KR102128183B1 - 막처리 유닛, 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법 - Google Patents

막처리 유닛, 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법 Download PDF

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마사히코 하루모토
고지 가네야마
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가부시키가이샤 스크린 홀딩스
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Abstract

스핀척에 의해 기판이 유지되면서 회전되고, 기판에 도포액이 토출된다. 기판으로부터 바깥쪽으로 비산하는 도포액은, 외컵에 의해 받아내어진다. 외컵의 세정을 위해, 컵 세정 노즐로부터 토출된 세정액이, 제1의 안내부를 통해 외컵의 내주면에 토출된다. 이로 인해, 외컵에 부착하는 도포액 및 그 고화물 등이 용해되고, 외컵으로부터 제거된다. 계속해서, 컵 세정 노즐로부터 토출된 금속용 제거액이, 제2의 안내부를 통해 외컵의 내주면에 토출된다. 이로 인해, 외컵에 잔존하는 금속 성분이 용해되고, 외컵으로부터 제거된다.

Description

막처리 유닛, 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
본 발명은, 막처리 유닛, 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법에 관한 것이다.
반도체 디바이스 등의 제조에 있어서의 리소그래피 공정에서는, 기판 상에 레지스트액 등의 도포액이 공급됨으로써 도포막이 형성된다. 예를 들면, 기판이 스핀척에 의해 수평하게 유지되면서 회전된다. 이 상태에서, 기판의 상면의 대략 중앙부에 노즐로부터 레지스트액이 토출됨으로써, 기판의 상면 전체에 도포막으로서 레지스트막이 형성된다. 이러한 장치에 있어서는, 기판으로부터 비산하는 레지스트액 등의 처리액을 받아내기 위해, 스핀척을 둘러싸도록 비산 방지 부재가 설치된다. 비산 방지 부재에 부착하는 처리액이 건조하여 고화하면, 그 고화물이 파티클이 될 가능성이 있다. 그 때문에, 용제 등을 이용하여 비산 방지 부재의 세정이 행해진다(예를 들면, 특허 문헌 1 참조).
일본국 특허공개 평7-66116호 공보
근래, 보다 미세한 패턴을 형성하기 위해서, 금속을 함유하는 도포막(이하, 금속 함유 도포막이라고 한다.)을 적용하는 것이 연구되고 있다. 발명자의 실험에 의하면, 용제를 이용하여 비산 방지 부재를 세정해도, 금속 성분이 제거되지 않고 비산 방지 부재에 잔존하는 것을 알았다. 비산 방지 부재에 잔존하는 금속 성분에 의해, 기판 또는 기판 처리 장치가 오염될 가능성이 있다. 또, 금속 성분에 의해 오염된 기판이 노광 장치에 반송됨으로써, 노광 장치가 오염될 가능성이 있다.
본 발명의 목적은, 금속에 의한 오염을 방지하는 것이 가능한 막처리 유닛, 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법을 제공하는 것이다.
(1)본 발명의 일 국면에 따른 막처리 유닛은, 기판을 수평 자세로 유지하여 회전시키는 회전 유지부와, 회전 유지부에 의해 유지되는 기판의 피처리면에 처리액을 공급하는 처리액 공급부와, 회전 유지부에 의해 유지되는 기판의 외주 단부를 둘러싸도록 배치되고, 회전 유지부에 의해 회전되는 기판으로부터 비산하는 처리액을 받아내는 비산 방지 부재와, 금속을 용해시키는 제1의 제거액을 비산 방지 부재에 공급하도록 구성되는 제거액 공급부를 구비한다.
이 막처리 유닛에 있어서는, 회전 유지부에 의해 기판이 회전되면서 기판의 피처리면에 처리액이 공급되고, 기판으로부터 비산한 처리액이 비산 방지 부재에 의해 받아내어진다. 그 때문에, 비산 방지 부재에 처리액이 부착한다. 또, 기판 상에 형성되어 있는 막이 처리액에 의해 처리되는 경우에는, 그 막의 성분이 처리액과 함께 비산 방지 부재에 부착한다. 처리액 또는 기판 상의 막에 금속이 포함되어 있으면, 비산 방지 부재에 금속이 부착할 가능성이 있다. 상기의 구성에 의하면, 비산 방지 부재에 제1의 제거액이 공급되므로, 비산 방지 부재에 부착하는 금속을 용해시켜 제거할 수 있다. 따라서, 비산 방지 부재로부터 금속이 확산되는 것이 방지된다. 그 결과, 기판 또는 다른 장치가 금속에 의해 오염되는 것이 방지된다.
(2)처리액 공급부는, 기판의 피처리면에 금속 및 도포액을 포함하는 금속 함유 도포액을 처리액으로서 공급함으로써 피처리면에 금속 함유 도포막을 형성하도록 구성되어도 된다. 이 경우, 기판에 공급되는 금속 함유 도포액 중의 금속이 비산 방지 부재에 부착되어 있어도, 그 금속을 용해시켜 제거할 수 있다. 따라서, 비산 방지 부재로부터 금속이 확산되는 것이 방지된다.
(3)기판의 피처리면에 금속 및 도포액을 포함하는 금속 함유 도포액이 공급됨으로써 금속 함유 도포막이 형성된 후에 기판에 노광 처리가 행해지고, 처리액 공급부는, 노광 처리 후의 기판의 피처리면에 현상액을 처리액으로서 공급하도록 구성되어도 된다. 이 경우, 현상액에 의해 용해된 금속 함유 도포막 중의 금속이 비산 방지 부재에 부착되어 있어도, 그 금속을 용해시켜 제거할 수 있다. 따라서, 비산 방지 부재로부터 금속이 확산되는 것이 방지된다.
(4)제거액 공급부는, 도포액을 용해시키는 제2의 제거액을 비산 방지 부재에 공급하도록 구성되어도 된다. 이 경우, 비산 방지 부재에 부착하는 도포액을 용해시켜 제거할 수 있다.
(5)막처리 유닛은, 제1 및 제2의 제거액 안내부를 갖는 안내 부재를 더 구비하고, 제거액 공급부는, 안내 부재의 제1의 제거액 안내부를 향해 제1의 제거액을 토출하는 제1의 토출 노즐과, 안내 부재의 제2의 제거액 안내부를 향해 제2의 제거액을 토출하는 제2의 토출 노즐을 포함하고, 제1 및 제2의 제거액 안내부는, 제1 및 제2의 토출 노즐로부터 토출된 제1 및 제2의 제거액을 비산 방지 부재로 각각 이끌도록 설치되어도 된다.
이 경우, 제1 및 제2의 토출 노즐로부터 토출되는 제1 및 제2의 제거액이 안내 부재에 의해 비산 방지 부재에 적절히 공급된다. 그로 인해, 비산 방지 부재로부터 금속 및 도포액을 효율 좋게 제거할 수 있다.
(6)제1의 제거액 안내부는, 비산 방지 부재의 제1의 영역으로 제1의 제거액을 이끌도록 설치되고, 제2의 제거액 안내부는, 비산 방지 부재의 제1의 영역보다 상방의 제2의 영역으로 제2의 제거액을 이끌도록 설치되어도 된다. 이 경우, 제1의 제거액 안내부를 통해 비산 방지 부재의 제1의 영역에 제1의 제거액이 공급된 후에 제2의 제거액 안내부를 통해 비산 방지 부재의 제2의 영역에 제2의 제거액이 공급된 경우에, 제2의 제거액에 의해 제1의 제거액을 충분히 씻어낼 수 있다.
(7)막처리 유닛은, 제거액 안내부를 갖는 안내 부재를 더 구비하고, 제거액 공급부는, 안내 부재의 제거액 안내부를 향해 제1 및 제2의 제거액을 선택적으로 토출하는 토출 노즐을 포함하고, 제거액 안내부는, 토출 노즐로부터 토출된 제1 및 제2의 제거액을 비산 방지 부재로 각각 이끌도록 설치되어도 된다. 이 경우, 간단한 구성으로 효율 좋게 비산 방지 부재에 제1의 제거액 및 제2의 제거액을 공급할 수 있다.
(8)막처리 유닛은, 비산 방지 부재에 토출된 제1 및 제2의 제거액을 분리하여 회수하도록 설치된 제거액 회수 유닛을 더 구비해도 된다. 이 경우, 사용자는, 사용이 끝난 제1의 제거액과 사용이 끝난 제2의 제거액을 분리하기 위한 작업을 행할 필요가 없다. 이로 인해, 제1 및 제2의 제거액의 회수 코스트 및 폐기 코스트를 삭감할 수 있다.
(9)막처리 유닛은, 기판의 피처리면의 주연부를 제외한 영역에 금속 함유 도포막이 잔존하도록, 금속을 용해시키는 제3의 제거액을 회전 유지부에 의해 회전되는 기판의 피처리면의 주연부에 공급하는 주연부 제거액 공급 유닛을 더 구비해도 된다. 이 경우, 기판의 주연부에 금속이 잔존하는 것이 방지된다. 이로 인해, 기판의 주연부로부터 금속이 확산되는 것이 방지된다.
(10)본 발명의 다른 국면에 따른 기판 처리 장치는, 기판에 노광 처리를 행하는 노광 장치에 인접하도록 배치되는 기판 처리 장치로서, 노광 장치에 의한 노광 처리 전에, 기판의 피처리면에 금속 함유 도포막을 형성하는 상기의 막처리 유닛과, 노광 장치에 의한 노광 처리 후에, 기판의 현상 처리를 행하는 현상 처리 유닛을 구비한다.
이 기판 처리 장치에 있어서는, 노광 장치에 의한 노광 처리 전의 기판의 피처리면에 막처리 유닛에 의해 금속 함유 도포막이 형성되고, 노광 장치에 의한 노광 처리 후의 기판에 현상 처리 유닛에 의해 현상 처리가 행해진다. 이로 인해, 기판의 피처리면에 미세한 패턴을 형성할 수 있다. 또, 상기의 막처리 유닛이 이용되므로, 비산 방지 부재로부터 금속이 확산되는 것이 방지된다. 그로 인해, 기판, 또는 기판 처리 장치 혹은 노광 장치의 내부가 금속에 의해 오염되는 것이 방지된다.
(11)본 발명의 또 다른 국면에 따른 기판 처리 장치는, 기판에 노광 처리를 행하는 노광 장치에 인접하도록 배치되는 기판 처리 장치로서, 노광 장치에 의한 노광 처리 전에, 기판의 피처리면에 금속을 포함하는 금속 함유 도포막을 형성하는 막형성 유닛과, 노광 장치에 의한 노광 처리 후에, 기판의 현상 처리를 행하는 상기의 막처리 유닛을 구비한다.
이 기판 처리 장치에 있어서는, 노광 장치에 의한 노광 처리 전의 기판의 피처리면에 막형성 유닛에 의해 금속 함유 도포막이 형성되고, 노광 장치에 의한 노광 처리 후의 기판에 막처리 유닛에 의해 현상 처리가 행해진다. 이로 인해, 기판의 피처리면에 미세한 패턴을 형성할 수 있다. 또, 상기의 막처리 유닛이 이용되므로, 비산 방지 부재로부터 금속이 확산되는 것이 방지된다. 그로 인해, 기판, 또는 기판 처리 장치 혹은 노광 장치의 내부가 금속에 의해 오염되는 것이 방지된다.
(12)본 발명의 또 다른 국면에 따른 기판 처리 방법은, 회전 유지부에 의해 기판을 수평 자세로 유지하여 회전시키는 단계와, 상기 회전 유지부에 의해 유지되는 기판의 피처리면에 처리액 공급부에 의해 금속 및 도포액을 포함하는 금속 함유 도포액을 공급함으로써 상기 피처리면에 금속 함유 도포막을 형성하는 단계와, 상기 회전 유지부에 의해 유지되는 기판의 외주 단부를 둘러싸도록 배치되는 비산 방지 부재에 의해, 상기 회전 유지부에 의해 회전되는 기판으로부터 비산하는 금속 함유 도포액을 받아내는 단계와, 금속을 용해시키는 제1의 제거액을 제거액 공급부에 의해 상기 비산 방지 부재에 공급하는 단계를 구비한다.
이 기판 처리 방법에 의하면, 회전 유지부에 의해 기판이 회전되면서 기판의 피처리면에 처리액이 공급됨으로써, 기판의 피처리면에 금속 함유 도포막이 형성된다. 이 경우, 비산 방지 부재에 제1의 제거액이 공급되므로, 기판에 공급된 금속 함유 도포액 중의 금속이 비산 방지 부재에 부착되어 있어도, 그 금속을 용해시켜 제거할 수 있다. 따라서, 비산 방지 부재로부터 금속이 확산되는 것이 방지된다. 그 결과, 기판, 또는 장치의 내부 혹은 주변부가 금속에 의해 오염되는 것이 방지된다.
(13)본 발명의 또 다른 국면에 따른 기판 처리 방법은, 기판의 상기 피처리면에 금속 및 도포액을 포함하는 금속 함유 도포액을 공급함으로써 금속 함유 도포막을 형성하는 단계와, 상기 금속 함유 도포막이 형성된 기판에 노광 처리를 행하는 단계와, 노광 처리 후의 기판을 회전 유지부에 의해 수평 자세로 유지하여 회전시키는 단계와, 상기 회전 유지부에 의해 유지되는 기판의 피처리면에 처리액 공급부에 의해 현상액을 공급하는 단계와, 상기 회전 유지부에 의해 유지되는 기판의 외주 단부를 둘러싸도록 배치되는 비산 방지 부재에 의해, 상기 회전 유지부에 의해 회전되는 기판으로부터 비산하는 현상액을 받아내는 단계와, 금속을 용해시키는 제1의 제거액을 제거액 공급부에 의해 상기 비산 방지 부재에 공급하는 단계를 구비한다.
이 기판 처리 방법에 의하면, 기판의 피처리면에 금속 함유 도포막이 형성된 후, 기판에 노광 처리가 행해진다. 그 후, 회전 유지부에 의해 기판이 회전되면서 기판의 피처리면에 현상액이 공급된다. 이로 인해, 기판의 현상 처리가 행해진다. 이 경우, 비산 방지 부재에 제1의 제거액이 공급되므로, 현상액에 의해 용해된 금속 함유 도포막 중의 금속이 비산 방지 부재에 부착되어 있어도, 그 금속을 용해시켜 제거할 수 있다. 따라서, 비산 방지 부재로부터 금속이 확산되는 것이 방지된다. 그 결과, 기판, 또는 장치의 내부 혹은 주변부가 금속에 의해 오염되는 것이 방지된다.
본 발명에 의하면, 비산 방지 부재로부터 금속이 확산되는 것이 방지되고, 기판 등이 금속에 의해 오염되는 것이 방지된다.
도 1은, 본 발명의 제1의 실시의 형태에 따른 기판 처리 장치의 모식적 평면도이다.
도 2는, 도 1의 도포 처리부, 현상 처리부 및 세정 건조 처리부의 내부 구성을 나타내는 모식적 측면도이다.
도 3은, 도포 처리 유닛의 구성을 나타내는 모식적 평면도이다.
도 4는, 스핀 유닛의 상세에 대해 설명하기 위한 모식적 측면도이다.
도 5는, 스핀 유닛의 상세에 대해 설명하기 위한 모식적 측면도이다.
도 6은, 컵 세정 부재의 부분 확대 단면도이다.
도 7은, 컵의 세정 처리의 구체예에 대해 설명하기 위한 도면이다.
도 8은, 회수 유닛의 다른 예에 대해 설명하기 위한 도면이다.
도 9는, 도 1의 열처리부 및 세정 건조 처리부의 내부 구성을 나타내는 모식적 측면도이다.
도 10은, 금속 제거 유닛의 제1의 구성예를 나타내는 도면이다.
도 11은, 금속 제거 유닛의 제2의 구성예를 나타내는 도면이다.
도 12는, 반송부의 내부 구성을 나타내는 모식적 측면도이다.
도 13은, 반송 기구를 나타내는 사시도이다.
도 14는, 컵 세정 기구의 다른 예에 대해 설명하기 위한 도면이다.
도 15는, 스핀 유닛의 다른 예에 대해 설명하기 위한 모식적 측면도이다.
도 16은 현상 처리 유닛의 일례를 나타내는 모식적 측면도이다.
이하, 본 발명의 일 실시의 형태에 따른 막처리 유닛, 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법에 대해 도면을 이용하여 설명한다. 또한, 이하의 설명에 있어서, 기판이란, 반도체 기판, 액정 표시 장치용 기판, 플라즈마 디스플레이용 기판, 광디스크용 기판, 자기 디스크용 기판, 광자기 디스크용 기판 또는 포토마스크용 기판 등을 말한다.
(1)기판 처리 장치
도 1은, 본 발명의 제1의 실시의 형태에 따른 기판 처리 장치의 모식적 평면도이다. 도 1 및 도 2 이후의 소정의 도면에는, 위치 관계를 명확하게 하기 위해서 서로 직교하는 X방향, Y방향 및 Z방향을 나타내는 화살표를 붙이고 있다. X방향 및 Y방향은 수평면 내에서 서로 직교하고, Z방향은 연직 방향에 상당한다.
도 1에 나타내는 바와 같이, 기판 처리 장치(100)는, 인덱서 블록(11), 제1의 처리 블록(12), 제2의 처리 블록(13), 세정 건조 처리 블록(14A) 및 반입 반출 블록(14B)을 구비한다. 세정 건조 처리 블록(14A) 및 반입 반출 블록(14B)에 의해, 인터페이스 블록(14)이 구성된다. 반입 반출 블록(14B)에 인접하도록 노광 장치(15)가 배치된다. 본 예에 있어서, 노광 장치(15)는, EUV(Extreme Ultra Violet;초자외선)에 의해 기판(W)에 노광 처리를 행한다. EUV의 파장은, 13㎚ 이상 14㎚ 이하이다.
도 1에 나타내는 바와 같이, 인덱서 블록(11)은, 복수의 캐리어 재치부(111) 및 반송부(112)를 포함한다. 각 캐리어 재치부(111)에는, 복수의 기판(W)을 다단으로 수납하는 캐리어(113)가 올려진다. 반송부(112)에는, 메인 컨트롤러(114) 및 반송 기구(115)가 설치된다. 메인 컨트롤러(114)는, 기판 처리 장치(100)의 여러 가지 구성 요소를 제어한다. 반송 기구(115)는, 기판(W)을 유지하면서 그 기판(W)을 반송한다.
제1의 처리 블록(12)은 도포 처리부(121), 반송부(122) 및 열처리부(123)를 포함한다. 도포 처리부(121) 및 열처리부(123)는, 반송부(122)를 사이에 두고 대향하도록 설치된다. 반송부(122)와 인덱서 블록(11)의 사이에는, 기판(W)이 올려지는 기판 재치부(PASS1~PASS4)(도 12 참조)가 설치된다. 반송부(122)에는, 기판(W)을 반송하는 반송 기구(127, 128)(도 12 참조)가 설치된다.
제2의 처리 블록(13)은, 현상 처리부(131), 반송부(132) 및 열처리부(133)를 포함한다. 현상 처리부(131) 및 열처리부(133)는, 반송부(132)를 사이에 두고 대향하도록 설치된다. 반송부(132)와 반송부(122)의 사이에는, 기판(W)이 올려지는 기판 재치부(PASS5~PASS8)(도 12 참조)가 설치된다. 반송부(132)에는, 기판(W)을 반송하는 반송 기구(137, 138)(도 12 참조)가 설치된다.
세정 건조 처리 블록(14A)은, 세정 건조 처리부(161, 162) 및 반송부(163)를 포함한다. 세정 건조 처리부(161, 162)는, 반송부(163)를 사이에 두고 대향하도록 설치된다. 반송부(163)에는 반송 기구(141, 142)가 설치된다. 반송부(163)와 반송부(132)의 사이에는, 재치겸 버퍼부(P-BF1, P-BF2)(도 12 참조)가 설치된다. 재치겸 버퍼부(P-BF1, P-BF2)는, 복수의 기판(W)을 수용 가능하게 구성된다.
또, 반송 기구(141, 142)의 사이에 있어서, 반입 반출 블록(14B)에 인접하도록, 기판 재치부(PASS9), 후술의 엣지 노광부(EEW)(도 12 참조) 및 후술의 재치겸 냉각부(P-CP)(도 12 참조)가 설치된다. 재치겸 냉각부(P-CP)는, 기판(W)을 냉각하는 기능(예를 들면, 쿨링 플레이트)을 구비한다. 재치겸 냉각부(P-CP)에 있어서, 기판(W)이 노광 처리에 적합한 온도로 냉각된다. 반입 반출 블록(14B)에는, 반송 기구(146)가 설치된다. 반송 기구(146)는, 노광 장치(15)에 대한 기판(W)의 반입 및 반출을 행한다.
(2)도포 처리부, 현상 처리부 및 세정 건조 처리부
도 2는, 도 1의 도포 처리부(121), 현상 처리부(131) 및 세정 건조 처리부(161)의 내부 구성을 나타내는 모식적 측면도이다. 도 2에 나타내는 바와 같이, 도포 처리부(121)에는 도포 처리실(21, 22, 23, 24)이 계층적으로 설치된다. 각 도포 처리실(21~24)에는 도포 처리 유닛(129)이 설치된다. 현상 처리부(131)에는, 현상 처리실(31~34)이 계층적으로 설치된다. 각 현상 처리실(31~34)에는, 현상 처리 유닛(139)이 설치된다.
(2-1)도포 처리 유닛
도 3은, 도포 처리 유닛(129)의 구성을 나타내는 모식적 평면도이다. 도 3에 나타내는 바와 같이, 각 도포 처리 유닛(129)은, 노즐 반송 기구(60), 2조의 스핀 유닛(61) 및 2조의 노즐 유닛(62)을 포함한다. 노즐 반송 기구(60)는, 파지부(601), 한 쌍의 제1의 가이드 레일(602), 제2의 가이드 레일(603) 및 한 쌍의 실린더(604)를 포함한다. 한 쌍의 제1의 가이드 레일(602)은, 2조의 스핀 유닛(61) 및 2조의 노즐 유닛(62)을 사이에 두도록 서로 평행하게 배치된다. 제2의 가이드 레일(603)은, 한 쌍의 제1의 가이드 레일(602)에 대해 직교하도록 배치된다. 제2의 가이드 레일(603)의 양단부는 한 쌍의 실린더(604)를 개재하여 한 쌍의 제1의 가이드 레일(602)에 각각 부착된다. 제2의 가이드 레일(603)은, 제1의 가이드 레일(602)에 따라 이동 가능하고, 또한 한 쌍의 실린더(604)에 의해 제1의 가이드 레일(602)에 대해 승강 가능하다. 제2의 가이드 레일(603)에 따라 이동 가능하게 파지부(601)가 설치된다.
각 스핀 유닛(61)은, 스핀척(611)(도 2), 컵(612) 및 엣지 린스 노즐(613)을 포함한다. 스핀척(611)은, 기판(W)을 유지한 상태로, 후술의 모터(71)(도 4)에 의해 회전 구동된다. 컵(612)은 스핀척(611)에 의해 유지되는 기판(W)의 외주 단부를 둘러싸도록 설치된다. 스핀 유닛(61)의 상세에 대해서는 후술한다.
각 노즐 유닛(62)은, 복수의 노즐(620) 및 복수의 대기 포트(WP)를 포함한다. 각 노즐(620)은, 대응하는 대기 포트(WP)에 있어서 대기한다. 각 노즐(620)에는, 도포액 배관(411)을 통해, 금속 및 도포액을 포함하는 금속 함유 도포액이 공급된다. 금속은, 금속 분자 또는 금속 산화물 등의 금속 성분을 포함한다. 본 예에서는, 금속 성분으로서 예를 들면 Sn(주석), HfO2(산화 하프늄) 또는 ZrO2(이산화 지르코늄)가 이용된다. 또, 도포액으로서 반사 방지막용의 도포액 및 레지스트막용의 도포액이 이용된다.
또한, 스핀 유닛(61) 및 노즐 유닛(62)의 각각의 수는, 2개로 한정되지 않는다. 스핀 유닛(61) 및 노즐 유닛(62)이 각각 1개만 설치되어도 되고, 또는 3개 이상 설치되어도 된다. 또, 스핀 유닛(61)의 수와 노즐 유닛(62)의 수가 달라도 된다.
노즐 반송 기구(60)는, 파지부(601)에 의해 몇 개의 노즐(620)을 파지하고, 그 노즐(620)을 기판(W)의 상방으로 이동시킨다. 그 상태로, 스핀척(611)이 회전하면서 노즐(620)로부터 금속 함유 도포액이 토출된다. 그로 인해, 회전하는 기판(W) 상에 금속 함유 도포액이 도포된다.
본 실시의 형태에 있어서는, 도 2의 도포 처리실(22, 24)의 노즐(620)에, 반사 방지막용의 도포액을 포함하는 금속 함유 도포액이 공급되고, 도포 처리실(21, 23)의 노즐(620)에, 레지스트막용의 도포액을 포함하는 금속 함유 도포액이 공급된다. 이하, 금속 함유 도포액에 의해 형성되는 반사 방지막 및 레지스트막을 금속 함유 도포막으로 총칭한다.
엣지 린스 노즐(613)은, 스핀척(611)에 의해 유지된 기판(W)의 피처리면의 주연부를 향하도록 배치된다. 여기서, 피처리면이란 회로 패턴 등의 각종 패턴이 형성되는 기판(W)의 면을 말한다. 기판(W)의 주연부란, 기판(W)의 피처리면에 있어서, 기판(W)의 외주부에 따른 일정폭의 영역을 말한다.
엣지 린스 노즐(613)은, 기판(W)의 주연부로부터 금속 함유 도포막을 제거하기 위한 막제거액을 토출한다. 막제거액은, 제2의 제거액의 예이다. 막제거액으로서 시너, 아세트산 부틸(butyl acetate), PGMEA(propyleneglycol monomethyl ether acetate:프로필렌글리콜모노메틸에테르아세테이트), PGME(propyleneglycolmonomethyl ether:프로필렌글리콜모노메틸에테르)를 포함하는 유기용매 외, TMAH(tetra methyl ammonium hydroxide:수산화 테트라메틸암모늄), 또는, 암모니아 및 과산화 수소수를 포함하는 수용액 등이 이용되어도 된다.
스핀척(611)에 의해 기판(W)이 회전된 상태로, 엣지 린스 노즐(613)로부터 기판(W)의 주연부에 막제거액이 토출된다. 이로 인해, 기판(W)의 주연부에 도포된 도포액이 용해되어 제거된다.
도 4 및 도 5는, 스핀 유닛(61)의 상세에 대해 설명하기 위한 모식적 측면도이다. 또한, 도 4 및 도 5에 있어서는, 엣지 린스 노즐(613)의 도시가 생략된다. 도 4에 나타내는 바와 같이, 스핀 유닛(61)은, 모터(71) 및 한 쌍의 승강기구(72)를 더 포함한다. 모터(71)의 회전축(71a)은 연직으로 배치된다. 스핀척(611)은, 회전축(71a)의 상단부에 고정된다. 스핀척(611)의 하방에 있어서의 회전축(71a)의 부분에는, 바깥쪽으로 돌출하도록 고정부(71b)가 설치된다.
한 쌍의 승강기구(72)는, 각각 예를 들면 실린더로 이루어지고, 승강판(73)을 수평하게 지지한다. 승강판(73)에는, 개구(73a), 배액구(73b) 및 배기구(73c)가 형성된다. 모터(71)의 회전축(71a)이 개구(73a) 내에 배치된다. 배액구(73b)에는 배관(421)이 접속된다. 배관(421)은, 배관(421a, 421b)에 분기하여 회수 탱크(TA1, TA2)로 연장된다. 배관(421a)에는 회수 밸브(V1)가 삽입되고, 배관(421b)에는 회수 밸브(V2)가 삽입된다. 배관(421, 421a, 421b), 회수 탱크(TA1, TA2) 및 회수 밸브(V1, V2)에 의해 회수 유닛(61A)이 구성된다. 회수 밸브(V1, V2)가 선택적으로 열림으로써, 배액구(73b)로부터 배출되는 액체가 회수 탱크(TA1, TA2)로 선택적으로 이끌어진다. 본 예에서는, 막제거액 및 후술의 세정액이 회수 탱크(TA1)로 이끌어지고, 후술의 금속용 제거액이 회수 탱크(TA2)로 이끌어진다. 회수 탱크(TA1, TA2)에 더하여, 금속 함유 도포액을 회수하기 위한 회수 탱크가 설치되어도 된다. 또, 배액구(73b)로부터 배출되는 각 액을 회수하지 않고 폐기하기 위한 배관이 별도 설치되어도 된다. 배기구(73c)에는 배관(422)이 접속된다. 배관(422)은, 공장의 배기 라인으로 연장된다.
승강판(73)의 상면에, 컵(612)이 설치된다. 컵(612)은, 외컵(612a) 및 내컵(612b)을 포함한다. 내컵(612b)의 상부에는, 바깥쪽으로 향해 비스듬한 하방으로 연장되는 정류부(74)가 설치된다. 정류부(74)는, 도포 처리 유닛(129)에 공급되는 다운 플로우가 기판(W)의 주위에 균일하게 흘러 배기구(73c)로 이끌어지도록 기체를 정류한다.
승강판(73)의 상방으로 또한 내컵(612b)의 안쪽에 베이스부(75)가 설치된다. 베이스부(75)의 상면에는, 복수의 백 린스 노즐(81), 복수의 컵 세정 노즐(82), 및 복수의 컵 세정 노즐(83)이 설치된다. 복수의 백 린스 노즐(81)은, 연직 상방으로 향해진다. 복수의 컵 세정 노즐(82)은, 복수의 백 린스 노즐(81)의 바깥쪽에 각각 설치되고, 복수의 컵 세정 노즐(83)은, 복수의 컵 세정 노즐(82)의 바깥쪽에 각각 설치된다.
각 백 린스 노즐(81) 및 각 컵 세정 노즐(82)에는, 도시를 생략한 세정액 공급원으로부터 세정액이 공급된다. 본 예에 있어서, 백 린스 노즐(81) 및 컵 세정 노즐(82)에 공급되는 세정액은, 도 3의 엣지 린스 노즐(613)로부터 토출되는 막제거액과 같다. 각 백 린스 노즐(81)은, 스핀척(611)에 의해 유지되는 기판(W)의 이면에 세정액을 토출한다.
각 컵 세정 노즐(83)에는, 도시를 생략한 금속용 제거액 공급원으로부터 금속용 제거액이 공급된다. 금속용 제거액은, 제1의 제거액의 예이다. 금속용 제거액으로서 알칼리성 제거액 또는 산성 제거액이 이용된다. 알칼리성 제거액은, 예를 들면 암모니아 및 과산화 수소를 포함하는 수용액이다. 알칼리성 제거액은, 예를 들면 TMAH여도 된다. 산성 제거액은, 예를 들면 희불산을 포함하는 수용액이다. 산성 제거액은, 예를 들면 황산 및 과산화수소를 포함하는 수용액이어도 되고, 아세트산을 포함하는 수용액이어도 된다. 또, 금속용 제거액으로서 킬레이트제를 포함하는 수용액이 이용되어도 된다. 킬레이트제는, 유기산, 유기산의 염, 아미노산, 아미노산의 유도체, 무기 알칼리, 무기 알칼리의 염, 알킬아민, 알킬아민의 유도체, 알카놀아민 및 알카놀아민의 유도체로 이루어지는 군으로부터 선택된 일종 또는 복수종을 포함해도 된다. 금속용 제거액은, 금속 함유 도포액에 포함되는 금속 성분을 용해 제거 가능하다.
베이스부(75)의 내주부로부터 상방으로 돌출하도록 지지부(75a)가 설치된다. 지지부(75a) 상에, 원판형의 컵 세정 부재(76)가 지지된다. 컵 세정 부재(76)에는, 복수의 구멍부(HL)가 설치된다. 각 구멍부(HL) 내에 백 린스 노즐(81)이 배치된다. 컵 세정 노즐(82, 83) 및 컵 세정 부재(76)에 의해 컵 세정 기구(CM)가 구성된다.
한 쌍의 승강기구(72)에 의해 승강판(73)이 승강되고, 승강판(73)과 일체적으로 컵(612)(외컵(612a) 및 내컵(612b))이 승강된다. 컵(612)은, 처리 위치, 반입 반출 위치 및 세정 위치의 사이에서 승강된다. 도 4에 있어서는, 컵(612)이 처리 위치에 있다. 반입 반출 위치는, 처리 위치보다 낮고, 세정 위치는, 반입 반출 위치보다 낮다.
컵(612)이 도 4의 처리 위치에 있는 경우, 외컵(612a)의 상단부가 스핀척(611)에 의해 유지되는 기판(W)보다 높은 위치에 있고, 정류부(74)의 상단부가 기판(W)의 하면의 주연부에 근접한다. 그 상태로, 스핀척(611)에 의해 유지되는 기판(W)이 회전되면서 도 3의 노즐(620)로부터 기판(W)에 금속 함유 도포액이 토출 되고, 기판(W) 상에 금속 함유 도포막이 형성된다. 기판(W)으로부터 바깥쪽으로 비산하는 금속 함유 도포액은, 외컵(612a)에 의해 받아내어진다.
컵(612)이 반입 반출 위치에 있는 상태에서는, 외컵(612a)의 상단부가 스핀척(611)에 의해 유지되는 기판(W)보다 낮아진다. 그 상태로, 도 1 및 후술의 도 12의 반송 기구(127, 128)에 의해 스핀척(611)에 기판(W)이 올려지고, 또는 스핀척(611)으로부터 기판(W)이 수취된다.
컵(612)이 세정 위치에 있는 상태에서, 컵(612)의 세정 처리가 행해진다. 세정 처리가 행해지는 기간은, 예를 들면, 도포 처리 유닛(129)에 있어서 기판(W)의 처리가 일정 시간 이상 휴지되는 기간이다. 도 5에 있어서는, 컵(612)이 세정 위치에 있다. 도 5에 나타내는 바와 같이, 컵 세정 부재(76)는 고정부(71b)에 지지됨으로써, 지지부(75a)로부터 이격한다. 이 경우, 컵 세정 부재(76)는, 도시를 생략한 고정 기구에 의해, 고정부(71b)에 고정된다. 예를 들면, 컵 세정 부재(76)의 하면으로부터 돌출하도록 핀이 설치되고, 고정부(71b)에 오목부가 설치된다. 컵 세정 부재(76)의 핀이 고정부(71b)의 오목부에 끼워맞춰짐으로써, 컵 세정 부재(76)가 고정부(71b)에 고정된다. 이로 인해, 모터(71)의 회전축(71a)과 함께 컵 세정 부재(76)가 회전된다.
도 6은, 컵 세정 부재(76)의 부분 확대 단면도이다. 도 6에 나타내는 바와 같이, 컵 세정 부재(76)에는, 제1 및 제2의 안내부(76a, 76b)가 형성된다. 제1 및 제2의 안내부(76a, 76b)는, 각각 컵 세정 부재(76)의 하면으로부터 주연부를 향해 만곡하여 연장되도록 오목 형상으로 설치된다. 또, 제1 및 제2의 안내부(76a, 76b)는, 각각 도 4의 회전축(71a)에 관해서 회전 대칭으로 환상으로 설치된다. 제2의 안내부(76b)의 하단 개구는, 제1의 안내부(76a)의 하단 개구보다 외측에 위치하고, 제2의 안내부(76b)의 외단부는, 제1의 안내부(76a)의 외단부보다 하방에 위치한다.
컵 세정 부재(76)의 외주면으로부터 제1의 안내부(76a)의 외단부에 걸쳐 복수의 토출구(85a)가 둘레 방향으로 늘어서도록 형성되고, 컵 세정 부재(76)의 외주면으로부터 제2의 안내부(76b)의 외단부에 걸쳐 복수의 토출구(85b)가 둘레 방향으로 늘어서도록 형성된다. 복수의 토출구(85b)는 복수의 토출구(85a)보다 하방에 위치한다.
컵(612)이 도 5의 세정 위치에 있는 경우, 컵 세정 노즐(82)이 제1의 안내부(76a)로 향해지고, 컵 세정 노즐(83)이 제2의 안내부(76b)로 향해진다. 또, 컵 세정 부재(76)의 토출구(85a, 85b)가, 정류부(74)의 상단부보다 높은 위치에 있고, 또한 외컵(612a)의 상단부보다 낮은 위치에 있다.
도 7은, 컵(612)의 세정 처리의 구체예에 대해 설명하기 위한 도면이다. 도 7(a)에 나타내는 바와 같이, 우선, 컵 세정 부재(76)가 회전되면서 컵 세정 노즐(82)로부터 제1의 안내부(76a)에 세정액이 토출된다. 토출된 세정액은, 제1의 안내부(76a)를 통해 토출구(85a)로 이끌어지고, 토출구(85a)로부터 외컵(612a)의 내주면에 토출된다. 이 경우, 컵 세정 부재(76)가 회전되어 있으므로, 외컵(612a)의 내주면의 둘레 방향의 전체에 걸쳐 세정액이 공급된다. 이로 인해, 외컵(612a)에 부착하는 도포액 및 그 고화물 등이 용해되고, 외컵(612a)으로부터 제거된다.
계속해서, 도 7(b)에 나타내는 바와 같이, 컵 세정 부재(76)가 회전되면서 컵 세정 노즐(83)로부터 제2의 안내부(76b)에 금속용 제거액이 토출된다. 토출된 금속용 제거액은, 제2의 안내부(76b)를 통해 토출구(85b)로 이끌어지고 토출구(85b)로부터 외컵(612a)의 내주면에 토출된다. 이 경우도, 컵 세정 부재(76)가 회전되고 있으므로, 외컵(612a)의 내주면의 둘레 방향의 전체에 걸쳐 금속용 제거액이 공급된다.
상기와 같이 하여 세정액이 외컵(612a)에 공급되어도, 금속 함유 도포막에 함유되는 금속 성분이 충분히 제거되지 않고, 외컵(612a)에 잔존할 가능성이 있다. 그래서, 세정액에 더하여, 금속용 제거액이 외컵(612a)에 공급된다. 이로 인해, 외컵(612a)에 잔존하는 금속 성분이 용해되고, 외컵(612a)으로부터 제거된다.
다음에, 도 7(c)에 나타내는 바와 같이, 컵 세정 부재(76)가 회전되면서 재차 컵 세정 노즐(82)로부터 제1의 안내부(76a)에 세정액이 토출된다. 이로 인해, 외컵(612a)에 부착하는 금속용 제거액이 씻겨내겨간다. 복수의 토출구(85a)는, 복수의 토출구(85b)보다 상방에 위치하므로, 토출구(85a)로부터 토출된 세정액은, 토출구(85b)로부터 토출된 금속용 제거액보다 외컵(612a)의 내주면의 높은 위치에 도달하고, 그 위치로부터 외컵(612a)의 내주면을 타고 하방으로 흐른다. 그로 인해, 외컵(612a)의 내주면에 있어서, 세정액이 공급되는 영역은, 금속용 제거액이 공급되는 영역보다 넓다. 따라서, 세정액에 의해 금속용 제거액이 충분히 씻겨내려가고, 외컵(612a)에 금속용 제거액이 잔존하는 것이 방지된다. 또한, 금속용 제거액을 씻어내기 위해, 컵 세정 노즐(82)로부터 세정액 대신에 순수가 토출되어도 된다.
컵 세정 노즐(82)로부터 세정액이 토출되는 기간에는, 도 4의 회수 밸브(V1)가 열리고, 회수 밸브(V2)가 닫혀진다. 이로 인해, 배액구(73b)로부터 배출되는 세정액이 도 4의 회수 탱크(TA1)로 이끌어진다. 한편, 컵 세정 노즐(83)로부터 금속용 제거액이 토출되는 기간에는, 도 4의 회수 밸브(V1)가 닫히고, 회수 밸브(V2)가 열린다. 이로 인해, 배액구(73b)로부터 배출되는 금속용 제거액이 도 4의 회수 탱크(TA2)로 이끌어진다. 이와 같이, 사용이 끝난 세정액과 사용이 끝난 금속용 제거액이 분리되어 회수됨으로써, 사용자는, 세정액과 금속용 제거액을 분리하기 위한 작업을 행할 필요가 없다. 따라서, 제거액의 회수 코스트 및 폐기 코스트를 저감 할 수 있다.
도 7의 예에서는, 외컵(612a)에 세정액, 금속용 제거액 및 세정액(또는 순수)이 순서대로 공급되지만, 본 발명은 이것으로 한정되지 않는다. 최초로 세정액이 아니라 금속용 제거액이 외컵(612a)에 공급되고, 계속해서 세정액이 컵(612)에 공급되어도 되고, 이 경우, 금속용 제거액에 의해 외컵(612a)으로부터 금속 성분이 제거된 후, 세정액에 의해 도포액 및 고화물 등이 외컵(612a)으로부터 제거되고, 또한 금속용 제거액이 씻겨내려간다.
또, 도 7의 예에서는, 컵(612)의 세정 처리에 1종류의 금속용 제거액만이 이용되지만, 복수 종류의 금속용 제거액이 이용되어도 된다. 이 경우, 복수 종류의 금속용 제거액이 순서대로 외컵(612a)에 공급되어도 되고, 몇 개의 금속용 제거액이 선택적으로 외컵(612a)에 공급되어도 된다. 또, 도 7의 예에서는, 컵 세정 부재(76)의 토출구(85a, 85b)로부터 외컵(612a)에 각 액이 토출되지만, 내컵(612b)의 정류부(74)에도 각 액이 토출되어도 된다. 예를 들면, 토출구(85a, 85b)를 세로로 긴 형상으로 함으로써, 각 액의 공급 범위가 상하로 확대되고, 정류부(74)에도 각 액을 토출할 수 있다. 또, 토출구(85a)로서 외컵(612a)으로 향해지는 구멍부와 정류부(74)로 향해지는 구멍부가 각각 형성되고, 마찬가지로 토출구(85b)로서 외컵(612a)으로 향해지는 구멍부와 정류부(74)로 향해지는 구멍부가 각각 형성되어도 된다.
세정액 및 금속용 제거액을 회수하기 위한 구성은, 상기의 예로 한정되지 않는다. 도 8은, 회수 유닛(61A)의 다른 예에 대해 설명하기 위한 도면이다. 도 8의 예에 대해서, 도 4의 예와 다른 점을 설명한다.
도 8의 예에서는, 배관(421)이 분리 탱크(TA3)에 접속된다. 또, 분리 탱크(TA3)가 배관(421a, 421b)을 통해 회수 탱크(TA1, TA2)에 접속된다. 이 경우, 컵(612)의 배액구(73b)로부터 세정액 및 금속용 제거액이 공통의 분리 탱크(TA3)로 이끌어진다.
여기서, 세정액과 금속용 제거액은 서로 다른 비중을 가지며, 금속용 제거액의 비중은 세정액의 비중보다 크다. 그 때문에, 회수 탱크(TA3) 내에 있어서는, 세정액의 층(LA1)과 금속용 제거액의 층(LA2)이 상하로 분리하도록 형성된다. 그래서, 회수 탱크(TA3)에는, 층(LA1)과 층(LA2)의 경계면을 검출하는 경계 검출부(BS)가 설치된다. 경계 검출부(BS)로서는, 예를 들면 정전 용량식의 액면 레벨 센서가 이용된다. 이를 대신하여, 플로트식, 광학식, 초음파식, 전도율식, 피에조 공진식 등의 다른 방식의 액면 레벨 센서가 경계 검출부(BS)로서 이용되어도 된다.
분리 탱크(TA3)에는, 층(LA1)과 층(LA2)의 경계면의 하한 높이(L1) 및 상한 높이(L2)가 설정된다. 상한 높이(L2)는 하한 높이(L1)보다 상방에 위치한다. 분리 탱크(TA3)에는, 상한 높이(L2)보다 높은 위치에 배관(421a)이 부착되고, 하한 높이(L1)보다 낮은 위치에 배관(421b)이 부착된다.
예를 들면, 경계 검출부(BS)에 의해 검출되는 경계면의 높이가 하한 높이(L1) 미만인 경우, 회수 밸브(V2)가 닫힌다. 이로 인해, 세정액이 배관(421b)을 통해 회수 탱크(TA2)로 이끌어지는 것이 방지된다. 이 경우, 회수 밸브(V1)는 열려도 되고, 닫혀도 된다. 경계 검출부(BS)에 의해 검출되는 경계면의 높이가 하한 높이(L1) 이상이고 또한 상한 높이(L2) 미만인 경우, 회수 밸브(V1, V2)가 열린다. 이로 인해, 세정액 및 금속용 제거액이 배관(421a, 421b)을 통해 회수 탱크(TA1, TA2)로 각각 이끌어진다. 경계 검출부(BS)에 의해 검출되는 경계면의 높이가 상한 높이(L2) 이상인 경우, 회수 밸브(V2)가 열리고, 회수 밸브(V1)가 닫힌다. 이로 인해, 금속용 제거액이 회수 배관(421b)을 통해 회수 탱크(TA2)로 이끌어진다. 또, 금속용 제거액이 회수 배관(421a)을 통해 회수 탱크(TA1)로 이끌어지는 것이 방지된다.
이와 같이, 도 8의 예에서는, 세정액 및 금속용 제거액의 비중에 의거하여, 사용이 끝난 세정액과 사용이 끝난 금속용 제거액이 분리된다. 이로 인해, 세정액과 금속용 제거액을 완전히 분리하여 회수하는 것이 가능해진다. 이 경우, 사용자는, 세정액과 금속용 제거액을 분리하기 위한 작업을 행할 필요가 없다. 이로 인해, 각 액의 회수 코스트 및 폐기 코스트를 저감할 수 있다.
(2-2) 현상 처리 유닛 및 세정 건조 처리 유닛
도 2에 나타내는 바와 같이, 현상 처리 유닛(139)은, 도포 처리 유닛(129)과 같이, 복수의 스핀척(35) 및 복수의 컵(37)을 구비한다. 또, 도 1에 나타내는 바와 같이, 현상 처리 유닛(139)은, 현상액을 토출하는 2개의 슬릿 노즐(38) 및 그들의 슬릿 노즐(38)을 X방향으로 이동시키는 이동 기구(39)를 구비한다.
현상 처리 유닛(139)에 있어서는, 후술의 모터(35a)(도 16)에 의해 스핀척(35)이 회전된다. 그로 인해, 기판(W)이 회전된다. 이 상태로, 슬릿 노즐(38)이 이동하면서 각 기판(W)에 현상액을 공급한다. 이로 인해, 기판(W)의 현상 처리가 행해진다.
세정 건조 처리부(161)에는, 복수(본 예에서는 3개)의 세정 건조 처리 유닛(BSS)이 설치된다. 각 세정 건조 처리 유닛(BSS)에 있어서는, 유기용제 또는 순수를 이용하여 노광 처리 전의 기판(W)의 주연부 및 이면의 세정 및 건조 처리가 행해진다. 여기서, 이면이란 기판(W)의 피처리면과 반대측의 면을 말한다.
(3)열처리부
도 9는, 도 1의 열처리부(123, 133) 및 세정 건조 처리부(162)의 내부 구성을 나타내는 모식적 측면도이다. 도 9에 나타내는 바와 같이, 열처리부(123)는, 상방에 설치되는 상단 열처리부(301) 및 하방에 설치되는 하단 열처리부(302)를 갖는다. 상단 열처리부(301) 및 하단 열처리부(302)에는, 복수의 열처리 유닛(PHP), 복수의 밀착 강화 처리 유닛(PAHP) 및 복수의 냉각 유닛(CP)이 설치된다.
열처리부(123)의 최상부에는 로컬 컨트롤러(LC1)가 설치된다. 로컬 컨트롤러(LC1)는, 도 1의 메인 컨트롤러(114)로부터의 지령에 의거하여, 도포 처리부(121)(도 1), 반송부(122)(도 1) 및 열처리부(123)의 동작을 제어한다.
열처리 유닛(PHP)에 있어서는, 기판(W)의 가열 처리 및 냉각 처리가 행해진다. 밀착 강화 처리 유닛(PAHP)에 있어서는, 기판(W)과 반사 방지막의 밀착성을 향상시키기 위한 밀착 강화 처리가 행해진다. 구체적으로는, 밀착 강화 처리 유닛(PAHP)에 있어서, 기판(W)에 HMDS(헥사메틸다이실라잔) 등의 밀착 강화제가 도포됨과 더불어, 기판(W)에 가열 처리가 행해진다. 냉각 유닛(CP)에 있어서는, 기판(W)의 냉각 처리가 행해진다.
열처리부(133)는, 상방에 설치되는 상단 열처리부(303) 및 하방에 설치되는 하단 열처리부(304)를 갖는다. 상단 열처리부(303) 및 하단 열처리부(304)에는, 냉각 유닛(CP) 및 복수의 열처리 유닛(PHP)이 설치된다.
열처리부(133)의 최상부에는, 로컬 컨트롤러(LC2)가 설치된다. 로컬 컨트롤러(LC2)는, 도 1의 메인 컨트롤러(114)로부터의 지령에 의거하여, 현상 처리부(131)(도 1), 반송부(132)(도 1) 및 열처리부(133)의 동작을 제어한다.
(4)금속 제거 유닛
상기와 같이, 도 3의 스핀척(611)에 의해 기판(W)이 회전된 상태에서, 엣지 린스 노즐(613)로부터 기판(W)의 주연부에 막제거액이 토출됨으로써, 기판(W)의 주연부에 도포된 도포액이 용해된다. 그로 인해, 기판(W)의 주연부의 금속 함유 도포막이 제거된다. 그러나, 기판(W)의 주연부에는 금속 함유 도포액에 함유되어 있던 금속 성분이 잔존하고 있을 가능성이 있다. 또, 기판(W)의 이면에 금속 함유 도포액이 돌아들어간 경우에는, 기판(W)의 이면에는 금속 함유 도포액에 함유되어 있던 금속 성분이 잔존해 있다.
기판(W)의 주연부 또는 이면에 금속 성분이 부착한 상태로 기판(W)이 기판 처리 장치(100) 내에서 반송되면, 기판 처리 장치(100)의 내부 및 노광 장치(15)의 내부에 금속 성분에 의한 오염이 발생한다. 그래서, 세정 건조 처리부(162)에는, 노광 처리 전의 기판(W)의 주연부 및 이면에 부착한 금속 성분을 제거하는 복수(본 예에서는 6개)의 금속 제거 유닛(MR)이 설치된다.
본 예에서는, 3개의 금속 제거 유닛(MR)과 나머지 3개의 금속 제거 유닛(MR)에서는, 다른 금속용 제거액이 이용된다. 이 경우, 금속 함유 도포액에 함유된 금속 성분의 종류에 따라, 적합한 금속 제거 유닛(MR)에 의해 기판(W)의 주연부 및 이면에 부착된 금속 성분을 제거할 수 있다.
도 10은, 금속 제거 유닛(MR)의 제1의 구성예를 나타내는 도면이다. 도 10에 나타내는 바와 같이, 금속 제거 유닛(MR)에는, 모터(1), 스핀척(3), 컵(4), 2개의 이면 세정 노즐(7), 주연부 세정 노즐(8) 및 기체 공급부(9)가 설치된다. 스핀척(3)은, 연직축의 둘레에서 회전 가능하게 모터(1)의 회전축(2)의 상단에 부착된다. 컵(4)은, 스핀척(3)에 유지된 기판(W)의 둘레를 둘러싸도록 배치된다. 컵(4)의 하부에는 배기부(5) 및 배액부(6)가 형성된다.
2개의 이면 세정 노즐(7)은, 스핀척(3)에 의해 유지된 기판(W)의 이면을 향하도록 배치된다. 이면 세정 노즐(7)로부터 기판(W)의 이면에 금속용 제거액이 토출된다. 주연부 세정 노즐(8)은, 스핀척(3)에 의해 유지된 기판(W)의 주연부를 향하도록 배치된다. 주연부 세정 노즐(8)로부터 기판(W)의 주연부에 금속용 제거액이 토출된다.
기체 공급부(9)는, 스핀척(3)에 의해 유지된 기판(W)의 대략 중앙부의 상방에 배치된다. 기체 공급부(9)로부터 기판(W)의 피처리면의 대략 중앙부에 불활성 가스, 예를 들면 질소 가스가 분출된다. 이 경우, 기체 공급부(9)로부터 분출되는 기체는, 기판(W)의 피처리면의 대략 중앙부에 확산한다. 이로 인해, 주연부 세정 노즐(8)로부터 토출되는 금속용 제거액이 기판(W)의 피처리면에 형성된 도포막에 부착하는 것이 방지된다.
도 11은, 금속 제거 유닛(MR)의 제2의 구성예를 나타내는 도면이다. 도 11에 나타내는 바와 같이, 제2의 구성예에 있어서의 금속 제거 유닛(MR)에는, 도 10의 주연부 세정 노즐(8) 및 기체 공급부(9)를 대신하여 기액 공급 노즐(10)이 설치된다. 기액 공급 노즐(10)은, 수평 방향으로 늘어서는 액체 노즐(10a) 및 기체 노즐(10b)을 포함한다. 기액 공급 노즐(10)은, 스핀척(3)에 의해 유지된 기판(W)의 주연부를 향하도록 배치된다. 여기서, 기체 노즐(10b)은, 액체 노즐(10a)보다 기판(W)의 중심의 근처에 배치된다.
액체 노즐(10a)로부터 기판(W)의 주연부에 금속용 제거액이 토출된다. 기체 노즐(10b)로부터 기판(W)의 주연부에 불활성 가스, 예를 들면 질소 가스가 분출된다. 이 경우, 기체 노즐(10b)로부터 기체가 분출되는 기판(W)의 위치는, 액체 노즐(10a)로부터 금속용 제거액이 토출되는 위치보다 기판(W)의 중심에 가깝다. 그 때문에, 액체 노즐(10a)로부터 토출되는 금속용 제거액은, 기체 노즐(10b)로부터 분출되는 기체에 의해 기판(W)의 중심을 향하는 것이 방해된다. 이로 인해, 액체 노즐(10a)로부터 토출되는 금속용 제거액이 기판(W)의 피처리면에 형성된 도포막에 부착하는 것이 방지된다.
도 10 및 도 11의 금속 제거 유닛(MR)에 있어서는, 주연부 세정 노즐(8) 또는 액체 노즐(10a)로부터 기판(W)의 주연부에 금속용 제거액이 공급되므로, 기판(W)의 주연부에 있어서의 금속 함유 도포막 중의 금속 성분이 용해되고, 기판(W)의 피처리면의 주연부를 제외한 영역에 금속 함유 도포막이 잔존한다. 또, 이면 세정 노즐(7)로부터 기판(W)의 이면에 금속용 제거액이 공급되므로, 금속 함유 도포액이 기판(W)의 이면으로 돌아들어간 경우에서도, 기판(W)의 이면에 부착한 금속 함유 도포액 중의 금속 성분이 제거된다.
또, 본 예에서는, 열처리부(123)에 의해 금속 함유 도포막이 경화된 후의 기판(W)이 금속 제거 유닛(MR)에 반송되므로, 금속 제거 유닛(MR)에 있어서 기체 공급부(9) 또는 기체 노즐(10b)로부터 기판(W)에 기체가 토출되어도 금속 함유 도포막의 막두께에 영향을 주지 않는다. 이들의 결과, 기판(W)의 피처리면에 금속 함유 도포막을 균일한 두께로 형성할 수 있다.
(5)반송부
도 12는, 반송부(122, 132, 163)의 내부 구성을 나타내는 모식적 측면도이다. 도 12에 나타내는 바와 같이, 반송부(122)는, 상단 반송실(125) 및 하단 반송실(126)을 갖는다. 반송부(132)는, 상단 반송실(135) 및 하단 반송실(136)을 갖는다. 상단 반송실(125)에는 반송 기구(127)가 설치되고, 하단 반송실(126)에는 반송 기구(128)가 설치된다. 또, 상단 반송실(135)에는 반송 기구(137)가 설치되고, 하단 반송실(136)에는 반송 기구(138)가 설치된다.
도포 처리실(21, 22)(도 2)과 상단 열처리부(301)(도 9)는 상단 반송실(125)을 사이에 두고 대향하고, 도포 처리실(23, 24)(도 2)과 하단 열처리부(302)(도 9)는 하단 반송실(126)을 사이에 두고 대향한다. 마찬가지로, 현상 처리실(31, 32)(도 2)과 상단 열처리부(303)(도 9)는 상단 반송실(135)을 사이에 두고 대향하고, 현상 처리실(33, 34)(도 2)과 하단 열처리부(304)(도 9)는 하단 반송실(136)을 사이에 두고 대향한다.
반송부(112)와 상단 반송실(125)의 사이에는, 기판 재치부(PASS1, PASS2)가 설치되고, 반송부(112)와 하단 반송실(126)의 사이에는, 기판 재치부(PASS3, PASS4)가 설치된다. 상단 반송실(125)과 상단 반송실(135)의 사이에는, 기판 재치부(PASS5, PASS6)가 설치되고, 하단 반송실(126)과 하단 반송실(136)의 사이에는, 기판 재치부(PASS7, PASS8)가 설치된다.
상단 반송실(135)과 반송부(163)의 사이에는, 재치겸 버퍼부(P-BF1)가 설치되고, 하단 반송실(136)과 반송부(163)의 사이에는 재치겸 버퍼부(P-BF2)가 설치된다. 반송부(163)에 있어서 반입 반출 블록(14B)과 인접하도록, 기판 재치부(PASS9), 복수의 엣지 노광부(EEW) 및 복수의 재치겸 냉각부(P-CP)가 설치된다.
재치겸 버퍼부(P-BF1)는, 반송 기구(137) 및 반송 기구(141, 142)(도 1)에 의한 기판(W)의 반입 및 반출이 가능하게 구성된다. 재치겸 버퍼부(P-BF2)는, 반송 기구(138) 및 반송 기구(141, 142)(도 1)에 의한 기판(W)의 반입 및 반출이 가능하게 구성된다. 또, 기판 재치부(PASS9), 엣지 노광부(EEW) 및 재치겸 냉각부(P-CP)는, 반송 기구(141, 142)(도 1) 및 반송 기구(146)에 의한 기판(W)의 반입 및 반출이 가능하게 구성된다.
엣지 노광부(EEW)에 있어서는, 기판(W)의 주연부의 노광 처리(엣지 노광 처리)가 행해진다. 기판(W)에 엣지 노광 처리가 행해짐으로써, 이후의 현상 처리시에, 기판(W)의 주연부 상의 레지스트막이 제거된다. 그로 인해, 현상 처리 후에 있어서, 기판(W)의 주연부가 다른 부분과 접촉한 경우에, 기판(W)의 주연부 상의 레지스트막이 박리하여 파티클이 되는 것이 방지된다.
기판 재치부(PASS1) 및 기판 재치부(PASS3)에는, 인덱서 블록(11)으로부터 제1의 처리 블록(12)에 반송되는 기판(W)이 올려지고, 기판 재치부(PASS2) 및 기판 재치부(PASS4)에는, 제1의 처리 블록(12)으로부터 인덱서 블록(11)으로 반송되는 기판(W)이 올려진다.
기판 재치부(PASS5) 및 기판 재치부(PASS7)에는, 제1의 처리 블록(12)으로부터 제2의 처리 블록(13)으로 반송되는 기판(W)이 올려지고, 기판 재치부(PASS6) 및 기판 재치부(PASS8)에는, 제2의 처리 블록(13)으로부터 제1의 처리 블록(12)으로 반송되는 기판(W)이 올려진다.
재치겸 버퍼부(P-BF1, P-BF2)에는, 제2의 처리 블록(13)으로부터 세정 건조 처리 블록(14A)에 반송되는 기판(W)이 올려지고, 재치겸 냉각부(P-CP)에는, 세정 건조 처리 블록(14A)으로부터 반입 반출 블록(14B)으로 반송되는 기판(W)이 올려지고, 기판 재치부(PASS9)에는, 반입 반출 블록(14B)으로부터 세정 건조 처리 블록(14A)으로 반송되는 기판(W)이 올려진다.
다음에, 반송 기구(127)에 대해 설명한다. 도 13은, 반송 기구(127)을 나타내는 사시도이다. 도 12 및 도 13에 나타내는 바와 같이, 반송 기구(127)는, 장척 형상의 가이드 레일(311, 312)을 구비한다. 도 12에 나타내는 바와 같이, 가이드 레일(311)은, 상단 반송실(125) 내에 있어서 상하 방향으로 연장되도록 반송부(112)측에 고정된다. 가이드 레일(312)은, 상단 반송실(125) 내에 있어서 상하 방향으로 연장하도록 상단 반송실(135)측에 고정된다.
가이드 레일(311)과 가이드 레일(312)의 사이에는, 장척 형상의 가이드 레일(313)이 설치된다. 가이드 레일(313)은, 상하 이동 가능하게 가이드 레일(311, 312)에 부착된다. 가이드 레일(313)에 이동 부재(314)가 부착된다. 이동 부재(314)는, 가이드 레일(313)의 길이 방향으로 이동 가능하게 설치된다.
이동 부재(314)의 상면에는, 장척 형상의 회전 부재(315)가 회전 가능하게 설치된다. 회전 부재(315)에는, 기판(W)의 외주부를 유지하기 위한 핸드(H1, H2, H3)가 부착된다. 핸드(H1~H3)는, 회전 부재(315)의 길이 방향으로 이동 가능하게 설치된다. 핸드(H1)는 핸드(H2)보다 상방에 배치되고, 핸드(H2)는 핸드(H3)보다 상방에 배치된다.
상기와 같은 구성에 의해, 반송 기구(127)는, 상단 반송실(125) 내에 있어서 X방향 및 Z방향으로 자유롭게 이동할 수 있다. 또, 핸드(H1~H3)를 이용하여 도포 처리실(21, 22)(도 2), 기판 재치부(PASS1, PASS2, PASS5, PASS6)(도 12) 및 상단 열처리부(301)(도 9)에 대해서 기판(W)의 수도(受渡)를 행할 수 있다.
또한, 도 12에 나타내는 바와 같이, 반송 기구(128, 137, 138)는 반송 기구(127)와 같은 구성을 갖는다. 또, 본 실시의 형태에 있어서는, 도 1의 반송 기구(142)는, 반송 기구(127)와 같은 3개의 핸드(H1~H3)를 갖는다.
(6)기판 처리
도 1, 도 2, 도 9 및 도 12를 참조하면서 기판 처리를 설명한다. 인덱서 블록(11)의 캐리어 재치부(111)(도 1)에는, 미처리의 기판(W)이 수용된 캐리어(113)가 올려진다. 반송 기구(115)는, 캐리어(113)로부터 기판 재치부(PASS1, PASS3)(도 12)에 미처리의 기판(W)을 반송한다. 또, 반송 기구(115)는, 기판 재치부(PASS2, PASS4)(도 12)에 올려진 처리가 끝난 기판(W)을 캐리어(113)에 반송한다.
제1의 처리 블록(12)에 있어서, 반송 기구(127)(도 12)는, 중단 및 하단의 핸드(H2, H3)을 이용하여 기판 재치부(PASS1)에 올려진 미처리의 기판(W)을 밀착 강화 처리 유닛(PAHP)(도 9), 냉각 유닛(CP)(도 9) 및 도포 처리실(22)(도 2)에 순서대로 반송한다. 다음에, 반송 기구(127)는, 핸드(H2, H3)를 이용하여 도포 처리실(22)의 기판(W)을, 열처리 유닛(PHP)(도 9), 냉각 유닛(CP)(도 9), 도포 처리실(21)(도 2), 열처리 유닛(PHP)(도 9) 및 기판 재치부(PASS5)(도 12)에 순서대로 반송한다.
이 경우, 밀착 강화 처리 유닛(PAHP)에 있어서, 기판(W)에 밀착 강화 처리가 행해진 후, 냉각 유닛(CP)에 있어서, 반사 방지막의 형성에 적합한 온도로 기판(W)이 냉각된다. 다음에, 도포 처리실(22)에 있어서, 도포 처리 유닛(129)(도 2)에 의해 기판(W) 상에 반사 방지막이 형성된다. 계속해서, 열처리 유닛(PHP)에 있어서, 기판(W)의 열처리가 행해진 후, 냉각 유닛(CP)에 있어서, 레지스트막의 형성에 적합한 온도로 기판(W)이 냉각된다. 다음에, 도포 처리실(21)에 있어서, 도포 처리 유닛(129)(도 2)에 의해, 기판(W) 상에 레지스트막이 형성된다. 그 후, 열처리 유닛(PHP)에 있어서, 기판(W)의 열처리가 행해지고, 그 기판(W)이 기판 재치부(PASS5)에 올려진다.
또, 반송 기구(127)는, 상단의 핸드(H1)를 이용하여 기판 재치부(PASS6)(도 12)에 올려진 현상 처리 후의 기판(W)을 기판 재치부(PASS2)(도 12)에 반송한다.
반송 기구(128)(도 12)는, 중단 및 하단의 핸드(H2, H3)를 이용하여 기판 재치부(PASS3)에 올려진 미처리의 기판(W)을 밀착 강화 처리 유닛(PAHP)(도 9), 냉각 유닛(CP)(도 9) 및 도포 처리실(24)(도 2)에 순서대로 반송한다. 다음에, 반송 기구(128)는, 핸드(H2, H3)를 이용하여 도포 처리실(24)의 기판(W)을, 열처리 유닛(PHP)(도 9), 냉각 유닛(CP)(도 9), 도포 처리실(23)(도 2), 열처리 유닛(PHP)(도 9) 및 기판 재치부(PASS7)(도 12)에 순서대로 반송한다.
또, 반송 기구(128)(도 12)는, 상단의 핸드(H1)를 이용하여 기판 재치부(PASS8)(도 12)에 올려진 현상 처리 후의 기판(W)을 기판 재치부(PASS4)(도 12)에 반송한다. 도포 처리실(23, 24)(도 2) 및 하단 열처리부(302)(도 9)에 있어서의 기판(W)의 처리 내용은, 상기의 도포 처리실(21, 22)(도 2) 및 상단 열처리부(301)(도 9)에 있어서의 기판(W)의 처리 내용과 각각 같다.
제2의 처리 블록(13)에 있어서, 반송 기구(137)(도 12)는, 하단의 핸드(H3)를 이용하여 기판 재치부(PASS5)에 올려진 레지스트막 형성 후의 기판(W)을 재치겸 버퍼부(P-BF1)(도 12)에 반송한다.
또, 반송 기구(137)(도 12)는, 상단 및 중단의 핸드(H1, H2)를 이용하여 세정 건조 처리 블록(14A)에 인접하는 열처리 유닛(PHP)(도 9)으로부터 노광 처리 후에 또한 열처리 후의 기판(W)을 취출한다. 반송 기구(137)는, 핸드(H1, H2)를 이용하여 그 기판(W)을 냉각 유닛(CP)(도 9), 현상 처리실(31, 32)(도 2) 중 어느 한쪽, 열처리 유닛(PHP)(도 9) 및 기판 재치부(PASS6)(도 12)에 순서대로 반송한다.
이 경우, 냉각 유닛(CP)에 있어서, 현상 처리에 적합한 온도로 기판(W)이 냉각된 후, 현상 처리실(31, 32) 중 어느 한쪽에 있어서, 현상 처리 유닛(139)에 의해 기판(W)의 현상 처리가 행해진다. 그 후, 열처리 유닛(PHP)에 있어서, 기판(W)의 열처리가 행해지고, 그 기판(W)이 기판 재치부(PASS6)에 올려진다.
반송 기구(138)(도 12)는, 하단의 핸드(H3)를 이용하여 기판 재치부(PASS7)에 올려진 레지스트막 형성 후의 기판(W)을 재치겸 버퍼부(P-BF2)(도 12)에 반송한다.
또, 반송 기구(138)(도 12)는 상단 및 중단의 핸드(H1, H2)를 이용하여 인터페이스 블록(14)에 인접하는 열처리 유닛(PHP)(도 9)으로부터 노광 처리 후에 또한 열처리 후의 기판(W)을 취출한다. 반송 기구(138)는, 핸드(H1, H2)를 이용하여 그 기판(W)을 냉각 유닛(CP)(도 9), 현상 처리실(33, 34)(도 2) 중 어느 한쪽, 열처리 유닛(PHP)(도 9) 및 기판 재치부(PASS8)(도 12)에 순서대로 반송한다. 현상 처리실(33, 34) 및 하단 열처리부(304)에 있어서의 기판(W)의 처리 내용은, 상기의 현상 처리실(31, 32) 및 상단 열처리부(303)에 있어서의 기판(W)의 처리 내용과 각각 같다.
세정 건조 처리 블록(14A)에 있어서, 반송 기구(142)(도 1)는, 하단의 핸드(H3)를 이용하여 재치겸 버퍼부(P-BF1, P-BF2)(도 12)에 올려진 기판(W)을 금속 제거 유닛(MR)(도 9)에 반송한다. 또, 반송 기구(142)는, 상단 및 중단의 핸드(H1, H2)를 이용하여, 금속 제거 유닛(MR)의 기판(W)을 재치겸 버퍼부(P-BF1)(도 12) 또는 재치겸 버퍼부(P-BF2)(도 12)에 반송한다. 반송 기구(141)(도 1)는, 금속 제거 유닛(MR)으로부터 재치겸 버퍼부(P-BF1, P-BF2)에 반송된 기판(W)을 세정 건조 처리 유닛(BSS)(도 2), 엣지 노광부(EEW) 및 재치겸 냉각부(P-CP)(도 12)에 순서대로 반송한다.
이 경우, 금속 제거 유닛(MR)에 있어서, 기판(W)의 주연부 및 이면에 잔존하는 금속 성분의 제거가 행해진다. 또, 세정 건조 처리 유닛(BSS)에 있어서, 기판(W)의 주연부 및 이면의 세정 및 건조 처리가 행해진다. 계속해서, 엣지 노광부(EEW)에 있어서 기판(W)의 엣지 노광 처리가 행해진다. 그 후, 재치겸 냉각부(P-CP)에 있어서 노광 장치(15)(도 1)에 의한 노광 처리에 적합한 온도로 기판(W)이 냉각된다.
또, 반송 기구(142)(도 1)는, 기판 재치부(PASS9)(도 12)에 올려진 노광 처리 후의 기판(W)을 상단 열처리부(303) 또는 하단 열처리부(304)의 열처리 유닛(PHP)(도 9)에 순서대로 반송한다. 이 경우, 열처리 유닛(PHP)에 있어서 노광 후 베이크(PEB) 처리가 행해진다.
반입 반출 블록(14B)에 있어서, 반송 기구(146)(도 1)는, 재치겸 냉각부(P-CP)(도 12)에 올려진 노광 처리 전의 기판(W)을 노광 장치(15)(도 1)의 기판 반입부에 반송한다. 또, 반송 기구(146)는, 노광 장치(15)의 기판 반출부로부터 노광 처리 후의 기판(W)을 취출하고, 그 기판(W)을 기판 재치부(PASS9)(도 12)에 반송한다. 노광 장치(15)에 있어서는, 매우 짧은 파장을 갖는 EUV에 의해 기판(W)에 노광 처리가 행해진다. 이 경우, 기판(W) 상의 도포막에 금속 성분이 함유되어 있으므로, EUV광의 흡수가 효율 좋게 행해짐으로써, 미세한 노광 패턴을 높은 해상도로 형성할 수 있다. 또한, 노광 방법은 이것으로 한정되지 않고, 다른 방법에 의해 기판(W)에 노광 처리가 행해져도 된다.
상기의 기판(W)의 반송에 의하면, 금속 성분이 제거되기 전의 기판(W)과 금속 성분이 제거된 후의 기판(W)이 반송 기구(127, 128, 137, 138, 142)가 다른 핸드에 의해 유지된다. 이로 인해, 금속 성분이 제거된 후의 기판(W)에 반송 기구(127, 128, 137, 138, 142)의 핸드를 통해 금속 성분이 부착하는 것이 방지된다. 이로 인해, 반송 기구를 통해 금속 오염의 확대가 방지된다.
(7)효과
본 실시의 형태에 따른 기판 처리 장치(100)에 있어서는, 도포 처리 유닛(129)의 컵(612)에 세정액 및 금속용 제거액이 공급됨으로써 컵(612)의 세정 처리가 행해진다. 그로 인해, 컵(612)에 부착하는 도포액 및 그 고화물이 제거됨과 더불어, 컵(612)에 잔류하는 금속 성분이 제거된다. 따라서, 컵(612)으로부터 금속 성분이 확산하는 것이 방지된다. 그 결과, 기판(W), 기판 처리 장치(100) 및 노광 장치(15)의 내부가 금속에 의해 오염되는 것이 방지된다.
(8)컵 세정 기구의 다른 예
도 14는, 컵 세정 기구(CM)의 다른 예에 대해 설명하기 위한 도면이다. 도 14의 예에 대해서, 도 4의 예와 다른 점을 설명한다.
도 14의 컵 세정 기구(CM)는, 도 4의 컵 세정 노즐(82, 83) 중 컵 세정 노즐(82)만을 포함한다. 또, 컵 세정 부재(76)에, 도 4의 제1 및 제2의 안내부(76a, 76b) 중 제1의 안내부(76a)만이 설치된다. 컵 세정 노즐(82)에는, 도시를 생략한 세정액 공급원 및 금속용 제거액 공급원으로부터 세정액 및 금속용 제거액이 선택적으로 공급된다. 이 경우, 컵 세정 노즐(82)로부터 컵 세정 부재(76)의 제1의 안내부(76a)에 세정액 및 금속용 제거액이 각각 토출된다. 그로 인해, 공통의 복수의 토출구(85a)로부터 외컵(612a)에 세정액 및 금속용 제거액이 각각 토출된다.
본 예에 있어서도, 세정액이 외컵(612a)에 토출됨으로써, 외컵(612a)에 부착하는 도포액 및 그 고화물 등이 제거된다. 또, 금속용 제거액이 외컵(612a)에 토출됨으로써, 외컵(612a)에 잔존하는 금속 성분이 제거된다. 또, 세정액이 재차 외컵(612a)에 토출됨으로써, 외컵(612a)에 부착하는 금속용 제거액이 씻어내려간다. 이로 인해, 외컵(612a)을 청정화할 수 있다. 또, 도 4의 예와 비교하여, 컵 세정 기구(CM)의 구성이 간단해진다.
또한, 외컵(612a)의 세정 처리시에, 도 4의 승강기구(72)에 의해 외컵(612a)이 승강되어도 된다. 예를 들면, 세정액이 토출되는 기간에는, 외컵(612a)이 제1의 높이로 유지되고, 금속용 제거액이 토출되는 기간에는, 외컵(612a)이 제1의 높이보다 높은 제2의 높이로 유지되어도 된다. 이 경우, 도 7의 예와 같이, 외컵(612a)의 내주면 상에 있어서, 금속용 제거액이 공급되는 영역보다 세정액이 공급되는 영역이 넓어진다. 그로 인해, 세정액에 의해 금속용 제거액이 충분히 씻겨내려가고, 외컵(612a)에 금속용 제거액이 잔존하는 것이 방지된다.
또, 상기와 같이, 외컵(612a)에 금속용 제거액이 공급된 후, 세정액 대신에 순수가 공급되어도 된다. 또, 최초로 금속용 제거액이 외컵(612a)에 공급되고, 그 후에 세정액이 외컵(612a)에 공급되어도 된다. 또, 복수 종류의 금속용 제거액이 이용되어도 된다. 또, 세정액 및 금속용 제거액을 회수하기 위해, 도 4의 회수 유닛(61A)이 이용되어도 되고, 혹은 도 8의 회수 유닛(61A)이 이용되어도 된다. 또한, 외컵(612a)에 더하여 내컵(611b)의 정류부(74)에도 세정액 및 금속용 제거액이 공급되어도 된다.
혹은, 도포액을 용해시키는 성질을 갖는 금속용 제거액이 컵 세정 노즐(83)에 공급되어도 된다. 이 경우, 컵(612)에 금속용 제거액이 공급됨으로써, 컵(612)으로부터 도포액 및 고화물이 제거되고, 동시에 금속 성분이 제거된다. 이로 인해, 간단한 구성으로 효율 좋게 컵(612)을 청정화할 수 있다.
(9)스핀 유닛의 다른 예
도 15는, 스핀 유닛(61)의 다른 예에 대해 설명하기 위한 모식적 측면도이다. 도 15의 스핀 유닛(61)에 대해서, 도 4의 스핀 유닛(61)과 다른 점을 설명한다.
도 15의 스핀 유닛(61)은, 도 4의 구성에 더하여, 엣지 린스 노즐(614) 및 백 린스 노즐(86)을 더 구비한다. 엣지 린스 노즐(614)은, 엣지 린스 노즐(613)과 같이, 스핀척(611)에 의해 유지된 기판(W)의 피처리면의 주연부를 향하도록 배치된다. 백 린스 노즐(86)은, 백 린스 노즐(81)과 같이, 스핀척(611)에 의해 유지된 기판(W)의 이면을 향하도록 배치된다.
엣지 린스 노즐(613, 614)에는, 공급 배관(613p, 614p)이 각각 접속된다. 공급 배관(613p, 614p)에는, 각각 공급 밸브(613v, 614v)가 삽입된다. 백 린스 노즐(81, 86)에는, 각각 공급 배관(615p, 616p)이 접속된다. 공급 배관(615p, 616p)에는, 각각 공급 밸브(615v, 616v)가 삽입된다.
엣지 린스 노즐(613) 및 백 린스 노즐(81)에는, 공급 배관(613p, 615p)을 통해 각각 상술한 막제거액 및 세정액이 공급되고, 엣지 린스 노즐(614) 및 백 린스 노즐(86)에는, 공급 배관(614p, 616p)을 통해 각각 금속용 제거액이 공급된다.
기판(W) 상에 금속 함유 도포막이 형성된 후, 스핀척(611)에 의해 기판(W)이 회전된 상태로, 엣지 린스 노즐(613)로부터 기판(W)의 주연부에 막제거액이 토출됨과 더불어, 백 린스 노즐(81)로부터 기판(W)의 이면에 세정액이 토출된다. 이 경우, 기판(W)의 주연부 및 이면에 도포된 도포액이 용해되어 제거된다.
그 후, 스핀척(611)에 의해 기판(W)이 회전된 상태로, 엣지 린스 노즐(614)로부터 기판(W)의 주연부에 금속용 제거액이 토출됨과 더불어, 백 린스 노즐(86)로부터 기판(W)의 이면에 금속용 제거액이 토출된다. 이 경우, 기판(W)의 주연부 및 이면에 잔존한 금속 성분이 용해되어 제거된다.
엣지 린스 노즐(613) 및 백 린스 노즐(81)로부터 각각 막제거액 및 세정액이 토출되는 기간에는, 회수 밸브(V1)가 열리고, 회수 밸브(V2)가 닫힌다. 이로 인해, 배액구(73b)로부터 배출되는 막제거액 및 세정액이 회수 탱크(TA1)로 이끌어진다. 한편, 엣지 린스 노즐(614) 및 백 린스 노즐(86)로부터 금속용 제거액이 토출되는 기간에는, 회수 밸브(V1)가 닫히고, 회수 밸브(V2)가 열린다. 이로 인해, 배액구(73b)로부터 배출되는 금속용 제거액이 회수 탱크(TA2)로 이끌어진다.
이와 같이, 도 15의 스핀 유닛(61)에 있어서는, 기판(W) 상에 금속 함유 도포막이 형성됨과 더불어, 기판(W)의 주연부 및 이면으로부터 도포액 및 금속 성분이 제거되므로, 기판(W)을 금속 제거 유닛(MR)에 반송할 필요가 없다. 그 때문에, 기판(W)의 반송 시간을 단축할 수 있고, 스루풋을 높일 수 있다. 또, 금속 제거 유닛(MR)을 설치하지 않아도 되기 때문에, 기판 처리 장치(100)의 소형화 및 장치 코스트의 삭감이 가능해진다.
또, 컵(612)의 세정 처리시와 같이, 사용이 끝난 막제거액 및 세정액과, 사용이 끝난 금속용 제거액이 분리하여 회수된다. 이로 인해, 사용자는, 막제거액 및 세정액과 금속용 제거액을 분리하기 위한 작업을 행할 필요가 없다. 따라서, 제거액의 회수 코스트 및 폐기 코스트를 저감할 수 있다.
또한, 본 예에서는, 막제거액을 토출하는 엣지 린스 노즐(613)과 금속용 제거액을 토출하는 엣지 린스 노즐(615)이 별개로 설치되지만, 막제거액과 금속용 제거액을 선택적으로 토출하는 공통의 엣지 린스 노즐이 설치되어도 된다. 마찬가지로 세정액과 금속용 제거액을 선택적으로 토출하는 공통의 백 린스 노즐이 설치되어도 된다. 혹은, 금속용 제거액이 도포액을 용해시키는 성질을 가져도 된다. 이 경우, 엣지 린스 노즐(613) 및 백 린스 노즐(81)이 설치되지 않아도 된다.
또, 도 15의 스핀 유닛(61)에는, 도 4의 회수 유닛(61A)이 설치되지만, 이것을 대신하여, 도 8의 회수 유닛(61A)이 설치되어도 된다. 또, 다른 구성에 의해 2종류의 제거액이 분리 회수되어도 된다. 예를 들면, 컵(612)이 2종류의 제거액을 분리하여 회수 가능한 2중컵이어도 된다.
(10)다른 실시의 형태
(10-1)
상기 실시의 형태에서는, 컵 세정 기구(CM)가 도포 처리 유닛(129)에 설치되지만, 본 발명은 이것으로 한정되지 않는다. 컵 세정 기구(CM)가 현상 처리 유닛(139)에 설치되어도 된다. 도 16은, 현상 처리 유닛(139)의 일례를 나타내는 모식적 측면도이다. 도 16의 현상 처리 유닛(139)은, 도 2의 스핀척(35) 및 컵(37)에 더하여, 컵 세정 부재(76) 및 컵 세정 노즐(82, 83)을 포함한다. 도 16의 컵 세정 기구(CM)는, 도 4의 컵 세정 기구(CM)와 같은 구성을 갖는다. 그로 인해, 컵(37)에 세정액 및 금속용 제거액이 각각 공급된다.
현상 처리 유닛(139)에서는, 도 1의 슬릿 노즐(38)로부터 기판(W)의 피처리면에 현상액이 공급됨으로써, 노광 처리 후의 금속 함유 도포막의 일부가 용해된다. 그 후, 스핀척(35)에 의해 기판(W)이 회전되면서 도시를 생략한 린스 노즐로부터 기판(W) 상에 린스액이 공급됨으로써, 기판(W) 상의 현상액이 씻려내려간다. 이 경우, 기판(W) 상의 현상액 및 용해된 금속 함유 도포막이, 린스액과 함께 기판(W)의 바깥쪽으로 비산하고, 컵(37)에 의해 받아내어진다. 따라서, 컵(37)에는 도포액 및 금속 성분이 부착한다.
그래서, 도 16의 현상 처리 유닛(139)에 있어서는, 컵(37)에 세정액 및 금속용 제거액이 각각 공급됨으로써, 컵(37)에 부착하는 도포액 및 금속 성분이 제거된다. 그 결과, 컵(37)으로부터 금속이 확산되는 것이 방지된다.
또, 도 4 또는 도 8의 회수 유닛(61A)이 현상 처리 유닛(139)에 설치되어도 된다. 이로 인해, 컵(37)에 공급된 세정액 및 금속용 제거액을 분리하여 회수할 수 있다.
(10-2)
상기 실시의 형태에서는, 컵 세정 노즐(82, 83)로부터 토출된 세정액 및 금속용 제거액이 컵 세정 부재(76)의 제1 및 제2의 안내부(76a, 76b)를 통해 외컵(612a)으로 이끌어지지만, 본 발명은 이것으로 한정되지 않는다. 예를 들면, 외컵(612a)을 향해 세정액 및 금속용 제거액을 토출하도록 컵 세정 노즐(82, 83)이 설치되어도 된다. 또, 컵 세정 노즐(82, 83)의 한쪽이 외컵(612a)에 세정액 및 금속용 제거액의 한쪽을 직접적으로 공급하고, 컵 세정 노즐(82, 83)의 다른쪽이 컵 세정 부재(76)를 통해 외컵(612a)에 세정액 및 금속용 제거액의 다른쪽을 공급해도 된다. 또, 컵 세정 노즐(82)이 설치되지 않고, 브러쉬 등에 의해 도포액 및 그 고화물이 제거되어도 된다.
(10-3)
상기 실시의 형태에 있어서, 반사 방지액 및 레지스트액의 양쪽에 금속 성분이 함유되어 있지만, 본 발명은 이것으로 한정되지 않는다. 반사 방지액 및 레지스트액의 한쪽에 금속 성분이 함유되지 않아도 된다. 또, 하드 마스크(HM)막 등의 다른 막을 형성하기 위한 도포액에 금속 성분이 함유되어 있어도 된다. 이 경우, 금속 성분으로서, 예를 들면 산화 티탄(TiOx), 산화 텅스텐(WOx) 또는 산화 지르코늄(ZrOx)이 도포액에 함유된다.
(10-4)
상기 실시의 형태에 있어서, 반송 기구(127, 128, 137, 138, 141)의 핸드(H1~H3)는 기판(W)의 외주부를 유지하지만, 본 발명은 이것으로 한정되지 않는다. 반송 기구(127, 128, 137, 138, 141)의 핸드(H1~H3)는, 기판(W)을 흡착함으로써 기판(W)의 이면을 유지해도 된다.
(10-5)
상기 실시의 형태에 있어서, 반송 기구(127, 128, 137, 138, 141)는 3개의 핸드(H1~H3)를 갖는 것이 바람직하지만, 본 발명은 이것으로 한정되지 않는다. 반송 기구(127, 128, 137, 138, 141)는 2개 이하의 핸드를 가져도 되고, 4개 이상의 핸드를 가져도 된다.
(10-6)
상기 형태에 있어서, 세정 건조 처리부(161)에 복수의 세정 건조 처리 유닛(BSS)이 배치되고, 세정 건조 처리부(162)에 복수의 금속 제거 유닛(MR)이 배치되지만, 본 발명은 이것으로 한정되지 않는다. 일부 또는 전부의 세정 건조 처리 유닛(BSS)이 세정 건조 처리부(162)에 배치되어도 되고, 일부 또는 전부의 금속 제거 유닛(MR)이 세정 건조 처리부(161)에 배치되어도 된다.
(10-7)
상기 실시의 형태에 있어서, 도포 처리 유닛(129)에 엣지 린스 노즐(613)이 설치되지만, 본 발명은 이것으로 한정되지 않는다. 예를 들면, 도포 처리 유닛(129)에 엣지 린스 노즐(613)이 설치되지 않고, 금속 제거 유닛(MR)에 엣지 린스 노즐(613)이 설치되어도 된다. 이 경우, 금속 제거 유닛(MR)에 있어서 기판(W)의 주연부에 막제거액 및 금속용 제거액이 공급된다. 사용 후의 막제거액 및 금속용 제거액을 회수하기 위해서, 도 4 또는 도 8의 예와 같은 회수 유닛이 금속 제거 유닛(MR)에 설치되어도 된다.
(10-8)
상기 실시의 형태에 있어서, 인터페이스 블록(14)에 엣지 노광부(EEW)가 설치되지만, 본 발명은 이것으로 한정되지 않는다. 엣지 노광부(EEW)는 인터페이스 블록(14)에 설치되지 않고, 제1의 처리 블록(12)의 상단 열처리부(301) 및 하단 열처리부(302)에 설치되어도 된다. 이 경우, 레지스트막의 형성 후, 기판(W)이 기판 재치부(PASS5, PASS7)에 재치되기 전에 기판(W)에 엣지 노광 처리가 행해진다.
(10-9)
금속 제거 유닛(MR)이 다른 장소에 설치되어도 된다. 예를 들면, 제1 또는 제2의 처리 블록(12, 13)에 금속 제거 유닛(MR)이 설치되어도 된다. 또, 현상 처리 유닛(139)에 있어서, 기판(W)의 주연부 및 이면에 금속용 제거액이 공급됨으로써, 기판(W)의 주연부 및 이면으로부터 금속 성분이 제거되어도 된다. 또, 제1의 처리 블록(12)과 제2의 처리 블록(13)의 사이에, 금속 제거 유닛(MR)을 포함하는 다른 처리 블록이 배치되어도 된다.
(11)청구항의 각 구성요소와 실시의 형태의 각 요소의 대응 관계
이하, 청구항의 각 구성요소와 실시의 형태의 각 요소의 대응의 예에 대해 설명하지만, 본 발명은 하기의 예로 한정되지 않는다.
상기 실시의 형태에 있어서는, 도포 처리 유닛(129) 또는 현상 처리 유닛(139)이 막처리 유닛의 예이며, 스핀척(611) 또는 스핀척(35)이 회전 유지부의 예이며, 노즐(620) 또는 슬릿 노즐(38)이 처리액 공급부의 예이며, 컵(612) 또는 컵(37)이 비산 방지 부재의 예이며, 컵 세정 노즐(83)이 제거액 공급부의 예이다. 또, 컵 세정 부재(76)가 안내 부재의 예이며, 제2의 안내부(76b)가 제1의 제거액 안내부의 예이며, 제1의 안내부(76a)가 제2의 제거액 안내부의 예이며, 컵 세정 노즐(83)이 제1의 토출 노즐의 예이며, 컵 세정 노즐(82)이 제2의 토출 노즐의 예이며, 회수 유닛(61A)이 제거액 회수 유닛의 예이며, 엣지 린스 노즐(613)이 주연부 제거액 공급 유닛의 예이다. 또, 기판 처리 장치(100)가 기판 처리 장치의 예이며, 현상 처리 유닛(139)이 현상 처리 유닛의 예이다.
청구항의 각 구성요소로서, 청구항에 기재되어 있는 구성 또는 기능을 갖는 다른 여러 가지의 요소를 이용할 수도 있다.
[산업상의 이용 가능성]
발명은, 여러 가지 기판의 처리에 유효하게 이용할 수 있다.

Claims (18)

  1. 기판을 수평 자세로 유지하여 회전시키는 회전 유지부와,
    상기 회전 유지부에 의해 유지되는 기판의 피처리면에 처리액을 공급하는 처리액 공급부와,
    상기 회전 유지부에 의해 유지되는 기판의 외주 단부를 둘러싸도록 배치되고, 상기 회전 유지부에 의해 회전되는 기판으로부터 비산하는 처리액을 받아내는 비산 방지 부재와,
    금속 함유 도포액에 있어서의 금속을 용해시키는 제1의 제거액 및 상기 금속 함유 도포액에 있어서의 도포액을 용해시키는 제2의 제거액을 공급하도록 구성되는 제거액 공급부와,
    상기 제1 및 제2의 제거액을 안내하는 안내 부재를 구비하며,
    상기 안내 부재는, 상기 제거액 공급부에 의해 공급된 상기 제1의 제거액을 상기 비산 방지 부재의 제1의 영역으로 이끌고, 상기 제거액 공급부에 의해 공급된 상기 제2의 제거액을 상기 비산 방지 부재의 상기 제1의 영역보다 상방의 제2의 영역으로 이끌도록 구성되는, 막처리 유닛.
  2. 청구항 1에 있어서,
    상기 처리액 공급부는, 기판의 상기 피처리면에 상기 금속 함유 도포액을 상기 처리액으로서 공급함으로써 상기 피처리면에 금속 함유 도포막을 형성하도록 구성되는, 막처리 유닛.
  3. 청구항 1에 있어서,
    기판의 상기 피처리면에 상기 금속 함유 도포액이 공급됨으로써 금속 함유 도포막이 형성된 후에 기판에 노광 처리가 행해지고,
    상기 처리액 공급부는, 노광 처리 후의 기판의 상기 피처리면에 현상액을 상기 처리액으로서 공급하도록 구성되는, 막처리 유닛.
  4. 청구항 1 내지 청구항 3 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 안내 부재는,
    상기 제거액 공급부에 의해 공급된 상기 제1의 제거액을 상기 비산 방지 부재의 상기 제1의 영역으로 이끄는 제1의 제거액 안내부와,
    상기 제거액 공급부에 의해 공급된 상기 제2의 제거액을 상기 비산 방지 부재의 상기 제2의 영역으로 이끄는 제2의 제거액 안내부를 갖는, 막처리 유닛.
  5. 청구항 4에 있어서,
    상기 제거액 공급부는,
    상기 안내 부재의 상기 제1의 제거액 안내부를 향해 상기 제1의 제거액을 토출하는 제1의 토출 노즐과
    상기 안내 부재의 상기 제2의 제거액 안내부를 향해 상기 제2의 제거액을 토출하는 제2의 토출 노즐을 포함하고,
    상기 제1의 제거액 안내부는, 상기 제1의 토출 노즐로부터 토출된 상기 제1의 제거액을 상기 비산 방지 부재의 상기 제1의 영역으로 이끌도록 설치되고,
    상기 제2의 제거액 안내부는, 상기 제2의 토출 노즐로부터 토출된 상기 제2의 제거액을 상기 비산 방지 부재의 상기 제2의 영역으로 이끌도록 설치되는, 막처리 유닛.
  6. 청구항 1 내지 청구항 3 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 안내 부재는, 상기 제1 및 제2의 제거액을 선택적으로 안내하는 제거액 안내부를 가지며,
    상기 제거액 안내부가 상기 제거액 공급부에 의해 공급된 상기 제1의 제거액을 상기 비산 방지 부재의 상기 제1의 영역으로 이끌고, 상기 제거액 안내부가 상기 제거액 공급부에 의해 공급된 상기 제2의 제거액을 상기 비산 방지 부재의 상기 제2의 영역으로 이끌도록, 상기 안내 부재에 대한 상기 비산 방지 부재의 상대적인 높이가 변경되는, 막처리 유닛.
  7. 청구항 6에 있어서,
    상기 제거액 공급부는, 상기 안내 부재의 상기 제거액 안내부를 향해 상기 제1 및 제2의 제거액을 선택적으로 토출하는 토출 노즐을 포함하고,
    상기 제거액 안내부는, 상기 토출 노즐로부터 토출된 상기 제1의 제거액을 상기 비산 방지 부재의 상기 제1의 영역으로 이끌고, 상기 안내 부재에 대한 상기 비산 방지 부재의 상대적인 높이가 변경된 후, 상기 토출 노즐로부터 토출된 상기 제2의 제거액을 상기 비산 방지 부재의 상기 제2의 영역으로 이끌도록 설치되는, 막처리 유닛.
  8. 청구항 1 내지 청구항 3 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 비산 방지 부재에 토출된 상기 제1 및 제2의 제거액을 분리하여 회수하도록 설치된 제거액 회수 유닛을 더 구비하는, 막처리 유닛.
  9. 청구항 2에 있어서,
    기판의 상기 피처리면의 주연부를 제외한 영역에 상기 금속 함유 도포막이 잔존하도록, 상기 금속을 용해시키는 제3의 제거액을 상기 회전 유지부에 의해 회전되는 기판의 상기 피처리면의 주연부에 공급하는 주연부 제거액 공급 유닛을 더 구비하는, 막처리 유닛.
  10. 기판에 노광 처리를 행하는 노광 장치에 인접하도록 배치되는 기판 처리 장치로서,
    상기 노광 장치에 의한 노광 처리 전에, 기판의 피처리면에 상기 금속 함유 도포막을 형성하는 청구항 2에 기재된 막처리 유닛과,
    상기 노광 장치에 의한 노광 처리 후에, 기판의 현상 처리를 행하는 현상 처리 유닛을 구비하는, 기판 처리 장치.
  11. 기판에 노광 처리를 행하는 노광 장치에 인접하도록 배치되는 기판 처리 장치로서,
    상기 노광 장치에 의한 노광 처리 전에, 기판의 피처리면에 금속을 포함하는 금속 함유 도포막을 형성하는 막형성 유닛과,
    상기 노광 장치에 의한 노광 처리 후에, 기판의 현상 처리를 행하는 청구항 3에 기재된 막처리 유닛을 구비하는, 기판 처리 장치.
  12. 회전 유지부에 의해 기판을 수평 자세로 유지하여 회전시키는 단계와,
    상기 회전 유지부에 의해 유지되는 기판의 피처리면에 처리액 공급부에 의해 금속 및 도포액을 포함하는 금속 함유 도포액을 공급함으로써 상기 피처리면에 금속 함유 도포막을 형성하는 단계와,
    상기 회전 유지부에 의해 유지되는 기판의 외주 단부를 둘러싸도록 배치되는 비산 방지 부재에 의해, 상기 회전 유지부에 의해 회전되는 기판으로부터 비산하는 금속 함유 도포액을 받아내는 단계와,
    상기 금속 함유 도포액에 있어서의 금속을 용해시키는 제1의 제거액 및 상기 금속 함유 도포액에 있어서의 도포액을 용해시키는 제2의 제거액을 제거액 공급부에 의해 공급하는 단계와,
    상기 공급된 상기 제1의 제거액을 안내 부재에 의해 상기 비산 방지 부재의 제1의 영역으로 이끄는 단계와,
    상기 공급된 상기 제2의 제거액을 상기 안내 부재에 의해 상기 비산 방지 부재의 상기 제1의 영역보다 상방의 제2의 영역으로 이끄는 단계를 구비하는, 기판 처리 방법.
  13. 기판의 피처리면에 금속 및 도포액을 포함하는 금속 함유 도포액을 공급함으로써 금속 함유 도포막을 형성하는 단계와,
    상기 금속 함유 도포막이 형성된 기판에 노광 처리를 행하는 단계와,
    노광 처리 후의 기판을 회전 유지부에 의해 수평 자세로 유지하여 회전시키는 단계와,
    상기 회전 유지부에 의해 유지되는 기판의 피처리면에 처리액 공급부에 의해 현상액을 공급하는 단계와,
    상기 회전 유지부에 의해 유지되는 기판의 외주 단부를 둘러싸도록 배치되는 비산 방지 부재에 의해, 상기 회전 유지부에 의해 회전되는 기판으로부터 비산하는 현상액을 받아내는 단계와,
    상기 금속 함유 도포액에 있어서의 금속을 용해시키는 제1의 제거액 및 상기 금속 함유 도포액에 있어서의 도포액을 용해시키는 제2의 제거액을 제거액 공급부에 의해 공급하는 단계와,
    상기 공급된 상기 제1의 제거액을 안내 부재에 의해 상기 비산 방지 부재의 제1의 영역으로 이끄는 단계와,
    상기 공급된 상기 제2의 제거액을 상기 안내 부재에 의해 상기 비산 방지 부재의 상기 제1의 영역보다 상방의 제2의 영역으로 이끄는 단계를 구비하는, 기판 처리 방법.
  14. 청구항 12 또는 청구항 13에 있어서,
    상기 제1의 제거액을 상기 안내 부재에 의해 상기 비산 방지 부재의 상기 제1의 영역으로 이끄는 단계는, 상기 제1의 제거액을 상기 안내 부재의 제1의 제거액 안내부에 의해 상기 비산 방지 부재의 상기 제1의 영역으로 이끄는 것을 포함하고,
    상기 제2의 제거액을 상기 안내 부재에 의해 상기 비산 방지 부재의 상기 제2의 영역으로 이끄는 단계는, 상기 제2의 제거액을 상기 안내 부재의 제2의 제거액 안내부에 의해 상기 비산 방지 부재의 상기 제2의 영역으로 이끄는 것을 포함하는, 기판 처리 방법.
  15. 청구항 14에 있어서,
    상기 제거액 공급부는 제1 및 제2의 토출 노즐을 포함하고,
    상기 제1의 제거액 및 상기 제2의 제거액을 공급하는 단계는,
    상기 안내 부재의 상기 제1의 제거액 안내부를 향해 상기 제1의 토출 노즐로부터 상기 제1의 제거액을 토출하는 것과,
    상기 안내 부재의 상기 제2의 제거액 안내부를 향해 상기 제2의 토출 노즐로부터 상기 제2의 제거액을 토출하는 것을 포함하고,
    상기 제1의 제거액을 상기 안내 부재에 의해 상기 비산 방지 부재의 상기 제1의 영역으로 이끄는 단계는, 상기 제1의 토출 노즐로부터 토출된 상기 제1의 제거액을 상기 제1의 제거액 안내부에 의해 상기 비산 방지 부재의 상기 제1의 영역으로 이끄는 것을 포함하며,
    상기 제2의 제거액을 상기 안내 부재에 의해 상기 비산 방지 부재의 상기 제2의 영역으로 이끄는 단계는, 상기 제2의 토출 노즐로부터 토출된 상기 제2의 제거액을 상기 제2의 제거액 안내부에 의해 상기 비산 방지 부재의 상기 제2의 영역으로 이끄는 것을 포함하는, 기판 처리 방법.
  16. 청구항 15에 있어서,
    상기 제1의 제거액을 상기 안내 부재에 의해 상기 비산 방지 부재의 상기 제1의 영역으로 이끄는 단계는, 상기 제1의 제거액을 상기 안내 부재의 제거액 안내부에 의해 상기 비산 방지 부재의 상기 제1의 영역으로 이끄는 것을 포함하고,
    상기 제2의 제거액을 상기 안내 부재에 의해 상기 비산 방지 부재의 상기 제2의 영역으로 이끄는 단계는, 상기 안내 부재에 대한 상기 비산 방지 부재의 상대적인 높이를 변경한 후, 상기 제2의 제거액을 상기 안내 부재의 상기 제거액 안내부에 의해 상기 비산 방지 부재의 상기 제2의 영역으로 이끄는 것을 포함하는, 기판 처리 방법.
  17. 청구항 16에 있어서,
    상기 제거액 공급부는 토출 노즐을 포함하고,
    상기 제1의 제거액 및 상기 제2의 제거액을 공급하는 단계는,
    상기 안내 부재의 상기 제거액 안내부를 향해 상기 제1 및 제2의 제거액을 상기 토출 노즐로부터 선택적으로 토출하는 것을 포함하고,
    상기 제1의 제거액을 상기 안내 부재에 의해 상기 비산 방지 부재의 상기 제1의 영역으로 이끄는 단계는, 상기 토출 노즐로부터 토출된 상기 제1의 제거액을 상기 안내 부재의 제거액 안내부에 의해 상기 비산 방지 부재의 상기 제1의 영역으로 이끄는 것을 포함하며,
    상기 제2의 제거액을 상기 안내 부재에 의해 상기 비산 방지 부재의 상기 제2의 영역으로 이끄는 단계는, 상기 안내 부재에 대한 상기 비산 방지 부재의 상대적인 높이를 변경한 후, 상기 토출 노즐로부터 토출된 상기 제2의 제거액을 상기 안내 부재의 상기 제거액 안내부에 의해 상기 비산 방지 부재의 상기 제2의 영역으로 이끄는 것을 포함하는, 기판 처리 방법.
  18. 청구항 12 또는 청구항 13에 있어서,
    상기 비산 방지 부재에 토출된 상기 제1 및 제2의 제거액을 제거액 회수 유닛에 의해 분리하여 회수하는 단계를 더 포함하는, 기판 처리 방법.
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