KR102024185B1 - Source matcher - Google Patents

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KR102024185B1
KR102024185B1 KR1020180003732A KR20180003732A KR102024185B1 KR 102024185 B1 KR102024185 B1 KR 102024185B1 KR 1020180003732 A KR1020180003732 A KR 1020180003732A KR 20180003732 A KR20180003732 A KR 20180003732A KR 102024185 B1 KR102024185 B1 KR 102024185B1
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정창석
임도식
박정익
황민주
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(주)이큐글로벌
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    • H03H7/00—Multiple-port networks comprising only passive electrical elements as network components
    • H03H7/38—Impedance-matching networks

Abstract

본 발명의 소스 매처는 챔버에 설치된 복수의 코일에 플라즈마 생성용 전력을 인가하는 RF 발진부; 상기 챔버, 상기 RF 발진부, 상기 코일 중 적어도 하나의 특성 임피던스(characteristic impedance)에 로드 임피던스(load impedance)를 맞추는 RF 매처부; 상기 RF 매처부의 출력 전력을 각 코일로 분배하는 스플리터부; 상기 RF 매처부 또는 상기 스플리터부의 정합 효율을 조정하는 조정부;를 포함할 수 있다.Source source of the present invention is an RF oscillator for applying a plasma generation power to a plurality of coils installed in the chamber; An RF matcher for matching a load impedance to at least one characteristic impedance of the chamber, the RF oscillator, and the coil; A splitter unit for distributing output power of the RF matcher unit to each coil; It may include; adjusting unit for adjusting the matching efficiency of the RF matcher or the splitter unit.

Description

소스 매처{SOURCE MATCHER}Source matcher {SOURCE MATCHER}

본 발명은 플라즈마 챔버의 임피던스 정합을 위한 소스 매처에 관한 것이다.The present invention relates to a source matcher for impedance matching of a plasma chamber.

기판(wafer 또는 glass)에 대한 식각 공정은 포토레지스트(photoresist 또는 PR) 층의 구멍을 통해 기판의 최상단층을 선택적으로 제거하는 공정으로서, 식각 방식에 따라 식각액을 이용하는 습식 식각(wet etch)과 가스를 이용하는 건식 식각(dry etch)으로 대별될 수 있다.The etching process for the substrate (wafer or glass) is a process of selectively removing the uppermost layer of the substrate through the hole of the photoresist or PR layer, and wet etching and gas using an etching solution according to the etching method. It can be roughly classified into a dry etch using.

건식 식각 방식 중 식각 수단으로서 플라즈마를 이용하는 경우에는 기판을 수용하는 챔버 내부에 가스를 주입하고, 높은 에너지의 고주파를 챔버에 인가함으로서 주입된 가스의 분자들을 고 에너지 준위로 여기시켜 플라즈마 상태로 형성시킨 후 기판 표면에 여기 된 이온입자들을 입사시켜 식각을 수행하게 된다.In the dry etching method, when plasma is used as an etching means, a gas is injected into a chamber containing a substrate, and high frequency high energy is applied to the chamber to excite molecules of the injected gas to a high energy level to form a plasma state. Thereafter, the excited ion particles are incident on the surface of the substrate to perform etching.

챔버 내에 플라즈마가 정상적으로 생성되도록 하고, 챔버 내에 생성된 플라즈마의 밀도 등을 정확하게 제어하기 위해 소스단과 부하단 간의 임피던스를 매칭시킬 필요가 있다.In order for the plasma to be normally generated in the chamber and to accurately control the density and the like of the plasma generated in the chamber, it is necessary to match the impedance between the source terminal and the load terminal.

한국등록특허공보 제0771336호에는 다중 구조의 접지 방법을 사용하여 접지 성능이 개선된 임피던스 정합 장치가 나타나 있다.Korean Patent Publication No. 0771336 discloses an impedance matching device having improved grounding performance by using a grounding method of multiple structures.

한국등록특허공보 제0771336호Korean Registered Patent Publication No. 0771336

본 발명은 챔버, RF 발진부, 코일 간의 임피던스 정합 효율이 개선된 소스 매처를 제공하기 위한 것이다.The present invention provides a source matcher having improved efficiency of impedance matching between a chamber, an RF oscillator, and a coil.

본 발명이 이루고자 하는 기술적 과제들은 이상에서 언급한 기술적 과제들로 제한되지 않으며, 언급되지 않은 또 다른 기술적 과제들은 아래의 기재로부터 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 명확하게 이해될 수 있을 것이다.Technical problems to be achieved by the present invention are not limited to the above-mentioned technical problems, and other technical problems not mentioned above will be clearly understood by those skilled in the art from the following description. Could be.

본 발명의 소스 매처는 챔버에 설치된 복수의 코일에 플라즈마 생성용 전력을 인가하는 RF 발진부; 상기 챔버, 상기 RF 발진부, 상기 코일 중 적어도 하나의 특성 임피던스(characteristic impedance)에 로드 임피던스(load impedance)를 맞추는 RF 매처부; 상기 RF 매처부의 출력 전력을 각 코일로 분배하는 스플리터부; 상기 RF 매처부 또는 상기 스플리터부의 정합 효율을 조정하는 조정부;를 포함할 수 있다.Source source of the present invention is an RF oscillator for applying a plasma generation power to a plurality of coils installed in the chamber; An RF matcher for matching a load impedance to at least one characteristic impedance of the chamber, the RF oscillator, and the coil; A splitter unit for distributing output power of the RF matcher unit to each coil; It may include; adjusting unit for adjusting the matching efficiency of the RF matcher or the splitter unit.

본 발명의 소스 매처는 RF 매처부 또는 스플리터부의 정합 효율을 조정하는 조정부를 통해 챔버, RF 발진부, 코일 간의 임피던스 정합 효율을 개선할 수 있다.The source matcher of the present invention can improve the impedance matching efficiency between the chamber, the RF oscillator, and the coil through an adjusting unit for adjusting the matching efficiency of the RF matcher or the splitter.

도 1은 본 발명의 소스 매처가 구비된 플라즈마 장치를 나타낸 개략도이다.
도 2는 본 발명이 RF 매처부를 나타낸 회로도이다.
도 3은 본 발명의 스플리터부를 나타낸 회로도이다.1 is a schematic diagram illustrating a plasma apparatus equipped with a source matcher of the present invention.
2 is a circuit diagram of an RF matcher according to the present invention.
3 is a circuit diagram showing a splitter portion of the present invention.

이하, 첨부된 도면들을 참조하여 본 발명에 따른 실시예를 상세히 설명한다. 이 과정에서 도면에 도시된 구성요소의 크기나 형상 등은 설명의 명료성과 편의상 과장되게 도시될 수 있다. 또한, 본 발명의 구성 및 작용을 고려하여 특별히 정의된 용어들은 사용자, 운용자의 의도 또는 관례에 따라 달라질 수 있다. 이러한 용어들에 대한 정의는 본 명세서 전반에 걸친 내용을 토대로 내려져야 한다.Hereinafter, exemplary embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings. In this process, the size or shape of the components shown in the drawings may be exaggerated for clarity and convenience of description. In addition, terms that are specifically defined in consideration of the configuration and operation of the present invention may vary depending on the intention or custom of the user or operator. Definitions of these terms should be made based on the contents throughout the specification.

도 1은 본 발명의 소스 매처가 구비된 플라즈마 장치를 나타낸 개략도이다.1 is a schematic diagram illustrating a plasma apparatus equipped with a source matcher of the present invention.

도 1의 플라즈마 장치는 플라즈마를 이용해서 기판, 웨이퍼 등의 가공물(10)을 가공(증착, 식각, 세척)할 수 있다.The plasma apparatus of FIG. 1 can process (deposit, etch, clean) a workpiece 10 such as a substrate, a wafer, or the like by using plasma.

소스 매처는 RF 발진부(110), RF 매처부(130), 스플리터부(150), 조정부(170)를 포함할 수 있다.The source matcher may include an RF oscillator 110, an RF matcher 130, a splitter 150, and an adjuster 170.

RF 발진부(110)는 챔버(30)에 설치된 복수의 코일(50)에 플라즈마 생성용 전력을 인가할 수 있다.The RF oscillator 110 may apply power for plasma generation to the plurality of coils 50 installed in the chamber 30.

챔버(30) 내부에는 플라즈마에 의해 가공(증착, 식각, 세척)되는 가공물(10)이 수용될 수 있다. 일 예로, 플라즈마 생성용 전력이 인가된 코일(50)에 의해 챔버(30) 내부에는 유도 결합 플라즈마(Inductive coupling Plasma, ICP)가 형성될 수 있다.In the chamber 30, a workpiece 10 processed (deposited, etched, washed) by plasma may be accommodated. For example, an inductive coupling plasma (ICP) may be formed in the chamber 30 by the coil 50 to which the plasma generation power is applied.

챔버(30)에는 가공물(10)이 수용되는 수용 공간이 마련되며, 해당 수용 공간은 플라즈마 공정시 외부로부터 폐쇄될 수 있다.The chamber 30 is provided with an accommodation space in which the workpiece 10 is accommodated, and the accommodation space may be closed from the outside during the plasma process.

아르곤(Ar) 가스와 같이 플라즈마를 활성화시키는데 적당한 반응 가스가 가스 채널 또는 가스판을 통하여 챔버(30) 내에 공급될 수 있다.A reactive gas suitable for activating the plasma, such as argon (Ar) gas, may be supplied into the chamber 30 through a gas channel or gas plate.

챔버(30)의 수용 공간에 연결된 펌프(PUMP)에 의해 챔버(30) 내부는 진공 상태가 될 수 있다.The interior of the chamber 30 may be in a vacuum state by a pump connected to the accommodation space of the chamber 30.

챔버(30)의 상부는 덮개(31)로 덮여 밀봉될 수 있으며, 덮개(31)와 챔버(30)의 사이에는 오링이 개재될 수 있다. 덮개(31)는 석영 유리판을 포함하는 것이 바람직하며, 덮개(31)는 안테나 유니트와 챔버(30)의 수용 공간의 사이에 위치할 수 있다.The upper portion of the chamber 30 may be covered with a lid 31 and sealed, and an O-ring may be interposed between the lid 31 and the chamber 30. The cover 31 preferably includes a quartz glass plate, and the cover 31 may be located between the antenna unit and the accommodation space of the chamber 30.

도시되지 않은 실시예로서 코일(50)은 챔버(30)의 내부 공간에 배치될 수도 있다.In an embodiment not shown, the coil 50 may be disposed in the interior space of the chamber 30.

챔버(30)의 수용 공간에는 가공물(10)을 지지하기 위해 척 유니트(90)가 마련될 수 있다.A chuck unit 90 may be provided in the accommodation space of the chamber 30 to support the workpiece 10.

척 유니트(90)는 챔버(30) 내에 마련되는 것으로, 챔버(30)에 수납된 가공물(10)을 지지할 수 있다. 척 유니트(90)에 지지된 가공 대상물이 플라즈마 처리되도록 척 유니트(90)는 코일(50)에 대면하게 설치되는 것이 좋다. 일 예로, 코일(50)이 챔버(30)의 상부에 마련될 때, 척 유니트(90)는 챔버(30)의 하부에 마련될 수 있다. 코일(50)과 함께 챔버(30)의 수용 공간에 플라즈마 분위기를 형성하기 위해 척 유니트(90)는 정전 척(electrostatic chuck)을 포함할 수 있다.The chuck unit 90 is provided in the chamber 30, and may support the workpiece 10 accommodated in the chamber 30. The chuck unit 90 may be disposed to face the coil 50 so that the object to be processed supported by the chuck unit 90 is plasma treated. For example, when the coil 50 is provided above the chamber 30, the chuck unit 90 may be provided below the chamber 30. The chuck unit 90 may include an electrostatic chuck to form a plasma atmosphere in the receiving space of the chamber 30 together with the coil 50.

코일(50)은 RF 발진부(110)에 의해 플라즈마 생성용 전력이 인가되면 챔버(30)에 전자기장을 인가할 수 있다. 코일(50)에 의해 인가된 전자기장은 챔버(30) 내부에 플라즈마를 여기시킬 수 있다. 코일(50)은 챔버(30)에 대해 고정되거나 움직일 수 있다.The coil 50 may apply an electromagnetic field to the chamber 30 when the plasma generation power is applied by the RF oscillator 110. The electromagnetic field applied by the coil 50 may excite the plasma inside the chamber 30. Coil 50 may be fixed or movable relative to chamber 30.

평면상으로 챔버(30)내 수용 공간의 각 영역에 존재하는 플라즈마의 밀도 등을 조절하기 위해 코일(50)은 복수로 마련될 수 있다. 각 코일(50)은 서로 다른 위치에 배치될 수 있다.The coil 50 may be provided in plurality in order to adjust the density of plasma and the like present in each area of the accommodation space in the chamber 30 on a plane. Each coil 50 may be disposed at different positions.

RF 매처부(130)는 챔버(30), RF 발진부(110), 코일(50) 중 적어도 하나의 특성 임피던스(characteristic impedance)에 로드 임피던스(load impedance)를 맞출 수 있다.The RF matcher 130 may match a load impedance to at least one characteristic impedance of the chamber 30, the RF oscillator 110, and the coil 50.

일 예로, RF 매처부(130)는 RF 발진부(110)에 연결되는 공통 케이블(109)의 특성 임피던스(characteristic impedance)에 로드 임피던스(load impedance)를 맞출 수 있다.For example, the RF matcher 130 may match a load impedance to a characteristic impedance of the common cable 109 connected to the RF oscillator 110.

척 유니트(90)에는 RF 바이어스 전원을 인가하기 위한 바이어스 발진기, 바이어스 발진기에 연결되는 케이블의 특성 임피던스에 로드 임피던스를 맞추기 위한 바이어스 매처가 연결될 수 있다. 본 명세서에서 RF 매처부(130)는 코일(50)에 연결되는 것을 주로 설명하고 있으나, 바이어스 매처를 포함할 수도 있다.The chuck unit 90 may be connected to a bias oscillator for applying RF bias power and a bias matcher for matching the load impedance to a characteristic impedance of a cable connected to the bias oscillator. In this specification, the RF matcher 130 is mainly described to be connected to the coil 50, but may include a bias matcher.

본 발명의 플라즈마 장치는 척 유니트(90)에 가공물(10)이 안착된 상태에서 척 유니트(90)에 전력을 공급할 수 있다. 전력이 공급되면 가공물(10)은 정전력에 의해 척 유니트(90)에 고정될 수 있다.The plasma apparatus of the present invention may supply power to the chuck unit 90 in a state where the workpiece 10 is seated on the chuck unit 90. When power is supplied, the workpiece 10 may be fixed to the chuck unit 90 by electrostatic power.

척 유니트(90)에 가공물(10)이 고정되면 챔버(30) 상부의 가스 분사부를 통해 챔버(30) 내부로 소스 가스를 분사하고, 척 유니트(90)에는 바이어스 전력이 인가되며, 코일(50)에는 소스 전력이 인가될 수 있다. 식각 공정의 경우, 바이어스 전력 및 소스 전력에 해당하는 플라즈마 생성용 전력의 인가에 의해, 챔버(30) 내부에 강력한 산화력을 갖는 플라즈마가 형성될 수 있다. 이때, 플라즈마 중의 양이온들이 가공물(10)의 표면에 입사 및 충돌되어 가공물(10)이 식각될 수 있다.When the workpiece 10 is fixed to the chuck unit 90, the source gas is injected into the chamber 30 through the gas injection unit above the chamber 30, and the bias power is applied to the chuck unit 90, and the coil 50 is applied to the chuck unit 90. ) May be applied with source power. In the etching process, a plasma having a strong oxidizing power may be formed inside the chamber 30 by applying the plasma generation power corresponding to the bias power and the source power. At this time, the cations in the plasma may be incident and collided with the surface of the workpiece 10 to etch the workpiece 10.

RF 매처부(130)는 RF 발진부(110)에 미리 세팅되어진 특정 임피던스를 맞추기 위한 것으로, 인덕터(L) 및 가변 커패시터(C)를 포함할 수 있다.The RF matcher 130 is to match a specific impedance preset to the RF oscillator 110 and may include an inductor L and a variable capacitor C.

RF 발진부(110)로부터 플라즈마 생성용 전력이 RF 매처부(130)로 입력되면, VI 센서(710)의 전류 검출단과 전압 검출단에서 감지된 상대적인 위상 차이가 전압차로 변화되어 조정부(170)에 전달될 수 있다.When the plasma generation power is input from the RF oscillator 110 to the RF matcher 130, the relative phase difference sensed by the current detector and the voltage detector of the VI sensor 710 is changed into a voltage difference and transferred to the controller 170. Can be.

조정부(170)는 전달된 전압치에 따라 RF 매처부(130)의 가변 커패시터의 임피던스가 특정한 값, 예를 들어 50Ω에 맞추어지도록 구동 모터(730)를 구동시켜 챔버(30) 내에서 플라즈마에 의한 각종 처리 공정이 적절하게 수행되도록 할 수 있다.The adjusting unit 170 drives the driving motor 730 so that the impedance of the variable capacitor of the RF matcher 130 is adjusted to a specific value, for example, 50Ω, according to the transmitted voltage value. Various treatment processes can be performed properly.

RF 매처부(130)의 가변 커패시터의 조절량 및 초기 설정값(pre-setting), RF 발진부(110)에서 발진되는 신호 등은 피엠씨(process module controller)로 통칭되는 컴퓨터에 전달되어 외부에서 모니터링될 수 있다.The adjustment amount and initial setting of the variable capacitor of the RF matcher 130 and the signal generated from the RF oscillator 110 may be transmitted to a computer collectively referred to as a process module controller and monitored externally. have.

RF 매처부(130)를 구성하는 각 소자 및 각 회로 간에 발생되는 잔류 편차(offset)와, 고주파 신호에서 발생되는 하모닉스(harmonics)에 의한 노이즈(noise), 그리고 플라즈마에 의해 기판이 식각되는 과정 중에 발생되는 미세한 임피던스 변화 등과 같은 내부적인 요인으로 VI 센서(710)가 무 감대(dead zone)에 빠져 반응하지 못하는 경우가 발생될 수 있다.During the process of etching the substrate by the residual offset generated between each element constituting the RF matcher 130 and each circuit, noise caused by harmonics generated from a high frequency signal, and plasma Due to internal factors such as a slight change in impedance generated, the VI sensor 710 may fall into a dead zone and fail to respond.

VI 센서(710)의 무 감대 현상은 가변 커패시터들이 특정한 임피던스를 가질 수 있도록 RF 매처부(130)가 모터 구동신호를 발진시키지 못하는 결과를 초래하므로, 전체 시스템이 불안정하게 되는 중요한 원인으로 작용할 수 있다.The dead band phenomenon of the VI sensor 710 may cause the entire capacitor to become unstable since the RF matcher 130 may not oscillate the motor driving signal so that the variable capacitors may have a specific impedance. .

VI 센서(710)의 무 감대 현상을 초래하는 잔류 편차, 노이즈, 플라즈마 공정 중 발생하는 미세 임피던스 변화를 줄이기 위해 본 발명의 소스 매처는 RF 매처부(130)뿐만 아니라 스플리터부(150)와 조정부(170)를 추가로 이용할 수 있다.In order to reduce residual deviations, noise, and micro impedance changes generated during plasma processing, which cause no-banding of the VI sensor 710, the source matcher of the present invention is not only the RF matcher 130, but also the splitter 150 and the adjuster ( 170) may be additionally used.

스플리터부(150)는 RF 매처부(130)의 출력 전력을 각 코일(50)로 분배할 수 있다. 이때, 스플리터부(150)에는 임피던스가 조절되는 가변 커패시터가 마련될 수 있다. 가변 커패시터가 마련된 스플리터부(150)는 RF 매처부(130)와 유사하게 임피던스 정합에 관여할 수 있다.The splitter unit 150 may distribute the output power of the RF matcher unit 130 to each coil 50. In this case, the splitter unit 150 may be provided with a variable capacitor whose impedance is adjusted. The splitter unit 150 provided with the variable capacitor may be involved in impedance matching similarly to the RF matcher unit 130.

스플리터부(150)는 RF 매처부(130)와 대비하여 코일측 말단에 위치하는 요소이므로, 챔버(30) 내의 미세 임피던스 변화, RF 매처부(130)의 각 소자로 인해 발생된 잔류 편차, 노이즈를 신속 정확하게 줄일 수 있다.Since the splitter 150 is an element located at the end of the coil side in comparison with the RF matcher 130, the micro impedance change in the chamber 30, the residual deviation generated by each element of the RF matcher 130, and the noise Can be reduced quickly and accurately.

조정부(170)는 RF 매처부(130) 또는 스플리터부(150)의 정합 효율을 조정할 수 있다.The adjuster 170 may adjust the matching efficiency of the RF matcher 130 or the splitter 150.

조정부(170)는 RF 매처부(130)의 가변 커패시터 또는 스플리터부(150)의 가변 커패시터를 조절함으로써, 챔버(30), RF 발진부(110), 코일(50) 간의 임피던스를 정합시키는 동시에 임피던스 정합 효율을 조정할 수 있다.The adjusting unit 170 adjusts the variable capacitor of the RF matcher 130 or the variable capacitor of the splitter 150 to match impedance between the chamber 30, the RF oscillator 110, and the coil 50, and simultaneously to match impedance. The efficiency can be adjusted.

본 발명에 따르면, RF 매처부(130)뿐만 아니라 스플리터부(150)에서도 임피던스 조절이 가능하므로, 임피던스 정합 효율이 정밀하게 조절될 수 있다.According to the present invention, since the impedance control is possible in the splitter unit 150 as well as the RF matcher unit 130, the impedance matching efficiency can be precisely adjusted.

도 2는 본 발명이 RF 매처부(130)를 나타낸 회로도이다.2 is a circuit diagram illustrating an RF matcher 130 according to the present invention.

챔버(30) 내에 가공물(10)을 가공하는 플라즈마가 정상적으로 생성되도록, RF 발진부(110)는 고주파 발진부(111) 및 저주파 발진부(113)를 포함할 수 있다.The RF oscillator 110 may include a high frequency oscillator 111 and a low frequency oscillator 113 so that a plasma for processing the workpiece 10 in the chamber 30 is normally generated.

고주파 발진부(111)는 10~17Mhz의 고주파 전력을 생성할 수 있다.The high frequency oscillator 111 may generate high frequency power of 10 to 17 MHz.

저주파 발진부(113)는 200~600KHz의 저주파 전력을 생성할 수 있다. 이때, 저주파 전력은 고주파 전력과 함께 코일(50)에 인가되는 플라즈마 생성용 전력에 해당될 수 있다.The low frequency oscillator 113 may generate low frequency power of 200 to 600 KHz. In this case, the low frequency power may correspond to the plasma generation power applied to the coil 50 together with the high frequency power.

고주파 발진부(111)와 저주파 발진부(113)에 대응하여, RF 매처부(130)는 고주파 매처부(131) 및 저주파 매처부(133)를 포함할 수 있다.In response to the high frequency oscillator 111 and the low frequency oscillator 113, the RF matcher 130 may include a high frequency matcher 131 and a low frequency matcher 133.

고주파 매처부(131)는 고주파 발진부(111)의 출력단에 연결되고, 고주파 전력에 대한 임피던스 정합을 수행할 수 있다. 고주파 매처부(131)는 10~17Mhz의 고주파 전력을 출력할 수 있다.The high frequency matcher 131 may be connected to an output terminal of the high frequency oscillator 111 and perform impedance matching with respect to high frequency power. The high frequency matcher 131 may output high frequency power of 10 to 17 MHz.

저주파 매처부(133)는 저주파 발진부(113)의 출력단에 연결되고, 저주파 전력에 대한 임피던스 정합을 수행할 수 있다. 저주파 매처부(133)는 200~600KHz의 저주파 전력을 출력할 수 있다.The low frequency matcher 133 may be connected to an output terminal of the low frequency oscillator 113 and perform impedance matching with respect to low frequency power. The low frequency matcher 133 may output low frequency power of 200 to 600 KHz.

고주파 전력과 저주파 전력이 함께 코일(50)에 인가되도록, 고주파 매처부(131)의 출력단과 저주파 매처부(133)의 출력단은 전기적으로 연결될 수 있다.The output terminal of the high frequency matcher 131 and the output terminal of the low frequency matcher 133 may be electrically connected so that the high frequency power and the low frequency power are applied to the coil 50 together.

고주파 매처부(131)의 출력단, 저주파 매처부(133)의 출력단, 스플리터부(150)의 입력단은 동일한 공통 케이블에 연결될 수 있다.The output terminal of the high frequency matcher 131, the output terminal of the low frequency matcher 133, and the input terminal of the splitter 150 may be connected to the same common cable.

고주파 매처부(131)로부터 출력된 고주파 전력과 저주파 매처부(133)로부터 출력된 저주파 전력이 중첩된 RF 전력이 공통 케이블(109)을 통해 스플리터부(150)로 입력될 수 있다.RF power in which the high frequency power output from the high frequency matcher 131 and the low frequency power output from the low frequency matcher 133 overlap each other may be input to the splitter unit 150 through the common cable 109.

고주파 매처부(131)에는 고주파 발진부(111)에 직렬 연결되는 제1 고주파 커패시터 C1, 제1 고주파 커패시터 C1에 병렬 연결되는 고주파 인덕터 L1, 고주파 인덕터 L1에 직렬 연결되는 제2 고주파 커패시터 C2가 마련될 수 있다.The high frequency matcher 131 may include a first high frequency capacitor C1 connected in series to the high frequency oscillator 111, a high frequency inductor L1 connected in parallel to the first high frequency capacitor C1, and a second high frequency capacitor C2 connected in series to the high frequency inductor L1. Can be.

저주파 매처부(133)에는 저주파 발진부(113)에 직렬 연결되는 제1 저주파 커패시터 C3, 제1 저주파 커패시터 C3에 병렬 연결되는 저주파 인덕터 L2, 저주파 인덕터 L2에 직렬 연결되는 제2 저주파 커패시터 C4가 마련될 수 있다.The low frequency matcher 133 is provided with a first low frequency capacitor C3 connected in series to the low frequency oscillator 113, a low frequency inductor L2 connected in parallel to the first low frequency capacitor C3, and a second low frequency capacitor C4 connected in series with the low frequency inductor L2. Can be.

RF 매처부(130)에 마련된 각 커패시터, 예를 들어 제1 고주파 커패시터 C1, 제2 고주파 커패시터 C2, 제1 저주파 커패시터 C3, 제2 저주파 커패시터 C4는 가변 커패시터를 포함할 수 있다. 조정부(170)는 각 가변 커패시터를 조절하여 임피던스를 정합할 수 있다.Each capacitor provided in the RF matcher 130, for example, the first high frequency capacitor C1, the second high frequency capacitor C2, the first low frequency capacitor C3, and the second low frequency capacitor C4 may include a variable capacitor. The adjusting unit 170 may adjust impedance of each variable capacitor to match impedance.

도 3은 본 발명의 스플리터부(150)를 나타낸 회로도이다.3 is a circuit diagram illustrating a splitter unit 150 of the present invention.

정합 효율을 조정하기 위해 조정부(170)에는 VI 센서(710)가 마련될 수 있다.In order to adjust the matching efficiency, the adjusting unit 170 may be provided with a VI sensor 710.

플라즈마 장치에는 코일(50)이 m개(여기서, m은 2 이상의 자연수이다) 마련될 수 있다. 일 예로, 도면에는 m=6, 즉 제1 코일(51), 제2 코일(52), 제3 코일(53), 제4 코일(54), 제5 코일(55), 제6 코일(56) 총 6개의 코일이 마련된다.The plasma apparatus may be provided with m coils (where m is a natural number of 2 or more). For example, in the drawing, m = 6, that is, the first coil 51, the second coil 52, the third coil 53, the fourth coil 54, the fifth coil 55, and the sixth coil 56. 6 total coils are provided.

코일(50)의 개수에 맞춰 VI 센서(710) 역시 m개 마련될 수 있다. 일 예로, 도면에는 제1 VI 센서(711), 제2 VI 센서(712), 제3 VI 센서(713), 제4 VI 센서(714), 제5 VI 센서(715), 제6 VI 센서(716)가 마련된다.M VI sensors 710 may also be provided according to the number of coils 50. For example, in the drawing, the first VI sensor 711, the second VI sensor 712, the third VI sensor 713, the fourth VI sensor 714, the fifth VI sensor 715, and the sixth VI sensor ( 716).

스플리터부(150)는 m개의 스플리터를 포함할 수 있다. 일 예로, 도면에는 제1 스플리터(151), 제2 스플리터(152), 제3 스플리터(153), 제4 스플리터(154), 제5 스플리터(155), 제6 스필리터가 마련된다.The splitter unit 150 may include m splitters. For example, a first splitter 151, a second splitter 152, a third splitter 153, a fourth splitter 154, a fifth splitter 155, and a sixth splitter are provided in the drawing.

제n 스플리터의 출력단에 제n 코일이 연결될 수 있다(여기서, 1≤n≤m이고, n은 자연수이다),An n th coil may be connected to an output terminal of the n th splitter (where 1 ≦ n ≦ m and n is a natural number).

일 예로, 제1 스플리터(151)의 출력단에 제1 코일(51)이 연결될 수 있다.For example, the first coil 51 may be connected to an output terminal of the first splitter 151.

제2 스플리터(152)의 출력단에 제2 코일(52)이 연결될 수 있다.The second coil 52 may be connected to the output terminal of the second splitter 152.

제3 스플리터(153)의 출력단에 제3 코일(53)이 연결될 수 있다.The third coil 53 may be connected to an output terminal of the third splitter 153.

제4 스플리터(154)의 출력단에 제4 코일(54)이 연결될 수 있다.The fourth coil 54 may be connected to an output terminal of the fourth splitter 154.

제5 스플리터(155)의 출력단에 제5 코일(55)이 연결될 수 있다.The fifth coil 55 may be connected to an output terminal of the fifth splitter 155.

제6 스플리터(156)의 출력단에 제6 코일(56)이 연결될 수 있다.The sixth coil 56 may be connected to an output terminal of the sixth splitter 156.

제n VI 센서는 제n 스플리터의 출력단의 전력을 감지할 수 있다. 또는, 제n VI 센서는 제n 스플리터의 출력단에 전기적으로 연결된 전류 검출단과 전압 검출단에서 감지된 상대적인 위상 차이를 감지할 수 있다.The n-th VI sensor may detect power of an output terminal of the n-th splitter. Alternatively, the n-th VI sensor may detect a relative phase difference sensed by the current and voltage detection terminals electrically connected to the output terminal of the n-th splitter.

일 예로, 제1 VI 센서(711)는 제1 스플리터(151)의 출력단의 전력을 감지하거나, 상대적인 위상 차이를 감지할 수 있다.For example, the first VI sensor 711 may detect power of the output terminal of the first splitter 151 or detect a relative phase difference.

제2 VI 센서(712)는 제2 스플리터(152)의 출력단의 전력을 감지하거나, 상대적인 위상 차이를 감지할 수 있다.The second VI sensor 712 may detect power of an output terminal of the second splitter 152 or detect a relative phase difference.

제3 VI 센서(713)는 제3 스플리터(153)의 출력단의 전력을 감지하거나, 상대적인 위상 차이를 감지할 수 있다.The third VI sensor 713 may detect power of the output terminal of the third splitter 153 or detect a relative phase difference.

제4 VI 센서(714)는 제4 스플리터(154)의 출력단의 전력을 감지하거나, 상대적인 위상 차이를 감지할 수 있다.The fourth VI sensor 714 may detect power of the output terminal of the fourth splitter 154 or detect a relative phase difference.

제5 VI 센서(715)는 제5 스플리터(155)의 출력단의 전력을 감지하거나, 상대적인 위상 차이를 감지할 수 있다.The fifth VI sensor 715 may detect power of an output terminal of the fifth splitter 155 or detect a relative phase difference.

제6 VI 센서(716)는 제6 스플리터(156)의 출력단의 전력을 감지하거나, 상대적인 위상 차이를 감지할 수 있다.The sixth VI sensor 716 may detect power of the output terminal of the sixth splitter 156 or detect a relative phase difference.

m개의 스플리터의 입력단에는 공통 케이블이 각각 연결될 수 있다.Common cables may be connected to the input terminals of the m splitters, respectively.

각 코일마다 스플리터 및 VI 센서가 각각 형성되므로, 조정부(170)는 각 코일에 대한 임피던스 정합을 개별적으로 수행할 수 있다.Since splitters and VI sensors are formed for each coil, the adjusting unit 170 may individually perform impedance matching for each coil.

각 스플리터에는 공통 케이블(109)에 직렬로 연결된 제1 분기 커패시터 C5 및 분기 인덕터 L3, 제1 분기 커패시터 C5 또는 분기 인덕터 L3에 병렬로 연결된 제2 분기 커패시터 C6가 마련될 수 있다. 이때, 제2 분기 커패시터 C6는 조정부(170)에 의해 조절되는 가변 커패시터를 포함할 수 있다.Each splitter may be provided with a first branch capacitor C5 and a branch inductor L3 connected in series with the common cable 109, and a second branch capacitor C6 connected in parallel with the first branch capacitor C5 or the branch inductor L3. In this case, the second branch capacitor C6 may include a variable capacitor controlled by the adjusting unit 170.

조정부(170)는 VI 센서의 감지 결과에 따라 RF 매처부(130)의 임피던스 및 스플리터부(150)의 임피던스를 조절할 수 있다. 구체적으로, 조정부(170)는 RF 매처부(130)에 마련된 가변 커패시터 및 스플리터부(150)에 마련된 가변 커패시터를 조절할 수 있다.The adjusting unit 170 may adjust the impedance of the RF matcher 130 and the impedance of the splitter 150 according to the detection result of the VI sensor. In detail, the adjusting unit 170 may adjust the variable capacitor provided in the RF matcher 130 and the variable capacitor provided in the splitter unit 150.

RF 매처부(130) 및 스플리터부(150)에는 핸들을 회전시켜 정전 용량(capacitance values)을 변경할 수 있는 가변 커패시터, 예를 들어 제1 고주파 커패시터 C1, 제2 고주파 커패시터 C2, 제1 저주파 커패시터 C3, 제2 저주파 커패시터 C4, 제2 분기 커패티서 C6가 마련될 수 있다.In the RF matcher 130 and the splitter 150, a variable capacitor capable of changing a capacitance value by rotating a handle, for example, a first high frequency capacitor C1, a second high frequency capacitor C2, and a first low frequency capacitor C3. The second low frequency capacitor C4 and the second branch capacitor C6 may be provided.

조정부(170)는 VI 센서의 감지 결과에 따라 핸들을 회전시키는 구동 모터(730)를 포함할 수 있다. 조정부(170)는 VI 센서의 감지 결과를 토대로 산출된 회전수만큼 핸들을 회전시켜 가변 커패시터의 임피던스를 변화시킬 수 있다. 이때, 구동 모터(730) M은 각 가변 커패시터마다 마련될 수 있다.The adjusting unit 170 may include a driving motor 730 for rotating the handle according to the sensing result of the VI sensor. The adjusting unit 170 may change the impedance of the variable capacitor by rotating the handle by the number of revolutions calculated based on the sensing result of the VI sensor. In this case, the driving motor 730 M may be provided for each variable capacitor.

조정부(170)는 RF 매처부의 가변 커패시터를 조절함으로써, 시스템 전체에 대한 임피던스 정합을 수행하거나, 스플리터부의 가변 커패시터를 조절함으로써 각 코일에 대한 임피던스 정합을 독립적으로 수행할 수 있다.The adjusting unit 170 may perform impedance matching for the entire system by adjusting the variable capacitor of the RF matcher unit, or independently perform impedance matching for each coil by adjusting the variable capacitor of the splitter unit.

조정부(170)는 릴레이(750)를 포함할 수 있다. 이때, 릴레이(750)는 각 스플리터마다 설치될 수 있다. 구체적으로 릴레이(750)는 각 스플리터의 최종단에 설치될 수 있다.The adjusting unit 170 may include a relay 750. In this case, the relay 750 may be installed for each splitter. In more detail, the relay 750 may be installed at the last end of each splitter.

릴레이(750)는 VI 센서의 감지 결과에 따라 각 스플리터와 각 코일 간의 전기적 연결을 온오프(on-off)시킬 수 있다. 릴레이(750)가 온되면, 각 스플리터와 각 코일은 전기적으로 연결되고, 릴레이(750)가 오프되면, 각 스플리터와 각 코일은 전기적으로 단절될 수 있다.The relay 750 may turn on and off an electrical connection between each splitter and each coil according to a sensing result of the VI sensor. When the relay 750 is on, each splitter and each coil are electrically connected, and when the relay 750 is off, each splitter and each coil may be electrically disconnected.

릴레이(750)가 오프되면 코일측의 로드 임피던스가 무한대로 증가되며, 무한대로 증가된 로드 임피던스를 이용해 잔류 편차, 노이즈 제거가 이루어질 수 있다.When the relay 750 is off, the load impedance of the coil side is increased to infinity, and residual deviation and noise may be removed by using the load impedance that is increased to infinity.

릴레이(750)가 온된 경우 잔류 편차, 노이즈는 시간의 경과에 따라 다시 발생될 가능성이 높으므로, 릴레이(750)는 조정부(170)에 의해 주기적으로 온오프될 수 있다.When the relay 750 is turned on, the residual deviation and noise are likely to be generated again with time, and thus the relay 750 may be periodically turned off by the adjusting unit 170.

또한, 릴레이(750)로 인해 VI 센서의 오프셋 값의 설정이 쉬워지며, 비상 상황시 코일의 동작이 강제적으로 중단될 수 있다.In addition, the relay 750 facilitates setting of the offset value of the VI sensor, and the operation of the coil may be forcibly stopped in an emergency situation.

각종 잔류 편차, 노이즈 등을 줄이기 위해, RF 전력이 공통 케이블을 통하여 복수의 스플리터가 마련된 스플리터부(150)의 중심으로 인입될 수 있다. 이때, 각 스플리터는 스플리터부(150)의 중심을 기준으로 등각도로 배치될 수 있다.In order to reduce various residual deviations and noise, RF power may be introduced into the center of the splitter unit 150 in which a plurality of splitters are provided through a common cable. In this case, each splitter may be disposed at an isometric angle with respect to the center of the splitter unit 150.

스플리터부(150)에는 스플리터를 지지하는 판 형상의 몸체가 마련될 수 있다. 일 예로, 6개의 스플리터가 마련된 경우, 각 스플리터는 60도의 간격으로 동일 평면상, 예를 들어 xy평면 상에 배치되게 몸체에 설치될 수 있다.The splitter unit 150 may be provided with a plate-shaped body supporting the splitter. For example, when six splitters are provided, each splitter may be installed on the body to be disposed on the same plane, for example, on the xy plane, at an interval of 60 degrees.

몸체의 중심을 기준으로 등각도로 배치된 복수의 스플리터에 따르면, 서로 대면되는 스플리터 간에 발생되는 노이즈가 상쇄될 수 있다. 또한, 스플리터 측 임피던스의 불균형이 방지될 수 있다.According to the plurality of splitters disposed at an isometric angle with respect to the center of the body, noise generated between the splitters facing each other may be cancelled. In addition, an imbalance in the splitter side impedance can be prevented.

공통 케이블은 스플리터부(150)의 중심, 구체적으로 몸체의 중심에서 분기되어 각 스플리터에 연결될 수 있다.The common cable may be branched from the center of the splitter unit 150, specifically, the center of the body, and connected to each splitter.

각 스플리터, 각 스플리터에 마련된 가변 커패시터 C6 및 각 스플리터에 연결된 주변 회로(107)는 공통 케이블을 기준으로 축대칭으로 배열되고, 모두 등가 회로일 수 있다.Each splitter, the variable capacitor C6 provided in each splitter, and the peripheral circuit 107 connected to each splitter are arranged axially symmetrically based on a common cable, and all may be equivalent circuits.

공통 케이블의 단부는 복수의 스플리터가 배치된 가상의 평면(도면에서는 xy 평면)에 수직하게 스플리터부(150)에 입력될 수 있다. 가상의 평면에 수직하게 입력된 공통 케이블의 단부는 도 3과 같이 평면상 점으로 표시될 수 있다.An end of the common cable may be input to the splitter unit 150 perpendicular to an imaginary plane (xy plane in the drawing) in which the plurality of splitters are disposed. An end of the common cable input perpendicular to the imaginary plane may be represented by a plane point as shown in FIG. 3.

공통 케이블은 각 스플리터 사이의 중심으로부터 각 스플리터를 향해 연장되는 지선(108)을 통해 분기될 수 있다. 해당 지선은 곧바로 스플리터에 연결되거나 각종 주변 회로를 거친 후 스플리터에 연결될 수 있다.The common cable may branch through a branch line 108 extending from the center between each splitter toward each splitter. The branch line may be directly connected to the splitter or may be connected to the splitter after passing through various peripheral circuits.

이때, 각 지선의 길이, 각 지선의 위치, 각 주변 회로의 위치 등이 제멋대로 설정되면, 지선, 주변 회로에 의해 로드 임피던스가 틀어질 수 있다. 본 실시예에 따르면, 지선, 스플리터, 가변 커패시터, 주변 회로가 공통 케이블을 기준으로 축대칭으로 배열될 수 있다.At this time, if the length of each branch line, the position of each branch line, the position of each peripheral circuit, etc. is arbitrarily set, the load impedance may be changed by the branch line and the peripheral circuit. According to the present embodiment, branch lines, splitters, variable capacitors, and peripheral circuits may be arranged axially symmetrically with respect to a common cable.

이때, 각 스플리터는 모두 등가 회로일 수 있다. 각 지선은 모두 등가 회로일 수 있다. 각 가변 커패시터는 모두 등가 회로일 수 있다. 각 주변 회로는 모두 등가 회로일 수 있다. 이때, 등가 회로는 회로도 차원에서 뿐만 아니라, 지선의 길이 및 위치, 가변 커패시터의 위치 등의 기구적 차원에서도 모두 대칭적으로 동일한 것을 의미할 수 있다. 본 실시예에 따르면, 지선, 주변 회로로 인해 유발되는 노이즈를 상쇄시킬 수 있다.At this time, each splitter may be an equivalent circuit. Each branch line may be an equivalent circuit. Each variable capacitor may all be an equivalent circuit. Each peripheral circuit may be an equivalent circuit. In this case, the equivalent circuit may mean not only the circuit diagram but also symmetrical in terms of mechanical length such as the length and position of the branch line and the position of the variable capacitor. According to this embodiment, it is possible to cancel the noise caused by the branch line and the peripheral circuit.

이상에서 본 발명에 따른 실시예들이 설명되었으나, 이는 예시적인 것에 불과하며, 당해 분야에서 통상적 지식을 가진 자라면 이로부터 다양한 변형 및 균등한 범위의 실시예가 가능하다는 점을 이해할 것이다. 따라서, 본 발명의 진정한 기술적 보호 범위는 다음의 특허청구범위에 의해서 정해져야 할 것이다.Although embodiments according to the present invention have been described above, these are merely exemplary, and it will be understood by those skilled in the art that various modifications and equivalent embodiments of the present invention are possible therefrom. Therefore, the true technical protection scope of the present invention will be defined by the following claims.

10...가공물 30...챔버
31...덮개 50...코일
51...제1 코일 52...제2 코일
53...제3 코일 54...제4 코일
55...제5 코일 56...제6 코일
90...척 유니트 107...주변 회로
108...지선 109...공통 케이블
110...RF 발진부 111...고주파 발진부
113...저주파 발진부 130...RF 매처부
131...고주파 매처부 133...저주파 매처부
150...스플리터부 151...제1 스플리터
152...제2 스플리터 153...제3 스플리터
154...제4 스플리터 155...제5 스플리터
156...제6 스플리터 170...조정부
710...VI 센서 711...제1 VI 센서
712...제2 VI 센서 713...제3 VI 센서
714...제4 VI 센서 715...제5 VI 센서
716...제6 VI 센서 730...구동 모터
750...릴레이10 Workpieces 30 Chamber
31 ... cover 50 ... coil
51 ... first coil 52 ... second coil
53 ... third coil 54 ... fourth coil
55 ... Fifth Coil 56 ... Fifth Coil
90 Chuck unit 107 Peripheral circuit
108 ... branch cable 109 ... common cable
110 ... RF oscillator 111 ... High frequency oscillator
113 ... low frequency oscillator 130 ... RF matcher
131 High Frequency Matchers 133 Low Frequency Matchers
150 ... splitter section 151 ... 1st splitter
152 ... 2nd Splitter 153 ... 3rd Splitter
154 ... Fourth Splitter 155 ... Fourth Splitter
156 ... Sixth Splitter 170 ... Adjustment Section
710 ... VI sensor 711 ... first VI sensor
712 ... second VI sensor 713 ... third VI sensor
714 ... Fourth VI Sensors 715 ... Fifth VI Sensors
716 ... 6 VI sensor 730 ... drive motor
750 ... relay

Claims (8)

챔버에 설치된 복수의 코일에 플라즈마 생성용 전력을 인가하는 RF 발진부;
상기 챔버, 상기 RF 발진부, 상기 코일 중 적어도 하나의 특성 임피던스(characteristic impedance)에 로드 임피던스(load impedance)를 맞추는 RF 매처부;
상기 RF 매처부의 출력 전력을 각 코일로 분배하는 복수의 스플리터를 구비한 스플리터부;
상기 RF 매처부 또는 상기 스플리터부의 정합 효율을 조정하는 조정부;
를 포함하며,
상기 조정부는 VI 센서의 감지 결과에 따라 상기 RF 매처부의 임피던스 및 상기 스플리터부의 임피던스를 조절하고,
상기 RF 매처부 및 상기 스플리터부에는 핸들을 회전시켜 정전 용량(capacitance values)을 변경할 수 있는 가변 커패시터가 마련되고,
상기 조정부는 상기 VI 센서의 감지 결과에 따라 상기 핸들을 회전시키는 구동 모터를 포함하며,
상기 구동 모터는 각 가변 커패시터마다 마련되고,
상기 RF 전력이 공통 케이블을 통하여 복수의 상기 스플리터가 마련된 상기 스플리터부의 중심으로 인입되고,
상기 각 스플리터는 상기 스플리터부의 중심을 기준으로 등각도로 배치되며,
상기 공통 케이블은 상기 스플리터부의 중심에서 분기되어 각 스플리터에 연결되는 소스 매처.
An RF oscillator for applying plasma generation power to a plurality of coils installed in the chamber;
An RF matcher for matching a load impedance to at least one characteristic impedance of the chamber, the RF oscillator, and the coil;
A splitter unit having a plurality of splitters for distributing output power of the RF matcher unit to each coil;
An adjusting unit that adjusts the matching efficiency of the RF matcher unit or the splitter unit;
Including;
The adjusting unit adjusts the impedance of the RF matcher unit and the impedance of the splitter unit according to the detection result of the VI sensor,
The RF matcher and the splitter are provided with a variable capacitor capable of changing a capacitance value by rotating a handle.
The adjusting unit includes a drive motor for rotating the handle in accordance with the detection result of the VI sensor,
The drive motor is provided for each variable capacitor,
The RF power is introduced into a center of the splitter unit in which a plurality of splitters are provided through a common cable,
Each splitter is disposed at an isometric angle with respect to the center of the splitter portion,
The common cable branched from the center of the splitter portion and connected to each splitter.
제1항에 있어서,
상기 RF 발진부는 고주파 발진부 및 저주파 발진부를 포함하고,
상기 고주파 발진부는 10~17Mhz의 고주파 전력을 생성하며,
상기 저주파 발진부는 200~600KHz의 저주파 전력을 생성하고,
상기 RF 매처부는 고주파 매처부 및 저주파 매처부를 포함하며,
상기 고주파 매처부는 상기 고주파 발진부의 출력단에 연결되고, 10~17Mhz의 고주파 전력을 출력하고,
상기 저주파 매처부는 상기 저주파 발진부의 출력단에 연결되고, 200~600KHz의 저주파 전력을 출력하는 소스 매처.
The method of claim 1,
The RF oscillator includes a high frequency oscillator and a low frequency oscillator,
The high frequency oscillator generates a high frequency power of 10 ~ 17Mhz,
The low frequency oscillator generates a low frequency power of 200 ~ 600KHz,
The RF matcher includes a high frequency matcher and a low frequency matcher.
The high frequency matcher is connected to the output terminal of the high frequency oscillator, and outputs a high frequency power of 10 ~ 17Mhz,
The low frequency matcher is connected to the output terminal of the low frequency oscillator, a source matcher for outputting low frequency power of 200 ~ 600KHz.
제2항에 있어서,
상기 고주파 매처부의 출력단과 상기 저주파 매처부의 출력단은 전기적으로 연결되고,
상기 고주파 매처부의 출력단, 상기 저주파 매처부의 출력단, 상기 스플리터부의 입력단은 동일한 상기 공통 케이블에 연결되며,
상기 고주파 매처부로부터 출력된 고주파 전력과 상기 저주파 매처부로부터 출력된 저주파 전력이 중첩된 RF 전력이 상기 공통 케이블을 통해 상기 스플리터부로 입력되는 소스 매처.
The method of claim 2,
An output end of the high frequency catcher part and an output end of the low frequency catcher part are electrically connected;
The output terminal of the high frequency catcher unit, the output terminal of the low frequency catcher unit, and the input terminal of the splitter unit are connected to the same common cable.
And a high frequency power output from the high frequency matcher and a low frequency power output from the low frequency matcher to be input to the splitter through the common cable.
제3항에 있어서,
상기 조정부에는 상기 VI 센서가 마련되고,
상기 코일은 m개(여기서, m은 2 이상의 자연수이다) 마련되며,
상기 VI 센서는 m개 마련되고,
상기 스플리터부는 m개의 상기 스플리터를 포함하며,
제n 스플리터의 출력단에 제n 코일이 연결되고(여기서, 1≤n≤m이고, n은 자연수이다),
제n VI 센서는 제n 스플리터의 출력단의 전력을 감지하거나, 제n 스플리터의 출력단에 전기적으로 연결된 전류 검출단과 전압 검출단에서 감지된 상대적인 위상 차이를 감지하며,
m개의 상기 스플리터의 입력단에는 상기 공통 케이블이 각각 연결되는 소스 매처.
The method of claim 3,
The adjusting unit is provided with the VI sensor,
M coils (where m is a natural number of 2 or more),
M VI sensors are provided,
The splitter unit includes m splitters,
An n th coil is connected to an output terminal of the n th splitter (where 1 ≦ n ≦ m and n is a natural number),
The n-th VI sensor senses the power of the output terminal of the n-th splitter, or detects the relative phase difference detected by the current and voltage detection terminals electrically connected to the output terminal of the n-th splitter,
and a source matcher connected to the input terminals of the m splitters, respectively.
삭제delete 제4항에 있어서,
상기 조정부는 릴레이를 포함하고,
상기 릴레이는 상기 각 스플리터마다 설치되며, 상기 VI 센서의 감지 결과에 따라 상기 각 스플리터와 상기 각 코일 간의 전기적 연결을 온오프(on-off)시키는 소스 매처.
The method of claim 4, wherein
The adjusting unit includes a relay,
The relay is provided for each splitter, the source matcher to turn on and off the electrical connection between the respective splitter and each coil in accordance with the detection result of the VI sensor.
삭제delete 제1항에 있어서,
각 스플리터, 각 스플리터에 마련된 가변 커패시터 및 각 스플리터에 연결된 주변 회로는 상기 공통 케이블을 기준으로 축대칭으로 배열되고, 모두 등가 회로인 소스 매처.The method of claim 1,
A source matcher, each splitter, a variable capacitor provided in each splitter, and peripheral circuits connected to each splitter are arranged axially symmetrically with respect to the common cable and are all equivalent circuits.
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