KR102091328B1 - 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법 - Google Patents

기판 처리 장치 및 기판 처리 방법 Download PDF

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가부시키가이샤 스크린 홀딩스
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Abstract

기판 처리 장치는, 수평으로 기판을 유지하는 유지 유닛과, 상기 기판의 상면에 상방으로부터 대향하고, 상기 유지 유닛과 걸어 맞춤 가능한 대향 부재와, 상기 대향 부재를 지지하는 지지 부재와, 상기 대향 부재를 상기 유지 유닛으로부터 상방으로 이간시킨 상태에서 상기 지지 부재가 상기 대향 부재를 지지하는 상위치와, 상기 상위치보다 하방의 위치이고 상기 유지 유닛과 상기 대향 부재가 걸어 맞춤되는 걸어 맞춤 위치 사이에서 상기 지지 부재를 승강시키는 승강 유닛과, 상기 지지 부재에 형성된 검출 유닛을 포함하고, 상기 검출 유닛이, 상기 대향 부재에 형성된 피검출부의 상기 검출 유닛에 대한 위치를 검출한다.

Description

기판 처리 장치 및 기판 처리 방법{SUBSTRATE PROCESSING APPARATUS AND SUBSTRATE PROCESSING METHOD}
이 발명은, 기판을 처리하는 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법에 관한 것이다. 처리 대상이 되는 기판에는, 예를 들어, 반도체 웨이퍼, 액정 표시 장치용 기판, 유기 EL (Electroluminescence) 표시 장치 등의 FPD (Flat Panel Display) 용 기판, 광 디스크용 기판, 자기 디스크용 기판, 광 자기 디스크용 기판, 포토마스크용 기판, 세라믹 기판, 태양 전지용 기판 등의 기판이 포함된다.
기판을 1 장씩 처리하는 매엽식의 기판 처리 장치에 의한 기판 처리에서는, 예를 들어, 기판 유지부에 의해 대략 수평으로 유지된 기판에 대하여 처리액을 공급함으로써, 기판의 표면이 처리된다. 그 때, 처리액에 용해된 산소에 의해 패턴이 산화될 우려가 있다. 그 때문에, 처리액에 산소가 용해되지 않도록 기판의 상면 부근의 분위기의 산소 농도를 저감시켜 둘 필요가 있다. 그래서, 일본 공개특허공보 2016-162799호에 기재된 기판 처리 장치에서는, 기판의 표면의 산화를 억제하기 위해서, 기판의 상면에 대향하는 대향 부재가 형성되어 있다. 기판과 대향 부재 사이에 불활성 가스를 공급함으로써, 대향 부재와 기판 사이의 분위기가 불활성 가스에 의해 치환된다. 이에 의해, 기판 주위의 분위기 중의 산소 농도가 저감되기 때문에, 기판 상에 공급된 처리액에 용해되는 산소의 양이 저감된다.
일본 공개특허공보 2016-162799호의 기판 처리 장치에서는, 기판 유지부에 기판을 유지시키거나, 기판 유지부로부터 기판을 분리할 수 있도록 하기 위해서, 대향 부재를 승강시키는 대향 부재 승강 기구가 형성되어 있다. 기판의 표면 부근의 분위기를 주위의 분위기로부터 양호하게 차단하기 위해서는, 대향 부재에 형성된 걸어 맞춤부와 기판 유지부에 형성된 걸어 맞춤부를 걸어 맞추는 것에 의해, 대향 부재를 적절한 높이 위치에 위치시켜야 한다. 그러나, 일본 공개특허공보 2016-162799호의 기판 처리 장치에서는, 대향 부재의 위치를 검출하고 있지 않다. 그 때문에, 대향 부재의 걸어 맞춤부와 기판 유지부의 걸어 맞춤부가 제대로 걸어 맞춤되어 있지 않은 상태에서도, 기판 처리가 실행될 우려가 있다. 이것으로는, 기판의 상면을 양호하게 처리할 수 없을 우려가 있다.
그래서, 이 발명의 하나의 목적은, 기판의 상면에 대향하는 대향 부재를 승강시켜 대향 부재와 유지 유닛을 걸어 맞춤시킬 수 있는 구성에 있어서, 대향 부재가 적절한 위치에 위치하는지 여부를 판별할 수 있는 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법을 제공하는 것이다.
이 발명의 일 실시형태는, 수평으로 기판을 유지하는 유지 유닛과, 상기 기판의 상면에 상방으로부터 대향하고, 상기 유지 유닛과 걸어 맞춤 가능한 대향 부재와, 상기 대향 부재를 지지하는 지지 부재와, 상기 대향 부재를 상기 유지 유닛으로부터 상방으로 이간시킨 상태로 상기 지지 부재가 상기 대향 부재를 지지하는 상위치와, 상기 상위치보다 하방의 위치이고 상기 유지 유닛과 상기 대향 부재가 서로 걸어 맞춤되는 걸어 맞춤 위치 사이에서 상기 지지 부재를 승강시키는 승강 유닛과, 상기 지지 부재에 형성된 검출 유닛을 포함하고, 상기 검출 유닛이, 상기 대향 부재에 형성된 피검출부의 상기 검출 유닛에 대한 위치를 검출하는, 기판 처리 장치를 제공한다.
이 구성에 의하면, 지지 부재는, 대향 부재를 지지하는 상위치와, 대향 부재와 유지 유닛이 걸어 맞춤되는 걸어 맞춤 위치 사이에서 승강한다. 지지 부재에는, 대향 부재에 형성된 피검출부의 위치를 검출하는 검출 유닛이 형성되어 있다. 그 때문에, 대향 부재와 유지 유닛이 걸어 맞춤되는 상태에서, 검출 유닛에 대한 피검출부의 위치를, 검출 유닛에 검출시킬 수 있다. 이에 의해, 대향 부재가 적절한 위치에 위치하는지 여부를 판별할 수 있다.
이 발명의 일 실시형태에서는, 상기 검출 유닛은, 상기 대향 부재의 중심부를 통과하는 연직 축선 주위의 둘레 방향으로 간격을 두고 복수 형성되어 있다. 그 때문에, 둘레 방향의 복수 지점에 있어서 검출 유닛에 대한 피검출부의 위치를 검출할 수 있다. 따라서, 대향 부재가 적절한 위치에 위치하는지 여부를 더욱 정확하게 판별할 수 있다.
이 발명의 일 실시형태에 의하면, 상기 검출 유닛은, 상기 검출 유닛에 대한 상기 피검출부의 위치를 광학적으로 검출하고, 상기 피검출부는, 상기 대향 부재에 있어서의 상기 피검출부 이외의 부분과 비교하여 광을 반사시키기 쉬운 반사면을 갖는다. 그 때문에, 검출 유닛이 피검출부의 위치를 검출하는 감도를 향상시킬 수 있다. 따라서, 대향 부재가 적절한 위치에 위치하는지 여부를 더욱 정확하게 판별할 수 있다.
이 발명의 일 실시형태에서는, 상기 기판 처리 장치가, 상기 승강 유닛을 제어하는 컨트롤러를 추가로 포함한다. 상기 승강 유닛은, 상기 걸어 맞춤 위치보다 하방의 위치이고, 상기 유지 유닛과 걸어 맞춤된 상태의 상기 대향 부재로부터 상기 지지 부재가 하방으로 이간되는 하위치까지 상기 지지 부재를 하강시킬 수 있다. 상기 컨트롤러는, 상기 승강 유닛에 의해, 상기 상위치로부터 상기 하위치로 상기 지지 부재를 하강시키는 하강 공정과, 상기 하강 공정 후에, 상기 승강 유닛에 의해, 상기 하위치로부터 상기 상위치로 상기 지지 부재를 상승시키는 상승 공정을 실행하도록 프로그램되어 있다.
이 구성에 의하면, 지지 부재는, 상위치에 위치할 때에는 대향 부재를 지지하고 있고, 하위치에 위치할 때에는 대향 부재로부터 하방으로 이간되어 있다. 그 때문에, 하강 공정의 도중에 지지 부재가 걸어 맞춤 위치를 통과할 때에, 지지 부재로부터 유지 유닛에 대향 부재를 전달할 수 있다. 그리고, 상승 공정의 도중에 지지 부재가 걸어 맞춤 위치를 통과할 때에, 지지 부재가 유지 유닛으로부터 대향 부재를 받을 수 있다. 따라서, 지지 부재와 유지 유닛 사이에서 대향 부재가 전달되는 구성에 있어서, 대향 부재가 적절한 위치에 위치하는지 여부를 판별할 수 있다.
이 발명의 일 실시형태에서는, 상기 검출 유닛은, 상기 컨트롤러에 의해 제어된다. 상기 검출 유닛은, 상기 검출 유닛과 상기 피검출부 사이의 거리를 측정함으로써 상기 검출 유닛에 대한 상기 피검출부의 위치를 검출하는 거리 측정 센서를 포함한다. 상기 컨트롤러는, 상기 하강 공정의 개시 전에, 상기 지지 부재가 상기 상위치에 위치하는 상태에서 상기 검출 유닛과 상기 피검출부 사이의 거리를 상기 검출 유닛에 측정시키는 제 1 거리 측정 공정과, 상기 하강 공정의 종료 후이고 또한 상기 상승 공정의 개시 전에, 상기 지지 부재가 상기 하위치에 위치하는 상태에서 상기 검출 유닛과 상기 피검출부 사이의 거리를 상기 검출 유닛에 측정시키는 제 2 거리 측정 공정을 실행하도록 프로그램되어 있다.
상위치에 지지 부재가 위치하는 상태와, 하위치에 지지 부재가 위치하는 상태에서는, 검출 유닛과 피검출부 사이의 거리가 상이하다. 따라서, 검출 유닛과 피검출부 사이의 거리의 변화량이 적절한지를 기준으로 하여, 대향 부재와 유지 유닛이 정상적으로 걸어 맞춤되었는지 여부를 판별할 수 있다. 따라서, 대향 부재가 적절한 위치에 위치하는지 여부를 더욱 정확하게 판별할 수 있다.
이 발명의 일 실시형태에서는, 상기 피검출부는, 상기 대향 부재로부터 상기 피검출부의 선단부까지의 높이가 조정 가능하도록 형성되어 있다. 그 때문에, 거리 측정 센서의 측정 범위에 맞추어 피검출부의 높이를 조정할 수 있다. 따라서, 대향 부재가 적절한 위치에 위치하는지 여부를 더욱 정확하게 판별할 수 있다.
이 발명의 일 실시형태에서는, 상기 거리 측정 센서는, 상기 지지 부재가 상기 상위치에 위치할 때에 상기 검출 유닛과 상기 피검출부 사이의 거리를 측정하는 상위치 센서와, 상기 지지 부재가 상기 하위치에 위치할 때에 상기 검출 유닛과 상기 피검출부 사이의 거리를 측정하는 하위치 센서를 포함한다.
그 때문에, 지지 부재가 상위치에 위치할 때의 검출 유닛과 피검출부의 거리를 측정하는 데에 적합한 측정 범위를 갖는 센서를 상위치 센서로서 사용할 수 있다. 또한, 지지 부재가 하위치에 위치할 때의 검출 유닛과 피검출부의 거리를 측정하는 데에 적합한 측정 범위를 갖는 센서를 하위치 센서로서 사용할 수 있다. 따라서, 센서의 측정 범위에 의해 대향 부재에 대하여 지지 부재가 이간되는 거리가 제한되는 것이, 억제된다. 또한, 검출 유닛과 피검출부의 거리의 검출 정밀도가 저하하는 것이 억제된다. 따라서, 대향 부재가 적절한 위치에 위치하는지 여부를 더욱 정확하게 판별할 수 있다.
이 발명의 일 실시형태에서는, 상기 컨트롤러는, 상기 하강 공정에 있어서, 상기 상위치로부터, 상기 상위치와 상기 걸어 맞춤 위치 사이의 소정의 중간 위치로, 상기 지지 부재를 비교적 고속도로 하강시키는 고속 하강 공정과, 상기 상위치와 상기 걸어 맞춤 위치 사이의 소정의 중간 위치로부터 상기 하위치로, 상기 지지 부재를 비교적 저속도로 하강시키는 저속 하강 공정을 실행하도록 프로그램되어 있다.
여기서, 하강 공정이나 상승 공정에서는, 각 공정의 도중에 속도를 변화시키지 않고, 지지 부재를 일정한 속도로 하강 또는 상승시키는 것을 생각할 수 있다. 지지 부재를 일정한 속도로 하강 또는 상승시키는 경우에 있어서 지지 부재의 하강 속도나 상승 속도를 높게 하면, 단위 시간 당에 처리할 수 있는 기판의 장 수 (스루풋) 가 향상되는 한편으로, 대향 부재가 받는 충격이 증대한다. 이에 의해, 대향 부재가 변형되거나 위치가 어긋나는 것에 의해, 대향 부재와 유지 유닛이 제대로 걸어 맞춤되지 않을 우려가 있다. 반대로, 지지 부재를 일정한 속도로 하강 또는 상승시키는 경우에 있어서 지지 부재의 하강 속도나 상승 속도를 낮게 하면, 대향 부재가 받는 충격이 저감되는 한편으로, 스루풋이 저하할 우려가 있다.
그래서, 상위치부터 중간 위치까지는 지지 부재가 비교적 고속도로 하강하고, 중간 위치부터 하위치까지는 지지 부재가 비교적 저속도로 하강하는 구성의 기판 처리 장치, 즉, 걸어 맞춤 위치로부터 상방으로 떨어진 위치에서는 지지 부재가 비교적 고속도로 하강하고, 유지 유닛과 대향 부재가 걸어 맞춤될 때에는 지지 부재가 비교적 저속도로 하강하는 구성의 기판 처리 장치이면, 하강 공정을 단시간에 종료시킬 수 있다. 또한, 대향 부재와 유지 유닛이 걸어 맞춤될 때에 대향 부재가 유지 유닛으로부터 받는 충격을 저감시킬 수 있다. 따라서, 스루풋을 향상시키면서, 충격에서 기인하는 대향 부재의 변형이나 대향 부재의 위치 어긋남을 억제할 수 있다. 또한, 저속 하강 공정에서는, 지지 부재를 일정한 속도로 하강시켜도 된다.
이 발명의 일 실시형태에서는, 상기 컨트롤러는, 상기 상승 공정에 있어서, 상기 하위치로부터, 상기 상위치와 상기 걸어 맞춤 위치 사이의 소정의 중간 위치로, 상기 지지 부재를 비교적 저속도로 상승시키는 저속 상승 공정과, 상기 상위치와 상기 걸어 맞춤 위치 사이의 소정의 중간 위치로부터 상기 상위치로, 상기 지지 부재를 비교적 고속도로 상승시키는 고속 상승 공정을 실행하도록 프로그램되어 있다.
그 때문에, 유지 유닛으로부터 지지 부재에 대향 부재가 전달될 때에는, 지지 부재는 비교적 저속도로 상승하고, 걸어 맞춤 위치로부터 상방으로 떨어진 위치에서는, 지지 부재는 비교적 고속도로 상승한다. 따라서, 상승 공정을 단시간에 종료시킬 수 있고, 또한, 대향 부재가 유지 유닛으로부터 이간될 때에 대향 부재가 유지 유닛으로부터 받는 충격을 저감시킬 수 있다. 따라서, 스루풋을 향상시키면서 충격에서 기인하는 대향 부재의 변형이나 대향 부재의 위치 어긋남을 억제할 수 있다. 또한, 저속 상승 공정에서는, 지지 부재를 일정한 속도로 상승시켜도 된다.
이 발명의 일 실시형태에서는, 상기 유지 유닛과 상기 대향 부재는, 자력에 의해 걸어 맞춤된다. 상기 대향 부재에는, 상기 지지 부재가 상기 소정의 중간 위치와 상기 걸어 맞춤 위치 사이에 위치할 때에 자력이 작용한다. 그 때문에, 복잡한 기구를 사용하지 않고, 자력에 의해 대향 부재와 유지 유닛을 용이하게 서로 걸어 맞춤시킬 수 있다.
여기서, 대향 부재가 변형된 경우에는, 국소적으로 대향 부재의 높이 위치가 변화한다. 그 때문에, 지지 부재가 걸어 맞춤 위치에 이르렀다고 해도 대향 부재를 적절한 위치에 배치할 수 없을 우려가 있다. 대향 부재가 변형됨으로써, 대향 부재의 상면에 형성된 검출부 사이의 폭이 변화한다.
이 발명의 일 실시형태에서는, 상기 기판 처리 장치가, 상기 컨트롤러에 의해 제어되고, 연직 방향을 따른 소정의 회전 축선 주위로 상기 유지 유닛을 회전시키는 회전 유닛을 추가로 포함한다. 상기 피검출부는, 상기 회전 축선 주위의 회전 방향으로 간격을 두고 상기 대향 부재의 상면에 복수 형성되어 있다. 상기 컨트롤러는, 상기 지지 부재가 상기 하위치에 위치하는 상태에서, 상기 회전 유닛에 의해, 상기 대향 부재를 상기 유지 유닛과 일체 회전시키는 회전 공정과, 상기 회전 공정과 병행하여, 상기 검출 유닛에 대한 복수의 상기 피검출부의 위치를 상기 검출 유닛에 검출시키는 것에 의해, 상기 피검출부 사이의 거리를 감시하는 감시 공정을 실행하도록 프로그램되어 있다.
이 구성에 의하면, 회전 공정에서는, 대향 부재와 유지 유닛이 걸어 맞춤되고 지지 부재가 대향 부재로부터 하방으로 이간되어 있기 때문에, 대향 부재와 유지 유닛이 일체 회전한다. 그 때문에, 회전 공정에서는, 대향 부재와 지지 부재가 서로 상대 회전한다. 대향 부재와 지지 부재의 상대 회전 중에 검출 유닛에 대한 복수의 피검출부의 위치를 검출함으로써, 대향 부재에 있어서의 회전 방향의 어느 위치 (각도) 에 피검출부가 위치하는지를 검출할 수 있다. 그 결과에 기초하여 피검출부 사이의 거리를 감시할 수 있다. 회전 공정 중에 이 감시를 계속함으로써, 회전 중에 발생한 대향 부재의 변형을 검지할 수 있다. 또한, 회전 중의 변형을 검지함으로써, 대향 부재가 적절한 위치에 위치하는지 여부를 판별할 수도 있다.
이 발명의 일 실시형태에서는, 상기 대향 부재는, 상기 지지 부재에 대하여 소정의 상대 회전 위치에 위치할 때, 상기 지지 부재로부터 착탈 가능하다. 상기 컨트롤러는, 상기 회전 공정의 종료 후이고 또한 상기 상승 공정의 개시 전에, 상기 대향 부재가 상기 소정의 상대 회전 위치에 위치하지 않도록, 상기 회전 유닛에 의해 상기 회전 방향에 있어서의 상기 유지 유닛의 위치를 조정시키는 회전 위치 조정 공정을 실행하도록 프로그램되어 있다. 그 때문에, 대향 부재가 지지 부재로부터 착탈 가능한 구성에 있어서, 회전 공정의 종료 후에, 지지 부재를 대향 부재와 함께 상승시킬 수 있다.
이 발명의 일 실시형태에서는, 상기 검출 유닛은, 상기 검출 유닛과 상기 대향 부재의 상면 사이의 거리를 측정 가능하고, 상기 컨트롤러는, 상기 감시 공정에 있어서, 상기 검출 유닛과 상기 대향 부재의 상면 사이의 거리를 감시하는 공정을 실행하도록 프로그램되어 있다. 이에 의해, 대향 부재의 상면의 기복 (변형) 을 검지할 수 있다. 그 때문에, 회전 중에 발생한 대향 부재의 변형이 더욱 검지되기 쉬워진다.
이 발명의 일 실시형태에서는, 복수의 상기 피검출부는, 상기 대향 부재의 상면으로부터의 높이가 서로 상이한 제 1 돌기 및 제 2 돌기를 포함한다. 대향 부재의 상면으로부터 제 1 돌기까지의 높이와, 대향 부재의 상면으로부터 제 2 돌기까지의 높이가 서로 상이하다. 그 때문에, 검출 유닛에 대한 제 1 돌기의 높이 위치와 검출 유닛에 대한 제 2 돌기의 높이 위치도 서로 상이하다. 그 때문에, 검출 유닛이 제 1 돌기와 제 2 돌기를 식별하기 쉽다. 이에 의해, 대향 부재에 있어서 변형된 부분의 회전 방향에 있어서의 위치를 더욱 정확하게 알 수 있다.
이 발명의 일 실시형태에서는, 유지 유닛에 기판을 수평으로 유지시키는 기판 유지 공정과, 상기 기판의 상면에 상방으로부터 대향하는 대향 부재를 지지 부재에 지지시키는 지지 공정과, 상기 유지 유닛에 형성된 걸어 맞춤 부재로부터 상기 대향 부재가 상방으로 이간되도록 상기 지지 부재가 상기 대향 부재를 지지하는 상위치에 상기 지지 부재가 위치하는 상태에서, 상기 대향 부재에 형성된 피측정부와, 상기 지지 부재에 형성된 거리 측정 센서 사이의 거리를 상기 거리 측정 센서에 측정시키는 제 1 거리 측정 공정과, 상기 상위치로부터, 상기 유지 유닛과 상기 대향 부재가 서로 걸어 맞춤되는 걸어 맞춤 위치를 경유하여, 상기 유지 유닛과 걸어 맞춤된 상태의 상기 대향 부재로부터 상기 지지 부재가 하방으로 이간되는 하위치에, 상기 지지 부재를 하강시키는 하강 공정과, 상기 하강 공정의 종료 후에, 상기 지지 부재가 상기 하위치에 위치하는 상태에서 상기 피측정부와 상기 거리 측정 센서 사이의 거리를 상기 거리 측정 센서에 측정시키는 제 2 거리 측정 공정을 포함하는, 기판 처리 방법을 제공한다.
이 방법에 의하면, 하강 공정의 개시 전의 상태 (상위치에 지지 부재가 위치하는 상태) 와, 하강 공정의 종료 후의 상태 (하위치에 지지 부재가 위치하는 상태) 에서는, 검출 유닛과 피검출부 사이의 거리가 상이하다. 따라서, 검출 유닛과 피검출부 사이의 거리의 변화량이 적절한지를 기준으로 하여, 대향 부재와 유지 유닛이 서로 정상적으로 걸어 맞춤되었는지 여부를 판별할 수 있다. 따라서, 대향 부재가 적절한 위치에 위치하는지 여부를 판별할 수 있다.
이 발명의 일 실시형태에서는, 상기 하강 공정은, 상기 상위치로부터, 상기 상위치와 상기 걸어 맞춤 위치 사이의 소정의 중간 위치로 상기 지지 부재를 비교적 고속도로 하강시키는 고속 하강 공정과, 상기 상위치와 상기 걸어 맞춤 위치 사이의 소정의 중간 위치로부터 상기 하위치로 상기 지지 부재를 비교적 저속도로 하강시키는 저속 하강 공정을 포함한다.
그 때문에, 걸어 맞춤 위치로부터 상방으로 떨어진 위치에서는, 지지 부재는 비교적 고속도로 하강하고, 유지 유닛과 대향 부재가 서로 걸어 맞춤될 때에는, 지지 부재는 비교적 저속도로 하강한다. 따라서, 하강 공정을 단시간에 종료시킬 수 있고, 또한, 대향 부재와 유지 유닛이 서로 걸어 맞춤될 때에 대향 부재가 유지 유닛으로부터 받는 충격을 저감시킬 수 있다. 따라서, 스루풋을 향상시키면서, 충격에서 기인하는 대향 부재의 변형이나 대향 부재의 위치 어긋남을 억제할 수 있다. 또한, 저속 하강 공정에서는, 지지 부재를 일정한 속도로 하강시켜도 된다.
이 발명의 일 실시형태에서는, 상기 기판 처리 방법이, 상기 하위치로부터 상기 상위치로 상기 지지 부재를 상승시키는 상승 공정을 추가로 포함한다. 상기 상승 공정은, 상기 하위치로부터, 상기 상위치와 상기 걸어 맞춤 위치 사이의 소정의 중간 위치로 상기 지지 부재를 비교적 저속도로 상승시키는 저속 상승 공정과, 상기 상위치와 상기 걸어 맞춤 위치 사이의 소정의 중간 위치로부터 상기 상위치로 상기 지지 부재를 비교적 고속도로 상승시키는 고속 상승 공정을 포함한다.
유지 유닛으로부터 지지 부재에 대향 부재가 전달될 때에는, 지지 부재는 비교적 저속도로 상승하고, 걸어 맞춤 위치로부터 상방으로 떨어진 위치에서는, 지지 부재는 비교적 고속도로 상승한다. 따라서, 상승 공정을 단시간에 종료시킬 수 있고, 또한, 대향 부재가 유지 유닛으로부터 이간될 때에 대향 부재가 유지 유닛으로부터 받는 충격을 저감시킬 수 있다. 따라서, 스루풋을 향상시키면서, 충격에서 기인하는 대향 부재의 변형이나 대향 부재의 위치 어긋남을 억제할 수 있다. 또한, 저속 상승 공정에서는, 지지 부재를 일정한 속도로 상승시켜도 된다.
이 발명의 일 실시형태에서는, 상기 유지 유닛과 상기 대향 부재는, 자력에 의해 서로 걸어 맞춤된다. 상기 대향 부재에는, 상기 지지 부재가 상기 소정의 중간 위치와 상기 걸어 맞춤 위치 사이에 위치할 때에 자력이 작용한다. 그 때문에, 복잡한 기구를 사용하지 않고, 자력에 의해 대향 부재와 유지 유닛을 용이하게 걸어 맞춤시킬 수 있다.
이 발명의 일 실시형태에서는, 유지 유닛에 기판을 수평으로 유지시키는 기판 유지 공정과, 상기 기판의 상면에 대향하는 대향 부재를 지지 부재에 지지시키는 지지 공정과, 상기 유지 유닛으로부터 상기 대향 부재를 상방으로 이간시켜 상기 대향 부재를 지지하는 상위치로부터, 상기 유지 유닛과 상기 대향 부재가 서로 걸어 맞춤되는 걸어 맞춤 위치보다 하방의 위치이고, 상기 유지 유닛과 걸어 맞춤된 상태의 상기 대향 부재로부터 상기 지지 부재가 하방으로 이간되는 하위치로 상기 지지 부재를 하강시키는 하강 공정과, 상기 지지 부재가 상기 하위치에 위치할 때에 연직 방향을 따른 소정의 회전 축선 주위의 회전 방향으로 상기 유지 유닛을 회전시키는 회전 공정과, 상기 회전 공정과 병행하여 실행되고, 상기 지지 부재에 형성된 검출 유닛에 대한, 상기 대향 부재의 상면에 상기 회전 방향으로 간격을 두고 형성된 복수의 피검출부의 위치를, 상기 검출 유닛에 검출시키는 것에 의해, 상기 피검출부 사이의 거리를 감시하는 감시 공정을 포함하는, 기판 처리 방법을 제공한다.
이 방법에 의하면, 회전 공정에서는, 대향 부재와 유지 유닛이 걸어 맞춤되고 지지 부재가 대향 부재로부터 하방으로 이간되어 있기 때문에, 대향 부재와 유지 유닛이 일체 회전한다. 그 때문에, 회전 공정에서는, 대향 부재와 지지 부재가 서로 상대 회전한다. 대향 부재와 지지 부재의 상대 회전 중에 검출 유닛에 대한 복수의 피검출부의 위치를 검출함으로써, 대향 부재에 있어서의 회전 방향의 어느 위치 (각도) 에 피검출부가 위치하는지를 검출할 수 있다. 그 결과에 기초하여 피검출부 사이의 거리를 감시할 수 있다. 회전 공정 중에 이 감시를 계속함으로써, 회전 중에 발생한 대향 부재의 변형을 검지할 수 있다. 회전 중의 변형을 검지함으로써, 대향 부재가 적절한 위치에 위치하는지 여부를 판별할 수 있다.
이 발명의 일 실시형태에서는, 상기 기판 처리 방법은, 상기 회전 공정의 종료 후에, 상기 대향 부재가 상기 지지 부재에 대하여 착탈 가능해지는 소정의 상대 회전 위치에, 상기 대향 부재가 위치하지 않도록, 상기 회전 방향에 있어서의 상기 유지 유닛의 위치를 조정하는 회전 위치 조정 공정과, 상기 회전 위치 조정 공정의 종료 후에, 상기 하위치로부터 상기 상위치로 상기 지지 부재를 상승시키는 상승 공정을 추가로 포함한다. 이에 의해, 대향 부재가 지지 부재로부터 착탈 가능한 구성에 있어서, 회전 공정의 종료 후에, 지지 부재를 대향 부재와 함께 상승시킬 수 있다.
이 발명의 일 실시형태에서는, 상기 감시 공정은, 상기 검출 유닛과 상기 대향 부재의 상면 사이의 거리를 감시하는 공정을 포함한다. 이에 의해, 대향 부재의 상면의 기복을 검지할 수 있다. 그 때문에, 회전 중에 발생한 대향 부재의 변형이 더욱 검지되기 쉬워진다.
본 발명에 있어서의 상기 서술한, 또는 또 다른 목적, 특징 및 효과는, 첨부 도면을 참조하여 다음에 서술하는 실시형태의 설명에 의해 명확해진다.
도 1 은 이 발명의 일 실시형태에 관련된 기판 처리 장치의 내부의 레이아웃을 설명하기 위한 모식적인 평면도이다.
도 2 는 상기 기판 처리 장치에 구비된 처리 유닛의 모식도이다.
도 3a 는 상기 처리 유닛에 구비된 대향 부재의 사시도이다.
도 3b 는 상기 대향 부재를 도 3a 와는 다른 각도로부터 본 사시도이다.
도 4a 는 도 2 의 IV-IV 선을 따른 단면도이고, 상기 대향 부재의 상대 회전 위치가 지지 위치인 상태를 나타내고 있다.
도 4b 는 도 2 의 IV-IV 선을 따른 단면도이고, 상기 대향 부재의 상대 회전 위치가 분리 위치인 상태를 나타내고 있다.
도 5 는 상기 대향 부재에 형성된 걸어 맞춤부의 주변의 단면도이다.
도 6 은 상기 기판 처리 장치의 주요부의 전기적 구성을 설명하기 위한 블록도이다.
도 7 은 상기 기판 처리 장치에 의한 기판 처리의 일례를 설명하기 위한 흐름도이다.
도 8a ∼ 도 8f 는 상기 기판 처리를 설명하기 위한 도해적인 단면도이다.
도 9a 는 상기 기판 처리의 하강 공정에 있어서의 상기 대향 부재의 높이 위치와 상기 대향 부재의 하강 속도의 관계를 나타낸 그래프이다.
도 9b 는 상기 기판 처리의 상승 공정에 있어서의 상기 대향 부재의 높이 위치와 상기 대향 부재의 상승 속도의 관계를 나타낸 그래프이다.
도 10 은 회전 중의 상기 대향 부재의 회전 각도와 상기 대향 부재로부터 측정 대상까지의 거리의 관계를 나타낸 그래프이다.
도 11 은 회전 중의 상기 대향 부재의 회전 각도와 측정 유닛으로부터 측정 대상까지의 거리의 관계를 나타낸 그래프이다.
도 1 은, 이 발명의 일 실시형태에 관련된 기판 처리 장치 (1) 의 내부의 레이아웃을 설명하기 위한 도해적인 평면도이다.
기판 처리 장치 (1) 는, 실리콘 웨이퍼 등의 기판 (W) 을 1 장씩 처리하는 매엽식의 장치이다. 이 실시형태에서는, 기판 (W) 은, 원판상의 기판이다. 기판 처리 장치 (1) 는, 약액이나 린스액 등의 처리액으로 기판 (W) 을 처리하는 복수의 처리 유닛 (2) 과, 처리 유닛 (2) 으로 처리되는 복수 장의 기판 (W) 을 수용하는 캐리어 (C) 가 재치 (載置) 되는 로드 포트 (LP) 와, 로드 포트 (LP) 와 처리 유닛 (2) 사이에서 기판 (W) 을 반송하는 반송 로봇 (IR 및 CR) 과, 기판 처리 장치 (1) 를 제어하는 컨트롤러 (3) 를 포함한다. 반송 로봇 (IR) 은, 캐리어 (C) 와 반송 로봇 (CR) 사이에서 기판 (W) 을 반송한다. 반송 로봇 (CR) 은, 반송 로봇 (IR) 과 처리 유닛 (2) 사이에서 기판 (W) 을 반송한다. 복수의 처리 유닛 (2) 은, 예를 들어, 동일한 구성을 가지고 있다.
도 2 는 처리 유닛 (2) 의 구성예를 설명하기 위한 모식도이다.
처리 유닛 (2) 은, 스핀 척 (5) 과, 대향 부재 (6) 와, 지지 부재 (7) 와, 약액 공급 유닛 (8) 과, 린스액 공급 유닛 (9) 과, 기체 공급 유닛 (10) 과, 승강 유닛 (11) 과, 1 쌍의 검출 유닛 (12) 과, 챔버 (14) (도 1 참조) 를 포함한다.
스핀 척 (5) 은, 1 장의 기판 (W) 을 수평의 자세로 유지하면서 기판 (W) 의 중앙부를 통과하는 연직의 회전 축선 (A1) 주위로 기판 (W) 을 회전시킨다. 스핀 척 (5) 은, 챔버 (14) 내에 수용되어 있다. 챔버 (14) 에는, 챔버 (14) 내에 기판 (W) 을 반입하거나, 챔버 (14) 내로부터 기판 (W) 을 반출하기 위한 출입구 (도시 생략) 가 형성되어 있다. 챔버 (14) 에는, 이 출입구를 개폐하는 셔터 유닛 (도시 생략) 이 구비되어 있다.
스핀 척 (5) 은, 유지 유닛 (24) 과, 회전축 (22) 과, 전동 모터 (23) 를 포함한다. 유지 유닛 (24) 은, 기판 (W) 을 수평으로 유지한다. 유지 유닛 (24) 은, 스핀 베이스 (21) 와 복수의 척 핀 (20) 을 포함한다. 스핀 베이스 (21) 는, 수평 방향을 따른 원판 형상을 가지고 있다. 스핀 베이스 (21) 의 상면에는, 복수의 척 핀 (20) 이 둘레 방향으로 간격을 두고 배치되어 있다. 회전축 (22) 은, 스핀 베이스 (21) 의 하면 중앙에 결합되어 있다. 회전축 (22) 은, 회전 축선 (A1) 을 따라 연직 방향으로 연장되어 있다. 전동 모터 (23) 는, 회전축 (22) 에 회전력을 부여한다. 전동 모터 (23) 에 의해 회전축 (22) 이 회전됨으로써, 유지 유닛 (24) 의 스핀 베이스 (21) 가 회전된다. 이에 의해, 기판 (W) 이 회전 축선 (A1) 의 주위의 회전 방향 (S) 으로 회전된다. 전동 모터 (23) 는, 기판 (W) 을 회전 축선 (A1) 의 주위로 회전시키는 회전 유닛에 포함된다.
약액 공급 유닛 (8) 은, 기판 (W) 의 상면에 약액을 공급하는 약액 노즐 (30) 과, 약액 노즐 (30) 에 결합된 약액 공급관 (31) 과, 약액 공급관 (31) 에 개재 장착된 약액 밸브 (32) 를 포함한다. 약액 공급관 (31) 에는, 약액 공급원으로부터, 불산 (불화수소수 : HF) 등의 약액이 공급되고 있다.
약액은, 불산에 한정되지 않는다. 약액은, 황산, 아세트산, 질산, 염산, 불산, 버퍼드 불산 (BHF), 희불산 (DHF), 암모니아수, 과산화수소수, 유기산 (예를 들어, 시트르산, 옥살산 등), 유기 알칼리 (예를 들어, TMAH : 테트라메틸암모늄하이드로옥사이드 등), 계면 활성제, 부식 방지제 중의 적어도 1 개를 포함하는 액이어도 된다. 이들을 혼합한 약액의 예로는, SPM (황산 과산화수소수 혼합액), SC1 (암모니아 과산화수소수 혼합액), SC2 (염산 과산화수소수 혼합액) 등을 들 수 있다.
린스액 공급 유닛 (9) 은, 기판 (W) 의 상면에 린스액을 공급하는 린스액 노즐 (40) 과, 린스액 노즐 (40) 에 결합된 린스액 공급관 (41) 과, 린스액 공급관 (41) 에 개재 장착된 린스액 밸브 (42) 를 포함한다. 린스액 공급관 (41) 에는, 린스액 공급원으로부터, DIW 등의 린스액이 공급되고 있다.
린스액은, DIW 에 한정되지 않는다. 린스액은, 탄산수, 전해 이온수, 오존수, 암모니아수, 희석 농도 (예를 들어, 10 ppm ∼ 100 ppm 정도) 의 염산수, 환원수 (수소수) 여도 된다. 린스액은, 물을 함유하고 있다. 약액 공급 유닛 (8) 및 린스액 공급 유닛 (9) 은, 기판 (W) 의 상면에 처리액을 공급하는 처리액 공급 유닛에 포함된다.
기체 공급 유닛 (10) 은, 기판 (W) 의 상면에 질소 가스 등의 기체를 공급하는 기체 노즐 (50) 과, 기체 노즐 (50) 에 결합된 기체 공급관 (51) 과, 기체 공급관 (51) 에 개재 장착되고, 기체의 유로를 개폐하는 기체 밸브 (52) 를 포함한다. 기체 공급관 (51) 에는, 기체 공급원으로부터, 질소 가스 등의 기체가 공급되고 있다.
기체 공급원으로부터 기체 공급관 (51) 에 공급되는 기체로는, 질소 가스 등의 불활성 가스가 바람직하다. 불활성 가스란, 질소 가스에 한정하지 않고, 기판 (W) 의 상면 및 패턴에 대하여 불활성인 가스이다. 불활성 가스의 예로는, 질소 가스 이외에, 아르곤 등의 희가스류를 들 수 있다.
약액 노즐 (30), 린스액 노즐 (40) 및 기체 노즐 (50) 은, 이 실시형태에서는, 노즐 수용 부재 (35) 에 공통으로 수용되어 있다. 노즐 수용 부재 (35) 의 하단부는, 기판 (W) 의 상면의 중앙 영역에 대향하고 있다. 기판 (W) 의 상면의 중앙 영역이란, 기판 (W) 의 회전 중심을 포함하는 영역이다.
대향 부재 (6) 는, 기판 (W) 의 상면에 상방으로부터 대향한다. 대향 부재 (6) 는, 대향 부재 (6) 와 기판 (W) 의 상면 사이의 공간 (65) 내의 분위기를 주위의 분위기로부터 차단한다. 대향 부재 (6) 는, 차단 부재라고도 한다. 대향 부재 (6) 와 유지 유닛 (24) 은, 자력에 의해 서로 걸어 맞춤 가능하다. 대향 부재 (6) 는, 유지 유닛 (24) 과 걸어 맞춤된 상태에서, 유지 유닛 (24) 과 일체 회전 가능하다.
지지 부재 (7) 는, 대향 부재 (6) 를 하방으로부터 매달아 지지한다. 대향 부재 (6) 와 지지 부재 (7) 는 서로 접리 (接離) 가능하게 구성되어 있다. 승강 유닛 (11) 은, 지지 부재 (7) 에 장착된 지지 아암 (18) 을 승강시키는 것에 의해, 지지 부재 (7) 를 승강시킨다. 승강 유닛 (11) 은, 예를 들어, 볼 나사 기구 (도시 생략) 와, 당해 볼 나사 기구에 구동력을 부여하는 전동 모터 (도시 생략) 를 포함한다.
승강 유닛 (11) 은, 상위치 (후술하는 도 8a 에 나타내는 지지 부재 (7) 의 위치) 와 하위치 (후술하는 도 8c 에 나타내는 지지 부재 (7) 의 위치) 사이의 소정의 높이 위치에 지지 부재 (7) 를 위치시킬 수 있다. 하위치란, 지지 부재 (7) 의 가동 범위에 있어서, 지지 부재 (7) 가 유지 유닛 (24) 의 스핀 베이스 (21) 의 상면에 가장 근접하는 위치이다. 상위치란, 지지 부재 (7) 의 가동 범위에 있어서, 지지 부재 (7) 가 유지 유닛 (24) 의 스핀 베이스 (21) 의 상면으로부터 가장 이간되는 위치이다.
지지 부재 (7) 는, 상위치에 위치하는 상태에서, 대향 부재 (6) 를 매달아 지지하고 있다. 이 상태에서, 대향 부재 (6) 는, 유지 유닛 (24) 으로부터 상방으로 이간되어 있다. 지지 부재 (7) 는, 승강 유닛 (11) 에 의해 승강됨으로써, 상위치와 하위치 사이의 걸어 맞춤 위치 (후술하는 도 8b 에 나타내는 지지 부재 (7) 의 위치) 를 통과한다. 걸어 맞춤 위치란, 대향 부재 (6) 가 하방으로부터 지지 부재 (7) 에 지지되고, 또한, 대향 부재 (6) 와 유지 유닛 (24) 이 서로 걸어 맞춤될 때의 지지 부재 (7) 의 높이 위치이다. 지지 부재 (7) 는, 하위치에 위치하는 상태에서, 유지 유닛 (24) 과 걸어 맞춤된 상태의 대향 부재 (6) 로부터 하방으로 이간되어 있다.
지지 부재 (7) 가 상위치와 걸어 맞춤 위치 사이에서 승강될 때, 대향 부재 (6) 는, 지지 부재 (7) 와 일체적으로 승강한다. 지지 부재 (7) 는, 걸어 맞춤 위치와 하위치 사이의 위치에 위치할 때, 대향 부재 (6) 로부터 하방으로 이간되어 있다. 대향 부재 (6) 는, 지지 부재 (7) 가 걸어 맞춤 위치와 하위치 사이의 위치에 위치할 때, 유지 유닛 (24) 에 걸어 맞춤된 상태로 유지된다.
도 3a 는, 대향 부재 (6) 의 사시도이다. 도 3b 는, 대향 부재 (6) 를 도 3a 와는 다른 각도로부터 본 사시도이다.
도 2, 도 3a 및 도 3b 를 참조하여, 대향 부재 (6) 는, 평면에서 보아 대략 원 형상이다. 회전 축선 (A1) 은, 대향 부재 (6) 의 중심부를 통과하는 연직 축선이기도 하다. 회전 방향 (S) 은, 대향 부재 (6) 의 중심부를 통과하는 연직 축선 주위의 둘레 방향이기도 하다. 대향 부재 (6) 는, 대향부 (60) 와, 환상부 (61) 와, 통상부 (62) 와, 복수의 플랜지부 (63) 를 포함한다. 대향부 (60) 는, 기판 (W) 의 상면에 상방으로부터 대향한다. 대향부 (60) 는, 원판상으로 형성되어 있다. 대향부 (60) 는, 스핀 척 (5) 보다 상방에서 대략 수평으로 배치되어 있다. 대향부 (60) 는, 기판 (W) 의 상면에 대향하는 대향면 (60a) 을 갖는다. 대향면 (60a) 은, 대향부 (60) 의 하면이기도 하다. 환상부 (61) 는, 평면에서 보아 기판 (W) 을 둘러싸고 있다. 환상부 (61) 는, 대향부 (60) 의 주연부로부터 하방으로 연장된다. 환상부 (61) 의 내주면은, 하방을 향함에 따라 회전 반경 방향의 외방을 향하도록 만곡되어 있다. 환상부 (61) 의 외주면은, 연직 방향을 따라 연장되어 있다.
통상부 (62) 는, 대향부 (60) 의 상면 (60b) 에 고정되어 있다. 복수의 플랜지부 (63) 는, 통상부 (62) 의 둘레 방향 (회전 방향 (S)) 에 서로 간격을 두고, 통상부 (62) 의 상단에 배치되어 있다. 각 플랜지부 (63) 는, 통상부 (62) 의 상단으로부터 수평으로 연장되어 있다.
복수의 피검출부 (15)(검출 대상부) 는, 대향부 (60) 의 상면 (60b) 에 형성되어 있다. 대향부 (60) 의 상면 (60b) 은, 대향 부재 (6) 의 상면이기도 하다. 각 피검출부 (15) 는, 대향부 (60) 의 상면 (60b) 으로부터 상방으로 돌출되는 복수의 돌기 (15A, 15B) 이다.
복수의 돌기 (15A, 15B) 는, 대향부 (60) 의 상면 (60b) 으로부터의 높이가 서로 상이한 제 1 돌기 (15A) 및 제 2 돌기 (15B) 를 포함한다. 구체적으로는, 대향부 (60) 의 상면 (60b) 으로부터 제 1 돌기 (15A) 의 상단까지의 높이 (제 1 높이 (D1)) 는, 대향부 (60) 의 상면 (60b) 으로부터 제 2 돌기 (15B) 의 상단까지의 높이 (제 2 높이 (D2)) 보다 높다. 제 1 돌기 (15A) 및 제 2 돌기 (15B) 의 각각은, 예를 들어, 대향부 (60) 의 상면 (60b) 에 형성된 나사공 (60d) 에 나사 결합된 나사이다 (후술하는 도 5 참조). 그 때문에, 제 1 높이 (D1) 및 제 2 높이 (D2) 는, 적절히 조정할 수 있다.
제 1 돌기 (15A) 는, 1 쌍 형성되어 있고, 제 2 돌기 (15B) 는, 1 쌍 형성되어 있다. 제 1 돌기 (15A) 및 제 2 돌기 (15B) 에 의해 구성되는 세트가, 평면에서 보아, 회전 축선 (A1) 을 중심으로 하여 점대칭이 되도록 배치되어 있다.
대향부 (60) 의 상면 (60b) 에 있어서 복수의 돌기 (15A, 15B) 가 형성되어 있지 않은 부분을 평탄부 (60c) 라고 한다. 제 1 돌기 (15A) 및 제 2 돌기 (15B) 의 상면 (15a) 은, 대향 부재 (6) 에 있어서 돌기 (15A, 15B) 가 형성되어 있지 않은 부분과 비교하여 광을 반사시키기 쉬운 반사면이다. 또한, 본 실시형태와는 달리, 대향부 (60) 의 상면 (60b) 전체가, 대향부 (60) 에 있어서의 상면 (60b) 이외의 부분보다 광을 반사시키기 쉬운 반사면이어도 된다.
도 2 를 참조하여, 지지 부재 (7) 는, 통상부 (62) 의 상단부와 플랜지부 (63) 를 수용하는 공간 (75) 을 가지고 있다. 지지 부재 (7) 는, 대향 부재 (6) 를 지지하는 대향 부재 지지부 (70) 와, 1 쌍의 검출 유닛 (12) 을 지지하는 검출 유닛 지지부 (71) 와, 노즐 수용 부재 (35) 를 지지하는 노즐 지지부 (72) 를 포함한다. 대향 부재 지지부 (70) 와 검출 유닛 지지부 (71) 와 노즐 지지부 (72) 에 의해 공간 (75) 이 구획되어 있다. 대향 부재 지지부 (70) 는, 지지 부재 (7) 의 하벽을 구성하고 있다. 노즐 지지부 (72) 는, 지지 부재 (7) 의 상벽을 구성하고 있다. 검출 유닛 지지부 (71) 는, 지지 부재 (7) 의 측벽을 구성하고 있다. 노즐 수용 부재 (35) 는, 노즐 지지부 (72) 의 대략 중앙에 장착되어 있다. 노즐 수용 부재 (35) 의 선단 (先端) 은, 노즐 지지부 (72) 보다 하방에 위치하고 있다.
도 4a 및 도 4b 는, 도 2 의 IV-IV 선을 따른 단면도이다. 도 4a 및 도 4b 에서는, 각 노즐 (30, 40, 50) 및 노즐 수용 부재 (35) 의 도시를 생략하고 있다. 도 4a 와 도 4b 에서는, 대향 부재 (6) 의 상대 회전 위치가 상이하다. 대향 부재 (6) 의 상대 회전 위치란, 지지 부재 (7) 에 대한 대향 부재 (6) 의, 회전 방향 (S) 에 있어서의 위치이다.
도 4a 는, 대향 부재 (6) 의 상대 회전 위치가 지지 위치인 상태를 나타내는 도면이다. 지지 위치란, 대향 부재 (6) 가 지지 부재 (7) 에 의해 지지될 수 있는 위치이다. 도 4b 는, 대향 부재 (6) 의 상대 회전 위치가 분리 위치에 있는 상태를 나타내는 도면이다. 분리 위치란, 대향 부재 (6) 가 지지 부재 (7) 로부터 분리될 수 있는 (착탈 가능한) 위치이다.
대향 부재 지지부 (70) 는, 대향 부재 (6) (의 플랜지부 (63)) 를 하방으로부터 지지한다 (도 2 도 참조). 대향 부재 지지부 (70) 의 중앙부에는, 통상부 (62) 가 삽입 통과되는 통상부 삽입 통과공 (70a) 이 형성되어 있다. 대향 부재 지지부 (70) 에는, 통상부 삽입 통과공 (70a) 과 연통하여 통상부 삽입 통과공 (70a) 으로부터 수평으로 연장되는 복수의 플랜지부 삽입 통과공 (70b) 이 형성되어 있다. 복수의 플랜지부 삽입 통과공 (70b) 은, 회전 방향 (S) 에 있어서 서로 간격을 두고 있다. 복수의 플랜지부 삽입 통과공 (70b) 은, 대향 부재 (6) 가 분리 위치에 위치할 때에 평면에서 보아 복수의 플랜지부 (63) 와 겹친다. 상세하게는, 각 플랜지부 삽입 통과공 (70b) 에는, 플랜지부 (63) 가 1 개씩 겹친다. 그 때문에, 대향 부재 (6) 를 지지 부재 (7) 로부터 분리할 수 있다.
각 플랜지부 (63) 에는, 플랜지부 (63) 를 상하 방향으로 관통하는 위치 결정공 (63a) 이 형성되어 있다. 대향 부재 지지부 (70) 에는, 대응하는 플랜지부 (63) 의 위치 결정공 (63a) 에 각각 걸어 맞춤 가능한 복수의 걸어 맞춤 돌기 (70e) 가 형성되어 있다. 각 위치 결정공 (63a) 에 대응하는 걸어 맞춤 돌기 (70e) 가 걸어 맞춤되는 것에 의해, 회전 방향 (S) 에 있어서의 대향 부재 (6) 의 위치가 지지 위치에 위치 결정된다.
각 검출 유닛 (12) 은, 대응하는 피검출부 (15) 의, 당해 검출 유닛 (12) 에 대한 위치를 광학적으로 검출한다. 1 쌍의 검출 유닛 (12) 은, 지지 부재 (7) 에 형성되어 있다. 1 쌍의 검출 유닛 (12) 은, 회전 방향 (S) 으로 서로 간격을 두고 형성되어 있다. 1 쌍의 검출 유닛 (12) 은, 예를 들어, 180°간격으로 배치되어 있다. 1 쌍의 검출 유닛 (12) 은, 검출 유닛 지지부 (71) 의 외측면에 (기판 (W) 의 회전 직경 방향의 외방으로부터) 장착되어 있다.
검출 유닛 (12) 은, 서로 측정 레인지가 상이한 1 쌍의 거리 측정 센서 (17) 를 포함한다. 거리 측정 센서 (17) 는, 검출 유닛 (12) 과 피검출부 (15) 사이의 상하 방향에 있어서의 거리를 광학적으로 측정한다. 이에 의해, 거리 측정 센서 (17) 는, 검출 유닛 (12) 에 대한 피검출부 (15) 의 위치를 검출한다. 제 1 돌기 (15A) 및 제 2 돌기 (15B) 의 상면 (15a) 이 반사면이면, 거리 측정 센서 (17) 에 의해, 돌기 (15A, 15B) 를 양호한 감도로 검출할 수 있다 (도 2 도 참조).
각 검출 유닛 (12) 에 있어서의 일방의 거리 측정 센서 (17) 는, 지지 부재 (7) 가 상위치에 위치할 때에, 검출 유닛 (12) 과 피검출부 (15) 의 제 1 돌기 (15A) 사이의 거리를 측정하는 상위치 센서 (17A) 이다. 지지 부재 (7) 가 상위치에 위치할 때의 검출 유닛 (12) 과 제 1 돌기 (15A) (의 상면 (15a)) 사이의 상하 방향에 있어서의 거리를 제 1 거리 (L1) 라고 한다 (후술하는 도 8a 를 참조).
각 검출 유닛 (12) 에 있어서의 타방의 거리 측정 센서 (17) 는, 지지 부재 (7) 가 하위치에 위치할 때에 검출 유닛 (12) 과 피검출부 (15) 의 제 2 돌기 (15B) 사이의 거리를 측정하는 하위치 센서 (17B) 이다. 지지 부재 (7) 가 하위치에 위치할 때의 검출 유닛 (12) 과 제 2 돌기 (15B) (의 상면 (15a)) 사이의 상하 방향에 있어서의 거리를 제 2 거리 (L2) 라고 한다 (후술하는 도 8c 를 참조).
도 4a 에 나타내는 바와 같이 대향 부재 (6) 의 상대 회전 위치가 지지 위치일 때, 각 검출 유닛 (12) 의 상위치 센서 (17A) 는, 평면에서 보아, 대응하는 제 1 돌기 (15A) 와 겹쳐 있다. 다시 말하면, 각 제 1 돌기 (15A) 와 대응하는 상위치 센서 (17A) 는, 상하로 대향하고 있고, 각 제 1 돌기 (15A) 는, 대응하는 상위치 센서 (17A) 의 바로 아래에 위치한다. 이 상태에서, 각 상위치 센서 (17A) 는, 대응하는 제 1 돌기 (15A) 의 상면 (15a) 과 당해 상위치 센서 (17A) 사이의 거리를 측정 가능하다.
동일하게, 대향 부재 (6) 의 상대 회전 위치가 지지 위치일 때, 각 검출 유닛 (12) 의 하위치 센서 (17B) 는, 평면에서 보아, 대응하는 제 2 돌기 (15B) 와 겹쳐 있다. 다시 말하면, 각 제 2 돌기 (15B) 와 대응하는 하위치 센서 (17B) 는, 상하로 대향하고 있고, 각 제 2 돌기 (15B) 는, 대응하는 하위치 센서 (17B) 의 바로 아래에 위치한다. 이 상태에서, 각 하위치 센서 (17B) 는, 대응하는 제 2 돌기 (15B) 의 상면 (15a) 과 당해 하위치 센서 (17B) 사이의 거리를 측정 가능하다.
한편, 대향 부재 (6) 의 상대 회전 위치가 지지 위치 이외의 위치 (예를 들어 도 4b 에 나타내는 분리 위치) 일 때, 각 검출 유닛 (12) 의 상위치 센서 (17A) 는, 대응하는 제 1 돌기 (15A) 로부터 회전 방향 (S) 으로 어긋나 있다. 또한, 이 때, 각 검출 유닛 (12) 의 하위치 센서 (17B) 는, 대응하는 제 2 돌기 (15B) 로부터 회전 방향 (S) 으로 어긋나 있다. 따라서, 상위치 센서 (17A) 는, 대응하는 제 1 돌기 (15A) 의 상단면과 당해 상위치 센서 (17A) 사이의 거리를 측정할 수 없다. 또한, 하위치 센서 (17B) 는, 대응하는 제 2 돌기 (15B) 의 상면 (15a) 과 당해 하위치 센서 (17B) 사이의 거리를 측정할 수 없다. 그 대신에, 대향 부재 (6) 의 상대 회전 위치가 지지 위치 이외의 위치일 때, 각 검출 유닛 (12) 은, 대향부 (60) 의 상면 (60b) 에 있어서 돌기 (15A, 15B) 가 형성되어 있지 않은 부분 (평탄부 (60c)) 과, 검출 유닛 (12) 사이의 거리를 측정할 수 있다.
도 2 를 참조하여, 대향 부재 (6) 는, 복수의 제 1 걸어 맞춤부 (81) 를 포함한다. 제 1 걸어 맞춤부 (81) 는, 대향부 (60) 의 대향면 (60a) 으로부터 하방으로 연장되어 있다. 유지 유닛 (24) 은, 복수의 제 1 걸어 맞춤부 (81) 와 요철 걸어 맞춤 가능한 복수의 제 2 걸어 맞춤부 (85) 를 포함한다. 복수의 제 2 걸어 맞춤부 (85) 는, 스핀 베이스 (21) 의 상면의 주연부로부터 상방으로 연장되어 있다.
도 5 는, 대향 부재 (6) 에 형성된 제 1 걸어 맞춤부 (81) 의 주변의 단면도이다. 도 5 에서는, 대향 부재 (6) 와 유지 유닛 (24) 의 걸어 맞춤이 해제된 상태를 나타내고 있다. 각 제 1 걸어 맞춤부 (81) 는, PEEK (폴리에테르에테르케톤) 수지 등의 수지에 의해 형성된 본체부 (82) 와, 영구 자석 (83) 을 포함한다. 본체부 (82) 는, 그 일부가 대향부 (60) 에 매립되어 고정되어 있고, 나머지 부분이 대향부 (60) 의 대향면 (60a) 으로부터 하방으로 돌출되어 있다. 본체부 (82) 의 하단부에는, 오목부 (81a) 가 형성되어 있다.
각 제 2 걸어 맞춤부 (85) 는, 예를 들어, 금속제이다. 본체부 (86) 는, 일부가 스핀 베이스 (21) 에 매립되어 고정되어 있고, 나머지 부분이 스핀 베이스 (21) 의 상면으로부터 상방으로 돌출되어 있다. 제 2 걸어 맞춤부 (85) 의 상단부에는, 볼록부 (85a) 가 형성되어 있다. 오목부 (81a) 와 볼록부 (85a) 가 끼워 맞춤되고, 또한, 각 제 1 걸어 맞춤부 (81) 의 영구 자석 (83) 과 대응하는 제 2 걸어 맞춤부 (85) 가 서로 끌어당기는 것에 의해, 대향 부재 (6) 와 유지 유닛 (24) 이 서로 걸어 맞춤된다 (도 2 참조).
도 6 은, 기판 처리 장치 (1) 의 주요부의 전기적 구성을 설명하기 위한 블록도이다. 컨트롤러 (3) 는, 마이크로 컴퓨터를 구비하고 있고, 소정의 제어 프로그램에 따라, 기판 처리 장치 (1) 에 구비된 제어 대상을 제어한다. 보다 구체적으로는, 컨트롤러 (3) 는, 프로세서 (CPU) (3A) 와, 제어 프로그램이 격납된 메모리 (3B) 를 포함하고, 프로세서 (3A) 가 제어 프로그램을 실행함으로써, 기판 처리를 위한 다양한 제어를 실행하도록 구성되어 있다. 특히, 컨트롤러 (3) 는, 반송 로봇 (IR, CR), 전동 모터 (23), 승강 유닛 (11), 센서 (17A, 17B) 및 밸브류 (32, 42, 52) 등의 동작을 제어한다.
도 7 은, 기판 처리 장치 (1) 에 의한 기판 처리의 일례를 설명하기 위한 흐름도이고, 주로, 컨트롤러 (3) 가 동작 프로그램을 실행함으로써 실현되는 처리가 나타나 있다. 도 8a ∼ 도 8f 는, 기판 처리를 설명하기 위한 도해적인 단면도이다.
먼저, 처리 유닛 (2) 에 기판 (W) 이 반입되기 전에, 지지 부재 (7) 에 대향 부재 (6) 를 지지시킨다 (지지 공정). 그리고, 대향 부재 (6) 와 유지 유닛 (24) 이 걸어 맞춤 가능해지도록, 회전 방향 (S) 에 있어서의 대향 부재 (6) 와 유지 유닛 (24) 의 상대 위치가 조정된다 (스텝 S0 : 걸어 맞춤 위치 조정 공정). 상세하게는, 평면에서 보아, 대향 부재 (6) 의 제 1 걸어 맞춤부 (81) 와 유지 유닛 (24) 의 제 2 걸어 맞춤부 (85) 가 겹치도록, 회전 방향 (S) 에 있어서의 유지 유닛 (24) 의 위치를 전동 모터 (23) 가 조정한다 (도 2 도 참조).
그리고, 도 1 도 참조하여, 기판 처리 장치 (1) 에 의한 기판 처리에서는, 기판 (W) 이, 반송 로봇 (IR, CR) 에 의해 캐리어 (C) 로부터 처리 유닛 (2) 에 반입되고, 스핀 척 (5) 에 전달된다 (스텝 S1 ; 기판 반입). 이 후, 기판 (W) 은, 반송 로봇 (CR) 에 의해 반출될 때까지 동안, 척 핀 (20) 에 의해, 스핀 베이스 (21) 의 상면으로부터 상방으로 간격을 두고 수평으로 유지된다 (기판 유지 공정).
그리고, 도 8a 에 나타내는 바와 같이, 각 검출 유닛 (12) 의 상위치 센서 (17A) 가, 제 1 거리 (L1) 를 측정한다 (스텝 S2 ; 제 1 거리 측정 공정). 컨트롤러 (3) 는, 제 1 거리 (L1) 가 미리 정해진 제 1 기준 거리와 일치하고 있는 것을 확인한다. 이에 의해, 상위치에 위치하는 지지 부재 (7) 에 의해, 대향 부재 (6) 가 지지되어 것이 확인된다. 만일, 제 1 거리 (L1) 가 제 1 기준 거리와 상이한 경우나, 제 1 거리 (L1) 와 제 1 기준 거리의 어긋남이 큰 경우에는, 컨트롤러 (3) 가 기판 처리를 중지해도 된다. 그리고, 승강 유닛 (11) 이, 상위치에 위치하는 지지 부재 (7) 를 하위치를 향하여 하강시킨다 (스텝 S3 ; 하강 공정).
그러면, 도 8b 에 나타내는 바와 같이, 지지 부재 (7) 는, 하위치로 이동하기 전에 걸어 맞춤 위치를 통과한다. 지지 부재 (7) 가 걸어 맞춤 위치에 이르면, 대향 부재 (6) 와 유지 유닛 (24) 이 자력에 의해 서로 걸어 맞춤된다. 상세하게는, 대향 부재 (6) 의 제 1 걸어 맞춤부 (81) 와 유지 유닛 (24) 의 제 2 걸어 맞춤부 (85) 가, 자력에 의해 서로 끌어당겨진 상태로 서로 요철 걸어 맞춤된다. 이에 의해, 높이 위치가 고정된 유지 유닛 (24) 에 의해 대향 부재 (6) 가 하방으로부터 지지된다. 그 때문에, 지지 부재 (7) 가 걸어 맞춤 위치로부터 더욱 하방으로 하강하면, 대향 부재 (6) 는, 지지 부재 (7) 에 의한 지지로부터 해방된다. 상세하게는, 지지 부재 (7) 의 대향 부재 지지부 (70) 가 대향 부재 (6) 의 플랜지부 (63) 로부터 하방으로 퇴피한다. 그리고, 도 8c 에 나타내는 바와 같이, 지지 부재 (7) 는, 하위치에 이른다.
지지 부재 (7) 가 하위치에 이르면, 각 검출 유닛 (12) 의 하위치 센서 (17B) 가 제 2 거리 (L2) 를 측정한다 (스텝 S4 ; 제 2 거리 측정 공정). 그리고, 컨트롤러 (3) 는, 제 2 거리 (L2) 가 미리 정해진 제 2 기준 거리와 일치하고 있는 것을 확인한다. 이에 의해, 대향 부재 (6) 가 유지 유닛 (24) 과 걸어 맞춤되어 적절한 높이 위치에 위치하고 있는 것이 확인된다. 만일, 제 2 거리 (L2) 가 제 2 기준 거리와 상이한 경우나, 제 2 거리 (L2) 와 제 2 기준 거리의 어긋남이 큰 경우에는, 컨트롤러 (3) 가 기판 처리를 중지해도 된다.
대향 부재 (6) 와 유지 유닛 (24) 이 서로 걸어 맞춤된 상태에서, 대향 부재 (6) 와 기판 (W) 의 상면 사이의 공간 (65) 내의 분위기는, 주위의 분위기로부터 차단되어 있다. 이 상태에서, 기체 밸브 (52) 가 열린다. 이에 의해, 도 8d 에 나타내는 바와 같이, 공간 (65) 으로의 질소 가스 (N2 가스) 의 공급이 개시된다 (스텝 S5 ; 기체 공급 공정).
대향 부재 (6) 와 유지 유닛 (24) 은, 서로 걸어 맞춤되어 있기 때문에, 일체 회전 가능하다. 전동 모터 (23) 가 유지 유닛 (24) 의 회전을 개시시킴으로써, 대향 부재 (6) 의 회전이 개시된다 (스텝 S6 ; 회전 공정). 한편, 지지 부재 (7) 는, 유지 유닛 (24) 및 대향 부재 (6) 의 양방으로부터 이간되어 있기 때문에, 회전하지 않는다. 그 때문에, 회전 공정 중, 대향 부재 (6) 는, 지지 부재 (7) 에 대하여 상대 회전한다.
이 기판 처리의 일례에서는, 대향 부재 (6) 의 회전보다 질소 가스의 공급이 먼저 개시되었지만, 이 기판 처리와는 달리, 질소 가스의 공급보다 대향 부재 (6) 의 회전이 먼저 개시되어도 된다.
그리고, 회전 공정의 개시 후에, 1 쌍의 검출 유닛 (12) 의 하위치 센서 (17B) 가, 검출 유닛 (12) 에 대한 피검출부 (15) 의 위치의 검출을 개시한다. 대향부 (60) 의 평탄부 (60c) 가 하위치 센서 (17B) 의 바로 아래를 통과할 때에는, 하위치 센서 (17B) 가, 검출 유닛 (12) 과 대향부 (60) 의 평탄부 (60c) 의 거리를 측정한다. 복수의 돌기 (15A, 15B) 가 하위치 센서 (17B) 의 바로 아래를 통과할 때에는, 하위치 센서 (17B) 가, 검출 유닛 (12) 과 피검출부 (15) 사이의 거리를 측정한다. 따라서, 복수의 돌기 (15A, 15B) 가 하위치 센서 (17B) 의 바로 아래를 통과할 때에는, 측정 결과가 크게 변화한다. 이에 의해, 하위치 센서 (17B) 는, 피검출부 (15) 사이의 거리 (각도) 를 검출함과 동시에, 대향부 (60) 의 상면으로부터 피검출부 (15) 의 상단까지의 거리 (돌기 (15A, 15B) 의 높이 (D1, D2)) 를 측정할 수 있다. 회전 방향 (S) 에 있어서 피검출부 (15) 가 검출된 타이밍과, 대향 부재 (6) 의 회전 속도에 기초하여, 대향 부재 (6) 의 상면과 검출 유닛 (12) 사이의 거리 (회전 각도) 를 감시할 수 있다.
이와 같이, 대향 부재 (6) 의 회전 중에, 하위치 센서 (17B) 가 대향 부재 (6) 의 대향부 (60) 의 상면 (60b) 과 검출 유닛 (12) 사이의 거리를 계속 측정하는 것에 의해, 회전 방향 (S) 에 있어서의 피검출부 (15) 사이의 거리와, 대향부 (60) 의 평탄부 (60c) 로부터 피검출부 (15) 의 상단 (상면 (15a)) 까지의 거리가 감시된다 (스텝 S7 ; 감시 공정). 또한, 감시 공정에서는, 검출 유닛 (12) 과 피검출부 (15) 사이의 거리가 하위치 센서 (17B) 에 의해 측정되기 때문에, 검출 유닛 (12) 과 피검출부 (15) 사이의 거리를 감시할 수도 있다.
그리고, 도 8e 에 나타내는 바와 같이, 기판 (W) 의 상면이 처리액으로 세정 (처리) 된다 (스텝 S8 ; 기판 세정 공정). 상세하게는, 질소 가스 등의 기체가 공간 (65) 에 충만한 상태에서, 약액 밸브 (32) 가 열린다. 이에 의해, 약액 노즐 (30) 로부터 기판 (W) 의 상면으로의 약액 (예를 들어 불산) 의 공급이 개시된다 (약액 공급 공정). 공급된 약액은 원심력에 의해 기판 (W) 의 상면의 전체에 확산된다. 이에 의해, 기판 (W) 의 상면이 약액에 의해 처리 (세정) 된다.
그리고, 기판 (W) 의 상면이 약액에 의해 일정 시간 처리된 후, 약액 밸브 (32) 가 닫힌다. 그 대신에, 린스액 밸브 (42) 가 열린다. 이에 의해, 린스액 노즐 (40) 로부터 기판 (W) 의 상면으로의 린스액 (예를 들어 DIW) 의 공급이 개시된다 (린스액 공급 공정). 공급된 린스액은 원심력에 의해 기판 (W) 의 상면의 전체에 확산된다. 이에 의해, 기판 (W) 의 상면에 부착된 약액이 씻겨 나간다. 약액 공급 공정 및 린스액 공급 공정에서는, 전동 모터 (23) 가, 저속도 (예를 들어 800 rpm) 로 기판 (W) 을 회전시킨다. 약액 공급 공정 및 린스액 공급 공정은, 처리액으로 기판 (W) 의 상면을 처리하는 처리액 공급 공정에 포함된다.
그 후, 린스액 밸브 (42) 가 닫힌다. 그리고, 도 8f 에 나타내는 바와 같이, 전동 모터 (23) 가, 고속도 (예를 들어 3000 rpm) 로 기판 (W) 을 회전시킨다. 이에 의해, 큰 원심력이 기판 (W) 상의 린스액에 작용하기 때문에, 기판 (W) 상의 린스액이 기판 (W) 의 주위로 뿌려진다. 이와 같이 하여, 기판 (W) 으로부터 유기 용제가 제거되어, 기판 (W) 이 건조된다 (스텝 S9 ; 기판 건조 공정).
그리고, 기판 (W) 의 고속 회전이 개시된 후 소정 시간이 경과하면, 1 쌍의 검출 유닛 (12) 의 하위치 센서 (17B) 에 의한 피검출부 (15) 의 검출이 종료된다 (스텝 S10). 또한, 전동 모터 (23) 가, 유지 유닛 (24) 에 의한 기판 (W) 의 회전을 정지시킨다 (스텝 S11). 또한, 기체 밸브 (52) 가 닫혀, 기체 노즐 (50) 로부터의 기체의 공급이 정지된다 (스텝 S12).
그리고, 대향 부재 (6) 의 상대 회전 위치가 지지 위치 (도 4a 에 나타내는 위치) 가 되도록, 각 검출 유닛 (12) 의 하위치 센서 (17B) 로 피검출부 (15) 를 검출하면서, 대향 부재 (6) 의 상대 회전 위치가 조정된다 (스텝 S13 ; 회전 조정 공정). 다시 말하면, 회전 조정 공정에서는, 대향 부재 (6) 의 상대 회전 위치가 소정의 상대 회전 위치 (도 4b 에 나타내는 분리 위치) 가 되지 않도록 대향 부재 (6) 의 상대 회전 위치가 조정된다. 상세하게는, 평면에서 보아, 각 검출 유닛 (12) 의 하위치 센서 (17B) 가 대응하는 돌기 (15A, 15B) 와 겹치도록, 회전 방향 (S) 에 있어서의 유지 유닛 (24) 의 위치를 전동 모터 (23) 가 조정한다.
그리고, 도 8c 를 참조하여, 각 검출 유닛 (12) 의 하위치 센서 (17B) 가 제 2 거리 (L2) 를 다시 측정한다 (스텝 S14 ; 제 2 거리 측정 공정). 스텝 S4 의 제 2 거리 측정 공정과 동일하게, 제 2 거리 (L2) 가 제 2 기준 거리와 상이한 경우나, 제 2 거리 (L2) 와 제 2 기준 거리의 어긋남이 큰 경우에는, 컨트롤러 (3) 가 기판 처리를 중지해도 된다. 그리고, 승강 유닛 (11) 이, 하위치에 위치하는 지지 부재 (7) 를 상위치를 향하여 상승시킨다 (스텝 S15 ; 상승 공정).
그러면, 도 8b 를 참조하여, 지지 부재 (7) 는, 상위치에 이르기 전에 걸어 맞춤 위치를 통과한다. 지지 부재 (7) 가 걸어 맞춤 위치에 이르면, 지지 부재 (7) 가 대향 부재 (6) 를 하방으로부터 지지한다. 지지 부재 (7) 는, 걸어 맞춤 위치로부터 더욱 상방으로 상승하면, 대향 부재 (6) 와 유지 유닛 (24) 사이에 작용하는 자력에 반대하여 대향 부재 (6) 를 들어 올린다. 이에 의해, 대향 부재 (6) 의 제 1 걸어 맞춤부 (81) 와 유지 유닛 (24) 의 제 2 걸어 맞춤부 (85) 의 요철 걸어 맞춤이 해제된다. 이에 의해, 대향 부재 (6) 가 유지 유닛 (24) (의 제 2 걸어 맞춤부 (85)) 로부터 상방으로 이간된다. 그리고, 도 8a 를 참조하여, 지지 부재 (7) 는, 상위치에 이른다. 지지 부재 (7) 가 상위치에 이르면, 각 검출 유닛 (12) 의 상위치 센서 (17A) 가, 제 1 거리 (L1) 를 다시 측정한다 (스텝 S16 ; 제 1 거리 측정 공정). 스텝 S2 의 제 1 거리 측정 공정과 동일하게, 제 1 거리 (L1) 가 제 1 기준 거리와 상이한 경우나, 제 1 거리 (L1) 와 제 1 기준 거리의 어긋남이 큰 경우에는, 컨트롤러 (3) 가 기판 처리를 중지해도 된다.
그 후, 반송 로봇 (CR) 이, 처리 유닛 (2) 에 진입하여, 스핀 척 (5) 으로부터 처리가 완료된 기판 (W) 을 건져 올려, 처리 유닛 (2) 밖으로 반출한다 (스텝 S17 ; 기판 반출). 그 기판 (W) 은, 반송 로봇 (CR) 으로부터 반송 로봇 (IR) 으로 전달되고, 반송 로봇 (IR) 에 의해, 캐리어 (C) 에 수납된다.
다음으로, 본 실시형태의 기판 처리의 하강 공정 (도 7 의 스텝 S3) 의 상세한 것에 대하여 설명한다. 도 9a 는, 하강 공정에 있어서의 지지 부재 (7) 의 높이 위치와 대향 부재 (6) 의 하강 속도의 관계를 나타낸 그래프이다. 도 9a 에서는, 가로축을 지지 부재 (7) 의 높이 위치로 하고, 세로축을 지지 부재 (7) 의 하강 속도로 하고 있다. 또한, 가로축은, 상위치를 원점 (가로축의 좌단) 으로 하고 있고, 하위치에 가까워질수록 원점으로부터 멀어지도록 도시되어 있다.
도 9a 에 나타내는 바와 같이, 하강 공정에서는, 고속 하강 공정과 저속 하강 공정이 실행된다. 상세하게는, 하강 공정에서는, 먼저, 승강 유닛 (11) 이 상위치에 위치하는 지지 부재 (7) 의 하강을 개시시킨다. 그리고, 승강 유닛 (11) 은, 지지 부재 (7) 의 하강 속도가 제 1 속도 (V1) 가 될 때까지 지지 부재 (7) 를 가속시킨다. 승강 유닛 (11) 은, 지지 부재 (7) 의 속도가 제 1 속도 (V1) 에 이르면, 지지 부재 (7) 를 일정한 속도 (제 1 속도 (V1)) 로 하강시킨다. 그 후, 승강 유닛 (11) 은, 지지 부재 (7) 의 하강을 감속시킨다. 이에 의해, 상위치와 걸어 맞춤 위치 사이의 소정의 중간 위치에 지지 부재 (7) 가 이르렀을 때에, 지지 부재 (7) 의 속도가, 제 2 속도 (V2) 가 된다. 제 2 속도 (V2) 는, 제 1 속도 (V1) 보다 낮다.
그 후, 승강 유닛 (11) 은, 지지 부재 (7) 를 일정한 속도 (제 2 속도 (V2)) 로 하강시킨다 (등속 하강 공정). 지지 부재 (7) 는, 일정한 속도로 하강하면서 걸어 맞춤 위치를 통과한다. 그 후, 지지 부재 (7) 는, 감속되어, 하위치에서 정지된다.
여기서, 소정의 중간 위치란, 이 실시형태에서는, 자력 한계 위치이다. 자력 한계 위치란, 대향 부재 (6) 에 형성된 제 1 걸어 맞춤부 (81) 와 유지 유닛 (24) 에 형성된 제 2 걸어 맞춤부 (85) 사이의 거리가 자력 한계 거리일 때의 지지 부재 (7) 의 위치이다. 자력 한계 거리란, 제 1 걸어 맞춤부 (81) 및 제 2 걸어 맞춤부 (85) 에 자력이 작용하는 한계의 거리이다. 지지 부재 (7) 가 중간 위치 (자력 한계 위치) 와 걸어 맞춤 위치 사이에 위치할 때에 대향 부재 (6) 에 자력이 작용한다. 자력 한계 위치와 하위치 사이의 거리는, 예를 들어, 11 ㎜ 이고, 자력 한계 위치와 상위치 사이의 거리는, 예를 들어, 6.7 ㎜ 이다.
이와 같이, 하강 공정에서는, 상위치로부터 중간 위치로 지지 부재 (7) 가 비교적 고속도로 하강하는 고속 하강 공정과, 중간 위치로부터 하위치 (걸어 맞춤 위치) 로 지지 부재 (7) 가 비교적 저속도로 하강하는 저속 하강 공정이 실행된다. 그리고, 저속 하강 공정에서는, 지지 부재 (7) 를 일정한 속도 (제 2 속도 (V2)) 로 하강시키는 등속 하강 공정이 실행된다.
또한, 하강 개시 직후에 있어서의 지지 부재 (7) 의 속도는, 제 2 속도 (V2) 보다 낮지만, 고속 하강 공정에 있어서의 지지 부재 (7) 의 평균 속도는, 저속 하강 공정에 있어서의 지지 부재 (7) 의 평균 속도보다 높다. 그 때문에, 상위치와 중간 위치 사이에서는, 지지 부재 (7) 가 비교적 고속도로 하강하고 있다고 할 수 있고, 중간 위치와 하위치 사이에서는, 지지 부재 (7) 가 비교적 저속도로 하강하고 있다고 할 수 있다.
다음으로, 본 실시형태의 기판 처리의 상승 공정 (도 7 의 스텝 S15) 의 상세한 것에 대하여 설명한다. 도 9b 는, 상승 공정에 있어서의 지지 부재 (7) 의 높이 위치와 대향 부재 (6) 의 상승 속도의 관계를 나타낸 그래프이다. 도 9b 에서는, 가로축을 지지 부재 (7) 의 높이 위치로 하고, 세로축을 지지 부재 (7) 의 상승 속도로 하고 있다. 또한, 가로축은, 하위치를 원점 (가로축의 좌단) 으로 하고 있고, 상위치에 가까워질수록 원점으로부터 멀어지도록 도시되어 있다.
도 9b 에 나타내는 바와 같이, 상승 공정에서는, 저속 상승 공정과 고속 상승 공정이 실행된다. 상세하게는, 상승 공정에서는, 먼저, 승강 유닛 (11) 이 하위치에 위치하는 지지 부재 (7) 의 상승을 개시시킨다. 그리고, 승강 유닛 (11) 은, 지지 부재 (7) 의 상승 속도가 제 2 속도 (V2) 가 될 때까지 지지 부재 (7) 를 가속시킨다. 승강 유닛 (11) 은, 지지 부재 (7) 의 속도가 제 2 속도 (V2) 에 이른 후에는, 지지 부재 (7) 를 일정한 속도 (제 2 속도 (V2)) 로 상승시킨다 (등속 상승 공정). 지지 부재 (7) 는, 일정한 속도로 상승하면서 걸어 맞춤 위치를 통과한다. 그리고, 지지 부재 (7) 가 소정의 중간 위치에 이르면, 승강 유닛 (11) 은, 지지 부재 (7) 를 가속시킨다. 승강 유닛 (11) 은, 지지 부재 (7) 의 속도가 제 1 속도 (V1) 에 이르면, 지지 부재 (7) 를 일정한 속도 (제 1 속도 (V1)) 로 상승시킨다. 그 후, 지지 부재 (7) 는, 감속되어, 상위치에서 정지된다.
이와 같이, 상승 공정에서는, 하위치 (걸어 맞춤 위치) 로부터 중간 위치로, 지지 부재 (7) 가 비교적 저속도로 상승하는 저속 상승 공정과, 중간 위치로부터 상위치로, 지지 부재 (7) 가 비교적 고속도로 상승하는 고속 상승 공정이 실행된다. 그리고, 저속 상승 공정에서는, 지지 부재 (7) 를 일정한 속도 (제 2 속도 (V2)) 로 상승시키는 등속 상승 공정이 실행된다.
또한, 고속 상승 공정 종료 직전에 있어서의 지지 부재 (7) 의 속도는, 제 2 속도 (V2) 보다 낮지만, 고속 상승 공정에 있어서의 지지 부재 (7) 의 평균 속도는, 저속 상승 공정에 있어서의 지지 부재 (7) 의 평균 속도보다 높다. 그 때문에, 하위치와 중간 위치 사이에서는, 지지 부재 (7) 가 비교적 저속도로 상승하고 있다고 할 수 있고, 중간 위치와 상위치 사이에서는, 지지 부재 (7) 가 비교적 고속도로 상승하고 있다고 할 수 있다.
다음으로, 본 실시형태의 기판 처리의 감시 공정 (도 7 의 스텝 S7) 의 상세에 대하여 설명한다. 감시 공정에서는, 전술한 바와 같이, 1 쌍의 검출 유닛 (12) 에 의해, 회전 방향 (S) 에 있어서의 피검출부 (15) 사이의 거리 (돌기 (15A, 15B) 사이의 거리) 와, 대향부 (60) 의 상면으로부터 피검출부 (15) 의 상단까지의 거리가 감시된다. 본 실시형태에서는, 어느 검출 유닛 (12) 에 있어서도, 동일한 측정을 실시하고 있는 것으로 한다. 그 때문에, 이하에서는, 1 쌍의 검출 유닛 (12) 중 일방의 검출 유닛 (12) 에 의한 감시에 대하여 설명한다.
도 10 은, 회전 중의 대향 부재 (6) 의 회전 각도와 대향 부재 (6) 부터 측정 대상까지의 거리의 관계를 나타낸 그래프이다. 도 10 에서는, 가로축이 대향 부재 (6) 의 회전 각도이고, 세로축이 하위치 센서 (17B) 에 의한 측정의 결과이다. 세로축에서는, 하위치 센서 (17B) 부터 측정 대상까지의 거리로부터, 검출 유닛 (12) 과 대향 부재 (6) 의 대향부 (60) 의 상면 사이의 거리를 뺀 거리를 하위치 센서 (17B) 에 의한 측정 결과로 하고 있다. 즉, 대향 부재 (6) 의 대향부 (60) 의 상면으로부터 측정 대상까지의 거리를 하위치 센서 (17B) 에 의한 측정 결과로 하고 있다. 대향 부재 (6) 의 상면으로부터 측정 대상까지의 거리를 측정 거리 (d) 라고 한다. 가로축에서는, 회전 중의 대향 부재 (6) 의 소정의 자세를 0°로 하고, 그 자세로부터 대향 부재 (6) 가 회전 방향 (S) 으로 일주 회전했을 때의 자세를 360°로 하고 있다.
제 1 돌기 (15A) 와 당해 제 1 돌기 (15A) 에 근접하는 쪽 (회전 방향 (S) 에 있어서 비교적 근접한 쪽) 의 제 2 돌기 (15B) 사이의 각도를 측정한 결과를 제 1 측정 각도 (θ) 라고 한다. 제 1 돌기 (15A) 와 당해 제 1 돌기 (15A) 에 근접하지 않는 쪽 (회전 방향 (S) 에 있어서 비교적 이간된 쪽) 의 제 2 돌기 (15B) 사이의 각도를 측정한 결과를 제 2 측정 각도 (ω) 라고 한다.
대향 부재 (6) 가 변형되어 있는 경우 (예를 들어, 대향 부재 (6) 의 상면 (60b) 에 기복이 발생해 있는 경우) 나, 대향 부재 (6) 의 회전 중에 진동이 발생하고 있는 경우에는, 측정 거리 (d), 제 1 측정 각도 (θ) 및 제 2 측정 각도 (ω) 가 변화한다.
그래서, 컨트롤러 (3) 에는, 대향 부재 (6) 가 변형되어 있지 않은 상태에 있어서의 측정 거리 (d), 제 1 측정 각도 (θ) 및 제 2 측정 각도 (ω) 를 미리 기억시키고 있다. 대향 부재 (6) 가 변형되어 있지 않은 상태란, 기판 처리 장치 (1) 에서의 사용을 개시하기 전의 상태로부터 대향 부재 (6) 가 변형되어 있지 않은 것이다. 사용을 개시하기 전의 상태로부터 대향 부재 (6) 가 변형되어 있지 않은 상태를 초기 상태라고 한다.
초기 상태에 있어서의 제 1 측정 각도 (θ) 를 각도 (θ1) 라고 하고, 초기 상태에 있어서의 제 2 측정 각도 (ω) 를 각도 (ω1) 라고 한다. 초기 상태에 있어서, 측정 거리 (d) 는, 돌기 (15A, 15B) 가 하위치 센서 (17B) 의 바로 아래를 통과할 때를 제외하고 0 이라고 한다. 즉, 초기 상태에 있어서, 평탄부 (60c) 가 하위치 센서 (17B) 의 바로 아래를 통과할 때의 측정 거리 (d) 는 0 이라고 한다. 초기 상태에 있어서, 제 1 돌기 (15A) 가 하위치 센서 (17B) 의 바로 아래를 통과할 때의 측정 거리 (d) 를 거리 (d1) 라고 한다. 거리 (d1) 는, 변형되어 있지 않은 상태의 대향 부재 (6) 의 평탄부 (60c) 로부터 제 1 돌기 (15A) 의 상면 (15a) 까지의 제 1 높이 (D1) 와 동등하다. 초기 상태에 있어서, 제 2 돌기 (15B) 가 하위치 센서 (17B) 의 바로 아래를 통과할 때의 측정 거리 (d) 를 거리 (d2) 라고 한다. 거리 (d2) 는, 변형되어 있지 않은 상태의 대향 부재 (6) 의 평탄부 (60c) 로부터 제 2 돌기 (15B) 의 상면 (15a) 까지의 제 2 높이 (D2) 와 동등하다.
감시 공정 중에, 초기 상태에 있어서의 측정 거리 (d), 제 1 측정 각도 (θ) (각도 (θ1)) 및 제 2 측정 각도 (ω) (각도 (ω1)) 로부터의 변화량이 소정의 임계치를 초과하면, 이상이 발생한 것으로 하여 기판 처리를 중지한다. 이 임계치는, 단계적으로 정해져 있어도 된다. 구체적으로는, 임계치는, 변형을 검지한 것을 알리는 알람을 발생하는 제 1 임계치와, 기판 처리를 정지하는 제 2 임계치로 나누어져 있어도 된다.
기판 처리 장치 (1) 에 있어서 사용한 것에 의해, 대향 부재 (6) 가 변형되어 있는 경우에 있어서, 측정 거리 (d), 제 1 측정 각도 (θ) 및 제 2 측정 각도 (ω) 가 어떻게 변화하는지에 대하여 설명한다.
대향 부재 (6) 가 변형함으로써, 도 10 에 2 점 쇄선으로 나타내는 바와 같이, 제 1 돌기 (15A) 나 제 2 돌기 (15B) 의 높이가 변화하는 경우가 있다. 예를 들어, 제 1 돌기 (15A) 가 초기 상태에 있어서의 제 1 돌기 (15A) 의 위치보다 하방에 위치하도록 대향 부재 (6) 가 변형되어 있을 때, 제 1 돌기 (15A) 가 하위치 센서 (17B) 의 바로 아래를 통과할 때의 측정 거리 (d) 는, 거리 (d1) (제 1 높이 (D1)) 보다 작은 거리 (d3) 가 된다. 또한, 제 2 돌기 (15B) 가 초기 상태에 있어서의 제 2 돌기 (15B) 의 위치보다 하방에 위치하도록 대향 부재 (6) 가 변형되어 있을 때, 제 2 돌기 (15B) 가 하위치 센서 (17B) 의 바로 아래를 통과할 때의 측정 거리 (d) 는, 거리 (d2) (제 2 높이 (D2)) 보다 작은 거리 (d4) 가 된다.
도 10 에 나타내는 예와는 달리, 제 1 돌기 (15A) 가 초기 상태에 있어서의 제 1 돌기 (15A) 의 위치보다 상방에 위치하도록 대향 부재 (6) 가 변형되는 것이 상정된다. 이 때, 제 1 돌기 (15A) 가 하위치 센서 (17B) 의 바로 아래를 통과할 때의 측정 거리 (d) 는, 제 1 높이 (D1) 보다 커진다. 동일하게, 도 10 에 나타내는 예와는 달리, 제 2 돌기 (15B) 가 초기 상태에 있어서의 제 2 돌기 (15B) 의 위치보다 상방에 위치하도록 대향 부재 (6) 가 변형되는 것도 상정된다. 이 때, 제 2 돌기 (15B) 가 하위치 센서 (17B) 의 바로 아래를 통과할 때의 측정 거리 (d) 는, 제 2 높이 (D2) 보다 커진다.
또한, 대향 부재 (6) 가 변형됨으로써, 도 10 에 2 점 쇄선에 나타내는 바와 같이, 제 1 돌기 (15A) 와 당해 제 1 돌기 (15A) 에 근접하지 않는 쪽 (회전 방향 (S) 에 있어서 비교적 이간된 쪽) 의 제 2 돌기 (15B) 가 회전 방향 (S) 에 가까워지는 경우가 있다.
제 1 돌기 (15A) 와 당해 제 1 돌기 (15A) 에 근접하지 않는 쪽의 제 2 돌기 (15B) 가 회전 방향 (S) 에 가까워지는 것에 의해, 제 1 측정 각도 (θ) 는 초기 상태에 있어서의 제 1 측정 각도 (각도 (θ1)) 보다 큰 각도 (θ2) 가 되고, 제 2 측정 각도 (ω) 는 초기 상태에 있어서의 제 2 측정 각도 (각도 (ω1)) 보다 작은 각도 (ω2) 가 된다.
또한, 도 10 에 나타내는 예와는 달리, 대향 부재 (6) 가 변형됨으로써, 제 1 돌기 (15A) 와 당해 제 1 돌기 (15A) 에 근접하지 않는 쪽 (회전 방향 (S) 에 있어서 비교적 이간된 쪽) 의 제 2 돌기 (15B) 가 회전 방향 (S) 에 가까워지도록 경사지는 경우가 있다. 이 경우, 제 1 돌기 (15A) 가 하위치 센서 (17B) 의 바로 아래를 통과할 때의 측정 거리 (d) 나 제 2 돌기 (15B) 가 하위치 센서 (17B) 의 바로 아래를 통과할 때의 측정 거리 (d) 가 변화한다. 동시에, 제 1 측정 각도 (θ) 및 제 2 측정 각도 (ω) 도 변화한다.
대향 부재 (6) 가 변형되어 있는 경우, 도 10 에 1 점 쇄선으로 나타내는 바와 같이 대향부 (60) 의 상면 (60b) 의 평탄부 (60c) 에 요철이 발생하는 경우도 있다. 따라서, 평탄부 (60c) 가 하위치 센서 (17B) 의 바로 아래를 통과할 때의 측정 거리 (d) 는, 0 보다 커지거나, 0 보다 작아진다. 평탄부 (60c) 가 하위치 센서 (17B) 의 바로 아래를 통과할 때의 측정 거리 (d) 가 변화함으로써, 대향 부재 (6) 전체의 변형 정도 (기복 정도) 를 확인할 수 있어, 대향 부재 (6) 의 열화 정도 (늘어짐 정도) 를 확인할 수 있다.
이와 같이, 대향 부재 (6) 와 유지 유닛 (24) 이 걸어 맞춤되어 있는 상태에서 검출 유닛 (12) 에 대한 피검출부 (15) 의 위치를 검출 유닛 (12) 에 검출 (감시) 시키는 것에 의해, 대향 부재 (6) 가 변형되어 있는지 여부를 판단할 수 있다.
이 실시형태에서는, 어느 검출 유닛 (12) 에 있어서도, 동일한 측정을 실시하는 것으로 하고 있지만, 각 검출 유닛 (12) 에 의해 상이한 측정을 실시하고 있어도 된다. 즉, 일방의 검출 유닛 (12) 의 하위치 센서 (17B) 가, 그 바로 아래를 평탄부 (60c) 가 통과할 때의 측정 거리 (d) 를 측정하고, 타방의 검출 유닛 (12) 의 하위치 센서 (17B) 가, 그 바로 아래를 피검출부 (15) 가 통과할 때의 측정 거리 (d) 를 측정해도 된다. 이 경우, 타방의 검출 유닛 (12) 의 하위치 센서 (17B) 가, 그 바로 아래를 통과하는 피검출부 (15) 를 검출하고, 제 1 측정 각도 (θ) 및 제 2 측정 각도 (ω) 를 측정한다.
또한, 이 실시형태에서는, 대향 부재 (6) 의 상면으로부터 측정 대상까지의 거리 (측정 거리 (d)) 를, 하위치 센서 (17B) 에 의한 측정 결과로 하였다 (도 10 참조). 그러나, 이 실시형태와는 달리, 도 11 에 나타내는 바와 같이, 하위치 센서 (17B) 로부터 측정 대상까지의 거리를, 하위치 센서 (17B) 에 의한 측정 결과로 해도 된다. 하위치 센서 (17B) 로부터 측정 대상까지의 거리를 측정 거리 (e) 로 한다. 도 11 에는, 초기 상태에 있어서의 측정 결과를 나타내고 있다.
초기 상태에 있어서, 제 1 돌기 (15A) 가 하위치 센서 (17B) 의 바로 아래를 통과할 때의 측정 거리 (e) 를 거리 (e1) 라고 한다. 거리 (e1) 는, 대향 부재 (6) 가 변형되어 있지 않은 상태에 있어서의 제 1 돌기 (15A) 의 상면 (15a) 으로부터 하위치 센서 (17B) 까지의 거리와 동등하다. 초기 상태에 있어서, 제 2 돌기 (15B) 가 하위치 센서 (17B) 의 바로 아래를 통과할 때의 측정 거리 (e) 를 거리 (e2) 라고 한다. 거리 (e2) 는, 대향 부재 (6) 가 변형되어 있지 않은 상태에 있어서의 제 2 돌기 (15B) 의 상면 (15a) 으로부터 하위치 센서 (17B) 까지의 거리와 동등하다. 초기 상태에 있어서, 평탄부 (60c) 가 하위치 센서 (17B) 의 바로 아래를 통과할 때의 측정 거리 (e) 를 거리 (e5) 라고 한다. 거리 (e5) 는, 대향 부재 (6) 가 변형되어 있지 않은 상태에 있어서의 평탄부 (60c) 로부터 하위치 센서 (17B) 까지의 거리와 동등하다. 초기 상태에 있어서, 평탄부 (60c) 가 하위치 센서 (17B) 의 바로 아래를 통과할 때의 측정 거리 (e) 는, 측정 범위 밖이어도 된다.
도 11 에 나타내는 측정 결과는, 대향 부재 (6) 의 변형에서 기인하여, 도 10 에 나타내는 측정 결과와 동일하게 변화한다. 예를 들어, 제 1 돌기 (15A) 가 초기 상태에 있어서의 위치보다 하방에 위치하도록 대향 부재 (6) 가 변형되어 있을 때, 제 1 돌기 (15A) 가 하위치 센서 (17B) 의 바로 아래를 통과할 때의 측정 거리 (e) 는, 거리 (e1) 보다 큰 거리 (e3) 가 된다. 또한, 제 2 돌기 (15B) 가 초기 상태에 있어서의 위치보다 하방에 위치하도록 대향 부재 (6) 가 변형되어 있을 때, 제 2 돌기 (15B) 가 하위치 센서 (17B) 의 바로 아래를 통과할 때의 측정 거리 (e) 는, 거리 (e2) 보다 큰 거리 (e4) 가 된다. 제 1 돌기 (15A) 와 당해 제 1 돌기 (15A) 에 근접하지 않는 쪽의 제 2 돌기 (15B) 가 회전 방향 (S) 에 가까워지는 것에 의해, 제 1 측정 각도 (θ) 는 초기 상태에 있어서의 제 1 측정 각도 (각도 (θ1)) 보다 큰 각도 (θ2) 가 되고, 제 2 측정 각도 (ω) 는 초기 상태에 있어서의 제 2 측정 각도 (각도 (ω1)) 보다 작은 각도 (ω2) 가 된다.
이와 같이, 하위치 센서 (17B) 로부터 측정 대상까지의 거리를 측정 결과로 하는 경우에도 검출 유닛 (12) 에 대한 피검출부 (15) 의 위치를 검출 유닛 (12) 에 검출 (감시) 시키는 것에 의해, 대향 부재 (6) 가 변형되어 있는지 여부를 판단할 수 있다.
본 실시형태에 의하면, 기판 처리 장치 (1) 는, 수평으로 기판 (W) 을 유지하는 유지 유닛 (24) 과, 기판 (W) 의 상면에 상방으로부터 대향하여 유지 유닛 (24) 과 걸어 맞춤 가능한 대향 부재 (6) 와, 대향 부재 (6) 를 지지하는 지지 부재 (7) 와, 상위치와 걸어 맞춤 위치 사이에서 지지 부재 (7) 를 승강시키는 승강 유닛 (11) 과, 지지 부재 (7) 에 형성된 검출 유닛 (12) 을 포함한다. 검출 유닛 (12) 은, 대향 부재 (6) 에 형성된 피검출부 (15) 의 검출 유닛 (12) 에 대한 위치를 검출한다.
이 구성에 의하면, 지지 부재 (7) 는, 대향 부재 (6) 를 지지하는 상위치와, 대향 부재 (6) 와 유지 유닛 (24) 이 서로 걸어 맞춤되는 걸어 맞춤 위치 사이에서 승강한다. 지지 부재 (7) 에는, 대향 부재 (6) 에 형성된 피검출부 (15) 의 위치를 검출하는 검출 유닛 (12) 이 형성되어 있다. 그 때문에, 대향 부재 (6) 와 유지 유닛 (24) 이 서로 걸어 맞춤되어 있는 상태에서, 검출 유닛 (12) 에 대한 피검출부 (15) 의 위치를, 검출 유닛 (12) 에 검출시킬 수 있다. 이에 의해, 대향 부재 (6) 가 적절한 위치에 위치하는지 여부를 판별할 수 있다. 즉, 기판 처리 중에 대향 부재 (6) 가 유지 유닛 (24) 과 적절히 걸어 맞춤되어 있는지 여부를 판단할 수 있다. 또한, 대향 부재 (6) 가 변형되어 있는지 여부를 판단할 수도 있다.
본 실시형태에 의하면, 검출 유닛 (12) 은, 대향 부재 (6) 의 중심부를 통과하는 연직 축선 (회전 축선 (A1)) 주위의 둘레 방향 (회전 방향 (S)) 에 등간격을 두고 1 쌍 형성되어 있다. 그 때문에, 회전 방향 (S) 의 2 개 지점에 있어서 검출 유닛 (12) 에 대한 피검출부 (15) 의 위치를 검출할 수 있다. 따라서, 대향 부재 (6) 가 적절한 위치에 위치하는지 여부를 더욱 정확하게 판별할 수 있다. 이에 의해, 유지 유닛 (24) 에 대하여 대향 부재 (6) 가 비스듬하게 기울어져 있는 상태를 검지할 수 있다. 다시 말하면, 대향 부재 (6) 가 수평의 자세를 유지하고 있는지 여부를 판별할 수 있다.
본 실시형태에 의하면, 검출 유닛 (12) 은, 검출 유닛 (12) 에 대한 피검출부 (15) 의 위치를 광학적으로 검출한다. 피검출부 (15) 는, 대향 부재 (6) 에 있어서의 피검출부 (15) 이외의 부분 (평탄부 (60c)) 과 비교하여 광을 반사시키기 쉬운 반사면 (상면 (15a)) 을 갖는다. 그 때문에, 검출 유닛 (12) 이 피검출부 (15) 의 위치를 검출하는 감도를 향상시킬 수 있다. 따라서, 대향 부재 (6) 가 적절한 위치에 위치하는지 여부를 더욱 정확하게 판별할 수 있다.
본 실시형태에 의하면, 상위치로부터 하위치로 지지 부재 (7) 를 하강시키는 하강 공정과, 하강 공정 후에, 하위치로부터 상위치로 지지 부재 (7) 를 상승시키는 상승 공정이 실행된다.
이 구성에 의하면, 지지 부재 (7) 는, 상위치에 위치할 때에는 대향 부재 (6) 를 지지하고 있고, 하위치에 위치할 때에는 대향 부재 (6) 로부터 하방으로 이간되어 있다. 그 때문에, 하강 공정의 도중에 지지 부재 (7) 가 걸어 맞춤 위치를 통과할 때에, 지지 부재 (7) 로부터 유지 유닛 (24) 에 대향 부재 (6) 를 전달할 수 있다. 그리고, 상승 공정의 도중에 지지 부재 (7) 가 걸어 맞춤 위치를 통과할 때에, 지지 부재 (7) 가 유지 유닛 (24) 으로부터 대향 부재 (6) 를 받을 수 있다. 따라서, 지지 부재 (7) 와 유지 유닛 (24) 사이에서 대향 부재 (6) 가 전달되는 구성에 있어서, 기판 처리 중에 대향 부재 (6) 가 적절한 위치에 위치하는지 여부를 판별할 수 있다.
본 실시형태에 의하면, 검출 유닛 (12) 은, 검출 유닛 (12) 과 피검출부 (15) 사이의 거리를 측정함으로써 검출 유닛 (12) 에 대한 피검출부 (15) 의 위치를 검출하는 거리 측정 센서 (12A, 12B) 를 포함한다. 그리고, 하강 공정의 개시 전에, 검출 유닛 (12) 과 피검출부 (15) 사이의 거리를 검출 유닛 (12) 에 측정시키는 제 1 거리 측정 공정과, 하강 공정의 종료 후에, 검출 유닛 (12) 과 피검출부 (15) 사이의 거리를 검출 유닛 (12) 에 측정시키는 제 2 거리 측정 공정이 실행된다.
그 때문에, 하강 공정의 개시 전의 상태 (상위치에 지지 부재 (7) 가 위치하는 상태) 와, 하강 공정의 종료 후의 상태 (하위치에 지지 부재 (7) 가 위치하는 상태) 에서는, 검출 유닛 (12) 과 피검출부 (15) 사이의 거리가 상이하다. 따라서, 검출 유닛 (12) 과 피검출부 (15) 사이의 거리의 변화량이 적절한지를 기준으로, 대향 부재 (6) 와 유지 유닛 (24) 이 서로 정상적으로 걸어 맞춤되었는지 여부를 판별할 수 있다. 따라서, 기판 처리 중에 대향 부재 (6) 가 적절한 위치에 위치하는지 여부를 더욱 정확하게 판별할 수 있다.
본 실시형태에서는, 피검출부 (15) 는, 대향 부재 (6) 로부터 피검출부 (15) 의 선단부 (상면 (15a)) 까지의 높이 (제 1 높이 (D1) 및 제 2 높이 (D2)) 가 조정 가능하도록 형성되어 있다. 그 때문에, 거리 측정 센서 (17) 의 측정 범위에 맞추어 피검출부 (15) 의 높이를 조정할 수 있다. 따라서, 기판 처리 중에 대향 부재 (6) 가 적절한 위치에 위치하는지 여부를 더욱 정확하게 판별할 수 있다.
본 실시형태에 의하면, 거리 측정 센서 (17) 는, 지지 부재 (7) 가 상위치에 위치할 때에 검출 유닛 (12) 과 피검출부 (15) 사이의 거리를 측정하는 상위치 센서 (17A) 와, 지지 부재 (7) 가 하위치에 위치할 때에 검출 유닛 (12) 과 피검출부 (15) 사이의 거리를 측정하는 하위치 센서 (17B) 를 포함한다.
그 때문에, 지지 부재 (7) 가 상위치에 위치할 때의 검출 유닛 (12) 과 피검출부 (15) 의 거리 (제 1 거리 (L1)) 를 측정하는 데에 적합한 측정 범위를 갖는 센서를 상위치 센서 (17A) 로서 사용할 수 있다. 또한, 지지 부재 (7) 가 하위치에 위치할 때의 검출 유닛 (12) 과 피검출부 (15) 의 거리 (제 2 거리 (L2)) 를 측정하는 데에 적합한 측정 범위를 갖는 센서를 하위치 센서 (17B) 로서 사용할 수 있다. 따라서, 센서의 측정 범위에 의해, 대향 부재 (6) 에 대하여 지지 부재 (7) 가 이간되는 거리가 제한되는 것이 억제된다. 또한, 검출 유닛 (12) 과 피검출부 (15) 의 거리의 검출 정밀도가 저하하는 것이 억제된다. 따라서, 기판 처리 중에 대향 부재 (6) 가 적절한 위치에 위치하는지 여부를 더욱 정확하게 판별할 수 있다.
여기서, 하강 공정이나 상승 공정에서는, 각 공정의 도중에 속도를 변화시키지 않고, 지지 부재 (7) 를 일정한 속도로 하강 또는 상승시키는 것을 생각할 수 있다. 지지 부재 (7) 를 일정한 속도로 하강 또는 상승시키는 경우에 있어서 지지 부재 (7) 의 하강 속도나 상승 속도를 높게 하면, 단위 시간 당에 처리할 수 있는 기판 (W) 의 장 수 (스루풋) 가 향상되는 한편으로, 대향 부재 (6) 가 받는 충격이 증대한다. 이에 의해, 대향 부재 (6) 가 변형되거나 위치가 어긋나는 것에 의해, 대향 부재 (6) 와 유지 유닛 (24) 이 제대로 걸어 맞춤되지 않을 우려가 있다. 반대로, 지지 부재 (7) 를 일정한 속도로 하강 또는 상승시키는 경우에 있어서 지지 부재 (7) 의 하강 속도나 상승 속도를 낮게 하면, 대향 부재 (6) 가 받는 충격이 저감되는 한편으로, 스루풋이 저하할 우려가 있다.
본 실시형태에 의하면, 하강 공정에 있어서, 상위치로부터 중간 위치로 지지 부재 (7) 를 비교적 고속도로 하강시키는 고속 하강 공정과, 중간 위치로부터 걸어 맞춤 위치로 지지 부재 (7) 를 비교적 저속도로 하강시키는 저속 하강 공정이 실행된다. 그 때문에, 걸어 맞춤 위치로부터 상방으로 떨어진 위치에서는, 지지 부재 (7) 는 비교적 고속도로 하강하고, 유지 유닛과 대향 부재가 서로 걸어 맞춤될 때에는, 지지 부재는 비교적 저속도로 하강한다. 그 때문에, 하강 공정을 단시간에 종료시킬 수 있다. 또한, 대향 부재 (6) 와 유지 유닛 (24) 이 서로 걸어 맞춤될 때에 대향 부재 (6) 가 유지 유닛 (24) 으로부터 받는 충격을 저감시킬 수 있다. 따라서, 스루풋을 향상시키면서, 충격에서 기인하는 대향 부재 (6) 의 변형이나 대향 부재 (6) 의 위치 어긋남을 억제할 수 있다.
또한, 저속 하강 공정에서는, 지지 부재 (7) 를 일정한 속도로 하강시키는 것이 바람직하다. 지지 부재 (7) 를 일정한 속도로 하강시키는 경우, 대향 부재 (6) 에 작용하는 자력과, 전동 모터 (23) 의 구동력이 균형을 이루도록 전동 모터 (23) 의 구동력을 제어할 수 있다. 이에 의해, 대향 부재 (6) 가 받는 진동을 억제할 수 있다.
본 실시형태에 의하면, 상승 공정에 있어서, 걸어 맞춤 위치로부터 중간 위치로 지지 부재 (7) 를 비교적 저속도로 상승시키는 저속 상승 공정과, 중간 위치로부터 상위치로 지지 부재 (7) 를 비교적 고속도로 상승시키는 고속 상승 공정이 실행된다.
그 때문에, 유지 유닛 (24) 으로부터 지지 부재 (7) 에 대향 부재 (6) 가 전달될 때에는, 지지 부재 (7) 는 비교적 저속도로 상승하고, 걸어 맞춤 위치로부터 상방으로 떨어진 위치에서는, 지지 부재 (7) 는 비교적 고속도로 상승한다. 따라서, 상승 공정을 단시간에 종료시킬 수 있고, 또한, 대향 부재 (6) 와 유지 유닛 (24) 이 서로 걸어 맞춤될 때에 대향 부재 (6) 가 유지 유닛 (24) 으로부터 받는 충격을 저감시킬 수 있다. 따라서, 스루풋을 향상시키면서, 충격에서 기인하는 대향 부재 (6) 의 변형이나 대향 부재 (6) 의 위치 어긋남을 억제할 수 있다.
또한, 저속 상승 공정에서는, 지지 부재를 일정한 속도로 상승시키는 것이 바람직하다. 지지 부재 (7) 를 일정한 속도로 상승시키는 경우, 대향 부재 (6) 에 작용하는 자력과, 전동 모터 (23) 의 구동력이 균형을 이루도록 전동 모터 (23) 의 구동력을 제어할 수 있다. 이에 의해, 대향 부재 (6) 가 받는 진동을 억제할 수 있다.
본 실시형태에 의하면, 대향 부재 (6) 에는, 지지 부재 (7) 가 중간 위치와 걸어 맞춤 위치 사이에 위치할 때에 자력이 작용한다. 그 때문에, 복잡한 기구를 사용하지 않고, 자력에 의해 대향 부재 (6) 와 유지 유닛 (24) 을 서로 용이하게 걸어 맞춤시킬 수 있다.
본 실시형태에 의하면, 기판 처리 장치 (1) 가 회전 축선 (A1) 주위로 유지 유닛 (24) 을 회전시키는 전동 모터 (23) (회전 유닛) 를 추가로 포함한다. 지지 부재 (7) 가 하위치에 위치하는 상태에서, 전동 모터 (23) 에 의해, 대향 부재 (6) 를 유지 유닛 (24) 과 일체 회전시키는 회전 공정이 실행된다. 그리고, 회전 공정과 병행하여, 검출 유닛 (12) 에 대한 복수의 피검출부 (15) 의 위치를 검출 유닛 (12) 에 검출시키는 것에 의해, 피검출부 (15) 사이의 거리를 감시하는 감시 공정이 실행된다.
그 때문에, 회전 공정에서는, 대향 부재 (6) 와 유지 유닛 (24) 이 서로 걸어 맞춤되고 지지 부재 (7) 가 대향 부재 (6) 로부터 하방으로 이간되어 있기 때문에, 대향 부재 (6) 와 유지 유닛 (24) 이 일체 회전한다. 그 때문에, 회전 공정에서는, 대향 부재 (6) 가 지지 부재 (7) 에 대하여 회전한다. 따라서, 회전 공정과 병행하여 검출 유닛 (12) 에 대한 피검출부 (15) 의 위치를 검출 유닛 (12) 에 검출함으로써, 회전 방향 (S) 의 어느 위치 (각도) 에 피검출부 (15) 가 위치하는지를 검출할 수 있다. 따라서, 피검출부 (15) 사이의 거리를 감시할 수 있다. 이 감시를 계속함으로써, 회전 중에 발생한 대향 부재 (6) 의 변형을 검지할 수 있다. 회전 중의 변형을 검지함으로써, 대향 부재 (6) 가 적절한 위치에 위치하는지 여부를 판별할 수 있다.
본 실시형태에 의하면, 대향 부재 (6) 는, 상대 회전 위치가 분리 위치 (소정의 상대 회전 위치) 일 때, 지지 부재 (7) 로부터 착탈 가능하다. 또한, 회전 공정의 종료 후이고 또한 상승 공정의 개시 전에, 대향 부재 (6) 의 상대 회전 위치가 분리 위치가 되지 않도록, 회전 방향 (S) 에 있어서의 유지 유닛 (24) 의 위치를 조정하는 회전 위치 조정 공정이 실행된다. 따라서, 대향 부재 (6) 가 지지 부재 (7) 로부터 착탈 가능한 구성에 있어서, 회전 공정의 종료 후에, 지지 부재 (7) 를 대향 부재 (6) 와 함께 상승시킬 수 있다.
본 실시형태에 의하면, 검출 유닛 (12) 은, 검출 유닛 (12) 과 대향 부재 (6) 의 대향부 (60) 의 상면 (60b) 사이의 거리를 측정 가능하다. 또한, 감시 공정에서는, 검출 유닛 (12) 과 대향부 (60) 의 상면 (60b) 사이의 거리를 감시하는 공정이 실행된다. 이에 의해, 대향 부재의 상면의 기복을 검지할 수 있다. 그 때문에, 회전 중에 발생한 대향 부재의 변형이 더욱 검지되기 쉬워진다.
본 실시형태에 의하면, 복수의 피검출부 (15) 는, 대향 부재 (6) 의 상면으로부터의 높이가 서로 상이한 제 1 돌기 (15A) 및 제 2 돌기 (15B) 를 포함한다.
대향 부재 (6) 의 상면으로부터 제 1 돌기 (15A) 까지의 높이와 대향 부재 (6) 의 상면으로부터 제 2 돌기 (15B) 까지의 높이가 서로 상이하다. 그 때문에, 검출 유닛 (12) 에 대한 제 1 돌기 (15A) 의 높이 위치와 검출 유닛 (12) 에 대한 제 2 돌기 (15B) 의 높이 위치도 서로 상이하다. 그 때문에, 검출 유닛 (12) 이 제 1 돌기 (15A) 와 제 2 돌기 (15B) 를 식별할 수 있다. 이에 의해, 대향 부재 (6) 에 있어서 변형된 부분의 회전 방향 (S) 에 있어서의 위치를 더욱 정확하게 알 수 있다.
이 발명은, 이상에 설명한 실시형태에 한정되는 것이 아니고, 또 다른 형태로 실시할 수 있다.
예를 들어, 상기 서술한 실시형태에서는, 제 1 돌기 (15A) 의 제 1 높이 (D1) 와 제 2 돌기 (15B) 의 제 2 높이 (D2) 가 서로 상이한 것으로 했지만, 상기 서술한 실시형태와는 달리, 제 1 높이 (D1) 와 제 2 높이 (D2) 는 서로 동일해도 된다.
또한, 상기 서술한 실시형태에서는, 검출 유닛 (12) 은, 1 쌍 형성되어 있는 것으로 하였다. 그러나, 상기 서술한 실시형태와는 달리, 검출 유닛 (12) 은, 회전 방향 (S) 으로 간격을 두고 3 개 이상 형성되어 있어도 된다. 검출 유닛 (12) 의 수가 많으면, 대향 부재 (6) 가 적절한 위치에 위치하는지 여부를 보다 정확하게 판별할 수 있다.
본 발명의 실시형태에 대하여 상세하게 설명했지만, 이들은 본 발명의 기술적 내용을 분명히 하기 위해서 이용된 구체예에 지나지 않고, 본 발명은 이들 구체예에 한정하여 해석되어서는 안되고, 본 발명의 범위는 첨부한 청구의 범위에 의해서만 한정된다.
이 출원은, 2017년 7월 12일에 일본 특허청에 제출된 특원 2017-136335호에 대응하고 있고, 이 출원의 전체 개시는 여기에 인용에 의해 받아들여지는 것으로 한다.

Claims (25)

  1. 수평으로 기판을 유지하는 유지 유닛과,
    상기 기판의 상면에 상방으로부터 대향하고, 상기 유지 유닛과 걸어 맞춤 가능한 대향 부재와,
    상기 대향 부재를 지지하는 지지 부재와,
    상기 대향 부재를 상기 유지 유닛으로부터 상방으로 이간시킨 상태에서 상기 지지 부재가 상기 대향 부재를 지지하는 상위치와, 상기 상위치보다 하방의 위치이고 상기 유지 유닛과 상기 대향 부재가 서로 걸어 맞춤되는 걸어 맞춤 위치 사이에서 상기 지지 부재를 승강시키는 승강 유닛과,
    상기 지지 부재에 형성된 검출 유닛을 포함하고,
    상기 검출 유닛이, 상기 대향 부재에 형성된 피검출부의 상기 검출 유닛에 대한 위치를 검출하는, 기판 처리 장치.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 검출 유닛은, 상기 대향 부재의 중심부를 통과하는 연직 축선 주위의 둘레 방향으로 간격을 두고 복수 형성되어 있는, 기판 처리 장치.
  3. 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,
    상기 검출 유닛은, 상기 검출 유닛에 대한 상기 피검출부의 위치를 광학적으로 검출하고,
    상기 피검출부는, 상기 대향 부재에 있어서의 상기 피검출부 이외의 부분과 비교하여 광을 반사시키기 쉬운 반사면을 갖는, 기판 처리 장치.
  4. 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,
    상기 승강 유닛을 제어하는 컨트롤러를 추가로 포함하고,
    상기 승강 유닛은, 상기 걸어 맞춤 위치보다 하방의 위치이고, 상기 유지 유닛과 걸어 맞춤된 상태의 상기 대향 부재로부터 상기 지지 부재가 하방으로 이간되는 하위치까지 상기 지지 부재를 하강시킬 수 있고,
    상기 컨트롤러는, 상기 승강 유닛에 의해, 상기 상위치로부터 상기 하위치로 상기 지지 부재를 하강시키는 하강 공정과, 상기 하강 공정 후에, 상기 승강 유닛에 의해, 상기 하위치로부터 상기 상위치로 상기 지지 부재를 상승시키는 상승 공정을 실행하도록 프로그램되어 있는, 기판 처리 장치.
  5. 제 4 항에 있어서,
    상기 검출 유닛은, 상기 컨트롤러에 의해 제어되고,
    상기 검출 유닛은, 상기 검출 유닛과 상기 피검출부 사이의 거리를 측정함으로써 상기 검출 유닛에 대한 상기 피검출부의 위치를 검출하는 거리 측정 센서를 포함하고,
    상기 컨트롤러는, 상기 하강 공정의 개시 전에, 상기 지지 부재가 상기 상위치에 위치하는 상태에서 상기 검출 유닛과 상기 피검출부 사이의 거리를 상기 검출 유닛에 측정시키는 제 1 거리 측정 공정과, 상기 하강 공정의 종료 후이고 또한 상기 상승 공정의 개시 전에, 상기 지지 부재가 상기 하위치에 위치하는 상태에서 상기 검출 유닛과 상기 피검출부 사이의 거리를 상기 검출 유닛에 측정시키는 제 2 거리 측정 공정을 실행하도록 프로그램되어 있는, 기판 처리 장치.
  6. 제 5 항에 있어서,
    상기 피검출부는, 상기 대향 부재로부터 상기 피검출부의 선단까지의 높이가 조정 가능하도록 형성되어 있는, 기판 처리 장치.
  7. 제 5 항에 있어서,
    상기 거리 측정 센서는, 상기 지지 부재가 상기 상위치에 위치할 때에 상기 검출 유닛과 상기 피검출부 사이의 거리를 측정하는 상위치 센서와, 상기 지지 부재가 상기 하위치에 위치할 때에 상기 검출 유닛과 상기 피검출부 사이의 거리를 측정하는 하위치 센서를 포함하는, 기판 처리 장치.
  8. 제 4 항에 있어서,
    상기 컨트롤러는, 상기 하강 공정에 있어서, 상기 상위치로부터, 상기 상위치와 상기 걸어 맞춤 위치 사이의 소정의 중간 위치로, 상기 지지 부재를 비교적 고속도로 하강시키는 고속 하강 공정과, 상기 상위치와 상기 걸어 맞춤 위치 사이의 상기 소정의 중간 위치로부터 상기 하위치로, 상기 지지 부재를 비교적 저속도로 하강시키는 저속 하강 공정을 실행하도록 프로그램되어 있는, 기판 처리 장치.
  9. 제 8 항에 있어서,
    상기 컨트롤러는, 상기 저속 하강 공정에 있어서, 상기 지지 부재를 일정한 속도로 하강시키는 등속 하강 공정을 실행하도록 프로그램되어 있는, 기판 처리 장치.
  10. 제 4 항에 있어서,
    상기 컨트롤러는, 상기 상승 공정에 있어서, 상기 하위치로부터, 상기 상위치와 상기 걸어 맞춤 위치 사이의 소정의 중간 위치로, 상기 지지 부재를 비교적 저속도로 상승시키는 저속 상승 공정과, 상기 상위치와 상기 걸어 맞춤 위치 사이의 상기 소정의 중간 위치로부터 상기 상위치로, 상기 지지 부재를 비교적 고속도로 상승시키는 고속 상승 공정을 실행하도록 프로그램되어 있는, 기판 처리 장치.
  11. 제 10 항에 있어서,
    상기 컨트롤러는, 상기 저속 상승 공정에 있어서, 상기 지지 부재를 일정한 속도로 상승시키는 등속 상승 공정을 실행하도록 프로그램되어 있는, 기판 처리 장치.
  12. 제 8 항에 있어서,
    상기 유지 유닛과 상기 대향 부재는, 자력에 의해 서로 걸어 맞춤되고,
    상기 대향 부재에는, 상기 지지 부재가 상기 소정의 중간 위치와 상기 걸어 맞춤 위치 사이에 위치할 때에 자력이 작용하는, 기판 처리 장치.
  13. 제 4 항에 있어서,
    상기 컨트롤러에 의해 제어되고, 연직 방향을 따른 소정의 회전 축선 주위로 상기 유지 유닛을 회전시키는 회전 유닛을 추가로 포함하고,
    상기 피검출부는, 상기 회전 축선 주위의 회전 방향으로 간격을 두고 상기 대향 부재의 상면에 복수 형성되어 있고,
    상기 컨트롤러는, 상기 지지 부재가 상기 하위치에 위치하는 상태에서, 상기 회전 유닛에 의해, 상기 대향 부재를 상기 유지 유닛과 일체 회전시키는 회전 공정과, 상기 회전 공정과 병행하여, 상기 검출 유닛에 대한 복수의 상기 피검출부의 위치를 상기 검출 유닛에 검출시키는 것에 의해, 상기 피검출부 사이의 거리를 감시하는 감시 공정을 실행하도록 프로그램되어 있는, 기판 처리 장치.
  14. 제 13 항에 있어서,
    상기 대향 부재는, 상기 지지 부재에 대하여 소정의 상대 회전 위치에 위치할 때, 상기 지지 부재로부터 착탈 가능하고,
    상기 컨트롤러는, 상기 회전 공정의 종료 후이고 또한 상기 상승 공정의 개시 전에, 상기 대향 부재가 상기 소정의 상대 회전 위치에 위치하지 않도록, 상기 회전 유닛에 의해 상기 회전 방향에 있어서의 상기 유지 유닛의 위치를 조정시키는 회전 위치 조정 공정을 실행하도록 프로그램되어 있는, 기판 처리 장치.
  15. 제 13 항에 있어서,
    상기 검출 유닛은, 상기 검출 유닛과 상기 대향 부재의 상면 사이의 거리를 측정 가능하고,
    상기 컨트롤러는, 상기 감시 공정에 있어서, 상기 검출 유닛과 상기 대향 부재의 상면 사이의 거리를 감시하는 공정을 실행하도록 프로그램되어 있는, 기판 처리 장치.
  16. 제 13 항에 있어서,
    복수의 상기 피검출부는, 상기 대향 부재의 상면으로부터의 높이가 서로 상이한 제 1 돌기 및 제 2 돌기를 포함하는, 기판 처리 장치.
  17. 유지 유닛에 기판을 수평으로 유지시키는 기판 유지 공정과,
    상기 기판의 상면에 상방으로부터 대향하는 대향 부재를 지지 부재에 지지시키는 지지 공정과,
    상기 유지 유닛에 형성된 걸어 맞춤 부재로부터 상기 대향 부재가 상방으로 이간되도록 상기 지지 부재가 상기 대향 부재를 지지하는 상위치에 상기 지지 부재가 위치하는 상태에서, 상기 대향 부재에 형성된 피측정부와, 상기 지지 부재에 형성된 거리 측정 센서 사이의 거리를 상기 거리 측정 센서에 측정시키는 제 1 거리 측정 공정과,
    상기 상위치로부터, 상기 유지 유닛과 상기 대향 부재가 서로 걸어 맞춤되는 걸어 맞춤 위치를 경유하여, 상기 유지 유닛과 걸어 맞춤된 상태의 상기 대향 부재로부터 상기 지지 부재가 하방으로 이간되는 하위치로, 상기 지지 부재를 하강시키는 하강 공정과,
    상기 하강 공정의 종료 후에, 상기 지지 부재가 상기 하위치에 위치하는 상태에서 상기 피측정부와 상기 거리 측정 센서 사이의 거리를 상기 거리 측정 센서에 측정시키는 제 2 거리 측정 공정을 포함하는, 기판 처리 방법.
  18. 제 17 항에 있어서,
    상기 하강 공정은, 상기 상위치로부터, 상기 상위치와 상기 걸어 맞춤 위치 사이의 소정의 중간 위치로 상기 지지 부재를 비교적 고속도로 하강시키는 고속 하강 공정과, 상기 상위치와 상기 걸어 맞춤 위치 사이의 상기 소정의 중간 위치로부터 상기 하위치로 상기 지지 부재를 비교적 저속도로 하강시키는 저속 하강 공정을 포함하는, 기판 처리 방법.
  19. 제 18 항에 있어서,
    상기 저속 하강 공정은, 상기 지지 부재를 일정한 속도로 하강시키는 등속 하강 공정을 포함하는, 기판 처리 방법.
  20. 제 17 항 내지 제 19 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 하위치로부터 상기 상위치로 상기 지지 부재를 상승시키는 상승 공정을 추가로 포함하고,
    상기 상승 공정은, 상기 하위치로부터, 상기 상위치와 상기 걸어 맞춤 위치 사이의 소정의 중간 위치로 상기 지지 부재를 비교적 저속도로 상승시키는 저속 상승 공정과, 상기 상위치와 상기 걸어 맞춤 위치 사이의 상기 소정의 중간 위치로부터 상기 상위치로 상기 지지 부재를 비교적 고속도로 상승시키는 고속 상승 공정을 포함하는, 기판 처리 방법.
  21. 제 20 항에 있어서,
    상기 저속 상승 공정에 있어서, 상기 지지 부재를 일정한 속도로 상승시키는 등속 상승 공정을 포함하는, 기판 처리 방법.
  22. 제 18 항에 있어서,
    상기 유지 유닛과 상기 대향 부재는, 자력에 의해 서로 걸어 맞춤되고,
    상기 대향 부재에는, 상기 지지 부재가 상기 소정의 중간 위치와 상기 걸어 맞춤 위치 사이에 위치할 때에 자력이 작용하는, 기판 처리 방법.
  23. 유지 유닛에 기판을 수평으로 유지시키는 기판 유지 공정과,
    상기 기판의 상면에 대향하는 대향 부재를 지지 부재에 지지시키는 지지 공정과,
    상기 유지 유닛으로부터 상기 대향 부재가 상방으로 이간되도록 상기 지지 부재가 상기 대향 부재를 지지하는 상위치로부터, 상기 유지 유닛과 상기 대향 부재가 서로 걸어 맞춤되는 걸어 맞춤 위치보다 하방의 위치이고, 상기 유지 유닛과 걸어 맞춤된 상태의 상기 대향 부재로부터 상기 지지 부재가 하방으로 이간되는 하위치로 상기 지지 부재를 하강시키는 하강 공정과,
    상기 지지 부재가 상기 하위치에 위치할 때에 연직 방향을 따른 소정의 회전 축선 주위의 회전 방향으로 상기 유지 유닛을 회전시키는 회전 공정과,
    상기 회전 공정과 병행하여 실행되고, 상기 지지 부재에 형성된 검출 유닛에 대한, 상기 대향 부재의 상면에 상기 회전 방향으로 간격을 두고 형성된 복수의 피검출부의 위치를, 상기 검출 유닛에 검출시키는 것에 의해, 상기 피검출부 사이의 거리를 감시하는 감시 공정을 포함하는, 기판 처리 방법.
  24. 제 23 항에 있어서,
    상기 회전 공정의 종료 후에, 상기 대향 부재가 상기 지지 부재에 대하여 착탈 가능해지는 소정의 상대 회전 위치에, 상기 대향 부재가 위치하지 않도록, 상기 회전 방향에 있어서의 상기 유지 유닛의 위치를 조정하는 회전 위치 조정 공정과,
    상기 회전 위치 조정 공정의 종료 후에, 상기 하위치로부터 상기 상위치로 상기 지지 부재를 상승시키는 상승 공정을 추가로 포함하는, 기판 처리 방법.
  25. 제 23 항 또는 제 24 항에 있어서,
    상기 감시 공정은, 상기 검출 유닛과 상기 대향 부재의 상면 사이의 거리를 감시하는 공정을 포함하는, 기판 처리 방법.
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