KR102109312B1 - Method and apparatus for manufacturing a layer for manufacturing a display using water vapor - Google Patents

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Abstract

디스플레이 제조를 위한 복수의 박막 트랜지스터들을 위한 층을 제조하는 방법 및 그 장치가 설명된다. 방법은, 프로세싱 가스 분위기(atmosphere)에서 인듐 옥사이드 함유 타겟으로부터 투명 전도성 옥사이드 층을 스퍼터링하는 단계를 포함한다. 프로세싱 가스 분위기(222)는 수증기, H2, 및 불활성 가스를 포함하고, 수증기의 함량은 1% 내지 10%이며, H2의 함량은 2.2% 내지 20.0%이고, 불활성 가스의 함량은 55.0% 내지 96.3%이다. 장치(200)는, 진공 챔버(210); 투명 전도성 옥사이드 층을 스퍼터링하기 위한, 진공 챔버 내의 하나 또는 그 초과의 인듐 옥사이드 함유 타겟들(220a, 220b); 진공 챔버 내에 프로세싱 가스를 제공하기 위한 가스 분배 시스템(230); 및 가스 분배 시스템에 연결되고, 방법을 수행하기 위한 프로그램 코드를 실행하도록 구성된 제어기(240)를 포함한다.A method and apparatus for manufacturing a layer for a plurality of thin film transistors for display manufacturing is described. The method includes sputtering a transparent conductive oxide layer from an indium oxide containing target in a processing gas atmosphere (atmosphere). The processing gas atmosphere 222 includes water vapor, H 2 , and an inert gas, the content of water vapor is 1% to 10%, the content of H 2 is 2.2% to 20.0%, and the content of inert gas is 55.0% to 96.3%. The apparatus 200 includes a vacuum chamber 210; One or more indium oxide containing targets 220a, 220b in a vacuum chamber for sputtering the transparent conductive oxide layer; A gas distribution system 230 for providing processing gas in the vacuum chamber; And a controller 240 connected to the gas distribution system and configured to execute program code for performing the method.

Description

수증기를 사용하여 디스플레이 제조를 위한 층을 제조하는 방법 및 그 장치Method and apparatus for manufacturing a layer for manufacturing a display using water vapor

[0001] 본 개시내용은 기판을 진공 프로세스 챔버에서 코팅하기 위한 장치 및 방법에 관한 것이다. 특히, 본 개시내용은 디스플레이 제조를 위해, 스퍼터링된 재료의 적어도 하나의 층을 기판 상에 형성하기 위한 장치 및 방법에 관한 것이다.[0001] The present disclosure relates to an apparatus and method for coating a substrate in a vacuum process chamber. In particular, the present disclosure relates to an apparatus and method for forming at least one layer of sputtered material on a substrate, for display manufacturing.

[0002] 많은 어플리케이션들에서, 기판 상에, 예컨대, 유리 기판 상에 얇은 층들을 증착시키는 것이 요구된다. 통상적으로, 기판들은 코팅 장치의 다양한(different) 챔버들에서 코팅된다. 몇몇 어플리케이션들의 경우, 기판들은, 기상 증착 기법을 사용하여 진공에서 코팅된다. 기판 상에 재료를 증착시키기 위한 여러 방법들이 공지되어 있다. 예컨대, 기판들은 물리 기상 증착(PVD) 프로세스, 화학 기상 증착(CVD) 프로세스, 또는 플라즈마 강화 화학 기상 증착(PECVD) 프로세스, 등에 의해 코팅될 수 있다. 통상적으로, 프로세스는, 코팅될 기판이 로케이팅되는 프로세스 챔버 또는 프로세스 장치에서 수행된다.In many applications, it is desired to deposit thin layers on a substrate, such as on a glass substrate. Typically, the substrates are coated in different chambers of the coating apparatus. For some applications, the substrates are coated in vacuum using vapor deposition techniques. Several methods are known for depositing materials on a substrate. For example, the substrates can be coated by a physical vapor deposition (PVD) process, chemical vapor deposition (CVD) process, or plasma enhanced chemical vapor deposition (PECVD) process, and the like. Typically, the process is performed in a process chamber or process apparatus in which the substrate to be coated is located.

[0003] 전자 디바이스들 그리고 특히 광-전자 디바이스들은, 지난 몇 년 동안 비용 측면에서 상당한 감소를 나타냈다. 또한, 디스플레이들에서 픽셀 밀도가 계속해서 증가되고 있다. TFT 디스플레이들의 경우, 고밀도 TFT 집적화(integration)가 요구된다. 그러나, 디바이스 내에서 TFT(thin-film transistors)의 개수가 증가함에도 불구하고, 수율을 증가시키려고 시도되고, 제조 비용을 감소시키려고 시도된다.Electronic devices, and especially opto-electronic devices, have shown a significant reduction in cost over the past few years. Also, pixel densities in displays continue to increase. In the case of TFT displays, high density TFT integration is required. However, despite the increasing number of thin-film transistors (TFTs) in the device, attempts have been made to increase yields and to reduce manufacturing costs.

[0004] 따라서, 특히 고품질 저비용에 대해, 제조 동안 TFT 디스플레이 특성들을 튜닝하기 위한 방법들 및 장치들을 제공하는 것에 대한 요구가 계속되고 있다.Accordingly, there is a continuing need to provide methods and apparatus for tuning TFT display characteristics during manufacturing, particularly for high quality and low cost.

[0005] 상기 내용을 고려하여, 독립 청구항들에 따라, 디스플레이 제조를 위한 복수의 박막 트랜지스터들을 위한 층을 제조하는 방법 및 그 장치가 제공된다. 또한, 본원에서 설명되는 실시예들에 따라 층을 제조하는 방법에 의해 제조된 층을 포함하는 전자 디바이스가 제공된다. 추가적인 장점들, 특징들, 양상들, 및 세부 사항들은 종속 청구항들, 상세한 설명, 및 도면들로부터 자명하다.In view of the above, according to the independent claims, a method and apparatus for manufacturing a layer for a plurality of thin film transistors for manufacturing a display are provided. Also provided is an electronic device comprising a layer made by a method of making a layer in accordance with embodiments described herein. Additional advantages, features, aspects, and details are apparent from the dependent claims, detailed description, and drawings.

[0006] 본 개시내용의 일 양상에 따르면, 디스플레이 제조를 위한 복수의 박막 트랜지스터들을 위한 층을 제조하는 방법이 제공된다. 방법은, 프로세싱 가스 분위기(atmosphere)에서 인듐 옥사이드 함유 타겟으로부터 투명 전도성 옥사이드 층을 스퍼터링하는 단계를 포함한다. 프로세싱 가스 분위기는 수증기, H2, 및 불활성 가스를 포함하고, 수증기의 함량은 1% 내지 10%이며, H2의 함량은 2.2% 내지 20.0%이고, 불활성 가스의 함량은 70.0% 내지 96.8%이다.According to one aspect of the present disclosure, a method of manufacturing a layer for a plurality of thin film transistors for display manufacturing is provided. The method includes sputtering a transparent conductive oxide layer from an indium oxide containing target in a processing gas atmosphere (atmosphere). The processing gas atmosphere contains water vapor, H 2 , and an inert gas, the content of water vapor is 1% to 10%, the content of H 2 is 2.2% to 20.0%, and the content of an inert gas is 70.0% to 96.8%. .

[0007] 본 개시내용의 또 다른 양상에 따르면, 본원에서 설명되는 실시예들에 따라 복수의 박막 트랜지스터들을 위한 층을 제조하는 방법에 의해 제조된 층을 포함하는 전자 디바이스가 제공된다.According to another aspect of the present disclosure, an electronic device is provided that includes a layer made by a method of manufacturing a layer for a plurality of thin film transistors in accordance with embodiments described herein.

[0008] 본 개시내용의 추가적인 양상에 따르면, 디스플레이 제조를 위한 층을 증착시키기 위한 장치가 제공된다. 장치는 진공 챔버; 투명 전도성 옥사이드 층을 스퍼터링하기 위한, 진공 챔버 내의 하나 또는 그 초과의 인듐 옥사이드 함유 타겟들; 진공 챔버 내에 프로세싱 가스를 제공하기 위한 가스 분배 시스템 ― 진공 챔버는 수증기를 위한 제 1 가스 유입구 및 H2를 위한 제 2 가스 유입구에서 가스 분배 시스템에 연결되고, 특히, 진공 챔버는 O2를 위한 제 3 가스 유입구에서 가스 분배 시스템에 추가적으로 연결됨 ―; 및 가스 분배 시스템에 연결되고, 프로그램 코드를 실행하도록 구성된 제어기를 포함하고, 프로그램 코드의 실행 시에, 본원에서 설명되는 실시예들에 따라 디스플레이 제조를 위한 복수의 박막 트랜지스터들을 위한 층을 제조하는 방법이 수행된다.According to a further aspect of the present disclosure, an apparatus for depositing a layer for manufacturing a display is provided. The device includes a vacuum chamber; One or more indium oxide containing targets in a vacuum chamber for sputtering the transparent conductive oxide layer; A gas distribution system for providing processing gases into the vacuum chamber, the vacuum chamber is connected to a gas distribution system in a second gas inlet for the first gas inlet and H 2 for the water vapor, in particular, a vacuum chamber is first for O 2 3 additionally connected to the gas distribution system at the gas inlet ―; And a controller coupled to the gas distribution system and configured to execute the program code, and upon execution of the program code, a method of manufacturing a layer for a plurality of thin film transistors for display manufacturing according to embodiments described herein. This is done.

[0009] 본원에서 설명되는 본 개시내용의 상기 열거된 특징들이 상세히 이해될 수 있는 방식으로, 앞서 간략히 요약된, 보다 구체적인 설명이 실시예들을 참조로 하여 이루어질 수 있다. 첨부한 도면들은 본 개시내용의 실시예들에 관한 것이고, 이하에서 설명된다.
도 1은, 본원에서 설명되는 실시예들에 따라 디스플레이 제조를 위한 층을 증착시키기 위한 장치의 개략도를 도시하고;
도 2는, 본원에서 설명되는 실시예들에 따라 디스플레이 제조를 위한 층을 증착시키기 위한 장치의 개략도를 도시하며;
도 3은, 본원에서 설명되는 바와 같은 실시예들에 따라 디스플레이 제조를 위한 복수의 박막 트랜지스터들을 위한 층을 제조하는 방법을 예시하는 블록도를 도시하고;
도 4는, 본원에서 설명되는 바와 같은 실시예들에 따라 디스플레이 제조를 위한 복수의 박막 트랜지스터들을 위한 층을 제조하는 방법을 예시하는 블록도를 도시한다.In a manner that the above listed features of the present disclosure described herein can be understood in detail, a more detailed description, briefly summarized above, may be made with reference to embodiments. The accompanying drawings relate to embodiments of the present disclosure and are described below.
1 shows a schematic diagram of an apparatus for depositing a layer for display manufacture in accordance with embodiments described herein;
2 shows a schematic diagram of an apparatus for depositing a layer for manufacturing a display according to embodiments described herein;
3 shows a block diagram illustrating a method of manufacturing a layer for a plurality of thin film transistors for display manufacturing in accordance with embodiments as described herein;
4 shows a block diagram illustrating a method of manufacturing a layer for a plurality of thin film transistors for display manufacturing according to embodiments as described herein.

[0010] 이제, 본 개시내용의 다양한 실시예들에 대한 참조가 상세히 이루어질 것이며, 다양한 실시예들 중 하나 또는 그 초과의 예들은 도면들에 예시된다. 도면들에 대한 이하의 설명 내에서, 동일한 참조 번호들은 동일한 컴포넌트들을 지칭한다. 이하에서는, 오직, 개별적인 실시예들에 대한 차이들만이 설명된다. 각각의 예는 본 개시내용의 설명으로서 제공되고, 본 개시내용의 제한을 의미하지 않는다. 또한, 일 실시예의 부분으로서 예시되거나 설명되는 특징들은, 더 추가적인 실시예를 생성하기 위해 다른 실시예들과 함께 사용되거나 또는 다른 실시예들에 대해 사용될 수 있다. 상세한 설명은 그러한 수정들 및 변형들을 포함하도록 의도된다.Reference will now be made in detail to various embodiments of the present disclosure, and examples of one or more of the various embodiments are illustrated in the drawings. Within the following description of the drawings, the same reference numbers refer to the same components. In the following, only differences for individual embodiments are described. Each example is provided as a description of the present disclosure and does not imply a limitation of the present disclosure. Also, features illustrated or described as part of one embodiment can be used with or for other embodiments to create a more additional embodiment. The detailed description is intended to include such modifications and variations.

[0011] 본 개시내용에서, "프로세싱 가스 분위기(atmosphere)"라는 표현은 층을 증착시키기 위한 장치의 프로세싱 챔버 내부, 특히, 진공 프로세싱 챔버 내부의 분위기로서 이해될 수 있다. "프로세싱 가스 분위기"는 프로세싱 챔버 내부의 용적에 의해 특정되는 용적을 가질 수 있다.In the present disclosure, the expression "processing gas atmosphere (atmosphere)" may be understood as an atmosphere inside a processing chamber of a device for depositing a layer, especially inside a vacuum processing chamber. The "processing gas atmosphere" can have a volume specified by the volume inside the processing chamber.

[0012] 본 개시내용에서, 약어 "H2"는 수소, 특히 가스성 수소(gaseous hydrogen)를 의미한다.In the present disclosure, the abbreviation “H 2 ” means hydrogen, especially gaseous hydrogen.

[0013] 또한, 본 개시내용에서, 약어 "O2"는 산소, 특히 가스성 산소를 의미한다.In addition, in the present disclosure, the abbreviation "O 2 " means oxygen, especially gaseous oxygen.

[0014] 본 개시내용에서, "비결정질(amorphous) 구조의 정도(degree)"라는 표현은, 고체 상태의 비결정질 구조 대 비결정질이-아닌(non-amorphous) 구조의 비율로서 이해될 수 있다. 비결정질이-아닌 구조는 결정질(crystalline) 구조일 수 있다. 비결정질 구조는 유리형(glass-like) 구조일 수 있다.In the present disclosure, the expression “degree of an amorphous structure” can be understood as a ratio of a solid state to an amorphous structure to a non-amorphous structure. The non-crystalline structure may be a crystalline structure. The amorphous structure may be a glass-like structure.

[0015] 본 개시내용에서, "시트 저항(sheet resistance)"이라는 표현은 본원에서 설명된 실시예들에 따른 방법에 의해 제조된 층의 저항으로서 이해될 수 있다. 특히, "시트 저항"은 층이 2차원 엔티티로서 간주되는 경우를 지칭할 수 있다. "시트 저항"이라는 표현이, 전류가 층의 평면을 따른다(즉, 전류는 층에 대해 수직이 아니다)는 것을 의미한다는 점이 이해될 수 있다. 또한, 시트 저항은 균일한 층 두께에 대한 저항률의 경우를 지칭할 수 있다.In the present disclosure, the expression “sheet resistance” can be understood as the resistance of a layer produced by a method according to embodiments described herein. In particular, “sheet resistance” can refer to a case where a layer is considered a two-dimensional entity. It can be understood that the expression “sheet resistance” means that the current follows the plane of the layer (ie, the current is not perpendicular to the layer). In addition, sheet resistance may refer to the case of resistivity to a uniform layer thickness.

[0016] 도 1에서, 본원에서 설명되는 실시예들에 따라 디스플레이 제조를 위한 층을 증착시키기 위한 장치(200)의 개략도가 도시된다. 본원에서 설명되는 바와 같은 실시예들에 따르면, 디스플레이 제조를 위한 층을 증착시키기 위한 장치는, 진공 챔버(210); 투명 전도성 옥사이드 층을 스퍼터링하기 위한, 진공 챔버 내의 하나 또는 그 초과의 인듐 옥사이드(특히 ITO(indium tin oxide)) 함유 타겟들(220a, 220b); 진공 챔버 내에 프로세싱 가스를 제공하기 위한 가스 분배 시스템(230); 및 가스 분배 시스템(230)에 연결되고, 프로그램 코드를 실행하도록 구성된 제어기(240)를 포함한다. 프로그램 코드의 실행 시에, 본원에서 설명되는 바와 같이 디스플레이 제조를 위한 복수의 박막 트랜지스터들을 위한 층을 제조하는 방법이 수행된다.[0016] In FIG. 1, a schematic diagram of an apparatus 200 for depositing a layer for display manufacturing in accordance with embodiments described herein is shown. According to embodiments as described herein, an apparatus for depositing a layer for manufacturing a display includes: a vacuum chamber 210; Targets 220a, 220b containing one or more indium oxide (particularly indium tin oxide (ITO)) in a vacuum chamber for sputtering the transparent conductive oxide layer; A gas distribution system 230 for providing processing gas in the vacuum chamber; And a controller 240 connected to the gas distribution system 230 and configured to execute program code. Upon execution of the program code, a method of manufacturing a layer for a plurality of thin film transistors for display manufacturing as described herein is performed.

[0017] 도 1에 예시적으로 도시된 바와 같이, 본원에서 설명되는 다른 실시예들과 결합될 수 있는 실시예들에 따르면, 진공 챔버(210)는 챔버 벽들(211)에 의해 한정되고, 수증기를 위한 제 1 가스 유입구(231) 및 H2를 위한 제 2 가스 유입구(232)에서 가스 분배 시스템(230)에 연결될 수 있다. 도 1에 도시된 바와 같이, 제 1 가스 유입구(231)는 프로세싱 가스 분위기(222)에 제공되는 수증기의 양을 제어하도록 구성된 제 1 질량 유동 제어기(mass flow controller)(234), 예컨대, 제 1 밸브를 갖는 제 1 도관을 통해 가스 분배 시스템(230)에 연결될 수 있다. 제 2 가스 유입구(232)는 프로세싱 가스 분위기에 제공되는 H2의 양을 제어하도록 구성된 제 2 질량 유동 제어기(235), 예컨대, 제 2 밸브를 갖는 제 2 도관을 통해 가스 분배 시스템(230)에 연결될 수 있다.As illustratively shown in FIG. 1, according to embodiments that may be combined with other embodiments described herein, the vacuum chamber 210 is defined by chamber walls 211 and water vapor The first gas inlet 231 for H 2 and the second gas inlet 232 for H 2 may be connected to the gas distribution system 230. As shown in FIG. 1, the first gas inlet 231 is a first mass flow controller 234 configured to control the amount of water vapor provided to the processing gas atmosphere 222, such as the first It can be connected to the gas distribution system 230 through a first conduit with a valve. The second gas inlet 232 is connected to the gas distribution system 230 via a second mass flow controller 235 configured to control the amount of H 2 provided to the processing gas atmosphere, eg, a second conduit with a second valve. Can be connected.

[0018] 본원에서 설명되는 다른 실시예들과 결합될 수 있는 실시예들에 따르면, 가스 분배 시스템은 수증기를 제공하기 위한 제 1 가스 소스 및 H2를 제공하기 위한 제 2 가스 소스를 포함할 수 있다. 따라서, 본원에서 설명되는 바와 같은 장치는 수증기 및 H2를 서로 독립적으로 제공하도록 구성될 수 있으며, 이로써, 진공 챔버(210) 내의 프로세싱 가스 분위기(222)의 수증기 함량(content) 및/또는 H2 함량이 독립적으로 제어될 수 있다. 또한, 가스 분배 시스템은 불활성 가스를 제공하기 위한 제 3 가스 소스를 포함할 수 있다. 본원에서 설명되는 다른 실시예들과 결합될 수 있는 실시예들에 따르면, 가스 분배 시스템은 프로세싱 가스 분위기에 제공되는 불활성 가스의 양을 제어하도록 구성된 불활성 가스 유동 제어기(도시되지 않음)를 포함할 수 있다.According to embodiments that may be combined with other embodiments described herein, the gas distribution system may include a first gas source for providing water vapor and a second gas source for providing H 2 . have. Accordingly, the apparatus as described herein can be configured to provide water vapor and H 2 independently of each other, whereby the water vapor content and / or H 2 of the processing gas atmosphere 222 in the vacuum chamber 210 is H 2. The content can be controlled independently. In addition, the gas distribution system can include a third gas source for providing an inert gas. According to embodiments that may be combined with other embodiments described herein, the gas distribution system may include an inert gas flow controller (not shown) configured to control the amount of inert gas provided to the processing gas atmosphere. have.

[0019] 본원에서 설명되는 다른 실시예들과 결합될 수 있는 실시예들에 따르면, 가스 분배 시스템은 불활성 가스를 제공하기 위한 별개의 가스 소스를 포함할 수 있다. 불활성 가스를 제공하기 위한 별개의 가스 소스는, 예컨대, 불활성 가스를 제공하기 위한 별개의 가스 소스와 진공 챔버를 연결하는 별개의 가스 유입구를 통해 불활성 가스를 수증기 및/또는 H2와 별개로 프로세싱 가스 분위기에 제공하도록 구성될 수 있다. 본원에서 설명되는 다른 실시예들과 결합될 수 있는 몇몇 실시예들에 따르면, 불활성 가스를 제공하기 위한 별개의 가스 소스는, 예컨대, 제 1 가스 유입구를 통해, 진공 챔버 내부의 프로세싱 가스 분위기에 제공될 수 있는 불활성 가스/수증기 혼합물을 제공하기 위해 사용될 수 있다. 부가적으로 또는 대안적으로, 불활성 가스를 제공하기 위한 별개의 가스 소스는, 예컨대, 제 2 가스 유입구를 통해, 진공 챔버 내부의 프로세싱 가스 분위기에 제공될 수 있는 불활성 가스/H2 혼합물을 제공하기 위해 사용될 수 있다.According to embodiments that can be combined with other embodiments described herein, the gas distribution system can include a separate gas source for providing an inert gas. A separate gas source for providing an inert gas may process the inert gas separately from water vapor and / or H 2 through a separate gas inlet connecting a vacuum chamber with a separate gas source for providing an inert gas, for example. It can be configured to provide an atmosphere. According to some embodiments that may be combined with other embodiments described herein, a separate gas source for providing an inert gas is provided to the processing gas atmosphere inside the vacuum chamber, eg, through a first gas inlet. It can be used to provide an inert gas / water vapor mixture that can be used. Additionally or alternatively, a separate gas source for providing an inert gas can provide an inert gas / H 2 mixture that can be provided to the processing gas atmosphere inside the vacuum chamber, eg, through a second gas inlet. Can be used for

[0020] 본원에서 설명되는 다른 실시예들과 결합될 수 있는 실시예들에 따르면, 진공 챔버(210)의 프로세싱 가스 분위기(222)에 수증기를 제공하기 위한, 가스 분배 시스템(230)의 제 1 가스 소스가 불활성 가스/수증기 혼합물을 제공할 수 있다. 불활성 가스/수증기 혼합물에서의 불활성 가스의 부분 압력(partial pressure)은, 본원에서 특정되는 바와 같은 불활성 가스 부분 압력의 상한과 불활성 가스 부분 압력의 하한 사이의 범위에서 선택될 수 있다. 따라서, 불활성 가스/수증기 혼합물에서의 수증기의 부분 압력은, 본원에서 특정되는 바와 같은 수증기 부분 압력의 상한과 수증기 부분 압력의 하한 사이의 범위에서 선택될 수 있다.According to embodiments that may be combined with other embodiments described herein, the first of the gas distribution system 230 for providing water vapor to the processing gas atmosphere 222 of the vacuum chamber 210 The gas source can provide an inert gas / water vapor mixture. The partial pressure of the inert gas in the inert gas / water vapor mixture can be selected in a range between the upper limit of the inert gas partial pressure and the lower limit of the inert gas partial pressure as specified herein. Thus, the partial pressure of water vapor in the inert gas / water vapor mixture can be selected in a range between the upper limit of the water vapor partial pressure and the lower limit of the water vapor partial pressure as specified herein.

[0021] 본원에서 설명되는 다른 실시예들과 결합될 수 있는 실시예들에 따르면, 진공 챔버(210)의 프로세싱 가스 분위기(222)에 H2를 제공하기 위한, 가스 분배 시스템(230)의 제 2 가스 소스가 불활성 가스/H2 혼합물을 제공할 수 있다. 불활성 가스/H2 혼합물에서의 불활성 가스의 부분 압력은, 본원에서 특정되는 바와 같은 불활성 가스 부분 압력의 상한과 불활성 가스 부분 압력의 하한 사이의 범위에서 선택될 수 있다. 따라서, 불활성 가스/H2 혼합물에서의 H2의 부분 압력은, 본원에서 특정되는 바와 같은 H2 부분 압력의 상한과 H2 부분 압력의 하한 사이의 범위에서 선택될 수 있다.According to embodiments that may be combined with other embodiments described herein, the agent of the gas distribution system 230 for providing H 2 to the processing gas atmosphere 222 of the vacuum chamber 210 Two gas sources can provide an inert gas / H 2 mixture. The partial pressure of the inert gas in the inert gas / H 2 mixture can be selected in a range between the upper limit of the inert gas partial pressure and the lower limit of the inert gas partial pressure as specified herein. Accordingly, the partial pressure of H 2 in the inert gas / H 2 mixture, and may be selected from the range between the upper limit of the H 2 partial pressure, as specified herein, and the lower limit of H 2 partial pressure.

[0022] 예시적으로 도 1을 참조하여, 본원에서 설명되는 다른 실시예들과 결합될 수 있는 실시예들에 따르면, 진공 챔버(210)는 배출구 도관에 연결된 배출구 포트(233)를 포함할 수 있고, 배출구 포트(233)는 진공 챔버(210)의 진공을 제공하기 위한 배출구 펌프(236)와 유체 연결(fluid connection)된다.Referring to Figure 1 by way of example, according to embodiments that can be combined with other embodiments described herein, the vacuum chamber 210 may include an outlet port 233 connected to the outlet conduit The outlet port 233 is in fluid connection with an outlet pump 236 for providing vacuum in the vacuum chamber 210.

[0023] 도 1에 예시된 바와 같이, 진공 챔버(210) 내에, 제 1 증착 소스(223a) 및 제 2 증착 소스(223b)가 제공될 수 있다. 증착 소스들은, 예컨대, 기판 상에 증착될 재료의 타겟들을 갖는 회전 가능한 캐소드들일 수 있다. 특히, 타겟은 ITO(indium tin oxide) 함유 타겟, 특히, ITO 90/10 함유 타겟일 수 있다. 본원에서 설명되는 실시예들에 따르면, ITO 90/10은 인듐 옥사이드(In2O3) 및 주석 옥사이드(SnO2)를 In2O3 : SnO2 = 90:10의 비율로 포함한다.As illustrated in FIG. 1, in the vacuum chamber 210, a first deposition source 223a and a second deposition source 223b may be provided. The deposition sources can be, for example, rotatable cathodes with targets of material to be deposited on the substrate. In particular, the target may be an indium tin oxide (ITO) -containing target, in particular, an ITO 90 / 10-containing target. According to the embodiments described herein, ITO 90/10 includes indium oxide (In 2 O 3 ) and tin oxide (SnO 2 ) in a ratio of In 2 O 3 : SnO 2 = 90: 10.

[0024] 본원에서 설명되는 다른 실시예들과 결합될 수 있는 실시예들에 따르면, 캐소드들은 캐소드 내부에 자석 조립체들(221a, 221b)이 구비된 회전 가능한 캐소드들일 수 있다. 따라서, 본원에서 설명된 바와 같은 장치를 이용하여, 층을 증착시키기 위해 마그네트론 스퍼터링이 수행될 수 있다. 도 1에 예시적으로 도시된 바와 같이, 제 1 증착 소스(223a) 및 제 2 증착 소스(223b)의 캐소드들은 전력 공급부(250)에 연결될 수 있다. 증착 프로세스의 성질에 따라서, 캐소드들은 AC 전력 공급부 또는 DC 전력 공급부에 연결될 수 있다. 예컨대, 예를 들어 투명 전도성 옥사이드 막(film)을 위한 인듐 옥사이드 타겟으로부터의 스퍼터링은 DC 스퍼터링으로서 수행될 수 있다. DC 스퍼터링의 경우, 제 1 증착 소스(223a)는 제 1 DC 전력 공급부에 연결될 수 있고, 제 2 증착 소스(223b)는 제 2 DC 전력 공급부에 연결될 수 있다. 따라서, DC 스퍼터링의 경우 제 1 증착 소스(223a) 및 제 2 증착 소스(223b)는 개별 DC 전력 공급부들을 가질 수 있다. 본원에서 설명되는 다른 실시예들과 결합될 수 있는 실시예들에 따르면, DC 스퍼터링은 펄스식(pulsed)-DC 스퍼터링, 특히 양극(bipolar)-펄스식-DC 스퍼터링을 포함할 수 있다. 따라서, 전력 공급부는 펄스식-DC, 특히, 양극-펄스식-DC를 제공하도록 구성될 수 있다. 특히, 제 1 증착 소스(223a)를 위한 제 1 DC 전력 공급부 및 제 2 증착 소스(223b)를 위한 제 2 DC 전력 공급부는 펄스식-DC 전력을 제공하도록 구성될 수 있다. 도 1에서, 코팅될 기판(300) 및 증착 소스들의 수평 어레인지먼트가 도시된다. 본원에서 개시된 다른 실시예들과 결합될 수 있는 몇몇 실시예들에서, 코팅될 기판(300) 및 증착 소스들의 수직 어레인지먼트가 사용될 수 있다.According to embodiments that can be combined with other embodiments described herein, the cathodes can be rotatable cathodes with magnet assemblies 221a and 221b inside the cathode. Thus, magnetron sputtering can be performed to deposit the layer using an apparatus as described herein. As exemplarily illustrated in FIG. 1, cathodes of the first deposition source 223a and the second deposition source 223b may be connected to the power supply 250. Depending on the nature of the deposition process, the cathodes can be connected to either an AC power supply or a DC power supply. For example, sputtering from an indium oxide target for, for example, a transparent conductive oxide film can be performed as DC sputtering. In the case of DC sputtering, the first deposition source 223a may be connected to the first DC power supply, and the second deposition source 223b may be connected to the second DC power supply. Accordingly, in the case of DC sputtering, the first deposition source 223a and the second deposition source 223b may have separate DC power supplies. According to embodiments that may be combined with other embodiments described herein, DC sputtering may include pulsed-DC sputtering, particularly bipolar-pulse-DC sputtering. Thus, the power supply can be configured to provide pulsed-DC, in particular anode-pulse-DC. In particular, the first DC power supply for the first deposition source 223a and the second DC power supply for the second deposition source 223b may be configured to provide pulsed-DC power. In Figure 1, a horizontal arrangement of substrate 300 to be coated and deposition sources is shown. In some embodiments that can be combined with other embodiments disclosed herein, a vertical arrangement of substrate 300 to be coated and deposition sources can be used.

[0025] 예시적으로 도 1을 참조하여, 본원에서 설명되는 다른 실시예들과 결합될 수 있는 실시예들에 따르면, 프로세싱 가스 분위기(222)의 조성(composition)을 측정하기 위해 진공 챔버(210)에 센서(270)가 제공될 수 있다. 특히, 센서(270)는 본원에서 특정된 바와 같은 각각의 함량 범위들 내의 불활성 가스, 수증기, H2, O2 및 잔여 가스의 함량을 측정하도록 구성될 수 있다.Referring to Figure 1 by way of example, according to embodiments that can be combined with other embodiments described herein, the vacuum chamber 210 to measure the composition (composition) of the processing gas atmosphere 222 ) May be provided with a sensor 270. In particular, the sensor 270 can be configured to measure the content of inert gas, water vapor, H 2 , O 2 and residual gas within respective content ranges as specified herein.

[0026] 도 1에 도시된 바와 같이, 본원에서 설명되는 다른 실시예들과 결합될 수 있는 실시예들에 따르면, 센서(270), 제 1 질량 유동 제어기(234) 및 제 2 질량 유동 제어기(235)를 포함하는 가스 분배 시스템(230), 및 배출구 펌프(236)는 제어기(240)에 연결될 수 있다. 제어기(240)는 제 1 질량 유동 제어기(234) 및 제 2 질량 유동 제어기(235)를 포함하는 가스 분배 시스템(230), 및 배출구 펌프(236)를 제어할 수 있고, 이로써, 본원에서 설명된 바와 같은 조성을 갖는 프로세싱 분위기가 진공 챔버(210)에서 생성되고 유지될 수 있다.As shown in FIG. 1, according to embodiments that may be combined with other embodiments described herein, the sensor 270, the first mass flow controller 234 and the second mass flow controller ( Gas distribution system 230 including 235, and outlet pump 236 may be connected to controller 240. The controller 240 can control the gas distribution system 230 including the first mass flow controller 234 and the second mass flow controller 235, and the outlet pump 236, whereby described herein. A processing atmosphere having the composition as described above can be created and maintained in the vacuum chamber 210.

[0027] 본원에서 설명되는 다른 실시예들과 결합될 수 있는 실시예들에 따르면, 제어기(240)는 전력 공급부에 연결될 수 있다. 또한, 제어기는 제 1 증착 소스(223a)에 공급되는 제 1 전력을 제어하도록 구성될 수 있고, 제 2 증착 소스(223b)에 공급되는 제 2 전력을 제어하도록 구성될 수 있다.According to embodiments that may be combined with other embodiments described herein, the controller 240 may be coupled to a power supply. Further, the controller may be configured to control the first power supplied to the first deposition source 223a, and may be configured to control the second power supplied to the second deposition source 223b.

[0028] 본원에서 설명된 바와 같은 디스플레이 제조를 위한 층을 증착시키기 위한 장치(200)가, 본원에서 설명되는 실시예들에 따라 층을 제조하는 방법을 수행하는 데에 사용될 때, 기판(300)은, 도 1에 예시적으로 도시된 바와 같이, 증착 소스들 아래에 배치될 수 있다. 기판(300)은 기판 지지부(310) 상에 배열될 수 있다. 본원에서 설명되는 다른 실시예들과 결합될 수 있는 실시예들에 따르면, 코팅될 기판을 위한 기판 지지 디바이스가 진공 챔버에 배치될 수 있다. 예컨대, 기판 지지 디바이스는 컨베잉 롤들(conveying rolls), 자석 안내 시스템들, 및 추가적인 피처들을 포함할 수 있다. 기판 지지 디바이스는 코팅될 기판을 진공 챔버(210) 안팎으로 구동하기 위한 기판 구동 시스템을 포함할 수 있다.[0028] When an apparatus 200 for depositing a layer for manufacturing a display as described herein is used to perform a method of manufacturing a layer in accordance with embodiments described herein, the substrate 300 Silver may be disposed under deposition sources, as exemplarily shown in FIG. 1. The substrate 300 may be arranged on the substrate support 310. According to embodiments that can be combined with other embodiments described herein, a substrate support device for a substrate to be coated can be disposed in a vacuum chamber. For example, the substrate support device can include conveying rolls, magnetic guide systems, and additional features. The substrate support device may include a substrate driving system for driving the substrate to be coated into and out of the vacuum chamber 210.

[0029] 예시적으로 도 2를 참조하여, 본원에서 설명되는 다른 실시예들과 결합될 수 있는 실시예들에 따르면, 진공 챔버(210)는 O2를 위한 제 3 가스 유입구(238)에서 가스 분배 시스템(230)에 연결될 수 있다. 도 2에 도시된 바와 같이, 제 3 가스 유입구(238)는 프로세싱 가스 분위기(222)에 제공되는 O2의 양을 제어하도록 구성된 제 3 질량 유동 제어기(237), 예컨대, 제 3 밸브를 갖는 제 3 도관을 통해 가스 분배 시스템(230)에 연결될 수 있다.Referring to Figure 2 by way of example, according to embodiments that can be combined with other embodiments described herein, the vacuum chamber 210 is gas at the third gas inlet 238 for O 2 It can be connected to the distribution system 230. As shown in FIG. 2, the third gas inlet 238 is a third mass flow controller 237 configured to control the amount of O 2 provided to the processing gas atmosphere 222, eg, a third having a third valve It can be connected to the gas distribution system 230 through three conduits.

[0030] 본원에서 설명되는 다른 실시예들과 결합될 수 있는 실시예들에 따르면, 가스 분배 시스템은 O2를 제공하기 위한 제 4 가스 소스를 포함할 수 있다. 따라서, 본원에서 설명되는 바와 같은 장치는 수증기, H2, 및 O2를 서로 독립적으로 제공하도록 구성될 수 있으며, 이로써, 진공 챔버(210) 내의 프로세싱 가스 분위기(222)의 수증기 함량 및/또는 H2 함량 및/또는 O2 함량이 독립적으로 제어될 수 있다.According to embodiments that may be combined with other embodiments described herein, the gas distribution system may include a fourth gas source for providing O 2 . Thus, the apparatus as described herein can be configured to provide water vapor, H 2 , and O 2 independently of each other, whereby the water vapor content and / or H of the processing gas atmosphere 222 in the vacuum chamber 210 The 2 content and / or the O 2 content can be controlled independently.

[0031] 본원에서 설명되는 다른 실시예들과 결합될 수 있는 실시예들에 따르면, 진공 챔버(210)의 프로세싱 가스 분위기(222)에 O2를 제공하기 위한, 가스 분배 시스템(230)의 제 4 가스 소스가 불활성 가스/O2 혼합물을 제공할 수 있다. 불활성 가스/O2 혼합물에서의 불활성 가스의 부분 압력은, 본원에서 특정되는 바와 같은 불활성 가스 부분 압력의 상한과 불활성 가스 부분 압력의 하한 사이의 범위에서 선택될 수 있다. 따라서, 불활성 가스/O2 혼합물에서의 O2의 부분 압력은, 본원에서 특정되는 바와 같은 O2 부분 압력의 상한과 O2 부분 압력의 하한 사이의 범위에서 선택될 수 있다.According to embodiments that may be combined with other embodiments described herein, the agent of the gas distribution system 230 for providing O 2 to the processing gas atmosphere 222 of the vacuum chamber 210 A four gas source can provide an inert gas / O 2 mixture. The partial pressure of the inert gas in the inert gas / O 2 mixture can be selected in a range between the upper limit of the inert gas partial pressure and the lower limit of the inert gas partial pressure as specified herein. Accordingly, the partial pressure of O 2 in the inert gas / O 2 mixture, may be selected from the range between the upper limit of the O 2 partial pressure, as specified herein, and the lower limit of O 2 partial pressure.

[0032] 본원에서 설명되는 다른 실시예들과 결합될 수 있는 실시예들에 따르면, 가스 분배 시스템(230)은 진공 챔버 내부의 프로세싱 가스 분위기의 원하는 압력을 제공하기 위한 펌프들 및/또는 압축기들을 포함할 수 있다. 특히, 가스 분배 시스템은, 불활성 가스, H2, 수증기, 및 O2의 각각의 부분 압력 상한 및 부분 압력 하한에 의해 본원에서 특정된 바와 같은 각각의 부분 압력 범위들에 따라, 불활성 가스의 부분 압력을 제공하기 위한 그리고/또는 H2의 부분 압력을 제공하기 위한 그리고/또는 수증기의 부분 압력을 제공하기 위한 그리고/또는 O2의 부분 압력을 제공하기 위한 펌프들 및/또는 압축기들을 포함할 수 있다.According to embodiments, which may be combined with other embodiments described herein, the gas distribution system 230 may include pumps and / or compressors to provide the desired pressure of the processing gas atmosphere inside the vacuum chamber. It can contain. In particular, the gas distribution system has a partial pressure of inert gas, according to respective partial pressure ranges as specified herein by the upper and lower partial pressure limits of each of inert gas, H 2 , water vapor, and O 2 . Pumps and / or compressors to provide and / or to provide partial pressure of H 2 and / or to provide partial pressure of water vapor and / or to provide partial pressure of O 2 . .

[0033] 도 2에 도시된 바와 같이, 본원에서 설명되는 다른 실시예들과 결합될 수 있는 실시예들에 따르면, 제 3 질량 유동 제어기(237)가 제어기(240)에 연결될 수 있다. 따라서, 제어기(240)는 제 1 질량 유동 제어기(234), 제 2 질량 유동 제어기(235), 제 3 질량 유동 제어기(237), 불활성 가스 유동 제어기, 및 배출구 펌프(236)를 포함하는 가스 분배 시스템(230)을 제어할 수 있고, 이로써, 본원에서 설명된 바와 같은 조성을 갖는 프로세싱 분위기가 진공 챔버(210)에서 생성되고 유지될 수 있다. 따라서, 본원에서 설명된 바와 같은 조성을 갖는 선택된 프로세싱 가스 분위기의 모든 구성 성분들이 서로로부터 독립적으로 제어될 수 있다. 특히, 제어기는, 본원에서 설명된 바와 같은 선택된 조성을 갖는 프로세싱 가스 분위기를 확립하기 위해 수증기의 유동, H2의 유동, 불활성 가스의 유동, 및 O2의 유동이 서로 독립적으로 제어될 수 있도록 가스 분배 시스템을 제어하게 구성될 수 있다. 따라서, 선택된 프로세싱 가스 분위기의 조성은 매우 정확하게 조정될 수 있다.As shown in FIG. 2, according to embodiments that can be combined with other embodiments described herein, a third mass flow controller 237 can be coupled to the controller 240. Thus, the controller 240 is a gas distribution comprising a first mass flow controller 234, a second mass flow controller 235, a third mass flow controller 237, an inert gas flow controller, and an outlet pump 236 The system 230 can be controlled, whereby a processing atmosphere having a composition as described herein can be created and maintained in the vacuum chamber 210. Thus, all components of a selected processing gas atmosphere having a composition as described herein can be controlled independently from each other. In particular, the controller distributes the gas so that the flow of water vapor, the flow of H 2, the flow of inert gas, and the flow of O 2 can be controlled independently of each other to establish a processing gas atmosphere having a selected composition as described herein. It can be configured to control the system. Therefore, the composition of the selected processing gas atmosphere can be adjusted very accurately.

[0034] 따라서, 본원에서 설명되는 실시예들에 따른 장치는, 본원에서 설명되는 실시예들에 따라 층을 제조하는 방법을 채용함으로써 디스플레이 제조를 위한 복수의 박막 트랜지스터들을 위한 층을 제조하도록 구성된다.Accordingly, an apparatus according to embodiments described herein is configured to manufacture a layer for a plurality of thin film transistors for display manufacturing by employing a method of manufacturing a layer according to embodiments described herein. .

[0035] 도 3은, 본원에서 설명되는 바와 같은 실시예들에 따라 디스플레이 제조를 위한 복수의 박막 트랜지스터들을 위한 층을 제조하는 방법을 예시하는 블록도를 도시한다. 방법(100)은, 프로세싱 가스 분위기에서 인듐 옥사이드 함유 타겟으로부터 투명 전도성 옥사이드 층을 스퍼터링하는 단계(101)를 포함한다. 특히, 타겟은 ITO(indium tin oxide) 함유 타겟, 특히, ITO 90/10 함유 타겟일 수 있다. 본원에서 설명되는 실시예들에 따르면, ITO 90/10은 인듐 옥사이드(In2O3) 및 주석 옥사이드(SnO2)를 In2O3 : SnO2 = 90:10의 비율로 포함한다.[0035] FIG. 3 shows a block diagram illustrating a method of manufacturing a layer for a plurality of thin film transistors for display manufacturing according to embodiments as described herein. Method 100 includes sputtering a transparent conductive oxide layer from an indium oxide containing target in a processing gas atmosphere. In particular, the target may be an indium tin oxide (ITO) -containing target, in particular, an ITO 90 / 10-containing target. According to the embodiments described herein, ITO 90/10 includes indium oxide (In 2 O 3 ) and tin oxide (SnO 2 ) in a ratio of In 2 O 3 : SnO 2 = 90: 10.

[0036] 본원에서 설명되는 다른 실시예들과 결합될 수 있는 실시예들에 따르면, 프로세싱 가스 분위기는 수증기, H2, 및 불활성 가스를 포함한다. 본원에서 설명되는 실시예들에 따른 프로세싱 가스 분위기의 구성물들의 함량은 100%까지 부가될 수 있다는 점이 이해되어야 한다. 특히, 본원에서 설명되는 다른 실시예들과 결합될 수 있는 몇몇 실시예들에 따르면, 수증기, H2, 및 불활성 가스의 함량은 프로세싱 가스 분위기의 100%까지 부가될 수 있다. 불활성 가스는 헬륨, 네온, 아르곤, 크립톤, 제논, 또는 라돈으로 구성된 그룹으로부터 선택될 수 있다. 특히, 불활성 가스는 아르곤(Ar)일 수 있다.According to embodiments that may be combined with other embodiments described herein, the processing gas atmosphere includes water vapor, H 2 , and an inert gas. It should be understood that the contents of the components of the processing gas atmosphere according to the embodiments described herein can be added up to 100%. In particular, according to some embodiments that can be combined with other embodiments described herein, the content of water vapor, H 2 , and inert gas can be added up to 100% of the processing gas atmosphere. The inert gas can be selected from the group consisting of helium, neon, argon, krypton, xenon, or radon. In particular, the inert gas may be argon (Ar).

[0037] 본원에서 설명되는 다른 실시예들과 결합될 수 있는 실시예들에 따르면, 프로세싱 가스 분위기에서의 수증기의 함량은 1%의 하한, 특히 2.0%의 하한, 더 특히 4%의 하한 내지 6%의 상한, 특히 8%의 상한, 더 특히 10.0%의 상한의 범위일 수 있다. 프로세싱 가스 분위기에서의 수증기의 함량이, 본원에서 설명된 바와 같은 하한 내지 상한의 범위에서 선택된 프로세싱 가스 분위기에서 인듐 옥사이드 함유 타겟으로부터 투명 전도성 옥사이드 층을 스퍼터링함으로써, 옥사이드 층의 비결정질 구조의 정도가 조정될 수 있다. 특히, 프로세싱 가스 분위기에서의 수증기의 함량을 증가시킴으로써, 옥사이드 층에서의 비결정질 구조의 정도가 증가될 수 있다.According to embodiments that may be combined with other embodiments described herein, the content of water vapor in the processing gas atmosphere is a lower limit of 1%, particularly a lower limit of 2.0%, more particularly a lower limit of 4% to 6 It can range from an upper limit of%, in particular an upper limit of 8%, more particularly an upper limit of 10.0%. The amount of water vapor in the processing gas atmosphere can be adjusted by sputtering a transparent conductive oxide layer from an indium oxide containing target in a processing gas atmosphere selected from the lower to upper limits as described herein, the degree of amorphous structure of the oxide layer can be adjusted. have. In particular, by increasing the content of water vapor in the processing gas atmosphere, the degree of amorphous structure in the oxide layer can be increased.

[0038] 본원에서 설명되는 다른 실시예들과 결합될 수 있는 실시예들에 따르면, 프로세싱 가스 분위기에서의 H2의 함량은 2.2%의 하한, 특히 4.2%의 하한, 더 특히 6.1%의 하한 내지 10%의 상한, 특히 15.0%의 상한, 더 특히 20.0%의 상한의 범위일 수 있다. H2의 하한들에 대해, H2의 폭발(explosion) 하한은 4.1%이고 불활성화(inertisation) 하한은 6.0%라는 것이 이해되어야 한다. 프로세싱 가스 분위기에서의 H2의 함량이, 본원에서 설명된 바와 같은 하한 내지 상한의 범위에서 선택된 프로세싱 가스 분위기에서 인듐 옥사이드 함유 타겟으로부터 투명 전도성 옥사이드 층을 스퍼터링함으로써, 옥사이드 층의 비결정질 구조의 정도가 조정될 수 있다. 특히, 프로세싱 가스 분위기에서의 H2의 함량을 증가시킴으로써, 옥사이드 층에서의 비결정질 구조의 정도가 증가될 수 있다.According to embodiments that may be combined with other embodiments described herein, the content of H 2 in the processing gas atmosphere is from a lower limit of 2.2%, particularly a lower limit of 4.2%, more particularly a lower limit of 6.1%. It can range from an upper limit of 10%, in particular an upper limit of 15.0%, more particularly an upper limit of 20.0%. It should be understood that for the lower limits of H 2, the lower limit of H 2 explosion is 4.1% and the lower limit for inertisation is 6.0%. The extent of the amorphous structure of the oxide layer can be adjusted by sputtering a transparent conductive oxide layer from an indium oxide containing target in a processing gas atmosphere in which the content of H 2 in the processing gas atmosphere is selected from the lower to upper limits as described herein. Can be. In particular, by increasing the content of H 2 in the processing gas atmosphere, the degree of amorphous structure in the oxide layer can be increased.

[0039] 따라서, 본원에서 설명되는 바와 같은 수증기 함량 및 H2 함량을 갖는 프로세싱 가스 분위기에서 인듐 함유 타겟으로부터 투명 전도성 옥사이드 층을 스퍼터링함으로써, 결정질 ITO 상(phase)의 형성이 억제될 수 있다. 이를 고려하여, 예컨대, 습식 화학 에칭에 의한, 스퍼터링된 옥사이드 층의 후속 패터닝의 경우에, 옥사이드 층 상에서의 결정질 ITO 잔여물들의 감소가 달성될 수 있다. 따라서, TFT 디스플레이 제조를 위해 채용되는 패터닝된 옥사이드 층의 품질이 증가될 수 있다. 또한, 본원에서 설명되는 바와 같은 수증기 함량 및 H2 함량을 갖는 프로세싱 가스 분위기를 제공함으로써, 프로세싱 가스 분위기에서의 H2의 가연성 및 폭발의 위험이 감소되거나 심지어 제거될 수 있다.Thus, by sputtering a transparent conductive oxide layer from an indium-containing target in a processing gas atmosphere having a water vapor content and H 2 content as described herein, formation of a crystalline ITO phase can be suppressed. With this in mind, in the case of subsequent patterning of the sputtered oxide layer, for example by wet chemical etching, reduction of crystalline ITO residues on the oxide layer can be achieved. Thus, the quality of the patterned oxide layer employed for TFT display manufacturing can be increased. In addition, by providing a processing gas atmosphere having a water vapor content and a H 2 content as described herein, the flammability and risk of explosion of H 2 in the processing gas atmosphere can be reduced or even eliminated.

[0040] 본원에서 설명되는 다른 실시예들과 결합될 수 있는 실시예들에 따르면, 프로세싱 가스 분위기에서의 불활성 가스의 함량은 55%의 하한, 특히 73%의 하한, 더 특히 81%의 하한 내지 87.5%의 상한, 특히 92.0%의 상한, 더 특히 96.3%의 상한의 범위일 수 있다. 프로세싱 가스 분위기에서의 불활성 가스의 함량이, 본원에서 설명된 바와 같은 하한 내지 상한의 범위에서 선택된 프로세싱 가스 분위기에서 인듐 옥사이드 함유 타겟으로부터 투명 전도성 옥사이드 층을 스퍼터링함으로써, 투명 전도성 옥사이드 층의 품질이 보장될 수 있다. 특히, 본원에서 설명되는 바와 같이 불활성 가스를 프로세싱 가스 분위기에 제공함으로써, 프로세싱 가스 분위기에서의 H2의 가연성 및 폭발의 위험이 감소되거나 심지어 제거될 수 있다.According to embodiments that can be combined with other embodiments described herein, the content of the inert gas in the processing gas atmosphere is from the lower limit of 55%, especially the lower limit of 73%, more particularly the lower limit of 81%. It can range from an upper limit of 87.5%, especially an upper limit of 92.0%, more particularly an upper limit of 96.3%. The quality of the transparent conductive oxide layer can be ensured by sputtering the transparent conductive oxide layer from an indium oxide containing target in a processing gas atmosphere in which the content of the inert gas in the processing gas atmosphere is selected from the lower to upper limits as described herein. Can be. In particular, by providing an inert gas to the processing gas atmosphere as described herein, the flammability and risk of explosion of H 2 in the processing gas atmosphere can be reduced or even eliminated.

[0041] 본원에서 설명되는 다른 실시예들과 결합될 수 있는 실시예들에 따르면, 수증기 대 H2의 비율은 4:1의 하한, 특히 2:1의 하한, 더 특히 1:1.5의 하한 내지 1:2의 상한, 특히 1:3의 상한, 더 특히 1:4의 상한의 범위이다. 프로세싱 가스 분위기에서의 수증기 대 H2 함량의 비율이 본원에서 설명된 바와 같은 하한 내지 상한의 범위에서 선택된 프로세싱 가스 분위기에서 인듐 옥사이드 함유 타겟으로부터 투명 전도성 옥사이드 층을 스퍼터링함으로써, 옥사이드 층에서의 비결정질 구조의 정도에 대한 제어가 개선된다. 따라서, 비결정질 구조의 정도는, 예컨대, 옥사이드 층에서의 비결정질 구조의 정도가 오직 수증기에 의해서만 제어될 수 있는 경우와 비교하여, 더 정확하게 제어될 수 있다.According to embodiments that can be combined with other embodiments described herein, the ratio of water vapor to H 2 is from the lower limit of 4: 1, especially the lower limit of 2: 1, more particularly the lower limit of 1: 1.5. It is in the range of the upper limit of 1: 2, especially the upper limit of 1: 3, and more particularly the upper limit of 1: 4. Of the amorphous structure in the oxide layer by sputtering a transparent conductive oxide layer from an indium oxide containing target in a processing gas atmosphere in which the ratio of water vapor to H 2 content in the processing gas atmosphere is selected from the lower to upper limits as described herein. Control over the degree is improved. Thus, the degree of amorphous structure can be controlled more accurately, for example, compared to the case where the degree of amorphous structure in the oxide layer can only be controlled by water vapor.

[0042] 본원에서 설명되는 다른 실시예들과 결합될 수 있는 실시예들에 따르면, 프로세싱 가스 분위기의 총 압력은 0.2Pa의 하한, 특히 0.3Pa의 하한, 더 특히 0.4Pa의 하한 내지 0.6Pa의 상한, 특히 0.7Pa의 상한, 더 특히 0.8Pa의 상한의 범위일 수 있다. 특히, 프로세싱 가스 분위기의 총 압력은 0.3Pa일 수 있다. 프로세싱 가스 분위기의 총 압력이, 본원에서 설명된 바와 같은 하한 내지 상한에서 선택된 프로세싱 가스 분위기에서 인듐 옥사이드 함유 타겟으로부터 투명 전도성 옥사이드 층을 스퍼터링함으로써, 옥사이드 층의 비결정질 구조의 정도가 조정될 수 있다. 특히, 프로세싱 가스 분위기의 총 압력을 증가시킴으로써, 옥사이드 층에서의 비결정질 구조의 정도가 증가될 수 있다.According to embodiments that can be combined with other embodiments described herein, the total pressure of the processing gas atmosphere is a lower limit of 0.2 Pa, particularly a lower limit of 0.3 Pa, more particularly a lower limit of 0.4 Pa to 0.6 Pa It may range from an upper limit, in particular an upper limit of 0.7 Pa, more particularly an upper limit of 0.8 Pa. In particular, the total pressure of the processing gas atmosphere may be 0.3 Pa. The degree of amorphous structure of the oxide layer can be adjusted by sputtering the transparent conductive oxide layer from the indium oxide containing target in a processing gas atmosphere selected from the lower to upper limits as described herein, the total pressure of the processing gas atmosphere. In particular, by increasing the total pressure of the processing gas atmosphere, the degree of amorphous structure in the oxide layer can be increased.

[0043] 본원에서 설명되는 다른 실시예들과 결합될 수 있는 실시예들에 따르면, 프로세싱 가스 분위기의 모든 구성 성분 가스들이, 진공 챔버에서 프로세싱 가스 분위기를 확립하기에 앞서서, 혼합될 수 있다. 따라서, 투명 전도성 옥사이드 층을 스퍼터링하기에 앞서서 또는 스퍼터링하는 동안, 프로세싱 가스 분위기의 모든 구성 성분 가스들이, 동일한 가스 샤워기들을 통해 진공 챔버에 공급될 수 있다. 특히, 본원에서 설명된 바와 같은 프로세싱 가스 분위기의 선택된 조성에 따라, 수증기, H2, 불활성 가스, 및 O2는 동일한 가스 샤워기들을 통해 진공 챔버에 공급될 수 있다. 예컨대, 선택된 프로세싱 가스 분위기의 가스성 구성 성분들은, 선택된 프로세싱 가스의 가스성 구성 성분들이 가스 샤워기들을 통해 진공 챔버 내에 제공되기 이전에, 혼합 유닛에서 혼합될 수 있다. 따라서, 본원에서 설명되는 다른 실시예들과 결합될 수 있는 몇몇 실시예들에 따르면, 층을 증착시키기 위한 장치는, 선택된 프로세싱 가스의 가스성 구성 성분들이 가스 샤워기들을 통해 진공 챔버 내에 제공되기 이전에, 선택된 프로세싱 가스의 가스성 구성 성분들을 혼합하기 위한 혼합 유닛을 포함할 수 있다. 따라서, 매우 균질한 프로세싱 가스 분위기가 진공 챔버에 확립될 수 있다.According to embodiments that can be combined with other embodiments described herein, all the constituent gases of the processing gas atmosphere can be mixed prior to establishing the processing gas atmosphere in the vacuum chamber. Accordingly, all component gases in the processing gas atmosphere can be supplied to the vacuum chamber through the same gas showers prior to or during sputtering the transparent conductive oxide layer. In particular, depending on the selected composition of the processing gas atmosphere as described herein, water vapor, H 2 , inert gas, and O 2 can be supplied to the vacuum chamber through the same gas showers. For example, the gaseous components of the selected processing gas atmosphere can be mixed in a mixing unit before the gaseous components of the selected processing gas are provided into the vacuum chamber through gas showers. Thus, according to some embodiments, which can be combined with other embodiments described herein, the apparatus for depositing a layer is provided before the gaseous components of the selected processing gas are provided into the vacuum chamber through gas showers. , A mixing unit for mixing the gaseous constituents of the selected processing gas. Thus, a very homogeneous processing gas atmosphere can be established in the vacuum chamber.

[0044] 본원에서 설명되는 다른 실시예들과 결합될 수 있는 실시예들에 따르면, 프로세싱 가스 분위기에서의 수증기의 부분 압력은, 예컨대, 0.2Pa의 총 압력의 하한을 갖는 프로세싱 가스 분위기에 대해서 2.0%의 수증기 함량의 하한이 선택된 경우에 0.004Pa의 하한과, 예컨대, 0.8Pa의 총 압력의 상한을 갖는 프로세싱 가스 분위기에 대해서 10.0%의 수증기 함량의 상한이 선택된 경우에 0.8Pa의 상한 사이의 범위일 수 있다.According to embodiments that may be combined with other embodiments described herein, the partial pressure of water vapor in the processing gas atmosphere is 2.0, for example, for a processing gas atmosphere having a lower limit of the total pressure of 0.2 Pa. Range between the lower limit of 0.004 Pa when the lower limit of water vapor content of% is selected and the upper limit of 0.8 Pa when the upper limit of 10.0% water vapor content is selected for the processing gas atmosphere having an upper limit of total pressure of 0.8 Pa, for example Can be

[0045] 따라서, 프로세싱 가스 분위기에서의 수증기의 부분 압력이, 프로세싱 가스 분위기의 백분율[%] 단위의 선택된 수증기 함량과 프로세싱 가스 분위기의 파스칼[Pa] 단위의 선택된 총 압력의 곱에 의해 계산될 수 있다는 것이 이해될 것이다. 따라서, 프로세싱 가스 분위기에서의 수증기 함량의 상한 및 하한의 선택된 값들, 및 프로세싱 가스 분위기의 총 압력의 상한 및 하한의 선택된 값들에 따라서, 프로세싱 가스 분위기에서의 수증기의 부분 압력의 하한 및 상한에 대한 대응하는 값들이 계산되고 선택될 수 있다.Accordingly, the partial pressure of water vapor in the processing gas atmosphere can be calculated by the product of the selected water vapor content in percentage [%] of the processing gas atmosphere and the selected total pressure in Pascals [Pa] of the processing gas atmosphere. It will be understood that there is. Thus, according to the selected values of the upper and lower limits of the water vapor content in the processing gas atmosphere, and the selected values of the upper and lower limits of the total pressure of the processing gas atmosphere, correspondence to the lower and upper limits of the partial pressure of water vapor in the processing gas atmosphere The values to be calculated can be calculated and selected.

[0046] 본원에서 설명되는 다른 실시예들과 결합될 수 있는 실시예들에 따르면, 프로세싱 가스 분위기에서의 H2의 부분 압력은, 예컨대, 0.2Pa의 총 압력의 하한을 갖는 프로세싱 가스 분위기에 대해서 2.2%의 H2 함량의 하한이 선택된 경우에 0.0044Pa의 하한과, 예컨대, 0.8Pa의 총 압력의 상한을 갖는 프로세싱 가스 분위기에 대해서 20.0%의 H2 함량의 상한이 선택된 경우에 0.16Pa의 상한 사이의 범위일 수 있다.According to embodiments that may be combined with other embodiments described herein, the partial pressure of H 2 in the processing gas atmosphere is, for example, for a processing gas atmosphere having a lower limit of the total pressure of 0.2 Pa. If the lower limit of the H 2 content of 2.2% is selected, the lower limit of 0.0044 Pa and the upper limit of 20.0% H 2 content is selected for the processing gas atmosphere having an upper limit of total pressure of 0.8 Pa, for example, the upper limit of 0.16 Pa. It can be a range between.

[0047] 따라서, 프로세싱 가스 분위기에서의 H2의 부분 압력이, 프로세싱 가스 분위기의 백분율[%] 단위의 선택된 H2 함량과 프로세싱 가스 분위기의 파스칼[Pa] 단위의 선택된 총 압력의 곱에 의해 계산될 수 있다는 것이 이해될 것이다. 따라서, 프로세싱 가스 분위기에서의 H2 함량의 상한 및 하한의 선택된 값들, 및 프로세싱 가스 분위기의 총 압력의 상한 및 하한의 선택된 값들에 따라서, 프로세싱 가스 분위기에서의 H2의 부분 압력의 하한 및 상한에 대한 대응하는 값들이 계산되고 선택될 수 있다.Therefore, the partial pressure of H 2 in the processing gas atmosphere is calculated by the product of the selected H 2 content in percentage [%] of the processing gas atmosphere and the selected total pressure in Pascal [Pa] units of the processing gas atmosphere. It will be understood that it can be. Thus, according to the selected values of the upper and lower limits of the H 2 content in the processing gas atmosphere, and the selected values of the upper and lower limits of the total pressure of the processing gas atmosphere, to the lower and upper limits of the partial pressure of H 2 in the processing gas atmosphere. Corresponding values for can be calculated and selected.

[0048] 본원에서 설명되는 다른 실시예들과 결합될 수 있는 몇몇 실시예들에 따르면, 프로세싱 가스 분위기(222)는 O2를 더 포함한다. 프로세싱 가스 분위기에서의 O2의 함량은 0.5%의 하한, 특히 1.0%의 하한, 더 특히 1.5%의 하한 내지 3.0%의 상한, 특히 4.0%의 상한, 더 특히 15.0%의 상한의 범위일 수 있다. 프로세싱 가스 분위기에서의 O2의 함량이, 본원에서 설명된 바와 같은 하한 내지 상한의 범위에서 선택된 프로세싱 가스 분위기에서 인듐 옥사이드 함유 타겟으로부터 투명 전도성 옥사이드 층을 스퍼터링함으로써, 옥사이드 층의 시트 저항이, 낮은 저항에 대해 조정 및 최적화될 수 있다. 특히, 낮은 저항에 대해 시트 저항을 최적화하기 위해, O2의 함량은 하위 임계값과 상위 임계값 사이의 범위에서 선택되어야 한다. 예컨대, O2의 함량이 하위 임계값 미만이거나 상위 임계값 초과인 경우, 시트 저항에 대해서 상대적으로 높은 값들을 얻을 수 있다. 따라서, 본원에서 설명되는 바와 같은 실시예들은 낮은 저항에 대해 옥사이드 층들의 시트 저항을 조정 및 최적화하는 것을 제공한다.According to some embodiments, which may be combined with other embodiments described herein, the processing gas atmosphere 222 further includes O 2 . The content of O 2 in the processing gas atmosphere can range from a lower limit of 0.5%, especially a lower limit of 1.0%, more particularly a lower limit of 1.5% to an upper limit of 3.0%, in particular an upper limit of 4.0%, more particularly an upper limit of 15.0%. . By sputtering a transparent conductive oxide layer from an indium oxide containing target in a processing gas atmosphere in which the content of O 2 in the processing gas atmosphere is selected in the range of the lower limit to the upper limit as described herein, the sheet resistance of the oxide layer is low, low resistance. Can be adjusted and optimized for. In particular, in order to optimize sheet resistance for low resistance, the content of O 2 must be selected in the range between the lower and upper thresholds. For example, when the content of O 2 is lower than the lower threshold or higher than the upper threshold, relatively high values for sheet resistance can be obtained. Thus, embodiments as described herein provide for adjusting and optimizing the sheet resistance of oxide layers for low resistance.

[0049] 프로세싱 가스 분위기가 수증기, H2, 불활성 가스, 및 O2를 포함하는, 본원에서 설명되는 실시예들에 따르면, 수증기, H2, 불활성 가스, 및 O2의 각각의 함량들이 프로세싱 가스 분위기의 100%까지 부가될 수 있다는 점이 이해되어야 한다.[0049] Processing gas atmosphere of water vapor, H 2, inert gases, and according to the embodiments described, herein, that includes O 2, water vapor, H 2, inert gas, and that the processing gases, each of the content of O 2 It should be understood that up to 100% of the atmosphere can be added.

[0050] 본원에서 설명되는 다른 실시예들과 결합될 수 있는 실시예들에 따르면, 프로세싱 가스 분위기에서의 O2의 부분 압력은, 예컨대, 0.2Pa의 총 압력의 하한을 갖는 프로세싱 가스 분위기에 대해서 0.5%의 O2 함량의 하한이 선택된 경우에 0.001Pa의 하한과, 예컨대, 0.8Pa의 총 압력의 상한을 갖는 프로세싱 가스 분위기에 대해서 15.0%의 O2 함량의 상한이 선택된 경우에 0.12Pa의 상한 사이의 범위일 수 있다.According to embodiments that may be combined with other embodiments described herein, the partial pressure of O 2 in the processing gas atmosphere is, for example, for a processing gas atmosphere having a lower limit of the total pressure of 0.2 Pa. An upper limit of 0.001 Pa when a lower limit of 0.5% O 2 content is selected, and an upper limit of 0.12 Pa when an upper limit of 15.0% O 2 content is selected for a processing gas atmosphere having an upper limit of eg 0.8 Pa total pressure. It can be a range between.

[0051] 따라서, 프로세싱 가스 분위기에서의 O2의 부분 압력이 프로세싱 가스 분위기의 백분율[%] 단위의 선택된 O2 함량과 프로세싱 가스 분위기의 파스칼[Pa] 단위의 선택된 총 압력의 곱에 의해 계산될 수 있다는 것이 이해될 것이다. 따라서, 프로세싱 가스 분위기에서의 O2 함량의 상한 및 하한의 선택된 값들, 및 프로세싱 가스 분위기의 총 압력의 상한 및 하한의 선택된 값들에 따라서, 프로세싱 가스 분위기에서의 O2의 부분 압력의 하한 및 상한에 대한 대응하는 값들이 계산되고 선택될 수 있다.Accordingly, the partial pressure of O 2 in the processing gas atmosphere is to be calculated by the product of the selected O 2 content in percentage [%] of the processing gas atmosphere and the selected total pressure in Pascal [Pa] units of the processing gas atmosphere. It will be understood that it can. Therefore, according to the selected values of the upper and lower limits of the O 2 content in the processing gas atmosphere, and the selected values of the upper and lower limits of the total pressure of the processing gas atmosphere, the lower and upper limits of the partial pressure of O 2 in the processing gas atmosphere are Corresponding values for can be calculated and selected.

[0052] 본원에서 설명되는 다른 실시예들과 결합될 수 있는 실시예들에 따르면, 프로세싱 가스 분위기에서의 불활성 가스의 부분 압력은, 예컨대, 0.2Pa의 총 압력의 하한을 갖는 프로세싱 가스 분위기에 대해서 55%의 불활성 가스 함량의 하한, 10%의 수증기 함량의 상한, 20%의 H2 함량의 상한, 및 5.0%의 O2 함량의 상한이 선택된 경우에 0.11Pa의 하한과, 예컨대, 0.8Pa의 총 압력의 상한을 갖는 프로세싱 가스 분위기에 대해서 96.3%의 불활성 가스 함량의 상한, 1%의 수증기 함량의 하한, 2.2%의 H2 함량의 하한, 및 0.5%의 O2 함량의 하한이 선택된 경우에 0.7704Pa의 상한 사이의 범위일 수 있다.According to embodiments that may be combined with other embodiments described herein, the partial pressure of the inert gas in the processing gas atmosphere is, for example, for a processing gas atmosphere having a lower limit of the total pressure of 0.2 Pa. The lower limit of the inert gas content of 55%, the upper limit of the water vapor content of 10%, the upper limit of the H 2 content of 20%, and the upper limit of the O 2 content of 5.0% are selected, such as the lower limit of 0.11Pa, such as 0.8Pa For a processing gas atmosphere with an upper limit of total pressure, an upper limit of 96.3% of inert gas content, a lower limit of 1% water vapor content, a lower limit of 2.2% H 2 content, and a lower limit of 0.5% O 2 content are selected. It may be in the range between the upper limit of 0.7704Pa.

[0053] 따라서, 프로세싱 가스 분위기에서의 불활성 가스의 부분 압력이, 프로세싱 가스 분위기의 백분율[%] 단위의 선택된 불활성 가스 함량과 프로세싱 가스 분위기의 파스칼[Pa] 단위의 선택된 총 압력의 곱에 의해 계산될 수 있다는 것이 이해될 것이다. 따라서, 프로세싱 가스 분위기에서의 불활성 가스 함량의 상한 및 하한의 선택된 값들, 및 프로세싱 가스 분위기의 총 압력의 상한 및 하한의 선택된 값들에 따라서, 프로세싱 가스 분위기에서의 불활성 가스의 부분 압력의 하한 및 상한에 대한 대응하는 값들이 계산되고 선택될 수 있다.Therefore, the partial pressure of the inert gas in the processing gas atmosphere is calculated by the product of the selected inert gas content in percentage [%] of the processing gas atmosphere and the total selected pressure in Pascal [Pa] of the processing gas atmosphere It will be understood that it can be. Thus, according to the selected values of the upper and lower limits of the inert gas content in the processing gas atmosphere, and the selected values of the upper and lower limits of the total pressure of the processing gas atmosphere, to the lower and upper limits of the partial pressure of the inert gas in the processing gas atmosphere. Corresponding values for can be calculated and selected.

[0054] 도 4의 블록도에 예시적으로 도시된 바와 같이, 본원에서 설명되는 바와 같은 실시예들에 따라 디스플레이 제조를 위한 복수의 박막 트랜지스터들을 위한 층을 제조하는 방법은 수증기 및 H2를 프로세싱 가스 분위기에 개별적으로 제공하는 단계(102)를 더 포함할 수 있다. 따라서, 옥사이드 층에서의 비결정질 구조의 정도에 대한 제어가 개선되고, 비결정질 구조의 정도는 더 정확하게 제어될 수 있다.As illustratively shown in the block diagram of FIG. 4, a method of manufacturing a layer for a plurality of thin film transistors for display manufacturing according to embodiments as described herein processes water vapor and H 2 It may further include the step of providing individually to the gas atmosphere (102). Thus, the control over the degree of amorphous structure in the oxide layer is improved, and the degree of the amorphous structure can be more accurately controlled.

[0055] 본원에서 설명되는 다른 실시예들과 결합될 수 있는 실시예들에 따르면, 수증기는 불활성 가스/수증기 혼합물로 프로세싱 가스 분위기에 제공될 수 있다. 불활성 가스/수증기 혼합물에서의 불활성 가스의 부분 압력은, 본원에서 특정되는 바와 같은 불활성 가스 부분 압력의 하한 내지 불활성 가스 부분 압력의 상한에서 선택될 수 있다. 불활성 가스/수증기 혼합물에서의 수증기의 부분 압력은, 본원에서 특정되는 바와 같은 수증기 부분 압력의 상한과 수증기 부분 압력의 하한 사이의 범위에서 선택될 수 있다.According to embodiments that may be combined with other embodiments described herein, water vapor may be provided to the processing gas atmosphere as an inert gas / water vapor mixture. The partial pressure of the inert gas in the inert gas / water vapor mixture may be selected from the lower limit of the inert gas partial pressure to the upper limit of the inert gas partial pressure as specified herein. The partial pressure of water vapor in the inert gas / water vapor mixture can be selected in a range between the upper limit of water vapor partial pressure and the lower limit of water vapor partial pressure as specified herein.

[0056] 본원에서 설명되는 다른 실시예들과 결합될 수 있는 실시예들에 따르면, H2는 불활성 가스/H2 혼합물로 프로세싱 가스 분위기에 제공될 수 있다. H2를 불활성 가스/H2 혼합물로 프로세싱 가스 분위기를 제공함으로써, 가스 분배 시스템에서의 H2의 가연성 및 폭발의 위험이 감소되거나 심지어 제거될 수 있다. 불활성 가스/H2 혼합물에서의 불활성 가스의 부분 압력은, 본원에서 특정되는 바와 같은 불활성 가스 부분 압력의 상한과 불활성 가스 부분 압력의 하한 사이의 범위에서 선택될 수 있다. 불활성 가스/H2 혼합물에서의 H2의 부분 압력은, 본원에서 특정되는 바와 같은 H2 부분 압력의 상한과 H2 부분 압력의 하한 사이의 범위에서 선택될 수 있다.According to embodiments that may be combined with other embodiments described herein, H 2 may be provided to the processing gas atmosphere as an inert gas / H 2 mixture. By providing a processing gas atmosphere with H 2 as an inert gas / H 2 mixture, the flammability and risk of explosion of H 2 in the gas distribution system can be reduced or even eliminated. The partial pressure of the inert gas in the inert gas / H 2 mixture can be selected in a range between the upper limit of the inert gas partial pressure and the lower limit of the inert gas partial pressure as specified herein. The partial pressure of H 2 in the inert gas / H 2 mixture, and may be selected from the range between the upper limit of the H 2 partial pressure, as specified herein, and the lower limit of H 2 partial pressure.

[0057] 본원에서 설명되는 다른 실시예들과 결합될 수 있는 실시예들에 따르면, O2는 불활성 가스/O2 혼합물로 프로세싱 가스 분위기에 제공될 수 있다. 불활성 가스/O2 혼합물에서의 불활성 가스의 부분 압력은, 본원에서 특정되는 바와 같은 불활성 가스 부분 압력의 상한과 불활성 가스 부분 압력의 하한 사이의 범위에서 선택될 수 있다. 불활성 가스/O2 혼합물에서의 O2의 부분 압력은, 본원에서 특정되는 바와 같은 O2 부분 압력의 상한과 O2 부분 압력의 하한 사이의 범위에서 선택될 수 있다.According to embodiments that may be combined with other embodiments described herein, O 2 may be provided to the processing gas atmosphere as an inert gas / O 2 mixture. The partial pressure of the inert gas in the inert gas / O 2 mixture can be selected in a range between the upper limit of the inert gas partial pressure and the lower limit of the inert gas partial pressure as specified herein. The partial pressure of O 2 in the inert gas / O 2 mixture, may be selected from the range between the upper limit of the O 2 partial pressure, as specified herein, and the lower limit of O 2 partial pressure.

[0058] 도 4를 예시적으로 참조하여, 본원에서 설명되는 다른 실시예들과 결합될 수 있는 실시예들에 따르면, 방법은 프로세싱 가스 분위기에서의 수증기의 함량 및/또는 H2의 함량을 이용하여 옥사이드 층의 비결정질 구조의 정도를 제어하는 단계(103)를 더 포함할 수 있다. 특히, 프로세싱 가스 분위기에서의 H2의 함량 및/또는 수증기의 함량을 증가시킴으로써, 옥사이드 층에서의 비결정질 구조의 정도가 증가될 수 있다. 특히, 제 1 프로세싱 가스 분위기에서의 H2의 함량을 증가시킴으로써, 특히, 기판과 제 1 층 사이의 계면(interface)에서의 결정립들(crystalline grains)의 개수가 감소될 수 있다.Referring to FIG. 4 by way of example, according to embodiments that may be combined with other embodiments described herein, the method utilizes the content of water vapor and / or the content of H 2 in the processing gas atmosphere. By controlling the degree of the amorphous structure of the oxide layer 103 may be further included. In particular, by increasing the content of H 2 and / or water vapor in the processing gas atmosphere, the degree of amorphous structure in the oxide layer can be increased. In particular, by increasing the content of H 2 in the first processing gas atmosphere, in particular, the number of crystalline grains at the interface between the substrate and the first layer can be reduced.

[0059] 또한, 도 3의 블록도에 예시적으로 도시된 바와 같이, 본원에서 설명되는 다른 실시예들과 결합될 수 있는 실시예들에 따르면, 방법은 프로세싱 가스 분위기에서의 O2의 함량을 이용하여 옥사이드 층의 시트 저항을 제어하는 단계(104)를 더 포함할 수 있다. 특히, 어닐링 이후 낮은 저항에 대해 층 스택의 시트 저항을 최적화하기 위해, 층 증착 동안 프로세싱 가스 분위기에서의 O2의 함량은 본원에서 설명된 바와 같은 하한과 상한 사이의 범위에서 선택되어야 한다. 실시예들에 따르면, 층 증착 이후에 어닐링 절차가, 예컨대, 200°C 내지 250°C의 온도 범위에서 수행될 수 있다.In addition, according to embodiments that may be combined with other embodiments described herein, as exemplarily shown in the block diagram of FIG. 3, the method determines the content of O 2 in the processing gas atmosphere. The step of controlling the sheet resistance of the oxide layer by using 104 may be further included. In particular, in order to optimize the sheet resistance of the layer stack for low resistance after annealing, the content of O 2 in the processing gas atmosphere during layer deposition should be selected in the range between the lower and upper limits as described herein. According to embodiments, an annealing procedure after layer deposition may be performed, for example, in a temperature range of 200 ° C to 250 ° C.

[0060] 본원에서 설명되는 다른 실시예들과 결합될 수 있는 실시예들에 따르면, 투명 전도성 옥사이드 층의 어닐링 이후의 저항률은 100μOhm cm의 하한, 특히 210μOhm cm의 하한, 더 특히 220μOhm cm의 하한 내지 260μOhm cm의 상한, 특히 280μOhm cm의 상한, 더 특히 400μOhm cm의 상한의 범위일 수 있다. 특히, 옥사이드 층의 어닐링 이후의 저항률은 대략 230μOhm cm일 수 있다.According to embodiments that can be combined with other embodiments described herein, the resistivity after annealing of the transparent conductive oxide layer is a lower limit of 100 μOhm cm, particularly a lower limit of 210 μOhm cm, more particularly a lower limit of 220 μOhm cm It may range from an upper limit of 260 μOhm cm, in particular an upper limit of 280 μOhm cm, more particularly an upper limit of 400 μOhm cm. In particular, the resistivity after annealing of the oxide layer may be approximately 230 μOhm cm.

[0061] 본원에서 설명되는 다른 실시예들과 결합될 수 있는 실시예들에 따르면, 프로세싱 가스 분위기는 수증기, H2, 불활성 가스, O2, 및 잔여 가스로 구성된다. 수증기, H2, 불활성 가스, O2, 및 잔여 가스로 구성된 프로세싱 가스 분위기에서의 수증기, H2, 불활성 가스, 및 O2의 함량은 본원에서 설명된 바와 같은 각각의 하한 내지 각각의 상한의 범위에서 선택될 수 있다. 잔여 가스는 프로세싱 가스 분위기의 임의의 불순물 또는 임의의 오염 물질일 수 있다. 수증기, H2, 불활성 가스, O2, 및 잔여 가스로 구성된 프로세싱 가스 분위기에서, 잔여 가스의 함량은 프로세싱 가스 분위기의 0.0% 내지 1.0%일 수 있다. 본원에서 설명되는 다른 실시예들과 결합될 수 있는 실시예들에 따르면, 잔여 가스의 함량은 프로세싱 가스 분위기의 0.0%이다. 본원에서 설명되는 실시예들에 따른 프로세싱 가스 분위기의 구성물들의 함량은 100%까지 부가될 수 있다는 점이 이해되어야 한다. 특히, 수증기, H2, 불활성 가스, O2, 및 잔여 가스의 함량은, 잔여 가스가 프로세싱 가스 분위기에 존재하는 경우에, 또는 프로세싱 가스 분위기가 잔여 가스를 포함하지 않는 경우, 즉, 잔여 가스의 함량이 0.0%인 경우에, 프로세싱 가스 분위기의 100%까지 부가될 수 있다.According to embodiments that can be combined with other embodiments described herein, the processing gas atmosphere consists of water vapor, H 2 , inert gas, O 2 , and residual gas. Water vapor, H 2, an inert gas, O 2, and a residual gas of water vapor in the process gas atmosphere consisting, H 2, inert gas, and the amount of O 2 are each a lower limit to the range of each of the upper limit as described herein Can be selected from. The residual gas can be any impurities or any contaminants in the processing gas atmosphere. In a processing gas atmosphere composed of water vapor, H 2 , inert gas, O 2 , and residual gas, the content of residual gas may be 0.0% to 1.0% of the processing gas atmosphere. According to embodiments that can be combined with other embodiments described herein, the content of residual gas is 0.0% of the processing gas atmosphere. It should be understood that the contents of the components of the processing gas atmosphere according to the embodiments described herein can be added up to 100%. In particular, the contents of water vapor, H 2 , inert gas, O 2 , and residual gas are used when the residual gas is present in the processing gas atmosphere, or when the processing gas atmosphere does not contain residual gas, that is, the residual gas If the content is 0.0%, up to 100% of the processing gas atmosphere can be added.

[0062] 본원에서 설명되는 다른 실시예들과 결합될 수 있는 실시예들에 따르면, 디스플레이 제조를 위한 복수의 박막 트랜지스터들을 위한 층을 제조하는 방법은, 예컨대, 에칭에 의해, 특히, 습식 화학 에칭에 의해 층을 패터닝하는 단계를 더 포함할 수 있다. 또한, 본원에서 설명되는 실시예들에 따라 층을 제조하는 방법은, 예컨대, 패터닝 이후에 층을 어닐링하는 단계를 포함할 수 있다.According to embodiments that may be combined with other embodiments described herein, a method of manufacturing a layer for a plurality of thin film transistors for display manufacturing, eg, by etching, in particular, wet chemical etching It may further include the step of patterning the layer. Further, a method of manufacturing a layer according to embodiments described herein may include, for example, annealing the layer after patterning.

[0063] 본원에서 설명되는 실시예들에 따르면, 본원에서 설명되는 실시예들에 따라 층을 제조하는 방법에 의해 제조된 층이 전자 디바이스에, 특히, 광-전자 디바이스에 채용될 수 있다. 따라서, 본원에서 설명되는 실시예들에 따른 층을 전자 디바이스에 제공함으로써, 전자 디바이스의 품질이 개선될 수 있다. 특히, 본원에서 설명되는 실시예들에 따라 디스플레이 제조를 위한 복수의 박막 트랜지스터들을 위한 층을 제조하는 방법 및 이에 따른 그 장치가, 특히, 고품질 및 저비용에 대하여, 제조 동안에 TFT 디스플레이 특성들을 튜닝하는 것을 제공한다는 점이, 당업자에 의해 이해될 것이다.According to the embodiments described herein, a layer manufactured by a method of manufacturing a layer according to the embodiments described herein can be employed in an electronic device, in particular in an opto-electronic device. Thus, by providing the electronic device with a layer according to the embodiments described herein, the quality of the electronic device can be improved. In particular, a method of manufacturing a layer for a plurality of thin film transistors for display manufacturing according to the embodiments described herein, and the apparatus accordingly, for tuning TFT display characteristics during manufacturing, especially for high quality and low cost It will be understood by those skilled in the art that this is provided.

Claims (15)

디스플레이 제조를 위한 복수의 박막 트랜지스터들을 위한 층을 제조하는 방법(100)으로서,
프로세싱 가스 분위기에서(222) 인듐 옥사이드 함유 타겟으로부터 투명 전도성 옥사이드 층을 스퍼터링하는 단계(101)를 포함하고,
상기 프로세싱 가스 분위기(222)는 수증기, H2, 및 불활성 가스를 포함하며,
상기 수증기의 함량은 1% 내지 10%이고,
상기 H2의 함량은 2.2% 내지 20.0%이며, 그리고
상기 불활성 가스의 함량은 55.0% 내지 96.8%이고,
상기 프로세싱 가스 분위기(222)의 총 압력은 0.2Pa 내지 0.8Pa이고, 상기 프로세싱 가스 분위기의 구성물들은 100%까지 부가되고,
상기 프로세싱 가스 분위기(222)는 O2를 더 포함하고, 상기 O2의 함량은 0.5% 내지 15.0%이고,
상기 프로세싱 가스 분위기(222)에서의 O2의 부분 압력은 0.001Pa 내지 0.12Pa이고,
상기 프로세싱 가스 분위기(222)에서의 O2의 함량을 이용하여 상기 옥사이드 층의 시트 저항을 제어하는 단계(104)를 더 포함하고, 저항률은 100μOhm cm 내지 400μOhm cm인,
층을 제조하는 방법.A method (100) of manufacturing a layer for a plurality of thin film transistors for display manufacturing,
Sputtering (101) a transparent conductive oxide layer from an indium oxide containing target in a processing gas atmosphere (222),
The processing gas atmosphere 222 includes water vapor, H 2 , and an inert gas,
The content of the water vapor is 1% to 10%,
The content of H 2 is 2.2% to 20.0%, and
The content of the inert gas is 55.0% to 96.8%,
The total pressure of the processing gas atmosphere 222 is 0.2 Pa to 0.8 Pa, and the components of the processing gas atmosphere are added up to 100%,
The processing gas atmosphere 222, and further comprises, the content is 0.5% to 15.0% of the O 2 to O 2, and
The partial pressure of O 2 in the processing gas atmosphere 222 is 0.001 Pa to 0.12 Pa,
And controlling the sheet resistance of the oxide layer using the content of O 2 in the processing gas atmosphere 222, wherein the resistivity is 100 μOhm cm to 400 μOhm cm,
How to make a layer. 제 1 항에 있어서,
상기 수증기 대 H2의 비율은 4:1 내지 1:4인,
층을 제조하는 방법.According to claim 1,
The ratio of water vapor to H 2 is 4: 1 to 1: 4,
How to make a layer. 제 1 항에 있어서,
상기 프로세싱 가스 분위기(222)에서의 수증기의 부분 압력은 0.002Pa 내지 0.08Pa인,
층을 제조하는 방법.According to claim 1,
The partial pressure of water vapor in the processing gas atmosphere 222 is 0.002 Pa to 0.08 Pa,
How to make a layer. 제 1 항에 있어서,
상기 프로세싱 가스 분위기(222)에서의 H2의 부분 압력은 0.0044Pa 내지 0.16Pa인,
층을 제조하는 방법.According to claim 1,
The partial pressure of H 2 in the processing gas atmosphere 222 is 0.0044 Pa to 0.16 Pa,
How to make a layer. 삭제delete 삭제delete 제 1 항에 있어서,
상기 프로세싱 가스 분위기(222)에서의 불활성 가스의 부분 압력은 0.11Pa 내지 0.7704Pa인,
층을 제조하는 방법.According to claim 1,
The partial pressure of the inert gas in the processing gas atmosphere 222 is 0.11 Pa to 0.7704 Pa,
How to make a layer. 제 1 항에 있어서,
상기 프로세싱 가스 분위기(222)에서의 수증기의 함량 및/또는 상기 프로세싱 가스 분위기(222)에서의 H2의 함량을 이용하여 상기 옥사이드 층의 비결정질 구조의 정도를 제어하는 단계(103)를 더 포함하는,
층을 제조하는 방법.According to claim 1,
Further comprising a step (103) of controlling the degree of the amorphous structure of the oxide layer by using the content of water vapor in the processing gas atmosphere 222 and / or the content of H 2 in the processing gas atmosphere 222 ,
How to make a layer. 제 1 항에 있어서,
상기 프로세싱 가스 분위기(222)에서의 수증기의 함량을 이용하여 상기 옥사이드 층의 시트 저항을 제어하는 단계(104)를 더 포함하고, 저항률은 100μOhm cm 내지 400μOhm cm인,
층을 제조하는 방법.According to claim 1,
And controlling the sheet resistance of the oxide layer using the content of water vapor in the processing gas atmosphere 222, wherein the resistivity is 100 μOhm cm to 400 μOhm cm,
How to make a layer. 삭제delete 제 1 항에 있어서,
상기 프로세싱 가스 분위기(222)는 수증기, H2, 불활성 가스, O2, 및 잔여 가스로 구성되며,
상기 수증기의 함량은 1% 내지 10%이고,
상기 H2의 함량은 2.2% 내지 20.0%이며,
상기 불활성 가스의 함량은 55.0% 내지 96.3%이고,
상기 O2의 함량은 0.5% 내지 15.0%이며, 그리고
상기 잔여 가스의 함량은 0.0 내지 1.0%인,
층을 제조하는 방법.According to claim 1,
The processing gas atmosphere 222 is composed of water vapor, H 2 , inert gas, O 2 , and residual gas,
The content of the water vapor is 1% to 10%,
The content of H 2 is 2.2% to 20.0%,
The content of the inert gas is 55.0% to 96.3%,
The content of O 2 is 0.5% to 15.0%, and
The content of the residual gas is 0.0 to 1.0%,
How to make a layer. 제 11 항에 있어서,
상기 타겟은 ITO(indium tin oxide) 함유 타겟이고,
상기 프로세싱 가스 분위기(222)에서의 수증기의 부분 압력은 0.002Pa 내지 0.08Pa이며,
상기 프로세싱 가스 분위기에서의 H2의 부분 압력은 0.0044Pa 내지 0.16Pa이고,
상기 프로세싱 가스 분위기에서의 O2의 부분 압력은 0.001Pa 내지 0.12Pa이며,
상기 프로세싱 가스 분위기에서의 불활성 가스의 부분 압력은 0.11Pa 내지 0.7744Pa이고,
상기 방법은,
- 상기 프로세싱 가스 분위기(222)에서의 수증기의 함량 및/또는 상기 프로세싱 가스 분위기(222)에서의 H2의 함량을 이용하여 상기 옥사이드 층의 비결정질 구조의 정도를 제어하는 단계(103), 및
- 상기 프로세싱 가스 분위기(222)에서의 수증기의 함량 및/또는 상기 프로세싱 가스 분위기(222)에서의 O2의 함량을 이용하여 상기 옥사이드 층의 시트 저항을 제어하는 단계(104) ― 저항률은 100μOhm cm 내지 400μOhm cm ― 를 더 포함하는,
층을 제조하는 방법.The method of claim 11,
The target is a target containing ITO (indium tin oxide),
The partial pressure of water vapor in the processing gas atmosphere 222 is 0.002 Pa to 0.08 Pa,
The partial pressure of H 2 in the processing gas atmosphere is 0.0044 Pa to 0.16 Pa,
The partial pressure of O 2 in the processing gas atmosphere is 0.001 Pa to 0.12 Pa,
The partial pressure of the inert gas in the processing gas atmosphere is 0.11 Pa to 0.7744 Pa,
The above method,
-Controlling (103) the degree of the amorphous structure of the oxide layer by using the content of water vapor in the processing gas atmosphere 222 and / or the content of H 2 in the processing gas atmosphere 222, and
-Controlling (104) the sheet resistance of the oxide layer using the content of water vapor in the processing gas atmosphere 222 and / or the content of O 2 in the processing gas atmosphere 222-the resistivity is 100 μOhm cm To 400 μOhm cm ― further comprising,
How to make a layer. 제 12 항에 있어서,
상기 타겟은 ITO 90/10인,
층을 제조하는 방법.The method of claim 12,
The target is ITO 90/10,
How to make a layer. 제 1 항 내지 제 4 항, 제 7 항 내지 제 9 항, 및 제 11 항 내지 제 13 항 중 어느 한 항에 따른 방법(100)에 의해 제조된 층을 포함하는 전자 디바이스.An electronic device comprising a layer produced by the method (100) according to any one of claims 1 to 4, 7 to 9 and 11 to 13. 디스플레이 제조를 위한 층을 증착시키기 위한 장치(200)로서,
진공 챔버(210);
투명 전도성 옥사이드 층을 스퍼터링하기 위한, 상기 진공 챔버 내의 하나 또는 그 초과의 인듐 옥사이드 함유 타겟들(220a, 220b);
상기 진공 챔버 내에 프로세싱 가스를 제공하기 위한 가스 분배 시스템(230) ― 상기 진공 챔버(210)는 수증기를 위한 제 1 가스 유입구(234) 및 H2를 위한 제 2 가스 유입구(235)에서 상기 가스 분배 시스템(230)에 연결되고, 특히, 상기 진공 챔버(210)는 O2를 위한 제 3 가스 유입구(237)에서 상기 가스 분배 시스템(230)에 추가적으로 연결됨 ―; 및
상기 가스 분배 시스템(230)에 연결되고, 프로그램 코드를 실행하도록 구성된 제어기(240) ― 상기 프로그램 코드의 실행 시에, 제 1 항 내지 제 4 항, 제 7 항 내지 제 9 항, 및 제 11 항 내지 제 13 항 중 어느 한 항에 따른 방법이 수행됨 ― 를 포함하는,
디스플레이 제조를 위한 층을 증착시키기 위한 장치.An apparatus 200 for depositing a layer for manufacturing a display,
Vacuum chamber 210;
One or more indium oxide containing targets 220a, 220b in the vacuum chamber for sputtering a transparent conductive oxide layer;
Gas distribution system 230 for providing processing gas in the vacuum chamber, wherein the vacuum chamber 210 distributes the gas at a first gas inlet 234 for water vapor and a second gas inlet 235 for H 2 Connected to system 230, in particular, said vacuum chamber 210 is further connected to said gas distribution system 230 at a third gas inlet 237 for O 2 ; And
A controller (240) connected to the gas distribution system (230) and configured to execute program code, wherein at execution of the program code, claims 1 to 4, 7 to 9, and 11 The method according to any one of claims 13 to 13 is carried out, comprising-
Apparatus for depositing a layer for display manufacturing.
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Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2000127282A (en) 1998-10-23 2000-05-09 Kanegafuchi Chem Ind Co Ltd Transparent polymer film with transparent conductive film
US20110194181A1 (en) * 2008-10-17 2011-08-11 Ulvac, Inc. Film forming method for antireflection film, antireflection film, and film forming device
JP7059747B2 (en) 2018-03-27 2022-04-26 ソニーグループ株式会社 Fine particle sorting method, fine particle sorting program and fine particle sorting system

Family Cites Families (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS6318426A (en) * 1986-07-09 1988-01-26 Casio Comput Co Ltd Input device
JPH0950712A (en) * 1995-08-07 1997-02-18 Hitachi Ltd Transparent conductive film and its forming method
JP2001168029A (en) * 1999-12-10 2001-06-22 Sony Corp Method of forming semiconductor film and method of manufacturing thin film semiconductor device
CN1918672B (en) * 2004-03-09 2012-10-03 出光兴产株式会社 Thin film transistor, thin film transistor substrate, liquid crystal display device, sputtering target, transparent conductive film, transparent electrode, and method for producing same
KR101238926B1 (en) * 2007-12-28 2013-03-06 가부시키가이샤 아루박 Method and apparatus for forming transparent conductive film
CN102191465A (en) * 2010-03-18 2011-09-21 中国科学院福建物质结构研究所 Indium-doped zinc oxide target material and preparation method of transparent conducting film

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2000127282A (en) 1998-10-23 2000-05-09 Kanegafuchi Chem Ind Co Ltd Transparent polymer film with transparent conductive film
US20110194181A1 (en) * 2008-10-17 2011-08-11 Ulvac, Inc. Film forming method for antireflection film, antireflection film, and film forming device
JP7059747B2 (en) 2018-03-27 2022-04-26 ソニーグループ株式会社 Fine particle sorting method, fine particle sorting program and fine particle sorting system

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