KR102340593B1 - Transparent resin composition, adhesive comprising composition, die bond material comprising composition, conductive connection method using composition, and optical semiconductor device obtained using method - Google Patents
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Abstract
본 발명은, 투명수지 조성물로서, (A) (A-1) 하기 일반식(1)로 표시되는 구조를 분자 중에 적어도 1개 갖는 오르가노폴리실록산: 100질량부, (A-2) 유기과산화물: 상기 (A-1)성분의 합계량 100질량부에 대하여, 0.1~10질량부를 포함하는 실리콘 조성물과, (B)평균입경이 1μm 이하인 도전성 입자를 함유하는 것이며, 상기 (B)성분의 함유량이, 상기 (A)성분의 고형분을 기준으로 하여 0체적%보다 크고, 또한 0.1체적% 미만인 범위이며, 상기 투명수지 조성물을 경화하여 얻어지는 2mm 두께의 경화물의 전광선 투과율이 70% 이상이며, 또한 헤이즈값이 60% 이하인 투명수지 조성물이다. 이에 따라, 고투명이며, 또한 접착강도 및 작업성이 우수하고, 내열성 및 내광성을 갖는 경화물을 부여하는 투명수지 조성물이 제공된다.
[화학식 1]
[Formula 1]
Description
본 발명은, 투명수지 조성물, 이 조성물로 이루어진 접착제, 이 조성물로 이루어진 다이본드재, 이 조성물을 이용한 도전접속방법, 및 이 방법에 의해 얻어진 광반도체 장치에 관한 것이다.
The present invention relates to a transparent resin composition, an adhesive comprising the composition, a die-bonding material comprising the composition, a conductive connection method using the composition, and an optical semiconductor device obtained by the method.
발광 다이오드(LED) 등의 광반도체 소자는 전력소비량이 적다는 우수한 특성을 가지므로, 옥외조명 용도나 자동차 용도의 광반도체 디바이스에 대한 적용이 증가하고 있다. 이러한 광반도체 디바이스는, 일반적으로 청색광, 근자외광 혹은 자외광을 발광하는 광반도체 발광소자로부터 발하는 광을, 파장변환재료인 형광체에 의해 파장변환하여 의사백색(疑似白色)이 얻어지도록 한 발광장치이다.
Since optical semiconductor devices such as light emitting diodes (LEDs) have excellent characteristics of low power consumption, their applications to optical semiconductor devices for outdoor lighting applications and automobiles are increasing. Such an optical semiconductor device is a light emitting device in which light emitted from an optical semiconductor light emitting element emitting blue light, near-ultraviolet light or ultraviolet light is wavelength-converted with a phosphor, which is a wavelength conversion material, to obtain pseudo-white color. .
최근, 광반도체 소자의 추가적인 발광효율의 향상을 목적으로 하여, 수직형 광반도체 소자의 개발이 이루어지고 있다. 수직형(Vertical) 광반도체 소자는 전극을 수직구조로 배치한 것이며, 간단히 수직형 LED칩이라고도 한다. 수직형 LED칩은, 발광층에 균일하게 전류가 흐름으로써, 전극을 수평배치한 구조인 동일 사이즈의 수평형(lateral) LED칩에 비해, 수십배의 전류를 흘리는 것이 가능하며, 발광층의 온도상승을 억제하고, 발광효율을 높일 수 있다. 나아가, 수평형 LED칩에 보인 국소적인 전류밀도의 증가가 억제되고, LED의 대전류화가 가능해지는 등, 우수한 특장을 가지므로, 그 실용이 진행되고 있다.
In recent years, for the purpose of further improving the luminous efficiency of the optical semiconductor device, development of a vertical optical semiconductor device has been made. A vertical optical semiconductor device has electrodes arranged in a vertical structure, and is also simply referred to as a vertical LED chip. In the vertical LED chip, current flows uniformly in the light emitting layer, so it is possible to pass a current several tens of times compared to a lateral LED chip of the same size, which is a structure in which electrodes are horizontally arranged, and the temperature rise of the light emitting layer is suppressed and increase the luminous efficiency. Furthermore, since it has excellent features, such as suppressing the increase in the local current density seen in the horizontal type LED chip and enabling the LED to have a large current, its practical use is progressing.
한편, 수직형 LED칩은, 상기 서술한 바와 같이 전극을 수직구조로 배치하고 있는 점에서 이해되는 바와 같이, 수직형 LED칩을 배선판에 탑재하는 경우, 일방의 전극은 종래와 마찬가지로 와이어본드 등의 방법을 이용하여 전기적으로 접속되고, 다른 일방의 전극은 공정땜납이나 도전성 접착제 등을 이용하여 전기적으로 접속할 필요가 있다.
On the other hand, in the case of mounting the vertical LED chip on a wiring board, as is understood from the point that the vertical LED chip has electrodes arranged in a vertical structure as described above, one electrode is formed of wire bond or the like as in the prior art. It is electrically connected using a method, and the other electrode needs to be electrically connected using eutectic solder, conductive adhesive, or the like.
종래, 수직형 LED칩을 배선판에 탑재하기 위한 접착제로서, 공정땜납이나 에폭시 수지 조성물에 도전성 입자를 배합한 도전성 접착제가 널리 이용되고 있다. 그러나, 공정땜납을 이용하는 방법으로는, 다이본드시에 필요한 땜납을 용융하기 위해 열에 의해, 광반도체의 발광층에 데미지를 주기 때문에 바람직하지 않다. 또한, 최근에는, 상기 서술한 공정땜납이나 에폭시 수지 조성물에 도전성 입자를 배합한 도전성 접착제로는, 광의 반사가 충분하지 않고, 광의 취출효율이 뒤떨어지는 것이 문제가 되고 있다. 나아가, 광반도체 디바이스로 했을 때의 설계의 자유도의 면에서도, 다이본드재에는 고투명성이 요구되고 있다.
Conventionally, as an adhesive for mounting a vertical LED chip on a wiring board, a conductive adhesive in which conductive particles are blended with eutectic solder or an epoxy resin composition is widely used. However, the method using eutectic solder is not preferable because heat damages the light emitting layer of the optical semiconductor in order to melt the solder required for die bonding. In recent years, the above-described eutectic solder or conductive adhesive containing conductive particles in the epoxy resin composition does not sufficiently reflect light and is poor in light extraction efficiency. Furthermore, high transparency is calculated|required by the die-bonding material also from the point of the degree of freedom in design when it is set as an optical semiconductor device.
한편, 도전성 접착제를 이용한 예로서, 예를 들어, 특허문헌 1에서는, 비스페놀A형 에폭시 수지 또는 비스페놀F형 에폭시 수지와 지환식 에폭시 수지를 병용하고, 나아가 자외선흡수제로서 벤조트리아졸 유도체를 첨가함으로써 450~500nm 부근의 광에 대한 내광성을 개선한 도전성 접착제가 제안되어 있다. 그러나, 이 발명에 있어서의 조성물은, 백색의 산화티탄이나, 유색의 도전성 입자를 많이 함유하므로, 고투명한 접착제는 되지 않는다.
On the other hand, as an example using a conductive adhesive, for example, in Patent Document 1, a bisphenol A type epoxy resin or a bisphenol F type epoxy resin and an alicyclic epoxy resin are used together, and further, 450 by adding a benzotriazole derivative as a UV absorber. A conductive adhesive having improved light resistance to light in the vicinity of ~500 nm has been proposed. However, since the composition in this invention contains many white titanium oxide and colored electroconductive particle, it does not become a highly transparent adhesive agent.
특허문헌 2에는, 특정의 도전성 분말, (3,5-디글리시딜이소시아눌릴)알킬기를 갖는 오르가노폴리실록산 및 글리시딜기와 반응하는 경화촉매(아민계 경화제, 페놀계 경화제, 산무수물계 경화제)를 함유하는, 광반도체 소자용 다이본드재가 제안되어 있다. 그러나, 이소시아눌릴기로 대표되는 유기기가, 단파장의 광에 의해 열화되어, 시간경과에 따라 변색, 분해된다는 문제가 발생하고 있다. 나아가, 이 발명에서는 수지성분의 합계 100질량부에 대하여 350~800질량부의 도전성 입자를 첨가하기 때문에, 고투명한 접착제는 되지 않는다.
특허문헌 3에는, (a)(메트)아크릴산알킬에스테르-부타디엔-스티렌 공중합체 또는 복합체, 및, 실리콘-(메트)아크릴산 공중합체 또는 복합체로 이루어진 군으로부터 선택되는 적어도 1종을 포함하는 유기미립자와, (b)라디칼 중합성 화합물과, (c)라디칼 중합개시제와, (h)도전성 입자를 함유하고, (h)도전성 입자의 함유량이, 접착제 조성물의 고형분 전체적을 기준으로 하여 0.1~30체적%인, 접착제 조성물, 및 이 접착제 조성물로 이루어진 필름상 접착제가 제안되어 있다. 그러나, 상기와 마찬가지로, (b)라디칼 중합성 화합물에는 글리시딜기로 대표되는 유기기가 포함되어 있고, 단파장의 광에 의해 열화되어, 시간경과에 따라 변색, 분해된다는 문제가 발생하고 있다. 또한, 도전성 입자는 접착제 조성물의 고형분 전체적을 기준으로 하여 0.1~30체적% 함유된다고 하나, 경화물의 광투과율, 투명성에 관한 기술은 보이지 않고, 또한, 본 발명자들이 검증한 결과, 이 범위의 첨가량으로는 고투명한 재료는 되지 않는다. 나아가, 이 발명에서는, 도전성 입자의 평균입경은, 양호한 분산성 및 도전성을 얻는 관점에서, 1~18μm인 것이 바람직하다는 기재가 있으나, 이 범위의 평균입경을 갖는 도전성 수지재료로는, 광반도체 소자를 배선판에 다이본드(도전접속)했을 때의 BLT(Bond line thickness)가 두꺼워지고, 방열성도 열화되는 결과가 되어, 유용한 고투명 다이본드재는 되지 않는다.
본 발명은 상기 문제점을 감안하여 이루어진 것으로, 고투명이며, 또한 접착강도 및 작업성이 우수하고, 내열성 및 내광성을 갖는 경화물을 부여하는 투명수지 조성물을 제공하는 것을 목적으로 한다. 또한, 이 조성물로 이루어진 접착제, 이 조성물로 이루어진 다이본드재, 이 조성물을 이용한 도전접속방법, 및 이 방법에 의해 얻어진 광반도체 장치를 제공하는 것을 목적으로 한다.
The present invention has been made in view of the above problems, and an object of the present invention is to provide a transparent resin composition that is highly transparent, has excellent adhesive strength and workability, and imparts a cured product having heat resistance and light resistance. Another object of the present invention is to provide an adhesive comprising this composition, a die-bonding material comprising the composition, a conductive connection method using the composition, and an optical semiconductor device obtained by the method.
상기 목적을 달성하기 위하여, 본 발명에서는, 투명수지 조성물로서,In order to achieve the above object, in the present invention, as a transparent resin composition,
(A) (A-1) 하기 일반식(1)로 표시되는 구조를 분자 중에 적어도 1개 갖는 오르가노폴리실록산: 100질량부,(A) (A-1) an organopolysiloxane having at least one structure represented by the following general formula (1) in a molecule: 100 parts by mass;
[화학식 1][Formula 1]
[식 중, m은 0, 1, 2 중 어느 하나이며, R1은 수소원자, 페닐기 또는 할로겐화페닐기, R2는 수소원자 또는 메틸기, R3은 치환 또는 비치환으로 동일 또는 상이할 수도 있는 탄소수 1~12의 1가의 유기기, Z1은 -R4-, -R4-O-, -R4(CH3)2Si-O-(R4는 치환 또는 비치환으로 동일 또는 상이할 수도 있는 탄소수 1~10의 2가의 유기기) 중 어느 하나, Z2는 산소원자 또는 치환 혹은 비치환으로 동일 혹은 상이할 수도 있는 탄소수 1~10의 2가의 유기기이다.][Wherein, m is any one of 0, 1, 2, R 1 is a hydrogen atom, a phenyl group or a halogenated phenyl group, R 2 is a hydrogen atom or a methyl group, R 3 is a substituted or unsubstituted carbon number that may be the same or different 1 to 12 monovalent organic groups, Z 1 is -R 4 -, -R 4 -O-, -R 4 (CH 3 ) 2 Si-O-(R 4 may be substituted or unsubstituted and may be the same or different (a divalent organic group having 1 to 10 carbon atoms), Z 2 is an oxygen atom or a substituted or unsubstituted divalent organic group having 1 to 10 carbon atoms, which may be the same or different.]
(A-2) 유기과산화물: 상기 (A-1)성분의 합계량 100질량부에 대하여, 0.1~10질량부를 포함하는 실리콘 조성물과,(A-2) organic peroxide: a silicone composition containing 0.1 to 10 parts by mass with respect to 100 parts by mass of the total amount of the component (A-1);
(B) 평균입경이 1μm 이하인 도전성 입자(B) Electroconductive particles having an average particle diameter of 1 μm or less
를 함유하는 것이며,is containing,
상기 (B)성분의 함유량이, 상기 (A)성분의 고형분을 기준으로 하여 0체적% 보다 크고, 또한 0.1체적% 미만인 범위이며,Content of the said (B) component is the range which is larger than 0 volume% on the basis of the solid content of the said (A) component, and is less than 0.1 volume%,
상기 투명수지 조성물을 경화하여 얻어지는 2mm 두께의 경화물의 전광선 투과율이 70% 이상이며, 또한 헤이즈값이 60% 이하인 것을 특징으로 하는 투명수지 조성물을 제공한다.
It provides a transparent resin composition, characterized in that the total light transmittance of a cured product having a thickness of 2 mm obtained by curing the transparent resin composition is 70% or more, and a haze value is 60% or less.
이러한 투명수지 조성물이면, 고투명이며, 또한 접착강도 및 작업성이 우수하고, 또한 내열성 및 내광성이 우수한 경화물을 부여할 수 있다.
Such a transparent resin composition can provide a cured product that is highly transparent, has excellent adhesive strength and workability, and has excellent heat resistance and light resistance.
또한, 상기 (A-1)성분의 오르가노폴리실록산의 Z1이 -R4-이며, 상기 Z2가 산소원자인 것이 바람직하다.
Moreover, it is preferable that Z<1> of the organopolysiloxane of the said (A-1) component is -R 4 -, and it is preferable that said Z<2> is an oxygen atom.
또한, 상기 (A-1)성분의 오르가노폴리실록산의 Z1이 -R4-O- 또는, -R4(CH3)2Si-O-이며, 상기 Z2가 치환 또는 비치환으로 동일 또는 상이할 수도 있는 탄소수 1~10의 2가의 유기기인 것이 바람직하다.
In addition, Z 1 of the organopolysiloxane of the component (A-1) is -R 4 -O- or -R 4 (CH 3 ) 2 Si-O-, and Z 2 is the same as substituted or unsubstituted, or It is preferable that it is a C1-C10 divalent organic group which may differ.
이러한 투명수지 조성물이면, (A-1)성분과, (A-2)성분이 분해될 때에 발생하는 프리라디칼이 효과적으로 반응하여, 접착강도 및 작업성이 우수하고, 또한 내열성 및 내광성이 우수한 경화물을 얻을 수 있다.
In such a transparent resin composition, free radicals generated when component (A-1) and (A-2) are decomposed effectively react, and a cured product having excellent adhesive strength and workability, and excellent heat resistance and light resistance can get
또한, 상기 (A-1)성분의 오르가노폴리실록산이, 하기 일반식(2)로 표시되는 구조를 분자 중에 적어도 1개 갖는 것이 바람직하다.Moreover, it is preferable that the organopolysiloxane of the said (A-1) component has at least 1 structure represented by following General formula (2) in a molecule|numerator.
[화학식 2][Formula 2]
(식 중, m, R1, R2, R3, R4는 상기와 동일하다.)
(Wherein, m, R 1 , R 2 , R 3 , and R 4 are the same as above.)
이러한 투명수지 조성물이면, (A-1)성분과, (A-2)성분이 분해될 때에 발생하는 프리라디칼이 보다 효과적으로 반응하여, 접착강도 및 작업성이 우수하고, 또한 내열성 및 내광성이 우수한 경화물을 얻을 수 있다.
In such a transparent resin composition, the free radicals generated when the component (A-1) and (A-2) are decomposed more effectively react, so that the adhesive strength and workability are excellent, and the heat resistance and light resistance are excellent. cargo can be obtained.
또한, 상기 (A-1)성분의 오르가노폴리실록산 중에, 0.1mol% 이상의 (SiO2)단위를 갖는 것이 바람직하다.
Further, it is preferable that the (A-1) an organopolysiloxane, at least 0.1mol% (SiO 2) units in the component.
이러한 투명수지 조성물이면, (A-1)성분과, (A-2)성분이 분해될 때에 발생하는 프리라디칼이 더욱 효과적으로 반응하여, 접착강도 및 작업성이 우수하고, 또한 내열성 및 내광성이 우수한 경화물을 얻을 수 있다.
In such a transparent resin composition, the free radicals generated when the component (A-1) and (A-2) are decomposed more effectively react, so that the adhesive strength and workability are excellent, and the heat resistance and light resistance are excellent. cargo can be obtained.
나아가 본 발명에서는, 상기 본 발명의 투명수지 조성물로 이루어진 것을 특징으로 하는 접착제를 제공한다.
Further, in the present invention, there is provided an adhesive comprising the transparent resin composition of the present invention.
이러한 접착제이면, LED칩을 배선판에 탑재하기 위한 접착제로서 호적하게 이용할 수 있다.
If it is such an adhesive agent, it can use suitably as an adhesive agent for mounting an LED chip on a wiring board.
나아가 본 발명에서는, 상기 본 발명의 투명수지 조성물로 이루어진 것을 특징으로 하는 다이본드재를 제공한다.
Further, in the present invention, there is provided a die-bonding material, characterized in that consisting of the transparent resin composition of the present invention.
이러한 다이본드재이면, LED칩을 배선판에 탑재하기 위한 다이본드재로서 호적하게 이용할 수 있다.
Such a die-bonding material can be suitably used as a die-bonding material for mounting an LED chip on a wiring board.
이 경우, 상기 다이본드재를 경화하여 얻어지는 경화물은 BLT(Bond line thickness)가 5μm 이하인 경우에 있어서 사용되는 것이 바람직하다.
In this case, the cured product obtained by curing the die-bonding material is preferably used when the BLT (Bond line thickness) is 5 μm or less.
이러한 다이본드재이면, 광반도체 소자와 기판의 도전접속을 확실히 달성할 수 있다.
With such a die-bonding material, conductive connection between the optical semiconductor element and the substrate can be reliably achieved.
나아가 본 발명에서는, 상기 본 발명의 투명수지 조성물을 이용하여, BLT를 5μm 이하로 하여 광반도체 소자와 기판을 도전접속하는 것을 특징으로 하는 도전접속방법을 제공한다.
Further, in the present invention, using the transparent resin composition of the present invention, the BLT is 5 μm or less to provide a conductive connection method, characterized in that the conductive connection between the optical semiconductor element and the substrate.
이러한 도전접속방법이면, 광반도체 소자와 기판의 도전접속을 확실히 달성할 수 있다.
With such a conductive connection method, conductive connection between the optical semiconductor element and the substrate can be reliably achieved.
나아가 본 발명에서는, 상기 본 발명의 도전접속방법에 의해 광반도체 소자와 기판이 도전접속된 것을 특징으로 하는 광반도체 장치를 제공한다.
Furthermore, the present invention provides an optical semiconductor device characterized in that the optical semiconductor element and the substrate are electrically connected by the conductive connection method of the present invention.
본 발명의 투명수지 조성물은, 고투명이며, 또한 접착강도 및 작업성이 우수하고, 내열성 및 내광성이 우수한 경화물을 부여할 수 있다. 또한, 본 발명의 도전접속방법이면, 광반도체 소자와 기판의 도전접속을 확실히 달성할 수 있다. 이로 인해, 본 발명의 도전접속방법에 의해 얻어진 광반도체 장치는, 광취출효율이 높고, 내열성 및 내광성을 갖는 것이 되며, 도전접속이 확실히 달성된 것이 된다.
The transparent resin composition of the present invention can provide a cured product having high transparency, excellent adhesive strength and workability, and excellent heat resistance and light resistance. Further, with the conductive connection method of the present invention, conductive connection between the optical semiconductor element and the substrate can be reliably achieved. Accordingly, the optical semiconductor device obtained by the conductive connection method of the present invention has high light extraction efficiency, heat resistance and light resistance, and conductive connection is reliably achieved.
본 발명의 투명수지 조성물은, 고투명이며, 또한 접착강도 및 작업성이 우수하고, 내열성 및 내광성을 갖는 경화물을 부여할 수 있다. 이로 인해, 본 발명의 투명수지 조성물은, 접착제 및 다이본드재로서 호적하게 이용할 수 있다. 이러한 접착제 및 다이본드재는, LED칩, 특히 수직형 LED칩을 배선판에 탑재하기 위한 접착제로서 호적하게 이용할 수 있다. 또한, 본 발명의 도전접속방법이면, 광반도체 소자와 기판의 도전접속을 확실히 달성할 수 있다. 따라서, 본 발명의 도전접속방법에 의해 얻어진 광반도체 장치는, 광취출효율이 높고, 내열성 및 내광성을 갖는 것이 되며, 도전접속이 확실히 달성된 것이 된다. 또한, 본 발명의 투명수지 조성물은, 고투명한 이방도전성 조성물로서도 기능할 수 있다.
The transparent resin composition of the present invention is highly transparent, has excellent adhesive strength and workability, and can impart a cured product having heat resistance and light resistance. For this reason, the transparent resin composition of this invention can be used conveniently as an adhesive agent and a die-bonding material. Such an adhesive and a die-bonding material can be suitably used as an adhesive for mounting an LED chip, especially a vertical LED chip, on a wiring board. Further, with the conductive connection method of the present invention, conductive connection between the optical semiconductor element and the substrate can be reliably achieved. Accordingly, the optical semiconductor device obtained by the conductive connection method of the present invention has high light extraction efficiency, heat resistance and light resistance, and conductive connection is reliably achieved. In addition, the transparent resin composition of the present invention can also function as a highly transparent anisotropic conductive composition.
도 1은 본 발명의 투명수지 조성물을 이용하여 광반도체 소자와 기판이 도전접속된 광반도체 장치의 일례를 나타낸 단면도이다.1 is a cross-sectional view showing an example of an optical semiconductor device in which an optical semiconductor element and a substrate are electrically connected using a transparent resin composition of the present invention.
이하, 본 발명을 보다 상세하게 설명한다.
Hereinafter, the present invention will be described in more detail.
상기와 같이, 고투명이며, 또한 접착강도 및 작업성이 우수하고, 내열성 및 내광성을 갖는 경화물을 부여하는 투명수지 조성물이 요구되고 있다.
As described above, there is a demand for a transparent resin composition that is highly transparent, has excellent adhesive strength and workability, and imparts a cured product having heat resistance and light resistance.
본 발명자들은, 상기 목적을 달성하기 위하여 예의검토를 행하였다. 그 결과, 하기 (A)~(B)성분을 함유하는 투명수지 조성물로서, 상기 (B)성분의 함유량이, 상기 (A)성분의 고형분을 기준으로 하여 0체적%보다 크고, 또한 0.1체적% 미만인 범위이며, 상기 투명수지 조성물을 경화하여 얻어지는 2mm 두께의 경화물의 전광선 투과율이 70% 이상이며, 또한 헤이즈값이 60% 이하인 투명수지 조성물이, 상기 과제를 해결할 수 있는 것을 발견하여, 본 발명을 완성시켰다.
MEANS TO SOLVE THE PROBLEM In order to achieve the said objective, the present inventors conducted intensive examination. As a result, as a transparent resin composition containing the following (A)-(B) component, content of the said (B) component is larger than 0 volume% on the basis of the solid content of the said (A) component, and 0.1 volume% The transparent resin composition having a total light transmittance of 70% or more and a haze value of 60% or less of a cured product having a thickness of 2 mm obtained by curing the transparent resin composition, found that the above problems can be solved, and the present invention completed
이하, 본 발명에 대하여 보다 구체적으로 설명하나, 본 발명은 이것으로 한정되는 것은 아니다.
Hereinafter, the present invention will be described in more detail, but the present invention is not limited thereto.
본 발명의 투명수지 조성물은,The transparent resin composition of the present invention,
(A) (A-1) 하기 일반식(1)로 표시되는 구조를 분자 중에 적어도 1개 갖는 오르가노폴리실록산: 100질량부,(A) (A-1) an organopolysiloxane having at least one structure represented by the following general formula (1) in a molecule: 100 parts by mass;
[화학식 3][Formula 3]
[식 중, m은 0, 1, 2 중 어느 하나이며, R1은 수소원자, 페닐기 또는 할로겐화페닐기, R2는 수소원자 또는 메틸기, R3은 치환 또는 비치환으로 동일 또는 상이할 수도 있는 탄소수 1~12의 1가의 유기기, Z1은 -R4-, -R4-O-, -R4(CH3)2Si-O-(R4는 치환 또는 비치환으로 동일 또는 상이할 수도 있는 탄소수 1~10의 2가의 유기기) 중 어느 하나, Z2는 산소원자 또는 치환 혹은 비치환으로 동일 혹은 상이할 수도 있는 탄소수 1~10의 2가의 유기기이다.][Wherein, m is any one of 0, 1, 2, R 1 is a hydrogen atom, a phenyl group or a halogenated phenyl group, R 2 is a hydrogen atom or a methyl group, R 3 is a substituted or unsubstituted carbon number that may be the same or different 1 to 12 monovalent organic groups, Z 1 is -R 4 -, -R 4 -O-, -R 4 (CH 3 ) 2 Si-O-(R 4 may be substituted or unsubstituted and may be the same or different (a divalent organic group having 1 to 10 carbon atoms), Z 2 is an oxygen atom or a substituted or unsubstituted divalent organic group having 1 to 10 carbon atoms, which may be the same or different.]
(A-2) 유기과산화물: 상기 (A-1)성분의 합계량 100질량부에 대하여, 0.1~10질량부를 포함하는 실리콘 조성물과,(A-2) organic peroxide: a silicone composition containing 0.1 to 10 parts by mass with respect to 100 parts by mass of the total amount of the component (A-1);
(B) 평균입경이 1μm 이하인 도전성 입자(B) Electroconductive particles having an average particle diameter of 1 μm or less
를 함유하는 것이며,is containing,
상기 (B)성분의 함유량이, 상기 (A)성분의 고형분을 기준으로 하여 0체적%보다 크고, 또한 0.1체적% 미만인 범위이며,Content of the said (B) component is the range which is larger than 0 volume% on the basis of the solid content of the said (A) component, and is less than 0.1 volume%,
상기 투명수지 조성물을 경화하여 얻어지는 2mm 두께의 경화물의 전광선 투과율이 70% 이상이며, 또한 헤이즈값이 60% 이하인 투명수지 조성물이다.
A transparent resin composition having a total light transmittance of 70% or more and a haze value of 60% or less of a cured product having a thickness of 2 mm obtained by curing the transparent resin composition.
상기와 같이 본 발명의 투명수지 조성물은 이 조성물을 2mm 두께의 경화물로 했을 때의 전광선 투과율이 70% 이상이며, 바람직하게는 80% 이상이다. 전광선 투과율이 70% 이상이면, 경화후의 투명수지 조성물은 고투명한 상태를 유지할 수 있다. 전광선 투과율이 70% 미만이 되면, 경화후의 투명수지 조성물은 착색, 혹은 탁함이 발생한 것을 의미하고, 경화물이 고투명해지지는 않는다. 전광선 투과율의 상한은 특별히 제한은 없고, 보다 크면 경화물은 투명해지고, LED디바이스로부터의 광의 취출의 방해가 되는 일도 없으므로 바람직하다.
As described above, the transparent resin composition of the present invention has a total light transmittance of 70% or more, preferably 80% or more, when the composition is a cured product having a thickness of 2 mm. When the total light transmittance is 70% or more, the transparent resin composition after curing can maintain a highly transparent state. When the total light transmittance is less than 70%, it means that the transparent resin composition after curing is colored or cloudy, and the cured product does not become highly transparent. The upper limit of the total light transmittance is not particularly limited, and if it is larger, the cured product becomes transparent and does not interfere with the extraction of light from the LED device, so it is preferable.
또한, (헤이즈값(%))=(확산광투과율)/(전광선 투과율)×100으로 정의되는 것으로부터 이해되는 바와 같이, 확산광성분의 증대 및 전광선 투과율의 감소에 수반하여 헤이즈값은 증대하고, 경화물은 반투명으로부터 미탁, 더 나아가 백탁에 도달한다.
In addition, as understood from being defined as (haze value (%)) = (diffuse light transmittance) / (total light transmittance) × 100, the haze value increases with the increase of the diffused light component and the decrease of the total light transmittance, , the cured product goes from translucent to cloudy and further to cloudy.
본 발명의 투명수지 조성물은 이 조성물을 2mm 두께의 경화물로 했을 때의 헤이즈값이 60% 이하이며, 이것은, 경화물이 투명으로부터 반투명의 흐림을 갖는 상태인 것을 의미한다. 상기 헤이즈값은 바람직하게는 40% 이하이다. 헤이즈값이 60%를 초과하면, 경화물은 흐려져, 광을 산란시키는 미립자가 많이 존재하므로, 고투명이 아니다. 헤이즈값이 60% 이하이면, LED디바이스로부터의 광의 취출의 방해가 되는 일도 없으므로 바람직하다. 헤이즈값의 하한은 특별히 제한은 없고, 보다 작으면 경화물의 흐림이 적어지고, 즉, 투명해지고, LED디바이스로부터의 광의 취출의 방해가 되는 일도 없으므로 바람직하다.
The transparent resin composition of the present invention has a haze value of 60% or less when the composition is a cured product having a thickness of 2 mm, which means that the cured product is in a state in which the cured product is transparent to translucent. The haze value is preferably 40% or less. When the haze value exceeds 60%, the cured product becomes cloudy and there are many fine particles that scatter light, so it is not highly transparent. If the haze value is 60% or less, it is preferable because extraction of the light from the LED device is not obstructed. The lower limit of the haze value is not particularly limited, and when it is smaller, cloudiness of the cured product decreases, that is, it becomes transparent and does not interfere with the extraction of light from the LED device, so it is preferable.
[(A)실리콘 조성물][(A) silicone composition]
(A)실리콘 조성물은, 상기의 (A-1)성분을 100질량부, 상기의 (A-2)를 (A-1)성분의 합계량 100질량부에 대하여, 0.1~10질량부를 포함하는 것이다.
(A) A silicone composition contains 0.1-10 mass parts of said (A-1) component with respect to 100 mass parts and 100 mass parts of total amounts of said (A-2) component with respect to 100 mass parts of said (A-1) components .
[(A-1) 오르가노폴리실록산][(A-1) Organopolysiloxane]
(A-1)성분인 오르가노폴리실록산은, 하기 일반식(1)로 표시되는 구조를 분자 중에 적어도 1개 갖는 오르가노폴리실록산이다.(A-1) Organopolysiloxane which is a component is organopolysiloxane which has at least 1 structure represented by following General formula (1) in a molecule|numerator.
[화학식 4][Formula 4]
[식 중, m은 0, 1, 2 중 어느 하나이며, R1은 수소원자, 페닐기 또는 할로겐화페닐기, R2는 수소원자 또는 메틸기, R3은 치환 또는 비치환으로 동일 또는 상이할 수도 있는 탄소수 1~12의 1가의 유기기, Z1은 -R4-, -R4-O-, -R4(CH3)2Si-O-(R4는 치환 또는 비치환으로 동일 또는 상이할 수도 있는 탄소수 1~10의 2가의 유기기) 중 어느 하나, Z2는 산소원자 또는 치환 혹은 비치환으로 동일 혹은 상이할 수도 있는 탄소수 1~10의 2가의 유기기이다.]
[Wherein, m is any one of 0, 1, 2, R 1 is a hydrogen atom, a phenyl group or a halogenated phenyl group, R 2 is a hydrogen atom or a methyl group, R 3 is a substituted or unsubstituted carbon number that may be the same or different 1 to 12 monovalent organic groups, Z 1 is -R 4 -, -R 4 -O-, -R 4 (CH 3 ) 2 Si-O-(R 4 may be substituted or unsubstituted and may be the same or different (a divalent organic group having 1 to 10 carbon atoms), Z 2 is an oxygen atom or a substituted or unsubstituted divalent organic group having 1 to 10 carbon atoms, which may be the same or different.]
(A-1)성분인 오르가노폴리실록산 중의, Z1, Z2의 조합으로는, Z1이 -R4-이며, Z2가 산소원자인 것이나, Z1이 -R4-O- 또는, -R4(CH3)2Si-O-이며, Z2가 치환 또는 비치환으로 동일 또는 상이할 수도 있는 탄소수 1~10의 2가의 유기기인 것이 바람직하다. 이러한 (A-1)성분을 포함하는 투명수지 조성물이면, (A-1)성분과, (A-2)성분이 분해될 때에 발생하는 프리라디칼이 효과적으로 반응하여, 접착강도 및 작업성이 우수하고, 또한 내열성 및 내광성이 우수한 경화물을 얻을 수 있다.
(A-1) As a combination of Z 1 and Z 2 in the organopolysiloxane which is a component, Z 1 is -R 4 -, Z 2 is an oxygen atom, Z 1 is -R 4 -O-, -R 4 (CH 3 ) 2 Si-O-, and Z 2 is preferably a substituted or unsubstituted divalent organic group having 1 to 10 carbon atoms which may be the same or different. In the case of a transparent resin composition containing the component (A-1), the free radicals generated when the component (A-1) and (A-2) are decomposed effectively react, so that the adhesive strength and workability are excellent. , and a cured product having excellent heat resistance and light resistance can be obtained.
또한, (A-1)성분의 오르가노폴리실록산 중에, 0.1mol% 이상의 (SiO2)단위를 갖는 것이 바람직하다. 이러한 (A-1)성분을 포함하는 투명수지 조성물이면, (A-1)성분과, (A-2)성분이 분해될 때에 발생하는 프리라디칼이 더욱 효과적으로 반응하여, 접착강도 및 작업성이 우수하며, 또한 내열성 및 내광성이 우수한 경화물을 얻을 수 있다.
Further, those having (A-1) an organopolysiloxane, at least 0.1mol% (SiO 2) units in the composition is preferred. In the case of a transparent resin composition containing the component (A-1), the free radicals generated when the component (A-1) and (A-2) are decomposed more effectively react, resulting in excellent adhesive strength and workability In addition, a cured product having excellent heat resistance and light resistance can be obtained.
나아가, (A-1)성분인 오르가노폴리실록산이, 하기 일반식(2)로 표시되는 구조를 분자 중에 적어도 1개 갖는 것이 바람직하다. 이러한 (A-1)성분을 포함하는 투명수지 조성물이면, (A-1)성분과, (A-2)성분이 분해될 때에 발생하는 프리라디칼이 보다 효과적으로 반응하여, 접착강도 및 작업성이 우수하며, 또한 내열성 및 내광성이 우수한 경화물을 얻을 수 있다.Furthermore, it is preferable that the organopolysiloxane which is (A-1) component has at least 1 structure represented by following General formula (2) in a molecule|numerator. In the case of the transparent resin composition containing the component (A-1), the free radicals generated when the component (A-1) and the component (A-2) are decomposed more effectively react, and the adhesive strength and workability are excellent. In addition, a cured product having excellent heat resistance and light resistance can be obtained.
[화학식 5][Formula 5]
(식 중, m, R1, R2, R3, R4는 상기와 동일하다.)
(Wherein, m, R 1 , R 2 , R 3 , and R 4 are the same as above.)
(A-1)성분인 오르가노폴리실록산은, 25℃에서의 점도가 10mPa·s 이상인 액상 또는 고체의 분지상 또는 3차원 망상구조의 오르가노폴리실록산인 것이 바람직하다.
(A-1) It is preferable that the organopolysiloxane which is a component is liquid or solid branched or three-dimensional network structure organopolysiloxane whose viscosity in 25 degreeC is 10 mPa*s or more.
상기 식(1)에 있어서, R3으로 나타내는 규소원자에 결합한 치환 또는 비치환으로 동일 또는 상이할 수도 있는 1가의 유기기로는, 통상, 탄소수 1~12, 바람직하게는 1~8 정도의 탄화수소기를 들 수 있고, 구체적으로는 메틸기, 에틸기, 프로필기, 이소프로필기, 부틸기, 이소부틸기, tert-부틸기, 펜틸기, 네오펜틸기, 헥실기, 시클로헥실기, 옥틸기, 노닐기, 데실기 등의 알킬기, 페닐기, 톨릴기, 자일릴기, 나프틸기 등의 아릴기, 벤질기, 페닐에틸기, 페닐프로필기 등의 아랄킬기, 비닐기, 알릴기, 프로페닐기, 이소프로페닐기, 부테닐기, 헥세닐기, 시클로헥세닐기, 옥테닐기 등의 알케닐기나, 이들 기의 수소원자의 일부 또는 전부를 불소, 브롬, 염소 등의 할로겐원자, 시아노기 등으로 치환한 것, 예를 들어 클로로메틸기, 클로로프로필기, 브로모에틸기, 트리플로로프로필기 등의 할로겐치환알킬기나 시아노에틸기 등을 들 수 있다.
In the formula (1), the substituted or unsubstituted monovalent organic group bonded to the silicon atom represented by R 3 , which may be the same or different, is usually a hydrocarbon group having 1 to 12 carbon atoms, preferably about 1 to 8 carbon atoms. Specific examples thereof include a methyl group, an ethyl group, a propyl group, an isopropyl group, a butyl group, an isobutyl group, a tert-butyl group, a pentyl group, a neopentyl group, a hexyl group, a cyclohexyl group, an octyl group, a nonyl group, Alkyl group such as decyl group, phenyl group, tolyl group, xylyl group, aryl group such as naphthyl group, aralkyl group such as benzyl group, phenylethyl group, phenylpropyl group, vinyl group, allyl group, propenyl group, isopropenyl group, butenyl group , alkenyl groups such as hexenyl group, cyclohexenyl group, and octenyl group, or those in which some or all of the hydrogen atoms of these groups are substituted with halogen atoms such as fluorine, bromine or chlorine, or cyano groups, for example, chloro Halogen-substituted alkyl groups, such as a methyl group, a chloropropyl group, a bromoethyl group, and a trifluoropropyl group, a cyanoethyl group, etc. are mentioned.
상기 식(1)에 있어서, R4로 나타내는 치환 또는 비치환으로 동일 또는 상이할 수도 있는 2가의 유기기로는, 구체적으로는, 메틸렌기, 에틸렌기, 프로필렌기, 부틸렌기 등의 탄소원자수 1~10의 알킬렌기 등의 2가 탄화수소기가 예시되고, 탄소원자수 1~3의 알킬렌기가 바람직하다.
In the formula (1), the substituted or unsubstituted divalent organic group which may be the same or different represented by R 4 , specifically, has 1 to carbon atoms such as a methylene group, an ethylene group, a propylene group, and a butylene group. Divalent hydrocarbon groups, such as a 10 alkylene group, are illustrated, and a C1-C3 alkylene group is preferable.
이하에 (A-1)성분인 오르가노폴리실록산을 예시한다.(하기 식에 있어서, Me는 메틸기를 나타낸다.) 이 성분은 단일성분일 수도, 다른 성분과 병용할 수도 있다. 또한, 하기 식에 있어서, 상기 식(1) 중의 R3에 상당하는 기가, 메틸기인 경우를 예시하고 있으나, 기타 기(치환 또는 비치환으로 동일 또는 상이할 수도 있는 탄소수 1~12의 1가의 유기기)로도 변경할 수 있다.
Organopolysiloxane as component (A-1) is exemplified below. (In the following formula, Me represents a methyl group.) This component may be a single component or may be used in combination with other components. In addition, in the following formula, the case where the group corresponding to R 3 in the formula (1) is a methyl group is exemplified. device) can also be changed.
[화학식 6][Formula 6]
[화학식 7][Formula 7]
하기 식에 나타낸, MA단위, M단위, Q단위가, MA:M:Q=1:4:6의 비율로 포함되고, 분자량이 폴리스티렌 환산의 중량평균 분자량으로, 5000인 오르가노폴리실록산.An organopolysiloxane in which MA units, M units, and Q units, represented by the following formula, are contained in a ratio of MA:M:Q=1:4:6, and whose molecular weight is 5000 in terms of polystyrene equivalent weight average molecular weight.
[화학식 8][Formula 8]
[화학식 9][Formula 9]
[화학식 10][Formula 10]
하기 식에 나타낸, MA-D단위, D단위, T단위가, MA-D:D:T=2:6:7의 비율로 포함되고, 분자량이 폴리스티렌 환산의 중량평균 분자량으로, 3500인 오르가노폴리실록산.MA-D unit, D unit, and T unit represented by the following formula are contained in a ratio of MA-D:D:T=2:6:7, and the molecular weight is an organo having a weight average molecular weight in terms of polystyrene of 3500. polysiloxane.
[화학식 11][Formula 11]
[화학식 12][Formula 12]
[화학식 13][Formula 13]
(A-1)성분에는, 조성물의 점도나 경화물의 경도를 조정하는 등의 목적으로, 이하에 나타낸 바와 같은 실리콘을 포함하는 반응성 희석제나, 실리콘을 포함하지 않는 반응성 희석제를 첨가할 수 있다.
(A-1) To the component, for the purpose of adjusting the viscosity of the composition or the hardness of the cured product, a reactive diluent containing silicone or a reactive diluent not containing silicone as shown below can be added.
실리콘을 포함하는 반응성 희석제의 구체적인 예로는, 하기 식(3)~(7)로 표시되는 오르가노폴리실록산을 들 수 있다.(하기 식에 있어서, Me는 메틸기를 나타낸다.) 이 성분은 단일일 수도, 다른 성분과 병용일 수도 있다.
Specific examples of the reactive diluent containing silicone include organopolysiloxanes represented by the following formulas (3) to (7). (In the following formula, Me represents a methyl group.) This component may be single , may be used in combination with other ingredients.
[화학식 14][Formula 14]
[화학식 15][Formula 15]
[화학식 16][Formula 16]
(식 중, p는 18, q는 180이다.)
(Wherein, p is 18 and q is 180.)
[화학식 17][Formula 17]
(식 중, p'는 20, q는 180이다.)
(Wherein, p' is 20 and q is 180.)
[화학식 18][Formula 18]
(식 중, p는 18, q는 180이다.)
(Wherein, p is 18 and q is 180.)
이러한 (A-1)성분의 합성방법으로는, 예를 들어 하기에 나타낸 오르가노하이드로겐실란,As a method of synthesizing the component (A-1), for example, organohydrogensilane shown below;
[화학식 19][Formula 19]
(식 중, m, R1, R2, R3, Z1은 상기와 동일하다.)(Wherein, m, R 1 , R 2 , R 3 , and Z 1 are the same as above.)
바람직하게는 하기 식에 나타낸 화합물,Preferably a compound represented by the following formula,
[화학식 20][Formula 20]
(식 중, m, R1, R2, R3, Z1, Z2는 상기와 동일하다.)(Wherein, m, R 1 , R 2 , R 3 , Z 1 , and Z 2 are the same as above.)
보다 구체적으로는, 1,3-비스(3-메타크릴록시프로필)테트라메틸디실록산과 1,1,3,3-테트라메틸디실록산을 산촉매 존재하에서 평형화 반응함으로써 얻어지는 (3-메타크릴록시프로필)-1,1,3,3-테트라메틸디실록산과, 지방족 불포화기(예를 들어, 에틸렌성 불포화기, 및 아세틸렌성 불포화기를 들 수 있다.)를 포함하는 오르가노폴리실록산을, 염화백금산촉매 존재하에서 하이드로실릴화 반응시키면 되고, 이 방법으로 본 발명에 호적한 것을 제조할 수 있으나, 상기의 합성방법으로 제한되는 것은 아니다. 또한, 지방족 불포화기를 포함하는 오르가노폴리실록산은, 지방족 불포화기를 갖는 오르가노알콕시실란을 포함하는 알콕시실란의 (공)가수분해축합 등 공지의 방법으로 제조할 수 있고, 시판의 것을 이용할 수도 있다.
More specifically, (3-methacryloxypropyl) obtained by equilibrating 1,3-bis(3-methacryloxypropyl)tetramethyldisiloxane and 1,1,3,3-tetramethyldisiloxane in the presence of an acid catalyst ) -1,1,3,3-tetramethyldisiloxane and an organopolysiloxane containing an aliphatic unsaturated group (eg, an ethylenically unsaturated group and an acetylenically unsaturated group are mentioned.) are reacted with a chloroplatinic acid catalyst The hydrosilylation reaction in the presence may be sufficient, and a suitable product for the present invention may be prepared by this method, but it is not limited to the above synthesis method. In addition, the organopolysiloxane containing an aliphatic unsaturated group can be manufactured by a well-known method, such as (co)hydrolysis-condensation of the alkoxysilane containing the organoalkoxysilane which has an aliphatic unsaturated group, and a commercially available thing can also be used.
실리콘을 포함하지 않는 반응성 희석제로는, H2C=CGCO2R5에 의해 나타낸 바와 같은 (메트)아크릴레이트류가 있고, 상기 식 중, G는, 수소, 할로겐, 탄소원자 1~4개의 알킬기 중 어느 하나이며; R5는, 1~16개의 탄소원자를 갖는 알킬기, 시클로알킬기, 알케닐기, 시클로알케닐기, 알카릴기, 아랄킬기, 아릴기 중 어느 하나로부터 선택되고, 이들 중 어느 하나는, 필요에 따라, 규소, 산소, 할로겐, 카르보닐, 하이드록실, 에스테르, 카르본산, 요소, 우레탄, 카바메이트, 아민, 아미드, 황, 설포네이트, 설폰 등으로 치환할 수 있다.
The silicone-free reactive diluent includes (meth)acrylates as represented by H 2 C=CGCO 2 R 5 , wherein G is hydrogen, halogen, or an alkyl group having 1 to 4 carbon atoms. any one of; R 5 is selected from any one of an alkyl group having 1 to 16 carbon atoms, a cycloalkyl group, an alkenyl group, a cycloalkenyl group, an alkaryl group, an aralkyl group, and an aryl group, any one of these is, if necessary, silicon; Oxygen, halogen, carbonyl, hydroxyl, ester, carboxylic acid, urea, urethane, carbamate, amine, amide, sulfur, sulfonate, sulfone, and the like may be substituted.
반응성 희석제로서 특히 바람직한 (메트)아크릴레이트류로는, 폴리에틸렌글리콜디(메트)아크릴레이트, 에톡시화비스페놀-A(메트)아크릴레이트(″EBIPA″ 또는 ″EBIPMA″)와 같은 비스페놀-A디(메트)아크릴레이트, 테트라하이드로푸란(메트)아크릴레이트 및 디(메트)아크릴레이트, 시트로넬릴아크릴레이트 및 시트로넬릴메타크릴레이트, 하이드록시프로필(메트)아크릴레이트, 헥산디올디(메트)아크릴레이트(″HDDA″ 또는 ″HDDMA″), 트리메틸올프로판트리(메트)아크릴레이트, 테트라하이드로디시클로펜타디에닐(메트)아크릴레이트, 에톡시화트리메틸올프로판트리아크릴레이트(″ETTA″), 트리에틸렌글리콜디아크릴레이트 및 트리에틸렌글리콜디메타크릴레이트(″TRIEGMA″), 이소보닐아크릴레이트 및 이소보닐메타크릴레이트에 상응하는 아크릴레이트에스테르가 있다. 물론, 이들의 (메트)아크릴레이트류의 조합도 반응성 희석제로서 사용할 수 있다.
Particularly preferred (meth)acrylates as reactive diluents include bisphenol-A di(meth) such as polyethylene glycol di(meth)acrylate, ethoxylated bisphenol-A(meth)acrylate (″EBIPA″ or ″EBIPMA″). ) acrylate, tetrahydrofuran (meth) acrylate and di (meth) acrylate, citronellyl acrylate and citronellyl methacrylate, hydroxypropyl (meth) acrylate, hexanediol di (meth) acrylate (″HDDA″ or ″HDDMA″), trimethylolpropanetri(meth)acrylate, tetrahydrodicyclopentadienyl(meth)acrylate, ethoxylated trimethylolpropanetriacrylate (″ETTA″), triethylene glycol There are diacrylates and acrylate esters corresponding to triethyleneglycoldimethacrylate (″TRIEGMA″), isobornylacrylate and isobornylmethacrylate. Of course, a combination of these (meth)acrylates can also be used as the reactive diluent.
반응성 희석제를 첨가하는 경우의 첨가량으로는, 0.01~30질량%의 범위가 바람직하고, 0.05~10질량%의 범위가 보다 바람직하다.
As an addition amount in the case of adding a reactive diluent, the range of 0.01-30 mass % is preferable, and the range of 0.05-10 mass % is more preferable.
본 발명의 투명수지 조성물은, 특정의 용도에 있어서 원하는 바와 같은 경화 또는 미경화특성을 개변시키는 다른 성분도 포함시킬 수 있다. 예를 들어, (메트)아크릴록시프로필트리메톡시실란, 트리알킬- 또는 트리알릴-이소시아누레이트, 글리시독시프로필트리메톡시실란, 비닐트리메톡시실란 등과 같은 접착보조제를 포함할 수 있고, 약 20질량%까지의 양을 포함하는 것이 바람직하다. 다른 임의성분은, 비(메트)아크릴실리콘희석제 또는 가소제를 들 수 있고, 약 30질량%까지의 양을 포함하는 것이 바람직하다. 비(메트)아크릴실리콘류로는, 100~500mPa·s의 점도를 갖는 트리메틸실릴말단화오일, 및 실리콘고무를 들 수 있다. 비(메트)아크릴실리콘류는, 비닐기와 같은 공경화성기를 포함할 수 있다.
The transparent resin composition of the present invention may also contain other components for modifying cured or uncured properties as desired in a specific application. For example, an adhesive aid such as (meth)acryloxypropyltrimethoxysilane, trialkyl- or triallyl-isocyanurate, glycidoxypropyltrimethoxysilane, vinyltrimethoxysilane, and the like may be included. , preferably up to about 20% by mass. Other optional components include non-(meth)acryl silicone diluents or plasticizers, and it is preferable to include an amount of up to about 30% by mass. Examples of non-(meth)acryl silicones include trimethylsilyl-terminated oil having a viscosity of 100 to 500 mPa·s, and silicone rubber. Non-(meth)acryl silicones may include a co-curable group such as a vinyl group.
[(A-2) 유기과산화물][(A-2) Organic Peroxide]
(A-2)성분인 유기과산화물은, 본 발명의 투명수지 조성물을 원하는 형상으로 성형한 후에, 가열처리를 가하여 가교반응에 의해 경화시키기 위하여 배합되는 성분이며, 목적으로 하는 접속온도, 접속시간, 포트라이프 등에 의해 적당히 선택한다.
(A-2) The organic peroxide component is a component that is blended to cure the transparent resin composition of the present invention by a crosslinking reaction after molding it into a desired shape and then heat-treating it. It is appropriately selected according to the pot life or the like.
유기과산화물은, 높은 반응성과 긴 포트라이프를 양립하는 관점에서, 반감기 10시간의 온도가 40℃ 이상, 또한, 반감기 1분의 온도가 180℃ 이하인 것이 바람직하고, 반감기 10시간의 온도가 60℃ 이상, 또한, 반감기 1분의 온도가 170℃ 이하인 것이 보다 바람직하다. 또한, 유기과산화물은, 회로부재의 회로전극(접속단자)의 부식을 방지하기 위하여, 염소이온이나 유기산의 함유량이 5000ppm 이하인 것이 바람직하고, 나아가, 가열분해 후에 발생하는 유기산이 적은 것이 보다 바람직하다.
The organic peroxide, from the viewpoint of achieving both high reactivity and long pot life, preferably has a half-life of 10 hours at a temperature of 40° C. or higher, and a half-life of 1 minute at a temperature of 180° C. or lower, and a half-life of 10 hours at a temperature of 60° C. or higher. Moreover, it is more preferable that the temperature for 1 minute of half-life is 170 degrees C or less. In addition, in order to prevent corrosion of the circuit electrode (connection terminal) of the circuit member, the organic peroxide preferably has a chlorine ion or organic acid content of 5000 ppm or less, and more preferably contains less organic acid generated after thermal decomposition.
이 경우, 유기과산화물의 열분해에 의해 발생하는 프리라디칼에 의해, 상기 (A-1)성분 중의 규소원자에 결합한 탄화수소기끼리, 또는 상기 (A-1)성분 중의 비닐기, 알릴기 등의 알케닐기끼리의 결합반응이 발생하여 가교경화물로 할 수 있다.
In this case, hydrocarbon groups bonded to silicon atoms in the component (A-1), or alkenyl groups such as a vinyl group and an allyl group in the component (A-1), due to free radicals generated by thermal decomposition of the organic peroxide It can be made into a crosslinked cured product due to the bonding reaction between them.
유기과산화물로는, 라디칼중합반응 등에 이용되는 공지의 것을 전부 이용할 수 있고, 구체적으로는, 디아실퍼옥사이드, 디알킬퍼옥사이드, 퍼옥시디카보네이트, 퍼옥시에스테르, 퍼옥시케탈, 하이드로퍼옥사이드 및 실릴퍼옥사이드로 이루어진 군으로부터 선택되는 1종 이상이 호적하게 이용된다. 이들 중에서는, 회로부재의 접속구조나 반도체장치에 있어서의 접속단자의 부식을 더욱 억제하기 위하여, 퍼옥시에스테르, 디알킬퍼옥사이드 및 하이드로퍼옥사이드로 이루어진 군으로부터 선택되는 1종 이상이 바람직하다.
As the organic peroxide, all known ones used for radical polymerization reaction and the like can be used, and specifically, diacyl peroxide, dialkyl peroxide, peroxydicarbonate, peroxyester, peroxyketal, hydroperoxide and silylperoxide. At least one selected from the group consisting of oxides is preferably used. Among them, at least one selected from the group consisting of peroxyesters, dialkyl peroxides and hydroperoxides is preferable in order to further suppress corrosion of connection structures of circuit members and connection terminals in semiconductor devices.
디아실퍼옥사이드로는, 예를 들어, 이소부틸퍼옥사이드, 2,4-디클로로벤조일퍼옥사이드, 3,5,5-트리메틸헥사노일퍼옥사이드, 옥타노일퍼옥사이드, 라우로일퍼옥사이드, 스테알로일퍼옥사이드, 석시닉퍼옥사이드, 벤조일퍼옥시톨루엔 및 벤조일퍼옥사이드를 들 수 있다. 이들은 1종을 단독으로 또는 2종 이상을 조합하여 이용된다.
As diacyl peroxide, for example, isobutyl peroxide, 2,4-dichlorobenzoyl peroxide, 3,5,5-trimethylhexanoyl peroxide, octanoyl peroxide, lauroyl peroxide, stealoyl peroxide , succinic peroxide, benzoyl peroxytoluene and benzoyl peroxide. These are used individually by 1 type or in combination of 2 or more type.
디알킬퍼옥사이드로는, 예를 들어, α,α'-비스(t-부틸퍼옥시)디이소프로필벤젠, 디쿠밀퍼옥사이드, 2,5-디메틸-2,5-비스(t-부틸퍼옥시)헥산 및 t-부틸쿠밀퍼옥사이드를 들 수 있다. 이들은 1종을 단독으로 또는 2종 이상을 조합하여 이용된다.
Examples of the dialkyl peroxide include α,α′-bis(t-butylperoxy)diisopropylbenzene, dicumyl peroxide, and 2,5-dimethyl-2,5-bis(t-butylperoxy). ) hexane and t-butylcumyl peroxide. These are used individually by 1 type or in combination of 2 or more type.
퍼옥시디카보네이트로는, 예를 들어, 디-n-프로필퍼옥시디카보네이트, 디이소프로필퍼옥시디카보네이트, 비스(4-t-부틸시클로헥실)퍼옥시디카보네이트, 디-2-에톡시메톡시퍼옥시디카보네이트, 비스(2-에틸헥실퍼옥시)디카보네이트, 디메톡시부틸퍼옥시디카보네이트 및 비스(3-메틸-3-메톡시부틸퍼옥시)디카보네이트를 들 수 있다. 이들은 1종을 단독으로 또는 2종 이상을 조합하여 이용된다.
Examples of the peroxydicarbonate include di-n-propyl peroxydicarbonate, diisopropyl peroxydicarbonate, bis(4-t-butylcyclohexyl)peroxydicarbonate, and di-2-ethoxymethoxyperoxydicarbonate. carbonate, bis(2-ethylhexylperoxy)dicarbonate, dimethoxybutylperoxydicarbonate, and bis(3-methyl-3-methoxybutylperoxy)dicarbonate. These are used individually by 1 type or in combination of 2 or more type.
퍼옥시에스테르로는, 예를 들어, 쿠밀퍼옥시네오데카노에이트, 1,1,3,3-테트라메틸부틸퍼옥시네오데카노에이트, 1-시클로헥실-1-메틸에틸퍼옥시네오데카노에이트, t-헥실퍼옥시네오데카노에이트, t-부틸퍼옥시피발레이트, 1,1,3,3-테트라메틸부틸퍼옥시-2-에틸헥사노에이트, 2,5-디메틸-2,5-비스(2-에틸헥사노일퍼옥시)헥산, 1-시클로헥실-1-메틸에틸퍼옥시-2-에틸헥사노에이트, t-헥실퍼옥시-2-에틸헥사노네이트, t-부틸퍼옥시-2-에틸헥사노에이트, t-부틸퍼옥시이소부틸레이트, 1,1-비스(t-부틸퍼옥시)시클로헥산, t-헥실퍼옥시이소프로필모노카보네이트, t-부틸퍼옥시-3,5,5-트리메틸헥사노네이트, t-부틸퍼옥시라우레이트, 2,5-디메틸-2,5-비스(m-톨루오일퍼옥시)헥산, t-부틸퍼옥시이소프로필모노카보네이트, t-부틸퍼옥시-2-에틸헥실모노카보네이트, t-헥실퍼옥시벤조에이트, t-부틸퍼옥시아세테이트 및 비스(t-부틸퍼옥시)헥사하이드로테레프탈레이트를 들 수 있다. 이들은 1종을 단독으로 또는 2종 이상을 조합하여 이용된다.
Examples of the peroxyester include cumyl peroxyneodecanoate, 1,1,3,3-tetramethylbutylperoxyneodecanoate, 1-cyclohexyl-1-methylethylperoxyneodecano. ate, t-hexylperoxyneodecanoate, t-butylperoxypivalate, 1,1,3,3-tetramethylbutylperoxy-2-ethylhexanoate, 2,5-dimethyl-2,5 -Bis(2-ethylhexanoylperoxy)hexane, 1-cyclohexyl-1-methylethylperoxy-2-ethylhexanoate, t-hexylperoxy-2-ethylhexanonate, t-butylperoxy -2-ethylhexanoate, t-butylperoxyisobutylate, 1,1-bis(t-butylperoxy)cyclohexane, t-hexylperoxyisopropylmonocarbonate, t-butylperoxy-3; 5,5-trimethylhexanonate, t-butylperoxylaurate, 2,5-dimethyl-2,5-bis(m-toluylperoxy)hexane, t-butylperoxyisopropyl monocarbonate, t- butylperoxy-2-ethylhexyl monocarbonate, t-hexylperoxybenzoate, t-butylperoxyacetate, and bis(t-butylperoxy)hexahydroterephthalate are mentioned. These are used individually by 1 type or in combination of 2 or more type.
퍼옥시케탈로는, 예를 들어, 1,1-비스(t-헥실퍼옥시)-3,3,5-트리메틸시클로헥산, 1,1-비스(t-헥실퍼옥시)시클로헥산, 1,1-비스(t-부틸퍼옥시)-3,3,5-트리메틸시클로헥산, 1,1-(t-부틸퍼옥시)시클로도데칸 및 2,2-비스(t-부틸퍼옥시)데칸을 들 수 있다. 이들은 1종을 단독으로 또는 2종 이상을 조합하여 이용된다.
Examples of the peroxyketal include 1,1-bis(t-hexylperoxy)-3,3,5-trimethylcyclohexane, 1,1-bis(t-hexylperoxy)cyclohexane, 1, 1-bis(t-butylperoxy)-3,3,5-trimethylcyclohexane, 1,1-(t-butylperoxy)cyclododecane and 2,2-bis(t-butylperoxy)decane can be heard These are used individually by 1 type or in combination of 2 or more type.
하이드로퍼옥사이드로는, 예를 들어, 디이소프로필벤젠하이드로퍼옥사이드 및 쿠멘하이드로퍼옥사이드를 들 수 있다. 이들은 1종을 단독으로 또는 2종 이상을 조합하여 이용된다.
As a hydroperoxide, diisopropylbenzene hydroperoxide and cumene hydroperoxide are mentioned, for example. These are used individually by 1 type or in combination of 2 or more type.
실릴퍼옥사이드로는, 예를 들어, t-부틸트리메틸실릴퍼옥사이드, 비스(t-부틸)디메틸실릴퍼옥사이드, t-부틸트리비닐실릴퍼옥사이드, 비스(t-부틸)디비닐실릴퍼옥사이드, 트리스(t-부틸)비닐실릴퍼옥사이드, t-부틸트리알릴실릴퍼옥사이드, 비스(t-부틸)디알릴실릴퍼옥사이드 및 트리스(t-부틸)알릴실릴퍼옥사이드를 들 수 있다. 이들은 1종을 단독으로 또는 2종 이상을 조합하여 이용된다.
Examples of the silyl peroxide include t-butyltrimethylsilylperoxide, bis(t-butyl)dimethylsilylperoxide, t-butyltrivinylsilylperoxide, bis(t-butyl)divinylsilylperoxide, tris(t-butyl)vinylsilylperoxide, t-butyltriallylsilylperoxide, bis(t-butyl)diallylsilylperoxide, and tris(t-butyl)allylsilylperoxide. These are used individually by 1 type or in combination of 2 or more type.
(A-2)성분의 첨가량은, (A-1)성분인 오르가노폴리실록산 합계량 100질량부에 대하여, 0.1~10질량부, 바람직하게는 0.5~5질량부이다. 첨가량이, 0.1질량부 미만의 경우, 반응이 충분히 진행되지 않을 우려가 있다. 10질량부를 초과하는 경우, 원하는 경화후의 물성, 즉 충분한 내열성, 내광성이 얻어지지 않을 우려가 있다.
(A-2) The addition amount of a component is 0.1-10 mass parts with respect to 100 mass parts of organopolysiloxane total amounts which are (A-1) component, Preferably it is 0.5-5 mass parts. When addition amount is less than 0.1 mass part, there exists a possibility that reaction may not fully advance. When it exceeds 10 mass parts, there exists a possibility that desired physical properties after hardening, ie, sufficient heat resistance and light resistance, may not be obtained.
[(B)도전성 입자][(B) conductive particles]
본 발명의 투명수지 조성물을 구성하는 (B)성분은, 평균입경 1μm 이하인 도전성 입자이다. 상기 도전성 입자는, 1차입경으로 100nm 이하의 도전성 나노입자인 것이 바람직하다. 평균입경이 1μm를 초과하면, 조대입자의 영향으로, 후에 서술하는 BLT가 5μm 이하는 되지 않고, 안정된 도전성을 얻는 것이 어렵다. 평균입경의 하한에 특별히 제한은 없다. 이러한 도전성 입자로는, 금속나노입자 등의 금속입자, 도전성 무기산화물 등을 이용할 수 있고, 단독 또는 2종 이상을 혼합하여 사용할 수 있다. 입자의 바람직한 형상으로서, 구상, 플레이크상, 침상, 무정형 등을 들 수 있으나, 이것으로 한정되지 않는다.
(B) component which comprises the transparent resin composition of this invention is electroconductive particle whose average particle diameter is 1 micrometer or less. It is preferable that the said electroconductive particle is an electroconductive nanoparticle with a primary particle diameter of 100 nm or less. When the average particle diameter exceeds 1 µm, the BLT described later does not become 5 µm or less due to the influence of the coarse particles, and it is difficult to obtain stable electrical conductivity. There is no particular limitation on the lower limit of the average particle diameter. As the conductive particles, metal particles such as metal nanoparticles, conductive inorganic oxides, etc. may be used, and may be used alone or in combination of two or more. Preferred shapes of the particles include, but are not limited to, spherical, flake, needle, amorphous, and the like.
본 발명에 있어서의 평균입경은 체적기준입도분포에 있어서의 메디안 직경(D50)이며, D50값은, 레이저회절·산란법에 의해 얻어진 입도분포로부터 구해지는 것 외에, 주사형 전자현미경(SEM) 등을 이용하여 관측된 입자상으로부터 산출할 수 있다.
The average particle diameter in the present invention is the median diameter (D 50 ) in the volume-based particle size distribution, and the D 50 value is obtained from the particle size distribution obtained by the laser diffraction/scattering method, and a scanning electron microscope (SEM) ) can be calculated from the observed particle phase using
금속입자로는, 예를 들어, 금, 니켈, 구리, 은, 땜납, 팔라듐, 알루미늄, 이들의 합금, 이들의 다층화물(예를 들어, 니켈도금/금플래쉬도금물) 등을 들 수 있다. 그 중에서도, 도전성 입자에 의한 착색의 영향이 적은, 은이 바람직하다.
Examples of the metal particles include gold, nickel, copper, silver, solder, palladium, aluminum, alloys thereof, and multilayered products thereof (eg, nickel plating/gold flash plating). Especially, silver with little influence of coloring by electroconductive particle is preferable.
또한, 도전성 무기산화물로서, 무기산화물 등의 무기입자에 도전성을 부여한 것을 사용할 수 있다. 이러한 도전성을 부여한 무기입자로는, ITO(인듐-주석계 산화물), ATO(주석-안티몬계 산화물)를 들 수 있고, 또한, 산화티탄(TiO2), 질화붕소(BN), 산화아연(ZnO), 산화규소(SiO2), 산화알루미늄(Al2O3), 무기유리 등의 무기입자에 도전성을 부여(예를 들어, 금속재료를 피복)한 것 등을 들 수 있다. 그 중에서도, 수지조성물 중에 분산했을 때, 투명해지기 쉬운 ITO, ATO, 도전성을 부여한 산화규소가 바람직하다. 도전성 무기산화물의 피복층은, 도전성이 부여되어 있으면 되고, 무기산화물 등의 무기입자를 은 등의 금속재료로 피복한 것일 수도 있고, 산화주석에 안티몬을 도프, 산화인듐에 주석을 도프하는 등, 도전성의 피복층을 마련할 수도 있다. 무기입자의 형상으로는 무정형, 구상, 인편상, 침상 등을 들 수 있다.
In addition, as the conductive inorganic oxide, an inorganic oxide such as an inorganic oxide to which conductivity is imparted can be used. Examples of the inorganic particles imparted with such conductivity include ITO (indium-tin-based oxide) and ATO (tin-antimony-based oxide), and titanium oxide (TiO 2 ), boron nitride (BN), and zinc oxide (ZnO). ), silicon oxide (SiO 2 ), aluminum oxide (Al 2 O 3 ), and inorganic particles such as inorganic glass that are imparted with conductivity (eg, coated with a metallic material) and the like. Among them, ITO, ATO, and silicon oxide to which conductivity is imparted are preferable when dispersed in the resin composition. The coating layer of the conductive inorganic oxide may be provided with conductivity, and may be one in which inorganic particles such as an inorganic oxide are coated with a metallic material such as silver. It is also possible to provide a coating layer of Examples of the shape of the inorganic particles include amorphous, spherical, scale-like, needle-like, and the like.
본 발명의 투명수지 조성물에 있어서, (B)성분의 함유량은, (A)성분의 고형분(고형분 체적)을 기준으로 하여 0체적%보다 크고, 또한 0.1체적% 미만인 범위이며, 바람직하게는 0.001~0.08체적%, 보다 바람직하게는 0.01~0.05체적%의 범위이다. (B)성분의 함유량이 0.1체적% 이상이 되면, 본 발명의 투명수지 조성물의 고투명성이 손상되고, 전광선 투과율의 저하 및 헤이즈값의 상승을 초래하기 때문에, 고투명한 도전성의 경화물로 할 수 없다. 나아가, LED디바이스로부터의 광취출효율을 저하시키는 원인이 된다.
In the transparent resin composition of the present invention, the content of component (B) is greater than 0% by volume and less than 0.1% by volume based on the solid content (solid volume) of component (A), preferably 0.001 to It is 0.08 volume%, More preferably, it is the range of 0.01-0.05 volume%. When the content of component (B) is 0.1% by volume or more, the high transparency of the transparent resin composition of the present invention is impaired, and the total light transmittance is lowered and the haze value is increased. Therefore, a highly transparent conductive cured product can be obtained. none. Furthermore, it becomes a cause of lowering the light extraction efficiency from the LED device.
[(C)기타 성분][(C)Other ingredients]
조성물의 투명성을 더욱 유지하고, 경화물의 착색, 산화열화 등의 발생을 억제하기 때문에, 2,6-디-t-부틸-4-메틸페놀 등의 종래 공지의 산화방지제를 본 발명의 투명수지 조성물에 배합할 수 있다. 또한, 광열화에 대한 저항성을 부여하기 위하여, 힌더드아민계 안정제 등의 광안정제를 본 발명의 투명수지 조성물에 배합할 수도 있다.
In order to further maintain the transparency of the composition and to suppress the occurrence of coloration and oxidative deterioration of the cured product, a conventionally known antioxidant such as 2,6-di-t-butyl-4-methylphenol is added to the transparent resin composition of the present invention. can be combined with In addition, in order to impart resistance to light degradation, a light stabilizer such as a hindered amine stabilizer may be blended in the transparent resin composition of the present invention.
본 발명의 투명수지 조성물의 강도를 향상시키고, 틱소성을 부여하기 위하여, 추가로, 흄드실리카, 나노알루미나 등의 무기질 충전제를 배합할 수도 있다. 필요에 따라, 본 발명의 투명수지 조성물에, 염료, 안료, 난연제 등을 배합할 수도 있다.
In order to improve the strength of the transparent resin composition of the present invention and impart thixotropy, an inorganic filler such as fumed silica and nano-alumina may be further incorporated. If necessary, a dye, a pigment, a flame retardant, etc. may be blended with the transparent resin composition of the present invention.
또한, 작업성을 개선하는 목적으로 용제 등을 첨가하여 사용하는 것도 가능하다. 용제의 종류는 특별히 제한되는 것이 아니고, 경화전의 수지조성물을 용해하고, 도전성 입자를 양호하게 분산시켜, 균일한 다이본드재 혹은 접착제 등을 제공할 수 있는 용제를 사용할 수 있다. 이 용제의 배합비율은 다이본드재 등을 사용하는 작업조건, 환경, 사용시간 등에 따라 적당히 조정하면 된다. 용제는 2종 이상을 병용할 수도 있다. 이러한 용제로는, 부틸카르비톨아세테이트, 카르비톨아세테이트, 메틸에틸케톤, α-테르피네올, 및 셀로솔브아세테이트 등을 들 수 있다.
In addition, it is also possible to use by adding a solvent or the like for the purpose of improving workability. The type of the solvent is not particularly limited, and a solvent capable of dissolving the resin composition before curing and dispersing the conductive particles satisfactorily to provide a uniform die-bonding material or adhesive can be used. The mixing ratio of this solvent may be appropriately adjusted according to the working conditions, environment, use time, etc. using the die-bonding material. A solvent can also use 2 or more types together. Examples of the solvent include butyl carbitol acetate, carbitol acetate, methyl ethyl ketone, α-terpineol, and cellosolve acetate.
또한, 본 발명의 투명수지 조성물은, 그 접착성을 향상시키기 위한 접착부여제를 함유할 수도 있다. 이 접착부여제로는, 실란커플링제나 그 가수분해축합물 등이 예시된다. 실란커플링제로는, 에폭시기함유 실란커플링제, (메트)아크릴기함유 실란커플링제, 이소시아네이트기함유 실란커플링제, 이소시아누레이트기함유 실란커플링제, 아미노기함유 실란커플링제, 메르캅토기함유 실란커플링제 등 공지의 것이 예시되고, (A)성분의 합계 100질량부에 대하여 바람직하게는 0.1~20질량부, 보다 바람직하게는 0.3~10질량부 이용할 수 있다.
In addition, the transparent resin composition of the present invention may contain an adhesion imparting agent for improving its adhesiveness. Examples of the adhesion imparting agent include a silane coupling agent and a hydrolysis-condensation product thereof. Examples of the silane coupling agent include an epoxy group-containing silane coupling agent, a (meth)acrylic group-containing silane coupling agent, an isocyanate group-containing silane coupling agent, an isocyanurate group-containing silane coupling agent, an amino group-containing silane coupling agent, and a mercapto group-containing silane. Well-known things, such as a coupling agent are illustrated, Preferably it is 0.1-20 mass parts with respect to a total of 100 mass parts of (A) component, More preferably, 0.3-10 mass parts can be used.
본 발명의 투명수지 조성물은, 상기 각 성분을, 공지의 혼합방법, 예를 들어, 믹서, 롤 등을 이용하여 혼합함으로써 제조할 수 있다. 또한, 본 발명의 투명수지 조성물은, 회전점도계, 예를 들어, E형 점도계를 이용하여 25℃에서 측정한 점도가 바람직하게는 10~1,000,000mPa·s, 보다 바람직하게는 100~1,000,000mPa·s, 특히 바람직하게는 100~20,000mPa·s이다.
The transparent resin composition of the present invention can be produced by mixing each of the above components using a known mixing method, for example, a mixer, a roll, or the like. In addition, the transparent resin composition of the present invention preferably has a viscosity measured at 25° C. using a rotational viscometer, for example, an E-type viscometer, of 10 to 1,000,000 mPa·s, more preferably 100 to 1,000,000 mPa·s , particularly preferably 100 to 20,000 mPa·s.
본 발명의 투명수지 조성물은, 공지의 경화조건하에서 공지의 경화방법에 의해 경화시킬 수 있다. 구체적으로는, 통상 80~200℃, 바람직하게는 100~160℃에서 가열함으로써, 이 조성물을 경화시킬 수 있다. 가열시간은, 0.5분~5시간 정도, 특히 1분~3시간 정도이면 된다. 작업조건, 생산성, 발광소자 및 광체내열성과의 밸런스로부터 적당히 선정할 수 있다.
The transparent resin composition of the present invention can be cured by a known curing method under known curing conditions. Specifically, it is 80-200 degreeC normally, Preferably this composition can be hardened by heating at 100-160 degreeC. The heating time may be about 0.5 minutes to about 5 hours, particularly about 1 minute to about 3 hours. It can be appropriately selected from the balance between working conditions, productivity, light emitting element and heat resistance of the body.
본 발명의 투명수지 조성물은, 수직형 LED칩을 패키지에 고정하기 위하여 호적하게 이용할 수 있다. 또한, 기타 발광 다이오드(LED), 유기전계 발광소자(유기EL), 레이저다이오드, 및 LED어레이 등의 광반도체 소자에도 호적하게 이용할 수 있다.
The transparent resin composition of the present invention can be suitably used for fixing a vertical LED chip to a package. Moreover, it can use suitably also for optical semiconductor elements, such as another light emitting diode (LED), an organic electroluminescent element (organic EL), a laser diode, and an LED array.
나아가 본 발명에서는, 상기 본 발명의 투명수지 조성물로 이루어진 접착제를 제공한다. 또한, 상기 본 발명의 투명수지 조성물로 이루어지고, 반도체소자를 배선판에 도전접속하기 위하여 사용할 수 있는 다이본드재를 제공한다.
Further, in the present invention, there is provided an adhesive made of the transparent resin composition of the present invention. In addition, there is provided a die-bonding material made of the transparent resin composition of the present invention, which can be used for conductively connecting a semiconductor device to a wiring board.
본 발명의 투명수지 조성물은, 고투명이며, 또한 접착강도 및 작업성이 우수하고, 내열성 및 내광성이 우수한 경화물을 부여할 수 있다. 따라서, 상기 투명수지 조성물로 이루어진 접착제 및 다이본드재이면, LED칩을 배선판에 탑재하기 위한 접착제로서 광의 취출효율을 손상시키지 않고 호적하게 이용할 수 있다.
The transparent resin composition of the present invention can provide a cured product having high transparency, excellent adhesive strength and workability, and excellent heat resistance and light resistance. Therefore, the adhesive and die-bonding material made of the transparent resin composition can be suitably used as an adhesive for mounting an LED chip on a wiring board without impairing light extraction efficiency.
나아가, 본 발명의 다이본드재를 경화하여 얻어지는 경화물은 BLT가 5μm 이하인 경우에 있어서 사용되는 것이 바람직하다. BLT는 도전접속을 행하는 부재간의 거리를 의미하고, 도전성 경화물층의 두께라고 이해할 수 있다. BLT가 5μm 이하이면, (B)성분의 도전성 입자(도전성 미립자)가 극미량만 첨가되는 경우에도, 부재간을 유효하게 전기적으로 접속할 수 있다. 상기 도전성 입자의 함유량이 적으면, 보다 고투명한 경화물을 얻을 수 있고, 또한, 경제적으로도 유용하다. BLT는 작은 값을 취하는 편이 전극간 거리가 좁아지므로 바람직하다. 나아가, BLT는 작은 값을 취하는 편이 열저항이 저감되는 점에서, 광반도체 소자의 발광에 의해 발해진 열의 방열에도 유리하다.
Furthermore, it is preferable that the hardened|cured material obtained by hardening|curing the die-bonding material of this invention is used when BLT is 5 micrometers or less. BLT means the distance between members for conducting conductive connection, and can be understood as the thickness of the conductive cured material layer. If BLT is 5 micrometers or less, even when the electroconductive particle (electroconductive microparticles|fine-particles) of (B) component is added only in a trace amount, between members can be electrically connected effectively. When there is little content of the said electroconductive particle, a more highly transparent hardened|cured material can be obtained and it is also useful also economically. It is preferable to take a small value for BLT because the distance between electrodes becomes narrower. Furthermore, the BLT is advantageous also for heat dissipation of the heat generated by light emission of the optical semiconductor element, since the thermal resistance is reduced when the BLT is set to a small value.
다이본드재를 도포하는 방법은 특별히 제한되지 않고, 예를 들어, 스핀코팅, 인쇄, 및 압축성형 등을 들 수 있다. 다이본드재의 두께는, 적당히 선택하면 되고, 통상 5~50μm, 특히 10~30μm이다. 예를 들어, 디스펜스장치를 이용하여 23℃의 온도, 0.5~5kgf/cm2의 압력으로 토출함으로써 용이하게 도포를 할 수 있다. 또한, 스탬핑 장치를 이용함으로써, 소정량의 다이본드재를 기판에 전사하는 것으로도 용이하게 할 수 있다.
The method for applying the die-bonding material is not particularly limited, and examples thereof include spin coating, printing, and compression molding. What is necessary is just to select the thickness of a die-bonding material suitably, Usually, it is 5-50 micrometers, Especially 10-30 micrometers. For example, it can be easily applied by discharging it using a dispensing device at a temperature of 23° C. and a pressure of 0.5 to 5 kgf/cm 2 . Also, by using a stamping device, it is possible to easily transfer a predetermined amount of the die-bonding material to the substrate.
광반도체 소자의 탑재방법은 특별히 제한되지 않고, 예를 들어, 다이본더를 들 수 있다. 다이본드재의 두께를 결정하는 요소는, 상기 서술한 다이본드재의 점도에 더하여, 광반도체 소자의 압착하중, 압착시간, 압착온도를 들 수 있다. 이들 조건은, 광반도체 소자의 외형형상, 목적으로 하는 다이본드재 두께에 따라 적당히 선택하면 되고, 압착하중은 일반적으로 1gf 이상 1kgf 이하이다. 바람직하게는 10gf 이상 100gf 이하이다. 1gf 이상의 압착하중이면, 다이본드재를 충분히 압착할 수 있다. 또한 1kgf 이하의 압착하중을 이용하면, 광반도체 소자 표면의 발광층에 데미지를 주는 일이 없다. 압착시간은 공정의 생산성과 균형을 맞추어 적당히 선택하면 되고, 일반적으로 0msec 초과 1sec 이하이다. 바람직하게는 1msec 이상 30msec이다. 1sec 이하이면 생산성의 점에서 바람직하다. 압착온도는 특별히 제한은 없고, 다이본드재의 사용온도범위에 따르면 되는데, 일반적으로 15℃ 이상 100℃ 이하이면 바람직하다. 다이본더의 압착스테이지에 가온설비가 없는 경우는 실온 부근에서의 온도대에서 사용하면 된다. 15℃ 이상이면, 다이본드재의 점도가 지나치게 높아지지 않기 때문에 충분히 압착할 수 있다. 100℃ 이하이면, 다이본드재의 경화가 시작될 일이 없으므로, 목적으로 하는 다이본드재의 두께에 도달할 수 있다.
The mounting method in particular of an optical semiconductor element is not restrict|limited, For example, a die bonder is mentioned. Factors determining the thickness of the die-bonding material include, in addition to the viscosity of the above-described die-bonding material, the compression load of the optical semiconductor element, the pressing time, and the pressing temperature. These conditions may be appropriately selected according to the external shape of the optical semiconductor element and the target die-bonding material thickness, and the compression load is generally 1 gf or more and 1 kgf or less. Preferably, it is 10 gf or more and 100 gf or less. If the crimping load is 1 gf or more, the die-bonding material can be crimped sufficiently. In addition, when a compression load of 1 kgf or less is used, there is no damage to the light emitting layer on the surface of the optical semiconductor element. The compression time may be appropriately selected in balance with the productivity of the process, and is generally greater than 0 msec and less than or equal to 1 sec. Preferably it is 1 msec or more and 30 msec. It is preferable at the point of productivity in it being 1 sec or less. The compression temperature is not particularly limited, and may depend on the operating temperature range of the die-bonding material, but is generally preferably 15°C or more and 100°C or less. If there is no heating equipment in the compression stage of the die bonder, it can be used in a temperature range around room temperature. If it is 15 degreeC or more, since the viscosity of a die-bonding material does not become high too much, it can press-bond fully. If it is 100 degrees C or less, since hardening of a die-bonding material does not start, the target thickness of a die-bonding material can be reached.
나아가 본 발명에서는, 상기 본 발명의 투명수지 조성물을 이용하여, BLT를 5μm 이하로 하여 광반도체 소자와 기판을 도전접속하는 것을 특징으로 하는 도전접속방법을 제공한다. 이러한 도전접속방법이면, 광반도체 소자와 기판의 도전접속을 확실히 달성할 수 있다.
Further, in the present invention, using the transparent resin composition of the present invention, the BLT is 5 μm or less to provide a conductive connection method, characterized in that the conductive connection between the optical semiconductor element and the substrate. With such a conductive connection method, conductive connection between the optical semiconductor element and the substrate can be reliably achieved.
나아가 본 발명에서는, 상기 본 발명의 도전접속방법에 의해 광반도체 소자와 기판이 도전접속된 것을 특징으로 하는 광반도체 장치를 제공한다. 본 발명의 광반도체 장치는, 본 발명의 도전접속방법에 의해 얻어진 것이므로, 광취출효율이 높고, 내열성 및 내광성을 갖는 것이 되며, 도전접속이 확실히 달성된 것이 된다.
Furthermore, the present invention provides an optical semiconductor device characterized in that the optical semiconductor element and the substrate are electrically connected by the conductive connection method of the present invention. Since the optical semiconductor device of the present invention is obtained by the conductive connection method of the present invention, the light extraction efficiency is high, and has heat resistance and light resistance, and the conductive connection is reliably achieved.
이하, 본 발명의 광반도체 장치의 일태양에 대하여 도면을 참조하여 설명한다. 도 1은, 본 발명의 투명수지 조성물을 이용하여 광반도체 소자와 기판이 도전접속된 광반도체 장치의 일례를 나타낸 단면도이다. 이 광반도체 장치는, 광반도체 소자(4)의 하부전극과 제1 리드(2)를 다이본드재(1)에 의해, 전기적으로 접속하고, 광반도체 소자(4)의 상부전극과 제2 리드(3)를 와이어(5)에 의해 전기적으로 접속하고, 광반도체 소자(4)를 봉지재(6)로 봉지한 것이다.
EMBODIMENT OF THE INVENTION Hereinafter, one aspect of the optical semiconductor device of this invention is demonstrated with reference to drawings. 1 is a cross-sectional view showing an example of an optical semiconductor device in which an optical semiconductor element and a substrate are electrically connected using a transparent resin composition of the present invention. In this optical semiconductor device, the lower electrode of the
도 1의 광반도체 장치의 제조방법(본 발명의 도전접속방법)으로는, 이하의 방법을 예시할 수 있다.As a manufacturing method (conductive connection method of this invention) of the optical semiconductor device of FIG. 1, the following method can be illustrated.
패키지기판 상의 제1 리드(2)에, 다이본드재(1)를 정량전사하고, 그 위에 광반도체 소자(4)를 탑재한다. 이어서 다이본드재(1)를 가열경화시키고, 광반도체 소자(4)의 하부전극과 제1 리드(2)를 전기적으로 접속한다. 이때, 본 발명의 도전접속방법에서는, BLT를 5μm 이하로 한다. BLT를 5μm 이하로 하는 방법으로는, 예를 들어, 조성물의 점도를 조정하는 방법, 조성물의 기판에 대한 도포량을 조절하는 방법, 광반도체 소자를 기판에 다이본드할 때의 압력을 제어하는 방법 등을 들 수 있다. 이어서, 광반도체 소자(4)가 탑재된 패키지기판을, 광반도체 소자(4)의 상부전극과 제2 리드(3)에 대하여 와이어(5)를 이용하여 전기적으로 접속하고, 광반도체 소자(4)가 탑재된 패키지기판을 얻는다. 이어서, 봉지재(6)를 정량도포하고, 봉지재(6)의 가열경화를 행한다.
The die-bonding material 1 is quantitatively transferred to the
본 발명의 투명수지 조성물을 경화하여 얻어지는 경화물의 BLT가 5μm를 초과하면, (B)성분의 도전성 입자에 의한 전기적인 접속효과를 잃게 되어, 도전성의 경화물로서 이용할 수 없고, 반도체소자와 기판을 도전접속할 수 없다. 이 경우, (B)성분의 함유량을 (A)성분의 고형분을 기준으로 하여 0.1체적% 이상으로 하면 도전성은 회복되나, 전광선 투과율의 저하, 및 헤이즈값의 상승을 초래하므로, 고투명한 경화물로 할 수 없다. 나아가, 열저항의 증대의 원인이 되므로, 바람직하지 않다.
When the BLT of the cured product obtained by curing the transparent resin composition of the present invention exceeds 5 μm, the electrical connection effect by the conductive particles of component (B) is lost, and it cannot be used as a conductive cured product, and the semiconductor device and the substrate Cannot connect to challenge. In this case, when the content of the component (B) is 0.1 vol% or more based on the solid content of the component (A), the conductivity is restored, but the total light transmittance is lowered and the haze value is increased. Can not. Furthermore, since it causes an increase in thermal resistance, it is not preferable.
실시예
Example
이하, 실시예와 비교예를 나타내고, 본 발명을 구체적으로 설명하나, 본 발명은 하기의 실시예로 한정되는 것은 아니다.(하기 식에 있어서, Me는 메틸기를 나타낸다.)
Hereinafter, examples and comparative examples are shown and the present invention will be specifically described, but the present invention is not limited to the following examples. (In the formulas, Me represents a methyl group.)
[조제예 1~4][Preparation Examples 1-4]
하기 성분을 교반, 혼합하여, 표 1에 나타낸 조성의 실리콘 조성물을 조제하였다.
The following components were stirred and mixed to prepare a silicone composition having the composition shown in Table 1.
[(A)성분][(A) component]
[(A-1)성분][(A-1) component]
(a)하기 식에 나타낸, MA단위, M단위, Q단위가, MA:M:Q=1:4:6의 비율로 포함되고, 분자량이 폴리스티렌 환산의 중량평균 분자량으로, 5000인 오르가노폴리실록산.(a) an organopolysiloxane in which MA units, M units, and Q units, shown in the following formula, are included in a ratio of MA:M:Q=1:4:6 and whose molecular weight is 5000 in terms of polystyrene equivalent weight average molecular weight .
[화학식 21][Formula 21]
[화학식 22][Formula 22]
[화학식 23][Formula 23]
(b)하기 식에 나타낸 오르가노폴리실록산.(하기 식에 있어서, Me는 메틸기를 나타낸다.)(b) An organopolysiloxane represented by the following formula. (In the following formula, Me represents a methyl group.)
[화학식 24][Formula 24]
(c)하기 식에 나타낸, MA-D단위, D단위, T단위가, MA-D:D:T=2:6:7의 비율로 포함되고, 분자량이 폴리스티렌 환산의 중량평균 분자량으로, 3500인 오르가노폴리실록산.(하기 식에 있어서, Me는 메틸기를 나타낸다.)(c) MA-D unit, D unit, and T unit, shown in the following formula, are included in a ratio of MA-D:D:T=2:6:7, and the molecular weight is 3500 in terms of polystyrene Phosphorus organopolysiloxane. (In the following formula, Me represents a methyl group.)
[화학식 25][Formula 25]
[화학식 26][Formula 26]
[화학식 27][Formula 27]
(d)하기 식에 나타낸 오르가노폴리실록산.(하기 식에 있어서, Me는 메틸기를 나타낸다.)(d) An organopolysiloxane represented by the following formula. (In the following formula, Me represents a methyl group.)
[화학식 28][Formula 28]
[(A-2)성분][(A-2) component]
(A-2)1,1-Di(t-butylperoxy)cyclohexane(상품명: 퍼헥사C, 니찌유주식회사제)
(A-2) 1,1-Di(t-butylperoxy)cyclohexane (trade name: PerhexaC, manufactured by Nichiyu Corporation)
조제예 1~4의 각 성분의 배합량을 표 1에 나타낸다.Table 1 shows the compounding quantity of each component of Preparation Examples 1-4.
[표 1][Table 1]
(비교조제예 1)(Comparative Preparation Example 1)
하기 성분을 교반, 혼합하여 실리콘 조성물(V)을 조제하였다.
The following components were stirred and mixed to prepare a silicone composition (V).
[(A-1)성분][(A-1) component]
((e)성분)평균조성식: MViD300MVi의 실리콘오일: 35질량부((e) component) Average composition formula: M Vi D 300 M Vi silicone oil: 35 parts by mass
((f)성분)M단위와 MVi단위와 Q단위로부터 구성되고, MVi단위에 대한 M단위의 몰비가 6.25이며, Q단위에 대한 M단위와 MVi단위의 합계의 몰비가 0.8인 실리콘레진: 65질량부((f) component) silicon composed of M unit, M Vi unit, and Q unit, the molar ratio of M unit to M Vi unit is 6.25, and the molar ratio of the sum of M unit and M Vi unit to Q unit is 0.8 Resin: 65 parts by mass
또한, 상기의 (e)성분, (f)성분에 있어서, 각 성분의 평균조성을 나타낸 기호는 이하와 같은 단위를 나타낸다.In addition, in said (e) component and (f) component, the symbol which showed the average composition of each component shows the following units.
M: (CH3)3SiO1 /2 M: (CH 3) 3 SiO 1/2
MVi: (CH2=CH)(CH3)2SiO1 /2 M Vi: (CH 2 = CH ) (CH 3) 2 SiO 1/2
D: (CH3)2SiO2 /2 D: (CH 3 ) 2 SiO 2 /2
Q: SiO4 /2
Q: SiO 4 /2
[(A-2)성분][(A-2) component]
(A-2)1,1-Di(t-butylperoxy)cyclohexane(상품명: 퍼헥사C, 니찌유주식회사제): 2질량부
(A-2) 1,1-Di(t-butylperoxy)cyclohexane (trade name: PerhexaC, manufactured by Nichiyu Corporation): 2 parts by mass
[실시예 1~6][Examples 1 to 6]
(실시예 1)(Example 1)
(A)성분으로서 조제예 1에서 얻어진 실리콘 조성물(I) 100질량부, (B)성분의 도전성 입자로서 평균입경(1차입자의 평균입자경) 0.02μm의 Sb도프SnO2분말(ATO, 제품명 SN-100P, 이시하라산업사제) 0.1질량부(실리콘 조성물(I)의 고형분을 기준으로 하여 0.015체적%), 첨가재(添加材)로서, 연무상 실리카(제품명 레오시롤) DM-30S, 토쿠야마사제) 5질량부를 혼합하고, 다시 3본롤로 혼련처리를 행하고, 감압탈포하여 페이스트상의 조성물을 조제하였다.
(A) 100 parts by mass of the silicone composition (I) obtained in Preparation Example 1 as component, (B) Sb-doped SnO 2 powder (ATO, product name SN-) having an average particle diameter (average particle diameter of primary particles) 0.02 μm as conductive particles of component (B) 100P, manufactured by Ishihara Industrial Co., Ltd.) 0.1 parts by mass (0.015 vol% based on the solid content of the silicone composition (I)), as an additive, fumed silica (product name: Leosyrol) DM-30S, manufactured by Tokuyama Corporation) 5 mass parts was mixed, kneading|mixing process was performed again with 3 rolls, and it degassed|defoamed under reduced pressure, and the paste-form composition was prepared.
(실시예 2)(Example 2)
(A)성분으로서 조제예 2에서 얻어진 실리콘 조성물(II) 100질량부, (B)성분의 도전성 입자로서 평균입경 0.02μm의 Sb도프SnO2분말(ATO, 제품명 SN-100P, 이시하라산업사제) 0.1질량부(실리콘 조성물(II)의 고형분을 기준으로 하여 0.015체적%), 첨가재로서, 연무상 실리카(제품명 레오시롤 DM-30S, 토쿠야마사제) 5질량부를 혼합하고, 다시 3본롤로 혼련처리를 행하고, 감압탈포하여 페이스트상의 조성물을 조제하였다.
The silicone composition as a component (A) obtained in Preparation Example 2 (II) 100 parts by weight, (B) Sb-doped SnO having an average particle size of 0.02μm as the conductive particles of the second powder component (ATO, product name SN-100P, manufactured by Ishihara Industries) 0.1 5 parts by mass (0.015% by volume based on the solid content of the silicone composition (II)), as an additive, 5 parts by mass of fumed silica (product name: Leosyrol DM-30S, manufactured by Tokuyama Corporation), and kneading with 3 rolls again and degassing under reduced pressure to prepare a paste-like composition.
(실시예 3)(Example 3)
(A)성분으로서 조제예 3에서 얻어진 실리콘 조성물(III) 100질량부, (B)성분의 도전성 입자로서 평균입경 0.02μm의 Sb도프SnO2분말(ATO, 제품명 SN-100P, 이시하라산업사제) 0.1질량부(실리콘 조성물(III)의 고형분을 기준으로 하여 0.015체적%), 첨가재로서, 연무상 실리카(제품명 레오시롤 DM-30S, 토쿠야마사제) 5질량부를 혼합하고, 다시 3본롤로 혼련처리를 행하고, 감압탈포하고, 희석제로서 자일렌을 10질량부 첨가하여 잘 혼합해서 페이스트상의 조성물을 조제하였다.
(A) 100 parts by mass of the silicone composition (III) obtained in Preparation Example 3 as a component, Sb-doped SnO 2 powder (ATO, product name SN-100P, manufactured by Ishihara Industrial Co., Ltd.) having an average particle diameter of 0.02 µm as conductive particles of the component (B) 0.1 5 parts by mass (0.015% by volume based on the solid content of the silicone composition (III)), as an additive, 5 parts by mass of fumed silica (product name: Leosyrol DM-30S, manufactured by Tokuyama Corporation), and kneading with 3 rolls again was performed, degassed under reduced pressure, and 10 parts by mass of xylene was added as a diluent, mixed well, and a paste-like composition was prepared.
(실시예 4)(Example 4)
(A)성분으로서 조제예 1에서 얻어진 실리콘 조성물(I) 100질량부, (B)성분의 도전성 입자로서 평균입경 0.35μm의 Sb도프SnO2피복 실리카분말(제품명 ES-650E, 비중 4.1, 티탄공업사제) 0.1질량부(실리콘 조성물(I)의 고형분을 기준으로 하여 0.024체적%), 첨가재로서, 연무상 실리카(제품명 레오시롤 DM-30S, 토쿠야마사제) 5질량부를 혼합하고, 다시 3본롤로 혼련처리를 행하고, 감압탈포하여 페이스트상의 조성물을 조제하였다.
(A) 100 parts by mass of the silicone composition (I) obtained in Preparation Example 1 as a component, Sb-doped SnO 2 coated silica powder having an average particle diameter of 0.35 µm as the conductive particles of the component (B) (product name ES-650E, specific gravity 4.1, titanium industry company) Agent) 0.1 parts by mass (0.024 vol% based on the solid content of the silicone composition (I)), as an additive, 5 parts by mass of fumed silica (product name: Leosyrol DM-30S, manufactured by Tokuyama Corporation), and 3 copies The kneading process was performed with a roll and degassed under reduced pressure to prepare a paste-like composition.
(실시예 5)(Example 5)
(A)성분으로서 조제예 1에서 얻어진 실리콘 조성물(I) 100질량부, (B)성분의 도전성 입자로서 평균입경 0.02μm의 Sb도프SnO2분말(ATO, 제품명 SN-100P, 이시하라산업사제) 0.01질량부(실리콘 조성물(I)의 고형분을 기준으로 하여 0.0015체적%), 첨가재로서, 연무상 실리카(제품명 레오시롤 DM-30S, 토쿠야마사제) 5질량부를 혼합하고, 다시 3본롤로 혼련처리를 행하고, 감압탈포하여 페이스트상의 조성물을 조제하였다.
(A) 100 parts by mass of the silicone composition (I) obtained in Preparation Example 1 as component (B) 0.01 Sb-doped SnO 2 powder (ATO, product name SN-100P, manufactured by Ishihara Industrial Co., Ltd.) having an average particle diameter of 0.02 µm as conductive particles of component (B) Parts by mass (0.0015% by volume based on the solid content of the silicone composition (I)), as an additive, 5 parts by mass of fumed silica (product name: Leosyrol DM-30S, manufactured by Tokuyama Corporation) are mixed, and kneaded with 3 rolls again and degassing under reduced pressure to prepare a paste-like composition.
(실시예 6)(Example 6)
(A)성분으로서 조제예 4에서 얻어진 실리콘 조성물(IV) 100질량부, (B)성분의 도전성 입자로서 평균입경 0.05μm의 은분말(제품명 실베스트 C-34, 비중 10.5, 토쿠리키과학연구소사제) 0.01질량부(실리콘 조성물(IV)의 고형분을 기준으로 하여 0.001체적%), 용제로서 자일렌 5질량부를 혼합하고, 다시 3본롤로 혼련처리를 행하고, 감압탈포하여 페이스트상의 조성물을 조제하였다.
(A) 100 parts by mass of the silicone composition (IV) obtained in Preparation Example 4 as a component, silver powder having an average particle diameter of 0.05 µm as conductive particles of the component (B) (product name Sylvest C-34, specific gravity 10.5, manufactured by Tokuriki Scientific Research Institute) ) 0.01 parts by mass (0.001 vol% based on the solid content of the silicone composition (IV)), and 5 parts by mass of xylene as a solvent were mixed, kneaded with 3 rolls again, and degassed under reduced pressure to prepare a paste-like composition.
[비교예 1~4][Comparative Examples 1-4]
(비교예 1)(Comparative Example 1)
(A)성분으로서 조제예 1에서 얻어진 실리콘 조성물(I) 100질량부, (B)성분의 도전성 입자로서 평균입경 0.02μm의 Sb도프SnO2분말(ATO, 제품명 SN-100P, 이시하라산업사제) 1.0질량부(실리콘 조성물(I)의 고형분을 기준으로 하여 0.15체적%), 첨가재로서, 연무상 실리카(제품명 레오시롤 DM-30S, 토쿠야마사제) 5질량부를 혼합하고, 다시 3본롤로 혼련처리를 행하고, 감압탈포하여 페이스트상의 조성물을 조제하였다.
(A) 100 parts by mass of the silicone composition (I) obtained in Preparation Example 1 as a component, Sb-doped SnO 2 powder (ATO, product name SN-100P, manufactured by Ishihara Industrial Co., Ltd.) having an average particle diameter of 0.02 µm as conductive particles of the component (B) 1.0 5 parts by mass (0.15% by volume based on the solid content of the silicone composition (I)), as an additive, 5 parts by mass of fumed silica (product name: Leosyrol DM-30S, manufactured by Tokuyama Corporation), and kneading with 3 rolls again and degassing under reduced pressure to prepare a paste-like composition.
(비교예 2)(Comparative Example 2)
(A)성분으로서 조제예 1에서 얻어진 실리콘 조성물(I) 100질량부, (B)성분의 도전성 입자로서 평균입경 6.9μm의 은분말(제품명 실베스트 TCG-7, 비중 10.5, 토쿠리키과학연구소사제) 0.1질량부(실리콘 조성물(I)의 고형분을 기준으로 하여 0.001체적%), 첨가재로서, 연무상 실리카(제품명 레오시롤 DM-30S, 토쿠야마사제) 5질량부를 혼합하고, 다시 3본롤로 혼련처리를 행하고, 감압탈포하여 페이스트상의 조성물을 조제하였다.
(A) 100 parts by mass of the silicone composition (I) obtained in Preparation Example 1 as a component, silver powder with an average particle diameter of 6.9 µm as the conductive particles of the component (B) (product name Sylvest TCG-7, specific gravity 10.5, manufactured by Tokuriki Scientific Research Institute) ) 0.1 parts by mass (0.001% by volume based on the solid content of the silicone composition (I)), as an additive, 5 parts by mass of fumed silica (product name: Leosyrol DM-30S, manufactured by Tokuyama Corporation) are mixed, and then with 3 rolls It kneaded and defoamed under reduced pressure to prepare a paste-like composition.
(비교예 3)(Comparative Example 3)
(A)성분으로서 비교조제예 1에서 얻어진 실리콘 조성물(V) 100질량부, (B)성분의 도전성 입자로서 평균입경 0.02μm의 Sb도프SnO2분말(ATO, 제품명 SN-100P, 이시하라산업사제) 0.1질량부(실리콘 조성물(V)의 고형분을 기준으로 하여 0.015체적%)를 혼합하고, 다시 3본롤로 혼련처리를 행하고, 감압탈포하여 페이스트상의 조성물을 조제하였다.
(A) 100 parts by mass of the silicone composition (V) obtained in Comparative Preparation Example 1 as a component, Sb-doped SnO 2 powder (ATO, product name SN-100P, manufactured by Ishihara Industrial Co., Ltd.) having an average particle diameter of 0.02 µm as conductive particles of the component (B) 0.1 parts by mass (0.015 vol% based on the solid content of the silicone composition (V)) was mixed, kneaded again with 3 rolls, and degassed under reduced pressure to prepare a paste-like composition.
(비교예 4)(Comparative Example 4)
(A)성분으로서 에폭시 조성물(VI)(에폭시다이본드재, 제품명 DX-20C, 헨켈사제) 100질량부, (B)성분의 도전성 입자로서 평균입경 6.9μm의 은분말(제품명 실베스트 TCG-7, 비중 10.5, 토쿠리키과학연구소사제) 310질량부(에폭시 조성물(VI)의 고형분을 기준으로 하여 29.5체적%)를 혼합하고, 다시 3본롤로 혼련처리를 행하고, 감압탈포하여 페이스트상의 조성물을 조제하였다.
(A) 100 parts by mass of epoxy composition (VI) (epoxy diebond material, product name DX-20C, manufactured by Henkel) as component (A), silver powder (product name Sylvest TCG-7) with an average particle diameter of 6.9 μm as conductive particles of component (B) , specific gravity 10.5, manufactured by Tokuriki Scientific Research Institute) 310 parts by mass (29.5% by volume based on the solid content of the epoxy composition (VI)) is mixed, kneaded with 3 rolls again, and degassed under reduced pressure to prepare a paste-like composition did
실시예 1~6, 비교예 1~4의 조성물에 대하여, 이하의 모든 특성을 측정하였다. 결과를 표 2, 표 3에 나타낸다.
For the compositions of Examples 1 to 6 and Comparative Examples 1 to 4, all of the following properties were measured. A result is shown in Table 2, Table 3.
[헤이즈 측정, 및 전광선 투과율의 측정][Haze measurement and total light transmittance measurement]
일본전색공업사제 헤이즈미터 NDH-5000SP를 이용하여 헤이즈 측정, 및 전광선 투과율의 측정을 행하였다. 상기의 조건으로 혼합한 시료를, 2mm 두께의 셀에 흘리고, 소정의 조건(실시예 1~6, 비교예 1~3은 150℃, 1시간, 비교예 4는 170℃, 1시간)으로 가열경화를 행하고, 표면이 청정한 2mm 두께의 경화물을 얻고, 이것을 측정부에 세트하여 측정하였다. 3번의 측정에 있어서의 헤이즈값, 전광선 투과율의 평균값을 구하였다.
The haze measurement and the measurement of the total light transmittance were performed using the haze meter NDH-5000SP by the Nippon Denshoku Industries Co., Ltd. product. A sample mixed under the above conditions was passed through a cell having a thickness of 2 mm, and heated under predetermined conditions (Examples 1 to 6, Comparative Examples 1 to 3 were 150° C., 1 hour, Comparative Example 4 was 170° C., 1 hour). Curing was performed to obtain a cured product having a clean surface of 2 mm in thickness, which was set in a measuring unit for measurement. The average value of the haze value in three measurements and total light transmittance was calculated|required.
[점도의 측정][Measurement of viscosity]
실시예 및 비교예에 나타낸 조성물로 이루어진 각 다이본드재의 점도를 E형 점도계(토우키산업주식회사제 RE80U)를 이용하여 25℃, 50rpm으로 측정하였다.
The viscosity of each die-bonding material composed of the compositions shown in Examples and Comparative Examples was measured at 25 DEG C and 50 rpm using an E-type viscometer (RE80U manufactured by Toki Industrial Co., Ltd.).
[광반도체 패키지의 제작][Production of optical semiconductor package]
LED용 패키지기판으로서, 광반도체 소자를 재치하는 오목부를 갖고, 그 바닥부에 은도금된 제1 리드와 제2 리드가 마련된 LED용 패키지기판[SMD5050(I-CHIUN PRECISION INDUSTRY CO.,사제, 수지부 PPA(폴리프탈아미드))], 광반도체 소자로서, 주발광 피크가 450nm의 수직형 LED(SemiLEDs사제 EV-B35A)를, 각각 준비하였다.
As a package substrate for LED, it has a recess for mounting an optical semiconductor element, and a silver-plated first lead and a second lead are provided on the bottom of the package substrate for LED [SMD5050 (I-CHIUN PRECISION INDUSTRY CO., Ltd., resin part). PPA (polyphthalamide))], vertical LEDs (EV-B35A manufactured by SemiLEDs) having a main emission peak of 450 nm were prepared as optical semiconductor devices, respectively.
다이본더(ASM사제 AD-830)를 이용하여, 패키지기판의 은도금된 제1 리드에, 실시예 및 비교예에 나타낸 각 다이본드재를 스탬핑에 의해 정량전사하고, 그 위에 광반도체 소자를 탑재하였다. 이때의 광반도체 소자의 탑재조건은, 압착시간 13msec, 압착하중 60gf이며, 가온장치를 이용하지 않고 실온 25℃의 환경에서 행하였다. 이어서 패키지기판을 오븐에 투입하여 각 다이본드재를 가열경화시키고(실시예 1~6, 비교예 1~3은 150℃ 1시간, 비교예 4는 170℃ 1시간), 광반도체 소자의 하부전극과 제1 리드를 전기적으로 접속하였다. 이어서 와이어본더를 이용하여, 이 광반도체 소자가 탑재된 이 LED용 패키지기판을, 광반도체 소자의 상부전극과 제2 리드에 대하여 금와이어(다나카전자공업사제 FA 25μm)를 이용하여 전기적으로 접속하고, 광반도체 소자가 탑재된 LED용 패키지기판 각 1매(패키지수로 하여 120개)를 얻었다.
Using a die bonder (AD-830 manufactured by ASM), the die bond materials shown in Examples and Comparative Examples were quantitatively transferred by stamping to the first silver-plated lead of the package substrate, and an optical semiconductor element was mounted thereon. . The mounting conditions of the optical semiconductor element at this time were a compression time of 13 msec and a compression load of 60 gf, and were performed in an environment at room temperature of 25° C. without using a heating device. Then, the package substrate was put into an oven to heat and harden each die-bonding material (Examples 1 to 6, Comparative Examples 1 to 3, 150° C. for 1 hour, Comparative Example 4, 170° C. for 1 hour), the lower electrode of the optical semiconductor device and the first lead were electrically connected. Next, using a wire bonder, this LED package substrate on which the optical semiconductor element is mounted is electrically connected to the upper electrode and the second lead of the optical semiconductor element using a gold wire (FA 25 μm manufactured by Tanaka Electronics Co., Ltd.). , to obtain one package substrate for LED on which an optical semiconductor element was mounted (120 pieces in terms of the number of packages).
이어서, 상기에서 얻어진 광반도체 소자가 탑재된 LED용 패키지기판에 대하여, 디스펜스장치(무사시 엔지니어링제, SuperΣ CM II)를 이용하여, 실리콘봉지재(제품명 KER2500, 신에쯔화학공업주식회사제)를 정량도포하고, 150℃, 4시간으로 봉지재의 가열경화를 행하였다.
Next, a silicone encapsulant (product name: KER2500, manufactured by Shin-Etsu Chemical Industry Co., Ltd.) was quantified using a dispensing device (Musashi Engineering Co., Ltd., SuperΣ CM II) for the package substrate for LED on which the optical semiconductor element was mounted. After coating, the encapsulant was cured by heating at 150°C for 4 hours.
상기와 같이 하여, 다이본드재의 상이한 광반도체 패키지를 제작하고, 이하의 시험에 이용하였다.
As described above, different optical semiconductor packages of die-bonding material were produced and used for the following tests.
[점등수의 확인][Confirmation of number of lights]
상기의 방법으로 얻어진 봉지재가 충전된 광반도체 패키지 전체수(120개)의 점등검사를 행하고(인가전류 IF=20mA), 점등한 광반도체 장치의 수를 세었다.
The lighting test of the total number of optical semiconductor packages (120 pieces) filled with the encapsulant obtained by the above method was performed (applied current IF = 20 mA), and the number of optical semiconductor devices that were turned on was counted.
[BLT의 측정][Measurement of BLT]
상기의 방법으로 얻어진 봉지재가 충전된 광반도체 패키지를, 시판의 실온 경화형 에폭시 수지로 매포하고, 광반도체 소자의 직하가 관찰되도록 절단, 연마하여, BLT가 관찰가능한 시료를 제작하였다. 얻어진 시료를 레이저현미경(주식회사키엔스제 VK-8700)으로 관찰하여, 광반도체 소자-기판간의 거리를 3점 측정하고, 평균값을 구하였다.
The optical semiconductor package filled with the encapsulant obtained by the above method was embedded with a commercially available room temperature curable epoxy resin, cut and polished so that the optical semiconductor element was directly observed, and a sample capable of observing BLT was prepared. The obtained sample was observed with a laser microscope (VK-8700 manufactured by Keyence Corporation), the distance between the optical semiconductor element and the substrate was measured at three points, and the average value was obtained.
[전체 광속의 측정][Measurement of total luminous flux]
상기의 방법으로 얻어진 봉지재가 충전된 광반도체 패키지 10개를, 전체 광속측정시스템 HM-9100(오츠카전자(주)제)을 이용하고, 전체 광속값(Lm)을 측정하여(인가전류 IF=350mA), 평균값을 구하였다.
The total luminous flux value (Lm) was measured using the total luminous flux measurement system HM-9100 (manufactured by Otsuka Electronics Co., Ltd.) for 10 optical semiconductor packages filled with the encapsulant obtained by the above method (applied current IF = 350 mA). ), and the average value was obtained.
[고온통전시험(고온점등시험)][High-temperature energization test (high-temperature lighting test)]
상기의 방법으로 얻어진 봉지재가 충전된 광반도체 패키지 중 10개를, 고온하(85℃)에서, 350mA 통전, 1000시간 점등한 후, 시험후의 샘플의 통전시험을 행하고, 점등한 광반도체 장치의 수를 세었다.
Ten of the optical semiconductor packages filled with the encapsulant obtained by the above method were energized at 350 mA under a high temperature (85 ° C.) and lit for 1000 hours, then the sample after the test was energized. counted
얻어진 결과를 표 2, 표 3에 나타낸다.
The obtained results are shown in Tables 2 and 3.
[표 2][Table 2]
[표 3][Table 3]
표 2에 나타낸 바와 같이, 본 발명의 범위를 만족시키는 투명수지 조성물을 다이본드재로서 이용한 실시예 1~실시예 6에서는, 모두, (B)성분으로서 평균입경이 1μm 이하인 도전성 입자를 함유하고, 상기 (B)도전성 입자의 함유량이, (A)성분의 고형분을 기준으로 하여 0체적%보다 크고 0.1체적% 미만인 범위로서, 고투명이므로 2mm 두께의 경화물로 했을 때의 전광선 투과율이 70% 이상, 또한 헤이즈값이 60% 이하이며, 나아가 BLT가 5μm 이하이므로, 모든 패키지에서 점등가능하며 전광속값도 높은 값을 나타내었다. 즉, 밝은 패키지였다. 또한, 고온통전시험(고온점등시험)에서도 투명수지 조성물에 외관의 변화는 없고, 모든 패키지에서 점등가능하였다. 이들 결과로부터, 본 발명의 도전접속방법이면, 광의 취출효율이 높고, 신뢰성이 높은 광반도체 디바이스를 제조할 수 있는 것을 알 수 있다.
As shown in Table 2, in Examples 1 to 6 in which the transparent resin composition satisfying the scope of the present invention was used as a die-bonding material, all contained conductive particles having an average particle diameter of 1 μm or less as component (B), The content of the conductive particles (B) is greater than 0% by volume and less than 0.1% by volume based on the solid content of the component (A), and is highly transparent, so the total light transmittance when a cured product having a thickness of 2mm is 70% or more, In addition, since the haze value is 60% or less and the BLT is 5 μm or less, it can be lit in all packages, and the total luminous flux value is also high. In other words, it was a bright package. In addition, there was no change in the appearance of the transparent resin composition in the high-temperature energization test (high-temperature lighting test), and lighting was possible in all packages. From these results, it is understood that, with the conductive connection method of the present invention, an optical semiconductor device with high light extraction efficiency and high reliability can be manufactured.
한편, 표 3에 나타낸 바와 같이, (B)성분이 (A)성분의 고형분을 기준으로 하여 0.1체적% 이상이며, 본 발명의 범위를 만족시키지 않는 실리콘 수지 조성물인 비교예 1에서는, 전광선 투과율이 70% 이상, 또한 헤이즈값이 60 이하인 범위를 만족시키지 않고, 전체 광속값의 높은 패키지는 얻어지지 않았다.
On the other hand, as shown in Table 3, in Comparative Example 1, which is a silicone resin composition in which component (B) is 0.1 vol% or more based on the solid content of component (A) and does not satisfy the scope of the present invention, the total light transmittance is 70% or more and haze value did not satisfy the range of 60 or less, and the high package of the total luminous flux value was not obtained.
(B)성분의 평균입경이 1μm를 초과하고 있으며, 본 발명의 범위를 만족시키지 않는 조성물인 비교예 2에서는, 투명성은 얻어졌으나, BLT가 5μm를 초과하므로 도전성이 뒤떨어지고, 120개의 패키지 중, 불점등의 패키지가 발생하였다. 또한, 고온점등시험에 있어서의 내구성도 뒤떨어지는 것이었다.
(B) In Comparative Example 2, which is a composition in which the average particle diameter of component exceeds 1 μm and does not satisfy the scope of the present invention, transparency was obtained, but conductivity was inferior because BLT exceeded 5 μm, and among 120 packages, A package with no lighting occurred. In addition, the durability in the high-temperature lighting test was also inferior.
(A-1)성분이 본 발명과는 상이한(필수관능기인 상기 일반식(1)로 표시되는 구조를 갖지 않는) 비교예 3에서는, 경화물을 얻을 수 없었다.
(A-1) In the comparative example 3 (does not have a structure represented by the said General formula (1) which is an essential functional group) from which a component differs from this invention, hardened|cured material could not be obtained.
일반적인, 투명성을 갖지 않는 도전성 조성물인 비교예 4는, (B)성분의 평균입경 및 첨가량이 본 발명의 범위로부터 벗어난 것이며, 전체 광속값이 높은 패키지는 얻을 수 없었다.
In Comparative Example 4, which is a general, non-transparent, conductive composition, the average particle diameter and addition amount of component (B) deviated from the scope of the present invention, and a package having a high total luminous flux value could not be obtained.
또한, 본 발명은, 상기 실시형태로 한정되는 것은 아니다. 상기 실시형태는, 예시이며, 본 발명의 특허청구의 범위에 기재된 기술적 사상과 실질적으로 동일한 구성을 갖고, 동일한 작용효과를 나타내는 것은, 어떠한 것이어도 본 발명의 기술적 범위에 포함된다.
In addition, this invention is not limited to the said embodiment. The above-mentioned embodiment is an illustration, and any thing which has substantially the same structure as the technical idea described in the claim of this invention, and shows the same effect is included in the technical scope of this invention.
Claims (12)
(A) (A-1) 하기 일반식(1)로 표시되는 구조를 분자 중에 적어도 1개 갖는 오르가노폴리실록산: 100질량부,
[화학식 1]
[식 중, m은 0, 1, 2 중 어느 하나이며, R1은 수소원자, 페닐기 또는 할로겐화페닐기, R2는 수소원자 또는 메틸기, R3은 치환 또는 비치환으로 동일 또는 상이할 수도 있는 탄소수 1~12의 1가의 유기기, Z1은 -R4-, -R4-O-, -R4(CH3)2Si-O-(R4는 치환 또는 비치환으로 동일 또는 상이할 수도 있는 탄소수 1~10의 2가의 유기기) 중 어느 하나, Z2는 산소원자 또는 치환 혹은 비치환으로 동일 혹은 상이할 수도 있는 탄소수 1~10의 2가의 유기기이다.]
(A-2) 유기과산화물: 상기 (A-1)성분의 합계량 100질량부에 대하여, 0.1~10질량부를 포함하는 실리콘 조성물과,
(B) 평균입경이 1μm 이하인 도전성 입자
를 함유하는 것이며,
상기 (B)성분의 함유량이, 상기 (A)성분의 고형분을 기준으로 하여 0체적%보다 크고, 또한 0.1체적% 미만인 범위이며,
상기 투명수지 조성물을 경화하여 얻어지는 2mm 두께의 경화물의 전광선 투과율이 70% 이상이며, 또한 헤이즈값이 60% 이하인 것을 특징으로 하는 투명수지 조성물.
As a transparent resin composition,
(A) (A-1) an organopolysiloxane having at least one structure represented by the following general formula (1) in a molecule: 100 parts by mass;
[Formula 1]
[Wherein, m is any one of 0, 1, 2, R 1 is a hydrogen atom, a phenyl group or a halogenated phenyl group, R 2 is a hydrogen atom or a methyl group, R 3 is a substituted or unsubstituted carbon number that may be the same or different 1 to 12 monovalent organic groups, Z 1 is -R 4 -, -R 4 -O-, -R 4 (CH 3 ) 2 Si-O-(R 4 may be substituted or unsubstituted and may be the same or different (a divalent organic group having 1 to 10 carbon atoms), Z 2 is an oxygen atom or a substituted or unsubstituted divalent organic group having 1 to 10 carbon atoms, which may be the same or different.]
(A-2) organic peroxide: a silicone composition containing 0.1 to 10 parts by mass with respect to 100 parts by mass of the total amount of the component (A-1);
(B) Electroconductive particles having an average particle diameter of 1 μm or less
which contains
Content of the said (B) component is the range which is larger than 0 volume% on the basis of the solid content of the said (A) component, and is less than 0.1 volume%,
A transparent resin composition, characterized in that the cured product having a thickness of 2 mm obtained by curing the transparent resin composition has a total light transmittance of 70% or more and a haze value of 60% or less.
상기 (A-1)성분의 오르가노폴리실록산의 Z1이 -R4-이며, 상기 Z2가 산소원자인 것을 특징으로 하는 투명수지 조성물.
According to claim 1,
Z 1 of the organopolysiloxane of the component (A-1) is -R 4 -, and Z 2 is an oxygen atom.
상기 (A-1)성분의 오르가노폴리실록산의 Z1이 -R4-O- 또는, -R4(CH3)2Si-O-이며, 상기 Z2가 치환 또는 비치환으로 동일 또는 상이할 수도 있는 탄소수 1~10의 2가의 유기기인 것을 특징으로 하는 투명수지 조성물.
According to claim 1,
Z 1 of the organopolysiloxane of the component (A-1) is -R 4 -O- or -R 4 (CH 3 ) 2 Si-O-, and Z 2 is substituted or unsubstituted and the same or different A transparent resin composition, characterized in that it is a divalent organic group having 1 to 10 carbon atoms.
상기 (A-1)성분의 오르가노폴리실록산이, 하기 일반식(2)로 표시되는 구조를 분자 중에 적어도 1개 갖는 것을 특징으로 하는 투명수지 조성물.
[화학식 2]
(식 중, m, R1, R2, R3, R4는 상기와 동일하다.)
According to claim 1,
The transparent resin composition characterized in that the organopolysiloxane of the component (A-1) has at least one structure represented by the following general formula (2) in its molecule.
[Formula 2]
(Wherein, m, R 1 , R 2 , R 3 , and R 4 are the same as above.)
상기 (A-1)성분의 오르가노폴리실록산이, 하기 일반식(2)로 표시되는 구조를 분자 중에 적어도 1개 갖는 것을 특징으로 하는 투명수지 조성물.
[화학식 2]
(식 중, m, R1, R2, R3, R4는 상기와 동일하다.)
3. The method of claim 2,
The transparent resin composition characterized in that the organopolysiloxane of the component (A-1) has at least one structure represented by the following general formula (2) in its molecule.
[Formula 2]
(Wherein, m, R 1 , R 2 , R 3 , and R 4 are the same as above.)
상기 (A-1)성분의 오르가노폴리실록산이, 하기 일반식(2)로 표시되는 구조를 분자 중에 적어도 1개 갖는 것을 특징으로 하는 투명수지 조성물.
[화학식 2]
(식 중, m, R1, R2, R3, R4는 상기와 동일하다.)
4. The method of claim 3,
The transparent resin composition characterized in that the organopolysiloxane of the component (A-1) has at least one structure represented by the following general formula (2) in its molecule.
[Formula 2]
(Wherein, m, R 1 , R 2 , R 3 , and R 4 are the same as above.)
상기 (A-1)성분의 오르가노폴리실록산 중에, 0.1mol% 이상의 (SiO2)단위를 갖는 것을 특징으로 하는 투명수지 조성물.
7. The method according to any one of claims 1 to 6,
The transparent resin composition, characterized in that it has 0.1 mol% or more (SiO 2 ) units in the organopolysiloxane of the component (A-1).
An adhesive comprising the transparent resin composition according to any one of claims 1 to 6.
A die-bonding material comprising the transparent resin composition according to any one of claims 1 to 6.
상기 다이본드재를 경화하여 얻어지는 경화물은 BLT(Bond line thickness)가 5μm 이하인 경우에 있어서 사용되는 것을 특징으로 하는 다이본드재.
10. The method of claim 9,
The cured product obtained by curing the die-bonding material is a die-bonding material, characterized in that it is used when the BLT (Bond line thickness) is 5 μm or less.
A conductive connection method comprising conductively connecting an optical semiconductor element and a substrate using the transparent resin composition according to any one of claims 1 to 6, with a BLT of 5 µm or less.
An optical semiconductor device characterized in that the optical semiconductor element and the substrate are electrically connected by the conductive connection method according to claim 11.
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