KR102235689B1 - 유체 막힘 센싱 장치 및 유체 막힘 센싱 방법. - Google Patents

유체 막힘 센싱 장치 및 유체 막힘 센싱 방법. Download PDF

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Abstract

본 발명은, 유체 이동 장치상에 배치되며, 압력에 따라 변형되는 구조물; 및 상기 구조물의 주변 영역에 변화 감지 센서를 구비하고, 상기 유체 이동 장치는 유체의 저장 용기 또는 신체와 상기 유체 저장 용기와 연결하는 유체 이동 통로 중 적어도 하나인 것을 포함하고, 상기 변화 감지 센서는 상기 유체 이동 장치 내부에서 유체의 막힘에 의한 상기 유체 이동 장치 내부의 압력 증가로 인하여 구조물의 형태가 변형이 됨으로써 변화 감지 센서에 관련된 값의 변화를 감지하는 것을 특징으로 하는, 유체 막힘 센싱 장치를 개시한다.

Description

유체 막힘 센싱 장치 및 유체 막힘 센싱 방법.{Liquid occlusion detection apparatus and method }
본 발명은 유체 막힘 센싱 장치 및 유체 막힘 센싱 방법에 관한 것이다.
당뇨병 환자의 경우, 체내에서 인슐린 분비가 정상적으로 이루어지지 않으므로, 주기적으로 혈액내의 혈당을 측정하고 인슐린을 직접 주입해야 한다. 인슐린을 당뇨병 환자에게 직접 주입하는 방식으로는, 개인이 직접 주사하는 자가 방식과 자동적으로 인슐린 펌프가 주입을 해주는 자동화 방식이 존재한다. 여기서 인슐린 펌프의 경우 인슐린을 자동으로 체내에 주입하기 위해 바늘 또는 캐뉼라(cannula)라고 하는 튜브가 피하지방층까지 삽입하게 된다.
이때, 신체에서는 외부로부터 들어온 이물질에 대한 방어 기제로서 바늘이나 캐뉼라 끝에 단백질이나 지방조직 붙어서 간혹 막힘 현상이 발생한다.
이 경우, 막혀있는 상태에서 피스톤이나 플런저 또는 펌프에서 인슐린이나 약물을 밀어내기 위해 지속적으로 힘을 주면 주사용기(syringe)카트리지(catredge), 보관소(reservoir)에 내부압력이 상승하는데, 이 현상이 지속될 경우 일정이상 압력이 증가하면 막힌 부분이 강제적으로 뚫리면서 단시간에 많은 인슐린이 체내에 주입된다.
이 경우 급작스러운 인슐린 주입으로 인해 환자에게 신체적으로 위험을 줄 수 있고, 심각한 경우엔 저혈당 쇼크로 환자가 사망할 수 있으므로 바늘이나 캐뉼라등의 유체 이동 장치 내에서 인슐린의 막힘 현상을 신속하고 정확하게 감지해야 하는 필요성이 증대되고 있다.
종래의 유체 막힘을 감지하는 장치로써, LED 소자를 사용한 경우 유체 저장 장치 내부에 압력이 증가할 경우 반사체 멤브레인의 모양 변형이 일어남에 따라, 포토 디텍터에 수광되는 양이 변화함에 따라 막힘이 발생했다고 추정하는 방법이 있다. 다만, 이 경우 LED 소자를 사용하므로, 전류소비로 인해 지속적인 측정이 어렵고, 측정 주기에 따라 막힘 감지 발견 시간이 달라진다. 그리고 외부광이 들어올 수 없도록 해야 하므로 적용 시 기구의 복잡성이 증가하고, 전자 부품이나 소자가 많이 요구되는 문제점이 있다.
또한, 다른 종래 기술에서는 액체가 흐르는 지점에 압력에 따라 늘어나는 멤브레인 위에 전도체를 두어 멤브레인이 부풀어 전도체가 상판의 2개의 전극에 맞닿아 통전이 될 때 스위치 역할을 하여 막힘을 감지하는 방법이 있다. 다만, 이 경우, 통전이 될 때 막힘을 알 수 있으나, 여전히 유체를 인체에 유입하는 펌프 회로는 동작하는 상태이므로, 막힘을 감지하는 즉시 상기 유체가 인체에 유입되는 것을 정지시키기 위한 추가 처리가 필요하다는 문제점이 있다.
본 발명의 일 실시 예에 따르면 액체 막힘 감지를 함에 있어서, 종래의 LED소자를 이용하는 대신, 캐패시터, 저항, 전도체, 자성체, 반사막, 피에조 패널 중 하나를 이용하여 전류 소비를 감소시키는 유체 막힘 센싱 장치 및 유체 막힘 센싱 방법을 제공한다.
또한, 본 발명의 다른 실시 예에 따르면, 평상시에 통전이 되다가 액체 막힘이 감지 되었을 때 단전 되도록 하여, 별도의 추가 회로 없이 액체의 막힘이 감지되는 동시에 펌프 회로에 전원을 끊어서 상기 유체가 인체에 유입되는 것을 막는 유체 막힘 센싱 장치 및 유체 막힘 센싱 방법을 제공한다.
본 발명의 일 실시 예에 따른 유체 막힘 센싱 장치는, 유체 이동 장치상에 배치되며, 압력에 따라 변형되는 구조물; 및 상기 구조물의 주변 영역에 변화 감지 센서를 구비하고, 상기 유체 이동 장치는 유체의 저장 용기 또는 신체와 상기 유체 저장 용기와 연결하는 유체 이동 통로 중 적어도 하나인 것을 포함하고, 상기 변화 감지 센서는 상기 유체 이동 장치 내부에서 유체의 막힘에 의한 상기 유체 이동 장치 내부의 압력 증가로 인하여 구조물의 형태가 변형이 됨으로써 변화 감지 센서에 관련된 값의 변화를 감지할 수 있다.
본 발명의 일 실시 예에 따른 구조물은 상기 유체의 저장 용기 또는 신체와 상기 유체 저장 용기와 연결하는 유체 이동 통로 중 적어도 하나 상에 배치될 수 있다.
본 발명의 일 실시 예에 따른 구조물은 맴브레인, 튜브, 피스톤, 벨로우즈 중 적어도 하나일 수 있다.
본 발명의 일 실시 예에 따른 유체 막힘 센싱 장치는, 상기 변화 감지 센서는 상기 구조물의 주변 영역에 위치하는 커패시터를 구비하고, 상기 변화 감지 센서는 상기 유체 이동 장치 내부에서 유체의 막힘에 의한 상기 유체 이동 장치 내부의 압력 증가로 인하여 형태가 변형된 상기 구조물이 상기 커패시터의 일측과 접촉할 때 상기 커패시터의 정전용량의 변화를 감지할 수 있다.
본 발명의 일 실시 예에 따른 유체 막힘 센싱 장치는, 상기 변화 감지 센서는, 상기 구조물 상에 배치된 저항을 구비하고, 상기 변화 감지 센서는 상기 유체 이동 장치 내부에서 유체의 막힘에 의한 상기 유체 이동 장치 내부의 압력 증가로 인하여 형태가 변형된 상기 구조물에 의해 상기 저항의 형상이 변형된 때, 상기 저항의 저항 값의 변화를 감지할 수 있다.
본 발명의 일 실시 예에 따른 유체 막힘 센싱 장치는, 상기 변화 감지 센서는, 상기 구조물 상에 배치된 자성체와, 상기 자성체의 주변 영역에 자기장을 측정하는 자기장 센서를 구비하며, 상기 자기장 센서는 상기 유체 이동 장치 내부에서 유체의 막힘에 의한 상기 유체 이동 장치 내부의 압력 증가로 인하여 구조물의 형태가 변형이 되어 상기 자성체와 상기 자기장 센서와의 거리가 변화한 때, 상기 자성체의 자기장의 변화를 감지할 수 있다.
본 발명의 일 실시 예에 따른 자기장 센서는 홀 이펙트 센서 또는 리드 스위치 중 적어도 하나일 수 있다.
본 발명의 일 실시 예에 따른 유체 막힘 센싱 장치는, 상기 변화 감지 센서는, 발광부와 수광부를 포함하는 감지부와 상기 구조물과 상기 감지부 사이에 개재되는 반사막을 상기 구조물 주변 영역에 구비하며, 상기 변화 감지 센서는 상기 유체 이동 장치 내부에서 유체의 막힘에 의한 상기 유체 이동 장치 내부의 압력 증가로 인하여 구조물의 형태가 변형이 되어 상기 구조물이 상기 반사막과 접촉할 때, 상기 수광부가 수광하는 광량의 변화를 감지할 수 있다.
본 발명의 일 실시 예에 따른 유체 막힘 센싱 장치는, 상기 변화 감지 센서는, 일정한 주파수를 가지고 진동하는 피에조 패널을 상기 구조물의 주변영역에 구비하며, 상기 변화 감지 센서는 상기 유체 이동 장치 내부에서 유체의 막힘에 의한 상기 유체 이동 장치 내부의 압력 증가로 인하여 구조물의 형태가 변형이 되어 상기 구조물이 상기 피에조 패널의 일측과 접촉할 때, 상기 피에조 패널의 주파수의 변화를 감지할 수 있다.
본 발명의 일 실시 예에 따른 유체 막힘 센싱 장치는, 상기 변화 감지 센서는 상기 구조물 주변 영역에 전도체를 구비하고,
상기 변화 감지 센서는 상기 유체 이동 장치 내부에서 유체의 막힘에 의한 상기 유체 이동 장치 내부의 압력 증가로 인하여 구조물의 형태가 변형이 되어 상기 전도체가 단락이 된 때, 전류의 변화를 감지할 수 있다.
본 발명의 일 실시 예에 따른 전도체는 탄소 막대나 세라믹 막대 중 적어도 하나 상에 형성되어 전도성을 가질 수 있다.
본 발명의 일 실시 예에 따른 액체 막힘 감지 방법은, 유체 이동 장치의 주변 영역에 구비된 변화 감지 센서와 관련된 파라미터 값을 측정하는 단계; 유체 이동 장치 상에 배치된 구조물의 형태 변형에 기초하여, 상기 측정된 파라미터 값의 변화를 추출하는 단계; 및 상기 추출된 파라미터 값의 변화에 기초하여, 상기 유체 이동 장치 내부에서 유체의 막힘을 감지하는 단계; 를 포함하며, 상기 유체 이동 장치는 유체의 저장 용기 또는 신체와 상기 유체 저장 용기와 연결하는 유체 이동 통로 중 적어도 하나인 것을 포함하고, 상기 구조물은 상기 유체 이동 장치 내부에서 유체의 막힘에 의한 상기 유체 이동 장치 내부의 압력 증가로 인하여 구조물의 형태가 변형될 수 있다.
본 발명의 일 실시 예에 따른 구조물은 맴브레인, 튜브, 피스톤, 벨로우즈 중 적어도 하나일 수 있다.
본 발명의 일 실시 예에 따른 변화 감지 센서와 관련된 파라미터 값은,
상기 변화 감지 센서에 구비된 커패시터의 정전용량이고, 본 발명의 일 실시 예에 따른 액체 막힘 감지 방법은, 유체 이동 장치 상에 배치된 구조물의 형태 변형에 기초하여, 상기 구조물이 상기 커패시터의 일측과 접촉할 때 상기 커패시터의 정전용량의 변화를 추출할 수 있다.
본 발명의 일 실시 예에 따른 변화 감지 센서와 관련된 파라미터 값은, 상기 변화 감지 센서에 구비된 커패시터의 정전용량이고, 본 발명의 일 실시 예에 따른 액체 막힘 감지 방법은, 유체 이동 장치 상에 배치된 구조물의 형태 변형에 기초하여, 상기 구조물이 상기 커패시터의 일측과 접촉할 때 상기 커패시터의 정전용량의 변화를 추출할 수 있다.
본 발명의 일 실시 예에 따른 변화 감지 센서와 관련된 파라미터 값은, 상기 변화 감지 센서에 구비된 저항의 저항 값이고, 발명의 일 실시 예에 따른 액체 막힘 감지 방법은, 유체 이동 장치 상에 배치된 구조물의 형태 변형에 기초하여, 상기 구조물 상에 배치된 상기 저항의 형상이 변형될 때 상기 저항의 저항 값의 변화를 추출할 수 있다.
본 발명의 일 실시 예에 따른 변화 감지 센서와 관련된 파라미터 값은, 상기 변화 감지 센서에 구비된 자성체의 자기장이고, 발명의 일 실시 예에 따른 액체 막힘 감지 방법은, 유체 이동 장치 상에 배치된 구조물의 형태 변형에 기초하여, 상기 구조물 상에 배치된 자성체와 자성체의 주변 영역에 자기장을 측정하는 자기장 센서와의 거리가 변화한 때, 상기 자성체의 자기장의 변화를 추출할 수 있다.
본 발명의 일 실시 예에 따른 변화 감지 센서와 관련된 파라미터 값은, 상기 변화 감지 센서에 구비된 반사막의 반사율이고, 발명의 일 실시 예에 따른 액체 막힘 감지 방법은, 유체 이동 장치상에 배치된 구조물의 형태 변형에 기초하여, 상기 구조물이 상기 반사막의 일 측과 접촉할 때 상기 반사막의 반사율의 변화를 추출할 수 있다.
본 발명의 일 실시 예에 따른 변화 감지 센서와 관련된 파라미터 값은, 상기 변화 감지 센서에 구비된 저항의 저항값이고, 발명의 일 실시 예에 따른 액체 막힘 감지 방법은, 유체 이동 장치상에 배치된 구조물의 형태 변형에 기초하여, 상기 구조물 상에 배치된 상기 저항의 형상이 변형될 때 상기 저항의 저항값의 변화를 추출할 수 있다.
본 발명의 일 실시 예에 따른 변화 감지 센서와 관련된 파라미터 값은, 상기 변화 감지 센서에 구비된 자성체의 자기장이고, 발명의 일 실시 예에 따른 액체 막힘 감지 방법은, 유체 이동 장치 상에 배치된 구조물의 형태 변형에 기초하여, 상기 구조물 상에 배치된 자성체와 자성체의 주변 영역에 자기장을 측정하는 자기장 센서와의 거리가 변화한 때, 상기 자성체의 자기장의 변화를 추출할 수 있다.
본 발명의 일 실시 예에 따른 변화 감지 센서와 관련된 파라미터 값은, 상기 변화 감지 센서에 구비된 반사막의 반사율이고, 본 발명의 일 실시 예에 따른 액체 막힘 감지 방법은, 유체 이동 장치상에 배치된 구조물의 형태 변형에 기초하여, 상기 구조물이 상기 반사막의 일 측과 접촉할 때 상기 반사막의 반사율의 변화를 추출할 수 있다.
본 발명의 일 실시 예에 따른 변화 감지 센서와 관련된 파라미터 값은, 상기 변화 감지 센서에 구비된 피에조 패널의 주파수이고, 본 발명의 일 실시 예에 따른 액체 막힘 감지 방법은, 유체 이동 장치 상에 배치된 구조물의 형태 변형에 기초하여, 상기 구조물이 상기 피에조 패널의 일측과 접촉할 때 피에조 패널의 주파수의 변화를 추출할 수 있다.
본 발명의 일 실시 예에 따른 변화 감지 센서와 관련된 파라미터 값은, 상기 변화 감지 센서에 구비된 전도체의 전류이고, 본 발명의 일 실시 예에 따른 액체 막힘 감지 방법은, 유체 이동 장치상에 배치된 구조물의 형태 변형에 기초하여, 상기 구조물의 주변 영역에 배치된 상기 전도체가 단락이 될 때, 상기 전도체의 전류의 변화를 추출할 수 있다.
본 발명의 일 실시 예에 따른 액체 막힘 감지 방법은, 상기 유체 이동 장치 내에 유체가 이동되는 경우에만, 유체 이동 장치의 주변 영역에 구비된 변화 감지 센서와 관련된 파라미터 값을 측정할 수 있다.
본 발명의 일 실시 예에 따르면 액체 막힘 감지를 함에 있어서, 종래의 LED소자를 이용하는 대신, 캐패시터, 저항, 전도체, 자성체, 반사막, 피에조 패널 중 하나를 이용하여 전류 소비를 감소시킬 수 있는 효과가 있다.
또한, 본 발명의 다른 실시 예에 따르면, 평상시에 통전이 되다가 액체 막힘이 감지 되었을 때 단전 되도록 하여, 별도의 추가 회로 없이 액체의 막힘이 감지되는 동시에 펌프 회로에 전원을 끊어서 상기 유체가 인체에 유입되는 것을 막는 효과가 있다.
도1a 와 도1b 는 본 발명의 일 실시예와 관련된 유체 막힘 센싱 장치를 개략적으로 도시한 도면이다.
도 2a와 도2b 는 본 발명의 일 실시예와 관련된 유체 이동 장치 내부의 압력 증가로 인하여 구조물의 형태가 변형되는 일 예를 도시한 도면이다.
도 3a와 도3b 는 본 발명의 일 실시예와 관련된 변화 감지 센서가 커패시터를 구비하는 일 예를 도시한 도면이다.
도 4a 내지 도4c 는 본 발명의 일 실시예와 관련된 변화 감지 센서가 저항을 구비하는 일 예를 도시한 도면이다.
도 5a와 도5b 는 본 발명의 일 실시예와 관련된 변화 감지 센서가 자성체를 구비하는 일 예를 도시한 도면이다.
도 6a와 도6b 는 본 발명의 일 실시예와 관련된 변화 감지 센서가 반사막을 구비하는 일 예를 도시한 도면이다.
도 7a와 도7b 는 본 발명의 일 실시예와 관련된 변화 감지 센서가 피에조 패널를 구비하는 일 예를 도시한 도면이다.
도 8a 내지 도9b 는 본 발명의 다른 실시예와 관련된 변화 감지 센서가 전도체를 구비하는 일 예를 도시한 도면이다.
도10 은 본 발명의 일 실시예와 관련된 액체 막힘 감지 방법의 개략적으로 설명하기 위한 순서도 이다.
본 명세서에서 사용되는 용어에 대해 간략히 설명하고, 본 발명에 대해 구체적으로 설명하기로 한다.
본 발명에서 사용되는 용어는 본 발명에서의 기능을 고려하면서 가능한 현재 널리 사용되는 일반적인 용어들을 선택하였으나, 이는 당 분야에 종사하는 기술자의 의도 또는 판례, 새로운 기술의 출현 등에 따라 달라질 수 있다. 또한, 특정한 경우는 출원인이 임의로 선정한 용어도 있으며, 이 경우 해당되는 발명의 설명 부분에서 상세히 그 의미를 기재할 것이다. 따라서 본 발명에서 사용되는 용어는 단순한 용어의 명칭이 아닌, 그 용어가 가지는 의미와 본 발명의 전반에 걸친 내용을 토대로 정의되어야 한다.
이하, 첨부된 도면들을 참조하여 본 발명의 실시예를 상세히 설명하면 다음과 같다. 그러나 본 발명은 이하에서 개시되는 실시예에 한정되는 것이 아니라 서로 다른 다양한 형태로 구현될 수 있는 것으로, 이하의 실시예는 본 발명의 개시가 완전하도록 하며, 통상의 지식을 가진 자에게 발명의 범주를 완전하게 알려주기 위해 제공되는 것이다. 또한 설명의 편의를 위하여 도면에서는 구성 요소들이 그 크기가 과장 또는 축소될 수 있다. 예컨대, 도면에서 나타난 각 구성의 크기 및 두께는 설명의 편의를 위해 임의로 나타내었으므로, 본 발명이 반드시 도시된 바에 한정되지 않는다.
이하의 실시예에서, x축, y축 및 z축은 직교 좌표계 상의 세 축으로 한정되지 않고, 이를 포함하는 넓은 의미로 해석될 수 있다. 예를 들어, x축, y축 및 z축은 서로 직교할 수도 있지만, 서로 직교하지 않는 서로 다른 방향을 지칭할 수도 있다.
한편, 층, 막, 영역, 판 등의 각종 구성요소가 다른 구성요소 "상에" 있다고 할 때, 이는 다른 구성요소 "바로 상에" 있는 경우뿐 아니라 그 사이에 다른 구성요소가 개재된 경우도 포함한다.
도1a 와 도1b 는 본 발명의 일 실시 예와 관련된 유체 막힘 센싱 장치(130) 를 개략적으로 도시한 도면이다.
도1a 에서 도시한 바와 같이, 는 본 발명의 일 실시 예와 관련된 유체 막힘 센싱 장치(130) 는 구조물(131) 및 변화 감지 센서(133)가 포함될 수 있다. 그러나 도시된 구성요소 모두가 필수구성요소인 것은 아니다. 도시된 구성요소보다 많은 구성요소에 의해 유체 막힘 센싱 장치가 구현될 수도 있고, 그보다 적은 구성요소에 의해서도 유체 막힘 센싱 장치는 구현될 수 있다.
본 발명의 일 실시 예에 따른 유체 이동 장치(100)는 유체의 저장 용기(110) 또는 신체와 상기 유체 저장 용기와 연결하는 유체 이동 통로(120) 중 적어도 하나인 것을 포함할 수 있다.
구조물(131) 은 유체 이동 장치 상에 배치되며, 압력에 따라 변형될 수 있다. 예를 들면, 상기 구조물은 맴브레인, 튜브, 피스톤, 벨로우즈 중 적어도 하나일 수 있으나 이에 한정되는 것은 아니다.
한편, 반면, 상기 구조물(133) 은 상기 유체의 저장 용기 또는 신체와 상기 유체 저장 용기와 연결하는 유체 이동 통로 중 적어도 하나 상에 배치될 수 있다.
예를 들면, 유체의 저장 용기의 앞부분이나 측면에 별도의 구조물(예를 들면 실리콘 막)을 장착하거나, 또는 부가적으로 유체 이동 통로의 앞부분에 구조물(예를 들면 실리콘 막) 이 연결 되는 형태로 배치될 수 있다.
변화 감지 센서(133) 는 변화 감지 센서는 상기 유체 이동 장치 내부에서 유체의 막힘에 의한 상기 유체 이동 장치 내부의 압력 증가로 인하여 구조물의 형태가 변형이 됨으로써 변화 감지 센서에 관련된 값의 변화를 감지할 수 있다.
도1b 는 도1a 의 측면도에 해당하는 것으로, 구조물(131) 은 유체 이동 장치 상에 배치되며, 변화 감지 센서(133)는 상기 구조물의 주변 영역에 배치되어, 상기 구조물의 형태의 변형에 따라 변화하는 값을 감지할 수 있다.
도 2a와 도2b 는 본 발명의 일 실시예와 관련된 유체 이동 장치 내부의 압력 증가로 인하여 구조물의 형태가 변형되는 일 예를 도시한 도면이다.
도2a 에서 도시한 바와 같이, 유체 이동 장치 내부에서 유체의 막힘 현상이 없는 경우, 상기 유체 이동 장치 상에 배치된 구조물(210a) 은 형태 변화가 없다.
예를 들면, 상기 구조물은 맴브레인, 튜브, 피스톤, 벨로우즈 중 적어도 하나인 것으로 상기 구조물에 압력이 가해지면 상기 구조물의 형태가 변형될 수 있다
도2b 에서 도시한 바와 같이, 유체 이동 장치 내부에서 유체의 막힘 현상이 생긴 경우, 상기 유체 이동 장치 내부의 압력 증가로 인하여 구조물(210b) 의 형태가 변형이 될 수 있다. 예를 들면, 구조물의 막이 부풀어 오를 수 있다.
도 3a와 도3b 는 본 발명의 일 실시예와 관련된 변화 감지 센서가 커패시터를 구비하는 일 예를 도시한 도면이다.
도3a 에서 도시한 바와 같이, 본 발명의 일 실시 예와 관련된 유체 막힘 센싱 장치(310a) 는 구조물(311a, 132a) 및 변화 감지 센서(313a)가 포함될 수 있다. 그러나 도시된 구성요소 모두가 필수구성요소인 것은 아니다. 도시된 구성요소보다 많은 구성요소에 의해 유체 막힘 센싱 장치가 구현될 수도 있고, 그보다 적은 구성요소에 의해서도 유체 막힘 센싱 장치는 구현될 수 있다.
도 3a 에서 도시한 바와 같이, 유체 이동 장치(300a) 내부에서 유체의 막힘 현상이 없는 경우, 상기 유체 이동 장치 상의 상부에 배치된 구조물(311a) 과 상기 유체 이동 장치 상의 하부에 배치된 구조물(132a) 은 형태 변화가 없게 된다.
예를 들면, 변화 감지 센서(313a) 는 상기 구조물의 주변 영역에 위치하는 커패시터를 구비할 수 있다. 또한 정전용량터치센서(Capacitance Touch Sensor), 구리 등의 전도체를 구비할 수 있다.
유체 이동 장치 상의 상부에 배치된 구조물(311a)은 압력에 의하여 물리적 변형이 쉬운 물질(예를 들면 실리콘, 고무 등)이 될 수 있고, 유체 이동 장치 상의 하부에 배치된 구조물(132a)은 압력에 의하여 물리적 변형이 적은 물질(예를 들면, 플라스틱, 금속 등) 이 될 수 있다.
도 3b 에서 도시한 바와 같이, 유체 이동 장치 내부에서 유체의 막힘 현상이 생긴 경우 상기 유체 이동 장치 내부의 압력 증가로 인하여, 유체 이동 장치 상의 상부에 배치된 구조물(313b)의 형태가 유체 이동 장치 상의 하부에 배치된 구조물(132b) 보다 더 물리적 변형이 크게 될 수 있다.
이에 따라, 유체 이동 장치 상의 상부에 배치된 구조물(313b)이 변화 감지 센서(133b)가 구비한 캐패시터의 일 측과 접촉할 수 있다. 예를 들면, 유체 이동 장치 내부의 유체(예를 들면 인슐린) 가 전하 이동이 가능한 물로 구성되어 있는 경우, 구조물 (예를 들면 실리콘) 에 유체(예를 들면 인슐린) 이 차있는 상태에서 캐패시터의 일 측과 상기 구조물(예를 들면 실리콘) 이 접촉 시, 상기 캐패시터에 있던 전하가 구조물(예를 들면 실리콘) 과 유체(예를 들면 인슐린) 를 통해서 빠져나갈 수 있다. 이 때, 유체 막힘 센싱 장치(310b) 는 변화 감지 센서 (133b)를 통하여 상기 커패시터의 정전용량의 변화를 감지할 수 있다.
따라서, 유체 막힘 센싱 장치(310b)에서 커패시터의 정전용량의 변화를 감지함에 따라, 유체 이동 장치 내부에서 유체의 막힘 현상이 생겼다고 감지할 수 있다.
도 4a 내지 도4c 는 본 발명의 일 실시 예와 관련된 변화 감지 센서가 저항을 구비하는 일 예를 도시한 도면이다.
도 4a 에서 도시한 바와 같이, 유체 이동 장치 내부에서 유체의 막힘 현상이 없는 경우, 상기 유체 이동 장치 상에 배치된 구조물(410a) 은 형태 변화가 없고, 상기 구조물 상에 배치된 저항(420a) 의 길이도 변화가 없게 된다. 본 발명의 일 실시 예에 따른 저항의 형상에 따라 다른 저항 값을 가지게 되며, 상기 저항의 종류에 따라 저항의 길이가 늘어남에 따라 저항 값이 변할 수 있고 저항의 굴곡에 따라 저항 값이 변할 수 있다.
도4b 에서 도시한 바와 같이, 유체 이동 장치 내부에서 유체의 막힘 현상이 생긴 경우, 상기 유체 이동 장치 내부의 압력 증가로 인하여 구조물(410a)의 형태가 변형이 될 수 있다. 상기 구조물(410a)의 형태가 변함에 따라, 상기 구조물 상에 배치된 저항(420b) 도 형상이 변할 수 있고 이에 따라 상기 저항의 저항 값의 변화를 감지할 수 있다. 예를 들면, 저항(420b)은 저항의 길이가 늘어남에 따라 저항 값이 변할 수 있는 Strain sensor 일 수 있다.
따라서, 유체 막힘 센싱 장치에서 저항(420b)의 저항 값의 변화를 감지함에 따라, 유체 이동 장치 내부에서 유체의 막힘 현상이 생겼다고 감지할 수 있다.
도4c 에서 도시한 바와 같이, 유체 이동 장치 내부에서 유체의 막힘 현상이 생긴 경우, 상기 유체 이동 장치 내부의 압력 증가로 인하여 구조물(410a)의 형태가 변형이 될 수 있다. 상기 구조물(410a)의 형태가 변함에 따라, 상기 구조물 상에 배치된 저항(420c) 도 형상이 변할 수 있고, 이에 따라 상기 저항의 저항 값의 변화를 감지할 수 있다. 예를 들면, 저항(420c)은 저항의 굴곡에 따라 저항 값이 변할 수 있는 Bending Sensor일 수 있다.
따라서, 유체 막힘 센싱 장치에서 저항(420c)의 저항 값의 변화를 감지함에 따라, 유체 이동 장치 내부에서 유체의 막힘 현상이 생겼다고 감지할 수 있다.
도 5a와 도5b 는 본 발명의 일 실시 예와 관련된 변화 감지 센서가 자성체를 구비하는 일 예를 도시한 도면이다.
도5a 에 도시한 바와 같이, 유체 이동 장치 내부에서 유체의 막힘 현상이 없는 경우, 상기 유체 이동 장치 상에 배치된 구조물(510a) 은 형태 변화가 없고, 상기 구조물 상에 배치된 자성체(520a) 와 상기 자성체(520a)의 주변 영역에 자기장을 측정하는 자기장 센서(530a) 와의 거리는 일정할 수 있다. 예를 들면, 본 발명의 일 실시 예에 다른 자기장 센서는 홀 이펙트 센서 또는 리드 스위치 중 적어도 하나 일 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.
도5b 에서 도시한 바와 같이, 유체 이동 장치 내부에서 유체의 막힘 현상이 생긴 경우, 상기 유체 이동 장치 내부의 압력 증가로 인하여 구조물(510b) 의 형태가 변형이 될 수 있다. 상기 구조물(510b)의 형태 변형에 따라, 구조물 상에 배치된 자성체(520b)와 자기장 센서(530b) 와의 거리가 변화한 때, 상기 자기장 센서(530b) 에서 측정되는 자성체(520b)의 자기장의 변화를 감지할 수 있다.
따라서, 유체 막힘 센싱 장치에서 자성체(520b)의 자기장의 변화를 감지함에 따라, 유체 이동 장치 내부에서 유체의 막힘 현상이 생겼다고 감지할 수 있다.
도 6a와 도6b 는 본 발명의 일 실시예와 관련된 변화 감지 센서가 반사막을 구비하는 일 예를 도시한 도면이다.
도6a 에 도시한 바와 같이, 유체 이동 장치 내부에서 유체의 막힘 현상이
없는 경우, 상기 유체 이동 장치 상에 배치된 구조물(610a) 은 형태 변화가 없고, 이에 따라, 발광부와 수광부를 포함하는 감지부(630a)에서 측정되는, 구조물(610a)과 감지부(630a) 사이에 개재되는 반사막(620a) 의 반사율은 일정하다. 또한, 본 발명의 일 실시 예에 따른 감지부(630a)에서의 발광부는 LED소자를 사용할 수 있으나, 상기 반사막(620a)을 반사율을 높일 수 있는 색이나 물질로 코딩하여 LED의 전력 소비를 줄일 수 있게 할 수 있다.
도6b 에 도시한 바와 같이, 유체 이동 장치 내부에서 유체의 막힘 현상이 생긴 경우, 상기 유체 이동 장치 내부의 압력 증가로 인하여 구조물(610b) 의 형태가 변형이 될 수 있다. 이 때, 상기 구조물(610b)의 형태가 변함에 따라, 상기 구조물(610b)과 반사막(620b)이 접촉할 수 있다. 이 경우, 상기 반사막(620b)의 전반사가 깨지면서, 광흡수 물질로 인해 감지부(630a)의 수광부에서 측정되는 광량이 변하게 된다. 즉, 반사막(620b)의 반사율이 변하게 된다.
따라서, 유체 막힘 센싱 장치에서 반사막(620b)의 반사율의 변화를 감지함에 따라, 유체 이동 장치 내부에서 유체의 막힘 현상이 생겼다고 감지할 수 있다.
도 7a와 도7b 는 본 발명의 일 실시예와 관련된 변화 감지 센서가 피에조 패널를 구비하는 일 예를 도시한 도면이다.
도7a 에 도시한 바와 같이, 유체 이동 장치 내부에서 유체의 막힘 현상이 없는 경우, 상기 유체 이동 장치상에 배치된 구조물(710a) 은 형태 변화가 없고, 상기 구조물의 주변 영역에 배치된 피에조 패널(720a)은 일정한 주파수로 진동할 수 있다.
도7b 에서 도시한 바와 같이, 유체 이동 장치 내부에서 유체의 막힘 현상이 생긴 경우, 상기 유체 이동 장치 내부의 압력 증가로 인하여 구조물(710b) 의 형태가 변형이 될 수 있다. 예를 들면, 상기 구조물의 형태가 변형이 되어 상기 구조물이 상기 피에조 패널의 일측과 접촉할 때, 상기 피에조 패널(720b)의 주파수의 변화를 감지할 수 있다.
따라서, 유체 막힘 센싱 장치에서 피에조 패널(720b)의 주파수의 변화를 감지함에 따라, 유체 이동 장치 내부에서 유체의 막힘 현상이 생겼다고 감지할 수 있다.
도 8a 내지 도9b 는 본 발명의 다른 실시예와 관련된 변화 감지 센서가 전도체를 구비하는 일 예를 도시한 도면이다.
도 8a 및 도9a에서 도시한 바와 같이, 유체 이동 장치 내부에서 유체의 막힘 현상이 없는 경우, 상기 유체 이동 장치 상에 배치된 구조물(810a, 910a) 은 형태 변화가 없고, 상기 구조물의 주변 영역에 배치된 전도체(820a)와 상기 구조물 상에 포개져서 배치된 전도체(920a) 는 통전 상태가 될 수 있다. 본 발명의 일 실시 예에 따른 전도체는 탄소 막대나 세라믹 막대 중 적어도 하나 상에 형성되어 전도성을 가질 수 있기 때문이다.
도 8b 및 도9b에서 도시한 바와 같이, 유체 이동 장치 내부에서 유체의 막힘 현상이 생긴 경우, 상기 유체 이동 장치 내부의 압력 증가로 인하여 구조물(810b, 910b) 의 형태가 변형이 될 수 있다. 상기 구조물은 맴브레인, 튜브, 피스톤, 벨로우즈 중 적어도 하나일 수 있는 것으로, 압력이 가해짐에 따라 늘어날 수 있는 막 이나 탄성체 막을 가진 물질일 수 있다.
상기 구조물의 형태가 늘어남으로써, 전도체(820b, 920b) 에 물리적으로 힘이 가해질 수 있다, 예를 들면, 상기 전도체는 부러지기 쉬운 탄소 막대 또는 전도체가 도금된 세라믹 막대일 수 있는데, 이 경우 상기 전도체는 물리적인 힘이 약하므로, 하나의 전도체가 부러질 수 있다. 또한, 상기 전도체가 평상 시에 구조물 상에 포개져서 배치된 경우, 상기 구조물의 형태가 변화함으로써 생기는 물리적 압력 때문에 포개진 접점이 분리될 수 있다.
상기 전도체(820b, 920b)가 부러지거나 분리되는 경우, 본 발명의 일 실시 예에 따른 전도체는 단락이 될 수 있다. 예를 들면, 이는 퓨즈의 원리와 유사한데, 평상시에 통전이 되다가 액체 막힘이 감지 되었을 때 단전 되도록 하여, 별도의 추가 회로 없이 액체의 막힘이 감지되는 동시에 펌프 회로에 전원을 끊어서 상기 유체가 인체에 유입되는 것을 막는 효과가 있다.
따라서, 유체 막힘 센싱 장치에서 전도체(920b) 의 전류의 변화를 감지함에 따라, 유체 이동 장치 내부에서 유체의 막힘 현상이 생겼다고 감지할 수 있다.
다만, 상기 전도체는 물리적 손상이 일어나므로, 일회용 제품에 사용될 수 있다.
도10 은 본 발명의 일 실시예와 관련된 액체 막힘 감지 방법의 개략적으로 설명하기 위한 순서도 이다.
단계 100은 유체 이동 장치의 주변 영역에 구비된 변화 감지 센서와 관련된 파라미터 값을 측정한다.
본 발명의 일 실시 예에 따른 파라미터 값은 커패시터의 정전용량, 저항의 저항 값, 자성체의 자기장, 반사막의 반사율, 피에조 패널의 주파수, 전도체의 전류 중 하나 일 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.
또한, 본 발명의 일 실시 예에 따르면, 상기 유체 이동 장치 내에 유체가 이동되는 경우에만, 유체 이동 장치의 주변 영역에 구비된 변화 감지 센서와 관련된 파라미터 값을 측정할 수 있다. 이는 액체 막힘 감지 장치의 전력 소비를 감소시키기 위함이다.
단계 110은 유체 이동 장치 상에 배치된 구조물의 형태 변형에 기초하여, 상기 측정된 파라미터 값의 변화를 추출한다.
본 발명의 일 실시 예에 따르면, 상기 구조물은 상기 유체 이동 장치 내부에서 유체의 막힘에 의한 상기 유체 이동 장치 내부의 압력 증가로 인하여 구조물의 형태가 변형될 수 있다. 예를 들면, 상기 구조물은 맴브레인, 튜브, 피스톤, 벨로우즈 중 적어도 하나일 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.
단계 120는 추출된 파라미터 값의 변화에 기초하여, 상기 유체 이동 장치 내부에서 유체의 막힘을 감지한다.
본 발명의 일 실시 예에 따른 파라미터 값의 변화는, 예를 들면, 상기 유체 이동 장치 내부의 압력 증가로 인하여 형태가 변형된 상기 구조물이 상기 커패시터의 일측과 접촉할 때 상기 커패시터의 정전용량의 변화 또는 상기 유체 이동 장치 내부의 압력 증가로 인하여 형태가 변형된 상기 구조물에 의해 상기 저항의 형상이 변형된 때, 상기 저항의 저항 값의 변화일 수 있다.
또한, 상기 유체 이동 장치 내부의 압력 증가로 인하여 구조물의 형태가 변형이 되어 상기 자성체와 상기 자기장 센서와의 거리가 변화한 때, 상기 자성체의 자기장의 변화 또는 상기 유체 이동 장치 내부의 압력 증가로 인하여 구조물의 형태가 변형이 되어 상기 구조물이 상기 반사막과 접촉할 때, 상기 수광부가 수광하는 광량의 변화일 수도 있다.
한편, 상기 유체 이동 장치 내부의 압력 증가로 인하여 구조물의 형태가 변형이 되어 상기 구조물이 상기 피에조 패널의 일측과 접촉할 때, 상기 피에조 패널의 주파수의 변화 또는 상기 유체 이동 장치 내부의 압력 증가로 인하여 구조물의 형태가 변형이 되어 상기 전도체가 단락이 된 때, 전류의 변화를 포함할 수 있다.
본 발명의 다른 실시 예에 따르면, 변화 감지 센서가 구비한 전도체는 탄소 막대나 세라믹 막대 중 적어도 하나 상에 형성되어 평상시에 전도성을 가질 수 있다.
이 때, 유체 이동 장치 내부에서 유체의 막힘에 의한 상기 유체 이동 장치 내부의 압력 증가로 인하여 구조물의 형태가 변형이 됨으로써 상기 전도체가 물리적으로 부러진 경우, 상기 전도체는 단락이 되어 별도의 추가 회로 없이 액체의 막힘이 감지되는 동시에 펌프 회로에 전원을 끊어서 상기 유체가 인체에 유입되는 것을 막는 효과가 있다.
본 발명에서 인용하는 공개 문헌, 특허 출원, 특허 등을 포함하는 모든 문헌들은 각 인용 문헌이 개별적으로 및 구체적으로 병합하여 나타내는 것 또는 본 발명에서 전체적으로 병합하여 나타낸 것과 동일하게 본 발명에 병합될 수 있다.
본 발명의 이해를 위하여, 도면에 도시된 바람직한 실시 예들에서 참조 부호를 기재하였으며, 본 발명의 실시 예들을 설명하기 위하여 특정 용어들을 사용하였으나, 특정 용어에 의해 본 발명이 한정되는 것은 아니며, 본 발명은 당업자에 있어서 통상적으로 생각할 수 있는 모든 구성 요소들을 포함할 수 있다.
본 발명은 기능적인 블록 구성들 및 다양한 처리 단계들로 나타내어질 수 있다. 이러한 기능 블록들은 특정 기능들을 실행하는 다양한 개수의 하드웨어 또는/및 소프트웨어 구성들로 구현될 수 있다. 예를 들어, 본 발명은 하나 이상의 마이크로프로세서들의 제어 또는 다른 제어 장치들에 의해서 다양한 기능들을 실행할 수 있는, 메모리, 프로세싱, 로직(logic), 룩 업 테이블(look-up table) 등과 같은 직접 회로 구성들을 채용할 수 있다. 본 발명에의 구성 요소들이 소프트웨어 프로그래밍 또는 소프트웨어 요소들로 실행될 수 있는 것과 유사하게, 본 발명은 데이터 구조, 프로세스들, 루틴들 또는 다른 프로그래밍 구성들의 조합으로 구현되는 다양한 알고리즘을 포함하여, C, C++, 자바(Java), 어셈블러(assembler) 등과 같은 프로그래밍 또는 스크립팅 언어로 구현될 수 있다. 기능적인 측면들은 하나 이상의 프로세서들에서 실행되는 알고리즘으로 구현될 수 있다. 또한, 본 발명은 전자적인 환경 설정, 신호 처리, 및/또는 데이터 처리 등을 위하여 종래 기술을 채용할 수 있다. “매커니즘”, “요소”, “수단”, “구성”과 같은 용어는 넓게 사용될 수 있으며, 기계적이고 물리적인 구성들로서 한정되는 것은 아니다. 상기 용어는 프로세서 등과 연계하여 소프트웨어의 일련의 처리들(routines)의 의미를 포함할 수 있다.
본 발명에서 설명하는 특정 실행들은 일 실시 예들로서, 어떠한 방법으로도 본 발명의 범위를 한정하는 것은 아니다. 명세서의 간결함을 위하여, 종래 전자적인 구성들, 제어 시스템들, 소프트웨어, 상기 시스템들의 다른 기능적인 측면들의 기재는 생략될 수 있다. 또한, 도면에 도시된 구성 요소들 간의 선들의 연결 또는 연결 부재들은 기능적인 연결 및/또는 물리적 또는 회로적 연결들을 예시적으로 나타낸 것으로서, 실제 장치에서는 대체 가능하거나 추가의 다양한 기능적인 연결, 물리적인 연결, 또는 회로 연결들로서 나타내어질 수 있다. 또한, “필수적인”, “중요하게” 등과 같이 구체적인 언급이 없다면 본 발명의 적용을 위하여 반드시 필요한 구성 요소가 아닐 수 있다.
본 발명의 명세서(특히 특허청구범위에서)에서 “상기”의 용어 및 이와 유사한 지시 용어의 사용은 단수 및 복수 모두에 해당하는 것일 수 있다. 또한, 본 발명에서 범위(range)를 기재한 경우 상기 범위에 속하는 개별적인 값을 적용한 발명을 포함하는 것으로서(이에 반하는 기재가 없다면), 발명의 상세한 설명에 상기 범위를 구성하는 각 개별적인 값을 기재한 것과 같다. 마지막으로, 본 발명에 따른 방법을 구성하는 단계들에 대하여 명백하게 순서를 기재하거나 반하는 기재가 없다면, 상기 단계들은 적당한 순서로 행해질 수 있다. 반드시 상기 단계들의 기재 순서에 따라 본 발명이 한정되는 것은 아니다. 본 발명에서 모든 예들 또는 예시적인 용어(예들 들어, 등등)의 사용은 단순히 본 발명을 상세히 설명하기 위한 것으로서 특허청구범위에 의해 한정되지 않는 이상 상기 예들 또는 예시적인 용어로 인해 본 발명의 범위가 한정되는 것은 아니다. 또한, 당업자는 다양한 수정, 조합 및 변경이 부가된 특허청구범위 또는 그 균등물의 범주 내에서 설계 조건 및 팩터에 따라 구성될 수 있음을 알 수 있다.
100: 유체 이동 장치
130, 310a, 310b: 유체 막힘 센싱 장치 110: 유체의 저장 용기
120, 200a, 200b, 300a, 300b, 400a, 400b, 400c, 500a, 500b, 600a, 600b,
700a, 700b, 800a, 800b, 900a, 900b: 유체 이동 통로
131,210a,210b,311a,311b,132a,132b,410a,410b,410c,510a,510b,610a,610b,
710a, 710b, 810a, 810b, 910a, 910b:구조물
133, 313a, 313b: 변화 감지 센서 420a, 420b, 420c: 저항
520a, 520b: 자성체 530a, 530b: 자기장 센서
630a,630b: 감지부 620a, 620b: 반사막
720a, 720b: 피에조 패널 820a, 820b, 920a, 920b : 전도체

Claims (20)

  1. 유체 이동 장치상에 배치되며, 압력에 따라 변형되는 구조물; 및
    상기 구조물의 주변 영역에 전도체를 구비하는 변화 감지 센서를 구비하며,
    상기 유체 이동 장치는 유체의 저장 용기 또는 신체와 상기 유체 저장 용기와 연결하는 유체 이동 통로 중 적어도 하나인 것을 포함하고,
    상기 변화 감지 센서는 상기 유체 이동 장치 내부에서 유체의 막힘에 의한 상기 유체 이동 장치 내부의 압력 증가로 인하여 구조물의 형태가 변형이 됨으로써 변화 감지 센서에 관련된 값의 변화를 감지하고,
    상기 전도체는 상기 구조물의 형태의 변형 시 단락되고, 상기 변화 감지 센서에 관련된 값은 전류를 포함하는, 유체 막힘 센싱 장치.
  2. 제1 항에 있어서,
    상기 구조물은 상기 유체의 저장 용기 또는 신체와 상기 유체 저장 용기와 연결하는 유체 이동 통로 중 적어도 하나 상에 배치되는 것을 특징으로 하는, 유체 막힘 센싱 장치.
  3. 제1 항에 있어서, 상기 구조물은 맴브레인, 튜브, 피스톤, 벨로우즈 중 적어도 하나인 것을 특징으로 하는, 유체 막힘 센싱 장치.
  4. 제1 항에 있어서,
    상기 변화 감지 센서는 상기 구조물의 주변 영역에 위치하는 커패시터를 더 구비하고,
    상기 변화 감지 센서는 상기 유체 이동 장치 내부에서 유체의 막힘에 의한 상기 유체 이동 장치 내부의 압력 증가로 인하여 형태가 변형된 상기 구조물이 상기 커패시터의 일측과 접촉할 때 상기 커패시터의 정전용량의 변화를 감지하는 것을 특징으로 하는 유체 막힘 센싱 장치.
  5. 제1 항에 있어서,
    상기 변화 감지 센서는, 상기 구조물상에 배치된 저항을 더 구비하고,
    상기 변화 감지 센서는 상기 유체 이동 장치 내부에서 유체의 막힘에 의한 상기 유체 이동 장치 내부의 압력 증가로 인하여 형태가 변형된 상기 구조물에 의해 상기 저항의 형상이 변형된 때, 상기 저항의 저항 값의 변화를 감지하는 것을 특징으로 하는, 유체 막힘 센싱 장치.
  6. 제1 항에 있어서,
    상기 변화 감지 센서는, 상기 구조물 상에 배치된 자성체와, 상기 자성체의 주변 영역에 자기장을 측정하는 자기장 센서를 더 구비하며,
    상기 자기장 센서는 상기 유체 이동 장치 내부에서 유체의 막힘에 의한 상기 유체 이동 장치 내부의 압력 증가로 인하여 구조물의 형태가 변형이 되어 상기 자성체와 상기 자기장 센서와의 거리가 변화한 때, 상기 자성체의 자기장의 변화를 감지하는 것을 특징으로 하는, 유체 막힘 센싱 장치.
  7. 제6 항에 있어서,
    상기 자기장 센서는 홀 이펙트 센서 또는 리드 스위치 중 적어도 하나 인 것을 특징으로 하는, 유체 막힘 센싱 장치.
  8. 제1 항에 있어서,
    상기 변화 감지 센서는, 발광부와 수광부를 포함하는 감지부와 상기 구조물과 상기 감지부 사이에 개재되는 반사막을 상기 구조물 주변 영역에 더 구비하며,
    상기 변화 감지 센서는 상기 유체 이동 장치 내부에서 유체의 막힘에 의한 상기 유체 이동 장치 내부의 압력 증가로 인하여 구조물의 형태가 변형이 되어 상기 구조물이 상기 반사막과 접촉할 때, 상기 수광부가 수광하는 광량의 변화를 감지하는 것을 특징으로 하는, 유체 막힘 센싱 장치.
  9. 제1 항에 있어서,
    상기 변화 감지 센서는, 일정한 주파수를 가지고 진동하는 피에조 패널을 상기 구조물의 주변영역에 더 구비하며,
    상기 변화 감지 센서는 상기 유체 이동 장치 내부에서 유체의 막힘에 의한 상기 유체 이동 장치 내부의 압력 증가로 인하여 구조물의 형태가 변형이 되어 상기 구조물이 상기 피에조 패널의 일측과 접촉할 때, 상기 피에조 패널의 주파수의 변화를 감지하는 것을 특징으로 하는, 유체 막힘 센싱 장치.
  10. 삭제
  11. 제1항에 있어서,
    상기 전도체는 탄소 막대나 세라믹 막대 중 적어도 하나 상에 형성되어 전도성을 가지는 것을 특징으로 하는, 유체 막힘 센싱 장치.
  12. 유체 이동 장치의 주변 영역에 구비된 변화 감지 센서와 관련된 파라미터 값을 측정하는 단계;
    유체 이동 장치 상에 배치된 구조물의 형태 변형에 기초하여, 상기 측정된 파라미터 값의 변화를 추출하는 단계; 및
    상기 추출된 파라미터 값의 변화에 기초하여, 상기 유체 이동 장치 내부에서 유체의 막힘을 감지하는 단계; 를 포함하며,
    상기 유체 이동 장치는 유체의 저장 용기 또는 신체와 상기 유체 저장 용기와 연결하는 유체 이동 통로 중 적어도 하나인 것을 포함하고,
    상기 변화 감지 센서와 관련된 파라미터 값은, 상기 변화 감지 센서에 구비된 전도체의 전류를 포함하고,
    상기 구조물은 상기 유체 이동 장치 내부에서 유체의 막힘에 의한 상기 유체 이동 장치 내부의 압력 증가로 인하여 구조물의 형태가 변형되고,
    상기 전도체는 상기 구조물의 형태의 변형 시 단락되는, 액체 막힘 감지 방법.
  13. 제12 항에 있어서, 상기 구조물은 맴브레인, 튜브, 피스톤, 벨로우즈 중 적어도 하나인 것을 특징으로 하는, 액체 막힘 감지 방법.
  14. 제12 항에 있어서,
    상기 변화 감지 센서와 관련된 파라미터 값은,
    상기 변화 감지 센서에 구비된 커패시터의 정전용량을 더 포함하고,
    유체 이동 장치 상에 배치된 구조물의 형태 변형에 기초하여, 상기 구조물이 상기 커패시터의 일측과 접촉할 때 상기 커패시터의 정전용량의 변화를 추출하는 것을 특징으로 하는, 액체 막힘 감지 방법.
  15. 제12 항에 있어서,
    상기 변화 감지 센서와 관련된 파라미터 값은,
    상기 변화 감지 센서에 구비된 저항의 저항값을 더 포함하고,
    유체 이동 장치상에 배치된 구조물의 형태 변형에 기초하여, 상기 구조물 상에 배치된 상기 저항의 형상이 변형될 때 상기 저항의 저항값의 변화를 추출하는 것을 특징으로 하는, 액체 막힘 감지 방법.
  16. 제12 항에 있어서,
    상기 변화 감지 센서와 관련된 파라미터 값은,
    상기 변화 감지 센서에 구비된 자성체의 자기장을 더 포함하고,
    유체 이동 장치상에 배치된 구조물의 형태 변형에 기초하여, 상기 구조물 상에 배치된 자성체와 자성체의 주변 영역에 자기장을 측정하는 자기장 센서와의 거리가 변화한 때, 상기 자성체의 자기장의 변화를 추출하는 것을 특징으로 하는, 액체 막힘 감지 방법.
  17. 제12 항에 있어서,
    상기 변화 감지 센서와 관련된 파라미터 값은,
    상기 변화 감지 센서에 구비된 반사막의 반사율을 더 포함하고,
    유체 이동 장치상에 배치된 구조물의 형태 변형에 기초하여, 상기 구조물이 상기 반사막의 일 측과 접촉할 때 상기 반사막의 반사율의 변화를 추출하는 것을 특징으로 하는, 액체 막힘 감지 방법.
  18. 제12 항에 있어서,
    상기 변화 감지 센서와 관련된 파라미터 값은,
    상기 변화 감지 센서에 구비된 피에조 패널의 주파수를 더 포함하고,
    유체 이동 장치상에 배치된 구조물의 형태 변형에 기초하여, 상기 구조물이 상기 피에조 패널의 일 측과 접촉할 때 피에조 패널의 주파수의 변화를 추출하는 것을 특징으로 하는, 액체 막힘 감지 방법.
  19. 삭제
  20. 제12 항에 있어서,
    상기 유체 이동 장치 내에 유체가 이동되는 경우에만,
    유체 이동 장치의 주변 영역에 구비된 변화 감지 센서와 관련된 파라미터 값을 측정하는 것을 특징으로 하는, 액체 막힘 감지 방법.
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