JP2012216454A - 発光装置及び電子機器 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】素子基板23A上に形成された有機発光層12を含む複数の画素と、複数の画素を覆う封止膜17と、封止膜17を介して画素を覆うマイクロレンズ18と、複数のマイクロレンズ18を覆う平坦化層20と、平坦化層20上において画素ごとに形成されたカラーフィルター層22とを少なくとも備え、マイクロレンズ18の屈折率が、平坦化層20の屈折率よりも大きいことを特徴とする。
【選択図】図3
Description
そのうち、カラーフィルター方式は、塗り分け方式に比べると発光層の塗り分けが不要であり、白色発光層をパネル一面に形成することができることから、プロセス的には容易となる。他方、カラーフィルター方式は、光の利用効率が低く、十分な明るさが得られないという問題がある。そのため、有機EL素子の光取り出し効率を上げるために様々な取り組みが行われてきている。
また、カラーフィルターを設置した後にマイクロレンズアレイを設置する構造も考えられるが、通常、隣り合うカラーフィルターに入った光が空気層との界面で全反射されるのに対し、マイクロレンズアレイにより光が取り出されてしまい、広視野角で混色が発生してしまうという課題があった。
これを回避するために封止膜を重ねた封止構造を採用することも考えられるが、この構造上にマイクロレンズアレイを設置し、その上部にカラーフィルターを設置する構造では、発光素子からマイクロレンズアレイまでの距離が離れるために、隣り合うマイクロレンズアレイに入った光が隣り合うカラーフィルターを通して空気層に取り出されてしまうという課題があった。
図1は、本実施形態の有機EL装置の電気的な構成を示す等価回路図である。
図1に示すように、本実施形態の有機EL装置1は、スイッチング素子として薄膜トランジスター(Thin Film Transistor、以下TFTと称する。)を用いたアクティブマトリクス方式である。
有機EL装置1は、複数の走査線101と、各走査線101に対して直角に交差する方向に延びる複数の信号線102と、各信号線102に並列に延びる複数の電源線103とからなる配線構成を有し、走査線101と信号線102との各交点付近に画素領域Xが形成されたものである。
もちろん本発明の技術的思想に沿えば、TFTなどを用いるアクティブマトリクスは必須ではなく、単純マトリクス向けの素子基板を用いて本発明を実施し、単純マトリクス駆動しても全く同じ効果が低コストで得られる。
有機EL装置1の素子基板23Aは、中央部分の実表示領域4(図2中二点鎖線枠内)と、実表示領域4の周囲に配置されたダミー領域5(一点鎖線および二点鎖線の間の領域)とを備えている。
次に、図3を参照して、有機EL装置1の断面構造を説明する。
図3に示すように、有機EL装置1は、陽極10と陰極11(一対の電極)の間に発光層12(有機発光層)を挟持した複数の発光素子24及び発光素子24を区切る画素隔壁13を有する素子基板23Aと、この素子基板23Aに対向配置された封止基板31と、を有している。
本実施形態における有機EL装置1は、いわゆる「トップエミッション構造」の有機EL装置である。トップエミッション構造は、光を素子基板23A側ではなく封止基板31側から取り出すため、素子基板23Aに配置された各種回路の大きさに影響されず、発光面積を広く確保できる効果がある。そのため、電圧及び電流を抑えつつ輝度を確保することが可能であり、発光素子の寿命を長く維持することができる。
図3に示すように、有機EL装置1は、前述した各種配線(例えば、TFT等)が形成された素子基板23A上に、窒化珪素等からなる無機絶縁層14が被覆されている。また、無機絶縁層14にはコンタクトホール(不図示)が形成され、前述した陽極10が駆動用TFT123に接続されている。無機絶縁層14上にはアルミ合金等からなる金属反射板15が内装された平坦化層16が形成されている。
この平坦化層16上には、陽極10と陰極11とが発光層12を挟持して形成され、発光素子24を構成している。また、この発光素子24を区分するように絶縁性の画素隔壁13が配置されている。
なお、本実施形態においては、トップエミッション構造のため、陽極10は必ずしも光透過性を有する材料を用いる必要はなく、アルミ等からなる金属電極を用いてもよい。この構成を採用した場合は、前述した金属反射板15は設けなくてよい。
なお、発光層12の下層にトリアリールアミン(ATP)多量体正孔注入層やTDP(トリフェニルジアミン)系正孔輸送層を成膜し、発光層12の上層にアルミニウムキノリノール(Alq3)層(電子輸送層)を成膜することが好ましい。
この封止膜17は、透明性や密着性、耐水性、ガスバリア性を考慮して酸化珪素、窒化珪素、酸化窒化珪素などの珪素化合物で構成することが望ましい。また、封止膜17の膜厚は100nm以上が好ましく、画素隔壁13を被覆することで発生する応力によるクラック発生を防ぐため、膜厚の上限は400nm以下に設定することが好ましい。
なお、本実施形態においては、封止膜17を単層で形成しているが、複数層で積層してもよい。例えば、低弾性率の下層と高耐水性の上層とで封止膜17を構成してもよい。
また、封止膜は、珪素化合物に限らず酸化アルミニウムを用いて構成してもよい。
このマイクロレンズ18は、画素隔壁13の開口を覆うように配置され、凸状に形成される。このマイクロレンズ18の形成方法としては、フォトリソグラフィ法やインクジェット法などの塗布方式により、フッ素系樹脂や酸化チタンなどの無機ナノ粒子を混入したアクリル樹脂など屈折率が1.6以上の樹脂を塗布してサブ画素ごとにパターニングする方法が挙げられる。
マイクロレンズ18にこれらの樹脂をもちいる理由としては、屈折率が高くまた、弾性率が10GPa以下と非常に低弾性率化が可能なためである。この結果、素子基板23Aの反りや体積膨張により発生する応力を緩和し、不安定な形状の画素隔壁13からの封止膜17の剥離を防止する機能を有する。さらに、その上部に配置する平坦化層20との応力を緩和させるためにマイクロレンズ18の立ち上がり角度は、70°以下で作製する。
また、マイクロレンズ18の代わりに断面が円弧状のシリンドリカルレンズ19を同色のサブ画素に跨ってストライプ状に配置してもよい。
このような平坦化層20の形成方法としては、スピンコート法やスリットコート法などの塗布方式が用いられ、この材料としては、SiO(酸化シリコン)を骨格とした無機膜あるいは有機膜と無機膜のハイブリッド膜を用いる。
SiO(酸化シリコン)を骨格とした無機膜あるいは有機膜と無機膜のハイブリッド膜は、通常、透過性が高くかつ屈折率が1.4前後であり、マイクロレンズ18との屈折率差によりマイクロレンズ18が光学レンズとして機能することができる。このときの屈折率差は、レンズとして機能させるため、大きければ大きいほどよい(0.3以上が好ましい)。そのため、マイクロレンズ18には、樹脂として可能な1.6以上、具体的には1.6〜1.9の高屈折率が必要となり、また平坦化層20には1.5以下、具体的には1.2〜1.5の低屈折率が必要となる。
さらに、カラーフィルター層22が形成された素子基板23Aに封止基板31が対向配置される。
この封止基板31は、発光光を取り出す表示面を構成するため、ガラスまたは透明プラスチック(ポリエチレンテレフタレート、アクリル樹脂、ポリカーボネ―ト、ポリオレフィン等)などの光透過性を有する材料が用いられている。
この周辺シール層33は、素子基板23Aと封止基板31の貼り合わせの位置精度の向上と後述する充填層34(接着剤層)のはみ出しを防止する土手の機能を有し、紫外線によって硬化して粘度が向上するエポキシ材料等で構成されている。好ましくは、エポキシ基を有する分子量3000以下のエポキシモノマー/オリゴマーが用いられる(モノマーの定義:分子量1000以下、オリゴマーの定義:分子量1000〜3000)。例えば、ビスフェノールA型エポキシオリゴマーやビスフェノールF型エポキシオリゴマー、フェノールノボラック型エポキシオリゴマー、ポリエチレングリコールジグリシジルエーテル、アルキルグリシジルエーテル、3,4-エポキシシクロヘキセニルメチル-3',4'-エポキシシクロヘキセンカルボキシレート、ε-カプロラクトン変性3,4-エポキシシクロヘキシルメチル3',4'-エポキシシクロヘキサンカルボキレートなどがあり、これらが単独もしくは複数組み合わされて用いられる。
この充填層34は、前述した周辺シール層33で囲まれた有機EL装置1の内部に隙間なく充填されており、素子基板23Aに対向配置された封止基板31を固定させ、かつ外部からの機械的衝撃に対して緩衝機能を有し、発光層12や第2封止膜21の保護をするものである。
次に、上記実施形態の有機EL装置を備えた電子機器の例について図4(a)〜(c)を参照して説明する。
図4(a)は、携帯電話の一例を示した斜視図である。図4(a)において、符号50は携帯電話本体を示し、符号51は有機EL装置1を備えた表示部を示している。
図4(b)は、ワープロ、パソコンなどの携帯型情報処理装置の一例を示した斜視図である。図4(b)において、符号60は情報処理装置、符号61はキーボードなどの入力部、符号63は情報処理本体、符号62は有機EL装置1を備えた表示部を示している。
図4(c)は、腕時計型電子機器の一例を示した斜視図である。図4(c)において、符号70は時計本体を示し、符号71は有機EL装置1を備えたEL表示部を示している。
図4(a)〜(c)に示す電子機器は、先の実施形態に示した有機EL装置1が備えられたものであるので、表示特性が良好な電子機器となる。
Claims (11)
- 基板と
前記基板上に形成された有機発光層を含む複数の画素と、
前記複数の画素を覆う封止膜と、
前記封止膜を介して前記画素を覆うマイクロレンズと、
複数の前記マイクロレンズを覆う平坦化層と、
前記平坦化層上において前記画素ごとに形成されたカラーフィルターと、を備え、
前記マイクロレンズの屈折率が、前記平坦化層の屈折率よりも大きいことを特徴とする発光装置。 - 前記マイクロレンズの屈折率が1.6以上1.9以下を満たし、
前記平坦化層の屈折率が1.2以上1.5以下で形成されていることを特徴とする請求項1に記載の発光装置。 - 前記平坦化層がSiO(酸化シリコン)を骨格とした無機膜あるいは有機膜と前記無機膜のハイブリッド膜であることを特徴とする請求項1に記載の発光装置。
- 前記マイクロレンズがフッ素系の樹脂であること特徴とする請求項1に記載の発光装置。
- 前記マイクロレンズが無機のナノ粒子を混入した樹脂であること特徴とする請求項1に記載の発光装置。
- 前記マイクロレンズの弾性率が0.1GPa以上10GPa以下であることを特徴とする請求項1に記載の発光装置。
- 前記マイクロレンズの立ち上がり角度が5°以上70°以下であることを特徴とする請求項1に記載の発光装置。
- 前記封止膜が酸化珪素、窒化珪素、酸化窒化珪素、酸化アルミニウムのうちの少なくとも1つを含むことを特徴とする請求項1に記載の発光装置。
- 前記平坦化層と前記カラーフィルターの間に第2の封止層が設置されることを特徴とする請求項1乃至8のいずれか一項に記載の発光装置。
- 前記マイクロレンズがシリンドリカルレンズであることを特徴とする請求項1乃至9のいずれか一項に記載の発光装置。
- 請求項1乃至10のいずれか一項に記載の発光装置を備えたことを特徴とする電子機器。
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