KR102367202B1 - Thermoelectric element - Google Patents
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Abstract
실시 예는 제1 기판; 상기 제1 기판 상에 교대로 배치되는 복수의 제1 열전 레그 및 복수의 제2 열전 레그; 상기 복수의 제1 열전 레그 및 상기 복수의 제2 열전 레그 상에 배치되는 제2 기판; 및 상기 복수의 제1 열전 레그 및 상기 복수의 제2 열전 레그를 직렬 연결하는 복수의 전극;을 포함하고, 상기 복수의 전극은, 상기 복수의 제1 및 제2 열전 레그와 상기 제1 기판 사이에 배치되는 복수의 제1 전극; 및 상기 복수의 제1 및 제2 열전 레그와 상기 제2 기판 사이에 배치되는 복수의 제2 전극;을 포함하고, 상기 제1 기판 및 상기 제2 기판에서 최외곽에 배치된 상기 복수의 제1 열전 레그 및 상기 복수의 제2 열전 레그는 서로 상기 제1 기판 및 상기 제2 기판의 가장자리를 따라 직렬 연결되는 열전 소자를 개시한다.An embodiment includes a first substrate; a plurality of first thermoelectric legs and a plurality of second thermoelectric legs alternately disposed on the first substrate; a second substrate disposed on the plurality of first thermoelectric legs and the plurality of second thermoelectric legs; and a plurality of electrodes connecting the plurality of first thermoelectric legs and the plurality of second thermoelectric legs in series, wherein the plurality of electrodes are disposed between the plurality of first and second thermoelectric legs and the first substrate. a plurality of first electrodes disposed on; and a plurality of second electrodes disposed between the plurality of first and second thermoelectric legs and the second substrate, wherein the plurality of first electrodes disposed at the outermost sides of the first substrate and the second substrate A thermoelectric leg and the plurality of second thermoelectric legs are connected in series to each other along edges of the first substrate and the second substrate.
Description
실시 예는 열전 소자에 관한 것이다.The embodiment relates to a thermoelectric element.
열전현상은 재료 내부의 전자(electron)와 정공(hole)의 이동에 의해 발생하는 현상으로, 열과 전기 사이의 직접적인 에너지 변환을 의미한다.The thermoelectric phenomenon is a phenomenon that occurs by the movement of electrons and holes inside a material, and refers to direct energy conversion between heat and electricity.
열전 소자는 열전현상을 이용하는 소자를 총칭하며, P형 열전 재료와 N형 열전 재료를 금속 전극들 사이에 접합시켜 PN 접합 쌍을 형성하는 구조를 가진다. A thermoelectric element is a generic term for a device using a thermoelectric phenomenon, and has a structure in which a P-type thermoelectric material and an N-type thermoelectric material are bonded between metal electrodes to form a PN junction pair.
열전 소자는 전기저항의 온도 변화를 이용하는 소자, 온도 차에 의해 기전력이 발생하는 현상인 제벡 효과를 이용하는 소자, 전류에 의한 흡열 또는 발열이 발생하는 현상인 펠티에 효과를 이용하는 소자 등으로 구분될 수 있다.Thermoelectric devices can be divided into devices using a temperature change in electrical resistance, devices using the Seebeck effect, which is a phenomenon in which electromotive force is generated by a temperature difference, and devices using the Peltier effect, which is a phenomenon in which heat absorption or heat is generated by current. .
열전 소자는 가전제품, 전자부품, 통신용 부품 등에 다양하게 적용되고 있다. 예를 들어, 열전 소자는 냉각용 장치, 온열용 장치, 발전용 장치 등에 적용될 수 있다. 이에 따라, 열전 소자의 열전성능에 대한 요구는 점점 더 높아지고 있다.Thermoelectric elements are widely applied to home appliances, electronic parts, communication parts, and the like. For example, the thermoelectric element may be applied to an apparatus for cooling, an apparatus for heating, an apparatus for power generation, and the like. Accordingly, the demand for the thermoelectric performance of the thermoelectric element is increasing.
다만, 열전 소자의 패턴에 따라 열전 레그의 전기적 단선(short)을 검출하기 어려우며, 열 교환 효율이 저하되는 문제가 존재한다.However, according to the pattern of the thermoelectric element, it is difficult to detect an electrical short of the thermoelectric leg, and there is a problem in that heat exchange efficiency is lowered.
실시 예는 열전 효율이 개선된 열전 소자를 제공한다.The embodiment provides a thermoelectric device with improved thermoelectric efficiency.
또한, 단선(short) 검출이 용이한 열전 소자를 제공한다.In addition, there is provided a thermoelectric element that can easily detect a short circuit.
실시 예에서 해결하고자 하는 과제는 이에 한정되는 것은 아니며, 아래에서 설명하는 과제의 해결수단이나 실시 형태로부터 파악될 수 있는 목적이나 효과도 포함된다고 할 것이다.The problem to be solved in the embodiment is not limited thereto, and it will be said that the purpose or effect that can be grasped from the solving means or embodiment of the problem described below is also included.
본 발명의 실시예에 따른 열전 소자는 제1 기판; 상기 제1 기판 상에 교대로 배치되는 복수의 제1 열전 레그 및 복수의 제2 열전 레그; 상기 복수의 제1 열전 레그 및 상기 복수의 제2 열전 레그 상에 배치되는 제2 기판; 및 상기 복수의 제1 열전 레그 및 상기 복수의 제2 열전 레그를 직렬 연결하는 복수의 전극;을 포함하고, 상기 복수의 전극은,상기 복수의 제1 및 제2 열전 레그와 상기 제1 기판 사이에 배치되는 복수의 제1 전극; 및 상기 복수의 제1 및 제2 열전 레그와 상기 제2 기판 사이에 배치되는 복수의 제2 전극;을 포함하고, 상기 제1 기판 및 상기 제2 기판에서 최외곽에 배치된 상기 복수의 제1 열전 레그 및 상기 복수의 제2 열전 레그는 서로 상기 제1 기판 및 상기 제2 기판의 가장자리를 따라 직렬 연결된다.A thermoelectric device according to an embodiment of the present invention includes: a first substrate; a plurality of first thermoelectric legs and a plurality of second thermoelectric legs alternately disposed on the first substrate; a second substrate disposed on the plurality of first thermoelectric legs and the plurality of second thermoelectric legs; and a plurality of electrodes connecting the plurality of first thermoelectric legs and the plurality of second thermoelectric legs in series, wherein the plurality of electrodes are disposed between the plurality of first and second thermoelectric legs and the first substrate. a plurality of first electrodes disposed on; and a plurality of second electrodes disposed between the plurality of first and second thermoelectric legs and the second substrate, wherein the plurality of first electrodes disposed at the outermost sides of the first substrate and the second substrate The thermoelectric leg and the plurality of second thermoelectric legs are connected in series to each other along edges of the first substrate and the second substrate.
상기 복수의 제1 전극은 각각 상기 제1 기판에서 제1 방향 및 상기 제1 방향에 수직한 방향인 제2 방향으로 이격 배치되고, 상기 복수의 제2 전극은 각각 상기 제2 기판에서 상기 제1 방향 및 상기 제2 방향으로 이격 배치될 수 있다.The plurality of first electrodes are spaced apart from each other in a first direction and a second direction perpendicular to the first direction on the first substrate, and the plurality of second electrodes are respectively disposed on the second substrate in the first direction. direction and the second direction may be spaced apart from each other.
상기 제1 기판의 최외곽에 배치된 상기 복수의 제1 전극 각각에서 제1 열전 레그와 제2 열전 레그의 배열 방향은 상기 제1 기판의 최외곽에 배치된 상기 복수의 제1 전극과 직렬 연결된 상기 복수의 제2 전극 중 적어도 하나에서 제1 열전 레그와 제2 열전 레그의 배열 방향과 동일할 수 있다.An arrangement direction of a first thermoelectric leg and a second thermoelectric leg in each of the plurality of first electrodes disposed at the outermost side of the first substrate is connected in series with the plurality of first electrodes disposed at the outermost side of the first substrate The arrangement direction of the first thermoelectric leg and the second thermoelectric leg in at least one of the plurality of second electrodes may be the same.
상기 제1 기판은 제1 중심점을 포함하고, 상기 제1 기판은 상기 제1 중심점을 기준으로 상기 복수의 제1 전극 각각에 배치된 제1 열전 레그와 제2 열전 레그의 배열 방향이 동일한 제1 영역 내지 제4 영역을 포함할 수 있다.The first substrate may include a first central point, and the first substrate may have a first arrangement direction of the first thermoelectric legs and the second thermoelectric legs disposed on each of the plurality of first electrodes with respect to the first central point. It may include a region to a fourth region.
상기 제1 영역과 제3 영역은 상기 제1 중심점을 중심으로 서로 마주보며, 제2 영역과 상기 제4 영역은 상기 제1 중심점은 중심으로 서로 마주볼 수 있다.The first region and the third region may face each other based on the first central point, and the second region and the fourth region may face each other based on the first central point.
상기 제1 영역 내지 상기 제4 영역은, 상기 제1 기판의 가장자리보다 상기 제1 중심점에서 제1 전극의 개수가 적게 배치될 수 있다.In the first region to the fourth region, a smaller number of first electrodes may be disposed at the first central point than at an edge of the first substrate.
상기 제2 기판은 제2 중심점을 포함하고, 상기 제2 기판은 상기 제2 중심점을 기준으로 상기 복수의 제2 전극 각각에 배치된 제1 열전 레그와 제2 열전 레그의 배열 방향이 동일한 제5 영역 내지 제8 영역을 포함할 수 있다.The second substrate includes a second central point, and the second substrate includes a fifth substrate in which first and second thermoelectric legs arranged on each of the plurality of second electrodes are arranged in the same direction with respect to the second central point. Regions to eighth regions may be included.
상기 제5 영역 내지 상기 제8 영역은, 상기 제2 기판의 가장자리보다 상기 제2 중심점에서 제2 전극의 개수가 적게 배치될 수 있다.In the fifth region to the eighth region, a smaller number of second electrodes may be disposed at the second central point than at an edge of the second substrate.
상기 제 5 영역과 제7 영역은 상기 제2 중심점을 중심으로 서로 마주보며,The fifth region and the seventh region face each other around the second central point,
상기 제6 영역과 상기 제8 영역은 상기 제2 중심점을 중심으로 서로 마주볼 수 있다.The sixth region and the eighth region may face each other about the second central point.
실시예에 따른 냉각 장치는 제1 기판, 상기 제1 기판 상에 교대로 배치되는 복수의 제1 열전 레그 및 복수의 제2 열전 레그; 상기 복수의 제1 열전 레그 및 상기 복수의 제2 열전 레그 상에 배치되는 제2 기판; 및 상기 복수의 제1 열전 레그 및 상기 복수의 제2 열전 레그를 직렬 연결하는 복수의 전극;을 포함하고, 상기 복수의 전극은, 상기 복수의 제1 및 제2 열전 레그와 상기 제1 기판 사이에 배치되는 복수의 제1 전극; 및 상기 복수의 제1 및 제2 열전 레그와 상기 제2 기판 사이에 배치되는 복수의 제2 전극;을 포함하고, 상기 제1 기판 및 상기 제2 기판에서 최외곽에 배치된 상기 복수의 제1 열전 레그 및 상기 복수의 제2 열전 레그는 서로 상기 제1 기판 및 상기 제2 기판의 가장자리를 따라 직렬 연결되는 열전 소자를 포함한다.A cooling apparatus according to an embodiment includes a first substrate, a plurality of first thermoelectric legs and a plurality of second thermoelectric legs alternately disposed on the first substrate; a second substrate disposed on the plurality of first thermoelectric legs and the plurality of second thermoelectric legs; and a plurality of electrodes connecting the plurality of first thermoelectric legs and the plurality of second thermoelectric legs in series, wherein the plurality of electrodes are disposed between the plurality of first and second thermoelectric legs and the first substrate. a plurality of first electrodes disposed on; and a plurality of second electrodes disposed between the plurality of first and second thermoelectric legs and the second substrate, wherein the plurality of first electrodes disposed at the outermost sides of the first substrate and the second substrate The thermoelectric leg and the plurality of second thermoelectric legs include thermoelectric elements connected to each other in series along edges of the first substrate and the second substrate.
실시 예에 따르면, 열전 효율이 개선된 열전 소자를 구현할 수 있다.According to an embodiment, a thermoelectric element having improved thermoelectric efficiency may be implemented.
또한, 단선(short) 검출이 용이한 열전 소자를 제작할 수 있다.In addition, it is possible to manufacture a thermoelectric element that can easily detect a short circuit.
본 발명의 다양하면서도 유익한 장점과 효과는 상술한 내용에 한정되지 않으며, 본 발명의 구체적인 실시형태를 설명하는 과정에서 보다 쉽게 이해될 수 있을 것이다.Various and advantageous advantages and effects of the present invention are not limited to the above, and will be more easily understood in the course of describing specific embodiments of the present invention.
도 1은 실시예에 따른 열전 소자의 개념도이고,
도 2는 실시예에 따른 열전 소자의 열전 소자의 사시도이고,
도 3은 실시예에 따른 열전 소자의 제1 기판과 제1 전극의 단면도이고,
도 4는 실시예에 따른 열전 소자의 제2 기판과 제2 전극의 단면도이고,
도 5는 실시예에 따른 열전 소자의 열전 레그 간 전기적 연결 경로를 나타내는 도면이고,
도 6은 본 발명의 한 실시예에 따른 열전 레그 및 전극의 단면도이고,
도 7은 적층형 구조의 열전 레그를 제조하는 방법을 나타내는 도면이고,
도 8은 도 7의 적층 구조물 내 단위 부재 사이에 형성되는 전도성층을 예시로 나타낸 도면이고,
도 9는 도 8의 절단면을 나타낸 도면이고,
도 10 내지 12는 본 발명의 한 실시예에 따른 열전 모듈 상에 배치되는 열전달부재의 개념도이고,
도 13은 본 발명의 한 실시예에 따른 열전 레그용 소결체를 제조하는 방법을 나타내는 순서도이다.1 is a conceptual diagram of a thermoelectric element according to an embodiment;
2 is a perspective view of a thermoelectric element of a thermoelectric element according to an embodiment;
3 is a cross-sectional view of a first substrate and a first electrode of a thermoelectric element according to an embodiment;
4 is a cross-sectional view of a second substrate and a second electrode of the thermoelectric element according to the embodiment;
5 is a diagram illustrating an electrical connection path between thermoelectric legs of a thermoelectric element according to an embodiment;
6 is a cross-sectional view of a thermoelectric leg and an electrode according to an embodiment of the present invention;
7 is a view showing a method of manufacturing a thermoelectric leg of a laminated structure,
8 is a view showing an example of a conductive layer formed between unit members in the laminate structure of FIG. 7 ,
9 is a view showing a cross-section of FIG. 8,
10 to 12 are conceptual views of a heat transfer member disposed on a thermoelectric module according to an embodiment of the present invention;
13 is a flowchart illustrating a method of manufacturing a sintered body for a thermoelectric leg according to an embodiment of the present invention.
본 발명은 다양한 변경을 가할 수 있고 여러 가지 실시예를 가질 수 있는 바, 특정 실시예들을 도면에 예시하고 설명하고자 한다. 그러나, 이는 본 발명을 특정한 실시 형태에 대해 한정하려는 것이 아니며, 본 발명의 사상 및 기술 범위에 포함되는 모든 변경, 균등물 내지 대체물을 포함하는 것으로 이해되어야 한다. Since the present invention may have various changes and may have various embodiments, specific embodiments will be illustrated and described in the drawings. However, this is not intended to limit the present invention to specific embodiments, and it should be understood to include all modifications, equivalents and substitutes included in the spirit and scope of the present invention.
제2, 제1 등과 같이 서수를 포함하는 용어는 다양한 구성요소들을 설명하는데 사용될 수 있지만, 상기 구성요소들은 상기 용어들에 의해 한정되지는 않는다. 상기 용어들은 하나의 구성요소를 다른 구성요소로부터 구별하는 목적으로만 사용된다. 예를 들어, 본 발명의 권리 범위를 벗어나지 않으면서 제2 구성요소는 제1 구성요소로 명명될 수 있고, 유사하게 제1 구성요소도 제2 구성요소로 명명될 수 있다. 및/또는 이라는 용어는 복수의 관련된 기재된 항목들의 조합 또는 복수의 관련된 기재된 항목들 중의 어느 항목을 포함한다. Terms including an ordinal number such as second, first, etc. may be used to describe various elements, but the elements are not limited by the terms. The above terms are used only for the purpose of distinguishing one component from another. For example, without departing from the scope of the present invention, the second component may be referred to as the first component, and similarly, the first component may also be referred to as the second component. and/or includes a combination of a plurality of related listed items or any of a plurality of related listed items.
어떤 구성요소가 다른 구성요소에 "연결되어" 있다거나 "접속되어" 있다고 언급된 때에는, 그 다른 구성요소에 직접적으로 연결되어 있거나 또는 접속되어 있을 수도 있지만, 중간에 다른 구성요소가 존재할 수도 있다고 이해되어야 할 것이다. 반면에, 어떤 구성요소가 다른 구성요소에 "직접 연결되어" 있다거나 "직접 접속되어" 있다고 언급된 때에는, 중간에 다른 구성요소가 존재하지 않는 것으로 이해되어야 할 것이다. When a component is referred to as being “connected” or “connected” to another component, it may be directly connected or connected to the other component, but it is understood that other components may exist in between. it should be On the other hand, when it is said that a certain element is "directly connected" or "directly connected" to another element, it should be understood that the other element does not exist in the middle.
본 출원에서 사용한 용어는 단지 특정한 실시예를 설명하기 위해 사용된 것으로, 본 발명을 한정하려는 의도가 아니다. 단수의 표현은 문맥상 명백하게 다르게 뜻하지 않는 한, 복수의 표현을 포함한다. 본 출원에서, "포함하다" 또는 "가지다" 등의 용어는 명세서상에 기재된 특징, 숫자, 단계, 동작, 구성요소, 부품 또는 이들을 조합한 것이 존재함을 지정하려는 것이지, 하나 또는 그 이상의 다른 특징들이나 숫자, 단계, 동작, 구성요소, 부품 또는 이들을 조합한 것들의 존재 또는 부가 가능성을 미리 배제하지 않는 것으로 이해되어야 한다.The terms used in the present application are only used to describe specific embodiments, and are not intended to limit the present invention. The singular expression includes the plural expression unless the context clearly dictates otherwise. In the present application, terms such as “comprise” or “have” are intended to designate that a feature, number, step, operation, component, part, or combination thereof described in the specification exists, but one or more other features It should be understood that this does not preclude the existence or addition of numbers, steps, operations, components, parts, or combinations thereof.
다르게 정의되지 않는 한, 기술적이거나 과학적인 용어를 포함해서 여기서 사용되는 모든 용어들은 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자에 의해 일반적으로 이해되는 것과 동일한 의미를 가지고 있다. 일반적으로 사용되는 사전에 정의되어 있는 것과 같은 용어들은 관련 기술의 문맥 상 가지는 의미와 일치하는 의미를 가지는 것으로 해석되어야 하며, 본 출원에서 명백하게 정의하지 않는 한, 이상적이거나 과도하게 형식적인 의미로 해석되지 않는다.Unless defined otherwise, all terms used herein, including technical or scientific terms, have the same meaning as commonly understood by one of ordinary skill in the art to which this invention belongs. Terms such as those defined in commonly used dictionaries should be interpreted as having a meaning consistent with the meaning in the context of the related art, and should not be interpreted in an ideal or excessively formal meaning unless explicitly defined in the present application. does not
이하, 첨부된 도면을 참조하여 실시예를 상세히 설명하되, 도면 부호에 관계없이 동일하거나 대응하는 구성 요소는 동일한 참조 번호를 부여하고 이에 대한 중복되는 설명은 생략하기로 한다.Hereinafter, the embodiment will be described in detail with reference to the accompanying drawings, but the same or corresponding components are given the same reference numerals regardless of reference numerals, and overlapping descriptions thereof will be omitted.
도 1은 실시예에 따른 열전 소자의 개념도이고, 도 2는 실시예에 따른 열전 소자의 열전 소자의 사시도이다.1 is a conceptual diagram of a thermoelectric element according to an embodiment, and FIG. 2 is a perspective view of a thermoelectric element of the thermoelectric element according to the embodiment.
도 1 내지 도 2를 참조하면, 열전 소자(100)는 제1 기판(110), 제1 전극(120), 제1 열전 레그(130), 제2 열전 레그(140), 제2 전극(150) 및 제2 기판(160)을 포함한다.1 to 2 , the
여기서, 제1 기판(110)은 열전 소자(100)의 하부에 배치된 기판이며, 제2 기판(160)은 열전 소자(100) 상부에 배치된 기판이다. 그리고 제1 전극(120)은 열전 소자(100)의 하부에 배치된 전극이며, 제2 전극(150)은 열전 소자(100) 상부에 배치된 전극이다. 또한, 제1 열전 레그(130) 및 제2 열전 레그(140)는 각각 P형 열전 레그 및 N형 열전 레그 중 어느 하나일 수 있다. 예컨대, 제1 열전 레그(130)가 P형 열전 레그인 경우, 제2 열전 레그(140)는 N형 열전 레그일 수 있다. 반대로, 제1 열전 레그(130)가 N형 열전 레그인 경우, 제2 열전 레그(140)는 P형 열전 레그일 수 있다.Here, the
제1 전극(120)은 복수 개로, 제1 기판(110)과 제1 열전 레그(130) 및 제2 열전 레그(140)의 하부 바닥면 사이에 배치될 수 있다. 그리고 제2 전극(150)은 복수 개로, 제2 기판(160)과 제1 열전 레그(130) 및 제2 열전 레그(140)의 상부 바닥면 사이에 배치된다. 이에 따라, 복수의 제1 열전 레그(130) 및 복수의 제2 열전 레그(140)는 복수의 제1 전극(120) 및 복수의 제2 전극(150)에 의하여 전기적으로 연결된다. 제1 전극(120)과 제2 전극(150) 사이에 배치되며, 전기적으로 연결되는 한 쌍의 제1 열전 레그(130) 및 제2 열전 레그(140)는 단위 셀을 형성할 수 있다. A plurality of
예를 들어, 리드선(181, 182)을 통하여 제1 전극(120) 및 제2 전극(150)에 전압을 인가하면, 펠티에 효과로 인하여 제1 열전 레그(130)로부터 제2 열전 레그(140)로 전류가 흐르는 기판은 열을 흡수하여 냉각부로 작용하고, 제2 열전 레그(140)로부터 제1 열전 레그(130)로 전류가 흐르는 기판은 가열되어 발열부로 작용할 수 있다.For example, when a voltage is applied to the
여기서, 제1 열전 레그(130) 및 제2 열전 레그(140)는 비스무스(Bi) 및 텔루륨(Te)를 주원료로 포함하는 비스무스텔루라이드(Bi-Te)계 열전 레그일 수 있다. 제1 열전 레그(130)는 전체 중량 100wt%에 대하여 안티몬(Sb), 니켈(Ni), 알루미늄(Al), 구리(Cu), 은(Ag), 납(Pb), 붕소(B), 갈륨(Ga), 텔루륨(Te), 비스무스(Bi) 및 인듐(In) 중 적어도 하나를 포함하는 비스무스텔루라이드(Bi-Te)계 주원료 물질 99 내지 99.999wt%와 Bi 또는 Te를 포함하는 혼합물 0.001 내지 1wt%를 포함하는 열전 레그일 수 있다. 예를 들어, 주원료물질이 Bi-Se-Te이고, Bi 또는 Te를 전체 중량의 0.001 내지 1wt%로 더 포함할 수 있다. 제2 열전 레그(140)는 전체 중량 100wt%에 대하여 셀레늄(Se), 니켈(Ni), 알루미늄(Al), 구리(Cu), 은(Ag), 납(Pb), 붕소(B), 갈륨(Ga), 텔루륨(Te), 비스무스(Bi) 및 인듐(In) 중 적어도 하나를 포함하는 비스무스텔루라이드(Bi-Te)계 주원료 물질 99 내지 99.999wt%와 Bi 또는 Te를 포함하는 혼합물 0.001 내지 1wt%를 포함하는 열전 레그일 수 있다. 예를 들어, 주원료물질이 Bi-Sb-Te이고, Bi 또는 Te를 전체 중량의 0.001 내지 1wt%로 더 포함할 수 있다.Here, the first
제1 열전 레그(130) 및 제2 열전 레그(140)는 벌크형 또는 적층형으로 형성될 수 있다. 일반적으로 벌크형 제1 열전 레그(130) 또는 벌크형 제2 열전 레그(140)는 열전 소재를 열처리하여 잉곳(ingot)을 제조하고, 잉곳을 분쇄하고 체거름하여 열전 레그용 분말을 획득한 후, 이를 소결하고, 소결체를 커팅하는 과정을 통하여 얻어질 수 있다. 적층형 제1 열전 레그(130) 또는 적층형 제2 열전 레그(140)는 시트 형상의 기재 상에 열전 소재를 포함하는 페이스트를 도포하여 단위 부재를 형성한 후, 단위 부재를 적층하고 커팅하는 과정을 통하여 얻어질 수 있다.The first
이때, 한 쌍의 제1 열전 레그(130) 및 제2 열전 레그(140)는 동일한 형상 및 체적을 가지거나, 서로 다른 형상 및 체적을 가질 수 있다. 예를 들어, 제1 열전 레그(130)와 제2 열전 레그(140)의 전기 전도 특성이 상이하므로, 제2 열전 레그(140)의 높이 또는 단면적을 제1 열전 레그(130)의 높이 또는 단면적과 다르게 형성할 수도 있다. In this case, the pair of first
본 발명의 한 실시예에 따른 열전 소자의 성능은 제벡 지수로 나타낼 수 있다. 제백 지수(ZT)는 수학식 1과 같이 나타낼 수 있다. The performance of the thermoelectric element according to an embodiment of the present invention may be expressed as a Seebeck index. The Seebeck index (ZT) can be expressed as in Equation (1).
[수학식 1][Equation 1]
여기서, α는 제벡계수[V/K]이고, σ는 전기 전도도[S/m]이며, α2σ는 파워 인자(Power Factor, [W/mK2])이다. 그리고, T는 온도이고, k는 열전도도[W/mK]이다. k는 a·cp·ρ로 나타낼 수 있으며, a는 열확산도[cm2/S]이고, cp 는 비열[J/gK]이며, ρ는 밀도[g/cm3]이다.Here, α is the Seebeck coefficient [V/K], σ is the electrical conductivity [S/m], and α2σ is the power factor [W/mK2]. And, T is the temperature, k is the thermal conductivity [W/mK]. k can be expressed as a·c p ·ρ, a is the thermal diffusivity [cm2/S], cp is the specific heat [J/gK], and ρ is the density [g/cm3].
열전 소자의 제백 지수를 얻기 위하여, Z미터를 이용하여 Z 값(V/K)을 측정하며, 측정한 Z값을 이용하여 제벡 지수(ZT)를 계산할 수 있다. In order to obtain the Seebeck index of the thermoelectric element, a Z value (V/K) is measured using a Z meter, and the Seebeck index (ZT) can be calculated using the measured Z value.
여기서, 제1 기판(110)과 제1 열전 레그(130) 및 제2 열전 레그(140) 사이에 배치되는 제1 전극(120), 그리고 제2 기판(160)과 제1 열전 레그(130) 및 제2 열전 레그(140) 사이에 배치되는 제2 전극(150)은 구리(Cu), 은(Ag) 및 니켈(Ni) 중 적어도 하나를 포함하며, 0.01mm 내지 0.3mm의 두께를 가질 수 있다. 제1 전극(120) 또는 제2 전극(150)의 두께가 0.01mm 미만인 경우, 전극으로서 기능이 떨어지게 되어 전기 전도 성능이 낮아질 수 있으며, 0.3mm를 초과하는 경우 저항의 증가로 인하여 전도 효율이 낮아질 수 있다.Here, the
그리고, 상호 대향하는 제1 기판(110)과 제2 기판(160)은 절연 기판 또는 금속 기판일 수 있다. 절연 기판은 알루미나 기판 또는 유연성을 가지는 고분자 수지 기판일 수 있다. 유연성을 가지는 고분자 수지 기판은 폴리이미드(PI), 폴리스티렌(PS), 폴리메틸 메타크릴레이트(PMMA), 환상 올레핀 코폴리(COC), 폴리에틸렌 테레프탈레이트(PET), 레진(resin)과 같은 고투과성 플라스틱 등의 다양한 절연성 수지재를 포함할 수 있다. 금속 기판은 Cu, Cu 합금 또는 Cu-Al 합금을 포함할 수 있으며, 그 두께는 0.1mm~0.5mm일 수 있다. 금속 기판의 두께가 0.1mm 미만이거나, 0.5mm를 초과하는 경우, 방열 특성 또는 열전도율이 지나치게 높아질 수 있으므로, 열전 소자의 신뢰성이 저하될 수 있다. 또한, 제1 기판(110)과 제2 기판(160)이 금속 기판인 경우, 제1 기판(110)과 제1 전극(120) 사이 및 제2 기판(160)과 제2 전극(150) 사이에는 각각 유전체층(170)이 더 형성될 수 있다. 유전체층(170)은 5~10W/K의 열전도도를 가지는 소재를 포함하며, 0.01mm~0.15mm의 두께로 형성될 수 있다. 유전체층(170)의 두께가 0.01mm 미만인 경우 절연 효율 또는 내전압 특성이 저하될 수 있고, 0.15mm를 초과하는 경우 열전전도도가 낮아져 방열효율이 떨어질 수 있다. In addition, the
이때, 제1 기판(110)과 제2 기판(160)의 크기는 다르게 형성될 수도 있다. 예를 들어, 제1 기판(110)과 제2 기판(160) 중 하나의 체적, 두께 또는 면적은 다른 하나의 체적, 두께 또는 면적보다 크게 형성될 수 있다. 이에 따라, 열전 소자의 흡열 성능 또는 방열 성능을 높일 수 있다. In this case, the sizes of the
또한, 제1 기판(110)과 제2 기판(160) 중 적어도 하나의 표면에는 방열 패턴, 예를 들어 요철 패턴이 형성될 수도 있다. 이에 따라, 열전 소자의 방열 성능을 높일 수 있다. 요철 패턴이 제1 열전 레그(130) 또는 제2 열전 레그(140)와 접촉하는 면에 형성되는 경우, 열전 레그와 기판 간의 접합 특성도 향상될 수 있다. In addition, a heat dissipation pattern, for example, a concave-convex pattern, may be formed on the surface of at least one of the
한편, 제1 열전 레그(130) 또는 제2 열전 레그(140)는 원통 형상, 다각 기둥 형상, 타원형 기둥 형상 등을 가질 수 있다. Meanwhile, the first
또한, 본 발명의 한 실시예에 따르면, 제1 열전 레그(130) 또는 제2 열전 레그(140)는 제1 전극(120) 또는 제2 전극(150)과 접합하는 부분의 폭이 넓게 형성될 수도 있다.In addition, according to an embodiment of the present invention, the first
또한, 도 2를 참조하면, 실시예에 따른 열전 소자(100)는 제1 기판(110)과 제2 기판(160)에서 최외곽에 배치된 복수의 제1 열전 레그(130) 및 복수의 제2 열전 레그(140)가 서로 제1 기판(110)과 제2 기판(160)의 가장자리를 따라 직렬 연결될 수 있다. 예컨대, 실시예에 따른 열전 소자(100)에서 제1 기판(110)의 가장자리 즉, 최외곽에 배치된 복수 개의 제1 열전 레그(130)와 복수 개의 제2 열전 레그(140)는 제1 기판(110)의 최외곽면을 따라 직렬 연결될 수 있다. 즉, 제1 기판(110)의 가장자리에 배치된 복수 개의 제1 전극(120)이 배치될 수 있으며, 가장자리에 배치된 제1 전극(120) 상에 제1 열전 레그(130)와 제2 열전 레그(140)가 배치될 수 있다. 그리고 제1 전극(120) 상에 배치된 제1 열전 레그(130)와 제2 열전 레그(140)는 제1 기판(110)의 최외곽에 배치될 수 있다. 이러한 구성에 의하여, 실시예에 따른 열전 소자(100)는 열을 넓게 확산하거나(발열시), 열을 용이하게 흡수(흡열)할 수 있다. 이에 따라, 열전 소자(100)는 열전 장치로서 방열/흡열 성능을 개선할 수 있다.Also, referring to FIG. 2 , in the
그리고 도 2에서 열전 소자(100)의 일부분을 확대한 부분을 참조하면, 복수의 제1 전극(120)은 제1 기판(110) 상에서 제1 방향(X축 방향) 및 제2 방향(Y축 방향)으로 이격 배치될 수 있다. 여기서, 제1 방향(X축 방향)은 제1 기판(110) 또는 제2 기판(160)의 가로 방향일 수 있다. 그리고 제2 방향(Y축 방향)은 제1 방향(X축 방향)에 수직한 방향으로, 제1 기판(110) 또는 제2 기판(160)의 세로 방향일 수 있다.And referring to an enlarged part of the
마찬가지로, 복수의 제2 전극(150)은 제2 기판(160) 하부에서 제1 방향(X축 방향) 및 제2 방향(Y축 방향)으로 이격 배치될 수 있다.Similarly, the plurality of
그리고 제1 기판(110)의 최외곽에 배치된 복수의 제1 전극(120) 각각에서 제1 열전 레그(130)와 제2 열전 레그(140)의 배열 방향은 제1 기판(110)의 최외곽에 배치된 복수의 제1 전극(120)과 제1 열전 레그(130) 또는 제2 열전 레그(140)를 통해 직렬 연결될 복수의 제2 전극(150) 중 적어도 하나에서 제1 열전 레그(130)와 제2 열전 레그(140)의 배열 방향과 동일할 수 있다.And the arrangement direction of the first
구체적으로, 제1-1 전극(120-1)은 제1 기판(110)의 일측에 배치될 수 있다. 제1-1 전극(120-1) 상에 제1-1 열전 레그(130-1)과 제2-1 열전 레그(140-1)이 배치될 수 있다. 제1-1 열전 레그(130-1)은 제2-1 전극(150-1)과 접촉하여 연결될 수 있다. 제1-1 열전 레그(130-1)을 통해 제1-1 전극(120-1)은 제2-1 전극(150-1)과 직렬 연결될 수 있다. 제1-1 열전 레그(130-1)과 제2-1 열전 레그(140-1)는 제2 방향(Y축 방향, F1)으로 배열될 수 있다.Specifically, the 1-1 electrode 120 - 1 may be disposed on one side of the
또한, 제2-1 전극(150-1) 하부에 제1-1 열전 레그(130-1)와 제2-1 열전 레그(140-2)가 배치될 수 있다. 그리고 제2-1 전극(150-1)은 제2-1 열전 레그(140-2)를 통해 제1-2 전극(120-2)과 직렬 연결될 수 있다. 그리고 제1-1 열전 레그(130-1)와 제2-1 열전 레그(140-2)는 제2-1 전극(150-1) 하에서 제1 방향(X축 방향)으로 배치될 수 있다.In addition, a 1-1 thermoelectric leg 130-1 and a 2-1 thermoelectric leg 140-2 may be disposed under the 2-1 th electrode 150-1. In addition, the 2-1 th electrode 150 - 1 may be connected in series with the 1-2 th electrode 120 - 2 through the 2-1 th thermoelectric leg 140 - 2 . In addition, the 1-1 thermoelectric leg 130 - 1 and the 2-1 thermoelectric leg 140 - 2 may be disposed in the first direction (X-axis direction) under the 2-1 th electrode 150 - 1 .
그리고 제1-2 전극(120-2) 상에 제2-1 열전 레그(140-2)와 제1-2 열전 레그(130-2)가 접촉하여 연결될 수 있다. 이에, 제1-2 전극(120-2)은 제1-2 열전 레그(130-2)를 통해 제2-2 전극(150-2)와 직렬 연결될 수 있다.In addition, the 2-1 th thermoelectric leg 140 - 2 and the 1-2 th thermoelectric leg 130 - 2 may be connected to each other in contact with the 1-2 th electrode 120 - 2 . Accordingly, the 1-2 th electrode 120 - 2 may be connected in series with the 2 nd 2nd electrode 150 - 2 through the 1-2 th thermoelectric leg 130 - 2 .
그리고 제2-2 전극(150-2)은 하부에 배치된 제1-2 열전 레그(130-2) 및 제2-2 열전 레그(150-2)와 접촉하여 연결될 수 있다.In addition, the 2-2 electrode 150 - 2 may contact and be connected to the 1-2 thermoelectric leg 130 - 2 and the 2-2 thermoelectric leg 150 - 2 disposed below.
즉, 제1 기판(110) 상의 가장자리에 배치된 제1 전극(110)은 제2 기판(160) 하부의 인접한 2개의 제2 전극(150)과 직렬 연결될 수 있다. 또한, 제1 기판(110) 상의 가장자리에 배치된 제1 전극(110)은 제1 전극(110)에 직렬 연결된 복수의 제2 전극(150) 중 적어도 하나와 제1 열전 레그(130)와 제2 열전 레그(140)의 배열 방향이 동일할 수 있다.That is, the
예컨대, 제1-1 전극(120-1)은 제1-1 열전 레그(130-1)를 통해 제2-1 전극(150-1)과 직렬 연결되고, 제2-1 전극(150-1)은 제2-2 열전 레그(140-2)를 통해 제1-2 전극(120-2)와 직렬 연결되며, 제1-2 전극(120-2)은 제1-2 열전 레그(130-2)를 통해 제2-2 전극(150-2)와 직렬 연결될 수 있다.For example, the 1-1 electrode 120-1 is connected in series with the 2-1 electrode 150-1 through the 1-1 thermoelectric leg 130-1, and the 2-1 electrode 150-1 is connected in series. ) is connected in series with the 1-2 first electrode 120-2 through the 2-2 thermoelectric leg 140-2, and the 1-2 electrode 120-2 is connected to the 1-2 thermoelectric leg 130- 2) may be connected in series with the 2-2 electrode 150 - 2 .
또한, 제1-2 전극(120-1)은 제2-1 전극(150-1) 및 제2-2 전극(150-2)와 직렬 연결될 수 있다. 그리고 제2-2 열전 레그(140-2)와 제1-2 열전 레그(130-2)는 제1-2 전극(120-1) 상에서 제1 방향(X축 방향)으로 배열될 수 있다. 그리고 제1-1 열전 레그(130-1)와 제2-2 열전 레그(140-2)는 제2-1 전극(150-1)하에서 제1 방향(X축 방향)으로 배열될 수 있다. 또한, 제1-2 열전 레그(130-2)와 제2-3 열전 레그(140-3)는 제2-1 전극(150-1) 하에서 제1 방향(X축 방향, F2)으로 배열될 수 있다.In addition, the 1-2 th electrode 120 - 1 may be connected in series with the 2-1 th electrode 150 - 1 and the 2 - 2 electrode 150 - 2 . In addition, the 2-2 thermoelectric leg 140 - 2 and the 1-2 thermoelectric leg 130 - 2 may be arranged on the 1-2 th electrode 120 - 1 in the first direction (X-axis direction). In addition, the 1-1 thermoelectric leg 130 - 1 and the 2 - 2 thermoelectric leg 140 - 2 may be arranged in the first direction (X-axis direction) under the 2-1 th electrode 150 - 1 . In addition, the 1-2 thermoelectric leg 130 - 2 and the 2-3 th thermoelectric leg 140 - 3 are arranged in a first direction (X-axis direction, F2) under the 2-1 th electrode 150 - 1 . can
마찬가지로 즉, 제2 기판(160) 하부의 가장자리에 배치된 제2 전극(150)은 제1 기판(110) 상의 인접한 2개의 제2 전극(150)과 직렬 연결될 수 있다. 그리고 제2 기판(160) 하부의 가장자리에 배치된 제2 전극(110)은 제1 전극(110)에 직렬 연결된 복수의 제2 전극(150) 중 적어도 하나와 제1 열전 레그(130)와 제2 열전 레그(140)의 배열 방향이 동일할 수 있다.Similarly, the
예컨대, 제2-1 전극(150-1)은 제1-1 전극(120-1)과 제1-2 전극(120-2)와 직렬 연결될 수 있다. 그리고 제2-1 전극(150-1) 하부의 제1-1 열전 레그(130-1)와 제2-2 열전 레그(140-2)는 제1 방향(X축 방향)으로 배열될 수 있다. 제1-1 전극(120-1) 상의 제1-1 열전 레그(130-1)와 제2-1 열전 레그(140-1)는 제2 방향(Y축 방향)으로 배열되나, 제1-2 전극(120-2) 상의 제2-2 열전 레그(140-2)와 제1-2 열전 레그(130-2)는 제1 방향(X축 방향)으로 배열될 수 있다. 이에, 가장자리에 배치된 제1 전극(110)과 제2 전극(150)은 각각 직렬 연결된 2개의 제2 전극(150) 또는 제1 전극(110) 중 적어도 하나에서 제1 열전 레그(130)와 제2 열전 레그(140)의 배열 방향이 일치할 수 있다. 이러한 구성에 의하여, 제1 기판(110) 의 가장자리에 배치된 제1 전극(120)은 제1 열전 레그(130)와 제2 열전 레그(140)의 배열 방향이 제1 전극(120)에 직렬 연결된 2개의 제2 전극(150) 각각에서 제1 열전 레그(130)와 제2 열전 레그(140)의 배열 방향과 모두 상이하지 않을 수 있다. 이로써, 직렬 연결된 복수 개의 제1 전극(120)과 제2 전극(150)에서 제1 열전 레그(130)와 제2 열전 레그(140)의 배열 방향이 제1 방향(X축 방향)에서 제2 방향(Y축 방향)으로 그리고 제2 방향(Y축 방향)에서 제1 방향(X축 방향)으로 연속적으로 변경되지 않을 수 있다. 이에, 실시예에 따른 열전 소자는 하나의 전극에 직렬 연결된 2개의 전극이 인접하게 배치되는 것을 방지할 수 있다. 즉, 제1 열전 레그(130)와 제2 열전 레그(140)의 배열 방향 변경에 따라 인접한 전극들 사이의 전기적 단선(short) 발생이 감소할 수 있다. 즉, 이하에서 설명하는 제1 모서리(M1) 내지 제4 모서리(M4)에서 실시예의 경우 제1 열전 레그(130)와 제2 열전 레그(140)의 배열 방향(이하의 전기적 연결 경로와도 동일하게 설명 됨)이 반대방향으로 변경하지 않으며, 종래의 경우 제1 모서리(M1) 내지 제4 모서리(M4) 중 적어도 둘 이상의 모서리에서 제1 열전 레그(130)와 제2 열전 레그(140)의 배열 방향이 반대방향으로 변경하게 된다. 배열 방향이 반대 방향으로 배치되는 경우가 현저히 감소해 전기적 단선(short) 발생이 감소할 수 있다.For example, the 2-1 th electrode 150 - 1 may be connected in series with the 1-1 th electrode 120 - 1 and the 1-2 th electrode 120 - 2 . In addition, the 1-1 thermoelectric leg 130-1 and the 2-2 thermoelectric leg 140-2 under the 2-1 th electrode 150-1 may be arranged in a first direction (X-axis direction). . The 1-1 thermoelectric leg 130-1 and the 2-1 thermoelectric leg 140-1 on the 1-1 electrode 120-1 are arranged in the second direction (Y-axis direction), but the first- The 2-2nd thermoelectric leg 140-2 and the 1-2th thermoelectric leg 130-2 on the second electrode 120-2 may be arranged in a first direction (X-axis direction). Accordingly, the
도 3은 실시예에 따른 열전 소자의 제1 기판과 제1 전극의 단면도이고, 도 4는 실시예에 따른 열전 소자의 제2 기판과 제2 전극의 단면도이고, 도 5는 실시예에 따른 열전 소자의 열전 레그 간 전기적 연결 경로를 나타내는 도면이다.3 is a cross-sectional view of a first substrate and a first electrode of a thermoelectric element according to an embodiment, FIG. 4 is a cross-sectional view of a second substrate and a second electrode of a thermoelectric element according to an embodiment, and FIG. 5 is a thermoelectric element according to the embodiment It is a diagram showing an electrical connection path between the thermoelectric legs of the device.
도 3을 참조하면, 제1 기판(110)은 제1 모서리(M1) 내지 제4 모서리(M4)를 포함할 수 있다. 예컨대, 제2 모서리(M2)는 제1 모서리(M1)와 제3 모서리(M3) 사이에서 제1 모서리(M1)와 제3 모서리(M3)를 연결할 수 있다. 또한, 제4 모서리(M4)는 제3 모서리(M3)와 제1 모서리(M1) 사이에서 제3 모서리(M3)와 제1 모서리(M1)을 연결할 수 있다.Referring to FIG. 3 , the
그리고 제1 기판(110)의 가장자리에 배치된 제1 전극(120)은 전기적 흐름이 제1 경로(T1) 및 제2 경로(T2)를 따라 형성될 수 있다.In addition, in the
그리고 제1 기판(110)은 제1 중심점(C1)을 포함할 수 있다. 제1 중심점(C1)은 제1 기판(110)의 중심에 위치할 수 있다.In addition, the
제1 기판(110) 상에는 앞서 설명한 바와 같이 복수 개의 제1 전극(120)이 배치될 수 있다. 제1 기판(110)은 제1 중심점(C1)을 기준으로 복수의 제1 전극(120) 각각에 배치된 제1 열전 레그(130)와 제2 열전 레그(140)의 배열 방향이 동일한 제1 영역(S1) 내지 제4 영역(S4)을 포함할 수 있다.As described above, a plurality of
제1 영역(S1)은 제1 열전 레그(130)와 제2 열전 레그(140)의 배열 방향인 제2 방향(Y축 방향)일 수 있다. 마찬가지로, 제3 영역(S3)은 제1 영역(S1)과 마찬가지로 제1 열전 레그(130)와 제2 열전 레그(140)의 배열 방향인 제2 방향(Y축 방향)일 수 있다.The first region S1 may be in a second direction (Y-axis direction) that is an arrangement direction of the first
제2 영역(S2)은 제1 열전 레그(130)와 제2 열전 레그(140)의 배열 방향인 제1 방향(X축 방향)일 수 있다. 마찬가지로, 제4 영역(S4)은 제2 영역(S2)과 마찬가지로 제1 열전 레그(130)와 제2 열전 레그(140)의 배열 방향인 제1 방향(X축 방향)일 수 있다.The second region S2 may be in a first direction (X-axis direction) that is an arrangement direction of the first
그리고 제1 영역(S1)은 제1 기준점(C1)을 기준으로 제3 영역(S3)이 마주보게 배치될 수 있다. 마찬가지로, 제2 영역(S2)은 제1 기준점(C1)을 기준으로 제4 영역(S4)이 마주보게 배치될 수 있다. In addition, in the first area S1 , the third area S3 may be disposed to face each other with respect to the first reference point C1 . Similarly, in the second region S2 , the fourth region S4 may be disposed to face each other with respect to the first reference point C1 .
또한, 제1 영역(S1) 내지 제4 영역(S4)은 제1 기판(110)의 가장 자리에 배치된 제1 전극(120)의 개수가 제1 중심점(C1)을 향할수록 감소할 수 있다. 즉, 제1 기판(110)의 가장 자리에 배치된 제1 전극(120)의 개수는 제1 중심점(C1)에 배치된 제1 전극(120)의 개수보다 작을 수 있다.Also, in the first region S1 to the fourth region S4 , the number of the
마찬가지로, 도 4를 참조하면, 제2 기판(160)은 제5 모서리(M5) 내지 제8 모서리(M8)를 포함할 수 있다. 예컨대, 제6 모서리(M6)는 제5 모서리(M5)와 제8 모서리(M8) 사이에서 제5 모서리(M5)와 제7 모서리(M7)를 연결할 수 있다. 또한, 제8 모서리(M8)는 제7 모서리(M7)와 제5 모서리(M5) 사이에서 제7 모서리(M7)와 제5 모서리(M5)을 연결할 수 있다.Similarly, referring to FIG. 4 , the
그리고 제2 기판(160)의 가장자리에 배치된 제2 전극(150)은 전기적 흐름이 제3 경로(T3) 및 제4 경로(T4)를 따라 형성될 수 있다.In addition, in the
그리고 제2 기판(160)은 제2 중심점(C2)을 포함할 수 있다. 제2 중심점(C2)은 제2 기판(160)의 중심에 위치할 수 있다.In addition, the
제2 기판(160) 상에는 앞서 설명한 바와 같이 복수 개의 제2 전극(160)이 배치될 수 있다. 제2 기판(160)은 제2 중심점(C2)을 기준으로 복수의 제2 전극(150) 각각에 배치된 제1 열전 레그(130)와 제2 열전 레그(140)의 배열 방향이 동일한 제5 영역(S5) 내지 제8 영역(S8)을 포함할 수 있다.As described above, a plurality of
제5 영역(S5)은 제1 열전 레그(130)와 제2 열전 레그(140)의 배열 방향인 제2 방향(Y축 방향)일 수 있다. 마찬가지로, 제7 영역(S7)은 제5 영역(S5)과 마찬가지로 제1 열전 레그(130)와 제2 열전 레그(140)의 배열 방향인 제2 방향(Y축 방향)일 수 있다.The fifth region S5 may be in a second direction (Y-axis direction) that is an arrangement direction of the first
제6 영역(S6)은 제1 열전 레그(130)와 제2 열전 레그(140)의 배열 방향인 제1 방향(X축 방향)일 수 있다. 마찬가지로, 제8 영역(S8)은 제6 영역(S6)과 마찬가지로 제1 열전 레그(130)와 제2 열전 레그(140)의 배열 방향인 제1 방향(X축 방향)일 수 있다.The sixth region S6 may be in a first direction (X-axis direction) that is an arrangement direction of the first
그리고 제5 영역(S5)은 제2 기준점(C2)을 기준으로 제7 영역(S7)이 마주보게 배치될 수 있다. 마찬가지로, 제6 영역(S6)은 제2 기준점(C2)을 기준으로 제8 영역(S8)이 마주보게 배치될 수 있다. In addition, the fifth area S5 may be disposed to face the seventh area S7 with respect to the second reference point C2 . Similarly, the sixth region S6 may be disposed to face the eighth region S8 with respect to the second reference point C2 .
또한, 제5 영역(S5) 내지 제8 영역(S8)은 제2 기판(160)의 가장 자리에 배치된 제2 전극(150)의 개수가 제2 중심점(C2)을 향할수록 감소할 수 있다. 즉, 제2 기판(160)의 가장 자리에 배치된 제2 전극(150)의 개수는 제2 중심점(C2)에 배치된 제2 전극(150)의 개수보다 작을 수 있다.Also, in the fifth region S5 to the eighth region S8 , the number of
도 5를 참조하면, 실시예에 따른 열전 소자(100)는 나선형의 전기적 흐름을 갖도록 앞서 설명한 바와 같이 배치된 제1 전극과 제2 전극을 포함하여 열전 소자로서 열적 성능을 개선할 수 있다.Referring to FIG. 5 , the
상기 표 1은 30L의 공간에 3시간 동안 가장자리에 제1 전극과 직렬 연결된 2개 제2 전극이 제1 전극에서 제1/2 열전 소자의 배열 방향과 상이한 제1/2 열전 소자의 배열 방향을 갖는 경우(실험예)와 가장자리에 제1 전극과 직렬 연결된 2개 제2 전극 중 적어도 하나가 제1 전극에서 제1/2 열전 소자의 배열 방향과 동일한 제1/2 열전 소자의 배열 방향을 갖는 경우(실시예)의 온도를 측정한 실험 결과를 나타낸다. Table 1 shows the arrangement direction of the second thermoelectric element in which two second electrodes connected in series with the first electrode at the edge are different from the arrangement direction of the second thermoelectric element in the first electrode in a space of 30L for 3 hours (Experimental example) and at least one of the two second electrodes connected in series with the first electrode at the edge has the same arrangement direction of the second thermoelectric element as the arrangement direction of the second thermoelectric element in the first electrode The experimental result of measuring the temperature of the case (Example) is shown.
표 1과 같이, 실시예에 따른 열전 소자는 냉각 기능 시 실험예의 경우보다 더 낮은 온도를 제공하는 것을 확인할 수 있다.As shown in Table 1, it can be seen that the thermoelectric element according to the embodiment provides a lower temperature than that of the experimental example during the cooling function.
도 6은 본 발명의 한 실시예에 따른 열전 레그 및 전극의 단면도를 나타낸다. 6 is a cross-sectional view of a thermoelectric leg and an electrode according to an embodiment of the present invention.
도 6을 참조하면, 열전 레그(130)는 제1단면적을 가지는 제1소자부(132), 제1소자부(132)와 대향하는 위치에 배치되며 제2단면적을 가지는 제2소자부(136), 그리고 제1소자부(132) 및 제2소자부(136)를 연결하며 제3단면적을 가지는 연결부(134)를 포함할 수 있다. 이때, 연결부(134)의 수평방향의 임의의 영역에서의 단면적이 제1단면적 또는 제2단면적보다 작게 형성될 수 있다.Referring to FIG. 6 , the
이와 같이, 제1 소자부(132) 및 제2 소자부(136)의 단면적을 연결부(134)의 단면적보다 크게 형성하면, 동일한 양의 재료를 이용하여 제1소자부(132)와 제2소자부(136) 간의 온도차(△T)를 크게 형성할 수 있다. 이에 따라, 발열측(Hot side)와 냉각측(Cold side) 사이에 이동하는 자유전자의 양이 많아지므로, 발전량이 증가하게 되며, 발열 효율 또는 냉각 효율이 높아지게 된다. As such, when the cross-sectional areas of the
이때, 연결부(134)의 수평 단면 중 가장 긴 폭을 가지는 단면의 폭(B)과, 제1소자부(132) 및 제2소자부(136)의 수평 단면 중 더 큰 단면의 폭(A or C) 간의 비가 1:(1.5~4)일 수 있다. 이에 따라, 발전 효율, 발열 효율 또는 냉각 효율을 높일 수 있다. At this time, the width (B) of the cross-section having the longest width among the horizontal cross-sections of the
여기서, 제1소자부(132), 제2소자부(136) 및 연결부(134)는 동일한 재료를 이용하여 일체로 형성될 수 있다. Here, the
본 발명의 한 실시예에 따른 열전 레그는 적층형 구조를 가질 수도 있다. 예를 들어, P형 열전 레그 또는 N형 열전 레그는 시트 형상의 기재에 반도체 물질이 도포된 복수의 구조물을 적층한 후, 이를 절단하는 방법으로 형성될 수 있다. 이에 따라, 재료의 손실을 막고 전기 전도 특성을 향상시킬 수 있다.The thermoelectric leg according to an embodiment of the present invention may have a stacked structure. For example, the P-type thermoelectric leg or the N-type thermoelectric leg may be formed by laminating a plurality of structures coated with a semiconductor material on a sheet-shaped substrate and then cutting them. Accordingly, it is possible to prevent material loss and improve electrical conductivity properties.
도 7는 적층형 구조의 열전 레그를 제조하는 방법을 나타낸다. 7 shows a method of manufacturing a thermoelectric leg having a stacked structure.
도 7를 참조하면, 반도체 물질을 포함하는 재료를 페이스트 형태로 제작한 후, 시트, 필름 등의 기재(1110) 상에 도포하여 반도체층(1120)을 형성한다. 이에 따라, 하나의 단위부재(1100)가 형성될 수 있다. Referring to FIG. 7 , a
복수의 단위부재(1100a, 1100b, 1100c)를 적층하여 적층 구조물(1200)을 형성하고, 이를 절단하면 단위 열전 레그(1300)를 얻을 수 있다. A
이와 같이, 단위 열전 레그(1300)는 기재(1110) 상에 반도체층(1120)이 형성된 단위부재(1100)가 복수로 적층된 구조물에 의하여 형성될 수 있다. As described above, the unit
여기서, 기재(1110) 상에 페이스트를 도포하는 공정은 다양한 방법으로 행해질 수 있다. 예를 들어, 테이프캐스팅(Tape casting) 방법으로 행해질 수 있다. 테이프캐스팅 방법은 미세한 반도체 물질의 분말을 수계 또는 비수계 용매(solvent), 결합제(binder), 가소제(plasticizer), 분산제(dispersant), 소포제(defoamer) 및 계면활성제 중 선택되는 적어도 하나와 혼합하여 슬러리(slurry) 형태로 제조한 후, 움직이는 칼날(blade) 또는 움직이는 기재 상에서 성형하는 방법이다. 이때, 기재(1110)는 10um~100um 두께의 필름, 시트 등일 수 있으며, 도포되는 반도체 물질로는 상술한 벌크형 소자를 제조하는 P 형 열전 재료 또는 N 형 열전 재료가 그대로 적용될 수 있다.Here, the process of applying the paste on the
단위부재(1100)를 복수의 층으로 어라인하여 적층하는 공정은 50℃~250℃의 온도에서 압착하는 방법으로 행해질 수 있으며, 적층되는 단위부재(110)의 수는, 예를 들어 2~50개일 수 있다. 이후, 원하는 형태와 사이즈로 절단될 수 있으며, 소결공정이 추가될 수 있다.The process of arranging and stacking the
이와 같이 제조되는 단위 열전 레그(1300)는 두께, 형상 및 크기의 균일성을 확보할 수 있으며, 박형화가 유리하고, 재료의 손실을 줄일 수 있다. The unit
단위 열전 레그(1300)는 원기둥 형상, 다각 기둥 형상, 타원형 기둥 형상 등일 수 있으며, 도 7(d)에서 예시한 바와 같은 형상으로 절단될 수도 있다. The unit
한편, 적층형 구조의 열전 레그를 제조하기 위하여, 단위 부재(1100)의 한 표면에 전도성층을 더 형상할 수도 있다. Meanwhile, a conductive layer may be further formed on one surface of the
도 8는 도 7의 적층 구조물 내 단위 부재 사이에 형성되는 전도성층을 예시한다. FIG. 8 illustrates a conductive layer formed between unit members in the laminate structure of FIG. 7 .
도 8를 참조하면, 전도성층(C)은 반도체층(1120)이 형성되는 기재(1110)의 반대 면에 형성될 수 있으며, 기재(1110)의 표면의 일부가 노출되도록 패턴화될 수 있다. Referring to FIG. 8 , the conductive layer C may be formed on the opposite surface of the
도 8는 본 발명의 실시예에 따른 전도성층(C)의 다양한 변형예를 나타낸다. 도 8(a) 및 도 8(b)에 도시된 바와 같이, 폐쇄형 개구패턴(c1, c2)을 포함하는 메쉬타입 구조 또는 도 8(c) 및 도 8(d)에 도시된 바와 같이, 개방형 개구패턴(c3, c4)을 포함하는 라인타입 구조 등으로 다양하게 변형될 수 있다. 8 shows various modifications of the conductive layer (C) according to an embodiment of the present invention. As shown in FIGS. 8(a) and 8(b), a mesh-type structure including closed opening patterns c1 and c2, or as shown in FIGS. 8(c) and 8(d), It may be variously modified into a line-type structure including the open opening patterns c3 and c4.
이러한 전도성층(C)은 단위부재의 적층형 구조로 형성되는 단위 열전 레그 내 단위부재 간의 접착력을 높일 수 있으며, 단위부재간 열전도도를 낮추고, 전기전도도는 향상시킬 수 있다. 전도성층(C)은 금속물질, 예를 들어 Cu, Ag, Ni 등이 적용될 수 있다.Such a conductive layer (C) can increase the adhesive force between the unit members in the unit thermoelectric leg formed in the stacked structure of the unit members, lower the thermal conductivity between the unit members, it can improve the electrical conductivity. The conductive layer (C) may be a metal material, for example, Cu, Ag, Ni, etc. may be applied.
한편, 단위 열전 레그(1300)는 도 9에 도시한 바와 같은 방향으로 절단될 수도 있다. 이러한 구조에 따르면, 수직방향의 열전도 효율을 낮추는 동시에 전기전도특성을 향상할 수 있어 냉각효율을 높일 수 있다.Meanwhile, the unit
본 발명의 한 실시예에 따른 열전 모듈은 열전달부재와 함께 배치될 수 있다. The thermoelectric module according to an embodiment of the present invention may be disposed together with a heat transfer member.
도 10 내지 도 12는 본 발명의 한 실시예에 따른 열전 모듈 상에 배치되는 열전달부재의 개념도이다. 10 to 12 are conceptual views of a heat transfer member disposed on a thermoelectric module according to an embodiment of the present invention.
도 10 내지 도 12를 참조하면, 본 발명의 실시예에 따른 열전달부재(2200)는 제1평면(2210) 및 제2평면(2220)을 가지는 평판형상의 기재로, 공기 유로(C1)를 형성하는 적어도 하나의 유로패턴(2200A)을 포함할 수 있다. 10 to 12 , a
도 10 내지 도 12에서 도시한 바와 같이, 유로패턴(2200A)은 일정한 피치(P1, P2)와 높이(T1)를 가지는 곡률 패턴이 형성되도록 기재를 폴딩(folding)하는 구조, 즉 접는 구조로 형성될 수 있다. As shown in FIGS. 10 to 12 , the
이와 같이, 열전달부재(2200)의 제1 평면(2210) 및 제2 평면(2220)에는 공기가 면접촉하며, 유로패턴(2200A)에 의하여 공기가 면접촉하는 면적이 최대화될 수 있다. In this way, the air may surface-contact the
도 10을 참조하면, 공기가 유로 방향(C1)으로 유입되는 경우, 공기가 제1평면(2210)과 제2평면(222)에 고르게 접촉하며 이동하여, 유로 방향(C2)으로 진행될 수 있다. 이에 따라, 단순한 평판 형상의 기재에 비하여 공기와의 접촉 면이 넓으므로, 흡열이나 발열의 효과가 증가하게 된다.Referring to FIG. 10 , when air flows in the flow path direction C1 , the air moves while evenly contacting the
본 발명의 실시예에 따르면, 공기의 접촉 면적을 더욱 증대하기 위하여, 기재의 표면에 돌출형 저항패턴(2230)을 형성할 수도 있다. According to an embodiment of the present invention, in order to further increase the air contact area, a protruding
나아가, 도 11에 도시된 바와 같이, 저항패턴(2230)은 공기가 유입되는 방향으로 일정한 경사각(θ)을 가지도록 기울어진 돌출 구조물로 형성될 수도 있다. 이에 따라, 저항패턴(2230)과 공기 간의 마찰을 극대화할 수 있으므로, 접촉면적 또는 접촉효율을 높일 수 있다. 또한, 저항패턴(2230)의 앞 부분의 기재 면에 홈(2240)을 형성할 수도 있다. 저항패턴(223)과 접촉하는 공기의 일부는 홈(2240)을 통과하여 기재의 전면과 후면 사이를 이동하므로, 접촉면적 또는 접촉효율을 더욱 높일 수 있다. Furthermore, as shown in FIG. 11 , the
저항패턴(2230)이 제1평면(2210)에 형성되는 것으로 도시되어 있으나, 이에 한정되는 것은 아니며, 제2 평면(2220)에 형성될 수도 있다. Although the
도 12를 참조하면, 유로패턴은 다양한 변형예를 가질 수 있다. Referring to FIG. 12 , the flow path pattern may have various modifications.
예를 들어, 도 12(a)와 같이 일정한 피치(P1)로 곡률을 가지는 패턴을 반복적으로 형성하거나, 도 12(b)와 같이 첨부를 가지는 패턴이 반복하여 형성되거나, 도9(c) 및 도9(d)에 도시된 바와 같이 단위패턴이 다각형 구조를 가질 수도 있다. 도시되지 않았으나, 패턴의 표면(B1, B2)에 저항패턴이 형성될 수 있음은 물론이다.For example, a pattern having a curvature with a constant pitch P1 is repeatedly formed as shown in FIG. 12(a), or a pattern having an attachment is repeatedly formed as shown in FIG. As shown in Fig. 9(d), the unit pattern may have a polygonal structure. Although not shown, of course, a resistance pattern may be formed on the surfaces B1 and B2 of the pattern.
도 12에서는 유로패턴이 일정한 주기 및 높이를 가지고 있으나, 이에 한정되지 않으며, 유로패턴의 주기 및 높이(T1)는 불균일하게 변형될 수 있다. In FIG. 12 , the flow path pattern has a constant period and height, but is not limited thereto, and the period and height T1 of the flow path pattern may be non-uniformly deformed.
한편, 본 발명의 실시예에 따른 열전 레그는 존 멜팅(zone melting) 방식 또는 분말 소결 방식에 따라 제작될 수 있다. 존 멜팅 방식에 따르면, 열전 소재를 이용하여 잉곳(ingot)을 제조한 후, 잉곳에 천천히 열을 가하여 단일의 방향으로 입자가 재배열되도록 리파이닝하고, 천천히 냉각시키는 방법으로 열전 레그를 얻는다. 분말 소결 방식에 따르면, 열전 소재를 이용하여 잉곳을 제조한 후, 잉곳을 분쇄하고 체거름하여 열전 레그용 분말을 획득하고, 이를 소결하는 과정을 통하여 열전 레그를 얻는다. Meanwhile, the thermoelectric leg according to an embodiment of the present invention may be manufactured according to a zone melting method or a powder sintering method. According to the zone melting method, after an ingot is manufactured using a thermoelectric material, heat is slowly applied to the ingot to refine the particles to be rearranged in a single direction, and a thermoelectric leg is obtained by slow cooling. According to the powder sintering method, after an ingot is manufactured using a thermoelectric material, the ingot is pulverized and sieved to obtain a powder for a thermoelectric leg, and a thermoelectric leg is obtained through a sintering process.
도 13은 본 발명의 한 실시예에 따른 열전 레그용 소결체를 제조하는 방법을 나타내는 순서도이다.13 is a flowchart illustrating a method of manufacturing a sintered body for a thermoelectric leg according to an embodiment of the present invention.
도 13울 참조하면, 열전 소재를 열처리하여, 잉곳(ingot)을 제조한다(S100). 열전 소재는 Bi, Te 및 Se를 포함할 수 있다. 예를 들어, 열전 소재는 Bi2Te3-ySey(0.1<y<0.4)를 포함할 수 있다. 한편, Bi의 증기 압력은 768℃에서 10Pa이고, Te의 증기 압력은 769℃에서 104Pa이고, Se의 증기 압력은 685℃에서 105Pa이다. 따라서, 일반적인 용융 온도(600~800℃)에서 Te와 Se의 증기 압력이 높아, 휘발성이 크다. 따라서, 열전 레그 제작 시, Te 및 Se 중 적어도 하나의 휘발을 고려하여 칭량할 수 있다. 즉, Te 및 Se 중 적어도 하나를 1 내지 10 중량부로 더 포함시킬 수 있다. 예를 들어, N형 레그 제작 시, Bi2Te3-ySey(0.1<y<0.4) 100 중량부에 대하여 1 내지 10 중량부의 Te 및 Se를 더 포함시킬 수도 있다. Referring to FIG. 13 , a thermoelectric material is heat-treated to manufacture an ingot (S100). The thermoelectric material may include Bi, Te, and Se. For example, the thermoelectric material may include Bi2Te3-ySey (0.1<y<0.4). Meanwhile, the vapor pressure of Bi is 10 Pa at 768°C, the vapor pressure of Te is 104 Pa at 769°C, and the vapor pressure of Se is 105 Pa at 685°C. Therefore, the vapor pressure of Te and Se is high at a general melting temperature (600 ~ 800 °C), and the volatility is large. Therefore, when the thermoelectric leg is manufactured, it may be weighed in consideration of volatilization of at least one of Te and Se. That is, at least one of Te and Se may be further included in an amount of 1 to 10 parts by weight. For example, when manufacturing the N-type leg, 1 to 10 parts by weight of Te and Se may be further included based on 100 parts by weight of Bi2Te3-ySey (0.1<y<0.4).
다음으로, 잉곳을 분쇄한다(S110). 이때, 잉곳은 멜트 스피닝(melt spinning) 기법에 따라 분쇄될 수 있다. 이에 따라, 판상 플레이크의 열전 소재가 얻어질 수 있다. Next, the ingot is pulverized (S110). At this time, the ingot may be pulverized according to a melt spinning technique. Accordingly, a thermoelectric material of plate-like flakes can be obtained.
다음으로, 판상 플레이크의 열전 소재를 도핑용 첨가제와 함께 밀링(milling)한다(S20). 이를 위하여, 예를 들면 슈퍼 믹서(Super Mixer), 볼밀(ball mill), 어트리션 밀(attrition mill), 3롤 밀(3roll mill) 등이 이용될 수 있다. 여기서, 도핑용 첨가제는, 예를 들어 Cu 및 Bi2O3를 포함할 수 있다. 이때, Bi, Te 및 Se를 포함하는 열전 소재는 99.4 내지 99.98wt%, Cu는 0.01 내지 0.1wt%, 그리고 Bi2O3는0.01 내지 0.5wt%의 조성 비, 바람직하게는 Bi, Te 및 Se를 포함하는 열전 소재는 99.48 내지 99.98wt%, Cu는 0.01 내지 0.07wt%, 그리고 Bi2O3는 0.01 내지 0.45wt%의 조성비, 더욱 바람직하게는 Bi, Te 및 Se를 포함하는 열전 소재는 99.67 내지 99.98wt%, Cu는 0.01 내지 0.03wt%, 그리고 Bi2O3는 0.01 내지 0.30wt%의 조성비로 첨가된 후 밀링될 수 있다. Next, the thermoelectric material of the plate-like flakes is milled together with the doping additive (S20). To this end, for example, a super mixer, a ball mill, an attrition mill, a 3 roll mill, etc. may be used. Here, the doping additive may include, for example, Cu and Bi2O3. In this case, the thermoelectric material containing Bi, Te, and Se is 99.4 to 99.98 wt%, Cu is 0.01 to 0.1 wt%, and Bi2O3 is 0.01 to 0.5 wt%, preferably Bi, Te and Se. The thermoelectric material has a composition ratio of 99.48 to 99.98 wt%, Cu is 0.01 to 0.07 wt%, and Bi2O3 is 0.01 to 0.45 wt%, more preferably, the thermoelectric material including Bi, Te and Se is 99.67 to 99.98 wt%, Cu is added in a composition ratio of 0.01 to 0.03 wt%, and Bi2O3 is 0.01 to 0.30 wt%, and may be milled.
다음으로, 체거름(sieving)을 통하여 열전 레그용 분말을 얻는다(S130). 다만, 체거름 공정은 필요에 따라 추가되는 것으로, 본 발명의 실시예에서 필수적인 공정이 아니다. 이때, 열전 레그용 분말은, 예를 들면 마이크로 단위의 입자 크기를 가질 수 있다.Next, a powder for the thermoelectric leg is obtained through sieving (S130). However, the sieving process is added as necessary, and is not an essential process in the embodiment of the present invention. In this case, the powder for the thermoelectric leg may have, for example, a particle size of a micro unit.
다음으로, 열전 레그용 분말을 소결한다(S140). 소결 과정을 얻어진 소결체를 커팅하여 열전 레그를 제작할 수 있다. 소결은, 예를 들면 스파크 플라즈마 소결(SPS, Spark Plasma Sintering) 장비를 이용하여 400 내지 550℃, 35 내지 60MPa 조건에서 1 내지 30분간 진행되거나, 핫 프레스(Hot-press) 장비를 이용하여 400 내지 550℃, 180 내지 250MPa 조건에서 1 내지 60분간 진행될 수 있다. Next, the powder for the thermoelectric leg is sintered (S140). A thermoelectric leg may be manufactured by cutting the sintered body obtained by the sintering process. Sintering is, for example, using a spark plasma sintering (SPS, Spark Plasma Sintering) equipment at 400 to 550 ℃, 35 to 60 MPa conditions for 1 to 30 minutes, or using a hot press (Hot-press) equipment 400 to It may be carried out for 1 to 60 minutes at 550 ° C. and 180 to 250 MPa conditions.
이때, 열전 레그용 분말은 비정질 리본과 함께 소결될 수 있다. 열전 레그용 분말이 비정질 리본과 함께 소결되면 전기 전도도가 높아지므로, 높은 열전 성능을 얻을 수 있다. 이때, 비정질 리본은 Fe 계 비정질 리본일 수 있다. In this case, the powder for the thermoelectric leg may be sintered together with the amorphous ribbon. When the powder for the thermoelectric leg is sintered together with the amorphous ribbon, the electrical conductivity increases, so that high thermoelectric performance can be obtained. In this case, the amorphous ribbon may be an Fe-based amorphous ribbon.
한 예로, 비정질 리본은 열전 레그가 상부 전극과 접합하기 위한 면 및 하부 전극과 접합하기 위한 면에 배치된 후 소결될 수 있다. 이에 따라, 상부 전극 또는 하부 전극 방향으로 전기 전도도가 높아질 수 있다. 이를 위하여, 하부 비정질 리본, 열전 레그용 분말 및 상부 비정질 리본이 몰드 내에 순차적으로 배치된 후 소결될 수 있다. 이때, 하부 비정질 리본 및 상부 비정질 리본 상에는 각각 표면 처리층이 형성될 수도 있다. 표면 처리층은 도금법, 스퍼터링법, 증착법 등에 의하여 형성되는 박막으로, 반도체 재료인 열전 레그용 분말과 반응하더라도 성능 변화가 거의 없는 니켈 등이 사용될 수 있다. As an example, the amorphous ribbon may be sintered after the thermoelectric leg is disposed on the surface for bonding with the upper electrode and the surface for bonding with the lower electrode. Accordingly, electrical conductivity may be increased in the direction of the upper electrode or the lower electrode. To this end, the lower amorphous ribbon, the powder for the thermoelectric leg, and the upper amorphous ribbon may be sequentially disposed in the mold and then sintered. In this case, a surface treatment layer may be formed on the lower amorphous ribbon and the upper amorphous ribbon, respectively. The surface treatment layer is a thin film formed by a plating method, a sputtering method, a vapor deposition method, or the like, and nickel, etc., which hardly changes in performance even if it reacts with the powder for a thermoelectric leg, which is a semiconductor material, may be used.
다른 예로, 비정질 리본은 열전 레그의 측면에 배치된 후 소결될 수도 있다. 이에 따라, 열전 레그의 측면을 따라 전기 전도도가 높아질 수 있다. 이를 위하여, 비정질 리본이 몰드의 벽면을 둘러싸도록 배치된 후, 열전 레그용 분말을 채우고, 소결할 수 있다. As another example, the amorphous ribbon may be placed on the side of the thermoelectric leg and then sintered. Accordingly, electrical conductivity along the side of the thermoelectric leg may be increased. To this end, after the amorphous ribbon is disposed to surround the wall surface of the mold, the powder for the thermoelectric leg may be filled and sintered.
본 발명의 실시예에 따른 열전 소자는 발전용 장치, 냉각용 장치, 온열용 장치 등에 작용될 수 있다. 구체적으로는, 본 발명의 실시예에 따른 열전 소자는 주로 광통신 모듈, 센서, 의료 기기, 측정 기기, 항공 우주 산업, 냉장고, 칠러(chiller), 자동차 통풍 시트, 컵 홀더, 세탁기, 건조기, 와인셀러, 정수기, 센서용 전원 공급 장치, 서모파일(thermopile) 등에 적용될 수 있다. The thermoelectric element according to an embodiment of the present invention may be applied to a device for power generation, a device for cooling, a device for heating, and the like. Specifically, the thermoelectric element according to an embodiment of the present invention is mainly an optical communication module, a sensor, a medical device, a measuring device, aerospace industry, a refrigerator, a chiller, an automobile ventilation seat, a cup holder, a washing machine, a dryer, and a wine cellar. , water purifiers, power supplies for sensors, thermopiles, and the like.
여기서, 본 발명의 실시예에 따른 열전 소자가 의료 기기에 적용되는 예로, PCR(Polymerase Chain Reaction) 기기가 있다. PCR 기기는 DNA를 증폭하여 DNA의 염기 서열을 결정하기 위한 장비이며, 정밀한 온도 제어가 요구되고, 열 순환(thermal cycle)이 필요한 기기이다. 이를 위하여, 펠티어 기반의 열전 소자가 적용될 수 있다. Here, as an example in which the thermoelectric element according to an embodiment of the present invention is applied to a medical device, there is a PCR (Polymerase Chain Reaction) device. PCR equipment is equipment for determining the nucleotide sequence of DNA by amplifying DNA, and it requires precise temperature control and thermal cycle. To this end, a Peltier-based thermoelectric element may be applied.
본 발명의 실시예에 따른 열전 소자가 의료 기기에 적용되는 다른 예로, 광 검출기가 있다. 여기서, 광 검출기는 적외선/자외선 검출기, CCD(Charge Coupled Device) 센서, X-ray 검출기, TTRS(Thermoelectric Thermal Reference Source) 등이 있다. 광 검출기의 냉각(cooling)을 위하여 펠티어 기반의 열전 소자가 적용될 수 있다. 이에 따라, 광 검출기 내부의 온도 상승으로 인한 파장 변화, 출력 저하 및 해상력 저하 등을 방지할 수 있다. As another example in which the thermoelectric element according to the embodiment of the present invention is applied to a medical device, there is a photodetector. Here, the photodetector includes an infrared/ultraviolet detector, a charge coupled device (CCD) sensor, an X-ray detector, and a Thermoelectric Thermal Reference Source (TTRS). A Peltier-based thermoelectric element may be applied for cooling the photodetector. Accordingly, it is possible to prevent a change in wavelength, a decrease in output, and a decrease in resolution due to an increase in the temperature inside the photodetector.
본 발명의 실시예에 따른 열전 소자가 의료 기기에 적용되는 또 다른 예로, 면역 분석(immunoassay) 분야, 인비트로 진단(In vitro Diagnostics) 분야, 온도 제어 및 냉각 시스템(general temperature control and cooling systems), 물리 치료 분야, 액상 칠러 시스템, 혈액/플라즈마 온도 제어 분야 등이 있다. 이에 따라, 정밀한 온도 제어가 가능하다. As another example in which the thermoelectric element according to an embodiment of the present invention is applied to a medical device, an immunoassay field, an in vitro diagnostics field, a temperature control and cooling system (general temperature control and cooling systems), Physical therapy fields, liquid chiller systems, blood/plasma temperature control, etc. Accordingly, precise temperature control is possible.
본 발명의 실시예에 따른 열전 소자가 의료 기기에 적용되는 또 다른 예로, 인공 심장이 있다. 이에 따라, 인공 심장으로 전원을 공급할 수 있다. Another example in which the thermoelectric element according to an embodiment of the present invention is applied to a medical device is an artificial heart. Accordingly, power can be supplied to the artificial heart.
본 발명의 실시예에 따른 열전 소자가 항공 우주 산업에 적용되는 예로, 별 추적 시스템, 열 이미징 카메라, 적외선/자외선 검출기, CCD 센서, 허블 우주 망원경, TTRS 등이 있다. 이에 따라, 이미지 센서의 온도를 유지할 수 있다. Examples of the thermoelectric element according to the embodiment of the present invention applied to the aerospace industry include a star tracking system, a thermal imaging camera, an infrared/ultraviolet detector, a CCD sensor, the Hubble Space Telescope, and a TTRS. Accordingly, the temperature of the image sensor may be maintained.
본 발명의 실시예에 따른 열전 소자가 항공 우주 산업에 적용되는 다른 예로, 냉각 장치, 히터, 발전 장치 등이 있다. As another example in which the thermoelectric element according to the embodiment of the present invention is applied to the aerospace industry, there are a cooling device, a heater, a power generation device, and the like.
이 외에도 본 발명의 실시예에 따른 열전 소자는 기타 산업 분야에 발전, 냉각 및 온열을 위하여 적용될 수 있다. In addition, the thermoelectric element according to an embodiment of the present invention may be applied to power generation, cooling, and heating in other industrial fields.
이상에서 실시예를 중심으로 설명하였으나 이는 단지 예시일 뿐 본 발명을 한정하는 것이 아니며, 본 발명이 속하는 분야의 통상의 지식을 가진 자라면 본 실시예의 본질적인 특성을 벗어나지 않는 범위에서 이상에 예시되지 않은 여러 가지의 변형과 응용이 가능함을 알 수 있을 것이다. 예를 들어, 실시예에 구체적으로 나타난 각 구성 요소는 변형하여 실시할 수 있는 것이다. 그리고 이러한 변형과 응용에 관계된 차이점들은 첨부된 청구 범위에서 규정하는 본 발명의 범위에 포함되는 것으로 해석되어야 할 것이다.In the above, the embodiment has been mainly described, but this is only an example and does not limit the present invention, and those of ordinary skill in the art to which the present invention pertains are not exemplified above in the range that does not depart from the essential characteristics of the present embodiment. It can be seen that various modifications and applications are possible. For example, each component specifically shown in the embodiment can be implemented by modification. And differences related to such modifications and applications should be construed as being included in the scope of the present invention defined in the appended claims.
Claims (10)
상기 제1 기판 상에 교대로 배치되는 복수의 제1 열전 레그 및 복수의 제2 열전 레그;
상기 복수의 제1 열전 레그 및 상기 복수의 제2 열전 레그 상에 배치되는 제2 기판; 및
상기 복수의 제1 열전 레그 및 상기 복수의 제2 열전 레그를 직렬 연결하는 복수의 전극;을 포함하고,
상기 복수의 전극은,
상기 복수의 제1 및 제2 열전 레그와 상기 제1 기판 사이에 배치되는 복수의 제1 전극; 및
상기 복수의 제1 및 제2 열전 레그와 상기 제2 기판 사이에 배치되는 복수의 제2 전극;을 포함하고,
상기 제1 기판 및 상기 제2 기판에서 최외곽에 배치된 상기 복수의 제1 열전 레그 및 상기 복수의 제2 열전 레그는 서로 상기 제1 기판 및 상기 제2 기판의 가장자리를 따라 모두 직렬 연결되는 열전 소자.
a first substrate;
a plurality of first thermoelectric legs and a plurality of second thermoelectric legs alternately disposed on the first substrate;
a second substrate disposed on the plurality of first thermoelectric legs and the plurality of second thermoelectric legs; and
a plurality of electrodes connecting the plurality of first thermoelectric legs and the plurality of second thermoelectric legs in series;
The plurality of electrodes,
a plurality of first electrodes disposed between the plurality of first and second thermoelectric legs and the first substrate; and
a plurality of second electrodes disposed between the plurality of first and second thermoelectric legs and the second substrate;
The plurality of first thermoelectric legs and the plurality of second thermoelectric legs disposed on the outermost sides of the first substrate and the second substrate are all serially connected to each other along edges of the first substrate and the second substrate. device.
상기 복수의 제1 전극은 각각 상기 제1 기판에서 제1 방향 및 상기 제1 방향에 수직한 방향인 제2 방향으로 이격 배치되고,
상기 복수의 제2 전극은 각각 상기 제2 기판에서 상기 제1 방향 및 상기 제2 방향으로 이격 배치되는 열전 소자.
The method of claim 1,
The plurality of first electrodes are spaced apart from each other in a first direction and a second direction perpendicular to the first direction on the first substrate,
The plurality of second electrodes are respectively disposed to be spaced apart from each other in the first direction and the second direction from the second substrate.
상기 제1 기판의 최외곽에 배치된 상기 복수의 제1 전극 각각에서 제1 열전 레그와 제2 열전 레그의 배열 방향은 상기 제1 기판의 최외곽에 배치된 상기 복수의 제1 전극과 직렬 연결된 상기 복수의 제2 전극 중 적어도 하나에서 제1 열전 레그와 제2 열전 레그의 배열 방향과 동일한 열전 소자.
The method of claim 1,
An arrangement direction of a first thermoelectric leg and a second thermoelectric leg in each of the plurality of first electrodes disposed at the outermost side of the first substrate is connected in series with the plurality of first electrodes disposed at the outermost side of the first substrate The arrangement direction of the first thermoelectric leg and the second thermoelectric leg in at least one of the plurality of second electrodes is the same as the thermoelectric element.
상기 제1 기판은 제1 중심점을 포함하고,
상기 제1 기판은 상기 제1 중심점을 기준으로 상기 복수의 제1 전극 각각에 배치된 제1 열전 레그와 제2 열전 레그의 배열 방향이 동일한 제1 영역 내지 제4 영역을 포함하는 열전 소자.
The method of claim 1,
The first substrate includes a first central point,
The first substrate includes first to fourth regions in which the first thermoelectric legs and the second thermoelectric legs arranged on each of the plurality of first electrodes are arranged in the same direction with respect to the first central point.
상기 제1 영역과 제3 영역은 상기 제1 중심점을 중심으로 서로 마주보며,
제2 영역과 상기 제4 영역은 상기 제1 중심점은 중심으로 서로 마주보는 열전 소자.
5. The method of claim 4,
The first region and the third region face each other about the first central point,
The second region and the fourth region may face each other with the first central point as a center.
상기 제1 영역 내지 상기 제4 영역은,
상기 제1 기판의 가장자리에서 상기 제1 중심점을 향해 제1 전극의 개수가 감소하는 열전 소자.
5. The method of claim 4,
The first region to the fourth region,
A thermoelectric element in which the number of first electrodes decreases from an edge of the first substrate toward the first central point.
상기 제2 기판은 제2 중심점을 포함하고,
상기 제2 기판은 상기 제2 중심점을 기준으로 상기 복수의 제2 전극 각각에 배치된 제1 열전 레그와 제2 열전 레그의 배열 방향이 동일한 제5 영역 내지 제8 영역을 포함하는 열전 소자.
The method of claim 1,
The second substrate comprises a second central point;
The second substrate may include fifth to eighth regions in which the first thermoelectric legs and the second thermoelectric legs arranged on each of the plurality of second electrodes are arranged in the same direction with respect to the second central point.
상기 제5 영역 내지 상기 제8 영역은,
상기 제2 기판의 가장자리에서 상기 제2 중심점을 향해 제2 전극의 개수가 감소하는 열전 소자.
8. The method of claim 7,
The fifth region to the eighth region,
A thermoelectric element in which the number of second electrodes decreases from an edge of the second substrate toward the second central point.
상기 제 5 영역과 제7 영역은 상기 제2 중심점을 중심으로 서로 마주보며,
상기 제6 영역과 상기 제8 영역은 상기 제2 중심점을 중심으로 서로 마주보는 열전 소자.
8. The method of claim 7,
The fifth region and the seventh region face each other around the second central point,
The sixth region and the eighth region face each other about the second central point.
상기 제1 기판 상에 교대로 배치되는 복수의 제1 열전 레그 및 복수의 제2 열전 레그;
상기 복수의 제1 열전 레그 및 상기 복수의 제2 열전 레그 상에 배치되는 제2 기판; 및
상기 복수의 제1 열전 레그 및 상기 복수의 제2 열전 레그를 직렬 연결하는 복수의 전극;을 포함하고,
상기 복수의 전극은,
상기 복수의 제1 및 제2 열전 레그와 상기 제1 기판 사이에 배치되는 복수의 제1 전극; 및
상기 복수의 제1 및 제2 열전 레그와 상기 제2 기판 사이에 배치되는 복수의 제2 전극;을 포함하고,
상기 제1 기판 및 상기 제2 기판에서 최외곽에 배치된 상기 복수의 제1 열전 레그 및 상기 복수의 제2 열전 레그는 서로 상기 제1 기판 및 상기 제2 기판의 가장자리를 따라 모두 직렬 연결되는 열전 소자를 포함하는 냉각 장치.a first substrate;
a plurality of first thermoelectric legs and a plurality of second thermoelectric legs alternately disposed on the first substrate;
a second substrate disposed on the plurality of first thermoelectric legs and the plurality of second thermoelectric legs; and
a plurality of electrodes connecting the plurality of first thermoelectric legs and the plurality of second thermoelectric legs in series;
The plurality of electrodes,
a plurality of first electrodes disposed between the plurality of first and second thermoelectric legs and the first substrate; and
a plurality of second electrodes disposed between the plurality of first and second thermoelectric legs and the second substrate;
The plurality of first thermoelectric legs and the plurality of second thermoelectric legs disposed on the outermost sides of the first substrate and the second substrate are all serially connected to each other along edges of the first substrate and the second substrate. A cooling device comprising an element.
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|---|---|---|---|
| KR1020170128150A KR102367202B1 (en) | 2017-09-29 | 2017-09-29 | Thermoelectric element |
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| JP2009129968A (en) * | 2007-11-20 | 2009-06-11 | Kelk Ltd | Thermoelectric module |
| JP2013161973A (en) * | 2012-02-06 | 2013-08-19 | Toyota Industries Corp | Thermoelectric conversion module |
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2017
- 2017-09-29 KR KR1020170128150A patent/KR102367202B1/en active IP Right Grant
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