KR102242314B1 - 유기 발광 다이오드 표시장치 - Google Patents
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Abstract
본 발명은 유기 발광 다이오드 표시장치에 관한 것으로, 제1 노드의 전압에 따라 유기 발광 다이오드의 전류를 조절하는 제1 TFT: n 번째 제1 스캔펄스에 응답하여 데이터 전압이 공급되는 데이터라인과 제2 노드 사이의 전류패스를 형성하는 제2 TFT; 상기 제1 노드와 상기 제2 노드 사이에서 다이오드로 동작하는 제3 TFT; n 번째 제1 스캔펄스에 앞서 발생되는 n-1 번째 제1 스캔펄스에 응답하여 초기화 전압을 상기 제1 노드에 공급하는 제4 TFT; 상기 n-1 번째 및 n 번째 제1 스캔펄스들과 중첩되는 n 번째 제2 스캔펄스에 응답하여 상기 초기화 전압을 제3 노드에 공급하는 제5 TFT; 및 고전위 전원 전압이 공급되는 고전위 전원 전압 라인과 상기 제1 노드 사이에 형성된 커패시터를 포함한다.
Description
본 발명은 유기 발광 다이오드 표시장치에 관한 것이다.
유기 발광 다이오드 표시장치는 자발광소자이므로 백라이트와 같은 별도의 광원이 필요하지 않으므로 박형화에 유리하고 소비전력이 낮음은 물론, 콘트라스트비가 높고 응답속도가 빠르다. 유기 발광 다이오드 표시장치의 픽셀에는 유기 발광 다이오드(ORGANIC LIGHT EMITTING DIODE, OLED)와, 게이트 전압에 따라 유기 발광 다이오드에 흐르는 전류를 조절하는 구동 소자가 형성된다.
유기 발광 다이오드 표시장치의 화면 전체에서 볼 때, 구동 소자의 특성 예를 들면, 구동 박막트랜지스터(Thin Film Transistor, 이하 "TFT"라 함)의 문턱 전압(Vth)이 불균일하게 될 수 있다. 구동 소자의 문턱 전압은 게이트 바이어스 스트레스(gate bias stress)로 인하여 픽셀의 구동 시간이 길어지면 변할 수 있다. 구동 소자의 문턱 전압을 감지하여 그 문턱 전압의 변화를 보상하기 위하여, 픽셀에 내부 보상 회로가 내장될 수 있다. 내부 보상 회로는 구동 소자의 특성 변화를 감지(sensing)하여 데이터 전압에 구동 소자의 문턱 전압을 더하여 문턱 전압 편차를 보상한다. 이러한 내부 보상 회로는 스위치 소자들과 커패시터를 포함하기 때문에 픽셀의 개구율을 저하시킨다.
구동 소자의 특성 편차를 감지하고 보상하는 기간 동안 픽셀이 발광되면 콘트라스트비가 나빠진다. 이를 위하여, 내부 보상 회로에는 유기 발광 다이오드의 발광 기간을 제어하는 발광제어신호가 공급될 수 있다. 스캔 구동회로는 스캔펄스를 순차적으로 시프트하는 제1 시프트 레지스터(shift register)와, 발광제어신호를 순차적으로 시프트하는 제2 시프트 레지스터, 제2 시프트 레지스터의 출력을 반전시키는 인버터(Inverter)를 포함한다. 스캔펄스는 입력 영상의 데이터 전압과 동기되어 데이터가 기입되는 1 라인의 픽셀들을 동시에 선택한다.
스캔 구동회로는 표시패널의 베젤(bezel) 영역에 직접 형성될 수 있다. 이 경우, 픽셀 어레이와 스캔 구동회로는 표시패널에서 같은 기판 면에 형성된다. 베젤 영역은 픽셀 어레이 밖의 비표시 영역이다. 스캔 구동회로가 커지면 표시패널의 베젤 영역이 커지므로 베젤 영역을 줄이기가 어렵다. 특히, 스캔 구동회로에 발광제어신호를 반전시키는 인버터가 추가되면 스캔 구동회로가 커져 베젤 영역을 줄이는데 한계가 있다.
본 발명은 구동 소자의 특성 편차를 보상하고 TFT의 문턱 전압과 이동도를 보상하여 화질을 향상시킬 수 있는 유기 발광 다이오드 표시장치를 제공한다.
본 발명의 유기 발광 다이오드 표시장치는 제1 노드의 전압에 따라 유기 발광 다이오드의 전류를 조절하는 제1 TFT: n(n은 양의 정수) 번째 제1 스캔펄스에 응답하여 데이터 전압이 공급되는 데이터라인과 제2 노드 사이의 전류패스를 형성하는 제2 TFT; 상기 제1 노드와 상기 제2 노드 사이에서 다이오드로 동작하는 제3 TFT; n 번째 제1 스캔펄스에 앞서 발생되는 n-1 번째 제1 스캔펄스에 응답하여 초기화 전압을 상기 제1 노드에 공급하는 제4 TFT; 상기 n-1 번째 및 n 번째 제1 스캔펄스들과 중첩되는 n 번째 제2 스캔펄스에 응답하여 상기 초기화 전압을 제3 노드에 공급하는 제5 TFT; 및 고전위 전원 전압이 공급되는 고전위 전원 전압 라인과 상기 제1 노드 사이에 형성된 커패시터를 포함한다.
본 발명의 다른 실시예에 따른 유기 발광 다이오드 표시장치는 제1 노드의 전압에 따라 유기 발광 다이오드의 전류를 조절하는 제1 TFT: n(n은 양의 정수) 번째 제1 스캔펄스에 응답하여 데이터 전압이 공급되는 데이터라인과 제2 노드 사이의 전류패스를 형성하는 제2 TFT; 상기 제1 노드와 상기 제2 노드 사이에서 다이오드로 동작하는 제3 TFT; n 번째 제1 스캔펄스에 앞서 발생되는 n-1 번째 제1 스캔펄스에 응답하여 초기화 전압을 상기 제1 노드에 공급하는 제4 TFT; 발광제어신호에 응답하여 초기화 구간과 샘플링 구간 동안 상기 제1 TFT와 상기 유기 발광 다이오드 사이의 전류패스를 차단하고 발광 구간 동안 상기 전류 패스를 연결하는 제5 TFT; 및 고전위 전원 전압이 공급되는 고전위 전원 전압 라인과 상기 제1 노드 사이에 형성된 커패시터를 포함한다.
본 발명은 픽셀의 내부 보상 회로의 TFT 개수를 줄이고 간소화하고 커패시터를 전원 전압 라인 아래에 형성한다. 그 결과, 본 발명은 픽셀들의 문턱 전압 편차 및 변화를 보상할 수 있고 내부 보상 회로로 인한 픽셀들의 개구율 저하를 최소화할 수 있다.
도 1은 본 발명의 실시예에 따른 유기 발광 다이오드 표시장치를 보여 주는 블록도이다.
도 2는 도 1에 도시된 스캔 구동부가 픽셀 어레이와 함께 같은 기판에 형성된 예를 보여 주는 평면도이다.
도 3은 본 발명의 제1 실시예에 따른 유기 발광 다이오드 표시장치의 픽셀을 보여 주는 회로도이다.
도 4는 도 3에 도시된 픽셀의 구동 파형을 보여 주는 파형도이다.
도 5는 도 3에 도시된 픽셀의 초기화 구간을 보여 주는 도면이다.
도 6은 도 3에 도시된 픽셀의 샘플링 구간을 보여 주는 도면이다.
도 7은 도 3에 도시된 픽셀의 발광 구간을 보여 주는 도면이다.
도 8 및 도 9는 본 발명의 시뮬레이션 결과를 보여 주는 도면들이다.
도 10은 본 발명의 제2 실시예에 따른 유기 발광 다이오드 표시장치의 픽셀을 보여 주는 회로도이다.
도 11은 도 10에 도시된 픽셀의 구동 파형을 보여 주는 파형도이다.
도 12는 본 발명의 제3 실시예에 따른 유기 발광 다이오드 표시장치의 픽셀을 보여 주는 회로도이다.
도 13은 본 발명의 제4 실시예에 따른 유기 발광 다이오드 표시장치의 픽셀을 보여 주는 회로도이다.
도 2는 도 1에 도시된 스캔 구동부가 픽셀 어레이와 함께 같은 기판에 형성된 예를 보여 주는 평면도이다.
도 3은 본 발명의 제1 실시예에 따른 유기 발광 다이오드 표시장치의 픽셀을 보여 주는 회로도이다.
도 4는 도 3에 도시된 픽셀의 구동 파형을 보여 주는 파형도이다.
도 5는 도 3에 도시된 픽셀의 초기화 구간을 보여 주는 도면이다.
도 6은 도 3에 도시된 픽셀의 샘플링 구간을 보여 주는 도면이다.
도 7은 도 3에 도시된 픽셀의 발광 구간을 보여 주는 도면이다.
도 8 및 도 9는 본 발명의 시뮬레이션 결과를 보여 주는 도면들이다.
도 10은 본 발명의 제2 실시예에 따른 유기 발광 다이오드 표시장치의 픽셀을 보여 주는 회로도이다.
도 11은 도 10에 도시된 픽셀의 구동 파형을 보여 주는 파형도이다.
도 12는 본 발명의 제3 실시예에 따른 유기 발광 다이오드 표시장치의 픽셀을 보여 주는 회로도이다.
도 13은 본 발명의 제4 실시예에 따른 유기 발광 다이오드 표시장치의 픽셀을 보여 주는 회로도이다.
이하 첨부된 도면을 참조하여 본 발명에 따른 바람직한 실시예들을 상세히 설명한다. 명세서 전체에 걸쳐서 동일한 참조번호들은 실질적으로 동일한 구성요소들을 의미한다. 이하의 설명에서, 본 발명과 관련된 공지 기능 혹은 구성에 대한 구체적인 설명이 본 발명의 요지를 불필요하게 흐릴 수 있다고 판단되는 경우, 그 상세한 설명을 생략한다.
도 1 및 도 2를 참조하면, 본 발명의 유기 발광 다이오드 표시장치는 픽셀들이 매트릭스 형태로 배치된 표시패널(100), 데이터전압을 데이터라인들(11)에 공급하기 위한 데이터 구동부(102), 데이터라인들(11)과 교차되는 스캔라인들(12)에 선택펄스(SEN)를 순차적으로 공급하기 위한 스캔 구동부(104), 및 데이터 구동부(102)와 스캔 구동부(104)를 제어하기 위한 타이밍 콘트롤러(106)를 구비한다.
표시패널(100)의 픽셀들 각각은 도 3과 같이 구현된다. 픽셀들 각각은 컬러 구현을 위하여, 도 3과 같은 픽셀들 각각은 적, 녹 및 청색의 서브 픽셀들로 나뉘어질 수 있다. 픽셀들 각각은 백색광을 발생하는 발광층과, 컬러 필터를 포함할 수 있다.
데이터 구동부(102)는 타이밍 콘트롤러(106)로부터 수신되는 입력 영상의 디지털 비디오 데이터(RGB)를 감마보상전압으로 변환하여 데이터라인들(11)에 공급한다.
스캔 구동부(104)는 제1 스캔펄스(SCANA1~4)를 제1 스캔 라인 그룹의 스캔 라인들에 순차적으로 공급하고, 제2 스캔펄스(SCANB1~4)를 제2 스캔 라인 그룹의 스캔 라인들에 순차적으로 공급한다. 제1 및 제2 스캔펄스(SCANA1~4, SCANB1~4)는 도 4와 같다. 제2 스캔펄스(SCANB1~4)의 펄스폭은 제1 스캔펄스(SCANA1~4) 보다 2 배 크다. 제1 스캔펄스(SCANA1~4)의 펄스폭이 대략 1 수평기간일 때, 제2 스캔펄스(SCANB1~4)의 펄스폭은 2 수평기간이다. 픽셀들의 TFT들이 p 타입 스위치 TFT일 때, 제1 및 제2 스캔펄스(SCANA1~4, SCANB1~4)는 로우 로직 전압(low logic voltage)의 펄스로 발생된다.
스캔 구동부(104)는 픽셀 어레이와 함께 같은 기판 상에 직접 형성될 수 있다. 스캔 구동부(104)는 표시패널의 베젤 영역(BZ)에 형성된다. 스캔 구동부(104)는 제1 스캔펄스(SCANA1~4)를 순차적으로 시프트하는 제1 시프트 레지스터(SR1)와, 제2 스캔펄스(SCANB1~4)를 순차적으로 시프트하는 제2 시프트 레지스터(SR2)를 포함한다. 타이밍 콘트롤러(110)는 제1 스타트 펄스(Vst(A))와 제1 시프트 클럭들(CLK(A))을 제1 시프트 레지스터(SR1)에 공급하여 제1 시프트 레지스터(SR1)의 동작 타이밍을 제어한다. 타이밍 콘트롤러(110)는 제2 스타트 펄스(Vst(B))와 제2 시프트 클럭들(CLK(B))을 제1 시프트 레지스터(SR1)에 공급하여 제2 시프트 레지스터(SR2)의 동작 타이밍을 제어한다. 제2 스캔펄스(SCANB1~4)의 펄스폭이 제1 스캔펄스(SCANA1~4) 보다 2 배 크기 때문에 제2 시프트 클럭들(CLK(B))의 펄스폭은 제1 시프트 클럭들(CLK(A))의 그 것 보다 2 배 넓다.
스캔 구동부(104)는 발광제어신호를 발생할 필요가 없으므로 발광제어신호(EM)를 시프트하기 위한 시프트 레지스터와 인버터가 필요 없다. 따라서, 본 발명의 표시패널은 스캔 구동부(104)의 크기가 작아지므로 네로우 베젤(Narrow bezel)을 실현할 수 있다.
스캔 구동부(104)는 도 11과 같이 발광제어신호(EM)를 더 발생할 수 있다. 이 경우, 발광제어신호(EM)를 시프트하는 시프트 레지스터와, 그 시프트 레지스터의 출력을 반전시키기 위한 인버터를 포함한다.
타이밍 콘트롤러(106)는 도시하지 않은 외부의 호스트 시스템으로부터 수신한 디지털 비디오 데이터(RGB)를 데이터 구동부(102)로 전송한다. 타이밍 콘트롤러(106)는 수직 동기신호(Vsync), 수평 동기신호(Hsync), 데이터 인에이블신호(Data Enable, DE), 도트 클럭(CLK) 등 호스트 시스템으로부터 수신된 타이밍 신호들을 이용하여 데이터 구동부(102)와 스캔 구동부(104)의 동작 타이밍을 제어하기 위한 타이밍 제어신호들을 발생한다. 호스트 시스템은 네비게이션 시스템, 셋톱박스, DVD 플레이어, 블루레이 플레이어, 컴퓨터, 홈 시어터 시스템, 방송 수신기, 폰 시스템(Phone system) 등 각종 정보기기나 가전기기 시스템일 수 있다.
도 3은 본 발명의 제1 실시예에 따른 유기 발광 다이오드 표시장치의 픽셀을 보여 주는 회로도이다. 도 4는 도 2에 도시된 픽셀의 구동 파형을 보여 주는 파형도이다.
도 3 및 도 4를 참조하면, 표시패널(100)의 픽셀들 각각은 제1 내지 제5 다수의 TFT들(T1~T5), 커패시터(C), 및 유기 발광 다이오드(OLED)를 포함한다.
TFT들(T1~T5)은 p type MOSFET(metal-oxide-semiconductor field-effect transistor)로 구현될 수 있다. TFT들(T1~T5)은 p type MOSFET에 한정되는 것이 아니라 n type MOSFET로 구현될 수 있고, CMOS(complementary metal semiconductor) TFT들로 구현될 수 있다. TFT들(T1~T5)이 n type MOSFET, CMOS TFT로 구현되는 경우에 도 4의 구동 파형에서 스캔펄스(SCANAn, SCANAn-1)가 반전될 수 있다.
도 4에서, "SCANAn-1"은 n(n은 양의 정수)-1 번째 제1 스캔펄스이다. "SCANAn"은 n-1 번째 제1 스캔펄스(SCANAn-1)에 이어서 발생되는 n 번째 제1 스캔펄스이다. "SCANBn"은 n 번째 제2 스캔 펄스이다. 제1 스캔펄스(SCANn-1, SCANn)의 펄스폭이 1 수평기간일 때 제2 스캔펄스(SCANn)의 펄스폭은 2 수평기간이다. 제2 스캔펄스(SCANAn)의 펄스는 n-1 번째 및 n 번째 제1 스캔펄스(SCANAn-1, SCANn)와 중첩된다.
제1 TFT(T1)는 제1 노드(N1)의 전압 즉, 게이트전압에 따라 유기 발광 다이오드(OLED)의 전류를 조절하는 구동 소자이다. 제1 TFT(T1)는 고전위 전원 전압(VDD)이 공급되는 고전위 전원 전압 라인(13)에 연결된 소스, 제3 노드(N3)에 연결된 드레인, 및 제1 노드(N1)에 연결된 게이트를 포함한다. 고전위 전원 전압(VDD)은 5V 이상의 전압이다.
제2 TFT(T2)는 n 번째 제1 스캔펄스(SCANAn)에 응답하여 데이터라인(11)과 제2 노드(N2) 사이의 전류패스를 형성하는 스위치 소자이다. 제2 TFT(T2)는 데이터라인(11)에 연결된 소스, 제2 노드(N2)에 연결된 드레인, 및 n 번째 제1 스캔펄스(SCANAn)가 공급되는 n 번째 제1 스캔라인(12a)에 연결된 게이트를 포함한다.
제3 TFT(T3)는 제1 TFT(T1)와 제2 TFT(T2) 사이에서 다이오드(Diode)로 동작한다. 제3 TFT(T3)의 소스는 제2 노드(N2)를 통해 제2 TFT(T2)의 드레인에 연결된다. 제3 TFT(T3)의 게이트와 드레인은 제1 노드(N1)에 연결된다.
제4 TFT(T4)는 n-1 번째 제1 스캔펄스(SCANAn-1)에 응답하여 초기화 전압(Vini)을 제1 노드(N1)에 공급하는 스위치 소자이다. 제4 TFT(T4)는 초기화 전압(Vini)이 공급되는 소스, 제1 노드(N1)에 연결된 드레인, 및 n-1 번째 제1 스캔펄스(SCANAn-1)가 공급되는 n-1 번째 제1 스캔라인(12b)에 연결된 게이트를 포함한다. 초기화 전압(Vini)은 저전위 전원 전압(VSS)과의 차이가 유기 발광 다이오드(OLED)의 문턱전압 보다 낮은 전압 예를 들면, 2V~3V의 전압으로 설정될 수 있다.
제5 TFT(T5)는 n 번째 제2 스캔펄스(SCANBn)에 응답하여 초기화 전압(Vini)을 제3 노드(N3)에 공급하는 스위치 소자이다. 제5 TFT(T5)는 초기화 전압(Vini)이 공급되는 소스, 제3 노드(N3)에 연결된 드레인, 및 n 번째 제2 스캔펄스(SCANBn)가 공급되는 n 번째 제2 스캔라인(12c)에 연결된 게이트를 포함한다.
커패시터(C)는 고전위 전원 전압 라인(13)과 제1 노드(N1) 사이에 형성되어 제1 노드(N1)의 전압과 고전위 전원 전압(VDD)의 차를 저장한다. 고전위 전원 전압(VDD)은 고전위 전원 전압 라인(13)을 통해 픽셀들에 공급된다. 커패시터(C)는 고전위 전원 전압 라인(13) 아래에 형성되므로 픽셀의 개구율을 낮추지 않는다.
유기 발광 다이오드(OLED)는 애노드 전압과 캐소드 전압의 차이가 자신의 문턱 전압 이상일 때 제1 TFT(T1)를 통해 공급되는 전류에 따라 발광한다. 유기 발광 다이오드(OLED)는 제3 노드(N3)에 접속된 애노드(Anode)와, 저전위 전원 전압(VSS)이 인가되는 캐소드(Cathode)를 포함한다. 저전위 전원 전압원은 0V 이하의 저전위 전원 전압(VSS) 예를 들면, -5V의 전압으로 설정될 수 있다. 유기 발광 다이오드(OLED)의 애노드와 캐소드 사이에는 다층의 유기 화합물층이 형성된다. 유기 화합물층은 애노드에 연결된 정공주입층(Hole Injection layer, HIL), 정공수송층(Hole transport layer, HTL), 발광층(Emission layer, EML), 전자수송층(Electron transport layer, ETL) 및 캐소드에 연결된 전자주입층(Electron Injection layer, EIL)을 포함한다.
이 픽셀들 각각은 구동 소자의 문턱 전압을 감지하고 그 문턱 전압 만큼 데이터 전압을 보상하기 위한 내부 보상회로를 포함한다. 내부 보상회로는 제3 TFT(T3)와 커패시터(C)를 포함하여 회로 구성이 간소화되어 픽셀의 개구율을 높일 수 있다.
픽셀들 각각의 동작은 초기화 구간(t1), 샘플링 구간(t2), 발광 구간(t3)으로 나뉘어질 수 있다. 초기화 구간(t1)은 픽셀들의 TFT들(T1~T5)과 유기 발광 다이오드(OLED)를 초기화하는 기간이다. 초기화 구간(t1)에서 유기 발광 다이오드(OLED)는 발광되지 않는다. 샘플링 구간(t2)은 커패시터(C)에 Vdata - Vth를 저장한다. "Vdata"는 입력 영상의 데이터 전압이다. Vth는 제1 및 제3 TFT(T1, T3)의 문턱 전압이다. 발광 구간(t3)은 Vdata - Vth 전압에 따라 제1 TFT(T1)를 통해 유기 발광 다이오드(OLED)에 전류를 공급한다.
도 5는 도 3에 도시된 픽셀의 초기화 구간(t1)을 보여 주는 도면이다. 도 6은 도 3에 도시된 픽셀의 샘플링 구간(t2)을 보여 주는 도면이다. 도 7은 도 3에 도시된 픽셀의 발광 구간(t3)을 보여 주는 도면이다.
도 5를 참조하면, 초기화 구간(t1)에서 로우 로직 전압의 n-1 번째 제1 스캔펄스(SCANAn-1)와 n 번째 제2 스캔펄스(SCANBn)가 발생된다. 제4 TFT(T4)는 초기화 구간(t1)에서 n-1 번째 제1 스캔펄스(SCANAn-1)에 응답하여 턴-온(turn-on)된다. 이와 동시에, 제5 TFT(T5)는 초기화 구간(t1)에서 n 번째 제2 스캔펄스(SCANBn)에 응답하여 턴-온된다. 그 결과, 제1 및 제3 노드(N1, N3)의 전압이 초기화 전압(Vini)으로 동시에 초기화된다. 유기 발광 다이오드(OLED)는 초기화 전압(Vini)과 저전위 전원 전압(VSS)의 차가 자신의 문턱 전압 보다 작으므로 발광되지 않는다. 초기화 구간(t1)에서 유기 발광 다이오드(OLED)가 발광되면, 블랙 계조의 휘도가 상승하여 콘트라스트비(contrast ratio)가 저하된다.
초기화 구간(t1)에서, n 번째 제1 스캔펄스(SCANAn)는 발생되지 않는다. 따라서, 제2 TFT(T2)는 초기화 구간(t1) 동안 오프 상태를 유지한다. 제1 및 제3 TFT(T1, T3)는 초기화 구간(t1) 동안 게이트 전압이 초기화 전압(Vini)으로 초기화되어 오프 상태를 유지한다.
도 6을 참조하면, 샘플링 구간(t2)에서 데이터 전압(Vdata)이 데이터 라인(11)을 통해 픽셀에 공급되고, 그 데이터 전압(Vdata)에 동기되는 로우 로직 전압의 n 번째 제1 스캔펄스(SCANAn-1)가 발생된다. 샘플링 구간(t2)에서, 로우 로직 전압의 n 번째 제2 스캔펄스(SCANBn)는 유지된다. n-1 번째 제1 스캔라인(12b)의 전압은 샘플링 구간(t2) 동안 하이 로직 전압으로 반전된다. 제2 TFT(T2)는 샘플링 구간(t2) 동안 n 번째 제1 스캔펄스(SCANAn-1)에 응답하여 턴-온된다. 제3 TFT(T3)는 샘플링 구간(t2) 동안 다이오드로 동작한다. 따라서, 제1 노드(N1)의 전압은 샘플링 구간(t2) 동안 Vdata - Vth 로 변하여 문턴 전압(Vth) 만큼 보상 된 데이터 전압(Vdata)으로 충전된다. 제1 노드(N1)의 전압은 커패시터(C)에 저장되어 커패시터(C)이 Vdata - Vth가 샘플링되어 1 프레임 기간 동안 유지된다. 문턱 전압(Vth)은 다이오드로 동작하는 제3 TFT(T3)의 문턱 전압이다. 제3 TFT(T3)는 제1 TFT(T1)과 실질적으로 동일하기 때문에 제3 TFT(T3)의 문턱 전압(Vth)은 제1 TFT(T1)의 문턱 전압(Vth)과 같다.
제5 TFT(T5)는 샘플링 구간(t2) 동안 n 번째 제2 스캔펄스(SCANBn)에 응답하여 온 상태를 유지하여 유기 발광 다이오드(OLED)의 애노드 전압을 초기화 전압(Vini)으로 고정한다. 따라서, 유기 발광 다이오드(OLED)는 샘플링 구간(t2) 동안 오프 상태를 유지하여 발광되지 않는다.
샘플링 구간(t2)에서 구동 소자인 제1 TFT(T1)의 문턱 전압(Vth)이 정확히 샘플링되기 위해서는 제1 및 제3 TFT(T1, T3)의 문턱 전압(Vth)이 서로 동일하여야 한다. 제1 및 제3 TFT(T1, T3)의 채널비(W/L, W는 채널 폭, L은 채널 길이)가 같거나 다를 수 있지만 어느 경우에도 문턱 전압이 같게 형성될 수 있다. 이는 MOSFET의 문턱 전압(Vth)을 정의한 아래의 수학식 1에서 알 수 있다. MOSFET의 문턱전압(Vth)은 COX에 따라 달라진다. 제1 및 제3 TFT(T1, T2)는 픽셀 내에서 이웃하기 때문에 그들 사이에 게이트 금속의 두께 편차가 없고 게이트 금속 아래의 유전층 두께 편차도 없어 COX가 동일하다. 따라서, 제1 및 제3 TFT(T1, T2)의 문턱 전압(VTh)은 채널비(W/L)와 상관 없이 실질적으로 동일하다.
φMS : 금속(metal)과 반도체(semiconductor)의 일함수 전위차
QOX : 산화막 표면에서의 고정전하
Qd : 이온층에서의 양전하
COX : 게이트의 단위 면적당 커패시턴스(capacitance)
φf : 진성 반도체(Intrinsic semiconductor)의 페르미(Fermi) 준위 Ei와 불순물 반도체(Extrinsic semiconductor)의 페르미 준위 Ef 의 차
2φf : 열평형 상태에서의 내부전위 장벽 (P-N 접합)
도 7을 참조하면, 발광 구간(t3)에서 n 번째 제1 스캔라인(12a)와 n 번째 제2 스캔라인(12c)의 전압은 하이 로직 전압으로 변한다. 발광 구간(t3)에서 n-1 번째 제1 스캔라인(12b)의 전압은 하이 로직 전압을 유지한다. 따라서, 제1 TFT(T1)는 발광 구간(t3) 동안 게이트 전압(Vdata-Vth)에 따라 유기 발광 다이오드(OLED)에 전류(IOLED)를 공급한다. 제2 내지 제5 TFT들(T2~T5)은 발광 구간(t3) 동안 오프 상태를 유지한다. 발광 구간(t3) 동안, 유기 발광 다이오드(OLED)에 흐르는 전류(IOLED)는 수학식 2와 같다.
여기서, 'k'는 구동 TFT(DT)의 이동도(μ) 및 기생용량(Cox)의 곱으로 정의된 상수값, 'L'은 구동 TFT(DT)의 채널길이, 'W'는 구동 TFT(DT)의 채널폭을 각각 의미한다.
유기 발광 다이오드(OLED)의 전류(IOLED)는 제1 TFT(T1)의 문턱 전압(Vth)에 영향을 받지 않는다. 따라서, 본 발명의 유기 발광 다이오드 표시장치는 픽셀 어레이의 위치에 따라 달라지는 구동소자의 문턱 전압 편차나 구동 시간이 경과함에 따라 변하는 문턱 전압 변화에 무관하게 모든 픽셀들에서 유기 발광 다이오드(OLED)의 밝기를 균일하게 제어할 수 있다.
도 8 및 도 9는 본 발명의 시뮬레이션(simulation) 결과를 보여 준다. 도 8에서 제1 및 제3 TFT(T1, T3)의 문턱 전압이고 가로 축은 시간(ms)이다. 이 시뮬레이션에서, 문턱 전압(Vth)을 0.5V씩 변화시킬 때 샘플링 구간(t2)에서 그 문턱 전압 변화(ΔVth)가 정확하게 감지된 결과를 얻을 수 있었다. 도 9는 입력 영상 데이터의 계조에 따라 흐르는 유기 발광 다이오드(OLED)의 전류(IOLED)를 나타낸다. 본 발명의 픽셀들은 시뮬레이션 결과, 문턱 전압 변화(ΔVth)가 ±1V 변할 때 유기 발광 다이오드(OLED)의 계조별 전류 특성이 변하지 않았다. 따라서, 본 발명은 구동 소자의 문턱 전압 변화에 상관 없이 입력 영상 데이터의 계조를 표현할 수 있다.
유기 발광 다이오드(OLED)의 전류(IOLED)는 크지 않다. 제1 TFT(T1)는 유기 발광 다이오드(OLED)를 구동하는 구동소자이므로 유기 발광 다이오드(OLED)의 요구 전류를 충족하는 채널비(W/L)로 설계된다. 본 발명은 유기 발광 다이오드(OLED)의 요구 전류를 충족하는 범위 내에서 제1 TFT(T1)의 채널 길이(L)를 최대한 크게 하고, 입력 데이터의 계조를 고전위 전원 전압(VDD)과 데이터 전압(Vdata)의 차이로 미세하게 조절한다. 제2, 제4 및 제5 TFT들(T2, T4, T5)는 전류가 흐르지 않고 전압이 인가되는 스위치 TFT들이기 때문에 전류를 결정하는 채널비(W/L)와 상관 없이 최소한의 마진을 설정하여 설계된다. 제2, 제4 및 제5 TFT들(T2, T4, T5)의 채널비(W/L)는 동일하게 설계될 수 있다.
도 10 및 도 11은 본 발명의 제2 실시예에 따른 유기 발광 다이오드 표시장치의 픽셀을 보여 주는 도면들이다.
도 10 및 도 11을 참조하면, 표시패널(100)의 픽셀들 각각은 제1 내지 제5 다수의 TFT들(T1~T4, T51), 커패시터(C), 및 유기 발광 다이오드(OLED)를 포함한다.
TFT들(T1~T4, T51)은 p type MOSFET(metal-oxide-semiconductor field-effect transistor)로 구현될 수 있다. 전술한 제1 실시예와 비교할 때, 도 10에 도시된 픽셀은 제5 TFT(T51)의 제어 신호만 다르고 도 3에 도시된 픽셀과 실질적으로 동일하다.
제5 TFT(T51)는 발광제어신호(EM)에 응답하여 초기화 구간(t1)과 샘플링 구간(t2) 동안 제1 TFT(T1)와 유기 발광 다이오드(OLED) 사이의 전류 패스를 차단한 후, 발광 구간(t3) 동안 턴-온되어 그 전류 패스를 연결하여 유기 발광 다이오드(OLED)에 전류를 공급한다. 그 결과, 발광 구간(t3) 동안 제1 및 제5 TFT(T1, T5)를 통해 유기 발광 다이오드(OLED)에 전류가 흐른다.
제5 TFT(T51)는 발광제어신호(EM)가 공급되는 게이트, 제3 노드(N3)에 연결된 소스, 및 유기 발광 다이오드(OLED)의 애노드에 연결된 드레인을 포함한다. 발광제어신호(EM)는 초기화 구간(t1)과 샘플링 구간(t2) 동안 하이 로직 전압으로 발생되고 발광기간 동안 로우 로직 전압으로 발생된다.
픽셀들 각각의 동작은 초기화 구간(t1), 샘플링 구간(t2), 발광 구간(t3)으로 나뉘어진다. 이 픽셀의 동작은 전술한 제1 실시예와 실질적으로 동일하므로 그에 대한 상세한 설명을 생략한다.
도 10에 도시된 픽셀은 발광제어신호(EM)를 필요로 하지만, 제2 스캔 펄스(SCANBn)가 필요 없다. 따라서, 스캔 구동부(104)의 크기 요인이 크지 않다.
도 12는 본 발명의 제3 실시예에 따른 유기 발광 다이오드 표시장치의 픽셀을 보여 주는 회로도이다.
도 12를 참조하면, 표시패널(100)의 픽셀들 각각은 제1 내지 제5 다수의 TFT들(T1~T4, T5), 제1 및 제2 커패시터(C1, C2), 및 유기 발광 다이오드(OLED)를 포함한다.
TFT들(T1~T5)은 p type MOSFET(metal-oxide-semiconductor field-effect transistor)로 구현될 수 있다. 전술한 제1 실시예와 비교할 때, 도 12에 도시된 픽셀은 제2 커패시터(C2)가 추가된 것만 다르고 도 3에 도시된 픽셀과 실질적으로 동일하다.
제2 커패시터(C2)는 제2 노드(N2)와 고전위 전원 전압 라인(13) 사이에 설치되어 제2 노드(N2)의 전압 변동을 방지한다. 제1 커패시터(C1)는 고전위 전원 전압 라인(13)과 제1 노드(N1) 사이에 형성되어 제1 노드(N1)의 전압과 고전위 전원 전압(VDD)의 차를 저장한다. 제1 커패시터(C)는 전술한 제1 실시예의 커패시터(C)와 동일하다. 제1 및 제2 커패시터(C1, C2)는 고전위 전원 전압 라인(13) 아래에 형성되므로 픽셀의 개구율을 낮추지 않는다. 제1 커패시터(C1)의 용량은 제2 커패시터(C2) 보다 낮아질 수 있다.
픽셀들 각각의 동작은 초기화 구간(t1), 샘플링 구간(t2), 발광 구간(t3)으로 나뉘어진다. 이 픽셀의 동작은 전술한 제1 실시예와 실질적으로 동일하므로 그에 대한 상세한 설명을 생략한다.
도 13은 본 발명의 제4 실시예에 따른 유기 발광 다이오드 표시장치의 픽셀을 보여 주는 회로도이다.
도 13을 참조하면, 표시패널(100)의 픽셀들 각각은 제1 내지 제5 다수의 TFT들(T1~T4, T5), 제1 및 제2 커패시터(C1, C2), 및 유기 발광 다이오드(OLED)를 포함한다.
TFT들(T1~T5)은 p type MOSFET(metal-oxide-semiconductor field-effect transistor)로 구현될 수 있다. 전술한 제1 실시예와 비교할 때, 도 13에 도시된 픽셀은 제2 커패시터(C2)가 추가되고 제5 TFT(T51)의 제어 신호만 다르고 도 3에 도시된 픽셀과 실질적으로 동일하다.
제2 커패시터(C2)는 제2 노드(N2)와 고전위 전원 전압 라인(13) 사이에 설치되어 제2 노드(N2)의 전압 변동을 방지한다. 제5 TFT(T51)는 발광제어신호(EM)에 응답하여 초기화 구간(t1)과 샘플링 구간(t2) 동안 제1 TFT(T1)와 유기 발광 다이오드(OLED) 사이의 전류 패스를 차단한 후, 발광 구간(t3) 동안 그 전류 패스를 연결하여 유기 발광 다이오드(OLED)에 전류를 공급한다.
픽셀들 각각의 동작은 초기화 구간(t1), 샘플링 구간(t2), 발광 구간(t3)으로 나뉘어진다. 이 픽셀의 동작은 전술한 제1 실시예와 실질적으로 동일하므로 그에 대한 상세한 설명을 생략한다.
이상 설명한 내용을 통해 당업자라면 본 발명의 기술사상을 일탈하지 아니하는 범위 내에서 다양한 변경 및 수정이 가능함을 알 수 있을 것이다. 따라서, 본 발명은 상세한 설명에 기재된 내용으로 한정되는 것이 아니라 특허 청구의 범위에 의해 정하여져야만 할 것이다.
100 : 표시패널 102 : 데이터 구동부
104 : 스캔 구동부 106 : 타이밍 콘트롤러
OLED : 유기 발광 다이오드 C, C1, C1 : 커패시터
T1~T5, T51 : TFT
104 : 스캔 구동부 106 : 타이밍 콘트롤러
OLED : 유기 발광 다이오드 C, C1, C1 : 커패시터
T1~T5, T51 : TFT
Claims (12)
- 제1 노드의 전압에 따라 유기 발광 다이오드의 전류를 조절하는 제1 TFT:
n(n은 양의 정수) 번째 제1 스캔펄스에 응답하여 데이터 전압이 공급되는 데이터라인과 제2 노드 사이의 전류패스를 형성하는 제2 TFT;
상기 제1 노드와 상기 제2 노드 사이에서 다이오드로 동작하는 제3 TFT;
n 번째 제1 스캔펄스에 앞서 발생되는 n-1 번째 제1 스캔펄스에 응답하여 초기화 전압을 상기 제1 노드에 공급하는 제4 TFT;
상기 n-1 번째 및 n 번째 제1 스캔펄스들과 중첩되는 n 번째 제2 스캔펄스에 응답하여 상기 초기화 전압을 제3 노드에 공급하는 제5 TFT; 및
고전위 전원 전압이 공급되는 고전위 전원 전압 라인과 상기 제1 노드 사이에 형성된 제1 커패시터를 포함하는 유기 발광 다이오드 표시장치. - 제 1 항에 있어서,
상기 제1 TFT는 고전위 전원 전압이 공급되는 소스, 상기 제3 노드에 연결된 드레인, 및 상기 제1 노드에 연결된 게이트를 포함하고,
상기 제2 TFT는 상기 데이터라인에 연결된 소스, 상기 제2 노드에 연결된 드레인, 및 상기 n 번째 제1 스캔펄스가 공급되는 게이트를 포함하고,
상기 제3 TFT는 상기 제2 노드를 통해 상기 제2 TFT의 드레인에 연결된 소스, 상기 제1 노드에 연결된 게이트 및 드레인을 포함하고,
상기 제4 TFT는 상기 초기화 전압이 공급되는 소스, 상기 제1 노드에 연결된 드레인, 및 상기 n-1 번째 제1 스캔펄스가 공급되는 게이트를 포함하고,
상기 제5 TFT는 상기 초기화 전압이 공급되는 소스, 상기 제3 노드에 연결된 드레인, 및 상기 n 번째 제2 스캔펄스가 공급되는 게이트를 포함하는 유기 발광 다이오드 표시장치. - 제 1 항 또는 2 항에 있어서,
상기 고전위 전원 전압 라인과 상기 제2 노드 사이에 형성된 제2 커패시터를 포함하는 유기 발광 다이오드 표시장치. - 제 1 항에 있어서,
초기화 구간 동안 상기 n-1 번째 제1 스캔펄스와 상기 n 번째 제2 스캔펄스가 발생되어 상기 제4 및 제5 TFT가 동시에 턴-온되고,
상기 제1 및 제3 노드의 전압이 상기 초기화 전압으로 동시에 초기화되는 유기 발광 다이오드 표시장치. - 제 4 항에 있어서,
상기 초기화 구간에 이어서, 샘플링 구간 동안 상기 데이터 전압이 상기 데이터 라인에 공급되고, 상기 데이터 전압에 동기되는 상기 n 번째 제1 스캔펄스가 발생되고,
상기 샘플링 구간 동안, 상기 제2 TFT는 턴-온되고 상기 제1 노드의 전압은상기 제3 TFT의 문턱 전압 만큼 차감된 상기 데이터 전압이 공급되어 상기 제1 커패시터에 저장되는 유기 발광 다이오드 표시장치. - 제 5 항에 있어서,
상기 샘플링 구간에 이어서, 발광 구간 동안 상기 제1 TFT를 통해 상기 유기 발광 다이오드에 전류가 흐르고,
상기 제2 내지 제5 TFT들은 상기 발광 구간 동안 오프 상태를 유지하는 유기 발광 다이오드 표시장치. - 제1 노드의 전압에 따라 유기 발광 다이오드의 전류를 조절하는 제1 TFT:
n(n은 양의 정수) 번째 제1 스캔펄스에 응답하여 데이터 전압이 공급되는 데이터라인과 제2 노드 사이의 전류패스를 형성하는 제2 TFT;
상기 제1 노드와 상기 제2 노드 사이에서 다이오드로 동작하는 제3 TFT;
n 번째 제1 스캔펄스에 앞서 발생되는 n-1 번째 제1 스캔펄스에 응답하여 초기화 전압을 상기 제1 노드에 공급하는 제4 TFT;
발광제어신호에 응답하여 초기화 구간과 샘플링 구간 동안 상기 제1 TFT와 상기 유기 발광 다이오드 사이의 전류패스를 차단하고 발광 구간 동안 상기 전류 패스를 연결하는 제5 TFT; 및
고전위 전원 전압이 공급되는 고전위 전원 전압 라인과 상기 제1 노드 사이에 형성된 제1 커패시터를 포함하는 유기 발광 다이오드 표시장치. - 제 7 항에 있어서,
상기 제1 TFT는 고전위 전원 전압이 공급되는 소스, 제3 노드에 연결된 드레인, 및 상기 제1 노드에 연결된 게이트를 포함하고,
상기 제2 TFT는 상기 데이터라인에 연결된 소스, 상기 제2 노드에 연결된 드레인, 및 상기 n 번째 제1 스캔펄스가 공급되는 게이트를 포함하고,
상기 제3 TFT는 상기 제2 노드를 통해 상기 제2 TFT의 드레인에 연결된 소스, 상기 제1 노드에 연결된 게이트 및 드레인을 포함하고,
상기 제4 TFT는 상기 초기화 전압이 공급되는 소스, 상기 제1 노드에 연결된 드레인, 및 상기 n-1 번째 제1 스캔펄스가 공급되는 게이트를 포함하고,
상기 제5 TFT는 상기 발광제어신호가 공급되는 게이트, 상기 제3 노드에 연결된 소스, 및 상기 유기 발광 다이오드의 애노드에 연결된 드레인을 포함하는 유기 발광 다이오드 표시장치. - 제 7 항 또는 8 항에 있어서,
상기 고전위 전원 전압 라인과 상기 제2 노드 사이에 형성된 제2 커패시터를 포함하는 유기 발광 다이오드 표시장치. - 제 7 항에 있어서,
초기화 구간 동안 상기 n-1 번째 제1 스캔펄스가 발생되어 상기 제4 TFT가 턴-온되고,
상기 제1 노드의 전압이 상기 초기화 전압으로 초기화되는 유기 발광 다이오드 표시장치. - 제 10 항에 있어서,
상기 초기화 구간에 이어서, 샘플링 구간 동안 상기 데이터 전압이 상기 데이터 라인에 공급되고, 상기 데이터 전압에 동기되는 상기 n 번째 제1 스캔펄스가 발생되고,
상기 샘플링 구간 동안, 상기 제2 TFT는 턴-온되고 상기 제1 노드의 전압은 상기 제3 TFT의 문턱 전압 만큼 차감된 상기 데이터 전압이 공급되어 상기 제1 커패시터에 저장되는 유기 발광 다이오드 표시장치. - 제 10 항에 있어서,
상기 샘플링 구간에 이어서, 발광 구간 동안 상기 발광제어신호에 따라 상기 제5 TFT가 턴-온되어 상기 제1 및 제5 TFT를 통해 상기 유기 발광 다이오드에 전류가 흐르고,
상기 제2 내지 제4 TFT들은 상기 발광 구간 동안 오프 상태를 유지하는 유기 발광 다이오드 표시장치.
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A201 | Request for examination | ||
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E902 | Notification of reason for refusal | ||
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