합을 효과적으로 억제하기 위해서는, 상술한 비(P/t)는, 50 이하인 것이 바람직하다.

[0026] 본 실시형태의 슬릿(5)은, 절단에 의해 형성된 상태, 즉, 공기층이다. 환언하면, 본 실시형태의 슬릿(5)의 유전율은 1이다. 슬릿(5)은, 그 사이즈나 형상을 유지하기 위해 유전체에 의해 매립되어 있어도 무방하다. 단, 슬릿(5)의 유전율이 20을 초과하면 전계를 분단하는 효과가 낮아지기 때문에, 슬릿(5)의 유전율은 1 이상 20 이하인 것이 바람직하다.

(실시예 1)

[0027] 본 발명의 효과를 확인하기 위하여, 3차원의 전자계 시뮬레이터를 이용하여 시뮬레이션을 실시하였다. 시뮬레이션을 실시함에 있어서, 도 2에 나타내어진 바와 같은 평가계(評價系) 모델을 상정하였다. 일방이 잠재적 노이즈 방사원(2)으로서 기능하고 타방이 잠재적 노이즈 수신부(3)로서 기능할 수 있는 2개의 루프코일(loop coil)에 전자 간섭 억제체(4)를 걸치도록 설치하여, 2개의 루프 코일 간의 간섭을 계산하였다. 결과로서의 그래프를 도 3에 나타낸다. 그래프에 있어서, 잠재적 노이즈 방사원(2)과 잠재적 노이즈 수신부(3) 사이의 결합이 억제되어 있는 경우, 내부감(內部減) 결합률(intra-decoupling ratio)(Rda[㏈])은 플러스의 값을 가지고 있다(Rda＞0).

[0028] 도 3을 참조하면, 실효적인 유전율이 500인 경우에는, 약 1.5㎓까지의 주파수 범위에서 내부감 결합률(Rda)이 플러스의 값을 가지고 있음을 이해할 수 있다. 추가로, 실효적인 유전율이 100인 경우에는 3㎓까지의 주파수 범위의 대부분에 있어서 내부감 결합률(Rda)이 플러스의 값을 가지고 있다. 즉, 실효적인 유전율이 100인 경우에는, 3㎓까지의 거의 모든 주파수 범위에 있어서, 잠재적 노이즈 방사원(2)과 잠재적 노이즈 수신부(3) 사이의 결합을 줄일 수가 있다.

[0029] (제2 실시형태)

도 4를 참조하면, 본 발명의 제2 실시형태에 의한 회로 기판(장치; 10)은, 기판 본체(11)와, 전자 간섭 억제체(14)를 구비하고 있다.

[0030] 본 실시형태에 의한 기판 본체(11)는, 유리 에폭시 기판으로 이루어지는 양면 2층 기판이며, 2개의 주면(主面)을 가지고 있다. 일방의 주면 상에는 신호선(12)이 형성되어 있으며, 타방의 주면 상에는 그라운드 층(13)이 형성되어 있다. 자세하게는, 기판 본체(11)의 타방의 주면 상에 있어서 신호선(12)의 수직 하방(直下)을 사이에 끼우도록 위치하는 2개의 영역에는, 본 실시형태의 그라운드 층(13)은 형성되어 있지 않다. 즉, 본 실시형태의 그라운드 층(13)은, 기판 본체(11)의 타방의 주면 상의 전면(全面)에 걸쳐 형성되어 있는 것은 아니다. 단, 본 발명은 이것으로 한정되는 것은 아니며, 그라운드 층(13)은, 기판 본체(11)의 타방의 주면 상에 있어서 전면에 걸쳐 형성되어 있어도 되며(솔리드 패턴이어도 되며), 다른 패턴 형상을 가지고 있어도 된다. 또, 본 발명의 기판 본체(11)는, 유리 에폭시 기판으로 이루어지는 양면 2층 기판으로 한정되는 것은 아니며, 다른 구조를 가지는 기판이어도 무방하다.

[0031] 전자 간섭 억제체(14)는, 제1 실시형태와 마찬가지로 구성된다. 즉, 전자 간섭 억제체(14)는, 금속 연자성 편평분말을 결합제로 결합하여 이루어지는 시트형상의 것이다. 금속 연자성 편평분말로서는, 예컨대, Fe, Fe－Si 합금, Fe－Si－Al 합금, Fe－Si－Cr 합금, 아몰퍼스(amorphous) 합금, 나노 결정 합금으로 이루어지는 것을 들 수 있다. 도시된 바와 같이, 본 실시형태의 전자 간섭 억제체(14)는, 기판 본체(11)의 신호선(12) 상에 배치되어 있다.

[0032] 본 실시형태에 의한 전자 간섭 억제체(14)에는, 면내 방향의 실효적인 유전율이 500 이하가 되도록, 복수의 슬릿(15)이 형성되어 있다. 전자 간섭 억제체(14)의 면내 방향의 실효적인 유전율이 500 이하이면, 적어도 전자 간섭 억제체(14)를 부착하지 않는 경우와 동등한 레벨까지 복사 노이즈를 억제할 수 있다. 이는, 유전율이 500보다 크면 전계를 분단하는 효과가 작기 때문에, 복사 노이즈의 억제 효과를 얻을 수 없는 데에 대하여, 유전율이 500 이하이면 전계가 적절히 분단되어, 그 결과로서, 복사 노이즈가 억제되어 있기 때문인 것으로 추정된다. 또한, 전자 간섭 억제체(14)의 면내 방향의 실효적인 유전율이 300 이하이면, 넓은 주파수 범위에 걸쳐, 전자 간섭 억제체(14)를 부착하지 않는 경우보다 복사 노이즈를 억제할 수가 있다. 즉, 전자 간섭 억제체(14)의 면내 방향의 실효적인 유전율이 300 이하가 되도록, 다수의 슬릿(15)을 형성하면, 전도 노이즈의 억제뿐만 아니라 넓은 주파수 범위에 걸쳐 복사 노이즈의 억제도 동시에 도모할 수가 있다.

[0033] 특히, 본 실시형태의 슬릿(15)은, 전자 간섭 억제체(14)의 면내 방향의 실효적인 유전율이 100 이하가 되도록 설정되어 있다. 전자 간섭 억제체(14)의 면내 방향의 실효적인 유전율이 100 이하이면, 거의 모든 주파수 범위에 있어서, 전자 간섭 억제체(14)를 부착하지 않는 경우보다 복사 노이즈를 억제할 수가 있다. 즉, 전자 간섭 억제체(14)의 면내 방향의 실효적인 유전율이 100 이하가 되도록, 다수의 슬릿(15)을 형성하면, 거의 모든 주파수 범위에 걸쳐서, 전도 노이즈의 억제 뿐만아니라 복사 노이즈의 억제도 도모할 수가 있다.

[0034] 또한, 본 실시형태에 있어서도 전자 간섭 억제체(14)의 면내 방향의 실효적인 유전율은, 상술한 슬라이딩법에 의해 측정할 수 있다. 슬라이딩법에 대해서는, 예컨대, 일본 특허공개공보 H11-118732호 공보의 0002 단락 등에 기재되어 있다.

[0035] 본 실시형태의 슬릿(15)의 깊이는, 전자 간섭 억제체(14)의 두께의 83% 이상이다. 83%보다 작은 깊이의 슬릿(15)으로는, 전계의 분단 효과가 작기 때문에, 83% 이상인 것이 바람직하다. 슬릿(15)의 깊이는 100%여도 무방하다. 특히, 슬릿(15)이 전자 간섭 억제체(14)를 횡단 또는 종단하고 있는 경우에는, 깊이 100%의 슬릿(15)에 의해 전자 간섭 억제체(14)가 작은 조각으로 분단되게 되지만, 그러한 경우에는, 양면테이프 등의 점착테이프로 이루어지는 기재에 전자 간섭 억제체(14)의 작은 조각을 부착하여 분단 배치된 상태를 유지하는 것으로 하면 된다.

[0036] 추천하는 슬릿(15)의 폭은, 0.02㎜ 이상 0.4㎜ 이하이다. 폭이 0.02㎜보다 작으면 전계의 분단 효과가 얻어지기 어렵기 때문이며, 0.4㎜보다 크면 복사 노이즈의 억제 효과가 낮아지기 때문이다. 복사 노이즈를 더욱 효과적으로 억제하기 위해서는, 슬릿(15)의 폭은, 0.05㎜ 이상인 것이 바람직하다.

[0037] 슬릿(15)의 피치를 P로 하고 전자 간섭 억제체(14)의 두께를 t로 한 경우에 있어서, 비(P/t)가 1 이상 80 이하인 것이 바람직하다. 비(P/t)가 1보다 작으면 제조가 어렵다. 또, 비(P/t)가 1보다 작으면, 슬릿(15)의 방향과 신호선(12)의 방향의 관련도 고려해야 한다. 예컨대, 슬릿(15)이 신호선(12)에 대략 평행하게 연장되도록 형성되었을 경우, 신호선(12)에 흐르는 전류에 의해 자계가 발생할 때에 해당 전자 간섭 억제체(14)의 면내 방향의 성분에 대해서 반(反) 자계가 크게 작용하여, 실효 투자율이 저하되어, 자기 손실에 의한 노이즈 억제 효과가 저하되기 때문이다. 복사 노이즈를 효과적으로 억제하기 위해서는, 상술한 비(P/t)는, 50 이하인 것이 바람직하다.

[0038] 본 실시형태의 슬릿(15)은, 절단에 의해 형성된 상태, 즉, 공기층이다. 환언하면, 본 실시형태의 슬릿(15)의 유전율은 1이다. 슬릿(15)은, 그 사이즈나 형상을 유지하기 위해 유전체로 매립되어 있어도 무방하다. 단, 슬릿(15)의 유전율이 20을 넘으면 전계를 분단하는 효과가 낮아지기 때문에, 슬릿(15)의 유전율은 1 이상 20 이하인 것이 바람직하다.

[0039] 또한, 상술한 실시형태에 있어서는, 신호선(12)과 직교하는 방향으로 연장되는 슬릿(15)만이 전자 간섭 억제체(14)에 형성되어 있었지만 본 발명은 이것으로 한정되는 것은 아니다. 슬릿(15)이 연장되는 방향은, 신호선(12)과 비스듬하게 교차(斜交)하고 있어도 되고, 평행이어도 무방하다. 또, 슬릿(15)끼리도 평행한 것으로만 한정되는 것은 아니며, 다각형상의 격자(格子)를 구성하도록 복수의 슬릿(15)을 교차시키는 것으로 하여도 무방하다.

(실시예 2)

[0040] 본 발명의 효과를 확인하기 위하여, 3차원의 전자계 시뮬레이터를 이용해 시뮬레이션을 실시하였다. 신호선(12)의 일단(一端)에는 1W의 전력을 입력하고, 신호선(12)의 타단(他端)은 75Ω의 종단(終端) 저항으로 종단하는 것으로 하여, 전자 간섭 억제체(14)의 면내 방향에 있어서의 실효적인 유전율을 바꾸면서, 3m 떨어진 곳(遠方)에 있어서의 방사 노이즈(전계)를 계산하였다. 그 다음에, 전자 간섭 억제체(14)를 부착하지 않는 경우와의 차분(差分)의 주파수에 대한 변화를 그래프로 플롯화하였다. 즉, 전자 간섭 억제체(14)를 부착하지 않는 경우에 발생하고 있던 복사(輻射) 노이즈와 완전히 동일한 레벨의 복사 노이즈가 발생하고 있던 경우에는, 0㏈이 된다. 결과로서의 그래프를 도 5에 나타낸다.

[0041] 도 5를 참조하면, 실효적인 유전율이 1000인 경우에는, 전자 간섭 억제체(14)를 부착하지 않는 경우보다 복사 노이즈가 과도하게 커져 있다. 그러나, 실효적인 유전율이 500인 경우에는, 전자 간섭 억제체(14)를 부착하지 않는 경우와 비교할 때 복사 노이즈가 근소하게 증가하였으나 실용상 문제가 되지 않는 레벨까지 억제되어 있다. 또한, 실효적인 유전율이 300인 경우에는, 넓은 주파수 범위에 걸쳐 전자 간섭 억제체(14)를 부착하지 않는 경우보다 복사 노이즈가 억제되어 있다. 실효적인 유전율이 100인 경우에는, 거의 모든 주파수 범위에 걸쳐 전자 간섭 억제체(14)를 부착하지 않는 경우보다 복사 노이즈가 억제되어 있다.

[0042] 본 발명은 2014년 12월 17일에 일본 특허청에 제출된 일본 특허 출원 제2014-255516호 및 제2014-255517호에 근거하고 있으며, 그 내용은 참조함으로써 본 명세서의 일부를 이룬다.

[0043] 본 발명의 최선의 실시형태에 대해 설명하였으나, 당업자에게는 분명한 바와 같이, 본 발명의 정신을 벗어나지 않는 범위에서 실시형태를 변형하는 것이 가능하며, 그러한 실시형태는 본 발명의 범위에 속하는 것이다.

[0044] 1; 장치
2; 잠재적 노이즈 방사원
3; 잠재적 노이즈 수신부
4; 전자 간섭 억제체
5; 슬릿
10; 회로 기판(장치)
11; 기판 본체
12; 신호선
13; 그라운드 층
14; 전자 간섭 억제체
15; 슬릿

Claims (18)

1. 잠재적인 노이즈를 방사할 수 있는 잠재적 노이즈 방사원(放射源)과, 상기 잠재적 노이즈 방사원에 직접 접속되어 있지 않고, 상기 잠재적인 노이즈를 수신할 수 있는 잠재적 노이즈 수신부와, 전자 간섭 억제체를 구비하는 장치로서,
   상기 전자 간섭 억제체는, 금속 연자성 편평분말(扁平粉)을 결합제로 결합하여 이루어지는 시트 형상의 것이며,
   상기 전자 간섭 억제체에는, 복수의 슬릿(slit)이 형성되어 있고,
   상기 전자 간섭 억제체는, 상기 잠재적 노이즈 방사원과 상기 잠재적 노이즈 수신부에 걸치도록 설치되어 있으며,
   상기 슬릿은, 상기 전자 간섭 억제체의 면내(面內) 방향의 실효적인 유전율이 500 이하가 되도록, 형성되어 있는,
   장치.
2. 제1항에 있어서,
   상기 전자 간섭 억제체의 면내 방향의 실효적인 유전율은 100 이하인,
   장치.
3. 제1항에 있어서,
   상기 슬릿의 깊이는, 상기 전자 간섭 억제체의 두께의 83% 이상인,
   장치.
4. 제1항에 있어서,
   상기 슬릿의 폭은, 0.02㎜ 이상 0.4㎜ 이하인,
   장치.
5. 제4항에 있어서,
   상기 슬릿의 폭은, 0.05㎜ 이상인,
   장치.
6. 제1항에 있어서,
   상기 슬릿의 피치(P)와 상기 전자 간섭 억제체의 두께(t)의 비(P/t)가 1 이상 80 이하인,
   장치.
7. 제6항에 있어서,
   상기 비(P/t)는, 50 이하인,
   장치.
8. 제1항에 있어서,
   상기 슬릿의 유전율은 1 이상 20 이하인,
   장치.
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