KR20170118508A - Light emitting device package - Google Patents

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KR20170118508A
KR20170118508A KR1020160046386A KR20160046386A KR20170118508A KR 20170118508 A KR20170118508 A KR 20170118508A KR 1020160046386 A KR1020160046386 A KR 1020160046386A KR 20160046386 A KR20160046386 A KR 20160046386A KR 20170118508 A KR20170118508 A KR 20170118508A
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Abstract

실시 예는, 제1전극과 제2전극이 배치된 하면, 상기 하면과 마주보는 상면, 및 상기 상면과 하면을 연결하는 복수 개의 측면을 포함하는 발광소자; 상기 발광소자의 상면과 복수 개의 측면을 커버하는 파장변환층; 및 상기 파장변환층의 상면 및 제1측면은 커버하고, 상기 제1측면과 마주보는 제2측면은 노출하는 제1반사층을 포함하고, 상기 파장변환층의 상면 두께는 상기 발광소자의 제1측면에서 제2측면 방향으로 갈수록 두꺼워지고, 상기 파장변환층의 상면 두께는 상기 파장변환층의 상면에서 상기 발광소자의 상면까지의 수직 거리인 발광소자 패키지를 개시한다.An embodiment includes a light emitting element including a lower surface on which a first electrode and a second electrode are disposed, an upper surface facing the lower surface, and a plurality of side surfaces connecting the upper surface and the lower surface. A wavelength conversion layer covering an upper surface and a plurality of side surfaces of the light emitting device; And a top surface and a first side surface of the wavelength conversion layer cover the first side surface and a second side surface facing the first side surface includes a first reflective layer that exposes the top surface of the wavelength conversion layer, And the upper surface thickness of the wavelength conversion layer is a vertical distance from the upper surface of the wavelength conversion layer to the upper surface of the light emitting element.

Description

발광소자 패키지{LIGHT EMITTING DEVICE PACKAGE}[0001] LIGHT EMITTING DEVICE PACKAGE [0002]

실시 예는 발광소자 패키지에 관한 것이다.An embodiment relates to a light emitting device package.

발광 다이오드(Light Emitting Diode, LED)는 전기에너지를 빛 에너지로 변환하는 화합물 반도체 소자로서, 화합물반도체의 조성비를 조절함으로써 다양한 색상구현이 가능하다.Light emitting diodes (LEDs) are compound semiconductor devices that convert electrical energy into light energy. By controlling the composition ratio of compound semiconductors, various colors can be realized.

질화물반도체 발광소자는 형광등, 백열등 등 기존의 광원에 비해 저소비 전력, 반영구적인 수명, 빠른 응답속도, 안전성, 환경친화성의 장점을 갖고 있다. 따라서, LCD(Liquid Crystal Display) 표시 장치의 백라이트를 구성하는 냉음극관(CCFL: Cold Cathode Fluorescence Lamp)을 대체하는 발광 다이오드 백라이트, 형광등이나 백열 전구를 대체할 수 있는 백색 발광 다이오드 조명 장치, 자동차 헤드 라이트 및 신호등에까지 응용이 확대되고 있다.The nitride semiconductor light emitting device has advantages of low power consumption, semi-permanent lifetime, fast response speed, safety, and environmental friendliness compared to conventional light sources such as fluorescent lamps and incandescent lamps. Accordingly, a light emitting diode backlight replacing a cold cathode fluorescent lamp (CCFL) constituting a backlight of an LCD (Liquid Crystal Display) display device, a white light emitting diode lighting device capable of replacing a fluorescent lamp or an incandescent lamp, And traffic lights.

칩 스케일(CSP, Chip Scale Package) 패키지는 플립칩에 직접 형광체층을 형성하여 제작할 수 있다. 칩 스케일 패키지는 패키지의 소형화를 가능하게 하나, 모든 면에서 발광하므로 필요에 따라 발광 방향을 조절할 필요가 있다.Chip Scale Package (CSP) packages can be fabricated by forming a phosphor layer directly on the flip chip. The chip scale package enables miniaturization of the package, but since it emits light in all aspects, it is necessary to adjust the direction of light emission as needed.

실시 예는 측면의 광 추출 효율이 향상된 발광소자 패키지를 제공한다. The embodiment provides a light emitting device package with improved side light extraction efficiency.

실시 예는 발광 방향이 조절된 발광소자 패키지를 제공한다.Embodiments provide a light emitting device package with controlled emission directions.

본 발명의 일 실시 예에 따른 발광소자 패키지는, 제1전극과 제2전극이 배치된 하면, 상기 하면과 마주보는 상면, 및 상기 상면과 하면을 연결하는 복수 개의 측면을 포함하는 발광소자; 상기 발광소자의 상면과 복수 개의 측면을 커버하는 파장변환층; 및 상기 파장변환층의 상면 및 제1측면은 커버하고, 상기 제1측면과 마주보는 제2측면은 노출하는 제1반사층을 포함하고, 상기 파장변환층의 상면 두께는 상기 발광소자의 제1측면에서 제2측면 방향으로 갈수록 두꺼워지고, 상기 파장변환층의 상면 두께는 상기 파장변환층의 상면에서 상기 발광소자의 상면까지의 수직 거리이다.A light emitting device package according to an embodiment of the present invention includes a light emitting device including a lower surface on which a first electrode and a second electrode are disposed, an upper surface facing the lower surface, and a plurality of side surfaces connecting the upper surface and the lower surface. A wavelength conversion layer covering an upper surface and a plurality of side surfaces of the light emitting device; And a top surface and a first side surface of the wavelength conversion layer cover the first side surface and a second side surface facing the first side surface includes a first reflective layer that exposes the top surface of the wavelength conversion layer, And the thickness of the top surface of the wavelength conversion layer is a vertical distance from the top surface of the wavelength conversion layer to the top surface of the light emitting device.

상기 제1반사층의 상면 두께는 상기 발광소자의 제1측면에서 제2측면 방향으로 갈수록 얇아지고, 상기 제1반사층의 상면 두께는 상기 제1반사층의 상면에서 상기 파장변환층의 상면까지의 수직 거리일 수 있다.Wherein the thickness of the upper surface of the first reflective layer is reduced from the first side to the second side of the light emitting device and the thickness of the upper surface of the first reflective layer is greater than the vertical distance from the upper surface of the first reflective layer to the upper surface of the wavelength conversion layer Lt; / RTI >

상기 파장변환층의 상면은 곡률을 가질 수 있다.The upper surface of the wavelength conversion layer may have a curvature.

상기 파장변환층의 상면과 상기 제1반사층 사이에 배치되는 제2반사층을 포함할 수 있다.And a second reflective layer disposed between the upper surface of the wavelength conversion layer and the first reflective layer.

상기 제2반사층의 반사율은 상기 제1반사층의 반사율보다 높을 수 있다.The reflectance of the second reflective layer may be higher than that of the first reflective layer.

상기 제2반사층은 굴절률이 상이한 복수 개의 제1층 및 복수 개의 제2층을 포함할 수 있다.The second reflective layer may include a plurality of first layers and a plurality of second layers having different refractive indexes.

상기 파장변환층의 상면 두께는 25um이상 250um이하일 수 있다.The top surface of the wavelength conversion layer may have a thickness of 25um or more and 250um or less.

상기 발광소자의 복수 개의 측면은 상기 파장변환층의 제1측면과 마주보는 제1발광면 및 상기 파장변환층의 제2측면과 마주보는 제2발광면을 포함할 수 있다.The plurality of side surfaces of the light emitting device may include a first light emitting surface facing the first side of the wavelength conversion layer and a second light emitting surface facing the second side of the wavelength conversion layer.

상기 제2측면에서 상기 제2발광면까지의 거리는 상기 제1측면에서 상기 제1발광면까지의 거리보다 길게 형성될 수 있다. The distance from the second side to the second light emitting surface may be longer than the distance from the first side to the first light emitting surface.

상기 제1측면은 상기 발광소자의 하면에서 상면 방향으로 갈수록 상기 제1발광면까지의 거리가 길어지도록 경사질 수 있다.The first side may be inclined so that the distance from the lower surface of the light emitting device to the first light emitting surface increases toward the upper surface.

상기 파장변환층은 상기 제1측면과 제2측면을 연결하는 제3측면 및 제4측면을 포함하고, 상기 제2측면, 제3측면, 및 제4측면으로 광을 출사할 수 있다.The wavelength conversion layer may include a third side and a fourth side that connect the first side and the second side, and may emit light to the second side, the third side, and the fourth side.

실시 예에 따르면 칩 스케일 패키지의 발광 방향을 측면으로 조절할 수 있다.According to the embodiment, the light emitting direction of the chip scale package can be adjusted to the side.

또한, 발광소자 패키지의 광 추출 효율이 향상된다.Further, the light extraction efficiency of the light emitting device package is improved.

또한, 광 출사면을 제외한 나머지 영역에서 광 투과도를 감소시킬 수 있다.Further, the light transmittance can be reduced in the remaining region except the light exit surface.

본 발명의 다양하면서도 유익한 장점과 효과는 상술한 내용에 한정되지 않으며, 본 발명의 구체적인 실시형태를 설명하는 과정에서 보다 쉽게 이해될 수 있을 것이다.The various and advantageous advantages and effects of the present invention are not limited to the above description, and can be more easily understood in the course of describing a specific embodiment of the present invention.

도 1은 본 발명의 일 실시 예에 따른 발광소자 패키지를 보여주는 도면이고,
도 2는 도 1의 평면도이고,
도 3은 도 2의 A-A 방향 단면도이고,
도 4는 도 2의 B-B 방향 단면도이고,
도 5는 제2반사층을 설명하기 위한 도면이고,
도 6은 광이 출사되는 과정을 설명하기 위한 도면이고,
도 7은 도 4의 변형 예이고,
도 8은 발광소자의 개념도이고,
도 9a 내지 도 9e는 본 발명의 일 실시 예에 따른 발광소자 패키지 제조방법을 설명하기 위한 도면이다.1 is a view illustrating a light emitting device package according to an embodiment of the present invention,
Fig. 2 is a plan view of Fig. 1,
3 is a sectional view in the AA direction of FIG. 2,
4 is a cross-sectional view taken along line BB in Fig. 2,
5 is a view for explaining the second reflective layer,
6 is a view for explaining a process of emitting light,
Fig. 7 is a modification of Fig. 4,
8 is a conceptual diagram of a light emitting element,
9A to 9E illustrate a method of manufacturing a light emitting device package according to an embodiment of the present invention.

본 발명은 다양한 변경을 가할 수 있고 여러 가지 실시 예를 가질 수 있는 바, 특정 실시 예를 도면에 예시하고 설명하고자 한다. 그러나, 이는 본 발명 실시 예를 특정한 실시 형태에 대해 한정하려는 것이 아니며, 실시 예의 사상 및 기술 범위에 포함되는 모든 변경, 균등물 내지 대체물을 포함하는 것으로 이해되어야 한다.While the invention is susceptible to various modifications and alternative forms, specific embodiments thereof are shown by way of example in the drawings and will herein be described in detail. It should be understood, however, that the embodiments of the present invention are not intended to be limited to the specific embodiments but include all modifications, equivalents, and alternatives falling within the spirit and scope of the embodiments.

제 1, 제 2 등과 같이 서수를 포함하는 용어는 다양한 구성 요소들을 설명하는데 사용될 수 있지만, 상기 구성 요소들은 상기 용어들에 의해 한정되지는 않는다. 상기 용어들은 하나의 구성 요소를 다른 구성 요소로부터 구별하는 목적으로만 사용된다. 예를 들어, 실시 예의 권리 범위를 벗어나지 않으면서 제 2 구성 요소는 제 1 구성 요소로 명명될 수 있고, 유사하게 제 1 구성 요소도 제 2 구성 요소로 명명될 수 있다. 및/또는 이라는 용어는 복수의 관련된 기재된 항목들의 조합 또는 복수의 관련된 기재된 항목들 중의 어느 항목을 포함한다.Terms including ordinals, such as first, second, etc., may be used to describe various elements, but the elements are not limited to these terms. The terms are used only for the purpose of distinguishing one component from another. For example, without departing from the scope of the embodiments, the second component may be referred to as a first component, and similarly, the first component may also be referred to as a second component. And / or < / RTI > includes any combination of a plurality of related listed items or any of a plurality of related listed items.

본 출원에서 사용한 용어는 단지 특정한 실시 예를 설명하기 위해 사용된 것으로, 본 발명 실시 예를 한정하려는 의도가 아니다. 단수의 표현은 문맥상 명백하게 다르게 뜻하지 않는 한, 복수의 표현을 포함한다. 본 출원에서, "포함하다" 또는 "가지다" 등의 용어는 명세서상에 기재된 특징, 숫자, 단계, 동작, 구성 요소, 부품 또는 이들을 조합한 것이 존재함을 지정하려는 것이지, 하나 또는 그 이상의 다른 특징들이나 숫자, 단계, 동작, 구성 요소, 부품 또는 이들을 조합한 것들의 존재 또는 부가 가능성을 미리 배제하지 않는 것으로 이해되어야 한다.The terminology used herein is for the purpose of describing particular embodiments only and is not intended to limit the embodiments of the invention. The singular expressions include plural expressions unless the context clearly dictates otherwise. In the present application, the terms "comprises" or "having" and the like are used to specify that there is a feature, a number, a step, an operation, an element, a component or a combination thereof described in the specification, But do not preclude the presence or addition of one or more other features, integers, steps, operations, elements, components, or combinations thereof.

실시 예의 설명에 있어서, 어느 한 element가 다른 element의 "상(위) 또는 하(아래)(on or under)"에 형성되는 것으로 기재되는 경우에 있어, 상(위) 또는 하(아래)(on or under)는 두 개의 element가 서로 직접(directly)접촉되거나 하나 이상의 다른 element가 상기 두 element 사이에 배치되어(indirectly) 형성되는 것을 모두 포함한다. 또한 "상(위) 또는 하(아래)(on or under)"으로 표현되는 경우 하나의 element를 기준으로 위쪽 방향뿐만 아니라 아래쪽 방향의 의미도 포함할 수 있다.In the description of the embodiments, in the case where one element is described as being formed "on or under" another element, the upper (upper) or lower (lower) or under are all such that two elements are in direct contact with each other or one or more other elements are indirectly formed between the two elements. Also, when expressed as "on or under", it may include not only an upward direction but also a downward direction with respect to one element.

이하, 첨부된 도면을 참조하여 실시 예를 상세히 설명하되, 도면 부호에 관계없이 동일하거나 대응하는 구성 요소는 동일한 참조 번호를 부여하고 이에 대한 중복되는 설명은 생략하기로 한다.Hereinafter, embodiments will be described in detail with reference to the accompanying drawings, wherein like or corresponding elements are denoted by the same reference numerals, and redundant description thereof will be omitted.

도 1은 본 발명의 일 실시 예에 따른 발광소자 패키지를 보여주는 도면이고, 도 2는 도 1의 평면도이고, 도 3은 도 2의 A-A 방향 단면도이고, 도 4는 도 2의 B-B 방향 단면도이고, 도 5는 제2반사층을 설명하기 위한 도면이고, 도 6은 광이 출사되는 과정을 설명하기 위한 도면이다.2 is a plan view of FIG. 1, FIG. 3 is a cross-sectional view taken along line AA of FIG. 2, FIG. 4 is a cross-sectional view taken along line BB of FIG. 2, FIG. 5 is a view for explaining the second reflective layer, and FIG. 6 is a view for explaining a process of emitting light.

도 1을 참고하면, 실시 예에 따른 발광소자 패키지(10)는 발광소자(100), 발광소자(100)를 커버하는 파장변환층(200), 및 파장변환층(200)을 커버하는 제1반사층(300)과 제2반사층(400)을 포함한다.Referring to FIG. 1, a light emitting device package 10 according to an embodiment includes a light emitting device 100, a wavelength conversion layer 200 covering the light emitting device 100, and a first And includes a reflective layer 300 and a second reflective layer 400.

제1반사층(300)은 파장변환층(200)의 상면과 제1측면(203)은 커버하고, 제2측면(201)은 개방할 수 있다. 따라서, 발광소자(100)에서 방출된 광은 파장변환층(200)의 제1측면(201)을 통해 출사될 수 있다. 그러나 반드시 이에 한정되는 것은 아니고, 파장변환층(200)의 제1측면(203)과 제2측면(201)을 연결하는 제3측면(204)과 제4측면(205)도 개방되어 3면 발광하는 패키지일 수도 있다.The first reflective layer 300 covers the top surface and the first side surface 203 of the wavelength conversion layer 200 and the second side surface 201 can be opened. Accordingly, the light emitted from the light emitting device 100 can be emitted through the first side 201 of the wavelength conversion layer 200. The third side surface 204 and the fourth side surface 205 that connect the first side surface 203 and the second side surface 201 of the wavelength conversion layer 200 are also opened to form a three- Lt; / RTI >

도 3을 참고하면, 발광소자 패키지는 하면(102)에 제1, 제2전극패드(181, 182)가 배치된 발광소자(100), 발광소자(100)의 상면(101)과 복수 개의 측면(103)을 커버하는 파장변환층(200), 및 파장변환층(200)을 커버하는 제1반사층(300)을 포함한다. 발광소자 패키지(10)는 칩 스케일 패키지(CSP, Chip Scale Package)일 수 있다.3, the light emitting device package includes a light emitting device 100 in which first and second electrode pads 181 and 182 are disposed on a lower surface 102, an upper surface 101 of the light emitting device 100, A wavelength conversion layer 200 covering the first wavelength conversion layer 103 and a first reflection layer 300 covering the wavelength conversion layer 200. The light emitting device package 10 may be a chip scale package (CSP).

발광소자(100)는 자외선 파장대의 광 또는 청색 파장대의 광을 방출할 수 있다. 그러나 반드시 이에 한정되는 것은 아니고, 발광소자(100)는 녹색광과 청색광을 동시에 방출할 수도 있다. 발광소자(100)는 하면(102)에 제1, 제2전극패드(181, 182)가 배치된 플립칩(Flip chip)일 수 있다. 발광소자(100)는 가로 길이가 1600㎛이고 세로 길이가 600㎛인 직사각형 구조일 수 있으나, 반드시 이에 한정하지는 않는다. 발광소자(100)의 구조에 대해서는 후술한다.The light emitting device 100 can emit light in the ultraviolet wavelength range or light in the blue wavelength range. However, the present invention is not limited thereto, and the light emitting device 100 may simultaneously emit green light and blue light. The light emitting device 100 may be a flip chip having first and second electrode pads 181 and 182 disposed on a lower surface 102 thereof. The light emitting device 100 may have a rectangular structure with a width of 1600 탆 and a length of 600 탆, but the present invention is not limited thereto. The structure of the light emitting device 100 will be described later.

파장변환층(200)은 발광소자(100)의 상면(101) 및 측면(103)을 커버할 수 있다. 파장변환층(200)은 고분자 수지로 제작될 수 있다. 고분자 수지는 광 투과성 에폭시 수지, 실리콘 수지, 폴리이미드 수지, 요소 수지, 및 아크릴 수지 중 어느 하나 이상일 수 있다. 일 예로, 고분자 수지는 실리콘 수지일 수 있다.The wavelength conversion layer 200 may cover the upper surface 101 and the side surface 103 of the light emitting device 100. The wavelength conversion layer 200 may be made of a polymer resin. The polymer resin may be at least one of a light-transmitting epoxy resin, a silicone resin, a polyimide resin, a urea resin, and an acrylic resin. As an example, the polymer resin may be a silicone resin.

파장변환층(200)에 분산된 파장변환입자는 발광소자(100)에서 방출된 광을 흡수하여 백색광으로 변환할 수 있다. 예를 들면, 파장변환입자는 형광체, QD(Quantum Dot) 중 어느 하나 이상을 포함할 수 있다.The wavelength conversion particles dispersed in the wavelength conversion layer 200 can absorb light emitted from the light emitting device 100 and convert the light into white light. For example, the wavelength converting particles may include at least one of a phosphor and a quantum dot (QD).

형광체는 YAG계, TAG계, Silicate계, Sulfide계 또는 Nitride계 중 어느 하나의 형광물질이 포함될 수 있으나, 실시 예는 형광체의 종류에 특별히 제한되지 않는다. 발광소자(100)가 UV LED인 경우 형광체는 청색 형광체, 녹색 형광체, 및 적색 형광체가 선택될 수 있다. 발광소자(100)가 청색 LED인 경우 형광체는 녹색 형광체 및 적색 형광체가 선택되거나, 황색 형광체(YAG)가 선택될 수 있다. The phosphor may include any one of a YAG-based, TAG-based, silicate-based, sulfide-based or nitrate-based fluorescent material, but the embodiment is not particularly limited to the kind of the fluorescent material. When the light emitting device 100 is a UV LED, a blue phosphor, a green phosphor, and a red phosphor may be selected as the phosphor. When the light emitting device 100 is a blue LED, a green phosphor and a red phosphor may be selected as the phosphor, or a yellow phosphor (YAG) may be selected.

YAG 및 TAG계 형광체는 (Y, Tb, Lu, Sc, La, Gd, Sm)3(Al, Ga, In, Si, Fe)5(O, S)12:Ce 중에서 선택하여 사용가능하며, Silicate계 형광물질에는 (Sr, Ba, Ca, Mg)2SiO4: (Eu, F, Cl) 중에서 선택 사용 가능하다.YAG and TAG-based fluorescent material is (Y, Tb, Lu, Sc , La, Gd, Sm) 3 (Al, Ga, In, Si, Fe) 5 (O, S) 12: selected from Ce to be available and, Silicate (Sr, Ba, Ca, Mg) 2 SiO 4 : (Eu, F, Cl) may be used as the fluorescent material.

또한, Sulfide계 형광체는 (Ca,Sr)S:Eu, (Sr,Ca,Ba)(Al,Ga)2S4:Eu 중에서 선택하여 사용가능하며, Nitride계 형광체는 (Sr, Ca, Si, Al, O)N:Eu (예, CaAlSiN4:Eu β-SiAlON:Eu) 또는 Ca-α SiAlON:Eu계인 (Cax,My)(Si,Al)12(O,N)16일 수 있다. 여기서 M 은 Eu, Tb, Yb 또는 Er 중 적어도 하나의 물질이며 0.05<(x+y)<0.3, 0.02<x<0.27 및 0.03<y<0.3을 만족하는 형광체 성분 중에서 선택하여 사용할 수 있다.The phosphor can be selected from (Ca, Sr) S: Eu, (Sr, Ca, Ba) (Al, Ga) 2 S 4 : Eu, Al, O) N: may be Eu sealed (Ca x, M y) ( Si, Al) 12 (O, N) 16: Eu ( for example, CaAlSiN4: Eu β-SiAlON: Eu) or Ca-α SiAlON. Where M is at least one of Eu, Tb, Yb or Er and can be selected from phosphor components satisfying 0.05 <(x + y) <0.3, 0.02 <x <0.27 and 0.03 <y <0.3.

적색 형광체는, N(예, CaAlSiN3:Eu)을 포함하는 질화물(Nitride)계 형광체이거나 KSF(K2SiF6) 형광체일 수 있다.The red phosphor may be a nitride based phosphor containing N (e.g., CaAlSiN 3 : Eu) or a KSF (K 2 SiF 6 ) phosphor.

파장변환층(200)은 발광소자의 측면(103)을 커버하는 하부층(220) 및 발광소자의 상면(101)을 커버하는 상부층(210)을 포함할 수 있다. 상부층(210)은 발광소자의 상면(101)을 연장한 가상선(S1)보다 높은 위치에 있는 영역으로 정의할 수 있다.The wavelength conversion layer 200 may include a lower layer 220 covering the side surface 103 of the light emitting device and an upper layer 210 covering the upper surface 101 of the light emitting device. The upper layer 210 may be defined as a region located at a position higher than the imaginary line S1 extending the upper surface 101 of the light emitting device.

제1반사층(300)은 기재에 반사 입자가 분산된 구조일 수 있다. 기재는 광 투과성 에폭시 수지, 실리콘 수지, 폴리이미드 수지, 요소 수지, 및 아크릴 수지 중 어느 하나 이상일 수 있다. 일 예로, 고분자 수지는 실리콘 수지일 수 있다. 반사 입자는 TiO2 또는 SiO2와 같은 입자를 포함할 수 있다.The first reflective layer 300 may have a structure in which reflective particles are dispersed in a substrate. The base material may be at least one of a light-transmitting epoxy resin, a silicone resin, a polyimide resin, a urea resin, and an acrylic resin. As an example, the polymer resin may be a silicone resin. Reflective particles may include particles such as TiO 2 or SiO 2.

도 4를 참고하면, 제1반사층(300)은 파장변환층(200)의 상면(202)과 제1측면(203)은 커버하고, 파장변환층(200)의 제2측면(201)을 개방할 수 있다. 따라서, 발광소자(100)에서 출력된 광은 파장변환층(200)의 제2측면(201)을 통해 외부로 방출될 수 있다.4, the first reflective layer 300 covers the upper surface 202 and the first side surface 203 of the wavelength conversion layer 200 and the second side surface 201 of the wavelength conversion layer 200 is opened can do. Therefore, the light output from the light emitting device 100 can be emitted to the outside through the second side surface 201 of the wavelength conversion layer 200.

파장변환층(200)은 제1측면(203)에서 제2측면(201) 방향(X방향)으로 갈수록 상면 두께(d1, d2, d3)가 비선형적으로 두꺼워지게 형성될 수 있다. 여기서 파장변환층의 상면 두께란 파장변환층의 상면(202)과 발광소자의 상면(101)을 연장한 가상선(S1) 사이의 수직 거리(Z방향)일 수 있다. The wavelength conversion layer 200 may be formed such that the upper surface thicknesses d1, d2, and d3 become non-linearly increased from the first side surface 203 to the second side surface 201 direction (X direction). The top surface thickness of the wavelength conversion layer may be the vertical distance (Z direction) between the top surface 202 of the wavelength conversion layer and the imaginary line S1 extending the top surface 101 of the light emitting element.

파장변환층(200)의 상면 두께(d1, d2, d3)는 25um 내지 250um일 수 있다. 파장변환층(200)의 상면 두께가 25um미만인 경우에는 간격이 너무 좁아 상면에서 반사된 광이 제2측면(201)으로 출사되기 어려운 문제가 있으며, 파장변환층(200)의 상면 두께가 250um을 초과하는 경우 간격이 너무 넓어 광이 흡수되는 문제가 있다.The top surface thicknesses d1, d2, and d3 of the wavelength conversion layer 200 may be 25 um to 250 um. When the thickness of the top surface of the wavelength conversion layer 200 is less than 25 um, the spacing is too narrow to cause the light reflected from the top surface to be emitted to the second side 201, There is a problem that light is absorbed because the interval is too wide.

예시적으로 발광소자의 제1발광면(105) 상의 제1상면 두께(d1)는 약 25um 내지 35um 일 수 있고, 발광소자의 중심상의 제2상면 두께(d2)는 50 um 내지 100 um 일 수 있고, 제2측면(201) 상에서 제3상면 두께(d3)는 약 100 um 내지 250 um일 수 있다.Illustratively, the first top surface thickness d1 on the first emitting surface 105 of the light emitting device may be between about 25 um and 35 um, and the second top surface thickness d2 on the center of the emitting device may be between 50 um and 100 um, And the third top surface thickness d3 on the second side 201 may be between about 100 um and 250 um.

파장변환층의 상면(202)과 제1반사층(300)의 사이에는 제2반사층(400)이 배치될 수 있다. 제2반사층(400)은 제1반사층(300)보다 반사율이 높을 수 있다. 예시적으로 제1반사층(300)은 약 95% 내지 98%이고, 제2반사층(400)은 약 99%이상일 수 있다.The second reflective layer 400 may be disposed between the upper surface 202 of the wavelength conversion layer and the first reflective layer 300. The second reflective layer 400 may have a higher reflectivity than the first reflective layer 300. Illustratively, the first reflective layer 300 may be about 95% to 98%, and the second reflective layer 400 may be about 99% or more.

도 5를 참고하면, 제2반사층(400)은 굴절률이 상이한 제1층(401)과 제2층(402)을 포함할 수 있다. 제2반사층(400)은 분산형 브래그 반사(distributed bragg reflector: DBR) 구조로 형성될 수 있다. 제2반사층(400)은 서로 다른 굴절률을 갖는 두 유전체층이 교대로 배치된 구조를 포함하며, 예컨대, SiO2, Si3N4, TiO2, Al2O3, 및 MgO층 중 서로 다른 어느 하나를 각각 포함할 수 있다. 예시적으로 제1층(401)은 SiO2를 포함하고, 제2층(402)은 TiO2를 포함할 수 있다. 제2반사층(400)의 두께는 2um 내지 10um일 수 있으나 반드시 이에 한정하지 않는다.Referring to FIG. 5, the second reflective layer 400 may include a first layer 401 and a second layer 402 having different refractive indexes. The second reflective layer 400 may be formed in a distributed Bragg reflector (DBR) structure. The second reflective layer 400 includes a structure in which two dielectric layers having different refractive indices are alternately arranged. For example, one of SiO 2 , Si 3 N 4 , TiO 2 , Al 2 O 3 , and MgO layers Respectively. Illustratively, the first layer 401 comprises SiO 2 and the second layer 402 may comprise TiO 2 . The thickness of the second reflective layer 400 may be 2 탆 to 10 탆, but is not limited thereto.

다시 도 4를 참고하면, 제1반사층(300)의 상면 두께(d4, d5)는 제1측면(203)에서 제2측면(201) 방향(X방향)으로 갈수록 비선형적으로 얇아질 수 있다. 제1반사층(300)의 상면 두께(d4, d5)는 30um 내지 80 um일 수 있다. 예시적으로 제1발광면(105)상의 제1반사층(300)의 상면 두께(d4)는 약 50um 내지 80um일 수 있으며, 제2측면(201)상에서 제1반사층(300)의 상면 두께(d5)는 약 30um 내지 50um일 수 있다. 이러한 조건을 만족하는 경우 제1반사층(300)의 상면(311)으로 통과하는 광을 효과적으로 차단하면서도 제1반사층(300)의 상면(311)을 평탄면으로 제작할 수 있다.Referring again to FIG. 4, the top surface thicknesses d4 and d5 of the first reflective layer 300 may be nonlinearly thinner from the first side surface 203 to the second side surface 201 direction (X direction). The top surface thicknesses d4 and d5 of the first reflective layer 300 may be 30 um to 80 um. The upper surface thickness d4 of the first reflective layer 300 on the first light emitting surface 105 may be about 50 um to 80 um and the upper surface thickness d5 of the first reflective layer 300 on the second side surface 201 may be, ) Can be about 30 [mu] m to 50 [mu] m. When the above condition is satisfied, the upper surface 311 of the first reflective layer 300 can be formed as a flat surface while effectively shielding the light passing through the upper surface 311 of the first reflective layer 300.

도 6을 참고하면, 파장변환층의 상면(202)은 곡률을 가질 수 있다. 곡률은 연속적으로 변화할 수 있다. 따라서, 파장변환층(200)의 상면 두께는 비선형적으로 증가하게 된다. 파장변환층(200) 상에 배치되는 제2반사층(400) 역시 동일한 곡률을 갖게 된다. 파장변환층의 상면(202)이 곡률을 갖는 경우 직선 경사를 갖는 경우에 비해 반사율을 높일 수 있다.Referring to FIG. 6, the top surface 202 of the wavelength conversion layer may have a curvature. The curvature can change continuously. Therefore, the thickness of the top surface of the wavelength conversion layer 200 increases non-linearly. The second reflective layer 400 disposed on the wavelength conversion layer 200 also has the same curvature. When the top surface 202 of the wavelength conversion layer has a curvature, the reflectance can be increased as compared with the case where the top surface 202 has a straight line inclination.

이때, 제2반사층(400)의 양 끝단을 연장한 가상선(S2)과 발광소자의 상면(101)을 연장한 가상선(S1)이 이루는 경사 각도(θ2)는 3도 내지 15도, 또는 4도 내지 10도일 수 있다. 경사 각도가 3도 이하인 경우에는 경사 각도가 낮아 발광소자의 상면(101)에서 출사된 광이 유효하게 제2측면(201)으로 반사되지 않는 문제가 있으며, 경사 각도가 15도를 초과하는 경우에는 발광소자 패키지의 높이가 과도하게 커지는 문제가 있다.The inclination angle 2 formed by the imaginary line S2 extending from both ends of the second reflective layer 400 and the imaginary line S1 extending from the top surface 101 of the light emitting element is 3 to 15 degrees, 4 degrees to 10 degrees. When the inclination angle is less than 3 degrees, there is a problem that light emitted from the top surface 101 of the light emitting element is not effectively reflected to the second side surface 201 because the inclination angle is low. When the inclination angle exceeds 15 degrees There is a problem that the height of the light emitting device package becomes excessively large.

제2측면(201)의 높이(d8)는 제1측면(203)의 높이(d9)보다 높을 수 있다. 제2측면(201)의 높이(d8)는 제1측면(203)의 높이(d9)의 비는 1:0.2 내지 1: 0.7일 수 있다. 예시적으로 제2측면(201)의 높이(d8)는 200um 내지 300um일 수 있으며, 제1측면(203)의 높이(d9)는 40um 내지 200um일 수 있다. The height d8 of the second side surface 201 may be higher than the height d9 of the first side surface 203. [ The height d8 of the second side surface 201 may be a ratio of the height d9 of the first side surface 203 to 1: 0.2 to 1: 0.7. Illustratively, the height d8 of the second side 201 may be between 200 um and 300 um, and the height d9 of the first side 203 may be between 40 um and 200 um.

발광소자의 상면(101)으로 출사된 광(L1)은 제2반사층(400)에 의해 반사되어 제2측면(201)으로 방출될 수 있다. 이때, 제2반사층(400)에 곡률이 형성되므로 제2측면(201) 방향으로 반사되는 효율이 높아질 수 있다. 또한, 제2반사층(400)은 반사율이 99%이상이므로 제1반사층(300)의 상부(310)로 광이 투과되는 문제를 해결할 수 있다.The light L1 emitted to the upper surface 101 of the light emitting device can be reflected by the second reflective layer 400 and emitted to the second side 201. [ At this time, since the curvature is formed in the second reflection layer 400, the reflection efficiency toward the second side 201 can be increased. In addition, since the reflectance of the second reflective layer 400 is 99% or more, it is possible to solve the problem that light is transmitted to the upper portion 310 of the first reflective layer 300.

발광소자의 제2발광면(104)에서 출사된 광(L2)은 백색광으로 변환되어 파장변환층의 제2측면(201)으로 출사될 수 있다. The light L2 emitted from the second light emitting surface 104 of the light emitting device may be converted into white light and emitted to the second side 201 of the wavelength conversion layer.

제2측면(201)에서 제2발광면(104)까지의 거리(d6)는 제1측면(203)에서 제1발광면(105)까지의 거리(d7)보다 길 수 있다. 발광소자의 상면(101) 또는 제1발광면(105)에서 방출된 광은 제2측면(201)까지 도달하는 경로가 길어 백색광으로 변환되나, 발광소자의 제2발광면(104)에서 출사된 광(L2)은 상대적으로 파장변환층(200)을 통과하는 경로가 짧다. 따라서, 제2측면(201)에서 제2발광면(104)까지의 거리(d6)는 제1측면(203)에서 제1발광면(105)까지의 거리(d7)보다 길게 형성하는 것이 균일한 백색광을 구현하는데 유리할 수 있다. 예시적으로, 제2측면(201)에서 제2발광면(104)까지의 거리(d6)와 제1측면(203)에서 제1발광면(105)까지의 거리(d7)의 비는 1.2:1 내지 3:1일 수 있다.The distance d6 from the second side surface 201 to the second light emitting surface 104 may be longer than the distance d7 from the first side surface 203 to the first light emitting surface 105. [ The light emitted from the upper surface 101 or the first light emitting surface 105 of the light emitting device is converted into white light by a long path reaching the second side surface 201 but is emitted from the second light emitting surface 104 of the light emitting device The light L2 passes through the wavelength conversion layer 200 relatively shortly. Therefore, it is preferable that the distance d6 from the second side surface 201 to the second light emitting surface 104 is longer than the distance d7 from the first side surface 203 to the first light emitting surface 105 It may be advantageous to realize white light. Illustratively, the ratio of the distance d6 from the second side surface 201 to the second light emitting surface 104 to the distance d7 from the first side surface 203 to the first light emitting surface 105 is 1.2: 1 to 3: 1.

도 7을 참고하면, 제1측면(203)은 발광소자의 하면(102)에서 상면(101) 방향으로 갈수록 제1발광면(105)까지의 거리(d10)가 길어지도록 경사질 수 있다. 이러한 구성에 의하면, 제1발광면(105)으로 출사된 광(L3)이 제1측면(203)에 의해 상향 반사되어 제2반사층(400)에 의해 제2측면(201)으로 반사되어 출사될 수 있다. 제1측면(203)의 경사각도(θ1)는 발광소자의 하면(102)을 기준으로 95도 이상 160도 이하일 수 있다.7, the first side surface 203 may be inclined so that the distance d10 from the lower surface 102 of the light emitting device toward the upper surface 101 becomes longer. The light L3 emitted to the first light emitting surface 105 is upwardly reflected by the first side surface 203 and reflected by the second reflecting layer 400 toward the second side surface 201 to be emitted . The inclination angle? 1 of the first side surface 203 may be 95 degrees or more and 160 degrees or less based on the lower surface 102 of the light emitting element.

도 8은 실시 예에 따른 발광소자의 개념도이다.8 is a conceptual diagram of a light emitting device according to an embodiment.

실시 예의 발광소자(100)는 기판(110)의 하부에 배치되는 발광 구조물(150), 발광 구조물(150)의 일 측에 배치되는 한 쌍의 전극 패드(171, 172)를 포함한다.The light emitting device 100 of the embodiment includes a light emitting structure 150 disposed below the substrate 110 and a pair of electrode pads 171 and 172 disposed on one side of the light emitting structure 150.

기판(110)은 전도성 기판 또는 절연성 기판을 포함한다. 기판(110)은 반도체 물질 성장에 적합한 물질이나 캐리어 웨이퍼일 수 있다. 기판(110)은 사파이어(Al2O3), SiC, GaAs, GaN, ZnO, Si, GaP, InP 및 Ge 중 선택된 물질로 형성될 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다. 필요에 따라 기판(110)은 제거될 수 있다.The substrate 110 includes a conductive substrate or an insulating substrate. The substrate 110 may be a material suitable for semiconductor material growth or a carrier wafer. The substrate 110 may be formed of a material selected from the group consisting of sapphire (Al 2 O 3 ), SiC, GaAs, GaN, ZnO, Si, GaP, InP, and Ge. The substrate 110 can be removed as needed.

제1반도체층(120)과 기판(110) 사이에는 버퍼층(미도시)이 더 구비될 수 있다. 버퍼층은 기판(110) 상에 구비된 발광 구조물(150)과 기판(110)의 격자 부정합을 완화할 수 있다.A buffer layer (not shown) may be further provided between the first semiconductor layer 120 and the substrate 110. The buffer layer may mitigate the lattice mismatch between the substrate 110 and the light emitting structure 150 provided on the substrate 110.

버퍼층은 Ⅲ족과 Ⅴ족 원소가 결합된 형태이거나 GaN, InN, AlN, InGaN, AlGaN, InAlGaN, AlInN 중에서 어느 하나를 포함할 수 있다. 버퍼층에는 도펀트가 도핑될 수도 있으나, 이에 한정하지 않는다.The buffer layer may be a combination of Group III and Group V elements or may include any one of GaN, InN, AlN, InGaN, AlGaN, InAlGaN, and AlInN. The buffer layer may be doped with a dopant, but is not limited thereto.

버퍼층은 기판(110) 상에 단결정으로 성장할 수 있으며, 단결정으로 성장한 버퍼층은 제1반도체층(120)의 결정성을 향상시킬 수 있다.The buffer layer can be grown as a single crystal on the substrate 110, and the buffer layer grown with a single crystal can improve the crystallinity of the first semiconductor layer 120.

발광 구조물(150)은 제1반도체층(120), 활성층(130), 및 제2반도체층(140)을 포함한다. 일반적으로 상기와 같은 발광 구조물(150)은 기판(110)과 함께 절단하여 복수 개로 분리될 수 있다.The light emitting structure 150 includes a first semiconductor layer 120, an active layer 130, and a second semiconductor layer 140. In general, the light emitting structure 150 may be cut together with the substrate 110 to be separated into a plurality of light emitting structures 150.

제1반도체층(120)은 Ⅲ-Ⅴ족, Ⅱ-Ⅵ족 등의 화합물 반도체로 구현될 수 있으며, 제1반도체층(120)에 제1도펀트가 도핑될 수 있다. 제1반도체층(120)은 Inx1Aly1Ga1-x1-y1N(0≤x1≤1, 0≤y1≤1, 0≤x1+y1≤1)의 조성식을 갖는 반도체 재료, 예를 들어 GaN, AlGaN, InGaN, InAlGaN 등에서 선택될 수 있다. 그리고, 제1도펀트는 Si, Ge, Sn, Se, Te와 같은 n형 도펀트일 수 있다. 제1도펀트가 n형 도펀트인 경우, 제1도펀트가 도핑된 제1반도체층(120)은 n형 반도체층일 수 있다.The first semiconductor layer 120 may be formed of a compound semiconductor such as group III-V or II-VI, and the first semiconductor layer 120 may be doped with a first dopant. The first semiconductor layer 120 may be a semiconductor material having a composition formula of In x 1 Al y 1 Ga 1 -x1-y1 N (0? X1? 1 , 0 ? Y1? 1 , 0? X1 + y1? GaN, AlGaN, InGaN, InAlGaN, and the like. The first dopant may be an n-type dopant such as Si, Ge, Sn, Se, or Te. When the first dopant is an n-type dopant, the first semiconductor layer 120 doped with the first dopant may be an n-type semiconductor layer.

활성층(130)은 제1반도체층(120)을 통해서 주입되는 전자(또는 정공)와 제2반도체층(140)을 통해서 주입되는 정공(또는 전자)이 만나는 층이다. 활성층(130)은 전자와 정공이 재결합함에 따라 낮은 에너지 준위로 천이하며, 그에 상응하는 파장을 가지는 빛을 생성할 수 있다.The active layer 130 is a layer where electrons (or holes) injected through the first semiconductor layer 120 and holes (or electrons) injected through the second semiconductor layer 140 meet. As the electrons and the holes recombine, the active layer 130 transitions to a low energy level and can generate light having a wavelength corresponding thereto.

활성층(130)은 단일 우물 구조, 다중 우물 구조, 단일 양자 우물 구조, 다중 양자 우물(Multi Quantum Well; MQW) 구조, 양자점 구조 또는 양자선 구조 중 어느 하나의 구조를 가질 수 있으며, 활성층(130)의 구조는 이에 한정하지 않는다. The active layer 130 may have any one of a single well structure, a multiple well structure, a single quantum well structure, a multi quantum well (MQW) structure, a quantum dot structure, Is not limited thereto.

제2반도체층(140)은 활성층(130) 상에 형성되며, Ⅲ-Ⅴ족, Ⅱ-Ⅵ족 등의 화합물 반도체로 구현될 수 있으며, 제2반도체층(140)에 제2도펀트가 도핑될 수 있다. 제2반도체층(140)은 Inx5Aly2Ga1 -x5- y2N (0≤x5≤1, 0≤y2≤1, 0≤x5+y2≤1)의 조성식을 갖는 반도체 물질 또는 AlInN, AlGaAs, GaP, GaAs, GaAsP, AlGaInP 중 선택된 물질로 형성될 수 있다. 제2도펀트가 Mg, Zn, Ca, Sr, Ba 등과 같은 p형 도펀트인 경우, 제2도펀트가 도핑된 제2반도체층(140)은 p형 반도체층일 수 있다.The second semiconductor layer 140 is formed on the active layer 130 and may be formed of a compound semiconductor such as group III-V or II-VI group. The second semiconductor layer 140 may be doped with a second dopant . A second semiconductor layer 140 is a semiconductor material having a compositional formula of In x5 Al y2 Ga 1 -x5- y2 N (0≤x5≤1, 0≤y2≤1, 0≤x5 + y2≤1) or AlInN, AlGaAs , GaP, GaAs, GaAsP, and AlGaInP. When the second dopant is a p-type dopant such as Mg, Zn, Ca, Sr, or Ba, the second semiconductor layer 140 doped with the second dopant may be a p-type semiconductor layer.

활성층(130)과 제2반도체층(140) 사이에는 전자 차단층(EBL)이 배치될 수 있다. 전자 차단층은 제1반도체층(120)에서 공급된 전자가 제2반도체층(140)으로 빠져나가는 흐름을 차단하여, 활성층(130) 내에서 전자와 정공이 재결합할 확률을 높일 수 있다. 전자 차단층의 에너지 밴드갭은 활성층(130) 및/또는 제2반도체층(140)의 에너지 밴드갭보다 클 수 있다.An electron blocking layer (EBL) may be disposed between the active layer (130) and the second semiconductor layer (140). The electron blocking layer can block the flow of electrons supplied from the first semiconductor layer 120 to the second semiconductor layer 140 and increase the probability of recombination of electrons and holes in the active layer 130. [ The energy band gap of the electron blocking layer may be greater than the energy band gap of the active layer 130 and / or the second semiconductor layer 140.

전자 차단층은 Inx1Aly1Ga1 -x1- y1N(0≤x1≤1, 0≤y1≤1, 0≤x1+y1≤1)의 조성식을 갖는 반도체 재료, 예를 들어 AlGaN, InGaN, InAlGaN 등에서 선택될 수 있으나 이에 한정하지 않는다.The electron blocking layer may be formed of a semiconductor material having a composition formula of In x 1 Al y 1 Ga 1 -x 1 -y 1 N (0? X 1 ? 1 , 0? Y 1 ? 1 , 0? X 1 + y 1 ? 1 ), for example, AlGaN, InGaN, InAlGaN, and the like, but is not limited thereto.

발광 구조물(150)은 제2반도체층(140)에서 제1반도체층(120) 방향으로 형성된 관통홀(H)을 포함한다. 절연층(160)은 발광 구조물(150)의 측면 및 관통홀(H) 상에 형성될 수 있다. 이때, 절연층(160)은 제2반도체층(140)의 일면을 노출할 수 있다.The light emitting structure 150 includes a through hole H formed in the second semiconductor layer 140 in the direction of the first semiconductor layer 120. The insulating layer 160 may be formed on the side surfaces of the light emitting structure 150 and the through holes H. [ At this time, the insulating layer 160 may expose one surface of the second semiconductor layer 140.

전극층(141)은 제2반도체층(140)의 일면에 배치될 수 있다. 전극층(141)은 ITO(indium tin oxide), IZO(indium zinc oxide), IZTO(indium zinc tin oxide), IAZO(indium aluminum zinc oxide), IGZO(indium gallium zinc oxide), IGTO(indium gallium tin oxide), AZO(aluminum zinc oxide), ATO(antimony tin oxide), GZO(gallium zinc oxide), IrOx, RuOx, RuOx/ITO, Ni/IrOx/Au, 및 Ni/IrOx/Au/ITO 중 적어도 하나를 포함할 수 있으며, 이러한 재료로 한정하지는 않는다.The electrode layer 141 may be disposed on one side of the second semiconductor layer 140. The electrode layer 141 may be formed of indium tin oxide (ITO), indium zinc oxide (IZO), indium zinc oxide (IZTO), indium aluminum zinc oxide (IAZO), indium gallium zinc oxide (IGZO), indium gallium tin oxide , At least one of AZO (aluminum zinc oxide), ATO (antimony tin oxide), GZO (gallium zinc oxide), IrOx, RuOx, RuOx / ITO, Ni / IrOx / Au, and Ni / IrOx / Au / ITO And is not limited to these materials.

또한, 전극층(141)은 In, Co, Si, Ge, Au, Pd, Pt, Ru, Re, Mg, Zn, Hf, Ta, Rh, Ir, W, Ti, Ag, Cr, Mo, Nb, Al, Ni, Cu, 및 WTi 중에서 선택된 금속층을 더 포함할 수 있다.The electrode layer 141 may be formed of one of In, Co, Si, Ge, Au, Pd, Pt, Ru, Re, Mg, Zn, Hf, Ta, Rh, Ir, W, Ti, Ag, Cr, Mo, , Ni, Cu, and WTi.

제1전극패드(171)는 제1반도체층(120)과 전기적으로 연결될 수 있다. 구체적으로 제1전극패드(171)는 관통홀(H)를 통해 제1반도체층(120)과 전기적으로 연결될 수 있다. 제1전극패드(171)는 제1솔더범프(181)와 전기적으로 연결될 수 있다.The first electrode pad 171 may be electrically connected to the first semiconductor layer 120. Specifically, the first electrode pad 171 may be electrically connected to the first semiconductor layer 120 through the through hole H. The first electrode pad 171 may be electrically connected to the first solder bump 181.

제2전극패드(172)는 제2반도체층(140)과 전기적으로 연결될 수 있다. 구체적으로 제2전극패드(172)는 절연층(160)을 관통하여 전극층(141)과 전기적으로 연결될 수 있다. 제2전극패드(172)는 제2솔더범프(182)와 전기적으로 연결될 수 있다.The second electrode pad 172 may be electrically connected to the second semiconductor layer 140. Specifically, the second electrode pad 172 may be electrically connected to the electrode layer 141 through the insulating layer 160. The second electrode pad 172 may be electrically connected to the second solder bump 182.

도 9a 내지 도 9e는 본 발명의 일 실시 예에 따른 발광소자 패키지 제조방법을 설명하기 위한 도면이다.9A to 9E illustrate a method of manufacturing a light emitting device package according to an embodiment of the present invention.

도 9를 참고하면, 발광소자 패키지의 제조방법은, 발광소자의 상면 및 측면을 커버하는 파장변환층을 형성하는 단계, 및 파장변환층을 커버하는 제1반사층과 제2반사층을 형성하는 단계를 포함한다.9, a method of manufacturing a light emitting device package includes the steps of forming a wavelength conversion layer covering upper and side surfaces of a light emitting device, and forming a first reflective layer and a second reflective layer covering the wavelength conversion layer .

도 9a를 참고하면, 먼저 성형틀(20) 상을 준비한다. 성형틀(20)은 내부가 빈 사각 형상의 틀일 수 있으며, 복수 개의 성형틀(20) 내에는 각각 발광소자가 배치될 수 있다. 성형틀(20)은 서로 마주보는 제1격벽(21)과 제2격벽(22), 및 제3격벽(23)과 제4격벽(24)을 포함할 수 있다.Referring to FIG. 9A, the mold 20 is first prepared. The forming die 20 may have a hollow square shape, and each of the plurality of forming die 20 may be provided with a light emitting device. The forming die 20 may include a first barrier rib 21 and a second barrier rib 22 facing each other and a third barrier rib 23 and a fourth barrier rib 24.

이후, 도 9b와 같이 성형틀(20)은 내부에 발광소자(100)를 배치하고, 발광소자(100)상에 수지를 충진하여 파장변환층(200)을 형성한다. 파장변환층(200)은 파장변환입자를 포함할 수 있다. 파장변환입자는 형광체, QD(Quantum Dot) 중 어느 하나 이상을 포함할 수 있다.9B, the light emitting device 100 is disposed inside the mold frame 20, and the wavelength conversion layer 200 is formed by filling the light emitting device 100 with resin. The wavelength conversion layer 200 may include wavelength conversion particles. The wavelength converting particles may include at least one of a phosphor and a quantum dot (QD).

이때, 성형틀(20)의 제2격벽(22)은 제1격벽(21)에 비해 높게 형성될 수 있다 (h1>h2). 따라서, 성형틀(20) 내에 충진되는 파장변환층(200)의 상면(202)은 표면 장력에 의해 곡률이 형성될 수 있다. 곡률은 격벽의 높이 차(h1-h2) 및 수지의 점성에 따라 조절될 수 있다.At this time, the second barrier ribs 22 of the forming die 20 may be formed higher than the first barrier ribs 21 (h1> h2). Therefore, the curvature can be formed on the upper surface 202 of the wavelength conversion layer 200 filled in the mold 20 by the surface tension. The curvature can be adjusted according to the height difference (h1-h2) of the partition wall and the viscosity of the resin.

도 9c 및 도 9d를 참고하면, 제2반사층(400)을 형성하는 단계는 파장변환층(200 상에 제2반사층(400)을 전체적으로 형성한다. 제2반사층(400)은 굴절률이 상이한 제1층(401)과 제2층(402)을 포함할 수 있다. 제2반사층(400)은 분산형 브래그 반사(distributed bragg reflector: DBR) 구조로 형성될 수 있다. 제2반사층(400)은 서로 다른 굴절률을 갖는 두 유전체층이 교대로 배치된 구조를 포함하며, 예컨대, SiO2, Si3N4, TiO2, Al2O3, 및 MgO층 중 서로 다른 어느 하나를 각각 포함할 수 있다. 예시적으로 제1층(401)은 SiO2를 포함하고, 제2층(402)은 TiO2를 포함할 수 있다. 제2반사층(400)의 두께는 2um 내지 10um일 수 있으나 반드시 이에 한정하지 않는다.9C and 9D, the step of forming the second reflective layer 400 generally forms the second reflective layer 400 on the wavelength conversion layer 200. The second reflective layer 400 may have a first reflective layer 400 having a different refractive index, The second reflective layer 400 may include a layer 401 and a second layer 402. The second reflective layer 400 may be formed of a distributed Bragg reflector (DBR) structure. Each of which includes a structure in which two dielectric layers having different refractive indexes are alternately arranged, and may include, for example, any one of SiO 2 , Si 3 N 4 , TiO 2 , Al 2 O 3 , and MgO layers. The first layer 401 includes SiO 2 and the second layer 402 may include TiO 2. The thickness of the second reflective layer 400 may be 2 袖 m to 10 袖 m, but is not limited thereto .

이후, 도 9d와 같이 제1격벽(21)을 제거하고 파장변환층의 상면(202)과 제1측면(203)을 커버하도록 제1반사층(300)을 형성할 수 있다. 이후, 제2격벽(22)를 제거하여 제2측면을 노출시킬 수 있다. 그러나, 파장변환층에 경사를 형성하는 방법은 전술한 방법에 한정하지 않고 다양한 제조 방법이 적용될 수도 있다.9D, the first reflective layer 300 may be formed to remove the first partition 21 and cover the upper surface 202 and the first side 203 of the wavelength conversion layer. Thereafter, the second bank 22 may be removed to expose the second side. However, the method of forming the inclination in the wavelength conversion layer is not limited to the above-described method, and various manufacturing methods may be applied.

실시 예의 발광소자 패키지는 도광판, 프리즘 시트, 확산 시트 등의 광학 부재를 더 포함하여 이루어져 백라이트 유닛으로 기능할 수 있다. 또한, 실시 예의 발광소자 패키지는 표시 장치, 조명 장치, 지시 장치에 더 적용될 수 있다.The light emitting device package of the embodiment further includes optical members such as a light guide plate, a prism sheet, and a diffusion sheet, and can function as a backlight unit. Further, the light emitting device package of the embodiment can be further applied to a display device, a lighting device, and a pointing device.

이 때, 표시 장치는 바텀 커버, 반사판, 발광 모듈, 도광판, 광학 시트, 디스플레이 패널, 화상 신호 출력 회로 및 컬러 필터를 포함할 수 있다. 바텀 커버, 반사판, 발광 모듈, 도광판 및 광학 시트는 백라이트 유닛(Backlight Unit)을 이룰 수 있다.At this time, the display device may include a bottom cover, a reflector, a light emitting module, a light guide plate, an optical sheet, a display panel, an image signal output circuit, and a color filter. The bottom cover, the reflector, the light emitting module, the light guide plate, and the optical sheet may form a backlight unit.

반사판은 바텀 커버 상에 배치되고, 발광 모듈은 광을 방출한다. 도광판은 반사판의 전방에 배치되어 발광 모듈에서 발산되는 빛을 전방으로 안내하고, 광학 시트는 프리즘 시트 등을 포함하여 이루어져 도광판의 전방에 배치된다. 디스플레이 패널은 광학 시트 전방에 배치되고, 화상 신호 출력 회로는 디스플레이 패널에 화상 신호를 공급하며, 컬러 필터는 디스플레이 패널의 전방에 배치된다. The reflector is disposed on the bottom cover, and the light emitting module emits light. The light guide plate is disposed in front of the reflection plate to guide light emitted from the light emitting module forward, and the optical sheet includes a prism sheet or the like and is disposed in front of the light guide plate. The display panel is disposed in front of the optical sheet, and the image signal output circuit supplies an image signal to the display panel, and the color filter is disposed in front of the display panel.

그리고, 조명 장치는 기판과 실시 예의 발광소자 패키지를 포함하는 광원 모듈, 광원 모듈의 열을 발산시키는 방열부 및 외부로부터 제공받은 전기적 신호를 처리 또는 변환하여 광원 모듈로 제공하는 전원 제공부를 포함할 수 있다. 더욱이 조명 장치는, 램프, 해드 램프, 또는 가로등 등을 포함할 수 있다.The lighting device may include a light source module including a substrate and a light emitting device package of the embodiment, a heat dissipation unit for dissipating heat of the light source module, and a power supply unit for processing or converting an electrical signal provided from the outside, have. Further, the lighting device may include a lamp, a head lamp, or a street lamp or the like.

또한, 이동 단말의 카메라 플래시는 실시 예의 발광소자 패키지를 포함하는 광원 모듈을 포함할 수 있다. 전술한 바와 같이 발광소자 패키지는 카메라의 화각과 대응되는 지향각을 갖고 있으므로 광의 손실이 적은 장점이 있다. In addition, the camera flash of the mobile terminal may include a light source module including the light emitting device package of the embodiment. As described above, since the light emitting device package has the directivity angle corresponding to the angle of view of the camera, there is an advantage that the light loss is small.

이상에서 설명한 본 발명 실시 예는 상술한 실시 예 및 첨부된 도면에 한정되는 것이 아니고, 실시 예의 기술적 사상을 벗어나지 않는 범위 내에서 여러 가지 치환, 변형 및 변경이 가능하다는 것이 본 발명 실시 예가 속하는 기술분야에서 종래의 지식을 가진 자에게 있어 명백할 것이다.It will be apparent to those skilled in the art that various changes, substitutions, and alterations can be made hereto without departing from the spirit and scope of the invention as defined in the appended claims. Will be apparent to those of ordinary skill in the art.

100: 발광소자
200: 파장변환층
300: 제1반사층
400: 제2반사층100: Light emitting element
200: wavelength conversion layer
300: first reflective layer
400: second reflective layer

Claims (12)

제1전극과 제2전극이 배치된 하면, 상기 하면과 마주보는 상면, 및 상기 상면과 하면을 연결하는 복수 개의 측면을 포함하는 발광소자;
상기 발광소자의 상면과 복수 개의 측면을 커버하는 파장변환층; 및
상기 파장변환층의 상면 및 제1측면은 커버하고, 상기 제1측면과 마주보는 제2측면은 노출하는 제1반사층을 포함하고,
상기 파장변환층의 상면 두께는 상기 발광소자의 제1측면에서 제2측면 방향으로 갈수록 두꺼워지고,
상기 파장변환층의 상면 두께는 상기 파장변환층의 상면에서 상기 발광소자의 상면까지의 수직 거리인 발광소자 패키지.
A light emitting device including a lower surface on which a first electrode and a second electrode are disposed, an upper surface facing the lower surface, and a plurality of side surfaces connecting the upper surface and the lower surface;
A wavelength conversion layer covering an upper surface and a plurality of side surfaces of the light emitting device; And
A first reflective layer covering the upper surface and the first side of the wavelength conversion layer and the second side facing the first side,
The top surface thickness of the wavelength conversion layer becomes thicker from a first side to a second side of the light emitting device,
Wherein the upper surface of the wavelength conversion layer is a vertical distance from an upper surface of the wavelength conversion layer to an upper surface of the light emitting device.
제1항에 있어서,
상기 제1반사층의 상면 두께는 상기 발광소자의 제1측면에서 제2측면 방향으로 갈수록 얇아지고,
상기 제1반사층의 상면 두께는 상기 제1반사층의 상면에서 상기 파장변환층의 상면까지의 수직 거리인 발광소자 패키지.
The method according to claim 1,
The upper surface of the first reflective layer is thinner from the first side to the second side of the light emitting device,
Wherein the top surface of the first reflective layer is a vertical distance from the top surface of the first reflective layer to the top surface of the wavelength conversion layer.
제1항에 있어서,
상기 파장변환층의 상면은 곡률을 갖는 발광소자 패키지.
The method according to claim 1,
Wherein the upper surface of the wavelength conversion layer has a curvature.
제1항에 있어서,
상기 파장변환층의 상면과 상기 제1반사층 사이에 배치되는 제2반사층을 포함하는 발광소자 패키지.
The method according to claim 1,
And a second reflective layer disposed between the upper surface of the wavelength conversion layer and the first reflective layer.
제4항에 있어서,
상기 제2반사층의 반사율은 상기 제1반사층의 반사율보다 높은 발광소자 패키지.
5. The method of claim 4,
Wherein the reflectance of the second reflective layer is higher than that of the first reflective layer.
제4항에 있어서,
상기 제2반사층은 굴절률이 상이한 복수 개의 제1층 및 복수 개의 제2층을 포함하는 발광소자 패키지.
5. The method of claim 4,
Wherein the second reflective layer includes a plurality of first layers and a plurality of second layers having different refractive indices.
제1항에 있어서,
상기 파장변환층의 상면 두께는 25um이상 250um이하인 발광소자 패키지.
The method according to claim 1,
And the upper surface of the wavelength conversion layer has a thickness of 25um or more and 250um or less.
제1항에 있어서,
상기 발광소자의 복수 개의 측면은 상기 파장변환층의 제1측면과 마주보는 제1발광면 및 상기 파장변환층의 제2측면과 마주보는 제2발광면을 포함하는 발광소자 패키지.
The method according to claim 1,
Wherein the plurality of side surfaces of the light emitting device include a first light emitting surface facing the first side of the wavelength conversion layer and a second light emitting surface facing the second side of the wavelength conversion layer.
제8항에 있어서,
상기 제2측면에서 상기 제2발광면까지의 거리는 상기 제1측면에서 상기 제1발광면까지의 거리보다 긴 발광소자 패키지.
9. The method of claim 8,
Wherein a distance from the second side to the second light emitting surface is longer than a distance from the first side to the first light emitting surface.
제8항에 있어서,
상기 제1측면은 상기 발광소자의 하면에서 상면 방향으로 갈수록 상기 제1발광면까지의 거리가 길어지도록 경사진 발광소자 패키지.
9. The method of claim 8,
Wherein the first side surface is inclined so that a distance from the lower surface of the light emitting device to the first light emitting surface increases toward the upper surface direction.
제1항에 있어서,
상기 파장변환층은 상기 제1측면과 제2측면을 연결하는 제3측면 및 제4측면을 포함하고, 상기 제2측면, 제3측면, 및 제4측면으로 광을 출사하는 발광소자 패키지.
The method according to claim 1,
Wherein the wavelength conversion layer includes a third side and a fourth side that connect the first side and the second side, and emits light to the second side, the third side, and the fourth side.
회로기판; 및
상기 회로 기판상에 배치되고, 제1항 내지 제11항 중 어느 한 항에 따른 복수 개의 발광소자 패키지를 포함하는 표시장치.A circuit board; And
And a plurality of light emitting device packages arranged on the circuit board according to any one of claims 1 to 11.
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* Cited by examiner, † Cited by third party
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KR20200054637A (en) * 2018-11-12 2020-05-20 주식회사 루멘스 Side view type light emitting diode package and manufacturing method thereof

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