KR102131340B1 - Light emitting device and lighting systme having thereof - Google Patents

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Abstract

실시 예는 발광 소자에 관한 것이다.
실시 예에 따른 발광 소자는, 캐비티를 갖는 몸체; 상기 캐비티 내에 배치된 복수의 리드 프레임; 상기 복수의 리드 프레임 중 적어도 하나의 위에 배치된 발광 칩; 상기 발광 칩을 덮는 제1수지층; 상기 제1수지층 위에 상기 발광 칩으로부터 방출된 광의 일부를 변환하는 제1양자점을 갖는 제2수지층; 및 상기 제2수지층의 상면 전체에 상기 제2수지층의 재질과 다른 재질의 제1보호층을 포함한다.The embodiment relates to a light emitting device.
The light emitting device according to the embodiment includes a body having a cavity; A plurality of lead frames disposed in the cavity; A light emitting chip disposed on at least one of the plurality of lead frames; A first resin layer covering the light emitting chip; A second resin layer having a first quantum dot for converting a part of light emitted from the light emitting chip on the first resin layer; And a first protective layer made of a material different from the material of the second resin layer on the entire upper surface of the second resin layer.

Description

발광 소자 및 이를 구비한 조명 시스템{LIGHT EMITTING DEVICE AND LIGHTING SYSTME HAVING THEREOF}LIGHT EMITTING DEVICE AND LIGHTING SYSTME HAVING THEREOF}

실시 예는 발광 소자 및 이를 구비한 조명 시스템에 관한 것이다.The embodiment relates to a light emitting device and a lighting system having the same.

발광 다이오드(LED)는 전기 에너지를 빛으로 변환하는 반도체 소자의 일종이다. 발광 다이오드는 형광등, 백열등 등 기존의 광원에 비해 저소비전력, 반영구적인 수명, 빠른 응답속도, 안전성, 환경친화성의 장점을 가진다. 이에 기존의 광원을 발광 다이오드로 대체하기 위한 많은 연구가 진행되고 있으며, 발광 다이오드는 실내 및 실외에서 사용되는 각종 램프, 액정표시장치, 전광판, 가로등 등의 조명 장치의 광원으로서 사용이 증가되고 있는 추세이다.A light emitting diode (LED) is a type of semiconductor device that converts electrical energy into light. The light emitting diode has advantages of low power consumption, semi-permanent life, fast response speed, safety, and environmental friendliness compared to conventional light sources such as fluorescent lamps and incandescent lamps. Accordingly, many studies have been conducted to replace existing light sources with light emitting diodes, and light emitting diodes are increasingly used as light sources for lighting devices such as various lamps, liquid crystal displays, electronic displays, and street lights used indoors and outdoors. to be.

실시 예는 새로운 구조의 발광 소자를 제공한다.The embodiment provides a light emitting device having a new structure.

실시 예는 발광 칩 상에 파장을 변환하는 양자점을 갖는 발광 소자를 제공한다. The embodiment provides a light emitting device having a quantum dot for converting the wavelength on the light emitting chip.

실시 예는 발광 칩 상에 양자점을 갖는 수지층 및 상기 수지층의 표면을 산소나 수소로부터 보호하는 보호층을 포함하는 발광 소자를 제공한다.An embodiment provides a light emitting device comprising a resin layer having a quantum dot on a light emitting chip and a protective layer protecting the surface of the resin layer from oxygen or hydrogen.

실시 예는 발광 칩 상에 양자점을 갖는 적어도 하나의 수지층의 하면 및 상면을 각각 보호하는 보호층을 갖는 발광 소자를 제공한다.An embodiment provides a light emitting device having a protective layer that protects a lower surface and an upper surface of at least one resin layer having quantum dots on a light emitting chip, respectively.

실시 예에 따른 발광 소자는, 캐비티를 갖는 몸체; 상기 캐비티 내에 배치된 복수의 리드 프레임; 상기 복수의 리드 프레임 중 적어도 하나의 위에 배치된 발광 칩; 상기 발광 칩을 덮는 제1수지층; 상기 제1수지층 위에 상기 발광 칩으로부터 방출된 광의 일부를 변환하는 제1양자점을 갖는 제2수지층; 및 상기 제2수지층의 상면 전체에 상기 제2수지층의 재질과 다른 재질의 제1보호층을 포함한다.The light emitting device according to the embodiment includes a body having a cavity; A plurality of lead frames disposed in the cavity; A light emitting chip disposed on at least one of the plurality of lead frames; A first resin layer covering the light emitting chip; A second resin layer having a first quantum dot for converting a part of light emitted from the light emitting chip on the first resin layer; And a first protective layer made of a material different from the material of the second resin layer on the entire upper surface of the second resin layer.

실시 예는 발광 칩 상에 양자점을 갖는 발광 소자를 제공할 수 있다.The embodiment may provide a light emitting device having a quantum dot on the light emitting chip.

실시 예는 발광 칩이 패키징된 발광 소자에 있어서, 수지층 내의 양자점의 특성 저하를 방지할 수 있다.In an embodiment, in a light emitting device in which a light emitting chip is packaged, it is possible to prevent deterioration of characteristics of quantum dots in a resin layer.

실시 예는 수지층 내의 양자점에 의해 파장을 변환함으로써, 고색재현이 가능한 발광 소자를 제공할 수 있다.The embodiment can provide a light emitting device capable of high color reproduction by converting the wavelength by quantum dots in the resin layer.

실시 예는 파장 변환하는 양자점을 갖는 발광 소자의 신뢰성을 개선시켜 줄 수 있다. The embodiment may improve reliability of a light emitting device having a quantum dot that converts wavelengths.

실시 예는 발광 칩의 신뢰성을 개선시켜 줄 수 있다. The embodiment can improve the reliability of the light emitting chip.

실시 예는 발광 소자 및 이를 구비한 라이트 유닛의 신뢰성을 개선시켜 줄 수 있다.The embodiment can improve the reliability of the light emitting element and the light unit having the same.

도 1은 제1실시 예에 따른 발광 소자의 측 단면도이다.
도 2는 제2실시 예에 따른 발광 소자의 측 단면도이다.
도 3은 제3실시 예에 따른 발광 소자의 측 단면도이다.
도 4는 제4실시 예에 따른 발광 소자의 측 단면도이다.
도 5는 실시 예에 따른 발광 소자를 갖는 표시장치의 일 예를 나타낸 사시도이다.
도 6은 실시 예에 따른 발광 소자를 갖는 표시장치의 다른 예를 나타낸 사시도이다.
도 7은 실시 예에 따른 발광 소자를 갖는 조명 장치를 나타낸 도면이다.1 is a side cross-sectional view of a light emitting device according to a first embodiment.
2 is a side cross-sectional view of a light emitting device according to a second embodiment.
3 is a side cross-sectional view of a light emitting device according to a third embodiment.
4 is a side cross-sectional view of a light emitting device according to a fourth embodiment.
5 is a perspective view illustrating an example of a display device having a light emitting device according to an embodiment.
6 is a perspective view showing another example of a display device having a light emitting device according to an embodiment.
7 is a view showing a lighting device having a light emitting device according to an embodiment.

실시 예들의 설명에 있어서, 각 층(막), 영역, 패턴 또는 구조물들이 기판, 각 층(막), 영역, 패드 또는 패턴들의 "상/위(on)"에 또는 "하/아래(under)"에 형성되는 것으로 기재되는 경우에 있어, "상/위(on)"와 "하/아래(under)"는 "직접(directly)" 또는 "다른 층을 개재하여 (indirectly)" 형성되는 것을 모두 포함한다. 또한 각 층 또는 각 구조물의 상/위 또는 하/아래에 대한 기준은 도면을 기준으로 설명한다. 도면에서 각층 또는 각 구조물의 두께나 크기는 설명의 편의 및 명확성을 위하여 과장되거나 생략되거나 또는 개략적으로 도시되었다. 또한 각 구성요소의 크기는 실제크기를 전적으로 반영하는 것은 아니다.
In the description of the embodiments, each layer (film), region, pattern or structure may be "on/on" or "under/under" the substrate, each layer (film), region, pad or pattern. In the case of being described as being formed in ", both "on/top" and "under/under" are formed "directly" or "indirectly" through another layer. Includes. In addition, the criteria for the top/bottom/bottom/bottom of each floor or each structure will be described based on the drawings. In the drawings, the thickness or size of each layer or each structure is exaggerated, omitted, or schematically illustrated for convenience and clarity. Also, the size of each component does not entirely reflect the actual size.

이하, 첨부된 도면을 참조하여 제1실시 예에 따른 발광 소자에 대해 설명한다.Hereinafter, a light emitting device according to a first embodiment will be described with reference to the accompanying drawings.

도 1은 제1실시 예에 따른 발광 소자의 측 단면도이다. 1 is a side cross-sectional view of a light emitting device according to a first embodiment.

도 1을 참조하면, 발광 소자(100)는 몸체(11), 간극부(15), 제1 및 제2리드 프레임(21,31), 발광 칩(41), 상기 발광 칩(41) 위에 배치된 제1수지층(51), 상기 제1수지층(51) 위에 배치되며 양자점(quantum dot)(58)을 갖는 제2수지층(52), 및 상기 제2수지층(52) 위에 상기 제2수지층(52)의 재질과 다른 재질의 보호층(53)을 포함한다. Referring to FIG. 1, the light emitting device 100 is disposed on the body 11, the gap portion 15, the first and second lead frames 21 and 31, the light emitting chip 41, and the light emitting chip 41. The first resin layer 51, the second resin layer 52 disposed on the first resin layer 51 and having a quantum dot 58, and the second resin layer 52 2 includes a protective layer 53 of a material different from the material of the resin layer 52.

상기 몸체(11)는 절연 재질, 투광성 재질, 전도성 재질 중에서 선택될 수 있으며, 예컨대 폴리프탈아미드(PPA: Polyphthalamide)와 같은 수지 재질, 실리콘(Si), 금속 재질, PSG(photo sensitive glass), 사파이어(Al2O3), 실리콘, 에폭시, 폴리머 계열, 플라스틱 계열과 같은 인쇄회로기판(PCB) 중 적어도 하나로 형성될 수 있다. 예를 들면, 상기 몸체(11)는 폴리프탈아미드(PPA: Polyphthalamide), 실리콘 또는 에폭시 재질 중에서 선택될 수 있다. 상기 몸체(11)의 형상은 위에서 볼 때, 다각형, 원형, 또는 곡면을 갖는 형상을 포함할 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다. The body 11 may be selected from an insulating material, a light transmitting material, and a conductive material, for example, a resin material such as polyphthalamide (PPA), silicon (Si), metal material, PSG (photo sensitive glass), sapphire (Al 2 O 3 ), silicon, epoxy, polymer-based, plastic-based printed circuit boards (PCB), such as at least one may be formed. For example, the body 11 may be selected from polyphthalamide (PPA), silicone or epoxy material. The shape of the body 11 may include a shape having a polygon, a circular shape, or a curved surface when viewed from above, but is not limited thereto.

또한 상기 몸체(11) 내에는 산무수물, 산화 방지제, 이형재, 광 반사재, 무기 충전재, 경화 촉매, 광 안정제, 윤활제, 이산화티탄 중에서 선택적으로 첨가될 수 있다. 함유하고 있다. 상기 몸체(11)는 에폭시 수지, 변성 에폭시 수지, 실리콘 수지, 변성 실리콘 수지, 아크릴 수지, 우레탄 수지로 이루어지는 군으로부터 선택되는 적어도 1종에 의해 성형될 수 있다. 예를 들면, 트리글리시딜이소시아누레이트, 수소화 비스페놀 A 디글리시딜에테르 등으로 이루어지는 에폭시 수지와, 헥사히드로 무수 프탈산, 3-메틸헥사히드로 무수 프탈산4-메틸헥사히드로 무수프탈산 등으로 이루어지는 산무수물을, 에폭시 수지에 경화 촉진제로서 DBU(1,8-Diazabicyclo(5,4,0)undecene-7), 조촉매로서 에틸렌 그리콜, 산화티탄 안료, 글래스 섬유를 첨가하고, 가열에 의해 부분적으로 경화 반응시켜 B 스테이지화한 고형상 에폭시 수지 조성물을 사용할 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다. Also, in the body 11, an acid anhydride, an antioxidant, a release material, a light reflecting material, an inorganic filler, a curing catalyst, a light stabilizer, a lubricant, and titanium dioxide may be selectively added. It contains. The body 11 may be molded by at least one member selected from the group consisting of epoxy resin, modified epoxy resin, silicone resin, modified silicone resin, acrylic resin, and urethane resin. For example, an epoxy resin composed of triglycidyl isocyanurate, hydrogenated bisphenol A diglycidyl ether, and the like, and an acid composed of hexahydro phthalic anhydride, 3-methylhexahydro phthalic anhydride, 4-methylhexahydro phthalic anhydride, and the like. Anhydride is added to the epoxy resin as a curing accelerator, DBU (1,8-Diazabicyclo(5,4,0)undecene-7), ethylene glycol, titanium oxide pigment, and glass fibers are added as a cocatalyst, and partially A solid epoxy resin composition B-staged by curing reaction may be used, but is not limited thereto.

또한 상기 몸체(11) 내에 차광성 물질 또는 확산제를 혼합하여 투과하는 광을 저감시켜 줄 수 있다. 또한 상기 몸체(11)는 소정의 기능을 갖게 하기 위해서, 열 경화성수지에 확산제, 안료, 형광 물질, 반사성 물질, 차광성 물질, 광 안정제, 윤활제로 이루어지는 군으로부터 선택되는 적어도 1종을 적절히 혼합하여도 된다.In addition, light may be reduced by mixing a light-shielding material or a diffusion agent in the body 11. In addition, in order to have a predetermined function, the body 11 is suitably mixed with at least one selected from the group consisting of a diffusion agent, a pigment, a fluorescent material, a reflective material, a light-shielding material, a light stabilizer, and a lubricant, in a thermosetting resin You may do.

다른 예로서, 상기 몸체(11)는 투광성 물질 또는 입사 광의 파장을 변환시키는 변환 물질을 갖는 투광성 물질로 형성될 수 있다. 이러한 투광성의 몸체(11)는 일부 광을 측 방향으로 투과시켜 줄 수 있다.As another example, the body 11 may be formed of a translucent material or a transmissive material having a conversion material that converts the wavelength of incident light. The translucent body 11 may transmit some light in a lateral direction.

상기 몸체(11)의 상측에는 캐쏘드 마크(cathode mark)가 형성될 수 있다. 상기 캐쏘드 마크는 상기 발광 소자(100)의 제1 리드 프레임(21) 또는 제2 리드 프레임(31)을 구분하여, 상기 제1,2 리드 프레임(21,31)의 극성의 방향에 대한 혼동을 방지할 수 있다.A cathode mark may be formed on the upper side of the body 11. The cathode mark distinguishes the first lead frame 21 or the second lead frame 31 of the light emitting device 100, and is confused about the direction of the polarity of the first and second lead frames 21 and 31 Can be prevented.

실시 예는 캐비티(12)를 포함하며, 상기 캐비티(12)는 상기 몸체(11)에 의해 형성될 수 있다. 상기 캐비티(12)는 상기 몸체(11)의 상부가 개방된 오목한 형상을 포함한다. 상기 캐비티(12)의 측면은 상기 발광 소자(100)의 하면에 대해 경사진 면으로 형성되거나, 수직한 면으로 형성될 수 있다. 상기 캐비티(12)의 측면을 경사진 측면으로 형성한 경우, 광 추출 효율은 개선될 수 있다. The embodiment includes a cavity 12, and the cavity 12 may be formed by the body 11. The cavity 12 includes a concave shape in which the upper portion of the body 11 is opened. The side surface of the cavity 12 may be formed as an inclined surface with respect to the bottom surface of the light emitting device 100 or may be formed as a vertical surface. When the side surface of the cavity 12 is formed as an inclined side surface, light extraction efficiency may be improved.

상기 캐비티(12)는 소자 탑측에서 볼 때, 원 형상, 타원 형상, 다각형 형상으로 형성될 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다. 상기 캐비티(12)의 둘레 면은 곡면 또는 각면으로 형성될 수 있으며, 상기 캐비티(12)의 바닥부에 대해 경사지거나 수직하게 형성될 수 있다. 다른 예로서, 상기 캐비티(12)는 상기 몸체(11)와 다른 물질로 형성될 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다.The cavity 12 may be formed in a circle shape, an ellipse shape, or a polygonal shape when viewed from the element top side, but is not limited thereto. The circumferential surface of the cavity 12 may be formed as a curved surface or an angled surface, and may be inclined or perpendicular to the bottom portion of the cavity 12. As another example, the cavity 12 may be formed of a material different from the body 11, but is not limited thereto.

상기 캐비티(12) 내에는 복수의 리드 프레임(21,31)이 배치되며, 상기 복수의 리드 프레임(21,31)은 상기 몸체(11)와 결합될 수 있다. 여기서, 상기 간극부(15)는 복수의 리드 프레임(21,31) 사이에 배치되며, 복수의 리드 프레임(21,31) 사이를 이격되게 배치된다. 상기 간극부(15)는 상기 몸체(11)의 재질과 동일한 재질이거나, 다른 재질로 형성될 수 있다.A plurality of lead frames 21 and 31 are disposed in the cavity 12, and the plurality of lead frames 21 and 31 may be combined with the body 11. Here, the gap portion 15 is disposed between the plurality of lead frames 21 and 31, and is spaced apart between the plurality of lead frames 21 and 31. The gap portion 15 may be formed of the same material as the material of the body 11 or may be formed of a different material.

상기 복수의 리드 프레임(21,31)은 소정 두께를 갖는 금속 플레이트로 형성될 수 있으며, 상기 금속 플레이트의 표면에 다른 금속층이 도금될 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다. 상기 복수의 리드 프레임(21,31)은 금속 재질, 예를 들어, 티타늄(Ti), 구리(Cu), 니켈(Ni), 금(Au), 크롬(Cr), 탄탈늄(Ta), 백금(Pt), 주석(Sn), 은(Ag), 인(P) 중 적어도 하나를 포함할 수 있다. 또한, 상기 각 리드 프레임(21,31)은 다층 구조를 가지도록 형성될 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다. 상기 각 리드 프레임(21,31)의 두께는 0.3mm~1.5mm일 수 있으며, 예컨대 0.3mm~0.8mm를 포함한다. The plurality of lead frames 21 and 31 may be formed of a metal plate having a predetermined thickness, and other metal layers may be plated on the surface of the metal plate, but is not limited thereto. The plurality of lead frames (21,31) is a metal material, for example, titanium (Ti), copper (Cu), nickel (Ni), gold (Au), chromium (Cr), tantalum (Ta), platinum It may include at least one of (Pt), tin (Sn), silver (Ag), and phosphorus (P). In addition, each of the lead frames 21 and 31 may be formed to have a multi-layer structure, but is not limited thereto. The thickness of each lead frame 21 and 31 may be 0.3 mm to 1.5 mm, for example, including 0.3 mm to 0.8 mm.

상기 복수의 리드 프레임(21,31)은 캐비티(12) 내에 배치된 2개의 리드 프레임 예컨대, 제1 및 제2리드 프레임(21,31)으로 이루어지거나, 서로 분리된 3개의 리드 프레임이 배치될 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다. The plurality of lead frames 21 and 31 may include two lead frames disposed in the cavity 12, for example, first and second lead frames 21 and 31, or three lead frames separated from each other may be arranged. It may, but is not limited to this.

상기 제1리드 프레임(21)은 상기 몸체(11)에 결합되고 캐비티(12)의 제1영역에 노출되고, 상기 제2리드 프레임(31)은 상기 몸체(11)에 결합되고 캐비티(12)의 제2영역에 노출된다. The first lead frame 21 is coupled to the body 11 and exposed to a first area of the cavity 12, and the second lead frame 31 is coupled to the body 11 and cavity 12 It is exposed to the second area.

발광 칩(41)은 제2리드 프레임(31) 위에 배치되며, 상기 제2리드 프레임(31)과 접착 부재(미도시)로 접착될 수 있다. 상기 접착 부재는 절연성 또는 전도성의 재질을 포함하며, 이에 대해 한정하지는 않는다. 상기 발광 칩(41)은 와이어(43)로 제1 및 제2리드 프레임(21,31)과 연결되거나, 플립 방식으로 연결되거나, 다이 본딩 방식으로 연결될 수 있다. 이러한 발광 칩(41)은 제1 및 제2리드 프레임(21,31)과 전기적으로 연결될 수 있다. The light emitting chip 41 is disposed on the second lead frame 31 and may be adhered to the second lead frame 31 with an adhesive member (not shown). The adhesive member includes an insulating or conductive material, but is not limited thereto. The light emitting chip 41 may be connected to the first and second lead frames 21 and 31 by a wire 43, or may be connected by a flip method or a die bonding method. The light emitting chip 41 may be electrically connected to the first and second lead frames 21 and 31.

상기 발광 칩(41)은 청색, 자외선, 적색, 녹색, 청색, 백색과 같은 광을 발광할 수 있으며, 자외선 또는 청색 발광 칩을 예로 들 수 있다. 상기 발광 칩(41)은 n형 반도체층, 활성층 p형 반도체층을 포함한다. 상기 n형 및 p형 반도체층은, 예로서 II족-VI족 화합물 반도체 및 III족-V족 화합물 반도체 중에서 적어도 하나로 구현될 수 있다. 상기 반도체층은 GaN, AlN, AlGaN, InGaN, InN, InAlGaN, AlInN, AlGaAs, GaP, GaAs, GaAsP, AlGaInP, GaP 중 적어도 하나를 포함한다. 상기 활성층은, 예로서 II족-VI족 및 III족-V족 화합물 반도체 중에서 적어도 하나로 구현될 수 있다. 상기 활성층은 복수의 우물층과 복수의 장벽층이 적층되어 구현될 수 있으며, 예를 들어, InGaN/GaN, InGaN/AlGaN, InAlGaN/InAlGaN, 또는 GaN/AlGaN와 같은 주기로 구현될 수 있다.
The light emitting chip 41 may emit light such as blue, ultraviolet light, red, green, blue, and white, and examples thereof include ultraviolet light or blue light emitting chips. The light emitting chip 41 includes an n-type semiconductor layer and an active layer p-type semiconductor layer. The n-type and p-type semiconductor layers may be implemented, for example, at least one of a group II-VI compound semiconductor and a group III-V compound semiconductor. The semiconductor layer includes at least one of GaN, AlN, AlGaN, InGaN, InN, InAlGaN, AlInN, AlGaAs, GaP, GaAs, GaAsP, AlGaInP, GaP. The active layer may be embodied as at least one of a group II-VI group and a group III-V compound semiconductor. The active layer may be implemented by stacking a plurality of well layers and a plurality of barrier layers, for example, InGaN/GaN, InGaN/AlGaN, InAlGaN/InAlGaN, or GaN/AlGaN.

상기 캐비티(12) 내에는 다수의 수지층이 형성될 수 있으며, 다수의 수지층 중 적어도 하나에는 양자점이 첨가될 수 있다. 상기 다수의 수지층은 예컨대, 제1 및 제2수지층(52)을 포함하며, 상기 제1수지층(51)은 투명한 층 예컨대, 실리콘 또는 에폭시와 같은 투명한 수지 재질로 형성될 수 있다. 상기 제1수지층(51)에는 양자점, 벌크 재질의 형광체나 확산제, 산란제와 같은 불순물이 첨가되지 않을 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다.A plurality of resin layers may be formed in the cavity 12, and quantum dots may be added to at least one of the plurality of resin layers. The plurality of resin layers include, for example, first and second resin layers 52, and the first resin layer 51 may be formed of a transparent layer, for example, a transparent resin material such as silicone or epoxy. Impurities such as a quantum dot, a bulk material, a phosphor or a diffusing agent, or a scattering agent may not be added to the first resin layer 51, but is not limited thereto.

상기 제1수지층(51)은 발광 칩(41)을 커버하는 층으로서, 상기 제2리드 프레임(31)위에 배치된 발광 칩(41)의 표면을 밀봉하게 된다. 상기 제1수지층(51)의 상면은 상기 와이어(43)의 고점보다 높게 배치될 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다. 상기 제1수지층(51)은 상기 캐비티(12)의 깊이(T1)의 20% 내지 45% 범위의 두께(T2)로 형성되거나, 200㎛ 내지 450㎛ 범위로 형성될 수 있다. 상기 제1수지층(51)의 두께(T2)는 광의 이동을 가이드하고, 또 양자점(58)을 발광 칩(41)로부터 이격시켜 줄 수 있다.The first resin layer 51 is a layer covering the light emitting chip 41 and seals the surface of the light emitting chip 41 disposed on the second lead frame 31. The upper surface of the first resin layer 51 may be disposed higher than the high point of the wire 43, but is not limited thereto. The first resin layer 51 may be formed to a thickness T2 in a range of 20% to 45% of the depth T1 of the cavity 12, or may be formed in a range of 200 μm to 450 μm. The thickness T2 of the first resin layer 51 guides the movement of light and may separate the quantum dots 58 from the light emitting chip 41.

제2수지층(52)은 양자점(58)을 갖고, 제1수지층(51) 위에 접착된다. 상기 양자점(58)은 반도체 물질로 형성되거나, 단일 성분 또는 다수의 물질의 화합물로 형성될 수 있다. 상기 양자점(58)은 코어 구조만 지닌 단일 구조이거나 코어-쉘 구조의 이중 구조를 지닌 것일 수 있다.The second resin layer 52 has quantum dots 58 and is adhered to the first resin layer 51. The quantum dot 58 may be formed of a semiconductor material, or a single component or a compound of multiple materials. The quantum dot 58 may be a single structure having only a core structure or a dual structure having a core-shell structure.

상기 양자점(58)은 실리콘, CdS, CdSe, CdTe, ZnS, ZnTe, CdSeS, CdSeTe, ZnSeTe, GaN, GaAs, AlN, AlAs, InP, InP, InAs, GaNAs, AlNAs, GaInNP 또는 GaInNAs 중 적어도 하나를 포함한다. 상기 양자점(58)은 나노 사이즈의 형광체로 정의될 수 있으며, 그 입자 사이즈를 조절하여 가시광선 영역의 광을 발광시켜 줄 수 있다. 이러한 양자점(58)의 입자 사이즈는 30nm 이하 예컨대, 1~30nm 범위이며, 입자가 작을수록 짧은 파장의 광을, 입자 사이즈가 클수록 긴 파장의 광을 발생하게 된다. 이러한 양자점(58)의 입자 사이즈에 의해 적색, 녹색, 황색, 청색과 같은 가시 광선 영역의 광을 발광시켜 줄 수 있다. 이러한 양자점(58)의 사이즈에 따라 파장 차이가 발생되므로, 양자점(58) 중 작은 입자는 큰 입자보다 상부 층에 배치될 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다. 여기서, 상기 입자의 사이즈는 양자점이 구 형상인 경우, 직경일 수 있다.The quantum dot 58 includes at least one of silicon, CdS, CdSe, CdTe, ZnS, ZnTe, CdSeS, CdSeTe, ZnSeTe, GaN, GaAs, AlN, AlAs, InP, InP, InAs, GaNAs, AlNAs, GaInNP or GaInNAs do. The quantum dot 58 may be defined as a nano-sized phosphor, and its particle size may be adjusted to emit light in the visible region. The particle size of the quantum dots 58 is 30 nm or less, for example, in the range of 1 to 30 nm, and the smaller the particles, the shorter the wavelength of light, and the larger the particle size, the longer the wavelength. According to the particle size of the quantum dot 58, light in the visible light region such as red, green, yellow, and blue can be emitted. Since a wavelength difference occurs according to the size of the quantum dots 58, small particles among the quantum dots 58 may be disposed on the upper layer than the large particles, but are not limited thereto. Here, the size of the particles may be a diameter when the quantum dot has a spherical shape.

여기서, 양자점(58)이 아닌, 벌크(bulk) 재질의 형광체의 반치 폭을 보면, 청색 파장은 40-70nm, 녹색 파장은 45-60nm, 황색 파장은 80-110nm, 적색 파장은 80-95nm 이며, 이러한 형광체의 조합에 의한 색재현율(NTSC 기준)은 75% 이하로 구현될 수 있다. 이는 벌크 재질의 형광체는 반치 폭이 넓기 때문에 색 재현율을 높이는 데 한계가 있다. 또한 상기 벌크 재질의 형광체는 산화물계, 질화물계, 황화물계, 및 산질화물계 형광체를 포함한다. Here, when looking at the half width of the bulk material phosphor, not the quantum dot 58, the blue wavelength is 40-70 nm, the green wavelength is 45-60 nm, the yellow wavelength is 80-110 nm, and the red wavelength is 80-95 nm. , Color reproducibility by the combination of these phosphors (based on NTSC) can be implemented to 75% or less. This has a limitation in increasing the color reproduction rate because the bulk material phosphor has a wide half width. In addition, the bulk material phosphor includes oxide-based, nitride-based, sulfide-based, and oxynitride-based phosphors.

실시 예는 양자점(58)의 형광체는 청색, 녹색, 적색, 황색 형광체 중 적어도 하나를 포함할 수 있다. 따라서, 발광 소자(100)는 상기 발광 칩(41)로부터 방출된 광과 상기 양자점(58)의 형광체를 이용하여 90% 이상의 색 재현율을 제공할 수 있다. 실시 예에 따른 양자점(58)로부터 방출된 광의 반치 폭은 청색 파장, 녹색 파장, 황색 파장, 및 적색 파장이 각각 35-50nm 범위이며, 이러한 반치 폭은 벌크 재질의 형광체의 반치 폭보다 좁게 된다. 이에 따라 양자점(58)의 형광체의 조합에 따라 색재현율(NTSC 기준)은 90-95% 범위가 될 수 있다. 즉, 형광체의 반치 폭이 좁을수록 색재현율은 높아진다. In an embodiment, the phosphor of the quantum dot 58 may include at least one of blue, green, red, and yellow phosphors. Therefore, the light emitting device 100 may provide a color reproduction rate of 90% or more using light emitted from the light emitting chip 41 and the phosphor of the quantum dot 58. The half-width of the light emitted from the quantum dot 58 according to the embodiment has a blue wavelength, a green wavelength, a yellow wavelength, and a red wavelength in a range of 35-50 nm, respectively. Accordingly, the color gamut (based on NTSC) may be in the range of 90-95% depending on the combination of phosphors of the quantum dots 58. That is, the narrower the half width of the phosphor, the higher the color gamut.

상기 제2수지층(52)의 두께(T3)는 상기 캐비티(12)의 깊이(T1)의 20% 내지 45% 범위의 두께로 형성되거나, 200㎛ 내지 450㎛ 범위로 형성될 수 있다.The thickness T3 of the second resin layer 52 may be formed to a thickness in the range of 20% to 45% of the depth T1 of the cavity 12, or may be formed in a range of 200 μm to 450 μm.

실시 예는 상기 다수의 수지층 상에는 산소나 질소와 같은 이물질이 침투하는 것을 방지하기 위한 보호층(53)이 형성될 수 있으며, 상기 보호층(53)은 상기 다수의 수지층(51,52)의 표면에 접착된다.In an embodiment, a protective layer 53 may be formed on the plurality of resin layers to prevent foreign substances such as oxygen or nitrogen from penetrating, and the protective layer 53 may include the plurality of resin layers 51 and 52. It is adhered to the surface.

이러한 양자점(58)은 외부 수분이나 공기 중에 노출시, 산소나 질소와 쉽게 반응하게 되고, 광 특성은 저하될 수 있다. 실시 예는 상기 제2수지층(52)의 전 상면 위에 보호층(53)을 형성하게 된다. 상기 보호층(53)은 산소나 질소의 침투가 낮은 물질이며, 투과율이 80% 이상인 물질을 사용할 수 있다. 또한 상기 보호층(53)의 재료는 100℃의 온도에서 재료의 특성 변화가 없어야 한다. 상기 보호층(53)은 투과성 플라스틱류 예컨대, PES(polyethersulfone), PC(poly carbonate), PEN(polyethylene naphtha late), PET(polyethylene terephthalate) 중 적어도 하나를 포함하며, 상기의 투과율 및 온도는 표 1과 같다.
When the quantum dot 58 is exposed to external moisture or air, it easily reacts with oxygen or nitrogen, and optical properties may be deteriorated. In the embodiment, the protective layer 53 is formed on the entire upper surface of the second resin layer 52. The protective layer 53 is a material having low penetration of oxygen or nitrogen, and a material having a transmittance of 80% or more can be used. In addition, the material of the protective layer 53 should not have any change in properties of the material at a temperature of 100°C. The protective layer 53 includes at least one of permeable plastics, for example, polyethersulfone (PES), polycarbonate (PC), polyethylene naphtha late (PEN), and polyethylene terephthalate (PET). Same as

재료material 투과율(%)Transmittance (%) 온도(℃)Temperature (℃) 특성characteristic PESPES 8888 230230 투명성-고/흡수성-중Transparency-high/absorbent-medium PCPC 9090 155155 투명성-고/흡수성-중/열팽창성-저Transparency-high/absorbent-medium/thermal expandability-low PENPEN 8585 150150 투명성-고/흡수성-중/열팽창성-중Transparency-high/absorbent-medium/thermal expandability-medium PETPET 8888 120120 투명성-고/흡수성-중/열팡창성-중Transparency-High/absorption-medium/thermal flexibility-medium

이러한 플라스틱 종류를 보호층(53)으로 사용할 수 있으며, 상기 투과율은 550nm 파장 영역에서의 투과율이다. This type of plastic can be used as the protective layer 53, and the transmittance is a transmittance in the wavelength range of 550 nm.

상기 보호층(53)은 다른 예로서, 상기 플라스틱 재질의 층과 상기 플라스틱 재질의 층 아래에 접착층을 갖는 적층 구조로 형성될 수 있다.As another example, the protective layer 53 may be formed of a layered structure having an adhesive layer under the plastic material layer and the plastic material layer.

상기 보호층(53)은 다른 재료 예컨대, BaO, MgO, Al2O3, SiO2, BaSO4와 같은 재료 중에서 적어도 하나를 포함할 수 있다. The protective layer 53 may include at least one of other materials such as BaO, MgO, Al 2 O 3 , SiO 2 , and BaSO 4 .

상기 보호층(53)의 두께(T4)는 100㎛ 이하의 두께, 예컨대 10㎛~100㎛ 범위의 두께로 형성될 수 있다. 상기 보호층(53)의 두께(T4)는 상기 캐비티(12)의 깊이의 0.1% 내지 10% 범위로 형성될 수 있다. 이러한 보호층(53)은 상기 제2수지층(52)을 보호하게 된다. 상기 보호층(53)의 두께(T4)가 너무 얇은 경우, 수분이나 질소, 산소와 같은 이물질이 침투할 수 있고, 너무 두꺼운 경우 광 효율을 저하시킬 수 있다. 상기 보호층(53)은 상기 제1 및 제2수지층(52)의 두께보다는 얇게 형성될 수 있다.The protective layer 53 may have a thickness T4 of 100 μm or less, for example, 10 μm to 100 μm. The thickness T4 of the protective layer 53 may be formed in a range of 0.1% to 10% of the depth of the cavity 12. The protective layer 53 protects the second resin layer 52. When the thickness T4 of the protective layer 53 is too thin, foreign matter such as moisture, nitrogen, or oxygen may penetrate, and if it is too thick, light efficiency may be reduced. The protective layer 53 may be formed to be thinner than the thickness of the first and second resin layers 52.

상기 보호층(53)의 상면 면적은 상기 제2수지층(52)의 상면 면적보다 넓게 형성될 수 있으며, 상기 보호층(53)의 상면 너비(D1)는 상기 제2수지층(52)의 너비보다 넓게 형성될 수 있다. 실시 예에 따른 보호층(53)은 상기 제2수지층(52)의 전 영역을 커버함으로써, 상기 양자점(58)을 보호할 수 있다. 또한 상기 보호층(53)의 외곽부는 상기 몸체(11)의 상면으로 연장될 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다.The upper surface area of the protective layer 53 may be formed to be larger than the upper surface area of the second resin layer 52, and the upper surface width D1 of the protective layer 53 may be greater than that of the second resin layer 52. It can be formed wider than the width. The protective layer 53 according to the embodiment may protect the quantum dot 58 by covering the entire region of the second resin layer 52. In addition, the outer portion of the protective layer 53 may extend to the upper surface of the body 11, but is not limited thereto.

상기 보호층(53)의 상면 및 하면 중 적어도 하나에는 요철부가 형성될 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다. 이러한 요철부는 광 추출 효율을 개선시켜 줄 수 있다.An uneven portion may be formed on at least one of the upper and lower surfaces of the protective layer 53, but is not limited thereto. The uneven portion may improve light extraction efficiency.

실시 예는 캐비티(12) 내의 양자점(58)을 보호하기 위한 보호층(53)을 갖는 발광 소자(100)를 제공함으로써, 양자점(58)의 특성 저하를 방지하고, 발광 소자(100)의 신뢰성을 개선시켜 줄 수 있다.
The embodiment provides a light emitting device 100 having a protective layer 53 for protecting the quantum dots 58 in the cavity 12, thereby preventing deterioration of characteristics of the quantum dots 58 and reliability of the light emitting devices 100 Can improve.

도 2는 제2실시 예에 따른 양자점을 갖는 발광 소자를 나타낸 측 단면도이다. 실시 예를 설명함에 있어서, 상기에 개시된 실시 예는 상기의 설명을 참조하기로 한다.2 is a side cross-sectional view showing a light emitting device having a quantum dot according to a second embodiment. In describing the embodiments, the embodiments disclosed above will refer to the above description.

도 2를 참조하면, 발광 소자(100A)는 몸체(11), 복수의 리드 프레임(21,31), 발광 칩(41), 상기 발광 칩(41)을 덮는 제1수지층(61), 상기 제1수지층(61) 위에 양자점(68)을 갖는 제2수지층(62), 및 상기 제2수지층(62) 위에 보호층(63)을 포함한다. Referring to FIG. 2, the light emitting device 100A includes a body 11, a plurality of lead frames 21 and 31, a light emitting chip 41, and a first resin layer 61 covering the light emitting chip 41, the A second resin layer 62 having a quantum dot 68 on the first resin layer 61, and a protective layer 63 on the second resin layer 62.

상기 몸체(11)는 캐비티(12)를 포함하며, 상기 캐비티(12)의 측면은 경사진 면으로 형성될 수 있다. 상기 캐비티(12)의 측면과 몸체(11)의 상면 사이의 영역에 단차진 구조(13)를 포함하며, 상기 단차진 구조(13)는 상기 몸체(11)의 상면으로부터 소정 깊이(D3)로 형성될 수 있다. 상기 단차진 구조(13)의 깊이(D3)는 상기 캐비티(12)의 깊이(T1)의 10% 이하로 형성될 수 있다. The body 11 includes a cavity 12, and a side surface of the cavity 12 may be formed as an inclined surface. A stepped structure 13 is included in an area between the side surface of the cavity 12 and the top surface of the body 11, and the stepped structure 13 is set to a predetermined depth D3 from the top surface of the body 11. Can be formed. The depth D3 of the stepped structure 13 may be formed to 10% or less of the depth T1 of the cavity 12.

상기 보호층(63)은 상기 제2수지층(52)의 상면에 배치되며, 그 둘레는 상기 단차진 구조(13) 상에 배치된다. 상기 보호층(63)의 둘레가 상기 몸체(11)의 단차진 구조(13)에 접촉됨으로써, 상기 몸체(11)와의 접착력은 개선될 수 있다. 또한 상기 보호층(63)은 상면은 상기 몸체(11)의 상면보다 위에 배치될 수 있으며, 그 외측 단부(64)는 상기 몸체(11)의 상면에 접착될 수 있다. 이러한 보호층(63)과 몸체(11) 사이의 접착 면적이 증가됨으로써, 상기 보호층(63)과 상기 몸체(11) 사이의 계면을 통해 침투하는 습기를 차단할 수 있다.The protective layer 63 is disposed on the upper surface of the second resin layer 52, and its circumference is disposed on the stepped structure 13. The circumference of the protective layer 63 is brought into contact with the stepped structure 13 of the body 11, so that the adhesion with the body 11 can be improved. In addition, the protective layer 63 may have an upper surface disposed above the upper surface of the body 11, and its outer end 64 may be adhered to the upper surface of the body 11. By increasing the adhesive area between the protective layer 63 and the body 11, moisture penetrating through the interface between the protective layer 63 and the body 11 can be blocked.

상기 보호층(63)은 상기에 개시된 양자점(68)을 갖는 제2수지층(62)의 상면 전체를 커버하게 됨으로써, 상기 제2수지층(62)으로 습기, 질소나 산소와 같은 이물질이 침투하는 것을 차단하게 된다.
The protective layer 63 covers the entire upper surface of the second resin layer 62 having the quantum dots 68 described above, so that foreign matter such as moisture, nitrogen, or oxygen penetrates into the second resin layer 62 Will block it.

도 3는 제3실시 예에 따른 양자점을 갖는 발광 소자를 나타낸 측 단면도이다. 실시 예를 설명함에 있어서, 상기에 개시된 실시 예는 상기의 설명을 참조하기로 한다.3 is a side cross-sectional view showing a light emitting device having a quantum dot according to a third embodiment. In describing the embodiments, the embodiments disclosed above will refer to the above description.

도 3을 참조하면, 발광 소자(100B)는 몸체(11), 복수의 리드 프레임(21,31), 발광 칩(41), 제1수지층(71), 상기 제1수지층(71) 위에 제1보호층(72), 상기 제1보호층(72) 위에 양자점(78)을 갖는 제2수지층(73), 및 상기 제2수지층(73) 위에 제2보호층(74)을 포함한다. Referring to FIG. 3, the light emitting device 100B includes a body 11, a plurality of lead frames 21 and 31, a light emitting chip 41, a first resin layer 71, and the first resin layer 71. A first protective layer 72, a second resin layer 73 having a quantum dot 78 on the first protective layer 72, and a second protective layer 74 on the second resin layer 73 do.

상기 제1보호층(72)은 상기 제1수지층(71)과 제2수지층(73) 사이에 접착되며, 상기 제2보호층(74)은 상기 제2수지층(73) 위에 배치된다. The first protective layer 72 is adhered between the first resin layer 71 and the second resin layer 73, and the second protective layer 74 is disposed on the second resin layer 73. .

상기 제1보호층(72)은 상기 제1수지층(71)의 전 상면 위에 배치되며, 투과성 플라스틱류 예컨대, PES(polyethersulfone), PC(poly carbonate), PEN(polyethylene naphtha late), PET(polyethylene terephthalate) 중 적어도 하나를 포함할 수 있다. 상기 제1보호층(72)은 예컨대, BaO, MgO, Al2O3, SiO2, BaSO4와 같은 재료 중에서 적어도 하나를 포함할 수 있다. 상기 제1보호층(72)은 상기 제1수지층(71)을 통해 투과되는 질소나 산소와 같은 이물질로부터 제2수지층(73) 내의 양자점(78)을 보호하게 된다.The first protective layer 72 is disposed on the entire upper surface of the first resin layer 71, and permeable plastics such as polyethersulfone (PES), polycarbonate (PC), polyethylene naphtha late (PEN), polyethylene (PET) terephthalate). The first protective layer 72 may include at least one of materials such as BaO, MgO, Al 2 O 3 , SiO 2 , and BaSO 4 . The first protective layer 72 protects the quantum dots 78 in the second resin layer 73 from foreign substances such as nitrogen or oxygen that are transmitted through the first resin layer 71.

상기 제2보호층(74)은 상기 제2수지층(73)의 전 상면 위에 배치되며, 투과성 플라스틱류 예컨대, PES(polyethersulfone), PC(poly carbonate), PEN(polyethylene naphtha late), PET(polyethylene terephthalate) 중 적어도 하나를 포함할 수 있다. 다른 예로서, 상기 제2보호층(74)은 예컨대, BaO, MgO, Al2O3, SiO2, BaSO4와 같은 재료 중에서 적어도 하나를 포함할 수 있다.The second protective layer 74 is disposed on the entire upper surface of the second resin layer 73, and permeable plastics such as PES (polyethersulfone), PC (poly carbonate), PEN (polyethylene naphtha late), PET (polyethylene) terephthalate). As another example, the second protective layer 74 may include at least one of materials such as BaO, MgO, Al 2 O 3 , SiO 2 , and BaSO 4 .

상기 제1보호층(72) 및 상기 제2보호층(74)은 동일한 재질이거나 서로 다른 재질일 수 있다. 예를 들면, 상기 제1보호층(72)와 제2보호층(74)가 다른 재질인 경우, 상기 제1보호층(72)은 흡수성이 좋고 열 팽창이 낮은 재질 예컨대, PC와 같은 재질로 형성될 수 있으며, 제2보호층(74)은 흡수성이 좋고 열 팽창이 중간인 재질 예컨대, PEN, PET로 형성될 수 있다.The first protective layer 72 and the second protective layer 74 may be the same material or different materials. For example, when the first protective layer 72 and the second protective layer 74 are different materials, the first protective layer 72 is made of a material having good absorbency and low thermal expansion, for example, PC. It may be formed, and the second protective layer 74 may be formed of a material having good absorbency and moderate thermal expansion, for example, PEN or PET.

제1 및 제2보호층(72,74)의 두께(T6,T8)는 상기 캐비티(12)의 깊이(T1)의 0.1% 내지 10% 범위이거나, 10㎛~100㎛ 범위의 두께로 형성될 수 있다. 상기 제1 및 제2보호층(72,74)의 동일한 두께(T6,T8)이거나 다른 두께일 수 있다. The thicknesses T6 and T8 of the first and second protective layers 72 and 74 are in the range of 0.1% to 10% of the depth T1 of the cavity 12, or may be formed in a thickness of 10 μm to 100 μm. Can. The first and second protective layers 72 and 74 may have the same thickness (T6, T8) or different thicknesses.

상기 제1 및 제2보호층(72,74) 각각은 상기 제1 및 제2수지층(71,73)의 두께(T5,T7)보다는 얇게 형성될 수 있다. 상기 제1 및 제2보호층(72,74) 각각의 상면 및 하면 중 적어도 하나에는 요철부가 형성될 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다.Each of the first and second protective layers 72 and 74 may be formed to be thinner than the thicknesses T5 and T7 of the first and second resin layers 71 and 73. An uneven portion may be formed on at least one of the upper and lower surfaces of each of the first and second protective layers 72 and 74, but is not limited thereto.

상기 제1수지층(71)의 두께(T5)는 상기 캐비티(12)의 깊이(T1)의 20~40% 범위이거나, 200㎛~400㎛ 범위일 수 있다. 상기 제2수지층(73)의 두께(T7)은 상기 캐비티(12)의 깊이(T1)의 20~40% 범위이거나, 200㎛~400㎛ 범위일 수 있다.
The thickness T5 of the first resin layer 71 may range from 20 to 40% of the depth T1 of the cavity 12, or may range from 200 μm to 400 μm. The thickness T7 of the second resin layer 73 may range from 20 to 40% of the depth T1 of the cavity 12, or may range from 200 μm to 400 μm.

도 4는 제4실시 예에 따른 발광 소자를 나타낸 측 단면도이다. 실시 예를 설명함에 있어서, 상기에 개시된 실시 예는 상기의 설명을 참조하기로 한다.4 is a side cross-sectional view showing a light emitting device according to a fourth embodiment. In describing the embodiments, the embodiments disclosed above will refer to the above description.

도 4를 참조하면, 발광 소자(100C)는 몸체(11), 제1 및 제2리드 프레임(21,31), 발광 칩(41), 제1수지층(81), 상기 제1수지층(81) 위에 제1보호층(82), 및 상기 제1보호층(82) 위에 제1양자점(88)을 갖는 제2수지층(83), 상기 제2수지층(83) 위에 제2보호층(84), 상기 제2보호층(84) 위에 제2양자점(89)을 갖는 제3수지층(85), 및 상기 제3수지층(85) 위에 제3보호층(86)을 포함한다. 4, the light emitting device 100C includes a body 11, first and second lead frames 21 and 31, a light emitting chip 41, a first resin layer 81, and the first resin layer ( 81) a second resin layer 83 having a first protective layer 82 on it, and a first quantum dot 88 on the first protective layer 82, and a second protective layer on the second resin layer 83 (84), a third resin layer 85 having a second quantum dot 89 on the second protective layer 84, and a third protective layer 86 on the third resin layer 85.

상기 발광 칩(41)은 자외선 대역의 광 또는 청색 대역의 광을 방출할 수 있다.The light emitting chip 41 may emit light in the ultraviolet band or light in the blue band.

상기 제1보호층(82)은 상기 제1수지층(81)과 제2수지층(83) 사이에 배치되며, 상기 제2보호층(84)은 상기 제2수지층(83)과 제3수지층(85) 사이에 배치되며, 상기 제3보호층(86)은 상기 제3수지층(85) 위에 배치된다.The first protective layer 82 is disposed between the first resin layer 81 and the second resin layer 83, and the second protective layer 84 is the second resin layer 83 and the third It is disposed between the resin layers 85, and the third protective layer 86 is disposed on the third resin layer 85.

상기 제1수지층(81)은 양자점, 벌크 재질의 형광체, 확산제와 같은 불순물을 갖지 않는 층이며, 제1 내지 제3보호층(82,84,86)은 투과성 플라스틱류 예컨대, PES(polyethersulfone), PC(poly carbonate), PEN(polyethylene naphtha late), PET(polyethylene terephthalate), BaO, MgO, Al2O3, SiO2, BaSO4 중 중에서 적어도 하나를 포함한다. 상기 제1보호층(82)은 흡수성이 좋고 열 팽창이 낮은 재질 예컨대, PC와 같은 재질로 형성될 수 있으며, 제2 및 제3보호층(84,86)은 흡수성이 좋고 열 팽창이 중간인 재질 예컨대, PEN, PET로 형성될 수 있다. 또는 제3보호층(86)은 제2보호층(84)과 다른 PES 재질로 형성될 수 있다. 이러한 제1 내지 제3보호층(82,84,86)은 서로 동일한 재질이거나 다른 재질일 수 있다. The first resin layer 81 is a layer having no impurities such as a quantum dot, a bulk phosphor, and a diffusion agent, and the first to third protective layers 82, 84, and 86 are transparent plastics, for example, PES (polyethersulfone) ), PC (poly carbonate), PEN (polyethylene naphtha late), PET (polyethylene terephthalate), BaO, MgO, Al 2 O 3 , SiO 2 , BaSO 4 It includes at least one of them. The first protective layer 82 may be formed of a material having good absorbency and low thermal expansion, for example, PC, and the second and third protective layers 84 and 86 have good absorbency and moderate thermal expansion. Material, for example, may be formed of PEN, PET. Alternatively, the third protective layer 86 may be formed of a PES material different from the second protective layer 84. The first to third protective layers 82, 84, and 86 may be the same material or different materials from each other.

상기 제2수지층(83)은 파장 변환하는 제1양자점(88)을 포함하며, 상기 제3수지층(85)은 파장 변환하는 제2양자점(89)을 포함한다. 상기 제2양자점(89)은 상기 제1양자점(88)으로부터 방출된 광보다 단 파장의 광을 발광하게 된다. 상기 제1양자점(88)은 청색 형광체 또는 녹색 형광체 중 적어도 하나를 포함하며, 상기 제2양자점(89)은 녹색 형광체, 황색 형광체, 또는 적색 형광체 중 적어도 하나를 포함한다.The second resin layer 83 includes a first quantum dot 88 for wavelength conversion, and the third resin layer 85 includes a second quantum dot 89 for wavelength conversion. The second quantum dot 89 emits light of a shorter wavelength than the light emitted from the first quantum dot 88. The first quantum dot 88 includes at least one of a blue phosphor or a green phosphor, and the second quantum dot 89 includes at least one of a green phosphor, a yellow phosphor, or a red phosphor.

상기 제1 및 제2양자점(88,89)는 실리콘, CdS, CdSe, CdTe, ZnS, ZnTe, CdSeS, CdSeTe, ZnSeTe, GaN, GaAs, AlN, AlAs, InP, InP, InAs, GaNAs, AlNAs, GaInNP 또는 GaInNAs 중 적어도 하나를 포함하며, 발광되는 광은 35-50nm의 반치 폭을 갖는다. The first and second quantum dots (88,89) are silicon, CdS, CdSe, CdTe, ZnS, ZnTe, CdSeS, CdSeTe, ZnSeTe, GaN, GaAs, AlN, AlAs, InP, InP, InAs, GaNAs, AlNAs, GaInNP Or it contains at least one of GaInNAs, the light emitted has a half width of 35-50nm.

상기 제1양자점(88)으로부터 방출된 광은 상기 제2양자점(89)으로부터 방출된 광보다 짧은 파장의 광을 발광하게 된다. 예를 들면, 상기 발광 칩(41)이 자외선 광이 방출되면, 상기 제1양자점(88)은 상기 발광 칩(41)으로부터 방출된 광을 흡수하여, 청색의 광을 방출할 수 있으며, 상기 제2양자점(89)은 상기 발광 칩(41)으로부터 방출된 광을 흡수하여, 녹색, 적색 및 황색 중 적어도 하나의 광을 방출하게 된다. 또는 상기 발광 칩(41)이 청색의 광을 방출하면, 상기 제1양자점(88)은 녹색의 광을 방출할 수 있고, 상기 제2양자점(89)은 적색의 광을 방출할 수 있다. 여기서, 상기 제2양자점(89) 중 일부는 상기 제1양자점(88)으로부터 방출된 광을 흡수하여 여기할 수 있다.The light emitted from the first quantum dot 88 emits light having a shorter wavelength than the light emitted from the second quantum dot 89. For example, when the light emitting chip 41 emits ultraviolet light, the first quantum dot 88 can absorb light emitted from the light emitting chip 41 and emit blue light. The two quantum dots 89 absorb light emitted from the light emitting chip 41 and emit at least one of green, red, and yellow light. Alternatively, when the light emitting chip 41 emits blue light, the first quantum dot 88 may emit green light, and the second quantum dot 89 may emit red light. Here, some of the second quantum dots 89 may absorb and excite light emitted from the first quantum dots 88.

상기 제1양자점(88)의 사이즈는 상기 제2양자점(89)의 사이즈보다 작을 수 있다. 여기서, 상기 사이즈는 양자점이 구 형상인 경우, 직경일 수 있다.
The size of the first quantum dot 88 may be smaller than the size of the second quantum dot 89. Here, the size may be a diameter when the quantum dots are spherical.

<조명 시스템><Lighting system>

실시예에 따른 도 1의 발광 소자는 이하의 조명 시스템에 적용될 수 있다. 상기 조명 시스템은 복수의 발광 소자가 어레이된 구조를 포함하며, 도 5 및 도 6에 도시된 표시 장치, 도 7에 도시된 조명 장치를 포함하고, 조명등, 신호등, 차량 전조등, 전광판 등이 포함될 수 있다.The light emitting device of FIG. 1 according to an embodiment may be applied to the following lighting system. The lighting system includes a structure in which a plurality of light emitting elements are arrayed, and includes the display device illustrated in FIGS. 5 and 6, the lighting device illustrated in FIG. 7, and may include a lighting lamp, a traffic light, a vehicle headlight, and a signboard. have.

도 5는 실시 예에 따른 표시 장치의 분해 사시도이다. 5 is an exploded perspective view of a display device according to an exemplary embodiment.

도 5를 참조하면, 표시 장치(1000)는 도광판(1041)과, 상기 도광판(1041)에 빛을 제공하는 발광 모듈(1031)와, 상기 도광판(1041) 아래에 반사 부재(1022)와, 상기 도광판(1041) 위에 광학 시트(1051)와, 상기 광학 시트(1051) 위에 표시 패널(1061)과, 상기 도광판(1041), 발광 모듈(1031) 및 반사 부재(1022)를 수납하는 바텀 커버(1011)를 포함할 수 있으나, 이에 한정되지 않는다.Referring to FIG. 5, the display device 1000 includes a light guide plate 1041, a light emitting module 1031 providing light to the light guide plate 1041, a reflective member 1022 under the light guide plate 1041, and the A bottom cover 1011 for storing the optical sheet 1051 on the light guide plate 1041, the display panel 1061 on the optical sheet 1051, the light guide plate 1041, the light emitting module 1031, and the reflective member 1022. ) May be included, but is not limited thereto.

상기 바텀 커버(1011), 반사시트(1022), 도광판(1041), 광학 시트(1051)는 라이트 유닛(1050)으로 정의될 수 있다.The bottom cover 1011, the reflective sheet 1022, the light guide plate 1041, and the optical sheet 1051 may be defined as a light unit 1050.

상기 도광판(1041)은 상기 발광 모듈(1031)로부터 제공된 빛을 확산시켜 면광원화 시키는 역할을 한다. 상기 도광판(1041)은 투명한 재질로 이루어지며, 예를 들어, PMMA(polymethyl metaacrylate)와 같은 아크릴 수지 계열, PET(polyethylene terephthlate), PC(poly carbonate), COC(cycloolefin copolymer) 및 PEN(polyethylene naphthalate) 수지 중 하나를 포함할 수 있다. The light guide plate 1041 serves to diffuse the light provided from the light emitting module 1031 and to make a surface light source. The light guide plate 1041 is made of a transparent material, for example, acrylic resin series such as PMMA (polymethyl metaacrylate), PET (polyethylene terephthlate), PC (poly carbonate), COC (cycloolefin copolymer) and PEN (polyethylene naphthalate) It may include one of the resin.

상기 발광모듈(1031)은 상기 도광판(1041)의 적어도 일 측면에 배치되어 상기 도광판(1041)의 적어도 일 측면에 빛을 제공하며, 궁극적으로는 표시 장치의 광원으로써 작용하게 된다.The light emitting module 1031 is disposed on at least one side of the light guide plate 1041 to provide light to at least one side of the light guide plate 1041, and ultimately acts as a light source of the display device.

상기 발광모듈(1031)은 바텀 커버(1011) 내에 적어도 하나가 배치되며, 상기 도광판(1041)의 일 측면에서 직접 또는 간접적으로 광을 제공할 수 있다. 상기 발광 모듈(1031)은 기판(1033)과 상기에 개시된 실시 예에 따른 발광 소자(1035)를 포함하며, 상기 발광 소자(1035)는 상기 기판(1033) 상에 소정 간격으로 어레이될 수 있다. 상기 기판은 인쇄회로기판(printed circuit board)일 수 있지만, 이에 한정하지 않는다. 또한 상기 기판(1033)은 메탈 코어 PCB(MCPCB, Metal Core PCB), 연성 PCB(FPCB, Flexible PCB) 등을 포함할 수도 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다. 상기 발광 소자(1035)는 상기 바텀 커버(1011)의 측면 또는 방열 플레이트 상에 탑재될 경우, 상기 기판(1033)은 제거될 수 있다. 상기 방열 플레이트의 일부는 상기 바텀 커버(1011)의 상면에 접촉될 수 있다. 따라서, 발광 소자(1035)에서 발생된 열은 방열 플레이트를 경유하여 바텀 커버(1011)로 방출될 수 있다.At least one of the light emitting modules 1031 is disposed in the bottom cover 1011, and light may be directly or indirectly provided on one side of the light guide plate 1041. The light emitting module 1031 includes a substrate 1033 and a light emitting device 1035 according to the embodiments disclosed above, and the light emitting devices 1035 may be arranged on the substrate 1033 at predetermined intervals. The substrate may be a printed circuit board, but is not limited thereto. In addition, the substrate 1033 may include a metal core PCB (MCPCB, metal core PCB), a flexible PCB (FPCB, flexible PCB), and the like, but is not limited thereto. When the light emitting element 1035 is mounted on a side surface of the bottom cover 1011 or a heat radiation plate, the substrate 1033 may be removed. A portion of the heat dissipation plate may contact the top surface of the bottom cover 1011. Accordingly, heat generated in the light emitting device 1035 may be discharged to the bottom cover 1011 via the heat dissipation plate.

상기 복수의 발광 소자(1035)는 상기 기판(1033) 상에 빛이 방출되는 출사면이 상기 도광판(1041)과 소정 거리 이격되도록 탑재될 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다. 상기 발광 소자(1035)는 상기 도광판(1041)의 일측면인 입광부에 광을 직접 또는 간접적으로 제공할 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다.The plurality of light emitting devices 1035 may be mounted such that an emission surface on which the light is emitted on the substrate 1033 is spaced apart from the light guide plate 1041 by a predetermined distance, but is not limited thereto. The light emitting element 1035 may directly or indirectly provide light to a light incident portion, which is one side of the light guide plate 1041, but is not limited thereto.

상기 도광판(1041) 아래에는 상기 반사 부재(1022)가 배치될 수 있다. 상기 반사 부재(1022)는 상기 도광판(1041)의 하면으로 입사된 빛을 반사시켜 상기 표시 패널(1061)로 공급함으로써, 상기 표시 패널(1061)의 휘도를 향상시킬 수 있다. 상기 반사 부재(1022)는 예를 들어, PET, PC, PVC 레진 등으로 형성될 수 있으나, 이에 대해 한정하지는 않는다. 상기 반사 부재(1022)는 상기 바텀 커버(1011)의 상면일 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다.The reflective member 1022 may be disposed under the light guide plate 1041. The reflection member 1022 reflects light incident on the lower surface of the light guide plate 1041 and supplies the light to the display panel 1061, thereby improving the brightness of the display panel 1061. The reflective member 1022 may be formed of, for example, PET, PC, or PVC resin, but is not limited thereto. The reflective member 1022 may be an upper surface of the bottom cover 1011, but is not limited thereto.

상기 바텀 커버(1011)는 상기 도광판(1041), 발광모듈(1031) 및 반사 부재(1022) 등을 수납할 수 있다. 이를 위해, 상기 바텀 커버(1011)는 상면이 개구된 박스(box) 형상을 갖는 수납부(1012)가 구비될 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다. 상기 바텀 커버(1011)는 탑 커버(미도시)와 결합될 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다.The bottom cover 1011 may accommodate the light guide plate 1041, the light emitting module 1031, and the reflective member 1022. To this end, the bottom cover 1011 may be provided with an accommodating portion 1012 having a box shape with an open top surface, but is not limited thereto. The bottom cover 1011 may be combined with a top cover (not shown), but is not limited thereto.

상기 바텀 커버(1011)는 금속 재질 또는 수지 재질로 형성될 수 있으며, 프레스 성형 또는 압출 성형 등의 공정을 이용하여 제조될 수 있다. 또한 상기 바텀 커버(1011)는 열 전도성이 좋은 금속 또는 비 금속 재료를 포함할 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다.The bottom cover 1011 may be formed of a metal material or a resin material, and may be manufactured using a process such as press molding or extrusion molding. In addition, the bottom cover 1011 may include a metal or non-metal material having good thermal conductivity, but is not limited thereto.

상기 표시 패널(1061)은 예컨대, LCD 패널로서, 서로 대향되는 투명한 재질의 제 1 및 제 2기판, 그리고 제 1 및 제 2기판 사이에 개재된 액정층을 포함한다. 상기 표시 패널(1061)의 적어도 일면에는 편광판이 부착될 수 있으며, 이러한 편광판의 부착 구조로 한정하지는 않는다. 상기 표시 패널(1061)은 상기 발광 모듈(1031)로부터 제공된 광을 투과 또는 차단시켜 정보를 표시하게 된다. 이러한 표시 장치(1000)는 각 종 휴대 단말기, 노트북 컴퓨터의 모니터, 랩탑 컴퓨터의 모니터, 텔레비전과 같은 영상 표시 장치에 적용될 수 있다. The display panel 1061 is, for example, an LCD panel, and includes first and second substrates of transparent materials facing each other, and a liquid crystal layer interposed between the first and second substrates. A polarizing plate may be attached to at least one surface of the display panel 1061, and is not limited to the attachment structure of the polarizing plate. The display panel 1061 transmits or blocks light provided from the light emitting module 1031 to display information. The display device 1000 may be applied to various types of portable terminals, notebook computer monitors, laptop computer monitors, and video display devices such as televisions.

상기 광학 시트(1051)는 상기 표시 패널(1061)과 상기 도광판(1041) 사이에 배치되며, 적어도 한 장 이상의 투광성 시트를 포함한다. 상기 광학 시트(1051)는 예컨대 확산 시트(diffusion sheet), 수평 및 수직 프리즘 시트(horizontal/vertical prism sheet), 및 휘도 강화 시트(brightness enhanced sheet) 등과 같은 시트 중에서 적어도 하나를 포함할 수 있다. 상기 확산 시트는 입사되는 광을 확산시켜 주고, 상기 수평 또는/및 수직 프리즘 시트는 입사되는 광을 상기 표시 패널(1061)로 집광시켜 주며, 상기 휘도 강화 시트는 손실되는 광을 재사용하여 휘도를 향상시켜 준다. 또한 상기 표시 패널(1061) 위에는 보호 시트가 배치될 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다.The optical sheet 1051 is disposed between the display panel 1061 and the light guide plate 1041 and includes at least one light-transmitting sheet. The optical sheet 1051 may include at least one of a sheet such as, for example, a diffusion sheet, a horizontal/vertical prism sheet, and a brightness enhanced sheet. The diffusion sheet diffuses incident light, and the horizontal or/and vertical prism sheet condenses the incident light to the display panel 1061, and the luminance enhancement sheet reuses the lost light to improve luminance. Let me do it. In addition, a protective sheet may be disposed on the display panel 1061, but is not limited thereto.

상기 발광 모듈(1031)의 광 경로 상에는 광학 부재로서, 상기 도광판(1041), 및 광학 시트(1051)를 포함할 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다.An optical member on the light path of the light emitting module 1031 may include the light guide plate 1041 and the optical sheet 1051, but is not limited thereto.

도 6은 실시 예에 따른 발광 소자를 갖는 표시 장치를 나타낸 도면이다. 6 is a view showing a display device having a light emitting device according to an embodiment.

도 6을 참조하면, 표시 장치(1100)는 바텀 커버(1152), 상기에 개시된 발광 소자(1062)가 어레이된 기판(1120), 광학 부재(1154), 및 표시 패널(1155)을 포함한다. Referring to FIG. 6, the display device 1100 includes a bottom cover 1152, a substrate 1120 on which the light-emitting elements 1062 disclosed above are arrayed, an optical member 1154, and a display panel 1155.

상기 기판(1120)과 상기 발광 소자(1062)는 발광 모듈(1060)로 정의될 수 있다. 상기 바텀 커버(1152), 적어도 하나의 발광 모듈(1060), 광학 부재(1154)는 라이트 유닛(미도시)으로 정의될 수 있다. 상기 바텀 커버(1152)에는 수납부(1153)를 구비할 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다.The substrate 1120 and the light emitting device 1062 may be defined as a light emitting module 1060. The bottom cover 1152, at least one light emitting module 1060, and the optical member 1154 may be defined as a light unit (not shown). The bottom cover 1152 may include a storage unit 1153, which is not limited thereto.

상기 광학 부재(1154)는 렌즈, 도광판, 확산 시트, 수평 및 수직 프리즘 시트, 및 휘도 강화 시트 등에서 적어도 하나를 포함할 수 있다. 상기 도광판은 PC 재질 또는 PMMA(Poly methy methacrylate) 재질로 이루어질 수 있으며, 이러한 도광판은 제거될 수 있다. 상기 확산 시트는 입사되는 광을 확산시켜 주고, 상기 수평 및 수직 프리즘 시트는 입사되는 광을 상기 표시 패널(1155)으로 집광시켜 주며, 상기 휘도 강화 시트는 손실되는 광을 재사용하여 휘도를 향상시켜 준다. The optical member 1154 may include at least one of a lens, a light guide plate, a diffusion sheet, a horizontal and vertical prism sheet, and a brightness enhancement sheet. The light guide plate may be made of PC material or poly methy methacrylate (PMMA) material, and the light guide plate may be removed. The diffusion sheet diffuses incident light, and the horizontal and vertical prism sheets converge the incident light to the display panel 1155, and the luminance enhancement sheet reuses the lost light to improve luminance. .

상기 광학 부재(1154)는 상기 발광 모듈(1060) 위에 배치되며, 상기 발광 모듈(1060)로부터 방출된 광을 면 광원하거나, 확산, 집광 등을 수행하게 된다.The optical member 1154 is disposed on the light emitting module 1060, and performs light or surface diffusion of light emitted from the light emitting module 1060, or diffusion or condensing.

도 7은 실시 예에 따른 발광 소자를 갖는 조명 장치의 사시도이다.7 is a perspective view of a lighting device having a light emitting device according to an embodiment.

도 7을 참조하면, 실시 예에 따른 조명 장치는 커버(2100), 광원 모듈(2200), 방열체(2400), 전원 제공부(2600), 내부 케이스(2700), 소켓(2800)을 포함할 수 있다. 또한, 실시 예에 따른 조명 장치는 부재(2300)와 홀더(2500) 중 어느 하나 이상을 더 포함할 수 있다. 상기 광원 모듈(2200)은 실시 예에 따른 발광 소자를 포함할 수 있다.Referring to FIG. 7, the lighting device according to the embodiment may include a cover 2100, a light source module 2200, a heat radiator 2400, a power supply unit 2600, an inner case 2700, and a socket 2800. Can. In addition, the lighting device according to the embodiment may further include any one or more of the member 2300 and the holder 2500. The light source module 2200 may include a light emitting device according to an embodiment.

예컨대, 상기 커버(2100)는 벌브(bulb) 또는 반구의 형상을 가지며, 속이 비어 있고, 일 부분이 개구된 형상으로 제공될 수 있다. 상기 커버(2100)는 상기 광원 모듈(2200)과 광학적으로 결합될 수 있다. 예를 들어, 상기 커버(2100)는 상기 광원 모듈(2200)로부터 제공되는 빛을 확산, 산란 또는 여기 시킬 수 있다. 상기 커버(2100)는 일종의 광학 부재일 수 있다. 상기 커버(2100)는 상기 방열체(2400)와 결합될 수 있다. 상기 커버(2100)는 상기 방열체(2400)와 결합하는 결합부를 가질 수 있다.For example, the cover 2100 may have a shape of a bulb or a hemisphere, a hollow portion, and a portion of the cover 2100. The cover 2100 may be optically coupled to the light source module 2200. For example, the cover 2100 may diffuse, scatter, or excite light provided from the light source module 2200. The cover 2100 may be a kind of optical member. The cover 2100 may be combined with the heat radiator 2400. The cover 2100 may have a coupling portion coupled to the heat radiator 2400.

상기 커버(2100)의 내면에는 유백색 도료가 코팅될 수 있다. 유백색의 도료는 빛을 확산시키는 확산재를 포함할 수 있다. 상기 커버(2100)의 내면의 표면 거칠기는 상기 커버(2100)의 외면의 표면 거칠기보다 크게 형성될 수 있다. 이는 상기 광원 모듈(2200)로부터의 빛이 충분히 산란 및 확산되어 외부로 방출시키기 위함이다. A milky white coating may be coated on the inner surface of the cover 2100. The milky white paint may include a diffusion material that diffuses light. The surface roughness of the inner surface of the cover 2100 may be greater than the surface roughness of the outer surface of the cover 2100. This is for light from the light source module 2200 to be sufficiently scattered and diffused to be emitted to the outside.

상기 커버(2100)의 재질은 유리(glass), 플라스틱, 폴리프로필렌(PP), 폴리에틸렌(PE), 폴리카보네이트(PC) 등일 수 있다. 여기서, 폴리카보네이트는 내광성, 내열성, 강도가 뛰어나다. 상기 커버(2100)는 외부에서 상기 광원 모듈(2200)이 보이도록 투명할 수 있고, 불투명할 수 있다. 상기 커버(2100)는 블로우(blow) 성형을 통해 형성될 수 있다.The material of the cover 2100 may be glass, plastic, polypropylene (PP), polyethylene (PE), polycarbonate (PC), or the like. Here, polycarbonate has excellent light resistance, heat resistance, and strength. The cover 2100 may be transparent so that the light source module 2200 is visible from the outside, and may be opaque. The cover 2100 may be formed through blow molding.

상기 광원 모듈(2200)은 상기 방열체(2400)의 일 면에 배치될 수 있다. 따라서, 상기 광원 모듈(2200)로부터의 열은 상기 방열체(2400)로 전도된다. 상기 광원 모듈(2200)은 광원부(2210), 연결 플레이트(2230), 커넥터(2250)를 포함할 수 있다.The light source module 2200 may be disposed on one surface of the heat radiator 2400. Thus, heat from the light source module 2200 is conducted to the heat sink 2400. The light source module 2200 may include a light source unit 2210, a connection plate 2230, and a connector 2250.

상기 부재(2300)는 상기 방열체(2400)의 상면 위에 배치되고, 복수의 광원부(2210)들과 커넥터(2250)이 삽입되는 가이드홈(2310)들을 갖는다. 상기 가이드홈(2310)은 상기 광원부(2210)의 기판 및 커넥터(2250)와 대응된다.The member 2300 is disposed on the upper surface of the radiator 2400, and has a plurality of light source parts 2210 and guide grooves 2310 into which the connector 2250 is inserted. The guide groove 2310 corresponds to the substrate and connector 2250 of the light source unit 2210.

상기 부재(2300)의 표면은 빛 반사 물질로 도포 또는 코팅된 것일 수 있다. 예를 들면, 상기 부재(2300)의 표면은 백색의 도료로 도포 또는 코팅된 것일 수 있다. 이러한 상기 부재(2300)는 상기 커버(2100)의 내면에 반사되어 상기 광원 모듈(2200)측 방향으로 되돌아오는 빛을 다시 상기 커버(2100) 방향으로 반사한다. 따라서, 실시 예에 따른 조명 장치의 광 효율을 향상시킬 수 있다.The surface of the member 2300 may be coated or coated with a light reflective material. For example, the surface of the member 2300 may be coated or coated with a white paint. The member 2300 reflects light that is reflected on the inner surface of the cover 2100 and returns to the direction of the light source module 2200 in the direction of the cover 2100 again. Therefore, it is possible to improve the light efficiency of the lighting device according to the embodiment.

상기 부재(2300)는 예로서 절연 물질로 이루어질 수 있다. 상기 광원 모듈(2200)의 연결 플레이트(2230)는 전기 전도성의 물질을 포함할 수 있다. 따라서, 상기 방열체(2400)와 상기 연결 플레이트(2230) 사이에 전기적인 접촉이 이루어질 수 있다. 상기 부재(2300)는 절연 물질로 구성되어 상기 연결 플레이트(2230)와 상기 방열체(2400)의 전기적 단락을 차단할 수 있다. 상기 방열체(2400)는 상기 광원 모듈(2200)로부터의 열과 상기 전원 제공부(2600)로부터의 열을 전달받아 방열한다.The member 2300 may be made of, for example, an insulating material. The connection plate 2230 of the light source module 2200 may include an electrically conductive material. Therefore, electrical contact may be made between the heat sink 2400 and the connection plate 2230. The member 2300 may be formed of an insulating material to block electrical shorts between the connection plate 2230 and the heat radiator 2400. The radiator 2400 radiates heat by receiving heat from the light source module 2200 and heat from the power supply unit 2600.

상기 홀더(2500)는 내부 케이스(2700)의 절연부(2710)의 수납홈(2719)을 막는다. 따라서, 상기 내부 케이스(2700)의 상기 절연부(2710)에 수납되는 상기 전원 제공부(2600)는 밀폐된다. 상기 홀더(2500)는 가이드 돌출부(2510)를 갖는다. 상기 가이드 돌출부(2510)는 상기 전원 제공부(2600)의 돌출부(2610)가 관통하는 홀을 구비할 수 있다.The holder 2500 closes the storage groove 2719 of the insulating portion 2710 of the inner case 2700. Therefore, the power supply unit 2600 accommodated in the insulation portion 2710 of the inner case 2700 is sealed. The holder 2500 has a guide protrusion 2510. The guide protrusion 2510 may include a hole through which the protrusion 2610 of the power supply unit 2600 passes.

상기 전원 제공부(2600)는 외부로부터 제공받은 전기적 신호를 처리 또는 변환하여 상기 광원 모듈(2200)로 제공한다. 상기 전원 제공부(2600)는 상기 내부 케이스(2700)의 수납홈(2719)에 수납되고, 상기 홀더(2500)에 의해 상기 내부 케이스(2700)의 내부에 밀폐된다.The power supply unit 2600 processes or converts an electrical signal provided from the outside and provides it to the light source module 2200. The power supply unit 2600 is accommodated in a storage groove 2719 of the inner case 2700 and is sealed inside the inner case 2700 by the holder 2500.

상기 전원 제공부(2600)는 돌출부(2610), 가이드부(2630), 베이스(2650), 돌출부(2670)를 포함할 수 있다.The power supply unit 2600 may include a protrusion 2610, a guide 2630, a base 2650, and a protrusion 2670.

상기 가이드부(2630)는 상기 베이스(2650)의 일 측에서 외부로 돌출된 형상을 갖는다. 상기 가이드부(2630)는 상기 홀더(2500)에 삽입될 수 있다. 상기 베이스(2650)의 일 면 위에 다수의 부품이 배치될 수 있다. 다수의 부품은 예를 들어, 외부 전원으로부터 제공되는 교류 전원을 직류 전원으로 변환하는 직류변환장치, 상기 광원 모듈(2200)의 구동을 제어하는 구동칩, 상기 광원 모듈(2200)을 보호하기 위한 ESD(ElectroStatic discharge) 보호 소자 등을 포함할 수 있으나 이에 대해 한정하지는 않는다.The guide portion 2630 has a shape protruding from the side of the base 2650 to the outside. The guide part 2630 may be inserted into the holder 2500. A plurality of parts may be disposed on one surface of the base 2650. The plurality of components include, for example, a DC converter for converting AC power provided from an external power source into DC power, a driving chip controlling driving of the light source module 2200, and ESD for protecting the light source module 2200. (ElectroStatic discharge) may include a protection element, but is not limited thereto.

상기 돌출부(2670)는 상기 베이스(2650)의 다른 일 측에서 외부로 돌출된 형상을 갖는다. 상기 돌출부(2670)는 상기 내부 케이스(2700)의 연결부(2750) 내부에 삽입되고, 외부로부터의 전기적 신호를 제공받는다. 예컨대, 상기 돌출부(2670)는 상기 내부 케이스(2700)의 연결부(2750)의 폭과 같거나 작게 제공될 수 있다. 상기 돌출부(2670)에는 "+ 전선"과 "- 전선"의 각 일 단이 전기적으로 연결되고, "+ 전선"과 "- 전선"의 다른 일 단은 소켓(2800)에 전기적으로 연결될 수 있다.The protrusion 2670 has a shape protruding from the other side of the base 2650 to the outside. The protrusion 2670 is inserted into the connection portion 2750 of the inner case 2700 and receives an electrical signal from the outside. For example, the protrusion 2670 may be provided equal to or smaller than the width of the connecting portion 2750 of the inner case 2700. Each end of the "+ wire" and the "- wire" may be electrically connected to the protrusion 2670, and the other end of the "+ wire" and the "- wire" may be electrically connected to the socket 2800.

상기 내부 케이스(2700)는 내부에 상기 전원 제공부(2600)와 함께 몰딩부를 포함할 수 있다. 몰딩부는 몰딩 액체가 굳어진 부분으로서, 상기 전원 제공부(2600)가 상기 내부 케이스(2700) 내부에 고정될 수 있도록 한다.The inner case 2700 may include a molding unit together with the power supply unit 2600 therein. The molding portion is a portion in which the molding liquid is hardened, so that the power supply unit 2600 can be fixed inside the inner case 2700.

이상에서 실시예 들에 설명된 특징, 구조, 효과 등은 본 발명의 적어도 하나의 실시예에 포함되며, 반드시 하나의 실시예에만 한정되는 것은 아니다. 나아가, 각 실시예에서 예시된 특징, 구조, 효과 등은 실시예들이 속하는 분야의 통상의 지식을 가지는 자에 의해 다른 실시예들에 대해서도 조합 또는 변형되어 실시 가능하다. 따라서 이러한 조합과 변형에 관계된 내용들은 본 발명의 범위에 포함되는 것으로 해석되어야 할 것이다.The features, structures, effects, etc. described in the above embodiments are included in at least one embodiment of the present invention, and are not necessarily limited to only one embodiment. Furthermore, features, structures, effects, and the like exemplified in each embodiment may be combined or modified for other embodiments by a person having ordinary knowledge in the field to which the embodiments belong. Therefore, the contents related to such combinations and modifications should be interpreted as being included in the scope of the present invention.

또한, 이상에서 실시예를 중심으로 설명하였으나 이는 단지 예시일 뿐 본 발명을 한정하는 것이 아니며, 본 발명이 속하는 분야의 통상의 지식을 가진 자라면 본 실시예의 본질적인 특성을 벗어나지 않는 범위에서 이상에 예시되지 않은 여러 가지의 변형과 응용이 가능함을 알 수 있을 것이다. 예를 들어, 실시예에 구체적으로 나타난 각 구성 요소는 변형하여 실시할 수 있는 것이다. 그리고 이러한 변형과 응용에 관계된 차이점들은 첨부된 청구 범위에서 규정하는 본 발명의 범위에 포함되는 것으로 해석되어야 할 것이다.In addition, although the embodiments have been mainly described above, these are merely examples and do not limit the present invention, and those skilled in the art to which the present invention pertains are exemplified above without departing from the essential characteristics of the present embodiment. It will be appreciated that various modifications and applications are possible. For example, each component specifically shown in the embodiments can be implemented by modification. And differences related to these modifications and applications should be construed as being included in the scope of the invention defined in the appended claims.

100, 100A, 100B, 100C: 발광 소자
11: 몸체
12: 캐비티
21, 31: 리드 프레임
41: 발광칩
51, 52, 61, 62, 72, 73, 81, 83, 85: 수지층
53, 63, 74, 82, 84, 86: 보호층
58, 68, 78, 88, 89: 양자점100, 100A, 100B, 100C: light-emitting element
11: body
12: Cavity
21, 31: lead frame
41: light emitting chip
51, 52, 61, 62, 72, 73, 81, 83, 85: resin layer
53, 63, 74, 82, 84, 86: protective layer
58, 68, 78, 88, 89: quantum dots

Claims (11)

캐비티를 갖는 몸체;
상기 캐비티 내에 배치된 복수의 리드 프레임;
상기 복수의 리드 프레임 중 적어도 하나의 위에 배치된 발광 칩;
상기 캐비티 내에 배치되며 상기 발광 칩을 덮는 제1수지층;
상기 캐비티 내에 배치되며 상기 제1수지층의 상면 전체 영역 상에 배치되는 제1보호층;
상기 캐비티 내에 배치되며 상기 제1보호층 위에 배치되고 상기 발광 칩으로부터 방출된 광의 일부를 변환하는 제1양자점을 갖는 제2수지층; 및
상기 제2수지층의 상면 전체 영역 상에 배치되고 상기 제2수지층의 재질과 다른 재질의 제2보호층을 포함하고,
상기 발광 칩은 상기 제1수지층에 의해 상기 제2수지층과 이격되고,
상기 제1수지층은, 상기 캐비티의 깊이의 20% 내지 40% 범위의 두께를 가지고,
상기 제2수지층은, 상기 캐비티 깊이의 20% 내지 40% 범위의 두께를 가지고,
상기 제1 및 제2보호층 각각은, 상기 캐비티 깊이의 0.1% 내지 10% 범위의 두께를 가지고, 상기 제1 및 제2수지층의 두께보다 얇은 발광 소자.A body having a cavity;
A plurality of lead frames disposed in the cavity;
A light emitting chip disposed on at least one of the plurality of lead frames;
A first resin layer disposed in the cavity and covering the light emitting chip;
A first protective layer disposed in the cavity and disposed on the entire upper surface of the first resin layer;
A second resin layer disposed in the cavity and disposed on the first protective layer and having a first quantum dot for converting a portion of light emitted from the light emitting chip; And
It is disposed on the entire area of the upper surface of the second resin layer and includes a second protective layer of a material different from the material of the second resin layer,
The light emitting chip is spaced apart from the second resin layer by the first resin layer,
The first resin layer has a thickness in the range of 20% to 40% of the depth of the cavity,
The second resin layer has a thickness in the range of 20% to 40% of the depth of the cavity,
Each of the first and second protective layers has a thickness in a range of 0.1% to 10% of the depth of the cavity, and is thinner than the thickness of the first and second resin layers. 제1항에 있어서,
상기 캐비티의 측면은 경사진 면으로 형성되고,
상기 캐비티의 측면과 상기 몸체의 상면 사이의 영역에 단차진 구조를 포함하며,
상기 단차진 구조는 상기 몸체의 상면으로부터 소정 깊이로 형성되는 발광 소자.According to claim 1,
The side surface of the cavity is formed as an inclined surface,
It includes a stepped structure in the region between the side surface of the cavity and the top surface of the body,
The stepped structure is a light emitting device that is formed to a predetermined depth from the top surface of the body. 제1항에 있어서,
상기 제2보호층의 상면은 상기 몸체의 상면보다 위에 배치되고,
상기 제2보호층의 외측 단부는 상기 몸체의 상면과 접착되는 발광 소자.According to claim 1,
The upper surface of the second protective layer is disposed above the upper surface of the body,
A light emitting device that is bonded to an outer end of the second protective layer with an upper surface of the body. 삭제delete 제1항에 있어서,
상기 제2보호층은 상기 캐비티 내에 배치되고,
상기 캐비티 내에 배치되며 상기 제2보호층 위에 배치되고, 제2양자점을 갖는 제3수지층; 및
상기 제3수지층의 상면 전체 영역 상에 배치되는 제3보호층을 더 포함하고,
상기 제1양자점 및 상기 제2양자점은 나노 사이즈의 형광체를 포함하고,
상기 제2양자점은, 상기 제1양자점보다 큰 사이즈를 가지며, 상기 제1양자점으로부터 방출된 광보다 단파장의 광을 발광하는 발광 소자.According to claim 1,
The second protective layer is disposed in the cavity,
A third resin layer disposed in the cavity, disposed on the second protective layer, and having a second quantum dot; And
Further comprising a third protective layer disposed on the entire area of the upper surface of the third resin layer,
The first quantum dot and the second quantum dot includes a nano-sized phosphor,
The second quantum dot has a larger size than the first quantum dot, the light emitting device that emits light of a shorter wavelength than the light emitted from the first quantum dot. 삭제delete 삭제delete 삭제delete 삭제delete 삭제delete 삭제delete
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