KR101990639B1 - Substrate inspection method and Substrate processing apparatus - Google Patents
Substrate inspection method and Substrate processing apparatus Download PDFInfo
- Publication number
- KR101990639B1 KR101990639B1 KR1020170147797A KR20170147797A KR101990639B1 KR 101990639 B1 KR101990639 B1 KR 101990639B1 KR 1020170147797 A KR1020170147797 A KR 1020170147797A KR 20170147797 A KR20170147797 A KR 20170147797A KR 101990639 B1 KR101990639 B1 KR 101990639B1
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- substrate
- signal
- sensor unit
- sensing
- unit
- Prior art date
Links
Images
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
- G02F1/1306—Details
- G02F1/1309—Repairing; Testing
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B65—CONVEYING; PACKING; STORING; HANDLING THIN OR FILAMENTARY MATERIAL
- B65G—TRANSPORT OR STORAGE DEVICES, e.g. CONVEYORS FOR LOADING OR TIPPING, SHOP CONVEYOR SYSTEMS OR PNEUMATIC TUBE CONVEYORS
- B65G49/00—Conveying systems characterised by their application for specified purposes not otherwise provided for
- B65G49/05—Conveying systems characterised by their application for specified purposes not otherwise provided for for fragile or damageable materials or articles
- B65G49/06—Conveying systems characterised by their application for specified purposes not otherwise provided for for fragile or damageable materials or articles for fragile sheets, e.g. glass
- B65G49/061—Lifting, gripping, or carrying means, for one or more sheets forming independent means of transport, e.g. suction cups, transport frames
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B65—CONVEYING; PACKING; STORING; HANDLING THIN OR FILAMENTARY MATERIAL
- B65G—TRANSPORT OR STORAGE DEVICES, e.g. CONVEYORS FOR LOADING OR TIPPING, SHOP CONVEYOR SYSTEMS OR PNEUMATIC TUBE CONVEYORS
- B65G2201/00—Indexing codes relating to handling devices, e.g. conveyors, characterised by the type of product or load being conveyed or handled
- B65G2201/02—Articles
- B65G2201/0214—Articles of special size, shape or weigh
- B65G2201/022—Flat
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Nonlinear Science (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
Abstract
본 발명은 기판검사방법 및 기판처리장치에 대한 것으로서, 기판의 이송 중에 기판의 에지 등의 영역에 파손이 발생하는 경우에 이를 감지할 수 있으며 나아가 기판에 파손이 발생하지 않은 경우에도 기판이 틸트(tilt), 시프트(shift) 또는 틸트 및 시프트된 경우를 식별할 수 있는 기판검사방법 및 기판처리장치에 대한 것이다.The present invention relates to a substrate inspection method and a substrate processing apparatus, and it is possible to detect a breakage of a region such as an edge of a substrate during transfer of the substrate, and even when the substrate is not broken, tilt, shift, or tilt, and a substrate processing apparatus capable of identifying a case in which a substrate is tilted and shifted.
Description
본 발명은 기판검사방법 및 기판처리장치에 대한 것으로서, 기판의 이송 중에 기판의 에지 등의 영역에 파손이 발생하는 경우에 이를 감지할 수 있으며 나아가 기판에 파손이 발생하지 않은 경우에도 기판이 틸트(tilt), 시프트(shift) 또는 틸트 및 시프트된 경우를 식별할 수 있는 기판검사방법 및 기판처리장치에 대한 것이다.The present invention relates to a substrate inspection method and a substrate processing apparatus, and it is possible to detect a breakage of a region such as an edge of a substrate during transfer of the substrate, and even when the substrate is not broken, tilt, shift, or tilt, and a substrate processing apparatus capable of identifying a case in which a substrate is tilted and shifted.
일반적으로 액정표시장치(LCD)나 플라즈마 패널 디스플레이(PDP)와 같은 플랫 패널 디스플레이 장치의 제조에 있어서 유리기판은 필수불가결한 구성부품이다. 액정표시장치 등의 플랫 패널 디스플레이 장치를 제조하기 위해서는 유리기판에 세정, 도포, 현상 등의 처리공정을 반복하여 실시하게 되는데, 액정표시장치 등의 생산라인은 이러한 처리공정을 수행하기 위해 복잡한 장치들로 구성된다. In general, a glass substrate is an indispensable component in the manufacture of a flat panel display device such as a liquid crystal display (LCD) or a plasma panel display (PDP). In order to manufacture a flat panel display device such as a liquid crystal display device, processing steps such as cleaning, coating, and development are repeatedly performed on a glass substrate. A production line such as a liquid crystal display device, .
최근에는 유리기판에 전술한 처리공정을 자동으로 수행하기 위한 자동화 생산 시스템이 개발되어 사용되고 있는데, 이러한 생산 시스템들의 각 처리단계에 있어서 유리기판의 이송 및 처리는 매우 중요하다.In recent years, automated production systems have been developed and used for automatically performing the above-described processing steps on glass substrates. In each processing step of such production systems, transfer and processing of glass substrates are very important.
액정표시장치나 플라즈마 패널 디스플레이의 생산 시스템은 전술한 바와 같은 여러가지 반복되는 처리공정을 수행하기 위해 복잡한 다수의 장치들로 이루어져 있는데, 유리기판은 이러한 다수의 장치들 사이를 이동해야 하고 다수의 반복처리 과정에 노출되기 때문에 파손에 취약할 수 밖에 없으며, 특히 유리기판의 모서리 또는 측면(에지) 부분은 파손에 취약하다. The production system of a liquid crystal display or a plasma panel display is composed of a plurality of complex devices for performing various repetitive processing processes as described above. The glass substrate must move between these multiple devices, It is vulnerable to breakage. In particular, the edge or side (edge) portion of the glass substrate is vulnerable to breakage.
따라서, 플랫 패널 디스플레이 장치에서 공정 실수에 의해 발생하거나 이송 중 발생하는 유리기판의 측면 부분의 파손을 검출하여 유리기판의 이상 여부를 확인할 필요가 있다. 만약, 이러한 유리기판의 파손을 확인하지 않고 파손된 유리기판이 클러스터 생산 시스템과 같은 자동화 시스템의 공정모듈에 투입될 경우 공정 불량뿐만 아니라 예측하지 못한 시스템의 오작동 및 고장을 발생시킬 수 있다.Therefore, it is necessary to detect the breakage of the side portion of the glass substrate, which is caused by the process mistake in the flat panel display device or occurs during transportation, to check whether the glass substrate is abnormal. If a broken glass substrate is inserted into a process module of an automated system such as a cluster production system without confirming breakage of the glass substrate, it may cause not only a process failure but also an unexpected malfunction or failure of the system.
도 15는 종래기술에 따른 기판의 에지 영역의 파손을 감지하는 방법을 도시한 개략도이다.15 is a schematic diagram showing a method for detecting breakage of an edge region of a substrate according to the prior art.
도 15를 살펴보면, 유리기판(10)의 진행방향을 따라 센서(20a, 20b, 20c)가 구비되어, 상기 센서(20a, 20b, 20c)에서 수신되는 신호를 판독하여 유리기판(10)의 파손 여부를 감지하게 된다. 즉, 유리기판(10)에 파손이 발생한 경우에 상기 파손 영역을 지나는 센서에서 수집되는 광량의 유무에 따라 기판(10)의 측면 또는 가장자리에 파손이 발생한 것을 인식할 수 있다.15,
그런데, 전술한 바와 같이 유리기판이 다수의 장치들 사이를 이동하는 중에 이송암과 같은 이송수단에 의해 이송될 수 있으며, 이 경우 상기 기판이 상기 이송수단의 정확한 위치에 안착되지 않고 틸트(tilt), 시프트(shift) 또는 틸트 및 시프트될 수 있다.However, as described above, the glass substrate can be transported by a transporting means such as a transfer arm during movement between a plurality of devices, in which case the substrate is not tilted at the correct position of the transport means, , ≪ / RTI > or tilted and shifted.
도 16은 예를 들어 유리기판(10)이 진행방향을 따라 이동하는 중에 진행방향을 기준으로 거리 'd'만큼 오른쪽으로 시프트된 상태를 도시한다.Fig. 16 shows a state in which, for example, the
이 경우, 종래방법에 따르면 센서 중에 진행방향을 기준으로 제일 왼쪽에 위치한 센서(20a)에서 수신되는 신호에 변화가 발생하게 되며, 다른 나머지 센서(20b, 20c)에서는 정상적으로 신호가 수신된다. 도 16의 상태는 유리기판(10)에 파손이 발생한 것이 아니라 유리기판(10)의 이송 중에 단순히 시프트된 상태이지만, 도 12에 따른 종래검사방법에서는 유리기판(10)에 파손이 발생한 것으로 인식하게 된다.In this case, according to the conventional method, a signal received by the
따라서, 종래방법에서는 유리기판(10)이 파손된 경우뿐만 아니라 유리기판(10)의 이송 중에 단순히 틸트(tilt), 시프트(shift) 또는 틸트 및 시프트된 경우에도 파손으로 인식하게 되어 생산 시스템과 같은 자동화 시스템의 동작을 멈추게 된다.Therefore, in the conventional method, not only when the
이 경우, 생산 시스템의 동작을 빈번하게 멈추게 되며, 특히 기판이 파손되지 않고 단순히 기판이 기준위치에 위치하지 않은 경우에도 생산 시스템의 동작을 멈추도록 하여 생산 시스템의 생산성(throughput)을 떨어뜨리는 요인으로 작용하게 된다.In this case, the operation of the production system is frequently stopped, and in particular, even if the substrate is not broken and the substrate is not located at the reference position, the operation of the production system is stopped and the productivity of the production system is lowered .
본 발명은 상기와 같은 문제점을 해결하기 위하여, 기판의 이송 중에 기판의 에지 등의 영역에 파손이 발생하는 경우에 이를 감지할 수 있으며 나아가 기판에 파손이 발생하지 않은 경우에도 기판이 틸트(tilt), 시프트(shift) 또는 틸트 및 시프트된 경우를 식별할 수 있는 기판검사방법 및 기판처리장치를 제공하는 것을 목적으로 한다.In order to solve the above problems, it is an object of the present invention to provide an apparatus and a method for detecting a breakage of an edge or the like of a substrate during transfer of the substrate, , A substrate inspection method capable of identifying a shift, tilting, and shifted case, and a substrate processing apparatus.
상기와 같은 본 발명의 목적은 기판을 미리 정해진 기준위치에 안착시키고 이송시키는 단계, 상기 기판의 이송 중에 상기 기판의 이송방향에 평행한 상기 기판의 서로 마주보는 한 쌍의 가장자리를 감지하는 단계 및 상기 한 쌍의 가장자리를 감지하는 단계에서 발생된 한 쌍의 신호를 비교하여 상기 기판의 파손 또는 상기 기준위치에서의 이탈 여부를 판단하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 기판검사방법에 의해 달성된다.It is an object of the present invention to provide a method of manufacturing a semiconductor device, comprising the steps of: placing and transporting a substrate at a predetermined reference position; sensing a pair of opposing edges of the substrate parallel to the transport direction of the substrate during transport of the substrate; And comparing the pair of signals generated in the step of detecting a pair of edges to determine whether the substrate is damaged or detached from the reference position.
여기서, 상기 기판의 한 쌍의 가장자리를 감지하는 단계에서 상기 기판의 이송 중에 상기 기판의 양측 가장자리를 따라 소정 넓이의 감지면적을 각각 감지하며, 상기 감지면적에 상기 기판의 한 쌍의 가장자리가 포함될 수 있다.In the sensing of a pair of edges of the substrate, a sensing area of a predetermined width is sensed along both side edges of the substrate while the substrate is being conveyed, and a pair of edges of the substrate may be included in the sensing area have.
이 경우, 상기 기판의 제1 가장자리를 감지하는 제1 센서부와 상기 기판의 제2 가장자리를 감지하는 제2 센서부를 구비하고, 상기 제1 센서부와 제2 센서부는 상기 기판이 이송됨에 따라 상기 기판의 양측 가장자리를 포함하는 소정 넓이의 감지면적을 감지할 수 있다.In this case, the apparatus may further include a first sensor unit for sensing a first edge of the substrate, and a second sensor unit for sensing a second edge of the substrate, wherein the first sensor unit and the second sensor unit, It is possible to sense a sensing area of a predetermined width including both side edges of the substrate.
한편, 상기 감지면적의 폭은 상기 기판의 가장자리에서 상기 기판을 향해 미리 정해진 길이의 감지폭과 상기 기판의 외측을 향해 여유폭을 가지고, 상기 기판이 상기 기준위치에 안착되어 상기 감지폭의 미리 정해진 길이에 따라 발생하는 신호가 상기 제1 센서부와 상기 제2 센서부의 기준신호로 각각 정의될 수 있다.Meanwhile, the width of the sensing area has a sensing width of a predetermined length from the edge of the substrate toward the substrate and an allowance width toward the outside of the substrate, and the substrate is seated at the reference position, A signal generated according to the length may be defined as a reference signal of the first sensor unit and the second sensor unit, respectively.
또한, 상기 기판의 파손 또는 상기 기준위치에서의 이탈 여부를 판단하는 단계에서 미리 정해진 기준시간 동안 상기 제1 센서부에서 발생한 제1 신호와 상기 제2 센서부에서 발생한 제2 신호의 각각의 평균값, 시간에 따른 신호의 면적, 변화, 변화량, 변화율 및 감지시간 중에 적어도 하나를 비교할 수 있다.In the step of determining whether the substrate is damaged or detached from the reference position, an average value of a first signal generated by the first sensor unit and a second signal generated by the second sensor unit during a predetermined reference time, At least one of an area, a change, a change amount, a change rate, and a detection time of the signal over time can be compared.
이때, 상기 기준시간은 상기 기판이 상기 제1 센서부와 제2 센서부를 통과하는 시간으로 정의될 수 있다.In this case, the reference time may be defined as a time when the substrate passes through the first sensor unit and the second sensor unit.
한편, 상기 제1 신호와 상기 제2 신호의 면적이 동일한 경우 상기 기판이 기준위치에 있거나 틸트(tilt)된 경우로 판단하고, 상기 제1 신호와 상기 제2 신호의 면적이 상이한 경우 상기 기판이 기준위치에서 시프트(shift)되거나 틸트 및 시프트된 경우로 판단할 수 있다.If it is determined that the substrate is in the reference position or tilted when the first signal and the second signal have the same area, and if the area of the first signal is different from the area of the second signal, It can be determined that the reference position is shifted or tilted and shifted.
예를 들어, 상기 제1 신호와 상기 제2 신호의 면적이 동일한 경우에, 상기 제1 신호와 제2 신호의 변화가 없는 경우 상기 기판이 기준위치에 있는 경우로 판단하고, 상기 제1 신호와 제2 신호가 변화하는 경우에 어느 하나가 선형적으로 상승하고 다른 하나는 선형적으로 하강하는 경우에 상기 기판이 틸트된 경우로 판단하고, 상기 제1 신호와 제2 신호가 선형적으로 서로 반대로 변화하지 않는 영역이 있다면 상기 기판이 파손된 것으로 판단할 수 있다.For example, when the first signal and the second signal have the same area, it is determined that the substrate is in the reference position when there is no change in the first signal and the second signal, The first signal and the second signal are determined to be in a linearly rising state when the second signal changes and the substrate is tilted when the other is linearly falling, If there is an unchanged area, it can be determined that the substrate is broken.
또한, 상기 제1 신호와 상기 제2 신호의 면적이 상이한 경우에, 상기 제1 신호와 제2 신호의 변화가 없으며 상기 제1 신호와 상기 제2 신호의 면적의 합이 상기 기준신호의 상기 기준시간 동안의 신호의 면적의 합과 동일한 경우 상기 기판이 시프트된 경우로 판단하고 상기 제1 신호와 상기 제2 신호의 면적의 합이 상기 기준신호의 신호의 면적의 합과 상이한 경우 파손으로 판단하며, 상기 제1 신호와 제2 신호 중에 어느 하나가 선형적으로 상승하고, 다른 하나는 선형적으로 하강하는 경우에 상기 기판이 틸트 및 시프트된 경우로 판단하고 그렇지 않은 경우에 상기 기판이 파손된 것으로 판단할 수 있다.In the case where the first signal and the second signal have different areas and the first signal and the second signal do not change and the sum of the areas of the first signal and the second signal is smaller than the reference When the sum of the areas of the first signal and the second signal is equal to the sum of the areas of the signals of the reference signal, , It is determined that the substrate is tilted and shifted when one of the first signal and the second signal linearly rises and the other is linearly lowered, It can be judged.
이 경우, 상기 기판이 틸트 및 시프트된 경우에 상기 제1 신호와 제2 신호의 기울기의 절대치가 동일할 수 있다.In this case, when the substrate is tilted and shifted, the absolute values of the slopes of the first signal and the second signal may be the same.
한편, 상기 제1 신호 및 제2 신호 중에 어느 하나의 신호에서 변화가 감지되는 경우에 다른 하나의 신호에 변화가 없거나 동일한 방향의 변화가 발생하는 경우에 상기 기판의 파손으로 판단할 수 있다.Meanwhile, when a change is detected in any one of the first signal and the second signal, it can be determined that there is no change in the other signal or a change in the same direction occurs.
나아가, 상기 기판이 임계치 이하에서 틸트, 시프트 또는 틸트 및 시프트된 경우에 공정을 계속 진행하고, 상기 기판이 상기 임계치를 초과하여 틸트, 시프트 또는 틸트 및 시프트된 경우에 상기 공정을 중단할 수 있다.Further, if the substrate is tilted, shifted or tilted and shifted below a threshold value, the process may continue and the process may be aborted if the substrate exceeds the threshold and is tilted, shifted or tilted and shifted.
이때, 상기 기판이 임계치 이하에서 시프트 또는 틸트 및 시프트된 경우에 상기 기판의 위치를 보정하는 단계를 더 포함할 수 있다.The method may further include correcting a position of the substrate when the substrate is shifted or tilted and shifted below a threshold value.
예를 들어, 상기 기판의 위치를 보정하는 단계는 상기 기판의 시프트된 방향 및 시프트된 정도를 판단하는 단계와, 상기 기판을 이송방향의 반대방향으로 상기 제1 센서부와 제2 센서부를 지나도록 이송시키는 단계와, 상기 시프트된 방향의 반대방향으로 상기 시프트된 정도만큼 상기 기판을 수평방향으로 이동시키는 단계와, 상기 기판을 이송방향을 따라 다시 이송시키는 단계를 포함할 수 있다.For example, the step of correcting the position of the substrate may include determining the shifted direction and the degree of shifting of the substrate, and moving the substrate past the first sensor portion and the second sensor portion in a direction opposite to the transport direction Moving the substrate horizontally by the shifted degree in a direction opposite to the shifted direction, and transporting the substrate again along the transport direction.
또한, 상기 기판이 상기 감지면적으로 진입하는 경우에 상기 제1 센서부와 상기 제2 센서부 중에 어느 하나에서 발생하는 신호의 변화가 임계치를 초과하는 경우에 상기 기판에 대한 공정을 중단하는 단계를 더 포함할 수 있다.And stopping the process on the substrate when a change in a signal occurring in either the first sensor unit or the second sensor unit exceeds a threshold value when the substrate enters the sensing area .
한편, 상기와 같은 본 발명의 목적은 기판의 이송 중에 상기 기판의 제1 가장자리를 감지하는 제1 센서부와 상기 기판의 제2 가장자리를 감지하는 제2 센서부 및 상기 제1 센서부에서 발생한 제1 신호와 상기 제2 센서부에서 발생한 제2 신호를 비교하여 상기 기판의 파손 또는 기준위치에서의 이탈 여부를 판단하는 제어부를 포함하는 것을 특징으로 하는 기판처리장치에 의해 달성된다.According to another aspect of the present invention, there is provided a substrate processing apparatus including a first sensor unit for sensing a first edge of a substrate during transfer of a substrate, a second sensor unit for sensing a second edge of the substrate, 1 signal and a second signal generated by the second sensor unit to determine whether the substrate is damaged or detached from the reference position.
여기서, 상기 기판의 제1 가장자리를 감지하는 제1 센서부와 상기 기판의 제2 가장자리를 감지하는 제2 센서부를 구비하고, 상기 제1 센서부와 제2 센서부는 상기 기판이 이송됨에 따라 상기 기판의 양측 가장자리를 포함하는 소정 넓이의 감지면적을 감지하며, 상기 감지면적의 폭은 상기 기판의 가장자리에서 상기 기판을 향해 미리 정해진 길이의 감지폭과 상기 기판의 외측을 향해 여유폭을 가질 수 있다.The first sensor unit senses a first edge of the substrate, and the second sensor unit senses a second edge of the substrate. The first sensor unit and the second sensor unit are disposed on the substrate, And the width of the sensing area may have a sensing width of a predetermined length from the edge of the substrate toward the substrate and a margin width toward the outside of the substrate.
나아가, 상기 제어부는 상기 감지폭의 미리 정해진 길이에 따라 발생하는 신호를 기준신호로 정의하고, 상기 기판의 파손 또는 상기 기준위치에서의 이탈 여부를 판단하는 경우에 미리 정해진 기준시간 동안 상기 제1 센서부에서 발생한 제1 신호와 상기 제2 센서부에서 발생한 제2 신호의 각각의 평균값, 시간에 따른 신호의 면적, 변화, 변화량, 변화율 및 감지시간 중에 적어도 하나를 비교할 수 있다.Further, the controller may define a signal generated according to a predetermined length of the sensing width as a reference signal, and may determine whether the substrate is damaged or detached from the reference position, At least one of an average value of the first signal generated in the first sensor unit and an average value of the second signal generated in the second sensor unit, an area of the signal according to time, a change amount, a change amount, a change rate and a sensing time.
또한, 상기 제1 센서부와 제2 센서부는 빛을 발광하는 발광부와 상기 빛을 수광하는 수광부를 각각 구비하고, 상기 수광부로 수광되는 빛의 수용폭을 조절할 수 있는 필터유닛을 더 구비할 수 있다.The first sensor unit and the second sensor unit may further include a filter unit having a light emitting unit that emits light and a light receiving unit that receives the light and that can adjust the receiving width of the light received by the light receiving unit have.
이때, 상기 필터유닛은 상기 빛이 이동하는 경로를 따라 상기 수광부에 인접하여 구비되어 빛이 통과하는 수용폭을 조절할 수 있도록 서로 간의 거리 조절이 가능한 제1 필터부와 제2 필터부를 구비할 수 있다.The filter unit may include a first filter unit and a second filter unit, which are provided adjacent to the light receiving unit along the path along which the light travels and can control the distance between the light receiving unit and the light receiving unit, .
이 경우, 상기 제1 필터부와 제2 필터부는 상기 수용폭을 통해 입사되지 않은 빛은 흡수, 반사, 굴절을 통해 상기 수광부로 수광되지 않도록 할 수 있다.In this case, the first filter unit and the second filter unit can prevent light not incident through the receiving width from being received by the light receiving unit through absorption, reflection, and refraction.
또한, 상기 제1 필터부와 제2 필터부는 상기 수용폭을 통해 입사되지 않은 빛이 상기 수광부로 수광되지 않도록 표면의 적어도 일부에 빛을 흡수하는 흡수코팅층이 형성될 수 있다.The first filter portion and the second filter portion may be formed with an absorbing coating layer that absorbs light at least a part of the surface of the first filter portion and the second filter portion so that light not incident through the receiving width is not received by the light receiving portion.
전술한 구성을 가지는 본 발명에 따르면, 기판의 이송 중에 기판의 에지 등의 영역에 파손이 발생하는 경우에 이를 감지할 수 있다.According to the present invention having the above-described configuration, it is possible to detect when breakage occurs in an area such as an edge of a substrate during transfer of the substrate.
또한, 본 발명에 따르면 기판의 이송 중에 기판의 에지 등의 영역에 파손이 발생한 경우와 기판이 틸트, 시프트 또는 틸트 및 시프트되어 단순히 기준위치에서 이탈된 경우를 구별하게 되어 기판처리장치의 생산성을 향상시킬 수 있다.Further, according to the present invention, it is possible to distinguish between the case where the edge of the substrate or the like is broken during transfer of the substrate and the case where the substrate is tilted, shifted or tilted and shifted and simply separated from the reference position, .
도 1은 본 발명에 따라 전술한 센서가 구비된 기판처리장치를 도시한 개략도,
도 2는 기판의 파손을 감지하는 센서의 배치를 도시한 개략도,
도 3은 기판이 기준위치에 위치한 경우의 평면도,
도 4는 기판이 기준위치에 위치한 경우에 센서를 통해 수신된 신호를 도시한 그래프,
도 5는 본 발명에 따른 기판검사방법의 순서도,
도 6은 기판이 틸트된 경우를 도시한 평면도,
도 7은 도 6의 상태에서 센서를 통해 수신된 신호를 도시한 그래프,
도 8은 기판이 시프트된 경우를 도시한 평면도,
도 9는 도 8의 상태에서 센서를 통해 수신된 신호를 도시한 그래프,
도 10은 기판이 틸트 및 시프트된 경우를 도시한 평면도,
도 11은 도 10의 상태에서 센서를 통해 수신된 신호를 도시한 그래프,
도 12는 기판의 가장자리에 파손이 발생한 경우를 도시한 평면도,
도 13은 도 12의 상태에서 센서를 통해 수신된 신호를 도시한 그래프,
도 14는 본 발명에 따른 기판처리장치에서 센서에 구비되는 필터유닛을 도시한 개략도,
도 15 및 도 16은 종래방법에 따른 기판검사방법을 도시한 도면이다.1 is a schematic view showing a substrate processing apparatus equipped with the above-described sensor according to the present invention,
2 is a schematic view showing the arrangement of a sensor for detecting breakage of a substrate,
3 is a plan view of the substrate in a reference position,
Figure 4 is a graph showing the signal received through the sensor when the substrate is in the reference position,
5 is a flowchart of a substrate inspection method according to the present invention,
6 is a plan view showing a case where the substrate is tilted,
FIG. 7 is a graph showing the signal received via the sensor in the state of FIG. 6,
8 is a plan view showing a case where the substrate is shifted,
FIG. 9 is a graph showing the signal received through the sensor in the state of FIG. 8,
10 is a plan view showing a case where the substrate is tilted and shifted,
11 is a graph showing the signal received via the sensor in the state of FIG. 10,
12 is a plan view showing a case where breakage occurs at the edge of the substrate,
13 is a graph showing the signal received via the sensor in the state of FIG. 12,
14 is a schematic view showing a filter unit provided in a sensor in the substrate processing apparatus according to the present invention,
15 and 16 are views showing a method of inspecting a substrate according to a conventional method.
이하, 도면을 참조하여 본 발명의 실시예들에 따른 기판처리장치(1000) 및 기판검사방법에 대해서 상세하게 살펴보도록 한다.Hereinafter, a
도 1은 본 발명에 따라 센서(130, 140)가 구비된 기판처리장치(1000)를 도시한 개략도이다.1 is a schematic view showing a
도 1을 참조하면, 상기 기판처리장치(1000)는 기판(110)의 이송 중에 상기 기판(110)의 제1 가장자리를 감지하는 제1 센서부(130)와 상기 기판(110)의 제2 가장자리를 감지하는 제2 센서부(140) 및 상기 제1 센서부(130)에서 발생한 제1 신호와 상기 제2 센서부(140)에서 발생한 제2 신호를 비교하여 상기 기판(110)의 파손 또는 기준위치에서의 이탈 여부를 판단하는 제어부(200)(도 2 참조)를 포함할 수 있다.1, the
상기 기판처리장치(1000)는 예를 들어 액정표시장치(LCD)나 플라즈마 패널 디스플레이(PDP)와 같은 플랫 패널 디스플레이 장치의 제조에 사용되는 클러스터(cluster) 타입의 자동화 생산 시스템에 해당할 수 있으며, 도 1에서는 상기 시스템의 일부를 도시한다. The
도 1을 참조하면, 상기 기판처리장치(1000)는 중앙부에 이송챔버(250)가 위치하며, 상기 이송챔버(250)를 중심으로 제1 공정모듈(PM1), 제2 공정모듈(PM2) 및 제3 공정모듈(PM3)이 각각 구비된다. Referring to FIG. 1, the
상기 제1 공정모듈(PM1), 제2 공정모듈(PM2) 및 제3 공정모듈(PM3)에는 각각 제1 기판(110A), 제2 기판(110B) 및 제3 기판(110C)이 각각 위치할 수 있다. 또한, 상기 이송챔버(250)와 로드락(LL)에도 제4 기판(110D)과 제5 기판(110E)이 각각 위치할 수 있다. 이때, 상기 기판(110)은 유리기판으로 구성될 수 있다.The
상기 기판은 공정이 시작되면 상기 로드락(LL)을 거쳐 상기 이송챔버(250)로 공급되며, 상기 이송챔버(250)에서 공정모듈 중에 어느 하나로 공급된다. 상기 공정모듈 중에 어느 하나, 또는 다른 공정모듈을 거쳐 공정이 종료된 기판(110)은 상기 이송챔버(250)를 거쳐 상기 로드락(LL)으로 반송된다.The substrate is supplied to the
이와 같이, 상기 기판(110)의 반복적인 이송 중에 기판은 파손에 취약할 수 밖에 없으며, 특히 유리기판의 모서리 또는 가장자리(에지) 부분은 파손에 취약하다. Thus, the substrate is vulnerable to breakage during repetitive transfer of the
따라서, 상기 기판처리장치(1000)는 상기 기판(110)의 가장자리를 감지하여 상기 기판의 파손 또는 시프트(shift) 여부를 판단하는 센서부(130, 140)를 구비할 수 있다.Accordingly, the
상기 센서부(130, 140)는 상기 기판(110)이 이송되는 경로를 따라 구비될 수 있으며, 예를 들어 도 1에서 상기 이송챔버(250)와 상기 공정모듈(PM)을 연결하는 각 게이트(14, 16, 18)에 설치될 수 있다. 또한, 상기 이송챔버(250)와 상기 로드락(LL)을 연결하는 게이트(12)에도 물론 설치될 수 있다.The
이와 같이 상기 센서부(130, 140)가 게이트(12, 14, 16, 18)에 설치됨으로써, 상기 게이트(12, 14, 16, 18)를 통과하는 상기 기판(110)의 파손여부를 감지하여 파손된 시스템의 공정모듈에 투입되어 발생할 수 있는 공정불량과 예측하지 못한 시스템의 오작동 및 고장을 방지할 수 있다. 이하, 도면을 참조하여 상기 센서부(130, 140)의 구성 및 기판검사방법에 대해서 살펴보기로 한다.The
도 2는 본 발명에 따라 기판(110)의 이송 중에 상기 기판(110)의 파손을 감지하는 센서(130, 140)의 배치를 도시한 개략도이고, 도 3은 도 2의 평면도이다.FIG. 2 is a schematic view showing the arrangement of
도 2 및 도 3을 참조하면, 상기 기판(110)의 이송 중에 상기 기판(110)의 서로 마주보는 한 쌍의 가장자리(112, 114)는 상기 기판(110)의 이송방향에 평행하게 배치될 수 있다.2 and 3, a pair of opposing
이 경우, 상기 제1 센서부(130)와 제2 센서부(140)는 상기 기판(110)이 이송되는 중에 상기 기판(110)의 제1 가장자리(112)와 제2 가장자리(114)를 각각 감지하도록 배치된다.In this case, the
예를 들어, 상기 제1 센서부(130)는 감시광을 발광하는 제1 발광부(130A)와 상기 감시광을 수광하는 제1 수광부(130B)를 구비하며, 마찬가지로 상기 제2 센서부(140)는 감시광을 발광하는 제2 발광부(140A)와 상기 감시광을 수광하는 제2 수광부(140B)를 구비할 수 있다.For example, the
도 2에서 상기 제1 발광부(130A)와 제2 발광부(140A)는 각각 상기 기판(110)이 이송되는 경로의 하부에 위치하고, 상기 제1 수광부(130B)와 제2 수광부(140B)는 각각 상기 기판(110)이 이송되는 경로의 상부에 위치한다. 이러한 배치는 일예에 불과하며 예를 들어 발광부가 기판의 이송경로의 상부에 위치하고 수광부가 기판의 이송경로의 하부에 위치하는 구성도 가능하다. 또한, 상기 발광부에서 발광된 감시광이 기판의 이동방향에 수직한 반대편에 위치한 반사판 등에 의해 반사되어 상기 발광부와 동일한 쪽에 구비된 수광부로 수광되는 구성도 가능하다.2, the first
전술한 제1 센서부(130)가 제1 발광부(130A)와 제1 수광부(130B)로 구성되는 경우에 상기 제1 발광부(130A)에서 발광된 감시광은 상기 제1 수광부(130B)로 수광된다. 이 경우, 상기 제1 발광부(130A)와 제2 발광부(140A)는 미리 결정된 길이를 갖도록 구성된다. 따라서, 상기 제1 발광부(130A)에서 발광된 감시광은 상기 제1 발광부(130A)의 길이에 대략 대응하는 길이를 가지게 되며, 상기 기판(110)이 이송하게 되면 도 2및 도 3에 도시된 바와 같이 상기 기판(110)에 대해 미리 결정된 크기를 갖는 제1 감지면적(S1)을 감지할 수 있게 된다.The monitoring light emitted from the first
마찬가지로 상기 제2 발광부(140A)에서 발광된 감시광은 상기 제2 수광부(140B)로 수광된다. 이때, 상기 감시광은 상기 제2 발광부(140A)의 길이에 대략 대응하는 길이를 가지게 되며, 상기 기판(110)이 이송하게 되면 도 2 및 도 3에 도시된 바와 같이 상기 제2 센서부(140)는 상기 기판(110)에 대해 미리 결정된 크기를 갖는 제2 감지면적(S2)을 감지할 수 있게 된다.Similarly, the monitoring light emitted from the second
이때, 상기 제1 감지면적(S1)의 범위에는 상기 기판(110)의 제1 가장자리(112)가 포함될 수 있다. 예를 들어, 도 3에 도시된 바와 같이 상기 제1 감지면적(S1)에 제1 가장자리(112)가 포함되는 경우에 상기 제1 감지면적(S1)의 폭(W1)은 상기 제1 가장자리(112)를 중심으로 상기 기판(110)을 향해 제1 감지폭(L1)을 가질 수 있으며, 상기 기판(110)의 외측을 향해 제1 여유폭(O1)을 가질 수 있다.At this time, the
마찬가지로, 상기 제2 감지면적(S2)의 범위에는 상기 기판(110)의 제2 가장자리(114)가 포함될 수 있다. 상기 제2 감지면적(S2)에 제2 가장자리(114)가 포함되는 경우에 상기 제2 감지면적(S2)의 폭(W2)은 상기 제2 가장자리(114)를 중심으로 상기 기판(110)을 향해 제2 감지폭(L2)을 가질 수 있으며, 상기 기판(110)의 외측을 향해 제2 여유폭(O2)을 가질 수 있다.Likewise, the
이때, 상기 제1 감지폭(L1)와 제2 감지폭(L2)은 서로 다른 길이를 가질 수도 있지만, 상기 제1 센서부(130)와 제2 센서부(140)에서 수신되는 신호 처리를 보다 용이하고 원활하게 하기 위하여 동일한 길이를 가지는 것이 바람직하다. 이 경우, 전술한 제1 여유폭(O1)과 제2 여유폭(O2)은 마찬가지로 서로 다른 길이를 가질 수도 있지만, 용이하고 원활한 신호 처리를 위해 동일한 길이를 가질 수 있다. 이하에서는 상기 제1 감지폭(L1)와 제2 감지폭(L2)이 서로 동일한 길이를 갖는 경우를 상정하여 설명한다.Although the first sensing width L 1 and the second sensing width L 2 may have different lengths, the
한편, 도 2 및 도 3과 같이 상기 제1 센서부(130)와 제2 센서부(140)가 구성되는 경우에 상기 제어부(200)는 상기 제1 센서부(130)와 제2 센서부(140)에서 발생한 신호를 수신하게 된다. 도 4는 상기 제어부(200)에 수신된 신호를 도시한 그래프이다. 도 4의 그래프에서 가로축은 시간(t)을 도시하며, 세로축은 수신된 신호의 세기를 수치로 변화한 값을 도시한다. 또한, 도 4에서 (A)는 제1 센서부(130)에서 발생한 제1 신호를 도시하며, (B)는 제2 센서부(140)에서 발생한 제2 신호를 도시한다.2 and 3, when the
도 3을 참조하면, 상기 제1 센서부(130)의 제1 발광부(130A)에서 발광된 감시광 중에서 제1 감지폭(L1)만큼의 감시광은 제1 수광부(130B)로 정확하게 수광되지 않으며, 제1 여유폭(O1) 만큼의 감시광이 제1 수광부(130B)로 정확하게 수광된다. 또한, 상기 제2 센서부(140)의 제2 발광부(140A)에서 발광된 감시광은 제2 감지폭(L2)만큼의 감시광은 제2 수광부(140B)로 정확하게 수광되지 않으며, 제2 여유폭(O2) 만큼의 감시광이 제2 수광부(140B)로 정확하게 수광된다. 3, the monitoring light corresponding to the first sensing width L 1 of the monitoring light emitted from the first
이때, 상기 제1 센서부(130)와 제2 센서부(140)의 상기 감지폭의 미리 정해진 길이에 따라 발생하는 신호가 기준신호로 정의될 수 있다. 즉, 상기 제1 센서부(130)의 미리 정해진 길이를 갖는 제1 감지폭(L1) 및 제1 여유폭(O1)에 따라 기판이 안착된 경우가 기준위치에 안착된 경우라고 할 수 있으며, 이 경우 발생하는 신호가 제1 센서부(130)의 기준신호로 정의된다. 또한, 마찬가지로 상기 제2 센서부(140)의 미리 정해진 길이를 갖는 제2 감지폭(L2) 및 제2 여유폭(O2)에 따라 신호가 발생할 수 있으며, 이를 제2 센서부(140)의 기준신호로 정의한다. 상기 제1 감지폭(L1)와 제2 감지폭(L2)이 서로 동일한 길이를 갖는 경우 상기 제1 센서부(130)와 제2 센서부(140)의 기준신호의 크기는 동일하게 된다.At this time, a signal generated according to a predetermined length of the sensing width of the
따라서, 도 3과 같이 상기 기판(110)의 가장자리에 파손이 발생하지 않고, 나아가 상기 기판(110)이 기준위치에서 이송되는 경우라면 상기 제1 센서부(130)와 제2 센서부(140)에서 발생한 신호는 도 4에 도시된 바와 같이 상기 기판(110)의 진행 중에 변화가 없으며, 모두 동일한 값(V1)을 나타나며, 또한 기준시간에 대한 제1 신호의 면적(A1)과 제2 신호의 면적(A2)이 모두 동일하게 된다. 여기서, 상기 기준시간은 상기 기판(110)이 상기 제1 센서부(130)와 제2 센서부(140)를 통과하는 시간으로 정의될 수 있으며, 도 4에서 감지 시작시각(Ts)와 감지 종료시각(Tf) 사이의 시간으로 정의될 수 있다.Therefore, if the edge of the
그런데, 상기 기판(110)의 가장자리가 일부 파손되거나, 또는 상기 기판(110)이 이송 중에 상기 기준위치에서 이탈된 경우라면 상기 제1 센서부(130)와 제2 센서부(140)에서 발생한 신호 중에 적어도 하나에서 변화가 발생할 수 있다.If the edge of the
이 경우, 상기 제어부(200)는 상기 제1 센서부(130)에서 발생한 제1 신호와 상기 제2 센서부(140)에서 발생한 제2 신호를 비교하여 상기 기판(110)의 파손 또는 상기 기준위치에서의 이탈 여부를 판단하게 된다. In this case, the
여기서, 상기 기준위치에서 기판이 이탈된 경우라 하면 상기 기판(110)이 기준위치에서 소정 각도로 회전한 틸트(tilt) 상태, 상기 기준위치에서 이송방향에 수직한 방향으로 소정 거리 이동된 시프트(shift) 상태, 또는 상기 기판이 틸트 및 시프트된 상태로 정의될 수 있다. 이러한 기판검사방법이 수행되는 과정이 도 5에 순서도로 도시된다.Here, when the substrate is detached from the reference position, the
도 5를 참조하면, 상기 기판검사방법은 상기 기판(110)을 미리 정해진 기준위치에 안착시키고 이송시키는 단계(S510)와, 상기 기판(110)의 이송 중에 상기 기판(110)의 이송방향에 평행한 상기 기판(110)의 서로 마주보는 한 쌍의 가장자리를 감지하는 단계(S530)와, 상기 기판(110)의 가장자리를 감지하여 발생된 한 쌍의 신호를 비교하여 상기 기판(110)의 파손 또는 상기 기준위치에서의 이탈 여부를 판단하는 단계(S550)를 포함할 수 있다.5, the method for inspecting a substrate includes the steps of: (S510) placing and transferring the
상기 기판(110)은 전술한 기판처리장치(1000)의 내부에서 미리 정해진 방향으로 이송될 수 있다. 이 경우, 도면에는 도시되지 않았지만 상기 제어부(200)의 제어에 의해 이송암 등에 의해 안착되어 이송될 수 있다.The
이 경우, 전술한 바와 같이 상기 제1 센서부(130)와 제2 센서부(140)에 의해 상기 기판(110)의 한 쌍의 가장자리, 즉 제1 가장자리(112)와 제2 가장자리(114)를 감지하게 된다. 상기 제1 가장자리(112)와 제2 가장자리(114)를 감지하는 제1 센서부(130)와 제2 센서부(140)의 동작에 대해서는 이미 상술하였으므로 반복적인 설명은 생략한다.In this case, as described above, the pair of edges of the
상기 제어부(200)는 상기 제1 센서부(130)에서 발생한 제1 신호와 상기 제2 센서부(140)에서 발생한 제2 신호를 비교하여 상기 기판(110)의 파손 또는 상기 기준위치에서의 이탈 여부를 판단하게 된다.The
전술한 도 3과 같이 상기 기판(110)이 파손되지 않고 나아가 기준위치에 안착되어 이송되는 경우 도 4와 같이 상기 제1 센서부(130)와 제2 센서부(140)에서 발생한 신호는 상기 기판(110)의 진행 중에 변화가 없으며, 모두 동일한 값(V1)을 나타나며, 또한 기준시간에 대한 제1 신호의 면적(A1)과 제2 신호의 면적(A2)이 모두 동일하게 된다.As shown in FIG. 3, when the
그런데, 상기 기판(110)의 가장자리가 일부 파손되거나, 또는 상기 기판(110)이 이송 중에 이송암의 기준위치에서 이탈된 경우라면 상기 제1 센서부(130)와 제2 센서부(140)에서 발생한 신호에 변화가 발생할 수 있다.If the edge of the
즉, 상기 기판(110)의 파손 또는 상기 기준위치에서의 이탈 여부를 판단하는 단계에서 상기 제어부(200)는 상기 제1 센서부(130)에서 발생한 제1 신호와 상기 제2 센서부(140)에서 발생한 제2 신호 중에 적어도 하나의 신호에 변화가 발생하는 경우에 상기 기판(110)의 파손 또는 상기 기준위치에서의 이탈 여부를 판단하게 된다.That is, in the step of determining whether the
구체적으로, 상기 제어부(200)는 미리 정해진 기준시간 동안 상기 제1 센서부(130)에서 발생한 제1 신호와 상기 제2 센서부(140)에서 발생한 제2 신호의 각각의 평균값, 시간에 따른 신호의 면적, 변화, 변화량, 변화율 및 감지시간 중에 적어도 하나를 비교하여 상기 기판(110)의 파손 또는 상기 기준위치에서의 이탈 여부를 판단하게 된다.Specifically, the
예를 들어, 상기 기판(110)의 이송 중에 상기 제어부(200)는 시간의 흐름에 따른 제1 신호와 제2 신호를 도 4와 같이 수신할 수 있으며, 이때 상기 제1 신호와 상기 제2 신호의 면적이 동일한 경우 상기 기판(110)이 기준위치에 있거나 틸트(tilt)된 경우로 판단하고, 상기 제1 신호와 상기 제2 신호의 면적이 상이한 경우 상기 기판(110)이 기준위치에서 시프트(shift)되거나 틸트 및 시프트된 경우로 판단할 수 있다. For example, during transfer of the
상기 제1 신호와 상기 제2 신호의 면적이 동일하고 상기 제1 신호와 제2 신호의 변화가 없는 경우는 도 4에 해당하므로 상기 제어부(200)는 상기 기판(110)이 기준위치에 있는 경우로 판단할 수 있다.When the first signal and the second signal have the same area and the first signal and the second signal do not change, the
한편, 도 6은 상기 기판(110)이 이송 중에 기준위치에서 시계방향으로 소정 각도(α)만큼 틸트된 상태를 도시한다. 도 6의 상태에서 상기 제1 센서부(130)와 제2 센서부(140)에서 수신되는 신호는 도 7에 도시된다.6 shows a state in which the
도 6 및 도 7을 참조하면, 상기 기판(110)이 시계방향으로 틸팅된 상태이므로 기준위치의 감지 시작시각(Ts)에 비해 제1 신호는 상대적으로 늦게 감지되어 제3 시각(T3)에 감지가 시작되며 기준위치의 감지 종료시각(Tf)에 비해 상대적으로 늦은 제4 시각(T4)에 감지가 종료된다. 이에 반해 제2 센서부(140)의 제2 신호는 기준위치의 감지 시작시각(Ts)에 비해 상대적으로 빨리 감지되어 제1 시각(T1)에 감지가 시작되어, 기준위치의 감지 종료시각(Tf)에 비해 상대적으로 빠른 제2 시각(T2)에 감지가 종료된다.6 and 7, since the
또한, 전술한 제3 시각(T3)에 감지되는 제1 신호의 크기(V4)는 기준위치의 신호 크기(V1)에 비해 상대적으로 작으며, 선형적으로 증가하여 제4 시각(T4)에 감지되는 제1 신호의 크기(V5)는 기준위치의 신호 크기(V1)에 비해 상대적으로 크게 된다. 반면에 전술한 제1 시각(T1)에 감지되는 제2 신호의 크기(V2)는 기준위치의 신호 크기(V1)에 비해 상대적으로 크게 되며, 선형적으로 감소하여 제2 시각(T2)에 감지되는 제2 신호의 크기(V3)는 기준위치의 신호 크기(V1)에 비해 상대적으로 작게 된다.In addition, the magnitude (V 4 ) of the first signal detected at the third time (T 3 ) is relatively smaller than the signal magnitude (V 1 ) of the reference position, and linearly increases to the fourth time 4 size (V of the first signal detected in) 5) is relatively large compared to the signal level (V 1) of the reference position. On the other hand, the magnitude (V 2 ) of the second signal detected at the first time (T 1 ) is relatively larger than the signal magnitude (V 1 ) of the reference position, and decreases linearly to the second magnitude two sizes (V of the second signal detected on) 3) is relatively small compared to the signal level (V 1) of the reference position.
나아가, 상기 기판(110)은 기준위치에서 단순히 틸팅된 상태이므로 상기 제1 신호의 평균값과 제2 신호의 평균값을 계산해보면 서로 동일한 값을 가지며, 또한 상기 기판이 기준위치에 있는 도 4의 신호의 값과도 동일한 값을 가지게 된다. 또한, 상기 기판(110)은 기준위치에서 단순히 틸팅된 상태이므로 상기 제1 신호의 신호 면적(A1')과 제2 신호의 신호 면적(A2')을 비교해보면 서로 동일한 값을 갖게 된다.In addition, since the
따라서, 상기 제1 신호와 상기 제2 신호의 면적이 동일하고 상기 제1 신호와 제2 신호가 변화하는 경우에 어느 하나의 신호가 선형적으로 상승하고 다른 하나의 신호가 선형적으로 하강하는 경우에 상기 제어부(200)는 상기 기판(110)이 틸트된 경우로 판단할 수 있다. 만약, 상기 제1 신호와 상기 제2 신호의 면적이 동일하고 상기 제1 신호와 제2 신호가 변화하는 경우에 상기 제1 신호와 제2 신호가 선형적으로 서로 반대로 변화하지 않는 영역이 존재한다면 상기 기판(110)에 파손이 발생한 경우로 판단할 수 있다.Therefore, when the first signal and the second signal have the same area and the first signal and the second signal change, when one signal linearly rises and the other signal linearly falls The
한편, 도 8은 상기 기판(110)이 이송 중에 가장자리에 파손이 없는 상태에서 어느 한쪽, 예를 들어 도면과 같이 기준위치에서 오른쪽으로 거리(d1)만큼 시프트된 상태를 도시한다.8 shows a state in which the
이 경우, 상기 기판(110)의 양측 가장자리(112, 114)에는 파손이 없지만, 상기 기판(110)이 정상 위치에서 시프트된 상태이므로 상기 제1 센서부(130)와 제2 센서부(140)에 의해 발생하는 신호에 변화가 발생하게 된다.In this case, the first and
즉, 도 8을 살펴보면, 상기 제1 센서부(130)에 의해 감지되는 제1 감지폭(L3)이 도 3의 감지폭과 비교하여 상대적으로 더 커지게 된다. 이 경우, 상기 제2 센서부(140)에 의해 감지되는 제2 감지폭(L4)은 상대적으로 더 작아지게 된다. 이때, 상기 제1 감지폭(L3)의 증가된 감지폭과 상기 제2 감지폭(L4)의 감소된 감지폭은 서로 일치하게 된다. That is, referring to FIG. 8, the first sensing width L 3 sensed by the
즉, 상기 기판(110)이 오른쪽으로 거리 ‘d1’ 만큼 시프트된 상태이므로, 상기 제1 감지폭(L3)의 증가된 감지폭과 상기 제2 감지폭(L4)의 감소된 감지폭은 ‘d1’으로 서로 동일하게 된다.That is, the detected width decrease of the sensed width of the second sense the width (L 4) increase in the because the
한편, 상기 제1 센서부(130)의 제1 여유폭(O3)은 거리 ‘d1’ 만큼 상대적으로 더 작아지게 되며, 상기 제2 센서부(140)의 제2 여유폭(O4)은 거리 ‘d1’ 만큼 상대적으로 더 커지게 된다.The first allowance width O 3 of the
도 9는 도 8과 같이 상기 기판(110)이 이송 중에 상기 이송방향에 수직한 방향으로 시프트된 경우에 상기 제1 센서부(130)와 제2 센서부(140)에서 발생한 신호를 도시한 그래프이다.9 is a graph showing signals generated by the
도 9를 참조하면, 상기 제1 센서부(130)의 제1 감지폭(L3)은 거리 ‘d1’ 만큼 증가하고 제1 여유폭(O3)은 거리 ‘d1’ 만큼 상대적으로 더 작아지게 되어 상기 제1 수광부(130B)로 수광되는 감시광의 양이 적어지게 된다. Referring to FIG. 9, the first sensing width L 3 of the
따라서, 도 9의 (A)에 도시된 바와 같이, 상기 제1 신호는 도 3과 같이 기준위치에 있는 경우의 수치값(V1)에 비해 제1 변화량(△V1)을 가지며 더 작은 수치값(V6)을 나타나게 된다. 또한, 상기 제1 신호의 신호 면적(A1”)은 기준위치에 있는 도 3의 신호 면적(A1)에 비해 상대적으로 작아지게 된다.Therefore, as shown in FIG. 9A, the first signal has a first change amount? V 1 as compared with the numeric value V 1 in the reference position as shown in FIG. 3, is displayed the value (V 6). In addition, the signal area (A 1 ") of the first signal is relatively smaller than the signal area (A 1 ) of FIG. 3 at the reference position.
반면에, 상기 제2 센서부(140)의 제2 감지폭(L4)은 거리 ‘d1’ 만큼 감소하고 제2 여유폭(O4)은 거리 ‘d1’ 만큼 상대적으로 더 커지게 되어 상기 제2 수광부(140B)로 수광되는 감시광의 양이 많아지게 된다. On the other hand, the second sensing width L 4 of the
따라서, 도 9의 (B)에 도시된 바와 같이, 상기 제2 신호는 도 3과 같이 기준위치에 있는 경우의 수치값(V1)에 비해 제2 변화량(△V2)을 가지며 더 커진 수치값(V7)을 나타나게 된다. 또한, 상기 제2 신호의 신호 면적(A2”)은 기준위치에 있는 도 3의 신호 면적(A1)에 비해 상대적으로 커지게 된다.Therefore, as shown in FIG. 9B, the second signal has a second change amount? V 2 as compared with the numerical value V 1 in the reference position as shown in FIG. 3, is displayed the value (V 7). In addition, the signal area (A 2 ") of the second signal is relatively larger than the signal area (A 1 ) of FIG. 3 at the reference position.
이 경우, 상기 제1 신호와 제2 신호의 변화량, 즉 상기 제1 변화량(△V1)과 제2 변화량(△V2)은 서로 동일한 값을 나타나게 된다. 이는 전술한 바와 같이 상기 제1 여유폭(O3)의 감소된 양과 제2 여유폭(O2)의 증가된 양이 서로 동일하기 때문이다. 따라서, 상기 제1 신호의 신호 면적(A1”)과 제2 신호의 신호 면적(A2”)을 서로 비교해보면 상이하지만, 상기 제1 신호의 신호 면적(A1”)과 제2 신호의 신호 면적(A2”)의 합은 상기 기준신호의 상기 기준시간 동안의 신호의 면적의 합과 동일하게 된다. In this case, the change amount of the first signal and the second signal, that is, the first change amount? V 1 and the second change amount? V 2 , have the same value. This is because the increased amount of the first allowance width O 3 and the increased amount of the second allowance width O 2 are equal to each other as described above. Thus, in the first signal the signal area (A 1 ") and a second signal area (A 2 of the signal." In each comparison phase a), but the signal area (A 1 ") and the second signal of the first signal The sum of the signal areas A 2 " is equal to the sum of the areas of the reference signals during the reference time.
따라서, 상기 제어부(200)는 상기 제1 신호와 상기 제2 신호의 면적이 상이한 경우에, 상기 제1 신호와 제2 신호의 변화가 없으며 상기 제1 신호와 상기 제2 신호의 면적의 합이 상기 기준신호의 상기 기준시간 동안의 신호 면적의 합과 동일한 경우 상기 기판이 시프트된 경우로 판단한다.Therefore, when the areas of the first signal and the second signal are different, the
만약, 상기 제1 신호와 상기 제2 신호의 면적이 상이하고, 상기 제1 신호와 상기 제2 신호의 면적의 합이 상기 기준신호의 신호 면적의 합과 동일하지 않다면 상기 기판(110)이 시프트된 경우가 아니므로 상기 제어부(200)는 상기 기판(110)에 파손이 발생한 것으로 판단하게 된다.If the areas of the first signal and the second signal are different and the sum of the areas of the first signal and the second signal is not equal to the sum of the signal areas of the reference signal, The
한편, 도 10은 상기 기판(110)이 이송 중에 기준위치에서 오른쪽으로 거리(d1)만큼 시프트되고, 나아가 소정각도(α)만큼 틸트된 상태를 도시한다. 도 11은 도 10의 상태에서 상기 제1 센서부(130)와 제2 센서부(140)에서 발생한 신호를 도시한 그래프이다.10 shows a state in which the
도 10 및 도 11을 참조하면, 상기 기판(110)이 시프트 및 시계방향으로 틸팅된 상태이므로 기준위치의 감지 시작시각(Ts)에 비해 제1 신호는 상대적으로 늦게 감지되어 제7 시각(T7)에 감지가 시작되며 기준위치의 감지 종료시각(Tf)에 비해 상대적으로 늦은 제8 시각(T8)에 감지가 종료된다. 이에 반해 제2 센서부(140)의 제2 신호는 기준위치의 감지 시작시각(Ts)에 비해 상대적으로 빨리 감지되어 제5 시각(T5)에 감지가 시작되어, 기준위치의 감지 종료시각(Tf)에 비해 상대적으로 빠른 제6 시각(T6)에 감지가 종료된다.10 and 11, since the
또한, 전술한 제7 시각(T7)에 감지되는 제1 신호의 크기(V8)는 기준위치의 신호 크기(V1)에 비해 상대적으로 작으며, 선형적으로 증가하게 된다. 도 11에서 제8 시각(T8)에 감지되는 제1 신호의 크기는 기준위치의 신호 크기(V1)에 비해 작은 값으로 도시되지만 이에 한정되지 않으며 상대적으로 클 수 있다. 반면에 전술한 제5 시각(T5)에 감지되는 제2 신호의 크기(V9)는 기준위치의 신호 크기(V1)에 비해 상대적으로 크게 되며, 선형적으로 감소하게 된다. 도 11에서 제6 시각(T6)에 감지되는 제2 신호의 크기(V3)는 기준위치의 신호 크기(V1)에 비해 큰 값으로 도시되지만 이에 한정되지는 않으며 상대적으로 작을 수 있다.In addition, the size (V 8) of the first signal detected in the foregoing seventh time (T 7) have had relatively small compared to the signal level (V 1) of the reference position, is increased linearly. In FIG. 11, the magnitude of the first signal detected at the eighth time (T 8 ) is shown as a smaller value than the signal magnitude (V 1 ) of the reference position, but is not limited thereto and may be relatively large. On the other hand, the magnitude (V 9 ) of the second signal detected at the fifth time (T 5 ) is relatively larger than the signal magnitude (V 1 ) of the reference position and decreases linearly. The magnitude V 3 of the second signal detected at the sixth time T 6 in FIG. 11 is shown as a larger value than the signal magnitude V 1 of the reference position, but is not limited thereto and may be relatively small.
한편, 상기 기판(110)은 기준위치에서 틸팅 및 시프트된 상태이므로 상기 제1 신호의 평균값과 제2 신호의 평균값을 계산해보면 서로 상이한 값을 가지며, 또한 상기 기판이 기준위치에 있는 도 4의 신호의 값과도 상이한 값을 가지게 된다. 또한, 상기 기판(110)은 기준위치에서 단순히 틸팅 및 시프트된 상태이므로 상기 제1 신호의 신호 면적(A1''')과 제2 신호의 신호 면적(A2''')을 비교해보면 서로 상이한 값을 갖게 된다.Since the
따라서, 상기 제1 신호와 상기 제2 신호의 면적이 상이하고 상기 제1 신호와 제2 신호가 변화하는 경우에 어느 하나의 신호가 선형적으로 상승하고 다른 하나의 신호가 선형적으로 하강하는 경우에 상기 제어부(200)는 상기 기판(110)이 틸트 및 시프트된 경우로 판단할 수 있다. 또한, 이 경우 상기 제1 신호와 제2 신호의 기울기의 절대치가 동일하게 된다. 상기 제1 신호와 제2 신호를 서로 반대방향으로 변화, 즉 어느 하나는 선형적으로 상승하고 다른 하나는 선형적으로 하강하지만 그 기울기(변화율)의 절대치는 서로 동일하게 된다. Therefore, when the first signal and the second signal are different in area and the first signal and the second signal change, when one signal linearly rises and the other signal linearly falls The
만약, 상기 제1 신호와 상기 제2 신호의 면적이 상이하고 상기 제1 신호와 제2 신호가 변화하는 경우에 상기 제1 신호와 제2 신호가 선형적으로 서로 반대로 변화하지 않는 다면 상기 기판(110)에 파손이 발생한 경우로 판단할 수 있다.If the areas of the first signal and the second signal are different and the first signal and the second signal do not change linearly in opposite directions when the first signal and the second signal change, 110 may be broken.
한편, 도 12와 같이 상기 기판(110)의 제2 가장자리(114)를 따라 일부 파손된 영역(F)이 존재하는 경우 상기 제1 센서부(130)와 제2 센서부(140)에서 감지된 제1 신호와 제2 신호는 도 13에 도시된 그래프와 같다.12, when there is a partially damaged region F along the
즉, 상기 기판(110)의 제1 가장자리(112)에는 파손 영역이 없으므로 상기 제1 센서부(130)에서 발생한 제1 신호는 도 13의 (A)와 같이 정상 신호와 동일한 형태 및 동일한 값(V1)을 가지게 된다.That is, since the
한편, 상기 제2 센서부(140)에서 발생한 제2 신호는 도 13의 (B)와 같이 상기 파손 영역(F)에 대응하는 시간대(T9 ~ T10)에 변화가 발생하게 된다. 예를 들어, 정상 상태의 값(V1)에 비해 상대적으로 더 큰 값(V10)을 가지게 된다.Meanwhile, the second signal generated in the
이 경우, 상기 제어부(200)는 상기 제1 센서부(130)와 제2 센서부(140)에서 감지된 제1 신호와 제2 신호 중에 어느 하나의 신호에만 변화가 발생한 경우에 해당하므로 상기 변화가 발생한 가장자리에 파손이 발생한 것으로 판단하게 된다.In this case, since the
즉, 상기 제어부(200)는 상기 제1 신호 및 제2 신호 중에 어느 하나의 신호에서 변화가 감지되는 경우에 다른 하나의 신호에 변화가 없는 경우에 상기 기판(110)에 파손이 발생한 것으로 판단한다. 또한, 상기 제1 신호와 제2 신호의 모두에 변화가 발생한 경우에도 서로 동일한 방향으로 변화가 발생하게 되면 상기 제어부(200)는 상기 기판(110)에 파손이 발생한 것으로 판단한다.That is, when the change is detected in one of the first signal and the second signal, the
한편, 상기 제1 신호와 제2 신호의 모두에 변화가 발생하고 서로 반대방향으로 변화가 발생하게 되면 상기 제어부(200)는 각 신호의 변화 또는 신호면적을 비교하여 기판의 파손 여부를 판단할 수 있다. 이에 대해서는 전술한 도 6 내지 도 11에 대한 설명과 중복되므로 반복적인 기재는 생략한다. Meanwhile, when both the first signal and the second signal are changed and a change occurs in the opposite direction, the
한편, 전술한 기판검사방법에서 상기 기판이 파손된 경우로 판단된 경우 상기 제어부(200)는 상기 기판처리장치(1000)의 공정을 멈추도록 제어하여 상기 기판(110)이 파편에 의한 상기 기판처리장치(1000)의 파손 또는 오염을 방지한다.If it is determined that the substrate is broken in the above-described substrate inspection method, the
또한, 상기 제어부(200)는 전술한 기판검사방법을 통해 상기 기판(110)이 미리 정해진 임계치를 초과하여 틸트, 시프트 또는 틸트 및 시프트된 경우에 마찬가지로 상기 기판처리장치(1000)의 공정을 중단시킨다.In addition, when the
반면에 상기 기판(110)이 상기 임계치를 초과하지 않고, 상기 임계치 이하로 틸트, 시프트 또는 틸트 및 시프트된 경우에 공정을 멈추지 않고 계속 진행하여 상기 기판처리장치(1000)의 생산성을 향상시킬 수 있다.On the other hand, when the
이 때, 상기 제어부(200)는 상기 기판이 임계치 이하에서 시프트 또는 틸트 및 시프트된 경우에 상기 기판(110)의 위치를 보정하는 단계를 수행할 수 있다.At this time, the
예를 들어, 전술한 기판검사방법을 통해 상기 기판(110)이 시프트 또는 틸트 및 시프트된 경우로 판단되며 나아가 상기 임계치 이하인 경우에 상기 제어부(200)는 상기 제1 신호와 제2 신호의 신호 면적 또는 평균값을 기준위치의 신호면적 또는 평균값과 비교하여 시프트된 방향 및 시프트된 정도를 판단할 수 있다.For example, when it is determined that the
이 경우, 상기 제어부(200)는 상기 기판(110)이 안착된 이송암(미도시)을 이송방향의 반대방향으로 상기 제1 센서부(130)와 제2 센서부(140)를 지나도록 이송시킨다. 이어서, 상기 시프트된 방향의 반대방향으로 상기 시프트된 정도만큼 상기 이송암을 수평방향으로 이동시킴으로써 상기 기판(110)의 위치를 보정하고 전술한 이송방향으로 따라 상기 기판(110)을 다시 이송시켜 공정을 진행한다.In this case, the
상기 기판(110)의 위치를 보정하는 단계를 수행함으로써 상기 기판처리장치(1000)의 공정을 중단하지 않고 공정의 연속성을 확보할 수 있게 되어 상기 기판처리장치(1000)의 생산성을 향상시킬 수 있다.By performing the step of correcting the position of the
한편, 상기 기판(110)의 이송 중에 상기 기판(110)이 기준위치에서 이탈한 정도가 임계치를 초과하는 경우에 상기 기판(110)이 상기 기판처리장치(1000)의 내부 구성요소와 충돌하거나 또는 간섭에 의해 상기 기판(110)이 파손될 수 있다. 예를 들어, 도 10과 같이 상기 기판(110)이 틸트 및 시프트된 경우에 기준위치에서 이탈된 정도가 임계치를 초과하는 경우에 기판이 파손될 수 있다.Meanwhile, when the degree of detachment of the
따라서, 전술한 기판검사방법은 상기 기판(110)이 상기 감지면적으로 진입하는 경우에 상기 제1 센서부(130)와 상기 제2 센서부(140) 중에 어느 하나에서 발생하는 신호가 임계치를 초과하는 경우에 상기 공정을 중단하는 단계를 더 포함할 수 있다.Therefore, in the above-described substrate inspecting method, when the signal generated in one of the
즉, 상기 제어부(200)는 상기 기판(110)이 상기 제1 센서부(130)와 상기 제2 센서부(140)의 감지면적으로 진입하는 경우에 상기 제1 센서부(130)와 상기 제2 센서부(140) 중에 어느 하나의 센서부를 기준 센서부로 설정한다. 이어서, 상기 제어부(200)는 상기 기준 센서부로 설정된 센서부에서 수신된 신호를 분석하여 상기 수신된 신호의 변화가 미리 설정된 임계치를 초과하는 경우에 상기 기판(110)이 기준위치에서 임계치 이상으로 이탈된 것으로 판단하여 공정을 중단시키게 된다. 이에 의해 상기 기판(110)의 파손을 방지하고 나아가 상기 기판(110)의 파손으로 인한 상기 기판처리장치(1000)의 오염을 방지할 수 있다.That is, when the
한편, 전술한 바와 같이 상기 제1 센서부(130)와 제2 센서부(140)는 제1 발광부(130A)와 제2 발광부(140A)에서 각각 발광된 감시광이 제1 수광부(130B)와 제2 수광부(140B)에 각각 수광되는 광량에 의해 신호를 발생하게 된다. 따라서, 상기 제1 수광부(130B)와 제2 수광부(140B)를 향하는 감시광만 정확하게 수광되도록 하고 다른 광원에서 파생된 광은 수광되지 않도록 하는 것이 필요하다. 상기 제1 발광부(130A)와 제2 발광부(140A)에서 발광된 광 이외의 노이즈 광이 수광되는 경우에 제어부(200)가 정확한 판단을 하기 어렵기 때문이다. 특히, 상기 기판(110)이 유리기판으로 구성되는 경우에 상기 유리기판에 반사되는 광 등이 상기 수광부로 입사될 수 있다.As described above, the
도 14는 전술한 문제점을 해결하기 위하여 상기 제1 센서부(130)와 제2 센서부(140)의 제1 수광부(130B)와 제2 수광부(140B)의 적어도 하나에 구비될 수 있는 필터유닛(1600)을 도시한다. 도 14에서는 도시의 편의를 위해 제2 센서부(140)에서 제2 수광부(140B)에 설치되는 필터유닛(1600)을 도시한다.FIG. 14 is a block diagram illustrating a configuration of a
상기 필터유닛(1600)은 감시광이 통과하는 수용폭(W)을 조절할 수 있도록 구성되며, 나아가 상기 수용폭(W)을 통해 입사되지 않은 빛은 흡수, 반사, 굴절을 통해 제2 수광부(140B)로 수광되지 않도록 한다.The
도 14에 도시된 바와 같이, 상기 상기 필터유닛(1600)은 빛이 이동하는 경로를 따라 상기 제2 발광부(140A)와 상기 제2 수광부(140B) 사이에 구비될 수 있다. 구체적으로, 상기 필터유닛(1600)은 상기 빛이 이동하는 경로를 따라 상기 제2 수광부(140B)에 인접하여 구비될 수 있다. 또한, 상기 필터유닛(1600)은 빛이 통과하는 수용폭(W)을 조절할 수 있도록 서로 간의 거리 조절이 가능한 제1 필터부(160A)와 제2 필터부(160B)를 구비할 수 있다.As shown in FIG. 14, the
이 경우, 상기 제1 필터부(160A)와 상기 제2 필터부(160B) 사이의 거리가 제2 발광부(140A)에서 발광된 빛이 통과하는 수용폭(W)에 해당한다.In this case, the distance between the
이때, 상기 제1 필터부(160A)와 제2 필터부(160B) 중에 적어도 하나는 이동 가능하도록 구성되어, 상기 제1 필터부(160A)와 제2 필터부(160B) 사이의 거리를 조절할 수 있다.At this time, at least one of the
예를 들어, 상기 기판(110)이 상대적으로 대형인 경우에 파손 영역의 크기 또는 상기 기판이 틸트 및 시프트되는 정도가 커질 수 있다. 이 경우에는 상기 제1 필터부(160A)와 제2 필터부(160B) 사이의 거리를 늘려 감시광이 통과하는 수용폭(W)을 크게 하는 것이 바람직하다. 반면에, 상기 기판이 상대적으로 작은 경우에는 파손 영역의 크기 또는 틸트 및 시프트되는 정도가 작을 수 있다. 이 경우에는 상기 제1 필터부(160A)와 제2 필터부(160B) 사이의 거리를 줄여서 감시광이 통과하는 수용폭(W)을 작게할 수 있다.For example, when the
한편, 전술한 바와 같이 상기 수광부의 앞쪽에 필터유닛(1600)을 구비하는 경우에도 상기 수광부를 향하지 않는 광이 굴절 또는 반사 등에 의해 수광부로 수광될 수 있다. On the other hand, when the
따라서, 상기 필터유닛(1600)의 상기 제1 필터부(160A)와 제2 필터부(160B)는 상기 수용폭(W)을 통해 입사되지 않은 빛이 흡수, 반사, 굴절을 통해 상기 제2 수광부(140B)로 수광되지 않도록 할 수 있다. Therefore, the
예를 들어, 상기 제1 필터부(160A)와 제2 필터부(160B)에는 상기 수용폭(W)을 통해 입사되지 않은 빛이 상기 제2 수광부(140B)로 수광되지 않도록 표면의 적어도 일부에 빛을 흡수하는 흡수코팅층(미도시)이 형성될 수 있다.For example, at least a part of the surface of the
즉, 도면에 도시된 바와 같이, 제1 필터부(160A)가 제1 경사부(1610A)와, 상기 제1 경사부(1610A)와 각각 연결되는 제1 수평부(1620A)와 제1 수직부(1630A)로 구성되는 경우에 상기 제1 수평부(1620A)와 제1 수직부(1630A)의 표면에 전술한 흡수코팅층이 형성될 수 있다.That is, as shown in the drawing, the
따라서, 상기 제1 수평부(1620A)와 제1 수직부(1630A)를 통해 입사되는 빛은 상기 흡수코팅층에 의해 흡수되어 상기 제2 수광부(140B)로 수광되지 않도록 한다.Accordingly, the light incident through the first
또한, 상기 제2 발광부(140A)에서 발광된 빛이 상기 제1 경사부(1610A)로 입사되는 경우에 상기 제1 경사부(1610A)를 거쳐 굴절된 빛은 상기 제1 수평부(1620A)와 제1 수직부(1630A)를 향하게 되는데 마찬가지로 상기 흡수코팅층에 의해 흡수되어 상기 제2 수광부(140B)로 수광되지 않게 된다.When light emitted from the second
한편, 상기 제2 필터부(160B)는 제2경사부(1610B)와, 상기 제2 경사부(1610B)와 각각 연결되는 제2 수평부(1620B)와 제2 수직부(1630B)로 구성되며, 상기 제2 수평부(1620B)와 제2 수직부(1630B)의 표면에 흡수코팅층이 형성될 수 있다. 상기 제2 필터부(160B)에 대한 설명은 전술한 제1 필터부(160A)의 설명과 유사하므로 반복적인 설명은 생략한다.The
상기에서는 본 발명의 바람직한 실시 예를 참조하여 설명하였지만, 해당 기술분야의 당업자는 이하에서 서술하는 특허청구범위에 기재된 본 발명의 사상 및 영역으로부터 벗어나지 않는 범위 내에서 본 발명을 다양하게 수정 및 변경 실시할 수 있을 것이다. 그러므로 변형된 실시가 기본적으로 본 발명의 특허청구범위의 구성요소를 포함한다면 모두 본 발명의 기술적 범주에 포함된다고 보아야 한다.It will be apparent to those skilled in the art that various modifications and variations can be made in the present invention without departing from the spirit or scope of the invention as defined in the appended claims. You can do it. It is therefore to be understood that the modified embodiments are included in the technical scope of the present invention if they basically include elements of the claims of the present invention.
110..기판
130..제1 센서부
140..제2 센서부
200..제어부
1600..필터유닛110. Substrate
130,
140,
200.
1600 .. Filter unit
Claims (22)
상기 기판의 이송 중에 상기 기판의 이송방향에 평행한 상기 기판의 서로 마주보는 한 쌍의 가장자리를 감지하는 단계; 및
상기 한 쌍의 가장자리를 감지하는 단계에서 발생된 한 쌍의 신호의 각각의 평균값, 시간에 따른 신호의 면적, 변화, 변화량, 변화율 및 감지시간 중에 적어도 하나를 서로 비교하여 상기 기판의 파손 또는 상기 기준위치에서의 이탈 여부를 판단하는 단계;를 포함하는 것을 특징으로 하는 기판검사방법.Placing and transporting the substrate at a predetermined reference position;
Sensing a pair of opposing edges of the substrate parallel to the transport direction of the substrate during transport of the substrate; And
At least one of an average value of a pair of signals generated in the step of sensing the pair of edges, an area of a signal according to time, a change, a change amount, a change rate, and a detection time are compared with each other, And determining whether or not the substrate is removed from the substrate.
상기 기판의 한 쌍의 가장자리를 감지하는 단계에서
상기 기판의 이송 중에 상기 기판의 양측 가장자리를 따라 소정 넓이의 감지면적을 각각 감지하며, 상기 감지면적에 상기 기판의 한 쌍의 가장자리가 포함되는 것을 특징으로 하는 기판검사방법.The method according to claim 1,
Detecting a pair of edges of the substrate
Wherein a sensing area of a predetermined width is detected along both side edges of the substrate during transfer of the substrate, and a pair of edges of the substrate are included in the sensing area.
상기 기판의 제1 가장자리를 감지하는 제1 센서부와 상기 기판의 제2 가장자리를 감지하는 제2 센서부를 구비하고,
상기 제1 센서부와 제2 센서부는 상기 기판이 이송됨에 따라 상기 기판의 양측 가장자리를 포함하는 소정 넓이의 감지면적을 감지하는 것을 특징으로 하는 기판검사방법.3. The method of claim 2,
A first sensor unit for sensing a first edge of the substrate, and a second sensor unit for sensing a second edge of the substrate,
Wherein the first sensor unit and the second sensor unit sense a sensing area of a predetermined width including both side edges of the substrate as the substrate is transferred.
상기 감지면적의 폭은 상기 기판의 가장자리에서 상기 기판을 향해 미리 정해진 길이의 감지폭과 상기 기판의 외측을 향해 여유폭을 가지고, 상기 기판이 상기 기준위치에 안착되어 상기 감지폭의 미리 정해진 길이에 따라 발생하는 신호가 상기 제1 센서부와 상기 제2 센서부의 기준신호로 각각 정의되는 것을 특징으로 하는 기판검사방법.The method of claim 3,
Wherein the width of the sensing area has a sensing width of a predetermined length from the edge of the substrate toward the substrate and an allowance width toward the outside of the substrate and the substrate is seated at the reference position, Wherein a signal generated according to the first signal is defined as a reference signal of the first sensor unit and the reference signal of the second sensor unit, respectively.
상기 기판의 파손 또는 상기 기준위치에서의 이탈 여부를 판단하는 단계에서 미리 정해진 기준시간 동안 상기 제1 센서부에서 발생한 제1 신호와 상기 제2 센서부에서 발생한 제2 신호의 각각의 평균값, 시간에 따른 신호의 면적, 변화, 변화량, 변화율 및 감지시간 중에 적어도 하나를 비교하는 것을 특징으로 하는 기판검사방법.5. The method of claim 4,
Wherein the first signal generated by the first sensor unit and the second signal generated by the second sensor unit during a predetermined reference time in the step of determining whether the substrate is broken or deviated from the reference position, Wherein at least one of an area, a change, an amount of change, a change rate, and a detection time of the signal is compared.
상기 기준시간은 상기 기판이 상기 제1 센서부와 제2 센서부를 통과하는 시간으로 정의되는 것을 특징으로 하는 기판검사방법.6. The method of claim 5,
Wherein the reference time is defined as a time at which the substrate passes through the first sensor unit and the second sensor unit.
상기 제1 신호와 상기 제2 신호의 면적이 동일한 경우 상기 기판이 기준위치에 있거나 틸트(tilt)된 경우로 판단하고,
상기 제1 신호와 상기 제2 신호의 면적이 상이한 경우 상기 기판이 기준위치에서 시프트(shift)되거나 틸트 및 시프트된 경우로 판단하는 것을 특징으로 하는 기판검사방법.6. The method of claim 5,
And determining whether the substrate is in a reference position or tilted when the first signal and the second signal have the same area,
Wherein the controller determines that the substrate is shifted or tilted and shifted from the reference position when the area of the first signal is different from the area of the second signal.
상기 제1 신호와 상기 제2 신호의 면적이 동일한 경우에,
상기 제1 신호와 제2 신호의 변화가 없는 경우 상기 기판이 기준위치에 있는 경우로 판단하고,
상기 제1 신호와 제2 신호가 변화하는 경우에 어느 하나가 선형적으로 상승하고 다른 하나는 선형적으로 하강하는 경우에 상기 기판이 틸트된 경우로 판단하고, 상기 제1 신호와 제2 신호가 선형적으로 서로 반대로 변화하지 않는 영역이 있다면 상기 기판이 파손된 것으로 판단하는 것을 특징으로 하는 기판검사방법.8. The method of claim 7,
When the areas of the first signal and the second signal are the same,
When the first signal and the second signal do not change, it is determined that the substrate is at the reference position,
When the first signal and the second signal are changed, it is determined that the substrate is tilted when one of the signals linearly rises and the other of the first signal and the second signal linearly falls, And determining that the substrate is broken if there is an area which does not change linearly with respect to each other.
상기 제1 신호와 상기 제2 신호의 면적이 상이한 경우에,
상기 제1 신호와 제2 신호의 변화가 없으며 상기 제1 신호와 상기 제2 신호의 면적의 합이 상기 기준신호의 상기 기준시간 동안의 신호의 면적의 합과 동일한 경우 상기 기판이 시프트된 경우로 판단하고 상기 제1 신호와 상기 제2 신호의 면적의 합이 상기 기준신호의 신호의 면적의 합과 상이한 경우 파손으로 판단하며,
상기 제1 신호와 제2 신호 중에 어느 하나가 선형적으로 상승하고, 다른 하나는 선형적으로 하강하는 경우에 상기 기판이 틸트 및 시프트된 경우로 판단하고 그렇지 않은 경우에 상기 기판이 파손된 것으로 판단하는 것을 특징으로 하는 기판검사방법.8. The method of claim 7,
When the areas of the first signal and the second signal are different,
When the first signal and the second signal do not change and the sum of the areas of the first signal and the second signal is equal to the sum of the areas of the signals of the reference signal during the reference time, And determines that the signal is broken if the sum of the areas of the first signal and the second signal is different from the sum of the areas of the signal of the reference signal,
It is determined that the substrate is tilted and shifted when one of the first signal and the second signal linearly rises and the other is linearly lowered. Otherwise, it is determined that the substrate is broken Wherein the substrate is inspected.
상기 기판이 틸트 및 시프트된 경우에 상기 제1 신호와 제2 신호의 기울기의 절대치가 동일한 것을 특징으로 하는 기판검사방법.10. The method of claim 9,
Wherein the absolute value of the slope of the first signal and that of the second signal are the same when the substrate is tilted and shifted.
상기 제1 신호 및 제2 신호 중에 어느 하나의 신호에서 변화가 감지되는 경우에 다른 하나의 신호에 변화가 없거나 동일한 방향의 변화가 발생하는 경우에 상기 기판의 파손으로 판단하는 것을 특징으로 하는 기판검사방법.6. The method of claim 5,
Wherein when the change is detected in any one of the first signal and the second signal, it is determined that the substrate is broken when there is no change in the other signal or when a change in the same direction occurs. Way.
상기 기판이 임계치 이하에서 틸트, 시프트 또는 틸트 및 시프트된 경우에 공정을 계속 진행하고, 상기 기판이 상기 임계치를 초과하여 틸트, 시프트 또는 틸트 및 시프트된 경우에 상기 공정을 중단하는 것을 특징으로 하는 기판검사방법.8. The method of claim 7,
Wherein the process is continued when the substrate is tilted, shifted or tilted and shifted below a threshold, and the process is aborted when the substrate is tilted, shifted or tilted and shifted beyond the threshold value. method of inspection.
상기 기판이 임계치 이하에서 시프트 또는 틸트 및 시프트된 경우에 상기 기판의 위치를 보정하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 기판검사방법.13. The method of claim 12,
And correcting the position of the substrate when the substrate is shifted or tilted and shifted below a threshold value.
상기 기판의 위치를 보정하는 단계는
상기 기판의 시프트된 방향 및 시프트된 정도를 판단하는 단계와,
상기 기판을 이송방향의 반대방향으로 상기 제1 센서부와 제2 센서부를 지나도록 이송시키는 단계와,
상기 시프트된 방향의 반대방향으로 상기 시프트된 정도만큼 상기 기판을 수평방향으로 이동시키는 단계와,
상기 기판을 이송방향을 따라 다시 이송시키는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 기판검사방법.14. The method of claim 13,
The step of correcting the position of the substrate
Determining a shifted direction and a shifted degree of the substrate;
Transferring the substrate through the first sensor portion and the second sensor portion in a direction opposite to the transfer direction,
Moving the substrate in a horizontal direction by the shifted degree in a direction opposite to the shifted direction,
And transferring the substrate again along the transfer direction.
상기 기판이 상기 감지면적으로 진입하는 경우에 상기 제1 센서부와 상기 제2 센서부 중에 어느 하나에서 발생하는 신호의 변화가 임계치를 초과하는 경우에 상기 기판에 대한 공정을 중단하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 기판검사방법.6. The method of claim 5,
And stopping the process on the substrate when a change in a signal occurring in either the first sensor unit or the second sensor unit exceeds a threshold value when the substrate enters the sensing area Wherein the substrate is inspected.
상기 제1 센서부에서 발생한 제1 신호와 상기 제2 센서부에서 발생한 제2 신호의 각각의 평균값, 시간에 따른 신호의 면적, 변화, 변화량, 변화율 및 감지시간 중에 적어도 서로 비교하여 상기 기판의 파손 또는 기준위치에서의 이탈 여부를 판단하는 제어부;를 포함하는 것을 특징으로 하는 기판처리장치.A first sensor part for sensing a first edge of the substrate during transfer of the substrate; a second sensor part for sensing a second edge of the substrate; And
A difference between an average value of the first signal generated by the first sensor unit and a second signal generated by the second sensor unit, an area of the signal according to time, a change amount, a change rate, and a sensing time, And a control unit for determining whether or not the substrate has been removed from the reference position.
상기 기판의 제1 가장자리를 감지하는 제1 센서부와 상기 기판의 제2 가장자리를 감지하는 제2 센서부를 구비하고,
상기 제1 센서부와 제2 센서부는 상기 기판이 이송됨에 따라 상기 기판의 양측 가장자리를 포함하는 소정 넓이의 감지면적을 감지하며, 상기 감지면적의 폭은 상기 기판의 가장자리에서 상기 기판을 향해 미리 정해진 길이의 감지폭과 상기 기판의 외측을 향해 여유폭을 가지는 것을 특징으로 하는 기판처리장치.17. The method of claim 16,
A first sensor unit for sensing a first edge of the substrate, and a second sensor unit for sensing a second edge of the substrate,
Wherein the first sensor unit and the second sensor unit sense a sensing area of a predetermined area including both side edges of the substrate as the substrate is transferred, and the width of the sensing area is set to a predetermined range from the edge of the substrate to the substrate Wherein the substrate has a detection width of a length and an allowance width toward the outside of the substrate.
상기 제어부는 상기 감지폭의 미리 정해진 길이에 따라 발생하는 신호를 기준신호로 정의하고, 상기 기판의 파손 또는 상기 기준위치에서의 이탈 여부를 판단하는 경우에 미리 정해진 기준시간 동안 상기 제1 센서부에서 발생한 제1 신호와 상기 제2 센서부에서 발생한 제2 신호의 각각의 평균값, 시간에 따른 신호의 면적, 변화, 변화량, 변화율 및 감지시간 중에 적어도 하나를 비교하는 것을 특징으로 하는 기판처리장치.18. The method of claim 17,
Wherein the control unit defines a signal generated according to a predetermined length of the sensing width as a reference signal and determines whether the substrate is broken or deviated from the reference position for a predetermined reference time, Wherein the comparison unit compares at least one of an average value of the first signal generated and the second signal generated by the second sensor unit, an area of the signal with time, a change amount, a change rate, and a sensing time.
상기 제1 센서부와 제2 센서부는 빛을 발광하는 발광부와 상기 빛을 수광하는 수광부를 각각 구비하고, 상기 수광부로 수광되는 빛의 수용폭을 조절할 수 있는 필터유닛을 더 구비하는 것을 특징으로 하는 기판처리장치.17. The method of claim 16,
The first sensor unit and the second sensor unit may further include a filter unit that includes a light emitting unit that emits light and a light receiving unit that receives the light and that can adjust the receiving width of the light received by the light receiving unit, .
상기 필터유닛은
상기 빛이 이동하는 경로를 따라 상기 수광부에 인접하여 구비되어 빛이 통과하는 수용폭을 조절할 수 있도록 서로 간의 거리 조절이 가능한 제1 필터부와 제2 필터부를 구비하는 것을 특징으로 하는 기판처리장치.20. The method of claim 19,
The filter unit
And a first filter unit and a second filter unit which are provided adjacent to the light receiving unit along a path along which the light travels and are capable of adjusting the distance between the light receiving unit and the light receiving unit.
상기 제1 필터부와 제2 필터부는 상기 수용폭을 통해 입사되지 않은 빛은 흡수, 반사, 굴절을 통해 상기 수광부로 수광되지 않도록 하는 것을 특징으로 하는 기판처리장치.21. The method of claim 20,
Wherein the first filter unit and the second filter unit prevent light not incident through the receiving width from being received by the light receiving unit through absorption, reflection, and refraction.
상기 제1 필터부와 제2 필터부는 상기 수용폭을 통해 입사되지 않은 빛이 상기 수광부로 수광되지 않도록 표면의 적어도 일부에 빛을 흡수하는 흡수코팅층이 형성된 것을 특징으로 하는 기판처리장치.
21. The method of claim 20,
Wherein the first filter portion and the second filter portion are formed with an absorbing coating layer that absorbs light at least a part of a surface of the first filter portion and the second filter portion so that light not incident through the receiving width is not received by the light receiving portion.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1020170147797A KR101990639B1 (en) | 2017-11-08 | 2017-11-08 | Substrate inspection method and Substrate processing apparatus |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1020170147797A KR101990639B1 (en) | 2017-11-08 | 2017-11-08 | Substrate inspection method and Substrate processing apparatus |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR20190052268A KR20190052268A (en) | 2019-05-16 |
| KR101990639B1 true KR101990639B1 (en) | 2019-06-18 |
Family
ID=66672189
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1020170147797A KR101990639B1 (en) | 2017-11-08 | 2017-11-08 | Substrate inspection method and Substrate processing apparatus |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| KR (1) | KR101990639B1 (en) |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2009180590A (en) | 2008-01-30 | 2009-08-13 | Hitachi High-Technologies Corp | Method and device for inspecting surface flaw of disk |
Family Cites Families (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20070067894A (en) * | 2005-12-26 | 2007-06-29 | 주성엔지니어링(주) | Substrate treating apparatus comprising substrate detecting means and method of detecting substrate sliding using the same |
| KR20070092038A (en) * | 2006-03-08 | 2007-09-12 | 삼성전자주식회사 | Semiconductor manufacturing equipment having a wafer broken monitoring unit |
| JP5408915B2 (en) * | 2007-08-28 | 2014-02-05 | アズビル株式会社 | Edge sensor and defect inspection device |
| WO2009125896A1 (en) * | 2008-04-08 | 2009-10-15 | Semisysco Co., Ltd. | Wafer testing apparatus and processing equipment having the same |
-
2017
- 2017-11-08 KR KR1020170147797A patent/KR101990639B1/en active IP Right Grant
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2009180590A (en) | 2008-01-30 | 2009-08-13 | Hitachi High-Technologies Corp | Method and device for inspecting surface flaw of disk |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| KR20190052268A (en) | 2019-05-16 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US10777445B2 (en) | Substrate processing apparatus and substrate transfer method | |
| US8025475B2 (en) | Wafer transfer apparatus, wafer transfer method and storage medium | |
| KR100583701B1 (en) | Device and method for detecting broken edge of glass substrate | |
| KR102435936B1 (en) | Semiconductor processing devices and methods for detecting workpieces in semiconductor processing | |
| KR100862702B1 (en) | Apparatus and method for sensing alignment state of substrate, and semiconductor manufacturing facility with the apparatus | |
| KR101725406B1 (en) | Auto teaching system for a transferring robot | |
| US10088339B2 (en) | Automated system and method for detecting defective edges of printed circuit boards and other objects using multiple sensors | |
| CN107799430B (en) | Wafer position detection method | |
| KR101990639B1 (en) | Substrate inspection method and Substrate processing apparatus | |
| JPH1148057A (en) | Detecting device board thin | |
| JP2008016856A (en) | Method for detecting missing transferred object having missing part | |
| JP3904843B2 (en) | Substrate detection apparatus, substrate processing apparatus, and substrate detection method | |
| KR100715982B1 (en) | apparatus for treating a substrate | |
| KR101202544B1 (en) | Coating method and coating apparatus | |
| JP4587950B2 (en) | Substrate processing equipment | |
| TWI496234B (en) | A corner detection device for a glass substrate, a dry etching machine having the same, and a low angle detection method | |
| JP6880696B2 (en) | Stop device and board inspection device | |
| KR100586808B1 (en) | Method of sensing whether glass is broken or not | |
| JP2007516910A (en) | Equipment for processing plate-shaped substrates | |
| KR100652286B1 (en) | System for carrying wafer cassette carrier | |
| KR102605209B1 (en) | Method of loading a cassette | |
| KR20040005359A (en) | Sensing apparatus for substrate loading ststus | |
| JP2011254117A (en) | Method of sensing substrate, device for processing substrate, and method of processing substrate | |
| KR20030057608A (en) | Apparatus and method for sensing a transparent substrate | |
| JP2001291998A (en) | Component mounter and method for detecting attitude of component |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A201 | Request for examination | ||
| E902 | Notification of reason for refusal | ||
| E701 | Decision to grant or registration of patent right | ||
| GRNT | Written decision to grant |