JP7308087B2 - 基板処理装置及び基板処理方法 - Google Patents

Description

本開示は、基板処理装置及び基板処理方法に関する。

特許文献１には、テンプレート上に形成された転写パターンが転写される塗布膜を基板上に形成する基板処理装置が開示されている。

特開２０１２－２２７３１８号公報

本開示にかかる技術は、基板処理装置における基板上への転写パターンの転写を効率的に行う。

本開示の一態様は、基板を処理する基板処理装置であって、前記基板処理装置には、前記基板の搬入出を行う搬入出領域と、前記基板に処理を施す処理領域と、が形成され、前記処理領域は、前記基板に所望の形状の型を押圧することで、前記基板に対する前記形状の転写を行う領域と、前記型の洗浄を行う領域と、を有し、前記基板処理装置は、前記基板を上面に支持する基板支持部と、前記基板支持部を前記搬入出領域と前記処理領域との間で移動させる支持部移動機構と、前記処理領域に設けられ、下面に前記所望の形状の型を有する転写部と、前記処理領域において、前記転写部を、前記基板支持部の移動方向と直交する方向に前記転写を行う領域と前記洗浄を行う領域との間で移動させる転写部移動機構と、を備える。

本開示によれば、基板処理装置における基板上への転写パターンの転写を効率的に行うことができる。

ウェハ処理システムの構成の概略を模式的に示す平面図である。 転写装置の構成の概略を模式的に示す側面図である。 転写装置の構成の概略を模式的に示す平面図である。 基板支持部の構成の概略を模式的に示す斜視図である。 転写部の構成の概略を模式的に示す（ａ）正面図（ｂ）側面図である。 転写処理の主な工程を示すフロー図である。 転写処理の主な工程の概略を模式的に示す説明図である。 他の実施形態にかかる転写装置の構成の概略を模式的に示す平面図である。 他の実施形態にかかるウェハ処理システムの構成の概略を模式的に示す平面図である。

例えば半導体デバイスの製造工程では、例えば、基板としての半導体ウェハ（以下、単に「ウェハ」という。）にフォトリソグラフィー処理を行い、ウェハ上にレジストパターンを形成することが行われている。

上述のレジストパターンを形成する際には、半導体デバイスの更なる高集積化を図るため、当該レジストパターンの微細化が求められている。一般にフォトリソグラフィー処理における微細化の限界は、露光処理に用いる光の波長程度である。このため、従来、露光処理の光を短波長化することが進められている。しかしながら、露光光源の短波長化には技術的、コスト的な限界があり、光の短波長化を進める方法のみでは、例えば数ナノメートルオーダーの微細なレジストパターンを形成するのが困難な状況にある。

そこで、ウェハにフォトリソグラフィー処理を行う代わりに、いわゆるインプリントと呼ばれる方法を用いてウェハ上に微細なレジストパターンを形成することが行われている。この方法は、表面に所望のレジストパターンを有するテンプレートをウェハ上に形成したレジスト膜の表面に圧着させ、その後剥離して当該レジスト膜の表面に直接パターンの転写を行うものである。

特許文献１に記載の基板処理装置は、上述のインプリント処理を行うための装置である。しかしながら特許文献１に記載の基板処理装置においては、当該基板処理装置内におけるウェハの移動や、当該基板処理装置を備えるインプリントシステム内におけるウェハの搬送等の観点から、更なる改善の余地があった。

本開示に係る技術は、基板処理装置における基板上への転写パターンの転写をより効率的に行う。以下、本実施形態にかかる基板処理装置としての転写装置について、図面を参照しながら説明する。なお、本明細書及び図面において、実質的に同一の機能構成を有する要素においては、同一の符号を付することにより重複説明を省略する。

基板を処理する基板処理装置であって、前記基板処理装置には、前記基板の搬入出を行う搬入出領域と、前記基板に処理を施す処理領域と、が形成され、前記処理領域は、前記基板に所望の形状の型を押圧することで、前記基板に対する前記形状の転写を行う領域と、前記型の洗浄を行う領域と、を有し、前記基板処理装置は、前記基板を上面に支持する基板支持部と、前記基板支持部を前記搬入出領域と前記処理領域との間で移動させる支持部移動機構と、前記処理領域に設けられ、下面に前記所望の形状の型を有する転写部と、前記処理領域において、前記転写部を、前記基板支持部の移動方向と直交する方向に前記転写を行う領域と前記洗浄を行う領域との間で移動させる転写部移動機構と、を備える。

＜ウェハ処理システム＞
図１に示すようにウェハ処理システム１は、例えば外部との間で複数のウェハＷを収容可能なカセットＣが搬入出される搬入出ステーション２と、ウェハＷに対して処理を施す各種処理装置を備えた処理ステーション３とを一体に接続した構成を有している。

搬入出ステーション２には、カセット載置台１０が設けられている。図示の例では、カセット載置台１０には複数、例えば４つのカセットＣをＸ軸方向に一列に載置自在になっている。なお、カセット載置台１０に載置されるカセットＣの数は本実施形態に限定されず、任意に決定できる。

搬入出ステーション２には、カセット載置台１０に隣接してウェハ搬送領域２０が設けられている。ウェハ搬送領域２０には、Ｘ軸方向に延伸する搬送路２１上を移動自在なウェハ搬送装置２２が設けられている。ウェハ搬送装置２２は、ウェハＷを保持して搬送する搬送アーム２３を有している。搬送アーム２３は、水平方向、鉛直方向、水平軸回り及び鉛直軸回りに移動自在に構成されている。なお、搬送アーム２３の数や構成はこれに限定されず、任意の構成を取り得る。

処理ステーション３には、ウェハ搬送領域２０のＹ軸正方向側に、ウェハＷ上に所望のパターンを形成する転写装置３０と、ウェハＷの熱処理を行う熱処理装置４０が、Ｘ軸方向に並べて配置されている。なお、転写装置３０、熱処理装置４０の数や配置は本実施形態に限定されず、任意に決定することができる。なお、転写装置３０の詳細な構成については後述する。

以上のウェハ処理システム１には制御装置５０が設けられている。制御装置５０は、例えばコンピュータであり、プログラム格納部（図示せず）を有している。プログラム格納部には、ウェハ処理システム１におけるウェハＷの処理を制御するプログラムが格納されている。また、プログラム格納部には、上述の各種処理装置や搬送装置などの駆動系の動作を制御して、ウェハ処理システム１における後述のウェハ処理を実現させるためのプログラムも格納されている。また、プログラム格納部には、転写装置３０における後述の転写処理を実現させるためのプログラムも格納されている。なお、上記プログラムは、コンピュータに読み取り可能な記憶媒体Ｈに記録されていたものであって、当該記憶媒体Ｈから制御装置５０にインストールされたものであってもよい。

＜ウェハ処理システムにおけるウェハ処理＞
次に、以上のように構成されたウェハ処理システム１を用いて行われるウェハ処理について説明する。

ウェハ処理システム１においては先ず、複数のウェハＷを収納したカセットＣが搬入出ステーション２のカセット載置台１０に載置される。

次に、ウェハ搬送装置２２によりカセットＣ内のウェハＷが取り出され、転写装置３０に搬送される。

転写装置３０では、ウェハＷ上に処理液を塗布した後、当該処理液が塗布されたウェハＷの塗布面に、所望の形状のパターンが形成されたテンプレートを押圧して、当該塗布面に当該パターンが転写された処理膜を形成する。なお、転写装置３０における基板処理方法としての転写処理方法の詳細な方法については後述する。

転写装置３０においてウェハＷ上に所望のパターンが転写されると、次に、ウェハ搬送装置２２により転写装置３０内のウェハＷが取り出され、熱処理装置４０に搬送される。

熱処理装置４０では、前記パターンが転写されたウェハＷを加熱処理することで、前記パターンが形成された処理膜の硬化処理を行う。

その後、全ての処理が施されたウェハＷは、ウェハ搬送装置２２により熱処理装置４０から取り出され、カセット載置台１０のカセットＣに搬送される。こうして、ウェハ処理システム１における一連のウェハ処理が終了する。

＜転写装置＞
次に、転写装置３０の詳細な構成について説明する。図２及び図３は、それぞれ転写装置３０の構成の概略を模式的に示す側面図及び平面図である。

図２、図３に示すように転写装置３０には水平面を有するステージ１００が設けられている。ステージ１００上には、搬入出領域３０ａ（Ｘ軸方向負方向側）と処理領域３０ｂ（Ｘ軸方向正方向側）とが形成されている。また処理領域３０ｂには、転写領域３０ｃ（Ｙ軸方向負方向側）と、洗浄検査領域３０ｄ（Ｙ軸方向正方向側）とが形成されている。

ステージ１００の上面には、ウェハＷを上面で支持する基板支持部１１０が設けられている。基板支持部１１０は、ウェハＷの被処理面Ｗａが上側となるように配置された状態で、ウェハＷを支持する。

また基板支持部１１０は、支持部移動機構としての移動機構１１１（例えばエアシリンダ）により、搬送路１１１ａに沿って水平方向（Ｘ軸方向）に移動自在に構成されている。かかる移動機構１１１により、基板支持部１１０に支持されたウェハＷが搬入出領域３０ａと処理領域３０ｂとの間で移動自在に構成されている。

図４は、基板支持部１１０の構成の概略を模式的に示す斜視図である。

図４に示すように基板支持部１１０は、ウェハＷを上面に保持するチャック１１２を有している。チャック１１２は、平面視においてウェハＷと同等、またはウェハＷ以上の面積を有している。また、チャック１１２は水平な上面を有し、当該上面には例えばウェハＷを吸引する吸引口（図示せず）が設けられている。かかる吸引口からの吸引を行うことで、ウェハＷの全面をチャック１１２上に吸着保持できる。

また基板支持部１１０には、後述の転写処理においてウェハＷのアライメントを行うための基準位置となるチャックマーク１１３と、後述のテンプレート１４１のチルト（平行度）を調節するためのチルト調整溝１１４と、が形成されている。なお、チャックマーク１１３及びチルト調整溝１１４の配置は図示の例には限定されず、任意に決定できる。

搬入出領域３０ａにおける基板支持部１１０の上方には、ウェハ搬送装置２２によりチャック１１２上に受け渡されたウェハＷのプリアライメント行うためのマーク検出部としてのプリアライメントカメラ１２０が、Ｙ軸方向に並べて２つ設けられている。プリアライメントカメラ１２０は、例えばステージ１００の上方に架設されるフレーム（図示せず）に設けられている。なお、転写装置３０に設けられるプリアライメントカメラ１２０の数や配置は本実施形態に限定されず、任意に決定できる。

処理領域３０ｂには、塗布部としてのディスペンサー１３０と、転写部１４０とが設けられている。ディスペンサー１３０及び転写部１４０は、Ｙ軸方向に延伸して配置されるフレーム１５０に設けられている。

ディスペンサー１３０は、チャック１１２上に支持されたウェハＷに対して処理液Ｓを供給する。処理液Ｓとしては、例えば後述の光照射部１４２から照射されるＵＶ光や、熱処理装置４０による熱処理により硬化するもの（例えばレジスト液）が使用される。

ディスペンサー１３０は、塗布部移動機構としての移動機構１５１（例えばエアシリンダ）により、搬送路１５１ａに沿って水平方向（Ｙ軸方向）に移動自在に構成されている。かかる移動機構１５１により、ディスペンサー１３０が転写領域３０ｃと洗浄検査領域３０ｄとの間で移動自在に構成されている。またディスペンサー１３０は、昇降機構（図示せず）により鉛直方向に昇降自在に構成されている。

また図３の例では、フレーム１５０には複数、例えば３つのディスペンサー１３０がＹ軸方向に並べて配置され、それぞれのディスペンサー１３０が独立して移動機構１５１によりＹ軸方向に移動自在になっている。なお、転写装置３０に配置されるディスペンサー１３０の数は本実施形態に限定されず、任意に決定できる。

洗浄検査領域３０ｄにおけるディスペンサー１３０の下方には、塗布部洗浄機構１３１が設けられている。塗布部洗浄機構１３１においては、ウェハＷに対して処理液Ｓを塗布した後のディスペンサー１３０の洗浄を行うと共に、ディスペンサー１３０のダミーディスペンスが行われる。

転写部１４０は、ウェハＷ上に所望のパターンを形成する。転写部１４０は、転写部移動機構としての移動機構１５２（例えばエアシリンダ）により、搬送路１５２ａに沿って水平方向（Ｙ軸方向）に移動自在に構成されている。かかる移動機構１５２により、転写部１４０が転写領域３０ｃと洗浄検査領域３０ｄとの間で移動自在に構成されている。

図５は、転写部１４０の構成の概略を模式的に示す（ａ）正面図（ｂ）側面図である。

図２、図５に示すように転写部１４０は、所望の形状のパターンが形成された型としてのテンプレート１４１と、光照射部１４２と、テンプレート保持部１４３と、アライメントカメラ１４４と、高さ検出部としての変位計１４５と、を備えている。光照射部１４２、テンプレート１４１は、テンプレート保持部１４３の下面にこの順に配置されている。アライメントカメラ１４４、変位計１４５は、テンプレート保持部１４３の側面にそれぞれ配置されている。また、図５（ｂ）に示すように、テンプレート保持部１４３は駆動機構１４６を有しており回転方向及び鉛直方向に移動自在に構成され、ボールねじ１４７を介して天板部１４８に接続されている。天板部１４８は既述の移動機構１５２と接続されている。

テンプレート１４１の下面には、所望の転写パターンＴが形成されている。転写パターンＴは、テンプレート１４１の下面に２つ以上形成されていてもよい。そして、かかるテンプレート１４１を、ウェハＷの被処理面Ｗａ上に塗布された処理液Ｓに対して上方から押圧することにより、ウェハＷ上の処理液Ｓに前記転写パターンＴを転写する。またテンプレート１４１の下面には、テンプレート１４１の水平方向の位置を調節するための複数のテンプレートマーク（図示せず）が形成されている。

またテンプレート１４１は、図２に示すようにウェハＷ上にパターンを転写する際のショットエリアのサイズで形成されている。ここで「ショット」とは、ウェハＷ上において光照射部１４２を走査させながら、複数回照射することによりウェハＷの全体にパターンを転写する場合に、１回に光が照射される領域のことを言う。なお、各ショットエリアは隣接するショットエリアと一部重複する。なおテンプレート１４１には、光照射部１４２から照射される光を透過可能な透明材料、例えば石英ガラスが用いられる。

光照射部１４２は、ウェハＷ上に供給されテンプレート１４１により押圧された状態の処理液Ｓに対して光を照射する。光照射部１４２からの光は、テンプレート１４１を透過して下方に照射される。なお、本実施の形態においては光照射部１４２から照射される光としては紫外線（ＵＶ）が使用されるが、他の光、例えば可視光や近紫外光などであってもよい。そして、光照射部１４２からのＵＶ光が照射されることにより、処理液ＳがＵＶ硬化し、半硬化状態の処理膜Ｍが形成される。なお半硬化状態の処理膜Ｍは、既述の熱処理装置４０による熱処理により完全に硬化する。

テンプレート保持部１４３は、球面軸受１４３ａを有しており、球面方向に摺動自在に構成されている。なお球面軸受１４３ａは、吸引機構（図示せず）に接続されており、当該吸引機構による吸引を行うことにより、傾斜方向を固定することができる。

また、テンプレート保持部１４３は駆動機構１４６を有している。駆動機構１４６は、図５（ｂ）に示すように、変位計１４５から出力される管理値に基づいてテンプレート１４１の高さ方向位置を調節する転写部昇降機構としての昇降機構１４６ａと、アライメントカメラ１４４から出力される補正値に基づいてテンプレート１４１の回転方向位置を調節する回転機構１４６ｂを有している。

昇降機構１４６ａは例えばＤＤモータを有しており、テンプレート保持部１４３に保持されたテンプレート１４１をスライダ１４６ｃに沿って昇降自在に構成されている。

回転機構１４６ｂは例えばＤＤモータを有しており、テンプレート１４１を回転自在に構成されている。

かかる構成により、テンプレート１４１は昇降機構１４６ａにより降下して既述のチルト調整溝１１４に押圧された際に、基板支持部１１０の傾斜に追従して球面軸受１４３ａの球面方向に摺動し、チャック１１２上に保持されたウェハＷとの平行度が調節できる。

アライメントカメラ１４４は、ウェハＷに形成された複数のウェハマーク（図示せず）を上方から撮像し、チャック１１２上に支持されたウェハＷの水平方向の位置（Ｘ軸方向位置、Ｙ軸方向位置、回転方向位置）を検知する。またアライメントカメラ１４４は、チャックマーク１１３を上方から撮像することで、後述のテンプレート認識カメラ１６１との水平方向位置のずれ量を算出すると共に、テンプレート１４１とアライメントカメラ１４４との間の離隔距離Ｌを算出する。

また、かかるアライメントカメラ１４４と後述のテンプレート認識カメラ１６１による検知結果に基づいて、ウェハＷとテンプレート１４１との水平方向のずれ量を調節するための補正値を算出する。算出された補正値は、制御装置５０に出力される。

変位計１４５は、ウェハＷ上に形成された転写パターンのギャップを管理する。具体的には、ウェハ上に形成される転写パターンの厚みがウェハＷの面内で一様になるように、テンプレート１４１の高さ方向位置を管理する。なお、変位計１４５によるテンプレート１４１の高さ方向位置の管理値は、制御装置５０に出力される。

洗浄検査領域３０ｄには、テンプレート認識カメラ１６１、洗浄部としてのテンプレート洗浄部１６２、離型剤供給部１６３、検査部としてのテンプレート検査カメラ１６４、がＹ軸方向負方向側からこの順に配置されている。

テンプレート認識カメラ１６１は、テンプレート１４１の下面に形成された複数のテンプレートマーク（図示せず）を下方から撮像して検出し、テンプレート１４１の水平方向の位置（Ｘ軸方向位置、Ｙ軸方向位置、回転方向位置）を算出する。またテンプレート認識カメラ１６１は、チャックマーク１１３を下方から撮像して認識することで、アライメントカメラ１４４との水平方向位置のずれ量を算出する。

テンプレート洗浄部１６２はテンプレート１４１の洗浄を行う。

離型剤供給部１６３は、テンプレート１４１の転写パターンの形成面に対して離型剤を塗布する。

テンプレート検査カメラ１６４は、テンプレート１４１を撮像することにより外観検査を行う。すなわち、例えばテンプレート１４１に破損が生じているか否か、テンプレート１４１に処理液Ｓや洗浄液が残存していないかを検査する。

本実施の形態にかかる処理装置としての転写装置３０は、以上のように構成されている。続いて、転写装置３０を用いて行われる転写処理の方法について説明する。

＜転写処理方法＞
図６、図７は、それぞれ転写処理の主な工程を示すフロー図および説明図である。

本実施の形態にかかる転写処理においては先ず、ウェハ搬送装置２２によりウェハＷが転写装置３０の内部に搬入され、搬入出領域３０ａの位置する基板支持部１１０のチャック１１２上に受け渡される（図６のステップＰ１）。

チャック１１２上にウェハＷが受け渡されると、続いてウェハＷのプリアライメントが行われる（図６のステップＰ２）。プリアライメントにおいては、図７（ａ）に示すようにプリアライメントカメラ１２０によりウェハＷ上に形成された複数のウェハマークが座標位置として検出され、ウェハＷがチャック１１２上の所定の位置に配置されるように、ウェハＷの水平方向位置（Ｘ軸方向位置、Ｙ軸方向位置、回転方向位置）が調節される。

ウェハＷのプリアライメントが完了すると、基板支持部１１０が移動機構１１１によりチルト調整溝１１４がテンプレート１４１の下方に配置されるように移動する。続いて、図７（ｂ）に示すように昇降機構１４６ａによりテンプレート１４１がチルト調整溝１１４に押圧される。なおかかる際、テンプレート保持部１４３の球面軸受１４３ａは吸引機構の動作を停止することにより球面に沿って摺動自在になっている。そしてこれにより、テンプレート１４１とチルト調整溝１１４が平行となるように、すなわち、テンプレート１４１とチャック１１２上に保持されたウェハＷが平行となるように、テンプレート１４１のチルトが調節される（図６のステップＰ３）。

また係る際、変位計１４５によりテンプレート１４１がチルト調整溝１１４に押圧された際の高さを測定する。そして、この時の高さを０点高さ（基準高さ）として設定し、制御装置５０に出力する（図６のステップＰ３）。

続いて、移動機構１１１によりウェハＷの上方にアライメントカメラ１４４が配置されるように基板支持部１１０を移動させる。そして図７（ｃ）に示すように、アライメントカメラ１４４によりウェハＷ上に形成された複数のウェハマーク（図示せず）を検出することにより、ウェハＷの水平方向位置（Ｘ軸方向位置、Ｙ軸方向位置、回転方向位置）を座標位置として検出する（図６のステップＰ４）。

続いて、移動機構１１１によりチャックマーク１１３の下方にテンプレート認識カメラ１６１が配置されるように基板支持部１１０を移動させる。そして図７（ｄ）に示すように、チャックマーク１１３を介してテンプレート認識カメラ１６１によりテンプレート１４１の下面に形成された複数のテンプレートマーク（図示せず）を検出することにより、ウェハＷに対するテンプレート１４１の水平方向位置（Ｘ軸方向位置、Ｙ軸方向位置、回転方向位置）を座標位置として検出する（図６のステップＰ５）。

ここで、ステップＰ４において検出されたウェハＷの座標位置と、ステップＰ５において検出されたテンプレート１４１の座標位置とを比較することにより、ウェハＷとテンプレート１４１の水平方向のずれ量を算出する。そして、算出されたずれ量に基づいて、ウェハＷとテンプレート１４１の水平方向の位置合わせを行う（図６のステップＰ６）。

ウェハＷとテンプレート１４１のアライメントが行われると、続いて、ステップＰ２のプリアライメントで得られた座標位置に基づいて、図７（ｅ）に示すように、ディスペンサー１３０からウェハＷ上に処理液Ｓが供給される（図６のステップＰ７）。処理液Ｓは、ウェハＷ上においてテンプレート１４１により１回にパターンが転写されるエリア毎、すなわち、ショットエリア毎に塗布される。

ここで転写装置３０においては、移動機構１１１により基板支持部１１０がＸ軸方向に移動自在であると共に、移動機構１５１によりディスペンサー１３０がＹ軸方向に移動自在に構成されている。これにより、チャック１１２上に保持されたウェハＷの全面に対して、適切に処理液Ｓを供給することができる。

また、既述のようにディスペンサー１３０はＹ軸方向に並べて複数、例えば３つ設けられている。これにより、ウェハＷ上に処理液Ｓを供給するディスペンス処理にかかる時間を短縮することができる。

なおウェハＷ上への処理液Ｓの供給は、既述のようにショットエリア毎に行われてもよいし、先にウェハＷの全面に処理液Ｓを供給してもよい。

ウェハＷに処理液Ｓが供給されると、次に、ステップＰ６のアライメントで得られた座標位置に基づいて、処理液Ｓが塗布された一のショットエリアがテンプレート１４１の下方に配置されるように基板支持部１１０を移動させる。

続いて、ステップＰ３において出力された基準高さに基づいて昇降機構１４６ａによりテンプレート１４１を降下させ、所望の転写パターンＴを転写するための押圧量（押圧高さ）で、テンプレート１４１を処理液Ｓに対して押圧する。そして、図７（ｆ）に示すように、かかる状態で光照射部１４２から処理液Ｓに向けてＵＶ光を照射する。これにより、ＵＶ光が照射されたショットエリア内の処理液Ｓが半硬化して処理膜Ｍが形成され、テンプレート１４１に形成された所定のパターンが当該処理膜Ｍに転写される（図６のステップＰ８）。

ここで転写装置３０においては、処理液Ｓが供給されたショットエリア毎にテンプレート１４１の押圧、ＵＶ光の照射を行うこと繰り返すことにより、ウェハＷの全面に転写パターンＴを形成する必要がある。しかしながら、テンプレート１４１の表面に処理液Ｓや処理膜Ｍが残存した状態で次のショットエリアの転写処理を行った場合、当該次のショットエリアにおいて、転写パターンＴが適切に形成されない恐れがある。

そこでステップＰ８における一のショットエリアの転写処理が完了すると、次に、移動機構１５２により転写部１４０を洗浄検査領域３０ｄへ移動させる。そして図７（ｇ）に示すように、テンプレート洗浄部１６２によるテンプレート１４１の洗浄、離型剤供給部１６３によるテンプレート１４１への離型剤の供給が、順次行われる（図６のステップＰ９）。なおかかる際、基板支持部１１０は転写領域３０ｃで待機していてもよいし、搬入出領域３０ａへ退避してもよい。

テンプレート１４１を洗浄し、当該洗浄面に対する離型剤供給部１６３による離型剤の供給が行われると、続いて、図７（ｈ）に示すようにテンプレート検査カメラ１６４によるテンプレート１４１の外観検査が行われる（図６のステップＰ１０）。すなわち、転写処理によりテンプレート１４１に破損が生じていないか、テンプレート１４１の洗浄が適切に行われているか、が検査される。

そして、当該外観検査によりテンプレート１４１に異常がないと判断されると、図７（ｉ）に示すように、他のショットエリアに対する転写処理（図６のステップＰ８）及びテンプレート１４１の洗浄、検査（図６のステップＰ９、Ｐ１０）が繰り返し行われる。

そして、全てのショットエリアにおける転写処理が終了すると、転写装置３０における一連の転写処理が終了する。

本実施の形態にかかる基板処理装置としての転写装置３０によれば、基板支持部１１０、ディスペンサー１３０、転写部１４０がそれぞれ独立して移動機構により移動可能であるため、装置内における処理動線を最適化することができる。すなわち、ウェハＷ上への転写パターンＴの転写を効率的に行うことができる。

また本実施形態によれば、一の転写装置３０の内部にディスペンサー１３０、テンプレート１４１、光照射部１４２がそれぞれ設けられているため、当該転写装置３０の内部で処理液Ｓの供給、押圧、処理膜Ｍの形成を完結することができる。すなわち、ウェハＷを複数の装置間で搬送する必要が無いため、転写処理にかかる時間を更に適切に短縮することができる。

また更に、本実施形態によればテンプレート１４１がショットエリアのサイズで成形されている。

一般的に、転写パターンが形成されたテンプレートは、特許文献１に開示されるようにウェハＷと略同径のサイズで成形される。ここでテンプレートに形成された転写パターンの一部に破損が生じた場合、当該破損個所のみを修繕することは困難であり、当該破損を残したまま使用を継続するか、ウェハサイズのテンプレートそのものを交換する必要があった。

また、新たなテンプレートを成形するにあたっては、当該テンプレートの全面において精密な転写パターンが形成される必要があり、テンプレートの再成形には多大なコストや時間が必要となった。

一方、本実施形態にかかるテンプレート１４１がショットエリアのサイズで成形されるため、上述した再成形にかかるコストや時間を低減することができる。

なお、前述のようにテンプレート１４１は、一回の転写処理を行う毎にテンプレート洗浄部１６２による洗浄が行われる必要がある。しかしながら、このように転写処理と洗浄処理を交互に繰り返して行う場合、ウェハＷの全面に所望のパターンを得るためには時間を要する。

そこで転写装置３０には、図８に示すように転写部１４０が複数設けられていてもよい。かかる場合、一の転写部１４０においてウェハＷの転写処理を行っている際に、他の転写部１４０においてテンプレート１４１の洗浄を行うことができる。このように洗浄処理と転写処理を並行して行うことができるので、転写装置３０における転写処理を更に効率的に行うことができる。

なおこのように転写部１４０を複数設ける場合、当該転写部１４０の数に合わせてテンプレート洗浄部１６２、離型剤供給部１６３、テンプレート検査カメラ１６４が複数設けられることが望ましい。ただし、転写装置３０の構成はこれに限定されるものではなく、複数の転写部１４０がそれぞれ同一のテンプレート洗浄部１６２、離型剤供給部１６３、テンプレート検査カメラ１６４にアクセス可能に構成されていてもよい。

また、それぞれの転写部１４０に設けられるテンプレート１４１は、それぞれ同一の転写パターンＴを有していてもよいし、それぞれ異なる転写パターンＴを有していてもよい。

なお以上の実施形態においては、ディスペンサー１３０によるウェハＷ上への処理液Ｓの供給は、図６のステップＰ２において行われたプリアライメントで検出された座標位置
に基づいてショットエリアの位置が決定された。すなわち、ディスペンサー１３０による処理液Ｓの供給は、図６、図７に示したように必ずしもアライメント処理（図６のステップＰ７）の後に行われる必要はなく、プリアライメント処理（図６のステップＰ２）の後であれば任意のタイミングで行うことができる。

また例えば、ディスペンサー１３０による処理液の塗布は転写装置３０の外部で行われてもよい。すなわち、例えば図９に示すように、ウェハ処理システム１の処理ステーション３には、ウェハ搬送領域２０のＹ軸正方向側に、内部にディスペンサー１３０を備える塗布装置２３０と、転写装置３０と、熱処理装置４０が、Ｘ軸方向に並べて配置されていてもよい。なお、塗布装置２３０の数や配置も本実施形態に限定されず、任意に決定することができる。

かかる場合、塗布装置２３０において表面に処理液Ｓが供給された状態のウェハＷが、ウェハ搬送装置２２によって転写装置３０に搬送され、転写装置３０で転写処理が施された後、熱処理装置４０で処理膜Ｍが硬化される。

今回開示された実施形態はすべての点で例示であって制限的なものではないと考えられるべきである。上記の実施形態は、添付の請求の範囲およびその主旨を逸脱することなく、様々な形態で省略、置換、変更されてもよい。

なお、以下のような構成も本開示の技術的範囲に属する。
（１）基板を処理する基板処理装置であって、
前記基板処理装置には、
前記基板の搬入出を行う搬入出領域と、
前記基板に処理を施す処理領域と、が形成され、
前記基板処理装置は、
前記基板を上面に支持する基板支持部と、
前記基板支持部を前記搬入出領域と前記処理領域との間で移動させる支持部移動機構と、
前記処理領域に設けられ、下面に所望の形状の型を有する転写部と、
前記処理領域において、前記基板支持部の移動方向と直交する方向に前記転写部を移動させる転写部移動機構と、を備える、基板処理装置。
前記（１）によれば、基板処理装置における基板上への転写パターンの転写を効率的に行うことができる。

（２）前記処理領域に設けられ、前記基板上に処理液を供給する塗布部と、
前記処理領域において、前記塗布部を前記基板支持部の移動方向と直交する方向に移動させる塗布部移動機構と、を備える、前記（１）に記載の基板処理装置。
前記（２）によれば、一の基板処理装置の内部において基板に対する処理液の供給、転写を行うことができるため、基板処理装置における転写を更に効率的に行うことができる。

（３）前記搬入出領域に設けられ、前記基板上に形成された複数のマークの座標位置を検出するマーク検出部を備える、前記（２）に記載の基板処理装置。

（４）前記マーク検出部により検出された前記座標位置に基づいて前記塗布部の動作を制御する、前記（３）に記載の基板処理装置。

（５）前記処理領域に設けられ、前記転写部の高さ位置を検出する高さ検出部と、
前記処理領域において、前記高さ検出部の測定結果に基づいて前記転写部を鉛直方向に移動させる転写部昇降機構と、を備える、前記（１）～（４）のいずれか１に記載の基板処理装置。

（６）前記転写部は、前記基板支持部に支持された前記基板に向けて光を照射する光照射部を更に備える、前記（１）～（５）のいずれか１に記載の基板処理装置。
前記（６）によれば、一の基板処理装置の内部において、更に処理液に対して光を照射し、処理膜を形成することができるため、基板処理装置における転写を更に効率的に行うことができる。

（７）前記光はＵＶ光である、前記（６）に記載の基板処理装置。

（８）前記型は、前記光照射部が一度に光を照射するショットサイズで成形されている、前記（６）または前記（７）に記載の基板処理装置。
前記（８）によれば、転写部の修繕にかかる時間やコストを低減させることができる。

（９）前記処理領域に設けられ、前記転写部の外観検査を行う検査部を備える、前記（１）～（８）のいずれか１に記載の基板処理装置。

（１０）前記搬入出領域及び前記処理領域が同一ステージ上に形成される、前記（１）～（９）のいずれか１に記載の基板処理装置。

（１１）前記処理領域において、前記転写部及び前記転写部移動機構が複数設けられる、前記（１）～（１０）のいずれか１に記載の基板処理装置。
前記（１１）によれば、一の転写部において転写処理を行っている間に、他の転写部の型を洗浄できるため、基板処理装置における転写を更に効率的に行うことができる。

（１２）基板処理装置により基板を処理する基板処理方法であって、
前記基板処理装置には、
前記基板の搬入出を行う搬入出領域と、
前記基板に処理を施す処理領域と、が形成され、
前記処理領域において、
下面に所望の形状の型を有する転写部を前記基板の処理液の塗布面に押圧する工程と、
前記型が押圧された状態で前記処理液に光を照射する工程と、を含む、基板処理方法。

（１３）前記塗布面に転写部を押圧する工程よりも前に、
前記処理領域において、前記基板に処理液を供給して前記塗布面を形成する工程を含む、前記（１２）に記載の基板処理方法。

（１４）前記搬入出領域において、前記基板上に形成された複数のアライメントマークの座標位置を検出する工程を含む、前記（１３）に記載の基板処理方法。

（１５）前記塗布面を形成する工程は、前記座標位置に基づいて行われる、前記（１４）に記載の基板処理方法。

（１６）前記処理領域において、洗浄部により前記型を洗浄する工程を含む、前記（１２）～（１５）のいずれか１に記載の基板処理方法。

（１７）前記基板処理装置は前記転写部を複数備え、
一の前記転写部による転写が行われている間に、他の転写部の洗浄が行われる、前記（１６）に記載の基板処理方法。

（１８）前記処理領域において、前記型の外観検査を行う工程を更に備える、前記（１２）～（１７）のいずれか１に記載の基板処理方法。

３０ 転写装置
３０ａ 搬入出領域
３０ｂ 処理領域
１１０ 基板支持部
１１１ 移動機構
１４０ 転写部
１４１ テンプレート
１５２ 移動機構
Ｗ ウェハ

Claims (20)

1. 基板を処理する基板処理装置であって、
   前記基板処理装置には、
   前記基板の搬入出を行う搬入出領域と、
   前記基板に処理を施す処理領域と、が形成され、
   前記処理領域は、
   前記基板に所望の形状の型を押圧することで、前記基板に対する前記形状の転写を行う領域と、
   前記型の洗浄を行う領域と、を有し、
   前記基板処理装置は、
   前記基板を上面に支持する基板支持部と、
   前記基板支持部を前記搬入出領域と前記処理領域との間で移動させる支持部移動機構と、
   前記処理領域に設けられ、下面に前記所望の形状の型を有する転写部と、
   前記処理領域において、前記転写部を、前記基板支持部の移動方向と直交する方向に前記転写を行う領域と前記洗浄を行う領域との間で移動させる転写部移動機構と、を備える、基板処理装置。
2. 前記型の洗浄を行う領域は、
   前記型の洗浄を行う洗浄部と、
   前記転写部の外観検査を行う検査部と、を有し、
   前記洗浄部と前記検査部は、前記基板支持部の移動方向と直交する方向に一列に配置されている、請求項１に記載の基板処理装置。
3. 前記型の洗浄を行う領域は、
   前記型に向けて離型材を塗布する離型材供給部、を更に有し、
   前記離型材供給部は、前記基板支持部の移動方向と直交する方向に、前記洗浄部及び前記検査部と一列に配置されている、請求項２に記載の基板処理装置。
4. 前記型の洗浄を行う領域において、前記洗浄部、前記離型材供給部及び前記検査部が、前記転写を行う領域側からこの順に配置されている、請求項３に記載の基板処理装置。
5. 前記処理領域に設けられ、前記基板に処理液を供給する塗布部と、
   前記処理領域において、前記塗布部を前記基板支持部の移動方向と直交する方向に移動させる塗布部移動機構と、を備える、請求項１～４のいずれか一項に記載の基板処理装置。
6. 前記搬入出領域に設けられ、前記基板に形成された複数のマークの座標位置を検出するマーク検出部を備える、請求項５に記載の基板処理装置。
7. 前記マーク検出部により検出された前記座標位置に基づいて前記塗布部の動作を制御する、請求項６に記載の基板処理装置。
8. 前記処理領域に設けられ、前記転写部の高さ位置を検出する高さ検出部と、
   前記処理領域において、前記高さ検出部の測定結果に基づいて前記転写部を鉛直方向に移動させる転写部昇降機構と、を備える、請求項１～７のいずれか一項に記載の基板処理装置。
9. 前記転写部は、前記基板支持部に支持された前記基板に向けて光を照射する光照射部を更に備える、請求項１～８のいずれか一項に記載の基板処理装置。
10. 前記光はＵＶ光である、請求項９に記載の基板処理装置。
11. 前記型は、前記光照射部が一度に光を照射するショットサイズで成形されている、請求項９または１０に記載の基板処理装置。
12. 前記搬入出領域及び前記処理領域が同一ステージ上に形成される、請求項１～１１のいずれか一項に記載の基板処理装置。
13. 前記処理領域において、前記転写部及び前記転写部移動機構が複数設けられる、請求項１～１２のいずれか一項に記載の基板処理装置。
14. 基板処理装置により基板を処理する基板処理方法であって、
    前記基板処理装置には、
    前記基板の搬入出を行う搬入出領域と、
    前記基板に処理を施す処理領域と、が形成され、
    前記処理領域には、
    前記基板に所望の形状の型を押圧することで、前記基板に対する前記形状の転写を行う領域と、
    前記型の洗浄を行う領域と、が形成され、
    前記転写を行う領域において、
    下面に前記所望の形状の型を有する転写部を前記基板の処理液の塗布面に押圧する工程と、
    前記型が押圧された状態で前記処理液に光を照射する工程と、
    前記型の洗浄を行う領域において、
    転写処理が行われた後の前記型を洗浄部により洗浄する工程と、を含む、基板処理方法。
15. 前記型の洗浄を行う領域において、前記型の外観検査を行う工程を更に備える、請求項１４に記載の基板処理方法。
16. 前記型の洗浄を行う領域において、前記型に向けて離型材を塗布する工程を更に備える、請求項１５に記載の基板処理方法。
17. 前記塗布面に転写部を押圧する工程よりも前に、
    前記処理領域において、前記基板に処理液を供給して前記塗布面を形成する工程を含む、請求項１４～１６のいずれか一項に記載の基板処理方法。
18. 前記搬入出領域において、前記基板に形成された複数のアライメントマークの座標位置を検出する工程を含む、請求項１７に記載の基板処理方法。
19. 前記塗布面を形成する工程は、前記座標位置に基づいて行われる、請求項１８に記載の基板処理方法。
20. 前記基板処理装置は前記転写部を複数備え、
    一の前記転写部による転写が行われている間に、他の転写部の洗浄が行われる、請求項１４～１９のいずれか一項に記載の基板処理方法。
    

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