KR102390487B1

KR102390487B1 - 화소 및 이를 포함하는 유기발광 표시장치

Info

Publication number: KR102390487B1
Application number: KR1020150146007A
Authority: KR
Inventors: 김지태; 신형민; 황경호
Original assignee: 삼성디스플레이 주식회사
Priority date: 2015-10-20
Filing date: 2015-10-20
Publication date: 2022-04-26
Also published as: KR20170046228A; US10504433B2; US20170110048A1

Abstract

본 발명은 유기 발광 다이오드; 데이터 신호에 대응하는 구동 전류를 상기 유기 발광 다이오드에 제공하는 화소 회로; 및 상기 데이터 신호를 상기 화소 회로에 제공하는 저장 회로를 포함하고, 상기 저장 회로는, 상기 데이터 신호를 저장하는 스토리지 커패시터; 및 턴-온시, 데이터 출력선으로부터 공급된 데이터 신호를 상기 스토리지 커패시터로 전달하는 제어 트랜지스터를 포함하는 화소 및 이를 포함하는 유기발광 표시장치에 관한 것이다.

Description

화소 및 이를 포함하는 유기발광 표시장치{PIXEL AND ORGANIC LIGHT EMITTNG DISPLAY DEVICE INCLUDING THE SAME}

본 발명의 실시예는 화소 및 이를 포함하는 유기발광 표시장치에 관한 것이다.

정보화 기술이 발달함에 따라 사용자와 정보간의 연결매체인 표시장치의 중요성이 부각되고 있다. 이에 부응하여 액정 표시장치(Liquid Crystal Display Device) 및 유기발광 표시장치(Organic Light Emitting Display Device) 등과 같은 표시장치의 사용이 증가하고 있다.

일반적으로, 표시장치는 데이터선들로 데이터 신호를 공급하기 위한 데이터 구동부, 주사선들로 주사 신호를 공급하기 위한 주사 구동부, 주사선들 및 데이터선들에 접속되는 복수의 화소들을 구비한다.

한편, 종래에는 제조 비용의 절감을 위하여, 데이터 구동부의 출력선들에 디멀티플렉서를 추가하는 구조가 제안된 바 있다.

즉, 디멀티플렉서는 상기 데이터 구동부의 출력선들을 통해 데이터 신호를 입력받고, 상기 출력선들보다 많은 개수의 데이터선들로 데이터 신호를 시분할적으로 출력할 수 있다.

본 발명의 실시예는 고해상도에 적합한 화소 및 이를 포함하는 유기발광 표시장치를 제공하기 위한 것이다.

본 발명의 실시예에 의한 화소는, 유기 발광 다이오드, 데이터 신호에 대응하는 구동 전류를 상기 유기 발광 다이오드에 제공하는 화소 회로 및 상기 데이터 신호를 상기 화소 회로에 제공하는 저장 회로를 포함하고, 상기 저장 회로는, 상기 데이터 신호를 저장하는 스토리지 커패시터 및 턴-온시, 데이터 출력선으로부터 공급된 데이터 신호를 상기 스토리지 커패시터로 전달하는 제어 트랜지스터를 포함할 수 있다.

또한, 상기 제어 트랜지스터는, 제1 전극이 상기 데이터 출력선에 연결되고, 제2 전극이 상기 화소 회로에 연결되며, 상기 스토리지 커패시터는, 상기 제어 트랜지스터의 제2 전극에 연결될 수 있다.

또한, 상기 화소 회로는, 제1 노드와 제2 노드 사이에 연결되고, 게이트 전극이 제3 노드에 연결되는 제1 화소 트랜지스터, 상기 제어 트랜지스터의 제2 전극과 상기 제1 노드 사이에 연결되는 제2 화소 트랜지스터, 상기 제2 노드와 상기 제3 노드 사이에 연결되는 제3 화소 트랜지스터, 상기 제3 노드와 초기화 전원 사이에 연결되는 제4 화소 트랜지스터, 상기 제1 노드와 제1 전원 사이에 연결되는 제5 화소 트랜지스터, 상기 제2 노드와 상기 유기 발광 다이오드 사이에 연결되는 제6 화소 트랜지스터 및 상기 제1 전원과 상기 제3 노드 사이에 연결되는 화소 커패시터를 포함할 수 있다.

또한, 상기 유기 발광 다이오드는, 애노드 전극이 상기 제6 화소 트랜지스터에 연결되고, 캐소드 전극이 제2 전원에 연결될 수 있다.

또한, 상기 제어 트랜지스터의 게이트 전극과 상기 제4 화소 트랜지스터의 게이트 전극은, 동일한 제1 주사선에 연결되고, 상기 제2 화소 트랜지스터의 게이트 전극과 상기 제3 화소 트랜지스터의 게이트 전극은, 동일한 제2 주사선에 연결되며, 상기 제5 화소 트랜지스터의 게이트 전극과 상기 제6 화소 트랜지스터의 게이트 전극은, 동일한 발광 제어선에 연결될 수 있다.

또한, 상기 화소 회로는, 상기 초기화 전원과 상기 유기 발광 다이오드의 애노드 전극 사이에 연결되는 제7 화소 트랜지스터를 더 포함할 수 있다.

또한, 상기 제어 트랜지스터의 게이트 전극과 상기 제4 화소 트랜지스터의 게이트 전극은, 동일한 제1 주사선에 연결되고, 상기 제2 화소 트랜지스터의 게이트 전극과 상기 제3 화소 트랜지스터의 게이트 전극은, 동일한 제2 주사선에 연결되며, 상기 제7 화소 트랜지스터의 게이트 전극은, 제3 주사선에 연결되고, 상기 제5 화소 트랜지스터의 게이트 전극과 상기 제6 화소 트랜지스터의 게이트 전극은, 동일한 발광 제어선에 연결될 수 있다.

본 발명의 실시예에 의한 유기발광 표시장치는, 제1 데이터 출력선, 발광 제어선, 제1 주사선 및 제2 주사선과 연결되는 제1 화소, 제2 데이터 출력선, 상기 발광 제어선, 상기 제1 주사선 및 상기 제2 주사선과 연결되는 제2 화소, 상기 발광 제어선으로 발광 제어 신호를 공급하는 발광 제어 구동부, 상기 제1 주사선 및 상기 제2 주사선으로 각각 제1 주사 신호 및 제2 주사 신호를 공급하는 주사 구동부, 데이터 입력선으로 제1 데이터 신호와 제2 데이터 신호를 공급하는 데이터 구동부 및 상기 데이터 입력선으로부터의 상기 제1 데이터 신호와 상기 제2 데이터 신호를 각각 상기 제1 데이터 출력선과 상기 제2 데이터 출력선으로 전달하는 디멀티플렉서를 포함하고, 상기 제1 화소는, 제1 유기발광 다이오드, 상기 제1 데이터 신호에 대응하는 구동 전류를 상기 제1 유기발광 다이오드로 공급하는 제1 화소 회로, 상기 제1 데이터 신호를 저장하고, 상기 제1 데이터 신호를 상기 제1 화소 회로에 공급하는 제1 스토리지 커패시터 및 상기 제1 데이터 출력선과 연결되고, 턴-온시 상기 제1 데이터 출력선으로부터 공급된 제1 데이터 신호를 상기 제1 스토리지 커패시터로 전달하는 제1 제어 트랜지스터를 포함할 수 있다.

또한, 상기 제1 제어 트랜지스터는, 제1 전극이 상기 제1 데이터 출력선에 연결되고, 제2 전극이 상기 제1 화소 회로에 연결되며, 상기 제1 스토리지 커패시터는, 상기 제1 제어 트랜지스터의 제2 전극에 연결될 수 있다.

또한, 상기 제1 화소 회로는, 제1 노드와 제2 노드 사이에 연결되고, 게이트 전극이 제3 노드에 연결되는 제1 화소 트랜지스터, 상기 제1 제어 트랜지스터의 제2 전극과 상기 제1 노드 사이에 연결되는 제2 화소 트랜지스터, 상기 제2 노드와 상기 제3 노드 사이에 연결되는 제3 화소 트랜지스터, 상기 제3 노드와 초기화 전원 사이에 연결되는 제4 화소 트랜지스터, 상기 제1 노드와 제1 전원 사이에 연결되는 제5 화소 트랜지스터, 상기 제2 노드와 상기 제1 유기 발광 다이오드 사이에 연결되는 제6 화소 트랜지스터 및 상기 제1 전원과 상기 제3 노드 사이에 연결되는 제1 화소 커패시터를 포함할 수 있다.

또한, 상기 제2 화소는, 제2 유기발광 다이오드 및 상기 제2 데이터 출력선과 연결되어 상기 제2 데이터 신호를 공급받고, 상기 제2 데이터 신호에 대응하는 구동 전류를 상기 제2 유기발광 다이오드로 공급하는 제2 화소 회로를 포함할 수 있다.

또한, 상기 제2 화소 회로는, 제4 노드와 제5 노드 사이에 연결되고, 게이트 전극이 제6 노드에 연결되는 제7 화소 트랜지스터, 상기 제2 데이터 출력선과 상기 제4 노드 사이에 연결되는 제8 화소 트랜지스터, 상기 제5 노드와 상기 제6 노드 사이에 연결되는 제9 화소 트랜지스터, 상기 제6 노드와 상기 초기화 전원 사이에 연결되는 제10 화소 트랜지스터, 상기 제4 노드와 상기 제1 전원 사이에 연결되는 제11 화소 트랜지스터, 상기 제5 노드와 상기 유기 발광 다이오드 사이에 연결되는 제12 화소 트랜지스터 및 상기 제1 전원과 상기 제6 노드 사이에 연결되는 제2 화소 커패시터를 포함할 수 있다.

또한, 상기 제1 제어 트랜지스터의 게이트 전극, 상기 제4 화소 트랜지스터의 게이트 전극, 및 상기 제10 화소 트랜지스터의 게이트 전극은, 동일한 제1 주사선에 연결되고, 상기 제2 화소 트랜지스터의 게이트 전극, 상기 제3 화소 트랜지스터의 게이트 전극, 제8 화소 트랜지스터의 게이트 전극, 및 제9 화소 트랜지스터의 게이트 전극은, 동일한 제2 주사선에 연결되고, 상기 제5 화소 트랜지스터의 게이트 전극, 상기 제6 화소 트랜지스터의 게이트 전극, 상기 제11 화소 트랜지스터의 게이트 전극, 및 제12 화소 트랜지스터의 게이트 전극은, 동일한 발광 제어선에 연결될 수 있다.

또한, 상기 디멀티플렉서는, 상기 데이터 입력선과 상기 제1 데이터 출력선 사이에 연결되고, 제1 데이터 제어신호에 대응하여 턴-온되는 제1 데이터 트랜지스터 및 상기 데이터 입력선과 상기 제2 데이터 출력선 사이에 연결되고, 제2 데이터 제어신호에 대응하여 턴-온되는 제2 데이터 트랜지스터를 포함할 수 있다.

또한, 상기 발광 제어 신호는 제1 기간, 제2 기간, 및 제3 기간 동안 공급되고, 상기 제1 주사 신호는, 상기 제1 기간 동안 공급되며, 상기 제2 주사 신호는, 상기 제3 기간 동안 공급되고, 상기 제1 데이터 제어 신호는, 상기 제1 기간에 포함된 일부 기간 동안 공급되며, 상기 제2 데이터 제어 신호는, 상기 제2 기간에 포함된 일부 기간 및 상기 제3 기간에 포함된 일부 기간 동안 공급될 수 있다.

또한, 상기 제2 화소는, 제2 유기발광 다이오드, 상기 제2 데이터 신호에 대응하는 구동 전류를 상기 제2 유기발광 다이오드로 공급하는 제2 화소 회로, 상기 제2 데이터 신호를 저장하고, 상기 제2 데이터 신호를 상기 제2 화소 회로에 공급하는 제2 스토리지 커패시터 및 상기 제2 데이터 출력선과 연결되고, 턴-온시 상기 제2 데이터 출력선으로부터 공급된 제2 데이터 신호를 상기 제2 스토리지 커패시터로 전달하는 제2 제어 트랜지스터를 포함할 수 있다.

또한, 상기 제2 화소 회로는, 제4 노드와 제5 노드 사이에 연결되고, 게이트 전극이 제6 노드에 연결되는 제7 화소 트랜지스터, 상기 제2 제어 트랜지스터의 제2 전극과 상기 제4 노드 사이에 연결되는 제8 화소 트랜지스터, 상기 제5 노드와 상기 제6 노드 사이에 연결되는 제9 화소 트랜지스터, 상기 제6 노드와 상기 초기화 전원 사이에 연결되는 제10 화소 트랜지스터, 상기 제4 노드와 상기 제1 전원 사이에 연결되는 제11 화소 트랜지스터, 상기 제5 노드와 상기 유기 발광 다이오드 사이에 연결되는 제12 화소 트랜지스터 및 상기 제1 전원과 상기 제6 노드 사이에 연결되는 제2 화소 커패시터를 포함할 수 있다.

또한, 상기 제1 제어 트랜지스터의 게이트 전극, 상기 제4 화소 트랜지스터의 게이트 전극, 상기 제2 제어 트랜지스터의 게이트 전극, 및 상기 제10 화소 트랜지스터의 게이트 전극은, 동일한 제1 주사선에 연결되고, 상기 제2 화소 트랜지스터의 게이트 전극, 상기 제3 화소 트랜지스터의 게이트 전극, 제8 화소 트랜지스터의 게이트 전극, 및 제9 화소 트랜지스터의 게이트 전극은, 동일한 제2 주사선에 연결되고, 상기 제5 화소 트랜지스터의 게이트 전극, 상기 제6 화소 트랜지스터의 게이트 전극, 상기 제11 화소 트랜지스터의 게이트 전극, 및 제12 화소 트랜지스터의 게이트 전극은, 동일한 발광 제어선에 연결될 수 있다.

또한, 상기 발광 제어 신호는 제1 기간, 및 제2 기간 동안 공급되고, 상기 제1 주사 신호는, 상기 제1 기간 동안 공급되며, 상기 제2 주사 신호는, 상기 제2 기간 동안 공급되고, 상기 제1 데이터 제어 신호는, 상기 제1 기간에 포함된 제1 서브 기간 동안 공급되며, 상기 제2 데이터 제어 신호는, 상기 제1 기간에 포함된 제2 서브 기간 동안 공급될 수 있다.

본 발명의 실시예에 따르면, 고해상도에 적용 가능하며, 주사 신호의 공급 기간을 충분히 확보할 수 있는 화소 및 이를 포함하는 유기발광 표시장치를 제공할 수 있다.

도 1은 본 발명의 실시예에 의한 유기발광 표시장치를 나타낸 도면이다.
도 2는 본 발명의 실시예에 의한 디멀티플렉서를 나타낸 도면이다.
도 3은 본 발명의 실시예에 의한 제1 화소와 제2 화소를 나타낸 도면이다.
도 4는 도 3에 도시된 화소 회로를 보다 자세히 나타낸 도면이다.
도 5는 본 발명의 실시예에 의한 유기발광 표시장치의 동작을 설명하기 위한 파형도이다.
도 6은 본 발명의 다른 실시예에 의한 제1 화소 회로와 제2 화소 회로를 나타낸 도면이다.
도 7은 본 발명의 다른 실시예에 의한 제2 화소를 나타낸 도면이다.
도 8은 도 7에 도시된 제2 화소 회로를 보다 자세히 나타낸 도면이다.
도 9는 본 발명의 다른 실시예에 의한 유기발광 표시장치의 동작을 설명하기 위한 파형도이다.

기타 실시예들의 구체적인 사항들은 상세한 설명 및 도면들에 포함되어 있다.

본 발명의 이점 및 특징, 그리고 그것들을 달성하는 방법은 첨부되는 도면과 함께 상세하게 후술되어 있는 실시예들을 참조하면 명확해질 것이다. 그러나 본 발명은 이하에서 개시되는 실시예들에 한정되는 것이 아니라 서로 다른 다양한 형태로 구현될 수 있으며, 이하의 설명에서 어떤 부분이 다른 부분과 연결되어 있다고 할 때, 이는 직접적으로 연결되어 있는 경우뿐 아니라 그 중간에 다른 소자를 사이에 두고 전기적으로 연결되어 있는 경우도 포함한다. 또한, 도면에서 본 발명과 관계없는 부분은 본 발명의 설명을 명확하게 하기 위하여 생략하였으며, 명세서 전체를 통하여 유사한 부분에 대해서는 동일한 도면 부호를 붙였다.

이하, 본 발명의 실시예들과 관련된 도면들을 참고하여, 본 발명의 실시예에 의한 화소 및 이를 포함하는 유기발광 표시장치에 대해 설명하도록 한다.

도 1은 본 발명의 실시예에 의한 유기발광 표시장치를 나타낸 도면이다.

도 1을 참조하면, 본 발명의 실시예에 의한 유기발광 표시장치는, 다수의 화소들(PXL), 주사 구동부(10), 발광 제어 구동부(20), 데이터 구동부(30), 디멀티플렉서들(50), 디멀티플렉서 제어부(60) 및 타이밍 제어부(70)를 포함할 수 있다.

화소들(PXL)은 다수의 주사선들(S0 ~ Sn) 및 데이터 출력선들(D1 ~ Dm)과 연결될 수 있다.

또한, 화소들(PXL)은 추가적으로 발광 제어선들(E1 ~ En)과도 연결될 수 있다.

화소들(PXL), 주사선들(S0 ~ Sn), 데이터 출력선들(D1 ~ Dm) 및 발광 제어선들(E1 ~ En)의 상호 연결관계는 다양하게 변화될 수 있다.

예를 들어, 각각의 화소들(PXL)은 하나의 데이터 출력선, 하나의 발광 제어선, 및 복수의 주사선들과 연결될 수 있다.

화소들(PXL)은 제1 전원(111) 및 제2 전원(112)에 연결되어, 그로부터 각각 제1 전압(ELVDD) 및 제2 전압(ELVSS)을 제공받을 수 있다.

또한, 추가적으로 화소들(PXL)은 초기화 전원(113)에 연결되어, 그로부터 초기화 전압(VINT)을 제공받을 수 있다.

화소들(PXL) 각각은 제1 전원(111)으로부터 유기 발광 다이오드를 경유하여 제2 전원(112)으로 흐르는 전류에 의해, 데이터 신호에 대응하는 빛을 생성할 수 있다.

주사 구동부(10)는 타이밍 제어부(70)의 제어에 의해 주사 신호를 생성하고, 생성된 주사 신호를 주사선들(S0 ~ Sn)로 공급할 수 있다.

따라서, 각각의 화소들(PXL)은 주사선들(S0 ~ Sn)을 통해 주사 신호를 공급받을 수 있다.

발광 제어 구동부(20)는 타이밍 제어부(70)의 제어에 의해 발광 제어신호를 생성하고, 생성된 발광 제어신호를 발광 제어선들(E1 ~ En)로 공급할 수 있다.

따라서, 각각의 화소들(PXL)은 발광 제어선들(E1 ~ En)을 통해 발광 제어신호를 공급받을 수 있다.

도 1에서는 발광 제어 구동부(20)를 주사 구동부(10)와 별개로 도시하였으나, 필요에 따라 발광 제어 구동부(20)는 주사 구동부(10)와 일체로 구현될 수 있다.

또한, 다른 실시예에서, 발광 제어 구동부(20)와 발광 제어선들(E1 ~ En)은 생략될 수 있다.

데이터 구동부(30)는 타이밍 제어부(70)의 제어에 의해 데이터 신호를 생성하고, 생성된 데이터 신호를 데이터 입력선들(O1 ~ Oi)로 공급할 수 있다.

즉, 데이터 구동부(30)는 데이터 입력선들(O1 ~ Oi)을 통하여, 디멀티플렉서들(50)로 데이터 신호를 공급할 수 있다.

도 1에서는 데이터 입력선들(O1 ~ Oi)의 개수가 데이터 출력선들(D1 ~ Dm)의 절반인 경우를 일례로 도시하였으나, 데이터 입력선들(O1 ~ Oi)과 데이터 출력선들(D1 ~ Dm)의 비율은 디멀티플렉서들(50)의 구조에 따라 다양하게 변화될 수 있다.

디멀티플렉서들(50)은 데이터 구동부(30)로부터 데이터 신호를 공급받고, 상기 데이터 신호를 데이터 출력선들(D1 ~ Dm)로 공급할 수 있다.

예를 들어, 디멀티플렉서들(50)은 데이터 입력선들(O1 ~ Oi)을 통해 데이터 신호를 입력받고, 상기 데이터 입력선들(O1 ~ Oi)보다 많은 수의 데이터 출력선들(D1 ~ Dm)로 데이터 신호를 시분할적으로 출력할 수 있다.

따라서, 각각의 화소들(PXL)은 데이터 출력선들(D1 ~ Dm)을 통해 데이터 신호를 공급받을 수 있다.

데이터 출력선들(D1 ~ Dm)에 인가되는 신호 및 전압을 저장하기 위하여, 각각의 데이터 출력선들(D1 ~ Dm)에는 커패시터(90)가 존재할 수 있다.

이 때, 데이터 출력선들(D1 ~ Dm)에 존재하는 커패시터들(90)은 배선에 존재하는 기생 용량에 의한 것일 수 있다. 또한, 상기 커패시터들(90)은 데이터 출력선들(D1 ~ Dm)에 물리적으로 설치된 커패시터들(90)일 수 있다.

디멀티플렉서 제어부(60)는 데이터 제어신호(Cd)를 통해 디멀티플렉서들(50)의 동작을 제어할 수 있다.

예를 들어, 데이터 제어신호(Cd)는 각 디멀티플렉서(50)에 포함된 트랜지스터들의 동작을 제어하는 역할을 수행할 수 있다.

디멀티플렉서 제어부(60)는 타이밍 제어부(70)로부터 공급되는 디멀티플렉서 제어신호(MCS)를 입력받고, 이에 대응하는 데이터 제어신호(Cd)를 생성할 수 있다.

도 1에서는 디멀티플렉서 제어부(60)를 타이밍 제어부(70)와 별개로 도시하였으나, 필요에 따라 디멀티플렉서 제어부(60)는 타이밍 제어부(70)와 일체로 구현될 수 있다.

타이밍 제어부(70)는 주사 구동부(10), 발광 제어 구동부(20). 데이터 구동부(30) 및 디멀티플렉서 제어부(60)를 제어할 수 있다.

이를 위하여, 타이밍 제어부(70)는 주사 구동부(10)와 발광 제어 구동부(20)로 각각 주사 구동부 제어신호(SCS)와 발광 제어 구동부 제어신호(ECS)를 공급할 수 있다.

또한, 타이밍 제어부(70)는 데이터 구동부(30)와 디멀티플렉서 제어부(60)로 각각 데이터 구동부 제어신호(DCS)와 디멀티플렉서 제어신호(MCS)를 공급할 수 있다.

도 1에서는 설명의 편의를 위하여 주사 구동부(10), 발광 제어 구동부(20), 데이터 구동부(30), 디멀티플렉서 제어부(60) 및 타이밍 제어부(70)를 개별적으로 도시하였으나, 상기 구성요소들 중 적어도 일부는 통합될 수 있다.

제1 전원(111)과 제2 전원(112)은 화소부(80)에 위치한 화소들(PXL)로 전원 전압(ELVDD, ELVSS)을 제공할 수 있다. 예를 들어, 제1 전원(111)으로부터 공급되는 제1 전압(ELVDD)은 고전압이고, 제2 전원(112)으로부터 공급되는 제2 전압(ELVSS)는 저전압일 수 있다.

일례로, 제1 전압(ELVDD)은 양전압으로 설정되고, 제2 전압(ELVSS)은 음전압 또는 그라운드 전압으로 설정될 수 있다.

또한, 초기화 전원(113)은 화소부(80)에 위치한 화소들(PXL)로 초기화 전압(VINT)을 제공할 수 있다.

예를 들어, 초기화 전압(VINT)은 데이터 신호보다 낮은 전압으로 설정될 수 있다.

도 2는 본 발명의 실시예에 의한 디멀티플렉서를 나타낸 도면이다. 도 2에서는 설명의 편의를 위하여 일부의 화소들만을 도시하였고, 여기서는 제1 데이터 입력선(O1), 제1 데이터 출력선(D1), 및 제2 데이터 출력선(D2)과 연결된 디멀티플렉서(50)를 중심으로 설명을 진행한다.

또한, 제1 데이터 출력선(D1)과 연결되는 화소들을 각각 제1 화소(PXL1)로 지칭하고, 제2 데이터 출력선(D2)과 연결되는 화소들을 각각 제2 화소(PXL2)로 지칭한다.

여기서 설명되는 디멀티플렉서(50)는 펜타일(pentile) 방식의 화소 구조에 적용될 수 있다.

예를 들어, 제1 데이터 출력선(D1)에 연결된 제1 화소들(PXL1)은 제1 색상을 표현하는 화소들로 구성될 수 있고, 제2 데이터 출력선(D2)에 연결된 제2 화소들(PXL2)은 제2 색상을 표현하는 화소들과 제3 색상을 표현하는 화소들로 구성될 수 있다.

이 때, 제1 색상, 제2 색상, 및 제3 색상은, 각각 녹색, 적색, 및 청색으로 설정될 수 있다.

또한, 다른 실시예에서는 제1 데이터 출력선(D1)에 연결된 제1 화소들(PXL1)이 제2 색상을 표현하는 화소들과 제3 색상을 표현하는 화소들로 구성될 수 있고, 제2 데이터 출력선(D2)에 연결된 제2 화소들(PXL2)이 제1 색상을 표현하는 화소들로 구성될 수 있다.

도 2를 참조하면, 본 발명의 실시예에 의한 디멀티플렉서(50)는 제1 데이터 트랜지스터(Td1) 및 제2 데이터 트랜지스터(Td2)를 포함할 수 있다.

제1 데이터 트랜지스터(Td1)는 제1 데이터 입력선(O1)과 제1 데이터 출력선(D1) 사이에 연결될 수 있다.

또한, 제1 데이터 트랜지스터(Td1)는 제1 데이터 제어신호(Cd1)에 대응하여, 턴-온될 수 있다.

예를 들어, 제1 데이터 트랜지스터(Td1)는 제1 데이터 입력선(O1)에 연결되는 제1 전극, 제1 데이터 출력선(D1)에 연결되는 제2 전극, 및 제1 데이터 제어선(221)에 연결되는 게이트 전극을 포함할 수 있다.

제1 데이터 제어선(221)은 디멀티플렉서 제어부(60)로부터 제1 데이터 제어신호(Cd1)를 공급받고, 상기 제1 데이터 제어신호(Cd1)를 제1 데이터 트랜지스터(Td1)로 전달할 수 있다.

예를 들어, 제1 데이터 제어신호(Cd1)가 제1 데이터 제어선(221)으로 공급되는 경우 제1 데이터 트랜지스터(Td1)는 턴-온되고, 이에 따라 데이터 구동부(30)에서 출력된 제1 데이터 신호는 제1 데이터 트랜지스터(Td1)를 통해 제1 데이터 출력선(D1)으로 공급될 수 있다.

제2 데이터 트랜지스터(Td2)는 제1 데이터 입력선(O1)과 제2 데이터 출력선(D2) 사이에 연결될 수 있다.

또한, 제2 데이터 트랜지스터(Td2)는 제2 데이터 제어신호(Cd2)에 대응하여, 턴-온될 수 있다.

예를 들어, 제2 데이터 트랜지스터(Td2)는, 제1 데이터 입력선(O1)에 연결되는 제1 전극, 제2 데이터 출력선(D2)에 연결되는 제2 전극, 및 제2 데이터 제어선(222)에 연결되는 게이트 전극을 포함할 수 있다.

제2 데이터 제어선(222)은 디멀티플렉서 제어부(60)로부터 제2 데이터 제어신호(Cd2)를 공급받고, 상기 제2 데이터 제어신호(Cd2)를 제2 데이터 트랜지스터(Td2)로 전달할 수 있다.

예를 들어, 제2 데이터 제어신호(Cd2)가 제2 데이터 제어선(222)으로 공급되는 경우 제2 데이터 트랜지스터(Td2)는 턴-온되고, 이에 따라 데이터 구동부(30)에서 출력된 제2 데이터 신호는 제2 데이터 트랜지스터(Td2)를 통해 제2 데이터 출력선(D2)으로 공급될 수 있다.

도 2에 도시된 바와 같이 제1 데이터 트랜지스터(Td1) 및 제2 데이터 트랜지스터(Td2)는 P형으로 구현될 수 있다. 다만, 이에 제한되지는 않으며, 상기 제1 데이터 트랜지스터(Td1) 및 제2 데이터 트랜지스터(Td2)은 N형으로 구현될 수도 있다.

도 3은 본 발명의 실시예에 의한 제1 화소와 제2 화소를 나타낸 도면이다. 도 3에서는 설명의 편의를 위하여 제k-1 주사선(Sk-1), 제k 주사선(Sk), 제k 발광 제어선(Ek), 제1 데이터 출력선(D1), 및 제2 데이터 출력선(D2)과 연결된 화소들(PXL1, PXL2)만을 도시하였다.

본 발명의 실시예에 의한 제1 화소(PXL1)는 제1 유기발광 다이오드(OLED1), 제1 화소 회로(PC1), 및 제1 저장 회로(SC1)를 포함할 수 있다.

제1 유기발광 다이오드(OLED1)는 제1 화소 회로(PC1)로부터 구동 전류를 공급받고, 상기 구동 전류에 대응하는 휘도로 발광할 수 있다.

예를 들어, 제1 유기발광 다이오드(OLED1)는 제1 화소 회로(PC1)와 제2 전원(112) 사이에 연결될 수 있다.

제1 화소 회로(PC1)는 제1 데이터 신호에 대응하는 구동 전류를 제1 유기발광 다이오드(OLED1)로 공급할 수 있다.

예를 들어, 제1 화소 회로(PC1)는 제k-1 주사선(Sk-1)으로부터 공급되는 주사 신호, 제k 주사선(Sk)으로부터 공급되는 주사 신호, 및 제k 발광 제어선(Ek)으로부터 공급되는 발광 제어 신호를 이용하여 동작할 수 있다.

제1 저장 회로(SC1)는 제1 데이터 출력선(D1)과 연결되고, 상기 제1 데이터 출력선(D1)에 의해 공급된 제1 데이터 신호를 제1 화소 회로(PC1)로 전달할 수 있다.

예를 들어, 제1 저장 회로(SC1)는 제1 스토리지 커패시터(Cs1)와 제1 제어 트랜지스터(Tc1)를 포함할 수 있다.

제1 스토리지 커패시터(Cs1)는 제1 데이터 신호를 저장하고, 상기 제1 데이터 신호를 제1 화소 회로(PC1)로 공급할 수 있다.

제1 제어 트랜지스터(Tc1)는 제1 데이터 출력선(D1)과 연결되고, 턴-온시 제1 데이터 출력선(D1)으로부터 공급된 제1 데이터 신호를 제1 스토리지 커패시터(Cs1)로 전달할 수 있다.

예를 들어, 제1 제어 트랜지스터(Tc1)는 제k-1 주사선(Sk-1)으로부터 공급되는 주사 신호에 의해 온-오프 동작이 제어될 수 있다.

이 경우, 제1 제어 트랜지스터(Tc1)의 제1 전극은 제1 데이터 출력선(D1)에 연결되고, 제1 제어 트랜지스터(Tc1)의 제2 전극은 제1 스토리지 커패시터(Cs1) 및 제1 화소 회로(PC1)에 연결되며, 제1 제어 트랜지스터(Tc1)의 게이트 전극은 제k-1 주사선(Sk-1)과 연결될 수 있다.

본 명세서에서 트랜지스터의 제1 전극은 소스 전극 및 드레인 전극 중 어느 하나로 설정되고, 트랜지스터의 제2 전극은 제1 전극과 다른 전극으로 설정될 수 있다.

예를 들어, 트랜지스터의 제1 전극이 소스 전극으로 설정되면, 트랜지스터의 제2 전극은 드레인 전극으로 설정될 수 있다.

본 발명의 실시예에 의한 제2 화소(PXL2)는 제2 유기발광 다이오드(OLED2) 및 제2 화소 회로(PC2)를 포함할 수 있다.

제2 유기발광 다이오드(OLED2)는 제2 화소 회로(PC2)로부터 구동 전류를 공급받고, 상기 구동 전류에 대응하는 휘도로 발광할 수 있다.

예를 들어, 제2 유기발광 다이오드(OLED2)는 제2 화소 회로(PC2)와 제2 전원(112) 사이에 연결될 수 있다.

제2 화소 회로(PC2)는 제2 데이터 신호에 대응하는 구동 전류를 제2 유기발광 다이오드(OLED2)로 공급할 수 있다.

제2 화소(PXL2)는 제1 화소(PXL1)와 달리 저장 회로(SC1)를 포함하지 않으므로, 제2 화소 회로(PC2)는 제2 데이터 출력선(D2)을 통해 바로 제2 데이터 신호를 공급받을 수 있다.

즉, 제2 화소 회로(PC2)는 제2 데이터 출력선(D2)과 연결되어, 제2 데이터 출력선(D2)으로부터 제2 데이터 신호를 공급받을 수 있다.

예를 들어, 제2 화소 회로(PC2)는 제k-1 주사선(Sk-1)으로부터 공급되는 주사 신호, 제k 주사선(Sk)으로부터 공급되는 주사 신호, 및 제k 발광 제어선(Ek)으로부터 공급되는 발광 제어 신호를 이용하여 동작할 수 있다.

도 4는 도 3에 도시된 화소 회로를 보다 자세히 나타낸 도면이다.

도 4를 참조하면, 본 발명의 실시예에 의한 제1 화소 회로(PC1)는 다수의 화소 트랜지스터들(Tp1 ~ Tp6)과 제1 화소 커패시터(Cp1)를 포함할 수 있다.

제1 화소 트랜지스터(Tp1)는 제1 노드(N1)와 제2 노드(N2) 사이에 연결되고, 게이트 전극이 제3 노드(N3)에 연결될 수 있다.

예를 들어, 제1 화소 트랜지스터(Tp1)는 제1 노드(N1)에 연결되는 제1 전극, 제2 노드(N2)에 연결되는 제2 전극, 및 제3 노드(N3)에 연결되는 게이트 전극을 포함할 수 있다.

제2 화소 트랜지스터(Tp2)는 제1 저장 회로(SC1)에 포함된 제1 제어 트랜지스터(Tc1)와 제1 노드(N1) 사이에 연결될 수 있다.

예를 들어, 제2 화소 트랜지스터(Tp2)는 제1 제어 트랜지스터(Tc1)의 제2 전극과 연결되는 제1 전극, 제1 노드(N1)에 연결되는 제2 전극, 및 제k 주사선(Sk)에 연결되는 게이트 전극을 포함할 수 있다.

제3 화소 트랜지스터(Tp3)는 제2 노드(N2)와 제3 노드(N3) 사이에 연결될 수 있다.

예를 들어, 제3 화소 트랜지스터(Tp3)는 제3 노드(N3)에 연결되는 제1 전극, 제2 노드(N2)에 연결되는 제2 전극, 및 제k 주사선(Sk)에 연결되는 게이트 전극을 포함할 수 있다.

제4 화소 트랜지스터(Tp4)는 제3 노드(N3)와 초기화 전원(113) 사이에 연결될 수 있다.

예를 들어, 제4 화소 트랜지스터(Tp4)는 제3 노드(N3)에 연결되는 제1 전극, 초기화 전원(113)에 연결되는 제2 전극, 및 제k-1 주사선(Sk-1)에 연결되는 게이트 전극을 포함할 수 있다.

제5 화소 트랜지스터(Tp5)는 제1 노드(N1)와 제1 전원(111) 사이에 연결될 수 있다.

예를 들어, 제5 화소 트랜지스터(Tp5)는 제1 전원(111)에 연결되는 제1 전극, 제1 노드(N1)에 연결되는 제2 전극, 및 제k 발광 제어선(Ek)에 연결되는 게이트 전극을 포함할 수 있다.

제6 화소 트랜지스터(Tp6)는 제2 노드(N2)와 제1 유기발광 다이오드(OLED1) 사이에 연결될 수 있다.

예를 들어, 제6 화소 트랜지스터(Tp6)는 제2 노드(N2)에 연결되는 제1 전극, 제1 유기발광 다이오드(OLED1)의 애노드 전극과 연결되는 제2 전극, 및 제k 발광 제어선(Ek)에 연결되는 게이트 전극을 포함할 수 있다.

제1 화소 커패시터(Cp1)는 제1 전원(111)과 제3 노드(N3) 사이에 연결될 수 있다.

예를 들어, 제1 화소 커패시터(Cp1)는 제1 전원(111)에 연결되는 제1 전극, 및 제3 노드(N3)에 연결되는 제2 전극을 포함할 수 있다.

제1 유기발광 다이오드(OLED1)는 제6 화소 트랜지스터(Tp6)의 제2 전극에 연결되는 애노드 전극, 제2 전원(112)에 연결되는 캐소드 전극, 및 상기 애노드 전극과 캐소드 전극 사이에 위치하는 발광층을 포함할 수 있다.

한편, 본 발명의 실시예에 의한 제2 화소 회로(PC2)는 다수의 화소 트랜지스터들(Tp7 ~ Tp12)과 제2 화소 커패시터(Cp2)를 포함할 수 있다.

제7 화소 트랜지스터(Tp7)는 제4 노드(N4)와 제5 노드(N5) 사이에 연결되고, 게이트 전극이 제6 노드(N6)에 연결될 수 있다.

예를 들어, 제7 화소 트랜지스터(Tp7)는 제4 노드(N4)에 연결되는 제1 전극, 제5 노드(N5)에 연결되는 제2 전극, 및 제6 노드(N6)에 연결되는 게이트 전극을 포함할 수 있다.

제8 화소 트랜지스터(Tp8)는 제2 데이터 출력선(D2)과 제4 노드(N4) 사이에 연결될 수 있다.

예를 들어, 제8 화소 트랜지스터(Tp8)는 제2 데이터 출력선(D2)과 연결되는 제1 전극, 제4 노드(N4)에 연결되는 제2 전극, 및 제k 주사선(Sk)에 연결되는 게이트 전극을 포함할 수 있다.

제9 화소 트랜지스터(Tp9)는 제5 노드(N5)와 제6 노드(N6) 사이에 연결될 수 있다.

예를 들어, 제9 화소 트랜지스터(Tp9)는 제6 노드(N6)에 연결되는 제1 전극, 제5 노드(N5)에 연결되는 제2 전극, 및 제k 주사선(Sk)에 연결되는 게이트 전극을 포함할 수 있다.

제10 화소 트랜지스터(Tp10)는 제6 노드(N6)와 초기화 전원(113) 사이에 연결될 수 있다.

예를 들어, 제10 화소 트랜지스터(Tp10)는 제6 노드(N6)에 연결되는 제1 전극, 초기화 전원(113)에 연결되는 제2 전극, 및 제k-1 주사선(Sk-1)에 연결되는 게이트 전극을 포함할 수 있다.

제11 화소 트랜지스터(Tp11)는 제4 노드(N4)와 제1 전원(111) 사이에 연결될 수 있다.

예를 들어, 제11 화소 트랜지스터(Tp11)는 제1 전원(111)에 연결되는 제1 전극, 제4 노드(N4)에 연결되는 제2 전극, 및 제k 발광 제어선(Ek)에 연결되는 게이트 전극을 포함할 수 있다.

제12 화소 트랜지스터(Tp12)는 제5 노드(N5)와 제2 유기발광 다이오드(OLED2) 사이에 연결될 수 있다.

예를 들어, 제12 화소 트랜지스터(Tp12)는 제5 노드(N5)에 연결되는 제1 전극, 제2 유기발광 다이오드(OLED2)의 애노드 전극과 연결되는 제2 전극, 및 제k 발광 제어선(Ek)에 연결되는 게이트 전극을 포함할 수 있다.

제2 화소 커패시터(Cp2)는 제1 전원(111)과 제6 노드(N6) 사이에 연결될 수 있다.

예를 들어, 제2 화소 커패시터(Cp2)는 제1 전원(111)에 연결되는 제1 전극, 및 제6 노드(N6)에 연결되는 제2 전극을 포함할 수 있다.

제2 유기발광 다이오드(OLED2)는 제12 화소 트랜지스터(Tp12)의 제2 전극에 연결되는 애노드 전극, 제2 전원(112)에 연결되는 캐소드 전극, 및 상기 애노드 전극과 캐소드 전극 사이에 위치하는 발광층을 포함할 수 있다.

상술한 구조를 통하여, 제1 제어 트랜지스터(Tc1)의 게이트 전극, 제4 화소 트랜지스터(Tp4)의 게이트 전극, 및 제10 화소 트랜지스터(Tp10)의 게이트 전극은, 동일한 제1 주사선(예를 들어, 제k-1 주사선(Sk-1))에 연결될 수 있다.

또한, 제2 화소 트랜지스터(Tp2)의 게이트 전극, 제3 화소 트랜지스터(Tp3)의 게이트 전극, 제8 화소 트랜지스터(Tp8)의 게이트 전극, 및 제9 화소 트랜지스터(Tp9)의 게이트 전극은, 동일한 제2 주사선(예를 들어, 제k 주사선(Sk))에 연결될 수 있다.

또한, 제5 화소 트랜지스터(Tp5)의 게이트 전극, 제6 화소 트랜지스터(Tp6)의 게이트 전극, 제11 화소 트랜지스터(Tp11)의 게이트 전극, 및 제12 화소 트랜지스터(Tp12)의 게이트 전극은, 동일한 발광 제어선(예를 들어, 제k 발광 제어선(Ek))에 연결될 수 있다.

도 5는 본 발명의 실시예에 의한 유기발광 표시장치의 동작을 설명하기 위한 파형도이다. 이하에서는 도 4 및 도 5를 참조하여, 본 발명의 실시예에 의한 유기발광 표시장치의 동작을 설명하도록 한다.

도 5에서는 제k 발광 제어선(Ek)으로 공급되는 발광 제어 신호(SEk), 제k-1 주사선(Sk-1)에 공급되는 제1 주사 신호(SSk-1), 제k 주사선(Sk)에 공급되는 제2 주사 신호(SSk), 제1 데이터 제어신호(Cd1), 제2 데이터 제어신호(Cd2), 및 제1 데이터 입력선(O1)에 공급되는 신호(SO1)를 도시하였다.

발광 제어 신호(SEk)는 트랜지스터를 오프시킬 수 있는 전압으로 설정될 수 있다.

예를 들어, 발광 제어 신호(SEk)를 공급받는 트랜지스터가 P형인 경우, 발광 제어 신호(SEk)는 하이 레벨의 전압으로 설정될 수 있다.

또한, 발광 제어 신호(SEk)를 공급받는 트랜지스터가 N형인 경우, 발광 제어 신호(SEk)는 로우 레벨의 전압으로 설정될 수 있다.

주사 신호(SSk-1, SSk)와 데이터 제어 신호(Cd1, Cd2)는 트랜지스터를 온시킬 수 있는 전압으로 설정될 수 있다.

예를 들어, 주사 신호(SSk-1, SSk)와 데이터 제어 신호(Cd1, Cd2)를 공급받는 트랜지스터가 P형인 경우, 주사 신호(SSk-1, SSk)와 데이터 제어 신호(Cd1, Cd2)는 로우 레벨의 전압으로 설정될 수 있다.

또한, 주사 신호(SSk-1, SSk)와 데이터 제어 신호(Cd1, Cd2)를 공급받는 트랜지스터가 N형인 경우, 주사 신호(SSk-1, SSk)와 데이터 제어 신호(Cd1, Cd2)는 하이 레벨의 전압으로 설정될 수 있다.

발광 제어 신호(SEk)는 제1 기간(P1), 제2 기간(P2), 및 제3 기간(P3) 동안 공급될 수 있다.

예를 들어, 발광 제어 신호(SEk)는 도 5에 도시된 바와 같이 제1 기간(P1) 보다 먼저 공급이 시작되고, 제3 기간(P3) 이후에 공급이 종료될 수 있다.

발광 제어 신호(SEk)가 공급되는 기간(P1, P2, P3) 동안에는, 제5 화소 트랜지스터(Tp5), 제6 화소 트랜지스터(Tp6), 제11 화소 트랜지스터(Tp11), 및 제12 화소 트랜지스터(Tp12)가 오프 상태를 유지하므로, 제1 화소(PXL1)와 제2 화소(PXL2)는 비발광 상태를 유지할 수 있다.

제1 주사 신호(SSk-1)는 제1 기간(P1) 동안 공급될 수 있다.

따라서, 제1 기간(P1) 동안 제4 화소 트랜지스터(Tp4)가 온 되므로, 제1 화소(PXL1)에 포함된 구동 트랜지스터(예를 들어, 제1 화소 트랜지스터(Tp1))의 게이트 전극이 초기화 전압(VINT)으로 초기화될 수 있다.

또한, 제1 기간(P1) 동안 제10 화소 트랜지스터(Tp10)가 온 되므로, 제2 화소(PXL2)에 포함된 구동 트랜지스터(예를 들어, 제7 화소 트랜지스터(Tp7))의 게이트 전극이 초기화 전압(VINT)으로 초기화될 수 있다.

그리고, 제1 기간(P1) 동안에는 제1 화소(PXL1)의 제1 제어 트랜지스터(Tc1)가 온 상태를 유지할 수 있다.

제1 데이터 제어신호(Cd1)는 제1 기간(P1)에 포함된 일부 기간(R1; 이하 제1 서브 기간) 동안 공급될 수 있다.

따라서, 제1 서브 기간(R1) 동안 디멀티플렉서(50)의 제1 데이터 트랜지스터(Td1)는 온 상태를 유지하고, 제1 데이터 입력선(O1)의 제1 데이터 신호(Dt1)는 제1 데이터 트랜지스터(Td1)를 통해 제1 데이터 출력선(D1)으로 출력될 수 있다.

제1 서브 기간(R1) 동안 제1 제어 트랜지스터(Tc1)도 온 상태를 유지하고 있으므로, 제1 데이터 신호(Dt1)는 제1 스토리지 커패시터(Cs1)에 저장될 수 있다.

이 때, 데이터 구동부(30)는 제1 서브 기간(R1) 동안 제1 데이터 신호(Dt1)를 제1 데이터 입력선(O1)으로 공급할 수 있다.

제2 기간(P2)은 제1 기간(P1)과 제3 기간(P3) 사이에 존재하는 기간으로서, 제2 데이터 제어신호(Cd2)는 제2 기간(P2)에 포함된 일부 기간(R2; 이하 제2 서브 기간) 및 제3 기간(P3)에 포함된 일부 기간(R3; 이하 제3 서브 기간) 동안 공급될 수 있다.

따라서, 제2 서브 기간(R2)과 제3 서브 기간(R3) 동안 디멀티플렉서(50)의 제2 데이터 트랜지스터(Td2)는 온 상태를 유지하고, 제1 데이터 입력선(O1)의 제2 데이터 신호(Dt2)는 제2 데이터 트랜지스터(Td2)를 통해 제2 데이터 출력선(D2)으로 출력될 수 있다.

이 때, 데이터 구동부(30)는 제2 서브 기간(R2)과 제3 서브 기간(R3) 동안 제2 데이터 신호(Dt2)를 제1 데이터 입력선(O1)으로 공급할 수 있다.

제2 주사 신호(SSk)는 제3 기간(P3) 동안 공급될 수 있다.

제2 주사 신호(SSk)가 공급됨에 따라 제2 화소 트랜지스터(Tp2)가 턴-온되고, 제1 스토리지 커패시터(Cs1)에 저장된 제1 데이터 신호(Dt1)가 제1 화소 회로(PC1)로 공급될 수 있다.

이 때, 제3 화소 트랜지스터(Tp3)도 턴-온되므로, 제1 데이터 신호(Dt1)에서 제1 화소 트랜지스터(Tp1)의 문턱 전압이 차감된 값이 제3 노드(N3)에 공급되고, 제1 화소 커패시터(Cp1)는 제3 노드(N3)에 공급된 전압을 저장할 수 있다.

또한, 제2 주사 신호(SSk)가 공급됨에 따라 제8 화소 트랜지스터(Tp8)가 턴-온되고, 제2 데이터 출력선(D2)의 제2 데이터 신호(Dt2)가 제2 화소 회로(PC2)로 공급될 수 있다.

이 때, 제9 화소 트랜지스터(Tp9)도 턴-온되므로, 제2 데이터 신호(Dt2)에서 제2 화소 트랜지스터(Tp2)의 문턱 전압이 차감된 값이 제6 노드(N6)에 공급되고, 제2 화소 커패시터(Cp2)는 제6 노드(N6)에 공급된 전압을 저장할 수 있다.

발광 제어 신호(SEk)의 공급이 종료되면, 제5 화소 트랜지스터(Tp5)와 제6 화소 트랜지스터(Tp6)가 턴-온되므로, 제1 화소 트랜지스터(Tp1)는 제1 화소 커패시터(Cp1)가 저장한 전압에 대응하는 구동 전류를 제1 유기발광 다이오드(OLED1)로 공급할 수 있다. 이에 따라, 제1 화소(PXL1)는 해당 휘도로 발광할 수 있다.

또한, 발광 제어 신호(SEk)의 공급이 종료되면, 제11 화소 트랜지스터(Tp11)와 제12 트랜지스터(Tp12)가 턴-온되므로, 제7 화소 트랜지스터(Tp7)는 제2 화소 커패시터(Cp2)가 저장한 전압에 대응하는 구동 전류를 제2 유기발광 다이오드(OLED2)로 공급할 수 있다. 이에 따라, 제2 화소(PXL2)는 해당 휘도로 발광할 수 있다.

본 발명의 실시예에 의한 제1 화소(PXL1)가 제1 주사 신호(SSk-1)에 대응하여 제1 데이터 신호(Dt1)를 미리 저장할 수 있는 제1 저장 회로(SC1)를 구비함으로써, 제1 데이터 제어신호(Cd1)는 제1 주사 신호(SSk-1)와 중첩되며 공급될 수 있다.

종전에는 제1 데이터 제어신호(Cd1)를 주사 신호(SSk-1, SSk)와 중첩시키지 못하였으므로, 주사 신호(SSk-1, SSk)의 공급 기간이 짧아질 수 밖에 없었다.

이에 반해, 본 발명의 실시예에서는 제1 데이터 제어신호(Cd1)의 공급 기간을 제거할 수 있어, 그만큼 주사 신호(SSk-1, SSk)의 공급 기간을 길게 확보할 수 있다.

도 6은 본 발명의 다른 실시예에 의한 제1 화소 회로와 제2 화소 회로를 나타낸 도면이다.

도 6을 참조하면, 본 발명의 다른 실시예에 의한 제1 화소(PXL1')는 제1 추가 트랜지스터(Ta1)를 더 포함할 수 있다.

즉, 제1 화소 회로(PC1')는 초기화 전원(113)과 제1 유기 발광 다이오드(OLED1)의 애노드 전극 사이에 연결되는 제1 추가 트랜지스터(Ta1)를 더 포함할 수 있다.

예를 들어, 제1 추가 트랜지스터(Ta1)는 초기화 전원(113)에 연결되는 제1 전극, 제1 유기 발광 다이오드(OLED1)의 애노드 전극에 연결되는 제2 전극, 및 제k+1 주사선(Sk+1)에 연결되는 게이트 전극을 포함할 수 있다.

한편, 본 발명의 다른 실시예에 의한 제2 화소(PXL2')는 제2 추가 트랜지스터(Ta2)를 더 포함할 수 있다.

즉, 제2 화소 회로(PC2')는 초기화 전원(113)과 제2 유기 발광 다이오드(OLED2)의 애노드 전극 사이에 연결되는 제2 추가 트랜지스터(Ta2)를 더 포함할 수 있다.

예를 들어, 제2 추가 트랜지스터(Ta2)는 초기화 전원(113)에 연결되는 제1 전극, 제2 유기 발광 다이오드(OLED2)의 애노드 전극에 연결되는 제2 전극, 및 제k+1 주사선(Sk+1)에 연결되는 게이트 전극을 포함할 수 있다.

도 7은 본 발명의 다른 실시예에 의한 제2 화소를 나타낸 도면이다.

도 7을 참조하면, 본 발명의 다른 실시예에 의한 제2 화소(PXL2'')는 도 3에 도시된 제2 화소(PXL2)와 비교하여, 제2 저장 회로(SC2)를 더 포함할 수 있다. 이하에서는 상술한 실시예와 차이나는 부분을 중심으로 설명하도록 한다.

본 발명의 다른 실시예에 의한 제2 화소(PXL2'')는 제2 유기발광 다이오드(OLED2), 제2 화소 회로(PC2), 및 제2 저장 회로(SC2)를 포함할 수 있다.

제2 저장 회로(SC2)는 제2 데이터 출력선(D2)과 연결되고, 상기 제2 데이터 출력선(D2)에 의해 공급된 제2 데이터 신호를 제2 화소 회로(PC2)로 전달할 수 있다.

예를 들어, 제2 저장 회로(SC2)는 제2 스토리지 커패시터(Cs2)와 제2 제어 트랜지스터(Tc2)를 포함할 수 있다.

제2 스토리지 커패시터(Cs2)는 제2 데이터 신호를 저장하고, 상기 제2 데이터 신호를 제2 화소 회로(PC2)로 공급할 수 있다.

제2 제어 트랜지스터(Tc2)는 제2 데이터 출력선(D2)과 연결되고, 턴-온시 제2 데이터 출력선(D2)으로부터 공급된 제2 데이터 신호를 제2 스토리지 커패시터(Cs2)로 전달할 수 있다.

예를 들어, 제2 제어 트랜지스터(Tc2)는 제k-1 주사선(Sk-1)으로부터 공급되는 주사 신호에 의해 온-오프 동작이 제어될 수 있다.

이 경우, 제2 제어 트랜지스터(Tc2)의 제1 전극은 제2 데이터 출력선(D2)에 연결되고, 제2 제어 트랜지스터(Tc2)의 제2 전극은 제2 스토리지 커패시터(Cs2) 및 제2 화소 회로(PC2)에 연결되며, 제2 제어 트랜지스터(Tc2)의 게이트 전극은 제k-1 주사선(Sk-1)과 연결될 수 있다.

도 8은 도 7에 도시된 제2 화소 회로를 보다 자세히 나타낸 도면이다.

도 8을 참조하면, 본 발명의 다른 실시예에 의한 제2 화소 회로(PC2'')는 다수의 화소 트랜지스터들(Tp7 ~ Tp12)과 제2 화소 커패시터(Cp2)를 포함할 수 있다.

제8 화소 트랜지스터(Tp8)는 제2 저장 회로(SC2)에 포함된 제2 제어 트랜지스터(Tc2)와 제4 노드(N4) 사이에 연결될 수 있다.

예를 들어, 제8 화소 트랜지스터(Tp8)는 제2 제어 트랜지스터(Tc2)의 제2 전극과 연결되는 제1 전극, 제4 노드(N4)에 연결되는 제2 전극, 및 제k 주사선(Sk)에 연결되는 게이트 전극을 포함할 수 있다.

상술한 구조를 통하여, 제1 제어 트랜지스터(Tc1)의 게이트 전극, 제4 화소 트랜지스터(Tp4)의 게이트 전극, 제2 제어 트랜지스터(Tc2)의 게이트 전극, 및 제10 화소 트랜지스터(Tp10)의 게이트 전극은, 동일한 주사선(예를 들어, 제k-1 주사선(Sk-1))에 연결될 수 있다.

도 9는 본 발명의 다른 실시예에 의한 유기발광 표시장치의 동작을 설명하기 위한 파형도이다. 이하에서는 도 8 및 도 9를 참조하여, 본 발명의 다른 실시예에 의한 유기발광 표시장치의 동작을 설명하도록 한다.

도 9에서는 제k 발광 제어선(Ek)으로 공급되는 발광 제어 신호(SEk), 제k-1 주사선(Sk-1)에 공급되는 제1 주사 신호(SSk-1), 제k 주사선(Sk)에 공급되는 제2 주사 신호(SSk), 제1 데이터 제어신호(Cd1), 제2 데이터 제어신호(Cd2), 및 제1 데이터 입력선(O1)에 공급되는 신호(SO1)를 도시하였다.

발광 제어 신호(SEk)는 제1 기간(P1), 및 제2 기간(P2) 동안 공급될 수 있다.

예를 들어, 발광 제어 신호(SEk)는 도 9에 도시된 바와 같이 제1 기간(P1) 보다 먼저 공급이 시작되고, 제2 기간(P2) 이후에 공급이 종료될 수 있다.

발광 제어 신호(SEk)가 공급되는 기간(P1, P2) 동안에는, 제5 화소 트랜지스터(Tp5), 제6 화소 트랜지스터(Tp6), 제11 화소 트랜지스터(Tp11), 및 제12 화소 트랜지스터(Tp12)는 오프 상태를 유지하므로, 제1 화소(PXL1)와 제2 화소(PXL2)는 비발광 상태를 유지할 수 있다.

제1 주사 신호(SSk-1)는 제1 기간(P1) 동안 공급될 수 있다.

그리고, 제1 기간(P1) 동안에는 제1 화소(PXL1)의 제1 제어 트랜지스터(Tc1)와 제2 화소(PXL2)의 제2 제어 트랜지스터(Tc2)가 온 상태를 유지할 수 있다.

제2 데이터 제어신호(Cd2)는 제1 기간(P1)에 포함된 또 다른 일부 기간(R2; 이하 제2 서브 기간) 동안 공급될 수 있다.

따라서, 제2 서브 기간(R2) 동안 디멀티플렉서(50)의 제2 데이터 트랜지스터(Td2)는 온 상태를 유지하고, 제1 데이터 입력선(O1)의 제2 데이터 신호(Dt2)는 제2 데이터 트랜지스터(Td2)를 통해 제2 데이터 출력선(D2)으로 출력될 수 있다.

제2 서브 기간(R2) 동안 제2 제어 트랜지스터(Tc2)도 온 상태를 유지하고 있으므로, 제2 데이터 신호(Dt2)는 제2 스토리지 커패시터(Cs2)에 저장될 수 있다.

이 때, 데이터 구동부(30)는 제2 서브 기간(R2) 동안 제2 데이터 신호(Dt2)를 제1 데이터 입력선(O1)으로 공급할 수 있다.

제2 주사 신호(SSk)는 제2 기간(P2) 동안 공급될 수 있다.

또한, 제2 주사 신호(SSk)가 공급됨에 따라 제8 화소 트랜지스터(Tp8)가 턴-온되고, 제2 스토리지 커패시터(Cs2)에 저장된 제2 데이터 신호(Dt2)가 제2 화소 회로(PC2)로 공급될 수 있다.

본 발명의 실시예에 의한 제1 화소(PXL1)와 제2 화소(PXL2'')가 제1 주사 신호(SSk-1)에 대응하여 제1 데이터 신호(Dt1)와 제2 데이터 신호(Dt2)를 미리 저장할 수 있는 제1 저장 회로(SC1)와 제2 저장 회로(SC2)를 각각 구비함으로써, 제1 데이터 제어신호(Cd1)와 제2 데이터 제어신호(Cd2)는 제1 주사 신호(SSk-1)와 중첩되며 공급될 수 있다.

종전에는 제1 데이터 제어신호(Cd1)와 제2 데이터 제어신호(Cd2)를 주사 신호(SSk-1, SSk)와 중첩시키지 못하였으므로, 주사 신호(SSk-1, SSk)의 공급 기간이 짧아질 수 밖에 없었다.

이에 반해, 본 발명의 실시예에서는 제1 데이터 제어신호(Cd1)와 제2 데이터 제어신호(Cd2)의 공급 기간을 제거할 수 있어, 그만큼 주사 신호(SSk-1, SSk)의 공급 기간을 길게 확보할 수 있다.

본 발명이 속하는 기술분야의 통상의 지식을 가진 자는 본 발명이 그 기술적 사상이나 필수적인 특징을 변경하지 않고서 다른 구체적인 형태로 실시될 수 있다는 것을 이해할 수 있을 것이다. 그러므로 이상에서 기술한 실시예들은 모든 면에서 예시적인 것이며 한정적이 아닌 것으로 이해해야만 한다. 본 발명의 범위는 상기 상세한 설명보다는 후술하는 특허청구의 범위에 의하여 나타내어지며, 특허청구의 범위의 의미 및 범위 그리고 그 균등 개념으로부터 도출되는 모든 변경 또는 변형된 형태가 본 발명의 범위에 포함되는 것으로 해석되어야 한다.

10: 주사 구동부
20: 발광 제어 구동부
30: 데이터 구동부
50: 디멀티플렉서
60: 디멀티플렉서 제어부
70: 타이밍 제어부

Claims

유기 발광 다이오드;
데이터 신호에 대응하는 구동 전류를 상기 유기 발광 다이오드에 제공하는 화소 회로; 및
상기 데이터 신호를 상기 화소 회로에 제공하는 저장 회로를 포함하고,
상기 저장 회로는,
상기 데이터 신호를 저장하는 스토리지 커패시터; 및
턴-온시, 데이터 출력선으로부터 공급된 데이터 신호를 상기 스토리지 커패시터로 전달하는 제어 트랜지스터를 포함하며,
상기 화소 회로는,
제1 노드와 제2 노드 사이에 연결되고, 게이트 전극이 제3 노드에 연결되는 제1 화소 트랜지스터;
상기 제어 트랜지스와 상기 제1 노드 사이에 연결되는 제2 화소 트랜지스터;
상기 제2 노드와 상기 제3 노드 사이에 연결되는 제3 화소 트랜지스터; 및
상기 제3 노드와 초기화 전원 사이에 연결되는 제4 화소 트랜지스터를 포함하고,
상기 제어 트랜지스터의 게이트 전극과 상기 제4 화소 트랜지스터의 게이트 전극은, 동일한 제1 주사선에 연결되며,
상기 제2 화소 트랜지스터의 게이트 전극과 상기 제3 화소 트랜지스터의 게이트 전극은, 동일한 제2 주사선에 연결되는 화소.
제1항에 있어서,
상기 제어 트랜지스터는, 제1 전극이 상기 데이터 출력선에 연결되고, 제2 전극이 상기 화소 회로에 연결되며,
상기 스토리지 커패시터는, 상기 제어 트랜지스터의 제2 전극에 연결되는 화소.
제2항에 있어서,
상기 화소 회로는,
상기 제1 노드와 제1 전원 사이에 연결되는 제5 화소 트랜지스터;
상기 제2 노드와 상기 유기 발광 다이오드 사이에 연결되는 제6 화소 트랜지스터; 및
상기 제1 전원과 상기 제3 노드 사이에 연결되는 화소 커패시터를 더 포함하는 화소.
제3항에 있어서,
상기 유기 발광 다이오드는, 애노드 전극이 상기 제6 화소 트랜지스터에 연결되고, 캐소드 전극이 제2 전원에 연결되는 화소.
제3항에 있어서,
상기 제5 화소 트랜지스터의 게이트 전극과 상기 제6 화소 트랜지스터의 게이트 전극은, 동일한 발광 제어선에 연결되는 화소.
제4항에 있어서,
상기 화소 회로는, 상기 초기화 전원과 상기 유기 발광 다이오드의 애노드 전극 사이에 연결되는 제7 화소 트랜지스터를 더 포함하는 화소.
제6항에 있어서,
상기 제7 화소 트랜지스터의 게이트 전극은, 제3 주사선에 연결되고,
상기 제5 화소 트랜지스터의 게이트 전극과 상기 제6 화소 트랜지스터의 게이트 전극은, 동일한 발광 제어선에 연결되는 화소.
제1 데이터 출력선, 발광 제어선, 제1 주사선 및 제2 주사선과 연결되는 제1 화소;
제2 데이터 출력선, 상기 발광 제어선, 상기 제1 주사선 및 상기 제2 주사선과 연결되는 제2 화소;
상기 발광 제어선으로 발광 제어 신호를 공급하는 발광 제어 구동부;
상기 제1 주사선 및 상기 제2 주사선으로 각각 제1 주사 신호 및 제2 주사 신호를 공급하는 주사 구동부;
데이터 입력선으로 제1 데이터 신호와 제2 데이터 신호를 공급하는 데이터 구동부; 및
상기 데이터 입력선으로부터의 상기 제1 데이터 신호와 상기 제2 데이터 신호를 각각 상기 제1 데이터 출력선과 상기 제2 데이터 출력선으로 전달하는 디멀티플렉서를 포함하고,
상기 제1 화소는,
제1 유기발광 다이오드;
상기 제1 데이터 신호에 대응하는 구동 전류를 상기 제1 유기발광 다이오드로 공급하는 제1 화소 회로;
상기 제1 데이터 신호를 저장하고, 상기 제1 데이터 신호를 상기 제1 화소 회로에 공급하는 제1 스토리지 커패시터; 및
상기 제1 데이터 출력선과 연결되고, 턴-온시 상기 제1 데이터 출력선으로부터 공급된 제1 데이터 신호를 상기 제1 스토리지 커패시터로 전달하는 제1 제어 트랜지스터를 포함하며,
상기 제1 화소 회로는,
제1 노드와 제2 노드 사이에 연결되고, 게이트 전극이 제3 노드에 연결되는 제1 화소 트랜지스터;
상기 제어 트랜지스와 상기 제1 노드 사이에 연결되는 제2 화소 트랜지스터;
상기 제2 노드와 상기 제3 노드 사이에 연결되는 제3 화소 트랜지스터; 및
상기 제3 노드와 초기화 전원 사이에 연결되는 제4 화소 트랜지스터를 포함하고,
상기 제1 제어 트랜지스터의 게이트 전극과 상기 제4 화소 트랜지스터의 게이트 전극은, 동일한 제1 주사선에 연결되며,
상기 제2 화소 트랜지스터의 게이트 전극과 상기 제3 화소 트랜지스터의 게이트 전극은, 동일한 제2 주사선에 연결되는 유기발광 표시장치.
제8항에 있어서,
상기 제1 제어 트랜지스터는, 제1 전극이 상기 제1 데이터 출력선에 연결되고, 제2 전극이 상기 제1 화소 회로에 연결되며,
상기 제1 스토리지 커패시터는, 상기 제1 제어 트랜지스터의 제2 전극에 연결되는 유기발광 표시장치.
제9항에 있어서,
상기 제1 화소 회로는,
상기 제1 노드와 제1 전원 사이에 연결되는 제5 화소 트랜지스터;
상기 제2 노드와 상기 제1 유기 발광 다이오드 사이에 연결되는 제6 화소 트랜지스터; 및
상기 제1 전원과 상기 제3 노드 사이에 연결되는 제1 화소 커패시터를 더 포함하는 유기발광 표시장치.
제10항에 있어서,
상기 제2 화소는,
제2 유기발광 다이오드; 및
상기 제2 데이터 출력선과 연결되어 상기 제2 데이터 신호를 공급받고, 상기 제2 데이터 신호에 대응하는 구동 전류를 상기 제2 유기발광 다이오드로 공급하는 제2 화소 회로를 포함하는 유기발광 표시장치.
제11항에 있어서,
상기 제2 화소 회로는,
제4 노드와 제5 노드 사이에 연결되고, 게이트 전극이 제6 노드에 연결되는 제7 화소 트랜지스터;
상기 제2 데이터 출력선과 상기 제4 노드 사이에 연결되는 제8 화소 트랜지스터;
상기 제5 노드와 상기 제6 노드 사이에 연결되는 제9 화소 트랜지스터;
상기 제6 노드와 상기 초기화 전원 사이에 연결되는 제10 화소 트랜지스터;
상기 제4 노드와 상기 제1 전원 사이에 연결되는 제11 화소 트랜지스터;
상기 제5 노드와 상기 유기 발광 다이오드 사이에 연결되는 제12 화소 트랜지스터; 및
상기 제1 전원과 상기 제6 노드 사이에 연결되는 제2 화소 커패시터를 포함하는 유기발광 표시장치.
제12항에 있어서,
상기 제10 화소 트랜지스터의 게이트 전극은 상기 동일한 제1 주사선에 연결되고,
상기 제8 화소 트랜지스터의 게이트 전극, 및 상기 제9 화소 트랜지스터의 게이트 전극은, 상기 동일한 제2 주사선에 연결되고,
상기 제5 화소 트랜지스터의 게이트 전극, 상기 제6 화소 트랜지스터의 게이트 전극, 상기 제11 화소 트랜지스터의 게이트 전극, 및 상기 제12 화소 트랜지스터의 게이트 전극은, 동일한 발광 제어선에 연결되는 유기발광 표시장치.
제13항에 있어서,
상기 디멀티플렉서는,
상기 데이터 입력선과 상기 제1 데이터 출력선 사이에 연결되고, 제1 데이터 제어신호에 대응하여 턴-온되는 제1 데이터 트랜지스터; 및
상기 데이터 입력선과 상기 제2 데이터 출력선 사이에 연결되고, 제2 데이터 제어신호에 대응하여 턴-온되는 제2 데이터 트랜지스터를 포함하는 유기발광 표시장치.
제14항에 있어서,
상기 발광 제어 신호는 제1 기간, 제2 기간, 및 제3 기간 동안 공급되고,
상기 제1 주사 신호는, 상기 제1 기간 동안 공급되며,
상기 제2 주사 신호는, 상기 제3 기간 동안 공급되고,
상기 제1 데이터 제어 신호는, 상기 제1 기간에 포함된 일부 기간 동안 공급되며,
상기 제2 데이터 제어 신호는, 상기 제2 기간에 포함된 일부 기간 및 상기 제3 기간에 포함된 일부 기간 동안 공급되는 유기발광 표시장치.
제10항에 있어서,
상기 제2 화소는,
제2 유기발광 다이오드;
상기 제2 데이터 신호에 대응하는 구동 전류를 상기 제2 유기발광 다이오드로 공급하는 제2 화소 회로;
상기 제2 데이터 신호를 저장하고, 상기 제2 데이터 신호를 상기 제2 화소 회로에 공급하는 제2 스토리지 커패시터; 및
상기 제2 데이터 출력선과 연결되고, 턴-온시 상기 제2 데이터 출력선으로부터 공급된 제2 데이터 신호를 상기 제2 스토리지 커패시터로 전달하는 제2 제어 트랜지스터를 포함하는 유기발광 표시장치.
제16항에 있어서,
상기 제2 화소 회로는,
제4 노드와 제5 노드 사이에 연결되고, 게이트 전극이 제6 노드에 연결되는 제7 화소 트랜지스터;
상기 제2 제어 트랜지스터의 제2 전극과 상기 제4 노드 사이에 연결되는 제8 화소 트랜지스터;
상기 제5 노드와 상기 제6 노드 사이에 연결되는 제9 화소 트랜지스터;
상기 제6 노드와 상기 초기화 전원 사이에 연결되는 제10 화소 트랜지스터;
상기 제4 노드와 상기 제1 전원 사이에 연결되는 제11 화소 트랜지스터;
상기 제5 노드와 상기 유기 발광 다이오드 사이에 연결되는 제12 화소 트랜지스터; 및
상기 제1 전원과 상기 제6 노드 사이에 연결되는 제2 화소 커패시터를 포함하는 유기발광 표시장치.
제17항에 있어서,
상기 제2 제어 트랜지스터의 게이트 전극, 및 상기 제10 화소 트랜지스터의 게이트 전극은, 상기 동일한 제1 주사선에 연결되고,
상기 제8 화소 트랜지스터의 게이트 전극, 및 상기 제9 화소 트랜지스터의 게이트 전극은, 상기 동일한 제2 주사선에 연결되고,
상기 제5 화소 트랜지스터의 게이트 전극, 상기 제6 화소 트랜지스터의 게이트 전극, 상기 제11 화소 트랜지스터의 게이트 전극, 및 상기 제12 화소 트랜지스터의 게이트 전극은, 동일한 발광 제어선에 연결되는 유기발광 표시장치.
제18항에 있어서,
상기 디멀티플렉서는,
상기 데이터 입력선과 상기 제1 데이터 출력선 사이에 연결되고, 제1 데이터 제어신호에 대응하여 턴-온되는 제1 데이터 트랜지스터; 및
상기 데이터 입력선과 상기 제2 데이터 출력선 사이에 연결되고, 제2 데이터 제어신호에 대응하여 턴-온되는 제2 데이터 트랜지스터를 포함하는 유기발광 표시장치.
제19항에 있어서,
상기 발광 제어 신호는 제1 기간, 및 제2 기간 동안 공급되고,
상기 제1 주사 신호는, 상기 제1 기간 동안 공급되며,
상기 제2 주사 신호는, 상기 제2 기간 동안 공급되고,
상기 제1 데이터 제어 신호는, 상기 제1 기간에 포함된 제1 서브 기간 동안 공급되며,
상기 제2 데이터 제어 신호는, 상기 제1 기간에 포함된 제2 서브 기간 동안 공급되는 유기발광 표시장치.