JP2009099361A - Plasma processing device and plasma processing method - Google Patents

Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a plasma processing device that responds to the change of disturbance, which prevents inflow of outside air and maintaining a gas atmosphere in a plasma processing section and reduces a consumed volume of process gas by preventing outflow of the gas supplied from the device in an atmospheric plasma processing method. <P>SOLUTION: The plasma processing device includes: the plasma processing section for processing a processed object; a housing for storing the plasma processing section and the processed object; a carrying-in passage for carrying the processed object into the housing; a carrying-out passage for carrying out the processed object to outside the housing; a first gas curtain mechanism and a first exhaust mechanism arranged on the carrying-in passage; a second gas curtain mechanism and a second exhaust mechanism arranged on the carrying-out passage; and a control section controlling each of a supplied volume of processing gas, gas flow rates of the first and second gas curtain mechanisms, and exhaust rates of the first and second exhaust mechanisms. The control section controls respective gas flow rates to become different values during a plasma generation period and a plasma non-generation period so that the processed object is processed under an atmosphere of designated gas density. <P>COPYRIGHT: (C)2009,JPO&INPIT

Description

本発明は、薄膜形成・加工、および、表面処理用のプラズマプロセス装置と方法に関し、更に詳しくは、プラズマを発生させ、大型の被処理物に対してプラズマ処理を行うプラズマ処理装置及びプラズマ処理方法に関する。   The present invention relates to a plasma processing apparatus and method for thin film formation / processing and surface treatment, and more particularly, a plasma processing apparatus and a plasma processing method for generating plasma and performing plasma processing on a large object to be processed. About.

半導体、フラットパネルディスプレイ、太陽電池などのさまざまな電子デバイスの製造には、エッチング、成膜、アッシング、表面処理などのさまざまなプラズマ処理を行うプラズマプロセス装置が用いられている。特にフラットパネルディスプレイや薄膜アモルファスシリコンを用いた薄膜太陽電池などのデバイスは、デバイスの大型化と製造コスト削減のため、基板のような被処理物は、一辺が２ｍ以上のサイズに大型化しており、これに伴ってプラズマプロセス装置も大型化してきている。   In the manufacture of various electronic devices such as semiconductors, flat panel displays, and solar cells, plasma process apparatuses that perform various plasma treatments such as etching, film formation, ashing, and surface treatment are used. In particular, devices such as flat panel displays and thin-film solar cells using thin-film amorphous silicon have been increased in size to a size of 2 m or more on one side, such as substrates, in order to increase device size and reduce manufacturing costs. Along with this, the size of the plasma processing apparatus is also increasing.

このようなプラズマプロセス装置では、従来は真空下でのプラズマ、つまり真空プラズマを利用するようにしていたが、近年は大気圧、または、大気圧近傍で発生するプラズマ（以下「大気圧プラズマ」と称す）を用いて処理を行うプラズマプロセス装置も実用化されてきている。大気圧プラズマプロセス装置は、真空プラズマ装置に比べて、
（１）真空設備を必要とせず、装置構成を簡便にできる、
（２）装置コストが安価で済む、
（３）プラズマの活性種の密度が高いため、処理速度を高くすることができる、
（４）装置構成によっては、被処理基板一枚当りの処理時間をほぼ真空プラズマによる処理時間に等しくできる、
などの利点がある。その一方で、プラズマ処理部近傍のガス雰囲気に外気が混入することにより、被処理物の酸化、生成した膜の酸化、エッチング部の酸化等が生じる場合があるため、密閉容器により外気と遮断し、プロセスガス雰囲気を保つのが通例である。しかしながら、プロセスガス雰囲気を保つために、密閉容器内で一旦真空引きして処理を行うと、真空プラズマ処理と同じくプラズマ処理効率の向上や大面積基板等に対応できないという問題がある。 In such a plasma process apparatus, conventionally, plasma under vacuum, that is, vacuum plasma has been used, but recently, plasma generated at or near atmospheric pressure (hereinafter referred to as “atmospheric pressure plasma”). A plasma processing apparatus that performs processing using the same has been put into practical use. Compared with vacuum plasma equipment, atmospheric pressure plasma process equipment
(1) The equipment configuration can be simplified without the need for vacuum equipment.
(2) The equipment cost is low.
(3) Since the density of active species of plasma is high, the processing speed can be increased.
(4) Depending on the apparatus configuration, the processing time per substrate to be processed can be made substantially equal to the processing time by vacuum plasma.
There are advantages such as. On the other hand, since outside air is mixed into the gas atmosphere near the plasma processing unit, oxidation of the object to be processed, oxidation of the generated film, oxidation of the etching unit, etc. may occur. Usually, a process gas atmosphere is maintained. However, once the processing is performed by evacuating in a sealed container in order to maintain the process gas atmosphere, there is a problem that the plasma processing efficiency cannot be improved and a large-area substrate or the like cannot be coped with, similarly to the vacuum plasma processing.

また、大気圧プラズマ処理を行う場合、真空プラズマに比べプロセスガスの使用量が大幅に増加するという問題もある。
これらの問題に対処する第１の方法として、プラズマ化処理ガスの吹出流量とこれの吸込流量との比を変えた複数の実験データをとり、エッチングプロファイルとの対応関係を近似化し、この対応関係に基づいて所望のプロファイルのエッチングを行う方法が知られている（例えば、特許文献１参照）。また、第２の方法として、ガスカーテンにより外気の流入及び処理ガスの流出を防ぎ、またガスカーテンと装置とで形成される空間内に処理ガスを閉じ込めて、処理ガスの使用量を低減する方法が知られている（例えば特許文献２参照）。
特開２００４−１８３０６３号公報 特開２００６−１４００５１号公報 In addition, when the atmospheric pressure plasma treatment is performed, there is a problem that the amount of process gas used is significantly increased as compared with vacuum plasma.
As a first method for dealing with these problems, a plurality of experimental data obtained by changing the ratio between the flow rate of the plasma treatment gas and the suction flow rate thereof are taken, and the correspondence relationship with the etching profile is approximated. A method of etching a desired profile based on the above is known (see, for example, Patent Document 1). In addition, as a second method, a gas curtain prevents the inflow of outside air and the outflow of processing gas, and the processing gas is confined in a space formed by the gas curtain and the apparatus, thereby reducing the amount of processing gas used. Is known (see, for example, Patent Document 2).
JP 2004-183063 A JP 2006-140051 A

しかしながら、第１の方法では、処理部の外側において雰囲気を制御する機構がないため外乱に対して対応しておらず、処理面積に対するプロセスガスの消費量が多いなどの課題が残る。また、第２の方法では、ガスカーテンにより外乱に対する対応はしているが、その流量は一定であるため基板搬入時及び基板搬出時などに生じる外乱の経時変化には対応していないなどの課題がある。   However, in the first method, since there is no mechanism for controlling the atmosphere outside the processing unit, it does not cope with disturbances, and there remains a problem that the consumption amount of process gas with respect to the processing area is large. In the second method, the gas curtain responds to the disturbance, but the flow rate is constant, so that it does not correspond to the temporal change of the disturbance that occurs when the substrate is loaded and unloaded. There is.

この発明は、プラズマを生成して被処理物を処理するプラズマ処理部と、プラズマ処理部に処理ガスを供給する処理ガス供給部と、プラズマ処理部と被処理物とを収容するための筐体と、被処理物を筐体内のプラズマ生成領域へ搬入する搬入路と、被処理物をプラズマ生成領域から筐体外へ搬出する搬出路と、搬入路に設けられた第１ガスカーテン機構および第１排気機構と、搬出路に設けられた第２ガスカーテン機構および第２排気機構と、処理ガス供給流量Ｑ１、第１および第２ガスカーテン機構のガス流量Ｑ２、Ｑ３、第１および第２排気機構の排気流量Ｑ４、Ｑ５をそれぞれ制御する制御部とを備え、制御部は所定のガス濃度の雰囲気で被処理物が処理されるようにＱ１、Ｑ２、Ｑ３、Ｑ４、Ｑ５をプラズマの生成期間と非生成期間において、異なる値になるよう制御するプラズマプロセス装置を提供するものである。   The present invention includes a plasma processing unit that generates plasma and processes a workpiece, a processing gas supply unit that supplies a processing gas to the plasma processing unit, and a housing for housing the plasma processing unit and the workpiece A carry-in path for carrying the object to be processed into the plasma generation region in the casing, a carry-out path for carrying out the object to be processed from the plasma generation area to the outside of the casing, a first gas curtain mechanism provided in the carry-in path, and the first Exhaust mechanism, second gas curtain mechanism and second exhaust mechanism provided in carry-out path, process gas supply flow rate Q1, gas flow rates Q2, Q3 of first and second gas curtain mechanisms, first and second exhaust mechanisms And a control unit for controlling the exhaust flow rates Q4 and Q5, respectively, and the control unit sets Q1, Q2, Q3, Q4, and Q5 as plasma generation periods so that an object to be processed is processed in an atmosphere having a predetermined gas concentration. Non-generation period Oite, there is provided a plasma processing apparatus is controlled to conform to a different value.

また、この発明は、プラズマを生成して被処理物を処理するプラズマ処理部と、プラズマ処理部に処理ガスを供給する処理ガス配給部と、プラズマ処理部と被処理物とを収容するための筐体と、被処理物を筐体内のプラズマ生成領域へ搬入する搬入路と、被処理物をプラズマ生成領域から筐体外へ搬出する搬出路と、プラズマ処理部と被処理物を相対的に移動させる搬送部と、プラズマ処理部と被処理物の移動方向の相対距離を検出する距離検出部と、搬入路に設けられた第１ガスカーテン機構および第１排気機構と、搬出路に設けられた第２ガスカーテン機構及び第２排気機構と、処理ガス供給流量Ｑ１、第１および第２ガスカーテン機構のガス流量Ｑ２、Ｑ３、第１および第２排気機構の排気流量Ｑ４、Ｑ５をそれぞれ制御する制御部とを備え、制御部は所定のガス濃度の雰囲気で被処理物が処理されるようにＱ１、Ｑ２、Ｑ３、Ｑ４、Ｑ５を距離検出部の検出する距離に応じて制御するプラズマプロセス装置を提供するものである。   The present invention also provides a plasma processing unit that generates plasma to process a workpiece, a processing gas supply unit that supplies a processing gas to the plasma processing unit, and a plasma processing unit and a workpiece to be stored. Relative movement of the plasma processing unit and the object to be processed, the carry-in path for carrying the object to be processed into the plasma generation region in the case, the unloading path for unloading the object to be processed from the plasma generation region to the outside of the case A transporting unit, a distance detecting unit for detecting a relative distance in the moving direction of the plasma processing unit and the workpiece, a first gas curtain mechanism and a first exhaust mechanism provided in the carry-in path, and a carry-out path The second gas curtain mechanism and the second exhaust mechanism, the processing gas supply flow rate Q1, the gas flow rates Q2 and Q3 of the first and second gas curtain mechanisms, and the exhaust flow rates Q4 and Q5 of the first and second exhaust mechanisms are respectively controlled. Control unit and The control unit provides a plasma process apparatus that controls Q1, Q2, Q3, Q4, and Q5 according to the distance detected by the distance detection unit so that the workpiece is processed in an atmosphere of a predetermined gas concentration. It is.

この発明によれば、所定のガス濃度の雰囲気で被処理物が処理されるように、処理ガス供給流量Ｑ１、第１および第２ガスカーテン機構のガス流量Ｑ２、Ｑ３、第１および第２排気機構の排気流量Ｑ４、Ｑ５が、プラズマの生成期間と非生成期間に対して、又はプラズマ処理部と被処理物との相対距離に対して制御されるので、外気の影響を受けることなく効率よくプラズマ処理を行うことができる。   According to the present invention, the processing gas supply flow rate Q1, the gas flow rates Q2 and Q3 of the first and second gas curtain mechanisms, the first and second exhausts so that the object to be processed is processed in an atmosphere having a predetermined gas concentration. Since the exhaust flow rates Q4 and Q5 of the mechanism are controlled with respect to the plasma generation period and non-generation period, or the relative distance between the plasma processing unit and the object to be processed, it is efficient without being affected by outside air. Plasma treatment can be performed.

この発明のプラズマプロセス装置は、プラズマを生成して被処理物を処理するプラズマ処理部と、プラズマ処理部に処理ガスを供給する処理ガス供給部と、プラズマ処理部と被処理物とを収容するための筐体と、被処理物を筐体内のプラズマ生成領域へ搬入する搬入路と、被処理物をプラズマ生成領域から筐体外へ搬出する搬出路と、搬入路に設けられた第１ガスカーテン機構および第１排気機構と、搬出路に設けられた第２ガスカーテン機構および第２排気機構と、処理ガス供給流量Ｑ１、第１および第２ガスカーテン機構のガス流量Ｑ２、Ｑ３、第１および第２排気機構の排気流量Ｑ４、Ｑ５をそれぞれ制御する制御部とを備え、制御部は所定のガス濃度の雰囲気で被処理物が処理されるようにＱ１、Ｑ２、Ｑ３、Ｑ４、Ｑ５をプラズマの生成期間と非生成期間において、異なる値になるよう制御することを特徴とする。   A plasma processing apparatus according to the present invention accommodates a plasma processing unit that generates plasma and processes an object to be processed, a processing gas supply unit that supplies a processing gas to the plasma processing unit, and a plasma processing unit and an object to be processed. Housing, a carry-in path for carrying an object to be processed into a plasma generation region in the case, an unloading path for carrying out the object to be processed from the plasma generation region to the outside of the case, and a first gas curtain provided in the carry-in path Mechanism, first exhaust mechanism, second gas curtain mechanism and second exhaust mechanism provided in the carry-out path, process gas supply flow rate Q1, gas flow rates Q2, Q3, first and second gas curtain mechanisms A control unit that controls the exhaust flow rates Q4 and Q5 of the second exhaust mechanism, respectively, and the control unit plasmas Q1, Q2, Q3, Q4, and Q5 so that the workpiece is processed in an atmosphere of a predetermined gas concentration. In the production period and a non-generation period, and controlling so as to be different values.

また、この発明のプラズマプロセス装置は、プラズマを生成して被処理物を処理するプラズマ処理部と、プラズマ処理部に処理ガスを供給する処理ガス配給部と、プラズマ処理部と被処理物とを収容するための筐体と、被処理物を筐体内のプラズマ生成領域へ搬入する搬入路と、被処理物をプラズマ生成領域から筐体外へ搬出する搬出路と、プラズマ処理部と被処理物を相対的に移動させる搬送部と、プラズマ処理部と被処理物との移動方向の相対距離を検出する距離検出部と、搬入路に設けられた第１ガスカーテン機構および第１排気機構と、搬出路に設けられた第２ガスカーテン機構及び第２排気機構と、処理ガス供給流量Ｑ１、第１および第２ガスカーテン機構のガス流量Ｑ２、Ｑ３、第１および第２排気機構の排気流量Ｑ４、Ｑ５をそれぞれ制御する制御部とを備え、制御部は所定のガス濃度の雰囲気で被処理物が処理されるようにＱ１、Ｑ２、Ｑ３、Ｑ４、Ｑ５を距離検出部の検出する距離に応じて制御するようにしてもよい。   In addition, the plasma processing apparatus of the present invention includes a plasma processing unit that generates plasma and processes an object to be processed, a processing gas supply unit that supplies a processing gas to the plasma processing unit, a plasma processing unit, and an object to be processed. A housing for accommodating, a carry-in path for carrying an object to be processed into a plasma generation region in the case, an unloading path for carrying out the object to be processed from the plasma generation region to the outside of the case, a plasma processing unit and the object to be processed A relatively moving transport unit, a distance detecting unit for detecting a relative distance in the moving direction between the plasma processing unit and the workpiece, a first gas curtain mechanism and a first exhaust mechanism provided in the carry-in path, A second gas curtain mechanism and a second exhaust mechanism provided in the path, a processing gas supply flow rate Q1, a gas flow rate Q2 and Q3 of the first and second gas curtain mechanisms, an exhaust flow rate Q4 of the first and second exhaust mechanisms, Q5 A control unit that controls each of the control units, and Q1, Q2, Q3, Q4, and Q5 according to the distance detected by the distance detection unit so that the workpiece is processed in an atmosphere of a predetermined gas concentration. You may make it control.

さらに、この発明のプラズマ処理方法は、まず予備工程において、上記プラズマプロセス装置を使用し、被処理物のプラズマ処理を行い、被処理物が処理される雰囲気のガス濃度を検出し、前記雰囲気のガス濃度が所定値になるＱ１、Ｑ２、Ｑ３、Ｑ４、Ｑ５の値をプラズマ生成期間と非生成期間について決定し、次に本工程において、前記プラズマプロセス装置を再度使用し、プラズマ生成期間と非生成期間のＱ１〜Ｑ５を予備工程で決定された値に制御して、被処理物のプラズマ処理を行うようにしてもよい。   Further, in the plasma processing method of the present invention, first, in the preliminary process, the plasma processing apparatus is used to perform plasma processing of the object to be processed, to detect the gas concentration of the atmosphere in which the object is processed, The values of Q1, Q2, Q3, Q4, and Q5 at which the gas concentration reaches a predetermined value are determined for the plasma generation period and the non-generation period. Next, in this step, the plasma process apparatus is used again, and the plasma generation period and the non-generation period are determined. You may make it perform the plasma processing of a to-be-processed object by controlling Q1-Q5 of a production | generation period to the value determined by the preliminary process.

また、この発明のプラズマ処理方法は、まず予備工程において、上記のプラズマプロセス装置を使用し、被処理物のプラズマ処理を行い、被処理物が処理される雰囲気のガス濃度を検出し、前記雰囲気のガス濃度が所定値になるようにプラズマ処理部と被処理物との前記相対距離に対するＱ１、Ｑ２、Ｑ３、Ｑ４、Ｑ５の値を決定し、次に本工程において上記プラズマプロセス装置を再度使用し、プラズマ処理部と被処理物との前記相対距離に対するＱ１、Ｑ２、Ｑ３、Ｑ４、Ｑ５を予備工程で決定された値に制御して被処理物のプラズマ処理を行うようにしてもよい。   In the plasma processing method of the present invention, first, in the preliminary process, the plasma processing apparatus is used to perform plasma processing on the object to be processed, and the gas concentration of the atmosphere in which the object is processed is detected. The values of Q1, Q2, Q3, Q4, and Q5 with respect to the relative distance between the plasma processing unit and the object to be processed are determined so that the gas concentration of the gas reaches a predetermined value, and then the plasma process apparatus is used again in this step. Alternatively, the plasma processing of the workpiece may be performed by controlling Q1, Q2, Q3, Q4, and Q5 with respect to the relative distance between the plasma processing section and the workpiece to values determined in the preliminary process.

被処理物が処理される雰囲気のガス濃度を検出するガス濃度検出部をさらに備えてもよい。
第１および第２ガスカーテン機構は、搬入路および搬出路の上方に設けられ、搬入路および搬出路に所定角度で交差するように下方にガスを噴出するノズルと、前記所定角度を制御する角度制御機構とを備えてもよい。 You may further provide the gas concentration detection part which detects the gas concentration of the atmosphere where a to-be-processed object is processed.
The first and second gas curtain mechanisms are provided above the carry-in path and the carry-out path, and a nozzle that ejects gas downward so as to intersect the carry-in path and the carry-out path at a predetermined angle, and an angle that controls the predetermined angle And a control mechanism.

以下、図面を参照しながら本発明の実施形態１〜３を説明する。尚、実施形態１〜３に関する図面において共通の構成要素に共通の符号をつけている。
（実施形態１）
図１は、本発明の実施形態１によるプラズマプロセス装置を示す構成説明図である。
図１に示すように、実施形態１によるプラズマプロセス装置は、板状の被処理物（被処理基板）4の上方に配置されている筐体100、及び、被処理物4を搭載する導電性のステージ14を備える。 Hereinafter, Embodiments 1 to 3 of the present invention will be described with reference to the drawings. In the drawings relating to the first to third embodiments, common constituent elements are denoted by common reference numerals.
(Embodiment 1)
FIG. 1 is a configuration explanatory view showing a plasma processing apparatus according to Embodiment 1 of the present invention.
As shown in FIG. 1, the plasma processing apparatus according to the first embodiment includes a casing 100 disposed above a plate-like object (substrate to be processed) 4 and a conductive material on which the object 4 is mounted. The stage 14 is provided.

被処理物4は、例えば、長さおよそ2.5m、幅およそ2.2m、厚さ0.7mmの平板状の基板とする。
筐体100は、図4に示すように、例えばアルミ板などで上面及び側面を覆ったものでガスカーテン機構2a,2bと、排気機構3a,3bと、プラズマ処理部22aとを備える。
ガスカーテン機構2a,2bは被処理物4の側にガスを噴出する噴射ノズル（後述）を備えており、噴出するガスは後述するように配管16を通って供給される。
排気機構3a,3bは被処理物4の側からガスを吸引する吸引スリット（図示しない）を備えており、吸引されたガスは配管17を通って排気される。 The workpiece 4 is, for example, a flat substrate having a length of about 2.5 m, a width of about 2.2 m, and a thickness of 0.7 mm.
As shown in FIG. 4, the casing 100 has an upper surface and side surfaces covered with, for example, an aluminum plate, and includes gas curtain mechanisms 2a and 2b, exhaust mechanisms 3a and 3b, and a plasma processing unit 22a.
The gas curtain mechanisms 2a and 2b are provided with an injection nozzle (described later) for injecting gas on the workpiece 4 side, and the injected gas is supplied through a pipe 16 as described later.
The exhaust mechanisms 3a and 3b are provided with suction slits (not shown) for sucking gas from the workpiece 4 side, and the sucked gas is exhausted through the pipe 17.

ガスカーテン機構2aと排気機構3aとの間およびガスカーテン機構2bと排気機構3bとの間は、それぞれ矢印21方向に50mmの距離を有している。処理部22aには電極部19aが設置されている。電極部19aには電極23が設置されている。   The distance between the gas curtain mechanism 2a and the exhaust mechanism 3a and the distance between the gas curtain mechanism 2b and the exhaust mechanism 3b are 50 mm in the direction of the arrow 21, respectively. An electrode unit 19a is installed in the processing unit 22a. An electrode 23 is provided on the electrode portion 19a.

電極23の断面図を図８に示す。電極23は、アルミニウム（Ａｌ）、又はステンレス鋼（ＳＵＳ）などの導電率の高い金属からなる金属部40を備え、アーク放電を防ぐため、金属部40は固体誘電体41a,41bで被覆されている。また、電極23の近傍にはプロセスガスを供給するために図示しないガス流路が設けられている。   A sectional view of the electrode 23 is shown in FIG. The electrode 23 includes a metal portion 40 made of a metal having high conductivity such as aluminum (Al) or stainless steel (SUS), and the metal portion 40 is covered with solid dielectrics 41a and 41b to prevent arc discharge. Yes. Further, a gas flow path (not shown) is provided in the vicinity of the electrode 23 in order to supply process gas.

図1に示すように、電極23と導電性ステージ14との間に電源20aから電圧が印加されて電力が供給されると共に、電極部19aには後述するようにプロセスガス用配管18を介してプロセスガス用ガスボンベ11からプロセスガスが供給される。なお、プロセスガスとしては、ヘリウム，窒素，酸素の各ボンベを用意しそれらのボンベから供給されるガスを混合したものを用いるが、ここでは、説明を簡単にするため、それらをまとめてプロセスガス用ガスボンベ11として説明する。   As shown in FIG. 1, a voltage is applied from the power source 20a between the electrode 23 and the conductive stage 14 to supply power, and the electrode portion 19a is supplied with a process gas pipe 18 as will be described later. Process gas is supplied from a gas cylinder 11 for process gas. As the process gas, helium, nitrogen, and oxygen cylinders are prepared and mixed with the gas supplied from those cylinders, but here, in order to simplify the explanation, they are collectively combined into the process gas. The gas cylinder 11 will be described.

電極部19aと被処理物4で挟まれる空間をプラズマ生成領域1a、筐体100の両端の開口部1c（図1，図4）からプラズマ生成領域1aまでの空間を通路（被処理物搬入・搬出路）1bとする。
電極部19aは図9に示す搬送機構によりステージ14上を矢印21の方向に移動するようになっている。図9において、電極部19aはアーム部43に設置されており、アーム部43はガントリー部42aによって搬送される。 The space between the electrode portion 19a and the object to be processed 4 is the plasma generation region 1a, and the space between the openings 1c (FIGS. 1 and 4) at both ends of the casing 100 to the plasma generation region 1a is Carrying path) 1b.
The electrode portion 19a is moved on the stage 14 in the direction of the arrow 21 by the transport mechanism shown in FIG. In FIG. 9, the electrode part 19a is installed in the arm part 43, and the arm part 43 is conveyed by the gantry part 42a.

図1のガス分析計5は、電極処理部22aから複数のガス分析用配管5aを介してプラズマ処理領域1a及び通路1b付近のガスを検出し、ガス成分を計測し、検出データをデータ伝送線15を通じてデータ処理部（制御部）6に送る。データ処理部6は、ＣＰＵ，ＲＯＭ，ＲＡＭからなるマイクロコンピュータを備える。ガス分析計５には東レエンジニアリングのLC-850KSを用いている。   The gas analyzer 5 in FIG. 1 detects gas in the vicinity of the plasma processing region 1a and the passage 1b from the electrode processing unit 22a through a plurality of gas analysis pipes 5a, measures gas components, and sends the detected data to a data transmission line. The data is sent to the data processing unit (control unit) 6 through 15. The data processing unit 6 includes a microcomputer including a CPU, a ROM, and a RAM. The gas analyzer 5 uses Toray Engineering's LC-850KS.

データ処理部６は、あらかじめ実験（予備工程）で取得している検出データを参照して、プロセスガス流量Ｑ１、ガスカーテン機構2a,2bのガスカーテン流量Ｑ２、Ｑ３、及び、排気機構3a,3bの排気流量Ｑ４、Ｑ５などを設定する。同時に、各設定値をプロセスガス流量調整機構9、ガスカーテン流量調整機構7、および排気流量調整機構8に送り、各流量を設定すると共に、電源20aの出力調整および出力のオン・オフ制御と、ガントリー部42a（図9）の駆動制御を行うようになっている。   The data processing unit 6 refers to the detection data acquired in advance in the experiment (preliminary process), the process gas flow rate Q1, the gas curtain flow rates Q2, Q3 of the gas curtain mechanisms 2a, 2b, and the exhaust mechanisms 3a, 3b. The exhaust flow rates Q4, Q5, etc. are set. At the same time, each set value is sent to the process gas flow rate adjusting mechanism 9, the gas curtain flow rate adjusting mechanism 7, and the exhaust flow rate adjusting mechanism 8, and each flow rate is set, and output adjustment of the power source 20a and output on / off control, Drive control of the gantry unit 42a (FIG. 9) is performed.

なお、ガスカーテン用ガスは、カーテンガス用ガスボンベ10からカーテンガス用配管16、及び、ガスカーテン流量調整機構7を介してガスカーテン機構2a,2bへ供給される。プラズマ生成領域1a及び通路1b付近に存在するガスは、排気機構3a,3b、排気用配管17、及び、排気流量調整機構8、排気手段12を介して装置外へ排気される。プロセスガスは、プロセスガス用ガスボンベ11からプロセスガス用配管18、及び、プロセスガス流量調整機構9を介して電極部19aへ供給される。   The gas curtain gas is supplied from the curtain gas gas cylinder 10 to the gas curtain mechanisms 2a and 2b via the curtain gas pipe 16 and the gas curtain flow rate adjusting mechanism 7. The gas existing in the vicinity of the plasma generation region 1a and the passage 1b is exhausted outside the apparatus through the exhaust mechanisms 3a and 3b, the exhaust pipe 17, the exhaust flow rate adjusting mechanism 8, and the exhaust means 12. The process gas is supplied from the process gas gas cylinder 11 to the electrode portion 19a via the process gas pipe 18 and the process gas flow rate adjusting mechanism 9.

ここで、ガスカーテン機構2a,2bの詳細について説明する。図５は、ガスカーテン機構2a,2bのガス噴出ノズル30a,30bの一例を示す。
図５のガスカーテン機構2a,2bは、ガス噴出ノズル30a,30bが筐体100の両端の開口部1cの内側にあり、ガス噴出ノズル30a,30bから斜め下方に向けそれぞれ角度θa,θbでガスが噴出される。噴出角度θa,θbはデータ処理部６（図1）により45度〜60度の範囲で制御される。 Here, details of the gas curtain mechanisms 2a and 2b will be described. FIG. 5 shows an example of the gas ejection nozzles 30a and 30b of the gas curtain mechanisms 2a and 2b.
In the gas curtain mechanism 2a, 2b of FIG. 5, the gas ejection nozzles 30a, 30b are inside the openings 1c at both ends of the casing 100, and gas is inclined at an angle θa, θb respectively obliquely downward from the gas ejection nozzles 30a, 30b. Is ejected. The ejection angles θa and θb are controlled in the range of 45 to 60 degrees by the data processing unit 6 (FIG. 1).

図１１はガスカーテン機構2aの詳細説明図であり、カーテンガスは配管コネクタ33から可動配管37を通ってノズル30aに供給される。ノズル30aはノズル先端39を支点にし、角度調整レール36,38に沿って角度θaが調整される。ガスカーテン機構2bも同等の構造を有する。   FIG. 11 is a detailed explanatory view of the gas curtain mechanism 2a. The curtain gas is supplied from the pipe connector 33 to the nozzle 30a through the movable pipe 37. The nozzle 30a has the nozzle tip 39 as a fulcrum, and the angle θa is adjusted along the angle adjusting rails 36 and 38. The gas curtain mechanism 2b has an equivalent structure.

次に実施形態１におけるプラズマプロセス装置を用いたプラズマプロセス処理について説明する。
図1に示すように、被処理物4であるガラス基板はステージ14上に静止させており、電極部19aが被処理物4の上を矢印21の方向に移動し、プラズマ処理を行う。
ステージ14上にガラス基板を静止させることにより、被処理物4を搬送する場合に比べ、被処理物の平面度及び被処理物4と電極とのギャップの精度が高くなり、またギャップをより小さくすることができる。実施形態１では、被処理物4と電極部19a間のギャップは約２ｍｍとしている。 Next, a plasma process process using the plasma process apparatus according to the first embodiment will be described.
As shown in FIG. 1, the glass substrate as the object to be processed 4 is stationary on the stage 14, and the electrode portion 19a moves on the object to be processed 4 in the direction of the arrow 21 to perform plasma processing.
By fixing the glass substrate on the stage 14, the flatness of the workpiece and the accuracy of the gap between the workpiece 4 and the electrode are increased and the gap is smaller than when the workpiece 4 is transported. can do. In the first embodiment, the gap between the workpiece 4 and the electrode portion 19a is about 2 mm.

まず、大気圧、あるいは、大気圧近傍の圧力下で、プラズマ処理部22aへ、ヘリウムガス（流量Ｑ１［Ｈｅ］＝８０Ｌ／分）、窒素ガス（流量Ｑ１［Ｎ₂］＝４０Ｌ／分）、酸素ガス（流量Ｑ１［Ｏ₂］＝０．６Ｌ／分）を混合したプロセスガスを30秒間導入し続けて、プラズマ処理部間付近の雰囲気を空気からプロセスガス雰囲気に置換する。
この時、ガスカーテン機構2a, 2bの流量Ｑ２、Ｑ３を２００Ｌ／分、排気機構3a, 3bの流量Ｑ４、Ｑ５を１３０Ｌ／分とし、ガスカーテン機構2a,2bの噴射ノズル角度θa,θbを60度としている。 First, helium gas (flow rate Q1 [He] = 80 L / min), nitrogen gas (flow rate Q1 [N ₂ ] = 40 L / min), to the plasma processing unit 22a under atmospheric pressure or a pressure near atmospheric pressure, The process gas mixed with oxygen gas (flow rate Q1 [O ₂ ] = 0.6 L / min) is continuously introduced for 30 seconds, and the atmosphere in the vicinity of the plasma processing unit is replaced with the process gas atmosphere from air.
At this time, the flow rates Q2 and Q3 of the gas curtain mechanisms 2a and 2b are 200 L / min, the flow rates Q4 and Q5 of the exhaust mechanisms 3a and 3b are 130 L / min, and the injection nozzle angles θa and θb of the gas curtain mechanisms 2a and 2b are 60 I am trying.

ガスカーテン機構2a,2bは通路に対してプラズマ処理部22a側から筐体100の両側の開口部1c側に向けてガスを噴射することにより外気を遮断することができ、プロセスガス雰囲気を保つことができる。   The gas curtain mechanism 2a, 2b can block the outside air by injecting gas from the plasma processing unit 22a side to the opening 1c side on both sides of the casing 100 with respect to the passage, and keep the process gas atmosphere Can do.

次に、Ｑ１［Ｏ₂］が０．６Ｌ／分から０．５Ｌ／分に、Ｑ２，Ｑ３が２００Ｌ／分から２２０Ｌ／分に、Ｑ４，Ｑ５が１３０Ｌ／分から１４０Ｌ／分に、θaが６０度から４５度にそれぞれ変更され、電極部19aが矢印２１の方向へ移動し始める。
次に、電極部19aとステージ14との間に周波数３０ｋＨｚ、電圧１４ｋＶの電圧が電源20aから印加されると、電極部19aと被処理物4との間にプラズマが生成される。 Next, Q1 [O ₂ ] is changed from 0.6 L / min to 0.5 L / min, Q2 and Q3 are changed from 200 L / min to 220 L / min, Q4 and Q5 are changed from 130 L / min to 140 L / min, and θa is changed from 60 degrees. Each is changed to 45 degrees, and the electrode portion 19a starts to move in the direction of the arrow 21.
Next, when a voltage having a frequency of 30 kHz and a voltage of 14 kV is applied between the electrode portion 19a and the stage 14 from the power source 20a, plasma is generated between the electrode portion 19a and the workpiece 4.

そして、電極部19aが被処理物4の一端から他端まで移動して被処理物4全体の処理が完了すると、電源20aの出力がオフされ、プラズマが消滅する。
次に、Ｑ１［Ｏ₂］が０．５Ｌ／分から０．６Ｌ／分に、Ｑ２，Ｑ３が２２０Ｌ／分から２００Ｌ／分に、Ｑ４，Ｑ５が１４０Ｌ／分から１３０Ｌ／分にそれぞれ変更される。
この時、θbは45度から60度に変更された後、再び45度に戻される。 When the electrode portion 19a moves from one end of the workpiece 4 to the other end and the processing of the entire workpiece 4 is completed, the output of the power source 20a is turned off and the plasma disappears.
Next, Q1 [O ₂ ] is changed from 0.5 L / min to 0.6 L / min, Q2 and Q3 are changed from 220 L / min to 200 L / min, and Q4 and Q5 are changed from 140 L / min to 130 L / min.
At this time, θb is changed from 45 degrees to 60 degrees and then returned to 45 degrees again.

このようにして、プラズマ生成時と非生成時における各設定値を変更することにより、プラズマ生成時の処理部22a内の酸素濃度を例えば0.7％以下に抑えることができ、外乱の影響を受けることなく、安定したプラズマ処理を効率よく行うことができる。
また、この際、非定常時の外乱などによる影響をさらに低減させるため、ガス分析計５によって常時、酸素濃度を計測し、所定値と異なる場合は各流量の微調整を行ってもよい。 In this way, by changing each setting value at the time of plasma generation and non-generation, the oxygen concentration in the processing unit 22a at the time of plasma generation can be suppressed to, for example, 0.7% or less, and it is affected by disturbance. Therefore, stable plasma processing can be performed efficiently.
Further, at this time, in order to further reduce the influence due to disturbance at the time of unsteady state, the oxygen concentration may be constantly measured by the gas analyzer 5 and fine adjustment of each flow rate may be performed if it differs from a predetermined value.

なお、この実施例においては、Ｑ１［Ｈｅ］、Ｑ１［Ｎ₂］、Ｑ１［Ｏ₂］、Ｑ２、Ｑ３、Ｑ４、Ｑ５、θの値を、プラズマ生成期間と非生成期間において異なる値になるように制御しているが、これらの設定値については次のように決定する。
先ず、図１に示す装置を用いて、予備工程として、被処理物４のプラズマ処理を予備的に行い、処理部22aからガス分析用配管5aを介してガスを採取し、酸素濃度計5を用いて酸素濃度を計測し、検出データをデータ処理部6へ送る。
そして、被処理物４が処理される期間の酸素濃度が所定値（例えば0.7％）以下になるまで、この予備工程をくり返し行い、酸素濃度を所定値以下にするための各設定値を取得し、データ処理部6に格納しておく。そして、本工程としての実際のプラズマ処理時には、格納された各設定値を読出し、その値に設定するようにしている。 In this embodiment, the values of Q1 [He], Q1 [N ₂ ], Q1 [O ₂ ], Q2, Q3, Q4, Q5, and θ are different values in the plasma generation period and the non-generation period. The set values are determined as follows.
First, as a preliminary process, the apparatus 4 shown in FIG. 1 is used to preliminarily perform plasma processing of the workpiece 4 and collect gas from the processing section 22a through the gas analysis pipe 5a. The measured oxygen concentration is used to send detection data to the data processing unit 6.
Then, this preliminary process is repeated until the oxygen concentration during the period during which the workpiece 4 is processed falls below a predetermined value (for example, 0.7%), and each set value for making the oxygen concentration below the predetermined value is acquired. And stored in the data processing unit 6. In the actual plasma processing as this step, each stored set value is read and set to that value.

（実施形態２）
図２は、本発明の実施形態２によるプラズマプロセス装置を示す構成説明図である。
図２に示すように、プラズマプロセス装置は、板状の被処理物4（被処理基板）の上方に配置されている筐体200及び被処理物4を搭載する導電性ステージ14を備える。
筐体200は、図４に示すように、ガスカーテン機構2a,2bと、排気処理機構3a,3bと、プラズマ処理部22aとを備え、両端に被処理物４を搬入・搬出するための開口1cを備える。
ガスカーテン機構2aと排気機構3aとの間、およびガスカーテン機構2bと排気機構3bとの間には、それぞれ矢印21方向に50mmの距離を有している。 (Embodiment 2)
FIG. 2 is a structural explanatory view showing a plasma processing apparatus according to Embodiment 2 of the present invention.
As shown in FIG. 2, the plasma processing apparatus includes a casing 200 disposed above a plate-like workpiece 4 (substrate to be processed) and a conductive stage 14 on which the workpiece 4 is mounted.
As shown in FIG. 4, the housing 200 includes gas curtain mechanisms 2a and 2b, exhaust processing mechanisms 3a and 3b, and a plasma processing unit 22a, and openings for loading and unloading the workpiece 4 at both ends. 1c is provided.
A distance of 50 mm is provided between the gas curtain mechanism 2a and the exhaust mechanism 3a and between the gas curtain mechanism 2b and the exhaust mechanism 3b in the arrow 21 direction.

プラズマ処理部22aには電極部19aが設置されている。電極部19aとステージ14との間には電源20aから電圧が印加されて電力が供給されると共に、電極部19aにはプロセスガス用配管18を介してプロセスガス用ガスボンベ11からプロセスガスが供給される。なお、プロセスガスとしては、ヘリウム，窒素，酸素の各ボンベを用意しそれらのボンベから供給されるガスを混合したものを用いるが、ここでは説明を簡単にするため、それらをまとめてプロセスガス用ガスボンベ11として説明する。   An electrode part 19a is installed in the plasma processing part 22a. A voltage is applied from the power source 20a between the electrode portion 19a and the stage 14 to supply power, and the process gas is supplied from the process gas gas cylinder 11 to the electrode portion 19a via the process gas pipe 18. The As the process gas, helium, nitrogen, and oxygen cylinders are prepared and mixed with the gas supplied from those cylinders, but here, for the sake of simplicity, they are collectively used for the process gas. A gas cylinder 11 will be described.

電極部19aと被処理物4で挟まれる空間をプラズマ生成領域1a、筐体200の両端の開口部1cからプラズマ生成領域1aまでの空間を通路（被処理物搬入・搬出路）1bとする。
筐体200は図10に示す搬送機構によりステージ14上を矢印21方向に移動するようになっている。図10において、筐体200はガントリー部42bによって搬送される。 A space between the electrode portion 19a and the object to be processed 4 is defined as a plasma generation region 1a, and a space from the openings 1c at both ends of the housing 200 to the plasma generation region 1a is defined as a passage (processing object loading / unloading path) 1b.
The casing 200 is moved in the direction of arrow 21 on the stage 14 by the transport mechanism shown in FIG. In FIG. 10, the housing 200 is conveyed by the gantry unit 42b.

図2に示すように、電極部19aには複数の電極23が設置されている。
電極部23は、図８に示すように、アルミニウム（Ａｌ）、又は、ステンレス（ＳＵＳ）などの導電率の高い金属からなる金属部40を備え、アーク放電を防ぐため、金属部40は固体誘電体41a,41bで被覆されている。また、電極部23の近傍にプロセスガスを供給するために図示しないガス流路を設けている。 As shown in FIG. 2, a plurality of electrodes 23 are provided on the electrode portion 19a.
As shown in FIG. 8, the electrode part 23 includes a metal part 40 made of a metal having high conductivity such as aluminum (Al) or stainless steel (SUS), and the metal part 40 is a solid dielectric to prevent arc discharge. It is covered with the bodies 41a and 41b. In addition, a gas flow path (not shown) is provided in order to supply process gas in the vicinity of the electrode portion 23.

ガス分析計5は、プラズマ処理部22aから複数のガス分析用配管5aを介してプラズマ生成領域1a及び通路1b付近のガスを検出し、ガス成分を計測し、検出データをデータ伝送線15を通じてデータ処理部（制御部）6に送る。データ処理部6は、あらかじめ実験（予備工程）でこれらの検出データを取得しておく。   The gas analyzer 5 detects the gas in the vicinity of the plasma generation region 1a and the passage 1b from the plasma processing unit 22a through the plurality of gas analysis pipes 5a, measures the gas components, and transmits the detected data through the data transmission line 15. The data is sent to the processing unit (control unit) 6. The data processing unit 6 acquires these detection data in advance through experiments (preliminary steps).

そして、本工程においてプロセスガス流量Ｑ１、ガスカーテン機構2a,2bのガスカーテン流量Ｑ２，Ｑ３、及び、排気機構3a,3bの排気流量Ｑ４，Ｑ５を、前記検出データを参照して設定する。同時に、データ処理部6は、各設定値をプロセスガス流量調整機構9、ガスカーテン流量調整機構7、および排気流量調整機構8に送り、流量を調整すると共に、電源20aの出力調整および出力のオン・オフ制御と、ガントリー部42b（図１０）の駆動制御を行うようになっている。   In this step, the process gas flow rate Q1, the gas curtain flow rates Q2 and Q3 of the gas curtain mechanisms 2a and 2b, and the exhaust flow rates Q4 and Q5 of the exhaust mechanisms 3a and 3b are set with reference to the detection data. At the same time, the data processing unit 6 sends each set value to the process gas flow rate adjustment mechanism 9, the gas curtain flow rate adjustment mechanism 7 and the exhaust flow rate adjustment mechanism 8 to adjust the flow rate and adjust the output of the power source 20a and turn on the output. Off control and drive control of the gantry unit 42b (FIG. 10) are performed.

なお、ガスカーテン用ガスは、カーテンガス用ガスボンベ10からカーテンガス用配管16、及び、ガスカーテン流量調整機構7を介してガスカーテン機構2a,2bへ供給される。プラズマ生成領域1a及び通路1b付近に存在するガスは、排気機構3a,3b、排気用配管17、及び、排気流量調整機構8、排気手段12を介して装置外へ排気される。プロセスガスは、プロセスガス用ガスボンベ11からプロセスガス用配管18、及び、プロセスガス流量調整機構9を介して電極部19aへ供給される。   The gas curtain gas is supplied from the curtain gas gas cylinder 10 to the gas curtain mechanisms 2a and 2b via the curtain gas pipe 16 and the gas curtain flow rate adjusting mechanism 7. The gas existing in the vicinity of the plasma generation region 1a and the passage 1b is exhausted outside the apparatus through the exhaust mechanisms 3a and 3b, the exhaust pipe 17, the exhaust flow rate adjusting mechanism 8, and the exhaust means 12. The process gas is supplied from the process gas gas cylinder 11 to the electrode portion 19a via the process gas pipe 18 and the process gas flow rate adjusting mechanism 9.

ガスカーテン機構2a,2bは図５に示す実施形態１のものと同等である。
筐体200が被処理物4の方向（矢印21の方向）に搬送される際、筐体200と被処理物4との相対位置が図示しない位置センサにより検出され、データ処理部6へ送られる。データ処理部6は検出された相対位置の変化に伴い、ガス噴出ノズル30a,30bの通路への噴射角度θa,θb（図５）を４５°から６０°の間の角度で変化させる。 The gas curtain mechanisms 2a and 2b are the same as those in the first embodiment shown in FIG.
When the casing 200 is conveyed in the direction of the workpiece 4 (the direction of the arrow 21), the relative position between the casing 200 and the workpiece 4 is detected by a position sensor (not shown) and sent to the data processing unit 6. . The data processing unit 6 changes the injection angles θa and θb (FIG. 5) to the passages of the gas ejection nozzles 30a and 30b at an angle between 45 ° and 60 ° in accordance with the change in the detected relative position.

次に実施形態２におけるプラズマプロセス装置を用いたプラズマプロセス処理について説明する。
図2に示すように、被処理物4であるガラス基板をステージ14上に静止させ、筐体200が被処理物4の方向（矢印21の方向）へ移動し、プラズマ処理を行う。
ステージ14上に被処理物4を静止させることにより、被処理物4を搬送する場合に比べ、被処理物の平面度及び被処理物4と電極とのギャップの精度が高くなり、またギャップをより小さくすることができる。被処理物4と電極部19a間のギャップは約２ｍｍとしている。 Next, a plasma process process using the plasma process apparatus according to the second embodiment will be described.
As shown in FIG. 2, the glass substrate that is the object to be processed 4 is stopped on the stage 14, and the housing 200 moves in the direction of the object to be processed 4 (the direction of the arrow 21) to perform plasma processing.
By placing the workpiece 4 on the stage 14 in a stationary manner, the flatness of the workpiece and the accuracy of the gap between the workpiece 4 and the electrode are higher than when the workpiece 4 is transported, and the gap is reduced. It can be made smaller. The gap between the workpiece 4 and the electrode part 19a is about 2 mm.

最初、図２に示す筐体200の右端が、被処理物4の先端（左端）からｄ＝１００ｍｍ以上離れた状態において、処理部22aへ、ヘリウムガス（流量Ｑ１［Ｈｅ］＝８０Ｌ／分）、窒素ガス（流量Ｑ１［Ｎ₂］＝４０Ｌ／分）、酸素ガス（流量Ｑ１［Ｏ₂］＝０．６Ｌ／分）を混合したプロセスガスを導入し、ガスカーテン機構2a,2bの噴射ノズル角度θa,θbを４５度、ガスカーテン機構2a,2bの流量Ｑ２，Ｑ３を２００Ｌ／分、排気機構3a,3bの流量Ｑ４，Ｑ５を１３０Ｌ／分に設定する。 First, helium gas (flow rate Q1 [He] = 80 L / min) is supplied to the processing unit 22a in a state where the right end of the housing 200 shown in FIG. 2 is separated from the tip (left end) of the workpiece 4 by d = 100 mm or more. A process gas mixed with nitrogen gas (flow rate Q1 [N ₂ ] = 40 L / min) and oxygen gas (flow rate Q1 [O ₂ ] = 0.6 L / min) is introduced, and the injection nozzles of the gas curtain mechanisms 2a and 2b The angles θa and θb are set to 45 degrees, the flow rates Q2 and Q3 of the gas curtain mechanisms 2a and 2b are set to 200 L / min, and the flow rates Q4 and Q5 of the exhaust mechanisms 3a and 3b are set to 130 L / min.

次に、筐体200が矢印21の方向へ移動し、ｄ＝１００ｍｍになるとθaが４５度から６０度に変更される。次に、ｄ＝０ｍｍになると、Ｑ１［Ｏ₂］が０．６Ｌ／ｍｉｎから０．５Ｌ／ｍｉｎに、Ｑ２，Ｑ３が２００Ｌ／ｍｉｎから２２０Ｌ／ｍｉｎに，Ｑ４，Ｑ５が１３０Ｌ／ｍｉｎから１４０Ｌ／ｍｉｎに、θaが６０度から４５度に変更される。
次に、被処理物4が電極部19aと対向する期間には、電源20aがオンになり、プラズマが生成される。そして、ガスカーテン機構2bが被処理物4の後端（右端）から離れると、Ｑ１［Ｏ₂］が０．５Ｌ／ｍｉｎから０．６Ｌ／ｍｉｎに、Ｑ２，Ｑ３が２２０Ｌ／ｍｉｎから２００Ｌ／ｍｉｎに、Ｑ４，Ｑ５が１４０Ｌ／ｍｉｎから１３０Ｌ／ｍｉｎに変更される。この時、θbは４５度から６０度に変更された後、４５度に変更される。 Next, when the casing 200 moves in the direction of the arrow 21 and d = 100 mm, θa is changed from 45 degrees to 60 degrees. Next, when d = 0 mm, Q1 [O ₂ ] is changed from 0.6 L / min to 0.5 L / min, Q2 and Q3 are changed from 200 L / min to 220 L / min, and Q4 and Q5 are changed from 130 L / min to 140 L. / Min is changed from 60 degrees to 45 degrees.
Next, during a period in which the workpiece 4 faces the electrode portion 19a, the power source 20a is turned on and plasma is generated. When the gas curtain mechanism 2b moves away from the rear end (right end) of the workpiece 4, Q1 [O ₂ ] is changed from 0.5 L / min to 0.6 L / min, and Q2 and Q3 are changed from 220 L / min to 200 L / min. Q4 and Q5 are changed from 140 L / min to 130 L / min. At this time, θb is changed from 45 degrees to 60 degrees and then changed to 45 degrees.

なお、これらの各設定値は、実施形態１と同様に予備工程で実験的に予め取得されたものである。
このようにしてプラズマ生成期間、つまり被処理物4の処理期間の酸素濃度が実施形態１と同様に所定値以下になり、良好なプラズマ処理が可能となる。 Note that each of these set values has been experimentally acquired in advance in a preliminary process as in the first embodiment.
In this way, the oxygen concentration in the plasma generation period, that is, the processing period of the workpiece 4 is equal to or less than the predetermined value as in the first embodiment, and a favorable plasma process is possible.

（実施形態３）
図３は、本発明の実施形態３によるプラズマプロセス装置の構成を説明する構成説明図である。このプラズマプロセス装置は、インライン方式の基板処理や、シート状、あるいは、ロール状の被処理物の処理をする装置である。 (Embodiment 3)
FIG. 3 is a configuration explanatory view illustrating the configuration of the plasma processing apparatus according to the third embodiment of the present invention. This plasma processing apparatus is an apparatus that performs inline substrate processing and processing of a sheet-shaped or roll-shaped workpiece.

図３に示すように、実施形態３によるプラズマプロセス装置は、筐体300と、上下に対向するプラズマ処理部22a,22b及び搬送機構13を備える。プラズマ処理部22a,22bは、それぞれ板状の被処理物4の上方、及び、下方に配置されている。被処理物4は搬送機構（コロ）13に搭載され、矢印21の方向へ搬送される。
筐体300は、ガスカーテン機構2a,2b,2c,2dと、排気処理機構3a,3b,3c,3dとを備える。
各ガスカーテン機構と、各排気機構とは、矢印21方向に50mmの距離を有している。 As shown in FIG. 3, the plasma processing apparatus according to the third embodiment includes a housing 300, plasma processing units 22 a and 22 b and a transport mechanism 13 that are vertically opposed to each other. The plasma processing units 22a and 22b are respectively disposed above and below the plate-shaped workpiece 4. The workpiece 4 is mounted on a transport mechanism (roller) 13 and transported in the direction of the arrow 21.
The casing 300 includes gas curtain mechanisms 2a, 2b, 2c, 2d and exhaust treatment mechanisms 3a, 3b, 3c, 3d.
Each gas curtain mechanism and each exhaust mechanism have a distance of 50 mm in the direction of arrow 21.

プラズマ処理部22a,22bにはそれぞれ電極部19a,19bが設置されている。電極部19a,19bには電源20a,20bが接続されて電力が供給されると共に、電極部19a,19bには後述するようにプロセスガス用配管18を介してプロセスガス用ガスボンベ11からプロセスガスが供給される。なお、プロセスガスとしては、ヘリウム，窒素，酸素の各ボンベを用意し、それらのボンベから供給されるガスを混合したものを用いるが、ここでは説明を簡単にするため、それらをまとめてプロセスガス用ガスボンベ11として説明する。   Electrode portions 19a and 19b are installed in the plasma processing portions 22a and 22b, respectively. The electrodes 19a and 19b are connected to power supplies 20a and 20b to supply power, and the electrode portions 19a and 19b are supplied with process gas from a process gas gas cylinder 11 via a process gas pipe 18 as will be described later. Supplied. As the process gas, helium, nitrogen, and oxygen cylinders are prepared and mixed with the gas supplied from these cylinders, but here, in order to simplify the explanation, they are collectively combined into the process gas. The gas cylinder 11 will be described.

電極部19aと電極部19bで挟まれる空間をプラズマ生成領域1a、筐体300の両端の開口部1cからプラズマ生成領域1aまでの空間を通路（被処理物搬入・搬出路）1bとする。
電極部19a,19bにはそれぞれ複数の電極23が設置されている。電極部23は、実施形態1,2と同様に図８に示す構造を有する。 A space between the electrode part 19a and the electrode part 19b is defined as a plasma generation region 1a, and a space from the opening 1c at both ends of the casing 300 to the plasma generation region 1a is defined as a passage (workpiece carrying-in / out route) 1b.
A plurality of electrodes 23 are installed in each of the electrode portions 19a and 19b. The electrode part 23 has the structure shown in FIG. 8 as in the first and second embodiments.

図3に示すガス分析計５は、プラズマ処理部22a,22bから複数のガス分析用配管5aを介してプラズマ生成領域1a及び通路1b付近に存在するガスを採取し、ガス成分を計測し、検出データをデータ伝送線15を通じてデータ処理部（制御部）6に送る。データ処理部6はあらかじめ実験（予備工程）でこれらの検出データを取得しておく。   The gas analyzer 5 shown in FIG. 3 collects the gas existing in the vicinity of the plasma generation region 1a and the passage 1b from the plasma processing units 22a and 22b through a plurality of gas analysis pipes 5a, and measures and detects gas components. Data is sent to the data processing unit (control unit) 6 through the data transmission line 15. The data processing unit 6 acquires these detection data in advance through experiments (preliminary steps).

そして、本工程において、プロセスガス流量Ｑ１、ガスカーテン機構2a〜2dのガスカーテン流量Ｑ２a〜Ｑ２d、及び、排気機構3a〜3dの排気流量Ｑ３a〜Ｑ３dを前記検出データを参照して設定する。同時に、データ処理部6は、各設定値を、プロセスガス流量調整機構9、ガスカーテン流量調整機構7、排気流量調整機構8に送り、流量を調整すると共に、電源20a,20bの出力調整と出力のオン・オフ制御と、搬送機構13の駆動制御を行うようになっている。   In this step, the process gas flow rate Q1, the gas curtain flow rates Q2a to Q2d of the gas curtain mechanisms 2a to 2d, and the exhaust flow rates Q3a to Q3d of the exhaust mechanisms 3a to 3d are set with reference to the detection data. At the same time, the data processing unit 6 sends each set value to the process gas flow rate adjustment mechanism 9, the gas curtain flow rate adjustment mechanism 7, and the exhaust flow rate adjustment mechanism 8 to adjust the flow rate and adjust the output of the power sources 20a and 20b. ON / OFF control and drive control of the transport mechanism 13 are performed.

ガスカーテン用ガスは、カーテンガス用ガスボンベ10からカーテンガス用配管16、及び、ガスカーテン流量調整機構7を介してガスカーテン機構2a〜2dへ供給される。プラズマ生成領域1a及び通路1b付近に存在するガスは、排気機構3a〜3d、排気用配管17、及び、排気流量調整機構8、排気手段12を介して装置外へ排気される。プロセスガスは、プロセスガス用ガスボンベ11からプロセスガス用配管18、及び、プロセスガス流量調整機構9を介して電極部19a,19bへ供給される。   The gas curtain gas is supplied from the curtain gas gas cylinder 10 to the gas curtain mechanisms 2a to 2d via the curtain gas pipe 16 and the gas curtain flow rate adjusting mechanism 7. Gas existing in the vicinity of the plasma generation region 1a and the passage 1b is exhausted outside the apparatus through the exhaust mechanisms 3a to 3d, the exhaust pipe 17, the exhaust flow rate adjusting mechanism 8, and the exhaust means 12. The process gas is supplied from the process gas cylinder 11 to the electrode portions 19a and 19b via the process gas pipe 18 and the process gas flow rate adjusting mechanism 9.

ここで、ガスカーテン機構2a,2b,2c,2dの詳細について説明する。図６は、実施形態３によるプラズマプロセス装置のガスカーテン機構2a〜2dのガス噴出ノズル30a〜30dの一例を示す説明図である。
図６のガスカーテン機構2a,2cは、ガス噴出ノズル30a,30cが筐体300の被処理物入口側の端部にあり、このガス噴出ノズル30a,30cから被処理物4に向けガスが噴出される。また、ガスカーテン機構2b,2dは、ガス噴出ノズル30b,30dが筐体300の被処理物出口側の端部にあり、ガス噴出ノズル30b,30dから筐体300の被処理物4に向けガスが噴出される。それにより、処理部22a,22bからのプロセスガスの流出が少なくなる。 Here, the details of the gas curtain mechanisms 2a, 2b, 2c, 2d will be described. FIG. 6 is an explanatory diagram illustrating an example of gas ejection nozzles 30a to 30d of the gas curtain mechanisms 2a to 2d of the plasma process apparatus according to the third embodiment.
In the gas curtain mechanism 2a, 2c of FIG. 6, the gas ejection nozzles 30a, 30c are at the end of the casing 300 on the workpiece inlet side, and gas is ejected from the gas ejection nozzles 30a, 30c toward the workpiece 4. Is done. Further, the gas curtain mechanism 2b, 2d has the gas ejection nozzles 30b, 30d at the end of the casing 300 on the workpiece outlet side, and gas is directed from the gas ejection nozzles 30b, 30d toward the workpiece 4 of the casing 300. Is ejected. Thereby, the outflow of process gas from the processing units 22a and 22b is reduced.

図７は、ガスカーテン機構2a〜2dのガス噴出ノズル30a〜30dの位置が図６と異なる例を示す図である。図７のガスカーテン機構2a〜2dも、上下に対向しているが、ガス噴出ノズル30a〜30dが筐体300の被処理物入口側端部および出口側端部よりも所定距離だけ奥へ引き込まれている。このようにすると被処理物4に対してカーテンガスが接する面積が広くなるため、外気混入防止効果が上昇する。   FIG. 7 is a diagram illustrating an example in which the positions of the gas ejection nozzles 30a to 30d of the gas curtain mechanisms 2a to 2d are different from those in FIG. Although the gas curtain mechanisms 2a to 2d in FIG. 7 are also opposed to each other in the vertical direction, the gas ejection nozzles 30a to 30d are drawn deeper by a predetermined distance than the workpiece inlet side end and outlet side end of the casing 300. It is. In this way, the area in which the curtain gas is in contact with the workpiece 4 is increased, and the effect of preventing outside air mixing is increased.

被処理物4が筐体300に対して矢印21の方向に搬送される際、筐体300と被処理物4との相対位置が図示しない位置センサにより検出され、データ処理部6へ送られる。データ処理部6は検出された相対位置の変化に伴い、ガスカーテン機構2a〜2dのガス噴出ノズル30a〜30dの角度（θa〜θd）を変化させる。   When the workpiece 4 is conveyed in the direction of the arrow 21 with respect to the casing 300, the relative position between the casing 300 and the workpiece 4 is detected by a position sensor (not shown) and sent to the data processing unit 6. The data processing unit 6 changes the angles (θa to θd) of the gas ejection nozzles 30a to 30d of the gas curtain mechanisms 2a to 2d with the change of the detected relative position.

次に実施形態３におけるプラズマプロセス装置を用いたプラズマプロセス処理について説明する。
被処理物4であるガラス基板は、搬送機構13によって筐体300（矢印21の方向）へ搬送され、プラズマ処理を行う。 Next, plasma process processing using the plasma process apparatus in the third embodiment will be described.
The glass substrate that is the object to be processed 4 is transported to the housing 300 (in the direction of the arrow 21) by the transport mechanism 13, and plasma processing is performed.

最初、図３に示す被処理物4の先端（左端）が筐体300からｄ＝１００ｍｍ以上離れた状態で、プラズマ処理部22aへ、ヘリウムガス（流量Ｑ１［Ｈｅ］＝８０Ｌ／分）、窒素ガス（流量Ｑ１［Ｎ₂］＝４０Ｌ／分）、酸素ガス（流量Ｑ１［Ｏ₂］＝０．６Ｌ／分）を混合したプロセスガスを導入し、ガスカーテン機構2a〜2dの噴射ノズル角度θa＝θb＝θc＝θd＝４５度、ガスカーテン機構2a〜2dの流量Ｑ２a〜Ｑ２dを２００Ｌ／分、排気機構3a〜3dの流量Ｑ３a〜Ｑ３dを１３０Ｌ／分に設定する。 First, helium gas (flow rate Q1 [He] = 80 L / min), nitrogen, and nitrogen are supplied to the plasma processing unit 22a in a state where the tip (left end) of the workpiece 4 shown in FIG. A process gas mixed with gas (flow rate Q1 [N ₂ ] = 40 L / min) and oxygen gas (flow rate Q1 [O ₂ ] = 0.6 L / min) is introduced, and the injection nozzle angle θa of the gas curtain mechanisms 2a to 2d = Θb = θc = θd = 45 degrees, the flow rates Q2a to Q2d of the gas curtain mechanisms 2a to 2d are set to 200 L / min, and the flow rates Q3a to Q3d of the exhaust mechanisms 3a to 3d are set to 130 L / min.

次に、被処理物4が矢印21の方向へ移動し、ｄ＝１００ｍｍになるとθa，θcが４５度から６０度に変更される。そして、ｄ＝０ｍｍになると、Ｑ１［Ｏ₂］が０．６Ｌ／ｍｉｎから０．５Ｌ／ｍｉｎに、Ｑ２a〜Ｑ２dが２００Ｌ／ｍｉｎから３００Ｌ／ｍｉｎに，Ｑ３a〜Ｑ３dが１３０Ｌ／ｍｉｎから１４０Ｌ／ｍｉｎに、θa,θcが６０度から４５度に変更される。
次に、被処理物4がプラズマ生成領域1aに入って出るまでの期間には、電源20a,20bがオンになり、プラズマが生成される。 Next, when the workpiece 4 moves in the direction of the arrow 21 and d = 100 mm, θa and θc are changed from 45 degrees to 60 degrees. When d = 0 mm, Q1 [O ₂ ] is changed from 0.6 L / min to 0.5 L / min, Q2a to Q2d are changed from 200 L / min to 300 L / min, and Q3a to Q3d are changed from 130 L / min to 140 L / min. In min, θa and θc are changed from 60 degrees to 45 degrees.
Next, in a period until the workpiece 4 enters and exits the plasma generation region 1a, the power sources 20a and 20b are turned on and plasma is generated.

そして、ガスカーテン機構2b,2dから被処理物4の後端（右端）が離れると、Ｑ１［Ｏ₂］が０．５Ｌ／ｍｉｎから０．６Ｌ／ｍｉｎに、Ｑ２a〜Ｑ２dが３００Ｌ／ｍｉｎから２００Ｌ／ｍｉｎに、Ｑ３a〜Ｑ３dが１４０Ｌ／ｍｉｎから１３０Ｌ／ｍｉｎに変更される。そして、θb,θdは４５度から６０度に変更された後、再び４５度に変更される。 When the rear end (right end) of the workpiece 4 is separated from the gas curtain mechanisms 2b and 2d, Q1 [O ₂ ] is changed from 0.5 L / min to 0.6 L / min, and Q2a to Q2d are changed from 300 L / min. Q3a to Q3d are changed from 140 L / min to 130 L / min at 200 L / min. Then, θb and θd are changed from 45 degrees to 60 degrees and then changed to 45 degrees again.

なお、これらの各設定値は、実施形態１，２と同様に予備工程で実験的に予め取得されたものである。
このようにしてプラズマ生成期間、つまり被処理物4の処理期間の酸素濃度が実施形態１，２と同様に所定値以下になり、良好なプラズマ処理が可能となる。 These set values are experimentally acquired in advance in a preliminary process as in the first and second embodiments.
In this way, the oxygen concentration in the plasma generation period, that is, the processing period of the workpiece 4 is equal to or less than the predetermined value as in the first and second embodiments, and a favorable plasma process is possible.

本発明の実施形態１によるプラズマプロセス装置の構成を示す説明図である。It is explanatory drawing which shows the structure of the plasma process apparatus by Embodiment 1 of this invention. 本発明の実施形態２によるプラズマプロセス装置の構成を示す説明図である。It is explanatory drawing which shows the structure of the plasma process apparatus by Embodiment 2 of this invention. 本発明の実施形態３によるプラズマプロセス装置の構成を示す説明図である。It is explanatory drawing which shows the structure of the plasma process apparatus by Embodiment 3 of this invention. 本発明の実施形態１によるプラズマプロセス装置の筐体を示す斜視図である。It is a perspective view which shows the housing | casing of the plasma process apparatus by Embodiment 1 of this invention. 本発明の実施形態１，２におけるガスカーテン機構を示す説明図である。It is explanatory drawing which shows the gas curtain mechanism in Embodiment 1, 2 of this invention. 本発明の実施形態３におけるガスカーテン機構を示す説明図である。It is explanatory drawing which shows the gas curtain mechanism in Embodiment 3 of this invention. 図６の変形例を示す説明図である。It is explanatory drawing which shows the modification of FIG. 本発明の実施形態１〜３における電極を示す断面図である。It is sectional drawing which shows the electrode in Embodiment 1-3 of this invention. 本発明の実施形態１における要部断面図である。It is principal part sectional drawing in Embodiment 1 of this invention. 本発明の実施形態２における要部断面図である。It is principal part sectional drawing in Embodiment 2 of this invention. 本発明の実施形態１におけるガスカーテン機構の構造図である。It is a structural diagram of the gas curtain mechanism in Embodiment 1 of the present invention.

符号の説明Explanation of symbols

100,200,300 筐体
1a プラズマ生成領域
1b 通路
1c 開口部
2a,2b,2c,2d ガスカーテン機構
3a,3b,3c,3d 排気機構
4 被処理物
5 ガス分析計
5a ガス分析用配管
6 データ処理部
7 ガスカーテン流量調整機構
8 排気流量調整機構
9 プロセスガス流量調整機構
10 カーテンガス用ガスボンベ
11 プロセスガス用ガスボンベ
12 排気手段
13 搬送機構
14 ステージ
15 データ伝送線
16 カーテンガス用配管
17 排気用配管
18 プロセスガス用配管
19a,19b 電極部
20a,20b 電源
22a,22b プラズマ処理部
23 電極
30a, 30b ガス噴射ノズル 100,200,300 housing
1a Plasma generation region
1b passage
1c opening
2a, 2b, 2c, 2d Gas curtain mechanism
3a, 3b, 3c, 3d Exhaust mechanism
4 Workpiece
5 Gas analyzer
5a Gas analysis piping
6 Data processing section
7 Gas curtain flow rate adjustment mechanism
8 Exhaust flow rate adjustment mechanism
9 Process gas flow rate adjustment mechanism
10 Gas cylinder for curtain gas
11 Gas cylinder for process gas
12 Exhaust means
13 Transport mechanism
14 stages
15 Data transmission line
16 Curtain gas piping
17 Exhaust piping
18 Process gas piping
19a, 19b Electrode section
20a, 20b power supply
22a, 22b Plasma processing section
23 electrodes
30a, 30b Gas injection nozzle

Claims (6)

プラズマを生成して被処理物を処理するプラズマ処理部と、プラズマ処理部に処理ガスを供給する処理ガス供給部と、プラズマ処理部と被処理物とを収容するための筐体と、被処理物を筐体内のプラズマ生成領域へ搬入する搬入路と、被処理物をプラズマ生成領域から筐体外へ搬出する搬出路と、搬入路に設けられた第１ガスカーテン機構および第１排気機構と、搬出路に設けられた第２ガスカーテン機構および第２排気機構と、処理ガス供給流量Ｑ１、第１および第２ガスカーテン機構のガス流量Ｑ２、Ｑ３、第１および第２排気機構の排気流量Ｑ４、Ｑ５をそれぞれ制御する制御部とを備え、制御部は所定のガス濃度の雰囲気で被処理物が処理されるようにＱ１、Ｑ２、Ｑ３、Ｑ４、Ｑ５をプラズマの生成期間と非生成期間において、異なる値になるよう制御するプラズマプロセス装置。   A plasma processing unit that generates plasma to process a workpiece, a processing gas supply unit that supplies a processing gas to the plasma processing unit, a housing for housing the plasma processing unit and the workpiece, and a processing target A carry-in path for carrying an object into the plasma generation region in the casing; a carry-out path for carrying out an object to be processed out of the casing from the plasma generation area; a first gas curtain mechanism and a first exhaust mechanism provided in the carry-in path; Second gas curtain mechanism and second exhaust mechanism provided in the carry-out path, processing gas supply flow rate Q1, gas flow rates Q2 and Q3 of the first and second gas curtain mechanisms, exhaust flow rate Q4 of the first and second exhaust mechanisms , Q5, and a control unit for controlling each of Q5, Q1, Q2, Q3, Q4, and Q5 in a plasma generation period and a non-generation period so that an object to be processed is processed in an atmosphere having a predetermined gas concentration. , Different Plasma processing apparatus for controlling so as to be that value. プラズマを生成して被処理物を処理するプラズマ処理部と、プラズマ処理部に処理ガスを供給する処理ガス配給部と、プラズマ処理部と被処理物とを収容するための筐体と、被処理物を筐体内のプラズマ生成領域へ搬入する搬入路と、被処理物をプラズマ生成領域から筐体外へ搬出する搬出路と、プラズマ処理部と被処理物を相対的に移動させる搬送部と、プラズマ処理部と被処理物との移動方向の相対距離を検出する距離検出部と、搬入路に設けられた第１ガスカーテン機構および第１排気機構と、搬出路に設けられた第２ガスカーテン機構及び第２排気機構と、処理ガス供給流量Ｑ１、第１および第２ガスカーテン機構のガス流量Ｑ２、Ｑ３、第１および第２排気機構の排気流量Ｑ４、Ｑ５をそれぞれ制御する制御部とを備え、制御部は所定のガス濃度の雰囲気で被処理物が処理されるようにＱ１、Ｑ２、Ｑ３、Ｑ４、Ｑ５を距離検出部の検出する距離に応じて制御するプラズマプロセス装置。   A plasma processing unit that generates plasma and processes an object to be processed, a processing gas supply unit that supplies a processing gas to the plasma processing unit, a housing for accommodating the plasma processing unit and the object to be processed, and a processing target A carry-in path for carrying an object into the plasma generation region in the housing, a carry-out path for carrying out the object to be processed from the plasma generation region to the outside of the housing, a transport unit for relatively moving the plasma processing unit and the object to be treated, and plasma A distance detection unit for detecting a relative distance in the moving direction between the processing unit and the workpiece, a first gas curtain mechanism and a first exhaust mechanism provided in the carry-in path, and a second gas curtain mechanism provided in the carry-out path And a second exhaust mechanism, and a control unit for controlling the processing gas supply flow rate Q1, the gas flow rates Q2 and Q3 of the first and second gas curtain mechanisms, and the exhaust flow rates Q4 and Q5 of the first and second exhaust mechanisms, respectively. The control unit Plasma processing device for controlling in response to the Q1, Q2, Q3, Q4, the distance detected by the Q5 distance detector as the object to be treated in an atmosphere of constant gas concentration is processed. 予備工程と本工程とを備え、予備工程において、請求項１記載のプラズマプロセス装置を使用し、被処理物のプラズマ処理を行い、被処理物が処理される雰囲気のガス濃度を検出し、前記雰囲気のガス濃度が所定値になるＱ１、Ｑ２、Ｑ３、Ｑ４、Ｑ５の値をプラズマ生成期間と非生成期間について決定し、次に本工程において、前記プラズマプロセス装置を再度使用し、プラズマ生成期間と非生成期間のＱ１〜Ｑ５を予備工程で決定された値に制御して、被処理物のプラズマ処理を行うプラズマ処理方法。   A preliminary process and a main process are provided, and in the preliminary process, the plasma processing apparatus according to claim 1 is used to perform plasma processing of the processing object, and the gas concentration of the atmosphere in which the processing object is processed is detected, The values of Q1, Q2, Q3, Q4, and Q5 at which the atmospheric gas concentration reaches a predetermined value are determined for the plasma generation period and the non-generation period. Next, in this step, the plasma process apparatus is used again, and the plasma generation period And a plasma processing method of performing plasma processing of an object to be processed by controlling Q1 to Q5 of the non-generation period to values determined in the preliminary process. 予備工程と本工程とを備え、予備工程において、請求項２記載のプラズマプロセス装置を使用し、被処理物のプラズマ処理を行い、被処理物が処理される雰囲気のガス濃度を検出し、前記雰囲気のガス濃度が所定値になるようにプラズマ処理部と被処理物との前記相対距離に対するＱ１、Ｑ２、Ｑ３、Ｑ４、Ｑ５の値を決定し、次に本工程において、前記プラズマプロセス装置を再度使用し、プラズマ処理部と被処理物との前記相対距離に対するＱ１、Ｑ２、Ｑ３、Ｑ４、Ｑ５を予備工程で決定された値に制御して被処理物のプラズマ処理を行うプラズマ処理方法。   A preliminary process and a main process are provided, and in the preliminary process, the plasma processing apparatus according to claim 2 is used to perform plasma processing of the processing object, and the gas concentration of the atmosphere in which the processing object is processed is detected, The values of Q1, Q2, Q3, Q4, and Q5 with respect to the relative distance between the plasma processing unit and the object to be processed are determined so that the gas concentration in the atmosphere becomes a predetermined value. Next, in this step, the plasma processing apparatus is A plasma processing method for performing plasma processing of an object to be processed again by controlling Q1, Q2, Q3, Q4, and Q5 with respect to the relative distance between the plasma processing unit and the object to be processed to values determined in a preliminary process. 被処理物が処理される雰囲気のガス濃度を検出するガス濃度検出部をさらに備える請求項１又は２記載のプラズマプロセス装置。   The plasma process apparatus according to claim 1, further comprising a gas concentration detection unit that detects a gas concentration of an atmosphere in which an object to be processed is processed. 第１および第２ガスカーテン機構は、搬入路および搬出路の上方に設けられ、搬入路および搬出路に所定角度で交差するように下方にガスを噴出するノズルと、前記所定角度を制御する角度制御機構とを備える請求項１又は２記載のプラズマプロセス装置。   The first and second gas curtain mechanisms are provided above the carry-in path and the carry-out path, and a nozzle that ejects gas downward so as to intersect the carry-in path and the carry-out path at a predetermined angle, and an angle that controls the predetermined angle The plasma processing apparatus according to claim 1, further comprising a control mechanism.

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