KR102144625B1 - 측면 확산 금속 산화물 반도체 전계 효과 트랜지스터 - Google Patents

측면 확산 금속 산화물 반도체 전계 효과 트랜지스터 Download PDF

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Abstract

측면 확산 금속 산화물 반도체 전계 효과 트랜지스터는, 기판(110)과, 게이트와, 소스(150)와, 드레인(140)과, 바디 영역(160)과, 소스(150)와 드레인(140) 사이의 위치한 필드 산화물 영역(170)과, 기판(110) 상의 제 1 웰 영역(122) 및 제 2 웰 영역(124)을 포함한다. 게이트 아래의 제 2 웰 영역(124)에는 복수의 게이트 도핑된 영역(184)이 제공되며, 게이트의 폴리실리콘 게이트(182)는 멀티 세그먼트 구조를 갖고, 각각의 세그먼트는 서로 분리되며, 게이트 도핑된 영역의 각각은 폴리실리콘 게이트(182)의 각 세그먼트 사이의 공간 아래에 배치된다. 게이트 도핑된 영역(184)의 각각은 이들의 양측 상의 두 폴리실리콘 게이트(182) 세그먼트들 중 소스에 가장 가까운 방향의 세그먼트에 전기적으로 연결된다.

Description

측면 확산 금속 산화물 반도체 전계 효과 트랜지스터
본 개시는 반도체 기술에 관한 것으로, 보다 구체적으로는 RESURF 구조를 갖는 측면 확산 금속 산화물 반도체 전계 효과 트랜지스터에 관한 것이다.
RESURF(reduced surface field) 원리를 사용하는 기본 구조는 저도핑 P 타입 기판 및 저도핑 N 타입 에피텍셜 층으로 구성된다. P 웰(well)이 에피텍셜 층 상에 형성되고, N+, P+가 P 웰로 주입되어서 횡방향 P-well/N-epi 접합 및 종방향 P-sub/N-epi 접합이 형성된다. 횡방향 접합의 양단에서의 높은 도핑 농도 때문에, 횡방향 접합의 항복 전압은 종방향 접합의 항복 전압보다 낮다. RESURF의 기본 원리는, 횡방향 접합 및 종방향 접합의 인터랙션을 이용함으로써 횡방향 접합이 임계 애벌란시(avalanche) 항복 전계에 도달하기 이전에 에피택셜 층이 완전하게 공핍(depleted)되는 것을 가능하게 한다. 장치 파라미터를 적당히 최적화시킴으로써, 장치의 항복이 종방향 접합에서 발생하여, 표면 전계를 감소시키는 역할을 할 수 있다.
온-저항 Rsp를 향상시키기 위해, RESURF 구조를 갖는 통상적인 측면 확산 금속 산화물 반도체 전계 효과 트랜지스터(LDMOSFET)는 드리프트 영역의 불순물 농도를 주로 조정하면서 RESURF 요건을 만족시킨다. 그러나, 도핑 농도와 오프상태 항복 사이의 역관계 때문에, 드리프트 영역의 저항 Rdr을 향상시키는 것에 의해서만 온-저항을 향상시키는 것은 한계가 있다.
따라서, 낮은 온-저항을 갖는 측면 확산 금속 산화물 반도체 전계 효과 트랜지스터를 제공하는 것이 필요하다.
측면 확산 금속 산화물 반도체 전계 효과 트랜지스터는 기판, 게이트, 소스, 드레인, 바디 영역, 소스와 드레인 사이에 위치한 필드 산화물 영역, 및 기판 상에 형성된 제 1 웰 영역 및 제 2 웰 영역을 포함한다. 제 1 웰 영역은 제 1 전도성 타입이고, 제 2 웰 영역은 제 2 전도성 타입이다. 제 1 전도성 타입 및 제 2 전도성 타입은 반대 전도성 타입이다. 소스 및 바디 영역은 제 2 웰 영역에 배치되고, 드레인은 제 1 웰 영역에 배치된다. 게이트 아래의 제 2 웰 영역의 내부에 제 1 전도성 타입의 복수의 게이트 도핑된 영역이 제공된다. 게이트의 폴리실리콘 게이트는 멀티 세그먼트 구조를 갖고, 세그먼트는 서로 분리된다. 게이트 도핑된 영역의 각각은 폴리실리콘 게이트의 두 세그먼트 사이의 갭 아래에 배치된다. 게이트 도핑된 영역의 각각은, 게이트 도핑된 영역의 양측에 위치하는 폴리실리콘 게이트의 두 세그먼트 중 하나인, 소스에 인접한 폴리실리콘 게이트의 세그먼트에 전기적으로 연결되므로(직접 접촉하거나 금속 배션 층을 통해), 게이트 도핑된 영역의 각각의 전위는 게이트의 전위와 동일하다.
전술된 측면 확산 금속 산화물 반도체 전계 효과 트랜지스터에서, 채널 전자의 수가 증가하고, 전자가 소스로부터 드레인으로 흐르는 동안 여러번 가속되는데, 이는 채널 전계 및 채널 전류에서의 증가와 동등하다. 따라서, 채널 저항이 감소되어서, 온-저항을 감소시킨다. 그 동안, 채널 저항의 감소는 드리프트 영역의 최적 공간을 향상시키도록 돕기 때문에, 드리프트 영역의 농도가 더 감소될 수 있어서, 장치의 내전압(항복 전압)을 증가시킬 수 있다. 대안으로, 내전압을 일정하게 유지하면서 드리프트 영역의 길이를 더 짧아지게 할 수 있어 비용을 감소시킬 수 있다.
본 발명의 실시예에 따른 또는 종래 기술에서의 기술적 솔루션을 더 명확하게 설명하기 위해, 실시예 또는 종래 기술을 설명하기 위한 첨부 도면이 이하에서 간략하게 소개된다. 분명하게, 다음의 설명에서 첨부 도면은 단지 본 발명의 일부 실시예이고, 당업자는 창의적인 노력 없이 첨부 도면으로부터 다른 도면을 도출할 수 있다.
도 1은 일 실시예에 따른 측면 확산 금속 산화물 반도체 전계 효과 트랜지스터의 개략적인 도면이다.
도 2는 도 1의 측면 확산 금속 산화물 반도체 전계 효과 트랜지스터의 부분적인 상면도이다.
본 발명의 실시예는 첨부 도면을 참조하여 이후에 더 완전하게 설명된다. 그러나, 본 발명의 다양한 실시예는 많은 상이한 형태로 구현될 수 있고 본원에 제시된 실시예에 제한되는 것으로서 해석되어서는 안된다. 오히려, 이들 실시예는 본 개시가 철저하고 완전해지도록 제공되고, 본 발명의 범위를 당업자에게 완전하게 전달할 것이다.
달리 정의되지 않으면, 본원에서 사용되는 모든 용어(기술적인 용어 및 과학적인 용어를 포함함)는 본 발명이 속하는 기술 분야의 당업자에 의해 일반적으로 이해되는 것과 동일한 의미를 갖는다. 또한 일반적으로 사용되는 사전에 정의된 것과 같은 용어는 관련 기술의 문맥에서 이들의 의미와 일치하는 의미를 갖는 것으로서 해석되어야하고 본원에서 분명하게 정의되지 않는 한 이상화된 의미 또는 지나치게 형식적인 의미로 해석되지 않을 것임을 이해할 수 있다. 본원에서 사용되는 용어 "및/또는"은 연관된 나열된 아이템 중 하나 이상의 임의의 조합 및 모든 조합을 포함한다.
본원에서 사용된 반도체 어휘는 당업자에 의해 일반적으로 사용되는 기술적인 용어이다. 예를 들어, P 타입 및 N 타입 불순물과 관련하여, 도핑 농도를 구별하기 위해, P+ 타입은 단순히 고농도로 도핑된 P 타입을 나타내고, P 타입은 중간 농도로 도핑된 P 타입을 나타내고, P- 타입은 저농도로 도핑된 P 타입을 나타낸다. N+ 타입은 고농도로 도핑된 N 타입을 나타내고, N 타입은 중간 농도로 도핑된 N 타입을 나타내고, N- 타입은 저농도로 도핑된 N 타입을 나타낸다.
도 1은 일 실시예에 따른 측면 확산 금속 산화물 반도체 전계 효과 트랜지스터의 개략적인 도면이고, P 타입 기판(110), N 웰(122), P 웰(124), N+ 소스(150) 및 P 웰(124)에 위치한 P+ 바디 영역(160), N 웰(122)의 N+ 드레인(140), P 웰(124)의 게이트 도핑된 영역(184), 및 소스(150)와 드레인(140) 사이에 위치한 필드 산화물 영역(170)을 포함한다. 폴리실리콘 게이트(182)는 멀티 세그먼트 구조를 갖는다. 드레인(140)에 가장 가까운 폴리실리콘 게이트(182)의 세그먼트는 다결정 전계 플레이트로서 역할을 하는 필드 산화물 영역(170)으로 확장된다. 소스(150)에 가장 가까운 폴리실리콘 게이트(182)의 세그먼트의 일단은 소스(150)로 확장된다. 도시된 실시예에서, 제 1 전도성 타입은 N 타입이고, 제 2 전도성 타입은 P 타입이다. 대안의 실시예에서, 제 1 전도성 타입은 P 타입이 될 수 있고, 제 2 전도성 타입은 N 타입이다.
전술된 측면 확산 금속 산화물 반도체 전계 효과 트랜지스터가 온 상태일 때, 전자가 소스(150)로부터 게이트 아래의 채널(도 1의 폴리실리콘 게이트(182)의 가장 좌측 세그먼트 아래의 서브 채널)로 주입된다. 게이트와 소스(150) 사이의 전위차 때문에, 도 1의 게이트 도핑된 영역(184)의 가장 좌측 영역으로 진입시키기 위해 채널 전자를 가속시키도록 높은 전계가 형성된다. 그 후에, 전자는 드레인(140)으로 이동하기 시작하고 제 2 서브채널(도 1의 좌측으로부터의 폴리실리콘 게이트(182)의 제 2 세그먼트 아래의 채널)에 진입하며, 유사하게 채널의 우측 상의 게이트 도핑된 영역(184)에 의해 가속된다. 유사하게, 전자는 소스(150)로부터 드레인(140)으로 이동 중에 인접한 두 게이트 도핑된 영역(184) 사이에서 연속적으로 가속된다.
일 실시예에서, LDMOSFET은 금속 배선층을 더 포함한다. 도 1을 참조하면, 도시된 실시예에서, 게이트 도핑된 영역(184)의 각각의 위에 폴리실리콘 게이트(182)의 두 세그먼트 사이의 갭에 금속 전극이 제공되어 금속 배선층이 형성된다. 게이트 도핑된 영역(184)의 각각은 금속 배선층(도 1에 도시되지 않음)을 통해 이들의 좌측 상의 폴리실리콘 게이트(182)의 세그먼트에 전기적으로 연결되어서, 폴리실리콘 게이트(182)의 각각의 세그먼트에 의해 형성된 서브 채널이 포화 영역에서 동작하는 것을 보장하여, 높은 전계 하에서 높은 캐리어 이동성을 제공한다.
온-저항을 더욱 감소시키도록 돕기 위해 더 많은 게이트 도핑된 영역(184)이 제공될 수 있다. 그러나, 장치 폭이 일정한 경우에, 더 많은 게이트 도핑된 영역(184)이 폭 방향으로 제공될수록, 게이트 도핑된 영역(184) 각각의 간격 및 폭은 더 작아진다는 것을 이해할 수 있다. 따라서, 제조 정확도가 충분히 높지 않은 상황 하에서, 설계에서 서로 분리된 도핑된 영역(184)이 제조 동안 하나로 서로 연결될 수 있고, 이는 RESURF의 효과를 잃게 하며 장치의 항복 전압 BV에 대한 역효과를 가질 수 있다. 따라서, 일 실시예에서, LDMOSFET은 소스와 드레인 사이의 연결 방향으로 3 내지 5 세트의 게이트 도핑된 영역(184)이 제공된다. 도시된 실시예에서, 도 1을 참조하면, 4 세트의 게이트 도핑된 영역(184)이 제공된다.
일 실시예에서, 게이트 도핑된 영역(184)의 각각의 세트는 복수의 게이트 도핑된 영역을 포함한다. 도 2를 참조하면, 각각의 세트에서 게이트 도핑된 영역(184)의 각각은 소스(150)와 드레인(140) 사이의 채널 전류에 수직인 방향으로 배열된다. 도 2는 소스(150)와 드레인(140) 사이의 채널 전류의 방향(즉, 소스(150)와 드레인(140) 사이의 연결 방향)이 X 축이고, 장치의 높이 방향이 Z 축으로 공간 직사각형 좌표 시스템을 설정하는 것을 도시하는 상면도이다. 복수의 게이트 도핑된 영역(184)은 X 축 방향 뿐만 아니라 Y 축 방향으로 (또는 XY 평면 상의 Y 축에 대한 특정 각도에서의 방향으로) 제공된다. 하나의 (즉, 단일) 게이트 도핑된 영역 구조와 비교하여, 이 구성은 P 웰(124)과 게이트 도핑된 영역(184) 사이의 전하 균형을 달성하는데 더 도움이 되는 한편, 주입 프로세스의 중복을 증가시켜서, 주입량의 작은 편차가 큰 내전압 변동을 일으키지 않는다. 이 구조는 또한 최대 전류 경로를 보장하고 P 웰(124)의 온-저항을 감소시킬 수 있다. 동시에, 이들 게이트 도핑된 영역(184)은 P 웰(124)을 공핍시키는 것을 도울 수 있어서 장치의 내전압을 향상시킬 수 있다.
일 실시예에서, 소스(150)와 드레인(140) 사이의 연결 방향으로의 인접 게이트 도핑된 영역(184) 사이의 간격은 0.8㎛ 이하이다. 이런 방식으로, 게이트 도핑된 영역(184)은 제조 동안 서로 연결되지 않고, 더 양호한 온-저항 감소 효과를 또한 얻을 수 있다. 이에 상응하여, 게이트 도핑된 영역(184)의 각각은 1㎛ 내지 2.5㎛의 폭(즉, 소스(150)와 드레인(140) 사이의 연결 방향으로의 크기)을 갖는다.
일 실시예에서, 게이트 도핑된 영역(184)은 0.8E13/㎠ 내지 1.5E13/㎠의 주입량, 0.8㎛의 접합 깊이, 및 1.0E17/㎤ 내지 2.0E17/㎤의 최고 농도를 갖는다. 전술된 조건 하에서, 장치는 대략 600V의 최소 항복 전압에 도달할 수 있다.
통상적인 구조와 비교하여, 전술된 LDMOSFET의 채널 전자의 수가 증가되고, 전자가 소스로부터 드레인으로 흐르는 동안 여러번 가속되는데, 이는 채널 전계 및 채널 전류에서의 증가와 동등하다. 따라서, 채널 저항이 감소되어서, 온-저항을 감소시킨다. 그 동안, 채널 저항의 감소는 드리프트 영역의 최적 공간을 향상시키는 것을 돕고, 드리프트 영역의 농도가 더 감소될 수 있어서, 장치의 내전압(항복 전압)을 향상시킬 수 있다. 대안으로, 내전압을 일정하게 유지하면서 드리프트 영역의 길이를 더 짧아지게 할 수 있어 장치 비용을 감소시킬 수 있다.
상세한 설명이 특정 실시예를 참조하여 도시되고 설명되었지만, 상세한 설명은 도시된 세부사항에 제한되는 것이 아니다. 수정은 청구항과 등가의 범위 및 영역 내에서 자세하게 이루어질 수 있다.

Claims (12)

  1. 측면 확산 금속 산화물 반도체 전계 효과 트랜지스터로서,
    기판과, 게이트와, 소스와, 드레인과, 바디 영역과, 상기 소스와 상기 드레인 사이의 위치한 필드 산화물 영역과,
    상기 기판 상에 형성된 제 1 웰(well) 영역 및 제 2 웰 영역을 포함하되,
    상기 제 1 웰 영역은 제 1 전도성 타입이고, 상기 제 2 웰 영역은 제 2 전도성 타입이며, 상기 제 1 전도성 타입 및 상기 제 2 전도성 타입은 반대 전도성 타입이고,
    상기 소스 및 상기 바디 영역은 상기 제 2 웰 영역에 배치되며, 상기 드레인은 상기 제 1 웰 영역에 배치되고,
    상기 게이트 아래의 상기 제 2 웰 영역의 내부에 상기 제 1 전도성 타입의 복수의 게이트 도핑된 영역이 제공되며,
    상기 게이트의 폴리실리콘 게이트는 멀티 세그먼트 구조를 갖고, 상기 세그먼트는 서로 분리되며,
    상기 게이트 도핑된 영역의 각각은 상기 폴리실리콘 게이트의 두 세그먼트 사이의 갭 아래에 배치되고,
    상기 게이트 도핑된 영역의 각각은 상기 소스에 인접한 상기 폴리실리콘 게이트의 세그먼트에 금속 배선층을 통해 전기적으로 연결되며, 상기 소스에 인접한 상기 폴리실리콘 게이트의 세그먼트는 상기 게이트 도핑된 영역의 양측에 위치하는 상기 폴리실리콘 게이트의 두 세그먼트 중 하나이고,
    상기 소스와 상기 드레인 사이의 채널 전류의 방향은 X축이고, 상기 채널 전류에 수직인 방향은 Y축이며,
    상기 복수의 게이트 도핑된 영역은 상기 X축과 상기 Y축에 의해 형성되는 XY 평면 상의 상기 Y축에 대하여 특정 각도를 갖는 방향으로 제공되는
    측면 확산 금속 산화물 반도체 전계 효과 트랜지스터.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 게이트의 상기 폴리실리콘 게이트의 세그먼트는 상기 필드 산화물 영역으로 확장되는
    측면 확산 금속 산화물 반도체 전계 효과 트랜지스터.
  3. 삭제
  4. 제 1 항에 있어서,
    상기 폴리실리콘 게이트의 각각의 인접한 두 세그먼트에는 상기 소스와 상기 드레인 사이의 상기 채널 전류에 수직인 방향으로 상기 복수의 게이트 도핑된 영역이 또한 제공되는
    측면 확산 금속 산화물 반도체 전계 효과 트랜지스터.
  5. 제 1 항에 있어서,
    상기 소스와 상기 드레인 사이의 상기 채널 전류의 방향으로 인접한 게이트 도핑된 영역들 사이의 간격이 0.8㎛ 이하인
    측면 확산 금속 산화물 반도체 전계 효과 트랜지스터.
  6. 제 1 항에 있어서,
    3 내지 5 세트의 상기 게이트 도핑된 영역이 상기 소스와 상기 드레인 사이의 상기 채널 전류의 방향으로 제공되고, 상기 게이트 도핑된 영역의 각각의 세트는 적어도 하나의 게이트 도핑된 영역을 포함하는
    측면 확산 금속 산화물 반도체 전계 효과 트랜지스터.
  7. 제 6 항에 있어서,
    상기 게이트 도핑된 영역의 각각의 세트는 복수의 게이트 도핑된 영역을 포함하고, 각각의 세트의 상기 게이트 도핑된 영역의 각각은 상기 소스와 상기 드레인 사이의 상기 채널 전류에 수직인 방향으로 배열되는
    측면 확산 금속 산화물 반도체 전계 효과 트랜지스터.
  8. 제 6 항에 있어서,
    상기 게이트 도핑된 영역의 각각은 1㎛ 내지 2.5㎛ 의 폭을 갖는
    측면 확산 금속 산화물 반도체 전계 효과 트랜지스터.
  9. 제 1 항에 있어서,
    상기 게이트 도핑된 영역의 각각은 1.0E17/㎤ 내지 2.0E17/㎤의 최고 농도를 갖는
    측면 확산 금속 산화물 반도체 전계 효과 트랜지스터.
  10. 제 9 항에 있어서,
    상기 게이트 도핑된 영역의 각각은 0.8E13/㎠ 내지 1.5E13/㎠의 주입량을 갖는
    측면 확산 금속 산화물 반도체 전계 효과 트랜지스터.
  11. 제 9 항에 있어서,
    상기 게이트 도핑된 영역의 각각은 0.8㎛의 접합 깊이를 갖는
    측면 확산 금속 산화물 반도체 전계 효과 트랜지스터.
  12. 제 1 항에 있어서,
    상기 제 1 전도성 타입은 N-타입이고, 상기 제 2 전도성 타입은 P-타입인
    측면 확산 금속 산화물 반도체 전계 효과 트랜지스터.
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Families Citing this family (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN106158956B (zh) * 2015-04-08 2020-02-11 无锡华润上华科技有限公司 具有resurf结构的ldmosfet及其制造方法
CN106483758B (zh) 2015-09-02 2019-08-20 无锡华润上华科技有限公司 光学邻近效应修正方法和***
CN106653842B (zh) 2015-10-28 2019-05-17 无锡华润上华科技有限公司 一种具有静电释放保护结构的半导体器件
CN107465983B (zh) 2016-06-03 2021-06-04 无锡华润上华科技有限公司 Mems麦克风及其制备方法
CN110518056B (zh) * 2019-08-02 2021-06-01 无锡华润上华科技有限公司 横向扩散金属氧化物半导体器件及其制造方法
CN110534514B (zh) * 2019-09-05 2022-01-25 电子科技大学 一种横向高压功率半导体器件的槽型终端结构
CN113130647B (zh) * 2019-12-30 2023-01-13 比亚迪半导体股份有限公司 碳化硅器件及其制备方法和半导体器件

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20100032712A1 (en) * 2008-08-05 2010-02-11 Cambridge Semiconductor Limited Power semiconductor device and a method of forming a power semiconductor device
US20150061008A1 (en) * 2009-11-13 2015-03-05 Maxim Integrated Products, Inc. Ldmosfet having a bridge region formed between two gate electrodes

Family Cites Families (28)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6873011B1 (en) 2004-02-24 2005-03-29 System General Corp. High voltage and low on-resistance LDMOS transistor having equalized capacitance
WO2008076961A1 (en) * 2006-12-15 2008-06-26 Board Of Regents, The University Of Texas System Nitric oxide increases switching of t cells into t regulatory cells
KR101049876B1 (ko) * 2008-11-19 2011-07-19 주식회사 동부하이텍 횡형 디모스 소자 및 그의 제조 방법
US8319283B2 (en) * 2009-05-29 2012-11-27 Freescale Semiconductor, Inc. Laterally diffused metal oxide semiconductor (LDMOS) device with multiple gates and doped regions
US8704312B2 (en) * 2010-01-05 2014-04-22 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. High voltage devices and methods of forming the high voltage devices
CN101969074B (zh) 2010-10-28 2012-07-04 电子科技大学 一种高压ldmos器件
US8610206B2 (en) 2011-02-18 2013-12-17 Macronix International Co., Ltd. Split-gate lateral diffused metal oxide semiconductor device
CN104332494B (zh) 2013-07-22 2018-09-21 无锡华润上华科技有限公司 一种绝缘栅双极晶体管及其制造方法
CN104347401B (zh) 2013-07-29 2017-05-10 无锡华润上华半导体有限公司 一种绝缘栅双极性晶体管的制造方法
CN104425245B (zh) 2013-08-23 2017-11-07 无锡华润上华科技有限公司 反向导通绝缘栅双极型晶体管制造方法
CN104701356B (zh) 2013-12-06 2018-01-12 无锡华润上华科技有限公司 半导体器件及其制备方法
CN104760925B (zh) 2014-01-07 2016-05-25 无锡华润上华半导体有限公司 一种薄膜支撑梁的制作方法
CN105097776B (zh) 2014-04-29 2018-03-16 无锡华润上华科技有限公司 绝缘体上硅器件及其金属间介质层结构和制造方法
CN105097795B (zh) 2014-05-04 2018-03-16 无锡华润上华科技有限公司 具esd保护结构的半导体器件
CN105092110A (zh) 2014-05-06 2015-11-25 无锡华润上华半导体有限公司 压力传感器及其制作方法
CN105095537B (zh) 2014-05-08 2018-03-23 无锡华润上华科技有限公司 高压器件的仿真模型和高压器件仿真模型的建模方法
CN105174203B (zh) 2014-05-28 2016-09-28 无锡华润上华半导体有限公司 基于mems的传感器的制作方法
CN105223781B (zh) 2014-06-26 2017-06-23 无锡华润上华科技有限公司 一种步进式光刻机对位监控方法
CN105226101B (zh) 2014-06-30 2018-04-10 无锡华润上华科技有限公司 结型场效应晶体管及其制造方法
CN105445529B (zh) 2014-07-28 2018-06-15 无锡华润上华科技有限公司 具有时序控制功能的掉电检测电路
CN105446404B (zh) 2014-08-19 2017-08-08 无锡华润上华半导体有限公司 低压差线性稳压器电路、芯片和电子设备
JP6534813B2 (ja) 2015-01-08 2019-06-26 ルネサスエレクトロニクス株式会社 半導体装置および半導体装置の製造方法
CN105789306B (zh) 2015-01-12 2020-12-08 台湾积体电路制造股份有限公司 半导体器件及其制造方法
CN106158921B (zh) 2015-04-10 2019-07-23 无锡华润上华科技有限公司 具resurf结构的横向扩散金属氧化物半导体场效应管
CN106158957B (zh) 2015-04-10 2019-05-17 无锡华润上华科技有限公司 横向扩散金属氧化物半导体场效应管及其制造方法
CN106303867B (zh) 2015-05-13 2019-02-01 无锡华润上华科技有限公司 Mems麦克风
CN106483758B (zh) 2015-09-02 2019-08-20 无锡华润上华科技有限公司 光学邻近效应修正方法和***
CN106571370B (zh) 2015-10-08 2019-12-10 无锡华润上华科技有限公司 基于soi工艺的介质电容

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20100032712A1 (en) * 2008-08-05 2010-02-11 Cambridge Semiconductor Limited Power semiconductor device and a method of forming a power semiconductor device
US20150061008A1 (en) * 2009-11-13 2015-03-05 Maxim Integrated Products, Inc. Ldmosfet having a bridge region formed between two gate electrodes

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Publication number Publication date
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JP6615348B2 (ja) 2019-12-04
EP3385993A4 (en) 2019-07-24
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EP3385993B1 (en) 2022-11-02
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JP2018535559A (ja) 2018-11-29
WO2017092419A1 (zh) 2017-06-08
CN106816468B (zh) 2020-07-10

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