KR20120008854A - 기판처리장치 - Google Patents

기판처리장치 Download PDF

Info

Publication number
KR20120008854A
KR20120008854A KR1020100070109A KR20100070109A KR20120008854A KR 20120008854 A KR20120008854 A KR 20120008854A KR 1020100070109 A KR1020100070109 A KR 1020100070109A KR 20100070109 A KR20100070109 A KR 20100070109A KR 20120008854 A KR20120008854 A KR 20120008854A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
substrate
support
pin
support pin
processing apparatus
Prior art date
Application number
KR1020100070109A
Other languages
English (en)
Inventor
노환익
오세훈
Original Assignee
세메스 주식회사
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 세메스 주식회사 filed Critical 세메스 주식회사
Priority to KR1020100070109A priority Critical patent/KR20120008854A/ko
Publication of KR20120008854A publication Critical patent/KR20120008854A/ko

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
    • H01L21/67028—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like
    • H01L21/67034—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for drying
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
    • H01L21/67028—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like
    • H01L21/6704—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for wet cleaning or washing

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)

Abstract

본 발명은 기판에 대전된 전하를 외부로 방출하여 기판의 손상을 방지하는 기판처리장치이다. 기판에 대전된 전하가 기판에 누적될 경우 정전기 발생될 수 있다. 이로 인해 본 발명은 척핀과 지지핀을 통해 기판에 대전된 전하를 방출한다.

Description

기판처리장치{APPARATUS FOR TREATING A SUBSTRATE}
본 발명은 기판처리장치에 관한 것으로, 더 상세하게는 기판세정공정을 수행하는 기판처리장치에 관한 것이다.
일반적으로, 반도체 소자가 고밀도, 고집적화, 고성능화됨에 따라 회로패턴의 미세화가 급속히 진행됨으로써, 기판 표면에 잔류하는 파티클(Particle), 유기 오염물, 금속 오염물 등의 오염 물질은 소자의 특성과 생산수율에 많은 영향을 미치게 된다. 이 때문에 기판 표면에 부착된 각종 오염 물질을 제거하는 세정 공정이 반도체 제조 공정에서 매우 중요하게 대두되고 있으며, 반도체 제조의 각 단위 공정 전후 단계에서 기판의 세정공정이 실시되고 있다.
기판의 세정공정은 기판을 고속으로 회전하면서 처리액, 탈이온수, 그리고 건조가스를 기판으로 공급한다. 이들 처리액, 탈이온수, 그리고 건조가스는 기판표면과의 마찰로 인해 정전기가 발생된다. 정전기는 기판을 손상시키고, 세정장치의 구동에 악영향을 미친다.
본 발명은 정전기로 인해 기판이 손상되는 것을 방지할 수 있는 기판처리장치를 제공한다.
또한, 본 발명은 기판에 대전된 전하를 효율적으로 방출할 수 있는 기판처리장치를 제공한다.
본 발명은 여기에 제한되지 않으며, 언급되지 않은 또 다른 목적들은 아래의 기재로부터 당업자에게 명확하게 이해될 수 있을 것이다.
본 발명은 기판처리장치를 제공한다. 일 예에 있어서, 기판처리장치는 기판처리장치에 있어서, 몸체와; 상기 몸체의 하부와 연결되어 상기 몸체를 회전시키는 지지축과; 상기 몸체로부터 상부로 돌출되어 기판의 저면을 지지하는 지지핀과; 상기 몸체로부터 상부로 돌출되어 기판의 측면을 지지하는 척핀과; 그리고 상기 기판에 대전된 전하를 상기 지지핀을 통해 외부로 방출하는 도전성부재를 포함한다.
또한, 상기 도전성부재는 그 일단이 상기 지지핀의 하부에 연결되는 금속재질의 스프링을 포함하고, 상기 기판처리장치는 상기 지지축의 하단에 결합하여 상기 지지축에 회전력을 전달하는 모터를 더 포함하되; 상기 도전성부재는 상기 모터에 연결되어 전하를 외부로 방출하는 전원접지케이블을 더 포함한다. 상기 지지핀은 외부면이 전도성재질로 코팅된다. 상기 도전성부재는 상기 스프링의 타단에 연결되는 금속재질의 로드를 더 포함한다.
본 발명에 의하면, 기판에 대전되는 전하를 외부로 방출하여 기판의 손상을 최소화할 수 있다.
도 1은 기판처리설비를 개략적으로 보여주는 평면도이다.
도 2는 도 1의 기판처리장치를 개략적으로 보여주는 단면도이다.
도 3은 도 2의 스핀헤드를 개략적으로 보여주는 평면도이다.
도 4은 도 2의 스핀헤드의 내부를 개략적으로 보여주는 단면도이다.
본 발명의 실시예는 여러 가지 형태로 변형될 수 있으며, 본 발명의 범위가 아래에서 서술하는 실시예로 인해 한정되어지는 것으로 해석되어서는 안된다. 본 실시예는 당업계에서 평균적인 지식을 가진 자에게 본 발명을 보다 완전하게 설명하기 위해서 제공되는 것이다. 따라서 도면에서의 구성 요소의 형상 등은 보다 명확한 설명을 강조하기 위해서 과장된 것이다.
본 발명은 도 1 내지 도 4를 참조하여 본 발명의 일 예를 상세히 설명한다.
도 1은 본 발명의 기판처리설비(1)를 개략적으로 나타낸 평면도이다.
도 1을 참조하면, 기판처리설비(1)는 인덱스모듈(10)과 공정처리모듈(20)을 가지고, 인덱스모듈(10)은 로드포트(120) 및 이송프레임(140)을 가진다. 로드포트(120), 이송프레임(140), 그리고 공정처리모듈(20)은 순차적으로 일렬로 배열된다. 이하, 로드포트(120), 이송프레임(140), 그리고 공정처리모듈(20)이 배열된 방향을 제1방향(12)이라 하고, 상부에서 바라볼 때, 제1방향(12)과 수직한 방향을 제2방향(14)이라 하며, 제1방향(12)과 제2방향(14)을 포함한 평면에 수직인 방향을 제3방향(16)이라 칭한다.
로드포트(140)에는 기판(W)이 수납된 캐리어(130)가 안착된다. 로드포트(120)는 복수 개가 제공되며 이들은 제2방향(14)을 따라 일렬로 배치된다. 로드포트(120)의 개수는 공정처리모듈(20)의 공정효율 및 풋 프린트조건 등에 따라 증가하거나 감소할 수도 있다. 캐리어(130)에는 기판(W)들을 지면에 대해 수평하게 배치한 상태로 수납하기 위한 다수의 슬롯(미도시)이 형성된다. 캐리어(130)로는 전면개방일체형포드(Front Opening Unifed Pod;FOUP)가 사용될 수 있다.
공정처리모듈(20)은 버퍼유닛(220), 이송챔버(240), 그리고 공정챔버(260)를 가진다. 이송챔버(240)는 그 길이 방향이 제 1 방향(12)과 평행하게 배치된다. 이송챔버(240)의 양측에는 각각 공정챔버(260)들이 배치된다. 이송챔버(240)의 일측 및 타측에서 공정챔버(260)들은 이송챔버(240)를 기준으로 대칭이 되도록 제공된다. 이송챔버(240)의 일측에는 복수 개의 공정챔버(260)들이 제공된다. 공정챔버(260)들 중 일부는 이송챔버(240)의 길이 방향을 따라 배치된다. 또한, 공정챔버(260)들 중 일부는 서로 적층되게 배치된다. 즉, 이송챔버(240)의 일측에는 공정챔버(260)들이 A X B의 배열로 배치될 수 있다. 여기서 A는 제1방향(12)을 따라 일렬로 제공된 공정챔버(260)의 수이고, B는 제3방향(16)을 따라 일렬로 제공된 공정챔버(260)의 수이다. 이송챔버(240)의 일측에 공정 챔버(260)가 4개 또는 6개 제공되는 경우, 공정챔버(260)들은 2 X 2 또는 3 X 2의 배열로 배치될 수 있다. 공정챔버(260)의 개수는 증가하거나 감소할 수도 있다. 상술한 바와 달리, 공정챔버(260)는 이송챔버(240)의 일측에만 제공될 수 있다. 또한, 상술한 바와 달리, 공정챔버(260)는 이송챔버(240)의 일측 및 양측에 단층으로 제공될 수 있다.
버퍼유닛(220)은 이송프레임(140)과 이송챔버(240) 사이에 배치된다. 버퍼 유닛(220)은 이송챔버(240)와 이송프레임(140) 간에 기판(W)이 반송되기 전에 기판(W)이 머무르는 공간을 제공한다. 버퍼유닛(220)은 그 내부에 기판(W)이 놓이는 슬롯(미도시)이 제공되며, 슬롯(미도시)들은 서로 간에 제 3 방향(16)을 따라 이격되도록 복수 개 제공된다. 버퍼유닛(220)은 이송프레임(140)과 마주보는 면 및 이송챔버(240)와 마주보는 면이 개방된다.
이송프레임(140)은 로드포트(120)에 안착된 캐리어(130)와 버퍼유닛(220) 간에 기판(W)을 반송한다. 이송프레임(140)에는 인덱스레일(142)과 인덱스로봇(144)이 제공된다. 인덱스레일(142)은 그 길이 방향이 제2방향(14)과 나란하게 제공된다. 인덱스로봇(144)은 인덱스레일(142) 상에 설치되며, 인덱스레일(142)을 따라 제2방향(14)으로 직선 이동된다. 인덱스로봇(144)은 베이스(144a), 몸체(144b), 그리고 인덱스암(144c)을 가진다. 베이스(144a)는 인덱스레일(142)을 따라 이동 가능하도록 설치된다. 몸체(144b)는 베이스(144a)에 결합된다. 몸체(144b)는 베이스(144a) 상에서 제3방향(16)을 따라 이동 가능하도록 제공된다. 또한, 몸체(144b)는 베이스(144a) 상에서 회전 가능하도록 제공된다. 인덱스암(144c)은 몸체(144b)에 결합되고, 몸체(144b)에 대해 전진 및 후진 이동 가능하도록 제공된다. 인덱스암(144c)은 복수 개 제공되어 각각 개별 구동되도록 제공된다. 인덱스암(144c)들은 제3방향(16)을 따라 서로 이격된 상태로 적층되게 배치된다. 인덱스암(144c)들 중 일부는 공정처리모듈(20)에서 캐리어(130)로 기판(W)을 반송할 때 사용되고, 이의 다른 일부는 캐리어(130)에서 공정처리모듈(20)로 기판(W)을 반송할 때 사용될 수 있다. 이는 인덱스로봇(144)이 기판(W)을 반입 및 반출하는 과정에서 공정 처리 전의 기판(W)으로부터 발생된 파티클이 공정 처리 후의 기판(W)에 부착되는 것을 방지할 수 있다.
이송챔버(240)는 버퍼유닛(220)과 공정챔버(260) 간에, 그리고 공정챔버(260)들 간에 기판(W)을 반송한다. 이송챔버(240)에는 가이드레일(242)과 메인로봇(244)이 제공된다. 가이드레일(242)은 그 길이 방향이 제1방향(12)과 나란하도록 배치된다. 메인로봇(244)은 가이드레일(242) 상에 설치되고, 가이드레일(242) 상에서 제1방향(12)을 따라 직선 이동된다. 메인로봇(244)은 베이스(244a), 몸체(244b), 그리고 메인암(244c)을 가진다. 베이스(244a)는 가이드레일(242)을 따라 이동 가능하도록 설치된다. 몸체(244b)는 베이스(244a)에 결합된다. 몸체(244b)는 베이스(244a) 상에서 제3방향(16)을 따라 이동 가능하도록 제공된다. 또한, 몸체(244b)는 베이스(244a) 상에서 회전 가능하도록 제공된다. 메인암(244c)은 몸체(244b)에 결합되고, 이는 몸체(244b)에 대해 전진 및 후진 이동 가능하도록 제공된다. 메인암(244c)은 복수 개 제공되어 각각 개별 구동되도록 제공된다. 메인암(244c)들은 제3방향(16)을 따라 서로 이격된 상태로 적층되게 배치된다.
공정챔버(260) 내에는 기판(W)에 대해 세정 공정을 수행하는 기판처리장치(300)가 제공된다. 기판처리장치(300)는 수행하는 세정 공정의 종류에 따라 상이한 구조를 가질 수 있다. 이와 달리 각각의 공정챔버(260) 내의 기판 처리 장치(300)는 동일한 구조를 가질 수 있다. 선택적으로 공정챔버(260)들은 복수 개의 그룹으로 구분되어, 동일한 그룹에 속하는 공정챔버(260) 내에 기판처리장치(300)들은 서로 동일하고, 서로 상이한 그룹에 속하는 공정챔버(260) 내에 기판처리장치(300)의 구조는 서로 상이하게 제공될 수 있다. 예컨대, 공정챔버(260)가 2개의 그룹으로 나누어지는 경우, 이송챔버(240)의 일측에는 제 1 그룹의 공정챔버(260)들이 제공되고, 이송챔버(240)의 타측에는 제 2 그룹의 공정 챔버(260)들이 제공될 수 있다. 선택적으로 이송챔버(240)의 양측에서 하층에는 제 1 그룹의 공정챔버(260)들이 제공되고, 상층에는 제 2 그룹의 공정챔버(260)들이 제공될 수 있다. 제 1 그룹의 공정챔버(260)와 제 2 그룹의 공정챔버(260)는 각각 사용되는 케미컬의 종류나, 세정 방식의 종류에 따라 구분될 수 있다. 이와 달리, 제 1 그룹의 공정챔버(260)와 제 2 그룹의 공정챔버(260)는 하나의 기판(W)에 대해 순차적으로 공정을 수행하도록 제공될 수 있다. 예컨대, 기판(W)은 제 1 그룹의 공정챔버(260)에서 케미컬처리공정 또는 린스공정이 수행되고, 제 2 그룹의 공정챔버(260)에서 린스공정 또는 건조공정이 수행될 수 있다.
아래에서는 처리액을 이용하여 기판(W)을 세정하는 기판처리장치(300)의 일 예를 설명한다. 도 2는 기판처리장치(300)의 일 예를 보여주는 단면도이다. 도 2를 참조하면, 기판처리장치(300)는 하우징(320), 승강유닛(360), 분사부재(380), 스핀헤드(340), 그리고 도전성부재(350)을 가진다. 하우징(320)은 기판처리공정이 수행되는 공간을 가지며, 그 상부는 개방된다. 하우징(320)은 내부회수통(322), 중간회수통(324), 그리고 외부회수통(326)을 가진다. 각각의 회수통(322,324,326)은 공정에 사용된 처리액 중 서로 상이한 처리액을 회수한다. 내부회수통(322)은 스핀헤드(340)를 감싸는 환형의 링 형상으로 제공되고, 중간회수통(324)은 내부회수통(322)을 감싸는 환형의 링 형상으로 제공되고, 외부회수통(326)은 중간회수통(324)을 감싸는 환형의 링 형상으로 제공된다. 내부회수통(322)의 내측공간(322a), 내부회수통(322)과 중간회수통(324)의 사이공간(324a) 그리고 중간회수통(324)과 외부회수통(326)의 사이공간(326a)은 각각 내부회수통(322), 중간회수통(324), 그리고 외부회수통(326)으로 처리액이 유입되는 유입구로서 기능한다. 각각의 회수통(322,324,326)에는 그 저면 아래 방향으로 수직하게 연장되는 회수라인(322b,324b,326b)이 연결된다. 각각의 회수라인(322b,324b,326b)은 각각의 회수통(322,324,326)을 통해 유입된 처리액을 배출한다. 배출된 처리액은 외부의 처리액 재생 시스템(미도시)을 통해 재사용될 수 있다.
승강유닛(360)은 하우징(320)을 상하 방향으로 직선 이동시킨다. 하우징(320)이 상하로 이동됨에 따라 스핀헤드(340)에 대한 하우징(320)의 상대 높이가 변경된다. 승강유닛(360)은 브라켓(362), 이동축(364), 그리고 구동기(366)를 가진다. 브라켓(362)은 하우징(320)의 외벽에 고정설치되고, 브라켓(362)에는 구동기(366)에 의해 상하 방향으로 이동되는 이동축(364)이 고정결합된다. 기판(W)이 스핀헤드(340)에 놓이거나, 스핀헤드(340)로부터 들어올려 질 때 스핀헤드(340)가 하우징(320)의 상부로 돌출되도록 하우징(320)은 하강된다. 또한, 공정이 진행될 시에는 기판(W)에 공급된 처리액의 종류에 따라 처리액이 기설정된 회수통(360)으로 유입될 수 있도록 하우징(320)의 높이가 조절한다. 선택적으로, 승강유닛(360)은 스핀 헤드(340)를 상하 방향으로 이동시킬 수 있다.
분사부재(380)는 기판처리공정 시 기판(W)으로 처리액을 공급한다. 분사부재(380)는 지지축(386), 구동기(388), 노즐 지지대(382), 그리고 노즐(384)을 가진다. 지지축(386)은 그 길이 방향이 제3방향(16)을 따라 제공되고, 지지축(386)의 하단에는 구동기(388)가 결합된다. 구동기(388)는 지지축(386)을 회전 및 승강 운동한다. 노즐지지대(382)는 구동기(388)와 결합된 지지축(386)의 끝단 반대편과 수직하게 결합된다. 노즐(384)은 노즐지지대(382)의 끝단 저면에 설치된다. 노즐(384)은 구동기(388)에 의해 공정 위치와 대기 위치로 이동된다. 공정 위치는 노즐(384)이 하우징(320)의 수직 상부에 배치된 위치이고, 대기 위치는 노즐(384)이 하우징(320)의 수직 상부로부터 벗어난 위치이다.
도 3은 도 2의 스핀헤드(340)를 개략적으로 보여주는 평면도이고, 도 4는 도 2의 스핀헤드(340)의 내부를 개략적으로 보여주는 단면도이다. 도 3과 도 4를 참조하면, 스핀헤드(340)는 공정진행 중 기판(W)을 지지하고 기판(W)을 회전시킨다. 스핀헤드(340)는 몸체(342), 지지핀(344), 척핀(346), 척핀이동유닛(347), 그리고 회전축(348)을 가진다.
몸체(342)는 상부에서 바라볼 때 대체로 원형으로 제공되는 상부면을 가진다.
지지핀(344)은 몸체(342)의 가장자리 영역에서 몸체(342)의 상부면으로부터 위로 돌출된다. 지지핀(344)은 몸체(342)의 원주를 따라 일정거리 이격되어 기판(W)의 저면 가장자리를 지지한다. 지지핀(344)들은 모두 동일한 형상 및 크기를 가진다. 지지핀(344)은 아래로 갈수록 점진적으로 지름이 증가하는 상부(344a)와 이로부터 아래로 연장되어 동일한 지름을 가지는 하부(344b)를 가진다. 지지핀(344)의 하부(344b) 저면에는 지지핀(344)의 길이방향으로 연장되는 원통 형상의 돌출부(344c)가 제공된다. 돌출부(344c)의 지름은 지지핀(344)의 하부(344b) 지름보다 작게 제공된다. 지지핀(344)의 외부면은 전도성재질로 코팅된다. 예컨대, 전도성재질은 도전성을 갖는 세라믹류일 수 있다.
척핀(346)은 몸체(342)의 가장자리 영역에서 몸체(342)의 상부면으로부터 위로 돌출된다. 척핀(346)은 몸체(342)의 원주를 따라 일정거리 이격되게 위치한다. 또한, 척핀(346)은 몸체(342)의 중심으로부터 지지핀(344)보다 멀리 떨어지게 배치된다. 척핀(346)은 기판(W)이 회전될 때 기판(W)이 정 위치에서 측 방향으로 이탈되지 않도록 기판(W)의 측부를 지지한다. 척핀(346)들은 모두 동일한 형상 및 크기를 가진다. 척핀(346)은 지지부(346a), 중앙부(346c), 체결부(346e), 그리고 걸림부(346d)를 가진다. 지지부(346a)는 평평한 상면으로부터 아래로 갈수록 지름이 점진적으로 감소된 후 다시 아래로 갈수록 지름이 점직적으로 증가하는 형상을 가진다. 따라서 지지부(346a)는 정면에서 바라볼 때 안쪽으로 오목한 오목부(346b)를 가진다. 오목부(346b)에는 지지핀(344)에 놓인 기판(W)의 측부가 접촉된다. 중앙부(346c)는 지지부(346a)의 하단으로부터 이와 동일한 지름으로 아래방향으로 연장된다. 체결부(346e)는 중앙부(346c)로부터 아래 방향으로 연장된다. 체결부(346e)에는 후술할 척핀이동유닛(347)과의 체결을 위한 나사홀(미도시)이 형성된다. 걸림부(346d)는 중앙부(346c)로부터 외측으로 연장되며, 링 형상으로 제공된다. 걸림부(346d)는 몸체(342)의 상부면과 밀착되며, 척핀(346)들이 모두 동일한 높이로 돌출되도록 한다. 척핀(346)의 외부면은 전도성재질로 이루어져 있다. 예컨대, 전도성재질은 도전성을 갖는 카본피크(Poly Ether Ether Keton)재질로 이루어질 수 있다.
척핀이동유닛(347)은 척핀(346)을 지지위치와 대기위치로 이동시킨다. 지지위치는 공정진행 시 척핀(346)들이 기판(W)의 측부와 접촉되는 위치이고, 대기위치는 기판(W)이 스핀헤드(340)에 놓일 수 있도록 기판(W)보다 넓은공간을 제공하는 위치이다. 따라서 지지위치는 대기위치에 비해 몸체의 중앙에 더 가까운 위치이다. 척핀이동유닛(347)은 하나의 척핀(346)과 결합되는 이동로드(347a)를 포함하며, 이동로드(347a)는 몸체(342)의 반경방향과 동일한 방향으로 몸체(342) 내에 배치된다.
회전축(348)은 몸체(342)의 저면과 고정결합되어 몸체(342)를 지지 및 회전한다. 회전축(348)은 중공의 원통 형상으로 제공된다. 회전축(348)은 하우징(320)의 바닥면에 형성된 개구를 통해 하우징(320)의 외부까지 돌출된다. 외부로 돌출된 회전축(348)의 하단은 모터(349)와 고정결합된다. 모터(349)는 회전축(348)에 회전력을 제공하고, 이에 의해 회전축(348)은 회전가능하다.
도전성부재(350)는 지지핀(344)을 통해 기판(W)에 대전된 전하를 외부로 방출시킨다. 도전성부재(350)는 스프링(350a) 및 로드(350b)를 포함한다. 스프링(350a) 및 로드(350b)는 금속재질로 이루어진다. 로드(350b)는 몸체(342)의 반경방향으로 제공된다. 스프링(350a)의 일단은 지지핀(344)과 연결되고, 이의 타단은 로드(350b)와 연결된다. 로드(350b)는 케이블을 통해 모터전원커넥터접지핀(349a)이 연결될 수 있다. 이로 인해 기판(W)에 대전된 전하는 지지핀(344), 스프링(350a), 로드(350b), 그리고 모터전원커넥터접지핀(349a)을 통해 외부로 방출된다. 상술한 바와 달리 스프링(350a)은 지지핀(344)을 감싸는 중공의 원통 형상일 수 있다. 이로 인해 스프링(350a)은 지지핀(344)과 접촉되는 면을 최대화시켜 기판(W)에 대전된 전하를 좀 더 효율적으로 방출할 수 있다. 또한, 로드(350b)는 스프링(350a) 없이 지지핀(344)과 직접 연결되어 기판(W)에 대전된 전하를 외부로 방출할 수 있다.
척핀(346)을 통해 기판(W)에 대전된 전하를 방출하는 경우, 다음과 같은 문제가 있다. 상술한 기판처리장치(300)는 세정공정에 관한 것으로써 고온 또는 부식이 강한 처리액이 기판(W)에 공급된다. 처리액은 기판(W)의 상면을 세정하고, 세정이 완료된 처리액은 척핀(346)과 접촉된다. 따라서 척핀(346)의 외부면 재질은 고온과 부식에 강한 재질인 수지류로 한정된다. 척핀(346)을 통해 전하를 방출하기 위하여 척핀(346)이 금속재질로 사용될 경우, 척핀(346)의 수명은 매우 짧아질 수 있다. 그러나 본 발명은 처리액과 접촉이 적은 지지핀(344)을 통해 전하를 방출하므로, 지지핀(344)이 처리액에 의해 손상될 가능성이 낮아진다.
1 : 기판 처리 설비 10 : 인덱스 모듈
20 : 공정 처리 모듈 120 : 로드 포트
140 : 이송프레임 220 : 버퍼유닛
240 : 이송챔버 260 :공정챔버
300 : 기판처리장치 320 : 하우징
340 : 스핀헤드 350 : 도전성부재
360 : 회수통 380 : 분사부재

Claims (2)

  1. 기판처리장치에 있어서,
    몸체와;
    상기 몸체의 하부와 연결되어 상기 몸체를 회전시키는 회전축과;
    상기 몸체로부터 상부로 돌출되어 기판의 저면을 지지하는 지지핀과;
    상기 몸체로부터 상부로 돌출되어 기판의 측면을 지지하는 척핀과; 그리고
    상기 기판에 대전된 전하를 상기 지지핀을 통해 외부로 방출하는 도전성부재를 포함하는 것을 특징으로 하는 기판처리장치.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 기판처리장치는
    상기 회전축의 하단에 결합하여 상기 회전축에 회전력을 전달하는 모터를 더 포함하되;
    상기 도전성부재는
    그 일단이 상기 지지핀의 하부에 연결되는 금속재질의 스프링;
    상기 모터에 연결되어 전하를 외부로 방출하는 모터전원커넥터접지핀을 포함하는 것을 특징으로 하는 기판처리장치.
KR1020100070109A 2010-07-20 2010-07-20 기판처리장치 KR20120008854A (ko)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020100070109A KR20120008854A (ko) 2010-07-20 2010-07-20 기판처리장치

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020100070109A KR20120008854A (ko) 2010-07-20 2010-07-20 기판처리장치

Publications (1)

Publication Number Publication Date
KR20120008854A true KR20120008854A (ko) 2012-02-01

Family

ID=45833817

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020100070109A KR20120008854A (ko) 2010-07-20 2010-07-20 기판처리장치

Country Status (1)

Country Link
KR (1) KR20120008854A (ko)

Cited By (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20140028575A (ko) * 2012-08-29 2014-03-10 세메스 주식회사 기판처리장치
KR20140036399A (ko) * 2012-09-13 2014-03-26 세메스 주식회사 기판처리장치
KR20160025935A (ko) * 2014-08-28 2016-03-09 세메스 주식회사 기판 처리 장치 및 지지 유닛
KR20170142918A (ko) * 2016-06-20 2017-12-28 가부시키가이샤 스크린 홀딩스 기판 처리 장치
KR20190060653A (ko) * 2017-11-24 2019-06-03 (주)신우에이엔티 대전 방지용 척 핀, 대전 방지용 척 바디 부재 및 상기 대전 방지용 척 핀과 상기 대전 방지용 척 바디 부재를 포함하는 기판 처리 유닛
US10446425B2 (en) 2016-07-29 2019-10-15 Semes Co., Ltd. Substrate treating system
KR20220054016A (ko) * 2020-10-23 2022-05-02 세메스 주식회사 지지 유닛 및 기판 처리 장치
US20230307260A1 (en) * 2022-03-24 2023-09-28 Semes Co., Ltd. Support unit and substrate treating apparatus

Cited By (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20140028575A (ko) * 2012-08-29 2014-03-10 세메스 주식회사 기판처리장치
KR20140036399A (ko) * 2012-09-13 2014-03-26 세메스 주식회사 기판처리장치
KR20160025935A (ko) * 2014-08-28 2016-03-09 세메스 주식회사 기판 처리 장치 및 지지 유닛
KR20170142918A (ko) * 2016-06-20 2017-12-28 가부시키가이샤 스크린 홀딩스 기판 처리 장치
US10446425B2 (en) 2016-07-29 2019-10-15 Semes Co., Ltd. Substrate treating system
KR20190060653A (ko) * 2017-11-24 2019-06-03 (주)신우에이엔티 대전 방지용 척 핀, 대전 방지용 척 바디 부재 및 상기 대전 방지용 척 핀과 상기 대전 방지용 척 바디 부재를 포함하는 기판 처리 유닛
KR20220054016A (ko) * 2020-10-23 2022-05-02 세메스 주식회사 지지 유닛 및 기판 처리 장치
US20230307260A1 (en) * 2022-03-24 2023-09-28 Semes Co., Ltd. Support unit and substrate treating apparatus

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR20120008854A (ko) 기판처리장치
KR20170014327A (ko) 스핀 헤드 및 기판 처리 장치
US20170001223A1 (en) Method and apparatus for treating substrate
CN106816399B (zh) 基板处理装置及方法
KR102240924B1 (ko) 기판 처리 장치 및 회전 어셈블리
KR102097009B1 (ko) 스핀척 및 기판처리장치
CN107665841B (zh) 基板处理***
KR102310465B1 (ko) 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
KR101329319B1 (ko) 노즐 및 이를 갖는 기판처리장치
KR101408788B1 (ko) 기판처리장치
KR102535647B1 (ko) 지지 유닛 및 기판 처리 장치
KR101870666B1 (ko) 기판 처리 장치
KR101591960B1 (ko) 기판 처리 장치
KR102176464B1 (ko) 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
KR101817217B1 (ko) 척핀, 척핀 제조 방법 및 기판 처리 장치
KR101757811B1 (ko) 기판 세정 방법
KR102548767B1 (ko) 기판 처리 장치, 이온 주입 처리 장치 및 이온 주입 처리 방법
US20230307260A1 (en) Support unit and substrate treating apparatus
KR20160083422A (ko) 기판 처리 장치, 그리고 기판 처리 장치를 이용한 기판 처리 방법
KR102648888B1 (ko) 기판 처리 장치
KR102193031B1 (ko) 기판처리장치 및 방법
CN116864428A (zh) 支承单元和基板处理装置
JP7404427B2 (ja) 支持ユニット及び基板処理装置
CN112201589B (zh) 基板处理装置以及基板处理方法
KR102202467B1 (ko) 기판 처리 장치 및 방법

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
AMND Amendment
E601 Decision to refuse application
AMND Amendment
E90F Notification of reason for final refusal
AMND Amendment
E801 Decision on dismissal of amendment
J201 Request for trial against refusal decision
J301 Trial decision

Free format text: TRIAL DECISION FOR APPEAL AGAINST DECISION TO DECLINE REFUSAL REQUESTED 20150107

Effective date: 20150917