KR102262748B1 - 전극패드의 확장 및 영역 이동을 통한 디스플레이 장치의 제조 방법 및 그 방법에 의해 제조되는 디스플레이 장치 - Google Patents
전극패드의 확장 및 영역 이동을 통한 디스플레이 장치의 제조 방법 및 그 방법에 의해 제조되는 디스플레이 장치 Download PDFInfo
- Publication number
- KR102262748B1 KR102262748B1 KR1020190093261A KR20190093261A KR102262748B1 KR 102262748 B1 KR102262748 B1 KR 102262748B1 KR 1020190093261 A KR1020190093261 A KR 1020190093261A KR 20190093261 A KR20190093261 A KR 20190093261A KR 102262748 B1 KR102262748 B1 KR 102262748B1
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- pixel
- pixel csp
- transfer
- display panel
- transfer frame
- Prior art date
Links
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 39
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 27
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 83
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 claims description 53
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 claims description 53
- 238000002507 cathodic stripping potentiometry Methods 0.000 claims description 37
- 239000011241 protective layer Substances 0.000 claims description 31
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 claims description 22
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 claims description 11
- 238000001465 metallisation Methods 0.000 claims description 9
- 238000005476 soldering Methods 0.000 claims description 7
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 5
- 238000003491 array Methods 0.000 claims description 3
- 238000000151 deposition Methods 0.000 claims 1
- 230000008021 deposition Effects 0.000 claims 1
- 238000000926 separation method Methods 0.000 claims 1
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 19
- 238000002161 passivation Methods 0.000 description 12
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 10
- 239000010408 film Substances 0.000 description 10
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 8
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 7
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 7
- KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N Palladium Chemical compound [Pd] KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 239000011651 chromium Substances 0.000 description 5
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000000463 material Substances 0.000 description 5
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 5
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 5
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 5
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 4
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 4
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 3
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 3
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 3
- 238000013341 scale-up Methods 0.000 description 3
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 2
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 2
- VNNRSPGTAMTISX-UHFFFAOYSA-N chromium nickel Chemical compound [Cr].[Ni] VNNRSPGTAMTISX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000005538 encapsulation Methods 0.000 description 2
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910001120 nichrome Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052763 palladium Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 2
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 2
- 239000004593 Epoxy Substances 0.000 description 1
- 229910018487 Ni—Cr Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 1
- 239000003086 colorant Substances 0.000 description 1
- 239000012777 electrically insulating material Substances 0.000 description 1
- 238000005566 electron beam evaporation Methods 0.000 description 1
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 description 1
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 1
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 1
- 239000004033 plastic Substances 0.000 description 1
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 description 1
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 1
- 229920001296 polysiloxane Polymers 0.000 description 1
- 230000002265 prevention Effects 0.000 description 1
- 239000002096 quantum dot Substances 0.000 description 1
- 238000007650 screen-printing Methods 0.000 description 1
- 229920002050 silicone resin Polymers 0.000 description 1
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 1
- 229920001187 thermosetting polymer Polymers 0.000 description 1
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 1
- 239000012780 transparent material Substances 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L25/00—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof
- H01L25/03—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes
- H01L25/04—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers
- H01L25/075—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L33/00
- H01L25/0753—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L33/00 the devices being arranged next to each other
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67092—Apparatus for mechanical treatment
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67144—Apparatus for mounting on conductive members, e.g. leadframes or conductors on insulating substrates
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/15—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components having potential barriers, specially adapted for light emission
- H01L27/153—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components having potential barriers, specially adapted for light emission in a repetitive configuration, e.g. LED bars
- H01L27/156—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components having potential barriers, specially adapted for light emission in a repetitive configuration, e.g. LED bars two-dimensional arrays
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/005—Processes
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/36—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the electrodes
- H01L33/38—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the electrodes with a particular shape
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
- H01L33/62—Arrangements for conducting electric current to or from the semiconductor body, e.g. lead-frames, wire-bonds or solder balls
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)
- Electroluminescent Light Sources (AREA)
Abstract
본 발명은 디스플레이 장치의 제조 방법 및 그 방법에 의해 제조되는 디스플레이 장치에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 픽셀 CSP의 확장 전극패드 및 디스플레이 패널의 영역 이동된 전극패드 간의 전사를 통한 디스플레이 장치의 제조 방법 및 그 방법에 의해 제조되는 디스플레이 장치에 관한 것이다.
본 발명의 실시 형태에 따른 전극패드의 확장 및 영역 이동을 통한 디스플레이 장치의 제조 방법은, 전사 프레임에 어레이 형태로 배열된 다수의 개구마다 다수의 발광 소자를 포함하는 픽셀 CSP를 형성하여 상기 전사 프레임에 픽셀 CSP 어레이를 형성하는, 픽셀 CSP 어레이 형성 단계; 디스플레이 패널의 마주하는 한 쌍의 전극을 좌우로 영역 이동하여 전극 간격을 넓히는, 전극 영역 이동 단계; 상기 픽셀 CSP 어레이를 상기 전사 프레임으로부터 캐리어 기판으로 전사하는, 1차 전사 단계; 및 상기 캐리어 기판에 전사된 픽셀 CSP 어레이를 디스플레이 패널로 전사하는, 2차 전사 단계;를 포함하여 이루어질 수 있다.
본 발명의 실시 형태에 따른 전극패드의 확장 및 영역 이동을 통한 디스플레이 장치의 제조 방법은, 전사 프레임에 어레이 형태로 배열된 다수의 개구마다 다수의 발광 소자를 포함하는 픽셀 CSP를 형성하여 상기 전사 프레임에 픽셀 CSP 어레이를 형성하는, 픽셀 CSP 어레이 형성 단계; 디스플레이 패널의 마주하는 한 쌍의 전극을 좌우로 영역 이동하여 전극 간격을 넓히는, 전극 영역 이동 단계; 상기 픽셀 CSP 어레이를 상기 전사 프레임으로부터 캐리어 기판으로 전사하는, 1차 전사 단계; 및 상기 캐리어 기판에 전사된 픽셀 CSP 어레이를 디스플레이 패널로 전사하는, 2차 전사 단계;를 포함하여 이루어질 수 있다.
Description
본 발명은 디스플레이 장치의 제조 방법 및 그 방법에 의해 제조되는 디스플레이 장치에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 픽셀 CSP의 확장된 전극패드 및 디스플레이 패널의 영역 이동된 전극패드 간의 전사를 통한 디스플레이 장치의 제조 방법 및 그 방법에 의해 제조되는 디스플레이 장치에 관한 것이다.
발광 다이오드(Light Emitting Diode: LED)는 전류가 인가되면 광을 방출하는 발광 소자 중 하나이다. 발광 다이오드는 저 전압으로 고효율의 광을 방출할 수 있어 에너지 절감 효과가 뛰어나다. 최근, 발광 다이오드의 휘도 문제가 크게 개선되어, 액정표시장치의 백라이트 유닛(Backlight Unit), 전광판, 표시기, 가전 제품 등과 같은 각종 기기에 적용되고 있다.
마이크로 발광 다이오드(μ-LED)의 크기는 1 ~ 100μm 수준으로 매우 작고, 40 인치(inch)의 디스플레이 장치를 구현하기 위해서는 대략 2,500만개 이상의 픽셀이 요구된다.
따라서, 40 인치의 디스플레이 장치를 하나 만드는데 단순한 픽앤플레이스(Pick & Place) 방법으로는 시간적으로 장시간이 소요되는 문제가 있기 때문에 대량으로 짧은 시간 내에 다수의 발광 다이오드를 전사하는 방식들이 개발되고 있는 실정이다.
일반적으로 마이크로 LED는 그 크기가 30㎛ * 30㎛ 내지 100㎛ * 100㎛인 LED를 의미하며, 백라이트 광원, 표시 광원, 디스플레이 장치 등에 응용된다.
마이크로 LED를 디스플레이 화소로 적용하기 위해서는 적색, 녹색, 청색 마이크로 LED 소자 어레이를 디스플레이용 타겟기판으로 고속으로 대량 전사하여 집적하는 기술이 필요하다.
마이크로 LED를 이용하여 디스플레이 타겟 기판에 전사하는 것은 수십~수백만개 수준의 대량의 마이크로 LED chip을 고속으로 전사할 필요가 있으므로 이에 대한 대응 기술이 반드시 필요하다.
상술한 마이크로 LED 칩 전사 기술에서, 100㎛ 이하 정도의 크기를 갖는 마이크로 LED는 전기적 연결에 있어서 두 가지 문제가 발생한다. 첫번째는 마이크로 LED의 전극패드 자체의 크기가 작아서 생기는 전기적 오픈 불량, 두번째는 디스플레이 타겟 기판의 전극패드 간의 거리 사이가 좁아서 생기는 전기적 쇼트 불량이다.
첫번째의 마이크로 LED 전극패드 관점에서, 대한민국 등록특허 10-1993863는 마이크로 단위의 LED 칩을 전사하기 위한 방법으로 LED 칩의 전극패드를 확장시키는 개념을 도입하여 확장 형성된 전극패드를 갖는 LED 집적 모듈을 개시하고 있다.
하지만, 전극패드를 확장시켜 후속 공정의 용이성을 도모하였지만, LED 칩이 형성된 영역의 크기에 대해 3배~5배의 거리까지 확장 형성된 전극패드부를 형성시킴으로써 실질적으로 마이크로 단위의 LED 칩이 밀리미터 단위의 크기로 확대되는 문제를 가지고 있다.
또한, 마이크로 단위의 LED 칩이 밀리미터 단위의 크기로 실질적으로 확대됨으로써, 디스플레이 타겟 기판에 전사될 때 개별 LED 칩간 피치가 증가되어 오히려 Resolution의 저하를 가져오는 문제점이 있다.
또한, LED 칩의 전극이 형성된 제1 영역으로부터 일정거리 이격된 제2 영역에 확장된 전극전극패드부가 형성됨으로써, 제1 영역에 위치한 LED 칩 전극과 제2 영역에 위치한 확장 형성된 전극패드부의 전기적인 연결을 위해 6개의 도선들이 각각 연결되어야 하는 구조이므로, 마이크로 단위의 LED 칩에 적합하지 않으며 하나의 LED 칩에 6개의 도선이 추가되므로 수십~수백만개의 마이크로 칩이 어레이되는 경우는 매우 많은 도선이 추가되므로 단선이나 불량의 문제들이 그대로 노출될 수 밖에 없는 구조라는 데 한계가 있다.
두번째로, 마이크로 단위의 LED 칩의 전극패드의 확장과 함께 전사될 대상인 디스플레이 장치의 타겟 기판의 전극의 확장 문제도 대두된다.
마이크로 LED 칩의 경우, 칩 사이즈가 100㎛ 이하로 작다보니 칩의 전극패드 간의 간격이 50㎛ 이하로 매우 좁다. 디스플레이 장치 타겟 기판은 칩 전극패드와 일대일 대응임으로 칩과 동일한 좁은 간격의 전극패드를 갖는다. 또한 타겟 기판의 (+) (-) 전극패드 사이는 우물(Well) 형태를 가질 수 있다. 따라서, 좁고 우물 형태인 (+) (-) 전극패드 사이에는 솔더 페이스트가 갇히는 현상이 발생하여 양 전극간 전기적 쇼트가 발생되는 문제가 있다.
본 발명의 구성에 따라 해결하고자 하는 과제는, 디스플레이 혹은 장치를 구성할 때 기존의 칩 단위의 표면실장 공정에서 발생되는 전기적 연결 문제(오픈, 소트 불량)를 해결하고자, 본 발명은 패드 확장된 픽셀 CSP와 영역 이동된 전극패드(타겟 기판)를 동시에 도입하여, 수십 ㎛영역의 마이크로 LED 전기적 연결 공정을 수백 ㎛영역의 픽셀 CSP 전기적 연결 공정으로 스케일 업(Scale up)하고자 하는 데 있다.
상술한 스케일 업을 통하여 디스플레이 장치를 구성하는 전사 공정에서 전극간 Open/Short 불량을 방지하고, Alignment 마진 확보를 높여 대면적 디스플레이 장치를 신속하게 제조할 수 있는 방법 및 장치를 제공하는 데 있다.
본 발명의 해결하고자 하는 과제는 이상에서 언급한 과제들로 제한되지 않으며, 언급되지 않은 또 다른 과제들은 아래의 기재로부터 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 명확하게 이해될 수 있을 것이다.
본 발명의 실시 형태에 따른 전극패드의 확장 및 영역 이동을 통한 디스플레이 장치의 제조 방법은, 전사 프레임에 어레이 형태로 배열된 다수의 개구마다 다수의 발광 소자를 포함하는 픽셀 CSP를 형성하여 상기 전사 프레임에 픽셀 CSP 어레이를 형성하는, 픽셀 CSP 어레이 형성 단계; 디스플레이 패널의 마주하는 한 쌍의 전극을 좌우로 영역 이동하여 전극 간격을 넓히는, 전극 영역 이동 단계; 상기 픽셀 CSP 어레이를 상기 전사 프레임으로부터 캐리어 기판으로 전사하는, 1차 전사 단계; 및 상기 캐리어 기판에 전사된 픽셀 CSP 어레이를 디스플레이 패널로 전사하는, 2차 전사 단계;를 포함하여 이루어질 수 있다.
여기서, 상기 픽셀 CSP 어레이 형성 단계 후에는, 상기 픽셀 CSP의 전극패드 측의 상기 프레임 면에 섀도우 마스크를 부착하여 상기 전극패드로부터 확장된 영역으로 금속을 증착하는, 확장 금속증착 단계;를 더 포함할 수 있다.
여기서, 상기 섀도우 마스크를 제거하는, 섀도우 마스크 제거 단계; 상기 프레임을 제거하는, 프레임 제거 단계; 및 상기 확장 금속증착 단계 전에 상기 섀도우 마스크가 배치되는 반대측의 상기 프레임 면에 보호필름을 부착하는, 보호필름 부착단계;를 더 포함할 수 있다.
여기서, 상기 픽셀 CSP 어레이 형성 단계는, 상기 전사 프레임 아래에 상기 다수의 개구 각각의 하부 개구를 막도록 기판을 배치하는, 기판 배치 단계; 상기 다수의 개구 내부의 상기 기판 상에 상기 다수의 발광 소자를 배치하는, 발광 소자 형성 단계; 상기 다수의 발광 소자를 인캡슐레이션하는 보호층을 상기 다수의 개구 내부에 충진 및 경화시키는, 보호층 형성 단계; 및 상기 기판을 제거하는, 기판 제거 단계;를 포함할 수 있다.
여기서, 상기 전사 프레임의 다수의 개구 간 간격은, 전사될 대상 기판의 픽셀 CSP 어레이 간 간격과 동일할 수 있다.
여기서, 상기 1차 전사 단계는, 상기 전사 프레임과 상기 픽셀 CSP 어레이에 상기 캐리어 기판을 부착하는, 캐리어 기판 부착 단계; 및 상기 캐리어 기판을 상기 전사 프레임으로부터 떼어내어 상기 픽셀 CSP 어레이가 상기 캐리어 기판에 부착된 상태로 상기 전사 프레임의 다수의 개구로부터 분리되는, 픽셀 CSP 어레이 분리 단계;를 포함할 수 있다.
여기서, 상기 2차 전사 단계는, 상기 디스플레이 패널의 다수의 패드 상에 솔더 페이스트를 도포하는, 도포 단계; 상기 캐리어 기판에 전사된 상기 픽셀 CSP 어레이의 패드를 도포된 상기 솔더 페이스트에 접촉시켜 솔더링하는, 솔더링 단계; 및 상기 캐리어 기판을 상기 픽셀 CSP 어레이로부터 분리시키는, 캐리어 기판 분리 단계;를 포함할 수 있다.
여기서, 상기 다수의 픽셀 CSP 각각은 보호층에 의해 분리되며, 상기 1차 전사 단계는, 상기 전사 프레임과 상기 보호층 간에는 제1 접착력을 갖으며, 상기 픽셀 CSP 어레이를 상기 제1 전사 프레임으로부터 상기 제1 접착력 보다 큰 제2 접착력을 갖는 캐리어 기판으로 전사하고, 상기 제2 전사 단계는, 상기 디스플레이 패널 기판에 도포된 상기 제2 접착력 보다 큰 제3 접착력을 갖는 솔더 페이스트에 의해 상기 캐리어 기판으로부터 상기 픽셀 CSP 어레이를 상기 디스플레이 패널 기판으로 전사할 수 있다.
또한, 본 발명의 실시예에 따른 디스플레이 장치는, 상술한 전극패드의 확장 및 영역 이동을 통한 디스플레이 장치의 제조 방법에 의해 제조될 수 있다.
실시 형태에 따른 디스플레이 장치의 제조 방법을 사용하면, 패드 확장된 픽셀 CSP와 영역 이동된 전극 패드(타겟 기판)를 동시에 도입하여, 디스플레이 패널 의 표면실장 공정을 진행함으로써, 수십 ㎛영역의 마이크로 LED 전기적 연결 공정을 수백 ㎛영역의 픽셀 CSP 전기적 연결 공정으로 스케일 업(Scale up)함으로써 전기적 open/short 등의 불량을 최소화 할 수 있다.
또한, 스케일 업(Scale up)을 통하여 디스플레이 장치를 구성하는 전사 공정에서 전기적 open/short 불량을 방지하고, Alignment 마진 확보를 높여 대면적 디스플레이 장치를 신속하게 제조할 수 있는 방법 및 장치를 제공할 수 있다.
도 1의 (a) 내지 (c)는 본 발명의 실시 형태에 따른 확장형 전극패드를 갖는 픽셀 CSP의 제조 방법에 사용되는 전사 프레임을 설명하기 위한 도면이다.
도 2 내지 도 4는 전사 프레임에 픽셀 CSP 어레이를 형성하는 단계를 상세하게 설명하기 위한 도면들이다.
도 5는 전사 프레임에 형성된 픽셀 CSP 어레이에서 각 픽셀 CSP에서의 전극패드를 확장시키는 단계를 상세하게 설명하기 위한 도면들이다.
도 6은 확장 전극패드를 포함한 픽셀 CSP의 측면도와 평면도를 도시한 것이다.
도 7은 디스플레이 패널의 전극패드의 영역 이동 전후를 비교하여 나타낸 도면이다.
도 8은 본 발명의 실시예에 따라 픽셀 CSP의 확장 전극패드와 디스플레이 패널의 영역 이동된 전극패드 간의 전기적 접촉 구조를 보인 도면이다.
도 9는 전사 프레임에 형성된 픽셀 CSP 어레이를 캐리어 기판으로 전사하는 단계를 상세하게 설명하기 위한 도면이다.
도 10은 디스플레이 패널의 전극패드 구조를 보인 도면이다.
도 11은 도 10의 A-A 단면을 기준으로, 캐리어 기판에 전사된 픽셀 CSP 어레이를 디스플레이 패널로 전사하는 단계를 상세하게 설명하기 위한 도면이다.
도 12는 도 10의 B-B 단면을 기준으로, 캐리어 기판에 전사된 픽셀 CSP 어레이를 디스플레이 패널로 전사하는 단계를 상세하게 설명하기 위한 도면이다.
도 13은 도 11의 (C)에 도시된 하나의 픽셀 CSP을 인캡슐레이션한 다수의 보호층들이 디스플레이 패널에 다수의 행과 열 방향을 따라 전사된 것을 보여주는 평면도이다.
도 2 내지 도 4는 전사 프레임에 픽셀 CSP 어레이를 형성하는 단계를 상세하게 설명하기 위한 도면들이다.
도 5는 전사 프레임에 형성된 픽셀 CSP 어레이에서 각 픽셀 CSP에서의 전극패드를 확장시키는 단계를 상세하게 설명하기 위한 도면들이다.
도 6은 확장 전극패드를 포함한 픽셀 CSP의 측면도와 평면도를 도시한 것이다.
도 7은 디스플레이 패널의 전극패드의 영역 이동 전후를 비교하여 나타낸 도면이다.
도 8은 본 발명의 실시예에 따라 픽셀 CSP의 확장 전극패드와 디스플레이 패널의 영역 이동된 전극패드 간의 전기적 접촉 구조를 보인 도면이다.
도 9는 전사 프레임에 형성된 픽셀 CSP 어레이를 캐리어 기판으로 전사하는 단계를 상세하게 설명하기 위한 도면이다.
도 10은 디스플레이 패널의 전극패드 구조를 보인 도면이다.
도 11은 도 10의 A-A 단면을 기준으로, 캐리어 기판에 전사된 픽셀 CSP 어레이를 디스플레이 패널로 전사하는 단계를 상세하게 설명하기 위한 도면이다.
도 12는 도 10의 B-B 단면을 기준으로, 캐리어 기판에 전사된 픽셀 CSP 어레이를 디스플레이 패널로 전사하는 단계를 상세하게 설명하기 위한 도면이다.
도 13은 도 11의 (C)에 도시된 하나의 픽셀 CSP을 인캡슐레이션한 다수의 보호층들이 디스플레이 패널에 다수의 행과 열 방향을 따라 전사된 것을 보여주는 평면도이다.
실시 형태의 설명에 있어서, 각 구성 요소의 "상(위) 또는 하(아래)"에 형성되는 것으로 기재되는 경우에 있어, 상(위) 또는 하(아래)는 두 개의 구성 요소들이 서로 직접 접촉되거나 하나 이상의 또 다른 구성 요소가 두 개의 구성 요소들 사이에 배치되어 형성되는 것을 모두 포함한다. 또한, "상(위) 또는 하(아래)"으로 표현되는 경우 하나의 구성 요소를 기준으로 위쪽 방향뿐만 아니라 아래쪽 방향의 의미도 포함할 수 있다.
도면에서 각층의 두께나 크기는 설명의 편의 및 명확성을 위하여 과장되거나 생략되거나 또는 개략적으로 도시되었다. 또한 각 구성요소의 크기는 실제크기를 전적으로 반영하는 것은 아니다.
본 발명의 실시 형태에 따른 디스플레이 장치는 전사 프레임에 픽셀 CSP 어레이(Pixel CSP Array)를 형성하는 단계, 전사 프레임에 형성된 픽셀 CSP 어레이를 캐리어 기판으로 1차 전사하는 단계 및 캐리어 기판에 전사된 픽셀 CSP 어레이를 디스플레이 패널로 2차 전사하는 단계로 이루어질 수 있다.
여기서, 픽셀 CSP 어레이를 캐리어 기판으로 1차 전사하기 전에 픽셀 CSP 어레이를 형성하는 단계에서, 픽셀 CSP의 전극패드를 확장하여 확장형 전극패드부를 형성한 CSP를 제조하여 디스플레이 패널로 전사하는 공정시 전극간 Open 불량을 방지하고, Alignment 마진 확보를 높여 대면적의 디스플레이 장치를 제조할 수 있는 확장형 전극패드를 갖는 픽셀 CSP를 제공한다.
도 1의 (a) 내지 (c)는 본 발명의 실시 형태에 따른 확장형 전극패드를 갖는 픽셀 CSP의 제조 방법에 사용되는 전사 프레임을 설명하기 위한 도면으로서, 도 1의 (a)는 전사 프레임(200)의 사시도이고, 도 1의 (b)는 도 1의 (a)에서 일부를 확대한 평면도이고, 도 1의 (c)는 도 1의 (b)의 단면도이다.
도 1의 (a) 내지 (c)를 참조하면, 전사 프레임(100)은 판 형상을 가지며, 상면과 하면 및 다수의 측면들을 포함한다.
전사 프레임(100)은 평평한 판 형상일 수 있으나, 이에 한정하는 것은 아니며, 소정의 곡률을 갖는 판 형상일 수도 있다.
전사 프레임(100)이 평평한 판 형상을 가질 경우, 전사 프레임(100)을 수평 프레임이라 명명될 수 있다.
전사 프레임(100)은 다수의 개구(110)를 갖는다.
각 개구(110)는 전사 프레임(100)의 상면과 하면을 관통하도록 형성되며, 다수의 개구(110)는 다수의 행과 열 방향으로 전사 프레임(100)에 어레이 형태로 배열될 수 있다.
다수의 개구(110) 사이의 간격(picth)은, 향후 디스플레이 장치 제조에 따라 디스플레이 패널 상에 형성된 픽셀 CSP 어레이의 간격과 동일할 수 있다.
전사 프레임(100)의 개구(110)의 크기는, 픽셀 CSP 크기와 대응될 수 있다.
예를 들어, 전사 프레임(100)의 개구(110)의 가로(W)*세로(h)*두께(t)는 30*30*10 (μm) ~ 1000*1000*500 (μm)일 수 있다.
전사 프레임(100)의 개구(110)의 상부 개구와 하부 개구의 형상은 사각형일 수 있으나, 이에 한정하는 것은 아니며 원, 타원, 다각형일 수 있다.
또한, 상부 개구와 하부 개구의 형상이 서로 다를 수도 있으며, 크기도 서로 다를 수 있다.
전사 프레임(100)의 개구(110)의 입체 구조는 육면체 형상의 빈 공간일 수 있으나, 이에 한정하는 것은 아니며, 개구(110)의 형상이 원통 형상의 빈 공간일 수도 있고, 타원통 형상의 빈 공간일 수도 있으며, 다각통 형상의 빈 공간일 수 있고, 다면체 형상의 빈 공간일 수도 있다.
전사 프레임(100)의 재질은 단단한 재질로서, 예를 들어, 금속(Metal), 세라믹(Ceramic), 레진(resin), 플라스틱(Plastic) 중 어느 하나 또는 이들의 조합일 수 있다.
전사 프레임(100)의 두께(t)는 10 (μm) ~ 500 (μm) 일 수 있다.
도 2 내지 도 4는 전사 프레임에 픽셀 CSP 어레이를 형성하는 단계를 상세하게 설명하기 위한 도면들이다.
도 2의 (A)는 도 1에 도시된 전사 프레임(100)의 다수의 개구(110) 중 어느 하나의 단면도를 개략적으로 그린 것이다.
도 2의 (A)를 참조하면, 전사 프레임(100)의 상면과 하면 중 어느 일 면(도 2에서는 하면)에 기판(200)을 형성한다.
전사 프레임(100) 아래에 기판(200)이 형성됨에 따라, 개구(110)의 하부 개구가 기판(200)에 의해 막히게 된다.
개구(110)와 기판(200)에 의해 픽셀 CSP가 형성될 수 있는 공간이 마련될 수 있다.
다음으로, 도 2의 (B)를 참조하면, 개구(110) 내부의 기판(200) 상에 다수의 발광 소자(300R, 300G, 300B)를 배치한다.
여기서, 다수의 발광 소자(300R, 300G, 300B) 각각의 전극패드가 기판(200)의 상면에 접촉되도록 배치될 수 있다.
다수의 발광 소자(300R, 300G, 300B)는 제1 발광 소자(300R), 제2 발광 소자(300G) 및 제3 발광 소자(300B)를 포함할 수 있다.
제1 발광 소자(300R)은 적색 광을 방출하는 적색 발광 칩일 수 있고, 제2 발광 소자(300G)는 녹색 광을 방출하는 녹색 발광 칩일 수 있으며, 제3 발광 소자(300B)는 청색 광을 방출하는 청색 발광 칩일 수 있다.
각 발광 소자(300R, 300G, 300B)는 와이어가 불필요한 플립 칩 구조를 가질 수 있으며, 각 발광 소자(300R, 300G, 300B)는 각자가 특정 파장의 광을 방출할 수도 있고, 내부에 포함된 형광물질 또는 퀀텀닷에 의해 특정 파장의 광이 방출될 수도 있다.
또한, 각 발광 소자(300R, 300G, 300B)는 CSP(Chip Scale Package)일 수 있다. CSP(Chip Scale Package)는 칩 크기에 가까운 소형 패키지를 총칭하는 것으로서, 칩 외형을 보호하는 리드프레임과 전기적 연결을 위한 와이어가 존재하지 않는 베어 칩에 가까운 크기의 패키지이다.
또한 칩의 면적이 패키지 면적의 80% 이상일 때 CSP라 한다. 각 발광 소자(300R, 300G, 300B)가 CSP일 경우, 특정 파장의 광을 방출하는 플립 칩과 플립 칩을 덮는 형광체로 구성될 수도 있다.
플립 칩에서 방출되는 광이 형광체를 여기시켜 특정 파장의 광이 방출될 수 있다.
개구(110) 내부에 배치된 다수의 발광 소자(300R, 300G, 300B)는 하나의 픽셀 CSP(300)에 포함될 수 있다.
하나의 픽셀 CSP(300)는 디스플레이 패널에서 다양한 색상을 방출하는 하나의 픽셀로 기능할 수 있다.
다음으로, 도 2의 (C)를 참조하면, 개구(110) 내부에 보호층(400)을 충진하고, 보호층(400)을 경화시킨다.
보호층(400)은 전기적으로 절연성을 갖는 물질일 수 있다. 예를 들어, 실리콘, 에폭시, 레진, 폴리머 등의 투명한 물질일 수 있다.
하나의 픽셀 CSP(300)는 보호층(400)을 포함할 수 있다.
즉, 하나의 픽셀 CSP(300)는 다수의 발광 소자(300R, 300G, 300B)와 다수의 발광 소자(300R, 300G, 300B)를 인캡슐레이션하는 보호층(400)을 포함할 수 있다.
경화된 보호층(400)의 형상 또는 하나의 픽셀 CSP(300)의 형상은 전사 프레임(100)의 개구(110)의 형상에 대응된다.
따라서, 보호층(400)의 형상 또는 하나의 픽셀 CSP(300)의 형상은 전사 프레임(100)의 개구(110)의 형상에 따라 달라질 수 있다.
보호층(400)의 형상 또는 하나의 픽셀 CSP(300)의 형상으로부터 전사 프레임(100)의 개구(110)의 형상을 이해할 수 있고, 이를 통해 본 발명의 실시 형태에 따른 확장형 전극패드를 갖는 픽셀 CSP의 제조 방법을 추정할 수 있다.
다음으로, 도 2의 (D)를 참조하면, 보호층(400)이 경화되면, 기판(200)을 전사 프레임(100)과 보호층(400)으로부터 분리한다.
기판(200)이 분리되면, 픽셀 CSP(300)의 다수의 전극패드(310R, 310G, 310B)가 외부로 노출될 수 있다.
다수의 전극패드(310R, 310G, 310B)는 하나의 픽셀 CSP(300)에 포함된 발광 소자의 개수에 따라 달라질 수 있는데, 예를 들어, 하나의 픽셀 CSP(300)에 포함된 발광 소자의 개수가 3개이면, 각 발광 소자 당 2개의 전극패드가 요구되므로, 총 6개의 전극패드가 형성될 수 있거나 (+)전극이 공통전극일 경우 총 4개의 전극패드가 형성될 수 있다.
전사 프레임(100)의 다수의 개구(110) 각각에 픽셀 CSP(300)를 형성하고, 다수의 개구(110) 별로 보호층(400)을 충진 및 경화시킨 후, 도 2의 (D)에 도시된 바와 같이 기판(200)을 전사 프레임(100), 다수의 발광 소자(300R, 300G, 300B) 및 보호층(400)으로부터 제거하면, 도 3에 도시된 바와 같이 전사 프레임(100)의 다수의 개구(110)에 다수의 픽셀 CSP(300)을 포함하는 픽셀 CSP 어레이가 형성될 수 있다.
도 4는 도 3에 도시된 3개의 발광 소자를 인캡슐레이션하는 보호층(400P1, 400P2, 400P3)을 포함하는 3개의 픽셀 CSP(300P1, 300P2, 300P3)과 전사 프레임(100)의 일 부분에 대한 단면도이다.
도 4를 참조하면, 제1 픽셀 CSP(300P1)는 제1 보호층(400P1)에 의해 전사 프레임(100)의 제1 개구에 인캡슐레이션되어 있고, 제2 픽셀 CSP(300P2)는 제2 보호층(400P2)에 의해 전사 프레임(100)의 제2 개구에 인캡슐레이션되어 있으며, 제3 픽셀 CSP(300P3)는 제3 보호층(400P3)에 의해 전사 프레임(100)의 제3 개구에 인캡슐레이션된다.
인캡슐레이션은 각 픽셀 CSP의 전극패드를 노출시키고, LED 광원 모듈을 견고하게 지지하며 높은 영률(Young's Modulus)을 가질 수 있으며, LED 셀들로부터 열을 효과적으로 방출하기 위하여 높은 열 전도도를 갖는 물질을 포함할 수 있다.
예를 들어, 인캡슐레이션은 에폭시 수지 또는 실리콘(silicone) 수지일 수 있고, 빛을 반사시키기 위한 광반사성 입자를 포함할 수 있다.
도 5는 전사 프레임에 형성된 픽셀 CSP 어레이에서 각 픽셀 CSP에서의 전극패드를 확장시키는 단계를 상세하게 설명하기 위한 도면들이다.
도 5의 (A)를 참조하면, 하나의 픽셀 CSP(300)를 기준으로 도 2의 (D)와 같이 전극패드(310R, 310G, 310B)가 노출된 상태에서, 전극패드(310R, 310G, 310B)가 형성된 반대측으로 보호필름(500)을 형성한다.
보호필름(500)은 도 3에 도시된 전사 프레임(100)의 전극패드(310R, 310G, 310B)의 반대측에 배치되고, 섀도우 마스크에 의한 금속 증착 공정 중에 픽셀 CSP를 보호하기 위해서 부착될 수 있다.
보호필름(500)은 수지제 필름으로 이루어지고, 특히 한정되지 않으며, 보호필름(500)의 점착력의 범위는 보호하여야 할 기재의 특성이나 기재의 두께에 따라 달라질 수 있으므로, 점착력의 범위가 다양한 범위이며, 가변적일 수 있다.
도 5의 (B)를 참조하면, 도 5의 (A)와 같이 보호필름(500)이 형성된 상태에서, 전극패드(310R, 310G, 310B)의 확장을 위한 금속 증착을 위해 노출된 전극패드(310R, 310G, 310B) 상에 섀도우 마스크(600, Shadow Mask)을 위치시킨다.
섀도우 마스크(600)는 확장된 전극패드를 형성하기 위해 금속증착이 필요한 부분(A)에는 노출된 패턴 형상을 갖을 수 있다.
도 5의 (C)를 참조하면, 섀도우 마스크(600)를 얼라인시킨 상태에서 금속증착이 이루어진 상태를 나타낸다.
금속증착은 전자선 증착(Electron beam evaporation) 또는 스퍼터링 공정으로 증착할 수 있으나, 이에 한정되지는 않는다.
이때, 사용하는 금속(전극 금속)은 한층 이상의 박막 층으로 구성 될 수 있다. 한 층의 경우, 금(Au, Gold), 은(Ag, Silver), 구리(Cu, Copper), 크롬(Cr, Chromium), 니크롬(NiCr, Nickel Chromium) 또는 티타늄(Ti, Titanium), 파라듐(Pd, Palladium), 알루미늄(Al, Aluminum) 등 일 수 있다.
두 층의 경우, Cr/Au, Ti/Au, Ti/Al 등의 다양한 조합으로 구성해도 좋다. 세 층의 경우, Ti/Cr/Au, Ti/Al/Au 등의 다양한 조합으로 구성해도 좋다.
섀도우 마스크(600)의 개구된 부분을 통해 확장 전극패드(320R, 320G, 320B)가 금속증착에 의해 전극패드(310R, 310G, 310B) 각각의 상면으로 형성될 수 있다.
이러한 상태에서, 도 5의 (D)와 같이, 섀도우 마스크(600)를 제거하면 기존의 픽셀 CSP의 RGB에 각각 형성된 전극패드(310R, 310G, 310B)로부터 확장된 영역을 갖는 확장 전극패드(320R, 320G, 320B)가 형성될 수 있다.
확장된 영역은 하나의 픽셀 CSP 내에서 확장될 수 있는 제한 영역을 의미하고, 발광 소자(300R, 300G, 300B) 각각의 전극패드(310R, 310G, 310B)로부터 연장되는 영역으로서, 인접된 확장된 영역과 서로 교차되지 않는 영역인 것을 의미한다.
도 5의 (D)의 공정에서 보호필름(500)을 픽셀 CSP(300)으로부터 제거하면, 행렬로 배열된 다수의 픽셀 CSP(300) 특히 다수의 발광소자(300R, 300G, 300B)의 전극패드(310R, 310G, 310B)로부터 그 크기가 확대된 확장 전극패드(320R, 320G, 320B)를 갖는 픽셀 CSP(300) 어레이 및 각각의 하나의 픽셀 CSP(300)를 얻을 수 있다.
확장 전극패드(320R, 320G, 320B)를 갖는 픽셀 CSP(300) 어레이 및 각각의 하나의 픽셀 CSP(300)은 디스플레이 패널에 전사되어 대형 표시장치를 구현할 수 있다.
도 6은 확장 전극패드를 포함한 픽셀 CSP의 측면도와 평면도를 도시한 것이다.
도 6의 (A)는 측단면도이고, (B)는 평면도를 예시로서 보인 도면이다.
도시된 바와 같이, 측면이나 평면 기준에서 발광 소자(300R, 300G, 300B)의 전극패드(310R, 310G, 310B)는 확장 전극패드(320R, 320G, 320B)로 확장된 것을 확인할 수 있으며, 이는 전극 표면적이 그 만큼 확장된 것을 의미하고, 전극 표면적이 넓어진 만큼 전극간 연결 단면적이 넓어질 수 있다는 것을 의미한다.
전극패드(310R, 310G, 310B)와 확장 전극패드(320R, 320G, 320B)는 제1 전극을 의미하고, 전극패드(310R'. 310G'. 310B')와 확장 전극패드(320R'. 320G', 320B')는 제2 전극을 의미한다.
확장 전극패드(320R, 320G, 320B)는 하나의 픽셀 CSP(300) 영역 내에서 사용되지 않은 기존의 잉여 영역을 활용하여 발광 소자(300R, 300G, 300B)에 형성된 전극패드(310R, 310G, 310B)로부터 확대되어 그 단면적이 넓혀진 형태를 갖을 수 있다.
특히, 마이크로 단위의 LED 칩의 경우 그 픽셀단위가 30㎛ * 30㎛ 내지 100㎛ * 100㎛이므로 전극패드의 폭이나 길이 또한 매우 미세하고, 이들을 디스플레이 패널의 기판으로 표면실장 공정 시 전기적 open 등이 발생하여 불량률이 매우 높다.
반면에, 디스플레이 패널 위에 패드 확장이 가능한 픽셀 CSP 단위로 표면실장 공정을 진행함으로써, 수십 um영역의 마이크로 LED 전기적 연결 공정을 수백 um영역의 픽셀 CSP 전기적 연결 공정으로 스케일 업(Scale up)함으로써 전기적 open 등의 불량을 최소화 할 수 있다.
또한 디스플레이 장치에 표면실장 공정 시 픽셀 CSP 패드와 디스플레이 패널 패드 간의 Alignment 마진 확보를 높여 전기적 불량을 최소화하고, 대면적의 디스플레이 장치를 신속하게 제조하는 것이 가능하다.
도 7은 디스플레이 패널의 전극패드의 영역 이동 전후를 비교하여 나타낸 도면이고, 도 8은 본 발명의 실시예에 따라 픽셀 CSP의 확장 전극패드와 디스플레이 패널의 영역 이동된 전극패드 간의 전기적 접촉 구조를 보인 도면이다.
도 7은 디스플레이 패널의 전극 패드 어레이를 나타낸 것이고, 이는 LED의 하나의 픽셀 CSP(300P1)의 발광소자(300R, 300G, 300B)에 대응되는 배치를 갖을 수 있다.
도 7의 (A1), (B1), (C1)은 종래의 디스플레이 패널 상의 전극패드의 배치 구조도이고, (A2), (B2), (C2)는 본 발명의 일 실시 예에 따른 디스플레이 패널 상의 전극패드 배치 예이다.
마이크로 단위의 LED의 경우 그 사이즈가 100㎛*100㎛ 이하이므로 이에 대응되는 디스플레이 패널의 전극패드 간의 간격(d1)도 매우 협소하기 때문에, 본 발명에서는 디스플레이 패널의 전극패드 간의 간격(d2)을 넓힘으로써, 전극패드간의 솔더 페이스트에 의한 쇼트를 사전에 방지할 수 있도록 한다.
전극패드 간의 간격 d1 < d2의 관계가 성립되며, d2는 전극패드(720, 720')의 각각의 위치로부터 좌우로 각각 영역 이동을 시킴으로써 구현이 가능하다.
디스플레이 패널의 전극패드(720, 720')의 간격을 넓히는 선제 조건은 다음과 같다.
본 발명은 다수의 픽셀 CSP(300)를 디스플레이 패널(700)에 동시에 빠른 속도로 전사할 수 있는 방안으로서 다음의 도 9 내지 도 15에서 설명될 제1 전사 및 제2 전사를 제안한다.
여기서, 제2 전사는 캐리어 기판(800)과 솔더 페이스트(740) 간의 접착력의 차이를 이용한 전사 방법을 채택한다.
따라서, 제2 전사를 구현하기 위해 디스플레이 패널(700)의 전극패드(720) 상에는 솔더 페이스트(740)가 도포되어야 하고, 이때 솔더 페이스트(740) 도포에 앞서 디스플레이 패널(700) 기판 상에 화이트 잉크(White ink)의 도포가 선행된다.
종래와 같이 디스플레이 패널의 전극패드(72, 72') 사이 간격 매우 좁음(100㎛ 이하)으면, 전극패드(72, 72') 사이에 화이트 잉크(white ink, 73)를 채울 수 없게 되고, 화이트 잉크(73)가 채워지지 않은 전극패드(72, 72') 사이에는 단차가 형성되어 솔더 페이스트(74)가 갇힘으로써 잔여 솔더 페이스트로 인해 쇼트가 발생할 수 있다.
따라서, 본 발명은 위와 같은 문제를 해결하기 위해 디스플레이 패널(700)의 전극패드(720, 720')를 좌우로 영역이동을 통해 전극패드(720, 720') 간의 간격(d2)을 넓힘으로써 화이트 잉크(730)에 의해 화이트 잉크 댐(White ink dam) 형성이 가능하게 된다. 즉 전극패드(720, 720') 간의 간격이 넓어져 화이트 잉크가 전극패드 사이에 채워질 수 있다.
이러한 화이트 잉크 댐의 형성으로 전극패드(720, 720') 사이의 단차가 제거될 수 있고, 잔여 솔더 페이스트가 생기지 않음으로 인해 전극간 쇼트 발생 원인이 제거될 수 있다.
그 다음으로, 위에서 설명한 바와 같이 디스플레이 패널의 전극패드(720, 720')의 간격을 넓히는 선제 조건에 의해 전극 간격을 넓혔다면, 전극 간격을 넓힐 수 있는 가능 조건은 다음과 같다.
디스플레이 패널(700)의 전극패드(720, 720')의 간격을 넓힐 수 있는 가능 조건은 상술한 도 5 및 도 6에서와 같이 픽셀 CSP(300)의 전극패드(310P1, 310P2, 310P3)가 확장된 확장 전극패드(320P1, 320P2, 320P3)에 의해 가능하다.
도 8를 참조하면, 픽셀 CSP(300)의 확장 전극패드(320P1, 320P2, 320P3)가 도시되고, 그 확장된 전극패드로 인해 디스플레이 패널(700)의 전극패드(720, 720')가 간격 d2로 넓혀져도 전극간 매칭이 충분히 가능하게 된다.
결과적으로, 픽셀 CSP(300)의 확장 전극패드(320P1, 320P2, 320P3)와 디스플레이 패널(700)의 전극패드(720, 720')의 영역 이동은 이후 도 9 내지 도 15에서 설명될 제1 전사 및 제2 전사시 마이크로 단위에서 밀리미터 단위로 작업 영역이 스케일 업(Scale Up)됨으로써 전사 공정을 신속하게 함과 함께 수만 내지 수십만 개의 픽셀 CSP를 동시에 전사하는 것을 가능하게 할 수 있다.
그럼, 다음으로 기판에 형성된 픽셀 CSP 어레이를 1차 전사 및 2차 전사를 통해 디스플레이 패널로 전사하는 방법에 대해 설명한다.
도 9는 전사 프레임에 형성된 픽셀 CSP 어레이를 캐리어 기판으로 전사하는 단계를 상세하게 설명하기 위한 도면이다.
전사 프레임(100)은 본 발명의 실시 형태에 따른 디스플레이 장치의 제조 방법에 있어서, 제1 전사 매체로 명명될 수도 있다. 좀 더 구체적으로, 제1 전사 매체에 다수의 발광 소자를 포함하는 다수의 픽셀 CSP를 형성하여 픽셀 CSP 어레이를 형성할 수 있다. 여기서, 다수의 픽셀 CSP 각각은 보호층에 의해 분리되며, 제1 전사 매체와 보호층 간에는 제1 접착력을 갖는다.
전사 프레임에 형성된 픽셀 CSP 어레이를 캐리어 기판으로 전사하는 단계를 '1차 전사'로 명명할 수도 있다.
도 9의 (A)는 도 3에서 3개의 발광 소자를 인캡슐레이션하는 보호층(400P1, 400P2, 400P3)을 포함하는 3개의 픽셀 CSP(300P1, 300P2, 300P3)과 전사 프레임(100)의 일 부분에 대한 단면도이다.
도 9의 (A)를 참조하면, 제1 픽셀 CSP(300P1)는 제1 보호층(400P1)에 의해 전사 프레임(100)의 제1 개구에 인캡슐레이션되어 있고, 제2 픽셀 CSP(300P2)는 제2 보호층(400P2)에 의해 전사 프레임(100)의 제2 개구에 인캡슐레이션되어 있으며, 제3 픽셀 CSP(300P3)는 제3 보호층(400P3)에 의해 전사 프레임(100)의 제3 개구에 인캡슐레이션되어 있다.
다음으로, 도 9의 (B)를 참조하면, 전사 프레임(100)의 상면과 제1 내지 제3 보호층(400P1, 400P2, 400P3)의 상면에 캐리어 기판(800)를 부착한다.
여기서, 캐리어 기판(800)는 각 픽셀 CSP(300P1, 300P2, 300P3)를 인캡슐레이션한 해당 보호층(400P1, 400P2, 400P3)을 전사 프레임(100)의 다수의 개구(110)로부터 추출하기 위한 것이다.
여기서, 캐리어 기판(800)는 '전사 접착 부재'로도 명명될 수 있다. 캐리어 기판은 전사 접착 부재로도 불릴 수 있으며, PET, PP, PE, PS 수지 판 등과 이러한 재료들에 접착제나 점착제가 도포되어 있거나 또는 이러한 재료들이 테이프의 형태로 얇은 두께를 가지면서 그 한 면에 접착제나 점착제가 도포될 수 있다.
다음으로, 도 9의 (C)를 참조하면, 전사 프레임(100)을 제거한다. 캐리어 기판(800)과 각 보호층(400P1, 400P2, 400P3) 사이의 접착력이 전사 프레임(100)과 각 보호층(400P1, 400P2, 400P3) 사이의 접착력보다 더 크면, 전사 프레임(100)만을 캐리어 기판(800)과 다수의 보호층(400P1, 400P2, 400P3)으로부터 떼어낼 수 있다.
따라서, 캐리어 기판(800)는, 전사 프레임(100)과 각 보호층(400P1, 400P2, 400P3) 사이의 접착력보다 더 큰 접착력을 갖는 것이 바람직하다.
한편, 캐리어 기판(800)는 본 발명의 실시 형태에 따른 디스플레이 장치의 제조 방법에 있어서, 제2 전사 매체로 명명될 수 있다. 제2 전사 매체와 보호층 간에는 상기 제1 접착력보다 큰 제2 접착력을 갖는다.
따라서, 앞서 상술한 1차 전사 단계는, 제1 전사 매체에 형성된 픽셀 CSP 어레이를 제1 전사 매체로부터 제1 접착력 보다 큰 제2 접착력을 갖는 제2 전사 매체로 전사하는 단계일 수 있다.
예를 들어, 제2 접착력은 제1 접착력보다 수 백배 더 클 수 있다. 좀 더 구체적으로, 제1 접착력은 5 gf/25mm ~ 15 gf/25mm 이고, 제2 접착력은 2,000 gf/25mm ~ 4,000 gf/25mm 일 수 있다. 더욱 바람직하게는 제1 접착력은 10 gf/25mm 이고, 제2 접착력은 3,000 gf/25mm 일 수 있다.
도 10은 디스플레이 패널의 전극패드 구조를 보인 도면이고, 도 11은 도 10의 A-A 단면을 기준으로, 캐리어 기판에 전사된 픽셀 CSP 어레이를 디스플레이 패널로 전사하는 단계를 상세하게 설명하기 위한 도면이며, 도 12는 도 10의 B-B 단면을 기준으로, 캐리어 기판에 전사된 픽셀 CSP 어레이를 디스플레이 패널로 전사하는 단계를 상세하게 설명하기 위한 도면이고, 도 13은 도 11의 (C)에 도시된 하나의 픽셀 CSP을 인캡슐레이션한 다수의 보호층들이 디스플레이 패널에 다수의 행과 열 방향을 따라 전사된 것을 보여주는 평면도이다.
도 10을 참조하면, (A)는 디스플레이 패널(700)의 일 부분을 확대한 평면도이고, (B)는 (A)의 A-A 단면도이고, (C)는 (A)의 B-B 단면도이다.
도 10을 참조하면, 디스플레이 패널(700)은 도 9의 (C)에 도시된 다수의 픽셀 CSP의 각 패드(310P1, 310P2, 310P3)와 전기적으로 연결되는 전극패드(720)를 다수로 포함한다.
다수의 전극패드(720)는 디스플레이 패널(700)의 상면에 배열될 수 있다. 다수의 전극패드(720)는 복수의 패드 그룹 별로 행과 열 방향을 따라 배열된다. 각 패드 그룹은 하나의 픽셀 CSP와 전기적으로 연결되는 다수개의 패드들을 포함한다. 여기서, 다수개의 패드들의 개수는 6개일 수 있으나, 이에 한정하는 것은 아니며, 하나의 픽셀 CSP에 형성된 패드의 개수에 따라 다수개의 패드들의 개수가 달라질 수 있다. 여기서, 복수의 패드 그룹 간 간격(pitch)는 도 1에 도시된 전사 프레임(100)의 다수의 개구(110)간 간격과 동일할 수 있다.
다음으로, 도 11의 (A) 및 도 12의 (A)를 참조하면, 디스플레이 패널(700)의 다수의 전극패드(720) 상에 솔더 페이스트(Solder Paste, 740)를 도포한다. 솔더 페이스트(740)는 디스플레이 패널(700)의 다수의 전극패드(720) 상에 스크린 프린팅, 디스펜싱, 젯팅 등의 여러 방법을 통해 도포될 수 있다.
다음으로, 도 11의 (B) 및 도 12의 (B)를 참조하면, 도 9의 (C)에서 제조된 캐리어 기판(800)과 캐리어 기판(800)에 부착되고 내부에 픽셀 CSP(300P1, 300P2, 300P3)을 구비한 다수의 보호층(400P1, 400P2, 400P3)을 디스플레이 패널(700) 상으로 옮기고, 각 픽셀 CSP(300P1, 300P2, 300P3)의 전극패드(310P1, 310P2, 310P3)를 디스플레이 패널(700)의 전극패드(720P1, 720P2, 720P3) 상에 도포된 솔더 페이스트(740)에 접촉시킨다.
솔더 페이스트(740)를 통해 픽셀 CSP(300P1, 300P2, 300P3)의 패드(310P1, 310P2, 310P3)와 디스플레이 패널(700)의 전극패드(720P1, 720P2, 720P3)가 접촉된 후, 예를 들어, 자기 정렬 페이스트(Self Align Paste, SAP) 솔더링 방법을 사용하여 소정의 열을 가하면, 솔더 페이스트(740) 내부에 포함된 솔더 파티클(Solder particle)이 픽셀 CSP(300P1, 300P2, 300P3)의 패드(310P1, 310P2, 310P3)와 디스플레이 패널(700)의 전극패드(720P1, 720P2, 720P3) 사이로 자기조립(self-assembly)될 수 있다.
한편, 솔더 페이스트(740) 내부에 포함된 열경화성 수지는 열에 의해 경화될 수 있다.
다음으로, 도 11의 (C) 및 도 12의 (C)를 참조하면, 픽셀 CSP(300P1, 300P2, 300P3)의 패드(310P1, 310P2, 310P3)와 디스플레이 패널(700)의 전극패드(720P1, 720P2, 720P3)가 솔더링되면, 캐리어 기판(800)를 다수의 보호층(400P1, 400P2, 400P3)으로부터 떼어낸다.
여기서, 픽셀 CSP(300P1, 300P2, 300P3)의 패드(310P1, 310P2, 310P3)와 디스플레이 패널(700)의 전극패드(720P1, 720P2, 720P3) 사이의 솔더링 접착력이 캐리어 기판(800)과 각 보호층(400P1, 400P2, 400P3) 사이의 접착력보다 훨씬 크기 때문에, 캐리어 기판(800) 만을 쉽게 분리시킬 수 있다.
도 12를 참조하면, 도 7 및 도 8에서와 같이 픽셀 CSP(300P1, 300P2, 300P3) 내의 하나의 발광소자(300R)의 제1 및 제2 전극패드(310R, 310R'), 그리고 제1 및 제2 전극패드(310R, 310R') 위에 형성된 확장 전극패드(320R, 320R')에 의해 디스플레이 패널(700)의 전극패드(720, 720') 간의 간격을 넓게 조절하는 것이 가능하고, 즉 전극패드(720, 720')의 영역 이동이 가능하다.
즉, 확장 전극패드(320R, 320R')에 의해 전사 공정시 픽셀 CSP(300P1, 300P2, 300P3)와 디스플레이 패널(700) 간의 전극간 접촉 마진율을 향상시키는 것이 가능하고, 디스플레이 패널(700)의 전극패드(720, 720')의 양쪽 벌림과 같은 영역 이동이 가능하여 전극간의 쇼트 발생률을 차단하는 것이 가능하게 된다. 특히, 이러한 접촉 마진율 확보와 쇼트 방지는 마이크로 단위의 LED가 적용되는 디스플레이 장치에 적용시 전사 공정의 속도 향상과 정확성을 확보할 수 있다.
도 13은 도 11의 (C) 및 도 12의 (C)에 도시된 하나의 픽셀 CSP을 인캡슐레이션한 다수의 보호층들(400P1, 400P2, 400P3)이 디스플레이 패널(700)에 다수의 행과 열 방향을 따라 전사된 것을 보여주는 평면도이다.
한편, 솔더 페이스트(740)는 본 발명의 실시 형태에 따른 디스플레이 장치의 제조 방법에 있어서, 제3 전사 매체로 명명될 수 있다.
제3 전사 매체와 픽셀 CSP의 패드 간 솔더링 접착력인 제3 접착력은 상기 제2 접착력보다 크다.
따라서, 앞서 상술한 2차 전사 단계는, 제2 전사 매체에 전사된 픽셀 CSP 어레이를 디스플레이 패널에 도포된 상기 제2 접착력 보다 큰 제3 접착력을 갖는 제3 전사 매체로 전사하는 단계일 수 있다.
예를 들어, 제3 접착력은 제2 접착력보다 수천배 더 클 수 있다. 좀 더 구체적으로, 제2 접착력은 2,000 gf/25mm ~ 4,000 gf/25mm 이고, 제3 접착력은 800,000 gf/25mm ~ 1,200,000 gf/25mm 일 수 있다. 더욱 바람직하게는 제2 접착력은 3,000 gf/25mm이고, 제3 접착력은 1,000,000 gf/25mm 일 수 있다.
제3 접착력은 제2 접착력 보다 제2 접착력은 제1 접착력 보다 수백에서 수천배의 큰 상당한 접착력을 갖도록 하여 모든 픽셀 CSP에 대한 동시 전사가 완전하게 이루어질 수 있도록 구현하는 것이 본 발명이 이루고자 하는 과제이며, 이는 정전기적 인력 등의 물리적 힘 혹은 접착력을 제어하여 전사하는 개념이 아닌 접착력 자체의 결합력을 그대로 이용하여 전사 성공률을 극대화할 수 있다는 장점을 갖는다.
여기서, 접착력을 제어한다는 의미는 노광, 온도, 열 등 어떤 특정 조건을 조절하여 접착력을 제어하는 것이고, 본 발명의 실시 형태에서는 접착력을 제어하는 것이 아니라, 전사 매체들 간의 접착력의 차이를 이용하는 것이다.
도 1에 도시된 전사 프레임(100)의 개구(110)의 개수와 도 13에 도시된 디스플레이 패널(700)에 형성된 픽셀 CSP(300)의 개수가 서로 대응되도록 도시되어 있으나, 이에 한정하는 것은 아니다.
예를 들어, 대면적의 디스플레이 패널을 제조하기 위해서, 하나의 대면적의 디스플레이 패널에 전사 프레임(100)을 두 번 이상 반복적으로 사용할 수도 있다. 이를 통해 대면적의 디스플레이 패널을 빠른 시간에 제조할 수 있는 이점이 있다.
이상에서 실시 형태들에 설명된 특징, 구조, 효과 등은 본 발명의 적어도 하나의 실시 형태에 포함되며, 반드시 하나의 실시 형태에만 한정되는 것은 아니다. 나아가, 각 실시 형태에서 예시된 특징, 구조, 효과 등은 실시 형태들이 속하는 분야의 통상의 지식을 가지는 자에 의해 다른 실시 형태들에 대해서도 조합 또는 변형되어 실시 가능하다. 따라서 이러한 조합과 변형에 관계된 내용들은 본 발명의 범위에 포함되는 것으로 해석되어야 할 것이다.
또한, 이상에서 실시 형태를 중심으로 설명하였으나 이는 단지 예시일 뿐 본 발명을 한정하는 것이 아니며, 본 발명이 속하는 분야의 통상의 지식을 가진 자라면 본 실시 형태의 본질적인 특성을 벗어나지 않는 범위에서 이상에 예시되지 않은 여러 가지의 변형과 응용이 가능함을 알 수 있을 것이다. 예를 들어, 실시 형태에 구체적으로 나타난 각 구성 요소는 변형하여 실시할 수 있는 것이다. 그리고 이러한 변형과 응용에 관계된 차이점들은 첨부된 청구 범위에서 규정하는 본 발명의 범위에 포함되는 것으로 해석되어야 할 것이다.
100: 전사 프레임
200: 기판
300: 픽셀 CSP
400: 보호층
500: 보호필름
600: 섀도우 마스크
700 : 디스플레이 패널
800 : 캐리어 기판
200: 기판
300: 픽셀 CSP
400: 보호층
500: 보호필름
600: 섀도우 마스크
700 : 디스플레이 패널
800 : 캐리어 기판
Claims (9)
- 전사 프레임에 어레이 형태로 배열된 다수의 개구마다 다수의 발광 소자를 포함하는 다수개의 픽셀 CSP를 형성하여 상기 전사 프레임에 픽셀 CSP 어레이를 형성하는, 픽셀 CSP 어레이 형성 단계;
디스플레이 패널의 마주하는 한 쌍의 전극을 좌우로 영역 이동하여 상기 디스플레이 패널의 전극패드 간의 간격을 넓히는, 전극 영역 이동 단계;
상기 픽셀 CSP 어레이를 상기 전사 프레임으로부터 캐리어 기판으로 전사하는, 1차 전사 단계; 및
상기 캐리어 기판에 전사된 픽셀 CSP 어레이를 디스플레이 패널로 전사하는, 2차 전사 단계;를 포함하고,
상기 픽셀 CSP 어레이 형성 단계 후에는, 하나의 상기 픽셀 CSP 내의 각각에서 상기 발광 소자 각각의 전극패드 측의 상기 프레임 면에 섀도우 마스크를 부착하여 상기 전극패드로부터 확장된 영역으로 금속을 증착하는, 확장 금속증착 단계;를 더 포함하는, 전극패드의 확장 및 영역 이동을 통한 디스플레이 장치의 제조 방법. - 삭제
- 제1항에 있어서,
상기 섀도우 마스크를 제거하는, 섀도우 마스크 제거 단계;
상기 프레임을 제거하는, 프레임 제거 단계; 및
상기 확장 금속증착 단계 전에 상기 섀도우 마스크가 배치되는 반대측의 상기 프레임 면에 보호필름을 부착하는, 보호필름 부착단계;를 더 포함하는, 전극패드의 확장 및 영역 이동을 통한 디스플레이 장치의 제조 방법. - 제1항에 있어서,
상기 픽셀 CSP 어레이 형성 단계는,
상기 전사 프레임 아래에 상기 다수의 개구 각각의 하부 개구를 막도록 기판을 배치하는, 기판 배치 단계;
상기 다수의 개구 내부의 상기 기판 상에 상기 다수의 발광 소자를 배치하는, 발광 소자 형성 단계;
상기 다수의 발광 소자를 인캡슐레이션하는 보호층을 상기 다수의 개구 내부에 충진 및 경화시키는, 보호층 형성 단계; 및
상기 기판을 제거하는, 기판 제거 단계;를 포함하는, 전극패드의 확장 및 영역 이동을 통한 디스플레이 장치의 제조 방법. - 제1항에 있어서,
상기 전사 프레임의 다수의 개구 간 간격은, 전사될 대상 기판의 픽셀 CSP 어레이 간 간격과 동일한, 전극패드의 확장 및 영역 이동을 통한 디스플레이 장치의 제조 방법. - 제1항에 있어서,
상기 1차 전사 단계는,
상기 전사 프레임과 상기 픽셀 CSP 어레이에 상기 캐리어 기판을 부착하는, 캐리어 기판 부착 단계; 및
상기 캐리어 기판을 상기 전사 프레임으로부터 떼어내어 상기 픽셀 CSP 어레이가 상기 캐리어 기판에 부착된 상태로 상기 전사 프레임의 다수의 개구로부터 분리되는, 픽셀 CSP 어레이 분리 단계;를 포함하는, 전극패드의 확장 및 영역 이동을 통한 디스플레이 장치의 제조 방법. - 제1항에 있어서,
상기 2차 전사 단계는,
상기 디스플레이 패널의 다수의 패드 상에 솔더 페이스트를 도포하는, 도포 단계;
상기 캐리어 기판에 전사된 상기 픽셀 CSP 어레이의 패드를 도포된 상기 솔더 페이스트에 접촉시켜 솔더링하는, 솔더링 단계; 및
상기 캐리어 기판을 상기 픽셀 CSP 어레이로부터 분리시키는, 캐리어 기판 분리 단계;를 포함하는, 전극패드의 확장 및 영역 이동을 통한 디스플레이 장치의 제조 방법. - 제1항에 있어서,
상기 다수의 픽셀 CSP 각각은 보호층에 의해 분리되며,
상기 1차 전사 단계는, 상기 전사 프레임과 상기 보호층 간에는 제1 접착력을 갖으며, 상기 픽셀 CSP 어레이를 상기 전사 프레임으로부터 상기 제1 접착력 보다 큰 제2 접착력을 갖는 캐리어 기판으로 전사하고,
상기 제2 전사 단계는, 상기 디스플레이 패널 기판에 도포된 상기 제2 접착력 보다 큰 제3 접착력을 갖는 솔더 페이스트에 의해 상기 캐리어 기판으로부터 상기 픽셀 CSP 어레이를 상기 디스플레이 패널 기판으로 전사하는, 전극패드의 확장 및 영역 이동을 통한 디스플레이 장치의 제조 방법. - 제1항, 제3항 내지 제8항 중 어느 한 항에 따른 전극패드의 확장 및 영역 이동을 통한 디스플레이 장치의 제조 방법에 의해 제조된, 디스플레이 장치.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1020190093261A KR102262748B1 (ko) | 2019-07-31 | 2019-07-31 | 전극패드의 확장 및 영역 이동을 통한 디스플레이 장치의 제조 방법 및 그 방법에 의해 제조되는 디스플레이 장치 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1020190093261A KR102262748B1 (ko) | 2019-07-31 | 2019-07-31 | 전극패드의 확장 및 영역 이동을 통한 디스플레이 장치의 제조 방법 및 그 방법에 의해 제조되는 디스플레이 장치 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
KR20210015033A KR20210015033A (ko) | 2021-02-10 |
KR102262748B1 true KR102262748B1 (ko) | 2021-06-09 |
Family
ID=74560933
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
KR1020190093261A KR102262748B1 (ko) | 2019-07-31 | 2019-07-31 | 전극패드의 확장 및 영역 이동을 통한 디스플레이 장치의 제조 방법 및 그 방법에 의해 제조되는 디스플레이 장치 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
KR (1) | KR102262748B1 (ko) |
Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2007123905A (ja) * | 2005-10-27 | 2007-05-17 | Lg Innotek Co Ltd | 発光ダイオード素子、発光ダイオード素子の製造方法、及び発光ダイオード素子の固着構造 |
KR101557952B1 (ko) * | 2015-03-31 | 2015-10-08 | 주식회사 루멘스 | 발광 소자 패키지 제조 방법 및 발광 소자 패키지 스트립 |
WO2018169243A1 (ko) * | 2017-03-13 | 2018-09-20 | 서울반도체주식회사 | 디스플레이 장치 제조 방법 |
Family Cites Families (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR101682631B1 (ko) * | 2014-12-30 | 2016-12-05 | 주식회사 루멘스 | 발광 소자 패키지와, 발광 소자 패키지 조합과, 발광 소자 패키지 모듈과, 백라이트 유닛 및 조명 장치 |
KR102572819B1 (ko) * | 2016-02-23 | 2023-08-30 | 쑤저우 레킨 세미컨덕터 컴퍼니 리미티드 | 발광모듈 제조방법 및 표시장치 |
KR20180075310A (ko) | 2016-12-26 | 2018-07-04 | 주식회사 엘지화학 | 마이크로 전기 소자의 전사 방법 |
KR101993863B1 (ko) | 2017-12-29 | 2019-06-27 | (재)한국나노기술원 | Led 집적 모듈 및 led 집적 모듈의 제조방법 |
-
2019
- 2019-07-31 KR KR1020190093261A patent/KR102262748B1/ko active IP Right Grant
Patent Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2007123905A (ja) * | 2005-10-27 | 2007-05-17 | Lg Innotek Co Ltd | 発光ダイオード素子、発光ダイオード素子の製造方法、及び発光ダイオード素子の固着構造 |
KR101557952B1 (ko) * | 2015-03-31 | 2015-10-08 | 주식회사 루멘스 | 발광 소자 패키지 제조 방법 및 발광 소자 패키지 스트립 |
WO2018169243A1 (ko) * | 2017-03-13 | 2018-09-20 | 서울반도체주식회사 | 디스플레이 장치 제조 방법 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
KR20210015033A (ko) | 2021-02-10 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
CN112713142B (zh) | 发光显示单元及显示装置 | |
JP6744870B2 (ja) | マイクロ発光ダイオードの転写方法、製造方法、マイクロ発光ダイオード装置、及び電子機器 | |
US10790267B2 (en) | Light emitting element for pixel and LED display module | |
US11289633B2 (en) | LED array package and manufacturing method thereof | |
JP2017539097A5 (ko) | ||
CN211789018U (zh) | 显示面板及具有该显示面板的显示装置 | |
US12020630B1 (en) | Stacked structure, display screen, and display apparatus | |
CN112885822B (zh) | 显示装置的制造方法 | |
KR20190129178A (ko) | 박막 패드를 구비하는 발광 소자 패키지 및 그 제조 방법 | |
US20180204823A1 (en) | Video Wall Module and Method for Producing Same | |
KR102174847B1 (ko) | 디스플레이 장치의 제조 방법 및 디스플레이 장치 | |
KR102333800B1 (ko) | 확장형 전극패드를 갖는 픽셀 csp 제조방법 및 그 방법에 의해 제조되는 픽셀 csp | |
CN212011026U (zh) | 具有悬臂电极的发光元件、具有其的显示面板及显示装置 | |
KR102262748B1 (ko) | 전극패드의 확장 및 영역 이동을 통한 디스플레이 장치의 제조 방법 및 그 방법에 의해 제조되는 디스플레이 장치 | |
KR102385376B1 (ko) | 마이크로 진공모듈을 이용한 마이크로 led 어레이 전사를 위한 기판, 마이크로 led 어레이, 마이크로 진공모듈 간의 배치 구조 및 이를 이용한 마이크로 led 디스플레이 제작 방법 | |
KR102173094B1 (ko) | 디스플레이 장치의 제조 방법 및 디스플레이 장치 | |
KR102323587B1 (ko) | 디스플레이 장치의 제조 방법 및 그 방법에 의해 제조되는 디스플레이 장치 | |
US20220115562A1 (en) | Light emitting diode chip and method for manufacturing the same, display device | |
KR102323586B1 (ko) | 확장 패드를 갖는 led 서브 픽셀 csp | |
KR102626606B1 (ko) | 디스플레이 장치의 제조 방법 및 디스플레이 장치 | |
KR102203639B1 (ko) | 디스플레이 장치의 제조 방법 및 디스플레이 장치 | |
KR102210152B1 (ko) | 디스플레이 장치의 제조 방법 및 디스플레이 장치 | |
KR102203649B1 (ko) | 서브 픽셀 csp, 서브 픽셀 csp의 제조 방법, 디스플레이 장치의 제조 방법 및 그 방법에 의해 제조되는 디스플레이 장치 | |
KR102262749B1 (ko) | 솔더 페이스트 선택적 도포 방법, 이를 이용한 디스플레이 장치 제조 방법 | |
CN116995157B (zh) | 微led芯片封装结构的制作方法和封装结构 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
E701 | Decision to grant or registration of patent right | ||
GRNT | Written decision to grant |