KR102001752B1 - 액체 분사 헤드 및 액체 분사 헤드 제조 방법 - Google Patents
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Abstract
밀봉판 등의 배선 기판 상에 형성된 배선의 저항을 낮추면서, 소형화를 달성할 수 있는 액체 분사 헤드, 및 액체 분사 헤드의 제조 방법이 제공된다. 액체 분사 헤드는, 복수의 압전 소자(32)를 구비한 압력실 형성 기판(29)이 접합되는 제 1 면(41)과, 압전 소자(32)를 구동하기 위한 신호를 출력하는 구동 IC(34)가 접합되는 제 1 면(41)과는 반대측의 제 2 면(42)을 갖는 밀봉판(33)을 구비하며, 밀봉판(33)의 제 1 면(41)에는, 구동 소자(32)에 공통된 공통 배선(38)과 접속되는 하면측 매설 배선(51)이 형성되고, 하면측 매설 배선(51)은 밀봉판(33) 내에 적어도 부분적으로 매설된다.
Description
본 발명은 구동 IC와 접속되는 배선이 형성된 배선 기판을 구비한 액체 분사 헤드 및 액체 분사 헤드 제조 방법에 관한 것이다.
액체 분사 헤드를 구비한 액체 분사 장치의 예는 잉크젯식 프린터나 잉크젯식 플로터 등의 화상 기록 장치를 포함한다. 최근에는, 액체 분사 장치는 극히 소량의 액체를 소정 위치에 정확하게 착탄시킬 수 있다는 이점을 취함으로써 각종 제조 장치에도 응용되고 있다. 예를 들면, 액정 디스플레이 등의 컬러 필터를 제조하는 디스플레이 제조 장치, 유기 전기 발광(Electro Luminescence; EL) 디스플레이나 면발광 디스플레이(surface emission display; FED) 등의 전극을 형성하는 전극 형성 장치, 바이오 칩(생물 화학 소자)을 제조하는 칩 제조 장치에 응용되고 있다. 여기서, 화상 기록 장치용의 기록 헤드는 액상 잉크를 분사하고, 디스플레이 제조 장치용의 색재 분사 헤드는 R(적색), G(녹색), B(청색)의 색재의 용액을 분사한다. 또한, 전극 형성 장치용의 전극재 분사 헤드는 액체 전극 재료를 분사하고, 칩 제조 장치용의 생체 유기물 분사 헤드는 생체 유기물의 용액을 분사한다.
상기의 액체 분사 헤드 각각은 압력실 형성 기판, 압전 소자(구동 소자의 일종) 및 밀봉판 등을 적층하여 형성되어 있다. 여기서, 노즐과 연통하는 압력실이 압력실 연통 기판에 형성되고, 압전 소자는 압력실 내의 액체에 압력 변동을 일으킨다. 또한, 밀봉판은 압전 소자와 밀봉판 사이에 간격을 두고서 배치된다. 상기의 압전 소자는 구동 IC(드라이버 IC라고도 함)에 의해 공급되는 구동 신호에 의해 구동된다. 상기 압전 소자는 예를 들어 개별 압력실마다 마련된 개별 전극층과, 티탄산 지르콘산 납(PZT) 등의 압전체층과, 압력실에 공통된 공통 전극층을 적층하여 형성되어 있다. 구동 IC(드라이버 IC라고도 함)가 전압 신호를 개별 전극층에 공급하면, 해당 전압 신호에 따라서 압전체층이 변형되어, 압력실 내에 압력 변동이 일어난다. 이 압력 변동을 이용함으로써, 액체 분사 헤드는 노즐을 통해 액체를 분사한다. 여기서, 구동 IC는 관련 기술분야에서 액체 분사 헤드의 외측에 마련되어 있다. 예를 들면, 액체 분사 헤드에 접속되는 플렉시블 기판에 마련된 구동 IC가 알려져 있다(예를 들면, 특허문헌 1 참조).
최근, 액체 분사 헤드의 소형화에 따라서, 압전 소자를 덮는 밀봉판 상에 구동 IC를 접합하는 기술이 개발되고 있다. 이러한 구성에서는, 밀봉판의 일측(압력실 형성 기판측) 면에 압전 소자의 공통 전극층에 전력을 공급하는 배선이 형성된다. 그런데, 노즐의 고밀도화에 따라서 노즐의 수가 증가하면, 공통 전극층에 공급되는 전력이 증대된다. 이 때문에, 배선의 전기 저항(이하, 간단히 저항이라 함)을 낮추는 것이 검토되고 있다. 그렇지만, 배선의 저항을 낮추기 위해, 배선의 폭을 넓히면, 배선 영역이 커지고, 나아가서는 밀봉판의 크기가 커진다. 또한, 배선의 두께를 두껍게 하는 것도 고려될 수 있다. 그렇지만, 배선이 밀봉판으로부터 압전 소자측으로 돌출되면, 밀봉판에 대향하는 압전 소자의 변형이 저해될 수 있다. 이 때문에, 압전 소자와 밀봉판 사이의 간격을 넓힐 필요가 있다. 이에 의해, 액체 분사 헤드의 소형화가 곤란하게 된다.
본 발명은 이러한 사정을 감안하여 이루어진 것이며, 본 발명의 목적은 밀봉판 등의 배선 기판 상에 형성된 배선의 저항을 낮추면서, 소형화를 달성할 수 있는 액체 분사 헤드 및 액체 분사 헤드 제조 방법을 제공하는 것이다.
본 발명의 액체 분사 헤드는, 상기 목적을 달성하기 위해 제안된 것으로서, 복수의 구동 소자를 구비한 구동 소자 형성 기판이 접속되는 제 1 면과, 상기 구동 소자를 구동하기 위한 신호를 출력하는 구동 IC가 마련되는 상기 제 1 면과는 반대측의 제 2 면을 갖는 배선 기판을 구비하며,
상기 배선 기판의 상기 제 1 면에는 구동 소자에 공통된 공통 전극과 접속되는 배선이 형성되고,
상기 배선은 상기 배선 기판 내에 적어도 부분적으로 매설된다.
이러한 구성에 따르면, 배선이 배선 기판 내에 매설된다. 따라서, 배선의 폭 및 배선 기판의 표면으로부터의 배선의 치수(높이)를 크게 하는 일없이, 배선의 단면적을 크게 할 수 있다. 이에 의해, 배선의 저항을 낮출 수 있다. 또한, 배선의 폭을 가능한 한 많이 좁힐 수 있기 때문에, 배선 레이아웃의 자유도가 증가하고, 나아가서는 배선 영역을 작게 할 수 있다. 그 결과, 액체 분사 헤드의 소형화가 달성될 수 있다. 또한, 배선의 높이를 줄일 수 있기 때문에, 압전 소자 변형의 불리한 저해를 억제할 수 있다.
또한, 상기 구성에 있어서, 상기 배선은 금속층으로 적어도 부분적으로 피복되는 것이 바람직하다.
이러한 구성에 따르면, 환경 변화로 인한 배선의 전기적인 특성의 변화를 억제할 수 있다. 또한, 마이그레이션(migration) 등으로 인한 배선의 단선을 억제할 수 있다. 이에 의해, 신뢰성이 높은 액체 분사 헤드를 제공할 수 있다.
또한, 각각의 상기 구성에 있어서, 상기 배선과 상기 공통 전극은 범프 전극에 의해 접속되는 것이 바람직하다.
이러한 구성에 따르면, 공통 전극에 공급되는 전력이 1개소에 집중되는 것을 억제할 수 있다. 이에 의해, 공통 전극을 거쳐서 압전 소자에 공급되는 전력에 차이가 발생하는 것을 억제할 수 있다. 그 결과, 노즐을 통해 분사되는 액체의 분사 특성을 균일하게 할 수 있다.
또한, 상기 구성에 있어서, 상기 범프 전극 각각은 탄성을 갖는 수지와, 상기 수지의 표면 중 적어도 일부를 덮는 도전층을 구비하는 것이 바람직하다.
이러한 구성에 따르면, 범프 전극에 탄성을 부여할 수 있어, 해당 범프 전극에 의해 보다 신뢰성있는 도통을 제공할 수 있다.
또한, 상기 구성에 있어서, 상기 수지는 상기 배선의 표면에 형성되고, 상기 도전층은 상기 수지로부터 떨어진 위치에서 상기 배선과 접속되는 것이 바람직하다.
이러한 구성에 따르면, 배선의 바로 위에 범프 전극이 형성된다. 따라서, 배선과는 별도로 범프 전극을 마련하는 경우와 비교하여, 도전층의 배선 거리를 짧게 할 수 있어, 배선 저항을 낮출 수 있다. 또한, 도전층으로서 금속층을 이용함으로써, 도전층과 배선을 덮는 금속층을 동일한 공정에서 형성할 수 있다. 그 결과, 배선 기판 제조가 보다 용이해져서, 배선 기판을 저비용으로 형성할 수 있다.
또한, 상기 구성에 있어서, 상기 배선은 2열로 형성되고, 상기 수지는 상기 2열의 배선 사이에 형성되며, 상기 도전층은 상기 수지로부터 떨어진 위치에서 상기 2열의 배선 중 적어도 하나와 접속되는 것이 바람직하다.
이러한 구성에 따르면, 배선으로부터 떨어진 위치에 수지가 형성된다. 따라서, 해당 수지와 배선 기판의 밀착성을 향상시킬 수 있다. 또한, 도전층으로서 금속층을 이용함으로써, 도전층과 배선을 덮는 금속층을 동일한 공정에서 형성할 수 있다. 그 결과, 배선 기판 제조가 보다 용이해져서, 배선 기판을 저비용으로 형성할 수 있다.
또한, 상기 구성에 있어서, 상기 수지는 상기 배선과 대향하는 위치에 형성되고, 상기 도전층은 상기 공통 전극인 것이 바람직하다.
이러한 구성에 따르면, 배선과 대향하는 위치에 범프 전극이 형성된다. 따라서, 배선과는 별도로 마련된 단자에 범프 전극을 접속하는 경우와 비교하여, 배선 거리를 짧게 할 수 있어, 배선 저항을 낮출 수 있다. 또한, 도전층을 공통 전극으로 형성할 수 있기 때문에, 추가의 도전층을 형성하는 경우에 비해, 이러한 경우에 구동 소자 형성 기판 제조가 더 용이해져서, 구동 소자 형성 기판을 저비용으로 형성할 수 있다.
또한, 각각의 상기 구성에 있어서, 상기 배선 기판은 상기 배선 기판을 관통하는 관통 구멍의 내부에 형성되고 도체로 이루어지는 관통 배선을 구비하고, 상기 배선은 상기 제 1 면에서 상기 관통 배선과 접속되는 것이 바람직하다.
이러한 구성에 따르면, 배선 기판의 임의 위치에서 제 1 면과 제 2 면 사이를 중계할 수 있으며, 또한 양면에 배선을 형성할 수 있다. 따라서, 배선 레이아웃의 자유도를 증가시킬 수 있다.
또한, 본 발명의 일 태양의 액체 분사 헤드 제조 방법은, 복수의 구동 소자를 구비한 구동 소자 형성 기판이 접합되는 제 1 면과, 상기 구동 소자를 구동하기 위한 신호를 출력하는 구동 IC가 접합되는 상기 제 1 면과는 반대측의 제 2 면과, 상기 구동 소자에 공통된 공통 전극과 접속되는 배선과, 상기 제 1 면과 상기 제 2 면 사이를 중계하는 관통 배선을 갖는 배선 기판을 구비한 액체 분사 헤드 제조 방법이며, 상기 방법은,
상기 배선 기판의 상기 제 1 면에 판 두께 방향으로 오목한 오목부를 형성하고, 상기 배선 기판을 관통하는 관통 구멍을 형성하는 배선 기판 가공 공정과,
상기 오목부에 도전 재료를 매립하여 상기 배선을 형성하고, 상기 관통 구멍에 도전 재료를 매립하여 상기 관통 배선을 형성하는 배선 형성 공정을 포함한다.
이러한 방법에 따르면, 배선 기판 내에 매설된 배선을 형성할 수 있다. 이에 의해, 배선의 폭 및 배선 기판의 표면으로부터의 배선의 치수(높이)를 크게 하는 일없이, 배선의 단면적을 크게 할 수 있다. 또한, 배선과 관통 배선을 동일한 공정에서 형성할 수 있기 때문에, 배선 기판 제조가 보다 용이해진다. 또한, 배선 기판을 저비용으로 형성할 수 있다.
상기 방법에 있어서, 상기 배선 형성 공정은 전계 도금법을 이용하여 상기 오목부 내 및 상기 관통 구멍 내에 도전 재료를 형성하는 것을 포함하는 것이 바람직하다.
이러한 방법에 의해, 배선 및 관통 배선을 보다 용이하게 형성할 수 있다. 그 결과, 배선 기판 제조가 한층 더 용이해진다. 또한, 배선 기판을 더욱 저비용으로 제작할 수 있다.
또한, 상기 방법에 있어서, 상기 배선 형성 공정은 인쇄를 이용하여 상기 오목부 내 및 상기 관통 구멍 내에 도전 재료를 형성하는 것을 포함하는 것이 바람직하다.
이러한 방법에 의해, 배선 및 관통 배선을 보다 용이하게 형성할 수 있다. 그 결과, 배선 기판 제조가 한층 더 용이해진다. 또한 배선 기판을 더욱 저비용으로 제작할 수 있다.
또한, 상기 방법에 있어서, 상기 도전 재료는 도전성 페이스트이고, 상기 배선 형성 공정은 상기 도전 재료를 경화하는 것을 포함하는 것이 바람직하다.
이러한 방법에 의해, 배선 및 관통 배선의 저항을 낮출 수 있다.
도 1은 프린터의 구성을 설명하는 사시도,
도 2는 기록 헤드의 구성을 설명하는 단면도,
도 3은 전자 디바이스의 주요부의 확대 단면도,
도 4는 하면측 매설 배선과 공통 배선 사이의 접속 구조를 설명하는 사시도,
도 5는 밀봉판 제조 과정을 설명하는 단면도,
도 6은 밀봉판 제조 과정을 설명하는 단면도,
도 7은 제 2 실시형태의 전자 디바이스의 주요부를 도시하는 확대 단면도,
도 8은 제 3 실시형태의 전자 디바이스의 주요부를 도시하는 확대 단면도.
도 2는 기록 헤드의 구성을 설명하는 단면도,
도 3은 전자 디바이스의 주요부의 확대 단면도,
도 4는 하면측 매설 배선과 공통 배선 사이의 접속 구조를 설명하는 사시도,
도 5는 밀봉판 제조 과정을 설명하는 단면도,
도 6은 밀봉판 제조 과정을 설명하는 단면도,
도 7은 제 2 실시형태의 전자 디바이스의 주요부를 도시하는 확대 단면도,
도 8은 제 3 실시형태의 전자 디바이스의 주요부를 도시하는 확대 단면도.
이하, 본 발명을 실시하기 위한 실시형태를 첨부 도면을 참조하여 설명한다. 이하에 설명하는 실시형태에서는, 본 발명의 바람직한 구체적인 예로서 다양한 한정이 제공되어 있는 것을 주목하자. 그렇지만, 본 발명의 범위는, 이하의 설명에서 본 발명이 실시형태에 한정된다는 취지의 기재가 없는 한, 임의의 이들 실시형태에 한정되지 않는다. 또한, 하기의 설명에 있어서는, 본 발명에 따른 액체 분사 헤드의 일종인 잉크젯식 기록 헤드(이하, 기록 헤드)를 탑재한 액체 분사 장치의 일종인 잉크젯식 프린터(이하, 프린터)가 예로서 취해진다.
프린터(1)의 구성에 대하여 도 1을 참조하여 설명한다. 프린터(1)는 기록지 등의 기록 매체(2)(착탄 대상의 일종)의 표면 상에 잉크(액체의 일종)를 분사하여 화상 등을 기록하는 장치이다. 이러한 프린터(1)는, 기록 헤드(3), 이 기록 헤드(3)가 부착되는 캐리지(4), 캐리지(4)를 주 주사 방향으로 이동시키는 캐리지 이동 기구(5), 기록 매체(2)를 부 주사 방향으로 이송하는 반송 기구(6) 등을 구비하고 있다. 여기서, 잉크는 액체 공급원으로서의 역할을 하는 잉크 카트리지(7)에 저류되어 있다. 이 잉크 카트리지(7)는 기록 헤드(3) 상에 착탈 가능하게 장착된다. 또한, 잉크 카트리지가 프린터의 본체 측에 배치되고, 잉크가 잉크 카트리지로부터 잉크 공급 튜브를 통하여 기록 헤드에 공급되는 구성을 채용할 수도 있다는 것에 주목하자.
캐리지 이동 기구(5)는 타이밍 벨트(8)를 구비하고 있다. 이 타이밍 벨트(8)는 DC 모터 등의 펄스 모터(9)에 의해 구동된다. 따라서, 펄스 모터(9)가 작동하면, 캐리지(4)는 프린터(1)에 가설된 가이드 로드(10)에 의해 안내되면서, 주 주사 방향(기록 매체(2)의 폭 방향)으로 왕복 이동한다. 캐리지(4)의 주 주사 방향의 위치는 위치 정보 검출기의 일종인 리니어 인코더(도시되지 않음)에 의해 검출된다. 리니어 인코더는 검출 신호, 즉 인코더 펄스(위치 정보의 일종)를 프린터(1)의 제어 유닛에 송신한다.
또한, 캐리지(4)가 이동할 수 있는 범위 내에서의 기록 영역보다 외측의 단부 영역에는, 캐리지(4)의 주사의 기점이 되는 홈 포지션(home position)이 설정되어 있다. 이 홈 포지션에는, 단부측으로부터 순서대로, 기록 헤드(3)의 노즐면(노즐 플레이트(21))에 형성된 노즐(22)을 밀봉하는 캡(11), 및 노즐면을 불식(拂拭)하기 위한 와이핑 유닛(12)이 배치되어 있다.
다음에, 기록 헤드(3)에 대하여 설명한다. 도 2는 기록 헤드(3)의 구성을 설명하는 단면도이다. 도 3은 하면측 매설 배선(51)과 공통 배선(38)의 접합부를 설명하는 도면이며, 전자 디바이스(14)의 주요부의 확대 단면도이다. 도 4는 하면측 매설 배선과 공통 배선 사이의 접속 구조를 설명하는 모식도이며, 진동판(31)을 상방(밀봉판(33)측)에서 본 사시도이다. 도 4에서는 진동판(31), 밀봉판(33) 등을 생략하고, 배선 및 압전 소자(32)만이 도시되어 있다는 것에 주목하자.
도 2에 도시한 바와 같이, 본 실시형태의 기록 헤드(3)에서는, 서로 적층된 전자 디바이스(14) 및 유로 유닛(15)이 헤드 케이스(16)에 장착되어 있다. 편의상, 하기에서는 부재의 적층 방향을 상하 방향으로 하여 설명한다는 것에 주목하자.
헤드 케이스(16)는 합성 수지제의 상자형상 부재이다. 헤드 케이스(16)의 내부에는 압력실(30)에 잉크를 공급하는 리저버(reservoir)(18)가 형성되어 있다. 이 리저버(18)는 병설된 복수의 압력실(30)에 공통된 잉크가 저류되는 공간이고, 형성된 리저버(18)의 개수는 2열로 병설된 압력실(30)의 열의 개수와 동일한 2개이다. 헤드 케이스(16)의 상측 부분에는, 잉크 카트리지(7)로부터의 잉크를 리저버(18)에 도입하는 잉크 도입로(도시되지 않음)가 형성되어 있다는 것에 주목하자. 또한, 헤드 케이스(16)의 하면측에는, 해당 하면으로부터 헤드 케이스(16)의 높이 방향의 도중까지 직방체 형상으로 오목한 수용 공간(17)이 형성되어 있다. 후술하는 유로 유닛(15)이 헤드 케이스(16)의 하면에 위치설정된 상태에서 접합되는 경우, 본 구성에서는, 연통 기판(24) 상에 적층된 전자 디바이스(14)(압력실 형성 기판(29), 밀봉판(33) 등)가 수용 공간(17) 내에 수용되어 있다.
헤드 케이스(16)의 하면에 접합되는 유로 유닛(15)은 연통 기판(24) 및 노즐 플레이트(21)를 구비하고 있다. 연통 기판(24)은 실리콘제의 판재이다. 본 실시형태에서는, 각 표면(상면 및 하면)의 결정면 방위를 (110) 면으로 한 실리콘 단결정 기판으로 제작되어 있다. 이러한 연통 기판(24)에는, 도 2에 도시하는 바와 같이, 공통 액실(25) 및 개별 연통로(26)가 에칭에 의해 형성되어 있다. 공통 액실(25)은 리저버(18)와 연통하고, 각 압력실(30)에 공통된 잉크를 저류한다. 개별 연통로(26)는 공통 액실(25)을 통해 리저버(18)로부터의 잉크를 압력실(30)에 개별적으로 공급한다. 각각의 공통 액실(25)은 노즐 열 방향으로 장척인 공간부이다. 여기서, 2열로 병설된 압력실(30)의 열에 대응하여 2열의 공통 액실(25)이 형성되어 있다. 공통 액실(25) 각각은, 연통 기판(24)을 판 두께 방향으로 관통한 제 1 액실(25a)과, 연통 기판(24)의 하면측으로부터 상면측을 향하여 해당 연통 기판(24)의 판 두께 방향의 도중까지 오목하게 함으로써, 상면측에 박판부를 남긴 상태로 형성된 제 2 액실(25b)을 구비한다. 복수의 개별 연통로(26)는, 압력실(30)에 대응하여, 해당 압력실(30)이 병설된 방향으로 배치되면서 제 2 액실(25b)의 박판부에 형성되어 있다. 연통 기판(24)과 압력실 형성 기판(29)이 접합된 경우에, 개별 연통로(26) 각각은 대응하는 압력실(30)의 길이 방향에 있어서의 일측의 단부와 연통한다.
또한, 연통 기판(24)의 각 노즐(22)에 대응하는 위치에는, 연통 기판(24)을 판 두께 방향으로 관통한 노즐 연통로(27)가 형성되어 있다. 즉, 복수의 노즐 연통로(27)가 각각의 노즐 열에 대응하여 노즐 열 방향으로 형성되어 있다. 이 노즐 연통로(27)를 통해, 압력실(30)과 노즐(22)이 연통한다. 연통 기판(24)과 압력실 형성 기판(29)이 접합된 경우에, 본 실시형태의 노즐 연통로(27) 각각은 대응하는 압력실(30)의 길이 방향에 있어서의 타측(개별 연통로(26)와는 반대측)의 단부와 연통한다.
노즐 플레이트(21)는 연통 기판(24)의 하면(압력실 형성 기판(29)과는 반대측의 면)에 접합된 실리콘 기판(예를 들면, 실리콘 단결정 기판)이다. 본 실시형태에서는, 이러한 노즐 플레이트(21)는 공통 액실(25)이 되는 공간의 하면측의 개구를 밀봉하고 있다. 또한, 노즐 플레이트(21)에는, 복수의 노즐(22)이 직선 형상(열 형상)으로 개구되어 있다. 본 실시형태에서는, 2열로 형성된 압력실(30)의 열에 대응하여, 2개의 노즐 열이 형성되어 있다. 병설된 복수의 노즐(22)(노즐 열)은, 일단측의 노즐(22) 중 하나로부터 타단측의 노즐(22) 중 하나까지 도트 형성 밀도에 대응한 피치(예를 들면, 600dpi)로, 주 주사 방향에 직교하는 부 주사 방향으로 등간격으로 마련되어 있다. 노즐 플레이트를 연통 기판에 있어서의 공통 액실의 내측에 있는 영역에 접합하고, 공통 액실을 형성하는 공간의 하면측의 개구를 예를 들어 컴플리언스 시트(compliance sheet) 등의 가요성 부재로 밀봉할 수도 있다는 것에 주목하자. 이러한 구성에 따르면, 노즐 플레이트를 가능한 한 작게 할 수 있다.
본 실시형태의 전자 디바이스(14)는, 각각의 압력실(30) 내의 잉크의 압력 변동을 일으키는 액추에이터로서 기능하는 박판 형상의 디바이스이다. 도 2에 도시하는 바와 같이, 이 전자 디바이스(14)에는, 압력실 형성 기판(29), 진동판(31), 압전 소자(32)(본 발명에 따른 구동 소자에 상당), 밀봉판(33) 및 구동 IC(34)가 적층되어 유닛화되어 있다. 전자 디바이스(14)는, 수용 공간(17) 내에 수용될 수 있도록, 수용 공간(17)보다 작게 형성되어 있다는 것에 주목하자.
압력실 형성 기판(29)은 실리콘제의 경질 판재이다. 본 실시형태에서는, 압력실 형성 기판(29)은 각 표면(상면 및 하면)의 결정면 방위를 (110) 면으로 한 실리콘 단결정 기판으로 제작되어 있다. 압력실 형성 기판(29)의 일부는 에칭에 의해 판 두께 방향으로 완전히 제거되어, 압력실(30)이 되어야 할 복수의 공간이 노즐 열 방향으로 병설되어 형성된다. 각 공간의 하방은 연통 기판(24)에 의해 구획되고, 각 공간의 상방은 진동판(31)에 의해 구획된다. 이러한 방식으로, 이러한 공간은 압력실(30)을 구성한다. 또한, 이 공간, 즉 압력실(30)은 2열로 형성된 노즐 열에 대응하여 2열로 형성되어 있다. 각 압력실(30)은 노즐 열 방향에 직교하는 방향으로 장척인 공간부이다. 길이 방향의 일측의 압력실(30)의 단부는 개별 연통로(26)와 연통하는 동시에, 타측의 압력실(30)의 단부는 노즐 연통로(27)와 연통한다.
진동판(31)은 박막 형상의 탄성 부재이고, 압력실 형성 기판(29)의 상면(연통 기판(24)측과는 반대측의 면)에 적층되어 있다. 이 진동판(31)은 압력실(30)이 되어야 하는 공간의 상부 개구를 밀봉한다. 환언하면, 진동판(31)은 압력실(30)을 구획하고 있다. 이 진동판(31)에 있어서의 압력실(30)(상세하게는, 압력실(30)의 상부 개구)에 대응하는 부분은 압전 소자(32)의 휨 변형에 따라 노즐(22)로부터 멀어지는 방향 혹은 노즐(22)에 근접하는 방향으로 변위되는 변위부로서 기능한다. 즉, 진동판(31)에 있어서의 압력실(30)의 상부 개구에 대응하는 영역은 휨 변형이 허용되는 구동 영역(35)이 된다. 한편, 진동판(31)에 있어서의 압력실(30)의 상부 개구로부터 벗어난 영역은 휨 변형이 저해되는 비구동 영역(36)이 된다.
진동판(31)은, 예를 들어 압력실 형성 기판(29)의 상면에 형성되고 이산화실리콘(SiO2)으로 이루어지는 탄성막과, 이 탄성막 상에 형성되고 산화지르코늄(ZrO2)으로 이루어지는 절연체막을 포함한다는 것에 주목하자. 또한, 이 절연막 상(진동판(31)의 압력실 형성 기판(29)측과는 반대측의 면)에 있어서의 각 압력실(30)에 대응하는 영역, 즉 구동 영역(35)에 각각의 압전 소자(32)가 적층되어 있다. 압전 소자(32)는, 노즐 열 방향으로 병설된 2열의 압력실(30)에 대응하도록 해당 노즐 열 방향을 따라서 2열로 형성되어 있다. 압력실 형성 기판(29) 및 이 압력실 형성 기판(29)에 적층된 진동판(31)이 본 발명에 따른 구동 소자 형성 기판에 상당한다는 것에 주목하자.
본 실시형태의 압전 소자(32) 각각은 소위 휨 모드의 압전 소자이다. 압전 소자(32)는 예를 들어 진동판(31) 상에 순차 적층된 하부 전극층, 압전체층 및 상부 전극층을 구비한다. 이와 같이 구성된 압전 소자(32)는, 하부 전극층과 상부 전극층 사이에 양 전극의 전위차에 따른 전계가 부여되면, 노즐(22)로부터 멀어지는 방향 혹은 근접하는 방향으로 휨 변형을 받는다. 도 2에 도시하는 바와 같이, 압전 소자(32)를 구성하는 하부 전극층은 압전 소자(32)보다 외측의 비구동 영역(36)까지 연장되도록 형성되고, 대응하는 압전 소자(32)에 개별 전압을 공급하는 개별 배선(37)을 구성한다. 한편, 압전 소자(32)를 구성하는 상부 전극층은 압전 소자(32)의 열 사이의 다른 비구동 영역(36)까지 연장되도록 형성되고, 압전 소자(32)에 공통 전압을 공급하는 공통 배선(38)(본 발명의 공통 전극에 상당)을 구성한다. 즉, 압전 소자(32)의 길이 방향에 있어서, 해당 압전 소자(32)보다 외측에 개별 배선(37)이 형성되고, 압전 소자(32)보다 내측에 공통 배선(38)이 형성되어 있다. 또한, 개별 배선(37) 및 공통 배선(38)에 대응적으로 수지 코어 범프(40)(후술함)가 접합되어 있다.
본 실시형태에서는, 일측의 압전 소자(32)의 열로부터 연장되도록 형성된 공통 배선(38)과, 타측의 압전 소자(32)의 열로부터 연장되도록 형성된 공통 배선(38)은 압전 소자(32)의 열 사이의 비구동 영역(36)에서 접속되어 있다. 즉, 도 2 및 도 4에 도시하는 바와 같이, 압전 소자(32)의 열 사이에 있어서의 비구동 영역(36)에는 양측의 압전 소자(32)에 공통된 공통 배선(38)이 형성되어 있다. 도 4에 도시하는 바와 같이, 공통 배선(38)은 압전 소자(32)의 열이 형성된 방향(즉, 노즐 열 방향)으로 연장되도록 제공되어 있다.
도 2에 도시하는 바와 같이, 밀봉판(33)(본 발명에 따른 배선 기판에 상당)은 진동판(31)(혹은 압전 소자(32))에 대하여 간격을 두고서 배치된 평판 형상의 실리콘 기판이다. 본 실시형태에서는, 각 표면(상면 및 하면)의 결정면 방위를 (110) 면으로 한 실리콘 단결정 기판으로 형성되어 있다. 밀봉판(33)의 진동판(31)측의 면인 제 1 면(41)(하면)과는 반대측의 제 2 면(42)(상면)에는 압전 소자(32)를 구동하기 위한 신호를 출력하는 구동 IC(34)가 배치되어 있다. 즉, 밀봉판(33)의 제 1 면(41)에는 압전 소자(32)가 적층된 진동판(31)이 접속되는 한편, 밀봉판(33)의 제 2 면(42)에는 구동 IC(34)가 마련되어 있다.
본 실시형태에 있어서, 밀봉판(33)의 제 1 면(41)에는 복수의 수지 코어 범프(40)(본 발명의 범프 전극에 상당)이 형성되어 있다. 수지 코어 범프(40)는 구동 IC(34) 등으로부터의 구동 신호를 압전 소자(32)로 출력한다. 도 2에 도시하는 바와 같이, 복수의 수지 코어 범프(40)는, 한쪽의 압전 소자(32)의 외측까지 연장되도록 형성된 한쪽의 개별 배선(37)에 대응하는 위치, 다른쪽의 압전 소자(32)의 외측까지 연장되도록 형성된 다른쪽의 개별 배선(37)에 대응하는 위치 및 양쪽의 압전 소자(32)의 열 사이에 형성된 압전 소자(32)에 공통된 공통 배선(38)에 대응하는 위치에 각각 노즐 열 방향으로 배치되어 있다. 또한, 각각의 수지 코어 범프(40)는 대응하는 개별 배선(37) 및 공통 배선(38)에 접속되어 있다.
본 실시형태에 있어서, 각각의 수지 코어 범프(40)는 탄성을 갖고 있으며, 밀봉판(33)의 표면으로부터 진동판(31)측을 향하여 돌출되도록 형성되어 있다. 구체적으로는, 도 2 내지 도 4에 도시하는 바와 같이, 수지 코어 범프(40)는 탄성을 갖는 내부 수지(40a)(본 발명의 수지에 상당)와, 내부 수지(40a) 중 적어도 일부 표면을 덮는 하면측 배선(47)으로 이루어지는 도전막(40b)(본 발명의 도전층에 상당)을 구비하고 있다. 내부 수지(40a)는 밀봉판(33)의 표면에서 노즐 열 방향으로 기다란 돌기로 형성되어 있다. 또한, 개별 배선(37)에 도통하는 복수의 도전막(40b)이 노즐 열 방향으로 병설된 압전 소자(32)에 대응하여 해당 노즐 열 방향으로 형성되어 있다. 즉, 개별 배선(37)에 도통하는 복수의 수지 코어 범프(40)가 노즐 열 방향으로 형성되어 있다. 각각의 도전막(40b)은 내부 수지(40a) 상의 부분으로부터 내측(압전 소자(32)측)으로 연장되어 하면측 배선(47)을 형성한다. 또한, 하면측 배선(47)의 수지 코어 범프(40)측과는 반대측의 단부는 후술하는 관통 배선(45)에 접속되어 있다.
도 3에 도시하는 바와 같이, 공통 배선(38)에 대응하는 수지 코어 범프(40)는 제 1 면(41)에 형성된 하면측 매설 배선(51)(본 발명의 배선에 상당) 상에 적층되어, 해당 하면측 매설 배선(51)과 공통 배선(38)을 접속하고 있다. 여기서, 하면측 매설 배선(51)은 밀봉판(33) 내에 적어도 부분적으로 매설되어 있다. 본 실시형태에 있어서, 하면측 매설 배선(51)은 도 4에 도시하는 바와 같이, 압전 소자(32)의 열 각각이 연장되는 방향(즉 노즐 열 방향)으로 연장되고, 그 전체가 밀봉판(33) 내에 매립되어 있다. 이 때문에, 하면측 매설 배선(51)의 제 1 면(41)측의 표면과 밀봉판(33)의 제 1 면(41)측의 표면이 실질적으로 면일(面一)하게 되어 있다. 하면측 매설 배선(51)의 연장 방향에서의 단부는 관통 배선(45)의 제 1 면(41)측의 단부와 접속되어 있다. 관통 배선(45)은 제 2 면(42)측에 형성된 상면 측 배선(46)을 구비한 접속 배선(62)을 거쳐서 공통 접속 단자(55)와 접속되어 있다. 즉, 하면측 매설 배선(51)은 관통 배선(45) 및 접속 배선(62)을 거쳐서 공통 접속 단자(55)와 접속되어 있다. 또한, 공통 접속 단자(55)에는 플렉시블 케이블 등의 배선 기판(미도시)의 대응하는 단자가 접속되고, 압전 소자(32)에 공통된 전압이 공급된다. 플렉시블 케이블 등의 배선 기판의 단자와 하면측 매설 배선의 접속 구조는 상기한 구성에 한정되지 않으며, 다양한 구성을 채용할 수 있다는 것에 주목하자. 예를 들면, 배선 기판을 제 1 면측에 접속함으로써, 관통 배선을 마련하지 않고서, 배선 기판의 단자를 하면측 배선에 접속할 수도 있다.
또한, 본 실시형태에 있어서, 공통 배선(38)에 도통하는 복수의 수지 코어 범프(40)가 하면측 매설 배선(51) 상에 형성되어 있다. 이들 복수의 수지 코어 범프(40)에 의해 하면측 매설 배선(51)과 공통 배선(38)이 접속되어 있다. 구체적으로는, 수지 코어 범프(40)의 내부 수지(40a)는 하면측 매설 배선(51)의 폭(노즐 열 방향에 직교하는 방향의 치수)보다 좁은 폭을 갖고, 하면측 매설 배선(51)의 연장 방향으로 연장되도록 형성되어 있다. 도 3에 도시하는 바와 같이, 본 실시형태의 내부 수지(40a)는 하면측 매설 배선(51)의 폭 방향에서의 대략 중앙부의 표면에 오버랩되도록 형성되어 있다. 수지 코어 범프(40)의 복수의 도전막(40b)은 내부 수지(40a) 상에 노즐 열 방향으로 배치되어 있다. 또한, 각각의 도전막(40b)은 내부 수지(40a)와 오버랩되는 위치로부터 해당 내부 수지(40a)의 폭 방향에 있어서 양측으로 연장되어 하면측 매설 배선(51)과 도통하도록 형성되어 있다. 환언하면, 내부 수지(40a)의 양측에 있어서의 하면측 매설 배선(51)의 제 1 면(41)측을 피복하는 하면측 배선(47)(본 발명의 금속층에 상당)은 내부 수지(40a)와 오버랩되는 위치까지 연장되도록 형성되어, 수지 코어 범프(40)의 도전막(40b)을 구성하고 있다. 내부 수지(40a)로서는, 예를 들어 폴리이미드 수지 등의 수지가 이용된다는 것에 주목하자. 한편, 하면측 매설 배선(51)으로서는, 구리(Cu) 등의 금속이 이용된다. 또한, 하면측 매설 배선(51) 및 도전막(40b)은 하면측 매설 배선(51)과는 상이한 도전 재료로 이루어지는 것이 바람직하며, 금(Au) 등의 금속이 이용된다.
또한, 도 2에 도시하는 바와 같이, 밀봉판(33)의 제 2 면(42)의 중앙부에는 복수(본 실시형태에서는 4개)의 전원 배선(53)이 형성되어 있다. 전원 배선(53)은 구동 IC(34)에 전원 전압 등(예를 들면 VDD1(저전압 회로의 전원), VDD2(고전압 회로의 전원), VSS1(저전압 회로의 전원), VSS2(고전압 회로의 전원))을 공급한다. 각각의 전원 배선(53)은, 밀봉판(33)의 제 2 면(42)에 매립된 상면측 매설 배선(50)과, 해당 상면측 매설 배선(50)을 덮도록 적층된 상면측 배선(46)을 구비한다. 전원 배선(53)의 상면측 배선(46) 상에, 대응하는 구동 IC(34)의 전원 범프 전극(56)이 전기적으로 접속된다. 상면측 매설 배선(50)은 구리(Cu) 등의 금속으로 이루어진다는 것에 주목하자.
또한, 도 2에 도시하는 바와 같이, 밀봉판(33)의 제 2 면(42)의 양단측의 영역(전원 배선(53)이 형성된 영역으로부터 외측으로 떨어진 영역)에는 개별 접속 단자(54)가 형성되어 있다. 개별 접속 단자(54)에는, 구동 IC(34)의 개별 범프 전극(57)이 접속되고, 이 구동 IC(34)로부터의 신호가 입력된다. 복수의 개별 접속 단자(54)가 압전 소자(32)에 대응하여 노즐 열 방향으로 형성되어 있다. 각각의 개별 접속 단자(54)로부터는 내측(압전 소자(32)측)을 향하여 상면측 배선(46)이 연장되도록 형성되어 있다. 상면측 배선(46)의 개별 접속 단자(54)측과는 반대측의 단부는 후술하는 관통 배선(45)을 거쳐서 대응하는 하면측 배선(47)과 접속되어 있다.
도 2에 도시하는 바와 같이, 관통 배선(45)은 밀봉판(33)의 제 1 면(41)과 제 2 면(42) 사이를 중계하는 배선이다. 관통 배선(45)은 밀봉판(33)을 판 두께 방향으로 관통하는 관통 구멍(45a)과, 해당 관통 구멍(45a)의 내부에 형성되고 금속 등의 도체로 이루어지는 도체부(45b)를 구비한다. 본 실시형태의 도체부(45b)는 구리(Cu) 등의 금속으로 이루어지고, 관통 구멍(45a) 내에 충전되어 있다. 도체부(45b) 중 관통 구멍(45a)의 제 1 면(41)측 개구부에 노출된 부분은 대응하는 하면측 배선(47) 또는 하면측 매설 배선(51)에 의해 피복된다. 한편, 도체부(45b) 중 관통 구멍(45a)의 제 2 면(42)측 개구부에 노출된 부분은 대응하는 상면측 배선(46)에 의해 피복된다. 본 실시형태에서는 도 2에 도시하는 바와 같이, 관통 배선(45)에 의해 개별 접속 단자(54)로부터 연장되도록 형성된 상면측 배선(46)과, 이에 대응하는 수지 코어 범프(40)로부터 연장되도록 형성된 하면측 배선(47)이 전기적으로 접속된다. 즉, 상면측 배선(46), 관통 배선(45) 및 하면측 배선(47)을 구비한 일련의 배선에 의해, 개별 접속 단자(54)와 이에 대응하는 수지 코어 범프(40)가 접속된다. 또한, 도 4에 도시하는 바와 같이, 밀봉판(33)의 길이 방향의 단부에 형성된 관통 배선(45)에 의해 하면측 매설 배선(51)과 공통 접속 단자(55)가 전기적으로 접속된다. 즉, 접속 배선(62), 관통 배선(45) 및 하면측 매설 배선(51)을 구비한 일련의 배선에 의해, 공통 접속 단자(55)와 이에 대응하는 수지 코어 범프(40)가 접속된다. 관통 배선(45)의 도체부(45b)는 관통 구멍(45a) 내에 충전될 필요는 없으며, 관통 구멍(45a) 내의 적어도 일부에 형성될 수도 있다는 것에 주목하자.
도 2 및 도 3에 도시하는 바와 같이, 밀봉판(33)과 압력실 형성 기판(29)(상세하게는, 진동판(31) 및 압전 소자(32)가 적층된 압력실 형성 기판(29))은, 수지 코어 범프(40)를 개재시킨 상태에서 열경화성 및 감광성 양쪽 특성을 갖는 감광성 접착제(43)에 의해 접합되어 있다. 본 실시형태에서는, 노즐 열 방향에 직교하는 방향에 있어서 각 수지 코어 범프(40)의 양측에 감광성 접착제(43)가 형성되어 있다. 또한, 각각의 감광성 접착제(43)는 수지 코어 범프(40)로부터 이격된 상태에서 노즐 열 방향으로 연장되는 띠 형상으로 형성되어 있다. 감광성 접착제(43)로서는, 예를 들어 에폭시 수지, 아크릴 수지, 페놀 수지, 폴리이미드 수지, 실리콘 수지, 스티렌 수지 등을 주성분으로 포함하는 수지가 바람직하게 이용된다는 것에 주목하자.
구동 IC(34)는 압전 소자(32)를 구동하기 위한 신호를 출력하는 IC 칩이고, 이방성 도전 필름(ACF) 등의 접착제(59)가 개재된 상태로 밀봉판(33)의 제 2 면(42) 상에 적층되어 있다. 도 2에 도시하는 바와 같이, 구동 IC(34)의 밀봉판(33)측의 면에는 전원 배선(53)에 접속되는 복수의 전원 범프 전극(56) 및 개별 접속 단자(54)에 접속되는 복수의 개별 범프 전극(57)이 노즐 열 방향으로 병설되어 있다. 전원 범프 전극(56)은 전원 배선(53)으로부터의 전압(전력)을 구동 IC(34) 내의 회로에 도입하는 단자이다. 한편, 개별 범프 전극(57)은 압전 소자(32)에 대응하여 개별 신호를 출력하는 단자이다. 본 실시형태의 개별 범프 전극(57)은 2열로 병설된 압전 소자(32)의 열에 대응하여 전원 범프 전극(56)의 양측에 2열 형성되어 있다. 개별 범프 전극(57)의 열 내에서 인접한 2개의 개별 범프 전극(57)의 중심간 거리(즉, 피치)는 가능한 한 작게 설정된다. 본 실시형태에서는, 개별 범프 전극(57)은 개별 배선(37)에 대응하는 수지 코어 범프(40)의 피치보다 작은 피치로 형성되어 있다.
상기와 같이 형성된 기록 헤드(3)에서는, 잉크 카트리지(7)로부터의 잉크가 잉크 도입로, 리저버(18), 공통 액실(25) 및 개별 연통로(26)를 거쳐서 압력실(30)에 도입된다. 이러한 상태에서, 구동 IC(34)로부터의 구동 신호가 밀봉판(33) 상 및 밀봉판(33) 내에 형성된 배선을 거쳐서 압전 소자(32)에 공급하여 압전 소자(32)를 구동시켜서 압력실(30)에 압력 변동을 일으킨다. 압력 변동을 이용함으로써, 기록 헤드(3)는 노즐 연통로(27)를 거쳐서 노즐(22)로부터 잉크 방울을 분사한다.
상기한 바와 같이, 본 실시형태의 기록 헤드(3)에서는, 밀봉판(33)에 형성된 하면측 매설 배선(51)이 해당 밀봉판(33) 내에 매설된다. 따라서, 하면측 매설 배선(51)의 폭 및 밀봉판(33)의 표면으로부터의 하면측 매설 배선(51)의 치수(높이)를 크게 하는 일없이, 하면측 매설 배선(51)의 단면적을 크게 할 수 있다. 이에 의해, 하면측 매설 배선(51)의 저항을 낮출 수 있다. 또한, 하면측 매설 배선(51)의 폭을 가능한 한 좁게 할 수 있기 때문에, 배선 레이아웃의 자유도가 증가하고, 나아가서는 배선 영역을 작게 할 수 있다. 그 결과, 밀봉판(33)의 소형화가 달성될 수 있고, 나아가서는 기록 헤드(3)의 소형화가 달성될 수 있다. 또한, 하면측 매설 배선(51)의 높이를 줄일 수 있기 때문에, 예를 들어 하면측 매설 배선(51)을 압전 소자(32)와 오버랩되는 위치에 배치했다고 하더라도, 해당 압전 소자(32)의 변형이 불리한 저해를 억제할 수 있다. 본 실시형태에서는, 하면측 매설 배선(51)의 제 1 면(41)측의 표면과 밀봉판(33)의 제 1 면(41)측의 표면을 실질적으로 면일하게 하고 있다. 따라서, 개별 배선(37)에 도통하는 수지 코어 범프(40)의 밀봉판(33)의 표면으로부터의 높이와, 공통 배선(38)에 도통하는 수지 코어 범프(40)의 밀봉판(33)의 표면으로부터의 높이를 동일하게 할 수 있다. 이에 의해, 밀봉판(33)과 압력실 형성 기판(29)의 접합을 용이하게 하는 것이 가능하다.
또한, 하면측 매설 배선(51)의 제 1 면(41)측의 수지 코어 범프(40)의 양측의 부분이 하면측 배선(47)(도전막(40b))으로 피복되어 있다. 따라서, 환경 변화로 인한 하면측 매설 배선(51)의 전기적인 특성의 변화를 억제할 수 있다. 또한, 마이그레이션 등으로 인한 하면측 매설 배선(51)의 단선을 억제할 수 있다. 이에 의해, 신뢰성이 높은 기록 헤드(3)를 제공할 수 있다. 또한, 하면측 매설 배선(51)과 공통 배선(38)은 복수의 수지 코어 범프(40)에 의해 접속되어 있다. 따라서, 공통 배선(38)에 공급되는 전력이 1개소에 집중되는 것을 억제할 수 있다. 이에 의해, 공통 배선(38)을 거쳐서 압전 소자(32)에 공급되는 전력에 차이가 발생하는 것을 억제할 수 있다. 그 결과, 노즐(22)을 통해 분사되는 잉크의 분사 특성을 균일하게 할 수 있다.
또한, 상기 구성에 있어서, 수지 코어 범프(40)는 탄성을 갖는 내부 수지(40a)와 해당 내부 수지(40a)의 표면을 덮는 도전막(40b)을 구비한다. 따라서, 수지 코어 범프(40)에 탄성을 부여할 수 있어, 해당 수지 코어 범프(40)에 의해 보다 신뢰성있는 도통을 제공할 수 있다. 또한, 내부 수지(40a)가 하면측 매설 배선(51)의 표면 상에 형성되어 있다. 따라서, 환경 변화로 인한 하면측 매설 배선(51)의 전기적인 특성의 변화를 더욱 억제할 수 있다. 또한, 마이그레이션 등으로 인한 하면측 매설 배선(51)의 단선을 더욱 억제할 수 있다. 또한, 하면측 매설 배선(51)의 바로 위에 수지 코어 범프(40)가 형성되어 있다. 따라서, 하면측 매설 배선(51)과는 별도로 수지 코어 범프 등의 범프 전극을 마련하는 경우와 비교하여, 도전막(40b)의 배선 거리를 짧게 할 수 있어, 배선 저항을 낮출 수 있다. 또한, 도전막(40b)이 하면측 배선(47)으로 형성되어 있다. 따라서, 도전막(40b)과 하면측 매설 배선(51)을 덮는 하면측 배선(47)을 동일한 공정에서 형성할 수 있다. 그 결과, 밀봉판(33) 제조가 보다 용이해져서, 밀봉판(33)을 저비용으로 형성할 수 있다. 또한, 밀봉판(33)은 해당 밀봉판(33)을 관통하는 관통 구멍(45a)의 내부에 형성된 도체부(45b)를 각각 구비한 관통 배선(45)을 구비한다. 따라서, 밀봉판(33)의 임의 위치에서 제 1 면(41)과 제 2 면(42) 사이를 중계할 수 있다. 또한, 밀봉판(33)의 양면에 배선을 형성할 수 있기 때문에, 배선 레이아웃의 자유도를 향상시킬 수 있다.
다음에, 상기한 기록 헤드(3), 특히 밀봉판(33) 제조 방법에 대하여 설명한다. 본 실시형태의 전자 디바이스(14)는 하기와 같이 얻어진다. 구체적으로는, 밀봉판(33)이 되는 복수의 영역이 형성된 실리콘 단결정 기판(실리콘 웨이퍼)과, 진동판(31) 및 압전 소자(32)가 적층되어 압력실 형성 기판(29)이 되는 복수의 영역이 형성된 실리콘 단결정 기판(실리콘 웨이퍼)이 접합된다. 다음에, 구동 IC(34)가 각각의 대응하는 위치에 접합된다. 그 후에, 적층체가 개별 편으로 절단된다.
상세하게 설명하면, 밀봉판(33)을 구비한 실리콘 단결정 기판(33')에는, 우선 배선 기판 가공 공정에서 포토리소그래피 공정 및 에칭 공정이 실행된다. 배선 기판 가공 공정에서는, 상면측 매설 배선(50)과 하면측 매설 배선(51)을 형성하는데 사용되는 오목부(64)가 실리콘 단결정 기판(33')의 양면에 형성되고, 또한 밀봉판(33)을 관통하는 관통 구멍(45a)이 형성된다. 구체적으로는, 실리콘 단결정 기판(33') 중 어느 한쪽의 면을 포토레지스트를 이용하여 패터닝하고, 그 후에 드라이 에칭하여 판 두께 방향으로 오목한 오목부(64)의 일부를 형성한다. 마찬가지로, 다른쪽의 면을 포토레지스트를 이용하여 패터닝하고, 그 후에 드라이 에칭하여 판 두께 방향으로 오목한 오목부(64)의 나머지를 형성한다(도 5의 (a) 참조). 다음에, 포토레지스트를 이용하여 패터닝함으로써, 실리콘 단결정 기판(33')의 표면 중 관통 구멍(45a)을 형성하는 부분을 노출시킨다. 이어서, 이러한 노출부를 판 두께 방향으로 드라이 에칭하여 관통 구멍(45a)을 형성한다. 그 후에, 포토레지스트를 박리하고, 관통 구멍(45a)의 측벽에 절연막(미도시)을 형성한다(도 5의 (b) 참조). 절연막의 형성 방법으로서는, CVD법, 열산화에 의해 실리콘 산화막을 형성하는 방법, 수지를 도포하여 경화시키는 방법 등의 다양한 방법이 이용될 수 있다는 것에 주목하자.
다음에, 배선 형성 공정에 있어, 오목부(64) 내에 도전 재료(65)를 매립하여 상면측 매설 배선(50) 및 하면측 매설 배선(51)을 형성하고, 또한 관통 구멍(45a) 내에 도전 재료(65)를 매립하여 관통 배선(45)을 형성한다. 구체적으로는, 실리콘 단결정 기판(33')의 양면 및 관통 구멍(45a) 내에 상면측 매설 배선(50), 하면측 매설 배선(51) 및 관통 배선(45)의 도체부(45b)가 되는 도전 재료(65)를 전해 도금법에 의해 형성한다. 즉, 도전 재료(65)를 형성하는데 사용되는 시드층을 형성하고, 시드층을 전극으로서 사용하여 전해 구리 도금에 의해 도전 재료(65)를 형성한다(도 5의 (c) 참조). 시드층 아래에는 기판과의 밀착성 및 배리어성을 향상시키는 막을 형성하는 것이 바람직하다는 것에 주목하자. 또한, 시드층은 스패터법이나 CVD법에 의해 형성된 구리(Cu)의 층인 것이 바람직하고, 밀착막 또는 배리어막은 스패터법이나 CVD법에 의해 형성된 티타늄(Ti), 질화 티타늄(TiN), 티타늄 텅스텐(TiW), 탄탈(Ta), 질화 탄탈(TaN) 등의 막인 것이 바람직하다.
다음에, 실리콘 단결정 기판(33')의 상면에 석출한 도전 재료(65)(구리(Cu))를 CMP(화학 기계 연마)법에 의해 제거하여, 실리콘 단결정 기판(33')의 표면을 노출시킨다. 또한, 실리콘 단결정 기판(33')의 하면을 백 그라인드법 등에 의해 소정의 두께까지 제거하고, 최종적으로 CMP법 등을 이용하여 실리콘 단결정 기판(33')을 연삭하는 것에 의해 관통 배선(45)의 도체부(45b)를 노출시킨다(도 6의 (a) 참조). 이러한 방식으로, 실리콘 단결정 기판(33')에는 상면측 매설 배선(50), 하면측 매설 배선(51) 및 관통 배선(45)이 형성된다. 이들의 배선(50, 51, 45)이 형성된 후에, 실리콘 단결정 기판(33')의 하면에 실리콘 산화막 등의 절연막(미도시)이 형성된다. 그리고, 포토레지스트를 이용하여 패터닝한 후에, 드라이 에칭이나 웨트 에칭에 의해 하면측 매설 배선(51) 및 관통 배선(45)을 노출시킨 후, 포토레지스트를 박리한다. 그 후에, 실리콘 단결정 기판(33')의 하면에 수지막을 형성하고, 포토리소그래피 공정 및 에칭 공정에 의해 내부 수지(40a)를 형성한다. 그 후에, 가열에 의해 내부 수지(40a)를 용융하여 내부 수지(40a)의 코너를 둥글게 한다(도 6의 (b) 참조).
내부 수지(40a)가 형성된 후에, 표층 배선 형성 공정에서 실리콘 단결정 기판(33')의 상면 전체에 상기 도전 재료(65)와는 상이한 도전 재료로 이루어지는 재배선층을 형성한다. 그 후에, 포토리소그래피 공정 및 에칭 공정에서 재배선층을 패터닝하여, 상면측 매설 배선(50)을 피복하는 부분을 포함하는 상면측 배선(46)을 형성한다. 마찬가지로, 실리콘 단결정 기판(33')의 하면 전체에 상기 도전 재료(65)와는 상이한 도전 재료로 이루어지는 재배선층을 형성한다. 그 후에, 포토리소그래피 공정 및 에칭 공정에서 재배선층을 패터닝하여, 하면측 매설 배선(51)을 피복하는 부분을 포함하는 하면측 배선(47)을 형성한다. 하면측 배선(47)과 동시에 도전막(40b)도 형성되기 때문에, 수지 코어 범프(40)도 형성된다는 것에 주목하자(도 6의 (c) 참조). 그에 따라, 실리콘 단결정 기판(33')에는 각각이 기록 헤드(3)에 대응하는 밀봉판(33)이 되는 복수의 영역이 형성된다. 재배선층의 재료로서는, 최상면을 금(Au)으로 형성하는 것이 바람직하다는 것에 주목하자. 그렇지만, 재배선층의 재료는 이에 한정되지 않으며, 재배선층은 일반적으로 이용되는 임의의 재료(Ti, Al, Cr, Ni, Cu 등)를 이용하여 형성될 수도 있다. 또한, 밀봉판(33)에 상면측 배선(46), 하면측 배선(47) 및 관통 배선(45)을 형성하는 방법은 상기에 기재한 방법에 한정되지 않고, 일반적으로 이용가능한 임의의 제조 방법에 의해 형성할 수도 있다.
한편, 압력실 형성 기판(29)을 구비한 실리콘 단결정 기판에 대해서는, 우선 실리콘 단결정 기판의 표면(밀봉판(33)측과 대향하는 측의 면)에 진동판(31)을 적층한다. 다음에, 반도체 프로세스에 의해 개별 배선(37)을 포함하는 하부 전극층, 압전체층, 및 공통 배선(38)을 포함하는 상부 전극층 등을 순차 패터닝하여, 압전 소자(32)를 형성한다. 이러한 방식으로, 실리콘 단결정 기판에는, 각각이 기록 헤드(3)에 대응하는 압력실 형성 기판(29)가 되는 복수의 영역이 형성된다. 그리고, 이들 실리콘 단결정 기판에 밀봉판(33) 및 압력실 형성 기판(29)이 형성된 후에, 압력실 형성 기판(29)을 구비한 실리콘 단결정 기판의 표면(밀봉판(33)측의 면)에 감광성 접착제층을 형성한다. 그리고, 포토리소그래피 공정에 의해 소정의 위치에 감광성 접착제(43)를 형성한다. 구체적으로는, 감광성 및 열경화성을 갖는 액체형 감광성 접착제를 스핀 코터(spin coater) 등을 이용하여 진동판(31) 상에 도포하고, 가열한다. 이러한 방식으로, 감광성 접착제층을 형성한다. 후속하는 노광 및 현상에 의해, 소정의 위치에 감광성 접착제(43)의 형상을 패터닝한다.
감광성 접착제(43)가 형성된 후에, 양쪽 실리콘 단결정 기판을 접합한다. 구체적으로는, 한쪽의 실리콘 단결정 기판을 다른쪽의 실리콘 단결정 기판측을 향하여 상대적으로 이동시켜서, 감광성 접착제(43)를 양쪽 실리콘 단결정 기판 사이에 개재시킨 상태로 서로 부착시킨다. 이러한 상태에서, 수지 코어 범프(40)의 탄성 복원력에 저항하여, 양쪽 실리콘 단결정 기판에 상하 방향에서 압력을 가한다. 그 결과, 수지 코어 범프(40)가 압축되고, 압력실 형성 기판(29)측의 개별 배선(37) 및 공통 배선(38) 등과 확실하게 도통될 수 있다. 그리고, 기판을 가압하면서, 감광성 접착제(43)의 경화 온도까지 가열한다. 그 결과, 수지 코어 범프(40)가 압축된 상태로, 감광성 접착제(43)가 경화되고 양쪽 실리콘 단결정 기판이 접합된다.
양쪽 실리콘 단결정 기판이 접합된 후에, 압력실 형성 기판(29)을 구비한 실리콘 단결정 기판을 하면측(밀봉판(33)을 구비한 실리콘 단결정 기판측과는 반대측)으로부터 연마하여, 해당 압력실 형성 기판(29)을 구비한 실리콘 단결정 기판을 얇게 한다. 그 후에, 포토리소그래피 공정 및 에칭 공정에 의해, 압력실 형성 기판(29)을 구비한 얇아진 실리콘 단결정 기판에 압력실(30)을 형성한다. 그리고, 밀봉판(33)을 구비한 실리콘 단결정 기판의 상면에, 접착제(59)를 이용하여 구동 IC(34)를 접합한다. 마지막으로, 적층체를 소정의 스크라이브 라인을 따라 개별의 전자 디바이스(14)로 절단한다. 상기 방법에서는, 2매의 실리콘 단결정 기판을 접합한 후 개별 편으로 절단하는 것에 의해 전자 디바이스(14)를 제작한다는 것에 주목하자. 그렇지만, 본 발명은 이러한 구성에 한정되지 않는다. 예를 들면, 각각의 2매의 실리콘 단결정 기판을 밀봉판(33) 및 압력실 형성 기판(29)의 개별 편으로 절단한 후에, 밀봉판(33) 및 압력실 형성 기판(29)을 접합할 수도 있다. 또한, 각각의 실리콘 단결정 기판측을 개별 편으로 절단한 후에, 개별 편의 기판에 밀봉판(33) 및 압력실 형성 기판(29)을 형성할 수도 있다.
그리고, 상기의 과정에 의해 제조된 전자 디바이스(14)는 접착제 등을 이용하여 유로 유닛(15)(연통 기판(24))에 대해 위치결정되어 고정된다. 그리고, 전자 디바이스(14)를 헤드 케이스(16)의 수용 공간(17)에 수용한 상태로, 헤드 케이스(16)와 유로 유닛(15)을 접합한다. 이러한 방식으로, 상기의 기록 헤드(3)가 제조된다.
상기와 같이, 판 두께 방향으로 오목한 오목부(64)를 형성하고, 이 오목부(64) 내에 도전 재료(65)를 매립하고 있다. 따라서, 밀봉판(33) 내에 매설된 하면측 매설 배선(51)을 형성할 수 있다. 이에 의해, 하면측 매설 배선(51)의 폭 또는 밀봉판(33)의 표면으로부터의 하면측 매설 배선(51)의 치수(높이)를 크게 하는 일없이, 하면측 매설 배선(51)의 단면적을 크게 할 수 있다. 그 결과, 하면측 매설 배선(51)의 저항을 낮출 수 있다. 또한, 하면측 매설 배선(51)과 관통 배선(45)을 동일한 공정에서 형성할 수 있기 때문에, 밀봉판(33)의 제조가 용이해진다. 또한, 밀봉판(33)을 저비용으로 형성할 수 있다. 또한, 전계 도금법을 이용하여 오목부(64) 내 및 관통 구멍(45a) 내에 도전 재료(65)를 형성하고 있다. 따라서, 전원 배선(53) 및 관통 배선(45)을 보다 용이하게 형성할 수 있다. 그 결과, 밀봉판(33)의 제조가 더욱 용이해진다. 또한, 밀봉판(33)을 더욱 저비용으로 제작할 수 있다.
상기한 제 1 실시형태에서는, 각각의 수지 코어 범프(40)의 양측의 하면측 매설 배선(51)의 부분이 하면측 배선(47)에 의해 피복되어 있다. 그렇지만, 본 발명은 이러한 구성에 한정되지 않는다. 예를 들면, 하면측 매설 배선 중 수지 코어 범프의 내부 수지와 오버랩되지 않는 영역의 전체가 하면측 배선으로 피복될 수도 있다. 이러한 구성에 따르면, 하면측 매설 배선의 단선이나 하면측 매설 배선의 전기적인 특성 변화를 더욱 억제할 수 있다. 이에 부가하여, 내부 수지의 전체면을 하면측 매설 배선으로 덮을 수도 있다. 즉, 내부 수지와 오버랩되는 영역을 포함하는 하면측 매설 배선의 전체가 하면측 매설 배선으로 덮일 수도 있다.
또한, 제 1 실시형태의 제조 방법에서는, 배선 형성 공정에 있어서 전해 구리 도금법에 의해 오목부(64) 내 및 관통 구멍(45a) 내에 도전 재료(65)를 형성하고 있다. 그렇지만, 본 발명은 이러한 구성에 한정되지 않는다. 예를 들면, 무전해 도금이나 인쇄 등의 방법을 이용하여, 상하 방향으로의 도통을 형성할 수 있는 재료를 오목부 및 관통 구멍에 매립함으로써 도전 재료를 형성할 수도 있다. 인쇄로서는, 도전성 페이스트를 디스펜서(dispenser)로 도포하는 방법, 실리콘 단결정 기판에 인쇄판을 적층하여 스퀴지(squeegee)로 도전성 페이스트를 도포하는 방법, 필름 등에 일단 도포한 도전성 페이스트를 실리콘 단결정 기판에 전사하는 방법 등과 같은 다양한 방법을 채용할 수 있다는 것에 주목하자. 또한, 인쇄에 의해 오목부 내 및 관통 구멍 내에 배치된 도전성 페이스트는 가열 등의 처리에 의해 경화된다. 즉, 이러한 경우에 있어서의 배선 형성 공정은 도전성 페이스트를 경화시키는 공정을 포함한다. 도전 페이스트로서는 은(Ag)을 포함하는 은 페이스트 등이 바람직하게 이용된다는 것에 주목하자.
상기와 같이, 인쇄에 의해 오목부 내 및 관통 구멍 내에 도전 재료를 형성하는 것에 의해, 하면측 매설 배선 및 관통 배선을 보다 용이하게 형성할 수 있다. 그 결과, 밀봉판 제조가 더욱 용이해진다. 또한, 밀봉판을 보다 저비용으로 제작할 수 있다. 또한, 도전 재료로서 도전성 페이스트를 채용하면, 하면측 매설 배선 및 관통 배선의 저항을 낮출 수 있다.
또한, 제 1 실시형태에서는, 하면측 매설 배선(51) 상에 수지 코어 범프(40)의 내부 수지(40a)를 형성하고 있다. 그렇지만, 본 발명은 이러한 구성에 한정되지 않는다. 예를 들면 도 7에 도시하는 제 2 실시형태에서는, 2개의 하면측 매설 배선(51') 사이에 수지 코어 범프(40')가 형성된다. 수지 코어 범프(40')는 양쪽 하면측 매설 배선(51')에 도통한다. 양쪽 하면측 매설 배선(51')은 수지 코어 범프(40')에 의해 공통 배선(38')과 도통되어 있다.
구체적으로는 도 7에 도시하는 바와 같이, 내부 수지(40a')가 2개의 하면측 매설 배선(51') 사이에 있어서의 밀봉판(33)의 표면(제 1 면(41)) 상에 형성되고, 내부 수지(40a')의 폭 방향에서의 도전막(40b')의 양측이 하면측 매설 배선(51')과 접속되어 있다. 본 실시형태에 있어서, 2열의 하면측 매설 배선(51')은 적어도 수지 코어 범프(40')가 형성되어 있지만 내부 수지(40a')는 형성되지 않은 영역에서 양측에 형성되어 있다. 각각의 하면측 매설 배선(51')은 노즐 열 방향으로 연장되도록 형성되고, 하면측 매설 배선(51')의 제 1 면(41)측의 전체면이 하면측 배선(47')에 의해 피복되어 있다. 구체적으로는, 하면측 배선(47')도 2열로 마련되어 있다. 또한, 양측의 하면측 배선(47')의 일부분은 내부 수지(40a') 상으로 연장되도록 형성되어 도전막(40b')을 구성하고 있다. 환언하면, 내부 수지(40a') 상에 적층된 도전막(40b')은 양측의 하면측 매설 배선(51')과 오버랩되는 위치까지 연장되도록 형성되어, 해당 하면측 매설 배선(51')을 피복하는 하면측 배선(47')을 형성한다. 이 때문에, 양측의 하면측 매설 배선(51')은 전기적으로 동일한 전위가 된다. 제 1 실시형태와 동일한 다른 구성에 대한 설명은 생략한다는 것에 주목하자.
상기와 같이, 본 실시형태에서는, 하면측 매설 배선(51')으로부터 떨어진 위치에 내부 수지(40a')가 형성되어 있다. 따라서, 해당 내부 수지(40a')와 밀봉판(33)의 밀착성을 향상시킬 수 있다. 밀봉판(33) 상의 내부 수지(40a')가 적층되는 영역에 밀착층을 별도 형성하는 것에 의해, 내부 수지(40a')와 밀봉판(33)의 밀착성을 더욱 향상시킬 수도 있다는 것에 주목하자. 또한, 본 실시형태에서도 도전막(40b')을 하면측 배선(47')으로 형성했으므로, 도전막(40b')과 하면측 매설 배선(51')을 덮는 하면측 배선(47')이 동일한 공정에서 형성될 수 있다. 그 결과, 밀봉판(33)의 제조가 보다 용이해져서, 밀봉판(33)을 저비용으로 형성할 수 있다. 본 실시형태에서는 도전막(40b')이 내부 수지(40a')의 양측에 형성된 2열의 하면측 매설 배선(51')과 접속되어 있다는 것에 주목하자. 그렇지만, 본 발명은 이러한 구성에 한정되지 않는다. 도전막은 내부 수지로부터 떨어진 위치에서 2열의 하면측 매설 배선 중 적어도 하나와 접속되는 것만이 필요하다.
또한, 상기한 각각의 실시형태에서는, 수지 코어 범프(40)를 밀봉판(33)측에 마련하고 있다. 그렇지만, 본 발명은 이러한 구성에 한정되지 않는다. 예를 들면, 도 8에 도시하는 제 3 실시형태에서는 수지 코어 범프(40")가 진동판(31)측에 형성되어 있다.
구체적으로는, 도 8에 도시하는 바와 같이, 내부 수지(40a")는 진동판(31)의 표면에서 하면측 매설 배선(51")과 대향하는 위치에 형성되어 있다. 또한, 도전막(40b")은 공통 배선(38")에 의해 형성되어 있다. 즉, 내부 수지(40a") 상에 적층된 도전막(40b")은, 폭 방향에 있어서의 양측으로 연장되도록 형성되고, 각각의 압전 소자(32)의 상부 전극층이 되는 공통 배선(38")을 구성한다. 환언하면, 각각의 압전 소자(32)로부터 내부 수지(40a")측을 향하여 연장되도록 형성된 공통 배선(38")은 내부 수지(40a")를 피복하고, 수지 코어 범프(40")의 도전막(40b")이 된다. 하면측 매설 배선(51")은 제 1 실시형태와 동일하게 노즐 열 방향으로 연장되도록 형성되어 있다는 것에 주목하자. 하면측 매설 배선(51")의 제 1 면(41)측의 전체면은 하면측 배선(47")에 의해 피복되어 있다. 하면측 배선(47")에 수지 코어 범프(40")가 접속되어, 하면측 매설 배선(51")과 공통 배선(38")이 도통한다. 제 1 실시형태와 동일한 다른 구성에 대한 설명은 생략한다는 것에 주목하자.
상기와 같이, 본 실시형태에서도 하면측 매설 배선(51")과 대향하는 위치에 수지 코어 범프(40")가 형성되어 있다. 따라서, 하면측 매설 배선(51")과는 별도로 마련된 단자에 수지 코어 범프 등의 범프 전극을 접속하는 경우와 비교하여, 배선 거리를 짧게 할 수 있어, 배선 저항을 낮출 수 있다. 또한, 도전막(40b")을 공통 배선(38")으로 형성할 수 있다. 따라서, 추가의 도전막을 형성하는 경우보다는, 압력실 형성 기판(29)의 제조가 더욱 용이해지고, 압력실 형성 기판(29)을 더욱 저비용으로 제작할 수 있다.
또한, 상기한 각각의 실시형태에서는, 범프 전극으로서, 내부 수지(40a)와 도전막(40b)으로 각각 포함하는 수지 코어 범프(40)를 이용하고 있다. 그렇지만, 본 발명은 이러한 구성에 한정되지 않는다. 예를 들면, 금(Au)이나 땜납 등의 금속으로 이루어지는 범프 전극을 이용하는 것도 가능하다. 또한, 상기한 제조 방법에서는, 압력실 형성 기판(29)을 구비한 실리콘 단결정 기판에 감광성 접착제(43)를 도포하고 있다. 그렇지만, 본 발명은 이에 한정되지 않는다. 예를 들면, 감광성 접착제를 밀봉판을 구비한 실리콘 단결정 기판에 도포할 수도 있다.
또한, 상기에서는, 액체 분사 헤드의 일례로서, 잉크젯 프린터에 탑재되는 잉크젯식 기록 헤드를 예시하고 있다. 그렇지만, 본 발명은 잉크 이외의 액체를 분사하는 디바이스에도 적용할 수 있다. 예를 들면, 본 발명은 액정 디스플레이 등의 컬러 필터 제조에 이용되는 색재 분사 헤드, 유기 EL(Electro Luminescence) 디스플레이, FED(면발광 디스플레이) 등의 전극 형성에 이용되는 전극재 분사 헤드, 바이오칩(생물 화학 소자)의 제조에 이용되는 생체 유기물 분사 헤드 등에도 적용될 수 있다.
1 : 프린터 3 : 기록 헤드
14 : 전자 디바이스 15 : 유로 유닛
16 : 헤드 케이스 17 : 수용 공간
18 : 리저버 21 : 노즐 플레이트
22 : 노즐 24 : 연통 기판
25 : 공통액실 26 : 개별 연통로
29 : 압력실 형성 기판 30 : 압력실
31 : 진동판 32 : 압전 소자
33 : 밀봉판 37 : 개별 배선
38 : 공통 배선 40 : 수지 코어 범프
41 : 제 1 면 42 : 제 2 면
43 : 감광성 접착제 45 : 관통 배선
46 : 상면측 배선 47 : 하면측 배선
50 : 상면측 매설 배선 51 : 하면측 매설 배선
53 : 전원 배선 54 : 개별 접속 단자
55 : 공통 접속 단자 56 : 전원 범프 전극
57 : 개별 범프 전극 59 : 접착제
62 : 접속 배선 64 : 오목부
65 : 도전 재료
14 : 전자 디바이스 15 : 유로 유닛
16 : 헤드 케이스 17 : 수용 공간
18 : 리저버 21 : 노즐 플레이트
22 : 노즐 24 : 연통 기판
25 : 공통액실 26 : 개별 연통로
29 : 압력실 형성 기판 30 : 압력실
31 : 진동판 32 : 압전 소자
33 : 밀봉판 37 : 개별 배선
38 : 공통 배선 40 : 수지 코어 범프
41 : 제 1 면 42 : 제 2 면
43 : 감광성 접착제 45 : 관통 배선
46 : 상면측 배선 47 : 하면측 배선
50 : 상면측 매설 배선 51 : 하면측 매설 배선
53 : 전원 배선 54 : 개별 접속 단자
55 : 공통 접속 단자 56 : 전원 범프 전극
57 : 개별 범프 전극 59 : 접착제
62 : 접속 배선 64 : 오목부
65 : 도전 재료
Claims (12)
- 복수의 구동 소자를 구비한 구동 소자 형성 기판이 접속되는 제 1 면과, 상기 구동 소자를 구동하기 위한 신호를 출력하는 구동 IC가 마련되는 상기 제 1 면과는 반대측의 제 2 면을 갖는 배선 기판을 구비하며,
상기 배선 기판의 상기 제 1 면에는 구동 소자에 공통된 공통 전극과 접속되는 배선이 형성되고,
상기 배선은 상기 배선 기판 내에 적어도 부분적으로 매설되고, 상기 배선은 상기 구동 소자의 열 각각이 연장하는 방향으로 연장되도록 제공되고,
상기 구동 소자의 병설 방향으로 연장되어 설치된 상기 배선 기판에 매설된 상기 배선은, 상기 배선 기판을 관통함 없이, 두께 방향으로 일부에 마련되어 있는
액체 분사 헤드. - 제 1 항에 있어서,
상기 배선은 금속층으로 적어도 부분적으로 피복되는
액체 분사 헤드. - 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,
상기 배선과 상기 공통 전극은 범프 전극에 의해 접속되는
액체 분사 헤드. - 제 3 항에 있어서,
상기 범프 전극 각각은 탄성을 갖는 수지와, 상기 수지의 표면 중 적어도 일부를 덮는 도전층을 구비하는
액체 분사 헤드. - 제 4 항에 있어서,
상기 수지는 상기 배선의 표면에 형성되고,
상기 도전층은 상기 수지로부터 떨어진 위치에서 상기 배선과 접속되는
액체 분사 헤드. - 제 4 항에 있어서,
상기 배선은 2열로 형성되고,
상기 수지는 상기 2열의 배선 사이에 형성되며,
상기 도전층은 상기 수지로부터 떨어진 위치에서 상기 2열의 배선 중 적어도 하나와 접속되는
액체 분사 헤드. - 제 4 항에 있어서,
상기 수지는 상기 배선과 대향하는 위치에 형성되고,
상기 도전층은 상기 공통 전극인
액체 분사 헤드. - 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,
상기 배선 기판은 상기 배선 기판을 관통하는 관통 구멍의 내부에 형성되고 도체로 이루어지는 관통 배선을 구비하고,
상기 배선은 상기 제 1 면에서 상기 관통 배선과 접속되는
액체 분사 헤드. - 복수의 구동 소자를 구비한 구동 소자 형성 기판이 접합되는 제 1 면과, 상기 구동 소자를 구동하기 위한 신호를 출력하는 구동 IC가 접합되는 상기 제 1 면과는 반대측의 제 2 면과, 상기 구동 소자에 공통된 공통 전극과 접속되는 배선과, 상기 제 1 면과 상기 제 2 면 사이를 중계하는 관통 배선을 갖는 배선 기판을 구비한 액체 분사 헤드 제조 방법에 있어서,
상기 배선 기판의 상기 제 1 면에 판 두께 방향으로 오목한 오목부를 형성하고, 상기 배선 기판을 관통하는 관통 구멍을 형성하는 배선 기판 가공 공정과,
상기 오목부에 도전 재료를 매립하여 상기 배선을 형성하고, 상기 관통 구멍에 도전 재료를 매립하여 상기 관통 배선을 형성하는 배선 형성 공정을 포함하고,
상기 배선은 상기 구동 소자의 열 각각이 연장하는 방향으로 연장되도록 제공되는
액체 분사 헤드 제조 방법. - 제 9 항에 있어서,
상기 배선 형성 공정은 전계 도금법을 이용하여 상기 오목부 내 및 상기 관통 구멍 내에 도전 재료를 형성하는 것을 포함하는
액체 분사 헤드 제조 방법. - 제 9 항에 있어서,
상기 배선 형성 공정은 인쇄를 이용하여 상기 오목부 내 및 상기 관통 구멍 내에 도전 재료를 형성하는 것을 포함하는
액체 분사 헤드 제조 방법. - 제 11 항에 있어서,
상기 도전 재료는 도전성 페이스트이고,
상기 배선 형성 공정은 상기 도전 재료를 경화하는 것을 포함하는
액체 분사 헤드 제조 방법.
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|---|---|---|---|---|
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| JP6991639B2 (ja) * | 2018-02-20 | 2022-01-12 | 東芝テック株式会社 | インクジェットヘッド、インクジェットプリンタ |
| JP7021973B2 (ja) * | 2018-02-20 | 2022-02-17 | 東芝テック株式会社 | インクジェットヘッド、インクジェットプリンタ |
| JP7041547B2 (ja) * | 2018-02-20 | 2022-03-24 | 東芝テック株式会社 | インクジェットヘッド、インクジェットプリンタ、インクジェットヘッドの製造方法 |
| JP7031978B2 (ja) * | 2018-02-20 | 2022-03-08 | 東芝テック株式会社 | インクジェットヘッド、インクジェットプリンタ |
| JP7303916B2 (ja) * | 2018-02-20 | 2023-07-05 | 東芝テック株式会社 | インクジェットヘッド、インクジェットプリンタ |
| CN111439034A (zh) * | 2020-05-13 | 2020-07-24 | 苏州新锐发科技有限公司 | 压电板带通孔的压电喷墨打印器件 |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2005050885A (ja) * | 2003-07-29 | 2005-02-24 | Kyocera Corp | 配線基板及びその製造方法 |
| JP2010069750A (ja) * | 2008-09-19 | 2010-04-02 | Seiko Epson Corp | インクジェット式記録ヘッド及びその製造方法、インクジェット式記録装置 |
| JP2014094524A (ja) * | 2012-11-12 | 2014-05-22 | Brother Ind Ltd | 液体吐出装置及び圧電アクチュエータ |
Family Cites Families (26)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4791440A (en) * | 1987-05-01 | 1988-12-13 | International Business Machine Corporation | Thermal drop-on-demand ink jet print head |
| WO2001074592A1 (fr) * | 2000-03-31 | 2001-10-11 | Fujitsu Limited | Tete a jet d'encre a buses multiples et son procede de fabrication |
| JP2002103614A (ja) * | 2000-10-03 | 2002-04-09 | Konica Corp | インクジェットヘッド |
| US6619786B2 (en) * | 2001-06-08 | 2003-09-16 | Lexmark International, Inc. | Tab circuit for ink jet printer cartridges |
| JP2003304050A (ja) * | 2002-04-09 | 2003-10-24 | Sony Corp | 配線基板と、その製造方法と、半導体装置と、その製造方法と、それに用いるマスク合わせ装置 |
| JP4133429B2 (ja) | 2003-02-24 | 2008-08-13 | 浜松ホトニクス株式会社 | 半導体装置 |
| JP3935091B2 (ja) * | 2003-02-27 | 2007-06-20 | 浜松ホトニクス株式会社 | 半導体装置、及びそれを用いた放射線検出器 |
| JP2005305982A (ja) * | 2004-04-26 | 2005-11-04 | Brother Ind Ltd | インクジェットヘッド |
| JP4022674B2 (ja) | 2005-03-17 | 2007-12-19 | 富士フイルム株式会社 | 液体吐出ヘッド、画像形成装置及び液体吐出ヘッドの製造方法 |
| JP2007142026A (ja) | 2005-11-16 | 2007-06-07 | Zycube:Kk | インターポーザとその製造方法及び半導体装置 |
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| JP2008087208A (ja) * | 2006-09-29 | 2008-04-17 | Seiko Epson Corp | 液滴吐出ヘッド、液滴吐出装置、液滴吐出ヘッドの製造方法及び液滴吐出装置の製造方法 |
| JP5076520B2 (ja) * | 2007-01-31 | 2012-11-21 | ブラザー工業株式会社 | 記録装置の配線接続方法 |
| JP5342154B2 (ja) * | 2008-02-25 | 2013-11-13 | ルネサスエレクトロニクス株式会社 | 半導体装置の製造方法 |
| US8079667B2 (en) * | 2008-12-18 | 2011-12-20 | Palo Alto Research Center Incorporated | Drop generating apparatus |
| JP5249080B2 (ja) * | 2009-02-19 | 2013-07-31 | セイコーインスツル株式会社 | 半導体装置 |
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| JP2011115972A (ja) | 2009-12-01 | 2011-06-16 | Konica Minolta Holdings Inc | インクジェットヘッド |
| JP5397261B2 (ja) * | 2010-02-19 | 2014-01-22 | セイコーエプソン株式会社 | 液体噴射ヘッド用配線部材、及び、液体噴射ヘッド |
| JPWO2012176874A1 (ja) | 2011-06-22 | 2015-02-23 | コニカミノルタ株式会社 | インクジェットヘッド及びインクジェット描画装置 |
| JP2013030789A (ja) * | 2012-09-10 | 2013-02-07 | Seiko Epson Corp | 実装構造体及び実装構造体の製造方法 |
| JP6044258B2 (ja) | 2012-10-19 | 2016-12-14 | コニカミノルタ株式会社 | インクジェットヘッド |
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| JP6443146B2 (ja) * | 2015-03-16 | 2018-12-26 | セイコーエプソン株式会社 | 電子デバイス |
| JP6565238B2 (ja) * | 2015-03-17 | 2019-08-28 | セイコーエプソン株式会社 | 液体噴射ヘッド |
-
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Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2005050885A (ja) * | 2003-07-29 | 2005-02-24 | Kyocera Corp | 配線基板及びその製造方法 |
| JP2010069750A (ja) * | 2008-09-19 | 2010-04-02 | Seiko Epson Corp | インクジェット式記録ヘッド及びその製造方法、インクジェット式記録装置 |
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