KR102440435B1

KR102440435B1 - 표면 처리제, 그리고, 표면 처리 피막을 갖는 금속 재료 및 그 제조 방법

Info

Publication number: KR102440435B1
Application number: KR1020207010914A
Authority: KR
Inventors: 준이치 우치다; 다카유키 요로즈; 료코 가츠라야
Original assignee: 니혼 파커라이징 가부시키가이샤
Priority date: 2017-10-12
Filing date: 2018-10-11
Publication date: 2022-09-05
Also published as: JP6932198B2; TWI771507B; US20200332129A1; EP3696297A1; CN111201338A; EP3696297A4; JPWO2019074037A1; CN111201338B; KR20200053586A; WO2019074037A1; TW201923145A

Abstract

방오성이 우수한 표면 처리 피막을 형성할 수 있는 표면 처리제, 그 표면 처리제를 사용한 표면 처리 피막을 갖는 금속 재료 및 그 제조 방법을 제공하는 것을 과제로 한다. 본 발명은, 실리콘 수지 (A) 와, 티탄, 백금, 로듐 및 팔라듐에서 선택되는 금속 원소를 포함하는 화합물 (B) 와, 방향족 탄화수소계 용제 (C) 를 함유하고, (I) 상기 실리콘 수지 (A) 의 함유량이, 당해 실리콘 수지 (A) 와 상기 화합물 (B) 의 전체 고형분 질량에 대하여, 90 질량％ 이상 99.9 질량％ 이하의 범위 내이고, (II) 상기 실리콘 수지 (A) 의 질량 (A_M) 과, 상기 화합물 (B) 의 질량 (B_M) 의 비 (B_M/A_M) 이 0.001 이상 0.111 이하의 범위 내인, 표면 처리제.

Description

표면 처리제, 그리고, 표면 처리 피막을 갖는 금속 재료 및 그 제조 방법

본 발명은, 자동차, 가전, OA 기기, 의료 기기, 의료 기구 등의 제품에 사용되는 전자 부품 및 마이크로 기기 부품의 금속 재료에 대해 바람직하게 사용할 수 있는 표면 처리제, 그 표면 처리제를 사용한 표면 처리 피막을 갖는 금속 재료의 제조 방법 및 그 제조 방법에 의해 얻어지는 표면 처리 피막을 갖는 금속 재료에 관한 것이다.

자동차, 가전, OA 기기, 의료 기기, 의료 기구 등의 공업 제품에 있어서는, 그 제품을 구성하는 전자 부품 및 마이크로 기기 부품에 금속 재료가 사용되고 있다. 이들 공업 제품은, 여러 가지 환경하에서 사용되기 때문에, 이들 공업 제품에 사용되는 금속 재료에는, 여러 가지 성능이 요구되고 있다. 그러므로, 최근에 있어서는, 금속 재료에 여러 가지 성능을 부여하기 위해서, 각종 성능을 갖는 표면 처리 피막을 금속 재료의 표면 또는 표면 상에 형성하는 기술이 개발되어 있다. 예를 들어, 특허문헌 1 에는, 소정의 인산계 화합물과, 티탄이나 지르코늄 등의 소정의 원소를 갖는 플루오로산과, 적어도 1 개의 활성 수소 함유 아미노기를 갖는 실란 커플링제와, 적어도 1 개의 에폭시기를 갖는 실란 커플링제를 소정량 배합하여 용해 혹은 분산시킨 금속 재료 표면 처리용 조성물을 사용하여, 금속 표면에 도포하고, 건조시켜 소정의 피막을 형성시키는 기술이 개시되어 있다.

일본 공개특허공보 2006-213958호

최근, 전자 부품 및 마이크로 기기 부품에 사용되는 금속 재료에 있어서는, 방오성이 우수한 표면 처리 피막을 형성할 수 있는 기술의 개발이 요구되고 있다. 그래서, 본 발명은, 방오성이 우수한 표면 처리 피막을 형성할 수 있는 표면 처리제, 그 표면 처리제를 사용한 표면 처리 피막을 갖는 금속 재료의 제조 방법 및 그 제조 방법에 의해 얻어지는 표면 처리 피막을 갖는 금속 재료를 제공하는 것을 목적으로 한다.

본 발명자들은, 상기 과제를 해결하기 위하여 예의 검토를 거듭한 결과, 실리콘 수지와, 소정의 금속 원소를 포함하는 화합물과, 방향족 탄화수소계 용제를 소정량 포함하는 표면 처리제를 사용함으로써, 방오성이 우수한 표면 처리 피막을 금속 재료의 표면 또는 표면 상에 형성할 수 있는 것을 알아내어, 본 발명을 완성하기에 이르렀다.

즉, 본 발명은,

[1] 실리콘 수지 (A) 와,

티탄, 백금, 로듐 및 팔라듐에서 선택되는 금속 원소를 포함하는 화합물 (B) 와,

방향족 탄화수소계 용제 (C) 를 함유하고,

(I) 상기 실리콘 수지 (A) 의 함유량이, 당해 실리콘 수지 (A) 와 상기 화합물 (B) 의 전체 고형분 질량에 대하여, 90 질량％ 이상 99.9 질량％ 이하의 범위 내이고,

(II) 상기 실리콘 수지 (A) 의 질량 (A_M) 과, 상기 화합물 (B) 의 질량 (B_M) 의 비 (B_M/A_M) 이 0.001 이상 0.111 이하의 범위 내인, 표면 처리제 ;

[2] 추가로, 비닐기를 갖는 실란 커플링제 및/또는 에폭시기를 갖는 실란 커플링제를 포함하고, 상기 질량 (A_M) 과, 비닐기를 갖는 실란 커플링제 및 에폭시기를 갖는 실란 커플링제의 총 질량 (D_M) 의 비 (D_M/A_M) 이 0.005 이상 0.251 이하의 범위 내인, 상기 [1] 에 기재된 표면 처리제 ;

[3] 표면 처리 피막을 갖는 금속 재료의 제조 방법으로서, 상기 [1] 또는 [2] 에 기재된 표면 처리제를 금속 재료의 표면 또는 표면 상에 접촉시키는 제 1 공정과, 금속 재료에 접촉시킨 표면 처리제를 건조시켜 표면 처리 피막을 형성하는 제 2 공정을 포함하는 제조 방법 ;

[4] 상기 제 1 공정의 전에, 금속 재료의 표면 또는 표면 상에, 아미노기를 갖는 실란 커플링제, 그 실란 커플링제의 중합물, 또는 그 중합물과의 공중합물을 함유하는 하지 처리제를 접촉시키는 공정과, 금속 재료에 접촉시킨 하지 처리제를 건조시켜 하지 피막을 형성하는 공정을 추가로 포함하는, 상기 [3] 에 기재된 제조 방법 ;

[5] 상기 [3] 또는 [4] 에 기재된 제조 방법에 의해 얻어지는, 표면 처리 피막을 갖는 금속 재료로서, 상기 표면 처리 피막의 막두께가 10 ㎛ 이상 400 ㎛ 이하의 범위 내인, 표면 처리 피막을 갖는 금속 재료 ;

[6] 상기 [4] 에 기재된 제조 방법에 의해 얻어지는, 표면 처리 피막을 갖는 금속 재료로서, 상기 표면 처리 피막의 막두께가 10 ㎛ 이상 400 ㎛ 이하의 범위 내이고, 상기 하지 피막에 있어서의 Si 의 함유량이, SiO₂ 환산 질량으로 0.1 mg/㎡ 이상 50 mg/㎡ 이하의 범위 내인, 표면 처리 피막을 갖는 금속 재료 ;

[7] 금속 재료의 표면 또는 표면 상에 표면 처리 피막을 갖고,

상기 표면 처리 피막이,

실리콘 수지 (A) 와,

티탄, 백금, 로듐 및 팔라듐에서 선택되는 금속 원소를 포함하는 화합물 (B) 를 함유하고,

(II) 상기 실리콘 수지 (A) 의 질량 (A_M) 과, 상기 화합물 (B) 의 질량 (B_M) 의 비 (B_M/A_M) 이 0.001 이상 0.111 이하의 범위 내인, 표면 처리 피막을 갖는 금속 재료 ;

[8] 상기 금속 재료와 상기 표면 처리 피막 사이에 하지 피막을 갖고,

상기 하지 피막이, 아미노기를 갖는 실란 커플링제, 그 실란 커플링제의 중합물, 또는 그 중합물과의 공중합물을 포함하는, 상기 [7] 에 기재된 표면 처리 피막을 갖는 금속 재료 ;

[9] 상기 표면 처리 피막의 막두께가 10 ㎛ 이상 400 ㎛ 이하의 범위 내인, 상기 [7] 또는 [8] 에 기재된 표면 처리 피막을 갖는 금속 재료 ;

[10] 상기 표면 처리 피막의 막두께가 10 ㎛ 이상 400 ㎛ 이하의 범위 내이고,

상기 하지 피막에 있어서의 Si 의 함유량이, SiO₂ 환산 질량으로 0.1 mg/㎡ 이상 50 mg/㎡ 이하의 범위 내인, 상기 [8] 에 기재된 표면 처리 피막을 갖는 금속 재료 ;

[11] 상기 금속 재료가 스테인리스강인, 상기 [5] ∼ [10] 중 어느 하나에 기재된 표면 처리 피막을 갖는 금속 재료 ;

등이다.

본 발명에 의하면, 방오성이 우수한 표면 처리 피막을 형성할 수 있는 표면 처리제, 그 표면 처리제를 사용한 표면 처리 피막을 갖는 금속 재료의 제조 방법 및 그 제조 방법에 의해 얻어지는 표면 처리 피막을 갖는 금속 재료를 제공할 수 있다.

이하에, 본 발명에 관련된 표면 처리제, 표면 처리 피막을 갖는 금속 재료 및 그 제조 방법에 대해 설명한다.

(표면 처리제)

본 실시형태에 관련된 표면 처리제는, 실리콘 수지 (A) 와, 티탄, 백금, 로듐 및 팔라듐에서 선택되는 금속 원소를 포함하는 화합물 (B) 와, 방향족 탄화수소계 용제 (C) 를 함유한다. 이 표면 처리제를 사용함으로써, 금속 재료 등의 대상 재료에 대해 방오성 (특히 고온 환경하에서의 오염성) 이 우수한 표면 처리 피막을 형성할 수 있다. 또한, 고온이란, 적어도 100 ℃ 이상을, 바람직하게는 150 ℃ 이상을, 보다 바람직하게는 200 ℃ 이상을, 특히 바람직하게는 300 ℃ 이상을 의미한다. 이와 같이, 본 실시형태에 관련된 표면 처리제는, 오염성이 우수한 표면 처리 피막을 형성할 수 있는 점에서, 본 실시형태에 관련된 표면 처리제는, 방오성 피막 형성제로서 유용하다. 또, 오염성이 우수한 표면 처리 피막은, 자동차, 가전, OA 기기, 의료 기기, 의료 기구 등의 공업 제품을 구성하는 전자 부품이나 마이크로 기기 부품, 조리 기구, 선박, 건축 재료 등에 사용되고 있는 금속 재료 등에 유용하다.

＜실리콘 수지 (A)＞

실리콘 수지 (A) 로는, 복수의 실록산 결합을 갖고, 규소 (Si) 에 유기기가 결합된 오르가노폴리실록산 구조를 갖는 것이면 특별히 제한되는 것은 아니지만, Si 에 결합된 유기기를 1 분자 중에 적어도 2 개 이상 갖는 오르가노폴리실록산 구조를 갖는 것이 바람직하다. 또한, 유기기가 결합되어 있는 위치에 대해서는 특별히 제한은 없고, 주사슬, 측사슬 또는 말단에 결합되어 있어도 된다. 실리콘 수지 (A) 는, 상기 오르가노폴리실록산 구조를 갖는 단중합물이어도 되고, 상기 오르가노폴리실록산 구조를 갖는 단중합물과 폴리실록산 구조를 갖는 단중합물의 혼합물이어도 되고, 상기 오르가노폴리실록산 구조와 폴리실록산 구조를 갖는 공중합물 (블록 공중합물 또는 그래프트 중합물) 이어도 된다. 또, 실리콘 수지 (A) 는, 부가형이어도 되고, 축합형이어도 된다. 또한, 실리콘 수지 (A) 는, 열 경화형, 실온 경화형 (RTV), UV 경화형 중 어느 것이어도 된다.

오르가노폴리실록산 구조에 있어서의 Si 에 결합된 유기기로는, 예를 들어, 포화 탄화수소기, 불포화 탄화수소기, 할로겐화알킬기, 에폭시시클로헥실기 등을 들 수 있지만, 이들에 제한되는 것은 아니다. 포화 탄화수소기로는, 예를 들어, 직사슬형 또는 분기 사슬형의 알킬기, 시클로알킬기 등을 들 수 있지만, 이들에 제한되는 것은 아니다. 또, 불포화 탄화수소기로는, 예를 들어, 직사슬형 또는 분기 사슬형의 알케닐기, 시클로알케닐기, 시클로알케닐알킬기, 아릴기 등을 들 수 있지만, 이들에 제한되는 것은 아니다. 또한, Si 에 결합된 유기기로는, 불포화 탄화수소기인 것이 바람직하고, 알케닐기인 것이 보다 바람직하고, 비닐기 또는 헥세닐기인 것이 특히 바람직하다.

할로겐화알킬기로는, 예를 들어, 클로로메틸기, 3-클로로프로필기, 1-클로로-2-메틸프로필기, 3,3,3-트리플루오로프로필기 등을 들 수 있다. 알킬기로는, 예를 들어, 메틸기, 에틸기, 프로필기, 부틸기, 펜틸기, 헥실기, 헵틸기, 옥틸기, 노닐기, 데실기 등을 들 수 있다. 시클로알킬기로는, 시클로펜틸기, 시클로헥실기 등을 들 수 있다. 직사슬형 또는 분기 사슬형의 알케닐기로는, 예를 들어, 비닐기, 1-프로페닐기, 알릴기, 이소프로페닐기, 1-부테닐, 2-부테닐기, 펜테닐기, 헥세닐기 등을 들 수 있다. 시클로알케닐기로는, 예를 들어, 시클로펜테닐기, 시클로헥세닐기 등을 들 수 있다. 시클로알케닐알킬기로는, 예를 들어, 시클로펜테닐에틸기, 시클로헥세닐에틸기, 시클로헥세닐프로필기 등을 들 수 있다. 아릴기로는, 예를 들어, 페닐기 등을 들 수 있다.

폴리실록산 구조로는, 상기 오르가노폴리실록산 구조와는 상이한 것이면 특별히 제한되는 것이 아니고, 예를 들어, Si 에 결합된 수소 원자를 1 분자 중에 적어도 2 개 이상 갖는 폴리실록산 구조, Si 에 결합된 알콕시기를 1 분자 중에 적어도 2 개 이상 갖는 폴리실록산 구조 등을 들 수 있다. 알콕시기로는, 예를 들어, 메톡시기, 에톡시기, 프로폭시기, 부톡시기 등을 들 수 있다. 또한, 알콕시기는, 직사슬형이어도 되고, 분기 사슬형이어도 된다.

상기 각종 실리콘 수지는, 표면 처리제의 조제에 있어서 1 종을 사용해도 되고, 2 종 이상을 병용해도 된다. 실리콘 수지 (A) 의 바람직한 실시형태의 하나로서, Si 에 결합된 불포화 탄화수소기를 1 분자 중에 적어도 2 개 이상 갖는 오르가노폴리실록산 구조를 갖는 중합물과, Si 에 결합된 수소 원자를 1 분자 중에 적어도 2 개 이상 갖는 폴리실록산 구조를 갖는 중합물의 혼합물을 들 수 있다.

Si 에 결합된 불포화 탄화수소기를 1 분자 중에 적어도 2 개 이상 갖는 오르가노폴리실록산 구조를 갖는 중합물로는, 예를 들어, 분자 사슬의 양 말단에 디메틸비닐실록시기를 갖는 디메틸폴리실록산, 분자 사슬의 양 말단에 디메틸비닐실록시기를 갖는 디메틸실록산-메틸페닐실록산 공중합체, 분자 사슬의 양 말단에 디메틸비닐실록시기를 갖는 디메틸실록산-메틸비닐실록산 공중합체, 분자 사슬의 양 말단에 트리메틸실록시기를 갖는 디메틸실록산-메틸비닐실록산 공중합체, 분자 사슬의 양 말단에 트리메틸실록시기를 갖는 디메틸실록산-메틸비닐실록산-메틸페닐실록산 3 원 공중합체, 분자 사슬의 양 말단에 실란올기를 갖는 디메틸실록산-메틸비닐실록산 공중합체, 분자 사슬의 양 말단에 실란올기를 갖는 메틸비닐폴리실록산 등을 들 수 있다. 그 외에, 각종 단중합체, 공중합체 및 3 원 공중합체의 메틸기의 일부가, 에틸기, 프로필기 등의 메틸기 이외의 알킬기 ; 또는 3,3,3-트리플루오로프로필기, 3,3,3-트리클로로프로필기 등의 할로겐화알킬기 ; 로 치환된 중합체도 들 수 있다. 이들 단중합체, 공중합체 및 3 원 공중합체 중에서 선택된 2 종 이상의 혼합물을 표면 처리제의 조제에 사용해도 된다.

Si 에 결합된 수소 원자를 1 분자 중에 적어도 2 개 이상 갖는 폴리실록산 구조를 갖는 중합물로는, 특별히 한정되지 않지만, 예를 들어, 수소 원자가 Si 에 결합된 SiH 기를 1 분자 중에 적어도 2 개 이상 갖고, 주사슬로서 디오르가노실록산 구조를 반복하여 갖고, 분자 사슬의 양 말단이 트리오르가노실록시기로 봉쇄된 직사슬형, 고리형, 분기 사슬형, 3 차원 망상 구조의 오르가노하이드로젠폴리실록산 등을 들 수 있다. 보다 구체적으로는, 분자 사슬의 양 말단에 트리메틸실록시기를 갖는 메틸하이드로젠폴리실록산, 분자 사슬의 양 말단에 트리메틸실록시기를 갖는 디메틸실록산-메틸하이드로젠실록산 공중합체, 분자 사슬의 양 말단에 실란올기를 갖는 메틸하이드로젠폴리실록산, 분자 사슬의 양 말단에 실란올기를 갖는 디메틸실록산-메틸하이드로젠실록산 공중합체, 분자 사슬의 양 말단에 디메틸하이드로젠실록시기를 갖는 디메틸폴리실록산, 분자 사슬의 양 말단에 디메틸하이드로젠실록시기를 갖는 메틸하이드로젠폴리실록산, 분자 사슬의 양 말단에 디메틸하이드로젠실록시기를 갖는 디메틸실록산-메틸하이드로젠실록산 공중합체 등을 들 수 있다. 이들 단중합체 및 공중합체 중에서 선택된 2 종 이상의 혼합물을 표면 처리제의 조제에 사용해도 된다.

실리콘 수지 (A) 의 중량 평균 분자량은, 특별히 한정되지 않지만, 통상 6,000 이상 45,000 이하의 범위 내이고, 바람직하게는, 6,500 이상 40,000 이하의 범위 내이다. 또한, 중량 평균 분자량은, GPC (겔 침투 칼럼 크로마토그래피) 에 의해 측정하고, 폴리스티렌으로 환산한 값이다.

＜화합물 (B)＞

화합물 (B) 로는, 티탄, 백금, 로듐 및 팔라듐에서 선택되는 금속 원소를 포함하는 것이면 특별히 제한되는 것은 아니다. 티탄을 포함하는 화합물로는, 예를 들어, 황산티타닐, 질산티타닐, 질산티탄, 염화티타닐, 염화티탄, 티타니아졸, 산화티탄, 옥살산티탄산칼륨, 티탄락테이트, 티탄테트라이소프로폭시드, 티탄아세틸아세토네이트, 디이소프로필티타늄비스아세틸아세톤, 티탄디이소프로폭시비스(아세틸아세토네이트) 등을 들 수 있다. 그 중에서도, 티탄테트라이소프로폭시드, 티탄아세틸아세토네이트를 사용하는 것이 바람직하다.

백금, 로듐 또는 팔라듐을 포함하는 화합물로는, 예를 들어, 백금 (백금흑을 포함한다), 로듐, 팔라듐 등의 백금족 금속 단체 ; H₂PtCl₄·nH₂O, H₂PtCl₆·nH₂O, NaHPtCl₆·nH₂O, KHPtCl₆·nH₂O, Na₂PtCl₆·nH₂O, K₂PtCl₄·nH₂O, PtCl₄·nH₂O, PtCl₂, Na₂HPtCl₄·nH₂O (단, 각 식 중, n 은 0 ∼ 6 의 정수이며, 바람직하게는 0 또는 6 이다) 등의 염화백금, 염화백금산 또는 염화백금산염 ; 알코올 변성 염화백금산 (알코올과 염화백금산을 반응시킨 것) ; 염화백금산과 올레핀의 컴플렉스 ; 백금흑, 팔라듐 등의 백금족 금속을 알루미나, 실리카, 카본 등의 담체에 담지시킨 화합물 ; 로듐-올레핀 컴플렉스 ; 클로로트리스(트리페닐포스핀)로듐 (윌킨슨 촉매) ; 염화백금, 염화백금산 또는 염화백금산염과 비닐기 함유 실록산의 컴플렉스 ; 폴리스티렌-폴리에틸렌글리콜에 염화백금을 담지한 화합물 ; 등을 들 수 있다.

또한, 이들 화합물은, 표면 처리제의 조제에 있어서, 1 종을 사용해도 되고, 2 종 이상을 사용해도 된다.

실리콘 수지 (A) 의 함유량 (복수의 실리콘 수지를 사용하는 경우에는, 합계 함유량을 의미한다) 은, 당해 실리콘 수지 (A) 와 화합물 (B) 의 전체 고형분 질량에 대하여, 90 질량％ 이상 99.9 질량％ 이하의 범위 내이고, 95 질량％ 이상 99.8 질량％ 이하의 범위 내인 것이 바람직하고, 98 질량％ 이상 99.7 질량％ 이하의 범위 내인 것이 보다 바람직하다.

표면 처리제에 있어서, 실리콘 수지 (A) 의 질량 (A_M) [복수의 실리콘 수지를 사용하는 경우에는, 합계 질량을 의미한다] 과, 화합물 (B) 의 질량 (B_M) [복수의 화합물을 사용하는 경우에는, 합계 질량을 의미한다] 의 비 (B_M/A_M) 은 0.001 이상 0.111 이하의 범위 내인 것이 바람직하고, 0.002 이상 0.053 이하의 범위 내인 것이 보다 바람직하고, 0.003 이상 0.02 이하의 범위 내인 것이 특히 바람직하다.

＜방향족 탄화수소계 용제 (C)＞

방향족 탄화수소계 용제 (C) 는, 일중 결합과 이중 결합이 교대로 나열되고, 전자가 비국재화된 6 개의 탄소 원자로 이루어지는 단고리 혹은 복수의 평면 고리를 유닛으로 하여 구성되는 탄화수소이며, 특히 그 종류는 한정되지 않는다.

방향족 탄화수소계 용제 (C) 로는, 상기 유닛을 갖는 것이면 특별히 한정되지 않지만, 용해도 파라미터 (SP) 값이 8.5 이상 9.5 이하의 범위 내인 것이 바람직하고, 8.8 이상 9.3 이하의 범위 내인 것이 보다 바람직하다. 보다 구체적으로는, 벤젠, 톨루엔, o-자일렌, p-자일렌, m-자일렌, 파라자일렌, 오르토자일렌 등을 들 수 있다. 또한, 이들 방향족 탄화수소계 용제 (C) 는, 표면 처리제의 조제에 있어서, 1 종을 사용해도 되고, 2 종 이상을 병용해도 된다.

표면 처리제 중에 있어서의 방향족 탄화수소계 용제 (C) 의 함유량은, 특별히 한정되지 않지만, 질량 비율로 40 질량％ 이상 99 질량％ 이하의 범위 내인 것이 바람직하고, 45 질량％ 이상 95 질량％ 이하의 범위 내인 것이 보다 바람직하고, 50 질량％ 이상 80 질량％ 이하의 범위 내인 것이 특히 바람직하고, 60 질량％ 이상 75 질량％ 이하의 범위 내인 것이 가장 바람직하다.

＜기타 첨가제＞

본 실시형태에 관련된 표면 처리제에는, 필요에 따라, 각종 첨가제가 포함되어 있어도 된다. 첨가제로는, 예를 들어, 계면 활성제, 소포제, 레벨링제, 증점제, 방균 방곰팡이제, 착색제, 불소 수지 등을 들 수 있지만, 이들에 제한되는 것은 아니다. 이들 첨가제는, 본 발명의 효과를 저해하지 않는 범위 내에서 첨가해도 되고, 첨가제의 함유량은, 많더라도 표면 처리제의 질량에 대해 수 질량％ 이다.

＜실란 커플링제 (D)＞

첨가제로서, 그 밖에, 비닐기를 갖는 실란 커플링제 및/또는 에폭시기를 갖는 실란 커플링제 [이하, 간단히 「실란 커플링제 (D)」라고 칭한다] 를 표면 처리제에 배합하는 것도 가능하다.

실란 커플링제 (D) 로는, 비닐기 또는 에폭시기를 갖는 실란 커플링제이면 특별히 한정되지 않지만, 예를 들어, 비닐트리메톡시실란, 비닐트리에톡시실란, p-스티릴트리메톡시실란 등의 비닐기 함유 실란 커플링제 ; 3-글리시독시프로필트리메톡시실란, 3-글리시독시프로필메틸디메톡시실란, 2-(3,4-에폭시시클로헥실)에틸트리메톡시실란 등의 에폭시기 함유 실란 커플링제 ; 등을 들 수 있다. 에폭시기를 갖는 실란 커플링제를 단독으로 사용하거나, 비닐기를 갖는 실란 커플링제와 병용하거나 하는 경우에는, 에폭시기를 갖는 실란 커플링제로서 에폭시기를 1 개 갖는 실란 커플링제를 사용하는 것이 바람직하다.

표면 처리제의 조제에 있어서, 실란 커플링제 (D) 를 사용하는 경우에는, 실리콘 수지 (A) 의 질량 (A_M) [복수의 실리콘 수지를 사용하는 경우에는, 합계 질량을 의미한다] 과, 실란 커플링제 (D) 의 질량 (D_M) [복수의 실란 커플링제를 사용하는 경우에는, 합계 질량을 의미한다] 의 비 (D_M/A_M) 이 0.005 이상 0.251 이하의 범위 내인 것이 바람직하고, 0.01 이상 0.11 이하의 범위 내인 것이 보다 바람직하지만, 이들 범위에 제한되는 것은 아니다.

(표면 처리제의 제조 방법)

본 실시형태에 관련된 표면 처리제는, 실리콘 수지 (A) 와, 티탄, 백금, 로듐 및 팔라듐에서 선택되는 금속 원소를 포함하는 화합물 (B) 와, 방향족 탄화수소계 용제 (C) 와, 필요에 따라 실란 커플링제 (D) 등의 첨가제를 혼합함으로써 제조할 수 있다. 또한, 본 실시형태에 관련된 표면 처리제를 후술하는 표면 처리에 사용할 때, 그 표면 처리제의 점도가 25 ℃ 에서 1 Pa·s 이상 20 Pa·s 이하의 범위 내인 것이 바람직하고, 3 Pa·s 이상 15 Pa·s 이하의 범위 내인 것이 보다 바람직하고, 5 Pa·s 이상 10 Pa·s 이하의 범위 내인 것이 특히 바람직하다. 또한, 표면 처리제의 점도는, 진동식 점도계 (주식회사 세코닉사 제조, VM 시리즈) 를 사용하여 측정하는 것이 가능하다.

(표면 처리 피막을 갖는 금속 재료 및 그 제조 방법)

본 실시형태에 관련된, 표면 처리 피막을 갖는 금속 재료의 제조 방법은, 상기 표면 처리제를 금속 재료의 표면 또는 표면 상에 접촉시키는 제 1 공정과, 금속 재료에 접촉시킨 표면 처리제를 건조시켜 표면 처리 피막을 형성하는 제 2 공정을 포함한다. 이들 공정을 실시함으로써, 표면 처리 피막을 갖는 금속 재료를 제조할 수 있다. 또한, 금속 재료와 표면 처리 피막 사이에 부동태막이나 금속 재료에 포함되는 금속의 산화물막을 추가로 갖고 있어도 되지만, 이들 막을 갖고 있지 않아도 된다.

제 1 공정을 실시하기 전에, 금속 재료의 표면에 부착되어 있는 유분이나 오염을 제거할 목적으로, 금속 재료에 전처리를 실시해도 된다. 전처리 방법으로는, 특별히 한정되지 않고, 탕세, 용제 세정, 알칼리 탈지 세정 등의 방법을 들 수 있다.

제 1 공정의 접촉 방법으로는, 여러 가지 접촉 방법을 사용할 수 있고, 처리되는 금속 재료의 형상 등에 따라 최적인 방법을 적절히 선택할 수 있다. 구체적으로는, 침지 처리법, 스프레이 처리법, 흘려 보냄 처리법, 롤 코터법, 바 코트법 등의 도장 방법 ; 스핀 코터, 슬릿 코터, 다이 코터, 블레이드 코터, 디스펜서 등의 도포 장치를 1 또는 2 이상 사용하여 도포하는 방법 ; 등을 들 수 있지만, 소정량의 표면 처리제를 안정적으로 도포할 수 있는 디스펜서를 사용하여 도포하는 방법이 바람직하다.

제 2 공정의 건조 온도로는, 특별히 한정되지 않지만, 40 ∼ 250 ℃ 의 범위 내인 것이 바람직하고, 60 ∼ 180 ℃ 의 범위 내인 것이 보다 바람직하다. 건조 방법으로는, 특별히 한정되지 않고, 열풍이나 인덕션 히터, 적외선, 근적외선 등에 의해, 금속 재료에 접촉시킨 표면 처리제를 가열하여, 표면 처리제를 건조시키는 방법을 들 수 있다. 또, 건조 시간은, 특별히 제한되는 것이 아니고, 사용되는 재료의 종류, 금속 재료의 표면 또는 표면 상에 부착된 표면 처리제의 양 등에 따라 적절히 최적인 조건을 설정하면 된다.

본 실시형태에 관련된, 표면 처리 피막을 갖는 금속 재료의 제조 방법은, 제 1 공정을 실시하기 전에 (전처리를 실시하는 경우에는 전처리 후에), 금속 재료의 표면 또는 표면 상에, 아미노기를 갖는 실란 커플링제, 그 실란 커플링제의 중합물, 그 중합물과의 공중합물 등을 함유하는 하지 처리제를 접촉시키는 제 3 공정과, 금속 재료에 접촉시킨 하지 처리제를 건조시켜 하지 피막을 형성하는 제 4 공정을 추가로 포함하고 있어도 된다. 이와 같이 제 3 공정과 제 4 공정을 실시한 후, 제 1 공정 및 제 2 공정을 실시함으로써, 표면 처리 피막과 하지 피막을 갖는 금속 재료를 제조할 수 있다. 또한, 금속 재료와 하지 피막 사이에 부동태막이나 금속 재료에 포함되는 금속의 산화물막을 추가로 갖고 있어도 되지만, 이들 막을 갖고 있지 않아도 된다.

하지 처리제는, 아미노기를 갖는 실란 커플링제, 그 실란 커플링제의 중합물, 그 중합물과의 공중합물 등을 포함한다. 아미노기를 갖는 실란 커플링제로서, 아미노기를 1 개 갖는 것이면 특별히 한정되지 않고, 예를 들어, N-(2-아미노에틸)-3-아미노프로필메틸디메톡시실란, N-(2-아미노에틸)-3-아미노프로필트리메톡시실란, 3-아미노프로필트리에톡시실란 등을 들 수 있다.

하지 처리제에 포함되는 용매는 특별히 한정되지 않지만, 알코올, 아세톤, 아세토니트릴, 벤젠, 시클로헥산, 아세트산메틸, 아세트산에틸, 메틸에틸케톤 등의 유기 용매 ; 이들 유기 용매와 물의 혼합물 ; 등을 들 수 있다. 유기 용매로는, 탄소수 5 이하의 알코올이 바람직하다. 또한, 유기 용매와 물의 혼합물인 경우, 포함되는 물의 질량 비율은, 5 질량％ 미만인 것이 바람직하다. 또, 하지 처리제에는, 금속 재료에 대한 젖음성을 향상시키기 위한 레벨링제, 조막성을 향상시키기 위한 조막 보조제, 하지 피막을 보다 강고한 피막으로 하기 위한 유기 가교제 또는 무기 가교제, 발포를 억제하기 위한 소포제, 점성을 컨트롤하기 위한 증점제, 방청제 등의 첨가제를 포함시켜도 되고, 이들 첨가제는, 본 발명의 효과를 저해하지 않는 범위 내에서 배합해도 된다.

하지 처리제에 있어서의 아미노기를 갖는 실란 커플링제, 그 실란 커플링제의 중합물, 그 중합물과의 공중합물 등의 총 함유량은, 특별히 한정되지 않지만, 하지 처리제의 전체량에 대하여, 0.1 질량％ 이상 10 질량％ 이하의 범위 내인 것이 바람직하고, 0.5 질량％ 이상 5 질량％ 이하의 범위 내인 것이 보다 바람직하다.

제 3 공정의 접촉 방법으로는, 여러 가지 접촉 방법을 사용할 수 있고, 금속 재료의 형상 등에 따라 최적인 방법을 적절히 선택할 수 있다. 구체적으로는, 상기 도포 장치를 사용하여 도포하는 방법 이외에, 침지 처리법, 스프레이 처리법, 흘려 보냄 처리법, 롤 코터법, 바 코트법 등의 방법을 들 수 있지만, 이들 방법에 제한되는 것은 아니다. 또, 제 4 공정의 건조 방법으로는, 열풍이나 인덕션 히터, 적외선, 근적외선 등을 사용하여 가열 건조시키는 방법, 감압 증류 제거에 의해 건조시키는 방법 등을 들 수 있는데, 이들에 제한되는 것은 아니다. 건조 온도로는, 특별히 한정되지 않지만, 40 ∼ 250 ℃ 의 범위 내인 것이 바람직하고, 60 ∼ 180 ℃ 의 범위 내인 것이 보다 바람직하다. 또, 건조 시간은, 특별히 제한되는 것이 아니고, 사용되는 재료의 종류, 금속 재료의 표면 또는 표면 상에 부착된 하지 처리제의 양 등에 따라 적절히 최적인 조건을 설정하면 된다.

＜금속 재료＞

금속 재료로는, 특별히 한정되지 않고, 철계 금속 재료, 아연 도금계 금속 재료, 알루미늄계 금속 재료, 마그네슘계 금속 재료, 니켈계 금속 재료, 티탄계 금속 재료, 지르코늄계 금속 재료, 구리계 금속 재료, 주석계 금속 재료, 텅스텐계 금속 재료, 크롬계 금속 재료, 망간계 금속 재료, 몰리브덴계 금속 재료, 코발트계 금속 재료 등을 들 수 있는데, 전자 부품·마이크로 기기 부품 등에 사용되고 있는 스테인리스강인 것이 보다 바람직하다. 또한, 본 명세서에 있어서는, 표면 처리제를 적용하는 대상 재료로서 금속 재료를 예로 들어 설명하지만, 본 실시형태에 관련된 표면 처리제를 적용하는 대상 재료는 금속 재료에 한정되지 않고, 방오성 피막을 필요로 하는 것이면 어떠한 것이어도 된다.

(표면 처리 피막을 갖는 금속 재료)

본 실시형태에 관련된 표면 처리 피막을 갖는 금속 재료는, 금속 재료의 표면 또는 표면 상에 상기 표면 처리 피막을 갖는다. 이 표면 처리 피막에는, 실리콘 수지 (A) 와 화합물 (B) 가 포함되어 있다. 실리콘 수지 (A) 의 함유량은, 실리콘 수지 (A) 와 화합물 (B) 의 전체 고형분 질량에 대하여, 90 질량％ 이상 99.9 질량％ 이하의 범위 내이다. 또, 실리콘 수지 (A) 의 질량 (A_M) 과 화합물 (B) 의 질량 (B_M) 의 비 (B_M/A_M) 은 0.001 이상 0.111 이하의 범위 내이다. 또한, 표면 처리 피막에는, 추가로, 비닐기를 갖는 실란 커플링제, 에폭시기를 갖는 실란 커플링제 등의 상기 첨가제가 포함되어 있어도 된다.

또, 본 실시형태에 관련된 표면 처리 피막을 갖는 금속 재료는, 금속 재료와 표면 처리 피막 사이에 상기 하지 피막을 갖고 있어도 된다. 이 하지 피막에는, 아미노기를 갖는 실란 커플링제, 그 실란 커플링제의 중합물, 그 중합물과의 공중합물 등이 포함되어 있다. 또한, 하지 피막을 형성하는 하지 처리제에 상기 첨가제를 배합한 경우에는, 하지 피막은, 추가로 당해 첨가제를 포함하고 있어도 된다.

상기 표면 처리 피막을 갖는 금속 재료는, 상기 제조 방법에 의해 제조할 수 있다. 표면 처리 피막의 막두께는, 특별히 한정되지 않지만, 편면당 10 ㎛ 이상 400 ㎛ 이하의 범위 내인 것이 바람직하고, 20 ㎛ 이상 300 ㎛ 이하의 범위 내인 것이 보다 바람직하다.

또, 하지 피막의 피막량은, 당해 하지 피막에 있어서의 Si 의 함유량이 SiO₂ 환산 질량으로 0.1 mg/㎡ 이상 50 mg/㎡ 이하의 범위 내인 것이 바람직하고, 1 mg/㎡ 이상 40 mg/㎡ 이하의 범위 내인 것이 보다 바람직하다. 또한, 하지 피막의 피막량의 측정은, 형광 X 선법으로 분석하고, Si 의 강도로부터 SiO₂ 로 환산한 질량을 산출함으로써 구할 수 있다.

실시예

이하, 실시예에 의해 본 발명의 작용 효과를 구체적으로 나타낸다. 단, 하기 실시예는 본 발명을 한정하는 것은 아니다.

(1) 공시재 (소재)

이하의 시판 재료를 공시재로서 사용하였다.

(M1) 냉연 강판 SPCC-SD : 판두께 0.8 ㎜

(M2) 스테인리스강 SUS304 : 판두께 0.8 ㎜

(2) 전처리 (알칼리 탈지 세정)

각종 공시재의 표면을, 알칼리 탈지제 (니폰 파커라이징 주식회사 제조의 파인 클리너 E6406) 의 2 ％ 수용액에 60 ℃ 에서 30 초간 침지시켜 탈지 처리를 실시하여, 표면 상의 유분이나 오염을 제거하였다. 다음으로, 수돗물로 수세하고, 추가로 순수를 흘리고, 100 ℃ 에서 공시재의 표면을 건조시켰다.

(3) 표면 처리제의 조제

표 1 에 나타내는 각 성분을 소정의 질량 비율이 되도록 혼합하여, 실시예 1 ∼ 23 및 비교예 1 ∼ 5 의 표면 처리제를 조제하였다. 또, 각종 표면 처리제의 점도를 7.0 으로 조정하기 위해서, 증점제로서 기상 실리카 (흄드 실리카 ; 니폰 아에로질사 제조의 아에로질 R974) 를 첨가하였다. 점도는, 25 ℃ 에서 진동식 점도계 (주식회사 세코닉사 제조, VM 시리즈) 를 사용하여 조정하였다. 또한, 표 1 에 있어서의 「실리콘 수지 (A)」와「화합물 (B)」와「실란 커플링제 (D)」의 질량％ 는, 그들의 합계 질량에 대한 각 성분 질량의 비율을 각각 나타낸다. 또, 표 1 에 있어서의 방향족 탄화수소계 용제 (C) 의 질량％ 는, 표면 처리제의 총 질량에 대한 방향족 탄화수소계 용제 (C) 질량의 비율을 나타낸다. 또한, 표 1 에 있어서의 (B_M/A_M) 은, 실리콘 수지 (A) 의 총 질량 (A_M) 과, 화합물 (B) 의 총 질량 (B_M) 의 비를 나타낸다. 또, 표 1 에 있어서의 (D_M/A_M) 은, 실리콘 수지 (A) 의 총 질량 (A_M) 과, 실란 커플링제 (D) 의 총 질량 (D_M) 의 비를 나타낸다. 표 1 에 나타내는 각 성분의 종류를 표 2 ∼ 표 5 에 나타낸다.

(4) 표면 처리 피막을 갖는 금속 재료

표 6 에 나타내는 바와 같이, 전처리를 실시한 각종 공시재의 표면에 각종 표면 처리제를 접촉시켰다. 그 후, 수세하지 않고, 표 6 에 나타내는 건조 온도에서 공시재에 접촉시킨 표면 처리제를 건조시켜, 소정 막두께의 표면 처리 피막을 갖는 공시재 (시험판) 를 제작하였다. 또, 표 6 의 No.35 ∼ No.39 에서는, 표면 처리제를 접촉하기 전에, 전처리를 실시한 각종 공시재를 표 6 에 나타내는 아미노기를 갖는 실란 커플링제를 포함하는 하지 처리제에 25 ℃ 에서 침지시키고, 하지 피막을 공시재의 표면에 형성시켰다. 또한, 하지 처리제의 조제에는, 용매로서 2-프로판올을 사용하였다. 하지 처리제의 질량 농도 및 침지 시간에 대해서는, 하지 피막에 있어서의 Si 함유량이 SiO₂ 환산 질량으로 표 6 에 나타내는 값이 되도록 적절히 조정하였다. 또한, 표 6 에 나타내는 「하지 처리제에 있어서의 아미노기를 갖는 실란 커플링제」의 종류와, 표면 처리제의 「접촉 방법」의 종류에 대해서는, 표 7 및 8 에 각각 나타낸다.

(5) 평가 시험

각종 시험판에 대해 이하의 평가 시험을 실시하였다. 각 평가 시험의 결과를 표 9 에 나타낸다. 또한, 실용상의 관점에서, 표 9 에 나타내는 각 평가 항목에 있어서 「D」가 없는 것을 합격으로 하였다.

가열 후의 절연성 시험

각종 시험판 (No.1 ∼ No.44) 을 70 × 150 ㎜ 의 사이즈로 절단한 후, 오븐으로 300 ℃ 에서 24 시간 가열하고, 계속해서 실온 (25 ℃) 에서 24 시간 방치하였다. 다음으로, JIS C 2110-1 : 2016 에 준하여, 각종 시험판에 승압 속도 10 V/s 로 전압을 인가하고, 각종 시험판에 통전했을 때의 최대 전압을 측정하고, 이하의 평가 기준에 기초하여 가열 후의 절연성을 평가하였다.

(평가 기준)

S : 1000 V 이상

A : 500 이상 ∼ 1000 V 미만

B : 300 V 이상 ∼ 500 V 미만

C : 200 V 이상 ∼ 300 V 미만

D : 200 V 미만

가열 후의 밀착성 시험

각종 시험판을 70 × 150 ㎜ 의 사이즈로 절단한 후, 오븐으로 300 ℃ 에서 24 시간 가열하고, 계속해서 실온 (25 ℃) 에서 24 시간 방치하였다. 다음으로, 각종 시험판에 1 ㎜ 간격으로 가로세로 11 개씩 절개부를 넣어 바둑판 (10 × 10 = 100 개의 매스) 눈금상의 컷 흠집을 내었다. 계속해서, 바둑판 눈금상의 컷 흠집에 셀로판 테이프를 첩부한 후, 셀로판 테이프를 떼어내고, 100 개의 매스 눈금 중 잔존한 매스 눈금의 수를 계측하였다. 계측 결과로부터 잔존율을 산출하고, 이하의 평가 기준에 기초하여 가열 후의 밀착성을 평가하였다.

(평가 기준)

S : 잔존율 95 ％ 이상 ∼ 100 ％

A : 잔존율 90 ％ 이상 ∼ 95 ％ 미만

B : 잔존율 70 ％ 이상 ∼ 90 ％ 미만

C : 잔존율 50 ％ 이상 ∼ 70 ％ 미만

D : 잔존율 0 ％ 이상 ∼ 50 ％ 미만

방오성 시험

각종 시험판을 70 × 150 ㎜ 의 사이즈로 절단한 후, 시험판의 표면 온도가 300 ℃ 가 되도록 유지하고, 모의 오염액 (아크릴 수지와 카본 블랙의 혼합액) 을 3 방울 적하하였다. 모의 오염액을 건조시킨 후, 시험판을 실온 (25 ℃) 에서 냉각시켰다. 냉각 후, 가제로 닦고, 오염액의 건조물 면적에 대한 잔존한 건조물 (검댕 등의 눌러붙음) 면적의 비율 (잔존율) 을 계측하고, 이하의 평가 기준에 기초하여 방오성을 평가하였다.

(평가 기준)

S : 잔존율 0 ％ 이하

A : 잔존율 1 ％ 이상 ∼ 5 ％ 미만

B : 잔존율 5 ％ 이상 ∼ 10 ％ 미만

C : 잔존율 10 ％ 이상 ∼ 30 ％ 미만

D : 잔존율 30 ％ 이상

또한, 본 발명에 대해서는, 구체적인 실시예를 참조하여 상세하게 설명되지만, 본 발명의 취지 및 범위로부터 멀어지지 않고, 여러 가지의 변경, 개변을 실시할 수 있는 것은 당업자에게는 분명하다.

Claims

실리콘 수지 (A) 와,
티탄, 백금, 로듐 및 팔라듐에서 선택되는 금속 원소를 포함하는 화합물 (B) 와,
방향족 탄화수소계 용제 (C) 를 함유하고,
(I) 상기 실리콘 수지 (A) 의 함유량이, 당해 실리콘 수지 (A) 와 상기 화합물 (B) 의 전체 고형분 질량에 대하여, 90 질량％ 이상 99.9 질량％ 이하의 범위 내이고,
(II) 상기 실리콘 수지 (A) 의 질량 (A_M) 과, 상기 화합물 (B) 의 질량 (B_M) 의 비 (B_M/A_M) 이 0.001 이상 0.111 이하의 범위 내이며,
(Ⅲ) 상기 방향족 탄화수소계 용제 (C) 의 함유량이, 질량 비율로 40 질량% 이상 90 질량% 이하의 범위 내인, 표면 처리제.
제 1 항에 있어서,
추가로, 비닐기를 갖는 실란 커플링제 및/또는 에폭시기를 갖는 실란 커플링제를 포함하고, 상기 질량 (A_M) 과, 비닐기를 갖는 실란 커플링제 및 에폭시기를 갖는 실란 커플링제의 총 질량 (D_M) 의 비 (D_M/A_M) 이 0.005 이상 0.251 이하의 범위 내인, 표면 처리제.
표면 처리 피막을 갖는 금속 재료의 제조 방법으로서,
제 1 항 또는 제 2 항에 기재된 표면 처리제를 금속 재료의 표면 또는 표면 상에 접촉시키는 제 1 공정과, 금속 재료에 접촉시킨 표면 처리제를 건조시켜 표면 처리 피막을 형성하는 제 2 공정을 포함하는 제조 방법.
제 3 항에 있어서,
상기 제 1 공정의 전에, 금속 재료의 표면 또는 표면 상에, 아미노기를 갖는 실란 커플링제, 그 실란 커플링제의 중합물, 또는 그 중합물과의 공중합물을 함유하는 하지 처리제를 접촉시키는 공정과, 금속 재료에 접촉시킨 하지 처리제를 건조시켜 하지 피막을 형성하는 공정을 추가로 포함하는, 제조 방법.
제 3 항에 기재된 제조 방법에 의해 얻어지는, 표면 처리 피막을 갖는 금속 재료로서,
상기 표면 처리 피막의 막두께가 10 ㎛ 이상 400 ㎛ 이하의 범위 내인, 표면 처리 피막을 갖는 금속 재료.
제 4 항에 기재된 제조 방법에 의해 얻어지는, 표면 처리 피막을 갖는 금속 재료로서,
상기 표면 처리 피막의 막두께가 10 ㎛ 이상 400 ㎛ 이하의 범위 내이고,
상기 하지 피막에 있어서의 Si 의 함유량이, SiO₂ 환산 질량으로 0.1 mg/㎡ 이상 50 mg/㎡ 이하의 범위 내인, 표면 처리 피막을 갖는 금속 재료.
금속 재료의 표면 또는 표면 상에 표면 처리 피막을 갖고,
상기 표면 처리 피막이,
실리콘 수지 (A) 와,
티탄, 백금, 로듐 및 팔라듐에서 선택되는 금속 원소를 포함하는 화합물 (B) 를 함유하고,
(I) 상기 실리콘 수지 (A) 의 함유량이, 당해 실리콘 수지 (A) 와 상기 화합물 (B) 의 전체 고형분 질량에 대하여, 90 질량％ 이상 99.9 질량％ 이하의 범위 내이고,
(II) 상기 실리콘 수지 (A) 의 질량 (A_M) 과, 상기 화합물 (B) 의 질량 (B_M) 의 비 (B_M/A_M) 이 0.001 이상 0.111 이하의 범위 내인, 표면 처리 피막을 갖는 금속 재료.
제 7 항에 있어서,
상기 금속 재료와 상기 표면 처리 피막 사이에 하지 피막을 갖고,
상기 하지 피막이, 아미노기를 갖는 실란 커플링제, 그 실란 커플링제의 중합물, 또는 그 중합물과의 공중합물을 포함하는, 표면 처리 피막을 갖는 금속 재료.
제 7 항 또는 제 8 항에 있어서,
상기 표면 처리 피막의 막두께가 10 ㎛ 이상 400 ㎛ 이하의 범위 내인, 표면 처리 피막을 갖는 금속 재료.
제 8 항에 있어서,
상기 표면 처리 피막의 막두께가 10 ㎛ 이상 400 ㎛ 이하의 범위 내이고,
상기 하지 피막에 있어서의 Si 의 함유량이, SiO₂ 환산 질량으로 0.1 mg/㎡ 이상 50 mg/㎡ 이하의 범위 내인, 표면 처리 피막을 갖는 금속 재료.
제 5 항에 있어서,
상기 금속 재료가 스테인리스강인, 표면 처리 피막을 갖는 금속 재료.