KR102081014B1 - Stripping method of flexible substrate - Google Patents
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Abstract
본 발명에서 제공한 플랙시블 기판(30)의 스트립핑 방법은 다공 금속기판(10)을 제공하고; 다공 금속기판(10) 상에 버퍼층(20)을 형성하고; 상기 버퍼층(20) 상에 플랙시블 기판(30)을 형성하고; 다공 금속기판(10)이 일부가 전해질에 잠기도록 플랙시블 기판(30)을 전해조(51)에 넣는다. 다공 금속기판(10)을 음극으로 하고, 전원을 인가하여 전해질 내의 물을 전해시키면, 다공 금속기판(10) 상에 수소가스가 방출되고, 수소가스의 작용력에 의해 플랙시블 기판(30)과 버퍼층(20)은 다공 금속기판(10)으로부터 스트립핑되어, 저부에 버퍼층(20)이 남아 있는 플랙시블 기판(30)을 얻게 되는 단계를 포함한다. 상기 방법은 고 효율, 무 손상이며, 플랙시블 기판(30)의 생산수율을 높일 수 있으며; 플랙시블 기판(30)의 스트립핑 속도가 신속하며, 플랙시블 기판 상의 디바이스가 스트립핑 과정에서 영향을 받지 않도록 보증한다; 한편, 다공 금속기판(10)은 중복하여 재사용 가능하므로, 생산원가를 낮출 수 있다.The stripping method of the flexible substrate 30 provided in the present invention provides a porous metal substrate 10; Forming a buffer layer 20 on the porous metal substrate 10; Forming a flexible substrate (30) on the buffer layer (20); The flexible substrate 30 is placed in the electrolytic cell 51 so that the porous metal substrate 10 is partially submerged in the electrolyte. When the porous metal substrate 10 is used as the cathode, and power is applied to electrolyze the water in the electrolyte, hydrogen gas is released on the porous metal substrate 10, and the flexible substrate 30 and the buffer layer are caused by the action of the hydrogen gas. 20 includes stripping from the porous metal substrate 10 to obtain a flexible substrate 30 with the buffer layer 20 remaining at the bottom. The method is high efficiency, no damage, and can increase the production yield of the flexible substrate 30; The stripping speed of the flexible substrate 30 is fast and ensures that the device on the flexible substrate is not affected in the stripping process; On the other hand, the porous metal substrate 10 can be reused by overlapping, it is possible to lower the production cost.
Description
본 발명은 디스플레이 기술영역에 관한 것이며, 특히 플랙시블 기판의 스트립핑 방법에 관한 것이다.TECHNICAL FIELD The present invention relates to the area of display technology, and more particularly, to a stripping method of a flexible substrate.
기술의 끊임없는 갱신과 발전에 따라 플랙시블 기판을 이용하여 제조된 굴곡이 가능한 플랙시블 디바이스는 차세대 광전자 부품의 주류장비로 유망하게 되었다. 예를 들어, 디스플레이, 칩, 회로, 전원, 센서 등 플랙시블 디바이스는 전통적인 광전자 부품이 실현할 수 없는 기능을 실현할 수 있으며, 원가 및 고객체험 측면에서 큰 장점이 있다. 플랙시블 디스플레이를 예로 들면, 이는 플랙시블 재료로 구성된 기판 표면에 디바이스를 제공하는 방법이며, 플랙시블 액티브 매트릭스 유기 발광 다이오드(Active-matrix organic light emitting diode, AMOLED)를 예를 들면, 경질기판 표면에 먼저 플랙시블 기판을 제조 또는 흡착한 다음 디바이스를 제조하고, 마지막으로 플랙시블 기판을 다시 경질 기판으로부터 스트립핑한다. 따라서, 플랙시블 기판을 경질 기판으로부터 효율적으로 스트립핑하는 것이 플랙시블 디바이스를 생산하는 매우 중요한 기술 중의 하나가 되었다. With the constant renewal and development of the technology, flexible flexible devices manufactured using flexible substrates have become promising as mainstream equipment of next-generation optoelectronic components. For example, flexible devices such as displays, chips, circuits, power supplies, and sensors can realize functions that traditional optoelectronic components can't realize, and have significant advantages in cost and customer experience. Taking a flexible display as an example, this is a method of providing a device on a substrate surface made of a flexible material, and using a flexible active matrix organic light emitting diode (AMOLED), for example, on a hard substrate surface. First, the flexible substrate is manufactured or adsorbed, then the device is manufactured, and finally the flexible substrate is again stripped from the rigid substrate. Therefore, efficient stripping of the flexible substrate from the rigid substrate has become one of the very important techniques for producing the flexible device.
현재 주류의 플랙시블 디스플레이 디바이스의 스트립핑 방식은 레이저 어블레이션을 이용하는 방식으로 진행하며, 즉, 폴리머 플랙시블 기판과 경질 유리기판의 계면에 높은 강도의 레이저를 적용하여, 계면층의 폴리머를 절제하여, 플랙시블과 경질 기판을 스트립핑 시킨다. 이러한 방식으로 대량생산이 가능하지만, 레이저의 스캔 사이즈는 대량 생산에 있어서 속도를 직접적으로 제한하게 되며, 또한 플랙시블 디스플레이 막은 발생된 열에 의해 크게 손상된다. 따라서 이러한 방식은 대형 플랙시블 디스플레이의 제조에 적용하기 어렵다. 또한, 레이저 어블레이션 장비는 복잡한 조작과 높은 장비가격으로 원가에 부담을 더하게 된다. 제품의 수율을 높이고 또한 원가를 낮추기 위하여 사용자 친화적이며 비용이 저렴한 방법을 개발하는 것이 시급하다.Currently, the stripping method of the mainstream flexible display device proceeds by using laser ablation, that is, by applying a high-intensity laser to the interface of the polymer flexible substrate and the hard glass substrate, the polymer of the interfacial layer is removed. Strip the flexible and rigid substrates. While mass production is possible in this way, the scan size of the laser directly limits the speed in mass production, and the flexible display film is also greatly damaged by the heat generated. Therefore, this method is difficult to apply to the production of large flexible display. In addition, laser ablation equipment adds to the cost of complicated operations and high equipment prices. It is urgent to develop user-friendly and inexpensive methods to increase product yields and reduce costs.
현 단계에서 디스플레이 분야의 여러 업체와 연구 기구에서는 이러한 기술에 대하여 서로 다른 기술방안을 제안하고 있다. 예를 들어, LG에서는 화학방식으로 스테인레스강 기재를 부식시키는 방법으로 플랙시블 기판과 경질 기판의 스트립핑을 구현하고 있다. 그러나 스테인레스강을 부식하는 화학용액은 플랙시블 디바이스도 부식하게 되어, 플랙시블 디스플레이의 수명을 약화시킨다. 삼성에서는 저항 가열 감지 분리 기술을 이용한다. 이는 가열하는 방법으로 기판과 유리를 이탈시킨다. 그러나 과도한 고온은 발광 디바이스에 대한 보호에 따른 프로세스가 추가되므로, 수율과 비용 모두 보장될 수 없게 된다. TCL 차이나 스타 옵토일렉트로닉스에서는 플랙시블 기판과 경질기판 사이에 제2 경질기판을 끼여 넣고, 제2 경질 기판의 면적이 경질 기판과 플랙시블 기판 보다 작게 형성하도록 한 다음 제2 경질기판에 따라 절개하여 부드럽고 효율적으로 플랙시블 기판과 경질 기판을 스트립핑 시키는 방법을 이용한다. 이러한 방법은 플랙시블 기판과 경질기판을 분리시켰으나, 플랙시블 기판과 제2 경질기판을 분리할 때 동일한 스트립핑 문제를 직면하게 되며, 또한 플랙시블 기판을 쉽게 손상시킨다.At this stage, several companies and research institutes in the field of display are proposing different technical solutions for these technologies. For example, LG has implemented stripping of flexible and rigid substrates by chemically corroding stainless steel substrates. However, chemicals that corrode stainless steel will also corrode flexible devices, shortening the life of flexible displays. Samsung uses resistive heating sensing separation technology. This leaves the substrate and glass in a heated manner. However, excessive high temperature adds a process according to protection for the light emitting device, so that both yield and cost cannot be guaranteed. In TCL China Star Optoelectronics, the second hard board is sandwiched between the flexible board and the hard board, and the area of the second hard board is smaller than the hard board and the flexible board, and then cut along the second hard board to make it soft. Efficiently stripping flexible and rigid substrates is used. This method separates the flexible substrate from the rigid substrate, but faces the same stripping problem when separating the flexible substrate from the second rigid substrate, and also easily damages the flexible substrate.
따라서, 상기 문제를 해결하기 위하여, 플랙시블 기판의 스트립핑 방법의 개발이 필요하다.Therefore, in order to solve the above problem, it is necessary to develop a stripping method of the flexible substrate.
본 발명의 목적은 고 효능, 무 손상 플랙시블 기판의 생산수율을 높이고, 생산원가를 낮추는 플랙시블 기판의 스트립핑 방법을 제공하는데 있다.SUMMARY OF THE INVENTION An object of the present invention is to provide a method for stripping a flexible substrate to increase the production yield of a high efficiency, damage-free flexible substrate and to reduce the production cost.
상기 목표를 실현하기 위하여, 본 발명은 In order to realize the above object, the present invention
내부에 복수의 홀이 구비된 금속판인 다공 금속기판을 제공하고, 상기 다공 금속기판 상에 버퍼층을 형성하는 단계1;Providing a porous metal substrate, the metal plate having a plurality of holes therein, and forming a buffer layer on the porous metal substrate;
상기 버퍼층 상에 플랙시블 기판을 형성하는 단계2;Forming a flexible substrate on the buffer layer;
전해조, 및 전해조 내에 설치된 양극을 포함한 전해장치를 제공하는 단계3;Providing an electrolytic device comprising an electrolytic cell and an anode installed in the electrolytic cell;
상기 전해장치의 전해조 내에 전해질을 추가하고;Adding an electrolyte into an electrolytic cell of the electrolyzer;
상기 단계2에서 제조된 플랙시블 기판, 버퍼층, 및 다공 금속기판을 포함된 다층판을 다공 금속기판이 하향으로 된 방식으로 상기 전해조에 넣어, 다공 금속기판이 전해질과 접촉되도록 하고, 상기 다공 금속기판을 음극으로 하고, 상기 다공 금속기판과 양극 사이에 전원을 도입하여, 전해질 중의 물을 전해시키며, 상기 다공 금속기판 근처 및 상기 다공 금속기판 내부 홀에 진입된 물이 전해된 후 수소가스로 생성되고, 상기 수소가스는 상기 버퍼층에 작용력을 인가하여, 상기 버퍼층이 상기 다공 금속기판 상에서 스트립핑되어, 저부에 버퍼층이 남아 있는 플랙시블 기판 얻는 단계4을 포함하는 플랙시블 기판의 스트립핑 방법을 제공한다.The multilayer board including the flexible substrate, the buffer layer, and the porous metal substrate prepared in step 2 is placed in the electrolytic cell in such a manner that the porous metal substrate is turned downward so that the porous metal substrate is in contact with the electrolyte, and the porous metal substrate Is a cathode, a power source is introduced between the porous metal substrate and the anode to electrolyze the water in the electrolyte, and water that enters the hole near the porous metal substrate and into the hole inside the porous metal substrate is electrolyzed and is produced as hydrogen gas. The hydrogen gas is applied to the buffer layer to provide a method for stripping a flexible substrate, the method comprising: obtaining a flexible substrate having a buffer layer remaining at a bottom thereof by stripping the buffer layer on the porous metal substrate. .
상기 다공 금속기판의 재료는 철, 니켈, 또는 구리이다.The material of the porous metal substrate is iron, nickel, or copper.
상기 버퍼층의 재료는 실리콘 산화층, 실리콘 질화층, 또는 실리콘 산화층과 실리콘 질화층으로 적층되어 구성된 복합층이다.The material of the buffer layer is a silicon oxide layer, a silicon nitride layer, or a composite layer formed by laminating a silicon oxide layer and a silicon nitride layer.
상기 단계1에서는 화학기상 증착법을 이용하여 상기 버퍼층을 형성한다.In step 1, the buffer layer is formed by using chemical vapor deposition.
상기 플랙시블 기판의 재료는 우기 폴리머이다.The material of the flexible substrate is a wetted polymer.
상기 유기 폴리머는 폴리이미드이다.The organic polymer is polyimide.
상기 단계2에는 상기 플랙시블 기판 상에 디바이스를 제작하는 것을 더 포함한다.Step 2 further includes fabricating a device on the flexible substrate.
상기 전해장치의 양극재료는 카본, 플래티넘, 또는 금이다.The cathode material of the electrolytic apparatus is carbon, platinum, or gold.
상기 단계4에서, 상기 다공 금속기판 상에 상기 플랙시블 기판과 멀어지는 일 측을 전해질에 잠기고, 상기 플랙시블 기판과 근접한 일 측을 전해질 밖으로 노출시킨다.In
상기 단계4에서 상기 전해질은 황산용액, 수산화 나트륨용액, 황산 나트륨용액, 질산칼륨용액, 또는 물이다.In
또한, 본 발명은In addition, the present invention
내부에 복수의 홀이 구비된 금속판인 다공 금속기판을 제공하고, 상기 다공 금속기판 상에 버퍼층을 형성하는 단계1;Providing a porous metal substrate, the metal plate having a plurality of holes therein, and forming a buffer layer on the porous metal substrate;
상기 버퍼층 상에 플랙시블 기판을 형성하는 단계2;Forming a flexible substrate on the buffer layer;
전해조, 및 전해조 내에 설치된 양극을 포함한 전해장치를 제공하는 단계3;Providing an electrolytic device comprising an electrolytic cell and an anode installed in the electrolytic cell;
상기 전해장치의 전해조 내에 전해질을 추가하고;Adding an electrolyte into an electrolytic cell of the electrolyzer;
상기 단계2에서 제조된 플랙시블 기판, 버퍼층, 및 다공 금속기판을 포함된 다층판을 다공 금속기판이 하향으로 된 방식으로 상기 전해조에 넣어, 다공 금속기판이 전해질과 접촉되도록 하고, 상기 다공 금속기판을 음극으로 하고, 상기 다공 금속기판과 양극 사이에 전원을 도입하여, 전해질 중의 물을 전해시키며, 상기 다공 금속기판 근처 및 상기 다공 금속기판 내부 홀에 진입된 물이 전해된 후 수소가스로 생성되고, 상기 수소가스는 상기 버퍼층에 작용력을 인가하여, 상기 버퍼층이 상기 다공 금속기판 상에서 스트립핑되어, 저부에 버퍼층이 남아 있는 플랙시블 기판 얻는 단계4을 포함하며;The multilayer board including the flexible substrate, the buffer layer, and the porous metal substrate prepared in step 2 is placed in the electrolytic cell in such a manner that the porous metal substrate is turned downward so that the porous metal substrate is in contact with the electrolyte, and the porous metal substrate Is a cathode, a power source is introduced between the porous metal substrate and the anode to electrolyze the water in the electrolyte, and water that enters the hole near the porous metal substrate and into the hole inside the porous metal substrate is electrolyzed and is produced as hydrogen gas. The hydrogen gas is applied to the buffer layer so that the buffer layer is stripped on the porous metal substrate to obtain a flexible substrate having a buffer layer remaining at a bottom thereof;
여기서, 상기 다공 금속기판의 재료는 철, 니켈, 또는 구리이고;Wherein the material of the porous metal substrate is iron, nickel, or copper;
여기서, 상기 버퍼층의 재료는 실리콘 산화층, 실리콘 질화층, 또는 실리콘 산화층과 실리콘 질화층으로 적층되어 구성된 복합층이고;Wherein the material of the buffer layer is a silicon oxide layer, a silicon nitride layer, or a composite layer formed by laminating a silicon oxide layer and a silicon nitride layer;
여기서, 상기 단계1에서는 화학기상 증착법을 이용하여 상기 버퍼층을 형성하고;Wherein in step 1, the buffer layer is formed by chemical vapor deposition;
여기서, 상기 플랙시블 기판의 재료는 유기 폴리머인 것을 특징으로 하는 플랙시블 기판의 스트립핑 방법을 제공한다.Here, the material of the flexible substrate provides a stripping method of a flexible substrate, characterized in that the organic polymer.
본 발명에서 제공한 플랙시블 기판의 스트립핑 방법은 다공 금속기판을 제공하고; 다공 금속기판 상에 버퍼층을 형성하고; 상기 버퍼층 상에 플랙시블 기판을 형성하고; 다공 금속기판이 일부가 전해질에 잠기도록 플랙시블 기판 전해조에 넣는다. 다공 금속기판을 음극으로 하고, 전원을 인가하여 전해질 내의 물을 전해시키면, 다공 금속기판 상에 수소가스가 방출되고, 수소가스의 작용력에 의해 플랙시블 기판과 버퍼층은 다공 금속기판으로부터 스트립핑되어, 저부에 버퍼층이 잠류한 플랙시블 기판을 얻게 되는 단계를 포함한다. 상기 방법은 고효율, 무 손상이며, 플랙시블 기판의 생산수율을 높일 수 있으며; 플랙시블 기판의 스트립핑 속도가 신속하며, 플랙시블 기판 상의 디바이스가 스트립핑 과정에서 영향을 받지 않도록 보증한다; 한편, 다공 금속기판은 중복하여 재사용 가능하므로, 생산원가를 낮출 수 있다.The stripping method of the flexible substrate provided in the present invention provides a porous metal substrate; Forming a buffer layer on the porous metal substrate; Forming a flexible substrate on the buffer layer; The porous metal substrate is placed in a flexible substrate electrolyzer to partially submerge in the electrolyte. When the porous metal substrate is used as the cathode, and power is applied to electrolyze the water in the electrolyte, hydrogen gas is released on the porous metal substrate, and the flexible substrate and the buffer layer are stripped from the porous metal substrate by the action of the hydrogen gas. And obtaining a flexible substrate having a buffer layer latent therein. The method is high efficiency, no damage, and can increase the production yield of the flexible substrate; The stripping speed of the flexible substrate is fast and ensures that the device on the flexible substrate is not affected in the stripping process; On the other hand, the porous metal substrate can be reused in duplicate, lowering the production cost.
본 발명의 특징 및 기술 내용을 진일보로 이해하기 위하여, 본 발명과 관련된 상세설명과 첨부도면을 참조하길 바란다. 그러나 첨부 도면은 참고용과 설명용으로만 사용될 것이며 본 발명에 대하여 제한하는 것으로 사용되지는 않는다.In order to further understand the features and technical contents of the present invention, reference is made to the detailed description and accompanying drawings related to the present invention. The accompanying drawings, however, are to be used for reference and description only and are not intended to be limiting of the invention.
이하, 첨부 도면을 결합하여 본 발명의 구체적인 실시방식에 대하여 상세하게 설명하며, 이를 통해 본 발명의 기술방안 및 기타 유익한 효과는 명백하게 된다.
첨부한 도면에서,
도 1은 본 발명의 플랙시블 기판의 스트립핑 방법의 개략도이다;
도 2는 본 발명의 플랙시블 기판의 스트립핑 방법의 단계1의 개략도이다.
도 3은 본 발명의 플랙시블 기판의 스트립핑 방법의 단계2의 개략도이다.
도 4는 본 발명의 플랙시블 기판의 스트립핑 방법의 단계3의 개략도이다.
도 5-6은 본 발명의 플랙시블 기판의 스트립핑 방법의 단계4의 개략도이다.Hereinafter, specific embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings, through which the technical solutions and other advantageous effects of the present invention will become apparent.
In the accompanying drawings,
1 is a schematic diagram of a stripping method of a flexible substrate of the present invention;
2 is a schematic diagram of step 1 of a method for stripping a flexible substrate of the present invention.
3 is a schematic diagram of step 2 of a method for stripping a flexible substrate of the present invention.
4 is a schematic diagram of step 3 of the method for stripping a flexible substrate of the present invention.
5-6 are schematic diagrams of
이하, 본 발명에서 사용된 기술수단 및 그 효과에 대하여 진일보로 설명하기 위하여, 본발명의 바람직한 실시예 및 그의 첨부 도면을 결합하여 상세히 설명한다.Hereinafter, in order to further illustrate the technical means used in the present invention and the effects thereof, a preferred embodiment of the present invention and its accompanying drawings will be described in detail.
도 1을 참조하면, 본 발명은 이하 단계를 포함하는 플랙시블 기판의 스트립핑 방법을 제공한다. Referring to FIG. 1, the present invention provides a stripping method of a flexible substrate including the following steps.
도 2에서 도시된 바와 같이, 내부에 복수의 미소한 홀을 구비한 금속판인 다공 금속기판(10)을 제공하고, 상기 다공 금속기판(10) 상에 버퍼층(20)을 형성하는 단계1.As shown in FIG. 2, providing a
구체적으로, 상기 다공 금속기판(10)의 재료는 철(Fe), 니켈(Ni), 또는 구리(Cu)가 될 수 있다.Specifically, the
구체적으로, 상기 버퍼층(20)의 재료는 실리콘 산화(SiOx)층, 실리콘 질화(SiNx)층, 또는 실리콘 산화층과 실리콘 질화층으로 적층되어 구성된 복합층이다.Specifically, the material of the
구체적으로, 상기 단계1에서는 화학기상 증착법을 사용하여 상기 버퍼층(20)을 형성한다.Specifically, in step 1, the
구체적으로, 상기 단계1에서는 다공 금속기판(10) 상에 버퍼층(20)을 형성하므로, 이후의 열처리 프로세스에서 다공금속판(10)이 플랙시블 기판 저부의 평탄도에 영향을 미치는 것을 방지한다. Specifically, in step 1, since the
도 3에서 도시된 바와 같이, 상기 버퍼층(20) 상에 플랙시블 기판(30)을 형성하는 단계2.As shown in FIG. 3, forming a
구체적으로, 상기 플랙시블 기판(30)의 재료는 유기 폴리머이고, 예를 들어, 폴리이미드 (PI)이다.Specifically, the material of the
또한, 상기 단계2는 상기 플랙시블 기판(30) 상에 디바이스(40)를 제조하는 것을 더 포함한다.In addition, step 2 further includes fabricating the
구체적으로, 상기 디바이스(40)은 일반적인 OLED구조 중의 박막 트랜지스터구조 및 발광 디바이스 구조를 포함하며, 상기 발광 디바이스 구조는 전극층, 발광층 등을 포함한다. 본 실시예의 디바이스(40)의 내부고조는 종래 기술의 범주에 속함으로 여기서 구체적으로 설명하지 않는다.Specifically, the
도 4에서 도시된 바와 같이, 전해조(51), 및 전해조(51) 내에 설치된 양극(53)을 포함하는 전해장치(50)을 제공하는 단계3. As shown in FIG. 4, providing an
구체적으로, 상기 양극(53)의 재료는 금속 산화물, 상기 다공 금속기판(10)의재료보다 낮은 활성을 갖는 금속, 또는 카본원소가 될 수 있으며, 상기 양극(53)의 재료는 카본(C), 플래티넘 (Pt), 또는 금(Au)인 것이 바람직하다.Specifically, the material of the
상기 전해장치(50)의 전해조(51) 내에 전해질을 추가하고;Adding an electrolyte into the
상기 단계2에서 제조된 플랙시블 기판(30), 버퍼층(20), 및 다공 금속기판(10)을 포함된 다층판을 다공 금속기판(10)이 하향으로 된 방식으로 상기 전해조(51)에 넣어, 다공 금속기판(10)이 전해질과 접촉되도록 하고, 상기 다공 금속기판(10)을 음극으로 하고, 상기 다공 금속기판(10)과 양극(53) 사이에 전원(미도시)을 도입하면, 전해질 중의 물을 전해시키게 되며, 상기 다공 금속기판(10) 근처 및 상기 다공 금속기판(10) 내부 홀에 진입된 물이 전해된 후 수소가스(H2)를 생성하며, 상기 수소가스는 상기 버퍼층(20)에 작용력을 인가하여, 상기 버퍼층(20)이 상기 다공 금속기판(10) 상에서 스트립핑되어(도 5에서 도시된 바와 같이), 저부에 버퍼층(20)이 남아 있는 플랙시블 기판(10)을(도 6에서 도시된 바와 같이) 얻는 단계4.The multilayer board including the
구체적으로, 상기 단계4에서, 상기 다공 금속기판(10) 상에 상기 플랙시블 기판(30)과 멀어지는 일 측을 전해질에 잠기고, 상기 플랙시블 기판(30)과 근접한 일 측을 전해질 밖으로 노출시킨다.Specifically, in
구체적으로, 상기 단계4에서 상기 전해질은 황산용액, 수산화 나트륨용액, 황산 나트륨용액, 질산칼륨용액, 또는 물이다.Specifically, the electrolyte in
구체적으로, 상기 단계4에서, 전해수의 반응식은 2H2O＝O2↑+2H2↑이고;Specifically, in
여기서, 음극(즉, 다공 금속기판(10))의 반응식은 2H2O+2e-＝H2↑+2OH-이고;Here, the negative electrode (that is, the porous metal substrate 10) of the reaction scheme is 2H 2 O + 2e - = H 2 ↑ + 2OH - and;
양극(53)의 반응식은 2H2O-4e-＝O2↑+4H+이다.The reaction scheme of the
상기 내용을 종합하면, 본 발명에서 제공한 플랙시블 기판의 스트립핑 방법은 다공 금속기판을 제공하고; 다공 금속기판 상에 버퍼층을 형성하고; 상기 버퍼층 상에 플랙시블 기판을 형성하고; 다공 금속기판이 일부가 전해질에 잠기도록 플랙시블 기판 전해조에 넣는다. 다공 금속기판을 음극으로 하고, 전원을 인가하여 전해질 내의 물을 전해시키면, 다공 금속기판 상에 수소가스가 방출되고, 수소가스의 작용력에 의해 플랙시블 기판과 버퍼층은 다공 금속기판으로부터 스트립핑되어, 저부에 버퍼층이 남아 있는 플랙시블 기판을 얻게 되는 단계를 포함한다. 상기 방법은 고효율, 무 손상이며, 플랙시블 기판의 생산수율을 높일 수 있으며; 플랙시블 기판의 스트립핑 속도가 신속하며, 플랙시블 기판 상의 디바이스가 스트립핑 과정에서 영향을 받지 않도록 보증한다; 한편, 다공 금속기판은 중복하여 재사용 가능하므로, 생산원가를 낮출 수 있다.In summary, the method for stripping a flexible substrate provided in the present invention provides a porous metal substrate; Forming a buffer layer on the porous metal substrate; Forming a flexible substrate on the buffer layer; The porous metal substrate is placed in a flexible substrate electrolyzer to partially submerge in the electrolyte. When the porous metal substrate is used as the cathode, and power is applied to electrolyze the water in the electrolyte, hydrogen gas is released on the porous metal substrate, and the flexible substrate and the buffer layer are stripped from the porous metal substrate by the action of the hydrogen gas. Obtaining a flexible substrate having a buffer layer remaining at a bottom thereof. The method is high efficiency, no damage, and can increase the production yield of the flexible substrate; The stripping speed of the flexible substrate is fast and ensures that the device on the flexible substrate is not affected in the stripping process; On the other hand, the porous metal substrate can be reused in duplicate, lowering the production cost.
본 기술분야의 일반기술자는, 본 발명의 기술방안과 기술사상에 의해 이상 설명한 것을 기타 상응된 변경 및 변형으로 수행이 가능하며, 이러한 변경과 변형은 모두 본 발명 청구항의 보호범위에 속하게 된다.The person skilled in the art can carry out what is described above by the technical solutions and technical thoughts of the present invention with other corresponding changes and modifications, all such changes and modifications fall within the protection scope of the claims of the present invention.
Claims (16)
상기 버퍼층 상에 플랙시블 기판을 형성하는 단계2;
전해조, 및 전해조 내에 설치된 양극을 포함한 전해장치를 제공하는 단계3;
상기 전해장치의 전해조 내에 전해질을 추가하고;
상기 단계2에서 제조된 플랙시블 기판, 버퍼층, 및 다공 금속기판을 포함된 다층판을 다공 금속기판이 하향으로 된 방식으로 상기 전해조에 넣어, 다공 금속기판이 전해질과 접촉되도록 하고, 상기 다공 금속기판을 음극으로 하고, 상기 다공 금속기판과 양극 사이에 전원을 도입하여, 전해질 중의 물을 전해시키며, 상기 다공 금속기판 근처 및 상기 다공 금속기판 내부 홀에 진입된 물이 전해된 후 수소가스로 생성되고, 상기 수소가스는 상기 버퍼층에 작용력을 인가하여, 상기 버퍼층이 상기 다공 금속기판 상에서 스트립핑되어, 저부에 버퍼층이 남아 있는 플랙시블 기판을 얻는 단계4을 포함하는 것을 특징으로 하는 플랙시블 기판의 스트립핑 방법.Providing a porous metal substrate, the metal plate having a plurality of holes therein, and forming a buffer layer on the porous metal substrate;
Forming a flexible substrate on the buffer layer;
Providing an electrolytic device comprising an electrolytic cell and an anode installed in the electrolytic cell;
Adding an electrolyte into an electrolytic cell of the electrolyzer;
The multilayer board including the flexible substrate, the buffer layer, and the porous metal substrate prepared in step 2 is placed in the electrolytic cell in such a manner that the porous metal substrate is turned downward so that the porous metal substrate is in contact with the electrolyte, and the porous metal substrate Is a cathode, a power source is introduced between the porous metal substrate and the anode to electrolyze the water in the electrolyte, and water that enters the hole near the porous metal substrate and into the hole inside the porous metal substrate is electrolyzed and is produced as hydrogen gas. And applying hydrogen to the buffer layer so that the buffer layer is stripped on the porous metal substrate, thereby obtaining a flexible substrate having a buffer layer remaining at a bottom thereof. Ping way.
상기 다공 금속기판의 재료는 철, 니켈, 또는 구리인 것을 특징으로 하는 플랙시블 기판의 스트립핑 방법.The method according to claim 1,
The material of the porous metal substrate is a stripping method of a flexible substrate, characterized in that the iron, nickel, or copper.
상기 버퍼층의 재료는 실리콘 산화층, 실리콘 질화층, 또는 실리콘 산화층과 실리콘 질화층으로 적층되어 구성된 복합층인 것을 특징으로 하는 플랙시블 기판의 스트립핑 방법.The method according to claim 1,
The material of the buffer layer is a method for stripping a flexible substrate, characterized in that the silicon oxide layer, silicon nitride layer, or a composite layer composed of a silicon oxide layer and a silicon nitride layer.
상기 단계1에서는 화학기상 증착법을 이용하여 상기 버퍼층을 형성하는 것을 특징으로 하는 플랙시블 기판의 스트립핑 방법.The method according to claim 3,
The method of claim 1, wherein the buffer layer is formed using a chemical vapor deposition method.
상기 플랙시블 기판의 재료는 유기 폴리머인 것을 특징으로 하는 플랙시블 기판의 스트립핑 방법.The method according to claim 1,
The material of the flexible substrate is a stripping method of a flexible substrate, characterized in that the organic polymer.
상기 유기 폴리머는 폴리이미드인 것을 특징으로 하는 플랙시블 기판의 스트립핑 방법.The method according to claim 5,
The organic polymer is a stripping method of a flexible substrate, characterized in that the polyimide.
상기 단계2에는 상기 플랙시블 기판 상에 디바이스를 제작하는 것을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 플랙시블 기판의 스트립핑 방법.The method according to claim 1,
And said step 2 further comprises fabricating a device on said flexible substrate.
상기 전해장치의 양극재료는 카본, 플래티넘, 또는 금인 것을 특징으로 하는 플랙시블 기판의 스트립핑 방법.The method according to claim 1,
The positive electrode material of the electrolytic device is a stripping method of a flexible substrate, characterized in that the carbon, platinum, or gold.
상기 단계4에서, 상기 다공 금속기판 상에 상기 플랙시블 기판과 멀어지는 일 측을 전해질에 잠기고, 상기 플랙시블 기판과 근접한 일 측을 전해질 밖으로 노출시키는 것을 특징으로 하는 플랙시블 기판의 스트립핑 방법.The method according to claim 1,
The method of claim 4, wherein the one side away from the flexible substrate on the porous metal substrate is immersed in the electrolyte, and one side close to the flexible substrate is exposed out of the electrolyte.
상기 단계4에서 상기 전해질은 황산용액, 수산화 나트륨용액, 황산 나트륨용액, 질산칼륨용액, 또는 물인 것을 특징으로 하는 플랙시블 기판의 스트립핑 방법.The method according to claim 1,
In the step 4, the electrolyte is a stripping method of a flexible substrate, characterized in that the sulfuric acid solution, sodium hydroxide solution, sodium sulfate solution, potassium nitrate solution, or water.
상기 버퍼층 상에 플랙시블 기판을 형성하는 단계2;
전해조, 및 전해조 내에 설치된 양극을 포함한 전해장치를 제공하는 단계3;
상기 전해장치의 전해조 내에 전해질을 추가하고;
상기 단계2에서 제조된 플랙시블 기판, 버퍼층, 및 다공 금속기판을 포함된 다층판을 다공 금속기판이 하향으로 된 방식으로 상기 전해조에 넣어, 다공 금속기판이 전해질과 접촉되도록 하고, 상기 다공 금속기판을 음극으로 하고, 상기 다공 금속기판과 양극 사이에 전원을 도입하여, 전해질 중의 물을 전해시키며, 상기 다공 금속기판 근처 및 상기 다공 금속기판 내부 홀에 진입된 물이 전해된 후 수소가스로 생성되고, 상기 수소가스는 상기 버퍼층에 작용력을 인가하여, 상기 버퍼층이 상기 다공 금속기판 상에서 스트립핑되어, 저부에 버퍼층이 남아 있는 플랙시블 기판을 얻는 단계4을 포함하며;
여기서, 상기 다공 금속기판의 재료는 철, 니켈, 또는 구리이고;
여기서, 상기 버퍼층의 재료는 실리콘 산화층, 실리콘 질화층, 또는 실리콘 산화층과 실리콘 질화층으로 적층되어 구성된 복합층이고;
여기서, 상기 단계1에서는 화학기상 증착법을 이용하여 상기 버퍼층을 형성하고;
여기서, 상기 플랙시블 기판의 재료는 유기 폴리머인 것을 특징으로 하는 플랙시블 기판의 스트립핑 방법.Providing a porous metal substrate, the metal plate having a plurality of holes therein, and forming a buffer layer on the porous metal substrate;
Forming a flexible substrate on the buffer layer;
Providing an electrolytic device comprising an electrolytic cell and an anode installed in the electrolytic cell;
Adding an electrolyte into an electrolytic cell of the electrolyzer;
The multilayer board including the flexible substrate, the buffer layer, and the porous metal substrate prepared in step 2 is placed in the electrolytic cell in such a manner that the porous metal substrate is turned downward so that the porous metal substrate is in contact with the electrolyte, and the porous metal substrate Is a cathode, a power source is introduced between the porous metal substrate and the anode to electrolyze the water in the electrolyte, and water that enters the hole near the porous metal substrate and into the hole inside the porous metal substrate is electrolyzed and is produced as hydrogen gas. The hydrogen gas applies an action force to the buffer layer so that the buffer layer is stripped on the porous metal substrate to obtain a flexible substrate having a buffer layer remaining at a bottom thereof;
Wherein the material of the porous metal substrate is iron, nickel, or copper;
Wherein the material of the buffer layer is a silicon oxide layer, a silicon nitride layer, or a composite layer formed by laminating a silicon oxide layer and a silicon nitride layer;
Wherein in step 1, the buffer layer is formed by chemical vapor deposition;
Here, the flexible substrate stripping method of the flexible substrate, characterized in that the organic polymer.
상기 유기 폴리머는 폴리이미드인 것을 특징으로 하는 플랙시블 기판의 스트립핑 방법.The method according to claim 11,
The organic polymer is a stripping method of a flexible substrate, characterized in that the polyimide.
상기 단계2에는 상기 플랙시블 기판 상에 디바이스를 제작하는 것을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 플랙시블 기판의 스트립핑 방법.The method according to claim 11,
And said step 2 further comprises fabricating a device on said flexible substrate.
상기 전해장치의 양극재료는 카본, 플래티넘, 또는 금인 것을 특징으로 하는 플랙시블 기판의 스트립핑 방법.The method according to claim 11,
The positive electrode material of the electrolytic device is a stripping method of a flexible substrate, characterized in that the carbon, platinum, or gold.
상기 단계4에서, 상기 다공 금속기판 상에 상기 플랙시블 기판과 멀어지는 일 측을 전해질에 잠기고, 상기 플랙시블 기판과 근접한 일 측을 전해질 밖으로 노출시키는 것을 특징으로 하는 플랙시블 기판의 스트립핑 방법.The method according to claim 11,
The method of claim 4, wherein the one side away from the flexible substrate on the porous metal substrate is immersed in the electrolyte, and one side close to the flexible substrate is exposed out of the electrolyte.
상기 단계4에서 상기 전해질은 황산용액, 수산화 나트륨용액, 황산 나트륨용액, 질산칼륨용액, 또는 물인 것을 특징으로 하는 플랙시블 기판의 스트립핑 방법.The method according to claim 11,
In the step 4, the electrolyte is a stripping method of a flexible substrate, characterized in that the sulfuric acid solution, sodium hydroxide solution, sodium sulfate solution, potassium nitrate solution, or water.
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| CN111081743B (en) * | 2019-12-11 | 2022-06-07 | 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 | Display panel manufacturing method and display panel |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100889978B1 (en) * | 2007-10-12 | 2009-03-25 | 전남대학교산학협력단 | Method of selectively etching semiconductor region, separation method of semiconductor layer and separation method of semiconductor device from substrate |
| CN102769109A (en) * | 2012-07-05 | 2012-11-07 | 青岛海信电器股份有限公司 | Method for manufacturing flexible display and substrate for manufacturing flexible display |
Family Cites Families (12)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4988674A (en) * | 1989-02-09 | 1991-01-29 | Eastman Kodak Company | Electrically conductive articles and processes for their fabrication |
| JP3809681B2 (en) * | 1996-08-27 | 2006-08-16 | セイコーエプソン株式会社 | Peeling method |
| JP4884592B2 (en) * | 2000-03-15 | 2012-02-29 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | Method for manufacturing light emitting device and method for manufacturing display device |
| KR101141533B1 (en) * | 2005-06-25 | 2012-05-04 | 엘지디스플레이 주식회사 | Method for carrying substrate and method for flexible display using the same |
| TWI288493B (en) * | 2005-09-13 | 2007-10-11 | Ind Tech Res Inst | Method for fabricating a device with flexible substrate and method for stripping flexible-substrate |
| KR101938125B1 (en) * | 2008-12-17 | 2019-01-15 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | Light-emitting device and electronic device |
| TWI468092B (en) * | 2013-04-08 | 2015-01-01 | Au Optronics Corp | Method of detaching for flexible substrate and flexible substrate structure |
| CN103700662B (en) * | 2013-12-09 | 2017-02-15 | 京东方科技集团股份有限公司 | Bearing substrate, and method for manufacturing flexible display device |
| KR20160142282A (en) * | 2014-01-31 | 2016-12-12 | 록히드 마틴 코포레이션 | Processes for forming composite structures with a two-dimensional material using a porous, non-sacrificial supporting layer |
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Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100889978B1 (en) * | 2007-10-12 | 2009-03-25 | 전남대학교산학협력단 | Method of selectively etching semiconductor region, separation method of semiconductor layer and separation method of semiconductor device from substrate |
| CN102769109A (en) * | 2012-07-05 | 2012-11-07 | 青岛海信电器股份有限公司 | Method for manufacturing flexible display and substrate for manufacturing flexible display |
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