KR101904560B1 - 다층 기판, 다층 기판의 제조 방법, 다층 기판의 품질 관리 방법 - Google Patents

다층 기판, 다층 기판의 제조 방법, 다층 기판의 품질 관리 방법 Download PDF

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Abstract

본 발명은, 기판과, 그 기판 상에 형성되는 다층막을 갖는 다층 기판에 있어서, 상기 다층막의 상기 기판측과 반대측의 표면에는, 상기 다층 기판의 기준 위치를 나타내는 오목상 또는 볼록상의 기준 마크가 형성되어 있고, 그 기준 마크의 표면의 적어도 일부의 재료와, 상기 다층막의 상기 기판측과 반대측의 최표층의 재료가 상이한 다층 기판에 관한 것이다.

Description

다층 기판, 다층 기판의 제조 방법, 다층 기판의 품질 관리 방법{MULTILAYER SUBSTRATE, MANUFACTURING METHOD FOR MULTILAYER SUBSTRATE, AND QUALITY CONTROL METHOD FOR MULTILAYER SUBSTRATE}
본 발명은, 다층 기판, 다층 기판의 제조 방법, 다층 기판의 품질 관리 방법에 관한 것이다.
최근, 반도체 디바이스의 미세화에 수반하여, 종래의 ArF 레이저 대신에, 보다 단파장의 EUV (Extreame Ultra-Violet) 광을 사용한 리소그래피 기술 (EUVL) 이 유망시되고 있다. 여기서, EUV 광이란, 연 X 선 영역 또는 진공 자외선 영역의 파장의 광을 의미하고, 구체적으로는 파장이 0.2 ∼ 100 ㎚ 정도인 광이다. 현 시점에서는, 리소그래피 광원으로서 파장이 13.5 ㎚ 부근인 광의 사용이 주로 검토되고 있다.
또, 반도체 디바이스의 미세화에 수반하여, 리소그래피 기술에서 사용되는 포토마스크의 결함의 문제가 현재화 (顯在化) 되고 있다. 특히, 포토마스크는 마스크 블랭크를 패턴 가공하여 제작되기 때문에, 마스크 블랭크의 결함의 문제가 현재화되고 있다.
마스크 블랭크의 결함의 문제를 회피하기 위하여, 마스크 블랭크의 결함 위치를 특정하고, 결함 위치에 따라 가공 패턴의 위치나 방향을 바꾸는 기술이 개발되어 있다. 또, 마스크 블랭크의 결함 위치를 특정하기 위하여, 마스크 블랭크의 기준 위치를 나타내는 오목상의 기준 마크를 형성하는 기술이 제안되어 있다 (예를 들어 특허문헌 1 참조).
마스크 블랭크는, 기판 상에 다층막을 성막하여 이루어지는 다층 기판이다. EUVL 용 마스크 블랭크에 있어서, 다층막은, 기판측으로부터 EUV 광을 반사하는 반사층, EUV 광을 흡수하는 흡수층을 이 순서로 갖는다.
종래의 수법에서는, 기판 상의 결함 위치는, 기판 상에 형성된 기준 마크의 위치를 기준 위치로 하여 특정된다. 또, 기준 마크는 기판 상에 성막되는 다층막에 전사되므로, 전사된 기준 마크의 위치를 기준 위치로 하여 다층막을 구성하는 각 기능층의 결함 위치가 특정된다 (예를 들어 특허문헌 2 참조).
국제 공개공보 제2010/110237호 일본 공개특허공보 2004-193269호
그런데, 포토마스크의 제조 공정에서 사용되는 전자선 묘화 장치는, 반사 전자선을 사용하여, 다층막의 최상층에 전사된 기준 마크의 위치를 검출한다. 또 포토마스크의 제조 공정에서 사용되는 좌표 측정 장치나 마스크 외관 검사 장치는, 파장 190 ∼ 400 ㎚ 의 반사 자외선을 검출하여, 다층막의 최상층에 전사된 기준 마크의 위치를 검출한다.
그러나, 종래의 기준 마크에서는, 반사 전자선이나 반사 자외선을 사용하여, 오목상의 기준 마크의 위치를 검출하는 것이 곤란하였다. 기능층이 1 층씩 적층될 때마다, 기능층에 전사되는 기준 마크의 에지가 둥그스름해지기 때문이다. 또, 다층막의 최상층에 전사된 기준 마크의 내바닥면과 다층막의 최상층이 동일한 재료로 구성되기 때문에, 기준 마크가 있는 부분과, 그 주변 부분에서, 반사 전자선의 강도나 반사 자외선의 강도의 차가 작기 때문이다. 특허문헌 2 에는, 초평활 기판의 표면의 일부에, 미리 오목부를 형성하고, 추가로 다층막을 퇴적하여 이루어지는, 기준 마크가 형성된 다층막 마스크 블랭크스가 기재되고, 당해 기판 상에 형성된 기준 마크는, 전자선에 의한 패턴 검출이 가능한 것으로 기재되어 있다. 그러나, 기판 상에 마크를 제작한 경우 검출 신호는 낮아져, 요구되는 검출 위치 정밀도를 얻기 어려운 문제가 있었다.
본 발명은, 상기 과제를 감안하여 이루어진 것으로서, 반사 전자선이나 반사 자외선에 의해 기준 위치를 고정밀도로 검출할 수 있는 다층 기판, 다층 기판의 제조 방법, 및 다층 기판의 품질 관리 방법을 제공하는 것을 목적으로 한다.
상기 목적을 해결하기 위하여, 본 발명은,
기판과, 그 기판 상에 형성되는 다층막을 갖는 다층 기판에 있어서,
상기 다층막의 상기 기판측과 반대측의 표면에는, 상기 다층 기판의 기준 위치를 나타내는 오목상 또는 볼록상의 기준 마크가 형성되어 있고,
그 기준 마크의 표면의 적어도 일부의 재료와, 상기 다층막의 상기 기판측과 반대측의 최표층의 재료가 상이한, 다층 기판을 제공한다.
또, 본 발명은,
기판과, 그 기판 상에 형성되는 다층막을 갖는 다층 기판의 제조 방법에 있어서,
상기 다층막의 상기 기판측과 반대측의 표면에, 상기 다층 기판의 기준 위치를 나타내는 오목상 또는 볼록상의 기준 마크를 형성하는 공정을 갖고,
그 기준 마크의 표면의 적어도 일부의 재료와, 상기 다층막의 상기 기판측과 반대측의 최표층의 재료가 상이한, 다층 기판의 제조 방법을 제공한다.
또한, 본 발명은,
기판과, 그 기판 상에 형성되는 다층막을 갖는 다층 기판으로서, 상기 다층막의 상기 기판측과 반대측의 표면에는, 상기 다층 기판의 기준 위치를 나타내는 오목상 또는 볼록상의 기준 마크가 형성되어 있는 다층 기판의 품질 관리 방법으로서,
상기 기판 상에 상기 다층막을 성막하기 전에, 상기 기판 상에 있는 오목상 또는 볼록상의 임시 기준 마크의 위치를 기준 위치로 하여, 상기 기판 상에 있는 결함 위치를 특정하거나, 및/또는, 상기 다층막의 성막 도중에, 상기 기판 상에 있는 오목상 또는 볼록상의 임시 기준 마크의 위치를 기준 위치로 하여, 상기 다층막 중 적어도 1 층의 결함 위치를 특정하는 특정 공정과,
상기 임시 기준 마크와 상기 기준 마크의 위치 관계를 검출하는 검출 공정과,
상기 특정 공정에 있어서 특정한 결함 위치를, 상기 검출 공정의 결과에 기초하여, 상기 기준 마크의 위치를 기준 위치로 하는 위치로 환산하는 환산 공정을 갖고,
상기 기준 마크의 표면의 적어도 일부의 재료와, 상기 다층막의 상기 기판측과 반대측의 최표층의 재료가 상이한, 다층 기판의 품질 관리 방법을 제공한다.
또한, 본 발명은,
기판과, 그 기판 상에 형성되는 다층막을 갖는 다층 기판으로서, 상기 다층막의 상기 기판측과 반대측의 표면에는, 상기 다층 기판의 기준 위치를 나타내는 오목상 또는 볼록상의 기준 마크가 형성되어 있는 다층 기판의 품질 관리 방법으로서,
상기 기판 상에 상기 다층막을 성막하기 전에, 상기 기판 상에 있는 오목상 또는 볼록상의 임시 기준 마크의 위치를 기준 위치로 하여, 상기 기판 상에 있는 결함 위치를 특정하거나, 및/또는, 상기 다층막의 성막 도중에, 상기 기판 상에 있는 오목상 또는 볼록상의 임시 기준 마크의 위치를 기준 위치로 하여, 상기 다층막 중 적어도 1 층의 결함 위치를 특정하는 특정 공정을 갖고,
상기 기준 마크는, 평면에서 볼 때, 상기 임시 기준 마크와 겹치도록 형성되어 있고, 상기 기준 마크의 표면의 적어도 일부의 재료와, 상기 다층막의 상기 기판측과 반대측의 최표층의 재료가 상이한 다층 기판의 품질 관리 방법을 제공한다.
본 발명에 의하면, 반사 전자선이나 반사 자외선에 의해 기준 위치를 고정밀도로 검출할 수 있는 다층 기판, 다층 기판의 제조 방법, 및 다층 기판의 품질 관리 방법을 제공할 수 있다.
도 1 은, 본 발명의 제 1 실시형태에 의한 EUVL 용 마스크 블랭크의 단면도이다.
도 2 는, 마스크 블랭크를 패턴 가공하여 이루어지는 포토마스크의 일례의 단면도이다.
도 3 은, 기판 및 임시 기준 마크의 일례의 평면도이다.
도 4 는, 오목상의 기준 마크의 단면 프로파일, 및, 다층막의 최상층에 전사 된 오목상의 임시 기준 마크의 단면 프로파일의 일례를 나타내는 도면이다.
도 5 는, 마스크 블랭크 및 기준 마크의 일례의 평면도이다.
도 6 은, 재료의 차이에 의한 반사 전자 이미지 (SEM 사진) 의 콘트라스트의 차이의 설명도이다.
도 7 은, 재료의 차이에 의한 자외역 반사율 스펙트럼의 차이의 설명도이다.
도 8 은, 본 발명의 제 2 실시형태에 의한 EUV 용 마스크 블랭크의 단면도이다.
도 9 는, 본 발명의 제 3 실시형태에 의한 마스크 블랭크의 제조 방법의 플로우 차트이다.
도 10 은, 본 발명의 제 4 실시형태에 의한 마스크 블랭크의 품질 관리 방법의 플로우 차트이다.
도 11 은, 본 발명의 제 5 실시형태에 의한 EUVL 용 마스크 블랭크의 단면도이다.
이하, 본 발명을 실시하기 위한 형태에 대해 도면을 참조하여 설명하지만, 각 도면에 있어서, 동일 또는 대응하는 구성에 대해서는 동일 또는 대응하는 부호를 붙여 설명을 생략한다.
[제 1 실시형태]
도 1 은, 본 발명의 제 1 실시형태에 의한 EUVL 용 마스크 블랭크의 단면도이다. 도 2 는, 마스크 블랭크를 패턴 가공하여 이루어지는 포토마스크의 일례의 단면도이다.
EUVL 용 마스크 블랭크 (10) 는, 예를 들어 도 1 에 나타내는 바와 같이, 기판 (20) 과, 기판 (20) 상에 형성되는 다층막 (30) 을 갖고 있다. 다층막 (30) 은, 기판 (20) 측으로부터, EUV 광을 반사하는 반사층 (31), 반사층 (31) 을 보호하는 보호층 (32), 패턴 가공을 위한 버퍼층 (33), EUV 광을 흡수하는 흡수층 (34), 및 검사광에 대해 흡수층 (34) 보다 낮은 반사율을 갖는 저반사층 (35) 을 이 순서로 갖고 있다. 또한, 보호층 (32), 버퍼층 (33), 저반사층 (35) 은 임의의 구성으로서, 다층막 (30) 은 보호층 (32), 버퍼층 (33), 저반사층 (35) 을 갖고 있지 않아도 된다. 다층막 (30) 은, 다른 기능층을 추가로 갖고 있어도 된다.
EUVL 용 마스크 블랭크 (10) 는, 일반적인 마스크 제작 프로세스에 준거하여 패턴 가공되어, 포토마스크 (100) (도 2 참조) 가 된다. 예를 들어, 마스크 블랭크 (10) 의 다층막 (30) 상에 레지스트막을 도포하고, 가열한 후, 전자선이나 자외선에 의한 묘화를 실시한다. 이 때, 묘화 패턴의 위치나 방향을, 다층막 (30) 중 적어도 1 층의 결함 위치나 기판 표면에 존재하는 결함 위치에 따라 조정한다. 계속해서, 현상·에칭에 의해 흡수층 (34) 이나 저반사층 (35) 의 불필요한 부분, 및 레지스트가 제거되어 포토마스크 (100) 를 얻는다.
포토마스크 (100) 는, 도 1 에 나타내는 저반사층 (35), 흡수층 (34) 을 패턴 가공하여 이루어지는 저반사층 (135), 흡수층 (134) 을 갖고 있다. 포토마스크 (100) 에 조사된 EUV 광은, 흡수층 (134) 이 있는 부분에서는 흡수되고, 흡수층 (134) 이 없는 부분에서는 반사층 (31) 에서 반사된다. 반사층 (31) 에서 반사된 EUV 광은, 오목면 미러 등으로 구성되는 결상 광학계 등에 의해, 노광 재료의 표면 상에 결상된다.
다음으로, 마스크 블랭크 (10) 의 각 구성에 대해 설명한다.
기판 (20) 은, 다층막 (30) 을 성막하기 위한 것이다. 기판 (20) 의 표면 조도를 나타내는 RMS (Root Mean Square) 는 예를 들어 0.15 ㎚ 이하이고, 기판 (20) 의 평탄도는 예를 들어 100 ㎚ 이하이다. 기판 (20) 은, 마스크 블랭크스로서 사용되는 온도역에 있어서 열팽창 계수가 0 에 가까울 것이 요구되고, 예를 들어 0±0.05×10-7/℃ 의 범위 내가 바람직하고, 0±0.03×10-7/℃ 의 범위 내가 더욱 바람직하다.
기판 (20) 은, 내약액성, 내열성이 우수하고, 열팽창 계수가 작은 유리로 구성된다. 유리로는, 예를 들어 SiO2 를 주성분으로 하는 석영 유리가 사용된다. 석영 유리는 TiO2 를 함유하는 것이어도 된다. TiO2 의 함유량은, 예를 들어 1 ∼ 12 질량％ 이다. 또한, 기판 (20) 은, 유리 이외의 실리콘이나 금속 등으로 구성되어도 된다.
기판 (20) 의 이면 (21) (상기 다층막이 형성되는 쪽의 면과 반대측의 면) 에는, 정전 흡착용 도전층 (22) 이 형성되어 있다. 도전층 (22) 은, 시트 저항이 100Ω/□ 이하가 되도록, 구성 재료의 전기 전도율과 두께를 선택한다. 도전층 (22) 의 구성 재료로는, 예를 들어 Si, TiN, Mo, Cr, CrN, TaSi 등이 사용된다. 이들 중에서도, 도전층 (22) 표면의 표면 조도가 작기 때문에 척면과의 밀착성이 우수하고, 또한, 도전층 (22) 의 시트 저항이 낮기 때문에 척력이 우수한 CrN 막이 바람직하다.
도전층 (22) 의 두께는, 예를 들어 10 ∼ 1000 ㎚ 이다.
도전층 (22) 의 성막 방법으로는, 공지된 성막 방법, 예를 들어, 마그네트론 스퍼터링법, 이온 빔 스퍼터링법과 같은 스퍼터링법, CVD 법, 진공 증착법, 전해 도금법 등이 사용된다.
기판 (20) 의 표면 (23) (상기 다층막이 형성되는 쪽의 면) 에는, 다층막 (30) 이 성막되지만, 다층막 (30) 을 성막하기 전에, 기판 (20) 의 기준 위치를 나타내는 오목상 또는 볼록상의 임시 기준 마크 (본 실시형태에서는, 오목상의 임시 기준 마크) (40) 가 형성되어 있다. 따라서, 다층막 (30) 을 성막하기 전에 (보다 상세하게는, 최초의 층, 즉 반사층 (31) 을 성막하기 전에), 임시 기준 마크 (40) 의 위치를 기준 위치로 하여, 기판 (20) 의 결함 위치를 특정하고, 자기 기록 매체, 광 기록 매체, 전자 기록 매체, 종이 등의 기록 매체에 기록할 수 있다.
도 3 은, 기판 및 임시 기준 마크의 일례의 평면도이다. 도 3 에 나타내는 바와 같이, 임시 기준 마크 (40) 는, 3 개 이상 (도 3 에서는 4 개) 형성되어 있다. 3 개 이상의 임시 기준 마크 (40) 는, 동일 직선 상에 배치되어 있지 않다. 3 개 이상의 기준점 중, 1 개의 기준점이 원점이 되고, 원점과 다른 1 개의 기준점을 연결하는 직선이 X 축이 되고, 원점과 나머지 1 개의 기준점을 연결하는 직선이 Y 축이 된다. X 축 및 Y 축은, 서로 직교하고 있으면 된다.
임시 기준 마크 (40) 는, 후공정에서 사용되지 않는 영역 (예를 들어, 포토마스크의 제조 공정에 있어서, 패턴 가공하지 않는 영역) 에 형성되고, 구체적으로는 기판 (20) 의 외주부에 형성된다.
임시 기준 마크 (40) 는, 도 1 에 나타내는 바와 같이, 기판 (20) 상에 순차적으로 성막되는 반사층 (31), 보호층 (32), 버퍼층 (33), 흡수층 (34), 저반사층 (35) 에 전사된다. 따라서, 전사된 임시 기준 마크 (41 ∼ 45) 의 위치를 기준 위치로 하여, 각 층 (31 ∼ 35) 의 결함 위치 (X 좌표, Y 좌표) 를 특정하여, 기록 매체에 기록할 수 있다.
기록된 결함 위치 정보는, 포토마스크 (100) 의 제조 공정에 제공된다. 또한, 상세하게는 후술하지만, 임시 기준 마크 (40) 의 위치 (보다 상세하게는, 임시 기준 마크 (40 ∼ 45) 의 위치) 를 기준 위치로 하여 특정한 결함 위치는, 기준 마크 (50) 의 위치를 기준 위치로 하는 위치로 환산 (좌표 변화) 된 후, 포토마스크 (100) 의 제조 공정에 제공된다.
포토마스크 (100) 의 제조 공정에서는, 제공된 정보에 기초하여, 마스크 블랭크 (10) 의 결함 위치 (깊이를 포함한다) 를 알 수 있고, 예를 들어 흡수층 (34) 의 가공 패턴의 위치나 방향을 바꾸는 것 등에 의해, 품질이 높은 포토마스크 (100) 를 제조할 수 있다. 또, 종래이면, 마스크 블랭크 (10) 의 일부에 결함을 포함하기 때문에 폐기하고 있던 것이어도, 포토마스크 (100) 의 제조 공정에 제공할 수 있다.
임시 기준 마크 (40) 의 형상은, 평면에서 볼 때 (기판 (20) 의 표면 (23) 과 직교하는 방향에서 보아), 예를 들어 도 3 에 나타내는 바와 같이 사각형, 또는 삼각형, 원형, 타원형 또는 마름모꼴 등이고, 측면에서 볼 때, 예를 들어 도 1 에 나타내는 바와 같이 사각형, 또는 삼각형 또는 반원형 등이다.
임시 기준 마크 (40) 의 사이즈는, 예를 들어, 평면에서 볼 때, 최대 길이가 200 ㎚ 이하, 바람직하게는 70 ㎚ 이하, 더욱 바람직하게는 50 ㎚ 이하이고, 최소 길이는 10 ㎚ 이상, 바람직하게는 30 ㎚ 이상이다. 오목상의 임시 기준 마크 (40) 의 최대 깊이는, 20 ㎚ 이하, 바람직하게는 10 ㎚ 이하, 더욱 바람직하게는 5 ㎚ 이하이고, 오목상의 임시 기준 마크 (40) 의 최소 깊이는, 1 ㎚ 이상, 바람직하게는 2 ㎚ 이상이다. 이 범위의 사이즈를 갖는 임시 기준 마크 (40) 이면, 자외광이나 가시광을 광원에 사용한 시판되는 마스크 블랭크나 유리 기판의 자동 결함 검사 장치 (예를 들어 레이저텍사 제조 M7360 등) 로 임시 기준 마크 (40) 의 위치를 고정밀도로 검출할 수 있고, 다층막 (30) 중 적어도 1 층의 결함 위치나 기판 (20) 의 표면 (23) 에 존재하는 결함 위치를 충분한 정밀도로 특정할 수 있다.
오목상의 임시 기준 마크 (40) 는, 기판 (20) 의 표면 (23) 의 일부를 제거하여 형성된다. 제거 방법으로는, 레이저 어블레이션법, FIB (Focused Ion Beam) 법, 나노 인덴테이션법, 마이크로 머시닝법 (예를 들어, Rave 사 제조 ㎚450 을 사용한 기계적인 미세 가공법), 레지스트의 패터닝과 에칭을 이용한 리소그래피법 등이 사용된다. 특히, FIB 법, 마이크로 머시닝법, 레이저 어블레이션법이 바람직하게 사용된다.
오목상의 임시 기준 마크 (40) 로서, 기판 (20) 의 표면 (23) 에 존재하는 실결함 (實缺陷), 예를 들어 연마나 세정에 의해 생긴 피트 등의 오목 결함을 사용할 수도 있다.
또한, 볼록상의 임시 기준 마크의 형성 방법에 대해서는, 제 2 실시형태에서 설명한다.
반사층 (31) 은, EUV 광을 반사하는 층이다. 포토마스크 (100) 에 있어서 흡수층 (134) 이 없는 부분에 조사된 EUV 광은, 반사층 (31) 에서 반사된다. 그 반사율 (파장 13.5 ㎚ 부근의 광선 반사율) 의 최대치는, 예를 들어 60 ％ 이상, 바람직하게는 65 ％ 이상이다.
반사층 (31) 은, 예를 들어 고굴절층과 저굴절률층을 교대로 반복하여 적층시킨 다층 구조를 갖고 있다. 고굴절률층에는 Mo 층, 저굴절률층에는 Si 층이 각각 사용되어도 된다. 즉, 반사층 (31) 은, Mo/Si 다층 반사층이어도 된다. Mo 층의 두께, Si 층의 두께, 및 반복 횟수는, 각각 적절히 설정되지만, 예를 들어, Mo 층의 두께가 2.3±0.1 ㎚, Si 층의 두께가 4.5±0.1 ㎚, 반복 횟수가 30 ∼ 60 이다.
또한, 반사층 (31) 은, 특별히 한정되지 않고, 예를 들어 Ru/Si 다층 반사층, Mo/Be 다층 반사층, Mo 화합물/Si 화합물 다층 반사층, Si/Mo/Ru 다층 반사층, Si/Mo/Ru/Mo 다층 반사층, Si/Ru/Mo/Ru 다층 반사층 등이어도 된다.
반사층 (31) 의 성막 방법으로는, 마그네트론 스퍼터링법, 이온 빔 스퍼터링법 등의 성막 방법이 사용된다. 이온 빔 스퍼터링법을 사용하여 Mo/Si 다층 반사층을 형성하는 경우, Mo 타깃을 사용하여 Mo 층을 성막하는 공정과, Si 타깃을 사용하여 Si 층을 성막하는 공정이 교대로 반복 실시된다.
보호층 (32) 은, 반사층 (31) 의 산화를 방지하는 역할을 하는 층이다. 보호층 (32) 의 재료로는, Si, Ti, Ru, Rh, C, SiC, 또는 이들 원소·화합물의 혼합물, 또는 이들 원소·화합물에 N, O 나 B 등을 첨가한 것 등을 사용할 수 있다.
보호층 (32) 의 재료로서 Ru 를 사용한 경우, 보호층의 층 두께는 2 ∼ 3 ㎚ 로 얇게 할 수 있고, 후술하는 버퍼층 (33) 의 기능을 겸용할 수 있기 때문에, 특히 바람직하다. 또 반사층 (31) 이 Mo/Si 다층 반사층인 경우, 최상층을 Si 층으로 함으로써, 그 최상층을 보호층으로서 기능시킬 수 있다. 이 경우, 최상층의 Si 층의 층 두께는, 통상적인 4.5 ㎚ 보다 두꺼운 5 ∼ 15 ㎚ 인 것이 바람직하다. 또, 이 경우, 최상층의 Si 층 상에 보호층과 버퍼층을 겸하는 Ru 막을 성막해도 된다. 또한, 보호층 (32) 은, 반드시 1 층일 필요는 없고, 2 층 이상이어도 된다.
보호층 (32) 의 성막 방법으로는, 마그네트론 스퍼터링법, 이온 빔 스퍼터링법 등의 성막 방법이 사용된다.
버퍼층 (33) 은, 상세하게는 후술하지만, 포토마스크 (100) 의 제조 공정에 있어서의, 흡수층 (34) 의 에칭 프로세스 (통상, 드라이 에칭 프로세스) 에 의해, 반사층 (31) 이 데미지를 받는 것을 방지하는, 소위 에칭 스토퍼로서의 역할을 한다.
버퍼층 (33) 의 재질로는, 흡수층 (34) 의 에칭 프로세스에 의한 영향을 잘 받지 않는, 요컨대 이 에칭 속도가 흡수층 (34) 보다 느리고, 게다가 이 에칭 프로세스에 의한 데미지를 잘 받지 않는 물질이 선택된다. 이 조건을 만족하는 물질로는, 예를 들어 Cr, Al, Ru, Ta 및 이들의 질화물, 그리고 SiO2, Si3N4, Al2O3 이나 이들의 혼합물이 예시된다. 이들 중에서도, Ru, CrN 및 SiO2 가 바람직하고, CrN 및 Ru 가 보다 바람직하고, 보호층 (32) 과 버퍼층 (33) 의 기능을 겸비하기 때문에 특히 Ru 가 바람직하다.
버퍼층 (33) 의 막 두께는 1 ∼ 60 ㎚ 인 것이 바람직하다.
버퍼층 (33) 의 성막 방법으로는, 마그네트론 스퍼터링법, 이온 빔 스퍼터링법 등 주지된 성막 방법이 사용된다.
흡수층 (34) 은, EUV 광을 흡수하는 층이다. 흡수층 (34) 에 특히 요구되는 특성은, EUV 용 포토마스크 (100) 상에 형성된 패턴이, EUVL 노광기의 투영 광학계를 통하여 웨이퍼 상의 레지스트막에 정확하게 전사되도록, 흡수층 (34) 으로부터의 반사광의 강도, 위상을 조정하는 것이다.
이 구체적인 방법은 2 종류 있고, 첫 번째는, 흡수층 (34) 으로부터의 반사광의 강도를 최대한 작게 하는 방법으로, 흡수층 (34) 표면으로부터의 EUV 광의 반사율을 1 ％ 이하, 특히 0.7 ％ 이하가 되도록, 흡수층 (34) 의 막 두께 및 재료를 조정한다. 또 두 번째는, 반사층 (31) 으로부터의 반사광과 흡수층 (34) (흡수층 표면에 저반사층이 형성되어 있는 경우에는 저반사층) 으로부터의 반사광의 간섭 효과를 이용하는 방법으로, 흡수층 (34) (흡수층 표면에 저반사층이 형성되어 있는 경우에는 저반사층) 으로부터의 EUV 광의 반사율을 5 ∼ 15 ％ 로 하고, 또한 반사층 (31) 으로부터의 반사광과 흡수층 (34) (흡수층 표면에 저반사층이 형성되어 있는 경우에는 저반사층) 으로부터의 반사광의 위상차가 175 ∼ 185 도가 되도록, 흡수층 (34) (흡수층 표면에 저반사층이 형성되어 있는 경우에는 저반사층) 의 막 두께 및 재료를 조정한다.
어느 방법에 있어서도, 흡수층 (34) 을 구성하는 재료로는, Ta 를 40 at％ 이상, 바람직하게는 50 at％ 이상, 보다 바람직하게는 55 at％ 이상 함유하는 재료가 바람직하다. 흡수층 (34) 에 사용하는 Ta 를 주성분으로 하는 재료는, Ta 이외에 Hf, Si, Zr, Ge, B, Pd, H 및 N 중 적어도 1 종 이상의 원소를 함유하는 것이 바람직하다.
Ta 이외의 상기의 원소를 함유하는 재료의 구체예로는, 예를 들어, TaN, TaNH, TaHf, TaHfN, TaBSi, TaBSiN, TaB, TaBN, TaSi, TaSiN, TaGe, TaGeN, TaZr, TaZrN, TaPd, TaPdN 등을 들 수 있다. 단, 흡수층 (34) 중에는, 산소를 함유하지 않는 것이 바람직하다.
구체적으로는, 흡수층 (34) 중의 산소의 함유율은 25 at％ 미만이 바람직하다. 마스크 블랭크의 흡수층 (34) 에 마스크 패턴을 형성하여 EUV 용 포토마스크 (100) 를 제작할 때에는, 통상적으로는 드라이 에칭 프로세스가 사용되고, 에칭 가스로는, 염소 가스 (혼합 가스를 포함한다) 또는 불소계 가스 (혼합 가스를 포함한다) 가 통상적으로 사용된다.
에칭 프로세스에 의한 반사층 (31) 의 데미지 방지 목적으로, 반사층 (31) 상에 보호층 (32) 으로서 Ru 또는 Ru 화합물을 함유하는 막을 형성하는 경우, 보호층 (32) 의 데미지가 적은 점에서, 흡수층 (34) 의 에칭 가스로서 주로 염소 가스가 사용된다. 그러나, 염소 가스를 사용하여 흡수층 (34) 의 드라이 에칭 프로세스를 실시하는 경우에, 흡수층 (34) 이 산소를 함유하고 있으면 에칭 속도가 저하되고, 레지스트막의 데미지가 커져 바람직하지 않다. 흡수층 (34) 중의 산소의 함유율로는, 15 at％ 이하가 보다 바람직하고, 10 at％ 이하가 더욱 바람직하고, 5 at％ 이하가 특히 바람직하다.
흡수층 (34) 의 두께는, 상기 서술한 첫 번째 방법인 경우, 즉 흡수층 (34) 표면으로부터의 EUV 광의 반사율을 1 ％ 이하, 특히 0.7 ％ 이하로 하기 위해서는, 60 ㎚ 이상인 것이 바람직하고, 특히 70 ㎚ 이상인 것이 바람직하다. 또 상기 서술한 두 번째 방법인 경우, 40 ㎚ ∼ 60 ㎚ 의 범위가 바람직하고, 특히 45 ㎚ ∼ 55 ㎚ 의 범위가 바람직하다.
흡수층 (34) 의 성막 방법으로는, 마그네트론 스퍼터링법, 이온 빔 스퍼터링법 등의 성막 방법이 사용된다.
흡수층 (34) 은, 포토마스크 (100) 의 제조 공정에 있어서, 패턴 가공되어 흡수층 (134) 이 된다.
저반사층 (35) 은, 도 2 에 나타내는 흡수층 (134) 의 패턴 형상을 검사하는 검사광에 대해, 흡수층 (34) 보다 낮은 반사율을 갖는 층이다. 검사광으로는, 통상 257 ㎚ 정도의 파장의 광이 사용된다.
흡수층 (134) 의 패턴 형상의 검사는, 흡수층 (134) 이 있는 부분과 흡수층 (134) 이 없는 부분에서 검사광의 반사율이 상이한 것을 이용하여 실시된다. 흡수층 (134) 이 없는 부분에서는, 통상, 보호층 (32) 이 노출되어 있다.
흡수층 (134) 이 있는 부분에, 저반사층 (135) 이 적층되어 있으면, 흡수층 (134) 이 있는 부분과 흡수층 (134) 이 없는 부분에서, 검사광의 반사율의 차가 커지기 때문에, 검사 정밀도가 향상된다.
저반사층 (35) 은, 검사광의 파장에서의 굴절률이 흡수층 (34) 보다 낮은 재료로 구성된다. 구체적으로는, Ta 를 주성분으로 하는 재료를 들 수 있다. 또, Ta 이외에 Hf, Ge, Si, B, N, H, 및 O 중 적어도 1 종 이상의 원소를 함유하는 것이 바람직하다. 구체예로는, 예를 들어, TaO, TaON, TaONH, TaBO, TaHfO, TaHfON, TaBSiO, TaBSiON, SiN, SiON 등을 들 수 있다.
흡수층 (34) 상에 저반사층 (35) 을 형성하는 경우, 흡수층 (34) 및 저반사층 (35) 의 두께의 합계가 10 ∼ 65 ㎚ 이면 바람직하고, 30 ∼ 65 ㎚ 이면 보다 바람직하고, 35 ∼ 60 ㎚ 이면 더욱 바람직하다. 또, 저반사층 (35) 의 층 두께가 흡수층 (34) 의 층 두께보다 두꺼우면, 흡수층 (34) 에서의 EUV 광 흡수 특성이 저하될 우려가 있기 때문에, 저반사층 (35) 의 층 두께는 흡수층 (34) 의 층 두께보다 얇은 것이 바람직하다. 이 때문에, 저반사층 (35) 의 두께는 1 ∼ 20 ㎚ 인 것이 바람직하고, 3 ∼ 15 ㎚ 인 것이 보다 바람직하고, 5 ∼ 10 ㎚ 인 것이 더욱 바람직하다.
저반사층 (35) 의 성막 방법으로는, 마그네트론 스퍼터링법, 이온 빔 스퍼터링법 등의 성막 방법이 사용된다.
또, 다층막 (30) 은, 하드 마스크 등의 기능층을 가져도 된다. 하드 마스크는, 흡수층 (34) (흡수층 (34) 상에 저반사층 (35) 이 형성되어 있고, 또한 하드 마스크가 저반사층 (35) 의 기능을 갖고 있지 않은 경우에는, 저반사층 (35)) 의 면상에 형성하는 것, 상기 서술한 드라이 에칭 속도가, 흡수층 (34) 및/또는 저반사층 (35) 과 비교하여 느리기 때문에, 레지스트막의 막 두께를 얇게 할 수 있고, 보다 미세한 패턴을 제작할 수 있다. 이와 같은 하드 마스크의 재료로는, Cr2O3, Ru, Cr(N, O) 등을 사용할 수 있고, 그 막 두께는 2 ∼ 10 ㎚ 가 바람직하다.
상기 구성의 다층막 (30) 의 표면 (36) (기판 (20) 측과 반대측의 면) 에는, 마스크 블랭크 (10) 의 기준 위치를 나타내는 오목상 또는 볼록상 (본 실시형태에서는 오목상) 의 기준 마크 (Fiducial Mark) (50) 가 형성되어 있다. 기준 마크 (50) 는, 다층막 (30) 의 성막 후에 형성되므로, 다층막 (30) 의 최상층 (기판 (20) 측과 반대측의 최표층) 에 전사한 임시 기준 마크 (45) 에 비하여, 에지가 날카롭고 측벽 각도도 급준하기 때문에, 고정밀도로 검출할 수 있다.
도 4 는, 오목상의 기준 마크의 단면 프로파일, 및, 다층막의 최상층에 전사된 오목상의 임시 기준 마크의 단면 프로파일의 일례를 나타내는 도면이다. 도 4 에 있어서, 실선은 오목상의 기준 마크의 단면 프로파일의 일례를 나타내고, 파선은 다층막의 최상층에 전사된 오목상의 임시 기준 마크의 단면 프로파일의 일례를 나타낸다. 도 4 에 나타내는 예에서는, TiO2 를 도프한 석영 유리 기판 상에, 반사층 (Mo/Si 를 40 층 적층, 두께 약 280 ㎚), 보호층 (두께 2.5 ㎚ 의 Ru층), 흡수층 (두께 51 ㎚ 의 TaN 층), 저반사층 (두께 7 ㎚ 의 TaON 층) 이 이 순서로 적층되어 있다. 기판 상에 형성되는 임시 기준 마크의 깊이, 및, 저반사층 상에 형성되는 기준 마크의 깊이는 각각, 약 80 ㎚ 로 하였다. 도 4 로부터, 오목상의 기준 마크의 단면 프로파일은, 다층막의 최상층에 전사된 오목상의 임시 기준 마크의 단면 프로파일보다 급준한 것을 알 수 있다.
도 5 는, 마스크 블랭크 및 기준 마크의 일례의 평면도이다.
기준 마크 (50) 는, 목적에 따른 형상으로 형성되지만, 예를 들어, 도 5 에 나타내는 바와 같이, 평면에서 볼 때 (표면 (36) 과 직교하는 방향에서 보아), 십자상으로 형성되어 있다. 1 개의 직선상 부분의 중심선과, 나머지의 직선상 부분의 중심선의 교점이 기준점이 된다. 각 직선상 부분은, 예를 들어 4.5 ∼ 5.5 ㎛ 의 폭 (W), 및 100 ∼ 500 ㎛ 의 길이 (L) 를 갖고 있다.
기준 마크 (50) 는, 3 개 이상 형성되어 있다. 3 개 이상의 기준 마크 (50) 는, 동일 직선 상에 배치되어 있지 않다. 3 개 이상의 기준점 중, 1 개의 기준점이 원점이 되고, 원점과 다른 1 개의 기준점을 연결하는 직선이 X 축이 되고, 원점과 나머지 하나의 기준점을 연결하는 직선이 Y 축이 된다. X 축 및 Y 축은, 서로 직교하고 있으면 된다.
기준 마크 (50) 는, 다층막 (30) 의 표면 (36) 중, 후공정에서 사용되지 않는 영역 (예를 들어, 포토마스크의 제조 공정에 있어서, 패턴 가공하지 않는 영역) 에 형성되고, 구체적으로는, 다층막 (30) 의 외주부에 형성된다.
오목상의 기준 마크 (50) 는, 에지가 날카로워지도록, 다층막 (30) 의 표면 (36) 과 대략 수직인 단차면 (51) 과, 다층막 (30) 의 표면 (36) 과 대략 평행한 오프셋면 (내바닥면) (52) 을 갖고 있는 것이 바람직하다.
오목상의 기준 마크 (50) 는, 다층막 (30) 의 표면 (36) 의 일부를 제거하여 형성된다. 제거 방법으로는, 레이저 어블레이션법, FIB (Focused Ion Beam) 법, 레지스트의 패터닝과 에칭을 사용한 리소그래피법, 나노 인덴테이션법, 마이크로 머시닝법 (예를 들어, Rave 사 제조 ㎚450 을 사용한 기계적인 미세 가공법) 등이 사용된다. 특히, FIB 법이나 리소그래피법이 바람직하게 사용된다.
또한, 볼록상의 기준 마크의 형성 방법에 대해서는, 제 2 실시형태에서 설명한다.
오목상의 기준 마크 (50) 는, 도 1 에 나타내는 바와 같이, 다층막 (30) 중, 적어도 최상층 (기판 (20) 측과 반대측의 최표층) 을 관통하도록 형성되어 있다. 따라서, 오목상의 기준 마크 (50) 의 표면 (단차면 (51) 및 오프셋면 (52)) 의 일부 (오프셋면 (52)) 가, 다층막 (30) 의 최상층과 상이한 재료로 구성되기 때문에, 기준 마크 (50) 의 위치를 고정밀도로 검출할 수 있다. 이 효과는, 반사 전자선이나 반사 자외선을 사용하여 기준 마크 (50) 의 위치를 검출하는 경우에 특히 현저하다. 반사 전자 이미지의 강도는, 2 차 전자 이미지에 비하여, 재료의 차이에 의한 콘트라스트가 강하기 때문이다. 또 반사 자외선의 강도는 재료의 종류 등에 의존하며, 재료의 차이에 의해 강한 콘트라스트가 얻어진다.
도 6 은, 재료의 차이에 의한 반사 전자 이미지 (SEM 사진) 의 콘트라스트의 차이의 설명도이다. 도 6 에 나타내는 다층 기판은, 기판 상에 반사층을 형성하고, 반사층 상에 흡수층을 형성한 것이다. 기판은 TiO2 를 도프한 석영 유리 기판, 반사층은 Mo/Si 다층 반사층, 흡수층은 TaN 층이다. 도 6 에 있어서, 좌상측 부분 (201) 은 반사층 상에 흡수층이 적층되어 있지 않아 반사층이 노출된 부분의 반사 전자 이미지, 좌하측 부분 (202) 은 반사층 상에 두께 35 ㎚ 의 흡수층이 적층된 부분의 반사 전자 이미지이다. 또, 도 6 에 있어서, 우상측 부분 (203) 은 반사층 상에 두께 77 ㎚ 의 흡수층이 적층된 부분의 반사 전자 이미지, 우하측 부분 (204) 은 반사층 상에 두께 112 ㎚ 의 흡수층이 적층된 부분의 반사 전자 이미지이다. 도 6 으로부터, 반사 전자 이미지에서는, 재료의 차이에 의한 콘트라스트가, 요철에 의한 콘트라스트보다 강한 것을 알 수 있다.
반사 전자 이미지에 있어서의 콘트라스트가 강해지도록, 오목상의 기준 마크 (50) 의 내바닥면 (52) 을 구성하는 재료의 양자수와, 다층막 (30) 의 최상층을 구성하는 재료의 양자수의 차가 충분히 큰 것이 바람직하다.
도 7 은, 재료의 차이에 의한 자외역 반사율 스펙트럼의 차이의 설명도이다. 도 7 에 있어서, A 는 기판 상에 반사층 (Mo/Si 를 40 층 적층) 을 형성한 다층 기판의 스펙트럼, B 는 기판 상에 반사층 (Mo/Si 를 40 층 적층)·흡수층 (두께 77 ㎚ 의 TaN 층) 을 적층한 다층 기판의 스펙트럼, C 는 기판 상에 반사층 (Mo/Si 를 40 층 적층, 두께 약 280 ㎚)·흡수층 (두께 77 ㎚ 의 TaN 층)·저반사층 (두께 7 ㎚ 의 TaON 층) 을 적층한 다층 기판의 스펙트럼을 나타낸다. 3 종류의 다층 기판의 자외역 반사율은 서로 상이하고, 오목상의 기준 마크 (50) 의 내바닥면 (52) 을 구성하는 재료가 다층막 (30) 의 최상층을 구성하는 재료와 상이한 경우, 자외역 반사율의 차이에 의한 콘트라스트를 이용하여, 반사 자외선에 의해 기준 마크 (50) 를 검출하기 쉬워지는 것을 알 수 있다.
오목상의 기준 마크 (50) 는, 도 1 에 나타내는 바와 같이, 저반사층 (35) 에 더하여, 흡수층 (34) 을 관통하도록 형성되어 있어도 된다. 저반사층 (35) 과 흡수층 (34) 이 유사한 재료로 구성되는 경우가 많기 때문이다.
오목상의 기준 마크 (50) 는, 도 1 에 나타내는 바와 같이, 저반사층 (35) 및 흡수층 (34) 에 더하여, 버퍼층 (33) 을 관통하도록 형성되어도 되고, 버퍼층 (33) 및 보호층 (32) 을 관통하도록 형성되어 있어도 된다. 또한, 오목상의 기준 마크 (50) 는, 보호층 (32) 에 추가로 더하여, 반사층 (31) 을 관통하도록 형성되어도 된다.
오목상의 기준 마크 (50) 의 내바닥면 (52) 은, 본 실시형태에서는, 반사층 (31) 에 있지만, 흡수층 (34), 버퍼층 (33), 보호층 (32), 및 기판 (20) 중 어느 것에 있어도 되고, 복수의 기능층에 걸쳐 있어도 된다.
오목상의 기준 마크 (50) 의 깊이는, 저반사층 (35), 흡수층 (34), 버퍼층 (33), 보호층 (32), 및 반사층 (31) 의 두께 등에 따라 적절히 설정되지만, 예를 들어 2 ∼ 300 ㎚, 바람직하게는 7 ∼ 150 ㎚, 보다 바람직하게는 40 ∼ 120 ㎚ 이다.
또한, 본 실시형태에서는, 다층막 (30) 의 최상층이 저반사층 (35) 인 경우 에 대해 설명했지만, 저반사층 (35) 이 없고, 흡수층 (34) 이 최상층이어도 된다. 이 경우, 오목상의 기준 마크 (50) 는, 흡수층 (34) 을 관통하도록 형성되고, 흡수층 (34) 에 더하여 보호층 (32) 이나 반사층 (31) 을 관통하도록 형성되어도 되고, 오목상의 기준 마크 (50) 의 내바닥면 (52) 은, 버퍼층 (33), 보호층 (32), 반사층 (31), 및 기판 (20) 중 어느 것를 포함하고 있으면 되고, 복수의 기능층에 걸쳐 있어도 된다.
[제 2 실시형태]
상기 제 1 실시형태에서는, 임시 기준 마크 및 기준 마크가, 오목상으로 형성되어 있다.
이에 반하여, 본 실시형태에서는, 임시 기준 마크 및 기준 마크가, 볼록상으로 형성되어 있다.
이하, 본 실시형태에 의한 마스크 블랭크의 구성에 대해 설명하지만, 임시 기준 마크 및 기준 마크의 형상 이외의 구성에 대해서는, 제 1 실시형태와 동일한 구성이기 때문에, 설명을 생략한다.
도 8 은, 본 발명의 제 2 실시형태에 의한 EUVL 용 마스크 블랭크의 단면도이다.
볼록상의 임시 기준 마크 (40A) 는, 기판 (20) 의 표면 (23) 에, 다층막 (30) 을 성막하기 전에 형성되어 있다. 따라서, 다층막 (30) 을 성막하기 전에 (보다 상세하게는 최초의 층, 즉 반사층 (31) 을 성막하기 전에), 기판 (20) 의 결함 위치를, 임시 기준 마크 (40A) 의 위치를 기준 위치로 하여 특정하고, 자기 기록 매체, 광 기록 매체, 전자 기록 매체, 종이 등의 기록 매체에 기록할 수 있다.
볼록상의 임시 기준 마크 (40A) 의 형상은, 평면에서 볼 때 (기판 (20) 의 표면 (23) 과 직교하는 방향에서 보아), 예를 들어 사각형, 또는 삼각형, 원형, 타원형 또는 마름모꼴 등이고, 측면에서 볼 때, 예를 들어 도 8 에 나타내는 바와 같이 사각형, 또는 삼각형 또는 반원형 등이다.
볼록상의 임시 기준 마크 (40A) 의 사이즈는, 예를 들어, 평면에서 볼 때, 최대 길이가 200 ㎚ 이하, 바람직하게는 70 ㎚ 이하, 더욱 바람직하게는 50 ㎚ 이하이며, 최소 길이는 10 ㎚ 이상, 바람직하게는 30 ㎚ 이상이다. 임시 기준 마크 (40A) 의 최대 높이는, 20 ㎚ 이하, 바람직하게는 10 ㎚ 이하, 더욱 바람직하게는 5 ㎚ 이하이며, 또 임시 기준 마크 (40A) 의 최소 높이는, 1 ㎚ 이상, 바람직하게는 2 ㎚ 이상이다. 이 범위의 사이즈를 갖는 임시 기준 마크 (40A) 이면, 자외광이나 가시광을 광원으로 하는 시판되는 마스크 블랭크나 유리 기판의 자동 결함 검사 장치 (예를 들어 레이저텍사 제조 M7360 등) 로 임시 기준 마크 (40A) 의 위치를 고정밀도로 검출할 수 있고, 다층막 (30) 중 적어도 1 층의 결함 위치나 기판 (20) 의 표면 (23) 에 존재하는 결함 위치를 충분한 정밀도로 특정할 수 있다.
볼록상의 임시 기준 마크 (40A) 는, 기판 (20) 의 표면 (23) 에 국소적으로 막을 성막하여 형성된다. 구체적인 방법으로는, 퇴적하고자 하는 재료에 따라 적당한 가스를 선택하여, 백금이나 텅스텐 등의 금속 화합물 (예를 들어 헥사카르보닐텅스텐) 이나 탄화수소 화합물 (나프탈렌이나 페난트렌 등) 을 함유하는 분위기에서 이온 빔이나 전자선을 조사함으로써, 금속 화합물의 분해 반응을 촉진하고, 국소적으로 금속막을 퇴적하는 방법이 있다.
또한, 볼록상의 임시 기준 마크 (40A) 로서, 기판 (20) 의 표면 (23) 에 존재하는 실결함, 예를 들어 세정이나 환경 유래의 표면에 부착한 파티클 등의 볼록 결함을 사용할 수도 있다.
임시 기준 마크 (40A) 는, 도 8 에 나타내는 바와 같이, 기판 (20) 상에 순차적으로 성막되는 반사층 (31), 보호층 (32), 버퍼층 (33), 흡수층 (34), 저반사층 (35) 에 전사된다. 따라서, 전사된 임시 기준 마크 (41A ∼ 45A) 의 위치를 기준 위치로 하고, 각 층 (31 ∼ 35) 의 결함 위치 (X 좌표, Y 좌표) 를 특정하여, 기록 매체에 기록하는 것이 가능하다.
기록된 결함 위치 정보는, 포토마스크의 제조 공정에 제공된다. 또한, 상세하게는 제 4 실시형태에서 설명하지만, 임시 기준 마크 (40A) 의 위치 (보다 상세하게는, 임시 기준 마크 (40A ∼ 45A) 의 위치) 를 기준 위치로서 특정한 결함 위치는, 기준 마크 (50A) 의 위치를 기준 위치로 하는 위치로 환산된 후, 포토마스크의 제조 공정에 제공된다.
포토마스크의 제조 공정에서는, 제공된 정보에 기초하여, 마스크 블랭크 (10A) 의 결함 위치 (깊이를 포함한다) 를 알 수 있고, 예를 들어 흡수층 (34) 의 가공 패턴의 위치나 방향을 바꾸는 것 등에 의해, 품질이 높은 포토마스크를 제조할 수 있다. 또, 종래에서라면, 마스크 블랭크 (10A) 의 일부에 결함을 포함하기 때문에 폐기하던 것이어도, 포토마스크의 제조 공정에 제공할 수 있다.
볼록상의 기준 마크 (50A) 는, 다층막 (30) 의 표면 (기판 (20) 측과 반대측의 면) (36) 에 형성되어 있다. 기준 마크 (50A) 는, 다층막 (30) 의 성막 후에 형성되기 때문에, 다층막 (30) 의 최상층에 전사한 임시 기준 마크 (45A) 에 비하여, 에지가 날카롭고, 고정밀도로 검출할 수 있다.
볼록상의 기준 마크 (50A) 는, 목적에 따른 형상으로 형성되지만, 제 1 실시형태와 마찬가지로, 예를 들어, 평면에서 볼 때 (표면 (36) 과 직교하는 방향에서 보아), 십자상으로 형성되어 있다. 1 개의 직선상 부분의 중심선과, 나머지의 직선상 부분의 중심선의 교점이 기준점이 된다.
볼록상의 기준 마크 (50A) 는, 3 개 이상 형성되어 있다. 3 개 이상의 기준 마크 (50) 는, 동일 직선 상에 배치되어 있지 않다. 3 개 이상의 기준점 중, 1 개의 기준점이 원점이 되고, 원점과 다른 1 개의 기준점을 연결하는 직선이 X 축이 되고, 원점과 나머지의 1 개의 기준점을 연결하는 직선이 Y 축이 된다. X 축 및 Y 축은, 서로 직교하고 있으면 된다.
볼록상의 기준 마크 (50A) 는, 다층막 (30) 의 표면 (36) 중, 후공정에서 사용되지 않는 영역 (예를 들어, 포토마스크의 제조 공정에 있어서, 패턴 가공하지 않는 영역) 에 형성되고, 구체적으로는, 다층막 (30) 의 외주부에 형성된다.
볼록상의 기준 마크 (50A) 는, 에지가 날카롭고 측벽 각도가 급준해지도록, 다층막 (30) 의 표면 (36) 과 대략 수직인 단차면 (51A) 과, 다층막 (30) 의 표면 (36) 과 대략 평행한 오프셋면 (52A) 을 갖고 있는 것이 바람직하다.
볼록상의 기준 마크 (50A) 의 높이는, 다층막 (30) 의 최상층의 재료나 두께 등에 따라 적절히 설정되지만, 예를 들어 2 ∼ 300 ㎚, 바람직하게는 7 ∼ 150 ㎚, 보다 바람직하게는 40 ∼ 120 ㎚ 이다.
볼록상의 기준 마크 (50A) 는, 다층막 (30) 의 최상층 상에, 그 최상층과 상이한 재료를 적층하여 형성된다. 구체적으로는, 최상층과 상이한 재료의 막을 최상층 상에 성막하고, 리소그래피를 사용하여 가공하는 방법, 최상층과 상이한 재료를 최상층 상에 국소적으로 성막하는 방법이 있다. 후자의 방법으로는, 퇴적하고자 하는 재료에 따라 적당한 가스를 선택하고, 백금이나 텅스텐 등의 금속 화합물 (예를 들어 헥사카르보닐텅스텐) 이나 탄화수소 화합물 (나프탈렌이나 페난트렌 등) 을 함유하는 분위기에서 이온 빔이나 전자선을 조사함으로써, 금속 화합물의 분해 반응을 촉진하고, 국소적으로 금속막을 퇴적하는 방법이 있다.
따라서, 기준 마크 (50A) 의 표면 (51A, 52A) 이, 다층막 (30) 의 최상층과 상이한 재료로 구성되기 때문에, 기준 마크 (50A) 의 위치를 고정밀도로 검출할 수 있다. 이 효과는, 반사 전자선이나 반사 자외선을 사용하여 기준 마크 (50A) 의 위치를 검출하는 경우에 특히 현저하다. 반사 전자선의 강도는, 2 차 전자 이미지에 비하여, 재료의 차이에 의한 콘트라스트가 강하기 때문이다. 또, 반사 자외선의 강도는 재료의 종류 등에 의존하여, 재료의 차이에 의해 강한 콘트라스트가 얻어지기 때문이다.
또한, 본 실시형태에서는, 다층막 (30) 의 최상층이 저반사층 (35) 인 경우에 대해 설명했지만, 저반사층 (35) 이 없고, 흡수층 (34) 이 최상층이어도 된다.
[제 3 실시형태]
본 실시형태는, 상기의 마스크 블랭크 (10) 의 제조 방법에 관한 것이다. 또한, 상기의 마스크 블랭크 (10A) 의 제조 방법도 동일하다.
도 9 는, 본 발명의 제 3 실시형태에 의한 마스크 블랭크의 제조 방법의 플로우 차트이다.
마스크 블랭크 (10) 의 제조 방법은, 기판 (20) 을 준비하는 공정 S101, 기판 (20) 의 표면 (23) 에 임시 기준 마크 (40) 를 형성하는 공정 S102, 기판 (20) 의 이면 (21) 에 도전층 (22) 을 성막하는 공정 S103, 기판 (20) 의 표면 (23) 에 다층막 (30) 을 성막하는 공정 S104 ∼ S108, 다층막 (30) 의 표면 (36) 에 기준 마크 (50) 를 형성하는 공정 S109 를 갖고 있다. 각 공정 S101 ∼ S109 사이에는, 세정 공정이나 건조 공정 등이 있어도 된다.
다층막 (30) 을 성막하는 공정은, 예를 들어, 기판 (20) 의 표면 (23) 에 반사층 (31) 을 형성하는 공정 S104, 반사층 (31) 상에 보호층 (32) 을 형성하는 공정 S105, 보호층 (32) 상에 버퍼층 (33) 을 형성하는 공정 S106, 버퍼층 (33) 상에 흡수층 (34) 을 형성하는 공정 S107, 흡수층 (34) 상에 저반사층 (35) 을 형성하는 공정 S108 을 갖고 있다.
또한, 마스크 블랭크 (10) 의 제조 방법은, 임시 기준 마크 (40) 를 형성하는 공정 S102 를 갖고 있지 않아도 된다. 이 경우, 임시 기준 마크로서, 기판 (20) 의 표면 (23) 에 존재하는 오목상 또는 볼록상의 결함이 대용된다.
또, 도전층 (22) 을 형성하는 공정 S103 은, 다층막 (30) 을 성막하는 공정 S104 ∼ S108 이후에 실시되어도 되고, 그 순서에 제한은 없다.
[제 4 실시형태]
본 실시형태는, 상기의 마스크 블랭크 (10) 의 품질 관리 방법에 관한 것이다. 또한, 상기의 마스크 블랭크 (10A) 의 품질 관리 방법도 동일하다.
도 10 은, 본 발명의 제 4 실시형태에 의한 마스크 블랭크의 품질 관리 방법의 플로우 차트이다.
마스크 블랭크 (10) 의 품질 관리 방법은, 임시 기준 마크 (40) 의 위치를 기준 위치로 하여, 기판 (20) 의 표면 (23) 의 결함 위치를 특정하는 제 1 특정 공정 S201 을 갖는다.
제 1 특정 공정 S201 은, 특정 정밀도를 향상시키기 때문에, 기판 (20) 의 표면 (23) 에 다층막 (30) 을 성막하는 공정 S104 ∼ S108 (도 9 참조) 전 (보다 상세하게는, 최초의 층을 성막하는 공정 S104 전) 에 실시된다. 또한, 제 1 특정 공정 S201 은, 임시 기준 마크 (40) 를 이용하기 때문에, 임시 기준 마크 (40) 를 형성하는 공정 S102 (도 9 참조) 이후에 실시된다.
제 1 특정 공정 S201 에서는, 결함 위치를 특정함과 함께, 결함의 종류 (예를 들어, 오목상, 볼록상의 구별) 를 특정해도 된다. 결함에 관한 정보는, 기록 매체에 기록된다. 또한, 결함이 없는 경우, 결함이 없다는 내용의 정보가 기록 매체에 기록된다.
결함 위치를 특정하는 방법은, 일반적인 것이어도 되고, 예를 들어 시험체 (기판 (20)) 의 표면에서 자외선, 진공 자외선, 연 X 선 등의 스폿광을 주사하고, 시험체로부터의 산란광을 수광하여, 결함 위치를 특정하는 방법 등이 있다. 산란광 대신에, 반사광 또는 투과광이 사용되어도 된다.
마스크 블랭크 (10) 의 품질 관리 방법은, 다층막 (30) 의 성막 도중에, 임시 기준 마크 (40) 의 위치를 기준 위치로 하여, 다층막 (30) 중 적어도 1 층의 결함 위치를 특정하는 제 2 특정 공정 S202 를 추가로 가져도 된다.
제 2 특정 공정 S202 는, 예를 들어 도 10 에 나타내는 바와 같이, 반사층 (31), 보호층 (32) 및 버퍼층 (33) 의 결함 위치를 특정하는 공정이어도 된다. 이 경우, 임시 기준 마크 (40) 의 위치로서, 버퍼층 (33) 에 전사한 임시 기준 마크 (43) 의 위치가 사용된다.
제 2 특정 공정 S202 는, 반사층 (31), 보호층 (32) 및 버퍼층 (33) 을 형성하는 공정 S104, S105, S106 (도 9 참조) 이후로서, 흡수층 (34) 을 형성하는 공정 S107 (도 9 참조) 전에 실시된다.
또한, 반사층 (31), 보호층 (32) 및 버퍼층 (33) 은, 일반적으로, 연속적으로 성막되는 경우가 많기 때문에, 결함 위치를 합쳐 특정하는 것으로 했지만, 본 발명은 이것에 한정되지 않는다. 예를 들어, 반사층 (31) 의 결함 위치를, 보호층 (32) 의 형성 전에 특정해도 되고, 보호층 (32) 의 결함 위치를, 버퍼층 (33) 의 형성 전에 특정해도 된다.
제 2 특정 공정 S202 에서는, 결함 위치를 특정함과 함께, 결함의 종류 (예를 들어, 오목상, 볼록상의 구별) 를 특정해도 된다. 결함에 관한 정보는, 기록 매체에 기록된다. 또한, 결함이 없는 경우, 결함이 없다는 내용의 정보가, 기록 매체에 기록된다.
결함 위치를 특정하는 방법은, 제 1 특정 공정 S201 에서 사용되는 방법과 마찬가지 방법이어도 된다.
마스크 블랭크 (10) 의 품질 관리 방법은, 임시 기준 마크 (40) 의 위치를 기준 위치로 하여 다층막 (30) 중 다른 층의 결함 위치를 특정하는 제 3 특정 공정 S203 을 추가로 가져도 된다.
제 3 특정 공정 S203 은, 예를 들어 도 10 에 나타내는 바와 같이, 흡수층 (34) 및 저반사층 (35) 의 결함 위치를 특정하는 공정이면 된다. 이 경우, 임시 기준 마크 (40) 의 위치로서, 저반사층 (35) 에 전사한 임시 기준 마크 (45) 의 위치가 사용된다.
제 3 특정 공정 S203 은, 저반사층 (35) 을 형성하는 공정 S108 (도 9 참조) 이후로서, 기준 마크 (50) 를 형성하는 공정 S109 (도 9 참조) 전에 실시된다.
또한, 흡수층 (34) 과 저반사층 (35) 은, 일반적으로, 연속적으로 성막되는 경우가 많기 때문에, 결함 위치를 합쳐 특정하는 것으로 했지만, 본 발명은 이것에 한정되지 않는다. 예를 들어, 흡수층 (34) 의 결함의 위치를, 저반사층 (35) 의 형성 전에 특정해도 된다.
제 3 특정 공정 S203 에서는, 결함 위치를 특정함과 함께, 결함의 종류 (예를 들어, 오목상, 볼록상의 구별) 를 특정해도 된다. 결함에 관한 정보는, 기록 매체에 기록된다. 또한, 결함이 없는 경우, 결함이 없다는 내용의 정보가, 기록 매체에 기록된다.
결함 위치를 특정하는 방법은, 제 1 특정 공정 S201 에서 사용되는 방법과 마찬가지 방법이어도 된다.
마스크 블랭크 (10) 의 품질 관리 방법은, 임시 기준 마크 (40) 의 위치 (보다 상세하게는, 다층막 (30) 의 최상층에 전사한 임시 기준 마크 (45) 의 위치) 와, 기준 마크 (50) 의 위치의 위치 관계를 검출하는 검출 공정 S204 를 추가로 갖는다. 검출 공정 S204 는, 기준 마크 (50) 를 이용하기 때문에, 기준 마크 (50) 를 형성하는 공정 S109 (도 9 참조) 이후에 실시된다.
임시 기준 마크 (45) 의 위치와, 기준 마크 (50) 의 위치의 위치 관계를 검출하는 방법은, 제 1 특정 공정 S201 에서 사용되는 결함 위치의 특정 방법과 마찬가지여도 된다.
마스크 블랭크 (10) 의 품질 관리 방법은, 제 1 ∼ 제 3 특정 공정 S201 ∼ S203 에서 특정된 결함 위치를, 검출 공정 S204 에서의 검출 결과에 기초하여, 기준 마크 (50) 의 위치를 기준 위치로 하는 위치로 환산하는 환산 공정 S205 를 추가로 갖는다. 기준 마크 (50) 의 위치를 기준 위치로 하여 특정된 결함 위치 정보는, 기록 매체에 기록되고, 포토마스크 (100) 의 제조 공정에서 사용된다.
이와 같이, 본 실시형태에서는, 제 1 특정 공정 S201 에 있어서, 기판 (20) 의 결함 위치를, 기판 (20) 상에 다층막 (30) 을 성막하기 전에 특정하기 때문에, 특정 정밀도가 양호하다. 또, 제 2 특정 공정 S202 에 있어서, 다층막 (30) 중 적어도 1 층의 결함 위치를, 다층막 (30) 의 성막 도중에 특정하기 때문에, 특정 정밀도가 양호하다.
또한, 본 실시형태의 품질 관리 방법은, 제 1 특정 공정 S201 과, 제 2 특정 공정 S202 의 양방을 갖는 것으로 했지만, 어느 편방만을 가져도 된다. 어느 편방을 갖고 있으면, 특정 정밀도가 향상된다.
특정된 결함 위치는, 임시 기준 마크 (40) 와 기준 마크 (50) 의 위치 관계에 기초하여, 기준 마크 (50) 의 위치를 기준 위치로 하는 위치로 환산되고, 포토마스크 (100) 의 제조 공정에 제공된다.
포토마스크 (100) 의 제조 공정에서 사용되는 전자선 묘화 장치, 좌표 측정 장치나 마스크 외관 검사 장치는, 반사 전자선이나 반사 자외선을 검출하여, 기준 마크 (50) 의 위치를 고정밀도로 검출할 수 있고, 마스크 블랭크 (10) 의 공급원으로부터 제공된 정보에 기초하여, 결함 위치를 고정밀도로 알 수 있다.
또한, 본 실시형태의 품질 관리 방법에서는, 흡수층 (34) 및 저반사층 (35) 의 결함 위치를 특정하는 제 3 특정 공정 S203 이, 기준 마크 (50) 를 형성하는 공정 S109 (도 9 참조) 전에 실시되는 것으로 했지만, 공정 S109 이후에 실시되어도 된다. 이 경우, 제 3 특정 공정 S203 에서는, 임시 기준 마크 (40) 대신에, 기준 마크 (50) 의 위치를 기준 위치로 하여 결함 위치를 특정할 수 있고, 특정 정밀도가 향상된다.
[제 5 실시형태]
상기 제 1 실시형태에서는, 기준 마크 (50) 가, 임시 기준 마크 (40) 로부터 충분히 떨어진 위치에 형성되어 있다.
이에 반하여, 본 실시형태에서는, 기준 마크가, 평면에서 볼 때 임시 기준 마크와 겹치도록 형성되어 있다.
이하, 본 실시형태에 의한 마스크 블랭크의 구성에 대해 설명하지만, 임시 기준 마크 및 기준 마크의 형상 이외의 구성에 대해서는, 제 1 실시형태와 동일한 구성이기 때문에, 설명을 생략한다.
도 11 은, 본 발명의 제 5 실시형태에 의한 EUVL 용 마스크 블랭크의 단면도이다.
임시 기준 마크 (40) 는, 기판 (20) 의 표면 (23) 에 오목상 또는 볼록상 (본 실시형태에서는, 오목상) 으로 형성되어 있다. 또, 기준 마크 (50B) 는, 다층막 (30) 의 표면 (36) 에 오목상 또는 볼록상 (본 실시형태에서는 오목상) 으로 형성되어 있고, 또한, 평면에서 볼 때 임시 기준 마크 (40) 와 겹치도록 형성되어 있다.
그 때문에, 마스크 블랭크 (10A) 의 품질 관리 방법에 있어서, 임시 기준 마크 (40) 와 기준 마크 (50A) 의 위치 관계를 검출하는 검출 공정 S204 (도 10 참조), 검출 공정 S204 에 계속해서 실시되는 환산 공정 S205 (도 10 참조) 가 불필요해진다.
오목상의 기준 마크 (50B) 는, 도 11 에 나타내는 바와 같이, 다층막 (30) 중, 적어도, 최상층 (기판 (20) 측과 반대측의 최표층) 을 관통하도록 형성되어 있다. 따라서, 상기 제 1 실시형태와 마찬가지로, 기준 마크 (50B) 의 표면 (51B, 52B) 의 일부 (52B) 가, 다층막 (30) 의 최상층과 상이한 재료로 구성되기 때문에, 기준 마크 (50B) 의 위치를 반사 전자선이나 반사 자외선으로 고정밀도로 검출할 수 있다.
오목상의 기준 마크 (50B) 의 내바닥면 (52B) 에는, 임시 기준 마크 (40) 의 영향으로, 반사층 (31), 보호층 (32), 버퍼층 (33), 및 흡수층 (34) 이 노출되어 있어도 된다.
이상, 본 발명의 제 1 ∼ 제 5 실시형태에 대해 설명했지만, 본 발명은, 상기의 실시형태에 제한되지 않는다. 본 발명의 범위를 일탈하지 않고, 상기의 실시형태에 여러 가지 변형이나 치환을 가할 수 있다.
예를 들어, 상기 실시형태의 다층 기판은, EUVL 용 마스크 블랭크인 것으로 했지만, 반사 전자선, 반사 자외선, 연 X 선 등을 사용하여 기준 위치를 검출하는 것이면, 특별히 한정되지 않는다.
또, 상기 실시형태에 있어서, 임시 기준 마크의 형상과, 기준 마크의 형상의 조합에 제한은 없어, 볼록상의 임시 기준 마크와, 오목상의 기준 마크를 조합하여 사용해도 되고, 오목상의 임시 기준 마크와 볼록상의 기준 마크를 조합하여 사용해도 된다.
본 출원은, 2011년 3월 7일에 출원된 일본 특허출원 2011-049414 에 기초하는 것으로서, 그 내용은 여기에 참조로서 받아들여진다.
10 : 다층 기판 (EUVL 용 마스크 블랭크)
20 : 기판
30 : 다층막
31 : 반사층
32 : 보호층
33 : 버퍼층
34 : 흡수층
35 : 저반사층
36 : 다층막 표면
40 : 임시 기준 마크
50 : 기준 마크
51 : 기준 마크의 단차면
52 : 기준 마크의 오프셋면 (내바닥면)
100 : 포토마스크

Claims (13)

  1. 기판과, 그 기판 상에 형성되는 다층막을 갖는 다층 기판에 있어서,
    상기 다층막의 상기 기판측과 반대측의 표면에는, 상기 다층 기판의 기준 위치를 나타내는 오목상의 기준 마크가 형성되어 있고,
    그 기준 마크의 표면의 적어도 일부의 재료와, 상기 다층막의 상기 기판측과 반대측의 최표층의 재료가 상이하고,
    상기 오목상의 기준 마크는 상기 다층막 중, 적어도 상기 최표층을 관통하여 형성되어 있고,
    상기 오목상의 기준 마크의 내바닥면은 다층막을 구성하는 복수의 기능층의 1 층을 포함하는, 다층 기판.
  2. 삭제
  3. 삭제
  4. 제 1 항에 있어서,
    상기 다층 기판은 EUVL 용 마스크 블랭크이고, 상기 다층막은, 상기 기판측으로부터, EUV 광을 반사하는 반사층과, EUV 광을 흡수하는 흡수층을 이 순서로 갖는, 다층 기판.
  5. 기판과, 그 기판 상에 형성되는 다층막을 갖는 다층 기판의 제조 방법에 있어서,
    상기 다층막의 상기 기판측과 반대측의 표면에, 상기 다층 기판의 기준 위치를 나타내는 오목상의 기준 마크를 형성하는 공정을 구비하고,
    그 기준 마크의 표면의 적어도 일부의 재료와, 상기 다층막의 상기 기판측과 반대측의 최표층의 재료가 상이하고,
    상기 오목상의 기준 마크는 상기 다층막 중, 적어도 상기 최표층을 관통하여 형성되어 있고,
    상기 오목상의 기준 마크의 내바닥면은 다층막을 구성하는 복수의 기능층의 1 층을 포함하는, 다층 기판의 제조 방법.
  6. 삭제
  7. 삭제
  8. 제 5 항에 있어서,
    상기 다층 기판은 EUVL 용 마스크 블랭크이고, 상기 다층막은 상기 기판측으로부터, EUV 광을 반사하는 반사층과, EUV 광을 흡수하는 흡수층을 이 순서로 갖는, 다층 기판의 제조 방법.
  9. 기판과, 그 기판 상에 형성되는 다층막을 갖는 다층 기판으로서, 상기 다층막의 상기 기판측과 반대측의 표면에는, 상기 다층 기판의 기준 위치를 나타내는 오목상 또는 볼록상의 기준 마크가 형성되어 있는 다층 기판의 품질 관리 방법으로서,
    상기 기판 상에 상기 다층막을 성막하기 전에, 상기 기판 상에 있는 오목상 또는 볼록상의 임시 기준 마크의 위치를 기준 위치로 하여, 상기 기판 상에 있는 결함 위치를 특정하는 공정 및 상기 다층막의 성막 도중에, 상기 기판 상에 있는 오목상 또는 볼록상의 임시 기준 마크의 위치를 기준 위치로 하여, 상기 다층막 중 적어도 1 층의 결함 위치를 특정하는 공정 중 적어도 하나를 포함하는 특정 공정과,
    상기 임시 기준 마크와 상기 기준 마크의 위치 관계를 검출하는 검출 공정과,
    상기 특정 공정에 있어서 특정한 결함 위치를, 상기 검출 공정의 결과에 기초하여, 상기 기준 마크의 위치를 기준 위치로 하는 위치로 환산하는 환산 공정을 구비하고,
    상기 기준 마크의 표면의 적어도 일부의 재료와, 상기 다층막의 상기 기판측과 반대측의 최표층의 재료가 상이한, 다층 기판의 품질 관리 방법.
  10. 기판과, 그 기판 상에 형성되는 다층막을 갖는 다층 기판으로서, 상기 다층막의 상기 기판측과 반대측의 표면에는, 상기 다층 기판의 기준 위치를 나타내는 오목상 또는 볼록상의 기준 마크가 형성되어 있는 다층 기판의 품질 관리 방법으로서,
    상기 기판 상에 상기 다층막을 성막하기 전에, 상기 기판 상에 있는 오목상 또는 볼록상의 임시 기준 마크의 위치를 기준 위치로 하여, 상기 기판 상에 있는 결함 위치를 특정하는 공정 및 상기 다층막의 성막 도중에, 상기 기판 상에 있는 오목상 또는 볼록상의 임시 기준 마크의 위치를 기준 위치로 하여, 상기 다층막 중 적어도 1 층의 결함 위치를 특정하는 공정 중 적어도 하나를 포함하는 특정 공정을 구비하고,
    상기 기준 마크는, 평면에서 볼 때, 상기 임시 기준 마크와 겹치도록 형성되어 있고, 상기 기준 마크의 표면의 적어도 일부의 재료와, 상기 다층막의 상기 기판측과 반대측의 최표층의 재료가 상이한, 다층 기판의 품질 관리 방법.
  11. 제 9 항 또는 제 10 항에 있어서,
    상기 기준 마크는, 오목상으로 형성되고, 상기 다층막 중, 적어도 상기 최표층을 관통하여 형성되어 있는, 다층 기판의 품질 관리 방법.
  12. 제 9 항 또는 제 10 항에 있어서,
    상기 기준 마크는, 볼록상으로 형성되고, 상기 다층막의 상기 최표층 상에, 그 최표층과는 상이한 재료를 적층하여 형성되어 있는, 다층 기판의 품질 관리 방법.
  13. 제 9 항 또는 제 10 항에 있어서,
    상기 다층 기판은, EUVL 용 마스크 블랭크이고, 상기 다층막은, 상기 기판측으로부터, EUV 광을 반사하는 반사층과, EUV 광을 흡수하는 흡수층을 이 순서로 갖는, 다층 기판의 품질 관리 방법.
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KR1020137015236A KR101904560B1 (ko) 2011-03-07 2012-03-02 다층 기판, 다층 기판의 제조 방법, 다층 기판의 품질 관리 방법

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Families Citing this family (15)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP5935804B2 (ja) 2011-09-01 2016-06-15 旭硝子株式会社 反射型マスクブランク及び反射型マスクブランクの製造方法
WO2013156086A1 (en) * 2012-04-20 2013-10-24 Hewlett-Packard Development Company, L.P. Adaptive pattern generation
WO2014050891A1 (ja) 2012-09-28 2014-04-03 旭硝子株式会社 Ｅｕｖリソグラフィ用反射型マスクブランクおよびその製造方法、ならびにｅｕｖリソグラフィ用反射型マスクおよびその製造方法
JP5712336B2 (ja) * 2012-12-28 2015-05-07 Hoya株式会社 マスクブランク用基板、多層反射膜付き基板、反射型マスクブランク、反射型マスク、マスクブランク用基板の製造方法及び多層反射膜付き基板の製造方法並びに半導体装置の製造方法
US20140272684A1 (en) * 2013-03-12 2014-09-18 Applied Materials, Inc. Extreme ultraviolet lithography mask blank manufacturing system and method of operation therefor
JP6287099B2 (ja) * 2013-05-31 2018-03-07 旭硝子株式会社 Ｅｕｖリソグラフィ用反射型マスクブランク
US9612522B2 (en) * 2014-07-11 2017-04-04 Applied Materials, Inc. Extreme ultraviolet mask blank production system with thin absorber and manufacturing system therefor
JP6425951B2 (ja) * 2014-09-17 2018-11-21 Hoya株式会社 反射型マスクブランク及びその製造方法、反射型マスクの製造方法、並びに半導体装置の製造方法
KR102499220B1 (ko) * 2014-09-17 2023-02-13 호야 가부시키가이샤 반사형 마스크 블랭크 및 그 제조 방법, 반사형 마스크 및 그 제조 방법, 및 반도체 장치의 제조 방법
JP6586934B2 (ja) 2015-09-17 2019-10-09 Ａｇｃ株式会社 反射型マスクブランク、及び反射型マスクブランクの製造方法
JP2017075997A (ja) * 2015-10-13 2017-04-20 旭硝子株式会社 反射型マスクブランク、及び反射型マスクブランクの製造方法
US10254640B2 (en) * 2016-02-16 2019-04-09 AGC Inc. Reflective element for mask blank and process for producing reflective element for mask blank
KR102487841B1 (ko) * 2018-03-14 2023-01-11 삼성전자주식회사 반도체 패키지
TW202141165A (zh) 2020-03-27 2021-11-01 美商應用材料股份有限公司 極紫外光遮罩吸收材料
US11852965B2 (en) 2020-10-30 2023-12-26 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Extreme ultraviolet mask with tantalum base alloy absorber

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2000077305A (ja) * 1998-08-31 2000-03-14 Nikon Corp 反射マスクおよびｘ線投影露光装置

Family Cites Families (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2004193269A (ja) * 2002-12-10 2004-07-08 Hitachi Ltd マスクの製造方法および半導体集積回路装置の製造方法
JP2004266300A (ja) * 2004-06-21 2004-09-24 Canon Inc 反射型マスク
WO2008129914A1 (ja) * 2007-04-17 2008-10-30 Asahi Glass Company, Limited Ｅｕｖマスクブランク
JP5039495B2 (ja) * 2007-10-04 2012-10-03 ルネサスエレクトロニクス株式会社 マスクブランク検査方法、反射型露光マスクの製造方法、反射型露光方法および半導体集積回路の製造方法
JP2010219445A (ja) * 2009-03-18 2010-09-30 Nuflare Technology Inc 荷電粒子ビーム描画方法、荷電粒子ビーム描画用の基準マークの位置検出方法及び荷電粒子ビーム描画装置
WO2010110237A1 (ja) * 2009-03-26 2010-09-30 Hoya株式会社 反射型マスク用多層反射膜付基板及び反射型マスクブランク並びにそれらの製造方法
KR101993322B1 (ko) * 2011-09-28 2019-06-26 호야 가부시키가이샤 마스크블랭크용 유리기판, 다층 반사막 부착 기판, 마스크블랭크 및 마스크, 그리고 그것들의 제조방법

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2000077305A (ja) * 1998-08-31 2000-03-14 Nikon Corp 反射マスクおよびｘ線投影露光装置

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