KR102455673B1 - Focus ring and substrate processing apparatus - Google Patents

Focus ring and substrate processing apparatus Download PDF

Info

Publication number
KR102455673B1
KR102455673B1 KR1020170176664A KR20170176664A KR102455673B1 KR 102455673 B1 KR102455673 B1 KR 102455673B1 KR 1020170176664 A KR1020170176664 A KR 1020170176664A KR 20170176664 A KR20170176664 A KR 20170176664A KR 102455673 B1 KR102455673 B1 KR 102455673B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
focus ring
electrostatic chuck
periphery
heat transfer
delete delete
Prior art date
Application number
KR1020170176664A
Other languages
Korean (ko)
Other versions
KR20180076311A (en
Inventor
도시야 츠카하라
쥰지 이시바시
다케토시 도미오카
야스하루 사사키
요헤이 우치다
Original Assignee
도쿄엘렉트론가부시키가이샤
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 filed Critical 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
Publication of KR20180076311A publication Critical patent/KR20180076311A/en
Application granted granted Critical
Publication of KR102455673B1 publication Critical patent/KR102455673B1/en

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/687—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches
    • H01L21/68714—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support
    • H01L21/68721—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support characterised by edge clamping, e.g. clamping ring
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67098—Apparatus for thermal treatment
    • H01L21/67103—Apparatus for thermal treatment mainly by conduction
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/6831—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using electrostatic chucks

Abstract

(과제) 전열 가스의 누출을 저감하는 것을 목적으로 한다.
(해결 수단) 기판 처리 장치의 처리실 내의 스테이지의 위에 탑재된 기판의 주연을 둘러싸는 포커스 링으로서, 상기 포커스 링의 하면은, 상기 스테이지의 주연부의 위에 대향하여 마련되는 때에, 상기 스테이지의 주연부의 경사에 추종하는 방향으로 소정의 범위에서 경사진 경사부를 갖는, 포커스 링이 제공된다.(Project) It aims at reducing the leakage of heat transfer gas.
(Solution Means) A focus ring surrounding a periphery of a substrate mounted on a stage in a processing chamber of a substrate processing apparatus, wherein a lower surface of the focus ring is provided opposite to the periphery of the stage, the inclination of the periphery of the stage A focus ring is provided, having an inclined portion inclined in a predetermined range in a direction following the .

Description

포커스 링 및 기판 처리 장치{FOCUS RING AND SUBSTRATE PROCESSING APPARATUS}FOCUS RING AND SUBSTRATE PROCESSING APPARATUS

본 발명은, 포커스 링 및 기판 처리 장치에 관한 것이다.The present invention relates to a focus ring and a substrate processing apparatus.

기판 처리 장치의 처리실 내에 있어서, 정전 척의 위에 탑재되는 기판의 주연에는, 기판을 둘러싸도록 포커스 링이 마련된다. 포커스 링은, 처리실 내에서 플라즈마 처리가 행해질 때에, 플라즈마를 웨이퍼 W의 표면으로 향해 수속하여, 처리의 효율을 향상시킨다.In the processing chamber of the substrate processing apparatus, a focus ring is provided around the periphery of the substrate mounted on the electrostatic chuck so as to surround the substrate. The focus ring converges the plasma toward the surface of the wafer W when plasma processing is performed in the processing chamber, thereby improving processing efficiency.

포커스 링은, 일반적으로 Si(실리콘)로 형성되고, 실리콘의 하면의 경사를 경사가 없는 플랫의 상태로부터 ±수 ㎛로 관리하고 있다. 근래에는 포커스 링의 수명의 연장을 목적으로 하여, SiC(실리콘 카바이드)로 대표되는, 보다 강성이 강한 재료가 포커스 링의 재료로서 채용되고 있다.The focus ring is generally formed of Si (silicon), and the inclination of the lower surface of the silicon is managed to be ± several micrometers from the flat state without inclination. In recent years, for the purpose of extending the life of the focus ring, a material with higher rigidity, typified by SiC (silicon carbide), has been adopted as the material of the focus ring.

정전 척의 주연부의 위에 배치되는 포커스 링의 하면에는, He(헬륨) 등의 전열 가스가 공급되고, 이것에 의해, 포커스 링의 온도가 제어된다. 특허 문헌 1에는, 공급된 전열 가스가 포커스 링과 정전 척의 극간으로부터 새는 양(리크량)의 증대를 억제하기 위해, 웨이퍼 반입출시 및 웨이퍼리스 드라이 클리닝(WLDC)시에, 포커스 링을 정전 흡착하는 것이 제안되고 있다.A heat transfer gas such as He (helium) is supplied to the lower surface of the focus ring disposed on the periphery of the electrostatic chuck, whereby the temperature of the focus ring is controlled. In Patent Document 1, in order to suppress an increase in the amount (leakage) of the supplied heat transfer gas leaking from the gap between the focus ring and the electrostatic chuck, the focus ring is electrostatically attracted during wafer loading and unloading and waferless dry cleaning (WLDC). that is being proposed

(선행 기술 문헌)(Prior art literature)

(특허 문헌)(Patent Literature)

(특허 문헌 1) 일본 특허 공개 2016-122740호 공보(Patent Document 1) Japanese Patent Laid-Open No. 2016-122740

(특허 문헌 2) 일본 특허 공개 2016-225588호 공보(Patent Document 2) Japanese Patent Laid-Open No. 2016-225588

정전 척은, 스테이지의 외주측에서 나사에 의해 스테이지의 위에 고정되는 관계상, 주연부가 중앙부보다 내려가는 구조를 갖는다. 그때, 포커스 링이 Si에 의해 형성되어 있는 경우, Si는 SiC보다 부드러운 물질이기 때문에, 포커스 링은, 정전 척의 경사에 들어맞는다. 이 때문에, 포커스 링과 정전 척의 극간이 좁아지고, 전열 가스가 새는 것을 억제할 수 있다.The electrostatic chuck has a structure in which the peripheral portion is lowered than the central portion in relation to being fixed on the stage by screws on the outer peripheral side of the stage. At that time, when the focus ring is formed of Si, since Si is a softer material than SiC, the focus ring conforms to the inclination of the electrostatic chuck. For this reason, the gap between the focus ring and the electrostatic chuck is narrowed, and leakage of the heat transfer gas can be suppressed.

그렇지만, 포커스 링이 SiC에 의해 형성되어 있는 경우, SiC는 Si보다 딱딱하기 때문에, 포커스 링과 정전 척의 극간이 좁아지지 않고, 전열 가스의 누출이 현저해진다고 하는 과제를 갖는다.However, when the focus ring is made of SiC, since SiC is harder than Si, the gap between the focus ring and the electrostatic chuck does not become narrow, and the heat transfer gas leaks significantly.

상기 과제에 대하여, 일 측면에서는, 본 발명은, 전열 가스의 누출을 저감하는 것을 목적으로 한다.With respect to the said subject, in one aspect, this invention aims at reducing the leakage of a heat transfer gas.

상기 과제를 해결하기 위해, 일 태양에 의하면, 기판 처리 장치의 처리실 내의 스테이지의 위에 탑재된 기판의 주연을 둘러싸는 포커스 링으로서, 상기 포커스 링의 하면은, 상기 스테이지의 주연부의 위에 대향하여 마련되는 때에, 상기 스테이지의 주연부의 경사에 추종하는 방향으로 소정의 범위에서 경사진 경사부를 갖는 포커스 링이 제공된다.In order to solve the above problems, according to one aspect, a focus ring surrounding a periphery of a substrate mounted on a stage in a processing chamber of a substrate processing apparatus, the lower surface of the focus ring being provided opposite to the periphery of the stage At this time, there is provided a focus ring having an inclined portion inclined in a predetermined range in a direction following the inclination of the periphery of the stage.

다른 태양에 의하면, 처리실 내의 스테이지와, 상기 스테이지의 위에 마련된 정전 척과, 상기 정전 척의 중앙부에 마련된 제 1 흡착 전극과, 상기 정전 척의 주연부에 마련된 제 2 흡착 전극과, 상기 정전 척의 위에 탑재된 기판의 주연을 둘러싸는 포커스 링을 갖고, 상기 포커스 링의 하면은, 상기 스테이지의 주연부의 위에 대향하여 마련되는 때에, 상기 스테이지의 주연부의 경사에 추종하는 방향으로 소정의 범위에서 경사진 경사부를 갖는 기판 처리 장치가 제공된다.According to another aspect, a stage in a processing chamber, an electrostatic chuck provided on the stage, a first adsorption electrode provided at a central portion of the electrostatic chuck, a second adsorption electrode provided at a periphery of the electrostatic chuck, and a substrate mounted on the electrostatic chuck Substrate processing having a focus ring surrounding a periphery, wherein a lower surface of the focus ring is provided oppositely on top of the periphery of the stage, and has an inclined portion inclined in a predetermined range in a direction following the inclination of the periphery of the stage. A device is provided.

다른 태양에 의하면, 기판 처리 장치의 처리실 내의 스테이지의 위에 탑재된 기판의 주연을 둘러싸는 포커스 링으로서, 상기 포커스 링의 상면은, 제 1 평탄부와 상기 제 1 평탄부보다 낮은 제 2 평탄부를 갖고, 상기 제 1 평탄부는, 상기 제 2 평탄부보다 기판 쪽에서 기판의 주연을 둘러싸도록 배치되고, 시스(sheath)에 상당하는 두께 이상의 폭을 갖는 포커스 링이 제공된다.According to another aspect, a focus ring surrounding a periphery of a substrate mounted on a stage in a processing chamber of a substrate processing apparatus, the upper surface of the focus ring having a first flat portion and a second flat portion lower than the first flat portion , the first flat portion is disposed so as to surround the periphery of the substrate on the substrate side rather than the second flat portion, and a focus ring having a width equal to or greater than a thickness corresponding to a sheath is provided.

다른 태양에 의하면, 기판 처리 장치의 처리실 내의 스테이지의 위에 탑재된 기판의 주연을 둘러싸는 포커스 링으로서, 상기 포커스 링의 하면은, 상기 스테이지의 주연부의 위에 대향하여 마련되는 때에, 상기 스테이지의 주연부의 경사에 추종하는 방향으로 소정의 범위에서 경사진 경사부를 갖고, 상기 포커스 링의 상면은, 제 1 평탄부와 상기 제 1 평탄부보다 낮은 제 2 평탄부를 갖고, 상기 제 1 평탄부는, 상기 제 2 평탄부보다 기판 쪽에서 기판의 주연을 둘러싸도록 배치되고, 시스에 상당하는 두께 이상의 폭을 갖는 포커스 링이 제공된다.According to another aspect, a focus ring surrounding a periphery of a substrate mounted on a stage in a processing chamber of a substrate processing apparatus, wherein a lower surface of the focus ring is provided opposite to the periphery of the stage, the periphery of the stage an inclined portion inclined within a predetermined range in a direction following the inclination, wherein an upper surface of the focus ring has a first flat portion and a second flat portion lower than the first flat portion, wherein the first flat portion includes the second A focus ring is provided that is disposed so as to surround the periphery of the substrate on the substrate side rather than the flat portion, and has a width equal to or greater than the thickness of the sheath.

다른 태양에 의하면, 처리실 내의 스테이지와, 상기 스테이지의 위에 마련된 정전 척과, 상기 정전 척의 중앙부에 마련된 제 1 흡착 전극과, 상기 정전 척의 주연부에 마련된 제 2 흡착 전극과, 상기 정전 척의 위에 탑재된 기판의 주연을 둘러싸는 포커스 링을 갖고, 상기 포커스 링의 상면은, 제 1 평탄부와 상기 제 1 평탄부보다 낮은 제 2 평탄부를 갖고, 상기 제 1 평탄부는, 상기 제 2 평탄부보다 기판 쪽에서 기판의 주연을 둘러싸도록 배치되고, 시스에 상당하는 두께 이상의 폭을 갖는 기판 처리 장치가 제공된다.According to another aspect, a stage in a processing chamber, an electrostatic chuck provided on the stage, a first adsorption electrode provided at a central portion of the electrostatic chuck, a second adsorption electrode provided at a periphery of the electrostatic chuck, and a substrate mounted on the electrostatic chuck a focus ring encircling a periphery, wherein an upper surface of the focus ring has a first flat portion and a second flat portion lower than the first flat portion, wherein the first flat portion is disposed on the substrate side from the second flat portion There is provided a substrate processing apparatus disposed so as to surround a periphery and having a width equal to or greater than a thickness corresponding to the sheath.

다른 태양에 의하면, 처리실 내의 스테이지와, 상기 스테이지의 위에 마련된 정전 척과, 상기 정전 척의 중앙부에 마련된 제 1 흡착 전극과, 상기 정전 척의 주연부에 마련된 제 2 흡착 전극과, 상기 정전 척의 위에 탑재된 기판의 주연을 둘러싸는 포커스 링을 갖고, 상기 포커스 링의 하면은, 상기 스테이지의 주연부의 위에 대향하여 마련되는 때에, 상기 스테이지의 주연부의 경사에 추종하는 방향으로 소정의 범위에서 경사진 경사부를 갖고, 상기 포커스 링의 상면은, 제 1 평탄부와 상기 제 1 평탄부보다 낮은 제 2 평탄부를 갖고, 상기 제 1 평탄부는, 상기 제 2 평탄부보다 기판 쪽에서 기판의 주연을 둘러싸도록 배치되고, 시스에 상당하는 두께 이상의 폭을 갖는 기판 처리 장치가 제공된다.According to another aspect, a stage in a processing chamber, an electrostatic chuck provided on the stage, a first adsorption electrode provided at a central portion of the electrostatic chuck, a second adsorption electrode provided at a periphery of the electrostatic chuck, and a substrate mounted on the electrostatic chuck a focus ring surrounding a periphery, wherein a lower surface of the focus ring has an inclined portion inclined in a predetermined range in a direction following the inclination of the periphery portion of the stage when provided opposite to the periphery portion of the stage; The upper surface of the focus ring has a first flat portion and a second flat portion lower than the first flat portion, and the first flat portion is disposed to surround the periphery of the substrate on the substrate side from the second flat portion, and corresponds to the sheath A substrate processing apparatus having a width equal to or greater than the thickness of the substrate is provided.

일 측면에 의하면, 전열 가스의 누출을 저감할 수 있다.According to one aspect, it is possible to reduce the leakage of the heat transfer gas.

도 1은 일 실시 형태와 관련되는 기판 처리 장치의 일례를 나타내는 도면.
도 2는 일 실시 형태와 관련되는 포커스 링의 하면의 형상의 일례를 나타내는 도면.
도 3은 일 실시 형태와 관련되는 정전 척의 휘어짐의 일례를 나타내는 도면.
도 4는 일 실시 형태와 관련되는 정전 척의 휘어짐의 양의 일례를 나타내는 도면.
도 5는 일 실시 형태와 관련되는 포커스 링에 의한 전열 가스의 누출량을 계측하기 위한 조건의 일례를 나타내는 도면.
도 6은 일 실시 형태와 관련되는 포커스 링에 의한 전열 가스의 누출량의 일례를 나타내는 도면.
도 7은 일 실시 형태와 관련되는 포커스 링의 재료의 일례와 물성치(物性値)를 나타내는 도면.
도 8은 일 실시 형태와 관련되는 포커스 링과 온도 균일성의 일례를 나타내는 도면.
도 9는 일 실시 형태와 관련되는 포커스 링의 다른 예를 나타내는 도면.
도 10은 포커스 링의 소모에 의한 에칭 형상의 틸팅을 설명하기 위한 도면.
도 11은 일 실시 형태와 관련되는 포커스 링에 의한 전열 가스의 누출량의 일례를 나타내는 도면.
도 12는 일 실시 형태의 변형예 1과 관련되는 포커스 링의 일례를 나타내는 도면.
도 13은 일 실시 형태의 변형예 2와 관련되는 포커스 링의 일례를 나타내는 도면.BRIEF DESCRIPTION OF THE DRAWINGS It is a figure which shows an example of the substrate processing apparatus which concerns on one Embodiment.
Fig. 2 is a view showing an example of a shape of a lower surface of a focus ring according to an embodiment;
3 is a view showing an example of warpage of the electrostatic chuck according to the embodiment;
4 is a diagram illustrating an example of an amount of warpage of the electrostatic chuck according to the embodiment;
Fig. 5 is a diagram showing an example of conditions for measuring a leakage amount of a heat transfer gas by a focus ring according to an embodiment;
Fig. 6 is a diagram showing an example of the amount of leakage of heat transfer gas by the focus ring according to the embodiment;
Fig. 7 is a diagram showing an example of a material for a focus ring according to an embodiment and physical properties thereof;
It is a figure which shows an example of the focus ring which concerns on one Embodiment, and temperature uniformity.
It is a figure which shows another example of the focus ring which concerns on one Embodiment.
Fig. 10 is a view for explaining tilting of an etching shape due to consumption of a focus ring;
11 is a diagram showing an example of the amount of leakage of heat transfer gas by the focus ring according to the embodiment;
Fig. 12 is a view showing an example of a focus ring according to Modification Example 1 of one embodiment;
Fig. 13 is a diagram showing an example of a focus ring according to a second modification of the embodiment;

이하, 본 발명을 실시하기 위한 형태에 대하여 도면을 참조하여 설명한다. 또, 본 명세서 및 도면에 있어서, 실질적으로 동일한 구성에 대해서는, 동일한 부호를 붙이는 것에 의해 중복된 설명을 생략한다.EMBODIMENT OF THE INVENTION Hereinafter, the form for implementing this invention is demonstrated with reference to drawings. In addition, in this specification and drawing, about the substantially same structure, the overlapping description is abbreviate|omitted by attaching|subjecting the same code|symbol.

[기판 처리 장치의 전체 구성][Overall Configuration of Substrate Processing Unit]

도 1은 일 실시 형태와 관련되는 기판 처리 장치(1)의 개략 구성을 나타내는 단면도이다. 또, 본 실시 형태에서는, 본원이 개시하는 기판 처리 장치(1)가 RIE(Reactive Ion Etching)형의 기판 처리 장치(1)인 예에 대하여 설명한다. 단, 기판 처리 장치(1)는, 표면파 플라즈마를 이용한 플라즈마 에칭 장치나 플라즈마 CVD 장치 등에 적용되더라도 좋다.1 is a cross-sectional view showing a schematic configuration of a substrate processing apparatus 1 according to an embodiment. In addition, in this embodiment, the example which the substrate processing apparatus 1 disclosed by this application is the RIE(Reactive Ion Etching) type|mold substrate processing apparatus 1 is demonstrated. However, the substrate processing apparatus 1 may be applied to a plasma etching apparatus using surface wave plasma, a plasma CVD apparatus, or the like.

기판 처리 장치(1)는, 금속제, 예컨대, 알루미늄 또는 스테인리스강제의 원통형의 처리 용기(10)를 갖고, 그 내부는, 플라즈마 에칭이나 플라즈마 CVD 등의 플라즈마 처리가 행해지는 처리실로 되어 있다. 처리 용기(10)는 접지되어 있다.The substrate processing apparatus 1 has a cylindrical processing chamber 10 made of metal, for example, aluminum or stainless steel, and the inside thereof is a processing chamber in which plasma processing such as plasma etching or plasma CVD is performed. The processing vessel 10 is grounded.

처리 용기(10)의 내부에는, 피처리체(기판)로서의 웨이퍼 W를 탑재하는 원판 형상의 스테이지(하부 전극)(11)가 배치되어 있다. 이 스테이지(11)는, 기재(11a)를 갖고, 기재(11a)의 위에 정전 척(25)을 갖는다. 기재(11a)는, 예컨대, 알루미늄으로 이루어지고, 절연성의 통 형상 유지 부재(12)를 통해서 처리 용기(10)의 바닥으로부터 수직 위쪽으로 연장되는 통 형상 지지부(13)에 지지되어 있다.Inside the processing container 10, a disk-shaped stage (lower electrode) 11 on which a wafer W as a processing target (substrate) is mounted is arranged. This stage 11 has a base material 11a and an electrostatic chuck 25 on the base material 11a. The base material 11a is made of, for example, aluminum and is supported by a cylindrical support 13 extending vertically upward from the bottom of the processing container 10 via an insulating cylindrical holding member 12 .

처리 용기(10)의 측벽과 통 형상 지지부(13)의 사이에는 배기로(14)가 형성되어 있다. 배기로(14)의 입구 또는 도중에 고리 형상의 배플판(15)이 배치됨과 아울러, 저부에 배기구(16)가 마련되어 있다. 배기구(16)에는, 배기관(17)을 거쳐서 배기 장치(18)가 접속되어 있다. 배기 장치(18)는, 진공 펌프를 갖고, 처리 용기(10) 내의 처리 공간을 소정의 진공도까지 감압한다. 또한, 배기관(17)은 가변식 버터플라이 밸브인 자동 압력 제어 밸브(automatic pressure control valve)(이하, 「APC」라고 한다)를 갖고, APC는 자동적으로 처리 용기(10) 내의 압력 제어를 행한다. 또한, 처리 용기(10)의 측벽에는, 웨이퍼 W의 반입출구(19)를 개폐하는 게이트 밸브(20)가 설치되어 있다.An exhaust passage 14 is formed between the side wall of the processing container 10 and the cylindrical support 13 . An annular baffle plate 15 is disposed at the inlet or in the middle of the exhaust passage 14 , and an exhaust port 16 is provided at the bottom. An exhaust device 18 is connected to the exhaust port 16 via an exhaust pipe 17 . The exhaust device 18 includes a vacuum pump and depressurizes the processing space in the processing container 10 to a predetermined vacuum level. In addition, the exhaust pipe 17 has an automatic pressure control valve (hereinafter referred to as "APC") which is a variable butterfly valve, and the APC automatically controls the pressure in the processing vessel 10 . Further, a gate valve 20 for opening and closing the inlet/outlet 19 of the wafer W is provided on the sidewall of the processing container 10 .

스테이지(11)에는, 플라즈마 생성 및 RIE용의 제 1 고주파 전원(21)이 정합기(21a)를 거쳐서 전기적으로 접속되어 있다. 제 1 고주파 전원(21)은, 소정의 제 1 고주파 전력, 예컨대, 40㎒의 주파수의 전력을 스테이지(11)에 인가한다.A first high frequency power supply 21 for plasma generation and RIE is electrically connected to the stage 11 via a matching unit 21a. The first high frequency power supply 21 applies a predetermined first high frequency power, for example, power having a frequency of 40 MHz to the stage 11 .

스테이지(11)에는, 바이어스 인가용의 제 2 고주파 전원(22)이 정합기(22a)를 거쳐서 전기적으로 접속되어 있다. 제 2 고주파 전원(22)은, 제 1 고주파보다 낮은 제 2 고주파 전력, 예컨대, 3㎒의 주파수의 전력을 스테이지(11)에 인가한다.A second high frequency power supply 22 for bias application is electrically connected to the stage 11 via a matching device 22a. The second high frequency power supply 22 applies second high frequency power lower than the first high frequency power, for example, power of a frequency of 3 MHz to the stage 11 .

또한, 처리 용기(10)의 천정부에는, 후술하는 접지 전위의 상부 전극으로서의 가스 샤워 헤드(24)가 배치되어 있다. 이것에 의해, 제 1 고주파 전원(21)으로부터의 고주파 전력이 스테이지(11)와 가스 샤워 헤드(24)의 사이에 인가된다.In addition, a gas shower head 24 serving as an upper electrode of a ground potential, which will be described later, is disposed on the ceiling of the processing container 10 . Thereby, the high frequency power from the first high frequency power supply 21 is applied between the stage 11 and the gas shower head 24 .

스테이지(11)의 상면에는 웨이퍼 W를 정전 흡착력으로 흡착하는 정전 척(25)이 배치되어 있다. 이 정전 척(25)은, 웨이퍼 W가 탑재되는 원판 형상의 중앙부(25a)와, 고리 형상의 주연부(25b)로 이루어지고, 중앙부(25a)의 높이는 주연부(25b)의 높이보다 높게 되어 있다. 주연부(25b)의 상면에는, 기판의 주연을 고리 형상으로 둘러싸는 포커스 링(30)이 탑재되어 있다.An electrostatic chuck 25 for adsorbing the wafer W by an electrostatic attraction force is disposed on the upper surface of the stage 11 . The electrostatic chuck 25 includes a disk-shaped central portion 25a on which the wafer W is mounted, and an annular peripheral portion 25b, and the height of the central portion 25a is higher than the height of the peripheral portion 25b. A focus ring 30 is mounted on the upper surface of the peripheral portion 25b to surround the periphery of the substrate in an annular shape.

또한, 중앙부(25a)는, 도전막으로 이루어지는 전극판(25c)을 한 쌍의 유전막의 사이에 끼워 넣는 것에 의해 구성된다. 주연부(25b)는, 도전막으로 이루어지는 전극판(25d)을 한 쌍의 유전막의 사이에 끼워 넣는 것에 의해 구성된다. 전극판(25c)에는 직류 전원(26)이 스위치(27)를 거쳐서 전기적으로 접속되어 있다. 전극판(25d)에는 직류 전원(28-1, 28-2)이 스위치(29-1, 29-2)를 거쳐서 전기적으로 접속되어 있다. 그리고, 정전 척(25)은, 직류 전원(26)으로부터 전극판(25c)에 인가된 DC 전압에 의해 쿨롱력 등의 정전력을 발생시키고, 정전력에 의해 정전 척(25)에 웨이퍼 W를 흡착 유지한다. 또한, 정전 척(25)은, 직류 전원(28-1, 28-2)으로부터 전극판(25d)에 인가된 DC 전압에 의해 쿨롱력 등의 정전력을 발생시키고, 정전력에 의해 정전 척(25)에 포커스 링(30)을 흡착 유지한다. 전극판(25c)은, 정전 척(25)의 중앙부(25a)에 마련된 제 1 흡착 전극의 일례이고, 전극판(25d)은, 정전 척(25)의 주연부(25b)에 마련된 제 2 흡착 전극의 일례이다.Further, the central portion 25a is constituted by sandwiching an electrode plate 25c made of a conductive film between a pair of dielectric films. The peripheral portion 25b is formed by sandwiching an electrode plate 25d made of a conductive film between a pair of dielectric films. A DC power supply 26 is electrically connected to the electrode plate 25c via a switch 27 . DC power supplies 28-1 and 28-2 are electrically connected to the electrode plate 25d via switches 29-1 and 29-2. Then, the electrostatic chuck 25 generates an electrostatic force such as a Coulomb force by the DC voltage applied to the electrode plate 25c from the DC power supply 26 , and applies the wafer W to the electrostatic chuck 25 by the electrostatic force. keep adsorption. In addition, the electrostatic chuck 25 generates an electrostatic force such as a Coulomb force by the DC voltage applied to the electrode plate 25d from the DC power sources 28-1 and 28-2, and uses the electrostatic force to generate the electrostatic chuck ( 25), the focus ring 30 is adsorbed and held. The electrode plate 25c is an example of a first absorption electrode provided in the central portion 25a of the electrostatic chuck 25 , and the electrode plate 25d is a second absorption electrode provided in the peripheral portion 25b of the electrostatic chuck 25 . is an example of

스테이지(11)의 내부에는, 예컨대, 원주 방향으로 연장되는 고리 형상의 냉매실(31)이 마련되어 있다. 이 냉매실(31)에는, 칠러 유닛(32)으로부터 배관(33, 34)을 거쳐서 소정 온도의 냉매, 예컨대, 냉각수가 순환 공급되고, 해당 냉매의 온도에 의해 정전 척(25) 상의 웨이퍼 W의 처리 온도를 제어한다.Inside the stage 11, for example, an annular refrigerant chamber 31 extending in the circumferential direction is provided. A refrigerant of a predetermined temperature, for example, cooling water, is circulated and supplied from the chiller unit 32 through the pipes 33 and 34 from the chiller unit 31 , and the wafer W on the electrostatic chuck 25 is cooled by the temperature of the refrigerant. Control the processing temperature.

또한, 정전 척(25)에는, 가스 공급 라인(36)을 거쳐서 전열 가스 공급부(35)가 접속되어 있다. 가스 공급 라인(36)은, 정전 척(25)의 중앙부(25a)에 도달하는 웨이퍼 쪽 라인(36a)과, 정전 척(25)의 주연부(25b)에 도달하는 포커스 링 쪽 라인(36b)으로 분기되어 있다.Further, a heat transfer gas supply unit 35 is connected to the electrostatic chuck 25 via a gas supply line 36 . The gas supply line 36 has a wafer side line 36a reaching the central portion 25a of the electrostatic chuck 25 and a focus ring side line 36b reaching the periphery 25b of the electrostatic chuck 25 . is branched

전열 가스 공급부(35)는, 웨이퍼 쪽 라인(36a)을 이용하여, 정전 척(25)의 중앙부(25a)와, 웨이퍼 W의 사이에 있는 공간에 전열 가스를 공급한다. 또한, 전열 가스 공급부(35)는, 포커스 링 쪽 라인(36b)을 이용하여, 정전 척(25)의 주연부(25b)와, 포커스 링(30)의 사이에 있는 공간에 전열 가스를 공급한다. 전열 가스로서는, 열전도성을 갖는 가스, 예컨대, He 가스 등이 적합하게 이용된다.The heat transfer gas supply unit 35 supplies the heat transfer gas to the space between the central portion 25a of the electrostatic chuck 25 and the wafer W using the wafer side line 36a. In addition, the heat transfer gas supply unit 35 supplies the heat transfer gas to a space between the periphery 25b of the electrostatic chuck 25 and the focus ring 30 using the focus ring side line 36b. As the heat transfer gas, a gas having thermal conductivity, such as He gas, is preferably used.

천정부의 가스 샤워 헤드(24)는, 하면의 전극판(37)과, 그 전극판(37)을 탈착 가능하게 지지하는 전극 지지체(38)를 갖는다. 전극판(37)은, 다수의 가스 통기 구멍(37a)을 갖는다. 또한, 그 전극 지지체(38)의 내부에는 버퍼실(39)이 마련되고, 이 버퍼실(39)의 가스 도입구(38a)에는 처리 가스 공급부(40)로부터의 가스 공급 배관(41)이 접속되어 있다. 또한, 처리 용기(10)의 주위에는, 고리 형상 또는 동심 형상으로 연장되는 자석(42)이 배치되어 있다.The gas shower head 24 on the ceiling includes an electrode plate 37 on a lower surface and an electrode support body 38 for detachably supporting the electrode plate 37 . The electrode plate 37 has a plurality of gas vent holes 37a. In addition, a buffer chamber 39 is provided inside the electrode support body 38 , and a gas supply pipe 41 from the processing gas supply unit 40 is connected to the gas inlet 38a of the buffer chamber 39 . has been In addition, a magnet 42 extending in an annular or concentric shape is disposed around the processing container 10 .

기판 처리 장치(1)의 각 구성 요소는, 제어부(43)에 접속되어 있다. 제어부(43)는, 기판 처리 장치(1)의 각 구성 요소를 제어한다. 각 구성 요소로서는, 예컨대, 배기 장치(18), 제 1 고주파 전원(21), 제 2 고주파 전원(22), 정전 척용의 스위치(27, 29-1, 29-2), 직류 전원(26, 28-1, 28-2), 칠러 유닛(32), 전열 가스 공급부(35) 및 처리 가스 공급부(40) 등을 들 수 있다.Each component of the substrate processing apparatus 1 is connected to the control part 43 . The control unit 43 controls each component of the substrate processing apparatus 1 . As each component, for example, the exhaust device 18, the 1st high frequency power supply 21, the 2nd high frequency power supply 22, the switches 27, 29-1, 29-2 for electrostatic chucks, the DC power supply 26, 28-1, 28-2), the chiller unit 32, the heat transfer gas supply unit 35, the processing gas supply unit 40, and the like.

제어부(43)는, CPU(43a) 및 메모리(43b)(기억 장치)를 구비하고, 메모리(43b)에 기억된 프로그램 및 처리 레시피를 읽어내어 실행함으로써, 기판 처리 장치(1)에 있어서 소망하는 기판 처리를 제어한다. 또한, 제어부(43)는, 기판 처리에 따라, 포커스 링(30)을 정전 흡착하기 위한 정전 흡착 처리나, 전열 가스를 공급하는 전열 가스 공급 처리를 제어한다.The control unit 43 includes a CPU 43a and a memory 43b (storage device), and reads and executes a program and a processing recipe stored in the memory 43b , thereby providing a desired value in the substrate processing apparatus 1 . Controls substrate processing. In addition, the control unit 43 controls an electrostatic adsorption process for electrostatically adsorbing the focus ring 30 and a heat transfer gas supply process for supplying a heat transfer gas according to the substrate processing.

기판 처리 장치(1)의 처리 용기(10) 내에서는, 자석(42)에 의해 한 방향으로 향하는 수평 자계가 형성된다. 또한, 스테이지(11)와 가스 샤워 헤드(24)의 사이에 인가된 고주파 전력에 의해 연직 방향의 RF 전계가 형성된다. 이것에 의해, 처리 용기(10) 내에 있어서 처리 가스를 통한 마그네트론 방전이 행해지고, 스테이지(11)의 표면 근방에 있어서 처리 가스로부터 고밀도의 플라즈마가 생성된다.In the processing vessel 10 of the substrate processing apparatus 1 , a horizontal magnetic field directed in one direction is formed by the magnet 42 . In addition, an RF electric field in the vertical direction is formed by the high frequency power applied between the stage 11 and the gas shower head 24 . As a result, magnetron discharge through the processing gas is performed in the processing chamber 10 , and high-density plasma is generated from the processing gas in the vicinity of the surface of the stage 11 .

기판 처리 장치(1)에서는, 드라이 에칭 처리시, 먼저 게이트 밸브(20)를 개방 상태로 하여 가공 대상의 웨이퍼 W를 처리 용기(10) 내에 반입하고, 정전 척(25)의 위에 탑재한다. 그리고, 처리 가스 공급부(40)에서 처리 가스(예컨대, 소정의 유량 비율의 C4F8 가스, O2 가스 및 Ar 가스로 이루어지는 혼합 가스)를 소정의 유량 및 유량비로 처리 용기(10) 내에 도입하고, 배기 장치(18) 등에 의해 처리 용기(10) 내의 압력을 소정치로 한다. 또한, 제 1 고주파 전원(21) 및 제 2 고주파 전원(22)에서 고주파 전력을 스테이지(11)에 공급하고, 직류 전원(26)에서 DC 전압을 정전 척(25)의 전극판(25c)에 인가하고, 웨이퍼 W를 정전 척(25) 상에 흡착한다. 전열 가스를 웨이퍼 W 및 포커스 링(30)의 이면에 공급한다. 그리고, 가스 샤워 헤드(24)에 의해 토출된 처리 가스가 플라즈마화하고, 플라즈마 중의 라디칼이나 이온에 의해 웨이퍼 W의 표면에 소정의 플라즈마 처리가 행해진다.In the substrate processing apparatus 1 , in the dry etching process, first, the gate valve 20 is opened, the wafer W to be processed is loaded into the processing container 10 , and is mounted on the electrostatic chuck 25 . Then, the processing gas supply unit 40 introduces a processing gas (eg, a mixed gas composed of C 4 F 8 gas, O 2 gas, and Ar gas at a predetermined flow rate ratio) into the processing vessel 10 at a predetermined flow rate and flow rate ratio. Then, the pressure in the processing container 10 is set to a predetermined value by the exhaust device 18 or the like. In addition, the first high frequency power supply 21 and the second high frequency power supply 22 supply high frequency power to the stage 11 , and the DC voltage from the DC power supply 26 is applied to the electrode plate 25c of the electrostatic chuck 25 . is applied, and the wafer W is sucked on the electrostatic chuck 25 . A heat transfer gas is supplied to the wafer W and the back surface of the focus ring 30 . Then, the processing gas discharged by the gas shower head 24 is converted into plasma, and a predetermined plasma treatment is performed on the surface of the wafer W by radicals and ions in the plasma.

[포커스 링의 경사부][Slope of focus ring]

다음으로, 본 실시 형태와 관련되는 포커스 링(30)의 구성에 대하여, 도 2를 참조하면서 설명한다. 본 실시 형태와 관련되는 포커스 링(30)의 하면은, 포커스 링(30)이 정전 척(25)의 주연부(25b)의 위에 대향하여 마련될 때에, 정전 척(25)의 주연부(25b)의 경사에 추종하는 방향으로 소정의 범위만큼 경사진 경사부(30a)를 갖는다.Next, the configuration of the focus ring 30 according to the present embodiment will be described with reference to FIG. 2 . The lower surface of the focus ring 30 according to the present embodiment has a lower surface of the periphery 25b of the electrostatic chuck 25 when the focus ring 30 is provided opposite to the periphery 25b of the electrostatic chuck 25 . The inclined portion 30a is inclined by a predetermined range in a direction following the inclination.

정전 척(25)은, 도 3에 나타내는 바와 같이, 정전 척(25)의 주연부(25b)에서 나사(72)로 기재(11a)에 고정되어 있다. 포커스 링(30)은, 나사(72) 상의 정전 척(25)의 부분(25f)을 사이에 두고 주연부(25b)의 위에 설치된다.As shown in FIG. 3 , the electrostatic chuck 25 is fixed to the base material 11a with screws 72 at the periphery 25b of the electrostatic chuck 25 . The focus ring 30 is provided on the peripheral portion 25b with the portion 25f of the electrostatic chuck 25 on the screw 72 interposed therebetween.

나사(72)로 고정된 부분보다 안쪽의, 기재(11a)와 정전 척(25)의 사이에는, 내주측의 O링(70) 및 주연부의 O링(71)이 마련되어 있다. 이와 같은 구조에 의해, 정전 척(25)의 중앙부(25a) 쪽의 O링(70)의 반력 및 주연부(25b) 쪽의 O링(71)의 반력과 나사(72)에 의한 고정에 의해, 정전 척(25)의 중앙부(25a)는 주연부(25b)보다 솟아오른다. 이것에 의해, 정전 척(25)은, 그 주연부(25b)가 중앙부(25a)보다 낮아지는 형상으로 변형한다.An O-ring 70 on the inner periphery and an O-ring 71 on the periphery are provided between the base 11a and the electrostatic chuck 25 on the inner side of the portion fixed with the screw 72 . With such a structure, the reaction force of the O-ring 70 on the central portion 25a side of the electrostatic chuck 25 and the reaction force of the O-ring 71 on the peripheral portion 25b side of the electrostatic chuck 25 and fixing by the screw 72, The central portion 25a of the electrostatic chuck 25 rises above the peripheral portion 25b. As a result, the electrostatic chuck 25 is deformed into a shape in which the peripheral portion 25b is lower than the central portion 25a.

도 4는 일 실시 형태와 관련되는 정전 척(25)의 휘어짐의 양의 일례를 나타낸다. 도 4는 정전 척(25)의 포커스 링 흡착면(주연부(25b))의 휘어짐의 상태를 나타낸다. 이것에 의하면, 정전 척(25)의 포커스 링 흡착면에 휘어짐이 생기고 있는 것을 알 수 있다.4 shows an example of the amount of warp of the electrostatic chuck 25 according to the embodiment. FIG. 4 shows the bending state of the focus ring adsorption surface (peripheral portion 25b) of the electrostatic chuck 25 . According to this, it can be seen that warpage is occurring in the focus ring adsorption surface of the electrostatic chuck 25 .

본 실시 형태와 관련되는 포커스 링(30)이 SiC에 의해 형성되어 있는 경우, SiC는 Si보다 딱딱하기 때문에, 정전 척(25)의 경사에 들어맞지 않는다. 이 때문에, 포커스 링(30)의 이면에 경사를 마련하지 않으면, 정전 척(25)과의 극간이 밀착되지 않고, 전열 가스가 샌다고 하는 문제가 생긴다.When the focus ring 30 according to the present embodiment is formed of SiC, since SiC is harder than Si, it does not conform to the inclination of the electrostatic chuck 25 . For this reason, unless an inclination is provided on the back surface of the focus ring 30 , the gap with the electrostatic chuck 25 does not come into close contact and a problem arises that the heat transfer gas leaks.

그래서, 본 실시 형태와 관련되는 포커스 링(30)은, 정전 척(25)의 주연부(25b)의 경사에 추종하는 방향으로 경사진 경사부(30a)를 갖는다. 이것에 의해, 포커스 링(30)과 정전 척(25)의 극간이 좁아지고, 전열 가스의 누출을 저감할 수 있다.Therefore, the focus ring 30 according to the present embodiment has the inclined portion 30a inclined in a direction to follow the inclination of the peripheral portion 25b of the electrostatic chuck 25 . Accordingly, the gap between the focus ring 30 and the electrostatic chuck 25 is narrowed, and leakage of the heat transfer gas can be reduced.

[포커스 링의 경사][Inclination of focus ring]

포커스 링(30)의 하면의 경사는, 포커스 링(30)의 지름 방향의 폭 중, 정전 척(25) 상에 실려 있는 폭+α를 나타내는 38㎜에 대하여, 도 2의 S에 나타내는 바와 같이, 10㎛~20㎛의 범위에서 외주측으로 내려간다. 다시 말해, 수평 방향에 대한 경사각 θ는, 경사가 10㎛일 때, 약 0.03°, 20㎛일 때, 약 0.06°, 다시 말해, 0.03°~0.06°의 범위인 것이 바람직하다. 이하, 이 범위의 수치가 바람직한 이유에 대하여 설명한다.The inclination of the lower surface of the focus ring 30 is as shown in S of FIG. 2 with respect to 38 mm indicating the width + α mounted on the electrostatic chuck 25 among the widths of the focus ring 30 in the radial direction. , descends toward the outer periphery in the range of 10 μm to 20 μm. In other words, the inclination angle θ with respect to the horizontal direction is preferably in the range of about 0.03° when the inclination is 10 μm, and about 0.06° when the inclination is 20 μm, that is, 0.03° to 0.06°. Hereinafter, the reason why the numerical value of this range is preferable is demonstrated.

포커스 링(30)의 하면의 경사의 정도를 바꾸어, 전열 가스의 누출량의 실험을 행했다. 그 실험의 조건을 도 5에 나타내고, 그 실험의 결과를 도 6에 나타낸다. 도 5에 나타내는 바와 같이, 전열 가스의 누출량의 실험은, (a) 조건 1, (b) 조건 2, (c) 조건 3의 상이한 3스텝에 대하여 행했다.The degree of inclination of the lower surface of the focus ring 30 was changed, and the amount of leakage of the heat transfer gas was tested. The conditions of the experiment are shown in FIG. 5 , and the results of the experiment are shown in FIG. 6 . As shown in FIG. 5 , the experiment of the amount of leakage of the heat transfer gas was performed for three different steps of (a) condition 1, (b) condition 2, and (c) condition 3.

(a) 조건 1에서는, 플라즈마 프로세스의 압력 조건이 10mT(1.33㎩), 제 1 고주파 전력의 실효 전력이 525W, 제 2 고주파 전력의 실효 전력이 4900W이다.(a) In condition 1, the pressure condition of the plasma process is 10 mT (1.33 Pa), the effective power of the first high frequency power is 525 W, and the effective power of the second high frequency power is 4900 W.

(b) 조건 2에서는, 플라즈마 프로세스의 압력 조건이 10mT(1.33㎩), 제 1 고주파 전력의 실효 전력이 300W, 제 2 고주파 전력의 실효 전력이 2800W이다.(b) In condition 2, the pressure condition of the plasma process is 10 mT (1.33 Pa), the effective power of the first high frequency power is 300 W, and the effective power of the second high frequency power is 2800 W.

(c) 조건 3에서는, 플라즈마 프로세스의 압력 조건이 15mT(2.00㎩), 제 1 고주파 전력의 실효 전력이 1200W, 제 2 고주파 전력의 실효 전력이 8400W이다.(c) In condition 3, the pressure condition of the plasma process is 15 mT (2.00 Pa), the effective power of the first high frequency power is 1200 W, and the effective power of the second high frequency power is 8400 W.

이 각 조건에 있어서, 기판 처리 장치(1)를 이용한 플라즈마 프로세스 중에 He 가스를 전열 가스로서 공급했다. 또한, 1대의 정전 척(25)을 이용하여 실험을 행했다. 도 6(a)~도 6(c)의 각각은, 1대의 정전 척(25)에 있어서의 실험 결과를 나타낸다. 도 6(a)~도 6(c)의 어느 에칭 처리의 경우에도, 가로축에 나타내는 포커스 링(30)의 하면의 경사를 바꾸었더니, 도 6(a)~도 6(c)의 세로축에 나타내는 He 가스의 누출량에 유사한 변화가 생겼다. 도 6의 가로축은 포커스 링(30)의 하면의 경사의 정도를 나타내고, 도 6의 세로축은 전열 가스(He)의 누출량을 나타낸다.In each of these conditions, He gas was supplied as a heat transfer gas during the plasma process using the substrate processing apparatus 1 . In addition, an experiment was conducted using one electrostatic chuck 25 . Each of FIGS. 6( a ) to 6 ( c ) shows the experimental results of one electrostatic chuck 25 . In the case of any of the etching processes of FIGS. 6(a) to 6(c), when the inclination of the lower surface of the focus ring 30 shown in the horizontal axis is changed, the inclination of the lower surface of the focus ring 30 shown in the horizontal axis is changed. A similar change occurred in the amount of He gas leakage. The horizontal axis of FIG. 6 represents the degree of inclination of the lower surface of the focus ring 30 , and the vertical axis of FIG. 6 represents the leakage amount of the heat transfer gas He.

가로축에 나타내는 값이 마이너스일 때, 포커스 링(30)의 하면은, 내주측이 외주측보다 낮아지도록 경사져 있다. 가로축에 나타내는 값이 플러스일 때, 포커스 링(30)의 하면은, 도 2의 S에 나타내는 바와 같이, 외주측이 내주측보다 10㎛~20㎛의 범위에서 낮아지도록 경사져 있다.When the value shown on the horizontal axis is negative, the lower surface of the focus ring 30 is inclined so that the inner circumference side is lower than the outer circumference side. When the value shown on the horizontal axis is positive, the lower surface of the focus ring 30 is inclined so that the outer periphery is lower than the inner periphery in the range of 10 µm to 20 µm, as shown in FIG. 2S .

이 결과, 도 6(a)의 조건 1, 도 6(b)의 조건 2, 도 6(c)의 조건 3의 어느 경우도, 전열 가스(He)의 누출량은 외주측이 내주측보다 10㎛~20㎛의 범위에서 낮아지도록 경사져 있을 때에 가장 적은 것을 알 수 있다. 다시 말해, 포커스 링(30)의 하면은, 포커스 링(30)의 지름 방향으로, 포커스 링(30)의 외주측이 내주측보다 내려가도록 경사지고, 또한 그 경사는, 상기에 나타낸 포커스 링(30)의 사이즈에 있어서 10㎛~20㎛의 범위인 것이 바람직한 것을 알 수 있다.As a result, in either case of condition 1 of FIG. 6(a), condition 2 of FIG. 6(b), and condition 3 of FIG. 6(c), the leakage amount of the heat transfer gas He was 10 µm on the outer periphery of the inner periphery. It can be seen that the smallest number is when it is inclined so as to be lowered in the range of ~20 μm. In other words, the lower surface of the focus ring 30 is inclined in the radial direction of the focus ring 30 so that the outer periphery of the focus ring 30 is lower than the inner periphery, and the inclination is the focus ring ( It turns out that it is preferable that it is the range of 10 micrometers - 20 micrometers in the size of 30).

경사가 상기 범위의 하한치(10㎛)보다 작아지면, 포커스 링(30)의 외주측으로부터 전열 가스가 새는 것을 억제할 수 없게 된다. 한편, 경사가 상기 범위의 상한치(20㎛)보다 커지면, 포커스 링(30)의 내주측으로부터 전열 가스가 새는 것을 억제할 수 없게 된다. 따라서, 포커스 링(30)의 경사를 10㎛~20㎛의 범위에서 외주측이 내주측보다 낮게 한다. 이것에 의해, 포커스 링(30)의 하면으로부터 전열 가스가 새는 것을 억제할 수 있다.When the inclination is smaller than the lower limit (10 mu m) of the above range, it is impossible to suppress leakage of the heat transfer gas from the outer peripheral side of the focus ring 30 . On the other hand, when the inclination becomes larger than the upper limit of the range (20 μm), it is impossible to suppress the leakage of the heat transfer gas from the inner peripheral side of the focus ring 30 . Accordingly, the inclination of the focus ring 30 is made lower on the outer peripheral side than on the inner peripheral side in the range of 10 µm to 20 µm. Accordingly, it is possible to suppress leakage of the heat transfer gas from the lower surface of the focus ring 30 .

[포커스 링의 재료][Material of focus ring]

도 7에 나타내는 바와 같이, 포커스 링(30)은, 영률이 1.30×1011인 Si(실리콘)보다 딱딱한 SiC(실리콘 카바이드), W(텅스텐), WC(텅스텐 카바이드) 및 세라믹스이더라도 좋다. 또한, 포커스 링(30)은, Si보다 딱딱한 재료뿐만 아니라, Si나 SiO2이더라도 좋다.As shown in FIG. 7 , the focus ring 30 may be made of SiC (silicon carbide), W (tungsten), WC (tungsten carbide), or ceramics having a Young's modulus of 1.30×10 11 harder than Si (silicon). In addition, the focus ring 30 may be made of Si or SiO 2 as well as a material harder than Si.

SiC(실리콘 카바이드)의 영률은 4.30×1011(㎩)이고, W(텅스텐)의 영률은 4.11×1011(㎩)이고, WC(텅스텐 카바이드)의 영률은 5.50×1011(㎩)이다. 또한, 세라믹스의 영률은 1.80×1011(㎩)이다.The Young's modulus of SiC (silicon carbide) is 4.30 x 10 11 (Pa), the Young's modulus of W (tungsten) is 4.11 x 10 11 (Pa), and the Young's modulus of WC (tungsten carbide) is 5.50 x 10 11 (Pa). In addition, the Young's modulus of ceramics is 1.80x10 11 (Pa).

본 실시 형태와 관련되는 포커스 링(30)은, Si, SiO2, SiC, W, WC 및 세라믹스의 영률을 포함하는, 영률이 5.0×1010~1.0×1012(㎩)의 범위의 물질인 것이 바람직하다.The focus ring 30 according to the present embodiment is a material having a Young's modulus in the range of 5.0×10 10 to 1.0×10 12 (Pa), including the Young's modulus of Si, SiO 2 , SiC, W, WC, and ceramics. it is preferable

특히, 포커스 링(30)이 SiC(실리콘 카바이드)에 의해 형성되어 있는 경우, 종래로부터 사용되고 있는 Si(실리콘)의 포커스 링(30)과 플라즈마 프로세스에 대한 내성 등의 성질이 비슷하기 때문에 바람직하다.In particular, when the focus ring 30 is formed of SiC (silicon carbide), it is preferable because properties such as resistance to plasma processes are similar to the conventionally used focus ring 30 made of Si (silicon).

[포커스 링의 온도 제어][Temperature control of focus ring]

다음으로, 포커스 링(30)의 이면의 형상과 온도 제어에 대하여, 도 8을 참조하면서 설명한다. 도 8(a)의 케이스 1에서는, 단면도에 나타내는 바와 같이 포커스 링(30)의 이면에 경사부는 없고, 플랫이다. 도 8(b)의 케이스 2에서는, 단면도에 나타내는 바와 같이 포커스 링(30)의 이면에 경사부는 없고, 정전 척(25) 쪽의 전열 가스를 공급하는 포커스 링 쪽 라인(36b)의 위쪽에 고리 형상의 홈부(30b)가 형성되어 있다.Next, the shape and temperature control of the back surface of the focus ring 30 are demonstrated, referring FIG. In Case 1 of FIG. 8( a ), as shown in the cross-sectional view, there is no inclined portion on the back surface of the focus ring 30 , and it is flat. In Case 2 of FIG. 8B , as shown in the cross-sectional view, there is no inclined portion on the back surface of the focus ring 30 , and the ring is located above the line 36b on the focus ring side for supplying the heat transfer gas toward the electrostatic chuck 25 side. A shaped groove portion 30b is formed.

도 8(a)의 상면도 및 도 8(b)의 상면도에 나타내는 바와 같이, 포커스 링 쪽 라인(36b)의 선단의 가스 구멍 H로부터 전열 가스가 포커스 링(30)의 이면으로 향해 도입된다. 그 결과, 케이스 2에서는, 전열 가스가 홈부(30b) 내의 공간에서 확산됨으로써, 케이스 1보다 전열 가스의 누출을 더 저감할 수 있고, 포커스 링(30)의 온도 제어가 양호하게 되고, 온도 분포의 균일성이 도모된다.As shown in the top view of FIG. 8A and the top view of FIG. 8B , the heat transfer gas is introduced from the gas hole H at the tip of the line 36b toward the focus ring toward the back surface of the focus ring 30 . . As a result, in Case 2, since the heat transfer gas diffuses in the space within the groove portion 30b, leakage of the heat transfer gas can be further reduced than in Case 1, and the temperature control of the focus ring 30 is improved, and the temperature distribution Uniformity is achieved.

또, 본 실험의 결과는, 포커스 링(30)의 온도를 직접 측정한 결과가 아니다. 본 실험에 있어서의 포커스 링(30)에 있어서의 온도 균일성의 판단은, 포커스 링(30)에 부착된 반응 생성물의 분포의 얼룩짐(불균일)으로 판단하고 있다. 온도가 불균일하면, 포커스 링(30)에 부착된 반응 생성물의 분포에 현저한 얼룩짐이 나타난다. 따라서, 본 실험에서는, 반응 생성물의 분포의 얼룩짐의 유무에 의해, 포커스 링(30)에 있어서의 온도 균일성의 판단을 행했다.In addition, the result of this experiment is not a result of directly measuring the temperature of the focus ring 30 . In this experiment, the determination of temperature uniformity in the focus ring 30 is determined as unevenness (non-uniformity) in the distribution of the reaction product adhering to the focus ring 30 . When the temperature is non-uniform, significant unevenness appears in the distribution of the reaction product adhering to the focus ring 30 . Therefore, in this experiment, the temperature uniformity in the focus ring 30 was judged by the presence or absence of the nonuniformity of distribution of a reaction product.

또한, 이 실험에서는, 포커스 링(30)의 두께 L은 3.35㎜였다. 또한, 홈부(30b)의 깊이 G1 및 폭 G2를, 다음의 4개의 패턴으로 설정하여 실험을 행했다.In addition, in this experiment, the thickness L of the focus ring 30 was 3.35 mm. In addition, the depth G1 and the width G2 of the groove part 30b were set to the following four patterns, and the experiment was performed.

(1) 깊이 G1 : 0.5㎜, 폭 G2 : 2.2㎜(1) Depth G1: 0.5 mm, Width G2: 2.2 mm

(2) 깊이 G1 : 0.1㎜, 폭 G2 : 2.2㎜(2) Depth G1: 0.1mm, Width G2: 2.2mm

(3) 깊이 G1 : 0.1㎜, 폭 G2 : 5.6㎜(3) Depth G1: 0.1mm, Width G2: 5.6mm

(4) 깊이 G1 : 0.05㎜, 폭 G2 : 5.6㎜(4) Depth G1: 0.05 mm, Width G2: 5.6 mm

어느 패턴에 있어서도, 포커스 링(30)의 이면의 홈부(30b)를 전열 가스의 가스 구멍 H에 대향하는 위치에 마련함으로써, 홈부를 갖지 않는 도 8(a)의 케이스 1보다 포커스 링(30)에 있어서의 온도 분포의 균일성이 도모되고 있는 것을 알 수 있었다.In any of the patterns, by providing the groove portion 30b on the back surface of the focus ring 30 at a position opposite to the gas hole H of the heat transfer gas, the focus ring 30 is higher than the case 1 in Fig. 8(a) which does not have the groove portion. It turned out that the uniformity of the temperature distribution in is attained.

그래서, 도 9(a)에 나타내는 바와 같이, 본 실시 형태와 관련되는 포커스 링(30)에서는, 그 하면에, 정전 척(25)의 주연부(25b)의 경사에 추종하는 방향으로 10㎛~20㎛의 경사를 갖는 경사부(30a)를 구비하고, 또한, 그 경사면에는 홈부(30b)를 형성하더라도 좋다. 형성되는 홈부(30b)는, 둘레 방향으로 연장되는 고리 형상의 홈이더라도 좋고, 전열 가스의 복수의 가스 구멍 H의 위쪽에 형성되는, 고리 형상이 아닌 복수의 움푹한 곳이더라도 좋다.Therefore, as shown in FIG. 9A , in the focus ring 30 according to the present embodiment, on its lower surface, 10 µm to 20 µm in a direction following the inclination of the peripheral portion 25b of the electrostatic chuck 25 . An inclined portion 30a having an inclination of mu m may be provided, and a groove portion 30b may be formed on the inclined surface. The formed groove portion 30b may be an annular groove extending in the circumferential direction, or may be a plurality of non-annular hollows formed above the plurality of gas holes H of the heat transfer gas.

본 실시 형태와 관련되는 포커스 링(30)은, 도 9(b)에 나타내는 바와 같이, 3개의 파츠(parts)(30c, 30d, 30e)로 구성되고, 중앙의 파츠(30d)의 높이 방향의 길이를, 양측의 파츠(30c, 30e)의 길이보다 짧게 함으로써 홈부(30b)를 형성하더라도 좋다. 다시 말해, 홈부(30b)는, 3개의 파츠(30c, 30d, 30e)의 단차로부터 형성된다. 또한, 본 실시 형태와 관련되는 포커스 링(30)의 홈부(30b)를 전열 가스의 가스 구멍 H에 대향하는 위치에 마련함으로써, 전열 가스의 누출을 저감할 수 있고, 포커스 링(30)에 있어서의 온도 분포의 균일성을 도모할 수 있다.As shown in Fig. 9(b), the focus ring 30 according to the present embodiment is composed of three parts 30c, 30d, and 30e, and the central part 30d is located in the height direction. The groove portion 30b may be formed by making the length shorter than the length of the parts 30c and 30e on both sides. In other words, the groove portion 30b is formed from the step difference between the three parts 30c, 30d, and 30e. In addition, by providing the groove portion 30b of the focus ring 30 according to the present embodiment at a position opposite to the gas hole H of the heat transfer gas, leakage of the heat transfer gas can be reduced, and in the focus ring 30 , uniformity of the temperature distribution of

본 실시 형태와 관련되는 포커스 링(30)은, 도 9(c)에 나타내는 3개의 파츠(30c, 30d, 30f)로 구성되더라도 좋다. 이 경우의 포커스 링(30)은, 도 9(b)와 마찬가지로, 중앙의 파츠(30d)의 높이 방향의 길이를, 양측의 파츠(30c, 30f)의 길이보다 짧게 함으로써 홈부(30b)를 형성하더라도 좋다. 포커스 링(30)의 가장 외주부의 형상은, 도 9(b)의 파츠(30e)에 나타내는 바와 같이 모퉁이를 마련하더라도 좋고, 도 9(c)의 파츠(30f)에 나타내는 바와 같이 둥글게 하더라도 좋다.The focus ring 30 according to the present embodiment may be constituted by the three parts 30c, 30d, and 30f shown in Fig. 9(c). In the focus ring 30 in this case, as in FIG. 9(b), the length in the height direction of the central part 30d is shorter than the length of the parts 30c and 30f on both sides to form the groove part 30b. good though The shape of the outermost periphery of the focus ring 30 may have a corner as shown in the part 30e in FIG. 9(b), or may be rounded as shown in the part 30f in FIG. 9(c).

도 9(a)~도 9(c)의 홈부(30b) 대신에, 도 9(d)에 나타내는 바와 같이, 내부에서 굴곡하는 홈부(30g)이더라도 좋다. 홈부(30g)의 굴곡은, 안쪽으로 향하더라도 좋고, 바깥쪽으로 향하더라도 좋고, 양측으로 향하더라도 좋다.Instead of the groove part 30b of FIGS. 9(a) - 9(c), as shown in FIG.9(d), the groove part 30g which bends inside may be sufficient. The curvature of the groove part 30g may face inward, may face outward, and may face to both sides.

도 9(a)~도 9(d)에 나타내는 바와 같이, 포커스 링(30)의 하면을 소정의 범위에서 경사지게 함과 아울러, 홈부(30b)나 홈부(30g)를 마련함으로써, 전열 가스의 누출을 저감하고, 온도 분포의 균일성을 도모할 수 있다. 포커스 링(30)의 하면에 형성되는 홈부의 적어도 일부는, 전열 가스의 가스 구멍 H에 대향하는 위치에 마련되는 것이 바람직하다.As shown in Figs. 9(a) to 9(d), the lower surface of the focus ring 30 is inclined within a predetermined range and the groove portion 30b or the groove portion 30g is provided, whereby the heat transfer gas is leaked. can be reduced, and uniformity of temperature distribution can be achieved. At least a part of the groove formed in the lower surface of the focus ring 30 is preferably provided at a position facing the gas hole H of the heat transfer gas.

이상에 설명한 바와 같이, 본 실시 형태와 관련되는 포커스 링(30)에 의하면, 하면이 소정의 범위에서 경사진 경사부(30a)를 갖는다. 이것에 의해, 포커스 링(30)이, 정전 척(25)의 경사에 들어맞고, 전열 가스가 새는 것을 저감할 수 있다.As described above, according to the focus ring 30 according to the present embodiment, the lower surface has the inclined portion 30a inclined within a predetermined range. Accordingly, the focus ring 30 fits the inclination of the electrostatic chuck 25 , and leakage of the heat transfer gas can be reduced.

또한, 경사부(30a)에 홈부를 마련함으로써, 전열 가스가 새는 것을 더 저감함과 아울러, 포커스 링(30)의 하면에 공급되는 전열 가스의 확산을 용이하게 하고, 포커스 링(30)의 온도 분포의 균일성을 도모할 수 있다.In addition, by providing a groove in the inclined portion 30a , leakage of the heat transfer gas is further reduced, the diffusion of the heat transfer gas supplied to the lower surface of the focus ring 30 is facilitated, and the temperature of the focus ring 30 . Uniformity of distribution can be attained.

[변형예 1][Modified Example 1]

다음으로, 본 발명의 일 실시 형태의 변형예 1과 관련되는 포커스 링(30)의 구성에 대하여 설명하기 전에, 포커스 링(30)의 소모에 의한 과제에 대하여, 도 10을 참조하면서 설명한다.Next, before describing the configuration of the focus ring 30 according to Modification Example 1 of the embodiment of the present invention, a problem due to consumption of the focus ring 30 will be described with reference to FIG. 10 .

도 10(a)에 나타내는 바와 같이, 포커스 링(30)이 신품인 경우, 웨이퍼 W의 상면과 포커스 링(30)의 상면은 동일한 높이로 설계된다. 이때, 플라즈마 처리 중의 웨이퍼 W 상의 시스와 포커스 링(30) 상의 시스는 동일한 높이가 된다. 이 상태에서는, 웨이퍼 W 상 및 포커스 링(30) 상으로의 이온의 조사 각도는 수직이 되고, 이 결과, 웨이퍼 W 상에 형성되는 홀 등의 에칭 형상은 수직으로 형성되고, 에칭 형상이 비스듬하게 되는 틸팅(tilting)은 생기지 않는다. 또한, 웨이퍼 W의 면 내 전체에 있어서 에칭 레이트가 균일하게 된다.As shown in FIG. 10A , when the focus ring 30 is a new product, the upper surface of the wafer W and the upper surface of the focus ring 30 are designed to have the same height. At this time, the sheath on the wafer W during plasma processing and the sheath on the focus ring 30 are at the same height. In this state, the irradiation angle of ions onto the wafer W and the focus ring 30 becomes vertical, and as a result, the etching shape of the hole or the like formed on the wafer W is formed vertically, and the etching shape becomes oblique. No tilting occurs. In addition, the etching rate becomes uniform throughout the surface of the wafer W.

그런데, 플라즈마 처리 중, 포커스 링(30)은 플라즈마에 노출되어, 소모된다. 그러면, 도 10(b)에 나타내는 바와 같이, 포커스 링(30)의 상면은, 웨이퍼 W의 상면보다 낮아지고, 포커스 링(30) 상의 시스의 높이는 웨이퍼 W 상의 시스의 높이보다 낮아진다.However, during plasma processing, the focus ring 30 is exposed to plasma and consumed. Then, as shown in FIG. 10B , the upper surface of the focus ring 30 becomes lower than the upper surface of the wafer W, and the height of the sheath on the focus ring 30 becomes lower than the height of the sheath on the wafer W. As shown in FIG.

이 결과, 시스의 높이에 단차가 생기고 있는 웨이퍼 W의 에지부에 있어서 이온의 조사 각도가 비스듬하게 되고, 에칭 형상의 틸팅(tilting)이 생긴다. 또한, 웨이퍼 W의 에지부의 에칭 레이트가 변동하고, 웨이퍼 W의 면 내에 있어서의 에칭 레이트에 불균일이 생긴다.As a result, the ion irradiation angle becomes oblique in the edge portion of the wafer W where the height of the sheath is different, and tilting of the etching shape occurs. Moreover, the etching rate of the edge part of the wafer W fluctuates, and nonuniformity arises in the etching rate in the surface of the wafer W.

한편, 전술한 바와 같이, 도 10(a)에 나타내는 포커스 링(30)이 SiC에 의해 형성되어 있는 경우, SiC는 Si보다 딱딱하기 때문에, 포커스 링이 Si에 의해 형성되어 있는 경우보다 정전 척(25)의 경사에 들어맞기 어렵다. 이 때문에, 포커스 링(30)의 이면에 공급되는 He 등의 전열 가스가, 포커스 링(30)의 이면과 정전 척(25)의 극간으로부터 새는 양이 증대한다고 하는 과제를 갖는다.On the other hand, as described above, when the focus ring 30 shown in FIG. 10A is formed of SiC, since SiC is harder than Si, the electrostatic chuck ( 25) is difficult to fit. Therefore, there is a problem that the amount of heat transfer gas such as He supplied to the rear surface of the focus ring 30 leaks from the gap between the rear surface of the focus ring 30 and the electrostatic chuck 25 .

도 11은 포커스 링(30)이 SiC에 의해 형성되어 있는 경우의 He 가스의 누출량의 일례를 나타낸다. 도 11의 가로축은 포커스 링(30)의 이면으로의 He 가스의 공급량을 나타내고, 도 6의 세로축은 포커스 링(30)의 이면과 정전 척(25)의 극간으로부터 새는 He 가스의 양을 나타낸다. 도 11의 좌측은 두께가 3.35㎜인 SiC의 포커스 링(30)을 사용한 경우의 결과이고, 우측은 두께가 3.5㎜인 SiC의 포커스 링(30)을 사용한 경우의 결과이다.11 shows an example of the leakage amount of He gas when the focus ring 30 is formed of SiC. The horizontal axis of FIG. 11 indicates the amount of He gas supplied to the rear surface of the focus ring 30 , and the vertical axis of FIG. 6 indicates the amount of He gas leaking from the gap between the rear surface of the focus ring 30 and the electrostatic chuck 25 . The left side of FIG. 11 shows the result when the SiC focus ring 30 with a thickness of 3.35 mm is used, and the right side shows the result when the SiC focus ring 30 with a thickness of 3.5 mm is used.

이것에 의하면, 두께가 3.35㎜인 포커스 링(30)을 사용한 경우, 2sccm 정도의 He 가스가 새고 있는 것을 알 수 있다. 또한, 두께가 3.5㎜인 포커스 링(30)을 사용한 경우, 3.5sccm 정도의 He 가스가 새고 있는 것을 알 수 있다. 다시 말해, 영률이 5.0×1010~1.0×1012(㎩)인 SiC 등의 물질을 포커스 링(30)에 사용하는 경우, 그 두께에 의해 He 가스의 누출량이 바뀌는 것을 알 수 있다.According to this, when the focus ring 30 with a thickness of 3.35 mm is used, it can be seen that about 2 sccm of He gas is leaking. In addition, when the focus ring 30 having a thickness of 3.5 mm is used, it can be seen that about 3.5 sccm of He gas is leaking. In other words, when a material such as SiC having a Young's modulus of 5.0×10 10 to 1.0×10 12 (Pa) is used for the focus ring 30 , it can be seen that the He gas leakage amount changes depending on the thickness thereof.

그래서, 본 실시 형태의 변형예 1에서는, 도 12(a)에 나타내는 바와 같이, 포커스 링(30)의 상면의 형상 및 두께를 고안한다. 구체적으로는, 변형예 1과 관련되는 포커스 링(30)의 상면은, 제 1 평탄부(30h)와 제 1 평탄부(30h)보다 낮은 제 2 평탄부(30i)를 갖는다. 제 1 평탄부(30h)는, 제 2 평탄부(30i)보다 웨이퍼 W 쪽에서 웨이퍼 W의 주연을 둘러싸도록 배치된다.Therefore, in the first modification of the present embodiment, the shape and thickness of the upper surface of the focus ring 30 are devised, as shown in FIG. 12A . Specifically, the upper surface of the focus ring 30 according to Modification Example 1 has a first flat portion 30h and a second flat portion 30i lower than the first flat portion 30h. The first flat portion 30h is disposed so as to surround the periphery of the wafer W on the wafer W side rather than the second flat portion 30i.

이러한 구성에 의하면, 포커스 링(30)의 상면에 제 1 평탄부(30h)보다 낮은 제 2 평탄부(30i)를 형성함으로써, 포커스 링(30)의 외주측에 있어서 그 강도를 낮게 한다. 이것에 의해, 포커스 링(30)의 이면과 정전 척(25)의 극간으로부터 전열 가스가 새는 것을 저감할 수 있다.According to this configuration, by forming the second flat portion 30i lower than the first flat portion 30h on the upper surface of the focus ring 30 , the strength of the focus ring 30 on the outer peripheral side thereof is reduced. Accordingly, it is possible to reduce leakage of the heat transfer gas from the gap between the back surface of the focus ring 30 and the electrostatic chuck 25 .

또한, 변형예 1과 관련되는 포커스 링(30)의 상면에는, 웨이퍼 W의 주연을 둘러싸도록 제 1 평탄부(30h)가 형성되고, 웨이퍼 W의 주연 근방의 포커스 링(30)의 상면의 두께는 얇게 하지 않는다. 이것에 의해, 에칭 형상의 틸팅을 방지할 수 있다.Further, on the upper surface of the focus ring 30 according to the first modification, a first flat portion 30h is formed so as to surround the periphery of the wafer W, and the thickness of the upper surface of the focus ring 30 near the periphery of the wafer W does not thin Thereby, tilting of an etching shape can be prevented.

구체적으로는, 제 1 평탄부(30h)의 폭 D는, 시스에 상당하는 두께 또는 그 이상으로 형성되는 것이 바람직하다. 시스의 두께는, 직류 전원으로부터 인가되는 DC 전압 등에 의해 변화하지만, 대체로 5㎜~10㎜의 범위의 값이 된다. 따라서, 제 1 평탄부(30h)는, 5㎜~10㎜의 범위의 폭 또는 10㎜ 이상의 폭인 것이 바람직하다.Specifically, the width D of the first flat portion 30h is preferably formed to have a thickness corresponding to the sheath or larger. The thickness of the sheath varies depending on a DC voltage applied from a DC power supply or the like, but generally falls within a range of 5 mm to 10 mm. Therefore, it is preferable that the 1st flat part 30h has a width in the range of 5 mm - 10 mm, or a width of 10 mm or more.

제 1 평탄부(30h)의 폭 D를, 시스에 상당하는 두께 또는 그 이상의 두께로 함으로써, 시스가 웨이퍼 W의 에지부 등에 있어서 비스듬하게 되는 것을 방지할 수 있다. 다시 말해, 본 변형예에서는, 제 1 평탄부(30h)가 시스에 상당하는 두께 이상의 폭 D를 갖기 때문에, 도 12(b)에 나타내는 바와 같이, 웨이퍼 W의 에지부보다 폭 D에 대응하는 거리만큼 바깥쪽에서 시스의 높이에 단차가 생긴다. 이것에 의해, 웨이퍼 W의 에지부 등에 있어서 에칭 형상의 틸팅이 발생하는 것을 방지할 수 있다. 또한, 에칭 레이트의 균일성을 도모할 수 있다.When the width D of the first flat portion 30h is set to a thickness corresponding to or greater than that of the sheath, it is possible to prevent the sheath from becoming slanted at the edge portion of the wafer W or the like. In other words, in the present modification, since the first flat portion 30h has a width D equal to or greater than the thickness corresponding to the sheath, as shown in FIG. 12(b) , a distance corresponding to the width D rather than the edge portion of the wafer W. As a result, there is a step difference in the height of the sheath from the outside. Thereby, it is possible to prevent the etched tilting from occurring in the edge portion of the wafer W or the like. Moreover, the uniformity of an etching rate can be achieved.

도 12(a)에 나타내는 포커스 링(30)의 제 1 평탄부(30h)의 높이 B는, 프로세스 조건에 맞추어 결정되고, 웨이퍼 W의 상면과 동일 또는 근사하는 높이인 것이 바람직하다.The height B of the first flat portion 30h of the focus ring 30 shown in FIG. 12A is determined according to process conditions, and is preferably the same as or close to the upper surface of the wafer W. In FIG.

포커스 링(30)의 제 2 평탄부(30i)의 높이 C는, 포커스 링(30)의 구배 공차, 정전 척(25)의 구배 공차 및 포커스 링(30)의 재료의 물성치(영률 등)에 의해 정해진다.The height C of the second flat portion 30i of the focus ring 30 depends on the gradient tolerance of the focus ring 30 , the gradient tolerance of the electrostatic chuck 25 , and physical properties (Young's modulus, etc.) of the material of the focus ring 30 . determined by

제 2 평탄부(30i)의 높이 C는, 일정하더라도 좋고, 일정하지 않더라도 좋다. 예컨대, 제 2 평탄부(30i)의 높이 C는, 플랫이더라도 좋고, 외주측으로 향하여 서서히 낮게 하더라도 좋다. 또한, 제 2 평탄부(30i)의 높이 C는, 안쪽 및 바깥쪽보다 중앙부를 낮게 하더라도 좋다. 단, 제 2 평탄부(30i)의 높이 C는, 적어도 제 1 평탄부(30h)의 높이 B보다 낮게 한다. 다시 말해, 제 2 평탄부(30i)의 강도는, 제 1 평탄부(30h)의 강도보다 낮아지도록 설계된다.The height C of the second flat portion 30i may or may not be constant. For example, the height C of the second flat portion 30i may be flat or may be gradually decreased toward the outer periphery. In addition, the height C of the 2nd flat part 30i may be made lower in the center part than the inside and outside. However, the height C of the second flat portion 30i is at least lower than the height B of the first flat portion 30h. In other words, the strength of the second flat portion 30i is designed to be lower than that of the first flat portion 30h.

변형예 1과 관련되는 포커스 링(30)에 의하면, 포커스 링(30)의 상면에 제 1 평탄부(30h)보다 낮은 제 2 평탄부(30i)를 형성함으로써, 전열 가스의 누출량을 저감할 수 있다. 이것에 더하여, 웨이퍼 W의 에지부에 있어서 에칭 형상의 틸팅이 발생하는 것을 방지하고, 에칭 레이트의 균일성을 도모할 수 있다.According to the focus ring 30 according to the first modification, by forming the second flat portion 30i lower than the first flat portion 30h on the upper surface of the focus ring 30, the amount of heat transfer gas leakage can be reduced. have. In addition to this, it is possible to prevent the tilting of the etching shape from occurring in the edge portion of the wafer W, and to achieve uniformity of the etching rate.

또, 변형예 1과 관련되는 포커스 링(30)을 상기 실시 형태에서 설명한 기판 처리 장치(1)에 적용하는 것이 가능하다. 이것에 의해, 전열 가스의 누출량을 저감함과 아울러, 포커스 링(30)이 플라즈마 처리에 의해 소모된 후에 있어서도, 에칭 형상의 틸팅의 발생을 방지하고, 에칭 레이트의 균일성을 도모할 수 있다.In addition, it is possible to apply the focus ring 30 according to Modification Example 1 to the substrate processing apparatus 1 described in the above embodiment. Thereby, while reducing the amount of leakage of the heat transfer gas, even after the focus ring 30 is consumed by plasma processing, it is possible to prevent the tilting of the etching shape from occurring and to achieve uniformity of the etching rate.

[변형예 2][Modified Example 2]

다음으로, 본 실시 형태의 변형예 2와 관련되는 포커스 링(30)에 대하여, 도 13을 참조하면서 설명한다. 도 13(a) 및 도 13(b)는 본 발명의 일 실시 형태의 변형예 2와 관련되는 포커스 링(30)의 일례를 나타내는 도면이다.Next, a focus ring 30 according to a second modification of the present embodiment will be described with reference to FIG. 13 . 13(a) and 13(b) are diagrams showing an example of a focus ring 30 according to a second modification of an embodiment of the present invention.

변형예 2와 관련되는 포커스 링(30)은, 상기 실시 형태에서 설명한 포커스 링의 하면의 경사부와, 변형예 1에서 설명한 포커스 링(30)의 상면의 구성의 양쪽을 갖는다. 도 13(a)와 도 13(b)의 차이는, 도 13(b)에서는, 정전 척(25) 쪽의 전열 가스의 도입구에 움푹한 곳이 있는 것에 비하여, 도 13(a)에서는, 정전 척(25) 쪽의 전열 가스의 도입구는 플랫인 점이다.The focus ring 30 according to Modification Example 2 has both the configuration of an inclined portion on a lower surface of the focus ring described in the above embodiment and a configuration of an upper surface of the focus ring 30 described in Modification Example 1 . The difference between Fig. 13(a) and Fig. 13(b) is that in Fig. 13(b), there is a dent in the inlet port of the heat transfer gas on the electrostatic chuck 25 side, whereas in Fig. 13(a), The inlet port for the heat transfer gas on the electrostatic chuck 25 side is flat.

즉, 변형예 2와 관련되는 포커스 링(30)의 하면은, 포커스 링(30)이 정전 척(25)의 주연부 상에 대향하여 마련될 때에, 정전 척(25)의 주연부(25b)의 경사에 추종하는 방향으로 소정의 범위만큼 경사하는 경사부(30a)를 갖는다. 경사부(30a)에 있어서의 포커스 링(30)의 하면의 경사는, 도 2의 S에 나타내는 바와 같이, 10㎛~20㎛의 범위에서 외주측으로 내려간다. 다시 말해, 수평 방향에 대한 경사각 θ는, 경사가 10㎛일 때에 약 0.03°, 20㎛일 때에 약 0.06°, 다시 말해, 0.03°~0.06°의 범위의 각도인 것이 바람직하다.That is, the lower surface of the focus ring 30 according to Modification Example 2 is inclined at the periphery 25b of the electrostatic chuck 25 when the focus ring 30 is provided opposite to the periphery of the electrostatic chuck 25 . The inclined portion 30a is inclined by a predetermined range in a direction following the . The inclination of the lower surface of the focus ring 30 in the inclination part 30a descends toward the outer peripheral side in the range of 10 micrometers - 20 micrometers, as shown to S of FIG. In other words, the inclination angle θ with respect to the horizontal direction is preferably about 0.03° when the inclination is 10 μm, about 0.06° when the inclination is 20 μm, that is, an angle in the range of 0.03° to 0.06°.

도 13(a) 및 도 13(b)에 나타내는 바와 같이, 변형예 2와 관련되는 포커스 링(30)의 상면은, 변형예 1과 관련되는 포커스 링(30)과 동일 구성이고, 제 1 평탄부(30h)와 제 1 평탄부(30h)보다 낮은 제 2 평탄부(30i)를 갖는다. 제 1 평탄부(30h)는, 제 2 평탄부(30i)보다 웨이퍼 W 쪽에서 웨이퍼 W의 주연을 둘러싸도록 배치된다. 제 1 평탄부(30h)의 폭 D는, 시스에 상당하는 두께 또는 그 이상이고, 제 1 평탄부(30h)는, 5㎜~10㎜의 범위의 폭 또는 10㎜ 이상의 폭인 것이 바람직하다.13A and 13B , the upper surface of the focus ring 30 according to the second modification has the same configuration as the focus ring 30 according to the first modification, and has a first flat surface. It has a portion 30h and a second flat portion 30i lower than the first flat portion 30h. The first flat portion 30h is disposed so as to surround the periphery of the wafer W on the wafer W side rather than the second flat portion 30i. The width D of the first flat portion 30h is preferably equal to or greater than the thickness of the sheath, and the first flat portion 30h preferably has a width in the range of 5 mm to 10 mm or a width of 10 mm or more.

이러한 구성에 의해, 변형예 2와 관련되는 포커스 링(30)은, 본 발명의 일 실시 형태와 관련되는 포커스 링(30)의 하면과 관련되는 특징과, 변형예 1과 관련되는 포커스 링(30)의 상면과 관련되는 특징을 갖는다. 이것에 의해, 변형예 2와 관련되는 포커스 링(30)에 의하면, 전열 가스의 누출을 보다 저감할 수 있다. 또한, 에칭 형상의 틸팅의 발생을 방지하고, 에칭 레이트의 균일성을 도모할 수 있다.With such a configuration, the focus ring 30 according to the second modification includes the features related to the lower surface of the focus ring 30 according to the embodiment of the present invention and the focus ring 30 according to the first modification. ) has characteristics related to the upper surface of Accordingly, according to the focus ring 30 according to the second modification, the leakage of the heat transfer gas can be further reduced. Moreover, generation|occurrence|production of the tilting of an etching shape can be prevented and the uniformity of an etching rate can be achieved.

또, 변형예 2와 관련되는 포커스 링(30)을 상기 실시 형태에서 설명한 기판 처리 장치(1)에 적용하는 것이 가능하다. 이것에 의해, 전열 가스의 누출량을 보다 저감할 수 있다. 또한, 포커스 링(30)이 플라즈마 처리에 의해 소모된 후에 있어서도, 에칭 형상의 틸팅의 발생을 방지하고, 에칭 레이트의 균일성을 도모할 수 있다.Further, the focus ring 30 according to the second modification can be applied to the substrate processing apparatus 1 described in the above embodiment. Thereby, the amount of leakage of the heat transfer gas can be further reduced. Further, even after the focus ring 30 is consumed by the plasma treatment, it is possible to prevent the tilting of the etching shape from occurring and to achieve uniformity of the etching rate.

이상, 포커스 링 및 기판 처리 장치를 상기 실시 형태에 의해 설명했지만, 본 발명과 관련되는 포커스 링 및 기판 처리 장치는 상기 실시 형태로 한정되는 것이 아니고, 본 발명의 범위 내에서 여러 가지의 변형 및 개량이 가능하다. 상기 복수의 실시 형태에 기재된 사항은, 모순되지 않는 범위에서 조합할 수 있다.As mentioned above, although the focus ring and a substrate processing apparatus were demonstrated with the said embodiment, the focus ring and substrate processing apparatus which concern on this invention are not limited to the said embodiment, Various modifications and improvements within the scope of the present invention This is possible. The matters described in the plurality of embodiments can be combined within a range that does not contradict each other.

예컨대, 본 발명은, 도 1의 평행 평판형 2주파 인가 장치뿐만 아니라, 그 외의 기판 처리 장치에 적용 가능하다. 그 외의 기판 처리 장치로서는, 용량 결합형 플라즈마(CCP : Capacitively Coupled Plasma) 장치, 유도 결합형 플라즈마(ICP : Inductively Coupled Plasma) 처리 장치, 래디얼 라인 슬롯 안테나를 이용한 기판 처리 장치, 헬리콘파 여기형 플라즈마(HWP : Helicon Wave Plasma) 장치, 전자 사이클로트론 공명 플라즈마(ECR : Electron Cyclotron Resonance Plasma) 장치, 표면파 기판 처리 장치 등이더라도 좋다.For example, the present invention is applicable not only to the parallel plate type two-frequency application apparatus shown in FIG. 1 but also to other substrate processing apparatuses. As another substrate processing apparatus, a capacitively coupled plasma (CCP) apparatus, an inductively coupled plasma (ICP: inductively coupled plasma) processing apparatus, a substrate processing apparatus using a radial line slot antenna, a helicon wave excited plasma ( HWP: Helicon Wave Plasma) apparatus, Electron Cyclotron Resonance Plasma (ECR: Electron Cyclotron Resonance Plasma) apparatus, surface wave substrate processing apparatus, etc. may be sufficient.

본 명세서에서는, 에칭 대상의 기판으로서 반도체 웨이퍼 W에 대하여 설명했지만, 이것에 한하지 않고, LCD(Liquid Crystal Display), FPD(Flat Panel Display) 등에 이용되는 각종 기판이나, 포토마스크, CD 기판, 프린트 기판 등이더라도 좋다.In this specification, although the semiconductor wafer W has been described as a substrate to be etched, it is not limited to this, and various substrates used for LCD (Liquid Crystal Display), FPD (Flat Panel Display), etc., photomasks, CD substrates, and prints A board|substrate etc. may be sufficient.

1 : 기판 처리 장치
10 : 처리 용기
11 : 스테이지(하부 전극)
15 : 배플판
18 : 배기 장치
21 : 제 1 고주파 전원
22 : 제 2 고주파 전원
24 : 가스 샤워 헤드(상부 전극)
25 : 정전 척
30 : 포커스 링
25c : 전극판
25d : 전극판
26 : 직류 전원
28-1 : 직류 전원
28-2 : 직류 전원
30 : 포커스 링
30a : 경사부
30b : 홈부
30c~30f : 파츠
30g : 홈부
31 : 냉매실
32 : 칠러 유닛
35 : 전열 가스 공급부
70 : O링
71 : O링
W : 웨이퍼
H : 가스 구멍1: Substrate processing device
10: processing vessel
11: stage (lower electrode)
15: baffle plate
18: exhaust device
21: first high-frequency power supply
22: second high-frequency power supply
24: gas shower head (upper electrode)
25: electrostatic chuck
30: focus ring
25c: electrode plate
25d: electrode plate
26: DC power
28-1: DC power
28-2: DC power
30: focus ring
30a: inclined part
30b: groove
30c~30f: parts
30g: Groove
31: refrigerant chamber
32: chiller unit
35: electric heat gas supply unit
70: O-ring
71: O-ring
W: Wafer
H: gas hole

Claims (16)

삭제delete 삭제delete 삭제delete 삭제delete 삭제delete 삭제delete 삭제delete 처리실과,
상기 처리실에 배치된 도전성 기재와,
상기 도전성 기재 상에 배치되고, 중앙부와 상기 중앙부를 둘러싸는 고리 형상의 주연부를 구비하는, 정전 척과,
상기 중앙부 아래에서 상기 도전성 기재와 상기 정전 척 사이에 배치된 하나 이상의 O링과,
상기 주연부에서 상기 정전 척을 상기 도전성 기재에 고정하여, 상기 주연부를 수평 방향에 대해 0.03°~0.06°경사지게 하는, 하나 이상의 나사와,
상기 정전 척의 주연부 상에 배치된 링을 포함하고,
상기 링은 상기 정전 척의 중앙부 상에 위치된 기판을 둘러싸고, 실리콘 카바이드(SiC)에 의해 형성되고, 상기 정전 척의 주변부에 들어 맞는 경사진 하면을 갖고,
상기 정전 척은 상기 링과 상기 주연부 사이의 공간으로 전열 가스를 공급하는 가스 구멍을 포함하고,
상기 경사진 하면은 상기 가스 구멍 위에 마련되는 고리 형상의 홈부 또는 움푹한 곳(recess)을 포함하는
기판 처리 장치.
processing room,
a conductive substrate disposed in the processing chamber;
an electrostatic chuck disposed on the conductive substrate and having a central portion and a ring-shaped periphery surrounding the central portion;
at least one O-ring disposed between the conductive substrate and the electrostatic chuck under the central portion;
at least one screw securing the electrostatic chuck to the conductive substrate at the periphery so that the periphery is inclined by 0.03° to 0.06° with respect to a horizontal direction;
a ring disposed on a periphery of the electrostatic chuck;
the ring surrounds a substrate positioned on the central portion of the electrostatic chuck, is formed of silicon carbide (SiC), and has a beveled lower surface that fits into the periphery of the electrostatic chuck;
the electrostatic chuck includes a gas hole for supplying a heat transfer gas to a space between the ring and the periphery;
The inclined lower surface includes a ring-shaped groove or recess provided on the gas hole
substrate processing equipment.
 제 8 항에 있어서,
상기 경사진 하면은, 상기 정전 척의 주변부의 경사에 추종하는 방향으로 10㎛~20㎛의 범위에서 경사진
기판 처리 장치.
9. The method of claim 8,
The inclined lower surface is inclined in a range of 10 µm to 20 µm in a direction to follow the inclination of the periphery of the electrostatic chuck.
substrate processing equipment.
 제 8 항에 있어서,
상기 홈부는, 상기 기판 처리 장치에 마련된 전열 가스의 공급 라인의 선단부의 상기 가스 구멍에 대향하는 위치에 마련되는
기판 처리 장치.9. The method of claim 8,
The groove portion is provided at a position opposite to the gas hole at the tip of the heat transfer gas supply line provided in the substrate processing apparatus.
substrate processing equipment. 삭제delete 삭제delete 삭제delete 삭제delete 삭제delete 삭제delete
KR1020170176664A 2016-12-27 2017-12-21 Focus ring and substrate processing apparatus KR102455673B1 (en)

Applications Claiming Priority (4)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JPJP-P-2016-254318 2016-12-27
JP2016254318 2016-12-27
JPJP-P-2017-224715 2017-11-22
JP2017224715A JP2018107433A (en) 2016-12-27 2017-11-22 Focus ring and substrate processing apparatus

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20180076311A KR20180076311A (en) 2018-07-05
KR102455673B1 true KR102455673B1 (en) 2022-10-17

Family

ID=62784750

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020170176664A KR102455673B1 (en) 2016-12-27 2017-12-21 Focus ring and substrate processing apparatus

Country Status (2)

Country Link
JP (1) JP2018107433A (en)
KR (1) KR102455673B1 (en)

Families Citing this family (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP7001165B2 (en) * 2018-08-02 2022-01-19 住友大阪セメント株式会社 Manufacturing method of electrostatic chuck device and electrostatic chuck device
KR102423380B1 (en) 2018-09-13 2022-07-22 엔지케이 인슐레이터 엘티디 wafer placement device
JP7175160B2 (en) * 2018-11-05 2022-11-18 東京エレクトロン株式会社 Substrate processing equipment
US20200234928A1 (en) * 2019-01-17 2020-07-23 Applied Materials, Inc. Semiconductor plasma processing equipment with wafer edge plasma sheath tuning ability
JP7254542B2 (en) 2019-02-01 2023-04-10 東京エレクトロン株式会社 Mounting table and substrate processing device
JP6861235B2 (en) * 2019-04-04 2021-04-21 日本タングステン株式会社 A member for a plasma processing device and a plasma processing device including the member.
JP6895476B2 (en) 2019-04-04 2021-06-30 日本タングステン株式会社 A member for a plasma processing device and a plasma processing device including the member.
KR102128595B1 (en) * 2019-04-12 2020-07-01 하나머티리얼즈(주) Focus Ring and plasma device including the same
JP7412923B2 (en) * 2019-08-23 2024-01-15 東京エレクトロン株式会社 Edge ring, plasma treatment equipment, and edge ring manufacturing method
CN112542415B (en) * 2019-09-20 2022-12-02 夏泰鑫半导体(青岛)有限公司 Wafer processing apparatus and semiconductor processing station
JP7390880B2 (en) 2019-12-05 2023-12-04 東京エレクトロン株式会社 Edge ring and substrate processing equipment
JP7361588B2 (en) * 2019-12-16 2023-10-16 東京エレクトロン株式会社 Edge ring and substrate processing equipment
KR20240021472A (en) * 2022-08-10 2024-02-19 에스케이엔펄스 주식회사 Focus ring and apparatus of plasma etching comprising the same

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2002319577A (en) 2002-04-01 2002-10-31 Hitachi Ltd Plasma processing system
JP2010183074A (en) * 2003-04-24 2010-08-19 Tokyo Electron Ltd Plasma processing apparatus, focus ring, and mounting apparatus of work

Family Cites Families (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5304248A (en) * 1990-12-05 1994-04-19 Applied Materials, Inc. Passive shield for CVD wafer processing which provides frontside edge exclusion and prevents backside depositions
KR102401501B1 (en) * 2014-12-19 2022-05-23 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 Edge ring for substrate processing chamber
US20160289827A1 (en) * 2015-03-31 2016-10-06 Lam Research Corporation Plasma processing systems and structures having sloped confinement rings

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2002319577A (en) 2002-04-01 2002-10-31 Hitachi Ltd Plasma processing system
JP2010183074A (en) * 2003-04-24 2010-08-19 Tokyo Electron Ltd Plasma processing apparatus, focus ring, and mounting apparatus of work

Also Published As

Publication number Publication date
JP2018107433A (en) 2018-07-05
KR20180076311A (en) 2018-07-05

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR102455673B1 (en) Focus ring and substrate processing apparatus
US20180182635A1 (en) Focus ring and substrate processing apparatus
US9275836B2 (en) Plasma processing apparatus and plasma processing method
TW201836008A (en) Plasma processing apparatus
KR102614244B1 (en) Plasma processing apparatus and plasma processing method
JP2009231439A (en) Plasma processor
KR20170072809A (en) Plasma processing method and plasma processing apparatus
KR20170028849A (en) Focus ring and substrate processing apparatus
US11942357B2 (en) Workpiece placement apparatus and processing apparatus
KR20160021907A (en) Process kit having reduced erosion sensitivity
WO2019239893A1 (en) Mounting stage, substrate processing device, and edge ring
KR101898079B1 (en) Plasma processing apparatus
US20170338084A1 (en) Plasma processing method
TWI791874B (en) Plasma etching method and plasma treatment device
KR20190063402A (en) Part for semiconductor manufacturing apparatus and semiconductor manufacturing apparatus
JP7175160B2 (en) Substrate processing equipment
TWI789492B (en) Mounting apparatus for object to be processed and processing apparatus
JP7246451B2 (en) Plasma processing apparatus and plasma processing method
US11728144B2 (en) Edge ring and substrate processing apparatus
KR20210125434A (en) Edge ring, stage and substrate processing apparatus

Legal Events

Date Code Title Description
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant