KR102392851B1 - vacuum processing unit, dummy substrate unit - Google Patents

vacuum processing unit, dummy substrate unit Download PDF

Info

Publication number
KR102392851B1
KR102392851B1 KR1020207015827A KR20207015827A KR102392851B1 KR 102392851 B1 KR102392851 B1 KR 102392851B1 KR 1020207015827 A KR1020207015827 A KR 1020207015827A KR 20207015827 A KR20207015827 A KR 20207015827A KR 102392851 B1 KR102392851 B1 KR 102392851B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
tray
vacuum processing
collector
dummy substrate
chamber
Prior art date
Application number
KR1020207015827A
Other languages
Korean (ko)
Other versions
KR20200083563A (en
Inventor
히로토시 사카우에
데츠히로 오오노
Original Assignee
가부시키가이샤 알박
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 가부시키가이샤 알박 filed Critical 가부시키가이샤 알박
Publication of KR20200083563A publication Critical patent/KR20200083563A/en
Application granted granted Critical
Publication of KR102392851B1 publication Critical patent/KR102392851B1/en

Links

Images

Classifications

    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
    • C23C14/56—Apparatus specially adapted for continuous coating; Arrangements for maintaining the vacuum, e.g. vacuum locks
    • C23C14/568—Transferring the substrates through a series of coating stations
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B03—SEPARATION OF SOLID MATERIALS USING LIQUIDS OR USING PNEUMATIC TABLES OR JIGS; MAGNETIC OR ELECTROSTATIC SEPARATION OF SOLID MATERIALS FROM SOLID MATERIALS OR FLUIDS; SEPARATION BY HIGH-VOLTAGE ELECTRIC FIELDS
    • B03C—MAGNETIC OR ELECTROSTATIC SEPARATION OF SOLID MATERIALS FROM SOLID MATERIALS OR FLUIDS; SEPARATION BY HIGH-VOLTAGE ELECTRIC FIELDS
    • B03C3/00—Separating dispersed particles from gases or vapour, e.g. air, by electrostatic effect
    • B03C3/34—Constructional details or accessories or operation thereof
    • B03C3/40—Electrode constructions
    • B03C3/45—Collecting-electrodes
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
    • C23C14/34—Sputtering
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
    • C23C14/56—Apparatus specially adapted for continuous coating; Arrangements for maintaining the vacuum, e.g. vacuum locks
    • C23C14/564—Means for minimising impurities in the coating chamber such as dust, moisture, residual gases
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/34—Gas-filled discharge tubes operating with cathodic sputtering
    • H01J37/3488—Constructional details of particle beam apparatus not otherwise provided for, e.g. arrangement, mounting, housing, environment; special provisions for cleaning or maintenance of the apparatus
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/677—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Plasma & Fusion (AREA)
  • Analytical Chemistry (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
  • Physical Vapour Deposition (AREA)
  • Chemical Vapour Deposition (AREA)

Abstract

진공 처리 장치 중의 진공 분위기 중의 더스트를 제거한다. 진공 처리 장치 (2) 의 반송실 (10) 에 스토커실 (12) 을 형성하고, 스토커실 (12) 내에 더미 기판 장치 (20) 를 배치하고, 더미 기판 장치 (20) 의 포집체 (28) 를 대전 장치 (18) 에 의해 대전시키고, 진공 처리실 (13a ∼ 13d) 의 내부에 반입한다. 각 진공 처리실 (13a ∼ 13d) 의 내부의 더스트는, 반입된 더미 기판 장치 (20) 의 포집체 (28) 에 정전기력에 의해 흡착된다. 더스트가 포집된 더미 기판 장치 (20) 는 대기 분위기 중에 취출되고, 포집체 (28) 를 분리하여 세정하여, 더미 기판 장치 (20) 를 재생한다.Dust in the vacuum atmosphere in the vacuum processing apparatus is removed. A stocker chamber 12 is formed in the transfer chamber 10 of the vacuum processing apparatus 2 , and the dummy substrate apparatus 20 is disposed in the stocker chamber 12 , and the collector 28 of the dummy substrate apparatus 20 . is charged by the charging device 18 and carried into the vacuum processing chambers 13a to 13d. Dust inside each of the vacuum processing chambers 13a to 13d is absorbed by the collector 28 of the loaded dummy substrate device 20 by an electrostatic force. The dummy substrate device 20 in which the dust has been collected is taken out in an atmospheric atmosphere, the collecting body 28 is removed and cleaned, and the dummy substrate device 20 is regenerated.

Description

진공 처리 장치, 더미 기판 장치vacuum processing unit, dummy substrate unit

본 발명은 진공 처리 기술에 관한 것으로, 특히, 진공 분위기 중에서 더스트를 제거하는 기술 또는 프리스퍼터로 더스트를 발생시키지 않는 기술에 관한 것이다.The present invention relates to a vacuum processing technique, and more particularly, to a technique for removing dust in a vacuum atmosphere or a technique for not generating dust by pre-sputtering.

반송실을 중심으로 복수의 진공 처리실이 접속되는 멀티 챔버형의 진공 처리 장치는 반도체 웨이퍼를 기판으로 한 반도체 디바이스의 제조 장치에 널리 사용되고 있다.BACKGROUND ART A multi-chamber type vacuum processing apparatus in which a plurality of vacuum processing chambers are connected centering on a transfer chamber is widely used in a semiconductor device manufacturing apparatus using a semiconductor wafer as a substrate.

반송실에 접속되는 진공 처리실에는, 박막을 형성하는 진공 처리실이나 박막을 에칭하기 위한 진공 처리실 등 여러 가지 종류의 장치가 있는데, 특히, 진공 처리실이 박막을 형성하기 위한 스퍼터링 장치, 증착 장치, 또는 CVD 장치 등의 성막 장치에서는 더스트가 발생하기 쉬운 것이 알려져 있다.In the vacuum processing chamber connected to the transfer chamber, there are various types of apparatus such as a vacuum processing chamber for forming a thin film and a vacuum processing chamber for etching a thin film. It is known that dust is easy to generate in film forming apparatuses, such as an apparatus.

이와 같이 발생한 더스트가 기판에 부착되면, 형성하는 박막의 결함이나 배선의 단선 등의 불량의 원인이 되고, 특히, 패터닝이 미세화된 최근의 반도체 장치에서는 종래에는 무시할 수 있는 정도의 크기였던 미소한 더스트라도 불량의 원인이 된다.When the dust generated in this way adheres to the substrate, it causes defects such as defects in the thin film to be formed or disconnection of wiring. It can also cause defects.

그래서 종래부터, 진공 처리실의 내부를 대기에 개방하고, 진공조 내를 사람 손으로 청소하여, 더스트를 제거하는 작업이 실시되고 있지만, 작업이 번잡하여 곤란하고, 또, 대기에 개방된 진공 처리실의 내부에 진공 분위기를 형성하기 위해 장시간을 필요로 하는 등의 문제가 있어, 그 해결이 요구되고 있다.Therefore, conventionally, an operation of opening the inside of the vacuum processing chamber to the atmosphere and cleaning the inside of the vacuum chamber by hand to remove dust has been performed, but the operation is complicated and difficult, and the In order to form a vacuum atmosphere inside, there exists a problem, such as requiring a long time, and the solution is calculated|required.

또, 종래 기술에서는, 성막을 개시하기 전에 스퍼터링 타깃의 표면을 청정하기 위해, 프리스퍼터를 실시하고 있다. 프리스퍼터 동안에는, 기판 홀더에 막이 부착되지 않도록, 더미 기판으로서 사용하지 않는 유리 기판을 배치하고 있다. 그러나, 프리스퍼터에서 유리 기판에 막이 지나치게 부착되면, 유리 기판이 갈라지는 경우가 있다. 이 때문에, 유리 기판을 교환하면서 프리스퍼터를 실시한다. 프리스퍼터에서 사용한 유리 기판은 재사용할 수 없기 때문에, 불필요한 비용이 발생한다. 프리스퍼터에 있어서, 더미 유리 기판의 갈라짐이 발생하지 않는 것, 및 낭비되는 유리 기판이 발생하지 않는 것이 요망된다.Moreover, in the prior art, in order to clean the surface of a sputtering target before starting film-forming, pre-sputtering is performed. During pre-sputtering, a glass substrate not used as a dummy substrate is disposed so that the film does not adhere to the substrate holder. However, when a film|membrane adheres too much to a glass substrate by pre-sputtering, a glass substrate may crack. For this reason, pre-sputtering is performed, replacing|exchanging a glass substrate. Since the glass substrate used in pre-sputtering cannot be reused, unnecessary cost arises. In the pre-sputter, it is desired that cracking of the dummy glass substrate does not occur and that no wasted glass substrate is generated.

또, 프리스퍼터에 있어서, 더미 기판을 사용하는 대신에, 스퍼터링 타깃과 기판 홀더 사이에 셔터를 배치할 수도 있지만, 프리스퍼터링 공정을 복수 회 반복 실시하면, 셔터에 부착되는 박막이 두꺼워져, 박리되어 더스트가 발생하는 원인이 된다. 따라서, 더스트를 발생시키지 않는 프리스퍼터링이 요구되고 있다.Also, in pre-sputtering, instead of using a dummy substrate, a shutter may be disposed between the sputtering target and the substrate holder. However, if the pre-sputtering process is repeated multiple times, the thin film attached to the shutter becomes thick and peeled It may cause dust to occur. Therefore, the pre-sputtering which does not generate|occur|produce dust is calculated|required.

또, 대형 기판을 사용하는 장치에서는, 셔터가 대형화되고 이동 기구가 대형화된다. 또한, 셔터가 퇴피하는 위치가 필요해져, 진공 챔버도 대형화되기 때문에 대형 장치에서는 셔터를 사용하는 것은 어렵다.Moreover, in the apparatus using a large-sized board|substrate, a shutter is enlarged and a movement mechanism is enlarged. In addition, since a position at which the shutter is retracted is required and the vacuum chamber is also enlarged, it is difficult to use the shutter in a large device.

일본 공개특허공보 2002-038264호Japanese Laid-Open Patent Publication No. 2002-038264 일본 공개특허공보 2004-027364호Japanese Laid-Open Patent Publication No. 2004-027364

본 발명은 상기 종래 기술의 문제를 해결하기 위해, 진공 분위기 중에서 더스트를 제거할 수 있는 기술과, 프리스퍼터링시에 더스트를 발생시키지 않는 기술을 제공하는 것을 과제로 한다.An object of the present invention is to provide a technique that can remove dust in a vacuum atmosphere and a technique that does not generate dust during pre-sputtering in order to solve the problems of the prior art.

상기 과제를 해결하기 위해, 본 발명은, 반송 대상물을 진공 분위기 중에서 이동시키는 기판 반송 로봇과, 상기 반송 대상물이 반입되는 진공 처리실을 갖는 진공 처리 장치로서, 트레이와, 상기 트레이에 배치된 포집체를 갖는 더미 기판 장치와, 상기 포집체를 대전시키는 대전 장치를 갖고, 유리 기판과 상기 더미 기판 장치가 상기 반송 대상물에 포함되고, 상기 더미 기판 장치에 의해 상기 진공 처리실 내의 더스트를 포집하는 진공 처리 장치이다.In order to solve the above problems, the present invention provides a vacuum processing apparatus having a substrate transfer robot for moving a transfer object in a vacuum atmosphere, and a vacuum processing chamber into which the transfer object is loaded, comprising: a tray; A vacuum processing apparatus comprising: a dummy substrate device having a dummy substrate device; and a charging device for charging the collector, wherein a glass substrate and the dummy substrate device are included in the transfer object, and the dummy substrate device collects dust in the vacuum processing chamber. .

또, 본 발명은, 상기 포집체는 금속 시트이고, 상기 트레이에는, 상기 금속 시트를 상기 트레이에 착탈 가능하게 고정시키는 고정부가 배치된 진공 처리 장치이다.Moreover, this invention is a vacuum processing apparatus in which the said collector is a metal sheet, and the fixing part which fixes the said metal sheet detachably to the said tray is arrange|positioned in the said tray.

또, 본 발명은, 상기 고정부는, 적어도 일방은 영구 자석으로서 자력으로 서로 흡인되는 제 1, 제 2 흡인 부재를 갖고, 상기 제 1, 제 2 흡인 부재 중, 일방은 상기 트레이에 형성되고, 타방은 상기 금속 시트 상에 배치되고, 상기 제 1, 제 2 흡인 부재는 상기 금속 시트를 사이에 끼우고 서로 흡인되는 진공 처리 장치이다.Further, in the present invention, at least one of the fixing portion has first and second suction members that are attracted to each other by magnetic force as a permanent magnet, and among the first and second suction members, one of the first and second suction members is formed on the tray, and the other is disposed on the metal sheet, and the first and second suction members are vacuum processing devices that are attracted to each other with the metal sheet sandwiched therebetween.

또, 본 발명은, 상기 금속 시트는 상기 트레이에 나사 고정된 진공 처리 장치이다.Moreover, this invention is a vacuum processing apparatus in which the said metal sheet was screwed to the said tray.

또, 본 발명은, 상기 포집체는, 서로 절연된 2 장의 전극과, 상기 2 장의 전극의 일방에 정전압을 인가하고, 타방에 부전압을 인가하는 직류 전압원을 갖는 진공 처리 장치이다.Further, the present invention is a vacuum processing apparatus in which the collector has two electrodes insulated from each other and a DC voltage source that applies a positive voltage to one of the two electrodes and a negative voltage to the other.

또, 본 발명은, 1 대 내지 복수 대의 상기 더미 기판 장치가 배치되는 스토커실을 갖고, 상기 기판 반송 로봇에 의해 상기 더미 기판 장치가 상기 스토커실에 반출입되는 진공 처리 장치이다.Further, the present invention is a vacuum processing apparatus having a stocker chamber in which one to a plurality of the dummy substrate apparatuses are arranged, and the dummy substrate apparatus is carried in and out of the stocker chamber by the substrate transfer robot.

또, 본 발명은, 상기 기판 반송 로봇은 반송실에 배치되고, 상기 진공 처리실과 상기 스토커실은 상기 반송실에 접속된 진공 처리 장치이다.Moreover, according to this invention, the said board|substrate conveyance robot is a vacuum processing apparatus arrange|positioned in a conveyance chamber, and the said vacuum processing chamber and the said stocker chamber are connected to the said conveyance chamber.

또, 본 발명은, 반송 대상물을 진공 분위기 중에서 이동시키는 기판 반송 로봇과, 상기 반송 대상물이 반입되는 진공 처리실과, 상기 진공 처리실에 배치된 캐소드 전극과, 상기 캐소드 전극에 배치된 타깃을 갖고, 상기 타깃이 스퍼터링되어 생성된 스퍼터링 입자가 방출되는 진공 처리 장치로서, 상기 반송 대상물에는, 상기 타깃과 대면하여 박막이 형성되는 유리 기판과 트레이에 포집체가 배치된 더미 기판 장치가 포함되고, 상기 더미 기판 장치는, 상기 타깃과 대면하여 상기 스퍼터링 입자가 상기 포집체에 도달하는 진공 처리 장치이다.Further, the present invention has a substrate transfer robot that moves a transfer object in a vacuum atmosphere, a vacuum processing chamber into which the transfer object is loaded, a cathode electrode arranged in the vacuum processing chamber, and a target arranged on the cathode electrode, A vacuum processing apparatus for discharging sputtering particles generated by sputtering a target, wherein the transfer object includes a glass substrate facing the target and forming a thin film, and a dummy substrate apparatus in which a collector is disposed on a tray, the dummy substrate apparatus is a vacuum processing device in which the sputtering particles reach the collector by facing the target.

또, 본 발명은, 상기 포집체는 금속 시트이고, 상기 트레이에는, 상기 금속 시트를 상기 트레이에 착탈 가능하게 고정시키는 고정부가 배치된 진공 처리 장치이다.Moreover, this invention is a vacuum processing apparatus in which the said collector is a metal sheet, and the fixing part which fixes the said metal sheet detachably to the said tray is arrange|positioned in the said tray.

또, 본 발명은, 상기 고정부는, 적어도 일방은 영구 자석으로서 자력으로 서로 흡인되는 제 1, 제 2 흡인 부재를 갖고, 상기 제 1, 제 2 흡인 부재 중, 일방은 상기 트레이에 형성되고, 타방은 상기 금속 시트 상에 배치되고, 상기 제 1, 제 2 흡인 부재는 상기 금속 시트를 사이에 끼우고 서로 흡인되는 진공 처리 장치이다.Further, in the present invention, at least one of the fixing portion has first and second suction members that are attracted to each other by magnetic force as a permanent magnet, and among the first and second suction members, one of the first and second suction members is formed on the tray, and the other is disposed on the metal sheet, and the first and second suction members are vacuum processing devices that are attracted to each other with the metal sheet sandwiched therebetween.

또, 본 발명은, 상기 금속 시트는 상기 트레이에 나사 고정된 진공 처리 장치이다.Moreover, this invention is a vacuum processing apparatus in which the said metal sheet was screwed to the said tray.

또, 본 발명은, 반송 대상물을 진공 분위기 중에서 이동시키는 기판 반송 로봇과, 상기 반송 대상물이 반입되는 진공 처리실을 갖는 진공 처리 장치의 상기 반송 대상물에 포함되는 더미 기판 장치로서, 상기 더미 기판 장치는, 트레이와, 상기 트레이에 배치된 포집체를 갖고, 상기 진공 처리실 내에서 발생한 더스트를 상기 포집체로 포집하는 더미 기판 장치이다.The present invention also provides a dummy substrate apparatus included in the transfer object of a vacuum processing apparatus having a substrate transfer robot for moving the transfer object in a vacuum atmosphere, and a vacuum processing chamber into which the transfer object is loaded, the dummy substrate apparatus comprising: A dummy substrate apparatus having a tray and a collector disposed on the tray, and collecting dust generated in the vacuum processing chamber by the collector.

또, 본 발명은, 상기 포집체는 금속 시트이고, 상기 트레이에는, 상기 금속 시트를 상기 트레이에 착탈 가능하게 고정시키는 고정부가 배치된 더미 기판 장치이다.The present invention is a dummy substrate device in which the collector is a metal sheet, and a fixing part for removably fixing the metal sheet to the tray is disposed on the tray.

또, 본 발명은, 상기 고정부는, 적어도 일방은 영구 자석으로서 자력으로 서로 흡인되는 제 1, 제 2 흡인 부재를 갖고, 상기 제 1, 제 2 흡인 부재 중, 일방은 상기 트레이에 형성되고, 타방은 상기 금속 시트 상에 배치되고, 상기 금속 시트는 서로 흡인되는 상기 제 1, 제 2 흡인 부재 사이에 끼워지는 더미 기판 장치이다.Further, in the present invention, at least one of the fixing portion has first and second suction members that are attracted to each other by magnetic force as a permanent magnet, and among the first and second suction members, one of the first and second suction members is formed on the tray, and the other is disposed on the metal sheet, and the metal sheet is a dummy substrate device sandwiched between the first and second suction members that are attracted to each other.

또, 본 발명은, 상기 금속 시트는 상기 트레이에 나사 고정된 더미 기판 장치이다.In addition, the present invention is a dummy substrate device in which the metal sheet is screwed to the tray.

또, 본 발명은, 상기 포집체는 서로 절연된 2 장의 전극을 갖고, 상기 트레이에는, 일방의 상기 전극에 정전압을 인가하고, 타방의 상기 전극에 부전압을 인가하는 직류 전압원이 형성된 더미 기판 장치이다.In the present invention, the collector has two electrodes insulated from each other, and a DC voltage source for applying a positive voltage to one of the electrodes and a negative voltage to the other electrode is formed in the tray. am.

또, 본 발명은, 상기 포집체는, 상기 진공 처리 장치에 형성된 대전 장치에 의해 대전되는 더미 기판 장치이다.Further, in the present invention, the collector is a dummy substrate device that is charged by a charging device provided in the vacuum processing device.

사람 손을 필요로 하지 않고, 또, 반송실이나 진공 처리실을 대기에 노출하지 않고 더스트를 제거할 수 있다.Dust can be removed without requiring human hands and without exposing the transfer chamber or vacuum processing chamber to the atmosphere.

더미 유리 기판이나 셔터를 사용하지 않고 프리스퍼터링을 실시할 수 있다.Pre-sputtering can be performed without using a dummy glass substrate or a shutter.

유리 기판을 반송하는 기판 반송 로봇에 의해 더미 기판 장치를 반송하여, 진공 처리실의 내부에 반출입할 수 있다.The dummy substrate apparatus can be conveyed by the substrate conveyance robot which conveys a glass substrate, and can be carried in and out of the inside of a vacuum processing chamber.

도 1 은, 본 발명의 진공 처리 장치
도 2 는, (a) : 스토커실 (b) : 유리 기판 (c) : 진공 처리실
도 3 은, (a) : 본 발명의 더미 기판 장치의 트레이의 일례 (b) : 그 C-C' 선 절단 단면도
도 4 는, (a) : 본 발명의 더미 기판 장치에 포집체를 배치한 예 (b) : 그 D-D' 선 절단 단면도
도 5 는, (a) : 본 발명의 더미 기판 장치의 일례 (b) : 그 E-E' 선 절단 단면도
도 6 은, (a) : 본 발명의 더미 기판 장치의 트레이의 다른 예 (b) : 그 F-F' 선 절단 단면도
도 7 은, (a) : 본 발명의 더미 기판 장치의 다른 예 (b) : 그 G-G' 선 절단 단면도
도 8 은, (a) : 전지를 갖는 본 발명의 더미 기판 장치의 예 (b) : 그 H-H' 선 절단 단면도1 is a vacuum processing apparatus of the present invention;
2 : (a): Stocker chamber (b): Glass substrate (c): Vacuum processing chamber
Fig. 3 is (a): an example of a tray of the dummy substrate device of the present invention (b): a cross-sectional view taken along line CC'
Fig. 4 is (a): an example of arranging a collector in a dummy substrate device of the present invention (b): a cross-sectional view taken along the line DD';
Fig. 5 is (a): an example of a dummy substrate device of the present invention (b): a cross-sectional view taken along line EE'
Fig. 6 is (a): another example of a tray of the dummy substrate apparatus of the present invention (b): a cross-sectional view taken along line FF'
Fig. 7 is (a): another example of the dummy substrate device of the present invention (b): a cross-sectional view taken along line GG';
Fig. 8 is (a): an example of a dummy substrate device of the present invention having a battery (b): a cross-sectional view taken along line HH'thereof;

도 1 은 본 발명의 진공 처리 장치 (2) 이며, 그 진공 처리 장치 (2) 는, 기판 반송 로봇 (17) 이 배치된 반송실 (10) 과, 본 발명의 더미 기판 장치 (20) 가 배치되는 스토커실 (12) 과, 진공 분위기 중에서 반송 대상물에 포함되는 유리 기판을 진공 처리하는 복수의 진공 처리실 (13a ∼ 13d) 과, 반송 대상물을 대기압의 분위기와 진공 분위기 사이에서 반출입시키기 위한 반출입실 (15) 을 갖고 있다.Fig. 1 shows a vacuum processing apparatus 2 of the present invention, in which a transfer chamber 10 in which a substrate transfer robot 17 is disposed, and a dummy substrate apparatus 20 of the present invention are arranged. A stocker chamber 12 to be used, a plurality of vacuum processing chambers 13a to 13d for vacuuming the glass substrate contained in the object to be conveyed in a vacuum atmosphere, and a carry-in/out chamber for carrying the object to be conveyed in and out between an atmospheric pressure atmosphere and a vacuum atmosphere ( 15) has

스토커실 (12) 과 반출입실 (15) 과 진공 처리실 (13a ∼ 13d) 은, 게이트 밸브 (42, 43, 46a ∼ 46d) 에 의해, 그것들의 내부가 반송실 (10) 의 내부와 분리될 수 있도록 되어 있다.The stocker chamber 12, the carry-in/out chamber 15, and the vacuum processing chambers 13a to 13d can be separated from the inside of the transfer chamber 10 by gate valves 42, 43, and 46a to 46d. it is meant to be

반송실 (10) 과 스토커실 (12) 과 각 진공 처리실 (13a ∼ 13d) 과, 반출입실 (15) 에는, 진공 배기 장치 (55, 58, 56a ∼ 56d, 57) 가 각각 접속되어 있다. 게이트 밸브 (42, 43, 46a ∼ 46d) 를 닫고, 각 진공 배기 장치 (55, 58, 56a ∼ 56d, 57) 가 동작하면, 각 실 (10, 12, 13a ∼ 13d, 15) 은 진공 배기되어, 내부에 진공 분위기가 형성된다. 여기서는, 반송실 (10) 과 스토커실 (12) 과 진공 처리실 (13a ∼ 13d) 에는 진공 분위기가 형성되어 있는 것으로 한다.To the transfer chamber 10 , the stocker chamber 12 , the respective vacuum processing chambers 13a to 13d , and the carry-in/out chamber 15 , evacuation devices 55 , 58 , 56a to 56d and 57 are respectively connected. When the gate valves 42, 43, and 46a to 46d are closed and the respective evacuation devices 55, 58, 56a to 56d, 57 are operated, the respective chambers 10, 12, 13a to 13d, and 15 are evacuated. , a vacuum atmosphere is formed inside. Here, it is assumed that a vacuum atmosphere is formed in the transfer chamber 10 , the stocker chamber 12 , and the vacuum processing chambers 13a to 13d.

도 2(b) 의 부호 50 은, 대기 분위기 중에 배치된 유리 기판을 나타내고 있고, 진공 처리 장치 (2) 로 유리 기판 (50) 을 진공 처리할 때에는, 먼저, 대기압 분위기의 반출입실 (15) 의 내부에 유리 기판 (50) 을 배치하고, 반출입실 (15) 을 대기 분위기로부터 분리시킨 후, 진공 배기 장치 (57) 에 의해 반출입실 (15) 의 내부를 진공 배기한다.The code|symbol 50 of FIG.2(b) has shown the glass substrate arrange|positioned in atmospheric atmosphere, When vacuum-processing the glass substrate 50 with the vacuum processing apparatus 2, first of the carrying-in/out chamber 15 of atmospheric pressure atmosphere After arrange|positioning the glass substrate 50 inside and isolate|separating the carrying-in/out chamber 15 from atmospheric atmosphere, the inside of the carrying-in/out chamber 15 is evacuated by the evacuation device 57. As shown in FIG.

반출입실 (15) 의 내부의 압력이 소정값까지 저하된 시점에서, 게이트 밸브 (43) 를 열고, 반출입실 (15) 의 내부와 반송실 (10) 의 내부를 접속한다.When the pressure inside the carrying-in/out chamber 15 falls to a predetermined value, the gate valve 43 is opened, and the inside of the carrying-in/out chamber 15 and the inside of the transfer chamber 10 are connected.

기판 반송 로봇 (17) 은, 회전축 (29) 과, 근본 부분이 회전축 (29) 에 장착된 아암부 (36) 와, 아암부 (36) 의 선단에 장착된 핸드 (39) 를 갖고 있고, 회전축 (29) 이 회전하면, 아암부 (36) 가 회전 동작과 신축 동작의 어느 일방 또는 양방을 실시하여, 핸드 (39) 가 원하는 장소로 이동한다. 진공 처리 장치 (2) 는 제어 장치 (19) 를 갖고 있고, 기판 반송 로봇 (17) 의 동작이나 게이트 밸브 (42, 43, 46a ∼ 46d) 의 개폐 등, 이하에 기재하는 진공 처리 장치 (2) 의 부재의 동작은 제어 장치 (19) 에 의해 제어되어 있는 것으로 한다.The substrate transfer robot 17 has a rotating shaft 29 , an arm part 36 having a base part attached to the rotating shaft 29 , and a hand 39 attached to the tip of the arm part 36 , and the rotating shaft (29) When this rotates, the arm part 36 performs either or both of a rotation operation|movement and an expansion-contraction operation, and the hand 39 moves to a desired place. The vacuum processing apparatus 2 has a control apparatus 19, and the vacuum processing apparatus 2 described below, such as operation|movement of the board|substrate transfer robot 17, opening and closing of gate valves 42, 43, 46a-46d, etc. It is assumed that the operation of the member is controlled by the control device 19 .

반출입실 (15) 의 내부에 핸드 (39) 를 삽입하여, 반출입실 (15) 에 배치된 유리 기판 (50) 을 반송 대상물로서 핸드 (39) 상에 실은 후, 반송 대상물과 함께 핸드 (39) 를 반출입실 (15) 로부터 발거하고, 게이트 밸브 (43) 를 닫는다.After inserting the hand 39 into the inside of the carrying-in/out chamber 15, and loading the glass substrate 50 arrange|positioned in the carrying-in/out room 15 on the hand 39 as a carrying object, the hand 39 together with the carrying object. is removed from the carry-in/out chamber 15, and the gate valve 43 is closed.

이어서, 반송 대상물을 실은 핸드 (39) 에 반송실 (10) 을 통과시켜 원하는 진공 처리실 (13a ∼ 13d) 에 이동시킨다. 여기서는 스퍼터링 장치로서, 도 2(c) 에 나타낸 진공 처리실 (13a) 에 반송 대상물이 이동되는 것으로 한다.Next, the conveyance chamber 10 is made to pass through the hand 39 loaded with the conveyance object, and it is moved to the desired vacuum processing chambers 13a-13d. Here, it is assumed that the object to be conveyed is moved to the vacuum processing chamber 13a shown in Fig. 2(c) as a sputtering apparatus.

진공 처리실 (13a) 은 진공조 (65) 를 갖고 있고, 진공조 (65) 의 내부에는 캐소드 전극 (61) 과 캐소드 전극 (61) 에 형성된 스퍼터링 타깃 (62) 이 배치되어 있다. 도 2(c) 의 부호 11 은 반송 대상물을 나타내고 있고, 상기 서술한 바와 같이 여기서는 유리 기판 (50) 이 반송 대상물 (11) 로 되어, 진공조 (65) 의 내부에 배치되어 있다.The vacuum processing chamber 13a has the vacuum chamber 65, and the cathode electrode 61 and the sputtering target 62 formed in the cathode electrode 61 are arrange|positioned inside the vacuum chamber 65. As shown in FIG. Reference numeral 11 in FIG. 2(c) denotes an object to be conveyed, and as described above, the glass substrate 50 serves as the object 11 to be conveyed here, and is disposed inside the vacuum chamber 65 .

반송 대상물 (11) 은, 진공 처리실 (13a) 과 반송실 (10) 사이의 게이트 밸브 (46a) 를 통과하여 진공조 (65) 의 내부에 반입되고, 배치된 후 핸드 (39) 는 진공 처리실 (13a) 로부터 발거되고, 게이트 밸브 (46a) 는 닫히고, 가스 도입 장치 (59) 로부터 진공조 (65) 의 내부에 스퍼터링 가스가 도입된다.The transfer object 11 passes through the gate valve 46a between the vacuum processing chamber 13a and the transfer chamber 10 and is carried into the vacuum chamber 65, and after being placed, the hand 39 is placed in the vacuum processing chamber ( 13a), the gate valve 46a is closed, and the sputtering gas is introduced into the vacuum chamber 65 from the gas introduction device 59 .

진공조 (65) 의 내부가 소정 압력의 스퍼터링 가스 분위기가 된 후, 스퍼터 전원 (63) 을 동작시켜, 캐소드 전극 (61) 에 스퍼터 전압이 인가되고, 스퍼터링 타깃 (62) 이 스퍼터링되어, 스퍼터링 입자는 진공 처리실 (13a) 에 배치된 반송 대상물 (11) 을 향하여 비행한다.After the inside of the vacuum chamber 65 becomes a sputtering gas atmosphere of a predetermined pressure, the sputtering power supply 63 is operated, a sputtering voltage is applied to the cathode electrode 61, the sputtering target 62 is sputtered, and sputtering particle|grains flies toward the conveyance object 11 disposed in the vacuum processing chamber 13a.

반송 대상물 (11) 과 스퍼터링 타깃 (62) 사이의 셔터 (도시 생략) 가 열리고, 반송 대상물 (11) 인 유리 기판 (50) 의 표면에 원하는 막두께의 박막이 형성되면, 스퍼터링 전압의 인가와 스퍼터링 가스의 공급이 정지되고, 게이트 밸브 (46a) 가 열리고, 기판 반송 로봇 (17) 의 핸드 (39) 가 진공조 (65) 의 내부에 삽입되어 핸드 (39) 상에, 박막이 형성된 반송 대상물 (11) 이 실리고, 반송 대상물 (11) 과 함께 핸드 (39) 가 진공 처리실 (13a) 의 내부로부터 발거되고, 게이트 밸브 (46a) 가 닫힌다.When a shutter (not shown) between the conveyance object 11 and the sputtering target 62 is opened and a thin film of a desired film thickness is formed on the surface of the glass substrate 50 which is the conveyance object 11, application of a sputtering voltage and sputtering The gas supply is stopped, the gate valve 46a is opened, the hand 39 of the substrate transfer robot 17 is inserted into the vacuum chamber 65, and the transfer object ( 11) is loaded, the hand 39 is removed from the inside of the vacuum processing chamber 13a together with the conveyance object 11, and the gate valve 46a is closed.

최초의 진공 처리실 (13a) 에서 진공 처리가 실시된 반송 대상물 (11) 은 다른 진공 처리실 (13b ∼ 13d) 에 소정의 순서로 반송되고, 각 진공 처리실 (13b ∼ 13d) 에서 진공 처리가 실시된다. 각 진공 처리실 (13a ∼ 13d) 에서의 진공 처리가 종료되면 반출입실 (15) 의 내부에 이동되어, 배치된다.The conveyed object 11 to which the vacuum processing was performed in the first vacuum processing chamber 13a is conveyed to the other vacuum processing chambers 13b-13d in a predetermined order, and the vacuum processing is performed in each vacuum processing chamber 13b-13d. When the vacuum processing in each vacuum processing chamber 13a-13d is complete|finished, it will move and arrange|position inside the carrying-out chamber 15.

이어서, 반출입실 (15) 과 반송실 (10) 사이의 게이트 밸브 (43) 가 닫히고 반출입실 (15) 의 내부와 반송실 (10) 의 내부가 분리된 후, 반출입실 (15) 에 대기 등의 기체가 도입된다. 기체의 도입에 의해 반출입실 (15) 의 내부가 대기압으로 승압되고, 반출입실 (15) 과 대기 사이의 문이 열려, 반송 대상물 (11) 이 대기 중에 취출되면, 각 진공 처리실 (13a ∼ 13d) 에서의 진공 처리가 된 유리 기판 (50) 이 얻어진다.Next, after the gate valve 43 between the carry-in/out chamber 15 and the transfer chamber 10 is closed and the inside of the carry-in/out chamber 15 and the inside of the transfer chamber 10 are separated, the carrying-in/out room 15 waits, etc. of gas is introduced. When the inside of the carrying-in/out chamber 15 is pressurized to atmospheric pressure by the introduction of the gas, the door between the carrying-in/out chamber 15 and the atmosphere is opened, and the conveyed object 11 is taken out into the atmosphere, each vacuum processing chamber 13a to 13d The glass substrate 50 to which the vacuum process was performed is obtained.

이와 같은 진공 처리 중에서, 스퍼터링 방법이나 CVD 방법 등에 의해 진공 처리 장치 (2) 의 내부에서 박막이 형성되어 있으면, 그 진공 처리실의 진공조의 내벽면이나, 내벽면에 대한 박막 부착을 방지하는 방착판의 표면에 박막이 부착된다. 그와 같은 박막의 막두께가 두꺼워지면 박리되어, 더스트가 발생하기 때문에, 소정 장수의 유리 기판 (50) 을 진공 처리할 때마다 더스트의 제거가 필요해진다.In such vacuum processing, if a thin film is formed inside the vacuum processing apparatus 2 by a sputtering method, a CVD method, etc. A thin film is attached to the surface. Since it peels when the film thickness of such a thin film becomes thick, and dust generate|occur|produces, every time a predetermined number of glass substrates 50 are vacuum-processed, removal of dust is needed.

도 5(a), (b) 의 부호 20 은, 본 발명의 일례인 더미 기판 장치를 나타내고 있고, 본 발명은, 더미 기판 장치 (20) 를 반송 대상물 (11) 로서 반송하여 진공 처리 장치 (2) 의 더스트를 제거할 수 있다. 도 5(a) 는 더미 기판 장치 (20) 의 평면도, 동 도면 (b) 는 그 E-E' 선 절단 단면도이다. 마찬가지로, 후술하는 도 3, 도 4, 도 6 ∼ 도 8 의 (a) 는 트레이 (21, 31, 41) 나 다른 예의 더미 기판 장치 (30, 40) 등의 평면도, (b) 는 그것들의 C-C' 선, D-D' 선, F-F' 선, G-G' 선, H-H' 선 절단 단면도이다.Reference numeral 20 in FIGS. 5A and 5B denotes a dummy substrate apparatus which is an example of the present invention. In the present invention, the dummy substrate apparatus 20 is transferred as a transfer object 11 to a vacuum processing apparatus 2 ) of dust can be removed. Fig. 5(a) is a plan view of the dummy substrate device 20, and Fig. 5(b) is a cross-sectional view taken along the line E-E'. Similarly, FIGS. 3, 4, and 6 to 8 (a) to be described later are plan views of trays 21, 31, 41 and other examples of dummy substrate devices 30 and 40, (b) are C-C 'Line, D-D', F-F', G-G', H-H' is a cross section cut.

먼저 도 5(a), (b) 의 더미 기판 장치 (20) 를 설명하면, 이 더미 기판 장치 (20) 는 판상 또는 1 개 내지 복수 개의 프레임으로 이루어지는 프레임상의 트레이 (21) 를 갖고 있다.First, the dummy substrate device 20 shown in Figs. 5(a) and 5(b) will be described. The dummy substrate device 20 has a plate-shaped or frame-shaped tray 21 composed of one to a plurality of frames.

도 3(a), (b) 를 참조하여, 트레이 (21) 에는, 길이 방향의 양단 또는 길이 방향과 수직인 방향의 양단의 장소에, 제 1 흡인 부재 (25a, 25b) 가 형성되어 있고, 도 4(a), (b) 에 나타내는 바와 같이, 트레이 (21) 상에는 양단의 제 1 흡인 부재 (25a, 25b) 의 간격보다 긴 시트상의 포집체 (28) 가 배치되고, 제 1 흡인 부재 (25a, 25b) 상에는 포집체 (28) 가 위치하고 있다. 여기서는 포집체 (28) 에는 금속 시트가 사용되고 있고, 예를 들어 구리로 이루어지는 금속 시트나 니켈로 이루어지는 금속 시트를 포집체 (28) 에 사용할 수 있다.Referring to Fig. 3 (a), (b), in the tray 21, the first suction members 25a, 25b are formed at both ends in the longitudinal direction or at both ends in the direction perpendicular to the longitudinal direction, As shown in Fig. 4(a), (b), on the tray 21, a sheet-like collector 28 longer than the interval between the first suction members 25a and 25b at both ends is disposed, and the first suction member ( A collector 28 is positioned on 25a, 25b. A metal sheet is used for the collector 28 here, and for example, a metal sheet made of copper or a metal sheet made of nickel can be used for the collector 28 .

포집체 (28) 가 배치된 트레이 (21) 상에는, 도 5(a), (b) 에 나타내는 바와 같이, 포집체 (28) 를 사이에 끼운 상태로 제 1 흡인 부재 (25a, 25b) 와 대면하는 위치에, 제 2 흡인 부재 (26a, 26b) 가 배치되어 있다.On the tray 21 on which the collector 28 is arrange|positioned, as shown to Fig.5 (a), (b), it faces with 1st suction member 25a, 25b in the state pinched|interposed with the collector 28. 2nd suction member 26a, 26b is arrange|positioned at the position to do.

제 1, 제 2 흡인 부재 (25a, 25b, 26a, 26b) 는 포집체 (28) 를 트레이 (21) 에 고정시키는 고정부이며, 적어도 어느 일방이 자석이고 타방이 자석에 흡인되는 금속 또는 자석으로 구성되어 있고, 제 1 흡인 부재 (25a, 25b) 와 제 2 흡인 부재 (26a, 26b) 는, 포집체 (28) 를 사이에 두고 서로 흡인하여, 제 1 흡인 부재 (25a, 25b) 는 포집체 (28) 의 이면과 접촉하고, 제 2 흡인 부재 (26a, 26b) 는 포집체 (28) 의 표면과 접촉하여 포집체 (28) 를 끼우고 포집체 (28) 를 가압한다.The first and second suction members 25a, 25b, 26a, 26b are fixing parts for fixing the collector 28 to the tray 21, at least one of which is a magnet and the other is a metal or magnet that is attracted by the magnet. The first suction member 25a, 25b and the second suction member 26a, 26b attract each other with the collector 28 interposed therebetween, and the first suction member 25a, 25b is the collector In contact with the back surface of (28), the 2nd suction members 26a, 26b come into contact with the surface of the collector 28, pinch the collector 28, and press the collector 28.

제 1 흡인 부재 (25a, 25b) 는 트레이 (21) 에 고정되어 있고, 따라서, 포집체 (28) 는 제 1 흡인 부재 (25a, 25b) 와, 제 1 흡인 부재 (25a, 25b) 를 흡인하거나 또는 흡인되는 제 2 흡인 부재 (26a, 26b) 에 의해 트레이 (21) 에 고정되어 있다.The first suction members 25a, 25b are fixed to the tray 21, so that the collecting body 28 sucks the first suction members 25a, 25b and the first suction members 25a, 25b, or Or it is fixed to the tray 21 by the 2nd suction members 26a, 26b which are sucked.

트레이 (21) 에는, 1 내지 복수 개의 관통공 (22) 이 형성되어 있고, 포집체 (28) 의 표면은 트레이 (21) 상에서 노출되고, 이면은 관통공 (22) 의 바닥면에 노출되어 있다. 관통공 (22) 과 관통공 (22) 사이에는 다리부 (24) 가 배치되어 있다. 트레이 (21) 는 예를 들어 경량인 금속 알루미늄을 사용할 수 있다.The tray 21 is provided with one to a plurality of through-holes 22 , the surface of the collector 28 is exposed on the tray 21 , and the back surface is exposed on the bottom surface of the through-holes 22 . . A leg portion 24 is disposed between the through hole 22 and the through hole 22 . The tray 21 can use, for example, lightweight metallic aluminum.

반송 대상물 (11) 로 되는 유리 기판 (50) 과, 포집체 (28) 가 배치되고, 반송 대상물 (11) 로 되는 더미 기판 장치 (20) (및 후술하는 도 7(a), (b) 의 더미 기판 장치 (30) 와 도 8(a), (b) 의 더미 기판 장치 (40)) 는 동일한 크기이고, 더미 기판 장치 (20, 30, 40) 는, 유리 기판 (50) 이 통과할 수 있는 게이트 밸브 (43, 46a ∼ 46d) 를 통과할 수 있다.The glass substrate 50 serving as the conveyance object 11 and the collector 28 are arranged, and the dummy substrate apparatus 20 serving as the conveyance object 11 (and later-described Figs. 7(a) and (b) ) The dummy substrate device 30 and the dummy substrate device 40 of FIGS. 8(a) and (b) are the same size, and the dummy substrate devices 20, 30, 40 can pass through the glass substrate 50. It can pass through the gate valves 43 and 46a to 46d.

또, 더미 기판 장치 (20, 30, 40) 는, 기판 반송 로봇 (17) 이 반송 가능한 가반 중량을 초과하지 않는 중량이고, 유리 기판 (50) 을 이동시키는 기판 반송 로봇 (17) 에 의해, 더미 기판 장치 (20, 30, 40) 를 핸드 (39) 상에 실어 이동시키는 것이 가능하다.In addition, the dummy substrate apparatuses 20 , 30 , 40 are dummy by the substrate transfer robot 17 which moves the glass substrate 50 with a weight not exceeding the payable weight that the substrate transfer robot 17 can carry. It is possible to mount and move the substrate apparatuses 20 , 30 , 40 on the hand 39 .

도 5(a), (b) 의, 더미 기판 장치 (20) 를 사용하여 더스트를 감소시키는 순서를 설명한다.A procedure for reducing dust using the dummy substrate device 20 in Figs. 5A and 5B will be described.

먼저, 포집체 (28) 가 청정한 표면과 청정한 이면을 갖는 더미 기판 장치 (20) 를 반송 대상물 (11) 로서 대기압의 분위기의 반출입실 (15) 에 배치하고, 반출입실 (15) 을 진공 배기하여 진공 분위기로 하고, 반출입실 (15) 의 내부와 반송실 (10) 의 내부를 접속하여, 핸드 (39) 를 반출입실 (15) 의 내부에 삽입하고, 반송 대상물 (11) 을 핸드 (39) 상에 실어 반송 대상물 (11) 과 함께 핸드 (39) 를 반출입실 (15) 로부터 발거한다.First, a dummy substrate device 20 having a clean surface and a clean back surface of the collector 28 is placed as the transfer object 11 in the carry-in/out chamber 15 in an atmosphere of atmospheric pressure, and the carry-in/out chamber 15 is evacuated to In a vacuum atmosphere, the inside of the carry-in/out chamber 15 and the inside of the transfer chamber 10 are connected, the hand 39 is inserted into the carry-in/out chamber 15, and the transfer object 11 is placed in the hand 39 The hand 39 is removed from the carrying-in/out room 15 together with the conveyance object 11 on top.

핸드 (39) 상의 반송 대상물 (11) 은 반송실 (10) 의 내부의 진공 분위기 중을 이동하고, 스토커실 (12) 과 반송실 (10) 사이에 위치하는 게이트 밸브 (42) 를 통과하여, 스토커실 (12) 의 내부에 반입된다.The transfer object 11 on the hand 39 moves in a vacuum atmosphere inside the transfer chamber 10 and passes through a gate valve 42 located between the stocker chamber 12 and the transfer chamber 10, It is carried into the inside of the stocker chamber 12 .

도 2(a) 에 스토커실 (12) 을 나타낸다.The stocker chamber 12 is shown in Fig.2 (a).

스토커실 (12) 은 스토커조 (16) 를 갖고 있고, 스토커조 (16) 의 내부에는 선반 (66) 이 복수 장 배치되어 있다.The stocker chamber 12 has a stocker tank 16 , and a plurality of shelves 66 are arranged inside the stocker tank 16 .

스토커조 (16) 의 내부에서는, 핸드 (39) 상의 반송 대상물 (11) 인 더미 기판 장치 (20) 는 선반 (66) 상에 이동되고, 핸드 (39) 가 스토커조 (16) 로부터 발거되면 게이트 밸브 (42) 는 닫힌다.Inside the stocker tank 16 , the dummy substrate apparatus 20 , which is the transfer object 11 on the hand 39 , is moved on the shelf 66 , and when the hand 39 is removed from the stocker tank 16 , the gate The valve 42 is closed.

이와 같이, 1 장 내지 복수 장의 더미 기판 장치 (20) 가 반송 대상물 (11) 로서 진공 처리 장치 (2) 의 내부를 반송되어, 진공 분위기로 된 스토커실 (12) 의 내부에 반입되고, 선반 (66) 상에 배치된다. 여기서는 복수 장의 더미 기판 장치 (20) 가 스토커실 (12) 의 내부에 배치되어 있다.In this way, one to a plurality of dummy substrate devices 20 are transported as the transport target 11 in the vacuum processing device 2 and loaded into the stocker chamber 12 in a vacuum atmosphere, and the shelf ( 66) is placed on it. Here, a plurality of dummy substrate devices 20 are arranged inside the stocker chamber 12 .

스토커실 (12) 에는 대전 장치 (18) 가 형성되어 있다. 대전 장치 (18) 에는, 이온화용 가스 공급원 (14) 이 접속되어 있고, 이온화용 가스 공급원 (14) 으로부터 대전 장치 (18) 에 이온화용 기체가 공급되도록 되어 있다. 대전 장치 (18) 는 반송실 (10) 에 형성되어 있어도 된다.A charging device 18 is formed in the stocker chamber 12 . A gas supply source 14 for ionization is connected to the charging device 18 , and the gas for ionization is supplied from the gas supply source 14 for ionization to the charging device 18 . The charging device 18 may be provided in the transfer chamber 10 .

대전 장치 (18) 가 기동되면, 공급된 이온화용 가스가 대전 장치 (18) 의 내부에서 이온화되어 대전 가스가 생성되고, 대전 가스는 대전 장치 (18) 에 형성된 방출구로부터 방출된다.When the charging device 18 is activated, the supplied ionization gas is ionized inside the charging device 18 to generate a charging gas, and the charging gas is discharged from a discharge port formed in the charging device 18 .

각 실 (12, 13a ∼ 13d, 15) 은 접지 전위에 접속되어 있고, 대전 장치 (18) 로부터 방출되는 대전 가스는, 정 또는 부의 어느 일방의 극성의 이온이다.Each of the chambers 12, 13a to 13d, 15 is connected to the ground potential, and the charging gas emitted from the charging device 18 is an ion having either positive or negative polarity.

진공 처리실 (13a ∼ 13d) 에 의해 유리 기판 (50) 으로 이루어지는 반송 대상물 (11) 이 진공 처리되고 있는 동안에는, 스토커실 (12) 과 반송실 (10) 사이의 게이트 밸브 (42) 는 닫아 둔다. 각 진공 처리실 (13a ∼ 13d) 내에서 다수 장수의 유리 기판 (50) 으로 이루어지는 반송 대상물 (11) 이 진공 처리되어 각 진공 처리실 (13a ∼ 13d) 의 내부에 더스트가 발생하면, 게이트 밸브 (42) 를 열고, 핸드 (39) 를 스토커실 (12) 에 삽입하여 핸드 (39) 상에 선반 (66) 상의 더미 기판 장치 (20) 를 싣는다.While the conveyance object 11 which consists of the glass substrate 50 is vacuum-processed by the vacuum processing chambers 13a-13d, the gate valve 42 between the stocker chamber 12 and the conveyance chamber 10 is closed. In each vacuum processing chamber 13a-13d, when the conveyance object 11 which consists of a large number of glass substrates 50 is vacuum-processed and dust is generate|occur|produced inside each vacuum processing chamber 13a-13d, the gate valve 42 is opened, the hand 39 is inserted into the stocker chamber 12 to load the dummy substrate device 20 on the shelf 66 on the hand 39 .

대전 장치 (18) 의 방출구는, 핸드 (39) 를 스토커실 (12) 로부터 발거할 때에, 핸드 (39) 상에 실은 더미 기판 장치 (20) 의 포집체 (28) 의 표면을 향하고 있어 대전 장치 (18) 의 방출구로부터 대전 가스가 방출되면, 대전 가스는 핸드 (39) 상의 더미 기판 장치 (20) 의 포집체 (28) 의 표면에 분사되고, 포집체 (28) 는, 대전 가스와 동일한 극성의 정 또는 부의 전위에 대전된다.The discharge port of the charging device 18 faces the surface of the collector 28 of the dummy substrate device 20 loaded on the hand 39 when the hand 39 is removed from the stocker chamber 12, and the charging device When the charging gas is discharged from the discharge port of 18, the charging gas is sprayed on the surface of the collector 28 of the dummy substrate device 20 on the hand 39, and the collector 28 is the same as the charging gas. It is charged to the positive or negative potential of the polarity.

대전된 포집체 (28) 가 배치된 더미 기판 장치 (20) 는, 진공 처리실 (13a ∼ 13d) 중, 최초로 더스트를 제거하는 진공 처리실 (13a) 의 내부에 반입되고, 더미 기판 장치 (20) 가 진공 처리실 (13a) 의 내부에 배치되고, 핸드 (39) 가 발거된다.The dummy substrate device 20 in which the charged collector 28 is disposed is loaded into the vacuum processing chamber 13a from which dust is first removed among the vacuum processing chambers 13a to 13d, and the dummy substrate device 20 is It is disposed inside the vacuum processing chamber 13a, and the hand 39 is removed.

분사된 대전 가스에 의해, 더미 기판 장치 (20) 의 포집체 (28) 는 대전되어 있고, 정전기력에 의해 더스트는 포집체 (28) 에 흡인되어, 진공 처리실 (13a) 의 내부의 더스트는 포집체 (28) 에 흡착된다.The collector 28 of the dummy substrate device 20 is charged by the injected charging gas, the dust is attracted to the collector 28 by the electrostatic force, and the dust inside the vacuum processing chamber 13a is removed from the collector. (28) is adsorbed.

여기서는, 더미 기판 장치 (20) 는 진공 처리실 (13a) 의 내부에 이동된 후, 진공 처리실 (13a) 과 반송실 (10) 사이의 게이트 밸브 (46a) 를 닫고, 진공 처리실 (13a) 에 접속된 가스 도입 장치 (59) 로부터 진공 처리실 (13a) 에 기체를 도입하고, 기체의 흐름에 의해 플로어면 등에 낙하되어 있는 더스트를 날아오르게 하여 흡착하고 있어, 더스트의 제거를 효율적으로 실시할 수 있다.Here, after the dummy substrate apparatus 20 is moved inside the vacuum processing chamber 13a, the gate valve 46a between the vacuum processing chamber 13a and the transfer chamber 10 is closed, and connected to the vacuum processing chamber 13a. Gas is introduced into the vacuum processing chamber 13a from the gas introduction device 59, and the dust falling on the floor surface or the like is blown up and absorbed by the flow of the gas, so that the dust can be efficiently removed.

1 대의 진공 처리실 (13a) 의 더스트 제거가 종료되면, 기판 반송 로봇 (17) 에 의해 더미 기판 장치 (20) 인 반송 대상물 (11) 은 처리가 종료된 진공 처리실 (13a) 로부터 취출되고, 반송실 (10) 을 통하여 다른 진공 처리실 (13b ∼ 13d) 의 내부에 차례로 반입되고, 게이트 밸브 (46b ∼ 46d) 가 닫히고 기체가 도입되어, 다른 진공 처리실 (13b ∼ 13d) 의 내부의 더스트가 제거된다.When the dust removal of one vacuum processing chamber 13a is finished, the transfer object 11, which is the dummy substrate apparatus 20, is taken out from the vacuum processing chamber 13a where the processing has been completed by the substrate transfer robot 17, and the transfer chamber It is sequentially carried into the inside of the other vacuum processing chambers 13b-13d through (10), the gate valves 46b-46d are closed, gas is introduce|transduced, and the dust inside the other vacuum processing chambers 13b-13d is removed.

더스트의 제거에 사용된 반송 대상물 (11) 은 반출입실 (15) 에 이동되고, 게이트 밸브 (43) 가 닫히고 반출입실 (15) 과 반송실 (10) 이 분리된 후, 대기 분위기 중에 취출된다.The conveyance object 11 used for the removal of dust is moved to the carry-in/out chamber 15, the gate valve 43 closes, and after the carrying-in/out room 15 and the conveyance chamber 10 are separated, they are taken out in an atmospheric condition.

스토커실 (12) 에는 복수 장의 더미 기판 장치 (20) 가 배치되어 있고, 1 장의 더미 기판 장치 (20) 에 대전 가스를 분사하여 포집체 (28) 를 대전시키고, 반송 대상물 (11) 로서 진공 처리 장치 (2) 의 내부를 반송하여, 더스트의 제거를 실시한 후에, 스토커실 (12) 에 배치된 다른 더미 기판 장치 (20) 에 대전 가스를 분사하여 포집체 (28) 를 대전시키고, 반송 대상물 (11) 로서 각 진공 처리실 (13a ∼ 13d) 에 차례로 반입하여 다시 더스트를 제거할 수도 있다.A plurality of dummy substrate apparatuses 20 are arranged in the stocker chamber 12 , and a charging gas is sprayed to one dummy substrate apparatus 20 to charge the collector 28 , and vacuum treatment as the transfer object 11 . After the inside of the apparatus 2 is conveyed and dust is removed, a charging gas is injected to another dummy substrate apparatus 20 arranged in the stocker chamber 12 to charge the collector 28, and the object to be conveyed ( 11), it can also be carried in to each vacuum processing chamber 13a-13d in order, and dust can also be removed again.

또, 더스트의 제거를 실시한 후, 소정 장수의 유리 기판 (50) 을 진공 처리한 시점에서, 스토커실 (12) 에 배치된 더미 기판 장치 (20) 에 의해 더스트의 제거를 실시할 수 있다.Moreover, after removing the dust, when the predetermined number of glass substrates 50 are vacuum-processed, the dust can be removed by the dummy substrate apparatus 20 arrange|positioned in the stocker chamber 12. As shown in FIG.

더스트의 제거를 실시한 후, 대기에 취출된 더미 기판 장치 (20) 에 대해서는, 제 1, 제 2 흡인 부재 (25a, 25b, 26a, 26b) 를 분리하여 더스트를 포집한 포집체 (28) 를 트레이 (21) 로부터 분리하고, 분리한 포집체 (28) 를 세정하여 흡착된 더스트를 제거한다.After the dust has been removed, the first and second suction members 25a, 25b, 26a, 26b are separated from the dummy substrate device 20 taken out to the atmosphere, and the dust collector 28 is placed on a tray. (21), the separated collector (28) is washed to remove the adsorbed dust.

세정되어 표면이 청정해진 포집체 (28) 는 트레이 (21) 에 장착하여 더미 기판 장치 (20) 를 재생할 수 있다. 재생된 더미 기판 장치 (20) 는 반출입실 (15) 로부터 진공 처리 장치 (2) 의 내부에 반입하여, 스토커실 (12) 에 배치할 수 있다.The collector 28 whose surface has been cleaned and cleaned can be mounted on the tray 21 to regenerate the dummy substrate device 20 . The regenerated dummy substrate apparatus 20 can be loaded into the vacuum processing apparatus 2 from the carry-in/out chamber 15 and placed in the stocker chamber 12 .

또, 더스트가 부착된 포집체 (28) 를 분리한 후, 새로운 포집체 (28) 를 트레이 (21) 에 배치함으로써 재생된 더미 기판 장치 (20) 를 스토커실 (12) 에 배치해도 된다.In addition, after separating the dust collector 28 , the regenerated dummy substrate device 20 may be placed in the stocker chamber 12 by placing a new collector 28 on the tray 21 .

상기 더미 기판 장치 (20) 에서는, 포집체 (28) 가 제 1, 제 2 흡인 부재 (25a, 25b, 26a, 26b) 의 자력에 의해 트레이 (21) 에 고정되어 있었지만, 도 6(a), (b) 의 트레이 (31) 와 같이 트레이 (31) 에 장착공 (371 ∼ 374) 을 형성하고, 도 7(a), (b) 에 나타내는 바와 같이, 금속 시트 등의 시트상의 포집체 (38) 를, 포집체 (38) 에 형성된 삽입 통과공 (도 7(a) 에서는 삽입 통과공은 나타나 있지 않고, 동 도면 (b) 에서는, 2 개의 삽입 통과공 (351, 352) 이 나타나 있지만, 포집체 (38) 에는, 장착공 (371 ∼ 374) 의 개수와 동수의 개수의 삽입 통과공 (351 ∼ 354) 이 형성되어 있는 것으로 한다.) 을 장착공 (371 ∼ 374) 의 바로 위에 배치하고, 나사 (331 ∼ 334) 를 장착공 (371 ∼ 374) 과 삽입 통과공 (351 ∼ 354) 에 삽입 통과시키고, 나사 (331 ∼ 334) 의 나사 머리를 포집체 (38) 에 접촉시켜, 포집체 (38) 를 트레이 (31) 에 밀착시킬 수 있다.In the dummy substrate device 20, the collector 28 is fixed to the tray 21 by the magnetic force of the first and second suction members 25a, 25b, 26a, 26b, but Fig. 6(a), As in the tray 31 of (b), mounting holes 37 1 to 374 are formed in the tray 31, and as shown in FIGS. 7(a) and (b), a sheet-like collector such as a metal sheet. (38), the insertion hole formed in the collector 38 (in FIG. Although shown, it is assumed that the number of insertion holes 35 1 to 35 4 equal to the number of the mounting holes 37 1 to 374 are formed in the collector 38.) The mounting holes 37 1 to 374 ), the screws 33 1 to 33 4 are inserted through the mounting holes 37 1 to 374 and the insertion holes 35 1 to 35 4 , and the screws 33 1 to 33 The screw head of 4 ) can be made to contact the collector 38, and the collector 38 can be closely_contact|adhered to the tray 31.

그 때, 나사 (331 ∼ 334) 의 외주에 나사산이 형성되고, 장착공 (371 ∼ 374) 의 내주에 나사산과 나사 결합 가능한 나사 홈이 형성되어 있는 경우에는 나사 (331 ∼ 334) 에 의해 포집체 (38) 를 트레이 (31) 에 나사 고정시킬 수 있다.At that time, when a screw thread is formed on the outer periphery of the screw 33 1 to 33 4 and a screw groove capable of screwing with a screw thread is formed on the inner periphery of the mounting hole 37 1 to 37 4 , the screw 33 1 to 33 4 ), the collector 38 can be screwed to the tray 31 .

이 트레이 (31) 에 대해, 나사 (331 ∼ 334) 는 트레이 (31) 로부터 분리할 수 있기 때문에, 상기 서술한 트레이 (21) 의 경우와 마찬가지로, 대전되어 더스트를 포집한 포집체 (38) 는, 세정 또는 새로운 포집체로의 교환에 의해 더미 기판 장치 (30) 를 재생할 수 있다.With respect to this tray 31, since the screws 33 1 to 33 4 are detachable from the tray 31, similarly to the case of the tray 21 described above, the collector 38 which is charged and collected dust. ) can regenerate the dummy substrate device 30 by cleaning or replacing it with a new collector.

또, 이 트레이 (31) 에 대해서도, 상기 트레이 (21) 와 동일한 크기로 동일한 위치에 관통공 (32) 이 형성되어 있고, 관통공 (32) 사이에는 다리부 (34) 가 배치되어 있다.Moreover, also about this tray 31, the through-hole 32 is formed in the same position as the said tray 21 and the same size, and the leg part 34 is arrange|positioned between the through-holes 32. As shown in FIG.

이러한 더미 기판 장치 (20, 30) 에서는, 1 대의 트레이 (21, 31) 상에는 1 장의 포집체 (28, 38) 를 배치해도 되고, 관통공 (22, 32) 을 덮도록 1 개의 관통공 (22, 32) 상에 1 장의 포집체를 배치해도 된다.In such dummy substrate apparatuses 20 and 30 , one collector 28 , 38 may be disposed on one tray 21 , 31 , and one through hole 22 may cover the through holes 22 , 32 . , 32) may be disposed on one collector.

그런데, 스퍼터링 장치인 상기 진공 처리실 (13a) 에 배치된 스퍼터링 타깃 (62) 을, 미사용의 스퍼터링 타깃으로 교환했을 때에는, 새로운 스퍼터링 타깃의 표면은 청정하지 않고, 더스트가 부착되어 있는 경우가 있다.By the way, when the sputtering target 62 arrange|positioned in the said vacuum processing chamber 13a which is a sputtering apparatus is replaced with an unused sputtering target, the surface of a new sputtering target is not clean, but dust may adhere.

이와 같은 스퍼터링 타깃을 스퍼터링해도 고품질의 박막을 형성할 수 없고, 또, 다른 진공 처리실 (13b ∼ 13d) 이 더스트로 오염될 우려도 있다.Even if such a sputtering target is sputtered, a high-quality thin film cannot be formed, and there exists a possibility that other vacuum processing chamber 13b-13d may be contaminated with dust.

상기 더미 기판 장치 (20, 30) 는 정전기력을 더스트의 포집에 사용했지만, 스퍼터링 타깃 (62) 을 프리스퍼터링하여 더스트를 제거할 수 있다. 그 때, 프리스퍼터링이 필요한 진공 처리실 (13a) 에 더미 기판 장치 (20, 30) 를 반송 대상물 (11) 로서 반입하고, 셔터를 열고, 더미 기판 장치 (20, 30) 의 포집체 (28, 38) 를 스퍼터링 타깃 (62) 과 대면시켜 스퍼터링하고, 스퍼터링 타깃 (62) 으로부터 튀어나온 스퍼터링 입자를 포집체 (28, 38) 에 부착시킬 수 있다.The dummy substrate devices 20 and 30 used electrostatic force to collect dust, but the sputtering target 62 can be pre-sputtered to remove the dust. At that time, the dummy substrate apparatuses 20 and 30 are carried as the transfer object 11 into the vacuum processing chamber 13a requiring pre-sputtering, the shutter is opened, and the collectors 28 and 38 of the dummy substrate apparatuses 20 and 30 are ) can be sputtered to face the sputtering target 62 , and the sputtering particles protruding from the sputtering target 62 can be attached to the collectors 28 and 38 .

포집체 (28, 38) 에 스퍼터링 입자가 부착된 더미 기판 장치 (20, 30) 는 반송 대상물 (11) 로서 반송하여, 진공 처리 장치 (2) 의 외부에 반출할 수 있기 때문에, 진공 처리실 (13a) 의 내부에서 프리스퍼터링에 의한 더스트가 발생하는 경우는 없다.Since the dummy substrate apparatuses 20 and 30 having sputtered particles adhered to the collectors 28 and 38 can be transferred as the transfer object 11 and carried out to the outside of the vacuum processing apparatus 2, the vacuum processing chamber 13a ), there is no case of dust from pre-sputtering inside.

프리스퍼터에 사용되고, 진공 처리 장치 (2) 의 외부에 반출된 더미 기판 장치 (20, 30) 는 세정이나 포집체 (28, 38) 의 교환에 의해 재생할 수 있다.The dummy substrate apparatuses 20 and 30 used for pre-sputtering and carried out to the outside of the vacuum processing apparatus 2 can be regenerated by washing or replacing the collectors 28 and 38 .

이상은, 대전 장치 (18) 에 의해 대전되는 포집체 (28, 38) 를 사용한 더미 기판 장치 (20, 30) 에 대해 설명했지만, 포집체 (28, 38) 에 전압을 인가함으로써 더스트를 포집할 수도 있다.In the above, although the dummy substrate devices 20 and 30 using the collectors 28 and 38 charged by the charging device 18 have been described, dust can be collected by applying a voltage to the collectors 28 and 38. may be

도 8(a), (b) 에 나타낸 더미 기판 장치 (40) 에서는, 트레이 (41) 상에, 금속 필름, 금속판, 또는 금속 박막으로 형성된 복수 개의 전극이 포집체 (481 ∼ 484) 로서 형성되어 있다.In the dummy substrate device 40 shown in FIGS. 8A and 8B , a plurality of electrodes formed of a metal film, a metal plate, or a thin metal film on a tray 41 are provided as collectors 48 1 to 48 4 . is formed

이 트레이 (41) 에는 전류 전압원인 전지 (45) 가 형성되고, 각 포집체 (481 ∼ 484) 는 배선 (441 ∼ 444) 에 의해 전지 (45) 의 정전압 단자 또는 부전압 단자에 접속되어 있고, 전지 (45) 가 정전압 단자로부터 출력하는 정전압과 부전압 단자로부터 출력하는 부전압은, 서로 절연된 상이한 포집체 (481 ∼ 484) 에 인가되어 있다.A battery 45 serving as a current and voltage source is formed in the tray 41 , and each collector 48 1 to 48 4 is connected to a positive voltage terminal or a negative voltage terminal of the battery 45 by wirings 44 1 to 44 4 . It is connected and the positive voltage output from the positive voltage terminal of the battery 45 and the negative voltage output from the negative voltage terminal are applied to the different collectors 48 1 to 48 4 insulated from each other.

이 예의 더미 기판 장치 (40) 에서는 복수의 포집체 (481 ∼ 484) 는 일렬로 배치되어 있고, 일렬로 배치된 포집체 (481 ∼ 484) 는 정전압 단자와 부전압 단자에 교대로 접속되고, 이웃하는 포집체 (481 ∼ 484) 에는 상이한 극성의 전압이 인가되고, 정전압과 부전압으로 교대로 대전되어 있다. 따라서, 더미 기판 장치 (40) 전체의 전기 극성은 중성이고, 각 포집체 (481 ∼ 484) 의 대전량의 합계값을 크게 할 수 있다.In the dummy substrate device 40 of this example, a plurality of collectors 48 1 to 48 4 are arranged in a line, and the collectors 48 1 to 48 4 arranged in a line are alternately applied to the positive voltage terminal and the negative voltage terminal. Voltages of different polarities are applied to the connected and adjacent collectors 48 1 to 48 4 , and are alternately charged with a positive voltage and a negative voltage. Accordingly, the electrical polarity of the entire dummy substrate device 40 is neutral, and the total value of the charge amounts of the respective collectors 48 1 to 48 4 can be increased.

이 더미 기판 장치 (40) 도 1 장 내지 복수 장을 스토커실 (12) 에 배치해 두고, 스토커실 (12) 내에서 반송 대상물 (11) 로서 핸드 (39) 에 싣고, 스토커실 (12) 로부터 취출하여 반송하고, 진공 처리실 (13a ∼ 13d) 에 배치하여 포집체 (48) 에 전압을 인가하면, 포집체 (481 ∼ 484) 에 인가된 전압의 전계에 의해, 더미 기판 장치 (40) 가 배치된 진공 처리실 (13a ∼ 13d) 의 내부 더스트가 포집된다. 진공 처리실 (13a ∼ 13d) 에는 기체를 도입하여, 더스트를 날아오르게 하여 더미 기판 장치 (40) 에 의해 포집해도 된다.One to several sheets of this dummy substrate device 40 are placed in the stocker chamber 12 , and are loaded on the hand 39 as the object 11 to be transported in the stocker chamber 12 , and are removed from the stocker chamber 12 . When a voltage is applied to the collector 48 by taking it out and conveying it, placing it in the vacuum processing chambers 13a to 13d, and the electric field of the voltage applied to the collectors 48 1 to 48 4 , the dummy substrate device 40 Dust inside the vacuum processing chambers 13a to 13d in which is disposed is collected. A gas may be introduced into the vacuum processing chambers 13a to 13d to blow up dust, and the dummy substrate device 40 may collect it.

이 더미 기판 장치 (40) 의 포집체 (481 ∼ 484) 에 대전 가스를 분사할 필요는 없으므로, 스토커실 (12) 이나 반송실 (10) 에 대전 장치를 형성하지 않아도 된다.Since it is not necessary to inject the charging gas to the collectors 48 1 to 48 4 of the dummy substrate device 40 , it is not necessary to provide a charging device in the stocker chamber 12 or the transfer chamber 10 .

이 더미 기판 장치 (40) 를 기판 반송 로봇 (17) 에 의해 반송하여 진공 처리 장치 (2) 의 외부에 취출하고, 포집체 (481 ∼ 484) 에 부착된 더스트는 세정하여 제거하여, 더미 기판 장치 (40) 를 재생할 수 있다. 또, 더스트가 부착된 금속 필름, 금속판, 또는 금속 박막 등의 포집체 (481 ∼ 484) 를 제거하고, 새로운 금속 필름, 금속판, 또는 금속 박막 등의 새로운 청정한 포집체로 교환함으로써 재생할 수 있다.The dummy substrate device 40 is transported by the substrate transport robot 17 and taken out to the outside of the vacuum processing device 2 , the dust adhering to the collectors 48 1 to 48 4 is washed and removed, and the dummy The substrate device 40 can be regenerated. Further, it can be reproduced by removing the dust collectors 48 1 to 48 4 such as a metal film, metal plate, or thin metal film and replacing it with a new clean collector such as a new metal film, metal plate, or metal thin film.

또한, 전지 (45) 를 충전지로 하고, 스토커실 (12) 에 충전 장치를 형성하고, 스토커실 (12) 의 진공 분위기 중에 배치된 더미 기판 장치 (40) 의 전지 (45) 를 충전하도록 해도 된다.Alternatively, the battery 45 may be a rechargeable battery, a charging device may be provided in the stocker chamber 12 , and the battery 45 of the dummy substrate device 40 disposed in a vacuum atmosphere of the stocker chamber 12 may be charged. .

11 : 반송 대상물 (유리 기판 또는 더미 기판 장치)
13a ∼ 13d : 진공 처리실
17 : 기판 반송 로봇
18 : 대전 장치
20, 30, 40 : 더미 기판 장치
21, 31, 41 : 트레이
25a, 25b : 제 1 흡인 부재
26a, 26b : 제 2 흡인 부재
28, 38, 481 ∼ 484 : 포집체
45 : 직류 전압원 (전지)
50 : 유리 기판11: object to be conveyed (glass substrate or dummy substrate device)
13a to 13d: vacuum processing chamber
17: substrate transfer robot
18: charging device
20, 30, 40: dummy board device
21, 31, 41: tray
25a, 25b: first suction member
26a, 26b: second suction member
28, 38, 48 1 to 48 4 : Collector
45: DC voltage source (battery)
50: glass substrate

Claims (17)

반송 대상물을 진공 분위기 중에서 이동시키는 기판 반송 로봇과,
상기 반송 대상물이 반입되는 진공 처리실을 갖는 진공 처리 장치로서,
트레이와, 상기 트레이에 배치된 포집체를 갖는 더미 기판 장치와,
상기 포집체를 대전시키는 대전 장치를 갖고,
유리 기판과 상기 더미 기판 장치가 상기 반송 대상물에 포함되고, 상기 더미 기판 장치에 의해 상기 진공 처리실 내의 더스트를 포집하며,
상기 트레이에는 상기 포집체에 전압을 인가하는 전지가 형성되어 있는 진공 처리 장치.A substrate transfer robot for moving the object to be transferred in a vacuum atmosphere;
A vacuum processing apparatus having a vacuum processing chamber into which the conveyed object is carried, the vacuum processing apparatus comprising:
A dummy substrate device having a tray and a collector disposed on the tray;
and a charging device for charging the collector;
a glass substrate and the dummy substrate device are included in the transfer object, and dust in the vacuum processing chamber is collected by the dummy substrate device;
A vacuum processing device in which a battery for applying a voltage to the collector is formed in the tray. 제 1 항에 있어서,
상기 포집체는 금속 시트이고, 상기 트레이에는, 상기 금속 시트를 상기 트레이에 착탈 가능하게 고정시키는 고정부가 배치된 진공 처리 장치.The method of claim 1,
The collector is a metal sheet, and a fixing part for removably fixing the metal sheet to the tray is disposed on the tray. 제 2 항에 있어서,
상기 고정부는, 적어도 일방은 영구 자석으로서 자력으로 서로 흡인되는 제 1, 제 2 흡인 부재를 갖고,
상기 제 1, 제 2 흡인 부재 중, 일방은 상기 트레이에 형성되고, 타방은 상기 금속 시트 상에 배치되고, 상기 제 1, 제 2 흡인 부재는 상기 금속 시트를 사이에 끼우고 서로 흡인되는 진공 처리 장치.3. The method of claim 2,
At least one of the fixing parts has first and second suction members that are attracted to each other by magnetic force as permanent magnets,
Vacuum treatment in which one of the first and second suction members is formed on the tray, the other is disposed on the metal sheet, and the first and second suction members are attracted to each other with the metal sheet sandwiched therebetween Device. 제 2 항에 있어서,
상기 금속 시트는 상기 트레이에 나사 고정된 진공 처리 장치.3. The method of claim 2,
wherein the metal sheet is screwed to the tray. 제 2 항에 있어서,
상기 포집체는, 서로 절연된 2 장의 전극과, 상기 2 장의 전극의 일방에 정전압을 인가하고, 타방에 부전압을 인가하는 직류 전압원을 갖는 진공 처리 장치.3. The method of claim 2,
The said collector is a vacuum processing apparatus which has two electrodes insulated from each other, and a DC voltage source which applies a positive voltage to one of the said two electrodes, and applies a negative voltage to the other. 제 1 항 내지 제 5 항 중 어느 한 항에 있어서,
1 대 내지 복수 대의 상기 더미 기판 장치가 배치되는 스토커실을 갖고,
상기 기판 반송 로봇에 의해 상기 더미 기판 장치가 상기 스토커실에 반출입되는 진공 처리 장치.6. The method according to any one of claims 1 to 5,
and a stocker chamber in which one to a plurality of the dummy substrate devices are disposed;
A vacuum processing apparatus in which the dummy substrate apparatus is carried into and out of the stocker chamber by the substrate transfer robot. 제 6 항에 있어서,
상기 기판 반송 로봇은 반송실에 배치되고, 상기 진공 처리실과 상기 스토커실은 상기 반송실에 접속된 진공 처리 장치.7. The method of claim 6,
The substrate transfer robot is disposed in a transfer chamber, and the vacuum processing chamber and the stocker chamber are connected to the transfer chamber. 반송 대상물을 진공 분위기 중에서 이동시키는 기판 반송 로봇과,
상기 반송 대상물이 반입되는 진공 처리실과,
상기 진공 처리실에 배치된 캐소드 전극과,
상기 캐소드 전극에 배치된 타깃을 갖고,
상기 타깃이 스퍼터링되어 생성된 스퍼터링 입자가 방출되는 진공 처리 장치로서,
상기 반송 대상물에는, 상기 타깃과 대면하여 박막이 형성되는 유리 기판과 트레이에 포집체가 배치된 더미 기판 장치가 포함되고,
상기 더미 기판 장치는, 상기 타깃과 대면하여 상기 스퍼터링 입자가 상기 포집체에 도달하며,
상기 트레이에는 상기 포집체에 전압을 인가하는 전지가 형성되어 있는 진공 처리 장치.A substrate transfer robot for moving the object to be transferred in a vacuum atmosphere;
a vacuum processing chamber into which the object to be transported is carried in;
a cathode electrode disposed in the vacuum processing chamber;
having a target disposed on the cathode electrode;
As a vacuum processing device in which sputtering particles generated by sputtering the target are emitted,
The transfer object includes a glass substrate on which a thin film is formed facing the target and a dummy substrate device in which a collector is disposed on a tray,
The dummy substrate device faces the target so that the sputtered particles reach the collector,
A vacuum processing device in which a battery for applying a voltage to the collector is formed in the tray. 제 8 항에 있어서,
상기 포집체는 금속 시트이고, 상기 트레이에는, 상기 금속 시트를 상기 트레이에 착탈 가능하게 고정시키는 고정부가 배치된 진공 처리 장치.9. The method of claim 8,
The collector is a metal sheet, and a fixing part for removably fixing the metal sheet to the tray is disposed on the tray. 제 9 항에 있어서,
상기 고정부는, 적어도 일방은 영구 자석으로서 자력으로 서로 흡인되는 제 1, 제 2 흡인 부재를 갖고,
상기 제 1, 제 2 흡인 부재 중, 일방은 상기 트레이에 형성되고, 타방은 상기 금속 시트 상에 배치되고, 상기 제 1, 제 2 흡인 부재는 상기 금속 시트를 사이에 끼우고 서로 흡인되는 진공 처리 장치.10. The method of claim 9,
At least one of the fixing parts has first and second suction members that are attracted to each other by magnetic force as permanent magnets,
Vacuum treatment in which one of the first and second suction members is formed on the tray, the other is disposed on the metal sheet, and the first and second suction members are attracted to each other with the metal sheet sandwiched therebetween Device. 제 9 항에 있어서,
상기 금속 시트는 상기 트레이에 나사 고정된 진공 처리 장치.10. The method of claim 9,
wherein the metal sheet is screwed to the tray. 반송 대상물을 진공 분위기 중에서 이동시키는 기판 반송 로봇과, 상기 반송 대상물이 반입되는 진공 처리실을 갖는 진공 처리 장치의 상기 반송 대상물에 포함되는 더미 기판 장치로서,
상기 더미 기판 장치는, 트레이와, 상기 트레이에 배치된 포집체를 갖고, 상기 진공 처리실 내에서 발생한 더스트를 상기 포집체로 포집하며,
상기 트레이에는 상기 포집체에 전압을 인가하는 전지가 형성되어 있는 더미 기판 장치.A dummy substrate apparatus included in the transfer object of a vacuum processing apparatus having a substrate transfer robot for moving a transfer object in a vacuum atmosphere, and a vacuum processing chamber into which the transfer object is carried, the dummy substrate apparatus comprising:
The dummy substrate device includes a tray and a collector disposed on the tray, and collects dust generated in the vacuum processing chamber by the collector,
A dummy substrate device in which a battery for applying a voltage to the collector is formed in the tray. 제 12 항에 있어서,
상기 포집체는 금속 시트이고, 상기 트레이에는, 상기 금속 시트를 상기 트레이에 착탈 가능하게 고정시키는 고정부가 배치된 더미 기판 장치.13. The method of claim 12,
The collector is a metal sheet, and a fixing part for removably fixing the metal sheet to the tray is disposed on the tray. 제 13 항에 있어서,
상기 고정부는, 적어도 일방은 영구 자석으로서 자력으로 서로 흡인되는 제 1, 제 2 흡인 부재를 갖고,
상기 제 1, 제 2 흡인 부재 중, 일방은 상기 트레이에 형성되고, 타방은 상기 금속 시트 상에 배치되고, 상기 금속 시트는 서로 흡인되는 상기 제 1, 제 2 흡인 부재 사이에 끼워지는 더미 기판 장치.14. The method of claim 13,
At least one of the fixing parts has first and second suction members that are attracted to each other by magnetic force as permanent magnets,
Among the first and second suction members, one of the first and second suction members is formed on the tray, the other is disposed on the metal sheet, and the metal sheet is sandwiched between the first and second suction members that are attracted to each other. . 제 13 항에 있어서,
상기 금속 시트는 상기 트레이에 나사 고정된 더미 기판 장치.14. The method of claim 13,
wherein the metal sheet is screwed to the tray. 제 12 항에 있어서,
상기 포집체는 서로 절연된 2 장의 전극을 갖고, 상기 트레이에는, 일방의 상기 전극에 정전압을 인가하고, 타방의 상기 전극에 부전압을 인가하는 직류 전압원이 형성된 더미 기판 장치.13. The method of claim 12,
The collector has two electrodes insulated from each other, and a DC voltage source for applying a positive voltage to one of the electrodes and a negative voltage to the other electrode is formed in the tray. 제 12 항에 있어서,
상기 포집체는, 상기 진공 처리 장치에 형성된 대전 장치에 의해 대전되는 더미 기판 장치.13. The method of claim 12,
The collecting member is a dummy substrate device that is charged by a charging device formed in the vacuum processing device.
KR1020207015827A 2018-06-15 2019-06-07 vacuum processing unit, dummy substrate unit KR102392851B1 (en)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JPJP-P-2018-114862 2018-06-15
JP2018114862 2018-06-15
PCT/JP2019/022705 WO2019240029A1 (en) 2018-06-15 2019-06-07 Vacuum treatment device and dummy substrate device

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20200083563A KR20200083563A (en) 2020-07-08
KR102392851B1 true KR102392851B1 (en) 2022-04-29

Family

ID=68842517

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020207015827A KR102392851B1 (en) 2018-06-15 2019-06-07 vacuum processing unit, dummy substrate unit

Country Status (5)

Country Link
JP (1) JP7012155B2 (en)
KR (1) KR102392851B1 (en)
CN (1) CN111492088B (en)
TW (1) TWI740157B (en)
WO (1) WO2019240029A1 (en)

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2005254031A (en) * 2004-03-09 2005-09-22 Nitto Denko Corp Cleaning sheet and cleaning method of substrate treatment apparatus using it
JP2010283174A (en) * 2009-06-05 2010-12-16 Panasonic Corp Semiconductor manufacturing apparatus
WO2012046705A1 (en) 2010-10-06 2012-04-12 株式会社アルバック Dielectric film formation device and dielectric film formation method
JP2015126092A (en) * 2013-12-26 2015-07-06 大日本印刷株式会社 Cleaning substrate and method for cleaning substrate processing device

Family Cites Families (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2002038264A (en) 2000-07-25 2002-02-06 Toshiba Corp Method and device for depositing sputter film
TW574385B (en) 2002-06-25 2004-02-01 Hannstar Display Corp Method of pre-sputtering with an increased rate of use of sputtering target
CN1961258A (en) * 2004-05-28 2007-05-09 皇家飞利浦电子股份有限公司 Cleaning a mask substrate
JP4764028B2 (en) * 2005-02-28 2011-08-31 株式会社日立ハイテクノロジーズ Plasma processing method
KR101122309B1 (en) * 2007-04-18 2012-03-21 가부시키가이샤 아루박 Dummy substrate, method for starting film forming apparatus using same, method for maintaining/changing film forming condition, and method for stopping apparatus
JP2009144193A (en) * 2007-12-13 2009-07-02 Mitsubishi Heavy Ind Ltd Method for cleaning plasma treatment apparatus, substrate for cleaning plasma treatment apparatus, and method for producing solar cell
JP2010103363A (en) * 2008-10-24 2010-05-06 Nec Electronics Corp Method of cleaning immersion lithography apparatus, dummy wafer, and immersion lithography apparatus
KR101800858B1 (en) * 2012-06-29 2017-11-23 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 Method for using sputtering target and method for manufacturing oxide film
WO2016125841A1 (en) * 2015-02-07 2016-08-11 株式会社クリエイティブテクノロジー Workpiece holding device and laser cutting processing method

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2005254031A (en) * 2004-03-09 2005-09-22 Nitto Denko Corp Cleaning sheet and cleaning method of substrate treatment apparatus using it
JP2010283174A (en) * 2009-06-05 2010-12-16 Panasonic Corp Semiconductor manufacturing apparatus
WO2012046705A1 (en) 2010-10-06 2012-04-12 株式会社アルバック Dielectric film formation device and dielectric film formation method
JP2015126092A (en) * 2013-12-26 2015-07-06 大日本印刷株式会社 Cleaning substrate and method for cleaning substrate processing device

Also Published As

Publication number Publication date
CN111492088A (en) 2020-08-04
CN111492088B (en) 2023-03-14
WO2019240029A1 (en) 2019-12-19
JPWO2019240029A1 (en) 2021-01-07
TWI740157B (en) 2021-09-21
TW202015157A (en) 2020-04-16
JP7012155B2 (en) 2022-01-27
KR20200083563A (en) 2020-07-08

Similar Documents

Publication Publication Date Title
TWI678755B (en) Methods of handling a mask device in a vacuum system, a mask handling assembly for handling a mask device in a vacuum system, vacuum system for depositing a material on a substrate and a method of handling mask devices in a vacuum system
JPWO2009153856A1 (en) Carrier with protective cover and protective cover attaching / detaching device
WO2012121046A1 (en) Bonding device, bonding system and bonding method
JPH0243980A (en) Electrostatic dust collectors
JP6322508B2 (en) Vacuum processing equipment
JPH08167643A (en) Sample holding device and its dust removal method
JP2012160491A (en) Substrate transfer apparatus and substrate processing apparatus
JP5116525B2 (en) Sputtering equipment
KR102392851B1 (en) vacuum processing unit, dummy substrate unit
TW200535985A (en) Substrate washing device and substrate washing method
JP6851202B2 (en) Board holder, vertical board transfer device and board processing device
TWI401329B (en) Sputtering source, sputtering apparatus, and film manufacturing method
CN109819570B (en) Flat panel display manufacturing apparatus
JP4806165B2 (en) Substrate transfer apparatus, cleaning method therefor, and substrate processing system
JP6436829B2 (en) Deposition equipment
WO2009128431A1 (en) Atmosphere cleaning device
JPH0242901B2 (en)
JP5832372B2 (en) Vacuum processing equipment
JP6422074B2 (en) Vacuum processing equipment
JP6949381B2 (en) Metal film deposition equipment on the surface of a three-dimensional object
JP6067210B2 (en) Plasma processing equipment
JP4073657B2 (en) Processing method
KR20080037777A (en) Sputtering apparatus
JP6174210B2 (en) Mounting table and plasma processing apparatus
JPH0530162U (en) Plate cleaning equipment surface cleaning equipment

Legal Events

Date Code Title Description
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant