KR20070092038A - Semiconductor manufacturing equipment having a wafer broken monitoring unit - Google Patents

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KR20070092038A
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Abstract

Semiconductor fabrication equipment having a wafer breakage monitoring unit is provided to prevent a product defect and a process accident caused by wafer damage by inspecting previously whether the edge part of a wafer including a flat zone is damaged before photoresist is deposited on a wafer or a bake process is performed after photoresist is deposited. A wafer is transferred by a wafer transfer unit. A bake unit is separated from the wafer transfer unit by a predetermined interval, and a baking process is performed on the wafer at a predetermined temperature in the bake unit. The wafer transfer unit is electrically connected to the bake unit by a process driving part. A wafer damage monitoring unit(300) inspects the damage state of the edge part of the wafer and controls the transfer and process of the wafer. The wafer damage monitoring unit includes a rotation chuck, a sensor and a control part(350). The wafer is placed on the rotation chuck rotating at a predetermined speed. The sensor senses if the edge part of the wafer is damaged. The control part transfers a signal for stopping the transfer and process of the wafer to the process driving part when the edge part is damaged, electrically connected to the sensor and the process driving part.

Description

웨이퍼 파손 모니터링유닛을 갖는 반도체 제조설비{SEMICONDUCTOR MANUFACTURING EQUIPMENT HAVING A WAFER BROKEN MONITORING UNIT}Semiconductor manufacturing equipment with wafer breakage monitoring unit {SEMICONDUCTOR MANUFACTURING EQUIPMENT HAVING A WAFER BROKEN MONITORING UNIT}

도 1은 본 발명의 웨이퍼 파손 모니터링유닛을 갖는 반도체 제조설비를 개략적으로 보여주는 사시도이다.1 is a perspective view schematically showing a semiconductor manufacturing apparatus having a wafer breakage monitoring unit of the present invention.

도 2는 본 발명에 따른 웨이퍼 파손 모니터링유닛을 보여주는 단면도이다.2 is a cross-sectional view showing a wafer breakage monitoring unit according to the present invention.

도 3은 웨이퍼 에지부에 파손이 된 경우에 웨이퍼 모니터링유닛의 작동을 보여주는 도면이다.3 is a view showing the operation of the wafer monitoring unit when the wafer edge portion is broken.

도 4는 웨이퍼 에지부의 플랫존부에 파손이 된 경우에 웨이퍼 모니터링유닛의 작동을 보여주는 도면이다.4 is a view showing the operation of the wafer monitoring unit when the flat zone portion of the wafer edge portion is damaged.

** 도면의 주요부분에 대한 부호설명 **** Explanation of Signs of Major Parts of Drawings **

300 : 웨이퍼 파손 모니터링유닛300: wafer breakage monitoring unit

310 : 회전척310: rotary chuck

340 : 센서340 sensor

341 : 제 1센서341: first sensor

342 : 제 2센서342: second sensor

350 : 제어부350: control unit

본 발명은 반도체 제조설비에 관한 것으로써, 보다 상세하게는 웨이퍼에 대한 베이킹공정을 진행하기 이전에 웨이퍼의 파손상태를 미리 검사할 수 있는 웨이퍼 파손 모니터링유닛을 갖는 반도체 제조설비에 관한 것이다.BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a semiconductor manufacturing facility, and more particularly, to a semiconductor manufacturing facility having a wafer breakage monitoring unit capable of inspecting a wafer breakage state before proceeding with a baking process for a wafer.

일반적으로 반도체 소자는 증착, 확산, 포토, 식각 및 세정과 같은 여러공정들이 순차적 또는 선택적으로 이루어짐을 통해 제조된다.In general, a semiconductor device is manufactured by sequentially or selectively performing various processes such as deposition, diffusion, photo, etching, and cleaning.

여기서, 포토공정에 채택되고 있는 스피너 설비는 웨이퍼에 요구되는 패턴이 노광되기 이전에, 감광액인 포토레지스트를 웨이퍼의 상면에 일정두께를 갖도록 도포한다.Here, the spinner facility adopted in the photo process applies a photoresist, which is a photosensitive liquid, to a predetermined thickness on the upper surface of the wafer before the pattern required for the wafer is exposed.

이와 같이 일정 두께의 포토레지스트가 도포된 웨이퍼는 베이크 설비를 통해 일정 온도로 가열되면서 경화된다. 이어, 경화된 포토레지스트 상에 일정 패턴이 형성된 마스크를 사용하여 노광이 수행되면, 웨이퍼의 상면에는 상기 패턴이 형성되게 된다.As such, the wafer coated with a predetermined thickness of photoresist is cured while being heated to a predetermined temperature through a baking facility. Subsequently, when exposure is performed using a mask having a predetermined pattern formed on the cured photoresist, the pattern is formed on an upper surface of the wafer.

이와 같이, 상기 베이크 설비는 상기 웨이퍼에 도포된 포토레지스트를 일정 온도로 가열하여 경화시키도록 하는 역할을 한다.As such, the baking facility serves to cure the photoresist applied to the wafer by heating to a predetermined temperature.

이와 같이 포토공정에 사용되는 웨이퍼는 웨이퍼 이송암과 같은 웨이퍼 이송장치를 통해 스피너 설비 및 베이크 설비로 안내되어 그에 따른 공정이 진행된다.As such, the wafer used in the photo process is guided to the spinner facility and the baking facility through a wafer transfer device such as a wafer transfer arm, and the process is performed accordingly.

그러나, 상기 웨이퍼는 웨이퍼 이송장치에 의해 이송되는 도중에 웨이퍼 이 송장치의 몸체 일부에 부딪혀 일부가 찍히거나, 파손되는 경우가 발생된다.However, the wafer hits a part of the body of the wafer transfer device while being transferred by the wafer transfer device, and a part of the wafer is taken or broken.

이와 같이, 일부가 파손된, 예컨대, 에지부가 파손된 웨이퍼 상에 포토레지스트가 도포되고, 도포된 포토레지스트를 경화시키기 위하여 상기 웨이퍼를 베이크 설비에 투입하는 경우에, 상기 포토레지스트는 일정의 고온에 의하여 경화된다.As such, when a photoresist is applied on a wafer where a part is broken, for example, an edge part is broken, and the wafer is put into a baking facility to cure the applied photoresist, the photoresist is kept at a constant high temperature. Hardening.

그러나, 고온의 분위기에 노출된 웨이퍼는 파손된 부위로부터 점차적으로 균열이 발생되고, 종국에는 웨이퍼의 자체가 파손된다.However, the wafer exposed to the high temperature atmosphere gradually cracks from the broken portion, and eventually the wafer itself is broken.

이와 같이, 웨이퍼가 파손되면 제품 불량으로 인한 제품손실 및 설비의 내부에서 공정사고가 유발되는 문제점이 발생된다.As such, when the wafer is broken, problems such as product loss due to product defects and process accidents are caused in the facility.

따라서, 본 발명은 전술한 문제점을 해결하고자 안출된 것으로써, 본 발명의 목적은 웨이퍼 상에 포토레지스트 도포 또는 포토레지스트 도포 후의 베이크 공정을 수행하기 이전에, 웨이퍼의 에지부에 균열발생 유무를 검사하여, 웨이퍼 파손으로 인한 제품불량 및 공정사고를 미연에 방지하도록 한 웨이퍼 파손 모니터링유닛을 갖는 반도체 제조설비를 제공함에 있다.Accordingly, the present invention has been made to solve the above-described problems, the object of the present invention is to inspect the presence of cracks on the edge of the wafer before performing a photoresist coating or a baking process after the photoresist coating on the wafer The present invention provides a semiconductor manufacturing facility having a wafer breakage monitoring unit to prevent product defects and process accidents caused by wafer breakage.

본 발명은 전술한 목적을 해결하기 위한 웨이퍼 파손 모니터링유닛을 갖는 반도체 제조설비를 제공한다.The present invention provides a semiconductor manufacturing apparatus having a wafer damage monitoring unit for solving the above object.

상기 반도체 제조설비는 웨이퍼를 이송하는 웨이퍼 이송유닛과, 상기 웨이퍼 이송유닛과 일정 거리 이격되도록 배치되어, 상기 웨이퍼를 일정 온도로 베이킹공정을 수행하는 베이크 유닛과, 상기 웨이퍼 이송유닛과 상기 베이크 유닛과 전기적 으로 연결되는 공정구동부 및 상기 웨이퍼의 에지부의 파손상태를 검사하여, 상기 웨이퍼의 이송 및 공정을 제어하는 웨이퍼 파손 모니터링유닛을 포함한다.The semiconductor manufacturing apparatus includes a wafer transfer unit for transferring a wafer, a baking unit spaced apart from the wafer transfer unit by a predetermined distance, a baking unit for baking the wafer at a predetermined temperature, the wafer transfer unit, and the baking unit; And a wafer breakage monitoring unit for controlling a transfer and process of the wafer by inspecting a process driving unit electrically connected and a breakage state of the edge of the wafer.

여기서, 상기 웨이퍼 파손 모니터링유닛은 상기 웨이퍼가 안착되며, 일정 속도로 회전되는 회전척과, 상기 웨이퍼의 에지부의 파손유무를 감지하는 센서와, 상기 센서와 상기 공정구동부와 전기적으로 연결되며, 상기 에지부가 파손된 경우에 상기 웨이퍼의 이송 및 공정을 중지시키는 신호를 상기 공정구동부로 전송하는 제어부를 구비하는 것이 바람직하다.Here, the wafer breakage monitoring unit is the wafer is seated, a rotating chuck that rotates at a constant speed, a sensor for detecting the presence or absence of the edge portion of the wafer, electrically connected to the sensor and the process driver, the edge portion In the case of damage, it is preferable to include a control unit for transmitting a signal to stop the transfer and the process of the wafer to the process driving unit.

그리고, 상기 센서는 상기 웨이퍼의 에지부의 상부로 일정 거리 이격되어 위치되는 제 1센서와, 상기 웨이퍼의 에지부의 하부로 일정 거리 이격되어 상기 제 1센서와 대응되도록 위치되는 제 2센서를 구비하는 것이 바람직하며, 상기 제 1센서는 광을 출사하는 발광센서이고, 상기 제 2센서는 상기 출사된 광을 계측하는 수광센서일 수 있다.The sensor may include a first sensor spaced apart from the edge of the wafer by a predetermined distance, and a second sensor spaced apart from the bottom of the wafer by a predetermined distance to correspond to the first sensor. Preferably, the first sensor may be a light emitting sensor for emitting light, and the second sensor may be a light receiving sensor for measuring the emitted light.

또한, 상기 센서는 상기 웨이퍼의 에지부의 상부로 일정 거리 이격되어 위치되는 제 1센서와, 상기 웨이퍼의 에지부의 하부로 일정 거리 이격되어 상기 제 1센서와 대응되도록 위치되는 제 2센서를 구비하되, 상기 제 1센서는 광을 계측하는 수광센서이고, 상기 제 2센서는 상기 광을 출사하는 발광센서일 수 있다.The sensor may include a first sensor spaced apart from the edge of the wafer by a predetermined distance, and a second sensor spaced apart from the bottom of the wafer by a predetermined distance to correspond to the first sensor. The first sensor may be a light receiving sensor that measures light, and the second sensor may be a light emitting sensor that emits the light.

한편, 상기 제어부는 상기 수광센서에서 계측되는 광량값과, 기설정된 기준광량값의 범위를 서로 비교하여, 상기 계측되는 광량값이 상기 기준광량값의 범위에 포함되면, 상기 웨이퍼의 이송 및 공정을 중지하는 것이 바람직하다.On the other hand, the controller compares the light quantity value measured by the light receiving sensor with a range of a predetermined reference light quantity value, and if the measured light quantity value is included in the range of the reference light quantity value, the transfer and process of the wafer is performed. It is desirable to stop.

여기서, 상기 기준광량값의 범위는 제 1기준광량값 이상 제 2기준광량값 이 하인 범위이거나, 상기 제 2기준광량값 이상인 범위이되, 상기 제 1기준광량값은 상기 계측되는 광량값이 상기 발광센서에서 출사되는 광의 광량값의 절반이상인 광량값이며, 상기 제 2기준광량값은 상기 발광센서로부터 출사된 광이 상기 웨이퍼의 플랫존부를 통과하여 상기 제 2센서에서 계측되는 광량값인 것이 바람직하다.Here, the reference light intensity value ranges from a first reference light intensity value to a second reference light quantity value or less, or to a range that is equal to or more than the second reference light quantity value, wherein the first reference light quantity value corresponds to the measured light quantity value of the light emission. It is preferable that the light quantity value is at least half of the light quantity value of the light emitted from the sensor, and the second reference light quantity value is the light quantity value measured by the second sensor after the light emitted from the light emitting sensor passes through the flat zone of the wafer. .

한편, 상기 제어부는 상기 제 2센서에서 계측되는 광량값을 표시하는 표시기와 전기적으로 연결될 수 있다.The controller may be electrically connected to an indicator displaying the light quantity value measured by the second sensor.

이에 더하여, 상기 제어부는 웨이퍼의 에지부 및 웨이퍼의 플랫존부의 파손이 발생됨과 공정 중지를 알리는 알람발생기와 전기적으로 연결될 수도 있다.In addition, the controller may be electrically connected to an alarm generator for notifying that the breakage of the edge of the wafer and the flat zone of the wafer occurs and the process stop.

이하, 첨부된 도면을 참조로 하여 본 발명의 웨이퍼 파손 모니터링유닛을 갖는 반도체 제조설비에 대하여 상세하게 설명하도록 한다.Hereinafter, a semiconductor manufacturing apparatus having a wafer breakage monitoring unit of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.

도 1은 본 발명의 웨이퍼 파손 모니터링유닛을 갖는 반도체 제조설비를 개략적으로 보여주는 사시도이며, 도 2는 본 발명에 따른 웨이퍼 파손 모니터링유닛을 보여주는 단면도이다.1 is a perspective view schematically showing a semiconductor manufacturing apparatus having a wafer breakage monitoring unit of the present invention, Figure 2 is a cross-sectional view showing a wafer breakage monitoring unit according to the present invention.

도 1을 참조하면, 본 발명의 상기 반도체 제조설비는 포토레지스트와 같은 감광액을 웨이퍼(W)의 상면에 도포하는 스피너유닛(100)과, 상기 웨이퍼(W) 상에 도포된 감광액을 일정 온도로 경화시키는 베이크유닛(200)과, 상기 웨이퍼(W)가 상기 스피너유닛(100)과 상기 베이크유닛(200)으로 투입되기 전에 웨이퍼(W)의 에지부 파손상태를 감지하는 웨이퍼 파손 모니터링유닛(300)과 상기 스피너유닛(100)과 베이크유닛(200)과 웨이퍼 파손 모니터링유닛(300)의 사이에서 웨이퍼(W)를 이송하는 웨이퍼 이송유닛(400)을 포함하는 포토리소그래피설비일 수 있다.Referring to FIG. 1, the semiconductor manufacturing apparatus of the present invention includes a spinner unit 100 for applying a photoresist, such as a photoresist, to an upper surface of a wafer W, and a photoresist applied on the wafer W at a predetermined temperature. Wafer break monitoring unit 300 for detecting the edge break state of the wafer (W) before curing the baking unit 200 and the wafer (W) is introduced into the spinner unit 100 and the bake unit 200. And a wafer transfer unit 400 for transferring the wafer W between the spinner unit 100, the bake unit 200, and the wafer breakage monitoring unit 300.

여기서, 상기 웨이퍼 이송유닛(400)은 상기 유닛들(100,200,300)과 일정 거리 이격되어 위치되는 레일(411)이 형성된 제 1몸체(410)와, 상기 제 1몸체(410)의 상부에 위치되며, 상기 레일(411)을 따라 이동되는 제 2몸체(420)와, 상기 제 2몸체(420)에 연결되어, 외부로부터 동력을 전달받아 회전 및 승강구동되는 중심축(421)과, 상기 중심축(421)에 연결되어 상기 웨이퍼(W)를 그립하는 웨이퍼암(430)으로 구성될 수 있다.Here, the wafer transfer unit 400 is located on the first body 410 and the upper body of the first body 410 is formed with a rail 411 which is spaced apart from the units (100, 200, 300) a predetermined distance, A second body 420 moving along the rail 411, a central axis 421 connected to the second body 420, rotated and lifted by receiving power from the outside, and the central axis ( It may be configured as a wafer arm 430 connected to the 421 to grip the wafer (W).

여기서, 상기 스피너유닛(100)과 베이크유닛(200) 및 웨이퍼 이송유닛(300) 각각은 공정구동부(500)와 전기적으로 연결되되, 상기 공정구동부(500)는 상기 웨이퍼 파손 모니터링유닛(300)과 전기적으로 연결되어 상기 웨이퍼 파손 모니터링유닛(300)으로부터 전기적 신호를 전송 받아 상기 스피너유닛(100)과 베이크유닛(200) 및 웨이퍼 이송유닛(400)의 동작을 제어한다.Here, each of the spinner unit 100, the bake unit 200, and the wafer transfer unit 300 may be electrically connected to the process driver 500, and the process driver 500 may be connected to the wafer breakage monitoring unit 300. It is electrically connected to receive electrical signals from the wafer breakage monitoring unit 300 to control the operations of the spinner unit 100, the bake unit 200, and the wafer transfer unit 400.

여기서, 도 2를 참조하여, 상기 공정구동부(500)와 전기적으로 연결되는 웨이퍼 파손 모니터링유닛(300)의 구성을 설명하도록 한다Here, the configuration of the wafer damage monitoring unit 300 electrically connected to the process driving unit 500 will be described with reference to FIG. 2.

웨이퍼 파손 모니터링유닛(300)은 웨이퍼(W)가 상면에 안착되고, 일정 속도로 회전되는 회전척(310)과, 상기 회전척(310)에 안착되는 웨이퍼(W)의 에지부의 파손을 감지하는 센서(340)와, 상기 센서(340)와 전기적으로 연결되어, 상기 웨이퍼(W)의 에지부가 파손된 경우에 공정구동부(500)로 신호를 전송하여 상기 스피너유닛(100), 베이크유닛(200), 웨이퍼 이송유닛(400)의 동작을 중지시키는 제어부 (350)를 구비한다. 또한, 상기 제어부(350)는 상기 웨이퍼(W)의 에지부 파손 여부를 가시적으로 표시해 주는 표시기(360)와 전기적으로 연결될 수 있다.The wafer breakage monitoring unit 300 detects breakage of the edge of the wafer W on which the wafer W is seated on the top surface and rotates at a constant speed, and the wafer W seated on the rotation chuck 310. The sensor 340 and the sensor 340 are electrically connected to each other, and when the edge portion of the wafer W is broken, the signal is transmitted to the process driving unit 500 to transmit the signals to the spinner unit 100 and the baking unit 200. ), A control unit 350 for stopping the operation of the wafer transfer unit 400. In addition, the controller 350 may be electrically connected to an indicator 360 that visually displays whether the edge of the wafer W is broken.

여기서, 상기 회전척(310)의 저면 중앙부에는 일단이 고정되고, 타단이 모터(330)와 연결되는 중심축(320)이 설치된다.Here, one end is fixed to the center of the bottom surface of the rotary chuck 310, the other end is provided with a central shaft 320 is connected to the motor 330.

다음, 상기 센서(340)의 구성을 설명하도록 한다.Next, the configuration of the sensor 340 will be described.

상기 센서(340)는 상기 회전척(310)의 상면에 안착되는 웨이퍼(W)의 에지부 상면을 기준으로 일정 거리 상부에 위치되는 제 1센서(341)와, 상기 웨이퍼(W)의 에지부 저면을 기준으로 일정 거리 하부에 위치되되, 상기 제 1센서(341)와 대응되도록 위치되는 제 2센서(342)로 구성된다.The sensor 340 is a first sensor 341 positioned a predetermined distance above the upper surface of the edge portion of the wafer W seated on the upper surface of the rotary chuck 310 and the edge portion of the wafer (W) The second sensor 342 is positioned below a predetermined distance with respect to the bottom surface and positioned to correspond to the first sensor 341.

그리고, 상기 제 1센서(341)는 일정량의 광을 출사하는 발광센서이고, 상기 제 2센서(342)는 상기 제 1센서로부터 출사된 광을 계측하는 수광센서일 수 있다.The first sensor 341 may be a light emitting sensor for emitting a predetermined amount of light, and the second sensor 342 may be a light receiving sensor for measuring light emitted from the first sensor.

또한, 상기 수광센서인 제 2센서(342)는 계측되는 수광량을 전기적인 신호 형태로 전송하는 것이 바람직하다.In addition, the second sensor 342, which is the light receiving sensor, preferably transmits the received light amount in the form of an electrical signal.

또한, 상기 제 1센서(341)가 수광센서이고, 상기 제 2센서(342)가 발광센서일 수도 있다.In addition, the first sensor 341 may be a light receiving sensor, and the second sensor 342 may be a light emitting sensor.

한편, 도 3 내지 도 4를 참조로 하면, 상기 제어부(350)는 기준수광량의 범위가 기설정되어 있다. 여기서, 상기 기준광량값의 범위는 제 1기준광량값(a) 이상 제 2기준광량값(b) 이하인 범위이되, 상기 제 1기준광량값(a)은 상기 계측되는 광량값이 상기 발광센서(341)에서 출사되는 광의 광량값의 절반이상인 광량값이며, 상기 제 2기준광량값(b)은 상기 발광센서(341)로부터 출사된 광이 상기 웨이퍼(W) 의 플랫존부(FZ)를 통과하여 상기 제 2센서(342)에서 계측되는 광량값인 것이 바람직하다.Meanwhile, referring to FIGS. 3 to 4, the controller 350 has a preset range of reference light receiving amount. Here, the reference light intensity value ranges from a first reference light quantity value (a) to a second reference light quantity value (b) or less, and wherein the first reference light quantity value (a) is the measured light quantity value of the light emitting sensor ( It is a light quantity value that is at least half of the light quantity value of the light emitted from the 341, the second reference light value (b) is the light emitted from the light emitting sensor 341 passes through the flat zone (FZ) of the wafer (W) It is preferable that it is a light quantity value measured by the said 2nd sensor 342.

이에 따라, 상기 제어부(350)는 상기 제 2센서(342)에서 계측되는 수광량값이 상기 범위에 포함되면, 상기 웨이퍼(W)의 에지부가 파손된 것으로 판단되도록 프로그래밍 되는 것이 바람직하다.Accordingly, the controller 350 may be programmed to determine that the edge portion of the wafer W is broken when the light receiving amount value measured by the second sensor 342 is included in the range.

이와 같은 구성을 통한 본 발명의 웨이퍼 파손 모니터링유닛을 갖는 반도체 제조설비의 작동을 설명하도록 한다.It will be described the operation of the semiconductor manufacturing equipment having a wafer damage monitoring unit of the present invention through such a configuration.

도 1을 참조로 하면, 웨이퍼(W)는 웨이퍼 이송유닛(400)에 의하여 스피너유닛(100) 및 베이크유닛(200)으로 투입되기 이전에, 웨이퍼 파손 모니터링유닛(300)을 통해 웨이퍼(W) 에지부의 파손 여부가 감지된다.Referring to FIG. 1, before the wafer W is introduced into the spinner unit 100 and the baking unit 200 by the wafer transfer unit 400, the wafer W is provided through the wafer breakage monitoring unit 300. It is detected whether the edge portion is broken.

도 2를 참조하여, 웨이퍼에 대하여 에지부 파손 여부를 감지하는 웨이퍼 파손 모니터링유닛의 동작을 설명하면 다음과 같다.Referring to FIG. 2, the operation of the wafer breakage monitoring unit for detecting an edge breakage with respect to a wafer will be described.

먼저, 공정에 투입될 웨이퍼(W)는 웨이퍼 이송유닛(400)에 의해 회전척(310)의 상면에 안착된다. 그리고, 회전척(310)은 그 하부에 연결되고, 모터(330)로부터 제공된 회전력을 제공받은 중심축(320)의 회전에 의해 일정 속도로 회전된다. 따라서, 웨이퍼(W)는 일정 속도로 회전척(310)의 상면에 안착된 상태로 회전된다.First, the wafer W to be put into the process is seated on the upper surface of the rotary chuck 310 by the wafer transfer unit 400. In addition, the rotary chuck 310 is connected to the lower portion thereof, and rotates at a constant speed by the rotation of the central shaft 320 provided with the rotational force provided from the motor 330. Therefore, the wafer W is rotated while being seated on the upper surface of the rotary chuck 310 at a constant speed.

이어, 제 1센서(341)는 제 2센서(342)를 향해 일정 광량이 형성되는 광을 출사한다(A1). 상기 출사된 광은 웨이퍼(W)의 에지부를 통과하여 상기 제 2센서(342)에서 계측된다(A2). 제 2센서(342)에서 수광된 계측광량값은 제어부(350)로 전기적 신호의 형태로 전송된다.Subsequently, the first sensor 341 emits light with a predetermined amount of light toward the second sensor 342 (A1). The emitted light passes through the edge portion of the wafer W and is measured by the second sensor 342 (A2). The measured light quantity value received by the second sensor 342 is transmitted to the controller 350 in the form of an electrical signal.

상기 전송된 계측광량값은 제어부(350)에 의해 기준광량값의 범위에 포함되는지 여부가 판단된다.The transmitted measurement light quantity value is determined by the control unit 350 whether it is included in the range of the reference light quantity value.

이때, 회전되는 웨이퍼(W)의 에지부가 파손되지 않은 경우에, 제 2센서(342)에서 계측되는 계측광량값은 상기 제 1센서(341)에서 출사되는 광의 광량값의 절반, 즉, 제 1기준광량값(a)과 동일할 수 있다.At this time, when the edge portion of the rotated wafer W is not broken, the measured light quantity value measured by the second sensor 342 is half of the light quantity value of the light emitted from the first sensor 341, that is, the first value. It may be equal to the reference light quantity value (a).

따라서, 상기 계측광량값은 상기 기준광량값의 범위에 포함되지 않을 수 있다. 이러한 경우에, 웨이퍼(W)의 에지부는 제어부(350)에 의해 파손되지 않은 것으로 판단될 수 있다.Therefore, the measured light quantity value may not be included in the range of the reference light quantity value. In this case, it may be determined that the edge portion of the wafer W is not broken by the controller 350.

이어, 공정구동부(500)는 제어부(350)로부터 공정구동에 대한 신호를 전송 받는다. 공정구동부(500)는 웨이퍼 이송유닛(400)을 작동시키고, 회전척(310)에 안착된 웨이퍼(W)는 상기 웨이퍼 이송유닛(400)에 의해 그립되어 스피너유닛(100)에 투입된다. 상기 투입된 웨이퍼(W)는 일정두께의 감광액이 그 상면에 도포된다.Subsequently, the process driver 500 receives a signal for process driving from the controller 350. The process driving unit 500 operates the wafer transfer unit 400, and the wafer W seated on the rotary chuck 310 is gripped by the wafer transfer unit 400 and is introduced into the spinner unit 100. The injected wafer W is coated with a photosensitive liquid having a predetermined thickness on an upper surface thereof.

그리고, 상기 웨이퍼(W)는 웨이퍼 이송유닛(400)에 위해 반출되어 베이크유닛(200)에 투입된다. 상기 웨이퍼(W)는 베이크유닛(200)에 의해 일정 온도로 가열되고, 그 상면에 도포된 감광액은 경화된다.In addition, the wafer W is carried out for the wafer transfer unit 400 and introduced into the bake unit 200. The wafer W is heated to a predetermined temperature by the baking unit 200, and the photosensitive liquid applied to the upper surface thereof is cured.

이와 같이, 웨이퍼(W)의 에지부가 파손되지 않은 경우에, 웨이퍼(W)는 상기와 같은 공정이 진행되지만, 웨이퍼(W)의 에지부가 파손된 경우에, 웨이퍼(W)는 상기 공정이 진행되지 않는다.As described above, when the edge portion of the wafer W is not broken, the wafer W proceeds as described above, but when the edge portion of the wafer W is broken, the wafer W proceeds. It doesn't work.

이를 도 2 내지 도3을 참조하여, 상세하게 설명하도록 한다.This will be described in detail with reference to FIGS. 2 to 3.

먼저, 공정에 투입될 웨이퍼(W)는 회전척(310)의 상면에 안착된 상태로 일정 속도로 회전된다.First, the wafer W to be introduced into the process is rotated at a constant speed while being seated on the upper surface of the rotary chuck 310.

이어, 제 1센서(341)는 제 2센서(342)를 향해 일정 광량의 광을 출사한다. 상기 출사된 광은 웨이퍼(W)의 에지부를 통과하여 상기 제 2센서(342)에서 계측된다. 제 2센서(342)에서 계측된 계측광량값은 제어부(350)로 전기적 신호의 형태로 전송된다.Subsequently, the first sensor 341 emits light of a predetermined amount of light toward the second sensor 342. The emitted light passes through the edge portion of the wafer W and is measured by the second sensor 342. The measured light quantity value measured by the second sensor 342 is transmitted to the controller 350 in the form of an electrical signal.

이어, 제어부(350)는 상기 전송된 계측광량값이 기준광량값의 범위에 포함되는지 여부가 판단한다.Subsequently, the controller 350 determines whether the transmitted measured light quantity value is within a range of the reference light quantity value.

이때, 웨이퍼(W)의 에지부가 찍히거나 일부 파손된 경우에(도 3참조), 상기 제 2센서(342)에서 계측되는 광량값은 상기 제 1기준광량값(a)보다 클 수 있다(A3). 왜나햐면, 상기 에지부가 파손된 만큼의 영역이 제 1센서(341)로부터 출사되는 광이 더 많이 통과될 수 있기 때문이다.In this case, when the edge portion of the wafer W is taken or partially damaged (see FIG. 3), the light quantity value measured by the second sensor 342 may be greater than the first reference light quantity value a (A3). ). This is because more light emitted from the first sensor 341 can pass through the area as much as the edge portion is broken.

이어, 제 2센서(342)에서 계측된 광량값은 제어부(350)로 전송된다. 여기서, 상기 계측광량값이 제 1기준광량값(a)보다 크고 제 2기준광량값(b)보다 작은 경우일 수 있으므로, 상기 계측광량값은 제어부(350)에 기설정된 기준광량값의 범위에 포함될 수 있다.Subsequently, the light quantity value measured by the second sensor 342 is transmitted to the controller 350. Here, the measured light quantity value may be larger than the first reference light quantity value a and smaller than the second reference light quantity value b, so that the measured light quantity value is within a range of the reference light quantity value preset by the controller 350. May be included.

즉, 도 3에 도시된 바와 같이, 웨이퍼(W) 에지부가 파손 된 경우에는, 웨이퍼(W)의 회전각(θ)에 따라 제 2센서(342)를 통해 계측되는 광량값이 제 1기준광량값(a)과 제 2기준광량값(b)의 중간정도의 광량값으로 계측될 수 있다. 즉, A2는 에지부가 파손이 되지 않은 상태의 회전각(θ)에 따른 제 2센서(342)에서 계측되는 광량값의 영역이고, A3은 에지부가 파손된 상태의 회전각(θ)에 따른 제 2센서(342)에서 계측되는 광량값의 영역이다.That is, as shown in FIG. 3, when the edge portion of the wafer W is broken, the light quantity value measured through the second sensor 342 according to the rotation angle θ of the wafer W is the first reference light quantity. It can be measured as a light quantity value intermediate between the value a and the second reference light quantity value b. That is, A2 is an area of the light quantity value measured by the second sensor 342 according to the rotation angle θ in the state where the edge part is not broken, and A3 is a region according to the rotation angle θ in the state where the edge part is broken. It is an area of the light quantity value measured by the two sensors 342.

따라서, 이러한 경우에 제어부(350)는 웨이퍼(W)의 에지부가 파손된 것으로 판단할 수 있다.Therefore, in this case, the controller 350 may determine that the edge portion of the wafer W is broken.

이어, 상기 제어부(350)는 공정구동부(500)로 전기적 신호를 전송하고, 공정구동부(500)는 스피너유닛(100)과 베이크유닛(200)의 동작을 중지시킴과 아울러, 웨이퍼 이송유닛(400)을 통해 회전척(310)에 안착된 웨이퍼(W)를 그립하여 설비의 외부로 반출시킨다.Subsequently, the control unit 350 transmits an electrical signal to the process driving unit 500, and the process driving unit 500 stops the operation of the spinner unit 100 and the baking unit 200, and the wafer transfer unit 400. The wafer (W) seated on the rotary chuck 310 is gripped and transported out of the facility.

따라서, 에지부 일부가 파손된 웨이퍼(W)가 베이크유닛(200)으로 투입되어, 베이크유닛(200)에서 웨이퍼(W)로 제공되는 고온으로 인해, 파손된 부위에서 연장되어 웨이퍼(W) 전체에 균열이 발생되는 것을 방지할 수 있다.Therefore, the wafer W having a portion of the edge portion broken is introduced into the baking unit 200, and is extended from the broken portion to the whole wafer W due to the high temperature provided from the baking unit 200 to the wafer W. The crack can be prevented from occurring.

이에 따라, 일부가 파손된 불량 웨이퍼(W)가 공정에 투입되어 발생될 수 있는 제품불량 및 이로 인한 공정 불량 및 사고를 미연에 방지할 수 있는 효과가 있다.Accordingly, there is an effect that can prevent the product defects and process defects and accidents caused by the defective wafer (W) that is partly broken into the process can be generated.

한편, 도 4를 참조하면, 웨이퍼(W)의 플랫존부(FZ)가 파손된 경우에도 상기와 같은 방법으로 파손여부를 인지할 수 있다.On the other hand, referring to Figure 4, even if the flat zone (FZ) of the wafer (W) is broken can be recognized whether or not in the same way as described above.

즉, 제어부(350)에 기설정되는 기준광량값의 범위에서 제 2기준광량값(b)이 제 1센서(341)로부터 출사되는 광이 상기 플랫존부(FZ)를 통과하여 제 2센서(342)에서 계측되는 광량값이므로(AF), 웨이퍼(W) 플랫존부(FZ)가 파손되는 경우, 제 2센서(342)에서 계측되는 광량값은 상기 제 2기준광량값(b) 보다 클 수 있다(A4).That is, light emitted from the first sensor 341 by the second reference light amount value b in the range of the reference light amount value preset in the controller 350 passes through the flat zone part FZ, and thus the second sensor 342. Since the light quantity value measured at (AF), the wafer (W) flat zone portion (FZ) is damaged, the light quantity value measured by the second sensor 342 may be larger than the second reference light quantity value (b). (A4).

이러한 경우에, 상기 계측되는 광량값은 상기 제 2기준광량값(b)보다 크게 설정되어 상기 기준광량값의 범위를 벗어나도록 된다. 즉, 도 4에 도시된 바와 같이, 회전각(θ)에 따라 제 2센서(342)에서 계측되는 A4영역일 수 있다.In this case, the measured light quantity value is set to be larger than the second reference light quantity value b to be out of the range of the reference light quantity value. That is, as shown in FIG. 4, it may be an A4 area measured by the second sensor 342 according to the rotation angle θ.

따라서, 제어부(350)는 웨이퍼(W)의 플랫존부(FZ)가 파손된 것으로 판단하여 상기와 같이 공정을 중지하고, 웨이퍼(W)를 설비의 외부로 반출시킬 수 있다.Therefore, the controller 350 determines that the flat zone portion FZ of the wafer W is broken, and thus, the process may be stopped and the wafer W may be carried out of the facility.

이에 더하여, 도 1 및 도 2에 도시된 바와 같이, 상기 제어부(350)는 표시기(360)와 전기적으로 연결되어, 웨이퍼(W)의 에지부 또는 웨이퍼(W)의 플랫존부(FZ)에 상기와 같이 파손이 발생된 경우에, 제 2센서(342)에서 계측되는 광량값은 가시적으로 표시될 수 있다.In addition, as shown in FIGS. 1 and 2, the controller 350 is electrically connected to the indicator 360, and the control unit 350 is connected to the edge portion of the wafer W or the flat zone portion FZ of the wafer W. In the case where damage occurs, as described above, the light quantity value measured by the second sensor 342 may be displayed visually.

또한, 상기 제어부(350)는 알람발생기(370)와 전기적으로 더 연결되어, 상기와 같이 웨이퍼(W) 에지부 또는 웨이퍼(W) 플랫존부(FZ)에서 파손이 발생된 경우에, 알람발생기(370)로 전기적 신호를 전송하여 웨이퍼(W) 파손 및 공정 중지를 알리는 알람을 발생시키도록 할 수도 있다.In addition, the control unit 350 is further electrically connected to the alarm generator 370, and when the break occurs in the wafer W edge portion or the wafer W flat zone portion FZ as described above, the alarm generator ( An electrical signal may be transmitted to the 370 to generate an alarm for notifying the wafer W being damaged and stopping the process.

본 발명은 도시된 특정 실시예를 참고로 설명하였으나, 이는 예시적인 것에 불과하며, 본 기술 분야의 통상의 지식을 가진 자라면 이로부터 다양한 변형 및 실시예의 변형이 가능하다는 점을 이해할 것이다. 그러므로 본 발명의 범위는 첨부된 특허청구의 범위와 이와 균등한 것들에 의해 정해져야 한다.Although the present invention has been described with reference to the specific embodiments shown, this is merely exemplary, and those skilled in the art will understand that various modifications and variations can be made therefrom. Therefore, the scope of the present invention should be defined by the appended claims and their equivalents.

이상에서 설명한 바와 같이, 본 발명에 의하면, 웨이퍼 상에 포토레지스트 도포 또는 포토레지스트 도포 후의 베이크 공정을 수행하기 이전에, 플랫존부를 포 함한 웨이퍼의 에지부의 파손유무를 미리 검사하여, 웨이퍼 파손으로 인한 제품불량 및 공정사고를 미연에 방지할 수 있는 효과가 있다.As described above, according to the present invention, before performing the photoresist coating or the baking process after the photoresist coating on the wafer, whether the edge portion of the wafer including the flat zone portion is damaged is inspected in advance, It is effective in preventing product defects and process accidents.

Claims (6)

웨이퍼를 이송하는 웨이퍼 이송유닛;A wafer transfer unit for transferring a wafer; 상기 웨이퍼 이송유닛과 일정 거리 이격되도록 배치되어, 상기 웨이퍼를 일정 온도로 베이킹공정을 수행하는 베이크 유닛;A baking unit disposed to be spaced apart from the wafer transfer unit by a predetermined distance and performing the baking process at a predetermined temperature; 상기 웨이퍼 이송유닛과 상기 베이크 유닛과 전기적으로 연결되는 공정구동부; 및A process driver electrically connected to the wafer transfer unit and the bake unit; And 상기 웨이퍼의 에지부의 파손상태를 검사하여, 상기 웨이퍼의 이송 및 공정을 제어하는 웨이퍼 파손 모니터링유닛을 포함하는 웨이퍼 파손 모니터링유닛을 갖는 반도체 제조설비.And a wafer breakage monitoring unit including a wafer breakage monitoring unit for inspecting a breakage state of the edge portion of the wafer to control transfer and processing of the wafer. 제 1항에 있어서,The method of claim 1, 상기 웨이퍼 파손 모니터링유닛은 상기 웨이퍼가 안착되며, 일정 속도로 회전되는 회전척과, 상기 웨이퍼의 에지부의 파손유무를 감지하는 센서와, 상기 센서와 상기 공정구동부와 전기적으로 연결되며, 상기 에지부가 파손된 경우에 상기 웨이퍼의 이송 및 공정을 중지시키는 신호를 상기 공정구동부로 전송하는 제어부를 구비하는 것을 특징으로 하는 웨이퍼 파손 모니터링유닛을 갖는 반도체 제조설비.The wafer breakage monitoring unit includes a rotating chuck on which the wafer is seated and rotated at a constant speed, a sensor for detecting the breakage of an edge portion of the wafer, and electrically connected to the sensor and the process driver, and the edge portion is broken. And a controller for transmitting a signal for stopping the transfer and the process of the wafer to the process driver. 제 2항에 있어서,The method of claim 2, 상기 센서는 상기 웨이퍼의 에지부의 상부로 일정 거리 이격되어 위치되는 제 1센서와, 상기 웨이퍼의 에지부의 하부로 일정 거리 이격되어 상기 제 1센서와 대응되도록 위치되는 제 2센서를 구비하되, 상기 제 1센서는 광을 출사하는 발광센서이고, 상기 제 2센서는 상기 출사된 광을 계측하는 수광센서인 것을 특징으로 하는 웨이퍼 파손 모니터링유닛을 갖는 반도체 제조설비.The sensor may include a first sensor positioned to be spaced apart from the edge of the wafer by a predetermined distance, and a second sensor spaced apart from the edge of the wafer by a predetermined distance to correspond to the first sensor. The first sensor is a light emission sensor for emitting light, the second sensor is a semiconductor manufacturing equipment having a wafer damage monitoring unit, characterized in that the light receiving sensor for measuring the emitted light. 제 2항에 있어서,The method of claim 2, 상기 센서는 상기 웨이퍼의 에지부의 상부로 일정 거리 이격되어 위치되는 제 1센서와, 상기 웨이퍼의 에지부의 하부로 일정 거리 이격되어 상기 제 1센서와 대응되도록 위치되는 제 2센서를 구비하되, 상기 제 1센서는 광을 계측하는 수광센서이고, 상기 제 2센서는 상기 광을 출사하는 발광센서인 것을 특징으로 하는 웨이퍼 파손 모니터링유닛을 갖는 반도체 제조설비.The sensor may include a first sensor positioned to be spaced apart from the edge of the wafer by a predetermined distance, and a second sensor spaced apart from the edge of the wafer by a predetermined distance to correspond to the first sensor. The first sensor is a light receiving sensor for measuring light, and the second sensor is a semiconductor manufacturing equipment having a wafer damage monitoring unit, characterized in that the light emitting sensor for emitting the light. 제 3항 내지 제 4항 중 적어도 어느 한 항에 있어서,The method according to any one of claims 3 to 4, 상기 제어부는 상기 수광센서에서 계측되는 광량값과, 상기 계측되는 광량값이 기설정된 기준광량값의 범위에 포함되는지의 여부를 비교하여, 상기 계측되는 광량값이 상기 기준광량값의 범위에 포함되면, 상기 웨이퍼의 이송 및 공정을 중지하는 것을 특징으로 하는 웨이퍼 파손 모니터링유닛을 갖는 반도체 제조설비.The controller compares the light quantity value measured by the light receiving sensor with whether the measured light quantity value is within a range of a predetermined reference light quantity value, and when the measured light quantity value is included in the range of the reference light quantity value. And a wafer breakage monitoring unit, characterized in that the wafer transfer and the process are stopped. 제 5항에 있어서,The method of claim 5, 상기 기준광량값의 범위는 제 1기준광량값 이상 제 2기준광량값 이하인 범위이거나, 상기 제 2기준광량값 이상인 범위이되, 상기 제 1기준광량값은 상기 계측되는 광량값이 상기 발광센서에서 출사되는 광의 광량값의 절반이상인 광량값이며, 상기 제 2기준광량값은 상기 발광센서로부터 출사된 광이 상기 웨이퍼의 플랫존부를 통과하여 상기 제 2센서에서 계측되는 광량값인 것을 특징으로 하는 웨이퍼 파손 모니터링유닛을 갖는 반도체 제조설비.The reference light intensity value ranges from a first reference light quantity value to a second reference light quantity value or less, or a range of more than the second reference light quantity value, wherein the first reference light quantity value is that the measured light quantity value is emitted from the light emitting sensor. And a second reference light quantity value is a light quantity value measured by the second sensor after the light emitted from the light emitting sensor passes through the flat zone of the wafer. Semiconductor manufacturing equipment having a monitoring unit.
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CN115579312A (en) * 2022-12-09 2023-01-06 合肥新晶集成电路有限公司 Wafer detection method, device, equipment, storage medium and computer program product

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