CN211789018U - 显示面板及具有该显示面板的显示装置 - Google Patents

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Abstract

本实用新型涉及一种显示面板及具有该显示面板的显示装置。根据一实施例的显示面板包括：电路基板，具有垫；发光元件，电连接于所述垫而整齐排列于所述电路基板上；以及缓冲物质层，布置于所述电路基板与所述发光元件之间而填充所述电路基板与所述发光元件之间的空间，其中，所述缓冲物质层位于所述发光元件的上表面的下侧。

Description

显示面板及具有该显示面板的显示装置
技术领域
本实用新型涉及一种能够安全地转印多个显示用发光元件的发光二极管显示面板及具有该显示面板的显示装置。
背景技术
发光二极管作为无机光源，被多样地用于显示装置、车辆用灯具、一般照明等多种领域。发光二极管具有寿命长、功耗低且响应速度快的优点，因此正快速地替代现有光源。
另外，现有的发光元件在显示装置中主要用作背光源。但是，最近正在开发利用发光二极管直接实现图像的LED显示器。
显示装置通常利用蓝色、绿色及红色的混合色实现多样的颜色。显示装置为了实现多样的图像而包括多个像素，各个像素配备蓝色、绿色及红色的子像素，并且通过这些子像素的颜色来确定特定像素的颜色，并且通过这些像素的组合来实现图像。
LED可以根据其材料发出多样颜色的光，从而可以通过将发出蓝色、绿色及红色的单个LED芯片排列于二维平面上来提供显示装置。
现有的大型电子屏所使用的LED在被制成封装件后，发光二极管封装件以像素单位整齐排列，因此将单个封装件贴装于电路基板。然而，为了实现清晰的画质，智能手表或移动电话或者VR头盔或AR眼镜等小型电子产品的显示器或TV等的显示器需要贴装尺寸比现有的LED封装件更小的微型LED。
由于小尺寸的LED难以操作，因此难以单独地贴装于电路基板上。因此，正在研究利用在基板上生长的半导体层形成多个LED并将其对应于像素间隔而集体地转印到显示电路基板上的方法。然而，若在将多个LED集体地进行转印的期间在一部分LED发生不良，则难以将其替换。尤其，在利用激光剥离等技术从生长基板分离LED的情况下，由于由激光造成的冲击可能导致在LED发生裂纹等缺陷。因此，需要一种能够将集体转印的LED安全地转印到电路基板而不会发生不良的显示装置。
另外，由于将子像素排列在二维平面上，因此包括蓝色、绿色及红色子像素的一个像素占有的面积相对变大。因此，为了将子像素排列在有限的面积内，必须缩小各个LED芯片的面积。但是，减小LED芯片的尺寸可能导致难以贴装LED芯片，进而造成发光面积的减小。
实用新型内容
本实用新型要解决的课题在于提供一种能够将多个发光元件安全地转印到电路基板的LED显示装置。
本实用新型要解决的又一课题在于提供一种能够容易地将在晶圆制造的发光元件集体地转印到电路基板的显示装置。
本实用新型要解决的又一课题在于提供一种安全地转印能够在有限的像素面积内增加各个子像素的面积的显示用发光元件的显示装置。
根据本实用新型的一实施例的显示面板包括：电路基板，具有垫；发光元件，电连接于所述垫而整齐排列于所述电路基板上；以及缓冲物质层，布置于所述电路基板与所述发光元件之间而填充所述电路基板与所述发光元件之间的空间，其中，所述缓冲物质层位于所述发光元件的上表面的下侧。
所述缓冲物质层可以覆盖位于所述发光元件之间的所述电路基板的表面，并且在两个发光元件之间的区域具有多个槽。
各个发光元件可以包括电极垫，所述电极垫电连接于所述垫。
所述显示面板还可以包括：导电性颗粒，布置于所述电路基板上的垫与所述发光元件的电极垫之间，其中，所述垫与所述电极垫通过所述导电性颗粒电连接。
所述缓冲物质层还可以包括在所述发光元件之间的区域彼此隔开的导电性颗粒。
所述显示面板还可以包括：阻光物质层，布置于所述发光元件之间的区域而阻断通过发光元件的侧面射出的光。
所述阻光物质层可以覆盖所述缓冲物质层的上表面的一部分。
所述显示面板还可以包括：焊料层，形成于所述垫与电极垫之间，其中，所述垫与所述电极垫通过所述焊料层电连接。
所述发光元件可以包括：第一LED叠层、第二LED叠层、第三LED叠层，射出互不相同的波长的光；电极垫，电连接于所述第一LED叠层至第三LED叠层；以及凸起垫，布置于所述电极垫上，其中，所述凸起垫电连接于所述电路基板上的垫。
在所述电路基板的垫与所述凸起垫之间还可以包括键合层，所述键合层包括In、Pb、AuSn、CuSn或焊料。
所述缓冲物质层可以为固化后的树脂、聚合物、BCB或SOG。
所述发光元件分别可以包括第一LED叠层、第二LED叠层、第三LED叠层，并且第一LED叠层至第三LED叠层射出互不相同的波长的光。
所述发光元件可以通过所述第三LED叠层射出在所述第一LED叠层至第三LED叠层生成的光。
所述第三LED叠层可以从生长基板分离。
所述发光元件之间的间隔可以大于所述发光元件的宽度。
所述缓冲物质层可以覆盖位于所述发光元件之间的所述电路基板的表面，所述缓冲物质层包括导电性颗粒，所述导电性颗粒在所述电路基板与所述发光元件之间的区域相比于在所述发光元件之间的区域更密集地布置。根据本实用新型的一实施例的显示装置包括显示面板的显示装置，所述显示面板包括：电路基板，具有垫；发光元件，电连接于所述垫而整齐排列于所述电路基板上；以及缓冲物质层，布置于所述电路基板与所述发光元件之间而填充所述电路基板与所述发光元件之间的空间，其中，所述缓冲物质层位于所述发光元件的上表面的下侧。
所述缓冲物质层可以覆盖位于所述发光元件之间的所述电路基板的表面，并且在两个发光元件之间的区域具有多个槽。
各个发光元件可以包括电极垫，所述电极垫电连接于所述垫。
所述发光元件可以分别包括第一LED叠层、第二LED叠层、第三LED叠层，并且第一LED叠层至第三LED叠层射出互不相同的波长的光，所述发光元件通过所述第三LED叠层射出在所述第一LED叠层至第三LED叠层生成的光。
所述显示装置还可以包括：阻光物质层，布置于所述发光元件之间的区域而阻断通过发光元件的侧面射出的光。
根据本实用新型，能够将多个发光元件安全地转印到电路基板。而且，能够容易地将在晶圆制造的发光元件集体地转印到电路基板。而且，能够安全地转印能够在有限的像素面积内增加各个子像素的面积的显示用发光元件。
附图说明
图1是用于说明根据本实用新型的实施例的显示装置的示意性的立体图。
图2是用于说明根据本实用新型的一实施例的显示面板的示意性的平面图。
图3是沿图2的截取线A-A截取的示意性的放大剖视图。
图4是用于说明根据本实用新型的一实施例的发光元件的示意性的平面图。
图5是为了说明根据本实用新型的一实施例的发光元件而沿图4的截取线B-B截取的示意性的剖视图。
图6是用于说明根据本实用新型的一实施例的发光元件的示意性的电路图。
图7是用于说明根据本实用新型的又一实施例的发光元件的示意性的电路图。
图8是用于说明根据本实用新型的又一实施例的发光元件的示意性的平面图。
图9是为了说明根据本实用新型的又一实施例的发光元件而沿图8的截取线C-C截取的示意性的剖视图。
图10是用于说明根据本实用新型的又一实施例的发光元件的示意性的电路图。
图11是用于说明根据本实用新型的又一实施例的发光元件的示意性的电路图。
图12A、图12B、图12C、图12D及图12E是用于说明制造根据本实用新型的一实施例的显示面板的方法的示意性的剖视图。
图13A、图13B、图13C、图13D及图13E是用于说明制造根据本实用新型的又一实施例的显示面板的方法的示意性的剖视图。
图14A、图14B、图14C及图14D是用于说明制造根据本实用新型的又一实施例的显示面板的方法的示意性的剖视图。
图15A、图15B、图15C及图15D是用于说明制造根据本实用新型的又一实施例的显示面板的方法的示意性的剖视图。
图16A、图16B、图16C、图16D及图16E是用于说明制造根据本实用新型的又一实施例的显示面板的方法的示意性的剖视图。
图17A、图17B、图17C、图17D及图17E是用于说明制造根据本实用新型的又一实施例的显示面板的方法的示意性的剖视图。
图18A、图18B、图18C及图18D是用于说明制造根据本实用新型的又一实施例的显示面板的方法的示意性的剖视图。
具体实施方式
以下，参照附图详细说明本实用新型的实施例。为了能够将本实用新型的思想充分传递给本实用新型所属技术领域的通常技术人员，作为示例提供以下介绍的实施例。因此，本实用新型并不限定于如下所述的实施例，其可以具体化为其他形态。另外，在附图中，也可能为了便利而夸张表现构成要素的宽度、长度、厚度等。并且，当记载到一个构成要素位于另一构成要素的“上部”或“上”时，不仅包括各部分均“直接”位于其他部分的“上部”或“上”的情形，还包括各构成要素与另一构成要素之间夹设有又一构成要素的情形。在整个说明书中，相同的附图标号表示相同的构成要素。
根据本实用新型的一实施例的显示面板包括：电路基板，具有垫；发光元件，电连接于所述垫而整齐排列于所述电路基板上；以及缓冲物质层，布置于所述电路基板与所述发光元件之间而填充所述电路基板与所述发光元件之间的空间，其中，所述缓冲物质层位于所述发光元件的上表面的下侧。
通过利用缓冲物质层填充发光元件之间的空间，能够缓解当将所述发光元件转印到电路基板时施加于发光元件的冲击。据此，能够将发光元件安全地且集体地转印到电路基板。
所述缓冲物质层可以覆盖位于所述发光元件之间的所述电路基板的表面，并且可以在两个发光元件之间的区域具有多个槽。
在一实施例中，各个发光元件可以包括电极垫，所述电极垫可以电连接于所述垫。进而，所述槽可以具有与所述电极垫的形状对应的形状。
在一实施例中，所述显示面板还可以包括：导电性颗粒，布置于所述电路基板上的垫与所述发光元件的电极垫之间，其中，所述垫与所述电极垫可以通过所述导电性颗粒电连接。
进而，所述缓冲物质层还可以包括在所述发光元件之间的区域彼此隔开的导电性颗粒。
另外，所述显示面板还可以包括：阻光物质层，布置于所述发光元件之间的区域而阻断通过发光元件的侧面射出的光。
通过所述阻光物质层能够提高显示面板的对比度。
所述阻光物质层可以覆盖所述缓冲物质层的上表面的一部分。
在一实施例中，所述显示面板还可以包括：焊料层，形成于所述垫与电极垫之间，其中，所述垫与所述电极垫可以通过所述焊料层电连接。
另外，所述发光元件可以包括：第一LED叠层、第二LED叠层、第三LED叠层，射出互不相同的波长的光；电极垫，电连接于所述第一LED叠层至第三LED叠层；以及凸起垫，布置于所述电极垫上，其中，所述凸起垫可以电连接于所述电路基板上的垫。所述多个槽可以具有与所述凸起垫的形状对应的形状。
进而，所述显示面板在所述电路基板的垫与所述凸起垫之间还可以包括键合层，所述键合层可以包括In、Pb、AuSn、CuSn或焊料。
所述缓冲物质层可以为固化后的树脂、聚合物、BCB或SOG。
所述发光元件可以分别包括第一LED叠层、第二LED叠层、第三LED叠层，并且第一LED叠层至第三LED叠层可以射出互不相同的波长的光。
并且，所述发光元件可以通过所述第三LED叠层射出在所述第一LED叠层至第三LED叠层生成的光。
另外，所述第三LED叠层可以是从生长基板分离的LED叠层。即，所述发光元件可以不包括为了使所述第三LED叠层生长而使用的生长基板。
在一实施例中，所述发光元件之间的间隔可以大于所述发光元件的宽度。
另外，所述缓冲物质层可以覆盖位于所述发光元件之间的所述电路基板的表面，所述缓冲物质层可以包括导电性颗粒。进而，所述导电性颗粒可以在所述电路基板与所述发光元件之间的区域相比于在所述发光元件之间的区域更密集地布置。
根据本实用新型的一实施例的显示装置包括显示面板，所述显示面板包括：电路基板，具有垫；发光元件，电连接于所述垫而整齐排列于所述电路基板上；以及缓冲物质层，布置于所述电路基板与所述发光元件之间而填充所述电路基板与所述发光元件之间的空间，其中，所述缓冲物质层位于所述发光元件的上表面的下侧。
所述缓冲物质层可以覆盖位于所述发光元件之间的所述电路基板的表面，并且可以在两个发光元件之间的区域具有多个槽。
另外，各个发光元件可以包括电极垫，所述电极垫可以电连接于所述垫。
在一实施例中，所述槽可以具有与所述电极垫的形状对应的形状。
并且，所述发光元件可以分别包括第一LED叠层、第二LED叠层、第三LED叠层，并且所述第一LED叠层至第三LED叠层可以射出互不相同的波长的光，所述发光元件可以通过所述第三LED叠层射出在所述第一LED叠层至第三LED叠层生成的光。
在一实施例中，所述第三LED叠层可以是从生长基板分离的LED叠层。在另一实施例中，所述显示装置还可以包括布置于所述第三LED叠层上的生长基板。
所述显示装置还可以包括：阻光物质层，布置于所述发光元件之间的区域而阻断通过发光元件的侧面射出的光。
以下，参照附图对本实用新型的实施例进行具体说明。
图1是用于说明根据本实用新型的实施例的显示装置的示意性的立体图。
本实用新型的发光元件不受特别的限定，但是特别地，可以使用于智能手表1000a、诸如虚拟现实头盔(VR headset)1000b的VR显示装置或者诸如增强现实眼镜1000c的AR显示装置内。
显示装置内贴装有用于呈现图像的显示面板。图2是用于说明根据本实用新型的一实施例的显示面板1000的示意性的平面图，图3是沿图2的截取线A-A截取的剖视图。
参照图2及图3，显示面板包括电路基板1001、发光元件100及缓冲物质层1005。
电路基板1001或面板基板可以包括用于无源矩阵驱动或有源矩阵驱动的电路。在一实施例中，电路基板1001在内部可以包括布线及电阻器。在另一实施例中，电路基板1001可以包括布线、晶体管及电容器。电路基板1001还可以在上表面具有用于允许电连接到布置在内部的电路的垫1003。
多个发光元件100在电路基板1001上整齐排列。发光元件100可以是具有微单位尺寸的小型发光元件，并且宽度W1可以为300μm以下，进而可以为200μm以下，更具体而言可以为100μm以下。发光元件100例如可以具有200μm×200μm以下的尺寸，进而可以具有100μm×100μm以下的尺寸。在一实施例中，在发光元件100整齐排列的方向上，发光元件100之间的间隔L1可以在该间隔方向上大于发光元件100的宽度W1。
发光元件100具有电极垫101，电极垫101电连接于电路基板1001。例如，电极垫101可以键合于在电路基板1001上暴露的垫1003。电极垫101可以具有彼此相同的尺寸，也可以具有互不相同的尺寸。电极垫101可以具有相对较大的面积，各个电极垫的最大宽度可以是发光元件100的最大宽度的约1/4至约3/4以下。另外，各个电极垫的最小宽度可以是发光元件100的最小宽度的约1/5至约3/4以下。另外，电极垫101之间的间隔可以是约3μm以上，具体而言可以是5μm以上，进而可以是10μm以上。
各个发光元件100构成一个像素。例如，各个发光元件100可以包括蓝色、绿色及红色的子像素。
参照图4、图5及图6对发光元件100的具体构成进行说明。图4是用于说明根据本实用新型的一实施例的发光元件100的示意性的平面图，图5是为了说明根据本实用新型的一实施例的发光元件100而沿图4的截取线B-B截取的示意性的剖视图，图6是用于说明根据本实用新型的一实施例的发光元件100的示意性的电路图。为了便于说明，在图4及图5中图示并说明了电极垫101a、101b、101c、101d布置于上侧的情形，但是发光元件100如图3所示地倒装键合于电路基板1001上，在这种情况下，电极垫101a、101b、101c、101d布置于下侧。
首先，参照图4及图5，发光元件100可以包括第一LED叠层23、第二LED叠层33、第三LED叠层43、第一键合层30、第二键合层40、第一绝缘层51、电极垫101a、101b、101c、101d。
第一LED叠层23、第二LED叠层33及第三LED叠层43可以分别利用生长在互不相同的生长基板上的半导体层形成，并且生长基板可以全部从第一LED叠层23、第二LED叠层33及第三LED叠层43被去除。因此，发光元件100可以不包括为了生长第一LED叠层23、第二LED叠层33及第三LED叠层43而使用的基板。但是，本实用新型并不一定局限于此，也可以有至少一个生长基板不被去除而残留。
在本实用新型的实施例中，第一LED叠层23、第二LED叠层33、第三LED叠层43沿垂直方向层叠。第一LED叠层23、第二LED叠层33及第三LED叠层43各自包括第一导电型半导体层23a、33a、43a、第二导电型半导体层23c、33c、43c以及置于其之间的活性层23b、33b、43b。活性层尤其可以具有多量子阱结构。
在第一LED叠层23下方布置有第二LED叠层33，在第二LED叠层33下方布置有第三LED叠层43。为了便于说明，在本说明书中对在第一LED叠层23下方布置有第二LED叠层33，在第二LED叠层33下方布置有第三LED叠层43的情形进行说明，但是需要注意发光元件可以倒装键合，因此这些第一LED叠层至第三LED叠层的上下位置可以互换。
在第一LED叠层23、第二LED叠层33、第三LED叠层43生成的光最终通过第三LED叠层43向外部射出。因此，第一LED叠层23相比于第二LED叠层33及第三LED叠层43发出更长波长的光，第二LED叠层33相比于第三LED叠层43发出更长波长的光。例如，第一LED叠层23可以是发出红色光的无机发光二极管，第二LED叠层33可以是发出绿色光的无机发光二极管，第三LED叠层43可以是发出蓝色光的无机发光二极管。第一LED叠层23可以包括AlGaInP系列的阱层，第二LED叠层33可以包括AlGaInP系列或AlGaInN系列的阱层，并且第三LED叠层43可以包括AlGaInN系列的阱层。
由于第一LED叠层23相比于第二LED叠层33及第三LED叠层43发出更长波长的光，因此在第一LED叠层23生成的光可以透过第二LED叠层33及第三LED叠层43而向外部射出。并且，由于第二LED叠层33相比于第三LED叠层43发出更长波长的光，因此在第二LED叠层33生成的光可以透过第三LED叠层43而向外部射出。
另外，各个LED叠层23、33、43的第一导电型半导体层23a、33a、43a分别为n型半导体层，第二导电型半导体层23c、33c、43c分别为p型半导体层。并且，在本实施例中，虽然图示了第一LED叠层23、第二LED叠层33、第三LED叠层43的下表面全部为第一导电型半导体层，上表面全部为第二导电型半导体层的情形，但是也可以改变至少一个LED叠层的顺序。例如，第一LED叠层23的上表面可以为第一型半导体层23a，第二LED叠层33及第三LED叠层43的上表面全部为第二导电型半导体层33c、43c。
在本实施例中，第一LED叠层23、第二LED叠层33、第三LED叠层43相互重叠。并且，如图所示，第一LED叠层23、第二LED叠层33及第三LED叠层43可以具有大致相同大小的发光面积。但是，由于第一LED叠层23及第二LED叠层33可以具有用于允许电连接的贯通孔，因此可以具有比第二LED叠层33小的发光面积。
第一键合层30将第一LED叠层23结合于第二LED叠层33。第一键合层30可以布置于第一型半导体层23a与第二导电型半导体层33c之间。第一键合层30可以利用透明有机物层形成，或者可以利用透明无机物层形成。有机物层例如可以是SU8、聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA：poly(methylmethacrylate))、聚酰亚胺、聚对二甲苯、苯并环丁烯(BCB：Benzocyclobutene)等，无机物层例如可以是Al2O3、SiO2、SiNx等。并且，第一键合层30也可以利用旋涂玻璃(SOG)形成。
第二键合层40将第二LED叠层33结合于第三LED叠层43。如图所示，第二键合层40可以布置于第一型半导体层33a与第二导电型半导体层43c之间。第二键合层40可以利用与上文针对第一键合层30说明的材料相同的材料形成，为了避免重复，省略详细说明。
第一绝缘层51可以覆盖第一LED叠层23。并且，第一绝缘层51还可以覆盖第一LED叠层23、第二LED叠层33及第三LED叠层43的侧面。第一绝缘层51可以利用硅氧化膜或硅氮化膜形成。
电极垫101：101a、101b、101c、101d可以布置于第一绝缘层51上。电极垫101a、101b、101c、101d可以通过第一绝缘层51电连接于第一LED叠层23、第二LED叠层33及第三LED叠层43。
参照图6，电极垫101a、101b、101c可以分别电连接于第一LED叠层23、第二LED叠层33及第三LED叠层43的阳极，电极垫101d共同连接于第一LED叠层23、第二LED叠层33及第三LED叠层43的阴极。为了将电极垫101a、101b、101c与第一LED叠层23、第二LED叠层33及第三LED叠层43的阳极电连接，可以在第一LED叠层23、第二LED叠层33及第三LED叠层43的第二导电型半导体层23c、33c、43c中的至少一个上形成透明电极。
另外，在本实施例中，虽然对电极垫101d共同连接于第一LED叠层23、第二LED叠层33及第三LED叠层43的阴极的情形进行了说明，但是如图7所示，电极垫101d也可以共同连接于第一LED叠层23、第二LED叠层33及第三LED叠层43的阳极。在这种情况下，电极垫101a、101b、101c可以分别连接于第一LED叠层23、第二LED叠层33及第三LED叠层43的阴极。
在本实施例中，第一LED叠层23、第二LED叠层33及第三LED叠层43可以通过电极垫101a、101b、101c、101d被单独驱动。为了稳定的电连接，电极垫101a、101b、101c、101d可以形成为具有相对较大的面积。例如，电极垫101a、101b、101c、101d可以分别具有大于发光元件100上表面的1/4的面积。
再次参照图2及图3，缓冲物质层1005填充发光元件100与电路基板1001之间的区域。并且，缓冲物质层1005可以覆盖发光元件100之间的电路基板1001。缓冲物质层1005可以覆盖电极垫101的侧面并相接于发光元件100的下表面。缓冲物质层1005的上表面大致位于发光元件100的上表面的下侧。缓冲物质层1005的一部分也可以部分地覆盖发光元件100的侧面。但是，覆盖发光元件的侧面的缓冲物质层1005的一部分也不超过发光元件100的上表面高度。
如图3所示，缓冲物质层1005可以包括分散在矩阵内的导电性颗粒1005a、1005b。导电性颗粒1005a彼此分开地布置于垫1003之间的区域，因此不提供电路径。导电性颗粒1005a可以大致具有球形形状，然而并不一定局限于此。
另外，导电性颗粒1005b布置于垫1003与电极垫101之间而将其电连接。导电性颗粒1005b可能因压力而被挤压，从而具有水平方向的宽度大于竖直方向的厚度的形状。导电性颗粒1005b可以彼此隔开，但是也可以彼此接触。
导电性颗粒1005a、1005b例如可以是Ni、Au、Sn等金属颗粒、纳米管或纳米线等导电性纳米颗粒等。并且，导电性颗粒1005a、1005b也可以是在聚合物颗粒上涂覆有金属层的导电颗粒。
由于聚合物被涂覆金属层的导电颗粒容易因压力而变形，因此适合于在垫1003与电极垫101之间将它们电连接。
并且，缓冲物质层1005可以包括对光透明的矩阵，然而本实用新型并不局限于此。例如，缓冲物质层1005可以反射光或吸收光，为此也可以使用具有反光特性的矩阵或具有吸光特性的矩阵。或者，也可以在矩阵内含有诸如炭黑等吸光物质或者诸如二氧化硅等光散射物质。
在一实施例中，缓冲物质层1005可以具有在发光元件100之间的区域凹陷形成的槽101g。槽101g对应于电极垫101的形状。尤其，槽101g可以通过电极垫101形成。例如，在发光元件100如图4所示地具有四个电极垫101a、101b、101c、101d的情况下，可以在两个发光元件100之间形成至少四个槽101g。然而本实用新型并不局限于此，也可以在发光元件100之间的区域去除缓冲物质层1005。
另外，在一实施例中，所述缓冲物质层1005例如可以利用各向异性导电膜(ACF：anisotropic conductive film)形成。导电性颗粒1005a可以遍布缓冲物质层1005的整个区域而大致均匀地分布。导电性颗粒1005b彼此靠近地布置，从而比导电性颗粒1005a更密集地布置。
在另一实施例中，所述缓冲物质层1005可以利用各向异性导电膏(ACP：anisotropic conductive paste)形成，进而，所述缓冲物质层1005可以利用包括焊料颗粒的自组装各向异性导电膏(SAP：self assembly anisotropic conductive paste)形成。因此，导电性颗粒1005a可以在垫1003与电极垫101之间凝聚，并且导电性颗粒1005a可以在发光元件100之间的区域非常稀少地残留或不残留。
在又一实施例中，缓冲物质层1005可以是不包括导电性颗粒1005a、1005b的非导电性物质层，并且垫1003与电极垫101可以利用In、Pb、AuSn、CuSn或焊料键合进行键合。例如，缓冲物质层1005可以利用旋涂玻璃(SOG)或BCB等形成。
另外，虽然图2及图3未图示，但是在发光元件100之间的区域可以布置有阻光物质层。阻光物质层吸收光或反射光，因此防止发生发光元件之间的光干涉，从而提高显示器的对比度。阻光物质层也可以覆盖发光元件100。后文将通过显示面板制造方法对阻光物质层进行详细说明。
图8是用于说明根据本实用新型的又一实施例的发光元件100a的示意性的平面图，图9是沿图8的截取线C-C截取的示意性的剖视图。
参照图8及图9，根据本实施例的发光元件100a差异在于凸起垫103a、103b、103c、103d分别追加于电极垫101a、101b、101c、101d上。进而，第二绝缘层61可以覆盖第一绝缘层51及电极垫101a、101b、101c、101d。第二绝缘层61可以利用硅氧化膜或硅氮化膜形成。
第二绝缘层61可以具有使电极垫101a、101b、101c、101d暴露的开口部，并且凸起垫103a、103b、103c、103d可以布置于暴露的电极垫上。
凸起垫103a、103b、103c、103d可以布置于第二绝缘层61的开口部内，凸起垫的上表面可以是平坦的面。作为一例，凸起垫103a、103b、103c、103d可以利用Au/In形成，例如，Au可以形成为3μm的厚度，In可以形成为约1μm的厚度。发光元件100可以利用In键合于电路基板1001上的垫1003。在本实施例中，虽然对利用In键合凸起垫的情形进行说明，但是并不局限于In，也可以利用Pb或AuSn进行键合。
在本实施例中，对凸起垫103a、103b、103c、103d的上表面平坦的情形进行说明及图示，但是本实用新型并不局限于此。例如，凸起垫103a、103b、103c、103d的上表面也可以是不规则的面，凸起垫的一部分也可以位于第二绝缘层61上。
如图10所示，第一LED叠层23可以电连接于凸起垫103a、103d，第二LED叠层33电连接于凸起垫103b、103d，第三LED叠层43电连接于凸起垫103c、103d。即，第一LED叠层23、第二LED叠层33、第三LED叠层43的阴极共同电连接于凸起垫103d，阳极分别电连接于凸起垫103a、103b、103c。因此，第一LED叠层23、第二LED叠层33、第三LED叠层43可以独立驱动。
如图11所示，也可以为第一LED叠层23、第二LED叠层33、第三LED叠层43的阳极共同电连接于凸起垫103d，阴极分别电连接于凸起垫103a、103b、103c。
以下对显示面板制造方法进行说明，据此将更详细地理解显示面板1000的结构。
在要将发光元件100转印到电路基板1001的情况下，凸起垫103a、103b、103c、103d可以连接于电路基板1001的垫1003。
图12A、图12B、图12C、图12D及图12E是用于说明制造根据本实用新型的一实施例的显示面板的方法的示意性的剖视图。
参照图12A，在基板41上形成多个发光元件100。发光元件100包括电极垫101。由于发光元件100与参照图4及图5进行的说明相同，因此为了避免重复而省略详细说明。
基板41可以是用于使第三LED叠层43的半导体层43a、43b、43c生长的生长基板。例如，基板41可以是氮化镓基板、SiC基板、蓝宝石基板或图案化的蓝宝石基板。
第二LED叠层33可以通过第二键合层40键合于第三LED叠层43，第一LED叠层23可以通过第一键合层30键合于第二LED叠层33。
在一实施例中，在键合第一LED叠层23、第二LED叠层33、第三LED叠层43之后，可以执行图案化工序，从而分离为多个发光元件区域。接着，可以形成第一绝缘层51及电极垫101。并且，虽然未详细图示及说明，但是为了将电极垫101与第一LED叠层23、第二LED叠层33、第三LED叠层43电连接，可以在第一LED叠层23及第二LED叠层33形成贯通孔，并且可以对第三LED叠层43的第二导电型半导体层43c及活性层43b部分地进行图案化。并且，如上文所述，还可以在第一LED叠层23、第二LED叠层33、第三LED叠层43的第二导电型半导体层23c、33c、43c上形成透明电极。
参照图12B，在各个像素区域形成有垫1003的电路基板1001上贴附各向异性导电膜1005。各向异性导电膜1005在矩阵内包括导电性颗粒1005a、1005b。各向异性导电膜1005覆盖电路基板1001上的垫1003。各向异性导电膜1005内的导电性颗粒1005b位于垫1003上。
在此，导电性颗粒1005a表示位于垫1003的上部区域外侧的导电性颗粒，导电性颗粒1005b表示位于垫1003上部的导电性颗粒。导电性颗粒1005a、1005b具有彼此相同的结构及形状。另外，位于垫1003上部的各向异性导电膜1005的厚度相似于或大于电极垫101的厚度。
参照图12C，形成于基板41上的发光元件100通过各向异性导电膜1005键合于垫1003。此时，基板41的发光元件100可以比像素区域更密集地布置。因此，如图所示，基板41上的发光元件100中的一部分可以位于像素区域之间，并且不键合于垫1003。
另外，垫1003与电极垫101通过各向异性导电膜1005内的导电性颗粒1005b电连接。基板41可以朝向电路基板1001加压，因此导电性颗粒1005b可能由于压力而变形。并且，在将发光元件100粘结到各向异性导电膜1005的期间可能施加热量。例如，各向异性导电膜1005的矩阵可能由于热量而固化。
各向异性导电膜1005的一部分可以将发光元件100之间的间隙至少部分地填充，因此可以至少部分地覆盖发光元件100的侧面。
在发光元件100贴附于各向异性导电膜1005之后，激光通过基板41向连接于垫1003的发光元件100照射，从而发光元件100从基板41分离。
参照图12D，将基板41从各向异性导电膜1005分离，从而连接于垫1003的发光元件100被转印到电路基板1001上，未被照射激光的发光元件100从各向异性导电膜1005分离。据此，制造在电路基板1001的像素区域键合有发光元件100的显示面板1000。
另外，随着未被照射激光的发光元件100从各向异性导电膜1005分离，可以在各向异性导电膜1005表面形成有通过电极垫101产生的槽101g。
此外，参照图12E，还可以形成填充发光元件100之间的区域的阻光物质层1007。阻光物质层1007可以覆盖发光元件100的侧面，进而，还可以覆盖发光元件100的上表面。阻光物质层1007可以将覆盖电路基板1001的缓冲物质层1005覆盖，并且可以填充槽101g。
阻光物质层1007吸收或反射通过发光元件100的侧面射出的光，从而防止发光元件之间的光干涉。为此，阻光物质层1007例如可以利用诸如黑色环氧树脂或黑色硅树脂等黑色成型剂形成。在另一实施例中，阻光物质层1007也可以利用诸如白色环氧树脂或白色硅树脂等反光物质形成。
在本实施例中，虽然图示了阻光物质层1007覆盖发光元件100的上表面的情形，但是阻光物质层1007可以形成为填充发光元件100之间的区域并使发光元件100的上表面暴露。此时，阻光物质层1007的高度可以与发光元件100的上表面的高度一致。
根据本实施例，利用各向异性导电膜1005，从而通过各向异性导电膜1005能够缓解为了激光剥离而照射激光的期间施加于发光元件100的冲击。即，各向异性导电膜1005用作缓解施加于发光元件100的冲击的缓冲物质层，因此能够防止在转印发光元件100的期间元件发生不良的情形。
在本实施例中，虽然图示并说明了各向异性导电膜1005贴附于电路基板1001侧的情形，但是各向异性导电膜1005也可以以覆盖发光元件100的方式贴附于基板41上。
并且，在本实施例中，虽然说明了各向异性导电膜1005贴附于电路基板1001侧的情形，但是也可以使用各向异性导电膏。
图13A、图13B、图13C、图13D及图13E是用于说明制造根据本实用新型的又一实施例的显示面板的方法的示意性的剖视图。
参照图13A，如参照图12A进行的说明，在基板41上形成多个发光元件100。
参照图13B，在各个像素区域形成有垫1003的电路基板1001上形成自组装各向异性导电膏(SAP)2005。SAP 2005具有在诸如环氧树脂等树脂内分散有导电性颗粒2005a的结构。SAP 2005例如可以利用丝网印刷技术形成于电路基板1001上。
导电性颗粒2005a例如可以是焊料颗粒。具体而言，焊料颗粒可以含有Sn，并且可以含有选自Au、Ag、Bi、Cu、In中的至少一种。焊料颗粒的熔点可以低于树脂的固化温度。
参照图13C，在SAP 2005上放置形成有发光元件100的基板41。无需向基板41施加额外的压力。接着，向SAP 2005施加热量。热量可以通过烤箱利用热板施加，并且也可以利用点加热局部施加。随着向SAP 2005施加热量，在垫1003与电极垫101，导电性颗粒2005a凝聚而形成凝聚的导电性颗粒层2005c。导电性颗粒2005a凝聚的温度可以低于树脂的固化温度，因此导电性颗粒在树脂固化之前凝聚。
另外，SAP 2005的一部分可以至少部分地填充发光元件100之间的间隙，因此可以至少部分地覆盖发光元件100之间的侧面。
随着导电性颗粒2005a凝聚，垫1003与电极垫101电连接。另外，在发光元件100之间的区域也可能残留有导电性颗粒2005a，但是随着大量的导电性颗粒2005a凝聚在垫1003上，密度变小。
接着，固化树脂，从而发光元件100贴附到SAP 2005。另外，在垫1003与电极垫101之间凝聚的导电性颗粒层2005c也可以保持颗粒形状，但是保持比导电性颗粒2005a的熔点高的温度，从而颗粒的形状消失而变为一个层。
参照图13D，之后，利用选择性地照射激光的激光剥离技术将连接于垫1003的发光元件100从基板41分离，从而发光元件100被转印到电路基板1001。
另外，未连接于垫1003的发光元件100可以与基板41一同从SAP 2005分离，据此在SAP 2005的表面形成槽101g。
此外，参照图13E，如参照图12E进行的说明，阻光物质层1007可以填充发光元件100之间的区域。阻光物质层1007的上表面的高度可以与发光元件100的上表面的高度相同。在另一实施例中，阻光物质层1007也可以覆盖发光元件100的上表面。
根据本实施例，通过利用自组装各向异性导电膏2005，从而能够将垫1003与电极垫101稳定地电连接，并且防止发生电短路。并且，利用SAP 2005能够缓解冲击，因此能够防止由于激光剥离产生的冲击造成在发光元件100发生裂纹等缺陷的情形，从而能够将发光元件100安全地且集体地转印到电路基板1001上。
图14A、图14B、图14C及图14D是用于说明制造根据本实用新型的又一实施例的显示面板的方法的示意性的剖视图。
参照图14A，如参照图12A进行的说明，在基板41上形成多个发光元件100。
参照图14B，在具有垫1003的电路基板1001上形成绝缘物质层3005。绝缘物质层3005可以利用环氧树脂、聚合物、旋涂玻璃(SOG)、BCB等形成。绝缘物质层3005形成为使垫1003暴露。例如，可以利用光刻及蚀刻技术对绝缘物质层3005进行图案化。
参照图14C，在电路基板1001上布置形成有发光元件100的基板41。垫1003与电极垫101可以通过键合层3007彼此键合。键合层3007例如可以利用AuIn、AuSn、CuSn、Au、Ni等形成。
键合层3007可以通过在垫1003上或电极垫101上形成键合物质并使垫与电极垫彼此结合而形成。
绝缘物质层3005可以在垫1003与电极垫101键合后固化。绝缘物质层3005的一部分可以至少部分地填充发光元件100之间的间隙。
参照图14D，利用选择性激光剥离技术使发光元件100从基板41分离而转印到电路基板1001上。
由于一部分发光元件100从绝缘物质层3005分离，因此可以在绝缘物质层3005的表面形成槽101g。
虽然未图示，但是如图12E或图13E所示，阻光物质层1007可以填充发光元件100之间的区域。
根据本实施例，可以通过绝缘物质层3005缓解在照射激光期间施加于发光元件100的冲击，因此能够防止在发光元件100发生裂纹等缺陷的情形。
图15A、图15B、图15C及图15D是用于说明制造根据本实用新型的又一实施例的显示面板的方法的示意性的剖视图。
参照图15A，如参照图12A进行的说明，在基板41上形成多个发光元件100。
参照图15B，在像素区域形成有垫1003的电路基板1001上布置形成有发光元件100的基板41。发光元件100的电极垫101可以通过键合层3007键合于垫1003。键合层3007例如可以利用AuIn、AuSn、CuSn、Au、Ni等形成。键合层3007可以通过在垫1003上或电极垫101上形成键合物质并使垫与电极垫彼此接合而形成。
参照图15C，利用绝缘物质层4005填充基板41与电路基板1001之间的区域。绝缘物质层4005可以利用环氧树脂、聚合物、BCB等形成。绝缘物质层4005可以相接于发光元件100的下表面，并且可以覆盖垫1003及电极垫101的侧面。进而，绝缘物质层4005的一部分可以至少部分地填充发光元件100之间的间隙。接着，绝缘物质层4005可以被固化。
参照图15D，利用选择性激光剥离技术使发光元件100从基板41分离而转印到电路基板1001上。
由于一部分发光元件100从绝缘物质层4005分离，因此可以在绝缘物质层4005的表面形成槽101g。
虽然未图示，但是如图12E或图13E所示，阻光物质层1007可以填充发光元件100之间的区域。
根据本实施例，可以通过绝缘物质层4005缓解在照射激光期间施加于发光元件100的冲击，因此能够防止在发光元件100发生裂纹等缺陷的情形。
图16A、图16B、图16C、图16D及图16E是用于说明制造根据本实用新型的又一实施例的显示面板的方法的示意性的剖视图。
参照图16A，如参照图12A进行的说明，在基板41上形成多个发光元件100。
参照图16B，如参照图14B进行的说明，在具有垫1003的电路基板1001上形成绝缘物质层3005。绝缘物质层3005可以利用环氧树脂、聚合物、旋涂玻璃(SOG)、BCB等形成。但是，在本实施例中，绝缘物质层3005可以形成为不仅使垫1003暴露，而且使电路基板1001的一部分暴露。尤其，绝缘物质层3005可以被图案化为使电路基板1001在垫1003之间的区域暴露，据此，可以形成开口部3005a。例如，可以利用光刻及蚀刻技术对绝缘物质层3005进行图案化。
参照图16C，在电路基板1001上布置形成有发光元件100的基板41。垫1003与电极垫101可以通过键合层3007彼此键合。键合层3007例如可以利用AuIn、AuSn、CuSn、Au、Ni等形成。
键合层3007可以通过在垫1003上或电极垫101上形成键合物质并使垫与电极垫彼此接合而形成。
绝缘物质层3005可以在垫1003与电极垫101键合后固化。绝缘物质层3005的一部分可以至少部分地覆盖发光元件100之间的侧面。
另外，位于键合到电路基板1001的发光元件100之间的发光元件位于电路基板1001上的绝缘物质层3005的开口部3005a上。
参照图16D，利用选择性激光剥离技术使发光元件100从基板41分离而转印到电路基板1001上。
另外，一部分发光元件100与基板41一同从电路基板1001被去除。在此，由于与基板41一同被去除的发光元件100布置于绝缘物质层3005的开口部3005a上部，因此在绝缘物质层3005不形成如同上文实施例的槽101g。
参照图16E，如参照图12E或图13E进行的说明，阻光物质层1007可以填充发光元件100之间的区域。阻光物质层1007也可以覆盖绝缘物质层3005的上表面的一部分。并且，如上文所述，阻光物质层1007也可以覆盖发光元件100的上表面。
根据本实施例，可以通过绝缘物质层3005缓解在照射激光期间施加于发光元件100的冲击，因此能够防止在发光元件100发生裂纹等缺陷的情形。
图17A、图17B、图17C、图17D及图17E是用于说明制造根据本实用新型的又一实施例的显示面板的方法的示意性的剖视图。
参照图17A、图17B、图17C、图17D及图17E，根据本实施例的显示面板制造方法与参照图12A、图12B、图12C、图12D及图12E所述的显示面板制造方法大致相似，但是差异在于在键合发光元件100之前对各向异性导电膜1005或各向异性导电膏进行图案化。以下，为了避免重复说明，关于本实施例的制造方法针对与上文的实施例不同的事项进行详细说明。
如图17B所示，各向异性导电膜1005或各向异性导电膏可以被图案化为具有使得电路基板1001的表面在垫1003之间暴露的开口部1005c。尤其，在使用各向异性导电膏的情况下，可以利用丝网印刷技术等进行图案化。在另一实施例中，也可以利用感光性聚合物等形成各向异性导电膜1005或各向异性导电膏，进而利用光刻或蚀刻技术进行图案化。
如图17C所示，各向异性导电膜1005或各向异性导电膏可以被图案化为具有比发光元件100的宽度大的宽度，因此，发光元件100的下表面可以全部贴附于各向异性导电膜1005或各向异性导电膏。进而，发光元件100的侧面可以部分地被各向异性导电膜1005或各向异性导电膏覆盖。
由于发光元件100的下表面全部接触于各向异性导电膜1005或各向异性导电膏，因此当向发光元件100照射激光时，通过各向异性导电膜1005或各向异性导电膏能够缓解施加于发光元件100的冲击。
参照图17D，发光元件100可以被转印到电路基板1001上，并且电路基板1001在发光元件100之间的区域暴露。因此，与上文的实施例不同，未形成槽101g。
此外，参照图17E，发光元件100之间的区域可以被阻光物质层1007填充。在本实施例中，阻光物质层1007可以相接于电路基板1001的表面。进而，阻光物质层1007可以部分地覆盖各向异性导电膜1005或各向异性导电膏的上表面。并且，虽然未图示，但是如参照图12E进行的说明，阻光物质层1007还可以覆盖发光元件100的上表面。
图18A、图18B、图18C及图18D是用于说明制造根据本实用新型的又一实施例的显示面板的方法的示意性的剖视图。
上文所说明的实施例涉及利用激光剥离技术将位于基板41上的发光元件100选择性地转印到电路基板1001上来制造显示面板的情形。在此，基板41可以是为了使第三LED叠层43生长而使用的生长基板，例如可以是蓝宝石基板。
然而，本实用新型并不局限于利用激光剥离技术转印发光元件100。即，也可以在将单个发光元件芯片预先以垫1003的间隔重新排列之后利用临时带将发光元件转印到电路基板1001。图18A、图18B、图18C及图18D示出利用带(tape)将预先重新排列的发光元件芯片转印到电路基板1001的方法。
首先，参照图18A，在基板41上形成有发光元件100的发光元件芯片在带121上整齐排列而进行准备。发光元件芯片可以以与电路基板1001的垫1003的间隔对应的方式整齐排列。带121也可以提供于临时基板(未图示)上。发光元件芯片可以在基板41上形成发光元件100后将基板41以单个芯片单位进行划分而提供。
参照图18B，如参照图12B进行的说明，在电路基板1001上形成各向异性导电膜1005。也可以使用各向异性导电膏代替各向异性导电膜1005。
参照图18C，贴附于带121的发光元件芯片通过各向异性导电膜1005键合于垫1003。在本实施例中，由于发光元件芯片以对应于像素区域的方式预先整齐排列，因此如图所示，发光元件芯片对应于像素区域而键合于垫1003。
另外，垫1003与电极垫101通过各向异性导电膜1005内的导电性颗粒1005b电连接。基板41可以朝向电路基板1001加压，因此导电性颗粒1005b可能由于压力而变形。并且，在将发光元件100粘结于各向异性导电膜1005的期间可以施加热量。例如，各向异性导电膜1005的矩阵可以借助热量而固化。此时，如图所示，各向异性导电膜1005的一部分可以至少部分地覆盖发光元件100的侧面。
参照图18D，将带121从发光元件分离，从而发光元件芯片被转印到电路基板1001上，据此制造发光元件芯片键合于电路基板1001的像素区域的显示面板1000。在此，发光元件芯片可以分别包括发光元件100和基板41。
此外，阻光物质层可以布置于发光元件芯片之间的区域。阻光物质层可以覆盖发光元件100的侧面，进而还可以覆盖基板41的侧面。并且，阻光物质层还可以覆盖基板41表面。
在本实施例中，虽然对利用各向异性导电膜1005或各向异性导电膏将整齐排列于带121上的发光元件芯片转印到电路基板1001的情形进行了说明，但是本实用新型并不局限于此。例如，参照图13A至图13E、图14A至图14D、图15A至图15D、图16A至图16E及图17A至图17E进行说明的上文的实施例也可以应用转印整齐排列于带121上的发光元件芯片的方法。
并且，在上文中说明的实施例中，虽然图示并说明了电极垫101连接于垫1003的情形，但是本实用新型并不局限于此。例如，也可以是参照图8及图9进行说明的发光元件100a转印到电路基板1001，因此，发光元件100a的凸起垫103a、103b、103c、103d也可以连接于垫1003。在这种情况下，在发光元件100之间的缓冲物质层1005、2005、3005、4005形成的槽101g可以通过凸起垫103a、103b、103c、103d形成。
以上，已对本实用新型的多样的实施例进行了说明，然而本实用新型并不限定于这些实施例。并且，在不脱离本实用新型的技术思想的范围内，对一个实施例说明的事项或构成要素也可以应用于其他实施例。

Claims (21)

1.一种显示面板，其特征在于，包括：
电路基板，具有垫；
发光元件，电连接于所述垫而整齐排列于所述电路基板上；以及
缓冲物质层，布置于所述电路基板与所述发光元件之间而填充所述电路基板与所述发光元件之间的空间，
其中，所述缓冲物质层位于所述发光元件的上表面的下侧。
2.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，
所述缓冲物质层覆盖位于所述发光元件之间的所述电路基板的表面，并且在两个发光元件之间的区域具有多个槽。
3.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，
各个发光元件包括电极垫，
所述电极垫电连接于所述垫。
4.根据权利要求3所述的显示面板，其特征在于，还包括：
导电性颗粒，布置于所述电路基板上的垫与所述发光元件的电极垫之间，
其中，所述垫与所述电极垫通过所述导电性颗粒电连接。
5.根据权利要求4所述的显示面板，其特征在于，
所述缓冲物质层还包括在所述发光元件之间的区域彼此隔开的导电性颗粒。
6.根据权利要求3所述的显示面板，其特征在于，还包括：
阻光物质层，布置于所述发光元件之间的区域而阻断通过发光元件的侧面射出的光。
7.根据权利要求6所述的显示面板，其特征在于，
所述阻光物质层覆盖所述缓冲物质层的上表面的一部分。
8.根据权利要求3所述的显示面板，其特征在于，还包括：
焊料层，形成于所述垫与电极垫之间，
其中，所述垫与所述电极垫通过所述焊料层电连接。
9.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，
所述发光元件包括：
第一LED叠层、第二LED叠层、第三LED叠层，射出互不相同的波长的光；
电极垫，电连接于所述第一LED叠层至第三LED叠层；以及
凸起垫，布置于所述电极垫上，
其中，所述凸起垫电连接于所述电路基板上的垫。
10.根据权利要求9所述的显示面板，其特征在于，
在所述电路基板的垫与所述凸起垫之间还包括键合层，
所述键合层包括In、Pb、AuSn、CuSn或焊料。
11.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，
所述缓冲物质层为固化后的树脂、聚合物、BCB或SOG。
12.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，
所述发光元件分别包括第一LED叠层、第二LED叠层、第三LED叠层，并且第一LED叠层至第三LED叠层射出互不相同的波长的光。
13.根据权利要求12所述的显示面板，其特征在于，
所述发光元件通过所述第三LED叠层射出在所述第一LED叠层至第三LED叠层生成的光。
14.根据权利要求13所述的显示面板，其特征在于，
所述第三LED叠层从生长基板分离。
15.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，
所述发光元件之间的间隔大于所述发光元件的宽度。
16.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，
所述缓冲物质层覆盖位于所述发光元件之间的所述电路基板的表面，
所述缓冲物质层包括导电性颗粒，
所述导电性颗粒在所述电路基板与所述发光元件之间的区域相比于在所述发光元件之间的区域更密集地布置。
17.一种显示装置，是包括显示面板的显示装置，其特征在于，
所述显示面板包括：
电路基板，具有垫；
发光元件，电连接于所述垫而整齐排列于所述电路基板上；以及
缓冲物质层，布置于所述电路基板与所述发光元件之间而填充所述电路基板与所述发光元件之间的空间，
其中，所述缓冲物质层位于所述发光元件的上表面的下侧。
18.根据权利要求17所述的显示装置，其特征在于，
所述缓冲物质层覆盖位于所述发光元件之间的所述电路基板的表面，并且在两个发光元件之间的区域具有多个槽。
19.根据权利要求17所述的显示装置，其特征在于，
各个发光元件包括电极垫，
所述电极垫电连接于所述垫。
20.根据权利要求17所述的显示装置，其特征在于，
所述发光元件分别包括第一LED叠层、第二LED叠层、第三LED叠层，并且第一LED叠层至第三LED叠层射出互不相同的波长的光，
所述发光元件通过所述第三LED叠层射出在所述第一LED叠层至第三LED叠层生成的光。
21.根据权利要求17所述的显示装置，其特征在于，还包括：
阻光物质层，布置于所述发光元件之间的区域而阻断通过发光元件的侧面射出的光。
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