JP5832372B2 - Vacuum processing equipment - Google Patents
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Description
本発明は、多数の被処理材に対する真空処理に適した真空処理装置に関する。 The present invention relates to a vacuum processing apparatus suitable for vacuum processing on a large number of materials to be processed.
被処理材に対する数層程度の成膜処理に適した成膜装置として、ＬＯＡＤチャンバとＵＮＬＯＡＤチャンバの間に複数のプロセスチャンバが配設された真空処理装置が知られている。このような真空処理装置では被処理材をキャリアに保持した状態で搬送することができるため、連続的に被処理材の表面に多層膜を形成することができる。 A vacuum processing apparatus in which a plurality of process chambers are disposed between a LOAD chamber and an UNLOAD chamber is known as a film forming apparatus suitable for a film forming process of several layers on a material to be processed. In such a vacuum processing apparatus, since the material to be processed can be transported while being held on the carrier, a multilayer film can be continuously formed on the surface of the material to be processed.
しかしながらプロセスチャンバの上流側と下流側にロードロック室を設ける構成では、被処理材とともにキャリア（若しくはホルダ）を真空容器の外に取り出す必要がある。すなわち、真空容器外に取り出されたキャリアを再び真空容器内に入れるたびに脱ガスすることからスループットの向上が困難であった。 However, in the configuration in which the load lock chambers are provided on the upstream side and the downstream side of the process chamber, it is necessary to take out the carrier (or holder) together with the material to be processed out of the vacuum container. That is, it is difficult to improve throughput because the carrier taken out of the vacuum container is degassed every time it is put back into the vacuum container.
一方、キャリアを真空容器の外に取り出すことなく多数の被処理材に成膜するため、真空容器内に無端状の搬送路を構成する技術が知られている（例えば、特許文献１）。特許文献１の技術によれば、キャリアを真空容器の外に取り出すことなく、未処理の被処理材の投入と処理済みの被処理材の排出ができるためスループットを向上することができる。 On the other hand, in order to form a film on a large number of materials to be processed without taking the carrier out of the vacuum container, a technique for forming an endless transport path in the vacuum container is known (for example, Patent Document 1). According to the technique of Patent Document 1, the throughput can be improved because the untreated material can be input and the treated material can be discharged without taking the carrier out of the vacuum container.
特許文献１の技術は、無端状の搬送路を周回しながら所定の成膜を行う処理に適しているものの複数種類の処理を同時に行うことは困難であった。 Although the technique of Patent Document 1 is suitable for a process of performing predetermined film formation while circling an endless conveyance path, it is difficult to perform a plurality of types of processes simultaneously.
本発明は、上記課題に鑑みてなされたものであり、成膜処理のスループットの向上を図ることができ、複数種類の処理が可能な真空処理装置を提供することにある。 The present invention has been made in view of the above problems, and it is an object of the present invention to provide a vacuum processing apparatus capable of improving the throughput of film formation processing and capable of a plurality of types of processing.
本発明に係る真空処理装置は、被処理材を保持するキャリアと、キャリアを多角形状の搬送路に沿って搬送する搬送装置と、被処理材に対して所定の真空処理を行うよう搬送路に沿って配置された複数のプロセスチャンバと、多角形状の搬送路の角の部分に配置され、キャリアの向きを転換する方向転換チャンバとを有する真空処理装置であって、複数の方向転換チャンバ内で、キャリアに未処理の被処理材を移載され、若しくは、キャリアから処理済みの被処理材を取り外されることを特徴とする。 A vacuum processing apparatus according to the present invention includes a carrier that holds a material to be processed, a conveyance device that conveys the carrier along a polygonal conveyance path, and a conveyance path that performs predetermined vacuum processing on the material to be processed. A vacuum processing apparatus having a plurality of process chambers arranged along a corner of a polygonal conveyance path and a direction changing chamber for changing the direction of a carrier, The untreated material is transferred to the carrier, or the treated material is removed from the carrier.
成膜処理のスループットの向上を図ることができ、同時に複数種類の処理が可能な真空処理装置及び真空処理方法を提供することができる。 It is possible to provide a vacuum processing apparatus and a vacuum processing method capable of improving the throughput of the film formation process and simultaneously performing a plurality of types of processes.
以下に、本発明の各実施形態について図面に基づいて説明する。なお、以下に説明する部材、配置等は発明を具体化した一例であって本発明を限定するものではなく、本発明の趣旨に沿って各種改変できることは勿論である。 Embodiments of the present invention will be described below with reference to the drawings. The members, arrangements, and the like described below are examples embodying the invention and do not limit the present invention, and it is needless to say that various modifications can be made in accordance with the spirit of the present invention.
本願明細書中では、真空処理装置としてＤＬＣ（ダイヤモンドライクカーボン）を成膜するＣＶＤ成膜装置（真空処理装置１）を例に挙げて説明するが本発明はこの限りではない。例えば、スパッタリング装置や他のＰＶＤ装置若しくは他のＣＶＤ装置などにも本発明は好適に適用可能である。本発明は成膜装置以外の処理装置、例えばドライエッチング装置若しくはアッシング装置、熱処理装置などの装置にも好適に適用可能である。また、本発明に係る真空処理装置は、燃料電池製造装置、パネル製造装置、半導体製造装置、ストレージ製造装置として好適に適用可能なものである。 In the present specification, a CVD film forming apparatus (vacuum processing apparatus 1) for forming DLC (diamond-like carbon) as a vacuum processing apparatus will be described as an example, but the present invention is not limited to this. For example, the present invention can be suitably applied to a sputtering apparatus, other PVD apparatuses, other CVD apparatuses, and the like. The present invention can be suitably applied to a processing apparatus other than the film forming apparatus, such as a dry etching apparatus, an ashing apparatus, or a heat treatment apparatus. The vacuum processing apparatus according to the present invention can be suitably applied as a fuel cell manufacturing apparatus, a panel manufacturing apparatus, a semiconductor manufacturing apparatus, and a storage manufacturing apparatus.
（第１の実施形態）
図１〜７は本発明の第１の実施形態に係る真空処理装置を示す図であり、図１は真空処理装置の構成摸式図、図２は図１のＩ−Ｉ断面図、図３，図４はキャリアの構成図、図５〜７真空処理装置のキャリアの動きを示す説明図である。なお、図面の煩雑化を防ぐため一部を除いて省略している。
(First embodiment)
1 to 7 are views showing a vacuum processing apparatus according to a first embodiment of the present invention, FIG. 1 is a schematic diagram of the configuration of the vacuum processing apparatus, FIG. 2 is a cross-sectional view taken along the line II of FIG. FIG. 4 is a block diagram of the carrier, and FIGS. 5 to 7 are explanatory views showing the movement of the carrier in the vacuum processing apparatus. In order to prevent complication of the drawing, the illustration is omitted except for a part.
図１に基づいて真空処理装置１の概略構成を説明する。真空処理装置１はインライン型の成膜装置であり、真空チャンバが無端状且つ四角形に連結されて構成されている。具体的には真空処理装置１は、２つのプロセスチャンバＰＣ（ＰＣ１，ＰＣ２）とコーナチャンバＣＣ（ＣＣａ〜ＣＣｄ）からなる組み合わせが４セット直列に連結されている。四隅に配置されているコーナチャンバＣＣ（方向転換チャンバ）のそれぞれには２つのロードロックチャンバＬＬ（ＬＬ１，ＬＬ２）が接続されている。各コーナチャンバＣＣの内部にはそれぞれ基板移載装置ＲＢが設けられており、各真空チャンバはいずれもゲートバルブＧＶ介して接続されている。なお、図１では一つのコーナチャンバＣＣａ以外の基板移載装置ＲＢを不図示とした。 A schematic configuration of the vacuum processing apparatus 1 will be described with reference to FIG. The vacuum processing apparatus 1 is an in-line type film forming apparatus, and is configured by connecting a vacuum chamber in an endless shape and in a square shape. Specifically, in the vacuum processing apparatus 1, four sets of combinations including two process chambers PC (PC1, PC2) and corner chambers CC (CCa to CCd) are connected in series. Two load lock chambers LL (LL1, LL2) are connected to each of the corner chambers CC (direction changing chambers) arranged at the four corners. Each corner chamber CC is provided with a substrate transfer device RB, and each vacuum chamber is connected via a gate valve GV. In FIG. 1, the substrate transfer device RB other than one corner chamber CCa is not shown.
本明細書においては、２つのプロセスチャンバＰＣ（ＰＣ１，ＰＣ２）とコーナチャンバＣＣからなる組み合わせをプロセスユニットＡ〜Ｄと称する。各プロセスユニットＡ〜Ｄを構成するプロセスチャンバＰＣ（ＰＣ１，ＰＣ２）とコーナチャンバＣＣを区別するときは、夫々の符号の末尾にａ，ｂ，ｃ，ｄを付加する。 In this specification, a combination of two process chambers PC (PC1, PC2) and a corner chamber CC is referred to as process units A to D. When distinguishing the process chamber PC (PC1, PC2) and the corner chamber CC constituting each of the process units A to D, a, b, c, and d are added to the end of each symbol.
真空処理装置１では、被処理材Ｓをキャリア３に保持した状態で真空処理が行われるため、各真空チャンバ間でキャリア３を移送する搬送装置が設けられている。搬送装置によってキャリア３に保持された被処理材Ｓを四角形状（多角形状）の搬送路Ｒに沿って移動させ、所定の真空チャンバに搬送することができる。また、真空処理装置１では、各プロセスユニットがプロセスチャンバを２つ有するが、プロセスチャンバが１つの場合や３つ以上であってもよい。 In the vacuum processing apparatus 1, since the vacuum processing is performed in a state where the material to be processed S is held on the carrier 3, a transport device that transports the carrier 3 between the vacuum chambers is provided. The workpiece S held on the carrier 3 by the transfer device can be moved along a rectangular (polygonal) transfer path R and transferred to a predetermined vacuum chamber. In the vacuum processing apparatus 1, each process unit has two process chambers. However, the number of process chambers may be one, or three or more.
被処理材Ｓは、厚さ０．１ｍｍ程度のシート状の金属部材を、５０×５０ｍｍ〜５００×５００ｍｍ程度の矩形状に形成したものである。真空処理装置１は、シート状のアルミ板，チタン板、又はステンレス鋼板製の被処理材Ｓの両面（表面と裏面）にＤＬＣ膜を成膜する処理に適している。ただし、被処理材Ｓは真空処理の目的に応じて適宜変更できるものとする。 The material S to be processed is formed by forming a sheet-like metal member having a thickness of about 0.1 mm into a rectangular shape having a size of about 50 × 50 mm to 500 × 500 mm. The vacuum processing apparatus 1 is suitable for a process of forming a DLC film on both surfaces (front and back surfaces) of a material to be processed S made of a sheet-like aluminum plate, titanium plate, or stainless steel plate. However, the material to be processed S can be appropriately changed according to the purpose of the vacuum processing.
プロセスチャンバＰＣ（ＰＣ１，ＰＣ２）は、被処理材Ｓに対して所定の真空処理を行う真空チャンバであり、本実施形態ではＰＣ１は加熱チャンバ、ＰＣ２はＤＬＣ（Ｄｉａｍｏｎｄ
Ｌｉｋｅ Ｃａｒｂｏｎ）を成膜するためのＣＶＤ成膜チャンバとして用いられる。ただし、ＰＣ１、ＰＣ２のプロセスは決まっておらず、同じプロセスを行ってもよい。また、プロセスも加熱や成膜だけでなく、エッチング処理であっても良いことはもちろんである。本実施形態においてプロセスチャンバＰＣ１，ＰＣ２は同様の構成であるが、プロセスチャンバＰＣ１とＰＣ２の構成を異なるものとしてもよい。
The process chambers PC (PC1, PC2) are vacuum chambers that perform a predetermined vacuum process on the workpiece S. In this embodiment, PC1 is a heating chamber, and PC2 is a DLC (Diamond).
Like Carbon) is used as a CVD film forming chamber for forming a film. However, the processes of PC1 and PC2 are not determined, and the same process may be performed. Of course, the process may be etching as well as heating and film formation. In the present embodiment, the process chambers PC1 and PC2 have the same configuration, but the process chambers PC1 and PC2 may have different configurations.
プロセスチャンバＰＣ２について図２に基づいて説明する。プロセスチャンバＰＣ２は、ガス導入系２４と電圧印加手段及び排気手段などを備えている。ガス導入系２４から導入されるガスはＣｘＨｙ（炭化水素系ガス），Ｈ２，Ｎ２，Ａｒ，Ｏ２などである。 The process chamber PC2 will be described with reference to FIG. The process chamber PC2 includes a gas introduction system 24, voltage application means, exhaust means, and the like. The gas introduced from the gas introduction system 24 is CxHy (hydrocarbon gas), H2, N2, Ar, O2, or the like.
排気手段としては一例として、ターボ分子ポンプ２６と背圧排気用ポンプ２７を有し、さらに、排気コンダクタンスを変化できるメインバルブ２５やバリアブルオリフィスがあると望ましい。電圧印加手段は、キャリア３を介して被処理材Ｓに高電圧を印加するものであり、電源２２や、電圧印加用シリンダー２３を備えている。電圧印加用シリンダー２３は、キャリア３の搬送時には、キャリア３のホルダ部分と非接触とすべく電圧印加手段を動作させる。その他に、被処理材Ｓの温度を測定するための温度測定手段２１を備えている。温度測定手段２１としては例えば、放射温度計が用いられる。 As an example of the exhaust means, it is desirable to have a turbo molecular pump 26 and a back pressure exhaust pump 27, and further include a main valve 25 and a variable orifice capable of changing the exhaust conductance. The voltage applying means applies a high voltage to the material S to be processed via the carrier 3 and includes a power source 22 and a voltage applying cylinder 23. When the carrier 3 is transported, the voltage application cylinder 23 operates the voltage application means so as not to contact the holder portion of the carrier 3. In addition, temperature measuring means 21 for measuring the temperature of the material to be processed S is provided. For example, a radiation thermometer is used as the temperature measuring means 21.
プロセスチャンバＰＣ２には、キャリア３の周囲にシールド２８が設けられており、基板処理中にプロセスチャンバＰＣ２の内壁に膜が堆積することを防止している。シールド２８の裏面には磁場形成手段２９が設けられている。磁場形成手段２９によって形成される磁場により、被処理材の処理中におけるプロセスチャンバＰＣ２の空間内のプラズマ密度分布をコントロールすることができる。磁場形成手段２９としては、永久磁石や電磁石が用いられる。またシールド２８は電気的に接地されており、プロセスチャンバＰＣ２においてプラズマを形成する際にはアノードとして機能する。なお、本発明に係るプラズマＣＶＤ装置において、磁場形成手段２９は及びシールド２８の接地は必須の構成要素ではない。シールド２８がアノードとして機能するならば他の装置構成も採用可能である。 In the process chamber PC2, a shield 28 is provided around the carrier 3 to prevent a film from being deposited on the inner wall of the process chamber PC2 during substrate processing. Magnetic field forming means 29 is provided on the back surface of the shield 28. The plasma density distribution in the space of the process chamber PC2 during the processing of the material to be processed can be controlled by the magnetic field formed by the magnetic field forming unit 29. As the magnetic field forming means 29, a permanent magnet or an electromagnet is used. The shield 28 is electrically grounded and functions as an anode when plasma is formed in the process chamber PC2. In the plasma CVD apparatus according to the present invention, the magnetic field forming means 29 and the grounding of the shield 28 are not essential components. Other device configurations may be employed if the shield 28 functions as an anode.
次に、プロセスチャンバＰＣ１，ＰＣ２における被処理材Ｓへの成膜処理について説明する。まず、被処理材Ｓの加熱処理として、プロセスチャンバＰＣ１に不活性ガスを導入して、プロセスチャンバＰＣ１の圧力を５〜５０Ｐａ程度に制御する。そして電圧印加用シリンダー２３を駆動することによって、キャリア３と電圧印加手段を電気的に接触させる。電圧印加手段で印加される高電圧は、直流電圧（ＤＣ）もしくはパルスＤＣであり、被処理材Ｓに電圧が印加されプロセスチャンバＰＣ１にプラズマが形成される。このプラズマによるイオン衝撃により、被処理材Ｓの温度が上昇する。 Next, a film forming process on the material S to be processed in the process chambers PC1 and PC2 will be described. First, as the heat treatment of the material to be processed S, an inert gas is introduced into the process chamber PC1, and the pressure of the process chamber PC1 is controlled to about 5 to 50 Pa. Then, by driving the voltage applying cylinder 23, the carrier 3 and the voltage applying means are brought into electrical contact. The high voltage applied by the voltage applying means is a direct current voltage (DC) or a pulse DC, and a voltage is applied to the workpiece S to form plasma in the process chamber PC1. Due to the ion bombardment by the plasma, the temperature of the material to be processed S rises.
被処理材Ｓの加熱後、被処理材Ｓを保持したキャリア３をプロセスチャンバＰＣ２に移動する。プロセスチャンバＰＣ２にキャリア３が移動したらゲートバルブＧＶ閉鎖して、プロセスチャンバＰＣ２内に炭化水素ガスを導入する。炭化水素ガスはプロセスチャンバＰＣ２内に形成されたプラズマにより分解され、被処理材Ｓに印加された負の電圧によりイオンが被処理材Ｓに引き込まれ、被処理材Ｓの被成膜面にカーボン膜（ＤＬＣ膜）が成膜される。 After the workpiece S is heated, the carrier 3 holding the workpiece S is moved to the process chamber PC2. When the carrier 3 moves to the process chamber PC2, the gate valve GV is closed, and hydrocarbon gas is introduced into the process chamber PC2. The hydrocarbon gas is decomposed by the plasma formed in the process chamber PC2, and ions are drawn into the processing material S by the negative voltage applied to the processing material S, and carbon is deposited on the film forming surface of the processing material S. A film (DLC film) is formed.
コーナチャンバＣＣは、キャリア３の搬送方向を９０度変更する方向転換装置を備えた真空チャンバである。方向転換装置は搬送装置の一部であり、方向転換装置として公知の技術（例えば特開平８−２７４１４２に記載された技術）を適用することができるものとする。各コーナチャンバＣＣには、ロードロックチャンバＬＬ（ＬＬ１，ＬＬ２）がゲートバルブＧＶを介して接続されている。各コーナチャンバＣＣ内には基板移載装置ＲＢが配置されている。また、キャリア３を真空処理装置１内に出し入れするためのキャリアロードロックチャンバＣＬＬが任意のコーナチャンバＣＣ（図１ではＣＣａ）にゲートバルブＧＶを介して接続されている。 The corner chamber CC is a vacuum chamber provided with a direction changing device that changes the conveyance direction of the carrier 3 by 90 degrees. The direction changing device is a part of the transport device, and a technique known as the direction changing device (for example, a technology described in JP-A-8-274142) can be applied. A load lock chamber LL (LL1, LL2) is connected to each corner chamber CC via a gate valve GV. A substrate transfer device RB is disposed in each corner chamber CC. A carrier load lock chamber CLL for taking the carrier 3 into and out of the vacuum processing apparatus 1 is connected to an optional corner chamber CC (CCa in FIG. 1) via a gate valve GV.
ロードロックチャンバＬＬ（ＬＬ１，ＬＬ２）は、被処理材Ｓを導入するロードチャンバと取り出すアンロードチャンバのいずれとしても使用できるものである。ロードロックチャンバＬＬとコーナチャンバＣＣ内の間、若しくは、ロードロックチャンバＬＬと大気側との間での被処理材Ｓの移送は、被処理材Ｓが所定枚数ずつカセットに支持された状態で行われる。コーナチャンバＣＣにゲートバルブＧＶを介して接続され、不図示のガス導入系や排気系を備えている。そのため、ロードロックチャンバＬＬの排気／ベントおよびゲートバルブＧＶの開閉操作によってロードロックチャンバＬＬ内とコーナチャンバＣＣ内の空間と適宜連続させることができる。 The load lock chamber LL (LL1, LL2) can be used as either a load chamber for introducing the material to be processed S or an unload chamber for extracting the material to be processed S. The material to be processed S is transferred between the load lock chamber LL and the corner chamber CC or between the load lock chamber LL and the atmosphere side in a state where the material to be processed S is supported by a predetermined number of cassettes. Is called. It is connected to the corner chamber CC via a gate valve GV, and includes a gas introduction system and an exhaust system (not shown). Therefore, the space in the load lock chamber LL and the corner chamber CC can be appropriately continued by the exhaust / vent of the load lock chamber LL and the opening / closing operation of the gate valve GV.
ロードロックチャンバＬＬは、各コーナチャンバＣＣの所定方向で接続されている。すなわち、コーナチャンバＣＣａ，ＣＣｄに接続されるロードロックチャンバＬＬはいずれも一方向を向いている。また、コーナチャンバＣＣｂ，ＣＣｃに接続されるロードロックチャンバＬＬはいずれも逆方向を向いている。このようにロードロックチャンバＬＬを接続する向きを設定することで真空処理装置１のフットプリントの増加を抑えている。 The load lock chamber LL is connected in a predetermined direction of each corner chamber CC. That is, both the load lock chambers LL connected to the corner chambers CCa and CCd face one direction. Further, both the load lock chambers LL connected to the corner chambers CCb and CCc face in the opposite direction. By setting the direction in which the load lock chamber LL is connected in this way, an increase in the footprint of the vacuum processing apparatus 1 is suppressed.
基板移載装置ＲＢは、多関節タイプのロボットを好適に適用することができ、ロボットアームの先端には被処理材Ｓを適宜把持する把持手段が設けられている。ロードロックチャンバＬＬとコーナチャンバＣＣとの間のゲートバルブＧＶを開放した状態では、基板移載装置ＲＢを介してコーナチャンバＣＣ内のキャリアとの間で被処理材Ｓの交換、すなわち供給（取り付け）若しくは排出（取り外し）をすることができる。 As the substrate transfer device RB, a multi-joint type robot can be suitably applied, and a gripping means for appropriately gripping the workpiece S is provided at the tip of the robot arm. In a state where the gate valve GV between the load lock chamber LL and the corner chamber CC is opened, the material S is exchanged with the carrier in the corner chamber CC via the substrate transfer device RB, that is, supplied (attached). ) Or discharge (removal).
ここで、キャリア３とキャリア３を搬送する搬送装置について説明する。
まず、図３，４に基づいてキャリア３の構成を説明する。キャリア３は、上述したように被処理材Ｓを保持した状態で搬送装置によって真空処理装置１内を移動する部材であり、被処理材Ｓを支持する枠状のホルダ部５と、ホルダ部５の下側に設けられ、後述する搬送装置の磁気ネジと磁気結合する磁石列４ａが水平方向に沿って取付けられるスライダ部４とからなる。
Here, the carrier 3 and the transport device that transports the carrier 3 will be described.
First, the configuration of the carrier 3 will be described with reference to FIGS. The carrier 3 is a member that moves in the vacuum processing apparatus 1 by the transport device while holding the material to be processed S as described above, and includes a frame-shaped holder portion 5 that supports the material to be processed S, and the holder portion 5. And a slider portion 4 to which a magnet row 4a magnetically coupled to a magnetic screw of a transfer device, which will be described later, is attached along the horizontal direction.
ホルダ部５は、導電性を有する矩形の枠状のホルダ本体に、被処理材Ｓを挟んで保持できるバネ式支持部５ｂを備えており、さらに搬送時の被処理材Ｓの揺れや熱膨張などによる被処理材Ｓの反りなどの変形を防ぐためのガイド部５ａも有している。バネ式支持部５ｂは高電圧を被処理材Ｓに印加するために金属板から構成されている。また、ガイド部５ａは熱逃げを抑えるように熱伝導の低い絶縁材から構成されている。また、バネ式支持部５ｂは、被処理材Ｓを挿入しやすいように、先端部分が外側に広がった形状になっている。 The holder part 5 is provided with a spring-type support part 5b that can hold the material to be processed S in a rectangular frame-shaped holder body having conductivity, and further, the processing material S is shaken or thermally expanded during conveyance. It also has a guide portion 5a for preventing deformation such as warpage of the material S to be processed. The spring-type support 5b is made of a metal plate in order to apply a high voltage to the workpiece S. Moreover, the guide part 5a is comprised from the insulating material with low heat conduction so that heat escape may be suppressed. Further, the spring-type support portion 5b has a shape in which the tip end portion is spread outward so that the workpiece S can be easily inserted.
本実施形態では、図３，４に示されるように被処理材Ｓの上部中央の１箇所にバネ式支持部５ｂを設け、被処理材Ｓを保持している。なお、ガイド部５ａは被処理材Ｓの湾曲を防ぐための部材であるため、被処理材Ｓと触れている必要はない。 In this embodiment, as shown in FIGS. 3 and 4, the spring-type support portion 5 b is provided at one place in the upper center of the material to be processed S to hold the material to be processed S. In addition, since the guide part 5a is a member for preventing the to-be-processed material S from curving, it is not necessary to touch the to-be-processed material S.
シート状の被処理材Ｓは、スライダ部４に支持されたホルダ部５に保持されるため、垂直に保持された状態で両面に処理がなされる。また、高電圧はホルダ部５のバネ式支持部５ｂを介して被処理材Ｓに印加されるため、ホルダ部５と被処理材Ｓの電位は実質的に等しくなる。 Since the sheet-like workpiece S is held by the holder unit 5 supported by the slider unit 4, the processing is performed on both sides while being held vertically. Further, since the high voltage is applied to the material to be processed S via the spring type support portion 5b of the holder portion 5, the potentials of the holder portion 5 and the material to be processed S are substantially equal.
搬送装置は、真空処理装置１内に設けられた搬送路Ｒに沿ってキャリア３をプロセスチャンバＰＣ及びコーナチャンバＣＣの所定位置に移送する真空チャンバに備えられた装置であり、公知の技術（例えば特開平８−２２６５１２参照）を用いることができる。 The transfer device is a device provided in a vacuum chamber for transferring the carrier 3 to a predetermined position of the process chamber PC and the corner chamber CC along the transfer path R provided in the vacuum processing apparatus 1, and is a known technique (for example, JP-A-8-226512 can be used.
具体的には、キャリア側の磁石列４ａと磁気結合する搬送マグネット（永久磁石）４ｂと、搬送マグネット４ｂを軸周り回転させる不図示の駆動源とを有している（図２参照）。搬送路Ｒにはキャリア３が垂直姿勢のまま進退動できるようにベアリングが配列されている。搬送マグネット４ｂは、いわゆる磁気ネジであり、キャリア３の搬送方向（搬送路Ｒ）に長手方向を配置された軸状部材の表面にＮ極及びＳ極の磁極がらせん状に形成されている。搬送マグネット４ｂを軸中心に回転させることでその軸に沿った方向に磁石列４ａを介して磁気的に結合したキャリア３を搬送することができる。なお、磁気ネジの代わりにリニアモータやラックアンドピニオン機構を用いてもよいことはもちろんである。 Specifically, it includes a transport magnet (permanent magnet) 4b that is magnetically coupled to the carrier-side magnet array 4a, and a drive source (not shown) that rotates the transport magnet 4b about its axis (see FIG. 2). Bearings are arranged on the transport path R so that the carrier 3 can move forward and backward in a vertical posture. The transport magnet 4b is a so-called magnetic screw, and N and S magnetic poles are spirally formed on the surface of a shaft-like member arranged in the longitudinal direction in the transport direction of the carrier 3 (transport path R). By rotating the transport magnet 4b about the axis, the carrier 3 magnetically coupled via the magnet array 4a can be transported in the direction along the axis. Of course, a linear motor or a rack and pinion mechanism may be used instead of the magnetic screw.
上述のように真空処理装置１は、２つのプロセスチャンバＰＣ（ＰＣ１，ＰＣ２）とコーナチャンバＣＣからなる組み合わせが４つのプロセスユニットが直列に連結されているため、各セットのプロセスチャンバＰＣの処理条件を変更することにより、各プロセスユニットで異なる種類の処理を行うことができる。 As described above, the vacuum processing apparatus 1 includes a combination of two process chambers PC (PC1, PC2) and a corner chamber CC, and four process units are connected in series. By changing, different types of processing can be performed in each process unit.
図５〜７は真空処理装置１でのキャリアの動きを示す説明図であり、図５はキャリア３を周回移動させながら被処理材Ｓを処理する場合、図６，７はキャリア３を往復移動させながら被処理材Ｓを処理する場合である。図５はキャリア３を周回移動させながら被処理材Ｓを処理するときの被処理材Ｓ（キャリア３）の配置の一例である。 5 to 7 are explanatory views showing the movement of the carrier in the vacuum processing apparatus 1. FIG. 5 shows a case where the workpiece S is processed while the carrier 3 is moved around. FIG. This is a case where the material to be processed S is processed. FIG. 5 is an example of the arrangement of the material to be processed S (carrier 3) when the material to be processed S is processed while the carrier 3 is moved around.
図５のように、キャリア３を周回移動させながら被処理材Ｓを処理する際に被処理材Ｓが搬送される順序は、各プロセスユニットで行われる処理によらず以下のようなものである。すなわち、コーナチャンバＣＣａから供給した被処理材は搬送路に沿ってプロセスチャンバＰＣａ（ＰＣ１ａ，ＰＣ２ａ）で処理された後、コーナチャンバＣＣｂから排出される。 As shown in FIG. 5, the order in which the material to be processed S is conveyed when the material to be processed S is processed while moving the carrier 3 is as follows, regardless of the processing performed in each process unit. . That is, the material to be processed supplied from the corner chamber CCa is processed in the process chamber PCa (PC1a, PC2a) along the conveyance path and then discharged from the corner chamber CCb.
コーナチャンバＣＣｂから供給した被処理材は搬送路Ｒに沿ってプロセスチャンバＰＣｂ（ＰＣ１ｂ，ＰＣ２ｂ）で処理された後、コーナチャンバＣＣｃから排出される。コーナチャンバＣＣｃから供給した被処理材は搬送路に沿ってプロセスチャンバＰＣｃ（ＰＣ１ｃ，ＰＣ２ｃ）で処理され、コーナチャンバＣＣｄから排出される。同様に、コーナチャンバＣＣｄから供給した被処理材は搬送路に沿ってプロセスチャンバＰＣｄ（ＰＣ１ｄ，ＰＣ２ｄ）で処理され、コーナチャンバＣＣａから排出される。 The material to be processed supplied from the corner chamber CCb is processed in the process chamber PCb (PC1b, PC2b) along the conveyance path R and then discharged from the corner chamber CCc. The material to be processed supplied from the corner chamber CCc is processed in the process chamber PCc (PC1c, PC2c) along the conveyance path, and is discharged from the corner chamber CCd. Similarly, the material to be processed supplied from the corner chamber CCd is processed in the process chamber PCd (PC1d, PC2d) along the conveyance path, and is discharged from the corner chamber CCa.
各プロセスユニットのプロセスチャンバＰＣの処理条件が異なる場合、隣接する各プロセスユニット間に影響するおそれがあるが、本実施形態ではコーナチャンバＣＣを介して各プロセスユニットが連結されるためプロセスユニット間でガスや輻射熱が流通することを避けることができる。また、真空処理装置１では、コーナチャンバＣＣにロードロックチャンバＬＬ（ＬＬ１，ＬＬ２）が連結されるとともにコーナチャンバＣＣ内に基板移載装置が配置されている。この構成によりロボットチャンバや基板移載のための真空チャンバを設ける必要がなくなった。すなわち、真空チャンバの数を抑えるとともに、キャリアを搬送する経路長を短くすることができるため、搬送路スループットの低下とコストの上昇を抑えられる。 When the processing conditions of the process chamber PC of each process unit are different, there is a possibility that the adjacent process units may be affected. However, in the present embodiment, each process unit is connected via the corner chamber CC, and therefore, between the process units. It is possible to avoid the circulation of gas and radiant heat. Further, in the vacuum processing apparatus 1, a load lock chamber LL (LL1, LL2) is connected to the corner chamber CC, and a substrate transfer device is disposed in the corner chamber CC. With this configuration, there is no need to provide a robot chamber or a vacuum chamber for transferring the substrate. That is, the number of vacuum chambers can be reduced and the length of the path for transporting the carrier can be shortened, so that a decrease in the transport path throughput and an increase in cost can be suppressed.
ここで、各プロセスユニットのプロセスチャンバＰＣの処理条件が異なる場合として、加熱温度やプロセスガスの濃度，種類を異なる条件とすることが考えられる。具体的には、各プロセスユニットで種類や寸法が異なる被処理材を処理する場合に、被処理材の違いに応じてプロセス条件を変更される場合が挙げられる。 Here, as a case where the processing conditions of the process chamber PC of each process unit are different, it is conceivable that the heating temperature, the concentration and type of the process gas are set to different conditions. Specifically, there is a case where process conditions are changed in accordance with the difference in the materials to be processed when the materials to be processed of different types and dimensions are processed in each process unit.
図６，７はキャリア３を往復移動させながら被処理材Ｓを処理するときの被処理材Ｓ（キャリア３）の配置の一例であるが、図６と図７でキャリア３の移動経路が異なっている。
図６は、各プロセスユニットＡ，Ｂ，Ｃ，Ｄでの真空処理を独立して行う際のキャリア３の配置例である。各プロセスユニットＡ，Ｂ，Ｃ，Ｄを構成する真空チャンバの間をキャリア３が往復しながら被処理材Ｓの真空処理が行われるため、各プロセスユニットＡ，Ｂ，Ｃ，Ｄで１つのキャリア３が配置される。
6 and 7 are examples of the arrangement of the material to be processed S (carrier 3) when the material to be processed S is processed while reciprocating the carrier 3, but the movement path of the carrier 3 is different between FIG. 6 and FIG. ing.
FIG. 6 is an arrangement example of the carrier 3 when the vacuum processing is independently performed in each of the process units A, B, C, and D. Since the carrier 3 is reciprocated between the vacuum chambers constituting the process units A, B, C, and D, the processing object S is vacuum-processed, so that each process unit A, B, C, and D has one carrier. 3 is arranged.
具体的には、プロセスユニットＡでは、コーナチャンバＣＣａで未処理の被処理材Ｓがキャリア３に搭載された後、プロセスチャンバＰＣ１ａ、ＰＣ２ａで所定の真空処理が行われ、コーナチャンバＣＣｂから処理済みの被処理材Ｓとして搬出される。そして、コーナチャンバＣＣｂで未処理の被処理材Ｓがキャリア３に搭載された後、プロセスチャンバＰＣ２ａ、ＰＣ１ａで所定の真空処理が行われ、コーナチャンバＣＣａから処理済みの被処理材Ｓとして搬出される。このようにキャリア３はコーナチャンバＣＣａとＣＣｂとの間を繰り返し往復し、１回往復する間に２回の真空処理を行うことができる。 Specifically, in the process unit A, after the unprocessed material S is mounted on the carrier 3 in the corner chamber CCa, a predetermined vacuum processing is performed in the process chambers PC1a and PC2a, and the processing is completed from the corner chamber CCb. The material to be processed S is carried out. Then, after the unprocessed material S is mounted on the carrier 3 in the corner chamber CCb, predetermined vacuum processing is performed in the process chambers PC2a and PC1a, and the processed material S is unloaded from the corner chamber CCa. The As described above, the carrier 3 can reciprocate repeatedly between the corner chambers CCa and CCb, and can perform vacuum processing twice while reciprocating once.
他のプロセスユニットＢ，Ｃ，Ｄでも同様であり、プロセスユニットＢではコーナチャンバＣＣｂとＣＣｃとの間を、プロセスユニットＣではコーナチャンバＣＣｃとＣＣｄとの間を、プロセスユニットＤではコーナチャンバＣＣｄとＣＣａとの間を、それぞれキャリア３が１回往復する間に２回の真空処理を行うことができる。 The same applies to the other process units B, C, and D. In the process unit B, between the corner chambers CCb and CCc, in the process unit C, between the corner chambers CCc and CCd, and in the process unit D, the corner chamber CCd. Two vacuum processes can be performed while the carrier 3 reciprocates once with the CCa.
図７は、任意の２つのプロセスユニットでの真空処理を独立して行う際のキャリア３の配置例である。図７では、プロセスユニットＢ，Ｄで真空処理を行う例を示している。プロセスユニットＢではコーナチャンバＣＣｂとＣＣｃとの間を、プロセスユニットＤではコーナチャンバＣＣｄとＣＣａとの間を、それぞれキャリア３が１回往復する間に２回の真空処理を行うことができる。この間、コーナチャンバＣＣａとＣＣｂとの間にあるプロセスチャンバＰＣ１ａ，ＰＣ２ａ、及び、コーナチャンバＣＣｃとＣＣｄとの間にあるプロセスチャンバＰＣ１ｃ，ＰＣ２ｃは使用しない。従って、真空処理装置１を稼動させながら、装置の一部のメンテナンスを行うことができる。図６，７のようにキャリア３を往復移動させる際には、稼動させている各プロセスユニットで異なる種類の処理を行うことができるし、同じ処理を行うこともできる。 FIG. 7 is an arrangement example of the carrier 3 when performing vacuum processing independently in any two process units. FIG. 7 shows an example in which vacuum processing is performed in the process units B and D. Two vacuum processes can be performed while the carrier 3 reciprocates once between the corner chambers CCb and CCc in the process unit B and between the corner chambers CCd and CCa in the process unit D. During this time, the process chambers PC1a and PC2a between the corner chambers CCa and CCb and the process chambers PC1c and PC2c between the corner chambers CCc and CCd are not used. Therefore, maintenance of a part of the apparatus can be performed while operating the vacuum processing apparatus 1. When the carrier 3 is reciprocated as shown in FIGS. 6 and 7, different types of processing can be performed in each operating process unit, and the same processing can be performed.
なお、図６，７のようにキャリア３を往復移動させる動作では、各キャリア３を同期して移動させる必要がないため、プロセス時間の長いプロセスチャンバＰＣ(たとえばＰＣ２)がプロセスを行っている間に、被処理材Ｓの搭載（交換）とプロセスチャンバＰＣ１でのプロセス(加熱など)を行うことができる。これにより、コーナチャンバＣＣとプロセスチャンバＰＣ１に存在するキャリア３を１つにすることができるため、キャリア３を一つ減らすことができる。従って、スループットも短縮できる。 In the operation of reciprocating the carrier 3 as shown in FIGS. 6 and 7, since it is not necessary to move each carrier 3 synchronously, the process chamber PC (for example, PC2) having a long process time is performing the process. In addition, the mounting (exchange) of the material to be processed S and the process (heating, etc.) in the process chamber PC1 can be performed. As a result, the number of carriers 3 can be reduced by one because the number of carriers 3 existing in the corner chamber CC and the process chamber PC1 can be reduced to one. Therefore, the throughput can be shortened.
（第２の実施形態）
図８，９は、本発明の第２の実施形態に係る真空処理装置を示す説明図であり、図８は真空処理装置２の構成摸式図、図９はキャリア３０の構成図である。なお、第１の実施形態と同様の部材、配置等には同一符号を付してその詳細な説明を省略する。真空処理装置２は、６つのプロセスユニットＡ〜Ｆから構成されている。各プロセスユニットの構成は、第１の実施形態の真空処理装置１と同様であり、２つのプロセスチャンバＰＣ（ＰＣ１，ＰＣ２）とコーナチャンバＣＣからなっている。
(Second Embodiment)
8 and 9 are explanatory views showing a vacuum processing apparatus according to the second embodiment of the present invention. FIG. 8 is a schematic diagram of the configuration of the vacuum processing apparatus 2, and FIG. In addition, the same code | symbol is attached | subjected to the same member, arrangement | positioning, etc. as 1st Embodiment, and the detailed description is abbreviate | omitted. The vacuum processing apparatus 2 is composed of six process units A to F. The configuration of each process unit is the same as that of the vacuum processing apparatus 1 of the first embodiment, and includes two process chambers PC (PC1, PC2) and a corner chamber CC.
６つのプロセスユニットＥ，ＦのコーナチャンバＣＣｅ，ＣＣｆは、搬送路Ｒの角の部分（方向転換される部分）に配置されていない。すなわち、真空処理装置２は５つ以上のプロセスユニットから四角形状の閉ループを形成している。また、コーナチャンバＣＣｅ，ＣＣｆは、搬送路Ｒの角の部分に配置されていないため、キャリア３の方向転換装置を取り除いてもよい。但し、図９に示すように、被処理材Ｓを移載する際にキャリアがロードロックチャンバ（若しくは基板移載装置）に対して所定方向を向いている必要がある際にはこの限りでない。 The corner chambers CCe and CCf of the six process units E and F are not arranged at corner portions (portions to be turned) of the transport path R. That is, the vacuum processing apparatus 2 forms a square closed loop from five or more process units. Further, since the corner chambers CCe and CCf are not arranged at the corners of the transport path R, the direction changing device of the carrier 3 may be removed. However, as shown in FIG. 9, this is not the case when the carrier S needs to be directed in a predetermined direction with respect to the load lock chamber (or the substrate transfer device) when the workpiece S is transferred.
図９は、本実施形態に係る真空処理装置で用いられるキャリア３０の構成図である。キャリア３０はキャリア３と比べてホルダ部５の側面の一部が開放されており、側方から被処理材Ｓを取り付け、若しくは取り外すことができる。被処理材Ｓを側方から把持するタイプの基板移載装置ＲＢ２を組み合わせることで、キャリア３に比べて被処理材Ｓの移載動作を確実に行うことができる。なお、キャリア３０を第１の実施形態の真空処理装置１で使用してもよいことはもちろんである。 FIG. 9 is a configuration diagram of the carrier 30 used in the vacuum processing apparatus according to the present embodiment. The carrier 30 has a part of the side surface of the holder 5 that is open compared to the carrier 3, and the workpiece S can be attached to or removed from the side. By combining the substrate transfer apparatus RB2 of the type that grips the material to be processed S from the side, the transfer operation of the material to be processed S can be performed more reliably than the carrier 3. Of course, the carrier 30 may be used in the vacuum processing apparatus 1 of the first embodiment.
また、真空処理装置１，２を構成するプロセスユニットは、異なる数量のプロセスチャンバＰＣを有する複数のタイプから構成されてもよい。例えば、図１０に示す真空処理装置５０のように、２つのプロセスチャンバＰＣとコーナチャンバＣＣからなるプロセスユニットＡ，Ｃと、３つのプロセスチャンバＰＣとコーナチャンバＣＣからなるプロセスユニットＧ，Ｈと、１つのプロセスチャンバＰＣとコーナチャンバＣＣからなるプロセスユニットＩ，Ｊとから四角形状の閉ループを形成することもできる。各プロセスユニットで行われる真空処理の種類が大きく異なるときに有効である。 Moreover, the process unit which comprises the vacuum processing apparatuses 1 and 2 may be comprised from several types which have the process chamber PC of a different quantity. For example, as in the vacuum processing apparatus 50 shown in FIG. 10, process units A and C composed of two process chambers PC and a corner chamber CC, process units G and H composed of three process chambers PC and a corner chamber CC, A square closed loop may be formed from the process units I and J including one process chamber PC and a corner chamber CC. This is effective when the types of vacuum processing performed in each process unit are greatly different.
上述した本発明に係る真空処理装置１，２，５０を用いることで、真空処理のスループットの向上を図ることができ、同時に複数種類の処理が可能な真空処理装置及び真空処理方法を提供することができる。 To provide a vacuum processing apparatus and a vacuum processing method capable of improving the throughput of vacuum processing by using the above-described vacuum processing apparatuses 1, 2, and 50 according to the present invention and capable of simultaneously performing a plurality of types of processing. Can do.
また、上述した真空処理装置１，２，５０の適用例としては、本発明に係る処理装置を用いて固体高分子形燃料電池（ＰＥＦＣ：ｐｏｌｙｍｅｒ
ｅｌｅｃｔｒｏｌｙｔｅ ｆｕｅｌ ｃｅｌｌ）に用いられるセパレータの製造する例が挙げられる。具体的には、本発明に係る処理装置は、所定形状のステンレス鋼板の表面にカーボン膜コーティングを形成する処理工程に適用される。具体的には、被処理材Ｓとして１５０〜３００ｍｍ角、厚さ０．０５〜０．５ｍｍのステンレス鋼板を、アルミ製のキャリア３によって垂直方向に保持し、複数のプロセスチャンバ間に搬送し処理を行う。その中の一室の処理室において、処理品にパルスＤＣパワーを印加して、エチレンガスのプラズマＣＶＤによる処理品のカーボン膜コーティングを行う。
In addition, as an application example of the above-described vacuum processing apparatuses 1, 2, 50, a polymer electrolyte fuel cell (PEFC: polymer) using the processing apparatus according to the present invention is used.
The example which manufactures the separator used for electrolyte fuel cell) is given. Specifically, the processing apparatus according to the present invention is applied to a processing step of forming a carbon film coating on the surface of a stainless steel plate having a predetermined shape. Specifically, a 150 to 300 mm square stainless steel plate having a thickness of 0.05 to 0.5 mm is held as the material to be processed S in the vertical direction by the aluminum carrier 3, and is conveyed and processed between a plurality of process chambers. I do. In one of the processing chambers, pulsed DC power is applied to the processed product, and the carbon film coating of the processed product is performed by plasma CVD of ethylene gas.
図１１に他の実施形態に係る真空処理装置について説明する。図１１の真空処理装置は、ロードロックチャンバ内のキャリアが、被処理材Ｓを取り外すときと取付けるときで、異なる方向を向くように構成されている。本実施形態の真空処理装置は、上述した第１の実施形態とコーナチャンバＣＣ２（ＣＣａ２〜ＣＣｄ２）の構成が異なる。また、コーナチャンバＣＣ２（ＣＣａ２〜ＣＣｄ２）の直交する２つの壁面に、ロードロックチャンバＬＬ１，ＬＬ２がそれぞれ取り付けられている。本実施形態の真空処理装置では、コーナチャンバＣＣ２内にキャリア３が入ってきたときの向き（第１方向）で被処理材Ｓを取り外し、方向転換をした後の向き（第２方向）でキャリア３に被処理材Ｓを取り付けて、次のチャンバに送り出している。 FIG. 11 illustrates a vacuum processing apparatus according to another embodiment. The vacuum processing apparatus of FIG. 11 is configured so that the carrier in the load lock chamber faces in different directions when the workpiece S is removed and when it is attached. The vacuum processing apparatus of this embodiment differs from the first embodiment described above in the configuration of the corner chamber CC2 (CCa2 to CCd2). Load lock chambers LL1 and LL2 are attached to two orthogonal wall surfaces of the corner chamber CC2 (CCa2 to CCd2), respectively. In the vacuum processing apparatus of the present embodiment, the workpiece S is removed in the direction (first direction) when the carrier 3 enters the corner chamber CC2, and the carrier is changed in the direction after changing direction (second direction). The material S to be processed is attached to 3 and sent to the next chamber.
被処理材Ｓの移載はロボットを用いて行うことができる。被処理材Ｓを取り外す際のキャリア３の方向と、被処理材Ｓを取り付ける際のキャリア３の方向が異なるように構成し、被処理材Ｓを取り外すロボットと被処理材Ｓを取り付けるロボットの位置を最適化するとよい。すなわち、キャリア３が基板取り外し位置にあるときに被処理材Ｓを把持しやすい位置に被処理材Ｓを取り外すロボットを配置し、キャリア３が基板取り付け位置にあるときに被処理材Ｓを把持しやすい位置に取り付けるロボットを配置するとよい。被処理材Ｓを把持しやすい位置は、例えば、キャリア３に保持された被処理材Ｓの係止部（孔などの把持部）の正面である。２台のロボットの位置がキャリア３の回転位置の周りに、キャリア３の回転角度（図１１では９０度）ずれて配置されるため、２台のロボットのアームの動作範囲が重ならない。従って、２台のロボットを同時に動作させることができ、被処理材Ｓの移載時間を早くすることができる。 The workpiece S can be transferred using a robot. The position of the carrier 3 when removing the material to be processed S is different from the direction of the carrier 3 when attaching the material to be processed S, and the position of the robot removing the material to be processed S and the position of the robot attaching the material to be processed S Should be optimized. That is, a robot that removes the processing material S is disposed at a position where the processing material S is easily gripped when the carrier 3 is at the substrate removal position, and the processing material S is gripped when the carrier 3 is at the substrate mounting position. A robot to be installed should be placed at an easy position. The position where the workpiece S is easily gripped is, for example, the front surface of the engaging portion (the gripping portion such as a hole) of the workpiece S held by the carrier 3. Since the positions of the two robots are arranged around the rotation position of the carrier 3 so as to deviate from the rotation angle of the carrier 3 (90 degrees in FIG. 11), the operation ranges of the arms of the two robots do not overlap. Therefore, two robots can be operated simultaneously, and the transfer time of the material S to be processed can be shortened.
また、図１１の真空処理装置でキャリア３０（図９参照）を用いてもよい。この場合は、被処理材Ｓを側方から把持するタイプの基板移載装置ＲＢ２でキャリア３０への被処理材Ｓの移載を行うとよい。すなわち、キャリア３０がコーナチャンバＣＣ２に入ってきたときの向きで被処理材Ｓを取り外し、方向転換をした後に被処理材Ｓを取り付けて、次のチャンバに送り出す。この場合も２台のロボットの位置がキャリア３の回転方向に９０度ずれるため、２台のロボットのアームの動作範囲が重ならない。２台のロボットを同時に動作させることができ、被処理材Ｓの移載時間を早くすることができる。 Moreover, you may use the carrier 30 (refer FIG. 9) with the vacuum processing apparatus of FIG. In this case, the processing material S may be transferred onto the carrier 30 by a substrate transfer device RB2 of a type that grips the processing material S from the side. That is, the material to be processed S is removed in the direction when the carrier 30 enters the corner chamber CC2, and the direction is changed, and then the material to be processed S is attached and sent to the next chamber. Also in this case, since the positions of the two robots are shifted by 90 degrees in the rotation direction of the carrier 3, the operation ranges of the arms of the two robots do not overlap. Two robots can be operated simultaneously, and the transfer time of the material S to be processed can be shortened.
Ａ〜Ｊ プロセスユニット
ＬＬ，ＬＬ１，ＬＬ２ ロードロックチャンバ
ＰＣ，ＰＣ１，ＰＣ２ プロセスチャンバ
ＣＣ，ＣＣａ〜ＣＣｊ コーナチャンバ（方向転換チャンバ）
ＧＶ ゲートバルブ
ＣＬＬ キャリアロードロックチャンバ
ＲＢ 基板移載装置
Ｒ 搬送路
Ｓ 被処理材
１，２，５０ 真空処理装置
３，３０ キャリア
４ スライダ部
４ａ 磁石列
４ｂ 搬送マグネット
５，６ ホルダ部
５ａ ガイド部
５ｂ バネ式支持部
２１ 温度測定手段
２２ パルスＤＣ電源
２３ 電圧印加用シリンダー
２４ ガス導入系
２５ メインバルブ
２６ ターボ分子ポンプ
２７ 背圧排気用ポンプ
２８ シールド
２９ 磁場形成手段
A to J Process unit LL, LL1, LL2 Load lock chamber PC, PC1, PC2 Process chamber CC, CCa to CCj Corner chamber (direction change chamber)
GV Gate valve CLL Carrier load lock chamber RB Substrate transfer device R Transport path S Processed materials 1, 2, 50 Vacuum processing devices 3, 30 Carrier 4 Slider portion 4a Magnet row 4b Transport magnets 5, 6 Holder portion 5a Guide portion 5b Spring support 21 Temperature measurement means 22 Pulse DC power supply
23 Voltage application cylinder 24 Gas introduction system 25 Main valve 26 Turbo molecular pump 27 Back pressure exhaust pump 28 Shield 29 Magnetic field forming means
Claims (3)
該キャリアを多角形状の搬送路に沿って搬送する搬送装置と、
前記被処理材に対して所定の真空処理を行うよう搬送路に沿って配置された複数のプロセスチャンバと、
前記多角形状の搬送路の角の部分に配置され、前記キャリアの向きを転換する方向転換チャンバとを有する真空処理装置であって、
複数の前記方向転換チャンバ内で、前記キャリアに未処理の前記被処理材を移載され、若しくは、前記キャリアから処理済みの前記被処理材を取り外されることを特徴とする真空処理装置。 A carrier for holding the material to be treated;
A transport device for transporting the carrier along a polygonal transport path;
A plurality of process chambers arranged along a transfer path so as to perform a predetermined vacuum treatment on the material to be processed;
A vacuum processing apparatus having a direction changing chamber arranged at a corner portion of the polygonal conveyance path and changing the direction of the carrier,
The vacuum processing apparatus, wherein the unprocessed material to be processed is transferred to the carrier or the processed material to be processed is removed from the carrier in the plurality of direction change chambers.
前記ロードロックチャンバはゲートバルブを介して前記方向転換チャンバに連結されることを特徴とする請求項１に記載の真空処理装置。 A load lock chamber for supplying the material to be processed or for discharging the material to be processed after a predetermined vacuum treatment;
The vacuum processing apparatus according to claim 1, wherein the load lock chamber is connected to the direction changing chamber through a gate valve.
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