KR102051477B1 - Method of manufacturing semiconductor light emitting device - Google Patents

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Abstract

본 개시는 반도체 발광소자의 제조방법에 있어서, 성장 기판 위에 제1 도전성을 갖는 제1 반도체층, 제1 도전성과 다른 제2 도전성을 갖는 제2 반도체층 및 제1 반도체층과 제2 반도체층 사이에 개재되며 전자와 정공의 재결합을 통해 빛을 생성하는 활성층을 포함하는 복수의 반도체층을 형성하는 단계; 제2 반도체층을 덮는 보호층을 형성하는 단계; 제1 반도체층과 전기적으로 연결되는 제1 오믹 전극을 형성하고 제1 열처리 온도에서 열처리하는 단계; 보호층을 제거하는 단계; 그리고 제2 반도체층과 전기적으로 연결되는 제2 오믹 전극을 형성하고 제2 열처리 온도에서 열처리하는 단계;를 포함하는 반도체 발광소자의 제조방법에 관한 것이다.The present disclosure provides a method of manufacturing a semiconductor light emitting device, comprising: a first semiconductor layer having a first conductivity, a second semiconductor layer having a second conductivity different from the first conductivity, and a first semiconductor layer and a second semiconductor layer on a growth substrate; Forming a plurality of semiconductor layers interposed therebetween and comprising an active layer generating light through recombination of electrons and holes; Forming a protective layer covering the second semiconductor layer; Forming a first ohmic electrode electrically connected to the first semiconductor layer and performing heat treatment at a first heat treatment temperature; Removing the protective layer; And forming a second ohmic electrode electrically connected to the second semiconductor layer and performing heat treatment at a second heat treatment temperature.

Description

반도체 발광소자의 제조방법{METHOD OF MANUFACTURING SEMICONDUCTOR LIGHT EMITTING DEVICE}Manufacturing method of semiconductor light emitting device {METHOD OF MANUFACTURING SEMICONDUCTOR LIGHT EMITTING DEVICE}

본 개시(Disclosure)는 전체적으로 반도체 발광소자에 관한 것으로, 특히 동작 전압을 낮추는 전극 구조를 가지는 반도체 발광소자의 제조방법에 관한 것이다.The present disclosure relates generally to semiconductor light emitting devices, and more particularly, to a method of manufacturing a semiconductor light emitting device having an electrode structure for lowering an operating voltage.

여기서, 반도체 발광소자는 전자와 정공의 재결합을 통해 빛을 생성하는 반도체 광소자를 의미하며, 3족 질화물 반도체 발광소자를 예로 들 수 있다. 3족 질화물 반도체는 Al(x)Ga(y)In(1-x-y)N (0≤x≤1, 0≤y≤1, 0≤x+y≤1)로 된 화합물로 이루어진다. 이외에도 적색 발광에 사용되는 GaAs계 반도체 발광소자 등을 예로 들 수 있다.Here, the semiconductor light emitting device refers to a semiconductor optical device that generates light through recombination of electrons and holes, for example, a group III nitride semiconductor light emitting device. The group III nitride semiconductor consists of a compound of Al (x) Ga (y) In (1-x-y) N (0 ≦ x ≦ 1, 0 ≦ y ≦ 1, 0 ≦ x + y ≦ 1). In addition, GaAs type semiconductor light emitting elements used for red light emission, etc. are mentioned.

여기서는, 본 개시에 관한 배경기술이 제공되며, 이들이 반드시 공지기술을 의미하는 것은 아니다(This section provides background information related to the present disclosure which is not necessarily prior art). 또한 본 명세서에서 상측/하측, 위/아래 등과 같은 방향 표시는 도면을 기준으로 한다.This section provides background information related to the present disclosure which is not necessarily prior art. In addition, in the present specification, direction indications such as up / down, up / down, etc. are based on the drawings.

도 1은 종래의 반도체 발광소자의 일 예를 보여주는 도면이다.1 is a view showing an example of a conventional semiconductor light emitting device.

반도체 발광소자는 성장기판(10; 예: 사파이어 기판), 성장기판(10) 위에, 복수의 반도체층으로 버퍼층(20), 제1 도전성을 가지는 제1 반도체층(30; 예: n형 GaN층), 전자와 정공의 재결합을 통해 빛을 생성하는 활성층(40; 예; INGaN/(In)GaN MQWs), 제1 도전성과 다른 제2 도전성을 가지는 제2 반도체층(50; 예: p형 GaN층)이 순차로 증착되어 있다. 버퍼층(20)은 생략될 수 있다. 그 위에 전류 확산을 위한 투광성 전도막(60)과, 본딩 패드로 역할하는 전극(70)이 형성되어 있고, 식각되어 노출된 제1 반도체층(14) 위에 본딩 패드로 역할하는 전극(80: 예: Cr/Ni/Au 적층 금속 패드)이 형성되어 있다. 도 1과 같은 형태의 반도체 발광소자를 특히 레터럴 칩(Lateral Chip)이라고 한다. 여기서, 성장기판(10) 측이 외부와 전기적으로 연결될 때 장착면이 된다. The semiconductor light emitting device includes a growth substrate 10 (eg, a sapphire substrate) and a growth layer 10, a buffer layer 20 as a plurality of semiconductor layers, and a first semiconductor layer 30 having a first conductivity (eg, an n-type GaN layer). ), An active layer 40 generating light through recombination of electrons and holes (e.g., INGaN / (In) GaN MQWs), a second semiconductor layer 50 having a second conductivity different from the first conductivity (e.g., p-type GaN) Layers) are sequentially deposited. The buffer layer 20 may be omitted. A translucent conductive film 60 for current diffusion and an electrode 70 serving as a bonding pad are formed thereon, and the electrode 80 serving as a bonding pad is formed on the first semiconductor layer 14 which is etched and exposed. : Cr / Ni / Au laminated metal pad) is formed. The semiconductor light emitting device of the form as shown in FIG. 1 is particularly called a lateral chip. Here, when the growth substrate 10 side is electrically connected to the outside becomes a mounting surface.

도 2는 미국 등록특허공보 제7,262,436호에 제시된 반도체 발광소자의 다른 예를 보여주는 도면이다. 설명의 편의를 위해 도면기호를 변경하였다.2 is a view showing another example of the semiconductor light emitting device shown in US Patent No. 7,262,436. For convenience of description, reference numerals are changed.

반도체 발광소자는 성장기판(10), 성장기판(10) 위에, 제1 도전성을 가지는 제1 반도체층(30), 전자와 정공의 재결합을 통해 빛을 생성하는 활성층(40), 제1 도전성과 다른 제2 도전성을 가지는 제2 반도체층(50)이 순차로 증착되어 있으며, 그 위에 성장기판(10) 측으로 빛을 반사시키기 위한 3층으로 된 전극막(90, 91, 92)이 형성되어 있다. 제1 전극막(90)은 Ag 반사막, 제2 전극막(91)은 Ni 확산 방지막, 제3 전극막(92)은 Au 본딩층일 수 있다. 식각되어 노출된 제1 반도체층(30) 위에 본딩 패드로 기능하는 전극(80)이 형성되어 있다. 여기서, 전극막(92) 측이 외부와 전기적으로 연결될 때 장착면이 된다. 도 2와 같은 형태의 반도체 발광소자 칩을 특히 플립 칩(Flip Chip)이라고 한다. 도 2에 도시된 플립 칩의 경우 제1 반도체층(30) 위에 형성된 전극(80)이 제2 반도체층 위에 형성된 전극막(90, 91, 92)보다 낮은 높이에 있지만, 동일한 높이에 형성될 수 있도록 할 수도 있다. 여기서 높이의 기준은 성장기판(10)으로부터의 높이일 수 있다. 반도체 발광소자에는 래터럴 칩 또는 플립 칩 이외에 수직 칩 등이 있다.The semiconductor light emitting device includes a growth substrate 10 and a growth substrate 10, a first semiconductor layer 30 having a first conductivity, an active layer 40 that generates light through recombination of electrons and holes, and a first conductivity. A second semiconductor layer 50 having another second conductivity is sequentially deposited, and there are formed three electrode layers 90, 91, 92 for reflecting light toward the growth substrate 10 side. . The first electrode film 90 may be an Ag reflecting film, the second electrode film 91 may be a Ni diffusion barrier film, and the third electrode film 92 may be an Au bonding layer. An electrode 80 serving as a bonding pad is formed on the etched and exposed first semiconductor layer 30. Here, when the electrode film 92 side is electrically connected to the outside, it becomes a mounting surface. A semiconductor light emitting device chip of the same type as that of FIG. 2 is particularly referred to as a flip chip. In the flip chip illustrated in FIG. 2, the electrode 80 formed on the first semiconductor layer 30 is at a lower level than the electrode films 90, 91, and 92 formed on the second semiconductor layer, but may be formed at the same height. You can also do that. The height reference may be the height from the growth substrate 10. Semiconductor light emitting devices include vertical chips in addition to lateral chips or flip chips.

도 3은 한국 공개특허공보 제2015-0055390호에 기재된 반도체 발광소자의 다른 일 예를 보여주는 도면이다. 설명의 편의를 위해 도면기호를 일부 변경하였다.3 is a view illustrating another example of the semiconductor light emitting device disclosed in Korean Laid-Open Patent Publication No. 2015-0055390. For convenience of description, some reference numerals have been changed.

반도체 발광소자는 플립 칩으로, 성장기판(10; 예: 사파이어 기판), 성장기판(10) 위에 복수의 반도체층으로, 버퍼층(20), 제1 도전성을 가지는 제1 반도체층(30; 예: n형 반도체층), 전자와 정공의 재결합을 통해 빛을 생성하는 활성층(40; 예; INGaN/(In)GaN MQWs), 제1 도전성과 다른 제2 도전성을 가지는 제2 반도체층(50; 예: p형 반도체층)이 순차로 증착되어 있다. 버퍼층(20)은 생략될 수 있다. 그 위에 전류 확산을 위한 투광성 전도막(60)과, 본딩 패드로 역할하는 전극(70)이 형성되어 있고, 식각되어 노출된 제1 반도체층(30) 위에 본딩 패드로 역할하는 전극(80: 예: Cr/Ni/Au 적층 금속 패드)이 형성되어 있다. 또한 반도체 발광소자의 동작 전압을 낮추기 위한 전극 구조로 제1 반도체층(n형 반도체층)에 형성되는 제1 오믹 전극(51) 및 제2 반도체층(p형 반도체층)에 형성되는 제2 오믹전극(52)을 포함하고 있다. The semiconductor light emitting device is a flip chip, a growth substrate 10 (eg, a sapphire substrate), a plurality of semiconductor layers on the growth substrate 10, a buffer layer 20, a first semiconductor layer 30 having a first conductivity (eg: n-type semiconductor layer), an active layer 40 that generates light through recombination of electrons and holes (e.g., INGaN / (In) GaN MQWs), a second semiconductor layer 50 having a second conductivity different from the first conductivity; : p-type semiconductor layer) are deposited one by one. The buffer layer 20 may be omitted. A translucent conductive film 60 for current diffusion and an electrode 70 serving as a bonding pad are formed thereon, and an electrode 80 serving as a bonding pad is formed on the first semiconductor layer 30 which is etched and exposed. : Cr / Ni / Au laminated metal pad) is formed. In addition, the second ohmic formed in the first ohmic electrode 51 and the second semiconductor layer (p-type semiconductor layer) formed in the first semiconductor layer (n-type semiconductor layer) as an electrode structure for lowering the operating voltage of the semiconductor light emitting device. The electrode 52 is included.

최근에는 자외선을 발광하는 반도체 발광소자에 대한 개발이 활발히 이루어지고 있으나, 자외선을 발광하는 반도체 발광소자에 포함된 복수의 반도체층은 종래 청색광 등 가시광 영역의 빛을 발광하는 반도체 발광소자와 다르게 알루미늄갈륨 질화물(AlGaN) 물질을 기반으로 하고 있다. AlGaN 물질을 기반으로 하는 자외선을 발광하는 반도체 발광소자에서 제1 반도체층(n형 반도체층)에 형성되는 제1 오믹 전극의 특성을 얻기 위해서는 900℃ 이상의 고온의 열처리가 필요하다. 그런데 제1 반도체층에 제1 오믹 전극을 형성하는 과정에서 제2 반도체층(p형 반도체층)이 열 충격을 받아 홀캐리어가 소멸되어 제2 반도체층에 형성되는 제2 오믹 전극이 높은 저항을 갖는 문제가 발생하여 오히려 자외선을 발광하는 반도체 발광소자의 동작 전압이 높아졌다. Recently, development of semiconductor light emitting devices that emit ultraviolet rays has been actively conducted, but a plurality of semiconductor layers included in semiconductor light emitting devices that emit ultraviolet rays are different from those of semiconductor light emitting devices that emit light in a visible light region, such as blue light. It is based on nitride (AlGaN) material. In order to obtain the characteristics of the first ohmic electrode formed on the first semiconductor layer (n-type semiconductor layer) in a semiconductor light emitting device that emits ultraviolet rays based on an AlGaN material, a high temperature heat treatment of 900 ° C. or higher is required. However, in the process of forming the first ohmic electrode on the first semiconductor layer, the second semiconductor layer (p-type semiconductor layer) is thermally shocked so that the hole carrier disappears and the second ohmic electrode formed on the second semiconductor layer has high resistance. Problems have arisen and the operating voltage of the semiconductor light emitting device that emits ultraviolet rays is increased.

본 개시에서는 AlGaN 물질을 기반으로 하며, 자외선을 발광하는 반도체 발광소자에서 n형 반도체층에 제1 오믹 전극을 형성하는 과정에서 p형 반도체층이 열 충격을 받는 문제를 해결하여 동작 전압이 낮은 자외선을 발광하는 반도체 발광소자를 얻을 수 있는 제조방법을 제공하고자 한다.The present disclosure solves a problem in which a p-type semiconductor layer is thermally shocked in the process of forming a first ohmic electrode on an n-type semiconductor layer based on an AlGaN material and emits ultraviolet light, thereby reducing ultraviolet light at an operating voltage. An object of the present invention is to provide a method of manufacturing a semiconductor light emitting device emitting light.

이에 대하여 '발명을 실시하기 위한 구체적인 내용'의 후단에 기술한다.This will be described later in the section titled 'Details of the Invention.'

여기서는, 본 개시의 전체적인 요약(Summary)이 제공되며, 이것이 본 개시의 외연을 제한하는 것으로 이해되어서는 아니된다(This section provides a general summary of the disclosure and is not a comprehensive disclosure of its full scope or all of its features).This section provides a general summary of the disclosure and is not a comprehensive disclosure of its full scope or all, provided that this is a summary of the disclosure. of its features).

본 개시에 따른 일 태양에 의하면(According to one aspect of the present disclosure), 반도체 발광소자의 제조방법에 있어서, 성장 기판 위에 제1 도전성을 갖는 제1 반도체층, 제1 도전성과 다른 제2 도전성을 갖는 제2 반도체층 및 제1 반도체층과 제2 반도체층 사이에 개재되며 전자와 정공의 재결합을 통해 빛을 생성하는 활성층을 포함하는 복수의 반도체층을 형성하는 단계; 제2 반도체층을 덮는 보호층을 형성하는 단계; 제1 반도체층과 전기적으로 연결되는 제1 오믹 전극을 형성하고 제1 열처리 온도에서 열처리하는 단계; 보호층을 제거하는 단계; 그리고 제2 반도체층과 전기적으로 연결되는 제2 오믹 전극을 형성하고 제2 열처리 온도에서 열처리하는 단계;를 포함하는 반도체 발광소자의 제조방법이 제공된다.According to one aspect of the present disclosure, in the method of manufacturing a semiconductor light emitting device, a first semiconductor layer having a first conductivity, a second conductivity different from the first conductivity, is formed on a growth substrate. Forming a plurality of semiconductor layers including a second semiconductor layer having an active layer interposed between the first semiconductor layer and the second semiconductor layer and generating light through recombination of electrons and holes; Forming a protective layer covering the second semiconductor layer; Forming a first ohmic electrode electrically connected to the first semiconductor layer and performing heat treatment at a first heat treatment temperature; Removing the protective layer; And forming a second ohmic electrode electrically connected to the second semiconductor layer and performing heat treatment at a second heat treatment temperature.

이에 대하여 '발명의 실시를 위한 구체적인 내용'의 후단에 기술한다.This is described later in the section titled 'Details of the Invention.'

도 1은 종래의 반도체 발광소자의 일 예를 보여주는 도면,
도 2는 미국 등록특허공보 제7,262,436호에 제시된 반도체 발광소자의 다른 예를 보여주는 도면,
도 3은 한국 공개특허공보 제2015-0055390호에 기재된 반도체 발광소자의 다른 일 예를 보여주는 도면,
도 4는 본 개시에 따른 반도체 발광소자의 일 예를 보여주는 도면,
도 5는 본 개시에 따른 반도체 발광소자의 제조방법의 일 예를 보여주는 도면,
도 6은 본 개시에 따른 반도체 발광소자의 제조방법의 다른 일 예를 보여주는 도면,
도 7 내지 도 8은 본 개시에 따른 제조방법으로 제조된 반도체 발광소자의 장점을 보여주는 도면.
1 is a view showing an example of a conventional semiconductor light emitting device;
2 is a view showing another example of the semiconductor light emitting device shown in US Patent No. 7,262,436;
3 is a view showing another example of a semiconductor light emitting device disclosed in Korean Laid-Open Patent Publication No. 2015-0055390;
4 illustrates an example of a semiconductor light emitting device according to the present disclosure;
5 is a view showing an example of a method of manufacturing a semiconductor light emitting device according to the present disclosure;
6 is a view showing another example of a method of manufacturing a semiconductor light emitting device according to the present disclosure;
7 to 8 are views showing the advantages of the semiconductor light emitting device manufactured by the manufacturing method according to the present disclosure.

이하, 본 개시를 첨부된 도면을 참고로 하여 자세하게 설명한다(The present disclosure will now be described in detail with reference to the accompanying drawing(s)).The present disclosure will now be described in detail with reference to the accompanying drawing (s).

도 4는 본 개시에 따른 반도체 발광소자의 일 예를 보여주는 도면이다.4 is a diagram illustrating an example of a semiconductor light emitting device according to the present disclosure.

도 4(a)는 사시도이며, 도 4(b)는 AA'를 따라 자른 단면도이다.FIG. 4A is a perspective view and FIG. 4B is a cross-sectional view taken along AA ′.

본 개시에 따른 반도체 발광소자(100)는 성장기판(110), 복수의 반도체층(120, 130, 140, 150) 및 오믹 전극(160, 170)을 포함한다.The semiconductor light emitting device 100 according to the present disclosure includes a growth substrate 110, a plurality of semiconductor layers 120, 130, 140, and 150, and ohmic electrodes 160 and 170.

성장기판(110)은 주로 사파이어, SiC, Si, GaN 등이 이용되며, 성장기판(110)은 최종적으로 제거될 수 있다.The growth substrate 110 is mainly sapphire, SiC, Si, GaN, etc. are used, the growth substrate 110 can be finally removed.

복수의 반도체층(120, 130, 140, 150)은 성장기판(110)에서 성장하는 버퍼층(120), 제1 도전성을 가지는 제1 반도체층(130; 예 : n형 반도체층), 제1 도전성과 다른 제2 도전성을 가지는 제2 반도체층(150; 예 : p형 반도체층) 및 제1 반도체층(120)과 제2 반도체층(150) 사이에 개재되며 전자와 정공의 재결합을 통해 빛을 생성하는 활성층(140)을 포함한다. 버퍼층(120)은 생략될 수 있으며 도시하지는 않았지만 필요에 따라 추가의 층들을 포함할 수 있다. 복수의 반도체층(120, 130, 140, 150)은 알루미늄갈륨 질화물(AlGaN) 물질을 기반으로 하여 반도체 발광소자(100)가 자외선을 방출할 수 있다. 특히 300nm 이하의 단파장을 갖는 자외선을 방출할 수 있다. The plurality of semiconductor layers 120, 130, 140, and 150 may include a buffer layer 120 growing on the growth substrate 110, a first semiconductor layer 130 having a first conductivity (eg, an n-type semiconductor layer), and a first conductivity. A second semiconductor layer 150 having a second conductivity different from that of the second semiconductor layer 150 (eg, a p-type semiconductor layer), and interposed between the first semiconductor layer 120 and the second semiconductor layer 150 and emitting light through recombination of electrons and holes. The active layer 140 is generated. The buffer layer 120 may be omitted and may include additional layers as needed, although not shown. The semiconductor light emitting device 100 may emit ultraviolet rays based on an aluminum gallium nitride (AlGaN) material in the semiconductor layers 120, 130, 140, and 150. In particular, ultraviolet rays having a short wavelength of 300 nm or less can be emitted.

오믹 전극은 제1 오믹 전극(160) 및 제2 오믹 전극(170)을 포함한다.The ohmic electrode includes a first ohmic electrode 160 and a second ohmic electrode 170.

제1 오믹 전극(160)은 Cr, Ti, Al, Ag, Ni, Pt, W, Au 등의 조합으로 이루어질 수 있다. 예를 들어, 제1 오믹 전극(161)은 순차로 적층된 오믹 접촉층(예: Cr, Ti 등)/반사 금속층(예: Al, Ag 등)/제1 장벽층(예: Ni, Cr, Ti, W, Pt, TiW 등)/산화반지층(예: Au, Pt 등)/제2 장벽층(예: Cr, Ti, Ni, Pt, Al 등)을 포함할 수 있다. 오믹 접촉층은 일함수가 작은 금속으로 이루어져 제1 반도체층(130)과 오믹 접촉을 이룬다. 반사 금속층은 빛을 반사하여 흡수손실을 줄인다. 제1 장벽층은 반사 금속층과 산화 방지층 간에 확산을 방지한다. 산화 방지층은 제1 장벽층 등의 산화를 방지할 수 있다. 도시 하지는 않았지만 제1 오믹 전극(160) 위에 패드 전극을 형성할 수 있으며 이 경우 패드 전극과 좋은 전기적 접촉을 이룰 수 있다. 오믹 접촉층은 5Å~500Å의 두께를 가질 수 있고, 반사 금속층은 500Å~10000Å 정도의 두께를 가질 수 있고, 제1 장벽층은 100Å ~ 5000Å 정도의 두께를 가질 수 있고, 산화방치층은 100Å ~ 5000Å 정도의 두께를 가질 수 있고, 제2 장벽층은 10Å ~ 1000Å 정도의 두께를 가질 수 있다. 이와 같은 다층 구조의 제1 오믹 전극(161)은 필요에 따라 일부의 층이 생략되거나 새로운 층이 추가될 수도 있다.The first ohmic electrode 160 may be formed of a combination of Cr, Ti, Al, Ag, Ni, Pt, W, Au, and the like. For example, the first ohmic electrode 161 may be a stacked ohmic contact layer (eg, Cr, Ti, etc.) / Reflective metal layer (eg, Al, Ag, etc.) / First barrier layer (eg, Ni, Cr, Ti, W, Pt, TiW, etc.) / oxide layer (eg, Au, Pt, etc.) / second barrier layer (eg, Cr, Ti, Ni, Pt, Al, etc.). The ohmic contact layer is made of a metal having a small work function to make ohmic contact with the first semiconductor layer 130. The reflective metal layer reflects light to reduce absorption loss. The first barrier layer prevents diffusion between the reflective metal layer and the antioxidant layer. The antioxidant layer can prevent oxidation of the first barrier layer or the like. Although not shown, a pad electrode may be formed on the first ohmic electrode 160, and in this case, a good electrical contact with the pad electrode may be achieved . The ohmic contact layer may have a thickness of 5 kPa to 500 kPa, the reflective metal layer may have a thickness of about 500 kPa to 10000 kPa, the first barrier layer may have a thickness of about 100 kPa to 5000 kPa, and the oxidation-preventing layer may be 100 kPa to about 100 kPa. It may have a thickness of about 5000 kPa, and the second barrier layer may have a thickness of about 10 kPa to 1000 kPa. As described above, some layers may be omitted or a new layer may be added to the first ohmic electrode 161 having the multilayer structure.

제2 오믹 전극(170)은 Cr, Ti, Al, Ag, Ni, Pt, W, Au 등의 조합으로 다층으로 이루어질 수 있다. 제2 오믹 전극(170)이 제1 오믹 전극(160)과 동일한 구조를 가질 필요는 없지만 비슷한 다층 구조를 가질 수 있다. 예를 들어, 제2 오믹 전극(170)은 순차로 적층된 접촉층/반사 금속층/제1 장벽층/산화반지층/제2 장벽층을 포함할 수 있다. 도시하지는 않았지만 필요에 따라 제2 오믹 전극(170) 위에도 패드 전극이 형성될 수 있다. The second ohmic electrode 170 may be formed in a multilayer by a combination of Cr, Ti, Al, Ag, Ni, Pt, W, Au, and the like. The second ohmic electrode 170 may not have the same structure as the first ohmic electrode 160, but may have a similar multilayer structure. For example, the second ohmic electrode 170 may include a contact layer / reflective metal layer / first barrier layer / oxidation ring layer / second barrier layer sequentially stacked. Although not shown, a pad electrode may be formed on the second ohmic electrode 170 as necessary.

또한 도시하지는 않았지만 제2 오믹 전극(170)과 제2 반도체층(150) 사이에는 투광성 도전막이 형성될 수 있다. 특히, 제2 반도체층(150)이 p형 알루미늄갈륨질화물(AlGaN)로 이루어지는 경우 전류 확산 능력이 떨어지므로, 투광성 도전막이 형성되는 것이 바람직하다. 투광성 도전막이 너무 얇게 형성되는 경우 전류 확산에 불리하여 구동 전압이 높아지고, 너무 두껍게 형성되는 경우 빛 흡수로 인해 광추출 효율이 감소될 수 있다. 예를 들어, 투광성 도전막은 ITO, ZnO 또는 Ni 및 Au를 사용하여 투광성 도전막으로 형성되거나, 이와 달리 Ag를 사용하여 반사형 도전막으로도 형성될 수 있다.Although not shown, a transparent conductive film may be formed between the second ohmic electrode 170 and the second semiconductor layer 150. In particular, when the second semiconductor layer 150 is made of p-type aluminum gallium nitride (AlGaN), since the current spreading ability is poor, it is preferable that a transparent conductive film is formed. When the light-transmissive conductive film is formed too thin, the driving voltage is increased due to the current diffusion, and when the light-transmissive conductive film is formed too thick, light extraction efficiency may be reduced due to light absorption. For example, the transparent conductive film may be formed of a transparent conductive film using ITO, ZnO, or Ni and Au, or alternatively, may be formed of a reflective conductive film using Ag.

도 5는 본 개시에 따른 반도체 발광소자의 제조방법의 일 예를 보여주는 도면이다.5 is a view illustrating an example of a method of manufacturing a semiconductor light emitting device according to the present disclosure.

반도체 발광소자의 제조방법에 있어서, 도 5(a)를 참고하면, 우선 성장기판(110) 위에 제1 반도체층(130), 활성층(140) 및 제2 반도체층(150)을 순차적으로 형성한 후, 제2 반도체층(150) 및 활성층(140)을 메사(mesa) 식각하여 제1 반도체층(130)이 노출되도록 한다. 여러 개의 반도체층을 제거하는 방법으로 건식 식각 방법, 예를 들어 ICP(Inductively Coupled Plasma)가 사용될 수 있다. 반도체층(130, 140, 150)의 일부를 식각하는 공정은 공지된 기술로서 당업자에게 잘 알려져 있다. In the method of manufacturing a semiconductor light emitting device, referring to FIG. 5A, first, the first semiconductor layer 130, the active layer 140, and the second semiconductor layer 150 are sequentially formed on the growth substrate 110. Thereafter, the second semiconductor layer 150 and the active layer 140 are mesa-etched to expose the first semiconductor layer 130. As a method of removing a plurality of semiconductor layers, a dry etching method, for example, an inductively coupled plasma (ICP) may be used. Processes for etching portions of the semiconductor layers 130, 140 and 150 are well known to those skilled in the art as known techniques.

다음으로, 도 5(b)를 참고하면, 노출된 제1 반도체층(130) 및 제2 반도체층(150) 위에 보호층(200)을 형성한다. 보호층(200)은 단일층 구조로 형성되는 것이 바람직하지만, 이에 한정하지 않고 다층 구조로 형성될 수도 있다. 보호층(200)은 SiO2, TiO2, SiNx 등과 같은 절연물질로 이루어질 수 있다. 본 개시에서 보호층(200)의 두께는 10㎛ 이하이다. 예를 들어, 보호층(200)이 10㎛ 이상의 두께로 형성되는 경우, 제2 오믹 전극(170)을 형성하기 위하여 제2 반도체층(150) 위에 형성된 보호층(200)을 제거할 때 제거가 용이하지 않을 수 있다. 따라서, 보호층(200)의 두께는 10㎛ 이하로 형성되는 것이 바람직하다. 또한 보호층(200)은 도 5(a)에 기재된 식각 이후에 형성하는 것이 바람직하다. 식각하기 전에 보호층을 형성하는 경우 이후 식각 공정 진행시 식각 단면이 매우 좋지 않기 때문이다. Next, referring to FIG. 5B, a protective layer 200 is formed on the exposed first semiconductor layer 130 and the second semiconductor layer 150. The protective layer 200 is preferably formed in a single layer structure, but is not limited thereto and may be formed in a multilayer structure. The protective layer 200 may be made of an insulating material such as SiO 2 , TiO 2 , SiNx, or the like. In the present disclosure, the thickness of the protective layer 200 is 10 μm or less. For example, when the protective layer 200 is formed to a thickness of 10 μm or more, the removal may be performed when removing the protective layer 200 formed on the second semiconductor layer 150 to form the second ohmic electrode 170. It may not be easy. Therefore, the thickness of the protective layer 200 is preferably formed to 10㎛ or less. In addition, the protective layer 200 is preferably formed after the etching described in Figure 5 (a). This is because, when the protective layer is formed before etching, the etching cross section is not very good during the subsequent etching process.

이와 같은 보호층(200)은 PECVD(Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition), LPCVD(Low Pressure Chemical Vapor Deposition), sputtering, E-beam evaporation, thermal evaportation 등을 이용하여 복수의 반도체층(130, 140, 150)을 덮도록 형성된다.The protective layer 200 may include a plurality of semiconductor layers 130, 140, and 150 by using plasma enhanced chemical vapor deposition (PECVD), low pressure chemical vapor deposition (LPCVD), sputtering, e-beam evaporation, and thermal evaportation. It is formed to cover.

다음, 도 5(c)와 같이 보호층(200)의 일부를 제거하여 노출된 제1 반도체층(130)에 제1 오믹 전극(160)을 형성한다. 다만 보호층(200)의 일부를 제거할 때 제2 반도체층(150) 위에 형성된 보호층(200)뿐 아니라 제2 반도체층(150)과 활성층(140)의 측면 중 제1 반도체층(130)을 향하는 측면(201)의 보호층(200)은 제거하지 않는 것이 바람직하다. 제1 오믹 전극(160)은 스퍼터링(Sputtering)법, 전자빔 증착법(Ebeam Evaporation), 열 증착법 등의 방법을 이용하여 형성될 수 있다.Next, as shown in FIG. 5C, a portion of the protective layer 200 is removed to form the first ohmic electrode 160 in the exposed first semiconductor layer 130. However, when removing a portion of the protective layer 200, not only the protective layer 200 formed on the second semiconductor layer 150 but also the first semiconductor layer 130 among the side surfaces of the second semiconductor layer 150 and the active layer 140. It is preferable not to remove the protective layer 200 on the side surface 201 facing. The first ohmic electrode 160 may be formed using a method such as sputtering, electron beam evaporation, and thermal evaporation.

다음으로, 도 5(d)를 참고하면, 복수의 반도체층(130, 140, 150)과 제1 오믹 전극(160)을 고온에서 열처리한다. 복수의 반도체층(130, 140, 150)과 제1 오믹 전극(160)의 열처리 공정은 제1 오믹 전극(160)의 형성과 동시에 이루어질 수 있다. 이에 따라 제1 오믹 전극(160)과 제1 반도체층(130) 사이에 접촉 저항이 감소하여 반도체 발광소자(100)의 동작 전압을 낮출 수 있다. 본 개시에서 열처리 공정은 900℃ 내지 1000 ℃의 질소 분위기에서 30초 내지 3분 동안 이루어진다. 열처리 공정을 900℃ 이상에서 진행하는 이유는 제1 반도체층이 n형 알루미늄갈륨질화물(AlGaN)로 이루어진 경우 n형 전자농도 증가를 위한 금속의 inter diffusion를 위해 900℃ 이상의 초고온의 열처리가 필요하기 때문이다. 제2 반도체층(150)은 900℃ 이상의 고온의 열처리 공정이 수행되더라도 보호층(200)에 의해 열이 전달되지 않아 정공이 소멸되지 않는다.Next, referring to FIG. 5D, the plurality of semiconductor layers 130, 140, and 150 and the first ohmic electrode 160 are heat treated at a high temperature. The heat treatment process of the semiconductor layers 130, 140, 150 and the first ohmic electrode 160 may be performed simultaneously with the formation of the first ohmic electrode 160. As a result, the contact resistance between the first ohmic electrode 160 and the first semiconductor layer 130 may be reduced to lower the operating voltage of the semiconductor light emitting device 100. In the present disclosure, the heat treatment process is performed for 30 seconds to 3 minutes in a nitrogen atmosphere of 900 ℃ to 1000 ℃. The reason why the heat treatment process is performed at 900 ° C. or higher is that when the first semiconductor layer is made of n-type aluminum gallium nitride (AlGaN), an ultra-high temperature heat treatment of 900 ° C. or higher is required for interdiffusion of metal to increase the n-type electron concentration. to be. Even if the second semiconductor layer 150 is subjected to a high temperature heat treatment process of 900 ° C. or higher, heat is not transferred by the protective layer 200, and thus holes are not lost.

다음으로, 도 5(e)를 참고하면, 보호층(200)을 전부 제거한다. Next, referring to FIG. 5E, all of the protective layer 200 are removed.

다음으로, 도 5(f)를 참고하면, 제2 반도체층(150) 위에 제2 오믹 전극(170)을 형성한다. 제2 오믹 전극(170)은 스퍼터링(Sputtering)법, 전자빔 증작법(Ebeam Evaporation), 열 증착법 등의 방법을 이용하여 형성되며, 제1 오믹 전극(160)과 동일한 또는 서로 다른 방법으로 형성될 수 있다. 도시하지는 않았지만 제2 오믹 전극(170)을 형성하기 전에 투광성 전도막 등 필요한 층을 추가할 수 있다. 제2 반도체층(150)이 p형 알루미늄갈륨질화물(AlGaN)로 이루어진 경우에는 n형 알루미늄갈륨질화물(AlGaN)과 달리 고온의 열처리 공정이 필요하지 않으며 대략 600℃ 이하의 온도에서 열처리 공정이 진행될 수 있다. 또한 보호층(200)이 도 5에 도시된 것과 같이 제1 반도체층(130) 및 제2 반도체층(150) 위에 직접 형성될 수 있지만 필요에 따라 보호층(200)과 제1 반도체층(130) 및 제2 반도체층(150) 사이에 다른 층이 형성될 수도 있다. Next, referring to FIG. 5F, a second ohmic electrode 170 is formed on the second semiconductor layer 150. The second ohmic electrode 170 may be formed using a sputtering method, an electron beam evaporation method, a thermal evaporation method, or the like, and may be formed by the same or different methods as the first ohmic electrode 160. have. Although not shown, a necessary layer such as a transparent conductive film may be added before forming the second ohmic electrode 170. When the second semiconductor layer 150 is made of p-type aluminum gallium nitride (AlGaN), unlike the n-type aluminum gallium nitride (AlGaN), a high temperature heat treatment process is not required and the heat treatment process may be performed at a temperature of about 600 ° C. or less. have. In addition, although the protective layer 200 may be formed directly on the first semiconductor layer 130 and the second semiconductor layer 150 as shown in FIG. 5, the protective layer 200 and the first semiconductor layer 130 as necessary. ) And another layer may be formed between the second semiconductor layer 150.

도 6은 본 개시에 따른 반도체 발광소자의 제조방법의 다른 일 예를 보여주는 도면이다.6 is a view illustrating another example of a method of manufacturing a semiconductor light emitting device according to the present disclosure.

먼저 도 6(a)와 같이 성장기판(110) 위에 제1 반도체층(130), 활성층(140) 및 제2 반도체층(150)을 순차적으로 형성한다. 이후 도 6(b)와 같이 제2 반도체층(150) 위에 보호층(200)을 형성한다. 이후 도 6(c)와 같이 제1 반도체층(130)이 노출되도록 식각한다. 이후 과정은 도 5(b) 이후 과정과 실질적으로 동일하다.First, as shown in FIG. 6A, the first semiconductor layer 130, the active layer 140, and the second semiconductor layer 150 are sequentially formed on the growth substrate 110. Thereafter, as shown in FIG. 6B, the protective layer 200 is formed on the second semiconductor layer 150. Thereafter, as shown in FIG. 6C, the first semiconductor layer 130 is etched to be exposed. The subsequent process is substantially the same as the process after FIG. 5 (b).

도 7 내지 도 8은 본 개시에 따른 제조방법으로 제조된 반도체 발광소자의 장점을 보여주는 도면이다. 7 to 8 are views showing the advantages of the semiconductor light emitting device manufactured by the manufacturing method according to the present disclosure.

도 7 내지 도 8은 반도체 발광소자의 동작 전압의 특징으로 보여주는 도면이다. 도 7을 보면 본 개시에 따라 보호층을 사용하여 오믹 전극이 제조된 반도체 발광소자의 동작 전압을 보여주는 그래프(300)가 종래의 방법으로 오믹 전극이 제조된 반도체 발광소자의 동작 전압을 보여주는 그래프(310)에 비하여 동일한 전압에서 저항이 작아지기 때문에 더 높은 크기의 전류가 흐르는 것을 보여 준다. 또한 도 8을 보면 도 8(a)는 보호층을 사용하여 제작된 웨이퍼(Wafer)에 20mA의 전류를 흘렸을 때 측정된 동작 전압의 특징을 보여주며, 도 8(b)는 보호층을 사용하지 않고 제작된 웨이퍼에 20mA의 전류를 흘렸을 때 측정된 동작 전압의 특징을 보여준다. 즉 도 8(a)는 웨이퍼(wafer)에 있는 반도체 발광소자 중 70% 이상이 대략 6V의 동작 전압을 갖는 것(320)을 보여주지만 도 8(b)는 웨이퍼(wafer)에 있는 반도체 발광소자 중 60% 이상이 대략 7V의 동작 전압을 갖는 것(330)을 보여주고 있다.7 to 8 are diagrams showing characteristics of an operating voltage of a semiconductor light emitting device. Referring to FIG. 7, a graph showing an operating voltage of a semiconductor light emitting device in which an ohmic electrode is manufactured using a protective layer according to the present disclosure is a graph showing an operating voltage of a semiconductor light emitting device in which an ohmic electrode is manufactured by a conventional method. Compared with 310), the resistance is smaller at the same voltage, indicating that a higher magnitude of current flows. 8 (a) shows the characteristic of the measured operating voltage when a current of 20 mA is applied to the wafer manufactured using the protective layer, and FIG. 8 (b) does not use the protective layer. It shows the characteristics of the measured operating voltage when a current of 20mA is applied to the manufactured wafer. That is, FIG. 8 (a) shows that more than 70% of the semiconductor light emitting devices in the wafer have an operating voltage of approximately 6V, while FIG. 8 (b) shows the semiconductor light emitting devices in the wafer. More than 60% of those have an operating voltage of approximately 7V (330).

본 개시에 따른 반도체 발광소자의 제조방법은 오믹 전극을 포함하는 모든 반도체 발광소자에 적용될 수 있다. 예를 들어 도 1 내지 3에 기재된 구조의 반도체 발광소자에서 오믹 전극을 형성할 때도 본 개시에 따른 반도체 발광소자의 제조방법이 적용될 수 있다. 특히 자외선을 발광하는 모든 반도체 발광소자에 있어서 오믹 전극을 형성할 때 본 개시에 기재된 제조방법을 적용할 수 있다. 또한 본 개시에 따른 반도체 발광소자의 제조방법의 순서는 당업자가 용이하게 변경할 수 있는 범위에서는 본 개시의 범위에 포함될 수 있다.The method of manufacturing a semiconductor light emitting device according to the present disclosure may be applied to all semiconductor light emitting devices including an ohmic electrode. For example, the method of manufacturing a semiconductor light emitting device according to the present disclosure may be applied when forming an ohmic electrode in the semiconductor light emitting device having the structure described with reference to FIGS. 1 to 3. In particular, the manufacturing method described in the present disclosure can be applied when forming an ohmic electrode in all semiconductor light emitting devices that emit ultraviolet rays. In addition, the order of the manufacturing method of the semiconductor light emitting device according to the present disclosure may be included in the scope of the present disclosure in a range that can be easily changed by those skilled in the art.

이하 본 개시의 다양한 실시 형태에 대하여 설명한다.Hereinafter, various embodiments of the present disclosure will be described.

(1) 반도체 발광소자의 제조방법에 있어서, 성장 기판 위에 제1 도전성을 갖는 제1 반도체층, 제1 도전성과 다른 제2 도전성을 갖는 제2 반도체층 및 제1 반도체층과 제2 반도체층 사이에 개재되며 전자와 정공의 재결합을 통해 빛을 생성하는 활성층을 포함하는 복수의 반도체층을 형성하는 단계; 제2 반도체층을 덮는 보호층을 형성하는 단계; 제1 반도체층과 전기적으로 연결되는 제1 오믹 전극을 형성하고 제1 열처리 온도에서 열처리하는 단계; 보호층을 제거하는 단계; 그리고 제2 반도체층과 전기적으로 연결되는 제2 오믹 전극을 형성하고 제2 열처리 온도에서 열처리하는 단계;를 포함하는 반도체 발광소자의 제조방법.(1) A method of manufacturing a semiconductor light emitting device, comprising: a first semiconductor layer having a first conductivity, a second semiconductor layer having a second conductivity different from the first conductivity, and a first semiconductor layer and a second semiconductor layer on a growth substrate Forming a plurality of semiconductor layers interposed therebetween and comprising an active layer generating light through recombination of electrons and holes; Forming a protective layer covering the second semiconductor layer; Forming a first ohmic electrode electrically connected to the first semiconductor layer and performing heat treatment at a first heat treatment temperature; Removing the protective layer; And forming a second ohmic electrode electrically connected to the second semiconductor layer and performing heat treatment at a second heat treatment temperature.

(2) 복수의 반도체층은 AlGaN 물질로 형성되는 반도체 발광소자의 제조방법.(2) A method for manufacturing a semiconductor light emitting device in which a plurality of semiconductor layers are formed of AlGaN material.

(3) 제1 반도체층은 n형 반도체층인 반도체 발광소자의 제조방법.(3) A method for manufacturing a semiconductor light emitting element wherein the first semiconductor layer is an n-type semiconductor layer.

(4) 제2 반도체층은 p형 반도체층인 반도체 발광소자의 제조방법.(4) A method for manufacturing a semiconductor light emitting element wherein the second semiconductor layer is a p-type semiconductor layer.

(5) 제1 열처리 온도는 제2 열처리 온도보다 높은 반도체 발광소자의 제조방법.(5) A method of manufacturing a semiconductor light emitting element, wherein the first heat treatment temperature is higher than the second heat treatment temperature.

(6) 제1 열처리 온도는 900℃ 이상이고, 제2 열처리 온도는 600℃ 이하인 반도체 발광소자의 제조방법.(6) A method of manufacturing a semiconductor light emitting element, wherein the first heat treatment temperature is 900 ° C or higher and the second heat treatment temperature is 600 ° C or lower.

(7) 보호층은 SiO2, TiO2 및 SiNx 중 적어도 하나로 이루어진 반도체 발광소자의 제조방법.(7) The protective layer is SiO 2 , TiO 2 And SiNx comprising at least one semiconductor light emitting device.

(8) 활성층은 자외선을 발광하는 반도체 발광소자의 제조방법.(8) A method of manufacturing a semiconductor light emitting element in which the active layer emits ultraviolet rays.

(9) 제2 반도체층을 덮는 보호층을 형성하는 단계 이전에 제2 반도체층 및 활성층을 식각하여 제1 반도체층의 일부를 노출하는 단계;를 포함하고, 제2 반도체층을 덮는 보호층을 형성하는 단계는 제2 반도체층 및 노출된 제1 반도체층을 덮는 보호층을 형성하고, 제2 반도체층을 덮는 보호층을 형성하는 단계와 제1 반도체층과 전기적으로 연결되는 제1 오믹 전극을 형성하고 제1 열처리 온도에서 열처리하는 단계 사이에 보호층의 일부를 식각하여 제1 반도체층의 일부를 노출하는 단계;를 포함하는 반도체 발광소자의 제조방법.(9) exposing a portion of the first semiconductor layer by etching the second semiconductor layer and the active layer prior to forming the protective layer covering the second semiconductor layer, the protective layer covering the second semiconductor layer The forming may include forming a protective layer covering the second semiconductor layer and the exposed first semiconductor layer, forming a protective layer covering the second semiconductor layer, and forming a first ohmic electrode electrically connected to the first semiconductor layer. And forming a portion of the protective layer to expose a portion of the first semiconductor layer between the forming and the heat treatment at the first heat treatment temperature.

(10) 보호층의 일부를 식각하여 제1 반도체층의 일부를 노출하는 단계에서 보호층은 제2 반도체층 및 활성층의 측면 중 제1 반도체층을 향하는 측면을 덮고 있는 반도체 발광소자의 제조방법.(10) A method of manufacturing a semiconductor light emitting device in which a portion of the protective layer is etched to expose a portion of the first semiconductor layer, wherein the protective layer covers a side facing the first semiconductor layer among the sides of the second semiconductor layer and the active layer.

(11) 제2 반도체층을 덮는 보호층을 형성하는 단계와 제1 반도체층과 전기적으로 연결되는 제1 오믹 전극을 형성하고 제1 열처리 온도에서 열처리하는 단계 사이에 보호층, 제2 반도체층 및 활성층을 식각하여 제1 반도체층의 일부를 노출하는 단계;를 포함하며, 제1 반도체층과 전기적으로 연결되는 제1 오믹 전극을 형성하고 제1 열처리 온도에서 열처리하는 단계는 노출된 제1 반도체층과 전기적으로 연결된 제1 오믹 전극을 형성하는 반도체 발광소자의 제조방법.보호층의 일부를 식각하여 제1 반도체층의 일부를 노출하는 단계; 노출된 제1 반도체층과 전기적으로 연결되는 제1 오믹 전극을 형성하고 열처리하는 단계; 보호층을 제거하는 단계; 그리고 제2 반도체층과 전기적으로 연결되는 제2 오믹 전극을 형성하는 단계;를 포함하는 반도체 발광소자의 제조방법.(11) the protective layer, the second semiconductor layer, and the step of forming a protective layer covering the second semiconductor layer and forming a first ohmic electrode electrically connected to the first semiconductor layer and heat treatment at a first heat treatment temperature; Etching the active layer to expose a portion of the first semiconductor layer, wherein forming the first ohmic electrode electrically connected to the first semiconductor layer and performing heat treatment at the first heat treatment temperature include exposing the exposed first semiconductor layer. A method of fabricating a semiconductor light emitting device, the method comprising: forming a first ohmic electrode electrically connected to the semiconductor light emitting device; Forming and heat treating a first ohmic electrode electrically connected to the exposed first semiconductor layer; Removing the protective layer; And forming a second ohmic electrode electrically connected to the second semiconductor layer.

본 개시에 따른 반도체 발광소자의 제조 방법에 의하며, AlGaN 물질로 이루어진 복수의 반도체층을 포함하는 반도체 발광소자에 있어서, 반도체 발광소자의 동작 전압을 낮추기 위한 오믹 전극을 형성할 때 p형 반도체층이 고온에 의해 손상 받는 것을 방지할 수 있다.According to the method of manufacturing a semiconductor light emitting device according to the present disclosure, in a semiconductor light emitting device including a plurality of semiconductor layers made of an AlGaN material, a p-type semiconductor layer is formed when an ohmic electrode for lowering an operating voltage of the semiconductor light emitting device is formed. It can prevent damage by high temperature.

100 : 반도체 발광소자
200 : 보호층
100: semiconductor light emitting device
200: protective layer

Claims (11)

반도체 발광소자의 제조방법에 있어서,
성장 기판 위에 제1 도전성을 갖는 제1 반도체층, 제1 도전성과 다른 제2 도전성을 갖는 제2 반도체층 및 제1 반도체층과 제2 반도체층 사이에 개재되며 전자와 정공의 재결합을 통해 빛을 생성하는 활성층을 포함하는 복수의 반도체층을 형성하는 단계;
제2 반도체층을 덮는 보호층을 형성하는 단계;
제1 반도체층과 전기적으로 연결되는 제1 오믹 전극을 형성하고 제1 열처리 온도에서 열처리하는 단계;
보호층을 전부 제거하는 단계; 그리고
제2 반도체층과 전기적으로 연결되는 제2 오믹 전극을 형성하고 제2 열처리 온도에서 열처리하는 단계;를 포함하는 반도체 발광소자의 제조방법.
In the method of manufacturing a semiconductor light emitting device,
Interposed between a first semiconductor layer having a first conductivity, a second semiconductor layer having a second conductivity different from the first conductivity, and a first semiconductor layer and a second semiconductor layer on the growth substrate, and emitting light through recombination of electrons and holes. Forming a plurality of semiconductor layers including the active layers to be produced;
Forming a protective layer covering the second semiconductor layer;
Forming a first ohmic electrode electrically connected to the first semiconductor layer and performing heat treatment at a first heat treatment temperature;
Removing all of the protective layer; And
And forming a second ohmic electrode electrically connected to the second semiconductor layer and performing a heat treatment at a second heat treatment temperature.
제1항에 있어서,
복수의 반도체층은 AlGaN 물질로 형성되는 반도체 발광소자의 제조방법.
The method of claim 1,
A method for manufacturing a semiconductor light emitting device, wherein the plurality of semiconductor layers are formed of AlGaN material.
제2항에 있어서,
제1 반도체층은 n형 반도체층인 반도체 발광소자의 제조방법.
The method of claim 2,
The first semiconductor layer is an n-type semiconductor layer manufacturing method of a semiconductor light emitting device.
제2항에 있어서,
제2 반도체층은 p형 반도체층인 반도체 발광소자의 제조방법.
The method of claim 2,
The second semiconductor layer is a p-type semiconductor layer manufacturing method of a semiconductor light emitting device.
제1항에 있어서,
제1 열처리 온도는 제2 열처리 온도보다 높은 반도체 발광소자의 제조방법.
The method of claim 1,
A method of manufacturing a semiconductor light emitting device, wherein the first heat treatment temperature is higher than the second heat treatment temperature.
제5항에 있어서,
제1 열처리 온도는 900℃ 이상이고, 제2 열처리 온도는 600℃ 이하인 반도체 발광소자의 제조방법.
The method of claim 5,
The first heat treatment temperature is 900 ℃ or more, the second heat treatment temperature is 600 ℃ or less manufacturing method of a semiconductor light emitting device.
제1항에 있어서,
보호층은 SiO2, TiO2 및 SiNx 중 적어도 하나로 이루어진 반도체 발광소자의 제조방법.
The method of claim 1,
The protective layer is SiO 2 , TiO 2 And SiNx comprising at least one semiconductor light emitting device.
제1항에 있어서,
활성층은 자외선을 발광하는 반도체 발광소자의 제조방법.
The method of claim 1,
The active layer is a method of manufacturing a semiconductor light emitting device that emits ultraviolet light.
제1항에 있어서,
제2 반도체층을 덮는 보호층을 형성하는 단계 이전에
제2 반도체층 및 활성층을 식각하여 제1 반도체층의 일부를 노출하는 단계;를 포함하고,
제2 반도체층을 덮는 보호층을 형성하는 단계는
제2 반도체층 및 노출된 제1 반도체층을 덮는 보호층을 형성하고,
제2 반도체층을 덮는 보호층을 형성하는 단계와 제1 반도체층과 전기적으로 연결되는 제1 오믹 전극을 형성하고 제1 열처리 온도에서 열처리하는 단계 사이에
보호층의 일부를 식각하여 제1 반도체층의 일부를 노출하는 단계;를 포함하는 반도체 발광소자의 제조방법.
The method of claim 1,
Prior to forming the protective layer covering the second semiconductor layer
Etching a second semiconductor layer and an active layer to expose a portion of the first semiconductor layer;
Forming a protective layer covering the second semiconductor layer is
Forming a protective layer covering the second semiconductor layer and the exposed first semiconductor layer,
Between forming a protective layer covering the second semiconductor layer and forming a first ohmic electrode electrically connected to the first semiconductor layer and heat-treating at a first heat treatment temperature.
And etching a portion of the protective layer to expose a portion of the first semiconductor layer.
제9항에 있어서,
보호층의 일부를 식각하여 제1 반도체층의 일부를 노출하는 단계에서
보호층은 제2 반도체층 및 활성층의 측면 중 제1 반도체층을 향하는 측면을 덮고 있는 반도체 발광소자의 제조방법.
The method of claim 9,
Etching a portion of the protective layer to expose a portion of the first semiconductor layer
The protective layer covers a side of the second semiconductor layer and the active layer toward the first semiconductor layer.
제1항에 있어서,
제2 반도체층을 덮는 보호층을 형성하는 단계와 제1 반도체층과 전기적으로 연결되는 제1 오믹 전극을 형성하고 제1 열처리 온도에서 열처리하는 단계 사이에
보호층, 제2 반도체층 및 활성층을 식각하여 제1 반도체층의 일부를 노출하는 단계;를 포함하며,
제1 반도체층과 전기적으로 연결되는 제1 오믹 전극을 형성하고 제1 열처리 온도에서 열처리하는 단계는
노출된 제1 반도체층과 전기적으로 연결된 제1 오믹 전극을 형성하는 반도체 발광소자의 제조방법.
The method of claim 1,
Between forming a protective layer covering the second semiconductor layer and forming a first ohmic electrode electrically connected to the first semiconductor layer and heat-treating at a first heat treatment temperature.
And etching a passivation layer, the second semiconductor layer and the active layer to expose a portion of the first semiconductor layer.
Forming a first ohmic electrode electrically connected to the first semiconductor layer and performing a heat treatment at a first heat treatment temperature
A method of manufacturing a semiconductor light emitting device, forming a first ohmic electrode electrically connected to an exposed first semiconductor layer.
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