KR102314606B1

KR102314606B1 - Thermoelectric module and electric device including the same

Info

Publication number: KR102314606B1
Application number: KR1020200099613A
Authority: KR
Inventors: 이상신
Original assignee: 이상신
Priority date: 2020-08-10
Filing date: 2020-08-10
Publication date: 2021-10-18

Abstract

A thermoelectric element according to an embodiment disclosed in the present document includes a first type semiconductor, a second type semiconductor disposed at a position corresponding to the first type semiconductor, a first electrode having one end connected to the first type semiconductor and the other end connected to the anode, a second electrode having one end connected to the second type semiconductor and the other end connected to the cathode, and a third electrode connecting the first type semiconductor and the second semiconductor. A hole in the first type semiconductor can be moved toward the third electrode by an electromotive force applied to the first electrode and the second electrode. In addition to this, various embodiments identified through the specification are possible.

Description

열전 모듈 및 이를 포함하는 전자 장치{THERMOELECTRIC MODULE AND ELECTRIC DEVICE INCLUDING THE SAME}Thermoelectric module and electronic device including same

본 문서에서 개시되는 실시 예들은 기전력의 차이에 의해 발생하는 효과를 이용하기 위한 기술과 관련된다.Embodiments disclosed in this document relate to a technique for using an effect generated by a difference in electromotive force.

각종 전자 장치(예: 컴퓨터, 에어컨, 냉장고 등)에 적용되는 기술이 고도화 됨에 따라 사람들의 생활 방식은 점점 더 용이하고 편리해 지고 있다. 예컨대, 컴퓨터의 데이터 처리 속도가 빨라짐에 따라 사용자는 신속한 업무 처리를 도모할 수 있고, 초소형 에어컨의 등장으로 협소한 공간 내에서도 사용자는 쾌적한 온도를 유지할 수 있다.As technologies applied to various electronic devices (eg, computers, air conditioners, refrigerators, etc.) are advanced, people's lifestyles are becoming easier and more convenient. For example, as the data processing speed of the computer increases, the user can promote a quick work process, and with the advent of the micro air conditioner, the user can maintain a comfortable temperature even in a narrow space.

한편, 전자 장치에 적용되는 기술들이 고도화될수록 전자 장치에서 발생하는 열 또한 증가할 수 있다. 일부 부품에서 발생하는 열은 다른 부품에 영향을 미치거나, 화재 또는 폭발의 가능성을 증가시킬 수 있다. 특히 초소형 전자 장치는 부품들 간의 이격 거리가 매우 짧으므로 대형 전자 장치에 비해 발열에 취약할 수 있다.Meanwhile, as technologies applied to the electronic device become more sophisticated, heat generated by the electronic device may also increase. Heat from some parts can affect other parts or increase the likelihood of a fire or explosion. In particular, since the distance between components is very short, the micro-electronic device may be more vulnerable to heat generation than the large-sized electronic device.

상술한 발열 현상을 감소시키기 위해 각종 냉각 모듈들이 전자 장치에 탑재될 수 있다. 예컨대, 냉각 팬은 CPU 위에 탑재되어 상기 CPU에서 발생하는 열을 분산시킴으로써 CPU의 온도를 적절히 유지시킬 수 있다. 다른 예로, 사용자는 수냉 쿨러을 이용하여 CPU의 온도를 적절한 범위 내로 유지시킬 수도 있다.In order to reduce the above-described heat generation phenomenon, various cooling modules may be mounted on the electronic device. For example, a cooling fan may be mounted on the CPU to dissipate heat generated by the CPU to properly maintain the temperature of the CPU. As another example, the user may use a water cooling cooler to maintain the temperature of the CPU within an appropriate range.

그러나, 상기 냉각 팬과 상기 수냉 쿨러는 정밀한 온도제어가 용이하지 않고, 반영구적 사용이 불가능할 수 있다. 또한, 상기 냉각 팬과 상기 수냉 쿨러에는 모터가 포함되므로 소음 및 진동이 발생할 수 있으며, 특히 수냉 쿨러의 경우 누수의 위험까지 존재한다.However, precise temperature control of the cooling fan and the water cooling cooler is not easy, and semi-permanent use may not be possible. In addition, since the cooling fan and the water cooler include a motor, noise and vibration may occur, and in particular, a risk of water leakage exists in the case of the water cooling cooler.

본 문서에서 개시되는 실시 예들은, 전술한 문제 및 본 문서에서 제기되는 과제들을 해결하기 위한 전자 장치를 제공하고자 한다.Embodiments disclosed in this document are intended to provide an electronic device for solving the above-described problems and problems posed in this document.

본 문서에 개시되는 일 실시 예에 따른 열전 소자는, 제1 타입 반도체, 상기 제1 타입 반도체와 대응되는 위치에 배치되는 제2 타입 반도체, 일단은 상기 제1 타입 반도체와 연결되고 타단은 양극에 연결되는 제1 전극, 일단은 상기 제2 타입 반도체와 연결되고 타단은 음극에 연결되는 제2 전극, 및 상기 제1 타입 반도체와 상기 제2 반도체를 연결하는 제3 전극을 포함하고, 상기 제1 전극 및 상기 제2 전극에 인가되는 기전력에 의해 상기 제1 타입 반도체 내의 정공(hole)이 상기 제3 전극 방향으로 이동할 수 있다.A thermoelectric element according to an embodiment disclosed in this document includes a first type semiconductor, a second type semiconductor disposed at a position corresponding to the first type semiconductor, one end connected to the first type semiconductor and the other end connected to the anode a first electrode connected to the first electrode, a second electrode having one end connected to the second type semiconductor and the other end connected to the cathode, and a third electrode connecting the first type semiconductor and the second semiconductor; A hole in the first type semiconductor may move toward the third electrode by the electromotive force applied to the electrode and the second electrode.

상기 기전력에 의해 상기 제1 타입 반도체 내의 전자(electron)는 상기 제3 전극 방향으로 이동할 수 있다.Electrons in the first type semiconductor may move toward the third electrode by the electromotive force.

상기 제3 전극의 온도는 상기 제1 전극 및 상기 제2 전극의 온도보다 높을 수 있다.A temperature of the third electrode may be higher than a temperature of the first electrode and the second electrode.

상기 제1 타입 반도체와 상기 제1 전극, 및 상기 제1 타입 반도체와 상기 제3 전극 사이에 배치되는 솔더(solder)를 더 포함할 수 있다.The method may further include a solder disposed between the first type semiconductor and the first electrode, and between the first type semiconductor and the third electrode.

상기 제2 타입 반도체와 상기 제2 전극, 및 상기 제2 타입 반도체와 상기 제3 전극 사이에 배치되는 솔더(solder)를 더 포함할 수 있다.The method may further include a solder disposed between the second type semiconductor and the second electrode, and between the second type semiconductor and the third electrode.

상기 제1 타입 반도체는 P형 반도체에 해당하고, 상기 제2 타입 반도체는 N형 반도체에 해당할 수 있다.The first type semiconductor may correspond to a P-type semiconductor, and the second type semiconductor may correspond to an N-type semiconductor.

상기 솔더는 주석(Sn), 안티모니(Sb), 및 비스무트(Bi) 중 적어도 어느 하나를 포함할 수 있다.The solder may include at least one of tin (Sn), antimony (Sb), and bismuth (Bi).

또한, 본 문서에 개시되는 일 실시 예에 따른 열전 모듈은, 직렬로 연결된 복수의 열전 소자들, 상기 열전 모듈의 일단에 연결되는 제1 라인, 및 상기 열전 모듈의 타단에 연결되는 제2 라인을 포함하고, 상기 열전 소자들 각각은, 제1 타입 반도체, 상기 제1 타입 반도체와 대응되는 위치에 배치되는 제2 타입 반도체, 일단은 상기 제1 타입 반도체와 연결되고 타단은 양극에 연결되는 제1 전극, 일단은 상기 제2 타입 반도체와 연결되고 타단은 음극에 연결되는 제2 전극, 및 상기 제1 타입 반도체와 상기 제2 반도체를 연결하는 제3 전극을 포함하고, 상기 제1 라인 및 상기 제2 라인에 인가되는 기전력에 의해 상기 제1 타입 반도체 내의 정공(hole)이 상기 제3 전극 방향으로 이동할 수 있다.In addition, the thermoelectric module according to an embodiment disclosed in this document includes a plurality of thermoelectric elements connected in series, a first line connected to one end of the thermoelectric module, and a second line connected to the other end of the thermoelectric module. Each of the thermoelectric elements includes a first type semiconductor, a second type semiconductor disposed at a position corresponding to the first type semiconductor, one end connected to the first type semiconductor and the other end connected to the anode an electrode, a second electrode having one end connected to the second type semiconductor and the other end connected to a cathode, and a third electrode connecting the first type semiconductor and the second semiconductor, wherein the first line and the first line A hole in the first type semiconductor may move toward the third electrode by the electromotive force applied to the second line.

상기 제1 전극 및 상기 제2 전극에 접합하는 제1 플레이트, 및 상기 제3 전극에 접합하는 제2 플레이트를 더 포함하고, 상기 제2 플레이트의 온도는 상기 제1 플레이트의 온도보다 높을 수 있다.A first plate bonded to the first electrode and the second electrode, and a second plate bonded to the third electrode, wherein the temperature of the second plate may be higher than that of the first plate.

상기 제1 전극 및 상기 제2 전극과, 상기 제1 플레이트 사이에 배치되는 세라믹 시트를 더 포함할 수 있다.The first electrode and the second electrode may further include a ceramic sheet disposed between the first plate.

본 문서에 개시되는 실시 예들에 따르면, 정밀한 온도제어가 가능할 수 있다.According to the embodiments disclosed in this document, precise temperature control may be possible.

또한, 본 문서에 개시되는 실시 예들에 따르면 전자 장치의 온도를 반영구적으로 제어할 수 있다.In addition, according to the embodiments disclosed in this document, the temperature of the electronic device may be semi-permanently controlled.

또한, 본 문서에 개시되는 실시 예들에 따르면 소음 및 진동이 발생하지 않을 수 있다.Also, according to the embodiments disclosed in this document, noise and vibration may not occur.

이 외에, 본 문서를 통해 직접적 또는 간접적으로 파악되는 다양한 효과들이 제공될 수 있다.In addition, various effects directly or indirectly identified through this document may be provided.

도 1은 일 실시 예에 따른 열전 모듈을 나타낸다.
도 2는 일 실시 예에 따른 열전 모듈의 분해 사시도를 나타낸다.
도 3은 일 실시 예에 따른 열전 모듈의 단면도를 나타낸다.
도 4는 일 실시 예에 따른 열전 소자를 나타낸다.
도 5는 일 실시 예에 따른 열전 모듈의 냉각 온도를 나타낸다.
도 6은 일 실시 예에 따른 열전 모듈의 가열 온도를 나타낸다.1 illustrates a thermoelectric module according to an exemplary embodiment.
2 is an exploded perspective view of a thermoelectric module according to an exemplary embodiment.
3 is a cross-sectional view of a thermoelectric module according to an exemplary embodiment.
4 illustrates a thermoelectric element according to an exemplary embodiment.
5 illustrates a cooling temperature of a thermoelectric module according to an exemplary embodiment.
6 illustrates a heating temperature of a thermoelectric module according to an exemplary embodiment.

이하, 본 발명의 다양한 실시 예가 첨부된 도면을 참조하여 기재된다. 그러나, 이는 본 발명을 특정한 실시 형태에 대해 한정하려는 것이 아니며, 본 발명의 실시 예의 다양한 변경(modification), 균등물(equivalent), 및/또는 대체물(alternative)을 포함하는 것으로 이해되어야 한다. 도면의 설명과 관련하여, 유사한 구성요소에 대해서는 유사한 참조 부호가 사용될 수 있다.Hereinafter, various embodiments of the present invention will be described with reference to the accompanying drawings. However, this is not intended to limit the present invention to specific embodiments, and it should be understood that various modifications, equivalents, and/or alternatives of the embodiments of the present invention are included. In connection with the description of the drawings, like reference numerals may be used for like components.

도 1은 일 실시 예에 따른 열전 모듈을 나타낸다.1 illustrates a thermoelectric module according to an exemplary embodiment.

도 1을 참조하면 열전 모듈(100)은 제1 플레이트(110a), 제2 플레이트(110b), 제1 라인(120a), 및 제2 라인(120b)을 포함할 수 있다.Referring to FIG. 1 , the thermoelectric module 100 may include a first plate 110a , a second plate 110b , a first line 120a , and a second line 120b .

제1 플레이트(110a) 및 제2 플레이트(110b)는 열전 모듈(100)의 외관을 형성할 수 있다. 예컨대, 제1 플레이트(110a)는 열전 모듈(100)의 하부면, 제2 플레이트(110b)는 열전 모듈(100)의 상부면일 수 있다. 제1 플레이트(110a) 및 제2 플레이트(110b)는 열 전도성이 우수한 금속으로 이루어 질 수 있으며 예컨대, 알루미늄(Al) 등을 포함할 수 있다.The first plate 110a and the second plate 110b may form an exterior of the thermoelectric module 100 . For example, the first plate 110a may be a lower surface of the thermoelectric module 100 , and the second plate 110b may be an upper surface of the thermoelectric module 100 . The first plate 110a and the second plate 110b may be made of a metal having excellent thermal conductivity, and may include, for example, aluminum (Al).

제1 라인(120a) 및 제2 라인(120b)은 열전 모듈(100)에 기전력을 인가하기 위한 전선일 수 있다. 예컨대, 제1 라인(120a)에는 양(positive) 전압이 인가되고, 제2 라인(120b)에는 음(negative) 전압이 인가될 수 있다. 제1 라인(120a) 및 제2 라인(120b)은 열전 모듈(100) 내부에 포함되는 전극에 연결될 수 있다.The first line 120a and the second line 120b may be wires for applying an electromotive force to the thermoelectric module 100 . For example, a positive voltage may be applied to the first line 120a and a negative voltage may be applied to the second line 120b. The first line 120a and the second line 120b may be connected to electrodes included in the thermoelectric module 100 .

일 실시 예로, 제1 라인(120a) 및 제2 라인(120b)에 기전력이 인가되면 열전 모듈(100)의 일면(예: 제1 플레이트(110a))은 냉각되고, 열전 모듈(100)의 타면(예: 제2 플레이트(110b))는 가열될 수 있다. 예컨대, 제1 라인(120a)에 3V의 전압, 제2 라인(120b)에 -3V의 전압이 인가되면 열전 모듈(100)의 일면(예: 제1 플레이트(110a))은 냉각되고, 열전 모듈(100)의 타면(예: 제2 플레이트(110b))는 가열될 수 있다.For example, when electromotive force is applied to the first line 120a and the second line 120b, one surface (eg, the first plate 110a) of the thermoelectric module 100 is cooled, and the other surface of the thermoelectric module 100 is cooled. (eg, the second plate 110b) may be heated. For example, when a voltage of 3V is applied to the first line 120a and a voltage of -3V is applied to the second line 120b, one surface (eg, the first plate 110a) of the thermoelectric module 100 is cooled, and the thermoelectric module The other surface (eg, the second plate 110b) of 100 may be heated.

일 실시 예로, 제1 라인(120a) 및 제2 라인(120b)에 인가되는 기전력이 반대가 되면 가열되는 면과 냉각되는 면이 변경될 수 있다. 예컨대, 제1 라인(120a)에 3V의 전압, 제2 라인(120b)에 -3V의 전압이 인가될 경우 제1 플레이트(110a)가 냉각되고 제2 플레이트(110b)가 가열될 수 있다. 반대로 제1 라인(120a)에 -3V의 전압, 제2 라인(120b)에 3V의 전압으로 변경하면 제1 플레이트(110a)가 가열되고 제2 플레이트(110b)가 냉각될 수 있다.For example, when the electromotive force applied to the first line 120a and the second line 120b is opposite, the heated surface and the cooled surface may be changed. For example, when a voltage of 3V is applied to the first line 120a and a voltage of -3V is applied to the second line 120b, the first plate 110a may be cooled and the second plate 110b may be heated. Conversely, when the voltage of -3V on the first line 120a and the voltage of 3V on the second line 120b are changed, the first plate 110a may be heated and the second plate 110b may be cooled.

일 실시 예에 따르면 열전 모듈(100)은 PVD(Physical Vapor Deposition), CVD(Chemical Vapor Deposition), 에칭(Etching) 장비 등에 포함될 수 있다. 열전 모듈(100)에서 발산되는 열은 PVD, CVD, 에칭 장비에서 이용될 수 있다. 예컨대, PVD, CVD, 에칭 장비에서 고체 또는 액체 재료를 기체로 이행시킬 때 열전 모듈(100)을 이용하여 상기 고체 또는 액체 재료에 열을 인가할 수 있다. According to an embodiment, the thermoelectric module 100 may be included in physical vapor deposition (PVD), chemical vapor deposition (CVD), etching equipment, and the like. Heat emitted from the thermoelectric module 100 may be used in PVD, CVD, and etching equipment. For example, when transferring a solid or liquid material to a gas in PVD, CVD, or etching equipment, the thermoelectric module 100 may be used to apply heat to the solid or liquid material.

다른 실시 예로, 열전 모듈(100)은 냉각 모듈로도 이용될 수 있다. 예컨대, 열전 모듈(100)은 컴퓨터에 포함되는 CPU를 냉각시킬 수도 있고, 정수기 또는 냉장고 등에 포함되어 물, 음식물 등을 냉각하는데 이용될 수 있다. In another embodiment, the thermoelectric module 100 may also be used as a cooling module. For example, the thermoelectric module 100 may cool a CPU included in a computer, or may be included in a water purifier or a refrigerator to cool water, food, and the like.

도 1에서 설명한 열전 모듈(100)의 구조, 구성, 및 적용 예들은 예시적인 것이며, 본 발명의 다양한 실시 예들은 도 1에서 설명한 바에 한정되지 않는다.The structure, configuration, and application examples of the thermoelectric module 100 described with reference to FIG. 1 are exemplary, and various embodiments of the present invention are not limited to those described with reference to FIG. 1 .

도 2는 일 실시 예에 따른 열전 모듈의 분해 사시도를 나타낸다. 도 2는 도 1에 도시된 열전 모듈(100)을 상세히 설명하기 위한 도면이다.2 is an exploded perspective view of a thermoelectric module according to an exemplary embodiment. FIG. 2 is a view for explaining in detail the thermoelectric module 100 shown in FIG. 1 .

도 2를 참조하면 열전 모듈(100)은 제1 플레이트(110a), 제2 플레이트(110b), 제1 라인(120a), 제2 라인(120b), 제1 세라믹 시트(130a), 제2 세라믹 시트(130b), 복수의 전극들(140)(예: 구리 전극), 제1 타입 반도체들(p), 및 제2 타입 반도체들(n)을 포함할 수 있다.Referring to FIG. 2 , the thermoelectric module 100 includes a first plate 110a, a second plate 110b, a first line 120a, a second line 120b, a first ceramic sheet 130a, and a second ceramic. The sheet 130b may include a plurality of electrodes 140 (eg, a copper electrode), first-type semiconductors p, and second-type semiconductors n.

제1 플레이트(110a) 및 제2 플레이트(110b)는 열전 모듈(100)의 하부면 및 상부면일 수 있다. 제1 플레이트(110a)와 제2 플레이트(110b) 사이에는 세라믹 시트들(130a, 130b), 복수의 전극들(140), 복수의 반도체들(p, n)이 배치될 수 있다. The first plate 110a and the second plate 110b may be a lower surface and an upper surface of the thermoelectric module 100 . Ceramic sheets 130a and 130b, a plurality of electrodes 140, and a plurality of semiconductors p and n may be disposed between the first plate 110a and the second plate 110b.

일 실시 예에 따르면 열전 모듈(100)은 복수의 반도체들(p, n)을 중심으로 대칭 형태를 가질 수 있다. 예컨대, 제1 타입 반도체들(p)과 제2 타입 반도체들(n)이 교대로 배치될 수 있다. 제1 타입 반도체들(p)과 제2 타입 반도체들(n)의 양 단에는 복수의 전극들(140)이 배치될 수 있고, 복수의 전극들(140) 상에는 세라믹 시트들(130a, 130b)이 적층될 수 있다. 세라믹 시트들(130a, 130b)에는 제1 플레이트(110a) 및 제2 플레이트(110b)가 적층될 수 있으며, 제1 플레이트(110a) 및 제2 플레이트(110b)는 열전 모듈(100)의 최외곽 면을 형성할 수 있다.According to an embodiment, the thermoelectric module 100 may have a symmetrical shape with respect to the plurality of semiconductors p and n. For example, the first type semiconductors p and the second type semiconductors n may be alternately disposed. A plurality of electrodes 140 may be disposed at both ends of the first type semiconductors p and the second type semiconductors n, and ceramic sheets 130a and 130b are disposed on the plurality of electrodes 140 . These can be stacked. A first plate 110a and a second plate 110b may be stacked on the ceramic sheets 130a and 130b , and the first plate 110a and the second plate 110b are the outermost portions of the thermoelectric module 100 . side can be formed.

일 실시 예에 따르면, 열전 모듈(100)은 복수의 열전 소자(예: 도 3 및 도 4의 열전 소자(10))들을 포함할 수 있다. 열전 소자는 하나의 제1 타입 반도체(p), 하나의 제2 타입 반도체(n), 제1 타입 반도체(p) 및 제2 타입 반도체(n)의 양단에 연결되는 전극들(140)을 포함할 수 있다. According to an embodiment, the thermoelectric module 100 may include a plurality of thermoelectric elements (eg, the thermoelectric elements 10 of FIGS. 3 and 4 ). The thermoelectric element includes one first type semiconductor (p), one second type semiconductor (n), and electrodes 140 connected to both ends of the first type semiconductor (p) and the second type semiconductor (n). can do.

일 실시 예에 따르면, 복수의 열전 소자들은 직렬로 연결되어 열전 모듈(100)을　형성할 수 있다. 예컨대, 제1 타입 반도체(p)와 제2 타입 반도체(n)가　전극(140)을 통해 연결되고　상기 제2 타입 반도체(n)가 다른 제1 타입 반도체(p)와 전극(140)을 통해 연결될 수 있다. 위와 같은 방식을 통해 복수의 열전 소자(10)들이 직렬로 연결됨으로써 하나의 열전 모듈(100)을 형성할 수 있다.　According to an embodiment, a plurality of thermoelectric elements may be connected in series to form the thermoelectric module 100 . For example, a first type semiconductor p and a second type semiconductor n are connected through an electrode 140 and the second type semiconductor n is connected to another first type semiconductor p and an electrode 140 through the electrode 140 . can be connected Through the above method, a plurality of thermoelectric elements 10 are connected in series to form one thermoelectric module 100 .

일 실시 예에 따르면, 제1 라인(120a) 및 제2 라인(120b) 각각은 복수의 전극들(140) 중 어느 하나에 연결될 수 있다. 제1 라인(120a) 및 제2 라인(120b)이 전극들(140)과 연결된 후 기전력이 인가되면 제1 타입 반도체들(p) 내의 정공들이 제1 플레이트(110a) 또는 제2 플레이트(110b) 방향으로 이동할 수 있다.　제2 타입 반도체들(n) 내의 전자들 또한　제1 플레이트(110a) 또는 제2 플레이트(110b) 방향으로 이동할 수 있다. 제1 타입 반도체들(p) 내의 정공들 및 제2 타입 반도체들(n) 내의 전자들이 제1 플레이트(110a) 방향으로 이동할 경우 제1 플레이트(110a)는 가열될 수 있고 제2 플레이트(110b)는 냉각될 수 있다. 반대로, 제1 타입 반도체들(p) 내의 정공들 및 제2 타입 반도체들(n) 내의 전자들이 제2 플레이트(110b) 방향으로 이동할 경우 제2 플레이트(110b)는 가열되고 제1 플레이트(110a)는 냉각될 수 있다.According to an embodiment, each of the first line 120a and the second line 120b may be connected to any one of the plurality of electrodes 140 . When an electromotive force is applied after the first line 120a and the second line 120b are connected to the electrodes 140, holes in the first type semiconductors p are formed in the first plate 110a or the second plate 110b. direction can be moved. Electrons in the second type semiconductors n may also move toward the first plate 110a or the second plate 110b. When holes in the first type semiconductors p and electrons in the second type semiconductors n move in the direction of the first plate 110a, the first plate 110a may be heated and the second plate 110b may be heated. can be cooled. Conversely, when holes in the first-type semiconductors p and electrons in the second-type semiconductors n move toward the second plate 110b, the second plate 110b is heated and the first plate 110a can be cooled.

본 문서에서 도 2에 도시된 열전 모듈(100)과 동일한 참조 부호를 갖는 구성들은 도 2에서 도시한 설명이 동일하게 적용될 수 있다.In this document, components having the same reference numerals as those of the thermoelectric module 100 illustrated in FIG. 2 may have the same description as illustrated in FIG. 2 .

도 3은 일 실시 예에 따른 열전 모듈의 단면도를 나타낸다. 도 3은 도 2에 도시된 열전 모듈(100)의 A-A´단면을 나타낸다.3 is a cross-sectional view of a thermoelectric module according to an exemplary embodiment. FIG. 3 is a cross-sectional view taken along line A-A′ of the thermoelectric module 100 shown in FIG. 2 .

도 3을 참조하면 열전 모듈(100)은 전극들(140)과 제1 타입 반도체들(p), 전극들(140)과 제2 타입 반도체들(n) 사이에 배치되는 솔더(150)(solder)를 더 포함할 수 있다. 솔더(150)는 반도체들(p, n)과 전극들(140)을 접합하기 위한 납땜일 수 있다. 솔더(150)는 사용 온도에 따라 여러 종류가 있을 수 있으며, 예컨대, 비스무트(Bi)-주석(Sn), 안티모니(Sb)-안티모니, 비스무트-안티모니 합금 중 어느 하나일 수 있다. Referring to FIG. 3 , the thermoelectric module 100 includes a solder 150 disposed between the electrodes 140 and the first type semiconductors p, and the electrodes 140 and the second type semiconductors n. ) may be further included. The solder 150 may be a solder for bonding the semiconductors p and n to the electrodes 140 . The solder 150 may be of several types depending on the temperature of use, and may be, for example, any one of bismuth (Bi)-tin (Sn), antimony (Sb)-antimony, and bismuth-antimony alloy.

일 실시 예에 따르면, 세라믹 시트(130) 위에 형성된 전극(140)에 솔더 페이스트를 바르고 솔더(150)의 용융점 근접 온도에서 용융시켜 제1 타입 반도체들(p)과 제2 타입 반도체들(n) 접합시키면 솔더(150)가 형성될 수 있다. 이 때 접합부의 표면을 깨끗이 하여 산화물이 생기는 것을 방지할 수 있으며, 수용성 조성제가 이용될 수 있다.According to an embodiment, a solder paste is applied to the electrode 140 formed on the ceramic sheet 130 and melted at a temperature close to the melting point of the solder 150 to form the first type semiconductors p and the second type semiconductors n. When bonding, solder 150 may be formed. In this case, it is possible to prevent the formation of oxides by cleaning the surface of the joint, and a water-soluble composition may be used.

일 실시 예에 따르면, 세라믹 시트(130) 및 솔더(150)는 완충 작용을 할 수 있다. 예컨대, 열전 모듈(100)이 발열 및 냉각하는 과정에서 열전 모듈(100)에 포함되는 구성들 중 일부가 팽창하거나 수축할 수 있다. 이 경우 세라믹 시트(130) 및 솔더(150)는 완충 작용을 함으로써 열전 모듈(100)에 결함이 생기는 것을 방지할 수 있다.According to an embodiment, the ceramic sheet 130 and the solder 150 may act as a buffer. For example, some of the components included in the thermoelectric module 100 may expand or contract while the thermoelectric module 100 heats and cools. In this case, the ceramic sheet 130 and the solder 150 act as a buffer to prevent a defect in the thermoelectric module 100 from occurring.

일 실시 예에 따르면 열전 모듈(100)에 포함되는 열전 소자(10)들의 개수는 열전 모듈(100)의 크기에 비례할 수 있다. 예컨대, 열전 모듈(100)의 크기가 커질수록 열전 모듈(100)의 가로 및 세로 상으로 정렬되는 열전 소자(10)들의 개수가 많아질 수 있다. 반대로 열전 모듈(100)의 크기가 작아질수록 열전 모듈(100)의 가로 및 세로 상에 정렬되는 열전 소자(10)들의 개수가 감소할 수 있다.According to an embodiment, the number of thermoelectric elements 10 included in the thermoelectric module 100 may be proportional to the size of the thermoelectric module 100 . For example, as the size of the thermoelectric module 100 increases, the number of thermoelectric elements 10 arranged horizontally and vertically of the thermoelectric module 100 may increase. Conversely, as the size of the thermoelectric module 100 decreases, the number of thermoelectric elements 10 aligned horizontally and vertically of the thermoelectric module 100 may decrease.

도 4는 일 실시 예에 따른 열전 소자를 나타낸다. 도 4에 도시된 열전 소자(10)는 도 3에 도시된 열전 모듈(100)의 일부 구성일 수 있다. 도 4에 도시된 열전 소자(10)는 일 면이 가열될 때 타 면이 냉각하는 최소 단위일 수 있으며, 복수의 열전 소자(10)들이 직렬로 결합되어 열전 모듈(100)이 형성될 수 있다.4 illustrates a thermoelectric element according to an exemplary embodiment. The thermoelectric element 10 shown in FIG. 4 may be a part of the thermoelectric module 100 shown in FIG. 3 . The thermoelectric element 10 shown in FIG. 4 may be a minimum unit in which the other surface is cooled when one surface is heated, and a plurality of thermoelectric elements 10 are coupled in series to form the thermoelectric module 100 . .

도 4를 참조하면 열전 소자(10)는 제1 타입 반도체(p), 제2 타입 반도체(n), 일단은 제1 타입 반도체(p)와 연결되고 타단은 양극(11a)에 연결되는 제1 전극(140-1), 일단은 제2 타입 반도체(n)와 연결되고 타단은 음극(11b)에 연결되는 제2 전극(140-2), 및 제1 타입 반도체(p)와 제2 타입 반도체(n)를 연결하는 제3 전극(140b)을 포함할 수 있다.Referring to FIG. 4 , the thermoelectric element 10 includes a first type semiconductor p and a second type semiconductor n, one end connected to the first type semiconductor p and the other end connected to the anode 11a. The electrode 140-1, the second electrode 140-2 having one end connected to the second type semiconductor n and the other end connected to the cathode 11b, and the first type semiconductor p and the second type semiconductor A third electrode 140b connecting (n) may be included.

일 실시 예에 따르면, 제1 타입 반도체(p)는 P형 반도체, 제2 타입 반도체(n)는 N형 반도체 일 수 있다. 제1 타입 반도체(p)와 제2 타입 반도체(n)는 결합함으로써 P-N 접합 다이오드를 구성할 수도 있다.According to an embodiment, the first type semiconductor p may be a P-type semiconductor, and the second type semiconductor n may be an N-type semiconductor. The first type semiconductor p and the second type semiconductor n may be combined to form a P-N junction diode.

일 실시 예에 따르면, 제1 전극(140-1)에 양 전압이 인가되고 제2 전극(140-2)에 음 전압이 인가될 수 있다. 이 경우 제1 타입 반도체(p) 내의 정공들은 제1 방향으로 이동하고, 제2 타입 반도체(n) 내의 전자들 또한 제1 방향으로 이동할 수 있다. 제1 타입 반도체(p) 내의 정공들은 제1 방향으로 이동하면서 열을 동반할 수 있고, 이에 따라 제3 전극(140b) 부분은 발열하고, 제1 전극(140-1) 및 제2 전극(140-2) 부분은 냉각될 수 있다.According to an embodiment, a positive voltage may be applied to the first electrode 140-1 and a negative voltage may be applied to the second electrode 140-2. In this case, holes in the first type semiconductor p may move in the first direction, and electrons in the second type semiconductor n may also move in the first direction. Holes in the first type semiconductor p may be accompanied by heat while moving in the first direction, and accordingly, the third electrode 140b generates heat, and the first electrode 140 - 1 and the second electrode 140 . -2) The part can be cooled.

다른 실시 예로, 제1 전극(140-1)에 음 전압이 인가되고 제2 전극(140-2)에 양 전압이 인가될 수 있다. 이 경우 제1 타입 반도체(p) 내의 정공들은 제2 방향으로 이동하고, 제2 타입 반도체(n) 내의 전자들 또한 제2 방향으로 이동할 수 있다. 제1 타입 반도체(p) 내의 정공들은 제2 방향으로 이동하면서 열을 동반할 수 있고, 이에 따라 제3 전극(140b) 부분은 냉각되고, 제1 전극(140-1) 및 제2 전극(140-2) 부분은 발열할 수 있다.In another embodiment, a negative voltage may be applied to the first electrode 140-1 and a positive voltage may be applied to the second electrode 140-2. In this case, holes in the first type semiconductor p may move in the second direction, and electrons in the second type semiconductor n may also move in the second direction. Holes in the first type semiconductor p may travel in the second direction and may accompany heat, and accordingly, the third electrode 140b is cooled, and the first electrode 140-1 and the second electrode 140 are cooled. -2) The part may generate heat.

본 문서에서 도 4에 도시된 열전 소자(10)에 포함되는 구성들과 동일한 참조 부호를 갖는 구성들은 도 4에서 설명한 내용이 동일하게 적용될 수 있다.In this document, components having the same reference numerals as components included in the thermoelectric element 10 illustrated in FIG. 4 may be identically applied to the components described with reference to FIG. 4 .

도 5는 일 실시 예에 따른 열전 모듈의 냉각 온도를 나타낸다. 도 5는 도 2에 도시된 열전 모듈(100)의 일 면(예: 제1 플레이트(110a) 또는 제2 플레이트(110b))이 시간이 지남에 따라 냉각되는 온도를 나타낸다. 도 5에서 제1 그래프(510)는 주위 온도를 나타내고, 제2 그래프(520)는 냉각되는 면의 온도를 나타낼 수 있다.5 illustrates a cooling temperature of a thermoelectric module according to an exemplary embodiment. FIG. 5 shows the temperature at which one surface (eg, the first plate 110a or the second plate 110b) of the thermoelectric module 100 shown in FIG. 2 is cooled over time. In FIG. 5 , the first graph 510 may indicate the ambient temperature, and the second graph 520 may indicate the temperature of the cooled surface.

도 5을 참조하면 열전 모듈(100)에 기전력이 인가되면 열전 모듈(100)의 주위 온도는 거의 일정하게 유지되는 반면, 열전 모듈(100)의 일 면이 냉각될 수 있다. 예컨대, 열전 모듈(100)에 기전력이 인가되면 제1 플레이트(110a)의 온도가 약 24℃에서 약 -23℃로 냉각될 수 있다. 약 24℃에서 약 -23℃까지 냉각되는 시간은 약 100초 정도 걸릴 수 있으며, 이 때 열전 모듈(100)의 주위 온도는 거의 일정하게 유지될 수 있다. 다른 실시 예로, 열전 모듈(100)에 인가되는 기전력이 반대가 되면 제2 플레이트(110b)의 온도가 약 24℃에서 약 -23℃로 냉각될 수 있다.Referring to FIG. 5 , when electromotive force is applied to the thermoelectric module 100 , the ambient temperature of the thermoelectric module 100 is maintained almost constant, while one surface of the thermoelectric module 100 may be cooled. For example, when electromotive force is applied to the thermoelectric module 100 , the temperature of the first plate 110a may be cooled from about 24°C to about -23°C. The cooling time from about 24° C. to about -23° C. may take about 100 seconds, and at this time, the ambient temperature of the thermoelectric module 100 may be maintained almost constant. In another embodiment, when the electromotive force applied to the thermoelectric module 100 is reversed, the temperature of the second plate 110b may be cooled from about 24°C to about -23°C.

일 실시 예에 따르면 열전 모듈(100)의 일 면(예: 제1 플레이트(110a))이 냉각될 경우, 타 면(예: 제2 플레이트(110b))은 가열될 수 있다. 타 면이 가열되는 온도는 이하 도 6에서 설명하도록 한다.According to an embodiment, when one surface (eg, the first plate 110a) of the thermoelectric module 100 is cooled, the other surface (eg, the second plate 110b) may be heated. The temperature at which the other surface is heated will be described with reference to FIG. 6 below.

도 6은 일 실시 예에 따른 열전 모듈의 가열 온도를 나타낸다. 도 6은 도 2에 도시된 열전 모듈(100)의 일 면(예: 제1 플레이트(110a) 또는 제2 플레이트(110b))이 시간이 지남에 따라 가열되는 온도를 나타낸다. 도 6에서 제1 그래프(610)는 주위 온도를 나타내고, 제2 그래프(620)는 가열되는 면의 온도를 나타낼 수 있다.6 illustrates a heating temperature of a thermoelectric module according to an exemplary embodiment. 6 illustrates a temperature at which one surface (eg, the first plate 110a or the second plate 110b) of the thermoelectric module 100 illustrated in FIG. 2 is heated over time. In FIG. 6 , a first graph 610 may indicate an ambient temperature, and a second graph 620 may indicate a temperature of a heated surface.

도 6을 참조하면 열전 모듈(100)에 기전력이 인가되면 열전 모듈(100)의 주위 온도는 거의 일정하게 유지되는 반면, 열전 모듈(100)의 일 면이 가열될 수 있다. 예컨대, 열전 모듈(100)에 기전력이 인가되면 제1 플레이트(110a)의 온도가 약 24℃에서 약 110℃로 상승할 수 있다. 약 24℃에서 약 110℃까지 상승하는 시간은 약 80초 정도 걸릴 수 있으며, 이 때 열전 모듈(100)의 주위 온도는 거의 일정하게 유지될 수 있다. 다른 실시 예로, 열전 모듈(100)에 인가되는 기전력이 반대가 되면 제2 플레이트(110b)의 온도가 약 24℃에서 약 110℃로 상승할 수 있다.Referring to FIG. 6 , when electromotive force is applied to the thermoelectric module 100 , the ambient temperature of the thermoelectric module 100 is maintained almost constant, while one surface of the thermoelectric module 100 may be heated. For example, when an electromotive force is applied to the thermoelectric module 100 , the temperature of the first plate 110a may rise from about 24°C to about 110°C. It may take about 80 seconds to rise from about 24° C. to about 110° C., and at this time, the ambient temperature of the thermoelectric module 100 may be maintained almost constant. In another embodiment, when the electromotive force applied to the thermoelectric module 100 is reversed, the temperature of the second plate 110b may rise from about 24°C to about 110°C.

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본 문서에 개시된 다양한 실시예들은 다양한 형태의 전자 장치에 적용될 수 있다. 전자 장치는, 예를 들면, TV, 휴대용 통신 장치 (예: 스마트폰), 컴퓨터 장치, 휴대용 멀티미디어 장치, 휴대용 의료 기기, 카메라, 웨어러블 장치, 가전 장치, PVD, CVD, 또는 에칭 장치를 포함할 수 있다. 본 문서의 실시예에 따른 전자 장치는 전술한 기기들에 한정되지 않는다.Various embodiments disclosed in this document may be applied to various types of electronic devices. Electronic devices may include, for example, TVs, portable communication devices (eg, smartphones), computer devices, portable multimedia devices, portable medical devices, cameras, wearable devices, consumer electronics devices, PVD, CVD, or etching devices. have. The electronic device according to the embodiment of the present document is not limited to the above-described devices.

본 문서의 다양한 실시예들 및 이에 사용된 용어들은 본 문서에 기재된 기술적 특징들을 특정한 실시예들로 한정하려는 것이 아니며, 해당 실시예의 다양한 변경, 균등물, 또는 대체물을 포함하는 것으로 이해되어야 한다. 도면의 설명과 관련하여, 유사한 또는 관련된 구성요소에 대해서는 유사한 참조 부호가 사용될 수 있다. 아이템에 대응하는 명사의 단수 형은 관련된 문맥상 명백하게 다르게 지시하지 않는 한, 상기 아이템 한 개 또는 복수 개를 포함할 수 있다. It should be understood that the various embodiments of this document and the terms used therein are not intended to limit the technical features described in this document to specific embodiments, and include various modifications, equivalents, or substitutions of the embodiments. In connection with the description of the drawings, like reference numerals may be used for similar or related components. The singular form of the noun corresponding to the item may include one or more of the item, unless the relevant context clearly dictates otherwise.

본 문서에서, "A 또는 B", "A 및 B 중 적어도 하나", “A 또는 B 중 적어도 하나”, "A, B 또는 C", "A, B 및 C 중 적어도 하나” 및 “A, B, 또는 C 중 적어도 하나"와 같은 문구들 각각은 그 문구들 중 해당하는 문구에 함께 나열된 항목들 중 어느 하나, 또는 그들의 모든 가능한 조합을 포함할 수 있다. "제 1", "제 2", 또는 "첫째" 또는 "둘째"와 같은 용어들은 단순히 해당 구성요소를 다른 해당 구성요소와 구분하기 위해 사용될 수 있으며, 해당 구성요소들을 다른 측면(예: 중요성 또는 순서)에서 한정하지 않는다. 어떤(예: 제 1) 구성요소가 다른(예: 제 2) 구성요소에, “기능적으로” 또는 “통신적으로”라는 용어와 함께 또는 이런 용어 없이, “커플드(coupled)” 또는 “커넥티드(connected)”라고 언급된 경우, 그것은 상기 어떤 구성요소가 상기 다른 구성요소에 직접적으로(예: 유선으로), 무선으로, 또는 제 3 구성요소를 통하여 연결될 수 있다는 것을 의미한다.As used herein, “A or B”, “at least one of A and B”, “at least one of A or B”, “A, B or C”, “at least one of A, B and C” and “A, Each of the phrases "at least one of B, or C" may include any one of, or all possible combinations of, items listed together in the corresponding one of the phrases. Terms such as “first”, “second”, or “first” or “second” may simply be used to distinguish the component from other such components, and refer to those components in other aspects (e.g., importance or order) is not limited. One (e.g. first) component is “coupled” or “connected” to another (e.g. second) component with or without the terms “functionally” or “communicatively” When referenced to “connected”, it is meant that one component can be connected to the other component directly (eg, by wire), wirelessly, or through a third component.

본 문서에서 사용된 용어 "모듈"은 하드웨어, 소프트웨어 또는 펌웨어로 구현된 유닛을 포함할 수 있으며, 예를 들면, 로직, 논리 블록, 부품, 또는 회로 등의 용어와 상호 호환적으로 사용될 수 있다. 모듈은, 일체로 구성된 부품 또는 하나 또는 그 이상의 기능을 수행하는, 상기 부품의 최소 단위 또는 그 일부가 될 수 있다. 예를 들면, 일실시예에 따르면, 모듈은 ASIC(application-specific integrated circuit)의 형태로 구현될 수 있다. As used herein, the term “module” may include a unit implemented in hardware, software, or firmware, and may be used interchangeably with terms such as, for example, logic, logic block, component, or circuit. A module may be an integrally formed part or a minimum unit or a part of the part that performs one or more functions. For example, according to an embodiment, the module may be implemented in the form of an application-specific integrated circuit (ASIC).

본 문서의 다양한 실시예들은 기기(machine)에 의해 읽을 수 있는 저장 매체(storage medium) 또는 외장 메모리에 저장된 하나 이상의 명령어들을 포함하는 소프트웨어로서 구현될 수 있다. 예를 들면, 기기의 프로세서는, 저장 매체로부터 저장된 하나 이상의 명령어들 중 적어도 하나의 명령을 호출하고, 그것을 실행할 수 있다. 이것은 기기가 상기 호출된 적어도 하나의 명령어에 따라 적어도 하나의 기능을 수행하도록 운영되는 것을 가능하게 한다. 상기 하나 이상의 명령어들은 컴파일러에 의해 생성된 코드 또는 인터프리터에 의해 실행될 수 있는 코드를 포함할 수 있다. 기기로 읽을 수 있는 저장매체는, 비일시적(non-transitory) 저장매체의 형태로 제공될 수 있다. 여기서, ‘비일시적’은 저장매체가 실재(tangible)하는 장치이고, 신호(signal)(예: 전자기파)를 포함하지 않는다는 것을 의미할 뿐이며, 이 용어는 데이터가 저장매체에 반영구적으로 저장되는 경우와 임시적으로 저장되는 경우를 구분하지 않는다.Various embodiments of the present document may be implemented as software including one or more instructions stored in a storage medium or an external memory readable by a machine. For example, the processor of the device may call at least one of the one or more instructions stored from the storage medium and execute it. This makes it possible for the device to be operated to perform at least one function according to the at least one command called. The one or more instructions may include code generated by a compiler or code executable by an interpreter. The device-readable storage medium may be provided in the form of a non-transitory storage medium. Here, 'non-transitory' only means that the storage medium is a tangible device and does not contain a signal (eg, electromagnetic wave), and this term is used in cases where data is semi-permanently stored in the storage medium and It does not distinguish between temporary storage cases.

일실시예에 따르면, 본 문서에 개시된 다양한 실시예들에 따른 방법은 컴퓨터 프로그램 제품(computer program product)에 포함되어 제공될 수 있다. 컴퓨터 프로그램 제품은 상품으로서 판매자 및 구매자 간에 거래될 수 있다. 컴퓨터 프로그램 제품은 기기로 읽을 수 있는 저장 매체(예: compact disc read only memory (CD-ROM))의 형태로 배포되거나, 또는 어플리케이션 스토어(예: 플레이 스토어TM)를 통해 또는 두개의 사용자 장치들(예: 스마트폰들) 간에 직접, 온라인으로 배포(예: 다운로드 또는 업로드)될 수 있다. 온라인 배포의 경우에, 컴퓨터 프로그램 제품의 적어도 일부는 제조사의 서버, 어플리케이션 스토어의 서버, 또는 중계 서버의 메모리와 같은 기기로 읽을 수 있는 저장 매체에 적어도 일시 저장되거나, 임시적으로 생성될 수 있다.According to one embodiment, the method according to various embodiments disclosed in this document may be provided in a computer program product (computer program product). Computer program products may be traded between sellers and buyers as commodities. The computer program product is distributed in the form of a device-readable storage medium (eg compact disc read only memory (CD-ROM)), or through an application store (eg Play Store™) or on two user devices (eg, It can be distributed (eg downloaded or uploaded) directly, online between smartphones (eg: smartphones). In the case of online distribution, at least a part of the computer program product may be temporarily stored or temporarily created in a machine-readable storage medium such as a memory of a server of a manufacturer, a server of an application store, or a relay server.

다양한 실시예들에 따르면, 상기 기술한 구성요소들의 각각의 구성요소(예: 모듈 또는 프로그램)는 단수 또는 복수의 개체를 포함할 수 있다. 다양한 실시예들에 따르면, 전술한 해당 구성요소들 중 하나 이상의 구성요소들 또는 동작들이 생략되거나, 또는 하나 이상의 다른 구성요소들 또는 동작들이 추가될 수 있다. 대체적으로 또는 추가적으로, 복수의 구성요소들(예: 모듈 또는 프로그램)은 하나의 구성요소로 통합될 수 있다. 이런 경우, 통합된 구성요소는 상기 복수의 구성요소들 각각의 구성요소의 하나 이상의 기능들을 상기 통합 이전에 상기 복수의 구성요소들 중 해당 구성요소에 의해 수행되는 것과 동일 또는 유사하게 수행할 수 있다. 다양한 실시예들에 따르면, 모듈, 프로그램 또는 다른 구성요소에 의해 수행되는 동작들은 순차적으로, 병렬적으로, 반복적으로, 또는 휴리스틱하게 실행되거나, 상기 동작들 중 하나 이상이 다른 순서로 실행되거나, 생략되거나, 또는 하나 이상의 다른 동작들이 추가될 수 있다.According to various embodiments, each component (eg, a module or a program) of the above-described components may include a singular or a plurality of entities. According to various embodiments, one or more components or operations among the above-described corresponding components may be omitted, or one or more other components or operations may be added. Alternatively or additionally, a plurality of components (eg, a module or a program) may be integrated into one component. In this case, the integrated component may perform one or more functions of each component of the plurality of components identically or similarly to those performed by the corresponding component among the plurality of components prior to the integration. . According to various embodiments, operations performed by a module, program, or other component are executed sequentially, in parallel, repeatedly, or heuristically, or one or more of the operations are executed in a different order, or omitted. or one or more other operations may be added.

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Claims

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열전 모듈(thermoelectric module)에 있어서,
직렬로 연결된 복수의 열전 소자들,
상기 열전 모듈의 일단에 연결되는 제1 라인, 및
상기 열전 모듈의 타단에 연결되는 제2 라인을 포함하고,
상기 복수의 열전 소자들 각각은,
P형 반도체에 해당하는 제1 타입 반도체,
상기 제1 타입 반도체와 대응되는 위치에 배치되며 N형 반도체에 해당하는 제2 타입 반도체,
일단은 상기 제1 타입 반도체와 연결되고 타단은 양극에 연결되는 제1 전극,
일단은 상기 제2 타입 반도체와 연결되고 타단은 음극에 연결되는 제2 전극, 및
상기 제1 타입 반도체와 상기 제2 타입 반도체를 연결하는 제3 전극을 포함하고,
상기 제1 라인 및 상기 제2 라인에 인가되는 기전력에 의해 상기 제1 타입 반도체 내의 정공(hole)이 상기 제3 전극에 상응하는 방향으로 이동하며, 상기 기전력에 의해 상기 제1 타입 반도체 내의 전자(electron)는 상기 제3 전극에 상응하는 방향으로 이동하고,
상기 열전 모듈은,
상기 제1 전극 및 상기 제2 전극에 접합하는 제1 플레이트;
상기 제3 전극에 접합하는 제2 플레이트;
상기 제1 전극 및 상기 제2 전극과, 상기 제1 플레이트 사이에 배치되는 복수의 세라믹 시트들;
상기 제1 타입 반도체와 상기 제1 전극, 및 상기 제1 타입 반도체와 상기 제3 전극 사이에 배치되는 제1 솔더(solder); 및
상기 제2 타입 반도체와 상기 제2 전극, 및 상기 제2 타입 반도체와 상기 제3 전극 사이에 배치되는 제2 솔더; 를 더 포함하고,
복수의 세라믹 시트들은 상기 제1 플레이트가 적층되는 제1 세라믹 시트와 상기 제2 플레이트가 적층되는 제2 세라믹 시트를 포함하는, 열전 모듈.In the thermoelectric module (thermoelectric module),
a plurality of thermoelectric elements connected in series,
a first line connected to one end of the thermoelectric module; and
and a second line connected to the other end of the thermoelectric module,
Each of the plurality of thermoelectric elements,
A first type semiconductor corresponding to a P-type semiconductor;
a second type semiconductor disposed at a position corresponding to the first type semiconductor and corresponding to an N-type semiconductor;
a first electrode having one end connected to the first type semiconductor and the other end connected to the anode;
a second electrode having one end connected to the second type semiconductor and the other end connected to the cathode, and
a third electrode connecting the first type semiconductor and the second type semiconductor;
Holes in the first type semiconductor move in a direction corresponding to the third electrode by the electromotive force applied to the first line and the second line, and electrons ( electron) moves in a direction corresponding to the third electrode,
The thermoelectric module is
a first plate bonded to the first electrode and the second electrode;
a second plate bonded to the third electrode;
a plurality of ceramic sheets disposed between the first electrode and the second electrode and the first plate;
a first solder disposed between the first type semiconductor and the first electrode, and between the first type semiconductor and the third electrode; and
a second solder disposed between the second type semiconductor and the second electrode, and between the second type semiconductor and the third electrode; further comprising,
The plurality of ceramic sheets includes a first ceramic sheet on which the first plate is stacked and a second ceramic sheet on which the second plate is stacked.

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제8항에 있어서,
상기 제2 플레이트의 온도는 상기 제1 플레이트의 온도보다 높고,
상기 솔더는 주석(Sn), 안티모니(Sb), 및 비스무트(Bi) 중 적어도 어느 하나를 포함하는, 열전 모듈.9. The method of claim 8,
The temperature of the second plate is higher than the temperature of the first plate,
The solder includes at least one of tin (Sn), antimony (Sb), and bismuth (Bi).