KR102443703B1 - 표시 장치 및 이의 제조 방법 - Google Patents
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Abstract
표시 장치는 영상이 표시되는 표시 영역 및 상기 표시 영역과 인접하고 휘어짐이 가능한 벤딩(bending) 영역을 포함한다. 상기 표시 장치는 가요성을 갖는 물질을 포함하는 베이스 기판, 상기 베이스 기판 상에 배치되는 박막 트랜지스터, 및 상기 베이스 기판 상에 배치되고 상기 박막 트랜지스터의 구성 요소를 커버하고 무기 절연 물질을 포함하는 절연층을 포함한다. 상기 벤딩 영역은 상기 표시 영역과 상기 벤딩 영역의 경계와 평행한 방향으로 연장되는 응력 분산 영역을 포함하고, 상기 응력 분산 영역의 양 끝 부분의 폭은 가운데 부분 보다 크다.
Description
본 발명은 표시 장치 및 상기 표시 장치의 제조 방법에 관한 것으로, 보다 상세하게는 휘어짐 가능한 표시 장치 및 상기 장치 패널의 제조 방법에 관한 것이다.
표시 장치는 화소가 출력하는 광에 기초하여 영상을 표시할 수 있고, 유기 발광 표시 장치는 유기 발광 다이오드를 갖는 화소를 포함할 수 있다. 유기 발광 다이오드는 유기 발광 다이오드가 포함하는 유기 물질에 상응하는 파장을 갖는 광을 출력할 수 있다. 예를 들어, 유기 발광 다이오드는 적색광, 녹색광, 및 청색광에 상응하는 유기 물질을 포함할 수 있고, 유기 발광 표시 장치는 상기 유기 물질에 의해 출력되는 광을 조합하여 영상을 표시할 수 있다.
최근, 일부가 휘어짐(bending) 가능한 표시 장치가 개발되고 있다. 상기 표시 장치는 일부가 휘어질 수 있으므로, 다양하게 응용이 가능하다. 그러나 상기 표시 장치의 휘어지는 부분에 응력(stress)이 집중되어 파손이 쉽게 발생되는 문제가 있었다.
이에 본 발명의 기술적 과제는 이러한 점에서 착안된 것으로, 본 발명의 목적은 표시 장치를 제공하는 것이다.
본 발명의 다른 목적은 상기 표시 장치의 제조 방법을 제공하는 것이다.
상기한 본 발명의 목적을 실현하기 위한 일 실시예에 따른 표시 장치는 영상이 표시되는 표시 영역 및 상기 표시 영역과 인접하고 휘어짐이 가능한 벤딩(bending) 영역을 포함한다. 상기 표시 장치는 가요성을 갖는 물질을 포함하는 베이스 기판, 상기 베이스 기판 상에 배치되는 박막 트랜지스터, 및 상기 베이스 기판 상에 배치되고 상기 박막 트랜지스터의 구성 요소를 커버하고 무기 절연 물질을 포함하는 절연층을 포함한다. 상기 벤딩 영역은 상기 표시 영역과 상기 벤딩 영역의 경계와 평행한 방향으로 연장되는 응력 분산 영역을 포함하고, 상기 응력 분산 영역의 양 끝 부분의 폭은 가운데 부분 보다 크다.
본 발명의 일 실시예에 있어서, 상기 응력 분산 영역에는 상기 절연층이 형성되지 않을 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 있어서, 상기 표시 장치는 상기 벤딩 영역과 접하는 회로 영역을 더 포함하여, 상기 벤딩 영역은 상기 표시 영역과 상기 회로 영역 사이에 배치될 수 있다. 상기 표시 장치는 상기 표시 영역에 배치되는 제1 박막 트랜지스터, 상기 회로 영역에 배치되는 제2 박막 트랜지스터, 및 상기 제1 박막 트랜지스터와 상기 제2 박막 트랜지스터를 전기적으로 연결하고, 상기 벤딩 영역에 배치되는 연결 배선을 더 포함할 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 있어서, 상기 제1 박막 트랜지스터는 제1 소스 전극 및 제1 드레인 전극을 포함할 수 있다. 상기 제2 박막 트랜지스터는 제2 소스 전극 및 제2 드레인 전극을 포함할 수 있다. 상기 제1 및 제2 박막 트랜지스터들의 제1 및 제2 소스 전극들과 상기 연결 배선은 동일한 층으로부터 형성되어 동일한 물질을 포함할 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 있어서, 상기 표시 장치는 상기 베이스 기판 상에 배치되고 무기 절연 물질을 포함하는 제1 절연층, 및 상기 제1 절연층 상에 배치되고 무기 절연 물질을 포함하는 제2 절연층을 포함할 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 있어서, 상기 표시 장치는 상기 제2 절연층 상에 배치되고, 상기 표시 영역 및 상기 벤딩 영역을 모두 커버하는 평탄화층을 더 포함할 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 있어서, 상기 표시 장치는 상기 응력 분산 영역에서 상기 제1 절연층 및 상기 제2 절연층이 계단 형상을 형성할 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 있어서, 상기 응력 분산 영역 내의 상기 절연층에 복수의 개구들이 형성될 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 있어서, 상기 응력 분산 영역은 곡선 형상일 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 있어서, 상기 표시 장치는 상기 베이스 기판 아래 배치되는 보호층을 더 포함할 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 있어서, 상기 응력 분산 영역에 대응하는 공 패턴(blank patter)이 상기 보호층에 형성될 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 있어서, 상기 응력 분산 영역에는 상기 보호층에 복수의 개구들이 형성될 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 있어서, 상기 표시 장치의 상기 표시 영역은 제1 표시 영역 및 상기 제1 표시 영역과 이격된 제2 표시 영역을 포함하고, 상기 벤딩 영역은 상기 제1 표시 영역과 상기 제2 표시 영역 사이에 배치될 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 있어서, 상기 무기 절연 물질은 실리콘 질화물 또는 실리콘 산화물일 수 있다.
상기한 본 발명의 목적을 실현하기 위한 일 실시예에 따른 표시 장치의 제조 방법은 베이스 기판 상에 박막 트랜지스터를 구성하는 패턴을 형성하는 단계, 상기 베이스 기판 상에 무기 절연 물질을 포함하는 절연층을 형성하는 단계, 및 상기 절연층의 일부를 제거하여 응력 분산 영역을 형성하는 단계를 포함한다. 상기 표시 장치는 영상이 표시되는 표시 영역 및 상기 표시 영역과 인접하고 휘어짐이 가능한 벤딩(bending) 영역을 포함한다. 상기 벤딩 영역은 상기 표시 영역과 상기 벤딩 영역의 경계와 평행한 방향으로 연장되는 상기 응력 분산 영역을 포함하고, 상기 응력 분산 영역의 양 끝 부분의 폭은 가운데 부분 보다 크다.
본 발명의 일 실시예에 있어서, 상기 응력 분산 영역에는 상기 절연층은 전부 제거될 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 있어서, 상기 응력 분산 영역이 형성된 상기 절연층 상에 연결 배선 형성할 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 있어서, 상기 응력 분산 영역을 형성하는 단계는 상기 절연층을 통해 복수의 개구가 형성될 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 있어서, 상기 베이스 기판의 하면 상에 보호층을 부착하는 단계를 더 포함할 수 있다. 상기 보호층에 복수의 개구들이 상기 응력 분산 영역에 대응하여 형성될 수 있다.
상기한 본 발명의 목적을 실현하기 위한 일 실시예에 따른 표시 장치는 영상이 표시되는 표시 영역 및 상기 표시 영역과 인접하고 휘어짐이 가능한 벤딩(bending) 영역을 포함한다. 상기 표시 장치는 가요성을 갖는 물질을 포함하는 베이스 기판, 상기 베이스 기판 상에 배치되고 무기 절연 물질을 포함하는 절연층, 및 상기 베이스 기판 상에 상기 표시 영역 내에 배치되는 화소 구조를 포함한다. 상기 벤딩 영역을 따라 상기 절연층이 형성되지 않은 부분인 응력 저감 영역이 형성되고, 상기 응력 저감 영역의 양 끝 단의 폭이 중앙부의 폭보다 크다.
본 발명의 실시예들에 따르면, 표시 장치는 표시 영역 및 벤딩 영역을 포함할 수 있다. 상기 벤딩 영역은 응력 분산 영역을 포함하고, 상기 응력 분산 영역의 양 끝 단의 폭이 중앙부의 폭보다 넓게 형성될 수 있다. 이에 따라 상기 표시 장치의 상기 벤딩 영역이 휘어지는 경우, 상기 응력 분산 영역에 의해 응력이 분산되어 파손을 방지할 수 있다.
다만, 본 발명의 효과는 상기 효과들로 한정되는 것이 아니며, 본 발명의 사상 및 영역으로부터 벗어나지 않는 범위에서 다양하게 확장될 수 있을 것이다.
도 1a은 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치의 평면도이다.
도 1b는 도 1a의 I-I'선을 따라 절단한 단면도이다.
도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치의 평면도이다.
도 3는 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치의 평면도이다.
도 4는 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치의 평면도이다.
도 5a는 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치의 저면도이다.
도 5b는 도 5a의 I-I'선을 따라 절단한 단면도이다.
도 6는 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치의 저면도이다.
도 7는 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치의 저면도이다.
도 8a은 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치의 평면도이다.
도 8b는 도 1a의 I-I'선을 따라 절단한 단면도이다.
도 9a 내지 도 9g는 도 1a 및 도 1b의 표시 패널의 제조 방법을 설명하기 위한 단면도들이다.
도 1b는 도 1a의 I-I'선을 따라 절단한 단면도이다.
도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치의 평면도이다.
도 3는 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치의 평면도이다.
도 4는 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치의 평면도이다.
도 5a는 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치의 저면도이다.
도 5b는 도 5a의 I-I'선을 따라 절단한 단면도이다.
도 6는 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치의 저면도이다.
도 7는 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치의 저면도이다.
도 8a은 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치의 평면도이다.
도 8b는 도 1a의 I-I'선을 따라 절단한 단면도이다.
도 9a 내지 도 9g는 도 1a 및 도 1b의 표시 패널의 제조 방법을 설명하기 위한 단면도들이다.
이하, 도면들을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시예들을 보다 상세하게 설명하기로 한다.
도 1a은 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치의 평면도이다. 도 1b는 도 1a의 I-I'선을 따라 절단한 단면도이다.
도 1a 및 도 1b를 참조하면, 상기 표시 장치는 베이스 기판(100), 버퍼층(110), 제1 및 제2 박막 트랜지스터(TFT1, TFT2), 게이트 패턴, 제1 절연층(120), 데이터 패턴, 제2 절연층(130), 평탄화층(140), 제1 전극(EL1), 화소 정의막(150), 발광 구조물(160), 제2 전극(EL2) 및 밀봉층(170)을 포함할 수 있다.
상기 베이스 기판(100)은 가요성(flexible) 절연 기판을 포함할 수 있다. 예를 들면, 상기 베이스 기판(100)은 수지 기판 등으로 구성될 수 있다. 이 경우, 상기 수지 기판은 폴리이미드계(polyimide-based) 수지, 아크릴계(acryl-based) 수지, 폴리아크릴레이트계(polyacrylate-based) 수지, 폴리카보네이트계(polycarbonate-based) 수지, 폴리에테르계(polyether-based) 수지, 술폰산계(sulfonic acid-based) 수지, 폴리에틸렌테레프탈레이트계(polyethyleneterephthalate-based) 수지 등을 포함할 수 있다.
상기 버퍼층(110)은 상기 베이스 기판(100) 상에 배치된다. 상기 버퍼층(110)은 상기 베이스 기판(100)으로부터 금속 원자들이나 불순물들이 확산되는 현상을 방지할 수 있으며, 액티브 패턴을 형성하기 위한 결정화 공정 동안 열의 전달 속도를 조절하여 실질적으로 균일한 상기 액티브 패턴을 수득하게 할 수 있다. 또한, 상기 버퍼층(110)은 상기 베이스 기판(100)의 표면이 균일하지 않을 경우, 상기 베이스 기판(100)의 표면의 평탄도를 향상시키는 역할을 수행할 수도 있다. 상기 버퍼층(110)은 실리콘 화합물을 사용하여 형성될 수 있다. 예를 들면, 상기 버퍼층(110)은 실리콘 산화물(SiOx), 실리콘 질화물(SiNx), 실리콘 산질화물(SiOxNy), 실리콘 산탄화물(SiOxCy), 실리콘 탄질화물(SiCxNy) 등을 포함할 수 있다. 이들은 단독으로 또는 서로 조합되어 사용될 수 있다. 상기 버퍼층(110)은 실리콘 화합물을 포함하는 단층 구조 또는 다층 구조를 가질 수 있다. 예를 들면, 상기 버퍼층(110)은 실리콘 산화막, 실리콘 질화막, 실리콘 산질화막, 실리콘 산탄화막 및/또는 실리콘 탄질화막을 포함하는 단층 구조 또는 다층 구조로 베이스 기판(100) 상에 형성될 수 있다.
상기 액티브 패턴이 상기 버퍼층(110) 상에 배치될 수 있다. 상기 액티브 패턴은 상기 제1 박막 트랜지스터(TFT1)의 제1 액티브 패턴(ACT1) 및 상기 제2 박막 트랜지스터(TFT2)의 제2 액티브 패턴(ACT2)을 포함할 수 있다.
상기 액티브 패턴은 실리콘으로 구성될 수 있다. 다른 실시예에 따라, 상기 액티브 패턴은 인듐, 아연, 갈륨, 주석, 티타늄, 알루미늄, 하프늄(Hf), 지르코늄(Zr), 마그네슘(Mg) 등을 함유하는 이성분계 화합물(ABx), 삼성분계 화합물(ABxCy), 사성분계 화합물(ABxCyDz) 등을 포함하는 반도체 산화물로 구성될 수 있다. 이들은 단독으로 또는 서로 조합되어 사용될 수 있다.
상기 제1 절연층(120)은 상기 액티브 패턴을 커버하면서 상기 버퍼층(110) 상에 배치될 수 있다. 상기 제1 절연층(120)은 무기 절연 물질을 포함할 수 있다. 예를 들면, 상기 제1 절연층(120)은 실리콘 산화물(SiOx), 실리콘 질화물(SiNx), 실리콘 산질화물(SiOxNy), 실리콘 산탄화물(SiOxCy), 실리콘 탄질화물(SiCxNy) 등의 실리콘 화합물을 포함할 수 있다. 예시적인 실시예들에 있어서, 상기 제1 절연층(120)은 상기 액티브 패턴의 프로파일(profile)을 따라 상기 버퍼층(110) 상에 실질적으로 균일한 두께로 형성될 수 있다. 이 경우, 상기 제1 절연층(120)은 상대적으로 얇은 두께를 가질 수 있으며, 상기 제1 절연층(120)에는 상기 액티브 패턴에 인접하는 단차부가 생성될 수 있다. 다른 예시적인 실시예들에 따르면, 상기 제1 절연층(120)은 상기 액티브 패턴을 충분하게 커버하면서 실질적으로 평탄한 상면을 가질 수 있다.
상기 게이트 패턴이 상기 제1 절연층(120) 상에 배치될 수 있다. 상기 게이트 패턴은 상기 제1 박막 트랜지스터(TFT1)의 제1 게이트 전극(GE1) 및 상기 제2 박막 트랜지스터(TFT2)의 제2 게이트 전극(GE2)을 포함할 수 있다. 상기 제1 게이트 전극(GE1)은 상기 제1 액티브 패턴(ACT1)과 중첩하게 배치될 수 있다. 상기 제2 게이트 전극(GE2)은 상기 제2 액티브 패턴(ACT2)과 중첩하게 배치될 수 있다.
상기 게이트 패턴은 금속, 합금, 금속 질화물, 도전성 금속 산화물, 투명 도전성 물질 등을 사용하여 형성될 수 있다. 예를 들면, 상기 게이트 패턴은 알루미늄(Al), 알루미늄을 함유하는 합금, 알루미늄 질화물(AlNx), 은(Ag), 은을 함유하는 합금, 텅스텐(W), 텅스텐 질화물(WNx), 구리(Cu), 구리를 함유하는 합금, 니켈(Ni), 크롬(Cr), 크롬 질화물(CrOx), 몰리브데늄(Mo), 몰리브데늄을 함유하는 합금, 티타늄(Ti), 티타늄 질화물(TiNx), 백금(Pt), 탄탈륨(Ta), 탄탈륨 질화물(TaNx), 네오디뮴(Nd), 스칸듐(Sc), 스트론튬 루테늄 산화물(SRO), 아연 산화물(ZnOx), 인듐 주석 산화물(ITO), 주석 산화물(SnOx), 인듐 산화물(InOx), 갈륨 산화물(GaOx), 인듐 아연 산화물(IZO) 등을 포함할 수 있다. 이들은 단독으로 또는 서로 조합되어 사용될 수 있다. 또한, 상기 게이트 패턴은 금속막, 합금막, 금속 질화물막, 도전성 금속 산화물막 및/또는 투명 도전성 물질막을 포함하는 단층 구조 또는 다층 구조를 가질 수 있다.
상기 제2 절연층(130)은 상기 게이트 패턴을 커버하면서 상기 제1 절연층(120) 상에 배치될 수 있다. 상기 제2 절연층(130)은 무기 절연 물질을 포함할 수 있다. 예를 들면, 상기 제2 절연층(130)은 실리콘 산화물(SiOx), 실리콘 질화물(SiNx), 실리콘 산질화물(SiOxNy), 실리콘 산탄화물(SiOxCy), 실리콘 탄질화물(SiCxNy) 등의 실리콘 화합물을 포함할 수 있다. 예시적인 실시예들에 있어서, 상기 제2 절연층(130)은 상기 게이트 패턴의 프로파일(profile)을 따라 상기 제1 절연층(110) 상에 실질적으로 균일한 두께로 형성될 수 있다. 이 경우, 상기 제2 절연층(130)은 상대적으로 얇은 두께를 가질 수 있으며, 상기 제2 절연층(130)에는 상기 게이트 패턴에 인접하는 단차부가 생성될 수 있다. 다른 예시적인 실시예들에 따르면, 상기 제2 절연층(130)은 상기 게이트 패턴을 충분하게 커버하면서 실질적으로 평탄한 상면을 가질 수 있다.
상기 버퍼층(110), 상기 제1 절연층(120) 및 상기 제2 절연층(130)이 일부 제거되어 응력 분산 영역(300)이 형성될 수 있다. 예를 들면, 상기 버퍼층(110), 상기 제1 절연층(120) 및 상기 제2 절연층(130)은 상기 응력 분산 영역(300)에 개구를 형성할 수 있다.
상기 데이터 패턴이 상기 제2 절연층(130) 상에 배치될 수 있다. 상기 데이터 패턴은 상기 제1 박막 트랜지스터(TFT1)의 제1 소스 전극(SE1) 및 제1 드레인 전극(DE1), 상기 제2 박막 트랜지스터(TFT2)의 제2 소스 전극(SE2) 및 제2 드레인 전극(DE2), 및 연결 배선(CW)을 포함할 수 있다.
상기 제1 소스 전극(SE1)은 상기 제1 및 제2 절연층들(120, 130)을 통해 형성되는 콘택홀을 통해 상기 제1 액티브 패턴(ACT1)과 전기적으로 연결될 수 있다. 상기 제1 드레인 전극(DE1)은 상기 제1 및 제2 절연층들(120, 130)을 통해 형성되는 콘택홀을 통해 상기 제1 액티브 패턴(ACT1)과 전기적으로 연결될 수 있다.
상기 제2 소스 전극(SE2)은 상기 제1 및 제2 절연층들(120, 130)을 통해 형성되는 콘택홀을 통해 상기 제2 액티브 패턴(ACT2)과 전기적으로 연결될 수 있다. 상기 제12 드레인 전극(DE2)은 상기 제1 및 제2 절연층들(120, 130)을 통해 형성되는 콘택홀을 통해 상기 제2 액티브 패턴(ACT2)과 전기적으로 연결될 수 있다.
상기 연결 배선(CW)은 상기 제1 박막 트랜지스터(TFT1)와 상기 제2 박막 트랜지스터(TFT2)를 전기적으로 연결할 수 있다. 상기 연결 배선(CW)은 상기 제2 절연막(130) 상에 배치되며, 상기 응력 분산 영역(300)에서 상기 베이스 기판(100) 상에 배치될 수 있다. 상기 응력 분산 영역(300)에서는 상기 버퍼층(110), 상기 제1 절연층(120) 및 상기 제2 절연층(130)이 상기 개구를 형성하므로, 상기 연결 배선(CW)은 상기 제2 절연층(130), 상기 제2 절연층(130)의 측면, 상기 제1 절연층(120)의 측면, 상기 버퍼층(110)의 측면 및 상기 베이스 기판(120)의 상면을 따라 연장되며 배치될 수 있다. 이에 따라 상기 표시 영역(DA)의 상기 제1 박막 트랜지스터(TFT1)와 상기 회로 영역(CA)의 상기 제2 박막 트랜지스터(TFT2)가 상기 연결 배선(CW)에 의해 연결될 수 있다.
상기 평탄화층(140)이 상기 박막 트랜지스터(TFT)가 배치된 상기 제2 절연층(130) 상에 배치될 수 있다. 상기 평탄화층(140)은 상기 표시 영역(DA), 상기 벤딩 영역(BA), 및 상기 회로 영역(CA) 모두에 형성될 수 있으므로, 상기 평탄화층(140)은 상기 응력 분산 영역(300)에 상기 개구를 채우며 형성될 수 있다. 상기 평탄화층(140)은 단층 구조로 형성될 수 있지만, 적어도 2이상의 절연막들을 포함하는 다층 구조로 형성될 수도 있다. 상기 평탄화층(140)은 유기 물질을 사용하여 형성될 수 있다. 예를 들면, 상기 제3 절연층(150)은 포토레지스트, 아크릴계 수지, 폴리이미드계 수지, 폴리아미드계 수지, 실록산계(siloxane-based) 수지 등을 포함할 수 있다. 이들은 단독으로 또는 서로 조합되어 사용될 수 있다.
상기 제1 전극(EL1)이 상기 평탄화층(140) 상에 배치될 수 있다. 상기 제1 전극(EL1)은 상기 평탄화층(140)을 통해 형성된 콘택홀을 통해 상기 제1 드레인 전극(DE1)에 전기적으로 연결될 수 있다.
상기 표시 장치의 발광 방식에 따라, 상기 제1 전극(EL1)은 반사성을 갖는 물질 또는 투광성을 갖는 물질을 사용하여 형성될 수 있다. 예를 들면, 상기 제1 전극(EL1)은 알루미늄, 알루미늄을 함유하는 합금, 알루미늄 질화물, 은, 은을 함유하는 합금, 텅스텐, 텅스텐 질화물, 구리, 구리를 함유하는 합금, 니켈, 크롬, 크롬 질화물, 몰리브데늄, 몰리브데늄을 함유하는 합금, 티타늄, 티타늄 질화물, 백금, 탄탈륨, 탄탈륨 질화물, 네오디뮴, 스칸듐, 스트론튬 루테늄 산화물, 아연 산화물, 인듐 주석 산화물, 주석 산화물, 인듐 산화물, 갈륨 산화물, 인듐 아연 산화물 등을 포함할 수 있다. 이들은 단독으로 또는 서로 조합되어 사용될 수 있다. 예시적인 실시예들에 있어서, 상기 제1 전극(EL1)은 금속막, 합금막, 금속 질화물막, 도전성 금속 산화물막 및/또는 투명 도전성 물질막을 포함하는 단층 구조 또는 다층 구조로 형성될 수 있다.
상기 화소 정의막(150)은 상기 제1 전극(EL1)이 배치된 상기 평탄화층(140) 상에 배치될 수 있다. 상기 화소 정의막(150)은 상기 제1 전극(EL1)을 노출시키는 개구를 정의할 수 있다. 상기 화소 정의막(150)은 유기 물질, 무기 물질 등을 사용하여 형성될 수 있다. 예를 들면, 상기 화소 정의막(150)은 포토레지스트, 폴리아크릴계 수지, 폴리이미드계 수지, 아크릴계 수지, 실리콘 화합물 등을 사용하여 형성될 수 있다.
상기 발광 구조물(160)은 상기 화소 정의막(150)의 개구를 통해 노출되는 상기 제1 전극(EL1)상에 배치될 수 있다. 또한, 상기 발광 구조물(160)은 상기 화소 정의막(150)의 개구의 측면 상으로 연장될 수 있다. 예시적인 실시예들에 있어서, 상기 발광 구조물(150)은 유기 발광층(EL), 정공 주입층(HIL), 정공 수송층(HTL), 전자 수송층(ETL), 전자 주입층(EIL) 등을 포함하는 다층 구조를 가질 수 있다. 상기 발광 구조물(160)의 유기 발광층은 상기 표시 장치의 각 화소에 따라 적색광, 녹색광, 청색광 등과 같은 서로 상이한 색광들을 발생시킬 수 있는 발광 물질들을 사용하여 형성될 수 있다. 다른 예시적인 실시예들에 따르면, 상기 발광 구조물(160)의 유기 발광층은 적색광, 녹색광, 청색광 등의 상이한 색광들을 구현할 수 있는 복수의 발광 물질들이 적층되어 백색광을 발광하는 구조를 가질 수도 있다.
상기 제2 전극(EL2)이 상기 화소 정의막(150)과 상기 발광 구조물(160) 상에 배치될 수 있다. 상기 표시 장치의 발광 방식에 따라, 상기 제2 전극(EL2)도 투광성을 갖는 물질 또는 반사성을 갖는 물질을 포함할 수 있다. 예를 들면, 상기 제2 전극(EL2)은 알루미늄, 알루미늄을 함유하는 합금, 알루미늄 질화물, 은, 은을 함유하는 합금, 텅스텐, 텅스텐 질화물, 구리, 구리를 함유하는 합금, 니켈, 크롬, 크롬 질화물, 몰리브데늄, 몰리브데늄을 함유하는 합금, 티타늄, 티타늄 질화물, 백금, 탄탈륨, 탄탈륨 질화물, 네오디뮴, 스칸듐, 스트론튬 루테늄 산화물, 아연 산화물, 인듐 주석 산화물, 주석 산화물, 인듐 산화물, 갈륨 산화물, 인듐 아연 산화물 등을 포함할 수 있다. 이들은 단독으로 또는 서로 조합되어 사용될 수 있다. 예시적인 실시예들에 있어서, 상기 제2 전극(EL2)도 금속막, 합금막, 금속 질화물막, 도전성 금속 산화물막 및/또는 투명 도전성 물질막을 포함하는 단층 구조 또는 다층 구조로 형성될 수 있다.
상기 밀봉층(180)이 상기 제2 전극(EL2)을 커버하면서, 상기 평탄화층(140) 및 상기 제2 전극(EL2) 상에 배치될 수 있다.
상기 밀봉층(180)은 상기 제2 전극(EL2) 및 상기 발광 구조물(160)을 외기 및 수분으로부터 보호할 수 있다. 상기 밀봉층(180)은 실리콘옥사이드 또는 실리콘나이트라이드와 같은 무기물로 이루어진 막과 에폭시, 폴리이미드와 같은 유기물로 이루어진 막이 교대로 성막된 구조를 취할수 있는 데, 반드시 이에 한정되는 것은 아니며, 투명한 박막 상의 밀봉구조이면 어떠한 것이든 적용 가능하다.
다른 실시예에서, 상기 베이스 기판(100)과 마주보는 밀봉 기판이 상기 제2 전극(EL2) 상에 배치될 수 있다. 밀봉 기판은 투명한 물질을 포함하고, 외기 및 수분이 상기 유기 발광 표시 장치 내부로 침투하는 것을 차단한다. 상기 밀봉 기판은 밀봉 부재에 의해 상기 베이스 기판(100)과 결합되어 상기 베이스 기판(100)과 상기 밀봉 기판의 사이 공간이 밀봉된다. 밀봉된 상기 공간에는 흡습제나 충진재 등이 위치할 수 있다.
도 1a를 다시 참조하면, 상기 표시 장치는 상기 표시 영역(DA), 상기 회로 영역(CA) 및 상기 벤딩(bending) 영역(BA)을 포함할 수 있다.
상기 표시 영역(DA)에는 영상이 표시될 수 있다. 상기 표시 영역(DA)에는 상기 영상을 표시하기 위한 구조물이 배치될 수 있다. 예를 들면, 상기 표시 영역(DA)에는 상기 제1 박막 트랜지스터(TFT1) 및 상기 발광 구조물(160)을 포함하는 화소 구조가 형성되어, 상기 영상을 표시 할 수 있다.
상기 회로 영역(CA)은 상기 회로 영역(CA)은 상기 표시 장치의 가장자리 부분에 배치될 수 있으며, 상기 표시 영역(DA)과 제1 방향(D1)과 교차하는 제2 방향(D2)으로 이격되어 배치될 수 있다. 상기 제2 방향(D2)은 상기 제1 방향(D1)과 실질적으로 수직할 수 있다. 상기 회로 영역(CA)은 상기 표시 장치의 상기 가장자리를 따라 상기 제1 방향(D1)으로 연장될 수 있다. 상기 회로 영역(CA)에는 상기 제2 박막 트랜지스터(TFT2)를 포함하고 상기 화소 구조를 구동하기 위한 구동 회로가 배치될 수 있다.
상기 벤딩 영역(BA)은 상기 회로 영역(CA)과 상기 표시 영역(DA) 사이에 배치될 수 있다. 상기 벤딩 영역(BA)은 상기 제1 방향(D1)으로 연장될 수 있다. 상기 표시 장치는 상기 벤딩 영역(BA)에서 휘어질 수 있으므로, 상기 표시 장치는 상기 제1 방향(D1)에 수직한 단면이 L 자 혹은C 자 모양으로 구부러질 수 있다. 상기 표시 장치는 상기 벤딩 영역(BA)이 휘어지므로, 다양하게 응용이 가능하다.
상기 벤딩 영역(BA)은 상기 응력 분산 영역(300)을 포함할 수 있다. 상기 응력 분산 영역(300)은 제1 내지 제3 영역(301, 302, 303)을 포함할 수 있다.
상기 제1 영역(301)은 상기 제1 방향(D1)으로 상기 제2 영역(302) 및 상기 제3 영역(303) 사이에 배치될 수 있다. 상기 제1 영역(301)의 상기 제2 방향(D2)으로의 폭은 상기 제2 및 제3 영역들(302, 303)의 폭 보다 작을 수 있다. 즉, 상기 응력 분산 영역(300)의 폭은 상기 표시 장치의 가장자리 부분에서 가운데 부분보다 더 클 수 있다.
상기 표시 장치의 상기 벤딩 영역(BA)이 휘어지는 경우, 응력(stress)은 주로 상기 벤딩 영역(BA)의 상기 제1 방향(D1)의 양쪽 끝 부분에 집중되는데, 상기 응력 분산 영역(300)의 폭이 상기 양쪽 끝 부분에서 넓으므로, 응력이 분산될 수 있다. 이에 따라 상기 표시 장치의 파손을 방지할 수 있다.
상기 응력 분산 영역(300)은 상기 버퍼층(110), 상기 제1 절연층(120) 및 상기 제2 절연층(130)이 제거된 부분일 수 있다. 일반적인 휘어짐 가능한 표시 장치의 경우, 휘어진 부분의 파손은 주로 무기 절연막에서 발생하는데, 본 실시예에 따른 표시 장치는 상기 응력 분산 영역(300)에서 무기 절연 물질을 포함하는 층들이 모두 제거되므로, 이에 따라, 상기 표시 장치의 파손을 방지할 수 있다.
도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치의 평면도이다.
도 2 및 1b를 참조하면, 상기 표시 장치는 응력 분산 영역(300)을 제외하고 도 1a 및 도1b의 표시 장치와 실질적으로 동일하므로, 중복되는 설명은 간략히 하거나 생략한다.
상기 표시 장치는 베이스 기판(100), 버퍼층(110), 제1 및 제2 박막 트랜지스터(TFT1, TFT2), 게이트 패턴, 제1 절연층(120), 데이터 패턴, 제2 절연층(130), 평탄화층(140), 제1 전극(EL1), 화소 정의막(150), 발광 구조물(160), 제2 전극(EL2) 및 밀봉층(170)을 포함할 수 있다.
상기 베이스 기판(100)은 가요성(flexible) 절연 기판을 포함할 수 있다. 예를 들면, 상기 베이스 기판(100)은 수지 기판 등으로 구성될 수 있다.
상기 버퍼층(110)은 상기 베이스 기판(100) 상에 배치된다.
상기 액티브 패턴이 상기 버퍼층(110) 상에 배치될 수 있다. 상기 액티브 패턴은 상기 제1 박막 트랜지스터(TFT1)의 제1 액티브 패턴(ACT1) 및 상기 제2 박막 트랜지스터(TFT2)의 제2 액티브 패턴(ACT2)을 포함할 수 있다.
상기 제1 절연층(120)은 상기 액티브 패턴을 커버하면서 상기 버퍼층(110) 상에 배치될 수 있다. 상기 제1 절연층(120)은 무기 절연 물질을 포함할 수 있다.
상기 게이트 패턴이 상기 제1 절연층(120) 상에 배치될 수 있다. 상기 게이트 패턴은 상기 제1 박막 트랜지스터(TFT1)의 제1 게이트 전극(GE1) 및 상기 제2 박막 트랜지스터(TFT2)의 제2 게이트 전극(GE2)을 포함할 수 있다.
상기 제2 절연층(130)은 상기 게이트 패턴을 커버하면서 상기 제1 절연층(120) 상에 배치될 수 있다. 상기 제2 절연층(130)은 무기 절연 물질을 포함할 수 있다.
상기 버퍼층(110), 상기 제1 절연층(120) 및 상기 제2 절연층(130)이 일부 제거되어 응력 분산 영역(300)이 형성될 수 있다. 예를 들면, 상기 버퍼층(110), 상기 제1 절연층(120) 및 상기 제2 절연층(130)은 상기 응력 분산 영역(300)에 개구를 형성할 수 있다.
상기 데이터 패턴이 상기 제2 절연층(130) 상에 배치될 수 있다. 상기 데이터 패턴은 상기 제1 박막 트랜지스터(TFT1)의 제1 소스 전극(SE1) 및 제1 드레인 전극(DE1), 상기 제2 박막 트랜지스터(TFT2)의 제2 소스 전극(SE2) 및 제2 드레인 전극(DE2), 및 연결 배선(CW)을 포함할 수 있다.
상기 평탄화층(140)이 상기 박막 트랜지스터(TFT)가 배치된 상기 제2 절연층(130) 상에 배치될 수 있다.
상기 제1 전극(EL1)이 상기 평탄화층(140) 상에 배치될 수 있다. 상기 화소 정의막(150)은 상기 제1 전극(EL1)이 배치된 상기 평탄화층(140) 상에 배치될 수 있다. 상기 발광 구조물(160)은 상기 화소 정의막(150)의 개구를 통해 노출되는 상기 제1 전극(EL1)상에 배치될 수 있다. 상기 제2 전극(EL2)이 상기 화소 정의막(150)과 상기 발광 구조물(160) 상에 배치될 수 있다. 상기 밀봉층(180)이 상기 제2 전극(EL2)을 커버하면서, 상기 평탄화층(140) 및 상기 제2 전극(EL2) 상에 배치될 수 있다.
도 2를 다시 참조하면, 상기 표시 장치는 상기 표시 영역(DA), 상기 회로 영역(CA) 및 상기 벤딩(bending) 영역(BA)을 포함할 수 있다.
상기 표시 영역(DA)에는 영상이 표시될 수 있다. 상기 회로 영역(CA)은 상기 회로 영역(CA)은 상기 표시 장치의 가장자리 부분에 배치될 수 있으며, 상기 표시 영역(DA)과 제1 방향(D1)과 교차하는 제2 방향(D2)으로 이격되어 배치될 수 있다. 상기 벤딩 영역(BA)은 상기 회로 영역(CA)과 상기 표시 영역(DA) 사이에 배치될 수 있다. 상기 벤딩 영역(BA)은 상기 제1 방향(D1)으로 연장될 수 있다.
상기 벤딩 영역(BA)은 상기 응력 분산 영역(300)을 포함할 수 있다. 상기 응력 분산 영역(300)은 중앙 부분에서 제1 폭(w1)을 갖고, 상기 제1 방향(D1)의 양 끝 부분에서 제2 폭(w2) 및 제3 폭(w3)을 가질 수 있다. 예를 들면, 상기 응력 분산 영역(300)은 중앙 부분에서 상기 제1 폭(w1)을 갖고, 양 끝 부분에서 제2 및 제3 폭(w2, w3)을 갖는 곡선 형상을 가질 수 있다. 상기 제1 폭(w1)은 상기 제2 및 제3 폭(w3) 보다 작을 수 있다. 즉, 상기 응력 분산 영역(300)의 폭은 상기 표시 장치의 가장자리 부분에서 가운데 부분보다 더 클 수 있다.
상기 응력 분산 영역(300)은 상기 버퍼층(110), 상기 제1 절연층(120) 및 상기 제2 절연층(130)이 제거된 부분일 수 있다.
도 3는 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치의 평면도이다.
도 3 및 1b를 참조하면, 상기 표시 장치는 응력 분산 영역(300)을 제외하고 도 1a 및 도1b의 표시 장치와 실질적으로 동일하므로, 중복되는 설명은 간략히 하거나 생략한다.
상기 표시 장치는 베이스 기판(100), 버퍼층(110), 제1 및 제2 박막 트랜지스터(TFT1, TFT2), 게이트 패턴, 제1 절연층(120), 데이터 패턴, 제2 절연층(130), 평탄화층(140), 제1 전극(EL1), 화소 정의막(150), 발광 구조물(160), 제2 전극(EL2) 및 밀봉층(170)을 포함할 수 있다.
상기 베이스 기판(100)은 가요성(flexible) 절연 기판을 포함할 수 있다. 예를 들면, 상기 베이스 기판(100)은 수지 기판 등으로 구성될 수 있다.
상기 버퍼층(110)은 상기 베이스 기판(100) 상에 배치된다.
상기 액티브 패턴이 상기 버퍼층(110) 상에 배치될 수 있다. 상기 액티브 패턴은 상기 제1 박막 트랜지스터(TFT1)의 제1 액티브 패턴(ACT1) 및 상기 제2 박막 트랜지스터(TFT2)의 제2 액티브 패턴(ACT2)을 포함할 수 있다.
상기 제1 절연층(120)은 상기 액티브 패턴을 커버하면서 상기 버퍼층(110) 상에 배치될 수 있다. 상기 제1 절연층(120)은 무기 절연 물질을 포함할 수 있다.
상기 게이트 패턴이 상기 제1 절연층(120) 상에 배치될 수 있다. 상기 게이트 패턴은 상기 제1 박막 트랜지스터(TFT1)의 제1 게이트 전극(GE1) 및 상기 제2 박막 트랜지스터(TFT2)의 제2 게이트 전극(GE2)을 포함할 수 있다.
상기 제2 절연층(130)은 상기 게이트 패턴을 커버하면서 상기 제1 절연층(120) 상에 배치될 수 있다. 상기 제2 절연층(130)은 무기 절연 물질을 포함할 수 있다.
상기 버퍼층(110), 상기 제1 절연층(120) 및 상기 제2 절연층(130)이 일부 제거되어 응력 분산 영역(300)이 형성될 수 있다. 예를 들면, 상기 버퍼층(110), 상기 제1 절연층(120) 및 상기 제2 절연층(130)은 상기 응력 분산 영역(300)에 개구를 형성할 수 있다.
상기 데이터 패턴이 상기 제2 절연층(130) 상에 배치될 수 있다. 상기 데이터 패턴은 상기 제1 박막 트랜지스터(TFT1)의 제1 소스 전극(SE1) 및 제1 드레인 전극(DE1), 상기 제2 박막 트랜지스터(TFT2)의 제2 소스 전극(SE2) 및 제2 드레인 전극(DE2), 및 연결 배선(CW)을 포함할 수 있다.
상기 평탄화층(140)이 상기 박막 트랜지스터(TFT)가 배치된 상기 제2 절연층(130) 상에 배치될 수 있다.
상기 제1 전극(EL1)이 상기 평탄화층(140) 상에 배치될 수 있다. 상기 화소 정의막(150)은 상기 제1 전극(EL1)이 배치된 상기 평탄화층(140) 상에 배치될 수 있다. 상기 발광 구조물(160)은 상기 화소 정의막(150)의 개구를 통해 노출되는 상기 제1 전극(EL1)상에 배치될 수 있다. 상기 제2 전극(EL2)이 상기 화소 정의막(150)과 상기 발광 구조물(160) 상에 배치될 수 있다. 상기 밀봉층(180)이 상기 제2 전극(EL2)을 커버하면서, 상기 평탄화층(140) 및 상기 제2 전극(EL2) 상에 배치될 수 있다.
도 3를 다시 참조하면, 상기 표시 장치는 상기 표시 영역(DA), 상기 회로 영역(CA) 및 상기 벤딩(bending) 영역(BA)을 포함할 수 있다.
상기 표시 영역(DA)에는 영상이 표시될 수 있다. 상기 회로 영역(CA)은 상기 회로 영역(CA)은 상기 표시 장치의 가장자리 부분에 배치될 수 있으며, 상기 표시 영역(DA)과 제1 방향(D1)과 교차하는 제2 방향(D2)으로 이격되어 배치될 수 있다. 상기 벤딩 영역(BA)은 상기 회로 영역(CA)과 상기 표시 영역(DA) 사이에 배치될 수 있다. 상기 벤딩 영역(BA)은 상기 제1 방향(D1)으로 연장될 수 있다.
상기 벤딩 영역(BA)은 상기 응력 분산 영역(300)을 포함할 수 있다. 상기 응력 분산 영역(300)은 중앙 부분에서 제1 폭(w1)을 갖고, 상기 제1 방향(D1)의 양 끝 부분에서 제2 폭(w2) 및 제3 폭(w3)을 가질 수 있다. 예를 들면, 상기 응력 분산 영역(300)은 중앙 부분에서 상기 제1 폭(w1)을 갖고, 양 끝 부분에서 제2 및 제3 폭(w2, w3)을 갖는 곡선 형상을 가질 수 있다. 상기 제1 폭(w1)은 상기 제2 및 제3 폭(w3) 보다 작을 수 있다. 즉, 상기 응력 분산 영역(300)의 폭은 상기 표시 장치의 가장자리 부분에서 가운데 부분보다 더 클 수 있다.
상기 응력 분산 영역(300)은 상기 버퍼층(110), 상기 제1 절연층(120) 및 상기 제2 절연층(130)을 관통하는 복수의 개구들(OP)이 형성된 부분일 수 있다. 즉, 상기 응력 분산 영역(300) 내의 상기 버퍼층(110), 상기 제1 절연층(120) 및 상기 제2 절연층(130)에는 상기 베이스 기판(100)을 노출하는 복수의 개구들(OP)이 형성될 수 있다. 일반적인 휘어짐 가능한 표시 장치의 경우, 휘어진 부분의 파손은 주로 무기 절연막에서 발생하는데, 본 실시예에 따른 표시 장치는 상기 응력 분산 영역(300)에서 무기 절연 물질을 포함하는 층들에 복수의 개구들이 형성되므로, 이에 따라, 상기 표시 장치의 파손을 방지할 수 있다.
도 4는 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치의 평면도이다.
도 4를 참조하면, 표시 장치는 도 1a 및 도1b의 표시 장치와 실질적으로 동일하므로, 중복되는 설명은 간략히 하거나 생략한다.
상기 표시 장치는 제1 표시 영역(DA1), 제2 표시 영역(DA2), 회로 영역(CA), 제1 벤딩 영역(BA1) 및 제2 벤딩 영역(BA2)를 포함할 수 있다.
상기 제1 표시 영역(DA1)에는 제1 영상이 표시될 수 있다. 상기 제1 표시 영역(DA1)에는 상기 제1 영상을 표시하기 위한 구조물이 배치될 수 있다. 예를 들면, 상기 제1 표시 영역(DA1)에는 박막 트랜지스터 및 발광 구조물을 포함하는 화소 구조가 형성되어, 상기 제1 영상을 표시 할 수 있다.
상기 제2 표시 영역(DA2)에는 제2 영상이 표시될 수 있다. 상기 제2 표시 영역(DA2)에는 상기 제2 영상을 표시하기 위한 구조물이 배치될 수 있다. 예를 들면, 상기 제2 표시 영역(DA2)에는 박막 트랜지스터 및 발광 구조물을 포함하는 화소 구조가 형성되어, 상기 제2 영상을 표시 할 수 있다.
상기 제2 표시 영역(DA2)은 상기 제1 표시 영역(DA1)과 제1 방향(D1)과 교차하는 제2 방향(D2)으로 이격되어 배치될 수 있다. 상기 제2 방향(D2)은 상기 제1 방향(D1)과 실질적으로 수직할 수 있다.
상기 제1 표시 영역(DA1)과 상기 제2 표시 영역(DA2) 사이에 상기 회로 영역(CA)이 배치될 수 있다. 상기 회로 영역(CA)은 상기 제1 방향(D1)으로 연장될 수 있다. 상기 회로 영역(CA)에는 상기 화소 구조를 구동하기 위한 구동 회로가 배치될 수 있다.
제1 벤딩 영역(BA1)이 상기 제1 표시 영역(DA1)과 상기 회로 영역(CA) 사이에 배치될 수 있다. 상기 제1 벤딩 영역(BA1)은 상기 제1 방향(D1)으로 연장될 수 있다.
제2 벤딩 영역(BA2)이 상기 제2 표시 영역(DA2)과 상기 회로 영역(CA) 사이에 배치될 수 있다. 상기 제2 벤딩 영역(BA2)은 상기 제1 방향(D1)으로 연장될 수 있다.
상기 표시 장치는 상기 제1 및 제2 벤딩 영역(BA1, BA2)에서 휘어질 수 있으므로, 상기 표시 장치는 상기 제1 방향(D1)에 수직한 단면이 L 자 혹은 C 자 모양으로 구부러질 수 있다. 상기 표시 장치는 상기 제1 및 제2 벤딩 영역(BA1, BA2)에서 휘어지므로, 다양하게 응용이 가능하다.
상기 제1 벤딩 영역(BA1)은 제1 응력 분산 영역(300a)을 포함할 수 있다. 상기 제1 응력 분산 영역(300a)은 제1 내지 제3 영역(301a, 302a, 303a)을 포함할 수 있다.
상기 제1 영역(301a)은 상기 제1 방향(D2)으로 상기 제2 영역(302a) 및 상기 제3 영역(303a) 사이에 배치될 수 있다. 상기 제1 영역(301a)의 상기 제2 방향(D2)으로의 폭은 상기 제2 및 제3 영역들(302a, 303a)의 폭 보다 작을 수 있다. 즉, 상기 제1 응력 분산 영역(300a)의 폭은 상기 표시 장치의 가장자리 부분에서 가운데 부분보다 더 클 수 있다.
상기 제1 응력 분산 영역(300a)은 상기 버퍼층, 상기 제1 절연층 및 상기 제2 절연층이 제거된 부분일 수 있다. 또한, 도 2 또는 도 3의 경우와 같이, 상기 제1 응력 분산 영역(300a)은 다양한 형상 및 구성을 가질 수 있다.
상기 제2 벤딩 영역(BA2)은 제2 응력 분산 영역(300b)을 포함할 수 있다. 상기 제2 응력 분산 영역(300b)은 제1 내지 제3 영역(301b, 302b, 303b)을 포함할 수 있다.
상기 제1 영역(301b)은 상기 제1 방향(D2)으로 상기 제2 영역(302b) 및 상기 제3 영역(303b) 사이에 배치될 수 있다. 상기 제1 영역(301b)의 상기 제2 방향(D2)으로의 폭은 상기 제2 및 제3 영역들(302b, 303b)의 폭 보다 작을 수 있다. 즉, 상기 제1 응력 분산 영역(300b)의 폭은 상기 표시 장치의 가장자리 부분에서 가운데 부분보다 더 클 수 있다.
상기 제2 응력 분산 영역(300b)은 상기 버퍼층, 상기 제1 절연층 및 상기 제2 절연층이 제거된 부분일 수 있다. 또한, 도 2 또는 도 3의 경우와 같이, 상기 제2 응력 분산 영역(300b)은 다양한 형상 및 구성을 가질 수 있다.
도 5a는 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치의 저면도이다. 도 5b는 도 5a의 I-I'선을 따라 절단한 단면도이다.
도 5a 및 도 5b를 참조하면, 상기 표시 장치는 베이스 기판(100), 버퍼층(110), 제1 및 제2 박막 트랜지스터(TFT1, TFT2), 게이트 패턴, 제1 절연층(120), 데이터 패턴, 제2 절연층(130), 평탄화층(140), 제1 전극(EL1), 화소 정의막(150), 발광 구조물(160), 제2 전극(EL2), 밀봉층(170) 및 보호층(200)을 포함할 수 있다.
상기 베이스 기판(100)은 가요성(flexible) 절연 기판을 포함할 수 있다. 예를 들면, 상기 베이스 기판(100)은 수지 기판 등으로 구성될 수 있다. 이 경우, 상기 수지 기판은 폴리이미드계(polyimide-based) 수지, 아크릴계(acryl-based) 수지, 폴리아크릴레이트계(polyacrylate-based) 수지, 폴리카보네이트계(polycarbonate-based) 수지, 폴리에테르계(polyether-based) 수지, 술폰산계(sulfonic acid-based) 수지, 폴리에틸렌테레프탈레이트계(polyethyleneterephthalate-based) 수지 등을 포함할 수 있다.
상기 버퍼층(110)은 상기 베이스 기판(100) 상에 배치된다. 상기 버퍼층(110)은 상기 베이스 기판(100)으로부터 금속 원자들이나 불순물들이 확산되는 현상을 방지할 수 있으며, 액티브 패턴을 형성하기 위한 결정화 공정 동안 열의 전달 속도를 조절하여 실질적으로 균일한 상기 액티브 패턴을 수득하게 할 수 있다. 또한, 상기 버퍼층(110)은 상기 베이스 기판(100)의 표면이 균일하지 않을 경우, 상기 베이스 기판(100)의 표면의 평탄도를 향상시키는 역할을 수행할 수도 있다. 상기 버퍼층(110)은 실리콘 화합물을 사용하여 형성될 수 있다. 예를 들면, 상기 버퍼층(110)은 실리콘 산화물(SiOx), 실리콘 질화물(SiNx), 실리콘 산질화물(SiOxNy), 실리콘 산탄화물(SiOxCy), 실리콘 탄질화물(SiCxNy) 등을 포함할 수 있다. 이들은 단독으로 또는 서로 조합되어 사용될 수 있다. 상기 버퍼층(110)은 실리콘 화합물을 포함하는 단층 구조 또는 다층 구조를 가질 수 있다. 예를 들면, 상기 버퍼층(110)은 실리콘 산화막, 실리콘 질화막, 실리콘 산질화막, 실리콘 산탄화막 및/또는 실리콘 탄질화막을 포함하는 단층 구조 또는 다층 구조로 베이스 기판(100) 상에 형성될 수 있다.
상기 액티브 패턴이 상기 버퍼층(110) 상에 배치될 수 있다. 상기 액티브 패턴은 상기 제1 박막 트랜지스터(TFT1)의 제1 액티브 패턴(ACT1) 및 상기 제2 박막 트랜지스터(TFT2)의 제2 액티브 패턴(ACT2)을 포함할 수 있다.
상기 액티브 패턴은 실리콘으로 구성될 수 있다. 다른 실시예에 따라, 상기 액티브 패턴은 인듐, 아연, 갈륨, 주석, 티타늄, 알루미늄, 하프늄(Hf), 지르코늄(Zr), 마그네슘(Mg) 등을 함유하는 이성분계 화합물(ABx), 삼성분계 화합물(ABxCy), 사성분계 화합물(ABxCyDz) 등을 포함하는 반도체 산화물로 구성될 수 있다. 이들은 단독으로 또는 서로 조합되어 사용될 수 있다.
상기 제1 절연층(120)은 상기 액티브 패턴을 커버하면서 상기 버퍼층(110) 상에 배치될 수 있다. 상기 제1 절연층(120)은 무기 절연 물질을 포함할 수 있다. 예를 들면, 상기 제1 절연층(120)은 실리콘 산화물(SiOx), 실리콘 질화물(SiNx), 실리콘 산질화물(SiOxNy), 실리콘 산탄화물(SiOxCy), 실리콘 탄질화물(SiCxNy) 등의 실리콘 화합물을 포함할 수 있다. 예시적인 실시예들에 있어서, 상기 제1 절연층(120)은 상기 액티브 패턴의 프로파일(profile)을 따라 상기 버퍼층(110) 상에 실질적으로 균일한 두께로 형성될 수 있다. 이 경우, 상기 제1 절연층(120)은 상대적으로 얇은 두께를 가질 수 있으며, 상기 제1 절연층(120)에는 상기 액티브 패턴에 인접하는 단차부가 생성될 수 있다. 다른 예시적인 실시예들에 따르면, 상기 제1 절연층(120)은 상기 액티브 패턴을 충분하게 커버하면서 실질적으로 평탄한 상면을 가질 수 있다.
상기 게이트 패턴이 상기 제1 절연층(120) 상에 배치될 수 있다. 상기 게이트 패턴은 상기 제1 박막 트랜지스터(TFT1)의 제1 게이트 전극(GE1) 및 상기 제2 박막 트랜지스터(TFT2)의 제2 게이트 전극(GE2)을 포함할 수 있다. 상기 제1 게이트 전극(GE1)은 상기 제1 액티브 패턴(ACT1)과 중첩하게 배치될 수 있다. 상기 제2 게이트 전극(GE2)은 상기 제2 액티브 패턴(ACT2)과 중첩하게 배치될 수 있다.
상기 게이트 패턴은 금속, 합금, 금속 질화물, 도전성 금속 산화물, 투명 도전성 물질 등을 사용하여 형성될 수 있다. 예를 들면, 상기 게이트 패턴은 알루미늄(Al), 알루미늄을 함유하는 합금, 알루미늄 질화물(AlNx), 은(Ag), 은을 함유하는 합금, 텅스텐(W), 텅스텐 질화물(WNx), 구리(Cu), 구리를 함유하는 합금, 니켈(Ni), 크롬(Cr), 크롬 질화물(CrOx), 몰리브데늄(Mo), 몰리브데늄을 함유하는 합금, 티타늄(Ti), 티타늄 질화물(TiNx), 백금(Pt), 탄탈륨(Ta), 탄탈륨 질화물(TaNx), 네오디뮴(Nd), 스칸듐(Sc), 스트론튬 루테늄 산화물(SRO), 아연 산화물(ZnOx), 인듐 주석 산화물(ITO), 주석 산화물(SnOx), 인듐 산화물(InOx), 갈륨 산화물(GaOx), 인듐 아연 산화물(IZO) 등을 포함할 수 있다. 이들은 단독으로 또는 서로 조합되어 사용될 수 있다. 또한, 상기 게이트 패턴은 금속막, 합금막, 금속 질화물막, 도전성 금속 산화물막 및/또는 투명 도전성 물질막을 포함하는 단층 구조 또는 다층 구조를 가질 수 있다.
상기 제2 절연층(130)은 상기 게이트 패턴을 커버하면서 상기 제1 절연층(120) 상에 배치될 수 있다. 상기 제2 절연층(130)은 무기 절연 물질을 포함할 수 있다. 예를 들면, 상기 제2 절연층(130)은 실리콘 산화물(SiOx), 실리콘 질화물(SiNx), 실리콘 산질화물(SiOxNy), 실리콘 산탄화물(SiOxCy), 실리콘 탄질화물(SiCxNy) 등의 실리콘 화합물을 포함할 수 있다. 예시적인 실시예들에 있어서, 상기 제2 절연층(130)은 상기 게이트 패턴의 프로파일(profile)을 따라 상기 제1 절연층(110) 상에 실질적으로 균일한 두께로 형성될 수 있다. 이 경우, 상기 제2 절연층(130)은 상대적으로 얇은 두께를 가질 수 있으며, 상기 제2 절연층(130)에는 상기 게이트 패턴에 인접하는 단차부가 생성될 수 있다. 다른 예시적인 실시예들에 따르면, 상기 제2 절연층(130)은 상기 게이트 패턴을 충분하게 커버하면서 실질적으로 평탄한 상면을 가질 수 있다.
상기 버퍼층(110), 상기 제1 절연층(120) 및 상기 제2 절연층(130)이 일부 제거되어 응력 분산 영역(300)이 형성될 수 있다. 예를 들면, 상기 버퍼층(110), 상기 제1 절연층(120) 및 상기 제2 절연층(130)은 상기 응력 분산 영역(300)에 개구를 형성할 수 있다.
상기 데이터 패턴이 상기 제2 절연층(130) 상에 배치될 수 있다. 상기 데이터 패턴은 상기 제1 박막 트랜지스터(TFT1)의 제1 소스 전극(SE1) 및 제1 드레인 전극(DE1), 상기 제2 박막 트랜지스터(TFT2)의 제2 소스 전극(SE2) 및 제2 드레인 전극(DE2), 및 연결 배선(CW)을 포함할 수 있다.
상기 제1 소스 전극(SE1)은 상기 제1 및 제2 절연층들(120, 130)을 통해 형성되는 콘택홀을 통해 상기 제1 액티브 패턴(ACT1)과 전기적으로 연결될 수 있다. 상기 제1 드레인 전극(DE1)은 상기 제1 및 제2 절연층들(120, 130)을 통해 형성되는 콘택홀을 통해 상기 제1 액티브 패턴(ACT1)과 전기적으로 연결될 수 있다.
상기 제2 소스 전극(SE2)은 상기 제1 및 제2 절연층들(120, 130)을 통해 형성되는 콘택홀을 통해 상기 제2 액티브 패턴(ACT2)과 전기적으로 연결될 수 있다. 상기 제12 드레인 전극(DE2)은 상기 제1 및 제2 절연층들(120, 130)을 통해 형성되는 콘택홀을 통해 상기 제2 액티브 패턴(ACT2)과 전기적으로 연결될 수 있다.
상기 연결 배선(CW)은 상기 제1 박막 트랜지스터(TFT1)와 상기 제2 박막 트랜지스터(TFT2)를 전기적으로 연결할 수 있다. 상기 연결 배선(CW)은 상기 제2 절연막(130) 상에 배치되며, 상기 응력 분산 영역(300)에서 상기 베이스 기판(100) 상에 배치될 수 있다. 상기 응력 분산 영역(300)에서는 상기 버퍼층(110), 상기 제1 절연층(120) 및 상기 제2 절연층(130)이 상기 개구를 형성하므로, 상기 연결 배선(CW)은 상기 제2 절연층(130), 상기 제2 절연층(130)의 측면, 상기 제1 절연층(120)의 측면, 상기 버퍼층(110)의 측면 및 상기 베이스 기판(120)의 상면을 따라 연장되며 배치될 수 있다. 이에 따라 상기 표시 영역(DA)의 상기 제1 박막 트랜지스터(TFT1)와 상기 회로 영역(CA)의 상기 제2 박막 트랜지스터(TFT2)가 상기 연결 배선(CW)에 의해 연결될 수 있다.
상기 평탄화층(140)이 상기 박막 트랜지스터(TFT)가 배치된 상기 제2 절연층(130) 상에 배치될 수 있다. 상기 평탄화층(140)은 상기 표시 영역(DA), 상기 벤딩 영역(BA), 및 상기 회로 영역(CA) 모두에 형성될 수 있으므로, 상기 평탄화층(140)은 상기 응력 분산 영역(300)에 상기 개구를 채우며 형성될 수 있다. 상기 평탄화층(140)은 단층 구조로 형성될 수 있지만, 적어도 2이상의 절연막들을 포함하는 다층 구조로 형성될 수도 있다. 상기 평탄화층(140)은 유기 물질을 사용하여 형성될 수 있다. 예를 들면, 상기 제3 절연층(150)은 포토레지스트, 아크릴계 수지, 폴리이미드계 수지, 폴리아미드계 수지, 실록산계(siloxane-based) 수지 등을 포함할 수 있다. 이들은 단독으로 또는 서로 조합되어 사용될 수 있다.
상기 제1 전극(EL1)이 상기 평탄화층(140) 상에 배치될 수 있다. 상기 제1 전극(EL1)은 상기 평탄화층(140)을 통해 형성된 콘택홀을 통해 상기 제1 드레인 전극(DE1)에 전기적으로 연결될 수 있다.
상기 표시 장치의 발광 방식에 따라, 상기 제1 전극(EL1)은 반사성을 갖는 물질 또는 투광성을 갖는 물질을 사용하여 형성될 수 있다. 예를 들면, 상기 제1 전극(EL1)은 알루미늄, 알루미늄을 함유하는 합금, 알루미늄 질화물, 은, 은을 함유하는 합금, 텅스텐, 텅스텐 질화물, 구리, 구리를 함유하는 합금, 니켈, 크롬, 크롬 질화물, 몰리브데늄, 몰리브데늄을 함유하는 합금, 티타늄, 티타늄 질화물, 백금, 탄탈륨, 탄탈륨 질화물, 네오디뮴, 스칸듐, 스트론튬 루테늄 산화물, 아연 산화물, 인듐 주석 산화물, 주석 산화물, 인듐 산화물, 갈륨 산화물, 인듐 아연 산화물 등을 포함할 수 있다. 이들은 단독으로 또는 서로 조합되어 사용될 수 있다. 예시적인 실시예들에 있어서, 상기 제1 전극(EL1)은 금속막, 합금막, 금속 질화물막, 도전성 금속 산화물막 및/또는 투명 도전성 물질막을 포함하는 단층 구조 또는 다층 구조로 형성될 수 있다.
상기 화소 정의막(150)은 상기 제1 전극(EL1)이 배치된 상기 평탄화층(140) 상에 배치될 수 있다. 상기 화소 정의막(150)은 상기 제1 전극(EL1)을 노출시키는 개구를 정의할 수 있다. 상기 화소 정의막(150)은 유기 물질, 무기 물질 등을 사용하여 형성될 수 있다. 예를 들면, 상기 화소 정의막(150)은 포토레지스트, 폴리아크릴계 수지, 폴리이미드계 수지, 아크릴계 수지, 실리콘 화합물 등을 사용하여 형성될 수 있다.
상기 발광 구조물(160)은 상기 화소 정의막(150)의 개구를 통해 노출되는 상기 제1 전극(EL1)상에 배치될 수 있다. 또한, 상기 발광 구조물(160)은 상기 화소 정의막(150)의 개구의 측면 상으로 연장될 수 있다. 예시적인 실시예들에 있어서, 상기 발광 구조물(150)은 유기 발광층(EL), 정공 주입층(HIL), 정공 수송층(HTL), 전자 수송층(ETL), 전자 주입층(EIL) 등을 포함하는 다층 구조를 가질 수 있다. 상기 발광 구조물(160)의 유기 발광층은 상기 표시 장치의 각 화소에 따라 적색광, 녹색광, 청색광 등과 같은 서로 상이한 색광들을 발생시킬 수 있는 발광 물질들을 사용하여 형성될 수 있다. 다른 예시적인 실시예들에 따르면, 상기 발광 구조물(160)의 유기 발광층은 적색광, 녹색광, 청색광 등의 상이한 색광들을 구현할 수 있는 복수의 발광 물질들이 적층되어 백색광을 발광하는 구조를 가질 수도 있다.
상기 제2 전극(EL2)이 상기 화소 정의막(150)과 상기 발광 구조물(160) 상에 배치될 수 있다. 상기 표시 장치의 발광 방식에 따라, 상기 제2 전극(EL2)도 투광성을 갖는 물질 또는 반사성을 갖는 물질을 포함할 수 있다. 예를 들면, 상기 제2 전극(EL2)은 알루미늄, 알루미늄을 함유하는 합금, 알루미늄 질화물, 은, 은을 함유하는 합금, 텅스텐, 텅스텐 질화물, 구리, 구리를 함유하는 합금, 니켈, 크롬, 크롬 질화물, 몰리브데늄, 몰리브데늄을 함유하는 합금, 티타늄, 티타늄 질화물, 백금, 탄탈륨, 탄탈륨 질화물, 네오디뮴, 스칸듐, 스트론튬 루테늄 산화물, 아연 산화물, 인듐 주석 산화물, 주석 산화물, 인듐 산화물, 갈륨 산화물, 인듐 아연 산화물 등을 포함할 수 있다. 이들은 단독으로 또는 서로 조합되어 사용될 수 있다. 예시적인 실시예들에 있어서, 상기 제2 전극(EL2)도 금속막, 합금막, 금속 질화물막, 도전성 금속 산화물막 및/또는 투명 도전성 물질막을 포함하는 단층 구조 또는 다층 구조로 형성될 수 있다.
상기 밀봉층(180)이 상기 제2 전극(EL2)을 커버하면서, 상기 평탄화층(140) 및 상기 제2 전극(EL2) 상에 배치될 수 있다.
상기 밀봉층(180)은 상기 제2 전극(EL2) 및 상기 발광 구조물(160)을 외기 및 수분으로부터 보호할 수 있다. 상기 밀봉층(180)은 실리콘옥사이드 또는 실리콘나이트라이드와 같은 무기물로 이루어진 막과 에폭시, 폴리이미드와 같은 유기물로 이루어진 막이 교대로 성막된 구조를 취할수 있는 데, 반드시 이에 한정되는 것은 아니며, 투명한 박막 상의 밀봉구조이면 어떠한 것이든 적용 가능하다.
다른 실시예에서, 상기 베이스 기판(100)과 마주보는 밀봉 기판이 상기 제2 전극(EL2) 상에 배치될 수 있다. 밀봉 기판은 투명한 물질을 포함하고, 외기 및 수분이 상기 유기 발광 표시 장치 내부로 침투하는 것을 차단한다. 상기 밀봉 기판은 밀봉 부재에 의해 상기 베이스 기판(100)과 결합되어 상기 베이스 기판(100)과 상기 밀봉 기판의 사이 공간이 밀봉된다. 밀봉된 상기 공간에는 흡습제나 충진재 등이 위치할 수 있다.
상기 보호층(200)은 상기 베이스 기판(100)의 하면 상에 배치되어 상기 표시 장치의 하부를 보호할 수 있다. 상기 보호층(200)은 외부 충격으로부터 상기 표시 장치를 보호할 수 있는 수지층일 수 있다. 예를 들면, 상기 보호층(200)은 폴리이미드계(polyimide-based) 수지를 포함할 수 있다.
상기 보호층(200)에는 공(blank) 패턴(210)이 정의될 수 있다. 상기 공 패턴(210)은 상기 보호층(200)이 형성되지 않는 부분일 수 있다. 예를 들면, 상기 보호층(200)은 제1 부분 및 제2 부분을 포함하여 상기 제1 부분이 표시 영역(DA) 및 벤딩 부분(BA)의 일부에 배치되고, 상기 제2 부분이 회로 영역(CA) 및 상기 벤딩 부분(BA)의 일부에 배치되어, 상기 제1 부분과 상기 제2 부분의 사이에 상기 공 패턴(210)이 정의될 수 있다.
도 5a를 다시 참조하면, 상기 표시 장치는 상기 표시 영역(DA), 상기 회로 영역(CA) 및 상기 벤딩(bending) 영역(BA)을 포함할 수 있다.
상기 표시 영역(DA)에는 영상이 표시될 수 있다. 상기 표시 영역(DA)에는 상기 영상을 표시하기 위한 구조물이 배치될 수 있다. 예를 들면, 상기 표시 영역(DA)에는 상기 제1 박막 트랜지스터(TFT1) 및 상기 발광 구조물(160)을 포함하는 화소 구조가 형성되어, 상기 영상을 표시 할 수 있다.
상기 회로 영역(CA)은 상기 회로 영역(CA)은 상기 표시 장치의 가장자리 부분에 배치될 수 있으며, 상기 표시 영역(DA)과 제1 방향(D1)과 교차하는 제2 방향(D2)으로 이격되어 배치될 수 있다. 상기 제2 방향(D2)은 상기 제1 방향(D1)과 실질적으로 수직할 수 있다. 상기 회로 영역(CA)은 상기 표시 장치의 상기 가장자리를 따라 상기 제1 방향(D1)으로 연장될 수 있다. 상기 회로 영역(CA)에는 상기 제2 박막 트랜지스터(TFT2)를 포함하고 상기 화소 구조를 구동하기 위한 구동 회로가 배치될 수 있다.
상기 벤딩 영역(BA)은 상기 회로 영역(CA)과 상기 표시 영역(DA) 사이에 배치될 수 있다. 상기 벤딩 영역(BA)은 상기 제1 방향(D1)으로 연장될 수 있다. 상기 표시 장치는 상기 벤딩 영역(BA)에서 휘어질 수 있으므로, 상기 표시 장치는 상기 제1 방향(D1)에 수직한 단면이 L 자 혹은C 자 모양으로 구부러질 수 있다. 상기 표시 장치는 상기 벤딩 영역(BA)이 휘어지므로, 다양하게 응용이 가능하다.
상기 벤딩 영역(BA)은 상기 응력 분산 영역(300)을 포함할 수 있다. 상기 응력 분산 영역(300)의 폭은 상기 표시 장치의 가장자리 부분에서 가운데 부분보다 더 클 수 있다.
상기 표시 장치의 상기 벤딩 영역(BA)이 휘어지는 경우, 응력(stress)은 주로 상기 벤딩 영역(BA)의 상기 제1 방향(D1)의 양쪽 끝 부분에 집중되는데, 상기 응력 분산 영역(300)의 폭이 상기 양쪽 끝 부분에서 넓으므로, 응력이 분산될 수 있다. 이에 따라 상기 표시 장치의 파손을 방지할 수 있다.
상기 응력 분산 영역(300)은 상기 버퍼층(110), 상기 제1 절연층(120) 및 상기 제2 절연층(130)이 제거된 부분일 수 있다. 일반적인 휘어짐 가능한 표시 장치의 경우, 휘어진 부분의 파손은 주로 무기 절연막에서 발생하는데, 본 실시예에 따른 표시 장치는 상기 응력 분산 영역(300)에서 무기 절연 물질을 포함하는 층들이 모두 제거되므로, 이에 따라, 상기 표시 장치의 파손을 방지할 수 있다.
상기 표시 장치의 하면의 상기 벤딩 영역(BA)에는 상기 응력 분산 영역(300)에 대응하여 상기 보호층(200)의 상기 공 패턴(210)이 정의될 수 있다. 상기 공 패턴(210)은 제1 부분(211), 제2 부분(212) 및 제3 부분(213)을 포함할 수 있다.
상기 제1 영역(211)은 상기 제1 방향(D1)으로 상기 제2 영역(212) 및 상기 제3 영역(213) 사이에 배치될 수 있다. 상기 제1 영역(211)의 상기 제2 방향(D2)으로의 폭은 상기 제2 및 제3 영역들(212, 213)의 폭 보다 작을 수 있다. 즉, 상기 개구(200)의 폭은 상기 표시 장치의 가장자리 부분에서 가운데 부분보다 더 클 수 있다.
상기 표시 장치의 상기 벤딩 영역(BA)이 휘어지는 경우, 응력(stress)은 주로 상기 벤딩 영역(BA)의 상기 제1 방향(D1)의 양쪽 끝 부분에 집중되는데, 상기 개구(300)의 폭이 상기 양쪽 끝 부분에서 넓으므로, 응력이 분산될 수 있다. 이에 따라 상기 표시 장치의 파손을 방지할 수 있다.
상기 보호층(200)과 상기 베이스 기판(100) 사이에 접착층(미도시)이 더 배치될 수 있다. 상기 접착층은 압력 민감 접착제(pressure-sensitive adhesive)를 포함할 수 있다. 따라서, 상기 접착층이 부착된 상기 보호층(200)이 상기 베이스 기판(100)의 하면 상에 부착되어 상기 표시 장치가 완성될 수 있다.
도 6는 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치의 저면도이다.
도 6을 참조하면, 상기 표시 장치는 보호층(200)의 공 패턴(210)을 제외하고 을 제외하고 도 5a 및 도5b의 표시 장치와 실질적으로 동일하므로, 중복되는 설명은 간략히 하거나 생략한다.
상기 표시 장치는 베이스 기판, 버퍼층, 제1 및 제2 박막 트랜지스터, 게이트 패턴, 제1 절연층, 데이터 패턴, 제2 절연층, 평탄화층, 제1 전극, 화소 정의막, 발광 구조물, 제2 전극, 밀봉층 및 보호층(200)을 포함할 수 있다.
상기 표시 장치는 표시 영역(DA), 회로 영역(CA) 및 벤딩(bending) 영역(BA)을 포함할 수 있다.
상기 보호층(200)은 상기 벤딩 영역(BA)에 공 패턴(210)을 정의할 수 있다. 상기 공 패턴(210)은 상기 보호층(200)이 형성되지 않는 부분일 수 있다. 예를 들면, 상기 보호층(200)은 제1 부분 및 제2 부분을 포함하여 상기 제1 부분이 표시 영역(DA) 및 벤딩 부분(BA)의 일부에 배치되고, 상기 제2 부분이 회로 영역(CA) 및 상기 벤딩 부분(BA)의 일부에 배치되어, 상기 제1 부분과 상기 제2 부분의 사이에 상기 공 패턴(210)이 정의될 수 있다.
상기 공 패턴(210)은 중앙 부분에서 제1 폭(w1)을 갖고, 상기 제1 방향(D1)의 양 끝 부분에서 제2 폭(w2) 및 제3 폭(w3)을 가질 수 있다. 예를 들면, 상기 공 패턴(210)은 중앙 부분에서 상기 제1 폭(w1)을 갖고, 양 끝 부분에서 제2 및 제3 폭(w2, w3)을 갖는 곡선 형상을 가질 수 있다. 상기 제1 폭(w1)은 상기 제2 및 제3 폭(w3) 보다 작을 수 있다. 즉, 상기 공 패턴(210)의 폭은 상기 표시 장치의 가장자리 부분에서 가운데 부분보다 더 클 수 있다.
상기 표시 장치의 상기 벤딩 영역(BA)이 휘어지는 경우, 응력(stress)은 주로 상기 벤딩 영역(BA)의 상기 제1 방향(D1)의 양쪽 끝 부분에 집중되는데, 상기 개구(300)의 폭이 상기 양쪽 끝 부분에서 넓으므로, 응력이 분산될 수 있다. 이에 따라 상기 표시 장치의 파손을 방지할 수 있다.
상기 보호층(200)과 상기 베이스 기판(100) 사이에 접착층(미도시)이 더 배치될 수 있다. 상기 접착층은 압력 민감 접착제(pressure-sensitive adhesive)를 포함할 수 있다. 따라서, 상기 접착층이 부착된 상기 보호층(200)이 상기 베이스 기판(100)의 하면 상에 부착되어 상기 표시 장치가 완성될 수 있다.
도 7는 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치의 저면도이다.
도 7을 참조하면, 상기 표시 장치는 보호층(200)의 개구들(OP)을 제외하고 을 제외하고 도 5a 및 도5b의 표시 장치와 실질적으로 동일하므로, 중복되는 설명은 간략히 하거나 생략한다.
상기 표시 장치는 베이스 기판, 버퍼층, 제1 및 제2 박막 트랜지스터, 게이트 패턴, 제1 절연층, 데이터 패턴, 제2 절연층, 평탄화층, 제1 전극, 화소 정의막, 발광 구조물, 제2 전극, 밀봉층 및 보호층(200)을 포함할 수 있다.
상기 표시 장치는 표시 영역(DA), 회로 영역(CA) 및 벤딩(bending) 영역(BA)을 포함할 수 있다.
상기 보호층(200)을 관통하는 복수의 개구들(OP)이 상기 벤딩 영역(BA) 내에 형성될 수 있다. 예를 들면, 상기 복수의 개구들(OP)이 형성된 영역은 중앙 부분에서 상기 제1 폭(w1)을 갖고, 양 끝 부분에서 제2 및 제3 폭(w2, w3)을 갖는 곡선 형상을 가질 수 있다. 상기 제1 폭(w1)은 상기 제2 폭(w2) 및 상기 제3 폭(w3) 보다 작을 수 있다. 즉 상기 개구들(OP)이 형성된 영역의 폭은 상기 표시 장치의 가장자리 부분에서 가운데 부분보다 더 클 수 있다.
상기 표시 장치의 상기 벤딩 영역(BA)이 휘어지는 경우, 응력(stress)은 주로 상기 벤딩 영역(BA)의 상기 제1 방향(D1)의 양쪽 끝 부분에 집중되는데, 상기 개구(300)의 폭이 상기 양쪽 끝 부분에서 넓으므로, 응력이 분산될 수 있다. 이에 따라 상기 표시 장치의 파손을 방지할 수 있다.
상기 보호층(200)과 상기 베이스 기판(100) 사이에 접착층(미도시)이 더 배치될 수 있다. 상기 접착층은 압력 민감 접착제(pressure-sensitive adhesive)를 포함할 수 있다. 따라서, 상기 접착층이 부착되고, 상기 개구들(OP)이 형성된 상기 보호층(200)이 상기 베이스 기판(100)의 하면 상에 부착되어 상기 표시 장치가 완성될 수 있다.
도 8a은 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치의 평면도이다. 도 8b는 도 1a의 I-I'선을 따라 절단한 단면도이다.
도 8a 및 도 8b를 참조하면, 상기 표시 장치는 버퍼층(110), 제1 절연층(120) 및 제2 절연층(130) 등의 무기 절연막의 형상과 연결 배선(CW)을 제외하고 도 1a 및 도 1b의 표시 장치와 실질적으로 동일하므로 반복된 설명은 간략히 하거나 생략한다.
상기 표시 장치는 베이스 기판(100), 상기 버퍼층(110), 제1 및 제2 박막 트랜지스터(TFT1, TFT2), 게이트 패턴, 상기 제1 절연층(120), 데이터 패턴, 상기 제2 절연층(130), 평탄화층(140), 제1 전극(EL1), 화소 정의막(150), 발광 구조물(160), 제2 전극(EL2) 및 밀봉층(170)을 포함할 수 있다.
상기 베이스 기판(100)은 가요성(flexible) 절연 기판을 포함할 수 있다.
상기 버퍼층(110)은 상기 베이스 기판(100) 상에 배치된다. 상기 버퍼층(110)은 실리콘 화합물을 사용하여 형성될 수 있다. 액티브 패턴이 상기 버퍼층(110) 상에 배치될 수 있다. 상기 액티브 패턴은 상기 제1 박막 트랜지스터(TFT1)의 제1 액티브 패턴(ACT1) 및 상기 제2 박막 트랜지스터(TFT2)의 제2 액티브 패턴(ACT2)을 포함할 수 있다. 상기 제1 절연층(120)은 상기 액티브 패턴을 커버하면서 상기 버퍼층(110) 상에 배치될 수 있다. 상기 제1 절연층(120)은 무기 절연 물질을 포함할 수 있다. 상기 게이트 패턴이 상기 제1 절연층(120) 상에 배치될 수 있다. 상기 게이트 패턴은 상기 제1 박막 트랜지스터(TFT1)의 제1 게이트 전극(GE1) 및 상기 제2 박막 트랜지스터(TFT2)의 제2 게이트 전극(GE2)을 포함할 수 있다. 상기 제2 절연층(130)은 상기 게이트 패턴을 커버하면서 상기 제1 절연층(120) 상에 배치될 수 있다. 상기 제2 절연층(130)은 무기 절연 물질을 포함할 수 있다.
상기 버퍼층(110), 상기 제1 절연층(120) 및 상기 제2 절연층(130)이 일부 제거되어 응력 분산 영역(300)이 형성될 수 있다. 예를 들면, 상기 버퍼층(110), 상기 제1 절연층(120) 및 상기 제2 절연층(130)은 상기 응력 분산 영역(300)에 개구를 형성할 수 있다. 이때, 상기 버퍼층(110)의 개구의 폭은 상기 제1 절연층(120)의 개구의 폭 보다 작고, 상기 제1 절연층(120)의 개구의 폭은 상기 제2 절연층(130)의 개구의 폭 보다 작도록 할 수 있다. 즉, 상기 버퍼층(110)의 개구, 상기 제1 절연층(120)의 개구, 상기 제2 절연층(130)의 개구가 단면상에서 계단 형상을 형성할 수 있다.
상기 데이터 패턴이 상기 제2 절연층(130) 상에 배치될 수 있다. 상기 데이터 패턴은 상기 제1 박막 트랜지스터(TFT1)의 제1 소스 전극(SE1) 및 제1 드레인 전극(DE1), 상기 제2 박막 트랜지스터(TFT2)의 제2 소스 전극(SE2) 및 제2 드레인 전극(DE2), 및 연결 배선(CW)을 포함할 수 있다.
상기 연결 배선(CW)은 상기 제2 절연막(130) 상에 배치되며, 상기 응력 분산 영역(300)에서 상기 베이스 기판(100) 상에 배치될 수 있다. 상기 응력 분산 영역(300)에서는 상기 버퍼층(110), 상기 제1 절연층(120) 및 상기 제2 절연층(130)이 계단 형상으로 상기 개구들을 형성하므로, 상기 연결 배선(CW)은 상기 제2 절연층(130), 상기 제1 절연층(120), 상기 버퍼층(110) 및 상기 베이스 기판(120)의 상면과 접촉하며 연장되며 배치될 수 있다. 이에 따라 상기 표시 영역(DA)의 상기 제1 박막 트랜지스터(TFT1)와 상기 회로 영역(CA)의 상기 제2 박막 트랜지스터(TFT2)가 상기 연결 배선(CW)에 의해 연결될 수 있다.
상기 연결 배선(CW)이 상기 응력 분산 영역(300)에서 계단 형상으로 형성되므로, 상기 벤딩 영역(BA)이 휘어지더라도, 상기 연결 배선(CW)의 파손 위험을 줄일 수 있다.
도 9a 내지 도 9g는 도 1a 및 도 1b의 표시 패널의 제조 방법을 설명하기 위한 단면도들이다.
도 9a를 참조하면, 베이스 기판(100) 상에 버퍼층(110)이 형성될 수 있다. 상기 버퍼층(110)은 스핀 코팅(spin coating) 공정, 화학 기상 증착(CVD) 공정, 플라즈마 증대 화학 기상 증착(PECVD) 공정, 고밀도 플라즈마-화학 기상 증착(HDP-CVD) 공정, 프린팅(printing) 공정 등을 이용하여 수득될 수 있다.
이후, 제1 액티브 패턴(ACT1) 및 제2 액티브 패턴(ACT2)을 포함하는 액티브 패턴이 상기 버퍼층(110) 상에 형성될 수 있다. 상기 버퍼층(110) 상에 반도체층(도시되지 않음)을 형성한 후, 상기 반도체층을 패터닝하여 상기 버퍼층(110) 상에 예비 액티브 패턴(도시되지 않음)을 형성할 수 있다. 후속하여, 상기 예비 액티브 패턴에 대해 결정화 공정을 수행함으로써, 상기 버퍼층(110) 상에 액티브 패턴을 형성할 수 있다. 여기서, 상기 반도체층은 화학 기상 증착 공정, 플라즈마 증대 화학 기상 증착 공정, 저압 화학 기상 증착 공정, 스퍼터링 공정 등을 이용하여 형성될 수 있다. 상기 반도체층이 아몰퍼스 실리콘을 포함할 경우, 상기 액티브 패턴은 폴리실리콘으로 구성될 수 있다. 또한, 상기 예비 액티브 패턴으로부터 상기 액티브 패턴을 수득하기 위한 결정화 공정은 레이저 조사 공정, 열처리 공정, 촉매를 이용하는 열처리 공정 등을 포함할 수 있다. 다른 예시적인 실시예들에 있어서, 상기 반도체층 및/또는 상기 예비 액티브 패턴을 형성한 다음, 상기 반도체층 및/또는 상기 예비 액티브 패턴에 대하여 탈수소 공정을 수행할 수 있다. 이러한 탈수소 공정에 따라 상기 반도체층 및/또는 상기 예비 액티브 패턴 내의 수소 원자들의 농도를 감소시킬 수 있으므로, 결과적으로 액티브 패턴의 전기적인 특성을 향상시킬 수 있다.
도 9b를 참조하면, 제1 절연층(120)이 상기 액티브 패턴이 배치된 상기 버퍼층(110) 상에 형성된다.
상기 제1 절연층(120)은 화학 기상 증착 공정, 스핀 코팅 공정, 플라즈마 증대 화학 기상 증착 공정, 스퍼터링 공정, 진공 증착 공정, 고밀도 플라즈마-화학 기상 증착 공정, 프린팅 공정 등을 이용하여 수득될 수 있다.
이후, 제1 게이트 전극(GE1) 및 제2 게이트 전극(GE2)을 포함하는 게이트 패턴이 상기 제1 절연층(120) 상에 형성된다. 상기 제1 절연층(120) 상에 도전막을 형성한 후, 사진 식각 공정 또는 추가적인 식각 마스크를 이용하는 식각 공정 등을 이용하여 상기 도전막을 패터닝함으로써, 상기 게이트 패턴을 수득할 수 있다. 여기서, 상기 제1 도전막은 프린팅 공정, 스퍼터링 공정, 화학 기상 증착 공정, 펄스 레이저 증착(PLD) 공정, 진공 증착 공정, 원자층 적층(ALD) 공정 등을 이용하여 형성될 수 있다.
도 9c를 참조하면, 제2 절연층(130)이 상기 게이트 패턴이 형성된 상기 제1 절연층(120) 상에 형성될 수 있다. 상기 제2 절연층(140)은 스핀 코팅 공정, 화학 기상 증착 공정, 플라즈마 증대 화학 기상 증착 공정, 고밀도 플라즈마-화학 기상 증착 공정 등을 이용하여 수득될 수 있다.
도 9d를 참조하면, 표시 영역(DA) 및 회로 영역(CA) 내에 상기 제2 절연층(130) 및 상기 제1 절연층(120)을 부분적으로 식각하여 상기 액티브 패턴을 노출시키는 콘택홀들(CNT)을 형성할 수 있다. 또한, 상기 제2 절연층(130), 상기 제1 절연층(120) 및 상기 버퍼층(110)을 부분적으로 식각하여 벤딩 영역(BA)의 응력 분산 영역(300)에 대응하는 개구를 형성할 수 있다.
도 9e를 참조하면, 데이터 패턴이 상기 제2 절연층(130) 상에 형성될 수 있다. 상기 제2 절연층(130) 상에 도전막을 형성한 후, 사진 식각 공정 또는 추가적인 식각 마스크를 이용하는 식각 공정 등을 이용하여 상기 도전막을 패터닝함으로써, 상기 데이터 패턴을 수득할 수 있다. 여기서, 상기 도전막은 프린팅 공정, 스퍼터링 공정, 화학 기상 증착 공정, 펄스 레이저 증착(PLD) 공정, 진공 증착 공정, 원자층 적층(ALD) 공정 등을 이용하여 형성될 수 있다.
상기 데이터 패턴은 상기 제1 박막 트랜지스터(TFT1)의 제1 소스 전극(SE1) 및 제1 드레인 전극(DE1), 상기 제2 박막 트랜지스터(TFT2)의 제2 소스 전극(SE2) 및 제2 드레인 전극(DE2), 및 연결 배선(CW)을 포함할 수 있다.
도 9f를 참조하면, 평탄화층(140)이 상기 제2 절연층(140) 및 상기 베이스 기판(100) 상에 형성될 수 있다. 상기 평탄화층(140)은 상기 응력 분산 영역에 형성된 상기 개구를 채우면서 형성될 수 있다.
예시적인 실시예들에 있어서, 상기 평탄화층(140)의 표면 평탄도를 향상시키기 위하여 상기 평탄화층(140)에 대해 평탄화(planarization) 공정을 수행할 수 있다. 예를 들면, 상기 평탄화층(140)에 대해 화학 기계적 연마(CMP) 공정, 에치 백(etch-back) 공정 등을 수행함으로써 상기 평탄화층(140)이 실질적으로 평탄한 상면을 가질 수 있다.
상기 평탄화층(140)의 구성 물질에 따라 스핀 코팅 공정, 프린팅 공정, 스퍼터링 공정, 화학 기상 증착 공정, 원자층 적층 공정, 플라즈마 증대 화학 기상 증착 공정, 고밀도 플라즈마-화학 기상 증착 공정, 진공 증착 공정 등을 이용하여 상기 평탄화층(140)을 수득할 수 있다.
도 9g를 참조하면, 제1 전극(EL1)이 상기 평탄화층(140) 상에 형성될 수 있다.
상기 평탄화층(140)을 통해 상기 제1 박막 트랜지스터(TFT1)을 노출하는 비아홀을 형성할 수 있다. 이후, 상기 평탄화층(140) 상에 도전막을 형성한 후, 사진 식각 공정 또는 추가적인 식각 마스크를 이용하는 식각 공정 등을 이용하여 상기 도전막을 패터닝함으로써, 상기 제1 전극(EL1)을 수득할 수 있다. 여기서, 상기 도전막은 프린팅 공정, 스퍼터링 공정, 화학 기상 증착 공정, 펄스 레이저 증착(PLD) 공정, 진공 증착 공정, 원자층 적층(ALD) 공정 등을 이용하여 형성될 수 있다.
상기 제1 전극(EL1)은 상기 평탄화층(140)의 상기 비아홀을 통해 상기 제1 박막 트랜지스터(TFT1)에 전기적으로 연결될 수 있다.
이후, 화소 정의막(150)이 상기 제1 전극(EL1)이 배치된 상기 평탄화층(140) 상에 형성될 수 있다. 상기 화소 정의막(150)은 스핀 코팅 공정, 스프레이 공정, 프린팅 공정, 화학 기상 증착 공정 등을 이용하여 상기 제1 전극(PE) 상에 형성될 수 있다.
이후, 발광 구조물(160)이 상기 화소 정의막(150)의 개구를 통해 노출되는 상기 제1 전극(PE1)상에 형성된다. 상기 발광 구조물(160)은 레이저 전사 공정, 프린팅 공정 등을 이용하여 수득될 수 있다.
이후, 제2 전극(EL2)은 상기 화소 정의막(150)과 상기 발광 구조물(160) 상에 형성될 수 있다. 상기 제2 전극(EL2)은 프린팅 공정, 스퍼터링 공정, 화학 기상 증착 공정, 원자층 적층 공정, 진공 증착 공정, 펄스 레이저 증착 공정 등을 이용하여 형성될 수 있다.
이후, 상기 제2 전극(EL2)을 커버하는 밀봉층(170)이 형성될 수 있다.
본 발명의 실시예들에 따르면, 표시 장치는 표시 영역 및 벤딩 영역을 포함할 수 있다. 상기 벤딩 영역은 응력 분산 영역을 포함하고, 상기 응력 분산 영역의 양 끝 단의 폭이 중앙부의 폭보다 넓게 형성될 수 있다. 이에 따라 상기 표시 장치의 상기 벤딩 영역이 휘어지는 경우, 상기 응력 분산 영역에 의해 응력이 분산되어 파손을 방지할 수 있다.
이상 실시예를 참조하여 설명하였지만, 해당 기술 분야의 숙련된 당업자는 하기의 특허 청구의 범위에 기재된 본 발명의 사상 및 영역으로부터 벗어나지 않는 범위 내에서 본 발명을 다양하게 수정 및 변경시킬 수 있음을 이해할 수 있을 것이다.
100: 베이스 기판 110: 버퍼층
120: 제1 절연층 130: 제2 절연층
140: 평탄화층 150: 화소 정의막
160: 발광 구조물 170: 밀봉층
300: 응력 분산 영역 TFT1: 제1 박막 트랜지스터
TFT: 제2 박막 트랜지스터 CW: 연결 배선
EL1: 제1 전극 EL2: 제2 전극
DA: 표시 영역 CA: 회로 영역
BA: 벤딩 영역
120: 제1 절연층 130: 제2 절연층
140: 평탄화층 150: 화소 정의막
160: 발광 구조물 170: 밀봉층
300: 응력 분산 영역 TFT1: 제1 박막 트랜지스터
TFT: 제2 박막 트랜지스터 CW: 연결 배선
EL1: 제1 전극 EL2: 제2 전극
DA: 표시 영역 CA: 회로 영역
BA: 벤딩 영역
Claims (20)
- 영상이 표시되는 표시 영역 및 상기 표시 영역과 인접하고 휘어짐이 가능한 벤딩(bending) 영역을 포함하는 표시 장치에 있어서,
가요성을 갖는 물질을 포함하는 베이스 기판;
상기 베이스 기판 상에 배치되는 박막 트랜지스터; 및
상기 베이스 기판 상에 배치되고 무기 절연 물질을 포함하는 절연층을 포함하고,
상기 벤딩 영역은 상기 표시 영역과 상기 벤딩 영역의 경계와 평행한 방향으로 연장되는 응력 분산 영역을 포함하고, 상기 응력 분산 영역의 양 끝 부분의 폭은 가운데 부분 보다 큰 것을 특징으로 하는 표시 장치. - 제1 항에 있어서,
상기 응력 분산 영역에는 상기 절연층이 형성되지 않는 것을 특징으로 하는 표시 장치. - 제2 항에 있어서,
상기 표시 장치는 상기 벤딩 영역과 접하는 회로 영역을 더 포함하여, 상기 벤딩 영역은 상기 표시 영역과 상기 회로 영역 사이에 배치되고,
상기 표시 영역에 배치되는 제1 박막 트랜지스터;
상기 회로 영역에 배치되는 제2 박막 트랜지스터; 및
상기 제1 박막 트랜지스터와 상기 제2 박막 트랜지스터를 전기적으로 연결하고, 상기 벤딩 영역에 배치되는 연결 배선을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 표시 장치. - 제3 항에 있어서,
상기 제1 박막 트랜지스터는 제1 소스 전극 및 제1 드레인 전극을 포함하고, 상기 제2 박막 트랜지스터는 제2 소스 전극 및 제2 드레인 전극을 포함하고, 상기 제1 및 제2 박막 트랜지스터들의 제1 및 제2 소스 전극들과 상기 연결 배선은 동일한 층으로부터 형성되어 동일한 물질을 포함하는 것을 특징으로 하는 표시 장치. - 제4항에 있어서, 상기 절연층은
상기 베이스 기판 상에 배치되고 무기 절연 물질을 포함하는 제1 절연층; 및
상기 제1 절연층 상에 배치되고 무기 절연 물질을 포함하는 제2 절연층을 포함하는 것을 특징으로 하는 표시 장치. - 제5항에 있어서,
상기 제2 절연층 상에 배치되고, 상기 표시 영역 및 상기 벤딩 영역을 모두 커버하는 평탄화층을 더 포함하는 표시 장치. - 제5항에 있어서,
상기 응력 분산 영역에서 상기 제1 절연층 및 상기 제2 절연층이 계단 형상을 형성하는 것을 특징으로 하는 표시 장치. - 제1항에 있어서,
상기 응력 분산 영역 내의 상기 절연층에 복수의 개구들이 형성되는 것을 특징으로 하는 표시 장치. - 제1항에 있어서,
상기 응력 분산 영역은 곡선 형상인 것을 특징으로 하는 표시 장치. - 제1 항에 있어서,
상기 베이스 기판 아래 배치되는 보호층을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 표시 장치. - 제10 항에 있어서,
상기 응력 분산 영역에 대응하는 공 패턴(blank pattern)이 상기 보호층에 형성된 것을 특징으로 하는 표시 장치. - 제11 항에 있어서,
상기 응력 분산 영역에는 상기 보호층에 복수의 개구들이 형성된 것을 특징으로 하는 표시 장치. - 제11 항에 있어서,
상기 표시 장치의 상기 표시 영역은 제1 표시 영역 및 상기 제1 표시 영역과 이격된 제2 표시 영역을 포함하고, 상기 벤딩 영역은 상기 제1 표시 영역과 상기 제2 표시 영역 사이에 배치되는 것을 특징으로 하는 표시 장치. - 제1 항에 있어서,
상기 무기 절연 물질은 실리콘 질화물 또는 실리콘 산화물인 것을 특징으로 하는 표시 장치. - 영상이 표시되는 표시 영역 및 상기 표시 영역과 인접하고 휘어짐이 가능한 벤딩(bending) 영역을 포함하는 표시 장치의 제조 방법에 있어서,
베이스 기판 상에 박막 트랜지스터를 구성하는 패턴을 형성하는 단계;
상기 베이스 기판 상에 무기 절연 물질을 포함하는 절연층을 형성하는 단계; 및
상기 절연층의 일부를 제거하여 응력 분산 영역을 형성하는 단계를 포함하고,
상기 벤딩 영역은 상기 표시 영역과 상기 벤딩 영역의 경계와 평행한 방향으로 연장되는 상기 응력 분산 영역을 포함하고, 상기 응력 분산 영역의 양 끝 부분의 폭은 가운데 부분 보다 큰 것을 특징으로 하는 표시 장치의 제조 방법. - 제15 항에 있어서,
상기 응력 분산 영역에는 상기 절연층은 전부 제거되는 것을 특징으로 하는 표시 장치의 제조 방법. - 제16 항에 있어서,
상기 응력 분산 영역이 형성된 상기 절연층 상에 연결 배선 형성하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 표시 장치의 제조 방법. - 제15 항에 있어서,
상기 응력 분산 영역을 형성하는 단계는 상기 절연층을 통해 복수의 개구가 형성되는 것을 특징으로 하는 표시 장치의 제조 방법. - 제15 항에 있어서,
상기 베이스 기판의 하면 상에 보호층을 부착하는 단계를 더 포함하고,
상기 보호층에 복수의 개구들이 상기 응력 분산 영역에 대응하여 형성된 것을 특징으로 하는 표시 장치의 제조 방법. - 영상이 표시되는 표시 영역 및 상기 표시 영역과 인접하고 휘어짐이 가능한 벤딩(bending) 영역을 포함하는 표시 장치에 있어서,
가요성을 갖는 물질을 포함하는 베이스 기판;
상기 베이스 기판 상에 배치되고 무기 절연 물질을 포함하는 절연층; 및
상기 베이스 기판 상에 상기 표시 영역 내에 배치되는 화소 구조를 포함하고,
상기 벤딩 영역을 따라 상기 절연층이 형성되지 않은 부분인 응력 저감 영역이 형성되고, 상기 응력 저감 영역의 양 끝 단의 폭이 중앙부의 폭보다 큰 것을 특징으로 하는 표시 장치.
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| KR102493339B1 (ko) * | 2017-10-10 | 2023-01-31 | 삼성디스플레이 주식회사 | 표시 장치 및 그것의 제조 방법 |
| JP7068800B2 (ja) * | 2017-10-30 | 2022-05-17 | 株式会社ジャパンディスプレイ | 表示装置 |
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| KR102586636B1 (ko) * | 2018-10-11 | 2023-10-11 | 삼성디스플레이 주식회사 | 폴더블 표시장치 |
| KR20200046196A (ko) * | 2018-10-23 | 2020-05-07 | 삼성디스플레이 주식회사 | 표시 장치 및 이의 제조 방법 |
| US10923511B2 (en) * | 2018-12-14 | 2021-02-16 | Wuhan China Star Optoelectronics Semiconductor Display Technology Co., Ltd. | Array substrate and display device comprising same |
| CN109887969A (zh) * | 2019-02-25 | 2019-06-14 | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 | 显示面板及其制造方法 |
| US10923548B2 (en) | 2019-02-25 | 2021-02-16 | Wuhan China Star Optoelectronics Semiconductor Display Technology Co., Ltd. | Display panel and method for manufacturing same |
| KR20200108139A (ko) * | 2019-03-06 | 2020-09-17 | 삼성디스플레이 주식회사 | 표시 장치 및 그 제조 방법 |
| KR20200129230A (ko) * | 2019-05-07 | 2020-11-18 | 삼성디스플레이 주식회사 | 표시 부품, 표시 장치 및 그것의 제조 방법 |
| CN110634885B (zh) * | 2019-08-20 | 2021-06-22 | 武汉华星光电技术有限公司 | 阵列基板及其制备方法 |
| CN111524859B (zh) * | 2020-04-23 | 2022-04-26 | 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 | 阵列基板及其制造方法、显示装置 |
| CN115482721A (zh) * | 2021-05-31 | 2022-12-16 | 京东方科技集团股份有限公司 | 柔性显示面板和滑卷显示装置 |
| CN114284324A (zh) * | 2021-12-17 | 2022-04-05 | 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 | 显示面板及显示装置 |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US20140029017A1 (en) | 2012-07-30 | 2014-01-30 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Flexible apparatus and method for controlling operation thereof |
| US20150187279A1 (en) | 2013-12-31 | 2015-07-02 | Lg Display Co., Ltd. | Flexible display device and method for fabricating the same |
Family Cites Families (6)
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