JP6572689B2 - Ｍｅｍｓデバイスの製造方法 - Google Patents

Description

本発明は、ＭＥＭＳデバイスの製造方法に関する。

ＭＥＭＳ（Micro Electro Mechanical Systems）デバイスの一例であるインクジェット式記録ヘッドは、液体を貯留する圧力発生室が形成された流路形成基板と、流路形成基板の一方面側に設けられた機能素子（圧電素子）とを有し、圧電素子を駆動することによって圧力発生室内の液体に圧力変化を生じさせ、圧力発生室に連通されたノズルから液滴を噴射する。

このような圧電素子としては、流路形成基板上に成膜及びフォトリソグラフィ法によって形成された薄膜形のものが提案されている。薄膜形の圧電素子を用いることで、圧電素子を高密度に配置することが可能となる反面、高密度に配置した圧電素子と駆動回路との電気的な接続が困難になる。

例えば、特許文献１に記載のインクジェット式記録ヘッドは、圧力発生室や圧電素子が設けられた流路形成基板と、バンプや圧電素子を駆動する駆動回路が設けられた駆動回路基板とを備え、駆動回路と圧電素子とがバンプを介して電気的に接続されている。さらに、バンプは圧電素子の周囲領域に複数配置され、複数のバンプの間に封止材（接着剤）が充填されている。
駆動回路と圧電素子との接続にバンプを用いることで、高密度に配置した圧電素子と駆動回路とを容易に電気的に接続することができる。さらに、接着剤は、流路形成基板と駆動回路基板との間に配置され、圧電素子を大気から遮断し防湿する。

特開２０１４−５１００８号公報 特開２００９−１１７５４４号公報

しかしながら、接着剤が接合される部分に凹凸を有している。当該凹凸によって、流路形成基板や駆動回路基板に対する接着剤の接合強度（駆動回路基板と流路形成基板との接合強度）が低くなるおそれがあった。駆動回路基板と流路形成基板との接合強度が低くなると、バンプと圧電素子（機能素子）との電気的な接続が安定しなくなり、さらに圧電素子（機能素子）に対する防湿が不十分になるおそれがある。

さらに、インクジェット式記録ヘッド以外のＭＥＭＳデバイス、例えばＳＡＷ（Surface Acoustic Wave）発振器においても同様の課題が存在する。特許文献２に記載のＳＡＷ発振器は、ＭＥＭＳデバイスの一例であり、ＳＡＷ素子（表面弾性波素子（機能素子））やバンプが設けられた半導体基板と封止基板とを備え、バンプによって高密度実装が実現され、半導体基板と封止基板とを接合する封止部材（接着剤）によってＳＡＷ素子（機能素子）の表面酸化や水分子との結合が抑制されている。例えば、接着剤が接合される部分に凹凸を有していると、半導体基板や封止基板に対する接着剤の接合強度が低くなり、ＳＡＷ素子（機能素子）の表面酸化や水分子との結合の抑制が不十分になるおそれがあった。

本発明は、上述の課題の少なくとも一部を解決するためになされたものであり、以下の形態または適用例として実現することが可能である。

［適用例１］本適用例に係るＭＥＭＳデバイスは、第１電極と、前記第１電極を覆う保護層とを有する第１基板と、前記第１基板に積層配置され、前記第１電極に電気的に接続される第２電極を有する第２基板と、前記保護層と前記第２基板とを接合する感光性接着剤と、を含み、前記感光性接着剤が接合される前記保護層の接合面が平坦であることを特徴とする。

仮に、感光性接着剤が接合される保護層の接合面が平坦でなく凹凸を有し、感光性接着剤の流動性が低い場合、感光性接着剤は保護層の接合面の凹凸を覆うように流動しにくく、感光性接着剤と保護層の接合面との間に隙間（空洞）が形成され、感光性接着剤と保護層との接合強度が低くなるおそれがある。
本適用例に係るＭＥＭＳデバイスでは、感光性接着剤が接合される保護層の接合面が平坦であるので、感光性接着剤の流動性が低い場合であっても、感光性接着剤が接合される保護層の接合面が平坦でない場合と比べて、感光性接着剤と保護層の接合面との間に隙間（空洞）が形成されにくく、保護層と感光性接着剤との接合強度を高めることができる。従って、感光性接着剤によって、保護層（第１基板）と第２基板とを良好に接合することができる。

［適用例２］上記適用例に記載のＭＥＭＳデバイスにおいて、前記第１電極は、前記保護層の前記第１電極側と反対側の面に形成されたバンプ電極を介して、前記第２電極に電気的に接続されていることが好ましい。

第１基板の第１電極は、保護層の第１電極側と反対側の面に形成されたバンプ電極を介して、第２基板の第２電極に電気的に接続されている。保護層（第１基板）と第２基板とは感光性接着剤によって良好に接合されているので、保護層（第１基板）と第２基板との接合が不安定な場合と比べて、バンプ電極は第１電極及び第２電極の両方に安定して電気的に接続される。従って、バンプ電極を介して、第１電極と第２電極とを安定して電気的に接続することができる。

［適用例３］上記適用例に記載のＭＥＭＳデバイスにおいて、前記第１基板は、駆動回路を有していることが好ましい。

第１基板に駆動回路が形成され、第１基板が駆動回路を内蔵すると、第１基板に駆動回路が形成された基板を外付け（実装）する構成と比べて、ＭＥＭＳデバイスを薄型化することができる。

［適用例４］上記適用例に記載のＭＥＭＳデバイスは、液体噴射ヘッドであって、前記第２基板は、前記第２電極に電気的に接続され圧力発生室内の液体に圧力変化を生じさせる圧電素子を備えることが好ましい。

上記適用例に記載のＭＥＭＳデバイスは液体噴射ヘッドであって、第２基板は、第２電極に電気的に接続された圧電素子を備えている。そして、第２基板に設けられた圧電素子は、第２電極とバンプ電極とを介して、第１基板の第１電極に安定して電気的に接続されている。従って、駆動信号を第１基板側から圧電素子に安定して供給し、圧電素子が安定して動作する液体噴射ヘッドを提供することができる。

［適用例５］上記適用例に係る液体噴射ヘッドでは、前記感光性接着剤は、前記圧電素子を囲むように形成されていることが好ましい。

感光性接着剤は、圧電素子を囲むように形成されている。換言すれば、圧電素子は、感光性接着剤で囲まれ、外部の水分（湿気）の侵入が抑制される。従って、外部の水分（湿気）の侵入による圧電素子の劣化が抑制され、高い信頼性の液体噴射ヘッドを提供することができる。

［適用例６］本適用例に係る液体噴射装置は、上記適用例に記載の液体噴射ヘッドを備えていることを特徴とする。

上記適用例に記載の液体噴射ヘッドは、安定して動作し、高い信頼性を有する。従って、上記適用例に記載の液体噴射ヘッドを備えた液体噴射装置も、安定して動作し、高い信頼性を有する。

［適用例７］本適用例に記載のＭＥＭＳデバイスの製造方法は、保護層を有する第１基板と、前記第１基板に積層配置された第２基板と、前記保護層と前記第２基板とを接合する感光性接着剤と、を含むＭＥＭＳデバイスの製造方法であって、前記第１基板に保護層を形成し、平坦化処理を施す工程と、前記第２基板に感光性接着剤を塗布し、フォトリソグラフィ法によってパターニングする工程と、前記感光性接着剤を前記保護層の平坦な接合面に当接させた状態で硬化する工程と、を含むことを特徴とする。

本適用例に記載のＭＥＭＳデバイスの製造方法では、第１基板に平坦化処理が施された保護層を形成し、保護層の感光性接着剤の接合面を平坦にする。

さらに、第２基板に液体状の感光性接着剤（高い流動性の感光性接着剤）を塗布し、フォトリソグラフィ法によって微細加工し、第２基板に接合された低い流動性の感光性接着剤を形成する。
第２基板に高い流動性の感光性接着剤を塗布すると、第２基板が凹凸を有していても、高い流動性の感光性接着剤が流動して当該凹凸を覆うので、感光性接着剤と第２基板との間に隙間（空洞）が形成されにくく、感光性接着剤と第２基板との間に隙間（空洞）が形成される場合と比べて、感光性接着剤と第２基板との接合強度を高めることができる。加えて、フォトリソグラフィ法によって微細加工された低い流動性の感光性接着剤を第２基板に形成するので、例えば高精細化や高密度化がなされたＭＥＭＳデバイスであっても、所定の位置に所定の形状の感光性接着剤を高精度に形成することができる。
よって、高精度に微細加工され、高い接合強度の低い流動性の感光性接着剤を、第２基板に形成することができる。

さらに、低い流動性の感光性接着剤を第１基板の保護層の平坦な接合面に当接させた状態で硬化して、感光性接着剤を第１基板の保護層に接合させる。感光性接着剤の流動性が低い場合であっても、保護層の感光性接着剤の接合面は平坦であるので、保護層の感光性接着剤の接合面が平坦でない場合と比べて、感光性接着剤と保護層の感光性接着剤の接合面との間に隙間（空洞）が形成されにくく、感光性接着剤と保護層の感光性接着剤の接合面との間に隙間（空洞）が形成されている場合と比べて、感光性接着剤と保護層との接合強度を高めることができる。

従って、高精細化や高密度化がなされたＭＥＭＳデバイスに対して好適に適用され、保護層（第１基板）及び第２基板の両方に良好に接合された感光性接着剤を形成することができる。換言すれば、保護層（第１基板）と第２基板とは感光性接着剤によって良好に接合されているので、保護層（第１基板）と第２基板との接合が不安定になり、保護層（第１基板）と第２基板との間から水分が侵入して圧電素子が劣化するという不具合や、圧電素子に供給される駆動信号が不安定になり圧電素子の動作が不安定になるという不具合を抑制することができる。

実施形態１に係るプリンターの構成を示す概略図。 実施形態１に係る記録ヘッドの構成を示す概略断面図。 実施形態１に係る記録ヘッドの製造方法を示す工程フロー。 ステップＳ１を経た後の状態を示す概略断面図。 ステップＳ２を経た後の状態を示す概略断面図。 ステップＳ１１を経た後の状態を示す概略断面図。 ステップＳ２１を経た後の状態を示す概略断面図。 実施形態２に係る記録ヘッドの構成を示す概略断面図。

以下、図面を参照して、本発明の実施形態について説明する。かかる実施形態は、本発明の一態様を示すものであり、この発明を限定するものではなく、本発明の技術的思想の範囲内で任意に変更可能である。また、以下の各図においては、各層や各部位を図面上で認識可能な程度の大きさとするため、各層や各部位の縮尺を実際とは異ならせしめてある。

（実施形態１）
「プリンターの概要」
図１は、実施形態１に係るインクジェット式記録装置（以下、プリンターと称す）の構成を示す概略図である。最初に、図１を参照し、「液体噴射装置」の一例であるプリンター１の概要について説明する。
本実施形態に係るプリンター１は、記録紙などの記録媒体２に「液体」の一例であるインクを噴射し、記録媒体２上に画像などの記録（印刷）を行う装置である。

図１に示すように、プリンター１は、記録ヘッド３、記録ヘッド３が取り付けられるキャリッジ４、キャリッジ４を主走査方向に移動させるキャリッジ移動機構５、記録媒体２を副走査方向に移送する搬送機構６などを備えている。ここで、上記のインクは、液体供給源としてのインクカートリッジ７に貯留されている。インクカートリッジ７は、記録ヘッド３に対して着脱可能に装着される。
なお、記録ヘッド３は、「ＭＥＭＳ（Micro Electro Mechanical Systems）デバイス」及び「液体噴射ヘッド」の一例である。さらに、インクカートリッジがプリンターの本体側に配置され、当該インクカートリッジからインク供給チューブを通じてインクが記録ヘッド３に供給される構成であってもよい。

キャリッジ移動機構５は、タイミングベルト８を備え、ＤＣモーターなどのパルスモーター９により駆動される。キャリッジ４は、パルスモーター９が作動すると、プリンター１に架設されたガイドロッド１０に案内されて、主走査方向（記録媒体２の幅方向）に往復移動する。キャリッジ４の主走査方向の位置は、位置情報検出手段の一種であるリニアエンコーダー（図示省略）によって検出される。リニアエンコーダーは、その検出信号、すなわちエンコーダーパルスをプリンター１の制御部に送信する。

また、キャリッジ４の移動範囲内における記録領域よりも外側の端部領域には、キャリッジ４の走査の基点となるホームポジションが設定されている。このホームポジションには、端部側から順に、記録ヘッド３のノズル面（ノズルプレート２１（図２参照））に形成されたノズル２２（図２参照）を封止するキャップ１１と、ノズル面を払拭するためのワイピングユニット１２とが配置されている。

「記録ヘッドの概要」
図２は、本実施形態に係る記録ヘッドの構成を示す概略断面図である。
次に図２を参照し、記録ヘッド３の概要について説明する。
図２に示すように、記録ヘッド３は、流路ユニット１５と、電子デバイス１４と、ヘッドケース１６とを有している。記録ヘッド３では、流路ユニット１５と電子デバイス１４とが積層された状態で、ヘッドケース１６に取り付けられている。
以降、流路ユニット１５と電子デバイス１４とが積層された方向を上下方向として説明する。

ヘッドケース１６は、合成樹脂製の箱体状部材であり、その内部には各圧力発生室３０にインクを供給するリザーバー１８が形成されている。リザーバー１８は、複数並設された圧力発生室３０に共通なインクが貯留される空間であり、２列に並設された圧力発生室３０の列に対応して２つ形成されている。なお、ヘッドケース１６の上方には、インクカートリッジ７側からのインクをリザーバー１８に導入するインク導入路（図示省略）が形成されている。

ヘッドケース１６の下面に接合される流路ユニット１５は、連通基板２４とノズルプレート２１とを有している。連通基板２４は、シリコン製の板材であり、本実施形態では、表面（上面及び下面）の結晶面方位を（１１０）面としたシリコン単結晶基板から作製されている。連通基板２４には、リザーバー１８に連通され各圧力発生室３０に共通なインクが貯留される共通液室２５と、共通液室２５を介してリザーバー１８からのインクを各圧力発生室３０に個別に供給する個別連通路２６とが、エッチングにより形成されている。共通液室２５は、ノズル列方向に沿った長尺な空部であり、２列に並設された圧力発生室３０の列に対応して２列形成されている。共通液室２５は、連通基板２４の板厚方向を貫通した第１液室２５ａと、連通基板２４の下面側から上面側に向けて当該連通基板２４の板厚方向の途中まで窪ませ、上面側に薄板部を残した状態で形成された第２液室２５ｂと、から構成される。個別連通路２６は、第２液室２５ｂの薄板部において、圧力発生室３０に対応して当該圧力発生室３０の並設方向に沿って複数形成されている。この個別連通路２６は、連通基板２４と第２基板２９とが接合された状態で、対応する圧力発生室３０の長手方向における一方の端部に連通される。

また、連通基板２４の各ノズル２２に対応する位置には、連通基板２４の板厚方向を貫通したノズル連通路２７が形成されている。すなわち、ノズル連通路２７は、ノズル列に対応して当該ノズル列方向に沿って複数形成されている。このノズル連通路２７によって、圧力発生室３０とノズル２２とが連通される。ノズル連通路２７は、連通基板２４と第２基板２９とが接合された状態で、対応する圧力発生室３０の長手方向における他方の端部（個別連通路２６側と反対側の端部）に連通される。

ノズルプレート２１は、連通基板２４の下面（第２基板２９側と反対側の面）に接合されたシリコン製の基板（例えば、シリコン単結晶基板）である。本実施形態では、ノズルプレート２１により、共通液室２５となる空間の下面側の開口が封止されている。また、ノズルプレート２１には、複数のノズル２２が直線状（列状）に開設されている。本実施形態では、２列に形成された圧力発生室３０の列に対応して、ノズル列が２列形成されている。この並設された複数のノズル２２（ノズル列）は、一端側のノズル２２から他端側のノズル２２までドット形成密度に対応したピッチ（例えば６００ｄｐｉ）で、主走査方向に直交する副走査方向に沿って等間隔に設けられている。

なお、ノズルプレートを連通基板における共通液室から内側に外れた領域に接合し、共通液室となる空間の下面側の開口を例えば可撓性を有するコンプライアンスシートなどの部材で封止することもできる。このようにすれば、ノズルプレートを可及的に小さくできる。

電子デバイス１４は、各圧力発生室３０内のインクに圧力変化を生じさせるアクチュエーターとして機能する薄板状の圧電デバイスである。つまり、電子デバイス１４では、各圧力発生室３０内のインクに圧力変化を生じさせ、各圧力発生室３０に連通されたノズル２２からインクを噴射させる。電子デバイス１４は、第２基板２９と、接着剤６１，６２，６３と、第１基板３３と、駆動ＩＣ３４とが順に積層されてユニット化された構成を有している。換言すれば、電子デバイス１４では、第２基板２９と、駆動ＩＣ３４を有する第１基板３３とが、接着剤６１，６２，６３によって接合されている。
なお、接着剤６２，６３は「感光性接着剤」の一例である。

第２基板２９は、第１基板３３に積層配置され、圧力発生室形成基板２８と、振動板３１と、圧電素子３２とを有している。
圧力発生室形成基板２８は、シリコン製の硬質な板材であり、表面（上面及び下面）の結晶面方位を（１１０）面としたシリコン単結晶基板から作製されている。圧力発生室形成基板２８は、圧力発生室３０を形成する貫通口３０ａを有している。貫通口３０ａは、面方位（１１０）のシリコン単結晶基板を板厚方向に異方性エッチングすることで形成されている。貫通口３０ａは、圧力発生室３０を形成する空間（空部）になる。

振動板３１は、弾性を有する薄膜状の部材であり、圧力発生室形成基板２８の上面（連通基板２４側と反対側の面）に形成されている。振動板３１は、圧力発生室形成基板２８の上面に形成された酸化シリコンからなる弾性膜と、この弾性膜上に形成された酸化ジルコニウムからなる絶縁膜とで構成されている。振動板３１は、圧力発生室形成基板２８の貫通口３０ａの上側の開口を封止する。

また、圧力発生室形成基板２８の貫通口３０ａの下側の開口は、連通基板２４によって封止されている。そして、振動板３１と連通基板２４とで封止された貫通口３０ａ（空部）が、圧力発生室３０になる。圧力発生室３０は、２列に形成されたノズル列に対応して２列に形成されている。圧力発生室３０は、ノズル列方向に直交する方向に長尺な空部（空間）であり、長手方向の一方の端部に個別連通路２６が連通されると共に、他方の端部にノズル連通路２７が連通される。

振動板３１における圧力発生室３０に対応する領域（振動板３１と圧力発生室形成基板２８とが接さない領域）は、圧電素子３２の変位に伴って、振動板３１がノズル２２から遠ざかる方向あるいは近接する方向に変位する変位部として機能する。すなわち、振動板３１における圧力発生室３０に対応する領域（振動板３１と圧力発生室形成基板２８とが接さない領域）が、振動板３１の変位が許容される駆動領域３５となる。一方、振動板３１における圧力発生室３０から外れた領域（振動板３１と圧力発生室形成基板２８とが接する領域）は、振動板３１の変位が阻害される非駆動領域３６となる。

駆動領域３５では、振動板３１の圧力発生室形成基板２８側と反対側の面に、圧電素子３２が形成されている。詳しくは、駆動領域３５における振動板３１の圧力発生室形成基板２８側と反対側の面には、下電極層（個別電極）と圧電体層と上電極層（共通電極）とが順に積層されて、圧電素子３２が形成されている。圧電素子３２は、所謂撓みモードの圧電素子であり、振動板３１を撓み変形させる。下電極層と上電極層との間の電位差に応じた電界が圧電体層に付与されると、圧電素子３２は、ノズル２２から遠ざかる方向あるいは近接する方向に変位する。

圧電素子３２を構成する下電極層は、圧電素子３２より外側の非駆動領域３６まで延設されて個別電極３７を形成し、対応するバンプ電極４０に電気的に接続されている。非駆動領域３６まで延設された圧電素子３２の下電極層では、バンプ電極４０に接する部分が個別電極３７になり、圧電素子３２を構成する部分と個別電極３７を形成する部分との間が個別配線になる。
なお、個別電極３７は、「第２電極」の一例である。

圧電素子３２を構成する上電極層は、圧電素子３２の列間における非駆動領域３６まで延設されて共通電極３８を形成し、対応するバンプ電極４０に電気的に接続されている。非駆動領域３６まで延設された圧電素子３２の上電極層では、バンプ電極４０に接する部分が共通電極３８であり、圧電素子３２を構成する部分と共通電極３８を形成する部分との間が共通配線になる。
なお、共通電極３８は、「第２電極」の一例である。

さらに、圧電素子３２の長手方向において、当該圧電素子３２よりも外側に個別電極３７が形成され、内側に共通電極３８が形成されている。また、本実施形態では、一側の圧電素子３２の列から延設された共通電極３８と、他側の圧電素子３２の列から延設された共通電極３８とは、共通配線によって電気的に接続されている。

第１基板３３は、第２基板２９と駆動ＩＣ３４との間に配置され、駆動ＩＣ３４の信号を第２基板２９に供給する中継基板（配線基板）である。第１基板３３は、シリコン単結晶基板からなる基材３３０や、基材３３０に形成された配線や電極などを有している。

基材３３０の下面（第２基板２９側の面）には、第２基板２９の個別電極３７に電気的に接続される電極６７と、第２基板２９の共通電極３８に電気的に接続される電極６８とが形成されている。電極６７は、圧電素子３２に対応して、ノズル列方向に沿って複数形成されている。
電極６７，６８は、「第１電極」の一例である。

電極６７，６８は、保護層７１によって覆われている。保護層７１は、例えば酸化シリコンで構成され、電極６７の一部を露出する開口６７ａと、電極６８の一部を露出する開口６８ａとを有している。保護層７１の電極６７，６８を覆う側と反対側の面７２は、平坦化処理が施され、平坦になっている。
なお、保護層７１の面７２は「保護層の接合面」の一例である。

保護層７１の面７２（保護層７１の電極６７，６８側と反対側の面７２）には、バンプ電極４０が形成されている。バンプ電極４０は、第２基板２９の個別電極３７や共通電極３８のそれぞれに対応する位置に配置されている。バンプ電極４０は、弾性を有する内部樹脂４０ａと、内部樹脂４０ａを覆う導電膜４１とで構成される。内部樹脂４０ａとしては、例えばポリイミド樹脂などの樹脂を使用することができる。導電膜４１は、金属単体、合金、金属シリサイド、金属窒化物、これらを積層した積層膜などを使用することができる。導電膜４１は、内部樹脂４０ａを覆う部分４１ａ（以降、導電膜４１ａと称す）と、保護層７１の面７２や開口６７ａ，６８ａを覆う部分４１ｂ（以降、導電膜４１ｂと称す）とを有している。

すなわち、バンプ電極４０は、内部樹脂４０ａと導電膜４１ａとで構成される。導電膜４１ｂは、バンプ電極４０と電極６７，６８とを電気的に接続する配線になる。導電膜４１ｂは、保護層７１の平坦な面７２を覆って形成されるので、保護層７１の平坦な面７２の形状が反映された平坦な面４２を有する。

バンプ電極４０は、弾性を有し、弾性変形した状態（押圧された状態）で、第２基板２９の個別電極３７及び共通電極３８に電気的に接続されている。バンプ電極４０が弾性を有することで、バンプ電極４０が弾性を有していない場合と比べて、バンプ電極４０と個別電極３７、及びバンプ電極４０と共通電極３８は、それぞれ良好に電気的に接続される。従って、第１基板３３の電極６７は、バンプ電極４０を介して、第２基板２９の個別電極３７に良好に電気的に接続される。第１基板３３の電極６８は、バンプ電極４０を介して、第２基板２９の共通電極３８に良好に電気的に接続される。

基材３３０の上面（駆動ＩＣ３４側の面）の中央には、駆動ＩＣ３４に電力（例えば、ＶＤＤ１（低電圧回路の電源）、ＶＤＤ２（高電圧回路の電源）、ＶＳＳ１（低電圧回路の電源）、ＶＳＳ２（高電圧回路の電源））を供給する電源配線５３が複数（本実施形態では４つ）形成されている。各電源配線５３は、ノズル列方向、すなわち駆動ＩＣ３４の長手方向に沿って延設され、当該長手方向の端部においてフレキシブルケーブルなどの配線基板（図示省略）を介して外部電源（図示省略）などと接続されている。そして、この電源配線５３上に、対応する駆動ＩＣ３４の電源バンプ電極５６が電気的に接続される。

基材３３０の上面の端（電源配線５３が形成された領域から外側に外れた領域）には、個別接続端子５４が形成されている。個別接続端子５４は駆動ＩＣ３４の個別バンプ電極５７に電気的に接続され、駆動ＩＣ３４からの信号が入力される。個別接続端子５４は、圧電素子３２に対応して、ノズル列方向に沿って複数形成されている。個別接続端子５４は、基材３３０の内部に形成された貫通配線４５を介して、基材３３０の下面に形成された電極６７に電気的に接続されている。

貫通配線４５は、基材３３０の下面と基材３３０の上面との間を中継する配線であり、基材３３０を板厚方向に貫通した貫通孔４５ａと、貫通孔４５ａの内部に充填された導体部４５ｂとで構成される。導体部４５ｂは、例えば銅（Ｃｕ）、タングステン（Ｗ）、ニッケル（Ｎｉ）などの金属で構成される。

駆動ＩＣ３４は、圧電素子３２を駆動するためのＩＣチップであり、異方性導電フィルム（ＡＣＦ）などの接着剤５９を介して基材３３０の上面（第１基板３３の上面）に積層配置されている。駆動ＩＣ３４の第１基板３３側の面には、電源配線５３に電気的に接続される電源バンプ電極５６及び個別接続端子５４に電気的に接続される個別バンプ電極５７が、ノズル列方向に沿って複数並設されている。

駆動ＩＣ３４には、電源バンプ電極５６を介して、電源配線５３からの電力（電圧）が供給される。そして、駆動ＩＣ３４は、各圧電素子３２を個別に駆動するための信号（駆動信号、共通信号）を生成する。駆動ＩＣ３４で生成された駆動信号は、個別バンプ電極５７と、個別接続端子５４と、貫通配線４５と、電極６７と、バンプ電極４０と、個別電極３７とを介して、圧電素子３２の下電極層に供給される。さらに、駆動ＩＣ３４で生成された共通信号は、基材３３０に形成された配線（図示省略）と、電極６８と、バンプ電極４０と、共通電極３８とを介して、圧電素子３２の上電極層に供給される。

第１基板３３と第２基板２９との間の非駆動領域３６には、接着剤６１，６２，６３が配置されている。接着剤６１，６２，６３は、第１基板３３と第２基板２９とに接合されている。換言すれば、第１基板３３と第２基板２９とは、接着剤６１，６２，６３によって接合されている。
接着剤６１，６２，６３は、感光性及び熱硬化性を有する樹脂、例えばエポキシ樹脂、アクリル樹脂、フェノール樹脂、ポリイミド樹脂、シリコン樹脂、スチレン樹脂などを主成分とする樹脂から形成されている。詳細は後述するが、感光性及び熱硬化性を有する樹脂溶液（感光性接着剤）を第２基板２９に塗布し、フォトリソグラフィ法でパターニングして第２基板２９の第１基板３３側の面に仮硬化した接着剤６１ａ，６２ａ，６３ａを形成する（図６参照）。第１基板３３を貼り合せ、仮硬化した接着剤６１ａ，６２ａ，６３ａが第１基板３３に当接した状態で本硬化させ、接着剤６１，６２，６３を形成する（図７参照）。

接着剤６１，６２は、バンプ電極４０の近くで、バンプ電極４０に対して離間した状態でノズル列方向に沿って帯状に配置される。上述したように、バンプ電極４０は、弾性変形した状態で個別電極３７や共通電極３８に電気的に接続されている。接着剤６１，６２は、バンプ電極４０が弾性変形してもバンプ電極４０に干渉しない程度に、バンプ電極４０から離間している。

接着剤６３は、第１基板３３及び第２基板２９の周縁部において圧電素子３２を囲むように配置され、額縁形状を有している。圧電素子３２は、第１基板３３と、第２基板２９と、接着剤６３とで密封され、外部の水分（湿気）の影響が抑制される。換言すれば、第１基板３３と第２基板２９との間に圧電素子３２を囲む接着剤６３を形成することによって、圧電素子３２への水分の影響が抑制され、水分による圧電素子３２の劣化が抑制されている。

接着剤６１は、導電膜４１ｂの面４２に接合されている。すなわち、接着剤６１は、第１基板３３の導電膜４１ｂと第２基板２９とを接合する。上述したように、導電膜４１ｂの面４２は平坦であるので、接着剤６１が接合される第１基板３３の導電膜４１ｂの接合面（面４２）は平坦である。

さらに、図２では図示を省略するが、接着剤６１は、保護層７１の面７２にも接合されている。すなわち、接着剤６１は、第１基板３３の保護層７１と第２基板２９とを接合する。上述したように、保護層７１には平坦化処理が施され、保護層７１の面７２は平坦であるので、接着剤６１が接合される第１基板３３の保護層７１の接合面（面７２）は平坦である。

接着剤６２，６３は、保護層７１の面７２に接合されている。すなわち、接着剤６２，６３は、第１基板３３の保護層７１と第２基板２９とを接合する。上述したように、保護層７１には平坦化処理が施され、保護層７１の面７２は平坦であるので、接着剤６２，６３が接合される第１基板３３の保護層７１の接合面（面７２）は平坦である。

このように、記録ヘッド３では、インクカートリッジ７からのインクが、インク導入路、リザーバー１８、共通液室２５及び個別連通路２６を介して圧力発生室３０に導入される。さらに、第２基板２９は、個別電極３７及び共通電極３８に電気的に接続され、圧力発生室３０内のインクに圧力変化を生じさせる圧電素子３２を備える。この状態で、駆動ＩＣ３４からの駆動信号が、第１基板３３に形成された配線や電極を介して第２基板２９の圧電素子３２に供給されることで、圧電素子３２が駆動され、圧電素子３２の駆動によって圧力発生室３０に圧力変化を生じさせる。この圧力変化を利用することで、記録ヘッド３では、ノズル連通路２７を介してノズル２２からインク滴を噴射させる。

「記録ヘッドの製造方法」
次に、本実施形態に係る記録ヘッド３の製造方法を説明する。
図３は、本実施形態に係る記録ヘッドの製造方法を示す工程フローである。

図３に示すように、本実施形態に係る記録ヘッド３の製造方法は、第１基板３３に保護層７１を形成する工程（ステップＳ１）と、第１基板３３にバンプ電極４０を形成する工程（ステップＳ２）と、第２基板２９に接着剤６１，６２，６３を形成する工程（ステップＳ１１）と、接着剤６１，６２，６３を硬化させ第１基板３３と第２基板２９とを接合する工程（ステップＳ２１）と、を含む。
なお、ステップＳ１は、「第１基板に保護層を形成し、平坦化処理を施す工程」の一例である。ステップＳ１１は、「第２基板に感光性接着剤を塗布し、フォトリソグラフィ法によってパターニングする工程」の一例である。ステップＳ２１は、「感光性接着剤を保護層の平坦な接合面に当接させた状態で硬化する工程」の一例である。

図４は、ステップＳ１を経た後の状態を示す概略断面図である。図５は、ステップＳ２を経た後の状態を示す概略断面図である。図６は、ステップＳ１１を経た後の状態を示す概略断面図である。図７は、ステップＳ２１を経た後の状態を示す概略断面図である。
また、図４乃至図７は、図２に対応する図であり、図４及び図５では第１基板３３の状態が図示され、図６では第２基板２９の状態が図示され、図７では電子デバイス１４の状態が図示されている。

さらに、図４及び図５と、図６及び図７とでは上下方向が逆になっている。例えば、図４では保護層７１が基材３３０の上側に配置され、図７では保護層７１が基材３３０の下側に配置され、図４と図７とでは基材３３０に対する保護層７１の配置位置が上下逆になっている。また、図４、図６、及び図７では、説明に不要な第１基板３３の構成要素（貫通配線４５、電源配線５３、個別接続端子５４など）の図示が省略されている。

ステップＳ１では、例えばＴＥＯＳ（テトラエトキシシラン）を用いたプラズマＣＶＤによって、電極６７，６８を覆う酸化シリコンを形成する。ＴＥＯＳを用いたプラズマＣＶＤによって形成された酸化シリコンは、段差被覆性に優れ、電極６７，６８などの凹凸を良好に被覆することができる。当該酸化シリコンの電極６７，６８を覆う側と反対側の面には、電極６７，６８の形状が反映された凹凸が形成される。続いて、当該酸化シリコンに対して、例えば化学的機械的研磨（Chemical Mechanical Polishing、以下ＣＭＰと称す）による平坦化処理を施し、電極６７，６８の形状が反映された凹凸を解消し、図４に示すように、平坦な面７２を有する保護層７１を形成する。ＣＭＰは、研磨液に含まれる化学成分の化学的作用と、研磨剤と基材３３０との相対移動による機械的作用との兼ね合いによって、高速で平坦な研磨面を得ることができる。

なお、保護層７１は、酸化シリコンと窒化シリコンとを含む多層膜であってもよい。例えば、ＴＥＯＳを用いたプラズマＣＶＤによって酸化シリコンを成膜した後に、酸化シリコンよりも厚い窒化シリコンをプラズマＣＶＤで成膜し、当該窒化シリコンをＣＭＰによって平坦化する構成であってもよい。例えば、ＣＭＰによって平坦化された酸化シリコンの上に、プラズマＣＶＤによって窒化シリコンを形成する構成であってもよい。
窒化シリコンは、酸化シリコンと比べて耐水性に優れている。保護層７１を酸化シリコンと窒化シリコンとを含む多層膜で構成することによって、保護層７１の耐水性を高めることができる。

ステップＳ２では、感光性を有する樹脂を塗布し、フォトリソ工程やエッチング工程によりパターニングして、保護層７１の面７２の上に前駆体樹脂を形成する。続いて加熱処理により前駆体樹脂を溶融してその角を丸めて、保護層７１の面７２の上に内部樹脂４０ａを形成する。続いて、保護層７１に電極６７，６８を露出する開口６７ａ，６８ａを形成し、蒸着やスパッタリングなどにより保護層７１の面７２や開口６７ａ，６８ａを覆う金属膜を形成し、フォトリソ工程及びエッチング工程により当該金属膜をパターニングして、内部樹脂４０ａや開口６７ａ，６８ａを覆う導電膜４１（導電膜４１ａ、導電膜４１ｂ）を形成する。これにより、図５に示すように、内部樹脂４０ａが導電膜４１ａによって覆われたバンプ電極４０を形成する。バンプ電極４０は、開口６７ａ，６８ａを覆う導電膜４１ｂによって、電極６７，６８に電気的に接続されている。

すなわち、ステップＳ２では、電極６７，６８に電気的に接続されたバンプ電極４０を形成する。さらに、保護層７１は、導電膜４１で覆われた部分と、導電膜４１で覆われていない平坦な面７２とを有する。導電膜４１ｂは、保護層７１の平坦な面を覆って形成されるので、保護層７１の平坦な面７２の形状が反映された平坦な面４２を有する。

ステップＳ１１では、感光性及び熱硬化性を有する液体状の樹脂溶液を、振動板３１や圧電素子３２が形成された第２基板２９に塗布する。続いて、塗布された液体状の樹脂溶液を仮焼成して（プリベークして）、低流動性の樹脂膜を形成する。液体状の樹脂溶液は、高い流動性を有し、第２基板２９の凹凸を良好に覆うので、低流動性の樹脂膜も第２基板２９の凹凸を良好に覆い、当該凹凸が形成された部分に隙間（空洞）などの不具合が生じにくい。続いて、フォトリソ工程によって当該樹脂膜をパターニングし、ポストベークを経て、図６に示すように、低流動性の接着剤６１ａ，６２ａ，６３ａを第２基板２９に形成する。

すなわち、ステップＳ１１では、感光性及び熱硬化性を有する樹脂溶液を塗布することで形成された樹脂膜を、フォトリソグラフィ法によってパターニングすることによって、低流動性の接着剤６１ａ，６２ａ，６３ａを形成する。さらに、低流動性の接着剤６１ａ，６２ａ，６３ａは、完全に硬化していない状態にあり、弾性と接着性とを有する。
ステップＳ１１では、後述するステップＳ２１において低流動性の接着剤６１ａ，６２ａ，６３ａを硬化させて接着剤６１，６２，６３を形成した場合に、接着剤６３が圧電素子３２を囲み、接着剤６１，６２がバンプ電極４０に干渉しないように、低流動性の接着剤６１ａ，６２ａ，６３ａを形成する。

低流動性の接着剤６１ａ，６２ａ，６３ａと第２基板２９との間には空洞などの不具合が生じにくいので、低流動性の接着剤６１ａ，６２ａ，６３ａを硬化させて形成される接着剤６１，６２，６３と第２基板２９との間には空洞などの不具合が生じにくく、接着剤６１，６２，６３と第２基板２９との間に空洞を有している場合と比べて、接着剤６１，６２，６３と第２基板２９との接合強度を高めることができる。

さらに、樹脂膜をフォトリソグラフィ法によってパターニングして低流動性の接着剤６１ａ，６２ａ，６３ａを形成するので、例えばディスペンス法や印刷法を用いて形成する場合と比べて、低流動性の接着剤６１ａ，６２ａ，６３ａを所定の位置に高精度に形成することができる。従って、低流動性の接着剤６１ａ，６２ａ，６３ａを硬化させて形成す接着剤６１，６２，６３も、所定の位置に高精度に形成することができる。
フォトリソグラフィ法によってパターニングして低流動性の接着剤６１ａ，６２ａ，６３ａを形成する方法は、ディスペンス法や印刷法を用いて低流動性の接着剤６１ａ，６２ａ，６３ａを形成する方法と比べて微細化に優れ、微細な高精細（高密度）パターンを形成することができる。

ステップＳ２１では、ステップＳ１及びステップＳ２を経て形成された第１基板３３と、ステップＳ１１を経て形成された第２基板２９とを貼り合せ、低流動性の接着剤６２ａ，６３ａが第１基板３３に当接し押圧された状態で熱処理を施し、低流動性の接着剤６２ａ，６３ａを硬化し、第１基板３３及び第２基板２９の両方に接合された接着剤６１，６２，６３を形成する。換言すれば、低流動性の接着剤６２ａ，６３ａを硬化し、第１基板３３と第２基板２９とを接合する接着剤６１，６２，６３を形成する。

ステップＳ２１では、図７に示すように、接着剤６２，６３が保護層７１の平坦な面７２に接合され、接着剤６１が導電膜４１ｂの平坦な面４２及び保護層７１の平坦な面７２（図７では図示省略）に接合される。そして、接着剤６１，６２，６３によって、第１基板３３の保護層７１と第２基板２９とを接合する。

ステップＳ２１では、低流動性の接着剤６２ａ，６３ａを保護層７１の平坦な面７２に当接させた状態で硬化して、保護層７１の平坦な面７２に接合する接着剤６２，６３を形成する。仮に、低流動性の接着剤６２ａ，６３ａが当接する第１基板３３の接合面（保護層７１の面７２）が凹凸を有していると、低流動性の接着剤６２ａ，６３ａは凹凸を有する第１基板３３の接合面を良好に覆うことが難しく、低流動性の接着剤６２ａ，６３ａと凹凸を有する第１基板３３の接合面との間に空洞などの不具合が生じやすくなる。本実施形態では、低流動性の接着剤６２ａ，６３ａが当接する第１基板３３の接合面（保護層７１の面７２）は平坦であるので、低流動性の接着剤６２ａ，６３ａは第１基板３３の接合面を良好に覆い、低流動性の接着剤６２ａ，６３ａと第１基板３３の接合面（保護層７１の面７２）との間に空洞などの不具合が生じにくい。従って、低流動性の接着剤６２ａ，６３ａが当接する第１基板３３の接合面が凹凸を有している場合と比べて、接着剤６２，６３と第１基板３３の接合面（保護層７１の面７２）との接合強度を高めることができる。

さらに、接着剤６１と保護層７１の面７２とが接合する部分においても、低流動性の接着剤６１ａが当接する第１基板３３の接合面（保護層７１の面７２）は平坦であるので、同様に、低流動性の接着剤６１ａが当接する第１基板３３の接合面が凹凸を有している場合と比べて、接着剤６１と第１基板３３の接合面（保護層７１の面７２）との接合強度を高めることができる。

さらに、接着剤６１と導電膜４１ｂとが接合する部分においても、低流動性の接着剤６１ａが当接する導電膜４１ｂの接合面（導電膜４１ｂの面４２）は平坦であるので、同様に、低流動性の接着剤６１ａが当接する第１基板３３の接合面が凹凸を有している場合と比べて、接着剤６１と第１基板３３の接合面（導電膜４１ｂの面４２）との接合強度を高めることができる。

なお、接着剤６１は、導電膜４１ｂの端部を覆うように配置されている。導電膜４１ｂの端部には、導電膜４１ｂの膜厚に相当する段差が形成されているので、接着剤６１は当該段差を覆って導電膜４１ｂ及び保護層７１に接合される。低流動性の接着剤６１ａは弾性を有している。従って、低流動性の接着剤６１ａは、導電膜４１ｂの段差に当接した場合に、導電膜４１ｂの段差に追従して変形し、低流動性の接着剤６１ａと導電膜４１ｂの端部と間に空洞などの不具合が生じにくい。一方、低流動性の接着剤６１ａが弾性を有していないと、低流動性の接着剤６１ａは、導電膜４１ｂの段差に当接した場合に導電膜４１ｂの段差に追従して変形しにくいので、低流動性の接着剤６１ａと導電膜４１ｂの端部と間に空洞などの不具合が生じやすい。従って、低流動性の接着剤６１ａが弾性を有していると、低流動性の接着剤６１ａが弾性を有していない場合と比べて、接着剤６１と導電膜４１ｂの端部と間に空洞などの不具合が生じにくく、導電膜４１ｂの端部における接着剤６１と第１基板３３の接合面との接合強度を高めることができる。

続いて、圧力発生室形成基板２８に、例えばＫＯＨによる異方性エッチングを施し、圧力発生室３０の空部になる貫通口３０ａを形成する。同時に圧力発生室形成基板２８の端部もエッチングし、圧力発生室形成基板２８を第１基板３３（基材３３０）よりも小さくする。さらに、第１基板３３の第２基板２９側と反対側の面に、接着剤５９を介して駆動ＩＣ３４を接合して電子デバイス１４を製造する。さらに、電子デバイス１４と流路ユニット１５とヘッドケース１６とを接合して記録ヘッド３を製造する。

仮に、接着剤６３と第１基板３３の接合面との間に空洞などの不具合が生じると、接着剤６３と第１基板３３の接合面との接合強度が低くなり、例えば接着剤６３と第１基板３３の接合面とが接合する部分に剥離やクラックなどの欠陥が生じやすくなり、接着剤６３で囲まれた領域の中に水分が侵入し、当該水分によって圧電素子３２が劣化し、圧電素子３２の信頼性が低下するおそれがある。

さらに、接着剤６３と第１基板３３の接合面とが接合する部分に剥離やクラックなどの欠陥が生じると、上述したＫＯＨによる異方性エッチングを施す場合に、当該欠陥からエッチャントが染み込み、圧電素子３２が劣化するという不具合が生じる。
さらに、接着剤６１，６２，６３と第１基板３３の接合面との接合強度が低いと、機械的な衝撃によって、接着剤６１，６２，６３と第１基板３３の接合面とが接合する部分に剥離やクラックなどの欠陥が生じやすくなり、記録ヘッド３が劣化し、記録ヘッド３の信頼性が低下するおそれがある。

本実施形態に係る記録ヘッド３の製造方法では、接着剤６３と第１基板３３の接合面との接合強度が高くなっているので、接着剤６３と第１基板３３の接合面との接合強度が低い場合と比べて、接着剤６３で囲まれた領域の中に水分が侵入しにくく、水分による圧電素子３２の劣化を抑制し、圧電素子３２の信頼性を高めることができる。

さらに、本実施形態に係る記録ヘッド３の製造方法では、接着剤６１，６２，６３と第１基板３３の接合面との接合強度が高くなっているので、接着剤６１，６２，６３と第１基板３３の接合面との接合強度が低い場合と比べて、接着剤６１，６２，６３と第１基板３３の接合面とが接合する部分に剥離やクラックなどの欠陥が生じにくくなり、記録ヘッド３の劣化を抑制し、記録ヘッド３の信頼性を高めることができる。

（実施形態２）
図８は、図２に対応する図であり、実施形態２に係る記録ヘッドの構成を示す概略断面図である。
本実施形態に係る記録ヘッド３Ａでは、第１基板３３Ａに圧電素子３２を駆動する駆動回路３９が形成されている。実施形態１に係る記録ヘッド３では、圧電素子３２を駆動する駆動回路は第１基板３３と別の基板（駆動ＩＣ３４）に形成されている。この点が本実施形態に係る記録ヘッド３Ａと実施形態１に係る記録ヘッド３との相違点であり、他の構成は本実施形態と実施形態１とで同じである。
以下、図８を参照し、本実施形態に係る記録ヘッド３Ａの概要を、実施形態１との相違点を中心に説明する。また、実施形態１と同一の構成部位については、同一の符号を附し、重複する説明を省略する。

図８に示すように、記録ヘッド３Ａは、流路ユニット１５と、電子デバイス１４Ａと、ヘッドケース１６とを有している。

電子デバイス１４Ａは、各圧力発生室３０内のインクに圧力変化を生じさせるアクチュエーターとして機能する薄板状のＭＥＭＳデバイスである。つまり、電子デバイス１４Ａは、各圧力発生室３０内のインクに圧力変化を生じさせ、各圧力発生室３０に連通されたノズル２２からインクを噴射させる。電子デバイス１４Ａは、第２基板２９と、接着剤６１，６２，６３と、第１基板３３Ａとが順に積層されてユニット化された構成を有している。

第２基板２９は、第１基板３３Ａに積層配置され、圧力発生室形成基板２８と、振動板３１と、圧電素子３２とを有している。
第１基板３３Ａは、第２基板２９に積層配置され、圧電素子３２を駆動する駆動回路３９が形成された基板３３１や、駆動回路３９からの信号を第２基板２９に供給するための電極（電極６７、電極６８、バンプ電極４０）などを有している。

基板３３１は、例えばｐ型のシリコン基板（ｐ型半導体基板）に駆動回路３９が形成された半導体回路基板である。基板３３１のｐ型半導体領域に絶縁層や電極層などを積層することによって、Ｎチャネル型のトランジスターが形成されている。さらに、基板３３１ｐ型半導体領域にｎ型不純物をイオン注入することでｎ型半導体領域を形成し、当該ｎ型半導体領域に絶縁層や電極層などを積層することによってＰチャネル型のトランジスターが形成されている。そして、基板３３１には、Ｎチャネル型のトランジスターとＰチャネル型のトランジスターとからなるＣＭＯＳ型トランジスターによって駆動回路３９が形成されている。

第１基板３３Ａには、フレキシブルケーブルなどの配線基板（図示省略）を介して外部電源（図示省略）などと接続され、駆動回路３９に電力（電圧）が供給されている。そして、駆動回路３９は、各圧電素子３２を個別に駆動するための信号（駆動信号、共通信号）を生成する。駆動回路３９で生成された駆動信号は、電極６７と、バンプ電極４０と、個別電極３７とを介して、圧電素子３２の下電極層に供給される。さらに、駆動回路３９で生成された共通信号は、電極６８と、バンプ電極４０と、共通電極３８とを介して、圧電素子３２の上電極層に供給される。

接着剤６１，６２，６３は、第１基板３３Ａと第２基板２９とに接合されている。換言すれば、第１基板３３Ａと第２基板２９とは、接着剤６１，６２，６３によって接合されている。

接着剤６１は、第１基板３３Ａの接合面（導電膜４１ｂの面４２、保護層７１の面７２）に接合されている。接着剤６１が接合される第１基板３３Ａの接合面（導電膜４１ｂの面４２、保護層７１の面７２）は平坦であるので、接着剤６１が接合される第１基板３３Ａの接合面が平坦でない場合と比べて、接着剤６１と第１基板３３Ａの接合面（導電膜４１ｂの面４２、保護層７１の面７２）との接合強度を高めることができる。

接着剤６２，６３は、第１基板３３Ａの接合面（保護層７１の面７２）に接合されている。接着剤６２，６３が接合される第１基板３３Ａの接合面（保護層７１の面７２）は平坦であるので、接着剤６２，６３が接合される第１基板３３Ａの接合面が平坦でない場合と比べて、接着剤６２，６３と第１基板３３Ａの接合面（保護層７１の面７２）との接合強度を高めることができる。

接着剤６１，６２，６３と第１基板３３Ａの接合面との接着強度が高くなっているので、接着剤６１，６２，６３と第１基板３３Ａの接合面との接着強度が低い場合と比べて、圧電素子３２や記録ヘッド３Ａが劣化しにくくなり、圧電素子３２や記録ヘッド３Ａの信頼性を高めることができる。すなわち、本実施形態に係る記録ヘッド３Ａは、実施形態１に係る記録ヘッド３と同等の効果を得ることができる。

さらに、本実施形態に係る記録ヘッド３Ａでは、第１基板３３Ａが圧電素子３２を駆動する駆動回路３９を内蔵しているので、圧電素子３２を駆動する駆動回路が第１基板３３Ａと別の基板（駆動ＩＣ３４）に形成されている構成（実施形態１の構成）と比べて、記録ヘッド３Ａを薄型化することができる。

さらに、本発明は、広くヘッド全般を対象としたものであり、例えばプリンターなどの画像記録装置に用いられる各種のインクジェット式記録ヘッドなどの記録ヘッド、液晶ディスプレイなどのカラーフィルターの製造に用いられる色材噴射ヘッド、有機ＥＬディスプレイ、ＦＥＤ（電界放出ディスプレイ）などの電極形成に用いられる電極材料噴射ヘッド、バイオｃｈｉｐ製造に用いられる生体有機物噴射ヘッドなどにも本発明を適用させることができ、本発明の技術的範囲である。

また、本発明は、広くＭＥＭＳデバイスを対象としたものであり、上述した記録ヘッド３，３Ａ以外のＭＥＭＳデバイスにも適用することができる。例えば、ＳＡＷデバイス（表面弾性波デバイス）、超音波デバイス、モーター、圧力センサー、焦電素子、及び強誘電体素子は、ＭＥＭＳデバイスの一例であり、本発明を適用させることができ、本発明の技術的範囲である。
また、これらのＭＥＭＳデバイスを利用した完成体、例えば上述した記録ヘッド３，３Ａを利用した液体噴射装置、上記ＳＡＷデバイスを利用したＳＡＷ発振器、上記超音波デバイスを利用した超音波センサー、上記モーターを駆動源として利用したロボット、上記焦電素子を利用したＩＲセンサー、強誘電体素子を利用した強誘電体メモリーなども、本発明を適用させることができ、本発明の技術的範囲である。

１…プリンター、３…記録ヘッド、１４…電子デバイス、１５…流路ユニット、１６…ヘッドケース、１８…リザーバー、２１…ノズルプレート、２２…ノズル、２４…連通基板、２５…共通液室、２５ａ…第１液室、２５ｂ…第２液室、２６…個別連通路、２７…ノズル連通路、２８…圧力発生室形成基板、２９…第２基板、３０…圧力発生室、３０ａ…貫通口、３１…振動板、３２…圧電素子、３３…第１基板、３５…駆動領域、３６…非駆動領域、３７…個別電極、３８…共通電極、４０…バンプ電極、４０ａ…内部樹脂、４１，４１ａ，４１ｂ…導電膜、４２…面、４５…貫通配線、４５ａ…貫通孔、４５ｂ…導体部、５３…電源配線、５４…個別接続端子、５６…電源バンプ電極、５７…個別バンプ電極、６１，６２，６３…接着剤、６７，６８…電極、６７ａ，６８ａ…開口、７１…保護層、７２…面（平坦な接合面）、３３０…基材。

Claims (1)

1. 保護層を有する第１基板と、前記第１基板に積層配置された第２基板と、前記保護層と前記第２基板とを接合する感光性接着剤と、を含むＭＥＭＳデバイスの製造方法であって、
   前記第１基板に保護層を形成し、平坦化処理を施す工程と、
   前記第２基板に感光性接着剤を塗布し、フォトリソグラフィ法によってパターニングする工程と、
   前記感光性接着剤を前記保護層の平坦な接合面に当接させた状態で硬化する工程と、
   を含むことを特徴とするＭＥＭＳデバイスの製造方法。

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