KR102127447B1 - 발광 소자 모듈 - Google Patents

발광 소자 모듈 Download PDF

Info

Publication number
KR102127447B1
KR102127447B1 KR1020140029499A KR20140029499A KR102127447B1 KR 102127447 B1 KR102127447 B1 KR 102127447B1 KR 1020140029499 A KR1020140029499 A KR 1020140029499A KR 20140029499 A KR20140029499 A KR 20140029499A KR 102127447 B1 KR102127447 B1 KR 102127447B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
conductive pattern
light emitting
emitting device
conductive
cable
Prior art date
Application number
KR1020140029499A
Other languages
English (en)
Other versions
KR20150107105A (ko
Inventor
박준석
Original Assignee
엘지이노텍 주식회사
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 엘지이노텍 주식회사 filed Critical 엘지이노텍 주식회사
Priority to KR1020140029499A priority Critical patent/KR102127447B1/ko
Publication of KR20150107105A publication Critical patent/KR20150107105A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR102127447B1 publication Critical patent/KR102127447B1/ko

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/62—Arrangements for conducting electric current to or from the semiconductor body, e.g. lead-frames, wire-bonds or solder balls
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L25/00—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof
    • H01L25/03—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes
    • H01L25/04—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers
    • H01L25/075—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L33/00

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Led Device Packages (AREA)

Abstract

실시예는 서로 나란히 배치되는 제1 도전 패턴 내지 제3 도전 패턴과, 상기 제1 도전 패턴 내지 제3 도전 패턴을 둘러싸는 절연층을 포함하는 케이블; 상기 케이블 내의 3개의 도전 패턴 중 제2 도전 패턴 상에 배치되는 발광소자 패키지; 및 상기 3개의 도전 패턴의 일측 끝단에 배치되어, 적어도 2개의 도전 패턴을 전기적으로 연결하는 연결 부재를 포함하고, 상기 발광소자 패키지는, 패키지 몸체와 상기 패키지 몸체 상의 발광소자와 상기 발광소자와 전기적으로 연결되는 제1 리드 프레임과 제2 리드 프레임을 포함하고, 상기 제1 리드 프레임은, 상기 패키지 몸체의 양측으로 돌출되어 상기 제1 도전 패턴과 제3 도전 패턴에 전기적으로 연결되는 발광 소자 모듈을 제공한다.

Description

발광 소자 모듈{LIGHT EMITTING DEVICE MODULE}
실시예는 발광 소자 모듈에 관한 것으로, 보다 상세하게는 도선의 번들(bundle)을 패터닝하고 그 위에 발광소자 패키지가 배치된 발광 소자 모듈에 관한 것이다.
GaN, AlGaN 등의 3-5 족 화합물 반도체는 넓고 조정이 용이한 밴드 갭 에너지를 가지는 등의 많은 장점으로 인해 광 전자 공학 분야(optoelectronics)와 전자 소자를 위해 등에 널리 사용된다.
특히, 반도체의 3-5족 또는 2-6족 화합물 반도체 물질을 이용한 발광 다이오드(Light Emitting Diode)나 레이저 다이오드와 같은 발광 소자는 박막 성장 기술 및 소자 재료의 개발로 적색, 녹색, 청색 및 자외선 등 다양한 색을 구현할 수 있으며, 형광 물질을 이용하거나 색을 조합함으로써 효율이 좋은 백색 광선도 구현이 가능하며, 형광등, 백열등 등 기존의 광원에 비해 저소비전력, 반영구적인 수명, 빠른 응답속도, 안전성, 환경친화성의 장점을 가진다.
따라서, 광 통신 수단의 송신 모듈, LCD(Liquid Crystal Display) 표시 장치의 백라이트를 구성하는 냉음극관(CCFL: Cold Cathode Fluorescence Lamp)을 대체하는 발광 다이오드 백라이트, 형광등이나 백열 전구를 대체할 수 있는 백색 발광 다이오드 조명 장치, 자동차 헤드 라이트 및 신호등에까지 응용이 확대되고 있다.
발광소자 패키지는 패키지 몸체에 한 쌍의 리드 프레임이 배치되고, 각각의 리드 프레임에 발광소자가 전기적으로 연결되어 배치된다. 이러한 발광소자 패키지 또는 발광소자가 회로 기판 위에 복수 개 배치된 구성을 발광 소자 모듈이라고 할 수 있는데, 백라이트 유닛이나 조명 장치의 광원으로 사용될 수 있다.
발광 소자 모듈에 사용되는 회로 기판은 인쇄회로기판(Printed circuit board)이나, 연성 회로기판(FPCB) 등이 사용될 수 있는데, 회로 기판 내에는 도전 패턴이 배치되며 회로 기판 위에 SMT(Surface Mounting Technology, 표면 실장 기술)의 방법 등으로 발광소자 또는 발광 소자 패키지를 고정시킬 수 있다.
상술한 바와 같이, 현재의 발광소자 모듈은 고가의 회로 기판을 사용하고 발광소자나 발광소자 패키지의 실장에 SMT방법이 사용되므로, 제조 비용이 증가하고 제조 공정이 복잡해질 수 있다.
실시예는 발광소자 모듈의 제조 비용을 줄이고, 제조 공정을 간략하게 하고자 한다.
실시예는 서로 나란히 배치되는 제1 도전 패턴 내지 제3 도전 패턴과, 상기 제1 도전 패턴 내지 제3 도전 패턴을 둘러싸는 절연층을 포함하는 케이블; 상기 케이블 내의 3개의 도전 패턴 중 제2 도전 패턴 상에 배치되는 발광소자 패키지; 및 상기 3개의 도전 패턴의 일측 끝단에 배치되어, 적어도 2개의 도전 패턴을 전기적으로 연결하는 연결 부재를 포함하고, 상기 발광소자 패키지는, 패키지 몸체와 상기 패키지 몸체 상의 발광소자와 상기 발광소자와 전기적으로 연결되는 제1 리드 프레임과 제2 리드 프레임을 포함하고, 상기 제1 리드 프레임은, 상기 패키지 몸체의 양측으로 돌출되어 상기 제1 도전 패턴과 제3 도전 패턴에 전기적으로 연결되는 발광 소자 모듈을 제공한다.
제1 도전 패턴과 상기 제3 도전 패턴의 일부에 오픈 영역이 형성되고, 상기 제1 도전 패턴의 오픈 영역과 상기 제3 도전 패턴의 오픈 영역이 서로 교대로 배치될 수 있다.
제1 도전 패턴 내지 제3 도전 패턴의 일측 끝단에서 상기 제1 도전 패턴 내지 상기 제3 도전 패턴 내의 도전 패턴이 노출되고, 상기 연결 부재는 도전성 영역을 포함하며, 상기 도전성 영역이 상기 제1 도전 패턴 내지 상기 제3 도전 패턴과 전기적으로 연결될 수 있다.
연결 부재의 도전성 영역은, 상기 제1 도전 패턴 내지 제3 도전 패턴의 일측 끝단을 감쌀 수 있다.
제1 리드 프레임은 상기 제1 도전 패턴 내지 제3 도전 패턴과 교차하는 방향으로 배치될 수 있다.
제1 리드 프레임은, 상기 케이블의 측면과 하부의 적어도 일부에까지 배치될 수 있다.
케이블의 측면 및/또는 하부에 대응되는 상기 제1 리드 프레임은, 상기 케이블 내의 제1 도전 패턴과 제3 도전 패턴 내의 도전 패턴과 전기적으로 연결될 수 있다.
제2 리드 프레임은, 상기 제2 도전 패턴과 전기적으로 연결될 수 있다.
실시예에 따른 발광소자 모듈은, 케이블의 절연층 내에 도전 패턴이 3 라인(line)으로 배치되고, 발광소자 패키지의 리드 프레임이 케이블의 양측면을 감싸며 도전 패턴 중 2개와 각각 전기적으로 연결되어, 회로 기판을 사용하지 않아서 제조 비용이 절약되고 SMT 공정이 생략되어 제조 공정이 간소화될 수 있다.
도 1a는 실시예에 따른 발광소자 모듈의 케이블의 일실시예를 나타낸 도면이고,
도 1b는 도 1a의 I-I'축 방향의 단면도이고,
도 2는 도 1a의 케이블에 발광소자 패키지가 배치된 구성을 나타낸 도면이고,
도 3a 및 도 3b는 도 2의 발광소자 패키지의 평면도 및 단면도이고,
도 4는 발광소자 패키지 내의 발광소자의 일실시예를 나타낸 도면이고,
도 5a는 도 2의 측단면도이고,
도 5b는 도 2의 다른 방향의 측단면도이고,
도 6은 도 5a에서 발광소자 패키지가 제거된 상태의 케이블을 나타낸 도면이다.
이하 상기의 목적을 구체적으로 실현할 수 있는 본 발명의 실시예를 첨부한 도면을 참조하여 설명한다.
본 발명에 따른 실시예의 설명에 있어서, 각 element의 " 상(위) 또는 하(아래)(on or under)"에 형성되는 것으로 기재되는 경우에 있어, 상(위) 또는 하(아래)(on or under)는 두개의 element가 서로 직접(directly)접촉되거나 하나 이상의 다른 element가 상기 두 element사이에 배치되어(indirectly) 형성되는 것을 모두 포함한다. 또한 “상(위) 또는 하(아래)(on or under)”으로 표현되는 경우 하나의 element를 기준으로 위쪽 방향 뿐만 아니라 아래쪽 방향의 의미도 포함할 수 있다.
본 실시예에 발광소자 모듈은, 도전 패턴이 포함된 케이블 위에 발광소자 패키지를 배치하고, 발광소자 패키지의 리드 프레임이 케이블을 감싸며 케이블 내의 도전 패턴과 전기적으로 연결될 수 있다.
도 1a는 실시예에 따른 발광소자 모듈의 케이블의 일실시예를 나타낸 도면이고, 도 1b는 도 1a의 I-I'축 방향의 단면도이다.
케이블의 일실시예(100)는 절연층(110) 내에 제1 도전 패턴 내지 제3 도전 패턴(131~133)이 나란히 배치된다. 제1 도전 패턴 내지 제3 도전 패턴(131~133)이 나란히 배치된다는 의미는 3개의 도전 패턴이 완전히 평행한 것을 의미하지는 않고, 서로 만나지 않도록 떨어져서 배치된 것을 뜻한다.
제1 도전 패턴 내지 제3 도전 패턴(131~133)은 도전성 물질로 이루어질 수 있으며 예를 들면 구리(Cu)로 이루어질 수 있다. 절연층(110)은 천연고무나 합성고무 또는 합성 수지가 사용될 수 있으며, 상술한 제1 도전 패턴 내지 제3 도전 패턴(131~133)을 외부로부터 보호하고 서로 전기적으로 분리시킬 수도 있다.
절연층(110)의 두께는 제1 도전 패턴 내지 제3 도전 패턴(131~133)이 형성된 영역에서의 두께가, 다른 영역에서의 두께보다 더 두꺼울 수 있다.
도 1a에서 차례로 배치된 3개의 도전 패턴을 순서대로 제1 도전 패턴(131), 제2 도전 패턴(132) 및 제3 도전 패턴(133)이라 하는데, 제1 도전 패턴(131)과 제3 도전 패턴(133)의 일부에는 오픈 영역(121, 123)이 형성되고 있다.
오픈 영역(121, 123)은 절연층(110)이 제거된 영역이며, 절연층(110)과 함께 내부의 제1 도전 패턴(131)과 제3 도전 패턴(133)의 일부도 함께 제거되고 있다.
이러한 오픈 영역(121, 123)의 형성은 케이블에 전류를 공급할 때 (+) 방향에서 공급된 전류가 케이블 내의 제1 도전 패턴 내지 제3 도전 패턴(131~133)이 이루는 폐회로를 지나서 (-) 방향으로 배출될 수 있기 위함이다.
즉, 도 1a에서 제1 도전 패턴(131)에 대응하는 오픈 영역(121)과 제3 도전 패턴(133)의 오픈 영역(123)이 서로 마주보지 않고 교대로 배치되어, 상술한 바와 같이 케이블 내에서 제1 도전 패턴 내지 제3 도전 패턴(131~133)을 연결하는 폐회로가 구성될 수 있다.
도 1a의 양끝에서 절연층(110)의 측면이 오픈되어 제1 도전 패턴 내지 제3 도전 패턴(131~133)이 노출될 수 있는데, 좌측에서 (+)와 (-)로 표시된 영역에서는 외부 전원이 연결될 수 있고, 우측에서는 연결 부재(150)가 배치되어 제1 도전 패턴 내지 제3 도전 패턴(131~133)을 전기적으로 연결할 수 있다.
도 1b는 도 1a의 I-I'축 방향의 단면도이며, 도 1a에서 연결 부재 방향에서 본 케이블의 측면도일 수 있다.
케이블(100)의 일측에서 절연층(110)이 오픈되어 제1 도전 패턴 내지 제3 도전 패턴(131~133)이 노출되고, 연결 부재(150)는 절연층(110)을 감싸며 배치되되 연결 부재(150)의 내측에는 도전성 영역이 형성되어, 연결 부재(150)가 케이블(100)의 일측에 물리적으로 접촉하며 고정될 때 상기 도전성 영역이 제1 도전 패턴 내지 제3 도전 패턴(131~133)을 감싸며 전기적으로 연결할 수 있다.
상기 도전성 영역은 연결 부재(150) 자체가 도전성 물질 예를 들면 금속으로 이루어지거나, 연결 부재(150)의 내측에 도전성 물질이 별도의 층(layer)을 이루며 형성될 수도 있다.
도 1a에서 (+) 지점에서 (-) 지점으로 연결된 점선이 케이블(100)에서 전류가 흐르는 방향이다. (+) 지점에서 공급된 전류는 화살표 방향으로 흐르며 제1 도전 패턴(131)과 제3 도전 패턴(133)을 흐르고, 케이블(100)의 우측에서 연결 부재(150)를 통하여 제1 도전 패턴(131)에서 제2 도전 패턴(132)으로 전류가 흐를 수 있다.
도 2는 도 1a의 케이블에 발광소자 패키지가 배치된 구성을 나타낸 도면이고, 도 3a 및 도 3b는 도 2의 발광소자 패키지의 평면도 및 단면도이며, 도 4는 발광소자 패키지 내의 발광소자의 일실시예를 나타낸 도면이다.
발광소자 패키지(200)는 3개의 도전 패턴 중 가운데에 배치되는 제2 도전 패턴(132)과 대응하여 배치될 수 있으며, 발광소자 패키지(200)의 하나의 리드 프레임이 돌출되어 제2 도전 패턴(132) 양측의 제1 도전 패턴(131)과 제3 도전 패턴(133)에 전기적으로 연결될 수 있다.
도 2에서 발광소자 패키지(200)의 제1 리드 프레임(221a, 221b)의 배열 방향은 제1 도전 패턴 내지 제3 도전 패턴(131~133)과 교차하여 배치될 수 있다. 여기서, 교차한다 함은 수직이지 않을 수도 있으며, 제1 리드 프레임(221a, 221b)의 배열 방향이 제1 도전 패턴 내지 제3 도전 패턴(131~133)과 교차할 뿐 전기적으로 연결되지는 않을 수 있다.
그리고, 발광소자 패키지(200)의 제1 리드 프레임(221a, 221b)이 제1 도전 패턴 및 제3 도전 패턴(131, 133)과 교차하는 영역을 교차 영역(a)이라 할 수 있고, 교차 영역(a)은 상술한 오픈 영역(121, 123)과 중복되지 않을 수 있다.
그리고, 발광소자 패키지(200)의 제1 리드 프레임(221a, 221b)은 절연층(110)의 측면을 감싸며 배치될 수 있으므로, 도 2에서 제1 리드 프레임(221a, 221b)은 절연층(110)의 측면보다 돌출되어 배치될 수 있다.
발광소자 패키지(200)는 패키지 몸체(210)와, 상기 몸체(210)에 설치된 제1 리드 프레임(Lead Frame, 221a/221b) 및 제2 리드 프레임(222)과, 상기 패키지 몸체(210)에 설치되어 상기 제1 리드 프레임(221a/221b) 및 제2 리드 프레임(222)과 전기적으로 연결되는 발광소자(250)와, 상기 캐비티에 형성된 몰딩부(260)를 포함한다.
패키지 몸체(210)는 실리콘 재질 또는 합성수지 재질 등을 포함하여 형성될 수 있다. 제1 리드 프레임(221a/221b) 및 제2 리드 프레임(222)은 서로 전기적으로 분리되며, 상기 발광소자(250)에 전류를 공급한다. 또한, 제1 리드 프레임(221a/221b) 및 제2 리드 프레임(222)은 발광소자(250)에서 발생된 열을 외부로 배출시킬 수도 있다.
제1 리드 프레임(221a/221b)은 상술한 바와 같이 패키지 몸체(210)의 양측으로 한 쌍이 돌출될 수 있으며, 도 3b에서 도시된 바와 같이 돌출된 한 쌍의 제1 리드 프레임(221a, 221b)의 끝단은 아랫 방향으로 휘어져서 케이블을 감싸며 제1 도전 패턴(131) 및 제3 도전 패턴(133)과 전기적으로 연결될 수 있다.
그리고, 도 3a에 도시된 바와 같이 제1 리드 프레임(221a/221b)은 패키지 몸체(210)의 장축 방향으로 돌출되어 배치될 수 있으나, 이에 한정하지 않는다. 그리고, 제1 리드 프레임(221a, 221b)과 제2 리드 프레임(222)의 구성은 도시된 구조에 한정하지 않는다.
그리고, 제2 리드 프레임(222)은 패키지 몸체(210)의 하부에 배치되어 케이블(100)의 제2 도전 패턴(132)과 전기적으로 연결될 수 있다. 도시되지 않았으나, 발광소자(250)는 제1 리드 프레임과 제2 리드 프레임에 와이어를 통하여 전기적으로 연결될 수 있다.
몰딩부(260)는 상기 발광소자(250)를 포위하여 보호할 수 있다. 또한, 상기 몰딩부(260) 상에는 형광체(265)가 포함될 수 있다. 발광소자(250)로부터 방출되는 제1 파장 영역의 광은 형광체(265))를 여기하여 형광체(265)에서 제2 파장 영역의 광이 방출될 수 있다.
발광소자(250)는 도 4에 도시된 바와 같이, 기판(251)과 버퍼층(252)과 발광 구조물(254)과 투광성 도전층(256)과 제1 전극(258) 및 제2 전극(259)을 포함할 수 있다.
기판(251)은 반도체 물질 성장에 적합한 물질이나 캐리어 웨이퍼로 형성될 수 있으며, 열 전도성이 뛰어난 물질로 형성될 수 있고, 전도성 기판 또는 절성 기판을 포함할 수 있다. 예컨대, 사파이어(Al2O3), SiO2, SiC, Si, GaAs, GaN, ZnO, GaP, InP, Ge, Ga203 중 적어도 하나를 사용할 수 있다.
사파이어 등으로 기판(251)을 형성하고, 기판(251) 상에 GaN이나 AlGaN 등이 에피택셜층으로 성장된 발광 구조물(220)이 배치될 때, GaN이나 AlGaN과사파이어 사이의 격자 부정합(lattice mismatch)이 매우 크고 이들 사이에 열 팽창 계수 차이도 매우 크기 때문에, 결정성을 악화시키는 전위(dislocation), 멜트 백(melt-back), 크랙(crack), 피트(pit), 표면 모폴로지(surface morphology) 불량 등이 발생할 수 있으므로, AlN 등으로 버퍼층(252)을 형성하거나 언도프드 반도체층(미도시)을 형성할 수 있다.
기판(251) 상에는 도시된 바와 같이 요철 구조가 형성되어, 발광 구조물(254)에서 방출되어 기판(251)으로 진행하는 빛을 굴절시킬 수도 있다.
발광 구조물(254)은 GaN 등이 에피택셜층을 이룰 수 있으며, 상세하게는 제1 도전형 반도체층(254a)과 활성층(254b)과 제2 도전형 반도체층(254c)으로 이루어질 수 있다.
제1 도전형 반도체층(254a)은 Ⅲ-Ⅴ족, Ⅱ-Ⅵ족 등의 화합물 반도체로 구현될 수 있으며, 제1 도전형 도펀트가 도핑되어 제1 도전형의 반도체층일 수 있다. 제1 도전형 반도체층(254a)은 AlxInyGa(1-x-y)N (0≤x≤1, 0≤y≤1, 0≤x+y≤1)의 조성식을 갖는 반도체 물질로 이루어질 수 있고, 예를 들어 AlGaN, GaN, InAlGaN, AlGaAs, GaP, GaAs, GaAsP, AlGaInP 중 어느 하나 이상으로 형성될 수 있다.
활성층(254b)은 Ⅲ-Ⅴ족 원소의 화합물 반도체 재료를 이용하여 우물층과 장벽층, 예를 들면 AlGaN/AlGaN, InGaN/GaN, InGaN/InGaN, AlGaN/GaN, InAlGaN/GaN, GaAs(InGaAs)/AlGaAs, GaP(InGaP)/AlGaP 중 어느 하나 이상의 페어 구조로 형성될 수 있으나 이에 한정되지는 않는다. 우물층은 장벽층의 에너지 밴드 갭보다 작은 에너지 밴드 갭을 갖는 물질로 형성될 수 있다.
제2 도전형 반도체층(254c)은 활성층(254b)의 표면에 반도체 화합물로 형성될 수 있다. 제2 도전형 반도체층(254c)은 Ⅲ-Ⅴ족, Ⅱ-Ⅵ족 등의 화합물 반도체로 구현될 수 있으며, 제2 도전형 도펀트가 도핑될 수 있다. 제2 도전형 반도체층(254c)은 예컨대, InxAlyGa1 -x- yN (0≤x≤1, 0≤y≤1, 0≤x+y≤1)의 조성식을 갖는 반도체 물질로 이루어질 수 있고, AlGaN, GaN AlInN, AlGaAs, GaP, GaAs, GaAsP, AlGaInP 중 어느 하나 이상으로 형성될 수 있다.
발광 구조물(254)의 일부 영역에서 제2 도전형 반도체층(254c)으로부터 활성층(254b)과 제1 도전형 반도체층(254a)의 일부가 메사 식각되어, 제1 도전형 반도체층(254a)의 표면이 노출된다.
제2 도전형 반도체층(254c) 상에는 투광성 도전층(256)이 배치될 수 있다. 예를 들어, 투광성 도전층은 ITO(Indium-Tin-Oxide) 등으로 이루어질 수 있는데, 제2 도전형 반도체층(254c)의 전류 스프레딩(spreading) 특성이 좋지 않아 투광성 도전층(256)이 제2 전극(259)으로부터 전류를 공급받을 수 있다.
노출된 제1 도전형 반도체층(254a)의 표면과 제2 도전형 반도체층(254c) 상에는 각각 제1 전극(258)과 제2 전극(259)이 배치되는데, 제1 전극(258)과 제2 전극(259)은 알루미늄(Al), 티타늄(Ti), 크롬(Cr), 니켈(Ni), 구리(Cu), 금(Au) 중 적어도 하나를 포함하여 단층 또는 다층 구조로 형성될 수 있으며, 각각 와이어(미도시)에 연결될 수 있다.
도시되지는 않았으나, 발광 구조물(254)의 둘레에는 패시베이션층이 형성될 수 있는데, 패시베이션층은 절연성 물질로 이루어질 수 있다. 또한 패시베이션층은 산화물이나 질화물로 이루어질 수 있고, 예를 들어 실리콘 산화물(SiO2)층, 산화 질화물층, 산화 알루미늄층으로 이루어질 수 있다.
도 5a는 도 2의 측단면도이고, 도 5b는 도 2의 다른 방향의 측단면도이다.
기판(300)에 발광소자 패키지(200)가 배치된 케이블(100)이 고정될 수 있다. 예를 들어, 기판(300) 상에 접착제(310)를 통하여 발광소자 패키지(200)가 배치될 수 있는데, 접착제(310)는 비도전성 접착제나 양면 테이프 등이 사용될 수 있다. 상술한 발광소자 패키지(200)가 배치된 케이블(100)이 기판(300) 상에 접착제(310)를 통하여 배치되어 발광소자 모듈로 사용될 수 있다. 예를 들어, 특히 발광소자 모듈이 백라이트 유닛에 사용될 경우 기판(300)은 백라이트 유닛의 바텀 샤시일 수 있다.
도 5b는 기판(300)과 접착제(310)를 생략하고 도시하고 있으며, 발광소자 패키지(200)의 제1 리드 프레임(221a, 221b)이 케이블(100)의 양측면에서 제1 도선 패턴(131)과 제2 도전 패턴(133)과 각각 전기적으로 연결되고 있다.
도 6은 도 5a에서 발광소자 패키지가 제거된 상태의 케이블을 나타낸 도면이다.
발광소자 패키지(200)의 제1 리드 프레임(221a, 221b)이 케이블(100)의 측면을 감싸며 제1 도전 패턴(131)과 제3 도전 패턴(133)에 전기적으로 연결될 수 있다. 예를 들어, 제1 리드 프레임과 접촉하는 영역에서 케이블(100)의 절연층(110)이 오픈되어 제1 도전 패턴(131) 또는 제3 도전 패턴(133)의 일부가 노출되고, 노출된 부분에 제 1 리드 프레임(221a, 221b)이 접촉됨으로 인하여 발광소자 패키지(200)과 제1 도전 패턴(131) 또는 제3 도전 패턴(133)이 전기적으로 연결될 수 있다.
그리고, 발광소자 패키지(200)의 안정적인 배치를 위하여 제1 리드 프레임(221a, 221b)은 케이블을 측면과 하부의 적어도 일부에까지 연장되어 감쌀 수 있는데, 도 6에서 케이블을 상부/측면/하부로 나눌 때 도시된 바와 같이 제1 도전 패턴(131)은 케이블(100)의 측면과 하부 중 적어도 일부까지가 오픈되어 제1 리드 프레임(221a, 221b)과 전기적으로 연결될 수 있다.
상술한 바와 발광소자 모듈은, 케이블의 절연층 내에 도전 패턴이 3 라인(line)으로 배치되고, 발광소자 패키지의 리드 프레임이 케이블의 양측면을 감싸며 도전 패턴 중 2개와 각각 전기적으로 연결되어, 회로 기판을 사용하지 않아서 제조 비용이 절약되고 SMT 공정이 생략되어 제조 공정이 간소화될 수 있다.
이상에서 실시예를 중심으로 설명하였으나 이는 단지 예시일 뿐 본 발명을 한정하는 것이 아니며, 본 발명이 속하는 분야의 통상의 지식을 가진 자라면 본 실시예의 본질적인 특성을 벗어나지 않는 범위에서 이상에 예시되지 않은 여러 가지의 변형과 응용이 가능함을 알 수 있을 것이다. 예를 들어, 실시예에 구체적으로 나타난 각 구성 요소는 변형하여 실시할 수 있는 것이다. 그리고 이러한 변형과 응용에 관계된 차이점들은 첨부된 청구 범위에서 규정하는 본 발명의 범위에 포함되는 것으로 해석되어야 할 것이다.
100: 케이블 110: 절연층
121, 123: 오픈 영역 131: 제1 도전 패턴
132: 제2 도전 패턴 133: 제3 도전 패턴
150: 연결 부재 200: 발광소자 패키지
210: 패키지 몸체 221a, 222b: 제1 리드 프레임
222: 제2 리드 프레임 260: 몰딩부
265: 형광체 300: 기판
310: 접착제

Claims (8)

  1. 서로 나란히 배치되는 제1 도전 패턴 내지 제3 도전 패턴과, 상기 제1 도전 패턴 내지 제3 도전 패턴을 둘러싸는 절연층을 포함하는 케이블;
    상기 케이블 내의 3개의 도전 패턴 중 제2 도전 패턴 상에 배치되는 발광소자 패키지; 및
    상기 3개의 도전 패턴의 일측 끝단에 배치되어, 적어도 2개의 도전 패턴을 전기적으로 연결하는 연결 부재를 포함하고,
    상기 발광소자 패키지는, 패키지 몸체와 상기 패키지 몸체 상의 발광소자와 상기 발광소자와 전기적으로 연결되는 제1 리드 프레임과 제2 리드 프레임을 포함하고,
    상기 제1 리드 프레임은, 상기 패키지 몸체의 양측으로 돌출되어 상기 제1 도전 패턴과 제3 도전 패턴에 전기적으로 연결되고,
    상기 절연층은 상기 제1 도전 패턴 내지 제3 도전 패턴이 형성된 영역에서의 두께가, 다른 영역에서의 두께보다 두껍고,
    상기 제1 도전 패턴과 상기 제3 도전 패턴의 일부에 오픈 영역이 형성되고, 상기 제1 도전 패턴의 오픈 영역과 상기 제3 도전 패턴의 오픈 영역이 상기 제2 도전 패턴을 사이에 두고 서로 교대로 배치되는 발광 소자 모듈.
  2. 삭제
  3. 제1 항에 있어서,
    상기 제1 도전 패턴 내지 제3 도전 패턴의 일측 끝단에서 상기 제1 도전 패턴 내지 상기 제3 도전 패턴 내의 도전 패턴이 노출되고, 상기 연결 부재는 도전성 영역을 포함하며, 상기 도전성 영역이 상기 제1 도전 패턴 내지 상기 제3 도전 패턴과 전기적으로 연결되는 발광 소자 모듈.
  4. 제1 항에 있어서,
    상기 연결 부재의 도전성 영역은, 상기 제1 도전 패턴 내지 제3 도전 패턴의 일측 끝단을 감싸는 발광 소자 모듈.
  5. 제1 항에 있어서,
    상기 제1 리드 프레임은 상기 제1 도전 패턴 내지 제3 도전 패턴과 교차하는 방향으로 배치되고,
    상기 제1 리드 프레임은, 상기 케이블의 측면과 하부의 적어도 일부에까지 배치되며
    상기 제2 리드 프레임은, 상기 제2 도전 패턴과 전기적으로 연결되는 발광 소자 모듈.
  6. 삭제
  7. 제5 항에 있어서,
    상기 케이블의 측면 및/또는 하부에 대응되는 상기 제1 리드 프레임은, 상기 케이블 내의 제1 도전 패턴과 제3 도전 패턴 내의 도전 패턴과 전기적으로 연결되는 발광 소자 모듈.
  8. 삭제
KR1020140029499A 2014-03-13 2014-03-13 발광 소자 모듈 KR102127447B1 (ko)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020140029499A KR102127447B1 (ko) 2014-03-13 2014-03-13 발광 소자 모듈

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020140029499A KR102127447B1 (ko) 2014-03-13 2014-03-13 발광 소자 모듈

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20150107105A KR20150107105A (ko) 2015-09-23
KR102127447B1 true KR102127447B1 (ko) 2020-06-26

Family

ID=54245673

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020140029499A KR102127447B1 (ko) 2014-03-13 2014-03-13 발광 소자 모듈

Country Status (1)

Country Link
KR (1) KR102127447B1 (ko)

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2004146411A (ja) 2002-10-22 2004-05-20 Citizen Electronics Co Ltd 高輝度発光装置及びその製造方法
JP2004179481A (ja) * 2002-11-28 2004-06-24 T S Tec Kk 発光装置および発光ダイオードの接続方法
JP2005136288A (ja) 2003-10-31 2005-05-26 Furukawa Electric Co Ltd:The Ｌｅｄの配線材への実装構造
JP2005159260A (ja) 2003-10-30 2005-06-16 Furukawa Electric Co Ltd:The Ｌｅｄ接続回路構造体
JP2006147187A (ja) * 2004-11-16 2006-06-08 Furukawa Electric Co Ltd:The フラットケーブルと電子部品との接続構造

Family Cites Families (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH11251641A (ja) * 1998-02-27 1999-09-17 Kyoraku Sangyo Kk 発光ダイオード
KR20100063877A (ko) * 2008-12-04 2010-06-14 서울반도체 주식회사 발광 소자

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2004146411A (ja) 2002-10-22 2004-05-20 Citizen Electronics Co Ltd 高輝度発光装置及びその製造方法
JP2004179481A (ja) * 2002-11-28 2004-06-24 T S Tec Kk 発光装置および発光ダイオードの接続方法
JP2005159260A (ja) 2003-10-30 2005-06-16 Furukawa Electric Co Ltd:The Ｌｅｄ接続回路構造体
JP2005136288A (ja) 2003-10-31 2005-05-26 Furukawa Electric Co Ltd:The Ｌｅｄの配線材への実装構造
JP2006147187A (ja) * 2004-11-16 2006-06-08 Furukawa Electric Co Ltd:The フラットケーブルと電子部品との接続構造

Also Published As

Publication number Publication date
KR20150107105A (ko) 2015-09-23

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US9806233B2 (en) Light emitting device
KR102322841B1 (ko) 발광소자 및 이를 포함하는 발광소자 어레이
KR102080775B1 (ko) 발광소자
US20160161084A1 (en) Lens and light emitting device module including the same
KR102019914B1 (ko) 발광 소자
US20130020554A1 (en) Semiconductor light emitting device and light emitting apparatus
KR20110138726A (ko) 발광 소자, 발광 소자 제조방법, 발광 소자 패키지, 및 조명 시스템
KR102189129B1 (ko) 발광 소자 모듈
US20110284821A1 (en) Light emitting device and light emitting device package
KR102474695B1 (ko) 발광소자
JP2015023293A (ja) 発光素子
KR20130054034A (ko) 발광 소자
KR20170082889A (ko) 발광소자
KR102127447B1 (ko) 발광 소자 모듈
CN108604629B (zh) 发光元件封装
KR20130006846A (ko) 발광소자
KR20160083408A (ko) 퓨즈 패키지 및 이를 이용한 발광소자 모듈
KR102034709B1 (ko) 발광 소자
KR20170007935A (ko) 회로 기판 및 이를 포함하는 발광소자 모듈
KR20170075412A (ko) 발광소자 모듈 및 이를 포함하는 조명장치
KR102419857B1 (ko) 발광소자 및 이를 포함하는 발광소자 패키지
KR102170217B1 (ko) 발광 소자
KR102182021B1 (ko) 발광소자
KR20140047855A (ko) 발광소자 모듈
KR101983775B1 (ko) 발광소자

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant