KR102275893B1

KR102275893B1 - Touch window

Info

Publication number: KR102275893B1
Application number: KR1020140026993A
Authority: KR
Inventors: 신준식; 구찬규; 양준혁; 전은정
Original assignee: 엘지이노텍 주식회사
Priority date: 2014-03-07
Filing date: 2014-03-07
Publication date: 2021-07-12
Also published as: KR20150104953A

Abstract

실시예에 따른 터치 윈도우는 기판; 기판 상에 배치되고, 위치를 감지하는 감지전극; 및 상기 감지전극 상에 배치되는 반사방지층;을 포함하고, 상기 반사방지층의 반사율은 0%보다 크고 20% 이하인 터치윈도우에 관한 발명이다.A touch window according to an embodiment includes a substrate; a sensing electrode disposed on the substrate and sensing a position; and an anti-reflection layer disposed on the sensing electrode, wherein the reflectivity of the anti-reflection layer is greater than 0% and less than or equal to 20%.

Description

터치 윈도우{TOUCH WINDOW}touch window {TOUCH WINDOW}

본 기재는 터치 윈도우에 관한 것이다.This disclosure relates to touch windows.

최근 다양한 전자 제품에서 디스플레이 장치에 표시된 화상에 손가락 또는 스타일러스(stylus) 등의 입력 장치를 접촉하는 방식으로 입력을 하는 터치 패널이 적용되고 있다.Recently, in various electronic products, a touch panel for inputting an image by contacting an input device such as a finger or a stylus to an image displayed on a display device has been applied.

터치 패널은 대표적으로 저항막 방식의 터치 패널과 정전 용량 방식의 터치 패널로 구분될 수 있다. 저항막 방식의 터치 패널은 입력 장치에 압력을 가했을 때 전극 간 연결에 따라 저항이 변화하는 것을 감지하여 위치가 검출된다. 정전 용량 방식의 터치 패널은 손가락이 접촉했을 때 전극 사이의 정전 용량이 변화하는 것을 감지하여 위치가 검출된다. 제조 방식의 편의성 및 센싱력 등을 감안하여 소형 모델에 있어서는 최근 정전 용량 방식이 주목 받고 있다.The touch panel may be typically divided into a resistive touch panel and a capacitive touch panel. In the resistive touch panel, when pressure is applied to the input device, the position is detected by detecting the change in resistance according to the connection between the electrodes. In the capacitive touch panel, a position is detected by detecting a change in capacitance between electrodes when a finger touches it. In consideration of the convenience and sensing power of the manufacturing method, the capacitive method has recently been attracting attention for small models.

이러한 터치 패널의 투명 전극으로 가장 널리 쓰이는 인듐 주석 산화물(indium tin oxide, ITO)은 가격이 비싸고, 기판의 굽힘과 휨에 의해 물리적으로 쉽게 타격을 받아 전극으로의 특성이 악화되고, 이에 의해 플렉시블(flexible) 소자에 적합하지 않다는 문제점이 있다. 또한, 대형 크기의 터치 패널에 적용할 경우 높은 저항으로 인한 문제가 발생한다. Indium tin oxide (ITO), which is most widely used as a transparent electrode for such a touch panel, is expensive and easily damaged physically by bending and bending of the substrate, thereby deteriorating its properties as an electrode, and thereby There is a problem that it is not suitable for flexible) devices. In addition, when applied to a large-sized touch panel, a problem occurs due to high resistance.

이러한 문제점을 해결하기 위해 대체 전극에 대한 활발한 연구가 진행되고 있다. 특히, 금속 물질을 전극 형상으로 형성하여 ITO를 대체하고자 하나, 금속의 경우, 빛 반사로 인해 시인성이 증가하여 투명 전극의 패턴이 보이게 되는 문제가 발생할 수 있다.In order to solve these problems, active research on alternative electrodes is being conducted. In particular, it is intended to replace ITO by forming a metal material in the shape of an electrode, but in the case of metal, a problem may occur in that the pattern of the transparent electrode is visible due to increased visibility due to light reflection.

실시예는 시인성이 개선된 터치 윈도우를 제공하고자 한다.The embodiment intends to provide a touch window with improved visibility.

본 발명의 실시예에 따른 터치 윈도우는, 기판; 기판 상에 배치되고, 위치를 감지하는 감지전극; 및 상기 감지전극 상에 배치되는 반사방지층;을 포함하고, 상기 반사방지층의 반사율은 0%보다 크고 20% 이하인 터치윈도우. A touch window according to an embodiment of the present invention includes: a substrate; a sensing electrode disposed on the substrate and sensing a position; and an anti-reflection layer disposed on the sensing electrode, wherein the reflectivity of the anti-reflection layer is greater than 0% and less than or equal to 20%.

본 발명의 실시예에 따른 터치 윈도우의 상기 반사방지층은 상기 감지전극 배면에 배치되는 하면방사방지층 및 상기 감지전극 상면에 배치되는 상면방사방지층을 포함하는 터치 윈도우.The anti-reflection layer of the touch window according to an embodiment of the present invention includes a bottom anti-radiation layer disposed on a rear surface of the sensing electrode and a top anti-radiation layer disposed on an upper surface of the sensing electrode.

본 발명의 실시예에 따른 터치 윈도우의 상기 기판 상에 배치되고 메쉬 형상을 가지는 전극부를 더 포함하는 터치 윈도우.The touch window further comprising an electrode part disposed on the substrate of the touch window according to an embodiment of the present invention and having a mesh shape.

본 발명의 실시예에 따른 터치 윈도우의 상기 전극부는 제1 및 제2 서브패턴과 상기 감지전극을 포함하고, 상기 감지전극은 상기 제1 서브패턴 상에 배치되는 터치 윈도우.The electrode portion of the touch window according to an embodiment of the present invention includes first and second sub-patterns and the sensing electrode, and the sensing electrode is disposed on the first sub-pattern.

본 발명의 실시예에 따른 터치 윈도우의 상기 기판은 음각부와 상기 음각부 사이에 배치되는 양각부를 포함하고, 상기 감지전극은 상기 음각부에 배치되는 터치 윈도우.The substrate of the touch window according to an embodiment of the present invention includes an intaglio portion and an embossed portion disposed between the intaglio portion, and the sensing electrode is disposed in the intaglio portion.

본 발명의 실시예에 따른 터치 윈도우의 상기 반사방지층은 구리(Cu), 금(Au), 은(Ag), 알루미늄(Al), 티타늄(Ti), 니켈(Ni), 크롬(Cr) 및 납(Pd) 또는 이들의 합금을 산화하여 형성된 터치 윈도우. The anti-reflection layer of the touch window according to an embodiment of the present invention is copper (Cu), gold (Au), silver (Ag), aluminum (Al), titanium (Ti), nickel (Ni), chromium (Cr) and lead (Pd) or a touch window formed by oxidizing an alloy thereof.

본 발명의 실시예에 따른 터치 윈도우의 상기 감지전극은 상기 기판의 양면에 배치되는 터치 윈도우.The sensing electrode of the touch window according to an embodiment of the present invention is a touch window disposed on both sides of the substrate.

본 발명의 실시예에 따른 터치 윈도우의 상기 상면반사방지층 및 상기 하면반사방지층은 서로 다른 물질을 포함하는 터치 윈도우.The upper anti-reflection layer and the lower anti-reflection layer of the touch window according to an embodiment of the present invention include a touch window comprising different materials.

본 발명의 실시예에 따른 터치 윈도우의 제조방법은, 기판상에 감지전극을 형성하는 단계; 및 상기 감지전극상에 반사방지층을 형성하는 단계;를 포함하고, 상기 반사방지층의 반사율은 0%보다 크고 20% 이하의 값을 가지는 터치 윈도우 제조방법.A method of manufacturing a touch window according to an embodiment of the present invention includes: forming a sensing electrode on a substrate; and forming an anti-reflection layer on the sensing electrode, wherein the reflectivity of the anti-reflection layer is greater than 0% and less than or equal to 20%.

본 발명의 실시예에 따른 터치 윈도우의 제조방법의 상기 반사방지층은 반응성 스퍼터링(Reactive Sputtering)에 의해 증착되는 터치 윈도우 제조방법.In the method for manufacturing a touch window according to an embodiment of the present invention, the anti-reflection layer is deposited by reactive sputtering.

본 발명의 실시예에 따른 터치 윈도우의 제조방법의 상기 반사방지층은 불활성기체, 산소(O2), 질소(N2) 및 이산화탄소(CO2) 가스 중 적어도 하나 이상의 반응 가스로 증착되는 터치 윈도우 제조방법.In the method of manufacturing a touch window according to an embodiment of the present invention, the anti-reflection layer is deposited with at least one reactive gas of an inert gas, oxygen (O2), nitrogen (N2), and carbon dioxide (CO2) gas.

본 발명의 실시예에 따른 터치 윈도우의 제조방법의 상기 불활성기체는 아르곤(Ar) 가스이고, 상기 아르곤(Ar), 산소(O2) 및 질소(N2) 가스의 비율은 1:0.4~0.5:0.1인 터치 윈도우 제조방법.In the method for manufacturing a touch window according to an embodiment of the present invention, the inert gas is argon (Ar) gas, and the ratio of argon (Ar), oxygen (O2) and nitrogen (N2) gas is 1:0.4 to 0.5:0.1 In-touch window manufacturing method.

본 발명의 실시예에 따른 터치 윈도우의 제조방법의 상기 불활성기체는 아르곤(Ar) 가스이고, 상기 아르곤(Ar), 산소(O2) 및 질소(N2) 가스의 비율은 1:0.1:0.3~0.4인 터치 윈도우 제조방법.In the method of manufacturing a touch window according to an embodiment of the present invention, the inert gas is argon (Ar) gas, and the ratio of argon (Ar), oxygen (O2) and nitrogen (N2) gas is 1:0.1:0.3-0.4 In-touch window manufacturing method.

실시예에 따른 터치 윈도우는 감지전극 상에 배치되는 반사방지층을 포함하고, 상기 반사방지층의 상면의 면적이 상기 감지전극 상면의 면적보다 넓다. 이러한 반사방지층을 통해, 금속 물질을 포함하는 상기 감지전극의 빛 반사로 인한 시인성 증가를 방지할 수 있다. 특히, 상기 반사방지층이 상기 감지전극의 상면뿐만 아니라, 측면의 반사율도 낮출 수 있어, 시인성에 유리하다. 또한, 넓은 시야각에서도 시인성을 향상시킬 수 있다. 따라서, 상기 감지전극의 광학적 특성을 향상할 수 있다. 또한 상기 반사방지층은 반응성 스퍼터링 방식으로 증착하여 금속 두께가 매우 얇은 경우에도 반사방지층을 형성할 수 있고, 반응 가스의 비율을 제어하여 상기 반사방지층의 반사율을 관리할 수 있다.The touch window according to the embodiment includes an anti-reflection layer disposed on the sensing electrode, and an area of an upper surface of the anti-reflection layer is larger than an area of an upper surface of the sensing electrode. Through the anti-reflection layer, it is possible to prevent an increase in visibility due to light reflection of the sensing electrode including a metal material. In particular, the anti-reflection layer can lower not only the upper surface of the sensing electrode but also the reflectivity of the side surface, which is advantageous for visibility. In addition, visibility can be improved even at a wide viewing angle. Accordingly, the optical properties of the sensing electrode can be improved. In addition, the antireflection layer may be deposited by a reactive sputtering method to form the antireflection layer even when the metal thickness is very thin, and the reflectivity of the antireflection layer may be managed by controlling the ratio of the reactive gas.

도 1은 제1 실시예에 따른 터치 윈도우의 평면도이다.
도 2는 도 1의 A-A'를 따라서 절단한 단면을 도시한 단면도이다.
도 3은 제2 실시예에 따른 터치 윈도우의 단면도이다.
도 4는 제3 실시예에 따른 터치 윈도우의 단면도이다.
도 5는 제4 실시예에 따른 터치 윈도우의 평면도이다.
도 6은 도 5의 B-B'를 따라서 절단한 단면을 도시한 단면도이다.
도 7 내지 도 15는 다른 실시예에 따른 터치 윈도우의 단면도들이다.
도 17 내지 도 20은 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 터치 윈도우의 평면도와 단면도이다.
도 21 및 도 23은 실시예에 따른 터치 윈도우의 제조방법을 설명하기 위한 단면도들이다.
도 24는 실시예에 따른 터치 윈도우가 표시패널 상에 배치된 디스플레이장치를 도시한 단면도이다.
도 25는 실시예에 따른 터치 윈도우가 차량의 네이게이션에 적용된 도면이다.1 is a plan view of a touch window according to a first embodiment.
FIG. 2 is a cross-sectional view illustrating a cross-section taken along line A-A' of FIG. 1 .
3 is a cross-sectional view of a touch window according to a second exemplary embodiment.
4 is a cross-sectional view of a touch window according to a third exemplary embodiment.
5 is a plan view of a touch window according to a fourth embodiment.
6 is a cross-sectional view illustrating a cross-section taken along line B-B' of FIG. 5 .
7 to 15 are cross-sectional views of a touch window according to another exemplary embodiment.
17 to 20 are a plan view and a cross-sectional view of a touch window according to another embodiment of the present invention.
21 and 23 are cross-sectional views illustrating a method of manufacturing a touch window according to an embodiment.
24 is a cross-sectional view illustrating a display device in which a touch window is disposed on a display panel according to an exemplary embodiment.
25 is a diagram illustrating a touch window applied to vehicle navigation according to an embodiment.

실시예들의 설명에 있어서, 각 층(막), 영역, 패턴 또는 구조물들이 기판, 각 층(막), 영역, 패드 또는 패턴들의 “상/위(on)”에 또는 “하/아래(under)”에 형성된다는 기재는, 직접(directly) 또는 다른 층을 개재하여 형성되는 것을 모두 포함한다. 각 층의 상/위 또는 하/아래에 대한 기준은 도면을 기준으로 설명한다. In the description of embodiments, each layer (film), region, pattern or structure is “on” or “under” the substrate, each layer (film), region, pad or patterns. The description of being formed in " includes all those formed directly or through another layer. The standards for upper/above or lower/lower layers of each layer will be described with reference to the drawings.

도면에서 각 층(막), 영역, 패턴 또는 구조물들의 두께나 크기는 설명의 명확성 및 편의를 위하여 변형될 수 있으므로, 실제 크기를 전적으로 반영하는 것은 아니다. In the drawings, the thickness or size of each layer (film), region, pattern, or structure may be changed for clarity and convenience of description, and thus does not fully reflect the actual size.

이하, 첨부한 도면을 참조하여 본 발명의 실시예를 상세하게 설명하면 다음과 같다. Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.

먼저, 도 1 및 도 2를 참조하여, 실시예에 따른 터치 윈도우를 상세하게 설명한다. 도 1은 실시예에 따른 터치 윈도우의 평면도이다. 도 2는 도 1의 A-A'를 따라서 절단한 단면을 도시한 단면도이다.First, a touch window according to an embodiment will be described in detail with reference to FIGS. 1 and 2 . 1 is a plan view of a touch window according to an embodiment. FIG. 2 is a cross-sectional view illustrating a cross-section taken along line A-A' of FIG. 1 .

도 1을 참조하면, 실시예에 따른 터치 윈도우(10)는 입력 장치(예를 들어, 손가락 등)의 위치를 감지하는 유효 영역(AA)과 이 유효 영역(AA)의 주위에 배치되는 비유효 영역(UA)이 정의되는 기판(100)을 포함한다.Referring to FIG. 1 , the touch window 10 according to the embodiment includes an effective area AA that detects a position of an input device (eg, a finger, etc.) and an ineffective area AA disposed around the effective area AA. It includes a substrate 100 on which an area UA is defined.

여기서, 유효 영역(AA)에는 입력 장치를 감지할 수 있도록 감지전극(200)이 형성될 수 있다. 그리고, 비유효 영역(UA)에는 감지전극(200)을 전기적으로 연결하는 배선(300)이 형성될 수 있다. 또한, 비유효 영역(UA)에는 상기 배선(300)에 연결되는 외부 회로 등이 위치할 수 있다.Here, the sensing electrode 200 may be formed in the effective area AA to sense the input device. In addition, the wiring 300 electrically connecting the sensing electrode 200 may be formed in the ineffective area UA. Also, an external circuit connected to the wiring 300 may be located in the non-effective area UA.

이와 같은 터치 윈도우에 손가락 등의 입력 장치가 접촉되면, 입력 장치가 접촉된 부분에서 정전 용량의 차이가 발생하고, 이러한 차이가 발생한 부분을 접촉 위치로 검출할 수 있다.When an input device such as a finger is in contact with such a touch window, a difference in capacitance occurs at a portion in contact with the input device, and the portion in which the difference occurs may be detected as a contact position.

이러한 터치 윈도우를 좀더 상세하게 설명하면 다음과 같다.The touch window will be described in more detail as follows.

기판(100)은 이 위에 형성되는 감지전극(200), 배선(300) 및 회로 기판 등을 지지할 수 있는 다양한 물질로 형성될 수 있다. 이러한 기판(100)은 일례로 유리 기판 또는 플라스틱 기판으로 이루어질 수 있다.The substrate 100 may be formed of various materials capable of supporting the sensing electrode 200 , the wiring 300 , and the circuit board formed thereon. The substrate 100 may be formed of, for example, a glass substrate or a plastic substrate.

기판(100)의 비유효 영역(UA)에 외곽 더미층이 형성된다. 외곽 더미층은 배선(300)과 이 배선(300)을 외부 회로에 연결하는 인쇄 회로 기판 등이 외부에서 보이지 않도록 할 수 있게 소정의 색을 가지는 물질을 도포하여 형성될 수 있다. 외곽 더미층은 원하는 외관에 적합한 색을 가질 수 있는데, 일례로 흑색 안료 등을 포함하여 흑색을 나타낼 수 있다. 그리고 이 외곽 더미층에는 다양한 방법으로 원하는 로고 등을 형성할 수 있다. 이러한 외곽 더미층은 증착, 인쇄, 습식 코팅 등에 의하여 형성될 수 있다.An outer dummy layer is formed in the ineffective area UA of the substrate 100 . The outer dummy layer may be formed by applying a material having a predetermined color so that the wiring 300 and the printed circuit board connecting the wiring 300 to an external circuit are not visible from the outside. The outer dummy layer may have a color suitable for a desired appearance. For example, black may be represented by including a black pigment. In addition, a desired logo or the like can be formed on the outer dummy layer in various ways. The outer dummy layer may be formed by deposition, printing, wet coating, or the like.

기판(100) 상에는 감지전극(200)이 형성될 수 있다. 상기 감지전극(200)은 손가락 등의 입력 장치가 접촉되었는지 감지할 수 있다. 도 1에서는 상기 감지전극(200)이 기판 상에서 일 방향으로 연장되는 것으로 도시하였으나, 실시예가 이에 한정되는 것은 아니다. 따라서, 상기 감지전극(200)은 일 방향과 교차하는 타 방향으로 연장될 수 있다. 또한, 상기 감지전극(200)은 일 방향으로 연장되는 형상 및 타 방향으로 연장되는 형상을 가지는 두 종류의 감지전극을 포함할 수도 있다. The sensing electrode 200 may be formed on the substrate 100 . The sensing electrode 200 may detect whether an input device such as a finger is in contact. 1 illustrates that the sensing electrode 200 extends in one direction on the substrate, the embodiment is not limited thereto. Accordingly, the sensing electrode 200 may extend in another direction crossing one direction. In addition, the sensing electrode 200 may include two types of sensing electrodes having a shape extending in one direction and a shape extending in the other direction.

상기 감지전극(200)은 전기 전도성이 우수한 금속 물질을 포함할 수 있다. 일례로, 상기 감지전극(200)은 Cu, Au, Ag, Al, Ti, Ni 또는 이들의 합금 중 적어도 어느 하나를 포함할 수 있다. 이를 통해, 상기 감지전극(200)이 적용된 터치 윈도우의 전기적 특성을 향상시킬 수 있다.The sensing electrode 200 may include a metal material having excellent electrical conductivity. For example, the sensing electrode 200 may include at least one of Cu, Au, Ag, Al, Ti, Ni, or an alloy thereof. Through this, the electrical characteristics of the touch window to which the sensing electrode 200 is applied can be improved.

도 2를 참조하면, 상기 감지전극(200) 상에 반사방지층(400)이 배치된다. 상기 반사방지층(400)은 상기 감지전극(200)의 상면(200a)에 배치될 수 있다. Referring to FIG. 2 , an anti-reflection layer 400 is disposed on the sensing electrode 200 . The anti-reflection layer 400 may be disposed on the upper surface 200a of the sensing electrode 200 .

상기 반사방지층(400)은 구리(Cu), 금(Au), 은(Ag), 알루미늄(Al), 티타늄(Ti), 니켈(Ni), 크롬(Cr) 및 납(Pd) 또는 이들의 합금을 산화하여 형성된 물질일 수 있다.The anti-reflection layer 400 is copper (Cu), gold (Au), silver (Ag), aluminum (Al), titanium (Ti), nickel (Ni), chromium (Cr) and lead (Pd) or alloys thereof It may be a material formed by oxidizing.

상기 반사방지층(400)의 상면(400a)의 면적은 상기 감지전극(200) 상면(200a)의 면적보다 넓다. 따라서, 상기 반사방지층(400)은 상기 감지전극(200)의 상면(200a)을 전체적으로 커버할 수 있다. The area of the upper surface 400a of the anti-reflection layer 400 is larger than the area of the upper surface 200a of the sensing electrode 200 . Accordingly, the anti-reflection layer 400 may entirely cover the upper surface 200a of the sensing electrode 200 .

또한, 상기 반사방지층(400)의 선폭(L2)이 상기 감지전극(200)의 선폭(L1)보다 넓다. 즉, 상기 반사방지층(400)의 일 단면의 길이(L2)가 상기 감지전극(200)의 일 단면의 길이(L1)보다 길다. 구체적으로, 상기 감지전극(200)의 선폭(L1)과 상기 반사방지층(400)의 선폭(L2)의 비는 1:1.3 내지 1:2 일 수 있다. 상기 감지전극(200)의 선폭(L1)과 상기 반사방지층(400)의 선폭(L2)의 비가 1:1.3보다 작을 경우, 상기 반사방지층(400)이 상기 감지전극(200)의 상면(200a)을 충분히 커버하기 어려워 반사방지역할을 하기 어려울 수 있다. 또한, 제조 공정 상 상기 감지전극(200)의 선폭(L1)과 상기 반사방지층(400)의 선폭(L2)의 비가 1:2보다 크기 어려울 수 있다. In addition, the line width L2 of the anti-reflection layer 400 is wider than the line width L1 of the sensing electrode 200 . That is, the length L2 of one cross-section of the anti-reflection layer 400 is longer than the length L1 of one cross-section of the sensing electrode 200 . Specifically, the ratio of the line width L1 of the sensing electrode 200 to the line width L2 of the anti-reflection layer 400 may be 1:1.3 to 1:2. When the ratio of the line width L1 of the sensing electrode 200 to the line width L2 of the anti-reflection layer 400 is less than 1:1.3, the anti-reflection layer 400 is formed on the upper surface 200a of the sensing electrode 200. It may be difficult to make an anti-reflection area because it is difficult to sufficiently cover it. In addition, it may be difficult for a ratio of the line width L1 of the sensing electrode 200 to the line width L2 of the anti-reflection layer 400 to be greater than 1:2 in the manufacturing process.

한편, 상기 반사방지층(400)의 일부는 상기 감지전극(200)으로부터 이격되어 배치될 수 있다. 즉, 상기 반사방지층(400)의 일부는 상기 감지전극(200)으로부터 일정 거리(D)만큼 이격되어 배치될 수 있다.Meanwhile, a portion of the anti-reflection layer 400 may be disposed to be spaced apart from the sensing electrode 200 . That is, a portion of the anti-reflection layer 400 may be disposed to be spaced apart from the sensing electrode 200 by a certain distance D.

구체적으로, 상기 반사방지층(400)은 제1 반사방지부(410) 및 제2 반사방지부(420)를 포함한다. 상기 제2 반사방지부(420)는 상기 제1 반사방지부(410)를 둘러쌀 수 있다. 상기 제2 반사방지부(420)는 상기 제1 반사방지부(410)의 외곽에 배치될 수 있다. 상기 제1 반사방지부(410)는 상기 감지전극(200)의 상면(200a)에 배치된다. 상기 제2 반사방지부(420)는 상기 제1 반사방지부(410)로부터 연장되어 상기 감지전극(200)의 측면(200e)에 배치된다. 이때, 상기 제2 반사방지부(420)는 상기 감지전극(200)의 측면(200e)과 이격되어 배치될 수 있다. 즉, 상기 제2 반사방지부(420)는 상기 감지전극(200)의 측면(200e)과 접촉하지 않고, 일정 거리(D)만큼 떨어져서 배치될 수 있다.Specifically, the anti-reflection layer 400 includes a first anti-reflection unit 410 and a second anti-reflection unit 420 . The second anti-reflection unit 420 may surround the first anti-reflection unit 410 . The second anti-reflection unit 420 may be disposed outside the first anti-reflection unit 410 . The first anti-reflection part 410 is disposed on the upper surface 200a of the sensing electrode 200 . The second anti-reflection unit 420 extends from the first anti-reflection unit 410 and is disposed on the side surface 200e of the sensing electrode 200 . In this case, the second anti-reflection part 420 may be disposed to be spaced apart from the side surface 200e of the sensing electrode 200 . That is, the second anti-reflection part 420 may not be in contact with the side surface 200e of the sensing electrode 200 and may be disposed apart from each other by a predetermined distance D.

상기 제2 반사방지부(420)는 상기 제1 반사방지부(410)로부터 상기 기판(100)을 향해 구부러질 수 있다. 즉, 상기 제2 반사방지부(420)는 상기 제1 반사방지부(410)로부터 아래쪽으로 절곡되거나 벤딩될 수 있다. 따라서, 상기 반사방지층(400)의 끝단(400e)은 상기 감지전극(200)의 상면(200a)의 높이(200aH)보다 낮게 배치될 수 있다. 이를 통해, 상기 제2 반사방지부(420)는 상기 감지전극(200)의 측면(200e)을 둘러쌀 수 있다. 따라서, 상기 제2 반사방지부(420)는 상기 감지전극(200)의 측면(200e)의 반사율을 낮출 수 있고, 넓은 시야각에서도 시인성을 향상시킬 수 있다. The second anti-reflection unit 420 may be bent from the first anti-reflection unit 410 toward the substrate 100 . That is, the second anti-reflection unit 420 may be bent or bent downward from the first anti-reflection unit 410 . Accordingly, the end 400e of the anti-reflection layer 400 may be disposed lower than the height 200aH of the upper surface 200a of the sensing electrode 200 . Through this, the second anti-reflection part 420 may surround the side surface 200e of the sensing electrode 200 . Accordingly, the second anti-reflection unit 420 may lower the reflectivity of the side surface 200e of the sensing electrode 200 and improve visibility even at a wide viewing angle.

상기 반사방지층(400)은 금속 산화물, 금속 질화물 및 금속산화질화물 중 적어도 어느 하나를 포함할 수 있다. 또한, 상기 감지전극(200)이 제1 금속을 포함할 때, 상기 반사방지층(400)은 상기 제1 금속을 포함하는 산화물을 포함할 수 있다. 또한, 상기 반사방지층(400)은 흑화층일 수 있다. The anti-reflection layer 400 may include at least one of a metal oxide, a metal nitride, and a metal oxynitride. Also, when the sensing electrode 200 includes the first metal, the anti-reflection layer 400 may include the oxide including the first metal. In addition, the anti-reflection layer 400 may be a blackening layer.

이러한 반사방지층(400)을 통해, 금속 물질을 포함하는 상기 감지전극(200)의 빛 반사로 인한 시인성 증가를 방지할 수 있다. 특히, 앞서 살펴본 바와 같이, 상기 반사방지층(400)이 상기 감지전극(200)의 상면뿐만 아니라, 측면의 반사율도 낮출 수 있어, 시인성에 유리하다. 또한, 넓은 시야각에서도 시인성을 향상시킬 수 있다. 따라서, 상기 감지전극(200)의 광학적 특성을 향상할 수 있다. Through the anti-reflection layer 400 , it is possible to prevent an increase in visibility due to light reflection of the sensing electrode 200 including a metal material. In particular, as described above, the anti-reflection layer 400 can lower not only the upper surface of the sensing electrode 200 but also the reflectivity of the side surface, which is advantageous for visibility. In addition, visibility can be improved even at a wide viewing angle. Accordingly, the optical characteristics of the sensing electrode 200 may be improved.

이어서, 상기 배선(300)은 상기 비유효 영역(UA)에 형성된다. 상기 배선(300)은 상기 감지전극(200)에 전기적 신호를 인가할 수 이다. 상기 배선(300)은 상기 비유효 영역(UA)에 형성되어 보이지 않게 할 수 있다.Subsequently, the wiring 300 is formed in the ineffective area UA. The wiring 300 may apply an electrical signal to the sensing electrode 200 . The wiring 300 may be formed in the ineffective area UA to be invisible.

한편, 도면에 도시하지 않았으나, 상기 배선(300)과 연결되는 회로 기판이 더 위치할 수 있다. 회로 기판으로는 다양한 형태의 인쇄 회로 기판이 적용될 수 있는데, 일례로 플렉서블 인쇄 회로 기판(flexible printed circuit board, FPCB) 등이 적용될 수 있다.Meanwhile, although not shown in the drawing, a circuit board connected to the wiring 300 may be further located. Various types of printed circuit boards may be applied as the circuit board. For example, a flexible printed circuit board (FPCB) may be applied.

이하, 도 3을 참조하여, 제2 실시예에 따른 터치 윈도우를 설명한다. 명확하고 간략한 설명을 위해 앞서 설명한 부분과 동일 또는 유사한 부분에 대해서는 상세한 설명을 생략한다. Hereinafter, a touch window according to a second embodiment will be described with reference to FIG. 3 . For a clear and brief description, detailed descriptions of the same or similar parts as those described above will be omitted.

도 3은 제2 실시예에 따른 터치 윈도우의 단면도이다. 제2 실시예에 따른 터치 윈도우는 반사방지층(400)을 포함하고, 상기 반사방지층(400)은 상면반사방지층(401) 및 하면반사방지층(402)을 포함한다. 3 is a cross-sectional view of a touch window according to a second exemplary embodiment. The touch window according to the second embodiment includes an anti-reflection layer 400 , and the anti-reflection layer 400 includes an upper anti-reflection layer 401 and a lower anti-reflection layer 402 .

상기 상면반사방지층(401)은, 감지전극(200)의 상면(200a)에 배치된다. 상기 상면반사방지층(401)은 앞서 설명한 제1 실시예에 따른 터치 윈도우에 포함되는 반사방지층(400)과 동일 또는 유사하다.The upper anti-reflection layer 401 is disposed on the upper surface 200a of the sensing electrode 200 . The top anti-reflection layer 401 is the same as or similar to the anti-reflection layer 400 included in the touch window according to the first embodiment described above.

상기 하면반사방지층(402)은 상기 감지전극(200)의 하면(200b)에 배치된다. 상기 하면반사방지층(402)의 상면의 면적은 상기 감지전극(200) 하면의 면적보다 넓다. 따라서, 상기 하면반사방지층(402)은 상기 감지전극(200)의 하면을 전체적으로 커버할 수 있다. The lower surface anti-reflection layer 402 is disposed on the lower surface 200b of the sensing electrode 200 . The area of the upper surface of the lower anti-reflection layer 402 is larger than the area of the lower surface of the sensing electrode 200 . Accordingly, the lower surface anti-reflection layer 402 may cover the entire lower surface of the sensing electrode 200 .

또한, 상기 하면반사방지층(402)의 선폭(L3)이 상기 감지전극(200)의 선폭(L1)보다 넓다. 즉, 상기 하면반사방지층(402)의 일 단면의 길이(L3)가 상기 감지전극(200)의 일 단면의 길이(L1)보다 길다. 구체적으로, 상기 감지전극(200)의 선폭(L1)과 상기 하면반사방지층(402)의 선폭(L3)의 비는 1:1.1 내지 1:1.3 일 수 있다. 상기 감지전극(200)의 선폭(L1)과 상기 하면반사방지층(402)의 선폭(L3)의 비가 1:1.1보다 작을 경우, 상기 하면반사방지층(402)이 상기 감지전극(200)의 하면을 충분히 커버하기 어려워 반사방지역할을 하기 어려울 수 있다. 또한, 제조 공정 상 상기 감지전극(200)의 선폭(L1)과 상기 하면반사방지층(402)의 선폭(L3)의 비가 1:1.3보다 크기 어려울 수 있다.In addition, the line width L3 of the bottom anti-reflection layer 402 is wider than the line width L1 of the sensing electrode 200 . That is, the length L3 of one cross-section of the bottom anti-reflection layer 402 is longer than the length L1 of one cross-section of the sensing electrode 200 . Specifically, a ratio of the line width L1 of the sensing electrode 200 to the line width L3 of the bottom anti-reflection layer 402 may be 1:1.1 to 1:1.3. When the ratio of the line width L1 of the sensing electrode 200 to the line width L3 of the lower surface anti-reflection layer 402 is less than 1:1.1, the lower surface anti-reflection layer 402 touches the lower surface of the sensing electrode 200 . Because it is difficult to cover sufficiently, it may be difficult to make an anti-reflection area. In addition, in the manufacturing process, the ratio of the line width L1 of the sensing electrode 200 to the line width L3 of the bottom anti-reflection layer 402 may be difficult to be greater than 1:1.3.

상기 하면반사방지층(402)을 통해, 상기 터치 윈도우의 상부뿐만 아니라, 하부에서도 시인성 증가를 방지할 수 있다. 따라서, 터치 윈도우의 전체적인 시인성을 향상할 수 있다. Through the bottom anti-reflection layer 402, it is possible to prevent an increase in visibility not only in the upper portion of the touch window but also in the lower portion. Accordingly, overall visibility of the touch window may be improved.

이하, 도 4를 참조하여, 제3 실시예에 따른 터치 윈도우를 설명한다. 도 4는 제3 실시예에 따른 터치 윈도우의 단면도이다.Hereinafter, a touch window according to a third embodiment will be described with reference to FIG. 4 . 4 is a cross-sectional view of a touch window according to a third exemplary embodiment.

도 4를 참조하면, 제3 실시예에 따른 터치 윈도우는 반사방지층(400)을 포함하고, 상기 반사방지층(400)은 제1 반사방지부(410), 제2 반사방지부(420) 및 제3 반사방지부(430)를 포함한다. Referring to FIG. 4 , the touch window according to the third embodiment includes an anti-reflection layer 400 , and the anti-reflection layer 400 includes a first anti-reflection unit 410 , a second anti-reflection unit 420 and a second anti-reflection layer 400 . 3 includes an anti-reflection unit 430 .

상기 제1 반사방지부(410)는 감지전극(200)의 상면에 배치된다. The first anti-reflection part 410 is disposed on the upper surface of the sensing electrode 200 .

상기 제2 반사방지부(420)는 상기 제1 반사방지부(410)로부터 구부러져 상기 감지전극(200)의 측면(200e)에 배치된다. 상기 제2 반사방지부(420)의 길이(420ℓ)는 상기 감지전극(200)의 높이(200h)보다 길거나 적어도 동일할 수 있다. 따라서, 상기 제2 반사방지부(420)가 상기 감지전극(200)의 측면(200e)을 완전히 커버할 수 있다. The second anti-reflection part 420 is bent from the first anti-reflection part 410 and is disposed on the side surface 200e of the sensing electrode 200 . The length (420l) of the second anti-reflection part 420 may be longer than or at least equal to the height (200h) of the sensing electrode 200 . Accordingly, the second anti-reflection part 420 may completely cover the side surface 200e of the sensing electrode 200 .

상기 제3 반사방지부(430)는 상기 제2 반사방지부(420)로부터 연장되어 구부러져 상기 감지전극(200)의 측면(200e)에 배치된다. 상기 제3 반사방지부(430)는 상기 기판(100)으로부터 이격되어 배치될 수 있다. The third anti-reflection unit 430 extends from the second anti-reflection unit 420 and is bent to be disposed on the side surface 200e of the sensing electrode 200 . The third anti-reflection part 430 may be disposed to be spaced apart from the substrate 100 .

이어서, 도 5 및 도 6을 제4 실시예에 따른 터치 윈도우를 설명한다.Next, a touch window according to a fourth embodiment will be described with reference to FIGS. 5 and 6 .

도 5는 제4 실시예에 따른 터치 윈도우의 평면도이다. 도 6은 도 5의 B-B'를 따라서 절단한 단면을 도시한 단면도이다.5 is a plan view of a touch window according to a fourth embodiment. 6 is a cross-sectional view illustrating a cross-section taken along line B-B' of FIG. 5 .

도 5 및 도 6을 참조하면, 제4 실시예에 따른 터치 윈도우(20)는, 전극부(201)를 포함하고, 상기 전극부(201)는 메쉬 형상으로 배치될 수 있다. 5 and 6 , the touch window 20 according to the fourth embodiment may include an electrode part 201 , and the electrode part 201 may be disposed in a mesh shape.

구체적으로, 상기 전극부(201)는 메쉬 개구부(OA) 및 메쉬 선부(LA)를 포함할 수 있다. 이때, 상기 메쉬 선부(LA)의 선폭이 0. 1 ㎛ 내지 10 ㎛ 가 될 수 있다. 선폭이 0. 1 ㎛ 이하인 메쉬 선부(LA)는 제조 공정 상 불가능할 수 있다. 선폭이 10 ㎛ 이하일 경우, 전극부(201)의 패턴이 눈에 보이지 않게 할 수 있다. 바람직하게, 상기 메쉬 선부(LA)의 선폭은 1 ㎛ 내지 5 ㎛일 수 있다. Specifically, the electrode part 201 may include a mesh opening OA and a mesh wire part LA. In this case, the line width of the mesh wire portion LA may be 0.1 μm to 10 μm. The mesh line portion LA having a line width of 0.1 μm or less may not be possible due to a manufacturing process. When the line width is 10 μm or less, the pattern of the electrode part 201 may be made invisible. Preferably, the line width of the mesh wire portion LA may be 1 μm to 5 μm.

한편, 도 5에서 보는 바와 같이, 메쉬 개구부(OA)는 사각형 형상이 될 수 있다. 그러나 실시예가 이에 한정되는 것은 아니고, 메쉬 개구부(OA)는 다이아몬드형, 오각형, 육각형의 다각형 형상 또는 원형 형상 등 다양한 형상을 가질 수 있다.Meanwhile, as shown in FIG. 5 , the mesh opening OA may have a rectangular shape. However, embodiments are not limited thereto, and the mesh opening OA may have various shapes, such as a diamond shape, a pentagonal shape, a hexagonal polygonal shape, or a circular shape.

상기 전극부(201)가 메쉬 형상을 가짐으로써, 유효 영역(AA) 상에서 상기 전극부(201)의 패턴이 보이지 않게 할 수 있다. 즉, 상기 전극부(201)가 금속으로 형성되어도, 패턴이 보이지 않게 할 수 있다. 또한, 상기 전극부(201)가 대형 크기의 터치 윈도우에 적용되어도 터치 윈도우의 저항을 낮출 수 있다. Since the electrode part 201 has a mesh shape, the pattern of the electrode part 201 may not be seen on the effective area AA. That is, even when the electrode part 201 is made of metal, the pattern may not be visible. In addition, even when the electrode part 201 is applied to a large-sized touch window, the resistance of the touch window can be lowered.

도 6을 참조하면, 상기 전극부(201)는 제1 서브패턴(110), 제2 서브패턴(120), 전극층(210), 상면반사방지층(412) 및 하면반사방지층(411)을 포함할 수 있다. Referring to FIG. 6 , the electrode part 201 may include a first sub-pattern 110 , a second sub-pattern 120 , an electrode layer 210 , an upper anti-reflection layer 412 , and a lower anti-reflection layer 411 . can

상기 제1 서브패턴(110)은 상기 기판(100) 상에 배치된다. 상기 제1 서브패턴(110)은 상기 메쉬 선부(LA)에 배치된다. 따라서, 상기 제1 서브패턴(110)은 메쉬 형상으로 배치된다. 상기 제1 서브패턴(110)은 양각일 수 있다.The first sub-pattern 110 is disposed on the substrate 100 . The first sub-pattern 110 is disposed on the mesh line portion LA. Accordingly, the first sub-pattern 110 is disposed in a mesh shape. The first sub-pattern 110 may be embossed.

한편, 상기 제1 서브패턴(110)에 인접하여 제2 서브패턴(120)이 배치된다. 상기 제2 서브패턴(120)은 상기 기판(100) 상에 배치된다. 상기 제2 서브패턴(120)은 상기 메쉬 개구부(OA)에 배치된다. 따라서, 상기 제2 서브패턴(120)은 상기 제1 서브패턴(110) 사이사이에 배치될 수 있다. 상기 제2 서브패턴(120)은 양각일 수 있다.Meanwhile, the second sub-pattern 120 is disposed adjacent to the first sub-pattern 110 . The second sub-pattern 120 is disposed on the substrate 100 . The second sub-pattern 120 is disposed in the mesh opening OA. Accordingly, the second sub-pattern 120 may be disposed between the first sub-patterns 110 . The second sub-pattern 120 may be embossed.

상기 제1 서브패턴(110) 및 상기 제2 서브패턴(120)은 수지(resin) 또는 폴리머를 포함할 수 있다. The first sub-pattern 110 and the second sub-pattern 120 may include a resin or a polymer.

상기 전극층(210)은 상기 제1 서브패턴(110) 상에 배치된다. 따라서, 상기 전극층(210)은 상기 메쉬 선부(LA)에 배치되고, 상기 전극층(210)은 메쉬 형상으로 배치된다. 상기 전극층(210)은 전기 전도성이 우수한 다양한 금속을 포함할 수 있다. 일례로, 상기 전극층(210)은 구리(Cu), 금(Au), 은(Ag), 알루미늄(Al), 티타늄(Ti), 니켈(Ni) 또는 이들의 합금을 포함할 수 있다.The electrode layer 210 is disposed on the first sub-pattern 110 . Accordingly, the electrode layer 210 is disposed on the mesh wire portion LA, and the electrode layer 210 is disposed in a mesh shape. The electrode layer 210 may include various metals having excellent electrical conductivity. For example, the electrode layer 210 may include copper (Cu), gold (Au), silver (Ag), aluminum (Al), titanium (Ti), nickel (Ni), or an alloy thereof.

상기 전극층(210)의 측면은 상기 감지전극(200)의 내측으로 만곡될 수 있다. 이는 전극층(210)이 증착 및 에칭 공정으로 형성될 경우 기인하는 형상이다. A side surface of the electrode layer 210 may be curved inwardly of the sensing electrode 200 . This is a shape caused when the electrode layer 210 is formed through a deposition and etching process.

상기 상면반사방지층(412)은 상기 제1 서브패턴(110) 상에 배치된다. 상기 상면반사방지층(412)은 상기 전극층(210)의 상면에 배치된다. 따라서, 상기 상면반사방지층(412)은 상기 메쉬 선부(LA)에 배치되고, 상기 상면반사방지층(412)은 메쉬 형상으로 배치된다.The top anti-reflection layer 412 is disposed on the first sub-pattern 110 . The top anti-reflection layer 412 is disposed on the top surface of the electrode layer 210 . Accordingly, the upper anti-reflection layer 412 is disposed on the mesh wire portion LA, and the upper anti-reflection layer 412 is disposed in a mesh shape.

상기 하면반사방지층(411)은 상기 제1 서브패턴(110) 상에 배치된다. 상기 하면반사방지층(411)은 상기 전극층(210)의 하면에 배치된다. 따라서, 상기 하면반사방지층(411)은 상기 메쉬 선부(LA)에 배치되고, 상기 하면반사방지층(411)은 메쉬 형상으로 배치된다.The bottom anti-reflection layer 411 is disposed on the first sub-pattern 110 . The lower surface anti-reflection layer 411 is disposed on the lower surface of the electrode layer 210 . Accordingly, the bottom anti-reflection layer 411 is disposed on the mesh wire portion LA, and the bottom anti-reflection layer 411 is disposed in a mesh shape.

상기 상면반사방지층(412) 및 하면반사방지층(411)은 금속 산화물, 금속 질화물 및 금속산화질화물 중 적어도 어느 하나를 포함할 수 있다. 이때, 상기 상면반사방지층(412) 및 하면반사방지층(411) 서로 다른 금속을 포함할 수 있다. 구체적으로, 상기 상면반사방지층(412) 및 하면반사방지층(411)이 서로 다른 에칭액에 반응할 수 있도록 다른 물질을 포함할 수 있다. 즉, 상기 상면반사방지층(412) 및 하면반사방지층(411)은 선택적 에칭이 될 수 있다.The upper anti-reflection layer 412 and the lower anti-reflection layer 411 may include at least one of a metal oxide, a metal nitride, and a metal oxynitride. In this case, the upper anti-reflection layer 412 and the lower anti-reflection layer 411 may include different metals. Specifically, the upper anti-reflection layer 412 and the lower anti-reflection layer 411 may include different materials to react with different etching solutions. That is, the upper anti-reflection layer 412 and the lower anti-reflection layer 411 may be selectively etched.

이하, 도 7 내지 도 15를 참조하여, 다른 실시예에 따른 터치 윈도우를 설명한다. 도 7 내지 도 15는 다른 실시예에 따른 터치 윈도우의 단면도들이다.Hereinafter, a touch window according to another exemplary embodiment will be described with reference to FIGS. 7 to 15 . 7 to 15 are cross-sectional views of a touch window according to another exemplary embodiment.

먼저, 도 7을 참조하면, 다른 실시예에 따른 반사방지층(400)은 제1 반사방지부(410) 및 제2 반사방지부(420)를 포함한다. 상기 제2 반사방지부(420)는 감지전극(200)의 측면(200e)에 배치된다. 이때, 상기 제2 반사방지부(420)는 상기 감지전극(200)의 측면(200e)과 직접 접촉하며 배치될 수 있다. 상기 제2 반사방지부(420)는 상기 감지전극(200)의 측면(200e)의 일부와 직접 접촉하며 배치될 수 있다.First, referring to FIG. 7 , the anti-reflection layer 400 according to another exemplary embodiment includes a first anti-reflection unit 410 and a second anti-reflection unit 420 . The second anti-reflection part 420 is disposed on the side surface 200e of the sensing electrode 200 . In this case, the second anti-reflection part 420 may be disposed in direct contact with the side surface 200e of the sensing electrode 200 . The second anti-reflection part 420 may be disposed in direct contact with a portion of the side surface 200e of the sensing electrode 200 .

도 8을 참조하면, 다른 실시예에 따른 반사방지층(400)은 상면반사방지층(401) 및 하면반사방지층(402)을 포함한다. 이때, 상면반사방지층(401)은 제1 반사방지부(410) 및 제2 반사방지부(420)를 포함하고, 상기 제2 반사방지부(420)는 감지전극(200)의 측면(200e)에 배치된다. 이때, 상기 제2 반사방지부(420)는 상기 감지전극(200)의 측면(200e)과 직접 접촉하며 배치될 수 있다. 상기 제2 반사방지부(420)는 상기 감지전극(200)의 측면(200e)의 일부와 직접 접촉하며 배치될 수 있다.Referring to FIG. 8 , the anti-reflection layer 400 according to another embodiment includes an upper anti-reflection layer 401 and a lower anti-reflection layer 402 . In this case, the top anti-reflection layer 401 includes a first anti-reflection unit 410 and a second anti-reflection unit 420 , and the second anti-reflection unit 420 is formed on the side surface 200e of the sensing electrode 200 . is placed on In this case, the second anti-reflection part 420 may be disposed in direct contact with the side surface 200e of the sensing electrode 200 . The second anti-reflection part 420 may be disposed in direct contact with a portion of the side surface 200e of the sensing electrode 200 .

도 9를 참조하면, 다른 실시예에 따른 반사방지층(400)은 제1 반사방지부(410), 제2 반사방지부(420) 및 제3 반사방지부(430)를 포함하고, 상기 제3 반사방지부(430)는 기판(100)의 상면에 배치된다. 이때, 상기 제3 반사방지부(430)는 상기 기판(100)의 상면과 직접 접촉하며 배치될 수 있다.Referring to FIG. 9 , the anti-reflection layer 400 according to another embodiment includes a first anti-reflection unit 410 , a second anti-reflection unit 420 , and a third anti-reflection unit 430 , and the third The anti-reflection unit 430 is disposed on the upper surface of the substrate 100 . In this case, the third anti-reflection part 430 may be disposed in direct contact with the upper surface of the substrate 100 .

도 10을 참조하면, 다른 실시예에 따른 반사방지층(400)은 상면반사방지층(401) 및 하면반사방지층(402)을 포함한다. 이때, 상면반사방지층(401)은 제1 반사방지부(410), 제2 반사방지부(420) 및 제3 반사방지부(430)를 포함하고, 상기 제3 반사방지부(430)는 상기 하면반사방지층(402) 상에 배치된다. 이때, 상기 제3 반사방지부(430)는 상기 하면반사방지층(402)의 상면과 직접 접촉하며 배치될 수 있다.Referring to FIG. 10 , the anti-reflection layer 400 according to another embodiment includes an upper anti-reflection layer 401 and a lower anti-reflection layer 402 . In this case, the upper anti-reflection layer 401 includes a first anti-reflection unit 410 , a second anti-reflection unit 420 , and a third anti-reflection unit 430 , and the third anti-reflection unit 430 is the It is disposed on the bottom anti-reflection layer (402). In this case, the third anti-reflection unit 430 may be disposed in direct contact with the upper surface of the lower anti-reflection layer 402 .

도 11을 참조하면, 제3 반사방지부(430)는 하면반사방지층(402)의 상면 및 측면에 배치될 수 있다. 즉, 상기 제3 반사방지부(430)는 하면반사방지층(402)을 둘러싸며 배치될 수 있다. Referring to FIG. 11 , the third anti-reflection unit 430 may be disposed on the upper surface and the side surface of the lower anti-reflection layer 402 . That is, the third anti-reflection unit 430 may be disposed to surround the lower anti-reflection layer 402 .

도 12를 참조하면, 제1 서브패턴(110) 상에 전극층(210) 및 반사방지층(400)이 배치되고, 반사방지층(400)은 제1 반사방지부(410) 및 제2 반사방지부(420)를 포함한다. 상기 제2 반사방지부(420)는 전극층(210)의 측면(210e)에 배치된다. 이때, 상기 제2 반사방지부(420)는 상기 전극층(210)의 측면(210e)과 직접 접촉하며 배치될 수 있다. 상기 제2 반사방지부(420)는 상기 감지전극(200)의 측면(210e)의 일부와 직접 접촉하며 배치될 수 있다.Referring to FIG. 12 , an electrode layer 210 and an anti-reflection layer 400 are disposed on the first sub-pattern 110 , and the anti-reflection layer 400 includes a first anti-reflection unit 410 and a second anti-reflection unit ( 420). The second anti-reflection part 420 is disposed on the side surface 210e of the electrode layer 210 . In this case, the second anti-reflection part 420 may be disposed in direct contact with the side surface 210e of the electrode layer 210 . The second anti-reflection part 420 may be disposed in direct contact with a portion of the side surface 210e of the sensing electrode 200 .

도 13을 참조하면, 도 12와 같은 터치 윈도우 구조에서 전극층(210)의 하면에 배치되는 하면반사방지층(411)을 더 포함할 수 있다.Referring to FIG. 13 , in the touch window structure as shown in FIG. 12 , a lower surface anti-reflection layer 411 disposed on the lower surface of the electrode layer 210 may be further included.

도 14를 참조하면, 제2 반사방지부(420)는 전극층(210)의 측면(210e) 및 제1 서브패턴(110)의 측면(110e)을 따라 배치될 수 있다. 제2 반사방지부(420)는 전극층(210)의 측면(210e) 및 제1 서브패턴(110)의 측면(110e)과 직접 접촉할 수 있다. Referring to FIG. 14 , the second anti-reflection part 420 may be disposed along the side surface 210e of the electrode layer 210 and the side surface 110e of the first sub-pattern 110 . The second anti-reflection part 420 may directly contact the side surface 210e of the electrode layer 210 and the side surface 110e of the first sub-pattern 110 .

도 15를 참조하면, 도 14와 같은 터치 윈도우 구조에서 전극층(210)의 하면에 배치되는 하면반사방지층(411)을 더 포함하고, 전극층(210)의 측면(210e), 하면반사방지층(411)의 측면(411e) 및 제1 서브패턴(110)의 측면(110e)을 따라 배치될 수 있다. 상기 하면반사방지층(411)은 전극층(210)의 측면(210e), 하면반사방지층(411)의 측면(411e) 및 제1 서브패턴(110)의 측면(110e)과 직접 접촉할 수 있다. .Referring to FIG. 15 , in the touch window structure as shown in FIG. 14 , a lower anti-reflection layer 411 is further included on the lower surface of the electrode layer 210 , and the side surface 210e of the electrode layer 210 and the lower anti-reflection layer 411 are provided. It may be disposed along the side surface 411e of the , and the side surface 110e of the first sub-pattern 110 . The bottom anti-reflection layer 411 may be in direct contact with the side surface 210e of the electrode layer 210 , the side surface 411e of the bottom anti-reflection layer 411 , and the side surface 110e of the first sub-pattern 110 . .

도 17 내지 도 20은 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 터치 윈도우의 평면도와 단면도이다.17 to 20 are a plan view and a cross-sectional view of a touch window according to another embodiment of the present invention.

도 17 및 도 18을 참조하면, 터치 윈도우(10)는 아래에 배치되는 구성들을 보호하는 커버기판(500), 제1 기판(101) 상기 기판(101) 위에 형성된 제1 감지전극(105), 제1 배선(301) 및 제1 패드부(302)를 포함할 수 있다.Referring to FIGS. 17 and 18 , the touch window 10 includes a cover substrate 500 for protecting components disposed below, a first substrate 101 , a first sensing electrode 105 formed on the substrate 101, It may include a first wire 301 and a first pad part 302 .

또한 상기 제1 기판(101) 하부에 제2 기판(111)이 배치되고, 상기 제2 기판(111) 상부에 제2 기재(112)가 배치되고, 상기 제2 기재(112) 상에는, 제2 기판(111) 상의 음각부(113), 제2 감지전극(115), 제2 배선(311) 그리고 제2 패드부(312)가 배치될 수 있다. In addition, a second substrate 111 is disposed under the first substrate 101 , a second substrate 112 is disposed on the second substrate 111 , and a second substrate 112 is disposed on the second substrate 112 . An intaglio portion 113 , a second sensing electrode 115 , a second wiring 311 , and a second pad portion 312 may be disposed on the substrate 111 .

상기 제2 감지전극(115)은 상기 제1 감지전극(105)과 교차하는 방향으로 형성될 수 있다.The second sensing electrode 115 may be formed in a direction crossing the first sensing electrode 105 .

제1 기판(101)상에 제1 기재(102)가 배치될 수 있다. 상기 제1 기재(102)는 음각부(103)들 및 양각부(104)들을 포함할 수 있다. 상기 음각부(103)들은 임프린팅(imprinting) 공정으로 형성될 수 있다. 즉, 상기 음각부(103)들은 수지(resin) 상에 몰드를 위치시키고 이를 임프린팅 함으로써 형성될 수 있다.The first substrate 102 may be disposed on the first substrate 101 . The first substrate 102 may include engraved portions 103 and embossed portions 104 . The intaglio portions 103 may be formed by an imprinting process. That is, the intaglio portions 103 may be formed by placing a mold on a resin and imprinting it.

이어서, 상기 제1 기판(101)의 유효 영역(AA)에는 제1 감지전극(105)이 배치된다. 상기 제1 감지전극(105)은 입력 장치의 위치를 감지할 수 있다. Next, the first sensing electrode 105 is disposed in the effective area AA of the first substrate 101 . The first sensing electrode 105 may sense the position of the input device.

상기 제1 감지전극(105)은 제2 방향으로 연장될 수 있다. 도 17에서는 상기 제1 감지전극(105)이 바(bar)형태인 것으로 도시하였으나, 실시예가 이에 한정되는 것은 아니다. 따라서, 상기 제1 감지전극(105)은 손가락 등의 입력 장치가 접촉되었는지를 감지할 수 있는 다양한 형상으로 형성될 수 있다.The first sensing electrode 105 may extend in a second direction. In FIG. 17 , the first sensing electrode 105 is illustrated as having a bar shape, but the embodiment is not limited thereto. Accordingly, the first sensing electrode 105 may be formed in various shapes capable of detecting whether an input device such as a finger is in contact.

상기 제1 감지전극(105)은 상기 음각부(103)들 내에 배치될 수 있다. 즉, 상기 제1 감지전극(105)은 상기 음각부(103)들 내에 감지전극물질을 충진하여 형성할 수 있다. 따라서, 기존의 증착 및 포토리소그래피 공정에 비해 공정 수, 공정 시간 및 공정 비용을 줄일 수 있다.The first sensing electrode 105 may be disposed in the intaglio portions 103 . That is, the first sensing electrode 105 may be formed by filling the sensing electrode material in the intaglio portions 103 . Accordingly, it is possible to reduce the number of processes, process time, and process cost compared to conventional deposition and photolithography processes.

한편, 상기 양각부(104)들은 상기 음각부(103)들의 사이사이에 배치될 수 있다. 한편, 상기 양각부(104)들은 상기 음각부(103)들 형성 시, 필연적으로 발생하는 부분이다. Meanwhile, the embossed parts 104 may be disposed between the engraved parts 103 . On the other hand, the embossed parts 104 are inevitably generated when the embossed parts 103 are formed.

상기 양각부(104)들은 라운드가 형성되는 라운드부(104e)를 포함할 수 있다. 상기 라운드부(104e)는 상기 음각부(110)와 인접하여 배치될 수 있다. 즉, 상기 라운드부(104e)는 상기 양각부(104)의 테두리에 배치될 수 있다. 따라서, 상기 라운드부(104e)는 상기 양각부(104)의 끝단에 배치될 수 있다. 또한, 상기 라운드부(104e)는 상기 양각부(104)의 상면에 전체적으로 배치될 수 있다. The embossed portions 104 may include a round portion 104e in which a round is formed. The round part 104e may be disposed adjacent to the intaglio part 110 . That is, the round portion 104e may be disposed on the edge of the embossed portion 104 . Accordingly, the round portion 104e may be disposed at the end of the embossed portion 104 . In addition, the round portion 104e may be disposed entirely on the upper surface of the embossed portion 104 .

상기 라운드부(104e)는 상기 양각부(104)에 표면 처리를 하여 형성할 수 있다. 일례로, 상기 라운드부(104e)는 상기 양각부(104)를 에칭액에 일정 시간 노출하여 형성할 수 있다. The round portion 104e may be formed by surface treatment on the embossed portion 104 . For example, the round portion 104e may be formed by exposing the embossed portion 104 to an etching solution for a predetermined time.

상기 양각부(104)의 폭(P)은 1 ㎛ 내지 3000 ㎛일 수 있다. 이를 통해, 상기 음각부(103)들 내에 배치되는 감지전극의 터치 감도를 향상할 수 있고, 노이즈를 줄일 수 있다. 이때, 상기 양각부(104)의 폭(P)은 상기 라운드부(104e)를 포함하는 폭이다. The width P of the embossed portion 104 may be 1 μm to 3000 μm. Through this, the touch sensitivity of the sensing electrodes disposed in the intaglio portions 103 may be improved, and noise may be reduced. In this case, the width P of the embossed portion 104 is the width including the round portion 104e.

한편 상기 제1 및 제2 기판(101, 111) 상의 음각부(103, 113) 내에는 하면반사방지층(411)과 상면반사방지층(412)가 배치될 수 있다.Meanwhile, a bottom anti-reflection layer 411 and a top anti-reflection layer 412 may be disposed in the intaglio portions 103 and 113 on the first and second substrates 101 and 111 .

상기 하면반사방지층(411)은 제1 및 제2 감지전극(105, 115)의 배면에 배치될 수 있고, 상기 상면반사방지층(412)는 상기 제1 및 제2 감지전극(105, 115)의 상면에 배치될 수 있다.The bottom anti-reflection layer 411 may be disposed on the rear surface of the first and second sensing electrodes 105 and 115 , and the top anti-reflection layer 412 is formed on the first and second sensing electrodes 105 and 115 . It may be disposed on the upper surface.

이상 제1 및 제2 기판(101, 111) 상에 각각 형성된 제1 및 제2 감지전극(105, 115)을 설명하였으나 이에 한정되는 것은 아니고, 하나의 기판상에서 상면에는 제1 감지전극(105)을 형성하고 배면에는 제2 감지전극(115)을 형성할 수 있다.The first and second sensing electrodes 105 and 115 respectively formed on the first and second substrates 101 and 111 have been described above, but the present invention is not limited thereto. , and a second sensing electrode 115 may be formed on the rear surface.

도 19 및 도 20을 참조하면, 제1 및 제2 감지전극(105, 115)은 메쉬 형상으로 배치될 수 있다. 이때, 메쉬 형상은 무아레 현상을 방지할 수 있도록 랜덤하게 형성할 수 있다. 무아레 현상이란, 주기적인 줄무늬가 겹쳐져서 생기는 무늬로, 이웃한 줄무늬들이 겹쳐지면서 줄무늬의 굵기가 굵어져 다른 줄무늬에 비해 도드라져 보이는 현상이다. 따라서, 이러한 무아레 현상을 방지할 수 있도록, 상기 전도성 패턴 형상이 다양하게 배치될 수 있다. 19 and 20 , the first and second sensing electrodes 105 and 115 may be disposed in a mesh shape. In this case, the mesh shape may be randomly formed to prevent the moire phenomenon. The moire phenomenon is a pattern generated by overlapping periodic stripes, and as adjacent stripes overlap, the thickness of the stripes becomes thicker and appears more prominent than other stripes. Accordingly, in order to prevent such a moire phenomenon, the shape of the conductive pattern may be variously disposed.

또한 상기 제1 및 제2 기판(101, 111) 상의 음각부(103, 113) 내에는 하면반사방지층(411)과 상면반사방지층(412) 중 적어도 하나 이상이 배치될 수 있다.In addition, at least one of a bottom anti-reflection layer 411 and an upper anti-reflection layer 412 may be disposed in the intaglio portions 103 and 113 on the first and second substrates 101 and 111 .

이하, 도 21 및 도 22를 참조하여, 일 실시예에 따른 터치 윈도우의 제조방법을 설명한다. Hereinafter, a method of manufacturing a touch window according to an exemplary embodiment will be described with reference to FIGS. 21 and 22 .

먼저, 도 21을 참조하면, 수지(resin)(100') 상에 패턴이 형성된 몰드(M)를 위치시키고, 임프린팅(imprinting)할 수 있다. First, referring to FIG. 21 , a mold M having a pattern formed thereon is positioned on a resin 100 ′, and imprinting may be performed.

도 22을 참조하면, 상기 임프린팅 공정을 통해 제1 서브패턴(110) 및 제2 서브패턴(120)을 포함하는 기판(100)을 형성할 수 있고, 상기 제1 서브패턴(110) 및 상기 제2 서브패턴(120) 상에 하면반사방지층물질(411’)을 형성할 수 있다. 상기 하면반사방지층물질(411’)은 증착 공정으로 형성될 수 있으며, 상기 하면반사방지층물질(411’) 상에 전극물질(210’)을 형성할 수 있다. 상기 전극물질(210’)은 증착 공정으로 형성될 수 있다. Referring to FIG. 22 , a substrate 100 including a first sub-pattern 110 and a second sub-pattern 120 may be formed through the imprinting process, and the first sub-pattern 110 and the A bottom anti-reflection layer material 411 ′ may be formed on the second sub-pattern 120 . The lower anti-reflection layer material 411 ′ may be formed by a deposition process, and an electrode material 210 ′ may be formed on the lower anti-reflection layer material 411 ′. The electrode material 210 ′ may be formed by a deposition process.

또한 상기 전극물질(210’) 상에 상면반사방지층물질(412’)을 형성할 수 있다. 상기 상면반사방지층물질(412’)은 증착 공정으로 형성될 수 있다.Also, a top anti-reflection layer material 412 ′ may be formed on the electrode material 210 ′. The top anti-reflection layer material 412 ′ may be formed by a deposition process.

상시 하면반사방지층물질(411’) 및 상면반사방지층물질(412’)을 증착하는 방법으로는 반응성 스퍼터링(Reactive Sputtering)이 있다.A method of depositing the lower anti-reflection layer material 411 ′ and the upper anti-reflection layer material 412 ′ includes reactive sputtering.

상기 스퍼터링 증착방법은 타겟으로부터 떨어져 나온 금속 물질은 산화시키는 방법으로 화학구조가 다른 생성물로 변화시켜 증착을 유도하는 것이다.In the sputtering deposition method, the metal material separated from the target is oxidized, and the chemical structure is changed into a product to induce deposition.

금속의 두께가 1um 이하와 같이 금속의 두께가 매우 얇은 경우에는 습식 에칭 방식이 아닌 반응성 스퍼터링을 이용하여 증착을 하는 것이 바람직하다.When the thickness of the metal is very thin, such as 1 μm or less, it is preferable to perform deposition using reactive sputtering instead of wet etching.

스퍼터링은 챔버내에 공급되는 가스와 캐소드(타켓)에서 발생되는 전자 사이의 충돌로부터 시작된다. 그 과정을 보면 진공 챔버 내에 불활성 기체를 넣고 캐소드에 전압을 가면서 상기 캐소드로부터 방출된 전자들이 불활성 기체의 원자와 충돌하여 상기 불활성 기체를 이온화 시킨다. 상기 불활성 기체가 이온화 되면서 전자를 방출하면 에너지가 방출되며 이때 플라즈마 내의 불활성 이온은 큰 전위차에 의해 캐소드쪽으로 가속되어 상기 캐소드의 표면과 충돌하면 중성의 캐소드 원자들이 튀어나와 기판(100)에 박막을 형성할 수 있다.Sputtering starts from the collision between the gas supplied into the chamber and electrons generated from the cathode (target). In the process, an inert gas is put in a vacuum chamber and a voltage is applied to the cathode, and electrons emitted from the cathode collide with atoms of the inert gas to ionize the inert gas. When the inert gas is ionized and emits electrons, energy is released. At this time, the inert ions in the plasma are accelerated toward the cathode by a large potential difference and collide with the surface of the cathode. can do.

반응성 스퍼터링에서는 사용되는 기체의 비율과 분압에 따라 하면반사방지층물질(411’) 및 상면반사방지층물질(412’)의 특성이 변할 수 있다.In reactive sputtering, the properties of the lower anti-reflection layer material 411 ′ and the upper anti-reflection layer material 412 ′ may be changed according to the ratio and partial pressure of the gas used.

예를 들어 사용되는 기체 중에서 산소 분압이 너무 낮은 경우에는 기판(100)에 금속 물질이 충분히 산화되지 않아 원하는 하면반사방지층물질(411’) 및 상면반사방지층물질(412’)을 얻을 수 없고, 산소 분압이 너무 높은 경우에는 타켓의 표면에 산화되어 증착율이 떨어지는 문제가 있다. For example, when the oxygen partial pressure in the gas used is too low, the metal material on the substrate 100 is not sufficiently oxidized to obtain the desired lower anti-reflection layer material 411 ′ and upper anti-reflection layer material 412 ′, and oxygen If the partial pressure is too high, there is a problem in that the surface of the target is oxidized and the deposition rate is decreased.

뿐만 아니라 사용되는 기체의 비율과 분압에 따라서 상기 하면반사방지층물질(411’) 및 상면반사방지층물질(412’)의 반사율이 달라질 수 있다.In addition, the reflectance of the lower anti-reflection layer material 411 ′ and the upper anti-reflection layer material 412 ′ may vary according to the ratio and partial pressure of the gas used.

표 1은 반응성 스퍼터링에서 사용되는 기체의 비율에 따른 상기 하면반사방지층물질(411’) 및 상면반사방지층물질(412’)의 반사율의 변화를 나타낸 표이다. 상기 반사율은 가시광 전체의 파장인 380nm에서 780nm 범위 내의 평균 반사율이다.Table 1 is a table showing changes in reflectance of the lower anti-reflection layer material 411 ′ and the upper anti-reflection layer material 412 ′ according to the ratio of the gas used in reactive sputtering. The reflectance is an average reflectance within the range of 380 nm to 780 nm, which is the entire wavelength of visible light.

표 1을 참조하면, 사용되는 금속은 나이트라이드(Ni)이고 압력이 5mTorr이고 사용되는 전력은 1000W로 하였으며, 반응성 가스는 아르곤(Ar), 산소(O2) 그리고 질소(N2)를 이용하였다.Referring to Table 1, the metal used was nitride (Ni), the pressure was 5 mTorr, the power used was 1000 W, and argon (Ar), oxygen (O2) and nitrogen (N2) were used as reactive gases.

아르곤의 비를 1로하고 산소 그리고 질소의 비율을 달리하고 증착 공정을 통해 형성한 상기 하면반사방지층물질(411’) 및 상면반사방지층물질(412’)의 반사율을 살펴보면, 아르곤과 산소 그리고 질소의 비율이 1:0.4:0.1일 때가 7%의 반사율을 가지고, 아르곤과 산소 그리고 질소의 비율이 1:0.5:0.1인 경우에 6%의 반사율을 가짐을 알 수 있다. 또한 아르곤과 산소 그리고 질소의 비율이 1:0.1:0.3~0.4인 경우 반사율은 8~9%임을 알 수 있다.Looking at the reflectance of the lower anti-reflection layer material 411 ′ and the upper anti-reflection layer material 412 ′ formed through a deposition process with the ratio of argon set to 1 and the ratio of oxygen and nitrogen different, argon, oxygen, and nitrogen It can be seen that the ratio of 1:0.4:0.1 has a reflectance of 7%, and when the ratio of argon, oxygen, and nitrogen is 1:0.5:0.1, it has a reflectance of 6%. In addition, when the ratio of argon, oxygen, and nitrogen is 1:0.1:0.3-0.4, it can be seen that the reflectance is 8-9%.

즉 표 1에서 제시된 비율을 통해 반응성 스퍼터링을 진행하는 경우에는 20% 이하의 반사율을 가진 하면반사방지층물질(411’) 및 상면반사방지층물질(412’)을 얻을 수 있다. 이는 상기 하면반사방지층물질(411’) 및 상면반사방지층물질(412’)이 제시된 수치에 따라서 증착된 경우 반사 방지 효과가 우수함을 알 수 있다. That is, when reactive sputtering is performed through the ratio shown in Table 1, a lower anti-reflection layer material 411 ′ and an upper anti-reflection layer material 412 ′ having a reflectance of 20% or less can be obtained. It can be seen that the anti-reflection effect is excellent when the lower anti-reflection layer material 411 ′ and the upper anti-reflection layer material 412 ′ are deposited according to the indicated values.

이와 같이 반사방지층(400)을 이루는 물질은 구리(Cu), 금(Au), 은(Ag), 알루미늄(Al), 티타늄(Ti), 니켈(Ni), 크롬(Cr) 및 납(Pd) 또는 이들의 합금을 산화하여 형성된 물질로써, 이들 금속 물질은 일반적으로 반사율이 높다고 볼 수 있다. As such, the material constituting the anti-reflection layer 400 is copper (Cu), gold (Au), silver (Ag), aluminum (Al), titanium (Ti), nickel (Ni), chromium (Cr), and lead (Pd). Alternatively, as a material formed by oxidizing these alloys, these metal materials can be generally considered to have high reflectance.

구체적으로 ITO를 대체하는 금속의 일 예로 은(Ag), 알루미늄(Al) 그리고 금(Au)으로 반사방지층(400)을 형성하는 경우를 살펴보면, 그 금속이 은(Ag)/ 알루미늄(Al)인 경우 가시광 영역(380~810nm)에서 반사율이 90% 이상이 되고, 그 금속이 금(Au)인 경우 38% 이상을 가지므로 시인성의 문제가 있다. 그러나 전술한 실시예에 따른 증착 방식을 통해 상기 반사방지층(400)의 반사율을 0% 보다 크고 20% 이하로 관리할 수 있다. Specifically, looking at the case of forming the anti-reflection layer 400 with silver (Ag), aluminum (Al) and gold (Au) as an example of a metal replacing ITO, the metal is silver (Ag)/aluminum (Al) In the case of a visible light region (380 to 810 nm), the reflectance is 90% or more, and when the metal is gold (Au), the reflectance is 38% or more, so there is a problem of visibility. However, through the deposition method according to the above-described embodiment, the reflectivity of the anti-reflection layer 400 can be managed to be greater than 0% and less than or equal to 20%.

이는 기존의 ITO가 가지는 문제점인 고 비용 및 플렉서블에 적용이 어려운 점을 고려하여 이에 적합한 금속을 반사방지층(400)으로 이용할 수 있는 효과를 가지고, 금속을 반사방지층(400)으로 이용함으로써 발생될 수 고 반사율에 대한 현상 또한 전술한 증착 방식을 통해서 개선할 수 있다는 점에서 본 발명의 실시예에 따른 터치 윈도우는 현저한 효과를 가진다.This has the effect that a metal suitable for this can be used as the anti-reflection layer 400 in consideration of the high cost and the difficulty of being flexible, which are problems of the existing ITO, and can be generated by using the metal as the anti-reflection layer 400 . The touch window according to the embodiment of the present invention has a remarkable effect in that the phenomenon of high reflectance can also be improved through the above-described deposition method.

본 발명의 실험에 있어서 아르곤(Ar), 산소(O2) 및 질소(N2)를 예로 들었으나 이산화탄소(CO2)를 포함하여 상기 하면반사방지층물질(411’) 및 상면반사방지층물질(412’)을 증착할 수도 있다.In the experiment of the present invention, argon (Ar), oxygen (O2) and nitrogen (N2) were taken as examples, but the lower anti-reflection layer material 411 ′ and the upper anti-reflection layer material 412 ′ including carbon dioxide (CO 2 ) were used. It can also be vapor-deposited.

전술한 하면반사방지층물질(411’) 및 상면반사방지층물질(412’)을 형성하는 방법은 단지 하면반사방지층물질(411’) 및 상면반사방지층물질(412’)을 형성하는데 만 한정되는 것은 아니고, 다른 실시예에서도 동일한 방식으로 반사방지층을 형성할 수 있다.The above-described method of forming the lower anti-reflection layer material 411 ′ and the upper anti-reflection layer material 412 ′ is not limited only to forming the lower anti-reflection layer material 411 ′ and the upper anti-reflection layer material 412 ′. , the antireflection layer may be formed in the same manner in other embodiments.

도 23을 참조하면, 상기 하면반사방지층물질(411’) 및 전극물질(210’)을 에칭할 수 있다. 이때, 상기 하면반사방지층물질(411’) 및 전극물질(210’)을 한번의 공정으로 에칭할 수 있다. 즉, 상기 하면반사방지층물질(411’) 및 전극물질(210’)을 하나의 에칭액으로 에칭할 수 있다. 이때, 상기 에칭액은 상기 상면반사방지층물질(412’)은 에칭하지 않도록 할 수 있다. 즉, 상기 상면반사방지층물질(412’)은 상기 하면반사방지층물질(411’) 및 상기 전극물질(210’)과는 다른 에칭액에 반응하는 물질을 포함함으로써, 선택적 에칭이 진행될 수 있다. Referring to FIG. 23 , the bottom anti-reflection layer material 411 ′ and the electrode material 210 ′ may be etched. In this case, the bottom anti-reflection layer material 411 ′ and the electrode material 210 ′ may be etched in one process. That is, the bottom anti-reflection layer material 411 ′ and the electrode material 210 ′ may be etched with one etching solution. In this case, the etching solution may prevent the upper anti-reflection layer material 412 ′ from being etched. That is, the upper anti-reflection layer material 412 ′ includes a material that reacts with an etchant different from the lower anti-reflection layer material 411 ′ and the electrode material 210 ′, so that selective etching can be performed.

상기 제1 서브패턴(110) 및 상기 제2 서브패턴(120)의 구조와 상기 전극물질(210')과의 접합면적 차이에 따라 에칭 면적의 차이가 발생한다. 즉, 상기 제1 서브패턴(110) 및 상기 전극물질(210')과의 접합면적이 상기 제2 서브패턴(120) 및 상기 전극물질(210')과의 접합면적보다 크기 때문에, 상기 제1 서브패턴(110) 상에 형성되는 전극물질(210')의 에칭이 적게 일어난다. 즉, 동일한 에칭 속도에 따라, 상기 제1 서브패턴(110) 상에 형성된 전극물질(210')은 남게되고, 상기 제2 서브패턴(120) 상에 형성된 전극물질(210')은 에칭되어 제거된다. 이에 따라, 상기 제2 서브패턴(120) 상에 형성된 상면반사방지층물질(412’) 및 하면반사방지층물질(411’) 또한 리프트 오프되어 제거될 수 있다. 따라서, 상기 제1 서브패턴(110) 상에만 하면반사방지층(411), 전극층(210) 및 상면반사방지층(412)이 형성될 수 있고, 이러한 전극층(210)이 메쉬 형상으로 배치될 수 있다. 또한, 앞서 살펴본 바와 같이, 상기 상면반사방지층물질(412’)은 에칭되지 않기 때문에, 상기 상면반사방지층(412)의 선폭이 상기 전극층(210) 또는 상기 하면반사방지층(411)의 선폭보다 넓게 형성될 수 있다.A difference in etching area occurs according to a difference in bonding area between the structures of the first sub-pattern 110 and the second sub-pattern 120 and the electrode material 210 ′. That is, since the bonding area between the first sub-pattern 110 and the electrode material 210 ′ is larger than the bonding area between the second sub pattern 120 and the electrode material 210 ′, the first The etching of the electrode material 210 ′ formed on the sub-pattern 110 occurs less. That is, according to the same etching rate, the electrode material 210 ′ formed on the first sub-pattern 110 remains, and the electrode material 210 ′ formed on the second sub-pattern 120 is etched and removed. do. Accordingly, the upper anti-reflection layer material 412 ′ and the lower anti-reflection layer material 411 ′ formed on the second sub-pattern 120 may also be lifted off and removed. Accordingly, the bottom anti-reflection layer 411 , the electrode layer 210 , and the top anti-reflection layer 412 may be formed only on the first sub-pattern 110 , and the electrode layer 210 may be disposed in a mesh shape. In addition, as described above, since the upper anti-reflection layer material 412 ′ is not etched, the line width of the upper anti-reflection layer 412 is wider than that of the electrode layer 210 or the lower anti-reflection layer 411 . can be

한편, 도 24를 참조하면 이러한 터치 윈도우(10)는 구동부인 표시패널(20) 상에 배치될 수 있다. 이러한 터치 윈도우(10) 및 표시패널(20)이 합착되어 디스플레이장치를 구성할 수 있다. Meanwhile, referring to FIG. 24 , the touch window 10 may be disposed on the display panel 20 that is the driving unit. The touch window 10 and the display panel 20 may be attached to each other to constitute a display device.

상기 표시패널(20)은 영상을 출력하기 위한 표시영역이 형성되어 있다. 이러한 디스플레이장치에 적용되는 표시패널은 일반적으로 상부기판(21) 및 하부기판(22)을 포함할 수 있다. 하부기판(22)에는 데이터라인, 게이트라인 및 박막트랜지스터(TFT) 등이 형성될 수 있다. 상부기판(21)은 하부기판(22)과 접합되어 하부기판(22) 상에 배치되는 구성요소들을 보호할 수 있다.The display panel 20 has a display area for outputting an image. A display panel applied to such a display device may generally include an upper substrate 21 and a lower substrate 22 . A data line, a gate line, a thin film transistor (TFT), etc. may be formed on the lower substrate 22 . The upper substrate 21 may be bonded to the lower substrate 22 to protect components disposed on the lower substrate 22 .

표시패널(20)은, 본 발명에 따른 디스플레이장치가 어떠한 종류의 디스플레이장치인지에 따라 다양한 형태로 형성될 수 있다. 즉, 본 발명에 따른 디스플레이장치는 액정표시장치(LCD), 전계방출 표시장치(Field Emission Display), 플라즈마 표시장치(PDP), 유기발광표시장치(OLED) 및 전기영동 표시장치(EPD) 등이 될 수 있으며, 이에 따라 표시패널(20)은 다양한 형태로 구성될 수 있다.The display panel 20 may be formed in various shapes depending on what type of display device the display device according to the present invention is. That is, the display device according to the present invention includes a liquid crystal display device (LCD), a field emission display device (Field Emission Display), a plasma display device (PDP), an organic light emitting display device (OLED), and an electrophoretic display device (EPD). and, accordingly, the display panel 20 may be configured in various forms.

이러한 터치 윈도우(10) 및 표시 패널이 합착되어 디스플레이 장치를 구성할 수 있고 이러한 디스플레이 장치는 이동식 단말기일 수 있다. The touch window 10 and the display panel may be attached to each other to constitute a display device, and the display device may be a mobile terminal.

특히, 실시예에 따른 터치 윈도우(10)는 곡면(curved) 터치 윈도우를 포함할 수 있다. 따라서, 이를 포함하는 디스플레이 장치는 곡면 디스플레이 장치일 수 있다. In particular, the touch window 10 according to the embodiment may include a curved touch window. Accordingly, a display device including the same may be a curved display device.

터치 윈도우(10)는 휘어지는 플렉서블(flexible) 터치 윈도우를 포함할 수 있다. 따라서, 이를 포함하는 디스플레이 장치는 플렉서블 디스플레이 장치일 수 있다. 따라서, 사용자가 손으로 휘거나 구부릴 수 있다. The touch window 10 may include a flexible touch window that is bent. Accordingly, a display device including the same may be a flexible display device. Accordingly, the user can bend or bend it by hand.

도 25는 실시예에 따른 터치 윈도우가 차량의 네이게이션에 적용된 도면이다.25 is a diagram illustrating a touch window applied to vehicle navigation according to an embodiment.

도 25를 참조하면, 이러한 터치 윈도우(10)는 이동식 단말기 등의 디스플레이 장치뿐만 아니라 차량 내에도 적용될 수 있다. 도면에는 자동차 네비게이션을 도시하였으나 실시예가 이에 한정되는 것은 아니다. 따라서, PND(Personal Navigation Display)뿐만 아니라, 계기판(dashboard) 등에 적용되어 CID(Center Information Display)도 구현할 수 있다. 그러나, 실시예가 이에 한정되는 것은 아니고, 이러한 디스플레이 장치는 다양한 전자 제품에 사용될 수 있음은 물론이다.Referring to FIG. 25 , the touch window 10 may be applied not only to a display device such as a mobile terminal, but also to a vehicle. Although the drawing shows a car navigation system, the embodiment is not limited thereto. Accordingly, it is applied to not only a personal navigation display (PND), but also a dashboard, etc. to implement a center information display (CID). However, the embodiment is not limited thereto, and it goes without saying that such a display device may be used in various electronic products.

상술한 실시예에 설명된 특징, 구조, 효과 등은 본 발명의 적어도 하나의 실시예에 포함되며, 반드시 하나의 실시예에만 한정되는 것은 아니다. 나아가, 각 실시예에서 예시된 특징, 구조, 효과 등은 실시예들이 속하는 분야의 통상의 지식을 가지는 자에 의하여 다른 실시예들에 대해서도 조합 또는 변형되어 실시 가능하다. 따라서 이러한 조합과 변형에 관계된 내용들은 본 발명의 범위에 포함되는 것으로 해석되어야 할 것이다. Features, structures, effects, etc. described in the above-described embodiments are included in at least one embodiment of the present invention, and are not necessarily limited to only one embodiment. Furthermore, features, structures, effects, etc. illustrated in each embodiment can be combined or modified for other embodiments by those of ordinary skill in the art to which the embodiments belong. Accordingly, the contents related to such combinations and modifications should be interpreted as being included in the scope of the present invention.

또한, 이상에서 실시예들을 중심으로 설명하였으나 이는 단지 예시일 뿐 본 발명을 한정하는 것이 아니며, 본 발명이 속하는 분야의 통상의 지식을 가진 자라면 본 실시예의 본질적인 특성을 벗어나지 않는 범위에서 이상에 예시되지 않은 여러 가지의 변형과 응용이 가능함을 알 수 있을 것이다. 예를 들어, 실시예들에 구체적으로 나타난 각 구성 요소는 변형하여 실시할 수 있는 것이다. 그리고 이러한 변형과 응용에 관계된 차이점들은 첨부한 청구 범위에서 규정하는 본 발명의 범위에 포함되는 것으로 해석되어야 할 것이다. In addition, although the embodiments have been mainly described above, these are merely examples and do not limit the present invention, and those of ordinary skill in the art to which the present invention pertains are exemplified above in the range that does not depart from the essential characteristics of the present embodiment. It can be seen that various modifications and applications that have not been made are possible. For example, each component specifically shown in the embodiments may be implemented by modification. And the differences related to these modifications and applications should be construed as being included in the scope of the present invention defined in the appended claims.

10 터치 윈도우
20 표시패널
21 상부기판
22 하부기판
100 기판
101 제1 기판
102 제1 기재
103 음각부
104 양각부
104e 라운드부
105 제1 감지전극
110 제1 서브패턴
110e 서브패턴의 측면
111 제2 기판
112 제2 기재
113 음각부
115 제2 감지전극
120 제2 서브패턴
200 감지전극
200a 감지전극의 상면
200b 감지전극의 하면
200e 감지전극의 측면
200h 감지전극의 높이
201 전극부
210 전극층
210e 전극층의 측면
210' 전극물질
300 배선
301 제1 배선
302 제1 패드부
311 제2 배선
312 제2 패드부
400 반사방지층
400a 반사방지층의 상면
400e 반사방지층의 끝단
401 상면반사방지층
402 하면반사방지층
410 제1 반사방지부
411 하면반사방지층
411e 하면반사방지층의 측면
411' 하면반사방지층물질
412 상면반사방지층
412' 상면반사방지층물질
420 제2 반사방지부
430 제3 반사방지부
500 커버기판10 touch window
20 display panel
21 upper board
22 lower board
100 boards
101 first substrate
102 first substrate
103 engraving
104 embossed
104e round part
105 first sensing electrode
110 first sub-pattern
side of 110e subpattern
111 second substrate
112 second base
113 engraving
115 second sensing electrode
120 second sub-pattern
200 sensing electrode
200a upper surface of sensing electrode
200b The lower surface of the sensing electrode
200e side of sensing electrode
200h height of sensing electrode
201 electrode part
210 electrode layer
The side of the 210e electrode layer
210' electrode material
300 wiring
301 first wiring
302 first pad part
311 second wiring
312 second pad part
400 anti-reflection layer
Top surface of 400a anti-reflection layer
End of 400e anti-reflection layer
401 Top anti-reflection layer
402 Bottom anti-reflection layer
410 first anti-reflection unit
411 Bottom anti-reflection layer
411e Bottom anti-reflection layer side
411' bottom anti-reflection layer material
412 Top anti-reflection layer
412' Top anti-reflection layer material
420 second anti-reflection unit
430 Third anti-reflection unit
500 cover board

Claims

기판;
상기 기판 상에 배치되는 전극층;
상기 전극층과 전기적으로 연결되는 배선; 및
상기 배선의 일단에 배치되고, 회로기판과 연결되는 패드부를 포함하고,
상기 전극층은 위치를 감지하는 복수의 전극을 포함하고,
상기 복수의 전극은 메쉬 개구부 및 메쉬 선부를 포함하는 메쉬 형상으로 형성되고,
상기 전극층의 상부면 및 측면 상에는 제 1 반사 방지층이 배치되고,
상기 기판과 상기 전극층 사이에는 제 2 반사 방지층이 배치되고,
상기 전극층은 Cu, Au, Ag, Al, Ti, Ni 또는 이들의 합금 중 적어도 어느 하나를 포함하는 터치윈도우.Board;
an electrode layer disposed on the substrate;
a wiring electrically connected to the electrode layer; and
It is disposed at one end of the wiring and includes a pad portion connected to the circuit board,
The electrode layer includes a plurality of electrodes for sensing a position,
The plurality of electrodes are formed in a mesh shape including a mesh opening and a mesh wire,
A first anti-reflection layer is disposed on the upper surface and the side surface of the electrode layer,
A second anti-reflection layer is disposed between the substrate and the electrode layer,
The electrode layer is a touch window comprising at least one of Cu, Au, Ag, Al, Ti, Ni, or an alloy thereof.

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제1항에 있어서,
상기 제 1 반사 방지층과 상기 제 2 반사 방지층은 직접 접촉하는 터치 윈도우.According to claim 1,
The first anti-reflection layer and the second anti-reflection layer are in direct contact with the touch window.

제1항에 있어서,
상기 메쉬 선부의 선폭은 1 ㎛ 내지 5 ㎛인 터치 윈도우.According to claim 1,
A line width of the mesh line is 1 μm to 5 μm.

제1항에 있어서,
상기 제 1 반사 방지층 또는 상기 제 2 반사 방지층은 산소를 포함하는 터치 윈도우.According to claim 1,
The first anti-reflection layer or the second anti-reflection layer includes oxygen.

제1항에 있어서,
상기 제 1 반사 방지층 또는 상기 제 2 반사 방지층은 금속산화물을 포함하는 터치 윈도우.According to claim 1,
The first anti-reflection layer or the second anti-reflection layer includes a metal oxide.

제1항에 있어서,
상기 제 1 반사 방지층의 선폭과 상기 전극층의 선폭의 비는 1:1.3 내지 1:2인 터치 윈도우.According to claim 1,
A ratio of the line width of the first anti-reflection layer to the line width of the electrode layer is 1:1.3 to 1:2.

제1항에 있어서,
상기 제 2 반사 방지층의 선폭과 상기 전극층의 선폭의 비는 1:1.3 내지 1:2인 터치 윈도우.
According to claim 1,
A ratio of the line width of the second anti-reflection layer to the line width of the electrode layer is in a range of 1:1.3 to 1:2.

제 1항에 있어서,
상기 전극은 일 방향으로 연장하는 제 1 감지 전극 및 상기 일 방향과 교차하는 방향으로 연장하는 제 2 감지 전극을 포함하는 터치 윈도우.The method of claim 1,
The electrode includes a first sensing electrode extending in one direction and a second sensing electrode extending in a direction crossing the one direction.

제 9항에 있어서,
상기 제 1 감지 전극은 상기 기판의 일면에 배치되고, 상기 제 2 감지 전극은 상기 일면과 반대되는 상기 기판의 타면에 배치되는 터치 윈도우.10. The method of claim 9,
The first sensing electrode is disposed on one surface of the substrate, and the second sensing electrode is disposed on the other surface of the substrate opposite to the first surface.

제 1항에 있어서,
상기 제 1 반사 방지층은 상기 전극층의 상부면 상의 제 1 반사 방지부 및 상기 전극층의 측면 상의 제 2 반사 방지부를 포함하고,
상기 제 2 반사 방지부는 상기 제 1 반사 방지부로부터 절곡되는 터치 윈도우.The method of claim 1,
The first anti-reflection layer includes a first anti-reflection portion on an upper surface of the electrode layer and a second anti-reflection portion on a side surface of the electrode layer
The second anti-reflection portion is a touch window bent from the first anti-reflection portion.

제 11항에 있어서,
상기 제 1 반사 방지부와 상기 제 2 반사 방지부의 내각은 둔각인 터치 윈도우.12. The method of claim 11,
An interior angle of the first anti-reflection unit and the second anti-reflection unit is an obtuse angle.

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