KR102466692B1 - 전자 부품용 수지 시트, 보호 필름 부착 전자 부품용 수지 시트, 및 반도체 장치 및 그 제조 방법 - Google Patents

전자 부품용 수지 시트, 보호 필름 부착 전자 부품용 수지 시트, 및 반도체 장치 및 그 제조 방법 Download PDF

Info

Publication number
KR102466692B1
KR102466692B1 KR1020177024952A KR20177024952A KR102466692B1 KR 102466692 B1 KR102466692 B1 KR 102466692B1 KR 1020177024952 A KR1020177024952 A KR 1020177024952A KR 20177024952 A KR20177024952 A KR 20177024952A KR 102466692 B1 KR102466692 B1 KR 102466692B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
resin sheet
electronic parts
semiconductor chip
substrate
hollow structure
Prior art date
Application number
KR1020177024952A
Other languages
English (en)
Other versions
KR20170134354A (ko
Inventor
아키코 마츠모토
아키히로 마에다
히데키 시노하라
Original Assignee
도레이 카부시키가이샤
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 도레이 카부시키가이샤 filed Critical 도레이 카부시키가이샤
Publication of KR20170134354A publication Critical patent/KR20170134354A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR102466692B1 publication Critical patent/KR102466692B1/ko

Links

Images

Classifications

    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09J—ADHESIVES; NON-MECHANICAL ASPECTS OF ADHESIVE PROCESSES IN GENERAL; ADHESIVE PROCESSES NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE; USE OF MATERIALS AS ADHESIVES
    • C09J7/00—Adhesives in the form of films or foils
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08J—WORKING-UP; GENERAL PROCESSES OF COMPOUNDING; AFTER-TREATMENT NOT COVERED BY SUBCLASSES C08B, C08C, C08F, C08G or C08H
    • C08J5/00—Manufacture of articles or shaped materials containing macromolecular substances
    • C08J5/18—Manufacture of films or sheets
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08K—Use of inorganic or non-macromolecular organic substances as compounding ingredients
    • C08K3/00—Use of inorganic substances as compounding ingredients
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08K—Use of inorganic or non-macromolecular organic substances as compounding ingredients
    • C08K5/00—Use of organic ingredients
    • C08K5/54—Silicon-containing compounds
    • C08K5/544—Silicon-containing compounds containing nitrogen
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08L—COMPOSITIONS OF MACROMOLECULAR COMPOUNDS
    • C08L101/00—Compositions of unspecified macromolecular compounds
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09J—ADHESIVES; NON-MECHANICAL ASPECTS OF ADHESIVE PROCESSES IN GENERAL; ADHESIVE PROCESSES NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE; USE OF MATERIALS AS ADHESIVES
    • C09J11/00—Features of adhesives not provided for in group C09J9/00, e.g. additives
    • C09J11/02—Non-macromolecular additives
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09J—ADHESIVES; NON-MECHANICAL ASPECTS OF ADHESIVE PROCESSES IN GENERAL; ADHESIVE PROCESSES NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE; USE OF MATERIALS AS ADHESIVES
    • C09J11/00—Features of adhesives not provided for in group C09J9/00, e.g. additives
    • C09J11/02—Non-macromolecular additives
    • C09J11/04—Non-macromolecular additives inorganic
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09J—ADHESIVES; NON-MECHANICAL ASPECTS OF ADHESIVE PROCESSES IN GENERAL; ADHESIVE PROCESSES NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE; USE OF MATERIALS AS ADHESIVES
    • C09J11/00—Features of adhesives not provided for in group C09J9/00, e.g. additives
    • C09J11/02—Non-macromolecular additives
    • C09J11/06—Non-macromolecular additives organic
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09J—ADHESIVES; NON-MECHANICAL ASPECTS OF ADHESIVE PROCESSES IN GENERAL; ADHESIVE PROCESSES NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE; USE OF MATERIALS AS ADHESIVES
    • C09J133/00—Adhesives based on homopolymers or copolymers of compounds having one or more unsaturated aliphatic radicals, each having only one carbon-to-carbon double bond, and at least one being terminated by only one carboxyl radical, or of salts, anhydrides, esters, amides, imides, or nitriles thereof; Adhesives based on derivatives of such polymers
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09J—ADHESIVES; NON-MECHANICAL ASPECTS OF ADHESIVE PROCESSES IN GENERAL; ADHESIVE PROCESSES NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE; USE OF MATERIALS AS ADHESIVES
    • C09J133/00—Adhesives based on homopolymers or copolymers of compounds having one or more unsaturated aliphatic radicals, each having only one carbon-to-carbon double bond, and at least one being terminated by only one carboxyl radical, or of salts, anhydrides, esters, amides, imides, or nitriles thereof; Adhesives based on derivatives of such polymers
    • C09J133/04—Homopolymers or copolymers of esters
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09J—ADHESIVES; NON-MECHANICAL ASPECTS OF ADHESIVE PROCESSES IN GENERAL; ADHESIVE PROCESSES NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE; USE OF MATERIALS AS ADHESIVES
    • C09J201/00—Adhesives based on unspecified macromolecular compounds
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09J—ADHESIVES; NON-MECHANICAL ASPECTS OF ADHESIVE PROCESSES IN GENERAL; ADHESIVE PROCESSES NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE; USE OF MATERIALS AS ADHESIVES
    • C09J7/00—Adhesives in the form of films or foils
    • C09J7/10—Adhesives in the form of films or foils without carriers
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09J—ADHESIVES; NON-MECHANICAL ASPECTS OF ADHESIVE PROCESSES IN GENERAL; ADHESIVE PROCESSES NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE; USE OF MATERIALS AS ADHESIVES
    • C09J7/00—Adhesives in the form of films or foils
    • C09J7/20—Adhesives in the form of films or foils characterised by their carriers
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/50—Assembly of semiconductor devices using processes or apparatus not provided for in a single one of the subgroups H01L21/06 - H01L21/326, e.g. sealing of a cap to a base of a container
    • H01L21/56—Encapsulations, e.g. encapsulation layers, coatings
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/28—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection
    • H01L23/29—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection characterised by the material, e.g. carbon
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/28—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection
    • H01L23/31—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection characterised by the arrangement or shape
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09J—ADHESIVES; NON-MECHANICAL ASPECTS OF ADHESIVE PROCESSES IN GENERAL; ADHESIVE PROCESSES NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE; USE OF MATERIALS AS ADHESIVES
    • C09J2203/00—Applications of adhesives in processes or use of adhesives in the form of films or foils
    • C09J2203/326—Applications of adhesives in processes or use of adhesives in the form of films or foils for bonding electronic components such as wafers, chips or semiconductors
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09J—ADHESIVES; NON-MECHANICAL ASPECTS OF ADHESIVE PROCESSES IN GENERAL; ADHESIVE PROCESSES NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE; USE OF MATERIALS AS ADHESIVES
    • C09J2301/00—Additional features of adhesives in the form of films or foils
    • C09J2301/30—Additional features of adhesives in the form of films or foils characterized by the chemical, physicochemical or physical properties of the adhesive or the carrier
    • C09J2301/312—Additional features of adhesives in the form of films or foils characterized by the chemical, physicochemical or physical properties of the adhesive or the carrier parameters being the characterizing feature
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/73—Means for bonding being of different types provided for in two or more of groups H01L2224/10, H01L2224/18, H01L2224/26, H01L2224/34, H01L2224/42, H01L2224/50, H01L2224/63, H01L2224/71
    • H01L2224/732—Location after the connecting process
    • H01L2224/73201—Location after the connecting process on the same surface
    • H01L2224/73203—Bump and layer connectors
    • H01L2224/73204—Bump and layer connectors the bump connector being embedded into the layer connector
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/181—Encapsulation

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Medicinal Chemistry (AREA)
  • Polymers & Plastics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Inorganic Chemistry (AREA)
  • Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
  • Laminated Bodies (AREA)
  • Compositions Of Macromolecular Compounds (AREA)
  • Manufacture Of Macromolecular Shaped Articles (AREA)

Abstract

수증기 투과도가 낮고, 또한 열경화 전에 높은 탄성을 갖는 접착제 시트를 제공함으로써 전자 기기의 절연 파괴 시험의 결과가 양호하게 되는 등의 신뢰성을 향상시키고, 또한 중공 구조를 갖는 전자 기기에서도 그 형상을 용이하게 제조할 수 있는 방법을 제공한다. (a) 아크릴계 공중합체, (b) 열경화성 수지, (c) 무기 충전재 및 (d) 아미노기를 갖는 실란 커플링제를 함유하고, (a) 아크릴계 공중합체가 구성 모노머 단위 중 아크릴로니트릴 단위를 30몰% 이상 함유하고, 또한 전자 부품용 수지 시트 중의 (a) 아크릴계 공중합체의 함유율이 2~5중량%인 것을 특징으로 하는 전자 부품용 수지 시트.

Description

전자 부품용 수지 시트, 보호 필름 부착 전자 부품용 수지 시트, 및 반도체 장치 및 그 제조 방법
본 발명은 전자 부품용 수지 시트, 보호 필름 부착 전자 부품용 수지 시트, 및 반도체 장치 및 그 제조 방법에 관한 것이다.
최근의 전자 기기의 소형화·박형화에 따라, 탑재되는 전자·전기 부품에도 보다 소형화·박막화가 요구되도록 되어 오고 있다. 이 때문에, 최근에는 반도체의 전자 부품에 있어서도, 종래의 스크류 클램프나 핀 삽입형으로부터 표면 실장 등의 방법이 채용되도록 되어 오고 있으며, 이것에 의해 소형화·박막화가 실현되고 있다. MEMS(MICRO ELECTRO MECHANICAL SYSTEMS) 등의 전자 부품도 예외는 아니어서, 특히 시트 형상의 수지에 의한 표면 실장 의해서 소형화·박막화를 실현하고 있다(특허문헌 1, 특허문헌 2 참조).
MEMS 중에서도, 압력 센서나 가속도 센서, 자이로 센서, SAW 필터 등의 전자 부품의 경우에는 그 기능상 전자 부품 내부에 중공을 갖고 있는 것이 필수 불가결하다.
도 1은 본 발명의 제 1 반도체 장치를 나타내고, 중공 구조를 갖는 전자 부품의 예이지만, 이 구조 자체는 종래부터 사용되고 있는 것이다. 여기서, 도 1의 전자 부품용 수지 시트(2)에 종래의 수지 재료를 이용하면, 중공 부분(4)에 수지가 들어가서 중공 구조가 손상되는 경우가 있어, 보다 높은 레벨에서의 중공 유지성이 요구되고 있었다.
또한, 도 1에 나타내는 바와 같은 전자 부품의 경우, 기판(1) 표면에서부터 반도체칩(3) 상면까지 전자 부품용 수지 시트(2)로 완전히 덮는 구조로 되어 있다. 그 때문에, 전자 부품용 수지 시트(2)를 얇게 할 필요가 있는 경우, 외부의 수증기가 중공 부분(4)에 침입하기 쉬워져 반도체칩(3)의 감도가 손상되는 것이었다. 또한, 얇은 전자 부품용 수지 시트(2)를 경화시키는 목적이나 패키지화의 목적으로 가열하면 중공 부분(4)에 잔존한 기체가 팽창하여 전자 부품용 수지 시트(2)가 변형되어 버린다고 하는 문제가 있었다. 그 때문에, 얇아도 이러한 문제가 생기지 않는 전자 부품용 수지 시트가 요구되고 있었다.
또한, 도 2는 본 발명의 제 2 반도체 장치를 나타내고, 중공 구조를 갖는 전자 부품의 또 하나의 예이지만, 이 구조 자체도 종래부터 사용되고 있는 것이다. 도 2에 나타내는 바와 같은 전자 부품의 경우, 중공 부분(9)의 공간 용적이 크기 때문에 중공 부분(9)의 잔존 기체의 팽창이 보다 커진다. 한편, 도 2에 나타내는 바와 같은 전자 부품의 경우, 전자 부품용 수지 시트(7)는 반도체칩 탑재용 기판(6)과 중공 구조 형성용 기판(10) 사이에만 존재하고, 중공 부분(9)과 외부의 거리가 짧기 때문에 수증기가 외부로부터 중공 부분(9)으로 침입하는 경우의 이동 거리가 짧아진다. 그러나, 종래의 수지 재료는 수증기 투과도가 충분히 낮다고는 말할 수 없으며, 도 2의 전자 부품용 수지 시트(7)에 종래의 수지 재료를 이용한 경우, 수증기가 투과하여 반도체칩(8)의 감도가 손상되는 경우가 있어, 보다 높은 레벨에서의 저수증기 투과도가 요구되고 있었다.
이들에 대하여, 최근에는 수지 재료의 개량이 진행되고 있으며, 상기 중공 유지성에 관해서는 전자 부품용 수지 시트를 2층 구조로 해서 한쪽의 층에 점도·신도가 높은 수지 재료를 이용해, 이것을 중공 구조와 인접하는 측에 배치하여 수지가 중공 구조로 들어가는 것을 방지하고, 이것에 의해 중공 유지성을 개선시킨 것이 개발되어 있다(특허문헌 3). 또한, 이 전자 부품용 수지 시트의 다른쪽의 층은 중공 유지성은 떨어지지만 막 강도 등의 전자 부품용 수지 시트가 본래적으로 요구되는 물성이 우수한 수지 재료를 이용하여 본래의 목적도 달성하고 있다. 또한, 상기 수증기 투과도에 대해서는 무기 충전제의 배합량 등을 제어함으로써 수증기 투과도를 낮게 한 기술이 개발되어 있다(특허문헌 4).
그러나, 모두 중공 유지성과 저수증기 투과성을 양립시킨 것은 아니어서 새로운 개선이 요구되고 있었다.
일본 특허 공개 2012-59743호 공보 일본 특허 공개 2013-187242호 공보 일본 특허 공개 2014-209612호 공보 일본 특허 공개 2014-156516호 공보
본 발명은 가요성, 막 강도를 향상시킴으로써 중공 유지성을 개선하고, 또한 수증기 투과도가 낮은 전자 부품용 수지 시트를 제공하는 것을 과제로 한다.
상기 과제를 해결하기 위해, 본 발명은 주로 이하의 구성을 갖는다. 즉, (a) 아크릴계 공중합체, (b) 열경화성 수지, (c) 무기 충전재 및 (d) 아미노기를 갖는 실란 커플링제를 함유하고, (a) 아크릴계 공중합체가 구성 모노머 단위 중 아크릴로니트릴 단위를 30몰% 이상 함유하고, 또한 전자 부품용 수지 시트 중의 (a) 아크릴계 공중합체의 함유율이 2~5중량%인 것을 특징으로 하는 전자 부품용 수지 시트이다.
(발명의 효과)
본 발명에 의해, 중공 유지성과 저수증기 투과성을 양립시킨 전자 부품용 수지 시트를 얻을 수 있다. 이것에 의해, 중공 구조를 갖고 있어도, 전자 부품용 수지 시트의 경화 등의 프로세스에서 중공 구조가 손상되는 일이 적어 양호한 반도체 장치를 얻을 수 있다. 또한, 수증기의 투과가 낮기 때문에 반도체 장치 중의 반도체칩의 감도가 손상되는 일이 적어진다.
도 1은 본 발명의 제 1 반도체 장치를 나타내는 도면이다.
도 2는 본 발명의 제 2 반도체 장치를 나타내는 도면이다.
본 발명의 전자 부품용 수지 시트는 (a) 아크릴계 공중합체, (b) 열경화성 수지, (c) 무기 충전재 및 (d) 아미노기를 갖는 실란 커플링제를 함유하고, (a) 아크릴계 공중합체가 구성 모노머 단위 중 아크릴로니트릴 단위를 30몰% 이상 함유하고, 또한 전자 부품용 수지 시트 중의 (a) 아크릴계 공중합체의 함유율이 2~5중량%인 것을 특징으로 한다.
본 발명에 있어서의 (a) 아크릴계 공중합체는 수지 시트의 가요성, 열응력의 완화, 저흡수성에 의한 절연성의 향상 등의 기능을 갖는다. 또한, 구성 모노머 단위 중 아크릴로니트릴 단위를 30몰%, 바람직하게는 35몰% 이상 함유함으로써, 전자 부품용 수지 시트의 가요성을 손상시키는 일 없이 전자 부품용 수지 시트의 수증기 투과도를 효과적으로 억제하고, 또한 절연성도 향상시킬 수 있다. 아크릴로니트릴 단위는 소수성을 가진 모노머 단위이다. 폴리머 중의 아크릴니트릴 단위가 증가함에 따라서 폴리머로서의 소수성이 증가하여 수증기 투과도를 억제할 수 있다. 아크릴로니트릴 단위를 30몰% 이상으로 함으로써 수지 시트의 가요성을 유지하면서 100um 두께의 수지 시트의 40℃/90% RH의 환경 하에 있어서의 수증기 투과도를 50g/(㎡·24h) 이하로 할 수 있다.
여기서, 아크릴로니트릴 단위란 모노머를 중합하여 아크릴계 공중합체를 얻을 때의 원료 모노머 중에 있어서의 아크릴로니트릴로부터 유래하는 구성 단위를 말한다. 또한, 아크릴로니트릴 단위 이외의 구성 단위란 상기 원료 모노머 중에 있어서의 아크릴로니트릴 이외의 모노머로부터 유래하는 구성 단위를 말한다.
(a) 아크릴계 공중합체 중의 아크릴로니트릴 이외의 구성 단위의 종류에 대해서는 특별히 한정되지 않는다. 아크릴산 에스테르, 메타크릴산 에스테르의 예로서는 아크릴산 메틸, 메타크릴산 메틸, 아크릴산 에틸, 메타크릴산 에틸, 아크릴산 프로필, 메타크릴산 프로필, 아크릴산 부틸, 메타크릴산 부틸, 아크릴산 펜틸, 메타크릴산 펜틸, 아크릴산 헥실, 메타크릴산 헥실, 아크릴산-2-에틸헥실, 메타크릴산-2-에틸헥실, 아크릴산 옥틸, 메타크릴산 옥틸과 같은 아크릴산 알킬에스테르, 메타크릴산 알킬에스테르 등이 예시된다. 또한, 아크릴산 시클로헥실과 같은 아크릴산의 지환속 알코올과의 에스테르 등이 예시된다.
또한, 상기 아크릴산 에스테르, 메타크릴산 에스테르 이외의 구성 단위가 포함되어 있어도 좋다. 예를 들면, 아세트산 비닐, 스티렌, 메틸스티렌, 클로로스티렌, 비닐리덴클로라이드, 에틸α-아세톡시아크릴레이트 등이 예시된다.
또한, 상기 (a) 아크릴계 공중합체는 에폭시기, 수산기, 아미노기, 히드록시알킬기, 비닐기, 실라놀기 및 이소시아네이트기에서 선택된 적어도 1종의 관능기를 갖는 것이 바람직하다. 이것에 의해, 후술의 (b) 열경화성 수지와의 결합이 강고하게 되어, 절연성이 향상됨으로써 전자 기기의 신뢰성이 향상된다. 특히, 에폭시기는 에폭시 수지와의 상용성의 관점에서 보다 바람직하다.
본 발명에 있어서의 (a) 아크릴계 공중합체의 함유율은 전자 부품용 수지 시트 전체에 대하여 2~5중량%이고, 2~3.5중량%인 것이 바람직하다. (a) 아크릴계 공중합체의 함유량을 2중량% 이상으로 함으로써 수지 조성물에 가요성을 부여하여, 시트 형상으로서의 형상이 유지될 수 있게 된다. 또한, (a) 아크릴계 공중합체를 5중량% 이하로 함으로써 전자 부품용 수지 시트의 수증기 투과도를 효과적으로 저하시킬 수 있고, 또한 절연성을 향상시킬 수 있다. 이것은 전자 부품용 수지 시트의 구성 단위 중에서 가장 수증기 투과도가 높은 구성 단위인 아크릴계 공중합체의 함유량을 적게 함으로써 전자 부품용 수지 시트로서의 수증기 투과도를 억제할 수 있는 것에 의한 것이다. 아크릴계 공중합체를 5중량% 이하로 함으로써 100㎛ 두께의 수지 시트의 40℃/90% RH에 있어서의 수증기 투과도를 50g/(㎡·24h) 이하로 할 수 있다.
본 발명에 있어서의 (b) 열경화성 수지는 특별히 한정되지 않지만, 에폭시 수지인 것이 바람직하다.
본 발명에서 바람직하게 사용되는 에폭시 수지는 1분자 중에 2개 이상의 에폭시기를 갖는 것이 바람직하다. 이것들의 구체예로서는, 예를 들면 크레졸노볼락형 에폭시 수지, 페놀노볼락형 에폭시 수지, 비페닐형 에폭시 수지, 비스페놀 A형 에폭시 수지, 비스페놀 F형 에폭시 수지, 나프탈렌형 에폭시 수지, 디시클로펜타디엔형 에폭시 수지, 선상 지방족 에폭시 수지, 지환식 에폭시 수지, 복소환식 에폭시 수지, 스피로환 함유 에폭시 수지 등이 예시된다.
이들 에폭시 수지 중에서, 본 발명에 있어서 바람직하게 사용되는 것은 함유 염소량이 적고, 저연화점이어서 유연성이 있는 2관능 성분이 많은 에폭시 수지인 비페닐형 에폭시 수지, 비스페놀 A형 에폭시 수지, 비스페놀 F형 에폭시 수지, 나프탈렌형 에폭시 수지, 디시클로펜타디엔형 에폭시 수지이다. 물론, 이들 에폭시 수지를 혼합하여 사용해도 좋다.
또한, 본 발명에서는 (b) 열경화성 수지와 함께 경화제를 사용해도 좋다. 본 발명에서 바람직하게 사용되는 경화제는 에폭시 수지와 반응하여 경화시키는 것이면 특별히 한정되지 않는다. 이들 구체예로서는, 예를 들면 페놀노볼락 수지, 크레졸노볼락 수지, 비스페놀 A나 레조르신으로부터 합성되는 각종 노볼락 수지, 무수 말레산, 무수 피로멜리트산 등의 산 무수물 및 디아미노디페닐술폰 등의 방향족 아민이 예시된다. 이들 경화제 중에서, 바람직하게 사용되는 것은 내열성, 내습성의 점에서 페놀노볼락 수지, 크레졸노볼락 수지, 비스페놀 A, 디아미노디페닐술폰이다.
또한, 본 발명에서는 (b) 열경화성 수지와 함께 경화 촉진제를 사용해도 좋다. 본 발명에서 바람직하게 사용되는 경화 촉진제는 경화 반응을 촉진시키는 것이면 특별히 한정되지 않는다. 그 구체예로서는, 예를 들면 2-메틸이미다졸, 2,4-디메틸이미다졸, 2-에틸-4-메틸이미다졸, 2-페닐이미다졸, 2-페닐-4-메틸이미다졸 및 2-헵타데실이미다졸 등의 이미다졸 화합물, 트리에틸아민, 벤질디메틸아민, α-메틸벤질디메틸아민, 2-(디메틸아미노메틸)페놀, 2,4,6-트리스(디메틸아미노메틸)페놀 및 1,8-디아자비시클로(5,4,0)운데센-7 등의 3급 아민 화합물, 트리페닐술폰, 트리에틸술폰, 트리부틸술폰 등의 유기 술폰 화합물이 바람직하고, 특히 이미다졸 화합물, 트리페닐술폰, 1,8-디아자비시클로(5,4,0)운데센-7 등이 바람직하게 사용된다. 또한, 이들 경화 촉진제는 용도에 따라서는 2종류 이상을 병용해도 좋고, 그 첨가량은 (b) 열경화성 수지 100중량부에 대하여 0.1~30중량부, 보다 바람직하게는 5~25중량부의 범위가 바람직하다. 이것에 의해, 저장 안정성이 향상된다. 또한, 경화 촉진제를 사용함으로써 열경화성 수지의 가교 밀도가 증가하여 수지 시트에 가요성이 부여되고, 또한 수증기 투과도를 억제하여 절연성을 향상시킬 수 있다.
본 발명에 있어서의 (c) 무기 충전재로서는 용융 실리카, 결정성 실리카, 탄산칼슘, 탄산마그네슘, 알루미나, 질화규소, 산화티탄 등이 예시되지만, 그 저투습성에서 용융 실리카가 바람직하게 사용된다. 여기서 말하는 용융 실리카란 진비중이 2.3 이하인 비결정성 실리카를 의미한다. 이 용융 실리카의 제조 방법은 반드시 용융 상태를 거칠 필요는 없고, 임의의 제조 방법을 이용할 수 있다. 예를 들면, 결정성 실리카를 용융하는 방법, 및 각종 원료로부터 합성하는 방법 등에 의해 제조할 수 있다. 본 발명에 사용하는 용융 실리카의 입자 지름은 접착제 두께나 탑재되는 부품 사이의 거리에 영향을 미치는 사이즈의 것이면 특별히 한정되지 않지만, 통상 그 평균 입자 지름이 20㎛ 이하인 것이 사용된다. 또한, 용융시의 유동성을 향상시킬 목적으로 2종류 이상의 평균 입자 지름을 갖는 용융 구상 실리카를 병용하는 것이 더욱 바람직하다. 그 중에서도, 평균 입자 지름 3㎛ 이상의 용융 구상 실리카 및 평균 입자 지름 2㎛ 이하의 용융 구상 실리카를 병용하는 것이 바람직하다. 평균 입자 지름 3㎛ 이상의 용융 구상 실리카 및 평균 입자 지름 2㎛ 이하의 용융 구상 실리카를 95/5~30/70의 중량비로 혼합하여 사용하는 것이 더욱 바람직하다.
또한, 본 발명에 있어서 상기 (c) 무기 충전재의 함유율은 수증기 투과도의 관점에서 60~90중량%인 것이 바람직하다. 하한으로서는 70중량% 이상인 것이 보다 바람직하고, 75중량% 이상인 것이 더욱 바람직하다. 또한, 상한으로서는 88중량% 이하인 것이보다 바람직하고, 83중량% 이하인 것이 더욱 바람직하다. 무기 충전재를 60중량% 이상으로 함으로써 전자 부품용 수지 시트의 수증기 투과도를 보다 낮게 할 수 있고, 또한 90중량% 이하로 함으로써 전자 부품용 수지 시트를 보다 용이하게 시트 형상으로 가공할 수 있으며, 또한 100㎛ 이하의 얇은 시트 형상으로 할 수 있다.
본 발명에 있어서의 (d) 아미노기를 갖는 실란 커플링제는 아미노기를 갖고 있기 때문에 (a) 아크릴계 공중합체 중의 아크릴로니트릴 단위와의 상용성이 우수하다. 이것에 의해, 본 발명의 전자 부품용 수지 시트는 경화 전의 상태에 있어서 그 가요성, 막 강도가 향상된다. 중공 구조를 갖는 전자 부품의 접합이나 보호에 이용하여 전자 부품용 수지 시트를 열경화시킨 경우에도 중공 부분의 잔존 기체의 열팽창에 의해서 전자 부품용 수지 시트가 일으키는 변형이 적어, 광범위한 가공 조건에 있어서 양호한 접합이나 보호를 행할 수 있다.
(d) 아미노기를 갖는 실란 커플링제의 구체예로서는 N-2(아미노에틸)-3-아미노프로필트리메톡시실란, N-2-(아미노에틸)-3-아미노프로필트리메톡시실란, 3-아미노프로필트리메톡시실란, 3-아미노프로필트리에톡시실란, N-페닐-3-아미노프로필트리메톡시실란, 3-트리에톡시실릴-N-(1,3-디메틸-부틸리덴)프로필아민, N-(비닐벤질)-2-아미노에틸-3-아미노프로필트리메톡시실란 염산염 등이 예시된다. 그 중에서도, N-페닐-3-아미노프로필트리메톡시실란, 3-아미노프로필트리메톡시실란, 3-아미노프로필트리에톡시실란을 이용하면, (a) 아크릴계 공중합체 중의 아크릴로니트릴 단위와의 상용성이 보다 우수하기 때문에 바람직하다. 아미노기를 갖는 실란 커플링제는 아크릴계 공중합체 중의 아크릴로니트릴 단위와 실란 커플링제의 상용성이 우수하기 때문에 전자 부품용 수지 시트의 가요성을 향상시킬 수 있다.
본 발명에 있어서, 상기 (d) 아미노기를 갖는 실란 커플링제의 함유량은 (c) 무기 충전재의 비표면적에 대하여 사용되는 실란 커플링제의 최소 피복 면적(㎡/g)의 비율로서, 0.4~3.0인 것이 바람직하다. 또한, 하한으로서는 0.8 이상인 것이 보다 바람직하고, 상한으로서는 2.0 이하인 것이 보다 바람직하다.
본 발명의 전자 부품용 수지 시트는 각종 첨가제를 더 함유시켜도 좋다. 예를 들면, 할로겐 화합물, 인 화합물 등의 난연제, 카본블랙, 올레핀계 공중합체, 변성 니트릴 고무, 변성 부타디엔 고무, 변성 폴리부타디엔 고무 등의 각종 엘라스토머, 티타네이트계 커플링제 등의 충전재 표면 처리제, 하이드로탈시트류 등의 이온 포착제 등을 예시할 수 있다.
본 발명의 전자 부품용 수지 시트는 100㎛ 두께의 40℃/90% RH에서의 수증기 투과도가 50g/(㎡·24h) 이하인 것이 바람직하고, 35g/(㎡·24h) 이하인 것이 보다 바람직하고, 20g/(㎡·24h) 이하인 것이 더욱 바람직하다. 수증기 투과도를 낮게 함으로써 절연성이 향상되어 전자 기기의 신뢰성을 향상시킬 수 있다. 또한, 수증기 투과도에 대해서는 JIS Z 0208(1976)(컵법)의 기재의 방법에 따라서 측정할 수 있다.
또한, 전자 부품용 수지 시트의 두께가 100㎛가 아닌 경우에는, 상기 방법으로 수증기 투과도를 측정하고, 이하의 계산식에 의해 환산하면 된다.
100㎛ 두께의 40℃/90% RH에서의 수증기 투과도=수증기 투과도의 측정값×(측정에 사용된 전자 부품용 수지 시트의 두께(㎛)/100)
또한, 본 발명의 전자 부품용 수지 시트는 전자 부품에 있어서 중공 구조를 형성하는 경우에 적합하게 사용할 수 있다. 본 발명의 전자 부품용 수지 시트는 경화 전의 상태에 있어서의 가요성, 막 강도가 우수하다. 그 때문에, 본 발명의 전자 부품용 수지 시트를 중공 구조를 갖는 전자 부품의 접합이나 보호에 사용한 경우, 중공 부분에 잔존한 기체가 열경화시에 팽창한다고 해도 형상의 변화가 적다고 하는 효과를 갖는다.
이어서, 본 발명의 전자 부품용 수지 시트의 제조 방법에 대해서 설명한다. 본 발명의 전자 부품용 수지 시트의 제조 방법으로서는 용융 혼련, 예를 들면 밴버리 믹서, 니더 롤, 단축 또는 2축의 압출기 및 코니더 등의 공지의 혼련 방법을 이용하여 용융 혼련한 후에 시트 형상으로 성형하는 방법이 예시된다. 또한, 원재료를 유기용제, 예를 들면 톨루엔, 크실렌, 클로로벤젠 등의 방향족계, 메틸에틸케톤, 메틸케톤, 메틸이소부틸케톤 등의 케톤계, 디메틸포름아미드, 디메틸아세트아미드, N메틸피롤리돈 등의 비프로톤계 극성 용제 단독 또는 혼합물에 용해·분산시킨 후에, 기재층, 예를 들면 실리콘, 불소, 알키드 화합물 등을 처리한 폴리에스테르 필름에 도포하여 건조시킴으로써 제작할 수도 있다. 특히, 용제에 용해·분산시키고나서 기재층에 도포하여 건조시키는 방법은 보다 얇은 막을 형성할 수 있기 때문에 바람직하다.
본 발명의 보호 필름 부착 전자 부품용 수지 시트는 상기 전자 부품용 수지 시트 및 보호 필름을 갖는 것을 특징으로 한다. 보호 필름은 전자 부품용 수지 시트의 편면에만 갖고 있어도 좋고 양면에 갖고 있어도 좋다. 본 발명에서 말하는 보호 필름이란 전자 부품용 수지 시트의 표면을 보호하고, 또한 전자 부품용 수지 시트로부터 박리할 수 있으면 특별히 한정되지 않는다. 예를 들면, 실리콘, 불소 화합물, 알키드 화합물 등을 코팅한 폴리에스테르 필름, 폴리올레핀 필름 등이 예시된다. 보호 필름의 두께는 특별히 한정되지 않지만, 10~100㎛가 일반적이다.
본 발명의 제 1 반도체 장치는 기판, 상기 기판 상에 형성된 반도체칩 및 상기 기판 상에 형성된 반도체칩을 덮도록 적층된 상기 전자 부품용 수지 시트를 갖고 있으며, 상기 기판과 상기 반도체칩 사이에 중공 구조가 형성되어 있는 것을 특징으로 한다.
또한, 본 발명의 제 2 반도체 장치는 반도체칩 탑재면을 둘러싸는 형상을 갖는 반도체칩 탑재용 기판, 상기 반도체칩 탑재용 기판 상에 형성된 반도체칩 및 중공 구조 형성용 기판을 갖고 있고, 상기 반도체칩 탑재용 기판과 상기 중공 구조 형성용 기판이 상기 전자 부품용 수지 시트를 통해서 접속되어 있는 것을 특징으로 한다.
본 발명의 제 1 반도체 장치의 제조 방법은, (1) 기판 상에 반도체칩을 형성하는 공정, 및 (2) 상기 기판 상에 형성된 반도체칩을 덮도록 상기 반도체칩측으로부터 전자 부품용 수지 시트를 적층하는 공정을 이 순서대로 포함하고, 상기 기판과 상기 반도체칩 사이에 중공 구조가 형성되도록 전자 부품용 수지 시트를 적층하는 것을 특징으로 한다.
또한, 본 발명의 제 2 반도체 장치의 제조 방법은 (1') 반도체칩 탑재면을 둘러싸는 형상을 갖는 반도체칩 탑재용 기판 상에 반도체칩을 형성하는 공정, (2') 반도체칩 탑재용 기판의 중공 구조 형성용 기판과의 접촉면 또는 중공 구조 형성용 기판의 반도체칩 탑재용 기판과의 접촉면에 전자 부품용 수지 시트를 적층하는 공정, 및 (3') 반도체칩 탑재용 기판과 중공 구조 형성용 기판을 상기 전자 부품용 수지 시트를 통해서 접속하는 공정을 이 순서로 포함하는 것을 특징으로 한다.
상기 전자 부품용 수지 시트를 이용하여 상기 반도체 장치를 제조함으로써, 상기 반도체 장치에 형성된 중공 구조에의 수증기의 투과가 억제되어 반도체칩의 감도가 손상되는 일이 적어진다. 이것에 의해, 감도 등의 성능이 높은 반도체 장치로 할 수 있다. 또한, 중공 구조를 제작하기 위해서 상기 전자 부품용 수지 시트를 이용해도, 그 접합시나 열경화시에 수지가 변형되는 일 없이 소정의 형상을 용이하게 제작할 수 있기 때문에 생산성이 우수하다.
실시예
이하에, 본 발명을 실시예에 의거해서 구체적으로 설명하지만, 본 발명은 이것에 한정되는 것은 아니다. 또한, 각 실시예에 있어서 약호로 나타낸 원료의 상세는 이하에 나타낸다.
<아크릴계 공중합체 1>
혼합기 및 냉각기를 구비한 반응기에 질소 분위기 하에서, 아크릴로니트릴(와코준야쿠사제, 특급) 106g(2.00몰), 부틸아크릴레이트(와코준야쿠사제, 특급) 231g(1.80몰), 글리시딜메타크릴레이트(와코준야쿠사제, 특급) 28g(0.20몰), 용매로서 메틸에틸케톤(와코준야쿠사제, 1급)을 2,900g 넣고, 대기압(1,013hPa) 하 85℃로 가열하고, 또한 연쇄 이동제로서 2-에틸헥실메르캅토아세테이트(와코준야쿠사제)를 0.001g, 중합 개시제로서 아조비스이소부티로니트릴(와코준야쿠사제, V-60)을 0.002g 첨가하여 중량 평균 분자량이 700,000으로 될 때까지 중합했다. 중량 평균 분자량은 GPC(겔퍼미에이션 크로마토그래피)법(장치: 도소사제 GELPERMEATION CHROMATOGRAPH, 컬럼: 도소사제 TSK-GEL GMHXL 7.8×300㎜)에 의해 측정하고, 폴리스티렌 환산으로 산출했다.
이것에 의해, 몰비가 아크릴로니트릴:부틸아크릴레이트:글리시딜메타크릴레이트=50:45:5(중량 평균 분자량 700,000)인 아크릴계 공중합체 1을 얻었다.
<아크릴계 공중합체 2>
혼합기 및 냉각기를 구비한 반응기에 질소 분위기 하에서, 아크릴로니트릴(와코준야쿠사제, 특급) 106g(2.00몰), 부틸아크릴레이트(와코준야쿠사제, 특급) 505g(3.94몰), 글리시딜메타크릴레이트(와코준야쿠사제, 특급) 44g(0.31몰), 용매로서 메틸에틸케톤(와코준야쿠사제, 1급)을 6,600g 넣고, 대기압(1,013hPa) 하 85℃로 가열하고, 또한 연쇄 이동제로서 2-에틸헥실메르캅토아세테이트(와코준야쿠사제)를 0.001g, 중합 개시제로서 아조비스이소부티로니트릴(와코준야쿠사제, V-60)을 0.002g 첨가하여 중량 평균 분자량이 860,000으로 될 때까지 중합했다. 중량 평균 분자량의 측정 방법은 상기 아크릴계 공중합체 1과 마찬가지의 방법에 의해 행했다.
이것에 의해, 몰비가 아크릴로니트릴:부틸아크릴레이트:글리시딜메타크릴레이트=32:63:5(중량 평균 분자량 860,000)인 아크릴계 공중합체 2를 얻었다.
<아크릴계 공중합체 3>
혼합기 및 냉각기를 구비한 반응기에 질소 분위기 하에서, 에틸아크릴레이트(와코준야쿠사제, 특급) 200g(2.00몰), 부틸아크릴레이트(와코준야쿠사제, 특급) 118g(0.920몰), 글리시딜메타크릴레이트(와코준야쿠사제, 특급) 22g(0.155몰), 용매로서 메틸에틸케톤(와코준야쿠사제, 1급)을 3,000g 넣고, 대기압(1,013hPa) 하 85℃로 가열하고, 또한 연쇄 이동제로서 2-에틸헥실메르캅토아세테이트(와코준야쿠사제)를 0.001g, 중합 개시제로서 아조비스이소부티로니트릴(와코준야쿠사제, V-60)을 0.001g 첨가하여 중량 평균 분자량이 1,200,000으로 될 때까지 중합했다. 중량 평균 분자량의 측정 방법은 상기 아크릴계 공중합체 1과 마찬가지의 방법에 의해 행했다.
이것에 의해, 몰비가 에틸아크릴레이트:부틸아크릴레이트:글리시딜메타크릴레이트=65:30:5(중량 평균 분자량 1,200,000)인 아크릴계 공중합체 3을 얻었다.
<열경화성 수지>
비스페놀 A형 에폭시 수지(jER-828, 에폭시 당량: 190, 미츠비시카가쿠 가부시키가이샤제, 상온에서 액상, 25℃에서의 점도: 14Pa·s).
<경화제>
노볼락페놀(H-1, 메이와카세이 가부시키가이샤제).
<경화 촉진제>
2-헵타데실이미다졸(C17Z, 시코쿠카세이 가부시키가이샤제).
<무기 충전재>
용융 구상 실리카(FB-5D 평균 입자 지름 5.0㎛, 덴키카가쿠고교 가부시키가이샤제)
용융 구상 실리카(SO-C2, 평균 입자 지름 0.5㎛, 가부시키가이샤 애드마테크스제).
<실란 커플링제>
N-페닐-3-아미노프로필트리메톡시실란(KBM-573, 신에츠카가쿠고교 가부시키가이샤제)
N-2-(아미노에틸)-3-아미노프로필메틸디메톡시실란(KBM-602, 신에츠카가쿠고교 가부시키가이샤제)
비닐트리스(2-메톡시에톡시)실란(V0048, 도쿄카세이고교 가부시키가이샤제).
<시트화 막 평가>
각 실시예·비교예에서 얻어진 적층체(전자 부품용 수지 시트 두께 50㎛)를 직경이 3인치인 코어, 직경이 6인치인 코어에 권취시켜서 시트화 막 평가를 행했다. 평가 기준은 하기와 같다. 또한, 권취시에 수지 시트 중에 1㎜ 이상의 핀홀 형상의 구멍이 열린 경우에는 권취되지 않았던 것으로서 평가했다.
◎: 직경이 3인치인 코어에도 직경이 6인치인 코어에도 롤 형상으로 권취된 것.
○: 직경이 3인치인 코어에는 롤 형상으로 권취되지 않았지만, 직경이 6인치인 코어에 롤 형상으로 권취된 것.
×: 직경이 3인치인 코어에도 직경이 6인치인 코어에도 롤 형상으로 권취되지 않았던 것.
<수증기 투과도 측정>
각 실시예·비교예에서 얻어진 적층체(전자 부품용 수지 시트 두께 100㎛)의 실리콘 이형제가 부착된 두께 38㎛의 폴리에틸렌테레프탈레이트 필름(린테크 가부시키가이샤제 PET38) 및 보호 필름(후지모리고교(주)제 "필름 바이너" GT)을 박리하고, 170℃에서 2시간 가열경화하여 얻어진 전자 부품용 수지 시트의 경화물에 대해서 JIS Z 0208(컵법)의 규정에 따라서 수증기 투과도 측정을 행했다. 측정 조건은 40℃/90% RH, 96시간으로 했다.
<투명 밀봉 시험>
각 실시예·비교예에서 얻어진 적층체(전자 부품용 수지 시트 두께 50㎛)를 20㎜×20㎜로 잘라내고, 중앙에 5㎜의 둥근 구멍을 금형으로 펀칭했다. 이 구멍이 뚫린 적층체(전자 부품용 수지 시트 두께 50㎛)로부터, 실리콘 이형제가 부착된 두께 38㎛의 폴리에틸렌테레프탈레이트 필름(린테크 가부시키가이샤제 PET38) 및 보호 필름(후지모리고교(주)제 "필름 바이너" GT)을 박리하고, 구멍이 뚫린 전자 부품용 수지 시트 단막으로 했다. 이것을 2장의 커버글라스(마츠나미가라스 가부시키가이샤제: 마이크로커버글라스 No.4)에 끼우고, 60℃, 0.3MPa에서 1분간 프레스하여 2장의 커버글라스와 구멍이 뚫린 전자 부품용 수지 시트 단막을 접합시켜 중공 밀봉 시험용 시험편으로 했다. 이 시험편을 150℃에서 2시간 가열하여 2장의 커버글라스와 전자 부품용 수지 시트로 둘러싸인 중공의 구멍의 변의 길이를 측정하고, 초기값인 5㎜를 초과하는 길이를 기록했다.
중공의 구멍 중에 잔존한 기체는 150℃ 가열 중에 팽창하여 중공 부분을 둘러싸는 전자 부품용 수지 시트를 눌러 넓힌다. 즉, 이 중공의 구멍의 가열 후의 직경의 증가량을 측정함으로써 전자 부품용 수지 시트가 가열 중에 기체 팽창에 의해서 얼마만큼 변형되는지를 측정할 수 있다. 이 직경의 증가량이 적을수록 초기의 형상을 유지하고 있어 중공 구조의 유지 성능이 높다고 말할 수 있다.
<절연 파괴 시험>
우선, 35㎜×35㎜의 세라믹 기판을 준비하고, 이 중앙에 2층 플렉시블 기판(도레이필름가코 가부시키가이샤제: 메타로얄, 폴리이미드 수지층 25㎛, 구리박 8㎛)을 이용하여 L/S=15/15㎛의 빗형 전극을 제작했다.
계속해서, 각 실시예·비교예에서 얻어진 적층체(전자 부품용 수지 시트 두께 50㎛)를 30㎜×30㎜로 잘라내고, 그 중앙에 20㎜×20㎜의 구멍을 금형으로 펀칭했다. 이어서, 적층체(전자 부품용 수지 시트 두께 50㎛)로부터, 실리콘 이형제가 부착된 두께 38㎛의 폴리에틸렌테레프탈레이트 필름(린테크 가부시키가이샤제 PET38) 및 보호 필름(후지모리고교(주)제 "필름 바이너" GT)을 박리하고, 구멍이 뚫린 전자 부품용 수지 시트 단막으로 했다. 이것을 상기 세라믹 기판 상의 빗형 전극의 주위를 둘러싸도록 세라믹 기판 상에 부착하고, 또한 이 위에서 다른 35㎜×35㎜의 세라믹 기판을 붙여서, 세라믹 기판/전자 부품용 수지 시트·빗형 전극/세라믹 기판의 구성체를 제작했다.
이것을 60℃, 0.3MPa에서 1분간의 조건에서 프레스하여 접착하고, 또한 오븐에서 150℃/2h 가열하여 전자 부품용 수지 시트를 열경화시켜 절연 파괴 시험용 시험편으로 했다. 이 시험편을 40℃ 90% RH의 환경 하에 두고, 마이그레이션 테스터(IMV사제 MIG-8600B)를 이용하여 빗형 전극에 12V의 직류 전압을 걸어서 336h 후의 절연 저항값을 측정했다.
실시예 1
용융 구상 실리카(SO-C2, 평균 입자 지름 0.5㎛, 가부시키가이샤 애드마테크스제) 28.8g, 용융 구상 실리카(FB-5D, 평균 입자 지름 5.0㎛, 덴키가카쿠고교 가부시키가이샤제) 51.9g을 믹서 내에 넣고, 메틸이소부틸케톤을 40g 첨가했다. 계속해서, N-페닐-3-아미노프로필트리메톡시실란(KBM-573, 신에츠카가쿠고교 가부시키가이샤제) 0.8g을 분무기로 분사하고, 믹서 내에서 혼합했다. 이것에 아크릴계 공중합체 1을 2.5g, 비스페놀 A형 에폭시 수지(jER-828, 에폭시 당량: 190, 미츠비시카가쿠 가부시키가이샤, 상온에서 액상, 25℃에서의 점도: 14Pa·s) 11.9g, 노볼락페놀(H-1, 메이와카세이 가부시키가이샤제) 4g, 2-헵타데실이미다졸(C17Z, 시코쿠카세이 가부시키가이샤제) 0.1g을 첨가하고, 고형분 농도 70중량%로 되도록 메틸이소부틸케톤을 첨가하여 30℃에서 교반하고, 호모 믹서에 의해 처리를 하여 접착제 용액을 제작했다.
이 접착제 용액을 바 코터에 의해, 실리콘 이형제가 부착된 두께 38㎛의 폴리에틸렌테레프탈레이트 필름(린테크 가부시키가이샤제 PET38)에 건조 후의 두께가 50㎛로 되도록 도포하고, 110℃에서 5분간 건조하여 보호 필름(후지모리고교(주)제 "필름 바이너" GT)를 접합해서 실리콘 이형제가 부착된 두께 38㎛의 폴리에틸렌테레프탈레이트 필름(린테크 가부시키가이샤제 PET38), 전자 부품용 수지 시트 및 보호 필름(후지모리고교(주)제 "필름 바이너" GT)이 이 순서로 적층된 적층체(전자 부품용 수지 시트 두께 50㎛)를 제작했다.
또한, 접착제 용액의 도포시에 건조 후의 두께가 100㎛로 되도록 한 것 이외에는 적층체(전자 부품용 수지 시트 두께 50㎛)와 마찬가지로 해서 적층체(전자 부품용 수지 시트 두께 100㎛)를 제작했다.
얻어진 적층체(전자 부품용 수지 시트 두께 50㎛)를 이용하여 상기 시트화 막 평가, 중공 밀봉 시험, 절연 파괴 시험의 각 평가를 행했다. 또한, 얻어진 적층체(전자 부품용 수지 시트 두께 100㎛)를 이용하여 상기 수증기 투과도 측정을 행했다. 결과를 표 1에 나타낸다.
실시예 2~실시예 11 및 비교예 1~비교예 5
각 성분의 종류, 배합량을 표 1, 표 2에 기재된 바와 같이 변경한 것 이외에는 실시예 1과 마찬가지로 해서 실리콘 이형제가 부착된 두께 38㎛의 폴리에틸렌테레프탈레이트 필름(린테크 가부시키가이샤제 PET38), 전자 부품용 수지 시트 및 보호 필름(후지모리고교(주)제 "필름 바이너" GT)이 이 순서로 적층된 적층체(전자 부품용 수지 시트 두께 50㎛) 및 적층체(전자 부품용 수지 시트 두께 100㎛)를 제작했다.
얻어진 적층체(전자 부품용 수지 시트 두께 50㎛)를 이용하여 상기 시트화 막 평가, 중공 밀봉 시험, 절연 파괴 시험의 각 평가를 행했다. 또한, 얻어진 적층체(전자 부품용 수지 시트 두께 100㎛)를 이용하여 상기 수증기 투과도 측정을 행했다. 결과를 표 1, 표 2에 나타낸다. 또한, 비교예 1에 대해서는 바 코터에 의해 도포된 막에 1㎜ 이상의 핀홀 형상의 구멍이 있기 때문에 수증기 투과도 측정, 중공 밀봉 시험, 절연 파괴 시험의 각 평가를 행할 수 없었다.
Figure 112017086120740-pct00001
Figure 112017086120740-pct00002
1: 기판 2: 전자 부품용 수지 시트
3: 반도체칩 4: 중공 부분
5: 솔더 볼 6: 반도체칩 탑재용 기판
7: 전자 부품용 수지 시트 8: 반도체칩
9: 중공 부분 10: 중공 구조 형성용 기판

Claims (9)

  1. (a) 아크릴계 공중합체, (b) 열경화성 수지, (c) 무기 충전재 및 (d) 아미노기를 갖는 실란 커플링제를 함유하고, (a) 아크릴계 공중합체가 구성 모노머 단위 중 아크릴로니트릴 단위를 30몰% 이상 함유하고, 또한 전자 부품용 수지 시트 중의 (a) 아크릴계 공중합체의 함유율이 2~5중량%인 것을 특징으로 하는 전자 부품용 수지 시트.
  2. 제 1 항에 있어서,
    전자 부품용 수지 시트 중의 상기 (c) 무기 충전재의 함유율이 60~90중량%인 것을 특징으로 하는 전자 부품용 수지 시트.
  3. 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,
    100㎛ 두께의 40℃/90% RH에서의 수증기 투과도가 50g/(㎡·24h) 이하인 것을 특징으로 하는 전자 부품용 수지 시트.
  4. 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,
    중공 구조를 형성하기 위해서 사용되는 것을 특징으로 하는 전자 부품용 수지 시트.
  5. 제 1 항 또는 제 2 항에 기재된 전자 부품용 수지 시트 및 보호 필름을 갖는 것을 특징으로 하는 보호 필름 부착 전자 부품용 수지 시트.
  6. 기판, 상기 기판 상에 형성된 반도체칩 및 상기 기판 상에 형성된 반도체칩을 덮도록 적층된 제 1 항 또는 제 2 항에 기재된 전자 부품용 수지 시트를 갖고 있으며, 상기 기판과 상기 반도체칩 사이에 중공 구조가 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 반도체 장치.
  7. 반도체칩 탑재면을 둘러싸는 형상을 갖는 반도체칩 탑재용 기판, 상기 반도체칩 탑재용 기판 상에 형성된 반도체칩 및 중공 구조 형성용 기판을 갖고 있으며, 상기 반도체칩 탑재용 기판과 상기 중공 구조 형성용 기판이 제 1 항 또는 제 2 항에 기재된 전자 부품용 수지 시트를 통해서 접속되어 있는 것을 특징으로 하는 반도체 장치.
  8. (1) 기판 상에 반도체칩을 형성하는 공정, 및 (2) 상기 기판 상에 형성된 반도체칩을 덮도록, 상기 반도체칩측으로부터 제 1 항 또는 제 2 항에 기재된 전자 부품용 수지 시트를 적층하는 공정을 이 순서로 포함하고, 상기 기판과 상기 반도체칩 사이에 중공 구조가 형성되도록 전자 부품용 수지 시트를 적층하는 것을 특징으로 하는 반도체 장치의 제조 방법.
  9. (1') 반도체칩 탑재면을 둘러싸는 형상을 갖는 반도체칩 탑재용 기판 상에 반도체칩을 형성하는 공정, (2') 반도체칩 탑재용 기판의 중공 구조 형성용 기판과의 접속면 또는 중공 구조 형성용 기판의 반도체칩 탑재용 기판과의 접속면에, 제 1 항 또는 제 2 항에 기재된 전자 부품용 수지 시트를 적층하는 공정, 및 (3') 반도체칩 탑재용 기판과 중공 구조 형성용 기판을 상기 전자 부품용 수지 시트를 통해서 접속하는 공정을 이 순서로 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 장치의 제조 방법.
KR1020177024952A 2015-03-31 2016-03-25 전자 부품용 수지 시트, 보호 필름 부착 전자 부품용 수지 시트, 및 반도체 장치 및 그 제조 방법 KR102466692B1 (ko)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JPJP-P-2015-072336 2015-03-31
JP2015072336 2015-03-31
PCT/JP2016/059641 WO2016158760A1 (ja) 2015-03-31 2016-03-25 電子部品用樹脂シート、保護フィルム付電子部品用樹脂シートならびに半導体装置およびその製造方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20170134354A KR20170134354A (ko) 2017-12-06
KR102466692B1 true KR102466692B1 (ko) 2022-11-14

Family

ID=57005761

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020177024952A KR102466692B1 (ko) 2015-03-31 2016-03-25 전자 부품용 수지 시트, 보호 필름 부착 전자 부품용 수지 시트, 및 반도체 장치 및 그 제조 방법

Country Status (6)

Country Link
JP (1) JP6237906B2 (ko)
KR (1) KR102466692B1 (ko)
CN (1) CN107408540B (ko)
SG (1) SG11201706433WA (ko)
TW (1) TWI672330B (ko)
WO (1) WO2016158760A1 (ko)

Families Citing this family (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP7372916B2 (ja) * 2018-07-27 2023-11-01 リンテック株式会社 硬化性フィルム状接着剤及びデバイスの製造方法
JP7207079B2 (ja) * 2019-03-28 2023-01-18 味の素株式会社 支持体付き樹脂シート
CN110289218B (zh) * 2019-06-18 2021-09-28 北京猎户星空科技有限公司 一种集成电路板生产方法及集成电路板
JPWO2022149521A1 (ko) 2021-01-07 2022-07-14

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100235082B1 (ko) * 1995-04-04 1999-12-15 우찌가사끼 이사오 접착제, 접착 필름 및 접착제-부착 금속박
JP2014189791A (ja) 2013-03-28 2014-10-06 Nitto Denko Corp 電子デバイス封止用樹脂シート及び電子デバイスパッケージの製造方法

Family Cites Families (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP1793421A3 (en) * 1996-10-08 2007-08-01 Hitachi Chemical Co., Ltd. Semiconductor device, substrate for mounting a semiconductor chip, process for their production, adhesive, and double-sided adhesive film
CN101536185B (zh) * 2006-10-31 2012-11-28 住友电木株式会社 粘接带及使用该粘接带制造的半导体装置
JP5728804B2 (ja) * 2009-10-07 2015-06-03 デクセリアルズ株式会社 熱硬化性接着組成物、熱硬化性接着シート、その製造方法及び補強フレキシブルプリント配線板
JP5349432B2 (ja) 2010-09-06 2013-11-20 日東電工株式会社 電子部品装置の製法およびそれに用いる電子部品封止用樹脂組成物シート
JP5961015B2 (ja) 2012-03-06 2016-08-02 日東電工株式会社 アンダーフィル材及び半導体装置の製造方法
JP2013127034A (ja) * 2011-12-19 2013-06-27 Nitto Denko Corp シート状電子部品封止用エポキシ樹脂組成物およびそれを用いた電子部品装置
CN104838490B (zh) * 2012-12-03 2018-09-25 琳得科株式会社 保护膜形成用膜
JP6228734B2 (ja) * 2013-02-14 2017-11-08 日東電工株式会社 電子部品封止用樹脂シート、樹脂封止型半導体装置、及び、樹脂封止型半導体装置の製造方法
JP2014209612A (ja) 2013-03-26 2014-11-06 東レ株式会社 電子部品用カバーレイフィルムおよびそれを用いた保護フィルム付電子部品用カバーレイフィルム
JP2015106698A (ja) * 2013-12-02 2015-06-08 味の素株式会社 半導体装置の製造方法
JP6322026B2 (ja) * 2014-03-31 2018-05-09 日東電工株式会社 ダイボンドフィルム、ダイシングシート付きダイボンドフィルム、半導体装置、及び、半導体装置の製造方法

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100235082B1 (ko) * 1995-04-04 1999-12-15 우찌가사끼 이사오 접착제, 접착 필름 및 접착제-부착 금속박
JP2014189791A (ja) 2013-03-28 2014-10-06 Nitto Denko Corp 電子デバイス封止用樹脂シート及び電子デバイスパッケージの製造方法

Also Published As

Publication number Publication date
TWI672330B (zh) 2019-09-21
CN107408540B (zh) 2019-06-21
JPWO2016158760A1 (ja) 2017-06-22
JP6237906B2 (ja) 2017-11-29
TW201641552A (zh) 2016-12-01
WO2016158760A1 (ja) 2016-10-06
CN107408540A (zh) 2017-11-28
KR20170134354A (ko) 2017-12-06
SG11201706433WA (en) 2017-09-28

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR102466692B1 (ko) 전자 부품용 수지 시트, 보호 필름 부착 전자 부품용 수지 시트, 및 반도체 장치 및 그 제조 방법
JP4691365B2 (ja) 半導体装置用接着剤組成物および半導体装置用接着シート
JP4989402B2 (ja) 中空型デバイス封止用樹脂組成物シートおよびそれを用いて封止した中空型デバイス
JP5109411B2 (ja) 電子機器用接着剤組成物およびそれを用いた電子機器用接着剤シート、電子部品
KR20020075426A (ko) 접착제 조성물, 그 제조 방법, 이것을 이용한 접착 필름,반도체 탑재용 기판 및 반도체 장치
US11848659B2 (en) Manufacturing method of mounting structure, and sheet therefor
JP7110600B2 (ja) 電子部品用樹脂組成物および電子部品用樹脂シート。
US6617021B2 (en) Adhesive composition and adhesive sheet for semiconductor devices
JP5760702B2 (ja) 電子機器用接着剤組成物および電子機器用接着剤シート
WO2020184490A1 (ja) 接着剤組成物、フィルム状接着剤、接着シート、及び半導体装置の製造方法
KR20180137128A (ko) 컨트롤러 다이 매립형 fod 접착필름 및 이를 포함하는 반도체 패키지
JP2006022195A (ja) 硬化性樹脂組成物、接着性エポキシ樹脂シート及び回路基板接合体
JP2008258429A (ja) 絶縁フィルム、電子部品装置の製造方法及び電子部品装置
JP2019218452A (ja) 部品内蔵基板用熱硬化性接着シートおよび部品内蔵基板の製造方法
JP2017019900A (ja) 接着剤組成物、接着フィルム、樹脂付き金属箔及び金属ベース基板
KR102505321B1 (ko) 봉지용 필름, 봉지 구조체 및 봉지 구조체의 제조 방법
WO2018029744A1 (ja) 電子部品用樹脂シート、保護フィルム付電子部品用樹脂シートならびに半導体装置およびその製造方法
JP2014209612A (ja) 電子部品用カバーレイフィルムおよびそれを用いた保護フィルム付電子部品用カバーレイフィルム
CN110546232B (zh) 密封用膜、密封结构体和密封结构体的制造方法
JP2006199894A (ja) 接着シート及び半導体装置
TW201807029A (zh) 電子零件用樹脂片、帶保護膜電子零件用樹脂片以及半導體裝置及其製造方法
KR101751972B1 (ko) 컨트롤러 다이 매립형 fod 접착필름 및 이를 포함하는 반도체 패키지
KR100727550B1 (ko) 반도체 장치용 접착제 조성물 및 반도체 장치용 접착시트
JP2023157426A (ja) 電子部品被覆用樹脂組成物シート、硬化物、及び半導体装置
JP2005126712A (ja) 半導体素子用接着剤組成物、それを用いた接着シート及び接着テープ

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant