KR102251016B1 - Film formation apparatus and film formation method - Google Patents

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Abstract

수증기 분압을 안정시켜, 투명 도전막의 막질(膜質)을 보다 안정시킨다. 성막 장치는, 제1 진공실과, 가스 공급원과, 성막원(成膜原)과, 제어 장치를 구비한다. 상기 제1 진공실에서는, 감압(減壓) 상태가 유지되고, 기판을 보관유지(保持)하는 캐리어의 반입출(搬入出)이 가능하게 되어 있다. 상기 가스 공급원은, 상기 제1 진공실에, 수증기 가스를 공급할 수 있다. 상기 성막원은, 상기 제1 진공실에 배치되어, 상기 기판에 형성되는 투명 도전막의 재료를 발생시킬 수 있다. 상기 제어 장치는, 상기 투명 도전막이 상기 기판에 형성될 때, 상기 제1 진공실의 수증기 분압을 제1 분압 이상이고 상기 제1 분압 보다 높은 제2 분압 이하인 범위로 제어한다.The partial pressure of water vapor is stabilized, and the film quality of the transparent conductive film is more stabilized. The film forming apparatus includes a first vacuum chamber, a gas supply source, a film forming source, and a control device. In the first vacuum chamber, a reduced pressure state is maintained, and a carrier for storing and holding a substrate can be carried in and out. The gas supply source may supply steam gas to the first vacuum chamber. The film formation source may be disposed in the first vacuum chamber to generate a material for a transparent conductive film formed on the substrate. When the transparent conductive film is formed on the substrate, the control device controls the partial pressure of water vapor in the first vacuum chamber to a range equal to or higher than a first partial pressure and equal to or lower than a second partial pressure higher than the first partial pressure.

Description

성막 장치 및 성막 방법Film formation apparatus and film formation method

본 발명은, 성막 장치 및 성막 방법에 관한 것이다.The present invention relates to a film forming apparatus and a film forming method.

터치 패널 등에 이용되는 투명 도전막의 성막에 있어서는, 일반적으로는, 대면적 성막, 막 막질(膜質) 제어 등이 뛰어난 스퍼터링(Sputtering)법이 채용된다. 스퍼터링법에서는, 투명 도전막에서의 산소 결손(缺損)을 억제하기 위해, 진공 용기 내에 산소 가스를 도입하는 경우가 있다(예를 들면, 특허문헌 1 참조).In forming a transparent conductive film used for a touch panel or the like, generally, a sputtering method excellent in large area film formation and film quality control is employed. In the sputtering method, oxygen gas is sometimes introduced into a vacuum container in order to suppress oxygen vacancies in the transparent conductive film (for example, see Patent Document 1).

단, 실제의 성막 프로세스에서는, 도입 가스 이외의 가스도 진공 용기 내에 존재한다. 이러한 가스로는, 수증기를 들 수 있다. 예를 들면, 수증기는, 처리실의 내벽이나 진공실에 설치된 부품으로부터 방출된다. 수증기에 대해서는, 미리 진공 용기를 배기(排氣)하면서 베이킹(Baking)하거나, 성막 전에 예비 방전을 실시함으로써, 충분한 탈 가스 처리가 이루어진다.However, in the actual film forming process, gases other than the introduced gas are also present in the vacuum container. Water vapor is mentioned as such a gas. For example, water vapor is discharged from an inner wall of a processing chamber or a component installed in a vacuum chamber. Regarding water vapor, sufficient degassing treatment is achieved by baking while evacuating the vacuum container in advance, or performing preliminary discharge before film formation.

그러나, 성막 장치 중에는, 정기적으로 기판을 다른 진공실로부터 처리실로 반입하거나, 성막 처리가 종료한 기판을 다시 처리실로부터 다른 진공실로 반출하는 타입이 있다. 이러한 장치에서는, 다른 진공실로부터 반입되는 새로운 기판 및 기판 보관유지(保持)용의 캐리어가 다시 수증기원이 되는 경우가 있다. 또한, 기판 및 캐리어의 반입출(搬入出)에 의해 처리실이 개방되면, 다른 진공실과 처리실의 사이에서 수증기가 이동하는 경우도 있다.However, among the film forming apparatuses, there is a type in which a substrate is periodically carried in from another vacuum chamber to a processing chamber, or a substrate after which the film forming process has been completed is carried out from the processing chamber to another vacuum chamber again. In such an apparatus, a new substrate carried in from another vacuum chamber and a carrier for holding the substrate may become a source of water vapor again. In addition, when the processing chamber is opened by carrying in/out of the substrate and the carrier, water vapor may move between the other vacuum chambers and the processing chamber.

따라서, 실제의 성막 프로세스에서는 처리실에서의 수증기 분압(分壓)이 안정되지 않고, 투명 도전막의 막질이 성막 마다 불규칙하게 분포하는 경우가 있다.Therefore, in an actual film formation process, the partial pressure of water vapor in the processing chamber is not stable, and the film quality of the transparent conductive film may be irregularly distributed for each film formation.

[특허문헌 1] 국제 공개 제2010/004937호[Patent Document 1] International Publication No. 2010/004937

이상과 같은 사정을 감안하여, 본 발명의 목적은, 처리실에서의 수증기 분압을 안정시켜, 투명 도전막의 막질이 보다 안정되는 성막 장치 및 성막 방법을 제공하는 것에 있다.In view of the above circumstances, an object of the present invention is to provide a film forming apparatus and a film forming method in which the partial pressure of water vapor in a processing chamber is stabilized and the film quality of a transparent conductive film is more stable.

상기 목적을 달성하기 위해, 본 발명의 일 형태에 따른 성막 장치는, 제1 진공실과, 가스 공급원과, 성막원(成膜原)과, 제어 장치를 구비한다. 상기 제1 진공실에서는, 감압(減壓) 상태가 유지되고, 기판을 보관유지(保持)하는 캐리어의 반입출(搬入出)이 가능하게 되어 있다. 상기 가스 공급원은, 상기 제1 진공실에, 수증기 가스를 공급할 수 있다. 상기 성막원은, 상기 제1 진공실에 배치되어, 상기 기판에 형성되는 투명 도전막의 재료를 발생시킬 수 있다. 상기 제어 장치는, 상기 투명 도전막이 상기 기판에 형성될 때, 상기 제1 진공실의 수증기 분압을 제1 분압 이상이고 상기 제1 분압 보다 높은 제2 분압 이하인 범위로 제어한다.In order to achieve the above object, a film forming apparatus according to one embodiment of the present invention includes a first vacuum chamber, a gas supply source, a film forming source, and a control device. In the first vacuum chamber, a reduced pressure state is maintained, and a carrier for storing and holding a substrate can be carried in and out. The gas supply source may supply steam gas to the first vacuum chamber. The film formation source may be disposed in the first vacuum chamber to generate a material for a transparent conductive film formed on the substrate. When the transparent conductive film is formed on the substrate, the control device controls the partial pressure of water vapor in the first vacuum chamber to a range equal to or higher than a first partial pressure and equal to or lower than a second partial pressure higher than the first partial pressure.

이러한 성막 장치에 의하면, 상기 제1 진공실에서 상기 가스 공급원 이외(以外)로부터 수증기가 방출되어도, 상기 제1 진공실에서의 수증기 분압이 제1 분압 이상 제2 분압 이하의 범위로 제어된다. 이에 따라, 투명 도전막의 막질이 보다 안정된다.According to such a film forming apparatus, even if water vapor is released from other than the gas supply source in the first vacuum chamber, the partial pressure of water vapor in the first vacuum chamber is controlled to a range of not less than the first partial pressure and not more than the second partial pressure. Accordingly, the film quality of the transparent conductive film is more stable.

상기의 성막 장치에서는, 상기 제1 진공실의 상기 수증기 분압은, 상기 가스 공급원으로부터 공급되는 상기 수증기 가스에 의한 분압과, 상기 제1 진공실의 내벽(內壁), 상기 기판, 상기 캐리어 및 상기 성막원 중 적어도 하나에서 방출하는 수증기 가스에 의한 분압을 포함해도 무방하다.In the film forming apparatus described above, the partial pressure of water vapor in the first vacuum chamber is a partial pressure due to the water vapor gas supplied from the gas supply source, and an inner wall of the first vacuum chamber, the substrate, the carrier, and the film forming source. It is also possible to include the partial pressure due to the steam gas discharged from at least one of the.

이러한 성막 장치에 의하면, 상기 제1 진공실의 상기 수증기 분압이 상기 가스 공급원으로부터 공급되는 상기 수증기 가스에 의한 분압과, 상기 제1 진공실의 내벽, 상기 기판, 상기 캐리어 및 상기 성막원 중 적어도 하나에서 방출하는 수증기 가스에 의한 분압을 포함해도, 상기 제1 진공실에서의 상기 수증기 분압이 제1 분압 이상 제2 분압 이하의 범위로 제어되어, 투명 도전막의 막질이 보다 안정된다.According to such a film forming apparatus, the partial pressure of the water vapor in the first vacuum chamber is discharged from at least one of the partial pressure by the water vapor gas supplied from the gas supply source, and the inner wall of the first vacuum chamber, the substrate, the carrier, and the film forming source. Even if the partial pressure due to the steam gas is included, the partial pressure of the steam in the first vacuum chamber is controlled within a range of not less than the first partial pressure and not more than the second partial pressure, so that the film quality of the transparent conductive film is more stable.

상기의 성막 장치에 있어서는, 상기 제어 장치는, 상기 제1 진공실의 상기 수증기 분압이 상기 제2 분압 보다 낮고 상기 제1 분압 보다 높은 제3 분압 이하가 된 경우, 상기 제1 진공실에 상기 가스 공급원에 의해 상기 수증기 가스를 제1 유량으로 공급하는 제어를 실시한다. 상기 제어 장치는, 상기 제1 진공실의 상기 수증기 분압이 상기 제3 분압 보다 낮고 상기 제1 분압 보다 높은 제4 분압 이하가 된 경우, 상기 제1 진공실에 상기 가스 공급원에 의해 상기 수증기 가스를 상기 제1 유량 보다 큰 제2 유량으로 공급하는 제어를 실시한다. 상기 제어 장치는, 상기 제1 진공실의 상기 수증기 분압이 상기 제3 분압 보다 커진 경우, 상기 제1 진공실에 상기 가스 공급원에 의해 상기 수증기 가스를 상기 제1 유량 보다 작은 제3 유량으로 공급하는 제어를 실시한다.In the film forming apparatus described above, when the partial pressure of water vapor in the first vacuum chamber is lower than the second partial pressure and less than or equal to a third partial pressure higher than the first partial pressure, the control unit provides the gas supply source to the first vacuum chamber. Accordingly, control is performed to supply the steam gas at the first flow rate. The control device, when the partial pressure of the steam in the first vacuum chamber is lower than the third partial pressure and less than or equal to a fourth partial pressure higher than the first partial pressure, the steam gas is supplied to the first vacuum chamber by the gas supply source. Control to supply at a second flow rate greater than 1 flow rate. The control device, when the partial pressure of water vapor in the first vacuum chamber is greater than the third partial pressure, control for supplying the water vapor gas to the first vacuum chamber at a third flow rate smaller than the first flow rate by the gas supply source. Conduct.

이러한 성막 장치에 의하면, 상기 기판 또는 상기 캐리어로부터 수증기가 방출되어도, 상기 제1 진공실에서의 수증기 분압이 제1 분압 이상 제2 분압 이하의 범위에 들어가도록 제1 진공실에 수증기가 도입되어, 투명 도전막의 막질이 보다 안정된다.According to such a film forming apparatus, even when water vapor is discharged from the substrate or the carrier, water vapor is introduced into the first vacuum chamber so that the partial pressure of water vapor in the first vacuum chamber falls within a range of not less than the first partial pressure and not more than the second partial pressure. The film quality of the film is more stable.

상기의 성막 장치에서는, 상기 제1 진공실에 감압 상태에서 연결 가능한 제2 진공실과, 상기 제2 진공실과 상기 제1 진공실의 사이에서 상기 캐리어가 이송(移送)되는 개구(開口)와, 상기 개구를 개폐(開閉)하는 밸브를 더 갖추어도 무방하다.In the film forming apparatus described above, a second vacuum chamber connectable to the first vacuum chamber in a reduced pressure state, an opening through which the carrier is transferred between the second vacuum chamber and the first vacuum chamber, and the opening are formed. It is okay to have more valves that open and close.

이러한 성막 장치에 의하면, 상기 제2 진공실과 상기 제1 진공실의 사이에서 수증기가 이동해도, 상기 제1 진공실에서의 수증기 분압이 제1 분압 이상 제2 분압 이하의 범위에 들어가도록 제1 진공실에 수증기가 도입되어, 투명 도전막의 막질이 보다 안정된다.According to such a film forming apparatus, even if water vapor moves between the second vacuum chamber and the first vacuum chamber, the water vapor in the first vacuum chamber is so that the partial pressure of water vapor in the first vacuum chamber falls within a range of not less than the first partial pressure and not more than the second partial pressure. Is introduced, so that the film quality of the transparent conductive film is more stable.

상기의 성막 장치에서는, 상기 제2 유량은, 상기 제1 유량의 100% 보다 크고 120% 이하이고, 상기 제3 유량은, 상기 제1 유량의 80% 이상이고 100% 보다 작아도 무방하다.In the film forming apparatus described above, the second flow rate may be greater than 100% and 120% or less of the first flow rate, and the third flow rate may be 80% or more and less than 100% of the first flow rate.

이러한 성막 장치에 의하면, 상기 기판 또는 상기 캐리어로부터 수증기가 방출되어도, 상기 제1 진공실에서의 수증기 분압이 제1 분압 이상 제2 분압 이하의 범위에 들어가도록 제1 진공실에 수증기가 도입되어, 투명 도전막의 막질이 보다 안정된다.According to such a film forming apparatus, even when water vapor is discharged from the substrate or the carrier, water vapor is introduced into the first vacuum chamber so that the partial pressure of water vapor in the first vacuum chamber falls within a range of not less than the first partial pressure and not more than the second partial pressure. The film quality of the film is more stable.

상기 목적을 달성하기 위해, 본 발명의 일 형태에 따른 성막 방법은, 감압 상태가 유지되어 기판을 보관유지하는 캐리어의 반입출이 가능한 제1 진공실에, 수증기 가스를 공급하는 것을 포함한다. 상기 제1 진공실에 배치된 성막원으로부터 투명 도전막 재료가 발생한다. 상기 제1 진공실의 수증기 분압을 제1 분압 이상이고 상기 제1 분압 보다 높은 제2 분압 이하의 범위로 제어하여 투명 도전막이 상기 기판에 형성된다.In order to achieve the above object, a film forming method according to one embodiment of the present invention includes supplying a steam gas to a first vacuum chamber in which a carrier holding and holding a substrate is maintained in a reduced pressure state. A transparent conductive film material is generated from a film forming source disposed in the first vacuum chamber. A transparent conductive film is formed on the substrate by controlling the partial pressure of water vapor in the first vacuum chamber to be greater than or equal to the first partial pressure and less than or equal to the second partial pressure higher than the first partial pressure.

이러한 성막 방법에 의하면, 상기 제1 진공실에서의 수증기 분압이 제1 분압 이상 제2 분압 이하의 범위로 제어되어, 투명 도전막의 막질이 보다 안정된다.According to such a film forming method, the partial pressure of water vapor in the first vacuum chamber is controlled within a range of not less than the first partial pressure and not more than the second partial pressure, so that the film quality of the transparent conductive film is more stable.

상기의 성막 방법에서는, 상기 제1 진공실의 상기 수증기 가스로서, 가스 공급원으로부터 공급되는 수증기 가스와, 상기 제1 진공실의 내벽, 상기 기판, 상기 캐리어 및 상기 성막원 중 적어도 하나에서 방출하는 수증기 가스를 이용해도 무방하다.In the above film formation method, as the water vapor gas in the first vacuum chamber, water vapor gas supplied from a gas supply source and water vapor gas discharged from at least one of the inner wall of the first vacuum chamber, the substrate, the carrier, and the film formation source are provided. You can use it.

이러한 성막 방법에 의하면, 상기 제1 진공실의 상기 수증기 분압이 상기 가스 공급원으로부터 공급되는 상기 수증기 가스와, 상기 제1 진공실의 내벽, 상기 기판, 상기 캐리어 및 상기 성막원 중 적어도 하나에서 방출하는 수증기 가스를 포함해도, 상기 제1 진공실에서의 상기 수증기 분압이 제1 분압 이상 제2 분압 이하의 범위로 제어되어, 투명 도전막의 막질이 보다 안정된다.According to such a film formation method, the water vapor gas in which the partial pressure of water vapor in the first vacuum chamber is supplied from the gas supply source, and water vapor gas emitted from at least one of the inner wall of the first vacuum chamber, the substrate, the carrier, and the film formation source Even if included, the partial pressure of water vapor in the first vacuum chamber is controlled within a range of not less than the first partial pressure and not more than the second partial pressure, so that the film quality of the transparent conductive film is more stable.

상기의 성막 방법에서는, 상기 제1 진공실의 상기 수증기 분압이 상기 제2 분압 보다 낮고 상기 제1 분압 보다 높은 제3 분압 이하가 된 경우, 상기 제1 진공실에 상기 가스 공급원에 의해 상기 수증기 가스를 제1 유량으로 공급해도 무방하고, 상기 제1 진공실의 상기 수증기 분압이 상기 제3 분압 보다 낮고 상기 제1 분압 보다 높은 제4 분압 이하가 된 경우, 상기 제1 진공실에 상기 가스 공급원에 의해 상기 수증기 가스를 상기 제1 유량 보다 큰 제2 유량으로 공급해도 무방하고, 상기 제1 진공실의 상기 수증기 분압이 상기 제3 분압 보다 커진 경우, 상기 제1 진공실에 상기 가스 공급원에 의해 상기 수증기 가스를 상기 제1 유량 보다 작은 제3 유량으로 공급해도 무방하다.In the above film forming method, when the partial pressure of water vapor in the first vacuum chamber is lower than the second partial pressure and less than or equal to the third partial pressure higher than the first partial pressure, the water vapor gas is produced in the first vacuum chamber by the gas supply source. If the water vapor partial pressure in the first vacuum chamber is lower than the third partial pressure and lower than the fourth partial pressure higher than the first partial pressure, the water vapor gas is supplied to the first vacuum chamber by the gas supply source. May be supplied at a second flow rate greater than the first flow rate, and when the partial pressure of water vapor in the first vacuum chamber is greater than the third partial pressure, the water vapor gas is supplied to the first vacuum chamber by the gas supply source. It may be supplied at a third flow rate smaller than the flow rate.

이러한 성막 방법에 의하면, 상기 기판 또는 상기 캐리어로부터 수증기가 방출되어도, 상기 제1 진공실에서의 수증기 분압이 제1 분압 이상 제2 분압 이하의 범위에 들어가도록 제1 진공실에 수증기가 도입되어, 투명 도전막의 막질이 보다 안정된다.According to this film forming method, even when water vapor is released from the substrate or the carrier, water vapor is introduced into the first vacuum chamber so that the partial pressure of water vapor in the first vacuum chamber falls within a range of not less than the first partial pressure and not more than the second partial pressure, and transparent conduction. The film quality of the film is more stable.

상기의 성막 방법에서는, 상기 제1 진공실에 감압 상태에서 연결 가능한 제2 진공실을 이용해도 무방하고, 상기 제2 진공실로부터 개구를 통해 상기 제1 진공실에 상기 기판 및 상기 캐리어를 반입해도 무방하고, 상기 제1 진공실에서 상기 기판에 스퍼터링 성막을 해도 무방하다.In the film formation method described above, a second vacuum chamber that can be connected to the first vacuum chamber in a reduced pressure state may be used, or the substrate and the carrier may be carried into the first vacuum chamber through an opening from the second vacuum chamber. The sputtering film may be formed on the substrate in the first vacuum chamber.

이러한 성막 방법에 의하면, 상기 제2 진공실과 상기 제1 진공실의 사이에서 수증기가 이동해도, 상기 제1 진공실에서의 수증기 분압이 제1 분압 이상 제2 분압 이하의 범위에 들어가도록 제1 진공실에 수증기가 도입되어, 투명 도전막의 막질이 보다 안정된다.According to such a film forming method, even if water vapor moves between the second vacuum chamber and the first vacuum chamber, the water vapor is stored in the first vacuum chamber so that the partial pressure of water vapor in the first vacuum chamber falls within the range of the first partial pressure or more and the second partial pressure or less. Is introduced, so that the film quality of the transparent conductive film is more stable.

상기의 성막 방법에서는, 상기 제2 유량은, 상기 제1 유량의 100% 보다 크고 120% 이하이고, 상기 제3 유량은, 상기 제1 유량의 80% 이상이고 100% 보다 작아도 무방하다.In the film forming method described above, the second flow rate may be greater than 100% and less than 120% of the first flow rate, and the third flow rate may be 80% or more and less than 100% of the first flow rate.

이러한 성막 방법에 의하면, 상기 기판 또는 상기 캐리어로부터 수증기가 방출되어도, 상기 제1 진공실에서의 수증기 분압이 제1 분압 이상 제2 분압 이하의 범위에 들어가도록 제1 진공실에 수증기가 도입되어, 투명 도전막의 막질이 보다 안정된다.According to this film forming method, even when water vapor is released from the substrate or the carrier, water vapor is introduced into the first vacuum chamber so that the partial pressure of water vapor in the first vacuum chamber falls within a range of not less than the first partial pressure and not more than the second partial pressure, and transparent conduction. The film quality of the film is more stable.

이상에서 언급한 것처럼, 본 발명에 의하면, 처리실 내에서의 수증기 분압을 안정시켜, 투명 도전막의 막질이 보다 안정되는 성막 장치 및 성막 방법이 제공된다.As mentioned above, according to the present invention, there is provided a film forming apparatus and a film forming method in which the partial pressure of water vapor in a processing chamber is stabilized and the film quality of a transparent conductive film is more stable.

[도 1] 본 실시 형태에 따른 성막 장치의 개략적 단면도이다.
[도 2] 수증기 분압과 투명 도전막의 저항률과의 관계의 일례를 도시한 그래프도이다.
[도 3] 제1 진공실에서의 수증기 분압이 제어되는 타임차트도이다.
[도 4] 산소 분압과 ITO막의 저항률과의 관계의 일례를 도시한 그래프도이다.1 is a schematic cross-sectional view of a film forming apparatus according to the present embodiment.
2 is a graph showing an example of the relationship between the partial pressure of water vapor and the resistivity of the transparent conductive film.
3 is a time chart diagram in which the partial pressure of water vapor in the first vacuum chamber is controlled.
Fig. 4 is a graph showing an example of the relationship between the partial pressure of oxygen and the resistivity of the ITO film.

이하, 도면을 참조하면서, 본 발명의 실시 형태를 설명한다. 각 도면에는, XYZ축 좌표가 도입되는 경우가 있다.EMBODIMENT OF THE INVENTION Hereinafter, embodiment of this invention is described, referring drawings. In each drawing, XYZ axis coordinates may be introduced.

도 1은, 본 실시 형태에 따른 성막 장치의 개략적 단면도이다.1 is a schematic cross-sectional view of a film forming apparatus according to the present embodiment.

도 1에 도시한 성막 장치(101)는, 진공 용기(10)와, 기판 반송(返送) 기구(20)와, 성막원(30)과, 가스 공급원(70)과, 압력계(壓力計)(75)와, 제어 장치(Controller)(80)를 구비한다.The film-forming apparatus 101 shown in FIG. 1 includes a vacuum container 10, a substrate transfer mechanism 20, a film-forming source 30, a gas supply source 70, and a pressure gauge. 75) and a control device (Controller) 80 are provided.

진공 용기(10)는, 제1 진공실(11), 제2 진공실(12) 및 제3 진공실(13)을 가진다. 도 1에서는, 제2 진공실(12) 및 제3 진공실(13)의 각각의 일부가 도시되어 있다. 또한, 진공실의 수는, 3개로 한정되지는 않으며, 2개 이하 혹은 4개 이상이어도 무방하다.The vacuum container 10 has a first vacuum chamber 11, a second vacuum chamber 12, and a third vacuum chamber 13. In FIG. 1, a part of each of the second vacuum chamber 12 and the third vacuum chamber 13 is shown. In addition, the number of vacuum chambers is not limited to three, and may be two or less or four or more.

제1 진공실(11), 제2 진공실(12) 및 제3 진공실(13)의 각각은, 감압 상태를 유지하는 것이 가능하다. 예를 들면, 제1 진공실(11) 내의 가스는, 배기구(排氣口)(10d)를 통해서 터보 분자 펌프 등의 배기 기구에 의해 외부(外部)로 배기된다. 제2 진공실(12) 및 제3 진공실(13)의 각각에 대해서도, 배기 기구에 의해 감압 상태가 유지된다. 배기 기구에는, 터보 분자 펌프의 상류(上流)에 크라이오 트랩(Cryo-Trap)이 설치되어도 무방하다.Each of the first vacuum chamber 11, the second vacuum chamber 12, and the third vacuum chamber 13 can maintain a reduced pressure state. For example, the gas in the first vacuum chamber 11 is exhausted to the outside by an exhaust mechanism such as a turbo molecular pump through an exhaust port 10d. Also in each of the second vacuum chamber 12 and the third vacuum chamber 13, a reduced pressure state is maintained by the exhaust mechanism. In the exhaust mechanism, a cryo-trap may be provided upstream of the turbomolecular pump.

도 1의 예에서는, 연속 방식(예를 들면, 인라인(in-line)식)의 성막 장치(101)가 도시되어 있다. 예를 들면, 제2 진공실(12)은, 제1 진공실(11)에 감압 상태에서 연결 가능하게 되어 있다. 제3 진공실(13)은, 제1 진공실(11)에 감압 상태에서 연결 가능하게 되어 있다. 진공 용기(10)에서는, 측벽(側壁)(10wa)에 밸브(15)가 설치되고, 측벽(10wb)에 밸브(16)가 설치되어 있다.In the example of Fig. 1, a film forming apparatus 101 of a continuous type (for example, an in-line type) is shown. For example, the second vacuum chamber 12 can be connected to the first vacuum chamber 11 in a reduced pressure state. The third vacuum chamber 13 can be connected to the first vacuum chamber 11 in a reduced pressure state. In the vacuum container 10, the valve 15 is provided on the side wall 10wa, and the valve 16 is provided on the side wall 10wb.

예를 들면, 밸브(15)가 열린 상태가 되면, 제2 진공실(12)과 제1 진공실(11)의 사이에 개구(開口)가 형성되고, 밸브(15)가 닫힌 상태가 되면, 제2 진공실(12)과 제1 진공실(11) 사이의 개구가 닫혀진다. 밸브(16)가 열린 상태가 되면, 제1 진공실(11)과 제3 진공실(13)의 사이에 개구가 형성되고, 밸브(16)가 닫힌 상태가 되면, 제1 진공실(11)과 제3 진공실(13) 사이의 개구가 닫혀진다.For example, when the valve 15 is in an open state, an opening is formed between the second vacuum chamber 12 and the first vacuum chamber 11, and when the valve 15 is in a closed state, the second The opening between the vacuum chamber 12 and the first vacuum chamber 11 is closed. When the valve 16 is in an open state, an opening is formed between the first vacuum chamber 11 and the third vacuum chamber 13, and when the valve 16 is in a closed state, the first vacuum chamber 11 and the third vacuum chamber 11 The openings between the vacuum chambers 13 are closed.

제1 진공실(11)은, 성막 장치(101)에서의 성막 가능한 처리실로서 기능한다. 예를 들면, 밸브(15)가 열린 상태가 되어, 기판(21) 및 기판(21)을 지지하는 캐리어(기판 홀더)(22)가 제2 진공실(12)로부터 개구를 통해 제1 진공실(11)에 반입되고, 밸브(15)가 닫힌 상태가 되면, 제1 진공실(11)에서 기판(21)에 스퍼터링 성막이 이루어진다. 스퍼터링 성막이 종료하면, 밸브(16)가 열린 상태가 되고, 기판(21) 및 캐리어(22)가 제1 진공실(11)로부터 개구를 통해 제3 진공실(13)로 반출된다.The first vacuum chamber 11 functions as a process chamber capable of forming a film in the film forming apparatus 101. For example, when the valve 15 is in an open state, the substrate 21 and the carrier (substrate holder) 22 supporting the substrate 21 are opened from the second vacuum chamber 12 through the opening of the first vacuum chamber 11. ), and when the valve 15 is closed, a sputtering film is formed on the substrate 21 in the first vacuum chamber 11. When the sputtering film formation is completed, the valve 16 is opened, and the substrate 21 and the carrier 22 are carried out from the first vacuum chamber 11 to the third vacuum chamber 13 through the opening.

기판(21)은, 예를 들면, 평면(平面) 형상이 구형(矩形)인 글래스 기판을 포함한다. 기판(21)이 성막원(30)에 대향하는 면은, 성막면(21d)이다.The substrate 21 includes, for example, a glass substrate having a spherical shape. The surface on which the substrate 21 faces the film formation source 30 is the film formation surface 21d.

기판 반송 기구(20)는, 기판(21)을 제1 진공실(11)에 반입하거나, 제1 진공실(11) 밖으로 반출한다. 예를 들면, 기판 반송 기구(20)는, 롤러 회전 기구(20r) 및 프레임부(20f)를 가진다. 롤러 회전 기구(20r)는, 프레임부(20f)에 의해 지지되어 있다. 그리고, 롤러 회전 기구(20r) 상(上)에, 기판(21) 및 캐리어(22)가 재치(載置)되면, 롤러 회전 기구(20r)가 자전(自 轉)하는 것에 의해, 기판(21) 및 캐리어(22)가 밸브(15)로부터 밸브(16)를 향해 슬라이드 이송된다.The substrate transfer mechanism 20 carries the substrate 21 into the first vacuum chamber 11 or takes out the first vacuum chamber 11. For example, the substrate conveyance mechanism 20 includes a roller rotation mechanism 20r and a frame portion 20f. The roller rotation mechanism 20r is supported by the frame part 20f. And when the board|substrate 21 and the carrier 22 are mounted on the roller rotation mechanism 20r, the board|substrate 21 is rotated by the roller rotation mechanism 20r. ) And the carrier 22 slide from the valve 15 toward the valve 16.

제1 진공실(11)에서의 기판(21)의 반입출은, 예를 들면, 자동적으로 실시된다. 또한, 성막 장치(101)에서 성막 처리가 이루어지는 기판의 매수는, 1매로 한정되지는 않는다. 예를 들면, 성막 장치(101)에 넣어진 복수의 기판(21)이 제1 진공실(11)에서 정기적으로 1매씩 성막 처리가 이루어진다. 이에 따라, 밸브(15, 16)의 어느 하나는, 정기적으로 개폐(開閉)한다.Carrying in and out of the substrate 21 in the first vacuum chamber 11 is performed automatically, for example. In addition, the number of substrates on which the film forming process is performed in the film forming apparatus 101 is not limited to one. For example, a plurality of substrates 21 put in the film forming apparatus 101 are regularly subjected to a film forming process one by one in the first vacuum chamber 11. Accordingly, either of the valves 15 and 16 is periodically opened and closed.

성막원(30)은, 제1 성막원(31) 및 제2 성막원(32)을 가진다. 제1 성막원(31)은, 제1 타겟(31T), 제1 백킹 튜브(Backing Tube)(31B), 제1 자기 회로(31M) 및 제1 전원(35P)을 가진다. 제2 성막원(32)은, 제2 타겟(32T), 제2 백킹 튜브(32B), 제2 자기 회로(32M) 및 제2 전원(36P)을 가진다. 제1 타겟(31T) 및 제2 타겟(32T)은, 이른바 로터리 타겟(Rotary target)이다.The film formation source 30 has a first film formation source 31 and a second film formation source 32. The first film formation source 31 has a first target 31T, a first backing tube 31B, a first magnetic circuit 31M, and a first power supply 35P. The second film formation source 32 has a second target 32T, a second backing tube 32B, a second magnetic circuit 32M, and a second power supply 36P. The first target 31T and the second target 32T are so-called rotary targets.

제1 타겟(31T)은, 제1 백킹 튜브(31B)에 지지된다. 제1 자기 회로(31M)는, 제1 타겟(31T) 내에 배치되어 있는 동시에, 제1 백킹 튜브(31B) 내에 배치된다. 제2 타겟(32T)은, 제2 백킹 튜브(32B)에 지지된다. 제2 자기 회로(32M)는, 제2 타겟(32T) 내에 배치되어 있는 동시에, 제2 백킹 튜브(32B) 내에 배치된다. 제1 백킹 튜브(31B) 및 제2 백킹 튜브(32B) 각각의 내부에는, 냉각 매체가 흐르는 유로(流路)(미도시)가 설치되어도 무방하다.The first target 31T is supported by the first backing tube 31B. The first magnetic circuit 31M is disposed in the first target 31T and is disposed in the first backing tube 31B. The second target 32T is supported by the second backing tube 32B. The second magnetic circuit 32M is disposed in the second target 32T and is disposed in the second backing tube 32B. In each of the first backing tube 31B and the second backing tube 32B, a flow path (not shown) through which the cooling medium flows may be provided.

제1 타겟(31T)과 제2 타겟(32T)은, 기판(21)에 대향(對向)한다. 제1 타겟(31T)과 제2 타겟(32T)은 기판(21)의 반송 방향(화살표(T)(Y축 방향))에 따라 배치되어 있다. 제1 타겟(31T)의 중심축(31c)은, 제1 타겟(31T)의 길이 방향(X축 방향)에 평행이다. 제2 타겟(32T)의 중심축(32c)은, 제2 타겟(32T)의 길이 방향(X축 방향)에 평행이다.The first target 31T and the second target 32T face the substrate 21. The 1st target 31T and the 2nd target 32T are arrange|positioned along the conveyance direction of the board|substrate 21 (arrow T (Y-axis direction)). The central axis 31c of the first target 31T is parallel to the longitudinal direction (X-axis direction) of the first target 31T. The central axis 32c of the second target 32T is parallel to the longitudinal direction (X-axis direction) of the second target 32T.

제1 타겟(31T), 제1 백킹 튜브(31B), 제2 타겟(32T) 및 제2 백킹 튜브(32B)의 각각은, 원통형(圓筒形)이다. 단, 제1 타겟(31T), 제1 백킹 튜브(31B), 제2 타겟(32T) 및 제2 백킹 튜브(32B)의 각각은, 원통형으로 한정되지 않고, 원판형(圓板型)이어도 무방하다.Each of the first target 31T, the first backing tube 31B, the second target 32T, and the second backing tube 32B has a cylindrical shape. However, each of the first target 31T, the first backing tube 31B, the second target 32T, and the second backing tube 32B is not limited to a cylindrical shape, and may be a disk shape. Do.

제1 타겟(31T)의 중심축(31c)은, 기판(21)의 반송 방향(T)에 대해 교차(交差)하고 있다. 제2 타겟(32T)의 중심축(32c)은, 기판(21)의 반송 방향에 대해 교차하고 있다. 예를 들면, 중심축(31c, 32c)의 각각은, Y축 방향에 대해 직교(直交)하고, X축 방향에 대해 평행이다. 제1 타겟(31T)은, 중심축(31c)을 축으로 회전 가능하게 구성되어 있다. 제2 타겟(32T)은, 중심축(32c)을 축으로 회전 가능하게 구성되어 있다.The central axis 31c of the first target 31T intersects with the conveyance direction T of the substrate 21. The central axis 32c of the 2nd target 32T intersects with the conveyance direction of the board|substrate 21. For example, each of the central axes 31c and 32c is orthogonal to the Y-axis direction and parallel to the X-axis direction. The first target 31T is configured to be rotatable about the central axis 31c. The second target 32T is configured to be rotatable about the central axis 32c.

제1 타겟(31T)의 재료는, 제2 타겟(32T)의 재료와 같아도 무방하고, 달라도 무방하다. 예를 들면, 제1 타겟(31T) 및 제2 타겟(32T)의 각각은, ITO(산화 인듐 주석(산화 주석 함유량: 1 wt% 이상 15 wt% 이하))을 포함한다. ITO에서의 산화 주석의 함유량은 일례이며, 이 값으로 한정되지 않는다. 덧붙여, 기판 반송 기구(20)와 성막원(30)의 사이에는, 방착판(防着板)(10p)이 설치되어 있다.The material of the first target 31T may be the same as or different from the material of the second target 32T. For example, each of the first target 31T and the second target 32T contains ITO (indium tin oxide (tin oxide content: 1 wt% or more and 15 wt% or less)). The content of tin oxide in ITO is an example and is not limited to this value. In addition, between the substrate transfer mechanism 20 and the film forming source 30, an anti-rust plate 10p is provided.

성막 장치(101)에 있어서, 제1 자기 회로(31M)는, 중심축(31c)을 축으로 회전 가능하게 구성되고, 제2 자기 회로(32M)는, 중심축(32c)을 축으로 회전 가능하게 구성되어도 무방하다. 이에 따라, 제1 자기 회로(31M)로부터 제1 타겟(31T)의 표면(表面)에 누설(漏洩)하는 자력선(磁力線)(제1 타겟(31T)의 표면을 따라 형성되는 자장)의 위치가 가변(可變)이 되도록 구성된다. 또한, 제2 자기 회로(32M)로부터 제2 타겟(32T)의 표면에 누설하는 자력선(제2 타겟(32T)의 표면을 따라 형성되는 자장)의 위치가 가변이 되도록 구성된다.In the film forming apparatus 101, the first magnetic circuit 31M is configured to be rotatable about the central axis 31c, and the second magnetic circuit 32M is rotatable about the central axis 32c. It is okay to be configured in a way. Accordingly, the position of the magnetic line of force (a magnetic field formed along the surface of the first target 31T) leaking from the first magnetic circuit 31M to the surface of the first target 31T is It is configured to be variable. Further, the position of the magnetic force line (a magnetic field formed along the surface of the second target 32T) leaking from the second magnetic circuit 32M to the surface of the second target 32T is configured to be variable.

도 1의 예에서는, 예를 들면, 제1 자기 회로(31M) 및 제2 자기 회로(32M)의 각각이 타겟을 통해 기판(21)에 대향하도록 배치되어 있다. 이에 따라, 제1 타겟(31T)의 표면에서의 자속 밀도(magnetic flux density)는, 제1 타겟(31T)과 기판(21)과의 사이에서 높아진다. 또한, 제2 타겟(32T)의 표면에서의 자속 밀도는, 제2 타겟(32T)과 기판(21)과의 사이에서 높아진다.In the example of FIG. 1, for example, each of the first magnetic circuit 31M and the second magnetic circuit 32M is disposed so as to face the substrate 21 via a target. Accordingly, the magnetic flux density on the surface of the first target 31T increases between the first target 31T and the substrate 21. Further, the magnetic flux density on the surface of the second target 32T increases between the second target 32T and the substrate 21.

성막 장치(101)에서, 진공 용기(10) 내에 방전용 가스가 도입되어, 제1 타겟(31T)에 제1 전원(35P)으로부터 전압이 인가되면, 제1 타겟(31T)과 어스부(earth part)(진공 용기(10), 기판 반송 기구(20), 캐리어(22) 및 방착판(10p) 등)의 사이에서 방전용 가스가 전리(電離)해, 제1 타겟(31T)과 어스부의 사이에 플라즈마가 발생한다. 또한, 제2 타겟(32T)에 제2 전원(36P)으로부터 전압이 인가되면, 제2 타겟(32T)과 어스부의 사이에서 방전용 가스가 전리해, 제2 타겟(32T)과 어스부의 사이에 플라즈마가 발생한다.In the film forming apparatus 101, when a discharge gas is introduced into the vacuum container 10 and a voltage is applied to the first target 31T from the first power source 35P, the first target 31T and the earth portion are part) Discharge gas is ionized between (vacuum container 10, substrate conveyance mechanism 20, carrier 22, and anti-deposition plate 10p, etc.), and the first target 31T and the earth part Plasma is generated in between. In addition, when a voltage is applied to the second target 32T from the second power source 36P, the discharge gas is ionized between the second target 32T and the earth part, and between the second target 32T and the earth part. Plasma is generated.

각 타겟으로 공급되는 전압은, 직류 전압 또는 교류 전압이다. 교류 전압의 주파수는, 10 kHz 이상 300 MHz 이하(예를 들면, 13.56 MHz)이다.The voltage supplied to each target is a DC voltage or an AC voltage. The frequency of the AC voltage is 10 kHz or more and 300 MHz or less (for example, 13.56 MHz).

제1 타겟(31T) 및 제2 타겟(32T)의 각각에서 방출하는 스퍼터링 입자는, 기판(21)의 성막면(21d)에 도달한다. 이에 따라, 성막면(21d)에는, 제1 타겟(31T)으로부터 스퍼터링된 스퍼터링 입자(S1)와, 제2 타겟(32T)으로부터 스퍼터링된 스퍼터링 입자(S2)가 혼합된 층(예를 들면, 투명 도전막)이 형성된다.Sputtering particles emitted from each of the first target 31T and the second target 32T reach the film formation surface 21d of the substrate 21. Accordingly, on the film-forming surface 21d, a layer in which the sputtering particles S1 sputtered from the first target 31T and the sputtering particles S2 sputtered from the second target 32T are mixed (for example, transparent A conductive film) is formed.

가스 공급원(70)은, 유량 조정기(71) 및 가스 노즐(72)을 가진다. 유량 조정기(71)는, 제1 유량 조정기(71a), 제2 유량 조정기(71b) 및 제3 유량 조정기(71c)를 가진다. 가스 노즐(72)은, 제1 가스 노즐(72a), 제2 가스 노즐(72b) 및 제3 가스 노즐(72c)을 가진다. 제1 유량 조정기(71a), 제2 유량 조정기(71b) 및 제3 유량 조정기(71c)의 각각은, 제어 장치(80)에 의해 제어되고 있다. 유량 조정기(71) 및 가스 노즐(72)의 각각의 수는, 도시된 수로 한정되지 않는다.The gas supply source 70 has a flow rate regulator 71 and a gas nozzle 72. The flow rate regulator 71 includes a first flow rate regulator 71a, a second flow rate regulator 71b, and a third flow rate regulator 71c. The gas nozzle 72 includes a first gas nozzle 72a, a second gas nozzle 72b, and a third gas nozzle 72c. Each of the first flow rate regulator 71a, the second flow rate regulator 71b, and the third flow rate regulator 71c is controlled by the control device 80. The number of each of the flow rate regulator 71 and the gas nozzle 72 is not limited to the number shown.

제1 진공실(11)에는, 가스 공급원(70)에 의해 진공 용기(10) 내에 방전용 가스가 공급된다. 방전용 가스는, 예를 들면, 아르곤, 헬륨 등의 희가스(希gas), 산소(O2), 수증기(H20) 등이다. 예를 들면, 희가스는, 제1 유량 조정기(71a) 및 제1 가스 노즐(72a)에 의해 제1 진공실(11)에 공급된다. 산소는, 제2 유량 조정기(71b) 및 제2 가스 노즐(72b)에 의해 제1 진공실(11)에 공급된다. 수증기는, 제3 유량 조정기(71c) 및 제3 가스 노즐(72c)에 의해 제1 진공실(11)에 공급된다.Discharge gas is supplied into the vacuum container 10 to the first vacuum chamber 11 by a gas supply source 70. The discharge gas is, for example, a rare gas such as argon or helium, oxygen (O 2 ), water vapor (H 2 0), and the like. For example, the rare gas is supplied to the first vacuum chamber 11 by the first flow rate regulator 71a and the first gas nozzle 72a. Oxygen is supplied to the first vacuum chamber 11 by the second flow rate regulator 71b and the second gas nozzle 72b. Water vapor is supplied to the first vacuum chamber 11 by the third flow rate regulator 71c and the third gas nozzle 72c.

압력계(75)는, 제1 압력계(75a) 및 제2 압력계(75b)를 가진다. 예를 들면, 제1 진공실(11)의 전체 압력은, 제1 압력계(75a)에 의해 계측되고, 제1 진공실(11)의 수증기 분압은, 제2 압력계(75b)에 의해 계측된다. 예를 들면, 제1 압력계(75a)는, 전리 진공계(ionization vacuum gauge)이고, 제2 압력계(75b)는, 질량 분석계이다. 제1 압력계(75a) 및 제2 압력계(75b)의 각각에 의해 계측된 측정치는, 제어 장치(80)로 보내진다.The pressure gauge 75 includes a first pressure gauge 75a and a second pressure gauge 75b. For example, the total pressure of the first vacuum chamber 11 is measured by the first pressure gauge 75a, and the partial pressure of water vapor in the first vacuum chamber 11 is measured by the second pressure gauge 75b. For example, the first pressure gauge 75a is an ionization vacuum gauge, and the second pressure gauge 75b is a mass spectrometer. The measured values measured by each of the first pressure gauge 75a and the second pressure gauge 75b are sent to the control device 80.

성막 장치(101)의 성막 방법(동작)에 대해 설명한다.The film forming method (operation) of the film forming apparatus 101 will be described.

성막 장치(101)에서는, 가스 공급원(70)이 제1 진공실(11)에 수증기 가스를 공급하는 수증기 가스 공급원이 되고 있다. 그러나, 성막 장치(101)에서는, 가스 공급원(70) 이외의 부분이 수증기원이 되는 경우가 있다.In the film forming apparatus 101, the gas supply source 70 serves as a steam gas supply source for supplying steam gas to the first vacuum chamber 11. However, in the film forming apparatus 101, portions other than the gas supply source 70 may become a water vapor source.

예를 들면, 성막 장치(101)에서는, 진공 용기(10), 방착판(10p), 기판 반송 기구(20), 기판(21), 캐리어(22) 및 성막원(30) 중 적어도 하나의 표면으로부터는, 극 미량의 수증기 가스가 방출되는 경우가 있다.For example, in the film forming apparatus 101, the surface of at least one of the vacuum container 10, the adhesion-proof plate 10p, the substrate transfer mechanism 20, the substrate 21, the carrier 22, and the film forming source 30 From this, a very small amount of water vapor gas may be released.

예를 들면, 성막 장치(101)에서는, 정기적으로 새로운 기판(21) 및 캐리어(22)가 제1 진공실(11)에 반입된다. 이에 따라, 성막 처리 마다, 새롭게 반입된 기판(21) 및 캐리어(22)가 수증기원이 되는 경우가 있다.For example, in the film forming apparatus 101, new substrates 21 and carriers 22 are regularly carried into the first vacuum chamber 11. Accordingly, the substrate 21 and the carrier 22 that are newly carried in each film forming process may become a water vapor source.

또한, 성막 개시 전에 미리 진공 용기(10), 방착판(10p) 및 기판 반송 기구(20) 등에 대해 베이킹 처리(탈 가스 처리)를 실시했다고 해도, 방전 개시에 따라 진공 용기(10), 방착판(10p) 및 기판 반송 기구(20) 등이 플라즈마에 의해 다시 데워지면, 진공 용기(10), 방착판(10p) 및 기판 반송 기구(20) 등의 각각의 표면으로부터 수증기가 방출하는 경우가 있다.In addition, even if baking treatment (degassing treatment) has been performed on the vacuum container 10, the adhesion-proof plate 10p, the substrate transfer mechanism 20, etc. in advance before the start of film formation, the vacuum container 10, the adhesion-proof plate (10p) When the substrate transfer mechanism 20 and the like are heated again by plasma, water vapor may be emitted from the respective surfaces of the vacuum container 10, the adhesion-proof plate 10p, and the substrate transfer mechanism 20, etc. .

특히, 기판(21)이 대형 기판(예를 들면, 평면 사이즈: 1500 mm×1850 mm 이상)일 때, 기판(21)을 지지하는 캐리어(22), 캐리어(22)를 반송하는 기판 반송 기구(20) 및 방착판(10p)도 대형이 된다. 이에 따라, 기판(21), 캐리어(22), 기판 반송 기구(20) 및 방착판(10p)의 각각의 표면으로부터 방출되는 수증기 가스를 무시할 수 없게 된다. 또한, 기판 반송에 의해 밸브(15, 16)가 열린 상태가 되면, 제2 진공실(12)과 제1 진공실(11)의 사이에서 수증기가 이동하거나, 제3 진공실(12)과 제1 진공실(11)의 사이에서 수증기가 이동하는 경우가 있다.In particular, when the substrate 21 is a large substrate (e.g., flat size: 1500 mm x 1850 mm or more), a carrier 22 supporting the substrate 21 and a substrate transport mechanism for transporting the carrier 22 ( 20) and the barrier plate (10p) are also large. Thereby, the water vapor gas emitted from the respective surfaces of the substrate 21, the carrier 22, the substrate transfer mechanism 20, and the barrier plate 10p cannot be ignored. In addition, when the valves 15 and 16 are opened by substrate transfer, water vapor moves between the second vacuum chamber 12 and the first vacuum chamber 11, or the third vacuum chamber 12 and the first vacuum chamber ( Water vapor may move between 11).

따라서, 제1 진공실(11)에 가스 공급원(70)에 의해 일정 유량의 수증기 가스를 공급해도, 가스 공급원(70) 이외에서 방출되는 수증기 가스가 더해져서, 제1 진공실(11)의 수증기 분압이 불규칙하게 분포하는 경우가 있다. 그리고, 제1 진공실(11)의 수증기 분압이 불규칙하게 분포하면, 투명 도전막의 산소 결손의 정도(程度)가 불규칙하게 분포하고, 투명 도전막의 막질(예를 들면, 저항률)이 불규칙하게 분포하는 경우가 있다.Therefore, even if the water vapor gas of a constant flow rate is supplied to the first vacuum chamber 11 by the gas supply source 70, the vapor gas discharged from other than the gas supply source 70 is added, so that the partial pressure of water vapor in the first vacuum chamber 11 is reduced. There are cases of irregular distribution. And, when the partial pressure of water vapor in the first vacuum chamber 11 is irregularly distributed, the degree of oxygen vacancies in the transparent conductive film is irregularly distributed, and the film quality (for example, resistivity) of the transparent conductive film is irregularly distributed. There is.

예를 들면, 도 2는, 수증기 분압(H2O partial pressure)과 투명 도전막의 저항률(Resistivity)과의 관계의 일례를 도시한 그래프도이다.For example, FIG. 2 is a graph showing an example of a relationship between a water vapor partial pressure (H 2 O partial pressure) and a resistivity of a transparent conductive film.

성막 조건은 이하와 같다.Film formation conditions are as follows.

타겟재: 산화 인듐 (95 wt%) / 산화 주석 (5 wt%)Target material: Indium oxide (95 wt%) / Tin oxide (5 wt%)

전력: 6 W/cm2 (DC 전원)Power: 6 W / cm 2 (DC power)

방전 가스: 아르곤/수증기Discharge gas: Argon/water vapor

전체 압력: 0.4 PaTotal pressure: 0.4 Pa

수증기 유량 / (아르곤 유량 + 수증기 유량): 0% 이상 4% 이하Water vapor flow / (Argon flow + water vapor flow): 0% or more and 4% or less

수증기 분압: 0 Pa 이상 0.018 Pa 이하Water vapor partial pressure: 0 Pa or more and 0.018 Pa or less

기판 온도: 37 ℃Substrate temperature: 37 ℃

막 아닐(Film Anneal): 120 ℃, 60분Film Anneal: 120 ℃, 60 minutes

도 2에는, 글래스 기판 위에 성막한 ITO막의 결과(ITO Layer/Glass)와, 글래스 기판 위에, IM(Index Matched) 막을 통해 성막한 ITO막의 결과(ITO Layer/IM Layer/Glass)가 도시되어 있다. 도 2에 도시한 것처럼, 수증기 분압에 따라, ITO막의 저항률이 변화하는 것을 알 수 있다.FIG. 2 shows the result of the ITO film formed on the glass substrate (ITO Layer/Glass) and the result of the ITO film formed on the glass substrate through an index matched (IM) film (ITO Layer/IM Layer/Glass). As shown in Fig. 2, it can be seen that the resistivity of the ITO film changes according to the partial pressure of water vapor.

이 편차를 억제하기 위해서는, 제1 진공실(11)의 수증기 분압(PH20)이 가스 공급원(70)으로부터 공급되는 수증기 가스에 의한 분압과, 가스 공급원(70) 이외에서 방출되는 수증기 가스에 의한 분압을 포함하고 있는 것을 전제로 하여, 제1 진공실(11)에 존재하는 전체 수증기량을 제어할 필요가 있다. In order to suppress this variation, the partial pressure P H20 of the water vapor in the first vacuum chamber 11 is the partial pressure due to the water vapor gas supplied from the gas supply source 70 and the partial pressure due to the water vapor gas discharged from other than the gas supply source 70. It is necessary to control the total amount of water vapor existing in the first vacuum chamber 11 on the premise of including.

본 실시 형태에서의 수증기 분압(PH20)의 제어 방법을 설명한다.A method of controlling the partial pressure of water vapor P H20 in this embodiment will be described.

도 3은, 제1 진공실에서의 수증기 분압이 제어되는 타임차트도이다. 횡축은 시간(time)(규격치)이고, 왼쪽 종축은 수증기 분압(H2O partial pressure)(규격치)이며, 오른쪽 종축은, 가스 공급원(70)으로부터의 수증기 유량(H2O flow)(규격치)이다.3 is a time chart diagram in which the partial pressure of water vapor in the first vacuum chamber is controlled. The horizontal axis is time (standard value), the left vertical axis is the water vapor partial pressure (H 2 O partial pressure) (standard value), and the right vertical axis is the water vapor flow rate (H 2 O flow) from the gas supply source 70 (standard value) to be.

성막 장치(101)에서는, 제1 진공실(11)에서 기판(21)에 투명 도전막이 형성될 때, 제어 장치(80)가 제2 압력계(75b)에 의해 측정된 수증기 분압(PH20)에 따라, 가스 공급원(70)으로부터 제1 진공실(11)에 공급할 수증기의 유량을 제어한다. 예를 들면, 투명 도전막의 성막 중에, 제어 장치(80)는, 제1 진공실(11)의 수증기 분압을 제1 분압(P1) 이상 제2 분압(P2) 이하의 범위로 제어한다. 여기서, 제2 분압(P2)은, 제1 분압(P1) 보다 높은 분압이라고 한다.In the film forming apparatus 101, when the transparent conductive film is formed on the substrate 21 in the first vacuum chamber 11, the control device 80 is controlled according to the water vapor partial pressure P H20 measured by the second pressure gauge 75b. , The flow rate of water vapor to be supplied from the gas supply source 70 to the first vacuum chamber 11 is controlled. For example, during film formation of the transparent conductive film, the control device 80 controls the partial pressure of water vapor in the first vacuum chamber 11 to a range of the first partial pressure P1 or more and the second partial pressure P2 or less. Here, the second partial pressure P2 is referred to as a partial pressure higher than the first partial pressure P1.

예를 들면, 성막 장치(101)의 제1 진공실(11)에, 다른 진공실로부터 기판(21) 및 캐리어(22)가 제1 진공실(11)에 이송되었다고 한다. 계속해서, 배기 기구에 의해 제1 진공실(11)이 진공 배기된다. 이에 따라, 제1 진공실(11)의 수증기 분압(PH20)이 서서히 감소한다(도 3: A 구간). 이 단계에서는, 가스 공급원(70)에 의해 제1 진공실(11)에 수증기가 공급되지 않는다.For example, it is assumed that the substrate 21 and the carrier 22 are transferred to the first vacuum chamber 11 of the film forming apparatus 101 from another vacuum chamber. Subsequently, the first vacuum chamber 11 is evacuated by the evacuation mechanism. Accordingly, the partial pressure of water vapor P H20 in the first vacuum chamber 11 gradually decreases (Fig. 3: Section A). In this step, water vapor is not supplied to the first vacuum chamber 11 by the gas supply source 70.

다음으로, 제1 진공실(11)의 수증기 분압(PH20)이 제3 분압(P3) 이하가 된 경우, 제어 장치(80)는, 제1 진공실(11)에 가스 공급원(70)에 의해 수증기 가스를 제1 유량(F1)으로 공급하는 제어를 실시한다. 여기서, 제3 분압(P3)은, 제2 분압(P2) 보다 낮고 제1 분압(P1) 보다 높은 분압이다.Next, when the partial pressure of water vapor (P H20 ) of the first vacuum chamber 11 becomes less than or equal to the third partial pressure (P3), the control device 80 passes the water vapor to the first vacuum chamber 11 by the gas supply source 70. Control of supplying gas at the first flow rate F1 is performed. Here, the third partial pressure P3 is a partial pressure lower than the second partial pressure P2 and higher than the first partial pressure P1.

다음으로, 제1 진공실(11)의 수증기 분압(PH20)이 제4 분압(P4) 이하가 된 경우, 제어 장치(80)는, 제1 진공실(11)에 가스 공급원(70)에 의해 수증기 가스를 제1 유량(F1) 보다 큰 제2 유량(F2)으로 공급하는 제어를 실시한다. 여기서, 제4 분압(P4)은, 제3 분압(P3) 보다 낮고 제1 분압(P1) 보다 높은 분압이다.Next, when the partial pressure of water vapor (P H20 ) of the first vacuum chamber 11 becomes less than or equal to the fourth partial pressure (P4), the control device 80 passes water vapor to the first vacuum chamber 11 by the gas supply source 70. Control of supplying the gas at a second flow rate F2 greater than the first flow rate F1 is performed. Here, the fourth partial pressure P4 is a partial pressure lower than the third partial pressure P3 and higher than the first partial pressure P1.

다음으로, 제1 진공실(11)의 수증기 분압(PH20)이 제3 분압(P3) 보다 커진 경우, 제어 장치(80)는, 제1 진공실(11)에 가스 공급원(70)에 의해 수증기를 제1 유량(F1) 보다 작은 제3 유량(F3)으로 공급하는 제어를 실시한다.Next, when the water vapor partial pressure P H20 of the first vacuum chamber 11 is greater than the third partial pressure P3, the control device 80 transmits water vapor to the first vacuum chamber 11 by the gas supply source 70. Control of supplying at a third flow rate F3 smaller than the first flow rate F1 is performed.

일례로서, 제1 분압(P1)은, 8×10-4 Pa 이상 1×10-3 Pa 이하이며, 제4 분압(P4)은, 1×10-3 Pa 이상 5×10-3 Pa 이하이며, 제3 분압(P3)은, 5×10-3 Pa 이상 1×10-2 Pa 이하이며, 제2 분압(P2)은, 1×10-2 Pa 이상 2×10-2 Pa 이하이다. 제2 유량(F2)은, 제1 유량(F1)의 100% 보다 크고 120% 이하의 유량이다. 예를 들면, 제2 유량(F2)은, 제1 유량(F1)의 110%의 유량이다. 제3 유량(F3)은, 제1 유량(F1)의 80% 이상이고 100% 보다 작은 유량이다. 예를 들면, 제3 유량(F3)은, 제1 유량(F1)의 90%의 유량이다.As an example, the first partial pressure P1 is 8×10 -4 Pa or more and 1×10 -3 Pa or less, and the fourth partial pressure P4 is 1×10 -3 Pa or more and 5×10 -3 Pa or less. , The third partial pressure P3 is 5×10 −3 Pa or more and 1×10 −2 Pa or less, and the second partial pressure P2 is 1×10 −2 Pa or more and 2×10 −2 Pa or less. The second flow rate F2 is greater than 100% of the first flow rate F1 and is a flow rate of 120% or less. For example, the second flow rate F2 is a flow rate of 110% of the first flow rate F1. The third flow rate F3 is a flow rate of 80% or more and less than 100% of the first flow rate F1. For example, the third flow rate F3 is a flow rate of 90% of the first flow rate F1.

투명 도전막의 성막은, 수증기 분압이 제1 분압(P1) 이상 제2 분압(P2) 이하의 범위에 들어간 상태(도 3: B 구간)에서 수행된다. 이러한 제어를 실시하면, 제1 진공실(11)의 수증기 분압이 제1 분압(P1) 이상 제2 분압(P2) 이하의 범위로 확실히 제어되고, 투명 도전막의 막질(예를 들면, 저항률)의 편차가 억제된다.The film formation of the transparent conductive film is performed in a state in which the partial pressure of water vapor enters a range of not less than the first partial pressure P1 and less than the second partial pressure P2 (Fig. 3: Section B). When such control is carried out, the partial pressure of water vapor in the first vacuum chamber 11 is reliably controlled within the range of the first partial pressure P1 or more and the second partial pressure P2 or less, and variations in the film quality (e.g., resistivity) of the transparent conductive film. Is suppressed.

이와 같이, 본 실시 형태에서는, 기판(21) 및 캐리어(22)의 반입출이 가능한 제1 진공실(11)에, 수증기 가스를 공급하고, 제1 진공실(11)에 배치된 성막원(30)으로부터, 투명 도전막 재료를 발생시킨다. 그리고, 제1 진공실(11)의 수증기 분압(PH20)을 제1 분압(P1) 이상 제2 분압(P2) 이하의 범위로 제어하여 투명 도전막을 기판(21)에 형성한다.As described above, in the present embodiment, water vapor gas is supplied to the first vacuum chamber 11 in which the substrate 21 and the carrier 22 can be carried in and out, and the film forming source 30 disposed in the first vacuum chamber 11 From, a transparent conductive film material is generated. Then, the partial pressure P H20 of the water vapor in the first vacuum chamber 11 is controlled to be within the range of the first partial pressure P1 to the second partial pressure P2 to form a transparent conductive film on the substrate 21.

이러한 성막 장치(101)에 의하면, 제1 진공실(11)에서, 재차 가스 공급원(70) 이외로부터 수증기가 방출되어도, 제1 진공실(11)에서의 수증기 분압(PH20)이 제1 분압(P1) 이상 제2 분압(P2) 이하의 범위로 제어되어, 투명 도전막의 막질이 보다 안정된다.According to such a film forming apparatus 101, even if water vapor is again discharged from other than the gas supply source 70 in the first vacuum chamber 11, the partial pressure P H20 of water vapor in the first vacuum chamber 11 is the first partial pressure P1 ) Or more and less than or equal to the second partial pressure P2, so that the film quality of the transparent conductive film is more stable.

또한, 수증기 분압을 적격(適格)으로 제어하면, 투명 도전막의 특성으로서 새로운 효과를 얻을 수 있었다.In addition, when the partial pressure of water vapor is appropriately controlled, a new effect can be obtained as a characteristic of the transparent conductive film.

도 4(a) 및 도 4(b)는, 산소 분압(O2 partial pressure)과 ITO막의 저항률(Resistivity)과의 관계의 일례를 도시한 그래프도이다. 단, 도 4(b)에는, ITO의 성막 중에, 수증기 가스가 첨가된 경우의 예가 도시되어 있다.4(a) and 4(b) are graphs showing an example of a relationship between an oxygen partial pressure (O 2 partial pressure) and a resistivity (Resistivity) of an ITO film. However, FIG. 4(b) shows an example in which water vapor gas is added during ITO film formation.

성막 조건은 이하와 같다. 덧붙여, 도면 중 흰색의 삼각 마크에 대해서는, 성막 후에 120 ℃, 60 분의 막 아닐이 실시되고 있다.Film formation conditions are as follows. In addition, about the white triangle mark in the figure, film annealing is performed at 120 degreeC for 60 minutes after film formation.

타겟재: 산화 인듐 (95 wt%) / 산화 주석 (5 wt%)Target material: Indium oxide (95 wt%) / Tin oxide (5 wt%)

전력: 6 kW/m (DC 전원)Power: 6 kW/m (DC power)

방전 가스: 아르곤/산소 (도 4(a)), 아르곤/산소/수증기 (도 4(b))Discharge gas: argon/oxygen (Fig. 4(a)), argon/oxygen/water vapor (Fig. 4(b))

전체 압력: 0.4 PaTotal pressure: 0.4 Pa

산소 분압: 0.004 Pa 이상 0.023 Pa 이하Oxygen partial pressure: 0.004 Pa or more and 0.023 Pa or less

수증기 분압: 0.009 Pa (도 4(b))Water vapor partial pressure: 0.009 Pa (Fig. 4(b))

기판 온도: 37 ℃Substrate temperature: 37 ℃

도 4(a)에 도시한 것처럼, 산소 분압에 따라, ITO막의 저항률이 변화하고 있다. 예를 들면, 도 4(a)에서는, 산소 분압이 0.004 Pa에서 0.018 Pa까지 상승하면, ITO막의 저항률이 내려가고 있다. 단, 산소 분압이 0.018 Pa을 넘으면, ITO막의 저항률이 다시 상승하는 경향이 있다. 이러한 저항률의 변화는, 예를 들면, 하나의 요인으로서, 산소 결손에 의해 전자이동도(電子移動度)가 저하하거나, 반대로 산소 결손에 의해 캐리어가 증가하는 것에 따른다. 또한, 성막 후의 ITO막에 아닐(Anneal) 처리를 가하면, ITO막의 저항률이 더 내려가는 경향이 있다. 이는, 아닐 처리에 의해 ITO막의 결정화가 진행되어, ITO막의 저항률이 더 내려갔다고 생각할 수 있다.As shown in Fig. 4A, the resistivity of the ITO film is changing according to the partial pressure of oxygen. For example, in Fig. 4(a), when the oxygen partial pressure rises from 0.004 Pa to 0.018 Pa, the resistivity of the ITO film decreases. However, when the oxygen partial pressure exceeds 0.018 Pa, the resistivity of the ITO film tends to rise again. Such a change in resistivity is due to, for example, a decrease in electron mobility due to oxygen vacancies, or an increase in carriers due to oxygen vacancies, as one factor. Further, when an annealing treatment is applied to the ITO film after film formation, the resistivity of the ITO film tends to decrease further. It can be considered that crystallization of the ITO film proceeded by the annealing treatment, and the resistivity of the ITO film further decreased.

한편, 성막 중의 첨가(添加) 가스로서, 산소와 함께 수증기를 첨가하면, 도 4(b)에 도시한 것처럼, ITO막의 저항률이 한층 더 내려갔다. 이 요인의 하나로서, 성막 중에 수증기를 첨가하면, ITO막에서의 미결정화(微結晶化)가 억제된다고 추측하고 있다. 이를 뒷받침하듯이, 수증기를 첨가한 ITO막에 아닐 처리를 가하면, 그 저항률이 한층 더 내려갔다. 이는, 수증기 첨가에 의해 ITO막의 미결정화가 미리 억제되었기 때문에, 아닐 처리에 의해 ITO막의 결정화가 한층 더 진행되었다고 추측하고 있다.On the other hand, when water vapor was added together with oxygen as an additive gas during film formation, the resistivity of the ITO film was further lowered, as shown in Fig. 4(b). As one of these factors, it is presumed that when water vapor is added during film formation, microcrystallization in the ITO film is suppressed. To support this, when annealing was applied to the ITO film to which water vapor was added, the resistivity was further lowered. This is presumed that since the microcrystallization of the ITO film was suppressed in advance by the addition of water vapor, crystallization of the ITO film was further advanced by the annealing treatment.

이와 같이, ITO막 형성에 있어서, 수증기 분압을 조정하는 것으로 ITO막의 저항률의 선택 폭이 넓어지는 것이 분명해졌다.In this way, in the formation of the ITO film, it has become clear that the selection of the resistivity of the ITO film is widened by adjusting the partial pressure of water vapor.

이상, 본 발명의 실시 형태에 대해 설명했지만, 본 발명은 상술의 실시 형태로만 한정되지 않고 다양한 변경을 더할 수 있음은 물론이다.As mentioned above, although the embodiment of this invention was demonstrated, it goes without saying that this invention is not limited only to the above-mentioned embodiment, and various changes can be added.

10: 진공 용기
10wa, 10wb: 측벽
10p: 방착판
10d: 배기구
11: 제1 진공실
12: 제2 진공실
13: 제3 진공실
15, 16: 밸브
20: 기판 반송 기구
20r: 롤러 회전 기구
20f: 프레임부
21: 기판
21d: 성막면
22: 캐리어
30: 성막원
31: 제1 성막원
31M: 제1 자기 회로
31T: 제1 타겟
31B: 제1 백킹 튜브
32: 제2 성막원
32M: 제2 자기 회로
32B: 제2 백킹 튜브
32T: 제2 타겟
31c, 32c: 중심축
35P: 제1 전원
36P: 제2 전원
70: 가스 공급원
71: 유량 조정기
71a: 제1 유량 조정기
71b: 제2 유량 조정기
71c: 제3 유량 조정기
72: 가스 노즐
72a: 제1 가스 노즐
72b: 제2 가스 노즐
72c: 제3 가스 노즐
75: 압력계
75a: 제1 압력계
75b: 제2 압력계
80: 제어 장치
101: 성막 장치10: vacuum vessel
10wa, 10wb: sidewall
10p: barrier plate
10d: exhaust port
11: first vacuum chamber
12: second vacuum chamber
13: 3rd vacuum chamber
15, 16: valve
20: substrate transfer mechanism
20r: roller rolling mechanism
20f: frame part
21: substrate
21d: Tabernacle surface
22: carrier
30: Tabernacle
31: First Tabernacle
31M: first magnetic circuit
31T: first target
31B: first backing tube
32: Second Tabernacle
32M: second magnetic circuit
32B: second backing tube
32T: second target
31c, 32c: central axis
35P: the first power source
36P: 2nd power supply
70: gas source
71: flow regulator
71a: first flow regulator
71b: second flow regulator
71c: third flow regulator
72: gas nozzle
72a: first gas nozzle
72b: second gas nozzle
72c: third gas nozzle
75: pressure gauge
75a: first pressure gauge
75b: second pressure gauge
80: control device
101: film forming apparatus

Claims (10)

감압 상태가 유지되고, 기판을 보관유지하는 캐리어의 반입출이 가능한 제1 진공실과,
상기 제1 진공실에, 수증기 가스를 공급하는 것이 가능한 가스 공급원과,
상기 제1 진공실에 배치되어, 상기 기판에 형성되는 투명 도전막의 재료를 발생시키는 것이 가능한 성막원과,
상기 투명 도전막이 상기 기판에 형성될 때, 상기 제1 진공실의 수증기 분압을 제1 분압 이상이고 상기 제1 분압 보다 높은 제2 분압 이하인 범위로 제어하고, 상기 제1 진공실의 상기 수증기 분압이 상기 제2 분압 보다 낮고 상기 제1 분압 보다 높은 제3 분압 이하가 된 경우, 상기 제1 진공실에 상기 가스 공급원에 의해 상기 수증기 가스를 제1 유량으로 공급하고, 상기 제1 진공실의 상기 수증기 분압이 상기 제3 분압 보다 낮고 상기 제1 분압 보다 높은 제4 분압 이하가 된 경우, 상기 제1 진공실에 상기 가스 공급원에 의해 상기 수증기 가스를 상기 제1 유량 보다 큰 제2 유량으로 공급하고, 상기 제1 진공실의 상기 수증기 분압이 상기 제3 분압 보다 커진 경우, 상기 제1 진공실에 상기 가스 공급원에 의해 상기 수증기 가스를 상기 제1 유량 보다 작은 제3 유량으로 공급하는 제어를 실시하는 제어 장치
를 구비하는 성막 장치.A first vacuum chamber in which a reduced pressure state is maintained and a carrier for storing and holding a substrate can be carried in and out;
A gas supply source capable of supplying steam gas to the first vacuum chamber,
A film forming source disposed in the first vacuum chamber and capable of generating a material for a transparent conductive film formed on the substrate;
When the transparent conductive film is formed on the substrate, the partial pressure of water vapor in the first vacuum chamber is controlled to be greater than or equal to a first partial pressure and less than or equal to a second partial pressure higher than the first partial pressure, and the partial pressure of water vapor in the first vacuum chamber is the first partial pressure. When the partial pressure is lower than 2 and lower than the third partial pressure higher than the first partial pressure, the steam gas is supplied to the first vacuum chamber at a first flow rate by the gas supply source, and the steam partial pressure of the first vacuum chamber is the first When the partial pressure is lower than 3 and lower than the fourth partial pressure higher than the first partial pressure, the steam gas is supplied to the first vacuum chamber at a second flow rate greater than the first flow rate by the gas supply source, and the first vacuum chamber When the partial pressure of water vapor is greater than the third partial pressure, a control device for controlling supplying the water vapor gas to the first vacuum chamber at a third flow rate smaller than the first flow rate by the gas supply source
A film forming apparatus comprising a. 제1항에 있어서,
상기 제1 진공실의 상기 수증기 분압은,
상기 가스 공급원으로부터 공급되는 상기 수증기 가스에 의한 분압과, 상기 제1 진공실의 내벽, 상기 기판, 상기 캐리어 및 상기 성막원 중 적어도 하나에서 방출하는 수증기 가스에 의한 분압을 포함하는
성막 장치.The method of claim 1,
The partial pressure of water vapor in the first vacuum chamber is,
A partial pressure due to the steam gas supplied from the gas supply source, and a partial pressure due to steam gas emitted from at least one of the inner wall of the first vacuum chamber, the substrate, the carrier, and the film formation source.
Film-forming device. 삭제delete 제1항 또는 제2항에 있어서,
상기 제1 진공실에 감압 상태에서 연결 가능한 제2 진공실과,
상기 제2 진공실과 상기 제1 진공실의 사이에서 상기 캐리어가 이송되는 개구와,
상기 개구를 개폐하는 밸브
를 더 갖춘 성막 장치.The method according to claim 1 or 2,
A second vacuum chamber connectable to the first vacuum chamber in a reduced pressure state,
An opening through which the carrier is transferred between the second vacuum chamber and the first vacuum chamber,
A valve that opens and closes the opening
A film forming device with more. 제1항에 있어서,
상기 제2 유량은, 상기 제1 유량의 100% 보다 크고 120% 이하이고,
상기 제3 유량은, 상기 제1 유량의 80% 이상이고 100% 보다 작은
성막 장치.The method of claim 1,
The second flow rate is greater than 100% and less than 120% of the first flow rate,
The third flow rate is 80% or more of the first flow rate and less than 100%
Film-forming device. 감압 상태가 유지되어 기판을 보관유지하는 캐리어의 반입출이 가능한 제1 진공실에, 수증기 가스를 공급하고,
상기 제1 진공실에 배치된 성막원으로부터 투명 도전막 재료를 발생시키고,
상기 제1 진공실의 수증기 분압을 제1 분압 이상이고 상기 제1 분압 보다 높은 제2 분압 이하인 범위로 제어하고,
상기 제1 진공실의 상기 수증기 분압이 상기 제2 분압 보다 낮고 상기 제1 분압 보다 높은 제3 분압 이하가 된 경우, 상기 제1 진공실에 가스 공급원에 의해 상기 수증기 가스를 제1 유량으로 공급하고,
상기 제1 진공실의 상기 수증기 분압이 상기 제3 분압 보다 낮고 상기 제1 분압 보다 높은 제4 분압 이하가 된 경우, 상기 제1 진공실에 가스 공급원에 의해 상기 수증기 가스를 상기 제1 유량 보다 큰 제2 유량으로 공급하고,
상기 제1 진공실의 상기 수증기 분압이 상기 제3 분압 보다 커진 경우, 상기 제1 진공실에 가스 공급원에 의해 상기 수증기 가스를 상기 제1 유량 보다 작은 제3 유량으로 공급하여,
투명 도전막을 상기 기판에 형성하는
성막 방법.Water vapor gas is supplied to the first vacuum chamber in which a reduced pressure state is maintained and carriers that hold the substrates can be carried in and out,
Generating a transparent conductive film material from a film forming source disposed in the first vacuum chamber,
Controlling the partial pressure of water vapor in the first vacuum chamber to a range equal to or higher than the first partial pressure and equal to or lower than the second partial pressure higher than the first partial pressure,
When the partial pressure of water vapor in the first vacuum chamber is lower than the second partial pressure and less than or equal to a third partial pressure higher than the first partial pressure, the water vapor gas is supplied to the first vacuum chamber at a first flow rate by a gas supply source,
When the partial pressure of water vapor in the first vacuum chamber is lower than the third partial pressure and less than or equal to a fourth partial pressure higher than the first partial pressure, the water vapor gas is transferred to the first vacuum chamber by a gas supply source to a second higher than the first flow rate. Supply by flow rate,
When the partial pressure of water vapor in the first vacuum chamber is greater than the third partial pressure, the vapor gas is supplied to the first vacuum chamber at a third flow rate smaller than the first flow rate by a gas supply source,
Forming a transparent conductive film on the substrate
How to form a film. 제6항에 있어서,
상기 제1 진공실의 상기 수증기 가스로서, 상기 가스 공급원으로부터 공급되는 수증기 가스와, 상기 제1 진공실의 내벽, 상기 기판, 상기 캐리어 및 상기 성막원 중 적어도 하나에서 방출하는 수증기 가스를 이용하는
성막 방법.The method of claim 6,
As the steam gas of the first vacuum chamber, steam gas supplied from the gas supply source and steam gas discharged from at least one of the inner wall of the first vacuum chamber, the substrate, the carrier, and the film formation source are used.
How to form a film. 삭제delete 제6항 또는 제7항에 있어서,
상기 제1 진공실에 감압 상태에서 연결 가능한 제2 진공실을 이용하고,
상기 제2 진공실로부터 개구를 통해 상기 제1 진공실에, 상기 기판 및 상기 캐리어를 반입하고,
상기 제1 진공실에서 상기 기판에 스퍼터링 성막을 하는
성막 방법.The method according to claim 6 or 7,
Using a second vacuum chamber that can be connected to the first vacuum chamber in a reduced pressure state,
The substrate and the carrier are carried into the first vacuum chamber through an opening from the second vacuum chamber,
Sputtering a film on the substrate in the first vacuum chamber
How to form a film. 제6항에 있어서,
상기 제2 유량은, 상기 제1 유량의 100% 보다 크고 120% 이하이고,
상기 제3 유량은, 상기 제1 유량의 80% 이상이고 100% 보다 작은
성막 방법.The method of claim 6,
The second flow rate is greater than 100% and less than 120% of the first flow rate,
The third flow rate is 80% or more of the first flow rate and less than 100%
How to form a film.
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