KR102046828B1 - Organic Light Emitting Display Device and Method for Manufacturing The Same - Google Patents

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KR102046828B1 KR1020130080036A KR20130080036A KR102046828B1 KR 102046828 B1 KR102046828 B1 KR 102046828B1 KR 1020130080036 A KR1020130080036 A KR 1020130080036A KR 20130080036 A KR20130080036 A KR 20130080036A KR 102046828 B1 KR102046828 B1 KR 102046828B1
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Abstract

본 발명의 일 측면에 따른 유기전계발광표시장치는 기판; 상기 기판 상에 배치된 박막 트랜지스터; 상기 박막 트랜지스터 상에 배치되며, 상기 박막 트랜지스터와 연결된 중간층; 상기 중간층과 동일층 상에 배치되며, 상기 중간층과 이격된 보조 전극; 상기 중간층 상에 배치되며, 상기 중간층에 의해 상기 박막 트랜지스터와 연결되는 제 1 전극; 상기 제 1 전극 및 상기 보조 전극 상에 배치되며, 상기 제 1 전극 및 상기 보조 전극을 노출하는 개구부를 포함하는 뱅크층; 상기 개구부에 의해 노출된 상기 제 1 전극 및 상기 보조 전극 상에 배치되는 유기 발광층; 및 상기 유기 발광층 상에 배치된 제 2 전극;을 포함하고, 상기 보조 전극 상에 위치한 상기 유기 발광층 내에 컨택홀이 배치되고, 상기 컨택홀을 통해 상기 제 2 전극이 상기 보조 전극과 연결되는 것을 특징으로 한다.An organic light emitting display device according to an aspect of the present invention includes a substrate; A thin film transistor disposed on the substrate; An intermediate layer disposed on the thin film transistor and connected to the thin film transistor; An auxiliary electrode disposed on the same layer as the intermediate layer and spaced apart from the intermediate layer; A first electrode disposed on the intermediate layer and connected to the thin film transistor by the intermediate layer; A bank layer disposed on the first electrode and the auxiliary electrode, the bank layer including an opening exposing the first electrode and the auxiliary electrode; An organic light emitting layer disposed on the first electrode and the auxiliary electrode exposed by the opening; And a second electrode disposed on the organic light emitting layer, wherein a contact hole is disposed in the organic light emitting layer on the auxiliary electrode, and the second electrode is connected to the auxiliary electrode through the contact hole. It is done.

Description

유기전계발광표시장치 및 그 제조방법{Organic Light Emitting Display Device and Method for Manufacturing The Same}Organic Light Emitting Display Device and Method for Manufacturing The Same

본 발명은 유기전계발광표시장치 및 그 제조방법에 관한 것으로서, 보다 구체적으로 능동형 유기전계발광표시장치 및 그 제조방법에 관한 것이다.The present invention relates to an organic light emitting display device and a manufacturing method thereof, and more particularly, to an active organic light emitting display device and a manufacturing method thereof.

화면에 다양한 정보를 표시하는 영상 표시 장치는 정보 통신 시대를 이끄는 주요 전자 기기로 더 얇고 더 가벼우며 휴대성 및 성능이 향상되는 방향으로 발전하고 있다. 영상 표시 장치 발전의 초기에는 고화질이 큰 장점이었던 음극선관이 주를 이루었으나, 이후 음극선관에 비해 평판 표시 장치는 경량 박형의 구현이 가능하여 디스플레이 시장에서 최근까지 많은 인기를 끌고 있다.Video display devices for displaying a variety of information on the screen is a major electronic device leading the era of information and communication, and is developing in a direction that is thinner, lighter, and improves portability and performance. In the early stages of the development of video display devices, cathode ray tubes, which had high image quality, were mainly used. However, flat panel displays have been popular in the display market until recently because they can realize light weight and thinness compared to cathode ray tubes.

평판 표시 장치에는 액정 표시 장치(liquid crystal display, LCD)를 비롯하여 플라즈마 표시 장치(plasma display panel, PDP), 유기전계발광표시장치(organic light emitting display, OLED) 등이 있으며, 특히 액정 표시 장치가 큰 주목을 받아왔으며, 유기전계발광표시장치는 액정 표시 장치 다음으로 차세대 평판 표시 장치로 각광받고 있다. 특히, 유기전계발광표시장치는 자발광 소자로써, 백라이트(backlight)를 통해 발광하는 액정 표시 장치에 비해 경량 박형의 소자 구현이 가능하다.Flat panel displays include liquid crystal displays (LCDs), plasma display panels (PDPs), organic light emitting displays (OLEDs), and the like. The organic light emitting display device has been attracting attention as a next generation flat panel display device after the liquid crystal display device. In particular, the organic light emitting display device is a self-luminous device, and it is possible to implement a lighter and thinner device than a liquid crystal display device that emits light through a backlight.

이러한, 유기전계발광표시장치는 상면 발광 방식(top emission type)과 배면 발광 방식(bottom emission type)이 있다. 상면 발광 방식은 구동소자의 반대 방향의 전극인 상면 전극 방향으로 유기 발광층에서 발광된 빛이 출사하는 방식이며 보통 캐소드 전극 방향으로 빛이 출사한다.The organic light emitting display device has a top emission type and a bottom emission type. The top emission method is a method in which light emitted from the organic light emitting layer is emitted toward the top electrode, which is an electrode opposite to the driving element, and light is usually emitted in the direction of the cathode electrode.

배면 발광 방식은 구동소자가 위치하는 방향의 전극인 배면 전극 방향으로 유기 발광층에서 발광된 빛이 출사하는 방식이며 보통 애노드 전극 방향으로 빛이 출사한다.The bottom emission method is a method in which light emitted from the organic light emitting layer is emitted toward a back electrode, which is an electrode in a direction in which a driving element is located, and light is usually emitted in an anode electrode direction.

이 중, 특히 상면 발광 방식의 경우, 일반적으로 캐소드 전극을 통해 빛이 출사하기 때문에, 발광 영역이 넓어지는 장점이 있으나, 캐소드 전극이 박형으로 형성되어야 하므로 저항이 높아지는 단점이 있다.Among them, in particular, in the case of the top emission type, since light is generally emitted through the cathode electrode, the light emitting area is widened, but the cathode has to be formed in a thin shape, thereby increasing the resistance.

도 1은 일반적인 유기전계발광표시장치의 일부분을 도시한 단면도이다.1 is a cross-sectional view illustrating a part of a general organic light emitting display device.

도 1에 도시된 바와 같이, 일반적인 유기전계발광표시장치는 기판(110), 애노드 전극(120), 뱅크층(130), 유기 발광층(140) 및 캐소드 전극(150)을 포함한다.As shown in FIG. 1, a general organic light emitting display device includes a substrate 110, an anode electrode 120, a bank layer 130, an organic light emitting layer 140, and a cathode electrode 150.

먼저, 기판(101) 상에 애노드 전극(120)이 배치된다. 애노드 전극(120)은 도 1에는 도시되지 않았지만 구동회로를 포함하는 구동소자로부터 전기 신호를 받아 이를 유기 발광층(140)으로 전달한다. 따라서, 기판(110)과 애노드 전극(120) 사이에는 구동소자 및 상기 구동소자 사이에 배치되는 절연막 및 평탄화막 등을 더 포함할 수 있다.First, the anode electrode 120 is disposed on the substrate 101. Although not shown in FIG. 1, the anode electrode 120 receives an electrical signal from a driving device including a driving circuit and transfers the electrical signal to the organic light emitting layer 140. Accordingly, the substrate 110 may further include a driving device, an insulating film, a planarization film, and the like disposed between the driving device and the substrate 110.

애노드 전극(120) 상에는 애노드 전극(120)의 가장자리 영역과 중첩되면서, 애노드 전극(120)을 노출시키는 뱅크층(130) 배치된다. 뱅크층(130)은 노출되는 애노드 전극(120)의 면적과 동일한 발광 영역을 정의한다. 뱅크층(130) 및 노출된 애노드 전극(120) 상에는 유기 발광층(140)이 형성되고, 유기 발광층(140) 상에는 캐소드 전극(150)이 형성된다. 유기 발광층(140)은 애노드 전극(120)과 캐소드 전극(150)이 접하는 발광 영역에서 빛을 발광할 수 있다.The bank layer 130 is disposed on the anode electrode 120 to expose the anode electrode 120 while overlapping the edge region of the anode electrode 120. The bank layer 130 defines an emission area that is equal to the area of the anode electrode 120 that is exposed. The organic emission layer 140 is formed on the bank layer 130 and the exposed anode electrode 120, and the cathode electrode 150 is formed on the organic emission layer 140. The organic emission layer 140 may emit light in a light emitting region where the anode electrode 120 and the cathode electrode 150 are in contact with each other.

상면 발광 방식의 경우 유기 발광층(140)에서 발광된 빛이 캐소드 전극(150)을 통해 출사하기 때문에, 캐소드 전극(150)의 두께가 얇아야 한다. 박형의 캐소드 전극(150)은 저항이 높아져 전류의 흐름이 둔화될 수 있기 때문에, 특히, 대면적 유기전계발광표시장치의 중앙부의 휘도가 낮아질 수 있는 단점이 있다. 따라서, 상면 발광 방식의 유기전계발광표시장치의 정상적인 구동을 위해서는 캐소드 전극(150)의 저항을 낮춰줄 필요가 있다.In the case of the top emission method, since the light emitted from the organic emission layer 140 is emitted through the cathode electrode 150, the thickness of the cathode electrode 150 should be thin. Since the thin cathode electrode 150 may have a high resistance and a slow current flow, in particular, the luminance of the central portion of the large area organic light emitting display device may be lowered. Therefore, the resistance of the cathode electrode 150 needs to be lowered for the normal driving of the top emission type organic light emitting display device.

본 발명은 상술한 문제점을 해결하기 위한 것으로서, 저저항 캐소드 전극을 구현할 수 있는 유기전계발광표시장치를 제공하는 것을 그 기술적 과제로 한다.SUMMARY OF THE INVENTION The present invention has been made in view of the above-described problems, and an object thereof is to provide an organic light emitting display device capable of implementing a low resistance cathode electrode.

상술한 목적을 달성하기 위한 본 발명의 일 측면에 따른 유기전계발광표시장치는 기판; 상기 기판 상에 배치된 박막 트랜지스터; 상기 박막 트랜지스터 상에 배치되며, 상기 박막 트랜지스터와 연결된 중간층; 상기 중간층과 동일층 상에 배치되며, 상기 중간층과 이격된 보조 전극; 상기 중간층 상에 배치되며, 상기 중간층에 의해 상기 박막 트랜지스터와 연결되는 제 1 전극; 상기 제 1 전극 및 상기 보조 전극 상에 배치되며, 상기 제 1 전극 및 상기 보조 전극을 노출하는 개구부를 포함하는 뱅크층; 상기 개구부에 의해 노출된 상기 제 1 전극 및 상기 보조 전극 상에 배치되는 유기 발광층; 및 상기 유기 발광층 상에 배치된 제 2 전극;을 포함하고, 상기 보조 전극 상에 위치한 상기 유기 발광층 내에 컨택홀이 배치되고, 상기 컨택홀을 통해 상기 제 2 전극이 상기 보조 전극과 연결되는 것을 특징으로 한다.An organic light emitting display device according to an aspect of the present invention for achieving the above object is a substrate; A thin film transistor disposed on the substrate; An intermediate layer disposed on the thin film transistor and connected to the thin film transistor; An auxiliary electrode disposed on the same layer as the intermediate layer and spaced apart from the intermediate layer; A first electrode disposed on the intermediate layer and connected to the thin film transistor by the intermediate layer; A bank layer disposed on the first electrode and the auxiliary electrode, the bank layer including an opening exposing the first electrode and the auxiliary electrode; An organic light emitting layer disposed on the first electrode and the auxiliary electrode exposed by the opening; And a second electrode disposed on the organic light emitting layer, wherein a contact hole is disposed in the organic light emitting layer on the auxiliary electrode, and the second electrode is connected to the auxiliary electrode through the contact hole. It is done.

상술한 목적을 달성하기 위한 본 발명의 다른 측면에 따른 유기전계발광표시장치는 기판; 상기 기판 상에 배치된 박막 트랜지스터; 상기 박막 트랜지스터 상에 배치되며, 상기 박막 트랜지스터와 연결된 중간층; 상기 중간층과 동일층 상에 배치되며, 상기 중간층과 이격된 제 1 보조 전극; 상기 중간층 상에 배치되며, 상기 중간층과 연결되는 제 1 전극; 상기 제 1 전극과 동일층 상에 형성되며, 상기 제 1 보조 전극과 연결되는 제 2 보조 전극; 상기 제 1 전극의 및 상기 제 2 보조 전극 상에 배치되며, 상기 제 1 전극 및 상기 제 2 보조 전극을 노출하는 개구부를 포함하는 뱅크층; 상기 개구부에 의해 노출된 상기 제 1 전극 및 상기 제 2 보조 전극 상에 배치되는 유기 발광층; 및 상기 유기 발광층 상에 배치된 제 2 전극;을 포함하고, 상기 제 2 보조 전극 상에 위치한 상기 유기 발광층 내에 컨택홀이 배치되고, 상기 컨택홀을 통해 상기 제 2 전극이 상기 제 2 보조 전극과 연결되는 것을 특징으로 한다.An organic light emitting display device according to another aspect of the present invention for achieving the above object is a substrate; A thin film transistor disposed on the substrate; An intermediate layer disposed on the thin film transistor and connected to the thin film transistor; A first auxiliary electrode disposed on the same layer as the intermediate layer and spaced apart from the intermediate layer; A first electrode disposed on the intermediate layer and connected to the intermediate layer; A second auxiliary electrode formed on the same layer as the first electrode and connected to the first auxiliary electrode; A bank layer disposed on the first electrode and on the second auxiliary electrode, the bank layer including an opening exposing the first electrode and the second auxiliary electrode; An organic emission layer disposed on the first electrode and the second auxiliary electrode exposed by the opening; And a second electrode disposed on the organic light emitting layer, wherein a contact hole is disposed in the organic light emitting layer on the second auxiliary electrode, and the second electrode is connected to the second auxiliary electrode through the contact hole. It is characterized in that the connection.

상술한 목적을 달성하기 위한 본 발명의 일 측면에 따른 유기전계발광표시장치의 제조방법은 기판 상에 박막 트랜지스터를 형성하는 단계; 상기 박막 트랜지스터 상에 상기 박막 트랜지스터와 연결되도록 중간층을 형성하는 단계; 상기 중간층과 동일층 상에 상기 중간층과 이격되도록 보조 전극을 형성하는 단계; 상기 중간층 상에 상기 중간층과 연결되도록 제 1 전극을 형성하는 단계; 상기 제 1 전극의 및 상기 보조 전극 상에 뱅크층을 형성하는 단계; 상기 뱅크층을 패터닝하여 상기 제 1 전극 및 상기 보조 전극을 노출하는 개구부를 형성하는 단계; 상기 개구부에 의해 노출된 상기 제 1 전극 및 상기 보조 전극 상에 유기 발광층을 형성하는 단계; 상기 보조 전극 상에 위치한 상기 유기 발광층 내에 컨택홀을 형성하는 단계; 및 상기 유기 발광층 상에 제 2 전극을 형성하는 단계;를 포함하고, 상기 제 2 전극은 상기 컨택홀을 통해 상기 보조 전극과 연결되는 것을 특징으로 한다.According to one or more exemplary embodiments, a method of manufacturing an organic light emitting display device includes: forming a thin film transistor on a substrate; Forming an intermediate layer on the thin film transistor to be connected to the thin film transistor; Forming an auxiliary electrode on the same layer as the intermediate layer to be spaced apart from the intermediate layer; Forming a first electrode on the intermediate layer to be connected to the intermediate layer; Forming a bank layer on the first electrode and on the auxiliary electrode; Patterning the bank layer to form an opening exposing the first electrode and the auxiliary electrode; Forming an organic emission layer on the first electrode and the auxiliary electrode exposed by the opening; Forming a contact hole in the organic light emitting layer on the auxiliary electrode; And forming a second electrode on the organic light emitting layer, wherein the second electrode is connected to the auxiliary electrode through the contact hole.

상술한 목적을 달성하기 위한 본 발명의 다른 측면에 따른 유기전계발광표시장치의 제조방법은 기판 상에 박막 트랜지스터를 형성하는 단계; 상기 박막 트랜지스터 상에 상기 박막 트랜지스터와 연결되도록 중간층을 형성하는 단계; 상기 중간층과 동일층 상에 상기 중간층과 이격되도록 제 1 보조 전극을 형성하는 단계; 상기 중간층 상에 상기 중간층과 연결되도록 제 1 전극을 형성하는 단계; 상기 제 1 전극과 동일층 상에 상기 제 1 보조 전극과 연결되도록 제 2 보조 전극을 형성하는 단계; 상기 제 1 전극의 및 상기 제 2 보조 전극 상에 뱅크층을 형성하는 단계; 상기 뱅크층을 패터닝하여 상기 제 1 전극 및 상기 제 2 보조 전극을 노출하는 개구부를 형성하는 단계; 상기 개구부에 의해 노출된 상기 제 1 전극 및 상기 제 2 보조 전극 상에 유기 발광층을 형성하는 단계; 상기 제 2 보조 전극 상에 위치한 상기 유기 발광층 내에 컨택홀을 형성하는 단계; 및 상기 유기 발광층 상에 제 2 전극을 형성하는 단계;를 포함하고, 상기 제 2 전극은 상기 컨택홀을 통해 상기 제 2 보조 전극과 연결되는 것을 특징으로 한다.According to another aspect of the present invention, there is provided a method of manufacturing an organic light emitting display device, the method including: forming a thin film transistor on a substrate; Forming an intermediate layer on the thin film transistor to be connected to the thin film transistor; Forming a first auxiliary electrode on the same layer as the intermediate layer to be spaced apart from the intermediate layer; Forming a first electrode on the intermediate layer to be connected to the intermediate layer; Forming a second auxiliary electrode on the same layer as the first electrode so as to be connected to the first auxiliary electrode; Forming a bank layer on the first electrode and on the second auxiliary electrode; Patterning the bank layer to form openings exposing the first electrode and the second auxiliary electrode; Forming an organic emission layer on the first electrode and the second auxiliary electrode exposed by the opening; Forming a contact hole in the organic light emitting layer on the second auxiliary electrode; And forming a second electrode on the organic light emitting layer, wherein the second electrode is connected to the second auxiliary electrode through the contact hole.

본 발명에 따르면, 유기전계발광표시장치에서 저저항 캐소드 전극을 구현할 수 있는 효과가 있다.According to the present invention, there is an effect that a low resistance cathode electrode can be implemented in an organic light emitting display device.

또한, 본 발명에 따르면, 이온빔 공정으로 보조 전극 상의 유기 발광층 내부에 컨택홀을 형성하여 캐소드 전극과 보조 전극을 직접 연결시킴으로써, 유기 발광층을 제거하는 별도의 공정을 생략하여 공정의 효율성을 향상시킬 수 있는 수 있는 효과가 있다.In addition, according to the present invention, by forming a contact hole in the organic light emitting layer on the auxiliary electrode by an ion beam process to directly connect the cathode electrode and the auxiliary electrode, a separate process of removing the organic light emitting layer can be omitted to improve the efficiency of the process. There is an effect it can have.

또한, 본 발명에 따르면, 대면적 유기전계발광표시장치의 휘도 균일도를 향상시킬 수 있는 효과가 있다.In addition, according to the present invention, there is an effect that can improve the luminance uniformity of a large area organic light emitting display device.

도 1은 종래의 유기전계발광표시장치를 도시한 단면도;
도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 유기전계발광표시장치를 도시한 단면도;
도 3은 본 발명의 다른 실시예에 따른 유기전계발광표시장치를 도시한 단면도;
도 4a ~ 4d는 본 발명의 일 실시예에 따른 유기전계발광표시장치의 제조방법을 도시한 단면도; 및
도 5a ~ 5d는 본 발명의 다른 실시예에 따른 유기전계발광표시장치의 제조방법을 도시한 단면도.
1 is a cross-sectional view showing a conventional organic light emitting display device;
2 is a cross-sectional view illustrating an organic light emitting display device according to an embodiment of the present invention;
3 is a cross-sectional view illustrating an organic light emitting display device according to another embodiment of the present invention;
4A to 4D are cross-sectional views illustrating a method of manufacturing an organic light emitting display device according to an embodiment of the present invention; And
5A through 5D are cross-sectional views illustrating a method of manufacturing an organic light emitting display device according to another embodiment of the present invention.

이하, 첨부되는 도면들을 참고하여 본 발명의 실시예들에 대해 상세히 설명한다.Hereinafter, exemplary embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.

도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 유기전계발광표시장치를 도시한 단면도이다.2 is a cross-sectional view illustrating an organic light emitting display device according to an embodiment of the present invention.

도 2에 도시된 바와 같이, 본 발명의 일 실시예에 따른 유기전계발광표시장치은, 기판(210), 평탄화층(220), 보조 전극(225), 중간층(227), 제 1 전극(230), 뱅크층(240), 유기 발광층(250) 및 제 2 전극(260)을 포함한다.As shown in FIG. 2, the organic light emitting display device according to the exemplary embodiment of the present invention includes a substrate 210, a planarization layer 220, an auxiliary electrode 225, an intermediate layer 227, and a first electrode 230. , A bank layer 240, an organic emission layer 250, and a second electrode 260.

먼저 기판(210)은 유리(glass), 금속(metal) 혹은 플라스틱(plastic)으로 이루어질 수 있다. 상기 플라스틱은 폴리에테르술폰(Polyethersulphone; PES), 폴리아크릴레이트(Polyacrylate; PAR), 폴리에테르 이미드(Polyetherimide; PEI), 폴리에틸렌 나프탈레이트(Polyethyelenen Napthalate; PEN), 폴리에틸렌 테레프탈레이드(Polyethyelene Terepthalate; PET), 폴리페닐렌 설파이드(Polyphenylene Sulfide; PPS), 폴리아릴레이트(Polyallylate), 폴리이미드(Polyimide), 폴리카보네이트(PC), 셀룰로오스 트리 아세테이트(TAC), 셀룰로오스 아세테이트 프로피오네이트(Cellulose Acetate Propionate: CAP) 등으로 이루어진 그룹으로부터 선택되는 어느 하나이거나 둘 이상의 혼합물 혹은 화합물일 수 있다.First, the substrate 210 may be made of glass, metal, or plastic. The plastic may be polyethersulphone (PES), polyacrylate (PAR), polyetherimide (PEI), polyethylene naphthalate (PEN), polyethylene terephthalate (PET) , Polyphenylene sulfide (PPS), polyallylate, polyimide, polycarbonate (PC), cellulose tri acetate (TAC), cellulose acetate propionate (CAP) It may be any one selected from the group consisting of and the like or mixtures or compounds of two or more.

그 다음으로, 기판(210) 상에는 유기전계발광표시장치를 구동하는 구동회로(driving circuit) 또는 구동소자(driving element)가 형성될 수 있다. 일반적으로, 구동회로 또는 구동소자는 게이트 신호를 전달하는 게이트 라인(미도시), 데이터 신호를 전달하는 데이터 라인(미도시), 상기 게이트 신호에 따라 데이터 신호를 선택적으로 전달하는 박막 트랜지스터(thin film transistor; 미도시) 및 유기 발광층(250)의 발광을 한 프레임 동안 유지시켜주는 스토리지 전극(미도시) 등을 포함할 수 있다.Next, a driving circuit or a driving element for driving the organic light emitting display device may be formed on the substrate 210. In general, a driving circuit or a driving device includes a gate line (not shown) for transmitting a gate signal, a data line (not shown) for transmitting a data signal, and a thin film transistor for selectively transferring a data signal according to the gate signal. and a storage electrode (not shown) for maintaining light emission of the organic light emitting layer 250 for one frame.

다음으로, 기판(210) 상에 보조 전극(225) 및 중간층(227)이 배치된다. 보조 전극(225) 및 중간층(227)은 동일한 물질로 형성될 수 있으며, 상기 물질은 일반적으로 형성되는 금속 배선과 동일한 물질일 수 있다. 예를 들어, 보조 전극(225) 및 중간층(227)은 몰리브데늄(Mo), 알루미늄(Al), 크롬(Cr), 금(Au), 티타늄(Ti), 니켈(Ni), 네오디뮴(Nd) 및 구리(Cu)로 이루어진 군에서 선택된 어느 하나 또는 이들의 합금으로 이루어질 수 있다.Next, the auxiliary electrode 225 and the intermediate layer 227 are disposed on the substrate 210. The auxiliary electrode 225 and the intermediate layer 227 may be formed of the same material, and the material may be the same material as that of the metal wires. For example, the auxiliary electrode 225 and the intermediate layer 227 may be formed of molybdenum (Mo), aluminum (Al), chromium (Cr), gold (Au), titanium (Ti), nickel (Ni), and neodymium (Nd). ) And copper (Cu) may be made of any one or an alloy thereof.

중간층(227) 및 보조 전극(225)은 동일층 상에 배치되며, 서로 이격 형성된다. 또한, 중간층(227)은 바람직하게 상기 박막 트랜지스터 상에 배치되며, 상기 박막 트랜지스터와 연결되어 상기 박막 트랜지스터로부터 인가받은 신호를 제 1 전극(230)으로 전달한다.The intermediate layer 227 and the auxiliary electrode 225 are disposed on the same layer and are spaced apart from each other. In addition, the intermediate layer 227 is preferably disposed on the thin film transistor, and is connected to the thin film transistor to transmit a signal applied from the thin film transistor to the first electrode 230.

보조 전극(225)은 제 2 전극(260)과 연결되어 제 2 전극(260)의 저항을 감소시킬 수 있다. 중간층(227)은 박막 트랜지스터(미도시)와 제 1 전극(230)을 보다 안정적으로 컨택할 수 있도록 연결되는 중간 연결층(interconnection layer)의 역할을 할 수 있다.The auxiliary electrode 225 may be connected to the second electrode 260 to reduce the resistance of the second electrode 260. The intermediate layer 227 may serve as an interconnection layer connected to the thin film transistor (not shown) and the first electrode 230 to more stably contact.

그 다음으로, 보조 전극(225) 및 중간층(227) 상에 평탄화층(220)이 배치된다. 평탄화층(220)은 보조 전극(225) 및 중간층(227)을 덮도록 형성되어 보조 전극(225) 및 중간층(227)을 평탄화시키고 그 상부에 형성되는 제 1 전극(230), 유기 발광층(250) 및 제 2 전극(260) 등의 안정적인 형성을 도운다.Next, the planarization layer 220 is disposed on the auxiliary electrode 225 and the intermediate layer 227. The planarization layer 220 is formed to cover the auxiliary electrode 225 and the intermediate layer 227 to planarize the auxiliary electrode 225 and the intermediate layer 227, and to form the first electrode 230 and the organic emission layer 250 thereon. ) And the second electrode 260 and the like.

평탄화층(220)은 아크릴계 수지(polyacrylates resin), 에폭시 수지(epoxy resin), 페놀 수지(phenolic resin), 폴리아미드계 수지(polyamides resin), 폴리이미드계 수지(polyimides rein), 불포화 폴리에스테르계 수지(unsaturated polyesters resin), 폴리페닐렌계 수지(poly phenylenethers resin), 폴리페닐렌설파이드계 수지(poly phenylenesulfides resin), 및 벤조사이클로부텐(benzocyclobutene, BCB) 중 어느 하나일 수 있다. The planarization layer 220 may be an acrylic resin, an epoxy resin, a phenolic resin, a polyamide resin, a polyimide resin, or an unsaturated polyester resin. (unsaturated polyesters resin), poly phenylenethers (poly phenylenethers resin), poly phenylene sulfides (poly phenylenesulfides resin), and benzocyclobutene (benzocyclobutene, BCB) can be any one.

한편, 평탄화층(220)은 앞서 설명한 구동회로 또는 구동소자 상에도 형성될 수 있다. 이런 경우, 구동회로 또는 구동소자 상에 배치된 평탄화층은 제 1 평탄화층, 보조 전극(225) 및 중간층(227) 상에 배치된 평탄화층은 제 2 평탄화층이라고 할 수 있다. 즉, 제 1 평탄화층은 제 1 전극(230)과 연결되는 박막 트랜지스터(미도시)와 보조 전극(225) 및 중간층(227) 사이에 배치되고, 제 2 평탄화층은 보조 전극(225) 및 중간층(227)과 제 1 전극(230) 사이에 배치된다.The planarization layer 220 may also be formed on the driving circuit or the driving device described above. In this case, the planarization layer disposed on the driving circuit or the driving element may be referred to as a first planarization layer, the auxiliary electrode 225, and the planarization layer disposed on the intermediate layer 227. That is, the first planarization layer is disposed between the thin film transistor (not shown) connected to the first electrode 230, the auxiliary electrode 225, and the intermediate layer 227, and the second planarization layer is the auxiliary electrode 225 and the intermediate layer. It is disposed between 227 and the first electrode 230.

상기와 같이 평탄화층(220)이 이중으로 형성될 경우, 보조 전극(225)의 설계 자유도가 향상되고, 기생 정전용량의 생성이 저하될 수 있는 이점이 있다.When the planarization layer 220 is formed as described above, the degree of freedom in designing the auxiliary electrode 225 may be improved, and generation of parasitic capacitance may be reduced.

그 다음으로, 평탄화층(220) 상에 제 1 전극(230)이 배치된다. 제 1 전극(230)은 바람직하게 애노드 전극일 수 있다. 애노드 전극은 인듐(Indium), 주석(Tin), 아연(Zinc), 몰리브덴(Mo) 및 텅스텐(W) 중 어느 하나를 포함하는 전도성 산화물로 형성될 수 있는데, 예컨대, 인듐 주석 산화물(Indium Tin Oxide, ITO), 인듐 아연 산화물(Indium Zinc Oxide, IZO) 및 인듐 주석 아연 산화물(Indium Tin Zink Oxide, ITZO) 중 어느 하나일 수 있다.Next, the first electrode 230 is disposed on the planarization layer 220. The first electrode 230 may preferably be an anode electrode. The anode electrode may be formed of a conductive oxide including any one of indium, tin, zinc, molybdenum (Mo), and tungsten (W). For example, indium tin oxide , ITO), indium zinc oxide (IZO), and indium tin zinc oxide (ITZO).

제 1 전극(230)은 중간층(227)과 연결되어, 중간층(227)을 통해 박막 트랜지스터(미도시)와 연결된다. 제 1 전극(230)은 박막 트랜지스터(미도시)로부터 전류를 공급받아 유기 발광층(250)에 정공을 공급한다.The first electrode 230 is connected to the intermediate layer 227 and is connected to a thin film transistor (not shown) through the intermediate layer 227. The first electrode 230 receives a current from the thin film transistor (not shown) and supplies holes to the organic emission layer 250.

그 다음으로, 제 1 전극(230) 및 보조 전극(225) 상에 뱅크층(240)이 배치된다. 뱅크층(240)은 제 1 전극(230) 상부의 전면에 증착된 후 패터닝되며, 뱅크층(240)이 패터닝되어 제 1 전극(230) 및 보조 전극(225)을 노출하는 개구부가 형성된다. 상기 개구부는 보조 전극(225)을 노출시키기 위해 형성되므로, 상기 개구부와 대응되는 평탄화층(220)도 패터닝되어 상기 개구부가 연장될 수 있다. 상기 개구부에 의해 보조 전극(225)은 뱅크층(240) 외부로 노출될 수 있다.Next, the bank layer 240 is disposed on the first electrode 230 and the auxiliary electrode 225. The bank layer 240 is deposited on the entire surface of the first electrode 230 and then patterned. The bank layer 240 is patterned to form an opening exposing the first electrode 230 and the auxiliary electrode 225. Since the opening is formed to expose the auxiliary electrode 225, the planarization layer 220 corresponding to the opening may also be patterned to extend the opening. The auxiliary electrode 225 may be exposed to the outside of the bank layer 240 by the opening.

뱅크층(240)은 벤조사이클로부텐(benzocyclobutene; BCB)계 수지, 아크릴(acryl)계 수지 또는 폴리이미드(polyimide) 수지, 실리카 계열의 무기물 중 어느 하나를 포함할 수 있다.The bank layer 240 may include any one of a benzocyclobutene (BCB) -based resin, an acryl-based resin, a polyimide resin, and a silica-based inorganic material.

그 다음으로, 상기 개구부에 의해 노출된 제 1 전극(230) 및 보조 전극(225)상에 유기 발광층(250)이 배치된다. 유기 발광층(250)은 각 화소별로 독립적으로 형성될 수도 있지만, 이 경우 수율이 낮아 대량 양산이 어렵다. 따라서, 유기 발광층(250)은 기판(210) 상부의 전면에 형성될 수 있는데, 이 경우 유기 발광층(250)은 모든 화소에서 공통적으로 백색(white) 광이 방출되며, 컬러 필터(미도시) 등으로 각 화소별로 독립적인 색상 및 계조를 표현하게 된다.Next, the organic emission layer 250 is disposed on the first electrode 230 and the auxiliary electrode 225 exposed by the opening. The organic emission layer 250 may be formed independently for each pixel, but in this case, the yield is low and mass production is difficult. Accordingly, the organic emission layer 250 may be formed on the entire surface of the substrate 210. In this case, the organic emission layer 250 emits white light in common in all pixels, and color filters (not shown) may be used. Independent colors and gray levels are expressed for each pixel.

상기와 같이 유기 발광층(250)이 기판(210) 상부 전면에 형성되는 경우, 유기 발광층(250)이 빛을 발광하지 않는 뱅크층(240) 및 보조 전극(225) 상부를 덮도록 배치된다. 따라서, 제 2 전극(260)과 보조 전극(225)과의 전기적 연결을 위해 보조 전극(225) 상에 위치하는 유기 발광층(250) 내에 컨택홀(CH)이 형성될 수 있다.When the organic light emitting layer 250 is formed on the entire upper surface of the substrate 210 as described above, the organic light emitting layer 250 is disposed to cover the bank layer 240 and the auxiliary electrode 225 that do not emit light. Therefore, a contact hole CH may be formed in the organic emission layer 250 positioned on the auxiliary electrode 225 to electrically connect the second electrode 260 and the auxiliary electrode 225.

일반적으로, 유기 발광층(250)은 기존의 포토리소그래피(photolithography) 방식으로 패터닝할 경우 손상이 발생하기 때문에, 컨택홀(CH)은 이온빔을 이용하여 유기 발광층(250)이 식각되어 형성될 수 있다.In general, since the damage occurs when the organic light emitting layer 250 is patterned by conventional photolithography, the contact hole CH may be formed by etching the organic light emitting layer 250 using an ion beam.

그 다음으로, 유기 발광층(250) 상에 제 2 전극(260)이 배치된다. 제 2 전극(260)도 유기 발광층(250)과 마찬가지로 제 2 전극(260) 상부 전면에 배치되며, 특히 제 2 전극(260)은 컨택홀(CH)을 통해 보조 전극(225)과 연결될 수 있다.Next, the second electrode 260 is disposed on the organic emission layer 250. Like the organic light emitting layer 250, the second electrode 260 may be disposed on the entire upper surface of the second electrode 260. In particular, the second electrode 260 may be connected to the auxiliary electrode 225 through the contact hole CH. .

제 2 전극(260)은 바람직하게 캐소드 전극일 수 있다. 캐소드 전극은 은(Ag), 마그네슘(Mg), 칼슘(Ca), 알루미늄(Al), 리튬(Li), 네오디뮴(Nd) 중 어느 하나를 포함할 수 있으며, 예를 들어 LiF/Al, CsF/Al, Mg:Ag, Ca/Ag, Ca:Ag, LiF/Mg:Ag, LiF/Ca/Ag, LiF/Ca:Ag 중 어느 하나일 수 있다.The second electrode 260 may preferably be a cathode electrode. The cathode electrode may include any one of silver (Ag), magnesium (Mg), calcium (Ca), aluminum (Al), lithium (Li), and neodymium (Nd), for example, LiF / Al, CsF / Al, Mg: Ag, Ca / Ag, Ca: Ag, LiF / Mg: Ag, LiF / Ca / Ag, LiF / Ca: Ag.

상기와 같이 제 2 전극(260)이 보조 전극(225)과 연결되면서, 저저항 캐소드를 구현할 수 있으며, 특히 대면적 유기전계발광표시장치의 경우 화면의 중앙 영역의 휘도가 떨어지는 휘도 불균일 현상을 방지할 수 있다.As described above, as the second electrode 260 is connected to the auxiliary electrode 225, a low resistance cathode may be implemented. In particular, in the case of a large-area organic light emitting display device, a luminance non-uniformity phenomenon in which the luminance of the center area of the screen falls is prevented. can do.

제 2 전극(260) 상부에 캐핑층(capping layer), 보호층, 봉지층, 컬러필터층 및 편광판을 포함한 다양한 구성요소가 형성되어 유기전계발광표시장치를 형성할 수 있다.Various components including a capping layer, a protective layer, an encapsulation layer, a color filter layer, and a polarizer may be formed on the second electrode 260 to form an organic light emitting display device.

도 3은 본 발명의 다른 실시예에 따른 유기전계발광표시장치를 도시한 단면도이다.3 is a cross-sectional view illustrating an organic light emitting display device according to another exemplary embodiment of the present invention.

도 3에 도시된 바와 같이, 본 발명의 다른 실시예에 따른 유기전계발광표시장치은, 기판(210), 평탄화층(220), 제 1 보조 전극(225), 중간층(227), 제 1 전극(230), 제 2 보조 전극(235), 뱅크층(240), 유기 발광층(250) 및 제 2 전극(260)을 포함한다.As shown in FIG. 3, an organic light emitting display device according to another embodiment of the present invention includes a substrate 210, a planarization layer 220, a first auxiliary electrode 225, an intermediate layer 227, and a first electrode. 230, a second auxiliary electrode 235, a bank layer 240, an organic emission layer 250, and a second electrode 260.

도 2의 실시예에서와 동일한 부분은 설명을 생략하도록 한다.The same parts as in the embodiment of FIG. 2 will be omitted.

도 3에 도시된 실시예와 대비하여 본 실시예는 두 개의 보조 전극(225, 235)이 형성된다는 점에서 차이가 있다. 일례로 도 3에 도시된 바와 같이, 제 1 보조 전극(225)은 중간층(227)과 동일한 층 상에 서로 이격되어 배치될 수 있고, 제 2 보조 전극(235)은 제 1 전극(230)과 동일한 층 상에 서로 이격되어 배치될 수 있다.In contrast to the embodiment shown in FIG. 3, the present embodiment differs in that two auxiliary electrodes 225 and 235 are formed. For example, as illustrated in FIG. 3, the first auxiliary electrode 225 may be spaced apart from each other on the same layer as the intermediate layer 227, and the second auxiliary electrode 235 may be separated from the first electrode 230. It may be arranged spaced apart from each other on the same layer.

유기 발광층(250)에 컨택홀(CH)이 형성되는 것도 도 2의 실시예에서와 동일하며, 상기 컨택홀(CH)을 통해 제 2 보조 전극(235)이 제 2 전극(260)과 연결된다는 점이 도 2의 실시예와의 차이점이다.The contact hole CH is formed in the organic emission layer 250 as in the embodiment of FIG. 2, and the second auxiliary electrode 235 is connected to the second electrode 260 through the contact hole CH. This is a difference from the embodiment of FIG. 2.

우선, 기판(210) 상에 박막 트랜지스터(미도시)를 포함하는 구동회로(driving circuit) 또는 구동소자(driving element)가 형성될 수 있으며, 상기 박막 트랜지스터와 제 1 전극(230) 사이에 평탄화층(220)이 배치된다. 기판(210) 및 평탄화층(220) 사이에 추가 평탄화층(미도시)이 배치될 경우, 추가 평탄화층을 제 1 평탄화층이라고 하고 평탄화층(220)을 제 2 평탄화층이라고 한다면, 제 1 평탄화층 및 제 2 평탄화층이 박막 트랜지스터와 제 1 전극(230) 사이에 순차적으로 배치될 수 있다.First, a driving circuit or a driving element including a thin film transistor (not shown) may be formed on the substrate 210, and the planarization layer may be formed between the thin film transistor and the first electrode 230. 220 is disposed. When an additional planarization layer (not shown) is disposed between the substrate 210 and the planarization layer 220, the first planarization layer is referred to as a first planarization layer and the planarization layer 220 is referred to as a second planarization layer. The layer and the second planarization layer may be sequentially disposed between the thin film transistor and the first electrode 230.

따라서, 제 1 보조 전극(225) 및 중간층(227)은 제 1 평탄화층과 제 2 평탄화층 사이에 배치될 수 있다. 또한, 중간층(227)은 상기 박막 트랜지스터 상에 배치되어 상기 박막 트랜지스터와 연결되며, 제 1 전극(230) 및 제 2 보조 전극(235) 상에는 뱅크층(240)이 형성된다.Accordingly, the first auxiliary electrode 225 and the intermediate layer 227 may be disposed between the first planarization layer and the second planarization layer. In addition, the intermediate layer 227 is disposed on the thin film transistor to be connected to the thin film transistor, and a bank layer 240 is formed on the first electrode 230 and the second auxiliary electrode 235.

제 2 보조 전극(235)은 제 1 전극(230)과 동일층 상에 배치되고, 제 1 보조 전극(225)과 연결되며, 동시에 유기 발광층(250) 내에 형성된 컨택홀(CH)을 통해 제 2 전극(260)과 연결된다.The second auxiliary electrode 235 is disposed on the same layer as the first electrode 230, is connected to the first auxiliary electrode 225, and is simultaneously connected to the second auxiliary electrode 225 through the contact hole CH formed in the organic emission layer 250. It is connected to the electrode 260.

본 실시예에서는 두 개의 보조 전극(225, 235)을 구비하여, 제 2 전극(260)의 저항을 보다 더 낮출 수 있다. 더불어, 제 2 전극(260)과 바로 인접해 있는 제 2 보조 전극(235)이 제 2 전극(260)과 연결되어, 보다 안정적으로 제 2 보조 전극(235)과 제 2 전극(260) 간의 컨택이 구현될 수 있다.In this embodiment, two auxiliary electrodes 225 and 235 may be provided to lower the resistance of the second electrode 260. In addition, a second auxiliary electrode 235 immediately adjacent to the second electrode 260 is connected to the second electrode 260, so that the contact between the second auxiliary electrode 235 and the second electrode 260 more stably. This can be implemented.

도 4a ~ 4d는 본 발명의 일 실시예에 따른 유기전계발광표시장치의 제조방법을 도시한 단면도이다.4A through 4D are cross-sectional views illustrating a method of manufacturing an organic light emitting display device according to an embodiment of the present invention.

먼저 도 4a에 도시된 바와 같이, 기판(210) 상에 보조 전극(225) 및 중간층(227)을 형성한다. 보조 전극(225) 및 중간층(227)은 동일한 층 상에 동시에 형성될 수 있다. 보조 전극(225) 및 중간층(227)은 일반적인 배선과 동일한 물질로 형성될 수 있으며, 몰리브덴(Mo), 알루미늄(Al), 크롬(Cr), 금(Au), 티타늄(Ti), 니켈(Ni), 네오디뮴(Nd) 중 적어도 하나를 포함할 수 있다.First, as shown in FIG. 4A, the auxiliary electrode 225 and the intermediate layer 227 are formed on the substrate 210. The auxiliary electrode 225 and the intermediate layer 227 may be simultaneously formed on the same layer. The auxiliary electrode 225 and the intermediate layer 227 may be formed of the same material as a general wiring, and may include molybdenum (Mo), aluminum (Al), chromium (Cr), gold (Au), titanium (Ti), and nickel (Ni). ) And neodymium (Nd).

그 다음으로, 보조 전극(225) 및 중간층(227) 상에 평탄화층(220)이 형성된다. 평탄화층(220)은 스핀 코팅(spin coating) 방식, 슬릿 코팅(slit coating) 방식, 스크린 프린팅(screen printing) 방식이나 열증착(thermal deposition) 방식으로 형성될 수 있다.Next, the planarization layer 220 is formed on the auxiliary electrode 225 and the intermediate layer 227. The planarization layer 220 may be formed by a spin coating method, a slit coating method, a screen printing method, or a thermal deposition method.

한편, 기판(210) 상에는 박막 트랜지스터(미도시)를 포함하는 구동회로(driving circuit) 또는 구동소자(driving element)가 형성될 수 있으며, 그 상부에 추가 평탄화층(미도시)이 더 구비될 수 있다. 즉, 박막 트랜지스터 상에 추가 평탄화층이 배치되고, 상기 추가 평탄화층 상에 보조 전극(225) 및 중간층(227)이 배치될 수 있다. 중간층(227)은 박막 트랜지스터 추가 평탄화층을 제 1 평탄화층이라고 하고 평탄화층(220)을 제 2 평탄화층이라고 한다면, 제 1 평탄화층 및 제 2 평탄화층이 박막 트랜지스터와 제 1 전극(230) 사이에 순차적으로 배치될 수 있다.Meanwhile, a driving circuit or a driving element including a thin film transistor (not shown) may be formed on the substrate 210, and an additional planarization layer (not shown) may be further provided thereon. have. That is, an additional planarization layer may be disposed on the thin film transistor, and an auxiliary electrode 225 and an intermediate layer 227 may be disposed on the additional planarization layer. If the intermediate layer 227 is referred to as the first planarization layer and the planarization layer 220 is referred to as the second planarization layer, the first planarization layer and the second planarization layer may be formed between the thin film transistor and the first electrode 230. Can be arranged sequentially.

그 다음으로, 중간층(227)이 노출되도록 평탄화층(220)을 패터닝한 후, 상기 노출된 중간층(227)과 연결되도록 제 1 전극(230)을 형성한다. 제 1 전극(230)은 바람직하게 애노드 전극일 수 있다. 애노드 전극은 인듐(Indium), 주석(Tin), 아연(Zinc), 몰리브덴(Mo) 및 텅스텐(W) 중 어느 하나를 포함하는 전도성 산화물로 형성될 수 있다.Next, the planarization layer 220 is patterned to expose the intermediate layer 227, and then the first electrode 230 is formed to be connected to the exposed intermediate layer 227. The first electrode 230 may preferably be an anode electrode. The anode electrode may be formed of a conductive oxide including any one of indium, tin, zinc, molybdenum, and tungsten.

다음으로, 도 4b에 도시된 바와 같이, 뱅크층(240)을 형성하고 패터닝하여 제 1 전극(230)을 노출시키는 개구부를 형성한다. 또한, 개구부는 보조 전극(225)과 대응되는 영역에도 형성되며, 보조 전극(225)이 노출되도록, 개구부는 평탄화층(220)까지 연장되어 형성된다. 즉, 보조 전극(225)과 대응되는 영역의 뱅크층(240)을 패터닝한 후, 노출된 평탄화층(220)을 연속으로 패터닝하여 개구부가 평탄화층(220)까지 연장 형성될 수 있도록 한다.Next, as shown in FIG. 4B, an opening for exposing the first electrode 230 is formed by forming and patterning the bank layer 240. In addition, the opening is formed in a region corresponding to the auxiliary electrode 225, and the opening is extended to the planarization layer 220 so that the auxiliary electrode 225 is exposed. That is, after the bank layer 240 of the region corresponding to the auxiliary electrode 225 is patterned, the exposed planarization layer 220 is successively patterned so that the opening can extend to the planarization layer 220.

그 다음으로, 제 1 전극(230), 뱅크층(240) 및 보조 전극(225) 상에 유기 발광층(250)을 형성한다.Next, the organic emission layer 250 is formed on the first electrode 230, the bank layer 240, and the auxiliary electrode 225.

다음으로, 도 4c에 도시된 바와 같이, 보조 전극(225)과 대응되는 유기 발광층(250)과 마스크(M)의 오픈 영역을 일치시켜 얼라인시킨 후, 오픈 영역을 통해 이온빔(ion beam)을 조사한다. 상기 이온빔이 조사된 유기 발광층(250)은 이온빔에 의해 식각(etching)되어, 유기 발광층(250) 내부에 컨택홀(CH)이 형성된다.Next, as shown in FIG. 4C, the organic emission layer 250 corresponding to the auxiliary electrode 225 and the open area of the mask M are aligned to align, and then an ion beam is formed through the open area. Investigate. The organic light emitting layer 250 irradiated with the ion beam is etched by the ion beam to form a contact hole CH in the organic light emitting layer 250.

상기와 같이 이온빔을 이용하게 되면, 진공압력 10-4 torr 이하의 고진공 유지가 가능하여 컨택홀(CH) 형성 공정의 신뢰성이 향상될 수 있다. 또한, 일반 스퍼터링 방식의 경우 공정 중 생성되는 플라즈마(plasma)에 의해 유기 발광층(250)의 표면에 변화가 발생할 수 있으나, 이온빔을 방식을 사용하는 경우, 기판(210)이 이온빔 외부에 존재하여 유기 발광층(250)의 표면 변화를 방지할 수 있다.When the ion beam is used as described above, high vacuum can be maintained at a vacuum pressure of 10 -4 torr or lower, thereby improving the reliability of the contact hole forming process. In addition, in the case of the general sputtering method, a change may occur on the surface of the organic light emitting layer 250 due to plasma generated during the process. However, in the case of using the ion beam method, the substrate 210 is present outside the ion beam and is organic. The surface change of the light emitting layer 250 can be prevented.

다음으로, 도 4d에 도시된 바와 같이, 제 2 전극(260)을 유기 발광층(250) 상에 형성한다. 유기 발광층(250)에는 이온빔에 의해 컨택홀(CH)이 형성되어 있으므로, 제 2 전극(260)은 유기 발광층(250) 상에 증착되면서 자연스럽게 컨택홀(CH)을 통해 보조 전극(225)과 컨택하게 된다.Next, as shown in FIG. 4D, the second electrode 260 is formed on the organic emission layer 250. Since the contact hole CH is formed in the organic light emitting layer 250 by the ion beam, the second electrode 260 is deposited on the organic light emitting layer 250 and naturally contacts the auxiliary electrode 225 through the contact hole CH. Done.

도 5a ~ 5d는 본 발명의 다른 실시예에 따른 유기전계발광표시장치의 제조방법 도시한 단면도이다.5A through 5D are cross-sectional views illustrating a method of manufacturing an organic light emitting display device according to another exemplary embodiment of the present invention.

먼저, 도 5a에 도시된 바와 같이, 기판(210) 상에 제 1 보조 전극(225) 및 중간층(227)을 형성한 후, 평탄화층(220)을 형성한다. 제 1 보조 전극(225) 및 중간층(227)은 동일한 층 상에 동시에 형성될 수 있다. 그리고, 평탄화층(220)을 패터닝하여 제 1 보조 전극(225) 및 중간층(227)의 일부를 노출시킨 후, 평탄화층(220) 상에 제 1 전극(230) 및 제 2 보조 전극(235)을 형성한다. 제 1 전극(230)은 노출된 중간층(227)과 연결되도록 형성되며, 제 2 보조 전극(235)는 노출된 제 1 보조 전극(225)과 연결되도록 형성된다. 제 1 전극(230) 및 제 2 보조 전극(235)도 동일한 층 상에 동시에 형성될 수 있다.First, as shown in FIG. 5A, the first auxiliary electrode 225 and the intermediate layer 227 are formed on the substrate 210, and then the planarization layer 220 is formed. The first auxiliary electrode 225 and the intermediate layer 227 may be simultaneously formed on the same layer. After patterning the planarization layer 220 to expose a portion of the first auxiliary electrode 225 and the intermediate layer 227, the first electrode 230 and the second auxiliary electrode 235 are formed on the planarization layer 220. To form. The first electrode 230 is formed to be connected to the exposed intermediate layer 227, and the second auxiliary electrode 235 is formed to be connected to the exposed first auxiliary electrode 225. The first electrode 230 and the second auxiliary electrode 235 may also be simultaneously formed on the same layer.

다음으로, 도 5b에 도시된 바와 같이, 평탄화층(220), 제 1 전극(230) 및 제 2 보조 전극(235) 상에 뱅크층(240)을 형성하고 패터닝하여 제 1 전극(230) 및 제 2 보조 전극(235)를 노출시키는 개구부를 형성한다. 그 상부에, 유기 발광층(250)을 형성한다. 즉, 유기 발광층(250)은 상기 개구부에 의해 노출된 제 1 전극(230) 및 상기 개구부에 의해 노출된 제 2 보조 전극(235) 상에 형성되며, 뱅크층(240) 상부에도 형성된다.Next, as illustrated in FIG. 5B, the bank layer 240 is formed and patterned on the planarization layer 220, the first electrode 230, and the second auxiliary electrode 235 to form the first electrode 230 and An opening for exposing the second auxiliary electrode 235 is formed. The organic light emitting layer 250 is formed thereon. That is, the organic emission layer 250 is formed on the first electrode 230 exposed by the opening and the second auxiliary electrode 235 exposed by the opening, and is also formed on the bank layer 240.

다음으로, 도 5c에 도시된 바와 같이, 제 2 보조 전극(235)과 대응되는 유기 발광층(250)과 마스크(M)의 오픈 영역을 일치시켜 얼라인시킨 후, 오픈 영역을 통해 이온빔(ion beam)을 조사한다. 상기 이온빔이 조사된 유기 발광층(250)은 이온빔에 의해 식각(etching)되어, 유기 발광층(250) 내부에는 컨택홀(CH)이 형성된다.Next, as shown in FIG. 5C, the organic light emitting layer 250 corresponding to the second auxiliary electrode 235 and the open area of the mask M are aligned with each other, and then ion beams are formed through the open area. ). The organic light emitting layer 250 irradiated with the ion beam is etched by the ion beam, and a contact hole CH is formed in the organic light emitting layer 250.

다음으로, 도 5d에 도시된 바와 같이, 유기 발광층(250) 상에 제 2 전극(260)을 형성한다. 제 2 전극(260)이 증착되면서, 유기 발광층(250) 내부에 형성된 컨택홀(CH)을 통해, 제 2 전극(260)이 제 2 보조 전극(235)와 자연스럽게 연결될 수 있다.Next, as shown in FIG. 5D, the second electrode 260 is formed on the organic emission layer 250. As the second electrode 260 is deposited, the second electrode 260 may be naturally connected to the second auxiliary electrode 235 through the contact hole CH formed in the organic emission layer 250.

본 발명이 속하는 기술분야의 당업자는 상술한 본 발명이 그 기술적 사상이나 필수적 특징을 변경하지 않고서 다른 구체적인 형태로 실시될 수 있다는 것을 이해할 수 있을 것이다.Those skilled in the art to which the present invention pertains will understand that the above-described present invention can be implemented in other specific forms without changing the technical spirit or essential features.

그러므로, 이상에서 기술한 실시예들은 모든 면에서 예시적인 것이며 한정적인 것이 아닌 것으로 이해해야만 한다. 본 발명의 범위는 상기 상세한 설명보다는 후술하는 특허청구범위에 의하여 나타내어지며, 특허청구범위의 의미 및 범위 그리고 그 등가 개념으로부터 도출되는 모든 변경 또는 변형된 형태가 본 발명의 범위에 포함되는 것으로 해석되어야 한다.Therefore, it is to be understood that the embodiments described above are exemplary in all respects and not restrictive. The scope of the present invention is shown by the following claims rather than the detailed description, and all changes or modifications derived from the meaning and scope of the claims and their equivalent concepts should be construed as being included in the scope of the present invention. do.

210: 기판 220: 평탄화층
225: 보조 전극 227: 중간층
230: 제 1 전극 240: 뱅크층
250: 유기 발광층 260: 제 2 전극
CH: 컨택홀
210: substrate 220: planarization layer
225: auxiliary electrode 227: intermediate layer
230: first electrode 240: bank layer
250: organic light emitting layer 260: second electrode
CH: contact hole

Claims (18)

기판;
상기 기판 상에 배치된 박막 트랜지스터;
상기 박막 트랜지스터 상에 배치된 제1 평탄화층;
상기 제1 평탄화층 상에 배치되며, 상기 박막 트랜지스터와 연결된 중간층;
상기 중간층과 동일층 상에 배치되며, 상기 중간층과 이격된 보조 전극;
상기 중간층과 상기 보조 전극 상에 배치된 제2 평탄화층;
상기 제2 평탄화층 상에 배치되며, 상기 중간층에 의해 상기 박막 트랜지스터와 연결되는 제 1 전극;
상기 제 1 전극 및 상기 보조 전극 상에 배치되며, 상기 제 1 전극 및 상기 보조 전극을 노출하는 개구부를 포함하는 뱅크층;
상기 개구부에 의해 노출된 상기 제 1 전극 및 상기 보조 전극 상에 배치되는 유기 발광층; 및
상기 유기 발광층 상에 배치된 제 2 전극;을 포함하고,
상기 보조 전극 상에 위치한 상기 유기 발광층 내에 컨택홀이 배치되고, 상기 컨택홀을 통해 상기 제 2 전극이 상기 보조 전극과 연결되는 것을 특징으로 하는 유기전계발광표시장치.
Board;
A thin film transistor disposed on the substrate;
A first planarization layer disposed on the thin film transistor;
An intermediate layer disposed on the first planarization layer and connected to the thin film transistor;
An auxiliary electrode disposed on the same layer as the intermediate layer and spaced apart from the intermediate layer;
A second planarization layer disposed on the intermediate layer and the auxiliary electrode;
A first electrode disposed on the second planarization layer and connected to the thin film transistor by the intermediate layer;
A bank layer disposed on the first electrode and the auxiliary electrode, the bank layer including an opening exposing the first electrode and the auxiliary electrode;
An organic light emitting layer disposed on the first electrode and the auxiliary electrode exposed by the opening; And
And a second electrode disposed on the organic emission layer.
And a contact hole in the organic light emitting layer on the auxiliary electrode, wherein the second electrode is connected to the auxiliary electrode through the contact hole.
제 1 항에 있어서,
상기 중간층과 상기 보조 전극은 동일한 물질인 것을 특징으로 하는 유기전계발광표시장치.
The method of claim 1,
The intermediate layer and the auxiliary electrode is an organic light emitting display device, characterized in that the same material.
제 1 항에 있어서,
상기 개구부는 상기 제2 평탄화층까지 연장되어 상기 보조 전극을 노출하는 것을 특징으로 하는 유기전계발광표시장치.
The method of claim 1,
And the opening extends to the second planarization layer to expose the auxiliary electrode.
삭제delete 기판;
상기 기판 상에 배치된 박막 트랜지스터;
상기 박막 트랜지스터 상에 배치된 제1 평탄화층;
상기 제1 평탄화층 상에 배치되며, 상기 박막 트랜지스터와 연결된 중간층;
상기 중간층과 동일층 상에 배치되며, 상기 중간층과 이격된 제 1 보조 전극;
상기 중간층 및 상기 제1 보조 전극 상에 배치된 제2 평탄화층;
상기 제2 평탄화층 상에 배치되며, 상기 중간층과 연결되는 제 1 전극;
상기 제 1 전극과 동일층 상에 형성되며, 상기 제 1 보조 전극과 연결되는 제 2 보조 전극;
상기 제 1 전극의 및 상기 제 2 보조 전극 상에 배치되며, 상기 제 1 전극 및 상기 제 2 보조 전극을 노출하는 개구부를 포함하는 뱅크층;
상기 개구부에 의해 노출된 상기 제 1 전극 및 상기 제 2 보조 전극 상에 배치되는 유기 발광층; 및
상기 유기 발광층 상에 배치된 제 2 전극;을 포함하고,
상기 제 2 보조 전극 상에 위치한 상기 유기 발광층 내에 컨택홀이 배치되고, 상기 컨택홀을 통해 상기 제 2 전극이 상기 제 2 보조 전극과 연결되는 것을 특징으로 하는 유기전계발광표시장치.
Board;
A thin film transistor disposed on the substrate;
A first planarization layer disposed on the thin film transistor;
An intermediate layer disposed on the first planarization layer and connected to the thin film transistor;
A first auxiliary electrode disposed on the same layer as the intermediate layer and spaced apart from the intermediate layer;
A second planarization layer disposed on the intermediate layer and the first auxiliary electrode;
A first electrode disposed on the second planarization layer and connected to the intermediate layer;
A second auxiliary electrode formed on the same layer as the first electrode and connected to the first auxiliary electrode;
A bank layer disposed on the first electrode and on the second auxiliary electrode, the bank layer including an opening exposing the first electrode and the second auxiliary electrode;
An organic emission layer disposed on the first electrode and the second auxiliary electrode exposed by the opening; And
And a second electrode disposed on the organic emission layer.
And a contact hole disposed in the organic light emitting layer on the second auxiliary electrode, wherein the second electrode is connected to the second auxiliary electrode through the contact hole.
제 5 항에 있어서,
상기 중간층과 상기 제 1 보조 전극은 동일한 물질인 것을 특징으로 하는 유기전계발광표시장치.
The method of claim 5,
And the intermediate layer and the first auxiliary electrode are made of the same material.
제 5 항에 있어서,
상기 제 1 전극과 상기 제 2 보조 전극은 동일한 물질인 것을 특징으로 하는 유기전계발광표시장치.
The method of claim 5,
And the first electrode and the second auxiliary electrode are made of the same material.
삭제delete 기판 상에 박막 트랜지스터를 형성하는 단계;
상기 박막 트랜지스터 상에 상기 박막 트랜지스터와 연결되도록 중간층을 형성하는 단계;
상기 중간층과 동일층 상에 상기 중간층과 이격되도록 보조 전극을 형성하는 단계;
상기 중간층 상에 상기 중간층과 연결되도록 제 1 전극을 형성하는 단계;
상기 제 1 전극의 및 상기 보조 전극 상에 뱅크층을 형성하는 단계;
상기 뱅크층을 패터닝하여 상기 제 1 전극 및 상기 보조 전극을 노출하는 개구부를 형성하는 단계;
상기 개구부에 의해 노출된 상기 제 1 전극 및 상기 보조 전극 상에 유기 발광층을 형성하는 단계;
상기 보조 전극 상에 위치한 상기 유기 발광층의 일부가 이온 빔에 의해 식각되어, 상기 유기 발광층 내에 컨택홀을 형성하는 단계; 및
상기 유기 발광층 상에 제 2 전극을 형성하는 단계;를 포함하고,
상기 제 2 전극은 상기 컨택홀을 통해 상기 보조 전극과 연결되는 것을 특징으로 하는 유기전계발광표시장치의 제조방법.
Forming a thin film transistor on the substrate;
Forming an intermediate layer on the thin film transistor to be connected to the thin film transistor;
Forming an auxiliary electrode on the same layer as the intermediate layer to be spaced apart from the intermediate layer;
Forming a first electrode on the intermediate layer to be connected to the intermediate layer;
Forming a bank layer on the first electrode and on the auxiliary electrode;
Patterning the bank layer to form an opening exposing the first electrode and the auxiliary electrode;
Forming an organic emission layer on the first electrode and the auxiliary electrode exposed by the opening;
A portion of the organic light emitting layer on the auxiliary electrode is etched by an ion beam to form a contact hole in the organic light emitting layer; And
Forming a second electrode on the organic light emitting layer;
And the second electrode is connected to the auxiliary electrode through the contact hole.
삭제delete 제 9 항에 있어서,
상기 중간층과 상기 보조 전극은 동시에 형성되는 것을 특징으로 하는 유기전계발광표시장치의 제조방법.
The method of claim 9,
The intermediate layer and the auxiliary electrode is a manufacturing method of an organic light emitting display device, characterized in that formed at the same time.
제 9 항에 있어서,
상기 중간층과 상기 제 1 전극 사이에 평탄화막을 형성하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 유기전계발광표시장치의 제조방법.
The method of claim 9,
And forming a planarization film between the intermediate layer and the first electrode.
제 9 항에 있어서,
상기 박막 트랜지스터와 상기 제 1 전극 사이에 순차적으로 제 1 평탄화막 및 제 2 평탄화막을 형성하는 단계를 더 포함하고,
상기 중간층 및 상기 보조 전극은 상기 제 2 평탄화막이 형성되기 전에 상기 제 1 평탄화막 상에 형성되는 것을 특징으로 하는 유기전계발광표시장치의 제조방법.
The method of claim 9,
Sequentially forming a first planarization film and a second planarization film between the thin film transistor and the first electrode,
The intermediate layer and the auxiliary electrode are formed on the first planarization layer before the second planarization layer is formed.
기판 상에 박막 트랜지스터를 형성하는 단계;
상기 박막 트랜지스터 상에 상기 박막 트랜지스터와 연결되도록 중간층을 형성하는 단계;
상기 중간층과 동일층 상에 상기 중간층과 이격되도록 제 1 보조 전극을 형성하는 단계;
상기 중간층 상에 상기 중간층과 연결되도록 제 1 전극을 형성하는 단계;
상기 제 1 전극과 동일층 상에 상기 제 1 보조 전극과 연결되도록 제 2 보조 전극을 형성하는 단계;
상기 제 1 전극의 및 상기 제 2 보조 전극 상에 뱅크층을 형성하는 단계;
상기 뱅크층을 패터닝하여 상기 제 1 전극 및 상기 제 2 보조 전극을 노출하는 개구부를 형성하는 단계;
상기 개구부에 의해 노출된 상기 제 1 전극 및 상기 제 2 보조 전극 상에 유기 발광층을 형성하는 단계;
상기 제 2 보조 전극 상에 위치한 상기 유기 발광층의 일부가 이온 빔에 의해 식각되어, 상기 유기 발광층 내에 컨택홀을 형성하는 단계; 및
상기 유기 발광층 상에 제 2 전극을 형성하는 단계;를 포함하고,
상기 제 2 전극은 상기 컨택홀을 통해 상기 제 2 보조 전극과 연결되는 것을 특징으로 하는 유기전계발광표시장치의 제조방법.
Forming a thin film transistor on the substrate;
Forming an intermediate layer on the thin film transistor to be connected to the thin film transistor;
Forming a first auxiliary electrode on the same layer as the intermediate layer to be spaced apart from the intermediate layer;
Forming a first electrode on the intermediate layer to be connected to the intermediate layer;
Forming a second auxiliary electrode on the same layer as the first electrode so as to be connected to the first auxiliary electrode;
Forming a bank layer on the first electrode and on the second auxiliary electrode;
Patterning the bank layer to form openings exposing the first electrode and the second auxiliary electrode;
Forming an organic emission layer on the first electrode and the second auxiliary electrode exposed by the opening;
A portion of the organic light emitting layer on the second auxiliary electrode is etched by an ion beam to form a contact hole in the organic light emitting layer; And
Forming a second electrode on the organic light emitting layer;
And the second electrode is connected to the second auxiliary electrode through the contact hole.
삭제delete 제 14 항에 있어서,
상기 중간층과 상기 제 1 보조 전극은 동시에 형성되는 것을 특징으로 하는 유기전계발광표시장치의 제조방법.
The method of claim 14,
The intermediate layer and the first auxiliary electrode are formed at the same time manufacturing method of the organic light emitting display device.
제 14 항에 있어서,
상기 제 1 전극과 상기 제 2 보조 전극은 동시에 형성되는 것을 특징으로 하는 유기전계발광표시장치의 제조방법.
The method of claim 14,
The first electrode and the second auxiliary electrode is a manufacturing method of the organic light emitting display device, characterized in that formed at the same time.
제 14 항에 있어서,
상기 박막 트랜지스터와 상기 제 1 전극 사이에 순차적으로 제 1 평탄화막 및 제 2 평탄화막을 형성하는 단계를 더 포함하고,
상기 중간층 및 상기 제 1 보조 전극은 상기 제 2 평탄화막이 형성되기 전에 상기 제 1 평탄화막 상에 형성되는 것을 특징으로 하는 유기전계발광표시장치의 제조방법.
The method of claim 14,
Sequentially forming a first planarization film and a second planarization film between the thin film transistor and the first electrode,
The intermediate layer and the first auxiliary electrode are formed on the first planarization layer before the second planarization layer is formed.
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