KR101906320B1 - 유기 ｅｌ 장치, 유기 ｅｌ 장치의 제조 방법 및 전자 기기 - Google Patents

유기 ｅｌ 장치, 유기 ｅｌ 장치의 제조 방법 및 전자 기기 Download PDF

Info

Publication number
KR101906320B1
KR101906320B1 KR1020120077089A KR20120077089A KR101906320B1 KR 101906320 B1 KR101906320 B1 KR 101906320B1 KR 1020120077089 A KR1020120077089 A KR 1020120077089A KR 20120077089 A KR20120077089 A KR 20120077089A KR 101906320 B1 KR101906320 B1 KR 101906320B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
layer
filter layer
sub
organic
electrode
Prior art date
Application number
KR1020120077089A
Other languages
English (en)
Other versions
KR20130011931A (ko
Inventor
마사노리 이와사키
타케후미 후카가와
Original Assignee
세이코 엡슨 가부시키가이샤
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 세이코 엡슨 가부시키가이샤 filed Critical 세이코 엡슨 가부시키가이샤
Publication of KR20130011931A publication Critical patent/KR20130011931A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR101906320B1 publication Critical patent/KR101906320B1/ko

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/30—Devices specially adapted for multicolour light emission
    • H10K59/38—Devices specially adapted for multicolour light emission comprising colour filters or colour changing media [CCM]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
    • H01L21/31—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to form insulating layers thereon, e.g. for masking or by using photolithographic techniques; After treatment of these layers; Selection of materials for these layers
    • H01L21/3205—Deposition of non-insulating-, e.g. conductive- or resistive-, layers on insulating layers; After-treatment of these layers
    • H01L21/321—After treatment
    • H01L21/32115—Planarisation
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/52—Encapsulations
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/10—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED]
    • H10K50/11—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED] characterised by the electroluminescent [EL] layers

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Electroluminescent Light Sources (AREA)
  • Optical Filters (AREA)

Abstract

(과제) 높은 색재현성을 실현하는 것이 가능한 유기 EL 장치를 제공한다.
(해결 수단) 기판(11)과, 기판(11) 상에 형성된 컬러 필터층(20)과, 기판(11)과 컬러 필터층(20)의 사이에 형성된 제1 전극(13)과, 제1 전극(13)과 대향하여 형성된 제2 전극(14)과, 제1 전극(13)과 제2 전극(14)의 사이에 형성된 유기 기능층(15)을 갖고, 컬러 필터층(20)은, 기판(11)에 수직인 방향에서 보았을 때에 제1 전극(13)과 겹치는 영역에 형성된, 제1 색을 투과하는 제1 서브 필터층(21)과제2 서브 필터층(22)을 갖고, 제1 서브 필터층(21)과 제2 서브 필터층(22)은 동일한 재료로 이루어지고, 제1 서브 필터층(21)과 제2 서브 필터층(22)은 적층되어 있다.

Description

유기 ＥＬ 장치, 유기 ＥＬ 장치의 제조 방법 및 전자 기기{ORGANIC EL DEVICE, METHOD OF MANUFACTURING ORGANIC EL DEVICE, AND ELECTRONIC APPARATUS}
본 발명은, 유기 EL 장치, 유기 EL 장치의 제조 방법 및 전자 기기에 관한 것이다.
최근, 정보 기기의 다양화 등에 수반하여, 소비 전력이 적고 경량화된 평면 표시 장치의 요구가 높아지고 있다. 이러한 평면 표시 장치의 하나로서, 유기 일렉트로루미네선스(유기 EL 소자)를 구비한 유기 일렉트로루미네선스 장치(유기 EL 장치)가 알려져 있다. 유기 EL 장치는, 화소 전극과 대향 전극의 사이에 유기 발광층을 구비한 구성으로 되어 있다.
한편, 유기 EL 장치의 박형화를 도모하기 위해, 유기 EL 소자가 형성된 소자 기판의 위에 컬러 필터층을 형성하는 기술이 있다. 예를 들면, 특허문헌 1의 유기 EL 장치의 제조 방법에 있어서는, 소자 기판의 유기 EL 소자가 형성된 측에 투명 보호층을 형성하고, 당해 투명 보호층 상에 포토리소그래피법을 이용하여 컬러 필터층을 형성하고 있다.
일본공개특허공보 2001-126864호
그러나, 포토리소그래피를 이용하여 컬러 필터층을 형성하는 경우, 컬러 필터층의 단부(端部)에서는 컬러 필터층의 형성 재료가 테이퍼 형상(순테이퍼 형상(forward taperd shape))이 되는 현상이 발생한다. 테이퍼 형상이 되는 영역은, 컬러 필터층의 막두께가 두꺼워짐에 따라 커진다.
컬러 필터층은, 유기 EL 소자로부터 발해지는 빛을 착색하기 위해 소정의 두께가 필요시되는 바, 유기 EL 장치의 고정세화가 진행되어, 화소 피치와 컬러 필터층의 막두께가 가까운 값이 된 경우, 테이퍼 형상이 되는 영역의 단위 화소당의 비율이 커진다. 그 때문에, 컬러 필터층 중 소정의 두께가 실현되어 있는 영역은 매우 작아진다. 그 결과, 높은 색재현성을 실현하는 것이 곤란해진다.
본 발명은 이러한 사정을 감안하여 이루어진 것으로, 높은 색재현성을 실현하는 것이 가능한 유기 EL 장치, 유기 EL 장치의 제조 방법을 제공하는 것을 목적으로 한다. 또한, 표시 품질이 우수한 전자 기기를 제공하는 것을 목적으로 한다.
상기의 과제를 해결하기 위해, 본 발명의 유기 EL 장치는, 기판과, 상기 기판 상에 형성된 컬러 필터층과, 상기 기판과 상기 컬러 필터층의 사이에 형성된 제1 전극과, 상기 제1 전극과 대향하여 형성된 제2 전극과, 상기 제1 전극과 상기 제2 전극의 사이에 형성된 유기 발광층을 갖고, 상기 컬러 필터층은, 상기 기판에 수직인 방향에서 보았을 때에 상기 제1 전극과 겹치는 영역에 형성된, 제1 색을 투과하는 제1 서브 필터층과 제2 서브 필터층을 갖고, 상기 제1 서브 필터층과 상기 제 2 서브 필터층은 동일한 재료로 이루어지고, 상기 제1 서브 필터층과 상기 제2 서브 필터층은 적층되어 있는 것을 특징으로 한다.
이 구성에 의하면, 제1 서브 필터층과 제2 서브 필터층이 적층됨으로써 컬러 필터층이 형성되어 있다. 그 때문에, 컬러 필터층에 소정의 두께가 필요한 경우라도, 제1 서브 필터층과 제2 서브 필터층을 적층하여 소정의 두께의 컬러 필터층을 형성할 수 있다. 이에 따라, 당해 각각의 서브 필터층의 단부가 테이퍼 형상이 되는 영역의 폭을, 단층의 컬러 필터층의 단부가 테이퍼 형상이 되는 영역의 폭보다도 작게 할 수 있다. 그 때문에, 컬러 필터층 중 소정의 두께가 실현되어 있는 영역을 크게 할 수 있다. 따라서, 높은 색재현성을 실현하는 것이 가능한 유기 EL 장치가 얻어진다. 또한, 이후의 단락에 있어서는 서브 필터층의 단부, 즉 테이퍼 형상으로 되어 있는 영역을 테이퍼부로 한다.
또한, 상기 유기 EL 장치에 있어서, 상기 제1 전극과 동(同)층에, 상기 제2 전극과 대향하여 형성된 제3 전극을 추가로 갖고, 상기 컬러 필터층은, 상기 기판에 수직인 방향에서 보았을 때에 상기 제3 전극과 겹치는 영역에 형성된, 제2 색을 투과하는 제3 서브 필터층과 제4 서브 필터층을 추가로 갖고, 상기 제3 서브 필터층과 상기 제4 서브 필터층은 동일한 재료로 이루어지고, 상기 제3 서브 필터층과 상기 제4 서브 필터층은 적층되어 있고, 상기 제1 서브 필터층의 단부와 상기 제3 서브 필터층의 단부는, 상기 기판에 수직인 방향에서 보았을 때에 겹쳐 있고, 상기 제2 서브 필터층의 단부와 상기 제4 서브 필터층의 단부는, 상기 기판에 수직인 방향에서 보았을 때에 겹쳐 있어도 좋다.
이 구성에 의하면, 제1 서브 필터층의 테이퍼부와 제3 서브 필터층의 테이퍼부가 평면에서 보았을 때에 있어서 겹치도록 배치된다. 또한, 제2 서브 필터층의 테이퍼부와 제4 서브 필터층의 테이퍼부가 평면에서 보았을 때에 있어서 겹치도록 배치된다. 그 때문에, 컬러 필터층 중 소정의 두께를 실현되어 있는 영역을 넓은 범위로 얻을 수 있다.
또한, 상기 유기 EL 장치에 있어서, 상기 제1 서브 필터층과, 상기 제2 서브 필터층과의 사이에 형성된 평탄화층을 갖고 있어도 좋다.
이 구성에 의하면, 기판 상에 형성된 제1 서브 필터층의 상면이 요철 형상이라도, 제2 서브 필터층이 형성되는 영역이 평탄화층에 의해 평탄화되어 있다. 따라서, 제2 서브 필터층을 형성하기 쉬워진다.
또한, 상기 유기 EL 장치에 있어서, 상기 제1 서브 필터층과, 상기 제2 서브 필터층과의 사이에 형성된 평탄화층을 갖고, 상기 평탄화층의, 상기 기판에 수직인 방향에서 보았을 때에 상기 제1 서브 필터층과 상기 제3 서브 필터층이 겹치는 영역에, 차광층이 형성되어 있어도 좋다.
이 구성에 의하면, 유기 발광층에서 발광한 빛이 차광층에서 차광되기 때문에, 유기 발광층에서 발광한 빛은 당해 유기 발광층에 대응하는 패턴을 투과하게 되어, 옆의 패턴을 통과하는 것이 회피된다. 따라서, 발광색의 혼색을 억제할 수 있다.
또한, 상기 유기 EL 장치에 있어서, 상기 제2 전극과, 상기 컬러 필터층과의 사이에 설치된 봉지층을 갖고, 상기 컬러 필터층은 상기 봉지층에 접하고 있어도 좋다.
이 구성에 의하면, 봉지층의 위에 컬러 필터층이 형성된, 소위 톱 이미션 방식의 OCCF(On-chip Color Filter) 구조에 있어서, 높은 색재현성을 실현하는 것이 가능한 유기 EL 장치를 실현할 수 있다.
본 발명의 유기 EL 장치의 제조 방법은, 기판 상에 제1 전극을 형성하는 공정과, 상기 제1 전극 상에 유기 발광층을 형성하는 공정과, 상기 유기 발광층 상에 제2 전극을 형성하는 공정과, 상기 제2 전극 상에, 상기 기판에 수직인 방향에서 보았을 때에 상기 제1 전극과 겹치는 영역에 컬러 필터층을 형성하는 공정을 포함하고, 상기 컬러 필터층을 형성하는 공정은, 제1 서브 필터층을 포토리소그래피법에 의해 형성하는 공정과, 상기 제1 서브 필터층 상에, 제1 서브 필터층과 동일한 재료로 제2 서브 필터층을 포토리소그래피법으로 형성하는 공정을 포함하는 것을 특징으로 한다.
이 제조 방법에 의하면, 포토리소그래피법을 이용하여 제1 서브 필터층과 제2 서브 필터층을 적층함으로써 컬러 필터층을 형성하고 있다. 그 때문에, 컬러 필터층에 소정의 두께가 필요한 경우라도, 제1 서브 필터층과 제2 서브 필터층을 적층하여 소정의 두께의 컬러 필터층을 형성할 수 있다. 이에 따라, 당해 각각의 서브 필터층의 테이퍼부의 폭을, 단층의 컬러 필터층의 테이퍼부의 폭보다도 작게 할 수 있다. 그 때문에, 컬러 필터층 중 소정의 두께가 실현되어 있는 영역을 크게 할 수 있다. 따라서, 높은 색재현성을 실현하는 것이 가능한 유기 EL 장치를 제조할 수 있다.
본 발명의 전자 기기는, 상기 유기 EL 장치를 구비한 것을 특징으로 한다.
본 발명의 전자 기기에 의하면, 본 발명의 유기 EL 장치를 구비하고 있기 때문에, 표시 품질이 우수한 전자 기기를 제공할 수 있다.
도 1은 본 발명의 제1 실시 형태에 따른 유기 EL 장치를 나타내는 단면도이다.
도 2는 도 1의 유기 EL 장치의 주요부 단면도이다.
도 3은 도 1의 유기 EL 장치의 제조 공정에 대한 설명도이다.
도 4는 도 3에 이어지는 설명도이다.
도 5는 도 4에 이어지는 설명도이다.
도 6은 도 5에 이어지는 설명도이다.
도 7은 본 발명의 제2 실시 형태에 따른 유기 EL 장치를 나타내는 단면도이다.
도 8은 도 7의 유기 EL 장치의 제조 공정에 대한 설명도이다.
도 9는 본 발명의 제3 실시 형태에 따른 유기 EL 장치를 나타내는 단면도이다.
도 10은 도 9의 유기 EL 장치의 제조 공정에 대한 설명도이다.
도 11은 본 발명의 제4 실시 형태에 따른 유기 EL 장치를 나타내는 단면도이다.
도 12는 도 11의 유기 EL 장치의 제조 공정에 대한 설명도이다.
도 13은 전자 기기의 일 예를 나타내는 도면이다.
도 14는 종래의 유기 EL 장치를 나타내는 단면도이다.
(발명을 실시하기 위한 형태)
이하, 도면을 참조하여, 본 발명의 실시 형태에 대해서 설명한다. 이러한 실시 형태는, 본 발명의 일 태양을 나타내는 것으로, 본 발명을 한정하는 것은 아니며, 본 발명의 기술적 사상의 범위 내에서 임의로 변경 가능하다. 또한, 이하의 도면에 있어서는, 각 구성을 알기 쉽게 하기 위해, 실제의 구조에 있어서의 축척이나 수 등이 상이하다.
(제1 실시 형태)
도 1은, 본 발명의 제1 실시 형태에 따른 유기 EL 장치(1)를 나타내는 단면도이다.
도 1에 나타내는 바와 같이, 유기 EL 장치(1)는, 기판 본체 상에 형성된 도시하지 않은 각종 배선, 스위칭 소자로서의 박막 트랜지스터(Thin Film Transistor, 이하 TFT라고 칭함) 및, 각종 회로에 따라 발광층(유기 발광층)을 발광시키는, TFT 어레이 기판(11)을 구비하고 있다. 또한, 본 실시 형태의 유기 EL 장치(1)는, 스위칭 소자로서 TFT를 이용한 액티브 매트릭스 방식인 것이지만, 이에 한하지 않고, 단순 매트릭스 방식을 채용한 구성에 있어서도 본 발명을 적용시킬 수 있다.
본 실시 형태에 있어서의 유기 EL 장치(1)는, 소위 「톱 이미션 구조」의 유기 EL 장치이다. 톱 이미션 구조에서는, 빛을 소자 기판(10)측이 아니라 대향 전극(14)측으로부터 취출하기 때문에, 소자 기판(10)에 배치된 각종 회로의 크기에 영향받지 않아, 발광 면적을 넓게 확보할 수 있는 효과가 있다. 그 때문에, 전압 및 전류를 억제하면서 휘도를 확보하는 것이 가능하여, 발광 소자(유기 EL 소자)(12)의 수명을 길게 유지할 수 있다.
유기 EL 장치(1)는, 소자 기판(10)과, 소자 기판(10) 상의 발광 소자(12)가 노출되는 부위 전체를 덮어 형성된 전극 보호층(제1 무기 봉지층)(17)과, 전극 보호층(17) 상에 형성된 유기 완충층(18)과, 전극 보호층(17) 상에 유기 완충층(18)이 노출되는 부위 전체를 덮어 형성된 가스 배리어층(제2 무기 봉지층)(19)과, 가스 배리어층(19) 상에 형성된 컬러 필터층(20)과, 소자 기판(10)의 외주부를 따라서 배치된 주변 시일층(23)과, 주변 시일층(23)의 내부에 형성된 충전층(24)과, 주변 시일층(23)을 개재하여 소자 기판(10)과 접합된 보호 기판(25)을 구비하고 있다.
또한, 상기의 전극 보호층(17), 유기 완충층(18) 및 가스 배리어층(19) 대신에, 폴리실록산, 폴리실라잔과 같은 무기 재료를 도포하여 형성한 무기막에 의해 봉지층을 형성해도 좋다. 또한, 유기 EL 장치(1)에 있어서, 주변 시일층(23), 충전층(24) 및 보호 기판(25)은 필수 구성 요소가 아니며, 주변 시일층(23), 충전층(24) 및 보호 기판(25)이 설치되어 있지 않아도 좋다.
소자 기판(10)은, TFT 어레이 기판(11)과, 화소 전극(13)과 대향 전극(14)과의 사이에 유기 기능층(15)을 협지한 복수의 발광 소자(12)와, 발광 소자(12)(화소 전극(13))를 구획하는 화소 격벽(16)을 갖고 있다.
본 실시 형태에 있어서, 화소 전극(13)은, 워크 함수가 5eV 이상의 정공 주입 효과가 높은 재료에 의해 형성된 것이다. 이러한 재료로서는, 예를 들면 ITO(Indium Tin Oxide: 인듐주석 산화물) 등의 금속 산화물이 이용된다. 또한, 본 실시 형태에서는 톱 이미션 방식이 채용되고 있기 때문에, 화소 전극(13)은 투광성을 구비할 필요가 없다. 따라서, 본 실시 형태에서는, 상기 ITO로 이루어지는 투명 도전층의 하측에, Al 등의 광반사성 금속층이 형성되어 적층 구조로 되며, 이 적층 구조에 의해 화소 전극(13)이 형성되어 있다.
유기 기능층(15)은, 본 실시 형태에서는 저(低)분자계의 유기 EL 재료로 이루어지는 유기 발광층을 포함하여 형성된 것이다. 이러한 유기 기능층(15)으로서는, 예를 들면 화소 전극측으로부터 정공 주입층, 정공 수송층, 유기 발광층, 전자 수송층, 전자 주입층이 순차 적층된 구조가 알려져 있고, 추가로 정공 수송층이나 전자 수송층을 생략한 구조나, 정공 주입층과 정공 수송층의 양쪽의 기능을 구비한 정공 주입·수송층을 이용하거나, 전자 주입층과 전자 수송층의 양쪽의 기능을 구비한 전자 주입·수송층을 이용한 구조 등이 알려져 있다. 본 발명에서는, 이와 같은 구조 중 적절한 구조가 선택되어, 형성되어 있다.
또한, 유기 기능층(15)의 재료로서는, 각각 공지의 것을 이용할 수 있다.
예를 들면, 유기 발광층의 재료로서는, 본 실시 형태에서는 백색 발광하는 유기 발광 재료로서, 스티릴아민계 발광 재료 등이 이용된다.
또한, 정공 주입층의 재료로서는, 트리아릴아민(ATP) 다량체 등이 이용되고, 정공 수송층의 재료로서는, TDP(트리페닐디아민)계인 것 등이 이용되고, 전자 주입·수송층의 재료로서는, 알루미늄퀴놀리놀(Alq3) 등이 이용된다.
유기 기능층(15) 상에는, 당해 유기 기능층(15)을 덮어, 대향 전극(14)이 형성되어 있다. 대향 전극(14)을 형성하기 위한 재료로서는, 본 실시 형태는 톱 이미션 구조인 점에서 광투과성을 갖는 재료일 필요가 있다. 대향 전극(14)의 형성 재료로서는, 투명 도전 재료가 이용된다. 투명 도전 재료로서는, ITO가 적합하게 여겨지지만, 이 이외에도, 예를 들면 산화 인듐·산화 아연계 어모퍼스 투명 도전막(Indium Zinc Oxide: IZO/아이·제트·오(등록 상표)) 등을 이용할 수 있다. 또한, 본 실시 형태에서는, 대향 전극(14)의 형성 재료로서, ITO를 이용한다.
또한, 대향 전극(14)은, 전자 주입 효과가 큰(워크 함수가 4eV 이하) 재료가 적합하게 이용된다. 예를 들면, 칼슘이나 마그네슘, 나트륨, 리튬 금속, 또는 이들 금속 화합물이다. 금속 화합물로서는, 불화 칼슘 등의 금속 불화물이나 산화 리튬 등의 금속 산화물, 아세틸아세토네이트칼슘 등의 유기 금속 착체가 해당된다. 또한, 투명한 ITO, 산화 주석 등의 금속 산화물 도전층을 적층함으로써 전기 저항의 저감을 행하는 것이 바람직하다. 또한, 본 실시 형태에서는, 불화 리튬과 마그네슘-은 합금, ITO의 적층체를, 투명성이 얻어지는 막두께로 조정하여 이용하는 것으로 한다.
본 실시 형태의 유기 EL 장치(1)에서는, 상기의 화소 전극(13)과 유기 기능층(15)과 대향 전극(14)에 의해, 유기 EL 소자가 형성되어 있다. 즉, 화소 전극(13)과 대향 전극(14)과의 사이에 전압이 인가되면, 화소 전극(13)으로부터 정공 주입층에 정공이 주입되고, 정공 수송층을 통하여 유기 발광층에 수송된다. 또한, 대향 전극(14)으로부터 전자 주입층에 전자가 주입되고, 전자 수송층을 통하여 유기 발광층에 수송된다. 그러면, 유기 발광층에 수송된 정공과 전자가 재결합함으로써, 유기 발광층이 발광하도록 되어 있다.
유기 발광층으로부터 화소 전극측에 출사된 빛은, 상기한 투명 도전층을 투과하여 광반사성 금속층에 반사되어, 재차 유기 발광층측에 입사하도록 되어 있다. 또한, 대향 전극(14)은 반(半)투과 반사막으로서 기능하기 때문에, 소정 범위의 파장 이외의 빛은 광반사성 금속층측에 반사되어 대향 전극(14)과 광반사성 금속층과의 사이에서 왕복한다. 이와 같이 하여, 대향 전극(14)과 광반사성 금속층과의 사이의 광학적 거리에 대응한 공진 파장의 빛만이 증폭되어 취출된다. 즉, 대향 전극(14)과 광반사성 금속층을 포함한 이들의 사이가 공진기로서 기능하도록 되어 있어, 발광 휘도가 높고 게다가 스펙트럼이 샤프한 빛을 사출시키는 것이 가능하게 되어 있다. 여기에서, 상기 광학적 거리는, 대향 전극(14)과 광반사성 금속층과의 사이에 포함되는 층의 광학적 거리의 합에 의해 구해지고, 각 층의 광학적 거리는, 그 막두께와 굴절률의 곱에 의해 구해진다.
TFT 어레이 기판(11) 상에는, 발광 소자(12)를 보호하는 전극 보호층(17)이 형성되어 있다.
전극 보호층(17)은, 투명성이나 밀착성, 내수성, 가스 배리어성을 고려하여 규소산 질화물 등의 규소 화합물로 구성하는 것이 바람직하다.
또한, 본 실시 형태에 있어서는, 전극 보호층(17)을 단층으로 형성하고 있지만, 복수층으로 적층해도 좋다. 예를 들면, 저탄성률의 하층과 고내수성의 상층으로 전극 보호층(17)을 구성해도 좋다.
전극 보호층(17) 상에는, 발광 소자(12)의 형성 영역을 덮는 유기 완충층(18)이 형성되어 있다.
유기 완충층(18)은, 화소 격벽(16)의 형상의 영향에 의해, 요철 형상으로 형성된 전극 보호층(17)의 요철 부분을 메우도록 배치되어 있다. 유기 완충층(18)의 상면은 대략 평탄하게 형성되어 있다. 유기 완충층(18)은, TFT 어레이 기판(11)의 휨이나 체적 팽창에 의해 발생하는 응력을 완화하는 기능을 갖는다. 또한, 유기 완충층(18)의 상면이 대략 평탄화되기 때문에, 유기 완충층(18) 상에 형성되는 단단한 피막으로 이루어지는 후술하는 가스 배리어층(19)도 평탄화된다. 따라서, 응력이 집중되는 부위가 없어지고, 이에 따라, 가스 배리어층(19)에서의 크랙의 발생이 억제된다. 또한, 화소 격벽(16)을 피복하여 요철이 메워짐으로써, 가스 배리어층(19) 상에 형성되는 컬러 필터층(20)의 막두께 균일성을 향상시키는 것에도 유효하다.
유기 완충층(18)은, 경화 전의 원료 주성분으로서는, 감압 진공하에서 스크린 인쇄법에 의해 형성하기 위해, 유동성이 우수하고, 그리고 용매나 휘발 성분이 없는, 전부가 고분자 골격의 원료가 되는 유기 화합물 재료일 필요가 있으며, 바람직하게는 에폭시기를 갖는 분자량 3000 이하의 에폭시 모노머/올리고머가 이용된다(모노머의 정의: 분자량 1000 이하, 올리고머의 정의: 분자량 1000∼3000). 예를 들면, 비스페놀 A형 에폭시 올리고머나 비스페놀 F형 에폭시 올리고머, 페놀노볼락형 에폭시 올리고머, 폴리에틸렌글리콜디글리시딜에테르, 알킬글리시딜에테르, 3,4-에폭시사이클로헥세닐메틸-3',4'-에폭시사이클로헥센카복실레이트, ε-카프로락톤 변성 3,4-에폭시사이클로헥실메틸 3',4'-에폭시사이클로헥산카복실레이트 등이 있으며, 이들이 단독 또는 복수 조합되어 이용된다.
또한, 에폭시 모노머/올리고머와 반응하는 경화제로서는, 전기 절연성이나 접착성이 우수하고, 그리고 경도가 높고 강인하며 내열성이 우수한 경화 피막을 형성하는 것이 좋고, 투명성이 우수하고, 그리고 경화의 불균일이 적은 부가 중합(addition polmerization)형이 좋다. 예를 들면, 3-메틸-1,2,3,6-테트라하이드로 무수프탈산, 메틸-3,6-엔드메틸렌-1,2,3,6-테트라하이드로 무수프탈산, 1,2,4,5-벤젠테트라카본산 2무수물, 3,3',4,4'-벤조페논테트라카본산 2무수물 등의 산무수물계 경화제가 바람직하다. 또한, 산무수물의 반응(개환)을 촉진하는 반응 촉진제로서 1,6-헥산디올 등 분자량이 크고 휘발되기 어려운 알코올류를 첨가함으로써 저온 경화되기 쉬워진다. 이들의 경화는 60∼100℃의 범위의 가열로 행해지고, 그 경화 피막은 에스테르 결합을 갖는 고분자가 된다. 또한, 산무수의 개환을 촉진하는 경화촉진제로서, 방향족 아민이나 알코올류나 아미노페놀 등의 아민 화합물을 미량 첨가함으로써, 저온 경화되기 쉬워진다.
유기 완충층(18) 상에는, 유기 완충층(18)을 피복하고, 그리고 전극 보호층(17)의 종단부까지 덮는 바와 같은 넓은 범위로, 가스 배리어층(19)이 형성되어 있다.
가스 배리어층(19)은, 산소나 수분이 침입하는 것을 억제하기 위한 것으로, 이에 따라 산소나 수분에 의한 발광 소자(12)의 열화 등을 억제할 수 있다. 가스 배리어층(19)은, 투명성, 가스 배리어성, 내수성을 고려하여, 바람직하게는 질소를 포함하는 규소 화합물, 즉 규소 질화물이나 규소산 질화물 등에 의해 형성된다.
또한, 본 실시 형태에서는, 유기 EL 장치(1)를 톱 이미션 구조로 하고 있는 점에서, 가스 배리어층(19)은 광투과성을 가질 필요가 있다. 따라서 가스 배리어층(19)의 재질이나 막두께를 적절히 조정함으로써, 본 실시 형태에서는 가시광선 영역에 있어서의 광선 투과율을 예를 들면 80％ 이상으로 하고 있다.
가스 배리어층(19)의 표면에는 컬러 필터층(20)이 형성되어 있다.
컬러 필터층(20)은, 착색층으로서, 적색 착색층(20R), 녹색 착색층(20G), 청색 착색층(20B)이 이 순서로 배열 형성되어 있다.
각 착색층(20R, 20G, 20B)은, 투명 바인더 층에 안료 또는 염료가 혼합된 재료로 구성되어 있다. 각 착색층(20R, 20G, 20B)의 폭은 10㎛ 정도이며, 발광 소자(12)의 화소 전극(13)과 대략 동일한 폭으로 각 층 조정되어 있다. 각 착색층(20R, 20G, 20B)의 막두께는, 발광 소자(12)로부터 발해지는 빛을 착색하기 위해 소정의 두께가 필요시되며, 예를 들면 1㎛ 정도이다. 각 착색층(20R, 20G, 20B)의 막두께는, 화이트 밸런스를 고려하여 각 색마다 조정되어 있다. 각 착색층(20R, 20G, 20B)에 의해, 유기 기능층(15)의 발광광이, 착색층(20R, 20G, 20B)의 각각을 투과하여, 적색광, 녹색광, 청색광의 각 색광으로서 관찰자측에 출사하도록 되어 있다. 이와 같이, 유기 EL 장치(1)에 있어서는, 유기 기능층(15)의 발광광을 이용하고, 그리고, 복수색의 착색층(20R, 20G, 20B)에 의해 컬러 표시를 행하도록 되어 있다.
컬러 필터층(20)은, 제1 서브 필터층(21)과 제2 서브 필터층(22)이 적층되어 형성되어 있다.
제1 서브 필터층(21)은, 적색 패턴(21R)과 녹색 패턴(21G)과 청색 패턴(21B)이 서로 이웃하도록 배열되어 있다.
제2 서브 필터층(22)은, 적색 패턴(22R)과 녹색 패턴(22G)과 청색 패턴(22B)이 서로 이웃하도록 배열되어 있다.
또한, 본 실시 형태에 있어서는, 컬러 필터층(20)이 2개의 서브 필터층으로 이루어져 있지만, 이에 한하지 않고, 3개 이상의 서브 필터층으로 이루어져 있어도 좋다.
도 2는, 본 실시 형태에 따른 유기 EL 장치(1)의 주요부 단면도이다. 도 2에 있어서는, 편의상, 주변 시일층(23), 충전층(24) 및 보호 기판(25)의 도시를 생략하고 있다.
또한, 도 2에 있어서, 부호 D1은 제1 서브 필터층(21)의 두께이고, 부호 D2는 제2 서브 필터층(22)의 두께이고, 부호 W1은 제1 서브 필터층(21)의 테이퍼부의 폭이고, 부호 W2는 제2 서브 필터층(22)의 테이퍼부의 폭이다.
여기에서, 「서브 필터층의 두께」란, 소자 기판(10)의 상면에 대하여 직교하는 방향에 있어서의 서브 필터층의 길이(서브 필터층의 하면과 상면과의 사이의 거리)이다.
「테이퍼부의 폭」이란, 각 색 패턴의 배열 방향에 있어서의 테이퍼부의 길이(테이퍼부에 있어서 본체부의 측단에 인접하는 면과, 테이퍼부에 있어서 본체부의 측단으로부터 가장 떨어진 부분과의 사이의 거리)이다.
또한, 도 2에 있어서는, 제1 서브 필터층(21)의 테이퍼부의 폭(W1)은, 각 패턴(21R, 21G, 21B) 중, 일 예로서 적색 패턴(21R)의 테이퍼부(21Rb)의 폭을 나타내는 것으로 한다. 제2 서브 필터층(22)의 테이퍼부의 폭(W2)은, 각 패턴(22R, 22G, 22B) 중, 일 예로서 적색 패턴(22R)의 테이퍼부(22Rb)의 폭을 나타내는 것으로 한다.
도 2에 나타내는 바와 같이, 제1 서브 필터층(21)에 있어서, 적색 패턴(21R)은, 두께가 대체로 균일한 적색 본체부(21Ra)와, 당해 적색 본체부(21Ra)의 측단에 인접하는 적색 테이퍼부(21Rb)를 갖고 있다.
녹색 패턴(21G)은, 두께가 대체로 균일한 녹색 본체부(21Ga)와, 당해 녹색 본체부(21Ga)의 측단에 인접하는 녹색 테이퍼부(21Gb)를 갖고 있다.
청색 패턴(21B)은, 두께가 대체로 균일한 청색 본체부(21Ba)와, 당해 청색 본체부(21Ba)의 측단에 인접하는 청색 테이퍼부(21Bb)를 갖고 있다.
본 실시 형태에 있어서, 적색 테이퍼부(21Rb)는, 평면에서 보았을 때에 있어서 녹색 테이퍼부(21Gb)와 겹치는 부분 및 청색 테이퍼부(21Bb)와 겹치는 부분 모두 순테이퍼 형상이다. 녹색 테이퍼부(21Gb)의 적색 테이퍼부(21Rb)와 평면에서 보았을 때에 있어서 겹치는 부분은 역테이퍼 형상이고, 청색 테이퍼부(21Bb)와 평면에서 보았을 때에 있어서 겹치는 부분은 순테이퍼 형상이다. 청색 테이퍼부(21Bb)는, 평면에서 보았을 때에 있어서 녹색 테이퍼부(21Gb)와 겹치는 부분 및 적색 테이퍼부(21Rb)와 겹치는 부분 모두 역테이퍼 형상이다.
제2 서브 필터층(22)에 있어서, 적색 패턴(22R)은, 두께가 대체로 균일한 적색 본체부(22Ra)와, 당해 적색 본체부(22Ra)의 측단에 인접하는 적색 테이퍼부(22Rb)를 갖고 있다.
녹색 패턴(22G)은, 두께가 대체로 균일한 녹색 본체부(22Ga)와, 당해 녹색 본체부(22Ga)의 측단에 인접하는 녹색 테이퍼부(22Gb)를 갖고 있다.
청색 패턴(22B)는, 두께가 대체로 균일한 청색 본체부(22Ba)와, 당해 청색 본체부(22Ba)의 측단에 인접하는 청색 테이퍼부(22Bb)를 갖고 있다.
본 실시 형태에 있어서, 적색 테이퍼부(22Rb)는, 평면에서 보았을 때에 있어서 녹색 테이퍼부(22Gb)와 겹치는 부분 및 청색 테이퍼부(22Bb)와 겹치는 부분 모두 순테이퍼 형상이다. 녹색 테이퍼부(22Gb)의 적색 테이퍼부(22Rb)와 평면에서 보았을 때에 있어서 겹치는 부분은 역테이퍼 형상이고, 청색 테이퍼부(22Bb)와 평면에서 보았을 때에 있어서 겹치는 부분은 순테이퍼 형상이다. 청색 테이퍼부(22Bb)는, 평면에서 보았을 때에 있어서 녹색 테이퍼부(22Gb)와 겹치는 부분 및 적색 테이퍼부(22Rb)와 겹치는 부분 모두 역테이퍼 형상이다.
본 실시 형태에 있어서, 발광 소자(12)는, 평면에서 보았을 때에 있어서 각 본체부(21Ra, 21Ga, 21Ba)와 겹치도록 배치되어 있다. 발광 소자(12)는, 평면에서 보았을 때에 있어서 각 테이퍼부(21Rb, 21Gb, 21Bb)와는 겹치지 않도록 배치되어 있다.
소자 기판 상에는, 제1 서브 필터층(21)의 테이퍼부(21Rb, 21Gb, 21Bb)와, 제2 서브 필터층(22)의 테이퍼부(22Rb, 22Gb, 22Bb)는, 평면에서 보았을 때에 있어서 각각 겹치도록 배치되어 있다.
본 실시 형태에 있어서는, 제1 서브 필터층(21)의 두께(D1)와, 제2 서브 필터층(22)의 두께(D2)가, 서로 대체로 동일해져 있다. 또한, 제1 서브 필터(21)의 테이퍼부의 폭(W1)과, 제2 서브 필터층(22)의 테이퍼부의 폭(W2)이, 서로 대체로 동일해져 있다.
도 1로 되돌아와, 컬러 필터층(20)의 하층에는, 유기 기능층(15)이 TFT 어레이 기판(11)의 전체 면에 형성되고, 또한, 유기 기능층(15)이 절연성을 갖는 화소 격벽(16)으로 구분되어, 복수의 발광 소자(12)로서 구성하고 있다. 그 때문에, 화소 전극(13)과 대향 위치에 있는 유기 기능층(15)은 발광 영역이 되고, 화소 격벽(16)과 대향 위치에 있는 유기 기능층(15)은, 비발광 영역이 된다. 따라서, 가스 배리어층(19)의 표면에 형성된 컬러 필터층(20)에 있어서는, 발광 소자(12)와 대향 위치에 있는 착색층(20R, 20G, 20B)만으로부터 발광광을 취출할 수 있도록 되어 있다
또한, 각 착색층(20R, 20G, 20B)의 배열은 임의라도 좋으며, 예를 들면 각 착색층(20R, 20G, 20B)을 스트라이프 형상으로 형성하여 컬러 필터층(20)을 구성해도 좋고, 각 착색층(20R, 20G, 20B)을 모자이크 형상으로 형성하여 컬러 필터층(20)을 형성해도 좋다. 또한, 착색층(20R, 20G, 20B)의 R, G, B의 기본색 외에, 목적에 따라서 라이트 블루나 라이트 시안 등을 더해도 좋다.
소자 기판(10)과 후술하는 보호 기판(25)과의 사이의 주변부에는, 주변 시일층(23)이 설치되어 있다.
주변 시일층(23)은, 소자 기판(10)과 보호 기판(25)의 접합의 위치 정밀도의 향상과 후술하는 충전층(24)의 돌출을 방지하는 제방의 기능을 갖는다. 주변 시일층(23)은, 예를 들면, 자외선에 의해 경화되어 점도가 향상하는 에폭시 재료 등으로 구성되어 있다. 바람직하게는, 에폭시기를 갖는 분자량 3000 이하의 에폭시 모노머/올리고머가 이용된다(모노머의 정의: 분자량 1000 이하, 올리고머의 정의: 분자량 1000∼3000). 예를 들면, 비스페놀 A형 에폭시 올리고머나 비스페놀 F형 에폭시 올리고머, 페놀노볼락형 에폭시 올리고머, 폴리에틸렌글리콜디글리시딜에테르, 알킬글리시딜에테르, 3,4-에폭시사이클로헥세닐메틸-3',4'-에폭시사이클로헥센카복실레이트, ε-카프로락톤 변성 3,4-에폭시사이클로헥실메틸 3',4'-에폭시사이클로헥산카복킬레이트 등이 있으며, 이들이 단독 또는 복수 조합되어 이용된다.
또한, 에폭시 모노머/올리고머와 반응하는 경화제로서는, 디아조늄염, 디페닐요오도늄염, 트리페르술포늄염, 술폰산 에스테르, 철아렌 착체, 실라놀/알루미늄 착체 등의 양이온 중합 반응을 일으키는 광반응형 개시제가 바람직하다.
또한, 소자 기판(10)과 보호 기판(25)과의 사이에 있어서의 주변 시일층(23)에 둘러싸인 내부에, 열강화성 수지로 이루어지는 충전층(24)이 형성되어 있다.
이 충전층(24)은, 전술한 주변 시일층(23)으로 둘러싸인 유기 EL 장치(1)의 내부에 간극없이 충전되어 있고, 소자 기판(10)에 대향 배치된 보호 기판(25)을 고정시키고, 그리고 외부로부터의 기계적 충격에 대하여 완충 기능을 가져, 유기 기능층(15)이나 가스 배리어층(19)의 보호를 하는 것이다.
충전층(24)은, 경화 전의 원료 주성분으로서는, 유동성이 우수하고, 그리고 용매와 같은 휘발 성분을 갖지 않는 유기 화합물 재료일 필요가 있으며, 바람직하게는 에폭시기를 갖는 분자량 3000 이하의 에폭시 모노머/올리고머가 이용된다(모노머의 정의: 분자량 1000 이하, 올리고머의 정의: 분자량 1000∼3000). 예를 들면, 비스페놀 A형 에폭시 올리고머나 비스페놀 F형 에폭시 올리고머, 페놀노볼락형 에폭시 올리고머, 폴리에틸렌글리콜디글리시딜에테르, 알킬글리시딜에테르, 3,4-에폭시사이클로헥세닐메틸-3',4'-에폭시사이클로헥센카복실레이트, ε-카프로락톤 변성 3,4-에폭시사이클로헥실메틸 3',4'-에폭시사이클로헥산카복킬레이트 등이 있으며, 이들이 단독 또는 복수 조합되어 이용된다.
또한, 에폭시 모노머/올리고머와 반응하는 경화제로서는, 전기 절연성이 우수하고, 그리고 강인하며 내열성이 우수한 경화 피막을 형성하는 것이 좋고, 투명성이 우수하고, 그리고 경화의 불균일이 적은 부가 중합형이 좋다. 예를 들면, 3-메틸-1,2,3,6-테트라하이드로무수프탈산, 메틸-3,6-엔드메틸렌-1,2,3,6-테트라하이드로무수프탈산, 1,2,4,5-벤젠테트라카본산 2무수물, 3,3',4,4'-벤조페논테트라카본산 2무수물, 또는 그들의 중합물 등의 산무수물계 경화제가 바람직하다. 이들의 경화는, 60∼100℃의 범위에서 행해지고, 그 경화 피막은 규소산 질화물과의 밀착성이 우수한 에스테르 결합을 갖는 고분자가 된다. 또한, 산무수의 개환을 촉진하는 경화 촉진제로서 방향족 아민이나 알코올류, 아미노페놀 등의 비교적 분자량이 높은 것을 첨가함으로써 저온 그리고 단시간으로의 경화가 가능해진다.
소자 기판(10)과 대향 배치된 보호 기판(25)은, 광학 특성 및 가스 배리어층(19)의 보호를 목적으로 설치된다. 이 보호 기판(25)의 재질은, 유리 또는 투명 플라스틱(폴리에틸렌테레프탈레이트, 아크릴 수지, 폴리카보네이트, 폴리오레핀 등)이 바람직하다. 또한, 이 보호 기판(25)에는, 자외선 차단/흡수층이나 광반사 방지층, 방열층 등의 기능층이 설치되어 있어도 좋다.
(유기 EL 장치의 제조 방법)
다음으로, 도 3∼도 6을 참조하여 본 실시 형태에 있어서의 유기 EL 장치(1)의 제조 방법을 설명한다. 도 3∼도 6은, 유기 EL 장치(1)의 제조 공정에 대한 설명도이다.
우선, 도 3(a)에 나타내는 바와 같이, 소자 기판(10) 상에 전극 보호층(17), 유기 완충층(18) 및 가스 배리어층(19)이 형성된, 컬러 필터층(20)이 형성되는 토대를 준비한다.
당해 토대의 형성 방법은, 우선, 전극 보호층(17)을 소자 기판(10) 상의 발광 소자(12)가 노출되는 부위 전체를 덮어 형성한다.
구체적으로는, 전극 보호층(17)에 대해서는, 질소를 포함하는 규소 화합물, 즉 규소 질화물이나 규소산 질화물 등을, ECR 스퍼터법이나 이온 플레이팅법 등의 고밀도 플라즈마 성막법에 의해 성막한다. 또한, 투명 무기 재료로서의 SiO2 등의 무기 산화물이나 LiF나 MgF 등의 알칼리할라이드를, 진공 증착법이나 고밀도 플라즈마 성막법에 의해 적층해도 좋다.
다음으로, 유기 완충층(18)을 전극 보호층(17) 상에 형성한다.
구체적으로는, 감압 분위기하에서 스크린 인쇄를 행한 유기 완충층(18)을, 60∼100℃의 범위에서 가열하여 경화시킨다.
다음으로, 가스 배리어층(19)을 유기 완충층(18) 상에 형성한다.
구체적으로는, ECR 스퍼터법이나 이온 플레이팅법 등의 고밀도 플라즈마 성막법으로 형성한다. 또한, 형성 전에는, 산소 플라즈마 처리에 의해 밀착성을 향상시키면 신뢰성이 향상된다.
다음으로, 컬러 필터층(20)을 가스 배리어층(19) 상에 형성한다.
구체적으로는, 가스 배리어층(19)의 상면에, 포토리소그래피법을 이용하여, 컬러 필터층(20)을 형성한다.
그런데, 포토리소그래피를 이용하여 컬러 필터층을 형성하는 경우, 컬러 필터층의 단부에서는 컬러 필터층의 형성 재료가 테이퍼 형상(순테이퍼 형상)으로 넓어지는 현상이 발생한다. 그 때문에, 컬러 필터층의 단부에는 테이퍼부가 형성된다.
도 14는, 종래의 유기 EL 장치(100)를 나타내는 단면도이다. 도 14에 있어서, 부호 110은 소자 기판, 부호 112는 발광 소자, 부호 117은 전극 보호층, 부호 118은 유기 완충층, 부호 119는 가스 배리어층, 부호 120은 컬러 필터층, 부호 120R은 적색 착색층, 부호 120G는 녹색 착색층, 부호 120B는 청색 착색층, 부호 120Ra는 적색 본체부, 부호 120Ga는 녹색 본체부, 부호 120Ba는 청색 본체부, 부호 120Rb는 적색 테이퍼부, 부호 120Gb는 녹색 테이퍼부, 부호 120Bb는 청색 테이퍼부, 부호 123은 주변 시일층, 부호 124는 충전층, 부호 125는 봉지 기판이다.
도 14에 나타내는 바와 같이, 종래의 유기 EL 장치(100)에 있어서는, 가스 배리어층(119)의 상면에, 단층의 컬러 필터층(120)이 형성되어 있다. 포토리소그래피를 이용하여, 컬러 필터층(120)을 형성하는 경우, 테이퍼부(120Rb, 120Gb, 120Bb)가 형성되는 영역은, 컬러 필터층(120)의 막두께가 두꺼워짐에 따라 커진다.
컬러 필터층(120)은, 발광 소자로부터 발해지는 빛을 착색하기 위해 소정의 두께가 필요시되는 바, 유기 EL 장치(100)의 고정세화가 진행되어, 화소 피치와 컬러 필터층(120)의 막두께가 가까운 값이 된 경우, 테이퍼부(120Rb, 120Gb, 120Bb)가 형성되는 영역의 단위 화소당의 비율이 커진다. 그 때문에, 컬러 필터층(120) 중 소정의 두께가 실현되어 있는 영역(본체부(120Ra, 120Ga, 120Ba)가 형성되는 영역)은 매우 작아진다. 그 결과, 높은 색재현성을 실현하는 것이 곤란해진다.
또한, 소정의 두께가 두꺼운 컬러 필터층(120)을 형성하는 경우, 컬러 필터층(120)의 형성 재료(컬러 레지스트)를 소성하기 위해 필요한 온도가 커진다. 그 때문에, 소성시에 있어서 발광층에 부여하는 열의 영향이 커지게 된다. 한편, 발광층에 부여하는 소성시의 열의 영향을 작게 하는 방법(예를 들면 80℃ 정도에서 소성)도 생각할 수 있지만, 컬러 필터층(120)의 탈가스를 충분히 행할 수 없는 우려가 있다.
그래서, 본 발명에 있어서는, 포토리소그래피법을 이용하여 제1 서브 필터층(21)과 제2 서브 필터층(22)을 적층함으로써 컬러 필터층(20)을 형성하고 있다.
구체적으로는, 도 3(b)에 나타내는 바와 같이, 가스 배리어층(19)의 상면에, 적색 패턴용의 컬러 레지스트(21RE)를 도포한다.
다음으로, 도 3(c)에 나타내는 바와 같이, 적색 패턴용의 포토 마스크(30R)를 개재하여, 컬러 레지스트(21RE)를 노광하여 UV 경화시켜, 불용화시킨다.
다음으로, 도 3(d)에 나타내는 바와 같이, 현상액에 의해 컬러 레지스트(21RE)의 불필요한 부분을 제거한 후, 남은 컬러 레지스트(21RE)를 베이킹으로 경화시킨다. 이에 따라, 가스 배리어층(19)의 상면에, 적색 패턴(21R)이 형성된다.
다음으로, 가스 배리어층(19)의 상면에, 적색 패턴(21R)의 단부에 형성된 적색 테이퍼부(21Rb)와, 평면에서 보았을 때에 있어서 녹색 패턴(21G)의 단부에 형성되는 녹색 테이퍼부(21Gb)가 겹치도록 녹색 패턴(21G)을 형성한다.
구체적으로는, 적색 패턴(21R)을 격벽으로 하여, 녹색 패턴용의 컬러 레지스트(21GE)를 도포한다.
다음으로, 도 4(a)에 나타내는 바와 같이, 녹색 패턴용의 포토 마스크(30G)를 개재하여, 컬러 레지스트(21GE)를 노광하여 UV 경화시켜, 불용화시킨다.
다음으로, 도 4(b)에 나타내는 바와 같이, 현상액에 의해 컬러 레지스트(21GE)의 불필요한 부분을 제거한 후, 남은 컬러 레지스트(21GE)를 베이킹으로 경화시킨다. 이에 따라, 가스 배리어층(19)의 상면에, 녹색 패턴(21G)이 형성된다. 가스 배리어층(19) 상에는, 적색 테이퍼부(21Rb)와 녹색 테이퍼부(21Gb)가 평면에서 보았을 때에 있어서 겹치도록 배치된다.
또한, 본 실시 형태에 있어서는, 가스 배리어층(19)의 상면에, 적색 패턴(21R)의 단부에 형성된 적색 테이퍼부(21Rb)와, 평면에서 보았을 때에 있어서 녹색 패턴(21G)의 단부에 형성되는 녹색 테이퍼부(21Gb)가 겹치도록 녹색 패턴(21G)을 형성하고 있지만, 이에 한하지 않는다. 예를 들면, 적색 테이퍼부(21Rb)의 일부와, 평면에서 보았을 때에 있어서 녹색 테이퍼부(21Gb)가 겹치도록 녹색 패턴(21G)을 형성해도 좋다. 즉, 적색 테이퍼부(21Rb)의 적어도 일부와, 평면에서 보았을 때에 있어서 녹색 테이퍼부(21Gb)가 겹치도록 녹색 패턴(21G)을 형성하면 좋다.
다음으로, 도 4(c)에 나타내는 바와 같이, 적색 패턴(21R) 및 녹색 패턴(21G)의 양쪽의 패턴을 격벽으로 하여, 청색 패턴용의 컬러 레지스트(21BE)를 도포한다.
다음으로, 컬러 레지스트(21BE)를 베이킹으로 경화시킨다. 이에 따라, 도 4(d)에 나타내는 바와 같이, 가스 배리어층(19)의 상면에, 청색 패턴(21B)이 형성된다. 가스 배리어층(19) 상에는, 녹색 테이퍼부(21Gb)와 청색 테이퍼부(21Bb)가 평면에서 보았을 때에 있어서 겹치도록 배치됨과 함께, 청색 테이퍼부(21Bb)와 적색 테이퍼부(21Rb)가 평면에서 보았을 때에 있어서 겹치도록 배치된다.
또한, 본 실시 형태에 있어서는, 가스 배리어층(19)의 상면에, 적색 테이퍼부(21Rb) 및 녹색 테이퍼부(21Gb)의 양쪽 테이퍼부와, 평면에서 보았을 때에 있어서 청색 테이퍼부(21Bb)가 겹치도록 청색 패턴(21B)을 형성하고 있지만, 이에 한하지 않는다. 예를 들면, 적색 테이퍼부(21Rb)의 일부 및 녹색 테이퍼부(21Gb)의 일부와, 평면에서 보았을 때에 있어서 청색 테이퍼부(21Bb)가 겹치도록 청색 패턴(21B)을 형성해도 좋다. 즉, 적색 테이퍼부(21Rb)의 적어도 일부 및 녹색 테이퍼부(21Gb)의 적어도 일부와, 평면에서 보았을 때에 있어서 청색 테이퍼부(21Bb)가 겹치도록 청색 패턴(21B)을 형성하면 좋다.
이상의 공정에 의해, 가스 배리어층(19)의 상면에, 제1 서브 필터층(21)이 형성된다.
여기에서, 제1 서브 필터층(21)에 있어서의 착색 패턴은, 적색 패턴(21R), 녹색 패턴(21G) 및 청색 패턴(21B)의 3색 패턴에 의해 구성되는 바, 적색 패턴(21R)을 격벽으로서 이용한 경우, 가스 배리어층(19)의 최외주부에 형성되는 적색 패턴(21R)이 남게 된다. 이 경우, 당해 적색 패턴(21R)을 표시에 기여하지 않는 더미 패턴으로 하는 것이 바람직하다.
또한, 본 실시 형태에 있어서는, 적색 패턴(21R)을 격벽으로 하여 녹색 패턴(21G)을 형성하고, 적색 패턴(21R) 및 녹색 패턴(21G)의 양쪽의 패턴을 격벽으로 하여 청색 패턴(21B)을 형성하고 있지만, 이에 한하지 않는다. 예를 들면, 포토리소그래피법을 이용하여 각 패턴(21R, 21G, 21B)을 소정의 간격을 두고 형성해도 좋다. 이에 따라, 각 패턴(21R, 21G, 21B)의 전부를 표시에 기여시키는 패턴으로 할 수 있다.
도 4(d)로 되돌아와, 제1 서브 필터층(21)의 상면에, 적색 패턴용의 컬러 레지스트(22RE)를 도포한다. 컬러 레지스트(22RE)를 도포할 때에는, 당해 컬러 레지스트(22RE)의 두께가 전술한 컬러 레지스트(21RE)의 두께와 대체로 동일해지도록 도포한다.
다음으로, 도 4(e)에 나타내는 바와 같이, 적색 패턴용의 포토 마스크(30R)를 개재하여, 컬러 레지스트(22RE)를 노광하여 UV 경화시켜, 불용화시킨다.
다음으로, 도 5(a)에 나타내는 바와 같이, 현상액에 의해 컬러 레지스트(22RE)의 불필요한 부분을 제거한 후, 남은 컬러 레지스트(22RE)를 베이킹으로 경화시킨다. 이에 따라, 제1 서브 필터층(21)의 상면에, 적색 패턴(22R)이 형성된다.
다음으로, 제1 서브 필터층(21)의 상면에, 적색 패턴(22R)의 단부에 형성된 적색 테이퍼부(22Rb)와, 평면에서 보았을 때에 있어서 녹색 패턴(22G)의 단부에 형성되는 녹색 테이퍼부(22Gb)가 겹치도록 녹색 패턴(22G)을 형성한다.
구체적으로는, 적색 패턴(22R)을 격벽으로 하여, 녹색 패턴용의 컬러 레지스트(22GE)를 도포한다. 컬러 레지스트(22GE)를 도포할 때에는, 당해 컬러 레지스트(22GE)의 두께가 전술한 컬러 레지스트(21GE)의 두께와 대체로 동일해지도록 도포한다.
다음으로, 도 5(c)에 나타내는 바와 같이, 녹색 패턴용의 포토 마스크(30G)를 개재하여, 컬러 레지스트(22GE)를 노광하여 UV 경화시켜, 불용화시킨다.
다음으로, 도 5(d)에 나타내는 바와 같이, 현상액에 의해 컬러 레지스트(22GE)의 불필요한 부분을 제거한 후, 남은 컬러 레지스트(22GE)를 베이킹으로 경화시킨다. 이에 따라, 제1 서브 필터층(21)의 상면에, 녹색 패턴(22G)이 형성된다. 제1 서브 필터층(21) 상에는, 적색 테이퍼부(22Rb)와 녹색 테이퍼부(22Gb)가 평면에서 보았을 때에 있어서 겹치도록 배치된다.
다음으로, 도 5(e)에 나타내는 바와 같이, 적색 패턴(22R) 및 녹색 패턴(22G)의 양쪽의 패턴을 격벽으로 하여, 청색 패턴용의 컬러 레지스트(22BE)를 도포한다. 컬러 레지스트(22BE)를 도포할 때에는, 당해 컬러 레지스트(22BE)의 두께가 전술한 컬러 레지스트(21BE)의 두께와 대체로 동일해지도록 도포한다.
다음으로, 컬러 레지스트(22BE)를 베이킹으로 경화시킨다. 이에 따라, 도 2에 나타내는 바와 같이, 제1 서브 필터층(21)의 상면에, 청색 패턴(22B)이 형성된다. 제1 서브 필터층(21) 상에는, 녹색 테이퍼부(22Gb)와 청색 테이퍼부(22Bb)가 평면에서 보았을 때에 있어서 겹치도록 배치됨과 함께, 청색 테이퍼부(22Bb)와 적색 테이퍼부(22Rb)가 평면에서 보았을 때에 있어서 겹치도록 배치된다.
이상의 공정에 의해, 제1 서브 필터층(21)의 상면에, 제2 서브 필터층(22)이 형성된다. 이에 따라, 가스 배리어층(19)의 상면에, 컬러 필터층(20)이 형성된다.
여기에서, 제2 서브 필터층(22)에 있어서의 착색 패턴은, 적색 패턴(22R), 녹색 패턴(22G) 및 청색 패턴(22B)의 3색의 패턴에 의해 구성되는 바, 적색 패턴(22R)을 격벽으로서 이용한 경우, 제1 서브 필터층(21)의 최외주부에 형성되는 적색 패턴(22R)이 남게 된다. 이 경우, 당해 적색 패턴(22R)을 표시에 기여하지 않는 더미 패턴으로 하는 것이 바람직하다.
또한, 본 실시 형태에 있어서는, 적색 패턴(22R)을 격벽으로 하여 녹색 패턴(22G)을 형성하고, 적색 패턴(22R) 및 녹색 패턴(22G)의 양쪽의 패턴을 격벽으로 하여, 청색 패턴(22B)을 형성하고 있지만, 이에 한하지 않는다. 예를 들면, 가스 배리어층(19)의 상면에 미리 격벽층을 형성한 후에, 전술한 각 패턴(21R, 21G, 21B)을 형성하고, 그 후, 포토리소그래피법을 이용하여, 각 패턴(21R, 21G, 21B)의 상면에, 각 패턴(22R, 22G, 22B)을 각각 형성해도 좋다. 이에 따라, 각 패턴(22R, 22G, 22B)의 전부를 표시에 기여시키는 패턴으로 할 수 있다.
다음으로, 도 6(a)에 나타내는 바와 같이, 보호 기판(25)의 주변부에 주변 시일층(23)을 형성한다.
구체적으로는, 니들 디스펜스법(needle dispensing method)의해 전술한 자외선 경화성 수지 재료를 보호 기판(25)의 주위에 도포해 간다. 또한, 이 도포 방법은, 스크린 인쇄법을 이용해도 좋다.
다음으로, 도 6(b)에 나타내는 바와 같이, 보호 기판(25)의 주변 시일층(23)에 둘러싸인 내부에 충전층(24)을 형성한다.
구체적으로는, 제트 디스펜스법(jet dispensing method)에 의해 전술한 열강화성 수지 재료를 도포해 간다. 또한, 이 열강화성 수지 재료는, 반드시 보호 기판(25)의 전면에 도포할 필요는 없고, 보호 기판(25) 상의 복수 개소에 도포하면 좋다.
다음으로, 도 6(c)에 나타내는 바와 같이, 주변 시일층(23) 및 충전층(24)의 재료액이 도포된 보호 기판(25)에 자외선 조사를 행한다.
구체적으로는, 주변 시일층(23)을 가경화(temporarily cure)시키는 목적으로, 예를 들면, 조도 30mW/cm2, 광량 2000mJ/cm2의 자외선을 보호 기판(25) 상에 조사한다. 이때, 자외선 경화성 수지인 주변 시일층(23)의 재료액만이 경화되어 점도가 향상된다.
다음으로, 가스 배리어층(19)의 표면에 컬러 필터층(20)이 형성된 소자 기판(10)측과, 주변 시일층(23)이 가경화된 보호 기판(25)을 접합한다. 이때, 주변 시일층(23)이 소자 기판(10) 상에 형성된 유기 완충층(18)의 주변 단부의 솟아오른 부분(rising portion)을 완전히 피복하도록 배치한다.
구체적으로는, 이 접합 공정은, 진공도가 예를 들면 1Pa의 진공 분위기하에서 행하며, 가압 600N(뉴턴)으로 200초간 유지하여 압착시킨다.
다음으로, 압착하여 접합한 유기 EL 장치(1)를 대기 중에서 가열한다.
구체적으로는, 소자 기판(10)과 보호 기판(25)을 접합한 상태로 대기 중에 있어서 가열함으로써, 전술한 가경화한 주변 시일층(23)과, 충전층(24)을 열경화시킨다.
이상의 공정을 거침으로써, 전술한 본 실시 형태에 있어서의 유기 EL 장치(1)(도 1 참조)를 얻을 수 있다.
본 실시 형태의 유기 EL 장치 및 유기 EL 장치(1)의 제조 방법에 의하면, 포토리소그래피법을 이용하여 복수의 서브 필터층(21, 22)을 적층함으로써 컬러 필터층(20)을 형성하고 있다. 그 때문에, 컬러 필터층(20)에 소정의 두께가 필요한 경우라도, 각각의 서브 필터층(21, 22)의 두께(D1, D2)를 얇게 함으로써, 당해 각각의 서브 필터층(21, 22)의 단부에 발생하는 컬러 필터층(20)의 형성 재료가 테이퍼 형상이 되는 현상을 억제할 수 있다. 이에 따라, 당해 각각의 서브 필터층(21, 22)의 테이퍼부(21Rb, 21Gb, 21Bb)의 폭(W1, W2)을, 포토리소그래피법을 이용하여 단층의 컬러 필터층을 형성한 경우의 당해 컬러 필터층의 테이퍼부의 폭보다도 작게 할 수 있다. 그 때문에, 컬러 필터층(20) 중 소정의 두께가 실현되어 있는 영역을 크게 할 수 있다. 따라서, 높은 색재현성을 실현하는 것이 가능한 유기 EL 장치(1)를 제조할 수 있다.
각각의 서브 필터층의 두께를 서로 크게 달리하면, 상대적으로 두께가 두꺼운 서브 필터층에서는 테이퍼부의 폭이 커지고, 상대적으로 두께가 얇은 서브 필터층에서는 테이퍼부의 폭이 작아진다. 그 때문에, 컬러 필터층 중 소정의 두께가 실현되어 있는 영역을 충분히 얻는 것은 곤란하다.
이에 대하여, 본 실시 형태에 의하면, 각각의 서브 필터층(21, 22)의 두께(D1, D2)를 서로 대체로 동일하게 함으로써, 당해 각각의 서브 필터층(21, 22)의 테이퍼부(21Rb, 21Gb, 21Bb)의 폭(W1, W2)을 서로 대체로 동일한 크기로 할 수 있다. 따라서, 컬러 필터층(20) 중 소정의 두께가 실현되어 있는 영역을 최대한 얻을 수 있다.
또한, 적색 테이퍼부(21Rb)와 녹색 테이퍼부(21Gb), 녹색 테이퍼부(21Gb)와 청색 테이퍼부(21Bb), 청색 테이퍼부(21Bb)와 적색 테이퍼부(21Rb)가 각각 평면에서 보았을 때에 있어서 겹치도록 형성된다. 따라서, 컬러 필터층(20) 중 소정의 두께가 실현되어 있는 영역을 넓은 범위로 얻을 수 있다.
또한, 소자 기판(10)의 발광 소자(12)가 봉지층에 의해 봉지되고, 당해 봉지층의 상면에 컬러 필터층(20)이 형성된, 소위 톱 이미션 방식의 OCCF(On-chip Color Filter) 구조에 있어서, 높은 색재현성을 실현하는 것이 가능한 유기 EL 장치(1)의 제조 방법을 실현할 수 있다.
또한, 발광 소자(12)가 전극 보호층(17) 및 가스 배리어층(19)의 양쪽의 봉지층에 의해 봉지되기 때문에, 외부로부터 발광 소자(12)에 수분이나 산소 등이 침입하여 발광 소자(12)가 열화되는 것을 억제할 수 있다. 또한, 발광 소자(12) 상에 형성된 전극 보호층(17)의 상면이 요철 형상이라도, 컬러 필터층(20)이 형성되는 영역(가스 배리어층(19)의 상면)이 유기 완충층(18)에 의해 평탄화된다. 따라서, 컬러 필터층(20)을 형성하기 쉬워진다.
또한, 컬러 필터층(20)이 2개의 서브 필터층(21, 22)으로 이루어지기 때문에 간단한 구성으로, 표시 품질의 향상을 도모하는 것이 가능한 유기 EL 장치(1)를 실현할 수 있다.
또한, 본 실시 형태에 있어서는, 톱 이미션 구조의 유기 EL 장치(1)를 예로 들어 설명했지만, 이에 한하지 않고, 보텀 이미션 구조의 유기 EL 장치에 있어서도 본 발명을 적용 가능하다. 예를 들면, 보텀 이미션 구조의 유기 EL 장치는, 소자 기판의 유기 EL 소자가 형성된 측과는 반대측에, 컬러 필터층이 형성된다.
또한, 본 실시 형태에 있어서는, 유기 EL 장치(1)가, 주변 시일층(23), 충전층(24) 및 보호 기판(25)을 구비한 구성을 예로 들어 설명했지만, 이에 한하지 않고, 주변 시일층(23), 충전층(24) 및 보호 기판(25)을 구비하고 있지 않은 구성이라도 좋다. 이 경우, 가스 배리어층(19) 상에 형성된 컬러 필터층(20)이 노출되는 부위 전체를 덮는 보호막을 형성하는 것이 바람직하다.
(제2 실시 형태)
도 7은, 도 1에 대응한, 본 발명의 제2 실시 형태에 따른 유기 EL 장치(2)를 나타내는 단면도이다.
도 7에 나타내는 바와 같이, 본 실시 형태에 따른 유기 EL 장치(2)는, 제1 서브 필터층(21)과 제2 서브 필터층(22)과의 사이에 평탄화층(26)이 형성되어 있는 점에서 전술한 제1 실시 형태에 따른 유기 EL 장치(1)와 상이하다. 그 외의 점은 전술한 구성과 동일하기 때문에, 도 1과 동일한 요소에는 동일한 부호를 붙여, 상세한 설명은 생략한다.
도 7에 나타내는 바와 같이, 유기 EL 장치(2)는, 소자 기판(10)과, 소자 기판(10) 상의 발광 소자(12)가 노출되는 부위 전체를 덮어 형성된 전극 보호층(17)과, 전극 보호층(17) 상에 형성된 유기 완충층(18)과, 전극 보호층(17) 상에 유기 완충층(18)이 노출되는 부위 전체를 덮어 형성된 가스 배리어층(19)과, 가스 배리어층(19) 상에 형성된 제1 서브 필터층(21)과, 가스 배리어층(19) 상의 제1 서브 필터층(21)이 노출되는 부위 전체를 덮어 형성된 평탄화층(26)과, 평탄화층(26) 상의 제1 서브 필터층(21)과 평면에서 보았을 때에 있어서 겹치는 위치에 형성된 제2 서브 필터층(22)과, 소자 기판(10)의 외주부를 따라서 배치된 주변 시일층(23)과, 주변 시일층(23)의 내부에 형성된 충전층(24)과, 주변 시일층(23)을 개재하여 소자 기판(10)과 접합된 보호 기판(25)을 구비하고 있다. 본 실시 형태에 있어서는, 평탄화층(26)을 사이에 두고 배치된 제1 서브 필터층(21)과 제2 서브 필터층(22)에 의해 컬러 필터층(20)이 구성되어 있다.
평탄화층(26)은, 제1 서브 필터층(21)을 구성하는 각 패턴(21R, 21G, 21B)의 형상의 영향에 의해, 요철 형상으로 형성된 제1 서브 필터층(21)의 요철 부분을 메우도록 배치되어 있다. 평탄화층(26)의 상면은 대략 평탄하게 형성되어 있다.
평탄화층(26)의 형성 재료로서는, 예를 들면, 전술한 유기 완충층(18)의 형성 재료와 동일한 것이 이용된다. 예를 들면, 비스페놀 A형 에폭시 올리고머나 비스페놀 F형 에폭시 올리고머 등의 에폭시기를 갖는 분자량 3000 이하의 에폭시 모노머/올리고머가 이용된다.
다음으로, 도 8을 참조하여 본 실시 형태에 있어서의 유기 EL 장치(2)의 제조 방법을 설명한다. 도 8은, 유기 EL 장치(2)의 제조 공정에 대한 설명도이다. 또한, 가스 배리어층(19)의 상면에, 제1 서브 필터층(21)을 형성할 때까지의 공정에 대해서는, 전술한 제1 실시 형태에 있어서의 유기 EL 장치(1)의 제조 방법(도 3(a)∼도 4(c))과 동일하기 때문에, 상세한 설명은 생략한다.
우선, 도 8(a)에 나타내는 바와 같이, 소자 기판(10) 상의 가스 배리어층(19) 및 제1 서브 필터층(21)이 노출되는 부위 전체를 덮어 평탄화층(26)을 형성한다.
구체적으로는, 감압 분위기하에서 스크린 인쇄를 행한 평탄화층(26)을, 60∼100℃의 범위에서 가열하여 경화시킨다. 예를 들면, 어느 정도 경화가 진행될 때까지는 저온에서 방치하고, 어느 정도 고점도화된 곳에서 온도를 올려 완전 경화시키는 것이 바람직하다.
다음으로, 도 8(b)에 나타내는 바와 같이, 평탄화층(26)의 상면에 제2 서브 필터층(22)을 형성한다. 제2 서브 필터층(22)을 형성할 때에는, 각 패턴(22R, 22 G, 22B)이 평면에서 보았을 때에 있어서 제1 서브 필터층(21)의 각 패턴(21R, 21 G, 21B)과 각각 겹치도록 한다. 또한, 제2 서브 필터층(22)의 형성 공정에 대해서는, 전술한 제1 실시 형태에 있어서의 유기 EL 장치(1)의 제조 방법(도 4(d)∼도 5(e))과 동일하기 때문에, 상세한 설명은 생략한다.
이상의 공정에 의해, 제1 서브 필터층(21)의 위에, 평탄화층(26)을 개재하여 제2 서브 필터층(22)이 형성된다. 이에 따라, 가스 배리어층(19)의 위에, 컬러 필터층(20)이 형성된다.
이하, 보호 기판(25)의 주변부에 주변 시일층(23)을 형성하는 공정, 보호 기판(25)의 주변 시일층(23)에 둘러싸인 내부에 충전층(24)을 형성하는 공정, 주변 시일층(23) 및 충전층(24)의 재료액이 도포된 보호 기판(25)에 자외선 조사를 행하는 공정, 가스 배리어층(19)의 위에 컬러 필터층(20)이 형성된 소자 기판(10)과, 주변 시일층(23)이 가경화된 보호 기판(25)을 접합하는 공정, 압착하여 접합한 유기 EL 장치(2)를 대기 중에서 가열하는 공정을 거침으로써, 전술한 본 실시 형태에 있어서의 유기 EL 장치(2)(도 7 참조)를 얻을 수 있다.
본 실시 형태의 유기 EL 장치(2) 및 유기 EL 장치(2)의 제조 방법에 의하면, 소자 기판(10) 상에 형성된 제1 서브 필터(21)의 상면이 요철 형상이라도, 제2 서브 필터층(22)이 형성되는 영역이 평탄화층(26)에 의해 평탄화된다. 따라서, 제2 서브 필터층(22)을 형성하기 쉬워진다.
(제3 실시 형태)
도 9는, 도 7에 대응한, 본 발명의 제3 실시 형태에 따른 유기 EL 장치(3)를 나타내는 단면도이다.
도 9에 나타내는 바와 같이, 본 실시 형태에 따른 유기 EL 장치(3)는, 서로 이웃하는 위치에 배치된 각 패턴의 테이퍼부가 서로 겹치는 부분 상에 차광층(27)이 형성되어 있는 점에서 전술한 제2 실시 형태에 따른 유기 EL 장치(2)와 상이하다. 그 외의 점은 전술한 구성과 동일하기 때문에, 도 7과 동일한 요소에는 동일한 부호를 붙여, 상세한 설명은 생략한다.
도 9에 나타내는 바와 같이, 유기 EL 장치(3)는, 소자 기판(10)과, 소자 기판(10) 상의 발광 소자(12)가 노출되는 부위 전체를 덮어 형성된 전극 보호층(17)과, 전극 보호층(17) 상에 형성된 유기 완충층(18)과, 전극 보호층(17) 상에 유기 완충층(18)이 노출되는 부위 전체를 덮어 형성된 가스 배리어층(19)과, 가스 배리어층(19) 상에 형성된 제1 서브 필터층(21)과, 제1 서브 필터층(21) 상의 각 패턴(21R, 21G, 21B)의 테이퍼부(21Rb, 21Gb, 21Bb)가 서로 겹치는 부분 상에 형성된 차광층(27)과, 가스 배리어층(19) 상의 제1 서브 필터층(21) 및 차광층(27)이 노출되는 부위 전체를 덮어 형성된 평탄화층(26)과, 평탄화층(26) 상의 제1 서브 필터층(21)과 평면에서 보았을 때에 있어서 겹치는 위치에 형성된 제2 서브 필터층(22)과, 소자 기판(10)의 외주부를 따라서 배치된 주변 시일층(23)과, 주변 시일층(23)의 내부에 형성된 충전층(24)과, 주변 시일층(23)을 개재하여 소자 기판(10)과 접합된 보호 기판(25)을 구비하고 있다. 본 실시 형태에 있어서는, 평탄화층(26) 및 차광층(27)을 사이에 두고 배치된 제1 서브 필터층(21)과 제2 서브 필터층(22)에 의해 컬러 필터층(20)이 구성되어 있다.
차광층(27)은, 카본 블랙 등의 안료가 혼입된 수지로 이루어지는 차광층이며, 적절한 색변환을 행하기 때문에, 각 패턴(21R, 21G, 21B)이 인접하는 화소 영역 간의 광 누출을 방지하는 것이다. 차광층(27)은, 발액성을 갖는 불소 원자를 포함하고 있는 수지로 이루어져 있고, 층 전체가 불소 수지로 형성되어 있어도, 표면만이 불소 원자가 많이 존재하도록 어떤 표면 처리가 시행된 수지층이라도 좋다. 차광층(27)의 폭은, 테이퍼부(21Rb, 21Gb, 21Bb)의 폭과 대략 동일한 폭으로 되어 있다. 차광층(27)의 막두께는, 차광성을 고려하여 0.5∼2㎛ 정도의 비교적 두꺼운 막두께로 형성된다.
평탄화층(26)은, 제1 서브 필터층(21) 상에 형성된 차광층(27)의 요철 부분(차광층(27)의 광투과 부분 및 차광 부분)을 메우도록 배치되어 있다. 평탄화층(26)의 상면은 대략 평탄하게 형성되어 있다.
다음으로, 도 10을 참조하여 본 실시 형태에 있어서의 유기 EL 장치(3)의 제조 방법을 설명한다. 도 10은, 유기 EL 장치(3)의 제조 공정에 대한 설명도이다. 또한, 가스 배리어층(19)의 상면에, 제1 서브 필터층(21)을 형성할 때까지의 공정에 대해서는, 전술한 제1 실시 형태에 있어서의 유기 EL 장치(1)의 제조 방법(도 3(a)∼도 4(c))과 동일하기 때문에, 상세한 설명은 생략한다.
우선, 도 10(a)에 나타내는 바와 같이, 제1 서브 필터층(21)의 상면에 차광층(27)을 형성한다. 차광층(27)을 형성할 때에는, 차광 부분이 평면에서 보았을 때에 있어서 제1 서브 필터층(21)의 각 패턴(21R, 21G, 21B)의 테이퍼부(21Rb, 21Gb, 21Bb)가 서로 겹치는 부분과 겹치도록 한다.
구체적으로는, 대기 분위기하에서 차광층(27)의 재료액을 잉크젯법에 의해 제1 서브 필터층(21)의 상면에 도포해 간다. 이때, 소자 기판(10) 상의 화소 격벽(16)의 형성 영역과 평면에서 보았을 때에 있어서 겹치는 영역에 도포해 간다. 또한, 필요에 따라서, 차광층(27)의 형성 영역 이외의 영역에, 미리 레지스트 등으로 격벽을 패턴 형성해 두어도 좋다. 다음으로, 소자 기판(10)을 차광층(27)의 재료액만이 도포된 상태로 건조 경화시킨다.
또한, 차광층(27)의 재료액의 도포 방법은, 잉크젯법 이외에도, 제트 디스펜스법, 니들 디스펜스법 등의 비접촉 도포법을 이용해도 좋다.
다음으로, 도 10(b)에 나타내는 바와 같이, 소자 기판(10) 상의 가스 배리어층(19), 제1 서브 필터층(21) 및 차광층(27)이 노출되는 부위 전체를 덮어 평탄화층(26)을 형성한다.
구체적으로는, 감압 분위기하에서 스크린 인쇄를 행한 평탄화층(26)을, 60∼100℃의 범위에서 가열하여 경화시킨다. 예를 들면, 어느 정도 경화가 진행될 때까지는 저온에서 방치하고, 어느 정도 고점도화된 곳에서 온도를 올려 완전 경화시키는 것이 바람직하다.
다음으로, 도 10(b)에 나타내는 바와 같이, 평탄화층(26)의 상면에 제2 서브 필터층(22)을 형성한다. 제2 서브 필터층(22)을 형성할 때에는, 각 패턴(22R, 22G, 22B)이 평면에서 보았을 때에 있어서 제1 서브 필터층(21)의 각 패턴(21R, 21G, 21B)과 각각 겹치도록 한다.
이상의 공정에 의해, 제1 서브 필터층(21)의 위에, 평탄화층(26) 및 차광층(27)을 개재하여 제2 서브 필터층(22)이 형성된다. 이에 따라, 가스 배리어층(19)의 위에, 컬러 필터층(20)이 형성된다.
이하, 보호 기판(25)의 주변부에 주변 시일층(23)을 형성하는 공정, 보호 기판(25)의 주변 시일층(23)에 둘러싸인 내부에 충전층(24)을 형성하는 공정, 주변 시일층(23) 및 충전층(24)의 재료액이 도포된 보호 기판(25)에 자외선 조사를 행하는 공정, 가스 배리어층(19)의 위에 컬러 필터층(20)이 형성된 소자 기판(10)과, 주변 시일층(23)이 가경화된 보호 기판(25)을 접합하는 공정, 압착하여 접합한 유기 EL 장치(3)를 대기 중에서 가열하는 공정을 거침으로써, 전술한 본 실시 형태에 있어서의 유기 EL 장치(3)(도 9 참조)를 얻을 수 있다.
본 실시 형태의 유기 EL 장치(3)에 의하면, 발광 소자(12)에서 발광한 빛이 차광층(27)에서 차광되기 때문에, 발광 소자(12)에서 발광한 빛은 당해 발광 소자(12)에 대응하는 패턴을 투과하게 되어, 옆의 패턴을 통과하는 것이 회피된다. 따라서, 발광색의 혼색을 억제할 수 있다.
(제4 실시 형태)
도 11은, 도 1에 대응한, 본 발명의 제4 실시 형태에 따른 유기 EL 장치(4)를 나타내는 단면도이다.
도 11에 나타내는 바와 같이, 본 실시 형태에 따른 유기 EL 장치(4)는, 컬러 필터층(20) 대신에 컬러 필터층(40)을 구비하는 점에서 전술한 제1 실시 형태에 따른 유기 EL 장치(1)와 상이하다. 그 외의 점은 전술한 구성과 동일하기 때문에, 도 1과 동일한 요소에는 동일한 부호를 붙여, 상세한 설명은 생략한다.
도 11에 나타내는 바와 같이, 유기 EL 장치(4)는, 소자 기판(10)과, 소자 기판(10) 상의 발광 소자(12)가 노출되는 부위 전체를 덮어 형성된 전극 보호층(17)과, 전극 보호층(17) 상에 형성된 유기 완충층(18)과, 전극 보호층(17) 상에 유기 완충층(18)이 노출되는 부위 전체를 덮어 형성된 가스 배리어층(19)과, 가스 배리어층(19) 상에 형성된 컬러 필터층(40)과, 소자 기판(10)의 외주부를 따라서 배치된 주변 시일층(23)과, 주변 시일층(23)의 내부에 형성된 충전층(24)과, 주변 시일층(23)을 개재하여 소자 기판(10)과 접합된 보호 기판(25)을 구비하고 있다.
본 실시 형태의 컬러 필터층(40)은, 제1 서브 필터층(41)과, 각 패턴의 두께가 조정된 제2 서브 필터층(42)이 적층되어 형성되어 있다.
제1 서브 필터층(41)은, 적색 패턴(41R)과 녹색 패턴(41G)과 청색 패턴(41B)이 서로 이웃하도록 배열되어 있다.
제2 서브 필터층(42)은, 적색 패턴(42R)과 녹색 패턴(42G)과 청색 패턴(42B)이 서로 이웃하도록 배열되어 있다.
본 실시 형태에 있어서는, 제1 서브 필터층(41)은, 적색 패턴(41R)의 두께와 녹색 패턴(41G)의 두께와 청색 패턴(41B)의 두께가 대체로 동일해지도록 형성되어 있다. 한편, 제2 서브 필터층(42)은, 적색 패턴(42R)의 두께보다도 녹색 패턴(42G)의 두께 쪽이 두껍고, 녹색 패턴(42G)의 두께보다도 청색 패턴(42B)의 두께 쪽이 두꺼워지도록 형성되어 있다.
제1 서브 필터층(41)의 두께를 전체적으로 균일하게 하고, 그리고, 제2 서브 필터층(42)의 각 패턴(42R, 42G, 42B)의 두께를 각각 조정함으로써 컬러 필터층(40)이 소망하는 색 변환 특성을 얻고 있다.
또한, 본 실시 형태에 있어서는, 제1 서브 필터층(41)이, 적색 패턴(41R)의 두께와 녹색 패턴(41G)의 두께와 청색 패턴(41B)의 두께가 대체로 동일해지도록 형성되어 있지만, 이에 한하지 않는다. 예를 들면, 제1 서브 필터층(41)의 각 패턴(41R, 41G, 41B)의 두께를 각각 조정해도 좋다.
또한, 본 실시 형태에 있어서는, 제2 서브 필터층(42)이, 적색 패턴(42R)의 두께보다도 녹색 패턴(42G)의 두께 쪽이 두껍고, 녹색 패턴(42G)의 두께보다도 청색 패턴(42B)의 두께 쪽이 두꺼워지도록 형성되어 있지만, 이에 한하지 않는다. 예를 들면, 청색 패턴(42B)의 두께보다도 녹색 패턴(42G)의 두께 쪽이 두껍고, 녹색 패턴(42G)의 두께보다도 적색 패턴(42R)의 두께 쪽이 두꺼워지도록 형성되어 있어도 좋다. 각 패턴(42R, 42G, 42B)의 두께는 필요에 따라서 적절히 조정할 수 있다.
다음으로, 도 12를 참조하여 본 실시 형태에 있어서의 유기 EL 장치(4)의 제조 방법을 설명한다. 도 12는, 유기 EL 장치(4)의 제조 공정에 대한 설명도이다. 또한, 제1 서브 필터층(41)의 상면에 제2 서브 필터층(42)의 적색 패턴(42R)을 형성할 때까지의 공정에 대해서는, 전술한 제1 실시 형태에 있어서의 유기 EL 장치(1)의 제조 방법(도 3(a)∼도 5(a))과 동일하기 때문에, 상세한 설명은 생략한다.
우선, 도 12(a)에 나타내는 바와 같이, 제1 서브 필터층(41)의 상면에, 적색 패턴(42R)을 형성한다.
다음으로, 도 12(b)에 나타내는 바와 같이, 제1 서브 필터층(41) 상의 적색 패턴(42R)이 노출되는 부위 전체를 덮어 녹색 패턴용의 컬러 레지스트(42GE)를 도포한다. 여기에서, 컬러 레지스트(42GE)는, 적색 패턴(42R)의 사이의 영역에 배치되는 부분의 두께가 적색 패턴(42R)의 두께보다도 두꺼워지도록 형성한다.
다음으로, 도 12(c)에 나타내는 바와 같이, 녹색 패턴용의 포토 마스크(40G)를 개재하여, 컬러 레지스트(42GE)를 노광하여 UV 경화시켜, 불용화시킨다.
다음으로, 도 12(d)에 나타내는 바와 같이, 현상액에 의해 컬러 레지스트(42GE)의 불필요한 부분을 제거한 후, 남은 컬러 레지스트(42GE)를 베이킹으로 경화시킨다. 이에 따라, 제1 서브 필터층(41)의 상면에, 녹색 패턴(42G)이 형성된다. 제1 서브 필터층(41) 상에는, 적색 테이퍼부(42Rb)와 녹색 테이퍼부(42Gb)가 평면에서 보았을 때에 있어서 겹치도록 배치된다.
다음으로, 도 12(e)에 나타내는 바와 같이, 적색 패턴(42R) 및 녹색 패턴(42G)의 양쪽의 패턴을 격벽으로 하여, 청색 패턴용의 컬러 레지스트(42BE)를 도포한다. 여기에서, 컬러 레지스트(42BE)는, 적색 패턴(42R)과 녹색 패턴(42G)의 사이의 영역에 배치되는 부분의 두께가 녹색 패턴(42G)의 두께보다도 두꺼워지도록 형성한다.
다음으로, 컬러 레지스트(42BE)를 베이킹으로 경화시킨다. 이에 따라, 도 11에 나타내는 바와 같이, 제1 서브 필터층(41)의 상면에, 청색 패턴(42B)이 형성된다. 제1 서브 필터층(41) 상에는, 녹색 테이퍼부(42Gb)와 청색 테이퍼부(42Bb)가 평면에서 보았을 때에 있어서 겹치도록 배치됨과 함께, 청색 테이퍼부(42Bb)와 적색 테이퍼부(42Rb)가 평면에서 보았을 때에 있어서 겹치도록 배치된다.
이상의 공정에 의해, 제1 서브 필터층(41)의 상면에, 각 패턴의 두께가 조정된 제2 서브 필터층(42)이 형성된다. 이에 따라, 가스 배리어층(19)의 상면에, 컬러 필터층(40)이 형성된다.
이하, 보호 기판(25)의 주변부에 주변 시일층(23)을 형성하는 공정, 보호 기판(25)의 주변 시일층(23)에 둘러싸인 내부에 충전층(24)을 형성하는 공정, 주변 시일층(23) 및 충전층(24)의 재료액이 도포된 보호 기판(25)에 자외선 조사를 행하는 공정, 가스 배리어층(19)의 위에 컬러 필터층(40)이 형성된 소자 기판(10)과, 주변 시일층(23)이 가경화된 보호 기판(25)을 접합하는 공정, 압착하여 접합한 유기 EL 장치(4)를 대기 중에서 가열하는 공정을 거침으로써, 전술한 본 실시 형태에 있어서의 유기 EL 장치(4)(도 11참조)를 얻을 수 있다.
본 실시 형태의 유기 EL 장치(4)의 제조 방법에 의하면, 각 패턴의 두께가 조정된 컬러 필터층(40)을 갖는 구성에 있어서, 높은 색재현성을 실현하는 것이 가능한 유기 EL 장치(4)를 제조할 수 있다.
(전자 기기)
다음으로, 상기 실시 형태의 유기 EL 장치를 구비한 전자 기기의 예에 대해서 설명한다.
도 13(a)는, 휴대 전화의 일 예를 나타낸 사시도이다. 도 13(a)에 있어서, 부호 1000은 휴대 전화 본체를 나타내고, 부호 1001은 유기 EL 장치를 구비한 표시부를 나타내고 있다.
도 13(b)은, 손목 시계형 전자 기기의 일 예를 나타낸 사시도이다. 도 13(b)에 있어서, 부호 1100은 시계 본체를 나타내고, 부호 1101은 유기 EL 장치를 구비한 표시부를 나타내고 있다.
도 13(c)은, 워드프로세서, 퍼스널 컴퓨터 등의 휴대형 정보 처리 장치의 일 예를 나타낸 사시도이다. 도 13(c)에 있어서, 부호 1200은 정보 처리 장치, 부호 1202는 키보드 등의 입력부, 부호 1204는 정보 처리 본체, 부호 1206은 유기 EL 장치를 구비한 표시부를 나타내고 있다.
도 13(a) 내지 도 13(c)에 나타내는 전자 기기는, 앞의 실시 형태에 나타낸 유기 EL 장치가 구비된 것이기 때문에, 표시 특성이 양호한 전자 기기가 된다.
또한, 전자 기기로서는, 상기 이외에도, 엔지니어링·워크스테이션(EWS), 페이저, 텔레비전, 뷰 파인더형 또는 모니터 직시형의 비디오 테이프 리코더, 전자 수첩, 전자 탁상 계산기, 카 내비게이션 장치, POS 단말, 터치 패널, 헤드 마운트 디스플레이(HMD) 등을 들 수 있다.
1, 2, 3, 4 : 유기 EL 장치
10 : 소자 기판
12 : 발광 소자(유기 EL 소자)
15 : 유기 기능층
17 : 전극 보호층(제1 무기 봉지층)
18 : 유기 완충층
19 : 가스 배리어층(제2 무기 봉지층)
20, 40 : 컬러 필터층
21, 41 : 제1 서브 필터층
21R, 22R, 41R, 42R : 적색 패턴
21Ra, 22Ra, 41Ra, 42Ra : 적색 본체부
21Rb, 22Rb, 41Rb, 42Rb : 적색 테이퍼부
21G, 22G, 41G, 42G : 녹색 패턴
21Ga, 22Ga, 41Ga, 42Ga : 녹색 본체부
21Gb, 22Gb, 41Gb, 42Gb : 녹색 테이퍼부
21B, 22B, 41B, 42B : 청색 패턴
21Ba, 22Ba, 41Ba, 42Ba : 청색 본체부
21Bb, 22Bb, 41Bb, 42Bb : 청색 테이퍼부
22, 42 : 제2 서브 필터층
26 : 평탄화층
27 : 차광층
1000 : 휴대 전화(전자 기기)
1100 : 손목 시계형 전자 기기(전자 기기)
1200 : 휴대형 정보 처리 장치(전자 기기)
D1 : 제1 서브 필터층의 두께
D2 : 제2 서브 필터층의 두께
W1 : 제1 서브 필터층의 테이퍼부의 폭
W2 : 제2 서브 필터층의 테이퍼부의 폭

Claims (7)

  1. 기판과,
    상기 기판 상에 형성된 컬러 필터층과,
    상기 기판과 상기 컬러 필터층의 사이에 형성된 제1 전극과,
    상기 제1 전극과 대향하여 형성된 제2 전극과,
    상기 제1 전극과 동일 층에, 상기 제2 전극과 대향하여 형성된 제3 전극과,
    상기 제1 전극과 상기 제2 전극의 사이에 형성된 유기 발광층을 갖고,
    상기 컬러 필터층은,
    상기 기판에 수직인 방향에서 보았을 때에 상기 제1 전극과 겹치는 영역에 형성된, 제1 색을 투과하는 제1 서브 필터층과 제2 서브 필터층과,
    상기 기판에 수직인 방향에서 보았을 때에 상기 제3 전극과 겹치는 영역에 형성된, 제2 색을 투과하는 제3 서브 필터층과 제4 서브 필터층을 갖고,
    상기 제1 서브 필터층과 상기 제2 서브 필터층은 동일한 재료로 이루어지고, 상기 제1 서브 필터층과 상기 제2 서브 필터층은 적층되어 있고,
    상기 제3 서브 필터층과 상기 제4 서브 필터층은 동일한 재료로 이루어지고,
    상기 제3 서브 필터층과 상기 제4 서브 필터층은 적층되어 있고,
    상기 제1 서브 필터층의 테이퍼 형상의 단부(端部)와 상기 제3 서브 필터층의 테이퍼 형상의 단부는, 상기 기판에 수직인 방향에서 보았을 때에 겹쳐 있고,
    상기 제2 서브 필터층의 테이퍼 형상의 단부와 상기 제4 서브 필터층의 테이퍼 형상의 단부는, 상기 기판에 수직인 방향에서 보았을 때에 겹쳐 있는 것을 특징으로 하는, 유기 EL 장치.
  2. 삭제
  3. 제1항에 있어서,
    상기 제1 서브 필터층과, 상기 제2 서브 필터층과의 사이에 형성된 평탄화층을 갖는 것을 특징으로 하는 유기 EL 장치.
  4. 제1항에 있어서,
    상기 제1 서브 필터층과, 상기 제2 서브 필터층과의 사이에 형성된 평탄화층을 갖고,
    상기 평탄화층의, 상기 기판에 수직인 방향에서 보았을 때에 상기 제1 서브 필터층과 상기 제3 서브 필터층이 겹치는 영역에, 차광층이 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 유기 EL 장치.
  5. 제1항에 있어서,
    상기 제2 전극과, 상기 컬러 필터층과의 사이에 설치된 봉지층을 갖고, 상기 컬러 필터층은 상기 봉지층에 접하고 있는 것을 특징으로 하는 유기 EL 장치.
  6. 기판 상에 제1 전극을 형성하는 공정과,
    상기 제1 전극 상에 유기 발광층을 형성하는 공정과,
    상기 유기 발광층 상에 제2 전극을 형성하는 공정과,
    상기 제1 전극과 동일 층에, 상기 제2 전극과 대향하여 제3 전극을 형성하는 공정과,
    상기 제2 전극 상에, 상기 기판에 수직인 방향에서 보았을 때에 상기 제1 전극 및 제3 전극과 겹치는 영역에 컬러 필터층을 형성하는 공정을 포함하고,
    상기 컬러 필터층을 형성하는 공정은,
    상기 제1 전극과 겹치는 영역에 제1 서브 필터층을 포토리소그래피법에 의해 형성하는 공정과,
    상기 제1 서브 필터층 상에, 제1 서브 필터층과 동일한 재료로 제2 서브 필터층을 포토리소그래피법으로 형성하는 공정과,
    상기 제3 전극과 겹치는 영역에 제3 서브 필터층을 포토리소그래피법에 의해 형성하는 공정과,
    상기 제3 서브 필터층 상에, 제3 서브 필터층과 동일한 재료로 제4 서브 필터층을 포토리소그래피법으로 형성하는 공정
    을 포함하는 유기 EL 장치의 제조 방법으로서,
    상기 방법에 의해서, 상기 제1 서브 필터층의 테이퍼 형상의 단부(端部)와 상기 제3 서브 필터층의 테이퍼 형상의 단부가, 상기 기판에 수직인 방향에서 보았을 때에 겹쳐 있도록 형성되고, 상기 제2 서브 필터층의 테이퍼 형상의 단부와 상기 제4 서브 필터층의 테이퍼 형상의 단부가, 상기 기판에 수직인 방향에서 보았을 때에 겹쳐 있도록 형성되는 것을 특징으로 하는, 유기 EL 장치의 제조 방법.
  7. 제1항, 제3항 내지 제5항 중 어느 한 항에 기재된 유기 EL 장치를 구비한 것을 특징으로 하는, 전자 기기.
KR1020120077089A 2011-07-22 2012-07-16 유기 ｅｌ 장치, 유기 ｅｌ 장치의 제조 방법 및 전자 기기 KR101906320B1 (ko)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2011160714A JP5741274B2 (ja) 2011-07-22 2011-07-22 有機ｅｌ装置及び電子機器
JPJP-P-2011-160714 2011-07-22

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20130011931A KR20130011931A (ko) 2013-01-30
KR101906320B1 true KR101906320B1 (ko) 2018-10-10

Family

ID=47534625

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020120077089A KR101906320B1 (ko) 2011-07-22 2012-07-16 유기 ｅｌ 장치, 유기 ｅｌ 장치의 제조 방법 및 전자 기기

Country Status (5)

Country Link
US (1) US8531103B2 (ko)
JP (1) JP5741274B2 (ko)
KR (1) KR101906320B1 (ko)
CN (1) CN102891167B (ko)
TW (1) TWI560868B (ko)

Families Citing this family (20)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP6216540B2 (ja) * 2012-05-30 2017-10-18 ローム株式会社 有機ｅｌ発光装置およびその製造方法、および積層カラーフィルタ
TWI520398B (zh) 2012-06-15 2016-02-01 群康科技(深圳)有限公司 有機發光裝置及包含其之影像顯示系統
KR102114154B1 (ko) * 2013-07-02 2020-05-25 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치
TWI645560B (zh) 2013-10-10 2018-12-21 日商精工愛普生股份有限公司 發光裝置及包含其之電子機器
JP6318676B2 (ja) * 2014-02-14 2018-05-09 セイコーエプソン株式会社 有機発光装置の製造方法、有機発光装置、及び電子機器
TWI518572B (zh) * 2014-03-07 2016-01-21 群創光電股份有限公司 觸控面板、顯示面板、以及用於保護基板之強化結構
WO2016059497A1 (en) * 2014-10-17 2016-04-21 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light-emitting device, module, electronic device, and method for manufacturing light-emitting device
KR102462424B1 (ko) * 2014-12-30 2022-11-03 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치
KR102513909B1 (ko) * 2015-06-04 2023-03-24 엘지디스플레이 주식회사 유기발광다이오드 표시장치 및 그 제조방법
JP2017147059A (ja) * 2016-02-15 2017-08-24 セイコーエプソン株式会社 電気光学装置及び電子機器
CN107768383B (zh) * 2016-08-19 2021-06-04 群创光电股份有限公司 阵列基板及包括此阵列基板的显示装置
JP2018081799A (ja) 2016-11-15 2018-05-24 セイコーエプソン株式会社 電気光学装置、電気光学装置の製造方法、及び、電子機器
CN109119438B (zh) * 2017-06-26 2020-11-24 京东方科技集团股份有限公司 显示基板及其制造方法、显示装置
JP6443510B2 (ja) * 2017-07-28 2018-12-26 セイコーエプソン株式会社 有機ｅｌ装置、有機ｅｌ装置の製造方法、電子機器
JP7130411B2 (ja) * 2018-04-03 2022-09-05 キヤノン株式会社 発光装置、表示装置および撮像装置
CN108382505B (zh) 2018-05-09 2021-03-19 韩社军 一种具有多自由度的骑行车座
JP6496901B2 (ja) * 2018-06-21 2019-04-10 協立化学産業株式会社 積層体の製造方法
WO2020145148A1 (ja) * 2019-01-08 2020-07-16 ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社 表示装置
JP7132198B2 (ja) * 2019-09-27 2022-09-06 芝浦メカトロニクス株式会社 成膜装置及び埋込処理装置
CN112038384B (zh) * 2020-09-14 2023-01-10 京东方科技集团股份有限公司 一种显示面板及其制作方法、显示装置

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2004349107A (ja) * 2003-05-22 2004-12-09 Toppoly Optoelectronics Corp フルカラー有機電界発光ディスプレイの構造
JP2006196532A (ja) * 2005-01-11 2006-07-27 Toppan Printing Co Ltd カラー固体撮像素子

Family Cites Families (22)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3046701B2 (ja) 1993-12-24 2000-05-29 シャープ株式会社 カラー液晶表示装置
JPH08292428A (ja) 1995-04-24 1996-11-05 Opt Kikaku Kaihatsu Kk カラー光学素子および表示装置
JP3112393B2 (ja) 1995-05-25 2000-11-27 シャープ株式会社 カラー表示装置
JPH09179110A (ja) 1995-12-26 1997-07-11 Casio Comput Co Ltd 液晶表示素子
JP3646510B2 (ja) * 1998-03-18 2005-05-11 セイコーエプソン株式会社 薄膜形成方法、表示装置およびカラーフィルタ
JP2001033618A (ja) 1999-07-22 2001-02-09 Toppan Printing Co Ltd 反射型液晶表示装置用カラーフィルタ
US6552488B1 (en) 1999-08-24 2003-04-22 Agilent Technologies, Inc. Organic electroluminescent device
JP2001305524A (ja) 2000-04-27 2001-10-31 Dainippon Printing Co Ltd 半透過半反射型液晶表示装置
JP2001324710A (ja) 2000-05-17 2001-11-22 Nec Corp 液晶表示装置およびその製造方法ならびに駆動方法
JP4001001B2 (ja) 2001-12-25 2007-10-31 東レ株式会社 液晶表示装置用カラーフィルター、液晶表示装置および液晶表示装置用カラーフィルターの製造方法
SG102064A1 (en) 2001-12-25 2004-02-27 Toray Industries Color filter, liquid crystal display device, and method for making color filter
JP2003329825A (ja) 2002-05-09 2003-11-19 Citizen Watch Co Ltd 液晶表示素子
JP2004045726A (ja) 2002-07-11 2004-02-12 Citizen Watch Co Ltd カラー液晶装置
KR100439650B1 (ko) * 2002-08-14 2004-07-12 엘지.필립스 엘시디 주식회사 콜레스테릭 액정 컬러필터를 이용한 반사형 액정표시장치
KR20050029426A (ko) 2003-09-22 2005-03-28 삼성에스디아이 주식회사 칼라필터층 또는 색변환층을 갖는 풀칼라 유기전계발광소자
JP4578802B2 (ja) 2003-12-25 2010-11-10 ソニー株式会社 カラーフィルタ、カラーフィルタの製造方法および表示装置
JP4918270B2 (ja) 2006-03-29 2012-04-18 凸版印刷株式会社 有機エレクトロルミネッセンス素子および表示装置
US7785938B2 (en) * 2006-04-28 2010-08-31 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd Semiconductor integrated circuit, manufacturing method thereof, and semiconductor device using semiconductor integrated circuit
JP2008066216A (ja) * 2006-09-11 2008-03-21 Seiko Epson Corp 有機エレクトロルミネッセンス装置とその製造方法及び電子機器
KR101327795B1 (ko) * 2006-12-12 2013-11-11 삼성디스플레이 주식회사 액정표시장치
JP2009047879A (ja) * 2007-08-20 2009-03-05 Seiko Epson Corp 有機エレクトロルミネッセンス装置及びその製造方法、電子機器
CN101946193A (zh) * 2008-04-01 2011-01-12 夏普株式会社 滤色器基板和液晶显示装置

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2004349107A (ja) * 2003-05-22 2004-12-09 Toppoly Optoelectronics Corp フルカラー有機電界発光ディスプレイの構造
JP2006196532A (ja) * 2005-01-11 2006-07-27 Toppan Printing Co Ltd カラー固体撮像素子

Also Published As

Publication number Publication date
JP2013026064A (ja) 2013-02-04
US20130020934A1 (en) 2013-01-24
TWI560868B (en) 2016-12-01
JP5741274B2 (ja) 2015-07-01
CN102891167A (zh) 2013-01-23
KR20130011931A (ko) 2013-01-30
CN102891167B (zh) 2016-08-10
US8531103B2 (en) 2013-09-10
TW201306250A (zh) 2013-02-01

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR101906320B1 (ko) 유기 ｅｌ 장치, 유기 ｅｌ 장치의 제조 방법 및 전자 기기
JP4337852B2 (ja) 有機エレクトロルミネッセンス装置とその製造方法及び電子機器
US7915823B2 (en) Organic electroluminescent device with surface-modifying layer, method for manufacturing the same, and electronic apparatus including the same
JP5024220B2 (ja) 有機エレクトロルミネッセンス装置、有機エレクトロルミネッセンス装置の製造方法、電子機器
JP5119865B2 (ja) 有機エレクトロルミネッセンス装置、電子機器
JP4670875B2 (ja) 有機ｅｌ装置
JP5807443B2 (ja) 有機エレクトロルミネッセンス装置、有機エレクトロルミネッセンス装置の製造方法及び電子機器
JP2008066216A (ja) 有機エレクトロルミネッセンス装置とその製造方法及び電子機器
JP5056777B2 (ja) 有機エレクトロルミネッセンス装置、その製造方法および電子機器
JP5605283B2 (ja) 有機エレクトロルミネッセンス装置の製造方法
KR20120022609A (ko) 유기 ｅｌ 장치, 유기 ｅｌ 장치의 제조 방법 및, 전자 기기
JP2008059868A (ja) 有機エレクトロルミネッセンス装置とその製造方法及び電子機器
JP2009134984A (ja) 有機エレクトロルミネッセンス装置およびその製造方法
JP2012216454A (ja) 発光装置及び電子機器
CN113574425B (zh) 显示装置和电子设备
JP2010033734A (ja) 有機エレクトロルミネッセンス装置
JP2009048834A (ja) 有機エレクトロルミネッセンス装置及びその製造方法、電子機器
JP5228513B2 (ja) 有機ｅｌ装置
JP2009048835A (ja) 有機エレクトロルミネッセンス装置及びその製造方法、電子機器
JP5012848B2 (ja) 有機エレクトロルミネッセンス装置及び電子機器
JP2010231908A (ja) 有機エレクトロルミネッセンス装置、電子機器
JP2009252687A (ja) 有機エレクトロルミネッセンス装置の製造方法及び有機エレクトロルミネッセンス装置
JP2011054424A (ja) トップエミッション型有機ｅｌディスプレイ及びその製造方法並びにそれに用いる色フィルター
JP2010182634A (ja) 有機エレクトロルミネッセンス装置
JP2011018508A (ja) 電気光学装置および電子機器

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant