KR102357444B1 - Adhesive sheet - Google Patents

Abstract

본 발명은 영률이 1000 ㎫ 이상인 강성 기재와, 당해 강성 기재의 한쪽 면측에 설치된 완충층과, 당해 강성 기재의 다른 쪽 면측에 설치된 점착제층을 갖는 점착 시트로서, 상기 완충층이, 에너지선 중합성 화합물을 포함하는 완충층 형성용 조성물로 형성되어 이루어지는 층이고, 또한 선단 곡률 반경 100 ㎚ 및 능간각 115 °의 삼각추 형상 압자의 선단을 10 ㎛/분의 속도로 당해 완충층에 압입했을 때의 압축 하중이 2 mN에 도달하는 데 필요한 압입 깊이(X)가 2.5 ㎛ 이상인 점착 시트이며, 이물질 흡수성이 우수하고, 반도체 웨이퍼의 연삭 가공의 BG 시트로서 사용했을 때에, 반도체 웨이퍼의 깨짐을 방지할 수 있는 점착 시트를 제공하는 것이다.The present invention is an adhesive sheet having a rigid substrate having a Young's modulus of 1000 MPa or more, a buffer layer provided on one side of the rigid substrate, and an adhesive layer provided on the other side of the rigid substrate, wherein the buffer layer comprises an energy ray polymerizable compound It is a layer formed of a composition for forming a buffer layer containing It is a pressure-sensitive adhesive sheet having an indentation depth (X) of 2.5 µm or more required to reach will do

Description

점착 시트{ADHESIVE SHEET}Adhesive sheet {ADHESIVE SHEET}

본 발명은 점착 시트에 관한 것으로, 보다 상세하게는, 예를 들어 반도체 웨이퍼의 연삭 가공의 백그라인드 시트로서 사용했을 때에 반도체 웨이퍼의 깨짐을 방지할 수 있는 점착 시트에 관한 것이다.The present invention relates to an adhesive sheet, and more particularly, to an adhesive sheet capable of preventing cracking of a semiconductor wafer, for example, when used as a backgrind sheet for grinding a semiconductor wafer.

정보 단말 기기의 박형화, 소형화, 다기능화가 급속히 진행되는 가운데, 그들에 탑재되는 반도체 칩도 마찬가지로 박형화, 고밀도화가 요구되고 있다. 종래에는 두께가 350 ㎛ 정도였던 반도체 칩을 두께 50 내지 100 ㎛ 또는 그 이하까지 얇게 할 필요가 생기고 있다. 이와 같은 반도체 칩의 박형화의 요청에 대응하기 위해, 반도체 웨이퍼의 이면을 연삭하여 박형화하는 것이 행해지고 있다.While thinning, miniaturization, and multifunctionalization of information terminal devices are rapidly progressing, semiconductor chips mounted thereon are similarly required to be thin and dense. It is necessary to make the semiconductor chip, which was conventionally about 350 μm thick, to a thickness of 50 to 100 μm or less. In order to respond to such a request|requirement of thickness reduction of a semiconductor chip, grinding and thinning the back surface of a semiconductor wafer are performed.

최근에는, 표면에 높이 30 ㎛ 내지 100 ㎛ 정도의 땜납 등을 포함하는 범프(전극)가 형성되어, 요철 부분을 갖는 반도체 웨이퍼의 이면을 연삭하는 경우가 있다. 이와 같은 범프가 부착된 반도체 웨이퍼를 이면 연삭하는 경우, 범프 부분의 표면을 보호하기 위해, 범프 부분이 형성된 표면에 전용의 점착 시트[백그라인드 시트(BG 시트)]가 첩부된다.In recent years, bumps (electrodes) made of solder or the like having a height of about 30 µm to 100 µm are formed on the surface, and the back surface of a semiconductor wafer having an uneven portion is sometimes ground. In the case of back-grinding such a semiconductor wafer with bumps, an exclusive adhesive sheet (backgrind sheet (BG sheet)) is affixed to the surface on which the bump parts are formed in order to protect the surface of the bump part.

예를 들어, 특허문헌 1에는 웨이퍼의 표면측으로부터 소정 깊이의 홈을 형성한 후, 이 웨이퍼의 이면측으로부터 연삭을 행하는 「선(先) 다이싱법」에 있어서, 웨이퍼의 표면측을 보호하기 위해 사용되는 점착 시트가 개시되어 있다. 특허문헌 1에 개시된 점착 시트는 강성 기재의 한쪽 면에 진동 완화층을 설치하고, 다른 쪽 면에 점착제층을 설치한 구성을 갖고 있다.For example, in Patent Document 1, in a "pre-dicing method" in which a groove of a predetermined depth is formed from the front side of the wafer and then grinding is performed from the back side of the wafer, in order to protect the front side of the wafer A pressure-sensitive adhesive sheet used is disclosed. The pressure-sensitive adhesive sheet disclosed in Patent Document 1 has a configuration in which a vibration damping layer is provided on one surface of a rigid base material and an adhesive layer is provided on the other surface of the rigid base material.

이 특허문헌 1에 개시된 점착 시트는 강성 기재의 두께와 영률, 및 진동 완화층의 두께와 동적 점탄성의 tanδ의 최댓값을 소정의 범위로 조정하였으므로, 선 다이싱법에서 BG 시트로서 사용한 경우, 극박이고 결함이나 변색이 없는 반도체 칩을 제조할 수 있다.The pressure-sensitive adhesive sheet disclosed in Patent Document 1 has the thickness and Young's modulus of the rigid substrate, and the thickness of the vibration damping layer and the maximum value of tan δ of the dynamic viscoelasticity adjusted to a predetermined range. However, it is possible to manufacture a semiconductor chip without discoloration.

일본 특허 공개 제2005-343997호 공보Japanese Patent Laid-Open No. 2005-343997

그런데, 반도체 웨이퍼의 이면 절삭 가공에 있어서, BG 시트를 첩부한 반도체 웨이퍼의 당해 BG 시트를 웨이퍼 이면 절삭기의 척 테이블 상에 설치했을 때, 당해 척 테이블 상에 부착된 이물질이 원인으로, 반도체 웨이퍼의 절삭 가공에 의해 반도체 웨이퍼에 깨짐이 발생하는 경우가 있다.By the way, in the backside cutting of a semiconductor wafer, when the BG sheet of the semiconductor wafer to which the BG sheet is affixed is installed on the chuck table of the wafer backside cutter, the foreign matter adhering to the chuck table is the cause, and the semiconductor wafer A chip|crack may generate|occur|produce in a semiconductor wafer by a cutting process.

즉, 이물질이 부착된 척 테이블 상에, BG 시트가 부착된 반도체 웨이퍼의 BG 시트를 설치하면, BG 시트는 당해 이물질의 두께만큼 당해 이물질과는 반대측이 융기되고, 반도체 웨이퍼의 이면에는 볼록부가 형성된다. 이 상태에서 반도체 웨이퍼의 이면을 절삭하면, 반도체 웨이퍼의 이면에 형성된 볼록부 부근은 다른 곳보다도 두께가 얇아지므로 깨짐이 발생하기 쉽다.That is, when a BG sheet of a semiconductor wafer with a BG sheet is installed on a chuck table to which a foreign material is attached, the BG sheet is raised on the opposite side to the foreign material by the thickness of the foreign material, and a convex portion is formed on the back surface of the semiconductor wafer do. When the back surface of the semiconductor wafer is cut in this state, the vicinity of the convex portion formed on the back surface of the semiconductor wafer becomes thinner than the other places, and thus cracks are likely to occur.

또한, 특허문헌 1에서는 이와 같은 척 테이블 상의 이물질에 의한 웨이퍼의 깨짐에 대한 검토는 이루어져 있지 않다.In addition, in patent document 1, examination about the crack of the wafer by such a foreign material on a chuck table is not made|formed.

그로 인해, 이와 같은 반도체 웨이퍼의 절삭 가공에 사용하는 점착 시트에는, 이물질이 부착된 테이블 상에 당해 점착 시트를 설치하더라도, 당해 이물질과는 반대측의 융기를 억제할 수 있을 정도의 이물질 흡수성이 요구된다.Therefore, the pressure-sensitive adhesive sheet used for cutting of such a semiconductor wafer is required to absorb foreign substances to such an extent that even if the pressure-sensitive adhesive sheet is installed on a table to which the foreign material is adhered, the uplift on the opposite side to the foreign material can be suppressed. .

본 발명은 이물질 흡수성이 우수하고, 예를 들어 반도체 웨이퍼의 연삭 가공의 BG 시트로서 사용했을 때에, 반도체 웨이퍼의 깨짐을 방지할 수 있는 점착 시트를 제공하는 것을 목적으로 한다.An object of this invention is to provide the adhesive sheet which is excellent in foreign material absorption property, and can prevent the crack of a semiconductor wafer, when it uses as a BG sheet of the grinding process of a semiconductor wafer, for example.

본 발명자들은 영률이 소정값 이상인 강성 기재의 한쪽 면측에 완충층, 다른 쪽 면측에 점착제층을 갖고, 당해 완충층이, 소정 형상의 압자를 당해 완충층에 압입했을 때의 압축 하중이 2 mN에 도달하는 데 필요한 압입 깊이가 소정값 이상인 점착 시트가 상기 과제를 해결할 수 있는 것을 발견하여, 본 발명을 완성시켰다.The present inventors have a buffer layer on one side of a rigid substrate having a Young's modulus of a predetermined value or more and an adhesive layer on the other side, and the buffer layer has a compression load of 2 mN when an indenter of a predetermined shape is pressed into the buffer layer. The pressure-sensitive adhesive sheet having a required press-in depth of a predetermined value or more was able to solve the above problems, thereby completing the present invention.

즉, 본 발명은 하기 〔1〕 내지 〔9〕를 제공하는 것이다.That is, the present invention provides the following [1] to [9].

〔1〕 영률이 1000 ㎫ 이상인 강성 기재와, 당해 강성 기재의 한쪽 면측에 설치된 완충층과, 당해 강성 기재의 다른 쪽 면측에 설치된 점착제층을 갖는 점착 시트로서,[1] An adhesive sheet comprising a rigid substrate having a Young's modulus of 1000 MPa or more, a buffer layer provided on one side of the rigid substrate, and an adhesive layer provided on the other side of the rigid substrate,

상기 완충층이, 에너지선 중합성 화합물을 포함하는 완충층 형성용 조성물로 형성되어 이루어지는 층이고, 또한 선단 곡률 반경 100 ㎚ 및 능간각(稜間角) 115 °의 삼각추 형상 압자의 선단을 10 ㎛/분의 속도로 당해 완충층에 압입했을 때의 압축 하중이 2 mN에 도달하는 데 필요한 압입 깊이(X)가 2.5 ㎛ 이상인, 점착 시트.The buffer layer is a layer formed of a composition for forming a buffer layer containing an energy-beam polymerizable compound, and the tip of the triangular pyramid-shaped indenter having a tip curvature radius of 100 nm and a rhomboid angle of 115° is 10 μm/min. The pressure-sensitive adhesive sheet having an indentation depth (X) of 2.5 µm or more required for a compressive load to reach 2 mN when press-fitted into the buffer layer at a speed of

〔2〕 상기 완충층 형성용 조성물이 상기 에너지선 중합성 화합물로서, 우레탄(메트)아크릴레이트(a1), 환 형성 원자수 6 내지 20의 지환기 또는 복소환기를 갖는 중합성 화합물(a2), 및 관능기를 갖는 중합성 화합물(a3)을 포함하는, 상기 〔1〕에 기재된 점착 시트.[2] The composition for forming a buffer layer is the energy-beam polymerizable compound, a urethane (meth)acrylate (a1), a polymerizable compound (a2) having an alicyclic or heterocyclic group having 6 to 20 ring atoms, and The adhesive sheet as described in said [1] containing the polymeric compound (a3) which has a functional group.

〔3〕 상기 완충층 형성용 조성물 중의 성분(a2)과 성분(a3)의 함유량비〔(a2)/(a3)〕가 0.5 내지 3.0인, 상기 〔2〕에 기재된 점착 시트.[3] The pressure-sensitive adhesive sheet according to [2], wherein the content ratio [(a2)/(a3)] of the component (a2) to the component (a3) in the composition for forming a buffer layer is 0.5 to 3.0.

〔4〕 성분(a2)이 지환기 함유 (메트)아크릴레이트인, 상기 〔2〕 또는 〔3〕에 기재된 점착 시트.[4] The pressure-sensitive adhesive sheet according to [2] or [3], wherein the component (a2) is an alicyclic group-containing (meth)acrylate.

〔5〕 성분(a3)이 수산기 함유 (메트)아크릴레이트인, 상기 〔2〕 내지 〔4〕 중 어느 한 항에 기재된 점착 시트.[5] The pressure-sensitive adhesive sheet according to any one of [2] to [4], wherein the component (a3) is a hydroxyl group-containing (meth)acrylate.

〔6〕 상기 완충층의 두께가 5 내지 100 ㎛인, 상기 〔1〕 내지 〔5〕 중 어느 한 항에 기재된 점착 시트.[6] The pressure-sensitive adhesive sheet according to any one of [1] to [5], wherein the buffer layer has a thickness of 5 to 100 µm.

〔7〕 상기 완충층의 －5 내지 120 ℃에 있어서의 동적 점탄성의 tanδ의 최댓값이 0.5 이상인, 상기 〔1〕 내지 〔6〕 중 어느 한 항에 기재된 점착 시트.[7] The pressure-sensitive adhesive sheet according to any one of [1] to [6], wherein the buffer layer has a maximum value of tan δ of dynamic viscoelasticity at -5 to 120°C of 0.5 or more.

〔8〕 상기 강성 기재와 상기 완충층 사이, 및 상기 강성 기재와 상기 점착제층 사이 중 적어도 한쪽에, 이(易)접착층을 갖는 상기 〔1〕 내지 〔7〕 중 어느 한 항에 기재된 점착 시트.[8] The pressure-sensitive adhesive sheet according to any one of [1] to [7], which has an easily adhesive layer between at least one of between the rigid substrate and the buffer layer and between the rigid substrate and the pressure-sensitive adhesive layer.

〔9〕 반도체 웨이퍼의 절삭 가공에 있어서, 반도체 웨이퍼의 표면측을 보호하는 백그라인드 시트로서 사용되는, 상기 〔1〕 내지 〔8〕 중 어느 한 항에 기재된 점착 시트.[9] The pressure-sensitive adhesive sheet according to any one of [1] to [8], which is used as a backgrind sheet for protecting the surface side of a semiconductor wafer in cutting processing of a semiconductor wafer.

본 발명의 점착 시트는 이물질 흡수성이 우수하다. 그로 인해, 본 발명의 점착 시트는, 예를 들어 반도체 웨이퍼의 연삭 가공의 BG 시트로서 사용했을 때에, 반도체 웨이퍼의 깨짐을 방지할 수 있다.The adhesive sheet of this invention is excellent in foreign material absorption. Therefore, when the adhesive sheet of this invention is used as a BG sheet of the grinding process of a semiconductor wafer, for example, the crack of a semiconductor wafer can be prevented.

도 1은 본 발명의 점착 시트의 구성의 일례를 도시하는 점착 시트의 단면도이다.BRIEF DESCRIPTION OF THE DRAWINGS It is sectional drawing of the adhesive sheet which shows an example of the structure of the adhesive sheet of this invention.

본 명세서의 기재에 있어서 「에너지선」이란, 예를 들어 자외선, 전자선 등을 의미하고, 자외선 또는 전자선이 바람직하다.In the description of this specification, an "energy beam" means, for example, an ultraviolet-ray, an electron beam, etc., and an ultraviolet-ray or an electron beam is preferable.

또한, 본 명세서의 기재에 있어서, 「질량 평균 분자량(Mw)」은 겔 투과 크로마토그래피(GPC)법으로 측정되는 표준 폴리스티렌 환산의 값이고, 구체적으로는 실시예에 기재된 방법에 기초하여 측정한 값이다.In addition, in the description of this specification, "mass average molecular weight (Mw)" is a standard polystyrene conversion value measured by the gel permeation chromatography (GPC) method, Specifically, the value measured based on the method described in the Example to be.

추가로, 본 명세서의 기재에 있어서 예를 들어 「(메트)아크릴레이트」란, 「아크릴레이트」와 「메타크릴레이트」의 양쪽을 의미하는 단어이고, 다른 유사 용어도 마찬가지이다.In addition, in the description of this specification, for example, "(meth)acrylate" is a word meaning both "acrylate" and "methacrylate", and other similar terms are also the same.

[점착 시트의 구성][Composition of the adhesive sheet]

본 발명의 점착 시트는 강성 기재와, 당해 강성 기재의 한쪽 면측에 설치된 완충층과, 당해 강성 기재의 다른 쪽 면측에 설치된 점착제층을 갖는 것이면, 특별히 제한되지 않는다.The pressure-sensitive adhesive sheet of the present invention is not particularly limited as long as it has a rigid substrate, a buffer layer provided on one side of the rigid substrate, and an adhesive layer provided on the other side of the rigid substrate.

도 1은 본 발명의 점착 시트의 구성의 일례를 도시하는 점착 시트의 단면도이다.BRIEF DESCRIPTION OF THE DRAWINGS It is sectional drawing of the adhesive sheet which shows an example of the structure of the adhesive sheet of this invention.

본 발명의 점착 시트 구성의 일례로서, 도 1의 (a)에 도시한 바와 같이 강성 기재(11)의 한쪽 면측에 완충층(12)을, 강성 기재(11)의 다른 쪽 면측에 점착제층(13)을 갖는 점착 시트(1a)를 들 수 있다.As an example of the configuration of the pressure-sensitive adhesive sheet of the present invention, as shown in FIG. ) and the pressure-sensitive adhesive sheet 1a.

또한, 본 발명의 점착 시트는 도 1의 (a)에 도시하는 점착 시트(1a)에 있어서, 완충층(12) 및 점착제층(13) 중 적어도 한쪽에, 박리 시트를 더 갖는 점착 시트로 할 수도 있다.In addition, in the adhesive sheet 1a shown in Fig.1 (a), the adhesive sheet of this invention can also be set as the adhesive sheet which further has a peeling sheet in at least one of the buffer layer 12 and the adhesive layer 13. have.

도 1의 (b)에 도시하는 점착 시트(1b)는 완충층(12) 및 점착제층(13)의 양쪽 면 상에, 박리 시트(14a, 14b)를 각각 설치한 구성을 갖고 있지만, 본 발명의 점착 시트는 완충층(12) 및 점착제층(13)의 한쪽에만 박리 시트를 설치한 구성일 수도 있다.The pressure-sensitive adhesive sheet 1b shown in Fig. 1(b) has a configuration in which release sheets 14a and 14b are respectively provided on both surfaces of the buffer layer 12 and the pressure-sensitive adhesive layer 13. The pressure-sensitive adhesive sheet may have a configuration in which a release sheet is provided on only one of the buffer layer 12 and the pressure-sensitive adhesive layer 13 .

또한, 본 발명의 점착 시트는 도 1의 (a) 및 (b)에 도시하는 점착 시트(1a, 1b)에 있어서, 강성 기재(11)와 완충층(12) 사이, 및 강성 기재(11)와 점착제층(13) 사이 중 적어도 한쪽에, 이접착층을 갖는 점착 시트로 할 수도 있다.Moreover, in the adhesive sheet 1a, 1b shown to Fig.1 (a) and (b), the adhesive sheet of this invention is between the rigid base material 11 and the buffer layer 12, and the rigid base material 11 and It can also be set as the adhesive sheet which has an easily bonding layer in at least one between the adhesive layers 13.

도 1의 (c) 및 (d)에 도시하는 점착 시트(1c, 1d)는 상기 점착 시트(1a, 1b)의 구성에 대해, 강성 기재(11)와 완충층(12) 사이, 및 강성 기재(11)와 점착제층(13) 사이에, 각각 이접착층(15a, 15b)을 더 설치한 구성을 갖고 있다. 또한, 본 발명의 점착 시트는 이접착층(15a, 15b)의 한쪽만을 설치한 구성일 수도 있다.The adhesive sheets 1c and 1d shown in FIGS. Between 11) and the adhesive layer 13, it has the structure which further provided the easily bonding layers 15a, 15b, respectively. Moreover, the structure in which the adhesive sheet of this invention provided only one of the easily bonding layers 15a, 15b may be sufficient.

또한, 도 1의 (d)에 도시하는 점착 시트(1d)는 완충층(12) 및 점착제층(13)의 양쪽 면 상에 박리 시트(14a, 14b)를 각각 설치한 구성을 갖고 있지만, 본 발명의 점착 시트는 완충층(12) 및 점착제층(13)의 한쪽에만 박리 시트를 설치한 구성일 수도 있다.Moreover, although the adhesive sheet 1d shown in FIG.1(d) has the structure which provided the release sheets 14a, 14b on both surfaces of the buffer layer 12 and the adhesive layer 13, respectively, this invention The pressure-sensitive adhesive sheet may have a configuration in which a release sheet is provided on only one of the buffer layer 12 and the pressure-sensitive adhesive layer 13 .

이하, 본 발명의 점착 시트를 구성하는 각 층에 관하여 상세하게 서술한다.Hereinafter, each layer which comprises the adhesive sheet of this invention is demonstrated in detail.

<강성 기재><Rigid base material>

본 발명의 점착 시트가 갖는 강성 기재는 영률이 1000 ㎫ 이상인 강성 기재이다. 영률이 1000 ㎫ 미만인 기재를 사용한 경우, 얻어지는 점착 시트를 반도체 웨이퍼에 첩부했을 때에, 당해 기재의 신장이 크기 때문에 응력이 발생하기 쉽고, 당해 점착 시트를 첩부한 후의 반도체 웨이퍼의 휨이 발생하기 쉬우므로 바람직하지 않다.The rigid base material which the adhesive sheet of this invention has is a rigid base material whose Young's modulus is 1000 MPa or more. When a substrate having a Young's modulus of less than 1000 MPa is used, when the resulting adhesive sheet is affixed to a semiconductor wafer, the elongation of the substrate is large, so stress is likely to occur, and warpage of the semiconductor wafer after affixing the adhesive sheet is likely to occur. Not desirable.

따라서, 본 발명의 점착 시트에서는 영률이 1000 ㎫ 이상인 강성 기재를 사용함으로써, 반도체 웨이퍼에 첩부한 경우에 있어서도, 기재의 신장이 작기 때문에 휨의 발생을 억제할 수 있다. 이는 예를 들어 반도체 웨이퍼의 표면에 유기막이 설치된 것과 같은 휨이 발생하기 쉬운 구성에 있어서도, 점착 시트 전체가 강성을 가지므로 반도체 웨이퍼의 휨을 억제하는 것이 가능해진다.Therefore, in the pressure-sensitive adhesive sheet of the present invention, by using a rigid base material having a Young's modulus of 1000 MPa or more, even when affixed to a semiconductor wafer, since elongation of the base material is small, the occurrence of warpage can be suppressed. This makes it possible to suppress the curvature of the semiconductor wafer since, for example, the entire adhesive sheet has rigidity even in a configuration in which curvature tends to occur, such as in the case where an organic film is provided on the surface of the semiconductor wafer.

본 발명에서 사용하는 강성 기재의 영률로서는, 얻어지는 점착 시트를 반도체 웨이퍼에 첩부했을 때에, 당해 반도체 웨이퍼의 휨을 억제하는 관점, 및 당해 점착 시트를 반도체 웨이퍼에 첩부할 때의 작업성(기계 적성)을 양호하게 하는 관점에서, 바람직하게는 1000 내지 30000 ㎫, 보다 바람직하게는 1300 내지 20000 ㎫, 더욱 바람직하게는 1600 내지 15000 ㎫, 보다 더욱 바람직하게는 1800 내지 10000 ㎫이다.As the Young's modulus of the rigid base material used in the present invention, the viewpoint of suppressing warpage of the semiconductor wafer when the obtained adhesive sheet is affixed to the semiconductor wafer, and workability (mechanical aptitude) when the adhesive sheet is affixed to the semiconductor wafer. From a viewpoint of making it favorable, Preferably it is 1000-30000 Mpa, More preferably, it is 1300-20000 Mpa, More preferably, it is 1600-15000 Mpa, More preferably, it is 1800-10000 Mpa.

또한, 본 발명의 강성 기재의 영률은 실시예에 기재된 방법에 의해 측정한 값을 의미한다.In addition, the Young's modulus of the rigid base material of this invention means the value measured by the method described in an Example.

강성 기재의 두께는 강성 기재의 영률이 상기 범위이면 특별히 제한되지는 않지만, 본 발명의 점착 시트를 반도체 웨이퍼에 부착할 때의 작업성(기계 적성)을 양호하게 하는 관점, 및 점착 시트를 반도체 웨이퍼(칩)로부터 박리할 때의 응력을 작게 하는 관점에서, 바람직하게는 10 내지 1000 ㎛, 보다 바람직하게는 20 내지 400 ㎛, 더욱 바람직하게는 25 내지 150 ㎛, 보다 더욱 바람직하게는 30 내지 120 ㎛이다.The thickness of the rigid substrate is not particularly limited as long as the Young's modulus of the rigid substrate is within the above range, but from the viewpoint of improving workability (mechanical aptitude) when the adhesive sheet of the present invention is attached to a semiconductor wafer, and the adhesive sheet is applied to a semiconductor wafer From a viewpoint of reducing the stress at the time of peeling from (chip), Preferably it is 10-1000 micrometers, More preferably, it is 20-400 micrometers, More preferably, it is 25-150 micrometers, More preferably, it is 30-120 micrometers. to be.

본 발명에서 사용하는 강성 기재로서는 영률이 상기 범위이면 특별히 제한되지는 않지만, 내수성 및 내열성의 관점에서 수지 필름이 바람직하다.The rigid substrate used in the present invention is not particularly limited as long as the Young's modulus is within the above range, but a resin film is preferable from the viewpoints of water resistance and heat resistance.

당해 수지 필름을 구성하는 수지로서는, 예를 들어 폴리에틸렌테레프탈레이트, 폴리에틸렌나프탈레이트, 폴리부틸렌테레프탈레이트, 전체 방향족 폴리에스테르 등의 폴리에스테르, 폴리아미드, 폴리이미드, 폴리아세탈, 폴리카르보네이트, 변성 폴리페닐렌옥사이드, 폴리페닐렌술피드, 폴리술폰, 폴리에테르케톤, 2축 연신 폴리프로필렌 등을 들 수 있다.Examples of the resin constituting the resin film include polyesters such as polyethylene terephthalate, polyethylene naphthalate, polybutylene terephthalate, and wholly aromatic polyester, polyamide, polyimide, polyacetal, polycarbonate, modified Polyphenylene oxide, polyphenylene sulfide, polysulfone, polyether ketone, biaxially stretched polypropylene, etc. are mentioned.

이들 수지 중에서도, 폴리에스테르, 폴리아미드, 폴리이미드, 2축 연신 폴리프로필렌으로부터 선택되는 1종 이상이 바람직하고, 폴리에스테르가 보다 바람직하고, 폴리에틸렌테레프탈레이트가 더욱 바람직하다.Among these resins, at least one selected from polyester, polyamide, polyimide, and biaxially stretched polypropylene is preferable, polyester is more preferable, and polyethylene terephthalate is still more preferable.

또한, 본 발명에서 사용하는 강성 기재는 상기의 수지로부터 선택되는 1종 또는 2종 이상의 수지를 포함하는 수지 필름의 단층 필름일 수도 있고, 이들 수지 필름을 2종 이상 적층한 적층 필름일 수도 있다.In addition, the rigid base material used in the present invention may be a single-layer film of a resin film containing one or more resins selected from the above resins, or a laminate film in which two or more of these resin films are laminated.

또한, 본 발명에서 사용하는 강성 기재에는 본 발명의 효과를 손상시키지 않는 범위에 있어서, 필러, 착색제, 대전 방지제, 산화 방지제, 유기 활제, 촉매 등을 함유시킬 수도 있다.Further, the rigid substrate used in the present invention may contain a filler, a colorant, an antistatic agent, an antioxidant, an organic lubricant, a catalyst, etc. within the range not impairing the effects of the present invention.

또한, 기재는 투명한 것일 수도 있고, 불투명한 것일 수도 있고, 소망에 따라서 착색 또는 증착되어 있을 수도 있다.In addition, the substrate may be transparent or opaque, and may be colored or vapor-deposited as desired.

또한, 본 발명에서 사용하는 강성 기재 중 적어도 한쪽의 표면에는, 완충층 및/또는 점착제층과의 밀착성을 향상시키기 위해 코로나 처리 등의 접착 처리를 실시할 수도 있고, 후술하는 이접착층을 설치할 수도 있다.In addition, at least one surface of the rigid substrate used in the present invention may be subjected to an adhesion treatment such as corona treatment in order to improve adhesion with the buffer layer and/or the pressure-sensitive adhesive layer, or an easily adhesive layer described later may be provided.

<완충층><Buffer layer>

본 발명의 점착 시트가 갖는 완충층은 에너지선 중합성 화합물을 포함하는 완충층 형성용 조성물로 형성되어 이루어지는 층이고, 선단 곡률 반경 100 ㎚ 및 능간각 115 °의 삼각추 형상 압자의 선단을 10 ㎛/분의 속도로 당해 완충층에 압입했을 때의 압축 하중이 2 mN에 도달하는 데 필요한 압입 깊이(X)(이하, 단순히 「압입 깊이(X)」라고도 함)가 2.5 ㎛ 이상이 되도록 조정된 층이다.The buffer layer of the pressure-sensitive adhesive sheet of the present invention is a layer formed of a composition for forming a buffer layer containing an energy ray polymerizable compound, and the tip of a triangular pyramid-shaped indenter having a tip curvature radius of 100 nm and a ridge angle of 115° is 10 μm/min. It is a layer adjusted so that the indentation depth X (hereinafter simply referred to as "indentation depth X") required for a compressive load to reach 2 mN when press-fitted into the buffer layer at a speed is 2.5 µm or more.

완충층은 에너지선 중합성 화합물을 포함하는 완충층 형성용 조성물로 형성되어 이루어지는 층이므로, 완충층 형성용 조성물의 조성 선택에 의해 점탄성을 조정하는 것이 비교적 용이하다. 그로 인해, 예를 들어 점착 시트를 BG 시트로서 사용한 경우에, 반도체 웨이퍼의 연삭에 의한 진동이 완화되지 않아, 반도체 웨이퍼에 깨짐이나 결함이 발생하거나, 점착 시트 배면이 진공 테이블로부터 떠 버리는 등의 문제 발생을 억제할 수 있다.Since the buffer layer is a layer formed of the composition for forming a buffer layer containing an energy ray polymerizable compound, it is relatively easy to adjust the viscoelasticity by selecting the composition of the composition for forming the buffer layer. Therefore, for example, when an adhesive sheet is used as a BG sheet, vibration due to grinding of the semiconductor wafer is not alleviated, cracks or defects occur in the semiconductor wafer, or the back surface of the adhesive sheet floats off the vacuum table. occurrence can be suppressed.

또한, 본 발명자들은 점착 시트의 구성에 있어서 상기의 압입 깊이(X)를 2.5 ㎛ 이상이 되도록 조정된 완충층을 설치함으로써 이물질 흡수성을 향상시켜, 예를 들어 본 발명의 점착 시트를 반도체 웨이퍼의 연삭 가공의 BG 시트로서 사용했을 때에, 반도체 웨이퍼의 깨짐을 효과적으로 방지할 수 있는 것을 발견하였다.In addition, the present inventors improve foreign material absorption by providing a buffer layer adjusted so that the above-mentioned press-in depth (X) may be 2.5 µm or more in the structure of the pressure-sensitive adhesive sheet, for example, grinding the pressure-sensitive adhesive sheet of the present invention to a semiconductor wafer When used as a BG sheet of , it was found that cracking of a semiconductor wafer can be effectively prevented.

한편, 당해 압입 깊이(X)가 2.5 ㎛ 미만인 완충층을 갖는 점착 시트의 경우, 이물질 흡수성이 충분히 향상되지 않아, 당해 점착 시트를 반도체 웨이퍼의 연삭 가공의 BG 시트로서 사용했을 때에 반도체 웨이퍼의 깨짐이 발생하기 쉬워지는 경향이 있다.On the other hand, in the case of the pressure-sensitive adhesive sheet having a buffer layer in which the indentation depth (X) is less than 2.5 µm, the foreign material absorption property is not sufficiently improved, and cracking of the semiconductor wafer occurs when the pressure-sensitive adhesive sheet is used as a BG sheet for grinding a semiconductor wafer. tends to be easier to do.

상기의 압입 깊이(X)는 얻어지는 점착 시트의 이물질 흡수성을 향상시키는 관점에서, 바람직하게는 2.5 내지 20.0 ㎛, 보다 바람직하게는 2.8 내지 15.0 ㎛, 더욱 바람직하게는 3.0 내지 10.0 ㎛, 보다 더욱 바람직하게는 3.2 내지 7.0 ㎛이다.The indentation depth (X) is preferably from 2.5 to 20.0 μm, more preferably from 2.8 to 15.0 μm, still more preferably from 3.0 to 10.0 μm, still more preferably from the viewpoint of improving the absorbency of foreign substances of the obtained pressure-sensitive adhesive sheet. is 3.2 to 7.0 μm.

또한, 본 발명에 있어서 당해 압입 깊이(X)는 실시예에 기재된 방법에 의해 측정된 값을 의미한다.In addition, in this invention, the said press-in depth X means the value measured by the method as described in an Example.

또한, 당해 압입 깊이(X)는 완충층을 형성하는 완충층 형성용 조성물 중에 포함되는 성분의 종류나 함유량, 완충층의 경화 정도 등을 적절히 바꿈으로써, 상기 범위에 속하도록 조정하는 것이 가능하다.In addition, the said press-in depth (X) can be adjusted so that it may fall within the said range by changing suitably the kind and content of the component contained in the composition for buffer layer formation which forms a buffer layer, the hardening degree of a buffer layer, etc.

완충층의 －5 내지 120 ℃에 있어서의 동적 점탄성의 tanδ의 최댓값(이하, 단순히 「tanδ의 최댓값」이라고도 함)은 바람직하게는 0.5 이상, 보다 바람직하게는 0.8 이상, 더욱 바람직하게는 1.0 이상, 보다 더욱 바람직하게는 1.2 이상이다.The maximum value of tan δ of the dynamic viscoelasticity at -5 to 120° C. of the buffer layer (hereinafter also simply referred to as “the maximum value of tan δ”) is preferably 0.5 or more, more preferably 0.8 or more, still more preferably 1.0 or more, more More preferably, it is 1.2 or more.

완충층의 tanδ의 최댓값이 0.5 이상이면, 선 다이싱법에 있어서, 얻어지는 점착 시트를 칩군에 첩부하여, 당해 칩군의 이면의 연삭 가공 시에 지석의 진동이나 충격을 완충층이 흡수하는 효과가 보다 높기 때문에, 칩군을 100 ㎛ 이하가 될 때까지 연삭하더라도 귀퉁이가 깨지거나, 연삭면이 변색되거나 하는 것을 억제할 수 있다.If the maximum value of tan δ of the buffer layer is 0.5 or more, in the wire dicing method, the obtained adhesive sheet is attached to the chip group, and the buffer layer absorbs vibrations and shocks of the grindstone at the time of grinding the back surface of the chip group. Even if the chip group is ground to a thickness of 100 µm or less, it is possible to suppress cracks in the corners and discoloration of the grinding surface.

또한 tanδ는 손실 정접이라고 불리고, 「손실 탄성률/저장 탄성률」로 정의되며, 동적 점탄성 측정 장치에 의해 대상물에 부여한 인장 응력이나 비틀림 응력 등의 응력에 대한 응답에 의해 측정되는 값이고, 구체적으로는 실시예에 기재된 방법에 의해 측정된 값을 의미한다.In addition, tanδ is called loss tangent and is defined as "loss modulus/storage modulus", and is a value measured in response to stress such as tensile stress or torsional stress applied to an object by a dynamic viscoelasticity measuring device. It means a value measured by the method described in the example.

또한, 이 완충층의 tanδ의 최댓값은 상술한 압입 깊이(X)와는 의존하지 않는다.In addition, the maximum value of tan-delta of this buffer layer does not depend on the above-mentioned indentation depth X.

본 발명의 점착 시트가 갖는 완충층은 에너지선 중합성 화합물을 포함하는 완충층 형성용 조성물로 형성되어 이루어지는 층이다.The buffer layer which the adhesive sheet of this invention has is a layer formed from the composition for buffer layer formation containing an energy-beam polymeric compound.

당해 완충층 형성용 조성물 중에 포함되는 에너지선 중합성 화합물로서는, 압입 깊이(X)를 상술한 범위가 되는 완충층을 형성할 수 있는 화합물이면 특별히 제한은 없고, 예를 들어 광경화성 수지 또는 단량체 등을 사용할 수 있다.The energy-beam polymerizable compound contained in the composition for forming a buffer layer is not particularly limited as long as it is a compound capable of forming a buffer layer having an indentation depth (X) within the above-mentioned range. For example, a photocurable resin or monomer may be used. can

단, 압입 깊이(X)를 상술한 범위가 되도록 조정하는 관점에서, 에너지선 중합성 화합물로서, 우레탄(메트)아크릴레이트(a1), 환 형성 원자수 6 내지 20의 지환기 또는 복소환기를 갖는 중합성 화합물(a2), 및 관능기를 갖는 중합성 화합물(a3)을 포함하는 완충층 형성용 조성물이 바람직하다.However, from the viewpoint of adjusting the indentation depth (X) to be within the above-mentioned range, as an energy-beam polymerizable compound, having urethane (meth)acrylate (a1), an alicyclic group having 6 to 20 ring atoms, or a heterocyclic group A composition for forming a buffer layer comprising a polymerizable compound (a2) and a polymerizable compound (a3) having a functional group is preferred.

또한, 완충층 형성용 조성물은 광 중합 개시제를 함유하는 것이 바람직하고, 본 발명의 효과를 손상시키지 않는 범위에 있어서, 그 밖의 첨가제나 수지 성분을 함유할 수도 있다.Moreover, it is preferable that the composition for buffer layer formation contains a photoinitiator, and it is a range which does not impair the effect of this invention. WHEREIN: Other additives and a resin component may be contained.

이하, 완충층 형성용 조성물 중에 포함되는 각 성분에 대해 설명한다.Hereinafter, each component contained in the composition for buffer layer formation is demonstrated.

[우레탄(메트)아크릴레이트(a1)][Urethane (meth)acrylate (a1)]

본 발명에서 사용하는 우레탄(메트)아크릴레이트(a1)로서는, 적어도 (메트)아크릴로일기 및 우레탄 결합을 갖는 화합물이고, 에너지선 조사에 의해 중합 경화되는 성질을 갖는 것이다.The urethane (meth)acrylate (a1) used in the present invention is a compound having at least a (meth)acryloyl group and a urethane bond, and has a property of polymerization and curing by energy ray irradiation.

우레탄(메트)아크릴레이트(a1)는 올리고머, 고분자량체, 또는 이들의 혼합물 중 어느 것일 수 있지만, 우레탄(메트)아크릴레이트 올리고머가 바람직하다.The urethane (meth)acrylate (a1) may be any of oligomers, high molecular weights, or mixtures thereof, but urethane (meth)acrylate oligomers are preferred.

성분(a1)의 질량 평균 분자량(Mw)은 바람직하게는 1,000 내지 100,000, 보다 바람직하게는 2,000 내지 60,000, 더욱 바람직하게는 3,000 내지 20,000이다.The mass average molecular weight (Mw) of component (a1) is preferably from 1,000 to 100,000, more preferably from 2,000 to 60,000, still more preferably from 3,000 to 20,000.

또한, 성분(a1) 중의 (메트)아크릴로일기수(이하, 「관능기수」라고도 함)로서는, 단관능, 2관능 또는 3관능 이상일 수 있지만, 단관능 또는 2관능인 것이 바람직하다. Moreover, as the number of (meth)acryloyl groups in the component (a1) (hereinafter also referred to as "the number of functional groups"), although monofunctional, bifunctional, or trifunctional or more, it is preferable that it is monofunctional or bifunctional.

성분(a1)은, 예를 들어 폴리올 화합물과, 다가 이소시아네이트 화합물을 반응시켜 얻어지는 말단 이소시아네이트우레탄 예비 중합체에, 히드록실기를 갖는 (메트)아크릴레이트를 반응시켜 얻을 수 있다.A component (a1) can be obtained by making the (meth)acrylate which has a hydroxyl group react with the terminal isocyanate urethane prepolymer obtained by making a polyol compound and a polyvalent isocyanate compound react, for example.

또한, 성분(a1)은 단독으로 또는 2종 이상을 조합하여 사용할 수도 있다.In addition, component (a1) can also be used individually or in combination of 2 or more types.

성분(a1)의 원료가 되는 폴리올 화합물은 히드록시기를 2개 이상 갖는 화합물이면 특별히 한정되지 않는다.The polyol compound used as the raw material of component (a1) will not be specifically limited if it is a compound which has two or more hydroxyl groups.

구체적인 폴리올 화합물로서는, 예를 들어 알킬렌디올, 폴리에테르형 폴리올, 폴리에스테르형 폴리올, 폴리카르보네이트형 폴리올 등을 들 수 있다.Specific examples of the polyol compound include alkylenediol, polyether-type polyol, polyester-type polyol, and polycarbonate-type polyol.

이들 중에서도, 폴리에스테르형 폴리올이 바람직하다.Among these, polyester-type polyols are preferable.

또한, 폴리올 화합물로서는, 2관능의 디올, 3관능의 트리올, 4관능 이상의 폴리올 중 어느 것일 수 있지만, 2관능의 디올이 바람직하고, 폴리에스테르형 디올이 보다 바람직하다.Moreover, although any of a bifunctional diol, a trifunctional triol, and a tetrafunctional or more than a polyol can be used as a polyol compound, a bifunctional diol is preferable and polyester-type diol is more preferable.

다가 이소시아네이트 화합물로서는, 예를 들어 테트라메틸렌디이소시아네이트, 헥사메틸렌디이소시아네이트, 트리메틸헥사메틸렌디이소시아네이트 등의 지방족계 폴리이소시아네이트류; 이소포론디이소시아네이트, 노르보르난디이소시아네이트, 디시클로헥실메탄-4,4'-디이소시아네이트, 디시클로헥실메탄-2,4'-디이소시아네이트, ω,ω'-디이소시아네이트디메틸시클로헥산 등의 지환족계 디이소시아네이트류; 4,4'-디페닐메탄디이소시아네이트, 톨릴렌디이소시아네이트, 크실릴렌디이소시아네이트, 톨리딘디이소시아네이트, 테트라메틸렌크실렌디이소시아네이트, 나프탈렌-1,5-디이소시아네이트 등의 방향족계 디이소시아네이트류 등을 들 수 있다.As a polyhydric isocyanate compound, For example, aliphatic polyisocyanate, such as tetramethylene diisocyanate, hexamethylene diisocyanate, and trimethyl hexamethylene diisocyanate; Alicyclic type such as isophorone diisocyanate, norbornane diisocyanate, dicyclohexylmethane-4,4'-diisocyanate, dicyclohexylmethane-2,4'-diisocyanate, ω,ω'-diisocyanate dimethylcyclohexane diisocyanates; Aromatic diisocyanates, such as 4,4'- diphenylmethane diisocyanate, tolylene diisocyanate, xylylene diisocyanate, tolidine diisocyanate, tetramethylene xylene diisocyanate, and naphthalene-1,5-diisocyanate, etc. are mentioned. .

이들 중에서도, 이소포론디이소시아네이트, 헥사메틸렌디이소시아네이트, 크실릴렌디이소시아네이트가 바람직하다.Among these, isophorone diisocyanate, hexamethylene diisocyanate, and xylylene diisocyanate are preferable.

상술한 폴리올 화합물과, 다가 이소시아네이트 화합물을 반응시켜 얻어지는 말단 이소시아네이트우레탄 예비 중합체에, 히드록시기를 갖는 (메트)아크릴레이트를 반응시켜 우레탄(메트)아크릴레이트(a1)를 얻을 수 있다.The urethane (meth)acrylate (a1) can be obtained by making the (meth)acrylate which has a hydroxyl group react with the terminal isocyanate urethane prepolymer obtained by making the above-mentioned polyol compound and polyhydric isocyanate compound react.

히드록시기를 갖는 (메트)아크릴레이트로서는, 적어도 1 분자 중에 히드록시기 및 (메트)아크릴로일기를 갖는 화합물이면 특별히 한정되지 않는다.As (meth)acrylate which has a hydroxyl group, if it is a compound which has a hydroxyl group and a (meth)acryloyl group in at least 1 molecule, it will not specifically limit.

구체적인 히드록시기를 갖는 (메트)아크릴레이트로서는, 예를 들어 2-히드록시에틸(메트)아크릴레이트, 2-히드록시프로필(메트)아크릴레이트, 4-히드록시부틸(메트)아크릴레이트, 4-히드록시시클로헥실(메트)아크릴레이트, 5-히드록시시클로옥틸(메트)아크릴레이트, 2-히드록시-3-페닐옥시프로필(메트)아크릴레이트, 펜타에리트리톨트리(메트)아크릴레이트, 폴리에틸렌글리콜모노(메트)아크릴레이트, 폴리프로필렌글리콜모노(메트)아크릴레이트 등의 히드록시알킬(메트)아크릴레이트; N-메틸올(메트)아크릴아미드 등의 히드록시기 함유 (메트)아크릴아미드; 비닐알코올, 비닐페놀, 비스페놀 A의 디글리시딜에스테르에 (메트)아크릴산을 반응시켜 얻어지는 반응물 등을 들 수 있다.As (meth)acrylate which has a specific hydroxyl group, 2-hydroxyethyl (meth)acrylate, 2-hydroxypropyl (meth)acrylate, 4-hydroxybutyl (meth)acrylate, 4-hydroxy Oxycyclohexyl (meth) acrylate, 5-hydroxycyclooctyl (meth) acrylate, 2-hydroxy-3-phenyloxypropyl (meth) acrylate, pentaerythritol tri (meth) acrylate, polyethylene glycol mono hydroxyalkyl (meth)acrylates such as (meth)acrylate and polypropylene glycol mono(meth)acrylate; Hydroxyl group-containing (meth)acrylamide, such as N-methylol (meth)acrylamide; The reaction product obtained by making (meth)acrylic acid react with the diglycidyl ester of vinyl alcohol, vinylphenol, and bisphenol A, etc. are mentioned.

이들 중에서도, 히드록시알킬(메트)아크릴레이트가 바람직하고, 2-히드록시에틸(메트)아크릴레이트가 보다 바람직하다.Among these, hydroxyalkyl (meth)acrylate is preferable and 2-hydroxyethyl (meth)acrylate is more preferable.

말단 이소시아네이트우레탄 예비 중합체 및 히드록시기를 갖는 (메트)아크릴레이트를 반응시키는 조건으로서는, 필요에 따라서 첨가되는 용제, 촉매의 존재 하, 60 내지 100 ℃에서, 1 내지 4시간 반응시키는 조건이 바람직하다.As the conditions for reacting the terminal isocyanate urethane prepolymer and the (meth)acrylate having a hydroxyl group, in the presence of a solvent and a catalyst added as needed, the conditions for reacting at 60 to 100° C. for 1 to 4 hours are preferable.

완충층 형성용 조성물 중의 성분(a1)의 함유량은 압입 깊이(X)가 상술한 범위가 되는 완충층을 형성하는 관점에서, 완충층 형성용 조성물의 전량(100 질량％)에 대해 바람직하게는 10 내지 70 질량％, 보다 바람직하게는 20 내지 60 질량％, 더욱 바람직하게는 25 내지 55 질량％, 보다 더욱 바람직하게는 30 내지 50 질량％이다.The content of the component (a1) in the composition for forming a buffer layer is preferably 10 to 70 mass with respect to the total amount (100 mass%) of the composition for forming a buffer layer from the viewpoint of forming a buffer layer having an indentation depth (X) in the above-mentioned range. %, more preferably 20 to 60 mass%, still more preferably 25 to 55 mass%, still more preferably 30 to 50 mass%.

[환 형성 원자수 6 내지 20의 지환기 또는 복소환기를 갖는 중합성 화합물(a2)][Polymerizable compound (a2) having an alicyclic or heterocyclic group having 6 to 20 ring atoms]

본 발명에서 사용하는 성분(a2)은 환 형성 원자수 6 내지 20의 지환기 또는 복소환기를 갖는 중합성 화합물이고, 적어도 1개의 (메트)아크릴로일기를 갖는 화합물인 것이 바람직하다. 이 성분(a2)을 사용함으로써, 얻어지는 완충층 형성용 조성물의 성막성을 향상시킬 수 있다.The component (a2) used in the present invention is a polymerizable compound having an alicyclic or heterocyclic group having 6 to 20 ring atoms, and is preferably a compound having at least one (meth)acryloyl group. By using this component (a2), the film-forming property of the composition for buffer layer formation obtained can be improved.

성분(a2)이 갖는 지환기 또는 복소환기의 환 형성 원자수는 바람직하게는 6 내지 20이지만, 보다 바람직하게는 6 내지 18, 더욱 바람직하게는 6 내지 16, 보다 더욱 바람직하게는 7 내지 12이다.The number of ring atoms of the alicyclic or heterocyclic group in the component (a2) is preferably 6 to 20, more preferably 6 to 18, still more preferably 6 to 16, still more preferably 7 to 12. .

당해 복소환기의 환 구조를 형성하는 원자로서는, 예를 들어 탄소 원자, 질소 원자, 산소 원자, 황 원자 등을 들 수 있다.As an atom which forms the ring structure of the said heterocyclic group, a carbon atom, a nitrogen atom, an oxygen atom, a sulfur atom etc. are mentioned, for example.

또한, 본 발명에 있어서 환 형성 원자수란, 원자가 환상으로 결합한 구조의 화합물의 당해 환 자체를 구성하는 원자의 수를 나타내고, 환을 구성하지 않는 원자(예를 들어, 환을 구성하는 원자에 결합한 수소 원자)나, 당해 환이 치환기에 의해 치환되는 경우의 치환기에 포함되는 원자는 환 형성 원자수에는 포함하지 않는다.In the present invention, the number of ring atoms refers to the number of atoms constituting the ring itself of the compound having a structure in which atoms are bonded in a ring, and atoms not constituting the ring (for example, atoms bonded to atoms constituting the ring) hydrogen atom) or an atom included in the substituent when the ring is substituted with a substituent is not included in the number of ring forming atoms.

구체적인 성분(a2)으로서는, 예를 들어 이소보르닐(메트)아크릴레이트, 디시클로펜테닐(메트)아크릴레이트, 디시클로펜타닐(메트)아크릴레이트, 디시클로펜테닐옥시(메트)아크릴레이트, 시클로헥실(메트)아크릴레이트, 아다만탄(메트)아크릴레이트 등의 지환기 함유 (메트)아크릴레이트; 테트라히드로푸르푸릴(메트)아크릴레이트, 모르폴린(메트)아크릴레이트 등의 복소환기 함유 (메트)아크릴레이트 등을 들 수 있다.As a specific component (a2), for example, isobornyl (meth)acrylate, dicyclopentenyl (meth)acrylate, dicyclopentanyl (meth)acrylate, dicyclopentenyloxy (meth)acrylate, cyclo alicyclic group-containing (meth)acrylates such as hexyl (meth)acrylate and adamantane (meth)acrylate; Heterocyclic group containing (meth)acrylates, such as tetrahydrofurfuryl (meth)acrylate and morpholine (meth)acrylate, etc. are mentioned.

또한, 성분(a2)은 단독으로 또는 2종 이상을 조합하여 사용할 수도 있다.In addition, a component (a2) can also be used individually or in combination of 2 or more types.

이들 중에서도, 지환기 함유 (메트)아크릴레이트가 바람직하고, 이소보르닐(메트)아크릴레이트가 보다 바람직하다.Among these, alicyclic group-containing (meth)acrylate is preferable, and isobornyl (meth)acrylate is more preferable.

완충층 형성용 조성물 중의 성분(a2)의 함유량은 압입 깊이(X)가 상술한 범위가 되는 완충층을 형성하는 관점, 및 얻어지는 완충층 형성용 조성물의 성막성을 향상시키는 관점에서, 완충층 형성용 조성물의 전량(100 질량％)에 대해 바람직하게는 10 내지 70 질량％, 보다 바람직하게는 20 내지 60 질량％, 더욱 바람직하게는 25 내지 55 질량％, 보다 더욱 바람직하게는 30 내지 50 질량％이다.The content of the component (a2) in the composition for forming a buffer layer is the total amount of the composition for forming a buffer layer from the viewpoint of forming a buffer layer having an indentation depth (X) in the above-mentioned range, and from the viewpoint of improving the film formability of the composition for forming a buffer layer obtained. (100 mass %) Preferably it is 10-70 mass %, More preferably, it is 20-60 mass %, More preferably, it is 25-55 mass %, More preferably, it is 30-50 mass %.

[관능기를 갖는 중합성 화합물(a3)][Polymeric compound (a3) having a functional group]

본 발명에서 사용하는 성분(a3)은 수산기, 에폭시기, 아미드기, 아미노기 등의 관능기를 함유하는 중합성 화합물이고, 적어도 1개의 (메트)아크릴로일기를 갖는 화합물인 것이 바람직하다.The component (a3) used in the present invention is a polymerizable compound containing a functional group such as a hydroxyl group, an epoxy group, an amide group and an amino group, and is preferably a compound having at least one (meth)acryloyl group.

성분(a3)은 성분(a1)과의 상용성이 양호하며, 완충층 형성용 조성물의 점도를 적당한 범위로 조정하고, 당해 조성물로 형성되는 완충층의 탄성률도 적당한 범위로 할 수 있다. 그로 인해, 이 성분(a3)을 사용함으로써 압입 깊이(X)가 상술한 범위가 되는 완충층을 형성할 수 있다.The component (a3) has good compatibility with the component (a1), the viscosity of the composition for forming a buffer layer can be adjusted to an appropriate range, and the elastic modulus of the buffer layer formed from the composition can also be made into an appropriate range. Therefore, by using this component (a3), the buffer layer from which the press-in depth X becomes the above-mentioned range can be formed.

성분(a3)으로서는, 예를 들어 수산기 함유 (메트)아크릴레이트, 에폭시기 함유 (메트)아크릴레이트, 아미드기 함유 화합물, 아미노기 함유 (메트)아크릴레이트 등을 들 수 있다.Examples of the component (a3) include hydroxyl group-containing (meth)acrylate, epoxy group-containing (meth)acrylate, amide group-containing compound, amino group-containing (meth)acrylate, and the like.

수산기 함유 (메트)아크릴레이트로서는, 예를 들어 2-히드록시에틸(메트)아크릴레이트, 2-히드록시프로필(메트)아크릴레이트, 3-히드록시프로필(메트)아크릴레이트, 2-히드록시부틸(메트)아크릴레이트, 3-히드록시부틸(메트)아크릴레이트, 4-히드록시부틸(메트)아크릴레이트, 페닐히드록시프로필(메트)아크릴레이트 등을 들 수 있다.Examples of the hydroxyl group-containing (meth)acrylate include 2-hydroxyethyl (meth)acrylate, 2-hydroxypropyl (meth)acrylate, 3-hydroxypropyl (meth)acrylate, and 2-hydroxybutyl (meth)acrylate, 3-hydroxybutyl (meth)acrylate, 4-hydroxybutyl (meth)acrylate, phenylhydroxypropyl (meth)acrylate, etc. are mentioned.

에폭시기 함유 (메트)아크릴레이트로서는, 예를 들어 글리시딜(메트)아크릴레이트, 메틸글리시딜(메트)아크릴레이트, 알릴글리시딜에테르 등을 들 수 있다.As an epoxy-group containing (meth)acrylate, glycidyl (meth)acrylate, methylglycidyl (meth)acrylate, allyl glycidyl ether, etc. are mentioned, for example.

아미드기 함유 화합물로서는, 예를 들어 (메트)아크릴아미드, N,N-디메틸(메트)아크릴아미드, N-부틸(메트)아크릴아미드, N-메틸올(메트)아크릴아미드, N-메틸올프로판(메트)아크릴아미드, N-메톡시메틸(메트)아크릴아미드, N-부톡시메틸(메트)아크릴아미드 등을 들 수 있다.Examples of the amide group-containing compound include (meth)acrylamide, N,N-dimethyl (meth)acrylamide, N-butyl (meth)acrylamide, N-methylol (meth)acrylamide, N-methylolpropane (meth)acrylamide, N-methoxymethyl (meth)acrylamide, N-butoxymethyl (meth)acrylamide, etc. are mentioned.

아미노기 함유 (메트)아크릴레이트로서는, 예를 들어 제1급 아미노기 함유 (메트)아크릴레이트, 제2급 아미노기 함유 (메트)아크릴레이트, 제3급 아미노기 함유 (메트)아크릴레이트 등을 들 수 있다.Examples of the amino group-containing (meth)acrylate include primary amino group-containing (meth)acrylate, secondary amino group-containing (meth)acrylate, and tertiary amino group-containing (meth)acrylate.

또한, 성분(a3)은 단독으로 또는 2종 이상을 조합하여 사용할 수도 있다.In addition, a component (a3) can also be used individually or in combination of 2 or more type.

이들 중에서도, 압입 깊이(X)가 상술한 범위가 되는 완충층을 형성하는 관점에서, 수산기 함유 (메트)아크릴레이트가 바람직하고, 페닐히드록시프로필(메트)아크릴레이트 등의 방향환을 갖는 수산기 함유 (메트)아크릴레이트가 보다 바람직하다.Among these, from the viewpoint of forming a buffer layer having an indentation depth (X) within the above range, hydroxyl group-containing (meth)acrylate is preferable, and hydroxyl group-containing ( Meth)acrylate is more preferable.

완충층 형성용 조성물 중의 성분(a3)의 함유량은 압입 깊이(X)가 상술한 범위가 되는 완충층을 형성하는 관점, 및 얻어지는 완충층 형성용 조성물의 성막성을 향상시키는 관점에서, 완충층 형성용 조성물의 전량(100 질량％)에 대해 바람직하게는 5 내지 40 질량％, 보다 바람직하게는 7 내지 35 질량％, 더욱 바람직하게는 10 내지 30 질량％, 보다 더욱 바람직하게는 13 내지 25 질량％이다.The content of the component (a3) in the composition for forming a buffer layer is the total amount of the composition for forming a buffer layer from the viewpoint of forming a buffer layer having an indentation depth (X) in the above-mentioned range, and from the viewpoint of improving the film formability of the composition for forming a buffer layer obtained. (100 mass %) Preferably it is 5-40 mass %, More preferably, it is 7-35 mass %, More preferably, it is 10-30 mass %, More preferably, it is 13-25 mass %.

또한, 완충층 형성용 조성물 중의 성분(a2)과 성분(a3)의 함유량비〔(a2)/(a3)〕는 바람직하게는 0.5 내지 3.0, 보다 바람직하게는 1.0 내지 3.0, 더욱 바람직하게는 1.3 내지 3.0, 보다 더욱 바람직하게는 1.5 내지 2.8이다.The content ratio [(a2)/(a3)] of the component (a2) to the component (a3) in the composition for forming a buffer layer is preferably 0.5 to 3.0, more preferably 1.0 to 3.0, still more preferably 1.3 to 3.0, even more preferably 1.5 to 2.8.

당해 함유량비가 0.5 이상이면, 얻어지는 완충층 형성용 조성물의 성막성을 양호하게 할 수 있다. 한편, 당해 함유량비가 3.0 이하이면, 압입 깊이(X)가 상술한 범위가 되는 완충층을 형성할 수 있다.The film-forming property of the composition for buffer layer formation obtained as the said content ratio is 0.5 or more can be made favorable. On the other hand, if the said content ratio is 3.0 or less, the buffer layer used as the range mentioned above in press-in depth X can be formed.

[성분(a1) 내지 (a3) 이외의 중합성 화합물][Polymerizable compounds other than components (a1) to (a3)]

완충층 형성용 조성물에는 본 발명의 효과를 손상시키지 않는 범위에 있어서, 상기의 성분(a1) 내지 (a3) 이외의 그 밖의 중합성 화합물을 함유할 수도 있다.The composition for buffer layer formation may contain other polymeric compounds other than said component (a1)-(a3) in the range which does not impair the effect of this invention.

그 밖의 중합성 화합물로서는, 예를 들어 탄소수 1 내지 20의 알킬기를 갖는 알킬(메트)아크릴레이트; 스티렌, 히드록시에틸비닐에테르, 히드록시부틸비닐에테르, N-비닐포름아미드, N-비닐피롤리돈, N-비닐카프로락탐 등의 비닐 화합물 등을 들 수 있다.As another polymeric compound, For example, the alkyl (meth)acrylate which has a C1-C20 alkyl group; and vinyl compounds such as styrene, hydroxyethyl vinyl ether, hydroxybutyl vinyl ether, N-vinylformamide, N-vinylpyrrolidone, and N-vinylcaprolactam.

또한, 이들 그 밖의 중합성 화합물은 단독으로 또는 2종 이상을 조합하여 사용할 수도 있다.In addition, these other polymeric compounds can also be used individually or in combination of 2 or more type.

완충층 형성용 조성물 중 그 밖의 중합성 화합물의 함유량은, 바람직하게는 0 내지 20 질량％, 보다 바람직하게는 0 내지 10 질량％, 더욱 바람직하게는 0 내지 5 질량％, 보다 더욱 바람직하게는 0 내지 2 질량％이다.Content of the other polymeric compound in the composition for buffer layer formation becomes like this. Preferably it is 0-20 mass %, More preferably, it is 0-10 mass %, More preferably, it is 0-5 mass %, More preferably, it is 0 to It is 2 mass %.

(광 중합 개시제)(Photoinitiator)

완충층 형성용 조성물에는 완충층을 형성할 때, 광 조사에 의한 중합 시간의 단축 및 광 조사량의 저감의 관점에서, 광 중합 개시제를 더 함유하는 것이 바람직하다.When forming a buffer layer in the composition for buffer layer formation, it is preferable to contain a photoinitiator further from a viewpoint of shortening of polymerization time by light irradiation, and reduction of light irradiation amount.

광 중합 개시제로서는, 예를 들어 벤조인 화합물, 아세토페논 화합물, 아실포스핀옥사이드 화합물, 티타노센 화합물, 티오크산톤 화합물, 퍼옥사이드 화합물 등의 광 중합 개시제, 아민이나 퀴논 등의 광 증감제 등을 들 수 있고, 보다 구체적으로는, 예를 들어, 1-히드록시시클로헥실페닐케톤, 2-히드록시-2-메틸-1-페닐-프로판-1-온, 벤조인, 벤조인메틸에테르, 벤조인에틸에테르, 벤조인이소프로필에테르 등을 들 수 있다.As a photoinitiator, for example, a photoinitiator, such as a benzoin compound, an acetophenone compound, an acylphosphine oxide compound, a titanocene compound, a thioxanthone compound, a peroxide compound, Photosensitizers, such as an amine and a quinone, etc. More specifically, for example, 1-hydroxycyclohexylphenyl ketone, 2-hydroxy-2-methyl-1-phenyl-propan-1-one, benzoin, benzoinmethyl ether, benzo In ethyl ether, benzoin isopropyl ether, etc. are mentioned.

이들 광 중합 개시제는 단독으로 또는 2종 이상을 조합하여 사용할 수 있다.These photoinitiators can be used individually or in combination of 2 or more types.

완충층 형성용 조성물 중의 광 중합 개시제의 함유량은 에너지선 중합성 화합물의 합계량 100 질량부에 대해, 바람직하게는 0.05 내지 15 질량부, 보다 바람직하게는 0.1 내지 10 질량부, 더욱 바람직하게는 0.3 내지 5 질량부이다.To [ content of the photoinitiator in the composition for buffer layer formation / 100 mass parts of total amounts of an energy-beam polymeric compound ], Preferably it is 0.05-15 mass parts, More preferably, it is 0.1-10 mass parts, More preferably, 0.3-5 mass parts is the mass part.

(그 밖의 첨가제)(Other additives)

완충층 형성용 조성물에는 본 발명의 효과를 손상시키지 않는 범위에 있어서, 그 밖의 첨가제를 함유할 수도 있다.The composition for forming a buffer layer may contain other additives as long as the effects of the present invention are not impaired.

그 밖의 첨가제로서는, 예를 들어 산화 방지제, 연화제(가소제), 충전제, 방청제, 안료, 염료 등을 들 수 있다.As another additive, antioxidant, a softener (plasticizer), a filler, a rust preventive agent, a pigment, dye etc. are mentioned, for example.

이들 첨가제를 배합하는 경우, 완충층 형성용 조성물 중의 각 첨가제의 함유량은 에너지선 중합성 화합물의 합계량 100 질량부에 대해, 바람직하게는 0.01 내지 6 질량부, 보다 바람직하게는 0.1 내지 3 질량부이다.When blending these additives, the content of each additive in the composition for forming a buffer layer is preferably 0.01 to 6 parts by mass, more preferably 0.1 to 3 parts by mass with respect to 100 parts by mass of the total amount of the energy-beam polymerizable compound.

(수지 성분)(resin component)

완충층 형성용 조성물에는 본 발명의 효과를 손상시키지 않는 범위에 있어서, 수지 성분을 함유할 수도 있다.The composition for buffer layer formation may contain a resin component in the range which does not impair the effect of this invention.

수지 성분으로서는, 예를 들어 폴리엔ㆍ티올계 수지나, 폴리부텐, 폴리부타디엔, 폴리메틸펜텐 등의 폴리올레핀계 수지, 및 스티렌계 공중합체 등의 열가소성 수지 등을 들 수 있다.Examples of the resin component include polyene/thiol-based resins, polyolefin-based resins such as polybutene, polybutadiene, and polymethylpentene, and thermoplastic resins such as styrenic copolymers.

완충층 형성용 조성물 중 이들 수지 성분의 함유량은, 바람직하게는 0 내지 20 질량％, 보다 바람직하게는 0 내지 10 질량％, 더욱 바람직하게는 0 내지 5 질량％, 보다 더욱 바람직하게는 0 내지 2 질량％이다.Content of these resin components in the composition for buffer layer formation becomes like this. Preferably it is 0-20 mass %, More preferably, it is 0-10 mass %, More preferably, it is 0-5 mass %, More preferably, it is 0-2 mass %. %to be.

<점착제층><Adhesive layer>

본 발명의 점착 시트가 갖는 점착제층을 형성하는 점착제로서는, 반도체 웨이퍼 등의 피착체에 대해, 적당한 재박리성이 있는 점착제이면, 그 점착제의 종류는 한정되지 않는다.As an adhesive which forms the adhesive layer which the adhesive sheet of this invention has, with respect to to-be-adhered bodies, such as a semiconductor wafer, if it is an adhesive with suitable re-peelability, the kind of the adhesive will not be limited.

이와 같은 점착제로서는, 예를 들어 아크릴계 점착제, 우레탄계 점착제, 실리콘계 점착제, 고무계 점착제, 폴리에스테르계 점착제, 에너지선 경화형 점착제, 가열 발포형 점착제, 물 팽윤형 점착제 등을 들 수 있다.Examples of such pressure-sensitive adhesives include acrylic pressure-sensitive adhesives, urethane pressure-sensitive adhesives, silicone pressure-sensitive adhesives, rubber pressure-sensitive adhesives, polyester pressure-sensitive adhesives, energy ray-curable pressure-sensitive adhesives, heat foaming pressure-sensitive adhesives, and water-swelling pressure-sensitive adhesives.

이들 점착제는 단독으로 또는 2종 이상을 조합하여 사용할 수도 있다.These adhesives can also be used individually or in combination of 2 or more types.

또한, 에너지선 경화형 점착제로서는, 예를 들어 일본 특허 공개 (소)60-196956호 공보, 일본 특허 공개 (소)60-223139호 공보 등에 기재되어 있는 점착제를 들 수 있고, 자외선 경화형 점착제가 바람직하다.Moreover, as an energy-beam curable adhesive, the adhesive described in Unexamined-Japanese-Patent No. 60-196956, Unexamined-Japanese-Patent No. 60-223139, etc. are mentioned, for example, An ultraviolet curable adhesive is preferable. .

이들 점착제에 포함되는 수지의 질량 평균 분자량(Mw)으로서는, 바람직하게는 2만 내지 150만, 보다 바람직하게는 5만 내지 120만, 더욱 바람직하게는 10만 내지 100만이다.As a mass average molecular weight (Mw) of resin contained in these adhesives, Preferably it is 20,000-1,500,000, More preferably, it is 50,000-1,200,000, More preferably, it is 100,000-1,000,000.

또한, 이들 점착제에는 필요에 따라서 에너지선 경화형 수지, 경화제, 가교제, 광 중합 개시제, 산화 방지제, 연화제(가소제), 충전제, 방청제, 안료, 염료 등을 함유할 수도 있다.In addition, these pressure-sensitive adhesives may contain an energy ray-curable resin, a curing agent, a crosslinking agent, a photopolymerization initiator, an antioxidant, a softener (plasticizer), a filler, a rust preventive agent, a pigment, a dye and the like as needed.

점착제층의 두께는 피착체가 되는 반도체 웨이퍼의 범프 형상, 표면 상태 및 연마 방법 등의 조건에 따라서 적절히 설정되지만, 바람직하게는 5 내지 500 ㎛, 보다 바람직하게는 10 내지 300 ㎛, 더욱 바람직하게는 15 내지 100 ㎛이다.The thickness of the pressure-sensitive adhesive layer is appropriately set depending on conditions such as the bump shape, surface state, and polishing method of the semiconductor wafer to be adhered, but is preferably 5 to 500 µm, more preferably 10 to 300 µm, still more preferably 15 to 100 μm.

<이접착층><Easy Adhesive Layer>

본 발명의 점착 시트는 강성 기재와 완충층 및/또는 점착제층과의 밀착성을 향상시키는 관점에서, 강성 기재와 완충층 사이, 및 강성 기재와 점착제층 사이 중 적어도 한쪽에, 이접착층을 설치할 수도 있다.In the adhesive sheet of the present invention, from the viewpoint of improving the adhesion between the rigid substrate and the buffer layer and/or the pressure-sensitive adhesive layer, an easily adhesive layer may be provided between the rigid substrate and the buffer layer and between the rigid substrate and the pressure-sensitive adhesive layer at least in either side.

이접착층을 형성하는 이접착층 형성용 조성물로서는 특별히 한정되지 않지만, 예를 들어 폴리에스테르계 수지, 우레탄계 수지, 폴리에스테르우레탄계 수지, 아크릴계 수지 등을 포함하는 조성물을 들 수 있다.Although it does not specifically limit as a composition for easily bonding layer formation which forms an easily bonding layer, For example, the composition containing polyester type resin, a urethane type resin, polyester urethane type resin, an acrylic resin, etc. is mentioned.

또한, 당해 이접착층 형성용 조성물에는 필요에 따라서 가교제, 광 중합 개시제, 산화 방지제, 연화제(가소제), 충전제, 방청제, 안료, 염료 등을 함유할 수도 있다.Moreover, the said composition for easily bonding layer formation may contain a crosslinking agent, a photoinitiator, antioxidant, a softening agent (plasticizer), a filler, a rust preventive agent, a pigment, dye, etc. as needed.

이접착층의 두께로서는, 바람직하게는 0.01 내지 10 ㎛, 보다 바람직하게는 0.03 내지 5 ㎛이다.As thickness of an easily bonding layer, Preferably it is 0.01-10 micrometers, More preferably, it is 0.03-5 micrometers.

또한, 이접착층의 두께는 강성 기재의 두께에 비해 작고 재질도 부드러우므로, 이접착층이 설치된 강성 기재의 영률과, 이접착층이 설치되어 있지 않은 당해 강성 기재만의 영률의 차는 극히 작다.In addition, since the thickness of the easily adhesive layer is small compared to the thickness of the rigid substrate and the material is soft, the difference between the Young's modulus of the rigid substrate provided with the easily adhesive layer and the Young's modulus of the rigid substrate without the easily adhesive layer is extremely small.

그로 인해, 본 발명에 있어서는 「이접착층이 설치된 강성 기재의 영률」＝「강성 기재의 영률」이라고 간주한다.Therefore, in the present invention, it is regarded as "Young's modulus of a rigid base material provided with an easily adhesive layer" = "Young's modulus of a rigid base material."

<박리 시트><Releasable sheet>

본 발명에서 사용하는 박리 시트로서는, 양면 박리 처리가 된 박리 시트나, 편면 박리 처리된 박리 시트 등이 사용되고, 박리 시트용 기재의 표면 상에 박리제를 도포한 것 등을 들 수 있다.As the release sheet used in the present invention, a release sheet subjected to double-sided release treatment, a release sheet subjected to single-sided release treatment, etc. are used, and a release agent applied on the surface of the base material for release sheet, etc. are mentioned.

박리 시트용 기재로서는 수지 필름이 바람직하고, 당해 수지 필름을 구성하는 수지로서는, 예를 들어 폴리에틸렌테레프탈레이트 수지, 폴리부틸렌테레프탈레이트 수지, 폴리에틸렌나프탈레이트 수지 등의 폴리에스테르 수지 필름, 폴리프로필렌 수지, 폴리에틸렌 수지 등의 폴리올레핀 수지 등을 들 수 있다.A resin film is preferable as the base material for the release sheet, and as the resin constituting the resin film, for example, a polyester resin film such as polyethylene terephthalate resin, polybutylene terephthalate resin, polyethylene naphthalate resin, polypropylene resin, Polyolefin resin, such as a polyethylene resin, etc. are mentioned.

박리제로서는, 예를 들어 실리콘계 수지, 올레핀계 수지, 이소프렌계 수지, 부타디엔계 수지 등의 고무계 엘라스토머, 장쇄 알킬계 수지, 알키드계 수지, 불소계 수지 등을 들 수 있다.Examples of the release agent include rubber-based elastomers such as silicone-based resins, olefin-based resins, isoprene-based resins and butadiene-based resins, long-chain alkyl-based resins, alkyd-based resins, and fluorine-based resins.

박리 시트의 두께는 특별히 제한은 없지만, 바람직하게는 10 내지 200 ㎛, 보다 바람직하게는 20 내지 150 ㎛이다.The thickness of the release sheet is not particularly limited, but is preferably 10 to 200 µm, more preferably 20 to 150 µm.

〔점착 시트의 제조 방법〕[Method for Producing Adhesive Sheet]

본 발명의 점착 시트의 제조 방법으로서는 특별히 제한은 없고, 공지의 방법에 의해 제조할 수 있다.There is no restriction|limiting in particular as a manufacturing method of the adhesive sheet of this invention, It can manufacture by a well-known method.

예를 들어, 강성 기재의 표면 상에, 박리 시트 상에 설치한 완충층과, 박리 시트 상에 설치한 점착제층을 붙이면, 도 1의 (b)에 도시하는 점착 시트(1b)를 제조할 수 있다.For example, when a buffer layer provided on a release sheet and an adhesive layer provided on the release sheet are pasted on the surface of a rigid base material, the pressure-sensitive adhesive sheet 1b shown in Fig. 1B can be produced. .

또한, 도 1의 (b)에 도시하는 점착 시트(1b)로부터 2매의 박리 시트를 제거하면, 도 1의 (a)에 도시하는 점착 시트(1a)로 할 수 있다.Moreover, when two peeling sheets are removed from the adhesive sheet 1b shown in FIG.1(b), it can be set as the adhesive sheet 1a shown in FIG.1(a).

또한, 사용하는 강성 기재의 표면에 미리 이접착층을 형성한 후에, 박리 시트 상에 설치한 완충층과, 박리 시트 상에 설치한 점착제층을 접합하면, 도 1의 (a)에 도시하는 점착 시트(1c)를 제조할 수 있다.In addition, after forming an easily adhesive layer on the surface of the rigid base material to be used in advance, when the buffer layer provided on the release sheet and the pressure-sensitive adhesive layer provided on the release sheet are bonded together, the pressure-sensitive adhesive sheet shown in Fig. 1(a) ( 1c) can be prepared.

박리 시트 상에 완충층 또는 점착제층을 형성하는 방법으로서는, 박리 시트 상에 완충층 형성용 조성물 또는 점착제를 공지의 도포 방법으로 직접 도포하여 도포막을 형성하고, 이 도포막을 건조 및/또는 에너지선을 조사함으로써, 완충층 또는 점착제층을 형성할 수 있다.As a method of forming a buffer layer or a pressure-sensitive adhesive layer on a release sheet, a composition for forming a buffer layer or an adhesive is directly applied on the release sheet by a known coating method to form a coating film, and drying and/or irradiating the coating film with energy rays , a buffer layer or an adhesive layer may be formed.

도포 방법으로서는, 예를 들어 스핀 코팅법, 스프레이 코팅법, 바 코팅법, 나이프 코팅법, 롤 코팅법, 블레이드 코팅법, 다이 코팅법, 그라비아 코팅법 등을 들 수 있다.Examples of the coating method include a spin coating method, a spray coating method, a bar coating method, a knife coating method, a roll coating method, a blade coating method, a die coating method, and a gravure coating method.

또한 도포성을 향상시키기 위해, 완충층 형성용 조성물이나 점착제에 대해 유기 용매를 배합하고 용액의 형태로 하여, 박리 시트 상에 도포할 수도 있다.Moreover, in order to improve applicability|paintability, it may mix|blend an organic solvent with respect to the composition for buffer layer formation or an adhesive, and it may be in the form of a solution, and it may apply|coat on a release sheet.

사용하는 유기 용매로서는, 예를 들어 메틸에틸케톤, 아세톤, 아세트산에틸, 테트라히드로푸란, 디옥산, 시클로헥산, n-헥산, 톨루엔, 크실렌, n-프로판올, 이소프로판올 등을 들 수 있다.Examples of the organic solvent to be used include methyl ethyl ketone, acetone, ethyl acetate, tetrahydrofuran, dioxane, cyclohexane, n-hexane, toluene, xylene, n-propanol, and isopropanol.

또한, 이들 유기 용매는 조성물 중에 포함되는 각 성분의 합성 시에 사용된 유기 용매를 그대로 사용할 수도 있고, 그 이외의 1종 이상의 유기 용매를 첨가할 수도 있다.In addition, as these organic solvents, the organic solvent used at the time of the synthesis|combination of each component contained in a composition may be used as it is, and 1 or more types of organic solvents other than that may be added.

도포막을 형성하는 완충층 형성용 조성물은 에너지선 중합성 화합물을 포함하므로, 당해 도포막에 대해 에너지선을 조사함으로써 경화시켜 완충층을 형성할 수 있다.Since the composition for forming a buffer layer which forms a coating film contains an energy-beam polymeric compound, it can harden by irradiating an energy-beam with respect to the said coating film, and can form a buffer layer.

경화 처리는 한번에 완전히 경화시킬 수도 있고, 복수회로 나누어 경화시킬 수도 있다. 즉, 박리 시트 상의 도포막을 완전히 경화시켜 완충층을 형성한 후에 강성 기재에 접합할 수도 있고, 당해 도포막을 완전히 경화시키지 않고 반경화 상태의 완충층 형성막을 형성하여, 당해 완충층 형성막을 강성 기재에 접합한 후, 다시 에너지선을 조사하여 완전히 경화시켜 완충층을 형성할 수도 있다.The curing treatment may be completely cured at once, or may be cured in multiple times. That is, after the coating film on the release sheet is completely cured to form a buffer layer, it may be bonded to a rigid substrate, or a semi-cured buffer layer formed film is formed without completely curing the coating film, and the buffer layer formed film is bonded to the rigid substrate. , it may be completely cured by irradiating the energy ray again to form a buffer layer.

당해 경화 처리에서 조사하는 에너지선으로서는 자외선이 바람직하다.As an energy ray irradiated by the said hardening process, an ultraviolet-ray is preferable.

에너지선의 조사량은 에너지선의 종류에 따라서 적절히 변경된다. 예를 들어 자외선을 사용하는 경우, 조사하는 자외선의 조도는 바람직하게는 50 내지 500 ㎽/㎠, 보다 바람직하게는 100 내지 340 ㎽/㎠이고, 자외선의 조사량은 바람직하게는 80 내지 2500 mJ/㎠, 보다 바람직하게는 100 내지 2000 mJ/㎠이다.The irradiation amount of the energy ray is appropriately changed according to the type of the energy ray. For example, when using ultraviolet rays, the illuminance of the irradiated ultraviolet rays is preferably 50 to 500 mW/cm2, more preferably 100 to 340 mW/cm2, and the irradiation amount of ultraviolet rays is preferably 80 to 2500 mJ/cm2 , more preferably 100 to 2000 mJ/cm 2 .

본 발명의 점착 시트는 연삭 완료 웨이퍼의 제조 시에, 웨이퍼의 표면측을 보호하는 BG 시트로서 적합하다.The adhesive sheet of this invention is suitable as a BG sheet|seat which protects the surface side of a wafer at the time of manufacture of a grinded wafer.

본 발명의 점착 시트를 사용한 연삭 완료 웨이퍼의 제조 방법으로서는, 예를 들어, 하기의 공정 (1A) 내지 (3A)를 갖는 연삭 완료 웨이퍼의 제조 방법이 바람직하다.As a manufacturing method of the grinded wafer using the adhesive sheet of this invention, the manufacturing method of the grinded wafer which has the following processes (1A) - (3A), for example is preferable.

공정 (1A): 웨이퍼의 표면측에 본 발명의 점착 시트의 점착제층을 첩부하고, 완충층이 부착된 웨이퍼를 얻는 공정Process (1A): The process of affixing the adhesive layer of the adhesive sheet of this invention to the surface side of a wafer, and obtaining the wafer with a buffer layer

공정 (2A): 연삭기의 척 테이블 상에, 공정 (1A)에서 얻은 완충층이 부착된 웨이퍼의 완충층을 적치하는 공정Step (2A): A step of placing the buffer layer of the wafer with the buffer layer obtained in the step (1A) on the chuck table of the grinding machine

공정 (3A): 완충층이 부착된 웨이퍼의 완충층이 설치되어 있지 않은 웨이퍼의 이면측을 연삭하여, 연삭 완료 웨이퍼를 얻는 공정Step (3A): A step of grinding the back side of the wafer without the buffer layer of the wafer with the buffer layer to obtain a ground wafer

본 발명의 점착 시트는 이물질 흡수성이 우수하다. 그로 인해, 상기 연삭 완료 웨이퍼의 제조 방법의 공정 (2A)에서, 척 테이블 상에 이물질이 부착되어 있었다고 하더라도, 당해 완충층이 당해 이물질의 두께를 흡수하여 당해 이물질의 존재가 원인이 되는 웨이퍼 이면의 융기를 억제할 수 있다.The adhesive sheet of this invention is excellent in foreign material absorption. Therefore, even if a foreign material adheres to the chuck table in the step (2A) of the method for manufacturing a ground wafer, the buffer layer absorbs the thickness of the foreign material and the presence of the foreign material is the cause of the ridge on the back surface of the wafer can be suppressed.

그 결과, 상기 제조 방법에 의하면 당해 이물질의 존재가 원인으로 발생하는, 절삭 가공에 의한 웨이퍼의 깨짐을 방지할 수 있어, 양호한 수율로 박막의 연삭 완료 웨이퍼를 제조할 수 있다.As a result, according to the above manufacturing method, it is possible to prevent the wafer from cracking due to cutting, which is caused by the presence of the foreign material, and it is possible to manufacture a thinly ground wafer with good yield.

또한, 본 발명의 점착 시트는 선 다이싱법에 의한 반도체 칩의 제조 방법에 사용되는 BG 시트로서도 적합하다.Moreover, the adhesive sheet of this invention is suitable also as a BG sheet used for the manufacturing method of the semiconductor chip by the line dicing method.

본 발명의 점착 시트를 사용한 반도체 칩의 제조 방법으로서는, 예를 들어 하기의 공정 (1B) 내지 (3B)를 갖는 반도체 칩의 제조 방법이 바람직하다.As a manufacturing method of the semiconductor chip using the adhesive sheet of this invention, the manufacturing method of the semiconductor chip which has the following processes (1B) - (3B), for example is preferable.

공정 (1B): 표면에, 소정 깊이의 홈이 소정의 배치로 형성된 웨이퍼의 당해 표면측에, 본 발명의 점착 시트의 점착제층을 첩부하고, 완충층이 부착된 웨이퍼를 얻는 공정Step (1B): A step of affixing the pressure-sensitive adhesive layer of the pressure-sensitive adhesive sheet of the present invention to the surface side of the wafer in which grooves of a predetermined depth are formed in a predetermined arrangement on the surface to obtain a wafer with a buffer layer

공정 (2B): 연삭기의 척 테이블 상에, 공정 (1B)에서 얻은 완충층이 부착된 웨이퍼의 완충층을 적치하는 공정Step (2B): A step of placing the buffer layer of the wafer with the buffer layer obtained in the step (1B) on the chuck table of the grinding machine

공정 (3B): 완충층이 부착된 웨이퍼의 완충층이 설치되어 있지 않은 웨이퍼의 이면측을 소정의 두께가 될 때까지 연삭하고, 개개의 칩으로 분할하는 공정Step (3B): A step of grinding the back side of a wafer with a buffer layer on which the buffer layer is not provided until a predetermined thickness is obtained, and dividing the wafer into individual chips

상기와 같이 본 발명의 점착 시트가 갖는 완충층은 이물질 흡수성이 우수하므로, 척 테이블 상에 부착되어 있던 이물질이 원인이 되는, 절삭 가공에 의한 웨이퍼의 깨짐을 방지할 수 있다. 그 결과 상기 제조 방법에 의하면, 양호한 수율로 박막의 반도체 칩을 제조할 수 있다.As described above, since the buffer layer of the pressure-sensitive adhesive sheet of the present invention has excellent foreign material absorption, it is possible to prevent the wafer from breaking due to cutting caused by foreign materials adhering to the chuck table. As a result, according to the manufacturing method, a thin-film semiconductor chip can be manufactured with a good yield.

[실시예][Example]

이하의 실시예 및 비교예에서 사용한 각 성분의 질량 평균 분자량(Mw), 및 강성 기재의 영률은 이하에 기재된 방법에 의해 측정한 값을 사용하였다.The mass average molecular weight (Mw) of each component used in the following examples and comparative examples, and the Young's modulus of the rigid substrate were measured by the method described below.

<질량 평균 분자량(Mw)><Mass Average Molecular Weight (Mw)>

겔 투과 크로마토그래피 장치(도소 가부시끼가이샤제, 제품명 「HLC-8020」)를 사용하여, 하기의 조건 하에서 측정하고, 표준 폴리스티렌 환산으로 측정한 값을 사용하였다.It measured under the following conditions using the gel permeation chromatography apparatus (Tosoh Corporation make, product name "HLC-8020"), and the value measured in terms of standard polystyrene was used.

(측정 조건)(Measuring conditions)

ㆍ 칼럼: 「TSK 가드 칼럼(guard column) HXL-H」「TSK 겔(gel) GMHXL(×2)」「TSK 겔 G2000 HXL」(모두 도소 가부시끼가이샤제)- Column: "TSK guard column HXL-H" "TSK gel GMHXL (x2)" "TSK gel G2000 HXL" (all manufactured by Tosoh Corporation)

ㆍ 칼럼 온도: 40℃ㆍColumn temperature: 40 ℃

ㆍ 전개 용매: 테트라히드로푸란ㆍDeveloping solvent: tetrahydrofuran

ㆍ 유속: 1.0 mL/minㆍFlow rate: 1.0 mL/min

<강성 기재의 영률><Young's modulus of rigid substrate>

강성 기재의 영률은 인장 시험기를 사용하여 인장 시험을 행하고, 얻어진 인장 강도와 신장의 차트로부터 산출하였다. 구체적으로는, 제조예 3에서 제작한 양면에 이접착층이 부착된 PET 필름을 폭 15 ㎜×길이 150 ㎜의 크기로 절단하고, 연신 가능부가 100 ㎜로 되도록 인장ㆍ압축 시험기(에이 앤드 디사제, 제품명 「텐실론」)에 설치하였다. 그리고, 시험 속도 200 ㎜/분으로 측정을 행하여, 얻어진 차트의 원점에 있어서의 기울기로부터 영률을 산출하였다.The Young's modulus of the rigid substrate was subjected to a tensile test using a tensile tester, and was calculated from the obtained tensile strength and elongation charts. Specifically, the PET film with an easily adhesive layer on both sides produced in Production Example 3 is cut into a size of 15 mm in width x 150 mm in length, and a tensile/compression tester (manufactured by A&D, Inc., It was installed under the product name "Tensilon"). And the Young's modulus was computed from the inclination in the origin of the chart obtained by measuring at a test speed of 200 mm/min.

제조예 1Preparation Example 1

[우레탄아크릴레이트계 올리고머(UA-1)의 합성][Synthesis of urethane acrylate oligomer (UA-1)]

폴리에스테르디올과, 이소포론디이소시아네이트를 반응시켜 얻어진 말단 이소시아네이트우레탄 예비 중합체에, 2-히드록시에틸아크릴레이트를 반응시켜, 질량 평균 분자량(Mw) 5000의 2관능의 우레탄아크릴레이트계 올리고머(UA-1)를 얻었다.A terminal isocyanate urethane prepolymer obtained by reacting polyesterdiol with isophorone diisocyanate is reacted with 2-hydroxyethyl acrylate, and a bifunctional urethane acrylate oligomer having a mass average molecular weight (Mw) of 5000 (UA- 1) was obtained.

제조예 2Preparation 2

(점착제층이 부착된 박리 시트의 제작)(Production of a release sheet with an adhesive layer attached)

n-부틸아크릴레이트(BA), 메틸메타크릴레이트(MMA) 및 2-히드록시에틸아크릴레이트(2HEA) 유래의 구성 단위를 갖는 아크릴계 공중합체[BA/MMA/2HEA＝52/20/28(질량％), Mw＝50만]를 100 질량부, 다관능 우레탄아크릴레이트계 자외선 경화형 수지를 6 질량부, 디이소시아네이트계 경화제를 1 질량부 및 광 중합 개시제로서 비스(2,4,6-트리메틸벤조일)페닐포스핀옥사이드를 1 질량부 배합하고, 메틸에틸케톤으로 희석하여, 고형분 농도 32 질량％의 점착제 용액을 제조하였다.Acrylic copolymer having structural units derived from n-butyl acrylate (BA), methyl methacrylate (MMA) and 2-hydroxyethyl acrylate (2HEA) [BA/MMA/2HEA = 52/20/28 (mass) %), Mw = 500,000], 100 parts by mass, 6 parts by mass of a polyfunctional urethane acrylate-based UV-curable resin, 1 part by mass of a diisocyanate-based curing agent, and bis(2,4,6-trimethylbenzoyl as a photopolymerization initiator) ) 1 mass part of phenylphosphine oxides were mix|blended, it diluted with methyl ethyl ketone, and the adhesive solution with a solid content concentration of 32 mass % was prepared.

그리고, 박리 시트[린텍사제, 상품명 「SP-PET381031」, 실리콘 박리 처리를 행한 폴리에틸렌테레프탈레이트(PET) 필름, 두께:38 ㎛]의 박리 처리가 된 면 상에, 상기의 점착제 조성물의 용액을 도포하고, 건조시켜, 두께 20 ㎛의 점착제층을 갖는 점착제층이 부착된 박리 시트를 제작하였다.Then, on the peeling-treated side of the release sheet (manufactured by Lintec, trade name "SP-PET381031", silicone-treated polyethylene terephthalate (PET) film, thickness: 38 µm], the solution of the pressure-sensitive adhesive composition is applied and dried to prepare a release sheet with an adhesive layer having an adhesive layer having a thickness of 20 µm.

제조예 3Preparation 3

(양면에 이접착층이 부착된 PET 필름의 제작)(Production of PET film with adhesive layer on both sides)

한쪽 면에 이접착층(제1 이접착층)이 설치된 두께 50 ㎛의 이접착층 부착 PET 필름(도요보사제, 상품명 「PET50 A-4100」)의 제1 이접착층이 설치되어 있는 것과는 반대측의 면 상에, 폴리에스테르계 앵커 코팅제(아라까와 가가꾸사제)를 도포하고, 건조시켜, 두께 2 ㎛의 제2 이접착층을 설치하여, 두께 52 ㎛의 양면에 이접착층이 부착된 PET 필름을 얻었다. 당해 양면에 이접착층이 부착된 PET 필름의 영률은 2500 ㎫이었다.On the side opposite to that provided with the first easily adhesive layer of a 50 μm thick PET film with an easily adhesive layer (manufactured by Toyobo, trade name "PET50 A-4100") provided with an easily adhesive layer (first easily adhesive layer) on one side, A polyester-based anchor coating agent (manufactured by Arakawa Chemical Co., Ltd.) was applied, dried, and a second easily adhesive layer having a thickness of 2 μm was provided to obtain a PET film having an easily adhesive layer attached to both surfaces of a thickness of 52 μm. The Young's modulus of the PET film with an easily adhesive layer on both surfaces was 2500 MPa.

실시예 1 내지 2, 비교예 1 내지 4Examples 1 to 2, Comparative Examples 1 to 4

(1) 완충층 형성용 조성물의 제조(1) Preparation of a composition for forming a buffer layer

에너지선 중합성 화합물로서, 제조예 1에서 합성한 우레탄아크릴레이트계 올리고머(UA-1), 이소보르닐아크릴레이트(IBXA), 페닐히드록시프로필아크릴레이트(HPPA)를 표 1에 기재된 배합량으로 배합하고, 광 중합 개시제로서 1-히드록시시클로헥실페닐케톤(바스프(BASF)사제, 제품명 「이르가큐어 184」)을 2.0 질량부, 프탈로시아닌계 안료를 0.2 질량부 더 배합하여, 완충층 형성용 조성물을 제조하였다.As an energy-beam polymerizable compound, the urethane acrylate oligomer (UA-1) synthesized in Preparation Example 1, isobornyl acrylate (IBXA), and phenylhydroxypropyl acrylate (HPPA) are blended in the amount shown in Table 1 and 2.0 parts by mass of 1-hydroxycyclohexylphenyl ketone (manufactured by BASF, product name "Irgacure 184") as a photopolymerization initiator, and 0.2 parts by mass of a phthalocyanine pigment, to obtain a composition for forming a buffer layer prepared.

(2) 점착 시트의 제작(2) Preparation of adhesive sheet

박리 시트[린텍사제, 상품명 「SP-PET381031」, 실리콘 박리 처리를 행한 폴리에틸렌테레프탈레이트(PET) 필름, 두께:38 ㎛]의 박리 처리가 된 면 상에, 상기의 완충층 형성용 조성물을 도포하여 도포막을 형성하였다. 그리고 당해 도포막에 대해 자외선을 조사하고, 당해 도포막을 반경화시켜 두께 43 ㎛의 완충층 형성막을 형성하였다.On the release-treated side of the release sheet (manufactured by Lintec, trade name "SP-PET381031", silicone release-treated polyethylene terephthalate (PET) film, thickness: 38 µm], the composition for forming a buffer layer is applied and applied A film was formed. And the said coating film was irradiated with ultraviolet-ray, and the said coating film was semi-hardened, and the 43-micrometer-thick buffer layer formation film was formed.

또한, 상기의 자외선 조사는 벨트 컨베이어식 자외선 조사 장치(제품명 「ECS-401GX」, 아이그래픽스사제) 및 고압 수은 램프(H04-L41 아이그래픽스사제:H04-L41)를 사용하여, 램프 높이 150 ㎜, 램프 출력 3 ㎾(환산 출력 120 ㎽/㎝), 광선 파장 365 ㎚의 조도 120 ㎽/㎠, 조사량 100 mJ/㎠의 조사 조건 하에서 행하였다.In addition, the above-mentioned ultraviolet irradiation uses a belt conveyor type ultraviolet irradiation device (product name "ECS-401GX", manufactured by Eye Graphics) and a high-pressure mercury lamp (H04-L41, manufactured by Eye Graphics: H04-L41), a lamp height of 150 mm, It carried out on irradiation conditions of the lamp output 3 kW (converted output 120 mW/cm), the illumination intensity of 120 mW/cm<2> of light-ray wavelength 365nm, and the irradiation amount of 100 mJ/cm<2>.

그리고 형성한 완충층 형성막의 표면과, 제조예 3에서 제작한 양면에 이접착층이 부착된 PET 필름의 제1 이접착층을 접합하고, 완충층 형성막 상의 박리 시트측으로부터 다시 자외선을 조사하여 당해 완충층 형성막을 완전히 경화시켜, 두께 43 ㎛의 완충층을 형성하였다.Then, the surface of the formed buffer layer forming film and the first easily adhesive layer of the PET film with an easily adhesive layer on both sides prepared in Production Example 3 were bonded, and the buffer layer forming film was again irradiated with ultraviolet rays from the release sheet side on the buffer layer forming film. It was completely cured to form a buffer layer with a thickness of 43 μm.

또한, 상기의 자외선 조사는 상술한 자외선 조사 장치 및 고압 수은 램프를 사용하여, 램프 높이 150 ㎜, 램프 출력 3 ㎾(환산 출력 120 ㎽/㎝), 광선 파장 365 ㎚의 조도 160 ㎽/㎠, 조사량 500 mJ/㎠의 조사 조건 하에서 행하였다.In addition, said ultraviolet irradiation uses the ultraviolet irradiation apparatus and high pressure mercury lamp mentioned above, lamp height 150mm, lamp output 3kW (converted output 120mW/cm), illuminance 160mW/cm2 of light wavelength 365nm, irradiation amount It carried out under irradiation conditions of 500 mJ/cm<2>.

계속해서, 상기 양면에 이접착층이 부착된 PET 필름의 제2 이접착층 상에, 제조예 2에서 제작한 점착제층이 부착된 박리 시트의 점착제층을 접합하여, 도 1의 (d)의 점착 시트(1d)와 동일한 구성을 갖는 점착 시트를 제작하였다.Then, on the 2nd easily adhesive layer of the PET film with an easily adhesive layer on both sides, the adhesive layer of the release sheet with an adhesive layer produced in Preparation Example 2 was bonded, and the adhesive sheet of FIG. 1(d) An adhesive sheet having the same configuration as (1d) was produced.

이상과 같이 제작한 점착 시트에 대해, 각종 물성의 측정 및 특성의 평가를 이하에 기재된 방법에 의해 행하였다. 당해 결과를 표 1에 나타낸다.About the adhesive sheet produced as mentioned above, the measurement of various physical properties and evaluation of a characteristic were performed by the method described below. The results are shown in Table 1.

<압입 깊이(X)의 측정><Measurement of indentation depth (X)>

다이내믹 미소 경도계[시마쯔 세이사꾸쇼(주)제, 제품명 「DUH-W201S」] 및 압자로서, 선단 곡률 반경 100 ㎚, 능간각 115 °의 삼각추 형상 압자를 사용하여, 23 ℃, 50 ％RH(상대 습도)의 환경 하에서 측정하였다.Using a dynamic microhardness meter (manufactured by Shimatsu Seisakusho Co., Ltd., product name "DUH-W201S") and a triangular pyramid-shaped indenter with a tip curvature radius of 100 nm and a ridge angle of 115° as an indenter, at 23°C, 50%RH ( relative humidity).

구체적으로는, 다이내믹 미소 경도계의 유리 플레이트 상에, 제작한 점착 시트의 완충층 상의 박리 시트를 제거하여 완충층이 표출되도록 설치하고, 당해 완충층에 대해 상기 삼각추 형상 압자의 선단을 10 ㎛/분의 속도로 압입하여, 압축 하중이 2 mN에 도달했을 때의 압입 깊이(X)의 측정을 행하였다.Specifically, on a glass plate of a dynamic microdurometer, the release sheet on the buffer layer of the prepared adhesive sheet is removed and installed so that the buffer layer is exposed, and the tip of the triangular pyramid-shaped indenter is moved against the buffer layer at a speed of 10 µm/min. It press-fitted and the press-in depth (X) when a compressive load reached 2 mN was measured.

<완충층의 tanδ의 최댓값의 측정><Measurement of the maximum value of tanδ of the buffer layer>

상기와 동일한 방법으로, 각각의 실시예 및 비교예에서 사용한 완충층 형성용 조성물을 포함하는 두께 500 ㎛의 완충층 형성막을 제1 박리 시트 상에 형성하고, 당해 완충층 형성막 상에 제2 박리 시트를 더 접합하였다. 또한, 사용한 제1, 제2 박리 시트는 상기의 실시예 및 비교예에서 사용한 종류와 동일한 것이다.In the same manner as above, a buffer layer-forming film having a thickness of 500 μm containing the composition for forming a buffer layer used in each of Examples and Comparative Examples was formed on the first release sheet, and a second release sheet was further applied on the buffer layer-forming film. was joined. In addition, the 1st, 2nd peeling sheet used is the same as the kind used by the said Example and the comparative example.

그리고 제1 박리 시트측으로부터 다시 자외선을 조사하여 상기 완충층 형성막을 완전히 경화시켜, 두께 500 ㎛의 시험용 완충층을 형성하였다. 또한, 상기의 자외선 조사는 상술한 자외선 조사 장치 및 고압 수은 램프를 사용하여, 램프 높이 150 ㎜, 램프 출력 3 ㎾(환산 출력 120 ㎽/㎝), 광선 파장 365 ㎚의 조도 160 ㎽/㎠, 조사량 500 mJ/㎠의 조사 조건 하에서 행하였다.Then, ultraviolet rays were again irradiated from the side of the first release sheet to completely harden the buffer layer forming film, thereby forming a buffer layer for testing with a thickness of 500 µm. In addition, said ultraviolet irradiation uses the ultraviolet irradiation apparatus and high pressure mercury lamp mentioned above, lamp height 150mm, lamp output 3kW (converted output 120mW/cm), illuminance 160mW/cm2 of light wavelength 365nm, irradiation amount It carried out under irradiation conditions of 500 mJ/cm<2>.

제작한 시험용 완충층 상의 양면의 박리 시트를 제거한 후, 소정의 크기로 절단한 시험편을 사용하여, 동적 점탄성 장치(오리엔테크사제, 제품명 「레오비브론(Rheovibron) DDV-II-EP1」)에 의해, 주파수 11 ㎐에서, 온도 범위 －20 내지 150 ℃에 있어서의 손실 탄성률 및 저장 탄성률을 측정하였다.After removing the release sheets on both sides on the prepared test buffer layer, using a test piece cut to a predetermined size, using a dynamic viscoelasticity device (Orientec Co., product name "Rheovibron DDV-II-EP1"), At a frequency of 11 Hz, the loss elastic modulus and storage elastic modulus in a temperature range of -20 to 150°C were measured.

각 온도의 「손실 탄성률/저장 탄성률」의 값을 그 온도의 tanδ로 하여 산출하고, －5 내지 120 ℃의 범위에 있어서의 tanδ의 최댓값을 「완충층의 tanδ의 최댓값」으로 하여 표 1에 기재하고 있다.The value of "loss modulus/storage modulus" of each temperature is calculated as the tan δ of the temperature, and the maximum value of tan δ in the range of -5 to 120 ° C is set forth in Table 1 as “the maximum value of tan δ of the buffer layer”, have.

<이물질 흡수성(웨이퍼의 깨짐의 유무)의 평가><Evaluation of foreign material absorption (whether or not the wafer is cracked)>

두께 700 ㎛의 실리콘 웨이퍼 표면에, 제작한 점착 시트의 점착제층 상의 박리 시트를 제거하여 표출된 점착제층을, BG 테이프용 라미네이터(린텍사제, 제품명 「라미네이터 RAD-3500m/12」)를 사용하여 접합하였다.The adhesive layer exposed by removing the release sheet on the pressure-sensitive adhesive layer of the produced pressure-sensitive adhesive sheet on the surface of a silicon wafer having a thickness of 700 µm was bonded using a laminator for BG tape (manufactured by Lintec, product name “Laminator RAD-3500m/12”) did

실리콘 웨이퍼에 점착 시트를 첩부한 후, 완충층 상의 박리 시트를 제거하여 표출된 완충층의 표면에, 의사(擬似) 이물질로서 테이프(두께 6 ㎛의 PET 필름 상에, 두께 3 ㎛의 아크릴계 점착제를 포함하는 점착제층을 형성한 것, 세로:1 ㎝, 가로:2 ㎝, 두께:9 ㎛)를 5개소 첩부하였다.After affixing the pressure-sensitive adhesive sheet to the silicon wafer, the release sheet on the buffer layer was removed and the surface of the exposed buffer layer was taped as a pseudo-foreign substance (on a 6 μm-thick PET film, 3 μm-thick acrylic adhesive containing Five places (length: 1 cm, width: 2 cm, thickness: 9 µm) having an adhesive layer formed thereon were affixed.

그리고, 웨이퍼 이면 연삭기(디스코(DISCO)사제, 제품명 「DFG-8540」)를 사용하여, 당해 실리콘 웨이퍼의 점착 시트가 첩부되어 있지 않은 이면으로부터, 두께가 100 ㎛가 될 때까지 연삭하였다.Then, using a wafer backside grinder (manufactured by DISCO, product name “DFG-8540”), the silicon wafer was ground from the back side to which the adhesive sheet was not affixed until the thickness became 100 µm.

연삭 후의 실리콘 웨이퍼의 깨짐의 유무를 육안으로 관찰하고, 하기의 기준에 의해 점착 시트의 이물질 흡수성을 평가하였다.The presence or absence of the crack of the silicon wafer after grinding was observed visually, and the following reference|standard evaluated the foreign material absorbability of an adhesive sheet.

A:웨이퍼의 깨짐은 보이지 않고, 점착 시트의 이물질 흡수성은 양호하다.A: The crack of the wafer is not seen, and the foreign material absorption property of the adhesive sheet is favorable.

F:웨이퍼의 깨짐이 보이고, 점착 시트의 이물질 흡수성이 떨어진다.F: The crack of the wafer is seen, and the foreign material absorption property of the adhesive sheet is inferior.

표 1로부터, 실시예 1 내지 2에서 제작한 점착 시트는 이물질 흡수성이 우수한 것을 알 수 있다.From Table 1, it can be seen that the pressure-sensitive adhesive sheets prepared in Examples 1 and 2 were excellent in foreign matter absorption.

한편, 비교예 1 내지 4에서 제작한 점착 시트는 웨이퍼의 연삭 가공에 사용했을 때에, 이물질 흡수성이 떨어지므로 절삭 후에 웨이퍼의 깨짐이 발생하는 결과가 되었다.On the other hand, when the pressure-sensitive adhesive sheets produced in Comparative Examples 1 to 4 were used for grinding the wafer, the absorbency of foreign substances was poor, resulting in the occurrence of cracks in the wafer after cutting.

본 발명의 점착 시트는 이물질 흡수성이 우수하다.The adhesive sheet of this invention is excellent in foreign material absorption.

그로 인해, 본 발명의 점착 시트는 예를 들어 반도체 웨이퍼의 연삭 가공에 있어서, 반도체 웨이퍼의 표면측을 보호하는 BG 시트로서 적절하게 사용할 수 있고, 당해 용도로 사용했을 때에는, 반도체 웨이퍼의 깨짐을 효과적으로 방지할 수 있다.Therefore, the adhesive sheet of this invention can be used suitably as a BG sheet which protects the surface side of a semiconductor wafer in the grinding process of a semiconductor wafer, for example, and when used for the said use, the crack of a semiconductor wafer effectively can be prevented

1a, 1b, 1c, 1d : 점착 시트
11 : 강성 기재
12 : 완충층
13 : 점착제층
14a, 14b : 박리 시트
15a, 15b : 이접착층1a, 1b, 1c, 1d: adhesive sheet
11: Rigid base material
12: buffer layer
13: adhesive layer
14a, 14b: release sheet
15a, 15b: easily adhesive layer

Claims (9)

영률이 1000 ㎫ 이상인 강성 기재와, 당해 강성 기재의 한쪽 면측에 설치된 완충층과, 당해 강성 기재의 다른 쪽 면측에 설치된 점착제층을 갖는 점착 시트로서,
상기 완충층이, 에너지선 중합성 화합물을 포함하는 완충층 형성용 조성물로 형성되어 이루어지는 층이고, 또한 선단 곡률 반경 100 ㎚ 및 능간각(稜間角) 115 °의 삼각추 형상 압자의 선단을 10 ㎛/분의 속도로 당해 완충층에 압입했을 때의 압축 하중이 2 mN에 도달하는 데 필요한 압입 깊이(X)가 2.5 ㎛ 이상이고,
상기 완충층 형성용 조성물이 상기 에너지선 중합성 화합물로서, 우레탄(메트)아크릴레이트(a1), 환 형성 원자수 6 내지 20의 지환기 또는 복소환기를 갖는 중합성 화합물(a2), 및 관능기를 갖는 중합성 화합물(a3)을 포함하고,
상기 관능기를 갖는 중합성 화합물(a3)이, 수산기 함유 (메트)아크릴레이트, 에폭시기 함유 (메트)아크릴레이트, 아미드기 함유 화합물, 아미노기 함유 (메트)아크릴레이트로부터 선택되는 적어도 어느 것의 화합물이고,
상기 수산기 함유 (메트)아크릴레이트가, 2-히드록시에틸(메트)아크릴레이트, 2-히드록시프로필(메트)아크릴레이트, 3-히드록시프로필(메트)아크릴레이트, 2-히드록시부틸(메트)아크릴레이트, 3-히드록시부틸(메트)아크릴레이트, 4-히드록시부틸(메트)아크릴레이트로부터 선택되는 적어도 어느 것의 화합물인, 점착 시트.A pressure-sensitive adhesive sheet comprising a rigid substrate having a Young's modulus of 1000 MPa or more, a buffer layer provided on one side of the rigid substrate, and an adhesive layer provided on the other side of the rigid substrate,
The buffer layer is a layer formed of a composition for forming a buffer layer containing an energy-beam polymerizable compound, and the tip of a triangular pyramid-shaped indenter having a tip curvature radius of 100 nm and a rhomboid angle of 115° is 10 μm/min. The indentation depth (X) required for the compression load to reach 2 mN when press-fitted into the buffer layer at a speed of is 2.5 µm or more,
The composition for forming a buffer layer is the energy-beam polymerizable compound, a polymerizable compound (a2) having an alicyclic or heterocyclic group having 6 to 20 ring atoms, and a functional group. a polymerizable compound (a3);
The polymerizable compound (a3) having the functional group is at least any compound selected from hydroxyl group-containing (meth)acrylate, epoxy group-containing (meth)acrylate, amide group-containing compound, and amino group-containing (meth)acrylate,
The hydroxyl group-containing (meth)acrylate is 2-hydroxyethyl (meth)acrylate, 2-hydroxypropyl (meth)acrylate, 3-hydroxypropyl (meth)acrylate, 2-hydroxybutyl (meth)acrylate ) The adhesive sheet which is at least any compound chosen from acrylate, 3-hydroxybutyl (meth)acrylate, and 4-hydroxybutyl (meth)acrylate. 제1항에 있어서, 상기 완충층 형성용 조성물 중의 성분(a2)과 성분(a3)의 함유량비〔(a2)/(a3)〕가 0.5 내지 3.0인, 점착 시트.The pressure-sensitive adhesive sheet according to claim 1, wherein the content ratio [(a2)/(a3)] of the component (a2) to the component (a3) in the composition for forming a buffer layer is 0.5 to 3.0. 제2항에 있어서, 성분(a2)이 지환기 함유(메트)아크릴레이트인, 점착 시트.The pressure-sensitive adhesive sheet according to claim 2, wherein the component (a2) is an alicyclic group-containing (meth)acrylate. 제1항 또는 제2항에 있어서, 성분(a3)이 수산기 함유(메트)아크릴레이트인, 점착 시트.The pressure-sensitive adhesive sheet according to claim 1 or 2, wherein the component (a3) is a hydroxyl group-containing (meth)acrylate. 제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 완충층의 두께가 5 내지 100 ㎛인, 점착 시트.The pressure-sensitive adhesive sheet according to claim 1 or 2, wherein the buffer layer has a thickness of 5 to 100 µm. 제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 완충층의 －5 내지 120 ℃에 있어서의 동적 점탄성의 tanδ의 최댓값이 0.5 이상인, 점착 시트.The adhesive sheet of Claim 1 or 2 whose maximum value of tan-delta of the dynamic viscoelasticity in -5 to 120 degreeC of the said buffer layer is 0.5 or more. 제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 강성 기재와 상기 완충층 사이, 및 상기 강성 기재와 상기 점착제층 사이 중 적어도 한쪽에, 이(易)접착층을 갖는, 점착 시트.The adhesive sheet of Claim 1 or 2 which has an easily adhesive layer in at least one of between the said rigid base material and the said buffer layer, and between the said rigid base material and the said adhesive layer. 제1항 또는 제2항에 있어서, 반도체 웨이퍼의 절삭 가공에 있어서, 반도체 웨이퍼의 표면측을 보호하는 백그라인드 시트로서 사용되는, 점착 시트.The pressure-sensitive adhesive sheet according to claim 1 or 2, which is used as a backgrind sheet for protecting the surface side of the semiconductor wafer in the cutting process of the semiconductor wafer. 삭제delete

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