KR102122179B1 - 표시 장치 및 구동 방법 - Google Patents

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Abstract

본 발명은 1화소 당 트랜지스터의 수를 억제하여 고세밀화를 도모하면서, 트랜지스터의 특성 편차의 표시 영상에로의 영향의 저감, 및 콘트라스트 향상을 실현하는 것이다.
본 발명의 표시 장치는, 제 1 트랜지스터를 갖는 정전류 회로, 및 제 2 트랜지스터 및 상기 제2 트랜지스터의 게이트 단자에 접속된 용량 소자를 갖는 스위치 회로를 갖고 있다. 제 1 전원선 및 제 2 전원선의 전압을 제어하여 비발광 상태로 하면서, 상기 제 2 트랜지스터의 상기 게이트 단자의 전압을 상기 용량 소자의 용량 커플링에 의해 변화시켜서 발광 다이오드 애노드와 상기 제 1 전원선을 도통시키고, 상기 제 1 트랜지스터의 게이트 단자에 상기 발광 다이오드로의 공급 전류의 양에 대응하는 전압을 설정하고, 상기 제 2 트랜지스터의 상기 게이트 단자의 상기 전압을, 상기 용량 소자의 상기 용량 커플링에 의해 상기 발광 다이오드를 상기 비발광 상태로 하기 전의 전압으로 되돌리고, 상기 발광 다이오드를 발광가능한 상태로 하도록 구동한다.

Description

표시 장치 및 구동 방법{DISPLAY DEVICE AND DRIVING METHOD THEREOF}
본 발명은, 전류에 의해 발광하는 발광 다이오드를 사용한 표시 장치를 구동하는 기술에 관한 것이다.
최근, 유기 EL(Organic Electroluminescence)등, 공급되는 전류의 강도에 따라 발광하는 발광 다이오드를 사용한 표시 장치가 개발되고 있다. 이러한 표시 장치는, 발광 다이오드에 공급되는 전류량을, 각 화소의 구동 트랜지스터에 의해 제어함으로써 표시 영상의 계조가 제어된다. 그러므로, 구동 트랜지스터에 특성 편차가 있으면, 그 특성 편차가 표시 영상에 직접 나타나게 된다.
구동 트랜지스터의 특성 편차에 의한 표시 영상에의 영향을 적게 하기 위해서, 유기 EL로 흘려 보내는 전류를 일정하게 하는 정전류 회로를 마련하여 트랜지스터의 Vth(문턱값) 편차를 억제하기 위한 기술, 소위 Vth 보상 기술이 개발되고 있다. 한편으로, 이 기술을 사용하면, 1화소 당 트랜지스터의 수가 많아지고, 고세밀화를 기대할 수 없을 경우가 많다. 여기에서, 구동 트랜지스터의 특성 편차에 의한 표시 영상에의 영향을 적게 하면서, 1화소 당 트랜지스터의 수를 삭감하는 기술도 개발되고 있다(예를 들어, 특허문헌 1).
[선행 기술문헌]
[특허문헌1] 일본국 특허 공개 제 2006-30946호 공보
Vth 보상 처리를 포함하는 정전류 회로를 설정 할 때에는, 콘트라스트 향상을 위해 발광 다이오드를 비발광 상태로 하는 것이 바람직하지만, 특허문헌 1에 기재된 기술에서는, 정전류 회로로부터 발광 다이오드로 전류가 흐르기 때문에 콘트라스트가 낮아져 버린다. 별도의 트랜지스터를 추가하여 전류의 다른 경로를 형성함으로써, 발광 다이오드로 전류가 흐르지 않도록 하는 것도 기재되어 있지만, 트랜지스터의 수가 증가하기 때문에, 고세밀화를 기대할 수 없게 된다. 또한, 정전류 회로에 정전류를 설정할 때에 용량 커플링(capacitive coupling)을 이용하기 때문에, 발광 다이오드로의 전류량을 설정할 때에 정확한 제어가 어렵다.
본 발명은, 1화소 당 트랜지스터의 수를 제한하여 고세밀화를 도모하면서, 트랜지스터의 특성 편차에 의한 표시 영상에의 영향을 줄이고, 그리고 콘트라스트 향상을 실현하는 것을 목적으로 한다.
본 발명의 일 실시 형태에 의하면, 공급 전류에 따라서 발광하는 발광 다이오드와, 상기 발광 다이오드로의 상기 공급 전류의 양을 제어하는 제 1 트랜지스터를 갖는 정전류 회로와, 상기 공급 전류의 유무를 전환하는 제 2 트랜지스터 및 상기 제 2 트랜지스터의 게이트 단자에 일단이 접속되고, 타단의 전압을 변화시키는 신호선이 상기 타단에 접속된 용량 소자를 갖는 스위치 회로를 갖는 화소 회로를 포함하고, 상기 제 1 트랜지스터와 상기 제 2 트랜지스터는, 제1 전원선과 제 2 전원선에 캐소드가 접속된 상기 발광 다이오드의 애노드 사이에 직렬로 마련되어 있는 것을 특징으로 하는 표시 장치가 제공된다.
이 표시 장치에 따르면, 1화소 당 트랜지스터의 수를 억제하여 고세밀화를 도모하면서, 트랜지스터의 특성 편차의 표시 영상에로의 영향의 저감, 및 콘트라스트 향상을 실현할 수 있다. 또한, 전 화소를 일괄하여, 정전류 회로에서 정전류를 설정할 때에, 제 2 트랜지스터의 게이트 단자에 라이트된 데이터를 파괴하지 않기 때문에, 다시 데이터를 라이트하지 않아도 발광을 재개할 수 있고, 무발광 기간을 짧게 할 수 있다.
또한, 다른 바람직한 실시 형태에 있어서, 상기 화소 회로를 구동하여 상기 발광 다이오드를 발광시키는 구동 회로를 더 구비하고, 상기 구동 회로는, 상기 제 1 전원선 및 상기 제 2 전원선의 전압들을 제어하여 상기 발광 다이오드를 비발광 상태로 하면서, 상기 신호선의 전압을 제어하여 상기 제 2 트랜지스터의 상기 게이트 단자의 전압을 상기 용량 소자의 용량 커플링에 의해 변화시켜서 상기 발광 다이오드의 상기 애노드와 상기 제 1 전원선을 도통시키고, 그 후, 상기 애노드와 상기 제 1 전원선이 도통하지 않는 상태로 전환하고 나서, 상기 제 1 트랜지스터의 게이트 단자와 상기 애노드를 도통시키고, 상기 제 1 트랜지스터의 상기 게이트 단자와 상기 제 1 전원선을 도통시켜서, 상기 제 1 트랜지스터의 상기 게이트 단자에 상기 공급 전류의 상기 양에 대응하는 전압을 설정하고, 상기 설정 후에, 상기 신호선의 상기 전압을 제어하여, 상기 제 2 트랜지스터의 상기 게이트 단자의 상기 전압을, 상기 용량 소자의 상기 용량 커플링에 의해 상기 발광 다이오드를 상기 비발광 상태로 하기 전의 전압으로 되돌리고, 상기 발광 다이오드를 발광가능한 상태로 하도록 상기 화소 회로를 구동하여도 좋다.
이 표시 장치에 따르면, 전 화소를 일괄하여, 정전류 회로에서 정전류를 설정할 때에, 제 2 트랜지스터의 게이트 단자에 라이트된 데이터를 파괴하지 않기 때문에, 다시 데이터를 라이트하지 않아도 발광을 재개할 수 있고, 무발광 기간을 짧게 할 수 있다.
또한, 다른 바람직한 실시 형태에 있어서, 상기 스위치 회로는, 데이터 선과 상기 제 2 트랜지스터의 상기 게이트 단자와의 사이에 마련된 제 3 트랜지스터를 더 갖고, 상기 구동 회로는, 적어도 상기 상기 제 2 트랜지스터의 상기 게이트 단자의 상기 전압을 상기 용량 커플링에 의해 변화시키고 있는 기간에 있어서, 상기 제 3 트랜지스터를 비도통 상태로 하도록 구동하는 하여도 좋다.
이 표시 장치에 따르면, 제 2 트랜지스터의 게이트 단자에 라이트된 데이터를 파괴하지 않기 때문에, 다시 데이터를 라이트하지 않아도 발광을 재개할 수 있고, 무발광 기간을 짧게 할 수 있다.
또한, 다른 바람직한 실시 형태에 있어서, 상기 구동 회로는, 상기 구동을 복수 개로 제공된 상기 화소 회로에 대하여 동시에 행하여도 좋다.
이 표시 장치에 따르면, 전 화소를 일괄하여, 정전류 회로에서 정전류를 설정할 수 있다.
또한, 다른 바람직한 실시 형태에 있어서, 상기 구동 회로는, 1프레임 당 상기 구동을 1회 보다 많이 행하여도 좋다.
이 표시 장치에 따르면, 화소의 보유 용량을 작게 하여 고세밀화할 수 있다.
또 본 발명의 일 실시 형태에 의하면, 공급 전류에 따라서 발광하는 발광 다이오드와, 상기 발광 다이오드로의 상기 공급 전류의 양을 제어하는 제 1 트랜지스터를 갖는 정전류 회로와, 상기 공급 전류의 유무를 전환하는 제 2 트랜지스터 및 상기 제 2 트랜지스터의 게이트 단자에 접속된 용량 소자를 갖는 스위치 회로를 포함하고, 상기 제 1 트랜지스터와 상기 제 2 트랜지스터는, 제1 전원선과 제 2 전원선에 캐소드가 접속된 상기 발광 다이오드의 애노드 사이에 직렬로 마련된 화소 회로를 구동하는 구동 방법으로서, 상기 제 1 전원선 및 상기 제 2 전원선의 전압들을 제어하여 상기 발광 다이오드를 비발광 상태로 하면서, 상기 제 2 트랜지스터의 상기 게이트 단자의 전압을 상기 용량 소자의 용량 커플링에 의해 변화시켜서 상기 발광 다이오드의 상기 애노드와 상기 제 1 전원선을 도통시키고, 그 후, 상기 애노드와 상기 제 1 전원선이 도통하지 않는 상태로 전환하고 나서, 상기 제 1 트랜지스터의 게이트 단자와 상기 애노드를 도통시키고, 상기 제 1 트랜지스터의 상기 게이트 단자와 상기 제 1 전원선을 도통시켜서, 상기 제 1 트랜지스터의 상기 게이트 단자에 상기 공급 전류의 상기 양에 대응하는 전압을 설정하고, 상기 설정 후에, 상기 제 2 트랜지스터의 상기 게이트 단자의 상기 전압을, 상기 용량 소자의 상기 용량 커플링에 의해 상기 발광 다이오드를 상기 비발광 상태로 하기 전의 전압으로 되돌리고, 상기 발광 다이오드를 발광가능한 상태로 하도록 상기 화소 회로를 구동하는 것을 특징으로 하는 구동 방법이 제공된다.
이 구동 방법에 따르면, 1화소 당 트랜지스터의 수를 억제하여 고세밀화를 도모하면서, 트랜지스터의 특성 편차의 표시 영상에로의 영향의 저감, 및 콘트라스트 향상을 실현할 수 있다. 또한, 전 화소를 일괄하여, 정전류 회로에서 정전류를 설정할 때에, 제 2 트랜지스터의 게이트 단자에 라이트된 데이터를 파괴하지 않기 때문에, 다시 데이터를 라이트하지 않아도 발광을 재개할 수 있고, 무발광 기간을 짧게 할 수 있다.
본 발명에 따르면, 1화소 당 트랜지스터의 수를 억제하여 고세밀화를 도모하면서, 트랜지스터의 특성 편차에 의한 표시 영상에의 영향의 저감, 및 콘트라스트 향상을 실현할 수 있다.
도 1은 본 발명의 제 1 실시 형태에 따른 전자기기 1의 구성을 나타내는 개략도이다.
도 2는 본 발명의 제 1 실시 형태에 따른 전원선 구동 회로 40의 구성을 나타내는 회로 도면이다.
도 3은 본 발명의 제 1 실시 형태에 따른 화소 회로 100의 구성을 나타내는 회로 도면이다.
도 4는 본 발명의 제 1 실시 형태에 따른 1프레임 기간에 있어서 각 행의 화소 회로 100이 구동되는 타이밍을 나타내는 도면이다.
도 5는 본 발명의 제 1 실시 형태에 따른 정전류 설정 기간 SP에 있어서의 각 신호의 타이밍차트를 나타내는 도면이다.
도 6은 본 발명의 제 1 실시 형태에 따른 화소 회로 100의 구동 상태(타이밍(1))를 나타내는 도면이다.
도 7은 본 발명의 제 1 실시 형태에 따른 화소 회로 100의 구동 상태(타이밍(2))를 나타내는 도면이다.
도 8은 본 발명의 제 1 실시 형태에 따른 화소 회로 100의 구동 상태(타이밍(3))를 나타내는 도면이다.
도 9는 본 발명의 제 1 실시 형태에 따른 화소 회로 100의 구동 상태(타이밍(4))를 나타내는 도면이다.
도 10은 본 발명의 제 1 실시 형태에 따른 화소 회로 100의 구동 상태(타이밍(5))를 나타내는 도면이다.
도 11은 본 발명의 제 2실시 형태에 따른 화소 회로 100A의 구성을 나타내는 회로 도면이다.
도 12는 종래의 1프레임 기간에 있어서 각 행의 화소 회로가 구동되는 타이밍을 나타내는 도면이다.
이하, 본 발명의 실시 형태에 따른 전자기기에 대해서, 도면을 참조하면서 상세히 설명한다. 또한, 이하에 나타내는 실시 형태는 본 발명의 실시 형태의 일 예로서 본 발명은 이들의 실시 형태에 한정되는 것이 아니다.
<제 1 실시 형태>
본 발명의 제 1 실시 형태에 따른 전자기기에 대해서, 도면을 참조하면서 상세히 설명한다.
[전체 구성]
도 1은, 본 발명의 제 1 실시 형태에 따른 전자기기 1의 구성을 나타내는 개략도이다. 전자기기 1은, 스마트 폰, 휴대전화, 퍼스널 컴퓨터, 텔레비전 등, 영상을 표시하는 표시부를 갖는 장치이다. 전자기기 1은, 표시 장치 10, 제어부 80 및 전원 90을 갖는다. 표시 장치 10은, 매트릭스 형상으로 배치된 화소 회로 100을 갖는다. 표시 장치 10은, 각 화소 회로 100에 있어서의 발광 다이오드를 발광시켜서 영상을 표시하고, 상기의 표시부를 구성한다. 각 화소 회로 100은, 발광 다이오드 EL을 갖는다(도 3 참조). 이 예에서는, 발광 다이오드 EL은, OLED(Organic Light Emitting Diode)를 사용한 발광 소자인 것으로 하지만, 정류성을 갖는 발광 소자이면, OLED에 한정되지 않는다. 이 발광 다이오드 EL은 용량 성분 C2를 갖는다.
또한, 도 1에 있어서, 화소 회로 100은, 매트릭스 형상으로 배치되어 있지만, 이 배치가 아니어도 좋다. 이하의 설명에서는, 화소 회로 100은, n행 m열의 매트릭스 형상으로 배치되는 것으로 한다. 또한, 화소 회로 100은, 1열 마다 다른 색의 발광 다이오드 EL이 마련되어 있다. 이 예에서는, 1열째로부터 순서대로, R(빨강), G(초록), B(파랑)의 순서대로 반복하여 나열되어 있다. 표시 장치 10에 대한 상세한 설명은 후술된다.
제어부 80은, CPU(Central Processing Unit), 메모리 등을 갖고, 표시 장치 10의 동작을 제어하는 컨트롤러이다. 제어부 80은, 주사선 구동 회로 20, 정전류 설정 회로 30, 전원선 구동 회로 40, 및 데이터 선 구동 회로 50을 제어한다. 또한, 제어부 80은, 전자기기 1의 표시부에 표시되는 영상을 제시하는 영상 데이터를 입력받고, 입력된 영상 데이터에 기초하여 각 화소 회로 100에 있어서의 계조를 결정하고, 결정된 계조에 따른 데이터 전압을 화소 회로 100에 공급함으로써, 각 화소 회로 100의 발광 다이오드 EL을 발광시키도록 제어한다.
전원 90은, 표시 장치 10 및 제어부 80등, 전자기기 1의 각 부분에 전력을 공급한다. 표시 장치 10에 있어서의 각 화소 회로 100의 발광 다이오드 EL에는, 이 전원 90에 접속된 전원선 GL1(제 1 전원선)과 전원선 GL2(제 2 전원선)를 통해 전류가 공급된다(도 3 참조).
[표시 장치 10의 구성]
표시 장치 10은, 상술한 화소 회로 100, 주사선 구동 회로 20, 정전류 설정 회로 30, 전원선 구동 회로 40, 및 데이터 선 구동 회로 50을 갖는다. 또한, 주사선 구동 회로 20, 정전류 설정 회로 30, 전원선 구동 회로 40, 및 데이터 선 구동 회로 50은, 화소 회로 100을 구동하기 위한 구동 회로이다.
주사선 구동 회로 20은, 각 행의 화소 회로 100에 대응하여 마련된 주사선 SL(제 3 신호선)에 주사 신호 SCAN을 공급한다. 주사선 구동 회로 20은, 주사 신호 SCAN에 의해, 데이터 전압을 라이트하는 화소 회로 100의 행을 선택한다. 이 예에서는, 1행째부터 n행째까지 소정의 순번으로, 순차 및 배타적으로 선택된다. 정전류 설정 기간(상세한 것은 후술된다)에 있어서, 주사선 구동 회로 20은, 모든 행들의 화소 회로 100에 공통 전압의 주사 신호 SCAN을 공급한다.
정전류 설정 회로 30은, 각 행의 화소 회로 100에 대응하여 마련된 신호선 CL에 제어 신호 GC를 공급한다. 또한, 정전류 설정 회로 30은, 각 행의 화소 회로 100에 대응하여 마련된 신호선 IL에 제어 신호 GI를 공급한다. 또한, 정전류 설정 회로 30은, 각 행의 화소 회로 100에 대응하여 마련된 신호선FL에 제어 신호CF를 공급한다. 제어 신호 GC, 제어 신호 GI 및 제어 신호 CF는, 정전류 설정 기간에 있어서 화소 회로 100의 구동에 사용될 수 있고, 정전류 설정 기간 이외에 있어서는 일정한 전압이 유지된다. 여기에서, 정전류 설정 기간에 있어서, 정전류 설정 회로 30은, 모든 행들의 화소 회로 100에 공통 전압의 제어 신호 GC를 공급하고, 또한, 모든 행들의 화소 회로 100에 공통 전압의 제어 신호 GI를 공급하고, 또한, 모든 행들의 화소 회로 100에 공통 전압의 제어 신호 CF를 공급한다.
데이터 선 구동 회로 50은, 각 열의 화소 회로 100에 대응하여 마련된 데이터 선DL에 데이터 신호 DATA를 공급한다. 데이터 신호 DATA는, 화소 회로 100의 발광 다이오드 EL을 발광시키는 기간을 지정하는 신호이고, 발광 다이오드 EL을 발광시키기 위한 데이터 전압과 비발광으로 하기 위한 데이터 전압이, 제어부 80에 입력된 영상 데이터에 기초하여 전환될 수 있도록 하는 신호이다. 여기에서, 정전류 설정 기간에 있어서는, 데이터 선 구동 회로 50은, 모든 행들의 화소 회로 100에 공통 전압의 데이터 신호 DATA를 공급한다.
전원선 구동 회로 40은, 각 열의 화소 회로 100에 대응하여 마련된 전원선 GL1에 전원 신호 ELVDD를 공급한다. 전원 신호 ELVDD는, 화소 회로 100의 발광 다이오드 EL을 발광시키기 위한 전류를 공급하는 신호이고, 정전류 설정 기간에 있어서는 전류 공급의 +측의 전압 VHd, 전류 공급의 -측의 전압 VLd, 및 정전류 설정 전압 Von으로 전환될 수 있는 신호이다. 이 예에서는, 정전류 설정 전압 Von은 발광 다이오드의 발광색(RGB) 마다 다른 값으로서 설정되어 있다.
여기에서는, R에 대응하는 화소 회로 100에는 정전류 설정 전압 Von(R), G에 대응하는 화소 회로 100에는 정전류 설정 전압 Von(G), B에 대응하는 화소 회로 100에는 정전류 설정 전압 Von(B)이 공급된다. 발광 다이오드의 발광색에 의한 정전류 설정 전압은, 발광 다이오드의 색마다 발광 특성 및 영상의 표시 설정(색온도 등)에 따라서 정해져 있다. 또한, 정전류 설정 기간 이외에 있어서는, 전원 신호 ELVDD는, 전압 VHd에 고정된다. 또한, 발광 다이오드의 색이 1개(모노크롬)이면, 공통 정전류 설정 전압 Von으로 하면 좋다.
또한, 전원선 구동 회로 40은, 전원선 GL2(도 3참조)에 전원 신호 ELVSS를 공급한다. 전원 신호 ELVSS는, 정전류 설정 기간에 있어서는 전류 공급의 +측의 전압 VHs 또는 전류 공급의 -측의 전압 VLs로 전환될 수 있고, 정전류 설정 기간 이외에 있어서는, 전압 VLs로 고정된다.
도 2는, 본 발명의 제 1 실시 형태에 따른 전원선 구동 회로 40의 구성을 나타내는 회로 도면이다. 전원선 구동 회로 40은, p형의 TFT(Thin Film Transistor)를 사용하여 도 2에 나타낸 바와 같이 구성되어 있다. 이하, 트랜지스터라 하는 경우에는, 특별히 명시하지 않는 한 p형의 TFT를 나타내는 것으로 한다.
전원선 GL(R)은, R에 대응하는 화소 회로 100의 열에 전원 신호 ELVDD를 공급하는 선이다. 전원선 GL(G)은, G에 대응하는 화소 회로 100의 열에 전원 신호 ELVDD를 공급하는 선이다. 전원선 GL(B)은, B에 대응하는 화소 회로 100의 열에 전원 신호 ELVDD를 공급하는 선이다. 또한, 신호선 S1에 접속된 트랜지스터가 도통 상태(온 상태)로 되는 경우에는, 신호선 S2에 접속된 트랜지스터는 비도통 상태(오프 상태)로 된다. 한편, 신호선 S2에 접속된 트랜지스터가 도통 상태로 되는 경우에는, 신호선 S1에 접속된 트랜지스터는 비도통 상태로 된다. 신호선 S1, S2의 전압들은, 제어부 80의 제어에 의해 제어된다.
그러므로, 신호선 S2에 접속된 트랜지스터만이 도통 상태로 되는 경우에는, 전원선 GL(R), GL(G), GL(B)에 공급되는 전원 신호 ELVDD는, 전부 전압 VHd, 또는 전부 전압 VLd 중의 어느 하나로 된다. 어느 하나로 할지 여부는, 제어부 80에 의해 제어된다.
한편, 신호선 S1에 접속된 트랜지스터가 도통 상태로 되는 경우에는, 전원선 GL(R)에 공급되는 전원 신호 ELVDD는 정전류 설정 전압 Von(R)으로 되고, 전원선 GL(G)에 공급되는 전원 신호 ELVDD는 정전류 설정 전압 Von(G)으로 되고, 전원선 GL(B)에 공급되는 전원 신호 ELVDD는 정전류 설정 전압 Von(B)으로 된다. 이상이, 표시 장치 10의 구성에 관한 설명이다.
[화소 회로 100의 구성]
도 3은, 본 발명의 제 1 실시 형태에 따른 화소 회로 100의 구성을 나타내는 회로 도면이다. 화소 회로 100은, 정전류 회로 200, 스위치 회로 300, 및 용량 성분 C2를 갖는 발광 다이오드 EL을 갖고 있다. 발광 다이오드 EL은 캐소드가 전원선 GL2에 접속되고, 전원 신호 ELVSS가 입력된다. 발광 다이오드 EL의 애노드와 전원선 GL1과의 사이에는, 정전류 회로 200과 스위치 회로 300이 직렬로 접속되어 있다. 이 예에서는, 정전류 회로 200과 발광 다이오드 EL의 애노드와의 사이에 스위치 회로 300이 마련되어 있다.
정전류 회로 200은, 2개의 트랜지스터들 M1, M4 및 용량 소자 C1을 갖고 있다. 용량 소자 C1은, 용량 성분 C2와, 거의 같은 (바람직하게는 1/10~10배) 정도의 용량을 갖고 있다. 스위치 회로 300은, 2개의 트랜지스터들 M2, M3 및 용량 소자 Cs를 갖고 있다. 이와 같이, 화소 회로 100은, 4개의 트랜지스터들 M1, M2, M3, M4을 갖고 있다.
트랜지스터 M1(제 1 트랜지스터)은, 게이트 단자의 전압에 따라 설정된 전류량으로 제어하는 정전류원으로서의 역할을 하는 트랜지스터이다. 트랜지스터 M1은, 소스 및 드레인 단자중 일단이 전원선 GL1에 접속되고, 전원 신호 ELVDD가 입력된다. 타단이 트랜지스터 M2의 소스 및 드레인 단자중 일단과 접속되어 있다. 이 접속된 부분을 노드 N이라 칭한다.
용량 소자 C1은, 한 쪽의 전극이 신호선CL에 접속되고, 제어 신호 GC가 입력된다. 다른 쪽의 전극은, 트랜지스터 M1의 게이트 단자에 접속되어 있다. 이 접속된 부분을 노드 G라 하고, 인가되는 전압을 게이트 전압 Vg라 칭한다. 용량 소자 C1은, 게이트 전압 Vg를 유지한다.
트랜지스터 M4는, 노드 G와 노드 N을 도통 상태 또는 비도통 상태로 되게 함으로써 게이트 전압 Vg를 제어하기 위한 트랜지스터이다. 트랜지스터 M4는, 소스 및 드레인 단자중 일단이 노드 N에 접속되고, 타단이 노드 G에 접속되어 있다. 트랜지스터 M4의 게이트 단자는, 신호선 IL에 접속되고, 제어 신호 GI가 입력된다.
트랜지스터 M2(제 2 트랜지스터)는, 게이트 단자의 전압에 따라 발광 다이오드 EL로의 전류의 공급의 유무를 전환하는 트랜지스터이다. 트랜지스터 M2는, 소스 및 드레인 단자중 일단이 노드 N에 접속되고, 타단이 발광 다이오드 EL의 애노드에 접속되어 있다. 트랜지스터 M2의 게이트 단자는, 트랜지스터 M3(제 3 트랜지스터)의 소스 및 드레인 단자중 일단과 접속되어 있다. 이 접속된 부분을 노드 D라 칭한다.
트랜지스터 M3은, 데이터 선DL로부터 데이터 신호 DATA를 수신하는 타이밍을 제어하는 트랜지스터이다. 트랜지스터 M3은, 소스 및 드레인 단자중 일단이 노드 D에 접속되어 있다. 트랜지스터 M3의 소스 및 드레인 단자중 타단은, 데이터 선DL에 접속되고, 데이터 선DL로부터 데이터 신호 DATA가 입력된다. 트랜지스터 M3의 게이트 단자는, 주사선 SL에 접속되고, 주사 신호 SCAN이 입력된다. 용량 소자 Cs는, 노드 D에 있어서의 데이터 전압을 유지하기 위한 보조 용량이고, 한 쪽의 전극이 노드 D에 접속되고, 다른 쪽의 전극이 신호선 FL에 접속되고, 제어 신호 CF가 입력된다. 이상이, 화소 회로 100의 구성에 관한 설명이다.
[동작]
도 4는, 본 발명의 제 1 실시 형태에 따른 1 프레임 기간에 있어서 각 행의 화소 회로 100이 구동되는 타이밍을 나타내는 도면이다. 1 프레임 기간은, 정전류 설정 기간 SP와 복수의 서브프레임 기간들로 구성된다. 이 예에서는, 각각 길이가 다른 4개의 서브프레임 기간들(SF1, SF2, SF3, SF4)이 마련되고, 이 서브프레임 기간을 단위로 하여 발광 다이오드 EL의 발광, 비발광이 제어된다. 이하, 이러한 발광 제어를 PWM(Pulse Width Modulation) 발광 제어라 한다. 서브프레임 기간의 수는, 보다 많아도 좋고, 적어도 좋다. 또한, 각 서브프레임 기간은, 바이너리 코드(binary code)로 가중치가 부여된 비율로 하면 좋지만, 이 비율 이외일 수 있다.
도 4에 표시된 사선으로서 나타낸 데이터 라이트 타이밍은, 주사 신호 SCAN에 의해 1 행째로부터 n행째까지 소정의 순번으로 선택되는 화소 회로 100의 행을 시계열로 나타내고 있다. 이 타이밍에 있어서 각 행의 화소 회로 100에서는, 노드 D에 각 열의 데이터 선DL로부터 데이터 전압을 수신하여, 발광 다이오드 EL의 발광 또는 비발광을 전환할 수 있다. 또한, 도 4에 나타내는 예에서는, 주사를 비순차로 행하는 비월 주사 구동에 의한 서브프레임 라이트를 제시하였지만, 이 구동 방식에 한정되지 않는다.
정전류 설정 기간 SP는, 발광 다이오드 EL이 비발광의 상태로 제어되어 있다. 이 정전류 설정 기간 SP는, 1 프레임 기간의 일부의 소정 기간으로서 정해져 있다. 도 4에 나타낸 바와 같이, 정전류 설정 기간 SP에 대해서는, 모든 화소 회로 100이 동일한 기간으로 정해져 있다. 또한, 도 4에 있어서는, 정전류 설정 기간 SP는, 1 프레임 기간에 1회 할당되어 있지만, 1 프레임 기간에 1회 보다 많이 할당되어 있어도 좋다. 예를 들어, 정전류 설정 기간 SP는, 2 프레임 기간에 3회 할당되어 있어도 좋다. 또한, 정전류 설정 기간 SP는, 1 프레임 기간에 1회보다 적게 할당되어 있어도 좋다. 예를 들어, 정전류 설정 기간 SP은, 3 프레임 기간에 2회 할당되어 있어도 좋다.
도 5는, 본 발명의 제 1 실시 형태에 따른 정전류 설정 기간 SP에 있어서의 각 신호의 타이밍차트를 나타내는 도면이다. 각 신호(전원 신호ELVSS, ELVDD, 제어 신호CF, GC, GI)는, H 레벨의 전압(각각, VHs, VHd, VHf, VHc, VHi)과 L 레벨의 전압(각각, VLs, VLd, VLf, VLc, VLi)이 전환되어 입력된다. 여기에서, 정전류 설정 전압 Von에 폭이 존재하는 것은, Von(R), Von(G), Von(B)에 차이가 있는 것에 따른다. 이하, 이것들의 차이를 구별하지 않고 설명하는 경우에는, Von으로서 설명한다. 또한, 각 신호의 H 레벨의 전압 및 L 레벨의 전압은, 각각 다른 신호듣과 같은 전압이거나, 혹은 다른 전압일지라도, 후술하는 설명의 동작이 실현되는 범위이면 좋다.
또한, 도 5에 나타낸 타이밍차트는 일 예로서 후술하는 설명의 동작이 실현되는 범위이면, 각 신호의 전압 레벨이 변화되는 타이밍은, 이 타이밍차트와 같지 않아도 좋다. 예를 들어, 신호의 전압 레벨이 변화되는 타이밍이 다른 신호의 전압 레벨이 변화되는 타이밍과 동일하게 기재되어 있다 할지라도 반드시 동시가 아닐지라도 좋다. 또한, 어떤 신호의 전압 레벨이 변화되는 타이밍이, 다른 신호의 전압 레벨이 변화되는 타이밍보다 느린 것으로서 기재되어 있다 할지라도, 빠른 것으로서 전후 관계가 역전되어도 좋다.
여기에서, 도 5에 나타내지 않은 주사 신호 SCAN에 대해서는, 트랜지스터 M3을 비도통 상태로 하는 전압(H 레벨의 전압)으로 된다. 또한, 데이터 신호 DATA에 대해서는, 특히 결정된 전압일 필요는 없지만, 예를 들어, 정전류 설정 기간 SP가 종료한 후에 주사 신호 SCAN에 의해 최초에 선택되는 행의 화소에 라이트되는 데이터에 따른 전압으로 하여도 좋다.
계속하여, 도 5의 하부에 기재한 각 타이밍(1)~ (5)에 따라, 화소 회로 100의 동작을 도 6~도 10을 사용하여, 순서대로 설명한다.
도 6~도 10은, 본 발명의 제 1 실시 형태에 따른 화소 회로 100의 구동의 상태를 나타내는 도면이고, 각각 타이밍(1)~ (5)의 상태를 나타내고 있다. 우선, 타이밍(1)(도 6참조)에 있어서는, 트랜지스터 M2는, 도통 상태이거나, 비도통 상태 중의 어느 하나이고, 정전류 설정 기간 SP의 직전의 상태를 유지하고 있다. 이 상태에서, ELVSS의 전압이 VHs로 되지만, 트랜지스터 M2이 도통 상태일지라도, ELVDD와 ELVSS의 전압 차이가 작으므로, 발광 다이오드 EL에 인가되는 전압은 문턱값 전압 이하로 되어서 발광하지 않는다. 여기에서, 트랜지스터 M2이 도통 상태일지라도, ELVDD와 ELVSS와의 전압 관계에 의해 발광 다이오드 EL에 발광하는 만큼의 전류가 흐르지 않는 상태(비발광 상태)일 때에는, 도 6에 서 처럼 점선으로 나타내고 있다. 이것은, 도 7이후에도 동일하다.
트랜지스터 M1은, 정전류 설정 기간 SP의 직전의 상태를 계속하고 있기 때문에 도통 상태로 되어 있다. 또한, 트랜지스터 M2에 대해서도, 상술한 바와 같이, 정전류 설정 기간 SP의 직전의 상태를 계속하고 있기 때문에, 노드 D에 라이트되어 있는 전압(데이터)에 따라서, 도통 상태 또는 비도통 상태로 되어 있다. 트랜지스터 M4에 대해서는, 게이트 단자가 VHi이기 때문에, 비도통 상태로 되어 있다. 트랜지스터 M3에 대해서는, 상술한 바와 같이, 비도통 상태로 계속된다. 여기에서, 트랜지스터가 비도통 상태일 때에는, 도 6에 있어서는 점선으로 나타내고 있다. 이것은, 도 7 이후에서도 동일하다.
계속하여, 타이밍(2)(도 7 참조)에 있어서는, ELVDD가 VLd로 되고, ELVSS보다도 낮은 전압이 되기 때문에, 발광 다이오드 EL에는, 역전압이 인가된 상태로 되고 전류가 흐르지 않고, 발광하지 않는다. 또한, ELVDD와 ELVSS는, 발광 다이오드 EL이 비발광 상태로 되는 전압 관계이면 좋다. 한편, GC가 VLc로 하강함으로써, 용량 커플링으로 Vg가 낮아지기 때문에, ELVDD가 VLd로 되어도 트랜지스터 M1은 도통 상태를 유지한다.
또한, CF가 VLf로 하강함으로써, 용량 소자 Cs의 용량 커플링에 의해 노드 D의 전압이 강제적으로 하강되고, 원래, 트랜지스터 M2이 도통 상태이던가 비도통 상태이던가에 관계없이, 트랜지스터 M2이 강제적으로 도통 상태로 제어된다. 이것에 의해, 용량 성분 C2에 있어서의 노드 N측이 전원선 GL1과 접속되어서 전하가 이동하고, 노드 N의 전압이 하강한다. 여기에서, 노드 D의 전압이 용량 커플링에 의해 하강하기 때문에, 후술하는 바와 같이, 나중에 CF를 VHf로 되돌림으로써, 트랜지스터 M2를 원래의 상태(도통 상태 또는 비도통 상태)로 되돌릴 수 있다. 즉, 노드 D에 라이트된 데이터는 파괴되지 않고 남아있게 된다.
계속하여, 타이밍(3)(도 8 참조)에 있어서는, GC가 VHc로 상승함으로써, 용량 커플링에서 Vg가 높아지기 때문에, 트랜지스터 M1은 비도통 상태로 된다. 또한, GI가 VLi로 하강함으로써, 트랜지스터 M4는 도통 상태로 된다. 이것에 의해 용량 소자 C1의 노드 G측과 용량 성분 C2의 노드 N측이 접속되어서 전하가 이동하고, Vg(노드 G의 전압)가 하강한다. 이 시점에서는, 노드 N의 전압은 Vg와 동등하기 때문에, 트랜지스터 M1은 비도통 상태를 유지한다. 정전류 설정 기간 SP에 있어서, 이와 같이 Vg을 일단 하강하는 처리를 초기화 처리라 한다.
발광 다이오드 EL의 용량 성분 C2를 이용하여 초기화 처리를 실현하고 있기 때문에, 타이밍(2)~ (3)에 있어서는, 트랜지스터 M2는 도통 상태일 필요가 있다. 한편, 타이밍(2)과 같이 트랜지스터 M1, M2이 동시에 도통 상태로 되어도, ELVDD와 ELVSS와의 전압 관계에 의해 발광 다이오드 EL은 비발광 상태가 유지된다.
계속하여, 타이밍(4)(도 9 참조)에 있어서는, ELVDD가 Von으로 상승함으로써, 트랜지스터 M1이 도통 상태로 된다. 이 때, 상술한 초기화 처리에 의해, Vg의 전압이 낮아져 있기 때문에, 확실하게 트랜지스터 M1을 도통 상태로 할 수 있다.
이것에 의해, 용량 소자 C1에 있어서의 노드 G측이 전원선 GL1과 접속되어서 전하가 이동하고, Vg는, Von-|Vth|까지 상승한다. 이 Vth는, 트랜지스터 M1의 문턱값 전압이다. 이 때, 발광 다이오드 EL의 발광색에 따라서, ELVDD는 Von(R), Von(G), Von(B) 중의 어느 하나로 되기 때문에, Vg도 상이한 값으로 된다.
계속하여, 타이밍(5)(도 10 참조)에 있어서는, GI가 VHi로 상승함으로써, 트랜지스터 M4는 비도통 상태로 되고, 트랜지스터 M1의 Vth에 따른 전압으로 Vg가 설정된다. 이와 같이 트랜지스터 M1의 Vth에 따른 Vg가 설정되는 것을 Vth 보상 처리라 한다.
계속하여, CF가 VHf로 되돌려진다. 이것에 의해, 트랜지스터 M2는, 정전류 설정 기간 SP의 직전의 상태(도통 상태 또는 비도통 상태)로 되돌아 간다. 또한, ELVDD가 VHd로 상승하고, ELVSS가 VLs로 하강한다. 이것에 의해, 발광 다이오드 EL은, 트랜지스터 M2가 도통 상태로 되었을 때에 발광하는 상태로 된다. 따라서, 트랜지스터 M2가 도통 상태인 화소에 대해서는, 발광 다이오드 EL의 발광이 개시됨으로써, 정전류 설정 기간 SP이 종료한다. 여기서, 트랜지스터 M1은, 설정된 Vg에 따른 정전류가 흐르는 정전류원으로서 동작한다. 이 때, Vg는 Vth 보상 처리에 의해 설정되어 있기 때문에, 복수의 화소 회로들 100에 있어서의 트랜지스터 M1의 Vth 편차가 있어도, 같은 색의 발광을 하는 발광 다이오드 EL에는, 같은 전류량이 공급되게 된다.
그 후, 다음 정전류 설정 기간 SP으로 될 때까지는, 주사 신호 SCAN에 의해 선택된 화소 회로 100(주사 신호 SCAN이 L 레벨의 전압으로 되어 있는 화소 회로 100)에 있어서, 노드 D에는, 데이터 신호 DATA를 수신하여 L 레벨의 전압 또는 H 레벨의 전압이 유지된다. 이것에 의해 트랜지스터 M2이 도통 상태 또는 비도통 상태로 전환할 수 있고, 각 서브프레임 기간의 발광 다이오드 EL의 발광, 비발광을 전환할 수 있고, PWM발광 제어가 실현된다.
상술한 바와 같이, 본원의 제 1 실시 형태에 따른 화소 회로 100을 구동함으로써, PWM발광 제어에 있어서, 1개의 화소 회로 100 당, 적어도 4개의 트랜지스터가 있으면, 각 화소 회로 100의 발광 다이오드 EL의 발광 강도의 편차를 억제할 수 있다. 또한, 본원에서는, 용량 커플링에 의한 Vg의 설정을 하지 않기 때문에, 종래 기술보다도 정밀도가 높은 정전류의 설정이 가능하다.
또한, 본 발명에서는, 도 4에 나타낸 바와 같이, 전 화소들에 대해 일괄적으로 행하여지는 정전류 설정 기간 SP의 전후의 기간에 있어서, 발광 다이오드 EL을 비발광 상태로 하는 기간을 설정하지 않아도 좋다. 정전류 설정 기간 SP가 종료하였을 때에, 노드 D에 라이트된 데이터가 파괴되지 않고 남아있기 때문에, 곧바로 그 데이터에 기초하여 발광 다이오드 EL의 발광 제어를 개시할 수 있기 때문이다. 따라서, 정전류 설정 기간 SP는, 1 프레임 기간 동안의 임의의 기간으로 설정할 수 있다. 그러므로, 정전류 설정 기간 SP는, 1프레임 기간 중에 1회 실시되는 경우에 한정되지 않고, 보다 많이 실시되어도 좋고, 적게 실시되어도 좋고, 프레임에 동기 되지 않고 실시되어도 좋다. 예를 들어, 정전류 설정 기간 SP의 빈도를 증가함으로써, 화소 내의 보유 용량을 축소할 수 있고, 고세밀화할 수 있다.
도 12는, 종래의 1프레임 기간에 있어서 각 행의 화소 회로가 구동되는 타이밍을 나타내는 도면이다. 종래 기술이라면, 도 12에 나타낸 바와 같이, 전 화소에 대해 일괄적으로 행하여지는 정전류 설정 기간 SP 전에 있어서는, 각 행의 서브프레임의 시간이 변경되지 않도록, 다른 각 행의 서브프레임이 종료하여도, 최후에 선택되는 행의 서브프레임이 종료할 때까지 발광 다이오드 EL을 발광시키지 않는 데이터가 라이트되어 대기한다. 또한, 정전류 설정 기간 SP가 종료한 후에는, 다시 각 화소의 노드 D에 데이터를 라이트할 필요가 있기 때문에, 다시 데이터가 라이트될 때까지는, 발광 다이오드 EL을 발광시킬 수 없다.
이와 같이, 종래 기술에서는, 정전류 설정 기간의 제약이 많은 것, 또한, 정전류 설정 기간의 전후에 발광 다이오드 EL을 강제적으로 비발광으로 하는 기간(블랭크 기간)을 설정할 필요가 있기 때문에 발광 듀티(duty)가 작아져 버린다. 한편, 본 발명에서는, 상술한 바와 같이, 정전류 설정 기간 SP는 그 타이밍에 제약이 거의 없고, 또한, 발광 듀티를 크게 할 수 있다.
그 결과, 본 발명에서는, 적은 트랜지스터의 수를 유지한 채, 콘트라스트를 향상시킬 수 있다. 종래 기술에서는, 콘트라스트를 향상시키기 위해서는 트랜지스터 수의 증가가 필요하고, 트랜지스터 수를 유지하면, 콘트라스트가 저하한다. 따라서, 본 발명에서는, 종래 기술에 비교하여 표시부의 고세밀화를 용이하게 실현할 수 있다.
<제 2실시 형태>
제 1 실시 형태의 화소 회로 100에서는, 정전류 회로 200은 전원선 GL1에 접속되고, 스위치 회로 300은 발광 다이오드 EL의 애노드와 정전류 회로 200 사이에 마련되어 있었다. 한편, 제 2실시 형태에서는, 제 1 실시 형태와는 화소 회로 100을 구성하는 각 구성 요소의 접속 관계가 다르다.
[화소 회로 100A의 구성]
도 11은, 본 발명의 제 2실시 형태에 따른 화소 회로 100A의 구성을 나타내는 회로 도면이다. 정전류 회로 200A는, 제 1 실시 형태에 있어서의 정전류 회로 200와 같은 구성이지만, 트랜지스터 M1과 다른 구성 요소와의 접속 관계가 다르다. 트랜지스터 M1은, 소스 및 드레인 단자중 일단이 트랜지스터 M2의 소스 및 드레인 단자중 일단과 접속되고, 타단이 발광 다이오드 EL의 애노드에 접속되어 있다. 제 2실시 형태에서는, 노드 N은, 트랜지스터 M1과 발광 다이오드 EL이 접속되어 있는 부분을 나타낸다.
스위치 회로 300A는, 제 1 실시 형태에 있어서의 스위치 회로 300과 같은 구성이지만, 트랜지스터 M2와 다른 구성 요소와의 접속 관계가 다르다. 트랜지스터 M2는, 소스 및 드레인 단자중 일단이 전원선 GL1에 접속되고, 타단이 트랜지스터 M1에 접속되어 있다.
이와 같이 접속된 화소 회로 100A에 있어서도, 도 5에 나타낸 제 1 실시 형태에 있어서의 타이밍차트와 같이 구동할 수 있다. 단, 제 1 실시 형태에 있어서 설명한 동작을 실현하기 위해서, 제 2실시 형태에 있어서의 각 신호의 H 레벨의 전압 및 L 레벨의 전압에 대해서는, 제 1 실시 형태에 있어서의 전압과는 값이 다르다. 이와 같이 하여 제 2실시 형태에 있어서도, 제 1 실시 형태와 같은 효과를 얻을 수 있다.
<변형 예1>
상술한 제 1 실시 형태에 있어서의 타이밍(4)에 있어서는, 발광 다이오드 EL의 발광색에 따라서, ELVDD를 Von(R), Von(G), Von(B)의 어느 하나로 함으로써, PWM 발광 제어 시의 정전류량을 발광색마다 다르게 하고 있었다. PWM 발광 제어 시의 정전류량을 발광색마다 다르게 하는 방법은, 별도의 방법일 수 있다.
변형 예 1에 있어서의 방법에서는, 제 1 실시 형태에 있어서의 타이밍(4)에 있어서, 발광색에 관계 없이 ELVDD를 동일한 전압 Von(C)으로 한다. 그리고, PWM 발광 제어 시의 ELVDD를 발광색마다 다르게 하면 좋다. 즉, 처음에 셋팅된 ELVDD의 전압 VHd를, 발광색마다 VHd(R), VHd(G), VHd(B)로서 사용하면 좋다. 이와 같이, 발광색마다 VHd-Von이 다르도록 되어 있으면 좋다.
<변형 예2>
상술한 각 구성에 대해서는, p형 트랜지스터를 사용하였지만, n형 트랜지스터를 사용하여도 좋고, n형 트랜지스터와 p형 트랜지스터를 사용하여도 좋다. 어떤 경우일지라도, 상기 회로를 그대로 적용할 수는 없지만, 본 발명의 구동 회로 및 구동 방법을 실현 가능한 회로로 수정하여 사용하면 좋다.
이상 실시 예를 참조하여 설명하였지만, 해당 기술 분야의 숙련된 당업자는 하기의 특허 청구의 범위에 기재된 본 발명의 사상 및 영역으로부터 벗어나지 않는 범위 내에서 본 발명을 다양하게 수정 및 변경시킬 수 있음을 이해할 수 있을 것이다. 또한 본 발명에 개시된 실시 예는 본 발명의 기술 사상을 한정하기 위한 것이 아니고, 하기의 특허 청구의 범위 및 그와 동등한 범위 내에 있는 모든 기술 사상은 본 발명의 권리범위에 포함되는 것으로 해석되어야 할 것이다.
1 : 전자기기 10 : 표시 장치
20 : 주사선 구동 회로 30 : 정전류 설정 회로
40 : 전원선 구동 회로 50 : 데이터 선 구동 회로
80 : 제어부 90 : 전원
100, 100A : 화소 회로 200, 200A : 정전류 회로
300, 300A : 스위치 회로

Claims (6)

  1. 공급 전류에 따라서 발광하는 발광 다이오드;
    제1 전원선에 접속되어 상기 제1 전원선을 통해 전원 신호를 제공받고, 상기 발광 다이오드로의 상기 공급 전류의 양을 제어하는 제 1 트랜지스터를 갖는 정전류 회로; 및
    상기 공급 전류의 유무를 전환하는 제 2 트랜지스터, 및 상기 제 2 트랜지스터의 게이트 단자에 일단이 접속되고 타단이 상기 타단의 전압을 변화시키는 신호선에 접속된 용량 소자를 갖는 스위치 회로를 갖는 화소 회로를 포함하고,
    상기 제 1 트랜지스터와 상기 제 2 트랜지스터는 제1 전원선과 제 2 전원선에 캐소드가 접속된 상기 발광 다이오드의 애노드 사이에 직렬로 마련되어 있고,
    상기 용량 소자의 상기 타단은 상기 제2 트랜지스터 및 상기 제1 전원선에 연결되지 않는 것을 특징으로 하는 표시 장치.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 화소 회로를 구동하여 상기 발광 다이오드를 발광시키는 구동 회로를 더 구비하고,
    상기 구동 회로는,
    상기 제 1 전원선 및 상기 제 2 전원선의 전압들을 제어하여 상기 발광 다이오드를 비발광 상태로 하면서, 상기 신호선의 전압을 제어하여 상기 제 2 트랜지스터의 상기 게이트 단자의 전압을 상기 용량 소자의 용량 커플링에 의해 변화시켜서 상기 발광 다이오드의 상기 애노드와 상기 제 1 전원선을 도통시키고,
    그 후, 상기 애노드와 상기 제 1 전원선이 도통하지 않는 상태로 전환하고 나서, 상기 제 1 트랜지스터의 게이트 단자와 상기 애노드를 도통시키고,
    상기 제 1 트랜지스터의 상기 게이트 단자와 상기 제 1 전원선을 도통시켜서, 상기 제 1 트랜지스터의 상기 게이트 단자에 상기 공급 전류의 양에 대응하는 전압을 설정하고,
    상기 설정 후에, 상기 신호선의 상기 전압을 제어하여, 상기 제 2 트랜지스터의 상기 게이트 단자의 상기 전압을, 상기 용량 소자의 상기 용량 커플링에 의해 상기 발광 다이오드를 상기 비발광 상태로 하기 전의 전압으로 되돌리고, 상기 발광 다이오드를 발광가능한 상태로 하도록 상기 화소 회로를 구동하는 것을 특징으로 하는 표시 장치.
  3. 제 2 항에 있어서,
    상기 스위치 회로는, 데이터 선과 상기 제 2 트랜지스터의 상기 게이트 단자와의 사이에 마련된 제 3 트랜지스터를 더 갖고,
    상기 구동 회로는, 적어도 상기 상기 제 2 트랜지스터의 상기 게이트 단자의 상기 전압을 상기 용량 커플링에 의해 변화시키는 기간에 있어서, 상기 제 3 트랜지스터를 비도통 상태로 하도록 구동하는 것을 특징으로 하는 표시 장치.
  4. 제 2 항 또는 제 3 항에 있어서,
    상기 구동 회로는, 상기 구동을 복수 개로 제공된 상기 화소 회로에 대하여 동시에 행하는 것을 특징으로 하는 표시 장치.
  5. 제 4 항에 있어서,
    상기 구동 회로는, 1프레임당 상기 구동을 1회 보다 많이 행하는 것을 특징으로 하는 표시 장치.
  6. 공급 전류에 따라 발광하는 발광 다이오드,
    상기 발광 다이오드로의 상기 공급 전류의 양을 제어하는 제 1 트랜지스터를 갖는 정전류 회로, 및
    상기 공급 전류의 유무를 전환하는 제 2 트랜지스터 및 상기 제 2 트랜지스터의 게이트 단자에 접속된 용량 소자를 갖는 스위치 회로를 포함하고,
    상기 제 1 트랜지스터와 상기 제 2 트랜지스터는, 제1 전원선과 제 2 전원선에 캐소드가 접속된 상기 발광 다이오드의 애노드 사이에 직렬로 마련된 화소 회로를 구동하는 구동 방법에 있어서,
    상기 제 1 전원선 및 상기 제 2 전원선의 전압들을 제어하여 상기 발광 다이오드를 비발광 상태로 하면서, 상기 제 2 트랜지스터의 상기 게이트 단자의 전압을 상기 용량 소자의 용량 커플링에 의해 변화시켜서 상기 발광 다이오드의 상기 애노드와 상기 제 1 전원선을 도통시키고,
    그 후, 상기 애노드와 상기 제 1 전원선이 도통하지 않는 상태로 전환하고 나서, 상기 제 1 트랜지스터의 게이트 단자와 상기 애노드를 도통시키고,
    상기 제 1 트랜지스터의 상기 게이트 단자와 상기 제 1 전원선을 도통시켜서, 상기 제 1 트랜지스터의 상기 게이트 단자에 상기 공급 전류의 양에 대응하는 전압을 설정하고,
    상기 설정 후에, 상기 제 2 트랜지스터의 상기 게이트 단자의 상기 전압을, 상기 용량 소자의 상기 용량 커플링에 의해 상기 발광 다이오드를 상기 비발광 상태로 하기 전의 전압으로 되돌리고, 상기 발광 다이오드를 발광가능한 상태로 하도록 상기 화소 회로를 구동하는 것을 특징으로 하는 구동 방법.
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