KR102405523B1 - 기판 액처리 장치 및 기판 액처리 방법 - Google Patents

기판 액처리 장치 및 기판 액처리 방법 Download PDF

Info

Publication number
KR102405523B1
KR102405523B1 KR1020170156521A KR20170156521A KR102405523B1 KR 102405523 B1 KR102405523 B1 KR 102405523B1 KR 1020170156521 A KR1020170156521 A KR 1020170156521A KR 20170156521 A KR20170156521 A KR 20170156521A KR 102405523 B1 KR102405523 B1 KR 102405523B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
substrate
unit
liquid
processing
lot
Prior art date
Application number
KR1020170156521A
Other languages
English (en)
Other versions
KR20180063823A (ko
Inventor
히로노부 햐쿠타케
Original Assignee
도쿄엘렉트론가부시키가이샤
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 filed Critical 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
Publication of KR20180063823A publication Critical patent/KR20180063823A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR102405523B1 publication Critical patent/KR102405523B1/ko

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
    • H01L21/67028—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like
    • H01L21/6704—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for wet cleaning or washing
    • H01L21/67057—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for wet cleaning or washing with the semiconductor substrates being dipped in baths or vessels
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02041—Cleaning
    • H01L21/02043—Cleaning before device manufacture, i.e. Begin-Of-Line process
    • H01L21/02052—Wet cleaning only
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
    • H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
    • H01L21/306—Chemical or electrical treatment, e.g. electrolytic etching
    • H01L21/30604—Chemical etching
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
    • H01L21/67028—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
    • H01L21/67063—Apparatus for fluid treatment for etching
    • H01L21/67075—Apparatus for fluid treatment for etching for wet etching
    • H01L21/67086—Apparatus for fluid treatment for etching for wet etching with the semiconductor substrates being dipped in baths or vessels
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/6715—Apparatus for applying a liquid, a resin, an ink or the like
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67155—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations
    • H01L21/67161—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations characterized by the layout of the process chambers
    • H01L21/67173—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations characterized by the layout of the process chambers in-line arrangement
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67155—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations
    • H01L21/67207—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations comprising a chamber adapted to a particular process
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/673—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere using specially adapted carriers or holders; Fixing the workpieces on such carriers or holders
    • H01L21/67303—Vertical boat type carrier whereby the substrates are horizontally supported, e.g. comprising rod-shaped elements
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/673—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere using specially adapted carriers or holders; Fixing the workpieces on such carriers or holders
    • H01L21/67303—Vertical boat type carrier whereby the substrates are horizontally supported, e.g. comprising rod-shaped elements
    • H01L21/67309—Vertical boat type carrier whereby the substrates are horizontally supported, e.g. comprising rod-shaped elements characterized by the substrate support
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/677—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations
    • H01L21/67703—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations between different workstations
    • H01L21/67718—Changing orientation of the substrate, e.g. from a horizontal position to a vertical position
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/677—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations
    • H01L21/67739—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations into and out of processing chamber
    • H01L21/67757—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations into and out of processing chamber vertical transfer of a batch of workpieces
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/677—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations
    • H01L21/67763—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations the wafers being stored in a carrier, involving loading and unloading
    • H01L21/67766—Mechanical parts of transfer devices
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/677—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations
    • H01L21/67763—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations the wafers being stored in a carrier, involving loading and unloading
    • H01L21/67778—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations the wafers being stored in a carrier, involving loading and unloading involving loading and unloading of wafers
    • H01L21/67781—Batch transfer of wafers

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Robotics (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • General Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)
  • Weting (AREA)
  • Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)

Abstract

기판에 대하여 처리의 치우침을 저감하는 기판 액처리 장치 및 기판 액처리 방법을 제공한다. 실시 형태에 따른 기판 액처리 장치는, 배치부와, 액처리부와, 반송부와, 회전부를 구비한다. 배치부는 외부로부터 반입된 기판이 배치된다. 액처리부는, 기판의 판면이 수평 방향과 직교하는 자세로 기판을 처리액에 침지시킴으로써, 기판을 처리한다. 반송부는 배치부와 액처리부의 사이에서 기판을 반송한다. 회전부는, 액처리부에 의해 제 1 처리가 행해진 기판을 기판의 판면에 수직인 축을 중심으로 회전시키고, 기판을 제 1 처리가 행해졌을 때와 상이한 방향으로 회전시킨다. 또한, 반송부는, 액처리부에 의해 제 1 처리가 행해진 기판을 액처리부로부터 회전부로 반송하고, 회전부에 의해 회전된 기판을 회전부로부터 액처리부로 반송한다. 또한, 액처리부는, 회전부에 의해 회전된 기판을 처리액에 침지시킴으로써 제 2 처리를 행한다.

Description

기판 액처리 장치 및 기판 액처리 방법 {SUBSTRATE LIQUID PROCESSING APPARATUS AND SUBSTRATE LIQUID PROCESSING METHOD}
개시의 실시 형태는, 기판 액처리 장치 및 기판 액처리 방법에 관한 것이다.
종래, 처리액이 저류된 처리조(槽)에 기판을 침지시킴으로써 기판을 처리하는 기판 액처리 장치가 알려져 있다(예를 들면, 특허 문헌 1 참조).
상기 기판 액처리 장치에서는, 기판의 판면(板面)이 수평 방향과 직교하는 자세(이하, 수직 자세라고 한다.)로 기판을 승강시킴으로써 에칭 처리를 행하고 있다.
일본특허공개공보 2015-056631호
그러나, 상기 기판 액처리 장치에서는, 처리조로부터 기판을 취출할 때에, 기판에 부착된 처리액이 중력에 의해 하방으로 흐르기 때문에, 기판의 상하 방향에서 처리에 편차가 발생할 우려가 있다.
실시 형태의 일 양태는, 기판에 대하여 처리의 치우침을 저감하는 것을 목적으로 한다.
실시 형태의 일 양태에 따른 기판 액처리 장치는, 배치부와, 액처리부와, 반송부와, 회전부를 구비한다. 배치부는 외부로부터 반입된 기판이 배치된다. 액처리부는, 기판의 판면이 수평 방향과 직교하는 자세로 기판을 처리액에 침지시킴으로써, 기판을 처리한다. 반송부는 배치부와 액처리부의 사이에서 기판을 반송한다. 회전부는, 액처리부에 의해 제 1 처리가 행해진 기판을 기판의 판면에 수직인 축을 중심으로 회전시키고, 기판을 제 1 처리가 행해졌을 때와 상이한 방향으로 회전시킨다. 또한, 반송부는, 액처리부에 의해 제 1 처리가 행해진 기판을 액처리부로부터 회전부에 반송하고, 회전부에 의해 회전된 기판을 회전부로부터 액처리부로 반송한다. 또한, 액처리부는 회전부에 의해 회전된 기판을 처리액에 침지시킴으로써 제 2 처리를 행한다.
실시 형태의 일 양태에 따르면, 기판에 대하여 처리의 치우침을 저감할 수 있다.
도 1은 기판 액처리 장치의 개략 평면도이다.
도 2는 에칭 처리 장치의 구성을 설명하는 개략 블록도이다.
도 3은 처리조(내조(內槽))의 개략 평면도이다.
도 4는 기판 회전부의 개략 측면도이다.
도 5는 기판 액처리 장치의 처리 공정을 설명하는 순서도이다.
도 6은 기판 회전부에 의한 복수 매의 기판의 회전을 설명하는 개략도이다.
도 7은 변형예의 기판 액처리 장치의 개략 평면도이다.
도 8은 변형예의 기판 액처리 장치의 일부를 나타내는 개략 측면도이다.
도 9는 변형예의 기판 회전부의 일부를 나타내는 단면 사시도이다.
도 10은 변형예의 기판 회전부의 개략 측면도이다.
도 11은 변형예의 기판 회전부의 개략 평면도이다.
이하에 첨부 도면을 참조하여, 본원이 개시하는 기판 액처리 장치 및 기판 액처리 방법의 실시 형태를 상세하게 설명한다. 또한, 이하에 나타내는 실시 형태에 의해 본 발명이 한정되는 것은 아니다.
도 1에 나타내는 바와 같이, 기판 액처리 장치(1)는 캐리어 반입반출부(2)와, 로트 형성부(3)와, 로트 배치부(4)와, 로트 반송부(5)와, 로트 처리부(6)와, 기판 회전부(7)와, 제어부(100)를 가진다. 도 1은 기판 액처리 장치(1)의 개략 평면도이다.
기판 액처리 장치(1)는 하나의 처리를 복수 회로 나누어 실시할 수 있다. 여기서는, 하나의 처리를 2 회의 처리로 나누어 실시하는 예에 대하여 설명하지만, 이에 한정되는 것은 아니다. 또한, 처리에 대해서는, 1 회째의 처리를 제 1 처리 및 2 회째의 처리를 제 2 처리로 하고, 구별하여 설명하는 경우가 있다. 또한, 수평 방향에 직교하는 방향을 상하 방향으로서 설명한다.
캐리어 반입반출부(2)는 복수 매(예를 들면, 25 매)의 기판(실리콘 웨이퍼)(8)을 수평 자세로 상하로 배열하여 수용한 캐리어(9)의 반입 및 반출을 행한다.
캐리어 반입반출부(2)에는 복수 개의 캐리어(9)를 배치하는 캐리어 스테이지(10)와, 캐리어(9)의 반송을 행하는 캐리어 반송 기구(11)와, 캐리어(9)를 일시적으로 보관하는 캐리어 스톡(12, 13)과, 캐리어(9)를 배치하는 캐리어 배치대(14)가 마련되어 있다.
캐리어 반입반출부(2)는, 외부로부터 캐리어 스테이지(10)로 반입된 캐리어(9)를 캐리어 반송 기구(11)를 이용하여 캐리어 스톡(12) 또는 캐리어 배치대(14)로 반송한다. 즉, 캐리어 반입반출부(2)는, 로트 처리부(6)에서 처리하기 전의 복수 매의 기판(8)을 수용하는 캐리어(9)를 캐리어 스톡(12) 또는 캐리어 배치대(14)에 반송한다.
캐리어 스톡(12)은 로트 처리부(6)에서 처리하기 전의 복수 매의 기판(8)을 수용하는 캐리어(9)를 일시적으로 보관한다.
캐리어 배치대(14)에 반송되어 로트 처리부(6)에서 처리하기 전의 복수 매의 기판(8)을 수용하는 캐리어(9)로부터는, 후술하는 기판 반송 기구(15)에 의해 복수 매의 기판(8)이 반출된다.
또한, 캐리어 배치대(14)에 배치되어 기판(8)을 수용하고 있지 않은 캐리어(9)에는, 기판 반송 기구(15)로부터 로트 처리부(6)에서 처리한 후의 복수 매의 기판(8) (제 2 처리 후의 복수 매의 기판(8))이 반입된다.
캐리어 반입반출부(2)는, 캐리어 배치대(14)에 배치되어 로트 처리부(6)에서 처리한 후의 복수 매의 기판(8)을 수용하는 캐리어(9)를, 캐리어 반송 기구(11)를 이용하여 캐리어 스톡(13) 또는 캐리어 스테이지(10)로 반송한다.
캐리어 스톡(13)은 로트 처리부(6)에서 처리한 후의 복수 매의 기판(8)을 일시적으로 보관한다.
캐리어 스테이지(10)에 반송된 캐리어(9)는 외부로 반출된다.
로트 형성부(3)에는, 복수 매(예를 들면, 25 매)의 기판(8)을 반송하는 기판 반송 기구(15)가 마련되어 있다. 로트 형성부(3)는 기판 반송 기구(15)에 의한 복수 매(예를 들면, 25 매)의 기판(8)의 반송을 2 회 행하여, 복수 매(예를 들면, 50 매)의 기판(8)으로 이루어지는 로트를 형성한다. 기판 반송 기구(15)는 반송부를 구성한다.
로트 형성부(3)는 기판 반송 기구(15)를 이용하여 캐리어 배치대(14)에 배치된 캐리어(9)로부터 로트 배치부(4)로 복수 매의 기판(8)(제 1 처리 전의 복수 매의 기판(8))을 반송하고 복수 매의 기판(8)을 로트 배치부(4)에 배치함으로써, 로트를 형성한다.
또한, 로트 형성부(3)는 기판 반송 기구(15)를 이용하여, 기판 회전부(7)로부터 로트 배치부(4)로 복수 매의 기판(8)(제 2 처리 전의 복수 매의 기판(8))을 반송하고 복수 매의 기판(8)을 로트 배치부(4)에 배치함으로써, 로트를 형성한다.
또한, 캐리어(9)에 수용된 복수 매의 기판(8)을 조합하여 형성된 로트에 있어서의 기판(8)의 방향과 기판 회전부(7)로부터 반송된 복수 매의 기판(8)을 조합하여 형성된 로트에 있어서의 기판(8)의 방향은, 기판(8)의 판면에 수직인 축을 중심으로 180도 상이하다.
로트를 형성하는 복수 매의 기판(8)은 로트 처리부(6)에 의해 동시에 처리된다.
로트를 형성할 때에는, 복수 매의 기판(8)의 표면에 패턴이 형성되어 있는 면을 서로 대향하도록 로트를 형성해도 되고, 또한, 복수 매의 기판(8)의 표면에 패턴이 형성되어 있는 면이 모두 일방을 향하도록 로트를 형성해도 된다.
또한, 로트 형성부(3)는, 제 1 처리가 행해져 로트 배치부(4)에 배치된 로트로부터 기판 반송 기구(15)를 이용하여 복수 매의 기판(8)을 기판 회전부(7)로 반송한다.
로트 형성부(3)는, 제 2 처리가 행해져 로트 배치부(4)에 배치된 로트로부터, 기판 반송 기구(15)를 이용하여 복수 매의 기판(8)을 캐리어(9)로 반송한다.
기판 반송 기구(15)는, 복수 매의 기판(8)을 지지하기 위한 기판 지지부로서, 제 1 처리 전의 복수 매의 기판(8)(캐리어(9)로부터 반송되는 복수 매의 기판(8))을 지지하는 처리 전 기판 지지부와, 처리(제 1 처리 또는 제 2 처리) 후의 복수 매의 기판(8)을 지지하는 처리 후 기판 지지부 2 종류를 가지고 있다. 이에 따라, 제 1 처리 전의 복수 매의 기판(8) 등에 부착된 파티클 등이 처리 후의 복수 매의 기판(8) 등에 옮겨 부착되는 것을 방지할 수 있다.
기판 반송 기구(15)는 복수 매의 기판(8)의 반송 도중에, 복수 매의 기판(8)의 자세를 수평 자세로부터 수직 자세 및 수직 자세로부터 수평 자세로 변경한다.
로트 배치부(4)는 로트 반송부(5)에 의해 로트 형성부(3)와 로트 처리부(6)의 사이에서 반송되는 로트를 로트 배치대(16)에 일시적으로 배치(대기)시킨다.
로트 배치부(4)에는 반입측 로트 배치대(17)와 반출측 로트 배치대(18)가 마련되어 있다.
반입측 로트 배치대(17)에는 제 1 처리 전의 로트 및 제 2 처리 전의 로트가 배치된다. 즉, 반입측 로트 배치대(17)에는 캐리어(9)로부터 기판 반송 기구(15)에 의해 반송된 복수 매의 기판(8)에 의해 형성된 로트 및 기판 회전부(7)로부터 기판 반송 기구(15)에 의해 반송된 복수 매의 기판(8)에 의해 형성된 로트가 배치된다.
반출측 로트 배치대(18)에는 제 1 처리 후의 로트 및 제 2 처리 후의 로트가 배치된다. 즉, 반출측 로트 배치대(18)에는 후술하는 로트 반송 기구(19)에 의해 반송된 복수 매의 기판(8)에 의해 형성된 로트가 배치된다.
반입측 로트 배치대(17) 및 반출측 로트 배치대(18)에는 1 로트분의 복수 매의 기판(8)이 수직 자세로 전후로 배열되어 배치된다.
로트 반송부(5)는, 로트 배치부(4)와 로트 처리부(6)의 사이 및 로트 처리부(6)의 내부간에서 로트의 반송을 행한다.
로트 반송부(5)에는 로트의 반송을 행하는 로트 반송 기구(19)가 마련되어 있다. 로트 반송 기구(19)는 로트 배치부(4)와 로트 처리부(6)를 따르게 하여 배치된 레일(20)과, 로트를 유지하면서 레일(20)을 따라 이동하는 이동체(21)를 가진다. 로트 반송부(5)는 반송부를 구성한다.
이동체(21)에는 수직 자세로 전후로 배열된 복수 매의 기판(8)에서 형성되는 로트를 유지하는 기판 유지체(22)가 마련되어 있다.
로트 반송부(5)는 반입측 로트 배치대(17)에 배치된 로트를 로트 반송 기구(19)의 기판 유지체(22)로 수취하고, 수취한 로트를 로트 처리부(6)에 전달한다.
또한, 로트 반송부(5)는 로트 처리부(6)에서 처리된 로트를 로트 반송 기구(19)의 기판 유지체(22)로 수취하고, 수취한 로트를 반출측 로트 배치대(18)에 전달한다.
또한, 로트 반송부(5)는 로트 반송 기구(19)를 이용하여 로트 처리부(6)의 내부에 있어서 로트의 반송을 행한다.
로트 처리부(6)는 수직 자세로 전후로 배열된 복수 매의 기판(8)으로 형성된 로트에 에칭, 세정 및 건조 등의 처리를 행한다. 로트 처리부(6)는 처리를 제 1 처리와, 제 2 처리로 나누어 2 회 행한다.
로트 처리부(6)에는, 로트에 에칭 처리를 행하는 2 대의 에칭 처리 장치(23)와, 로트의 세정 처리를 행하는 세정 처리 장치(24)와, 기판 유지체(22)의 세정 처리를 행하는 기판 유지체 세정 처리 장치(25)와, 로트의 건조 처리를 행하는 건조 처리 장치(26)가 배열되어 마련되어 있다.
에칭 처리 장치(23)는 에칭용의 처리조(27)와, 린스용의 처리조(28)와, 기판 승강 기구(29, 30)를 가진다.
에칭용의 처리조(27)에는 에칭용의 처리액(인산 수용액)이 저류된다. 린스용의 처리조(28)에는 린스용의 처리액(순수 등)이 저류된다.
기판 승강 기구(29, 30)에는 로트를 형성하는 복수 매의 기판(8)이 수직 자세로 전후로 배열되어 유지된다.
에칭 처리 장치(23)는 로트 반송 기구(19)의 기판 유지체(22)로부터 로트를 기판 승강 기구(29)로 수취하고, 수취한 로트를 기판 승강 기구(29)로 강하시킴으로써 로트를 처리조(27)의 에칭용의 처리액에 침지시켜 에칭 처리를 행한다.
그 후, 에칭 처리 장치(23)는 기판 승강 기구(29)를 상승시킴으로써 로트를 처리조(27)로부터 취출하고, 기판 승강 기구(29)로부터 로트 반송 기구(19)의 기판 유지체(22)로 로트를 전달한다.
그리고, 로트 반송 기구(19)의 기판 유지체(22)로부터 로트를 기판 승강 기구(30)로 수취하고, 수취한 로트를 기판 승강 기구(30)로 강하시킴으로써 로트를 처리조(28)의 린스용의 처리액에 침지시켜 린스 처리를 행한다.
그 후, 에칭 처리 장치(23)는 기판 승강 기구(30)를 상승시킴으로써 로트를 처리조(28)로부터 취출하고, 기판 승강 기구(30)로부터 로트 반송 기구(19)의 기판 유지체(22)로 로트를 전달한다.
여기서, 에칭 처리 장치(23)에 대하여, 도 2를 이용하여 상세하게 설명한다. 도 2는 에칭 처리 장치(23)의 구성을 설명하는 개략 블록도이다.
에칭 처리 장치(23)는 처리조(27)와, 인산 수용액 공급부(40)와, 순수 공급부(41)와, 실리콘 공급부(42)와, 인산 수용액 배출부(43)를 가진다.
처리조(27)에서는, 정해진 농도의 약제(인산)의 수용액(인산 수용액)을 처리액(에칭액)으로서 이용하여 로트(복수 매의 기판(8))가 액처리(에칭 처리)된다.
처리조(27)는 상부를 개방시킨 내조(27A)와, 내조(27A)의 상부 주위에 마련됨과 함께 상부를 개방시킨 외조(外槽)(27B)를 가진다. 외조(27B)에는 내조(27A)로부터 오버 플로우된 인산 수용액이 유입된다.
외조(27B)의 바닥부에는 순환 라인(50)의 일단이 접속되어 있다. 순환 라인(50)의 타단은 내조(27A) 내에 설치된 처리액 공급 노즐(49)에 접속되어 있다. 순환 라인(50)에는, 상류측으로부터 차례로, 펌프(51), 히터(52) 및 필터(53)가 개재되어 있다. 펌프(51)를 구동시킴으로써 외조(27B)로부터 순환 라인(50) 및 처리액 공급 노즐(49)을 거쳐 내조(27A) 내로 보내져 다시 외조(27B)로 유출되는, 인산 수용액의 순환류가 형성된다.
처리조(27), 순환 라인(50) 및 순환 라인(50) 내의 기기(51, 52, 53 등)에 의해 액처리부(39)가 형성된다. 또한, 처리조(27) 및 순환 라인(50)에 의해 순환계가 구성된다.
처리조(27)에는 기판 승강 기구(29)에 의해 로트가 침지된다. 기판 승강 기구(29)는 복수 매의 기판(8)을 수직 자세로 수평 방향으로 간격을 두고 배열시킨 상태로 유지할 수 있고, 또한 이 상태에서 승강할 수 있다.
처리액 공급 노즐(49)은, 도 3에 나타내는 바와 같이, 복수 매의 기판(8)의 배열 방향으로 연장되는 통 형상체의 둘레면에 복수의 토출구(49a)를 형성하여 구성된다. 도 3은 처리조(27)(내조(27A))의 개략 평면도이다.
처리액 공급 노즐(49)은, 처리조(27)의 바닥부측에 마련되고, 복수의 토출구(49a)로부터 기판 승강 기구(29)에 유지된 로트를 향해 처리액을 토출한다. 이에 따라, 처리조(27)에서는 인산 수용액이 처리조(27)의 하방으로부터 상방을 향해 흐르는 업 플로우가 발생한다. 처리조(27)에서는, 복수의 토출구(49a)로부터 토출된 처리액이 기판(8)의 판면을 따라 흐른다. 이 때문에, 각 기판(8)의 하방측을 흐르는 처리액의 유속은 각 기판(8)의 상방측을 흐르는 처리액의 유속보다 커진다.
인산 수용액 공급부(40)는 처리조(27) 및 순환 라인(50)으로 이루어지는 순환계 내, 즉 액처리부(39) 내의 어느 부위, 바람직하게는 도시한 바와 같이 외조(27B)에 정해진 농도의 인산 수용액을 공급한다.
인산 수용액 공급부(40)는 인산 수용액을 저류하는 탱크로 이루어지는 인산 수용액 공급원(40A)과, 인산 수용액 공급원(40A)과 외조(27B)를 접속하는 인산 수용액 공급 라인(40B)과, 인산 수용액 공급 라인(40B)에 상류측으로부터 차례로 개재된 유량계(40C), 유량 제어 밸브(40D) 및 개폐 밸브(40E)를 가지고 있다. 인산 수용액 공급부(40)는 유량계(40C) 및 유량 제어 밸브(40D)를 개재하여, 제어된 유량으로, 인산 수용액을 외조(27B)에 공급할 수 있다.
순수 공급부(41)는 인산 수용액을 가열함으로써 증발한 수분을 보급하기 위해 액처리부(39)에 순수를 공급한다. 순수 공급부(41)는 정해진 온도의 순수를 공급하는 순수 공급원(41A)을 포함한다. 순수 공급원(41A)은 외조(27B)에 유량 조절기(41B)를 개재하여 접속되어 있다. 유량 조절기(41B)는 개폐 밸브, 유량 제어 밸브, 유량계 등으로 구성된다.
실리콘 공급부(42)는 액처리부(39)에 실리콘 용액을 공급한다. 실리콘 공급부(42)는 실리콘 용액 예를 들면 콜로이드성 실리콘을 분산시킨 액을 저류하는 탱크로 이루어지는 실리콘 공급원(42A)과, 유량 조절기(42B)를 가지고 있다. 유량 조절기(42B)는 개폐 밸브, 유량 제어 밸브, 유량계 등으로 구성할 수 있다.
인산 수용액 배출부(43)는 처리조(27) 및 순환 라인(50)으로 이루어지는 순환계 내, 즉 액처리부(39) 내에 있는 인산 수용액을 배출한다. 인산 수용액 배출부(43)는 순환 라인(50)으로부터 분기되는 배출 라인(43A)과, 배출 라인(43A)에 상류측으로부터 순차 마련된 유량계(43B), 유량 제어 밸브(43C), 개폐 밸브(43D) 및 냉각 탱크(43E)를 가진다. 인산 수용액 배출부(43)는 유량계(43B) 및 유량 제어 밸브(43C)를 통하여, 제어된 유량으로 인산 수용액을 배출한다.
냉각 탱크(43E)는 배출 라인(43A)을 흘러 나온 인산 수용액을 일시적으로 저류함과 함께 냉각한다. 냉각 탱크(43E)로부터 유출된 인산 수용액(부호 43F를 참조)은 공장 폐액계(廢液系)(도시 생략)에 폐기해도 되고, 당해 인산 수용액 중에 포함되는 실리콘을 재생 장치(도시 생략)에 의해 제거한 후에 인산 수용액 공급원(40A)으로 보내 재이용해도 된다.
배출 라인(43A)은, 순환 라인(50)(도면에서는 필터 드레인의 위치)에 접속되어 있지만, 이에 한정되지 않고, 순환계 내의 다른 부위, 예를 들면 내조(27A)의 바닥부에 접속되어 있어도 된다.
배출 라인(43A)에는 인산 수용액 중의 실리콘 농도를 측정하는 실리콘 농도계(43G)가 마련되어 있다. 또한, 순환 라인(50)으로부터 분기되어 외조(27B)에 접속된 분기 라인(55A)에는 인산 수용액 중의 인산 농도를 측정하는 인산 농도계(55B)가 개재되어 있다. 외조(27B)에는 외조(27B) 내의 액위(液位)를 검출하는 액위계(44)가 마련되어 있다.
도 1로 되돌아가, 세정 처리 장치(24)는 세정용의 처리조(31)와, 린스용의 처리조(32)와, 기판 승강 기구(33, 34)를 가진다.
세정용의 처리조(31)에는 세정용의 처리액(SC-1 등)이 저류된다. 린스용의 처리조(32)에는 린스용의 처리액(순수 등)이 저류된다.
기판 승강 기구(33, 34)에는, 1 로트분의 복수 매의 기판(8)이 수직 자세로 전후로 배열되어 유지된다.
세정 처리 장치(24)는 상기한 에칭 처리 장치(23)와 동일한 구성이며, 여기서의 상세한 설명은 생략한다. 세정 처리 장치(24)의 세정용의 처리조(31)에서는, 에칭 처리 장치(23)의 에칭용의 처리조(27)와 마찬가지로, 처리액이 처리조(31)의 하방으로부터 상방을 향해 흐르는 업 플로우가 발생한다.
건조 처리 장치(26)는 처리조(35)와, 처리조(35)에 대하여 상승하는 기판 승강 기구(36)를 가진다.
처리조(35)에는 건조용의 처리 가스(IPA(이소프로필알코올) 등)이 공급된다. 기판 승강 기구(36)에는 1 로트분의 복수 매의 기판(8)이 수직 자세로 전후로 배열되어 유지된다.
건조 처리 장치(26)는 로트 반송 기구(19)의 기판 유지체(22)로부터 로트를 기판 승강 기구(36)로 수취하고, 수취한 로트를 기판 승강 기구(36)로 강하시켜 처리조(35)에 반입하여, 처리조(35)에 공급한 건조용의 처리 가스로 로트의 건조 처리를 행한다. 그리고, 건조 처리 장치(26)는 기판 승강 기구(36)로 로트를 상승시키고, 기판 승강 기구(36)로부터 로트 반송 기구(19)의 기판 유지체(22)에 건조 처리를 행한 로트를 전달한다.
기판 유지체 세정 처리 장치(25)는 처리조(37)를 가지고, 처리조(37)에 세정용의 처리액 및 건조 가스를 공급할 수 있도록 되어 있으며, 로트 반송 기구(19)의 기판 유지체(22)에 세정용의 처리액을 공급한 후, 건조 가스를 공급함으로써 기판 유지체(22)의 세정 처리를 행한다.
기판 회전부(7)는 로트 형성부(3) 내에 배치된다. 기판 회전부(7)는 도 4에 나타내는 바와 같이, 케이스(60)와 지지부(61)를 가진다. 도 4는 기판 회전부(7)의 개략 측면도이다. 기판 회전부(7)를 로트 형성부(3) 내에 배치하고, 예를 들면, 종래의 기판 액처리 장치의 로트 형성부 내의 빈 스페이스에 배치한다. 이에 따라, 기판 액처리 장치(1)를 대형화하지 않고, 기판 회전부(7)를 마련할 수 있다.
케이스(60)는 상면부(60a)와, 하면부(60b)와, 측면부(60c)를 가진다. 케이스(60)는 마주 보는 한 쌍의 측면부(60c)를 가진다. 즉, 케이스(60)는 한 쌍의 측면에 개구부(62)를 가지는 각통(角筒) 형상으로 형성된다. 케이스(60)는 복수 매의 기판(8)(예를 들면, 25 매)을 수용한다.
지지부(61)는 각 측면부(60c)의 내벽에 마련된다. 케이스(60)는, 각 측면부(60c)에 마련되어 마주 보는 한 쌍의 지지부(61)에 의해 기판(8)의 하면을 지지한다. 한 쌍의 지지부(61)는 상하 방향에서 동일한 위치가 되도록 마련된다. 한 쌍의 지지부(61)는, 기판 반송 기구(15)에 의해 반입되는 복수 매의 기판(8)을 수용하도록, 복수(예를 들면, 25 개) 마련된다. 한 쌍의 지지부(61)는 상하 방향으로 등간격으로 배열되어 배치된다.
지지부(61)는, 기판 반송 기구(15)에 의해 복수 매의 기판(8)이 케이스(60)에 반입되고 또한 케이스(60)로부터 반출될 때에, 기판 반송 기구(15)에 접촉하지 않도록 마련된다.
기판 회전부(7)는 지지부(61)에 의해 복수 매의 기판(8)을 수평 자세로 유지하여 수용한다. 기판 회전부(7)는, 모터 및 인코더 등의 구동부(도시 생략)에 의해, 기판(8)의 판면에 수직인 축, 즉, 상하 방향의 축을 중심으로 회전한다. 기판 회전부(7)는 정해진 저회전 속도로 회전한다. 정해진 저회전 속도는 미리 설정된 회전 속도이며, 회전 중에 복수 매의 기판(8)의 위치가 지지부(61)에 대하여 어긋나지 않는 회전 속도이다.
이와 같이, 기판 회전부(7)에서는 복수 매의 기판(8)을 수용하는 케이스(60)가 회전함으로써, 복수 매의 기판(8)이 케이스(60)와 함께 회전한다.
기판 회전부(7)에는 제 1 처리가 행해진 복수 매의 기판(8)이 기판 반송 기구(15)에 의해 개구부(62)로부터 반입되어, 각 한 쌍의 지지부(61)에 기판(8)이 각각 배치된다. 기판 회전부(7)는 각 한 쌍의 지지부(61)에 의해 기판(8)이 각각 지지된 상태에서 180도 회전한다. 그리고, 회전된 복수 매의 기판(8)은 반입된 개구부(62)와는 반대측의 개구부(62)로부터 기판 반송 기구(15)에 의해 반출된다. 기판 회전부(7)에서는 복수 매의 기판(8)이 동일한 방향으로부터 반입 및 반출되도록 개구부(62)가 형성된다.
기판 회전부(7)에 의해 복수 매의 기판(8)을 회전시킴으로써, 기판 반송 기구(15)에 의해 기판 회전부(7)로부터 반출되는 복수 매의 기판(8)의 방향은 기판 반송 기구(15)에 의해 기판 회전부(7)에 반입된 복수 매의 기판(8)의 방향에 대하여 180도 상이하다. 즉, 기판 회전부(7)는 복수 매의 기판(8)을 제 1 처리가 행해졌을 때와 180도 상이한 방향으로 회전시킨다.
제어부(100)는 기판 액처리 장치(1)의 각 부(캐리어 반입반출부(2), 로트 형성부(3), 로트 배치부(4), 로트 반송부(5), 로트 처리부(6), 기판 회전부(7))의 동작을 제어한다. 제어부(100)는 스위치 등으로부터의 신호에 의거하여 기판 액처리 장치(1)의 각 부의 동작을 제어하고, 하나의 처리를 복수 회로 나누어 실시시킬 수 있다. 또한, 제어부(100)는, 스위치 등으로부터의 신호에 의거하여 기판 액처리 장치(1)의 각부의 동작을 제어하여, 하나의 처리를 1 회로 실시시킬 수도 있다.
제어부(100)는, 예를 들면 컴퓨터로 이루어지고, 컴퓨터로 판독 가능한 기억 매체(38)를 가진다. 기억 매체(38)에는 기판 액처리 장치(1)에 있어서 실행되는 각종의 처리를 제어하는 프로그램이 저장된다.
제어부(100)는 기억 매체(38)에 기억된 프로그램을 독출하여 실행함으로써 기판 액처리 장치(1)의 동작을 제어한다. 또한, 프로그램은 컴퓨터에 의해 판독 가능한 기억 매체(38)에 기억되어 있던 것으로서, 다른 기억 매체로부터 제어부(100)의 기억 매체(38)에 인스톨된 것이어도 된다.
컴퓨터에 의해 판독 가능한 기억 매체(38)로서는, 예를 들면 하드 디스크(HD), 플렉시블 디스크(FD), 콤팩트 디스크(CD), 마그넷 옵티컬 디스크(MO), 메모리 카드 등이 있다.
이어서, 기판 액처리 장치(1)에 있어서의 처리 공정에 대해서 도 5의 순서도를 이용하여 설명한다. 도 5는 기판 액처리 장치(1)의 처리 공정을 설명하는 순서도이다.
기판 액처리 장치(1)는 기판 반송 기구(15)에 의해 2 개의 캐리어(9)로부터 복수 매의 기판(8)을 각각 취출하고, 각 캐리어(9)에 수용된 복수 매(예를 들면, 25 매)의 기판(8)에 의해 로트(예를 들면, 50 매의 기판)를 형성한다(단계 S1).
구체적으로는, 기판 반송 기구(15)가 캐리어 배치대(14)에 배치된 캐리어(9)로부터 복수 매의 기판(8)을 취출하고, 취출한 복수 매의 기판(8)의 자세를 수평 자세로부터 수직 자세로 변경하여, 복수 매의 기판(8)을 반입측 로트 배치대(17)에 배치한다.
그리고, 기판 반송 기구(15)가 다시 캐리어 배치대(14)에 배치된 다른 캐리어(9)로부터 복수 매의 기판(8)을 취출하여, 반입측 로트 배치대(17)에 배치한다. 또한, 이 때, 기판 반송 기구(15)는 이미 배치된 기판(8)의 사이에, 새롭게 기판(8)을 배치한다. 이와 같이 하여 로트가 형성된다.
기판 액처리 장치(1)는, 반입측 로트 배치대(17)에 형성된 로트에 대하여, 제 1 처리의 에칭을 행한다(단계(S2)).
구체적으로는, 로트 반송 기구(19)의 기판 유지체(22)가 반입측 로트 배치대(17)에 형성된 로트를 수취하고, 수취한 로트를 로트 반송 기구(19)의 이동체(21)가 에칭 처리 장치(23)의 처리조(27) 앞까지 반송한다. 그리고, 기판 승강 기구(29)가 반송된 로트를 수취하여, 제 1 처리의 에칭 처리를 행한다.
제 1 처리의 에칭 처리는 정해진 처리 조건으로 행해진다. 정해진 처리 조건은 미리 설정된 조건이며, 처리조(27)에 침지되는 침지 시간, 처리액의 온도, 처리액의 농도, 처리액의 유량 등이다. 또한, 침지 시간은 한 번의 처리로 에칭 처리를 종료시키는 경우의 절반의 시간으로 설정된다. 로트를 형성하는 복수 매의 기판(8)은 수직 자세로 유지되어 처리조(27)에 침지된다.
에칭 처리가 종료되면, 기판 유지체(22)가 로트를 수취하고 수취한 로트를 이동체(21)가 처리조(28) 앞까지 반송한다. 그리고, 기판 승강 기구(30)가 반송된 로트를 수취하여, 제 1 처리의 린스 처리를 행한다.
린스 처리는, 에칭 처리를 행한 로트를 처리조(28)에 침지함으로써 행해진다. 또한, 처리조(28)에 침지하는 시간을 한 번의 처리로 에칭 처리를 행하는 경우보다 짧게 해도 된다.
기판 액처리 장치(1)는, 제 1 처리의 에칭을 행한 로트에 대하여 제 1 처리의 세정을 행한다(단계(S3)).
구체적으로는, 린스 처리가 종료되면, 기판 유지체(22)가 로트를 수취하고, 수취한 로트를 이동체(21)가 세정 처리 장치(24)의 처리조(31) 앞까지 반송한다. 그리고, 세정 처리 장치(24)에 있어서, 제 1 처리의 세정 처리 및 제 1 처리의 린스 처리가 행해진다.
또한, 세정 처리에 의해 처리조(31)에 침지하는 시간 및 린스 처리에 의해 처리조(32)에 로트를 침지하는 시간을, 한 번의 처리로 에칭 처리를 행하는 경우보다 짧게 해도 된다.
기판 액처리 장치(1)는 제 1 처리의 세정을 행한 로트에 대하여 제 1 처리의 건조를 행한다(단계(S4)).
구체적으로는, 린스 처리가 종료되면 기판 유지체(22)가 로트를 수취하고, 수취한 로트를 이동체(21)가 건조 처리 장치(26) 앞까지 반송한다. 그리고, 건조 처리 장치(26)에 있어서, 제 1 처리의 건조가 행해진다.
기판 액처리 장치(1)는 건조 처리를 행한 로트를 반출측 로트 배치대(18)에 배치한다(단계(S5)).
또한, 캐리어(9)로부터 기판 반송 기구(15)에 의해 복수 매의 기판(8)이 취출된 후 로트가 반출측 로트 배치대(18)에 배치되기 까지의 동안에, 각 기판(8)은 기판(8)의 판면에 수직인 축을 중심으로 회전하지 않는다.
기판 액처리 장치(1)는, 반출측 로트 배치대(18)에 배치된 로트 중에서 복수 매의 기판(8)을 기판 반송 기구(15)에 의해 취출하여, 기판 회전부(7)에 반입한다(단계(S6)). 기판 반송 기구(15)는 취출한 복수 매의 기판(8)의 자세를 수직 자세로부터 수평 자세로 변경하고, 복수 매의 기판(8)을 기판 회전부(7)에 반입한다.
또한, 기판 반송 기구(15)에 의해 복수 매의 기판(8)을 취출할 때, 기판 반송 기구(15)에 의해 복수 매의 기판(8)을 반송하고 있는 동안 및 복수 매의 기판(8)을 기판 회전부(7)에 반입할 때에, 각 기판(8)은 기판(8)의 판면에 수직인 축을 중심으로 회전하지 않는다.
기판 액처리 장치(1)는 기판 회전부(7)를 회전시킨다(단계 S7).
구체적으로는, 기판 액처리 장치(1)는 복수 매의 기판(8)이 기판 반송 기구(15)에 의해 개구부(62)로부터 반입된 상태(도 6의 (a))의 케이스(60)를 기판(8)의 판면에 수직인 축을 중심으로 회전시켜(도 6의 (b)) 복수 매의 기판(8)이 기판 반송 기구(15)에 반입된 상태로부터 180도 회전된 상태(도 6의 (ｃ))로 한다. 도 6은 기판 회전부(7)에 의한 복수 매의 기판(8)의 회전을 설명하는 개략도이다. 도 6에서는, 설명을 위해 기판(8)에 표지를 나타내고, 반입 방향 및 반출 방향을 화살표로 나타내고 있다.
기판 액처리 장치(1)는 기판 회전부(7)에 의해 회전시킨 복수 매의 기판(8)을 기판 반송 기구(15)에 의해 기판 회전부(7)로부터 반출하고, 반입측 로트 배치대(17)에 배치한다(단계(S8)). 기판 반송 기구(15)는 복수 매의 기판(8)의 자세를 수평 자세로부터 수직 자세로 변경하고, 복수 매의 기판(8)을 반입측 로트 배치대(17)에 배치한다. 또한, 기판 반송 기구(15)는 기판 회전부(7)로부터 복수 매의 기판(8)을 반출할 때에, 반입 시와 동일한 방향에서 복수 매의 기판(8)을 반출한다.
기판 액처리 장치(1)는, 반출측 로트 배치대(18)에 배치된 나머지의 복수 매의 기판(8)을 기판 반송 기구(15)에 의해 반출하여, 기판 회전부(7)에 반입한다(단계(S9)).
기판 반송 기구(15)는 복수 매의 기판(8)의 자세를 수직 자세로부터 수평 자세로 변경하고, 복수 매의 기판(8)을 기판 회전부(7)에 반입한다.
기판 액처리 장치(1)는 기판 회전부(7)를 회전시킨다(단계(S10)). 구체적인 회전 방법은 상기 방법(단계(S7))과 동일하다.
기판 액처리 장치(1)는 기판 회전부(7)에 의해 회전시킨 복수 매의 기판(8)을 기판 반송 기구(15)에 의해 기판 회전부(7)로부터 반출하고, 반입측 로트 배치대(17)에 배치하여, 로트를 형성한다(단계(S11)). 기판 반송 기구(15)는 복수 매의 기판(8)의 자세를 수평 자세로부터 수직 자세로 변경하고, 복수 매의 기판(8)을 반입측 로트 배치대(17)에 배치하여 로트를 형성한다. 기판(8)의 배치 방법, 즉 로트의 형성 방법은, 상기 방법(단계(S1))과 동일하다.
여기서 형성되는 로트에 포함되는 각 기판(8)은, 제 1 처리 전의 로트에 포함되는 각 기판(8)에 대하여, 기판(8)의 판면에 수직인 축을 중심으로 180도 회전한 상태, 즉, 상하 방향이 반전된 상태로 되어 있다.
또한, 기판 반송 기구(15)에 의해 기판 회전부(7)로부터 복수 매의 기판(8)을 반출할 때, 기판 반송 기구(15)에 의해 복수 매의 기판(8)을 반송하고 있는 동안 및 복수 매의 기판(8)을 반입측 로트 배치대(17)에 배치할 때에, 각 기판(8)은 기판(8)의 판면에 수직인 축을 중심으로 회전하지 않는다.
기판 액처리 장치(1)는, 반입측 로트 배치대(17)에 형성된 로트에 대하여, 제 2 처리의 에칭을 행한다(단계(S12)).
구체적으로는, 기판 유지체(22)가 반입측 로트 배치대(17)에 형성된 로트를 수취하고, 이동체(21)가 에칭 처리 장치(23)의 처리조(27) 앞까지 반송한다. 그리고, 기판 승강 기구(29)가 반송된 로트를 수취하여, 제 2 처리의 에칭 처리를 행한다.
제 2 처리의 에칭 처리는 제 1 처리의 에칭 처리와 동일한 정해진 처리 조건으로 행해진다. 로트를 형성하는 복수 매의 기판(8)은 수직 자세로 유지되어, 처리조(27)에 침지된다. 또한, 각 기판(8)은 제 1 처리 시의 상태로부터 상하 방향으로 반전된 상태로 처리조(27)에 침지된다.
또한, 제 2 처리의 에칭 처리는, 제 1 처리의 에칭 처리를 행한 에칭 처리 장치(23)와 동일한 처리 장치에서 행해진다.
또한, 반입측 로트 배치대(17)에 배치된 후 처리조(27)에 침지되기까지의 동안에, 각 기판(8)은 기판(8)의 판면에 수직인 축을 중심으로 회전하지 않는다.
에칭 처리가 종료되면, 기판 유지체(22)가 로트를 수취하고, 수취한 로트를 이동체(21)가 처리조(28) 앞까지 반송한다. 그리고, 기판 승강 기구(30)가 반송된 로트를 수취하여, 제 2 처리의 린스 처리를 행한다.
기판 액처리 장치(1)는 제 2 처리의 에칭을 행한 로트에 대하여 제 2 처리의 세정을 행한다(단계(S13)). 제 2 처리의 세정은 제 1 처리의 세정(단계(S3))과 동일하다.
기판 액처리 장치(1)는 제 2 처리의 세정을 행한 로트에 대하여, 제 2 처리의 건조를 행한다(단계(S14)). 제 2 처리의 건조는 제 1 처리의 건조(단계(S4))와 동일하다.
기판 액처리 장치(1)는 건조 처리를 행한 로트를 반출측 로트 배치대(18)에 배치한다(단계(S15)).
기판 액처리 장치(1)는, 반출측 로트 배치대(18)에 배치된 로트로부터 기판 반송 기구(15)에 의해 복수 매의 기판(8)을 반출하고, 캐리어 배치대(14)에 배치된 캐리어(9)에 복수 매의 기판(8)을 반입한다(단계(S16)). 또한, 캐리어(9)를 교체함으로써, 2 개의 캐리어(9)에 복수 매의 기판(8)이 반입된다.
이와 같이 하여, 처리가 행해진 복수 매의 기판(8)을 수용한 캐리어(9)는 캐리어 반송 기구(11)를 이용하여 캐리어 스톡(13) 또는 캐리어 스테이지(10)에 반송되고, 캐리어 스테이지(10)에 반송된 캐리어(9)는 외부로 반출된다.
이어서, 본 실시 형태의 효과에 대하여 설명한다.
각 기판을 수직 자세로 에칭용의 처리조에 침지시켜 에칭 처리를 행하는 경우, 처리조로부터 로트를 취출하여 린스용의 처리조까지 반송할 때에, 각 기판에 부착된 처리액이 중력에 의해 하방으로 흐르므로, 각 기판의 상하 방향에 있어서, 액막에 치우침이 발생하여, 처리에 치우침이 발생할 우려가 있다.
또한, 처리조에서 기판의 판면을 따라 처리액이 토출되고, 예를 들면, 처리조에서 하방으로부터 상방을 향해 처리액이 토출되면, 기판의 하방측의 처리액의 유속이 상방측의 처리액의 유속보다 커, 상하 방향으로 처리에 치우침이 발생할 우려가 있다.
본 실시 형태에서는, 제 1 처리 후에 기판 회전부(7)에 의해 복수 매의 기판(8)을 기판(8)의 판면에 수직인 축을 중심으로 회전시키고, 제 2 처리 시와 제 1 처리 시에서 각 기판(8)을 상이한 방향으로 처리조(27)에 침지시켜 각 기판(8)에 에칭 처리를 행한다. 이에 따라, 기판(8)에 대하여 처리의 치우침을 저감할 수 있다.
기판 회전부(7)에 의해 복수 매의 기판(8)을 기판(8)의 판면에 수직인 축을 중심으로 180도 회전시킴으로써, 기판(8)에 대하여 처리의 치우침을 저감할 수 있다.
또한, 적은 처리 횟수로 기판(8)에 대하여 처리의 치우침을 저감함과 함께, 전체의 처리 시간이 길어지는 것을 억제할 수 있다.
복수 매의 기판(8)을 케이스(60)에 수용하고, 복수 매의 기판(8)을 수용한 상태에서 케이스(60)를 회전시켜 복수 매의 기판(8)을 회전시킨다. 또한, 기판 반송 기구(15)에 의해 동일한 방향으로부터 복수 매의 기판(8)을 케이스(60)에 반입 및 케이스(60)로부터 반출하도록 케이스(60)에 개구부(62)를 형성한다. 이에 따라, 기존의 기판 액처리 장치에 간이한 회전 기구를 추가함으로써, 복수 매의 기판(8)을 회전시킬 수 있어 기판(8)에 대하여 처리의 치우침을 저감할 수 있다.
건조 처리 장치(26)에 의해 건조시킨, 복수 매의 기판(8)을 기판 회전부(7)에 반송한다. 이에 따라, 기판 회전부(7) 및 기판 반송 기구(15)가 젖는 것을 방지할 수 있다.
제 1 처리 및 제 2 처리를 동일한 처리 조건으로 행한다. 이에 따라, 제 1 처리 및 제 2 처리에서, 처리에 차이가 발생하는 것을 억제하여, 기판(8)에 대하여 처리의 치우침을 저감할 수 있다.
처리조(27)에 따라서는, 각 처리조(27)를 구성하는 부재의 영향에 의해, 동일한 처리 조건으로 에칭 처리를 행한 경우라도 처리에 차이가 발생하는 경우가 있다. 본 실시 형태에서는, 동일한 기판(8)에 대하여, 제 1 처리 및 제 2 처리를 동일한 처리조(27)에서 행한다. 이에 따라, 제 1 처리 및 제 2 처리에서, 처리에 차이가 발생하는 것을 억제하여 기판(8)에 대하여 처리의 치우침을 저감할 수 있다.
이어서, 본 실시 형태의 변형예에 대하여 설명한다.
상기 실시 형태에서는, 기판 회전부(7)를 1 개 마련하였지만, 이에 한정되는 것은 아니다. 기판 회전부(7)를 복수 형성해도 된다. 예를 들면, 도 7에 나타내는 바와 같이, 기판 회전부(7)를 2 개 형성해도 된다. 도 7은 변형예의 기판 액처리 장치(1)의 개략 평면도이다.
2 개의 기판 회전부(7)는 예를 들면, 로트 형성부(3) 내에 마련된다.
기판 회전부(7)를 복수 마련함으로써, 전체의 처리 시간이 길어지는 것을 억제할 수 있다. 예를 들면, 로트에 포함되는 복수 매(예를 들면, 50 매)의 기판(8)을 기판 반송 기구(15)에 의해 2 회로 나누어 반송하는 경우에, 로트를 형성하는 기판(8) 모두를 회전시키기 위해 필요한 시간을 1 개의 기판 회전부(7)에 의해 회전시키는 경우보다 짧게 할 수 있다. 이 때문에, 전체의 처리 시간이 길어지는 것을 억제할 수 있다.
상기 실시 형태에서는, 기판 회전부(7)를 로트 형성부(3) 내에 배치하였지만, 이에 한정되는 것은 아니다. 기판 회전부(7)는, 예를 들면, 수평 자세로 복수 매의 기판(8)을 수용하고, 복수 매의 기판(8)을 기판(8)의 판면에 수직인 축을 중심으로 회전할 수 있으면 되고, 기판 액처리 장치(1) 내의 빈 스페이스에 배치하면 된다. 예를 들면, 도 8에 나타내는 바와 같이, 캐리어 배치대(14)의 하방에 형성해도 된다. 도 8은, 변형예의 기판 액처리 장치(1)의 일부를 나타내는 개략 측면도이다.
기판 회전부(7)를 기판 액처리 장치(1)의 빈 스페이스에 배치함으로써 기판 액처리 장치(1)가 대형화되는 것을 억제할 수 있다.
또한, 기판 회전부(7)의 지지부(61)는 도 9에 나타내는 바와 같이, 돌출부(63)를 가져도 된다. 도 9는 변형예의 기판 회전부(7)의 일부를 나타내는 단면 사시도이다.
돌출부(63)는 기판(8)이 배치되는 배치면(61a)의 외측으로부터, 상방을 향해 돌출되고, 기판(8)(도 1 참조)의 외주단을 따른 내주벽(63a)이 형성된다. 돌출부(63)를 마련함으로써, 회전 중에 각 기판(8)의 위치가 배치면(61a)에 대하여 어긋나는 것을 억제할 수 있다.
각 기판(8)의 위치가 배치면(61a)에 대하여 어긋난 상태에서 기판 반송 기구(15)에 의해 반송되면, 기판 반송 기구(15)에 의해 기판 회전부(7)로부터 복수 매의 기판(8)을 반출할 때, 또는, 반입측 로트 배치대(17)에 배치할 때에, 기판(8)이 움직여 기판(8)의 판면에 수직인 축에 대하여 회전하여, 원하는 위치(회전 각도)로부터 어긋날 우려가 있다.
변형예의 기판 회전부(7)는 이러한 어긋남의 발생을 억제할 수 있고, 제 1 처리 시의 기판(8)에 대하여, 상하 방향에서 반전시킨 상태로 제 2 처리를 행할 수 있어 처리의 치우침을 저감할 수 있다.
상기 실시 형태에서는, 기판 회전부(7)에 의해 복수 매의 기판(8)을 180도 회전시켰지만, 회전시키는 각도는 이에 한정되지는 않는다. 예를 들면, 90도 회전시켜도 된다. 이 경우, 기판 회전부(7)는, 도 10 및 도 11에 나타내는 바와 같이, 상면부(60a)와, 하면부(60b)와, 상면부(60a)와 하면부(60b)를 연결하는 4 개의 연결부(64)로 구성된다. 도 10은 변형예의 기판 회전부(7)의 개략 측면도이다. 도 11은, 변형예의 기판 회전부(7)의 개략 평면도이다.
연결부(64)는 기판 회전부(7)를 90도 회전시킨 경우에, 각각 동일한 방향으로부터 기판 반송 기구(15)에 의해 복수 매의 기판(8)을 반입 및 반출할 수 있도록 간격을 두고 배치된다.
또한, 연결부(64)는 중심을 향해 돌출되는 지지부(65)를 가진다. 변형예의 기판 회전부(7)에서는 각 연결부(64)의 지지부(65), 즉 4 개의 지지부(65)로 1매의 기판(8)을 지지한다.
이 변형예에서는 1 개의 처리가 4 회의 처리로 나누어 실시된다. 또한, 1 회의 처리에서 처리조(27)(도 1 참조)에 침지되는 침지 시간은, 한 번의 처리로 에칭 처리를 종료시키는 경우의 1/4의 시간이다.
상기 실시 형태에서는, 제 1 처리 및 제 2 처리를 동일한 처리조(27)에서 행하였지만, 로트를 침지시킬 때에 로트가 침지되지 않고 있는 빈 상태의 처리조(27)에 로트를 침지시켜도 된다. 이에 따라, 전체 처리 시간을 짧게 할 수 있다.
또한, 상기 실시 형태에서는, 기판 액처리 장치(1)는 복수의 에칭 처리 장치(23)를 가지고 있지만, 1 개의 에칭 처리 장치(23)를 가져도 된다.
또한, 상기 실시 형태에서는, 인산 수용액을 이용하여 에칭 처리를 행하고 있지만, 이에 한정되지는 않는다. 예를 들면, DHF 또는 SC-1 등의 약액을 이용하여 에칭 처리를 행해도 된다.
또한, 상기 실시 형태에서는 기판 액처리 장치(1)는 복수 매의 기판(8)을 동시에 처리하고 있지만, 이에 한정되지는 않는다. 기판 액처리 장치(1)는 기판(8)을 1 매씩 처리해도 된다.
상기 변형예에 더해 이하의 변형예를 적용해도 된다.
기판 회전부(7)는 회전 중에, 각 기판(8)이 지지부(61)에 대하여 회전하지 않도록, 지지부(61)의 표면에 미끄럼 방지 가공을 실시해도 된다. 또한, 미끄럼 방지용의 부재를 지지부(61)에 마련해도 된다.
이에 따라, 지지부(61)에 대하여 각 기판(8)을 회전시키지 않고 또한 지지부(61)에 대한 기판(8)의 어긋남을 발생시키지 않고, 기판 회전부(7)의 회전 속도를 빠르게 할 수 있어, 전체의 처리 시간을 짧게 할 수 있다.
또한, 로트를, 예를 들면, 1 개의 캐리어(9)에 수용된 복수 매(예를 들면, 25 매)의 기판(8)에 의해 형성해도 된다. 또한, 기판 회전부(7)는 로트에 포함되는 복수 매(예를 들면, 50 매)의 기판(8)을 수용해도 된다.
또한, 기판 액처리 장치(1)는 노치 얼라이너(notch aligner)를 이용하여, 복수 매의 기판(8)의 노치를 정렬시켜도 된다. 이 경우, 제 1 처리 전에 노치 얼라이너를 이용하여 각 기판(8)을 정렬시키고, 제 2 처리를 행할 때에는 노치 얼라이너를 이용하지 않고, 기판 회전부(7)에 의해 회전시킨 상태에서 제 2 처리를 행한다.
가일층의 효과 또는 변형예는, 당업자에 의해 용이하게 도출할 수 있다. 이 때문에, 본 발명의 보다 광범한 양태는, 이상과 같이 나타내고 또한 기술한 특정의 상세 및 대표적인 실시 형태에 한정되는 것은 아니다. 따라서, 첨부의 특허 청구의 범위 및 그 균등물에 의해 정의되는 총괄적인 발명의 개념의 정신 또는 범위에서 일탈하지 않고, 다양한 변경이 가능하다.
1 : 기판 액처리 장치
3 : 로트 형성부
4 : 로트 배치부
5 : 로트 반송부(반송부)
6 : 로트 처리부
7 : 기판 회전부
8 : 기판
14 : 캐리어 배치대(배치부)
15 : 기판 반송 기구(반송부)
23 : 에칭 처리 장치
26 : 건조 처리 장치(건조부)
27 : 처리조(액처리조)
39 : 액처리부
49 : 처리액 공급 노즐(토출부)
49a : 토출구
60 : 케이스
61 : 지지부
61a : 배치면
62 : 개구부
63 : 돌출부
63a : 내주벽

Claims (11)

  1. 외부로부터 반입된 기판이 배치되는 배치부와,
    상기 기판의 판면이 수평 방향과 직교하고 상기 기판의 제 1 부분이 아래를 향하는 자세로 상기 기판을 처리액에 침지시킴으로써 상기 기판을 제 1 처리하는 액처리부와,
    상기 배치부와 상기 액처리부의 사이에서 상기 기판을 반송하는 반송부와,
    상기 액처리부에 의해 상기 제 1 처리가 행해진 이후의 상기 기판을 상기 기판의 판면에 수직인 축을 중심으로 회전시키는 회전부를 구비하고
    상기 반송부는,
    상기 액처리부에 의해 상기 제 1 처리가 행해진 이후의 상기 기판을 상기 액처리부로부터 상기 회전부로 반송하고, 상기 회전부에 의해 회전된 이후의 상기 기판을 상기 회전부로부터 상기 액처리부로 반송하며,
    상기 액처리부는,
    상기 회전부에 의해 상기 제 1 부분과 상이한 제 2 부분이 아래를 향하는 자세로 회전된 상기 기판을 상기 처리액에 침지시킴으로써 제 2 처리를 행하는 기판 액처리 장치.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 회전부는,
    상기 기판을 수용한 상태에서 회전하는 케이스를 구비하고,
    상기 케이스에는 상기 기판이 동일한 방향으로부터 반입 및 반출되도록 복수의 개구부가 형성되는 기판 액처리 장치.
  3. 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,
    상기 회전부는,
    상기 기판의 판면에 수직인 축을 중심으로 상기 기판을 180도 회전시키는 기판 액처리 장치.
  4. 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,
    상기 회전부는,
    복수 마련되는 기판 액처리 장치.
  5. 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,
    상기 회전부는,
    상기 기판을 지지하는 지지부를 구비하고,
    상기 지지부는,
    상기 기판이 배치되는 배치면의 외측으로부터 상방을 향해 돌출되어, 상기 기판의 외주단을 따른 내주벽이 형성되는 돌출부를 구비하는 기판 액처리 장치.
  6. 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,
    상기 기판을 건조시키는 건조부를 구비하고,
    상기 반송부는,
    상기 건조부에 의해 건조된 상기 기판을 상기 회전부에 반송하는 기판 액처리 장치.
  7. 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,
    상기 액처리부는,
    상기 제 1 처리 및 상기 제 2 처리를 동일한 처리 조건으로 행하는 기판 액처리 장치.
  8. 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,
    상기 액처리부는,
    동일한 상기 처리액이 저류되는 복수의 액처리조를 구비하고,
    동일한 상기 기판에 대하여, 상기 제 1 처리 및 상기 제 2 처리를 동일한 상기 액처리조에서 행하는 기판 액처리 장치.
  9. 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,
    상기 액처리부는,
    동일한 상기 처리액이 저류되는 복수의 액처리조를 구비하고,
    상기 복수의 액처리조 중에서 상기 기판이 침지되어 있지 않은 빈 상태의 상기 액처리조에 상기 기판을 침지시키는 기판 액처리 장치.
  10. 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,
    상기 액처리부는,
    상기 처리액을 상기 기판의 판면을 따라 토출하는 토출부를 구비하는 기판 액처리 장치.
  11. 외부로부터 반입된 기판이 배치되는 배치부로부터 상기 기판의 판면이 수평 방향과 직교하는 자세로 상기 기판을 처리액에 침지시킴으로써 상기 기판을 처리하는 액처리부로 반송부를 이용하여 상기 기판을 반송하고,
    상기 액처리부에 있어서, 상기 기판의 제 1 부분이 아래를 향한 상태로 상기 기판을 상기 처리액에 침지시킴으로써 제 1 처리를 행하며,
    상기 제 1 처리가 행해진 이후의 상기 기판을 상기 액처리부로부터, 상기 기판의 판면에 수직인 축을 중심으로 상기 기판을 회전시키는 회전부로 상기 반송부를 이용하여 반송하고,
    상기 회전부에 의해 회전된 이후의 상기 기판을 상기 반송부에 의해 상기 회전부로부터 상기 액처리부로 반송하고,
    상기 액처리부에 있어서 상기 회전부에 의해 상기 제 1 부분과 상이한 제 2 부분이 아래를 향한 상태로 회전된 상기 기판을 상기 처리액에 침지시킴으로써 제 2 처리를 행하는 기판 액처리 방법.
KR1020170156521A 2016-12-02 2017-11-22 기판 액처리 장치 및 기판 액처리 방법 KR102405523B1 (ko)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2016235382A JP6762214B2 (ja) 2016-12-02 2016-12-02 基板液処理装置、および基板液処理方法
JPJP-P-2016-235382 2016-12-02

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20180063823A KR20180063823A (ko) 2018-06-12
KR102405523B1 true KR102405523B1 (ko) 2022-06-08

Family

ID=62243448

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020170156521A KR102405523B1 (ko) 2016-12-02 2017-11-22 기판 액처리 장치 및 기판 액처리 방법

Country Status (4)

Country Link
US (1) US10916456B2 (ko)
JP (1) JP6762214B2 (ko)
KR (1) KR102405523B1 (ko)
CN (1) CN108155115B (ko)

Families Citing this family (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP7285724B2 (ja) * 2019-07-30 2023-06-02 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置、及び基板処理方法
JP2022176640A (ja) * 2021-05-17 2022-11-30 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 基板処理方法および基板処理装置
TWI778786B (zh) * 2021-09-11 2022-09-21 辛耘企業股份有限公司 晶圓加工方法及載台
TWI837779B (zh) * 2022-03-16 2024-04-01 日商鎧俠股份有限公司 基板處理裝置

Family Cites Families (15)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH08107100A (ja) * 1994-10-06 1996-04-23 Sony Corp 薬液処理方法及び薬液処理装置
JPH10242251A (ja) * 1997-02-26 1998-09-11 Shibaura Eng Works Co Ltd 基板ホルダー
US6199564B1 (en) * 1998-11-03 2001-03-13 Tokyo Electron Limited Substrate processing method and apparatus
JP2000301082A (ja) * 1999-04-20 2000-10-31 Tokyo Electron Ltd 処理装置
JP4069236B2 (ja) * 2000-06-05 2008-04-02 東京エレクトロン株式会社 液処理装置
JP2002134471A (ja) * 2000-10-30 2002-05-10 Sony Corp エッチング方法およびエッチング装置
JP4100466B2 (ja) * 2000-12-25 2008-06-11 東京エレクトロン株式会社 液処理装置
JP4526374B2 (ja) * 2004-03-30 2010-08-18 大日本スクリーン製造株式会社 基板処理装置
JP5132108B2 (ja) * 2006-02-02 2013-01-30 株式会社Ｓｏｋｕｄｏ 基板処理装置
JP4832201B2 (ja) * 2006-07-24 2011-12-07 大日本スクリーン製造株式会社 基板処理装置
JP5122265B2 (ja) * 2007-10-01 2013-01-16 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置および基板処理方法
JP4862903B2 (ja) * 2009-03-06 2012-01-25 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置、濾材の再生方法及び記憶媒体
TWM497848U (zh) * 2012-05-14 2015-03-21 Grand Plastic Technology Corp 具有垂直批次浸泡製程之單晶圓濕製程裝置
JP6118689B2 (ja) 2013-09-13 2017-04-19 東京エレクトロン株式会社 基板液処理装置及び基板液処理方法並びに基板液処理プログラムを記憶したコンピュータ読み取り可能な記憶媒体
US10043650B2 (en) * 2016-09-22 2018-08-07 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Method and system for wet chemical bath process

Also Published As

Publication number Publication date
CN108155115B (zh) 2023-05-05
US20180158701A1 (en) 2018-06-07
US10916456B2 (en) 2021-02-09
CN108155115A (zh) 2018-06-12
KR20180063823A (ko) 2018-06-12
JP6762214B2 (ja) 2020-09-30
JP2018093066A (ja) 2018-06-14

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR102405523B1 (ko) 기판 액처리 장치 및 기판 액처리 방법
KR102381166B1 (ko) 기판액 처리 장치, 기판액 처리 방법 및 기억 매체
JP6509104B2 (ja) 基板液処理装置
JP6370233B2 (ja) 基板液処理装置及び基板液処理方法並びに基板液処理プログラムを記憶したコンピュータ読み取り可能な記憶媒体
JP7113949B2 (ja) 基板処理装置
KR102513202B1 (ko) 기판 액처리 장치, 기판 액처리 방법 및 기판 액처리 프로그램을 기억한 컴퓨터 판독 가능한 기억 매체
JP6118689B2 (ja) 基板液処理装置及び基板液処理方法並びに基板液処理プログラムを記憶したコンピュータ読み取り可能な記憶媒体
JP2017112252A (ja) 基板整列方法、基板受取方法、基板液処理方法、基板整列装置、基板受取装置、基板液処理装置、及び基板処理システム
JP7361865B2 (ja) 基板処理システム
JP2022057884A (ja) 基板処理システム
JP6441198B2 (ja) 基板液処理装置及び基板液処理方法並びに基板液処理プログラムを記憶したコンピュータ読み取り可能な記憶媒体
KR20220044108A (ko) 기판 처리 시스템 및 기판 반송 방법
JP6824962B2 (ja) 基板液処理装置及び基板液処理方法並びに基板液処理プログラムを記憶したコンピュータ読み取り可能な記憶媒体
JP7178261B2 (ja) 基板液処理装置
KR102375623B1 (ko) 유량 측정 유닛, 이를 가지는 기판 처리 장치, 그리고 유량 측정 방법
JP6805048B2 (ja) 基板液処理装置、基板液処理方法及び記憶媒体
TWI808112B (zh) 基板處理方法及基板處理裝置
JP6632684B2 (ja) 基板液処理装置及び基板液処理方法並びに基板液処理プログラムを記憶したコンピュータ読み取り可能な記憶媒体
KR20210082531A (ko) 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
WO2021112022A1 (ja) 基板処理装置および基板処理方法
JP6685445B2 (ja) 基板整列装置、基板処理装置、基板整列方法、基板処理方法
KR20050017152A (ko) 웨이퍼 세정 장치

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant