KR102452755B1 - Transparent electrode forming piezoelectric film and pressure sensor - Google Patents
Transparent electrode forming piezoelectric film and pressure sensor Download PDFInfo
- Publication number
- KR102452755B1 KR102452755B1 KR1020187034351A KR20187034351A KR102452755B1 KR 102452755 B1 KR102452755 B1 KR 102452755B1 KR 1020187034351 A KR1020187034351 A KR 1020187034351A KR 20187034351 A KR20187034351 A KR 20187034351A KR 102452755 B1 KR102452755 B1 KR 102452755B1
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- transparent electrode
- piezoelectric film
- layer
- film
- coating layer
- Prior art date
Links
- 239000011247 coating layer Substances 0.000 claims abstract description 149
- 229920001577 copolymer Polymers 0.000 claims abstract description 70
- BQCIDUSAKPWEOX-UHFFFAOYSA-N 1,1-Difluoroethene Chemical compound FC(F)=C BQCIDUSAKPWEOX-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 60
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 claims abstract description 42
- -1 trifluoroethylene, chlorotrifluoroethylene Chemical group 0.000 claims abstract description 21
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 claims abstract description 11
- 238000001035 drying Methods 0.000 claims abstract description 10
- 239000010410 layer Substances 0.000 claims description 223
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 claims description 68
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 claims description 47
- MIZLGWKEZAPEFJ-UHFFFAOYSA-N 1,1,2-trifluoroethene Chemical group FC=C(F)F MIZLGWKEZAPEFJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 42
- 239000012790 adhesive layer Substances 0.000 claims description 32
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 31
- UUAGAQFQZIEFAH-UHFFFAOYSA-N chlorotrifluoroethylene Chemical group FC(F)=C(F)Cl UUAGAQFQZIEFAH-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 22
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 16
- 229920000139 polyethylene terephthalate Polymers 0.000 claims description 15
- 239000005020 polyethylene terephthalate Substances 0.000 claims description 15
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 12
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 claims description 6
- APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N indium atom Chemical compound [In] APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 239000004952 Polyamide Substances 0.000 claims description 3
- 239000004695 Polyether sulfone Substances 0.000 claims description 3
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 claims description 3
- 239000004793 Polystyrene Substances 0.000 claims description 3
- 229920003207 poly(ethylene-2,6-naphthalate) Polymers 0.000 claims description 3
- 229920000636 poly(norbornene) polymer Polymers 0.000 claims description 3
- 229920003050 poly-cycloolefin Polymers 0.000 claims description 3
- 229920002647 polyamide Polymers 0.000 claims description 3
- 229920001230 polyarylate Polymers 0.000 claims description 3
- 229920000515 polycarbonate Polymers 0.000 claims description 3
- 239000004417 polycarbonate Substances 0.000 claims description 3
- 229920006393 polyether sulfone Polymers 0.000 claims description 3
- 239000011112 polyethylene naphthalate Substances 0.000 claims description 3
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 claims description 3
- 229920000098 polyolefin Polymers 0.000 claims description 3
- 229920002223 polystyrene Polymers 0.000 claims description 3
- 239000010408 film Substances 0.000 description 419
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 70
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 12
- XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N tin dioxide Chemical compound O=[Sn]=O XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- 229920006027 ternary co-polymer Polymers 0.000 description 8
- 239000005977 Ethylene Substances 0.000 description 7
- 239000002033 PVDF binder Substances 0.000 description 7
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 7
- 229920000131 polyvinylidene Polymers 0.000 description 7
- 229920002981 polyvinylidene fluoride Polymers 0.000 description 7
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 6
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 6
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 6
- 238000002425 crystallisation Methods 0.000 description 5
- 230000008025 crystallization Effects 0.000 description 5
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 5
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 5
- 229910001887 tin oxide Inorganic materials 0.000 description 5
- VZSRBBMJRBPUNF-UHFFFAOYSA-N 2-(2,3-dihydro-1H-inden-2-ylamino)-N-[3-oxo-3-(2,4,6,7-tetrahydrotriazolo[4,5-c]pyridin-5-yl)propyl]pyrimidine-5-carboxamide Chemical compound C1C(CC2=CC=CC=C12)NC1=NC=C(C=N1)C(=O)NCCC(N1CC2=C(CC1)NN=N2)=O VZSRBBMJRBPUNF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N Zinc monoxide Chemical compound [Zn]=O XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 4
- 229910003437 indium oxide Inorganic materials 0.000 description 4
- PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N indium(iii) oxide Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[In+3].[In+3] PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 4
- ZWEHNKRNPOVVGH-UHFFFAOYSA-N 2-Butanone Chemical compound CCC(C)=O ZWEHNKRNPOVVGH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000004640 Melamine resin Substances 0.000 description 3
- 229920000877 Melamine resin Polymers 0.000 description 3
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 3
- 229920000180 alkyd Polymers 0.000 description 3
- 239000002131 composite material Substances 0.000 description 3
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 3
- 238000002474 experimental method Methods 0.000 description 3
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 3
- 150000001282 organosilanes Chemical class 0.000 description 3
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 3
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 3
- 239000011342 resin composition Substances 0.000 description 3
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 3
- ARXJGSRGQADJSQ-UHFFFAOYSA-N 1-methoxypropan-2-ol Chemical compound COCC(C)O ARXJGSRGQADJSQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N Ethanol Chemical compound CCO LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N Gallium Chemical compound [Ga] GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- NTIZESTWPVYFNL-UHFFFAOYSA-N Methyl isobutyl ketone Chemical compound CC(C)CC(C)=O NTIZESTWPVYFNL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- UIHCLUNTQKBZGK-UHFFFAOYSA-N Methyl isobutyl ketone Natural products CCC(C)C(C)=O UIHCLUNTQKBZGK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910006404 SnO 2 Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910010413 TiO 2 Inorganic materials 0.000 description 2
- MCMNRKCIXSYSNV-UHFFFAOYSA-N Zirconium dioxide Chemical compound O=[Zr]=O MCMNRKCIXSYSNV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000003522 acrylic cement Substances 0.000 description 2
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 2
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 2
- 230000002349 favourable effect Effects 0.000 description 2
- 239000010419 fine particle Substances 0.000 description 2
- 229910052733 gallium Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 2
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 2
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 2
- 230000001771 impaired effect Effects 0.000 description 2
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 2
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 description 2
- 238000003475 lamination Methods 0.000 description 2
- 239000011777 magnesium Substances 0.000 description 2
- 239000011859 microparticle Substances 0.000 description 2
- 230000010287 polarization Effects 0.000 description 2
- 229920001187 thermosetting polymer Polymers 0.000 description 2
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 2
- 238000002525 ultrasonication Methods 0.000 description 2
- YVTHLONGBIQYBO-UHFFFAOYSA-N zinc indium(3+) oxygen(2-) Chemical compound [O--].[Zn++].[In+3] YVTHLONGBIQYBO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000011787 zinc oxide Substances 0.000 description 2
- RRZIJNVZMJUGTK-UHFFFAOYSA-N 1,1,2-trifluoro-2-(1,2,2-trifluoroethenoxy)ethene Chemical compound FC(F)=C(F)OC(F)=C(F)F RRZIJNVZMJUGTK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QGHDLJAZIIFENW-UHFFFAOYSA-N 4-[1,1,1,3,3,3-hexafluoro-2-(4-hydroxy-3-prop-2-enylphenyl)propan-2-yl]-2-prop-2-enylphenol Chemical group C1=C(CC=C)C(O)=CC=C1C(C(F)(F)F)(C(F)(F)F)C1=CC=C(O)C(CC=C)=C1 QGHDLJAZIIFENW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920002799 BoPET Polymers 0.000 description 1
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- MYMOFIZGZYHOMD-UHFFFAOYSA-N Dioxygen Chemical compound O=O MYMOFIZGZYHOMD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001111 Fine metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 241000692870 Inachis io Species 0.000 description 1
- FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N Magnesium Chemical compound [Mg] FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920000144 PEDOT:PSS Polymers 0.000 description 1
- 229920001609 Poly(3,4-ethylenedioxythiophene) Polymers 0.000 description 1
- 229920001166 Poly(vinylidene fluoride-co-trifluoroethylene) Polymers 0.000 description 1
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002042 Silver nanowire Substances 0.000 description 1
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000013459 approach Methods 0.000 description 1
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000012298 atmosphere Substances 0.000 description 1
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 description 1
- 239000002134 carbon nanofiber Substances 0.000 description 1
- 238000005266 casting Methods 0.000 description 1
- 229920001940 conductive polymer Polymers 0.000 description 1
- 238000003851 corona treatment Methods 0.000 description 1
- 229910001882 dioxygen Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 1
- 125000002573 ethenylidene group Chemical group [*]=C=C([H])[H] 0.000 description 1
- 238000001125 extrusion Methods 0.000 description 1
- 238000003682 fluorination reaction Methods 0.000 description 1
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910021389 graphene Inorganic materials 0.000 description 1
- PGFXOWRDDHCDTE-UHFFFAOYSA-N hexafluoropropylene oxide Chemical compound FC(F)(F)C1(F)OC1(F)F PGFXOWRDDHCDTE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 1
- 229910052749 magnesium Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000007257 malfunction Effects 0.000 description 1
- QSHDDOUJBYECFT-UHFFFAOYSA-N mercury Chemical compound [Hg] QSHDDOUJBYECFT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 description 1
- VNWKTOKETHGBQD-UHFFFAOYSA-N methane Chemical class C VNWKTOKETHGBQD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 1
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 1
- 229920000767 polyaniline Polymers 0.000 description 1
- 229920000128 polypyrrole Polymers 0.000 description 1
- 238000003825 pressing Methods 0.000 description 1
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 description 1
- RMAQACBXLXPBSY-UHFFFAOYSA-N silicic acid Chemical compound O[Si](O)(O)O RMAQACBXLXPBSY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 1
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 1
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 1
- BFKJFAAPBSQJPD-UHFFFAOYSA-N tetrafluoroethene Chemical group FC(F)=C(F)F BFKJFAAPBSQJPD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N30/00—Piezoelectric or electrostrictive devices
- H10N30/704—Piezoelectric or electrostrictive devices based on piezoelectric or electrostrictive films or coatings
-
- H01L41/0805—
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B32—LAYERED PRODUCTS
- B32B—LAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
- B32B27/00—Layered products comprising a layer of synthetic resin
- B32B27/30—Layered products comprising a layer of synthetic resin comprising vinyl (co)polymers; comprising acrylic (co)polymers
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
- C08J—WORKING-UP; GENERAL PROCESSES OF COMPOUNDING; AFTER-TREATMENT NOT COVERED BY SUBCLASSES C08B, C08C, C08F, C08G or C08H
- C08J7/00—Chemical treatment or coating of shaped articles made of macromolecular substances
- C08J7/04—Coating
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01L—MEASURING FORCE, STRESS, TORQUE, WORK, MECHANICAL POWER, MECHANICAL EFFICIENCY, OR FLUID PRESSURE
- G01L1/00—Measuring force or stress, in general
- G01L1/16—Measuring force or stress, in general using properties of piezoelectric devices
-
- G—PHYSICS
- G06—COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
- G06F—ELECTRIC DIGITAL DATA PROCESSING
- G06F3/00—Input arrangements for transferring data to be processed into a form capable of being handled by the computer; Output arrangements for transferring data from processing unit to output unit, e.g. interface arrangements
- G06F3/01—Input arrangements or combined input and output arrangements for interaction between user and computer
- G06F3/03—Arrangements for converting the position or the displacement of a member into a coded form
- G06F3/041—Digitisers, e.g. for touch screens or touch pads, characterised by the transducing means
-
- H01L41/047—
-
- H01L41/083—
-
- H01L41/1132—
-
- H01L41/193—
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N30/00—Piezoelectric or electrostrictive devices
- H10N30/30—Piezoelectric or electrostrictive devices with mechanical input and electrical output, e.g. functioning as generators or sensors
- H10N30/302—Sensors
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N30/00—Piezoelectric or electrostrictive devices
- H10N30/50—Piezoelectric or electrostrictive devices having a stacked or multilayer structure
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N30/00—Piezoelectric or electrostrictive devices
- H10N30/80—Constructional details
- H10N30/85—Piezoelectric or electrostrictive active materials
- H10N30/857—Macromolecular compositions
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N30/00—Piezoelectric or electrostrictive devices
- H10N30/80—Constructional details
- H10N30/87—Electrodes or interconnections, e.g. leads or terminals
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Theoretical Computer Science (AREA)
- General Engineering & Computer Science (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Human Computer Interaction (AREA)
- Health & Medical Sciences (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Polymers & Plastics (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Medicinal Chemistry (AREA)
- Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
- Laminated Bodies (AREA)
- Non-Insulated Conductors (AREA)
Abstract
본 발명의 투명 전극 형성 압전 필름 (1) 은, 제 1 기재 필름 (11) 과 압전성을 갖는 코팅층 (12) 의 적층체를 포함하는 압전 필름 (13) 과, 압전성을 갖는 코팅층 (12) 에 적층된 제 1 투명 전극 (14) 을 구비한다. 압전성을 갖는 코팅층 (12) 은 불소 수지를 함유한다. 불소 수지는, 불화비닐리덴의 중합체, 또는 (불화비닐리덴, 트리플루오로에틸렌, 클로로트리플루오로에틸렌) 중 2 종류 이상의 공중합체이다. 압전성을 갖는 코팅층 (12) 은, 불소 수지의 용액을 제 1 기재 필름 (11) 에 도포 및 건조시켜 얻어진다. 본 발명의 압전 필름에 의해서, 헤이즈값이 작고, 전광선 투과율이 높은 투명 전극 형성 압전 필름을 실현한다.The transparent electrode-forming piezoelectric film (1) of the present invention is laminated on a piezoelectric film (13) including a laminate of a first base film (11) and a coating layer (12) having piezoelectricity, and a coating layer (12) having piezoelectricity A first transparent electrode 14 is provided. The coating layer 12 having piezoelectricity contains a fluororesin. The fluororesin is a polymer of vinylidene fluoride or a copolymer of two or more of (vinylidene fluoride, trifluoroethylene, chlorotrifluoroethylene). The coating layer 12 having piezoelectricity is obtained by applying and drying a solution of a fluororesin to the first base film 11 . The piezoelectric film of the present invention realizes a transparent electrode-forming piezoelectric film having a small haze value and high total light transmittance.
Description
본 발명은 투명 전극 형성 압전 필름 및 압력 센서에 관한 것이다.The present invention relates to a piezoelectric film forming a transparent electrode and a pressure sensor.
일반적으로, 터치 패널에서는, 터치 패널의 표면에 터치하는 손가락 혹은 펜의 표면 상의 2 차원 위치를 검출한다 (이후, 「손가락 혹은 펜」을 간단히 「손가락」이라고 하고, 손가락 혹은 펜의 터치 패널의 표면 상의 2 차원 위치를 「손가락의 XY 좌표」라고 한다.). 이 경우, 손가락이 터치하는 압력은 검출할 수 없다 (이후, 손가락이 터치하는 압력의 크기를, Z 축 방향으로 잡는 것으로 생각하여, 「손가락의 Z 좌표」라고 한다.). 즉, 손가락이 터치하는 압력 (손가락의 Z 좌표) 의 대소에 관계없이, 검출되는 것은 손가락의 터치 위치인 XY 좌표뿐이다.In general, in a touch panel, a two-dimensional position on the surface of a finger or pen touching the surface of the touch panel is detected (hereinafter, "finger or pen" is simply referred to as "finger", and the surface of the touch panel of a finger or pen is referred to as "finger"). The two-dimensional position of the image is referred to as "the XY coordinates of the finger"). In this case, the pressure touched by the finger cannot be detected (hereafter, the magnitude of the pressure touched by the finger is considered to be held in the Z-axis direction, and is referred to as "the Z-coordinate of the finger"). That is, regardless of the magnitude of the pressure (Z coordinate of the finger) touched by the finger, only the XY coordinate, which is the touch position of the finger, is detected.
그러나, 터치 패널에서 사용되는 어플리케이션에 따라서는, 손가락이 터치하는 압력 (손가락의 Z 좌표) 의 식별도 필요한 경우가 있다. 통상적인 정전 용량식 터치 패널에서는, 손가락이 닿음으로써, 닿은 위치가 선택됨과 동시에, 닿은 위치에 있는 명령이 실행된다. 정전 용량식 터치 패널의 감도가 매우 높은 경우에는, 손가락이 정전 용량식 터치 패널에 가까워진 것만으로 (손가락이 닿지 않아도), 손가락에 가장 가까운 위치가 선택됨과 동시에, 그 위치에 있는 명령이 실행된다. 그러나, 예를 들어, 공작 기계의 조작 패널 등에서, 잘못된 명령의 실행이 허용되지 않을 경우에는, 선택과 실행이 분리되어 있는 것이 바람직하다. 즉, 손가락이 닿음으로써 (혹은 손가락이 가까워짐으로써) 명령이 선택되지만, 그것만으로는 명령은 실행되지 않고, 다음에 손가락으로 압력을 가함으로써, 비로소 명령이 실행되는 것이 오동작을 방지하기 위해서 바람직하다.However, depending on the application used in the touch panel, identification of the pressure that the finger touches (the Z coordinate of the finger) is also required in some cases. In a typical capacitive touch panel, when a finger touches, a touched position is selected and, at the same time, a command at the touched position is executed. When the sensitivity of the capacitive touch panel is very high, the position closest to the finger is selected just by bringing the finger close to the capacitive touch panel (even if the finger does not touch), and the command at that position is executed. However, it is preferable that selection and execution are separated, for example, in the case where the execution of an erroneous instruction is not permitted, in the operation panel of a machine tool or the like. That is, it is preferable to prevent a malfunction that a command is selected when a finger touches (or a finger approaches), but the command is not executed by itself, and that the command is executed only by next applying pressure with the finger.
이와 같은 손가락이 터치하는 압력 (손가락의 Z 좌표) 도 검출할 수 있는 터치 패널이, 예를 들어, 특허문헌 1 (일본 공개특허공보 2010-26938) 에 기재되어 있다. 특허문헌 1 의 터치 패널에서는, 폴리불화비닐리덴-사불화에틸렌 공중합체를 함유하는 압전체층의 양면에, 투명 전극이 적층된 적층체가 사용된다. 폴리불화비닐리덴-사불화에틸렌 공중합체를 함유하는 압전체층의 두께는 20 ㎛ ∼ 300 ㎛ 이다.The touch panel which can also detect the pressure (Z coordinate of a finger) touched by such a finger is described in patent document 1 (Unexamined-Japanese-Patent No. 2010-26938), for example. In the touch panel of Patent Document 1, a laminate in which transparent electrodes are laminated on both surfaces of a piezoelectric layer containing a polyvinylidene fluoride-ethylene tetrafluoride copolymer is used. The thickness of the piezoelectric layer containing the polyvinylidene fluoride-ethylene tetrafluoride copolymer is 20 µm to 300 µm.
특허문헌 1 의 폴리불화비닐리덴-사불화에틸렌 공중합체를 함유하는 압전체층은, 캐스팅법 혹은 압출법으로 제조한다고 기재되어 있기 때문에, 자립된 필름 (다른 필름에 적층되어 있지 않은 필름) 으로 생각된다. 특허문헌 1 에, 폴리불화비닐리덴-사불화에틸렌 공중합체를 함유하는 압전체층의 헤이즈값 (흐림값) 은 5 ％ ∼ 7 ％, 전광선 투과율은 95 ％ 로 기재되어 있다.Since it is described that the piezoelectric layer containing the polyvinylidene fluoride-ethylene tetrafluoride copolymer in Patent Document 1 is produced by a casting method or an extrusion method, it is considered to be a self-supporting film (a film not laminated on another film). . In Patent Document 1, it is described that the haze value (cloudiness value) of the piezoelectric layer containing the polyvinylidene fluoride-ethylene tetrafluoride copolymer is 5% to 7%, and the total light transmittance is 95%.
그러나, 특허문헌 1 의 실시예의 헤이즈값, 전광선 투과율은, 투명 전극이 적층되기 전인, 폴리불화비닐리덴-사불화에틸렌 공중합체를 함유하는 압전체층 단독의 값이다. 폴리불화비닐리덴-사불화에틸렌 공중합체를 함유하는 압전체층의 양면에 투명 전극이 적층된 적층체에서는, 전광선 투과율이 저하된다고 생각되지만, 그 측정치는 기재되어 있지 않다.However, the haze value and total light transmittance of the Example of Patent Document 1 are the values of the piezoelectric layer alone containing the polyvinylidene fluoride-ethylene tetrafluoride copolymer before the transparent electrode is laminated. In a laminate in which transparent electrodes are laminated on both sides of a piezoelectric layer containing a polyvinylidene fluoride-ethylene tetrafluoride copolymer, it is thought that the total light transmittance is lowered, but the measured value is not described.
본원 발명자의 실험에 의하면, 터치 패널의 배면에 있는 디스플레이 화상의 시인성은, 적어도 헤이즈값과 전광선 투과율의 영향을 수용한다. 특허문헌 1 의 폴리불화비닐리덴-사불화에틸렌 공중합체를 함유하는 압전체층의 양면에 투명 전극이 적층된 적층체에서는, 헤이즈값과 전광선 투과율의 어느 하나, 혹은 양자에 의해서, 터치 패널의 배면에 있는 디스플레이 화상의 시인성이 저하할 우려가 있다.According to the experiment of this inventor, the visibility of the display image in the back surface of a touchscreen accommodates the influence of a haze value and total light transmittance at least. In the laminate in which transparent electrodes are laminated on both sides of the piezoelectric layer containing the polyvinylidene fluoride-ethylene tetrafluoride copolymer of Patent Document 1, depending on either or both of the haze value and the total light transmittance, There exists a possibility that the visibility of the displayed image may fall.
본원 발명자의 실험에 의하면, 터치 패널의 배면에 있는 디스플레이 화상의 시인성의 저하에 대해서는, 전광선 투과율보다 헤이즈값 쪽의 영향이 크다. 그래서, 본 발명의 목적은, 헤이즈값이 작고, 추가로, 전광선 투과율이 높은 투명 전극 형성 압전 필름을 실현하는 것이다.According to the experiment of the present inventors, about the fall of the visibility of the display image in the back surface of a touchscreen, the influence of the haze value side is larger than the total light transmittance. Therefore, an object of the present invention is to realize a transparent electrode-forming piezoelectric film having a small haze value and a high total light transmittance.
(1) 본 발명의 투명 전극 형성 압전 필름은, 제 1 기재 필름과 압전성을 갖는 코팅층의 적층체를 포함하는 압전 필름과, 압전성을 갖는 코팅층의, 제 1 기재 필름과 반대측의 표면에 구비된, 적어도 1 층의 제 1 투명 전극을 구비한다.(1) The transparent electrode-forming piezoelectric film of the present invention includes a piezoelectric film including a laminate of a first base film and a coating layer having piezoelectricity, and a coating layer having piezoelectricity, provided on the surface opposite to the first base film, and at least one layer of a first transparent electrode.
(2) 본 발명의 투명 전극 형성 압전 필름은, 추가로, 제 1 기재 필름의, 압전성을 갖는 코팅층과 반대측의 표면에 적어도 1 층의 제 2 투명 전극을 구비한다.(2) The transparent electrode-forming piezoelectric film of the present invention further includes at least one second transparent electrode on the surface of the first base film opposite to the piezoelectric coating layer.
(3) 본 발명의 투명 전극 형성 압전 필름은, 추가로, 제 1 기재 필름의, 압전성을 갖는 코팅층과 반대측의 표면에, 추가로, 다음의 순서로 구비된, 적어도 1 층의 투명 점착층, 적어도 1 층의 제 2 투명 전극, 적어도 1 층의 제 2 기재 필름을 구비한다.(3) The transparent electrode-forming piezoelectric film of the present invention further comprises at least one transparent adhesive layer provided in the following order on the surface of the first base film on the opposite side to the piezoelectric coating layer, A 2nd transparent electrode of at least 1 layer, and a 2nd base film of at least 1 layer are provided.
(4) 본 발명의 투명 전극 형성 압전 필름은, 추가로, 제 2 투명 전극과 제 2 기재 필름 사이에 언더 코트층, 광학 조정층 및 안티 블로킹층 중 어느 것을 적어도 1 층 구비한다.(4) The transparent electrode-forming piezoelectric film of the present invention further includes at least one of an undercoat layer, an optical adjustment layer, and an anti-blocking layer between the second transparent electrode and the second base film.
(5) 본 발명의 투명 전극 형성 압전 필름은, 추가로, 압전성을 갖는 코팅층과 제 1 투명 전극 사이에 언더 코트층, 광학 조정층 및 안티 블로킹층 중 어느 것을 적어도 1 층 구비한다.(5) The transparent electrode-forming piezoelectric film of the present invention further includes at least one of an undercoat layer, an optical adjustment layer, and an anti-blocking layer between the coating layer having piezoelectricity and the first transparent electrode.
(6) 본 발명의 투명 전극 형성 압전 필름은, 추가로, 압전성을 갖는 코팅층의 두께가 0.5 ∼ 10 ㎛, 광학 조정층의 두께가 80 ∼ 160 ㎚, 제 1 투명 전극의 두께가 20 ㎚ 이상이다.(6) The transparent electrode-forming piezoelectric film of the present invention further has a thickness of a coating layer having piezoelectricity of 0.5 to 10 µm, an optical adjustment layer of 80 to 160 nm, and a thickness of the first transparent electrode of 20 nm or more. .
(7) 본 발명의 투명 전극 형성 압전 필름은, 추가로, 압전성을 갖는 코팅층의 굴절률이 1.40 ∼ 1.50, 광학 조정층의 굴절률이 1.50 ∼ 1.70, 제 1 투명 전극의 굴절률이 1.90 ∼ 2.10 이다.(7) In the transparent electrode-forming piezoelectric film of the present invention, the refractive index of the coating layer having piezoelectricity is 1.40 to 1.50, the refractive index of the optical adjustment layer is 1.50 to 1.70, and the refractive index of the first transparent electrode is 1.90 to 2.10.
(8) 본 발명의 투명 전극 형성 압전 필름은, 추가로, 제 1 기재 필름과 압전성을 갖는 코팅층 사이에 언더 코트층, 광학 조정층 및 안티 블로킹층 중 어느 것을 적어도 1 층 구비한다.(8) The transparent electrode-forming piezoelectric film of the present invention further includes at least one of an undercoat layer, an optical adjustment layer, and an anti-blocking layer between the first base film and the piezoelectric coating layer.
(9) 본 발명의 투명 전극 형성 압전 필름은, 추가로, 제 1 기재 필름 또는 제 2 기재 필름의, 압전성을 갖는 코팅층과 반대측의 표면에 구비된 적어도 1 층의 안티 블로킹층을 구비한다.(9) The transparent electrode forming piezoelectric film of the present invention further includes at least one anti-blocking layer provided on the surface opposite to the piezoelectric coating layer of the first base film or the second base film.
(10) 본 발명의 투명 전극 형성 압전 필름은, 제 1 기재 필름과 압전성을 갖는 코팅층의 적층체를 포함하는 압전 필름과, 제 1 기재 필름의, 압전성을 갖는 코팅층과 반대측의 표면에 구비된 적어도 1 층의 제 1 투명 전극을 구비한다.(10) The transparent electrode-forming piezoelectric film of the present invention includes a piezoelectric film including a laminate of a first base film and a coating layer having piezoelectricity, and at least provided on the surface of the first base film opposite to the coating layer having piezoelectricity A first transparent electrode is provided in one layer.
(11) 본 발명의 투명 전극 형성 압전 필름은, 추가로, 압전성을 갖는 코팅층의, 제 1 기재 필름과 반대측의 표면에, 적어도 1 층의 제 2 투명 전극을 구비한다.(11) The transparent electrode-forming piezoelectric film of the present invention further includes at least one second transparent electrode on the surface of the coating layer having piezoelectricity on the opposite side to the first base film.
(12) 본 발명의 투명 전극 형성 압전 필름은, 추가로, 압전성을 갖는 코팅층의, 제 1 기재 필름과 반대측의 표면에, 추가로, 다음의 순서로 구비된, 적어도 1 층의 투명 점착층, 적어도 1 층의 제 2 투명 전극, 적어도 1 층의 제 2 기재 필름을 구비한다.(12) The transparent electrode-forming piezoelectric film of the present invention further comprises at least one transparent adhesive layer provided on the surface opposite to the first base film of the coating layer having piezoelectricity in the following order, A 2nd transparent electrode of at least 1 layer, and a 2nd base film of at least 1 layer are provided.
(13) 본 발명의 투명 전극 형성 압전 필름은, 추가로, 제 2 투명 전극과 제 2 기재 필름 사이에 언더 코트층, 광학 조정층 및 안티 블로킹층 중 어느 것을 적어도 1 층 구비한다.(13) The transparent electrode-forming piezoelectric film of the present invention further includes at least one of an undercoat layer, an optical adjustment layer, and an anti-blocking layer between the second transparent electrode and the second base film.
(14) 본 발명의 투명 전극 형성 압전 필름은, 추가로, 제 1 기재 필름과 압전성을 갖는 코팅층 사이에 언더 코트층, 광학 조정층 및 안티 블로킹층 중 어느 것을 적어도 1 층 구비한다.(14) The transparent electrode-forming piezoelectric film of the present invention further includes at least one of an undercoat layer, an optical adjustment layer, and an anti-blocking layer between the first base film and the piezoelectric coating layer.
(15) 본 발명의 투명 전극 형성 압전 필름은, 추가로, 제 1 기재 필름과 제 1 투명 전극 사이에 언더 코트층, 광학 조정층 및 안티 블로킹층 중 어느 것을 적어도 1 층 구비한다.(15) The transparent electrode-forming piezoelectric film of the present invention further includes at least one of an undercoat layer, an optical adjustment layer, and an anti-blocking layer between the first base film and the first transparent electrode.
(16) 본 발명의 투명 전극 형성 압전 필름은, 추가로, 제 2 기재 필름의, 제 2 투명 전극과 반대측의 표면에 적어도 1 층의 안티 블로킹층을 구비한다.(16) The transparent electrode-forming piezoelectric film of the present invention further includes at least one anti-blocking layer on the surface of the second base film on the opposite side to the second transparent electrode.
(17) 본 발명의 투명 전극 형성 압전 필름에 있어서는, 압전성을 갖는 코팅층이 불소 수지를 함유한다.(17) In the transparent electrode-forming piezoelectric film of the present invention, the coating layer having piezoelectricity contains a fluororesin.
(18) 본 발명의 투명 전극 형성 압전 필름에 있어서는, 불소 수지가, 불화비닐리덴의 중합체, 또는 (불화비닐리덴, 트리플루오로에틸렌, 클로로트리플루오로에틸렌) 중 2 종 이상의 공중합체이다.(18) In the transparent electrode-forming piezoelectric film of the present invention, the fluororesin is a polymer of vinylidene fluoride or a copolymer of two or more of (vinylidene fluoride, trifluoroethylene, chlorotrifluoroethylene).
(19) 본 발명의 투명 전극 형성 압전 필름에 있어서는, 불소 수지가, 불화비닐리덴과 트리플루오로에틸렌의 공중합체로서, 공중합체에 함유되는 불화비닐리덴과 트리플루오로에틸렌의 몰비가, 전체를 100 으로 하여 (50 ∼ 85) : (50 ∼ 15) 의 범위이다.(19) In the transparent electrode-forming piezoelectric film of the present invention, the fluororesin is a copolymer of vinylidene fluoride and trifluoroethylene, and the molar ratio of vinylidene fluoride and trifluoroethylene contained in the copolymer is the total. 100, (50 to 85): (50 to 15).
(20) 본 발명의 투명 전극 형성 압전 필름에 있어서는, 불소 수지가, 불화비닐리덴과 트리플루오로에틸렌과 클로로트리플루오로에틸렌의 공중합체로서, 공중합체에 함유되는 불화비닐리덴과 트리플루오로에틸렌과 클로로트리플루오로에틸렌의 몰비가, 전체를 100 으로 하여 (63 ∼ 65) : (27 ∼ 29) : (10 ∼ 6) 의 범위이다.(20) In the transparent electrode-forming piezoelectric film of the present invention, the fluororesin is a copolymer of vinylidene fluoride, trifluoroethylene, and chlorotrifluoroethylene, and vinylidene fluoride and trifluoroethylene contained in the copolymer. The molar ratio of to chlorotrifluoroethylene is in the range of (63 to 65): (27 to 29): (10 to 6) with the total being 100.
(21) 본 발명의 투명 전극 형성 압전 필름에 있어서는, 압전성을 갖는 코팅층이, 불소 수지의 용액을 제 1 기재 필름에 도포 및 건조시켜 얻어지는 코팅층이다.(21) In the transparent electrode-forming piezoelectric film of the present invention, the coating layer having piezoelectricity is a coating layer obtained by applying and drying a solution of a fluororesin to the first base film.
(22) 본 발명의 투명 전극 형성 압전 필름에 있어서는, 압전성을 갖는 코팅층의 두께가 0.5 ㎛ ∼ 20 ㎛ 이다.(22) In the transparent electrode-forming piezoelectric film of the present invention, the thickness of the coating layer having piezoelectricity is 0.5 µm to 20 µm.
(23) 본 발명의 투명 전극 형성 압전 필름에 있어서는, 제 1 투명 전극 및 제 2 투명 전극 중 어느 하나, 혹은 양자가, 패터닝되어 있다.(23) In the transparent electrode-forming piezoelectric film of the present invention, either or both of the first transparent electrode and the second transparent electrode are patterned.
(24) 본 발명의 투명 전극 형성 압전 필름에 있어서는, 제 1 투명 전극 및 제 2 투명 전극 중 어느 하나, 혹은 양자가, 인듐을 함유한다.(24) In the transparent electrode-forming piezoelectric film of the present invention, either or both of the first transparent electrode and the second transparent electrode contain indium.
(25) 본 발명의 투명 전극 형성 압전 필름에 있어서는, 제 1 투명 전극 및 제 2 투명 전극 중 어느 하나, 혹은 양자가, 인듐주석 산화물 (Indium Tin Oxide : ITO) 을 함유한다.(25) In the transparent electrode-forming piezoelectric film of the present invention, either or both of the first transparent electrode and the second transparent electrode contain indium tin oxide (ITO).
(26) 본 발명의 투명 전극 형성 압전 필름에 있어서는, 제 1 투명 전극 및 제 2 투명 전극 중 어느 하나, 혹은 양자의 두께가, 15 ㎚ ∼ 50 ㎚ 이다.(26) In the transparent electrode-forming piezoelectric film of the present invention, either or both of the first transparent electrode and the second transparent electrode have a thickness of 15 nm to 50 nm.
(27) 본 발명의 투명 전극 형성 압전 필름에 있어서는, 제 1 투명 전극 및 제 2 투명 전극 중 어느 하나, 혹은 양자가, 결정질이다.(27) In the transparent electrode-forming piezoelectric film of the present invention, either or both of the first transparent electrode and the second transparent electrode are crystalline.
(28) 본 발명의 투명 전극 형성 압전 필름에 있어서는, 기재 필름의 재료가, 폴리에틸렌테레프탈레이트, 폴리에틸렌나프탈레이트, 폴리올레핀, 폴리시클로올레핀, 시클로올레핀 코폴리머, 폴리카보네이트, 폴리에테르술폰, 폴리아릴레이트, 폴리이미드, 폴리아미드, 폴리스티렌, 폴리노르보르넨 중 적어도 1 종에서 선택된다.(28) In the transparent electrode forming piezoelectric film of the present invention, the material of the base film is polyethylene terephthalate, polyethylene naphthalate, polyolefin, polycycloolefin, cycloolefin copolymer, polycarbonate, polyethersulfone, polyarylate, It is selected from at least 1 sort(s) of polyimide, polyamide, polystyrene, and polynorbornene.
(29) 본 발명의 투명 전극 형성 압전 필름에 있어서는, 헤이즈값이 5 ％ 이하이다.(29) In the piezoelectric film with transparent electrode of the present invention, the haze value is 5% or less.
(30) 본 발명의 투명 전극 형성 압전 필름에 있어서는, 전광선 투과율이 82 ％ 이상이다.(30) In the piezoelectric film with a transparent electrode of the present invention, the total light transmittance is 82% or more.
(31) 본 발명의 압력 센서는, 상기한 투명 전극 형성 압전 필름을 구비한다.(31) The pressure sensor of the present invention includes the above-described piezoelectric film with transparent electrode.
본 발명의 투명 전극 형성 압전 필름에 있어서는, 압전체층이 코팅에 의해서 형성되기 때문에, 압전체층의 두께가, 종래의 자립된 필름으로 이루어지는 압전체층보다 얇다. 그 때문에, 압전체층에 의한 헤이즈값의 상승과 전광선 투과율의 저하가, 자립된 필름으로 이루어지는 압전체 필름보다 적다. 그 효과에 의해서, 헤이즈값이 작고, 추가로, 전광선 투과율이 높은 투명 전극 형성 압전 필름이 실현된다. 본 발명의 투명 전극 형성 압전 필름을, 터치 패널의 Z 좌표 검출용 압전 필름으로서 사용하면, 터치 패널의 배면에 있는 디스플레이의 시인성이 양호하여, Z 좌표 (손가락의 압압력) 검출 기능을 갖는 터치 패널을 실현할 수 있다.In the transparent electrode-forming piezoelectric film of the present invention, since the piezoelectric layer is formed by coating, the thickness of the piezoelectric layer is thinner than that of the conventional piezoelectric layer made of a self-supporting film. Therefore, the haze value increase and the total light transmittance decrease due to the piezoelectric layer are smaller than those of the piezoelectric film made of the self-supporting film. By this effect, a transparent electrode-forming piezoelectric film having a small haze value and a high total light transmittance is realized. When the transparent electrode-forming piezoelectric film of the present invention is used as a piezoelectric film for Z coordinate detection of a touch panel, the visibility of the display on the back surface of the touch panel is good, and the touch panel having a Z coordinate (pressure pressure of the finger) detection function can be realized
도 1 은, 본 발명의 투명 전극 형성 압전 필름의 제 1 예의 모식도
도 2 는, 본 발명의 투명 전극 형성 압전 필름의 제 2 예의 모식도
도 3 은, 본 발명의 투명 전극 형성 압전 필름의 제 3 예의 모식도
도 4 는, 본 발명의 투명 전극 형성 압전 필름의 제 4 예의 모식도
도 5 는, 본 발명의 투명 전극 형성 압전 필름의 제 5 예의 모식도
도 6 은, 본 발명의 투명 전극 형성 압전 필름의 제 6 예의 모식도
도 7 은, 본 발명의 투명 전극 형성 압전 필름의 제 7 예의 모식도
도 8 은, 본 발명의 투명 전극 형성 압전 필름의 제 8 예의 모식도
도 9 은, 본 발명의 투명 전극 형성 압전 필름의 제 9 예의 모식도
도 10 은, 본 발명의 투명 전극 형성 압전 필름의 제 10 예의 모식도
도 11 은, 본 발명의 투명 전극 형성 압전 필름의 제 11 예의 모식도
도 12 는, 본 발명의 투명 전극 형성 압전 필름의 제 12 예의 모식도
도 13 은, 본 발명의 투명 전극 형성 압전 필름의 제 13 예의 모식도
도 14 는, 본 발명의 투명 전극 형성 압전 필름의 제 14 예의 모식도
도 15 는, 본 발명의 투명 전극 형성 압전 필름의 제 15 예의 모식도
도 16 은, 본 발명의 투명 전극 형성 압전 필름의 제 16 예의 모식도
도 17 은, 본 발명의 투명 전극 형성 압전 필름의 제 17 예의 모식도
도 18 은, 본 발명의 투명 전극 형성 압전 필름의 제 18 예의 모식도
도 19 는, 본 발명의 투명 전극 형성 압전 필름의 제 19 예의 모식도
도 20 은, 본 발명의 투명 전극 형성 압전 필름의 제 20 예의 모식도
도 21 은, 본 발명의 투명 전극 형성 압전 필름의 제 21 예의 모식도
도 22 는, 본 발명의 투명 전극 형성 압전 필름의 제 22 예의 모식도
도 23 은, 본 발명의 투명 전극 형성 압전 필름의 제 23 예의 모식도
도 24 는, 본 발명의 투명 전극 형성 압전 필름의 제 24 예의 모식도
도 25 는, 본 발명의 투명 전극 형성 압전 필름의 제 25 예의 모식도
도 26 은, 본 발명의 투명 전극 형성 압전 필름의 제 26 예의 모식도
도 27 은, 본 발명의 투명 전극 형성 압전 필름의 제 27 예의 모식도
도 28 은, 본 발명의 투명 전극 형성 압전 필름의 제 28 예의 모식도
도 29 는, 본 발명의 투명 전극 형성 압전 필름의 제 29 예의 모식도
도 30 은, 본 발명의 투명 전극 형성 압전 필름의 제 30 예의 모식도
도 31 은, 본 발명의 투명 전극 형성 압전 필름의 제 31 예의 모식도
도 32 는, 본 발명의 투명 전극 형성 압전 필름의 제 32 예의 모식도
도 33 은, 본 발명의 투명 전극 형성 압전 필름의 제 33 예의 모식도
도 34 는, 본 발명의 투명 전극 형성 압전 필름의 제 34 예의 모식도
도 35 는, 본 발명의 투명 전극 형성 압전 필름의 제 35 예의 모식도1 is a schematic diagram of a first example of a piezoelectric film with a transparent electrode of the present invention;
Fig. 2 is a schematic diagram of a second example of the piezoelectric film with a transparent electrode of the present invention;
3 is a schematic diagram of a third example of the transparent electrode-forming piezoelectric film of the present invention;
Fig. 4 is a schematic diagram of a fourth example of a piezoelectric film with a transparent electrode of the present invention;
5 is a schematic diagram of a fifth example of the transparent electrode-forming piezoelectric film of the present invention;
6 is a schematic diagram of a sixth example of the transparent electrode-forming piezoelectric film of the present invention;
Fig. 7 is a schematic diagram of a seventh example of the transparent electrode-forming piezoelectric film of the present invention;
Fig. 8 is a schematic diagram of an eighth example of the piezoelectric film with a transparent electrode of the present invention;
Fig. 9 is a schematic diagram of a ninth example of the piezoelectric film with a transparent electrode of the present invention;
Fig. 10 is a schematic diagram of a tenth example of the transparent electrode-forming piezoelectric film of the present invention;
11 is a schematic diagram of an eleventh example of a piezoelectric film with a transparent electrode of the present invention;
12 is a schematic diagram of a twelfth example of a piezoelectric film with a transparent electrode of the present invention;
13 is a schematic diagram of a thirteenth example of a piezoelectric film with a transparent electrode of the present invention;
14 is a schematic diagram of a fourteenth example of a piezoelectric film with a transparent electrode of the present invention;
15 is a schematic diagram of a fifteenth example of the transparent electrode-forming piezoelectric film of the present invention;
16 is a schematic diagram of a sixteenth example of the transparent electrode-forming piezoelectric film of the present invention;
17 is a schematic diagram of a seventeenth example of the transparent electrode-forming piezoelectric film of the present invention;
18 is a schematic diagram of an 18th example of the transparent electrode-forming piezoelectric film of the present invention;
19 is a schematic diagram of a 19th example of the transparent electrode-forming piezoelectric film of the present invention;
20 is a schematic diagram of a twentieth example of a piezoelectric film with a transparent electrode of the present invention;
21 is a schematic diagram of a twenty-first example of the transparent electrode-forming piezoelectric film of the present invention;
22 is a schematic diagram of a 22nd example of the piezoelectric film with a transparent electrode of the present invention;
23 is a schematic diagram of a 23rd example of the transparent electrode-forming piezoelectric film of the present invention;
24 is a schematic diagram of a 24th example of the transparent electrode-forming piezoelectric film of the present invention;
25 is a schematic diagram of a 25th example of a piezoelectric film with a transparent electrode of the present invention;
26 is a schematic diagram of a 26th example of the transparent electrode-forming piezoelectric film of the present invention;
Fig. 27 is a schematic diagram of a 27th example of the piezoelectric film with a transparent electrode of the present invention;
Fig. 28 is a schematic diagram of a 28th example of the piezoelectric film with a transparent electrode of the present invention;
29 is a schematic diagram of a 29th example of the piezoelectric film with a transparent electrode of the present invention;
30 is a schematic diagram of a thirtieth example of the transparent electrode-forming piezoelectric film of the present invention;
31 is a schematic diagram of a 31st example of the transparent electrode-forming piezoelectric film of the present invention;
32 is a schematic diagram of a 32nd example of the transparent electrode-forming piezoelectric film of the present invention;
33 is a schematic diagram of a 33rd example of the transparent electrode-forming piezoelectric film of the present invention;
34 is a schematic diagram of a 34th example of the piezoelectric film with a transparent electrode of the present invention;
Fig. 35 is a schematic diagram of a 35th example of the piezoelectric film with a transparent electrode of the present invention;
［투명 전극 형성 압전 필름의 기본 구성］[Basic composition of piezoelectric film with transparent electrode]
도 1 에 본 발명의 투명 전극 형성 압전 필름의 제 1 예의 모식도를 나타낸다. 본 발명의 투명 전극 형성 압전 필름 (101) 은, 제 1 기재 필름 (11) 과 압전성을 갖는 코팅층 (12) 의 적층체로 이루어지는 압전 필름 (13) 을 포함한다. 압전성을 갖는 코팅층 (12) 에는, 적어도 1 층의 제 1 투명 전극 (14) 이 적층되어 있다. 적어도 1 층의 제 1 투명 전극 (14) 이란, 제 1 투명 전극 (14) 이 2 층 이상의 다층막이어도 된다는 의미이다. 제 1 투명 전극 (14) 은 패터닝되어 있어도 된다. 제 1 기재 필름 (11) 과 압전성을 갖는 코팅층 (12) 사이에, 도시하지 않은 접착 용이층이 적층되어 있어도 된다 (접착 용이층에 대해서는 이후의 예에 공통된다).1 is a schematic diagram of a first example of the transparent electrode-forming piezoelectric film of the present invention. The transparent electrode-forming
도 2 에 본 발명의 투명 전극 형성 압전 필름의 제 2 예의 모식도를 나타낸다. 본 발명의 투명 전극 형성 압전 필름 (102) 은, 본 발명의 투명 전극 형성 압전 필름 (101) 의 압전성을 갖는 코팅층 (12) 과 반대측의 표면에, 적어도 1 층의 제 2 투명 전극 (15) 이 적층된 것이다. 적어도 1 층의 제 2 투명 전극 (15) 이란, 제 2 투명 전극 (15) 이 2 층 이상의 다층막이어도 된다는 의미이다. 제 2 투명 전극 (15) 은 패터닝되어 있어도 된다. 제 1 기재 필름 (11) 과 제 2 투명 전극 (15) 사이에, 적어도 1 층의 투명 점착층을 구비해도 된다. 적어도 1 층의 투명 점착층이란, 투명 점착층이 2 층 이상의 다층막이어도 된다는 의미이다.Fig. 2 shows a schematic diagram of a second example of the transparent electrode-forming piezoelectric film of the present invention. The transparent electrode forming
도 3 에 본 발명의 투명 전극 형성 압전 필름의 제 3 예의 모식도를 나타낸다. 본 발명의 투명 전극 형성 압전 필름 (103) 은, 본 발명의 투명 전극 형성 압전 필름 (101) 의 제 1 기재 필름 (11) 의 압전성을 갖는 코팅층 (12) 과 반대측의 표면에, 추가로, 적어도 1 층의 투명 점착층 (21), 적어도 1 층의 제 2 투명 전극 (15), 적어도 1 층의 제 2 기재 필름 (17) 이 적층된 것이다. 적어도 1 층의 투명 점착층 (21) 이란, 투명 점착층 (21) 이 2 층 이상의 다층막이어도 된다는 의미이다. 적어도 1 층의 제 2 투명 전극 (15) 이란, 제 2 투명 전극 (15) 이 2 층 이상의 다층막이어도 된다는 의미이다. 적어도 1 층의 제 2 기재 필름 (17) 이란, 제 2 기재 필름 (17) 이 2 층 이상의 다층 필름이어도 된다는 의미이다.3 is a schematic diagram showing a third example of the transparent electrode-forming piezoelectric film of the present invention. The transparent electrode-forming
도 4 에 본 발명의 투명 전극 형성 압전 필름의 제 4 예의 모식도를 나타낸다. 본 발명의 투명 전극 형성 압전 필름 (104) 은, 본 발명의 투명 전극 형성 압전 필름 (103) 의 제 2 투명 전극 (15) 과 제 2 기재 필름 (17) 사이에 언더 코트층 (18), 광학 조정층 (19) 및 안티 블로킹층 (20) 의 어느 것 중 적어도 1 층이 적층된 것이다. 언더 코트층 (18) (혹은 앵커 코트층) 은, 투명 전극 형성 압전 필름의, 각 층간의 밀착성을 높이는 기능이 있다. 광학 조정층 (19) (Index matching layer) (굴절률 조정층이라고도 한다) 은, 투명 전극 형성 압전 필름의 광의 반사율을 조정하는 기능이 있다. 광학 조정층 (19) 은 2 층 이상의 다층막이어도 된다. 안티 블로킹층 (20) 은, 거듭 적층된, 혹은 권회된 투명 전극 형성 압전 필름끼리가 압착 (블로킹) 되는 것을 방지하는 기능이 있다. 안티 블로킹층 (20) 은 2 층 이상의 다층막이어도 된다.4 is a schematic diagram of a fourth example of the transparent electrode-forming piezoelectric film of the present invention. The transparent electrode-forming
도 5 에 본 발명의 투명 전극 형성 압전 필름의 제 5 예의 모식도를 나타낸다. 본 발명의 투명 전극 형성 압전 필름 (105) 은, 본 발명의 투명 전극 형성 압전 필름 (101) 의 압전성을 갖는 코팅층 (12) 과 제 1 투명 전극 (14) 사이에 언더 코트층 (18), 광학 조정층 (19) 및 안티 블로킹층 (20) 의 어느 것 중 적어도 1 층이 적층된 것이다.5 is a schematic diagram of a fifth example of the transparent electrode-forming piezoelectric film of the present invention. The transparent electrode forming
예를 들어, 도 5 에 있어서 광학 조정층 (19) 을 사용하는 경우에 대해서 설명한다. 압전성을 갖는 코팅층 (12) 의 두께로서 0.5 ∼ 10 ㎛, 광학 조정층 (19) 의 두께로서 80 ∼ 160 ㎚, 제 1 투명 전극 (14) 의 두께로서 20 ㎚ 이상을 일례로서 들 수 있다. 또, 압전성을 갖는 코팅층 (12) 의 굴절률로서 1.40 ∼ 1.50, 광학 조정층 (19) 의 굴절률로서 1.50 ∼ 1.70, 제 1 투명 전극 (14) 의 굴절률로서 1.90 ∼ 2.10 을 일례로서 들 수 있다. 또, 기재 필름 (11) 의 두께를 2 ∼ 100 ㎛, 굴절률을 1.50 ∼ 1.70 으로 한다. 이상의 두께와 굴절률로 함으로써, 제 1 투명 전극 (14) 과 광학 조정층 (19) 의 반사율차가 2.0 ％ 이하로 되어 외관이 양호해진다.For example, the case where the optical adjustment layer 19 is used in FIG. 5 is demonstrated. As a thickness of the
또한, 도 2 의 압전 필름 (102) 에 있어서, 기재 필름 (11) 과 제 2 투명 전극 (15) 사이에 언더 코트층 (18), 광학 조정층 (19) 및 안티 블로킹층 (20) 의 어느 것 중 적어도 1 층을 적층해도 된다.In addition, in the
도 6 에 본 발명의 투명 전극 형성 압전 필름의 제 6 예의 모식도를 나타낸다. 본 발명의 투명 전극 형성 압전 필름 (106) 은, 본 발명의 투명 전극 형성 압전 필름 (102) 의 압전성을 갖는 코팅층 (12) 과 제 1 투명 전극 (14) 사이에 언더 코트층 (18), 광학 조정층 (19) 및 안티 블로킹층 (20) 의 어느 것 중 적어도 1 층이 적층된 것이다.6 is a schematic diagram of a sixth example of the transparent electrode-forming piezoelectric film of the present invention. The transparent electrode forming
도 7 에 본 발명의 투명 전극 형성 압전 필름의 제 7 예의 모식도를 나타낸다. 본 발명의 투명 전극 형성 압전 필름 (107) 은, 본 발명의 투명 전극 형성 압전 필름 (103) 의 압전성을 갖는 코팅층 (12) 과 제 1 투명 전극 (14) 사이에 언더 코트층 (18), 광학 조정층 (19) 및 안티 블로킹층 (20) 의 어느 것 중 적어도 1 층이 적층된 것이다.7 is a schematic diagram of a seventh example of the transparent electrode-forming piezoelectric film of the present invention. The transparent electrode-forming
도 8 에 본 발명의 투명 전극 형성 압전 필름의 제 8 예의 모식도를 나타낸다. 본 발명의 투명 전극 형성 압전 필름 (108) 은, 본 발명의 투명 전극 형성 압전 필름 (104) 의 압전성을 갖는 코팅층 (12) 과 제 1 투명 전극 (14) 사이에 언더 코트층 (18), 광학 조정층 (19) 및 안티 블로킹층 (20) 의 어느 것 중 적어도 1 층이 적층된 것이다.8 is a schematic diagram of an eighth example of the transparent electrode-forming piezoelectric film of the present invention. The transparent electrode forming
도 9 에 본 발명의 투명 전극 형성 압전 필름의 제 9 예의 모식도를 나타낸다. 본 발명의 투명 전극 형성 압전 필름 (109) 은, 본 발명의 투명 전극 형성 압전 필름 (101) 의 제 1 기재 필름 (11) 과 압전성을 갖는 코팅층 (12) 사이에 언더 코트층 (18), 광학 조정층 (19) 및 안티 블로킹층 (20) 의 어느 것 중 적어도 1 층이 적층된 것이다.Fig. 9 is a schematic diagram showing a ninth example of the transparent electrode-forming piezoelectric film of the present invention. The transparent electrode-forming
도 10 에 본 발명의 투명 전극 형성 압전 필름의 제 10 예의 모식도를 나타낸다. 본 발명의 투명 전극 형성 압전 필름 (110) 은, 본 발명의 투명 전극 형성 압전 필름 (102) 의 제 1 기재 필름 (11) 과 압전성을 갖는 코팅층 (12) 사이에 언더 코트층 (18), 광학 조정층 (19) 및 안티 블로킹층 (20) 의 어느 것 중 적어도 1 층이 적층된 것이다.10 is a schematic diagram of a tenth example of the transparent electrode-forming piezoelectric film of the present invention. The transparent electrode forming
도 11 에 본 발명의 투명 전극 형성 압전 필름의 제 11 예의 모식도를 나타낸다. 본 발명의 투명 전극 형성 압전 필름 (111) 은, 본 발명의 투명 전극 형성 압전 필름 (103) 의 제 1 기재 필름 (11) 과 압전성을 갖는 코팅층 (12) 사이에 언더 코트층 (18), 광학 조정층 (19) 및 안티 블로킹층 (20) 의 어느 것 중 적어도 1 층이 적층된 것이다.11 is a schematic diagram of an eleventh example of the transparent electrode-forming piezoelectric film of the present invention. The transparent electrode-forming
도 12 에 본 발명의 투명 전극 형성 압전 필름의 제 12 예의 모식도를 나타낸다. 본 발명의 투명 전극 형성 압전 필름 (112) 은, 본 발명의 투명 전극 형성 압전 필름 (104) 의 제 1 기재 필름 (11) 과 압전성을 갖는 코팅층 (12) 사이에 언더 코트층 (18), 광학 조정층 (19) 및 안티 블로킹층 (20) 의 어느 것 중 적어도 1 층이 적층된 것이다.12 is a schematic diagram of a twelfth example of the transparent electrode-forming piezoelectric film of the present invention. The transparent electrode forming
도 13 에 본 발명의 투명 전극 형성 압전 필름의 제 13 예의 모식도를 나타낸다. 본 발명의 투명 전극 형성 압전 필름 (113) 은, 본 발명의 투명 전극 형성 압전 필름 (105) 의 제 1 기재 필름 (11) 과 압전성을 갖는 코팅층 (12) 사이에 언더 코트층 (18), 광학 조정층 (19) 및 안티 블로킹층 (20) 의 어느 것 중 적어도 1 층이 적층된 것이다.13 is a schematic diagram of a thirteenth example of the transparent electrode-forming piezoelectric film of the present invention. The transparent electrode forming
도 14 에 본 발명의 투명 전극 형성 압전 필름의 제 14 예의 모식도를 나타낸다. 본 발명의 투명 전극 형성 압전 필름 (114) 은, 본 발명의 투명 전극 형성 압전 필름 (106) 의 제 1 기재 필름 (11) 과 압전성을 갖는 코팅층 (12) 사이에 언더 코트층 (18), 광학 조정층 (19) 및 안티 블로킹층 (20) 의 어느 것 중 적어도 1 층이 적층된 것이다.Fig. 14 is a schematic diagram of a fourteenth example of the transparent electrode-forming piezoelectric film of the present invention. The transparent electrode forming
도 15 에 본 발명의 투명 전극 형성 압전 필름의 제 15 예의 모식도를 나타낸다. 본 발명의 투명 전극 형성 압전 필름 (115) 은, 본 발명의 투명 전극 형성 압전 필름 (107) 의 제 1 기재 필름 (11) 과 압전성을 갖는 코팅층 (12) 사이에 언더 코트층 (18), 광학 조정층 (19) 및 안티 블로킹층 (20) 의 어느 것 중 적어도 1 층이 적층된 것이다.Fig. 15 is a schematic diagram showing a fifteenth example of the transparent electrode-forming piezoelectric film of the present invention. The transparent electrode forming
도 16 에 본 발명의 투명 전극 형성 압전 필름의 제 16 예의 모식도를 나타낸다. 본 발명의 투명 전극 형성 압전 필름 (116) 은, 본 발명의 투명 전극 형성 압전 필름 (108) 의 제 1 기재 필름 (11) 과 압전성을 갖는 코팅층 (12) 사이에 언더 코트층 (18), 광학 조정층 (19) 및 안티 블로킹층 (20) 의 어느 것 중 적어도 1 층이 적층된 것이다.Fig. 16 is a schematic diagram of a sixteenth example of the transparent electrode-forming piezoelectric film of the present invention. The transparent electrode forming
도 17 에 본 발명의 투명 전극 형성 압전 필름의 제 17 예의 모식도를 나타낸다. 본 발명의 투명 전극 형성 압전 필름 (117) 은, 본 발명의 투명 전극 형성 압전 필름 (101) 의 제 1 기재 필름 (11) 의, 압전성을 갖는 코팅층 (12) 과 반대측의 표면에 적어도 1 층의 안티 블로킹층 (20) 이 적층된 것이다.17 is a schematic diagram of a seventeenth example of the transparent electrode-forming piezoelectric film of the present invention. The transparent electrode-forming
도 18 에 본 발명의 투명 전극 형성 압전 필름의 제 18 예의 모식도를 나타낸다. 본 발명의 투명 전극 형성 압전 필름 (118) 은, 본 발명의 투명 전극 형성 압전 필름 (103) 의 제 2 기재 필름 (17) 의, 압전성을 갖는 코팅층 (12) 과 반대측의 표면에 적어도 1 층의 안티 블로킹층 (20) 이 적층된 것이다.18 is a schematic diagram of an 18th example of the transparent electrode-forming piezoelectric film of the present invention. The transparent electrode-forming
도 19 에 본 발명의 투명 전극 형성 압전 필름의 제 19 예의 모식도를 나타낸다. 본 발명의 투명 전극 형성 압전 필름 (119) 은, 본 발명의 투명 전극 형성 압전 필름 (104) 의 제 2 기재 필름 (17) 의, 압전성을 갖는 코팅층 (12) 과 반대측의 표면에 적어도 1 층의 안티 블로킹층 (20) 이 적층된 것이다.19 is a schematic diagram of a 19th example of the piezoelectric film with a transparent electrode of the present invention. The transparent electrode-forming
도 20 에 본 발명의 투명 전극 형성 압전 필름의 제 20 예의 모식도를 나타낸다. 본 발명의 투명 전극 형성 압전 필름 (120) 은, 본 발명의 투명 전극 형성 압전 필름 (105) 의 제 1 기재 필름 (11) 의, 압전성을 갖는 코팅층 (12) 과 반대측의 표면에 적어도 1 층의 안티 블로킹층 (20) 이 적층된 것이다.20 is a schematic diagram of a twentieth example of the piezoelectric film with a transparent electrode of the present invention. The transparent electrode-forming
도 21 에 본 발명의 투명 전극 형성 압전 필름의 제 21 예의 모식도를 나타낸다. 본 발명의 투명 전극 형성 압전 필름 (121) 은, 본 발명의 투명 전극 형성 압전 필름 (107) 의 제 2 기재 필름 (17) 의, 압전성을 갖는 코팅층 (12) 과 반대측의 표면에 적어도 1 층의 안티 블로킹층 (20) 이 적층된 것이다.21 is a schematic diagram of a twenty-first example of the transparent electrode-forming piezoelectric film of the present invention. The transparent electrode-forming
도 22 에 본 발명의 투명 전극 형성 압전 필름의 제 22 예의 모식도를 나타낸다. 본 발명의 투명 전극 형성 압전 필름 (122) 은, 본 발명의 투명 전극 형성 압전 필름 (108) 의 제 2 기재 필름 (17) 의, 압전성을 갖는 코팅층 (12) 과 반대측의 표면에 적어도 1 층의 안티 블로킹층 (20) 이 적층된 것이다.22 is a schematic diagram of a 22nd example of the transparent electrode-forming piezoelectric film of the present invention. The transparent electrode-forming
도 23 에 본 발명의 투명 전극 형성 압전 필름의 제 23 예의 모식도를 나타낸다. 본 발명의 투명 전극 형성 압전 필름 (123) 은, 제 1 기재 필름 (11) 과 압전성을 갖는 코팅층 (12) 의 적층체를 포함하는 압전 필름 (13) 을 구비한다. 제 1 기재 필름 (11) 의 압전성을 갖는 코팅층 (12) 과 반대측의 표면에, 적어도 1 층의 제 1 투명 전극 (14) 이 적층되어 있다.23 is a schematic diagram of a 23rd example of the transparent electrode-forming piezoelectric film of the present invention. The transparent electrode
도 24 에 본 발명의 투명 전극 형성 압전 필름의 제 24 예의 모식도를 나타낸다. 본 발명의 투명 전극 형성 압전 필름 (124) 은, 본 발명의 투명 전극 형성 압전 필름 (123) 의 압전성을 갖는 코팅층 (12) 의 제 1 기재 필름 (11) 과 반대측의 표면에, 적어도 1 층의 제 2 투명 전극 (15) 이 적층된 것이다.24 is a schematic diagram of a 24th example of the transparent electrode-forming piezoelectric film of the present invention. The transparent electrode-forming
도 25 에 본 발명의 투명 전극 형성 압전 필름의 제 25 예의 모식도를 나타낸다. 본 발명의 투명 전극 형성 압전 필름 (125) 은, 본 발명의 투명 전극 형성 압전 필름 (123) 의 압전성을 갖는 코팅층 (12) 의 제 1 기재 필름 (11) 과 반대측의 표면에, 추가로, 적어도 1 층의 투명 점착층 (21), 적어도 1 층의 제 2 투명 전극 (15), 적어도 1 층의 제 2 기재 필름 (17) 이 적층된 것이다.25 is a schematic diagram of a 25th example of the transparent electrode-forming piezoelectric film of the present invention. The transparent electrode-forming
도 26 에 본 발명의 투명 전극 형성 압전 필름의 제 26 예의 모식도를 나타낸다. 본 발명의 투명 전극 형성 압전 필름 (126) 은, 본 발명의 투명 전극 형성 압전 필름 (125) 의 제 2 투명 전극 (15) 과 제 2 기재 필름 (17) 사이에, 언더 코트층 (18), 광학 조정층 (19) 및 안티 블로킹층 (20) 중 어느 것이 적어도 1 층 적층된 것이다.26 is a schematic diagram of a 26th example of the transparent electrode-forming piezoelectric film of the present invention. The transparent electrode forming
도 27 에 본 발명의 투명 전극 형성 압전 필름의 제 27 예의 모식도를 나타낸다. 본 발명의 투명 전극 형성 압전 필름 (127) 은, 본 발명의 투명 전극 형성 압전 필름 (123) 의 제 1 기재 필름 (11) 과 압전성을 갖는 코팅층 (12) 사이에, 언더 코트층 (18), 광학 조정층 (19) 및 안티 블로킹층 (20) 중 어느 것이 적어도 1 층 적층된 것이다.27 is a schematic diagram of a 27th example of the transparent electrode-forming piezoelectric film of the present invention. The transparent electrode forming
도 28 에 본 발명의 투명 전극 형성 압전 필름의 제 28 예의 모식도를 나타낸다. 본 발명의 투명 전극 형성 압전 필름 (128) 은, 본 발명의 투명 전극 형성 압전 필름 (124) 의 제 1 기재 필름 (11) 과 압전성을 갖는 코팅층 (12) 사이에, 언더 코트층 (18), 광학 조정층 (19) 및 안티 블로킹층 (20) 중 어느 것이 적어도 1 층 적층된 것이다.28 is a schematic diagram of a 28th example of the transparent electrode-forming piezoelectric film of the present invention. The transparent electrode forming
도 29 에 본 발명의 투명 전극 형성 압전 필름의 제 29 예의 모식도를 나타낸다. 본 발명의 투명 전극 형성 압전 필름 (129) 은, 본 발명의 투명 전극 형성 압전 필름 (125) 의 제 1 기재 필름 (11) 과 압전성을 갖는 코팅층 (12) 사이에, 언더 코트층 (18), 광학 조정층 (19) 및 안티 블로킹층 (20) 중 어느 것이 적어도 1 층 적층된 것이다.29 is a schematic diagram of a 29th example of the transparent electrode-forming piezoelectric film of the present invention. The transparent electrode-forming
도 30 에 본 발명의 투명 전극 형성 압전 필름의 제 30 예의 모식도를 나타낸다. 본 발명의 투명 전극 형성 압전 필름 (130) 은, 본 발명의 투명 전극 형성 압전 필름 (126) 의 제 1 기재 필름 (11) 과 압전성을 갖는 코팅층 (12) 사이에, 언더 코트층 (18), 광학 조정층 (19) 및 안티 블로킹층 (20) 중 어느 것이 적어도 1 층 적층된 것이다.30 is a schematic diagram of a thirtieth example of the transparent electrode-forming piezoelectric film of the present invention. The transparent electrode forming
도 31 에 본 발명의 투명 전극 형성 압전 필름의 제 31 예의 모식도를 나타낸다. 본 발명의 투명 전극 형성 압전 필름 (131) 은, 본 발명의 투명 전극 형성 압전 필름 (123) 의 제 1 기재 필름 (11) 과 제 1 투명 전극 (14) 사이에, 언더 코트층 (18), 광학 조정층 (19) 및 안티 블로킹층 (20) 중 어느 것이 적어도 1 층 적층된 것이다.Fig. 31 is a schematic diagram of a 31st example of the piezoelectric film with a transparent electrode of the present invention. The transparent electrode forming
도 32 에 본 발명의 투명 전극 형성 압전 필름의 제 32 예의 모식도를 나타낸다. 본 발명의 투명 전극 형성 압전 필름 (132) 은, 본 발명의 투명 전극 형성 압전 필름 (124) 의 제 1 기재 필름 (11) 과 제 1 투명 전극 (14) 사이에, 언더 코트층 (18), 광학 조정층 (19) 및 안티 블로킹층 (20) 중 어느 것이 적어도 1 층 적층된 것이다.32 is a schematic diagram of a 32nd example of the transparent electrode-forming piezoelectric film of the present invention. The transparent electrode forming
도 33 에 본 발명의 투명 전극 형성 압전 필름의 제 33 예의 모식도를 나타낸다. 본 발명의 투명 전극 형성 압전 필름 (133) 은, 본 발명의 투명 전극 형성 압전 필름 (125) 의 제 1 기재 필름 (11) 과 제 1 투명 전극 (14) 사이에, 언더 코트층 (18), 광학 조정층 (19) 및 안티 블로킹층 (20) 중 어느 것이 적어도 1 층 적층된 것이다.33 is a schematic diagram of a 33rd example of the transparent electrode-forming piezoelectric film of the present invention. The transparent electrode forming
도 34 에 본 발명의 투명 전극 형성 압전 필름의 제 34 예의 모식도를 나타낸다. 본 발명의 투명 전극 형성 압전 필름 (134) 은, 본 발명의 투명 전극 형성 압전 필름 (126) 의 제 1 기재 필름 (11) 과 제 1 투명 전극 (14) 사이에, 언더 코트층 (18), 광학 조정층 (19) 및 안티 블로킹층 (20) 중 어느 것이 적어도 1 층 적층된 것이다.34 is a schematic diagram of a 34th example of the transparent electrode-forming piezoelectric film of the present invention. The transparent electrode forming
도 35 에 본 발명의 투명 전극 형성 압전 필름의 제 35 예의 모식도를 나타낸다. 본 발명의 투명 전극 형성 압전 필름 (135) 은, 본 발명의 투명 전극 형성 압전 필름 (125) 의 제 2 기재 필름 (17) 의, 제 2 투명 전극 (15) 과 반대측의 표면에, 적어도 1 층의 안티 블로킹층 (20) 이 적층된 것이다.35 is a schematic diagram of a 35th example of the transparent electrode-forming piezoelectric film of the present invention. The transparent electrode forming
［기재 필름］[base film]
제 1 기재 필름 (11) 및 제 2 기재 필름 (17) 은, 예를 들어, 폴리에틸렌테레프탈레이트, 폴리에틸렌나프탈레이트, 폴리올레핀, 폴리시클로올레핀, 시클로올레핀 코폴리머, 폴리카보네이트, 폴리에테르술폰, 폴리아릴레이트, 폴리이미드, 폴리아미드, 폴리스티렌, 폴리노르보르넨 등의 고분자 필름으로 이루어진다. 제 1 기재 필름 (11) 및 제 2 기재 필름 (17) 의 재료는 이것들에 한정되는 경우는 없지만, 투명성, 내열성 및 기계 특성이 우수한 폴리에틸렌테레프탈레이트 (PET) 가 바람직하다.The
제 1 기재 필름 (11) 및 제 2 기재 필름 (17) 의 두께는, 바람직하게는 10 ㎛ ∼ 200 ㎛ 이지만, 이것에 한정되는 경우는 없다. 단, 제 1 기재 필름 (11) 및 제 2 기재 필름 (17) 의 두께가 10 ㎛ 미만이면, 취급이 곤란해질 우려가 있다. 또 제 1 기재 필름 (11) 및 제 2 기재 필름 (17) 의 두께가 200 ㎛ 를 초과하면, 투명 전극 형성 압전 필름 (101 ∼ 135) 을 권회하여 롤로 하기가 어려워질 우려가 있다. 또 제 1 기재 필름 (11) 및 제 2 기재 필름 (17) 의 두께가 200 ㎛ 를 초과하면, 투명 전극 형성 압전 필름 (101 ∼ 135) 을 터치 패널 등에 실장했을 때에 두께가 지나치게 두꺼워질 우려가 있다.Although the thickness of the
［압전성을 갖는 코팅층］[Coating layer having piezoelectricity]
압전성을 갖는 코팅층 (12) 의 재료는, 제 1 기재 필름 (11) 의 표면에 박막상으로 코팅하는 것이 가능하고, 코팅 후의 박막이 압전성을 갖는 것이면 특별히 한정되는 경우는 없다. 압전성을 갖는 코팅층 (12) 은, 폴링 (분극 처리) 을 행하지 않아도 압전성을 나타내는 것이 바람직하지만, 폴링 후에 압전성을 나타내는 것이어도 된다.The material of the
폴링 (분극 처리) 으로서 비접촉식의 폴링과 접촉식의 폴링이 있다. 비접촉식의 폴링에서는, 예를 들어, 코팅층 (12) 을 코로나 방전 처리함으로써 코팅층 (12) 을 분극시킨다. 접촉식의 폴링에서는, 예를 들어, 2 장의 금속판으로 코팅층 (12) 을 사이에 끼우고, 2 장의 금속판 사이에 전압을 인가하여 코팅층 (12) 을 분극시킨다.As the poling (polarization treatment), there are contactless poling and contact poling. In the non-contact poling, for example, the
압전성을 갖는 코팅층 (12) 은, 예를 들어, 압전성을 갖는 코팅층 (12) 의 재료를 용매에 용해시켜 용액으로 하고, 바 코터나 그라비아 코터 등의 이미 알려진 코팅 장치에 의해서 기재 필름의 표면에 얇고 일정하게 코팅하고, 그 후 건조시켜 얻어진다.The
［압전성을 갖는 코팅층의 재료］[Material of coating layer having piezoelectricity]
압전성을 갖는 코팅층 (12) 의 재료는, 예를 들어, 불소 수지를 함유하는 재료가 바람직하게 사용된다. 불소 수지를 함유하는 재료를 구체적으로 예시하면, 불화비닐리덴의 중합체, 불화비닐리덴과 트리플루오로에틸렌의 공중합체, 불화비닐리덴과 트리플루오로에틸렌과 클로로트리플루오로에틸렌의 공중합체, 헥사플루오로프로필렌과 비닐리덴플로라이드의 공중합체, 퍼플루오로비닐에테르와 비닐리덴플로라이드의 공중합체, 테트라플루오로에틸렌과 비닐리덴플로라이드의 공중합체, 헥사플루오로프로필렌옥사이드와 비닐리덴플로라이드의 공중합체, 헥사플루오로프로필렌과 테트라플루오로에틸렌과 비닐리덴플로라이드의 공중합체를 들 수 있다. 이들 폴리머는, 단독으로도 혼합체로도 사용할 수 있다.As the material of the
불소 수지를 함유하는 재료는, 바람직하게는, 불화비닐리덴과 트리플루오로에틸렌의 공중합체, 혹은, 불화비닐리덴과 트리플루오로에틸렌과 클로로트리플루오로에틸렌의 공중합체이다. 불화비닐리덴과 트리플루오로에틸렌의 공중합체를 2 원계 공중합체라고 하는 것으로 한다. 불화비닐리덴과 트리플루오로에틸렌과 클로로트리플루오로에틸렌의 공중합체를 3 원계 공중합체라고 하는 것으로 한다.The material containing the fluororesin is preferably a copolymer of vinylidene fluoride and trifluoroethylene or a copolymer of vinylidene fluoride, trifluoroethylene and chlorotrifluoroethylene. A copolymer of vinylidene fluoride and trifluoroethylene is referred to as a binary copolymer. A copolymer of vinylidene fluoride, trifluoroethylene, and chlorotrifluoroethylene is referred to as a ternary copolymer.
불화비닐리덴과 트리플루오로에틸렌의 공중합체 (2 원계 공중합체) 를, 압전성을 갖는 코팅층 (12) 의 재료로 사용할 경우, 불화비닐리덴과 트리플루오로에틸렌의 몰비는, 전체를 100 으로 하여 (50 ∼ 85) : (50 ∼ 15) 의 범위가 적절하다.When a copolymer of vinylidene fluoride and trifluoroethylene (binary copolymer) is used as a material for the
또, 불화비닐리덴과 트리플루오로에틸렌과 클로로트리플루오로에틸렌의 공중합체 (3 원계 공중합체) 를, 압전성을 갖는 코팅층 (12) 의 재료로 사용할 경우, 불화비닐리덴과 트리플루오로에틸렌과 클로로트리플루오로에틸렌의 몰비는, 전체를 100 으로 하여 (63 ∼ 65) : (27 ∼ 29) : (10 ∼ 6) 의 범위가 적절하다.Further, when a copolymer of vinylidene fluoride, trifluoroethylene, and chlorotrifluoroethylene (a ternary copolymer) is used as a material for the
［압전성을 갖는 코팅층의 두께］[Thickness of coating layer having piezoelectricity]
압전성을 갖는 코팅층 (12) 의 두께가 한정되는 경우는 없지만, 후술하는 광학 특성을 고려하면, 0.5 ㎛ ∼ 20 ㎛ 가 바람직하고, 0.5 ㎛ ∼ 10 ㎛ 가 보다 바람직하며, 0.5 ㎛ ∼ 5 ㎛ 가 더욱 바람직하다. 압전성을 갖는 코팅층 (12) 의 두께가 0.5 ㎛ 미만이면, 형성된 막이 불완전하게 될 우려가 있다. 압전성을 갖는 코팅층 (12) 의 두께가 20 ㎛ 를 초과하면, 광학 특성 (헤이즈값 및 전광선 투과율) 이 부적절해질 우려가 있다.Although the thickness of the
［투명 전극］[Transparent Electrode]
제 1 투명 전극 (14) 및 제 2 투명 전극 (15) 은, 가시광역 (380 ㎚ ∼ 780 ㎚) 에서 광 투과성을 가지며, 또한, 도전성을 갖는 것이면, 그 구성 및 재료가 특별히 한정되는 경우는 없다. 제 1 투명 전극 (14) 및 제 2 투명 전극 (15) 은, 예를 들어, 금속의 도전성 산화물 (예를 들어, 인듐 산화물) 을 주성분으로 하는 투명 박막, 또는 주금속 (예를 들어, 인듐) 과 1 종 이상의 불순물 금속 (예를 들어, 주석) 을 함유하는 복합 금속 산화물을 주성분으로 하는 투명 박막이다.If the first
제 1 투명 전극 (14) 및 제 2 투명 전극 (15) 으로서, 예를 들어, 인듐 산화물, 인듐주석 산화물 (ITO : Indium Tin Oxide), 인듐아연 산화물 (IZO : Indium Zinc Oxide), 인듐갈륨아연 산화물 (IGZO : Indium Gallium Zinc Oxide) 등의 인듐계 복합 산화물이 사용되지만, 저비저항이나 투과 색상의 관점에서, 인듐주석 산화물 (ITO) 이 특히 바람직하다.As the first
인듐계 복합 산화물은, 가시광역에 투과율이 80 ％ 이상으로 높으며, 또한, 단위 면적당 표면 저항값이 30 Ω/□ ∼ 1000 Ω/□ (ohms per square) 로 낮은 특징이 있다. 인듐계 복합 산화물의 단위 면적당 표면 저항값은, 300 Ω/□ 이하가 바람직하고, 150 Ω/□ 이하가 보다 바람직하다.The indium-based composite oxide has a high transmittance of 80% or more in the visible light region, and a low surface resistance value of 30 Ω/□ to 1000 Ω/□ (ohms per square) per unit area. 300 Ω/square or less is preferable and, as for the surface resistance value per unit area of an indium-type composite oxide, 150 ohms/square or less is more preferable.
제 1 투명 전극 (14) 및 제 2 투명 전극 (15) 에는, 추가로 티탄 Ti, 마그네슘 Mg, 알루미늄 Al, 금 Au, 은 Ag, 구리 Cu 등의 불순물 금속 원소가 함유되어 있어도 된다. 제 1 투명 전극 (14) 및 제 2 투명 전극 (15) 은, 스퍼터링법, 진공 증착법 등에 의해서 형성되지만, 제법이 이것에 한정되는 경우는 없다.The first
제 1 투명 전극 (14) 및 제 2 투명 전극 (15) 을 인듐주석 산화물 (ITO) 로 형성하는 경우, 인듐주석 산화물 (ITO) 중의 산화주석 (SnO2) 의 양은, 산화인듐 (In2O3) 과 산화주석 (SnO2) 의 합계량에 대해서, 0.5 중량％ ∼ 15 중량％ 인 것이 바람직하고, 3 중량％ ∼ 15 중량％ 인 것이 보다 바람직하며, 5 중량％ ∼ 13 중량％ 인 것이 더욱 바람직하다. 산화주석 (SnO2) 이 0.5 중량％ 미만이면, 제 1 투명 전극 (14) 및 제 2 투명 전극 (15) 의 표면 저항값이 높아질 우려가 있다. 산화주석 (SnO2) 이 15 중량％ 를 초과하면, 제 1 투명 전극 (14) 및 제 2 투명 전극 (15) 의 면내의 표면 저항값의 균일성이 상실될 우려가 있다.When the first
저온에서 형성된, 예를 들어, 인듐주석 산화물 (ITO) 로 이루어지는 제 1 투명 전극 (14) 및 제 2 투명 전극 (15) 은 비정질이고, 이것을 가열 처리함으로써 비정질에서 결정질로 전화시킬 수 있다. 제 1 투명 전극 (14) 및 제 2 투명 전극 (15) 은, 결정질로 전화되면 그 표면 저항값이 낮아진다. 그 때문에, 제 1 투명 전극 (14) 및 제 2 투명 전극 (15) 은 결정질인 것이 바람직하다. 제 1 투명 전극 (14) 및 제 2 투명 전극 (15) 을 결정질로 전화시킬 때의 열처리 조건은, 80 ℃ ∼ 200 ℃ 가 적절하지만, 생산성의 관점에서는, 140 ℃ 이하, 30 분 이하가 바람직하다.The first
제 1 투명 전극 (14) 및 제 2 투명 전극 (15) 의 두께는, 15 ㎚ ∼ 50 ㎚ 인 것이 바람직하다. 제 1 투명 전극 (14) 및 제 2 투명 전극 (15) 의 두께가 15 ㎚ 를 밑돌면, 제 1 투명 전극 (14) 및 제 2 투명 전극 (15) 의 표면 저항값이 상승할 우려가 있다. 제 1 투명 전극 (14) 및 제 2 투명 전극 (15) 의 두께가 50 ㎚ 를 초과하면, 제 1 투명 전극 (14) 및 제 2 투명 전극 (15) 의 전광선 투과율의 저하나, 내부 응력의 상승에 의한 크랙 발생이 우려된다. 제 1 투명 전극 (14) 및 제 2 투명 전극 (15) 은, 2 층 이상의 투명 도전막이 적층된 적층막이어도 된다.It is preferable that the thickness of the 1st
제 1 투명 전극 (14) 및 제 2 투명 전극 (15) 은, 폴리에틸렌디옥시티오펜 (PEDOT : PSS), 폴리피롤, 폴리아닐린 등의 도전성 고분자의 박막이어도 된다. 또 제 1 투명 전극 (14) 및 제 2 투명 전극 (15) 은, 선 직경이 5 ㎛ ∼ 10 ㎛ 정도인 은이나 구리의 극세 금속선이 투명 필름 상에 망목상 (網目狀) 으로 형성된 도전성 극세망이어도 된다. 혹은, 제 1 투명 전극 (14) 및 제 2 투명 전극 (15) 은, 카본 나노 파이버, 은 나노 와이어, 그라펜 등을 포함하는 박막이어도 된다.The 1st
［투명 점착층］[Transparent adhesive layer]
투명 점착층 (21) 은 광학 투명 점착제로 이루어지는 것이 바람직하다. 예를 들어, 광학 투명 점착제의 시트를 사용하여 투명 점착층 (21) 을 형성할 수 있다. 투명 점착층 (21) 대신에 투명 접착층을 사용할 수도 있다. 그 경우, 투명 접착층은 광학 투명 접착제로 이루어지는 것이 바람직하다. 예를 들어, 액상의 광학 투명 접착제를 도포하고, 자외선을 조사하고 경화시켜, 투명 접착층을 형성할 수 있다. 투명 점착층 (21) 혹은 투명 접착층의 굴절률은, 그 양측에 적층된 재료의 각각의 굴절률의 중간적인 값인 것이 바람직하다. 그와 같이 투명 점착층 (21) 혹은 투명 접착층의 굴절률을 선택함으로써, 투명 점착층 (21) 혹은 투명 접착층과, 그 양측에 적층된 재료의 계면에 있어서의 광의 반사를 억제할 수 있다.It is preferable that the transparent
［투명 전극 형성 압전 필름의 광학 특성］[Optical Characteristics of Piezoelectric Film with Transparent Electrode]
일반적으로, 헤이즈값이 커져도, 광은 흡수되지 않고 산란하는 경우가 있기 때문에, 전광선 투과율은 저하되지 않는 경우가 있다. 그러나, 전광선 투과율은 저하되지 않아도, 헤이즈값이 커짐에 따라서, 디스플레이 화상의 시인성은 저하된다. 그 때문에 전광선 투과율의 값만으로는, 디스플레이 화상의 시인성은 판단할 수 없다. 본원 발명자의 실험에 의하면, 투명 전극 형성 압전 필름의 배면에 있는 디스플레이의 화상을 명료하게 시인하기 위해서, 투명 전극 형성 압전 필름의 헤이즈값은, 5 ％ 이하가 바람직하고, 4 ％ 이하가 보다 바람직하며, 3 ％ 이하가 더욱 바람직하고, 2 ％ 이하가 특히 바람직하고, 1 ％ 이하가 가장 바람직하다. 투명 전극 형성 압전 필름의 전광선 투과율은 82 ％ 이상이 바람직하고, 85 ％ 이상이 보다 바람직하며, 86 ％ 이상이 더욱 바람직하고, 88 ％ 이상이 특히 바람직하다. 투명 전극 형성 압전 필름의 헤이즈값이 5 ％ 를 초과했을 경우, 혹은, 전광선 투과율이 82 ％ 미만이 되었을 경우, 디스플레이의 화상을 명료하게 시인할 수 없게 될 우려가 있다.Generally, even if a haze value becomes large, since light may be scattered without being absorbed, a total light transmittance may not fall. However, even if the total light transmittance does not fall, the visibility of a display image falls as a haze value becomes large. Therefore, the visibility of a display image cannot be judged only by the value of a total light transmittance. According to the experiments of the present inventors, in order to clearly view the image of the display on the back side of the transparent electrode-forming piezoelectric film, the haze value of the transparent electrode-forming piezoelectric film is preferably 5% or less, more preferably 4% or less, , 3% or less is more preferable, 2% or less is particularly preferable, and 1% or less is most preferable. The total light transmittance of the transparent electrode-forming piezoelectric film is preferably 82% or more, more preferably 85% or more, still more preferably 86% or more, and particularly preferably 88% or more. When the haze value of the piezoelectric film with a transparent electrode exceeds 5 %, or when the total light transmittance is less than 82 %, there exists a possibility that the image of a display may become difficult to visually visually recognize.
실시예Example
［실시예 1］[Example 1]
［압전 필름］[Piezoelectric Film]
실시예 1 의 투명 전극 형성 압전 필름은, 본 발명의 투명 전극 형성 압전 필름의 제 2 예 (102) 의 구성으로 이루어진다. 실시예 1 의 투명 전극 형성 압전 필름에 포함되는 압전 필름 (13) 은, 제 1 기재 필름 (11) (폴리에틸렌테레프탈레이트 필름) 의 표면에, 먼저 도시하지 않은 접착 용이층을 형성하고, 다음으로 불화비닐리덴과 트리플루오로에틸렌의 공중합체 (2 원계 공중합체) 의 용액을 코팅하여 제작되었다. 제 1 기재 필름 (11) (폴리에틸렌테레프탈레이트 필름) 의 두께는 23 ㎛ 였다.The transparent electrode formation piezoelectric film of Example 1 has the structure of the 2nd Example 102 of the transparent electrode formation piezoelectric film of this invention. The
압전성을 갖는 코팅층 (12) 을 제작함에 있어서, 먼저, 불화비닐리덴과 트리플루오로에틸렌의 공중합체 (2 원계 공중합체) 를 상온의 메틸에틸케톤에 초음파에 의해서 용해시키고, 불화비닐리덴과 트리플루오로에틸렌의 공중합체 (2 원계 공중합체) 의 용액을 제조하였다. 불화비닐리덴과 트리플루오로에틸렌의 공중합체 (2 원계 공중합체) 에 함유되는, 불화비닐리덴과 트리플루오로에틸렌의 몰비는 75/25 였다.In preparing the
다음으로 불화비닐리덴과 트리플루오로에틸렌의 공중합체 (2 원계 공중합체) 의 용액을, 바 코터에 의해서, 제 1 기재 필름 (11) (폴리에틸렌테레프탈레이트 필름) 의 표면에 코팅하였다. 다음으로, 제 1 기재 필름 (11) (폴리에틸렌테레프탈레이트 필름) 및 미건조된 코팅층을, 60 ℃, 5 분간의 건조 조건에서 건조시켜, 압전성을 갖는 코팅층 (12) 을 얻었다. 건조 후의 압전성을 갖는 코팅층 (12) 의 두께는 5 ㎛ 였다.Next, a solution of a copolymer of vinylidene fluoride and trifluoroethylene (binary copolymer) was coated on the surface of the first base film 11 (polyethylene terephthalate film) with a bar coater. Next, the first base film 11 (polyethylene terephthalate film) and the undried coating layer were dried at 60° C. under drying conditions for 5 minutes to obtain a
［투명 전극］[Transparent Electrode]
압전성을 갖는 코팅층 (12) 이 적층된 제 1 기재 필름 (11) (폴리에틸렌테레프탈레이트 필름) 을 스퍼터 장치에 세트하고, 스퍼터링법에 의해서, 두께 25 ㎚ 의 인듐주석 산화물 (ITO) 로 이루어지는 제 1 투명 전극 (14) 을, 압전성을 갖는 코팅층 (12) 의 표면에 성막하였다. 이 때, 아르곤 가스 : 산소 가스의 압력비가 99 : 1 이고, 전체 가스압이 0.3 ㎩ 인 스퍼터링 분위기로 하고, 전력 밀도 1.0 W/㎠ 의 전력을 투입하여, 10 중량％ 의 산화주석과 90 중량％ 의 산화인듐의 소결체로 이루어지는 인듐주석 산화물 타깃을 스퍼터링하고, 제 1 투명 전극 (14) 을 성막하였다.The first base film 11 (polyethylene terephthalate film) on which the
다음으로, 제 1 기재 필름 (11) (폴리에틸렌테레프탈레이트 필름) 의 표면에, 제 1 투명 전극 (14) 과 동일한 성막 조건에서, 제 2 투명 전극 (15) 을 성막하였다. 이와 같이 하여 투명 전극 형성 압전 필름을 제작하였다. 이 단계에서는, 제 1 투명 전극 (14) 및 제 2 투명 전극 (15) 은 비정질이었다.Next, on the surface of the 1st base film 11 (polyethylene terephthalate film), on the film-forming conditions similar to the 1st
［투명 전극의 결정화］[Crystallization of Transparent Electrode]
제 1 투명 전극 (14) 및 제 2 투명 전극 (15) 이 비정질인 투명 전극 형성 압전 필름을, 가열 오븐에서 80 ℃, 12 시간 가열하여, 제 1 투명 전극 (14) 및 제 2 투명 전극 (15) 의 결정화 처리를 행하고, 제 1 투명 전극 (14) 및 제 2 투명 전극 (15) 이 결정질인 투명 전극 형성 압전 필름을 얻었다. 결정화 후의 제 1 투명 전극 (14) 및 제 2 투명 전극 (15) 의 표면 저항값은 각각 150 Ω/□ 였다.A transparent electrode-forming piezoelectric film in which the first
［실시예 2］[Example 2]
실시예 2 의 투명 전극 형성 압전 필름은, 본 발명의 투명 전극 형성 압전 필름의 제 1 예 (101) 의 구성으로 이루어진다. 실시예 2 의 투명 전극 형성 압전 필름에 포함되는 압전 필름 (13) 은, 실시예 1 의 투명 전극 형성 압전 필름에 포함되는 압전 필름 (13) 과 동일하게 하여 제작되었다. 실시예 2 의 투명 전극 형성 압전 필름에 포함되는 제 1 투명 전극 (14) 은, 실시예 1 의 투명 전극 형성 압전 필름에 포함되는 제 1 투명 전극 (14) 과 동일하게 하여 성막되고, 제 1 투명 전극 (14) 을 결정화하는 공정까지 실시되었다.The transparent electrode formation piezoelectric film of Example 2 has the structure of the 1st example 101 of the transparent electrode formation piezoelectric film of this invention. The
［실시예 3］[Example 3]
실시예 3 의 투명 전극 형성 압전 필름은, 본 발명의 투명 전극 형성 압전 필름의 제 23 예 (123) 의 구성으로 이루어진다. 실시예 3 의 투명 전극 형성 압전 필름에 포함되는 압전 필름 (13) 은, 실시예 1 의 투명 전극 형성 압전 필름에 포함되는 압전 필름 (13) 과 동일하게 하여 제작되었다. 실시예 3 의 투명 전극 형성 압전 필름에 포함되는 제 1 투명 전극 (14) 은, 실시예 1 의 투명 전극 형성 압전 필름에 포함되는 제 1 투명 전극 (14) 과 동일하게 하여 성막되고, 제 1 투명 전극 (14) 을 결정화하는 공정까지 실시되었다.The transparent electrode formation piezoelectric film of Example 3 has the structure of the 23rd Example (123) of the transparent electrode formation piezoelectric film of this invention. The
［실시예 4］[Example 4]
실시예 4 의 투명 전극 형성 압전 필름은, 본 발명의 투명 전극 형성 압전 필름의 제 2 예 (102) 의 구성으로 이루어진다. 실시예 4 의 투명 전극 형성 압전 필름은, 압전성을 갖는 코팅층 (12) 의 두께가 1 ㎛ 인 것을 제외하고는, 실시예 1 과 동일하게 하여 제작되었다.The transparent electrode formation piezoelectric film of Example 4 has the structure of the 2nd Example 102 of the transparent electrode formation piezoelectric film of this invention. A transparent electrode-forming piezoelectric film of Example 4 was produced in the same manner as in Example 1, except that the
［실시예 5］[Example 5]
실시예 5 의 투명 전극 형성 압전 필름은, 본 발명의 투명 전극 형성 압전 필름의 제 2 예 (102) 의 구성으로 이루어진다. 실시예 5 의 투명 전극 형성 압전 필름은, 압전성을 갖는 코팅층 (12) 의 두께가 10 ㎛ 인 것을 제외하고는, 실시예 1 의 투명 전극 형성 압전 필름과 동일하게 하여 제작되었다.The transparent electrode-forming piezoelectric film of Example 5 has the configuration of the second example (102) of the transparent electrode-forming piezoelectric film of the present invention. The transparent electrode-forming piezoelectric film of Example 5 was produced in the same manner as the transparent electrode-forming piezoelectric film of Example 1, except that the thickness of the
［실시예 6］[Example 6]
실시예 6 의 투명 전극 형성 압전 필름은, 본 발명의 투명 전극 형성 압전 필름의 제 2 예 (102) 의 구성으로 이루어진다. 실시예 6 의 투명 전극 형성 압전 필름은, 압전성을 갖는 코팅층 (12) 의 두께가 20 ㎛ 인 것을 제외하고는, 실시예 1 의 투명 전극 형성 압전 필름과 동일하게 하여 제작되었다.The transparent electrode formation piezoelectric film of Example 6 has the structure of the 2nd example 102 of the transparent electrode formation piezoelectric film of this invention. The transparent electrode-forming piezoelectric film of Example 6 was produced in the same manner as the transparent electrode-forming piezoelectric film of Example 1, except that the thickness of the
［실시예 7］[Example 7]
실시예 7 의 투명 전극 형성 압전 필름은, 본 발명의 투명 전극 형성 압전 필름의 제 25 예 (125) 의 구성으로 이루어진다. 실시예 7 의 투명 전극 형성 압전 필름에 포함되는 제 1 투명 전극 (14), 제 1 기재 필름 (11), 압전성을 갖는 코팅층 (12) 은, 실시예 1 의 투명 전극 형성 압전 필름에 포함되는 제 1 투명 전극 (14), 제 1 기재 필름 (11), 압전성을 갖는 코팅층 (12) 과 동일하게 하여 제작되어 제 1 투명 전극 (14) 을 결정화하는 공정까지 실시되었다.The transparent electrode formation piezoelectric film of Example 7 has the structure of the 25th example (125) of the transparent electrode formation piezoelectric film of this invention. The first
실시예 7 의 투명 전극 형성 압전 필름에 포함되는 제 2 투명 전극 (15), 제 2 기재 필름 (17) 은, 실시예 1 의 투명 전극 형성 압전 필름에 포함되는 제 1 투명 전극 (14), 제 1 기재 필름 (11) 과 동일하게 하여 제작되고, 제 2 투명 전극 (15) 을 결정화하는 공정까지 실시되었다.The second
마지막으로, 압전성을 갖는 코팅층 (12) 과 제 2 투명 전극 (15) 을, 투명 점착층 (21) 을 사용하여 첩합 (貼合) 하여 고정시켰다. 이로써 제 1 투명 전극 (14), 제 1 기재 필름 (11), 압전성을 갖는 코팅층 (12), 투명 점착층 (21), 제 2 투명 전극 (15), 제 2 기재 필름 (17) 이 이 순서로 적층되어 이루어지는, 실시예 7 의 투명 전극 형성 압전 필름이 얻어졌다. 투명 점착층 (21) 으로서, 아크릴계 점착제 (닛토 덴코 주식회사 제조) 를 사용하였다.Finally, the
［실시예 8］[Example 8]
실시예 8 의 투명 전극 형성 압전 필름은, 본 발명의 투명 전극 형성 압전 필름의 제 3 예 (103) 의 구성으로 이루어진다. 실시예 8 의 투명 전극 형성 압전 필름에 포함되는 제 1 투명 전극 (14), 압전성을 갖는 코팅층 (12), 제 1 기재 필름 (11) 은, 실시예 1 의 투명 전극 형성 압전 필름에 포함되는 제 1 투명 전극 (14), 압전성을 갖는 코팅층 (12), 제 1 기재 필름 (11) 과 동일하게 하여 제작되었다.The transparent electrode formation piezoelectric film of Example 8 has the structure of the 3rd Example (103) of the transparent electrode formation piezoelectric film of this invention. The first
실시예 8 의 투명 전극 형성 압전 필름에 포함되는 제 2 투명 전극 (15), 제 2 기재 필름 (17) 은, 실시예 1 의 투명 전극 형성 압전 필름에 포함되는 제 1 투명 전극 (14), 제 1 기재 필름 (11) 과 동일하게 하여 제작되고, 제 2 투명 전극 (15) 을 결정화하는 공정까지 실시되었다.The second
마지막으로, 제 1 기재 필름 (11) 과 제 2 투명 전극 (15) 을, 투명 점착층 (21) 을 사용하여 첩합하여 고정시켰다. 이로써, 제 1 투명 전극 (14), 압전성을 갖는 코팅층 (12), 제 1 기재 필름 (11), 투명 점착층 (21), 제 2 투명 전극 (15), 제 2 기재 필름 (17) 이 이 순서로 적층되어 이루어지는, 실시예 8 의 투명 전극 형성 압전 필름이 얻어졌다. 투명 점착층 (21) 으로서, 아크릴계 점착제 (닛토 덴코 주식회사 제조) 를 사용하였다.Finally, the
［실시예 9］[Example 9]
실시예 9 의 투명 전극 형성 압전 필름은, 본 발명의 투명 전극 형성 압전 필름의 제 2 예 (102) 의 구성으로 이루어진다. 실시예 9 의 투명 전극 형성 압전 필름은, 제 1 투명 전극 (14) 및 제 2 투명 전극 (15) 이, 결정화 처리를 실시하지 않았기 때문에 비정질이고, 두께가 각각 20 ㎚ 인 것을 제외하고는, 실시예 1 의 투명 전극 형성 압전 필름과 동일하게 하여 제작되었다.The transparent electrode-forming piezoelectric film of Example 9 has the configuration of the second example (102) of the transparent electrode-forming piezoelectric film of the present invention. The transparent electrode-forming piezoelectric film of Example 9 was amorphous because the first
［실시예 10］[Example 10]
실시예 10 의 투명 전극 형성 압전 필름은, 본 발명의 투명 전극 형성 압전 필름의 제 2 예 (102) 의 구성으로 이루어진다. 실시예 10 의 투명 전극 형성 압전 필름은, 제 1 투명 전극 (14) 및 제 2 투명 전극 (15) 의 두께가 각각 40 ㎚ 인 것을 제외하고는, 실시예 1 의 투명 전극 형성 압전 필름과 동일하게 하여 제작되었다.The transparent electrode-forming piezoelectric film of Example 10 has the configuration of the second example 102 of the transparent electrode-forming piezoelectric film of the present invention. The transparent electrode-forming piezoelectric film of Example 10 was the same as that of the transparent electrode-forming piezoelectric film of Example 1, except that the first
［실시예 11］[Example 11]
실시예 11 의 투명 전극 형성 압전 필름은, 본 발명의 투명 전극 형성 압전 필름의 제 2 예 (102) 의 구성으로 이루어진다. 실시예 11 의 투명 전극 형성 압전 필름은, 제 1 투명 전극 (14) 및 제 2 투명 전극 (15) 이, 결정화 처리를 실시하지 않았기 때문에 비정질인 것을 제외하고는, 실시예 1 의 투명 전극 형성 압전 필름과 동일하게 하여 제작되었다.The transparent electrode formation piezoelectric film of Example 11 has the structure of the 2nd Example 102 of the transparent electrode formation piezoelectric film of this invention. The transparent electrode formation piezoelectric film of Example 11 was the transparent electrode formation piezoelectric film of Example 1, except that the 1st
［실시예 12］[Example 12]
실시예 12 의 투명 전극 형성 압전 필름은, 본 발명의 투명 전극 형성 압전 필름의 제 2 예 (102) 의 구성으로 이루어진다. 실시예 12 의 투명 전극 형성 압전 필름은, 압전성을 갖는 코팅층 (12) 의 재료가, 불화비닐리덴과 트리플루오로에틸렌과 클로로트리플루오로에틸렌의 공중합체 (3 원계 공중합체) 인 것을 제외하고는, 실시예 1 의 투명 전극 형성 압전 필름과 동일하게 하여 제작되었다.The transparent electrode-forming piezoelectric film of Example 12 has the configuration of the second example (102) of the transparent electrode-forming piezoelectric film of the present invention. The transparent electrode-forming piezoelectric film of Example 12, except that the material of the
압전성을 갖는 코팅층 (12) 을 제작함에 있어서, 먼저, 불화비닐리덴과 트리플루오로에틸렌과 클로로트리플루오로에틸렌의 공중합체 (3 원계 공중합체) 를 상온의 메틸이소부틸케톤에 초음파에 의해서 용해시키고, 불화비닐리덴과 트리플루오로에틸렌과 클로로트리플루오로에틸렌의 공중합체 (3 원계 공중합체) 의 용액을 제조하였다. 불화비닐리덴과 트리플루오로에틸렌과 클로로트리플루오로에틸렌의 공중합체 (3 원계 공중합체) 에 함유되는, 불화비닐리덴과 트리플루오로에틸렌과 클로로트리플루오로에틸렌의 몰비는, 64.2/27.1/8.7 이었다.In preparing the
다음으로 불화비닐리덴과 트리플루오로에틸렌과 클로로트리플루오로에틸렌의 공중합체 (3 원계 공중합체) 의 용액을, 바 코터에 의해서, 제 1 기재 필름 (11) (폴리에틸렌테레프탈레이트 필름) 의 표면에 코팅하였다. 다음으로, 제 1 기재 필름 (11) (폴리에틸렌테레프탈레이트 필름) 및 미건조의 코팅층을, 60 ℃, 5 분간의 건조 조건에서 건조시켜, 압전성을 갖는 코팅층 (12) 을 얻었다. 건조 후의 압전성을 갖는 코팅층 (12) 의 두께는 1 ㎛ 였다.Next, a solution of a copolymer of vinylidene fluoride, trifluoroethylene, and chlorotrifluoroethylene (tertiary copolymer) was applied to the surface of the first base film 11 (polyethylene terephthalate film) with a bar coater. coated. Next, the first base film 11 (polyethylene terephthalate film) and the undried coating layer were dried under drying conditions at 60° C. for 5 minutes to obtain a
［실시예 13］[Example 13]
실시예 13 의 투명 전극 형성 압전 필름은, 본 발명의 투명 전극 형성 압전 필름의 제 2 예 (102) 의 구성으로 이루어진다. 실시예 13 의 투명 전극 형성 압전 필름은, 압전성을 갖는 코팅층 (12) 의 두께가 5 ㎛ 인 것을 제외하고는, 실시예 12 의 투명 전극 형성 압전 필름과 동일하게 하여 제작되었다.The transparent electrode-forming piezoelectric film of Example 13 has the configuration of the second example (102) of the transparent electrode-forming piezoelectric film of the present invention. A transparent electrode formation piezoelectric film of Example 13 was produced in the same manner as the transparent electrode formation piezoelectric film of Example 12, except that the thickness of the
［실시예 14］[Example 14]
실시예 14 의 투명 전극 형성 압전 필름은, 본 발명의 투명 전극 형성 압전 필름의 제 2 예 (102) 의 구성으로 이루어진다. 실시예 14 의 투명 전극 형성 압전 필름은, 압전성을 갖는 코팅층 (12) 의 두께가 10 ㎛ 인 것을 제외하고는, 실시예 12 의 투명 전극 형성 압전 필름과 동일하게 하여 제작되었다.The transparent electrode-forming piezoelectric film of Example 14 has the configuration of the second example (102) of the transparent electrode-forming piezoelectric film of the present invention. The transparent electrode-forming piezoelectric film of Example 14 was produced in the same manner as the transparent electrode-forming piezoelectric film of Example 12, except that the thickness of the
［비교예 1］[Comparative Example 1]
비교예 1 의 투명 전극 형성 압전 필름은, 자립된 불화비닐리덴의 중합체 (폴리불화비닐리덴) 의 필름의 일면을 제 1 투명 전극으로, 타면을 제 2 투명 전극으로 협지하여 적층한 구성으로 이루어진다. 불화비닐리덴의 중합체 (폴리불화비닐리덴) 의 필름 두께는 40 ㎛ 였다. 두께 40 ㎛ 의 불화비닐리덴의 중합체 (폴리불화비닐리덴) 의 필름은, 불화비닐리덴의 중합체 (폴리불화비닐리덴) 를 상온의 메틸이소부틸케톤에 초음파에 의해서 용해시킨 용액을, 건조 후의 두께가 40 ㎛ 가 되도록, 폴리에틸렌테레프탈레이트 필름의 표면에 코팅하고, 건조 후, 폴리에틸렌테레프탈레이트 필름을 벗겨내어 제작되었다. 비교예 1 의 투명 전극 형성 압전 필름에 포함되는 제 1 투명 전극 및 제 2 투명 전극은, 실시예 1 의 투명 전극 형성 압전 필름에 포함되는 제 1 투명 전극 (14) 및 제 2 투명 전극 (15) 과 동일하게 하여 제작되었다.The transparent electrode-forming piezoelectric film of Comparative Example 1 was laminated by sandwiching one side of a self-supporting vinylidene fluoride polymer (polyvinylidene fluoride) film with the first transparent electrode and the other side with the second transparent electrode. The film thickness of the polymer of vinylidene fluoride (polyvinylidene fluoride) was 40 mu m. A film of a vinylidene fluoride polymer (polyvinylidene fluoride) having a thickness of 40 µm is a solution obtained by dissolving a vinylidene fluoride polymer (polyvinylidene fluoride) in methyl isobutyl ketone at room temperature by ultrasonic waves, and the thickness after drying is It coated on the surface of a polyethylene terephthalate film so that it might be set to 40 micrometers, and after drying, the polyethylene terephthalate film was peeled and produced. The first transparent electrode and the second transparent electrode included in the transparent electrode-forming piezoelectric film of Comparative Example 1 were the first
표 1 에 본 발명의 압전 필름의 실시예와 비교예의 구성, 압전성을 갖는 층의 종류와 몰비와 두께, 제 1 및 제 2 투명 전극 상태 (결정성) 와 두께, 투명 전극이 없을 때와 있을 때의 전광선 투과율, 투명 전극이 있을 때의 헤이즈값을 나타낸다. 표 1 중, VDF 는 불화비닐리덴, TrFE 는 트리플루오로에틸렌, CTFE 는 클로로트리플루오로에틸렌을 나타낸다. P( ) 는 공중합체를 나타낸다. 따라서, 「P(VDF-TrFE)」는, 「불화비닐리덴과 트리플루오로에틸렌의 공중합체」라는 의미이다. 또, 「P(VDF-TrFE-CTFE)」는, 「불화비닐리덴과 트리플루오로에틸렌과 클로로트리플루오로에틸렌의 공중합체」라는 의미이다. PVDF 는 불화비닐리덴의 중합체 (폴리불화비닐리덴) 를 의미한다.Table 1 shows the composition of Examples and Comparative Examples of the piezoelectric film of the present invention, the type and molar ratio and thickness of the piezoelectric layer, the state (crystallization) and thickness of the first and second transparent electrodes, and when there is no transparent electrode shows the total light transmittance of and haze value when there is a transparent electrode. In Table 1, VDF represents vinylidene fluoride, TrFE represents trifluoroethylene, and CTFE represents chlorotrifluoroethylene. P( ) represents a copolymer. Therefore, "P(VDF-TrFE)" means "a copolymer of vinylidene fluoride and trifluoroethylene." In addition, "P(VDF-TrFE-CTFE)" means "a copolymer of vinylidene fluoride, trifluoroethylene, and chlorotrifluoroethylene." PVDF means a polymer of vinylidene fluoride (polyvinylidene fluoride).
실시예 1 과 실시예 2 를 비교하면, 제 2 투명 전극 (15) 을 적층했을 경우, 전광선 투과율은 작아지지만, 헤이즈값은 변화되지 않는 것을 알 수 있다.When Example 1 and Example 2 are compared, when the 2nd
실시예 2 와 실시예 3 을 비교하면, 압전성을 갖는 코팅층 (12) 과 제 1 기재 필름 (11) 의 적층 순서가 역전되어도, 전광선 투과율 및 헤이즈값은 변화되지 않는 것을 알 수 있다.When Example 2 and Example 3 are compared, even if the lamination order of the
실시예 1 과 실시예 4 를 비교하면, 압전성을 갖는 코팅층 (12) 의 두께가 1/5 로 되어도, 전광선 투과율 및 헤이즈값은 변화되지 않는 것을 알 수 있다.Comparing Example 1 and Example 4, it turns out that even if the thickness of the
실시예 1 과 실시예 5 를 비교하면, 압전성을 갖는 코팅층 (12) 의 두께가 2 배로 되어도, 전광선 투과율 및 헤이즈값은 변화되지 않는 것을 알 수 있다.Comparing Example 1 and Example 5, it turns out that even if the thickness of the
실시예 1 과 실시예 6 을 비교하면, 압전성을 갖는 코팅층 (12) 의 두께가 4 배로 되었을 경우, 전광선 투과율은 변화되지 않지만, 헤이즈값은 커지는 것을 알 수 있다.Comparing Example 1 and Example 6, it can be seen that when the thickness of the
실시예 1 과 실시예 7 을 비교하면, 투명 점착층 (21) 과 제 2 기재 필름 (17) 을 적층해도, 전광선 투과율 및 헤이즈값은 변화되지 않는 것을 알 수 있다.When Example 1 and Example 7 are compared, even if it laminates|stacks the
실시예 7 과 실시예 8 을 비교하면, 제 1 기재 필름 (11) 과 압전성을 갖는 코팅층 (12) 의 적층 순서가 역전되어도, 전광선 투과율 및 헤이즈값은 변화되지 않는 것을 알 수 있다.Comparing Example 7 and Example 8, even if the lamination order of the
실시예 1 과 실시예 9 를 비교하면, 두께 25 ㎚ 의 결정질의 제 1 투명 전극 (14) 및 제 2 투명 전극 (15) 은, 두께 20 ㎚ 의 비정질의 제 1 투명 전극 (14) 및 제 2 투명 전극 (15) 보다, 전광선 투과율이 높은, 그러나 헤이즈값은 동등하다는 것을 알 수 있다.Comparing Example 1 and Example 9, the crystalline first
실시예 1 과 실시예 10 을 비교하면, 결정질의 제 1 투명 전극 (14) 및 제 2 투명 전극 (15) 이 두꺼워졌을 때, 전광선 투과율은 저하되지만, 헤이즈값은 변화되지 않는 것을 알 수 있다.Comparing Example 1 and Example 10, when the crystalline 1st
실시예 10 과 실시예 11 을 비교하면, 두께 40 ㎚ 의 결정질의 제 1 투명 전극 (14) 및 제 2 투명 전극 (15) 과 두께 25 ㎚ 의 비정질의 제 1 투명 전극 (14) 및 제 2 투명 전극 (15) 은, 전광선 투과율 및 헤이즈값에 대해서 동등하다는 것을 알 수 있다.Comparing Example 10 and Example 11, a crystalline first
실시예 4 와 실시예 12 를 비교하면, 압전성을 갖는 코팅층 (12) 의 두께가 얇을 경우, 압전성을 갖는 코팅층 (12) 이 불화비닐리덴과 트리플루오로에틸렌과 클로로트리플루오로에틸렌의 공중합체 (3 원계 공중합체) 일 때에는, 불화비닐리덴과 트리플루오로에틸렌의 공중합체 (2 원계 공중합체) 일 때와 비교하여, 전광선 투과율 및 헤이즈값에 대해서 동등하다는 것을 알 수 있다.Comparing Example 4 and Example 12, when the thickness of the
실시예 1 과 실시예 13 을 비교하면, 압전성을 갖는 코팅층 (12) 의 두께가 얇지 않을 경우, 압전성을 갖는 코팅층 (12) 이 불화비닐리덴과 트리플루오로에틸렌과 클로로트리플루오로에틸렌의 공중합체 (3 원계 공중합체) 일 때에는, 불화비닐리덴과 트리플루오로에틸렌의 공중합체 (2 원계 공중합체) 일 때와 비교하여, 전광선 투과율은 변함없지만, 헤이즈값은 커지는 것을 알 수 있다.Comparing Example 1 and Example 13, when the thickness of the
실시예 5 와 실시예 14 를 비교하면, 압전성을 갖는 코팅층 (12) 의 두께가 두꺼울 경우, 압전성을 갖는 코팅층 (12) 이 불화비닐리덴과 트리플루오로에틸렌과 클로로트리플루오로에틸렌의 공중합체 (3 원계 공중합체) 일 때에는, 불화비닐리덴과 트리플루오로에틸렌의 공중합체 (2 원계 공중합체) 일 때와 비교하여, 전광선 투과율은 변함없지만, 헤이즈값은 커지는 것을 알 수 있다.Comparing Example 5 and Example 14, when the thickness of the
실시예 12 ∼ 실시예 14 를 비교하면, 압전성을 갖는 코팅층 (12) 이 불화비닐리덴과 트리플루오로에틸렌과 클로로트리플루오로에틸렌의 공중합체 (3 원계 공중합체) 일 때, 압전성을 갖는 코팅층 (12) 이 두꺼워짐에 따라서, 전광선 투과율은 변화되지 않지만, 헤이즈값은 커지는 것을 알 수 있다. 그러나 실시예 12 ∼ 실시예 14 의 전광선 투과율 및 헤이즈값은 모두 문제 없는 레벨이다.Comparing Examples 12 to 14, when the
실시예 1, 실시예 4, 실시예 5 를 비교하면, 압전성을 갖는 코팅층 (12) 이, 불화비닐리덴과 트리플루오로에틸렌의 공중합체 (2 원계 공중합체) 일 때에는, 압전성을 갖는 코팅층 (12) 이 두꺼워져도, 전광선 투과율 및 헤이즈값은 변화되지 않는 것을 알 수 있다.Comparing Examples 1, 4, and 5, when the
실시예 1, 실시예 4, 실시예 5, 실시예 9 ∼ 실시예 11 과, 비교예 1 을 비교하면, 자립된 불화비닐리덴의 중합체 (폴리불화비닐리덴) 의 필름을 사용한 투명 전극 형성 압전 필름은, 압전성을 갖는 코팅층 (12) 을 사용한 투명 전극 형성 압전 필름과 비교하여, 전광선 투과율은 동일한 정도이지만, 헤이즈값은 현저하게 크다. 비교예 1 로부터, 헤이즈값이 커져도, 전광선 투과율이 저하된다고는 할 수 없는 것을 알 수 있다.Comparing Examples 1, 4, 5, 9 to 11, and Comparative Example 1, a transparent electrode-forming piezoelectric film using a film of a self-supporting polymer of vinylidene fluoride (polyvinylidene fluoride) Compared with the transparent electrode formation piezoelectric film using the
［측정 방법］[How to measure]
［두께］[thickness]
1 ㎛ 미만의 막의 두께는, 투과형 전자 현미경 (히타치 제작소 제조 H-7650) 을 사용하여, 단면을 관찰하여 측정하였다. 1 ㎛ 를 초과하는 막 혹은 필름의 두께는, 막후계 (Peacock 사 제조 디지털 다이얼 게이지 DG-205) 를 사용하여 측정하였다.The thickness of the film of less than 1 µm was measured by observing the cross section using a transmission electron microscope (H-7650, manufactured by Hitachi, Ltd.). The film or the film thickness exceeding 1 µm was measured using a film thickness meter (DG-205 digital dial gauge manufactured by Peacock).
［헤이즈값, 전광선 투과율］[Haze value, total light transmittance]
헤이즈값, 전광선 투과율은, Direct Reading Haze Computer (Suga Test Instruments 사 제조 HGM-ZDP) 를 사용하여 측정하였다.The haze value and the total light transmittance were measured using Direct Reading Haze Computer (HGM-ZDP manufactured by Suga Test Instruments).
［실시예 15 ∼ 20］[Examples 15 to 20]
또, 도 5 에 있어서, 압전성을 갖는 코팅층 (12), 광학 조정층 (19), 제 1 투명 전극 (14) 의 두께 및 굴절률을 측정하였다. 압전 필름 (13) 은 상기 실시예와 마찬가지로, PET 필름에 불화비닐리덴과 트리플루오로에틸렌의 공중합체를 코팅한 것이다.Moreover, in FIG. 5, the thickness and refractive index of the
광학 조정층 (19) 은 아래의 표 2 에 나타내는 바와 같이, 굴절률이 1.54, 1.62, 1.7 인 경우가 있다. 굴절률에 따라서 제조 방법이 상이하기 때문에 굴절률별로 설명한다. 굴절률이 1.54 인 경우, 압전성을 갖는 코팅층 (12) 의 일방의 면에, 멜라민 수지 : 알키드 수지 : 유기 실란 축합물의 중량비 2 : 2 : 1 의 열 경화형 수지 (광의 굴절률 n = 1.54) 에 의해서, 두께가 120 ㎚ 인 광학 조정층 (19) 을 형성하였다.The optical adjustment layer 19 may have a refractive index of 1.54, 1.62, and 1.7, as shown in Table 2 below. Since the manufacturing method is different depending on the refractive index, it will be described for each refractive index. When the refractive index is 1.54, on one surface of the
굴절률이 1.62 인 경우, 압전성을 갖는 코팅층 (12) 의 일방의 면에, 자외선 경화성 수지 47 질량부, 산화지르코니아 입자 (메디안경 40 ㎚) 57 질량부 및 PGME 를 함유한 광학 조정 조성물 (JSR 사 제조, 「오프스타 Z7412」, 고형분 12 질량％) 을 그라비아 코터를 사용하여 도포하고, 무풍 상태 (0.1 m/s 미만) 에서 즉시 60 ℃ 에서 1 분간 가열 건조시켰다. 그 후, 고압 수은 램프로, 적산 광량 250 mJ/㎠ 의 자외선을 조사하고 경화 처리를 실시하였다. 이 방법에 의해서, 두께 90, 120, 또는 150 ㎚ 이고, 굴절률 1.62 의 광학 조정층 (19) 을, 압전성을 갖는 코팅층 (12) 상에 형성하였다.When the refractive index is 1.62, on one surface of the
굴절률이 1.7 인 경우, 멜라민 수지, 알키드 수지 및 유기 실란 축합물로 이루어지는 열 경화형 수지 (중량비로, 멜라민 수지 : 알키드 수지 : 유기 실란 축합물 = 2 : 2 : 1) 에 TiO2 (굴절률 = 2.35) 의 미립자를 혼합한 수지 조성물을 조제하였다. 이 때, 상기 수지 조성물의 굴절률이 1.70 이 되도록 TiO2 미립자의 혼합량을 조정하였다. 그리고, 압전성을 갖는 코팅층 (12) 상에 상기 수지 조성물을 도공하고, 이것을 경화시켜, 두께 150 ㎚ 의 광학 조정층 (19) (굴절률 1.70) 을 형성하였다.When the refractive index is 1.7, a thermosetting resin consisting of a melamine resin, an alkyd resin and an organosilane condensate (by weight, melamine resin: alkyd resin: organosilane condensate = 2: 2: 1) in TiO 2 (refractive index = 2.35) The resin composition which mixed the microparticles|fine-particles of was prepared. At this time, the mixing amount of TiO 2 microparticles|fine-particles was adjusted so that the refractive index of the said resin composition might be set to 1.70. And the said resin composition was coated on the
또, 제 1 투명 전극 (14) 은, 인듐주석 산화물을 스퍼터링에 의해서 성막하였다. 또한, 도 5 에는 도시하지 않았지만, 제 1 기재 필름 (11) 에 있어서의 압전성을 갖는 코팅층 (12) 의 반대면에 안티 블로킹 기능을 갖는 하드 코트층을 형성하였다.Moreover, as for the 1st
그 결과를 표 2 에 나타내는데, 「제 1 층」이 압전성을 갖는 코팅층 (12), 「제 2 층」이 광학 조정층 (19), 「제 3 층」이 제 1 투명 전극 (14) 이다. 각 실시예는, 상기와 같이 압전성을 갖는 코팅층 (12) 의 두께가 0.5 ∼ 10 ㎛, 광학 조정층 (19) 의 두께가 80 ∼ 160 ㎚, 제 1 투명 전극 (14) 의 두께가 20 ㎚ 이상으로 되어 있다. 또, 압전성을 갖는 코팅층 (12) 의 굴절률이 1.40 ∼ 1.50, 광학 조정층 (19) 의 굴절률이 1.50 ∼ 1.70, 제 1 투명 전극 (14) 의 굴절률이 1.90 ∼ 2.10 으로 되어 있다. 제 1 투명 전극 (14) 과 광학 조정층 (19) 의 반사율차는 2 ％ 이하로서, 외관은 양호했다.The results are shown in Table 2, the "first layer" is the
또한, 필요에 따라서 제 1 투명 전극 (14) 은 에칭되어 원하는 전극 등이 된다. 상기 굴절률을 구할 때, 광학 조정층 (19) 의 굴절률은 제 1 투명 전극 (14) 을 에칭에 의해서 제거한 부분을 사용하였다. 그 때문에, 각 굴절률로부터 공기와 제 1 투명 전극 (14), 공기와 광학 조정층 (19) 의 반사율을 구함으로써, 반사율차를 구하였다.Moreover, the 1st
[비교예 2 ∼ 3][Comparative Examples 2-3]
실시예 15 ∼ 20 에 대한 비교예로서, 광학 조정층 (19) 이 없는 경우 (비교예 2) 와 광학 조정층 (19) 의 굴절률이 1.5 보다 작은 경우 (비교예 3) 를 행하였다. 광학 조정층 (19) 이 없는 경우, 반사율차는 제 1 투명 전극 (14) 과 압전성을 갖는 코팅층 (12) 의 차이다. 반사율차가 2 ％ 보다 커져, 외관이 나빠졌다.As a comparative example with respect to Examples 15-20, the case where there was no optical adjustment layer 19 (Comparative Example 2) and the case where the refractive index of the optical adjustment layer 19 was smaller than 1.5 (Comparative example 3) was performed. In the absence of the optical adjustment layer 19, the difference in reflectance is the difference between the first
또한, 굴절률이 1.46 인 경우 (비교예 3) 의 광학 조정층 (19) 은, 실리카 졸 (콜코트 (주) 제도, 콜코트 P) 을, 고형분 농도 2 ％ 가 되도록 에탄올로 희석하고, 압전성을 갖는 코팅층 (12) 의 일방 위에, 실리카 코트법에 의해서 도포하고, 그 후, 150 ℃ 에서 2 분간 건조, 경화시켜, 두께가 120 ㎚ 인 층 (SiO2 막, 광의 굴절률 1.46) 을 형성하여 광학 조정층 (19) 으로 하였다. 비교예에 있어서 다른 구성의 제조 방법은 실시예와 동일하다.Further, in the optical adjustment layer 19 in the case of a refractive index of 1.46 (Comparative Example 3), silica sol (Colcoat Co., Ltd., Colcoat P) was diluted with ethanol so as to have a solid content concentration of 2%, and piezoelectricity was obtained. On one side of the
압전성을 갖는 코팅층 (12) 상에 제 1 투명 전극 (14) 을 구비함으로써, 투명 전극 (14) 에 의해서 황색 또는 갈색으로 정색 (呈色) 하여 외관을 해치는 경우가 있다. 상기 실시예와 같이 광학 조정층 (19) 을 형성하고, 투명 전극 (14), 광학 조정층 (19), 압전성을 갖는 코팅층 (12) 의 두께 및 굴절률을 상기 서술한 값의 범위가 되도록 조절함으로써, 표 2 와 같이 반사율차를 작게 할 수 있어, 외관을 해치지 않는 것을 알 수 있었다. 압전 필름 (13) 에 광학 조정층 (19) 과 투명 전극 (14) 을 적층한 구성을 디스플레이의 전면에 배치해도 디스플레이의 외관을 잘 해치지 않는 것을 알 수 있었다.By providing the 1st
본 발명의 투명 전극 형성 압전 필름의 이용에 제한은 없고, 특히 터치 패널의 Z 좌표 (손가락이 터치하는 압력) 검출용 압전 필름으로서 바람직하게 사용된다.The use of the transparent electrode-forming piezoelectric film of the present invention is not limited, and it is particularly preferably used as a piezoelectric film for detecting the Z coordinate (pressure touched by a finger) of a touch panel.
101 ∼ 135 : 압전 필름
11 : 제 1 기재 필름
12 : 압전성을 갖는 코팅층
13 : 압전 필름
14 : 제 1 투명 전극
15 : 제 2 투명 전극
17 : 제 2 기재 필름
18 : 언더 코트층
19 : 광학 조정층
20 : 안티 블로킹층
21 : 투명 점착층101 to 135: piezoelectric film
11: first base film
12: coating layer having piezoelectricity
13: piezoelectric film
14: first transparent electrode
15: second transparent electrode
17: second base film
18: undercoat layer
19: optical adjustment layer
20: anti-blocking layer
21: transparent adhesive layer
Claims (31)
상기 압전성을 갖는 코팅층의, 상기 제 1 기재 필름과 반대측의 표면에 구비된, 적어도 1 층의 제 1 투명 전극과,
상기 제 1 기재 필름의, 상기 압전성을 갖는 코팅층과 반대측의 표면에 적어도 1 층의 제 2 투명 전극을 구비한 투명 전극 형성 압전 필름.A piezoelectric film comprising a laminate of a first base film and a coating layer having piezoelectricity;
A first transparent electrode of at least one layer provided on the surface of the coating layer having the piezoelectricity, on the opposite side to the first base film, and;
A transparent electrode forming piezoelectric film comprising at least one second transparent electrode on a surface of the first base film opposite to the piezoelectric coating layer.
상기 압전성을 갖는 코팅층의, 상기 제 1 기재 필름과 반대측의 표면에 구비된, 적어도 1 층의 제 1 투명 전극과,
상기 제 1 기재 필름의, 상기 압전성을 갖는 코팅층과 반대측의 표면에, 추가로, 다음의 순서로 구비된, 적어도 1 층의 투명 점착층, 적어도 1 층의 제 2 투명 전극, 적어도 1 층의 제 2 기재 필름을 구비한 투명 전극 형성 압전 필름.A piezoelectric film comprising a laminate of a first base film and a coating layer having piezoelectricity;
A first transparent electrode of at least one layer provided on the surface of the coating layer having the piezoelectricity, on the opposite side to the first base film, and;
On the surface of the first base film opposite to the piezoelectric coating layer, at least one transparent adhesive layer, at least one transparent adhesive layer, at least one second transparent electrode, and at least one layer are provided in the following order. 2 A transparent electrode formation piezoelectric film provided with a base film.
상기 제 2 투명 전극과 상기 제 2 기재 필름 사이에 언더 코트층, 광학 조정층 및 안티 블로킹층 중 어느 것을 적어도 1 층 구비한 투명 전극 형성 압전 필름.3. The method of claim 2,
A transparent electrode formation piezoelectric film comprising at least one of an undercoat layer, an optical adjustment layer, and an anti-blocking layer between the second transparent electrode and the second base film.
상기 압전성을 갖는 코팅층과 상기 제 1 투명 전극 사이에 언더 코트층, 광학 조정층 및 안티 블로킹층 중 어느 것을 적어도 1 층 구비한 투명 전극 형성 압전 필름.4. The method according to any one of claims 1 to 3,
A transparent electrode formation piezoelectric film comprising at least one of an undercoat layer, an optical adjustment layer, and an anti-blocking layer between the coating layer having piezoelectricity and the first transparent electrode.
상기 압전성을 갖는 코팅층의 두께가 0.5 ∼ 10 ㎛, 광학 조정층의 두께가 80 ∼ 160 ㎚, 제 1 투명 전극의 두께가 20 ㎚ 이상인 투명 전극 형성 압전 필름.5. The method of claim 4,
A transparent electrode-forming piezoelectric film having a thickness of 0.5 to 10 µm, an optical adjustment layer of 80 to 160 nm, and a thickness of the first transparent electrode of 20 nm or more of the piezoelectric coating layer.
상기 압전성을 갖는 코팅층의, 상기 제 1 기재 필름과 반대측의 표면에 구비된, 적어도 1 층의 제 1 투명 전극을 구비하고,
상기 압전성을 갖는 코팅층과 상기 제 1 투명 전극 사이에 언더 코트층, 광학 조정층 및 안티 블로킹층 중 어느 것을 적어도 1 층 구비하고,
상기 압전성을 갖는 코팅층의 굴절률이 1.40 ∼ 1.50, 광학 조정층의 굴절률이 1.50 ∼ 1.70, 제 1 투명 전극의 굴절률이 1.90 ∼ 2.10 인 투명 전극 형성 압전 필름.A piezoelectric film comprising a laminate of a first base film and a coating layer having piezoelectricity;
and a first transparent electrode of at least one layer provided on the surface of the coating layer having the piezoelectricity, on the opposite side to the first base film,
At least one of an undercoat layer, an optical adjustment layer, and an anti-blocking layer is provided between the coating layer having piezoelectricity and the first transparent electrode,
The refractive index of the coating layer having the piezoelectric property is 1.40 to 1.50, the refractive index of the optical adjustment layer is 1.50 to 1.70, and the refractive index of the first transparent electrode is 1.90 to 2.10.
상기 제 1 기재 필름과 상기 압전성을 갖는 코팅층 사이에 언더 코트층, 광학 조정층 및 안티 블로킹층 중 어느 것을 적어도 1 층 구비한 투명 전극 형성 압전 필름.4. The method according to any one of claims 1 to 3,
A transparent electrode formation piezoelectric film comprising at least one of an undercoat layer, an optical adjustment layer, and an anti-blocking layer between the first base film and the coating layer having piezoelectricity.
상기 제 1 기재 필름 또는 제 2 기재 필름의, 상기 압전성을 갖는 코팅층과 반대측의 표면에 구비된 적어도 1 층의 안티 블로킹층을 구비한 투명 전극 형성 압전 필름.4. The method according to any one of claims 1 to 3,
A transparent electrode-forming piezoelectric film having at least one anti-blocking layer provided on a surface of the first base film or the second base film opposite to the piezoelectric coating layer.
상기 제 1 기재 필름의, 상기 압전성을 갖는 코팅층과 반대측의 표면에 구비된 적어도 1 층의 제 1 투명 전극과,
상기 압전성을 갖는 코팅층의, 상기 제 1 기재 필름과 반대측의 표면에, 적어도 1 층의 제 2 투명 전극을 구비한 투명 전극 형성 압전 필름.A piezoelectric film comprising a laminate of a first base film and a coating layer having piezoelectricity;
A first transparent electrode of at least one layer provided on the surface of the first base film opposite to the coating layer having piezoelectricity;
A transparent electrode-forming piezoelectric film comprising at least one second transparent electrode on a surface of the coating layer having piezoelectricity on the opposite side to the first base film.
상기 제 1 기재 필름의, 상기 압전성을 갖는 코팅층과 반대측의 표면에 구비된 적어도 1 층의 제 1 투명 전극과,
상기 압전성을 갖는 코팅층의, 상기 제 1 기재 필름과 반대측의 표면에, 추가로, 다음의 순서로 구비된, 적어도 1 층의 투명 점착층, 적어도 1 층의 제 2 투명 전극, 적어도 1 층의 제 2 기재 필름을 구비한 투명 전극 형성 압전 필름.A piezoelectric film comprising a laminate of a first base film and a coating layer having piezoelectricity;
A first transparent electrode of at least one layer provided on the surface of the first base film opposite to the coating layer having piezoelectricity;
On the surface of the coating layer having piezoelectricity, on the opposite side to the first base film, at least one transparent adhesive layer, at least one transparent adhesive layer, at least one second transparent electrode, and at least one layer are provided in the following order. 2 A transparent electrode formation piezoelectric film provided with a base film.
상기 제 2 투명 전극과 상기 제 2 기재 필름 사이에 언더 코트층, 광학 조정층 및 안티 블로킹층 중 어느 것을 적어도 1 층 구비한 투명 전극 형성 압전 필름.11. The method of claim 10,
A transparent electrode formation piezoelectric film comprising at least one of an undercoat layer, an optical adjustment layer, and an anti-blocking layer between the second transparent electrode and the second base film.
상기 제 1 기재 필름과 상기 압전성을 갖는 코팅층 사이에 언더 코트층, 광학 조정층 및 안티 블로킹층 중 어느 것을 적어도 1 층 구비한 투명 전극 형성 압전 필름.12. The method according to any one of claims 9 to 11,
A transparent electrode formation piezoelectric film comprising at least one of an undercoat layer, an optical adjustment layer, and an anti-blocking layer between the first base film and the coating layer having piezoelectricity.
상기 제 1 기재 필름과 상기 제 1 투명 전극 사이에 언더 코트층, 광학 조정층 및 안티 블로킹층 중 어느 것을 적어도 1 층 구비한 투명 전극 형성 압전 필름.12. The method according to any one of claims 9 to 11,
A transparent electrode formation piezoelectric film comprising at least one of an undercoat layer, an optical adjustment layer, and an anti-blocking layer between the first base film and the first transparent electrode.
상기 제 2 기재 필름의, 상기 제 2 투명 전극과 반대측의 표면에 적어도 1 층의 안티 블로킹층을 구비한 투명 전극 형성 압전 필름.11. The method of claim 10,
A transparent electrode formation piezoelectric film comprising at least one anti-blocking layer on a surface of the second base film opposite to the second transparent electrode.
상기 압전성을 갖는 코팅층이 불소 수지를 함유하는 투명 전극 형성 압전 필름.12. The method according to any one of claims 1 to 3 and 9 to 11,
A transparent electrode-forming piezoelectric film in which the coating layer having the piezoelectric properties contains a fluororesin.
상기 불소 수지가, 불화비닐리덴의 중합체, 또는 (불화비닐리덴, 트리플루오로에틸렌, 클로로트리플루오로에틸렌) 중 2 종 이상의 공중합체인 투명 전극 형성 압전 필름.16. The method of claim 15,
The transparent electrode forming piezoelectric film wherein the fluororesin is a polymer of vinylidene fluoride or a copolymer of two or more of (vinylidene fluoride, trifluoroethylene, chlorotrifluoroethylene).
상기 불소 수지가, 불화비닐리덴과 트리플루오로에틸렌의 공중합체로서, 상기 공중합체에 함유되는 상기 불화비닐리덴과 상기 트리플루오로에틸렌의 몰비가, 전체를 100 으로 하여 (50 ∼ 85) : (50 ∼ 15) 의 범위인 투명 전극 형성 압전 필름.17. The method of claim 16,
The fluororesin is a copolymer of vinylidene fluoride and trifluoroethylene, wherein the molar ratio of the vinylidene fluoride and trifluoroethylene contained in the copolymer is 100 (50 to 85): ( 50 to 15), the transparent electrode forming piezoelectric film.
상기 불소 수지가, 불화비닐리덴과 트리플루오로에틸렌과 클로로트리플루오로에틸렌의 공중합체로서, 상기 공중합체에 함유되는 상기 불화비닐리덴과 상기 트리플루오로에틸렌과 상기 클로로트리플루오로에틸렌의 몰비가, 전체를 100 으로 하여 (63 ∼ 65) : (27 ∼ 29) : (10 ∼ 6) 의 범위인 투명 전극 형성 압전 필름.17. The method of claim 16,
The fluororesin is a copolymer of vinylidene fluoride, trifluoroethylene, and chlorotrifluoroethylene, and the molar ratio of the vinylidene fluoride, trifluoroethylene and chlorotrifluoroethylene contained in the copolymer is , (63 to 65): (27 to 29): (10 to 6) with the total being 100, the transparent electrode formation piezoelectric film.
상기 압전성을 갖는 코팅층이, 상기 불소 수지의 용액을 상기 제 1 기재 필름에 도포 및 건조시켜 얻어지는 코팅층인 투명 전극 형성 압전 필름.17. The method of claim 16,
A piezoelectric film with a transparent electrode, wherein the coating layer having piezoelectricity is a coating layer obtained by applying and drying a solution of the fluororesin to the first base film.
상기 압전성을 갖는 코팅층의 두께가 0.5 ㎛ ∼ 20 ㎛ 인 투명 전극 형성 압전 필름.12. The method according to any one of claims 1 to 3 and 9 to 11,
A transparent electrode-forming piezoelectric film having a thickness of the coating layer having the piezoelectric property of 0.5 µm to 20 µm.
상기 제 1 투명 전극 및 상기 제 2 투명 전극 중 어느 하나, 혹은 양자가, 패터닝되어 있는 투명 전극 형성 압전 필름.12. The method according to any one of claims 1 to 3 and 9 to 11,
Any one or both of the said 1st transparent electrode and the said 2nd transparent electrode is a transparent electrode formation piezoelectric film which is patterned.
상기 제 1 투명 전극 및 상기 제 2 투명 전극 중 어느 하나, 혹은 양자가, 인듐을 함유하는 투명 전극 형성 압전 필름.12. The method according to any one of claims 1 to 3 and 9 to 11,
One or both of the first transparent electrode and the second transparent electrode contains indium.
상기 제 1 투명 전극 및 상기 제 2 투명 전극 중 어느 하나, 혹은 양자가, 인듐주석 산화물 (Indium Tin Oxide : ITO) 을 함유하는 투명 전극 형성 압전 필름.12. The method according to any one of claims 1 to 3 and 9 to 11,
Any one or both of the said 1st transparent electrode and the said 2nd transparent electrode contains indium tin oxide (Indium Tin Oxide: ITO), a transparent electrode formation piezoelectric film.
상기 제 1 투명 전극 및 상기 제 2 투명 전극 중 어느 하나, 혹은 양자의 두께가, 15 ㎚ ∼ 50 ㎚ 인 투명 전극 형성 압전 필름.24. The method of claim 23,
The thickness of any one or both of the said 1st transparent electrode and the said 2nd transparent electrode is 15 nm - 50 nm of a transparent electrode formation piezoelectric film.
상기 제 1 투명 전극 및 상기 제 2 투명 전극 중 어느 하나, 혹은 양자가, 결정질인 투명 전극 형성 압전 필름.23. The method of claim 22,
Any one or both of the said 1st transparent electrode and the said 2nd transparent electrode is a crystalline transparent electrode formation piezoelectric film.
상기 기재 필름의 재료가, 폴리에틸렌테레프탈레이트, 폴리에틸렌나프탈레이트, 폴리올레핀, 폴리시클로올레핀, 시클로올레핀 코폴리머, 폴리카보네이트, 폴리에테르술폰, 폴리아릴레이트, 폴리이미드, 폴리아미드, 폴리스티렌, 폴리노르보르넨 중 적어도 1 종에서 선택되는 투명 전극 형성 압전 필름.12. The method according to any one of claims 1 to 3 and 9 to 11,
The material of the base film is selected from among polyethylene terephthalate, polyethylene naphthalate, polyolefin, polycycloolefin, cycloolefin copolymer, polycarbonate, polyethersulfone, polyarylate, polyimide, polyamide, polystyrene, and polynorbornene. A transparent electrode-forming piezoelectric film selected from at least one type.
헤이즈값이 5 ％ 이하인 투명 전극 형성 압전 필름.12. The method according to any one of claims 1 to 3 and 9 to 11,
A piezoelectric film with a transparent electrode having a haze value of 5% or less.
전광선 투과율이 82 ％ 이상인 투명 전극 형성 압전 필름.12. The method according to any one of claims 1 to 3 and 9 to 11,
A transparent electrode-forming piezoelectric film having a total light transmittance of 82% or more.
Applications Claiming Priority (5)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JPJP-P-2016-107051 | 2016-05-30 | ||
| JP2016107051 | 2016-05-30 | ||
| JPJP-P-2017-104591 | 2017-05-26 | ||
| JP2017104591A JP6907026B2 (en) | 2016-05-30 | 2017-05-26 | Piezoelectric film with transparent electrode and pressure sensor |
| PCT/JP2017/019981 WO2017209081A1 (en) | 2016-05-30 | 2017-05-30 | Piezoelectric film with transparent electrode, and pressure sensor |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR20190013777A KR20190013777A (en) | 2019-02-11 |
| KR102452755B1 true KR102452755B1 (en) | 2022-10-07 |
Family
ID=60575886
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1020187034351A KR102452755B1 (en) | 2016-05-30 | 2017-05-30 | Transparent electrode forming piezoelectric film and pressure sensor |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP6907026B2 (en) |
| KR (1) | KR102452755B1 (en) |
| CN (1) | CN109219895A (en) |
| TW (1) | TWI733819B (en) |
Families Citing this family (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP6327334B2 (en) * | 2014-02-26 | 2018-05-23 | ダイキン工業株式会社 | Bimorph type piezoelectric film |
| JP2019104156A (en) * | 2017-12-12 | 2019-06-27 | 日東電工株式会社 | Electret film and electret film having transparent conductive layer |
| JP2019106440A (en) * | 2017-12-12 | 2019-06-27 | 日東電工株式会社 | Electret film |
| CN113805717A (en) * | 2020-06-16 | 2021-12-17 | 宸鸿科技(厦门)有限公司 | Force-sensitive sensing module, manufacturing method thereof and electronic device |
| CN111829705A (en) * | 2020-07-15 | 2020-10-27 | 中国科学院长春应用化学研究所 | Impact force detection sensor based on piezoelectric polymer expansion ring |
| JP7434597B2 (en) * | 2020-10-30 | 2024-02-20 | 株式会社クレハ | Transparent piezoelectric laminated film and touch panel |
| CN112953301A (en) * | 2021-03-10 | 2021-06-11 | 中国科学院上海硅酸盐研究所 | Transparent piezoelectric energy collecting device |
| US20240164218A1 (en) * | 2021-03-19 | 2024-05-16 | Kureha Corporation | Conductive piezoelectric multi-layer film and production method |
| JPWO2022224671A1 (en) * | 2021-04-20 | 2022-10-27 |
Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2014168188A1 (en) * | 2013-04-10 | 2014-10-16 | 三井化学株式会社 | Laminate |
| WO2015053345A1 (en) * | 2013-10-08 | 2015-04-16 | ダイキン工業株式会社 | Transparent piezoelectric panel |
| JP2015215734A (en) * | 2014-05-09 | 2015-12-03 | 日東電工株式会社 | Sheet sensor for touch panel |
| JP2015214053A (en) * | 2014-05-09 | 2015-12-03 | 日東電工株式会社 | Laminate |
Family Cites Families (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP4247282B2 (en) * | 2006-07-27 | 2009-04-02 | 株式会社コイケ | Piezoelectric substrate and manufacturing method thereof |
| JP2010026938A (en) | 2008-07-23 | 2010-02-04 | Daikin Ind Ltd | Touch panel |
| US8564177B2 (en) * | 2011-09-09 | 2013-10-22 | Dvx, Llc | Piezopolymer transducer with matching layer |
| KR101886287B1 (en) * | 2012-03-23 | 2018-09-11 | 엘지이노텍 주식회사 | Touch panel |
| JP5855604B2 (en) * | 2013-02-23 | 2016-02-09 | 日本写真印刷株式会社 | Touch panel with pressure measurement |
| EP3108345B1 (en) * | 2014-02-18 | 2019-12-25 | Cambridge Touch Technologies Limited | Dynamic switching of power modes for touch screens using force touch |
-
2017
- 2017-05-26 JP JP2017104591A patent/JP6907026B2/en active Active
- 2017-05-26 TW TW106117764A patent/TWI733819B/en not_active IP Right Cessation
- 2017-05-30 KR KR1020187034351A patent/KR102452755B1/en active IP Right Grant
- 2017-05-30 CN CN201780033737.5A patent/CN109219895A/en active Pending
Patent Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2014168188A1 (en) * | 2013-04-10 | 2014-10-16 | 三井化学株式会社 | Laminate |
| WO2015053345A1 (en) * | 2013-10-08 | 2015-04-16 | ダイキン工業株式会社 | Transparent piezoelectric panel |
| JP2015215734A (en) * | 2014-05-09 | 2015-12-03 | 日東電工株式会社 | Sheet sensor for touch panel |
| JP2015214053A (en) * | 2014-05-09 | 2015-12-03 | 日東電工株式会社 | Laminate |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| KR20190013777A (en) | 2019-02-11 |
| TW201743177A (en) | 2017-12-16 |
| TWI733819B (en) | 2021-07-21 |
| JP6907026B2 (en) | 2021-07-21 |
| CN109219895A (en) | 2019-01-15 |
| JP2017216451A (en) | 2017-12-07 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| KR102452755B1 (en) | Transparent electrode forming piezoelectric film and pressure sensor | |
| KR102342378B1 (en) | touch sensor | |
| KR102401028B1 (en) | Display device with capacitive touch panel | |
| KR101273221B1 (en) | Touch panel and transparent piezoelectric sheet and display device | |
| KR101227752B1 (en) | Transparent conductive film, method for fabricating the same and touch panel with it | |
| JP6879826B2 (en) | Touch sensor | |
| TWI570600B (en) | Transparent conductor and touch panel | |
| JP2017216450A (en) | Piezoelectric film | |
| WO2017209081A1 (en) | Piezoelectric film with transparent electrode, and pressure sensor | |
| KR101879220B1 (en) | Transparent electrode pattern structure and touch screen panel having the same | |
| KR101865685B1 (en) | Transparent electrode pattern structure and touch screen panel having the same | |
| JP6650770B2 (en) | Conductive laminated film | |
| WO2019102635A1 (en) | Piezoelectric film and piezoelectric sensor | |
| TWI595392B (en) | Transparent conductive body and touch panel | |
| JP6048529B2 (en) | Transparent conductive film and touch panel | |
| CN110244868A (en) | Input pickup and display device including the input pickup | |
| WO2017209080A1 (en) | Piezoelectric film | |
| KR102365236B1 (en) | A piezoelectric sensor and a display using the piezoelectric sensor | |
| TW201800729A (en) | Piezoelectric sensor and display using the piezoelectric sensor | |
| KR102532982B1 (en) | Input Sensor and Display Device Including the Same | |
| KR20130073529A (en) | Transparent conductive film and touch panel having the same |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A201 | Request for examination | ||
| E902 | Notification of reason for refusal | ||
| E701 | Decision to grant or registration of patent right | ||
| GRNT | Written decision to grant |