KR102049384B1 - Light emitting device, light emitting device package and apparatus for driving a light emitting device - Google Patents

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Abstract

발광 소자는 기판 상에 배치되고 제1 파장의 제1 광을 생성하는 제1 발광 구조물과 제1 발광 구조물 상에 배치되고, 제2 파장의 제2 광을 생성하는 제2 발광 구조물을 포함한다. 제1 발광 구조물은 제1 도전형 반도체층, 제1 발광층 및 제2 도전형 반도체층을 포함한다. 제2 발광 구조물은 제2 도전형 반도체층, 제2 발광층 및 제3 도전형 반도체층을 포함한다. 발광 소자는 제1 발광 구조물 및 제2 발광 구조물의 제2 도전형 반도체층 상에 배치되는 제1 전극을 더 포함한다. 제1 광의 제1 파장은 제2 광의 제2 파장보다 작다.The light emitting device includes a first light emitting structure disposed on a substrate and generating a first light having a first wavelength, and a second light emitting structure disposed on the first light emitting structure and generating a second light having a second wavelength. The first light emitting structure includes a first conductive semiconductor layer, a first light emitting layer, and a second conductive semiconductor layer. The second light emitting structure includes a second conductive semiconductor layer, a second light emitting layer, and a third conductive semiconductor layer. The light emitting device further includes a first electrode disposed on the first light emitting structure and the second conductive semiconductor layer of the second light emitting structure. The first wavelength of the first light is smaller than the second wavelength of the second light.

Description

발광 소자, 발광 소자 패키지 및 발광 소자 구동 장치{Light emitting device, light emitting device package and apparatus for driving a light emitting device}Light emitting device, light emitting device package and apparatus for driving a light emitting device

실시예는 발광 소자에 관한 것이다.An embodiment relates to a light emitting device.

실시예는 발광 소자 패키지에 관한 것이다.Embodiments relate to a light emitting device package.

발광 소자 및 발광 소자 패키지에 대한 연구가 활발하게 진행 중이다.Research on light emitting devices and light emitting device packages is actively underway.

발광 소자는 예컨대 반도체 물질로 형성되어 전기 에너지를 빛으로 변환하여 주는 반도체 발광 소자 또는 반도체 발광 다이오드이다. The light emitting device is, for example, a semiconductor light emitting device or a semiconductor light emitting diode which is formed of a semiconductor material and converts electrical energy into light.

발광 소자는 형광등, 백열등 등 기존의 광원에 비해 저소비전력, 반영구적인 수명, 빠른 응답속도, 안전성, 환경친화성의 장점을 가진다. 이에 기존의 광원을 반도체 발광 소자로 대체하기 위한 많은 연구가 진행되고 있다. The light emitting device has advantages of low power consumption, semi-permanent life, fast response speed, safety and environmental friendliness compared to conventional light sources such as fluorescent lamps and incandescent lamps. Accordingly, many researches are being conducted to replace the existing light source with a semiconductor light emitting device.

발광 소자는 실내외에서 사용되는 각종 램프, 액정표시장치의 백라이트 유닛, 전광판과 같은 표시 소자, 가로등과 같은 조명 소자로서 사용이 증가되고 있는 추세이다.BACKGROUND ART Light emitting devices are increasingly used as lighting devices such as various lamps used indoors and outdoors, backlight units of liquid crystal display devices, display devices such as electronic displays, and street lamps.

실시예는 신뢰성을 확보할 수 있는 발광 소자를 제공한다.The embodiment provides a light emitting device capable of securing reliability.

실시예는 비용을 절감할 수 있는 발광 소자를 제공한다.The embodiment provides a light emitting device capable of reducing costs.

실시예는 사이즈를 줄일 수 있는 발광 소자를 제공한다.The embodiment provides a light emitting device capable of reducing a size.

실시예는 광 효율을 향상시킬 수 있는 발광 소자를 제공한다.The embodiment provides a light emitting device capable of improving light efficiency.

실시예에 따르면, 발광 소자는, 기판; 상기 기판 상에 배치되고, 제1 파장의 제1 광을 생성하는 제1 발광 구조물-상기 제1 발광 구조물은 상기 기판 상에 배치되는 제1 도전형 반도체층, 상기 제1 도전형 반도체층 상에 배치되는 제1 발광층 및 제1 발광층 상에 배치되는 제2 도전형 반도체층을 포함함-; 상기 제1 발광 구조물 상에 배치되고, 제2 파장의 제2 광을 생성하는 제2 발광 구조물-상기 제2 발광 구조물은 상기 제2 도전형 반도체층, 상기 제2 도전형 반도체층 상에 배치되는 제2 발광층 및 상기 제2 발광층 상에 배치되는 제3 도전형 반도체층을 포함함-; 및 상기 제1 발광 구조물 및 상기 제2 발광 구조물의 제2 도전형 반도체층 상에 배치되는 제1 전극을 포함하고, 상기 제1 광의 제1 파장은 상기 제2 광의 제2 파장보다 작다.According to an embodiment, the light emitting device comprises: a substrate; A first light emitting structure disposed on the substrate, the first light emitting structure generating a first light of a first wavelength, wherein the first light emitting structure is disposed on the first conductive semiconductor layer and the first conductive semiconductor layer A first light emitting layer disposed and a second conductivity type semiconductor layer disposed on the first light emitting layer; A second light emitting structure disposed on the first light emitting structure, the second light emitting structure generating a second light having a second wavelength, wherein the second light emitting structure is disposed on the second conductive semiconductor layer and the second conductive semiconductor layer; A second light emitting layer and a third conductive semiconductor layer disposed on the second light emitting layer; And a first electrode disposed on the first light emitting structure and the second conductive semiconductor layer of the second light emitting structure, wherein the first wavelength of the first light is smaller than the second wavelength of the second light.

실시예에 따르면, 발광 소자는, 기판; 상기 기판 아래에 배치되고, 제1 파장의 제1 광을 생성하는 제1 발광 구조물-상기 제1 발광 구조물은 상기 기판 아래에 배치되는 제1 도전형 반도체층, 상기 제1 도전형 반도체층 아래에 배치되는 제1 발광층 및 제1 발광층 아래에 배치되는 제2 도전형 반도체층을 포함함-; 상기 제1 발광 구조물 아래에 배치되고, 제2 파장의 제2 광을 생성하는 제2 발광 구조물-상기 제2 발광 구조물은 상기 제2 도전형 반도체층, 상기 제2 도전형 반도체층 아래에 배치되는 제2 발광층 및 상기 제2 발광층 아래에 배치되는 제3 도전형 반도체층을 포함함-; 및 상기 제1 발광 구조물 및 상기 제2 발광 구조물의 제2 도전형 반도체층 아래에 배치되는 제1 전극을 포함하고, 상기 제1 광의 제1 파장은 상기 제2 광의 제2 파장보다 크다.According to an embodiment, the light emitting device comprises: a substrate; A first light emitting structure disposed under the substrate, the first light emitting structure generating a first light of a first wavelength, wherein the first light emitting structure is disposed under the first conductive semiconductor layer and under the first conductive semiconductor layer A first light emitting layer disposed and a second conductivity type semiconductor layer disposed below the first light emitting layer; A second light emitting structure disposed under the first light emitting structure and generating a second light having a second wavelength, wherein the second light emitting structure is disposed under the second conductive semiconductor layer and the second conductive semiconductor layer; A second light emitting layer and a third conductive semiconductor layer disposed under the second light emitting layer; And a first electrode disposed below the first light emitting structure and the second conductive semiconductor layer of the second light emitting structure, wherein the first wavelength of the first light is greater than the second wavelength of the second light.

실시예에 따르면, 발광 소자는, 제1 발광 구조물-상기 제1 발광 구조물은 제1 도전형 반도체층, 상기 제1 도전형 반도체층 아래에 배치되는 제1 발광층 및 제1 발광층 아래에 배치되는 제2 도전형 반도체층을 포함함-; 상기 제1 발광 구조물 아래에 배치되고, 제2 파장의 제2 광을 생성하는 제2 발광 구조물-상기 제2 발광 구조물은 상기 제2 도전형 반도체층, 상기 제2 도전형 반도체층 아래에 배치되는 제2 발광층 및 상기 제2 발광층 아래에 배치되는 제3 도전형 반도체층을 포함함-; 상기 제2 발광 구조물 아래에 배치되고, 제3 파장의 제2 광을 생성하는 제3 발광 구조물-상기 제3 발광 구조물은 상기 제3 도전형 반도체층, 상기 제3 도전형 반도체층 아래에 배치되는 제3 발광층 및 상기 제3 발광층 아래에 배치되는 제4 도전형 반도체층을 포함함-; 상기 제1 발광 구조물의 제1 도전형 반도체층 상에 배치되는 제1 전극; 상기 제1 발광 구조물 및 상기 제2 발광 구조물의 제2 도전형 반도체층 상에 배치되는 제2 전극; 상기 제2 발광 구조물 및 상기 제3 발광 구조물의 제3 도전형 반도체층 상에 배치되는 제3 전극; 상기 제3 발광 구조물의 제4 도전형 반도체층의 주변 영역에 배치되는 보호층; 및 상기 제3 발광 구조물의 제4 도전형 반도체층 아래에 배치되고, 상기 보호층에 의해 둘러쌓여지며, 상기 제1 전극과 중첩되는 제4 전극을 포함하고, 상기 제1 광의 제1 파장은 상기 제2 광의 제2 파장보다 크다.According to an embodiment, the light emitting device may include a first light emitting structure, wherein the first light emitting structure is a first conductive semiconductor layer, a first light emitting layer disposed under the first conductive semiconductor layer, and a first light emitting layer disposed under the first light emitting layer. A 2 conductivity type semiconductor layer; A second light emitting structure disposed under the first light emitting structure and generating a second light having a second wavelength, wherein the second light emitting structure is disposed under the second conductive semiconductor layer and the second conductive semiconductor layer; A second light emitting layer and a third conductive semiconductor layer disposed under the second light emitting layer; A third light emitting structure disposed under the second light emitting structure and generating a second light having a third wavelength, wherein the third light emitting structure is disposed under the third conductive semiconductor layer and the third conductive semiconductor layer; A third light emitting layer and a fourth conductive semiconductor layer disposed under the third light emitting layer; A first electrode on the first conductive semiconductor layer of the first light emitting structure; A second electrode disposed on the first light emitting structure and the second conductive semiconductor layer of the second light emitting structure; A third electrode disposed on the second light emitting structure and the third conductive semiconductor layer of the third light emitting structure; A protective layer disposed in a peripheral region of the fourth conductive semiconductor layer of the third light emitting structure; And a fourth electrode disposed under the fourth conductive semiconductor layer of the third light emitting structure, surrounded by the protective layer, and overlapping the first electrode, wherein the first wavelength of the first light is the It is larger than the second wavelength of the second light.

실시예에 따르면, 발광 소자 구동 장치는, 제1 파장의 제1 광을 생성하는 제1 발광 구조물; 상기 제1 발광 구조물 상에 배치되고, 제2 파장의 제2 광을 생성하는 제2 발광 구조물; 상기 제2 발광 구조물 상에 배치되고, 제3 파장의 제3 광을 생성하는 제3 발광 구조물; 상기 제1 발광 구조물의 일측에 배치되는 제1 전극; 상기 제1 발광 구조물과 상기 제2 발광 구조물 사이에 배치되는 제2 전극; 상기 제2 발광 구조물과 상기 제3 발광 구조물 사이에 배치되는 제3 전극; 상기 제3 발광 구조물의 일측에 배치되는 제4 전극; 상기 제1 및 제2 전극 사이에 연결된 제1 전원 및 제1 스위치; 상기 제2 전극 및 제3 전극 사이에 연결된 제2 전원 및 제2 스위치; 및 상기 제3 전극 및 제4 전극 사이에 연결된 제3 전원 및 제3 스위치를 포함하고, 상기 제1 내지 제3 발광 구조물은 직렬로 연결된다.According to an embodiment, a light emitting element driving apparatus includes: a first light emitting structure for generating a first light of a first wavelength; A second light emitting structure disposed on the first light emitting structure and generating a second light of a second wavelength; A third light emitting structure disposed on the second light emitting structure, the third light emitting structure generating a third light of a third wavelength; A first electrode disposed on one side of the first light emitting structure; A second electrode disposed between the first light emitting structure and the second light emitting structure; A third electrode disposed between the second light emitting structure and the third light emitting structure; A fourth electrode disposed on one side of the third light emitting structure; A first power source and a first switch connected between the first and second electrodes; A second power supply and a second switch connected between the second electrode and a third electrode; And a third power source and a third switch connected between the third electrode and the fourth electrode, wherein the first to third light emitting structures are connected in series.

실시예에 따르면, 발광 소자 패키지는, 바디; 상기 바디 상에 배치되는 제1 및 제2 전극층; 상기 바디 상에 배치되며, 상기 제1 및 제2 전극층에 전기적으로 연결되는 상기 발광 소자; 및 상기 발광 소자를 둘러싸는 몰딩 부재를 포함한다.According to an embodiment, the light emitting device package, the body; First and second electrode layers disposed on the body; The light emitting device disposed on the body and electrically connected to the first and second electrode layers; And a molding member surrounding the light emitting device.

기존에는 각 파장의 광을 생성하는 발광 소자를 개별적으로 만들어 이들을 이용하여 발광 소자 패키지를 제조하였다. 이러한 경우, 각 발광 소자 간의 레이 아웃 설계 불량으로 각 발광 소자간 접촉이 발생하거나 각 발광 소자 간의 전기적인 연결시 전기적 연결 불량 등과 같은 문제가 발생되어 제품에 대한 신뢰가 떨어졌다. Conventionally, light emitting devices that generate light of each wavelength are individually made, and light emitting device packages are manufactured using them. In such a case, problems such as contact between each light emitting device may occur due to a layout design failure between each light emitting device, or a problem such as a poor electrical connection during electrical connection between each light emitting device may reduce reliability of the product.

실시예는 서로 상이한 파장의 광을 생성할 수 있는 단일 발광 소자를 이용하여 발광 소자 패키지를 제조할 수 있으므로, 제품 신뢰성을 증진시킬 수 있다.According to the embodiment, the light emitting device package may be manufactured using a single light emitting device capable of generating light having different wavelengths, thereby improving product reliability.

실시예는 기존의 다수의 발광 소자를 사용하는 대신 이들 다수의 발광 소자와 동일한 개수의 파장의 광을 생성하는 단일 발광 소자를 형성할 수 있으므로, 제조 비용 및 제품 사이즈가 현저히 줄어들 수 있다.The embodiment can form a single light emitting device that generates the same number of wavelengths as those light emitting devices instead of using a plurality of light emitting devices, so that manufacturing cost and product size can be significantly reduced.

실시예는 광이 상부로 방출되는 것을 기준으로 하부 영역의 발광 구조물에서 생성되는 광의 파장보다 그 위에 형성되는 상부 영역의 발광 구조물에서 생성되는 광의 파장을 더 크도록 설계하여 줌으로써, 광이 보다 많이 외부로 방출되어 광 효율이 향상될 수 있다. The embodiment is designed so that the wavelength of light generated in the light emitting structure of the upper region formed thereon is larger than the wavelength of light generated in the light emitting structure of the lower region on the basis that the light is emitted upward, so that the light is more external. Can be emitted to improve the light efficiency.

도 1은 제1 실시예에 따른 발광 소자를 도시한 단면도다.
도 2는 도 1이 발광 소자를 구동하기 위한 회로도이다.
도 3은 제2 실시예에 따른 발광 소자를 도시한 단면도이다.
도 4는 제3 실시예에 따른 발광 소자를 도시한 단면도이다.
도 5는 제4 실시예에 따른 발광 소자를 도시한 단면도이다.
도 6은 제5 실시예에 따른 발광 소자를 도시한 단면도이다.
도 7은 실시예에 따른 발광 소자 패키지를 도시한 단면도이다.1 is a cross-sectional view showing a light emitting device according to the first embodiment.
FIG. 2 is a circuit diagram for driving the light emitting device of FIG. 1.
3 is a cross-sectional view illustrating a light emitting device according to a second embodiment.
4 is a cross-sectional view illustrating a light emitting device according to a third embodiment.
5 is a cross-sectional view illustrating a light emitting device according to a fourth embodiment.
6 is a cross-sectional view illustrating a light emitting device according to a fifth embodiment.
7 is a cross-sectional view showing a light emitting device package according to the embodiment.

발명에 따른 실시 예의 설명에 있어서, 각 구성 요소의 " 상(위) 또는 하(아래)"에 형성되는 것으로 기재되는 경우에 있어, 상(위) 또는 하(아래)는 두개의 구성 요소들이 서로 직접 접촉되거나 하나 이상의 또 다른 구성 요소가 두 개의 구성 요소들 사이에 배치되어 형성되는 것을 모두 포함한다. 또한 “상(위) 또는 하(아래)”으로 표현되는 경우 하나의 구성 요소를 기준으로 위쪽 방향뿐만 아니라 아래쪽 방향의 의미도 포함할 수 있다.In the description of the embodiment according to the invention, in the case where it is described as being formed on the "top" or "bottom" of each component, the top (bottom) or the bottom (bottom) is the two components are mutually It includes both direct contact or one or more other components disposed between and formed between the two components. In addition, when expressed as "up (up) or down (down)" may include the meaning of the down direction as well as the up direction based on one component.

도 1은 제1 실시예에 따른 발광 소자를 도시한 단면도다.1 is a cross-sectional view showing a light emitting device according to the first embodiment.

도 1을 참조하면, 제1 실시예에 따른 발광 소자(1)는 성장 기판(3) 상에 순차적으로 형성된 제1 발광 구조물(A), 제2 발광 구조물(B) 및 제3 발광 구조물(C)을 포함할 수 있다. Referring to FIG. 1, the light emitting device 1 according to the first embodiment may include a first light emitting structure A, a second light emitting structure B, and a third light emitting structure C, which are sequentially formed on the growth substrate 3. ) May be included.

제1 실시예는 3개의 발광 구조물이 개시되고 있지만, 이에 대해서는 한정하지 않는다. 즉, 제1 실시예에 따른 발광 소자(1)는 2개의 발광 구조물 또는 3개 이상의 발광 구조물을 포함할 수도 있지만, 이에 대해서는 한정하지 않는다.Three light emitting structures are disclosed in the first embodiment, but are not limited thereto. That is, the light emitting device 1 according to the first embodiment may include two light emitting structures or three or more light emitting structures, but is not limited thereto.

상기 제1 내지 제3 발광 구조물(A, B, C)은 성장 장비를 이용하여 일괄적으로 형성될 수 있지만, 이에 대해서는 한정하지 않는다.The first to third light emitting structures A, B, and C may be collectively formed using growth equipment, but the present invention is not limited thereto.

상기 성장 장비는 전자빔 증착기, PVD(physical vapor deposition), CVD(chemical vapor deposition), PLD(plasma laser deposition), 이중형의 열증착기(dual-type thermal evaporator) 스퍼터링(sputtering), MOCVD(metal organic chemical vapor deposition) 등에 의해 형성할 수 있으며, 이러한 장비로 한정하지는 않는다. The growth equipment may be an electron beam evaporator, physical vapor deposition (PVD), chemical vapor deposition (CVD), plasma laser deposition (PLD), dual-type thermal evaporator sputtering, metal organic chemical vapor (MOCVD) deposition) and the like, and the like is not limited to such equipment.

제1 실시예에 따른 발광 소자(1)는 제1 내지 제4 전극(23, 25, 27, 29)을 더 포함할 수 있지만, 이에 대해서는 한정하지 않는다The light emitting device 1 according to the first embodiment may further include, but is not limited to, the first to fourth electrodes 23, 25, 27, and 29.

제1 실시예에 따른 발광 소자(1)는 수평형(lateral type) 발광 소자일 수 있지만, 이에 대해서는 한정하지 않는다.The light emitting device 1 according to the first embodiment may be a lateral type light emitting device, but is not limited thereto.

제1 실시예에 따른 발광 소자(1)는 상기 제3 발광 구조물(C) 상에 형성된 전극층(19)을 더 포함할 수 있지만, 이에 대해서는 한정하지 않는다.The light emitting device 1 according to the first embodiment may further include an electrode layer 19 formed on the third light emitting structure C, but is not limited thereto.

상기 제1 발광 구조물(A), 상기 제2 발광 구조물(B) 및 상기 제3 발광 구조물(C)은 II-VI족 또는 III-V족 화합물 반도체 재질로 이루어진 AlxInyGa(1-x-y)N (0≤x≤1, 0≤y≤1, 0≤x+y≤1)형성될 수 있다. 예컨대, 상기 제1 발광 구조물(A), 상기 제2 발광 구조물(B) 및 상기 제3 발광 구조물(C)은 InAlGaN, GaN, AlGaN, InGaN, AlN, InN 및 AlInN로 이루어지는 그룹으로부터 선택된 적어도 하나를 포함할 수 있지만, 이에 대해서는 한정하지 않는다. The first light emitting structure A, the second light emitting structure B, and the third light emitting structure C may be formed of AlxInyGa (1-xy) N (0) made of a II-VI or III-V compound semiconductor material. ≤ x ≤ 1, 0 ≤ y ≤ 1, 0 ≤ x + y ≤ 1) can be formed. For example, the first light emitting structure A, the second light emitting structure B, and the third light emitting structure C may include at least one selected from the group consisting of InAlGaN, GaN, AlGaN, InGaN, AlN, InN, and AlInN. It may include, but is not limited to this.

상기 제1 발광 구조물(A), 상기 제2 발광 구조물(B) 및 상기 제3 발광 구조물(C) 각각의 위 및/또는 아래에 또 다른 반도체층이 배치될 수 있지만, 이에 대해서는 한정하지 않는다. 또 다른 반도체층은 도펀트를 포함하여 도전성을 갖는 도전형 반도체층일 수 있다. 또 다른 반도체층은 도펀트를 포함하지 않아 도전성을 갖지 않거나 절연 특성을 갖는 비 도전형 반도체층일 수 있다. Another semiconductor layer may be disposed on and / or under each of the first light emitting structure A, the second light emitting structure B, and the third light emitting structure C, but is not limited thereto. Another semiconductor layer may be a conductive semiconductor layer having a conductivity including a dopant. Another semiconductor layer may be a non-conductive semiconductor layer that does not include a dopant and thus has no conductivity or has insulating properties.

상기 제1 발광 구조물(A)은 상기 성장 기판(3) 상에 형성되고, 제1 파장의 제1 광을 생성하여 줄 수 있다. The first light emitting structure A may be formed on the growth substrate 3 to generate first light having a first wavelength.

상기 제2 발광 구조물(B)은 상기 제1 발광 구조물(A) 상에 형성되고, 상기 제1 광의 제1 파장보다 큰 제2 파장의 제2 광을 생성하여 줄 수 있다.The second light emitting structure B may be formed on the first light emitting structure A and generate a second light having a second wavelength greater than the first wavelength of the first light.

상기 제3 발광 구조물(C)은 상기 제2 발광 구조물(B)물 상에 형성되고, 상기 제2 광의 제2 파장보다 큰 제3 파장의 제3 광을 생성하여 줄 수 있다.The third light emitting structure C may be formed on the water of the second light emitting structure B, and may generate third light having a third wavelength greater than a second wavelength of the second light.

상기 제1 발광 구조물(A)에서 생성된 제1 광의 제1 파장이 상기 제2 발광 구조물(B)에서 생성된 제2 광의 제2 파장 및 제3 발광 구조물(C)에서 생성된 제3 광의 제3 파장보다 작으므로, 상기 제1 발광 구조물(A)에서 생성된 제1 광은 상기 제2 발광 구조물(B) 및 상기 제3 발광 구조물(C)에 의해 흡수되지 않고 상기 제2 및 제3 발광 구조물(B, C)을 경유하여 외부로 용이하게 방출될 수 있다. The first wavelength of the first light generated in the first light emitting structure A is the second wavelength of the second light generated in the second light emitting structure B and the third light of the third light generated in the third light emitting structure C. Since the wavelength is smaller than three wavelengths, the first light generated by the first light emitting structure A is not absorbed by the second light emitting structure B and the third light emitting structure C, and the second and third light emission are not absorbed. It can be easily released to the outside via the structures (B, C).

마찬가지로, 상기 제2 발광 구조물(B)에서 생성된 제2 광의 제2 파장이 상기 제3 발광 구조물(C)에서 생성된 제3 광의 제3 파장보다 작으므로, 상기 제2 발광 구조물(B)에서 생성된 제2 광은 상기 제3 발광 구조물(C)에 의해 흡수되지 않고 제3 발광 구조물(C)을 경유하여 외부로 용이하게 방출될 수 있다. Similarly, since the second wavelength of the second light generated in the second light emitting structure B is smaller than the third wavelength of the third light generated in the third light emitting structure C, the second light emitting structure B The generated second light may be easily emitted to the outside via the third light emitting structure C without being absorbed by the third light emitting structure C.

따라서, 제1 광의 제1 파장보다 제2 광의 제2 파장이 더 크고, 제2 광의 제2 파장보다 제3 광의 제3 파장이 더 크도록 설계됨으로써, 발광 소자(1)의 외부로 더 많은 광이 방출되어 광 효율이 향상될 수 있다. Therefore, the second wavelength of the second light is larger than the first wavelength of the first light, and the third wavelength of the third light is larger than the second wavelength of the second light, thereby allowing more light to the outside of the light emitting element 1. This can be emitted to improve the light efficiency.

상기 제1 파장의 제1 광, 상기 제2 파장의 제2 광 및 상기 제3 파장의 제3 광은 자외선, 가시 광선 및 적외선 중 적어도 하나 이상일 수 있다. The first light of the first wavelength, the second light of the second wavelength, and the third light of the third wavelength may be at least one of ultraviolet light, visible light, and infrared light.

예컨대, 상기 제1 파장의 제1 광, 상기 제2 파장의 제2 광 및 상기 제3 파장의 제3 광은 모두 자외선일 수 있다. 구체적으로, 상기 제1 광의 제1 파장은 대략 200nm 내지 대략 280nm 일 수 있지만, 이에 대해서는 한정하지 않는다. 상기 제2 광의 제2 파장은 대략 280nm 내지 대략 315nm일 수 있지만, 이에 대해서는 한정하지 않는다. 상기 제3 광의 제3 파장은 대략 315nm 내지 대략 400nm일 수 있지만, 이에 대해서는 한정하지 않는다. For example, the first light of the first wavelength, the second light of the second wavelength, and the third light of the third wavelength may all be ultraviolet rays. Specifically, the first wavelength of the first light may be about 200 nm to about 280 nm, but is not limited thereto. The second wavelength of the second light may be about 280 nm to about 315 nm, but is not limited thereto. The third wavelength of the third light may be about 315 nm to about 400 nm, but is not limited thereto.

예컨대, 상기 제1 파장의 제1 광, 상기 제2 파장의 제2 광 및 상기 제3 파장의 제3 광은 모두 가시 광선일 수 있다. 구체적으로, 상기 제1 광의 제1 파장은 대략 450nm 내지 대략 495nm일 수 있지만, 이에 대해서는 한정하지 않는다. 상기 제2 광의 제2 파장은 대략 495nm 내지 대략 570nm일 수 있지만, 이에 대해서는 한정하지 않는다. 상기 제3 광의 제3 파장은 대략 620nm 내지 780nm일 수 있지만, 이에 대해서는 한정하지 않는다. For example, the first light of the first wavelength, the second light of the second wavelength, and the third light of the third wavelength may all be visible light. Specifically, the first wavelength of the first light may be about 450 nm to about 495 nm, but is not limited thereto. The second wavelength of the second light may be about 495 nm to about 570 nm, but is not limited thereto. The third wavelength of the third light may be about 620 nm to 780 nm, but is not limited thereto.

예컨대, 상기 제1 파장의 제1 광과 상기 제2 파장의 제2 광은 자외선이고, 상기 제3 파장의 제3 파장은 적외선일 수 있다. 구체적으로, 상기 제1 광의 제1 파장은 대략 200nm 내지 대략 280nm, 대략 280nm 내지 대략 315nm 및 대략 315nm 내지 대략 400nm 중 하나일 수 있지만, 이에 대해서는 한정하지 않는다. 상기 제2 광의 제2 파장은 대략 200nm 내지 대략 280nm, 대략 280nm 내지 대략 315nm 및 대략 315nm 내지 대략 400nm 중 다른 하나일 수 있지만, 이에 대해서는 한정하지 않는다. 상기 제3 광의 제3 파장은 대략 780nm 내지 대략 3000nm(근적외선)일 수 있지만, 이에 대해서는 한정하지 않는다.For example, the first light of the first wavelength and the second light of the second wavelength may be ultraviolet rays, and the third wavelength of the third wavelength may be infrared rays. Specifically, the first wavelength of the first light may be one of about 200 nm to about 280 nm, about 280 nm to about 315 nm, and about 315 nm to about 400 nm, but is not limited thereto. The second wavelength of the second light may be another one of about 200 nm to about 280 nm, about 280 nm to about 315 nm, and about 315 nm to about 400 nm, but is not limited thereto. The third wavelength of the third light may be about 780 nm to about 3000 nm (near infrared), but is not limited thereto.

상기 성장 기판(3)은 상기 제1 발광 구조물(A), 상기 제2 발광 구조물(B) 및 상기 제3 발광 구조물(C)을 성장시키는 한편 상기 제1 발광 구조물(A), 상기 제2 발광 구조물(B) 및 상기 제3 발광 구조물(C)을 지지하는 역할을 하며, 반도체 물질의 성장에 적합한 물질로 형성될 수 있다. 상기 성장 기판(3)은 상기 제1 발광 구조물(A), 상기 제2 발광 구조물(B) 및/또는 상기 제3 발광 구조물(C)의 격자 상수와 유사하고 열적 안정성을 갖는 재질로 형성될 수 있으며, 전도성 기판, 화합물 반도체 기판 및 절연성 기판 중 하나일 수 있지만, 이에 대해서는 한정하지 않는다.The growth substrate 3 grows the first light emitting structure A, the second light emitting structure B, and the third light emitting structure C, while the first light emitting structure A and the second light emission. It serves to support the structure (B) and the third light emitting structure (C), it may be formed of a material suitable for the growth of the semiconductor material. The growth substrate 3 may be formed of a material having thermal stability similar to the lattice constant of the first light emitting structure A, the second light emitting structure B, and / or the third light emitting structure C. And may be one of a conductive substrate, a compound semiconductor substrate, and an insulating substrate, but is not limited thereto.

상기 성장 기판(3)은 사파이어(Al2O3), SiC, Si, GaAs, GaN, ZnO, GaP, InP 및 Ge로 이루어지는 그룹으로부터 선택된 적어도 하나로 형성될 수 있다.The growth substrate 3 may be formed of at least one selected from the group consisting of sapphire (Al 2 O 3), SiC, Si, GaAs, GaN, ZnO, GaP, InP, and Ge.

상기 성장 기판(3)은 도전성을 갖도록 도펀트를 포함할 수도 있지만, 이에 대해서는 한정하지 않는다. 상기 도펀트를 포함하는 상기 성장 기판(3)은 전극으로 사용될 수 있지만, 이에 대해서는 한정하지 않는다. The growth substrate 3 may include a dopant to have conductivity, but is not limited thereto. The growth substrate 3 including the dopant may be used as an electrode, but is not limited thereto.

제1 실시예에 따른 발광 소자(1)는 상기 성장 기판(3)과 상기 제1 발광 구조물(A) 사이에 배치된 버퍼층(미도시)을 더 포함할 수 있지만, 이에 대해서는 한정하지 않는다.The light emitting device 1 according to the first embodiment may further include a buffer layer (not shown) disposed between the growth substrate 3 and the first light emitting structure A, but is not limited thereto.

상기 버퍼층은 상기 성장 기판(3) 상에 배치될 수 있다. 상기 버퍼층은 상기 성장 기판(3)과 상기 제1 발광 구조물(A) 사이의 큰 격자 상수 차이를 완화하여 주거나 상기 성장 기판(3)의 물질이 상기 발광 구조물로 확산(outdiffusion)되는 것을 방지하여 주거나 상기 성장 기판(3)의 상면에 리세스(recess)와 같은 결함(melt-back) 현상을 방지하여 주거나 응력을 제어하여 성장 기판(3)의 깨짐을 방지하여 줄 수 있지만, 이에 대해서는 한정하지 않는다. The buffer layer may be disposed on the growth substrate 3. The buffer layer may alleviate a large lattice constant difference between the growth substrate 3 and the first light emitting structure A or prevent the material of the growth substrate 3 from diffusing out to the light emitting structure. The upper surface of the growth substrate 3 may be prevented from defects such as recesses, or the stress may be controlled to prevent the growth of the growth substrate 3. However, the present invention is not limited thereto. .

상기 버퍼층은 II-VI족 또는 III-V족 화합물 반도체 재질로 이루어진 AlxInyGa(1-x-y)N (0≤x≤1, 0≤y≤1, 0≤x+y≤1)형성될 수 있다.The buffer layer may be formed of Al x In y Ga (1-x-y) N (0 ≦ x ≦ 1, 0 ≦ y ≦ 1, 0 ≦ x + y ≦ 1) made of a II-VI or III-V compound semiconductor material.

상기 제1 발광 구조물(A)은 상기 성장 기판(3) 또는 상기 버퍼층 상에 형성될 수 있다.The first light emitting structure A may be formed on the growth substrate 3 or the buffer layer.

상기 제1 발광 구조물(A)은 제1 도전형 반도체층(5), 제1 발광층(7) 및 제2 도전형 반도체층(9)을 포함할 수 있다. 상기 제1 도전형 반도체층(5)은 상기 성장 기판(3) 또는 상기 버퍼층 상에 형성될 수 있다. 상기 제1 발광층(7)은 상기 제1 도전형 반도체층(5) 상에 형성될 수 있다. 상기 제2 도전형 반도체층(9)은 상기 제1 발광층(7) 상에 형성될 수 있다. The first light emitting structure A may include a first conductive semiconductor layer 5, a first emitting layer 7, and a second conductive semiconductor layer 9. The first conductivity type semiconductor layer 5 may be formed on the growth substrate 3 or the buffer layer. The first emission layer 7 may be formed on the first conductivity type semiconductor layer 5. The second conductivity type semiconductor layer 9 may be formed on the first emission layer 7.

예컨대, 상기 제1 도전형 반도체층(5)은 n형 도펀트를 포함하는 n형 반도체층이고, 상기 제2 도전형 반도체층(9)은 p형 반도체층일 수 있지만, 이에 대해서는 한정하지 않는다. 상기 n형 도펀트는 Si, Ge, Sn 등을 포함하고, 상기 p형 도펀트는 Mg, Zn, Ca, Sr, Ba 등을 포함하지만, 이에 대해서는 한정하지 않는다. For example, the first conductivity-type semiconductor layer 5 may be an n-type semiconductor layer including an n-type dopant, and the second conductivity-type semiconductor layer 9 may be a p-type semiconductor layer, but is not limited thereto. The n-type dopant includes Si, Ge, Sn and the like, and the p-type dopant includes Mg, Zn, Ca, Sr, Ba and the like, but is not limited thereto.

상기 제1 발광층(7)은 제1 광의 제1 파장에 대응하는 에너지 밴드갭(energy band gap)을 갖는 II-VI족 또는 III-V족 화합물 반도체 재질로 이루어진 AlxInyGa(1-x-y)N (0≤x≤1, 0≤y≤1, 0≤x+y≤1)형성될 수 있다.The first emission layer 7 may be formed of AlxInyGa (1-xy) N (0) made of Group II-VI or III-V compound semiconductor material having an energy band gap corresponding to the first wavelength of the first light. ≤ x ≤ 1, 0 ≤ y ≤ 1, 0 ≤ x + y ≤ 1) can be formed.

상기 제1 발광층(7)은 상기 제1 도전형 반도체층(5)을 통해서 주입되는 제1 캐리어, 예컨대 전자와 상기 제2 도전형 반도체층(9)을 통해서 주입되는 제2 캐리어, 예컨대 정공이 서로 결합되어, 상기 제1 발광층(7)에 포함된 화합물 반도체 재질의 에너지 밴드갭에 상응하는 제1 파장의 제1 광이 생성될 수 있다. The first emission layer 7 may include a first carrier such as electrons injected through the first conductive semiconductor layer 5 and a second carrier such as holes injected through the second conductive semiconductor layer 9. Combined with each other, a first light having a first wavelength corresponding to an energy band gap of the compound semiconductor material included in the first emission layer 7 may be generated.

상기 제1 발광층(7)은 다중 양자 우물 구조(MQW), 양자점 구조 또는 양자선 구조 중 어느 하나를 포함할 수 있다. 상기 제1 발광층(7)은 우물층과 배리어층을 한 주기로 하여 우물층과 배리어층이 반복적으로 형성될 수 있다. 상기 우물층과 배리어층의 반복주기는 발광 소자의 특성에 따라 변형 가능하므로, 이에 대해서는 한정하지 않는다. The first emission layer 7 may include any one of a multi quantum well structure (MQW), a quantum dot structure, or a quantum line structure. In the first light emitting layer 7, the well layer and the barrier layer may be repeatedly formed by using the well layer and the barrier layer as one cycle. Since the repetition period of the well layer and the barrier layer can be modified according to the characteristics of the light emitting device, the present invention is not limited thereto.

상기 제1 발광층(7)은 예를 들면, InGaN/GaN의 주기, InGaN/AlGaN의 주기, AlGaN/AlGaN의 주기 또는 InGaN/InGaN의 주기로 반복 형성될 수 있다. 상기 배리어층의 밴드갭은 상기 우물층의 밴드갭보다 크게 형성될 수 있다.The first emission layer 7 may be repeatedly formed, for example, with a period of InGaN / GaN, a period of InGaN / AlGaN, a period of AlGaN / AlGaN, or a period of InGaN / InGaN. The band gap of the barrier layer may be larger than the band gap of the well layer.

상기 제2 발광 구조물(B)은 상기 제1 발광 구조물(A) 상에 형성될 수 있다.The second light emitting structure B may be formed on the first light emitting structure A. FIG.

상기 제2 발광 구조물(B)은 상기 제2 도전형 반도체층(9), 제2 발광층(11) 및 제3 도전형 반도체층(13)을 포함할 수 있다. 상기 제2 도전형 반도체층(9)은 상기 제1 발광층(7) 상에 형성될 수 있다. 상기 제2 발광층(11)은 상기 제2 도전형 반도체층(9) 상에 형성될 수 있다. 상기 제3 도전형 반도체층(13)은 상기 제2 발광층(11) 상에 형성될 수 있다. The second light emitting structure B may include the second conductive semiconductor layer 9, the second emitting layer 11, and the third conductive semiconductor layer 13. The second conductivity type semiconductor layer 9 may be formed on the first emission layer 7. The second light emitting layer 11 may be formed on the second conductive semiconductor layer 9. The third conductive semiconductor layer 13 may be formed on the second light emitting layer 11.

예컨대, 상기 제2 도전형 반도체층(9)은 p형 반도체층이고, 상기 제3 도전형 반도체층(13)은 n형 반도체층일 수 있지만, 이에 대해서는 한정하지 않는다. For example, the second conductivity-type semiconductor layer 9 may be a p-type semiconductor layer, and the third conductivity-type semiconductor layer 13 may be an n-type semiconductor layer, but is not limited thereto.

상기 제2 발광층(11)은 제2 광의 제2 파장에 대응하는 에너지 밴드갭(energy band gap)을 갖는 II-VI족 또는 III-V족 화합물 반도체 재질로 이루어진 AlxInyGa(1-x-y)N (0≤x≤1, 0≤y≤1, 0≤x+y≤1)형성될 수 있다.The second light emitting layer 11 is formed of AlxInyGa (1-xy) N (0) made of group II-VI or III-V compound semiconductor material having an energy band gap corresponding to the second wavelength of the second light. ≤ x ≤ 1, 0 ≤ y ≤ 1, 0 ≤ x + y ≤ 1) can be formed.

상기 제2 발광층(11)은 상기 제2 도전형 반도체층(9)을 통해서 주입되는 정공과 상기 제3 도전형 반도체층(13)을 통해서 주입되는 전자가 서로 결합되어, 상기 제2 발광층(11)에 포함된 화합물 반도체 재질의 에너지 밴드갭에 상응하는 제2 파장의 제2 광이 생성될 수 있다. In the second emission layer 11, holes injected through the second conductivity-type semiconductor layer 9 and electrons injected through the third conductivity-type semiconductor layer 13 are combined with each other, and the second emission layer 11 is formed. The second light of the second wavelength corresponding to the energy band gap of the compound semiconductor material included in the) may be generated.

상기 제2 발광층(11)은 다중 양자 우물 구조(MQW), 양자점 구조 또는 양자선 구조 중 어느 하나를 포함할 수 있다. 상기 제2 발광층(11)은 우물층과 배리어층을 한 주기로 하여 우물층과 배리어층이 반복적으로 형성될 수 있다. 상기 우물층과 배리어층의 반복주기는 발광 소자의 특성에 따라 변형 가능하므로, 이에 대해서는 한정하지 않는다. The second light emitting layer 11 may include any one of a multi-quantum well structure (MQW), a quantum dot structure, or a quantum line structure. In the second light emitting layer 11, the well layer and the barrier layer may be repeatedly formed by using the well layer and the barrier layer as one cycle. Since the repetition period of the well layer and the barrier layer can be modified according to the characteristics of the light emitting device, the present invention is not limited thereto.

상기 제2 발광층(11)은 예를 들면, InGaN/GaN의 주기, InGaN/AlGaN의 주기, AlGaN/AlGaN의 주기 또는 InGaN/InGaN의 주기로 반복 형성될 수 있다. 상기 배리어층의 밴드갭은 상기 우물층의 밴드갭보다 크게 형성될 수 있다.The second light emitting layer 11 may be repeatedly formed, for example, with a period of InGaN / GaN, a period of InGaN / AlGaN, a period of AlGaN / AlGaN, or a period of InGaN / InGaN. The band gap of the barrier layer may be larger than the band gap of the well layer.

상기 제3 발광 구조물(C)은 상기 제2 발광 구조물(B) 상에 형성될 수 있다.The third light emitting structure C may be formed on the second light emitting structure B.

상기 제3 발광 구조물(C)은 상기 제3 도전형 반도체층(13), 제3 발광층(15) 및 제4 도전형 반도체층(17)을 포함할 수 있다. 상기 제3 도전형 반도체층(13)은 상기 제2 발광층(11) 상에 형성될 수 있다. 상기 제3 발광층(15)은 상기 제3 도전형 반도체층(13) 상에 형성될 수 있다. 상기 제4 도전형 반도체층(17)은 상기 제3 발광층(15) 상에 형성될 수 있다. The third light emitting structure C may include the third conductive semiconductor layer 13, the third light emitting layer 15, and the fourth conductive semiconductor layer 17. The third conductive semiconductor layer 13 may be formed on the second light emitting layer 11. The third emission layer 15 may be formed on the third conductivity type semiconductor layer 13. The fourth conductive semiconductor layer 17 may be formed on the third emission layer 15.

예컨대, 상기 제3 도전형 반도체층(13)은 n형 도펀트를 포함하는 n형 반도체층이고, 상기 제4 도전형 반도체층(17)은 p형 반도체층일 수 있지만, 이에 대해서는 한정하지 않는다. 상기 n형 도펀트는 Si, Ge, Sn 등을 포함하고, 상기 p형 도펀트는 Mg, Zn, Ca, Sr, Ba 등을 포함하지만, 이에 대해서는 한정하지 않는다. For example, the third conductive semiconductor layer 13 may be an n-type semiconductor layer including an n-type dopant, and the fourth conductive semiconductor layer 17 may be a p-type semiconductor layer, but is not limited thereto. The n-type dopant includes Si, Ge, Sn and the like, and the p-type dopant includes Mg, Zn, Ca, Sr, Ba and the like, but is not limited thereto.

상기 제3 발광층(15)은 제3 광의 제3 파장에 대응하는 에너지 밴드갭(energy band gap)을 갖는 II-VI족 또는 III-V족 화합물 반도체 재질로 이루어진 AlxInyGa(1-x-y)N (0≤x≤1, 0≤y≤1, 0≤x+y≤1)형성될 수 있다.The third emission layer 15 may be formed of AlxInyGa (1-xy) N (0) made of group II-VI or group III-V compound semiconductor material having an energy band gap corresponding to the third wavelength of the third light. ≤ x ≤ 1, 0 ≤ y ≤ 1, 0 ≤ x + y ≤ 1) can be formed.

상기 제3 발광층(15)은 상기 제3 도전형 반도체층(13)을 통해서 주입되는 전자와 상기 제4 도전형 반도체층(17)을 통해서 주입되는 정공이 서로 결합되어, 상기 제3 발광층(15)에 포함된 화합물 반도체 재질의 에너지 밴드갭에 상응하는 제3 파장의 제3 광이 생성될 수 있다. In the third emission layer 15, electrons injected through the third conductivity-type semiconductor layer 13 and holes injected through the fourth conductivity-type semiconductor layer 17 are combined with each other, and the third emission layer 15 is formed. The third light having the third wavelength corresponding to the energy band gap of the compound semiconductor material included in) may be generated.

상기 제3 발광층(15)은 다중 양자 우물 구조(MQW), 양자점 구조 또는 양자선 구조 중 어느 하나를 포함할 수 있다. 상기 제3 발광층(15)은 우물층과 배리어층을 한 주기로 하여 우물층과 배리어층이 반복적으로 형성될 수 있다. 상기 우물층과 배리어층의 반복주기는 발광 소자의 특성에 따라 변형 가능하므로, 이에 대해서는 한정하지 않는다. The third light emitting layer 15 may include any one of a multi quantum well structure (MQW), a quantum dot structure, or a quantum line structure. In the third light emitting layer 15, the well layer and the barrier layer may be repeatedly formed with the well layer and the barrier layer as one cycle. Since the repetition period of the well layer and the barrier layer can be modified according to the characteristics of the light emitting device, the present invention is not limited thereto.

상기 제3 발광층(15)은 예를 들면, InGaN/GaN의 주기, InGaN/AlGaN의 주기, AlGaN/AlGaN의 주기 또는 InGaN/InGaN의 주기로 반복 형성될 수 있다. 상기 배리어층의 밴드갭은 상기 우물층의 밴드갭보다 크게 형성될 수 있다.The third light emitting layer 15 may be repeatedly formed, for example, with a period of InGaN / GaN, a period of InGaN / AlGaN, a period of AlGaN / AlGaN, or a period of InGaN / InGaN. The band gap of the barrier layer may be larger than the band gap of the well layer.

상기 제1 발광 구조물(A)과 상기 제2 발광 구조물(B)은 상기 제2 도전형 반도체층(9)을 공통으로 포함할 수 있다. 예컨대, 상기 제2 도전형 반도체층(9)은 상기 제1 발광 구조물(A)의 제1 발광층(7)과 상기 제2 발광 구조물(B)의 제2 발광층(11) 사이에 형성될 수 있지만, 이에 대해서는 한정하지 않는다. 예컨대, 상기 제2 도전형 반도체층(9)에서 생성된 정공은 상기 제1 발광 구조물(A)의 제1 발광층(7) 및/또는 상기 제2 발광 구조물(B)의 제2 발광층(11)으로 주입될 수 있다.The first light emitting structure A and the second light emitting structure B may include the second conductive semiconductor layer 9 in common. For example, the second conductivity type semiconductor layer 9 may be formed between the first light emitting layer 7 of the first light emitting structure A and the second light emitting layer 11 of the second light emitting structure B. This is not limitative. For example, holes generated in the second conductivity type semiconductor layer 9 may be formed by the first light emitting layer 7 of the first light emitting structure A and / or the second light emitting layer 11 of the second light emitting structure B. It can be injected into.

상기 제2 발광 구조물(B)과 상기 제3 발광 구조물(C)은 상기 제3 도전형 반도체층(13)을 공통으로 포함할 수 있다. 예컨대, 상기 제3 도전형 반도체층(13)은 상기 제2 발광 구조물(B)의 제2 발광층(11)과 상기 제3 발광 구조물(C)의 제3 발광층(15) 사이에 형성될 수 있지만, 이에 대해서는 한정하지 않는다. 예컨대, 상기 제3 도전형 반도체층(13)에서 생성된 전자는 상기 제2 발광 구조물(B)의 제2 발광층(11) 및/또는 상기 제3 발광 구조물(C)의 제3 발광층(15)으로 주입될 수 있다.The second light emitting structure B and the third light emitting structure C may include the third conductive semiconductor layer 13 in common. For example, the third conductive semiconductor layer 13 may be formed between the second light emitting layer 11 of the second light emitting structure B and the third light emitting layer 15 of the third light emitting structure C. This is not limitative. For example, electrons generated in the third conductive semiconductor layer 13 may be formed by the second light emitting layer 11 of the second light emitting structure B and / or the third light emitting layer 15 of the third light emitting structure C. It can be injected into.

이와 같이, 상기 제2 도전형 반도체층(9) 및/또는 상기 제3 도전형 반도체층(13)이 인접하는 발광 구조물에 공통으로 사용되므로, 발광 소자(1)의 전체 층수를 줄여주어 발광 소자(1)의 공정수를 줄이고 발광 소자(1)의 구조를 단순화하며 발광 소자(1)의 두께를 줄여 줄 수 있다.As described above, since the second conductive semiconductor layer 9 and / or the third conductive semiconductor layer 13 are commonly used in adjacent light emitting structures, the total number of layers of the light emitting device 1 is reduced, The number of steps in (1) can be reduced, the structure of the light emitting element 1 can be simplified, and the thickness of the light emitting element 1 can be reduced.

상기 제1 내지 제3 발광 구조물(A, B, C)에서 가시광을 생성하는 경우, 상기 제1 내지 제4 도전형 반도체층(17)은 Al을 포함하는 GaN을 포함할 수 있지만, 이에 대해서는 한정하지 않는다. When the first to third light emitting structures A, B, and C generate visible light, the first to fourth conductive semiconductor layers 17 may include GaN including Al, but are not limited thereto. I never do that.

상기 제1 내지 제4 전극(23, 25, 27, 29)이 상기 제1 내지 제3 발광 구조물(A, B, C)의 일부분에 형성될 수 있다.The first to fourth electrodes 23, 25, 27, and 29 may be formed on a portion of the first to third light emitting structures A, B, and C.

예컨대, 상기 제1 전극(23)은 상기 제1 발광 구조물(A)의 제1 도전형 반도체층(5) 상에 형성될 수 있다. 상기 제1 도전형 반도체층(5)의 상면 일부분이 노출될 수 있지만, 이에 대해서는 한정하지 않는다. 이와 같이 노출된 상기 제1 도전형 반도체층(5)의 상면 일부분에 상기 제1 전극(23)이 형성될 수 있다.For example, the first electrode 23 may be formed on the first conductive semiconductor layer 5 of the first light emitting structure A. FIG. A portion of the upper surface of the first conductive semiconductor layer 5 may be exposed, but is not limited thereto. The first electrode 23 may be formed on a portion of the upper surface of the exposed first conductive semiconductor layer 5.

예컨대, 상기 제2 전극(25)은 상기 제1 발광 구조물(A) 또는 제2 발광 구조물(B)의 제2 도전형 반도체층(9) 상에 형성될 수 있다. 상기 제2 도전형 반도체층(9)의 상면 일부분이 노출될 수 있지만, 이에 대해서는 한정하지 않는다. 이와 같이 노출된 상기 제2 도전형 반도체층(9)의 상면 일부분에 상기 제2 전극(25)이 형성될 수 있다.For example, the second electrode 25 may be formed on the second conductive semiconductor layer 9 of the first light emitting structure A or the second light emitting structure B. A portion of the upper surface of the second conductive semiconductor layer 9 may be exposed, but is not limited thereto. The second electrode 25 may be formed on a portion of the upper surface of the second conductive semiconductor layer 9 exposed as described above.

예컨대, 상기 제3 전극(27)은 상기 제2 발광 구조물(B) 또는 제3 발광 구조물(C)의 제3 도전형 반도체층(13) 상에 형성될 수 있다. 상기 제3 도전형 반도체층(13)의 상면 일부분이 노출될 수 있지만, 이에 대해서는 한정하지 않는다. 이와 같이 노출된 상기 제3 도전형 반도체층(13)의 상면 일부분에 상기 제3 전극(23)이 형성될 수 있다. For example, the third electrode 27 may be formed on the third conductive semiconductor layer 13 of the second light emitting structure B or the third light emitting structure C. A portion of the upper surface of the third conductive semiconductor layer 13 may be exposed, but is not limited thereto. The third electrode 23 may be formed on a portion of the upper surface of the third conductive semiconductor layer 13 exposed as described above.

예컨대, 상기 제4 전극(29)은 상기 제3 발광 구조물(C)의 제4 도전형 반도체층(17) 상에 형성될 수 있다. 상기 제4 전극(29)은 상기 제4 도전형 반도체층(17)의 상면의 일부분에 형성될 수 있다. For example, the fourth electrode 29 may be formed on the fourth conductive semiconductor layer 17 of the third light emitting structure C. The fourth electrode 29 may be formed on a portion of the upper surface of the fourth conductive semiconductor layer 17.

상기 제1 내지 제4 전극(23, 25, 27, 29)은 전기 전도도가 우수한 금속 물질로 형성될 수 있지만, 이에 대해서는 한정하지 않는다. 상기 제1 내지 제4 전극(23, 25, 27, 29)은 예컨대, Al, Ag, Ti, Cr, Ni, Pt, Au, W, Cu 및 Mo, Ti 및 TiW로 이루어지는 그룹으로부터 선택된 하나 또는 다층 구조를 포함할 수 있지만, 이에 대해서는 한정하지 않는다. 예컨대, 상기 제1 내지 제4 전극(23, 25, 27, 29)은 Ag/Ni/Ti/TiW/Ti와 같은 다층 구조를 가질 수 있지만, 이에 대해서는 한정하지 않는다. Ag은 반사 기능을 가지고, Ni은 반사 기능, 접합 기능 또는 확산 방지 기능을 가지며, Ti는 접합 기능을 가지며, TiW는 확산 방지 기능을 가질 있지만, 이에 대해서는 한정하지 않는다.The first to fourth electrodes 23, 25, 27, and 29 may be formed of a metal material having excellent electrical conductivity, but are not limited thereto. The first to fourth electrodes 23, 25, 27, and 29 may be, for example, one or a multilayer selected from the group consisting of Al, Ag, Ti, Cr, Ni, Pt, Au, W, Cu, and Mo, Ti, and TiW. It may include a structure, but is not limited thereto. For example, the first to fourth electrodes 23, 25, 27, and 29 may have a multilayer structure such as Ag / Ni / Ti / TiW / Ti, but are not limited thereto. Ag has a reflection function, Ni has a reflection function, a bonding function or a diffusion prevention function, Ti has a bonding function, and TiW has a diffusion prevention function, but it is not limited to this.

적어도 상기 제1 발광 구조물(A), 상기 제2 발광 구조물(B) 및 상기 제3 발광 구조물(C)의 둘러싸도록 절연층(21)이 형성될 수 있지만, 이에 대해서는 한정하지 않는다. 상기 절연층(21)은 외부로 충격으로부터 상기 발광 소자(1)를 보호하는 한편 외부의 이물질에 의해 상기 제1 내지 제3 발광 구조물(A, B, C) 사이의 전기적인 쇼트를 방지하여 줄 수 있다. 예컨대, 상기 절연층(21)은 상기 제1 발광 구조물(A)의 외측면, 상기 제2 발광 구조물(B)의 외측면, 상기 제3 발광 구조물(C)의 외측면 그리고 상기 제3 발광 구조물(C)의 상면 상에 형성될 수 있지만, 이에 대해서는 한정하지 않는다.The insulating layer 21 may be formed to surround at least the first light emitting structure A, the second light emitting structure B, and the third light emitting structure C, but is not limited thereto. The insulating layer 21 protects the light emitting device 1 from an impact to the outside and prevents electrical short between the first to third light emitting structures A, B, and C by external foreign matter. Can be. For example, the insulating layer 21 may have an outer surface of the first light emitting structure A, an outer surface of the second light emitting structure B, an outer surface of the third light emitting structure C, and the third light emitting structure. Although it may form on the upper surface of (C), it does not limit to this.

상기 절연층(21)은 상기 제1 내지 제4 전극(23, 25, 27, 29)을 제외한 제1 내지 제3 발광 구조물(A, B, C)의 둘레에 형성될 수 있지만, 이에 대해서는 한정하지 않는다. The insulating layer 21 may be formed around the first to third light emitting structures A, B, and C except for the first to fourth electrodes 23, 25, 27, and 29, but is not limited thereto. I never do that.

상기 절연층(21)은 상기 성장 기판(3)의 외측면 상에 형성될 수 있지만, 이에 대해서는 한정하지 않는다.The insulating layer 21 may be formed on the outer surface of the growth substrate 3, but is not limited thereto.

도시되지 않았지만, 상기 절연층(21)은 상기 성장 기판(3)이 도전 특성을 갖는 경우, 상기 성장 기판(3)의 하면 상에 형성될 수 있지만, 이에 대해서는 한정하지 않는다.Although not shown, the insulating layer 21 may be formed on the lower surface of the growth substrate 3 when the growth substrate 3 has conductive characteristics, but is not limited thereto.

상기 절연층(21)은 절연 특성이 우수한 물질로 형성될 수 있다. 상기 절연층(21)은 예컨대, SiO2, SiOx, SiOxNy, Si3N4 및 Al2O3로 이루어지는 그룹으로부터 선택된 하나 또는 다층 구조를 포함할 수 있지만, 이에 대해서는 한정하지 않는다.The insulating layer 21 may be formed of a material having excellent insulating properties. The insulating layer 21 may include, for example, one or a multilayer structure selected from the group consisting of SiO 2 , SiOx, SiO x N y , Si 3 N 4, and Al 2 O 3 , but is not limited thereto.

상기 전극층(19)은 상기 제3 발광 구조물(C)과 상기 제4 전극(29) 사이에 형성될 있다. The electrode layer 19 may be formed between the third light emitting structure C and the fourth electrode 29.

상기 발광 소자(1)가 수평형 발광 소자인 경우, 상기 제1 내지 제3 발광 구조물(A, B, C)에서 생성된 제1 내지 제3 광은 상부 방향으로 방출될 수 있다. 이러한 경우, 상기 전극층(19)은 투명한 광 투과 물질을 포함할 수 있다. 따라서, 상기 제1 내지 제3 발광 구조물(A, B, C)에서 생성된 제1 내지 제3 광은 상기 전극층(19)을 투과하여 외부로 방출될 수 있다. When the light emitting device 1 is a horizontal light emitting device, first to third light generated by the first to third light emitting structures A, B, and C may be emitted upward. In this case, the electrode layer 19 may include a transparent light transmitting material. Therefore, the first to third light generated by the first to third light emitting structures A, B, and C may be transmitted to the outside of the electrode layer 19.

상기 제4 전극(29)은 상기 제4 도전형 반도체층(17)의 상면 일부분에 형성되므로, 상기 제4 전극(29)으로 공급된 전원이 상기 제4 전극(29)과 접촉하는 제4 도전형 반도체층(17)으로 공급되고 제4 전극(29)과 접촉하지 않은 제4 도전형 반도체층(17)으로 공급되기 어려워 결국 상기 제1 내지 제3 발광 구조물(A, B, C)의 제1 내지 제3 발광층(15)에서 상기 제4 전극(29)과 수직으로 중첩하는 영역에서만 주로 광이 생성되게 되어 광 효율이 저하될 수 있다. Since the fourth electrode 29 is formed on a portion of the upper surface of the fourth conductive semiconductor layer 17, the fourth conductive layer in which the power supplied to the fourth electrode 29 contacts the fourth electrode 29. It is difficult to be supplied to the fourth conductive semiconductor layer 17 which is supplied to the semiconductor semiconductor layer 17 and is not in contact with the fourth electrode 29, so that the first to third light emitting structures A, B, and C In the first to third light emitting layers 15, light is mainly generated only in an area overlapping the fourth electrode 29 perpendicularly to the fourth electrode 29, thereby reducing light efficiency.

상기 전극층(19)은 전기 전도도를 갖는 도전 물질을 포함할 수 있다. 아울러, 상기 전극층(19)은 상기 제4 도전형 반도체층(17)의 전 영역 상에 형성될 수 있다. 상기 제4 전극(29)으로 공급된 전원은 상기 전극층(19)의 전 영역으로 전류 확산(current spreading)되고, 이와 같이 확산된 전류가 상기 제4 도전형 반도체층(17)으로 공급되므로, 상기 제1 내지 제3 발광 구조물(A, B, C)의 제1 내지 제3 발광층(15) 각각의 전 영역에서 광이 생성되어 광 효율이 향상될 수 있다.The electrode layer 19 may include a conductive material having electrical conductivity. In addition, the electrode layer 19 may be formed on the entire region of the fourth conductivity-type semiconductor layer 17. Since the power supplied to the fourth electrode 29 is current spreading to the entire region of the electrode layer 19, the current thus spread is supplied to the fourth conductive semiconductor layer 17. Light may be generated in all regions of each of the first to third light emitting layers 15 of the first to third light emitting structures A, B, and C, thereby improving light efficiency.

상기 전극층(19)은 상기 제4 도전형 반도체층(17)과 오믹 특성이 우수한 물질을 포함할 수 있다. 상기 전극층(19)의 오믹 특성으로 인해, 상기 제4 전극(29)으로 공급된 전원은 상기 전극층(19)에 의해 상기 제4 도전형 반도체층(17)으로 용이하게 공급될 수 있다. 따라서, 상기 전극층(19)에 의해 전류 공급 효율이 증가되어 더 많은 광이 생성되므로, 광 효율이 향상되고 발광 소자(1)가 보다 더 낮은 구동 전압으로 구동될 수 있다.The electrode layer 19 may include a material having excellent ohmic characteristics with the fourth conductive semiconductor layer 17. Due to the ohmic characteristic of the electrode layer 19, the power supplied to the fourth electrode 29 may be easily supplied to the fourth conductive semiconductor layer 17 by the electrode layer 19. Accordingly, since the current supply efficiency is increased by the electrode layer 19 to generate more light, the light efficiency is improved and the light emitting device 1 can be driven at a lower driving voltage.

상기 전극층(19)은 예컨대, ITO, IZO(In-ZnO), GZO(Ga-ZnO), AZO(Al-ZnO), AGZO(Al-Ga ZnO), IGZO(In-Ga ZnO), IrOx, RuOx, RuOx/ITO, Ni/IrOx/Au 및 Ni/IrOx/Au/ITO로 이루어지는 그룹으로부터 선택된 적어도 하나가 포함될 수 있지만, 이에 대해서는 한정하지 않는다.The electrode layer 19 is formed of, for example, ITO, IZO (In-ZnO), GZO (Ga-ZnO), AZO (Al-ZnO), AGZO (Al-Ga ZnO), IGZO (In-Ga ZnO), IrOx, RuOx. At least one selected from the group consisting of RuOx / ITO, Ni / IrOx / Au, and Ni / IrOx / Au / ITO may be included, but is not limited thereto.

한편, 제1 실시예에 따른 발광 소자(1)는 도 2에 도시된 회로도에 의해 구동될 수 있다.On the other hand, the light emitting device 1 according to the first embodiment can be driven by the circuit diagram shown in FIG.

도 2에 도시한 바와 같이, 제1 실시예에 따른 발광 소자(1)는 수직 방향 또는 성장 방향을 따라 직렬로 제1 발광 구조물(A), 제2 발광 구조물(B) 및 제3 발광 구조물(C)이 직렬로 연결될 수 있다. As shown in FIG. 2, the light emitting device 1 according to the first embodiment may include a first light emitting structure A, a second light emitting structure B, and a third light emitting structure in series along a vertical direction or a growth direction. C) can be connected in series.

제1 전극(23)은 상기 제1 발광 구조물(A)의 일측과 연결될 수 있다. 즉, 상기 제1 전극(23)은 상기 제1 발광 구조물(A)의 제1 도전형 반도체층(5)에 전기적으로 연결될 수 있지만, 이에 대해서는 한정하지 않는다. The first electrode 23 may be connected to one side of the first light emitting structure A. That is, the first electrode 23 may be electrically connected to the first conductive semiconductor layer 5 of the first light emitting structure A, but is not limited thereto.

제2 전극(25)은 상기 제1 발광 구조물(A)의 타측 및 상기 제2 발광 구조물(B)의 일측과 전기적으로 연결될 수 있다. 즉, 상기 제2 전극(25)은 상기 제1 발광 구조물(A) 및 상기 제2 발광 구조물(B)의 제2 도전형 반도체층(9)에 전기적으로 연결될 수 있지만, 이에 대해서는 한정하지 않는다.The second electrode 25 may be electrically connected to the other side of the first light emitting structure A and one side of the second light emitting structure B. That is, the second electrode 25 may be electrically connected to the first light emitting structure A and the second conductive semiconductor layer 9 of the second light emitting structure B, but embodiments are not limited thereto.

제3 전극(27)은 상기 제2 발광 구조물(B)의 타측 및 상기 제3 발광 구조물(C)의 일측과 전기적으로 연결될 수 있다. 즉, 상기 제3 전극(27)은 상기 제2 발광 구조물(B) 및 상기 제3 발광 구조물(C)의 제3 도전형 반도체층(13)에 전기적으로 연결될 수 있지만, 이에 대해서는 한정하지 않는다.The third electrode 27 may be electrically connected to the other side of the second light emitting structure B and one side of the third light emitting structure C. That is, the third electrode 27 may be electrically connected to the second light emitting structure B and the third conductive semiconductor layer 13 of the third light emitting structure C, but is not limited thereto.

제4 전극(29)은 상기 제3 발광 구조물(C)의 타측과 전기적으로 연결될 수 있다. 즉, 상기 제4 전극(29)은 상기 제3 발광 구조물(C)의 제4 도전형 반도체층(17)에 전기적으로 연결될 수 있다.The fourth electrode 29 may be electrically connected to the other side of the third light emitting structure C. That is, the fourth electrode 29 may be electrically connected to the fourth conductive semiconductor layer 17 of the third light emitting structure C.

상기 제1 전극(23)과 상기 제2 전극(25) 사이에 제1 전원(V1)과 제1 스위치(SW1)가 연결될 수 있다. 상기 제1 발광 구조물(A)은 상기 제1 전원(V1)과 상기 제1 스위치(SW1)에 의해 구동될 수 있다. 즉, 상기 제1 스위치(SW1)가 턴온될 때 상기 제1 전원(V1)이 상기 제1 발광 구조물(A)로 공급되어, 상기 제1 발광 구조물(A)에서 제1 파장의 제1 광이 생성될 수 있다. 상기 제1 스위치(SW1)가 턴오프될 때, 상기 제1 전원(V1)이 상기 제1 발광 구조물(A)로 공급되지 않게 되어, 상기 제1 발광 구조물(A)이 동작되지 않게 된다.A first power source V1 and a first switch SW1 may be connected between the first electrode 23 and the second electrode 25. The first light emitting structure A may be driven by the first power source V1 and the first switch SW1. That is, when the first switch SW1 is turned on, the first power source V1 is supplied to the first light emitting structure A, so that the first light of the first wavelength is emitted from the first light emitting structure A. Can be generated. When the first switch SW1 is turned off, the first power source V1 is not supplied to the first light emitting structure A, so that the first light emitting structure A is not operated.

상기 제2 전극(25)과 상기 제3 전극(27) 사이에 제2 전원(V2)과 제2 스위치(SW2)가 연결될 수 있다. 상기 제2 발광 구조물(B)은 상기 제2 전원(V2)과 상기 제2 스위치(SW2)에 의해 구동될 수 있다. 즉, 상기 제2 스위치(SW2)가 턴온될 때 상기 제2 전원(V2)이 상기 제2 발광 구조물(B)로 공급되어, 상기 제2 발광 구조물(B)에서 제2 파장의 제2 광이 생성될 수 있다. 상기 제2 스위치(SW2)가 턴오프될 때 상기 제2 전원(V2)이 상기 제2 발광 구조물(B)로 공급되지 않게 되어, 상기 제2 발광 구조물(B)이 동작되지 않게 된다.A second power source V2 and a second switch SW2 may be connected between the second electrode 25 and the third electrode 27. The second light emitting structure B may be driven by the second power source V2 and the second switch SW2. That is, when the second switch SW2 is turned on, the second power source V2 is supplied to the second light emitting structure B, so that the second light of the second wavelength is emitted from the second light emitting structure B. Can be generated. When the second switch SW2 is turned off, the second power source V2 is not supplied to the second light emitting structure B, so that the second light emitting structure B is not operated.

상기 제3 전극(27)과 상기 제4 전극(29) 사이에 제3 전원(V3)과 제3 스위치(SW3)가 연결될 수 있다. 상기 제3 발광 구조물(C)은 상기 제3 전원(V3)과 상기 제3 스위치(SW3)에 의해 구동될 수 있다. 즉, 상기 제3 스위치(SW3)가 턴온될 때 상기 제3 전원(V3)이 상기 제3 발광 구조물(C)로 공급되어, 상기 제3 발광 구조물(C)에서 제3 파장의 제3 광이 생성될 수 있다. 상기 제3 스위치(SW3)가 턴오프될 때 상기 제3 전원(V3)이 상기 제3 발광 구조물(C)로 공급되지 않게 되어, 상기 제3 발광 구조물(C)이 동작되지 않게 된다.A third power source V3 and a third switch SW3 may be connected between the third electrode 27 and the fourth electrode 29. The third light emitting structure C may be driven by the third power source V3 and the third switch SW3. That is, when the third switch SW3 is turned on, the third power source V3 is supplied to the third light emitting structure C, so that the third light of the third wavelength is emitted from the third light emitting structure C. Can be generated. When the third switch SW3 is turned off, the third power source V3 is not supplied to the third light emitting structure C, so that the third light emitting structure C is not operated.

제1 실시예에서, 상기 제1 내지 제3 전원(V1, V2, V3)은 전압이지만, 전류일 수도 있다.In the first embodiment, the first to third power supplies (V1, V2, V3) are voltages, but may be currents.

상기 제1 내지 제3 발광 구조물(A, B, C)이 동작되도록, 상기 제1 내지 제3 전원(V1, V2, V3)은 정방향의 전압 또는 전류가 흐르도록 설계될 수 있지만, 이에 대해서는 한정하지 않는다.The first to third power sources V1, V2, and V3 may be designed to flow in a forward voltage or a current such that the first to third light emitting structures A, B, and C operate, but are not limited thereto. I never do that.

상기 제1 내지 제3 전원(V1, V2, V3)은 서로 동일한 레벨을 가지거나 서로 상이한 레벨을 가질 수 있지만, 이에 대해서는 한정하지 않는다.The first to third power supplies V1, V2, and V3 may have the same level or different levels from each other, but embodiments are not limited thereto.

상기 제1 내지 제3 스위치(SW1, SW2, SW3)은 도시되지 않은 제어부에서 공급된 제어 신호에 의해 스위칭될 수 있지만, 이에 대해서는 한정하지 않는다. The first to third switches SW1, SW2, and SW3 may be switched by a control signal supplied from a controller (not shown), but embodiments are not limited thereto.

상기 제1 내지 제3 스위치(SW1, SW2, SW3)는 동시에 스위칭, 예컨대 턴온되거나 독립적으로 스위칭될 수 있지만, 이에 대해서는 한정하지 않는다. The first to third switches SW1, SW2 and SW3 may be simultaneously switched, for example, turned on or independently, but are not limited thereto.

예컨대, 상기 제1 내지 제3 발광 구조물(A, B, C) 중에서 하나의 발광 구조물, 예컨대 제1 발광 구조물(A)만 사용하고자 하는 경우, 상기 제1 발광 구조물(A)을 구동하기 위해 상기 제1 스위치(SW1)가 턴온되어 제1 전원(V1)이 상기 제1 발광 구조물(A)로 공급될 수 있다. 이에 따라, 상기 제1 발광 구조물(A)에서 제1 파장의 제1 광이 생성될 수 있다.For example, when only one light emitting structure, for example, the first light emitting structure A, is to be used among the first to third light emitting structures A, B, and C, the first light emitting structure A may be driven to drive the first light emitting structure A. The first switch SW1 is turned on so that the first power source V1 is supplied to the first light emitting structure A. FIG. Accordingly, the first light of the first wavelength may be generated in the first light emitting structure A.

예컨대, 제1 내지 제3 발광 구조물(A, B, C) 모두가 사용되는 경우, 예컨대 제1 발광 구조물(A)이 청색 파장의 광을 생성하고 제1 발광 구조물(A)이 녹색 파장의 광을 생성하며 제3 발광 구조물(C)이 적색 파장의 광을 생성함으로써, 백색이 구현될 수 있다. 이러한 경우, 제1 내지 제3 스위치(SW1, SW2, SW3)가 동시에 턴온되어 제1 내지 제3 전원(V1, V2, V3) 각각이 제1 내지 제3 발광 구조물(A, B, C)로 공급되므로, 제1 내지 제3 발광 구조물(A, B, C) 각각에서 청색 파장의 광, 녹색 파장의 광 및 적색 파장의 광이 생성되어 백색이 구현될 수 있다. For example, when all of the first to third light emitting structures A, B, and C are used, for example, the first light emitting structure A generates light of blue wavelength and the first light emitting structure A is light of green wavelength. By generating the third light emitting structure (C) generates light of a red wavelength, white can be implemented. In this case, the first to third switches SW1, SW2, and SW3 are turned on at the same time so that each of the first to third power sources V1, V2, and V3 is connected to the first to third light emitting structures A, B, and C. Since it is supplied, light of a blue wavelength, light of a green wavelength, and light of a red wavelength may be generated in each of the first to third light emitting structures A, B, and C, thereby implementing white.

다시 말해, 제1 실시예에 따른 발광 소자(1)는 사용자의 선택, 즉 제어부의 제어 신호에 의한 제1 내지 제3 스위치(SW1, SW2, SW3)의 스위칭에 의해 다수의 발광 구조물을 동시에 사용하거나 다수의 발광 구조물을 독립적으로 사용할 수 있다.In other words, the light emitting device 1 according to the first embodiment simultaneously uses a plurality of light emitting structures by a user's selection, that is, switching the first to third switches SW1, SW2, and SW3 by a control signal of a controller. Or a plurality of light emitting structures may be used independently.

도 3은 제2 실시예에 따른 발광 소자를 도시한 단면도이다.3 is a cross-sectional view illustrating a light emitting device according to a second embodiment.

제2 실시예는 제4 도전형 반도체층(17) 상에 형성된 제5 도전형 반도체층(31)을 제외하고는 제1 실시예와 거의 유사하다. 제2 실시예에서 제1 실시예와 동일한 기능, 동일한 종류의 물질 및/또는 동일한 형상을 갖는 구성 요소에 대해서는 동일한 도면 부호를 부여하고 자세한 설명을 생략한다.The second embodiment is almost similar to the first embodiment except for the fifth conductive semiconductor layer 31 formed on the fourth conductive semiconductor layer 17. In the second embodiment, components having the same functions, the same kind of material, and / or the same shape as the first embodiment will be given the same reference numerals and detailed description thereof will be omitted.

도 3을 참조하면, 제2 실시예에 따른 발광 소자(1A)는 성장 기판(3) 상에 순차적으로 형성된 제1 발광 구조물(A), 제2 발광 구조물(B), 제3 발광 구조물(C) 및 제5 도전형 반도체층(31)을 포함할 수 있다.Referring to FIG. 3, the light emitting device 1A according to the second embodiment may include a first light emitting structure A, a second light emitting structure B, and a third light emitting structure C sequentially formed on the growth substrate 3. ) And the fifth conductivity type semiconductor layer 31.

상기 제5 도전형 반도체층(31)은 상기 3 발광 구조물에 포함될 수 있지만, 이에 대해서는 한정하지 않는다.The fifth conductivity type semiconductor layer 31 may be included in the three light emitting structures, but is not limited thereto.

제2 실시예에 따른 발광 소자(1A)는 제1 내지 제4 전극(23, 25, 27, 29)을 더 포함할 수 있지만, 이에 대해서는 한정하지 않는다The light emitting device 1A according to the second embodiment may further include the first to fourth electrodes 23, 25, 27, and 29, but is not limited thereto.

제2 실시예에 따른 발광 소자(1A)는 수평형(lateral type) 발광 소자일 수 있지만, 이에 대해서는 한정하지 않는다.The light emitting device 1A according to the second embodiment may be a lateral type light emitting device, but is not limited thereto.

제2 실시예에 따른 발광 소자(1A)는 상기 제3 발광 구조물(C) 상에 형성된 전극층(19)을 더 포함할 수 있지만, 이에 대해서는 한정하지 않는다.The light emitting device 1A according to the second embodiment may further include an electrode layer 19 formed on the third light emitting structure C, but is not limited thereto.

상기 제5 도전형 반도체층(31)은 상기 제3 발광 구조물(C)의 제4 도전형 반도체층(17) 상에 형성될 수 있다. The fifth conductive semiconductor layer 31 may be formed on the fourth conductive semiconductor layer 17 of the third light emitting structure C.

상기 제5 도전형 반도체층(31)은 제4 도전형 반도체층(17)과 동일한 종류 또는 상이한 종류의 II-VI족 또는 III-V족 화합물 반도체 재질로 이루어진 AlxInyGa(1-x-y)N (0≤x≤1, 0≤y≤1, 0≤x+y≤1)형성될 수 있다.The fifth conductivity-type semiconductor layer 31 is made of AlxInyGa (1-xy) N (0) made of a II-VI or III-V compound semiconductor material of the same or different type as the fourth conductive semiconductor layer 17. ≤ x ≤ 1, 0 ≤ y ≤ 1, 0 ≤ x + y ≤ 1) can be formed.

예컨대, 상기 제3 발광 구조물(C)의 제3 발광층(15)이 자외선 광을 생성하는 경우, 상기 제3 발광 구조물(C)의 제3 도전형 반도체층(13)과 상기 제4 도전형 반도체층(17)은 Al을 포함하는 GaN을 포함할 수 있지만, 이에 대해서는 한정하지 않는다.For example, when the third light emitting layer 15 of the third light emitting structure C generates ultraviolet light, the third conductive semiconductor layer 13 and the fourth conductive semiconductor of the third light emitting structure C may be formed. Layer 17 may include, but is not limited to, GaN including Al.

상기 제4 도전형 반도체층(17)의 두께는 성장 능력의 한계로 인해 제3 도전형 반도체층(13)의 두께보다 작을 수 있다. 아울러, 제4 도전형 반도체층(17)의 Al으로 인해 상기 제4 도전형 반도체층(17)에 도펀트를 도핑하는데 한계가 있게 된다. 이러한 경우, 상기 제4 도전형 반도체층(17)에서 생성되는 정공 농도가 상기 제3 발광 구조물(C)에서 요구되는 광량에 비해 부족할 수도 있다.The thickness of the fourth conductivity-type semiconductor layer 17 may be smaller than the thickness of the third conductivity-type semiconductor layer 13 due to the limitation of growth ability. In addition, due to Al of the fourth conductive semiconductor layer 17, there is a limit in doping the dopant to the fourth conductive semiconductor layer 17. In this case, the hole concentration generated in the fourth conductivity-type semiconductor layer 17 may be insufficient compared to the amount of light required in the third light emitting structure C.

이러한 정공 농도의 부족분을 보상하여 주기 위해, 상기 제4 도전형 반도체층(17) 상에 제5 도전형 반도체층(31)이 형성될 수 있다. 상기 제5 도전형 반도체층(31)은 GaN을 포함할 수 있지만, 이에 대해서는 한정하지 않는다. 상기 제5 도전형 반도체층(31)은 상기 제4 도전형 반도체층(17)과 동일한 도전형을 가질 수 있지만, 이에 대해서는 한정하지 않는다. 상기 제5 도전형 반도체층(31)의 도펀트의 도핑 농도는 상기 제4 도전형 반도체층(17)의 도펀트의 도핑 농보보다 클 수 있다.In order to compensate for the lack of the hole concentration, the fifth conductivity-type semiconductor layer 31 may be formed on the fourth conductivity-type semiconductor layer 17. The fifth conductivity type semiconductor layer 31 may include GaN, but is not limited thereto. The fifth conductivity type semiconductor layer 31 may have the same conductivity type as the fourth conductivity type semiconductor layer 17, but is not limited thereto. The doping concentration of the dopant of the fifth conductive semiconductor layer 31 may be greater than the doping concentration of the dopant of the fourth conductive semiconductor layer 17.

상기 전극층(19)은 상기 제5 도전형 반도체층(31)과 상기 제4 전극(29) 사이에 형성될 수 있다. 상기 전극층(19)은 상기 제5 도전형 반도체층(31)의 전 영역 상에 형성되고, 상기 제4 전극(29)은 상기 제5 도전형 반도체층(31)의 상면 일부분에 형성될 수 있지만, 이에 대해서는 한정하지 않는다.The electrode layer 19 may be formed between the fifth conductive semiconductor layer 31 and the fourth electrode 29. The electrode layer 19 may be formed on the entire area of the fifth conductive semiconductor layer 31, and the fourth electrode 29 may be formed on a portion of the upper surface of the fifth conductive semiconductor layer 31. This is not limitative.

제2 실시예는 상기 제3 발광 구조물(C)의 제4 도전형 반도체층(17) 상에 제5 도전형 반도체층(31)을 형성하여 줌으로써, 제4 도전형 반도체층(17)에서 부족한 캐리어, 예컨대 정공 농도를 상기 제5 도전형 반도체층(31)에서 생성된 정공에 의해 보상하여 줄 수 있어, 광 효율이 향상될 수 있다. In the second embodiment, the fifth conductive semiconductor layer 31 is formed on the fourth conductive semiconductor layer 17 of the third light emitting structure C, thereby being insufficient in the fourth conductive semiconductor layer 17. Carrier, for example, the hole concentration can be compensated by the holes generated in the fifth conductivity-type semiconductor layer 31, the light efficiency can be improved.

도 4는 제3 실시예에 따른 발광 소자를 도시한 단면도이다.4 is a cross-sectional view illustrating a light emitting device according to a third embodiment.

제3 실시예의 발광 소자(1B)는 제1 실시예에 따른 발광 소자(1)가 180° 뒤집어지고, 성장 기판(3) 아래에 제1 발광 구조물(A), 제2 발광 구조물(B) 및 제3 발광 구조물(C)의 순서로 형성될 수 있다. 상기 제1 발광 구조물(A)의 제1 광의 제1 파장이 상기 제2 발광 구조물(B)의 제2 광의 제2 파장보다 작고, 상기 제2 발광 구조물(B)에서 생성된 제2 광의 제2 파장이 상기 제3 발광 구조물(C)에서 생성된 제3 광의 제3 파장보다 작게 설계될 수 있다. In the light emitting device 1B of the third embodiment, the light emitting device 1 according to the first embodiment is turned over by 180 °, and the first light emitting structure A, the second light emitting structure B, and It may be formed in the order of the third light emitting structure (C). The first wavelength of the first light of the first light emitting structure (A) is less than the second wavelength of the second light of the second light emitting structure (B), the second of the second light generated in the second light emitting structure (B) The wavelength may be designed to be smaller than the third wavelength of the third light generated by the third light emitting structure C.

제3 실시예에서 제1 실시예와 동일한 기능, 동일한 종류의 물질 및/또는 동일한 형상을 갖는 구성 요소에 대해서는 동일한 도면 부호를 부여하고 자세한 설명을 생략한다.In the third embodiment, the same reference numerals are assigned to components having the same functions, the same kind of material, and / or the same shape as the first embodiment, and detailed description thereof will be omitted.

도 4를 참조하면, 제3 실시예에 따른 발광 소자(1B)는 성장 기판(3) 아래에 순차적으로 형성된 제1 발광 구조물(A), 제2 발광 구조물(B) 및 제3 발광 구조물(C)을 포함할 수 있다.Referring to FIG. 4, the light emitting device 1B according to the third embodiment may include a first light emitting structure A, a second light emitting structure B, and a third light emitting structure C that are sequentially formed under the growth substrate 3. ) May be included.

제3 실시예에 따른 발광 소자(1B)는 제1 내지 제4 전극(23, 25, 27, 29)을 더 포함할 수 있지만, 이에 대해서는 한정하지 않는다The light emitting device 1B according to the third embodiment may further include the first to fourth electrodes 23, 25, 27, and 29, but is not limited thereto.

제3 실시예에 따른 발광 소자(1B)는 플립칩형(flip-chip type) 발광 소자일 수 있지만, 이에 대해서는 한정하지 않는다. 상기 제1 내지 제3 발광 구조물(A, B, C)에서 생성된 제1 내지 제3 광은 상기 성장 기판(3)을 통해 외부로 방출될 수 있다.The light emitting device 1B according to the third embodiment may be a flip-chip type light emitting device, but is not limited thereto. First to third lights generated by the first to third light emitting structures A, B, and C may be emitted to the outside through the growth substrate 3.

제3 실시예에 따른 발광 소자(1B)는 상기 제3 발광 구조물(C) 아래에 형성된 전극층(39)을 더 포함할 수 있지만, 이에 대해서는 한정하지 않는다.The light emitting device 1B according to the third embodiment may further include an electrode layer 39 formed under the third light emitting structure C, but is not limited thereto.

상기 제1 발광 구조물(A), 상기 제2 발광 구조물(B) 및 상기 제3 발광 구조물(C)은 II-VI족 또는 III-V족 화합물 반도체 재질로 이루어진 AlxInyGa(1-x-y)N (0≤x≤1, 0≤y≤1, 0≤x+y≤1)형성될 수 있다. 예컨대, 상기 제1 발광 구조물(A), 상기 제2 발광 구조물(B) 및 상기 제3 발광 구조물(C)은 InAlGaN, GaN, AlGaN, InGaN, AlN, InN 및 AlInN로 이루어지는 그룹으로부터 선택된 적어도 하나를 포함할 수 있지만, 이에 대해서는 한정하지 않는다. The first light emitting structure A, the second light emitting structure B, and the third light emitting structure C may be formed of AlxInyGa (1-xy) N (0) made of a II-VI or III-V compound semiconductor material. ≤ x ≤ 1, 0 ≤ y ≤ 1, 0 ≤ x + y ≤ 1) can be formed. For example, the first light emitting structure A, the second light emitting structure B, and the third light emitting structure C may include at least one selected from the group consisting of InAlGaN, GaN, AlGaN, InGaN, AlN, InN, and AlInN. It may include, but is not limited to this.

상기 제1 발광 구조물(A)은 상기 성장 기판(3) 아래에 형성된 제1 도전형 반도체층(5), 상기 제1 도전형 반도체층(5) 아래에 형성된 제1 발광층(7) 및 상기 제1 발광층(33) 아래에 형성된 제2 도전형 반도체층(9)을 포함할 수 있다.The first light emitting structure A may include a first conductive semiconductor layer 5 formed under the growth substrate 3, a first emitting layer 7 formed under the first conductive semiconductor layer 5, and the first conductive layer. The second conductive semiconductor layer 9 formed under the first light emitting layer 33 may be included.

상기 제2 발광 구조물(B)은 상기 제2 도전형 반도체층(9), 상기 제2 도전형 반도체층(9) 아래에 형성된 제2 발광층(35) 및 상기 제2 발광층(35) 아래에 형성된 제3 도전형 반도체층(13)을 포함할 수 있다.The second light emitting structure B is formed under the second conductive semiconductor layer 9, the second conductive semiconductor layer 9, and the second conductive semiconductor layer 9. The third conductive semiconductor layer 13 may be included.

상기 제3 발광 구조물(C)은 상기 제3 도전형 반도체층(13), 상기 제3 도전형 반도체층(13) 아래에 형성된 제3 발광층(37) 및 상기 제3 발광층(37) 아래에 형성된 제4 도전형 반도체층(17)을 포함할 수 있다.The third light emitting structure C is formed under the third conductive semiconductor layer 13, the third conductive semiconductor layer 13, and the third light emitting layer 37. The fourth conductive semiconductor layer 17 may be included.

상기 제1 발광 구조물(A)은 제1 파장의 제1 광을 생성하여 줄 수 있다. 상기 제2 발광 구조물(B)은 제2 파장의 제2 광을 생성하여 줄 수 있다. 상기 제3 발광 구조물(C)은 제3 파장의 제3 광을 생성하여 줄 수 있다. The first light emitting structure A may generate first light having a first wavelength. The second light emitting structure B may generate second light having a second wavelength. The third light emitting structure C may generate third light having a third wavelength.

상기 제2 광의 제2 파장은 상기 제1 광의 제1 파장보다 작고, 상기 제3 광의 제3 파장은 상기 제2 광의 제2 파장보다 작을 수 있지만, 이에 대해서는 한정하지 않는다.The second wavelength of the second light may be smaller than the first wavelength of the first light, and the third wavelength of the third light may be smaller than the second wavelength of the second light, but is not limited thereto.

상기 제3 광의 제3 파장은 상기 제2 발광 구조물(B)과 상기 제1 발광 구조물(A)에 흡수되지 않고 상기 성장 기판(3)을 통해 외부로 방출될 수 있다. 아울러, 상기 제2 광의 제2 파장은 제1 발광 구조물(A)에 의해 흡수되지 않고 상기 성장 기판(3)을 통해 외부로 방출될 수 있다. The third wavelength of the third light may be emitted to the outside through the growth substrate 3 without being absorbed by the second light emitting structure B and the first light emitting structure A. In addition, the second wavelength of the second light may be emitted to the outside through the growth substrate 3 without being absorbed by the first light emitting structure A.

상기 제1 파장의 제1 광, 상기 제2 파장의 제2 광 및 상기 제3 파장의 제3 광은 자외선, 가시 광선 및 적외선 중 적어도 하나 이상일 수 있다. The first light of the first wavelength, the second light of the second wavelength, and the third light of the third wavelength may be at least one of ultraviolet light, visible light, and infrared light.

예컨대, 상기 제1 파장의 제1 광, 상기 제2 파장의 제2 광 및 상기 제3 파장의 제3 광은 모두 자외선일 수 있다. 구체적으로, 상기 제1 광의 제1 파장은 대략 315nm 내지 대략 400nm 일 수 있지만, 이에 대해서는 한정하지 않는다. 상기 제2 광의 제2 파장은 대략 280nm 내지 대략 315nm일 수 있지만, 이에 대해서는 한정하지 않는다. 상기 제3 광의 제3 파장은 대략 200nm 내지 대략 280nm일 수 있지만, 이에 대해서는 한정하지 않는다. For example, the first light of the first wavelength, the second light of the second wavelength, and the third light of the third wavelength may all be ultraviolet rays. Specifically, the first wavelength of the first light may be about 315 nm to about 400 nm, but is not limited thereto. The second wavelength of the second light may be about 280 nm to about 315 nm, but is not limited thereto. The third wavelength of the third light may be about 200 nm to about 280 nm, but is not limited thereto.

예컨대, 상기 제1 파장의 제1 광, 상기 제2 파장의 제2 광 및 상기 제3 파장의 제3 광은 모두 가시 광선일 수 있다. 구체적으로, 상기 제1 광의 제1 파장은 대략 620nm 내지 780nm일 수 있지만, 이에 대해서는 한정하지 않는다. 상기 제2 광의 제2 파장은 대략 495nm 내지 대략 570nm일 수 있지만, 이에 대해서는 한정하지 않는다. 상기 제3 광의 제3 파장은 대략 450nm 내지 대략 495nm 일 수 있지만, 이에 대해서는 한정하지 않는다. For example, the first light of the first wavelength, the second light of the second wavelength, and the third light of the third wavelength may all be visible light. Specifically, the first wavelength of the first light may be about 620 nm to 780 nm, but is not limited thereto. The second wavelength of the second light may be about 495 nm to about 570 nm, but is not limited thereto. The third wavelength of the third light may be about 450 nm to about 495 nm, but is not limited thereto.

예컨대, 상기 제1 파장의 제1 광은 적외선이고, 상기 제2 파장의 제2 광과 상기 제3 파장의 제3 광은 자외선일 수 있다. 구체적으로, 상기 제1 광의 제1 파장은 대략 780nm 내지 대략 3000nm(근적외선)일 수 있지만, 이에 대해서는 한정하지 않는다. 상기 제2 파장의 제2 광은 대략 200nm 내지 대략 280nm, 대략 280nm 내지 대략 315nm 및 대략 315nm 내지 대략 400nm 중 하나일 수 있지만, 이에 대해서는 한정하지 않는다. 상기 제3 광의 제3 파장은 대략 200nm 내지 대략 280nm, 대략 280nm 내지 대략 315nm 및 대략 315nm 내지 대략 400nm 중 다른 하나일 수 있지만, 이에 대해서는 한정하지 않는다. 상기 제3 광의 제3 파장은 상기 2 광의 제2 파장보다 작을 수 있다. For example, the first light of the first wavelength may be infrared rays, and the second light of the second wavelength and the third light of the third wavelength may be ultraviolet rays. Specifically, the first wavelength of the first light may be about 780 nm to about 3000 nm (near infrared), but is not limited thereto. The second light of the second wavelength may be one of about 200 nm to about 280 nm, about 280 nm to about 315 nm, and about 315 nm to about 400 nm, but is not limited thereto. The third wavelength of the third light may be another one of about 200 nm to about 280 nm, about 280 nm to about 315 nm, and about 315 nm to about 400 nm, but is not limited thereto. The third wavelength of the third light may be smaller than the second wavelength of the two lights.

상기 제1 전극(23)은 상기 제1 발광 구조물(A)의 제1 도전형 반도체층(5)의 하면 일부분에 형성될 수 있다. 상기 제2 전극(25)은 상기 제1 발광 구조물(A) 및 제2 발광 구조물(B)의 제2 도전형 반도체층(9)의 하면 일부분에 형성될 수 있다. 상기 제3 전극(27)은 상기 제2 발광 구조물(B) 및 제3 발광 구조물(C)의 제3 도전형 반도체층(13)의 하면 일부분에 형성될 수 있다. The first electrode 23 may be formed on a portion of the lower surface of the first conductive semiconductor layer 5 of the first light emitting structure A. Referring to FIG. The second electrode 25 may be formed on a portion of a lower surface of the second conductive semiconductor layer 9 of the first light emitting structure A and the second light emitting structure B. The third electrode 27 may be formed on a portion of the lower surface of the third conductive semiconductor layer 13 of the second light emitting structure B and the third light emitting structure C.

상기 제4 전극(29)은 상기 제3 발광 구조물(C)의 제4 도전형 반도체층(17)의 하면 일부분 또는 상기 전극층(39)의 하면 일부분에 형성될 수 있다.The fourth electrode 29 may be formed on a lower surface portion of the fourth conductive semiconductor layer 17 of the third light emitting structure C or a lower surface portion of the electrode layer 39.

상기 제2 전극(25)은 상기 제1 발광 구조물(A)과 상기 제2 발광 구조물(B)에 공통으로 포함된 제2 도전형 반도체층(9)에 전기적으로 연결될 수 있다. 상기 제3 전극(27)은 상기 제2 발광 구조물(B)과 상기 제3 발광 구조물(C)에 공통으로 포함된 제3 도전형 반도체층(13)에 전기적으로 연결될 수 있다.The second electrode 25 may be electrically connected to the second conductive semiconductor layer 9 which is commonly included in the first light emitting structure A and the second light emitting structure B. The third electrode 27 may be electrically connected to the third conductive semiconductor layer 13 commonly included in the second light emitting structure B and the third light emitting structure C.

상기 제1 내지 제3 발광 구조물(A, B, C)를 둘러쌓도록 절연층(21)이 형성될 수 있다. An insulating layer 21 may be formed to surround the first to third light emitting structures A, B, and C.

상기 전극층(39)은 상기 제1 내지 제3 발광 구조물(A, B, C)에서 생성되어 하부 방향으로 진행된 광을 반사시켜 줄 수 있도록 반사 특성이 우수한 반사 물질을 포함할 수 있지만, 이에 대해서는 한정하지 않는다. 상기 전극층(39)은 예컨대 Ag, Ni, Al, Rh, Pd, Ir, Ru, Mg, Zn, Pt, Au 및 Hf로 이루어지는 그룹으로부터 선택된 하나 또는 다층 구조를 포함할 수 있지만, 이에 대해서는 한정하지 않는다.The electrode layer 39 may include a reflective material having excellent reflection characteristics so as to reflect light generated in the first to third light emitting structures A, B, and C and propagated downward, but is not limited thereto. I never do that. The electrode layer 39 may include, but is not limited to, one or a multilayer structure selected from the group consisting of Ag, Ni, Al, Rh, Pd, Ir, Ru, Mg, Zn, Pt, Au, and Hf, for example. .

도 5는 제4 실시예에 따른 발광 소자를 도시한 단면도이다.5 is a cross-sectional view illustrating a light emitting device according to a fourth embodiment.

제4 실시예는 성장 기판(41) 아래에 제1 전극(23)이 형성되는 것을 제외하고는 제1 실시예와 거의 유사하다. 제4 실시예에서 제1 실시예와 동일한 기능, 동일한 종류의 물질 및/또는 동일한 형상을 갖는 구성 요소에 대해서는 동일한 도면 부호를 부여하고 자세한 설명은 생략한다.The fourth embodiment is almost similar to the first embodiment except that the first electrode 23 is formed under the growth substrate 41. In the fourth embodiment, the same reference numerals are assigned to components having the same function, the same kind of material, and / or the same shape as the first embodiment, and detailed description thereof will be omitted.

도 5를 참조하면, 제4 실시예에 따른 발광 소자(1C)는 성장 기판(41), 제1 내지 제3 발광 구조물(A, B, C) 및 제1 내지 제4 전극(43, 25, 27, 29)을 포함할 수 있다. Referring to FIG. 5, the light emitting device 1C according to the fourth embodiment may include a growth substrate 41, first to third light emitting structures A, B, and C and first to fourth electrodes 43, 25, 27, 29).

상기 성장 기판(41)은 도전성 기판일 수 있지만, 이에 대해서는 한정하지 않는다. 상기 성장 기판(41)은 II-VI족 또는 III-V족 화합물 반도체 재질로 형성될 수 있다. 예컨대, 상기 성장 기판(41)은 GaN, SiC, ZnO, Si, GaP, InP 및 GaA으로 이루어진 그룹에서 선택될 수 있다. 상기 성장 기판(41)은 전도성을 강화하기 위해 도펀트를 포함할 수 있지만, 이에 대해서는 한정하지 않는다. 상기 성장 기판(41)은 전극으로서 사용될 수 있지만, 이에 대해서는 한정하지 않는다. The growth substrate 41 may be a conductive substrate, but is not limited thereto. The growth substrate 41 may be formed of a II-VI or III-V compound semiconductor material. For example, the growth substrate 41 may be selected from the group consisting of GaN, SiC, ZnO, Si, GaP, InP, and GaA. The growth substrate 41 may include a dopant to enhance conductivity, but is not limited thereto. The growth substrate 41 may be used as an electrode, but is not limited thereto.

상기 제1 발광 구조물(A)은 상기 성장 기판(41) 상에 형성될 수 있다. 상기 제2 발광 구조물(B)은 상기 제1 발광 구조물(A) 상에 형성될 수 있다. 상기 제3 발광 구조물(C)은 상기 제2 발광 구조물(B) 상에 형성될 수 있다.The first light emitting structure A may be formed on the growth substrate 41. The second light emitting structure B may be formed on the first light emitting structure A. FIG. The third light emitting structure C may be formed on the second light emitting structure B.

상기 제1 발광 구조물(A)의 제1 광의 제1 파장은 상기 제2 발광 구조물(B)의 제2 광의 제2 파장보다 작고, 상기 제2 발광 구조물(B)의 제2 광의 제2 파장은 상기 제3 발광 구조물(C)의 제3 광의 제3 파장보다 작게 설계될 수 있지만, 이에 대해서는 한정하지 않는다.The first wavelength of the first light of the first light emitting structure A is smaller than the second wavelength of the second light of the second light emitting structure B, and the second wavelength of the second light of the second light emitting structure B is It may be designed smaller than the third wavelength of the third light of the third light emitting structure (C), but is not limited thereto.

상기 제1 전극(43)은 상기 성장 기판(41)의 아래에 형성될 수 있다. 상기 제1 전극(43)은 상기 성장 기판(41)의 하면의 전 영역에 형성될 수 있지만, 이에 대해서는 한정하지 않는다. The first electrode 43 may be formed under the growth substrate 41. The first electrode 43 may be formed in the entire area of the lower surface of the growth substrate 41, but is not limited thereto.

상기 제1 전극(43)은 전기 전도도가 우수한 금속 물질을 포함할 수 있다. 상기 제1 전극(43)은 예컨대 Al, Ti, Cr, Ni, Pt, Au, W, Cu 및 Mo으로 이루어지는 그룹으로부터 선택된 하나 또는 다층 구조를 포함할 수 있지만, 이에 대해서는 한정하지 않는다.The first electrode 43 may include a metal material having excellent electrical conductivity. The first electrode 43 may include, for example, one or a multilayer structure selected from the group consisting of Al, Ti, Cr, Ni, Pt, Au, W, Cu, and Mo, but is not limited thereto.

상기 제1 전극(43)은 상기 제1 내지 제3 발광 구조물(A, B, C)에서 생성된 제1 내지 제3 광을 반사시켜 줄 수 있는 반사 특성이 우수한 금속 물질을 포함할 수 있지만, 이에 대해서는 한정하지 않는다. 상기 제1 전극(43)은 Ag, Ni, Al, Rh, Pd, Ir, Ru, Mg, Zn, Pt, Au, Hf 및 이들 중 둘 이상의 합금으로부터 선택된 단층 또는 다수층으로 형성될 수 있다.Although the first electrode 43 may include a metal material having excellent reflection characteristics to reflect the first to third light generated by the first to third light emitting structures A, B, and C, This is not limitative. The first electrode 43 may be formed of a single layer or multiple layers selected from Ag, Ni, Al, Rh, Pd, Ir, Ru, Mg, Zn, Pt, Au, Hf and two or more alloys thereof.

상기 제1 전극(43)은 전기 전도도가 우수한 제1 금속막과 반사 특성이 우수한 제2 금속막을 포함하거나 이들의 다층 구조로 형성될 수 있지만, 이에 대해서는 한정하지 않는다.The first electrode 43 may include, but is not limited to, a first metal film having excellent electrical conductivity and a second metal film having excellent reflection characteristics, or may be formed in a multilayer structure thereof.

상기 2 내지 제4 전극(25, 27, 29)은 배치 구조는 제1 실시예와 동일하므로, 더 이상의 설명은 생략한다.Since the arrangement structure of the second to fourth electrodes 25, 27, and 29 is the same as that of the first embodiment, further description thereof will be omitted.

도 6은 제5 실시예에 따른 발광 소자를 도시한 단면도이다.6 is a cross-sectional view illustrating a light emitting device according to a fifth embodiment.

제5 실시예에서 제1 내지 제3 발광 구조물(A, B, C)과 제2 및 제3 전극(23, 25)은 제1 실시예 및/또는 제2 실시예와 유사하다. 제5 실시예에서 제1 실시예 및/또는 제2 실시예와 동일한 기능, 동일한 종류의 물질 및/또는 동일한 형상을 갖는 구성 요소에 대해서는 동일한 도면 부호를 부여하고 자세한 설명은 생략한다. In the fifth embodiment, the first to third light emitting structures A, B, and C and the second and third electrodes 23 and 25 are similar to the first embodiment and / or the second embodiment. In the fifth embodiment, the same reference numerals are assigned to components having the same functions, the same kind of materials, and / or the same shapes as the first and / or second embodiments, and detailed descriptions thereof will be omitted.

도 6을 참조하면, 제5 실시예에 따른 발광 소자(1D)는 제1 내지 제3 발광 구조물(A, B, C) 및 제1 내지 제4 전극(61, 23, 25, 57)을 포함할 수 있다.Referring to FIG. 6, the light emitting device 1D according to the fifth embodiment includes first to third light emitting structures A, B, and C and first to fourth electrodes 61, 23, 25, and 57. can do.

상기 제1 발광 구조물(A), 상기 제2 발광 구조물(B) 및 상기 제3 발광 구조물(C)은 II-VI족 또는 III-V족 화합물 반도체 재질로 이루어진 AlxInyGa(1-x-y)N (0≤x≤1, 0≤y≤1, 0≤x+y≤1)형성될 수 있다. 예컨대, 상기 제1 발광 구조물(A), 상기 제2 발광 구조물(B) 및 상기 제3 발광 구조물(C)은 InAlGaN, GaN, AlGaN, InGaN, AlN, InN 및 AlInN로 이루어지는 그룹으로부터 선택된 적어도 하나를 포함할 수 있지만, 이에 대해서는 한정하지 않는다. The first light emitting structure A, the second light emitting structure B, and the third light emitting structure C may be formed of AlxInyGa (1-xy) N (0) made of a II-VI or III-V compound semiconductor material. ≤ x ≤ 1, 0 ≤ y ≤ 1, 0 ≤ x + y ≤ 1) can be formed. For example, the first light emitting structure A, the second light emitting structure B, and the third light emitting structure C may include at least one selected from the group consisting of InAlGaN, GaN, AlGaN, InGaN, AlN, InN, and AlInN. It may include, but is not limited to this.

상기 제1 발광 구조물(A)은 제1 도전형 반도체층(5), 상기 제1 도전형 반도체층(5) 아래에 형성된 제1 발광층(33) 및 상기 제1 발광층(33) 아래에 형성된 제2 도전형 반도체층(9)을 포함할 수 있다.The first light emitting structure A may include a first conductive semiconductor layer 5, a first emitting layer 33 formed under the first conductive semiconductor layer 5, and a first formed under the first emitting layer 33. The second conductive semiconductor layer 9 may be included.

상기 제2 발광 구조물(B)은 상기 제2 도전형 반도체층(9), 상기 제2 도전형 반도체층(9) 아래에 형성된 제2 발광층(35) 및 상기 제2 발광층(35) 아래에 형성된 제3 도전형 반도체층(13)을 포함할 수 있다.The second light emitting structure B is formed under the second conductive semiconductor layer 9, the second conductive semiconductor layer 9, and the second conductive semiconductor layer 9. The third conductive semiconductor layer 13 may be included.

상기 제3 발광 구조물(C)은 상기 제3 도전형 반도체층(13), 상기 제3 도전형 반도체층(13) 아래에 형성된 제3 발광층(37) 및 상기 제3 발광층(37) 아래에 형성된 제4 도전형 반도체층(17)을 포함할 수 있다.The third light emitting structure C is formed under the third conductive semiconductor layer 13, the third conductive semiconductor layer 13, and the third light emitting layer 37. The fourth conductive semiconductor layer 17 may be included.

상기 제1 발광 구조물(A)은 제1 파장의 제1 광을 생성하여 줄 수 있다. 상기 제2 발광 구조물(B)은 제2 파장의 제2 광을 생성하여 줄 수 있다. 상기 제3 발광 구조물(C)은 제3 파장의 제3 광을 생성하여 줄 수 있다. The first light emitting structure A may generate first light having a first wavelength. The second light emitting structure B may generate second light having a second wavelength. The third light emitting structure C may generate third light having a third wavelength.

상기 제2 광의 제2 파장은 상기 제1 광의 제1 파장보다 작고, 상기 제3 광의 제3 파장은 상기 제2 광의 제2 파장보다 작을 수 있지만, 이에 대해서는 한정하지 않는다.The second wavelength of the second light may be smaller than the first wavelength of the first light, and the third wavelength of the third light may be smaller than the second wavelength of the second light, but is not limited thereto.

상기 제1 전극(61)은 상기 제1 발광 구조물(A)의 제1 도전형 반도체층(5)의 상면 일 부분에 형성될 수 있다. 상기 제2 전극(23)은 상기 제1 발광 구조물(A) 및 제2 발광 구조물(B)의 제2 도전형 반도체층(9)의 상면 일부분에 형성될 수 있다. 상기 제3 전극(25)은 상기 제2 발광 구조물(B) 및 제3 발광 구조물(C)의 제3 도전형 반도체층(13)의 상면 일부분에 형성될 수 있다. 상기 제4 전극(57)은 상기 제3 발광 구조물(C)의 제4 도전형 반도체층(17)의 하면 상에 형성될 수 있다.The first electrode 61 may be formed on a portion of an upper surface of the first conductive semiconductor layer 5 of the first light emitting structure A. Referring to FIG. The second electrode 23 may be formed on a portion of the upper surface of the second conductive semiconductor layer 9 of the first light emitting structure A and the second light emitting structure B. The third electrode 25 may be formed on a portion of the upper surface of the third conductive semiconductor layer 13 of the second light emitting structure B and the third light emitting structure C. The fourth electrode 57 may be formed on the bottom surface of the fourth conductive semiconductor layer 17 of the third light emitting structure C.

상기 제1 내지 제4 전극(61, 23, 25, 57)은 전기 전도도가 우수한 금속 물질을 포함할 수 있다.The first to fourth electrodes 61, 23, 25, and 57 may include a metal material having excellent electrical conductivity.

상기 제4 전극(57)은 반사 특성이 우수한 금속 물질을 포함할 수 있다. The fourth electrode 57 may include a metal material having excellent reflection characteristics.

상기 제4 전극(57)은 오믹 특성이 우수한 오믹막, 반사 특성이 반사막, 전류 확산 특성이 우수한 전류 확산막 및 접합 특성이 우수한 접합막 중 적어도 둘 이상을 포함할 수 있지만, 이에 대해서는 한정하지 않는다.The fourth electrode 57 may include, but is not limited to, at least two or more of an ohmic film having excellent ohmic characteristics, a reflecting film having reflective characteristics, a current diffusion film having excellent current spreading characteristics, and a bonding film having excellent bonding characteristics. .

상기 제3 발광 구조물(C)의 주변 영역의 제4 도전형 반도체층(17)의 하면 상에 보호층(55)이 형성될 수 있다. The protective layer 55 may be formed on the bottom surface of the fourth conductive semiconductor layer 17 in the peripheral region of the third light emitting structure C.

상기 보호층(55)은 상기 제4 전극(57)의 둘레를 따라 형성될 수 있다. 다시 말해, 상기 제4 전극(57)은 상기 보호층(55)에 의해 둘러쌓여질 수 있지만, 이에 대해서는 한정하지 않는다.The protective layer 55 may be formed along the circumference of the fourth electrode 57. In other words, the fourth electrode 57 may be surrounded by the protective layer 55, but is not limited thereto.

상기 제4 전극(57)의 일부분은 상기 보호층(55)의 하면 일부분과 중첩될 수 있지만, 이에 대해서는 한정하지 않는다.A portion of the fourth electrode 57 may overlap a portion of the lower surface of the protective layer 55, but is not limited thereto.

도시하지 않았지만, 상기 제4 전극(57)은 상기 보호층(55)의 하면의 전 영역에 형성되고 외부로 노출될 수 있지만, 이에 대해서는 한정하지 않는다.Although not shown, the fourth electrode 57 may be formed in the entire area of the lower surface of the protective layer 55 and exposed to the outside, but is not limited thereto.

도시하지 않았지만, 상기 보호층(55)의 하면은 상기 제4 전극(57)의 하면으로부터 하부 방향으로 연장되도록 형성될 수 있지만, 이에 대해서는 한정하지 않는다. 상기 보호층(55)이 상기 제3 발광 구조물(C)의 둘레를 따라 형성되므로, 상기 보호층(55)에 리세스가 형성될 수 있다. 상기 보호층(55)의 리세스에 상기 제4 전극(57)이 형성되고, 상기 제4 전극(57)은 상기 보호층(55)의 리세스를 벗어나 상기 보호층(55)의 하면 일부분에 형성되지 않을 수 있지만, 이에 대해서는 한정하지 않는다. Although not shown, the lower surface of the protective layer 55 may be formed to extend downward from the lower surface of the fourth electrode 57, but is not limited thereto. Since the passivation layer 55 is formed along the circumference of the third light emitting structure C, a recess may be formed in the passivation layer 55. The fourth electrode 57 is formed in the recess of the protective layer 55, and the fourth electrode 57 extends out of the recess of the protective layer 55 to a portion of the lower surface of the protective layer 55. It may not be formed, but is not limited thereto.

상기 제4 전극(57) 및/또는 상기 보호층(55) 아래에 접합층(53)이 형성될 수 있지만, 이에 대해서는 한정하지 않는다. 상기 접합층(53) 아래에 지지 기판(51)이 형성될 수 있지만, 이에 대해서는 한정하지 않는다. 상기 접합층(53)과 상기 지지 기판(51)은 도전성을 갖는 금속 물질을 포함할 수 있지만, 이에 대해서는 한정하지 않는다.The bonding layer 53 may be formed under the fourth electrode 57 and / or the protective layer 55, but is not limited thereto. The support substrate 51 may be formed under the bonding layer 53, but is not limited thereto. The bonding layer 53 and the support substrate 51 may include a conductive metal material, but are not limited thereto.

상기 제1 내지 제3 발광 구조물(A, B, C)의 둘레를 따라 절연층(59)이 형성될 수 있지만, 이에 대해서는 한정하지 않는다.The insulating layer 59 may be formed along the circumference of the first to third light emitting structures A, B, and C, but is not limited thereto.

상기 제1 발광 구조물(A)의 제1 도전형 반도체층(5)의 상면은 광 추출 구조물(63)이 형성될 수 있다. 상기 광 추출 구조물(63)은 러프니스나 요철 패턴을 포함할 수 있지만, 이에 대해서는 한정하지 않는다. 상기 광 추출 구조물(63)은 상기 제1 내지 제3 발광 구조물(A, B, C)에서 생성되어 상기 제1 도전형 반도체층(5)으로 진행된 광의 광 추출 효율을 강화하여 광 효율을 향상시켜 줄 수 있다. The light extracting structure 63 may be formed on an upper surface of the first conductivity-type semiconductor layer 5 of the first light emitting structure A. Referring to FIG. The light extracting structure 63 may include roughness or uneven patterns, but is not limited thereto. The light extraction structure 63 improves light efficiency by enhancing light extraction efficiency of light generated in the first to third light emitting structures A, B, and C to the first conductive semiconductor layer 5. Can give

도 7은 실시예에 따른 발광 소자 패키지를 도시한 단면도이다.7 is a cross-sectional view showing a light emitting device package according to the embodiment.

도 7을 참조하면, 실시예에 따른 발광 소자 패키지는 패키지 바디(101)와, 상기 패키지 바디(101)에 설치된 제1 전극층(103) 및 제2 전극층(105)과, 상기 패키지 바디(101)에 설치되어 상기 제1 전극층(103) 및 제2 전극층(105)으로부터 전원을 공급받는 발광 소자(1)와, 상기 발광 소자(1)를 포위하는 몰딩부재(113)를 포함한다.Referring to FIG. 7, the light emitting device package according to the embodiment may include a package body 101, a first electrode layer 103 and a second electrode layer 105 installed on the package body 101, and the package body 101. The light emitting device 1 is installed at the first electrode layer 103 and the second electrode layer 105 to receive power, and a molding member 113 surrounding the light emitting device (1).

도 7의 발광 소자(1) 제1 실시예에 따른 발광 소자이지만, 제2 내지 제5 실시예에 따른 발광 소자에도 동일하게 적용될 수 있다. The light emitting device 1 of FIG. 7 is a light emitting device according to the first embodiment, but may be similarly applied to the light emitting device according to the second to fifth embodiments.

상기 패키지 바디(101)는 실리콘 재질, 합성수지 재질, 또는 금속 재질을 포함하여 형성될 수 있으며, 상기 발광 소자(1)의 주위에 경사면이 형성될 수 있다.The package body 101 may include a silicon material, a synthetic resin material, or a metal material, and an inclined surface may be formed around the light emitting device 1.

상기 제1 전극층(103) 및 제2 전극층(105)은 서로 전기적으로 분리되며, 상기 발광 소자(1)에 전원을 제공한다.The first electrode layer 103 and the second electrode layer 105 are electrically separated from each other, and provide power to the light emitting device 1.

또한, 상기 제1 및 제2 전극층(103, 105)은 상기 발광 소자(1)에서 발생된 빛을 반사시켜 광 효율을 증가시킬 수 있으며, 상기 발광 소자(1)에서 발생된 열을 외부로 배출시키는 역할을 할 수도 있다.In addition, the first and second electrode layers 103 and 105 may increase light efficiency by reflecting light generated from the light emitting device 1, and discharge heat generated from the light emitting device 1 to the outside. It can also play a role.

상기 발광 소자(1)는 상기 제1 전극층(103), 제2 전극층(105) 및 상기 패키지 바디(101) 중 어느 하나 위에 설치될 수 있으며, 와이어 방식, 다이 본딩 방식 등에 의해 상기 제1 및 제2 전극층(103, 105)에 전기적으로 연결될 수 있으나, 이에 대해 한정하지는 않는다.The light emitting device 1 may be installed on any one of the first electrode layer 103, the second electrode layer 105, and the package body 101. The light emitting device 1 may be formed by a wire method, a die bonding method, or the like. It may be electrically connected to the two electrode layers 103 and 105, but is not limited thereto.

실시예에서는 한 개의 와이어(109)를 통해 발광 소자(1)를 상기 제1 및 제2 전극층(103, 105) 중 하나의 전극층에 전기적으로 연결시키는 것이 예시되어 있으나, 이에 한정하지 않고 2개의 와이어를 이용하여 발광 소자(1)를 상기 제1 및 제2 전극층(103, 15)에 전기적으로 연결시킬 수도 있으며, 와이어를 사용하지 않고 발광 소자(1)를 상기 제1 및 제2 전극층(103, 105)에 전기적으로 연결시킬 수도 있다.In the exemplary embodiment, the light emitting device 1 is electrically connected to one of the first and second electrode layers 103 and 105 through one wire 109, but is not limited thereto. The light emitting device 1 may be electrically connected to the first and second electrode layers 103 and 15 by using a wire, and the light emitting device 1 may be connected to the first and second electrode layers 103 without using a wire. 105 may be electrically connected.

상기 몰딩부재(113)는 상기 발광 소자(1)를 포위하여 상기 발광 소자(1)를 보호할 수 있다. 또한, 상기 몰딩부재(113)에는 형광체가 포함되어 상기 발광 소자(1)에서 방출된 광의 파장을 변화시킬 수 있다.The molding member 113 may surround the light emitting device 1 to protect the light emitting device 1. In addition, the molding member 113 may include a phosphor to change the wavelength of light emitted from the light emitting device 1.

실시예에 따른 발광 소자 패키지는 COB(Chip On Board) 타입을 포함하며, 상기 패키지 바디(101)의 상면은 평평하고, 상기 패키지 바디(101)에는 복수의 발광 소자가 설치될 수도 있다.The light emitting device package according to the embodiment includes a chip on board (COB) type, the top surface of the package body 101 is flat, a plurality of light emitting devices may be installed on the package body 101.

실시예에 따른 발광 소자(1)나 발광 소자 패키지는 라이트 유닛에 적용될 수 있다. 상기 라이트 유닛은 표시 장치와 조명 장치, 예컨대 조명등, 신호등, 차량 전조등, 전광판, 지시등과 같은 유닛에 적용될 수 있다.The light emitting device 1 or the light emitting device package according to the embodiment may be applied to a light unit. The light unit may be applied to a display device and a unit such as a lighting device, for example, a lighting lamp, a traffic light, a vehicle headlight, an electric sign, an indicator lamp.

1, 1A, 1B, 1C, 1D: 발광 소자
3, 41: 성장 기판
5: 제1 도전형 반도체층
7, 33: 제1 발광층
9: 제2 도전형 반도체층
11, 35: 제2 발광층
13: 제3 도전형 반도체층
15, 37: 제3 발광층
17: 제4 도전형 반도체층
19, 39: 전극층
21, 59: 절연층
23, 25, 27, 29, 43, 57, 61: 전극
31: 제5 도전형 반도체층
51: 지지 기판
53: 접합층
55: 보호층
63: 광 추출 구조물
A: 제1 발광 구조물
B: 제2 발광 구조물
C: 제3 발광 구조물
SW1, SW2, SW3: 스위치
V1, V2, V3: 전원1, 1A, 1B, 1C, 1D: light emitting element
3, 41: growth substrate
5: first conductivity type semiconductor layer
7, 33: first light emitting layer
9: second conductivity type semiconductor layer
11, 35: second light emitting layer
13: third conductivity type semiconductor layer
15, 37: third light emitting layer
17: fourth conductive semiconductor layer
19, 39: electrode layer
21, 59: insulation layer
23, 25, 27, 29, 43, 57, 61: electrode
31: fifth conductive semiconductor layer
51: support substrate
53: bonding layer
55: protective layer
63: light extraction structure
A: first light emitting structure
B: second light emitting structure
C: third light emitting structure
SW1, SW2, SW3: switch
V1, V2, V3: Power

Claims (17)

기판;
상기 기판 상에 배치되고, 제1 파장의 제1 광을 생성하는 제1 발광 구조물;
상기 제1 발광 구조물 상에 배치되고, 제2 파장의 제2 광을 생성하는 제2 발광 구조물; 및
상기 제2 발광 구조물 상에 배치되고, 제3 파장의 제3 광을 생성하는 제3 발광 구조물을 포함하고,
상기 제1 발광 구조물은 상기 기판 상에 배치되는 제1 도전형 반도체층, 상기 제1 도전형 반도체층 상에 배치되는 제1 발광층 및 제1 발광층 상에 배치되는 제2 도전형 반도체층을 포함하고,
상기 제2 발광 구조물은 상기 제2 도전형 반도체층, 상기 제2 도전형 반도체층 상에 배치되는 제2 발광층 및 상기 제2 발광층 상에 배치되는 제3 도전형 반도체층을 포함하고,
상기 제3 발광 구조물은 상기 제3 도전형 반도체층, 상기 제3 도전형 반도체층 상에 배치되는 제3 발광층 및 상기 제3 발광층 상에 배치되는 제4 도전형 반도체층을 포함하고,
상기 제1 발광 구조물의 제1 도전형 반도체층과 전기적으로 연결되는 제1 전극을 포함하고,
상기 제1 발광 구조물 및 상기 제2 발광 구조물의 제2 도전형 반도체층의 상면 상에 배치되는 제2 전극을 포함하고,
상기 제2 발광 구조물 및 상기 제3 발광 구조물의 제3 도전형 반도체층의 상면 상에 배치되는 제3 전극을 포함하고,
상기 제3 발광 구조물의 제4 도전형 반도체층 상에 배치되는 제4 전극을 포함하고,
상기 제1 광은, 상기 제1 전극 및 상기 제2 전극에 인가되는 전원에 의해 상기 제1 발광 구조물로부터 생성되고,
상기 제2 광은, 상기 제2 전극 및 상기 제3 전극에 인가되는 전원에 의해 상기 제2 발광 구조물로부터 생성되고,
상기 제3 광은, 상기 제3 전극 및 상기 제4 전극에 인가되는 전원에 의해 상기 제3 발광 구조물로부터 생성되고,
상기 제1 광의 제1 파장은 상기 제2 광의 제2 파장보다 짧고,
상기 제2 광의 제2 파장은 상기 제3 광의 제3 파장보다 짧고,
상기 제1 광의 일부는 상기 제2 발광 구조물 및 상기 제3 발광 구조물을 경유하여 외부로 방출되고,
상기 제2 광의 일부는 상기 제3 발광 구조물을 경유하여 외부로 방출되는 발광 소자.Board;
A first light emitting structure disposed on the substrate, the first light emitting structure generating a first light of a first wavelength;
A second light emitting structure disposed on the first light emitting structure and generating a second light of a second wavelength; And
A third light emitting structure disposed on the second light emitting structure, the third light emitting structure generating a third light of a third wavelength;
The first light emitting structure includes a first conductive semiconductor layer disposed on the substrate, a first light emitting layer disposed on the first conductive semiconductor layer, and a second conductive semiconductor layer disposed on the first light emitting layer. ,
The second light emitting structure includes the second conductive semiconductor layer, a second light emitting layer disposed on the second conductive semiconductor layer, and a third conductive semiconductor layer disposed on the second light emitting layer,
The third light emitting structure includes the third conductive semiconductor layer, a third light emitting layer disposed on the third conductive semiconductor layer, and a fourth conductive semiconductor layer disposed on the third light emitting layer,
A first electrode electrically connected to the first conductive semiconductor layer of the first light emitting structure;
A second electrode disposed on an upper surface of the first light emitting structure and the second conductive semiconductor layer of the second light emitting structure,
A third electrode disposed on an upper surface of the second light emitting structure and the third conductive semiconductor layer of the third light emitting structure,
A fourth electrode disposed on the fourth conductive semiconductor layer of the third light emitting structure,
The first light is generated from the first light emitting structure by a power source applied to the first electrode and the second electrode,
The second light is generated from the second light emitting structure by the power applied to the second electrode and the third electrode,
The third light is generated from the third light emitting structure by the power applied to the third electrode and the fourth electrode,
The first wavelength of the first light is shorter than the second wavelength of the second light,
The second wavelength of the second light is shorter than the third wavelength of the third light,
A portion of the first light is emitted to the outside via the second light emitting structure and the third light emitting structure,
A portion of the second light is emitted to the outside via the third light emitting structure. 제1항에 있어서,
상기 제1 전극은, 상기 제1 발광 구조물의 상면 상에 배치되는 발광 소자.The method of claim 1,
The first electrode is a light emitting device disposed on the upper surface of the first light emitting structure. 제1항에 있어서,
상기 제1 발광 구조물, 상기 제2 발광 구조물 및 상기 제3 발광 구조물 상에 배치되는 절연층을 포함하고,
상기 절연층은 상기 제1 내지 제4 전극을 제외한 상기 제1 내지 제3 발광 구조물의 둘레에 배치되는 발광 소자.The method of claim 1,
An insulating layer disposed on the first light emitting structure, the second light emitting structure, and the third light emitting structure;
The insulating layer is disposed around the first to third light emitting structure excluding the first to fourth electrodes. 제1항에 있어서,
상기 제4 도전형 반도체층 및 상기 제4 전극 사이에 배치되고 투명한 도전 물질을 포함하는 전극층을 더 포함하는 발광 소자.The method of claim 1,
The light emitting device further comprises an electrode layer disposed between the fourth conductive semiconductor layer and the fourth electrode and including a transparent conductive material. 제1항에 있어서,
상기 제1 광의 제1 파장은 200nm 내지 280nm이고, 상기 제2 광의 제2 파장은 280nm 내지 315nm이며, 상기 제3 광의 제3 파장은 315nm 내지 400nm인 발광 소자.The method of claim 1,
The first wavelength of the first light is 200nm to 280nm, the second wavelength of the second light is 280nm to 315nm, the third wavelength of the third light is 315nm to 400nm. 제4항에 있어서,
상기 전극층 및 상기 제4 전극 사이에 배치되며 상기 제4 도전형 반도체층과 동일한 도전형을 가지는 제5 도전형 반도체층을 포함하고,
상기 제5 도전형 반도체층의 도펀트 농도는 상기 제4 도전형 반도체층의 도펀트 농도보다 큰 발광 소자.The method of claim 4, wherein
A fifth conductivity type semiconductor layer disposed between the electrode layer and the fourth electrode and having the same conductivity type as the fourth conductivity type semiconductor layer,
The dopant concentration of the fifth conductive semiconductor layer is greater than the dopant concentration of the fourth conductive semiconductor layer. 제1항에 있어서,
상기 기판은 도전성을 가지며,
상기 제1 전극은 상기 기판의 하면 상에 배치되는 발광 소자.The method of claim 1,
The substrate is conductive,
The first electrode is disposed on the lower surface of the substrate. 기판;
상기 기판 아래에 배치되고, 제1 파장의 제1 광을 생성하는 제1 발광 구조물;
상기 제1 발광 구조물 아래에 배치되고, 제2 파장의 제2 광을 생성하는 제2 발광 구조물; 및
상기 제2 발광 구조물 아래에 배치되고, 제3 파장의 제3 광을 생성하는 제3 발광 구조물을 포함하고,
상기 제1 발광 구조물은 상기 기판 아래에 배치되는 제1 도전형 반도체층, 상기 제1 도전형 반도체층 아래에 배치되는 제1 발광층 및 제1 발광층 아래에 배치되는 제2 도전형 반도체층을 포함하고,
상기 제2 발광 구조물은 상기 제2 도전형 반도체층, 상기 제2 도전형 반도체층 아래에 배치되는 제2 발광층 및 상기 제2 발광층 아래에 배치되는 제3 도전형 반도체층을 포함하고,
상기 제3 발광 구조물은 상기 제3 도전형 반도체층, 상기 제3 도전형 반도체층 아래에 배치되는 제3 발광층 및 상기 제3 발광층 아래에 배치되는 제4 도전형 반도체층을 포함하고,
상기 제1 발광 구조물의 제1 도전형 반도체층과 전기적으로 연결되는 제1 전극을 포함하고,
상기 제1 발광 구조물 및 상기 제2 발광 구조물의 제2 도전형 반도체층 하면 상에 배치되는 제2 전극을 포함하고,
상기 제2 발광 구조물 및 상기 제3 발광 구조물의 제3 도전형 반도체층의 하면 상에 배치되는 제3 전극을 포함하고,
상기 제3 발광 구조물의 제4 도전형 반도체층 아래에 배치되는 제4 전극을 포함하고,
상기 제1 광은, 상기 제1 전극 및 상기 제2 전극에 인가되는 전원에 의해 상기 제1 발광 구조물로부터 생성되고,
상기 제2 광은, 상기 제2 전극 및 상기 제3 전극에 인가되는 전원에 의해 상기 제2 발광 구조물로부터 생성되고,
상기 제3 광은, 상기 제3 전극 및 상기 제4 전극에 인가되는 전원에 의해 상기 제3 발광 구조물로부터 생성되고,
상기 제1 광의 제1 파장은 상기 제2 광의 제2 파장보다 크고,
상기 제2 광의 제2 파장은 상기 제3 광의 제3 파장보다 크고,
상기 제3 광의 일부는 상기 제1 발광 구조물 및 상기 제2 발광 구조물을 경유하여 외부로 방출되고,
상기 제2 광의 일부는 상기 제1 발광 구조물을 경유하여 외부로 방출되는 발광 소자.Board;
A first light emitting structure disposed under the substrate, the first light emitting structure generating a first light of a first wavelength;
A second light emitting structure disposed under the first light emitting structure and generating a second light of a second wavelength; And
A third light emitting structure disposed below the second light emitting structure and generating a third light having a third wavelength;
The first light emitting structure includes a first conductive semiconductor layer disposed under the substrate, a first light emitting layer disposed under the first conductive semiconductor layer, and a second conductive semiconductor layer disposed under the first light emitting layer. ,
The second light emitting structure includes the second conductive semiconductor layer, a second light emitting layer disposed under the second conductive semiconductor layer, and a third conductive semiconductor layer disposed under the second light emitting layer.
The third light emitting structure includes the third conductive semiconductor layer, a third light emitting layer disposed under the third conductive semiconductor layer, and a fourth conductive semiconductor layer disposed under the third light emitting layer,
A first electrode electrically connected to the first conductive semiconductor layer of the first light emitting structure;
A second electrode disposed on a lower surface of the first light emitting structure and the second conductive semiconductor layer of the second light emitting structure,
A third electrode disposed on a lower surface of the second light emitting structure and the third conductive semiconductor layer of the third light emitting structure,
A fourth electrode disposed under the fourth conductive semiconductor layer of the third light emitting structure,
The first light is generated from the first light emitting structure by a power source applied to the first electrode and the second electrode,
The second light is generated from the second light emitting structure by the power applied to the second electrode and the third electrode,
The third light is generated from the third light emitting structure by the power applied to the third electrode and the fourth electrode,
The first wavelength of the first light is greater than the second wavelength of the second light,
The second wavelength of the second light is greater than the third wavelength of the third light,
A portion of the third light is emitted to the outside via the first light emitting structure and the second light emitting structure,
A portion of the second light is emitted to the outside via the first light emitting structure. 제8항에 있어서,
상기 제4 도전형 반도체층 및 상기 제4 전극 사이에 배치되고 광 반사성 재질을 포함하는 전극층을 더 포함하는 발광 소자.The method of claim 8,
The light emitting device further comprises an electrode layer disposed between the fourth conductive semiconductor layer and the fourth electrode and including a light reflective material. 제9항에 있어서,
상기 제1 광의 제1 파장은 315nm 내지 400nm 이고, 상기 제2 광의 제2 파장은 280nm 내지 315nm이며, 상기 제3 광의 제3 파장은 200nm 내지 280nm 인 발광 소자.The method of claim 9,
The first wavelength of the first light is 315nm to 400nm, the second wavelength of the second light is 280nm to 315nm, the third wavelength of the third light is 200nm to 280nm. 제2항 또는 제9항에 있어서,
상기 제1 내지 제3 광은 자외선, 가시 광선 및 적외선 중 적어도 하나 이상인 발광 소자.The method according to claim 2 or 9,
The first to third light is at least one of ultraviolet, visible light and infrared light emitting device. 제11항에 있어서,
상기 제1 내지 제3 광은 가시 광선인 발광 소자.The method of claim 11,
The first to third light is a visible light emitting device. 제11항에 있어서,
상기 제1 내지 제3 광은 자외선인 발광 소자.The method of claim 11,
The first to third light is ultraviolet light emitting device. 제1 파장의 제1 광을 생성하는 제1 발광 구조물;
상기 제1 발광 구조물 아래에 배치되고, 제2 파장의 제2 광을 생성하는 제2 발광 구조물; 및
상기 제2 발광 구조물 아래에 배치되고, 제3 파장의 제3 광을 생성하는 제3 발광 구조물을 포함하고,
상기 제1 발광 구조물은 제1 도전형 반도체층, 상기 제1 도전형 반도체층 아래에 배치되는 제1 발광층 및 제1 발광층 아래에 배치되는 제2 도전형 반도체층을 포함하고,
상기 제2 발광 구조물은 상기 제2 도전형 반도체층, 상기 제2 도전형 반도체층 아래에 배치되는 제2 발광층 및 상기 제2 발광층 아래에 배치되는 제3 도전형 반도체층을 포함하고,
상기 제3 발광 구조물은 상기 제3 도전형 반도체층, 상기 제3 도전형 반도체층 아래에 배치되는 제3 발광층 및 상기 제3 발광층 아래에 배치되는 제4 도전형 반도체층을 포함하고,
상기 제1 발광 구조물의 제1 도전형 반도체층 상면 상에 배치되는 제1 전극;
상기 제1 발광 구조물 및 상기 제2 발광 구조물의 제2 도전형 반도체층의 상면 상에 배치되는 제2 전극;
상기 제2 발광 구조물 및 상기 제3 발광 구조물의 제3 도전형 반도체층의 상면 상에 배치되는 제3 전극;
상기 제3 발광 구조물의 제4 도전형 반도체층의 주변 영역에 배치되는 보호층; 및
상기 제3 발광 구조물의 제4 도전형 반도체층 아래에 배치되고, 상기 보호층에 의해 둘러쌓여지며, 상기 제1 전극과 중첩되는 제4 전극을 포함하고,
상기 제1 광은, 상기 제1 전극 및 상기 제2 전극에 인가되는 전원에 의해 상기 제1 발광 구조물로부터 생성되고,
상기 제2 광은, 상기 제2 전극 및 상기 제3 전극에 인가되는 전원에 의해 상기 제2 발광 구조물로부터 생성되고,
상기 제3 광은, 상기 제3 전극 및 상기 제4 전극에 인가되는 전원에 의해 상기 제3 발광 구조물로부터 생성되고,
상기 제1 광의 제1 파장은 상기 제2 광의 제2 파장보다 크고,
상기 제2 광의 제2 파장은 상기 제3 광의 제3 파장보다 크고,
상기 제3 광의 일부는 상기 제1 발광 구조물 및 상기 제2 발광 구조물을 경유하여 외부로 방출되고,
상기 제2 광의 일부는 상기 제1 발광 구조물을 경유하여 외부로 방출되는 발광 소자.A first light emitting structure for producing a first light of a first wavelength;
A second light emitting structure disposed under the first light emitting structure and generating a second light of a second wavelength; And
A third light emitting structure disposed below the second light emitting structure and generating a third light having a third wavelength;
The first light emitting structure includes a first conductive semiconductor layer, a first light emitting layer disposed under the first conductive semiconductor layer, and a second conductive semiconductor layer disposed under the first light emitting layer,
The second light emitting structure includes the second conductive semiconductor layer, a second light emitting layer disposed under the second conductive semiconductor layer, and a third conductive semiconductor layer disposed under the second light emitting layer.
The third light emitting structure includes the third conductive semiconductor layer, a third light emitting layer disposed under the third conductive semiconductor layer, and a fourth conductive semiconductor layer disposed under the third light emitting layer,
A first electrode disposed on an upper surface of the first conductive semiconductor layer of the first light emitting structure;
A second electrode on the top surface of the first light emitting structure and the second conductive semiconductor layer of the second light emitting structure;
A third electrode disposed on an upper surface of the second light emitting structure and the third conductive semiconductor layer of the third light emitting structure;
A protective layer disposed in a peripheral region of the fourth conductive semiconductor layer of the third light emitting structure; And
A fourth electrode disposed under the fourth conductive semiconductor layer of the third light emitting structure, surrounded by the protective layer, and overlapping the first electrode;
The first light is generated from the first light emitting structure by a power source applied to the first electrode and the second electrode,
The second light is generated from the second light emitting structure by the power applied to the second electrode and the third electrode,
The third light is generated from the third light emitting structure by the power applied to the third electrode and the fourth electrode,
The first wavelength of the first light is greater than the second wavelength of the second light,
The second wavelength of the second light is greater than the third wavelength of the third light,
A portion of the third light is emitted to the outside via the first light emitting structure and the second light emitting structure,
A portion of the second light is emitted to the outside via the first light emitting structure. 제14항에 있어서,
상기 제4 전극은 오믹막, 반사막, 전류 확산막 및 접합막 중 적어도 둘 이상을 포함하는 발광 소자. The method of claim 14,
The fourth electrode includes at least two or more of an ohmic film, a reflective film, a current diffusion film, and a bonding film. 제14항에 있어서,
상기 제3 전극 아래에 배치되는 지지 기판을 더 포함하는 발광 소자.The method of claim 14,
The light emitting device further comprising a support substrate disposed under the third electrode. 제1항에 있어서,
수직 방향으로 기준으로, 상기 제1 내지 제4 전극은 서로 중첩되지 않고 서로 어긋나게 배치되는 발광 소자.The method of claim 1,
The light emitting device of claim 1, wherein the first to fourth electrodes are arranged to be offset from each other without overlapping each other.
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