KR102128422B1 - 임프린트 장치, 임프린트 방법 및 물품 제조 방법 - Google Patents

임프린트 장치, 임프린트 방법 및 물품 제조 방법 Download PDF

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Abstract

본 발명은 몰드(3)를 사용하여 기판 상에 패턴을 형성하는 임프린트 장치(100)를 제공하며, 상기 장치(100)는 몰드(3)를 보유지지하도록 구성된 보유지지 유닛(2), 상기 보유지지 유닛(2)이 상기 몰드(3)를 보유지지하는 상태에서 상기 몰드(3)의 패턴면의 일부분에 클리닝을 행하도록 구성된 클리닝 유닛(5), 상기 몰드(3)의 패턴면에 부착된 이물질(4)의 위치를 특정하도록 구성된 특정 유닛(1), 및 상기 특정 유닛(1)에 의해 특정된 이물질(4)의 위치에 기초하여 상기 클리닝 유닛(5)을 위치시키고 상기 클리닝 유닛(5)이 클리닝을 행하게 함으로써 상기 이물질(4)을 제거하는 처리를 행하도록 구성된 처리 유닛(26)을 포함한다.

Description

임프린트 장치, 임프린트 방법 및 물품 제조 방법
본 발명은, 임프린트 장치, 임프린트 방법 및 물품 제조 방법에 관한 것이다.
반도체 디바이스의 미세패턴화의 요구가 증가함에 따라, 종래의 포토리소그래피 기술 이외에, 기판 상의 미경화 임프린트재(수지 재료)를 몰드(다이)로 성형하고, 임프린트재의 패턴을 기판 상에 형성하는 미세제작 기술이 주목을 받고 있다. 이 기술은, 임프린트 기술이라고도 불리며, 기판 상에 수 나노미터 정도의 미세 구조체를 형성할 수 있다.
임프린트 기술의 하나의 예로서 광경화법이 있다. 광경화법을 채용한 임프린트 장치에서는, 먼저, 기판 상의 샷 영역(임프린트 영역)에 임프린트재를 공급(도포)한다. 계속해서, 기판 상의 미경화의 임프린트재와 몰드를 서로 접촉시킨 상태에서 광을 조사해서 임프린트재를 경화시키고, 경화한 임프린트재로부터 몰드를 분리함으로써 기판 상에 패턴을 형성한다.
임프린트 장치에서는, 몰드와 기판 상의 임프린트재를 서로 접촉시킨다. 그러므로, 몰드에 이물질이 부착되어 있으면, 이러한 이물질이 그대로 전사되어, 기판 상에 형성되는 패턴에 불량(결함 등)이 발생한다. 또한, 몰드와 기판 사이에 이물질이 걸려 있고, 몰드와 기판 상의 임프린트재가 서로 접촉하게 될 때 획득되는 압력에 의해 몰드가 손상될 수 있다.
일본 특허 공개 제2009-16434호, 제2010-93245호 및 제2015-56589호 각각은 이러한 이물질을 제거하는 기술을 제안하고 있다. 일본 특허 공개 제2009-16434호는 플라즈마에 의해 이물질을 제거하는 기술을 개시하고 있다. 일본 특허 공개 제2010-93245호는, 클리닝 대상 부재를 클리닝하는 클리닝 장치를 노광 장치 내에 구비하는 기술을 개시하고 있다. 일본 특허 공개 제2015-56589호는, 임프린트 장치 내에서 몰드에 부착된 이물질을 검출하고, 이물질이 검출된 경우, 임프린트 장치로부터 몰드를 반출해서(즉, 임프린트 장치 외부로) 몰드를 클리닝하는 기술을 개시하고 있다.
그러나, 종래 기술에서는, 몰드에 부착되어 있는 이물질의 위치를 특정하거나 이물질이 몰드에 부착된 타이밍에서 클리닝을 행하는 것이 불가능하다. 그러므로, 예를 들어 몰드의 전체 표면을 클리닝하거나 미리결정된 기간마다 몰드를 클리닝을 행함으로써 프로세스에 대한 영향을 최소화한다.
그러나, 몰드의 전체 표면의 클리닝에는 30분 이상이 걸리고, 그 외에 예를 들어 임프린트 장치로부터 몰드를 반출하는 시간을 고려하면, 1시간 이상의 휴지시간이 발생하게 된다. 따라서, 종래 기술과 같이 미리결정된 시간마다 몰드를 클리닝하면 불필요한 클리닝이 행하여질 수 있다. 이러한 경우에, 장치의 가용성(스루풋)이 크게 저하될 수 있다. 또한, 몰드를 클리닝해야 할 타이밍에서 항상 클리닝이 행하여지는 것은 아니므로, 기판 상에 형성되는 패턴의 불량이나 몰드에 대한 손상을 효과적으로 방지하는 것이 불가능하다.
본 발명은 몰드의 클리닝에 유리한 임프린트 장치를 제공한다.
본 발명의 일 양태에 따르면, 몰드를 사용해서 기판 상에 패턴을 형성하는 임프린트 장치로서, 상기 장치는, 몰드를 보유지지하도록 구성된 보유지지 유닛, 상기 보유지지 유닛이 상기 몰드를 보유지지하는 상태에서 상기 몰드의 패턴면의 일부분에 클리닝을 행하도록 구성된 클리닝 유닛, 상기 몰드의 패턴면에 부착된 이물질의 위치를 특정하도록 구성된 특정 유닛; 및 상기 특정 유닛에 의해 특정된 상기 이물질의 위치에 기초하여 상기 클리닝 유닛을 위치시키고 상기 클리닝 유닛이 상기 클리닝을 행하게 함으로써 상기 이물질을 제거하는 처리를 행하도록 구성된 처리 유닛을 포함하는 임프린트 장치가 제공된다.
본 발명의 추가적인 양태는 첨부된 도면을 참고한 예시적인 실시형태에 대한 이하의 설명으로부터 명확해질 것이다.
도 1은 본 발명의 양태에 따른 임프린트 장치의 구성을 도시하는 도면이다.
도 2는 본 발명의 양태에 따른 임프린트 장치의 구성을 도시하는 도면이다.
도 3은 본 발명의 양태에 따른 임프린트 장치의 구성을 도시하는 도면이다.
도 4는 몰드를 클리닝하는 처리를 설명하기 위한 흐름도이다.
도 5는 본 발명의 양태에 따른 임프린트 장치에서의 임프린트 처리를 설명하기 위한 흐름도이다.
도 6은 본 발명의 양태에 따른 임프린트 장치에서의 임프린트 처리를 설명하기 위한 흐름도이다.
본 발명의 바람직한 실시형태를 첨부의 도면을 참고하여 이하에서 설명한다. 도면 전체에 걸쳐 동일한 참조 번호는 동일한 부재를 나타내며, 그에 대한 반복적인 설명은 주어지지 않는다.
도 1은 본 발명의 양태에 따른 임프린트 장치(100)의 구성을 도시하는 도면이다. 임프린트 장치(100)는, 기판 상의 임프린트재에 몰드를 사용해서 패턴을 형성하는 임프린트 처리를 행하는 리소그래피 장치이다. 임프린트 장치(100)는, 검출 유닛(1), 몰드(3)를 보유지지하면서 이동하는 몰드 보유지지 유닛(2), 기판(7)을 보유지지하면서 이동하는 기판 스테이지(6), 클리닝 유닛(5), 회수 유닛(8), 및 제어 유닛(20)을 포함한다.
검출 유닛(1)은, 몰드 보유지지 유닛(2)에 의해 보유지지된 몰드(3)의 패턴면(3a)의 상태를 관찰함으로써, 몰드(3)의 패턴면(3a)에 부착된 이물질(4)을 검출한다. 본 실시형태에서는, 검출 유닛(1)은 몰드 보유지지 유닛(2)에 배치된다. 그러나, 검출 유닛(1)은, 몰드(3)의 패턴면(3a)의 상태, 즉 패턴면(3a)에 부착된 이물질(4)을 검출할 수 있는 위치에 배치될 수 있다.
본 실시형태에서, 검출 유닛(1)은, 몰드(3)의 패턴면(3a)을 촬상함으로써 화상을 취득하는 카메라(촬상 유닛)를 포함하고, 상기 화상으로부터 패턴면(3a)에 부착된 이물질(4)을 검출하는 화상 검출 방식을 채용하고 있다. 그러나, 검출 유닛(1)이 포함하는 센서는 화상 검출 방식의 센서로 한정되지 않는다. 검출 유닛(1)은 와전류 방식, 광학 방식, 초음파 방식 등의 비접촉형 센서를 포함할 수 있다. 검출 유닛(1)이 비접촉형 센서를 포함하는 경우에는, 검출 유닛은, 몰드(3)의 기준이 되는 데이터(예를 들어, 높이)를 미리 구함으로써, 이러한 데이터와 임의의 타이밍에서의 검출 결과 사이의 차이로부터 몰드(3)의 패턴면(3a)에 부착된 이물질(4)을 검출할 수 있다. 이물질(4)로부터의 반사에 의해 패턴면(3a)의 상태를 관찰하는 것이 불가능하게 되는 경우에는, 검출 유닛(1)은 몰드(3)의 패턴면(3a)에의 이물질(4)의 부착의 발생을 검출할 수 있다.
검출 유닛(1)은, 비접촉형 센서가 아닌, 트랜스 방식, 스케일 방식 등의 접촉형 센서를 포함할 수 있다. 검출 유닛(1)이 접촉형 센서를 포함하는 경우에는, 몰드(3)가 투명한 매체이어도 패턴면(3a)의 상태를 정밀하게 관찰할 수 있다.
검출 유닛(1)은, 예를 들어 검출할 이물질(4)의 크기나 종류, 검출 유닛(1)이 배치되는 공간, 몰드(3)에 대한 검출 각도, 또는 몰드(3)의 물성에 따라서 채용할 검출 방식을 선택할 수 있다. 대안적으로, 상이한 검출 방식을 채용하는 복수의 검출 유닛(1)이 배치될 수 있으며, 이물질(4)을 검출하는 최적의 검출 방식을 채용하는 검출 유닛(1)을 각각의 제조 프로세스마다 선택할 수 있다.
클리닝 유닛(5)은, 몰드 보유지지 유닛(2)이 몰드(3)를 보유지지하는 상태에서, 몰드(3)를 국소적으로 클리닝, 즉 몰드(3)의 패턴면(3a)의 일부분을 클리닝한다. 클리닝 유닛(5)은, 몰드 보유지지 유닛(2)에 의해 보유지지된 몰드(3)에 대하여 이동가능하게 구성되고, 예를 들어 도 1에 도시한 바와 같이 기판 스테이지(6)에 배치된다.
본 실시형태에서, 클리닝 유닛(5)은 플라즈마에 의해 몰드(3)를 클리닝하는 플라즈마 클리닝 기구를 포함한다. 그러나, 본 발명은 이에 한정되지 않는다. 클리닝 유닛(5)은 몰드(3)를 클리닝할 수 있는 기구를 포함할 수 있다. 예를 들어, 클리닝 유닛(5)은, 반도체의 분야에서 일반적으로 사용되는 정전기 제거 기구(이오나이저), 물리적 클리닝 기구 등을 포함할 수 있다. 또한, 몰드(3)의 패턴면(3a)에 부착된 이물질(4)을 제거할 수 있는 구성이 채용되는 한, 복수의 클리닝 유닛(5)이 배치될 수 있거나, 복수의 클리닝 유닛(5)은 상이한 클리닝 방식을 가질 수 있다. 몰드(3)의 클리닝은 접촉식 또는 비접촉식으로 한정되지 않는다.
회수 유닛(8)은, 몰드 보유지지 유닛(2)에 의해 보유지지된 몰드(3)의 근방에 배치되고, 클리닝 유닛(5)이 몰드(3)를 클리닝할 때 발생하는 가스, 특히 임프린트 처리를 방해하는 가스를 회수한다. 임프린트 처리를 방해하는 가스가 발생되지 않는 경우에는, 회수 유닛(8)은 반드시 필요한 구성 요소가 아니다.
제어 유닛(20)은 전체 임프린트 장치(100)를 제어한다. 예를 들어, 제어 유닛(20)은, 임프린트 장치(100)의 각각의 유닛을 제어함으로써 임프린트 처리를 행한다. 임프린트 처리에서는, 기판 상에 임프린트재를 공급하고, 몰드(3)와 기판 상의 임프린트재가 서로 접촉하는 상태에서 임프린트재를 경화시키며, 경화된 임프린트재로부터 몰드(3)를 분리함으로써 기판 상에 패턴을 형성한다.
상술한 바와 같이, 임프린트 처리에서는, 몰드(3)와 기판 상의 임프린트재는 동일한 공간에 존재하고, 이들은 서로 접촉된다. 결과적으로, 몰드(3)(패턴면(3a))에 이물질(4)이 부착될 수 있다. 예를 들어, 몰드(3)와 기판 상의 임프린트재를 서로 접촉시키거나, 기판 상의 임프린트재로부터 몰드(3)를 분리하는 것에 의해 몰드(3)가 대전될 수 있고, 몰드(3)의 근방에 존재하는 파티클이 몰드(3)에 끌어 당겨져서 이물질(4)로서 부착될 수 있다. 또한, 몰드(3)에 잔류한 임프린트재가 퇴적되어 이물질(4)로서 부착될 수 있다.
몰드(3), 특히 그 패턴면(3a)에 이물질(4)이 부착되어 있으면, 기판 상에 형성되는 패턴의 불량이나 몰드(3)에 대한 손상이 발생한다. 이를 해결하기 위해서, 본 실시형태에서는, 검출 유닛(1)이 몰드(3)의 패턴면(3a)에의 이물질(4)의 부착을 검출하고, 검출 유닛(1)이 몰드(3)의 패턴면(3a)에의 이물질(4)의 부착을 검출하면, 이물질(4)의 위치를 특정한다. 그리고, 클리닝 유닛(5)은 몰드(3)의 패턴면(3a)의, 이물질(4)이 부착된 부분(일부분)을 클리닝한다. 이러한 처리를 실현하기 위해서, 제어 유닛(20)은 특정 유닛(22), 생성 유닛(24), 및 처리 유닛(26)을 포함한다.
특정 유닛(22)은, 검출 유닛(1)의 검출 결과에 기초하여, 몰드(3)의 패턴면(3a)에 부착된 이물질(4)의 위치를 특정한다. 생성 유닛(24)은, 특정 유닛(22)에 의해 특정된 이물질(4)의 위치를 나타내는 이물질 정보(12)를 생성한다. 이물질 정보(12)는, 예를 들어 몰드(3)의 패턴면(3a)에서의 이물질(4)의 위치(좌표)를 나타내는 데이터, 이물질(4)의 크기를 나타내는 데이터, 이물질(4)의 높이를 나타내는 데이터 등을 포함한다. 처리 유닛(26)은, 특정 유닛(22)에 의해 특정된 이물질(4)의 위치에 기초하여 클리닝 유닛(5)을 위치시키고, 클리닝 유닛(5)이 클리닝을 행하게 함으로써 이물질(4)을 제거하는 처리를 행한다. 예를 들어, 처리 유닛(26)은, 생성 유닛(24)에 의해 생성된 이물질 정보(12)에 기초하여, 몰드(3)의 패턴면(3a)에 부착된 이물질(4) 아래에 클리닝 유닛(5)이 위치하도록 클리닝 유닛을 이동시킨다. 도 1에서는, 클리닝 유닛(5)이 기판 스테이지(6)에 배치되어 있기 때문에, 기판 스테이지(6)를 이동시키기만 하면 된다.
임프린트 장치(100)에서는, 몰드 보유지지 유닛(2)이 몰드(3)를 보유지지하는 상태에서(즉, 몰드(3)를 반출하지 않은 상태), 몰드(3)의 패턴면(3a)의 일부분을 클리닝함으로써 패턴면(3a)에 부착된 이물질(4)을 제거할 수 있다. 그러므로, 임프린트 장치(100)는, 몰드(3)의 전체 표면이 클리닝되는 경우와 비교하여, 몰드(3)를 클리닝하는데 요구되는 시간을 크게 단축할 수 있고, 따라서 장치의 가용성(스루풋)의 저하를 억제할 수 있다.
임프린트 장치(100)에서는, 몰드(3)의 패턴면(3a)에의 이물질(4)의 부착을 검출 유닛(1)에 의해 항상 검출할 수 있다. 이는 몰드(3)가 클리닝되어야 하는 타이밍에 몰드를 클리닝할 수 있게 한다. 그러므로, 임프린트 장치(100)는, 미리결정된 기간마다 몰드(3)를 클리닝하는 경우에 비하여, 불필요한 클리닝이 행하여질 가능성을 저감할 수 있고, 기판 상에 형성된 패턴의 불량이나 몰드(3)에 대한 손상을 효과적으로 방지할 수 있다.
클리닝 유닛(5)은, 기판 스테이지(6)에 배치되지 않고, 도 2에 도시한 바와 같이 몰드(3)를 보유지지하여 몰드 보유지지 유닛(2)에 반송하는 반송 유닛(9)에 배치될 수 있다. 이 경우, 처리 유닛(26)은, 생성 유닛(24)에 의해 생성된 이물질 정보(12)에 기초하여, 몰드(3)의 패턴면(3a)에 부착된 이물질(4) 아래에 클리닝 유닛(5)이 위치되도록, 반송 유닛(9)을 이동시킨다. 클리닝 유닛(5)을 반송 유닛(9)에 배치함으로써, 클리닝 유닛(5)은 몰드(3)와 기판(7)이 존재하는 공간에 영구적으로 설치될 필요가 없다. 또한, 몰드(3)를 반송하는 단계에 몰드(3)의 클리닝을 통합시킬 수 있다. 도 2는, 클리닝 유닛(5)이 몰드(3)의 반송 유닛(9)에 배치되는 경우를 나타낸다. 그러나, 기판(7)을 보유지지하여 기판 스테이지(6)에 반송하는 반송 유닛에 클리닝 유닛(5)을 배치하는 경우에도 동일하게 적용된다.
또한, 도 3에 도시한 바와 같이, 클리닝 유닛(5)과 검출 유닛(1)을 동일한 이동 유닛(10)에 배치할 수 있다. 이동 유닛(10)은, 클리닝 유닛(5) 및 검출 유닛(1)을 보유지지하여 이동하는 기능을 갖는다. 이동 유닛(10)은, 기판 스테이지(6), 반송 유닛(9) 등과 마찬가지로, 몰드(3)의 패턴면(3a)의 지정 부분에 대응하는 위치로 이동할 수 있으며, 기판 스테이지(6) 및 반송 유닛(9)과 독립적으로 이동할 수 있는 기구이다.
클리닝 유닛(5) 및 검출 유닛(1)이 이동 유닛(10)에 배치되는 경우에도, 처리 유닛(26)은 상술한 바와 같이 이동 유닛(10)을 이동시킬 수 있다. 더 구체적으로는, 처리 유닛(26)은, 생성 유닛(24)에 의해 생성된 이물질 정보(12)에 기초하여, 몰드(3)의 패턴면(3a)에 부착된 이물질(4) 아래에 클리닝 유닛(5)이 위치하도록, 이동 유닛(10)을 이동시킬 수 있다. 그러나, 클리닝 유닛(5) 및 검출 유닛(1)이 이동 유닛(10)에 배치되는 경우에는, 처리 유닛(26)은, 검출 유닛(1)이 몰드(3)의 패턴면(3a)에 부착된 이물질(4)을 검출하는 위치로부터, 이동 유닛(10)에 설치된 클리닝 유닛(5)과 검출 유닛(1) 사이의 거리만큼 이동 유닛(10)을 이동시킬 수 있다. 이 경우에도, 몰드(3)의 패턴면(3a)의, 이물질(4)이 부착된 부분을 클리닝 유닛(5)에 의해 클리닝할 수 있다.
클리닝 유닛(5) 및 검출 유닛(1)을 1개의 이동 유닛(10)에 배치하여 이동시킴으로써, 복수의 이동 기구를 서로 동기시켜서 이동시킬 필요가 없다. 이는 클리닝 유닛(5) 및 검출 유닛(1)의 이동의 제어를 더 용이하게 한다. 이는 또한 이동 유닛(10)에서의 메인터넌스성도 향상시킬 수 있다.
클리닝 유닛(5)을 전용 이동 유닛(10)에 배치함으로써, 예를 들어 기판(7)의 교환 등의 프로세스에 관계되지 않는 기간에, 몰드(3)를 클리닝할 수 있다. 또한, 임프린트 처리가 행해지는 기간에도, 예를 들어 디스펜서로부터 기판 상에 임프린트재를 공급하는 기간 같이 몰드(3) 아래에 기판(7)이 배치되어 있지 않은 기간에도, 몰드(3)를 클리닝할 수 있다.
임프린트 장치(100)가 상이한 클리닝 방식의 복수의 클리닝 유닛(5)을 포함하는 경우, 처리 유닛(26)은, 이물질 정보(12)에 기초하여, 복수의 클리닝 유닛(5)으로부터 몰드(3)의 클리닝에 사용되는 클리닝 유닛(5)을 선택할 수 있다. 예를 들어, 처리 유닛(26)은, 몰드(3)의 패턴면(3a)에 부착된 이물질(4)의 크기, 이물질(4)이 부착된 타이밍 등에 기초하여, 최적의 클리닝 방식의 클리닝 유닛(5)을 선택한다. 복수의 클리닝 유닛(5) 중 몇 가지를 조합해서 몰드(3)를 클리닝할 수 있거나, 복수의 클리닝 유닛(5) 각각에 의해 순차적으로 몰드(3)를 클리닝할 수 있다.
도 4를 참조하여, 몰드(3)를 클리닝하는 처리에 대해서 설명한다. 단계 S401에서, 검출 유닛(1)은, 몰드 보유지지 유닛(2)에 의해 보유지지된 몰드(3)의 패턴면(3a)의 상태를 관찰함으로써, 몰드(3)의 패턴면(3a)에 부착된 이물질(4)을 검출한다.
단계 S402에서, 처리 유닛(26)(제어 유닛(20))은, 단계 S401에서의 검출 유닛(1)의 검출 결과에 기초하여, 몰드(3)의 패턴면(3a)에 이물질(4)이 부착되어 있는지 여부를 판정한다. 몰드(3)의 패턴면(3a)에 이물질(4)이 부착되어 있지 않을 경우에는, 몰드(3)는 클리닝될 필요가 없기 때문에, 처리를 종료한다. 한편, 몰드(3)의 패턴면(3a)에 이물질(4)이 부착되어 있는 경우에는, 처리는 단계 S403로 이행한다.
단계 S403에서, 특정 유닛(22)은, 단계 S401에서의 검출 유닛(1)의 검출 결과에 기초하여, 몰드(3)의 패턴면(3a)에 부착된 이물질(4)의 위치를 특정한다. 단계 S404에서, 생성 유닛(24)은, 단계 S403에서 특정 유닛(22)에 의해 특정된 이물질(4)의 위치를 나타내는 이물질 정보(12)를 생성한다.
단계 S405에서, 처리 유닛(26)은, 단계 S404에서 생성된 이물질 정보(12)에 기초하여 클리닝 유닛(5)을 위치시키고, 클리닝 유닛(5)이 몰드(3)를 클리닝하게 함으로써 이물질(4)을 제거한다. 이때, 클리닝 유닛(5)은 상술한 바와 같이 몰드(3)의 패턴면(3a)에 부착된 이물질(4) 아래에 위치된다.
클리닝 유닛(5)이 몰드(3)의 클리닝을 종료한 후에, 처리는 단계 S401로 이행한다. 처리는, 몰드(3)의 패턴면(3a)에 부착된 이물질(4)이 제거된 것이 확인될 때(즉, 단계 S402에서 아니오)까지 계속된다. 임프린트 장치(100)의 클리닝 유닛(5)에 의해 제거될 수 없는 이물질(4)이 몰드(3)의 패턴면(3a)에 부착될 수 있다. 그러므로, 클리닝 유닛(5)이 몰드(3)를 클리닝하는 횟수에 대해 상한이 설정되고, 상한을 초과한 경우에는 몰드(3)를 클리닝하는 처리를 종료할 수 있다. 상술한 바와 같이 임프린트 장치 내에서 몰드(3)에 부착된 이물질이 제거될 수 없다고 판정되는 경우에는, 몰드(3)는 임프린트 장치(100)로부터 반출될 수 있다. 몰드(3)는 임프린트 장치 외부에서 클리닝될 수 있고, 그 후 다시 임프린트 장치(100) 내에 반입되거나, 새로운 몰드가 임프린트 장치(100) 내에 반입될 수 있다.
도 5를 참조하여, 임프린트 장치(100)에서의 임프린트 처리에 대해서 설명한다. 도 5에 도시하는 임프린트 처리는 도 4에 도시하는 몰드(3)를 클리닝하는 처리를 포함한다.
단계 S501에서, 임프린트 장치(100) 내에 몰드(3) 및 기판(7)이 반입된다. 더 구체적으로는, 몰드(3)는 몰드 보유지지 유닛(2)에 반송하고, 기판(7)은 기판 스테이지(6)에 반송된다. 단계 S502에서, 몰드(3) 및 기판(7)의 반입(단계 S501)과 함께, 도 4에 도시된 몰드(3)를 클리닝하는 처리도 동시에 행해진다. 상술한 바와 같이, 임프린트 처리를 행하기 전이며, 몰드(3) 및 기판(7) 중 적어도 하나가 반송되는 기간에, 몰드(3)를 클리닝하는 처리가 행해진다. 대안적으로, 몰드(3) 및 기판(7)의 반송이 완료된 후이며, 임프린트 처리를 행하기 전에, 몰드(3)를 클리닝하는 처리가 행해질 수 있다. 이에 의해, 임프린트 처리를 행하기 전에, 몰드(3)의 패턴면(3a)에 부착된 이물질(4)을 제거할 수 있기 때문에, 기판 상에 형성되는 패턴의 불량이나 몰드(3)의 손상을 억제할 수 있다.
그리고, 기판 상의 각 샷 영역에 대해 임프린트 처리가 행해진다. 단계 S503에서, 기판 상의, 임프린트 처리가 행해지는 대상 샷 영역에 임프린트재가 공급된다. 단계 S504에서, 기판 상의 대상 샷 영역이 몰드(3) 아래에 위치하도록 기판 스테이지(6)를 이동시킴으로써, 몰드(3)와 기판(7) 사이의 정렬이 행해진다. 단계 S505에서, 몰드(3)와 기판 상의 임프린트재가 서로 접촉된 상태에서 임프린트재를 경화시키고, 경화한 임프린트재로부터 몰드(3)를 분리함으로써 기판 상에 패턴을 형성한다.
단계 S506에서, 임프린트재의 공급(단계 S503) 및 정렬(단계 S504)과 동시에 도 4에 도시하는 몰드(3)를 클리닝하는 처리도 행해진다. 상술한 바와 같이, 기판 상의 대상 샷 영역에 임프린트재가 공급되는 기간, 혹은 몰드(3)와 기판 상의 임프린트재가 서로 접촉되기 전에 몰드(3)와 기판(7) 사이의 정렬을 행하는 기간에, 몰드(3)를 클리닝하는 처리가 행해진다. 상술한 바와 같이, 몰드(3)가 기판 상의 임프린트재에 접촉하지 않는 기간에 몰드(3)를 클리닝함으로써, 스루풋의 저하를 억제할 수 있다. 이는, 특히 도 3에 도시한 바와 같이 기판 스테이지(6) 및 반송 유닛(9)과 독립적으로 이동할 수 있는 기구에 클리닝 유닛(5)이 배치될 때 유리하다.
기판 상의 각각의 샷 영역에 임프린트 처리가 행해진 후에, 단계 S507에서 임프린트 장치(100)로부터 몰드(3) 및 기판(7)을 반출한다. 더 구체적으로는, 몰드 보유지지 유닛(2)으로부터 몰드(3)를 반송하고, 기판 스테이지(6)로부터 기판(7)을 반송한다.
도 6을 참조하여, 임프린트 장치(100)에서의 임프린트 처리에 대해서 설명한다. 도 6에 나타내는 임프린트 처리에서는, 몰드(3)를 클리닝하는 처리는, 몰드(3)의 패턴면(3a)에 부착된 이물질(4)을 검출하는 처리와, 몰드(3)의 패턴면(3a)에 부착된 이물질(4)을 제거하는 처리로 나누어서 행해진다. 여기에서는, 몰드(3) 및 기판(7)을 반입하는 단계 및 몰드(3) 및 기판(7)을 반출하는 단계의 도시를 생략하고, 기판 상의 1개의 샷 영역에 대한 임프린트 처리를 예로 들어 설명한다.
단계 S601에서, 기판 상의 샷 영역에 임프린트재를 공급한다. 단계 S602에서, 기판 상의 샷 영역이 몰드(3) 아래에 위치하도록 기판 스테이지(6)를 이동시킴으로써, 몰드(3)와 기판(7) 사이의 정렬이 행해진다. 단계 S603에서, 몰드(3)와 기판 상의 임프린트재가 서로 접촉된다. 단계 S604에서, 몰드(3)와 기판 상의 임프린트재가 서로 접촉된 상태에서 임프린트재가 경화된다. 단계 S605에서, 기판 상의 경화한 임프린트재로부터 몰드(3)를 분리한다.
몰드(3)와 기판 상의 임프린트재 사이의 접촉이 개시된 후에, 단계 S606에서 몰드 보유지지 유닛(2)에 의해 보유지지된 몰드(3)의 패턴면(3a)에 부착된 이물질(4)을 검출한다. 상술한 바와 같이, 몰드(3)와 기판 상의 임프린트재 사이의 접촉의 개시로부터 종료까지의 기간에 이물질(4)을 검출한다. 본 실시형태에서는, 검출 유닛(1)은 몰드(3)의 패턴면(3a)을 촬상함으로써 화상을 취득하는 카메라를 포함한다. 따라서, 몰드(3)와 기판 상의 임프린트재 사이의 접촉의 개시로부터 종료까지의 기간에, 몰드(3)의 패턴면(3a)과 기판(7) 사이의 거리에 대응하는 간섭 무늬가 관찰된다. 따라서, 간섭 무늬로부터, 패턴면(3a)에 부착된 이물질(4)을 검출하는 것이 가능하다. 현 상황하에서, 몰드(3)와 기판 상의 임프린트재 사이의 접촉의 개시로부터 종료까지 몇 초가 걸린다. 따라서, 그 시간 내에 몰드(3)의 패턴면(3a)에 부착된 이물질(4)을 검출하는 것이 충분히 가능하고, 스루풋의 저하를 초래하지 않는다.
단계 S607에서는, 단계 S606에서의 검출 유닛(1)의 검출 결과에 기초하여, 처리 유닛(26)(제어 유닛(20))은 몰드(3)를 클리닝할지 여부를 판정한다. 이 판정은 몰드(3)의 패턴면(3a)에 부착된 이물질(4)의 유무 또는 크기를 기준으로 하여 행해질 수 있다. 대안적으로, 판정은 몰드(3)의 패턴면(3a)에 부착된 이물질(4)이 장래에 기판 상에 형성되는 패턴 및 몰드(3)에 영향을 주는 정도를 기준으로 행해질 수 있다. 몰드(3)가 클리닝되지 않는 경우, 처리는 종료된다. 한편, 몰드(3)가 클리닝되는 경우에는, 처리는 단계 S608로 이행한다.
단계 S608에서, 몰드(3)는 클리닝된다. 몰드(3)는, 단계 S606에서의 검출 유닛(1)의 검출 결과에 기초하여, 도 4에 도시하는 단계 S403, S404 및 S405를 행함으로써 클리닝될 수 있다. 따라서, 여기서는 상세한 설명을 생략한다.
상술한 바와 같이, 몰드(3)가 클리닝이 필요한 경우에는, 다음 샷 영역에 대해 임프린트 처리를 행하기 전에 몰드(3)를 클리닝함으로써, 다음 샷 영역에 형성되는 패턴의 불량이나 몰드(3)에 대한 손상을 억제할 수 있다.
임프린트 장치(100)는, 몰드(3)를 클리닝하는 처리의 결과를 나타내는 표시 장치를 포함할 수 있다. 임프린트 장치 내에서 이물질을 제거하는 처리를 행한 결과로서, 클리닝 유닛(5)에 의해 제거될 수 없는 이물질이 몰드(3)에 부착되어 있다고 판정되는 경우, 표시 장치가 그 결과를 표시하게 할 수 있다.
물품으로서의 디바이스(반도체 디바이스, 자기 저장 매체, 액정 표시 소자 등)의 제조 방법에 대해서 설명한다. 상기 제조 방법은, 임프린트 장치(100)를 사용해서 패턴을 기판(웨이퍼, 유리 플레이트, 필름 유사 기판 등)에 형성하는 단계를 포함한다. 상기 제조 방법은 패턴이 형성된 기판을 처리하는 단계를 더 포함한다. 처리 단계는 패턴의 잔막을 제거하는 단계를 포함할 수 있다. 처리 단계는 또한 패턴을 마스크로서 사용하여 기판을 에칭하는 단계 같은 다른 주지의 단계를 포함할 수 있다. 본 실시형태에 따른 물품 제조 방법은 물품의 성능, 품질, 생산성 및 생산 비용 중 적어도 하나에서 종래 기술에 비해 우수하다.
본 발명은, 임프린트 장치에 한정되지 않고, 반도체 클리닝 장치, 반도체 제조 장치, 및 액정 제조 장치로 대표되는 산업 기기, 즉 몰드나 원판을 클리닝하는 기구를 포함하는 장치에 적용될 수 있다.
본 발명을 예시적인 실시형태를 참고하여 설명하였지만, 본 발명은 개시된 예시적인 실시형태로 한정되지 않음을 이해해야 한다. 이하의 청구항의 범위는 이러한 모든 변형과 동등한 구조 및 기능을 포함하도록 최광의로 해석되어야 한다.
본 출원은 전문에 본원에 참조로 통합되는 2015년 9월 15일에 출원된 일본 특허 출원 제2015-182230호의 우선권을 청구한다.

Claims (13)

  1. 몰드를 사용해서 기판 상에 패턴을 형성하는 임프린트 장치이며,
    몰드를 보유지지하도록 구성된 보유지지 유닛;
    상기 보유지지 유닛이 상기 몰드를 보유지지하는 상태에서 상기 몰드의 패턴면의 일부분에 클리닝을 행하도록 구성된 클리닝 유닛;
    상기 몰드의 패턴면에 부착된 이물질의 위치를 특정하도록 구성된 특정 유닛;
    상기 특정 유닛에 의해 특정된 상기 이물질의 위치를 나타내는 정보를 생성하도록 구성된 생성 유닛; 및
    상기 정보에 기초하여 상기 클리닝 유닛이 상기 이물질에 대응하여 위치하도록 상기 클리닝 유닛을 이동시킴으로써 상기 클리닝 유닛을 위치시키고, 상기 클리닝 유닛이 상기 클리닝을 행하게 함으로써 상기 이물질을 제거하는 처리를 행하도록 구성된 처리 유닛을 포함하는, 임프린트 장치.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 보유지지 유닛에 의해 보유지지된 상기 몰드의 패턴면에 부착된 이물질을 검출하도록 구성된 검출 유닛을 더 포함하며,
    상기 특정 유닛은 상기 검출 유닛의 검출 결과에 기초하여 상기 이물질의 위치를 특정하는, 임프린트 장치.
  3. 삭제
  4. 제1항에 있어서,
    상기 기판을 보유지지하면서 이동하도록 구성된 스테이지를 더 포함하고,
    상기 클리닝 유닛은 상기 스테이지에 배치되며,
    상기 처리 유닛은, 상기 정보에 기초하여, 상기 클리닝 유닛이 상기 이물질 아래에 위치되도록 상기 스테이지를 이동시키는, 임프린트 장치.
  5. 제1항에 있어서,
    상기 몰드를 보유지지하여 상기 보유지지 유닛에 반송하도록 구성된 반송 유닛을 더 포함하고,
    상기 클리닝 유닛은 상기 반송 유닛에 배치되며,
    상기 처리 유닛은, 상기 정보에 기초하여, 상기 클리닝 유닛이 상기 이물질 아래에 위치되도록 상기 반송 유닛을 이동시키는, 임프린트 장치.
  6. 제2항에 있어서,
    상기 클리닝 유닛 및 상기 검출 유닛을 보유지지하여 이동하도록 구성된 이동 유닛을 더 포함하며,
    상기 처리 유닛은, 상기 정보에 기초하여, 상기 클리닝 유닛이 상기 이물질 아래에 위치되도록 상기 이동 유닛을 이동시키는, 임프린트 장치.
  7. 제1항에 있어서,
    상기 클리닝 유닛은 플라즈마에 의해 상기 클리닝을 행하며,
    상기 임프린트 장치는 상기 클리닝에 의해 발생되는 가스를 회수하도록 구성된 회수 유닛을 더 포함하는, 임프린트 장치.
  8. 제1항에 있어서,
    상기 처리 유닛은, 상기 몰드를 사용해서 상기 기판 상에 패턴을 형성하기 전에, 상기 몰드 및 상기 기판 중 하나 이상이 반송되는 기간에 상기 처리를 행하는, 임프린트 장치.
  9. 제1항에 있어서,
    상기 처리 유닛은, 임프린트재가 상기 기판에 공급되는 기간에 상기 처리를 행하는, 임프린트 장치.
  10. 제1항에 있어서,
    상기 처리 유닛은, 상기 몰드와 상기 기판 상의 임프린트재를 서로 접촉시키기 전에 상기 몰드와 상기 기판 사이의 정렬이 행해지는 기간에 상기 처리를 행하는, 임프린트 장치.
  11. 제2항에 있어서,
    상기 처리 유닛은,
    상기 몰드와 상기 기판 상의 임프린트재 사이의 접촉의 개시로부터 종료시까지의 기간에, 상기 보유지지 유닛에 의해 보유지지된 상기 몰드의 상기 패턴면에 부착된 이물질을 상기 검출 유닛이 검출하게 하고,
    상기 기간에서의 상기 검출 유닛의 검출 결과에 기초하여, 상기 클리닝을 행할지의 여부를 판정하며,
    상기 처리 유닛이 상기 클리닝을 행한다고 판정하는 경우에, 상기 기판 상의 경화한 임프린트재로부터 상기 몰드를 분리한 후에, 상기 처리를 행하는, 임프린트 장치.
  12. 몰드를 사용해서 기판 상에 패턴을 형성하는 임프린트 방법이며,
    상기 몰드의 패턴면에 부착된 이물질의 위치를 특정하는 단계;
    상기 특정하는 단계에서 특정된 상기 이물질의 위치를 나타내는 정보를 생성하는 단계;
    상기 생성하는 단계에서 생성된 상기 정보에 기초하여, 클리닝 유닛이 상기 이물질에 대응하여 위치하도록 상기 클리닝 유닛을 이동시킴으로써 상기 클리닝 유닛을 위치시키고, 상기 클리닝 유닛을 사용하여 상기 몰드의 패턴면의 일부분을 클리닝함으로써 상기 이물질을 제거하는 단계; 및
    상기 이물질이 제거된 상기 몰드를 사용해서 상기 기판 상에 패턴을 형성하는 단계를 포함하는, 임프린트 방법.
  13. 물품 제조 방법이며,
    임프린트 장치를 사용하여 기판 상에 패턴을 형성하는 단계; 및
    상기 패턴이 형성된 기판을 처리하는 단계를 포함하고,
    상기 임프린트 장치는, 몰드를 사용하여 상기 기판 상에 상기 패턴을 형성하며,
    상기 임프린트 장치는,
    몰드를 보유지지하도록 구성된 보유지지 유닛;
    상기 보유지지 유닛이 상기 몰드를 보유지지하는 상태에서 상기 몰드의 패턴면의 일부분에 클리닝을 행하도록 구성된 클리닝 유닛;
    상기 몰드의 패턴면에 부착된 이물질의 위치를 특정하도록 구성된 특정 유닛;
    상기 특정 유닛에 의해 특정된 상기 이물질의 위치를 나타내는 정보를 생성하도록 구성된 생성 유닛; 및
    상기 정보에 기초하여 상기 클리닝 유닛이 상기 이물질에 대응하여 위치하도록 상기 클리닝 유닛을 이동시킴으로써 상기 클리닝 유닛을 위치시키고, 상기 클리닝 유닛이 상기 클리닝을 행하게 함으로써 상기 이물질을 제거하는 처리를 행하도록 구성된 처리 유닛을 포함하는, 물품 제조 방법.
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Families Citing this family (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP7043199B2 (ja) * 2017-08-03 2022-03-29 キヤノン株式会社 インプリント方法、プログラム、インプリント装置及び物品の製造方法
TWI720355B (zh) * 2017-10-25 2021-03-01 日商東芝機械股份有限公司 轉印裝置
JP7071200B2 (ja) * 2018-04-24 2022-05-18 キヤノン株式会社 成形装置及び物品の製造方法
JP7262939B2 (ja) 2018-07-20 2023-04-24 キヤノン株式会社 クリーニング装置、インプリント装置、リソグラフィ装置、および、クリーニング方法
JP7308087B2 (ja) * 2019-07-02 2023-07-13 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置及び基板処理方法
KR102628816B1 (ko) * 2020-06-23 2024-01-24 주식회사피에스디이 반도체 나노 임프린트 장치 및 소프트 몰드의 잔류 감광액 제거 방법

Citations (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2009016434A (ja) 2007-07-02 2009-01-22 Noritsu Koki Co Ltd レジスト除去装置
US20090038636A1 (en) * 2007-08-09 2009-02-12 Asml Netherlands B.V. Cleaning method
US20090149364A1 (en) 2007-12-07 2009-06-11 Mark Jonathan Beck Particle Removal Cleaning Method and Composition
JP2010093245A (ja) 2008-10-07 2010-04-22 Nikon Corp 露光装置、メンテナンス方法、露光方法、及びデバイス製造方法
JP2010149469A (ja) * 2008-12-26 2010-07-08 Showa Denko Kk インプリント装置およびモールドの汚染検出方法
US20130120729A1 (en) 2010-08-16 2013-05-16 Asml Netherlands B.V. Inspection method for imprint lithography and apparatus therefor
JP2015018997A (ja) 2013-07-12 2015-01-29 大日本印刷株式会社 インプリント装置及びインプリント方法
US20150151462A1 (en) * 2011-04-14 2015-06-04 Canon Kabushiki Kaisha Imprint method

Family Cites Families (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP1329770A1 (en) * 2002-01-18 2003-07-23 ASML Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
JP4523239B2 (ja) * 2003-04-15 2010-08-11 大日本スクリーン製造株式会社 基板処理装置および基板処理方法
JP4020260B2 (ja) * 2003-10-17 2007-12-12 東京エレクトロン株式会社 熱処理装置、および異物検出方法並びに異物除去方法
JP2008311422A (ja) * 2007-06-14 2008-12-25 Nikon Corp 基板処理装置、基板処理方法、露光装置及び露光方法並びにデバイス製造方法
DE102008028868A1 (de) * 2008-06-19 2009-12-24 Carl Zeiss Smt Ag Optische Baugruppe
JP5769451B2 (ja) * 2011-03-07 2015-08-26 キヤノン株式会社 インプリント装置および物品の製造方法
JP2012253124A (ja) * 2011-06-01 2012-12-20 Toppan Printing Co Ltd 露光用マスク異物除去装置及び露光装置

Patent Citations (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2009016434A (ja) 2007-07-02 2009-01-22 Noritsu Koki Co Ltd レジスト除去装置
US20090038636A1 (en) * 2007-08-09 2009-02-12 Asml Netherlands B.V. Cleaning method
US20090149364A1 (en) 2007-12-07 2009-06-11 Mark Jonathan Beck Particle Removal Cleaning Method and Composition
JP2010093245A (ja) 2008-10-07 2010-04-22 Nikon Corp 露光装置、メンテナンス方法、露光方法、及びデバイス製造方法
JP2010149469A (ja) * 2008-12-26 2010-07-08 Showa Denko Kk インプリント装置およびモールドの汚染検出方法
US20130120729A1 (en) 2010-08-16 2013-05-16 Asml Netherlands B.V. Inspection method for imprint lithography and apparatus therefor
US20150151462A1 (en) * 2011-04-14 2015-06-04 Canon Kabushiki Kaisha Imprint method
JP2015018997A (ja) 2013-07-12 2015-01-29 大日本印刷株式会社 インプリント装置及びインプリント方法

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