KR102029876B1 - Light emitting device and light emitting device package - Google Patents
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Abstract
실시예에 따른 발광소자는 제1도전형 반도체층, 발광층 및 제2도전형 반도체층을 포함하는 발광 구조물; 상기 발광 구조물의 둘레를 따라 배치되며, 비발광층 및 제2더미층을 포함하는 더미 구조물; 상기 제1도전형 반도체층과 전기적으로 연결되는 제1전극; 상기 제2도전형 반도체층과 전기적으로 연결되는 제2전극; 상기 제1전극으로부터 연장되며 상기 더미 구조물과 수직으로 오버랩되는 제1연결 전극; 일부는 상기 제2도전형 반도체층 상에 형성되고 다른 일부는 상기 더미 구조물과 수직으로 오버랩되는 적어도 하나 이상의 제2연결 전극; 및 상기 발광 구조물의 측면과 상기 더미 구조물의 측면 상에 배치되는 보호층을 포함하고, 상기 보호층은 상기 발광 구조물의 외측면, 상기 발광 구조물의 외측면에 대향하는 상기 더미 구조물의 제1측면, 상기 발광 구조물의 외측면과 상기 더미 구조물의 제1측면 사이의 바닥면에 형성되는 제1보호층; 및 상기 더미 구조물의 제1측면에 대응되는 제1측면을 포함하고, 상기 보호층은 상기 더미 구조물의 제2측면에 형성되는 제2보호층을 포함할 수 있다.The light emitting device according to the embodiment includes a light emitting structure including a first conductive semiconductor layer, a light emitting layer and a second conductive semiconductor layer; A dummy structure disposed along a circumference of the light emitting structure and including a non-light emitting layer and a second dummy layer; A first electrode electrically connected to the first conductive semiconductor layer; A second electrode electrically connected to the second conductive semiconductor layer; A first connection electrode extending from the first electrode and vertically overlapping the dummy structure; At least one second connection electrode partially formed on the second conductive semiconductor layer and partially overlapping the dummy structure; And a protective layer disposed on the side of the light emitting structure and the side of the dummy structure, wherein the protective layer is an outer side surface of the light emitting structure, a first side surface of the dummy structure opposite to the outer side surface of the light emitting structure, A first protective layer formed on a bottom surface between the outer side surface of the light emitting structure and the first side surface of the dummy structure; And a first side surface corresponding to the first side surface of the dummy structure, and the protective layer may include a second protective layer formed on the second side surface of the dummy structure.
Description
실시예는 발광 소자에 관한 것이다.An embodiment relates to a light emitting device.
실시예는 발광 소자 패키지에 관한 것이다.Embodiments relate to a light emitting device package.
발광 소자 또는 발광 소자를 포함하는 발광 소자 패키지에 대한 연구가 활발하게 진행 중이다.Research on a light emitting device or a light emitting device package including the light emitting device is actively underway.
발광 소자는 예컨대 반도체 물질로 형성되어 전기 에너지를 빛으로 변환하여 주는 반도체 발광 소자 또는 반도체 발광 다이오드이다. The light emitting device is, for example, a semiconductor light emitting device or a semiconductor light emitting diode which is formed of a semiconductor material and converts electrical energy into light.
반도체 발광 소자는 형광등, 백열등 등 기존의 광원에 비해 저소비전력, 반영구적인 수명, 빠른 응답속도, 안전성, 환경친화성의 장점을 가진다. 이에 기존의 광원을 반도체 발광 소자로 대체하기 위한 많은 연구가 진행되고 있다. Semiconductor light emitting devices have the advantages of low power consumption, semi-permanent life, fast response speed, safety and environmental friendliness compared to conventional light sources such as fluorescent and incandescent lamps. Accordingly, many researches are being conducted to replace the existing light source with a semiconductor light emitting device.
반도체 발광 소자는 실내외에서 사용되는 각종 램프, 액정표시장치, 전광판, 가로등 등의 조명 장치의 광원으로서 사용이 증가되고 있는 추세이다.BACKGROUND OF THE INVENTION Semiconductor light emitting devices have been increasingly used as light sources for lighting devices such as various lamps, liquid crystal display devices, electronic signs, and street lamps that are used indoors and outdoors.
실시예는 정전기로부터 안전하게 보호할 수 있는 발광 소자를 제공한다.The embodiment provides a light emitting device that can safely protect from static electricity.
실시예는 정전기 방출 능력을 극대화할 수 있는 발광 소자를 제공한다.The embodiment provides a light emitting device capable of maximizing the ability to discharge static electricity.
실시예는 발광 소자를 포함하는 발광 소자 패키지를 제공한다.An embodiment provides a light emitting device package including a light emitting device.
실시예는 제1도전형 반도체층, 발광층 및 제2도전형 반도체층을 포함하는 발광 구조물; 상기 발광 구조물의 둘레를 따라 배치되며, 비발광층 및 제2더미층을 포함하는 더미 구조물; 상기 제1도전형 반도체층과 전기적으로 연결되는 제1전극; 상기 제2도전형 반도체층과 전기적으로 연결되는 제2전극; 상기 제1전극으로부터 연장되며 상기 더미 구조물과 수직으로 오버랩되는 제1연결 전극; 일부는 상기 제2도전형 반도체층 상에 형성되고 다른 일부는 상기 더미 구조물과 수직으로 오버랩되는 적어도 하나 이상의 제2연결 전극; 및 상기 발광 구조물의 측면과 상기 더미 구조물의 측면 상에 배치되는 보호층을 포함하고, 상기 보호층은 상기 발광 구조물의 외측면, 상기 발광 구조물의 외측면에 대향하는 상기 더미 구조물의 제1측면, 상기 발광 구조물의 외측면과 상기 더미 구조물의 제1측면 사이의 바닥면에 형성되는 제1보호층; 및 상기 더미 구조물의 제1측면에 대응되는 제2측면을 포함하고, 상기 보호층은 상기 더미 구조물의 제2측면에 형성되는 제2보호층을 포함하고, 상기 더미 구조물의 제2측면은 상기 더미 구조물의 최외곽 측면인 발광 소자를 포함할 수 있다.Embodiments include a light emitting structure including a first conductive semiconductor layer, a light emitting layer, and a second conductive semiconductor layer; A dummy structure disposed along a circumference of the light emitting structure and including a non-light emitting layer and a second dummy layer; A first electrode electrically connected to the first conductive semiconductor layer; A second electrode electrically connected to the second conductive semiconductor layer; A first connection electrode extending from the first electrode and vertically overlapping the dummy structure; At least one second connection electrode partially formed on the second conductive semiconductor layer and partially overlapping the dummy structure; And a protective layer disposed on the side of the light emitting structure and the side of the dummy structure, wherein the protective layer is an outer side surface of the light emitting structure, a first side surface of the dummy structure opposite to the outer side surface of the light emitting structure, A first protective layer formed on a bottom surface between the outer side surface of the light emitting structure and the first side surface of the dummy structure; And a second side surface corresponding to the first side surface of the dummy structure, wherein the protective layer includes a second protective layer formed on the second side surface of the dummy structure, and the second side surface of the dummy structure is the dummy body. It may include a light emitting device that is the outermost side of the structure.
실시예는 제1 및 제2 연결 전극이 와이어를 대체하여 줄 수 있으므로, 와이어로 인한 광 효율 저하, 와이어 단선으로 인한 제품 불량 및 와이어의 선저항에 의한 전원 공급 한계를 해소할 수 있다.In the embodiment, since the first and second connection electrodes can replace the wires, the light efficiency deterioration due to the wire, the product defect due to the wire breakage, and the power supply limitation due to the wire resistance of the wire can be solved.
실시예는 더미 구조물이 상기 발광 구조물의 둘레를 따라 형성되어 상기 더미 구조물의 사이즈가 극대화될 수 있으므로, 정전기의 방출 능력이 현저하게 향상될 수 있다. According to the embodiment, since the dummy structure may be formed along the circumference of the light emitting structure, the size of the dummy structure may be maximized, and thus the discharge ability of the static electricity may be significantly improved.
도 1은 제1 실시예에 따른 발광 소자를 도시한 평면도이다.
도 2는 도 1의 발광 소자를 A-A' 라인을 따라 절단한 단면도이다.
도 3은 도 1의 발광 소자를 B-B' 라인을 따라 절단한 단면도이다.
도 4는 제1 실시예에 따른 발광 소자의 등가 회로를 나타낸 도면이다.
도 5는 발광 구조물로부터 광을 생성하는 모습을 도시한 도면이다.
도 6은 더미 구조물로 정전기를 패스시키는 모습을 도시한 도면이다.
도 7 내지 도 10은 제1 실시예에 따른 발광 소자의 제조 방법을 도시한 도면이다.
도 11은 제2 실시예에 따른 발광 소자를 도시한 단면도이다.
도 12는 제3 실시예에 따른 발광 소자를 도시한 단면도이다.
도 13은 제4 실시예에 따른 발광 소자를 도시한 단면도이다.
도 14는 실시예에 따른 발광 소자 패키지를 도시한 단면도이다.1 is a plan view of a light emitting device according to a first embodiment.
FIG. 2 is a cross-sectional view of the light emitting device of FIG. 1 taken along line AA ′. FIG.
3 is a cross-sectional view of the light emitting device of FIG. 1 taken along the line BB ′.
4 is a diagram illustrating an equivalent circuit of the light emitting device according to the first embodiment.
5 is a view illustrating a state in which light is generated from a light emitting structure.
6 is a view showing a state of passing static electricity to the dummy structure.
7 to 10 illustrate a method of manufacturing the light emitting device according to the first embodiment.
11 is a sectional view showing a light emitting device according to the second embodiment.
12 is a sectional view showing a light emitting device according to the third embodiment.
13 is a sectional view showing a light emitting device according to the fourth embodiment.
14 is a cross-sectional view showing a light emitting device package according to the embodiment.
발명에 따른 실시 예의 설명에 있어서, 각 구성 요소의 " 상(위) 또는 하(아래)"에 형성되는 것으로 기재되는 경우에 있어, 상(위) 또는 하(아래)는 두개의 구성 요소들이 서로 직접 접촉되거나 하나 이상의 또 다른 구성 요소가 두 개의 구성 요소들 사이에 배치되어 형성되는 것을 모두 포함한다. 또한 “상(위) 또는 하(아래)”으로 표현되는 경우 하나의 구성 요소를 기준으로 위쪽 방향뿐만 아니라 아래쪽 방향의 의미도 포함할 수 있다.In the description of the embodiment according to the invention, in the case where it is described as being formed on the "top" or "bottom" of each component, the top (bottom) or the bottom (bottom) is the two components are mutually It includes both direct contact or one or more other components disposed between and formed between the two components. In addition, when expressed as "up (up) or down (down)" may include the meaning of the down direction as well as the up direction based on one component.
도 1은 제1 실시예에 따른 발광 소자를 도시한 평면도이다.1 is a plan view of a light emitting device according to a first embodiment.
도 1을 참조하면, 제1 실시예에 따른 발광 소자는 발광 구조물(13)과 더미 구조물(21)을 포함할 수 있다.Referring to FIG. 1, the light emitting device according to the first embodiment may include a
상기 더미 구조물(21)은 정전기를 외부로 방출시켜 상기 발광 소자를 보호하여 주는 보호 소자일 수 있지만, 이에 대해서는 한정하지 않는다.The
상기 발광 소자는 발광 영역과 비 발광 영역을 포함할 수 있다. 상기 발광 구조물(13)은 상기 발광 영역에 형성되고, 상기 더미 구조물(21)은 상기 비 발광 영역에 형성될 수 있다.The light emitting device may include a light emitting area and a non-light emitting area. The
상기 비 발광 영역은 상기 발광 영역의 둘레를 따라 정의될 수 있다. The non-light emitting area may be defined along a circumference of the light emitting area.
상기 발광 구조물(13)은 광을 생성할 수 있다. 상기 발광 구조물(13)은 자외선 광, 적외선 광, 적색 광, 녹색 광 및 청색 광 중 적어도 하나 이상의 광을 생성할 수 있지만, 이에 대해서는 한정하지 않는다.The
도면에는 하나의 발광 구조물(13)이 도시되고 있지만, 제1 실시예는 이에 한정하지 않고 다수의 발광 구조물이 형성될 수도 있다.Although one
상기 더미 구조물(21)은 상기 발광 구조물(13)의 둘레를 따라 형성될 수 있다. The
상기 더미 구조물(21)은 상기 발광 구조물(13)의 둘레를 따라 페루프 형상으로 형성될 수 있다.The
도시되지 않았지만, 상기 더미 구조물(21)은 상기 발광 구조물(13)의 둘레를 따라 오픈 형상으로 형성될 수 있다. 상기 더미 구조물(21)은 일 영역에서 서로 이격된 오픈 구조를 가질 수 있다. Although not shown, the
상기 발광 구조물(13)은 상기 더미 구조물(21)과 물리적으로 이격되도록 형성될 수 있다. The
상기 더미 구조물(21)은 광을 생성하지 않는다. The
상기 더미 구조물(21)은 상기 발광 구조물(13)에서 생성된 광이 측 방향으로 진행하는 것을 차단하는 역할을 할 수 있지만, 이에 대해서는 한정하지 않는다. 상기 더미 구조물(21)에 의해 상기 광이 반사되어 전방으로 진행되도록 하여 광 효율을 향상시킬 수 있지만, 이에 대해서는 한정하지 않는다.The
상기 더미 구조물(21)의 상면은 상기 발광 구조물(13)의 상면과 동일한 높이를 갖거나 약간 더 낮은 높이를 가질 수 있지만, 이에 대해서는 한정하지 않는다.An upper surface of the
상기 더미 구조물(21)은 상기 발광 구조물(13)과 동일한 층수를 가질 수 있지만, 이에 대해서는 한정하지 않는다.The
도 2는 도 1의 발광 소자를 A-A' 라인을 따라 절단한 단면도이고, 도 3은 도 1의 발광 소자를 B-B' 라인을 따라 절단한 단면도이다.2 is a cross-sectional view of the light emitting device of FIG. 1 taken along the line AA ′, and FIG. 3 is a cross-sectional view of the light emitting device of FIG. 1 taken along the line BB ′.
도 2 및 도 3을 참조하면, 상기 발광 구조물(13)과 상기 더미 구조물(21)은 기판(1) 상에 형성될 수 있다.2 and 3, the
상기 기판(1)은 상기 발광 구조물(13)을 용이하게 성장시켜 주는 역할을 하지만, 이에 대해서는 한정하지 않는다.The
상기 발광 구조물(13)과 상기 더미 구조물(21)을 안정적으로 성장시키기 위해서 상기 기판(1)은 상기 발광 구조물(13)과 더미 구조물(21)과의 격자 상수가 가급적 작은 차이를 갖는 물질로 형성될 수 있다.In order to stably grow the
상기 기판(1)은 사파이어(Al2O3), SiC, Si, GaAs, GaN, ZnO, Si, GaP, InP 및 Ge로 이루어지는 그룹으로부터 선택된 적어도 하나로 형성될 수 있다.The
상기 기판(1) 상에 버퍼층(3)과 비 도전형 반도체층(5)이 형성될 수 있지만, 이에 대해서는 한정하지 않는다. 상기 버퍼층(3)과 상기 비 도전형 반도체층(5)은 필수적인 구성 요소는 아닐 수 있으며, 제조업체에 따라 선택적으로 사용될 수 있다.The
상기 버퍼층(3)은 상기 기판(1)과 상기 발광 구조물(13) 및 상기 더미 구조물(21) 사이의 격자 상수 차이를 완화하여 주는 역할을 할 수 있다.The
상기 버퍼층(3)은 II-VI족 또는 III-V족 화합물 반도체 재질로 형성될 수 있다. 예컨대, 상기 버퍼층(3)은 AlN 또는 AlGaN을 포함할 수 있지만, 이에 대해서는 한정하지 않는다.The
상기 비 도전형 반도체층(5)은 전위(dislocation)나 격자 결함 등을 차단하든지, 상기 발광 구조물(13)과 상기 더미 구조물(21)의 막질을 향상시키든지, 응력(strain)을 제어하여 상기 발광 구조물(13)과 상기 더미 구조물(21)에 과도한 응력이 걸리지 않도록 하며 기판(1)이 응력에 의해 깨지는 것을 방지할 수 있지만, 이에 대해서는 한정하지 않는다.The
상기 비 도전형 반도체층(5)은 도펀트를 포함하지 않는다. 상기 비 도전형 반도체층(5)은 도펀트를 포함하지 않기 때문에 거의 전류가 흐르지 않을 수 있다. 상기 비 도전형 반도체층(5)은 II-VI족 또는 III-V족 화합물 반도체 재질로 형성될 수 있다. 상기 비 도전형 반도체층(5)은 예컨대 GaN 또는 AlGaN일 수 있지만, 이에 대해서는 한정하지 않는다. The
상기 기판(1), 상기 버퍼층(3) 및 상기 비 도전형 반도체층(5) 중 어느 하나의 층 상에 발광 구조물(13)과 더미 구조물(21)이 형성될 수 있다. The
상기 발광 구조물(13)과 상기 더미 구조물(21)은 동일한 층수를 가질 수 있지만, 이에 대해서는 한정하지 않는다.The
상기 더미 구조물(21)은 제1 더미층(15), 비 발광층(17) 및 제2 더미층(19)을 포함할 수 있다. 상기 비 발광층(17)은 상기 제1 더미층(15) 상에 형성되고, 상기 제2 더미층(19)은 상기 비 발광층(17) 상에 형성될 수 있지만, 이에 대해서는 한정하지 않는다.The
상기 발광 구조물(13)은 제1 도전형 반도체층(7), 발광층(9) 및 제2 도전형 반도체층(11)을 포함할 수 있다. 상기 발광층(9)은 상기 제1 도전형 반도체층(7) 상에 형성되고, 상기 제2 도전형 반도체층(11)은 상기 발광층(9) 상에 형성될 수 있지만, 이에 대해서는 한정하지 않는다.The
상기 제1 도전형 반도체층(7)과 상기 제1 더미층(15)은 동일한 화합물 반도체 재질로 형성될 수 있지만, 이에 대해서는 한정하지 않는다.The first
상기 발광층(9)은 상기 비 발광층(17)과 동일한 화합물 반도체 재질로 형성될 수 있지만, 이에 대해서는 한정하지 않는다.The
상기 제2 도전형 반도체층(11)은 상기 제2 더미층(19)과 동일한 화합물 반도체 재질로 형성될 수 있지만, 이에 대해서는 한정하지 않는다.The second
상기 발광 구조물(13)과 상기 더미 구조물(21)은 반도체층은 II-VI족 또는 III-V족 화합물 반도체 재질로 형성될 수 있다.The
상기 제1 도전형 반도체층(7)과 상기 제1 더미층(15)은 예를 들어, n형 도펀트를 포함하는 n형 반도체층일 수 있다. 상기 제1 도전형 반도체층(7)과 상기 제1 더미층(15)은 InxAlyGa1-x-yN(0≤x≤1, 0≤y≤1, 0≤x+y≤1)의 조성식을 갖는 반도체 재질, 예를 들어 InAlGaN, GaN, AlGaN, InGaN, AlN, InN 및 AlInN로 이루어지는 그룹으로부터 선택된 적어도 하나를 포함할 수 있으며, Si, Ge, Sn 등의 n형 도펀트가 도핑될 수 있다. The first
상기 발광층(9)과 상기 비 발광층(17)은 다중 양자 우물 구조(MQW), 양자점 구조 또는 양자선 구조 중 어느 하나를 포함할 수 있다. 상기 발광층(9)과 상기 비 발광층(17)은 우물층과 장벽층의 주기로 반복 형성될 수 있다. 예를 들어, 상기 발광층(9)과 상기 비 발광층(17)은 InGaN/GaN의 주기, InGaN/AlGaN의 주기, InGaN/InGaN의 주기 등으로 형성될 수 있다. 상기 장벽층의 밴드갭은 상기 우물층의 밴드갭보다 크게 형성될 수 있다.The
상기 발광층(9)은 상기 제1 도전형 반도체층(7)을 통해서 주입되는 제1 캐리어, 예컨대 전자와 상기 제2 도전형 반도체층(11)을 통해서 주입되는 제2 캐리어, 예컨대 정공이 서로 결합되어, 상기 발광층(9)의 형성 물질에 따른 에너지 밴드(Energy Band)의 밴드갭(Band Gap)에 상응하는 파장을 갖는 광을 생성할 수 있다. The
상기 제2 도전형 반도체층(11)과 상기 제2 더미층(19)은 예를 들어, p형 도펀트를 포함하는 p형 반도체층일 수 있다. 상기 제2 도전형 반도체층(11)과 상기 제2 더미층(19)은 InxAlyGa1-x-yN(0≤x≤1, 0≤y≤1, 0≤x+y≤1)의 조성식을 갖는 반도체 재질, 예를 들어 InAlGaN, GaN, AlGaN, InGaN, AlN, InN 및 AlInN로 이루어지는 그룹으로부터 선택된 적어도 하나를 포함할 수 있으며, Mg, Zn, Ca, Sr, Ba 등의 p형 도펀트가 도핑될 수 있다.The second
상기 발광 구조물(13)에서, 상기 제1 도전형 반도체층(7)의 일 영역 상에 제1 전극(35)이 형성되고, 상기 제2 도전형 반도체층(11)의 일 영역 상에 제2 전극(37)이 형성될 수 있다. In the
상기 제1 전극(35)과 상기 제2 전극(37)은 일 영역에 국부적으로 형성될 수 있지만, 이에 대해서는 한정하지 않는다.The
상기 제1 전극(35)은 반구 형상으로 형성되고, 상기 제2 전극(37)은 원 형상으로 형성되지만, 이에 대해서는 한정하지 않는다.The
상기 제2 전극(37)이 상기 제2 도전형 반도체층(11)의 일 영역 상에 국부적으로 형성되는 경우, 상기 제1 및 제2 전극(35, 37)으로 전원이 인가될 때, 상기 제1 전극(35)과 상기 제2 전극(37) 사이의 최단 경로를 통해 주로 전류가 흐르게 되어 상기 발광층(9)의 특정 영역에만 집중적으로 광이 생성되므로, 균일한 광 생성이 어렵게 된다.When the
따라서, 상기 제2 전극(37)이 형성되기 전에 상기 제2 도전형 반도체층(11) 상에 투명 도전층(23)이 형성되고, 상기 투명 도전층(23)의 일 영역 상에 제2 전극(37)이 형성될 수 있다. 이러한 경우, 상기 제2 전극(37)의 전류가 상기 투명 도전층(23)에 의해 상기 제2 도전형 반도체층(11)의 전 영역으로 퍼지게 되어, 궁극적으로 상기 발광층(9)의 전 영역에서 균일하게 광이 생성될 수 있다. Accordingly, before the
상기 투명 도전층(23)은 광을 투과시키는 우수한 투광성과 전기적 전도도를 갖는 도전성 물질로 형성되는데, 예컨대 ITO, IZO(In-ZnO), GZO(Ga-ZnO), AZO(Al-ZnO), AGZO(Al-Ga ZnO), IGZO(In-Ga ZnO), IrOx, RuOx, RuOx/ITO, Ni/IrOx/Au 및 Ni/IrOx/Au/ITO로 이루어지는 그룹으로부터 선택된 적어도 하나를 포함할 수 있다.The transparent
상기 제2 전극(37)으로부터 분기된 다수의 전극 라인이 형성될 수 있다. 이러한 경우, 상기 전극 라인이 전류를 퍼지게 하는 역할을 하므로, 상기 투명 도전층(23)이 형성되지 않을 수도 있지만, 이에 대해서는 한정하지 않는다.A plurality of electrode lines branched from the
상기 더미 구조물(21)의 상면은 상기 발광 구조물(13)의 발광층(9)보다 더 높은 위치에 형성될 수 있지만, 이에 대해서는 한정하지 않는다.An upper surface of the
제1 연결 전극(31)은 상기 제1 전극(35)으로부터 연장되어 형성될 수 있다. 상기 제1 연결 전극(31)은 상기 더미 구조물(21)의 측면을 경유하여 상기 제2 더미층(19)의 일부 영역 상에 형성될 수 있다. 다시 말해, 상기 제1 연결 전극(31)은 일측은 상기 제1 전극(35)으로부터 연장되고 타측은 상기 제2 더미층(19)에 접할 수 있지만, 이에 대해서는 한정하지 않는다.The
상기 제1 전극(35)과 상기 제1 연결 전극(31)은 불투명한 금속 재질을 포함하는데, 예컨대 알루미늄(Al), 티타늄(Ti), 크롬(Cr), 니켈(Ni), 백금(Pt), 금(Au), 텅스텐(W), 구리(Cu) 및 몰리브덴(Mo)으로 이루어지는 그룹으로부터 선택된 하나 또는 이들의 합금을 포함할 수 있지만, 이에 한정하지 않는다.The
제2 연결 전극(33)은 상기 투명 도전층(23)과 상기 1 더미층을 전기적으로 연결시킬 수 있다.The
상기 제2 연결 전극(33)은 일측이 상기 투명 도전층(23)의 일부 영역 상에 형성되고 타측이 상기 제1 더미층(15)의 일부 영역 상에 형성될 수 있다.One side of the
구체적으로, 상기 제2 연결 전극(33)은 상기 투명 도전층(23)의 일부 영역으로부터 상기 발광 구조물(13)의 외측면, 상기 발광 구조물(13)의 외측면과 상기 더미 구조물(21)의 제1 측면 사이의 바닥면 및 상기 더미 구조물(21)의 제1 측면, 상면 및 상기 제1 측면의 반대면인 제2 측면을 경유하여 상기 제1 더미층(15) 상에 형성될 수 있다. Specifically, the
상기 제1 측면은 내측면이고 상기 제2 측면은 외측면일 수 있다.The first side may be an inner side and the second side may be an outer side.
상기 제2 연결 전극(33)은 패턴 형상으로 형성되고, 일자형으로 길게 형성될 수 있지만, 이에 대해서는 한정하지 않는다.The
도시되지 않았지만, 상기 제2 연결 전극(33)의 제1 끝단 영역과 제2 끝단 영역은 각각 상기 투명 도전층(23) 및 제1 더미층(15)과의 접촉 면적을 증가시키기 위해 패드 형상을 가질 수 있지만, 이에 대해서는 한정하지 않는다. Although not shown, the first end region and the second end region of the
도면에는 2개의 제2 연결 전극(33)이 도시되고 있지만, 이에 대해서는 한정하지 않는다. Two
예를 들어, 상기 발광 구조물(13)의 우측에 2개의 제2 연결 전극(33)이 형성되고, 상기 발광 구조물(13)의 좌측에 2개의 제2 연결 전극(33)이 형성될 수 있다. For example, two
예를 들어, 상기 발광 구조물(13)의 상측에 2개의 제2 연결 전극(33)이 형성되고, 상기 발광 구조물(13)의 하측에 2개의 제2 연결 전극(33)이 형성될 수 있다. For example, two
예를 들어, 상기 발광 구조물(13)의 4 모서리 측에 4개의 제2 연결 전극(33)이 형성될 수 있다.For example, four
상기 제2 연결 전극(33)은 상기 제2 전극(37)과 동일한 금속 물질로 형성될 수 있지만, 이에 대해서는 한정하지 않는다. The
예를 들어, 상기 제2 전극(37)과 상기 제2 연결 전극(33)은 불투명한 금속 재질을 포함하는데, 예컨대 알루미늄(Al), 티타늄(Ti), 크롬(Cr), 니켈(Ni), 백금(Pt), 금(Au), 텅스텐(W), 구리(Cu) 및 몰리브덴(Mo)으로 이루어지는 그룹으로부터 선택된 하나 또는 이들의 합금을 포함할 수 있지만, 이에 한정하지 않는다.For example, the
상기 제2 연결 전극(33)은 상기 제2 전극(37)과 상이한 물질로 형성될 수 있다. 예컨대, 상기 제2 연결 전극(33)은 투명한 도전 물질일 수 있다. 상기 투명한 도전 물질로는 광을 투과시키는 우수한 투광성과 전기적 전도도를 갖는 도전성 물질로 형성되는데, 예컨대 ITO, IZO(In-ZnO), GZO(Ga-ZnO), AZO(Al-ZnO), AGZO(Al-Ga ZnO), IGZO(In-Ga ZnO), IrOx, RuOx, RuOx/ITO, Ni/IrOx/Au 및 Ni/IrOx/Au/ITO로 이루어지는 그룹으로부터 선택된 적어도 하나가 사용될 수 있지만, 이에 대해서는 한정하지 않는다. The
상기 제2 연결 전극(33)이 투명한 도전 물질로 형성되는 경우, 상기 발광 구조물(13)의 광이 상기 제2 연결 전극(33)에 의해 투과되므로, 상기 발광 구조물(13)의 광 효율이 저하되지 않는다. When the
상기 투명 도전층(23)이 형성되지 않는 경우, 상기 제2 연결 전극(33)의 일측은 상기 제2 도전형 반도체층(11)과 연결되든지 또는 상기 제2 도전형 반도체층(11)을 경유하여 상기 제2 전극(37)과 연결될 수 있지만, 이에 대해서는 한정하지 않는다.When the transparent
상기 발광 구조물(13)과 상기 더미 구조물(21)의 측면이 노출되는 경우, 외부의 이물질 등에 의해 상기 발광 구조물(13)과 상기 더미 구조물(21)의 각 층 간이 전기적으로 쇼트될 수 있다.When the side surfaces of the
예컨대, 상기 발광 구조물(13)의 제1 도전형 반도체층(7)과 제2 도전형 반도체층(11)이 전기적으로 쇼트되는 경우, 상기 발광 구조물(13)은 광이 생성되지 않을 수 있다. For example, when the first
따라서, 상기 발광 구조물(13)과 상기 더미 구조물(21)의 적어도 측면 상에 보호층이 형성될 수 있다. Therefore, a protective layer may be formed on at least side surfaces of the
상기 보호층은 제1 내지 제4 보호층(25, 27, 29, 30)을 포함할 수 있다. 상기 제1 내지 제4 보호층(25, 27, 29, 30)은 서로로부터 연장된 일체형일 수 있지만, 이에 대해서는 한정하지 않는다.The protective layer may include first to fourth
상기 제1 내지 제4 보호층(25, 27, 29, 30)은 투명한 절연 물질로 형성될 수 있다. 상기 제1 내지 제4 보호층(25, 27, 29, 30)은 예를 들어, SiO2, SiOx, SiOxNy, Si3N4, TiO2 및 Al2O3로 이루어지는 그룹으로부터 선택된 하나를 포함할 수 있지만, 이에 대해 한정하지는 않는다. The first to fourth
상기 제1 내지 제4 보호층(25, 27, 29, 30)이 개별적으로 형성될 수 있다. 이러한 경우, 상기 제1 내지 제4 보호층(25, 27, 29, 30)은 서로 상이한 절연 물질로 형성될 수도 있지만, 이에 대해서는 한정하지 않는다.The first to fourth
상기 제1 보호층(25)은 상기 발광 구조물(13)의 외측면, 상기 외측면과 대향하는 상기 더미 구조물(21)의 제1 측면 및 상기 발광 구조물(13)의 외측면과 상기 더미 구조물(21)의 제1 측면 사이의 바닥면 상에 형성될 수 있다.The first
상기 발광 구조물(13)의 외측면과 상기 더미 구조물(21)의 제1 측면 사이의 바닥면에서 상기 제1 전극(35)에 대응하는 제1 도전형 반도체층(7) 상에는 상기 제1 보호층(25)이 형성되지 않는다. 따라서, 상기 제1 전극(35)은 직접 상기 제1 도전형 반도체층(7)과 접할 수 있다.The first passivation layer on the first conductive
상기 발광 구조물(13)의 외측면 상에 제1 보호층(25)이 형성되어 있다 하더라도, 상기 제1 보호층(25)의 두께가 얇은 경우 상기 발광 구조물(13)의 발광층(9)과 상기 제1 전극(35)이 전기적으로 쇼트될 수도 있다. 따라서, 상기 발광 구조물(13)의 발광층(9)과 상기 제1 전극(35) 사이의 간격을 안전하게 유지하기 위해, 상기 제1 전극(35)의 상면은 상기 발광 구조물(13)의 발광층(9)보다 낮은 위치에 형성될 수 있지만, 이에 대해서는 한정하지 않는다.Although the
상기 제1 보호층(25)의 일부 영역은 상기 투명 도전층(23)과 부분적으로 중첩되고, 또 다른 영역은 제2 더미층(19)과 부분적으로 중첩될 수 있다. 상기 제1 보호층(25)에 의해 상기 발광 구조물(13)의 외측면이 보호되고, 상기 더미 구조물(21)의 제1 측면이 보호될 수 있다.A portion of the
상기 제2 보호층(27)은 상기 더미 구조물(21)의 제2 측면 상에 형성될 수 있다. 상기 제2 보호층(27)의 일부 영역은 상기 제2 더미층(19)과 부분적으로 중첩될 수 있다. 상기 제2 보호층(27)의 또 다른 영역은 상기 제1 더미층(15)과 부분적으로 또는 전체적으로 중첩될 수 있다. 상기 제2 보호층(27)에 의해 상기 더미 구조물(21)의 제2 측면이 보호될 수 있다.The second
상기 제3 보호층(29)은 상기 제1 보호층(25)과 상기 제2 보호층(27) 사이에 형성될 수 있다. 상기 제3 보호층(29)은 상기 제2 연결 전극(33)이 상기 제2 더미층(19)과 접하지 않도록 하여 줄 수 있다. 즉, 상기 제3 보호층(29)은 상기 제2 더미층(19)의 일부 영역 상에 형성되고, 상기 제3 보호층(29) 상에 제2 연결 전극(33)이 형성될 수 있다. 즉, 상기 제2 더미층(19)과 상기 제2 연결 전극(33) 사이에 제3 보호층(29)이 형성되므로, 상기 제3 보호층(29)에 의해 상기 제2 연결 전극(33)과 상기 제2 더미층(19) 사이의 전기적인 쇼트가 방지될 수 있다. The
상기 제3 보호층(29)은 상기 제2 더미층(19)을 가로질러 형성될 수 있다. 즉, 상기 제3 보호층(29)은 일측이 상기 제1 보호층(25)으로부터 연장되고 타측이 상기 제2 보호층(27)으로부터 연장되며 상기 제2 더미층(19)을 가로질러 형성될 수 있다. 이에 따라, 상기 제2 연결 전극(33)은 상기 제1 내지 제3 보호층(25, 27, 29) 상에 형성될 수 있다. The third
상기 제2 연결 전극(33)과 상기 제2 더미층(19) 사이의 전기적인 쇼트를 완전하게 차단하기 위해 상기 제3 보호층(29)의 폭(w1)은 적어도 상기 제2 연결 전극(33)의 폭(w2)보다 클 수 있지만, 이에 대해서는 한정하지 않는다. The width w1 of the third
상기 발광 구조물(13)과 상기 더미 구조물(21)은 물리적으로 이격될 수 있다. 상기 발광 구조물(13)과 상기 더미 구조물(21) 사이는 제1 및 제2 리세스(140, 150)에 의해 전기적으로 절연되거나 물리적으로 분리될 수 있다. 상기 제1 리세스(140)는 상기 제2 리세스(150)에 연결되고, 상기 발광 구조물(13)의 제1 도전형 반도체층(7)의 외측면의 제1 일부 영역과 상기 더미 구조물(21)의 제1 더미층(15)의 내측면의 제1 영역을 분리시키는 역할을 하 수 있다. 상기 제2 리세스(150)는 상기 발광 구조물(13)의 제2 도전형 반도체층(11)의 외측면, 발광층(9)의 외측면 및 제1 도전형 반도체층(7)의 외측면의 제2 영역과 상기 더미 구조물(21)의 제2 더미층(19)의 내측면, 비 발광층(17)의 내측면 및 제1 더미층(15)의 내측면의 제2 영역을 분리시키는 역할을 할 수 있다.The
상기 제1 리세스(140)의 폭(t1)은 상기 제2 리세스(150)의 폭(t2)과 동일하거나 클 수 있지만, 이에 대해서는 한정하지 않는다.The width t1 of the
예컨대, 상기 제1 리세스(140)의 폭(t1)은 100nm 내지 200nm일 수 있지만, 이에 대해서는 한정하지 않는다. 100nm는 현재의 미세 패턴 공정의 한계를 나타내는 것으로서, 추후 기술 향상으로 더욱 작은 폭의 미세 패턴 공정이 가능하면 그 하한값까지 제1 실시예에 포함될 수 있을 것이다. For example, the width t1 of the
예컨대, 상기 제2 리세스(150)의 폭(t2)은 80㎛ 내지 100㎛일 수 있지만, 이에 대해서는 한정하지 않는다. For example, the width t2 of the
100㎛보다 클수록, 상기 발광 구조물(13)의 사이즈가 작아지므로, 상기 제2 리세스(150)의 폭(t2)은 100㎛이하인 것이 바람직하다.Since the size of the
상기 더미 구조물(21)의 폭(t3)은 5㎛ 내지 20㎛일 수 있지만, 이에 대해서는 한정하지 않는다. 20㎛보다 클수록 제1 실시예에 따른 발광 소자의 사이즈가 증가되는 문제가 있고, 5㎛보다 작을수록 정전기를 방출 능력이 저하되는 문제가 있다.The width t3 of the
상기 제1 보호층(25)은 상기 제2 리세스(150)에 형성될 수 있다. 상기 제1 보호층(25)은 상기 제2 리세스(150)에 완전하게 채워질 수도 있지만, 이에 대해서는 한정하지 않는다. 즉, 상기 제1 보호층(25)의 상면은 상기 발광 구조물(13)의 제2 도전형 반도체층(11) 또는 상기 더미 구조물(21)의 제2 더미층(19)의 상면과 실질적으로 동일한 높이를 가질 수 있지만, 이에 대해서는 한정하지 않는다.The
상기 제4 보호층(30)은 상기 제1 리세스(140)에 형성될 수 있다. 상기 제4 보호층(30)에 의해 상기 발광 구조물(13)의 제1 도전형 반도체층(7)과 상기 더미 구조물(21)의 제1 더미층(15)이 전기적으로 절연될 수 있다. The
제1 실시예에 따른 발광 소자에 따르면, 도 4에 도시한 바와 같이, 상기 제1 전극(35)과 상기 제1 연결 전극(31)에 의해 상기 발광 구조물(13)의 제1 도전형 반도체층(7)과 상기 더미 구조물(21)의 제2 더미층(19)이 전기적으로 연결되고, 제2 연결 전극(33)에 의해 상기 발광 구조물(13)의 투명 도전층(23)과 상기 더미 구조물(21)의 제1 더미층(15)이 전기적으로 연결될 수 있다. 아울러, 제2 전극(37)이 상기 투명 도전층(23) 상에 형성될 수 있다.According to the light emitting device according to the first embodiment, as shown in FIG. 4, the first conductivity type semiconductor layer of the
이러한 구조에서, 제1 와이어(미도시)가 상기 제1 전극(35)에 본딩되고, 제2 와이어(미도시)가 상기 제2 전극(37)에 본딩될 수 있다. In this structure, a first wire (not shown) may be bonded to the
도 5에 도시한 바와 같이, 상기 제1 및 제2 와이어를 통해 전원이 인가되는 경우, 예컨대 제1 와이어로 부(-)의 전압이 인가되고 제2 와이어로 정(+)의 전압이 인가되는 경우, 상기 제1 및 제2 전극(35, 37)으로 인가된 전원에 의해 상기 발광 구조물(13)에서 광이 생성될 수 있다. As shown in FIG. 5, when power is applied through the first and second wires, for example, a negative voltage is applied to the first wire and a positive voltage is applied to the second wire. In this case, light may be generated in the
부(-)의 전압은 상기 제1 연결 전극(31)을 통해 상기 더미 구조물(21)의 제2 더미층(19)으로 인가되고 정(-)의 전압은 상기 제2 연결 전극(33)을 통해 상기 더미 구조물(21)의 제1 더미층(15)으로 인가될 수 있다. 이러한 경우, 상기 더미 구조물(21)에는 어떠한 전류도 흐르지 않게 되어 광이 생성되지 않게 된다.A negative voltage is applied to the
도 6에 도시한 바와 같이, 예컨대, 더미 구조물(21)의 제2 더미층(19)으로 정전기가 유입되는 경우, 정전기는 상기 더미 구조물(21)의 제2 더미층(19) 및 비 발광층(17)을 경유하여 제1 더미층(15)으로 방출될 수 있다. As shown in FIG. 6, for example, when static electricity flows into the
만일 정전기가 발광 구조물(13)의 투명 도전층(23)으로 유입되는 경우, 다수의 제2 연결 전극(33)을 경유하여 상기 더미 구조물(21)의 제1 더미층(15)으로 신속히 방출될 수 있다. If static electricity flows into the transparent
제1 실시예에 따른 발광 소자에서는 더미 구조물(21)이 상기 발광 구조물(13)의 둘레를 따라 형성되어 상기 더미 구조물(21)의 사이즈가 극대화될 수 있으므로, 정전기의 방출 능력이 현저하게 향상될 수 있다. In the light emitting device according to the first embodiment, since the
도 7 내지 도 10은 제1 실시예에 따른 발광 소자의 제조 방법을 도시한 도면이다.7 to 10 illustrate a method of manufacturing the light emitting device according to the first embodiment.
도 7에 도시한 바와 같이, 기판(1) 상에 버퍼층(3) 및 비 도전형 반도체층(5) 중 적어도 하나 이상이 형성될 수 있다. 이에 반해, 상기 버퍼층(3)과 비 도전형층은 형성되지 않을 수도 있지만, 이에 대해서는 한정하지 않는다.As illustrated in FIG. 7, at least one of the
상기 기판(1), 상기 버퍼층(3) 및 상기 비 도전형 반도체층(5) 중 하나의 층 상에 제1 내지 제3 화합물 반도체층(110, 120, 130)이 형성될 수 있다. First to third compound semiconductor layers 110, 120, and 130 may be formed on one of the
상기 제1 화합물 반도체층(110)은 예를 들어, n형 도펀트를 포함하는 n형 반도체층일 수 있다. 상기 제1 화합물 반도체층(110)은 InxAlyGa1-x-yN(0≤x≤1, 0≤y≤1, 0≤x+y≤1)의 조성식을 갖는 반도체 재질, 예를 들어 InAlGaN, GaN, AlGaN, InGaN, AlN, InN 및 AlInN로 이루어지는 그룹으로부터 선택된 적어도 하나를 포함할 수 있으며, Si, Ge, Sn 등의 n형 도펀트가 도핑될 수 있다. The first
상기 제2 화합물 반도체층(120)은 다중 양자 우물 구조(MQW), 양자점 구조 또는 양자선 구조 중 어느 하나를 포함할 수 있다. 상기 제2 화합물 반도체층(120)은 우물층과 장벽층의 주기로 반복 형성될 수 있다. 예를 들어, 상기 제2 화합물 반도체층(120)은 InGaN/GaN의 주기, InGaN/AlGaN의 주기, InGaN/InGaN의 주기 등으로 형성될 수 있다. 상기 장벽층의 밴드갭은 상기 우물층의 밴드갭보다 크게 형성될 수 있다.The second
상기 제3 화합물 반도체층(130)은 예를 들어, p형 도펀트를 포함하는 p형 반도체층일 수 있다. 상기 제3 화합물 반도체층(130)은 InxAlyGa1-x-yN(0≤x≤1, 0≤y≤1, 0≤x+y≤1)의 조성식을 갖는 반도체 재질, 예를 들어 InAlGaN, GaN, AlGaN, InGaN, AlN, InN 및 AlInN로 이루어지는 그룹으로부터 선택된 적어도 하나를 포함할 수 있으며, Mg, Zn, Ca, Sr, Ba 등의 p형 도펀트가 도핑될 수 있다.The third
상기 버퍼층(3), 상기 비 도전형 반도체층(5) 및 상기 제1 내지 제3 화합물 반도체층(110, 120, 130)은 II-VI족 또는 III-V족 화합물 반도체 재질로 형성될 수 있다. The
도 8에 도시한 바와 같이, 상기 제1 내지 제3 화합물 반도체층(110, 120, 130)을 식각하여 제1 및 제2 리세스(140, 150)가 형성될 수 있다. 상기 제1 및 제2 리스세에 의해 발광 구조물(13)과 더미 구조물(21)이 정의될 수 있다. As illustrated in FIG. 8, first and
상기 발과 구조물과 상기 더미 구조물(21)은 상기 제1 내지 제3 화합물 반도체층(110, 120, 130)으로부터 형성될 수 있다. The foot structure and the
상기 발광 구조물(13)은 상기 제1 화합물 반도체층(110)으로부터 형성된 제1 도전형 반도체층(7), 상기 제2 화합물 반도체층(120)으로부터 형성된 발광층(9) 및 상기 제3 화합물 반도체층(130)으로부터 형성된 제2 도전형 반도체층(11)을 포함할 수 있다.The
상기 더미 구조물(21)은 상기 제1 화합물 반도체층(110)으로부터 형성된 제1 더미층(15), 상기 제2 화합물 반도체층(120)으로부터 형성된 비 발광층(17) 및 상기 제3 화합물 반도체층(130)으로부터 형성된 제2 더미층(19)을 포함할 수 있다. The
제1 식각 공정을 수행하여 제2 리세스(150)가 형성되고, 이어서 제2 식각 공정을 수행하여 제1 리세스(140)가 형성될 수 있다. The
이와 반대로, 제1 리세스(140)가 형성된 후, 제2 리세스(150)가 형성될 수도 있지만, 이에 대해서는 한정하지 않는다.On the contrary, after the
상기 제2 리세스(150)의 폭(t2)은 상기 제1 리세스(140)의 폭(t1)과 같거나 클 수 있지만, 이에 대해서는 한정하지 않는다. The width t2 of the
제1 및 제2 리세스(140, 150)가 형성된 후, 상기 발광 구조물(13)의 제2 도전형 반도체층(11) 상에 투명 도전층(23)이 형성될 수 있다. After the first and
이와 반대로, 상기 투명 도전층(23)이 먼저 형성된 후, 상기 제1 및 제2 리세스(140, 150)가 형성될 수도 있지만, 이에 대해서는 한정하지 않는다.On the contrary, the first and
도 9에 도시한 바와 같이, 상기 제1 및 제2 리세스(140, 150) 및 상기 더미 구조물(21)의 둘레 영역에 제1 내지 제4 보호층(25, 27, 29, 30)이 형성될 수 있다.As shown in FIG. 9, first to fourth passivation layers 25, 27, 29, and 30 are formed in circumferential regions of the first and
예컨대, 상기 제1 보호층(25)은 상기 제2 리세스(150)의 내측면, 즉 상기 발광 구조물(13)의 외측면, 상기 더미 구조물(21)의 내측면 그리고 상기 발광 구조물(13)과 상기 더미 구조물(21) 사이의 바닥면에 형성될 수 있다. 상기 바닥면은 상기 발광 구조물(13)의 제1 도전형 반도체층(7)의 상면 그리고 상기 더미 구조물(21)의 제1 더미층(15)의 상면일 수 있지만, 이에 대해서는 한정하지 않는다. For example, the
상기 제2 보호층(27)은 상기 더미 구조물(21)의 외측면에 형성될 수 있다.The second
상기 제3 보호층(29)은 상기 제1 및 제2 보호층(25, 27) 사이에서 상기 더미 구조물(21)의 제2 더미층(19) 상에 형성될 수 있다. The third
상기 제4 보호층(30)은 상기 제1 리세스(140)에 형성될 수 있다. 상기 제4 보호층(30)에 의해 상기 더미 구조물(21)과 상기 발광 구조물(13)이 전기적으로 절연되고 물리적으로 이격될 수 있다. The
도 10에 도시한 바와 같이, 상기 발광 구조물(13) 상에 제1 및 제2 전극(35, 37)이 형성되고, 상기 발광 구조물(13)과 상기 더미 구조물(21) 사이에 제1 및 제2 연결 전극(33)이 형성될 수 있다.As shown in FIG. 10, first and
상기 제1 전극(35)은 상기 발광 구조물(13)의 제1 도전형 반도체층(7) 상에 형성되고, 상기 제2 전극(37)은 상기 발광 구조물(13)의 제2 도전형 반도체층(11) 상에 형성될 수 있다.The
상기 제1 연결 전극(31)은 상기 제1 전극(35)으로부터 연장되어 상기 더미 구조물(21)의 제2 더미층(19) 상에 형성되고, 상기 제2 연결 전극(33)은 상기 발광 구조물(13)의 투명 도전층(23) 상에 형성되고 상기 더미 구조물(21)의 제1 더미층(15) 상에 형성되며, 상기 상기 발광 구조물(13)의 외측면, 상기 더미 구조물(21)의 내측면, 외측면 및 상면 그리고 상기 발광 구조물(13)과 상기 더미 구조물(21) 사이의 바닥면 상에 형성될 수 있다. The
도 11은 제2 실시예에 따른 발광 소자를 도시한 단면도이다.11 is a sectional view showing a light emitting device according to the second embodiment.
제2 실시예는 제4 보호층(30)이 형성되는 제1 리세스(140)가 버퍼층(3)과 비 도전형 반도체층(5)을 분리시키는 것을 제외하고는 제1 실시예와 동일하다. 제2 실시예에서 설명되지 않은 구성 요소들에 대해서는 제1 실시예로부터 용이하게 이해될 수 있다.The second embodiment is the same as the first embodiment except that the
도 11을 참조하면, 제2 실시예에 따른 발광 소자에서, 제1 및 제2 리세스(140, 150)가 형성될 수 있다. Referring to FIG. 11, in the light emitting device according to the second embodiment, first and
상기 제1 리세스(140)는 상기 제2 리세스(150)에 연결될 수 있다. The
상기 제1 리세스(140)는 상기 발광 구조물(13)의 제1 도전형 반도체층(7)과 상기 더미 구조물(21)의 제1 더미층(15)을 분리시킬 뿐만 아니라 상기 버퍼층(3)과 상기 비 도전형 반도체층(5)을 분리시키는 역할을 할 수 있다. The
상기 제2 리세스(150)에 의해 상기 발광 구조물(13)의 제2 도전형 반도체층(11), 발광층(9) 및 제1 도전형 반도체층(7)의 외측면이 노출되고 상기 더미 구조물(21)의 제2 더미층(19), 비 발광층(17) 및 제1 더미층(15)의 내측면이 노출될 수 있다. The
상기 제1 리세스(140)에 의해 상기 발광 구조물(13)의 제1 도전형 반도체층(7)의 외측면, 상기 더미 구조물(21)의 제1 더미층(15)의 내측면, 상기 비 도전형 반도체층(5)의 내측면, 상기 버퍼층(3)의 내측면 그리고 상기 기판(1)의 상면이 노출될 수 있다.The outer surface of the first
상기 제2 리세스(150)의 폭은 상기 제1 리세스(140)의 폭과 같거나 클 수 있지만, 이에 대해서는 한정하지 않는다.The width of the
제4 보호층(30)은 제1 리세스(140)에 형성될 수 있다. 상기 제4 보호층(30)은 상기 발광 구조물(13)의 제1 도전형 반도체층(7)의 외측면, 상기 더미 구조물(21)의 제1 더미층(15)의 내측면, 상기 비 도전형 반도체층(5)의 내측면, 상기 버퍼층(3)의 내측면 그리고 상기 기판(1)의 상면에 접할 수 있다.The
제2 실시예에와 같이 제1 리세스(140)가 형성되고, 상기 제1 리세스(140)에 제4 보호층(30)이 형성됨으로써, 혹시라도 버퍼층(3)이나 비 도전형 반도체층(5)에 의한 발광 구조물(13)과 더미 구조물(21) 사이의 전기적인 쇼트를 방지할 수 있다. As in the second embodiment, the
도 12는 제3 실시예에 따른 발광 소자를 도시한 단면도이다.12 is a sectional view showing a light emitting device according to the third embodiment.
제3 실시예는 제2 리세스(150)만 형성되고, 제1 전극(35)의 측면이 발광 구조물(13)의 제1 도전형 반도체층(7)의 측면과 접하고 상기 제1 전극(35)의 배면이 상기 비 도전형 반도체층(5)의 상면에 접하는 것을 제외하고는 제1 실시예와 동일하다. 제3 실시예에서 설명되지 않은 구성 요소들에 대해서는 제1 실시예로부터 용이하게 이해될 수 있다.In the third embodiment, only the
도 12를 참조하면, 제3 실시예에 따른 발광 소자에서, 동일한 폭을 갖는 리세스(150)가 형성될 수 있다. 상기 리세스(150)에 의해 상기 비 도전형 반도체층(5)의 상면이 노출될 수 있다.Referring to FIG. 12, in the light emitting device according to the third embodiment, recesses 150 having the same width may be formed. An upper surface of the
제1 보호층(25)이 발광 구조물(13)의 외측면과 더미 구조물(21)의 내측면에 형성될 수 있다. 상기 발광 구조물(13)의 외측면에 형성된 제1 보호층(25)에 의해 상기 발광 구조물(13)의 제1 도전형 반도체층(7)의 측면의 일부 영역이 노출될 수 있다. 즉, 상기 제1 보호층(25)은 상기 발광 구조물(13)의 제2 도전형 반도체층(11)의 상면의 일부 영역으로부터 상기 제2 도전형 반도체층(11)의 측면 및 상기 발광층(9)의 측면을 경유하여 상기 제1 도전형 반도체층(7)의 일부 영역까지 형성될 수 있다. The
제1 전극(35)은 상기 제1 보호층(25)에 의해 노출된 상기 발광 구조물(13)의 제1 도전형 반도체층(7)의 측면 및 상기 비 도전형 반도체층(5)의 상면에 접하도록 형성될 수 있다. The
제3 실시예에 따른 발광 소자는 하나의 리세스(150)만 형성하면 되므로, 제조 공정이 단순해질 수 있다.Since the light emitting device according to the third embodiment only needs to form one
도 13은 제4 실시예에 따른 발광 소자를 도시한 단면도이다.13 is a sectional view showing a light emitting device according to the fourth embodiment.
제4 실시예는 제1 전극(35)이 발광 구조물(13)의 제1 도전형 반도체층(7)의 상면과 측면에 접하는 것을 제외하고는 제1 실시예와 동일하다. 제4 실시예에서 설명되지 않은 구성 요소들에 대해서는 제1 실시예로부터 용이하게 이해될 수 있다.The fourth embodiment is the same as the first embodiment except that the
도 13을 참조하면, 제4 실시예에 따른 발광 소자에서, 제1 및 제2 리세스(140, 150)가 형성될 수 있다. Referring to FIG. 13, in the light emitting device according to the fourth embodiment, first and
상기 제2 리세스(150)는 적어도 상기 발광 구조물(13)의 제1 도전형 반도체층(7)의 측면의 일부 영역과 상면을 노출시킬 수 있다.The
상기 제1 리세스(140)는 상기 제2 리세스(150)에 연결되고, 상기 발광 구조물(13)의 제1 도전형 반도체층(7)과 상기 더미 구조물(21)의 제1 더미층(15)을 분리시키는 역할을 할 수 있다.The
제1 전극(35)은 상기 제2 리세스(150)에 형성될 수 있다. 상기 제1 전극(35)은 상기 제2 리세스(150) 내에 상기 발광 구조물(13)의 제1 도전형 반도체층(7)의 측면의 일부 영역과 상면과 접하도록 형성될 수 있다.The
제4 실시예에 따른 발광 소자는 상기 발광 구조물(13)의 제1 도전형 반도체층(7)의 상면과 측면에 접하는 제1 전극(35)이 구비되어, 제1 전극(35)과 상기 제1 도전형 반도체층(7)의 접촉 면적을 증가시켜 전원이 보다 원할하게 제1 도전형 반도체층(7)으로 공급되고 제1 전극(35)의 부착력을 강화하여 제1 전극(35)이 제1 도전형 반도체층(7)으로부터 떨어지는(peel off) 것을 방지할 수 있다. The light emitting device according to the fourth embodiment includes a
도 14는 실시예에 따른 발광 소자 패키지를 도시한 단면도이다.14 is a cross-sectional view showing a light emitting device package according to the embodiment.
도 14를 참조하면, 실시예에 따른 발광 소자 패키지는 몸체(101)와, 상기 몸체(101)에 설치된 제1 리드 전극(103) 및 제2 리드 전극(105)과, 상기 몸체(101)에 설치되어 상기 제1 리드 전극(103) 및 제2 리드 전극(105)으로부터 전원을 공급받는 제1 실시예 및 제2 실시예들에 따른 발광 소자(200)와, 상기 발광 소자(200)를 포위하는 몰딩 부재(113)를 포함한다.Referring to FIG. 14, the light emitting device package according to the embodiment may include a
상기 발광 소자(200)는 제1 내지 제4 실시예에 따른 발광 소자 중 하나일 수 있다.The
상기 몸체(101)는 실리콘 재질, 합성수지 재질, 또는 금속 재질을 포함하여 형성될 수 있으며, 상기 발광 소자(200)의 주위에 경사면이 형성될 수 있다.The
상기 제1 리드 전극(103) 및 제2 리드 전극(105)은 서로 전기적으로 분리되며, 상기 발광 소자(200)에 전원을 제공한다.The first
또한, 상기 제1 및 제2 리드 전극(103, 105)은 상기 발광 소자(200)에서 발생된 빛을 반사시켜 광 효율을 증가시킬 수 있으며, 상기 발광 소자(200)에서 발생된 열을 외부로 배출시키는 역할을 할 수도 있다.In addition, the first and second
상기 발광 소자(200)는 상기 제1 리드 전극(103), 제2 리드 전극(105) 및 상기 몸체(101) 중 어느 하나 위에 설치될 수 있으며, 와이어 방식, 다이 본딩 방식 등에 의해 상기 제1 및 제2 리드 전극(103, 105)에 전기적으로 연결될 수 있으나, 이에 대해 한정하지는 않는다.The
실시예에서는 한 개의 와이어(109)를 통해 발광 소자(200)를 상기 제1 및 제2 리드 전극(103, 105) 중 하나의 리드 전극에 전기적으로 연결시키는 것이 예시되어 있으나, 이에 한정하지 않고 2개의 와이어를 이용하여 발광 소자(200)를 상기 제1 및 제2 리드 전극(103, 15)에 전기적으로 연결시킬 수도 있으며, 와이어를 사용하지 않고 발광 소자(200)를 상기 제1 및 제2 리드 전극(103, 105)에 전기적으로 연결시킬 수도 있다.In the embodiment, it is illustrated that the
상기 몰딩 부재(113)는 상기 발광 소자(200)를 포위하여 상기 발광 소자(200)를 보호할 수 있다. 또한, 상기 몰딩 부재(113)에는 형광체가 포함되어 상기 발광 소자(200)에서 방출된 광의 파장을 변화시킬 수 있다.The
실시예에 따른 발광 소자 패키지(200)는 COB(Chip On Board) 타입을 포함하며, 상기 몸체(101)의 상면은 평평하고, 상기 몸체(101)에는 복수의 발광 소자가 설치될 수도 있다.The light emitting
실시예에 따른 발광 소자나 발광 소자 패키지는 라이트 유닛에 적용될 수 있다. 상기 라이트 유닛은 표시 장치와 조명 장치, 예컨대 조명등, 신호등, 차량 전조등, 전광판, 지시등과 같은 유닛에 적용될 수 있다.The light emitting device or the light emitting device package according to the embodiment may be applied to the light unit. The light unit may be applied to a unit such as a display device and a lighting device, for example, a lighting lamp, a traffic light, a vehicle headlight, an electric sign, an indicator lamp.
1: 기판
3: 버퍼층
5: 비 도전형 반도체층
7: 제1 도전형 반도체층
9: 발광층
11: 제2 도전형 반도체층
13: 발광 구조물
15: 제1 더미층
17: 비 발광층
19: 제2 더미층
21: 더미 구조물
23: 투명 도전층
25, 27, 29, 30: 보호층
31: 제1 연결 전극
33: 제2 연결 전극
35: 제1 전극
37: 제2 전극
110, 120, 130: 화합물 반도체층
140, 150: 리세스1: substrate
3: buffer layer
5: non-conductive semiconductor layer
7: first conductive semiconductor layer
9: light emitting layer
11: second conductivity type semiconductor layer
13: light emitting structure
15: first dummy layer
17: non-emitting layer
19: second dummy layer
21: dummy structure
23: transparent conductive layer
25, 27, 29, 30: protective layer
31: first connection electrode
33: second connection electrode
35: first electrode
37: second electrode
110, 120, 130: compound semiconductor layer
140, 150: recess
Claims (13)
상기 발광 구조물의 둘레를 따라 배치되며, 비발광층 및 제2더미층을 포함하는 더미 구조물;
상기 제1도전형 반도체층과 전기적으로 연결되는 제1전극;
상기 제2도전형 반도체층과 전기적으로 연결되는 제2전극;
상기 제1전극으로부터 연장되며 상기 더미 구조물과 수직으로 오버랩되는 제1연결 전극;
일부는 상기 제2도전형 반도체층 상에 형성되고 다른 일부는 상기 더미 구조물과 수직으로 오버랩되는 적어도 하나 이상의 제2연결 전극; 및
상기 발광 구조물의 측면과 상기 더미 구조물의 측면 상에 배치되는 보호층을 포함하고,
상기 보호층은 상기 발광 구조물의 외측면, 상기 발광 구조물의 외측면에 대향하는 상기 더미 구조물의 제1측면, 상기 발광 구조물의 외측면과 상기 더미 구조물의 제1측면 사이의 바닥면에 형성되는 제1보호층; 및
상기 더미 구조물의 제1측면에 대응되는 제2측면을 포함하고,
상기 보호층은 상기 더미 구조물의 제2측면에 형성되는 제2보호층을 포함하고,
상기 더미 구조물의 제2측면은 상기 더미 구조물의 최외곽 측면인 발광 소자.A light emitting structure including a first conductive semiconductor layer, a light emitting layer, and a second conductive semiconductor layer;
A dummy structure disposed along a circumference of the light emitting structure and including a non-light emitting layer and a second dummy layer;
A first electrode electrically connected to the first conductive semiconductor layer;
A second electrode electrically connected to the second conductive semiconductor layer;
A first connection electrode extending from the first electrode and vertically overlapping the dummy structure;
At least one second connection electrode partially formed on the second conductive semiconductor layer and partially overlapping the dummy structure; And
A protective layer disposed on a side of the light emitting structure and a side of the dummy structure,
The protective layer is formed on an outer side surface of the light emitting structure, a first side surface of the dummy structure facing the outer side surface of the light emitting structure, a bottom surface between the outer side surface of the light emitting structure and the first side surface of the dummy structure. 1 protective layer; And
And a second side surface corresponding to the first side surface of the dummy structure,
The protective layer includes a second protective layer formed on the second side of the dummy structure,
The second side surface of the dummy structure is the light emitting device outermost side of the dummy structure.
상기 제1 전극은 상기 제1 도전형 반도체층의 일 영역 상에 배치되고,
상기 제1 연결 전극은 상기 더미 구조물의 측면을 따라 배치되어 상기 제2더미층의 상면 일부와 접촉하는 발광 소자.The method of claim 1,
The first electrode is disposed on one region of the first conductivity type semiconductor layer,
The first connection electrode is disposed along a side of the dummy structure to contact a portion of the upper surface of the second dummy layer.
상기 보호층은 상기 더미 구조물의 상면에 형성되는 제3보호층을 포함하는 발광 소자.The method of claim 1,
The protective layer includes a third protective layer formed on the upper surface of the dummy structure.
상기 제1보호층 내지 상기 제3보호층은 서로로부터 연장된 일체형인 발광 소자.The method of claim 3, wherein
The first protective layer to the third protective layer is an integrated light emitting device extending from each other.
상기 보호층은 투명한 절연물질인 발광 소자.The method of claim 1,
The protective layer is a light emitting device that is a transparent insulating material.
상기 보호층은 SiO2, SiOx, SiOxNy, Si3N4, TiO2 및 Al2O3로 이루어지는 그룹으로부터 선택된 하나를 포함하는 발광 소자.The method of claim 5,
The protective layer is a light emitting device comprising one selected from the group consisting of SiO 2 , SiO x , SiO x N y , Si 3 N 4 , TiO 2 and Al 2 O 3 .
상기 제2보호층의 일부 영역은 상기 제2더미층과 부분적으로 중첩되는 발광 소자.The method of claim 1,
A portion of the second protective layer partially overlaps the second dummy layer.
상기 더미 구조물은 제1더미층, 상기 제1더미층 상에 배치되는 상기 비발광층, 상기 비발광층 상에 배치되는 상기 제2더미층을 포함하고,
상기 제2보호층의 또 다른 영역은 상기 제1더미층과 부분적으로 중첩되는 발광 소자.The method of claim 7, wherein
The dummy structure includes a first dummy layer, the non-emitting layer disposed on the first dummy layer, and the second dummy layer disposed on the non-emitting layer,
And another region of the second protective layer partially overlaps the first dummy layer.
상기 제3보호층은 상기 제1보호층과 상기 제2보호층 사이에 형성되는 발광 소자.The method of claim 3, wherein
The third protective layer is a light emitting device formed between the first protective layer and the second protective layer.
상기 제3보호층의 일측이 상기 제1보호층으로부터 연장되고 타측이 상기 제2보호층으로부터 연장되며,
상기 제3보호층은 상기 제2더미층을 가로질러 형성되는 발광 소자.The method of claim 9,
One side of the third protective layer extends from the first protective layer and the other side extends from the second protective layer,
And the third protective layer is formed across the second dummy layer.
상기 제3보호층의 폭은 적어도 상기 제2연결 전극의 폭보다 큰 발광 소자.The method of claim 10,
The width of the third protective layer is at least larger than the width of the second connection electrode.
상기 발광 소자는 중앙에 상기 발광 구조물이 배치되고, 상기 더미 구조물은 상기 발광 구조물의 최외곽에서 상기 발광 구조물을 둘러싸며 배치되는 발광 소자.The method of claim 1,
The light emitting device is the light emitting device is disposed in the center, the dummy structure is a light emitting device disposed surrounding the light emitting structure at the outermost of the light emitting structure.
상기 더미 구조물의 제2측면은 상기 발광 소자의 제2더미층 중 최외곽 측면인 발광 소자.The method of claim 12,
The second side surface of the dummy structure is a light emitting device is the outermost side of the second dummy layer of the light emitting device.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1020190091558A KR102029876B1 (en) | 2019-07-29 | 2019-07-29 | Light emitting device and light emitting device package |
Applications Claiming Priority (1)
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