KR102002639B1 - 유리 세라믹 소결 콤팩트 및 배선 보드 - Google Patents

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Abstract

[문제] 본 발명의 목적은, 소결 밀도에서의 어떠한 감소도 없이 고주파수 영역에서 유전 손실이 저감된 유리 세라믹 소결 콤팩트(glass ceramic sintered compact)를 제공하는 것과 또한 이 유리 세라믹 소결 콤팩트를 사용하는 배선 보드를 제공하는 것이다.
[해결책] 유리 성분, 세라믹 충전재 및 복합 산화물을 함유하는 유리 세라믹 소결 콤팩트로서, 이 유리 성분이 적어도 Mg, Ca 및 Si를 포함하는 다이옵사이드 산화물 결정 상이 증착되는 결정화 유리이고, 그리고 이 복합 산화물은 적어도 Al 및 Co를 포함하는 것을 특징으로 한다.

Description

유리 세라믹 소결 콤팩트 및 배선 보드
[0001]
본 발명은, 유리 세라믹 소결 콤팩트(glass ceramic sintered compact) 및 이를 사용하는 배선 보드에 관한 것이다. 더욱 구체적으로, 본 발명은, 다양한 유형들의 모듈 기판들 및 반도체 엘리먼트 하우징 패키지들 등에 사용되는 유리 세라믹 소결 콤팩트, 및 배선 보드에 관한 것이다.
[0002]
기판 재료(substrate material)로서 알루미나를 사용하는 알루미나 기판들, 및 유리 세라믹을 사용하는 저온-베이킹된 기판들 등은, 데이터 통신의 속도가 증가함에 따라 그리고 다양한 유형들의 전자 컴포넌트들이 장착되는 배선 보드들 및 LSI(large-scale integration)에서 소형화 및 신뢰성의 요건들을 고려하여 최근 몇년 동안 사용되어 왔다.
[0003]
알루미나 기판들은, 높은-강도 및 우수한 내열성과 같은 장점들을 가지므로, 대부분의 배선 보드들이 알루미나 기판들을 포함한다. 그러나, 한편으로, 알루미나 기판들은 높은 유전 상수를 갖고, 이에 따라 이들이 송신 신호들을 지연시키는 경향이 있어서 더 높은 주파수들을 다루는 관점에서 문제가 있다. 게다가, 알루미나 기판들은 1500℃ 또는 그 초과의 높은 온도에서 베이킹되어, 내부 층들의 배선에 대해 높은 녹는점(melting point)을 갖는 재료, 이를테면, W 또는 Mo를 사용할 필요가 있지만, 이러한 재료들은 높은 전기 저항을 가지며 이는 또한 배선이 더 미세해짐에 따라 전기 저항이 증가한다는 점에서 문제를 일으킨다.
[0004]
이와는 반대로, 유리 세라믹 재료를 사용하는 배선 보드들은, 알루미나 기판들보다 더 낮은 유전 상수를 갖고, 또한 이들이 낮은 녹는점을 갖는 낮은-저항 금속성 재료, 이를테면, Ag 또는 Ag-Pd가 내부 층들의 배선에 대해 활용되도록 허용한다는 점에서 유리하며, 이에 따라 점점 더 많이 사용된다.
[0005]
유리 세라믹 재료들은 세라믹 재료, 이를테면, 어그리게이트로 지칭되는 알루미나와 유리 재료를 혼합하고 그 혼합물을 베이킹함으로써 제조된다. 이러한 종류의 유리 세라믹 재료는 이것이 베이킹될 때 유리 재료 및 세라믹 재료의 조합으로 인해 상승 작용(synergistic action)을 생성하는데, 이는 결과 세라믹 기판의 특성들(유전 상수, 손실 특성들, 열 팽창 계수, 베이킹 온도, 횡방향 파열 강도 등)을 제어하는 것을 가능하게 만든다. 이는, 최적의 조합을 찾고 그리고 고정된 특성들이 항상 생성되도록 안정적인 구조 및 조성을 결정한다는 관점에서 기술적인 문제가 존재함을 의미한다.
[0006]
부수적으로, 고주파수 대역의 주파수들을 사용하는 디바이스들, 이를테면, 모바일 텔레폰들 및 무선 LAN들이 점점 더 많아지고 있으며, 환경적 관점에서 이러한 디바이스들의 에너지를 보존하기 위한 요구가 점점 더 커지고 있다. 이러한 이유로, 이러한 디바이스들에서 사용되는 전자 컴포넌트들은 더 낮은 손실을 가질 필요가 있으며, 마이크로파 및 밀리파 대역들에서 사용되는 전자 컴포넌트들에 대해 낮은 손실을 갖는 재료들에 대해 특별한 필요성이 존재한다.
[0007]
위에 언급된 유리 세라믹 재료들과 관련하여, 낮은 유전 상수 및 낮은 유전 손실의 특성들을 달성하는 관점에서 유리 재료로서 결정화 유리(crystallized glass)를 사용하는데 주의가 집중되고 있다. 이들 중에서, 낮은 유전 손실과 관련하여, CaMgSi2O6로 표현되는 다이옵사이드 결정 상(diopside crystal phase)을 포함하는 메인 상(main phase)을 갖는 결정화 유리 재료에 주의가 집중되고 있다.
[0008]
이러한 종류의 결정화 유리는, 특정 결정들이 베이킹 동안 증착되고 그리고 그 결정성(crystallinity)을 증가시킴으로써 유리 세라믹 재료의 유전 손실을 감소시키는 것이 가능한 재료이다. 따라서, 유리의 결정성을 증가시키는 것은 유리 세라믹 재료들에서 낮은 유전 손실을 달성하는데 있어서 중요한 인자이지만, 이는 유리의 결정성을 증가시키기 위해 많은 양의 열을 제공하기 위한 효과적인 수단을 필요로 한다.
[0009]
그러나, 프로세스 동안 에너지를 보존하는 관점에서, 가능한 한 가장 적은 양의 에너지, 즉, 가능한 한 가장 적은 양의 열을 사용하여 유리의 결정성을 증가시키는 것이 바람직하다. 게다가, Ag가 배선 보드 내에서 내부 컨덕터로서 사용되는 경우, 프로세스 동안(특히, 베이킹 동안) 유리 내부로의 확산을 제한한다는 관점에서 가능한 한 가장 적은 양의 열을 사용하여 처리를 수행할 수 있는 것이 바람직하다.
[0010]
게다가, 예컨대, 밀리파 대역에서의 사용이 증가하는 경우들과 함께, 오늘날 사용되는 주파수 대역들에 대해서는 더 높은 주파수들이 점점 더 많이 사용되고 있으며, 이 경우 제품 특성들의 변동들을 야기하는 재료들의 유전 특성들의 변화들로부터 더 큰 영향이 존재한다. 이에 비추어, 제조시 특성들의 변동들을 감소시키는 것이 또한 중요하다.
[0011]
이러한 문제들을 해결하기 위해, 유리 세라믹 배선 보드들에 메인 상으로서 다이옵사이드 결정 상을 포함하는 결정화 유리 재료를 사용함으로써, 그리고 이것을 다양한 재료들과 더 조합함으로써 감소된 유전 손실의 특성들을 달성하는 것이 제안되어 왔다.
[0012]
특허 문헌 1은, 40-90 질량%의 다이옵사이드 결정-증착된 결정화 유리; 6-60 질량%의 Al2O3; 및 산화물 당량으로 환산하여 0.1-5 질량%의 알칼리 토금속 산화물, 카보네이트들 및 히드록시드들 중에서 선택된 적어도 하나를 포함하는, 유전 손실이 감소된 유전체 자기를 제안한다. 그러나, 유전 손실을 감소시키는데 더 낮은 효과를 가질 뿐만 아니라 부가의 결과로서 소결 밀도의 저하를 갖는, 특허 문헌 1에 설명된 것들과 같은 산화물들을 부가하는 기법을 사용하는데 있어서 명백한 문제들이 존재한다.
[0013]
게다가, 특허 문헌 2는, 베이킹이 수행될 때 다이옵사이드(diopside), 코디에라이트(cordierite) 또는 포스터라이트(forsterite)가 메인 결정으로서 증착되도록 하는 특성들을 갖는 결정성 유리 조성물에 음이온 성분으로서 플루오린(F)의 0.1-3 mol%를 포함하는 것을 특징으로 하는, 높은 결정성을 갖는 배선-보드 유리 세라믹 조성을 제안한다. 그러나, 플루오린이 부가제로서 사용되기 때문에, 특허 문헌 2에 설명된 기술을 사용하여 폐기 및 제조 동안 환경 문제들이 존재한다.
[0014]
또한, 특허 문헌 3은, 후술하는 비율들로, 40-99 wt%의 다이옵사이드 결정 상이 증착될 수 있는 유리; 및 충전재로서 적어도 1-60 wt%의
Figure 112017117556401-pct00001
-Al2O3를 포함하는 것을 특징으로 하는, 고주파수 영역에서 낮은 유전 손실을 갖는 고주파수들에 대한 자기를 제안한다. 그러나, 특허 문헌 3에 설명된 γ-알루미나를 부가하는 기법은, 유전 손실을 저감시키는 효과와 관련하여 불충분하다. 따라서, 유전 손실을 저감시키기 위해 900℃를 초과하는 온도 영역에서 장시간 동안 열 처리를 수행할 필요가 있고, 이는 대량의 열을 요구한다.
[종래 기술 문헌들]
[특허 문헌들]
[0015]
[특허 문헌 1] JP 4325920 B2
[특허 문헌 2] JP 2010-52953 A
[특허 문헌 3] JP 3793559 B2
[0016]
본 발명은 이 상황을 고려하여 고안되었으며, 본 발명의 목적은 소결 밀도의 어떠한 저감도 없이 고주파수 영역에서 유전 손실이 저감되는 유리 세라믹 소결 콤팩트를 제공하고, 그리고 또한 이를 사용하는 배선 보드를 제공하는 것이다.
[0017]
위에 언급된 목적을 달성하기 위해 본 발명자들에 의해 컴파일링된 신속한 리서치의 결과로서, 상기 목적은, 미리결정된 다이옵사이드 산화물 결정 상이 증착되는 결정화 유리와 함께 특정 복합 산화물을 사용함으로써 달성될 수 있는 것으로 발견되었으며, 본 발명은 이러한 발견들에 기반하여 완성되었다.
[0018]
즉, 본 발명의 필수적인 요점들은 후술하는 바와 같다.
[1] 유리 성분, 세라믹 충전재 및 복합 산화물을 함유하는 유리 세라믹 소결 콤팩트(glass ceramic sintered compact)로서, 이 유리 성분은 적어도 Mg, Ca 및 Si를 포함하는 다이옵사이드 산화물 결정 상이 증착되는 결정화 유리이고; 복합 산화물은 적어도 Al 및 Co를 포함하는 것을 특징으로 한다.
[0019]
[2] 위의 [1]에 따른 유리 세라믹 소결 콤팩트로서, 복합 산화물은 Ti를 더 포함하는 것을 특징으로 한다.
[0020]
[3] 위의 [1] 및 [2]에 따른 유리 세라믹 소결 콤팩트로서, 상기 복합 산화물의 함량은 산화물 당량으로 환산하여 0.05-1.5 질량%인 것을 특징으로 한다.
[0021]
[4] 위의 [1] 내지 [3] 중 어느 하나에 따른 유리 세라믹 소결 콤팩트로서, 세라믹 충전재는 Al2O3인 것을 특징으로 한다.
[0022]
[5] 절연성 베이스 및 배선 컨덕터를 포함하는 배선 보드로서, 이 절연성 베이스는 위의 [1] 내지 [4] 중 어느 하나에 따른 유리 세라믹 소결 콤팩트를 포함하는 것을 특징으로 한다.
[0023]
본 발명은 고주파 영역에서 높은 소결 밀도 및 낮은 유전 손실을 갖는 유리 세라믹 소결 콤팩트, 및 또한 이를 사용하는 배선 보드를 획득할 수 있게 만든다.
[0024]
도 1은 본 발명에 따른 유리 세라믹 배선 보드의 개략적인 단면도이다.
도 2의 (S1) 내지 (S3)은 본 발명의 일 실시예의 모드에 따른 유리 세라믹 배선 보드를 제조하기 위한 방법에서의 흐름의 예를 도시하는 개략적인 단면도들이다.
도 3의 (S1) 내지 (S3)은 본 발명의 다른 실시예의 모드에 따른 유리 세라믹 배선 보드를 제조하기 위한 방법에서의 흐름의 예를 도시하는 개략적인 단면도들이다.
[0025]
본 발명에 따른 유리 세라믹 소결 콤팩트(glass ceramic sintered compact)는 유리 성분, 세라믹 충전재 및 복합 산화물을 함유하고, 유리 성분은 적어도 Mg, Ca 및 Si를 포함하는 다이옵사이드 산화물 결정 상이 증착되는 결정화 유리이고; 복합 산화물은 적어도 Al 및 Co를 포함하는 것을 특징으로 한다.
[0026]
이러한 종류의 유리 세라믹 소결 콤팩트는, 실용적이고 그리고 충분한 소결 밀도, 낮은 유전 손실, 및 특히 1 GHz 또는 그 초과의 고주파수 영역에서의 낮은 유전 손실의 특성을 갖는다. 게다가, 이러한 특성들은, 베이킹을 위한 비교적 소량의 열로 여전히 달성될 수 있으며, 베이킹 조건들(특히, 베이킹 시간)과 관련하여 특성들에 있어서의 변동이 적고, 특성들에 있어서의 변동들을 제한하는 것이 가능하다.
[0027]
본 발명을 구현하기 위한 모드들이 도면들을 참조하여 아래에 설명될 것이다. 도면들에서, 공통의 부재들이 공통의 참조 심볼들을 지니며 이러한 부재들은 다시 전체적으로 설명되지 않을 것이라는 점에 유의해야 한다. 게다가, 본 발명은 실시예의 하기 모드들에 대해 임의의 방식으로 제한되지 않으며, 다양한 변경들이 본 발명의 목적의 범위 내에서 본 발명을 구현하기 위해 부가될 수 있다. 이에 더해, 설명의 중복을 구성하는 텍스트의 부분들에 대한 적절한 설명이 생략될 수 있지만, 이는 본 발명의 필수 요점을 제한하는 것은 아니다.
[0028]
<제1 모드 실시예>
이하, 본 발명에 따른 유리 세라믹 소결 콤팩트를 사용하는 유리 세라믹 배선 보드, 및 이를 제조하기 위한 방법의 일 예를 취하는, 본 발명의 모드가 설명될 것이다.
[0029]
도 1은 실시예의 이러한 모드에 따른 유리 세라믹 배선 보드(101)의 개략적인 단면도이다. 도 1은 기판 내부의 임의의 피치에 배치된 회로의 부품을 형성하는 하나의 기본 구조체의 중심 영역의 단면도를 도시한다.
[0030]
도 1에 도시된 바와 같이, 유리 세라믹 배선 보드(101)는, 유리 세라믹 소결 콤팩트(1)에 의해 형성된 절연 베이스들(절연성 층들(1a-1d)); 및 배선 컨덕터들(비아 컨덕터(3), 장착 표면-단자(4), 내부 컨덕터 층(5) 및 표면 컨덕터 층(6))을 포함한다. 즉, 유리 세라믹 배선 보드(101)는, 도 1에서 수직으로 인접하는 절연성 층들(1a-1d) 사이에 미리결정된 패턴이 제공된 내부 컨덕터 층(5); 최외층들을 구성하는 절연성 층들(1a, 1d)의 바깥쪽 표면에 제공된 표면 컨덕터 층(6); 및 장착 표면-단자(4)를 포함한다. 이에 더해, 유리 세라믹 배선 보드(101)는, 절연성 층들(1a-1d)을 통과하고, 층들의 상이한 포지션들에 존재하는 내부 컨덕터 층들(5)을 연결하거나 또는 표면 컨덕터 층(6) 및 내부 컨덕터 층(5)을 연결하는 비아 컨덕터(3)를 포함한다.
[0031]
도 1에 도시된 실시예의 모드에 따른 유리 세라믹 배선 보드(101)에서, 비아 컨덕터(3)는 층들의 상이한 포지션들에 존재하는 내부 컨덕터 층들(5)을 연결하거나 또는 표면 컨덕터 층(6) 및 내부 컨덕터 층(5)을 연결하지만, 본 발명은 이러한 어레인지먼트로 제한되지 않는 점에 유의해야 한다.
[0032]
게다가, 절연성 층들(1a-1d)은 단일의 녹색 시트를 베이킹함으로써 획득될 수 있거나, 또는 이들은 복수의 녹색 시트들을 포함하는 적층체를 베이킹함으로써 획득될 수 있다. 게다가, 절연성 층들(1a-1d)의 적층체에서 층들의 수는 도시된 실시예의 모드에서의 수로 제한되지 않는다.
[0033]
게다가, 유리 세라믹 배선 보드(101)의 외형(external shape) 또는 치수들에 관해서는 특별히 제한되지 않고, 이는 용도에 따라 적절하게 설정될 수 있으며; 외형은 일반적으로 본질적으로 입방형(cuboid)이고, 치수들은 일반적으로 대략 길이(50-200) mm x 폭(50-200) mm x 두께 (0.2-1.5) mm이다.
[0034]
절연성 층들(1a-1d)은 본 발명의 실시예의 모드에 따라 유리 세라믹 소결 콤팩트(1)에 의해 형성된다.
[0035]
즉, 이러한 실시예의 모드에 따른 세라믹 소결 콤팩트는 유리 성분, 세라믹 충전재 및 복합 산화물을 함유하는 유리 세라믹 소결 콤팩트이고, 이 유리 성분은, 적어도 Mg, Ca 및 Si를 포함하는 다이옵사이드 산화물 결정 상이 증착되는 결정화 유리이고; 복합 산화물은 적어도 Al 및 Co를 포함한다.
[0036]
이러한 종류의 유리 세라믹 소결 콤팩트는, 실용적이고 충분한 소결 밀도, 낮은 유전 손실, 및 특히 1 GHz 또는 그 초과의 고주파수 영역에서 낮은 유전 손실의 특성을 갖는다. 게다가, 이러한 특성들은, 소량의 열을 수반하는 베이킹 조건들 하에서 달성될 수 있으며, 베이킹 조건들(특히, 베이킹 시간)과 관련하여 특성들에 있어서의 변동이 적고, 특성들에 있어서의 변동들을 제한하는 것이 가능하다.
[0037]
이러한 종류의 유리 세라믹 소결 콤팩트는, 고주파수 영역에서 낮은 유전 손실을 갖고, 1000℃ 또는 그 미만의 저온에서 베이킹될 수 있다. 따라서, 이와 같은 유리 세라믹 소결 콤팩트는 낮은-저항 금속들, 이를테면, Ag를 사용하여 컨덕터 층들을 형성하는 것을 가능하게 하고, 다양한 타입들의 모듈들 또는 반도체 엘리먼트들 등이 장착되는 패키지(여기서, 마이크로파들 또는 밀리파들이 사용됨)에 적합한 유리 세라믹 배선 보드를 획득하는 것이 가능하다.
[0038]
또한, 이러한 종류의 유리 세라믹 소결 콤팩트는 제조 프로세스 동안 특성들의 변화를 감소시키는 것을 가능하게 하면서, 또한 적절한 소결 밀도를 유지하는 것을 가능하게 하여, 강도의 감소와 같은 신뢰도와 관련된 어떠한 문제들도 존재하지 않는다.
[0039]
이에 더해, 이러한 종류의 유리 세라믹 소결 콤팩트는 심지어 비교적 소량의 열을 사용하고도 고결정 상태(highly crystalline state)로 베이킹될 수 있고, 이에 따라 Ag와 같은 낮은-저항 금속의 유리 내부로의 확산을 줄이는 것을 가능하게 하여, 특성들과 관련하여 약간의 변동(fluctuation)들만을 갖는 배선 보드를 실현하는 것을 가능하게 한다.
[0040]
이러한 실시예의 모드에 따른 유리 세라믹 소결 콤팩트가 이하에 상세하게 설명될 것이다.
(유리 성분)
이러한 실시예의 모드에 따라 유리 세라믹 소결 콤팩트에 함유된 유리 성분은, 적어도 Mg, Ca 및 Si를 포함하는 다이옵사이드 산화물 결정 상이 증착되는 결정화 유리이다.
다이옵사이드 결정 상을 메인 상으로서 갖는 이와 같은 유리 성분은, 고주파수 영역에서 세라믹 소결 콤팩트의 유전 손실을 감소시킨다.
[0041]
여기서, “다이옵사이드 산화물 결정 상이 증착되는 결정화 유리”(또한, “다이옵사이드 결정화 유리”로서 이하에 지칭됨)는, 다이옵사이드 결정이 베이킹에 의해 메인 결정으로서 증착되어 있는 유리이다.
[0042]
이러한 실시예의 모드에 따른 다이옵사이드 결정화 유리는, 적어도 Mg, Ca 및 Si를 포함하고, 바람직하게는 Al, Cu, Sr, Zn 및 Ti로 이루어진 그룹으로부터 선택된 적어도 하나를 더 포함한다. 이러한 실시예의 모드에 따른 다이옵사이드 결정화 유리는, 위에 언급된 것들 이외에, 유전 손실과 같은 특성들을 저해하지 않는 범위 내에 있는 성분들을 포함할 수 있다는 점에 유의해야 한다.
[0043]
Mg는, 이러한 실시예의 모드에 따른 다이옵사이드 결정화 유리에서 다이옵사이드 결정의 구성 성분이다. Mg의 함량은, 다이옵사이드 결정화 유리의 총량에 대해 MgO 당량으로 환산하여, 바람직하게는 11-30 질량%, 그리고 더욱 바람직하게는 12-25 질량%이다. Mg의 함량이 지나치게 낮으면 결정들은 쉽게 증착되지 못하는 경향이 있는 반면, Mg의 함량이 지나치게 높으면 제조 동안 유리 형성이 어려워지는 경향이 있다.
[0044]
Ca는, 이러한 실시예의 모드에 따른 다이옵사이드 결정화 유리에서 다이옵사이드 결정의 구성 성분이다. Ca의 함량은, 다이옵사이드 결정화 유리의 총량에 대해 CaO 당량으로 환산하여, 바람직하게는 20-35 질량%, 그리고 더욱 바람직하게는 25-30 질량%이다. Ca의 함량이 지나치게 낮으면 유전 손실이 증가하는 경향이 있고, Ca의 함량이 지나치게 높으면 제조 동안 유리 형성이 어려워지는 경향이 있다.
[0045]
Si는, 이러한 실시예의 모드에 따른 다이옵사이드 결정화 유리에서 네트워크 형성제(network former)이면서 또한 다이옵사이드 결정의 구성 성분이기도 하다. Si의 함량은, 다이옵사이드 결정화 유리의 총량에 대해 SiO2 당량으로 환산하여, 바람직하게는 40-65 질량%, 그리고 더욱 바람직하게는 45-65 질량%이다. Si의 함량이 지나치게 낮으면 유리 형성이 어려워지는 경향이 있는 반면, Si의 함량이 지나치게 높으면 밀도가 감소하는 경향이 있다.
[0046]
Al은, 이러한 실시예의 모드에 따른 다이옵사이드 결정화 유리에서 유리의 결정성을 조절하기 위한 성분이다. Al의 함량은, 다이옵사이드 결정화 유리의 총량에 대해 Al2O3 당량으로 환산하여, 바람직하게는 0.5-10 질량%, 그리고 더욱 바람직하게는 1-5 질량%이다. Al 함량이 지나치게 낮으면 결정성은 지나치게 강해지고 유리 몰딩이 어려워지는 경향이 있는 반면, Al 함량이 지나치게 높으면 다이옵사이드 결정들이 쉽게 증착되지 않는 경향이 있다.
[0047]
Cu는, Ag에 전자를 제공하고(donate) 그리고 유리 세라믹 내부로의 확산을 제한하는, 다이옵사이드 결정화 유리 내에 있는 성분이다. Cu의 함량은, 다이옵사이드 결정화 유리 성분의 총량에 대해 CuO 당량으로 환산하여, 바람직하게는 0.01-1.0 질량%이다. Cu 함량이 지나치게 낮으면 위에 언급된 효과가 적절하게 발휘되지 못하는 경향이 있는 반면, Cu 함량이 지나치게 높으면 유전 손실이 지나치게 증가하는 경향이 있다.
[0048]
Sr, Zn 및 Ti는, 다이옵사이드 결정화 유리 성분에서 유리 형성을 용이하게 하기 위한 성분들이다. 각각의 성분의 함량은, 다이옵사이드 결정화 유리 성분의 총량에 대해 SrO, ZnO 및 TiO2 각각을 당량으로 환산하여, 바람직하게는 0-10 질량%, 그리고 더욱 바람직하게는 0-5 질량%이다. 이러한 성분들의 함량이 지나치게 높으면, 결정성의 약화 및 다이옵사이드 증착의 양에 있어서의 감소가 존재하여, 유전 손실이 증가하는 경향이 있다.
[0049]
게다가, 이러한 실시예의 모드에 따르면, 유리 성분의 함량은, 전체로서 유리 세라믹 소결 콤팩트에 대하여 바람직하게는 55-85 질량%, 그리고 더욱 바람직하게는 65-80 질량%이다. 기계적 강도는 유리 성분의 함량을 위에 언급된 범위에서 설정함으로써 개선될 수 있다.
[0050]
(세라믹 충전재)
이러한 실시예의 모드에 따른 유리 세라믹 소결 콤팩트에 함유된 세라믹 충전재에 관해서는 어떤 특별한 제한도 존재하지 않지만, 알루미나, 마그네시아, 스피넬, 실리카, 뮬라이트, 포스테라이트, 스테아타이트, 코디에라이트, 스트론튬 펠드스파, 석영, 아연 실리케이트, 지르코니아 및 티타니아로 이루어진 그룹으로부터 선택되는 적어도 하나의 재료로 형성된 세라믹 충전재들 등이 언급될 수 있다. 이러한 실시예의 모드에 따른 세라믹 충전재는, 위에 언급된 것들 이외에, 유전 손실과 같은 특성들을 저해하지 않는 범위 내에 있는 성분들을 포함할 수 있다는 점에 유의해야 한다.
[0051]
이러한 실시예의 모드에 따르면, 세라믹 충전재는 기계적 강도를 개선시키고 그리고 유전체 특성들을 조절하는데 기여한다.
[0052]
세라믹 충전재의 형상에 관해서는 특별한 제한이 존재하지 않으며, 플레이트 형상 또는 구형상, 또는 무정형(indefinite shape) 등이 사용될 수 있다. 게다가, 세라믹 충전재의 평균 입자 크기에 관해서는 특별한 제한이 존재하지 않지만, 바람직하게는 2-10 ㎛이고, 그리고 더욱 바람직하게는 2-5 ㎛이다.
[0053]
이에 더해, 이러한 실시예의 모드에 따르면, 세라믹 충전재는 바람직하게는 알루미나 충전재(Al2O3)이고, 더욱 바람직하게는 플레이트-형상의 알루미나 충전재에 의해 형성된다.
[0054]
게다가, 이러한 실시예의 모드에 따르면, 세라믹 충전재의 함량은, 전체로서 유리 세라믹 소결 콤팩트에 대해 바람직하게는 20-40 질량%, 그리고 더욱 바람직하게는 25-35 질량%이다. 보이드(void)들과 같은 임의의 결함들 없이 뛰어난 소결 특징들을 갖는 소결 콤팩트를 실현하는 것이 가능하다.
[0055]
(복합 산화물)
이러한 실시예의 모드에 따른 유리 세라믹 소결 콤팩트에 함유된 복합 산화물은 적어도 Al 및 Co를 포함한다. 이러한 종류의 복합 산화물은, 다이옵사이드 결정 상을 메인 상으로서 갖는 유리 성분의 결정화를 촉진하고, 유리 세라믹 소결 콤팩트의 유전 손실을 감소시키는데 기여한다.
[0056]
이러한 실시예의 모드에 따른 복합 산화물은 바람직하게 Ti를 더 포함한다. 이러한 실시예의 모드에 따른 복합 산화물은, 위에 언급된 것들 이외에, 유전 손실과 같은 특성들을 저해하지 않는 범위 내에 있는 성분들을 포함할 수 있다는 점에 유의해야 한다. 인용될 수 있는 위에 언급된 것들 이외의 성분들의 예는, 예컨대, Mn 및 Cu를 포함한다. 게다가, 복합 산화물은, 필연적으로 함유되는 경우를 제외하고는, 바람직하게는 Fe를 실질적으로 포함하지 않는다.
[0057]
이러한 실시예의 모드에 따른 복합 산화물에서 Al의 함량은, 복합 산화물의 총량에 대해 Al2O3 당량으로 환산하여, 바람직하게는 3-70 질량%, 그리고 더욱 바람직하게는 5-50 질량%이다.
[0058]
이러한 실시예의 모드에 따른 복합 산화물에서 Co의 함량은, 복합 산화물의 총량에 대해 CoO 당량으로 환산하여, 바람직하게는 10-50 질량%, 그리고 더욱 바람직하게는 14-45 질량%이다.
[0059]
이러한 실시예의 모드에 따른 복합 산화물에서 Ti의 함량은, 복합 산화물의 총량에 대해 TiO2 당량으로 환산하여, 바람직하게는 0-80 질량%, 그리고 더욱 바람직하게는 5-25 질량%이다.
[0060]
이에 더해, 이러한 실시예의 모드에 따른 복합 산화물에서 Al, Co 및 Ti의 전체 함량은, 복합 산화물의 총량과 관련하여, 위에 언급된 산화물 당량의 전체에 대하여, 바람직하게는 적어도 90 질량%, 그리고 더욱 바람직하게는 95-100 질량%이다. 유전 손실을 감소시키는 효과는, 위에 언급된 범위 내로 총 함량을 설정함으로써 향상된다.
[0061]
게다가, 이러한 실시예의 모드에 따르면, 적어도 Al 및 Co를 포함하는 복합 산화물의 함량은, 전체로서 유리 세라믹 소결 콤팩트에 대해 바람직하게는 0 초과 2 이하(no greater than)의 질량%, 더욱 바람직하게는 0.05-1.5 질량%, 및 보다 더욱 바람직하게는 0.2-0.8 질량%이다. 위에 언급된 미리결정된 복합 산화물의 함량을 위에 언급된 범위로 설정하는 것은, 유리 성분에 대하여 효율적인 결정화를 촉진시키면서 또한 소결 특성들을 개선시킨다.
[0062]
이러한 실시예의 모드에 따른 유리 세라믹 소결 콤팩트를 형성하는 성분들로서 위에서 미리결정된 유리 성분, 세라믹 충전재 및 미리결정된 복합 산화물에 대한 설명이 제공되지만, 이러한 실시예의 모드에 따른 유리 세라믹 소결 콤팩트는 본 발명의 효과를 손상시키지 않는 범위 내에서 위에 언급된 것들 이외의 성분들을 포함할 수 있다. 또한, 이 경우, 위에 언급된 것들 이외의 성분들의 함량들은, 전체로서 유리 세라믹 소결 콤팩트의, 바람직하게는 10 질량% 이하, 그리고 더욱 바람직하게는 5 질량% 이하이다. 위에 언급된 것들 이외의 비정질 유리 성분들 및 산화물들 등은 위에 언급된 것들 이외의 성분들로서 언급될 수 있다.
[0063]
종래 기술로부터 종래에 알려져 있는 방법이 이러한 실시예의 모드에 따른 유리 세라믹 소결 콤팩트에 함유된 다양한 컴포넌트들을 측정하기 위한 방법으로서 사용될 수 있고; 이러한 측정 방법들은 XRF(X-ray fluorescence) 분석기에 의한 분석 프로세스, 또는 샘플을 융합하고 그리고 ICP-AES(inductively coupled plasma optical emission spectrometer) 또는 ICP-MS(inductively coupled plasma mass spectrometer)에 의한 분석을 수행하는 것을 수반하는 프로세스들을 포함한다는 점에 유의해야 한다.
[0064]
바람직한 모드의 실시예가 본 발명의 실시예의 모드에 따른 유리 세라믹 배선 보드(101)에 대해 위에 설명되었지만, 본 발명은 위에 언급된 모드의 실시예로 제한되지 않는다.
[0065]
게다가, 배선 보드에 제공되는 절연성 베이스들(절연성 층들)의 수에 관해서 어떠한 특별한 제한이 존재하지 않거나, 또는 배선 컨덕터들의 구조 또는 재료(내부 컨덕터 층들, 표면 컨덕터 층들 및 비아 컨덕터들 등)에 관해서도 어떠한 특별한 제한도 존재하지 않는다. Ag, Au, Cu, Pt, Ni 등이 배선 컨덕터들에 대한 재료들의 예들로서 언급될 수 있다.
[0066]
(제조 방법)
이러한 실시예의 모드에 따른 유리 세라믹 배선 보드를 제조하기 위한 방법의 바람직한 모드의 실시예는 도면들을 참조하여 다음에 설명될 것이다. 도 2의 (S1) 내지 (S3)는, 유리 세라믹 배선 보드를 제조하기 위한 방법에서의 흐름을 예시하는 개략적인 단면도들이다. 특히, 도 2의 (S1)는, 보드가 베이킹되기 전에 다양한 패턴들이 형성되는 유리 세라믹 배선 보드에 대한 녹색 시트들의 개략적인 단면도이다. 게다가, 도 2의 (S2)는 도 2의 (S1)에 준비된 유리 세라믹 배선 보드에 대한 녹색 시트들이 적층된, 베이킹 이전의 유리 세라믹 배선 보드에 대한 적층체의 개략적인 단면도이다. 이에 더해, 도 2의 (S3)은 도 2의 (S2)에 도시된 적층체를 베이킹함으로써 획득된 유리 세라믹 배선 보드의 개략적인 단면도이다.
[0067]
도 2의 (S1)에 도시된 바와 같이, 이러한 실시예의 모드에 따른 유리 세라믹 배선 보드는, 종래의 유리 세라믹 배선 보드와 동일한 방식으로, 즉 컨덕터 패턴(3), 내부 컨덕터 패턴(5) 및 표면 컨덕터 패턴(6)을 통해 적어도 하나가 형성된 유리 세라믹 배선 보드에 대한 녹색 시트들(11a-11d)을 먼저 준비함으로써 제조된다.
[0068]
구체적으로, 녹색 시트들(10)이 준비되고, 다양한 컨덕터 패턴들(3, 4, 5 및 6)이 후술하는 방법에 의해 형성된다.
[0069]
[녹색 시트들의 준비]
먼저, 적어도 유리 성분, 세라믹 충전재 및 복합 산화물이 유리 세라믹 소결 콤팩트를 형성하는 성분들에 대한 시작 재료로서 준비된다.
[0070]
적어도 Mg, Ca 및 Si를 포함하는 다이옵사이드 산화물 결정 상이 증착되는 결정화 유리가 유리 성분으로서 사용된다. 이러한 종류의 다이옵사이드 결정화 유리는, Al, Cu, Sr, Zn 및 Ti와 같은 성분들을 더 포함할 수 있고, 또한 유전 손실과 같은 특성들을 저해하지 않는 범위 내에서 위에 언급된 성분들 이외의 성분들을 포함할 수 있다.
[0071]
이러한 실시예의 모드에 따른 다이옵사이드 결정화 유리는, 적어도 Mg, Ca 및 Si를 포함하고, 바람직하게는 Al, Cu, Sr, Zn 및 Ti로 이루어진 그룹으로부터 선택된 적어도 하나를 더 포함한다. 이러한 실시예의 모드에 따른 다이옵사이드 결정화 유리는, 위에 언급된 것들 이외에, 유전 손실과 같은 특성들을 저해하지 않는 범위 내에 있는 성분들을 또한 포함할 수 있다는 점에 유의해야 한다.
[0072]
Mg는, 이러한 실시예의 모드에 따른 다이옵사이드 결정화 유리에서 다이옵사이드 결정의 구성 성분이다. Mg의 함량은, 다이옵사이드 결정화 유리의 총량에 대해 MgO 당량으로 환산하여, 바람직하게는 11-30 질량%, 그리고 더욱 바람직하게는 12-25 질량%이다. Mg의 함량이 지나치게 낮으면 결정들이 쉽게 증착되지 못하는 경향이 있는 반면, Mg의 함량이 지나치게 높으면 제조 동안 유리 형성이 어려워지는 경향이 있다.
[0073]
Ca는, 이러한 실시예의 모드에 따른 다이옵사이드 결정화 유리에서 다이옵사이드 결정의 구성 성분이다. Ca의 함량은, 다이옵사이드 결정화 유리의 총량에 대해 CaO 당량으로 환산하여, 바람직하게는 20-35 질량%, 더욱 바람직하게는 25-30 질량%이다. Ca의 함량이 지나치게 낮으면 유전 손실이 증가하는 경향이 있는 반면, Ca의 함량이 지나치게 높으면 제조 동안 유리 형성이 어려워지는 경향이 있다.
[0074]
Si는 이러한 실시예의 모드에 따른 다이옵사이드 결정화 유리에서 네트워크 형성제(network former)이면서 또한 다이옵사이드 결정의 구성 성분이기도 하다. Si의 함량은, 다이옵사이드 결정화 유리의 총량에 대해 SiO2 당량으로 환산하여, 바람직하게는 40-65 질량%, 그리고 더욱 바람직하게는 45-65 질량%이다. Si의 함량이 지나치게 낮으면 유리 형성이 어려워지는 경향이 있는 반면, Si의 함량이 지나치게 높으면 밀도가 감소하는 경향이 있다.
[0075]
Al은, 이러한 실시예의 모드에 따른 다이옵사이드 결정화 유리에서 유리의 결정성을 조절하기 위한 성분이다. Al의 함량은, 다이옵사이드 결정화 유리의 총량에 대해 Al2O3 당량으로 환산하여, 바람직하게는 0.5-10 질량%, 그리고 더욱 바람직하게는 1-5 질량%이다. Al 함량이 지나치게 낮으면 결정성은 지나치게 강하게 될 것이고 유리 몰딩이 어려워지는 경향이 있는 반면, Al 함량이 지나치게 높으면 다이옵사이드 결정들이 쉽게 증착되지 않는 경향이 있다.
[0076]
Cu는, Ag에 전자들을 제공하고(donate) 그리고 유리 세라믹 내부로의 확산을 제한하는, 다이옵사이드 결정화 유리 내에 있는 성분이다. Cu의 함량은, 다이옵사이드 결정화 유리 성분의 총량에 대해 CuO 당량으로 환산하여, 바람직하게는 0.01-1.0 질량%이다. Cu 함량이 지나치게 낮으면 위에 언급된 효과가 적절하게 발휘되지 못하는 경향이 있는 반면, Cu 함량이 지나치게 높으면 유전 손실이 지나치게 증가하는 경향이 있다.
[0077]
Sr, Zn 및 Ti는, 다이옵사이드 결정화 유리 성분에서 유리 형성을 용이하게 하기 위한 성분들이다.
각각의 성분의 함량은, 다이옵사이드 결정화 유리 성분의 총량에 대해 SrO, ZnO 및 TiO2 각각을 당량으로 환산하여, 바람직하게는 0-10 질량%, 그리고 더욱 바람직하게는 0-5 질량%이다. 이러한 성분들의 함량이 지나치게 높으면, 결정성의 약화 및 다이옵사이드 증착의 양에 있어서의 감소가 존재하여, 유전 손실이 증가하는 경향이 있다.
[0078]
본 발명의 효과를 손상시키지 않는 범위에 있는 것으로 가정한다면, 위에 언급될 것들로부터의 일 타입의 결정화 유리가 유리 성분으로서 단독으로 사용될 수 있거나, 또는 다수의 타입들이 사용을 위해 조합될 수 있거나, 또는 위에 언급된 결정화 유리가 다른 유리(또한, 결정화 유리를 포함함)와 함께 사용될 수 있다는 점에 유의해야 한다.
[0079]
세라믹 충전재에 관해서는 어떠한 특별한 제한도 존재하지 않으며, 공지된 재료를 사용하는 것이 가능하다. 예컨대, 알루미나, 마그네시아, 스피넬, 실리카, 뮬라이트(mullite), 포스테라이트(forsterite), 스테아타이트(steatite), 코디에라이트, 스트론튬 펠드스파(strontium feldspar), 석영, 아연 실리케이트, 지르코니아 및 티타니아로 이루어진 그룹으로부터 선택되는 적어도 하나의 재료로 형성된 세라믹 충전재들 등이 언급될 수 있다. 이러한 실시예의 모드에 따른 세라믹 충전재는, 위에 언급된 것들 이외에, 유전 손실과 같은 특성들을 저해하지 않는 범위 내에 있는 성분들을 포함할 수 있다는 점에 유의해야 한다.
[0080]
게다가, 세라믹 충전재의 형상에 관해서는 특별한 제한이 존재하지 않으며, 플레이트 형상 또는 구형, 또는 무정형 형상 등이 사용될 수 있다. 게다가, 세라믹 충전재의 평균 입자 크기에 관해서는 특별한 제한이 존재하지 않지만, 바람직하게는 2-10 ㎛이고, 그리고 더욱 바람직하게는 2-5 ㎛이다.
[0081]
이에 더해, 이러한 실시예의 모드에 따르면, 알루미나 충전재(Al2O3)가 세라믹 충전재로서 바람직하게 사용되고, 플레이트-형상 알루미나 충전재가 더욱 바람직하게 사용된다.
[0082]
세라믹 충전재는, 위에 언급된 것들 이외에, 유전 손실과 같은 특성들을 저해하지 않는 범위 내에 있는 성분들을 포함할 수 있고, 그리고 단독으로 또는 조합하여 사용될 수 있다는 점에 유의해야 한다. 둘 모두의 경우, 상업적으로 입수가능한 재료들 또는 제조된 재료들이 사용될 수 있다.
[0083]
적어도 Al 및 Co를 포함하는 복합 산화물이 복합 산화물로서 사용된다. 이러한 종류의 복합 산화물은, Ti 또는 Mn 및 Cu와 같은 성분들을 더 포함할 수 있고, 유전 손실과 같은 특성들을 저해하지 않는 범위 내에서 위에 언급된 성분들 이외의 성분들을 포함할 수 있다.
[0084]
게다가, Al2O3 또는 CoO와 같은 미리결정된 복합 산화물의 구성 성분들에 대응하는 산화물이 단독으로 사용된다고 하더라도, Al 및 Co를 포함하는 복합 산화물을 사용하여 획득된 유리 세라믹 소결 콤팩트의 경우에서와 같이 동일한 효과들이 관찰되지는 않는다.
[0085]
이러한 실시예의 모드에 따른 복합 산화물에서 Al의 함량은, 복합 산화물의 총량에 대해 Al2O3 당량으로 환산하여, 바람직하게는 3-70 질량%, 그리고 더욱 바람직하게는 5-50 질량%이다.
[0086]
이러한 실시예의 모드에 따른 복합 산화물에서 Co의 함량은, 복합 산화물의 총량에 대해 CoO 당량으로 환산하여, 바람직하게는 10-50 질량%, 그리고 더욱 바람직하게는 14-45 질량%이다.
[0087]
이러한 실시예의 모드에 따른 복합 산화물에서 Ti의 함량은, 복합 산화물의 총량에 대해 TiO2 당량으로 환산하여, 바람직하게는 0-80 질량%, 그리고 더욱 바람직하게는 5-25 질량%이다.
[0088]
이에 더해, 이러한 실시예의 모드에 따른 복합 산화물에서 Al, Co 및 Ti의 전체 함량은, 복합 산화물의 총량과 관련하여, 위에 언급된 산화물 당량의 전체에 대해, 바람직하게는 최소 90 질량%, 그리고 더욱 바람직하게는 95-100 질량%이다.
[0089]
발명의 효과를 손상시키지 않는 범위에 있는 것으로 가정한다면, 위에 언급될 것들로부터의 일 타입의 복합 산화물이 단독으로 사용될 수 있거나, 또는 다수의 타입들이 사용을 위해 조합될 수 있거나, 또는 위에 언급된 복합 산화물이 다른 복합 산화물과 함께 사용될 수 있다는 점에 유의해야 한다. 어느 경우에든, 상업적으로 이용가능한 재료들 또는 제조된 재료들이 사용될 수 있다.
[0090]
게다가, 이러한 실시예의 모드에 따르면, 복합 산화물은 Al 및 Co를 포함하는 복합 산화물로서의 사용을 지칭한다. 이에 따라, 본 발명에 따른 유리 세라믹 소결 콤팩트는, 위에 언급된 다른 시작 재료들(미리결정된 결정화 유리 등)이 함께 부가된다고 하더라도, 상기 복합 산화물의 구성 성분들에 대응하는 Al2O3 또는 CoO 또는 TiO2와 같은 단일 산화물의 형태로 획득되지 않을 수 있고, 결국 본 발명의 액션 및 효과도 또한 달성되지 않을 수 있다.
[0091]
즉, Al 및 Co를 포함하는 복합 산화물은, Al2O3 또는 CoO와 같은 산화물이 Al 및 Co를 포함하는 복합 산화물 대신에 조합하여 사용된다고 할지라도 획득되는 유리 세라믹 소결 콤팩트 내에 형성되지 않는다. 이에 대한 이유는, Al2O3 또는 CoO와 같은 산화물이 위에 언급된 미리결정된 복합 산화물의 구성 성분들에 대응하지만, 이들이 단독으로 사용된다고 하더라도, 이러한 산화물들이 복합 산화물로 변경하는 정도까지의 화학 반응은 이후에 설명될 유리 세라믹 소결 콤팩트의 베이킹 온도에서 일어나지 않는다.
[0092]
이에 따라, 미리결정된 조성물이 형성되는 이러한 방식으로 조합되는 복합 산화물은, 이러한 실시예의 모드에 따른 제조 방법에서 바람직하게 사용된다.
[0093]
예컨대, 위에 언급된 미리결정된 복합 산화물은 후술하는 제조 프로세스에 따라 준비(제조)될 수 있다. 즉, 제조 프로세스는, 혼합 단계, 가소(calcining) 단계, 연마 단계, 및 건조 단계를 포함한다. 이들은 이하의 특정 용어들로 설명될 것이다.
[0094]
미리결정된 양의 주성분 원료 분말이 계량되어 혼합된다(혼합 단계). 구성 원소들(예컨대, Al, Co 및 Ti 등)을 포함하는 산화물 분말에 더해, 가열의 결과로서의 산화물(예컨대, 카보네이트들, 하이드록시드들, 옥살레이트들 및 니트레이트들 등)을 형성하는 화합물들의 분말들을 사용하는 것이 가능하다. 이 경우, 혼합물은 일 타입의 금속 산화물(화합물)에 제한되지 않고, 예컨대, 원료 분말로서 2개 또는 그 초과의 타입들의 금속들을 포함하는 산화물 화합물 분말을 사용하는 것도 동일하게 가능하다. 원료 분말들의 평균 입자 크기는, 0.1 ㎛-5.0 ㎛ 범위에서 적절하게 선택될 수 있어야 한다.
[0095]
혼합 방법과 관련하여, 예컨대, 볼 밀(ball mill)을 사용하는 습식 혼합 등을 사용하는 것이 가능하고, 혼합 이후에, 혼합물은 건조되고, 연마되고, 시빙되고(sieved), 그런 다음 가소 단계가 수행된다. 가소 단계에서, 혼합물은 전기로(electric furnace) 등을 사용하여 800℃-1300℃의 범위의 온도에서 미리결정된 시간 동안 유지된다. 이 경우 분위기에 관해서는 어떠한 특별한 규정들도 존재하지 않으며, 어떠한 분위기도 수용가능하지만, 산화 분위기가 바람직하다. 게다가, 가소를 위한 유지 시간은 0.5-5.0 시간의 범위 내에서 적절하게 선택되어야만 한다.
[0096]
가소 이후에, 가소된 재료는, 예컨대, 연마 단계에서 약 0.5 ㎛-2.0 ㎛의 평균 입자 크기로 연마된다. 볼 밀 등은 연마 수단으로서 사용될 수 있다.
[0097]
연마 이후에, 미세하게-연마된 분말은 건조 단계에서 건조된다. 스프레이 건조 등이 건조 방법으로서 사용될 수 있다. 그후, 이러한 방식으로 준비된 복합 산화물은 시작 재료로서 사용될 수 있다.
[0098]
그런 다음, 위에 언급된 시작 재료들은, 제조될 유리 세라믹 소결 콤팩트의 조성 비율에 따라 계량되고, 그리고 시작 재료 분말을 형성하기 위해 혼합된다.
[0099]
이러한 실시예의 모드에 따르면, 부가된 유리 성분의 양은 시작 재료 분말의 100 질량% 내에서 바람직하게는 55-85 질량%, 그리고 더욱 바람직하게는 65-75 질량%이다.
[0100]
게다가, 세라믹 충진제 성분의 함량은 시작 재료 분말의 100 질량% 내에서 바람직하게는 20-40 질량%, 그리고 더욱 바람직하게는 25-35 질량%이다.
[0101]
이에 더해, 위에 언급된 미리결정된 복합 산화물의 함량이 시작 재료 분말의 100 질량% 내에서 바람직하게는 0 질량% 초과지만 2 질량% 이하, 더욱 바람직하게는 0.05-1.5 질량%, 보다 더욱 바람직하게는 0.2-0.8 질량%이다. 복합 산화물 함량이 지나치게 높으면 유리 전체로서 충분한 유체 상태를 달성하기 전에 부분적인 결정화가 시작하고, 이는 소결 특성들(sintering properties)의 열화와 같은 문제들을 야기할 수 있는데, 특히 내부 보이드들의 증가를 초래하고, 특성들의 열화뿐만 아니라 보이드들의 영향으로 인한 신뢰성의 감소도 초래할 수 있다.
[0102]
이러한 실시예의 모드에 따르면, 혼합 방법에 관해서는 어떤 특별한 제한도 존재하지 않지만, 이는 필요에 따라 물 또는 유기 용매, 및 바인더 또는 가소제 또는 분산제 등의 부가와 함께, 볼 밀 등을 사용하는 습식 혼합에 의해 수행할 수 있다. 따라서, 위에 언급된 시작 재료 혼합물(시작 재료 분말)이 페인트 내부로 형성되고, 녹색 시트에 대한 페이스트가 준비된다.
[0103]
녹색 시트에 대한 페이스트는 위에 언급된 시작 재료 분말 및 유기 비히클이 혼련되는 유기 페인트일 수 있거나, 또는 수성 페인트일 수 있다. 이에 부가되는 용매 또는 부가제들의 양에 관해서는 어떠한 특별한 제한도 존재하지 않으며, 그에 대한 통상적인 양이 부가되어야 하고, 후속 단계들에 형성되는 시트의 필름 두께 등 및 사용되는 혼합 장치에 따라 적절하게 선택되어야 한다.
[0104]
예컨대, 유기 비히클이 사용될 때, 녹색 시트에 대한 페이스트에서 유기 비히클의 함량은, 시작 재료 분말의 100 중량%에 대하여, 바인더는 약 5-15 중량%이고 용매는 약 50-150 중량%가 되도록 하는 그런 함량이어야 한다. 게다가, 필요에 따라 부가되는 분산제들 및 가소제들과 같은 부가제들의 다양한 타입들은 바람직하게 이러한 총 함량의 10 중량% 이하를 구성한다.
[0105]
더욱이, 언급될 수 있는 바인더들의 예들은 폴리비닐 부티랄 수지 및 메타크릴산 수지를 포함한다. 언급될 수 있는 가소제의 일 예는 디부틸 프탈레이트를 포함한다. 언급될 수 있는 용매들의 예들은 톨루엔 및 메틸 에틸 케톤을 포함한다.
[0106]
녹색 시트에 대한 결과 페이스트는, PET(polyethylene terephthalate) 시트와 같이 지지체 상에 필름으로서 형성되며, 녹색 시트(10)가 지지체 상에 형성된다.
[0107]
사용될 수 있는 필름-형성 방법들은, 닥터 블레이드 프로세스 또는 캘린더 롤 프로세스와 같은 몰딩 방법들을 포함한다.
[0108]
[컨덕터 패턴의 형성]
위에 언급된 방법에 의해 제조되는 녹색 시트(10)가 준비되고, 다양한 타입들의 컨덕터 패턴들(내부 컨덕터 패턴(15), 표면 컨덕터 패턴(16), 장착 표면-단자 패턴(14) 및 비아 컨덕터 패턴(13) 등)이 형성되어, 이에 의해 유리 세라믹 배선 보드에 대한 녹색 시트들(11a-11d)이 제조된다.
[0109]
구체적으로, 도 2의 (S1)에 도시된 바와 같이, 먼저, 쓰루-홀들(비아 홀들)이 제조되었던 녹색 시트(10) 내에 미리결정된 포지션에 형성되고, 이러한 홀들은 비아 컨덕터 패턴(13)을 형성하기 위해 컨덕터 페이스트로 충전된다. 게다가, 컨덕터 페이스트는, 내부 컨덕터 패턴(15)을 형성하기 위해 내부 층을 형성하는 녹색 시트(10)의 표면 상에 미리결정된 패턴으로 프린팅된다. 이에 더해, 표면 컨덕터 패턴(16) 및 장착 표면-단자 패턴(14)이 최외측(outermost side) 상에 배치된 녹색 시트(10)에 형성된다. 전자 엘리먼트들(인덕터들 및 커패시터들 등)이 필요에 따라 녹색 시트(10) 내에 형성될 수 있다는 점에 유의해야 한다.
[0110]
컨덕터 패턴을 형성하는데 사용되는 도전성 페이스트는 유기 비히클과 다양한 타입들의 도전성 금속들 또는 합금들, 이를테면, Ag, Ag-Pd 합금, Cu 및 Ni를 포함하는 도전성 재료를 혼련함으로써 준비될 수 있다. 도전성 페이스트에 사용되는 유기 비히클은, 바인더 및 용매를 주성분들로서 포함한다. 바인더, 용매 및 도전성 재료의 혼합 비율에 관해서는 어떠한 특별한 제한도 존재하지 않으며, 예컨대, 바인더의 1-15 질량% 및 용매의 10-50 질량%가 도전성 재료와 혼합될 수 있다. 다양한 타입들의 분산제들 및 가소제들 등으로부터 선택된 부가제들이 필요에 따라 도전성 페이스트에 부가될 수 있다.
[0111]
다음으로, 도 2의 (S2)에 도시된 바와 같이, 유리 세라믹 배선 보드를 위한 녹색 시트들(11a, 11b, 11c 및 11d)은 연속으로 적층되어 유리 세라믹 배선 보드를 위한 적층체(21)를 형성한다.
[0112]
그 이후에, 유리 세라믹 배선 보드를 위한 적층체(21)가 가압되고, 그후 유리 세라믹 배선 보드를 위한 적층체(21) 내의 성분들, 이를테면, 유기 비히클이 가열된 공기 분위기 하에서 제거되고, 도 2의 (S3)에 도시된 것과 같은 유리 세라믹 배선 보드(101)를 획득하기 위해 베이킹이 800-1000℃의 공기 분위기 하에서 수행된다.
[0113]
이 프로세스에서, CaMgSi2O6로 나타난 다이옵사이드 결정 상이 베이킹의 결과로서 녹색 시트들에 증착되어, 조밀하고, 저손실의 유리 세라믹 소결 콤팩트가 제조된다.
[0114]
특히, 이러한 실시예의 모드에 따르면, 유리 성분과 함께 부가된 미리결정된 복합 산화물은 유리 결정화를 촉진시키는 액션을 생성하는 것으로 믿어지며, 그 결과 유전 손실에서의 저감을 달성함으로써 고주파수들, 특히 마이크로웨이브용 유리 세라믹 소결 콤팩트를 획득하는 것이 가능하다.
[0115]
게다가, 비아 홀들 내부의 비아 컨덕터 패턴(13)은 비아 컨덕터(3)를 형성하고, 장착 표면-단자 패턴(14)은 장착 표면-단자(4)를 형성하며, 내부 컨덕터 패턴(15)은 내부 컨덕터 층(5)을 형성하고, 표면 컨덕터 패턴(16)은 표면 컨덕터 층(6)을 형성한다.
[0116]
일부 경우들에서, 금이 도금에 의해 표면 컨덕터 패턴 위에 추가로 적용될 수 있다. 이 경우, 니켈 또는 팔라듐과 같은 금속이 금 도금을 위한 베이스로서 적용될 수 있다.
[0117]
<제2 모드 실시예>
본 발명에 따른 유리 세라믹 소결 콤팩트를 사용하는 유리 세라믹 기판, 및 이를 제조하기 위한 방법의 일 예를 취하는, 위에 제공된 것과는 상이한 모드의 실시예가 다음에 설명될 것이다. 현재의 모드의 실시예는 이하에 나타낸 부분들 이외에 제1 모드의 실시예와 동일한 구성 및 액션/효과를 갖고, 중복되는 설명은 부분적으로 생략될 것이라는 점에 유의해야 한다.
[0118]
도 3은, 제2 모드의 실시예에 따라 유리 세라믹 기판을 제조하기 위한 방법을 예시하기 위한 단면도이다. 특히, 도 3의 (S1)는, 베이킹되기 전에 유리 세라믹 기판에 대한 녹색 시트들의 개략적인 단면도이다. 게다가, 도 3의 (S2)는 도 3의 (S1)에 준비된 유리 세라믹 기판에 대한 녹색 시트들이 적층된, 베이킹 이전의 유리 세라믹 기판에 대한 적층체의 개략적인 단면도이다. 이에 더해, 도 3의 (S3)은 도 3의 (S2)에 도시된 적층체를 베이킹함으로써 획득된 유리 세라믹 기판의 개략적인 단면도이다.
[0119]
도 3의 (S1)에 도시된 바와 같이, 이러한 실시예의 모드에 따르면, 녹색 시트들(10)이 먼저 준비된다. 구체적으로, 녹색 시트들은 위에 설명된 것과 동일한 방식으로 준비되어야 한다. 다음으로, 도 3의 (S2)에 도시된 바와 같이, 유리 세라믹 기판을 위한 녹색 시트들(12a, 12b, 12c 및 12d)은 연속으로 적층되어 유리 세라믹 기판에 대한 적층체(22)를 획득한다. 그 이후에, 유리 세라믹 기판에 대한 적층체(22)가 가압되고, 유리 세라믹 기판을 위한 적층체(22) 내의 성분들, 이를테면, 유기 비히클이 가열된 공기 분위기 하에서 제거되고, 베이킹이 수행되어 도 3의 (S3)에 도시된 것과 같은 유리 세라믹 기판(102)을 획득한다.
[0120]
이러한 실시예의 모드에 따른 유리 세라믹 기판(102)은 본 발명에 따른 유리 세라믹 소결 콤팩트(1)를 포함한다.
[0121]
본 발명의 실시예의 모드들이 위에 설명되었지만, 본 발명은 이러한 모드들의 실시예로 어떠한 방식으로든 제한되지 않으며, 물론 본 발명은 본 발명의 필수 요점으로부터 벗어나지 않는 범위 내에 다양한 모드들로 구현될 수 있다.
[0122]
예컨대, 제2 모드의 실시예에서, 녹색 시트들이 적층되고, 유리 세라믹 적층체가 유리 세라믹 기판을 준비하기 위해 형성되지만, 녹색 시트들은 필수적으로 적층될 필요는 없고, 미리결정된 두께로 형성된 단일의 녹색 시트가 유리 세라믹 기판을 형성하기 위해 균등하게 베이킹될 수 있다.
[예시적인 실시예들]
[0123]
본 발명은 예시적인 실시예들 및 비교 예들을 참조하여 이하에 더욱 상세하게 설명될 것이지만, 본 발명은 후술하는 예시적인 실시예들로 제한되지 않는다.
[0124]
[복합 산화물의 준비]
(제조예 1)
Al2O3, Co3O4, TiO2, MnO, Fe2O3 및 CuO가 준비되었고, 가소 및 미세-연마 이후에 조성 비율이 표 1에 나타낸 값들에 도달되었던 방식으로 개개의 시작 재료들이 계량되었으며, 이 재료는 볼 밀을 사용하여 16시간 동안 습식-혼합되었다. 결과 슬러리는, 충분히 건조되었고, 그 이후에 1100℃에서 2시간 동안 분위기 하에서 유지되면서 가소되었고, 가소된 재료가 획득되었다. 이 후, 가소된 재료는, 평균 입자 크기가 1.0 ㎛일 때까지 볼 밀에 의해 미세하게 연마되었고, 그 이후에, 미세하게-연마된 분말이 건조되어 A-H의 조성들을 갖는 복합 산화물 분말들을 획득했다.
[0125]
표 1
Figure 112017117556401-pct00002
[0126]
(예시적인 실시예들 1-8 및 비교예들 1-6)
[유리 세라믹 소결 콤팩트의 준비]
유리 분말(SiO2 = 50 질량%, CaO = 16 질량%, MgO = 20 질량%, Al2O3 = 5 질량%를 포함하는 다이옵사이드가 증착된 결정화 유리 분말), 알루미나 충전재(평균 입자 크기 1.5 ㎛), 및 제조예 1에서 획득된 복합 산화물 분말들이 준비되었으며, 재료들 각각은 각각의 샘플의 조성 비율이 표 2에 도시된 값에 도달했던 방식으로 계량되었다.
[0127]
다음으로, 19.4 g의 아크릴 수지, 59.1 g의 톨루엔, 3 g의 에탄올, 및 6.5 g의 가소제(부틸 프탈릴 부틸 글리코레이트)가 유기 비히클을 준비하기 위해 혼합되었다.
[0128]
그런 다음, 계량되었던 유리 분말, 알루미나 충전재 및 미리결정된 복합 산화물 분말들, 및 준비된 유기 비히클은 기판에 대한 녹색 시트들을 형성하기 위해 페인트들을 준비하기 위해 볼 밀을 사용하여 24시간 동안 조합 및 혼합되었다.
[0129]
기판용 녹색 시트에 대한 페인트들은, 기판용 녹색 시트들을 형성하기 위해 폴리에틸렌 테레프탈레이트 필름 상에 닥터 블레이드 프로세스에 의해 필름들로서 형성되었다. 녹색 시트들의 두께는 베이킹 이후에 50 ㎛에 도달하도록 하는 그러한 방식으로 조정되었음에 유의해야 한다. 그후, 10개의 시트들이 적층되었고, 그 이후에 이들은 74 MPa에서 가압되었으며, 그런 다음 30분, 60분 및 120분의 3가지 조건들 하에서 900℃의 분위기 하에서 베이킹되었고, 유리 세라믹 소결 콤팩트들이 제조되었다.
[0130]
[유리 세라믹 소결 콤팩트의 평가]
획득된 유리 세라믹 소결 콤팩트들은, 조성, 유전 상수, 유전 손실 및 상대 밀도와 관련하여 평가되었다. 결과들은 표 2에 나타난다. 평가되었던 다양한 항목들은 후술하는 방법들에 의해 평가되었음에 유의해야 한다.
[0131]
[조성 평가]
획득되었던 유리 세라믹 소결 콤팩트들의 조성들이 분석되었다. 조성 분석은, XRF(X-ray fluorescence) 분석기를 사용하는 분석 방법에 의해 수행되었다. 그 결과, 각각의 소결 콤팩트의 조성은 사료(feed) 조성(특히, 표 1 및 표 2의 조성들)과 동일했던 것으로 확인되었다.
[0132]
[유전 상수 및 유전 손실]
유전 상수 ε 및 유전 손실
Figure 112017117556401-pct00003
의 경우, 2 GHz에서의 특성들이 (JISC2565에 따라) 캐비티 공진기 교란에 의해 평가되었다. 유리 세라믹 소결 콤팩트들이 미리결정된 형상으로 몰딩되었고(moulded) 평가되었다. 구체적으로, 측정들은, 소결된 기판으로부터 유리 세라믹 소결 콤팩트들을 0.5 x 0.5 x 80 mm의 로드 형상(rod shape)으로 절단하고, 절단된 로드-형상 샘플들을 특정 주파수(예컨대, 2GHz)에서 공진된 캐비티 공진기로 삽입함으로써 수행되었다. 게다가, 캐비티 공진기는 캐비티 공진기 내의 공진 피크의 상태를 측정하기 위해 Agilent Technologies에서 제조한 벡터 네트워크 분석기 N5222a에 연결되었고, 분석을 수행하기 위한 컴퓨터에 연결되었으며; 이러한 일련의 시스템들을 사용하여 측정들이 행해졌다.
[0133]
[상대 밀도]
소결 콤팩트들의 상대 밀도의 경우, Archimedes 방법에 의해 비중(specific gravity)(Sg)이 측정되었고, 그 이후에, 상대 밀도는 후술하는 계산 식으로 계산되었다.
상대 밀도(%) = Sg/ [( 비중 x 유리의 함량(%)) + (비중 x 세라믹 충전재의 함량(%)) + (비중 x 복합 산화물의 함량(%))]
[0134]
표 2
Figure 112017117556401-pct00004
표 2의 기호 설명(key)
1... 예시적인 실시예 1, 2, ... 8
2... 비교예 1, 2... 6
3... 유리 세라믹 조성 비율(질량%)
4... 유리
5... 충전재
6... 알루미나
7... 복합 산화물
8... 조성
9... 부가량
10... 유전 상수
11... 베이킹
12... 소결된 상대 밀도
[0135]
표 2에 도시된 바와 같이, 미리결정된 복합 산화물이 부가되었을 때(예시적인 실시예들 1-8), 유전 손실이 3.5x10-4 이하로 낮았고, 손실 특성들에서의 개선이 확인되었다. 게다가, 베이킹 시간이 약 20분으로 짧다고 하더라도, 낮은 유전 손실을 달성하는 것이 가능할 뿐만 아니라, 또한 베이킹 시간이 길어졌다고 하더라도 특성들에서의 변화가 거의 없고, 따라서, 베이킹 조건들에 대해 덜 민감하게 되었고, 안정적인 제조를 위해 적합했던 재료가 형성되었는 바, 여기에서는, 결정화된 유리에서 빈번한, 결정 상태의 변화들로 인한 특성들에서의 변동들이 제한되었다.
[0136]
이와는 대조적으로, 복합 산화물이 부가되지 않았을 때(비교예 1), 3.5x10-4로 높은 유전 손실이 있을 뿐만 아니라, 또한 베이킹 시간과 관련하여 큰 변동들이 존재했으며, 재료는 안정적인 제조를 위해 적합하지 않았던 것으로 확인되었다.
[0137]
이에 더해, 심지어는 복합 산화물이 부가되었을 때 조차도, 이것이 본 발명의 범위 밖에 있다면(비교예들 2-6), 모든 경우들에서의 유전 손실이 3.5x10-4 또는 그 이상으로 높았고, 또한 베이킹 시간에 따른 특성들에 있어서의 큰 변화들이 존재하였고 그리고 제품 특성들과 관련하여 증가된 변동에 관한 우려들이 존재하였던 것으로 결과들이 나타났다.
[0138]
(예시적인 실시예 9 및 비교예 7)
유리 분말(SiO2 = 50 질량%, CaO = 19 질량%, MgO = 22 질량%, Al2O3 = 1 질량%, CuO = 0.05 질량%, SrO = 8 질량%을 포함하는 다이옵사이드가 증착된 결정화 유리 분말), 알루미나 충전재(평균 입자 크기 2.5 ㎛), 및 제조예 1에서 획득된 복합 산화물 분말들이 준비되었으며, 재료들 각각이, 각각의 샘플의 조성 비율이 표 3에 도시된 값에 도달했던 방식으로 계량되었다는 것을 제외하고는, 예시적인 실시예 1에서와 동일한 방법을 사용하여 유리 세라믹 소결 콤팩트들이 제조되었고 평가되었다. 결과들은 표 3에 나타난다.
[0139]
표 3
Figure 112017117556401-pct00005
표 3의 기호설명
1... 예시적인 실시예 9
2... 비교예 7
3... 유리 세라믹 조성 비율(질량%)
4... 유리
5... 충전재
6... 알루미나
7... 복합 산화물
8... 조성
9... 부가량
10... 유전 상수
11... 베이킹
12... 소결 상대 밀도
[0140]
표 3에 도시된 바와 같이, 상이한 조성을 갖는 결정화 유리가 사용되었다고 하더라도, 결정화 유리가 동일한 결정 시스템을 가질 때 상기와 동일한 경향이 명료하였다. 즉, 유전 손실에서의 개선은, 미리결정된 복합 산화물이 부가되었을 때 확인되었다(예시적인 실시예 9).
[0141]
(예시적인 실시예 10)
[유리 세라믹 배선 보드의 준비]
유리 분말(SiO2 = 50 질량%, CaO = 19 질량%, MgO = 22 질량%, Al2O3 = 1 질량%, CuO = 0.05 질량%, SrO = 8 질량%을 포함하는 다이옵사이드가 증착된 결정화 유리 분말), 알루미나 충전재(평균 입자 크기 2.5 ㎛), 및 제조예 1에서 획득된 복합 산화물 분말들이 준비되었으며, 재료들 각각은 조성 비율이 표 3의 예시적인 실시예 9에 도시된 값에 도달했던 방식으로 계량되었다.
[0142]
다음으로, 19.4 g의 아크릴 수지, 59.1 g의 톨루엔, 3 g의 에탄올, 및 6.5 g의 가소제(부틸 프탈릴 부틸 글리콜레이트)가 유기 비히클을 준비하기 위해 혼합되었다.
[0143]
그런 다음, 계량되었던 유리 분말, 알루미나 충전재 및 미리결정된 복합 산화물 분말들, 및 준비된 유기 비히클은 기판용 녹색 시트에 대한 페인트들을 준비하기 위해 볼 밀을 사용하여 24시간 동안 조합 및 혼합되었다.
[0144]
준비되었던 기판용 녹색 시트에 대한 페인트들은, 기판용 복수의 녹색 시트들을 형성하기 위해 폴리에틸렌 테레프탈레이트 필름 상에 닥터 블레이드 프로세스에 의해 필름들로서 형성되었다. 녹색 시트들의 두께는 베이킹 이후에 25 ㎛에 도달하도록 하는 그러한 방식으로 조절되었음에 유의해야 한다.
[0145]
이 후에, 요구되는 회로에 상응하는 표면-층 컨덕터 패턴들(표면 컨덕터 패턴 및 장착 표면-단자 패턴)이 표면-층 녹색 시트 상에 스크린 프린팅에 의해 형성되었다. 이 예시적인 실시예에서, 표면 컨덕터 패턴 및 장착 표면-단자 패턴은 최외측 상에 배치된 기판용 녹색 시트 상에 미리결정된 패턴으로 은 페이스트를 프린팅함으로써 형성되었음에 유의해야 한다.
[0146]
게다가, 내부-층 컨덕터 패턴들(내부 컨덕터 패턴 및 비아 컨덕터 패턴 등)은 또한, 표면-층 녹색 시트 이외에, 녹색 시트들에 대한 요구되는 회로에 따라 스크린 프린팅에 의해 형성되었다. 이 예시적인 실시예에 따라, 비아 컨덕터 패턴은 기판용 녹색 시트들 내의 미리결정된 포지션들에서 쓰루 홀들(비아 홀들)을 형성함으로써, 그리고 이러한 홀들을 은 페이스트로 충전시킴으로써 형성되었음에 유의해야 한다. 게다가, 내부 컨덕터 패턴은 내부 층을 구성하는 기판용 녹색 시트의 표면 상에 미리결정된 패턴으로 은 페이스트를 프린팅함으로써 형성되었다.
[0147]
그런 다음, 이러한 녹색 시트들은 미리결정된 순서로 적층되었고, 그 이후에, 적층체는 74 MPa로 가압되고 분위기 하에서 900℃에서 2시간 동안 베이킹되었고, 단면 구조체가 도 1에 도시된, 비아 컨덕터(3), 표면 단자(4), 내부 컨덕터(5) 및 표면 컨덕터(6)를 포함하는 다중층 구조체를 갖는 유리 세라믹 배선 보드(101)가 획득되었다.
[0148]
베이킹 이후에 유리 세라믹 배선 보드의 총 두께는 0.20 mm였고, 그리고 표면 컨덕터(6)에 의해 형성된 최상부 표면-층 부분의 두께는 25 ㎛였음에 유의해야 한다. 이 후에, 니켈이 표면 컨덕터 상에 베이스로서 형성되었고, 그 이후에 금 도금이 적용되었다.
[0149]
이러한 방식으로 획득된 유리 세라믹 배선 보드는 고주파수 영역에서 낮은 유전 손실을 가졌고, 컨덕터 층으로서 Ag와 같이 낮은-저항 금속을 사용하여 1000℃ 또는 그 미만의 저온에서 베이킹이 수행될 수 있음이 확인되었다.
[산업적 응용가능성]
[0150]
본 발명은, 고주파수 영역, 이를테면, 밀리파 영역에서의 사용을 가능하게 하기 위해 더 낮은 손실이 달성되면서 또한 특성들에 있어서 변동이 거의 없는 유리 세라믹 소결 콤팩트를 제공하고, 그리고 또한 그러한 유리 세라믹 소결 콤팩트를 포함하는 배선 보드를 제공하는 것을 가능하게 한다.
[0151]
1... 유리 세라믹 소결 콤팩트
1a-1d... 절연성 층
3... 비아 컨덕터
4... 장착 표면-단자
5... 내부 컨덕터 층
6... 표면 컨덕터 층
10... 녹색 시트
11a-11d... 유리 세라믹 배선 보드용 녹색 시트
12a-12d... 유리 세라믹 기판용 녹색 시트
13... 비아 컨덕터 패턴
14... 장착 표면-단자 패턴
15... 내부 컨덕터 패턴
16... 표면 컨덕터 패턴
21... 유리 세라믹 배선 보드용 적층체
22... 유리 세라믹 기판용 적층체
101... 유리 세라믹 배선 보드
102... 유리 세라믹 기판

Claims (5)

  1. 유리 성분, 세라믹 충전재 및 복합 산화물을 함유하는 유리 세라믹 소결 콤팩트(glass ceramic sintered compact)로서,
    상기 유리 성분은 적어도 Mg, Ca 및 Si를 포함하는 다이옵사이드 산화물 결정 상(diopside oxide crystal phase)이 증착된 결정화 유리(crystallized glass)이고; 그리고 상기 복합 산화물은 적어도 Al 및 Co를 포함하며,
    상기 유리 세라믹 소결 콤팩트에서의 상기 복합 산화물의 함량은 산화물 당량으로 환산하여 0.05 내지 1.5 질량 %이고, 그리고
    상기 복합 산화물에서의 Al의 함량은 산화물 당량으로 환산하여 5 내지 50 질량 %이고, 상기 복합 산화물에서의 Co의 함량은 산화물 당량으로 환산하여 14 내지 45 질량 %인,
    유리 세라믹 소결 콤팩트.
  2. 제1 항에 있어서,
    상기 복합 산화물은 Ti를 더 포함하는,
    유리 세라믹 소결 콤팩트.
  3. 삭제
  4. 제1 항 또는 제2 항에 있어서,
    상기 세라믹 충전재는 Al2O3인,
    유리 세라믹 소결 콤팩트.
  5. 절연성 베이스 및 배선 컨덕터를 포함하는 배선 보드로서,
    상기 절연성 베이스는 제1 항 또는 제2 항에 따른 유리 세라믹 소결 콤팩트를 포함하는,
    배선 보드.
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