KR102464320B1 - Light emitting device package - Google Patents

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Abstract

실시 예는 광속이 향상된 발광 소자 패키지에 관한 것으로, 본 발명 실시 예의 발광 소자 패키지는 하부면에 전극 패드가 배치되는 발광 소자; 상기 발광 소자의 네 측면을 커버하는 파장 변환층; 상기 발광 소자의 상부면과 상기 발광 소자의 세 측면을 커버하여, 상기 발광 소자의 광 방출면인 나머지 한 측면의 상기 파장 변환층을 노출시키는 제 1 반사 패턴; 및 상기 제 1 반사 패턴과 상기 발광 소자 상부면 사이에 배치되는 제 2 반사 패턴을 포함한다.The embodiment relates to a light emitting device package having an improved luminous flux, and the light emitting device package of the embodiment of the present invention includes a light emitting device having an electrode pad disposed on a lower surface thereof; a wavelength conversion layer covering four sides of the light emitting device; a first reflective pattern covering the upper surface of the light emitting device and three side surfaces of the light emitting device to expose the wavelength conversion layer on the other side that is the light emitting surface of the light emitting device; and a second reflective pattern disposed between the first reflective pattern and an upper surface of the light emitting device.

Description

발광 소자 패키지{LIGHT EMITTING DEVICE PACKAGE}Light emitting device package {LIGHT EMITTING DEVICE PACKAGE}

본 발명 실시 예는 광속이 향상된 발광 소자 패키지에 관한 것이다.An embodiment of the present invention relates to a light emitting device package with improved luminous flux.

발광 다이오드(Light Emitting Diode: LED)는 전류가 인가되면 광을 방출하는 발광 소자 중 하나이다. 발광 다이오드는 저전압으로 고효율의 광을 방출할 수 있어 에너지 절감 효과가 뛰어나다. 최근, 발광 다이오드의 휘도 문제가 크게 개선되어, 액정 표시 장치의 백라이트 유닛(Backlight Unit), 전광판, 표시기, 가전 제품 등과 같은 각종 기기에 적용되고 있다. A light emitting diode (LED) is one of light emitting devices that emits light when an electric current is applied thereto. Light-emitting diodes can emit high-efficiency light with low voltage, and thus have excellent energy-saving effects. Recently, the luminance problem of light emitting diodes has been greatly improved, and it has been applied to various devices such as a backlight unit of a liquid crystal display device, an electric signboard, a display device, and a home appliance.

발광 다이오드는 제 1 반도체층, 활성층 및 제 2 반도체층으로 구성된 발광 구조물의 일 측에 제 1 전극과 제 2 전극이 배치된 구조일 수 있다. 그런데, 발광 다이오드의 제 1, 제 2 전극이 와이어(wire)를 통해 제 1, 제 2 리드 프레임에 각각 연결된 수평형(lateral) 구조의 발광 소자를 백라이트 유닛의 광원으로 사용하는 경우, 와이어에 의해 백라이트 유닛의 소형화가 어려우며, 방열에도 취약하다.The light emitting diode may have a structure in which the first electrode and the second electrode are disposed on one side of the light emitting structure including the first semiconductor layer, the active layer, and the second semiconductor layer. However, when a light emitting device having a lateral structure in which the first and second electrodes of the light emitting diode are respectively connected to the first and second lead frames through a wire is used as a light source of the backlight unit, the It is difficult to downsize the backlight unit, and it is also vulnerable to heat dissipation.

본 발명이 이루고자 하는 기술적 과제는 반사 패턴을 통해 광 방출면을 용이하게 조절하고, 광속이 향상된 발광 소자 패키지를 제공하는 데 있다.An object of the present invention is to provide a light emitting device package in which a light emitting surface is easily adjusted through a reflective pattern and a luminous flux is improved.

본 발명 실시 예의 발광 소자 패키지는 하부면에 전극 패드가 배치되는 발광 소자; 상기 발광 소자의 네 측면을 커버하는 파장 변환층; 상기 발광 소자의 상부면과 상기 발광 소자의 세 측면을 커버하여, 상기 발광 소자의 광 방출면인 나머지 한 측면의 상기 파장 변환층을 노출시키는 제 1 반사 패턴; 및 상기 제 1 반사 패턴과 상기 발광 소자 상부면 사이에 배치되는 제 2 반사 패턴을 포함한다.The light emitting device package according to an embodiment of the present invention includes: a light emitting device having an electrode pad disposed on a lower surface thereof; a wavelength conversion layer covering four sides of the light emitting device; a first reflective pattern covering the upper surface of the light emitting device and three side surfaces of the light emitting device to expose the wavelength conversion layer on the other side that is the light emitting surface of the light emitting device; and a second reflective pattern disposed between the first reflective pattern and an upper surface of the light emitting device.

또한, 본 발명 다른 실시 예의 발광 소자 패키지는 하부면에 전극 패드가 배치되는 발광 소자; 상기 발광 소자의 네 측면을 커버하는 파장 변환층; 상기 발광 소자의 상부면과 상기 발광 소자의 한 측면을 커버하여, 상기 발광 소자의 광 방출면인 나머지 세 측면의 상기 파장 변환층을 노출시키는 제 1 반사 패턴; 및 상기 제 1 반사 패턴과 상기 발광 소자 상부면 사이에 배치되는 제 2 반사 패턴을 포함한다.In addition, the light emitting device package of another embodiment of the present invention includes a light emitting device having an electrode pad disposed on the lower surface; a wavelength conversion layer covering four sides of the light emitting device; a first reflection pattern covering an upper surface of the light emitting element and one side of the light emitting element to expose the wavelength conversion layer on the other three side surfaces that are light emission surfaces of the light emitting element; and a second reflective pattern disposed between the first reflective pattern and an upper surface of the light emitting device.

또한, 본 발명 다른 실시 예의 발광 소자 패키지는 하부면에 전극 패드가 배치되는 발광 소자; 상기 발광 소자의 네 측면을 커버하는 파장 변환층; 상기 발광 소자의 상부면과 상기 발광 소자의 세 측면을 커버하여, 상기 발광 소자의 광 방출면인 나머지 한 측면의 상기 파장 변환층을 노출시키는 제 1 반사 패턴; 및 상기 제 1 반사 패턴을 사이에 두고 상기 발광 소자와 중첩되도록 상기 제 1 반사 패턴의 상부면에 배치된 제 2 반사 패턴을 포함한다.In addition, the light emitting device package of another embodiment of the present invention includes a light emitting device having an electrode pad disposed on the lower surface; a wavelength conversion layer covering four sides of the light emitting device; a first reflective pattern covering the upper surface of the light emitting device and three side surfaces of the light emitting device to expose the wavelength conversion layer on the other side that is the light emitting surface of the light emitting device; and a second reflective pattern disposed on an upper surface of the first reflective pattern to overlap the light emitting device with the first reflective pattern interposed therebetween.

또한, 본 발명 다른 실시 예의 발광 소자 패키지는 하부면에 전극 패드가 배치되는 발광 소자; 상기 발광 소자의 네 측면을 커버하는 파장 변환층; 상기 발광 소자의 상부면과 상기 발광 소자의 한 측면을 커버하여, 상기 발광 소자의 광 방출면인 나머지 세 측면의 상기 파장 변환층을 노출시키는 제 1 반사 패턴; 및 상기 제 1 반사 패턴을 사이에 두고 상기 발광 소자와 중첩되도록 상기 제 1 반사 패턴의 상부면에 배치된 제 2 반사 패턴을 포함한다.In addition, the light emitting device package of another embodiment of the present invention includes a light emitting device having an electrode pad disposed on the lower surface; a wavelength conversion layer covering four sides of the light emitting device; a first reflection pattern covering an upper surface of the light emitting element and one side of the light emitting element to expose the wavelength conversion layer on the other three side surfaces that are light emission surfaces of the light emitting element; and a second reflective pattern disposed on an upper surface of the first reflective pattern to overlap the light emitting device with the first reflective pattern interposed therebetween.

본 발명의 발광 소자 패키지는 발광 소자를 감싸는 반사 패턴을 이용하여 발광 소자의 광 방출면을 용이하게 조절하고, 광속을 향상시킬 수 있다.In the light emitting device package of the present invention, the light emitting surface of the light emitting device can be easily adjusted and the luminous flux can be improved by using a reflective pattern surrounding the light emitting device.

따라서, 본 발명 실시 예의 발광 소자 패키지를 백라이트 유닛의 광원으로 이용하는 경우, 도광판으로 입사되는 광속이 향상되며, 동시에 광원의 소형화가 가능하다.Therefore, when the light emitting device package according to the embodiment of the present invention is used as a light source of the backlight unit, the luminous flux incident to the light guide plate is improved, and the size of the light source can be reduced at the same time.

도 1a는 본 발명 제 1 실시 예의 발광 소자 패키지의 사시도이다.
도 1b는 도 1a의 Ⅰ-Ⅰ'의 단면도이다.
도 1c는 도 1a의 Ⅱ-Ⅱ'의 단면도이다.
도 1d 및 도 1e는 본 발명 제 1 실시 예의 제 2 반사 패턴의 다른 구조를 도시한 단면도이다.
도 2a는 본 발명 제 2 실시 예의 발광 소자 패키지의 사시도이다.
도 2b는 도 2a의 Ⅰ-Ⅰ'의 단면도이다.
도 2c는 도 2a의 Ⅱ-Ⅱ'의 단면도이다.
도 2d 내지 도 2g는 본 발명 제 2 실시 예의 제 2 반사 패턴 및 제 3 반사 패턴의 다른 구조를 도시한 단면도이다.
도 3a는 본 발명 제 3 실시 예의 발광 소자 패키지의 사시도이다.
도 3b는 도 3a의 Ⅰ-Ⅰ'의 단면도이다.
도 4a는 본 발명 제 4 실시 예의 발광 소자 패키지의 사시도이다.
도 4b는 도 4a의 Ⅰ-Ⅰ'의 단면도이다.
도 5a는 본 발명 제 5 실시 예의 발광 소자 패키지의 사시도이다.
도 5b는 도 5a의 Ⅰ-Ⅰ'의 단면도이다.
도 5c는 도 5a의 Ⅱ-Ⅱ'의 단면도이다.
도 6a는 본 발명 제 6 실시 예의 발광 소자 패키지의 사시도이다.
도 6b는 도 6a의 Ⅰ-Ⅰ'의 단면도이다.
도 6c는 도 6a의 Ⅱ-Ⅱ'의 단면도이다.
도 7a는 본 발명 실시 예의 발광 소자의 단면도이다.
도 7b는 도 7a의 제 2 절연층과 제 2 반사 패턴이 활성층을 사이에 두고 배치된 구조를 도시한 단면도이다.
도 8a는 본 발명의 발광 소자 패키지를 적용한 백라이트 유닛의 사시도이다.
도 8b는 도 8a의 Ⅰ-Ⅰ'의 단면도이다.1A is a perspective view of a light emitting device package according to a first embodiment of the present invention.
FIG. 1B is a cross-sectional view taken along line I-I' of FIG. 1A.
1C is a cross-sectional view taken along line II-II' of FIG. 1A.
1D and 1E are cross-sectional views illustrating another structure of a second reflection pattern according to the first embodiment of the present invention.
2A is a perspective view of a light emitting device package according to a second embodiment of the present invention.
FIG. 2B is a cross-sectional view taken along line I-I' of FIG. 2A.
FIG. 2C is a cross-sectional view taken along line II-II' of FIG. 2A.
2D to 2G are cross-sectional views illustrating other structures of a second reflective pattern and a third reflective pattern according to a second exemplary embodiment of the present invention.
3A is a perspective view of a light emitting device package according to a third embodiment of the present invention.
3B is a cross-sectional view taken along line I-I' of FIG. 3A.
4A is a perspective view of a light emitting device package according to a fourth embodiment of the present invention.
4B is a cross-sectional view taken along line I-I' of FIG. 4A.
5A is a perspective view of a light emitting device package according to a fifth embodiment of the present invention.
5B is a cross-sectional view taken along line I-I' of FIG. 5A.
5C is a cross-sectional view taken along line II-II' of FIG. 5A.
6A is a perspective view of a light emitting device package according to a sixth embodiment of the present invention.
6B is a cross-sectional view taken along line I-I' of FIG. 6A.
6C is a cross-sectional view taken along line II-II' of FIG. 6A.
7A is a cross-sectional view of a light emitting device according to an embodiment of the present invention.
7B is a cross-sectional view illustrating a structure in which the second insulating layer and the second reflective pattern of FIG. 7A are disposed with an active layer interposed therebetween.
8A is a perspective view of a backlight unit to which the light emitting device package of the present invention is applied.
8B is a cross-sectional view taken along line I-I' of FIG. 8A.

본 발명은 다양한 변경을 가할 수 있고 여러 가지 실시 예를 가질 수 있는 바, 특정 실시 예들을 도면에 예시하고 설명하고자 한다. 그러나, 이는 본 발명을 특정한 실시 형태에 대해 한정하려는 것이 아니며, 본 발명의 사상 및 기술 범위에 포함되는 모든 변경, 균등물 내지 대체물을 포함하는 것으로 이해되어야 한다. Since the present invention may have various changes and may have various embodiments, specific embodiments will be illustrated and described in the drawings. However, this is not intended to limit the present invention to specific embodiments, and should be understood to include all modifications, equivalents and substitutes included in the spirit and scope of the present invention.

제 1, 제 2 등과 같이 서수를 포함하는 용어는 다양한 구성요소들을 설명하는데 사용될 수 있지만, 상기 구성요소들은 상기 용어들에 의해 한정되지는 않는다. 상기 용어들은 하나의 구성요소를 다른 구성요소로부터 구별하는 목적으로만 사용된다. 예를 들어, 본 발명의 권리 범위를 벗어나지 않으면서 제2 구성요소는 제1 구성요소로 명명될 수 있고, 유사하게 제1 구성요소도 제2 구성요소로 명명될 수 있다. 및/또는 이라는 용어는 복수의 관련된 기재된 항목들의 조합 또는 복수의 관련된 기재된 항목들 중의 어느 항목을 포함한다. Terms including an ordinal number, such as first, second, etc., may be used to describe various elements, but the elements are not limited by the terms. The above terms are used only for the purpose of distinguishing one component from another. For example, without departing from the scope of the present invention, the second component may be referred to as the first component, and similarly, the first component may also be referred to as the second component. and/or includes a combination of a plurality of related listed items or any of a plurality of related listed items.

어떤 구성요소가 다른 구성요소에 "연결되어" 있다거나 "접속되어" 있다고 언급된 때에는, 그 다른 구성요소에 직접적으로 연결되어 있거나 또는 접속되어 있을 수도 있지만, 중간에 다른 구성요소가 존재할 수도 있다고 이해되어야 할 것이다. 반면에, 어떤 구성요소가 다른 구성요소에 "직접 연결되어" 있다거나 "직접 접속되어" 있다고 언급된 때에는, 중간에 다른 구성요소가 존재하지 않는 것으로 이해되어야 할 것이다. When a component is referred to as being “connected” or “connected” to another component, it may be directly connected or connected to the other component, but it is understood that other components may exist in between. it should be On the other hand, when it is said that a certain element is "directly connected" or "directly connected" to another element, it should be understood that the other element does not exist in the middle.

본 출원에서 사용한 용어는 단지 특정한 실시 예를 설명하기 위해 사용된 것으로, 본 발명을 한정하려는 의도가 아니다. 단수의 표현은 문맥상 명백하게 다르게 뜻하지 않는 한, 복수의 표현을 포함한다. 본 출원에서, "포함하다" 또는 "가지다" 등의 용어는 명세서상에 기재된 특징, 숫자, 단계, 동작, 구성요소, 부품 또는 이들을 조합한 것이 존재함을 지정하려는 것이지, 하나 또는 그 이상의 다른 특징들이나 숫자, 단계, 동작, 구성요소, 부품 또는 이들을 조합한 것들의 존재 또는 부가 가능성을 미리 배제하지 않는 것으로 이해되어야 한다.The terms used in the present application are only used to describe specific embodiments, and are not intended to limit the present invention. The singular expression includes the plural expression unless the context clearly dictates otherwise. In the present application, terms such as “comprise” or “have” are intended to designate that a feature, number, step, operation, component, part, or combination thereof described in the specification exists, but one or more other features It is to be understood that this does not preclude the possibility of the presence or addition of numbers, steps, operations, components, parts, or combinations thereof.

다르게 정의되지 않는 한, 기술적이거나 과학적인 용어를 포함해서 여기서 사용되는 모든 용어들은 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자에 의해 일반적으로 이해되는 것과 동일한 의미를 가지고 있다. 일반적으로 사용되는 사전에 정의되어 있는 것과 같은 용어들은 관련 기술의 문맥 상 가지는 의미와 일치하는 의미를 가지는 것으로 해석되어야 하며, 본 출원에서 명백하게 정의하지 않는 한, 이상적이거나 과도하게 형식적인 의미로 해석되지 않는다.Unless defined otherwise, all terms used herein, including technical or scientific terms, have the same meaning as commonly understood by one of ordinary skill in the art to which this invention belongs. Terms such as those defined in a commonly used dictionary should be interpreted as having a meaning consistent with the meaning in the context of the related art, and should not be interpreted in an ideal or excessively formal meaning unless explicitly defined in the present application. does not

이하, 첨부된 도면을 참조하여 실시 예를 상세히 설명하되, 도면 부호에 관계없이 동일하거나 대응하는 구성 요소는 동일한 참조 번호를 부여하고 이에 대한 중복되는 설명은 생략하기로 한다.Hereinafter, the embodiment will be described in detail with reference to the accompanying drawings, but the same or corresponding components are given the same reference numerals regardless of reference numerals, and overlapping descriptions thereof will be omitted.

이하, 첨부된 도면을 참조하여 실시 예의 발광 소자 패키지를 상세히 설명하면 다음과 같다.Hereinafter, the light emitting device package of the embodiment will be described in detail with reference to the accompanying drawings.

* 제 1 실시 예 ** First embodiment *

도 1a는 본 발명 제 1 실시 예의 발광 소자 패키지의 사시도이다. 그리고, 도 1b는 도 1a의 Ⅰ-Ⅰ'의 단면도이며, 도 1c는 도 1a의 Ⅱ-Ⅱ'의 단면도이다.1A is a perspective view of a light emitting device package according to a first embodiment of the present invention. And, FIG. 1B is a cross-sectional view taken along line I-I' of FIG. 1A, and FIG. 1C is a cross-sectional view taken along line II-II' of FIG. 1A.

도 1a, 도 1b 및 도 1c와 같이, 본 발명 제 1 실시 예의 발광 소자 패키지(100)는 하부면에 전극 패드가 배치되는 발광 소자(10), 발광 소자(10)의 네 측면을 커버하는 파장 변환층(110), 발광 소자(10)의 상부면과 발광 소자(10)의 세 측면을 커버하여, 발광 소자(10)의 광 방출면인 나머지 한 측면의 파장 변환층(110)을 노출시키는 제 1 반사 패턴(105) 및 제 1 반사 패턴(105)과 발광 소자(10) 상부면 사이에 배치되는 제 2 반사 패턴(115)을 포함한다. 상기와 같은 발광 소자 패키지(100)는 칩 스케일 패키지(Chip Scale Package; CSP)일 수 있다.1A, 1B and 1C, the light emitting device package 100 of the first embodiment of the present invention has a light emitting device 10 having an electrode pad disposed on its lower surface, and a wavelength covering four sides of the light emitting device 10 Conversion layer 110, covering the upper surface of the light emitting device 10 and three sides of the light emitting device 10, exposing the wavelength conversion layer 110 of the other side, which is the light emitting surface of the light emitting device 10 It includes a first reflective pattern 105 and a second reflective pattern 115 disposed between the first reflective pattern 105 and the upper surface of the light emitting device 10 . The light emitting device package 100 as described above may be a chip scale package (CSP).

발광 소자(10)는 자외선 파장대의 광 또는 청색 파장대의 광을 방출할 수 있다. 발광 소자(10)는 하부면에 제 1, 제 2 전극(미도시) 및 제 1, 제 2 전극 패드가 배치된 플립 칩일 수 있으며, 발광 소자(10)의 구조에 대해서는 후술한다.The light emitting device 10 may emit light in an ultraviolet wavelength band or light in a blue wavelength band. The light emitting device 10 may be a flip chip in which first and second electrodes (not shown) and first and second electrode pads are disposed on a lower surface, and the structure of the light emitting device 10 will be described later.

발광 소자(10)의 상부면에 배치된 제 2 반사 패턴(115)은 발광 소자(10)의 상부면으로 진행하는 광을 반사시켜 발광 소자(10)의 광 방출면으로 방출되는 광량을 증가시키기 위한 것이다. 제 2 반사 패턴(115)은 분산 브래그 반사층(Distributed Bragg Reflector Layer; DBR)으로 구성될 수 있다. 이 때, 제 2 반사 패턴(115)의 두께는 2㎛ 내지 3㎛일 수 있으며, 이에 한정하지 않는다.The second reflective pattern 115 disposed on the upper surface of the light emitting device 10 reflects light traveling toward the upper surface of the light emitting device 10 to increase the amount of light emitted to the light emitting surface of the light emitting device 10 . it is for The second reflection pattern 115 may be formed of a Distributed Bragg Reflector Layer (DBR). In this case, the thickness of the second reflective pattern 115 may be 2 μm to 3 μm, but is not limited thereto.

DBR층은 굴절률이 다른 두가지 물질을 교대로 쌓은 구조로 이루어질 수 있다. DBR층은 고 굴절률을 갖는 제 1 층과 저 굴절률을 갖는 제 2 층이 반복되어 형성될 수 있다. 제 1 층과 제 2 층은 모두 유전체일 수 있으며, 제 1 층과 제 2 층의 고 굴절률과 저 굴절률은 상대적인 굴절률일 수 있다. 발광 소자(10)에서 방출되는 광 중 DBR층으로 진행하는 광은 제 1 층과 제 2 층의 굴절률 차이에 의해 DBR층을 통과하지 못하고 다시 발광 소자(10) 방향으로 반사될 수 있다.The DBR layer may have a structure in which two materials having different refractive indices are alternately stacked. The DBR layer may be formed by repeating a first layer having a high refractive index and a second layer having a low refractive index. Both the first and second layers may be dielectrics, and the high and low refractive indices of the first and second layers may be relative refractive indices. Among the light emitted from the light emitting device 10 , light traveling to the DBR layer may not pass through the DBR layer due to a difference in refractive index between the first layer and the second layer and may be reflected back toward the light emitting device 10 .

파장 변환층(110)은 발광 소자(10)의 네 측면 및 제 2 반사 패턴(115)이 배치된 발광 소자(10)의 상부면을 감싸도록 형성될 수 있다. 파장 변환층(110)은 파장 변환 입자가 분산된 고분자 수지로 형성될 수 있다. 이 때, 고분자 수지는 광 투과성 에폭시 수지, 실리콘 수지, 폴리이미드 수지, 요소 수지, 및 아크릴 수지 중 선택된 하나 이상일 수 있다. 일 예로, 고분자 수지는 실리콘 수지일 수 있다.The wavelength conversion layer 110 may be formed to surround four side surfaces of the light emitting device 10 and an upper surface of the light emitting device 10 on which the second reflection pattern 115 is disposed. The wavelength conversion layer 110 may be formed of a polymer resin in which wavelength conversion particles are dispersed. In this case, the polymer resin may be at least one selected from a light-transmitting epoxy resin, a silicone resin, a polyimide resin, a urea resin, and an acrylic resin. For example, the polymer resin may be a silicone resin.

파장 변환 입자는 발광 소자(10)에서 방출된 광을 흡수하여 백색광으로 변환할 수 있다. 예를 들어, 파장 변환 입자는 형광체, QD(Quantum Dot) 중 어느 하나 이상을 포함할 수 있다. 이하에서는 파장 변환 입자를 형광체로 설명한다.The wavelength conversion particle may absorb light emitted from the light emitting device 10 and convert it into white light. For example, the wavelength conversion particle may include any one or more of a phosphor and a quantum dot (QD). Hereinafter, the wavelength conversion particle will be described as a phosphor.

형광체는 YAG계, TAG계, Silicate계, Sulfide계 또는 Nitride계 중 어느 하나의 형광 물질이 포함될 수 있으나, 실시 예는 형광체의 종류에 제한되지 않는다.The phosphor may include any one of YAG-based, TAG-based, Silicate-based, Sulfide-based, and Nitride-based phosphors, but embodiments are not limited to the type of phosphor.

YAG 및 TAG계 형광 물질은 (Y, Tb, Lu, Sc, La, Gd, Sm)3(Al, Ga, In, Si, Fe)5(O, S)12:Ce 중에서 선택될 수 있으며, Silicate계 형광 물질은 (Sr, Ba, Ca, Mg)2SiO4:(Eu, F, Cl) 중에서 선택 사용 가능하다. 또한, Sulfide계 형광 물질은 (Ca,Sr)S:Eu, (Sr,Ca,Ba)(Al,Ga)2S4:Eu 중 선택 가능하며, Nitride계 형광체는 (Sr, Ca, Si, Al, O)N:Eu (예, CaAlSiN4:Eu β-SiAlON:Eu) 또는 Ca-αSiAlON:Eu계인 (Cax,My)(Si,Al)12(O,N)16일 수 있다. 이 때, M은 Eu, Tb, Yb 또는 Er 중 적어도 하나의 물질이며 0.05<(x+y)<0.3, 0.02<x<0.27 and 0.03<y<0.3을 만족하는 형광체 성분 중에서 선택될 수 있다. 적색 형광체는 N(예, CaAlSiN3:Eu)을 포함하는 질화물(Nitride)계 형광체거나 KSF(K2SiF6) 형광체일 수 있다.YAG and TAG-based fluorescent materials may be selected from (Y, Tb, Lu, Sc, La, Gd, Sm) 3 (Al, Ga, In, Si, Fe) 5 (O, S) 12 :Ce, and Silicate The fluorescent material may be selected from (Sr, Ba, Ca, Mg) 2 SiO 4 :(Eu, F, Cl). In addition, the Sulfide-based fluorescent material can be selected from (Ca,Sr)S:Eu, (Sr,Ca,Ba)(Al,Ga) 2 S 4 :Eu, and the Nitride-based fluorescent material is (Sr, Ca, Si, Al , O)N:Eu (eg, CaAlSiN 4 :Eu β-SiAlON:Eu) or Ca-αSiAlON:Eu (Ca x ,M y )(Si,Al) 12 (O,N) 16 . In this case, M is at least one of Eu, Tb, Yb, and Er, and may be selected from phosphor components satisfying 0.05<(x+y)<0.3, 0.02<x<0.27 and 0.03<y<0.3. The red phosphor may be a nitride-based phosphor including N (eg, CaAlSiN 3 :Eu) or a KSF (K 2 SiF 6 ) phosphor.

상기와 같은 파장 변환층(110)은 발광 소자(10)의 측면을 감싸도록 배치되며, 파장 변환층(110)의 폭(w1)을 조절하여 발광 소자(10)에서 방출되는 광의 지향각을 조절할 수 있다. 파장 변환층(110)의 폭(w1)은 70㎛ 내지 300㎛일 수 있으며, 이에 한정하지 않는다. 예를 들어, 파장 변환층(110)의 폭(w1)이 70㎛ 내지 300㎛인 경우, 발광 소자(10)에서 방출되는 광은 140° 내지 160°를 가질 수 있다. 이 때, 파장 변환층(110)의 폭(w1)이 좁을수록 지향각이 커진다.The wavelength conversion layer 110 as described above is disposed to surround the side surface of the light emitting device 10 , and adjusts the beam angle of light emitted from the light emitting device 10 by adjusting the width w1 of the wavelength conversion layer 110 . can The width w1 of the wavelength conversion layer 110 may be 70 μm to 300 μm, but is not limited thereto. For example, when the width w1 of the wavelength conversion layer 110 is 70 μm to 300 μm, the light emitted from the light emitting device 10 may have a range of 140° to 160°. In this case, as the width w1 of the wavelength conversion layer 110 becomes narrower, the directivity angle increases.

제 1 반사 패턴(105)은 발광 소자(10)의 네 측면 중 광 방출면인 일 측면만을 노출시키도록 발광 소자(10)를 감싸는 구조이다. 제 1 반사 패턴(105)은 발광 소자(10)에서 방출되는 광을 반사시켜 발광 소자(10)에서 방출되는 광의 방향을 조절하기 위한 것이다. 즉, 발광 소자(10)의 광 방출면은 제 1 반사 패턴(105)이 형성되지 않는 일 측면으로, 광 방출면을 통해 대부분의 광이 방출될 수 있다.The first reflective pattern 105 has a structure surrounding the light emitting device 10 so as to expose only one side of the light emitting device 10 that is a light emitting surface. The first reflective pattern 105 reflects light emitted from the light emitting device 10 to adjust the direction of the light emitted from the light emitting device 10 . That is, the light emitting surface of the light emitting device 10 is a side on which the first reflective pattern 105 is not formed, and most of the light may be emitted through the light emitting surface.

제 1 반사 패턴(105)은 페닐 실리콘(Phenyl Silicone), 메틸 실리콘(Methyl Silicone) 과 같은 백색 실리콘(White Silicone)을 포함할 수 있으며, 반사율을 향상시키기 위해 반사 입자를 포함할 수도 있다. 예를 들어, 제 1 반사 패턴(105)은 TiO2가 분산된 글래스일 수도 있으며, 이에 한정하지 않는다.The first reflection pattern 105 may include white silicone such as phenyl silicone or methyl silicone, and may include reflective particles to improve reflectivity. For example, the first reflection pattern 105 may be a glass in which TiO 2 is dispersed, but is not limited thereto.

그런데, 제 1 반사 패턴(105)의 두께(d2)가 너무 두꺼우면 발광 소자 패키지(100)의 소형화가 어렵다. 따라서, 본 발명 실시 예는 발광 소자 패키지(100)의 소형화를 위해, 제 1 반사 패턴(105)의 두께(d2)를 100㎛ 이하로 형성한다. 그러나, 두께(d2)가 너무 얇으면 제 1 반사 패턴(105)이 충분한 반사 기능을 갖지 못하여, 발광 소자(10)에서 발생한 광이 제 1 반사 패턴(105)을 통과하여 발광 소자 패키지(100)의 상부면으로 방출될 수 있다.However, when the thickness d2 of the first reflection pattern 105 is too thick, it is difficult to reduce the size of the light emitting device package 100 . Therefore, in the embodiment of the present invention, in order to reduce the size of the light emitting device package 100 , the thickness d2 of the first reflective pattern 105 is formed to be 100 μm or less. However, when the thickness d2 is too thin, the first reflective pattern 105 does not have a sufficient reflective function, so that the light generated from the light emitting device 10 passes through the first reflective pattern 105 and the light emitting device package 100 . may be emitted to the upper surface of the

더욱이, 제 1 반사 패턴(105)의 폭(w2)이 너무 좁으면 발광 소자 패키지(100)의 측면을 통해 방출되는 광이 증가하여 발광 소자 패키지(100)의 측면에서 광이 방출되며, 동시에 발광 소자 패키지(100)의 상부면으로도 광이 확산되어 발광 소자 패키지(100)의 지향각이 커진다. 반대로, 제 1 반사 패턴(105)의 폭(w2)이 너무 넓으면 발광 소자 패키지(100)의 측면을 통해 광이 방출되지 못하고, 발광 소자(10)의 광 방출면을 통해 방출되는 광이 증가하여 발광 소자 패키지(100)의 지향각이 좁아진다.Moreover, when the width w2 of the first reflection pattern 105 is too narrow, the light emitted through the side surface of the light emitting device package 100 increases, so that the light is emitted from the side surface of the light emitting device package 100 and simultaneously emits light. Light is also diffused to the upper surface of the device package 100 , so that the directional angle of the light emitting device package 100 is increased. Conversely, if the width w2 of the first reflection pattern 105 is too wide, light is not emitted through the side surface of the light emitting device package 100 , and light emitted through the light emission surface of the light emitting device 10 increases. Thus, the beam angle of the light emitting device package 100 is narrowed.

따라서, 본 발명 실시 예의 제 1 반사 패턴(105)의 두께(d2) 및 제 1 반사 패턴(105)의 폭(w2)은 70㎛ 내지 100㎛일 수 있다. 그러나, 두께(d2) 및 폭(w2)을 이에 한정하지 않는다.Accordingly, the thickness d2 of the first reflective pattern 105 and the width w2 of the first reflective pattern 105 according to the embodiment of the present invention may be 70 μm to 100 μm. However, the thickness d2 and the width w2 are not limited thereto.

그리고, 제 2 반사 패턴(115)은 발광 소자 패키지(100)의 소형화를 위해 제 1 반사 패턴(105)의 두께(d2)를 얇게 형성할 때, 통해 발광 소자 패키지(100)의 상부면을 통해 방출될 수도 있는 광을 발광 소자(10)의 광 방출면으로 진행시킨다. 따라서, 제 2 반사 패턴(115)에 의해 대부분의 광이 발광 소자(10)의 측면을 통해 방출되므로, 발광 소자(10)의 상부면에는 파장 변환층(110)이 형성되지 않아도 무방하다. 따라서, 발광 소자(10)의 상부면에 배치되는 파장 변환층(110)의 두께(d1)는 0 내지 80㎛일 수 있으나, 이에 한정하지 않는다.In addition, the second reflective pattern 115 is formed through the upper surface of the light emitting device package 100 when the thickness d2 of the first reflective pattern 105 is thinly formed to reduce the size of the light emitting device package 100 . The light that may be emitted is directed to the light emitting surface of the light emitting element 10 . Accordingly, since most of the light is emitted through the side surface of the light emitting device 10 by the second reflection pattern 115 , the wavelength conversion layer 110 may not be formed on the upper surface of the light emitting device 10 . Accordingly, the thickness d1 of the wavelength conversion layer 110 disposed on the upper surface of the light emitting device 10 may be 0 to 80 μm, but is not limited thereto.

상기와 같은 본 발명 제 1 실시 예의 발광 소자 패키지(100)는 발광 소자(10) 상에 배치된 제 2 반사 패턴(115)과 발광 소자(10)의 광 방출면인 일 측면만을 노출시키는 제 1 반사 패턴(105)을 포함하여 이루어져, 제 1 반사 패턴(105)에 의해 노출된 발광 소자(10)의 일 측면을 통해서 방출되는 광량을 증가시킬 수 있다. The light emitting device package 100 according to the first embodiment of the present invention as described above is a first reflective pattern 115 disposed on the light emitting device 10 and a first surface that exposes only one side of the light emitting device 10 . The reflective pattern 105 may be included to increase the amount of light emitted through one side of the light emitting device 10 exposed by the first reflective pattern 105 .

특히, 광 방출면으로 방출되는 광량을 효율적으로 증가시키기 위해, 제 2 반사 패턴(115)을 광 방출면을 제외한 발광 소자(10)의 나머지 측면에도 형성할 수 있다.In particular, in order to efficiently increase the amount of light emitted to the light emitting surface, the second reflection pattern 115 may be formed on the other side of the light emitting device 10 except for the light emitting surface.

도 1d 및 도 1e는 본 발명 제 1 실시 예의 제 2 반사 패턴의 다른 구조를 도시한 단면도이다.1D and 1E are cross-sectional views illustrating another structure of a second reflection pattern according to the first embodiment of the present invention.

도 1d와 같이, 제 2 반사 패턴(115)은 발광 소자(10)의 광 방출면과 인접한 양 측면에 형성되거나, 도 1e와 같이, 광 방출면과 대향하는 발광 소자(10)의 타 측면에 형성될 수 있다. 도시하지는 않았으나, 제 2 반사 패턴(115)은 발광 소자(10)의 광 방출면만 노출시키도록 상술한 양 측면과 타 측면에 모두 형성될 수 있다. As shown in FIG. 1D , the second reflection pattern 115 is formed on both sides adjacent to the light emitting surface of the light emitting device 10 , or on the other side of the light emitting device 10 opposite to the light emitting surface as shown in FIG. 1E . can be formed. Although not shown, the second reflective pattern 115 may be formed on both sides and the other side as described above to expose only the light emitting surface of the light emitting device 10 .

* 제 2 실시 예 ** Second embodiment *

도 2a는 본 발명 제 2 실시 예의 발광 소자 패키지의 사시도이다. 그리고, 도 2b는 도 2a의 Ⅰ-Ⅰ'의 단면도이며, 도 2c는 도 2a의 Ⅱ-Ⅱ'의 단면도이다.2A is a perspective view of a light emitting device package according to a second embodiment of the present invention. And, FIG. 2B is a cross-sectional view taken along line I-I' of FIG. 2A, and FIG. 2C is a cross-sectional view taken along line II-II' of FIG. 2A.

본 발명 제 2 실시 예의 발광 소자 패키지(100)는 발광 소자(10)와 제 1 반사 패턴(105) 사이에 배치되는 제 3 반사 패턴(120)을 더 포함한다.The light emitting device package 100 according to the second embodiment of the present invention further includes a third reflective pattern 120 disposed between the light emitting device 10 and the first reflective pattern 105 .

구체적으로, 도 2a, 도 2b 및 도 2c와 같이, 본 발명 제 2 실시 예의 발광 소자 패키지(100)는 발광 소자(10)의 상부면에 제 3, 제 2 반사 패턴(120, 115)이 차례로 배치될 수 있다. 이 때, 제 3 반사 패턴(120)은 Ag, Al 등과 같이 반사율이 우수한 금속을 포함할 수 있으며, TiO2, Al2O3및 ZrO2 등과 같은 금속 산화물을 포함할 수 있다.Specifically, as shown in FIGS. 2A, 2B and 2C , in the light emitting device package 100 of the second embodiment of the present invention, third and second reflective patterns 120 and 115 are sequentially formed on the upper surface of the light emitting device 10 . can be placed. In this case, the third reflective pattern 120 may include a metal having excellent reflectance such as Ag or Al, and may include a metal oxide such as TiO 2 , Al 2 O 3 and ZrO 2 .

제 2 실시 예의 발광 소자 패키지는 발광 소자(10)의 상부면으로 진행하는 광이 제 2, 제 3 반사 패턴(115, 120)에 의해 발광 소자(10)의 광 방출면인 일 측면으로 용이하게 반사될 수 있으며, 제 2 반사 패턴(115)만 포함하는 제 1 실시 예에 비해 반사율이 효율적으로 향상될 수 있다.In the light emitting device package of the second embodiment, light traveling to the upper surface of the light emitting device 10 is easily transferred to one side of the light emitting surface of the light emitting device 10 by the second and third reflection patterns 115 and 120 . It may be reflected, and the reflectance may be efficiently improved compared to the first embodiment including only the second reflective pattern 115 .

특히, 광 방출면으로 방출되는 광량을 효율적으로 증가시키기 위해, 제 2, 제 3 반사 패턴(115, 120)을 광 방출면을 제외한 발광 소자(10)의 나머지 측면에도 더 형성할 수 있다.In particular, in order to efficiently increase the amount of light emitted to the light emission surface, the second and third reflection patterns 115 and 120 may be further formed on the other side surfaces of the light emitting device 10 except for the light emission surface.

도 2d 내지 도 2g는 본 발명 제 2 실시 예의 제 2 반사 패턴 및 제 3 반사 패턴의 다른 구조를 도시한 단면도이다.2D to 2G are cross-sectional views illustrating other structures of a second reflective pattern and a third reflective pattern according to a second exemplary embodiment of the present invention.

도 2d 및 도 2e와 같이, 제 2, 제 3 반사 패턴(115, 120) 중 선택된 하나의 반사 패턴이 광 방출면과 인접한 발광 소자(10)의 양 측면에도 형성되거나, 도 2f와 같이, 제 2, 제 3 반사 패턴(115, 120)이 모두 광 방출면과 인접한 발광 소자(10)의 양 측면에 형성될 수 있다. 또한, 도 2g와 같이, 제 2, 제 3 반사 패턴(115, 120)이 모두 광 방출면과 대향하는 발광 소자(10)의 타 측면에 형성될 수 있다.As shown in FIGS. 2D and 2E, one reflective pattern selected from among the second and third reflective patterns 115 and 120 is also formed on both sides of the light emitting device 10 adjacent to the light emitting surface, or as shown in FIG. 2F, Both the second and third reflection patterns 115 and 120 may be formed on both sides of the light emitting device 10 adjacent to the light emitting surface. Also, as shown in FIG. 2G , the second and third reflective patterns 115 and 120 may be formed on the other side of the light emitting device 10 opposite to the light emitting surface.

도시하지는 않았으나, 제 2, 제 3 반사 패턴(115, 120) 중 선택된 하나의 반사 패턴만 발광 소자(10)의 타 측면에 형성될 수도 있으며, 제 2, 제 3 반사 패턴(115, 120)은 발광 소자(10)의 광 방출면만 노출시키도록 상술한 양 측면과 타 측면에 모두 형성될 수 있다.Although not shown, only one reflective pattern selected from among the second and third reflective patterns 115 and 120 may be formed on the other side of the light emitting device 10 , and the second and third reflective patterns 115 and 120 are It may be formed on both sides and the other side so as to expose only the light emitting surface of the light emitting device 10 .

도면에서는 제 3 반사 패턴(120)이 발광 소자(10)와 제 2 반사 패턴(115) 사이에 배치되는 것을 도시하였으나, 제 2, 제 3 반사 패턴(115, 120)의 적층 순서는 이에 한정하지 않고, 용이하게 변경 가능하다.Although the drawing shows that the third reflective pattern 120 is disposed between the light emitting device 10 and the second reflective pattern 115 , the stacking order of the second and third reflective patterns 115 and 120 is not limited thereto. and can be easily changed.

상기와 같은 본 발명의 제 1, 제 2 실시 예는 발광 소자(10)의 일 측면에서만 광이 방출되므로, 광 방출면에서 방출되는 광속이 향상될 수 있다. In the first and second embodiments of the present invention as described above, since light is emitted only from one side of the light emitting device 10, the luminous flux emitted from the light emitting surface can be improved.

* 제 3 실시 예 ** Third embodiment *

도 3a는 본 발명 제 3 실시 예의 발광 소자 패키지의 사시도이며, 도 3b는 도 3a의 Ⅰ-Ⅰ'의 단면도이다. 3A is a perspective view of a light emitting device package according to a third embodiment of the present invention, and FIG. 3B is a cross-sectional view taken along line I-I' of FIG. 3A.

도 3a 및 도 3b와 같이, 본 발명 제 3 실시 예의 발광 소자 패키지(100)는 하부면에 전극 패드가 배치되는 발광 소자(10), 발광 소자(10)의 네 측면을 커버하는 파장 변환층(110), 발광 소자(10)의 상부면과 발광 소자(10)의 한 측면을 커버하여, 발광 소자(10)의 광 방출면인 나머지 세 측면의 파장 변환층(110)을 노출시키는 제 1 반사 패턴(115) 및 제 1 반사 패턴(115)과 발광 소자(10) 상부면 사이에 배치되는 제 2 반사 패턴(105)을 포함한다. 따라서, 발광 소자(10)는 제 1 반사 패턴(115)이 커버하지 않은 세 측면에서 광을 방출할 수 있다.3A and 3B, the light emitting device package 100 of the third embodiment of the present invention includes a light emitting device 10 having an electrode pad disposed on its lower surface, and a wavelength conversion layer covering four sides of the light emitting device 10 ( 110), a first reflection covering the upper surface of the light emitting element 10 and one side of the light emitting element 10 to expose the wavelength conversion layer 110 of the other three side surfaces that are the light emission surfaces of the light emitting element 10 It includes a pattern 115 and a second reflective pattern 105 disposed between the first reflective pattern 115 and the upper surface of the light emitting device 10 . Accordingly, the light emitting device 10 may emit light from three sides not covered by the first reflective pattern 115 .

이 때, 제 2 반사 패턴(115)은 상술한 제 1 실시 예와 같이 광 방출면과 대향하는 발광 소자(10)의 타 측면에도 형성될 수 있으며, 광 방출을 위해, 발광 소자(10)의 광 방출면인 세 측면에는 형성되지 않는다.At this time, the second reflection pattern 115 may be formed on the other side of the light emitting device 10 opposite to the light emitting surface as in the above-described first embodiment, and for light emission, It is not formed on the three side surfaces which are light emission surfaces.

* 제 4 실시 예 **Fourth embodiment *

도 4a는 본 발명 제 4 실시 예의 발광 소자 패키지의 사시도이며, 도 4b는 도 4a의 Ⅰ-Ⅰ'의 단면도이다.4A is a perspective view of a light emitting device package according to a fourth embodiment of the present invention, and FIG. 4B is a cross-sectional view taken along line I-I' of FIG. 4A.

도 4a 및 도 4b와 같이, 발광 소자(10)의 상부면에 제 3, 제 2 반사 패턴(120, 115)이 차례로 배치될 수 있다. 이 때, 제 2, 제 3 반사 패턴(115, 120)은 발광 소자(10)의 측면 광 방출을 위해, 발광 소자(10)의 상부면에만 배치되는 것이 바람직하며, 제 2, 제 3 반사 패턴(115, 120)의 적층 순서는 변경 가능하다.4A and 4B , third and second reflective patterns 120 and 115 may be sequentially disposed on the upper surface of the light emitting device 10 . In this case, the second and third reflective patterns 115 and 120 are preferably disposed only on the upper surface of the light emitting device 10 for lateral light emission of the light emitting device 10 , and the second and third reflective patterns The stacking order of (115, 120) can be changed.

상기와 같은 본 발명의 제 3, 제 4 실시 예는 발광 소자(10)의 세 측면에서 광이 방출되도록 제 2, 제 3 반사 패턴(115, 120)이 발광 소자(10)의 광 방출면인 세 측면에는 형성되지 않는다. 또한, 도 1e 및 도 2g와 같이, 제 2, 제 3 반사 패턴(115, 120)이 광 방출면과 대향하는 발광 소자(10)의 타 측면에도 선택적으로 형성될 수 있다.In the third and fourth embodiments of the present invention as described above, the second and third reflective patterns 115 and 120 are the light emitting surfaces of the light emitting device 10 so that light is emitted from three sides of the light emitting device 10 . It is not formed on the three sides. Also, as shown in FIGS. 1E and 2G , the second and third reflection patterns 115 and 120 may be selectively formed on the other side of the light emitting device 10 opposite to the light emitting surface.

상기와 같은 본 발명 실시 예의 발광 소자 패키지(100)는 발광 소자(10)를 감싸는 제 1, 제 2 및 제 3 반사 패턴(105, 115, 120)을 이용하여 발광 소자(10)의 광 방출면을 용이하게 조절할 수 있다. 또한, 제 1, 제 2 및 제 3 반사 패턴(105, 115, 120)에 의해 발광 소자(10)의 광 방출면을 통해 방출되는 광의 광속이 향상된다.The light emitting device package 100 according to the embodiment of the present invention as described above uses the first, second and third reflective patterns 105 , 115 , and 120 surrounding the light emitting device 10 to the light emitting surface of the light emitting device 10 . can be easily adjusted. In addition, the luminous flux of light emitted through the light emitting surface of the light emitting device 10 is improved by the first, second, and third reflection patterns 105 , 115 , and 120 .

특히, 본 발명의 제 3 실시 예 및 제 4 실시 예는 발광 소자(10)의 세 측면에서 광이 방출되므로, 제 1, 제 2 실시 예와 같이 발광 소자(10)의 일 측면에서 광이 방출될 때보다 광속이 약 15%이상 증가할 수 있다. 예를 들어, 발광 소자(10)의 일 측면이 광 방출면인 경우 발광 소자 패키지(100)가 5루멘(lm)의 광속을 방출하나, 제 3, 제 4 실시 예와 같이 발광 소자(10)의 세 측면이 광 방출면인 경우 발광 소자 패키지(100)가 6.5루멘(lm)의 광속을 방출할 수 있다.In particular, in the third and fourth embodiments of the present invention, since light is emitted from three sides of the light emitting device 10, light is emitted from one side of the light emitting device 10 as in the first and second embodiments. The luminous flux can be increased by about 15% or more compared to when For example, when one side of the light emitting device 10 is a light emitting surface, the light emitting device package 100 emits a luminous flux of 5 lumens (lm), but as in the third and fourth embodiments, the light emitting device 10 When the three sides of the light emitting surface are light emitting surfaces, the light emitting device package 100 may emit a luminous flux of 6.5 lumens (lm).

제 3 실시 예 및 제 4 실시 예의 발광 소자 패키지(100)를 백라이트 유닛의 광원으로 이용하는 경우, 발광 소자 패키지(100)를 배열할 때, 인접한 발광 소자 패키지(100)의 피치(pitch)가 증가되어 백라이트 유닛의 광원 수를 감소시켜 제조 비용을 절감할 수 있다.When the light emitting device package 100 of the third embodiment and the fourth embodiment is used as a light source of the backlight unit, when the light emitting device package 100 is arranged, the pitch of the adjacent light emitting device packages 100 is increased. It is possible to reduce the manufacturing cost by reducing the number of light sources of the backlight unit.

또한, 상기와 같이, 발광 소자 패키지(100)가 세 측면에서 광을 방출하는 경우, 발광 소자(10)에서 발생한 광이 제 2 반사 패턴(115)에 의해 반사되어 세 측면으로 진행하므로, 제 1, 제 2 실시 예와 같이 일 측면에서 광을 방출하는 경우보다 발광 소자 패키지의 광속이 향상된다.In addition, as described above, when the light emitting device package 100 emits light from three sides, the light generated from the light emitting device 10 is reflected by the second reflection pattern 115 and proceeds to the three sides, so that the first , the luminous flux of the light emitting device package is improved compared to the case where light is emitted from one side as in the second embodiment.

특히, 제 2 반사 패턴(115)의 형성 위치는 파장 변환층(110)과 발광 소자(10) 사이에만 국한되지 않고 광 방출 차단을 위한 어떤 위치에도 형성될 수 있다.In particular, the formation position of the second reflective pattern 115 is not limited to between the wavelength conversion layer 110 and the light emitting device 10 and may be formed at any position for blocking light emission.

* 제 5 실시 예 * * Fifth embodiment *

도 5a는 본 발명 제 5 실시 예의 발광 소자 패키지의 사시도이다. 그리고, 도 5b는 도 5a의 Ⅰ-Ⅰ'의 단면도이며, 도 5c는 도 5a의 Ⅱ-Ⅱ'의 단면도이다.5A is a perspective view of a light emitting device package according to a fifth embodiment of the present invention. 5B is a cross-sectional view taken along line I-I' of FIG. 5A, and FIG. 5C is a cross-sectional view taken along line II-II' of FIG. 5A.

도 5a, 도 5b 및 도 5c와 같이, 제 2 반사 패턴(115)은 제 1 반사 패턴(105)과 파장 변환층(110) 사이에 배치될 수 있으며, 도면에서는 제 2 반사 패턴(115)이 발광 소자(10)의 상부면과 중첩되는 영역에서 제 1 반사 패턴(105)과 파장 변환층(110) 사이에 배치되는 것을 도시하였다.5A, 5B, and 5C, the second reflective pattern 115 may be disposed between the first reflective pattern 105 and the wavelength conversion layer 110, and in the drawing, the second reflective pattern 115 is It is illustrated that it is disposed between the first reflective pattern 105 and the wavelength conversion layer 110 in a region overlapping the upper surface of the light emitting device 10 .

또한, 제 2 반사 패턴(115)은 발광 소자(10)의 광 방출면을 제외한 세 측면과 중첩되는 영역에서 제 1 반사 패턴(105)과 파장 변환층(110) 사이에도 배치되어 발광 소자(10)의 세 측면에서 광이 방출되는 것을 용이하게 차단할 수 있다.In addition, the second reflective pattern 115 is also disposed between the first reflective pattern 105 and the wavelength conversion layer 110 in a region overlapping three side surfaces except for the light emitting surface of the light emitting device 10 . ) can be easily blocked from emitting light from three sides.

* 제 6 실시 예 ** 6th embodiment *

도 6a는 본 발명 제 6 실시 예의 발광 소자 패키지의 사시도이다. 그리고, 도 6b는 도 6a의 Ⅰ-Ⅰ'의 단면도이며, 도 6c는 도 6a의 Ⅱ-Ⅱ'의 단면도이다.6A is a perspective view of a light emitting device package according to a sixth embodiment of the present invention. 6B is a cross-sectional view taken along line I-I' of FIG. 6A, and FIG. 6C is a cross-sectional view taken along line II-II' of FIG. 6A.

도 6a, 도 6b 및 도 6c와 같이, 제 2 반사 패턴(115)은 제 1 반사 패턴(105)의 상부면에 배치될 수 있다. 도면에서는 제 2 반사 패턴(115)이 제 1 반사 패턴(105)의 상부면을 덮도록 배치된 것을 도시하였으나, 제 2 반사 패턴(115)은 제 1 반사 패턴(105)의 양 측면 및 발광 소자(10)의 광 방출면과 대향하는 제 1 반사 패턴(105)의 타 측면까지 덮도록 형성될 수 있다.6A , 6B and 6C , the second reflective pattern 115 may be disposed on the upper surface of the first reflective pattern 105 . Although the drawing shows that the second reflective pattern 115 is disposed to cover the upper surface of the first reflective pattern 105 , the second reflective pattern 115 is formed on both sides of the first reflective pattern 105 and the light emitting device. It may be formed to cover the other side of the first reflective pattern 105 opposite to the light emitting surface of (10).

즉, 본 발명의 제 5 실시 예 및 제 6 실시 예와 같이, 제 2 반사 패턴(115)은 광 방출면을 제외한 나머지 측면에서 광이 방출되는 것을 차단하기 위해 형성 위치가 용이하게 변경될 수 있다.That is, as in the fifth and sixth embodiments of the present invention, the formation position of the second reflective pattern 115 can be easily changed to block light emission from the side other than the light emitting surface. .

도시하지는 않았으나, 발광 소자(10)의 세 측면에서 광이 방출되는 경우, 제 2 반사 패턴(115)은 도 3a 및 도 4a의 제 1 반사 패턴(105)과 동일한 구조를 가져 제 1 반사 패턴(105)과 파장 변환층(110) 사이에 배치되거나, 제 1 반사 패턴(105)의 외 측면에 배치될 수 있다.Although not shown, when light is emitted from three sides of the light emitting device 10, the second reflective pattern 115 has the same structure as the first reflective pattern 105 of FIGS. 3A and 4A, so that the first reflective pattern ( It may be disposed between the 105 and the wavelength conversion layer 110 or disposed on the outer side of the first reflective pattern 105 .

도 7a는 본 발명 실시 예의 발광 소자의 단면도이다.7A is a cross-sectional view of a light emitting device according to an embodiment of the present invention.

도 7a와 같이, 본 발명 실시 예의 발광 소자(10)는 기판(11)에 배치되는 제 1 반도체층(12), 활성층(13) 및 제 2 반도체층(14)을 포함하는 발광 구조물, 제 1 반도체층(12)과 접속되는 제 1 전극(16a), 제 2 반도체층(14)과 접속되는 제 2 전극(16b) 및 제 1, 제 2 전극(16a, 16b)과 각각 접속하는 제 1, 제 2 전극 패드(17a, 17b)를 포함한다. 제 1, 제 2 전극 패드(17a, 17b) 사이에는 충진층(20)이 더 형성되어, 제 1, 제 2 전극 패드(17a, 17b)을 지지할 수 있다.As shown in FIG. 7A , the light emitting device 10 according to the embodiment of the present invention includes a light emitting structure including a first semiconductor layer 12 , an active layer 13 , and a second semiconductor layer 14 disposed on a substrate 11 , the first A first electrode 16a connected to the semiconductor layer 12, a second electrode 16b connected to the second semiconductor layer 14, and first and second electrodes 16a and 16b connected to each other, and second electrode pads 17a and 17b. A filling layer 20 may be further formed between the first and second electrode pads 17a and 17b to support the first and second electrode pads 17a and 17b.

기판(11)은 전도성 기판 또는 절연성 기판을 포함한다. 기판(11)은 반도체 물질 성장에 적합한 물질이거나 캐리어 웨이퍼일 수 있다. 기판(11)은 사파이어(Al2O3), SiC, GaAs, GaN, ZnO, Si, GaP, InP 및 Ge 중 선택된 물질로 형성될 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다. 기판(11)은 제거되어도 무방하다.The substrate 11 includes a conductive substrate or an insulating substrate. The substrate 11 may be a material suitable for semiconductor material growth or a carrier wafer. The substrate 11 may be formed of a material selected from among sapphire (Al 2 O 3 ), SiC, GaAs, GaN, ZnO, Si, GaP, InP, and Ge, but is not limited thereto. The substrate 11 may be removed.

제 1 반도체층(12)과 기판(11) 사이에는 버퍼층(미도시)이 더 배치될 수 있다. 버퍼층은 제 1 반도체층(12)과 기판(11)의 격자 부정합을 완화할 수 있다. 버퍼층은 Ⅲ족과 Ⅴ족 원소가 결합된 형태이거나 GaN, InN, AlN, InGaN, AlGaN, InAlGaN, AlInN 중에서 어느 하나를 포함할 수 있다. 버퍼층에는 도펀트가 도핑될 수도 있으며, 이에 한정하지 않는다. 버퍼층은 기판(11) 상에 단결정으로 성장할 수 있으며, 단결정으로 성장한 버퍼층은 제 1 반도체층(12)의 결정성을 향상시킬 수 있다.A buffer layer (not shown) may be further disposed between the first semiconductor layer 12 and the substrate 11 . The buffer layer may relieve a lattice mismatch between the first semiconductor layer 12 and the substrate 11 . The buffer layer may be a combination of Group III and V elements or may include any one of GaN, InN, AlN, InGaN, AlGaN, InAlGaN, and AlInN. The buffer layer may be doped with a dopant, but is not limited thereto. The buffer layer may be grown as a single crystal on the substrate 11 , and the buffer layer grown as a single crystal may improve crystallinity of the first semiconductor layer 12 .

제 1 반도체층(12)은 Ⅲ-Ⅴ족, Ⅱ-Ⅵ족 등의 화합물 반도체로 구현될 수 있으며, 제 1 반도체층(12)에 제 1 도펀트가 도핑될 수 있다. 제 1 반도체층(12)은 Inx1Aly1Ga1-x1-y1N(0≤x1≤1, 0≤y1≤1, 0≤x1+y1≤1)의 조성식을 갖는 반도체 재료, 예를 들어 GaN, AlGaN, InGaN, InAlGaN 등에서 선택될 수 있다. 그리고, 제 1 도펀트는 Si, Ge, Sn, Se, Te와 같은 n형 도펀트일 수 있다. 제 1 도펀트가 n형 도펀트인경우, 제 1 도펀트가 도핑된 제 1 반도체층(12a)은 n형 반도체층일 수 있다.The first semiconductor layer 12 may be implemented as a compound semiconductor of group III-V or group II-VI, and the first semiconductor layer 12 may be doped with a first dopant. The first semiconductor layer 12 is a semiconductor material having a composition formula of In x1 Al y1 Ga 1-x1-y1 N (0≤x1≤1, 0≤y1≤1, 0≤x1+y1≤1), for example, It may be selected from GaN, AlGaN, InGaN, InAlGaN, and the like. In addition, the first dopant may be an n-type dopant such as Si, Ge, Sn, Se, or Te. When the first dopant is an n-type dopant, the first semiconductor layer 12a doped with the first dopant may be an n-type semiconductor layer.

활성층(13)은 제 1 반도체층(12a)을 통해서 주입되는 전자(또는 정공)와 제 2 반도체층(14)을 통해서 주입되는 정공(또는 전자)이 만나는 층이다. 활성층(13)은 전자와 정공이 재결합함에 따라 낮은 에너지 준위로 천이하며, 그에 상응하는 파장을 가지는 빛을 생성할 수 있다.The active layer 13 is a layer in which electrons (or holes) injected through the first semiconductor layer 12a and holes (or electrons) injected through the second semiconductor layer 14 meet. The active layer 13 may transition to a low energy level as electrons and holes recombine, and may generate light having a corresponding wavelength.

활성층(13)은 단일 우물 구조, 다중 우물 구조, 단일 양자 우물 구조, 다중 양자 우물(Multi Quantum Well; MQW) 구조, 양자점 구조 또는 양자선 구조 중 어느 하나의 구조를 가질 수 있으며, 활성층(13)의 구조는 이에 한정하지 않는다.The active layer 13 may have any one of a single well structure, a multi-well structure, a single quantum well structure, a multi quantum well (MQW) structure, a quantum dot structure, or a quantum wire structure, and the active layer 13 may have a structure. The structure of is not limited thereto.

제 2 반도체층(14)은 활성층(13) 상에 형성되며, Ⅲ-Ⅴ족, Ⅱ-Ⅵ족 등의 화합물 반도체로 구현될 수 있으며, 제 2 반도체층(14)에 제 2 도펀트가 도핑될 수 있다. 제 2 반도체층(14)은 Inx5Aly2Ga1 -x5- y2N (0≤x5≤1, 0≤y2≤1, 0=x5+y2≤1)의 조성식을 갖는 반도체 물질 또는 AlInN, AlGaAs, GaP, GaAs, GaAsP, AlGaInP 중 선택된 물질로 형성될 수 있다. 제 2 도펀트가 Mg, Zn, Ca, Sr, Ba 등과 같은 p형 도펀트인 경우, 제 2 도펀트가 도핑된 제 2 반도체층(14)은 p형 반도체층일 수 있다.The second semiconductor layer 14 is formed on the active layer 13 and may be implemented as a compound semiconductor such as III-V or II-VI, and the second semiconductor layer 14 may be doped with a second dopant. can The second semiconductor layer 14 is a semiconductor material having a composition formula of In x5 Al y2 Ga 1 -x5- y2 N (0≤x5≤1, 0≤y2≤1, 0=x5+y2≤1) or AlInN, AlGaAs , GaP, GaAs, GaAsP, may be formed of a material selected from AlGaInP. When the second dopant is a p-type dopant such as Mg, Zn, Ca, Sr, or Ba, the second semiconductor layer 14 doped with the second dopant may be a p-type semiconductor layer.

제 1 전극(16a)은 제 1 반도체층(12), 활성층(13) 및 제 2 반도체층(14)을 관통하는 관통홀을 통해 제 1 반도체층(12)과 전기적으로 접속될 수 있다. 관통홀에 의해 노출된 제 1 반도체층(12), 활성층(13) 및 제 2 반도체층(14)의 측면에는 제 1 절연층(15a)이 배치되어, 활성층(13) 및 제 2 반도체층(14)이 제 1 전극(16a) 및 제 1 전극 패드(16a)과 접속되는 것을 방지할 수 있다. 그리고, 제 2 전극(16b)은 제 2 반도체층(14)과 전기적으로 접속된다. The first electrode 16a may be electrically connected to the first semiconductor layer 12 through a through hole penetrating the first semiconductor layer 12 , the active layer 13 , and the second semiconductor layer 14 . A first insulating layer 15a is disposed on the side surfaces of the first semiconductor layer 12, the active layer 13, and the second semiconductor layer 14 exposed by the through hole, and the active layer 13 and the second semiconductor layer ( 14) can be prevented from being connected to the first electrode 16a and the first electrode pad 16a. The second electrode 16b is electrically connected to the second semiconductor layer 14 .

제 1 전극(16a)과 제 2 전극(16b)은 Ag, Ni, Al, Rh, Pd, Ir, Ru, Mg, Zn, Pt, Au, Hf, Ti, Cr, Cu 및 이들의 선택적인 조합으로 이루어질 수 있으며, 이에 한정하지 않는다. 또한, 도시하지는 않았으나, 제 1 전극(16a)과 제 2 전극(16b)은 ITO와 같은 투명 전도성 물질로 형성된 오믹 콘택층을 통해 제 1, 제 2 반도체층(12, 14)과 접속될 수도 있다. 제 1 전극(16a)과 제 2 전극(16b) 및 제 1, 제 2 반도체층(12, 14)의 접속은 이에 한정하지 않는다.The first electrode 16a and the second electrode 16b are formed of Ag, Ni, Al, Rh, Pd, Ir, Ru, Mg, Zn, Pt, Au, Hf, Ti, Cr, Cu, and optional combinations thereof. may be made, but is not limited thereto. Also, although not shown, the first electrode 16a and the second electrode 16b may be connected to the first and second semiconductor layers 12 and 14 through an ohmic contact layer formed of a transparent conductive material such as ITO. . The connection between the first electrode 16a and the second electrode 16b and the first and second semiconductor layers 12 and 14 is not limited thereto.

제 1 전극(16a)과 제 1 전극 패드(17a) 및 제 2 전극(16b)과 제 2 전극 패드(17b)사이에는 제 2 절연층(15b)이 더 배치될 수 있다. 제 2 절연층(15b)은 절연 기능과 반사 기능을 모두 수행하는 물질로 구현될 수 있다. 예를 들어, 제 2 절연층(15b)은 상술한 제 2 반사 패턴(115)과 같이 분산 브래그 반사층(DBR:Distributed Bragg Reflector)을 포함할 수 있다.A second insulating layer 15b may be further disposed between the first electrode 16a and the first electrode pad 17a and between the second electrode 16b and the second electrode pad 17b. The second insulating layer 15b may be implemented with a material that performs both an insulating function and a reflective function. For example, the second insulating layer 15b may include a distributed Bragg reflector (DBR) like the above-described second reflection pattern 115 .

이 경우, 본 발명 실시 예의 발광 소자(10)는 반사 기능을 갖는 제 2 절연층(15b)과 상술한 제 2 반사 패턴(115)이 활성층(13)을 사이에 두고 서로 마주보도록 배치될 수 있다.In this case, in the light emitting device 10 of the embodiment of the present invention, the second insulating layer 15b having a reflective function and the above-described second reflective pattern 115 may be disposed to face each other with the active layer 13 interposed therebetween. .

도 7b는 도 7a의 제 2 절연층과 제 2 반사 패턴이 활성층을 사이에 두고 배치된 구조를 도시한 단면도이다.7B is a cross-sectional view illustrating a structure in which the second insulating layer and the second reflective pattern of FIG. 7A are disposed with an active layer interposed therebetween.

도 7b와 같이, 발광 소자(10) 내에 포함된 제 2 절연층(15b)과 발광 소자(10) 상부에 배치되는 제 2 반사 패턴(115)은 활성층(13)을 사이에 두고 서로 마주보도록 배치되어, 제 2 절연층(15b)과 제 2 반사 패턴(115) 사이에서 캐비티(cavity)가 형성된다. 즉, 활성층(13)에서 발생한 광이 발광 소자(10)내에서 흡수되어 소멸되지 않고 제 2 절연층(15b)과 제 2 반사 패턴(115) 사이에서 반사되어 발광 소자 패키지(100) 외부로 방출될 수 있다. 따라서, 발광 소자(10)의 광 추출 효율이 향상될 수 있다.As shown in FIG. 7B , the second insulating layer 15b included in the light emitting device 10 and the second reflective pattern 115 disposed on the light emitting device 10 are disposed to face each other with the active layer 13 interposed therebetween. Thus, a cavity is formed between the second insulating layer 15b and the second reflective pattern 115 . That is, light generated in the active layer 13 is not absorbed and extinguished in the light emitting device 10 , but is reflected between the second insulating layer 15b and the second reflective pattern 115 and emitted to the outside of the light emitting device package 100 . can be Accordingly, the light extraction efficiency of the light emitting device 10 may be improved.

도 8a는 본 발명의 발광 소자 패키지를 적용한 백라이트 유닛의 사시도이며, 도 8b는 도 8a의 Ⅰ-Ⅰ'의 단면도로, 도 1b의 발광 소자 패키지(100)를 도시하였다.8A is a perspective view of a backlight unit to which the light emitting device package of the present invention is applied, and FIG. 8B is a cross-sectional view taken along line I-I' of FIG. 8A , illustrating the light emitting device package 100 of FIG. 1B .

도 8a 및 도 8b와 같이, 본 발명 실시 예의 백라이트 유닛은 복수 개의 발광 소자 패키지(100)를 포함하는 발광 소자 어레이(200), 바텀 커버(300), 도광판(310), 반사 시트(305) 및 광학 시트(315)를 포함한다.8A and 8B , the backlight unit according to the embodiment of the present invention includes a light emitting device array 200 including a plurality of light emitting device packages 100 , a bottom cover 300 , a light guide plate 310 , a reflective sheet 305 and and an optical sheet 315 .

바텀 커버(300)는 일부가 개구된 구조이며, 바텀 커버(300)에 반사 시트(105), 도광판(310) 및 광학 시트(315)가 수납되며, 바텀 커버(300)의 일 측에 발광 소자 어레이(200)가 배치될 수 있다. 발광 소자 패키지(100)는 도광판(310)의 입광면과 마주하도록 배치되어, 발광 소자 패키지(100)에서 방출되는 광이 도광판(310)의 입광면으로 용이하게 입사된다.The bottom cover 300 has a structure in which a part is opened, the reflective sheet 105 , the light guide plate 310 , and the optical sheet 315 are accommodated in the bottom cover 300 , and a light emitting device on one side of the bottom cover 300 . An array 200 may be disposed. The light emitting device package 100 is disposed to face the light incident surface of the light guide plate 310 , so that light emitted from the light emitting device package 100 is easily incident on the light incident surface of the light guide plate 310 .

발광 소자 어레이(200)는 복수 개의 발광 소자 패키지(100)가 인쇄 회로 기판과 같은 회로 기판(320)에 실장된 구조이다. 발광 소자(도 의 10)의 제 1, 제 2 전극 패드(도 5의 17a, 17b)가 솔더(미도시)를 통해 회로 기판(320)에 실장될 수 있다.The light emitting device array 200 has a structure in which a plurality of light emitting device packages 100 are mounted on a circuit board 320 such as a printed circuit board. The first and second electrode pads ( 17a and 17b of FIG. 5 ) of the light emitting device ( FIG. 10 ) may be mounted on the circuit board 320 through solder (not shown).

발광 소자 패키지(100)는 제 1, 제 2 및 제 3 반사 패턴(105, 115, 120)에 의해 방출되는 광속이 향상되므로, 도광판(310)으로 입사되는 광량이 증가한다. 더욱이, 본 발명 제 3 및 제 4 실시 예와 같이, 발광 소자(10)의 세 측면에서 광이 방출되는 경우, 발광 소자 패키지(100)가 형성되지 않은 도광판(310)의 입광면으로도 광이 입사될 수 있으므로, 백라이트 유닛의 광원 수를 감소시켜 제조 비용을 절감할 수 있다.In the light emitting device package 100 , the light flux emitted by the first, second, and third reflection patterns 105 , 115 , and 120 is improved, so that the amount of light incident on the light guide plate 310 is increased. Furthermore, as in the third and fourth embodiments of the present invention, when light is emitted from three sides of the light emitting device 10 , the light is transmitted even to the light incident surface of the light guide plate 310 on which the light emitting device package 100 is not formed. Since it can be incident, it is possible to reduce the number of light sources of the backlight unit, thereby reducing manufacturing cost.

도광판(310)은 발광 소자 패키지(100)로부터 입사된 광을 산란시켜 광이 표시 장치의 화면 전 영역에 걸쳐 균일하게 입사시키기 위한 것이다. 도광판(310)은 굴절률과 투과율이 좋은 재료로 형성되며, 도광판(310)은 예를 들어 폴리메틸메타크릴레이트(PolyMethylMethAcrylate; PMMA), 폴리카보네이트 (PolyCarbonate; PC), 또는 폴리에틸렌(PolyEthylene; PE) 등으로 형성될 수 있다.The light guide plate 310 scatters the light incident from the light emitting device package 100 so that the light is uniformly incident over the entire area of the screen of the display device. The light guide plate 310 is formed of a material having good refractive index and transmittance, and the light guide plate 310 is, for example, polymethyl methacrylate (PolyMethylMethAcrylate; PMMA), polycarbonate (PolyCarbonate; PC), or polyethylene (PolyEthylene; PE). can be formed with

반사 시트(305)는 도광판(310)의 하부 방향으로 진행하는 광을 반사시켜 표시 장치가 배치된 상부로 진행시킬 수 있다. 반사 시트(305)는 반사율이 높고 초박형으로 사용 가능한 소재를 사용할 수 있고, 폴리에틸렌 테레프탈레이트(PolyEthylene Terephtalate; PET)를 사용할 수 있다.The reflective sheet 305 may reflect light traveling in a downward direction of the light guide plate 310 and may travel upwards in which the display device is disposed. The reflective sheet 305 may use a material having a high reflectance and an ultra-thin shape, and PolyEthylene Terephtalate (PET) may be used.

그리고, 도광판(310)에서 방출되는 광은 광학 시트(315)에 의해 확산 및 집광되어 표시 장치로 입사될 수 있다. 광학 시트(315)는 확산 시트, 프리즘 시트 등을 포함할 수 있다.In addition, the light emitted from the light guide plate 310 may be diffused and condensed by the optical sheet 315 to be incident on the display device. The optical sheet 315 may include a diffusion sheet, a prism sheet, or the like.

상술한 바와 같은 본 발명 실시 예의 발광 소자 패키지(100)는 발광 소자(10)를 감싸는 제 1, 제 2 및 제 3 반사 패턴(105, 115, 120)을 이용하여 발광 소자(10)의 광 방출면을 용이하게 조절하고, 광속을 향상시킬 수 있다. 따라서, 본 발명 실시 예의 발광 소자 패키지(100)를 백라이트 유닛의 광원으로 이용하는 경우, 도광판(310)으로 입사되는 광속이 향상될 수 있다.As described above, the light emitting device package 100 according to the embodiment of the present invention emits light from the light emitting device 10 using the first, second and third reflective patterns 105 , 115 , and 120 surrounding the light emitting device 10 . The plane can be easily adjusted, and the luminous flux can be improved. Accordingly, when the light emitting device package 100 according to the embodiment of the present invention is used as a light source of the backlight unit, the luminous flux incident to the light guide plate 310 may be improved.

더욱이, 와이어(wire)를 통해 제 1, 제 2 리드 프레임에 각각 연결된 수평형(lateral) 구조의 발광 소자를 백라이트 유닛의 광원으로 사용하는 경우에 비해 백라이트 유닛의 소형화가 가능하며, 발광 소자(10)의 구동에 따라 발생하는 열이 발광 소자 패키지(100)가 실장된 회로 기판(320)을 통해 용이하게 방출될 수 있다. 따라서, 방열 성능이 향상될 수 있다.Furthermore, the size of the backlight unit can be reduced compared to the case of using a light emitting device having a lateral structure connected to the first and second lead frames through a wire as a light source of the backlight unit, and the light emitting device 10 ) may be easily radiated through the circuit board 320 on which the light emitting device package 100 is mounted. Accordingly, heat dissipation performance can be improved.

이상에서 설명한 본 발명은 상술한 실시 예 및 첨부된 도면에 한정되는 것이 아니고, 실시 예의 기술적 사상을 벗어나지 않는 범위 내에서 여러 가지 치환, 변형 및 변경이 가능하다는 것이 본 발명이 속하는 기술분야에서 종래의 지식을 가진 자에게 있어 명백할 것이다.The present invention described above is not limited to the above-described embodiments and the accompanying drawings, and it is conventional in the art to which the present invention pertains that various substitutions, modifications and changes are possible within the scope without departing from the technical spirit of the embodiments. It will be clear to those who have knowledge.

10: 발광 소자 11: 기판
12: 제 1 반도체층 13: 활성층
14: 제 2 반도체층 15a: 제 1 절연층
15b: 제 2 절연층 16a: 제 1 전극
16b: 제 2 전극 17a: 제 1 전극 패드
17b: 제 2 전극 패드 20: 충진층
100: 발광 소자 패키지 105: 제 1 반사 패턴
110: 파장 변환층 115: 제 2 반사 패턴
120: 제 3 반사 패턴 200: 발광 소자 어레이
300: 바텀 커버 305: 반사 시트
310: 도광판 315: 광학 시트
320: 회로 기판10: light emitting element 11: substrate
12: first semiconductor layer 13: active layer
14: second semiconductor layer 15a: first insulating layer
15b: second insulating layer 16a: first electrode
16b: second electrode 17a: first electrode pad
17b: second electrode pad 20: filling layer
100: light emitting device package 105: first reflection pattern
110: wavelength conversion layer 115: second reflection pattern
120: third reflection pattern 200: light emitting element array
300: bottom cover 305: reflective sheet
310: light guide plate 315: optical sheet
320: circuit board

Claims (20)

하부면에 전극 패드가 배치되는 발광 소자;
상기 발광 소자의 네 측면을 커버하는 파장 변환층;
상기 발광 소자의 상부면과 상기 발광 소자의 적어도 한 측면을 커버하여, 상기 발광 소자의 광 방출면인 나머지 적어도 한 측면의 상기 파장 변환층을 노출시키는 제1 반사 패턴; 및
적어도 일 부분이 상기 발광 소자 상부면과 중첩되도록 배치되는 제2 반사 패턴을 포함하고,
상기 제2 반사 패턴은 상기 파장 변환층과 상기 발광 소자 사이에서 상기 발광 소자의 광 방출면과 인접한 양 측면 및 상기 발광 소자의 광 방출면과 대향하는 타측면 중 적어도 하나에 더 배치되는 발광 소자 패키지.a light emitting device having an electrode pad disposed on a lower surface thereof;
a wavelength conversion layer covering four sides of the light emitting device;
a first reflective pattern covering an upper surface of the light emitting device and at least one side surface of the light emitting device to expose the wavelength conversion layer on at least one side that is a light emitting surface of the light emitting device; and
At least a portion comprises a second reflective pattern disposed to overlap the upper surface of the light emitting device,
The second reflective pattern is disposed between the wavelength conversion layer and the light emitting device on at least one of both sides adjacent to the light emitting surface of the light emitting device and the other side facing the light emitting surface of the light emitting device. . 제 1 항에 있어서,
상기 제1 반사 패턴은 상기 발광 소자의 세 측면을 커버하여, 상기 발광 소자의 광 방출면인 나머지 한 측면의 상기 파장 변환층을 노출시키는 발광 소자 패키지.The method of claim 1,
The first reflective pattern covers three side surfaces of the light emitting device to expose the wavelength conversion layer on the other side, which is a light emitting surface of the light emitting device. 제 1 항에 있어서,
상기 제2 반사 패턴은 상기 제1 반사 패턴과 상기 발광 소자 상부면 사이에 배치되는 발광 소자 패키지.The method of claim 1,
The second reflective pattern is a light emitting device package disposed between the first reflective pattern and an upper surface of the light emitting device. 제1항에 있어서,
상기 제1 반사 패턴과 상기 발광 소자 사이에 배치된 제3 반사 패턴을 더 포함하는 발광 소자 패키지.According to claim 1,
The light emitting device package further comprising a third reflective pattern disposed between the first reflective pattern and the light emitting device. 제 4 항에 있어서,
상기 제2 반사 패턴 및 상기 제3 반사 패턴 중 하나는 분산 브래그 반사층(DBR:Distributed Bragg Reflector)을 포함하고, 상기 제2 반사 패턴 및 상기 제3 반사 패턴 중 다른 하나는 금속 또는 금속 산화물을 포함하는 발광 소자 패키지.5. The method of claim 4,
One of the second reflection pattern and the third reflection pattern includes a distributed Bragg reflector (DBR), and the other of the second reflection pattern and the third reflection pattern includes a metal or a metal oxide light emitting device package. 삭제delete 삭제delete 삭제delete 삭제delete 삭제delete 삭제delete 삭제delete 삭제delete 삭제delete 삭제delete 삭제delete 삭제delete 삭제delete 삭제delete 삭제delete
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