KR102303594B1 - 기판 처리 장치 및 방법 - Google Patents

Abstract

본 발명은 기판을 처리하는 장치를 제공한다. 기판을 처리하는 장치는, 일 실시 예에 의하면, 내부에 처리 공간을 가지는 처리 용기와; 처리 공간에서 기판을 지지하는 기판 지지 유닛과; 기판 지지 유닛에 지지된 기판 상에 처리액을 공급하는 액 공급 유닛과; 처리 용기에 잔류하는 처리액을 제거하는 세정 유닛과; 기판 지지 유닛, 액 공급 유닛 및 세정 유닛을 제어하는 제어기를 포함하되, 세정 유닛은, 기판 지지 유닛에 의해 지지 및 회전되는 지그와; 지그에 세정액을 공급하는 세정액 공급 부재를 포함하되, 지그는 반경 방향을 따라 경사지는 경사부가 제공될 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 의하면, 처리 용기의 세정 효율을 향상시킬 수 있다.

Description

기판 처리 장치 및 방법{APPARATUS AND METHOD FOR TREATING A SUBSTRATE}

본 발명은 기판 처리 장치 및 방법에 관한 것으로 더욱 상세하게는 처리 용기를 세정하는 세정 유닛 및 이를 이용하는 기판 처리 장치 및 방법에 관한 것이다.

반도체 소자 및 평판표시패널의 제조 공정은 사진, 식각, 애싱, 박막 증착, 그리고 세정 공정 등 다양한 공정들이 수행된다. 이러한 공정들 중 사진, 식각, 애싱, 그리고 세정 공정들은 기판 상에 처리액을 공급하여 기판을 액처리하는 공정을 수행한다.

이 중 사진 공정은 도포 단계, 노광 단계, 그리고 현상 단계를 포함한다. 도포 단계는 기판 상에 포토 레지스트와 같은 감광액을 도포하는 도포 공정으로, 사용된 감광액의 일부는 처리 용기를 통해 회수된다.

도 1은 도포 공정에 사용되는 일반적인 액 처리 장치를 보여주는 단면도이다. 도 1을 참조하면, 액 처리 장치는 처리 용기(2) 내에는 기판(W)이 위치되며, 기판(W) 상에 감광액(X)을 공급한다. 감광액(X)은 점성을 가지는 액으로, 다량이 회수 경로에 부착된다. 처리 용기(2)의 회수 경로에 부착된 감광액들(X)은 주변 장치를 오염시킬 수 있으며, 작업자에게 악영향을 끼칠 수 있다.

이에 따라 감광액들(X)이 잔류되는 처리 용기는 주기적인 세정을 필요로 한다. 도 2는 도 1의 장치에서 처리 용기를 세정 처리하는 과정을 보여주는 단면도이다. 도 2를 참조하면, 처리 용기(2)의 세정 공정으로는, 기판(W)의 액 도포가 완료되기 전 또는 후에 수행될 수 있다. 처리 용기(2)의 세정 공정이 진행되면, 기판(W)의 상부 및 하부에서 기판(W)을 향해 세정액(Y)을 공급한다. 세정액(Y)은 기판(W)으로부터 비산되어 회수 경로로 회수되며, 잔류 감광액을 세정 처리한다.

그러나 회수 경로를 형성하는 처리 용기(2)의 영역들 중 일부 영역(x,y)에는 세정액(Y)이 도달되지 못한다. 예컨대. 처리 용기(2)에서 기판(W)과 마주하는 하부 영역(y)과 기판(W)보다 높은 상부 영역들(x)은 세정액(Y)의 미도달 영역에 해당된다. 이에 따라 세정 공정이 완료되었음에도, 처리 용기(2)에는 여전히 감광액(X)이 잔류되어 있으며, 이를 세정하는 것은 매우 어렵다.

본 발명은 처리 용기의 세정효율을 향상시킬 수 있는 세정 유닛 및 이를 이용하는 기판 처리 장치를 제공하는 것을 일 목적으로 한다.

또한 본 발명은 처리 용기의 액 회수 경로를 형성하는 영역 전체를 세정할 수 있는 세정 유닛 및 이를 이용하는 기판 처리 장치를 제공하는 것을 일 목적으로 한다.

본 발명이 해결하고자 하는 과제는 여기에 제한되지 않으며, 언급되지 않은 또 다른 과제들은 아래의 기재로부터 당업자에게 명확하게 이해될 수 있을 것이다.

본 발명은 기판을 처리하는 장치를 제공한다. 기판을 처리하는 장치는, 일 실시 예에 의하면, 내부에 처리 공간을 가지는 처리 용기와; 처리 공간에서 기판을 지지하는 기판 지지 유닛과; 기판 지지 유닛에 지지된 기판 상에 처리액을 공급하는 처리액 공급 유닛과; 처리 용기의 세정 시에 기판 지지 유닛에 지지되는 지그와; 처리 용기의 세정 시에 기판 지지 유닛에 지지된 지그로 세정액을 공급하는 세정액 공급 유닛과, 기판 지지 유닛, 처리액 공급 유닛 및 세정액 공급 유닛을 제어하는 제어기를 포함하되, 지그의 상면은 반경 방향을 따라 경사지는 경사면을 가질 수 있다.

일 실시 예에 의하면, 경사면은 지그의 중심에서 외측을 향해 하향 경사지게 제공될 수 있다.

일 실시 예에 의하면, 지그의 종단면은 삼각형 형상으로 제공될 수 있다.

일 실시 예에 의하면, 세정액 공급 유닛은, 지그의 상면으로 세정액을 토출하는 상부 세정 노즐을 포함할 수 있다.

일 실시 예에 의하면, 세정액 공급 유닛은, 지그의 하면으로 세정액을 토출하는 하부 세정 노즐을 더 포함할 수 있다.

일 실시 예에 의하면, 제어기는, 처리 용기의 세정 시에 상부 세정 노즐로부터 지그로 토출되는 세정액의 탄착 지점이 지그의 반경 방향을 따라 지그의 중심과 지그의 가장자리 영역 사이에서 변경되도록 상부 세정 노즐을 제어할 수 있다.

일 실시 예에 의하면, 제어기는, 처리액의 종류에 따라 상부 세정 노즐의 탄착 지점을 지그의 중심과 지그의 가장자리 영역 사이에서 달리하도록 상부 세정 노즐을 제어할 수 있다.

일 실시 예에 의하면, 제어기는, 지그로 세정액이 토출되는 도중에 지그의 회전 속도가 변경되도록 기판 지지 유닛을 제어할 수 있다.

일 실시 예에 의하면, 처리 용기는, 지지 유닛에 지지된 기판으로 공급된 처리액을 회수하는 회수 공간을 가지며, 회수 공간에서 처리액을 회수하는 입구는 지지 유닛에 지지된 기판의 단부와 측방향으로 대향되게 위치되고, 회수 공간은 상부벽, 상부벽의 아래에 배치된 하부벽, 그리고 상부벽의 외측 단부로부터 아래로 연장된 측부벽에 의해 정의되고, 상부벽과 하부벽은 각각 지지 유닛으로부터 멀어질수록 하향 경사지게 제공되고, 처리 용기를 세정시에 지지 유닛에 지지된 지그의 외측 단부는 입구에 대향되게 위치될 수 있다.

일 실시 예에 의하면, 기판 지지 유닛은, 기판 또는 지그를 진공 흡착하는 진공 라인과; 진공 라인에 진공압을 제공하는 감압 부재를 더 포함할 수 있다.

또한, 본 발명은 기판을 처리하는 방법을 제공한다. 일 실시 예에 의하면, 내부에 처리 공간을 가지는 처리 용기와; 처리 공간에서 기판을 지지하는 기판 지지 유닛과; 기판 지지 유닛에 지지된 기판 상에 처리액을 공급하는 처리액 공급 유닛과; 처리 용기의 세정 시에 기판 지지 유닛에 지지되는 지그와; 처리 용기의 세정 시에 기판 지지 유닛에 지지된 지그로 세정액을 공급하는 세정액 공급 유닛과, 기판 지지 유닛, 처리액 공급 유닛 및 세정액 공급 유닛을 제어하는 제어기를 포함하되, 지그의 상면은 반경 방향을 따라 경사지는 경사면을 가지는 기판 처리 장치를 이용하여, 지그로 세정액을 토출하여 처리 용기를 세정할 수 있다.

일 실시 예에 의하면, 경사면은 지그의 중심에서 외측을 향해 하향 경사지게 제공될 수 있다.

일 실시 예에 의하면, 지그의 종단면은 삼각형 형상으로 제공될 수 있다.

일 실시 예에 의하면, 지그의 상면으로 세정액을 토출할 수 있다.

일 실시 예에 의하면, 지그의 상면과 지그의 하면으로 세정액을 토출할 수 있다.

일 실시 예에 의하면, 지그로 토출되는 세정액의 탄착 지점은 지그의 반경 방향을 따라 지그의 중심과 지그의 가장자리 영역 사이에서 변경될 수 있다.

일 실시 예에 의하면, 지그로 세정액이 토출되는 도중에 지그의 회전 속도가 변경될 수 있다.

본 발명의 일 실시예에 의하면, 처리 용기의 세정 효율을 향상시킬 수 있다.

또한, 본 발명의 일 실시예에 의하면, 처리 용기의 액 회수 경로를 형성하는 영역 전체를 세정할 수 있다.

본 발명의 효과가 상술한 효과들로 한정되는 것은 아니며, 언급되지 아니한 효과들은 본 명세서 및 첨부된 도면으로부터 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 명확히 이해될 수 있을 것이다.

도 1 내지 도 2는 각각 일반적인 기판 처리 장치를 보여주는 단면도이다.
도 3은 본 발명의 기판 처리 장치를 개략적으로 보여주는 사시도이다.
도 4는 도 3의 도포 블럭 또는 현상 블럭을 보여주는 기판 처리 장치의 단면도이다.
도 5는 도 3의 기판 처리 장치의 평면도이다.
도 6 내지 도 7은 각각 본 발명의 일 실시 예에 따른 액처리 챔버의 모습을 보여주는 단면도이다.
도 8은 본 발명의 일 실시예에 따라 기판(W)에 처리액을 공급하여 기판(W)을 처리하는 모습을 나타낸다.
도 9 내지 도 17은 각각 본 발명의 일 실시예에 따라 지그에 세정액을 공급하여 처리 용기를 세정하는 모습을 나타낸다.

아래에서는 첨부한 도면을 참고로 하여 본 발명의 실시 예에 대하여 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자가 용이하게 실시할 수 있도록 상세히 설명한다. 그러나 본 발명은 여러 가지 상이한 형태로 구현될 수 있으며 여기에서 설명하는 실시 예에 한정되지 않는다. 또한, 본 발명의 바람직한 실시예를 상세하게 설명함에 있어, 관련된 공지 기능 또는 구성에 대한 구체적인 설명이 본 발명의 요지를 불필요하게 흐릴 수 있다고 판단되는 경우에는 그 상세한 설명을 생략한다. 또한, 유사한 기능 및 작용을 하는 부분에 대해서는 도면 전체에 걸쳐 동일한 부호를 사용한다.

어떤 구성요소를 '포함'한다는 것은, 특별히 반대되는 기재가 없는 한 다른 구성요소를 제외하는 것이 아니라 다른 구성요소를 더 포함할 수 있다는 것을 의미한다. 구체적으로, "포함하다" 또는 "가지다" 등의 용어는 명세서상에 기재된 특징, 숫자, 단계, 동작, 구성요소, 부품 또는 이들을 조합한 것이 존재함을 지정하려는 것이지, 하나 또는 그 이상의 다른 특징들이나 숫자, 단계, 동작, 구성요소, 부품 또는 이들을 조합한 것들의 존재 또는 부가 가능성을 미리 배제하지 않는 것으로 이해되어야 한다.

단수의 표현은 문맥상 명백하게 다르게 뜻하지 않는 한, 복수의 표현을 포함한다. 또한 도면에서 요소들의 형상 및 크기 등은 보다 명확한 설명을 위해 과장될 수 있다.

도 3은 본 발명의 기판 처리 장치를 개략적으로 보여주는 사시도이고, 도 4는 도 3의 도포 블럭 또는 현상 블럭을 보여주는 기판 처리 장치의 단면도이며, 도 5는 도 3의 기판 처리 장치의 평면도이다.

도 3 내지 도 5를 참조하면, 기판 처리 장치(1)는 인덱스 모듈(20, index module), 처리 모듈(30, treating module), 그리고 인터페이스 모듈(40, interface module)을 포함한다. 일 실시예에 의하며, 인덱스 모듈(20), 처리 모듈(30), 그리고 인터페이스 모듈(40)은 순차적으로 일렬로 배치된다. 이하, 인덱스 모듈(20), 처리 모듈(30), 그리고 인터페이스 모듈(40)이 배열된 방향을 X축 방향(12)이라 하고, 상부에서 바라볼 때 X축 방향(12)과 수직한 방향을 Y축 방향(14)이라 하고, X축 방향(12) 및 Y축 방향(14)에 모두 수직한 방향을 Z축 방향(16)이라 한다.

인덱스 모듈(20)은 기판(W)이 수납된 용기(10)로부터 기판(W)을 처리 모듈(30)로 반송하고, 처리가 완료된 기판(W)을 용기(10)로 수납한다. 인덱스 모듈(20)의 길이 방향은 Y축 방향(14)으로 제공된다. 인덱스 모듈(20)은 로드포트(22)와 인덱스 프레임(24)을 가진다. 인덱스 프레임(24)을 기준으로 로드포트(22)는 처리 모듈(30)의 반대 측에 위치된다. 기판(W)들이 수납된 용기(10)는 로드포트(22)에 놓인다. 로드포트(22)는 복수 개가 제공될 수 있으며, 복수의 로드포트(22)는 Y축 방향(14)을 따라 배치될 수 있다.

용기(10)로는 전면 개방 일체 식 포드(Front Open Unified Pod:FOUP)와 같은 밀폐용 용기(10)가 사용될 수 있다. 용기(10)는 오버헤드 트랜스퍼(Overhead Transfer), 오버헤드 컨베이어(Overhead Conveyor), 또는 자동 안내 차량(Automatic Guided Vehicle)과 같은 이송 수단(도시되지 않음)이나 작업자에 의해 로드포트(22)에 놓일 수 있다.

인덱스 프레임(24)의 내부에는 인덱스 로봇(2200)이 제공된다. 인덱스 프레임(24) 내에는 길이 방향이 Y축 방향(14)으로 제공된 가이드 레일(2300)이 제공되고, 인덱스 로봇(2200)은 가이드 레일(2300) 상에서 이동 가능하게 제공될 수 있다. 인덱스 로봇(2200)은 기판(W)이 놓이는 핸드(2220)를 포함하며, 핸드(2220)는 전진 및 후진 이동, Z축 방향(16)을 축으로 한 회전, 그리고 Z축 방향(16)을 따라 이동 가능하게 제공될 수 있다.

처리 모듈(30)은 기판(W)에 대해 도포 공정 및 현상 공정을 수행한다. 처리 모듈(30)은 도포 블럭(30a) 및 현상 블럭(30b)을 가진다. 도포 블럭(30a)은 기판(W)에 대해 도포 공정을 수행하고, 현상 블럭(30b)은 기판(W)에 대해 현상 공정을 수행한다. 도포 블럭(30a)은 복수 개가 제공되며, 이들은 서로 적층되게 제공된다. 현상 블럭(30b)은 복수 개가 제공되며, 현상 블럭들(30b)은 서로 적층되게 제공된다. 도 4의 실시예에 의하면, 도포 블럭(30a)은 2개가 제공되고, 현상 블럭(30b)은 2개가 제공된다. 도포 블럭들(30a)은 현상 블럭들(30b)의 아래에 배치될 수 있다. 일 예에 의하면, 2개의 도포 블럭들(30a)은 서로 동일한 공정을 수행하며, 서로 동일한 구조로 제공될 수 있다. 또한, 2개의 현상 블럭들(30b)은 서로 동일한 공정을 수행하며, 서로 동일한 구조로 제공될 수 있다.

도 5를 참조하면, 도포 블럭(30a)은 공정 챔버(3200, 3600), 반송 챔버(3400), 그리고 버퍼 챔버(3800)를 가진다. 공정 챔버(3200, 3600)는 열 처리 챔버(3200)와 액처리 챔버(3600)를 포함할 수 있다. 열처리 챔버(3200)는 기판(W)에 대해 열처리 공정을 수행한다. 열처리 공정은 냉각 공정 및 가열 공정을 포함할 수 있다. 액처리 챔버(3600)는 기판(W) 상에 액을 공급하여 액막을 형성한다. 액막은 포토레지스트막 또는 반사방지막일 수 있다.

도 6 및 도 7은 각각 도 5의 액처리 챔버(3600)의 일 예를 보여주는 단면도이다. 도 6 내지 도 7을 참조하면, 액처리 챔버(3600)에서는 액 도포 공정을 수행한다. 액처리 챔버(3600)는 하우징(610), 기류 제공 유닛(620), 기판 지지 유닛(630), 처리액 공급 유닛(642), 처리 용기(650) 그리고 승강 유닛(690)을 포함한다.

하우징(610)은 내부에 공간(612)을 가지는 직사각의 통 형상으로 제공된다. 하우징(610)의 일측에는 개구(미도시)가 형성된다. 개구는 기판(W)이 반출입되는 입구로 기능한다. 개구에는 도어(미도시)가 설치되며, 도어는 개구를 개폐한다. 도어는 기판 처리 공정이 진행되면, 개구를 차단하여 하우징(610)의 내부 공간(612)을 밀폐한다. 하우징(610)의 하부면에는 내측 배기구(614) 및 외측 배기구(616)가 형성된다. 하우징(610) 내에 형성된 기류는 내측 배기구(614) 및 외측 배기구(616)를 통해 외부로 배기된다. 일 예에 의하면, 처리 용기(650)내에 제공된 기류는 내측 배기구(614)를 통해 배기되고, 처리 용기(650)의 외측에 제공된 기류는 외측 배기구(616)를 통해 배기될 수 있다.

기류 제공 유닛(620)은 하우징(610)의 내부 공간에 하강 기류를 형성한다. 기류 제공 유닛(620)은 기류 공급 라인(622), 팬(624), 그리고 필터(626)를 포함한다. 기류 공급 라인(622)은 하우징(610)에 연결된다. 기류 공급 라인(622)은 외부의 에어를 하우징(610)에 공급한다. 필터(626)는 기류 공급 라인(622)으로부터 제공되는 에어를 필터(626)링 한다. 필터(626)는 에어에 포함된 불순물을 제거한다. 팬(624)은 하우징(610)의 상부면에 설치된다. 팬(624)은 하우징(610)의 상부면에서 중앙 영역에 위치된다. 팬(624)은 하우징(610)의 내부 공간에 하강 기류를 형성한다. 기류 공급 라인(622)으로부터 팬(624)에 에어가 공급되면, 팬(624)은 아래 방향으로 에어를 공급한다.

기판 지지 유닛(630)은 하우징(610)의 내부 공간에서 기판(W)을 지지한다. 기판 지지 유닛(630)은 기판(W)을 회전시킨다. 기판 지지 유닛(630)은 지지 플레이트(632), 회전축(634), 그리고 구동기(636)를 포함한다. 지지 플레이트(632)는 원형의 판 형상을 가지도록 제공된다. 지지 플레이트(632)의 상면에는 기판(W)이 접촉한다. 지지 플레이트(632)는 기판(W)보다 작은 직경을 가지도록 제공된다. 일 예에 의하면, 지지 플레이트(632)의 내부에는 기판(W)을 진공 흡착하도록 진공 라인(637)이 제공될 수 있다. 진공 라인(637)에 진공압을 제공하는 감압 부재(638)가 설치될 수 있다. 이에 지지 플레이트(632)는 기판(W)을 진공 흡입하여 기판(W)을 흡착할 수 있다. 다른 예에서, 지지 플레이트(632)는 기판(W)을 물리적 힘으로 척킹할 수 있다.

상부에서 바라볼 때 기판(W)은 그 중심축이 지지 플레이트(632)의 중심축과 일치되도록 위치될 수 있다. 회전축(634)은 지지 플레이트(632)의 아래에서 지지 플레이트(632)를 지지할 수 있다. 회전축(634)은 그 길이 방향이 상하방향을 향하도록 제공될 수 있다. 회전축(634)은 그 중심축을 중심으로 회전 가능하도록 제공될 수 있다. 구동기(636)는 회전축(634)이 회전되도록 구동력을 제공할 수 있다. 예컨대, 구동기(636)는 모터일 수 있다.

처리액 공급 유닛(642)은 기판(W) 상에 처리액을 공급한다. 처리액은 레지스트와 같은 감광액일 수 있다. 처리액 공급 유닛(642)은 중앙 위치에서 처리액을 공급할 수 있다. 여기서 중앙 위치는 기판(W)의 중앙 영역에 대향되는 위치일 수 있다.

처리 용기(650)는 하우징(610)의 내부 공간(612)에 위치된다. 처리 용기(650)는 내부에 처리 공간(652)을 제공한다. 처리 용기(650)는 상부가 개방된 컵 형상을 가지도록 제공된다. 처리 용기(650)는 기판 지지 유닛(630)을 감싸도록 제공될 수 있다.

처리 용기(650)는 하부벽(662)과 상부벽(670)을 갖는다. 하부벽(662)은 기판 지지 유닛(630)을 감싼다. 상부벽(670)은 하부벽(662)을 감싸며, 하부벽(662)과 조합되어 처리액이 회수되는 회수 경로(665)를 형성한다. 하부벽(662)과 상부벽(670)은 기판 지지 유닛(630)을 향해 상향 경사지도록 형성된다. 상부벽(670) 및 하부벽(662) 각각은 환형의 링 형상으로 제공된다. 상부에서 바라볼 때 하부벽(662)은 내측 배기구(614)와 중첩되도록 위치된다.

상부벽(670)은 측부벽(666)과 연결되고, 측부벽(666)은 다시 바닥부(664)와 연결된다. 바닥부(664)는 중공을 가지는 원형의 판 형상을 가지도록 제공된다. 바닥부(664)에는 회수 경로(665)가 연결된다. 회수 경로(665)는 기판(W) 상에 공급된 처리액을 회수한다. 회수 경로(665)에 의해 회수된 처리액은 외부의 액 재생 시스템에 의해 재사용될 수 있다. 측부벽(666)은 기판 지지 유닛(630)을 감싸는 환형의 링 형상을 가지도록 제공된다. 측부벽(666)은 바닥부(664)의 측단으로부터 수직한 방향으로 연장된다. 측부벽(666)은 바닥부(664)으로부터 위로 연장된다.

상부벽(670)은 측부벽(666)의 상단으로부터 상부벽(670)의 중심축을 향하는 방향으로 연장된다. 상부벽(670)의 내측면은 기판 지지 유닛(630)에 가까워지도록 상향 경사지게 제공된다. 기판의 액 처리 공정 중에는 상부벽(670)의 상단이 기판 지지 유닛(630)에 지지된 기판(W)보다 높게 위치된다.

승강 유닛(690)은 하부벽(662)과 상부벽(670)을 각각 승강 이동시킨다. 승강 유닛(690)은 내측 이동 부재(692) 및 외측 이동 부재(694)를 포함한다. 내측 이동 부재(692)는 하부벽(662)을 승강 이동시키고, 외측 이동 부재(694)는 상부벽(670)을 승강 이동시킨다.

세정 유닛(1200)은, 기판(W) 상에 세정액을 공급한다. 세정액은 처리 용기(650)에 잔류하는 처리 액을 제거한다. 일 예에서, 세정액은 신너(Thinner)일 수 있다. 세정 유닛(1200)은, 지그(G), 세정액 공급 부재를 포함한다. 지그(G)는 기판 지지 유닛(630)에 의해 지지 및 회전된다. 기판 지지 유닛(630)은 지그(G)의 저면에 진공압을 제공하여 지그(G)를 지지 및 흡착할 수 있다. 지그(G)는 반경 방향을 따라 경사지는 상부벽이 제공된다. 일 예에서, 상부벽은 지그(G)의 외측을 향해 하향 경사지게 형성된다.

세정액 공급 부재는 지그(G)에 세정액을 공급한다. 세정액 공급 부재는, 상부 세정 노즐(1210)과 하부 세정 노즐(1220)을 포함한다. 상부 세정 노즐(1210)은 지그(G)의 상면으로 세정액을 토출한다. 하부 세정 노즐(1220)은 지그(G)의 하면으로 세정액을 토출한다.

다음은 상술한 기판 처리 장치를 이용하여 기판(W)을 처리하는 과정을 설명한다. 제어기(미도시)는 이하 서술하는 기판 처리 과정을 수행하기 위해 기판 처리 장치를 제어할 수 있다. 기판(W)에는 처리액이 공급된 후, 세정액이 공급된다.

도 8은 본 발명의 일 실시예에 따라 기판(W)에 처리액을 공급하여 기판(W)을 처리하는 모습을 나타낸다. 도 8을 참조하면, 처리 용기(650) 내의 처리 공간(652)에 제공된 기판 지지 유닛(630) 상에 지지된 기판(W)을 회전시키면서 기판(W)에 처리액을 공급하여 기판(W)을 처리한다.

처리액 공급 유닛(642)은 중앙 위치에서 기판(W) 상에 처리액을 공급한다. 기판(W)의 상면 중앙 영역에 공급된 처리액은 기판(W)의 회전에 의해 기판(W)의 가장자리 영역까지 도포된다. 이 때, 기판(W)의 회전에 의해 처리액이 비산되어 처리 용기(650)를 오염시킨다. 처리액은 주로 상부벽(670)의 내측면(6621)과 하부벽(662)의 외측면(6521)에 부착된다.

도 8에 도시된 기판(W)에 처리액 도포 공정이 완료되면 처리 용기(650)의 세정 공정이 수행된다. 도 9 내지 도 17은 각각 본 발명의 일 실시예에 따라 지그(G)에 세정액을 공급하여 처리 용기(650)를 세정하는 모습을 나타낸다.

도 9를 참조하면, 기판 지지 유닛(630)에서 기판(W)이 언로딩되고, 처리 용기(650)의 세정에 사용되는 지그(G)가 기판 지지 유닛(630) 상에 로딩될 수 있다. 지그(G)는 지그(G)의 중심과 기판 지지 유닛(630)의 중심이 일치되도록 위치한다. 지그(G)는 기판 지지 유닛(630)에 의해 회전된다.

상부 세정 노즐(1210)이 회전하는 지그(G)의 상면 중앙 영역에 세정액을 공급한다. 세정액은 지그(G)의 외측을 향해 하향 경사진 경사면을 따라 흐른다 세정액은 경사면에서 지그(G)의 가장자리 영역으로 비산된다. 이때, 세정액은 지그(G)의 경사면을 따라 흐르며 지그(G)의 외측을 향해 상향 경사지게 비산된다. 비산된 세정액은 처리 용기(650)의 상부벽(670)의 내측면(6621)과 충돌할 수 있다. 상부벽(670)의 내측면(6621)과 충돌한 세정액은 상부벽(670)의 내측면(6621)에 부착된 처리액을 제거한다.

상부 세정 노즐(1210)은 세정액의 탄착 지점이 기판(W)의 반경 방향을 따라 기판(W)의 중심과 기판(W)의 가장자리 영역 사이에서 변경될 수 있다. 이에 따라 지그(G)에 공급되는 세정액이 비산되는 경로를 달리할 수 있다. 이에 따라, 세정액이 상부벽(670)의 내측면(6621)과 충돌하는 타점을 달리 할 수 있다.

도 10 내지 도 12는 각각 상부 세정 노즐(1210)이 지그(G)의 상부면에 세정액을 토출하는 모습을 나타낸다. 구체적으로, 도 10은 상부 세정 노즐(1210)의 세정액 탄착 지점이 지그(G)의 중심 영역에 대향되는 모습을 나타내고, 도 11은 상부 세정 노즐(1210)의 세정액 탄착 지점이 지그(G)의 중심 영역과 가장 자리 영역 사이에 대향되는 모습을 나타내며, 도 12는 상부 세정 노즐(1210)의 세정액 탄착 지점이 지그(G)의 가장자리 영역에 대향되는 모습을 나타낸다.

도 10 내지 도 12를 참조하면, 상부 세정 노즐(1210)의 세정액 탄착 지점에 따라 세정액의 비산 경로가 상이해지고, 이에 따라 세정액이 상부벽(670)의 내측면(6621)과 충돌하는 타점이 변화한다. 일 예에서, 상부 세정 노즐(1210)의 세정액 탄착 지점이 지그(G)의 중심 영역에서 가장 자리 영역으로 이동될 수록 세정액이 상부벽(670)의 내측면(6621)과 충돌하는 타점은 상승한다.

상부 세정 노즐(1210)로부터 토출된 세정액의 위치 에너지는 지그(G)와 충돌하면서 충돌에너지와 운동에너지로 변화한다. 지그(G)가 하향 경사짐에 따라 상부 세정 노즐(1210)의 세정액 탄착 지점이 지그(G)의 중심 영역에서 가장 자리 영역으로 이동될수록 세정액의 토출 지점과 세정액이 지그(G)에 탄착되는 지점 간의 높이가 증가한다.

이에 따라, 상부 세정 노즐(1210)의 세정액 탄착 지점이 지그(G)의 중심 영역에서 가장 자리 영역으로 이동될수록 비산되는 세정액의 운동에너지가 상승한다. 이에 따라 상부 세정 노즐(1210)의 세정액 탄착 지점이 지그(G)의 중심 영역에서 가장 자리 영역으로 이동될수록 세정액의 이동 거리가 멀어진다. 따라서, 상부 세정 노즐(1210)의 세정액 탄착 지점이 지그(G)의 중심 영역에서 가장 자리 영역으로 이동될수록 상부벽(670)의 내측면(6621)과 충돌하는 타점이 상승된다.

상부 세정 노즐(1210)의 세정액 탄착 지점은 상부 세정 노즐(1210)이 세정액을 분사하는 동안 지그(G)의 중심 영역에서 가장 자리 영역으로 이동될 수 있다. 일 예에서, 상부 세정 노즐(1210)이 세정액을 토출하기 시작할 때 상부 세정 노즐(1210)의 탄착 지점은 지그(G)의 중심 영역에 위치하고, 상부 세정 노즐(1210)이 세정액 토출을 종료할 때까지 상부 세정 노즐(1210)의 세정액 탄착 지점은 상부 세정 노즐(1210)의 탄착 지점은 지그(G)의 가장 자리 영역으로 이동될 수 있다. 상부 세정 노즐(1210)이 탄착 지점을 이동함에 따라, 상부벽(670)의 내측면(6621) 영역이 고루 세정될 수 있다.

또한, 상부 세정 노즐(1210)의 세정액 탄착 지점을 지그(G)의 가장 자리영역에 대향되도록 이동시켜 세정이 어려운 상부벽(670)의 내측면(6621)의 상부 영역까지 세정 가능한 이점이 있다.

상부 세정 노즐(1210)이 특정 탄착 지점에 머무는 시간은 상이하게 제공될 수 있다. 일 예에서, 세정이 어려운 상부벽(670)의 내측면(6621)의 상부 영역 세정을 위해 세정액은 지그(G)의 가장 자리영역에서 다른 영역에서 보다 상대적으로 오래 세정액이 토출될 수 있다.

또한, 처리액의 종류에 따라 처리액이 처리 용기(650)에 처리액이 비산되는 영역이 상이해질 수 있고, 이에 따라, 상부 세정 노즐(1210)의 탄착 지점을 달리하여 처리액이 많이 비산되는 영역에서 세정액의 탄착 지점과 탄착 시간을 달리 할 수 있다.

도 13은 지그(G)를 V1의 속도로 회전시켜 상부 세정 노즐(1210)을 통해 처리 용기(650)를 세정하는 모습을 나타내고, 도 14는 지그(G)를 V2의 속도로 회전시켜 상부 세정 노즐(1210)을 통해 처리 용기(650)를 세정하는 모습을 나타낸다. 일 예에서 V2는 V1 보다 빠른 속도이다. 도 13 내지 도 14를 참조하면, 지그(G)의 회전 속도에 따라 세정액의 비산 경로가 상이해지고, 이에 따라 세정액이 상부벽(670)의 내측면(6621)과 충돌하는 타점이 변화한다. 일 예에서, 지그(G)의 회전 속도가 빠를수록 세정액의 운동에너지는 증가하여 세정액의 이동 거리가 증가하고, 세정액이 상부벽(670)의 내측면(6621)과 충돌하는 타점은 상승한다.

상부 세정 노즐(1210)의 탄착 지점에 따라 지그(G)의 회전 속도는 상이하게 제공될 수 있다. 일 예에서, 세정이 어려운 상부벽(670)의 내측면(6621)의 상부 영역 세정을 위해 세정액의 탄착 지점이 지그(G)의 가장 자리영역에 있을 때 다른 영역에서 보다 상대적으로 지그(G)의 회전 속도가 빠르게 제공될 수 있다.

도 15는 하부 세정 노즐(1220)이 지그(G)의 저면에 세정액을 토출하는 모습을 나타낸다. 도 15를 참조하면, 하부 세정 노즐(1220)이 회전하는 지그(G)의 저면에 세정액을 공급하면, 세정액은 지그(G)의 중심 부근과 가장자리 영역으로 확산될 수 있다. 지그(G)에서 가장자리 영역에서 비산된 세정액은 처리 용기(650)의 하부벽(662)의 외측면(6521)과 충돌할 수 있다. 하부벽(662)의 외측면(6521)과 충돌한 세정액은 하부벽(662)의 외측면(6521)에 부착된 처리액을 제거한다.

도 16은 지그(G)를 V1의 속도로 회전시켜 하부 세정 노즐(1220)을 통해 처리 용기(650)를 세정하는 모습을 나타내고, 도 17은 지그(G)를 V2의 속도로 회전시켜 하부 세정 노즐(1220)을 통해 처리 용기(650)를 세정하는 모습을 나타낸다. 일 예에서 V2는 V1 보다 빠른 속도이다. 도 16 내지 도 17을 참조하면, 지그(G)의 회전 속도에 따라 세정액의 비산 경로가 상이해지고, 이에 따라 세정액이 하부벽(662)의 외측면(6521)과 충돌하는 타점이 변화한다. 일 예에서, 지그(G)의 회전 속도가 빠를수록 세정액의 운동에너지는 증가하여 세정액의 이동 거리가 증가하고, 세정액이 하부벽(662)의 외측면(6521)과 충돌하는 타점은 하강한다.

하부 세정 노즐(1220)은 상부 세정 노즐(1210)과 마찬가지로 세정액의 탄착 지점에 따라 지그(G)의 회전 속도는 상이하게 제공될 수 있다.

본 발명에 따르면, 지그(G)에서 비산되는 세정액의 경로를 상이하게 제공함에 따라 처리 용기(650)의 상부벽(670)의 내측면(6621)과 하부벽(662)의 외측면(6521)의 전 영역에서 처리액이 깨끗이 씻겨 나가는 이점이 있다.

본 발명에 따르면, 기판(W) 처리 단계에서 처리되는 기판(W)과 용기 세정 단계에서 사용되는 지그(G)는 같은 크기를 가질 수 있다. 이에 기판(W)에 따라 설정된 기판(W) 처리 장치의 시스템을 변화하지 않고, 처리 용기(650)의 세정 영역을 크게 할 수 있는 이점이 있다.

상술한 예에서는 지그(G)가 지그(G)의 외측을 향해 하향 경사지게 제공되는 것으로 설명하였다. 그러나, 지그(G)의 형상은 이에 한정되는 것은 아니고 다양한 형태로 변형될 수 있다. 예컨대, 지그(G)의 가장자리 영역은 외측으로 상향 경사질 수 있다. 또한, 지그(G)의 가장자리 영역은 외측으로 상향 경사지는 복수의 돌출부와 외측으로 하향 경사지는 복수의 만입부를 포함할 수 있다. 이에, 지그(G)에 공급되는 세정액은 다양한 방향으로 비산되어 처리 용기(650)의 세정을 효율적으로 수행할 수 있다.

상술한 예에서는, 상부 세정 노즐(1210)과 하부 세정 노즐(1220)의 세정액 토출 시점이 상이한 것으로 설명하였다. 그러나, 상부 세정 노즐(1210)과 하부 세정 노즐(1220)은 세정액을 동시에 토출할 수 있다.

다시 도 5를 참조하면, 반송 챔버(3400)는 도포 블럭(30a) 내에서 열처리 챔버(3200)와 액처리 챔버(3600) 간에 기판(W)을 반송한다.

반송 챔버(3400)는 그 길이 방향이 X축 방향(12)과 평행하게 제공된다. 반송 챔버(3400)에는 반송 유닛(3420)이 제공된다. 반송 유닛(3420)은 열처리 챔버(3200), 액처리 챔버(3600), 그리고 버퍼 챔버(3800) 간에 기판을 반송한다. 반송 챔버(3400) 내에는 그 길이 방향이 X축 방향(12)과 평행하게 제공되는 가이드 레일(3300)이 제공되고, 반송 유닛(3420)은 가이드 레일(3300) 상에서 이동 가능하게 제공될 수 있다.

버퍼 챔버(3800)는 복수 개로 제공된다. 버퍼 챔버(3800)는 기판(W)을 일시적으로 보관할 수 있다. 버퍼 챔버들(3800) 중 일부는 인덱스 모듈(20)과 반송 챔버(3400) 사이에 배치된다. 이하, 이들 버퍼 챔버를 전단 버퍼(3802)(front buffer)라 칭한다. 전단 버퍼들(3802)은 복수 개로 제공되며, 상하 방향을 따라 서로 적층되게 위치된다. 버퍼 챔버들(3802, 3804) 중 다른 일부는 반송 챔버(3400)와 인터페이스 모듈(40) 사이에 배치된다 이하. 이들 버퍼 챔버를 후단 버퍼(3804)(rear buffer)라 칭한다. 후단 버퍼들(3804)은 복수 개로 제공되며, 상하 방향을 따라 서로 적층되게 위치된다. 전단 버퍼들(3802) 및 후단 버퍼들(3804) 각각은 복수의 기판들(W)을 일시적으로 보관한다. 전단 버퍼(3802)에 보관된 기판(W)은 인덱스 로봇(2200) 및 반송 유닛(3420)에 의해 반입 또는 반출된다. 후단 버퍼(3804)에 보관된 기판(W)은 반송 유닛(3420) 및 제1로봇(4602)에 의해 반입 또는 반출된다.

현상 블럭(30b)은 열처리 챔버(3200), 반송 챔버(3400), 그리고 액처리 챔버(3600)를 가진다. 현상 블럭(30b)의 열처리 챔버(3200), 반송 챔버(3400), 그리고 액처리 챔버(3600)는 도포 블럭(30a)의 열처리 챔버(3200), 반송 챔버(3400), 그리고 액처리 챔버(3600)와 대체로 유사한 구조 및 배치로 제공되므로, 이에 대한 설명은 생략한다. 다만, 현상 블록(30b)에서 액처리 챔버들(3600)은 모두 동일하게 현상액을 공급하여 기판을 현상 처리하는 현상 챔버로 제공된다.

인터페이스 모듈(40)은 처리 모듈(30)을 외부의 노광 장치(50)와 연결한다. 인터페이스 모듈(40)은 인터페이스 프레임(4100), 부가 공정 챔버(4200), 인터페이스 버퍼(4400), 그리고 반송 부재(4600)를 가진다.

인터페이스 프레임(4100)의 상단에는 내부에 하강기류를 형성하는 팬필터유닛이 제공될 수 있다. 부가 공정 챔버(4200), 인터페이스 버퍼(4400), 그리고 반송 부재(4600)는 인터페이스 프레임(4100)의 내부에 배치된다. 부가 공정 챔버(4200)는 도포 블럭(30a)에서 공정이 완료된 기판(W)이 노광 장치(50)로 반입되기 전에 소정의 부가 공정을 수행할 수 있다. 선택적으로 부가 공정 챔버(4200)는 노광 장치(50)에서 공정이 완료된 기판(W)이 현상 블럭(30b)으로 반입되기 전에 소정의 부가 공정을 수행할 수 있다. 일 예에 의하면, 부가 공정은 기판(W)의 에지 영역을 노광하는 에지 노광 공정, 또는 기판(W)의 상면을 세정하는 상면 세정 공정, 또는 기판(W)의 하면을 세정하는 하면 세정공정일 수 있다. 부가 공정 챔버(4200)는 복수 개가 제공되고, 이들은 서로 적층되도록 제공될 수 있다. 부가 공정 챔버(4200)는 모두 동일한 공정을 수행하도록 제공될 수 있다. 선택적으로 부가 공정 챔버(4200)들 중 일부는 서로 다른 공정을 수행하도록 제공될 수 있다.

인터페이스 버퍼(4400)는 도포 블럭(30a), 부가 공정챔버(4200), 노광 장치(50), 그리고 현상 블럭(30b) 간에 반송되는 기판(W)이 반송도중에 일시적으로 머무르는 공간을 제공한다. 인터페이스 버퍼(4400)는 복수 개가 제공되고, 복수의 인터페이스 버퍼들(4400)은 서로 적층되게 제공될 수 있다.

일 예에 의하면, 반송 챔버(3400)의 길이 방향의 연장선을 기준으로 일 측면에는 부가 공정 챔버(4200)가 배치되고, 다른 측면에는 인터페이스 버퍼(4400)가 배치될 수 있다.

반송 부재(4600)는 도포 블럭(30a), 부가 공정챔버(4200), 노광 장치(50), 그리고 현상 블럭(30b) 간에 기판(W)을 반송한다. 반송 부재(4600)는 1개 또는 복수 개의 로봇으로 제공될 수 있다. 일 예에 의하면, 반송 부재(4600)는 제1로봇(4602) 및 제2로봇(4606)을 가진다. 제1로봇(4602)은 도포 블럭(30a), 부가 공정챔버(4200), 그리고 인터페이스 버퍼(4400) 간에 기판(W)을 반송하고, 인터페이스 로봇(4606)은 인터페이스 버퍼(4400)와 노광 장치(50) 간에 기판(W)을 반송하고, 제2로봇(4604)은 인터페이스 버퍼(4400)와 현상 블럭(30b) 간에 기판(W)을 반송하도록 제공될 수 있다.

제1로봇(4602) 및 제2로봇(4606)은 각각 기판(W)이 놓이는 핸드를 포함하며, 핸드는 전진 및 후진 이동, Z축 방향(16)에 평행한 축을 기준으로 한 회전, 그리고 Z축 방향(16)을 따라 이동 가능하게 제공될 수 있다.

이상의 상세한 설명은 본 발명을 예시하는 것이다. 또한 전술한 내용은 본 발명의 바람직한 실시 형태를 나타내어 설명하는 것이며, 본 발명은 다양한 다른 조합, 변경 및 환경에서 사용할 수 있다. 즉 본 명세서에 개시된 발명의 개념의 범위, 저술한 개시 내용과 균등한 범위 및/또는 당업계의 기술 또는 지식의 범위내에서 변경 또는 수정이 가능하다. 저술한 실시예는 본 발명의 기술적 사상을 구현하기 위한 최선의 상태를 설명하는 것이며, 본 발명의 구체적인 적용 분야 및 용도에서 요구되는 다양한 변경도 가능하다. 따라서 이상의 발명의 상세한 설명은 개시된 실시 상태로 본 발명을 제한하려는 의도가 아니다. 또한 첨부된 청구범위는 다른 실시 상태도 포함하는 것으로 해석되어야 한다.

630: 기판 지지 유닛
1200: 세정 유닛
1210: 상부 세정 노즐
1220: 하부 세정 노즐
G: 지그

Claims (17)

1. 기판을 처리하는 장치에 있어서,
   내부에 처리 공간을 가지는 처리 용기와;
   상기 처리 공간에서 기판을 지지하는 기판 지지 유닛과;
   상기 기판 지지 유닛에 지지된 기판 상에 처리액을 공급하는 처리액 공급 유닛과;
   상기 처리 용기의 세정 시에 상기 기판 지지 유닛에 지지되는 지그와;
   상기 처리 용기의 세정 시에 상기 기판 지지 유닛에 지지된 지그로 세정액을 공급하는 세정액 공급 유닛과,
   상기 기판 지지 유닛, 상기 처리액 공급 유닛 및 상기 세정액 공급 유닛을 제어하는 제어기를 포함하되,
   상기 지그의 상면은 반경 방향을 따라 경사지는 경사면을 가지며,
   상기 경사면은 상기 지그의 중심에서 외측을 향해 하향 경사지게 제공되고,
   상기 처리 용기는,
   상기 지지 유닛에 지지된 기판으로 공급된 처리액을 회수하는 회수 공간을 가지며,
   상기 회수 공간은 상부벽, 상기 상부벽의 아래에 배치된 하부벽, 그리고 상기 상부벽의 외측 단부로부터 아래로 연장된 측부벽에 의해 정의되고,
   상기 상부벽은 각각 상기 지지 유닛으로부터 멀어질수록 하향 경사지게 제공되고
   상기 세정액 공급 유닛은,
   상기 지그의 상면으로 세정액을 토출하는 상부 세정 노즐을 포함하고,
   상기 제어기는,
   상기 처리 용기의 세정 시에 상기 상부 세정 노즐로부터 상기 지그로 토출되는 상기 세정액의 탄착 지점이 상기 지그의 반경 방향을 따라 상기 지그의 중심과 상기 지그의 가장자리 영역 사이에서 변경되도록 상기 상부 세정 노즐을 제어하는 기판 처리 장치.
2. 삭제
3. 제1항에 있어서,
   상기 지그의 종단면은 삼각형 형상으로 제공되는 기판 처리 장치.
4. 삭제
5. 제1항에 있어서,
   상기 세정액 공급 유닛은,
   상기 지그의 하면으로 세정액을 토출하는 하부 세정 노즐을 더 포함하는 기판 처리 장치.
6. 삭제
7. 기판을 처리하는 장치에 있어서,
   내부에 처리 공간을 가지는 처리 용기와;
   상기 처리 공간에서 기판을 지지하는 기판 지지 유닛과;
   상기 기판 지지 유닛에 지지된 기판 상에 처리액을 공급하는 처리액 공급 유닛과;
   상기 처리 용기의 세정 시에 상기 기판 지지 유닛에 지지되는 지그와;
   상기 처리 용기의 세정 시에 상기 기판 지지 유닛에 지지된 지그로 세정액을 공급하는 세정액 공급 유닛과,
   상기 기판 지지 유닛, 상기 처리액 공급 유닛 및 상기 세정액 공급 유닛을 제어하는 제어기를 포함하되,
   상기 지그의 상면은 반경 방향을 따라 경사지는 경사면을 가지며,
   상기 경사면은 상기 지그의 중심에서 외측을 향해 하향 경사지게 제공되고,
   상기 처리 용기는,
   상기 지지 유닛에 지지된 기판으로 공급된 처리액을 회수하는 회수 공간을 가지며,
   상기 회수 공간은 상부벽, 상기 상부벽의 아래에 배치된 하부벽, 그리고 상기 상부벽의 외측 단부로부터 아래로 연장된 측부벽에 의해 정의되고,
   상기 상부벽은 각각 상기 지지 유닛으로부터 멀어질수록 하향 경사지게 제공되고
   상기 세정액 공급 유닛은,
   상기 지그의 상면으로 세정액을 토출하는 상부 세정 노즐을 포함하고,
   상기 제어기는,
   상기 처리액의 종류에 따라 상기 상부 세정 노즐의 탄착 지점을 상기 지그의 중심과 상기 지그의 가장자리 영역 사이에서 달리하도록 상기 상부 세정 노즐을 제어하는 기판 처리 장치.
8. 제1항,제3항,제5항 그리고 제7항 중 어느 하나에 있어서,
   상기 제어기는,
   상기 지그로 상기 세정액이 토출되는 도중에 상기 지그의 회전 속도가 변경되도록 상기 기판 지지 유닛을 제어하는 기판 처리 장치.
9. 제1항,제3항,제5항 그리고 제7항 중 어느 하나에 있어서,
   상기 회수 공간에서 상기 처리액을 회수하는 입구는 상기 지지 유닛에 지지된 상기 기판의 단부와 측방향으로 대향되게 위치되고,
   상기 하부벽은 상기 지지 유닛으로부터 멀어질수록 하향 경사지게 제공되고,
   상기 처리 용기를 세정시에 상기 지지 유닛에 지지된 상기 지그의 외측 단부는 상기 입구에 대향되게 위치되는 기판 처리 장치.
10. 제1항,제3항,제5항 그리고 제7항 중 어느 하나에 있어서,
    상기 기판 지지 유닛은,
    상기 기판 또는 상기 지그를 진공 흡착하는 진공 라인과;
    상기 진공 라인에 진공압을 제공하는 감압 부재를 더 포함하는 기판 처리 장치.
11. 제1항 또는 제7항의 기판 처리 장치를 이용하여 기판을 처리하는 방법에 있어서,
    상기 지그로 세정액을 토출하여 상기 처리 용기를 세정하는 기판 처리 방법.
12. 제11항에 있어서,
    상기 경사면은 상기 지그의 중심에서 외측을 향해 하향 경사지게 제공되는 기판 처리 방법.
13. 제11항에 있어서,
    상기 지그의 종단면은 삼각형 형상으로 제공되는 기판 처리 방법.
14. 삭제
15. 제11항에 있어서,
    상기 지그의 상면과 상기 지그의 하면으로 세정액을 토출하는 기판 처리 방법.
16. 삭제
17. 제11항에 있어서,
    상기 지그로 상기 세정액이 토출되는 도중에 상기 지그의 회전 속도가 변경되는 기판 처리 방법.
    
    

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