KR20150051562A - Light emitting device package, backlight unit and illumination device - Google Patents

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KR20150051562A
KR20150051562A KR1020130133163A KR20130133163A KR20150051562A KR 20150051562 A KR20150051562 A KR 20150051562A KR 1020130133163 A KR1020130133163 A KR 1020130133163A KR 20130133163 A KR20130133163 A KR 20130133163A KR 20150051562 A KR20150051562 A KR 20150051562A
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light emitting
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light
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KR1020130133163A
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오승현
이승훈
조윤건
임재문
김보균
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주식회사 루멘스
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Abstract

The present invention relates to a light emitting device package capable of inducing light generated in a light emitting device to a lateral direction, a backlight unit and an illumination device. It includes a light emitting device; and a light guide member which is installed on the upper side of the light emitting device to induce light to the lateral direction of the light emitting device. The light guide member may include a high refraction reflection layer of which refraction is larger than that of the light emitting part of the light emitting device; and a multiple refraction reflection layer which is installed on the high refraction reflection layer, increases a refractive index as it approaches the light emitting device, and decreases a refractive index as it moves away from the light emitting device.

Description

발광 소자 패키지, 백라이트 유닛 및 조명 장치{Light emitting device package, backlight unit and illumination device}TECHNICAL FIELD [0001] The present invention relates to a light emitting device package, a backlight unit,

본 발명은 발광 소자 패키지, 백라이트 유닛 및 조명 장치에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 발광 소자에서 발생되는 빛을 측방향으로 유도할 수 있는 발광 소자 패키지, 백라이트 유닛 및 조명 장치에 관한 것이다.BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a light emitting device package, a backlight unit and a lighting device, and more particularly, to a light emitting device package, a backlight unit and a lighting device capable of guiding light emitted from a light emitting device in a lateral direction.

발광 다이오드(Light Emitting Diode; LED)는 화합물 반도체(compound semiconductor)의 PN 다이오드 형성을 통해 발광원을 구성함으로써, 다양한 색의 광을 구현할 수 있는 일종의 반도체 소자를 말한다. 이러한 발광 소자는 수명이 길고, 소형화 및 경량화가 가능하며, 광의 지향성이 강하여 저전압 구동이 가능하다는 장점이 있다. 또한, 이러한 LED는 충격 및 진동에 강하고, 예열시간과 복잡한 구동이 불필요하며, 다양한 형태로 패키징할 수 있어, 여러 가지 용도로 모듈화하여 각종 조명 장치나 디스플레이 장치 등에 적용할 수 있다.A light emitting diode (LED) is a kind of semiconductor device that can emit light of various colors by forming a light emitting source through the formation of a PN diode of a compound semiconductor. Such a light emitting device has a long lifetime, can be reduced in size and weight, has a strong directivity of light, and can be driven at a low voltage. Further, such an LED is resistant to impact and vibration, does not require preheating time and complicated driving, can be packaged in various forms, can be modularized for various purposes, and can be applied to various lighting devices and display devices.

백라이트 유닛에서 널리 사용되는 직하형 발광 소자 패키지는, 유닛의 두께를 줄이는 동시에 도광판에 광을 균일하게 조사할 수 있도록 1차로 발광 소자 패키지에서 발생된 빛을 2차 렌즈를 통해서 넓게 분산시킬 수 있다.The direct-type light emitting device package widely used in the backlight unit can widely disperse light generated from the light emitting device package through the secondary lens so as to reduce the thickness of the unit and uniformly irradiate the light to the light guide plate.

그러나, 종래의 발광 소자 패키지는 발광 소자에서 발생되는 빛의 대부분이 수직 발광되어 기타 지역에서 암부가 발생되거나 상기 2차 렌즈로 인하여 제품의 전체적인 두께가 증가되며, 렌즈의 틀어짐이 발생되어 휘도 및 색 편차가 발생되고, 이러한 휘도 및 색 편차는 광 특성을 저하시켜서 무라(Mura) 현상을 발생시키거나 도광판이나 디스플레이 패널에 조사되는 빛의 균일도를 현저하게 떨어뜨리고, 제품의 불량을 발생시키는 등 많은 문제점이 있었다.However, in the conventional light emitting device package, most of the light emitted from the light emitting device is vertically emitted and dark parts are generated in other areas, or the overall thickness of the product is increased due to the secondary lens, The brightness and color deviation cause a decrease in the optical characteristics and cause a mura phenomenon or remarkably decrease the uniformity of the light irradiated to the light guide plate or the display panel, .

본 발명은 상기와 같은 문제점을 포함하여 여러 문제점들을 해결하기 위한 것으로서, 발광 소자의 상방으로 방출되는 빛을 측방으로 유도할 수 있는 광 유도 부재를 설치하여 별도의 2차 렌즈가 불필요하고, 제품의 두께를 줄일 수 있으며, 디스플레이 장치의 암부 발생 현상, 무라(Mura) 현상, 휘도 편차 및 색 편차를 방지하여 광 특성을 향상시키고, 양질의 제품을 생산할 수 있는 발광 소자 패키지, 백라이트 유닛 및 조명 장치을 제공하는 것을 목적으로 한다. 그러나 이러한 과제는 예시적인 것으로, 이에 의해 본 발명의 범위가 한정되는 것은 아니다.SUMMARY OF THE INVENTION The present invention has been made to solve the above problems and it is an object of the present invention to provide a light guide member for guiding light emitted upward from a light emitting device to a side, A light emitting device package, a backlight unit, and a lighting device capable of reducing thickness and preventing light generation, mura phenomenon, luminance deviation, and color deviation of a display device, thereby improving optical characteristics and producing high quality products . However, these problems are exemplary and do not limit the scope of the present invention.

상기 과제를 해결하기 위한 본 발명의 사상에 따른 발광 소자 패키지는, 발광 소자; 및 상기 발광 소자의 측방향으로 빛을 유도할 수 있도록 상기 발광 소자의 상면에 설치되는 광 유도 부재;를 포함하고, 상기 광 유도 부재는, 상기 발광 소자의 출광부의 굴절률 보다 큰 고굴절률을 갖는 고굴절 반사층; 및 상기 고굴절 반사층 상에 설치되고, 상기 발광 소자와 가까울수록 굴절률이 높아지고, 상기 발광 소자에서 멀어질수록 굴절률이 낮아지는 다중 굴절 반사층;을 포함할 수 있다.According to an aspect of the present invention, there is provided a light emitting device package including: a light emitting element; And a light guide member provided on an upper surface of the light emitting device to guide light in a lateral direction of the light emitting device, wherein the light guide member has a refractive index higher than that of the light emitting unit of the light emitting device High refractive index reflective layer; And a multiple refraction reflective layer provided on the high refractive index reflective layer and having a higher refractive index as the distance from the light emitting element is, and a lower refractive index as the distance from the light emitting element increases.

또한, 본 발명의 사상에 따르면, 상기 고굴절 반사층은, 상기 발광 소자의 사파이어 기판 상에 설치되는 것일 수 있다.According to an aspect of the present invention, the high-reflection reflective layer may be provided on a sapphire substrate of the light-emitting device.

또한, 본 발명의 사상에 따르면, 상기 다중 굴절 반사층은, 상기 고굴절 반사층 상에 설치되고, 제 1 굴절률을 갖는 제 1 반사층; 및 상기 제 1 반사층의 상에 설치되고, 제 2 굴절률을 갖는 제 2 반사층;을 포함할 수 있다.According to an aspect of the present invention, the multiple refraction reflective layer may include: a first reflective layer provided on the high refractive index reflective layer and having a first refractive index; And a second reflective layer provided on the first reflective layer and having a second refractive index.

또한, 본 발명의 사상에 따르면, 상기 제 1 반사층의 제 1 굴절률은, 상기 제 2 반사층의 제 2 굴절률 보다 큰 것일 수 있다.According to an aspect of the present invention, the first refractive index of the first reflective layer may be larger than the second refractive index of the second reflective layer.

또한, 본 발명의 사상에 따르면, 상기 다중 굴절 반사층은, 상기 제 2 반사층 상에 설치되고, 제 3 굴절률을 갖는 제 3 반사층;을 더 포함할 수 있다.According to an aspect of the present invention, the multiple refraction reflective layer may further include a third reflective layer provided on the second reflective layer and having a third refractive index.

또한, 본 발명의 사상에 따르면, 상기 제 2 반사층의 상기 제 2 굴절률은, 상기 제 3 반사층의 제 3 굴절률 보다 크고, 상기 제 1 반사층의 상기 제 1 굴절률 보다 작은 것일 수 있다.According to an aspect of the present invention, the second refractive index of the second reflective layer may be larger than the third refractive index of the third reflective layer and smaller than the first refractive index of the first reflective layer.

또한, 본 발명의 사상에 따르면, 상기 고굴절 반사층은, 복수개의 돌기를 갖는 것일 수 있다.According to an aspect of the present invention, the high refractive index reflection layer may have a plurality of protrusions.

또한, 본 발명의 사상에 따르면, 상기 돌기는 밑면이 상기 발광 소자와 접하는 삼각 돌기일 수 있다.According to an aspect of the present invention, the protrusion may be a triangular protrusion having a bottom surface in contact with the light emitting element.

또한, 본 발명의 사상에 따르면, 상기 다중 굴절 반사층은, 상기 고굴절 반사층과 가까운 부분에서 상기 고굴절 반사층으로부터 멀어지는 부분까지 그 굴절률이 연속적으로 변화되는 것일 수 있다.According to an aspect of the present invention, the refractive index of the multiple refraction reflective layer may be changed continuously from a portion close to the high refractive index reflective layer to a portion away from the high refractive index reflective layer.

한편, 상기 과제를 해결하기 위한 본 발명의 사상에 따른 백라이트 유닛은, 기판; 상기 기판에 안착되는 발광 소자; 상기 발광 소자의 측방향으로 빛을 유도할 수 있도록 상기 발광 소자의 상면에 설치되는 광 유도 부재; 및 상기 광 유도 부재에서 반사된 빛의 경로에 설치되는 도광판;을 포함하고, 상기 광 유도 부재는, 상기 발광 소자의 굴절률 보다 큰 고굴절률을 갖는 고굴절 반사층; 및 상기 고굴절 반사층 상에 설치되고, 상기 발광 소자와 가까울수록 굴절률이 높아지고, 상기 발광 소자에서 멀어질수록 굴절률이 낮아지는 다중 굴절 반사층;을 포함할 수 있다.According to another aspect of the present invention, there is provided a backlight unit comprising: a substrate; A light emitting element mounted on the substrate; A light guide member installed on an upper surface of the light emitting device so as to guide light in a lateral direction of the light emitting device; And a light guide plate installed in a path of light reflected by the light guide member, wherein the light guide member includes a high refractive index reflective layer having a refractive index higher than that of the light emitting element; And a multiple refraction reflective layer provided on the high refractive index reflective layer and having a higher refractive index as the distance from the light emitting element is, and a lower refractive index as the distance from the light emitting element increases.

한편, 상기 과제를 해결하기 위한 본 발명의 사상에 따른 조명 장치는, 발광 소자; 및 상기 발광 소자의 측방향으로 빛을 유도할 수 있도록 상기 발광 소자의 상면에 설치되는 광 유도 부재;를 포함하고, 상기 광 유도 부재는, 상기 발광 소자의 출광부의 굴절률 보다 큰 고굴절률을 갖는 고굴절 반사층; 및 상기 고굴절 반사층 상에 설치되고, 상기 발광 소자와 가까울수록 굴절률이 높아지고, 상기 발광 소자에서 멀어질수록 굴절률이 낮아지는 다중 굴절 반사층;을 포함할 수 있다.According to an aspect of the present invention, there is provided an illumination device including: a light emitting element; And a light guide member provided on an upper surface of the light emitting device to guide light in a lateral direction of the light emitting device, wherein the light guide member has a refractive index higher than that of the light emitting unit of the light emitting device High refractive index reflective layer; And a multiple refraction reflective layer provided on the high refractive index reflective layer and having a higher refractive index as the distance from the light emitting element is, and a lower refractive index as the distance from the light emitting element increases.

상기한 바와 같이 이루어진 본 발명의 일부 실시예들에 따르면, 제품의 두께를 줄일 수 있으며, 디스플레이 장치의 암부 발생 현상, 무라(Mura) 현상, 휘도 편차 및 색 편차를 방지하여 광 특성을 향상시키고, 양질의 제품을 생산할 수 있는 효과를 갖는 것이다. 물론 이러한 효과에 의해 본 발명의 범위가 한정되는 것은 아니다.According to some embodiments of the present invention as described above, the thickness of the product can be reduced, the occurrence of a dark portion of a display device, a mura phenomenon, a luminance deviation and a color deviation can be prevented, It is possible to produce a high-quality product. Of course, the scope of the present invention is not limited by these effects.

도 1은 본 발명의 일부 실시예들에 따른 발광 소자 패키지를 나타내는 단면도이다.
도 2는 도 1의 발광 소자 패키지의 광 유도 부재를 확대하여 나타내는 확대 단면도이다.
도 3은 본 발명의 일부 다른 실시예들에 따른 발광 소자 패키지의 광 유도 부재를 확대하여 나타내는 확대 단면도이다.
도 4는 본 발명의 일부 또 다른 실시예들에 따른 발광 소자 패키지의 광 유도 부재를 확대하여 나타내는 확대 단면도이다.
도 5는 본 발명의 일부 또 다른 실시예들에 따른 발광 소자 패키지의 광 유도 부재를 확대하여 나타내는 확대 단면도이다.
도 6은 본 발명의 일부 또 다른 실시예들에 따른 발광 소자 패키지의 광 유도 부재를 확대하여 나타내는 확대 단면도이다.
도 7은 도 6의 발광 소자 패키지의 광 유도 부재를 확대하여 나타내는 확대 단면도이다.
도 8은 본 발명의 일부 또 다른 실시예들에 따른 발광 소자 패키지의 광 유도 부재를 확대하여 나타내는 확대 단면도이다.
도 9는 본 발명의 일부 또 다른 실시예들에 따른 발광 소자 패키지의 광 유도 부재를 확대하여 나타내는 확대 단면도이다.
도 10은 본 발명의 일부 또 다른 실시예들에 따른 발광 소자 패키지의 광 유도 부재를 확대하여 나타내는 확대 단면도이다.
도 11은 본 발명의 일부 실시예들에 따른 백라이트 유닛을 나타내는 단면도이다.1 is a cross-sectional view illustrating a light emitting device package according to some embodiments of the present invention.
2 is an enlarged cross-sectional view showing an enlarged view of a light guide member of the light emitting device package of FIG.
3 is an enlarged cross-sectional view showing an enlarged view of a light guide member of a light emitting device package according to some other embodiments of the present invention.
4 is an enlarged cross-sectional view showing an enlarged view of a light guide member of a light emitting device package according to still another embodiment of the present invention.
5 is an enlarged cross-sectional view showing an enlarged view of a light guide member of a light emitting device package according to still another embodiment of the present invention.
6 is an enlarged cross-sectional view showing an enlarged view of a light guide member of a light emitting device package according to still another embodiment of the present invention.
7 is an enlarged cross-sectional view showing an enlarged view of the light guide member of the light emitting device package of Fig.
8 is an enlarged sectional view showing an enlarged view of a light guide member of a light emitting device package according to still another embodiment of the present invention.
9 is an enlarged cross-sectional view showing an enlarged view of a light guide member of a light emitting device package according to still another embodiment of the present invention.
10 is an enlarged sectional view showing an enlarged view of a light guide member of a light emitting device package according to still another embodiment of the present invention.
11 is a cross-sectional view illustrating a backlight unit according to some embodiments of the present invention.

이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 바람직한 여러 실시예들을 상세히 설명하기로 한다.Hereinafter, preferred embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.

본 발명의 실시예들은 당해 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 본 발명을 더욱 완전하게 설명하기 위하여 제공되는 것이며, 하기 실시예는 여러 가지 다른 형태로 변형될 수 있으며, 본 발명의 범위가 하기 실시예에 한정되는 것은 아니다. 오히려 이들 실시예들은 본 개시를 더욱 충실하고 완전하게 하고, 당업자에게 본 발명의 사상을 완전하게 전달하기 위하여 제공되는 것이다. 또한, 도면에서 각 층의 두께나 크기는 설명의 편의 및 명확성을 위하여 과장된 것이다.The embodiments of the present invention are described in order to more fully explain the present invention to those skilled in the art, and the following embodiments may be modified into various other forms, The present invention is not limited to the embodiment. Rather, these embodiments are provided so that this disclosure will be more thorough and complete, and will fully convey the concept of the invention to those skilled in the art. In the drawings, the thickness and size of each layer are exaggerated for convenience and clarity of explanation.

명세서 전체에 걸쳐서, 막, 영역 또는 기판과 같은 하나의 구성요소가 다른 구성요소 "상에", "연결되어", "적층되어" 또는 "커플링되어" 위치한다고 언급할 때는, 상기 하나의 구성요소가 직접적으로 다른 구성요소 "상에", "연결되어", "적층되어" 또는 "커플링되어" 접촉하거나, 그 사이에 개재되는 또 다른 구성요소들이 존재할 수 있다고 해석될 수 있다. 반면에, 하나의 구성요소가 다른 구성요소 "직접적으로 상에", "직접 연결되어", 또는 "직접 커플링되어" 위치한다고 언급할 때는, 그 사이에 개재되는 다른 구성요소들이 존재하지 않는다고 해석된다. 동일한 부호는 동일한 요소를 지칭한다. 본 명세서에서 사용된 바와 같이, 용어 "및/또는"은 해당 열거된 항목 중 어느 하나 및 하나 이상의 모든 조합을 포함한다.It is to be understood that throughout the specification, when an element such as a film, region or substrate is referred to as being "on", "connected to", "laminated" or "coupled to" another element, It will be appreciated that elements may be directly "on", "connected", "laminated" or "coupled" to another element, or there may be other elements intervening therebetween. On the other hand, when one element is referred to as being "directly on", "directly connected", or "directly coupled" to another element, it is interpreted that there are no other components intervening therebetween do. Like numbers refer to like elements. As used herein, the term "and / or" includes any and all combinations of one or more of the listed items.

본 명세서에서 제 1, 제 2 등의 용어가 다양한 부재, 부품, 영역, 층들 및/또는 부분들을 설명하기 위하여 사용되지만, 이들 부재, 부품, 영역, 층들 및/또는 부분들은 이들 용어에 의해 한정되어서는 안됨은 자명하다. 이들 용어는 하나의 부재, 부품, 영역, 층 또는 부분을 다른 영역, 층 또는 부분과 구별하기 위하여만 사용된다. 따라서, 이하 상술할 제 1 부재, 부품, 영역, 층 또는 부분은 본 발명의 가르침으로부터 벗어나지 않고서도 제 2 부재, 부품, 영역, 층 또는 부분을 지칭할 수 있다.Although the terms first, second, etc. are used herein to describe various elements, components, regions, layers and / or portions, these members, components, regions, layers and / It is obvious that no. These terms are only used to distinguish one member, component, region, layer or section from another region, layer or section. Thus, a first member, component, region, layer or section described below may refer to a second member, component, region, layer or section without departing from the teachings of the present invention.

또한, "상의" 또는 "위의" 및 "하의" 또는 "아래의"와 같은 상대적인 용어들은 도면들에서 도해되는 것처럼 다른 요소들에 대한 어떤 요소들의 관계를 기술하기 위해 여기에서 사용될 수 있다. 상대적 용어들은 도면들에서 묘사되는 방향에 추가하여 소자의 다른 방향들을 포함하는 것을 의도한다고 이해될 수 있다. 예를 들어, 도면들에서 소자가 뒤집어 진다면, 다른 요소들의 상부의 면 상에 존재하는 것으로 묘사되는 요소들은 상기 다른 요소들의 하부의 면 상에 방향을 가지게 된다. 그러므로, 예로써 든 "상의"라는 용어는, 도면의 특정한 방향에 의존하여 "하의" 및 "상의" 방향 모두를 포함할 수 있다. 소자가 다른 방향으로 향한다면(다른 방향에 대하여 90도 회전), 본 명세서에 사용되는 상대적인 설명들은 이에 따라 해석될 수 있다.Also, relative terms such as "top" or "above" and "under" or "below" can be used herein to describe the relationship of certain elements to other elements as illustrated in the Figures. Relative terms are intended to include different orientations of the device in addition to those depicted in the Figures. For example, if the element is inverted in the figures, the elements depicted as being on the upper surface of the other elements will have a direction on the lower surface of the other elements. Thus, the example "top" may include both "under" and "top" directions depending on the particular orientation of the figure. If the elements are oriented in different directions (rotated 90 degrees with respect to the other direction), the relative descriptions used herein can be interpreted accordingly.

본 명세서에서 사용된 용어는 특정 실시예를 설명하기 위하여 사용되며, 본 발명을 제한하기 위한 것이 아니다. 본 명세서에서 사용된 바와 같이, 단수 형태는 문맥상 다른 경우를 분명히 지적하는 것이 아니라면, 복수의 형태를 포함할 수 있다. 또한, 본 명세서에서 사용되는 경우 "포함한다(comprise)" 및/또는 "포함하는(comprising)"은 언급한 형상들, 숫자, 단계, 동작, 부재, 요소 및/또는 이들 그룹의 존재를 특정하는 것이며, 하나 이상의 다른 형상, 숫자, 동작, 부재, 요소 및/또는 그룹들의 존재 또는 부가를 배제하는 것이 아니다.The terminology used herein is for the purpose of describing particular embodiments only and is not intended to be limiting of the invention. As used herein, the singular forms "a," "an," and "the" include singular forms unless the context clearly dictates otherwise. Also, " comprise "and / or" comprising "when used herein should be interpreted as specifying the presence of stated shapes, numbers, steps, operations, elements, elements, and / And does not preclude the presence or addition of one or more other features, integers, operations, elements, elements, and / or groups.

이하, 본 발명의 실시예들은 본 발명의 이상적인 실시예들을 개략적으로 도시하는 도면들을 참조하여 설명한다. 도면들에 있어서, 예를 들면, 제조 기술 및/또는 공차(tolerance)에 따라, 도시된 형상의 변형들이 예상될 수 있다. 따라서, 본 발명 사상의 실시예는 본 명세서에 도시된 영역의 특정 형상에 제한된 것으로 해석되어서는 아니 되며, 예를 들면 제조상 초래되는 형상의 변화를 포함하여야 한다.Hereinafter, embodiments of the present invention will be described with reference to the drawings schematically showing ideal embodiments of the present invention. In the figures, for example, variations in the shape shown may be expected, depending on manufacturing techniques and / or tolerances. Accordingly, the embodiments of the present invention should not be construed as limited to the particular shapes of the regions shown herein, but should include, for example, changes in shape resulting from manufacturing.

도 1은 본 발명의 일부 실시예들에 따른 발광 소자 패키지(100)를 나타내는 단면도이다. 그리고, 도 2는 도 1의 발광 소자 패키지(100)의 광 유도 부재(30)를 확대하여 나타내는 확대 단면도이다.1 is a cross-sectional view illustrating a light emitting device package 100 according to some embodiments of the present invention. 2 is an enlarged sectional view showing the light guide member 30 of the light emitting device package 100 of FIG. 1 in an enlarged manner.

먼저, 도 1 및 도 2에 도시된 바와 같이, 본 발명의 일부 실시예들에 따른 발광 소자 패키지(100)는, 크게 발광 소자(20) 및 광 유도 부재(30)를 포함할 수 있다.1 and 2, the light emitting device package 100 according to some embodiments of the present invention may include a light emitting device 20 and a light guiding member 30. Referring to FIG.

여기서, 상기 발광 소자(20)는, 하면에 제 1 전극 패드(P1) 및 제 2 전극 패드(P2)가 설치될 수 있는 플립칩 형태일 수 있다.Here, the light emitting device 20 may be a flip chip type in which a first electrode pad P1 and a second electrode pad P2 may be provided on a lower surface thereof.

또한, 도 1에 도시된 바와 같이, 더욱 구체적으로 예를 들면, 상기 발광 소자(20)는, 위로부터 사파이어 기판(21)과, 제 1 반도체층(22)과, 발광층(23)과, 제 2 반도체층(24) 및 표면 전극층(25) 등을 포함할 수 있다.1, more specifically, for example, the light emitting device 20 includes a sapphire substrate 21, a first semiconductor layer 22, a light emitting layer 23, 2 semiconductor layer 24, a surface electrode layer 25, and the like.

여기서, 상기 제 1 반도체층(22)과, 발광층(23)과, 제 2 반도체층(24)은 반도체로 이루어질 수 있다. 예를 들어서, 질화물 반도체로 이루어지는 청색, 녹색, 적색, 황색 발광의 LED, 자외 발광의 LED 등이 적용될 수 있다. 질화물 반도체는, 일반식이 AlxGayInzN(0≤x≤1, 0≤y≤1, 0≤z≤1, x+y+z=1)으로 나타내진다.Here, the first semiconductor layer 22, the light emitting layer 23, and the second semiconductor layer 24 may be made of a semiconductor. For example, LEDs of blue, green, red, and yellow light emission, and LEDs of ultraviolet light emission, which are made of a nitride semiconductor, can be applied. The nitride semiconductor is represented by a general formula Al x Ga y In z N (0? X? 1, 0? Y? 1, 0? Z? 1, x + y + z = 1).

또한, 상기 발광 소자(20)는, 예를 들면, MOCVD법 등의 기상성장법에 의해, 성장용 사파이어 기판이나 실리콘 카바이드 기판 상에 InN, AlN, InGaN, AlGaN, InGaAlN 등의 질화물 반도체를 에피택셜 성장시켜 구성할 수 있다. 또한, 상기 발광 소자(20)는, 질화물 반도체 이외에도 ZnO, ZnS, ZnSe, SiC, GaP, GaAlAs, AlInGaP 등의 반도체를 이용해서 형성할 수 있다. 이들 반도체는, 도 1 내지 도 2에 도시된 바와 같이, 상기 제 1 반도체층(22)으로 n형 반도체층, 상기 발광층(23), 상기 제 2 반도체층(24)으로 p형 반도체층의 순으로 형성한 적층체를 이용할 수 있다. 상기 발광층(23)(활성층)은, 다중 양자웰 구조나 단일 양자웰 구조를 한 적층 반도체 또는 더블 헤테로 구조의 적층 반도체를 이용할 수 있다. 또한, 상기 발광 소자(20)는, 디스플레이 용도나 조명 용도 등 용도에 따라 임의의 파장의 것을 선택할 수 있다.The light emitting device 20 can be formed by epitaxially growing nitride semiconductors such as InN, AlN, InGaN, AlGaN, and InGaAlN on a sapphire substrate for growth or a silicon carbide substrate by a vapor phase growth method such as MOCVD To grow. The light emitting device 20 may be formed using semiconductors such as ZnO, ZnS, ZnSe, SiC, GaP, GaAlAs, and AlInGaP in addition to the nitride semiconductor. As shown in FIGS. 1 and 2, these semiconductors are formed by sequentially stacking an n-type semiconductor layer, a light emitting layer 23, and a p-type semiconductor layer with the second semiconductor layer 24 in the first semiconductor layer 22 May be used. The light emitting layer 23 (active layer) may be a laminated semiconductor having a multiple quantum well structure or a single quantum well structure or a laminated semiconductor having a double hetero structure. In addition, the light emitting device 20 can be selected to have an arbitrary wavelength depending on the application such as display use and illumination use.

여기서, 성장용 기판으로는 필요에 따라 절연성, 도전성 또는 반도체 기판이 사용될 수 있다. 예를 들어, 상기 성장용 기판은 도 1의 사파이어 기판(21)을 적용할 수 있다. 이외에도 성장용 기판은 SiC, Si, MgAl2O4, MgO, LiAlO2, LiGaO2, GaN일 수 있다. GaN 물질의 에피성장을 위해서는 동종 기판인 GaN 기판이 좋으나, GaN 기판은 그 제조상의 어려움으로 생산단가가 높은 문제가 있다.Here, as the growth substrate, an insulating, conductive, or semiconductor substrate may be used if necessary. For example, the sapphire substrate 21 of FIG. 1 can be applied to the growth substrate. In addition, the substrate for growth may be SiC, Si, MgAl 2 O 4, MgO, LiAlO 2, LiGaO 2, or GaN. A GaN substrate, which is a homogeneous substrate, is preferable for epitaxial growth of a GaN material, but a GaN substrate has a problem of high production cost due to its difficulty in manufacturing.

이종 기판으로는 사파이어, 실리콘 카바이드(SiC) 기판 등이 주로 사용되고 있으며. 가격이 비싼 실리콘 카바이드 기판에 비해 사파이어 기판이 더 많이 활용되고 있다. 이종 기판을 사용할 때는 기판 물질과 박막 물질 사이의 격자상수의 차이로 인해 전위(dislocation) 등 결함이 증가한다. 또한, 기판 물질과 박막 물질 사이의 열팽창계수의 차이로 인해 온도 변화시 휨이 발생하고, 휨은 박막의 균열(crack)의 원인이 된다. 기판과 GaN계인 발광 적층체 사이의 버퍼층을 이용해 이러한 문제를 감소시킬 수도 있다.Sapphire and silicon carbide (SiC) substrates are mainly used as the different substrates. Sapphire substrates are more utilized than expensive silicon carbide substrates. When using a heterogeneous substrate, defects such as dislocation are increased due to the difference in lattice constant between the substrate material and the thin film material. Also, due to the difference in the thermal expansion coefficient between the substrate material and the thin film material, warping occurs at a temperature change, and warping causes a crack in the thin film. This problem may be reduced by using a buffer layer between the substrate and the GaN-based light emitting laminate.

또한, 상기 성장용 기판은 LED 구조 성장 전 또는 후에 LED 칩의 광 또는 전기적 특성을 향상시키기 위해 칩 제조 과정에서 완전히 또는 부분적으로 제거되거나 패터닝하는 경우도 있다.In addition, the substrate for growth may be completely or partially removed or patterned in order to improve the optical or electrical characteristics of the LED chip before or after the growth of the LED structure.

또한, 상기 성장용 기판 제거 시에는 다른 지지 기판을 사용하는 경우가 있으며 지지 기판은 원 성장 기판의 반대쪽에 LED 칩의 광효율을 향상시키게 위해서, 반사 금속을 사용하여 접합하거나 반사구조를 접합층의 중간에 삽입할 수 있다.Another supporting substrate may be used for removing the growth substrate. In order to improve the light efficiency of the LED chip on the opposite side of the growth substrate, the supporting substrate may be bonded using a reflective metal, As shown in FIG.

또한, 상기 성장용 기판 패터닝은 기판의 주면(표면 또는 양쪽면) 또는 측면에 LED 구조 성장 전 또는 후에 요철 또는 경사면을 형성하여 광 추출 효율을 향상시킨다. 패턴의 크기는 5nm ~ 500㎛ 범위에서 선택될 수 있으며 규칙 또는 불규칙적인 패턴으로 광 추출 효율을 좋게 하기 위한 구조면 가능하다. 모양도 기둥, 산, 반구형, 다각형 등의 다양한 형태를 채용할 수 있다.In addition, patterning of the growth substrate improves the light extraction efficiency by forming irregularities or slopes before or after the LED structure growth on the main surface (front surface or both sides) or side surfaces of the substrate. The size of the pattern can be selected from the range of 5 nm to 500 μm and it is possible to make a structure for improving the light extraction efficiency with a rule or an irregular pattern. Various shapes such as a shape, a column, a mountain, a hemisphere, and a polygon can be adopted.

상기 사파이어 기판(21)의 경우, 육각-롬보형(Hexa-Rhombo R3c) 대칭성을 갖는 결정체로서 c축 및 a측 방향의 격자상수가 각각 13.001과 4.758 이며, C면, A면, R면 등을 갖는다. 이 경우, 상기 C면은 비교적 질화물 박막의 성장이 용이하며, 고온에서 안정하기 때문에 질화물 성장용 기판으로 주로 사용된다.In the case of the sapphire substrate 21, the lattice constants of the hexagonal-rhombo-cubic (Hexa-Rhombo R3c) symmetry are 13.001 and 4.758 in the c-axis and the a- . In this case, the C-plane is relatively easy to grow the nitride film, and is stable at high temperature, and thus is mainly used as a substrate for nitride growth.

또한, 상기 성장용 기판의 다른 물질로는 Si 기판을 들 수 있으며, 대구경화에 보다 적합하고 상대적으로 가격이 낮아 양산성이 향상될 수 있다.Another material of the growth substrate is a Si substrate, which is more suitable for large-scale curing and relatively low in cost, so that mass productivity can be improved.

또한, 상기 실리콘(Si) 기판은 GaN계 반도체에서 발생하는 빛을 흡수하여 발광소자의 외부 양자 효율이 낮아지므로, 필요에 따라 상기 기판을 제거하고 반사층이 포함된 Si, Ge, SiAl, 세라믹, 또는 금속 기판 등의 지지기판을 추가로 형성하여 사용한다.In addition, since the silicon (Si) substrate absorbs light generated from the GaN-based semiconductor and the external quantum efficiency of the light emitting device is lowered, the substrate may be removed as necessary, and Si, Ge, SiAl, A support substrate such as a metal substrate is further formed and used.

상기 Si 기판과 같이 이종 기판상에 GaN 박막을 성장시킬 때, 기판 물질과 박막 물질 사이의 격자 상수의 불일치로 인해 전위(dislocation) 밀도가 증가하고, 열팽창 계수 차이로 인해 균열(crack) 및 휨이 발생할 수 있다. 발광 적층체의 전위 및 균열을 방지하기 위한 목적으로 성장용 기판과 발광적층체 사이에 버퍼층을 배치시킬 수 있다. 상기 버퍼층은 활성층 성장시 기판의 휘는 정도를 조절해 웨이퍼의 파장 산포를 줄이는 기능도 한다.When a GaN thin film is grown on a different substrate such as the Si substrate, the dislocation density increases due to the lattice constant mismatch between the substrate material and the thin film material, and cracks and warpage Lt; / RTI > The buffer layer may be disposed between the growth substrate and the light emitting stack for the purpose of preventing dislocation and cracking of the light emitting stack. The buffer layer also functions to reduce the scattering of the wavelength of the wafer by adjusting the degree of warping of the substrate during the growth of the active layer.

여기서, 상기 버퍼층은 AlxInyGa1-x-yN (0≤x≤1, 0≤y≤1, x+y≤1), 특히 GaN, AlN, AlGaN, InGaN, 또는 InGaNAlN를 사용할 수 있으며, 필요에 따라 ZrB2, HfB2, ZrN, HfN, TiN 등의 물질도 사용할 수 있다. 또한, 복수의 층을 조합하거나, 조성을 점진적으로 변화시켜 사용할 수도 있다.Here, the buffer layer may be made of Al x In y Ga 1-xy N (0? X? 1, 0? Y? 1, x + y? 1), in particular GaN, AlN, AlGaN, InGaN or InGaNAlN. Materials such as ZrB2, HfB2, ZrN, HfN and TiN can also be used as needed. Further, a plurality of layers may be combined, or the composition may be gradually changed.

또한, 도시하지는 않았으나, 상기 발광 소자(20)는, 상술된 제 1 전극 패드(P1) 및 제 2 전극 패드(P2) 이외에도 각종 범프나 솔더 등의 신호전달매체를 갖는 플립칩 형태의 발광 소자들일 수 있고, 이외에도 와이어 등의 신호전달매체를 갖는 수직형 및 수평형 등 다양한 형태의 발광 소자들이 적용될 수 있다.Although not shown, the light emitting device 20 may include flip chip type light emitting devices having signal transmission media such as various bumps and solder in addition to the first electrode pad P1 and the second electrode pad P2 described above Various types of light emitting devices such as a vertical type and a horizontal type having a signal transmission medium such as a wire can be applied.

한편, 도 1 및 도 2에 도시된 바와 같이, 상기 광 유도 부재(30)는, 상기 발광 소자(20)의 측방향으로 빛을 유도할 수 있도록 상기 발광 소자(20)의 상면(20a)에 설치되는 굴절률들이 서로 다른 다중 반사층일 수 있다.1 and 2, the light guide member 30 is formed on the upper surface 20a of the light emitting device 20 so as to guide light in a lateral direction of the light emitting device 20, The refractive indices to be installed may be different from each other.

여기서, 도 1 및 도 2에 도시된 바와 같이, 상기 광 유도 부재(30)는, 크게 고굴절 반사층(31) 및 다중 굴절 반사층(32)을 포함할 수 있다.Here, as shown in FIGS. 1 and 2, the light guide member 30 may include a high refractive index reflective layer 31 and a multiple refractive index reflective layer 32.

이러한, 상기 고굴절 반사층(31)은, 상기 발광 소자(20)의 출광부의 굴절률 보다 큰 고굴절률을 갖는 투광성 반사층으로서, 상기 출광부는 상기 발광 소자(20) 중 빛이 출광하는 모든 부분이 될 수 있으나, 더욱 구체적으로 예를 들면, 상기 출광부는 상기 발광 소자(20)의 사파이어 기판(21)인 것으로, 상기 고굴절 반사층(31)은 발광 소자(20)의 사파이어 기판(21) 상에 설치될 수 있다.The high refractive index reflective layer 31 is a transmissive reflective layer having a refractive index higher than that of the light emitting portion of the light emitting element 20 and the light emitting portion is a portion of the light emitting element 20 that emits light The high refractive index reflective layer 31 is provided on the sapphire substrate 21 of the light emitting element 20 and the high refractive index reflective layer 31 is formed on the sapphire substrate 21 of the light emitting element 20, .

따라서, 상기 고굴절 반사층(31)은 상대적으로 상기 사파이어 기판(21)의 굴절율(대략 1.7) 보다 굴절율이 높은 투광성 반사층일 수 있다.Therefore, the high refractive index reflective layer 31 may be a transmissive reflective layer having a refractive index that is relatively higher than the refractive index (approximately 1.7) of the sapphire substrate 21.

이러한 상기 고굴절 반사층(31)은, 적어도 SiO2, TiO2, ZrO2, Al2O3, B2O3 및 이들의 조합 중 어느 하나 이상을 선택하여 이루어지는 고굴율의 단일 산화막 또는 혼합 산화막으로 이루어질 수 있다.The high refractive index reflection layer 31 is made of a single oxide film or a mixed oxide film of high refractive index selected from at least one of SiO 2 , TiO 2 , ZrO 2 , Al 2 O 3 , B 2 O 3 , .

이외에도 도시하지 않았지만, 상기 고굴절 반사층(31)의 재질은, EMC, 에폭시 수지 조성물, 실리콘 수지 조성물, 변성 에폭시 수지 조성물, 변성 실리콘 수지 조성물, 폴리이미드 수지 조성물, 변성 폴리이미드 수지 조성물, 폴리프탈아미드(PPA), 폴리카보네이트 수지, 폴리페닐렌 설파이드(PPS), 액정 폴리머(LCP), ABS 수지, 페놀 수지, 아크릴 수지, PBT 수지, 브래그(bragg) 반사층, 에어갭(air gap), 전반사층, 금속층 및 이들의 조합 중 어느 하나 이상을 선택하여 이루어지는 것도 가능하다.Although not shown, the material of the high refractive index reflection layer 31 may be selected from EMC, an epoxy resin composition, a silicone resin composition, a modified epoxy resin composition, a modified silicone resin composition, a polyimide resin composition, a modified polyimide resin composition, PPA), polycarbonate resin, polyphenylene sulfide (PPS), liquid crystal polymer (LCP), ABS resin, phenol resin, acrylic resin, PBT resin, bragg reflection layer, air gap, And a combination of these may be selected.

한편, 도 1 및 도 2에 도시된 바와 같이, 상기 다중 굴절 반사층(32)은, 상기 고굴절 반사층(31) 상에 설치되고, 상기 발광 소자(20)와 가까울수록 굴절률이 높아지고, 상기 발광 소자(20)에서 멀어질수록 굴절률이 낮아지는 투광성 반사층일 수 있다.1 and 2, the multiple refraction reflective layer 32 is provided on the high refractive index reflective layer 31 and has a higher refractive index as it is closer to the light emitting element 20, 20, the refractive index is lowered.

또한, 도 2에 도시된 바와 같이, 상기 다중 굴절 반사층(32)은, 제 1 반사층(32-1) 및 제 2 반사층(32-2)를 포함할 수 있다.Also, as shown in FIG. 2, the multiple refraction reflective layer 32 may include a first reflective layer 32-1 and a second reflective layer 32-2.

여기서, 상기 제 1 반사층(32-1)은, 상기 고굴절 반사층(31) 상에 설치되는 것으로서, 제 1 굴절률을 갖는 투광성 반사층일 수 있고, 상기 제 2 반사층(32-2)은, 상기 제 1 반사층(32-1)의 상에 설치되고, 제 2 굴절률을 갖는 투광성 반사층일 수 있다.The first reflective layer 32-1 may be a transmissive reflective layer having a first refractive index and provided on the high refractive index reflective layer 31. The second reflective layer 32-2 may be a transmissive reflective layer having a first refractive index, And may be a transmissive reflective layer provided on the reflective layer 32-1 and having a second refractive index.

이러한, 상기 고굴절 반사층(31)에 가까울수록 굴절률이 크고, 멀수록 굴절률이 작아질 수 있도록 상기 제 1 반사층(32-1)의 제 1 굴절률은, 상기 제 2 반사층(32-2)의 제 2 굴절률 보다 큰 것일 수 있다.The first refractive index of the first reflective layer 32-1 is greater than the refractive index of the second reflective layer 32-2 of the second reflective layer 32-2 so that the refractive index becomes larger toward the high refractive index reflective layer 31, May be larger than the refractive index.

따라서, 상기 발광 소자(20)의 발광층(23)에서 수직 상방으로 방출되는 대부분의 빛들은, 상기 사파이어 기판(21)과 상기 고굴절 반사층(31) 사이의 경계면을 통과하면서 1차로 크게 굴절되어 상기 발광 소자(20)의 측방향으로 유도될 수 있고, 이어서, 상기 고굴절 반사층(31)과 상기 다중 굴절 반사층(32) 사이의 경계면을 통과하면서 다시 2차로 굴절되어 상기 발광 소자(20)의 측방향으로 유도될 수 있다. 이 때, 상기 빛의 일부분들은 상기 경계면들을 통과하지 못하고 상기 발광 소자(20)의 측방향으로 반사될 수 있다.Most of the light emitted vertically upward from the light emitting layer 23 of the light emitting device 20 is largely refracted while passing through the interface between the sapphire substrate 21 and the high refractive index reflective layer 31, Can be guided in the lateral direction of the device 20 and then refracted again while passing through the interface between the high refraction reflection layer 31 and the multiple refraction reflection layer 32, . At this time, the portions of the light can be reflected in the lateral direction of the light emitting device 20 without passing through the interfaces.

여기서, 상기 다중 굴절 반사층(32)의 상기 제 1 반사층(32-1) 및 제 2 반사층(32-2)을 이용하면, 상기 발광 소자(20)에서 방출되는 빛들의 굴절 각도를 상기 발광 소자(20)의 측방향에 가깝도록 더욱 크게 유도할 수 있다.When the first reflective layer 32-1 and the second reflective layer 32-2 of the multiple refraction reflective layer 32 are used, the angle of refraction of the light emitted from the light emitting device 20 can be changed 20 so as to be closer to the lateral direction.

그러므로, 상기 발광 소자(20)의 수직 상방으로 방출되는 대부분의 빛들을 최대한 상기 발광 소자(20)의 측방향으로 유도하여 종래의 별도의 2차 렌즈가 불필요하고, 제품의 두께를 줄일 수 있으며, 디스플레이 장치의 암부 발생 현상, 무라(Mura) 현상, 휘도 편차 및 색 편차를 방지하여 광 특성을 향상시키고, 양질의 제품을 생산할 수 있다.Therefore, most of the light emitted vertically upward of the light emitting device 20 is guided to the side of the light emitting device 20 as much as possible, so that a separate secondary lens is unnecessary, and the thickness of the product can be reduced. It is possible to prevent the occurrence of a dark portion of a display device, a mura phenomenon, a luminance deviation and a color deviation, thereby improving optical characteristics and producing a good quality product.

도 3은 본 발명의 일부 다른 실시예들에 따른 발광 소자 패키지(200)의 광 유도 부재(30)를 확대하여 나타내는 확대 단면도이다.3 is an enlarged cross-sectional view of an enlarged view of a light guide member 30 of a light emitting device package 200 according to some other embodiments of the present invention.

도 3에 도시된 바와 같이, 상기 다중 굴절 반사층(32)은, 제 1 반사층(32-1)과, 제 2 반사층(32-2) 및 제 3 반사층(32-3)을 포함할 수 있다.3, the multiple refraction reflection layer 32 may include a first reflection layer 32-1, a second reflection layer 32-2, and a third reflection layer 32-3.

여기서, 상기 제 1 반사층(32-1)은, 상기 고굴절 반사층(31) 상에 설치되는 것으로서, 제 1 굴절률을 갖는 투광성 반사층일 수 있다.Here, the first reflective layer 32-1 is provided on the high refractive index reflective layer 31 and may be a transmissive reflective layer having a first refractive index.

또한, 상기 제 2 반사층(32-2)은, 상기 제 1 반사층(32-1)의 상에 설치되고, 제 2 굴절률을 갖는 투광성 반사층일 수 있다.The second reflective layer 32-2 may be a transmissive reflective layer provided on the first reflective layer 32-1 and having a second refractive index.

또한, 상기 제 3 반사층(32-3)은, 상기 제 2 반사층(32-2) 상에 설치되고, 제 3 굴절률을 갖는 투광성 반사층일 수 있다.The third reflective layer 32-3 may be a transmissive reflective layer provided on the second reflective layer 32-2 and having a third refractive index.

여기서, 상기 고굴절 반사층(31)에 가까울수록 굴절률이 크고, 멀수록 굴절률이 작아질 수 있도록 상기 제 2 반사층(32-2)의 상기 제 2 굴절률은, 상기 제 3 반사층(32-3)의 제 3 굴절률 보다 크고, 상기 제 1 반사층(32-1)의 상기 제 1 굴절률 보다 작을 수 있다.Here, the second refractive index of the second reflective layer 32-2 may be greater than the refractive index of the third reflective layer 32-3 so that the refractive index of the second reflective layer 32-2 becomes closer to the higher refractive index reflective layer 31, 3 refractive index, and may be smaller than the first refractive index of the first reflective layer 32-1.

여기서, 상기 다중 굴절 반사층(32)의 재질은, EMC, 에폭시 수지 조성물, 실리콘 수지 조성물, 변성 에폭시 수지 조성물, 변성 실리콘 수지 조성물, 폴리이미드 수지 조성물, 변성 폴리이미드 수지 조성물, 폴리프탈아미드(PPA), 폴리카보네이트 수지, 폴리페닐렌 설파이드(PPS), 액정 폴리머(LCP), ABS 수지, 페놀 수지, 아크릴 수지, PBT 수지, 브래그(bragg) 반사층, 에어갭(air gap), 전반사층, 금속층 및 이들의 조합 중 어느 하나 이상을 선택하여 이루어지는 것도 가능하다.The material of the multiple refraction reflective layer 32 may be selected from the group consisting of EMC, an epoxy resin composition, a silicone resin composition, a modified epoxy resin composition, a modified silicone resin composition, a polyimide resin composition, a modified polyimide resin composition, a polyphthalamide (PPA) , A polycarbonate resin, a polyphenylene sulfide (PPS), a liquid crystal polymer (LCP), an ABS resin, a phenol resin, an acrylic resin, a PBT resin, a Bragg reflection layer, an air gap, May be selected by selecting any one or more of the combinations.

따라서, 상기 발광 소자(20)의 발광층(23)에서 수직 상방으로 방출되는 대부분의 빛들은, 상기 사파이어 기판(21)과 상기 고굴절 반사층(31) 사이의 경계면을 통과하면서 1차로 크게 굴절되어 상기 발광 소자(20)의 측방향으로 유도될 수 있고, 이어서, 상기 고굴절 반사층(31)과 상기 다중 굴절 반사층(32) 사이의 경계면을 통과하면서 다시 2차로 굴절되어 상기 발광 소자(20)의 측방향으로 유도될 수 있다. 이 때, 상기 빛의 일부분들은 상기 경계면들을 통과하지 못하고 상기 발광 소자(20)의 측방향으로 반사될 수 있다.Most of the light emitted vertically upward from the light emitting layer 23 of the light emitting device 20 is largely refracted while passing through the interface between the sapphire substrate 21 and the high refractive index reflective layer 31, Can be guided in the lateral direction of the device 20 and then refracted again while passing through the interface between the high refraction reflection layer 31 and the multiple refraction reflection layer 32, . At this time, the portions of the light can be reflected in the lateral direction of the light emitting device 20 without passing through the interfaces.

여기서, 상기 다중 굴절 반사층(32)의 상기 제 1 반사층(32-1)과, 제 2 반사층(32-2) 및 상기 제 3 반사층(32-3)을 이용하면, 상기 발광 소자(20)에서 방출되는 빛들의 굴절 각도를 상기 발광 소자(20)의 측방향에 가깝도록 더욱 크게 유도할 수 있다.When the first reflective layer 32-1, the second reflective layer 32-2, and the third reflective layer 32-3 of the multiple refraction reflective layer 32 are used, the light emitted from the light emitting element 20 The angle of refraction of the emitted light can be further increased to be close to the lateral direction of the light emitting device 20. [

도 4는 본 발명의 일부 또 다른 실시예들에 따른 발광 소자 패키지(300)의 광 유도 부재(30)를 확대하여 나타내는 확대 단면도이다.4 is an enlarged cross-sectional view showing an enlarged view of a light guide member 30 of a light emitting device package 300 according to still another embodiment of the present invention.

도 4에 도시된 바와 같이, 상기 다중 굴절 반사층(32)은, 제 1 반사층(32-1)과, 제 2 반사층(32-2)과, 제 3 반사층(32-3)과, 제 4 반사층(32-4) 및 제 5 반사층(32-5)을 포함할 수 있다.4, the multiple refraction reflective layer 32 includes a first reflective layer 32-1, a second reflective layer 32-2, a third reflective layer 32-3, a fourth reflective layer 32-2, (32-4), and a fifth reflective layer (32-5).

이처럼, 상기 다중 굴절 반사층(32)은, 상술된 바와 같이, 상기 발광 소자(20)에서 발생된 빛이 층과 층의 경계면에서 굴절이 용이하도록 2층, 3층, 4층, 5층 이상 등 다층으로 이루어질 수 있는 것으로서, 이는 상기 발광 소자(20)의 종류나 형태나 발광 특성이나 제품의 스팩이나 공정의 효율성 등을 고려하여 최적화 설계될 수 있다.As described above, the multi-refraction reflective layer 32 may be formed of two layers, three layers, four layers, five layers or more so that the light generated from the light emitting element 20 can be easily refracted at the interface between the layer and the layer And it can be optimally designed in consideration of the type and shape of the light emitting device 20, the light emitting characteristics, the specifications of the product, and the efficiency of the process.

도 5는 본 발명의 일부 또 다른 실시예들에 따른 발광 소자 패키지(400)의 광 유도 부재(30)를 확대하여 나타내는 확대 단면도이다.5 is an enlarged cross-sectional view showing an enlarged view of a light guide member 30 of a light emitting device package 400 according to still another embodiment of the present invention.

도 5에 도시된 바와 같이, 본 발명의 일부 또 다른 실시예들에 따른 발광 소자 패키지(400)의 상기 다중 굴절 반사층(33)은, 상기 고굴절 반사층(31)과 가까운 부분에서 상기 고굴절 반사층(31)으로부터 멀어지는 부분까지 그 굴절률이 연속적으로 변화되는 것일 수 있다.5, the multireflection reflective layer 33 of the light emitting device package 400 according to some embodiments of the present invention may include the high refractive index reflective layer 31 (see FIG. 5) near the high refractive index reflective layer 31, The refractive index may be continuously changed from the position where the refractive index is changed to the position where the refractive index is changed.

여기서, 이러한 굴절률이 연속적으로 변화되는 상기 다중 굴절 반사층(33)은, 상기 다중 굴절 반사층(33)의 성형시, 압력, 온도, 공정 시간 등을 부분적으로 정밀하게 조절하여 광섬유처럼 단계적 또는 연속적으로 성형할 수 있다.Here, the multiple refraction reflection layer 33, in which the refractive index is continuously changed, may be formed by stepwise or continuously molding, such as an optical fiber, by partially controlling the pressure, the temperature and the process time at the time of molding the multiple refraction reflection layer 33 can do.

따라서, 연속적으로 굴절률이 변화되는 상기 다중 굴절 반사층(33)을 이용하면 상기 발광 소자(20)에서 방출되는 빛들의 굴절 각도를 상기 발광 소자(20)의 측방향에 가깝도록 더욱 크게 유도할 수 있다.Therefore, by using the multiple refraction reflection layer 33 whose refractive index is continuously changed, the refraction angle of the light emitted from the light emitting device 20 can be further increased to be close to the lateral direction of the light emitting device 20 .

도 6은 본 발명의 일부 또 다른 실시예들에 따른 발광 소자 패키지(500)의 광 유도 부재(30)를 확대하여 나타내는 확대 단면도이고, 도 7은 도 6의 발광 소자 패키지(500)의 광 유도 부재를 확대하여 나타내는 확대 단면도이다.6 is an enlarged cross-sectional view showing an enlarged view of the light guide member 30 of the light emitting device package 500 according to still another embodiment of the present invention, and Fig. 7 is an enlarged sectional view of the light guide member 30 of the light emitting device package 500 of Fig. 1 is an enlarged cross-sectional view showing an enlarged member.

또한, 도 8은 본 발명의 일부 또 다른 실시예들에 따른 발광 소자 패키지(600)의 광 유도 부재(30)를 확대하여 나타내는 확대 단면도이고, 도 9는 본 발명의 일부 또 다른 실시예들에 따른 발광 소자 패키지(700)의 광 유도 부재(30)를 확대하여 나타내는 확대 단면도이고, 도 10은 본 발명의 일부 또 다른 실시예들에 따른 발광 소자 패키지(800)의 광 유도 부재를 확대하여 나타내는 확대 단면도이다.8 is an enlarged cross-sectional view showing an enlarged view of a light guide member 30 of a light emitting device package 600 according to still another embodiment of the present invention, and Fig. 9 is a cross- 10 is an enlarged sectional view showing the light guide member 30 of the light emitting device package 700 according to another embodiment of the present invention. FIG.

도 6 내지 도 10에 도시된 바와 같이, 본 발명의 일부 또 다른 실시예들에 따른 발광 소자 패키지(500)(600)(700)(800)의 상기 고굴절 반사층(31)은, 복수개의 돌기(T)를 갖는 것일 수 있다.6 to 10, the high refractive index reflective layer 31 of the light emitting device package 500, 600, 700, and 800 according to still another embodiment of the present invention includes a plurality of projections T).

여기서, 상기 돌기(T)는 밑면이 상기 발광 소자(20)와 접하는 삼각 돌기일 수 있다. 그러나, 본 발명에서는 상기 돌기(T)가 삼각 돌기에 국한되는 것은 아니다.Here, the protrusion T may be a triangular protrusion having a bottom surface in contact with the light emitting device 20. However, in the present invention, the projection T is not limited to the triangular projection.

즉, 상기 돌기(T)는 사각 돌기, 다각 돌기, 원형 돌기, 구형 돌기, 반구형 돌기, 타원형 돌기, 기하학적 형태의 돌기 등 상기 발광 소자(20)에서 발생된 빛을 상기 발광 소자(20)의 측방향으로 유도할 수 있는 매우 다양한 형상의 돌기일 수 있다.That is, the protrusions T are formed on the side of the light emitting device 20, such as a square protrusion, a polygonal protrusion, a circular protrusion, a spherical protrusion, a hemispherical protrusion, an oval protrusion, Lt; RTI ID = 0.0 > direction. ≪ / RTI >

또한, 도 6 내지 도 8에 도시된 바와 같이, 상기 돌기(T)는 층과 층의 경계면을 침범하지 않는 것일 수 있다.Further, as shown in Figs. 6 to 8, the protrusion T may not invade the interface between the layer and the layer.

이외에도, 도 9에 도시된 바와 같이, 상기 돌기(T)는 층과 층의 경계면을 침범하여 형성되는 것도 가능하다.In addition, as shown in FIG. 9, the protrusion T may be formed by penetrating the interface between the layer and the layer.

또한, 상기 돌기(T)들의 상방에 설치되는 상기 다중 굴절 반사층(32)은, 도 7에 도시된 바와 같이, 제 1 반사층(32-1) 및 제 2 반사층(32-2)으로 형성된 2층 구조이거나, 도 8에 도시된 바와 같이, 제 1 반사층(32-1)과, 제 2 반사층(32-2) 및 제 3 반사층(32-3)으로 형성된 3층 구조이거나, 도 9에 도시된 바와 같이, 제 1 반사층(32-1)과, 제 2 반사층(32-2)과, 제 3 반사층(32-3)과, 제 4 반사층(32-4) 및 제 5 반사층(32-5)으로 형성된 5층 구조일 수 있다.7, the multi-refraction reflective layer 32 provided above the protrusions T is formed of a two-layer structure formed of a first reflective layer 32-1 and a second reflective layer 32-2, Layer structure formed of the first reflective layer 32-1, the second reflective layer 32-2, and the third reflective layer 32-3, as shown in FIG. 8, The second reflective layer 32-2, the third reflective layer 32-3, the fourth reflective layer 32-4, and the fifth reflective layer 32-5, Layer structure.

이처럼, 상기 다중 굴절 반사층(32)은, 상술된 바와 같이, 상기 발광 소자(20)에서 발생된 빛이 상기 돌기(T)에서 좌우방향으로 1차 굴절된 후, 층과 층의 경계면에서 굴절이 용이하도록 2층, 3층, 4층, 5층 이상 등 다층으로 이루어질 수 있는 것으로서, 이는 상기 발광 소자(20)의 종류나 형태나 발광 특성이나 제품의 스팩이나 공정의 효율성 등을 고려하여 최적화 설계될 수 있다. As described above, the multi-refraction reflective layer 32 is formed in such a manner that the light generated in the light emitting device 20 is refracted in the lateral direction of the projection T, Layer structure such as a two-layer structure, a three-layer structure, a four-layer structure, and a five-layer structure or the like for ease of designing. .

도 11은 본 발명의 일부 실시예들에 따른 백라이트 유닛(1000)을 나타내는 단면도이다.11 is a cross-sectional view illustrating a backlight unit 1000 according to some embodiments of the present invention.

도 11에 도시된 바와 같이, 본 발명의 일부 실시예들에 따른 백라이트 유닛(1000)은, 기판(10)과, 상기 기판(10)에 안착되는 발광 소자(20)와, 상기 발광 소자(20)의 측방향으로 빛을 유도할 수 있도록 상기 발광 소자(20)의 상면(20a)에 설치되는 광 유도 부재(30) 및 상기 광 유도 부재(30)에서 반사된 빛의 경로에 설치되는 도광판(50)을 포함을 포함할 수 있다.11, a backlight unit 1000 according to some embodiments of the present invention includes a substrate 10, a light emitting device 20 that is seated on the substrate 10, A light guide member 30 provided on an upper surface 20a of the light emitting device 20 so as to guide light in a lateral direction of the light guide member 30 and a light guide plate 50).

여기서, 상기 기판(10)은, 상기 발광 소자(20)를 수용할 수 있고, 상기 발광 소자(20)와 전기적으로 연결되는 것으로서, 상기 발광 소자(20)를 지지할 수 있도록 적당한 기계적 강도와 절연성을 갖는 재료나 전도성 재료로 제작될 수 있다.The substrate 10 can receive the light emitting device 20 and is electrically connected to the light emitting device 20. The substrate 10 may have appropriate mechanical strength and insulation property to support the light emitting device 20, Or a conductive material.

예를 들어서, 상기 기판(10)은, 상기 발광 소자(20)를 외부 전원과 연결시키도록 각종 배선층이 형성될 수 있고, 에폭시계 수지 시트를 다층 형성시킨 인쇄 회로 기판(PCB: Printed Circuit Board)일 수 있다. 또한, 상기 기판(10)은, 연성 재질의 플랙서블 인쇄 회로 기판(FPCB: Flexible Printed Circuit Board)일 수 있다.For example, the substrate 10 may include various wiring layers to connect the light emitting device 20 with an external power source, and may include a printed circuit board (PCB) having a plurality of epoxy resin sheets formed thereon, Lt; / RTI > The substrate 10 may be a Flexible Printed Circuit Board (FPCB) made of a flexible material.

이외에도, 상기 기판(10)은, 레진, 글래스 에폭시 등의 합성 수지 기판이나, 열전도율을 고려하여 세라믹(ceramic) 기판이 적용될 수 있고, 이외에도 절연 처리된 알루미늄, 구리, 아연, 주석, 납, 금, 은 등의 금속 기판 등이 적용될 수 있으며, 플레이트 형태나 리드 프레임 형태의 기판들이 적용될 수 있다.In addition, the substrate 10 may be a synthetic resin substrate such as a resin or a glass epoxy or a ceramic substrate in consideration of a thermal conductivity. In addition, the substrate 10 may be formed of an insulating material such as aluminum, copper, zinc, tin, A metal substrate such as silver can be applied, and a plate or a lead frame substrate can be applied.

또한, 상기 기판(10)은, 가공성을 향상시키기 위해서 적어도 EMC(Epoxy Mold Compound), PI(polyimide), 세라믹, 그래핀, 유리합성섬유 및 이들의 조합들 중 어느 하나 이상을 선택하여 이루어지는 것일 수 있다.The substrate 10 may be made of at least one selected from EMC (Epoxy Mold Compound), PI (polyimide), ceramic, graphene, glass synthetic fiber and combinations thereof to improve workability have.

또한, 상기 기판(10)에는 도시하지 않았지만 배선층이 전도층 패턴의 형태로 설치될 수 있다. 이러한 배선층은 열전도성이 우수하고 비교적 저렴한 재질인 구리, 알루미늄 및 이들의 조합 중 어느 하나 이상을 선택하여 이루어질 수 있다.In addition, although not shown in the figure, the wiring layer may be provided in the form of a conductive layer pattern. The wiring layer may be made of at least one selected from copper, aluminum, and combinations thereof, which are excellent in thermal conductivity and relatively inexpensive materials.

이 때, 이러한 패턴 형성 방법은 열압착 가공, 도금 가공, 접착 가공, 스퍼터링 가공이나, 기타 식각 가공, 프린팅 가공, 스프레이 가공 등의 방법이 이용될 수 있다.At this time, such a pattern forming method may be thermocompression processing, plating processing, adhesive processing, sputtering processing, other etching processing, printing processing, spray processing and the like.

또한, 상기 발광 소자(20)는, 상기 기판(10)에 안착될 수 있는 것으로서, 도 7에서는 상기 기판(10) 위에 1개의 발광 소자(20)가 안착된 상태를 예시하였다.In addition, the light emitting device 20 can be mounted on the substrate 10, and FIG. 7 illustrates a state in which one light emitting device 20 is mounted on the substrate 10.

이외에도, 상기 기판(10)에는 복수개의 발광 소자(20)들이 안착될 수 있다.In addition, a plurality of light emitting devices 20 may be mounted on the substrate 10.

또한, 도 11의 상기 발광 소자(20) 및 광 유도 부재(30)는, 도 1의 본 발명의 일부 실시예들에 따른 상기 발광 소자 패키지(100)의 상기 발광 소자(20) 및 광 유도 부재(30)와 그 구성과 역할이 동일할 수 있다. 따라서, 상세한 설명은 생략한다.The light emitting device 20 and the light guiding member 30 of FIG. 11 are the same as those of the light emitting device 20 and the light guiding member 30 of the light emitting device package 100 according to some embodiments of the present invention shown in FIG. (30) and its configuration and role may be the same. Therefore, detailed description is omitted.

이러한, 상기 백라이트 유닛(1000)은, LCD 패널에 설치되어 LCD 패널 방향으로 빛을 투사하는 것으로서, 상기 발광 소자(20)에서 발생된 빛의 경로에 설치되어, 상기 발광 소자(20)에서 발생된 빛을 보다 넓은 면적으로 전달할 수 있다.The backlight unit 1000 is installed on an LCD panel and projects light toward the LCD panel. The backlight unit 1000 is installed in a path of light generated by the light emitting device 20, The light can be transmitted over a larger area.

또한, 상기 도광판(50)은, 그 재질이 폴리카보네이트 계열, 폴리술폰계열, 폴리아크릴레이트 계열, 폴리스틸렌계, 폴리비닐클로라이드계, 폴리비닐알코올계, 폴리노르보넨 계열, 폴리에스테르 등이 적용될 수 있고, 이외에도 각종 투광성 수지 계열을 재질이 적용될 수 있다. 또한, 상기 도광판(50)은, 표면에 미세 패턴이나 미세 돌기나 확산막등을 형성하거나, 내부에 미세 기포를 형성하는 등 다양한 방법으로 이루어질 수 있다.The light guide plate 50 may be made of polycarbonate, polysulfone, polyacrylate, polystyrene, polyvinyl chloride, polyvinyl alcohol, polynorbornene, polyester, or the like , Besides, materials of various translucent resin series can be applied. The light guide plate 50 may be formed by various methods such as forming fine patterns, fine protrusions, diffusion films, or the like on the surface, or forming fine bubbles therein.

이러한 본 발명의 일부 실시예들에 따른 백라이트 유닛(1000)은, 상기 발광 소자(20)가 상기 도광판(50)의 하방에 설치되는 직하형 백라이트 유닛일 수 있다.The backlight unit 1000 according to some embodiments of the present invention may be a direct type backlight unit in which the light emitting device 20 is installed below the light guide plate 50. [

한편, 도시하지 않았지만, 상기 발광 소자(20)의 둘레에 형광체를 설치할 수 있다. 예컨데, 이러한 형광체는 아래와 같은 조성식 및 컬러를 가질 수 있다.On the other hand, although not shown, a phosphor may be provided around the light emitting element 20. For example, such a phosphor may have the following composition formula and color.

산화물계: 황색 및 녹색 Y3Al5O12:Ce, Tb3Al5O12:Ce, Lu3Al5O12:CeOxide system: yellow and green Y3Al5O12: Ce, Tb3Al5O12: Ce, Lu3Al5O12: Ce

실리케이트계: 황색 및 녹색 (Ba,Sr)2SiO4:Eu, 황색 및 등색 (Ba,Sr)3SiO5:Ce(Ba, Sr) 2SiO4: Eu, yellow and orange (Ba, Sr) 3SiO5: Ce

질화물계: 녹색 β-SiAlON:Eu, 황색 L3Si6O11:Ce, 등색 α-SiAlON:Eu, 적색 CaAlSiN3:Eu, Sr2Si5N8:Eu, SrSiAl4N7:EuEu, Sr2Si5N8: Eu, SrSiAl4N7: Eu, Eu3O3: Eu, Eu3O3: Eu,

이러한, 상기 형광체의 조성은 기본적으로 화학양론(Stoichiometry)에 부합하여야 하며, 각 원소들은 주기율표상 각 족들 내 다른 원소로 치환이 가능하다. 예를 들어 Sr은 알카리토류(II)족의 Ba, Ca, Mg 등으로, Y은 란탄계열의 Tb, Lu, Sc, Gd 등으로 치환이 가능하다, 또한 활성제인 Eu 등은 원하는 에너지 준위에 따라 Ce, Tb, Pr, Er, Yb 등으로 치환이 가능하며, 활성제 단독 또는 특성 변형을 위해 부활성제등이 추가로 적용될 수 있다.The composition of the phosphor should basically correspond to stoichiometry, and each element may be substituted with another element in each group on the periodic table. For example, Sr can be substituted with Ba, Ca, Mg, etc. of the alkaline earth (II) group, and Y can be replaced with lanthanum series of Tb, Lu, Sc, Gd and the like. Ce, Tb, Pr, Er, Yb and the like, and the active agent may be used alone or as a negative active agent for the characteristic modification.

또한, 상기 형광체의 대체 물질로 양자점(Quantum Dot) 등의 물질들이 적용될 수 있으며, LED에 형광체와 QD를 혼합 또는 단독으로 사용될 수 있다.As a substitute for the phosphor, materials such as a quantum dot may be used. Alternatively, a fluorescent material and QD may be mixed with the LED or used alone.

QD는 CdSe, InP 등의 코어(3 ~ 10nm)와 ZnS, ZnSe 등의 쉘(0.5 ~ 2nm)및 코어, 쉘의 안정화를 위한 리간드(Regand)의 구조로 구성될 수 있으며, 크기에 따라 다양한 칼라를 구현할 수 있다.QD can be composed of a core (3 to 10 nm) such as CdSe and InP, a shell (0.5 to 2 nm) such as ZnS and ZnSe, and a ligand for stabilizing the core and the shell. Can be implemented.

또한, 상기 형광체 또는 양자점(Quantum Dot)의 도포 방식은 크게 LED 칩 또는 발광소자에 뿌리는 방식, 또는 막 형태로 덮는 방식, 필름 또는 세라믹 형광체 등의 시트 형태를 부착하는 방식 중 적어도 하나를 사용 할 수 있다.In addition, the coating method of the fluorescent material or the quantum dot may include at least one of a method of being applied to an LED chip or a light emitting device, a method of covering the material in a film form, a method of attaching a sheet form such as a film or a ceramic fluorescent material .

뿌리는 방식으로는 디스펜싱, 스프레이 코팅 등이 일반적이며 디스펜싱은 공압방식과 스크류(Screw), 리니어 타입(Linear type) 등의 기계적 방식을 포함한다. 제팅(Jetting) 방식으로 미량 토출을 통한 도팅량 제어 및 이를 통한 색좌표 제어도 가능하다. 웨이퍼 레벨 또는 발광 소자 기판상에 스프레이 방식으로 형광체를 일괄 도포하는 방식은 생산성 및 두께 제어가 용이할 수 있다. Dispensing and spray coating are common methods of spraying, and dispensing includes mechanical methods such as pneumatic method and screw, linear type. It is also possible to control the amount of dyeing through a small amount of jetting by means of a jetting method and control the color coordinates thereof. The method of collectively applying the phosphor on the wafer level or the light emitting device substrate by the spray method can easily control productivity and thickness.

발광 소자 또는 LED 칩 위에 막 형태로 직접 덮는 방식은 전기영동, 스크린 프린팅 또는 형광체의 몰딩 방식으로 적용될 수 있으며 LED 칩 측면의 도포 유무 필요에 따라 해당 방식의 차이점을 가질 수 있다.The method of directly covering the light emitting device or the LED chip in a film form can be applied by a method of electrophoresis, screen printing or phosphor molding, and the method can be different according to necessity of application of the side of the LED chip.

발광 파장이 다른 2종 이상의 형광체 중 단파장에서 발광하는 광을 재 흡수하는 장파장 발광 형광체의 효율을 제어하기 위하여 발광 파장이 다른 2종 이상의 형광체층을 구분할 수 있으며, LED 칩과 형광체 2종 이상의 파장 재흡수 및 간섭을 최소화하기 위하여 각 층 사이에 DBR(ODR)층을 포함 할 수 있다.In order to control the efficiency of the long-wavelength light-emitting phosphor that reabsers light emitted from a short wavelength among two or more kinds of phosphors having different emission wavelengths, two or more kinds of phosphor layers having different emission wavelengths can be distinguished. A DBR (ODR) layer may be included between each layer to minimize absorption and interference.

균일 도포막을 형성하기 위하여 형광체를 필름 또는 세라믹 형태로 제작 후 LED 칩 또는 발광 소자 위에 부착할 수 있다. In order to form a uniform coating film, the phosphor may be formed into a film or ceramic form and then attached onto the LED chip or the light emitting device.

광 효율, 배광 특성에 차이점을 주기 위하여 리모트 형식으로 광변환 물질을 위치할 수 있으며, 이 때 광변환 물질은 내구성, 내열성에 따라 투광성 고분자, 유리등의 물질 등과 함께 위치한다.In order to make a difference in light efficiency and light distribution characteristics, a photoelectric conversion material may be located in a remote format. In this case, the photoelectric conversion material is located together with a transparent polymer, glass, or the like depending on its durability and heat resistance.

이러한, 상기 형광체 도포 기술은 발광 소자에서 광특성을 결정하는 가장 큰 역할을 하게 되므로, 형광체 도포층의 두께, 형광체 균일 분산 등의 제어 기술들이 다양하게 연구되고 있다. QD 또한 형광체와 동일한 방식으로 LED 칩 또는 발광 소자에 위치할 수 있으며, 유리 또는 투광성 고분자 물질 사이에 위치하여 광 변환을 할 수 있다.Since the phosphor coating technique plays a major role in determining the optical characteristics in the light emitting device, control techniques such as the thickness of the phosphor coating layer and the uniform dispersion of the phosphor have been studied variously. QD can also be placed in the LED chip or the light emitting element in the same manner as the phosphor, and can be positioned between the glass or translucent polymer material for light conversion.

한편, 도시하지 않았지만, 본 발명은 상술된 발광 소자 패키지들을 포함하는 조명 장치를 포함할 수 있다. 여기서, 본 발명의 일부 실시예들에 따른 상기 조명 장치의 구성 요소들은 상술된 본 발명의 발광 소자 패키지의 그것들과 구성과 역할이 동일할 수 있다. 따라서, 상세한 설명은 생략한다.On the other hand, although not shown, the present invention can include a lighting device including the light emitting device packages described above. Here, the components of the lighting apparatus according to some embodiments of the present invention may have the same configuration and functions as those of the above-described light emitting device package of the present invention. Therefore, detailed description is omitted.

본 발명은 도면에 도시된 실시예를 참고로 설명되었으나 이는 예시적인 것에 불과하며, 당해 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 이로부터 다양한 변형 및 균등한 다른 실시예가 가능하다는 점을 이해할 것이다. 따라서 본 발명의 진정한 기술적 보호 범위는 첨부된 특허청구범위의 기술적 사상에 의하여 정해져야 할 것이다.While the present invention has been described with reference to exemplary embodiments, it is to be understood that the invention is not limited to the disclosed exemplary embodiments, but, on the contrary, is intended to cover various modifications and equivalent arrangements included within the spirit and scope of the invention. Accordingly, the true scope of the present invention should be determined by the technical idea of the appended claims.

10: 기판
20: 발광 소자
20a: 상면
21: 사파이어 기판
22: 제 1 반도체층
23: 발광층
24: 제 2 반도체층
25: 전극층
30: 광 유도 부재
31: 고굴절 반사층
32: 다중 굴절 반사층
32-1: 제 1 반사층
32-2: 제 2 반사층
32-3: 제 3 반사층
33: 다중 굴절 반사층
P1: 제 1 전극 패드
P2: 제 2 전극 패드
T; 돌기
50: 도광판
100, 200, 300, 400, 500: 발광 소자 패키지
1000: 백라이트 유닛10: substrate
20: Light emitting element
20a: upper surface
21: sapphire substrate
22: first semiconductor layer
23: light emitting layer
24: second semiconductor layer
25: electrode layer
30: Light guide member
31: High Reflection Layer
32: multiple refraction reflective layer
32-1: First reflective layer
32-2: Second reflective layer
32-3: Third reflective layer
33: multiple refraction reflective layer
P1: first electrode pad
P2: second electrode pad
T; spin
50: light guide plate
100, 200, 300, 400, 500: Light emitting device package
1000: Backlight unit

Claims (11)

발광 소자; 및
상기 발광 소자의 측방향으로 빛을 유도할 수 있도록 상기 발광 소자의 상면에 설치되는 광 유도 부재;를 포함하고,
상기 광 유도 부재는,
상기 발광 소자의 출광부의 굴절률 보다 큰 고굴절률을 갖는 고굴절 반사층; 및
상기 고굴절 반사층 상에 설치되고, 상기 발광 소자와 가까울수록 굴절률이 높아지고, 상기 발광 소자에서 멀어질수록 굴절률이 낮아지는 다중 굴절 반사층;
을 포함하는, 발광 소자 패키지.A light emitting element; And
And a light guide member provided on an upper surface of the light emitting device so as to guide light in a lateral direction of the light emitting device,
The light guide member includes:
A high refractive index reflective layer having a refractive index greater than a refractive index of a light emitting portion of the light emitting device; And
A multiple refraction reflective layer provided on the high refractive index reflective layer and having a refractive index higher the closer to the light emitting element and a lower refractive index the farther away from the light emitting element;
Emitting device package. 제 1 항에 있어서,
상기 고굴절 반사층은, 상기 발광 소자의 사파이어 기판 상에 설치되는 것인, 발광 소자 패키지.The method according to claim 1,
Wherein the high refractive index reflection layer is provided on a sapphire substrate of the light emitting element. 제 1 항에 있어서,
상기 다중 굴절 반사층은,
상기 고굴절 반사층 상에 설치되고, 제 1 굴절률을 갖는 제 1 반사층; 및
상기 제 1 반사층의 상에 설치되고, 제 2 굴절률을 갖는 제 2 반사층;
을 포함하는, 발광 소자 패키지.The method according to claim 1,
The multi-
A first reflective layer provided on the high refractive index reflective layer and having a first refractive index; And
A second reflective layer provided on the first reflective layer and having a second refractive index;
Emitting device package. 제 3 항에 있어서,
상기 제 1 반사층의 제 1 굴절률은, 상기 제 2 반사층의 제 2 굴절률 보다 큰 것인, 발광 소자 패키지.The method of claim 3,
Wherein the first refractive index of the first reflective layer is larger than the second refractive index of the second reflective layer. 제 3 항에 있어서,
상기 다중 굴절 반사층은,
상기 제 2 반사층 상에 설치되고, 제 3 굴절률을 갖는 제 3 반사층;
을 더 포함하는, 발광 소자 패키지.The method of claim 3,
The multi-
A third reflective layer provided on the second reflective layer and having a third refractive index;
Emitting device package. 제 5 항에 있어서,
상기 제 2 반사층의 상기 제 2 굴절률은, 상기 제 3 반사층의 제 3 굴절률 보다 크고, 상기 제 1 반사층의 상기 제 1 굴절률 보다 작은 것인, 발광 소자 패키지.6. The method of claim 5,
And the second refractive index of the second reflective layer is larger than the third refractive index of the third reflective layer and smaller than the first refractive index of the first reflective layer. 제 1 항에 있어서,
상기 고굴절 반사층은, 복수개의 돌기를 갖는 것인, 발광 소자 패키지.The method according to claim 1,
Wherein the high refractive index reflection layer has a plurality of projections. 제 7 항에 있어서,
상기 돌기는 밑면이 상기 발광 소자와 접하는 삼각 돌기인, 발광 소자 패키지.8. The method of claim 7,
And the protrusion is a triangular projection having a bottom surface in contact with the light emitting element. 제 1 항에 있어서,
상기 다중 굴절 반사층은,
상기 고굴절 반사층과 가까운 부분에서 상기 고굴절 반사층으로부터 멀어지는 부분까지 그 굴절률이 연속적으로 변화되는 것인, 발광 소자 패키지.The method according to claim 1,
The multi-
And the refractive index is continuously changed from a portion close to the high refractive index reflective layer to a portion remote from the high refractive index reflective layer. 기판;
상기 기판에 안착되는 발광 소자;
상기 발광 소자의 측방향으로 빛을 유도할 수 있도록 상기 발광 소자의 상면에 설치되는 광 유도 부재; 및
상기 광 유도 부재에서 반사된 빛의 경로에 설치되는 도광판;을 포함하고,
상기 광 유도 부재는,
상기 발광 소자의 굴절률 보다 큰 고굴절률을 갖는 고굴절 반사층; 및
상기 고굴절 반사층 상에 설치되고, 상기 발광 소자와 가까울수록 굴절률이 높아지고, 상기 발광 소자에서 멀어질수록 굴절률이 낮아지는 다중 굴절 반사층;
을 포함하는 것인, 백라이트 유닛.Board;
A light emitting element mounted on the substrate;
A light guide member installed on an upper surface of the light emitting device so as to guide light in a lateral direction of the light emitting device; And
And a light guide plate installed in a path of light reflected by the light guide member,
The light guide member includes:
A high refractive index reflective layer having a refractive index higher than that of the light emitting device; And
A multiple refraction reflective layer provided on the high refractive index reflective layer and having a refractive index higher the closer to the light emitting element and a lower refractive index the farther away from the light emitting element;
And a backlight unit. 발광 소자; 및
상기 발광 소자의 측방향으로 빛을 유도할 수 있도록 상기 발광 소자의 상면에 설치되는 광 유도 부재;를 포함하고,
상기 광 유도 부재는,
상기 발광 소자의 출광부의 굴절률 보다 큰 고굴절률을 갖는 고굴절 반사층; 및
상기 고굴절 반사층 상에 설치되고, 상기 발광 소자와 가까울수록 굴절률이 높아지고, 상기 발광 소자에서 멀어질수록 굴절률이 낮아지는 다중 굴절 반사층;
을 포함하는, 조명 장치.A light emitting element; And
And a light guide member provided on an upper surface of the light emitting device so as to guide light in a lateral direction of the light emitting device,
The light guide member includes:
A high refractive index reflective layer having a refractive index greater than a refractive index of a light emitting portion of the light emitting device; And
A multiple refraction reflective layer provided on the high refractive index reflective layer and having a refractive index higher the closer to the light emitting element and a lower refractive index the farther away from the light emitting element;
.
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