KR102455673B1 - 포커스 링 및 기판 처리 장치 - Google Patents

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다케토시 도미오카
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요헤이 우치다
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도쿄엘렉트론가부시키가이샤
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Abstract

(과제) 전열 가스의 누출을 저감하는 것을 목적으로 한다.
(해결 수단) 기판 처리 장치의 처리실 내의 스테이지의 위에 탑재된 기판의 주연을 둘러싸는 포커스 링으로서, 상기 포커스 링의 하면은, 상기 스테이지의 주연부의 위에 대향하여 마련되는 때에, 상기 스테이지의 주연부의 경사에 추종하는 방향으로 소정의 범위에서 경사진 경사부를 갖는, 포커스 링이 제공된다.

Description

포커스 링 및 기판 처리 장치{FOCUS RING AND SUBSTRATE PROCESSING APPARATUS}
본 발명은, 포커스 링 및 기판 처리 장치에 관한 것이다.
기판 처리 장치의 처리실 내에 있어서, 정전 척의 위에 탑재되는 기판의 주연에는, 기판을 둘러싸도록 포커스 링이 마련된다. 포커스 링은, 처리실 내에서 플라즈마 처리가 행해질 때에, 플라즈마를 웨이퍼 W의 표면으로 향해 수속하여, 처리의 효율을 향상시킨다.
포커스 링은, 일반적으로 Si(실리콘)로 형성되고, 실리콘의 하면의 경사를 경사가 없는 플랫의 상태로부터 ±수 ㎛로 관리하고 있다. 근래에는 포커스 링의 수명의 연장을 목적으로 하여, SiC(실리콘 카바이드)로 대표되는, 보다 강성이 강한 재료가 포커스 링의 재료로서 채용되고 있다.
정전 척의 주연부의 위에 배치되는 포커스 링의 하면에는, He(헬륨) 등의 전열 가스가 공급되고, 이것에 의해, 포커스 링의 온도가 제어된다. 특허 문헌 1에는, 공급된 전열 가스가 포커스 링과 정전 척의 극간으로부터 새는 양(리크량)의 증대를 억제하기 위해, 웨이퍼 반입출시 및 웨이퍼리스 드라이 클리닝(WLDC)시에, 포커스 링을 정전 흡착하는 것이 제안되고 있다.
(선행 기술 문헌)
(특허 문헌)
(특허 문헌 1) 일본 특허 공개 2016-122740호 공보
(특허 문헌 2) 일본 특허 공개 2016-225588호 공보
정전 척은, 스테이지의 외주측에서 나사에 의해 스테이지의 위에 고정되는 관계상, 주연부가 중앙부보다 내려가는 구조를 갖는다. 그때, 포커스 링이 Si에 의해 형성되어 있는 경우, Si는 SiC보다 부드러운 물질이기 때문에, 포커스 링은, 정전 척의 경사에 들어맞는다. 이 때문에, 포커스 링과 정전 척의 극간이 좁아지고, 전열 가스가 새는 것을 억제할 수 있다.
그렇지만, 포커스 링이 SiC에 의해 형성되어 있는 경우, SiC는 Si보다 딱딱하기 때문에, 포커스 링과 정전 척의 극간이 좁아지지 않고, 전열 가스의 누출이 현저해진다고 하는 과제를 갖는다.
상기 과제에 대하여, 일 측면에서는, 본 발명은, 전열 가스의 누출을 저감하는 것을 목적으로 한다.
상기 과제를 해결하기 위해, 일 태양에 의하면, 기판 처리 장치의 처리실 내의 스테이지의 위에 탑재된 기판의 주연을 둘러싸는 포커스 링으로서, 상기 포커스 링의 하면은, 상기 스테이지의 주연부의 위에 대향하여 마련되는 때에, 상기 스테이지의 주연부의 경사에 추종하는 방향으로 소정의 범위에서 경사진 경사부를 갖는 포커스 링이 제공된다.
다른 태양에 의하면, 처리실 내의 스테이지와, 상기 스테이지의 위에 마련된 정전 척과, 상기 정전 척의 중앙부에 마련된 제 1 흡착 전극과, 상기 정전 척의 주연부에 마련된 제 2 흡착 전극과, 상기 정전 척의 위에 탑재된 기판의 주연을 둘러싸는 포커스 링을 갖고, 상기 포커스 링의 하면은, 상기 스테이지의 주연부의 위에 대향하여 마련되는 때에, 상기 스테이지의 주연부의 경사에 추종하는 방향으로 소정의 범위에서 경사진 경사부를 갖는 기판 처리 장치가 제공된다.
다른 태양에 의하면, 기판 처리 장치의 처리실 내의 스테이지의 위에 탑재된 기판의 주연을 둘러싸는 포커스 링으로서, 상기 포커스 링의 상면은, 제 1 평탄부와 상기 제 1 평탄부보다 낮은 제 2 평탄부를 갖고, 상기 제 1 평탄부는, 상기 제 2 평탄부보다 기판 쪽에서 기판의 주연을 둘러싸도록 배치되고, 시스(sheath)에 상당하는 두께 이상의 폭을 갖는 포커스 링이 제공된다.
다른 태양에 의하면, 기판 처리 장치의 처리실 내의 스테이지의 위에 탑재된 기판의 주연을 둘러싸는 포커스 링으로서, 상기 포커스 링의 하면은, 상기 스테이지의 주연부의 위에 대향하여 마련되는 때에, 상기 스테이지의 주연부의 경사에 추종하는 방향으로 소정의 범위에서 경사진 경사부를 갖고, 상기 포커스 링의 상면은, 제 1 평탄부와 상기 제 1 평탄부보다 낮은 제 2 평탄부를 갖고, 상기 제 1 평탄부는, 상기 제 2 평탄부보다 기판 쪽에서 기판의 주연을 둘러싸도록 배치되고, 시스에 상당하는 두께 이상의 폭을 갖는 포커스 링이 제공된다.
다른 태양에 의하면, 처리실 내의 스테이지와, 상기 스테이지의 위에 마련된 정전 척과, 상기 정전 척의 중앙부에 마련된 제 1 흡착 전극과, 상기 정전 척의 주연부에 마련된 제 2 흡착 전극과, 상기 정전 척의 위에 탑재된 기판의 주연을 둘러싸는 포커스 링을 갖고, 상기 포커스 링의 상면은, 제 1 평탄부와 상기 제 1 평탄부보다 낮은 제 2 평탄부를 갖고, 상기 제 1 평탄부는, 상기 제 2 평탄부보다 기판 쪽에서 기판의 주연을 둘러싸도록 배치되고, 시스에 상당하는 두께 이상의 폭을 갖는 기판 처리 장치가 제공된다.
다른 태양에 의하면, 처리실 내의 스테이지와, 상기 스테이지의 위에 마련된 정전 척과, 상기 정전 척의 중앙부에 마련된 제 1 흡착 전극과, 상기 정전 척의 주연부에 마련된 제 2 흡착 전극과, 상기 정전 척의 위에 탑재된 기판의 주연을 둘러싸는 포커스 링을 갖고, 상기 포커스 링의 하면은, 상기 스테이지의 주연부의 위에 대향하여 마련되는 때에, 상기 스테이지의 주연부의 경사에 추종하는 방향으로 소정의 범위에서 경사진 경사부를 갖고, 상기 포커스 링의 상면은, 제 1 평탄부와 상기 제 1 평탄부보다 낮은 제 2 평탄부를 갖고, 상기 제 1 평탄부는, 상기 제 2 평탄부보다 기판 쪽에서 기판의 주연을 둘러싸도록 배치되고, 시스에 상당하는 두께 이상의 폭을 갖는 기판 처리 장치가 제공된다.
일 측면에 의하면, 전열 가스의 누출을 저감할 수 있다.
도 1은 일 실시 형태와 관련되는 기판 처리 장치의 일례를 나타내는 도면.
도 2는 일 실시 형태와 관련되는 포커스 링의 하면의 형상의 일례를 나타내는 도면.
도 3은 일 실시 형태와 관련되는 정전 척의 휘어짐의 일례를 나타내는 도면.
도 4는 일 실시 형태와 관련되는 정전 척의 휘어짐의 양의 일례를 나타내는 도면.
도 5는 일 실시 형태와 관련되는 포커스 링에 의한 전열 가스의 누출량을 계측하기 위한 조건의 일례를 나타내는 도면.
도 6은 일 실시 형태와 관련되는 포커스 링에 의한 전열 가스의 누출량의 일례를 나타내는 도면.
도 7은 일 실시 형태와 관련되는 포커스 링의 재료의 일례와 물성치(物性値)를 나타내는 도면.
도 8은 일 실시 형태와 관련되는 포커스 링과 온도 균일성의 일례를 나타내는 도면.
도 9는 일 실시 형태와 관련되는 포커스 링의 다른 예를 나타내는 도면.
도 10은 포커스 링의 소모에 의한 에칭 형상의 틸팅을 설명하기 위한 도면.
도 11은 일 실시 형태와 관련되는 포커스 링에 의한 전열 가스의 누출량의 일례를 나타내는 도면.
도 12는 일 실시 형태의 변형예 1과 관련되는 포커스 링의 일례를 나타내는 도면.
도 13은 일 실시 형태의 변형예 2와 관련되는 포커스 링의 일례를 나타내는 도면.
이하, 본 발명을 실시하기 위한 형태에 대하여 도면을 참조하여 설명한다. 또, 본 명세서 및 도면에 있어서, 실질적으로 동일한 구성에 대해서는, 동일한 부호를 붙이는 것에 의해 중복된 설명을 생략한다.
[기판 처리 장치의 전체 구성]
도 1은 일 실시 형태와 관련되는 기판 처리 장치(1)의 개략 구성을 나타내는 단면도이다. 또, 본 실시 형태에서는, 본원이 개시하는 기판 처리 장치(1)가 RIE(Reactive Ion Etching)형의 기판 처리 장치(1)인 예에 대하여 설명한다. 단, 기판 처리 장치(1)는, 표면파 플라즈마를 이용한 플라즈마 에칭 장치나 플라즈마 CVD 장치 등에 적용되더라도 좋다.
기판 처리 장치(1)는, 금속제, 예컨대, 알루미늄 또는 스테인리스강제의 원통형의 처리 용기(10)를 갖고, 그 내부는, 플라즈마 에칭이나 플라즈마 CVD 등의 플라즈마 처리가 행해지는 처리실로 되어 있다. 처리 용기(10)는 접지되어 있다.
처리 용기(10)의 내부에는, 피처리체(기판)로서의 웨이퍼 W를 탑재하는 원판 형상의 스테이지(하부 전극)(11)가 배치되어 있다. 이 스테이지(11)는, 기재(11a)를 갖고, 기재(11a)의 위에 정전 척(25)을 갖는다. 기재(11a)는, 예컨대, 알루미늄으로 이루어지고, 절연성의 통 형상 유지 부재(12)를 통해서 처리 용기(10)의 바닥으로부터 수직 위쪽으로 연장되는 통 형상 지지부(13)에 지지되어 있다.
처리 용기(10)의 측벽과 통 형상 지지부(13)의 사이에는 배기로(14)가 형성되어 있다. 배기로(14)의 입구 또는 도중에 고리 형상의 배플판(15)이 배치됨과 아울러, 저부에 배기구(16)가 마련되어 있다. 배기구(16)에는, 배기관(17)을 거쳐서 배기 장치(18)가 접속되어 있다. 배기 장치(18)는, 진공 펌프를 갖고, 처리 용기(10) 내의 처리 공간을 소정의 진공도까지 감압한다. 또한, 배기관(17)은 가변식 버터플라이 밸브인 자동 압력 제어 밸브(automatic pressure control valve)(이하, 「APC」라고 한다)를 갖고, APC는 자동적으로 처리 용기(10) 내의 압력 제어를 행한다. 또한, 처리 용기(10)의 측벽에는, 웨이퍼 W의 반입출구(19)를 개폐하는 게이트 밸브(20)가 설치되어 있다.
스테이지(11)에는, 플라즈마 생성 및 RIE용의 제 1 고주파 전원(21)이 정합기(21a)를 거쳐서 전기적으로 접속되어 있다. 제 1 고주파 전원(21)은, 소정의 제 1 고주파 전력, 예컨대, 40㎒의 주파수의 전력을 스테이지(11)에 인가한다.
스테이지(11)에는, 바이어스 인가용의 제 2 고주파 전원(22)이 정합기(22a)를 거쳐서 전기적으로 접속되어 있다. 제 2 고주파 전원(22)은, 제 1 고주파보다 낮은 제 2 고주파 전력, 예컨대, 3㎒의 주파수의 전력을 스테이지(11)에 인가한다.
또한, 처리 용기(10)의 천정부에는, 후술하는 접지 전위의 상부 전극으로서의 가스 샤워 헤드(24)가 배치되어 있다. 이것에 의해, 제 1 고주파 전원(21)으로부터의 고주파 전력이 스테이지(11)와 가스 샤워 헤드(24)의 사이에 인가된다.
스테이지(11)의 상면에는 웨이퍼 W를 정전 흡착력으로 흡착하는 정전 척(25)이 배치되어 있다. 이 정전 척(25)은, 웨이퍼 W가 탑재되는 원판 형상의 중앙부(25a)와, 고리 형상의 주연부(25b)로 이루어지고, 중앙부(25a)의 높이는 주연부(25b)의 높이보다 높게 되어 있다. 주연부(25b)의 상면에는, 기판의 주연을 고리 형상으로 둘러싸는 포커스 링(30)이 탑재되어 있다.
또한, 중앙부(25a)는, 도전막으로 이루어지는 전극판(25c)을 한 쌍의 유전막의 사이에 끼워 넣는 것에 의해 구성된다. 주연부(25b)는, 도전막으로 이루어지는 전극판(25d)을 한 쌍의 유전막의 사이에 끼워 넣는 것에 의해 구성된다. 전극판(25c)에는 직류 전원(26)이 스위치(27)를 거쳐서 전기적으로 접속되어 있다. 전극판(25d)에는 직류 전원(28-1, 28-2)이 스위치(29-1, 29-2)를 거쳐서 전기적으로 접속되어 있다. 그리고, 정전 척(25)은, 직류 전원(26)으로부터 전극판(25c)에 인가된 DC 전압에 의해 쿨롱력 등의 정전력을 발생시키고, 정전력에 의해 정전 척(25)에 웨이퍼 W를 흡착 유지한다. 또한, 정전 척(25)은, 직류 전원(28-1, 28-2)으로부터 전극판(25d)에 인가된 DC 전압에 의해 쿨롱력 등의 정전력을 발생시키고, 정전력에 의해 정전 척(25)에 포커스 링(30)을 흡착 유지한다. 전극판(25c)은, 정전 척(25)의 중앙부(25a)에 마련된 제 1 흡착 전극의 일례이고, 전극판(25d)은, 정전 척(25)의 주연부(25b)에 마련된 제 2 흡착 전극의 일례이다.
스테이지(11)의 내부에는, 예컨대, 원주 방향으로 연장되는 고리 형상의 냉매실(31)이 마련되어 있다. 이 냉매실(31)에는, 칠러 유닛(32)으로부터 배관(33, 34)을 거쳐서 소정 온도의 냉매, 예컨대, 냉각수가 순환 공급되고, 해당 냉매의 온도에 의해 정전 척(25) 상의 웨이퍼 W의 처리 온도를 제어한다.
또한, 정전 척(25)에는, 가스 공급 라인(36)을 거쳐서 전열 가스 공급부(35)가 접속되어 있다. 가스 공급 라인(36)은, 정전 척(25)의 중앙부(25a)에 도달하는 웨이퍼 쪽 라인(36a)과, 정전 척(25)의 주연부(25b)에 도달하는 포커스 링 쪽 라인(36b)으로 분기되어 있다.
전열 가스 공급부(35)는, 웨이퍼 쪽 라인(36a)을 이용하여, 정전 척(25)의 중앙부(25a)와, 웨이퍼 W의 사이에 있는 공간에 전열 가스를 공급한다. 또한, 전열 가스 공급부(35)는, 포커스 링 쪽 라인(36b)을 이용하여, 정전 척(25)의 주연부(25b)와, 포커스 링(30)의 사이에 있는 공간에 전열 가스를 공급한다. 전열 가스로서는, 열전도성을 갖는 가스, 예컨대, He 가스 등이 적합하게 이용된다.
천정부의 가스 샤워 헤드(24)는, 하면의 전극판(37)과, 그 전극판(37)을 탈착 가능하게 지지하는 전극 지지체(38)를 갖는다. 전극판(37)은, 다수의 가스 통기 구멍(37a)을 갖는다. 또한, 그 전극 지지체(38)의 내부에는 버퍼실(39)이 마련되고, 이 버퍼실(39)의 가스 도입구(38a)에는 처리 가스 공급부(40)로부터의 가스 공급 배관(41)이 접속되어 있다. 또한, 처리 용기(10)의 주위에는, 고리 형상 또는 동심 형상으로 연장되는 자석(42)이 배치되어 있다.
기판 처리 장치(1)의 각 구성 요소는, 제어부(43)에 접속되어 있다. 제어부(43)는, 기판 처리 장치(1)의 각 구성 요소를 제어한다. 각 구성 요소로서는, 예컨대, 배기 장치(18), 제 1 고주파 전원(21), 제 2 고주파 전원(22), 정전 척용의 스위치(27, 29-1, 29-2), 직류 전원(26, 28-1, 28-2), 칠러 유닛(32), 전열 가스 공급부(35) 및 처리 가스 공급부(40) 등을 들 수 있다.
제어부(43)는, CPU(43a) 및 메모리(43b)(기억 장치)를 구비하고, 메모리(43b)에 기억된 프로그램 및 처리 레시피를 읽어내어 실행함으로써, 기판 처리 장치(1)에 있어서 소망하는 기판 처리를 제어한다. 또한, 제어부(43)는, 기판 처리에 따라, 포커스 링(30)을 정전 흡착하기 위한 정전 흡착 처리나, 전열 가스를 공급하는 전열 가스 공급 처리를 제어한다.
기판 처리 장치(1)의 처리 용기(10) 내에서는, 자석(42)에 의해 한 방향으로 향하는 수평 자계가 형성된다. 또한, 스테이지(11)와 가스 샤워 헤드(24)의 사이에 인가된 고주파 전력에 의해 연직 방향의 RF 전계가 형성된다. 이것에 의해, 처리 용기(10) 내에 있어서 처리 가스를 통한 마그네트론 방전이 행해지고, 스테이지(11)의 표면 근방에 있어서 처리 가스로부터 고밀도의 플라즈마가 생성된다.
기판 처리 장치(1)에서는, 드라이 에칭 처리시, 먼저 게이트 밸브(20)를 개방 상태로 하여 가공 대상의 웨이퍼 W를 처리 용기(10) 내에 반입하고, 정전 척(25)의 위에 탑재한다. 그리고, 처리 가스 공급부(40)에서 처리 가스(예컨대, 소정의 유량 비율의 C4F8 가스, O2 가스 및 Ar 가스로 이루어지는 혼합 가스)를 소정의 유량 및 유량비로 처리 용기(10) 내에 도입하고, 배기 장치(18) 등에 의해 처리 용기(10) 내의 압력을 소정치로 한다. 또한, 제 1 고주파 전원(21) 및 제 2 고주파 전원(22)에서 고주파 전력을 스테이지(11)에 공급하고, 직류 전원(26)에서 DC 전압을 정전 척(25)의 전극판(25c)에 인가하고, 웨이퍼 W를 정전 척(25) 상에 흡착한다. 전열 가스를 웨이퍼 W 및 포커스 링(30)의 이면에 공급한다. 그리고, 가스 샤워 헤드(24)에 의해 토출된 처리 가스가 플라즈마화하고, 플라즈마 중의 라디칼이나 이온에 의해 웨이퍼 W의 표면에 소정의 플라즈마 처리가 행해진다.
[포커스 링의 경사부]
다음으로, 본 실시 형태와 관련되는 포커스 링(30)의 구성에 대하여, 도 2를 참조하면서 설명한다. 본 실시 형태와 관련되는 포커스 링(30)의 하면은, 포커스 링(30)이 정전 척(25)의 주연부(25b)의 위에 대향하여 마련될 때에, 정전 척(25)의 주연부(25b)의 경사에 추종하는 방향으로 소정의 범위만큼 경사진 경사부(30a)를 갖는다.
정전 척(25)은, 도 3에 나타내는 바와 같이, 정전 척(25)의 주연부(25b)에서 나사(72)로 기재(11a)에 고정되어 있다. 포커스 링(30)은, 나사(72) 상의 정전 척(25)의 부분(25f)을 사이에 두고 주연부(25b)의 위에 설치된다.
나사(72)로 고정된 부분보다 안쪽의, 기재(11a)와 정전 척(25)의 사이에는, 내주측의 O링(70) 및 주연부의 O링(71)이 마련되어 있다. 이와 같은 구조에 의해, 정전 척(25)의 중앙부(25a) 쪽의 O링(70)의 반력 및 주연부(25b) 쪽의 O링(71)의 반력과 나사(72)에 의한 고정에 의해, 정전 척(25)의 중앙부(25a)는 주연부(25b)보다 솟아오른다. 이것에 의해, 정전 척(25)은, 그 주연부(25b)가 중앙부(25a)보다 낮아지는 형상으로 변형한다.
도 4는 일 실시 형태와 관련되는 정전 척(25)의 휘어짐의 양의 일례를 나타낸다. 도 4는 정전 척(25)의 포커스 링 흡착면(주연부(25b))의 휘어짐의 상태를 나타낸다. 이것에 의하면, 정전 척(25)의 포커스 링 흡착면에 휘어짐이 생기고 있는 것을 알 수 있다.
본 실시 형태와 관련되는 포커스 링(30)이 SiC에 의해 형성되어 있는 경우, SiC는 Si보다 딱딱하기 때문에, 정전 척(25)의 경사에 들어맞지 않는다. 이 때문에, 포커스 링(30)의 이면에 경사를 마련하지 않으면, 정전 척(25)과의 극간이 밀착되지 않고, 전열 가스가 샌다고 하는 문제가 생긴다.
그래서, 본 실시 형태와 관련되는 포커스 링(30)은, 정전 척(25)의 주연부(25b)의 경사에 추종하는 방향으로 경사진 경사부(30a)를 갖는다. 이것에 의해, 포커스 링(30)과 정전 척(25)의 극간이 좁아지고, 전열 가스의 누출을 저감할 수 있다.
[포커스 링의 경사]
포커스 링(30)의 하면의 경사는, 포커스 링(30)의 지름 방향의 폭 중, 정전 척(25) 상에 실려 있는 폭+α를 나타내는 38㎜에 대하여, 도 2의 S에 나타내는 바와 같이, 10㎛~20㎛의 범위에서 외주측으로 내려간다. 다시 말해, 수평 방향에 대한 경사각 θ는, 경사가 10㎛일 때, 약 0.03°, 20㎛일 때, 약 0.06°, 다시 말해, 0.03°~0.06°의 범위인 것이 바람직하다. 이하, 이 범위의 수치가 바람직한 이유에 대하여 설명한다.
포커스 링(30)의 하면의 경사의 정도를 바꾸어, 전열 가스의 누출량의 실험을 행했다. 그 실험의 조건을 도 5에 나타내고, 그 실험의 결과를 도 6에 나타낸다. 도 5에 나타내는 바와 같이, 전열 가스의 누출량의 실험은, (a) 조건 1, (b) 조건 2, (c) 조건 3의 상이한 3스텝에 대하여 행했다.
(a) 조건 1에서는, 플라즈마 프로세스의 압력 조건이 10mT(1.33㎩), 제 1 고주파 전력의 실효 전력이 525W, 제 2 고주파 전력의 실효 전력이 4900W이다.
(b) 조건 2에서는, 플라즈마 프로세스의 압력 조건이 10mT(1.33㎩), 제 1 고주파 전력의 실효 전력이 300W, 제 2 고주파 전력의 실효 전력이 2800W이다.
(c) 조건 3에서는, 플라즈마 프로세스의 압력 조건이 15mT(2.00㎩), 제 1 고주파 전력의 실효 전력이 1200W, 제 2 고주파 전력의 실효 전력이 8400W이다.
이 각 조건에 있어서, 기판 처리 장치(1)를 이용한 플라즈마 프로세스 중에 He 가스를 전열 가스로서 공급했다. 또한, 1대의 정전 척(25)을 이용하여 실험을 행했다. 도 6(a)~도 6(c)의 각각은, 1대의 정전 척(25)에 있어서의 실험 결과를 나타낸다. 도 6(a)~도 6(c)의 어느 에칭 처리의 경우에도, 가로축에 나타내는 포커스 링(30)의 하면의 경사를 바꾸었더니, 도 6(a)~도 6(c)의 세로축에 나타내는 He 가스의 누출량에 유사한 변화가 생겼다. 도 6의 가로축은 포커스 링(30)의 하면의 경사의 정도를 나타내고, 도 6의 세로축은 전열 가스(He)의 누출량을 나타낸다.
가로축에 나타내는 값이 마이너스일 때, 포커스 링(30)의 하면은, 내주측이 외주측보다 낮아지도록 경사져 있다. 가로축에 나타내는 값이 플러스일 때, 포커스 링(30)의 하면은, 도 2의 S에 나타내는 바와 같이, 외주측이 내주측보다 10㎛~20㎛의 범위에서 낮아지도록 경사져 있다.
이 결과, 도 6(a)의 조건 1, 도 6(b)의 조건 2, 도 6(c)의 조건 3의 어느 경우도, 전열 가스(He)의 누출량은 외주측이 내주측보다 10㎛~20㎛의 범위에서 낮아지도록 경사져 있을 때에 가장 적은 것을 알 수 있다. 다시 말해, 포커스 링(30)의 하면은, 포커스 링(30)의 지름 방향으로, 포커스 링(30)의 외주측이 내주측보다 내려가도록 경사지고, 또한 그 경사는, 상기에 나타낸 포커스 링(30)의 사이즈에 있어서 10㎛~20㎛의 범위인 것이 바람직한 것을 알 수 있다.
경사가 상기 범위의 하한치(10㎛)보다 작아지면, 포커스 링(30)의 외주측으로부터 전열 가스가 새는 것을 억제할 수 없게 된다. 한편, 경사가 상기 범위의 상한치(20㎛)보다 커지면, 포커스 링(30)의 내주측으로부터 전열 가스가 새는 것을 억제할 수 없게 된다. 따라서, 포커스 링(30)의 경사를 10㎛~20㎛의 범위에서 외주측이 내주측보다 낮게 한다. 이것에 의해, 포커스 링(30)의 하면으로부터 전열 가스가 새는 것을 억제할 수 있다.
[포커스 링의 재료]
도 7에 나타내는 바와 같이, 포커스 링(30)은, 영률이 1.30×1011인 Si(실리콘)보다 딱딱한 SiC(실리콘 카바이드), W(텅스텐), WC(텅스텐 카바이드) 및 세라믹스이더라도 좋다. 또한, 포커스 링(30)은, Si보다 딱딱한 재료뿐만 아니라, Si나 SiO2이더라도 좋다.
SiC(실리콘 카바이드)의 영률은 4.30×1011(㎩)이고, W(텅스텐)의 영률은 4.11×1011(㎩)이고, WC(텅스텐 카바이드)의 영률은 5.50×1011(㎩)이다. 또한, 세라믹스의 영률은 1.80×1011(㎩)이다.
본 실시 형태와 관련되는 포커스 링(30)은, Si, SiO2, SiC, W, WC 및 세라믹스의 영률을 포함하는, 영률이 5.0×1010~1.0×1012(㎩)의 범위의 물질인 것이 바람직하다.
특히, 포커스 링(30)이 SiC(실리콘 카바이드)에 의해 형성되어 있는 경우, 종래로부터 사용되고 있는 Si(실리콘)의 포커스 링(30)과 플라즈마 프로세스에 대한 내성 등의 성질이 비슷하기 때문에 바람직하다.
[포커스 링의 온도 제어]
다음으로, 포커스 링(30)의 이면의 형상과 온도 제어에 대하여, 도 8을 참조하면서 설명한다. 도 8(a)의 케이스 1에서는, 단면도에 나타내는 바와 같이 포커스 링(30)의 이면에 경사부는 없고, 플랫이다. 도 8(b)의 케이스 2에서는, 단면도에 나타내는 바와 같이 포커스 링(30)의 이면에 경사부는 없고, 정전 척(25) 쪽의 전열 가스를 공급하는 포커스 링 쪽 라인(36b)의 위쪽에 고리 형상의 홈부(30b)가 형성되어 있다.
도 8(a)의 상면도 및 도 8(b)의 상면도에 나타내는 바와 같이, 포커스 링 쪽 라인(36b)의 선단의 가스 구멍 H로부터 전열 가스가 포커스 링(30)의 이면으로 향해 도입된다. 그 결과, 케이스 2에서는, 전열 가스가 홈부(30b) 내의 공간에서 확산됨으로써, 케이스 1보다 전열 가스의 누출을 더 저감할 수 있고, 포커스 링(30)의 온도 제어가 양호하게 되고, 온도 분포의 균일성이 도모된다.
또, 본 실험의 결과는, 포커스 링(30)의 온도를 직접 측정한 결과가 아니다. 본 실험에 있어서의 포커스 링(30)에 있어서의 온도 균일성의 판단은, 포커스 링(30)에 부착된 반응 생성물의 분포의 얼룩짐(불균일)으로 판단하고 있다. 온도가 불균일하면, 포커스 링(30)에 부착된 반응 생성물의 분포에 현저한 얼룩짐이 나타난다. 따라서, 본 실험에서는, 반응 생성물의 분포의 얼룩짐의 유무에 의해, 포커스 링(30)에 있어서의 온도 균일성의 판단을 행했다.
또한, 이 실험에서는, 포커스 링(30)의 두께 L은 3.35㎜였다. 또한, 홈부(30b)의 깊이 G1 및 폭 G2를, 다음의 4개의 패턴으로 설정하여 실험을 행했다.
(1) 깊이 G1 : 0.5㎜, 폭 G2 : 2.2㎜
(2) 깊이 G1 : 0.1㎜, 폭 G2 : 2.2㎜
(3) 깊이 G1 : 0.1㎜, 폭 G2 : 5.6㎜
(4) 깊이 G1 : 0.05㎜, 폭 G2 : 5.6㎜
어느 패턴에 있어서도, 포커스 링(30)의 이면의 홈부(30b)를 전열 가스의 가스 구멍 H에 대향하는 위치에 마련함으로써, 홈부를 갖지 않는 도 8(a)의 케이스 1보다 포커스 링(30)에 있어서의 온도 분포의 균일성이 도모되고 있는 것을 알 수 있었다.
그래서, 도 9(a)에 나타내는 바와 같이, 본 실시 형태와 관련되는 포커스 링(30)에서는, 그 하면에, 정전 척(25)의 주연부(25b)의 경사에 추종하는 방향으로 10㎛~20㎛의 경사를 갖는 경사부(30a)를 구비하고, 또한, 그 경사면에는 홈부(30b)를 형성하더라도 좋다. 형성되는 홈부(30b)는, 둘레 방향으로 연장되는 고리 형상의 홈이더라도 좋고, 전열 가스의 복수의 가스 구멍 H의 위쪽에 형성되는, 고리 형상이 아닌 복수의 움푹한 곳이더라도 좋다.
본 실시 형태와 관련되는 포커스 링(30)은, 도 9(b)에 나타내는 바와 같이, 3개의 파츠(parts)(30c, 30d, 30e)로 구성되고, 중앙의 파츠(30d)의 높이 방향의 길이를, 양측의 파츠(30c, 30e)의 길이보다 짧게 함으로써 홈부(30b)를 형성하더라도 좋다. 다시 말해, 홈부(30b)는, 3개의 파츠(30c, 30d, 30e)의 단차로부터 형성된다. 또한, 본 실시 형태와 관련되는 포커스 링(30)의 홈부(30b)를 전열 가스의 가스 구멍 H에 대향하는 위치에 마련함으로써, 전열 가스의 누출을 저감할 수 있고, 포커스 링(30)에 있어서의 온도 분포의 균일성을 도모할 수 있다.
본 실시 형태와 관련되는 포커스 링(30)은, 도 9(c)에 나타내는 3개의 파츠(30c, 30d, 30f)로 구성되더라도 좋다. 이 경우의 포커스 링(30)은, 도 9(b)와 마찬가지로, 중앙의 파츠(30d)의 높이 방향의 길이를, 양측의 파츠(30c, 30f)의 길이보다 짧게 함으로써 홈부(30b)를 형성하더라도 좋다. 포커스 링(30)의 가장 외주부의 형상은, 도 9(b)의 파츠(30e)에 나타내는 바와 같이 모퉁이를 마련하더라도 좋고, 도 9(c)의 파츠(30f)에 나타내는 바와 같이 둥글게 하더라도 좋다.
도 9(a)~도 9(c)의 홈부(30b) 대신에, 도 9(d)에 나타내는 바와 같이, 내부에서 굴곡하는 홈부(30g)이더라도 좋다. 홈부(30g)의 굴곡은, 안쪽으로 향하더라도 좋고, 바깥쪽으로 향하더라도 좋고, 양측으로 향하더라도 좋다.
도 9(a)~도 9(d)에 나타내는 바와 같이, 포커스 링(30)의 하면을 소정의 범위에서 경사지게 함과 아울러, 홈부(30b)나 홈부(30g)를 마련함으로써, 전열 가스의 누출을 저감하고, 온도 분포의 균일성을 도모할 수 있다. 포커스 링(30)의 하면에 형성되는 홈부의 적어도 일부는, 전열 가스의 가스 구멍 H에 대향하는 위치에 마련되는 것이 바람직하다.
이상에 설명한 바와 같이, 본 실시 형태와 관련되는 포커스 링(30)에 의하면, 하면이 소정의 범위에서 경사진 경사부(30a)를 갖는다. 이것에 의해, 포커스 링(30)이, 정전 척(25)의 경사에 들어맞고, 전열 가스가 새는 것을 저감할 수 있다.
또한, 경사부(30a)에 홈부를 마련함으로써, 전열 가스가 새는 것을 더 저감함과 아울러, 포커스 링(30)의 하면에 공급되는 전열 가스의 확산을 용이하게 하고, 포커스 링(30)의 온도 분포의 균일성을 도모할 수 있다.
[변형예 1]
다음으로, 본 발명의 일 실시 형태의 변형예 1과 관련되는 포커스 링(30)의 구성에 대하여 설명하기 전에, 포커스 링(30)의 소모에 의한 과제에 대하여, 도 10을 참조하면서 설명한다.
도 10(a)에 나타내는 바와 같이, 포커스 링(30)이 신품인 경우, 웨이퍼 W의 상면과 포커스 링(30)의 상면은 동일한 높이로 설계된다. 이때, 플라즈마 처리 중의 웨이퍼 W 상의 시스와 포커스 링(30) 상의 시스는 동일한 높이가 된다. 이 상태에서는, 웨이퍼 W 상 및 포커스 링(30) 상으로의 이온의 조사 각도는 수직이 되고, 이 결과, 웨이퍼 W 상에 형성되는 홀 등의 에칭 형상은 수직으로 형성되고, 에칭 형상이 비스듬하게 되는 틸팅(tilting)은 생기지 않는다. 또한, 웨이퍼 W의 면 내 전체에 있어서 에칭 레이트가 균일하게 된다.
그런데, 플라즈마 처리 중, 포커스 링(30)은 플라즈마에 노출되어, 소모된다. 그러면, 도 10(b)에 나타내는 바와 같이, 포커스 링(30)의 상면은, 웨이퍼 W의 상면보다 낮아지고, 포커스 링(30) 상의 시스의 높이는 웨이퍼 W 상의 시스의 높이보다 낮아진다.
이 결과, 시스의 높이에 단차가 생기고 있는 웨이퍼 W의 에지부에 있어서 이온의 조사 각도가 비스듬하게 되고, 에칭 형상의 틸팅(tilting)이 생긴다. 또한, 웨이퍼 W의 에지부의 에칭 레이트가 변동하고, 웨이퍼 W의 면 내에 있어서의 에칭 레이트에 불균일이 생긴다.
한편, 전술한 바와 같이, 도 10(a)에 나타내는 포커스 링(30)이 SiC에 의해 형성되어 있는 경우, SiC는 Si보다 딱딱하기 때문에, 포커스 링이 Si에 의해 형성되어 있는 경우보다 정전 척(25)의 경사에 들어맞기 어렵다. 이 때문에, 포커스 링(30)의 이면에 공급되는 He 등의 전열 가스가, 포커스 링(30)의 이면과 정전 척(25)의 극간으로부터 새는 양이 증대한다고 하는 과제를 갖는다.
도 11은 포커스 링(30)이 SiC에 의해 형성되어 있는 경우의 He 가스의 누출량의 일례를 나타낸다. 도 11의 가로축은 포커스 링(30)의 이면으로의 He 가스의 공급량을 나타내고, 도 6의 세로축은 포커스 링(30)의 이면과 정전 척(25)의 극간으로부터 새는 He 가스의 양을 나타낸다. 도 11의 좌측은 두께가 3.35㎜인 SiC의 포커스 링(30)을 사용한 경우의 결과이고, 우측은 두께가 3.5㎜인 SiC의 포커스 링(30)을 사용한 경우의 결과이다.
이것에 의하면, 두께가 3.35㎜인 포커스 링(30)을 사용한 경우, 2sccm 정도의 He 가스가 새고 있는 것을 알 수 있다. 또한, 두께가 3.5㎜인 포커스 링(30)을 사용한 경우, 3.5sccm 정도의 He 가스가 새고 있는 것을 알 수 있다. 다시 말해, 영률이 5.0×1010~1.0×1012(㎩)인 SiC 등의 물질을 포커스 링(30)에 사용하는 경우, 그 두께에 의해 He 가스의 누출량이 바뀌는 것을 알 수 있다.
그래서, 본 실시 형태의 변형예 1에서는, 도 12(a)에 나타내는 바와 같이, 포커스 링(30)의 상면의 형상 및 두께를 고안한다. 구체적으로는, 변형예 1과 관련되는 포커스 링(30)의 상면은, 제 1 평탄부(30h)와 제 1 평탄부(30h)보다 낮은 제 2 평탄부(30i)를 갖는다. 제 1 평탄부(30h)는, 제 2 평탄부(30i)보다 웨이퍼 W 쪽에서 웨이퍼 W의 주연을 둘러싸도록 배치된다.
이러한 구성에 의하면, 포커스 링(30)의 상면에 제 1 평탄부(30h)보다 낮은 제 2 평탄부(30i)를 형성함으로써, 포커스 링(30)의 외주측에 있어서 그 강도를 낮게 한다. 이것에 의해, 포커스 링(30)의 이면과 정전 척(25)의 극간으로부터 전열 가스가 새는 것을 저감할 수 있다.
또한, 변형예 1과 관련되는 포커스 링(30)의 상면에는, 웨이퍼 W의 주연을 둘러싸도록 제 1 평탄부(30h)가 형성되고, 웨이퍼 W의 주연 근방의 포커스 링(30)의 상면의 두께는 얇게 하지 않는다. 이것에 의해, 에칭 형상의 틸팅을 방지할 수 있다.
구체적으로는, 제 1 평탄부(30h)의 폭 D는, 시스에 상당하는 두께 또는 그 이상으로 형성되는 것이 바람직하다. 시스의 두께는, 직류 전원으로부터 인가되는 DC 전압 등에 의해 변화하지만, 대체로 5㎜~10㎜의 범위의 값이 된다. 따라서, 제 1 평탄부(30h)는, 5㎜~10㎜의 범위의 폭 또는 10㎜ 이상의 폭인 것이 바람직하다.
제 1 평탄부(30h)의 폭 D를, 시스에 상당하는 두께 또는 그 이상의 두께로 함으로써, 시스가 웨이퍼 W의 에지부 등에 있어서 비스듬하게 되는 것을 방지할 수 있다. 다시 말해, 본 변형예에서는, 제 1 평탄부(30h)가 시스에 상당하는 두께 이상의 폭 D를 갖기 때문에, 도 12(b)에 나타내는 바와 같이, 웨이퍼 W의 에지부보다 폭 D에 대응하는 거리만큼 바깥쪽에서 시스의 높이에 단차가 생긴다. 이것에 의해, 웨이퍼 W의 에지부 등에 있어서 에칭 형상의 틸팅이 발생하는 것을 방지할 수 있다. 또한, 에칭 레이트의 균일성을 도모할 수 있다.
도 12(a)에 나타내는 포커스 링(30)의 제 1 평탄부(30h)의 높이 B는, 프로세스 조건에 맞추어 결정되고, 웨이퍼 W의 상면과 동일 또는 근사하는 높이인 것이 바람직하다.
포커스 링(30)의 제 2 평탄부(30i)의 높이 C는, 포커스 링(30)의 구배 공차, 정전 척(25)의 구배 공차 및 포커스 링(30)의 재료의 물성치(영률 등)에 의해 정해진다.
제 2 평탄부(30i)의 높이 C는, 일정하더라도 좋고, 일정하지 않더라도 좋다. 예컨대, 제 2 평탄부(30i)의 높이 C는, 플랫이더라도 좋고, 외주측으로 향하여 서서히 낮게 하더라도 좋다. 또한, 제 2 평탄부(30i)의 높이 C는, 안쪽 및 바깥쪽보다 중앙부를 낮게 하더라도 좋다. 단, 제 2 평탄부(30i)의 높이 C는, 적어도 제 1 평탄부(30h)의 높이 B보다 낮게 한다. 다시 말해, 제 2 평탄부(30i)의 강도는, 제 1 평탄부(30h)의 강도보다 낮아지도록 설계된다.
변형예 1과 관련되는 포커스 링(30)에 의하면, 포커스 링(30)의 상면에 제 1 평탄부(30h)보다 낮은 제 2 평탄부(30i)를 형성함으로써, 전열 가스의 누출량을 저감할 수 있다. 이것에 더하여, 웨이퍼 W의 에지부에 있어서 에칭 형상의 틸팅이 발생하는 것을 방지하고, 에칭 레이트의 균일성을 도모할 수 있다.
또, 변형예 1과 관련되는 포커스 링(30)을 상기 실시 형태에서 설명한 기판 처리 장치(1)에 적용하는 것이 가능하다. 이것에 의해, 전열 가스의 누출량을 저감함과 아울러, 포커스 링(30)이 플라즈마 처리에 의해 소모된 후에 있어서도, 에칭 형상의 틸팅의 발생을 방지하고, 에칭 레이트의 균일성을 도모할 수 있다.
[변형예 2]
다음으로, 본 실시 형태의 변형예 2와 관련되는 포커스 링(30)에 대하여, 도 13을 참조하면서 설명한다. 도 13(a) 및 도 13(b)는 본 발명의 일 실시 형태의 변형예 2와 관련되는 포커스 링(30)의 일례를 나타내는 도면이다.
변형예 2와 관련되는 포커스 링(30)은, 상기 실시 형태에서 설명한 포커스 링의 하면의 경사부와, 변형예 1에서 설명한 포커스 링(30)의 상면의 구성의 양쪽을 갖는다. 도 13(a)와 도 13(b)의 차이는, 도 13(b)에서는, 정전 척(25) 쪽의 전열 가스의 도입구에 움푹한 곳이 있는 것에 비하여, 도 13(a)에서는, 정전 척(25) 쪽의 전열 가스의 도입구는 플랫인 점이다.
즉, 변형예 2와 관련되는 포커스 링(30)의 하면은, 포커스 링(30)이 정전 척(25)의 주연부 상에 대향하여 마련될 때에, 정전 척(25)의 주연부(25b)의 경사에 추종하는 방향으로 소정의 범위만큼 경사하는 경사부(30a)를 갖는다. 경사부(30a)에 있어서의 포커스 링(30)의 하면의 경사는, 도 2의 S에 나타내는 바와 같이, 10㎛~20㎛의 범위에서 외주측으로 내려간다. 다시 말해, 수평 방향에 대한 경사각 θ는, 경사가 10㎛일 때에 약 0.03°, 20㎛일 때에 약 0.06°, 다시 말해, 0.03°~0.06°의 범위의 각도인 것이 바람직하다.
도 13(a) 및 도 13(b)에 나타내는 바와 같이, 변형예 2와 관련되는 포커스 링(30)의 상면은, 변형예 1과 관련되는 포커스 링(30)과 동일 구성이고, 제 1 평탄부(30h)와 제 1 평탄부(30h)보다 낮은 제 2 평탄부(30i)를 갖는다. 제 1 평탄부(30h)는, 제 2 평탄부(30i)보다 웨이퍼 W 쪽에서 웨이퍼 W의 주연을 둘러싸도록 배치된다. 제 1 평탄부(30h)의 폭 D는, 시스에 상당하는 두께 또는 그 이상이고, 제 1 평탄부(30h)는, 5㎜~10㎜의 범위의 폭 또는 10㎜ 이상의 폭인 것이 바람직하다.
이러한 구성에 의해, 변형예 2와 관련되는 포커스 링(30)은, 본 발명의 일 실시 형태와 관련되는 포커스 링(30)의 하면과 관련되는 특징과, 변형예 1과 관련되는 포커스 링(30)의 상면과 관련되는 특징을 갖는다. 이것에 의해, 변형예 2와 관련되는 포커스 링(30)에 의하면, 전열 가스의 누출을 보다 저감할 수 있다. 또한, 에칭 형상의 틸팅의 발생을 방지하고, 에칭 레이트의 균일성을 도모할 수 있다.
또, 변형예 2와 관련되는 포커스 링(30)을 상기 실시 형태에서 설명한 기판 처리 장치(1)에 적용하는 것이 가능하다. 이것에 의해, 전열 가스의 누출량을 보다 저감할 수 있다. 또한, 포커스 링(30)이 플라즈마 처리에 의해 소모된 후에 있어서도, 에칭 형상의 틸팅의 발생을 방지하고, 에칭 레이트의 균일성을 도모할 수 있다.
이상, 포커스 링 및 기판 처리 장치를 상기 실시 형태에 의해 설명했지만, 본 발명과 관련되는 포커스 링 및 기판 처리 장치는 상기 실시 형태로 한정되는 것이 아니고, 본 발명의 범위 내에서 여러 가지의 변형 및 개량이 가능하다. 상기 복수의 실시 형태에 기재된 사항은, 모순되지 않는 범위에서 조합할 수 있다.
예컨대, 본 발명은, 도 1의 평행 평판형 2주파 인가 장치뿐만 아니라, 그 외의 기판 처리 장치에 적용 가능하다. 그 외의 기판 처리 장치로서는, 용량 결합형 플라즈마(CCP : Capacitively Coupled Plasma) 장치, 유도 결합형 플라즈마(ICP : Inductively Coupled Plasma) 처리 장치, 래디얼 라인 슬롯 안테나를 이용한 기판 처리 장치, 헬리콘파 여기형 플라즈마(HWP : Helicon Wave Plasma) 장치, 전자 사이클로트론 공명 플라즈마(ECR : Electron Cyclotron Resonance Plasma) 장치, 표면파 기판 처리 장치 등이더라도 좋다.
본 명세서에서는, 에칭 대상의 기판으로서 반도체 웨이퍼 W에 대하여 설명했지만, 이것에 한하지 않고, LCD(Liquid Crystal Display), FPD(Flat Panel Display) 등에 이용되는 각종 기판이나, 포토마스크, CD 기판, 프린트 기판 등이더라도 좋다.
1 : 기판 처리 장치
10 : 처리 용기
11 : 스테이지(하부 전극)
15 : 배플판
18 : 배기 장치
21 : 제 1 고주파 전원
22 : 제 2 고주파 전원
24 : 가스 샤워 헤드(상부 전극)
25 : 정전 척
30 : 포커스 링
25c : 전극판
25d : 전극판
26 : 직류 전원
28-1 : 직류 전원
28-2 : 직류 전원
30 : 포커스 링
30a : 경사부
30b : 홈부
30c~30f : 파츠
30g : 홈부
31 : 냉매실
32 : 칠러 유닛
35 : 전열 가스 공급부
70 : O링
71 : O링
W : 웨이퍼
H : 가스 구멍

Claims (16)

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  8. 처리실과,
    상기 처리실에 배치된 도전성 기재와,
    상기 도전성 기재 상에 배치되고, 중앙부와 상기 중앙부를 둘러싸는 고리 형상의 주연부를 구비하는, 정전 척과,
    상기 중앙부 아래에서 상기 도전성 기재와 상기 정전 척 사이에 배치된 하나 이상의 O링과,
    상기 주연부에서 상기 정전 척을 상기 도전성 기재에 고정하여, 상기 주연부를 수평 방향에 대해 0.03°~0.06°경사지게 하는, 하나 이상의 나사와,
    상기 정전 척의 주연부 상에 배치된 링을 포함하고,
    상기 링은 상기 정전 척의 중앙부 상에 위치된 기판을 둘러싸고, 실리콘 카바이드(SiC)에 의해 형성되고, 상기 정전 척의 주변부에 들어 맞는 경사진 하면을 갖고,
    상기 정전 척은 상기 링과 상기 주연부 사이의 공간으로 전열 가스를 공급하는 가스 구멍을 포함하고,
    상기 경사진 하면은 상기 가스 구멍 위에 마련되는 고리 형상의 홈부 또는 움푹한 곳(recess)을 포함하는
    기판 처리 장치.
  9. 제 8 항에 있어서,
    상기 경사진 하면은, 상기 정전 척의 주변부의 경사에 추종하는 방향으로 10㎛~20㎛의 범위에서 경사진
    기판 처리 장치.
  10. 제 8 항에 있어서,
    상기 홈부는, 상기 기판 처리 장치에 마련된 전열 가스의 공급 라인의 선단부의 상기 가스 구멍에 대향하는 위치에 마련되는
    기판 처리 장치.
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